東北大学研究者紹介

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オオノ　ユタカ

大野　裕

Yutaka Ohno

所属

金属材料研究所　材料分析研究コア

職名

特任研究員

学位

博士（理学）（大阪大学）
修士（工学）（大阪大学）

researchmap

https://researchmap.jp/yutakaohno

J-GLOBAL ID

200901061989169898

ORCID

https://orcid.org/0000-0003-3998-4409

Researcher ID

C-1908-2009

学歴 2

大阪大学　基礎工学研究科　物理系専攻

～ 1992年3月25日
大阪大学　基礎工学部　物性物理工学科

～ 1990年3月24日

委員歴 12

（社）電子実装工学研究所接合界面創成技術研究会　外部学会委員

2020年5月～継続中
29th International Conference on Defects in Semiconductors　International Programme Committee & Local Program Subcommittee

2016年6月～ 2017年8月
日本物理学会第71回年次大会実行委員会　会計

2015年2月～ 2016年3月
25th International Conference on Defects in Semiconductors　International Programme Committee

2008年4月～ 2009年7月
日本顕微鏡学会　第78回学術講演会プログラム委員

2022年5月～
日本学術振興会接合界面創成技術第１９１委員会　委員

2017年2月～ 2020年9月
日本物理学会　Webページ管理者（領域１０）

2005年4月～ 2017年3月
日本物理学会　領域10「格子欠陥・ナノ構造」領域運営委員

2010年10月～ 2011年9月
大阪大学　大阪大学季刊「大阪大学低温センターだより」編集委員

2002年4月～ 2006年12月
日本物理学会　領域10「格子欠陥・ナノ構造」分科世話人

2004年5月～ 2005年4月
日本電子顕微鏡学会　電子顕微鏡の周辺機器の活用・開発とその応用に関する研究部会幹事

1998年4月～ 1999年3月
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells　Local Steering Committee

2018年4月～

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所属学協会 2

応用物理学会
日本顕微鏡学会

研究分野 3

ナノテク・材料 / 結晶工学 /
ナノテク・材料 / 複合材料、界面 /
エネルギー / 地球資源工学、エネルギー学 / 太陽電池

受賞 14

第45回応用物理学会論文賞「応用物理学会優秀論文賞」

2024年3月　応用物理学会　Insight into segregation sites for oxygen impurities at grain boundaries in silicon
Best Presentation Award

2021年10月　7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　Fabrication of Ga2O3/Si direct bonding interface for high power device applications
Best Presentation Award

2019年5月　6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature
イノべイティブＰＶ賞

2017年7月21日　日本学術振興会産学協力研究委員会次世代の太陽光発電システム第175委員会　多結晶材料情報学によるスマートシリコンインゴットの創製に向けて
発表奨励賞

2012年4月27日　第4回窒化物半導体結晶成長学会　AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入と伝搬挙動の観察
Best Student Presentation Award

2021年10月　7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device
Best Poster Presentation Award

2019年5月　6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application
最優秀ポスター賞

2017年5月26日　東北大学・金属材料研究所第133回講演会　データ科学的手法を用いた効率的なマッピングの提案
優秀学生発表賞

2012年3月6日　東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　ゲルマニウム結晶中の転位動特性に対する不純物の影響
優秀学生発表賞

2012年3月6日　東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　赤外吸収法による熱処理Ge単結晶中の格子間酸素の析出挙動の解明
発表奨励賞

2011年12月16日　応用物理学会・結晶工学分科会　多結晶シリコン中の酸素・炭素不純物の結晶育成方向に対する分布の解析
発表奨励賞

2011年12月16日　応用物理学会・結晶工学分科会　シリコン結晶中の人工粒界の成長-CZ, FZ, ブリッジマン成長での比較-
優秀研究発表賞

2011年5月24日　東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出の研究
優秀ポスター賞

2007年5月24日　東北大学・金属材料研究所第１１３回講演会　AlGaAs薄膜中の多重双晶の電子状態

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論文 125

Multicrystalline Informatics Applied to Multicrystalline Silicon for Unraveling the Microscopic Root Cause of Dislocation Generation 査読有り

Kenta Yamakoshi [Co-1st], Yutaka Ohno [Co-1st], Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Tatsuya Yokoi, Hideto Yoshida, Hiroyuki Tanaka, Xin Liu, Hiroaki Kudo, Noritaka Usami

Advanced Materials　2023年12月10日
出版者・発行元： Wiley
DOI： 10.1002/adma.202308599 　

ISSN：0935-9648

eISSN：1521-4095

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Abstract A comprehensive analysis of optical and photoluminescence images obtained from practical multicrystalline silicon wafers is conducted, utilizing various machine learning models for dislocation cluster region extraction, grain segmentation, and crystal orientation prediction. As a result, a realistic 3D model that includes the generation point of dislocation clusters is built. Finite element stress analysis on the 3D model coupled with crystal growth simulation reveals inhomogeneous and complex stress distribution and that dislocation clusters are frequently formed along the slip plane with the highest shear stress among twelve equivalents, concentrated along bending grain boundaries (GBs). Multiscale analysis of the extracted GBs near the generation point of dislocation clusters combined with ab initio calculations has shown that the dislocation generation due to the concentration of shear stress is caused by the nanofacet formation associated with GB bending. This mechanism cannot be captured by the Haasen‐Alexander‐Sumino model. Thus, this research method reveals the existence of a dislocation generation mechanism unique to the multicrystalline structure. Multicrystalline informatics linking experimental, theoretical, computational, and data science on multicrystalline materials at multiple scales is expected to contribute to the advancement of materials science by unraveling complex phenomena in various multicrystalline materials.
High Thermal Stability and Low Thermal Resistance of Large Area GaN/3C‐SiC/Diamond Junctions for Practical Device Processes 査読有り

Ryo Kagawa, Zhe Cheng, Keisuke Kawamura, Yutaka Ohno, Chiharu Moriyama, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

Small　2023年11月14日
出版者・発行元： Wiley
DOI： 10.1002/smll.202305574 　

ISSN：1613-6810

eISSN：1613-6829

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Abstract Thermal management is critical in contemporary electronic systems, and integrating diamond with semiconductors offers the most promising solution to improve heat dissipation. However, developing a technique that can fully exploit the high thermal conductivity of diamond, withstand high‐temperature annealing processes, and enable mass production is a significant challenge. In this study, the successful transfer of AlGaN/GaN/3C‐SiC layers grown on Si to a large‐size diamond substrate is demonstrated, followed by the fabrication of GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on the diamond. Notably, no exfoliation of 3C‐SiC/diamond bonding interfaces is observed even after annealing at 1100 °C, which is essential for high‐quality GaN crystal growth on the diamond. The thermal boundary conductance of the 3C‐SiC‐diamond interface reaches ≈55 MW m⁻² K⁻¹, which is efficient for device cooling. GaN HEMTs fabricated on the diamond substrate exhibit the highest maximum drain current and the lowest surface temperature compared to those on Si and SiC substrates. Furthermore, the device thermal resistance of GaN HEMTs on the diamond substrate is significantly reduced compared to those on SiC substrates. These results indicate that the GaN/3C‐SiC on diamond technique has the potential to revolutionize the development of power and radio‐frequency electronics with improved thermal management capabilities.
High thermal conductivity in wafer-scale cubic silicon carbide crystals 査読有り

Zhe Cheng, Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Hao Zhou, Hidetoshi Asamura, Hiroki Uratani, Janak Tiwari, Samuel Graham, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Tianli Feng, Naoteru Shigekawa, David G. Cahill

Nature Communications　13　(1)　2022年11月23日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41467-022-34943-w 　

eISSN：2041-1723

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Abstract High thermal conductivity electronic materials are critical components for high-performance electronic and photonic devices as both active functional materials and thermal management materials. We report an isotropic high thermal conductivity exceeding 500 W m⁻¹K⁻¹ at room temperature in high-quality wafer-scale cubic silicon carbide (3C-SiC) crystals, which is the second highest among large crystals (only surpassed by diamond). Furthermore, the corresponding 3C-SiC thin films are found to have record-high in-plane and cross-plane thermal conductivity, even higher than diamond thin films with equivalent thicknesses. Our results resolve a long-standing puzzle that the literature values of thermal conductivity for 3C-SiC are lower than the structurally more complex 6H-SiC. We show that the observed high thermal conductivity in this work arises from the high purity and high crystal quality of 3C-SiC crystals which avoids the exceptionally strong defect-phonon scatterings. Moreover, 3C-SiC is a SiC polytype which can be epitaxially grown on Si. We show that the measured 3C-SiC-Si thermal boundary conductance is among the highest for semiconductor interfaces. These findings provide insights for fundamental phonon transport mechanisms, and suggest that 3C-SiC is an excellent wide-bandgap semiconductor for applications of next-generation power electronics as both active components and substrates.
Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design 査読有り

Jianbo Liang, Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Seong‐Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Advanced Materials　33　(43)　2104564/1-2104564/13　2021年9月9日
出版者・発行元： Wiley
DOI： 10.1002/adma.202104564 　

ISSN：0935-9648

eISSN：1521-4095
Chemical bonding at room temperature via surface activation to fabricate low-resistance GaAs/Si heterointerfaces 査読有り

Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, S. Takeda, R. Miyagawa, Y. Shimizu, Y. Nagai

Applied Surface Science　525　146610/1-146610/5　2020年9月
出版者・発行元：
DOI： 10.1016/j.apsusc.2020.146610 　

ISSN：0169-4332
Fabrication of low thermal resistance 3C-SiC/diamond structure for GaN epitaxial layer growth

Ryo Kagawa, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

Functional Diamond　2024年12月31日

DOI： 10.1080/26941112.2024.2337352 　
Mechanism of SiC formation by Si surface carbonization using CO gas

Momoko Deura, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Hiroyuki Fukuyama

Applied Surface Science　159965-159965　2024年3月
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.apsusc.2024.159965 　

ISSN：0169-4332
Characterization of Ga-face/Ga-face and N-face/N-face interfaces with antiparallel polarizations fabricated by surface-activated bonding of freestanding GaN wafers 査読有り

Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics　62　(SN)　SN1013-SN1013　2023年9月13日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/acf382 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

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Abstract Electrical properties of heterojunctions of group-III nitrides are largely sensitive to interface charges due to the discontinuity of polarizations. By means of surface-activated bonding of double-side polished freestanding GaN (0001) wafers, we fabricate Ga-face/Ga-face and N-face/N-face interfaces with antiparallel spontaneous polarizations, i.e. interfaces with the greatest discontinuity of polarizations, to investigate their electrical and nanostructural properties. Built-in potential of N-face/N-face interface is smaller than that of Ga-face/Ga-face interface after a post-bonding annealing at 600 °C. The difference in built-in potentials between the two antiparallel polarized interfaces is analyzed in the framework of charge-neutrality-level model with effects of antiparallel polarizations incorporated, and the density of interface states is roughly estimated. The leak is enhanced in both Ga-face/Ga-face and N-face/N-face interfaces by annealing at higher temperatures. Contribution of defects observed in the vicinity of bonding interfaces is suggested.
Room temperature bonding of GaN and diamond via a SiC layer 査読有り

A. Kobayashi, H. Tomiyama, Y. Ohno, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

Functional Diamond　2　(1)　142-150　2022年12月

DOI： 10.1080/26941112.2022.2145508 　
Heterojunctions fabricated by surface activated bonding–dependence of their nanostructural and electrical characteristics on thermal process 査読有り

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　61　(12)　120101-120101　2022年11月14日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac993f 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

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Abstract Recent achievements in the research of heterojunctions fabricated using surface activated bonding (SAB), one of the practically useful direct wafer bonding technologies, are discussed. The response of bonding interfaces to post-bonding annealing is focused. These junctions reveal high thermal tolerance (1000 °C in the case of junctions made of widegap materials) despite differences in coefficients of thermal expansion between bonded materials. Defect layers with several nm thickness formed by the surface activation process at the as-bonded interfaces get faint and their electrical and mechanical properties are improved by annealing. These results show that as-bonded interfaces are in a metastable state, and novel functional devices are likely to be realized by applying wafer processing steps to SAB-based junctions. Characteristics of III–V//Si multijunction solar cells, GaN-on-diamond high electron mobility transistors, and metal-foil based low-loss interconnects that are fabricated by processing SAB-based junctions are described, and future prospects are presented.
Study on electrical activity of grain boundaries in silicon through systematic control of structural parameters and characterization using a pretrained machine learning model 査読有り

Yusuke Fukuda, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Yutaka Ohno, Noritaka Usami

Journal of Applied Physics　132　(2)　025102-025102　2022年7月14日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0086193 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

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We report on the effects of grain boundary (GB) structures on the carrier recombination velocity at GB ( v_GB) in multicrystalline Si (mc-Si). The fabricated artificial GBs and an originally developed machine learning model allowed an investigation of the effect of three macroscopic parameters, misorientation angle α for Σ values, asymmetric angle β, and deviation angle θ from the ingot growth direction. Totally, 13 GBs were formed by directional solidification using multi-seeds with controlled crystal orientations. v_GB was evaluated directly from photoluminescence intensity profiles across GBs using a pre-trained machine learning model, which allowed a quantitative and continuous evaluation along GBs. The evaluation results indicated that the impact of θ on v_GB would be relatively large among the three macroscopic parameters. In addition, the results for the Σ5 and Σ13 GBs suggested that the minimum v_GB would be related to the GB energy. These results were discussed in terms of the complexity of the local reconstruction of GB structures. The deviation would make a more complex reconstructed GB structure with local distortion, resulting in an increase in the electrical activity of GBs. The obtained knowledge will contribute to improving various polycrystalline materials through a comprehensive understanding of the relationship between GB structures and their properties.
Fabrication of β-Ga₂O₃/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications 査読有り

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Masataka Higashiwaki, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics　61　(SF)　SF1001-SF1001　2022年6月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac4c6c 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

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Abstract In this work, we fabricated Ga₂O₃(001)/Si(100) and Ga₂O₃(010)/Si(100) heterointerfaces by surface activated bonding at room temperature and investigated the effect of Si thickness on the thermal stability of the heterointerfaces by heating the bonding samples at different temperatures. The heterointerface with a thin Si exhibited a good thermal stability at 1000 °C. A 4 nm thick intermediate layer with a uniform thickness was formed at the as-bonded Ga₂O₃(001)/Si(100) heterointerface, but for the as-bonded Ga₂O₃(010)/Si(100) heterointerface, an intermediate layer with a non-uniform thickness was formed. The thickness of both intermediate layers ranged from 3.6 to 5.4 nm and decreased after annealing at 500 °C, followed by an increase after annealing at 1000 °C. The component of the intermediate layer includes Ga, O, and Si atoms.
AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process 査読有り

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Applied Physics Express　15　(4)　041003-041003　2022年4月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/ac5ba7 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786

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Abstract We fabricate AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on diamond substrates by transferring 8 μm heterostructures grown on 3C-SiC/Si templates and subsequently applying the conventional device process steps. No exfoliation of 3C-SiC/diamond bonding interfaces is observed during 800 °C annealing, the essential step for forming ohmic contacts on nitrides. The thermal resistance of HEMTs on diamond is 35% of that of HEMTs on Si, which is assumed to be the origin of smaller negative drain conductance in on-diamond HEMTs. The results imply that the bonding-first process is applicable for fabricating low-thermal-resistance HEMTs with thick nitride layers.
Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding 査読有り

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics　2022年3月11日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac5d11 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

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Abstract Chemical composition around diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature is examined by energy dispersive X-ray spectroscopy under scanning transmission electron microscopy. Iron impurities segregate just on the bonding interfaces, while oxygen impurities segregate off the bonding interfaces in the silicon side by 3-4 nm. Oxygen atoms would segregate so as to avoid the amorphous compound with silicon and carbon atoms, self-organized at the bonding interfaces in the surface activated bonding process. When the bonding interfaces are annealed at 1000 ^oC, the amorphous compound converts into cubic silicon carbide (c-SiC), and nano-voids 5-15 nm in size are formed at the region between silicon and c-SiC, at which the oxygen density is high before annealing. The nano-voids can act as the gettering sites in which metal impurities are preferentially agglomerated, and the impurity gettering would help to improve the electronic properties of the bonding interfaces by annealing.
Cracking process at lineages in Czochralski-grown 36°-RY LiTaO3 ingots 査読有り

Yutaka Ohno, Tomio Kajigaya, Kazutaka Osako, Toshio Kochiya

Journal of Crystal Growth　570　126228/1-126228/5　2021年9月
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2021.126228 　

ISSN：0022-0248
Segregation mechanism of arsenic dopants at grain boundaries in silicon 査読有り

Yutaka Ohno, Tatsuya Yokoi, Yasuo Shimizu, Jie Ren, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Kentaro Kutsukake, Kozo Fujiwara, Atsutomo Nakamura, Katsuyuki Matsunaga, Hideto Yoshida

Science and Technology of Advanced Materials: Methods　1　(1)　169-180　2021年8月20日
出版者・発行元： Informa UK Limited
DOI： 10.1080/27660400.2021.1969701 　

eISSN：2766-0400
Insight into segregation sites for oxygen impurities at grain boundaries in silicon 査読有り

Yutaka Ohno, Jie Ren, Shingo Tanaka, Masanori Kohyama, Koji Inoue, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Hideto Yoshida

Applied Physics Express　14　(4)　041003/1-041003/4　2021年2月19日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/abe80d 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786

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Abstract The three-dimensional distribution of oxygen atoms segregated at Σ9{114} grain boundaries (GBs) in Czochralski-grown silicon ingots is analyzed within a high spatial resolution of less than 0.5 nm by atom probe tomography combined with a focused ion beam (FIB) operated at −150 °C. The analysis reveals a segregation of oxygen atoms within a range of 2.5 nm across the GB plane, which is much narrower in comparison with the previous reports obtained using a conventional FIB. The oxygen concentration profile accurately reflects the distribution of the segregation sites, which exist at bond-centered sites under tensile stresses above 2 GPa, as calculated by ab initio local stress calculations.
Room temperature direct bonding of diamond and InGaP in atmospheric air 査読有り

Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Naoteru Shigekawa

Functional Diamond　1　(1)　110-116　2021年1月2日
出版者・発行元： Informa UK Limited
DOI： 10.1080/26941112.2020.1869435 　

ISSN：2694-1112

eISSN：2694-1120
Origin of recombination activity of non-coherent Σ3{111} grain boundaries with a positive deviation in the tilt angle in cast-grown silicon ingots 査読有り

Yutaka Ohno, Takehiro Tamaoka, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Kentaro Kutsukake, Yasuyoshi Nagai, Noritaka Usami

Applied Physics Express　14　(1)　011002-011002　2021年1月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/abd0a0 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications 査読有り

Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Tianzhuo Zhan, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Kazu Katayama, Takanobu Watanabe, Hideto Yoshida, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

Diamond and Related Materials　111　108207-108207　2020年12月
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.diamond.2020.108207 　

ISSN：0925-9635
Twinning in Czochralski-Grown 36°-RY LiTaO3 Single Crystals 査読有り

Yutaka Ohno, Yuta Kubouchi, Hideto Yoshida, Toshio Kochiya, Tomio Kajigaya

Crystals　10　(11)　1009-1009　2020年11月5日
出版者・発行元： MDPI AG
DOI： 10.3390/cryst10111009 　

ISSN：2073-4352

eISSN：2073-4352

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The origin of twinning during the Czochralski (CZ) growth of 36°-RY lithium tantalate (LiTaO3) single crystals is examined, and it is shown that lineages composed of dislocation arrays act as an initiation site for twinning. Two types of lineages expand roughly along three different {12¯10} planes and two different {11¯00} planes. The former lineages and some latter lineages are composed of two types of mixed-dislocations with different Burgers vectors, while the other lineages are composed of only one type of edge-dislocation. All the dislocations have the Burgers vector of ⟨12¯10⟩ type with the compression side at the +Z side. Twin lamellae on {101¯2} are generated at a lineage during the CZ growth. We have hypothesized that dislocations in the lineage with b = 1/3⟨12¯10⟩ change their extension direction along a slip plane of {101¯2}, and they dissociate into pairs of partial dislocations with b = 1/6⟨22¯01⟩and 1/6⟨02¯21¯⟩ forming twin lamellae on {101¯2}.
Generation of dislocation clusters at triple junctions of random angle grain boundaries during cast growth of silicon ingots 査読有り

Yutaka Ohno, Kazuya Tajima, Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami

Applied Physics Express　13　(10)　105505/1-105505/4　2020年10月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/abbb1c 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management 査読有り

Jianbo Liang, Yutaka Ohno, Yuichiro Yamashita, Yasuo Shimizu, Shinji Kanda, Naoto Kamiuchi, Seongwoo Kim, Koyama Koji, Yasuyoshi Nagai, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

ACS Applied Nano Materials　3　(3)　2455-2462　2020年3月27日
出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/acsanm.9b02558 　

ISSN：2574-0970

eISSN：2574-0970
Impact of focused ion beam on structural and compositional analysis of interfaces fabricated by surface activated bonding 査読有り

Y. Ohno, H. Yoshida, N. Kamiuchi, R. Aso, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics　59　({SB})　2020年2月
出版者・発行元：
DOI： 10.7567/1347-4065/ab4b15 　
Fabrication of diamond/Cu direct bonding for power device applications 査読有り

S. Kanda, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa, J. Liang

Japanese Journal of Applied Physics　59　2020年2月
出版者・発行元：
DOI： 10.7567/1347-4065/ab4f19 　
Insight into physical processes controlling the mechanical properties of the wurtzite group-III nitride family 査読有り

I. Yonenaga, M. Deura, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno

Journal of Crystal Growth　500　23-28　2018年8月
出版者・発行元：
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.08.001 　

ISSN：0022-0248
Interaction of sodium atoms with stacking faults in silicon with different Fermi levels 査読有り

Yutaka Ohno, Haruhiko Morito, Kentaro Kutsukake, Ichiro Yonenaga, Tatsuya Yokoi, Atsutomo Nakamura, Katsuyuki Matsunaga

Applied Physics Express　11　(6)　061303/1-061303/4　2018年6月1日
出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/APEX.11.061303 　

ISSN：1882-0786 1882-0778

eISSN：1882-0786
Mechanical Properties of Cubic-BN(111) Bulk Single Crystal Evaluated by Nanoindentation 査読有り

Momoko Deura, Kentaro Kutsukake, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Takashi Taniguchi

Physica Status Solidi (B) Basic Research　255　(5)　1700473/1-1700473/4　2018年5月1日
出版者・発行元： Wiley-VCH Verlag
DOI： 10.1002/pssb.201700473 　

ISSN：1521-3951 0370-1972
Characterization of femtosecond-laser-induced periodic structures on SiC substrates 査読有り

Reina Miyagawa, Yutaka Ohno, Momoko Deura, Ichiro Yonenaga, Osamu Eryu

Japanese Journal of Applied Physics　57　(2)　2018年2月1日
出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/JJAP.57.025602 　

ISSN：1347-4065 0021-4922
Intrinsic microstructure of Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 査読有り

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics　57　(2)　02BA01/1-02BA01/3　2018年2月1日
出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/JJAP.57.02BA01 　

ISSN：1347-4065 0021-4922
Nanoscopic analysis of oxygen segregation at tilt boundaries in silicon ingots using atom probe tomography combined with TEM and ab initio calculations 査読有り

Y. Ohno, K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

JOURNAL OF MICROSCOPY　268　(3)　230-238　2017年12月

DOI： 10.1111/jmi.12602 　

ISSN：0022-2720

eISSN：1365-2818
Nanoindentation measurements of a highly oriented wurtzite-type boron nitride bulk crystal

Deura Momoko, Kutsukake Kentaro, Ohno Yutaka, Yonenaga Ichiro, Taniguchi Takashi

Jpn. J. Appl. Phys.　56　(3)　030301/1-030301/4　2017年3月1日
出版者・発行元： Institute of Physics
DOI： 10.7567/jjap.56.030301 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Impact of local atomic stress on oxygen segregation at tilt boundaries in silicon 査読有り

Yutaka Ohno, Kaihei Inoue, Kozo Fujiwara, Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Ichiro Yonenaga, Naoki Ebisawa, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Shingo Tanaka, Masanori Kohyama

APPLIED PHYSICS LETTERS　110　(6)　062105/1-062105/5　2017年2月

DOI： 10.1063/1.4975814 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Synthesis of highly-oriented wurtzite-type BN crystal and evaluation of its mechanical properties using nanoindentation 査読有り

M. Deura, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga, T. Taniguchi

Japanese Journal of Applied Physics Rapid Communications　56　(3)　030301/1-030301/4　2017年1月31日

DOI： 10.7567/JJAP.56.030301 　
Recombination activity of nickel, copper, and oxygen atoms segregating at grain boundaries in mono-like silicon crystals 査読有り

Yutaka Ohno, Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Ichiro Yonenaga, Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Hideto Yoshida, Seiji Takeda

APPLIED PHYSICS LETTERS　109　(14)　142105/1-142105/4　2016年10月

DOI： 10.1063/1.4964440 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Characterization of silicon ingots: Mono-like versus high-performance multicrystalline 査読有り

Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(8)　08KD10/1-08KD10/5　2015年8月

DOI： 10.7567/JJAP.54.08KD10 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Elastic properties of indium nitrides grown on sapphire substrates determined by nano-indentation: In comparison with other nitrides 査読有り

Ichiro Yonenaga, Yasushi Ohkubo, Momoko Deura, Kentaro Kutsukake, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Akihiko Yoshikawa, Xin Qiang Wang

AIP ADVANCES　5　(7)　077131/1-077131/13　2015年7月

DOI： 10.1063/1.4926966 　

ISSN：2158-3226
Nanoscopic mechanism of Cu precipitation at small-angle tilt boundaries in Si 査読有り

Yutaka Ohno, Kaihei Inoue, Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Takayuki Ohsawa, Ichiro Yonenaga, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Ryo Taniguchi, Hideki Otubo, Sigeto R. Nishitani, Naoki Ebisawa, Yasuo Shimizu, Hisashi Takamizawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

PHYSICAL REVIEW B　91　(23)　235315/1-235315/5　2015年6月

DOI： 10.1103/PhysRevB.91.235315 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Three-dimensional evaluation of gettering ability for oxygen atoms at small-angle tilt boundaries in Czochralski-grown silicon crystals 査読有り

Yutaka Ohno, Kaihei Inoue, Kozo Fujiwara, Momoko Deura, Kentaro Kutsukake, Ichiro Yonenaga, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Naoki Ebisawa, Yasuyoshi Nagai

APPLIED PHYSICS LETTERS　106　(25)　251603/1-251603/4　2015年6月

DOI： 10.1063/1.4921742 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Optical and electrical properties of dislocations in plastically deformed GaN 査読有り

I. Yonenaga, Y. Ohno, T. Yao, K. Edagawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　403　72-76　2014年10月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2014.06.021 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
How to best measure atomic segregation to grain boundaries by analytical transmission electron microscopy 査読有り

T. Walther, M. Hopkinson, N. Daneu, A. Recnik, Y. Ohno, K. Inoue, I. Yonenaga

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE　49　(11)　3898-3908　2014年6月

DOI： 10.1007/s10853-013-7932-2 　

ISSN：0022-2461

eISSN：1573-4803
Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals 査読有り

I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, R. Gotoh, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　395　94-97　2014年6月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2014.02.052 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
First principles calculations of solution energies of dopants around stacking faults in Si crystal 査読有り

Yosuke Yamamoto, Kensuke Togase, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Shigeto R. Nishitani

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(6)　061302/1-061302/4　2014年6月

DOI： 10.7567/JJAP.53.061302 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
In-situ micro and near-field photo-excitation under transmission electron microscopy 査読有り

Y. Ohno, I. Yonenaga

Applied Surface Science　302　29-31　2014年5月30日
出版者・発行元： Elsevier
DOI： 10.1016/j.apsusc.2013.11.061 　

ISSN：0169-4332
Czochralski growth of heavily indium-doped Si crystals and co-doping effects of group-IV elements 査読有り

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, T. Ohsawa, R. Gotoh, I. Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　393　45-48　2014年5月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.10.033 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
Constitutional supercooling in heavily As-doped Czochralski Si crystal growth 査読有り

Toshinori Taishi, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　393　42-44　2014年5月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.10.037 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
Slip systems in wurtzite ZnO activated by Vickers indentation on { 2 1 ̄ 1 ̄ 0 } and { 10 1 ̄ 0 } surfaces at elevated temperatures 査読有り

Y. Ohno, H. Koizumi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, H. Taneichi, I. Yonenaga

Journal of Crystal Growth　393　119-122　2014年5月1日
出版者・発行元： Elsevier
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.11.033 　

ISSN：0022-0248
Microstructure of striae in < 0(4)over-bar41 >-oriented lithium niobate single crystal grown by Czochralski method 査読有り

Y. Ohno, T. Taishi, N. Bamba, I. Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　393　171-174　2014年5月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.12.002 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
Mono-Like Silicon Growth Using Functional Grain Boundaries to Limit Area of Multicrystalline Grains 査読有り

Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami, Yutaka Ohno, Yuki Tokumoto, Ichiro Yonenaga

IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS　4　(1)　84-87　2014年1月

DOI： 10.1109/JPHOTOV.2013.2281730 　

ISSN：2156-3381
Three-dimensional evaluation of gettering ability of Σ3{111} grain boundaries in silicon by atom probe tomography combined with transmission electron microscopy 査読有り

Y. Ohno, K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

Applied Physics Letters　103　(10)　102102/1-102102/4　2013年9月

DOI： 10.1063/1.4820140 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Vacancy-type defects introduced by plastic deformation of GaN studied using monoenergetic positron beams 査読有り

Akira Uedono, Ichiro Yonenaga, Tomohito Watanabe, Shogo Kimura, Nagayasu Oshima, Ryoichi Suzuki, Shoji Ishibashi, Yutaka Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　114　(8)　084506/1-084506/6　2013年8月

DOI： 10.1063/1.4819798 　

ISSN：0021-8979
Interstitial oxygen behavior for thermal double donor formation in germanium: Infrared absorption studies 査読有り

