TOHOKU UNIVERSITY Researchers

Details of the Researcher

Home

日本語 English

Yutaka Ohno

Section

Institute for Materials Research

Job title

Specially Appointed Research Fellow

Degree

博士（理学）（大阪大学）
修士（工学）（大阪大学）

researchmap

https://researchmap.jp/yutakaohno

J-GLOBAL ID

200901061989169898

ORCID

https://orcid.org/0000-0003-3998-4409

Researcher ID

C-1908-2009

Education 2

Osaka University　基礎工学研究科　物理系専攻

- 1992/03/25
Osaka University　基礎工学部　物性物理工学科

- 1990/03/24

Committee Memberships 12

（社）電子実装工学研究所接合界面創成技術研究会　外部学会委員

2020/05 - Present
29th International Conference on Defects in Semiconductors　International Programme Committee & Local Program Subcommittee

2016/06 - 2017/08
日本物理学会第71回年次大会実行委員会　会計

2015/02 - 2016/03
25th International Conference on Defects in Semiconductors　International Programme Committee

2008/04 - 2009/07
日本顕微鏡学会　第78回学術講演会プログラム委員

2022/05 -
日本学術振興会接合界面創成技術第１９１委員会　委員

2017/02 - 2020/09
日本物理学会　Webページ管理者（領域１０）

2005/04 - 2017/03
日本物理学会　領域10「格子欠陥・ナノ構造」領域運営委員

2010/10 - 2011/09
大阪大学　大阪大学季刊「大阪大学低温センターだより」編集委員

2002/04 - 2006/12
日本物理学会　領域10「格子欠陥・ナノ構造」分科世話人

2004/05 - 2005/04
日本電子顕微鏡学会　電子顕微鏡の周辺機器の活用・開発とその応用に関する研究部会幹事

1998/04 - 1999/03
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells　Local Steering Committee

2018/04 -

Show all ︎Show first 5

Professional Memberships 2

The Japan Society of Applied Physics
The Japanese Society of Microscopy

Research Areas 3

Nanotechnology/Materials / Crystal engineering /
Nanotechnology/Materials / Composite materials and interfaces /
Energy / Earth resource engineering, energy science / Solar cells

Awards 14

45th JSAP Outstanding Paper Award

2024/03　The Japan Society of Applied Physics
Best Presentation Award

2021/10　7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　Fabrication of Ga2O3/Si direct bonding interface for high power device applications
Best Presentation Award

2019/05　6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature
イノべイティブＰＶ賞

2017/07/21　日本学術振興会産学協力研究委員会次世代の太陽光発電システム第175委員会　多結晶材料情報学によるスマートシリコンインゴットの創製に向けて
発表奨励賞

2012/04/27　第4回窒化物半導体結晶成長学会　AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入と伝搬挙動の観察
Best Student Presentation Award

2021/10　7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device
Best Poster Presentation Award

2019/05　6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application
最優秀ポスター賞

2017/05/26　東北大学・金属材料研究所第133回講演会　データ科学的手法を用いた効率的なマッピングの提案
優秀学生発表賞

2012/03/06　東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　ゲルマニウム結晶中の転位動特性に対する不純物の影響
優秀学生発表賞

2012/03/06　東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　赤外吸収法による熱処理Ge単結晶中の格子間酸素の析出挙動の解明
発表奨励賞

2011/12/16　応用物理学会・結晶工学分科会　多結晶シリコン中の酸素・炭素不純物の結晶育成方向に対する分布の解析
発表奨励賞

2011/12/16　応用物理学会・結晶工学分科会　シリコン結晶中の人工粒界の成長-CZ, FZ, ブリッジマン成長での比較-
優秀研究発表賞

2011/05/24　東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出の研究
優秀ポスター賞

2007/05/24　東北大学・金属材料研究所第１１３回講演会　AlGaAs薄膜中の多重双晶の電子状態

Show all ︎Show 5

Papers 125

Multicrystalline Informatics Applied to Multicrystalline Silicon for Unraveling the Microscopic Root Cause of Dislocation Generation Peer-reviewed

Kenta Yamakoshi [Co-1st], Yutaka Ohno [Co-1st], Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Tatsuya Yokoi, Hideto Yoshida, Hiroyuki Tanaka, Xin Liu, Hiroaki Kudo, Noritaka Usami

Advanced Materials　2023/12/10
Publisher: Wiley
DOI： 10.1002/adma.202308599 　

ISSN： 0935-9648

eISSN： 1521-4095

More details Close

Abstract A comprehensive analysis of optical and photoluminescence images obtained from practical multicrystalline silicon wafers is conducted, utilizing various machine learning models for dislocation cluster region extraction, grain segmentation, and crystal orientation prediction. As a result, a realistic 3D model that includes the generation point of dislocation clusters is built. Finite element stress analysis on the 3D model coupled with crystal growth simulation reveals inhomogeneous and complex stress distribution and that dislocation clusters are frequently formed along the slip plane with the highest shear stress among twelve equivalents, concentrated along bending grain boundaries (GBs). Multiscale analysis of the extracted GBs near the generation point of dislocation clusters combined with ab initio calculations has shown that the dislocation generation due to the concentration of shear stress is caused by the nanofacet formation associated with GB bending. This mechanism cannot be captured by the Haasen‐Alexander‐Sumino model. Thus, this research method reveals the existence of a dislocation generation mechanism unique to the multicrystalline structure. Multicrystalline informatics linking experimental, theoretical, computational, and data science on multicrystalline materials at multiple scales is expected to contribute to the advancement of materials science by unraveling complex phenomena in various multicrystalline materials.
High Thermal Stability and Low Thermal Resistance of Large Area GaN/3C‐SiC/Diamond Junctions for Practical Device Processes Peer-reviewed

Ryo Kagawa, Zhe Cheng, Keisuke Kawamura, Yutaka Ohno, Chiharu Moriyama, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

Small　2023/11/14
Publisher: Wiley
DOI： 10.1002/smll.202305574 　

ISSN： 1613-6810

eISSN： 1613-6829

More details Close

Abstract Thermal management is critical in contemporary electronic systems, and integrating diamond with semiconductors offers the most promising solution to improve heat dissipation. However, developing a technique that can fully exploit the high thermal conductivity of diamond, withstand high‐temperature annealing processes, and enable mass production is a significant challenge. In this study, the successful transfer of AlGaN/GaN/3C‐SiC layers grown on Si to a large‐size diamond substrate is demonstrated, followed by the fabrication of GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on the diamond. Notably, no exfoliation of 3C‐SiC/diamond bonding interfaces is observed even after annealing at 1100 °C, which is essential for high‐quality GaN crystal growth on the diamond. The thermal boundary conductance of the 3C‐SiC‐diamond interface reaches ≈55 MW m⁻² K⁻¹, which is efficient for device cooling. GaN HEMTs fabricated on the diamond substrate exhibit the highest maximum drain current and the lowest surface temperature compared to those on Si and SiC substrates. Furthermore, the device thermal resistance of GaN HEMTs on the diamond substrate is significantly reduced compared to those on SiC substrates. These results indicate that the GaN/3C‐SiC on diamond technique has the potential to revolutionize the development of power and radio‐frequency electronics with improved thermal management capabilities.
High thermal conductivity in wafer-scale cubic silicon carbide crystals Peer-reviewed

Zhe Cheng, Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Hao Zhou, Hidetoshi Asamura, Hiroki Uratani, Janak Tiwari, Samuel Graham, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Tianli Feng, Naoteru Shigekawa, David G. Cahill

Nature Communications　13　(1)　2022/11/23
Publisher: Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41467-022-34943-w 　

eISSN： 2041-1723

More details Close

Abstract High thermal conductivity electronic materials are critical components for high-performance electronic and photonic devices as both active functional materials and thermal management materials. We report an isotropic high thermal conductivity exceeding 500 W m⁻¹K⁻¹ at room temperature in high-quality wafer-scale cubic silicon carbide (3C-SiC) crystals, which is the second highest among large crystals (only surpassed by diamond). Furthermore, the corresponding 3C-SiC thin films are found to have record-high in-plane and cross-plane thermal conductivity, even higher than diamond thin films with equivalent thicknesses. Our results resolve a long-standing puzzle that the literature values of thermal conductivity for 3C-SiC are lower than the structurally more complex 6H-SiC. We show that the observed high thermal conductivity in this work arises from the high purity and high crystal quality of 3C-SiC crystals which avoids the exceptionally strong defect-phonon scatterings. Moreover, 3C-SiC is a SiC polytype which can be epitaxially grown on Si. We show that the measured 3C-SiC-Si thermal boundary conductance is among the highest for semiconductor interfaces. These findings provide insights for fundamental phonon transport mechanisms, and suggest that 3C-SiC is an excellent wide-bandgap semiconductor for applications of next-generation power electronics as both active components and substrates.
Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design Peer-reviewed

Jianbo Liang, Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Seong‐Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Advanced Materials　33　(43)　2104564/1-2104564/13　2021/09/09
Publisher: Wiley
DOI： 10.1002/adma.202104564 　

ISSN： 0935-9648

eISSN： 1521-4095
Chemical bonding at room temperature via surface activation to fabricate low-resistance GaAs/Si heterointerfaces Peer-reviewed

Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, S. Takeda, R. Miyagawa, Y. Shimizu, Y. Nagai

Applied Surface Science　525　146610/1-146610/5　2020/09
Publisher: Elsevier {BV}
DOI： 10.1016/j.apsusc.2020.146610 　

ISSN： 0169-4332
Fabrication of low thermal resistance 3C-SiC/diamond structure for GaN epitaxial layer growth

Ryo Kagawa, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

Functional Diamond　2024/12/31

DOI： 10.1080/26941112.2024.2337352 　
Mechanism of SiC formation by Si surface carbonization using CO gas

Momoko Deura, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Hiroyuki Fukuyama

Applied Surface Science　159965-159965　2024/03
Publisher: Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.apsusc.2024.159965 　

ISSN： 0169-4332
Characterization of Ga-face/Ga-face and N-face/N-face interfaces with antiparallel polarizations fabricated by surface-activated bonding of freestanding GaN wafers Peer-reviewed

Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics　62　(SN)　SN1013-SN1013　2023/09/13
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/acf382 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065

More details Close

Abstract Electrical properties of heterojunctions of group-III nitrides are largely sensitive to interface charges due to the discontinuity of polarizations. By means of surface-activated bonding of double-side polished freestanding GaN (0001) wafers, we fabricate Ga-face/Ga-face and N-face/N-face interfaces with antiparallel spontaneous polarizations, i.e. interfaces with the greatest discontinuity of polarizations, to investigate their electrical and nanostructural properties. Built-in potential of N-face/N-face interface is smaller than that of Ga-face/Ga-face interface after a post-bonding annealing at 600 °C. The difference in built-in potentials between the two antiparallel polarized interfaces is analyzed in the framework of charge-neutrality-level model with effects of antiparallel polarizations incorporated, and the density of interface states is roughly estimated. The leak is enhanced in both Ga-face/Ga-face and N-face/N-face interfaces by annealing at higher temperatures. Contribution of defects observed in the vicinity of bonding interfaces is suggested.
Room temperature bonding of GaN and diamond via a SiC layer Peer-reviewed

A. Kobayashi, H. Tomiyama, Y. Ohno, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

Functional Diamond　2　(1)　142-150　2022/12

DOI： 10.1080/26941112.2022.2145508 　
Heterojunctions fabricated by surface activated bonding–dependence of their nanostructural and electrical characteristics on thermal process Peer-reviewed

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　61　(12)　120101-120101　2022/11/14
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac993f 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065

More details Close

Abstract Recent achievements in the research of heterojunctions fabricated using surface activated bonding (SAB), one of the practically useful direct wafer bonding technologies, are discussed. The response of bonding interfaces to post-bonding annealing is focused. These junctions reveal high thermal tolerance (1000 °C in the case of junctions made of widegap materials) despite differences in coefficients of thermal expansion between bonded materials. Defect layers with several nm thickness formed by the surface activation process at the as-bonded interfaces get faint and their electrical and mechanical properties are improved by annealing. These results show that as-bonded interfaces are in a metastable state, and novel functional devices are likely to be realized by applying wafer processing steps to SAB-based junctions. Characteristics of III–V//Si multijunction solar cells, GaN-on-diamond high electron mobility transistors, and metal-foil based low-loss interconnects that are fabricated by processing SAB-based junctions are described, and future prospects are presented.
Study on electrical activity of grain boundaries in silicon through systematic control of structural parameters and characterization using a pretrained machine learning model Peer-reviewed

Yusuke Fukuda, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Yutaka Ohno, Noritaka Usami

Journal of Applied Physics　132　(2)　025102-025102　2022/07/14
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0086193 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550

More details Close

We report on the effects of grain boundary (GB) structures on the carrier recombination velocity at GB ( v_GB) in multicrystalline Si (mc-Si). The fabricated artificial GBs and an originally developed machine learning model allowed an investigation of the effect of three macroscopic parameters, misorientation angle α for Σ values, asymmetric angle β, and deviation angle θ from the ingot growth direction. Totally, 13 GBs were formed by directional solidification using multi-seeds with controlled crystal orientations. v_GB was evaluated directly from photoluminescence intensity profiles across GBs using a pre-trained machine learning model, which allowed a quantitative and continuous evaluation along GBs. The evaluation results indicated that the impact of θ on v_GB would be relatively large among the three macroscopic parameters. In addition, the results for the Σ5 and Σ13 GBs suggested that the minimum v_GB would be related to the GB energy. These results were discussed in terms of the complexity of the local reconstruction of GB structures. The deviation would make a more complex reconstructed GB structure with local distortion, resulting in an increase in the electrical activity of GBs. The obtained knowledge will contribute to improving various polycrystalline materials through a comprehensive understanding of the relationship between GB structures and their properties.
Fabrication of β-Ga₂O₃/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications Peer-reviewed

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Masataka Higashiwaki, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics　61　(SF)　SF1001-SF1001　2022/06/01
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac4c6c 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065

More details Close

Abstract In this work, we fabricated Ga₂O₃(001)/Si(100) and Ga₂O₃(010)/Si(100) heterointerfaces by surface activated bonding at room temperature and investigated the effect of Si thickness on the thermal stability of the heterointerfaces by heating the bonding samples at different temperatures. The heterointerface with a thin Si exhibited a good thermal stability at 1000 °C. A 4 nm thick intermediate layer with a uniform thickness was formed at the as-bonded Ga₂O₃(001)/Si(100) heterointerface, but for the as-bonded Ga₂O₃(010)/Si(100) heterointerface, an intermediate layer with a non-uniform thickness was formed. The thickness of both intermediate layers ranged from 3.6 to 5.4 nm and decreased after annealing at 500 °C, followed by an increase after annealing at 1000 °C. The component of the intermediate layer includes Ga, O, and Si atoms.
AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process Peer-reviewed

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Applied Physics Express　15　(4)　041003-041003　2022/04/01
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/ac5ba7 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786

More details Close

Abstract We fabricate AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on diamond substrates by transferring 8 μm heterostructures grown on 3C-SiC/Si templates and subsequently applying the conventional device process steps. No exfoliation of 3C-SiC/diamond bonding interfaces is observed during 800 °C annealing, the essential step for forming ohmic contacts on nitrides. The thermal resistance of HEMTs on diamond is 35% of that of HEMTs on Si, which is assumed to be the origin of smaller negative drain conductance in on-diamond HEMTs. The results imply that the bonding-first process is applicable for fabricating low-thermal-resistance HEMTs with thick nitride layers.
Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics　2022/03/11
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac5d11 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065

More details Close

Abstract Chemical composition around diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature is examined by energy dispersive X-ray spectroscopy under scanning transmission electron microscopy. Iron impurities segregate just on the bonding interfaces, while oxygen impurities segregate off the bonding interfaces in the silicon side by 3-4 nm. Oxygen atoms would segregate so as to avoid the amorphous compound with silicon and carbon atoms, self-organized at the bonding interfaces in the surface activated bonding process. When the bonding interfaces are annealed at 1000 ^oC, the amorphous compound converts into cubic silicon carbide (c-SiC), and nano-voids 5-15 nm in size are formed at the region between silicon and c-SiC, at which the oxygen density is high before annealing. The nano-voids can act as the gettering sites in which metal impurities are preferentially agglomerated, and the impurity gettering would help to improve the electronic properties of the bonding interfaces by annealing.
Cracking process at lineages in Czochralski-grown 36°-RY LiTaO3 ingots Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Tomio Kajigaya, Kazutaka Osako, Toshio Kochiya

Journal of Crystal Growth　570　126228/1-126228/5　2021/09
Publisher: Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2021.126228 　

ISSN： 0022-0248
Segregation mechanism of arsenic dopants at grain boundaries in silicon Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Tatsuya Yokoi, Yasuo Shimizu, Jie Ren, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Kentaro Kutsukake, Kozo Fujiwara, Atsutomo Nakamura, Katsuyuki Matsunaga, Hideto Yoshida

Science and Technology of Advanced Materials: Methods　1　(1)　169-180　2021/08/20
Publisher: Informa UK Limited
DOI： 10.1080/27660400.2021.1969701 　

eISSN： 2766-0400
Insight into segregation sites for oxygen impurities at grain boundaries in silicon Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Jie Ren, Shingo Tanaka, Masanori Kohyama, Koji Inoue, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Hideto Yoshida

Applied Physics Express　14　(4)　041003/1-041003/4　2021/02/19
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/abe80d 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786

More details Close

Abstract The three-dimensional distribution of oxygen atoms segregated at Σ9{114} grain boundaries (GBs) in Czochralski-grown silicon ingots is analyzed within a high spatial resolution of less than 0.5 nm by atom probe tomography combined with a focused ion beam (FIB) operated at −150 °C. The analysis reveals a segregation of oxygen atoms within a range of 2.5 nm across the GB plane, which is much narrower in comparison with the previous reports obtained using a conventional FIB. The oxygen concentration profile accurately reflects the distribution of the segregation sites, which exist at bond-centered sites under tensile stresses above 2 GPa, as calculated by ab initio local stress calculations.
Room temperature direct bonding of diamond and InGaP in atmospheric air Peer-reviewed

Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Naoteru Shigekawa

Functional Diamond　1　(1)　110-116　2021/01/02
Publisher: Informa UK Limited
DOI： 10.1080/26941112.2020.1869435 　