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, Y. Ohno, M. Suezawa, I. Yonenaga

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　113　(7)　073501/1-073501/5　2013年2月

DOI： 10.1063/1.4792061 　

ISSN：0021-8979
Control of grain boundary propagation in mono-like Si: utilization of functional grain boundaries 査読有り

K. Kutsukake, N. Usami, Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

Applied Physics Express　6　(1)　025505/1-025505/3　2013年1月
出版者・発行元：
DOI： 10.7567/APEX.6.025505 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Erratum: “Dislocation structure in AlN films induced by in situ transmission electron microscope nanoindentation” 査読有り

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga

Journal of Applied Physics　112　(12)　129902　2012年12月

DOI： 10.1063/1.4771927 　

ISSN：0021-8979
Development of an Apparatus for In-situ Near-Field Photoexcitation in a Transmission Electron Microscope 査読有り

Yutaka Ohno

APPLIED PHYSICS EXPRESS　5　(12)　125204/1-125204/3　2012年12月

DOI： 10.1143/APEX.5.125204 　

ISSN：1882-0778
Formation and Evolution of Misoriented Grains in a-Plane Oriented Gallium Nitride Layers 査読有り

Yuki Tokumoto, Hyun-Jae Lee, Yutaka Ohno, Takafumi Yao, Ichiro Yonenaga

MATERIALS TRANSACTIONS　53　(11)　1881-1884　2012年11月

DOI： 10.2320/matertrans.MA201221 　

ISSN：1345-9678

eISSN：1347-5320
Dislocation structure in AlN films induced by in situ transmission electron microscope nanoindentation 査読有り

Yuki Tokumoto, Kentaro Kutsukake, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　112　(9)　093526/1-093526/6　2012年11月

DOI： 10.1063/1.4764928 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
2 MeV e-irradiation UHVEM study on the impact of O and Ge doping on {113}-defect formation in Si 査読有り

J. Vanhellemont, H. Yasuda, Y. Tokumoto, Y. Ohno, M. Suezawa, I. Yonenaga

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　209　(10)　1902-1907　2012年10月

DOI： 10.1002/pssa.201200023 　

ISSN：1862-6300

eISSN：1862-6319
Interaction of dopant atoms with stacking faults in silicon 査読有り

Yutaka Ohno, Yuki Tokumoto, Hiroto Taneichi, Ichiro Yonenaga, Kensuke Togase, Sigeto R. Nishitani

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　407　(15)　3006-3008　2012年8月

DOI： 10.1016/j.physb.2011.08.064 　

ISSN：0921-4526
Recombination activity of dislocations on (0001) introduced in wurtzite ZnO at elevated temperatureslicon 査読有り

Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao, N. Yamamoto

Physica B　407　(15)　2886-2888　2012年8月
出版者・発行元：
DOI： 10.1016/j.physb.2011.08.053 　

ISSN：0921-4526
Oxygen in Ge crystals grown by the B2O3 encapsulated Czochralski method 査読有り

Ichiro Yonenaga, Toshinori Taishi, Hideaki Ise, Yu Murao, Kaihei Inoue, Takayuki Ohsawa, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Yoshio Hashimoto

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　407　(15)　2932-2934　2012年8月

DOI： 10.1016/j.physb.2011.08.038 　

ISSN：0921-4526
Modeling of incorporation of oxygen and carbon impurities into multicrystalline silicon ingot during one-directional growth 査読有り

Kentaro Kutsukake, Hideaki Ise, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Kazuo Nakajima, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　352　(1)　173-176　2012年8月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.02.004 　

ISSN：0022-0248
In-situ transmission electron microscopy of partial-dislocation glide in 4H-SiC under electron radiation 査読有り

Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Kotaro Miyao, Koji Maeda, Hidekazu Tsuchida

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(4)　042102/1-042102/3　2012年7月

DOI： 10.1063/1.4737938 　

ISSN：0003-6951
Optical properties of edge dislocations on (1(1)over-bar00) prismatic planes in wurtzite ZnO introduced at elevated temperatures 査読有り

Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(11)　113514/1-113514/6　2012年6月

DOI： 10.1063/1.4725426 　

ISSN：0021-8979
Doping effects on the stability of stacking faults in silicon crystals 査読有り

Yutaka Ohno, Yuki Tokumoto, Ichiro Yonenaga

THIN SOLID FILMS　520　(8)　3296-3299　2012年2月

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.050 　

ISSN：0040-6090
Misoriented grains with a preferential orientation in a-plane oriented GaN layers 査読有り

Yuki Tokumoto, Hyun-Jae Lee, Yutaka Ohno, Takafumi Yao, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　334　(1)　80-83　2011年11月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2011.08.014 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
Impurity effects on the generation and velocity of dislocations in Ge 査読有り

Yu Murao, Toshinori Taishi, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　109　(11)　113502/1-113502/5　2011年6月

DOI： 10.1063/1.3592226 　

ISSN：0021-8979
Oxygen doped Ge crystals Czochralski-grown from the B2O3-fully-covered melt 査読有り

Toshinori Taishi, Hideaki Ise, Yu Murao, Takayuki Ohsawa, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

MICROELECTRONIC ENGINEERING　88　(4)　496-498　2011年4月

DOI： 10.1016/j.mee.2010.10.015 　

ISSN：0167-9317
Optical properties of fresh dislocations in GaN 査読有り

I. Yonenaga, Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, H. Makino, T. Yao, Y. Kamimura, K. Edagawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　318　(1)　415-417　2011年3月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.060 　

ISSN：0022-0248
Electrical Breakdown of Individual Si Nanochains and Silicide Nanochains 査読有り

Hideo Kohno, Takafumi Nogami, Seiji Takeda, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Satoshi Ichikawa

JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　10　(10)　6655-6658　2010年10月

DOI： 10.1166/jnn.2010.3144 　

ISSN：1533-4880
Interaction of dopant atoms with stacking faults in silicon crystals 査読有り

Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　108　(7)　073514/1-073514/4　2010年10月

DOI： 10.1063/1.3490753 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Czochralski-growth of germanium crystals containing high concentrations of oxygen impurities 査読有り

Toshinori Taishi, Hideaki Ise, Yu Murao, Takayuki Osawa, Masashi Suezawa, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Keigo Hoshikawa, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　312　(19)　2783-2787　2010年9月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.05.045 　

ISSN：0022-0248
In-situ analysis of optoelectronic properties of twin boundaries in AlGaAs by polarized cathodoluminescence spectroscopy in a TEM 査読有り

Yutaka Ohno

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY　59　(S1)　S141-S147　2010年8月

DOI： 10.1093/jmicro/dfq042 　

ISSN：0022-0744
Structural Elements of Ultrashallow Thermal Donors Formed in Silicon Crystals 査読有り

Akito Hara, Teruyoshi Awano, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(5)　050203/1-050203/3　2010年5月

DOI： 10.1143/JJAP.49.050203 　

ISSN：0021-4922
Cellular structures in Czochralski-grown SiGe bulk crystal 査読有り

I. Yonenaga, T. Taishi, Y. Ohno, Y. Tokumoto

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　312　(8)　1065-1068　2010年4月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2009.10.025 　

ISSN：0022-0248
Equilibrium segregation coefficient and solid solubility of B in Czochralski Ge crystal growth 査読有り

Toshinori Taishi, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

THIN SOLID FILMS　518　(9)　2409-2412　2010年2月

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.09.132 　

ISSN：0040-6090
In situ Transmission Electron Microscopy Observation of the Graphitization of Silicon Carbide Nanowires Induced by Joule Heating 査読有り

Hideo Kohno, Yuhki Mori, Seiji Takeda, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Satoshi Ichikawa

APPLIED PHYSICS EXPRESS　3　(5)　055001/1-055001/3　2010年

DOI： 10.1143/APEX.3.055001 　

ISSN：1882-0778
Behavior of dislocations due to thermal shock and critical shear stress of Si in Czochralski crystal growth 査読有り

Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　404　(23-24)　4612-4615　2009年12月

DOI： 10.1016/j.physb.2009.08.137 　

ISSN：0921-4526
Recent knowledge of strength and dislocation mobility in wide band-gap semiconductors 査読有り

I. Yonenaga, Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　404　(23-24)　4999-5001　2009年12月

DOI： 10.1016/j.physb.2009.08.196 　

ISSN：0921-4526
Transformation of a SiC nanowire into a carbon nanotube 査読有り

Hideo Kohno, Yuhki Mori, Satoshi Ichikawa, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Seiji Takeda

NANOSCALE　1　(3)　344-346　2009年12月

DOI： 10.1039/b9nr00163h 　

ISSN：2040-3364
Reduction of grown-in dislocation density in Ge Czochralski-grown from the B2O3-partially-covered melt 査読有り

Toshinori Taishi, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　311　(22)　4615-4618　2009年11月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2009.09.001 　

ISSN：0022-0248
Converting an insulating silicon nanochain to a conducting carbon nanotube by electrical breakdown 査読有り

T. Nogami, Y. Ohno, S. Ichikawa, H. Kohno

NANOTECHNOLOGY　20　(33)　335602/1-335602/5　2009年8月

DOI： 10.1088/0957-4484/20/33/335602 　

ISSN：0957-4484
In situ analysis of optoelectronic properties of dislocations in ZnO in TEM observations 査読有り

Yutaka Ohno, Toshinori Taishi, Ichiro Yonenaga

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　206　(8)　1904-1911　2009年8月

DOI： 10.1002/pssa.200881466 　

ISSN：1862-6300
Interaction of phosphorus with dislocations in heavily phosphorus doped silicon 査読有り

Y. Ohno, T. Shirakawa, T. Taishi, I. Yonenaga

APPLIED PHYSICS LETTERS　95　(9)　091915/1-091915/3　2009年8月

DOI： 10.1063/1.3224184 　

ISSN：0003-6951
Segregation of boron in germanium crystal 査読有り

T. Taishi, Y. Murao, Y. Ohno, I. Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　311　(1)　59-61　2008年12月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2008.10.036 　

ISSN：0022-0248
Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO single crystals introduced at elevated temperatures 査読有り

Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　104　(7)　073515/1-073515/6　2008年10月

DOI： 10.1063/1.2977748 　

ISSN：0021-8979
Formation of multiple nanoscale twin boundaries that emit intense light in indirect-gap AlGaAs epilayers 査読有り

Y. Ohno, K. Shoda, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

APPLIED SURFACE SCIENCE　254　(23)　7633-7637　2008年9月

DOI： 10.1016/j.apsusc.2008.01.127 　

ISSN：0169-4332
High-temperature strength and dislocation mobility in the wide band-gap ZnO: Comparison with various semiconductors 査読有り

I. Yonenaga, H. Koizumi, Y. Ohno, T. Taishi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(9)　093502/1-093502/4　2008年5月

DOI： 10.1063/1.2908193 　

ISSN：0021-8979
Light emission due to dislocations in wurtzite ZnO bulk single crystals freshly introduced by plastic deformation 査読有り

Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(1)　011922/1-011922/3　2008年1月

DOI： 10.1063/1.2831001 　

ISSN：0003-6951
Influence of high-magnetic-field on dislocation-oxygen interaction in silicon 査読有り

I. Yonenaga, K. Takahashi, T. Taishi, Y. Ohno

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　148-150　2007年12月

DOI： 10.1016/j.physb.2007.08.133 　

ISSN：0921-4526
Influence of seed/crystal interface shape on dislocation generation in Czochralski Si crystal growth 査読有り

Toshinori Taishi, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Keigo Hoshikawa

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　560-563　2007年12月

DOI： 10.1016/j.physb.2007.09.021 　

ISSN：0921-4526
Oxygen defects in langasite (La3Ga5SiO14) single crystal grown by vertical Bridgman (VB) method 査読有り

T. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　437-440　2007年12月

DOI： 10.1016/j.physb.2007.08.206 　

ISSN：0921-4526
Control of the stacking fault areas in pseudomorphic ZnSe layers by photo-molecular beam epitaxy 査読有り

Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Ichikawa, R. Hirai, S. Takeda

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　650-653　2007年12月

DOI： 10.1016/j.physb.2007.09.043 　

ISSN：0921-4526
Electronic properties of nanoscale multiple twin boundaries in indirect-gap AlGaAs 査読有り

Y. Ohno, N. Yamamoto, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　270-274　2007年12月

DOI： 10.1016/j.physb.2007.08.164 　

ISSN：0921-4526
Atomistic structure of stacking faults in a commercial GaAs : Si wafer revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy 査読有り

Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　230-233　2007年12月

DOI： 10.1016/j.physb.2007.08.154 　

ISSN：0921-4526
Diffusion and condensation of adatoms on inhomogeneous rough surfaces 査読有り

K. Torigoe, Y. Ohno, H. Kohno, T. Ichihashi, S. Takeda

SURFACE SCIENCE　601　(22)　5103-5107　2007年11月

DOI： 10.1016/j.susc.2007.04.101 　

ISSN：0039-6028
Intense monochromatic light emission from multiple nanoscale twin boundaries in indirect-gap AlGaAs epilayers 査読有り

Yutaka Ohno, Naoki Yamamoto, Kaoru Shoda, Seiji Takeda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(33-35)　L830-L832　2007年9月

DOI： 10.1143/JJAP.46.L830 　

ISSN：0021-4922
Mechanism of the growth of ZnSe nanowires with Fe catalysts 査読有り

Yutaka Ohno, Takeo Shirahama, Seiji Takeda, Atsushi Ishizumi, Yoshihiko Kanemitsu

SOLID STATE COMMUNICATIONS　141　(4)　228-232　2007年1月

DOI： 10.1016/j.ssc.2006.10.029 　

ISSN：0038-1098
Fabrication of short-range ordered nanoholes on silicon surfaces by electron irradiation 査読有り

Yutaka Ohno, Seiji Takeda, Toshinari Ichihashi, Sumio Iijima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　46　(1)　434-439　2007年1月

DOI： 10.1143/JJAP.46.434 　

ISSN：0021-4922
Excavation rate of silicon surface nanoholes 査読有り

Y Ohno, S Takeda, T Ichihashi, S Iijima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(12)　126107/1-126107/3　2006年6月

DOI： 10.1063/1.2206693 　

ISSN：0021-8979
Arrangement of gold nanoparticles on rough surfaces introduced by electron irradiation with high flux 査読有り

K Torigoe, Y Ohno, T Ichihashi, S Takeda

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　376　916-919　2006年4月

DOI： 10.1016/j.physb.2005.12.228 　

ISSN：0921-4526
Electronic properties of antiphase boundaries in CuPt-ordered GaInP alloys 査読有り

Y Ohno

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　376　845-848　2006年4月

DOI： 10.1016/j.physb.2005.12.210 　

ISSN：0921-4526
Microstructure of a CuPt-ordered GaInP alloy revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy 査読有り

Y Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　45　(3B)　2357-2360　2006年3月

DOI： 10.1143/JJAP.45.2357 　

ISSN：0021-4922
Photoinduced stress in a ZnSe/GaAs epilayer containing 90^oα partial dislocations 査読有り

Y. Ohno

Applied Physics Letters　87　(18)　181909/1-181909/3　2005年10月

DOI： 10.1063/1.2123392 　

ISSN：0003-6951
Growth of silicon nanowires on H-terminated Si {111} surface templates studied by transmission electron microscopy 査読有り

N Ozaki, Y Ohno, J Kikkawa, S Takeda

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY　54　I25-I29　2005年9月

DOI： 10.1093/jmicro/dfi019 　

ISSN：0022-0744
Polarized light emission from antiphase boundaries acting as slanting quantum wells in GaP/InP short-period superlattices 査読有り

Y Ohno

PHYSICAL REVIEW B　72　(12)　121307/1-121307/4　2005年9月

DOI： 10.1103/PhysRevB.72.121307 　

ISSN：1098-0121
Fe-catalytic growth of ZnSe nanowires on a ZnSe(001) surface at low temperatures by molecular-beam epitaxy 査読有り

Y Ohno, T Shirahama, S Takeda, A Ishizumi, Y Kanemitsu

APPLIED PHYSICS LETTERS　87　(4)　43105/1-43105/3　2005年7月

DOI： 10.1063/1.1997275 　

ISSN：0003-6951
Growth rate of silicon nanowires 査読有り

J Kikkawa, Y Ohno, S Takeda

APPLIED PHYSICS LETTERS　86　(12)　123109/1-123109/3　2005年3月

DOI： 10.1063/1.1888034 　

ISSN：0003-6951
Formation of silicon/silicide/oxide nanochains and their properties studied by electron holography 査読有り

H Kohno, H Yoshida, Y Ohno, S Ichikawa, T Akita, K Tanaka, S Takeda

THIN SOLID FILMS　464　204-207　2004年10月

DOI： 10.1016/j.tsf.2004.06.052 　

ISSN：0040-6090
Origin of a pair of stacking faults in pseudomorphic ZnSe epitaxial layers on GaAs 査読有り

Y Ohno, N Adachi, S Takedab

APPLIED PHYSICS LETTERS　83　(1)　54-56　2003年7月

DOI： 10.1063/1.1587883 　

ISSN：0003-6951
Formation mechanism of nanocatalysts for the growth of silicon nanowires on a hydrogen-terminated Si {111} surface template 査読有り

S Takeda, K Ueda, N Ozaki, Y Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　82　(6)　979-981　2003年2月

DOI： 10.1063/1.1541934 　

ISSN：0003-6951
Extended vacancy-type defects in silicon induced at low temperatures by electron irradiation 査読有り

J Yamasaki, Y Ohno, S Takeda, Y Kimura

PHILOSOPHICAL MAGAZINE　83　(2)　151-163　2003年1月

DOI： 10.1080/0141861021000026765 　

ISSN：1478-6443
Novel amorphization process in silicon induced by electron irradiation 査読有り

J Yamasaki, Y Ohno, H Kohno, N Ozaki, S Takeda

JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS　299　793-797　2002年4月

DOI： 10.1016/S0022-3093(01)00984-X 　

ISSN：0022-3093
Analysis of polarization by means of polarized cathodoluminescence spectroscopy in a TEM 査読有り

Y Ohno, S Takeda

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY　51　(5)　281-290　2002年

DOI： 10.1093/jmicro/51.5.281 　

ISSN：0022-0744
Fabrication of periodic nanohole multilayer structure on silicon surface toward photonic crystal 査読有り

Y Ohno, N Ozaki, S Takeda

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　308　1222-1225　2001年12月

DOI： 10.1016/S0921-4526(01)00948-6 　

ISSN：0921-4526
Observation of silicon surface nanoholes by scanning tunneling microscopy 査読有り

N Ozaki, Y Ohno, M Tanbara, D Hamada, J Yamasaki, S Takeda

SURFACE SCIENCE　493　(1-3)　547-554　2001年11月

DOI： 10.1016/S0039-6028(01)01264-X 　

ISSN：0039-6028

eISSN：1879-2758
Point defect reaction in (Al)GaInP STQW lasers enhanced by laser operation 査読有り

A Ihara, Y Ohno, S Takeda, S Nagao, D Diffily, Y Satoh, K Shimoyama, N Hosoi

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　273-4　1050-1053　1999年12月

DOI： 10.1016/S0921-4526(99)00636-5 　

ISSN：0921-4526
Vacancy-migration-mediated disordering in CuPt-ordered (Ga,In)P studied by in situ optical spectroscopy in a transmission electron microscope 査読有り

Y Ohno, Y Kawai, S Takeda

PHYSICAL REVIEW B　59　(4)　2694-2699　1999年1月

DOI： 10.1103/PhysRevB.59.2694 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Silicon nanowhiskers grown on a hydrogen-terminated silicon {111} surface 査読有り

N Ozaki, Y Ohno, S Takeda

APPLIED PHYSICS LETTERS　73　(25)　3700-3702　1998年12月

DOI： 10.1063/1.122868 　

ISSN：0003-6951
Diffusion process of interstitial atoms in an electron irradiated InP studied by transmission electron microscopy 査読有り

Y Ohno, N Saitoh, S Takeda, M Hirata

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(9A)　5628-5632　1997年9月

DOI： 10.1143/JJAP.36.5628 　

ISSN：0021-4922
Atomic structure of a defect colony in silicon introduced during neutron irradiation in the JOYO reactor 査読有り

Y Ohno, M Hirata, S Takeda, R Fujimoto, R Oshima

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY　45　(5)　380-387　1996年10月

ISSN：0022-0744
Clustering process of interstitial atoms in gallium phosphide studied by transmission electron microscopy 査読有り

Y Ohno, S Takeda, M Hirata

PHYSICAL REVIEW B　54　(7)　4642-4649　1996年8月

DOI： 10.1103/PhysRevB.54.4642 　

ISSN：0163-1829
Study of electron-irradiation-induced defects in GaP by in-situ optical spectroscopy in a transmission electron microscope 査読有り

Y Ohno, S Takeda

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY　45　(1)　73-78　1996年2月

ISSN：0022-0744
A NEW APPARATUS FOR IN-SITU PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPE 査読有り

Y OHNO, S TAKEDA

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS　66　(10)　4866-4869　1995年10月

DOI： 10.1063/1.1146166 　

ISSN：0034-6748
RECOVERY PROCESS OF PHOTOCHROMISM OF H2 AND H3 CENTERS IN DIAMOND 査読有り

Y MITA, Y OHNO, Y ADACHI, H KANEHARA, Y NISIDA, T NAKASHIMA

DIAMOND AND RELATED MATERIALS　2　(5-7)　768-772　1993年4月

DOI： 10.1016/0925-9635(93)90220-V 　

ISSN：0925-9635

eISSN：1879-0062

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MISC 80

Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Liang Jianbo, Naoteru Shigekawa

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)　4-4　2017年
TEM-CL分光法による電子材料中のナノ構造の電子状態評価

大野裕

顕微鏡　50　(3)　185-190　2015年12月
出版者・発行元：日本顕微鏡学会
ISSN： 1349-0958
Optical response of dislocations in w-ZnO revealedd by in-situ optical spectroscopy in a TEM (Opto-TEM)

Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

Materia Japan　48　(12)　625-625　2009年
TEM内偏光CL分光法および劈開STM法によるGaP/InP短周期超格子の電子状態解析

大野裕

まてりあ　45　(12)　901-901　2006年12月
出版者・発行元：公益社団法人日本金属学会
DOI： 10.2320/materia.45.901 　

ISSN： 1340-2625
ZnSe/GaAsエピタキシャル膜への積層欠陥の形成機構

大野裕, 足立直人, 竹田精治

材料開発のための顕微鏡法と応用写真集 (日本金属学会編)　193　2005年
Multicrystalline informatics: a methodology to advance materials science by unraveling complex phenomena

Noritaka Usami, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Hiroaki Kudo, Tatsuya Yokoi, Yutaka Ohno

Science and Technology of Advanced Materials　25　(1)　2024年

DOI： 10.1080/14686996.2024.2396272 　

ISSN： 1468-6996

eISSN： 1878-5514
3次元アトムプローブと透過電子顕微鏡を用いた相関顕微鏡法による粒界・不純物の精密評価招待有り査読有り

大野裕

結晶成長学会誌　49　(4)　49-4-07/1-49-4-07/7　2023年12月
Fabrication and Electrical Characterization of GaAs/GaN Junctions

112　(3)　111-118　2023年9月29日
出版者・発行元： The Electrochemical Society
DOI： 10.1149/11203.0111ecst 　

ISSN： 1938-5862

eISSN： 1938-6737
表面活性化接合によるX on diamond構造査読有り

重川直輝, 梁剣波, 大野裕

GS YUASA Technical Report　19　(2)　1-9　2022年12月
常温におけるダイヤモンドと異種材料の直接接合査読有り

61　(6)　334-339　2022年6月1日
出版者・発行元： Japan Institute of Metals
DOI： 10.2320/materia.61.334 　

ISSN： 1340-2625

eISSN： 1884-5843
Fabrication of Ga₂O₃/3C-SiC direct bonding for efficient surface heat dissipation

Hiromu Nagai, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021年10月5日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598380 　
Fabrication and Characterization of GaN/Diamond bonding interface

A. Kobayashi, Y. Shimizu, Y. Ohno, S. W. Kim, K. Koyama, M. Kasu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021年10月5日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598383 　
Nanostructural Analysis of Al/β-Ga₂O₃ Interface Fabricated Using Surface Activated Bonding

Zexin Wan, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021年10月5日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598385 　
Polarization inverted GaN/GaN junctions fabricated by surface-activated bonding

Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021年10月5日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598452 　
Fabrication of Ga₂O₃/Si direct bonding interface for high power device applications

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Yasuo Shimizu, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021年10月5日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598435 　
Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021年10月5日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598453 　
Structural analysis of diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021年10月5日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598382 　
Application of machine learning for high-performance multicrystalline materials 査読有り

Noritaka Usami, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Hiroaki Kudo, Tetsuya Matsumoto, Tatsuya Yokoi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno

ECS Transactions　102　(4)　11-16　2021年

DOI： 10.1149/10204.0011ecst 　

ISSN： 1938-6737

eISSN： 1938-5862
Direct Bonding of GaAs and Diamond for High Power Device Applications

Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Tianzhuo Zhan, Takanobu Watanabe, Naoto Kamiuchi, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

ECS Meeting Abstracts　MA2020-02　(22)　1634-1634　2020年11月23日
出版者・発行元： The Electrochemical Society
DOI： 10.1149/ma2020-02221634mtgabs 　

eISSN： 2151-2043

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Direct bonding of GaAs and diamond was successfully achieved by surface activated bonding (SAB) method at room temperature. The structures of GaAs/diamond interface before and after annealing at 400 ℃ were investigated by transmission electron microscope (TEM). A 3-nm-thick crystal defect layer was formed at the bonding interface, the change in the crystal defect layer thickness was not observed after annealing. There were no nanovoids and micro-cracks observed at the interface with annealing at temperature 400 ℃. These results indicated that the GaAs/diamond interface has high thermal stability and can withstand the temperature rise of power devices during operating. GaAs-based power devices have excellent electron transport properties and make it suitable for high frequency operation at high frequency. The output power and the lifetime of GaAs devices are largely degraded by the temperature rise of the active region during operating. The thermal conductivity of GaAs is very small, so that the generated heat by self-heating cannot be sufficiently dissipated through the substrate. Diamond has the highest thermal conductivity among materials and is an ideal material to suppress the temperature rise of the devices. The integration of the GaAs-based devices and diamond will be a more promising approach for improving the heat dissipation ability of the devices. However, since there is a large mismatch between the thermal expansion coefficients and lattice constants of GaAs and diamond, the direct growth of GaAs on diamond is quite difficult and vice versa. We have achieved the direct bonding of diamond and Si at room temperature using surface activated bonding (SAB) method and obtained the excellent thermal stability bonding interface.^1-3 In this study, we examine the structures of the diamond/GaAs bonding interface and effects of thermal annealing on the interfacial structure of the interface by transmission electron microscopy (TEM). GaAs epitaxial layer grown on GaAs substrate was bonded to diamond by SAB method at room temperature. GaAs epitaxial substrate was composed of a 200 nm thick GaAs and a 100 nm thick InGaP layers grown on GaAs. After bonding, the GaAs substrate and InGaP layer were removed by mechanical polishing and selective wet etching to obtain 200 nm thick GaAs layer bonded to diamond substrates. The structures of the GaAs/diamond bonding interface were investigated by TEM observation. The TEM samples were fabricated by using a focused ion beam (FIB) technique. The cross-sectional TEM images of the GaAs/diamond bonding interface without and with annealing at 400°C for 5 min are shown in Fig 1(a) and 1(b), respectively. A crystal defect layer with a thickness of about 3 nm was observed in the as-bonded interface. The thickness of the crystal defect layer did not change, but no voids or cracks were observed at the bonding interface after annealing. These results indicate that the bonding interface of diamond and GaAs has an excellent thermal stability, which is extremely qualified for the heat dissipation of the devices. Acknowledgements This work was partly supported by Hirose International Scholarship Foundation. The fabrication of the TEM samples and part of the TEM observations were respectively performed at The Oarai Center and at the Laboratory of Alpha-Ray Emitters in IMR under the Inter-University Cooperative Research in IMR of Tohoku University (NO. 18M0045 and 19M0037). References Liang, S. Masuya, M. Kasu, N. Shigekawa, Appl. Phys. Lett.2017, 110, No.111603. Liang, S. Masuya, S. Kim, T. Oishi, M. Kasu, N. Shigekawa, Appl. Phys. Express2019, 12, No. 016501. Liang, Y. Zhou, S. Masuya, F. Gucmann, M. Singh, J. Pomeroy, S. Kim, M. Kuball, M. Kasu, N. Shigekawa, Diam. Relat. Mater.2019, 93, 187 – 192. Figure 1 <p></p>
Microscopic Picture of Direct Bonding Via Surface Activation for Low-Resistance Si/Wide-Gap Semiconductor Heterointerface 査読有り

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hideto Yoshida, Reina Miyagawa, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai

ECS Meeting Abstracts　MA2020-02　(22)　1648-1648　2020年11月23日
出版者・発行元： The Electrochemical Society
DOI： 10.1149/ma2020-02221648mtgabs 　

eISSN： 2151-2043

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Surface-activated bonding (SAB) [1], that is a direct wafer bonding process without additional buffer layers, is a promising method to fabricate tough and steep heterointerfaces at low cost. SAB can fabricate any heterointerfaces free from dislocations and cracks, even for dissimilar materials with different crystal structures and lattice constants, without high-temperature annealing. Recently, SAB is applied to the next-generation semiconductors such as diamond, SiC, and GaN, as well as to the basic semiconductors such as Si and GaAs, towards low-resistance semiconductor-to-semiconductor heterointerfaces free from adherent layers. Even though such bonding is successfully demonstrated, the principle of the SAB is still controversial due to the difficulty of analyzing their non-equilibrium heterostructures at an atomistic level. In the present work, we have clarified the bonding mechanism in Si/GaAs [2] and Si/diamond [3] heterointerfaces fabricated by SAB at room temperature (RT), by using high-angle annular dark-field (HAADF) and energy dispersive x-ray spectroscopy (EDX) under cross-sectional scanning transmission electron microscopy (STEM) and time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), combined with low-temperature focused ion beam (LT-FIB) technique that can suppress the structural modification during FIB processes [4]. In the SAB process, wafer surfaces are activated at RT by the irradiation of inert atoms in a high vacuum, and the surfaces are then bonded by the contact under a specific pressure. In the bonding process at RT, atomic intermixing across the interfaces, due to the transient enhanced diffusion assisted by the point defects introduced in the surface activation process, forms an intermediate layer of 4-5 nm thick having gradient composition (see Fig. 1 for Si/GaAs interface). Interestingly, no structural defect, such as cracks and dislocations, is introduced at the heterointerfaces even after high-temperature annealing, presumably due to the gradient nanolayer acting as a buffer layer that can reduce the interface energy, as well as forming strong chemical bonds. Spontaneous formation of the gradient nanolayer is, therefore, the key concept of SAB, by which we can create tough and steep heterointerfaces of dissimilar materials at low cost. On the other hand, since the point defects, as well as their agglomerates [5], can degrade the electronic properties such as interface resistances, the decrease of the defects would play a crucial role in fabricating electronic devices with SAB techniques. The degraded properties can be recovered by an appropriate annealing after the SAB processes, although the atomistic structure around the heterointerfaces would be modified during the annealing [6]. By controlling SAB and subsequent annealing conditions, we can obtain low-resistance heterointerfaces via the optimization of the trade-off relationship between the chemical bonding strength and the electronic properties, determined by the distribution of point defects beneath the activated surfaces before bonding. [1] T. Suga, Y. Takahashi, H. Takagi, B. Gibbesch, and G. Elssner, Acta Metall. Mater. 40 (1992) S133. [2] N. Shigekawa, J. Liang, R. Onitsuka, T. Agui, H. Juso and T. Takamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 54 (2015) 08KE03. [3] J. Liang, S. Masuya, M. Kasu, and N. Shigekawa, Appl. Phys. Lett. 110 (2017) 111603. [4] Y. Ohno, H. Yoshida, N. Kamiuchi, R. Aso, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai, J. Liang, and N. Shigekawa, Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) SBBB05. [5] Y. Ohno, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, and N. Shigekawa, Jpn. J. Appl. Phys. 57 (2018) 02BA01. [6] Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, S. Takeda, R. Miyagawa, Y. Shimizu, Y. Nagai, submitted. Fig. 1 (a) HAADF-STEM image of an as-bonded GaAs/Si heterointerface. The exact location of the interface is indicated with the broken line. A thin amorphous layer is formed in the Si side, while a defective crystalline layer, with small vacancy clusters [5], are formed in the GaAs side. (b) Density profiles across the interface for As, Ga, Si, and all kinds of atoms obtained by STEM-EDS. A slight atomic intermixing across the interface takes place in the bonding process at RT, via the transient enhanced diffusion assisted by the point defects introduced in the surface activation process. The total density depletes at the interface, indicating the introduction of vacancies, mainly on As sites in GaAs. The ratio between the As density and the Ga one in the GaAs side is below 1.0 down to the depth of 2 nm from the interface, and it is above 1.0 in the depth range of 2 to 6 nm, due to Frenkel-type defects (vacancy-interstitial pairs) on the As sites. Those defects would induce a high interface resistance of the order of 10^-1 Ωcm² [2]. Figure 1 <p></p>
Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature 査読有り

Y. Ohno, R. Miyagawa, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　2-2　2019年6月
Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam 査読有り

Y. Ohno, H. Yoshida, M Kamiuchi, R. Aso, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa

Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　55-55　2019年6月
Atom probe tomography of GaAs homointerfaces fabricated by surface-activated bonding 査読有り

Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, K. Inoue, Y. Nagai

Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　56-56　2019年6月
Origin of resistance at Si/GaAs heterointerfaces for tandem solar cells fabricated by surface-activated bonding at room temperature 招待有り

Yutaka Ohno

KINKEN Research Highlights 2018　18　2018年7月
Mechanism of Oxygen Segregation at Grain Boundaries in Silicon

Y. Ohno

KINKEN Research Highlights 2017　17　2017年7月
Cu Precipitation Conditions at Small Angle Tilt Boundaries in Si

Y. Ohno

KINKEN Research Highlights 2015　21　2015年8月
21aCJ-13 シリコン中のΣ9{114}粒界における不純物集積能とひずみの相関

大野裕, 井上海平, 出浦桃子, 沓掛健太郎, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

日本物理学会講演概要集　70　2687-2687　2015年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_2687 　

ISSN： 2189-079X
17pAB-4 ゲルマニウム結晶中のサーマルドナー形成に対するスズ不純物濃度依存性

井上海平, 村尾優, 太子敏則, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 大野裕, 米永一郎

日本物理学会講演概要集　70　2460-2460　2015年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_2460 　

ISSN： 2189-079X
21aCJ-11 顕微PLイメージング法によるシリコン結晶中粒界でのキャリア再結合速度の定量評価

沓掛健太朗, 二宮駿也, 出浦桃子, 大野裕, 宇佐美徳隆, 米永一郎

日本物理学会講演概要集　70　2685-2685　2015年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_2685 　

ISSN： 2189-079X
InNの硬度とヤング率

大久保泰, 出浦桃子, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎

IEICE Technical Report　114　45-48　2014年11月
Formation of thermal double donors in Ge

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga

JPS Conference Proceedings　1　012082/1-012082/4　2014年3月
Sb-doping effect on the dislocation motion in various Si1-xGex films

S. Maki, Y. Yamashita, T. Fushimi, Y. Ohno, I. Yonenaga, T. Nishikawa, Y. Hayashi

Proceedings of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2014, Organizing Committee of the Silicon Materials Science and Technology Forum (Hamamatsu 2014)　75-80　2014年
太陽電池用の擬似単結晶シリコンインゴットの育成

沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 大野裕, 徳本有紀, 米永一郎

技術総合誌OHM 2013年6月号　8-9　2013年6月
非極性GaN層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望

徳本有紀, 李賢宰, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎

まてりあ　52　(6)　273-277　2013年6月
出版者・発行元： The Japan Institute of Metals and Materials
DOI： 10.2320/materia.52.273 　

ISSN： 1340-2625
Effective Detection Method for Misoriented Grains in Nonpolar GaN Layers and Future Prospect

徳本有紀, 李賢宰, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎

Materia Japan　52　(6)　273-277　2013年
Nanoindentation Hardness and Elastic Modulus of AlGaN Alloys

Y. Tokumoto, H. Taneichi, Y. Ohno, K. Kutsukake, H. Miyake, K. Hiramatsu, I. Yonenaga

2013 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS PACIFIC RIM (CLEO-PR)　TuPH-3　2013年
In situ observation of dislocation dynamics in AlN films

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga

Extended abstracts of Electron Microscopy and Multiscale Modeling 2013　54-55　2013年
Growth of dilute GeSn alloys

Y Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga

Proceedings of the 7th International Workshop on Modeling of Crystal Growth　130-131　2012年
Czochralski growth of highly In doped Si -Effect of co-doping of C and Ge-

K. Inoue, Y. Ohno, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

Proceedings of the 7th International Workshop on Modeling of Crystal Growth　132-133　2012年
Growth of heavily indium doped Si crystals by co-doping of neutral impurity carbon or germanium

Kaihei Inoue, Yuki Tokumoto, Kentaro Kutsukake, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

Key Engineering Materials　508　220-223　2012年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/KEM.508.220 　

ISSN： 1013-9826
Dislocation activities in Si under high-magnetic-field

I. Yonenaga, Y. Ohno, Y. Tokumoto, K. Kutsukake

Proceedings of the 4th International Conference on Fundamental Properties of Dislocations　29-32　2012年
半導体ナノ機能を直視する

Y. Ohno

IMR news KINKEN　64　2011年
Doping effects on the stacking fault energy in silicon

Y. Ohno

KINKEN Research Highlights 2011　2011年
Behaviour of oxygen-related thermal donors in Ge crystals Czochralski-grown from the melt covered fully by B2O3

Toshinori Taishi, Yoshio Hashimoto, Hideaki Ise, Yu Murao, Takayuki Ohsawa, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

Journal of Physics: Conference Series　281　(1)　012011/1-012011/6　2011年
出版者・発行元： Institute of Physics Publishing
DOI： 10.1088/1742-6596/281/1/012011 　

ISSN： 1742-6596 1742-6588
Czochralski growth of Ge crystal from the melt partially covered by B₂O₃ liquid

T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno

Proceedings of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010　28-33　2010年
Evaluation of oxygen impurities in Ge crystals Czochralski-grown from melts partially or fully covered by B₂O₃ liquid

T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno

Proceedings of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010　426-432　2010年
Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO bulk single crystals introduced at elevated temperatures

Y. Ohno

KINKEN Research Highlights 2009　2009年
Growth and characterization of Mn-doped AgInS2 grown by a hot-press method

Yoji Akaki, Yasuhiro Shirahata, Kenji Yoshino, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　6　(5)　1043-1046　2009年

DOI： 10.1002/pssc.200881210 　

ISSN： 1862-6351
Generation and suppression of misfit dislocations at the seed/crystal interface in Si bulk crystal growth

Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 8　6　(8)　1886-+　2009年

DOI： 10.1002/pssc.200881433 　

ISSN： 1862-6351
透過電子顕微鏡内その場分光装置の開発とその応用

大野裕

大阪大学低温センターだより　143　22-26　2008年7月
出版者・発行元：大阪大学低温センター
ISSN： 0387-4419
Atomistic structure of Si atoms agglomerated nearby a stacking fault in a commercial GaAs : Si

Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9　5　(9)　2944-+　2008年

DOI： 10.1002/pssc.200779162 　

ISSN： 1862-6351
Atomistic structure of ZnSe nanowires on ZnSe(001) grown catalytically at low temperatures

Y. Ohno, T. Shirahama, S. Takeda, A. Ishizumi, Y. Kanemitsu

PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B　893　115-+　2007年

DOI： 10.1063/1.2729797 　

ISSN： 0094-243X
Growth rate and critical diameter of silicon nanowires

J. Kikkawa, Y. Ohno, S. Takeda

Frontiers of Basic Science towardsNew Physics, Earth and Space Science, and Mathematics　253-254　2005年
Size Distribution of Gold Nanoparticles Arranged on Inhomogeneously Roughened Silicon

K. Torigoe, Y. Ohno, S. Takeda

Frontiers of Basic Science towardsNew Physics, Earth and Space Science, and Mathematics　335-336　2005年
Localized energy levels associated with dislocations in ZnSe revealed by polarized CL spectroscopy under light illumination

Yutaka Ohno

Microscopy of Semiconducting Materials　107　507-510　2005年

ISSN： 0930-8989
Atomistic structure of spontaneously-ordered GaInP alloy revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy and polarized cathodoluminescence spectroscopy

Yutaka Ohno

Microscopy of Semiconducting Materials　107　483-486　2005年

ISSN： 0930-8989
Dynamics of Au adatoms on electron-irradiated rough Si surfaces

K. Torigoe, Y. Ohno, T. Ichihashi, S. Takeda

Microscopy of Semiconducting Materials　107　393-396　2005年

ISSN： 0930-8989
Analysis of growth rate of silicon nanowires

J Kikkawa, Y Ohno, S Takeda

Group-IV Semiconductor Nanostructures　832　347-352　2005年

ISSN： 0272-9172
Nucleation and growth processes of silicon nanowires

S Takeda, N Ozaki, K Ueda, H Kohno, J Kikkawa, Y Ohno

Group-IV Semiconductor Nanostructures　832　257-267　2005年

ISSN： 0272-9172
Growth of Au clusters in electron-irradiated rough Si surfaces

K. Torigoe, Y. Ohno, T. Ichihashi, S. Takeda

3rd International Symposium on Scientific and Industrial Nanotechnology, Proceedings　175　2004年
Formation and properties of silicon/silicide/oxide nanochains

H Kohno, Y Ohno, S Ichikawa, T Akita, K Tanaka, S Takeda

QUANTUM DOTS, NANOPARTICLES AND NANOWIRES　789　257-262　2004年

ISSN： 0272-9172
Formation of extended defects in polycrystalline SiGe by electron irradiation

J Kikkawa, J Yamasaki, Y Ohno, M Kohyama, S Takeda

POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS VII, PROCEEDINGS　93　361-366　2003年

ISSN： 1012-0394
Formation mechanism of the pairs of stacking faults in pseudomorphic ZnSe epilayers on GaAs substrates

Y Ohno, N Adachi, S Takeda

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 2003　180　(180)　187-190　2003年

ISSN： 0951-3248
Quantitative analysis of linear polarization by means of polarized cathodolumineseence spectroscopy in a TEM

Y Ohno, S Takeda

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 2003　180　(180)　569-572　2003年

ISSN： 0951-3248
自己組織化作用によるシリコン表面ナノ穴形成

竹田精治, 大野裕

マテリアルステージ　39-42　2002年
Formation process of silicon surface nanoholes

Y Ohno, S Takeda

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 2001　169　(169)　395-398　2001年

ISSN： 0951-3248
Control of the arrangement of nanoholes on silicon surface

Y. Ohno, S. Takeda

Materials Research Society 2000 Fall Meeting, Proceedings　638　F14.36.1-F14.36.6　2001年
Optical properties of Si nanowires on a Si{111} surface

N Ozaki, Y Ohno, S Takeda

OPTICAL MICROSTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTORS　588　99-103　2000年

ISSN： 0272-9172
Mesoscopic characterization of the optical property of antiphase boundaries in CuPt-ordered GaInP2

Y Ohno, S Takeda

OPTICAL MICROSTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTORS　588　105-110　2000年

ISSN： 0272-9172
Optical properties of anti-phase boundaries and Frenkel-type defects in CuPt-ordered GaInP studied by optical spectroscopy in a transmission electron microscope

Y Ohno, S Takeda

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1999, PROCEEDINGS　164　(164)　175-178　1999年

ISSN： 0951-3248
III-V族化合物半導体中における点欠陥の電子励起誘起反応

大野裕

大阪大学低温センターだより　105　7-11　1999年1月
出版者・発行元：大阪大学低温センター
ISSN： 0387-4419
Formation of microcracks in an annealed cubic boron nitride

M Aki, Y Ohno, S Takeda

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1999, PROCEEDINGS　164　(164)　93-96　1999年

ISSN： 0951-3248
Formation model for microstructures in a (Al, Ga, In)P natural superlattice

Y Kuno, S Takeda, M Hirata, Y Ohno, N Hosoi, K Shimoyama

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1999, PROCEEDINGS　164　(164)　287-290　1999年

ISSN： 0951-3248
VLS growth of Si nanowhiskers on a H-terminated Si{111} surface

N Ozaki, Y Ohno, S Takeda, M Hirata

MICROCRYSTALLINE AND NANOCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS-1998　536　305-310　1999年

ISSN： 0272-9172
Electron-irradiation-induced disordering of CuPt-ordered GaInP studied by TEM-mode optical spectroscopy

Y. Ohno, Y. Kawai, S. Takeda

10-th Conference on Semiconducting and Insulating Materials, Proceedings　173-176　1998年
透過電子顕微鏡内その場可視分光装置の開発とその応用

竹田精治, 大野裕

電子顕微鏡　32　(2)　107-109　1997年
出版者・発行元： The Japanese Society of Microscopy
DOI： 10.11410/kenbikyo1950.32.107 　

ISSN： 0417-0326
Diffusion process of interstitial atoms in InP studied by transmission electron microscopy

Y Ohno, S Takeda, M Hirata

DEFECTS IN ELECTRONIC MATERIALS II　442　435-440　1997年

ISSN： 0272-9172
Clustering process of point defects in GaP studied by transmission electron microscopy

Y Ohno, S Takeda, M Hirata

ICDS-18 - PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEFECTS IN SEMICONDUCTORS, PTS 1-4　196-　1279-1283　1995年

ISSN： 0255-5476
In-situ TEM-PL study of lattice defects in CVD-diamond

Y OHNO, S TAKEDA, M HIRATA

ELECTRON MICROSCOPY 1994, VOL 1　829-830　1994年
HRTEM STUDY OF THE (111) PLANAR DEFECT

Y OHNO, S TAKEDA, S HORIUCHI

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1993　134　(134)　527-530　1993年

ISSN： 0951-3248

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書籍等出版物 3

多結晶材料情報学

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 工藤博章, 小島拓人, 横井達矢, 大野裕

共立出版　2024年7月
In-situ Electron Microscopy

Y. Ohno, S. Takeda

WILEY-VCH　2012年4月

ISBN: 3527319735
Optoelectronic Devices and Properties

Y. Ohno, I. Yonenaga, S. Takeda

INTECH　2011年3月

ISBN: 9789533075112

講演・口頭発表等 757

Multiscale analysis of dislocation generation during cast growth of silicon ingots 招待有り

Y. Ohno, T. Yokoi, H. Yoshida, K. Kojima, K. Kutsukake, H. Kudo, N. Usami

Indo-Japan Joint Workshop on Photovoltaics 2023 (IJWP-2023)　2023年3月9日
低温FIB法とアトムプローブ・STEM複合法による半導体粒界の構造・組成精密評価招待有り

大野裕

日本顕微鏡学会第77回学術講演会　2021年6月16日
表面活性化接合法で作成したSi/ワイドギャップ半導体ヘテロ界面の微視的描像招待有り

大野裕

独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会第28回研究会　2020年9月24日
結晶学および計算科学によるSiとNaの反応機構の解明招待有り

大野裕

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月14日
マルチスケール相関顕微鏡法で解明する多結晶粒界機能－転位発生・双晶化および不純物集積－招待有り

大野裕

第５回多結晶材料情報学応用技術研究会
低温FIB法を用いたシリコン粒界における酸素偏析サイトの精密評価招待有り

大野裕, 吉田秀人, 田中真悟, 香山正憲, 井上耕治, 清水康雄, 永井康介

第71回応用物理学会春季学術講演会
シリコン非対称粒界の形成過程とその機能

大野裕, 斉藤光, 梁剣波, 重川直輝, 横井達矢, 松永克志, 井上耕治, 永井康介, 波多聰

第71回応用物理学会春季学術講演会
常温接合技術による新機能界面・デバイスの創成招待有り

重川直輝, 梁剣波, 大野裕, 井上耕治, 永井康介

ワイドギャップ半導体学会第14回研究会
シリコン非対称傾角粒界の形成機構

大野裕, 斉藤光, 梁剣波, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介, 波多聰

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 2023年度大洗・アルファ合同研究会
高放熱パワーデバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-polycrystalline diamond HEMTs構造の作製

森山千春, 川村啓介, 大内澄人, 浦谷泰基, 大野裕, 井上耕治, 永井康介, 重川直輝, 梁剣波

第84回応用物理学会秋季学術講演会
α-Ga2O3/4H-SiC直接接合の作製と界面構造の評価

山本誠志郎, 大島祐一, 大野裕, 永井康介, 重川直輝, 梁剣波

第70回応用物理学会春季学術講演会
GaN HEMT on-diamond構造の作製及び特性評価

早川譲稀, 大野裕, 永井康介, 重川直輝, 梁剣波

第70回応用物理学会春季学術講演会
シリコンのキャスト成長過程における非対称傾角粒界からの転位発生

大野裕, 吉田秀人, 横井達矢, 山腰健太, 小島拓人, 松永克志, Patricia Krenckel, Stephan Riepe, 宇佐美徳隆

第70回応用物理学会春季学術講演会
転位発生源となるシリコン非対称傾角粒界の形成過程

大野裕, 斉藤光, 梁剣波, 横井達矢, 松永克志, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介, 波多聰

第70回応用物理学会春季学術講演会
Generation mechanism of dislocations during cast growth of high-performance multicrystalline Si ingots

Y. Ohno, H. Yoshida, T. Yokoi, K. Yamakoshi, T. Kojima, K. Kutsukake, H. Tanaka, X. Liu, K. Matsunaga, H. Kudo, K. Inoue, Y. Nagai, N. Usami

Materials Research Society (MRS) 2022 Fall Meeting
Dislocation generation via the formation of higher-order twin boundaries in mono-cast silicon

Y. Ohno, K. Yamakoshi, T. Kojima, H. Yoshida, P. Krenckel, S. Riepe, K. Inoue, Y. Nagai, N. Usami

33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)
シリコン中のΣ9{111}/{115}非対称傾角粒界の形成過程の観察

大野裕, 斉藤光, 梁剣波, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介, 波多聰

第51回結晶成長国内会議
ボンディングファーストによるX-on-diamond構造及び素子応用招待有り

重川直輝, 大野裕, 梁剣波

第41回電子材料シンポジウム(EMS41)
シリコン非対称傾角粒界の形成過程の観察

大野裕, 斉藤光, 梁剣波, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介, 波多聰

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 2022年度大洗・アルファ合同研究会
高出力デバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-diamond HEMT構造の作製

香川諒, 重川直輝, 梁剣波, 川村啓介, 坂井田佳紀, 大内澄人, 浦谷泰基, 清水康夫, 大野裕

第83回応用物理学会秋季学術講演会
表面活性化接合法によるGaN/GaN 接合界面の評価

澤井一樹, 梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 重川直輝

第83回応用物理学会秋季学術講演会
キャスト成長シリコンにおけるΣ3粒界からの転位発生の微視的描像

大野裕, 吉田秀人, 横井達矢, 松永克志, 井上耕治, 永井康介, 宇佐美徳隆

第83回応用物理学会秋季学術講演会
Multiscale analysis of dislocation generation at Σ3 grain boundaries during cast growth of high-performance multicrystalline Si ingots

Y. Ohno, H. Yoshida, T. Yokoi, K. Yamakoshi, T. Kojima, K. Kutsukake, H. Tanaka, X. Liu, K. Matsunaga, H. Kudo, K. Inoue, Y. Nagai, N. Usami

19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XIX)
パワーデバイス応用に向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合技術の研究開発

梁剣波, 大野裕, 重川直輝

実装フェスタ関西2022
太陽電池用多結晶Si中の転位発生源 -TEMと多結晶材料情報学に基づく解析-

大野裕, 山腰健太, 横井達矢, 松永克志, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 井上耕治, 永井康介, 宇佐美徳隆

第2回日本太陽光発電学会学術講演会
CrCoNiミディアムエントロピー合金における双晶界面への偏析

井上耕治, 嶋田雄介, 大野裕

金属材料研究所第142回講演会　2022年5月24日
TEMと多結晶材料情報学に基づくシリコン中の転位発生源の解析

大野裕, 山腰健太, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 田中博之, 永井康介, 宇佐美徳隆

日本顕微鏡学会第78回学術講演会
Cz-LiTaO3結晶インゴットにおける多結晶化過程の観察

大迫千峰, 土橋大輔, 東風谷敏男, 大野裕

第69回応用物理学会春季学術講演会
GaN/ダイヤモンド接合界面の特性評価

梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 重川直輝

第69回応用物理学会春季学術講演会
非対称粒界の粒界構造を網羅する人工粒界形成とキャリア再結合速度への影響解明

福田祐介, 沓掛健太朗, 小島拓人, 大野裕, 宇佐美徳隆

第69回応用物理学会春季学術講演会
応力解析による多結晶Siナノファセット構造の転位発生への影響調査

山腰健太, 大野裕, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 田中博之, 宇佐美徳隆

第69回応用物理学会春季学術講演会
Grain boundary segregation of arsenic dopants in silicon crystal revealed by atom probe tomography combined with low-temperature focused ion beam

Y. Ohno, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida

Summit of Materials Science 2022 (SMS2022)
Precise analysis of segregation sites for As dopants at Si grain boundaries

Y. Ohno, T. Yokoi, Y. Shimizu, J. Ren, K. Inoue, Y. Nagai, K. Kutsukake, K. Fujiwara, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida

Materials Research Meeting (MRM) 2021　2021年12月14日
多結晶シリコンにおいて粒界の構造が少数キャリア再結合特性に与える影響

福田祐介, 沓掛健太朗, 小島拓人, 大野裕, 宇佐美徳隆

第31 回材料フォーラムTOKAI　2021年11月11日
擬単結晶シリコンのキャスト成長過程における高次の双晶形成と転位発生

大野裕, 吉田秀人, 小島拓人, 山腰健太, 宇佐美徳隆, Patricia Krenckel, Stephan Riepe

第50回結晶成長国内会議
多種データにより再現された結晶成長中の多結晶Si 組織における応力解析

山腰健太, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 田中博之, 大野裕, 宇佐美徳隆

第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
多結晶Si中の粒界構造の変化がキャリア再結合速度に与える影響

福田祐介, 沓掛健太朗, 小島拓人, 大野裕, 宇佐美徳隆

第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
擬単結晶シリコン中の非対称Σ27 粒界における転位クラスター発生機構

大野裕, 吉田秀人, 小島拓人, 山腰健太, 宇佐美徳隆, Patricia Krenckel, Stephan Riepe

第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
Fabrication of Ga2O3/Si direct bonding interface for high power device applications

J. Liang, D. Takatsuki, Y. Shimizu, M. Higashiwaki, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device

R. Kagawa, K. Kawamura, Y. Sakaida, S. Ouchi, H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
Polarization inverted GaN/GaN junctions fabricated by surface-activated bonding

K. Sawai, J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
Nanostructural analysis of Al/β-Ga2O3 interface fabricated using surface activated bonding

K. Sawai, J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
Fabrication of Ga2O3/3C-SiC direct bonding for efficient surface heat dissipation

H. Nagai, K. Kawamura, Y. Sakaida, H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
Fabrication and characterization of GaN/Diamond bonding interface

A. Kobayashi, Y. Shimizu, Y. Ohno, S. W. Kim, K. Koyama, M. Kasu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
Structural analysis of diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature

Y. Ohno, J. Liang, H. Yoshida, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Shigekawa

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
シリコン粒界におけるヒ素ドーパントの偏析機構

大野裕, 清水康雄, JieRen, 横井達也, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中村篤智, 松永克志

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 2021年度大洗・アルファ合同研究会
Multicrystalline informatics for high-performance crystals 招待有り

N. Usami, T. Kojima, K. Kutsukake, X. Liu, H. Kudo, T. Matsumoto, T. Yokoi, Y. Shimizu, Y. Ohno

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)　2021年9月8日
Multicrystalline informatics: A methodology to realize high-performance crystals 招待有り

N. Usami, T. Kojima, K. Kutsukake, X. Liu, H. Kudo, T. Matsumoto, T. Yokoi, Y. Shimizu, Y. Ohno

2nd International Symposium on Modeling of Crystal Growth Processes and Devices　2021年7月6日
Precise characterization of segregation sites for oxygen impurities at grain boundaries in silicon

Y. Ohno, J. Ren, S. Tanaka, M. Kohyama, K. Inoue, Y. Shimizu, Y. Nagai, H. Yoshida

European Materials Research Society (EMRS) 2021 Spring Meeting
ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留応力評価

小林礼佳, 清水康雄, 大野裕, 金聖祐, 小山浩司, 嘉数誠, 重川直輝, 梁剣波

第68回応用物理学会春季学術講演会
シリコン中のヒ素ドーパントの粒界偏析機構

大野裕, 清水康雄, JieRen, 横井達也, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中村篤智, 松永克志

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月19日
高性能多結晶材料創製に向けた多結晶材料情報学の開拓招待有り

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕

日本物理学会第76回年次大会
Twin formation from lineages during Czochralski-growth of LiTaO3 ingots

Y. Ohno, Y. Kubouchi, H. Yoshida, T. Kochiya, T. Kajigaya

8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
Formation process of high thermal-stability diamond/Si and diamond/GaAs heterointerfaces by surface activated bonding

Y. Ohno, J. Liang, Y. Shimizu, H. Yoshida, N. Shigekawa

Materials Research Society (MRS) 2020 Fall Meeting　2020年12月3日
Triple junctions of random angle grain boundaries acting as dislocation sources in HP mc-Si ingots

Y. Ohno, K. Tajima, K. Kutsukake, N. Usami

30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)
Impact of misalignment of sigma-3 {111} grain boundaries on photovoltaic properties in Si

Y. Ohno, T. Tamaoka, H. Yoshida, Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Nagai, K. Kutsukake, N. Usami

30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)
チョクラルスキー成長LiTaO3単結晶インゴットにおける多結晶化発生点

大野裕, 大迫千峰, 東風谷敏男, 梶ケ谷富男

第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020年11月11日
バルク多結晶成長のプロセスサイエンス招待有り

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕

日本結晶成長学会第49回結晶成長国内会議　2020年11月9日
Microscopic picture of direct bonding via surface activation for low-resistance Si/wide-gap semiconductor heterointerfaces

Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, R. Miyagawa, Y. Shimizu, Y. Nagai

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME) 2020　2020年10月4日
ハイパフォーマンス多結晶シリコンにおける粒界3重点と転位発生の相関

大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月11日
低温FIB-断面STEM法によるSi/Diamond表面活性化接合界面の構造評価

大野裕, 梁剣波, 吉田秀人, 清水康雄, 永井康介, 重川直輝

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月11日
How to fabricate low-resistance heterointerfaces for tandem cells by direct bonding at low temperatures

Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, R. Miyagawa, Y. Shimizu, Y. Nagai

37th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (EU-PVSC)
多結晶材料情報学による粒界構造の解明と制御に向けて招待有り

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日
What is the dislocation sources in the growth of high-performance multicrystalline Si ingots?

Y. Ohno, K. Tajima, K. Kutsukake, N. Usami

37th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSC)　2020年9月8日
Structural properties of triple junctions acting as dislocation sources in high-performance Si ingots

Y. Ohno, K. Tajima, K. Kutsukake, N. Usami

47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
3次元PLイメージング法とTEM法による太陽電池用多結晶Siインゴット中の転位発生点の構造解析

大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆

日本物理学会第75回年次大会　2020年3月19日
自立基板上GaNエピ層/GaAs直接接合界面のナノ構造評価

廣瀬淳, 清水康雄, 大野裕, 梁剣波, 重川直輝

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月15日
GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価

小林礼佳, 清水康雄, 大野裕, 金聖祐, 小山浩司, 重川直輝, 梁剣波

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月15日
多結晶シリコンインゴット中の転位発生点近傍の構造特性

大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月13日
Ga2O3/3C-SiC接合界面の作製及び特性評価

梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 重川直輝

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月13日
Cz-LiTaO3単結晶インゴットにおける多結晶化発生点の構造

大迫千峰, 梶ケ谷富男, 大野裕

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
Atomistic structure of Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface activated bonding revealed by STEM combined with low-temperature FIB 国際会議

Y. Ohno, Y. Shimizu, Y. Nagai, R. Aso, N. Kamiuchi, H. Yoshida, J. Liang, N. Shigekawa

Materials Research Society (MRS) 2019 Fall Meeting　2019年12月2日
高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製

梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 嘉数誠, 金聖祐, Martin Kuball, 重川直輝

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月21日
GaAs/Diamond直接接合の界面評価

中村祐志, 清水康雄, 大野裕, 海老澤直樹, 詹天卓, 山下雄一郎, 白崎謙次, 永井康介, 渡邊孝信, 嘉数誠, 重川直輝, 梁剣波

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月21日
表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の低温FIB法による断面TEM評価

大野裕, 清水康雄, 永井康介, 麻生亮太郎, 神内直人, 吉田秀人, 梁剣波, 重川直輝

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月20日
再結晶化したInxGa1-xAsの結晶性

堀田行紘, 平山賢太郎, 富永依里子, 大野裕, 上田修

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日
多結晶材料情報学による高性能シリコンインゴットの創製に向けて招待有り

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, Abderahmane Boucetta, 小島拓人, 松本哲也, 工藤博章, 野田祐輔, 横井達矢, 清水康雄, 大野裕

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日
表面活性化接合で形成したSi/GaAs界面の低温FIB法によるアトムプローブ評価

清水康雄, 海老澤直樹, 大野裕, 梁剣波, 重川直輝, 永井康介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日
Cz-LiTaO3単結晶インゴットにおける多結晶化発生点の解析

大野裕, 梶ケ谷富男

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月18日
Oxygen segregation at imperfect low-Σ tilt boundaries in Si for solar cells 国際会議

Y. Ohno, T. Tamaoka, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai, K. Kutsukake

18th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII)　2019年9月10日
Multi-scale analysis of dislocation generation during the cast-growth of high-performance multicrystalline Si ingots by using PL imaging and TEM 国際会議

Y. Ohno, K. Tajima, N. Usami, K. Kutsukake

18th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII)　2019年9月9日
Compositional nanoanalysis at grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with FIB operated at low temperatures 国際会議

Y. Ohno, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai, N. Kamiuchi, R. Aso, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

Europian Conference and Exhibition on Advanced Material and Processed (EUROMAT2019)　2019年9月3日
Impurity segregation at misoriented Σ3{111} tilt boundariess in high-performance Si 国際会議

Y. Ohno, T. Tamaoka, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai, K. Kutsukake

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019年7月30日
Characterization of lineages in Czochralski-grown LiTaO3 ingots by differential interference contrast microscopy of dislocation etch pits 国際会議

Y. Ohno, Y. Kubouchi, T. Kajigaya

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019年7月29日
Structural variety and segregation ability of Σ9 grain boundaries in Si 国際会議

Y. Ohno, H. Yoshida, S. Takeda, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai

30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS30)　2019年7月25日
Impact of focused ion beam in the structural analysis of semiconductor interfaces fabricated by surface activated bonding 国際会議

Y. Ohno, H. Yoshida, N. Kamiuchi, R. Aso, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa

30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS30)　2019年7月23日
表面活性化のためのAr原子線照射がSi/GaAs接合界面の構造に及ぼす影響招待有り

大野裕

独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会第22回研究会　2019年7月6日
ハイパフォーマンス多結晶シリコンにおける転位クラスター発生機構

田島和哉, 沓掛健太朗, 大野裕, 松本哲也, 工藤博章, 宇佐美徳隆

学振175委員会第16回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2019年7月4日
Impact of polymorphic nanostructures at grain boundaries on segregation ability; for asymmetric Σ9{111}/{115} tilt boundaries in silicon 国際会議

Intergranular and Interphase Boundaries in Materials 2019 (IIB2019)　2019年7月2日
Impact of misorientation at symmetric grain boundaries on segregation ability; for Σ3{111} tilt boundaries in Si 国際会議

Intergranular and Interphase Boundaries in Materials 2019 (IIB2019)　2019年7月1日
収束イオン線を用いた半導体界面の解析におけるアーチファクト

大野裕, 清水康雄, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 神内直人, 麻生亮太郎, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝

日本顕微鏡学会第75回学術講演会　2019年6月19日
Direct bonding of diamond and dissimilar materials for power device applications 国際会議招待有り

J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, N. Ebisawa, S. Kenji, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa

2019 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE 2019)　2019年6月10日
Impact of asymmetric grain boundaries on conversion efficiency in Si solar cells 国際会議招待有り

Y. Ohno

Collaborative conference on Materials Research 2019 (CCMR-2019)　2019年6月5日
Chemical nanoanalysis at Si grain boundaries by atom probe tomography combined with FIB operated at low temperatures 国際会議

European Materials Research Society (EMRS) 2019 Spring Meeting　2019年5月27日
Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application 国際会議

S. Kanda, S. Masuya, M. Kasu, Y. Ohno, Y. Shimizu, N. Shigekawa, J. Liang

6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019)　2019年5月23日
Atom probe tomography of GaAs homointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国際会議

Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, K. Inoue, Y. Nagai

6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019)　2019年5月23日
Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam 国際会議

6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019)　2019年5月23日
Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature 国際会議

Y. Ohno, R. Miyagawa, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019)　2019年5月21日
Direct bonging of diamond and Cu at room temperature for power devise application 国際会議

J. Liang, S. Kanda, S. Masuya, M. Kasu, Y. Ohno, Y. Shimizu, N. Shigekawa

13th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC2019)　2019年5月13日
Two-dimensional polymorphic {111}/{115} grain boundaries in Si - Atomistic structure and impurity segregation ability - 国際会議

Materials Research Society (MRS) 2019 Spring Meeting　2019年4月24日
Two-dimensional polymorphic structure on {111}/{115} grain boundaries in Si 国際会議

21st International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials (MSM-XXI)　2019年4月10日
Si中のΣ9{111}/{115}粒界に形成される2次元ポリモルフィック構造

大野裕, 吉田秀人, 竹田精治, 横井達也, 中村篤智, 松永克志, 清水康雄, 永井康介

日本物理学会第74回年次大会　2019年3月17日
表面活性化接合によるGaAs/GaAs界面における元素分布評価

清水康雄, 海老澤直樹, 大野裕, 梁剣波, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介

第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月11日
LiTaO3結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析(II)

梶ヶ谷富男, 大野裕

第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日
3次元PLイメージング法で同定したハイパフォーマンス多結晶シリコンインゴット中の転位発生点近傍の透過電子顕微鏡解析

大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 清水康雄, 海老澤直樹, 永井康介, 宇佐美徳隆

第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日
3次元アトムプローブ法による半導体欠陥の組成評価：定量分析と実際招待有り

大野裕

独立行政法人日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第162回研究会　2019年1月31日
Recombination activity of inclined Σ3{111} grain boundaries in high-performance Si ingots 国際会議

K. Kutsukake, T. Tamaoka, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai, N. Usami

Materials Research Society 2018 Fall Meeting　2018年12月27日
Impurity segregation at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国際会議

Materials Research Society (MRS) 2018 Fall Meeting　2018年11月27日
Stability of Na atoms at stacking faults in Si depending on the Fermi level 国際会議

H. Morito, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga

Materials Research Society 2018 Fall Meeting　2018年11月25日
傾角のずれたΣ3{111}対称傾角粒界の不純物偏析能

大野裕, 沓掛健太朗, 玉岡武泰, 竹田精治, 清水康雄, 海老澤直樹, 井上耕治, 永井康介, 宇佐美徳隆

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター平成３０年度大洗研究会　2018年11月24日
Generation and propagation of defects in multicrystalline silicon for solar cells 招待有り

8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018　2018年11月21日
Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding

Summit of Materials Science 2018　2018年10月29日
Chemical nanoanalyses at grain boundaries by atom probe tomography with TEM and ab-initio calculations 国際会議招待有り

BIT's 8th Annual World Congress of Nano Science \& Technology-2018 (Nano S&T-2018)　2018年10月24日
熱処理によるダイヤモンド/Si接合における界面挙動

梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 重川直輝

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター平成３０年度大洗研究会　2018年10月4日
Chemical nanoanalyses at grain boundaries by joint use of scanning transmission electron microscopy and atom probe tomography 国際会議

K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science 2018 (AiMES2018)　2018年9月30日
Atomistic structure of low-resistance Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 国際会議

H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science 2018 (AiMES2018)　2018年9月30日
4H-SiCにおける転位の再結合促進運動のTEMその場観察

大野裕

名古屋大学工学部マテリアル理工学専攻材料工学分野セミナー　2018年9月25日
Σ3{111}対称傾角粒界の不純物偏析能とキャリア再結合速度に対する傾角のずれの影響

沓掛健太朗, 玉岡武泰, 竹田精治, 清水康雄, 海老澤直樹, 井上耕治, 永井康介, 宇佐美徳隆

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月18日
CZ-LiTaO3結晶における転位密度と小傾角粒界の空間分布の評価

梶ヶ谷富男, 窪内裕太

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月18日
データ科学を活用した高品質多結晶材料創製に向けて招待有り

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 松本哲也, 工藤博章, 横井達矢

日本セラミックス協会-第31回秋季シンポジウム　2018年9月5日
Growth mechanism of polymorphism of asymmetric Σ9{115}/{111} interfaces in silicon 国際会議

T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai

34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2018)　2018年7月29日
Structural bistability in Σ9{111}/{115} asymmetric grain boundary in Si ingots 国際会議

T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai

Extended Defects in Semiconductors 2018　2018年6月24日
Interaction of Na atoms with stacking faults in Si with different Fermi levels 国際会議

H. Morito, I. Yonenaga, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga

Extended Defects in Semiconductors 2018　2018年6月24日
Grain boundary segregation in silicon: nanoscopic mechanism and applications 国際会議招待有り

International Conference on Condensed-Matter and Material Science (ICCMS2018)　2018年6月20日
Atom probe and STEM nanoanalysis of grain boundary segregation in Si 国際会議招待有り

14th International Conference on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS2018)　2018年6月18日
シリコン結晶中のΣ9{111}/{115}非対称粒界に形成される多形構造

吉田秀人, 竹田精治, 横井達也, 中村篤智, 松永克志, 清水康雄, 永井康介

日本顕微鏡学会第74回学術講演会　2018年5月29日
First-principles study of dependence of impurity segregation on grain boundary character in silicon 国際会議

T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga

10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10)　2018年4月8日
Mechanism of oxygen segregation in multicrystalline silicon 国際会議

K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, T. Yokoi, K. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10)　2018年4月8日
Interaction of sodium atoms with stacking faults in silicon crystals with different doping levels 国際会議

H. Morito, K. Kutsukake, I. Yonenaga

10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10)　2018年4月8日
データ科学を活用した材料創製・材料評価に向けて

沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 工藤博章, 横井達矢, 羽山裕介, 井上憲一

日本金属学会2018年春期(第162回)講演大会　2018年3月19日
Si中のΣ9{111}/{115}非対称粒界における双安定構造

清水康雄, 永井康介, 沓掛健太朗, 吉田秀人, 竹田精治, 横井達也, 中村篤智, 松永克志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日
分野融合で始まる欠陥研究の新時代 -学会を越えた視点から見えてくるもの-

沓掛健太朗, 中村篤智

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日
ドーピングレベルに依存するSi中の積層欠陥とNa原子の相互作用

森戸春彦, 沓掛健太朗, 米永一郎, 横井達也, 中村篤智, 松永克志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日
LiTaO3結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析（Ⅰ）－X線トポグラフ像とエッチピット像の対応－

梶ヶ谷富男, 窪内裕太

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日
LiTaO3結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析（Ⅱ）－透過電子顕微鏡を用いた転位の同定－

窪内裕太, 梶ヶ谷富男

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日
Structural properties of low-resistance Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 国際会議

Energy, Materials, and Nanotechnology Photovoltaics Meeting 2018　2018年1月15日
Polymorphism of asymmetric Σ9{111}/{115} interfaces in silicon 国際会議

K. Kutsukake, H. Yoshida, S. Takeda, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga

Materials Research Society 2017 Fall Meeting　2017年11月26日
Origin of the resistance at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 国際会議

H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

Materials Research Society 2017 Fall Meeting　2017年11月26日
Evaluation of mechanical properties of cubic-BN(111) bulk single crystal using nanoindentation

M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Taniguchi

第36回電子材料シンポジウム　2017年11月8日
ＴＥＭ－アトムプローブ複合法によるシリコン粒界における酸素の偏析機構の解明

井上海平, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター平成29年度大洗研究会　2017年10月4日
TEM observation of femtosecond-laser-induced periodic structures on SiC substrates 国際会議

R. Miyagawa, M. Deura, I. Yonenaga, O. Eryu

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)　2017年9月17日
シリコン結晶における不純物の粒界偏析－微視的描像と機能－

第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月5日
室温表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の熱処理による構造変化

吉田秀人, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝

第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月5日
データ科学的手法による効率的なマッピング(3)：測定点移動距離の検討

沓掛健太朗, 菊地亮太, 下山幸治

第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月5日
Mechanism of oxygen segregation at tilt boundaries in Si 国際会議

K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)　2017年7月31日
Mechanical properties of cubic-BN bulk single crystal evaluated by nanoindentation 国際会議

M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Taniguchi

12th International Conference on Nitride Semiconductors　2017年7月24日
多結晶材料情報学によるスマートシリコンインゴットの創製に向けて

宇佐美徳隆, 羽山優介, 高橋勲, 松本哲也, 工藤博章, 横井達矢, 松永克志, 沓掛健太朗

独立行政法人日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2017年7月20日
データ科学的手法を用いた効率的なマッピングの提案

沓掛健太朗, 菊地亮太, 出浦桃子, 下山幸治, 米永一郎

独立行政法人日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2017年7月20日
フェムト秒レーザー誘起周期構造の結晶性評価

宮川鈴衣奈, 出浦桃子, 米永一郎, 江龍修

第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2017年7月13日
3次元アトムプローブ-TEM複合法によるSi中の格子間酸素の粒界偏析評価

井上海平, 藤原航三, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

日本顕微鏡学会第73回学術講演会　2017年5月30日
平面TEM観察による表面活性化接合Si/GaAs界面の評価

吉田秀人, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝

日本顕微鏡学会第73回学術講演会　2017年5月30日
データ科学的手法を用いた効率的なマッピングの提案

沓掛健太朗, 菊地亮太, 出浦桃子, 下山幸治, 米永一郎

金属材料研究所第133回講演会　2017年5月26日
Chemical nanoanalyses at grain boundaries by joint use of atom probe tomography and TEM combined with ab-initio calculations 国際会議

K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

European Materials Research Society 2017 Spring Meeting　2017年5月21日
Atomistic structure of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 国際会議

H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

European Materials Research Society 2017 Spring Meeting　2017年5月21日
Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 国際会議

H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

2017 5th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2017)　2017年5月16日
Structural properties of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 国際会議

J. Liang, N. Shigekawa

Materials Research Society 2017 Spring Meeting　2017年4月17日
Dislocations on Σ5{013} grain boundaries in mono-cast Si; atomistic structure and effects on mechanical properties 国際会議

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai

Materials Research Society 2017 Spring Meeting　2017年4月17日
Grain boundary segregation in Si studied by atom probe tomography combined with TEM and ab-initio calculations 国際会議

20th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2017年4月9日
半導体における粒界・転位機能－Si粒界の偏析特性とワイドギャップ半導体の転位特性を中心として－

日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部第71回若手材料研究会「格子欠陥研究の最前線」　2017年3月24日
モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析機構

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

日本物理学会第72回年次大会　2017年3月17日
シリコン中の傾角粒界における酸素の偏析機構

井上海平, 藤原航三, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月14日
常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の原子・電子構造

吉田秀人, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月14日
X線トポグラフィーを用いたLiTaO3結晶に存在する欠陥の三次元解析

窪内裕太, 梶ヶ谷富男, 杉山正史, 川村祥太郎, 米永一郎

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月14日
データ科学的手法による効率的なマッピングの検討(1)

菊地亮太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 下山幸治, 米永一郎

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月14日
データ科学的手法による効率的なマッピングの検討(2)

沓掛健太朗, 菊地亮太, 出浦桃子, 下山幸治, 米永一郎

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月14日
表面活性化接合Si/GaAs界面の平面TEM観察

独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会第7回研究会　2016年12月16日
Grain boundary segregation in mono-like Si

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

金属材料研究所第132回講演会　2016年11月24日
顕微発光イメージングによるシリコン結晶中の粒界評価

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

金属材料研究所第132回講演会　2016年11月24日
ナノインデンテーションにより評価した窒化ホウ素（BN）の機械的特性

出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 谷口尚

金属材料研究所第132回講演会　2016年11月24日
Segregation ability of oxygen and carbon atoms at large-angle grain boundaries in Si 国際会議

K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

9th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-9) & 3rd Silicon Materials Joint Workshop　2016年10月10日
Grain boundary segregation of nickel, copper, and oxygen atoms in a mono-like Si crystal 国際会議

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

9th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-9) & 3rd Silicon Materials Joint Workshop　2016年10月10日
TEM-3次元アトムプローブ複合法で評価したSi中の大角粒界の不純物

井上海平, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター平成２８年度大洗研究会　2016年9月29日
Nanoscopic segregation ability of large-angle tilt boundaries in Si 国際会議

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Extended Defects in Semiconductors 2016　2016年9月25日
Segregation mechanism at small angle tilt boundaries in Si 国際会議

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otubo, S. R. Nishitani

Extended Defects in Semiconductors 2016　2016年9月25日
モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日
シリコン中の大角粒界における不純物の偏析能

井上海平, 藤原航三, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日
常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の平面TEM観察

梁剣波, 重川直輝

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日
ウルツ鉱BNと立方晶BNの機械的特性の比較

出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 谷口尚

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日
Grain boundaries in silicon crystals: Crystallographic interaction and dislocation generation during crystal growth 国際会議

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016年8月7日
Evaluation of mechanical properties for w-BN using nanoindentation 国際会議

M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Taniguchi

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016年8月7日
Influence of grain boundaries on stress concentration in multicrystalline Si 国際会議

S. Sugioka, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016年8月7日
Lattice parameter of heavily impurity doped Si 国際会議

I. Yonenaga, R. Gotoh, K. Omote, K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016年8月7日
Enhanced diffusivity of Mn in heavily dislocated region of Si crystal 国際会議

I. Yonenaga, R. Gotoh

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016年8月7日
Abnormal diffusivity of oxygen in thermal-double-donor formation in Si 国際会議

T. Yoshioka, M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016年8月7日
First principles calculations of solution energies of dopants around stacking faults in Ge crystal 国際会議

K. Sakakibara, T. Fujioka, S. R. Nishitani, I. Yonenaga

9th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM9)　2016年8月1日
Elastic properties of wurtzite-type BN evaluated by nanoindentation

M. Deura, K. Kutsukake, H. Fukuyama, I. Yonenaga, T. Taniguchi

第35回電子材料シンポジウム　2016年7月6日
TEM-3次元アトムプローブ複合法によるSi中の傾角粒界の不純物偏析能の評価

井上海平, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

日本顕微鏡学会第72回学術講演会　2016年6月14日
Segregation abilities of large-angle tilt boundaries in silicon 国際会議

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Summit of Materials Science 2016 (SMS2016)　2016年5月18日
Luminescence imaging through a spatially-resolved camera for defect characterization in silicon crystals 国際会議

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

Summit of Materials Science 2016 (SMS2016)　2016年5月18日
Evaluation of elastic properties of III-nitrides using nanoindentation 国際会議

M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Summit of Materials Science 2016 (SMS2016)　2016年5月18日
ナノインデンテーションを用いたInNの弾性特性の解明

出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 王新強

第8回窒化物半導体結晶成長講演会　2016年5月9日
Three-dimensional evaluation of segregation ability at grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with transmission electron microscopy 国際会議

Eorupean Materials Research Society 2016 Spring Meeting　2016年5月2日
Nanoscopic mechanism of impurity segregation at grain boundaries in silicon 国際会議

K. Inoue, S. Ninomiya, K. Kutsukake, K. Fujiwara, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Materials Research Society 2016 Spring Meeting　2016年3月28日
Self-organization of metal silicide epilayers at grain boundaries in silicon 国際会議

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, T. Ohsawa, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otubo, S. Nishitani, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai

Materials Research Society 2016 Spring Meeting　2016年3月28日
シリコン中の小傾角粒界における銅の偏析機構

井上海平, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 谷口僚, 大坪秀礎, 西谷滋人

日本物理学会第71回年次大会　2016年3月19日
タンタル酸リチウム結晶中の転位の観察

梶ヶ谷富男, 杉山正史, 石川治男, 米永一郎

第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日
ナノインデンテーションを用いたウルツ鉱構造窒化ホウ素（w-BN）の機械的特性評価

出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎

第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日
太陽電池用多結晶Siの粒界での応力集中

杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日
坩堝内成長で得られる太陽電池用Si結晶の粒界での応力集中

杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

第7回薄膜太陽電池セミナー　2016年3月13日
Impurity segregation at small angle tilt boundaries in silicon: nanoscopic mechanisms and applications 国際会議

Energy, Materials, and Nanotechnology (EMN) Photovoltaics Meeting 2016　2016年1月18日
Characterization of electrical properties of defects in multicrystalline silicon through photoluminescence imaging 国際会議

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

11th China SoG Silicon and PV Power Conference (CSPV11)　2015年11月26日
ゲルマニウム結晶中の酸素クラスター形成に対するスズ不純物濃度依存性

井上海平, 村尾優, 太子敏則, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

金属材料研究所第130回講演会　2015年11月25日
太陽電池用モノライクSiインゴット中の有限要素法を用いた応力解析

杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

金属材料研究所第130回講演会　2015年11月25日
Si単結晶中の塑性変形で発生した転位に起因する深い準位の測定

大崎洋範, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第130回講演会　2015年11月25日
Metal silicide epilayers self-organized at grain boundaries in silicon 国際会議

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otubo, S. R. Nishitani, N. Ebisawa, Y. Shimizu, H. Takamizawa, K. Inoue, Y. Nagai

2nd East-Asia Microscopy Conference (EAMC2)　2015年11月24日
Quantitative analysis of electrical activity of grain boundaries through high spatial resolution photoluminescence imaging 国際会議

K. Kutsukake, S. Ninomiya, M. Deura, N. Usami, I. Yonenaga

25th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-25)　2015年11月15日
Correlation between crystal quality and mechanical properties of InN 国際会議

M. Deura, Y. Ohkubo, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)　2015年11月8日
太陽電池用モノライクSiの結晶品質向上のための有限要素応力解析

杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

応用物理学会結晶工学分科会主催・第4回結晶工学未来塾　2015年10月29日
Grain boundary segregation in Si for solar cells studied by atom probe tomography 国際会議

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Workshop of TOHOKU university and SCK.CEN at Tokyo　2015年9月21日
シリコン中の小傾角粒界における酸素の偏析機構

井上海平, 藤原航三, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介

日本物理学会2015年秋季大会　2015年9月16日
ゲルマニウム結晶中のサールドナー形成に対するスズ不純物濃度依存性

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

日本物理学会2015年秋季大会　2015年9月16日
Ge 積層欠陥中のドーパントの第一原理計算

榊原健, 西谷滋人, 中村仁美, 山本洋佑, 米永一郎

日本物理学会2015年秋季大会　2015年9月16日
キャストSiはどこまでCZ-Siに近づけるか？-粒界と転位の影響-

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日
Nanoscopic segregation mechanism of impurity atoms at Σ9{114} grain boundaries in silicon crystals

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015年7月27日
Formation process of Cu precipitates at small-angle tilt boundaries in Si crystals

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otubo, S. R. Nishitani, N. Ebisawa, Y. Shimizu, H. Takamizawa, K. Inoue, Y. Nagai

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015年7月27日
Near-field light probe towards in-situ Raman spectroscopy under transmission electron microscopy

I. Yonenaga

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015年7月27日
Enhanced diffusion of Mn in heavily dislocated region of Si

R. Goto, I. Yonenaga

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015年7月27日
The impact of Sn-doping on formation of oxygen cluster in Ge crystal

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015年7月27日
Abnormal diffusivity of oxygen in Si at low temperatures

T. Yoshioka, M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015年7月27日
Recombination characters of defects in PV-Si obtained by high resolution PL imaging 国際会議

S. Ninomiya, K. Kutsukake, S. Sugioka, M. Deura, N. Usami, I. Yonenaga

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015年7月27日
Defect engineering of multicrystalline and mono-like silicon solar cells: Characterization and control of grain boundaries and dislocations 国際会議

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells and Modules: Materials and Processes　2015年7月26日
Micro-scale analysis of SiC layer by carbonization of Si substrates

M. Deura, H. Fukuyama, I. Yonenaga

第34回電子材料シンポジウム　2015年7月15日
First principles calculations of solution energies of dopants around stacking faults in Si crystal 国際会議

S. R. Nishitani, Y. Yamamoto, K. Togase, I. Yonenaga

International Conference on Computert coupling of Phase Diagrams and Thermochemistry　2015年5月31日
顕微PLイメージングによるシリコン結晶中の粒界特性評価

沓掛健太朗, 二宮駿也, 杉岡翔太, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会第12回シンポジウム　2015年5月28日
太陽電池用モノライクSi成長中の結晶方位と応力の関係

杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会第12回シンポジウム　2015年5月28日
Growth and characterization of silicon ingots for solar cells: conventional, mono-like and high-performance multicrystalline silicon 国際会議

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

The 5th Asia-Africa Sustanable Energy Forum　2015年5月10日
Accumulation of oxygen atoms at small-angle tilt boundaries in silicon 国際会議

K. Inoue, K. Fujiwara, M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai

8th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells (CSSC8)　2015年5月5日
Copper accumulation mechanism at small-angle tilt boundaries in silicon 国際会議

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, T. Ohsawa, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otubo, S. R. Nishitani, N. Ebisawa, Y. Shimizu, H. Takamizawa, K. Inoue, Y. Nagai

8th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells (CSSC8)　2015年5月5日
InNの結晶特性と硬度・ヤング率の相関

出浦桃子, 大久保泰, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

第7回窒化物半導体結晶成長講演会（プレISGN-6）　2015年5月5日
Effects of bond distortions on impurity segregation in high-angle grain boundaries in silicon 国際会議

K. Inoue, M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Materials Research Society 2015 Spring Meeting　2015年4月6日
Utilization of functional grain boundaries for mono-like Si for solar cells 国際会議

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

Materials Research Society 2015 Spring Meeting　2015年4月6日
Sn effects on thermal donor formation in Ge 国際会議

K. Inoue, Y. Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

Materials Research Society 2015 Spring Meeting　2015年4月6日
シリコン中のΣ9{114}粒界における不純物集積能とボンドひずみの相関

井上海平, 出浦桃子, 沓掛健太郎, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

日本物理学会第70回年次大会　2015年3月21日
Si基板の表面炭化により形成したSiC層のTEM観察による微細構造評価

出浦桃子, 福山博之, 米永一郎

日本物理学会第70回年次大会　2015年3月21日
Ge中のサーマルドナー形成の固溶酸素濃度依存性

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

日本物理学会第70回年次大会　2015年3月21日
窒化インジウム薄膜の硬度・ヤング率と結晶特性の関係

大久保泰, 徳本有紀, 出浦桃子, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第70回年次大会　2015年3月21日
顕微PLイメージング：多結晶シリコンウエハ評価法としての可能性

二宮駿也, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月11日
太陽電池用モノライクSi中の転位発生抑制のための応力解析

杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

第62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月11日
The impression effect of Sn impurity on aggregation of interstitial oxygen in Ge crystal 国際会議

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

2014 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" in conjunction with Russia-Japan Workshop "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2015年3月9日
Abnormally high diffusivity of oxygen atoms in Si at low temperatures: study of diffusion species 国際会議

T. Yoshioka, M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga

2014 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" in conjunction with Russia-Japan Workshop "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2015年3月9日
Impurity agglomeration into Σ3{111} and Σ9{114} grain boundaries in Si

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015年2月2日
太陽電池用Siインゴットの比較研究：従来多結晶、微細粒多結晶、モノライク

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015年2月2日
COガスを用いたSi表面炭化により形成したSiC層の局所構造解析

出浦桃子, 福山博之, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015年2月2日
Ge中のSn不純物による酸素集積の抑制効果

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015年2月2日
シリコン中の格子間酸素の300℃-450℃における拡散と減少挙動

吉岡尭頌, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015年2月2日
ナノインデンテーション法による窒化インジウム結晶の硬度・ヤング率評価

大久保泰, 徳本有紀, 出浦桃子, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015年2月2日
顕微PLイメージを用いたSi結晶中の粒界の電気的特性の定量評価

二宮駿也, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015年2月2日
透過電子顕微鏡による半導体欠陥の電子的・動的特性のナノスケール直視評価

独立行政法人日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第89回研究会「結晶加工と評価」　2015年1月8日
3D gettering ability of Sigma-3{111} and Sigma-9{114} grain boundaries in Si

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

金属材料研究所第128回講演会　2014年11月27日
Si表面炭化により形成したSiC層の断面TEM観察

出浦桃子, 福山博之, 米永一郎

金属材料研究所第128回講演会　2014年11月27日
The Effect of Sn impurities on oxygen diffusion in Ge

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

金属材料研究所第128回講演会　2014年11月27日
窒化インジウム薄膜の硬度・ヤング率と結晶特性の関係

大久保泰, 徳本有紀, 出浦桃子, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第128回講演会　2014年11月27日
Characterization of silicon ingots: mono-like vs. HP multicrystalline 国際会議

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion　2014年11月23日
Correlation between PL intensity and dislocation density by using high spatial resolution measurement in a silicon crystal 国際会議