ISSN： 2694-1112

eISSN： 2694-1120
Origin of recombination activity of non-coherent Σ3{111} grain boundaries with a positive deviation in the tilt angle in cast-grown silicon ingots Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Takehiro Tamaoka, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Kentaro Kutsukake, Yasuyoshi Nagai, Noritaka Usami

Applied Physics Express　14　(1)　011002-011002　2021/01/01
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/abd0a0 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786
Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications Peer-reviewed

Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Tianzhuo Zhan, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Kazu Katayama, Takanobu Watanabe, Hideto Yoshida, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

Diamond and Related Materials　111　108207-108207　2020/12
Publisher: Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.diamond.2020.108207 　

ISSN： 0925-9635
Twinning in Czochralski-Grown 36°-RY LiTaO3 Single Crystals Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Yuta Kubouchi, Hideto Yoshida, Toshio Kochiya, Tomio Kajigaya

Crystals　10　(11)　1009-1009　2020/11/05
Publisher: MDPI AG
DOI： 10.3390/cryst10111009 　

ISSN： 2073-4352

eISSN： 2073-4352

More details Close

The origin of twinning during the Czochralski (CZ) growth of 36°-RY lithium tantalate (LiTaO3) single crystals is examined, and it is shown that lineages composed of dislocation arrays act as an initiation site for twinning. Two types of lineages expand roughly along three different {12¯10} planes and two different {11¯00} planes. The former lineages and some latter lineages are composed of two types of mixed-dislocations with different Burgers vectors, while the other lineages are composed of only one type of edge-dislocation. All the dislocations have the Burgers vector of ⟨12¯10⟩ type with the compression side at the +Z side. Twin lamellae on {101¯2} are generated at a lineage during the CZ growth. We have hypothesized that dislocations in the lineage with b = 1/3⟨12¯10⟩ change their extension direction along a slip plane of {101¯2}, and they dissociate into pairs of partial dislocations with b = 1/6⟨22¯01⟩and 1/6⟨02¯21¯⟩ forming twin lamellae on {101¯2}.
Generation of dislocation clusters at triple junctions of random angle grain boundaries during cast growth of silicon ingots Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Kazuya Tajima, Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami

Applied Physics Express　13　(10)　105505/1-105505/4　2020/10/01
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/abbb1c 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786
Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management Peer-reviewed

Jianbo Liang, Yutaka Ohno, Yuichiro Yamashita, Yasuo Shimizu, Shinji Kanda, Naoto Kamiuchi, Seongwoo Kim, Koyama Koji, Yasuyoshi Nagai, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

ACS Applied Nano Materials　3　(3)　2455-2462　2020/03/27
Publisher: American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/acsanm.9b02558 　

ISSN： 2574-0970

eISSN： 2574-0970
Impact of focused ion beam on structural and compositional analysis of interfaces fabricated by surface activated bonding Peer-reviewed

Y. Ohno, H. Yoshida, N. Kamiuchi, R. Aso, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics　59　({SB})　2020/02
Publisher: {IOP} Publishing
DOI： 10.7567/1347-4065/ab4b15 　
Fabrication of diamond/Cu direct bonding for power device applications Peer-reviewed

S. Kanda, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa, J. Liang

Japanese Journal of Applied Physics　59　2020/02
Publisher: Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/1347-4065/ab4f19 　
Insight into physical processes controlling the mechanical properties of the wurtzite group-III nitride family Peer-reviewed

I. Yonenaga, M. Deura, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno

Journal of Crystal Growth　500　23-28　2018/08
Publisher: Elsevier {BV}
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.08.001 　

ISSN： 0022-0248
Interaction of sodium atoms with stacking faults in silicon with different Fermi levels Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Haruhiko Morito, Kentaro Kutsukake, Ichiro Yonenaga, Tatsuya Yokoi, Atsutomo Nakamura, Katsuyuki Matsunaga

Applied Physics Express　11　(6)　061303/1-061303/4　2018/06/01
Publisher: Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/APEX.11.061303 　

ISSN： 1882-0786 1882-0778

eISSN： 1882-0786
Mechanical Properties of Cubic-BN(111) Bulk Single Crystal Evaluated by Nanoindentation Peer-reviewed

Momoko Deura, Kentaro Kutsukake, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Takashi Taniguchi

Physica Status Solidi (B) Basic Research　255　(5)　1700473/1-1700473/4　2018/05/01
Publisher: Wiley-VCH Verlag
DOI： 10.1002/pssb.201700473 　

ISSN： 1521-3951 0370-1972
Characterization of femtosecond-laser-induced periodic structures on SiC substrates Peer-reviewed

Reina Miyagawa, Yutaka Ohno, Momoko Deura, Ichiro Yonenaga, Osamu Eryu

Japanese Journal of Applied Physics　57　(2)　2018/02/01
Publisher: Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/JJAP.57.025602 　

ISSN： 1347-4065 0021-4922
Intrinsic microstructure of Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics　57　(2)　02BA01/1-02BA01/3　2018/02/01
Publisher: Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/JJAP.57.02BA01 　

ISSN： 1347-4065 0021-4922
Nanoscopic analysis of oxygen segregation at tilt boundaries in silicon ingots using atom probe tomography combined with TEM and ab initio calculations Peer-reviewed

Y. Ohno, K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

JOURNAL OF MICROSCOPY　268　(3)　230-238　2017/12

DOI： 10.1111/jmi.12602 　

ISSN： 0022-2720

eISSN： 1365-2818
Nanoindentation measurements of a highly oriented wurtzite-type boron nitride bulk crystal

Momoko Deura, Kentaro Kutsukake, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Takashi Taniguchi

Japanese Journal of Applied Physics　56　(3)　030301/1-030301/4　2017/03/01
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.7567/jjap.56.030301 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Impact of local atomic stress on oxygen segregation at tilt boundaries in silicon Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Kaihei Inoue, Kozo Fujiwara, Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Ichiro Yonenaga, Naoki Ebisawa, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Shingo Tanaka, Masanori Kohyama

APPLIED PHYSICS LETTERS　110　(6)　062105/1-062105/5　2017/02

DOI： 10.1063/1.4975814 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Synthesis of highly-oriented wurtzite-type BN crystal and evaluation of its mechanical properties using nanoindentation Peer-reviewed

M. Deura, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga, T. Taniguchi

Japanese Journal of Applied Physics Rapid Communications　56　(3)　030301/1-030301/4　2017/01/31

DOI： 10.7567/JJAP.56.030301 　
Recombination activity of nickel, copper, and oxygen atoms segregating at grain boundaries in mono-like silicon crystals Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Ichiro Yonenaga, Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Hideto Yoshida, Seiji Takeda

APPLIED PHYSICS LETTERS　109　(14)　142105/1-142105/4　2016/10

DOI： 10.1063/1.4964440 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Characterization of silicon ingots: Mono-like versus high-performance multicrystalline Peer-reviewed

Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(8)　08KD10/1-08KD10/5　2015/08

DOI： 10.7567/JJAP.54.08KD10 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Elastic properties of indium nitrides grown on sapphire substrates determined by nano-indentation: In comparison with other nitrides Peer-reviewed

Ichiro Yonenaga, Yasushi Ohkubo, Momoko Deura, Kentaro Kutsukake, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Akihiko Yoshikawa, Xin Qiang Wang

AIP ADVANCES　5　(7)　077131/1-077131/13　2015/07

DOI： 10.1063/1.4926966 　

ISSN： 2158-3226
Nanoscopic mechanism of Cu precipitation at small-angle tilt boundaries in Si Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Kaihei Inoue, Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Takayuki Ohsawa, Ichiro Yonenaga, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Ryo Taniguchi, Hideki Otubo, Sigeto R. Nishitani, Naoki Ebisawa, Yasuo Shimizu, Hisashi Takamizawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

PHYSICAL REVIEW B　91　(23)　235315/1-235315/5　2015/06

DOI： 10.1103/PhysRevB.91.235315 　

ISSN： 1098-0121

eISSN： 1550-235X
Three-dimensional evaluation of gettering ability for oxygen atoms at small-angle tilt boundaries in Czochralski-grown silicon crystals Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Kaihei Inoue, Kozo Fujiwara, Momoko Deura, Kentaro Kutsukake, Ichiro Yonenaga, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Naoki Ebisawa, Yasuyoshi Nagai

APPLIED PHYSICS LETTERS　106　(25)　251603/1-251603/4　2015/06

DOI： 10.1063/1.4921742 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Optical and electrical properties of dislocations in plastically deformed GaN Peer-reviewed

I. Yonenaga, Y. Ohno, T. Yao, K. Edagawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　403　72-76　2014/10

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2014.06.021 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
How to best measure atomic segregation to grain boundaries by analytical transmission electron microscopy Peer-reviewed

T. Walther, M. Hopkinson, N. Daneu, A. Recnik, Y. Ohno, K. Inoue, I. Yonenaga

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE　49　(11)　3898-3908　2014/06

DOI： 10.1007/s10853-013-7932-2 　

ISSN： 0022-2461

eISSN： 1573-4803
Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals Peer-reviewed

I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, R. Gotoh, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　395　94-97　2014/06

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2014.02.052 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
First principles calculations of solution energies of dopants around stacking faults in Si crystal Peer-reviewed

Yosuke Yamamoto, Kensuke Togase, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Shigeto R. Nishitani

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(6)　061302/1-061302/4　2014/06

DOI： 10.7567/JJAP.53.061302 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
In-situ micro and near-field photo-excitation under transmission electron microscopy Peer-reviewed

Y. Ohno, I. Yonenaga

Applied Surface Science　302　29-31　2014/05/30
Publisher: Elsevier
DOI： 10.1016/j.apsusc.2013.11.061 　

ISSN： 0169-4332
Czochralski growth of heavily indium-doped Si crystals and co-doping effects of group-IV elements Peer-reviewed

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, T. Ohsawa, R. Gotoh, I. Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　393　45-48　2014/05

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.10.033 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Constitutional supercooling in heavily As-doped Czochralski Si crystal growth Peer-reviewed

Toshinori Taishi, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　393　42-44　2014/05

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.10.037 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Slip systems in wurtzite ZnO activated by Vickers indentation on { 2 1 ̄ 1 ̄ 0 } and { 10 1 ̄ 0 } surfaces at elevated temperatures Peer-reviewed

Y. Ohno, H. Koizumi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, H. Taneichi, I. Yonenaga

Journal of Crystal Growth　393　119-122　2014/05/01
Publisher: Elsevier
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.11.033 　

ISSN： 0022-0248
Microstructure of striae in < 0(4)over-bar41 >-oriented lithium niobate single crystal grown by Czochralski method Peer-reviewed

Y. Ohno, T. Taishi, N. Bamba, I. Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　393　171-174　2014/05

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.12.002 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Mono-Like Silicon Growth Using Functional Grain Boundaries to Limit Area of Multicrystalline Grains Peer-reviewed

Kentaro Kutsukake, Noritaka Usami, Yutaka Ohno, Yuki Tokumoto, Ichiro Yonenaga

IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS　4　(1)　84-87　2014/01

DOI： 10.1109/JPHOTOV.2013.2281730 　

ISSN： 2156-3381
Three-dimensional evaluation of gettering ability of Sigma 3{111} grain boundaries in silicon by atom probe tomography combined with transmission electron microscopy Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Kaihei Inoue, Yuki Tokumoto, Kentaro Kutsukake, Ichiro Yonenaga, Naoki Ebisawa, Hisashi Takamizawa, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Hideto Yoshida, Seiji Takeda

APPLIED PHYSICS LETTERS　103　(10)　102102/1-102102/4　2013/09

DOI： 10.1063/1.4820140 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Vacancy-type defects introduced by plastic deformation of GaN studied using monoenergetic positron beams Peer-reviewed

Akira Uedono, Ichiro Yonenaga, Tomohito Watanabe, Shogo Kimura, Nagayasu Oshima, Ryoichi Suzuki, Shoji Ishibashi, Yutaka Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　114　(8)　084506/1-084506/6　2013/08

DOI： 10.1063/1.4819798 　

ISSN： 0021-8979
Interstitial oxygen behavior for thermal double donor formation in germanium: Infrared absorption studies Peer-reviewed

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, Y. Ohno, M. Suezawa, I. Yonenaga

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　113　(7)　073501/1-073501/5　2013/02

DOI： 10.1063/1.4792061 　

ISSN： 0021-8979
Control of grain boundary propagation in mono-like Si: utilization of functional grain boundaries Peer-reviewed

K. Kutsukake, N. Usami, Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

Applied Physics Express　6　(1)　025505/1-025505/3　2013/01
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.7567/APEX.6.025505 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786
Dislocation structure in AlN films induced by in situ transmission electron microscope nanoindentation (vol 112, 093526, 2012) Peer-reviewed

Yuki Tokumoto, Kentaro Kutsukake, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　112　(12)　129902　2012/12

DOI： 10.1063/1.4771927 　

ISSN： 0021-8979
Development of an Apparatus for In-situ Near-Field Photoexcitation in a Transmission Electron Microscope Peer-reviewed

Yutaka Ohno

APPLIED PHYSICS EXPRESS　5　(12)　125204/1-125204/3　2012/12

DOI： 10.1143/APEX.5.125204 　

ISSN： 1882-0778
Formation and Evolution of Misoriented Grains in a-Plane Oriented Gallium Nitride Layers Peer-reviewed

Yuki Tokumoto, Hyun-Jae Lee, Yutaka Ohno, Takafumi Yao, Ichiro Yonenaga

MATERIALS TRANSACTIONS　53　(11)　1881-1884　2012/11

DOI： 10.2320/matertrans.MA201221 　

ISSN： 1345-9678

eISSN： 1347-5320
Dislocation structure in AlN films induced by in situ transmission electron microscope nanoindentation Peer-reviewed

Yuki Tokumoto, Kentaro Kutsukake, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　112　(9)　093526/1-093526/6　2012/11

DOI： 10.1063/1.4764928 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
2 MeV e-irradiation UHVEM study on the impact of O and Ge doping on {113}-defect formation in Si Peer-reviewed

J. Vanhellemont, H. Yasuda, Y. Tokumoto, Y. Ohno, M. Suezawa, I. Yonenaga

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　209　(10)　1902-1907　2012/10

DOI： 10.1002/pssa.201200023 　

ISSN： 1862-6300

eISSN： 1862-6319
Interaction of dopant atoms with stacking faults in silicon Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Yuki Tokumoto, Hiroto Taneichi, Ichiro Yonenaga, Kensuke Togase, Sigeto R. Nishitani

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　407　(15)　3006-3008　2012/08

DOI： 10.1016/j.physb.2011.08.064 　

ISSN： 0921-4526
Recombination activity of dislocations on (0001) introduced in wurtzite ZnO at elevated temperatureslicon Peer-reviewed

Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao, N. Yamamoto

Physica B　407　(15)　2886-2888　2012/08
Publisher: Elsevier {BV}
DOI： 10.1016/j.physb.2011.08.053 　

ISSN： 0921-4526
Oxygen in Ge crystals grown by the B2O3 encapsulated Czochralski method Peer-reviewed

Ichiro Yonenaga, Toshinori Taishi, Hideaki Ise, Yu Murao, Kaihei Inoue, Takayuki Ohsawa, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Yoshio Hashimoto

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　407　(15)　2932-2934　2012/08

DOI： 10.1016/j.physb.2011.08.038 　

ISSN： 0921-4526
Modeling of incorporation of oxygen and carbon impurities into multicrystalline silicon ingot during one-directional growth Peer-reviewed

Kentaro Kutsukake, Hideaki Ise, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Kazuo Nakajima, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　352　(1)　173-176　2012/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.02.004 　

ISSN： 0022-0248
In-situ transmission electron microscopy of partial-dislocation glide in 4H-SiC under electron radiation Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Kotaro Miyao, Koji Maeda, Hidekazu Tsuchida

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(4)　042102/1-042102/3　2012/07

DOI： 10.1063/1.4737938 　

ISSN： 0003-6951
Optical properties of edge dislocations on (1(1)over-bar00) prismatic planes in wurtzite ZnO introduced at elevated temperatures Peer-reviewed

Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(11)　113514/1-113514/6　2012/06

DOI： 10.1063/1.4725426 　

ISSN： 0021-8979
Doping effects on the stability of stacking faults in silicon crystals Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Yuki Tokumoto, Ichiro Yonenaga

THIN SOLID FILMS　520　(8)　3296-3299　2012/02

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.050 　

ISSN： 0040-6090
Misoriented grains with a preferential orientation in a-plane oriented GaN layers Peer-reviewed

Yuki Tokumoto, Hyun-Jae Lee, Yutaka Ohno, Takafumi Yao, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　334　(1)　80-83　2011/11

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2011.08.014 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Impurity effects on the generation and velocity of dislocations in Ge Peer-reviewed

Yu Murao, Toshinori Taishi, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　109　(11)　113502/1-113502/5　2011/06

DOI： 10.1063/1.3592226 　

ISSN： 0021-8979
Oxygen doped Ge crystals Czochralski-grown from the B2O3-fully-covered melt Peer-reviewed

Toshinori Taishi, Hideaki Ise, Yu Murao, Takayuki Ohsawa, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

MICROELECTRONIC ENGINEERING　88　(4)　496-498　2011/04

DOI： 10.1016/j.mee.2010.10.015 　

ISSN： 0167-9317
Optical properties of fresh dislocations in GaN Peer-reviewed

I. Yonenaga, Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, H. Makino, T. Yao, Y. Kamimura, K. Edagawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　318　(1)　415-417　2011/03

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.060 　

ISSN： 0022-0248
Electrical Breakdown of Individual Si Nanochains and Silicide Nanochains Peer-reviewed

Hideo Kohno, Takafumi Nogami, Seiji Takeda, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Satoshi Ichikawa

JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　10　(10)　6655-6658　2010/10

DOI： 10.1166/jnn.2010.3144 　

ISSN： 1533-4880
Interaction of dopant atoms with stacking faults in silicon crystals Peer-reviewed

Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　108　(7)　073514/1-073514/4　2010/10

DOI： 10.1063/1.3490753 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Czochralski-growth of germanium crystals containing high concentrations of oxygen impurities Peer-reviewed

Toshinori Taishi, Hideaki Ise, Yu Murao, Takayuki Osawa, Masashi Suezawa, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Keigo Hoshikawa, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　312　(19)　2783-2787　2010/09

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.05.045 　

ISSN： 0022-0248
In-situ analysis of optoelectronic properties of twin boundaries in AlGaAs by polarized cathodoluminescence spectroscopy in a TEM Peer-reviewed

Yutaka Ohno

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY　59　(S1)　S141-S147　2010/08

DOI： 10.1093/jmicro/dfq042 　

ISSN： 0022-0744
Structural Elements of Ultrashallow Thermal Donors Formed in Silicon Crystals Peer-reviewed

Akito Hara, Teruyoshi Awano, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(5)　050203/1-050203/3　2010/05

DOI： 10.1143/JJAP.49.050203 　

ISSN： 0021-4922
Cellular structures in Czochralski-grown SiGe bulk crystal Peer-reviewed

I. Yonenaga, T. Taishi, Y. Ohno, Y. Tokumoto

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　312　(8)　1065-1068　2010/04

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2009.10.025 　

ISSN： 0022-0248
Equilibrium segregation coefficient and solid solubility of B in Czochralski Ge crystal growth Peer-reviewed

Toshinori Taishi, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

THIN SOLID FILMS　518　(9)　2409-2412　2010/02

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.09.132 　

ISSN： 0040-6090
In situ Transmission Electron Microscopy Observation of the Graphitization of Silicon Carbide Nanowires Induced by Joule Heating Peer-reviewed

Hideo Kohno, Yuhki Mori, Seiji Takeda, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Satoshi Ichikawa

APPLIED PHYSICS EXPRESS　3　(5)　055001/1-055001/3　2010

DOI： 10.1143/APEX.3.055001 　

ISSN： 1882-0778
Behavior of dislocations due to thermal shock and critical shear stress of Si in Czochralski crystal growth Peer-reviewed

Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　404　(23-24)　4612-4615　2009/12

DOI： 10.1016/j.physb.2009.08.137 　

ISSN： 0921-4526
Recent knowledge of strength and dislocation mobility in wide band-gap semiconductors Peer-reviewed

I. Yonenaga, Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　404　(23-24)　4999-5001　2009/12

DOI： 10.1016/j.physb.2009.08.196 　

ISSN： 0921-4526
Transformation of a SiC nanowire into a carbon nanotube Peer-reviewed

Hideo Kohno, Yuhki Mori, Satoshi Ichikawa, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Seiji Takeda

NANOSCALE　1　(3)　344-346　2009/12

DOI： 10.1039/b9nr00163h 　

ISSN： 2040-3364
Reduction of grown-in dislocation density in Ge Czochralski-grown from the B2O3-partially-covered melt Peer-reviewed

Toshinori Taishi, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　311　(22)　4615-4618　2009/11

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2009.09.001 　

ISSN： 0022-0248
Converting an insulating silicon nanochain to a conducting carbon nanotube by electrical breakdown Peer-reviewed

T. Nogami, Y. Ohno, S. Ichikawa, H. Kohno

NANOTECHNOLOGY　20　(33)　335602/1-335602/5　2009/08

DOI： 10.1088/0957-4484/20/33/335602 　

ISSN： 0957-4484
In situ analysis of optoelectronic properties of dislocations in ZnO in TEM observations Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Toshinori Taishi, Ichiro Yonenaga

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　206　(8)　1904-1911　2009/08

DOI： 10.1002/pssa.200881466 　

ISSN： 1862-6300
Interaction of phosphorus with dislocations in heavily phosphorus doped silicon Peer-reviewed

Y. Ohno, T. Shirakawa, T. Taishi, I. Yonenaga

APPLIED PHYSICS LETTERS　95　(9)　091915/1-091915/3　2009/08

DOI： 10.1063/1.3224184 　

ISSN： 0003-6951
Segregation of boron in germanium crystal Peer-reviewed

T. Taishi, Y. Murao, Y. Ohno, I. Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　311　(1)　59-61　2008/12

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2008.10.036 　

ISSN： 0022-0248
Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO single crystals introduced at elevated temperatures Peer-reviewed

Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　104　(7)　073515/1-073515/6　2008/10

DOI： 10.1063/1.2977748 　

ISSN： 0021-8979
Formation of multiple nanoscale twin boundaries that emit intense light in indirect-gap AlGaAs epilayers Peer-reviewed

Y. Ohno, K. Shoda, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

APPLIED SURFACE SCIENCE　254　(23)　7633-7637　2008/09

DOI： 10.1016/j.apsusc.2008.01.127 　

ISSN： 0169-4332
High-temperature strength and dislocation mobility in the wide band-gap ZnO: Comparison with various semiconductors Peer-reviewed

I. Yonenaga, H. Koizumi, Y. Ohno, T. Taishi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(9)　093502/1-093502/4　2008/05

DOI： 10.1063/1.2908193 　

ISSN： 0021-8979
Light emission due to dislocations in wurtzite ZnO bulk single crystals freshly introduced by plastic deformation Peer-reviewed

Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(1)　011922/1-011922/3　2008/01

DOI： 10.1063/1.2831001 　

ISSN： 0003-6951
Influence of high-magnetic-field on dislocation-oxygen interaction in silicon Peer-reviewed

I. Yonenaga, K. Takahashi, T. Taishi, Y. Ohno

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　148-150　2007/12

DOI： 10.1016/j.physb.2007.08.133 　

ISSN： 0921-4526
Influence of seed/crystal interface shape on dislocation generation in Czochralski Si crystal growth Peer-reviewed

Toshinori Taishi, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Keigo Hoshikawa

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　560-563　2007/12

DOI： 10.1016/j.physb.2007.09.021 　

ISSN： 0921-4526
Oxygen defects in langasite (La3Ga5SiO14) single crystal grown by vertical Bridgman (VB) method Peer-reviewed

T. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　437-440　2007/12

DOI： 10.1016/j.physb.2007.08.206 　

ISSN： 0921-4526
Control of the stacking fault areas in pseudomorphic ZnSe layers by photo-molecular beam epitaxy Peer-reviewed

Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Ichikawa, R. Hirai, S. Takeda

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　650-653　2007/12

DOI： 10.1016/j.physb.2007.09.043 　

ISSN： 0921-4526
Electronic properties of nanoscale multiple twin boundaries in indirect-gap AlGaAs Peer-reviewed

Y. Ohno, N. Yamamoto, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　270-274　2007/12

DOI： 10.1016/j.physb.2007.08.164 　

ISSN： 0921-4526
Atomistic structure of stacking faults in a commercial GaAs : Si wafer revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy Peer-reviewed

Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　230-233　2007/12

DOI： 10.1016/j.physb.2007.08.154 　

ISSN： 0921-4526
Diffusion and condensation of adatoms on inhomogeneous rough surfaces Peer-reviewed

K. Torigoe, Y. Ohno, H. Kohno, T. Ichihashi, S. Takeda

SURFACE SCIENCE　601　(22)　5103-5107　2007/11

DOI： 10.1016/j.susc.2007.04.101 　

ISSN： 0039-6028
Intense monochromatic light emission from multiple nanoscale twin boundaries in indirect-gap AlGaAs epilayers Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Naoki Yamamoto, Kaoru Shoda, Seiji Takeda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(33-35)　L830-L832　2007/09

DOI： 10.1143/JJAP.46.L830 　

ISSN： 0021-4922
Mechanism of the growth of ZnSe nanowires with Fe catalysts Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Takeo Shirahama, Seiji Takeda, Atsushi Ishizumi, Yoshihiko Kanemitsu

SOLID STATE COMMUNICATIONS　141　(4)　228-232　2007/01

DOI： 10.1016/j.ssc.2006.10.029 　

ISSN： 0038-1098
Fabrication of short-range ordered nanoholes on silicon surfaces by electron irradiation Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Seiji Takeda, Toshinari Ichihashi, Sumio Iijima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　46　(1)　434-439　2007/01

DOI： 10.1143/JJAP.46.434 　

ISSN： 0021-4922
Excavation rate of silicon surface nanoholes Peer-reviewed

Y Ohno, S Takeda, T Ichihashi, S Iijima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(12)　126107/1-126107/3　2006/06

DOI： 10.1063/1.2206693 　

ISSN： 0021-8979
Arrangement of gold nanoparticles on rough surfaces introduced by electron irradiation with high flux Peer-reviewed

K Torigoe, Y Ohno, T Ichihashi, S Takeda

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　376　916-919　2006/04

DOI： 10.1016/j.physb.2005.12.228 　

ISSN： 0921-4526
Electronic properties of antiphase boundaries in CuPt-ordered GaInP alloys Peer-reviewed

Y Ohno

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　376　845-848　2006/04

DOI： 10.1016/j.physb.2005.12.210 　

ISSN： 0921-4526
Microstructure of a CuPt-ordered GaInP alloy revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy Peer-reviewed

Y Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　45　(3B)　2357-2360　2006/03

DOI： 10.1143/JJAP.45.2357 　

ISSN： 0021-4922
Photoinduced stress in a ZnSe/GaAs epilayer containing 90 degrees alpha partial dislocations Peer-reviewed

Y Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　87　(18)　181909/1-181909/3　2005/10

DOI： 10.1063/1.2123392 　

ISSN： 0003-6951
Growth of silicon nanowires on H-terminated Si {111} surface templates studied by transmission electron microscopy Peer-reviewed

N Ozaki, Y Ohno, J Kikkawa, S Takeda

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY　54　I25-I29　2005/09

DOI： 10.1093/jmicro/dfi019 　

ISSN： 0022-0744
Polarized light emission from antiphase boundaries acting as slanting quantum wells in GaP/InP short-period superlattices Peer-reviewed

Y Ohno

PHYSICAL REVIEW B　72　(12)　121307/1-121307/4　2005/09

DOI： 10.1103/PhysRevB.72.121307 　

ISSN： 1098-0121
Fe-catalytic growth of ZnSe nanowires on a ZnSe(001) surface at low temperatures by molecular-beam epitaxy Peer-reviewed

Y Ohno, T Shirahama, S Takeda, A Ishizumi, Y Kanemitsu

APPLIED PHYSICS LETTERS　87　(4)　43105/1-43105/3　2005/07

DOI： 10.1063/1.1997275 　

ISSN： 0003-6951
Growth rate of silicon nanowires Peer-reviewed

J Kikkawa, Y Ohno, S Takeda

APPLIED PHYSICS LETTERS　86　(12)　123109/1-123109/3　2005/03

DOI： 10.1063/1.1888034 　

ISSN： 0003-6951
Formation of silicon/silicide/oxide nanochains and their properties studied by electron holography Peer-reviewed

H Kohno, H Yoshida, Y Ohno, S Ichikawa, T Akita, K Tanaka, S Takeda

THIN SOLID FILMS　464　204-207　2004/10

DOI： 10.1016/j.tsf.2004.06.052 　

ISSN： 0040-6090
Origin of a pair of stacking faults in pseudomorphic ZnSe epitaxial layers on GaAs Peer-reviewed

Y Ohno, N Adachi, S Takedab

APPLIED PHYSICS LETTERS　83　(1)　54-56　2003/07

DOI： 10.1063/1.1587883 　

ISSN： 0003-6951
Formation mechanism of nanocatalysts for the growth of silicon nanowires on a hydrogen-terminated Si {111} surface template Peer-reviewed

S Takeda, K Ueda, N Ozaki, Y Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　82　(6)　979-981　2003/02

DOI： 10.1063/1.1541934 　

ISSN： 0003-6951
Extended vacancy-type defects in silicon induced at low temperatures by electron irradiation Peer-reviewed

J Yamasaki, Y Ohno, S Takeda, Y Kimura

PHILOSOPHICAL MAGAZINE　83　(2)　151-163　2003/01

DOI： 10.1080/0141861021000026765 　

ISSN： 1478-6443
Novel amorphization process in silicon induced by electron irradiation Peer-reviewed

J Yamasaki, Y Ohno, H Kohno, N Ozaki, S Takeda

JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS　299　793-797　2002/04

DOI： 10.1016/S0022-3093(01)00984-X 　

ISSN： 0022-3093
Analysis of polarization by means of polarized cathodoluminescence spectroscopy in a TEM Peer-reviewed

Y Ohno, S Takeda

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY　51　(5)　281-290　2002

DOI： 10.1093/jmicro/51.5.281 　

ISSN： 0022-0744
Fabrication of periodic nanohole multilayer structure on silicon surface toward photonic crystal Peer-reviewed

Y Ohno, N Ozaki, S Takeda

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　308　1222-1225　2001/12

DOI： 10.1016/S0921-4526(01)00948-6 　

ISSN： 0921-4526
Observation of silicon surface nanoholes by scanning tunneling microscopy Peer-reviewed

N Ozaki, Y Ohno, M Tanbara, D Hamada, J Yamasaki, S Takeda

SURFACE SCIENCE　493　(1-3)　547-554　2001/11

DOI： 10.1016/S0039-6028(01)01264-X 　

ISSN： 0039-6028

eISSN： 1879-2758
Point defect reaction in (Al)GaInP STQW lasers enhanced by laser operation Peer-reviewed

A Ihara, Y Ohno, S Takeda, S Nagao, D Diffily, Y Satoh, K Shimoyama, N Hosoi

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　273-4　1050-1053　1999/12

DOI： 10.1016/S0921-4526(99)00636-5 　

ISSN： 0921-4526
Vacancy-migration-mediated disordering in CuPt-ordered (Ga,In)P studied by in situ optical spectroscopy in a transmission electron microscope Peer-reviewed

Y Ohno, Y Kawai, S Takeda

PHYSICAL REVIEW B　59　(4)　2694-2699　1999/01

DOI： 10.1103/PhysRevB.59.2694 　

ISSN： 1098-0121

eISSN： 1550-235X
Silicon nanowhiskers grown on a hydrogen-terminated silicon {111} surface Peer-reviewed

N Ozaki, Y Ohno, S Takeda

APPLIED PHYSICS LETTERS　73　(25)　3700-3702　1998/12

DOI： 10.1063/1.122868 　

ISSN： 0003-6951
Diffusion process of interstitial atoms in an electron irradiated InP studied by transmission electron microscopy Peer-reviewed

Y Ohno, N Saitoh, S Takeda, M Hirata

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(9A)　5628-5632　1997/09

DOI： 10.1143/JJAP.36.5628 　

ISSN： 0021-4922
Atomic structure of a defect colony in silicon introduced during neutron irradiation in the JOYO reactor Peer-reviewed

Y Ohno, M Hirata, S Takeda, R Fujimoto, R Oshima

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY　45　(5)　380-387　1996/10

ISSN： 0022-0744
Clustering process of interstitial atoms in gallium phosphide studied by transmission electron microscopy Peer-reviewed

Y Ohno, S Takeda, M Hirata

PHYSICAL REVIEW B　54　(7)　4642-4649　1996/08

DOI： 10.1103/PhysRevB.54.4642 　

ISSN： 0163-1829
Study of electron-irradiation-induced defects in GaP by in-situ optical spectroscopy in a transmission electron microscope Peer-reviewed

Y Ohno, S Takeda

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY　45　(1)　73-78　1996/02

ISSN： 0022-0744
A NEW APPARATUS FOR IN-SITU PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPE Peer-reviewed

Y OHNO, S TAKEDA

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS　66　(10)　4866-4869　1995/10

DOI： 10.1063/1.1146166 　

ISSN： 0034-6748
RECOVERY PROCESS OF PHOTOCHROMISM OF H2 AND H3 CENTERS IN DIAMOND Peer-reviewed

Y MITA, Y OHNO, Y ADACHI, H KANEHARA, Y NISIDA, T NAKASHIMA

DIAMOND AND RELATED MATERIALS　2　(5-7)　768-772　1993/04

DOI： 10.1016/0925-9635(93)90220-V 　

ISSN： 0925-9635

eISSN： 1879-0062

Show all ︎Show first 5

Misc. 80

Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Liang Jianbo, Naoteru Shigekawa

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)　4-4　2017
TEM-CL分光法による電子材料中のナノ構造の電子状態評価

大野裕

顕微鏡　50　(3)　185-190　2015/12
Publisher: 日本顕微鏡学会
ISSN： 1349-0958
Optical response of dislocations in w-ZnO revealedd by in-situ optical spectroscopy in a TEM (Opto-TEM)

Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

Materia Japan　48　(12)　625-625　2009
TEM内偏光CL分光法および劈開STM法によるGaP/InP短周期超格子の電子状態解析

大野裕

まてりあ　45　(12)　901-901　2006/12
Publisher: The Japan Institute of Metals and Materials
DOI： 10.2320/materia.45.901 　

ISSN： 1340-2625
ZnSe/GaAsエピタキシャル膜への積層欠陥の形成機構

大野裕, 足立直人, 竹田精治

材料開発のための顕微鏡法と応用写真集 (日本金属学会編)　193　2005
Multicrystalline informatics: a methodology to advance materials science by unraveling complex phenomena

Noritaka Usami, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Hiroaki Kudo, Tatsuya Yokoi, Yutaka Ohno

Science and Technology of Advanced Materials　25　(1)　2024

DOI： 10.1080/14686996.2024.2396272 　

ISSN： 1468-6996

eISSN： 1878-5514
3次元アトムプローブと透過電子顕微鏡を用いた相関顕微鏡法による粒界・不純物の精密評価 Invited Peer-reviewed

大野裕

49　(4)　49-4-07/1-49-4-07/7　2023/12
Fabrication and Electrical Characterization of GaAs/GaN Junctions

Shota Ishimi, Makoto Hirose, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

ECS Transactions　112　(3)　111-118　2023/09/29
Publisher: The Electrochemical Society
DOI： 10.1149/11203.0111ecst 　

ISSN： 1938-5862

eISSN： 1938-6737

More details Close

We fabricate p⁺-GaAs/n-GaN and n⁺-GaAs/n-GaN junctions using surface activate bonding and measure their capacitance-voltage and current-voltage characteristics. We find that the characteristics of the two junctions are close to each other, which suggests that the band profiles of GaN layers in the two types of junctions are almost the same, i.e., the Fermi-level pinning occurs at the GaAs/GaN interfaces. Breakdown occurs at a reverse bias voltage ≈ -60 V in both junctions. The observed breakdown voltage corresponds to an electric field of as high as ~ 1.6 MV/cm, which is comparable to a reported breakdown field of GaN. We also excite minority electrons in the p⁺-GaAs layer using a 488-nm laser and successfully observe the photocurrent due to the transport of minority electrons across the reverse-biased GaAs/GaN interfaces.
表面活性化接合によるX on diamond構造 Peer-reviewed

重川直輝, 梁剣波, 大野裕

GS YUASA Technical Report　19　(2)　1-9　2022/12
Direct Bonding of Diamond and Dissimilar Materials at Room Temperature Peer-reviewed

Jianbo Liang, Yutaka Ohno, Naoteru Shigekawa

Materia Japan　61　(6)　334-339　2022/06/01
Publisher: Japan Institute of Metals
DOI： 10.2320/materia.61.334 　