S. Ninomiya, K. Kutsukake, M. Deura, N. Usami, I. Yonenaga

6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion　2014年11月23日
PLイメージングを用いたSi結晶における粒界の電気的特性評価の定量化

二宮駿也, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第3回結晶工学未来塾　2014年11月13日
COガスを用いたSi表面炭化により形成したSiC層の微細構造評価

出浦桃子, 福山博之, 米永一郎

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日
顕微PLイメージングによるSi結晶中粒界の特性評価

二宮駿也, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日
Interactions of impurity atoms with Σ3{111} and Σ9{114} grain boundaries in silicon 国際会議

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Extended Defects in Semiconductors 2014　2014年9月14日
Development of a small light probe towards in-situ near-field Raman spectroscopy under transmission electron microscopy 国際会議

I. Yonenaga

Extended Defects in Semiconductors 2014　2014年9月14日
Characterization of electrical activity of dislocations in silicon by high spatial resolution PL imaging 国際会議

S. Ninomiya, K. Kutsukake, M. Deura, N. Usami, I. Yonenaga

Extended Defects in Semiconductors 2014　2014年9月14日
Dislocation Mobilities in Ductile to Brittle Temperature Region in Si 国際会議

I. Yonenaga, Y. Imoto, K. Kutsukake, M. Deura

Extended Defects in Semiconductors 2014　2014年9月14日
シリコン中におけるΣ9{114}粒界構造 ―不純物の偏析能との相関―

井上海平, 出浦桃子, 沓掛健太郎, 米永一郎, 吉田秀人, 竹田精治

日本物理学会2014年秋季大会　2014年9月7日
電池材料の局所境界構造と機能ーはじめにー

日本物理学会2014年秋季大会　2014年9月7日
ナノインデンテーション法によるInNの硬度とヤング率評価

大久保泰, 徳本有紀, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

日本物理学会2014年秋季大会　2014年9月7日
Ge濃度の異なるSbドープSiGe薄膜中の貫通転位運動

山下善文, 牧慎也, 伏見竜也, 西川亘, 林靖彦, 米永一郎

日本物理学会2014年秋季大会　2014年9月7日
Growth of mono-like silicon ingots using functionnal grain boundaries for solar cells 国際会議

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

再生可能エネルギー2014国際会議　2014年7月27日
窒化物半導体成長に向けたSi表面炭化によるSiC形成のCO分圧依存性

出浦桃子, 米永一郎, 福山博之

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2014春季講演会第6回窒化物半導体結晶成長講演会　2014年7月25日
太陽電池用シリコン結晶の比較研究：モノライク vs HP多結晶

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

日本学術振興会産学協力研究委員会次世代の太陽光発電システム第175委員会第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2014年7月3日
高空間分解能測定によるSi結晶のPL強度と転位密度の相関解明

二宮俊也, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

日本学術振興会産学協力研究委員会次世代の太陽光発電システム第175委員会第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2014年7月3日
Interaction of dopant atoms with Sigma-9{114} grain boundaries in Si

K. Inoue, S. Ninomiya, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

金属材料研究所第127回講演会　2014年5月28日
太陽電池用シリコンインゴットの比較研究：モノライクvs 微細粒多結晶

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

金属材料研究所第127回講演会　2014年5月28日
薄層Sbによる高密度転位導入Si結晶中のMnSi相拡大化

後藤頼良, 米永一郎

金属材料研究所第127回講演会　2014年5月28日
Thermal equilibrium state of thermal double donor in Ge

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

金属材料研究所第127回講演会　2014年5月28日
シリコン中の格子間酸素の300-450Cにおける拡散

吉岡尭頌, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第127回講演会　2014年5月28日
Si結晶中の転位密度とPL強度の高空間分解能の相関評価

二宮駿也, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

金属材料研究所第127回講演会　2014年5月28日
ナノインデンテーション法によるInNの機械的特性評価

大久保泰, 徳本有紀, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

金属材料研究所第127回講演会　2014年5月28日
Three-dimensional impurity distribution at sigma-3 and sigma-9 grain boundaries in silicon 国際会議

K. Inoue, S. Ninomiya, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai

European Materials Research Society 2014 Spring Meeting　2014年5月26日
Crystal growth of mono-like silicon ingot using functional grain boundaries 国際会議

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Usami

European Materials Research Society 2014 Spring Meeting　2014年5月26日
Infrared study of thermal donor in Ge crystal 国際会議

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2014 Spring Meeting　2014年5月26日
Accurate measurement of segregation to grain boundaries or planar faults by analytical transmission electron microscopy 国際会議

T. Walther, M. Hopkinson, N. Daneu, A. Recnik, K. Inoue, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2014 Spring Meeting　2014年5月26日
3次元アトムプローブ-TEM複合法によるSi中のΣ9粒界と不純物の相互作用評価

井上海平, 米永一郎, 海老澤直樹, 高見澤悠, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

日本顕微鏡学会第70回記念学術講演会　2014年5月11日
シリコン中におけるΣ9{114}粒界と不純物の相互作用

井上海平, 徳本有紀, 沓掛健太郎, 米永一郎, 海老澤直樹, 高見澤悠, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介

日本物理学会第69回年次大会　2014年3月27日
シリコンの脆性-延性遷移温度での転位の運動と芯構造

井元裕也, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第69回年次大会　2014年3月27日
ゲルマニウム中の酸素クラスターの熱平衡状態

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 沓掛健太郎, 出浦桃子, 米永一郎

日本物理学会第69回年次大会　2014年3月27日
PLイメージの強度と転位密度の定量的な評価

二宮駿也, 沓掛健太郎, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
モノライクSi vs HP多結晶

沓掛健太郎, 出浦桃子, 米永一郎

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
種々のSbドープSiGeエピタキシャル膜中の転位運動

牧慎也, 伏見竜也, 山下善文, 米永一郎, 西川亘, 林靖彦

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
3元アトムプローブ・TEM複合法によるSi中のΣ3対応粒界と不純物の相互作用評価

井上海平, 徳本有紀, 沓掛健太郎, 米永一郎, 海老澤直樹, 高見澤悠, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2014年2月5日
ナノインデンテーション法によるInN薄膜の機械的特性の研究

大久保泰, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 徳本有紀

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2014年2月5日
Pb同時添加による高濃度Al添加シリコン結晶の育成

井上海平, 後藤瀬良, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2014年2月5日
高密度に転位を導入したSi結晶中へのMn拡散による合金層形成

後藤頼良, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2014年2月5日
太陽電池用モノライクSiの結晶粒界エンジニアリング

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2014年2月5日
3次元アトムプローブ-TEM複合法によるSi中の粒界と不純物の相互作用評価 -Σ3, Σ9, 小角粒界-

第１回グリーンエネルギー材料のマルチスケール創製研究会　2014年1月7日
Dynamic properties of dislocations in Ge controlled by Fermi level 国際会議

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, K. Inoue, I. Yonenaga

Materials Research Society 2013 Fall Meeting　2013年12月1日
Interaction of dopant atoms with Sigma-3{111} grain boundaries in Si

K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

金属材料研究所第126回講演会　2013年11月28日
太陽電池用モノライクSiの成長と転位分布評価

二宮駿也, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 米永一郎

金属材料研究所第126回講演会　2013年11月28日
シリコン結晶中における転位の低温での運動

井元裕也, 村尾優, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第126回講演会　2013年11月28日
Pb同時添加による高濃度Al含有CZ-Siの育成

井上海平, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第126回講演会　2013年11月28日
高密度に転位を導入したSi結晶へのMn拡散によるMnSi相形成

後藤頼良, 米永一郎

金属材料研究所第126回講演会　2013年11月28日
機能性結晶粒界を利用したモノライクSiのインゴット成長

沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 米永一郎

金属材料研究所第126回講演会　2013年11月28日
Growth of mono-like silicon using functional grain boundaries 国際会議

K. Kutsukake, N. Usami, I. Yonenaga

10th Materials Science School for Young Scientists and Students　2013年11月21日
In situ Observation of Dislocation Dynamics in AlN Films 国際会議

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Electron Microscopy and Multiscale Modeling 2013 (EMMM2013)　2013年11月10日
ゲルマニウムにおける酸素クラスター形成

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

第43回結晶成長国内会議　2013年11月6日
高密度に転位を含有するSi結晶表面でのMn-Si合金相形成

後藤頼良, 米永一郎

第43回結晶成長国内会議　2013年11月6日
Three-dimensional impurity distribution at sigma-3{111} grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with transmission electron microscopy 国際会議

K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12)　2013年11月4日
1.Microstructure of striae in Czochralski-grown <0441>-oriented LiNbO₃ 国際会議

K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, T. Taishi, N. Bamba

12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12)　2013年11月4日
3D evaluation of gettering ability of sigma-3{111} grain boundaries 国際会議

K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

7th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells (CSSC7)　2013年10月22日
Suppression of multi-crystallization of mono-like Si by functional grain boundaries 国際会議

K. Kutsukake, N. Usami, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

7th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells (CSSC7)　2013年10月22日
Dislocation Dynamics in AlN Films 国際会議

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

9th TU-UT-SNU Student Workshop　2013年10月9日
Characterization and simulation of electrical property of grain boundaries in multicrystalline silicon by electroluminescence imaging and finite element method 国際会議

K. Kutsukake, N. Miyazaki, T. Sameshima, T. Tachibana, A. Ogura, Y. Tokumoto, N. Usami, I. Yonenaga

28th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (EUPVSEC2013)　2013年9月30日
シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用

井上海平, 徳本有紀, 沓掛健太郎, 米永一郎, 海老澤直樹, 高見澤悠, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

日本物理学会2013年秋季大会　2013年9月25日
Si結晶中の積層欠陥における不純物ドーパントの第一原理計算

山本洋佑, 西谷滋人, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会2013年秋季大会　2013年9月25日
bcc銅シリサイドにおける電気的特性の第一原理計算

山本洋佑, 谷口僚, 米永一郎, 西谷滋人

日本物理学会2013年秋季大会　2013年9月25日
シリコン結晶中における転位の運動

井元裕也, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会2013年秋季大会　2013年9月25日
高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会2013年秋季大会　2013年9月25日
Al_xGa_1-xN薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関

徳本有紀, 種市寛人, 沓掛健太朗, 三宅秀人, 米永一郎

日本物理学会2013年秋季大会　2013年9月25日
各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数

米永一郎, 後藤頼良, 表和彦, 井上海平, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗

日本物理学会2013年秋季大会　2013年9月25日
PLイメージングによるモノライクSi中の転位分布の評価

二宮駿也, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第74回応用物理学会秋季学術講演会　2013年9月16日
高密度に転位を導入したSi結晶におけるMn-Si合金形成

後藤頼良, 米永一郎

第74回応用物理学会秋季学術講演会　2013年9月16日
機能性粒界を利用した70ｋｇモノライクSiインゴットの成長

沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 徳本有紀, 米永一郎

第74回応用物理学会秋季学術講演会　2013年9月16日
Growth of heavily tin-doped Si 国際会議

I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, R. Gotoh, K. Kutsukake, Y. Tokumoto

17th International Conference on Crystal Growth (ICCGE-17)　2013年8月11日
Precipitation behaviour of Cu in CZ-Si crystals heavily doped with p-type dopant 国際会議

K. Inoue, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, S.R. Nishitani

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013年7月21日
Formation of striaes in <0-441>-oriented CZ-LiNbO₃ single crystal 国際会議

K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, T. Taishi, N. Bamba

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013年7月21日
Slip systems in wurtzite ZnO single crystals at elevated temperatures 国際会議

H. Koizumi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, H. Taneichi, I. Yonenaga

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013年7月21日
Suppression of Multi-Crystallization in Mono-like Si for Solar Cells by Grain Boundary Engineering 国際会議

K. Kutsukake, N. Usami, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013年7月21日
Constitutional supercooling observed in As-doped Si grown by Czochralski method 国際会議

T. Taishi, I. Yonenaga

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013年7月21日
Growth of heavily indium doped Si 国際会議

K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013年7月21日
Bulk crystal growth of dilute GeSn 国際会議

Y. Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013年7月21日
Dislocation mobilities in wide band-gap semiconductors 国際会議

I. Yonenaga, Y. Tokumoto, K. Kutsukake

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013年7月21日
X-ray topographic observation of dislocation generation and propagation in Czochralski-grown Si 国際会議

I. Yonenaga, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, R. Gotoh, K. Iniue

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013年7月21日
Cu precipitation in CZ-Si crystals heavily doped with p-type dopant 国際会議

K. Inoue, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, S.R. Nishitani

12th Asia Pacific Physics Conference　2013年7月14日
Formation kinetics of thermal double donor in Ge 国際会議

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

12th Asia Pacific Physics Conference　2013年7月14日
Modification of dislocation properties in Si under high-magnetic field 国際会議

I. Yonenaga, Y. Tokumoto, K. Kutsukake

12th Asia Pacific Physics Conference　2013年7月14日
Nanoindentation hardness and elastic modulus of AlGaN alloys 国際会議

Y. Tokumoto, H. Taneichi, K. Kutsukake, H. Miyake, K. Hiramatsu, I. Yonenaga

10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim　2013年6月30日
AlN薄膜への転位導入と伝搬挙動の観察

徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

第5回窒化物半導体結晶成長講演会　2013年6月21日
Grain Boundary Engineering for Mono-like Si 国際会議

K. Kutsukake, N. Usami, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2013年6月16日
In-situ near-field photo-excitation under transmission electron microscopy 国際会議

I. Yonenaga

European Materials Research Society 2013 Spring Meeting　2013年5月27日
First principles calculations of the solution energy of dopant in Si crystal with stacking fault 国際会議

Y. Yamamoto, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, S. R. Nishitani

International Conference on Computer Coupling of Phase Diagrams and Thermochemistry XLII (CALPHAD XLII)　2013年5月26日
機能性結晶粒界によるモノライク Siの多結晶化の抑制

沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 徳本有紀, 米永一郎

第10回次世代の太陽光発電システムシンポジウム　2013年5月23日
Formation mechanism of striaes in <0-441>-oriented CZ-LiNbO₃ crystal

K. Kutrsukake, T. Tokumoto, I. Yonenaga, T. Taishi, N. Bamba

金属材料研究所第125回講演会　2013年5月22日
Infrared absorption spectrum of thermal double donor in Ge

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, I. Yonenaga

金属材料研究所第125回講演会　2013年5月22日
Effects of impurities on dislocation activities in Ge

Y. Murao, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga

金属材料研究所第125回講演会　2013年5月22日
高濃度に転位を導入したSi結晶におけるMnの拡散挙動

後藤頼良, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第125回講演会　2013年5月22日
半導体中キャリアの3次元分布計算とELイメージへの応用

沓掛健太朗, 宮崎直人, 鮫島崇, 立花福久, 小椋厚志, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

金属材料研究所第125回講演会　2013年5月22日
３次元アトムプローブ法による偏析の無いシリコン粒界近傍の不純物分布評価

井上海平, 徳本有紀, 沓掛健太郎, 米永一郎, 海老澤直樹, 高見澤悠, 清水康雄, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

日本顕微鏡学会第69回学術講演会　2013年5月20日
TEM内その場近接場光照射 -TEM内でのナノ光学に向けて-

日本顕微鏡学会第69回学術講演会　2013年5月20日
Development of an apparatus for in-situ near-field optical measurements in TEM 国際会議

I. Yonenaga

18th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2013年4月7日
Dislocation dynamics in AlN films induced by in situ TEM nanoindentation 国際会議

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

18th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2013年4月7日
顕微ELイメージングによる多結晶Si中粒界の電気的特性の定量評価

沓掛健太朗, 宮崎直人, 鮫島崇, 立花福久, 小椋厚志, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日
SbドープによるSi基板上SiGeエピタキシャル膜中の転位速度増大効果

伏見竜也, 松永拓也, 山下善文, 米永一郎

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日
高温微小硬度試験法で導入されたZnO中の転位の構造特性

徳本有紀, 沓掛健太朗, 種市寛人, 米永一郎

日本物理学会第68回年次大会　2013年3月26日
高濃度As添加シリコン結晶育成時のネッキング過程における転位発生挙動の解明

米永一郎, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 後藤頼良, 井上海平

日本物理学会第68回年次大会　2013年3月26日
ナノインデンテーション法によるAl_xGa_1-xN薄膜の硬度測定

徳本有紀, 種市寛人, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第68回年次大会　2013年3月26日
Ge単結晶におけるサーマルドナーの赤外吸収スペクトル

井上海平, 太子敏則A, 徳本有紀, 村尾優, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第68回年次大会　2013年3月26日
Si基板上SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの効果

山下善文, 松永拓也, 伏見竜也, 米永一郎

日本物理学会第68回年次大会　2013年3月26日
Formation of thermal double donor in germanium 国際会議

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, y. Murao, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Excellent Graduate Schools 2012 Annual Meeting in conjuction with Japan-Russia Workshop on Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure　2013年3月7日
Effects of impurities on dynamic properties of dislocations in germanium 国際会議

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Excellent Graduate Schools 2012 Annual Meeting in conjuction with Japan-Russia Workshop on Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure　2013年3月7日
Optical properties of edge dislocations on {1-100} prismatic planes in ZnO

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成24年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2013年2月5日
窒化物半導体薄膜の転位密度と硬度の相関

徳本有紀, 種市寛人, 沓掛健太朗, 三宅秀人, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成24年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2013年2月5日
半導体中キャリアの3次元分布計算とELイメージへの応用研究

沓掛健太朗, 宮崎直人, 鮫島崇, 立花福久, 小椋厚志, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成24年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2013年2月5日
Optical properties of edge dislocations on {1-100} prismatic planes in ZnO introduced at elevated temperatures 国際会議

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012年11月27日
Interaction energy of dopant atoms with stacking faults in Si crystals 国際会議

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, R. Taniguchi, S. R. Nishitani

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012年11月27日
BCC-Cu₃Si formed in Si 国際会議

T. Ohsawa, K. Inoue, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, Y. Shimizu, H. Takamizawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, S. R. Nishitani

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012年11月27日
Grain boundary engineering of silicon crystal for solar cells 国際会議

K. Kutsukake, Y. Tokumoto, N. Usami, I. Yonenaga

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012年11月27日
Dislocation generation and propagation in AlN films induced by in situ TEM nanoindentation 国際会議

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012年11月27日
Effects of O impurity on dislocation activity in Ge 国際会議

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012年11月27日
Infrared study of GeO_x formation in heat-treatment of high purity germanium crystal 国際会議

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012年11月27日
Growth of dilute GeSn alloys 国際会議

Y. Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

7th International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-7)　2012年10月28日
Propagation of nanoindentation-induced dislocations in AlN films 国際会議

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012年10月14日
A new mono-cast Si technique using functional grain boundaries 国際会議

K. Kutsukake, Y. Tokumoto, N. Usami, I. Yonenaga

6th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells　2012年10月8日
Quantitative analysis of carrier recombination property at grain boundaries in multicrystalline silicon using micro-image of electroluminescence 国際会議

K. Kutsukake, N. Miyazaki, T. Sameshima, T. Tachibana, A. Ogura, Y. Tokumoto, N. Usami, I. Yonenaga

27th European Photovoltaic Solar Energy Conference　2012年9月24日
Development of an apparatus for in-situ near-field photo-excitation in TEM 国際会議

International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012　2012年9月23日
シリコン中の積層欠陥とドーパント原子の相互作用エネルギー

徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎, 正木佳宏, 西谷滋人

日本物理学会2012年秋季大会　2012年9月18日
X線回折顕微鏡によるシリコン結晶中の成長時導入転位の特性の解明

米永一郎, 徳本有紀, 沓掛健太朗

日本物理学会2012年秋季大会　2012年9月18日
AlN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位の伝播

徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会2012年秋季大会　2012年9月18日
ゲルマニウム結晶中の酸素不純物による転位固着の時効効果

村尾優, 太子敏則, 井上海平, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会2012年秋季大会　2012年9月18日
ゲルマニウム単結晶内における酸素の熱処理による挙動

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 徳本由紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会2012年秋季大会　2012年9月18日
機能性結晶粒界によるモノキャストSi成長における多結晶化の抑制

沓掛健太朗, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日
多結晶Ｓｉのキャスト成長における転位発生に関するレビューと考察

沓掛健太朗, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日
Optical properties of dislocations on prismatic planes in ZnO 国際会議

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

Dislocations 2012　2012年8月27日
Dislocation Activities in Si under High-magnetic-field 国際会議

I. Yonenaga, Y. Tokumoto, K. Kutsukake

Dislocations 2012　2012年8月27日
Dislocation-induced optical properties of wide gaps GaN and ZnO 国際会議

I. Yonenaga, Y. Tokumoto

Dislocations 2012　2012年8月27日
Propagation of nanoindentation-induced dislocations in AlN films 国際会議

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Dislocations 2012　2012年8月27日
Dislocation activities in Ge doped with neutral impurities 国際会議

Y. Murao, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Dislocations 2012　2012年8月27日
Revisiting radiation-enhanced dislocation glide with recent studies on 4H-SiC 国際会議

K. Maeda

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012年6月24日
Formation of BCC-Cu₃Si in CZ-Si 国際会議

T. Ohsawa, K. Inoue, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, S. R. Nishitani

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012年6月24日
Interaction energy of n-type dopant atoms with stacking faults in Si 国際会議

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, R. Taniguchi, S. R. Nishitani

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012年6月24日
Optical properties of prismatic dislocations in ZnO 国際会議

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012年6月24日
Propagation behavior of nanoindentation-induced dislocations in AlN films 国際会議

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012年6月24日
Morphology and microstructure of GeAs islands formed on Ge(111) surfaces 国際会議

Y. Tokumoto, T. Taishi, K. Kutsukake, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012年6月24日
Characterization of 5 grain boundaries artificially formed in Si crystal by CZ, FZ and Bridgman growth methods 国際会議

K. Kutsukake, K. Inoue, Y. Tokumoto, N. Usami, K. Nakajima, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012年6月24日
Impurity-dependent dislocation dynamics in Ge 国際会議

Y. Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012年6月24日
太陽電池用超高品質シリコン結晶を目指した機能性結晶粒界の作製と制御

沓掛健太朗, 井上海平, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

日本学術振興会産学協力研究委員会次世代の太陽光発電システム第175委員会・第9回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2012年5月31日
AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入およびその伝播挙動の観察

徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第123回講演会　2012年5月23日
シリコン結晶中の人工粒界の成長と構造評価－CZ, FZ, ブリッジマン成長での比較－

沓掛健太朗, 井上海平, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄, 米永一郎

金属材料研究所第123回講演会　2012年5月23日
高濃度ボロン添加シリコン中の銅析出物の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 井上海平, 米永一郎

金属材料研究所第123回講演会　2012年5月23日
高濃度Sn添加Cz-Ge単結晶の育成

村尾優, 太子敏則, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第123回講演会　2012年5月23日
FT-IR study of interstitial oxygen in heat treated Ge

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, I. Yonenaga

金属材料研究所第123回講演会　2012年5月23日
高濃度B添加SiにおけるBCC構造Cu₃Siの形成

大澤隆亨, 徳本有紀, 井上海平, 米永一郎, 吉田秀人, 竹田精治, 正田薫, 谷口僚, 西谷滋人

日本顕微鏡学会第68回学術講演会　2012年5月14日
Cu fishbones in Si

日本顕微鏡学会第68回学術講演会　2012年5月14日
AlN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位

徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本顕微鏡学会第68回学術講演会　2012年5月14日
Interaction energy of dopant atoms with stacking faults in Si 国際会議

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Togase, S. R. Nishitani

European Materials Research Society 2012 Spring Meeting　2012年5月14日
Dislocation locking and velocity dependent on impurities in Ge 国際会議

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2012 Spring Meeting　2012年5月14日
Oxygen precipitation in Czochralski-grown Germanium Crystals 国際会議

K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Taishi

European Materials Research Society 2012 Spring Meeting　2012年5月14日
2 MeV e-irradiation UHVEM study on the impact of O and Ge doping on <113>-defect formation in Si 国際会議

J. Vanhellemont, H. Yasuda, Y. Tokumoto, M. Suezawa, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2012 Spring Meeting　2012年5月14日
AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入と伝搬挙動の観察

徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

第4回窒化物半導体結晶成長学会　2012年4月27日
ZnO中のプリズム面上転位の電子状態

藤井克司, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会第67回年次大会　2012年3月24日
高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の形成について

大澤隆亨, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 井上海平, 米永一郎, 清水康夫, 高見澤悠, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

日本物理学会第67回年次大会　2012年3月24日
GeAs/Ge(111)界面の構造解析

徳本有紀, 太子敏則, 米永一郎

日本物理学会第67回年次大会　2012年3月24日
シリコン結晶中の対応粒界の粒界転位構造と結晶成長に伴う変化

沓掛健太朗, 井上海平, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会第67回年次大会　2012年3月24日
IV族不純物添加ゲルマニウム結晶中の転位の運動

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第67回年次大会　2012年3月24日
Ge単結晶内の格子間酸素の熱処理による挙動

井上海平, 太子敏則, 徳本有紀, 村尾優, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第67回年次大会　2012年3月24日
Interaction of dopant atoms with stacking faults in Si

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Togase, S. R. Nishitani

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012年3月5日
高濃度ボロン添加シリコン中の銅析出物の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 井上海平, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012年3月5日
ゲルマニウム結晶中の転位動特性に対する不純物の影響

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012年3月5日
Ge(111)基板上に形成されたGeAsの微細構造解析

徳本有紀, 太子敏則, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012年3月5日
赤外吸収法による熱処理Ge単結晶中の格子間酸素の析出挙動の解明

井上海平, 太子敏則, 徳本有紀, 村尾優, 沓掛健太朗, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012年3月5日
EL・PLイメージを用いた粒界でのキャリア再結合速度導出の研討

沓掛健太朗, 宮崎直人, 鮫島祟, 立花福久, 小椋厚志, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012年3月5日
ナイトライド中の転位の運動特性と電子・光学特性の解明による高機能化

米永一郎, 徳本有紀

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012年3月5日
Morphology and microstructure of GeAs formed on Ge(111) surfaces 国際会議

Y. Tokumoto, T. Taishi, K. Kutsukake, I. Yonenaga

International Symposium on Role of Electron Microscopy in Industry -Toward genuine collaboration between academiaand industry-　2012年1月19日
多結晶シリコン中の酸素・炭素不純物の結晶育成方向に対する分布の解析

沓掛健太郎, 伊勢秀彰, 徳本有紀, 森下浩平, 中島一雄, 米永一郎

応用物理学会・結晶工学分科会「究極の結晶成長と分析＆若手ポスター発表会」　2011年12月16日
シリコン結晶中の人工粒界の成長-CZ, FZ, ブリッジマン成長での比較-

沓掛健太郎, 井上海平, 徳本有紀, 宇佐美特隆, 菅原隆昌, 宍戸統悦, 中島一雄, 米永一郎

応用物理学会・結晶工学分科会「究極の結晶成長と分析＆若手ポスター発表会」　2011年12月16日
半導体転位の電子特性：酸化亜鉛＆シリコン

大阪大学産業科学研究所セミナー　2011年12月13日
Dynamic interactions between impurities and dislocations in Ge crystals 国際会議

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

International Symposium on Materials Integration (ASPT2011 & KINKEN-WAKATE 2011)　2011年12月1日
Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO introduced at elevated temperatures 国際会議

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

Materials Research Society 2011 Fall Meeting　2011年11月28日
Impact of dopant atoms on stacking fault energy in Si crystals

T.Tokumoto, H. Taneichi, I.Yonenaga, K. Togase, S. R. Nishitani

金属材料研究所第122回講演会　2011年11月24日
ゲルマニウム結晶中での酸素不純物による転位固着への時効効果

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第122回講演会　2011年11月24日
高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出物の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 成田一生, 井上海平, 米永一郎

金属材料研究所第122回講演会　2011年11月24日
AlＮ基板上に成長されたAlGaN薄膜のナノインデンテーション法による機械的特性の研究

種市寛人, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第122回講演会　2011年11月24日
分野融合型格子欠陥研究の発展にむけて

東北大学金属材料研究所ワークショップ「分野融合型格子欠陥研究の発展にむけて」　2011年10月27日
ZnO中のプリズム面上転位の電子状態

藤井克司, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会2011年秋季大会　2011年9月21日
非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造

徳本有紀, 李賢宰, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会2011年秋季大会　2011年9月21日
高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動（そのIII)

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会2011年秋季大会　2011年9月21日
高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究その2

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 成田一生, 井上海平, 米永一郎

日本物理学会2011年秋季大会　2011年9月21日
P，Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算

西谷滋人, 戸賀瀬健介, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会2011年秋季大会　2011年9月21日
第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性

谷口僚, 西谷滋人, 米永一郎

日本物理学会2011年秋季大会　2011年9月21日
Doping effects on the stability of sigma-3 interfaces in Czochralski-grown silicon crystals 国際会議

Y. Tokumoto, T. Taishi, I. Yonenaga

7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures　2011年8月28日
Dynamic properties of dislocations in impurity doped Ge crystals 国際会議

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures　2011年8月28日
Energy levels of dislocations in GaN and ZnO

徳本有紀, 米永一郎, 藤井克司, 八百隆文

特定領域「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」最終成果報告公開シンポジウム　2011年8月3日
非極性GaN成長における低温バッファ層の構造評価

徳本有紀, 李賢宰, 八百隆文, 米永一郎

特定領域「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」最終成果報告公開シンポジウム　2011年8月3日
ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

米永一郎, 徳本有紀, 太子敏則, 上殿明良

特定領域「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」最終成果報告公開シンポジウム　2011年8月3日
Liquid boron-oxide encapsulated Czochralski-growth of Ge crystals 国際会議

T. Taishi, H. Ise, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2011年7月24日
Orientation relationship in GaN buffer layer grown on r-sapphire 国際会議

Y. Tokumoto, H.-J. Lee, T. Yao, I. Yonenaga

18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2011年7月24日
Modeling of incorporation of oxygen and carbon impurities into multi-crystalline silicon ingot during one-directional solidification 国際会議