ISSN： 1340-2625

eISSN： 1884-5843
Fabrication of Ga₂O₃/3C-SiC direct bonding for efficient surface heat dissipation

Hiromu Nagai, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021/10/05
Publisher: IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598380 　
Fabrication and Characterization of GaN/Diamond bonding interface

A. Kobayashi, Y. Shimizu, Y. Ohno, S. W. Kim, K. Koyama, M. Kasu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021/10/05
Publisher: IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598383 　
Nanostructural Analysis of Al/β-Ga₂O₃ Interface Fabricated Using Surface Activated Bonding

Zexin Wan, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021/10/05
Publisher: IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598385 　
Polarization inverted GaN/GaN junctions fabricated by surface-activated bonding

Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021/10/05
Publisher: IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598452 　
Fabrication of Ga₂O₃/Si direct bonding interface for high power device applications

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Yasuo Shimizu, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021/10/05
Publisher: IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598435 　
Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021/10/05
Publisher: IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598453 　
Structural analysis of diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)　2021/10/05
Publisher: IEEE
DOI： 10.1109/ltb-3d53950.2021.9598382 　
Application of machine learning for high-performance multicrystalline materials Peer-reviewed

Noritaka Usami, Kentaro Kutsukake, Takuto Kojima, Hiroaki Kudo, Tetsuya Matsumoto, Tatsuya Yokoi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno

ECS Transactions　102　(4)　11-16　2021

DOI： 10.1149/10204.0011ecst 　

ISSN： 1938-6737

eISSN： 1938-5862
Direct Bonding of GaAs and Diamond for High Power Device Applications

Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Tianzhuo Zhan, Takanobu Watanabe, Naoto Kamiuchi, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

ECS Meeting Abstracts　MA2020-02　(22)　1634-1634　2020/11/23
Publisher: The Electrochemical Society
DOI： 10.1149/ma2020-02221634mtgabs 　

eISSN： 2151-2043

More details Close

Direct bonding of GaAs and diamond was successfully achieved by surface activated bonding (SAB) method at room temperature. The structures of GaAs/diamond interface before and after annealing at 400 ℃ were investigated by transmission electron microscope (TEM). A 3-nm-thick crystal defect layer was formed at the bonding interface, the change in the crystal defect layer thickness was not observed after annealing. There were no nanovoids and micro-cracks observed at the interface with annealing at temperature 400 ℃. These results indicated that the GaAs/diamond interface has high thermal stability and can withstand the temperature rise of power devices during operating. GaAs-based power devices have excellent electron transport properties and make it suitable for high frequency operation at high frequency. The output power and the lifetime of GaAs devices are largely degraded by the temperature rise of the active region during operating. The thermal conductivity of GaAs is very small, so that the generated heat by self-heating cannot be sufficiently dissipated through the substrate. Diamond has the highest thermal conductivity among materials and is an ideal material to suppress the temperature rise of the devices. The integration of the GaAs-based devices and diamond will be a more promising approach for improving the heat dissipation ability of the devices. However, since there is a large mismatch between the thermal expansion coefficients and lattice constants of GaAs and diamond, the direct growth of GaAs on diamond is quite difficult and vice versa. We have achieved the direct bonding of diamond and Si at room temperature using surface activated bonding (SAB) method and obtained the excellent thermal stability bonding interface.^1-3 In this study, we examine the structures of the diamond/GaAs bonding interface and effects of thermal annealing on the interfacial structure of the interface by transmission electron microscopy (TEM). GaAs epitaxial layer grown on GaAs substrate was bonded to diamond by SAB method at room temperature. GaAs epitaxial substrate was composed of a 200 nm thick GaAs and a 100 nm thick InGaP layers grown on GaAs. After bonding, the GaAs substrate and InGaP layer were removed by mechanical polishing and selective wet etching to obtain 200 nm thick GaAs layer bonded to diamond substrates. The structures of the GaAs/diamond bonding interface were investigated by TEM observation. The TEM samples were fabricated by using a focused ion beam (FIB) technique. The cross-sectional TEM images of the GaAs/diamond bonding interface without and with annealing at 400°C for 5 min are shown in Fig 1(a) and 1(b), respectively. A crystal defect layer with a thickness of about 3 nm was observed in the as-bonded interface. The thickness of the crystal defect layer did not change, but no voids or cracks were observed at the bonding interface after annealing. These results indicate that the bonding interface of diamond and GaAs has an excellent thermal stability, which is extremely qualified for the heat dissipation of the devices. Acknowledgements This work was partly supported by Hirose International Scholarship Foundation. The fabrication of the TEM samples and part of the TEM observations were respectively performed at The Oarai Center and at the Laboratory of Alpha-Ray Emitters in IMR under the Inter-University Cooperative Research in IMR of Tohoku University (NO. 18M0045 and 19M0037). References Liang, S. Masuya, M. Kasu, N. Shigekawa, Appl. Phys. Lett.2017, 110, No.111603. Liang, S. Masuya, S. Kim, T. Oishi, M. Kasu, N. Shigekawa, Appl. Phys. Express2019, 12, No. 016501. Liang, Y. Zhou, S. Masuya, F. Gucmann, M. Singh, J. Pomeroy, S. Kim, M. Kuball, M. Kasu, N. Shigekawa, Diam. Relat. Mater.2019, 93, 187 – 192. Figure 1 <p></p>
Microscopic Picture of Direct Bonding Via Surface Activation for Low-Resistance Si/Wide-Gap Semiconductor Heterointerface Peer-reviewed

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hideto Yoshida, Reina Miyagawa, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai

ECS Meeting Abstracts　MA2020-02　(22)　1648-1648　2020/11/23
Publisher: The Electrochemical Society
DOI： 10.1149/ma2020-02221648mtgabs 　

eISSN： 2151-2043

More details Close

Surface-activated bonding (SAB) [1], that is a direct wafer bonding process without additional buffer layers, is a promising method to fabricate tough and steep heterointerfaces at low cost. SAB can fabricate any heterointerfaces free from dislocations and cracks, even for dissimilar materials with different crystal structures and lattice constants, without high-temperature annealing. Recently, SAB is applied to the next-generation semiconductors such as diamond, SiC, and GaN, as well as to the basic semiconductors such as Si and GaAs, towards low-resistance semiconductor-to-semiconductor heterointerfaces free from adherent layers. Even though such bonding is successfully demonstrated, the principle of the SAB is still controversial due to the difficulty of analyzing their non-equilibrium heterostructures at an atomistic level. In the present work, we have clarified the bonding mechanism in Si/GaAs [2] and Si/diamond [3] heterointerfaces fabricated by SAB at room temperature (RT), by using high-angle annular dark-field (HAADF) and energy dispersive x-ray spectroscopy (EDX) under cross-sectional scanning transmission electron microscopy (STEM) and time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), combined with low-temperature focused ion beam (LT-FIB) technique that can suppress the structural modification during FIB processes [4]. In the SAB process, wafer surfaces are activated at RT by the irradiation of inert atoms in a high vacuum, and the surfaces are then bonded by the contact under a specific pressure. In the bonding process at RT, atomic intermixing across the interfaces, due to the transient enhanced diffusion assisted by the point defects introduced in the surface activation process, forms an intermediate layer of 4-5 nm thick having gradient composition (see Fig. 1 for Si/GaAs interface). Interestingly, no structural defect, such as cracks and dislocations, is introduced at the heterointerfaces even after high-temperature annealing, presumably due to the gradient nanolayer acting as a buffer layer that can reduce the interface energy, as well as forming strong chemical bonds. Spontaneous formation of the gradient nanolayer is, therefore, the key concept of SAB, by which we can create tough and steep heterointerfaces of dissimilar materials at low cost. On the other hand, since the point defects, as well as their agglomerates [5], can degrade the electronic properties such as interface resistances, the decrease of the defects would play a crucial role in fabricating electronic devices with SAB techniques. The degraded properties can be recovered by an appropriate annealing after the SAB processes, although the atomistic structure around the heterointerfaces would be modified during the annealing [6]. By controlling SAB and subsequent annealing conditions, we can obtain low-resistance heterointerfaces via the optimization of the trade-off relationship between the chemical bonding strength and the electronic properties, determined by the distribution of point defects beneath the activated surfaces before bonding. [1] T. Suga, Y. Takahashi, H. Takagi, B. Gibbesch, and G. Elssner, Acta Metall. Mater. 40 (1992) S133. [2] N. Shigekawa, J. Liang, R. Onitsuka, T. Agui, H. Juso and T. Takamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 54 (2015) 08KE03. [3] J. Liang, S. Masuya, M. Kasu, and N. Shigekawa, Appl. Phys. Lett. 110 (2017) 111603. [4] Y. Ohno, H. Yoshida, N. Kamiuchi, R. Aso, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai, J. Liang, and N. Shigekawa, Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) SBBB05. [5] Y. Ohno, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, and N. Shigekawa, Jpn. J. Appl. Phys. 57 (2018) 02BA01. [6] Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, S. Takeda, R. Miyagawa, Y. Shimizu, Y. Nagai, submitted. Fig. 1 (a) HAADF-STEM image of an as-bonded GaAs/Si heterointerface. The exact location of the interface is indicated with the broken line. A thin amorphous layer is formed in the Si side, while a defective crystalline layer, with small vacancy clusters [5], are formed in the GaAs side. (b) Density profiles across the interface for As, Ga, Si, and all kinds of atoms obtained by STEM-EDS. A slight atomic intermixing across the interface takes place in the bonding process at RT, via the transient enhanced diffusion assisted by the point defects introduced in the surface activation process. The total density depletes at the interface, indicating the introduction of vacancies, mainly on As sites in GaAs. The ratio between the As density and the Ga one in the GaAs side is below 1.0 down to the depth of 2 nm from the interface, and it is above 1.0 in the depth range of 2 to 6 nm, due to Frenkel-type defects (vacancy-interstitial pairs) on the As sites. Those defects would induce a high interface resistance of the order of 10^-1 Ωcm² [2]. Figure 1 <p></p>
Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature Peer-reviewed

Y. Ohno, R. Miyagawa, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　2-2　2019/06
Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam Peer-reviewed

Y. Ohno, H. Yoshida, M Kamiuchi, R. Aso, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa

Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　55-55　2019/06
Atom probe tomography of GaAs homointerfaces fabricated by surface-activated bonding Peer-reviewed

Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, K. Inoue, Y. Nagai

Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration　56-56　2019/06
Origin of resistance at Si/GaAs heterointerfaces for tandem solar cells fabricated by surface-activated bonding at room temperature Invited

OHNO Yutaka

KINKEN Research Highlights 2018　18　2018/07
Mechanism of Oxygen Segregation at Grain Boundaries in Silicon

Y. Ohno

KINKEN Research Highlights 2017　17　2017/07
Cu Precipitation Conditions at Small Angle Tilt Boundaries in Si

Y. Ohno

KINKEN Research Highlights 2015　21　2015/08
21aCJ-13 Effects of bond distortion on impurity accumulation at Σ9{114} boundary in Si

Ohno Y., Inoue K., Deura M., Kutsukake K., Yonenaga I., Ebisawa N., Shimizu Y., Inoue K., Nagai Y., Yoshida H., Takeda S., Tanaka S., Kohyama M.

Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　70　2687-2687　2015
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_2687 　

ISSN： 2189-079X
17pAB-4 The dependence of concentration of Tin impurities on the formation of thermal donor in Ge crystals

Inoue K., Murao Y., Taishi T., Kutsukake K., Deura M., Ohno Y., Yonenaga I.

Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　70　2460-2460　2015
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_2460 　

ISSN： 2189-079X
21aCJ-11 Characterization of electrical property of grain boundary in Si by PL imaging

Kutsukake K., Ninomiya S., Deura M., Ohno Y., Usami N., Yonenaga I.

Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　70　2685-2685　2015
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_2685 　

ISSN： 2189-079X
InNの硬度とヤング率

大久保泰, 出浦桃子, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎

IEICE Technical Report　114　45-48　2014/11
Formation of thermal double donors in Ge

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga

JPS Conference Proceedings　1　012082/1-012082/4　2014/03
Sb-doping effect on the dislocation motion in various Si1-xGex films

S. Maki, Y. Yamashita, T. Fushimi, Y. Ohno, I. Yonenaga, T. Nishikawa, Y. Hayashi

Proceedings of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2014, Organizing Committee of the Silicon Materials Science and Technology Forum (Hamamatsu 2014)　75-80　2014
太陽電池用の擬似単結晶シリコンインゴットの育成

沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 大野裕, 徳本有紀, 米永一郎

技術総合誌OHM 2013年6月号　8-9　2013/06
非極性GaN層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望

徳本有紀, 李賢宰, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎

まてりあ　52　(6)　273-277　2013/06
Publisher: The Japan Institute of Metals and Materials
DOI： 10.2320/materia.52.273 　

ISSN： 1340-2625
Effective Detection Method for Misoriented Grains in Nonpolar GaN Layers and Future Prospect

徳本有紀, 李賢宰, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎

Materia Japan　52　(6)　273-277　2013
Nanoindentation Hardness and Elastic Modulus of AlGaN Alloys

Y. Tokumoto, H. Taneichi, Y. Ohno, K. Kutsukake, H. Miyake, K. Hiramatsu, I. Yonenaga

2013 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS PACIFIC RIM (CLEO-PR)　TuPH-3　2013
In situ observation of dislocation dynamics in AlN films

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga

Extended abstracts of Electron Microscopy and Multiscale Modeling 2013　54-55　2013
Growth of dilute GeSn alloys

Y Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga

Proceedings of the 7th International Workshop on Modeling of Crystal Growth　130-131　2012
Czochralski growth of highly In doped Si -Effect of co-doping of C and Ge-

K. Inoue, Y. Ohno, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

Proceedings of the 7th International Workshop on Modeling of Crystal Growth　132-133　2012
Growth of heavily indium doped Si crystals by co-doping of neutral impurity carbon or germanium

Kaihei Inoue, Yuki Tokumoto, Kentaro Kutsukake, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

Key Engineering Materials　508　220-223　2012

DOI： 10.4028/www.scientific.net/KEM.508.220 　

ISSN： 1013-9826
Dislocation activities in Si under high-magnetic-field

I. Yonenaga, Y. Ohno, Y. Tokumoto, K. Kutsukake

Proceedings of the 4th International Conference on Fundamental Properties of Dislocations　29-32　2012
半導体ナノ機能を直視する

Y. Ohno

IMR news KINKEN　64　2011
Doping effects on the stacking fault energy in silicon

Y. Ohno

KINKEN Research Highlights 2011　2011
Behaviour of oxygen-related thermal donors in Ge crystals Czochralski-grown from the melt covered fully by B2O3

Toshinori Taishi, Yoshio Hashimoto, Hideaki Ise, Yu Murao, Takayuki Ohsawa, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

Journal of Physics: Conference Series　281　(1)　012011/1-012011/6　2011
Publisher: Institute of Physics Publishing
DOI： 10.1088/1742-6596/281/1/012011 　

ISSN： 1742-6596 1742-6588
Czochralski growth of Ge crystal from the melt partially covered by B₂O₃ liquid

T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno

Proceedings of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010　28-33　2010
Evaluation of oxygen impurities in Ge crystals Czochralski-grown from melts partially or fully covered by B₂O₃ liquid

T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno

Proceedings of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010　426-432　2010
Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO bulk single crystals introduced at elevated temperatures

Y. Ohno

KINKEN Research Highlights 2009　2009
Growth and characterization of Mn-doped AgInS2 grown by a hot-press method

Yoji Akaki, Yasuhiro Shirahata, Kenji Yoshino, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　6　(5)　1043-1046　2009

DOI： 10.1002/pssc.200881210 　

ISSN： 1862-6351
Generation and suppression of misfit dislocations at the seed/crystal interface in Si bulk crystal growth

Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 8　6　(8)　1886-+　2009

DOI： 10.1002/pssc.200881433 　

ISSN： 1862-6351
透過電子顕微鏡内その場分光装置の開発とその応用

大野裕

大阪大学低温センターだより　143　22-26　2008/07
Publisher: 大阪大学低温センター
ISSN： 0387-4419
Atomistic structure of Si atoms agglomerated nearby a stacking fault in a commercial GaAs : Si

Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9　5　(9)　2944-+　2008

DOI： 10.1002/pssc.200779162 　

ISSN： 1862-6351
Atomistic structure of ZnSe nanowires on ZnSe(001) grown catalytically at low temperatures

Y. Ohno, T. Shirahama, S. Takeda, A. Ishizumi, Y. Kanemitsu

PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B　893　115-+　2007

DOI： 10.1063/1.2729797 　

ISSN： 0094-243X
Growth rate and critical diameter of silicon nanowires

J. Kikkawa, Y. Ohno, S. Takeda

Frontiers of Basic Science towardsNew Physics, Earth and Space Science, and Mathematics　253-254　2005
Size Distribution of Gold Nanoparticles Arranged on Inhomogeneously Roughened Silicon

K. Torigoe, Y. Ohno, S. Takeda

Frontiers of Basic Science towardsNew Physics, Earth and Space Science, and Mathematics　335-336　2005
Localized energy levels associated with dislocations in ZnSe revealed by polarized CL spectroscopy under light illumination

Yutaka Ohno

Microscopy of Semiconducting Materials　107　507-510　2005

ISSN： 0930-8989
Atomistic structure of spontaneously-ordered GaInP alloy revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy and polarized cathodoluminescence spectroscopy

Yutaka Ohno

Microscopy of Semiconducting Materials　107　483-486　2005

ISSN： 0930-8989
Dynamics of Au adatoms on electron-irradiated rough Si surfaces

K. Torigoe, Y. Ohno, T. Ichihashi, S. Takeda

Microscopy of Semiconducting Materials　107　393-396　2005

ISSN： 0930-8989
Analysis of growth rate of silicon nanowires

J Kikkawa, Y Ohno, S Takeda

Group-IV Semiconductor Nanostructures　832　347-352　2005

ISSN： 0272-9172
Nucleation and growth processes of silicon nanowires

S Takeda, N Ozaki, K Ueda, H Kohno, J Kikkawa, Y Ohno

Group-IV Semiconductor Nanostructures　832　257-267　2005

ISSN： 0272-9172
Growth of Au clusters in electron-irradiated rough Si surfaces

K. Torigoe, Y. Ohno, T. Ichihashi, S. Takeda

3rd International Symposium on Scientific and Industrial Nanotechnology, Proceedings　175　2004
Formation and properties of silicon/silicide/oxide nanochains

H Kohno, Y Ohno, S Ichikawa, T Akita, K Tanaka, S Takeda

QUANTUM DOTS, NANOPARTICLES AND NANOWIRES　789　257-262　2004

ISSN： 0272-9172
Formation of extended defects in polycrystalline SiGe by electron irradiation

J Kikkawa, J Yamasaki, Y Ohno, M Kohyama, S Takeda

POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS VII, PROCEEDINGS　93　361-366　2003

ISSN： 1012-0394
Formation mechanism of the pairs of stacking faults in pseudomorphic ZnSe epilayers on GaAs substrates

Y Ohno, N Adachi, S Takeda

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 2003　180　(180)　187-190　2003

ISSN： 0951-3248
Quantitative analysis of linear polarization by means of polarized cathodolumineseence spectroscopy in a TEM

Y Ohno, S Takeda

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 2003　180　(180)　569-572　2003

ISSN： 0951-3248
自己組織化作用によるシリコン表面ナノ穴形成

竹田精治, 大野裕

マテリアルステージ　39-42　2002
Formation process of silicon surface nanoholes

Y Ohno, S Takeda

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 2001　169　(169)　395-398　2001

ISSN： 0951-3248
Control of the arrangement of nanoholes on silicon surface

Y. Ohno, S. Takeda

Materials Research Society 2000 Fall Meeting, Proceedings　638　F14.36.1-F14.36.6　2001
Optical properties of Si nanowires on a Si{111} surface

N Ozaki, Y Ohno, S Takeda

OPTICAL MICROSTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTORS　588　99-103　2000

ISSN： 0272-9172
Mesoscopic characterization of the optical property of antiphase boundaries in CuPt-ordered GaInP2

Y Ohno, S Takeda

OPTICAL MICROSTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTORS　588　105-110　2000

ISSN： 0272-9172
Optical properties of anti-phase boundaries and Frenkel-type defects in CuPt-ordered GaInP studied by optical spectroscopy in a transmission electron microscope

Y Ohno, S Takeda

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1999, PROCEEDINGS　164　(164)　175-178　1999

ISSN： 0951-3248
III-V族化合物半導体中における点欠陥の電子励起誘起反応

大野裕

大阪大学低温センターだより　105　7-11　1999/01
Publisher: 大阪大学低温センター
ISSN： 0387-4419
Formation of microcracks in an annealed cubic boron nitride

M Aki, Y Ohno, S Takeda

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1999, PROCEEDINGS　164　(164)　93-96　1999

ISSN： 0951-3248
Formation model for microstructures in a (Al, Ga, In)P natural superlattice

Y Kuno, S Takeda, M Hirata, Y Ohno, N Hosoi, K Shimoyama

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1999, PROCEEDINGS　164　(164)　287-290　1999

ISSN： 0951-3248
VLS growth of Si nanowhiskers on a H-terminated Si{111} surface

N Ozaki, Y Ohno, S Takeda, M Hirata

MICROCRYSTALLINE AND NANOCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS-1998　536　305-310　1999

ISSN： 0272-9172
Electron-irradiation-induced disordering of CuPt-ordered GaInP studied by TEM-mode optical spectroscopy

Y. Ohno, Y. Kawai, S. Takeda

10-th Conference on Semiconducting and Insulating Materials, Proceedings　173-176　1998
透過電子顕微鏡内その場可視分光装置の開発とその応用

竹田精治, 大野裕

電子顕微鏡　32　(2)　107-109　1997
Publisher: The Japanese Society of Microscopy
DOI： 10.11410/kenbikyo1950.32.107 　

ISSN： 0417-0326
Diffusion process of interstitial atoms in InP studied by transmission electron microscopy

Y Ohno, S Takeda, M Hirata

DEFECTS IN ELECTRONIC MATERIALS II　442　435-440　1997

ISSN： 0272-9172
Clustering process of point defects in GaP studied by transmission electron microscopy

Y Ohno, S Takeda, M Hirata

ICDS-18 - PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEFECTS IN SEMICONDUCTORS, PTS 1-4　196-　1279-1283　1995

ISSN： 0255-5476
In-situ TEM-PL study of lattice defects in CVD-diamond

Y OHNO, S TAKEDA, M HIRATA

ELECTRON MICROSCOPY 1994, VOL 1　829-830　1994
HRTEM STUDY OF THE (111) PLANAR DEFECT

Y OHNO, S TAKEDA, S HORIUCHI

MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1993　134　(134)　527-530　1993

ISSN： 0951-3248

Show all ︎Show first 5

Books and Other Publications 3

多結晶材料情報学

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 工藤博章, 小島拓人, 横井達矢, 大野裕

共立出版　2024/07
In-situ Electron Microscopy

Y. Ohno, S. Takeda

WILEY-VCH　2012/04

ISBN: 3527319735
Optoelectronic Devices and Properties

Y. Ohno, I. Yonenaga, S. Takeda

INTECH　2011/03

ISBN: 9789533075112

Presentations 757

Multiscale analysis of dislocation generation during cast growth of silicon ingots Invited

Y. Ohno, T. Yokoi, H. Yoshida, K. Kojima, K. Kutsukake, H. Kudo, N. Usami

Indo-Japan Joint Workshop on Photovoltaics 2023 (IJWP-2023)　2023/03/09
低温FIB法とアトムプローブ・STEM複合法による半導体粒界の構造・組成精密評価 Invited

大野裕

日本顕微鏡学会第77回学術講演会　2021/06/16
表面活性化接合法で作成したSi/ワイドギャップ半導体ヘテロ界面の微視的描像 Invited

大野裕

独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会第28回研究会　2020/09/24
結晶学および計算科学によるSiとNaの反応機構の解明 Invited

大野裕

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/14
マルチスケール相関顕微鏡法で解明する多結晶粒界機能－転位発生・双晶化および不純物集積－ Invited

大野裕

第５回多結晶材料情報学応用技術研究会
低温FIB法を用いたシリコン粒界における酸素偏析サイトの精密評価 Invited

大野裕, 吉田秀人, 田中真悟, 香山正憲, 井上耕治, 清水康雄, 永井康介

第71回応用物理学会春季学術講演会
シリコン非対称粒界の形成過程とその機能

大野裕, 斉藤光, 梁剣波, 重川直輝, 横井達矢, 松永克志, 井上耕治, 永井康介, 波多聰

第71回応用物理学会春季学術講演会
常温接合技術による新機能界面・デバイスの創成 Invited

重川直輝, 梁剣波, 大野裕, 井上耕治, 永井康介

ワイドギャップ半導体学会第14回研究会
シリコン非対称傾角粒界の形成機構

大野裕, 斉藤光, 梁剣波, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介, 波多聰

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 2023年度大洗・アルファ合同研究会
高放熱パワーデバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-polycrystalline diamond HEMTs構造の作製

森山千春, 川村啓介, 大内澄人, 浦谷泰基, 大野裕, 井上耕治, 永井康介, 重川直輝, 梁剣波

第84回応用物理学会秋季学術講演会
α-Ga2O3/4H-SiC直接接合の作製と界面構造の評価

山本誠志郎, 大島祐一, 大野裕, 永井康介, 重川直輝, 梁剣波

第70回応用物理学会春季学術講演会
GaN HEMT on-diamond構造の作製及び特性評価

早川譲稀, 大野裕, 永井康介, 重川直輝, 梁剣波

第70回応用物理学会春季学術講演会
シリコンのキャスト成長過程における非対称傾角粒界からの転位発生

大野裕, 吉田秀人, 横井達矢, 山腰健太, 小島拓人, 松永克志, Patricia Krenckel, Stephan Riepe, 宇佐美徳隆

第70回応用物理学会春季学術講演会
転位発生源となるシリコン非対称傾角粒界の形成過程

大野裕, 斉藤光, 梁剣波, 横井達矢, 松永克志, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介, 波多聰

第70回応用物理学会春季学術講演会
Generation mechanism of dislocations during cast growth of high-performance multicrystalline Si ingots

Y. Ohno, H. Yoshida, T. Yokoi, K. Yamakoshi, T. Kojima, K. Kutsukake, H. Tanaka, X. Liu, K. Matsunaga, H. Kudo, K. Inoue, Y. Nagai, N. Usami

Materials Research Society (MRS) 2022 Fall Meeting
Dislocation generation via the formation of higher-order twin boundaries in mono-cast silicon

Y. Ohno, K. Yamakoshi, T. Kojima, H. Yoshida, P. Krenckel, S. Riepe, K. Inoue, Y. Nagai, N. Usami

33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)
シリコン中のΣ9{111}/{115}非対称傾角粒界の形成過程の観察

大野裕, 斉藤光, 梁剣波, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介, 波多聰

第51回結晶成長国内会議
ボンディングファーストによるX-on-diamond構造及び素子応用 Invited

重川直輝, 大野裕, 梁剣波

第41回電子材料シンポジウム(EMS41)
シリコン非対称傾角粒界の形成過程の観察

大野裕, 斉藤光, 梁剣波, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介, 波多聰

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 2022年度大洗・アルファ合同研究会
高出力デバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-diamond HEMT構造の作製

香川諒, 重川直輝, 梁剣波, 川村啓介, 坂井田佳紀, 大内澄人, 浦谷泰基, 清水康夫, 大野裕

第83回応用物理学会秋季学術講演会
表面活性化接合法によるGaN/GaN 接合界面の評価

澤井一樹, 梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 重川直輝

第83回応用物理学会秋季学術講演会
キャスト成長シリコンにおけるΣ3粒界からの転位発生の微視的描像

大野裕, 吉田秀人, 横井達矢, 松永克志, 井上耕治, 永井康介, 宇佐美徳隆

第83回応用物理学会秋季学術講演会
Multiscale analysis of dislocation generation at Σ3 grain boundaries during cast growth of high-performance multicrystalline Si ingots

Y. Ohno, H. Yoshida, T. Yokoi, K. Yamakoshi, T. Kojima, K. Kutsukake, H. Tanaka, X. Liu, K. Matsunaga, H. Kudo, K. Inoue, Y. Nagai, N. Usami

19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XIX)
パワーデバイス応用に向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合技術の研究開発

梁剣波, 大野裕, 重川直輝

実装フェスタ関西2022
太陽電池用多結晶Si中の転位発生源 -TEMと多結晶材料情報学に基づく解析-

大野裕, 山腰健太, 横井達矢, 松永克志, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 井上耕治, 永井康介, 宇佐美徳隆

第2回日本太陽光発電学会学術講演会
CrCoNiミディアムエントロピー合金における双晶界面への偏析

井上耕治, 嶋田雄介, 大野裕

金属材料研究所第142回講演会　2022/05/24
TEMと多結晶材料情報学に基づくシリコン中の転位発生源の解析

大野裕, 山腰健太, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 田中博之, 永井康介, 宇佐美徳隆

日本顕微鏡学会第78回学術講演会
Cz-LiTaO3結晶インゴットにおける多結晶化過程の観察

大迫千峰, 土橋大輔, 東風谷敏男, 大野裕

第69回応用物理学会春季学術講演会
GaN/ダイヤモンド接合界面の特性評価

梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 重川直輝

第69回応用物理学会春季学術講演会
非対称粒界の粒界構造を網羅する人工粒界形成とキャリア再結合速度への影響解明

福田祐介, 沓掛健太朗, 小島拓人, 大野裕, 宇佐美徳隆

第69回応用物理学会春季学術講演会
応力解析による多結晶Siナノファセット構造の転位発生への影響調査

山腰健太, 大野裕, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 田中博之, 宇佐美徳隆

第69回応用物理学会春季学術講演会
Grain boundary segregation of arsenic dopants in silicon crystal revealed by atom probe tomography combined with low-temperature focused ion beam

Y. Ohno, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida

Summit of Materials Science 2022 (SMS2022)
Precise analysis of segregation sites for As dopants at Si grain boundaries

Y. Ohno, T. Yokoi, Y. Shimizu, J. Ren, K. Inoue, Y. Nagai, K. Kutsukake, K. Fujiwara, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida

Materials Research Meeting (MRM) 2021　2021/12/14
多結晶シリコンにおいて粒界の構造が少数キャリア再結合特性に与える影響

福田祐介, 沓掛健太朗, 小島拓人, 大野裕, 宇佐美徳隆

第31 回材料フォーラムTOKAI　2021/11/11
擬単結晶シリコンのキャスト成長過程における高次の双晶形成と転位発生

大野裕, 吉田秀人, 小島拓人, 山腰健太, 宇佐美徳隆, Patricia Krenckel, Stephan Riepe

第50回結晶成長国内会議
多種データにより再現された結晶成長中の多結晶Si 組織における応力解析

山腰健太, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 田中博之, 大野裕, 宇佐美徳隆

第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
多結晶Si中の粒界構造の変化がキャリア再結合速度に与える影響

福田祐介, 沓掛健太朗, 小島拓人, 大野裕, 宇佐美徳隆

第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
擬単結晶シリコン中の非対称Σ27 粒界における転位クラスター発生機構

大野裕, 吉田秀人, 小島拓人, 山腰健太, 宇佐美徳隆, Patricia Krenckel, Stephan Riepe

第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
Fabrication of Ga2O3/Si direct bonding interface for high power device applications

J. Liang, D. Takatsuki, Y. Shimizu, M. Higashiwaki, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device

R. Kagawa, K. Kawamura, Y. Sakaida, S. Ouchi, H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
Polarization inverted GaN/GaN junctions fabricated by surface-activated bonding

K. Sawai, J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
Nanostructural analysis of Al/β-Ga2O3 interface fabricated using surface activated bonding

K. Sawai, J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
Fabrication of Ga2O3/3C-SiC direct bonding for efficient surface heat dissipation

H. Nagai, K. Kawamura, Y. Sakaida, H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
Fabrication and characterization of GaN/Diamond bonding interface

A. Kobayashi, Y. Shimizu, Y. Ohno, S. W. Kim, K. Koyama, M. Kasu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
Structural analysis of diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature

Y. Ohno, J. Liang, H. Yoshida, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Shigekawa

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
シリコン粒界におけるヒ素ドーパントの偏析機構

大野裕, 清水康雄, JieRen, 横井達也, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中村篤智, 松永克志

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 2021年度大洗・アルファ合同研究会
Multicrystalline informatics for high-performance crystals Invited

N. Usami, T. Kojima, K. Kutsukake, X. Liu, H. Kudo, T. Matsumoto, T. Yokoi, Y. Shimizu, Y. Ohno

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)　2021/09/08
Multicrystalline informatics: A methodology to realize high-performance crystals Invited

N. Usami, T. Kojima, K. Kutsukake, X. Liu, H. Kudo, T. Matsumoto, T. Yokoi, Y. Shimizu, Y. Ohno

2nd International Symposium on Modeling of Crystal Growth Processes and Devices　2021/07/06
Precise characterization of segregation sites for oxygen impurities at grain boundaries in silicon

Y. Ohno, J. Ren, S. Tanaka, M. Kohyama, K. Inoue, Y. Shimizu, Y. Nagai, H. Yoshida

European Materials Research Society (EMRS) 2021 Spring Meeting
ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留応力評価

小林礼佳, 清水康雄, 大野裕, 金聖祐, 小山浩司, 嘉数誠, 重川直輝, 梁剣波

第68回応用物理学会春季学術講演会
シリコン中のヒ素ドーパントの粒界偏析機構

大野裕, 清水康雄, JieRen, 横井達也, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中村篤智, 松永克志

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/19
高性能多結晶材料創製に向けた多結晶材料情報学の開拓 Invited

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕

日本物理学会第76回年次大会
Twin formation from lineages during Czochralski-growth of LiTaO3 ingots

Y. Ohno, Y. Kubouchi, H. Yoshida, T. Kochiya, T. Kajigaya

8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
Formation process of high thermal-stability diamond/Si and diamond/GaAs heterointerfaces by surface activated bonding

Y. Ohno, J. Liang, Y. Shimizu, H. Yoshida, N. Shigekawa

Materials Research Society (MRS) 2020 Fall Meeting　2020/12/03
Triple junctions of random angle grain boundaries acting as dislocation sources in HP mc-Si ingots

Y. Ohno, K. Tajima, K. Kutsukake, N. Usami

30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)
Impact of misalignment of sigma-3 {111} grain boundaries on photovoltaic properties in Si

Y. Ohno, T. Tamaoka, H. Yoshida, Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Nagai, K. Kutsukake, N. Usami

30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)
チョクラルスキー成長LiTaO3単結晶インゴットにおける多結晶化発生点

大野裕, 大迫千峰, 東風谷敏男, 梶ケ谷富男

第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020/11/11
バルク多結晶成長のプロセスサイエンス Invited

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕

日本結晶成長学会第49回結晶成長国内会議　2020/11/09
Microscopic picture of direct bonding via surface activation for low-resistance Si/wide-gap semiconductor heterointerfaces

Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, R. Miyagawa, Y. Shimizu, Y. Nagai

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME) 2020　2020/10/04
ハイパフォーマンス多結晶シリコンにおける粒界3重点と転位発生の相関

大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/11
低温FIB-断面STEM法によるSi/Diamond表面活性化接合界面の構造評価

大野裕, 梁剣波, 吉田秀人, 清水康雄, 永井康介, 重川直輝

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/11
How to fabricate low-resistance heterointerfaces for tandem cells by direct bonding at low temperatures

Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, R. Miyagawa, Y. Shimizu, Y. Nagai

37th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (EU-PVSC)
多結晶材料情報学による粒界構造の解明と制御に向けて Invited

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 小島拓人, 工藤博章, 横井達矢, 大野裕

第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/08
What is the dislocation sources in the growth of high-performance multicrystalline Si ingots?