K. Kutsukake, H. Ise, Y. Tokumoto, K. Nakajima, I. Yonenaga

18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2011年7月24日
Recombination activity of dislocations in wurtite ZnO introduced at elevated temperatures 国際会議

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011年7月17日
Dislocation levels acting as radiative recombination centers in compound semiconductors 国際会議

I. Yonenaga

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011年7月17日
Interaction of dopant atoms with stacking faults in Si 国際会議

Y. Tokumoto, H. Taneichi, I. Yonenaga, K. Togase, S. R. Nishitani

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011年7月17日
Grown-in defects in CZ-Si heavily doped with B atoms 国際会議

Y. Tokumoto, T. Ohsawa, K. Inoue, I. Yonenaga, K. Shoda, S. Ichikawa, R. Taniguchi, S. R. Nishitani

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011年7月17日
Oxygen in B2O3 encapsulated Czochralski-grown Ge 国際会議

T. Taishi, H. Ise, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011年7月17日
Doping effects for dislocation motion in Ge 国際会議

I. Yonenaga, Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011年7月17日
Microstructure of nonpolar GaN grown at low temperature 国際会議

Y. Tokumoto, H. Lee, T. Yao, I. Yonenaga

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011年7月17日
Modelling of incorporation of oxygen into multi-crystalline silicon during crystal growth 国際会議

K. Kutsukake, H. Ise, Y. Tokumoto, K. Nakajima, I. Yonenaga

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011年7月17日
ゲルマニウム結晶中の転位の発生および運動とその制御

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太郎, 米永一郎

第8回次世代の太陽発電システム　2011年6月30日
ZnO中の(1100)面上転位の電子状態

藤井克司, 八百隆文, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第121回講演会　2011年5月24日
非極性GaN薄膜成長における低温バッファ層の構造

徳本有紀, Lee Hyun-Jae, 八百隆文, 米永一郎

金属材料研究所第121回講演会　2011年5月24日
多結晶シリコン中の酸素・炭素不純物の結晶育成方向に対する分布

沓掛健太朗, 伊勢秀彰, 徳本有紀, 森下浩平, 中嶋一雄, 米永一郎

金属材料研究所第121回講演会　2011年5月24日
ゲルマニウム結晶中での酸素不純物による転位の不動化

村尾優, 太子敏則, 伊勢秀彰, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第121回講演会　2011年5月24日
Czochralski-growth of Si crystals doped with various kinds of impurities

井上海平, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第121回講演会　2011年5月24日
インデンテーション法により酸化亜鉛(11-20)面に導入される転位の研究

種市寛人, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第121回講演会　2011年5月24日
First principles calculations of stacking fault energy of P doped Si crystal 国際会議

S. R. Nishitani, K. Togase, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

Computer Coupling of Phase Diagrams and Thermochemistry XL　2011年5月22日
First principles calculations of the copper silicide precipitates 国際会議

R. Taniguchi, S. R. Nishitani, I. Yonenaga

Computer Coupling of Phase Diagrams and Thermochemistry XL　2011年5月22日
Crystallites with specific orientation in polycrystalline GaN buffer layer 国際会議

Y. Tokumoto, H.J. Lee, T. Yao, I. Yonenaga

5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS)　2011年5月22日
Doping effects on the stability of sigma-3 interfaces in silicon crystals 国際会議

Y. Tokumoto, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2011 Spring Meeting　2011年5月9日
Preferential orientation for crystallites in polycrystalline GaN buffer layer 国際会議

Y. Tokumoto, H.J. Lee, T. Yao, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2011 Spring Meeting　2011年5月9日
ＴＥＭ内その場顕微分光・電気測定による半導体転位の機能評価

日本金属学会2011年春期大会　2011年3月25日
ZnO中のプリズム面上転位の光学特性

藤井克司, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会第66回年次大会　2011年3月25日
低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化

徳本有紀, 李賢宰, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会第66回年次大会　2011年3月25日
高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動（そのII）

村尾優, 太子敏則, 伊勢秀彰, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第66回年次大会　2011年3月25日
高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 成田一生, 井上海平, 米永一郎

日本物理学会第66回年次大会　2011年3月25日
Interaction of impurities with dislocations in Ge

Y. Murao, T. Taishi, H. Ise, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」若手研究者研究報告会　2011年3月2日
ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

米永一郎, 大野裕, 徳本有紀, 上殿明良

特定領域「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」平成22年度研究成果報告会　2011年3月1日
Electronic properties of dislocations in ZnO and GaN

I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao, S. Ichikawa, N. Yamamoto

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2011年2月9日
GaNバッファー層における成長方位の変化

徳本有紀, H-J. Lee, 八百隆文, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2011年2月9日
高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 成田一生, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2011年2月9日
高酸素濃度ゲルマニウムの実現

米永一郎, 太子敏則, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 徳本有紀

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2011年2月9日
Development of an apparatus for in-situ micro- and near-field optical measurements in TEM

I. Yonenaga

金属材料研究所第120回講演会　2010年11月24日
Electronic properties of dislocations in wurtzite ZnO and GaN

Y. Tokumoto, I. Yonenaga

金属材料研究所第120回講演会　2010年11月24日
高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出物の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第120回講演会　2010年11月24日
高酸素濃度ゲルマニウムの実現

米永一郎, 太子敏則, 伊勢秀彰, 大澤隆亮, 徳本有紀

金属材料研究所第120回講演会　2010年11月24日
ゲルマニウム結晶中での不純物による転位の固着現象

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第120回講演会　2010年11月24日
酸素添加ゲルマニウム結晶中の局所振動モード

伊勢秀彰, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第120回講演会　2010年11月24日
欠陥反応制御による太陽電池用シリコン結晶の高機能化にむけて

東北大学金属材料研究所・低炭素社会基盤材料融合研究センターワークショップ「低炭素社会実現に向けた材料科学」　2010年11月19日
格子欠陥・ナノ構造体の制御技術と新機能性

第6回励起ナノプロセス研究会　2010年11月2日
シリコン中の転位の構造特性に対するドーピング効果

徳本有紀, 大澤隆亮, 太子敏則, 米永一郎

日本物理学会2010年秋期大会　2010年9月23日
高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会2010年秋期大会　2010年9月23日
P添加Si中の転位構造

徳本有紀, 太子敏則, 米永一郎

日本物理学会2010年秋期大会　2010年9月23日
Doping effects on the stacking fault energy in Czochralski-grown silicon 国際会議

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2010　2010年9月19日
Energy levels of dislocations in h-GaN and h-ZnO 国際会議

T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2010　2010年9月19日
Effects of phosphorus doping and annealing on dislocation structure in silicon 国際会議

Y. Tokumoto, Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2010　2010年9月19日
Oxygen-related defects in Czochralski germanium crystals grown using boron oxide 国際会議

T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2010　2010年9月19日
Dislocation-impurity interaction in Ge 国際会議

Y. Murao, Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2010　2010年9月19日
Si 結晶中に形成されるUltrashallow Thermal Donorについて

原明人, 淡野照義, 米永一郎

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
Dislocation activities in Ge crystals 国際会議

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

第4回東北大金研/高麗大学材料学科学生交流セミナー　2010年8月26日
Effects of n- and p-doping on the structural property of dislocations in Czochralski-grown silicon 国際会議

T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2010 Spring Meeting　2010年6月7日
Growth of oxygen-rich germanium crystals with low dislocation density 国際会議

T. Taishi, H. Ise, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2010 Spring Meeting　2010年6月7日
Formation of Nanotubes of Carbon by Joule Heating of Carbon-contaminated Si Nanochains 国際会議

H. Kohno, T. Nogami, I. Yonenaga, S. Ichikawa, S. Takeda

International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics　2010年6月3日
チョクラルスキー成長シリコン中の転位の構造特性に対するドーピング効果

太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第119回講演会　2010年5月27日
P添加および熱処理によるSi中の転位構造の変化

徳本有紀, 太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第119回講演会　2010年5月27日
ゲルマニウム結晶中の転位の運動速度に対する不純物の効果

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第119回講演会　2010年5月27日
高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出物の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第119回講演会　2010年5月27日
酸素添加ゲルマニウム結晶中の局所振動モード

伊勢秀彰, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第119回講演会　2010年5月27日
ルネサンス”ゲルマニウム”

米永一郎, 太子敏則, 村尾優, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 徳本有紀, J. Vanhellemont

金属材料研究所第119回講演会　2010年5月27日
シリコンナノチェインのジュール加熱によるナノチューブ形成

河野日出夫, 野上隆文, 市川聡

日本顕微鏡学会第66回学術講演会　2010年5月23日
シリコン中の転位の構造特性に対するドーピング効果

徳本有紀, 大澤隆亨, 米永一郎

日本顕微鏡学会第66回学術講演会　2010年5月23日
P添加Siにおける転位の構造

徳本有紀, 太子敏則, 米永一郎

日本顕微鏡学会第66回学術講演会　2010年5月23日
高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性

大野裕, 太子敏則, 米永一郎

日本物理学会第65回年次大会　2010年3月20日
ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価

伊勢秀彰, 太子敏則, 大沢隆亮, 末澤正志, 徳本有紀, J. Vanhellemont, 米永一郎

日本物理学会第65回年次大会　2010年3月20日
CZ-Ge結晶成長における酸素の混入と偏析現象

太子敏則, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 徳本有紀, 米永一郎

第57回応用物理学関係連合講演会　2010年3月17日
ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

米永一郎, 太子敏則, 徳本有紀

特定領域「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」平成21年度研究成果報告会　2010年3月15日
太陽電池基板用の無転位Ge結晶の育成

太子敏則, 徳本有紀, 村尾優, 米永一郎, 干川敬吾

平成21年度東北大学研究所連携プロジェクト研究成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2010年2月8日
Copper defects in heavily boron doped silicon single-crystals grown by Czochralski method

T. Taishi, K. Shoda, I. Yonenaga

金属材料研究所第118回講演会　2009年11月26日
B2O3被覆融液からの無転位Ge単結晶成長と評価

太子敏則, 伊勢秀彰, 徳本有紀, 米永一郎

第39回結晶成長国内会議　2009年11月12日
Si・Ge結晶成長における組成的過冷却発生条件の検討

太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

第39回結晶成長国内会議　2009年11月12日
In-situ analysis of optical properties of nanostructures in TEM 国際会議

The 20th Frontiers of Electron Microscopy in Materials Science　2009年9月27日
高濃度ホウ素添加CZシリコン中の拡張欠陥

太子敏則, 米永一郎

日本物理学会2009年秋季大会　2009年9月25日
シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生

太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会2009年秋季大会　2009年9月25日
電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換

河野日出夫, 野上隆文, 市川聡, 竹田精治

日本物理学会2009年秋季大会　2009年9月25日
B2O3被覆Ge融液からの低転位密度CZ-Ge結晶成長

太子敏則, 伊勢秀彰, 米永一郎

第70回応用物理学会学術講演会　2009年9月8日
Optical properties of semiconductor nanostructures and defects studied by transmission electron microscopy in TEM 国際会議

5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2009年9月1日
Transformation of an insulating silicon nanochain into a conducting carbon nanotube by selective Joule heating 国際会議

H. Kohno, T. Nogami, S. Ichikawa, S. Takeda

5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2009年9月1日
Constitutional supercooling in SiGe 国際会議

I. Yonenaga, T. Taishi, Y. Tokumoto

17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2009年8月9日
As-related precipitates in Czochralski-grown Ge and Si crystals 国際会議

T. Taishi, I. Yonenaga

17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2009年8月9日
Relationship between morphological features of the growth interface and growth conditions in heavily-impurity doped Si and Ge crystal growth under occurrence of constitutional supercooling 国際会議

T. Taishi, I. Yonenaga

17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2009年8月9日
Effect of composition on the secondary phase crystallization and seed/crystal interface in lithium niobate crystal by the vertical Bridgman (VB) technique 国際会議

T. Taishi, N. Bamba, K. Hoshikawa, I. Yonenaga

17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2009年8月9日
Structural characteristics of dislocations in heavily phosphorus-doped silicon 国際会議

T. Shirakawa, T. Taishi, I. Yonenaga

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009年7月20日
In-situ analysis of optical properties of dislocations in ZnO by opto-TEM 国際会議

T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009年7月20日
Unique defects in heavily boron-doped silicon single-crystals grown by Czochralski method 国際会議

T. Taishi, I. Yonenaga

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009年7月20日
Strength and dislocation mobility in wide bandgap semiconductors 国際会議

I. Yonenaga, T. Taishi, Y. Tokumoto

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009年7月20日
Effects of dislocations on optical properties of wide bandgap GaN and ZnO 国際会議

I. Yonenaga, T. Taishi, Y. Tokumoto

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009年7月20日
Precipitation of GeAs in heavily As-doped Ge crystal during Czochralski growth 国際会議

T. Taish, I. Yonenaga

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009年7月20日
Dislocation generation due to thermal shock in Si crystal growth 国際会議

T. Taishi, K. Hoshikawa, I. Yonenaga

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009年7月20日
Morphological features affected by constitutional supercooling during Czochralski growth of Si and Ge crystals 国際会議

T. Taishi, K. Hoshikawa, I. Yonenaga

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009年7月20日
Dislocations in wide band gap semiconductors 国際会議

28th Electronic Materials Symposium　2009年7月8日
Atomistic Structure of Dislocations in ZnO Revealed by Opto-TEM and PL Spectroscopy 国際会議

H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

2009 Electronic Materials Conference　2009年6月24日
Electronic properties of dislocations in wurtzite ZnO single-crystals 国際会議

T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

European Materials Research Society 2009 Spring Meeting　2009年6月8日
Characteristics of Czochralski-grown B-doped Ge crystal 国際会議

T. Taishi, Y. Murao, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2009 Spring Meeting　2009年6月8日
Opto-TEM法によるw-ZnO単結晶中の転位の局在電子状態解析

太子敏則, 米永一郎

日本顕微鏡学会第65回学術講演会　2009年5月26日
透過電子顕微鏡内での顕微分光法によるナノ電子物性評価

太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第117回講演会　2009年5月14日
高濃度リン添加シリコン中の転位の構造特性

白川徹, 太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第117回講演会　2009年5月14日
シリコンの曲げ変形と転位の動特性

米永一郎, 太子敏則, 徳本有紀

金属材料研究所第117回講演会　2009年5月14日
高濃度As添加CZ-Ge結晶成長におけるGeAs析出機構の解明

太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第117回講演会　2009年5月14日
窒素ガス熱処理によって窒素をドープしたCZ-Si 結晶に形成されるSTD の熱的挙動

原明人, 及川拓也, 米永一郎

第56回応用物理学関係連合講演会　2009年3月30日
個々のシリコンナノチェインの電気的ブレイクダウン

野上隆文, 河野日出夫, 市川聡, 米永一郎, 竹田精治

第56回応用物理学関係連合講演会　2009年3月30日
半導体中の欠陥とその光学物性

米永一郎

日本金属学会2009年春期大会　2009年3月28日
シリコンの曲げ変形と転位動特性

米永一郎, 太子敏則

日本物理学会第64回年次大会　2009年3月27日
ホウ素およびリンを高濃度添加したシリコン中の格子欠陥形成

白川徹, 太子敏則, 米永一郎

日本物理学会第64回年次大会　2009年3月27日
引き上げ法シリコンの種子-結晶界面におけるミスフィット転位発生現象

太子敏則, 米永一郎

東北大学金属材料研究所ワークショップ,　2009年1月19日
Opto-TEM法によるZnO中の転位の局在電子状態解析

太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第116回講演会　2008年11月27日
ZnOにおける転位とその硬度特性

米永一郎, 小泉晴比古, 太子敏則

金属材料研究所第116回講演会　2008年11月27日
TEM内その場可視分光法によるw-ZnO単結晶中の転位の局在電子状態解析

太子敏則, 米永一郎

第4回励起ナノプロセス研究会　2008年11月21日
Electric breakdown of individual Si nanochains 国際会議

T. Nogami, H. Kohno, S. Ichikawa, I. Yonenaga, S. Takeda

The 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology　2008年11月9日
引き上げ法Ge結晶成長におけるBの偏析と固溶限

太子敏則, 村尾優, 米永一郎

第37回結晶成長国内会議　2008年11月4日
Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO single-crystals 国際会議

H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

Dislocations 2008　2008年10月13日
Dislocation impurity interaction in Si 国際会議

I. Yonenaga, T. Taishi

Dislocations 2008　2008年10月13日
顕微鏡法を用いたナノ電子物性評価の現状と今後

第１８回格子欠陥フォーラム　2008年9月24日
ZnO中の転位の電子励起誘起運動

太子敏則, 米永一郎

日本物理学会2008年秋季大会　2008年9月20日
個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン

野上隆文, 河野日出夫, 竹田精治

日本物理学会2008年秋季大会　2008年9月20日
ZnO結晶の硬度特性と転位挙動

小泉晴比古, 米永一郎, 太子敏則

日本物理学会2008年秋季大会　2008年9月20日
In-situ analysis of opto-, electronic properties of defects in TEM observations 国際会議

Extended defects in semiconductors 2008　2008年9月14日
Electronic Properties of Dislocations in wurtzite ZnO Bulk Single Crystals Freshly Induced by Plastic Deformation 国際会議

H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

Extended defects in semiconductors 2008　2008年9月14日
Generation of misfit dislocations at the seeding interface in bulk crystal growth 国際会議

T. Taishi, K. Hoshikawa, I. Yonenaga

Extended defects in semiconductors 2008　2008年9月14日
Strength and dislocation mobility in zinc oxide crystals 国際会議

I. Yonenaga, H. Koizumi, T. Taishi

Extended defects in semiconductors 2008　2008年9月14日
Dislocation-impurity interaction under magnetic field 国際会議

I. Yonenaga, K. Takahashi, T. Taishi

Extended defects in semiconductors 2008　2008年9月14日
Hardness and dislocation behavior in indentation of ZnO 国際会議

H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga

Extended defects in semiconductors 2008　2008年9月14日
Dislocation-related energy levels in wurtzite ZnO 国際会議

H. Koizumi, T. Taishi, K. Fujii, H. Goto, T. Yao, I. Yonenaga

The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008年5月21日
Impurity segregation in Si-rich SiGe 国際会議

I. Yonenaga, T. Ayuzawa, T. Taishi

The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008年5月21日
Segregation and precipitation in heavily As-doped Czochralski Ge crystal growth 国際会議

T. Taishi, Y. Murao, I. Yonenaga

The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008年5月21日
Dislocation control with impurity interactions in Si 国際会議

I. Yonenaga, T. Taishi

The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008年5月21日
Dynamics and luminescence of dislocations in GaN 国際会議

I. Yonenaga, H. Makino, T. Taishi, T. Yao

The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008年5月21日
Dislocation-oxygen interaction in Si under high magnetic field 国際会議

I. Yonenaga, K. Takahashi, T. Taishi

The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008年5月21日
ウルツ鉱型酸化亜鉛中の転位に関係する局在電子準位

小泉晴比古, 太子敏則, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎

金属材料研究所第115回講演会　2008年5月13日
GaN、ZnOにおける転位とその光学特性

米永一郎, 太子敏則, 藤井克司, 八百隆文

金属材料研究所第115回講演会　2008年5月13日
引き上げ(CZ)法によるGe結晶成長におけるBの偏析現象-他の不純物、CZ-Siとの比較-

太子敏則, 八百隆文

金属材料研究所第115回講演会　2008年5月13日
微小硬度試験法により導入されたZnO単結晶の転位の運動および光学特性

小泉晴比古, 太子敏則, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎

第55回応用物理学関係連合講演会　2008年3月27日
高濃度GaおよびAs添加CZ-Ge結晶成長における偏析挙動

太子敏則, 村尾優, 米永一郎

日本金属学会2008年春期大会　2008年3月26日
半導体の転位-不純物欠陥反応に対する強磁場の影響

米永一郎, 高橋弘紀, 太子敏則

日本金属学会2008年春期大会　2008年3月26日
GaN、ZnOにおける転位とその光学特性

米永一郎, 上村祥史, 枝川圭一, 八百隆文

日本金属学会2008年春期大会　2008年3月26日
ZnO中の転位に関係する局在電子準位

小泉晴比古, 太子敏則, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会第６３回年次大会　2008年3月22日
ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動

米永一郎, 太子敏則, 小泉晴比古

日本物理学会第６３回年次大会　2008年3月22日
塑性変形したバルク単結晶の降伏強度と転位の運動

小泉晴比古, 太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第114回講演会　2007年11月29日
高濃度Ga、As添加CZ-Ge単結晶成長における不純物分析

太子敏則, 小泉晴比古, 米永一郎

金属材料研究所第114回講演会　2007年11月29日
塑性変形した ZnO単結晶の光学特性

小泉晴比古, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎

金属材料研究所第114回講演会　2007年11月29日
Dynamics of dislocations in plastically deformed ZnO 国際会議

I. Yonenaga, H. Koizumi, T. Taishi

Materials Research Society 2007 Fall Meeting　2007年11月26日
Optical properties of ZnO including fresh dislocations induced by plastic deformation 国際会議

H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

Materials Research Society 2007 Fall Meeting　2007年11月26日
Formation of multiple nanoscale twin boundaries acting as twinning superlattice in AlGaAs epilayers 国際会議

T. Taishi, I. Yonenaga, K. Shoda, S. Takeda

The 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures　2007年11月11日
Electronic structure of a stacking fault in a commercial GaAs:Si wafer 国際会議

T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

The 34th International Symposium on Compound Semiconductors　2007年10月15日
塑性変形したZnO単結晶の降伏強度と転位の運動

小泉晴比古, 米永一郎

日本物理学会第62回年次大会　2007年9月21日
塑性変形したZnOの光学特性

小泉晴比古, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会第62回年次大会　2007年9月21日
フレッシュな転位を導入したZnO単結晶の力学特性および光学特性

小泉晴比古, 太子敏則, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎

第68回応用物理学会学術講演会　2007年9月4日
Growth of lithium niobate (LiNbO₃) crystals by vertical Bridgman (VB) method 国際会議

T. Nishio, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Hoshikawa

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007年8月12日
Growth of langasite (La₃Ga₅SiO₁₄) crystals by vertical Bridgman (VB) method in air and an Ar atmosphere for applications to pressure sensors 国際会議

T. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, I. Yonenaga, K. Hoshikawa

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007年8月12日
Dopant segregation in SiGe 国際会議

I. Yonenaga, T. Ayuzawa, T. Taishi

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007年8月12日
Low stacking fault areas in pseudomorphic ZnSe layers grown by photo molecular beam epitaxy 国際会議

R. Hirai, S. Ichikawa, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007年8月12日
Multiple twin boundaries acting as superlattice in AlGaAs epilayers 国際会議

N. Yamamoto, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Shoda, S. Takeda

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007年8月12日
Influence of seed/crystal interface shape on dislocation generation due to thermal shock in Czochralski Si crystal growth 国際会議

T. Taishi, I. Yonenaga, K. Hoshikawa

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007年7月22日
Oxygen defects in langasite (La₃Ga₅SiO₁₄) single crystal grown by vertical Bridgman method 国際会議

T. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, I. Yonenaga, K. Hoshikawa

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007年7月22日
Misfit strain control at seed/crystal interface for hetero-seeding crystal growth 国際会議

I. Yonenaga, T. Taishi

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007年7月22日
Influence of High-Magnetic-Field on Dislocation-Oxygen Interaction in Silicon 国際会議

I. Yonenaga, K. Takahashi, T. Taishi

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007年7月22日
Control of the stacking fault areas in pseudomorphic ZnSe layers by photo-molecular beam epitaxy 国際会議

R. Hirai, S. Ichikawa, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007年7月22日
Electronic properties of twin boundaries in AlGaAs 国際会議

N. Yamamoto, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Shoda, S. Takeda

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007年7月22日
Atomistic structure of stacking faults in a commercial GaAs:Si wafer revealed by cross-sectional STM 国際会議

T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007年7月22日
AlGaAs薄膜中の多重双晶の電子状態

山本直紀, 太子敏則, 米永一郎, 正田薫, 竹田精治

金属材料研究所第113回講演会　2007年5月24日
成長中光照射によるZnSe薄膜の構造変化

平井竜太, 市川聡, 竹田精治

日本顕微鏡学会第63回学術講演会　2007年5月20日
Optical properties of twin boundaries in indirect gap AlGaAs 国際会議

K. Shoda, S. Takeda, N. Yamamoto

15th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2007年4月2日
Dislocation motion in ZnSe 国際会議

I. Yonenaga, S. Itoh

15th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2007年4月2日
MBE-VLS法で成長したZnSeナノワイヤーの光学特性

白濱武郎, 竹田精治, 石墨淳, 金光義彦

科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開－ポストスケーリングテクノロジー」研究成果発表会　2007年3月15日
透過電子顕微鏡内における光照射・分光法の開発と応用

日本電子顕微鏡学会北海道支部・ビーム誘起・励起効果研究部会　2007年3月6日
Atomistic structure of nanotwins in indirect-gap AlGaAs layers

N. Yamamoto, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Shoda, S. Takeda

IMR Workshop on Advanced Materials　2007年3月1日
Site-selective growth of nanoparticle catalysts on silicon surfaces for growth of nanowires 国際会議

K. Torigoe, J. Kikkawa, S. Ichikawa, T. Ichihhashi, S. Takeda

The 10th ISSP International Symposium on Nanoscience at Surfaces　2006年10月9日
成長中光照射によるZnSe疑似格子整合膜の構造変化

市川聡, 大野裕, 竹田精治

日本物理学会2006年秋季大会　2006年9月23日
ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成

鳥越和尚, 吉川純, 市川聡, 市橋鋭也, 竹田精治

日本物理学会2006年秋季大会　2006年9月23日
Quantitative analysis of optical polarization in semiconductor nanostructures by polarized cathodoluminescence spectroscopy in a transmission electron microscope 国際会議

S. Takeda

The 16th International Microscopy Congress　2006年9月3日
Microstructure and optical properties of ZnSe nanowires grown on .ZnSe(001) with Fe catalysts 国際会議

T. Shirahama, S. Takeda, A. Ishizumi, Y. Kanemitsu

The 16th International Microscopy Congress　2006年9月3日
Formation mechanism of silicon surface manoholes 国際会議

S. Takeda, T. Ichihashi, S. Iijima

The 16th International Microscopy Congress　2006年9月3日
Growth property of silicon nanowires 国際会議

J. Kikkawa, S. Takeda

The 16th International Microscopy Congress　2006年9月3日
Controlled arrangement of gold nanoparticles on silicon surfaces using high-energy electron beam 国際会議

K. Torigoe, T. Ichihhashi, S. Takeda

The 16th International Microscopy Congress　2006年9月3日
Atomistic structure of ZnSe nanowires on ZnSe(001) grown catalytically at low temperatures 国際会議

T. Shirahama, S. Takeda, A. Ishizumi, Y. Kanemitsu

28th International Conference on the Physics of Semiconductors　2006年7月24日
多重双晶をふくむAlGaAsエピタキシャル膜の光学特性

山本直紀

第53回応用物理学関係連合講演会　2006年3月22日
高速電子ビームによるナノプロセス

竹田精治, 鳥越和尚

第53回応用物理学関係連合講演会　2006年3月22日
荒れた表面におけるシリコンナノワイヤの触媒の成長制御

鳥越和尚, 吉川純, 市橋鋭也, 竹田精治

第53回応用物理学関係連合講演会　2006年3月22日
光照射MBE法により成長させたGaAs(001)基板上ZnSe薄膜の構造評価

平井竜太, 市川聡, 竹田精治

第53回応用物理学関係連合講演会　2006年3月22日
電子線照射によるナノプロセス

竹田精治

応用物理学会関西支部平成18年度関西支部セミナー　2006年2月7日
Novel optical properties of twin boundaries in AlGaAs revealed by polarized cathodoluminescence spectroscopy in a transmission electron microscope 国際会議

K. Shoda, S. Takeda, N. Yamamoto

The 5th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices　2005年12月4日
Nucleation and growth processes of silicon nanowires 国際会議

S. Takeda, N. Ozaki, K. Ueda, H. Kohno, J. Kikkawa

The 5th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices　2005年12月4日
Growth rate and critical diameter of silicon nanowires 国際会議

J. Kikkawa, S. Takeda

Osaka University-Asia Pacific-Vietnam National University Hanoi Forum 2005　2005年9月27日
Size Distribution of gold nanoparticles arranged on inhomogeneously roughened silicon 国際会議

K. Torigoe, S. Takeda

Osaka University-Asia Pacific-Vietnam National University Hanoi Forum 2005　2005年9月27日
断面STM法およびTEM-CL法による半導体界面の原子・電子構造

第15回格子欠陥フォーラム　2005年9月22日
劈開STM法によるn-GaAs:Si中の積層欠陥の電子状態

日本物理学会2005年秋季大会　2005年9月19日
電子線照射したSi表面上でのAuナノ微粒子の選択的成長

鳥越和尚, 市橋鋭也, 竹田精治

第66回応用物理学会学術講演会　2005年9月7日
Atomistic structure of CuPt-ordered GaInP alloys revealed by XSTM and polarized CL spectroscopy in a TEM 国際会議

23th International Conference on Defects in Semiconductors　2005年7月24日
Arrangement of gold nanoparticles on rough surfaces introduced by electron irradiation with high flux 国際会議

K. Torigoe, T. Ichihhashi, S. Takeda

23th International Conference on Defects in Semiconductors　2005年7月24日
Microstructure of a CuPt-ordered GaInP alloy revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy 国際会議

13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques　2005年7月3日
光照射下偏光カソードルミネセンス法で調べるZnSe薄膜中の90^oα部分転位の光誘起運動

日本電子顕微鏡学会第61回学術講演会　2005年6月1日
断面STM法およびTEM内偏光カソードルミネセンス法で調べるCuPt型GaInP薄膜中の反位相境界の光学特性

日本電子顕微鏡学会第61回学術講演会　2005年6月1日
TEM内偏光カソードルミネセンス法で調べるAlGaAs薄膜中の双晶面の光学特性

山本直紀

日本電子顕微鏡学会第61回学術講演会　2005年6月1日
Localized energy levels associated with dislocations in ZnSe revealed by polarized CL spectroscopy under light illumination 国際会議