Y. Ohno, K. Tajima, K. Kutsukake, N. Usami

37th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSC)　2020/09/08
Structural properties of triple junctions acting as dislocation sources in high-performance Si ingots

Y. Ohno, K. Tajima, K. Kutsukake, N. Usami

47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
3次元PLイメージング法とTEM法による太陽電池用多結晶Siインゴット中の転位発生点の構造解析

大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆

日本物理学会第75回年次大会　2020/03/19
自立基板上GaNエピ層/GaAs直接接合界面のナノ構造評価

廣瀬淳, 清水康雄, 大野裕, 梁剣波, 重川直輝

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/15
GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価

小林礼佳, 清水康雄, 大野裕, 金聖祐, 小山浩司, 重川直輝, 梁剣波

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/15
多結晶シリコンインゴット中の転位発生点近傍の構造特性

大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/13
Ga2O3/3C-SiC接合界面の作製及び特性評価

梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 重川直輝

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/13
Cz-LiTaO3単結晶インゴットにおける多結晶化発生点の構造

大迫千峰, 梶ケ谷富男, 大野裕

第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
Atomistic structure of Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface activated bonding revealed by STEM combined with low-temperature FIB International-presentation

Y. Ohno, Y. Shimizu, Y. Nagai, R. Aso, N. Kamiuchi, H. Yoshida, J. Liang, N. Shigekawa

Materials Research Society (MRS) 2019 Fall Meeting　2019/12/02
高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製

梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 嘉数誠, 金聖祐, Martin Kuball, 重川直輝

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/21
GaAs/Diamond直接接合の界面評価

中村祐志, 清水康雄, 大野裕, 海老澤直樹, 詹天卓, 山下雄一郎, 白崎謙次, 永井康介, 渡邊孝信, 嘉数誠, 重川直輝, 梁剣波

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/21
表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の低温FIB法による断面TEM評価

大野裕, 清水康雄, 永井康介, 麻生亮太郎, 神内直人, 吉田秀人, 梁剣波, 重川直輝

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/20
再結晶化したInxGa1-xAsの結晶性

堀田行紘, 平山賢太郎, 富永依里子, 大野裕, 上田修

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19
多結晶材料情報学による高性能シリコンインゴットの創製に向けて Invited

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, Abderahmane Boucetta, 小島拓人, 松本哲也, 工藤博章, 野田祐輔, 横井達矢, 清水康雄, 大野裕

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19
表面活性化接合で形成したSi/GaAs界面の低温FIB法によるアトムプローブ評価

清水康雄, 海老澤直樹, 大野裕, 梁剣波, 重川直輝, 永井康介

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19
Cz-LiTaO3単結晶インゴットにおける多結晶化発生点の解析

大野裕, 梶ケ谷富男

第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/18
Oxygen segregation at imperfect low-Σ tilt boundaries in Si for solar cells International-presentation

Y. Ohno, T. Tamaoka, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai, K. Kutsukake

18th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII)　2019/09/10
Multi-scale analysis of dislocation generation during the cast-growth of high-performance multicrystalline Si ingots by using PL imaging and TEM International-presentation

Y. Ohno, K. Tajima, N. Usami, K. Kutsukake

18th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII)　2019/09/09
Compositional nanoanalysis at grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with FIB operated at low temperatures International-presentation

Y. Ohno, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai, N. Kamiuchi, R. Aso, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

Europian Conference and Exhibition on Advanced Material and Processed (EUROMAT2019)　2019/09/03
Impurity segregation at misoriented Σ3{111} tilt boundariess in high-performance Si International-presentation

Y. Ohno, T. Tamaoka, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai, K. Kutsukake

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/07/30
Characterization of lineages in Czochralski-grown LiTaO3 ingots by differential interference contrast microscopy of dislocation etch pits International-presentation

Y. Ohno, Y. Kubouchi, T. Kajigaya

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/07/29
Structural variety and segregation ability of Σ9 grain boundaries in Si International-presentation

Y. Ohno, H. Yoshida, S. Takeda, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai

30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS30)　2019/07/25
Impact of focused ion beam in the structural analysis of semiconductor interfaces fabricated by surface activated bonding International-presentation

Y. Ohno, H. Yoshida, N. Kamiuchi, R. Aso, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa

30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS30)　2019/07/23
表面活性化のためのAr原子線照射がSi/GaAs接合界面の構造に及ぼす影響 Invited

大野裕

独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会第22回研究会　2019/07/06
ハイパフォーマンス多結晶シリコンにおける転位クラスター発生機構

田島和哉, 沓掛健太朗, 大野裕, 松本哲也, 工藤博章, 宇佐美徳隆

学振175委員会第16回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2019/07/04
Impact of polymorphic nanostructures at grain boundaries on segregation ability; for asymmetric Σ9{111}/{115} tilt boundaries in silicon International-presentation

Y. Ohno, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga

Intergranular and Interphase Boundaries in Materials 2019 (IIB2019)　2019/07/02
Impact of misorientation at symmetric grain boundaries on segregation ability; for Σ3{111} tilt boundaries in Si International-presentation

Y. Ohno, K. Kutsukake, T. Tamaoka, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai, N. Usami

Intergranular and Interphase Boundaries in Materials 2019 (IIB2019)　2019/07/01
収束イオン線を用いた半導体界面の解析におけるアーチファクト

大野裕, 清水康雄, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 神内直人, 麻生亮太郎, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝

日本顕微鏡学会第75回学術講演会　2019/06/19
Direct bonding of diamond and dissimilar materials for power device applications International-presentation Invited

J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, N. Ebisawa, S. Kenji, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa

2019 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE 2019)　2019/06/10
Impact of asymmetric grain boundaries on conversion efficiency in Si solar cells International-presentation Invited

Y. Ohno

Collaborative conference on Materials Research 2019 (CCMR-2019)　2019/06/05
Chemical nanoanalysis at Si grain boundaries by atom probe tomography combined with FIB operated at low temperatures International-presentation

Y. Ohno, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, N. Kamiuchi, R. Aso, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

European Materials Research Society (EMRS) 2019 Spring Meeting　2019/05/27
Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application International-presentation

S. Kanda, S. Masuya, M. Kasu, Y. Ohno, Y. Shimizu, N. Shigekawa, J. Liang

6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019)　2019/05/23
Atom probe tomography of GaAs homointerfaces fabricated by surface-activated bonding International-presentation

Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, K. Inoue, Y. Nagai

6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019)　2019/05/23
Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam International-presentation

Y. Ohno, H. Yoshida, N. Kamiuchi, R. Aso, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa

6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019)　2019/05/23
Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature International-presentation

Y. Ohno, R. Miyagawa, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019)　2019/05/21
Direct bonging of diamond and Cu at room temperature for power devise application International-presentation

J. Liang, S. Kanda, S. Masuya, M. Kasu, Y. Ohno, Y. Shimizu, N. Shigekawa

13th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC2019)　2019/05/13
Two-dimensional polymorphic {111}/{115} grain boundaries in Si - Atomistic structure and impurity segregation ability - International-presentation

Y. Ohno, H. Yoshida, S. Takeda, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai

Materials Research Society (MRS) 2019 Spring Meeting　2019/04/24
Two-dimensional polymorphic structure on {111}/{115} grain boundaries in Si International-presentation

Y. Ohno, H. Yoshida, S. Takeda, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai

21st International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials (MSM-XXI)　2019/04/10
Si中のΣ9{111}/{115}粒界に形成される2次元ポリモルフィック構造

大野裕, 吉田秀人, 竹田精治, 横井達也, 中村篤智, 松永克志, 清水康雄, 永井康介

日本物理学会第74回年次大会　2019/03/17
表面活性化接合によるGaAs/GaAs界面における元素分布評価

清水康雄, 海老澤直樹, 大野裕, 梁剣波, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介

第66回応用物理学会春季学術講演会　2019/03/11
LiTaO3結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析(II)

梶ヶ谷富男, 大野裕

第66回応用物理学会春季学術講演会　2019/03/09
3次元PLイメージング法で同定したハイパフォーマンス多結晶シリコンインゴット中の転位発生点近傍の透過電子顕微鏡解析

大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 清水康雄, 海老澤直樹, 永井康介, 宇佐美徳隆

第66回応用物理学会春季学術講演会　2019/03/09
3次元アトムプローブ法による半導体欠陥の組成評価：定量分析と実際 Invited

大野裕

独立行政法人日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第162回研究会　2019/01/31
Recombination activity of inclined Σ3{111} grain boundaries in high-performance Si ingots International-presentation

K. Kutsukake, T. Tamaoka, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai, N. Usami

Materials Research Society 2018 Fall Meeting　2018/12/27
Impurity segregation at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography International-presentation

Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, K. Inoue, Y. Nagai

Materials Research Society (MRS) 2018 Fall Meeting　2018/11/27
Stability of Na atoms at stacking faults in Si depending on the Fermi level International-presentation

H. Morito, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga

Materials Research Society 2018 Fall Meeting　2018/11/25
傾角のずれたΣ3{111}対称傾角粒界の不純物偏析能

大野裕, 沓掛健太朗, 玉岡武泰, 竹田精治, 清水康雄, 海老澤直樹, 井上耕治, 永井康介, 宇佐美徳隆

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター平成３０年度大洗研究会　2018/11/24
Generation and propagation of defects in multicrystalline silicon for solar cells Invited

K. Kutsukake, Y. Hayama, H. Kudo, T. Matsumoto, T. Yokoi, Y. Ohno, N. Usami

8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018　2018/11/21
Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding

Y. Shimizu, N. Ebisawa, Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, K. Inoue, Y. Nagai

Summit of Materials Science 2018　2018/10/29
Chemical nanoanalyses at grain boundaries by atom probe tomography with TEM and ab-initio calculations International-presentation Invited

BIT's 8th Annual World Congress of Nano Science \& Technology-2018 (Nano S&T-2018)　2018/10/24
熱処理によるダイヤモンド/Si接合における界面挙動

梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 重川直輝

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター平成３０年度大洗研究会　2018/10/04
Chemical nanoanalyses at grain boundaries by joint use of scanning transmission electron microscopy and atom probe tomography International-presentation

K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science 2018 (AiMES2018)　2018/09/30
Atomistic structure of low-resistance Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature International-presentation

H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science 2018 (AiMES2018)　2018/09/30
4H-SiCにおける転位の再結合促進運動のTEMその場観察

大野裕

名古屋大学工学部マテリアル理工学専攻材料工学分野セミナー　2018/09/25
Σ3{111}対称傾角粒界の不純物偏析能とキャリア再結合速度に対する傾角のずれの影響

沓掛健太朗, 玉岡武泰, 竹田精治, 清水康雄, 海老澤直樹, 井上耕治, 永井康介, 宇佐美徳隆

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/18
CZ-LiTaO3結晶における転位密度と小傾角粒界の空間分布の評価

梶ヶ谷富男, 窪内裕太

第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/18
データ科学を活用した高品質多結晶材料創製に向けて Invited

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 松本哲也, 工藤博章, 横井達矢

日本セラミックス協会-第31回秋季シンポジウム　2018/09/05
Growth mechanism of polymorphism of asymmetric Σ9{115}/{111} interfaces in silicon International-presentation

T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai

34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2018)　2018/07/29
Structural bistability in Σ9{111}/{115} asymmetric grain boundary in Si ingots International-presentation

T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai

Extended Defects in Semiconductors 2018　2018/06/24
Interaction of Na atoms with stacking faults in Si with different Fermi levels International-presentation

H. Morito, I. Yonenaga, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga

Extended Defects in Semiconductors 2018　2018/06/24
Grain boundary segregation in silicon: nanoscopic mechanism and applications International-presentation Invited

International Conference on Condensed-Matter and Material Science (ICCMS2018)　2018/06/20
Atom probe and STEM nanoanalysis of grain boundary segregation in Si International-presentation Invited

14th International Conference on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS2018)　2018/06/18
シリコン結晶中のΣ9{111}/{115}非対称粒界に形成される多形構造

吉田秀人, 竹田精治, 横井達也, 中村篤智, 松永克志, 清水康雄, 永井康介

日本顕微鏡学会第74回学術講演会　2018/05/29
First-principles study of dependence of impurity segregation on grain boundary character in silicon International-presentation

T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga

10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10)　2018/04/08
Mechanism of oxygen segregation in multicrystalline silicon International-presentation

K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, T. Yokoi, K. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10)　2018/04/08
Interaction of sodium atoms with stacking faults in silicon crystals with different doping levels International-presentation

H. Morito, K. Kutsukake, I. Yonenaga

10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10)　2018/04/08
データ科学を活用した材料創製・材料評価に向けて

沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 工藤博章, 横井達矢, 羽山裕介, 井上憲一

日本金属学会2018年春期(第162回)講演大会　2018/03/19
Si中のΣ9{111}/{115}非対称粒界における双安定構造

清水康雄, 永井康介, 沓掛健太朗, 吉田秀人, 竹田精治, 横井達也, 中村篤智, 松永克志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/17
分野融合で始まる欠陥研究の新時代 -学会を越えた視点から見えてくるもの-

沓掛健太朗, 中村篤智

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/17
ドーピングレベルに依存するSi中の積層欠陥とNa原子の相互作用

森戸春彦, 沓掛健太朗, 米永一郎, 横井達也, 中村篤智, 松永克志

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/17
LiTaO3結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析（Ⅰ）－X線トポグラフ像とエッチピット像の対応－

梶ヶ谷富男, 窪内裕太

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/17
LiTaO3結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析（Ⅱ）－透過電子顕微鏡を用いた転位の同定－

窪内裕太, 梶ヶ谷富男

第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/17
Structural properties of low-resistance Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature International-presentation

Energy, Materials, and Nanotechnology Photovoltaics Meeting 2018　2018/01/15
Polymorphism of asymmetric Σ9{111}/{115} interfaces in silicon International-presentation

K. Kutsukake, H. Yoshida, S. Takeda, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga

Materials Research Society 2017 Fall Meeting　2017/11/26
Origin of the resistance at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature International-presentation

H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

Materials Research Society 2017 Fall Meeting　2017/11/26
Evaluation of mechanical properties of cubic-BN(111) bulk single crystal using nanoindentation

M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Taniguchi

第36回電子材料シンポジウム　2017/11/08
ＴＥＭ－アトムプローブ複合法によるシリコン粒界における酸素の偏析機構の解明

井上海平, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター平成29年度大洗研究会　2017/10/04
TEM observation of femtosecond-laser-induced periodic structures on SiC substrates International-presentation

R. Miyagawa, M. Deura, I. Yonenaga, O. Eryu

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)　2017/09/17
シリコン結晶における不純物の粒界偏析－微視的描像と機能－

第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017/09/05
室温表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の熱処理による構造変化

吉田秀人, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝

第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017/09/05
データ科学的手法による効率的なマッピング(3)：測定点移動距離の検討

沓掛健太朗, 菊地亮太, 下山幸治

第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017/09/05
Mechanism of oxygen segregation at tilt boundaries in Si International-presentation

K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)　2017/07/31
Mechanical properties of cubic-BN bulk single crystal evaluated by nanoindentation International-presentation

M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Taniguchi

12th International Conference on Nitride Semiconductors　2017/07/24
多結晶材料情報学によるスマートシリコンインゴットの創製に向けて

宇佐美徳隆, 羽山優介, 高橋勲, 松本哲也, 工藤博章, 横井達矢, 松永克志, 沓掛健太朗

独立行政法人日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2017/07/20
データ科学的手法を用いた効率的なマッピングの提案

沓掛健太朗, 菊地亮太, 出浦桃子, 下山幸治, 米永一郎

独立行政法人日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2017/07/20
フェムト秒レーザー誘起周期構造の結晶性評価

宮川鈴衣奈, 出浦桃子, 米永一郎, 江龍修

第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2017/07/13
3次元アトムプローブ-TEM複合法によるSi中の格子間酸素の粒界偏析評価

井上海平, 藤原航三, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

日本顕微鏡学会第73回学術講演会　2017/05/30
平面TEM観察による表面活性化接合Si/GaAs界面の評価

吉田秀人, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝

日本顕微鏡学会第73回学術講演会　2017/05/30
データ科学的手法を用いた効率的なマッピングの提案

沓掛健太朗, 菊地亮太, 出浦桃子, 下山幸治, 米永一郎

金属材料研究所第133回講演会　2017/05/26
Chemical nanoanalyses at grain boundaries by joint use of atom probe tomography and TEM combined with ab-initio calculations International-presentation

K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

European Materials Research Society 2017 Spring Meeting　2017/05/21
Atomistic structure of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature International-presentation

H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

European Materials Research Society 2017 Spring Meeting　2017/05/21
Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature International-presentation

H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

2017 5th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2017)　2017/05/16
Structural properties of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature International-presentation

J. Liang, N. Shigekawa

Materials Research Society 2017 Spring Meeting　2017/04/17
Dislocations on Σ5{013} grain boundaries in mono-cast Si; atomistic structure and effects on mechanical properties International-presentation

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai

Materials Research Society 2017 Spring Meeting　2017/04/17
Grain boundary segregation in Si studied by atom probe tomography combined with TEM and ab-initio calculations International-presentation

20th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2017/04/09
半導体における粒界・転位機能－Si粒界の偏析特性とワイドギャップ半導体の転位特性を中心として－

日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部第71回若手材料研究会「格子欠陥研究の最前線」　2017/03/24
モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析機構

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

日本物理学会第72回年次大会　2017/03/17
シリコン中の傾角粒界における酸素の偏析機構

井上海平, 藤原航三, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14
常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の原子・電子構造

吉田秀人, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14
X線トポグラフィーを用いたLiTaO3結晶に存在する欠陥の三次元解析

窪内裕太, 梶ヶ谷富男, 杉山正史, 川村祥太郎, 米永一郎

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14
データ科学的手法による効率的なマッピングの検討(1)

菊地亮太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 下山幸治, 米永一郎

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14
データ科学的手法による効率的なマッピングの検討(2)

沓掛健太朗, 菊地亮太, 出浦桃子, 下山幸治, 米永一郎

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14
表面活性化接合Si/GaAs界面の平面TEM観察

独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会第7回研究会　2016/12/16
Grain boundary segregation in mono-like Si

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

金属材料研究所第132回講演会　2016/11/24
顕微発光イメージングによるシリコン結晶中の粒界評価

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

金属材料研究所第132回講演会　2016/11/24
ナノインデンテーションにより評価した窒化ホウ素（BN）の機械的特性

出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 谷口尚

金属材料研究所第132回講演会　2016/11/24
Segregation ability of oxygen and carbon atoms at large-angle grain boundaries in Si International-presentation

K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

9th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-9) & 3rd Silicon Materials Joint Workshop　2016/10/10
Grain boundary segregation of nickel, copper, and oxygen atoms in a mono-like Si crystal International-presentation

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

9th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-9) & 3rd Silicon Materials Joint Workshop　2016/10/10
TEM-3次元アトムプローブ複合法で評価したSi中の大角粒界の不純物

井上海平, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター平成２８年度大洗研究会　2016/09/29
Nanoscopic segregation ability of large-angle tilt boundaries in Si International-presentation

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Extended Defects in Semiconductors 2016　2016/09/25
Segregation mechanism at small angle tilt boundaries in Si International-presentation

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otubo, S. R. Nishitani

Extended Defects in Semiconductors 2016　2016/09/25
モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016/09/13
シリコン中の大角粒界における不純物の偏析能

井上海平, 藤原航三, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016/09/13
常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の平面TEM観察

梁剣波, 重川直輝

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016/09/13
ウルツ鉱BNと立方晶BNの機械的特性の比較

出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 谷口尚

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016/09/13
Grain boundaries in silicon crystals: Crystallographic interaction and dislocation generation during crystal growth International-presentation

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/07
Evaluation of mechanical properties for w-BN using nanoindentation International-presentation

M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Taniguchi

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/07
Influence of grain boundaries on stress concentration in multicrystalline Si International-presentation

S. Sugioka, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/07
Lattice parameter of heavily impurity doped Si International-presentation

I. Yonenaga, R. Gotoh, K. Omote, K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/07
Enhanced diffusivity of Mn in heavily dislocated region of Si crystal International-presentation

I. Yonenaga, R. Gotoh

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/07
Abnormal diffusivity of oxygen in thermal-double-donor formation in Si International-presentation

T. Yoshioka, M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga

18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/07
First principles calculations of solution energies of dopants around stacking faults in Ge crystal International-presentation

K. Sakakibara, T. Fujioka, S. R. Nishitani, I. Yonenaga

9th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM9)　2016/08/01
Elastic properties of wurtzite-type BN evaluated by nanoindentation

M. Deura, K. Kutsukake, H. Fukuyama, I. Yonenaga, T. Taniguchi

第35回電子材料シンポジウム　2016/07/06
TEM-3次元アトムプローブ複合法によるSi中の傾角粒界の不純物偏析能の評価

井上海平, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

日本顕微鏡学会第72回学術講演会　2016/06/14
Segregation abilities of large-angle tilt boundaries in silicon International-presentation

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Summit of Materials Science 2016 (SMS2016)　2016/05/18
Luminescence imaging through a spatially-resolved camera for defect characterization in silicon crystals International-presentation

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

Summit of Materials Science 2016 (SMS2016)　2016/05/18
Evaluation of elastic properties of III-nitrides using nanoindentation International-presentation

M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Summit of Materials Science 2016 (SMS2016)　2016/05/18
ナノインデンテーションを用いたInNの弾性特性の解明

出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 王新強

第8回窒化物半導体結晶成長講演会　2016/05/09
Three-dimensional evaluation of segregation ability at grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with transmission electron microscopy International-presentation

Eorupean Materials Research Society 2016 Spring Meeting　2016/05/02
Nanoscopic mechanism of impurity segregation at grain boundaries in silicon International-presentation

K. Inoue, S. Ninomiya, K. Kutsukake, K. Fujiwara, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Materials Research Society 2016 Spring Meeting　2016/03/28
Self-organization of metal silicide epilayers at grain boundaries in silicon International-presentation

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, T. Ohsawa, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otubo, S. Nishitani, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai

Materials Research Society 2016 Spring Meeting　2016/03/28
シリコン中の小傾角粒界における銅の偏析機構

井上海平, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 谷口僚, 大坪秀礎, 西谷滋人

日本物理学会第71回年次大会　2016/03/19
タンタル酸リチウム結晶中の転位の観察

梶ヶ谷富男, 杉山正史, 石川治男, 米永一郎

第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19
ナノインデンテーションを用いたウルツ鉱構造窒化ホウ素（w-BN）の機械的特性評価

出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎

第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19
太陽電池用多結晶Siの粒界での応力集中

杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19
坩堝内成長で得られる太陽電池用Si結晶の粒界での応力集中

杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

第7回薄膜太陽電池セミナー　2016/03/13
Impurity segregation at small angle tilt boundaries in silicon: nanoscopic mechanisms and applications International-presentation

Energy, Materials, and Nanotechnology (EMN) Photovoltaics Meeting 2016　2016/01/18
Characterization of electrical properties of defects in multicrystalline silicon through photoluminescence imaging International-presentation

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

11th China SoG Silicon and PV Power Conference (CSPV11)　2015/11/26
ゲルマニウム結晶中の酸素クラスター形成に対するスズ不純物濃度依存性

井上海平, 村尾優, 太子敏則, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

金属材料研究所第130回講演会　2015/11/25
太陽電池用モノライクSiインゴット中の有限要素法を用いた応力解析

杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

金属材料研究所第130回講演会　2015/11/25
Si単結晶中の塑性変形で発生した転位に起因する深い準位の測定

大崎洋範, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第130回講演会　2015/11/25
Metal silicide epilayers self-organized at grain boundaries in silicon International-presentation

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otubo, S. R. Nishitani, N. Ebisawa, Y. Shimizu, H. Takamizawa, K. Inoue, Y. Nagai

2nd East-Asia Microscopy Conference (EAMC2)　2015/11/24
Quantitative analysis of electrical activity of grain boundaries through high spatial resolution photoluminescence imaging International-presentation

K. Kutsukake, S. Ninomiya, M. Deura, N. Usami, I. Yonenaga

25th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-25)　2015/11/15
Correlation between crystal quality and mechanical properties of InN International-presentation

M. Deura, Y. Ohkubo, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)　2015/11/08
太陽電池用モノライクSiの結晶品質向上のための有限要素応力解析

杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

応用物理学会結晶工学分科会主催・第4回結晶工学未来塾　2015/10/29
Grain boundary segregation in Si for solar cells studied by atom probe tomography International-presentation

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Workshop of TOHOKU university and SCK.CEN at Tokyo　2015/09/21
シリコン中の小傾角粒界における酸素の偏析機構

井上海平, 藤原航三, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介

日本物理学会2015年秋季大会　2015/09/16
ゲルマニウム結晶中のサールドナー形成に対するスズ不純物濃度依存性

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

日本物理学会2015年秋季大会　2015/09/16
Ge 積層欠陥中のドーパントの第一原理計算

榊原健, 西谷滋人, 中村仁美, 山本洋佑, 米永一郎

日本物理学会2015年秋季大会　2015/09/16
キャストSiはどこまでCZ-Siに近づけるか？-粒界と転位の影響-

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015/09/13
Nanoscopic segregation mechanism of impurity atoms at Σ9{114} grain boundaries in silicon crystals

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015/07/27
Formation process of Cu precipitates at small-angle tilt boundaries in Si crystals

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otubo, S. R. Nishitani, N. Ebisawa, Y. Shimizu, H. Takamizawa, K. Inoue, Y. Nagai

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015/07/27
Near-field light probe towards in-situ Raman spectroscopy under transmission electron microscopy

I. Yonenaga

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015/07/27
Enhanced diffusion of Mn in heavily dislocated region of Si

R. Goto, I. Yonenaga

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015/07/27
The impact of Sn-doping on formation of oxygen cluster in Ge crystal

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015/07/27
Abnormal diffusivity of oxygen in Si at low temperatures

T. Yoshioka, M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015/07/27
Recombination characters of defects in PV-Si obtained by high resolution PL imaging International-presentation

S. Ninomiya, K. Kutsukake, S. Sugioka, M. Deura, N. Usami, I. Yonenaga

28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2015)　2015/07/27
Defect engineering of multicrystalline and mono-like silicon solar cells: Characterization and control of grain boundaries and dislocations International-presentation

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells and Modules: Materials and Processes　2015/07/26
Micro-scale analysis of SiC layer by carbonization of Si substrates

M. Deura, H. Fukuyama, I. Yonenaga

第34回電子材料シンポジウム　2015/07/15
First principles calculations of solution energies of dopants around stacking faults in Si crystal International-presentation

S. R. Nishitani, Y. Yamamoto, K. Togase, I. Yonenaga

International Conference on Computert coupling of Phase Diagrams and Thermochemistry　2015/05/31
顕微PLイメージングによるシリコン結晶中の粒界特性評価

沓掛健太朗, 二宮駿也, 杉岡翔太, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会第12回シンポジウム　2015/05/28
太陽電池用モノライクSi成長中の結晶方位と応力の関係

杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会第12回シンポジウム　2015/05/28
Growth and characterization of silicon ingots for solar cells: conventional, mono-like and high-performance multicrystalline silicon International-presentation

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

The 5th Asia-Africa Sustanable Energy Forum　2015/05/10
Accumulation of oxygen atoms at small-angle tilt boundaries in silicon International-presentation

K. Inoue, K. Fujiwara, M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai

8th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells (CSSC8)　2015/05/05
Copper accumulation mechanism at small-angle tilt boundaries in silicon International-presentation

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, T. Ohsawa, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otubo, S. R. Nishitani, N. Ebisawa, Y. Shimizu, H. Takamizawa, K. Inoue, Y. Nagai

8th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells (CSSC8)　2015/05/05
InNの結晶特性と硬度・ヤング率の相関

出浦桃子, 大久保泰, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

第7回窒化物半導体結晶成長講演会（プレISGN-6）　2015/05/05
Effects of bond distortions on impurity segregation in high-angle grain boundaries in silicon International-presentation

K. Inoue, M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Materials Research Society 2015 Spring Meeting　2015/04/06
Utilization of functional grain boundaries for mono-like Si for solar cells International-presentation

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

Materials Research Society 2015 Spring Meeting　2015/04/06
Sn effects on thermal donor formation in Ge International-presentation

K. Inoue, Y. Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

Materials Research Society 2015 Spring Meeting　2015/04/06
シリコン中のΣ9{114}粒界における不純物集積能とボンドひずみの相関

井上海平, 出浦桃子, 沓掛健太郎, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲

日本物理学会第70回年次大会　2015/03/21
Si基板の表面炭化により形成したSiC層のTEM観察による微細構造評価

出浦桃子, 福山博之, 米永一郎

日本物理学会第70回年次大会　2015/03/21
Ge中のサーマルドナー形成の固溶酸素濃度依存性

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

日本物理学会第70回年次大会　2015/03/21
窒化インジウム薄膜の硬度・ヤング率と結晶特性の関係

大久保泰, 徳本有紀, 出浦桃子, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第70回年次大会　2015/03/21
顕微PLイメージング：多結晶シリコンウエハ評価法としての可能性

二宮駿也, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11
太陽電池用モノライクSi中の転位発生抑制のための応力解析

杉岡翔太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11
The impression effect of Sn impurity on aggregation of interstitial oxygen in Ge crystal International-presentation

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

2014 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" in conjunction with Russia-Japan Workshop "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2015/03/09
Abnormally high diffusivity of oxygen atoms in Si at low temperatures: study of diffusion species International-presentation

T. Yoshioka, M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga

2014 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" in conjunction with Russia-Japan Workshop "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2015/03/09
Impurity agglomeration into Σ3{111} and Σ9{114} grain boundaries in Si

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015/02/02
太陽電池用Siインゴットの比較研究：従来多結晶、微細粒多結晶、モノライク

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015/02/02
COガスを用いたSi表面炭化により形成したSiC層の局所構造解析

出浦桃子, 福山博之, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015/02/02
Ge中のSn不純物による酸素集積の抑制効果

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015/02/02
シリコン中の格子間酸素の300℃-450℃における拡散と減少挙動

吉岡尭頌, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015/02/02
ナノインデンテーション法による窒化インジウム結晶の硬度・ヤング率評価

大久保泰, 徳本有紀, 出浦桃子, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015/02/02
顕微PLイメージを用いたSi結晶中の粒界の電気的特性の定量評価

二宮駿也, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成26年度成果報告会　2015/02/02
透過電子顕微鏡による半導体欠陥の電子的・動的特性のナノスケール直視評価

独立行政法人日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第89回研究会「結晶加工と評価」　2015/01/08
3D gettering ability of Sigma-3{111} and Sigma-9{114} grain boundaries in Si

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

金属材料研究所第128回講演会　2014/11/27
Si表面炭化により形成したSiC層の断面TEM観察

出浦桃子, 福山博之, 米永一郎

金属材料研究所第128回講演会　2014/11/27
The Effect of Sn impurities on oxygen diffusion in Ge

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

金属材料研究所第128回講演会　2014/11/27
窒化インジウム薄膜の硬度・ヤング率と結晶特性の関係

大久保泰, 徳本有紀, 出浦桃子, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第128回講演会　2014/11/27
Characterization of silicon ingots: mono-like vs. HP multicrystalline International-presentation

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion　2014/11/23
Correlation between PL intensity and dislocation density by using high spatial resolution measurement in a silicon crystal International-presentation

S. Ninomiya, K. Kutsukake, M. Deura, N. Usami, I. Yonenaga

6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion　2014/11/23
PLイメージングを用いたSi結晶における粒界の電気的特性評価の定量化

二宮駿也, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第3回結晶工学未来塾　2014/11/13
COガスを用いたSi表面炭化により形成したSiC層の微細構造評価

出浦桃子, 福山博之, 米永一郎

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014/09/17
顕微PLイメージングによるSi結晶中粒界の特性評価

二宮駿也, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014/09/17
Interactions of impurity atoms with Σ3{111} and Σ9{114} grain boundaries in silicon International-presentation

K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

Extended Defects in Semiconductors 2014　2014/09/14
Development of a small light probe towards in-situ near-field Raman spectroscopy under transmission electron microscopy International-presentation

I. Yonenaga

Extended Defects in Semiconductors 2014　2014/09/14
Characterization of electrical activity of dislocations in silicon by high spatial resolution PL imaging International-presentation

S. Ninomiya, K. Kutsukake, M. Deura, N. Usami, I. Yonenaga

Extended Defects in Semiconductors 2014　2014/09/14
Dislocation Mobilities in Ductile to Brittle Temperature Region in Si International-presentation

I. Yonenaga, Y. Imoto, K. Kutsukake, M. Deura

Extended Defects in Semiconductors 2014　2014/09/14
シリコン中におけるΣ9{114}粒界構造 ―不純物の偏析能との相関―

井上海平, 出浦桃子, 沓掛健太郎, 米永一郎, 吉田秀人, 竹田精治

日本物理学会2014年秋季大会　2014/09/07
電池材料の局所境界構造と機能ーはじめにー

日本物理学会2014年秋季大会　2014/09/07
ナノインデンテーション法によるInNの硬度とヤング率評価

大久保泰, 徳本有紀, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

日本物理学会2014年秋季大会　2014/09/07
Ge濃度の異なるSbドープSiGe薄膜中の貫通転位運動

山下善文, 牧慎也, 伏見竜也, 西川亘, 林靖彦, 米永一郎

日本物理学会2014年秋季大会　2014/09/07
Growth of mono-like silicon ingots using functionnal grain boundaries for solar cells International-presentation

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

再生可能エネルギー2014国際会議　2014/07/27
窒化物半導体成長に向けたSi表面炭化によるSiC形成のCO分圧依存性

出浦桃子, 米永一郎, 福山博之

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2014春季講演会第6回窒化物半導体結晶成長講演会　2014/07/25
太陽電池用シリコン結晶の比較研究：モノライク vs HP多結晶

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

日本学術振興会産学協力研究委員会次世代の太陽光発電システム第175委員会第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2014/07/03
高空間分解能測定によるSi結晶のPL強度と転位密度の相関解明

二宮俊也, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

日本学術振興会産学協力研究委員会次世代の太陽光発電システム第175委員会第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2014/07/03
Interaction of dopant atoms with Sigma-9{114} grain boundaries in Si

K. Inoue, S. Ninomiya, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

金属材料研究所第127回講演会　2014/05/28
太陽電池用シリコンインゴットの比較研究：モノライクvs 微細粒多結晶

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

金属材料研究所第127回講演会　2014/05/28
薄層Sbによる高密度転位導入Si結晶中のMnSi相拡大化

後藤頼良, 米永一郎

金属材料研究所第127回講演会　2014/05/28
Thermal equilibrium state of thermal double donor in Ge

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

金属材料研究所第127回講演会　2014/05/28
シリコン中の格子間酸素の300-450Cにおける拡散

吉岡尭頌, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第127回講演会　2014/05/28
Si結晶中の転位密度とPL強度の高空間分解能の相関評価

二宮駿也, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

金属材料研究所第127回講演会　2014/05/28
ナノインデンテーション法によるInNの機械的特性評価

大久保泰, 徳本有紀, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

金属材料研究所第127回講演会　2014/05/28
Three-dimensional impurity distribution at sigma-3 and sigma-9 grain boundaries in silicon International-presentation

K. Inoue, S. Ninomiya, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai

European Materials Research Society 2014 Spring Meeting　2014/05/26
Crystal growth of mono-like silicon ingot using functional grain boundaries International-presentation

K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Usami

European Materials Research Society 2014 Spring Meeting　2014/05/26
Infrared study of thermal donor in Ge crystal International-presentation

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2014 Spring Meeting　2014/05/26
Accurate measurement of segregation to grain boundaries or planar faults by analytical transmission electron microscopy International-presentation

T. Walther, M. Hopkinson, N. Daneu, A. Recnik, K. Inoue, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2014 Spring Meeting　2014/05/26
3次元アトムプローブ-TEM複合法によるSi中のΣ9粒界と不純物の相互作用評価

井上海平, 米永一郎, 海老澤直樹, 高見澤悠, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

日本顕微鏡学会第70回記念学術講演会　2014/05/11
シリコン中におけるΣ9{114}粒界と不純物の相互作用

井上海平, 徳本有紀, 沓掛健太郎, 米永一郎, 海老澤直樹, 高見澤悠, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介

日本物理学会第69回年次大会　2014/03/27
シリコンの脆性-延性遷移温度での転位の運動と芯構造

井元裕也, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第69回年次大会　2014/03/27
ゲルマニウム中の酸素クラスターの熱平衡状態

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 沓掛健太郎, 出浦桃子, 米永一郎

日本物理学会第69回年次大会　2014/03/27
PLイメージの強度と転位密度の定量的な評価

二宮駿也, 沓掛健太郎, 出浦桃子, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17
モノライクSi vs HP多結晶

沓掛健太郎, 出浦桃子, 米永一郎

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17
種々のSbドープSiGeエピタキシャル膜中の転位運動

牧慎也, 伏見竜也, 山下善文, 米永一郎, 西川亘, 林靖彦

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17
3元アトムプローブ・TEM複合法によるSi中のΣ3対応粒界と不純物の相互作用評価

井上海平, 徳本有紀, 沓掛健太郎, 米永一郎, 海老澤直樹, 高見澤悠, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2014/02/05
ナノインデンテーション法によるInN薄膜の機械的特性の研究