S. Takeda

14th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2005年4月11日
Atomistic structure of spontaneously-ordered GaInP alloy revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy and polarized cathodoluminescence spectroscopy 国際会議

S. Takeda

14th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2005年4月11日
Dynamics of Au Adatoms on electron-irradiated rough Si surfaces 国際会議

K. Torigoe, T. Ichihhashi, S. Takeda

14th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2005年4月11日
CuPt型GaInP中の反位相境界に自己形成された量子井戸構造からの偏光発光

第53回応用物理学関係連合講演会　2005年3月29日
ZnSe中の転位の局在エネルギー準位：光照射その場偏光カソードルミネセンス法

第52回応用物理学関係連合講演会　2005年3月29日
表面ラフネスがAuナノ微粒子の分布に与える影響

鳥越和尚, 市橋鋭也, 竹田精治

第52回応用物理学関係連合講演会　2005年3月29日
AlGaAs中の多重双晶の光学特性

山本直紀

日本物理学会第60回年次大会　2005年3月24日
VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径

吉川純, 竹田精治

日本物理学会第60回年次大会　2005年3月24日
Growth of Au clusters in electron-irradiated rough Si surfaces 国際会議

K. Torigoe, T. Ichihhashi, S. Takeda

8th SANKEN International Symposium & 3rd International Symposium on Scientific and Industrial Nanotechnology　2004年12月6日
Nucleation and growth processes of silicon nanowires 国際会議

S. Takeda, N. Ozaki, K. Ueda, H. Kohno, J. Kikkawa

Materials Research Society 2004 Fall Meeting　2004年11月29日
Analysis of growth rate of silicon nanowires 国際会議

J. Kikkawa, S. Takeda

Materials Research Society 2004 Fall Meeting　2004年11月29日
TEM-CL法による双晶面が存在するAlGaAsの光学特性の評価

山本直紀

日本物理学会2004年秋季大会　2004年9月12日
MBE-VLS法で成長したZnSeナノワイヤーの光学特性

白濱武郎, 石墨淳, 金光義彦

日本物理学会2004年秋季大会　2004年9月12日
荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数

鳥越和尚, 市橋鋭也, 竹田精治

日本物理学会2004年秋季大会　2004年9月12日
触媒CVD法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析

吉川純, 竹田精治

日本物理学会2004年秋季大会　2004年9月12日
再成長界面を基点に形成されるAlGaAs中の双晶の光学特性

望月多恵, 藤井克司

日本物理学会第59回年次大会　2004年3月27日
ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構

白濱武郎, 竹田精治

日本物理学会第59回年次大会　2004年3月27日
ラフネスを導入したSi表面におけるAu原子の拡散

鳥越和尚, 市橋鋭也, 竹田精治

日本物理学会第59回年次大会　2004年3月27日
Formation and disappearance of stacking faults during epitaxial growth of ZnSe layers on GaAs 国際会議

International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials　2004年1月20日
Formation of nanoholes on Si surfaces by electron irradiation 国際会議

International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials　2004年1月20日
Growth of ZnSe nanowires with catalystic Fe particles by molecular beam epitaxy 国際会議

T. Shirahama, S. Takeda

International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials　2004年1月20日
Diffusion of Au adatoms on Si surface irradiated by electrons 国際会議

K. Torigoe, T. Ichihashi, S. Takeda

International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials　2004年1月20日
Initial stage of the growth of silicon nanowires 国際会議

J. Kikkawa, S. Takeda

International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials　2004年1月20日
Nanocatalysts for the growth of silicon nanowires 国際会議

S. Takeda, N. Ozaki, H. Kohno, J. Kikkawa

International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials　2004年1月20日
Formation and properties silicon/silicide/oxide nanochains 国際会議

H. Kohno, S. Ichikawa, T. Akita, K. Tanaka, S. Takeda

Materials Research Society 2003 Fall Meeting　2003年12月1日
半導体ナノ構造の形成メカニズムとその応用の可能性:Si表面ナノホール,拡張欠陥を中心として

第13回格子欠陥フォーラム　2003年9月23日
ZnSe薄膜中における積層欠陥の光誘起成長（TEM内光照射その場観察）

日本物理学会2003年秋季大会　2003年9月20日
MBE法によるZnSeナノホイスカーの成長

白濱武郎, 竹田精治

日本物理学会2003年秋季大会　2003年9月20日
Si表面ナノホールが存在する表面でのAu集合体の形成

鳥越和尚, 市橋鋭也, 秋田知樹, 竹田精治

日本物理学会2003年秋季大会　2003年9月20日
金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温STM観察

吉川純, 竹田精治

日本物理学会2003年秋季大会　2003年9月20日
Formation mechanism of the pairs of stacking faults in pseudomorphic ZnSe epilayers on GaAs 国際会議

N. Adachi, T. Shirahama, S. Takeda

13th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2003年3月31日
Quantitative analysis of linear polarization by means of polarized cathodoluminescence spectroscopy in a TEM 国際会議

S. Takeda

13th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2003年3月31日
Extension of stacking faults at low temperatures in a pseudomorphic ZnSe epilayer induced by laser illumination 国際会議

S. Takeda

13th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2003年3月31日
水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程

吉川純, 植田耕平, 竹田精治

日本物理学会第58回年次大会　2003年3月28日
電子線照射したSi(001)表面上での吸着原子の拡散と集合

鳥越和尚, 市橋鋭也, 竹田精治

日本物理学会第58回年次大会　2003年3月28日
ZnSe薄膜中における積層欠陥の光誘起成長

竹田精治

日本結晶学会2002年秋季大会　2002年12月11日
ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の形成機構

足立直人, 白濱武郎, 竹田精治

日本結晶学会2002年秋季大会　2002年12月11日
Formation of extended defects in polycrystalline SiGe by electron irradiation 国際会議

J. Kikkawa, J. Yamasaki, M. Kohyama, S. Takeda

International Conference on Polycrystalline Semiconductors 2002　2002年9月10日
ZnSe薄膜中における光照射による積層欠陥の形成（電子顕微鏡その場観察）

足立直人, 竹田精治

日本物理学会2002年秋季大会　2002年9月6日
SiGe混晶における電子線照射誘起の拡張欠陥

吉川純, 香山正憲, 竹田精治

日本物理学会2002年秋季大会　2002年9月6日
ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造とその形成機構

足立直人, 竹田精治

日本電子顕微鏡学会第58回学術講演会　2002年5月14日
面欠陥からの偏光CL光の定量解析

竹田精治

日本物理学会第57回年次大会　2002年3月24日
SiGeにおける電子線照射効果

吉川純, 山崎順, 河野日出夫, 竹田精治

日本物理学会第57回年次大会　2002年3月24日
シリコンナノワイヤー成長におけるナノ触媒形成過程のSTM観察

植田耕平, 尾崎信彦, 竹田精治

日本物理学会第57回年次大会　2002年3月24日
ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の生成消滅メカニズム

足立直人, 竹田精治

日本物理学会第57回年次大会　2002年3月24日
劈開STM法によるCuPt型GaInP中の反位相境界の研究

竹田精治

日本物理学会2001年秋季大会　2001年9月17日
金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察

植田耕平, 尾崎信彦, 竹田精治

日本物理学会2001年秋季大会　2001年9月17日
ZnSe薄膜中のＶ字型積層欠陥の構造

足立直人, 竹田精治

日本物理学会2001年秋季大会　2001年9月17日
Novel amorphization process in silicon induced by electron irradiation 国際会議

J. Yamasaki, H. Kohno, N. Ozaki, S. Takeda

19th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors　2001年8月27日
Fabrication of nanohole periodic multilayer structure on silicon surface toward photonic crystal 国際会議

S. Takeda

21th International Conference on Defects in Semiconductors　2001年7月26日
偏光CL-TEM法による半導体ナノ構造の光物性評価

竹田精治

日本電子顕微鏡学会第57回学術講演会　2001年5月10日
シリコン表面ナノホール形成の初期過程

馬淵敏暢, 河野日出夫, 竹田精治

第48回応用物理学関係連合講演会　2001年3月28日
シリコン表面ナノホールの配列機構

竹田精治

第48回応用物理学関係連合講演会　2001年3月28日
STMによるシリコン表面ナノホールの形成初期過程の観察

尾崎信彦, 丹原匡彦, 濱田大介, 山崎順, 竹田精治

第48回応用物理学関係連合講演会　2001年3月28日
シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム

馬淵敏暢, 河野日出夫, 竹田精治

日本物理学会第56回年次大会　2001年3月27日
シリコン表面ナノホールのSTM観察

尾崎信彦, 丹原匡彦, 濱田大介, 山崎順, 竹田精治

日本物理学会第56回年次大会　2001年3月27日
Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察

植田耕平, 尾崎信彦, 竹田精治

日本物理学会第56回年次大会　2001年3月27日
Formation process of silicon surface nanoholes 国際会議

S. Takeda

12th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2001年3月26日
CL法による電子状態解析の基礎

日本電子顕微鏡学会関西支部・平成12年度電子顕微鏡技術研究会（非生物系）　2000年12月8日
Control of the arrangement of nanoholes on silicon surface 国際会議

S. Takeda

Materials Research Society 2000 Fall Meeting　2000年11月27日
シリコン表面ナノホールの形成機構

山崎順, 竹田精治

日本物理学会第55回年次大会　2000年9月22日
シリコン表面上の電子線誘起欠陥のSTM観察

尾崎信彦, 丹原匡彦, 山崎順, 濱田大介, 白浜晃一, 河野日出夫, 竹田精治

日本物理学会第55回年次大会　2000年9月22日
シリコン表面に形成した多形シリコンナノワイヤー

尾崎信彦, 竹田精治

日本物理学会第55回年次大会　2000年9月22日
シリコンナノホールの極低温における形成過程

山崎順, 竹田精治

日本物理学会2000年春の分科会　2000年3月22日
シリコン表面ナノホールの光物性

丹原匡彦, 竹田精治

日本物理学会2000年春の分科会　2000年3月22日
シリコンナノワイヤーのTEM内その場可視分光装置による光学測定

尾崎信彦, 竹田精治

日本物理学会2000年春の分科会　2000年3月22日
GaPの点欠陥移動における表面効果

池中清乃, 竹田精治

日本物理学会2000年春の分科会　2000年3月22日
相変態研究のための可視分光−透過電子顕微鏡複合法の開発とその応用

竹田精治, 河野日出夫

科研費特定領域研究「材料組織制御をめざした相変態の微視的機構の解明」研究成果発表会　2000年1月29日
TEM-CL法による自己形成量子井戸構造の研究

竹田精治

東北大学金属材料研究所平成11年度研究会　2000年1月13日
Luminescence from self-organized quantum well structures in CuPt-ordered GaInP 国際会議

S. Takeda

Materials Research Society 1999 Fall Meeting　1999年11月29日
Optical properties of Si nanowhiskers (nanowires) on a Si (111) surface 国際会議

N. Ozaki, S. Takeda

Materials Research Society 1999 Fall Meeting　1999年11月29日
GaInP中の反位相境界に自己形成された量子井戸構造

竹田精治

日本物理学会1999年秋の分科会　1999年9月24日
シリコン(111)表面上に生成したシリコンナノワイヤーの光物性

尾崎信彦, 竹田精治

日本物理学会1999年秋の分科会　1999年9月24日
GaInP中の自己形成量子井戸構造からの発光

竹田精治

第60回応用物理学会学術講演会　1999年9月1日
Point defect reaction in (Al)GaInP STQW lasers enhanced by laser operation 国際会議

A. Ihara, S. Takeda, S. Nagao, D. Diffily, Y. Satoh, K. Shimoyama, N. Hosoi

20th International Conference on Defects in Semiconductors　1999年7月26日
GaInP中の反位相境界に起因する局在電子準位

竹田精治

日本物理学会第54回年会　1999年3月28日
GaInPの反位相境界に起因する電子線誘起発光

竹田精治

第46回応用物理学関係連合講演会　1999年3月28日
窒化物半導体cBN中の窒素バブルの形成

秋元成, 竹田精治

第46回応用物理学関係連合講演会　1999年3月28日
Optical properties of anti-phase boundaries and Frenkel-type defects in CuPt-ordered GaInP studied by optical spectroscopy in a transmission electron microscope 国際会議

S. Takeda

11th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　1999年3月22日
Formation of microcracks in an annealed cubic boron nitride 国際会議

M. Aki, S. Takeda

11th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　1999年3月22日
構造が制御された水素導入シリコン極微結晶の光学特性

竹田精治

科研費特定領域研究「サブナノ格子物質におけるプロチウム新機能」研究成果発表会　1999年1月21日
VLS growth of Si nanowhiskers on a H-terminated Si (111) surface 国際会議

N. Ozaki, S. Takeda, M. Hirata

Materials Research Society 1998 Fall Meeting　1998年11月30日
自然超格子GaInPにおける反位相境界の光学的性質

竹田精治

日本物理学会1998年秋の分科会　1998年9月25日
Electron-irradiation-induced disordering of CuPt-ordered GaInP studied by TEM-mode optical spectroscopy 国際会議

Y. Kawai, S. Takeda

10th Conference on Semiconducting and Insulating Materials　1998年6月1日
電子顕微鏡内その場可視分光法によるCuPt型自然超格子GaInPの電子線誘起異常不規則化の研究

竹田精治

日本電子顕微鏡学会第54回学術講演会　1998年5月13日
CuPt型自然超格子GaInPにおける電子線照射誘起欠陥反応

河井康幸, 竹田精治

日本物理学会第53回年会　1998年3月30日
シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成

尾崎信彦, 竹田精治, 平田光兒

日本物理学会第53回年会　1998年3月30日
c-BNの転位に形成された窒素バブル

秋元成, 竹田精治

日本物理学会第53回年会　1998年3月30日
CuPt型自然超格子GaInPの電子線照射による不規則化

河井康幸, 竹田精治

第45回応用物理学関係連合講演会　1998年3月28日
GaPおよびGaInP中の電子線誘起欠陥反応（TEM-CL法）

日本電子顕微鏡学会第42回シンポジウム　1997年10月31日
c-BNの拡張欠陥

秋元成, 平田光兒

日本物理学会1997年秋の分科会,　1997年10月5日
Formation of electron-irradiation-induced defects in GaP and GaInP studied by TEM-mode cathodoluminescence method 国際会議

Y. Kawai, S. Takeda

Scanning Microscopy 1997 Meeting　1997年5月10日
Diffusion process of interstitial atoms in InP studied by transmission electron microscopy 国際会議

S. Takeda, M. Hirata

Materials Research Society 1996 Fall Meeting　1996年12月2日
TEM内その場可視分光測定法の開発とその応用

竹田精治

日本電子顕微鏡学会第41回シンポジウム　1996年10月24日
InPにおける点欠陥の拡散過程

竹田精治, 平田光兒

日本物理学会1996年秋の分科会,　1996年10月1日
TEM内その場フォトルミネセンス法による半導体微細構造研究

日本物理学会1996年秋の分科会,　1996年10月1日
InP中の格子間原子の拡散過程（その場透過型電子顕微鏡法）

竹田精治, 平田光兒

第57回応用物理学会学術講演会　1996年9月7日
III-V族半導体の電子照射効果

竹田精治, 野田憲秀

東北大学金属材料研究所平成7年共同研究会　1995年11月6日
TEM内その場PL/CL測定による半導体微細構造の研究

日本電子顕微鏡学会/電子顕微鏡とニューマイクロスコープの基礎研究部会平成7年度研究会　1995年10月26日
GaPの電子線照射誘起欠陥のTEM内その場分光測定

竹田精治, 平田光兒

日本物理学会1995年秋の分科会　1995年9月27日
InPにおける2次欠陥成長過程のTEM観察

齊藤長人, 平田光兒

日本物理学会1995年秋の分科会　1995年9月27日
The clustering process of point defects in GaP studied by transmission electron microscopy 国際会議

S. Takeda, M. Hirata

18th International Conference on Defects in Semiconductors　1995年7月23日
化合物半導体GaPにおける2次欠陥の成長過程

竹田精治, 平田光兒

日本物理学会第50回年会　1995年3月28日
電子顕微鏡内におけるその場PL測定

日本電子顕微鏡学会／電子顕微鏡周辺機器の活用・開発とその応用に関する研究部会平成6年度研究会　1994年11月25日
その場TEM/PL法によるCVDダイヤモンドの格子欠陥の研究

竹田精治

日本金属学会1994年秋期大会　1994年10月8日
TEM内その場PL測定によるCVDダイヤモンドの格子欠陥の研究

竹田精治

第55回応用物理学会学術講演会　1994年9月17日
TEM法によるGaP中の点欠陥移動度の評価

竹田精治, 平田光兒

日本物理学会1994年秋の分科会　1994年9月2日
In-situ TEM-PL study of lattice defects in CVD-diamond 国際会議

S. Takeda, M. Hirata

13th International Congress on Electron Microscopy　1994年7月17日
GaPの電子線誘起欠陥

竹田精治, 平田光兒

日本物理学会第49回年会　1994年3月28日
HRTEM study of the (111) planar defect in heavily Si-doped GaAs 国際会議

S. Takeda, S. Horiuchi

8th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　1993年4月5日
TEM-ラマン分光による格子欠陥研究の可能性

竹田精治, 平田光兒

日本電子顕微鏡学会/電子顕微鏡周辺機器の活用・開発とその応用に関する研究部会平成4年度研究会　1992年12月11日
ダイヤモンドの熱ルミネセンスIV

西田良男, 横田嘉宏, 平木昭夫, 岡田守民, 矢津修示

日本物理学会第47回年会　1992年3月27日
ダイヤモンドの格子欠陥による熱ルミネセンスの増強

西田良男, 岡田守民, 中嶋猛, 佐藤周

京都大学原子炉実験所第26回学術講演会　1992年2月3日
ダイヤモンドの熱ルミネセンスIII

西田良男, 横田嘉宏, 平木昭夫, 岡田守民, 矢津修示

日本物理学会第46回年会　1991年9月27日
ダイヤモンドの熱ルミネセンスの格子欠陥による増強

西田良男, 岡田守民, 横田嘉宏, 平木昭夫, 矢津修示

1991年度光物性研究会　1991年5月24日
合成ダイヤモンドの熱ルミネセンスの格子欠陥による増感

西田良男, 岡田守民, 矢津修示

第4回ダイヤモンドシンポジウム　1991年1月22日
ダイヤモンドのサーモルミネセンスII

西田良男, 横田嘉宏, 河原田洋, 平木昭夫, 岡田守民

日本物理学会1990年秋の分科会　1990年10月2日
ダイヤモンドのサーモルミネセンス

錦織均, 美田佳三, 西田良男, 横田嘉宏, 河原田洋, 平木昭夫

日本物理学会第45回年会　1990年3月30日
アトムプローブと低温FIB加工法の複合による半導体粒界の構造・組成精密評価招待有り

大野裕

カメカテクニカルセミナー 2021
Twinning at lineages accompanied with cracking in Czochralski-grown LiTaO3 ingots

Y. Ohno, T. Kajigaya, K. Osako, T. Kochiya

22nd American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-22)　2021年8月2日
Segregation mechanism of arsenic dopants at Si grain boundaries

Y. Ohno, T. Yokoi, Y. Shimizu, J. Ren, K. Inoue, Y. Nagai, K. Kutsukake, K. Fujiwara, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida

31st International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS31)　2021年7月26日
Structural analysis of Si/diamond heterointerfaces fabricated by surface activated bonding using LT-FIB and STEM

Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, Y. Shimizu, Y. Nagai

Global Institute for Materials Research Tohoku Joint International Symposium on Radiation Effects in Materials and Actinide Science 2020 (GIMRT-REMAS2020)　2020年9月30日

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産業財産権 2

タンタル酸リチウム結晶における転位評価方法

大野裕, 窪内裕太

産業財産権の種類: 特許権
窒化物半導体積層構造体前駆体、窒化物半導体積層構造体、半導体装置、窒化物半導体積層構造体前駆体の製造方法、窒化物半導体積層構造体の製造方法

重川直輝, 梁剣波, 大野裕

産業財産権の種類: 特許権

共同研究・競争的資金等の研究課題 27

Si/ダイヤモンド直接接合界面ナノ構造の熱処理による制御

重川直輝, 嘉数誠, 大野裕, 梁剣波

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

2021年4月1日～ 2025年3月31日

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「接合界面の耐熱温度を明確化」するための手段として、最高熱処理温度1500 ℃の熱処理炉を導入し、シリコン（Si）の融点（1414 ℃）以上の高温でのダイヤモンド//Si接合界面の熱処理を可能とした。「異なる条件で熱処理した界面の原子配列と組成を精査する」ために、熱処理前及び1000 ℃で熱処理したダイヤモンド//Si接合界面のナノ構造および化学組成をHAADF-STEM及びEDXにより評価した。接合装置内の残留酸素あるいは水に起因する酸素原子、及び、表面活性化処理において試料周辺の試料ホルダ―がAr原子ビームで照射される際に試料表面に取り込まれる鉄（Fe）原子が熱処理前の界面に存在すること、酸素原子分布のピークは3-4 nmSi中に入った場所に存在すること、1000 ℃熱処理後の界面では、接合界面にSiC化合物層が形成されており、Si中に5-15 nmの大きさの空隙（nano void）が形成されること、nano void中に界面に取り込まれたFe原子が高濃度に存在していること、が分かった。nano voidの形成箇所と熱処理前の酸素原子分布には関連がある可能性が示された。「接合中のひずみを評価」するための第一歩として、熱処理前のダイヤモンド//SOI基板接合のSi(004)反射のX線回折測定（ロッキングカーブ測定、2θ/ω測定）を行った。ダイヤモンドと接合している部分のSOI基板において、接合界面付近のSi中に圧縮応力が存在すること、接合していない部分のSOI基板には引張応力が作用していることを示す結果を得た。新たに放射線照射が接合界面に及ぼす影響を評価するため、東北大学電子光理研の協力を得てダイヤモンド//Si接合に電子線照射を行った。
多結晶材料情報学による一般粒界物性理論の確立とスマートシリコンインゴットの創製

2017年10月～ 2024年3月

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多結晶材料は、組織の複雑さと粒界の多様性により、普遍的な高性能化指針が不明確でした。本研究では、大量の実用多結晶ウェーハに対するデータ収集・機械学習・理論計算の連携により、一般粒界の構造・物性の理論構築を行う多結晶材料情報学を開拓します。その有用性を、データ科学によって設計され、理論に裏付けされた多結晶組織を有し、優れた特性を示す太陽電池用スマートシリコンインゴットの創製により実証します。
LT結晶育成における転位形成と多結晶化発生メカニズム解明

大野裕

2017年4月～ 2024年3月
メガソーラーを劣化させる電圧誘起ナトリウム集積のその場透過電子顕微鏡法による解明

大野裕, 森戸春彦

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

研究機関：Tohoku University

2018年4月1日～ 2021年3月31日

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透過電子顕微鏡法と第一原理計算より、p型シリコンには格子間ナトリウムが多量に導入でき、それらが積層欠陥と相互作用して積層欠陥エネルギーを下げるため、ナトリウムの移動・集積過程はシリコンの極性やフェルミ準位、小数キャリア密度に依存することを示した。また、積層欠陥や粒界が存在する実用太陽電池用のボロン添加p型ハイパフォーマンスシリコン多結晶において、ナトリウムは積層欠陥・粒界と優先的に反応し、その反応性は粒界エネルギーと相関があり、低エネルギーの∑3{111}粒界や積層欠陥よりも高エネルギーのランダム粒界や高∑値粒界の方が反応性が高いことが分かった。
正極活物質のカソードルミネセンス

2018年4月～ 2019年3月
バイポーラデバイス動作環境における炭化シリコン中の転位のすべり運動と電子状態

大野裕, 前田康二

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2015年4月1日～ 2018年3月31日

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4H-SiC結晶中の30度-Si部分転位の電子励起転位すべり効果を理解するため、透過電子顕微鏡(TEM)内でのサブギャップ光照射により電子励起環境を形成し、光誘起されたすべり運動をその場TEM観察した。高品質結晶に意図的に導入したフレッシュな転位で、2.71eVと3.06eVのレーザー光照射によるすべり運動を確認した。運動の起源は深さ0.55eV以下に存在する転位の局在電子準位の光イオン化と結論づけた。運動を支配するのは転位上でのキンクのドリフト運動、運動の駆動力は転位が取り囲む積層欠陥のエネルギーと転位にかかる線張力と仮定し、キンク移動のための活性化エネルギーを0.6eV以下と見積もった。
リチウムイオン電池の充放電その場評価にむけた透過電子顕微鏡内近接場ラマン分光法

大野裕

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

研究機関：Tohoku University

2014年4月1日～ 2016年3月31日

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透過電子顕微鏡（TEM)観察下で観察領域にレーザー光を直径10μｍ以下に集光する装置を開発した。その結果、励起光強度の増加により、実用的な測定条件（エネルギー分解能6meV、10秒励起）での、空間分解能がμｍオーダーのTEM観察下その場ラマン分光測定が初めて可能となった。上記のレーザー光照射下で直径60ｎｍの銀微粒子を接触させて散乱型近接場光を形成したが、近接場光強度が期待より小さく、空間分解能がｎｍオーダーのラマン分光測定はできなかった。近接場光励起によるラマン信号を抽出するには、近接場光と近接場励起用レーザー光のプローブ面積比をあと一桁下げるか、近接場光の強度をあと一桁上げる必要がある。
mono-like Si結晶におけるシード境界からの転位発生メカニズムの解明

沓掛健太朗, 米永一郎, 大野裕, 出浦桃子, 二宮駿也, 杉岡翔太

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

研究機関：Tohoku University

2013年4月1日～ 2016年3月31日

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モノライク法は、複数の単結晶Siを種結晶に用いて、ルツボ内で低コストに擬似単結晶Siを製造する、太陽電池用Si結晶の新しい育成法である。本研究では、モノライクSiの転位密度低減に向けて、結晶成長中に種結晶境界（粒界）から転位が発生する機構の解明を目指した。(1)様々な種結晶境界でのモノライクSiの成長と評価、(2)PLイメージングによる転位・粒界特性の定量評価、(3)有限要素法による応力解析を行ない、粒界構造と転位に働く応力および転位発生との関係を明らかにした。
ワイドギャップ半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

米永一郎, 大野裕, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 沓掛健太朗

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2012年4月1日～ 2015年3月31日

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III-V窒化物、II-VI亜鉛化物、IV族化合物のワイドギャップ半導体結晶について、その性能向上の阻害点となっている転位欠陥の制御を目的として、これらワイドギャップ半導体における転位の発生と運動を調べ、その支配機構を体系的に解明するとともに、転位に起因する電気・光学物性を評価することで、原子構造と電子構造を解明した。さらに転位欠陥を利用した新規デバイスの可能性を見出した。
超高密度転位構造を利用した磁気機能デバイスの探索

米永一郎, 大野裕, 徳本有紀

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

研究機関：Tohoku University

2011年～ 2012年

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半導体結晶での欠陥-不純物反応に関する知識を基盤として、シリコン結晶中に高密度に導入された転位欠陥に沿って強磁性不純物のナノ構造複合体を形成し、磁気機能性を有する新しいデバイスを構築するための基礎研究を進めた。高密度の転位を有すシリコン結晶の表面からMn不純物を拡散侵入させることで、厚さ約1 μmのMnSi1.75 の合金層が有効に形成されることが見出された。
バルク多結晶Siの結晶成長過程における炭素不純物の挙動とその影響の解明

沓掛健太朗, 米永一郎, 大野裕, 徳本有紀, 中嶋一雄, 森下浩平, 村井良太

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

研究機関：Tohoku University

2011年～ 2012年

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本研究では太陽電池用の多結晶Siについて、1)結晶成長過程での炭素不純物の挙動を解明する。2)固溶および析出状態の炭素不純物の電気的特性を定量化する。ことを目的として研究を行なった。1)については、不純物の取込モデルを作成し、結晶成長実験の結果とモデルに基づく計算の比較によって不純物の取込機構を明らかにした。2)については、炭素析出物が与える影響は明らかとなったが、固溶炭素の影響解明は今後の課題である。
金属ナノ触媒粒子による気体反応メカニズムの原子・電子構造的解析

竹田精治, 田中孝治, 春田正毅, 河野日出夫, 大野裕, 市川聡, 秋田知樹, 田中真悟, 藤谷忠博, 香山正憲, 吉田秀人, 河野日出夫, 大野裕, 田中真悟

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

研究機関：Osaka University

2007年～ 2012年

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化学的に不活性な金をナノ粒子として特定の金属酸化物に担持すると室温以下で一酸化炭素を酸化させる触媒となる。本研究では環境制御・透過電子顕微鏡解析、触媒化学および第一原理解析を密接に連携させることで、活性状態での金ナノ粒子の形態および表面構造、一酸化炭素の吸着サイトおよび酸素の活性サイトについて原子構造的・電子構造的に解析した。さらに金属ナノ粒子触媒表面に吸着した気体分子の可視化技術も開拓した。
ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

米永一郎, 大野裕, 徳本有紀, 太子敏則

2009年～ 2010年

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高機能ナイトライドの実現に向けた障害が転位欠陥であり、その発生の抑制・不活性化など材料制御技術の開発が焦眉の課題である。特に、我々は結晶成長時に他の点欠陥・不純物と反応していないフレッシュな転位を導入し、その転位自身の有する固有の電子・光学物性を解明することを主たる目的とする。本年度、以下の成果を得た。 (1)高温9000Cでの塑性変形によって導入されたフレッシュな転位を有するGaNについて、基底面上の転位は部分転位に拡張し、浅く非発光の電子準位を有すること、一方、柱面上の転位は拡張せず、深い発光性の準位を有する特徴を見出し、さらにそれらに基づいて化合物半導体中の転位の関する普遍的特性を明らかにした。 (2)同じく高温で塑性変形したGaN結晶について、陽電子消滅法による評価を行い、陽電子の消滅寿命が著しく増加すること、すなわち塑性変形によって高密の度空孔型点欠陥が導みされることを見出した。 (3)サファイア基板上に準備したGaNバッファ層から一定方位のGaN薄膜が優先的に成長する過程について、高分解能電子顕微鏡観察による結晶構造解析を行い、バッファ層中でc軸方位とa軸方位の結合ボンドの間でのミスボンディング機構が存在することを発見した。
引き上げ法ゲルマニウム単結晶成長における成長時導入欠陥の形成挙動・機構の解明

太子敏則, 米永一郎, 大野裕, 徳本有紀, 村尾優, 伊勢秀彰, 大澤隆亨

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

研究機関：Tohoku University

2008年～ 2009年

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次世代高速電子デバイス材料や宇宙用高効率III-V族太陽電池のボトムセルとして注目されているゲルマニウム(Ge)について、引き上げ(CZ)法による結晶成長における転位や析出物、ボイドを始めとするgrown-in欠陥の形成挙動について検討した。直径1インチのGe単結晶を成長し、結晶中の欠陥の評価、解析を行った。その結果、従来法では難しかった、ボイド観察に必須な無転位Ge単結晶の成長に成功し、その成長技術を新規に提案した。また、Bの平衡偏析係数が6.2であること、Asを10^<19>cm^<-3>以上の高濃度で添加した際のGeAs析出機構についても明らかにした。
透過電子顕微鏡内近接場分光法による半導体ナノ構造体の光学特性の評価

大野裕, 米永一郎, 太子敏則, 河野日出夫, 河野日出夫, 米永一郎, 太子敏則

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2007年～ 2009年

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透過電子顕微鏡内における顕微鏡観察位置に接触させた金属探針へのレーザー光の照射により、顕微鏡観察下で観察領域に局在近接場光を形成する装置を開発しました。この装置を応用し、酸化亜鉛中の転位(1次元ナノ構造体の一種)の電子状態をその場評価しました。光照射による転位のすべり運動の解析から、らせん転位の局在準位が深さ約2.5eVと分かりました。本手法が、個々のナノ構造体の原子構造と電子状態の直接同時評価に適応できることが示されました。
自己整合3次元構造化とマルチフェロイックデバイス

田畑仁, 竹田精治, 河野日出夫, 大野裕, 関宗俊, 田畑仁

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

2006年～ 2009年

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トップダウン型の手法による半導体デバイスの微細化・高性能化が極限にまで進みつつあり、デバイス動作の物理的限界を迎えようとしている現在、革新的なボトムアップ型ナノデバイス開発技術の確立、および従来にない高次機能や新規物性を発現する材料の開発、更にはシリコン系材料との融合・複合化による既存半導体デバイスのさらなるの性能向上がのぞまれている。我々は自己組織化プロセスを利用した新しいナノ構造形成技術の開発とナノデバイスの構築を目指し研究を推進している。また、省エネルギー、高集積化、高速演算を可能にする次世代エレクトロニクスの有望な基幹材料として、電気双極子秩序(強誘電性)とスピン秩序(強磁性)を単一相の中で融合したマルチフェロイック物質の創製を行うとともに、スピンや双極子"ゆらぎ"物性とシリコン系材料との融合による高次機能調和デバイス開発の基礎条件を確立した。
電子照射によるナノファブリケーションの基礎

竹田精治, 河野日出夫, 大野裕, 市川聡

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Osaka University

2003年～ 2006年

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本研究ではシリコンなどの半導体結晶に電子線を照射して生じる現象を基礎的な構造研究の立場で明らかにすることを目的とした。電子線照射によってシリコン結晶内部に発生する格子欠陥の構造解析に加えて、シリコン表面に発生するナノホールの直径と空間分布、さらに深さの照射条件依存性を詳細に明らかにした。この実験データは今後、表面ナノホールを応用するために必要な基礎データとなる。さらに、電子線照射を利用して、金のナノ粒子をシリコン表面上に人工的に配列する新しい現象を見いだした。実験手順は、1)平坦表面の作成、2)その表面上の特定領域へ電子照射、3)照射領域を含む表面へ金の蒸着、および、4)蒸着後の熱処理、である。一連のプロセスは全て超高真空環境下で行った。。その結果、金ナノ粒子は照射領域の中心部あるいは周辺部に選択的に成長する場合があることが分かった。さらに、電子照射表面における金原子の拡散について模擬計算を行った。すなわち、平坦なシリコン表面に電子ビームを照射すると、ビームの強度プロファイルに応じて、原子レベルの"荒れ"が導入され、この荒れが吸着金原子の表面拡散に影響を与えると考えた。一般的に知られている表面上での吸着原子のクラスタリングの理論を"荒れ"た表面に拡張し、表面拡散や核形成などの吸着原子の動的過程について、実際に数値計算を行い、定性的に実験結果を説明した。さらに、選択的に成長する金ナノ粒子が、シリコンナノワイヤーの成長に適していることに着目して、実際に、シランガスを使用したCVD法によって選択的にシリコンナノワイヤーを成長させることに成功した。以上の成果は、電子線照射を利用した半導体ナノファブリケーションに今後応用される。
シリコン表面ナノホールをテンプレートとしたナノ構造の作製とその光学特性の評価

大野裕

2003年～ 2005年

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電子線照射によって薄膜表面上の任意の領域に形成できるナノメーターサイズのくぼみの集合(表面ラフネス)を核形成のための鋳型(テンプレート)とする位置制御された表面ナノ構造の形成に関し、その形成機構を精密解析した。また、形成されたナノ構造の光学特性を調べるための測定法を開発した。電子線の照射量に依存する表面ラフネスが存在するシリコン表面上に金原子を蒸着し、熱処理して金微粒子を形成したのちその空間分布と個々のサイズを調べた。解析より、表面ラフネスに依存する拡散係数および吸着係数の兼ね合いで金微粒子の空間分布とサイズが変化する、とする独自の理論で実験結果がよく説明できた(K.Torigoe, Y.Ohno, T.Ichihashi and S.Takeda, Inst.Phys.Conf.Ser.,in press)。当初計画していたくぼみの内部への金原子の充填は本研究手法では原理的に無理であることが明らかになったが、電子線量を調節し適当な表面ラフネスを導入すると、その表面上に選択的に金ナノ構造の集合体を形成できることを示した(K.Torigoe, Y.Ohno, T.Ichihashi, and S.Takeda, to be published in Physica B)。ナノ構造独自の光学特性を評価するためには、高い空間分解能で光学測定することが必然である。とりわけ、内部構造や形状に依存する偏光特性の評価が重要と考え、従来より独自に開発を進めてきた、透過型電子顕微鏡内その場可視分光測定装置の改良を進めた。その手法を用いて、半導体内部に存在するナノ構造の光学特性を明らかにした(Y.Ohno, Phys.Rev.B72(2005)121307(R),Y.Ohno, Appl.Phys.Lett.87(2005)181909,etc.)。
電子顕微鏡内その場可視分光法による極微半導体結晶の光学特性の研究

大野裕, 河野日出夫, 竹田精治

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

研究機関：Osaka University

1999年～ 2000年

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結晶学・電子論の両面からナノ構造の光学特性を研究するため透過電子顕微鏡法と分光学的手法を組合わせた複合的研究法「透過電子顕微鏡内その場可視分光法」を開発してきた。科学研究援助金の補助により測定装置に偏光測定機構を装備した。これにより光学異方性が定量的に測定できるようになった。この研究手法をCuPt型規則構造を持つGaInPの反位相境界に適用した。本測定法により、はじめて反位相境界からの微弱偏光発光を検出した。すなわちバンド間遷移による発光に加えて、より低いエネルギー側に複数の偏光発光線を検出した。詳細な解析より、発光は反位相境界面と平行に偏光していることが分かった。反位相境界内でホールの量子閉じこめが生じて2つの新しいホール準位が形成され、その準位を介して発光が生じるという量子井戸モデルを提案した。この測定法を、我々のグループで独自に形成されたシリコンナノワイヤーにも適用した。その結果、可視領域での偏光発光が観測された。発光の起源は今のところ不明であるが、発光にはナノワイヤー中での量子閉じこめ効果が影響していると考えている。可視分光・透過電子顕微鏡複合法により、ナノ構造とそれに付随する電子状態の変化を原子レベルで理解ができた。今後はこの装置を、空間的に組成や構造の異なる様々な不均一試料に適用していきたい。
シリコン表面ナノホールの生成メカニズム

竹田精治, 河野日出夫, 大野裕

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A).

研究機関：Osaka University

1998年～ 2000年

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本「基盤研究」の研究対象は、電子線を照射したシリコン結晶表面において自己形成的に発生するナノメーターサイズの空洞、すなわち「シリコン表面ナノホール」である。シリコン表面ナノホールは、数年前に研究代表者がシリコン薄膜を透過電子顕微鏡法により観察している際に、偶然に見いだされた。その生成条件、構造、および生成メカニズムについて初期的な研究はなされていたが、本科学研究費補助金を得て初めて透過電子顕微鏡法、走査トンネル顕微鏡法などによる系統的な実験が可能となった。試料温度は低温4Kから700Kの範囲、入射電子の加速電圧は30から200keVとした。膨大な実験データの解析と、表面ダイナミックスについてのコンピュータ・シミュレーションの結果も考慮して、シリコン表面ナノホールの生成メカニズムを「表面における単一点欠陥の生成、電子線照射下での拡散、引き続くクラスタリングによるナノホールの生成、そして異方的な点欠陥拡散によるナノホールのエクスケーベティング」として統一的に説明できたと考えている。従来、シリコンの表面研究においては「表面における点欠陥の生成、拡散、クラスタリング」は殆ど考慮されることがなかった。さらに研究計画に従って遂行した実験の途中で、「電子線照射によるシリコン結晶の非晶質化」という従来の常識を覆す新現象を見い出すことができた。この現象も点欠陥クラスタリングの立場から説明され、シリコン結晶の非晶質化についての新しいメカニズムが提示された。本「基盤研究」成果は、基礎的な観点のみならず電子線照射によるナノファブリケーションは将来のマイクロエレクトロニクスおよびナノエレクトロニクスの重要技術となるとも考えられる。以上のように、本「基盤研究」の成果として、非平衡状態におけるシリコン結晶表面の原子ダイナミックスについて新しい描像が得られた。この成果が今後のシリコン・ナノテクノロジーにおける基礎データとして役立つことを期待している。
透過電子顕微鏡内その場可視分光法による相変態現象の精密解析

竹田精治, 河野日出夫, 大野裕

1999年～ 1999年

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結晶学・電子論の両面から微視的に相変態現象を研究するため透過電子顕微鏡法と分光学的手法を組合わせた複合的研究法「可視分光・透過電子顕微鏡複合法」を開発した。この手法をCuPt型の規則構造を持つGaInPの反位相境界の研究に適用し、試料中のメゾスコピックな領域での構造変化と、それに付随する電子状態の変化を原子レベルで理解した。高い空間分解能を持つカソードルミネッセンス測定法によりはじめて反位相境界からの微弱な偏光発光を検出した。バンド間遷移によるバンドギャップエネルギーE_gにピークを持つ発光に加え、より低いエネルギー側に4つの発光線として観察された。詳細な実験の結果、これらの発光は(T11)および(T10)原子面と平行な反位相境界面からの発光と分かった。発光の偏光特性を調べ、反位相境界に水平な面内に偏光していると結論された。これらの結果を統合すると、反位相境界内でホールの量子閉じこめが生じて2つの新しいホール準位が形成され、それらの準位を介して発光が生じると結論された。今回調べた発光線はマクロスコピックな研究によりその存在自体は10年以上も前から知られる。その発光起源の詳細な解明は、この複合研究手法を用いることで我々が初めて成し得たことであり、この手法の優位性・有益性を示している。今後はこの装置を、空間的に組成や構造の異なる様々な不均一試料に適用し、電子論・構造論の両面からより微視的な相変態研究を進めたい。
透過電子顕微鏡内その場可視分光法による相変態の研究

竹田精治, 河野日出夫, 大野裕

1998年～ 1998年

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透過型電子顕微鏡内その場可視分光測定装置に液体窒素冷却システムを装備できたので感度が大幅に向上した。CuPt型規則構造を持つGalnPの電子線照射に伴う不規則化の研究にこの測定手法を適用したところ、相変態によるフォトルミネッセシス(PL)光の微少な強度の変化を検出できた。この試料は規則化の度合(規則度Sで定義)に応じてバンドギャップが変化して、それが可視発光スペクトルのピークエネルギーの移動として観測される。PLピークエネルギーの精密測定からSを厳密に見積もった。規則度Sと電子線照射量Dの関係をから電子線量D≦2×1020cm-2の領域で従来知られていなかった不規則化が明瞭に観測された。これは可視分光法の持つ非常に高いエネルギー分解能によるもので、透過電子回折法では定量的解析は困難であった。さらにSと発光強度の関係も求めた。規則度の減少、すなわち電子線照射量の増加に伴う発光強度の減少が見られる。この減少はマクロな原子構造の不規則化だけでは理解できない。実験結果は、照射で導入されたIII属(Gaおよびln原子)格子位置のフレンケル欠陥の関与した欠陥準位が発光効率に影響するとしてよく理解された。詳細な解析から、空格子点の拡散と自発的な対消滅が同時に進行するモデルで原子・電子構造に関する実験データを統一的に説明できた。以上の結果は原著論文(Phys.Rev.B59.2694(1999))として既に公表した。
構造が制御された水素導入シリコン極微結晶の光学特性の研究

大野裕, 竹田精治

1998年～ 1998年

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シリコンに原子状水素を添加すると、その添加条件(温度や添加量など)により内部および表面にさまざまな水素誘起欠陥が導入されて、それに伴い電子状態にも変化が生じる。本研究はシリコン微結晶へ原子状水素を導入して意図的に原子構造や表面状態を制御し、それによる光学特性の変化を調べるのを目的とした。我々は、原子状水素で被覆されたシリコン基盤を使うことで、直径10nm以下(最小3nm)で形状や構造が制御された一次元シリコン結晶(シリコンナノホイスカー)の形成に成功した。形成されたホイスカーはダイヤモンド構造を持ち、基盤に非エピタキシャルまたはエビタキシャルに<112>および<111>方向に成長した。ホイスカーからのラマン散乱測定では、バルク試料に比べて幅広で非対称なラマンスペクトルが得られた。このスペクトルの変化はサイズ効果によると解釈された。我々は、上記のように微細構造を持つ半導体結晶の生成を通して新機能材料の創生を試み、一方でその評価のための測定装置の開発を行ってきた。すなわち当グループで独自開発された電子顕微鏡内その場可視分光測定装置で、顕微鏡観察と同時に光学測定を行っている。詳しい解析はまだ達成されていないが、その場フォトルミネセンス測定で試料からの可視発光(波長ピーク約670nm)が得られた。今後はさらに実験を進め、原子状水素が極微シリコン結晶の光学特性におよぼす効果を定量的に調べたい。
電子顕微鏡内その場可視分光測定による半導体欠陥の電子励起運動過程の研究

大野裕, 河野日出夫, 竹田精治

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

研究機関：Osaka University

1997年～ 1998年

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CuPt型の自然超格子構造を持つGaInP中における点欠陥の電子励起状態での動的挙動を透過型電子顕微鏡内その場可視分光測定法で調べた。試料は価電子帯と伝導帯間のバンド間電子遷移により1.9eV付近にピークを持つ発光(フォトルミネセンス、カソードルミネセンス)を示す。この試料に電子線を照射すると、電子のエネルギーが150keV以上の場合、照射量の増加に伴うピークエネルギーの移動が観測された。この移動は超格子構造の崩壊(不規則化)に伴うバンドギャップの変化と理解された。不規則化は電子線照射下でのGaおよびIn両原子の位置置換で生じる。高エネルギー分解能の可視分光測定で、従来法(電子線回折)では定量測定が困難な照射量が10^<20>cm^<-2>以下での微小な不規則化過程を観察した。その結果この照射量領域における不規則化過程は、従来のknock-onモデルすなわち定常的な点欠陥の導入およびその拡散を介した不規則化ではなく、電子励起誘起による原子空孔の拡散が寄与するのが分かった。さらに詳しく点欠陥の動的挙動を調べるために、測定系の高感度化を進めラマン散乱の測定を試みた。GaInPにおけるデータはまだ得られていないが、さらなる高感度化で測定を達成し、より詳細な電子励起状態での点欠陥反応の研究を進めていきたい。電子線と可視光の同時照射状態(電子励起状態)での定常状態に至るまでの過渡的な点欠陥反応のその場観察を達成した。これはTEM-可視分光その場観察法の電子励起状態での点欠陥の動的挙動の研究に対する有益性を示すものである。
相変態研究のための可視分光・透過電子顕微鏡複合法の開発

竹田精治, 河野日出夫, 大野裕

1997年～ 1997年

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【可視分光・TEM複合法による自然超格子GainPにおける電子線照射誘起の不規則化の研究】我々は透過型電子顕微鏡内でその場可視分光測定できる測定装置の開発を行い、それをCuPt型規則構造を持つGaInPの電子線照射に伴う不規則化の研究に適用した。電子線照射に伴う可視発光スペクトルを開発した装置を用いて測定した。この試料は規則化の度合い(規則度Sで定義)に応じてバンドギャップが変化するが、それがピークエネルギーの移動として観測される。ピークエネルギーより見積もった規則度のSの電子線照射による変化から、150keV以上のエネルギーの電子線照射で不規則化が生じることが判明した。本装置を用いると非常に微細な電子構造の変化が定量的に捉えられる。これは可視分光法の持つ非常に高いエネルギー分解能によるところである。不規則化過程は透過電子回析法でも観測されたが、原子構造の変化がわずかであり定量的解析は困難であった。特に本装置を用いて電子線照射に伴う発光強度の減少を見いだしたが、この減少はマクロな原子構造の不規則化だけでは理解できない。すなわち発光強度は照射量に逆比例して減少し、強度減少は130keV以上のエネルギーの電子線の照射で観測される。その減少率は点欠陥の導入効率に比例し、照射電子のエネルギーと関係する。これらの実験結果と理論的結果を詳細に解析した結果、照射で導入されたIII属(GaおよびIn原子)格子位置のフレンケル欠陥の関与した欠陥準位が発光効率に影響するとして理解された。現状では点欠陥反応と不規則化機構の対応はまだ理解されていないが、不規則化過程内でのミクロな点欠陥の反応とマクロな構造の変化を同時に捉えられる点でこの手法は非常に有益と考えられている。
透過型電子顕微鏡内その場分光測定による半導体中のメゾスコピックな欠陥の研究

大野裕

1995年～ 1995年

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これまで、透過電子顕微鏡観察とフォトルミネセンス測定や励起スペクトル測定などの分光学的測定は独立に行われおり、2つの結果を統一的に解釈することは困難であった。通常の電子顕微鏡観察下で試料を顕微分光測定する装置を製作し、GaP中の電子線照射誘起欠陥の研究に適用した。 GaPに200keVの電子線を照射し、700K以上の熱処理を加えると、照射誘起欠陥の熱的な拡散により格子間型の転位ループが導入される。照射条件(照射量、照射温度)および熱処理条件(熱処理温度、熱処理時間)を変化させた時のループの直径および数密度を測定した。ループに集合する全格子間原子数は照射量の2乗に比例し、熱処理温度に依らない事が分かった。解析の結果は、GaとPの格子間原子対の拡散によるループの形成を示唆する。透過型電子顕微鏡ではループを形成する照射誘起点欠陥は直接観測できなかった。この欠陥に関する知見を得るため、透過型電子顕微鏡内その場可視発光分光(フォトルミネセンス、カソードルミネセンス)測定を行った。試料は照射の有無によらず残留不純物からの発光のみを示した。照射の効果は、照射量に位存する不純物発光強度の減少として観測された。この減少は、電子線照射誘起欠陥の関与する非発光準位の形成として理解される。発光強度の減少は20K照射中には観測されないが、照射後に90Kに加熱すると強度の減少が見い出された。この結果は、(1)20K照射で導入されたフレンケル欠陥は90Kまで安定で、(2)非発光準位を生じる複合欠陥は格子間原子の熱的拡散で形成の2点を強く支持している。90Kにおいて、発光強度は照射時間の2乗に反比例して減少する。解析の結果は複合欠陥の生成に格子間原子が複数個関与することを示唆する。
回折結晶学的手法による半導体中の点欠陥集合体の構造解析

竹田精治, 香山正憲, 大野裕, 武藤俊介, 平田光兒

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)

研究機関：Osaka University

1991年～ 1992年

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半導体結晶における格子欠陥の存在はその電気的あるいは物理的性質に多大な影響を及ぼすため研究例も多い。格子欠陥の原子配列が解明されれば,半導体の結晶成長,素子製造の過程を原子的尺度で制御するための基礎データとなることが期待できる。半導体では欠陥領域の原子も共有結合を保ち4配位となる傾向が強い。そのために,ある種の周期的配列が欠陥領域でも形成されている可能性が高いと考えられる。この点で微視領域からの電子回折法あるいは透過電子顕微鏡法は有力な研究手方で半導体の格子欠陥の原子配列を解明できることが期待できる。本研究の結果,従来,未解明の欠陥の構造が解明された。 1 {113}面欠陥この面欠陥はイオン照射,電子線照射,熱処理でシリコン結晶内部に誘起される。電子回折,高分解能透過電子子顕微鏡の実験データから新しい原子配列モデルを提唱した。それによると結晶中に導入された多数の格子間原子が集合して,ある種の格子再構成を結晶内部で引き起こしていることが判明した。このモデルの安定性は既に理論計算により確認された。 2 GaAs結晶中のシリコンの面状集合体シリコンはGaAs結晶の電気的性質を制御する便利な添加元素の一つであるが,この原子はCaAs結晶中の格子位置を置換原子として占有する場合とシリコン集合体を作る場合がある。詳しい電子顕微鏡観察の結果,集合体ではシリコン原子が2枚の{111}格子面を形成してGaAs結晶中に析出していると結論された。他にシリコンにおける水素誘起に{111}面欠陥に対して新しい原子配列モデルを導くなどの成果を得た。回折結晶学的な研究手法が半導体における点欠陥の集合構造の解明には有効であることをあきらかにした。

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社会貢献活動 15

金属材料研究所第84回夏期講習会

2014年7月28日～ 2014年7月29日

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講義：粒界特性を制御したシリコン太陽電池結晶の開発
欧米で集光型太陽電池開発シフトへ

2009年10月25日～
東北大高品質ゲルマニウム単結晶の育成に成功

2009年9月20日～
ゲルマニウム単結晶東北大学が新引き上げ法開発

2009年9月16日～
ゲルマニウム単結晶高品質成長法を開発

2009年9月10日～
「高品質のゲルマニウム単結晶の育成に成功」

2009年9月8日～
高品質ゲルマニウム単結晶の育成に成功

2009年9月8日～
Joule heating transforms silicon nanochains into CNTs

2009年8月26日～

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Carbon nanotubes (CNTs) are typically synthesized by chemical vapor deposition using transition metals such as iron as a catalyst. Now researchers at Osaka University and Tohoku University, Japan, have found a new route to synthesizing CNTs. Here, silicon nanochains, a type of insulating nanowire, are transformed into carbon nanotubes by Joule heating.
自然科学の基礎を訪ねる「科学の最先端を市民に語る」第２１回湯川記念講演会

2005年11月19日～

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物理学実験のデモンストレーション
シリコンナノワイヤの最小直径

2005年11月18日～
電子線照射で金ナノ粒子配列

2005年11月4日～
シリコンナノワイヤの最小直径

2005年10月25日～
電子線照射で金ナノ粒子配列

2005年10月12日～
シリコン表面ナノホール

2001年9月18日～
青少年のための科学の祭典

1995年12月24日～

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物理実験のデモンストレーション

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その他 18

多結晶材料情報学による一般粒界物性理論の確立とスマートシリコンインゴットの創製

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多結晶材料は、組織の複雑さと粒界の多様性により、普遍的な高性能化指針が不明確でした。本研究では、大量の実用多結晶ウェーハに対するデータ収集・機械学習・理論計算の連携により、一般粒界の構造・物性の理論構築を行う多結晶材料情報学を開拓します。その有用性を、データ科学によって設計され理論に裏付けされた多結晶組織を有し、優れた特性を示す太陽電池用スマートシリコンインゴットの創製により実証します。
LT結晶育成における転位形成と多結晶化発生メカニズム解明

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LT結晶育成における転位形成と多結晶化発生メカニズム解明
軽量高効率近赤外光電素子のためのGe双晶超格子の形成にむけて

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軽量高効率近赤外光電素子のためのGe双晶超格子の形成にむけて
太陽電池用半導体中の粒界機能

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半導体中の転位、粒界、ドーパント・不純物原子(点欠陥)を研究対象とし、同一欠陥に対して原子配列を透過電子顕微鏡法、電気特性（電気伝導度と少数キャリア寿命）を透過電子顕微鏡内での電気・光学測定法、また組成分布をアトムプローブ法で調べ、個々の欠陥が電気伝導特性に及ぼす影響を評価します。
第21回格子欠陥フォーラム「格子欠陥が担うエネルギー・環境材料に関する挑戦課題」

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「格子欠陥が担うエネルギー・環境材料に関する挑戦課題」に関するシンポジウム
欠陥反応制御による太陽電池用シリコン結晶の高機能化

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欠陥反応制御による太陽電池用シリコン結晶の高機能化
In-situ analysis of opto-, electronic properties of defects in TEM observations

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透過電子顕微鏡内に設置された試料の顕微鏡観察領域に任意波長の光を照射し、電子顕微鏡(TEM)観察下でフォトルミネセンス分光、ラマン散乱分光およびカソードルミネセンス(CL)分光測定ができる新しい研究手法を開発してきました。この手法のユニークな点は、電子あるいは光の照射により局所的に電子励起状態となった試料に対し、顕微鏡観察によってマクロな結晶構造をとらえながら、顕微鏡では調べにくい、その内部における微小格子欠陥の生成・消滅・移動などの挙動を光学的測定により直接調べられることです。本手法に関連するいくつかの研究を招待講演で紹介します。
近接場光と高速電子の融合によるナノ機能創製

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透過電子顕微鏡観察(高速電子の照射)下で観察領域中に任意波長を持つ高輝度な局在近接場光(数10nm以下)を形成し、局所的な光学応答(電子励起による原子構造・電子状態変化および付随する光学的特性変化)を透過電子顕微鏡法と分光(フォトルミネセンス・ラマン分光など)測定法で評価する研究法を開発します。3次元構造変化と光学応答との相関に関するデータを同時に同一条件で得ることでナノメーター領域における光学応答の機構を原子・電子のレベルで解明し、新奇ナノ機能の創製を目指します。
酸化亜鉛中の転位の荷電状態に関する研究

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半導体中に転位が存在すると、その荷電状態に応じて電気・光学的特性が変化する。光学素子材料として期待される酸化亜鉛の場合、結晶成長中に導入された転位の荷電状態は既知だが、成長後にデバイス作成温度で導入された転位の荷電状態は未解明である。電子線ホログラフィー法などによりそれを明らかにし、転位が光学特性に及ぼす影響を評価する。また、触媒特性についても考察する。
波数分解カソードルミネセンス分光法の開発

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イメージ分光器などを用いて波数方向ごとのCL分光データ(強度、波長、偏光度など)を測定し、その微小領域の光学異方性を定量評価できるようにします。高い空間分解能で内部構造と光学的異方的特性を同時に評価する手法はまだ確立されておらず、その開発は意義深いと考えます。
３次元偏光カソードルミネセンス分光法の開発と応用

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透過電子顕微鏡観察と同時に観察領域内の任意の微小領域から放射されるカソードルミネセンス光の強度、波長および偏光度を定量測定する分光法を開発し、半導体ナノ構造体の原子構造と光学的特性の相関を直接評価する。
半導体欠陥・ナノ構造体の電気的・光学的特性その場評価

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半導体の表面・界面・内部に自発的・人工的に形成されるナノ構造や格子欠陥などを制御する、すなわち任意の機能を持つ構造体を設計・形成するには、1)機能の起源、2)機能の発現機構、および3)構造体の形成機構、を解明する必要があります。本研究は、半導体欠陥・ナノ構造体の電気的・光学的特性を直視的手法により評価することを目的とします。具体的には、東北大学にある透過電子顕微鏡内その場電流測定法およびその場可視分光法(カソードルミネセンス・フォトルミネセンス)を用い、特定の格子欠陥・ナノ構造体の結晶学的データと電気的・光学的データの同時評価を進めます。
Atomistic structure of ZnSe nanowires on ZnSe (001) grown catalytically at low temperatures

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触媒法によりZnSe(001)基板上に低温成長させたZnSeナノワイヤーの原子構造および電子状態に関する研究を行った。適切な触媒と成長条件を選ぶことで、従来は不可能であった、低温での高品質ZnSeナノワイヤーの成長に成功した。
第15回格子欠陥フォーラム「原子・電子レベルで観る格子欠陥・ナノ構造」

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第15回格子欠陥フォーラム「原子・電子レベルで観る格子欠陥・ナノ構造」を企画・運営した。
カーボンナノチューブ形成過程その場観察と物性制御への展開

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カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は最も注目されているナノ構造材料ですが、電子素子への応用は、基板上での高度なＣＮＴ成長制御の実現無しには有りえません。本研究では、化学気相成長によるＣＮＴ成長過程を、電子顕微鏡および分光学的手法によりその場観察する計測技術を開発し、形成過程の解明を通じて精密な成長制御・物性制御を実現します。これにより、ＣＮＴを用いた量子集積素子や光集積素子の実現が期待されます。
シリコン表面ナノホールをもちいた微小光学材料の創製

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シリコン表面ナノホールをもちいた微小光学材料の創製を試みた。
透過電子顕微鏡内その場光散乱分光測定による半導体極微小欠陥の熱的挙動の研究

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透過電子顕微鏡内その場光散乱分光測定による半導体極微小欠陥の熱的挙動の研究結果を発表した。
透過電子顕微鏡内その場光散乱分光測定による半導体極微小欠陥の熱的挙動の研究

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透過電子顕微鏡内その場光散乱分光測定により半導体極微小欠陥の熱的挙動を研究した。

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