大久保泰, 後藤頼良, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 徳本有紀

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2014/02/05
Pb同時添加による高濃度Al添加シリコン結晶の育成

井上海平, 後藤瀬良, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2014/02/05
高密度に転位を導入したSi結晶中へのMn拡散による合金層形成

後藤頼良, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2014/02/05
太陽電池用モノライクSiの結晶粒界エンジニアリング

沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成25年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2014/02/05
3次元アトムプローブ-TEM複合法によるSi中の粒界と不純物の相互作用評価 -Σ3, Σ9, 小角粒界-

第１回グリーンエネルギー材料のマルチスケール創製研究会　2014/01/07
Dynamic properties of dislocations in Ge controlled by Fermi level International-presentation

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, K. Inoue, I. Yonenaga

Materials Research Society 2013 Fall Meeting　2013/12/01
Interaction of dopant atoms with Sigma-3{111} grain boundaries in Si

K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

金属材料研究所第126回講演会　2013/11/28
太陽電池用モノライクSiの成長と転位分布評価

二宮駿也, 沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 米永一郎

金属材料研究所第126回講演会　2013/11/28
シリコン結晶中における転位の低温での運動

井元裕也, 村尾優, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第126回講演会　2013/11/28
Pb同時添加による高濃度Al含有CZ-Siの育成

井上海平, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第126回講演会　2013/11/28
高密度に転位を導入したSi結晶へのMn拡散によるMnSi相形成

後藤頼良, 米永一郎

金属材料研究所第126回講演会　2013/11/28
機能性結晶粒界を利用したモノライクSiのインゴット成長

沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 米永一郎

金属材料研究所第126回講演会　2013/11/28
Growth of mono-like silicon using functional grain boundaries International-presentation

K. Kutsukake, N. Usami, I. Yonenaga

10th Materials Science School for Young Scientists and Students　2013/11/21
In situ Observation of Dislocation Dynamics in AlN Films International-presentation

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Electron Microscopy and Multiscale Modeling 2013 (EMMM2013)　2013/11/10
ゲルマニウムにおける酸素クラスター形成

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

第43回結晶成長国内会議　2013/11/06
高密度に転位を含有するSi結晶表面でのMn-Si合金相形成

後藤頼良, 米永一郎

第43回結晶成長国内会議　2013/11/06
Three-dimensional impurity distribution at sigma-3{111} grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with transmission electron microscopy International-presentation

K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12)　2013/11/04
1.Microstructure of striae in Czochralski-grown <0441>-oriented LiNbO₃ International-presentation

K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, T. Taishi, N. Bamba

12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12)　2013/11/04
3D evaluation of gettering ability of sigma-3{111} grain boundaries International-presentation

K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

7th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells (CSSC7)　2013/10/22
Suppression of multi-crystallization of mono-like Si by functional grain boundaries International-presentation

K. Kutsukake, N. Usami, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

7th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells (CSSC7)　2013/10/22
Dislocation Dynamics in AlN Films International-presentation

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

9th TU-UT-SNU Student Workshop　2013/10/09
Characterization and simulation of electrical property of grain boundaries in multicrystalline silicon by electroluminescence imaging and finite element method International-presentation

K. Kutsukake, N. Miyazaki, T. Sameshima, T. Tachibana, A. Ogura, Y. Tokumoto, N. Usami, I. Yonenaga

28th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (EUPVSEC2013)　2013/09/30
シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用

井上海平, 徳本有紀, 沓掛健太郎, 米永一郎, 海老澤直樹, 高見澤悠, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

日本物理学会2013年秋季大会　2013/09/25
Si結晶中の積層欠陥における不純物ドーパントの第一原理計算

山本洋佑, 西谷滋人, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会2013年秋季大会　2013/09/25
bcc銅シリサイドにおける電気的特性の第一原理計算

山本洋佑, 谷口僚, 米永一郎, 西谷滋人

日本物理学会2013年秋季大会　2013/09/25
シリコン結晶中における転位の運動

井元裕也, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会2013年秋季大会　2013/09/25
高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会2013年秋季大会　2013/09/25
Al_xGa_1-xN薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関

徳本有紀, 種市寛人, 沓掛健太朗, 三宅秀人, 米永一郎

日本物理学会2013年秋季大会　2013/09/25
各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数

米永一郎, 後藤頼良, 表和彦, 井上海平, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗

日本物理学会2013年秋季大会　2013/09/25
PLイメージングによるモノライクSi中の転位分布の評価

二宮駿也, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第74回応用物理学会秋季学術講演会　2013/09/16
高密度に転位を導入したSi結晶におけるMn-Si合金形成

後藤頼良, 米永一郎

第74回応用物理学会秋季学術講演会　2013/09/16
機能性粒界を利用した70ｋｇモノライクSiインゴットの成長

沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 徳本有紀, 米永一郎

第74回応用物理学会秋季学術講演会　2013/09/16
Growth of heavily tin-doped Si International-presentation

I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, R. Gotoh, K. Kutsukake, Y. Tokumoto

17th International Conference on Crystal Growth (ICCGE-17)　2013/08/11
Precipitation behaviour of Cu in CZ-Si crystals heavily doped with p-type dopant International-presentation

K. Inoue, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, S.R. Nishitani

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013/07/21
Formation of striaes in <0-441>-oriented CZ-LiNbO₃ single crystal International-presentation

K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, T. Taishi, N. Bamba

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013/07/21
Slip systems in wurtzite ZnO single crystals at elevated temperatures International-presentation

H. Koizumi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, H. Taneichi, I. Yonenaga

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013/07/21
Suppression of Multi-Crystallization in Mono-like Si for Solar Cells by Grain Boundary Engineering International-presentation

K. Kutsukake, N. Usami, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013/07/21
Constitutional supercooling observed in As-doped Si grown by Czochralski method International-presentation

T. Taishi, I. Yonenaga

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013/07/21
Growth of heavily indium doped Si International-presentation

K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013/07/21
Bulk crystal growth of dilute GeSn International-presentation

Y. Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013/07/21
Dislocation mobilities in wide band-gap semiconductors International-presentation

I. Yonenaga, Y. Tokumoto, K. Kutsukake

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013/07/21
X-ray topographic observation of dislocation generation and propagation in Czochralski-grown Si International-presentation

I. Yonenaga, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, R. Gotoh, K. Iniue

19th American conference on crystal growth and epitaxy　2013/07/21
Cu precipitation in CZ-Si crystals heavily doped with p-type dopant International-presentation

K. Inoue, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, S.R. Nishitani

12th Asia Pacific Physics Conference　2013/07/14
Formation kinetics of thermal double donor in Ge International-presentation

K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

12th Asia Pacific Physics Conference　2013/07/14
Modification of dislocation properties in Si under high-magnetic field International-presentation

I. Yonenaga, Y. Tokumoto, K. Kutsukake

12th Asia Pacific Physics Conference　2013/07/14
Nanoindentation hardness and elastic modulus of AlGaN alloys International-presentation

Y. Tokumoto, H. Taneichi, K. Kutsukake, H. Miyake, K. Hiramatsu, I. Yonenaga

10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim　2013/06/30
AlN薄膜への転位導入と伝搬挙動の観察

徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

第5回窒化物半導体結晶成長講演会　2013/06/21
Grain Boundary Engineering for Mono-like Si International-presentation

K. Kutsukake, N. Usami, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2013/06/16
In-situ near-field photo-excitation under transmission electron microscopy International-presentation

I. Yonenaga

European Materials Research Society 2013 Spring Meeting　2013/05/27
First principles calculations of the solution energy of dopant in Si crystal with stacking fault International-presentation

Y. Yamamoto, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, S. R. Nishitani

International Conference on Computer Coupling of Phase Diagrams and Thermochemistry XLII (CALPHAD XLII)　2013/05/26
機能性結晶粒界によるモノライク Siの多結晶化の抑制

沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 徳本有紀, 米永一郎

第10回次世代の太陽光発電システムシンポジウム　2013/05/23
Formation mechanism of striaes in <0-441>-oriented CZ-LiNbO₃ crystal

K. Kutrsukake, T. Tokumoto, I. Yonenaga, T. Taishi, N. Bamba

金属材料研究所第125回講演会　2013/05/22
Infrared absorption spectrum of thermal double donor in Ge

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, I. Yonenaga

金属材料研究所第125回講演会　2013/05/22
Effects of impurities on dislocation activities in Ge

Y. Murao, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga

金属材料研究所第125回講演会　2013/05/22
高濃度に転位を導入したSi結晶におけるMnの拡散挙動

後藤頼良, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第125回講演会　2013/05/22
半導体中キャリアの3次元分布計算とELイメージへの応用

沓掛健太朗, 宮崎直人, 鮫島崇, 立花福久, 小椋厚志, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

金属材料研究所第125回講演会　2013/05/22
３次元アトムプローブ法による偏析の無いシリコン粒界近傍の不純物分布評価

井上海平, 徳本有紀, 沓掛健太郎, 米永一郎, 海老澤直樹, 高見澤悠, 清水康雄, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

日本顕微鏡学会第69回学術講演会　2013/05/20
TEM内その場近接場光照射 -TEM内でのナノ光学に向けて-

日本顕微鏡学会第69回学術講演会　2013/05/20
Development of an apparatus for in-situ near-field optical measurements in TEM International-presentation

I. Yonenaga

18th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2013/04/07
Dislocation dynamics in AlN films induced by in situ TEM nanoindentation International-presentation

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

18th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2013/04/07
顕微ELイメージングによる多結晶Si中粒界の電気的特性の定量評価

沓掛健太朗, 宮崎直人, 鮫島崇, 立花福久, 小椋厚志, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013/03/27
SbドープによるSi基板上SiGeエピタキシャル膜中の転位速度増大効果

伏見竜也, 松永拓也, 山下善文, 米永一郎

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013/03/27
高温微小硬度試験法で導入されたZnO中の転位の構造特性

徳本有紀, 沓掛健太朗, 種市寛人, 米永一郎

日本物理学会第68回年次大会　2013/03/26
高濃度As添加シリコン結晶育成時のネッキング過程における転位発生挙動の解明

米永一郎, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 後藤頼良, 井上海平

日本物理学会第68回年次大会　2013/03/26
ナノインデンテーション法によるAl_xGa_1-xN薄膜の硬度測定

徳本有紀, 種市寛人, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第68回年次大会　2013/03/26
Ge単結晶におけるサーマルドナーの赤外吸収スペクトル

井上海平, 太子敏則A, 徳本有紀, 村尾優, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第68回年次大会　2013/03/26
Si基板上SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの効果

山下善文, 松永拓也, 伏見竜也, 米永一郎

日本物理学会第68回年次大会　2013/03/26
Formation of thermal double donor in germanium International-presentation

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, y. Murao, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Excellent Graduate Schools 2012 Annual Meeting in conjuction with Japan-Russia Workshop on Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure　2013/03/07
Effects of impurities on dynamic properties of dislocations in germanium International-presentation

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Excellent Graduate Schools 2012 Annual Meeting in conjuction with Japan-Russia Workshop on Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure　2013/03/07
Optical properties of edge dislocations on {1-100} prismatic planes in ZnO

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成24年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2013/02/05
窒化物半導体薄膜の転位密度と硬度の相関

徳本有紀, 種市寛人, 沓掛健太朗, 三宅秀人, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成24年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2013/02/05
半導体中キャリアの3次元分布計算とELイメージへの応用研究

沓掛健太朗, 宮崎直人, 鮫島崇, 立花福久, 小椋厚志, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成24年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2013/02/05
Optical properties of edge dislocations on {1-100} prismatic planes in ZnO introduced at elevated temperatures International-presentation

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012/11/27
Interaction energy of dopant atoms with stacking faults in Si crystals International-presentation

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, R. Taniguchi, S. R. Nishitani

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012/11/27
BCC-Cu₃Si formed in Si International-presentation

T. Ohsawa, K. Inoue, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, Y. Shimizu, H. Takamizawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, S. R. Nishitani

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012/11/27
Grain boundary engineering of silicon crystal for solar cells International-presentation

K. Kutsukake, Y. Tokumoto, N. Usami, I. Yonenaga

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012/11/27
Dislocation generation and propagation in AlN films induced by in situ TEM nanoindentation International-presentation

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012/11/27
Effects of O impurity on dislocation activity in Ge International-presentation

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012/11/27
Infrared study of GeO_x formation in heat-treatment of high purity germanium crystal International-presentation

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Summit of Materials Science 2012 (SMS2012)　2012/11/27
Growth of dilute GeSn alloys International-presentation

Y. Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

7th International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-7)　2012/10/28
Propagation of nanoindentation-induced dislocations in AlN films International-presentation

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　2012/10/14
A new mono-cast Si technique using functional grain boundaries International-presentation

K. Kutsukake, Y. Tokumoto, N. Usami, I. Yonenaga

6th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells　2012/10/08
Quantitative analysis of carrier recombination property at grain boundaries in multicrystalline silicon using micro-image of electroluminescence International-presentation

K. Kutsukake, N. Miyazaki, T. Sameshima, T. Tachibana, A. Ogura, Y. Tokumoto, N. Usami, I. Yonenaga

27th European Photovoltaic Solar Energy Conference　2012/09/24
Development of an apparatus for in-situ near-field photo-excitation in TEM International-presentation

International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012　2012/09/23
シリコン中の積層欠陥とドーパント原子の相互作用エネルギー

徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎, 正木佳宏, 西谷滋人

日本物理学会2012年秋季大会　2012/09/18
X線回折顕微鏡によるシリコン結晶中の成長時導入転位の特性の解明

米永一郎, 徳本有紀, 沓掛健太朗

日本物理学会2012年秋季大会　2012/09/18
AlN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位の伝播

徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会2012年秋季大会　2012/09/18
ゲルマニウム結晶中の酸素不純物による転位固着の時効効果

村尾優, 太子敏則, 井上海平, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会2012年秋季大会　2012/09/18
ゲルマニウム単結晶内における酸素の熱処理による挙動

井上海平, 太子敏則, 村尾優, 徳本由紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会2012年秋季大会　2012/09/18
機能性結晶粒界によるモノキャストSi成長における多結晶化の抑制

沓掛健太朗, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第73回応用物理学会学術講演会　2012/09/11
多結晶Ｓｉのキャスト成長における転位発生に関するレビューと考察

沓掛健太朗, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

第73回応用物理学会学術講演会　2012/09/11
Optical properties of dislocations on prismatic planes in ZnO International-presentation

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

Dislocations 2012　2012/08/27
Dislocation Activities in Si under High-magnetic-field International-presentation

I. Yonenaga, Y. Tokumoto, K. Kutsukake

Dislocations 2012　2012/08/27
Dislocation-induced optical properties of wide gaps GaN and ZnO International-presentation

I. Yonenaga, Y. Tokumoto

Dislocations 2012　2012/08/27
Propagation of nanoindentation-induced dislocations in AlN films International-presentation

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Dislocations 2012　2012/08/27
Dislocation activities in Ge doped with neutral impurities International-presentation

Y. Murao, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

Dislocations 2012　2012/08/27
Revisiting radiation-enhanced dislocation glide with recent studies on 4H-SiC International-presentation

K. Maeda

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012/06/24
Formation of BCC-Cu₃Si in CZ-Si International-presentation

T. Ohsawa, K. Inoue, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, S. R. Nishitani

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012/06/24
Interaction energy of n-type dopant atoms with stacking faults in Si International-presentation

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, R. Taniguchi, S. R. Nishitani

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012/06/24
Optical properties of prismatic dislocations in ZnO International-presentation

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012/06/24
Propagation behavior of nanoindentation-induced dislocations in AlN films International-presentation

Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012/06/24
Morphology and microstructure of GeAs islands formed on Ge(111) surfaces International-presentation

Y. Tokumoto, T. Taishi, K. Kutsukake, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012/06/24
Characterization of 5 grain boundaries artificially formed in Si crystal by CZ, FZ and Bridgman growth methods International-presentation

K. Kutsukake, K. Inoue, Y. Tokumoto, N. Usami, K. Nakajima, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012/06/24
Impurity-dependent dislocation dynamics in Ge International-presentation

Y. Murao, T. Taishi, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2012　2012/06/24
太陽電池用超高品質シリコン結晶を目指した機能性結晶粒界の作製と制御

沓掛健太朗, 井上海平, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

日本学術振興会産学協力研究委員会次世代の太陽光発電システム第175委員会・第9回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム　2012/05/31
AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入およびその伝播挙動の観察

徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第123回講演会　2012/05/23
シリコン結晶中の人工粒界の成長と構造評価－CZ, FZ, ブリッジマン成長での比較－

沓掛健太朗, 井上海平, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄, 米永一郎

金属材料研究所第123回講演会　2012/05/23
高濃度ボロン添加シリコン中の銅析出物の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 井上海平, 米永一郎

金属材料研究所第123回講演会　2012/05/23
高濃度Sn添加Cz-Ge単結晶の育成

村尾優, 太子敏則, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第123回講演会　2012/05/23
FT-IR study of interstitial oxygen in heat treated Ge

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, I. Yonenaga

金属材料研究所第123回講演会　2012/05/23
高濃度B添加SiにおけるBCC構造Cu₃Siの形成

大澤隆亨, 徳本有紀, 井上海平, 米永一郎, 吉田秀人, 竹田精治, 正田薫, 谷口僚, 西谷滋人

日本顕微鏡学会第68回学術講演会　2012/05/14
Cu fishbones in Si

日本顕微鏡学会第68回学術講演会　2012/05/14
AlN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位

徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本顕微鏡学会第68回学術講演会　2012/05/14
Interaction energy of dopant atoms with stacking faults in Si International-presentation

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Togase, S. R. Nishitani

European Materials Research Society 2012 Spring Meeting　2012/05/14
Dislocation locking and velocity dependent on impurities in Ge International-presentation

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2012 Spring Meeting　2012/05/14
Oxygen precipitation in Czochralski-grown Germanium Crystals International-presentation

K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Taishi

European Materials Research Society 2012 Spring Meeting　2012/05/14
2 MeV e-irradiation UHVEM study on the impact of O and Ge doping on <113>-defect formation in Si International-presentation

J. Vanhellemont, H. Yasuda, Y. Tokumoto, M. Suezawa, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2012 Spring Meeting　2012/05/14
AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入と伝搬挙動の観察

徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

第4回窒化物半導体結晶成長学会　2012/04/27
ZnO中のプリズム面上転位の電子状態

藤井克司, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会第67回年次大会　2012/03/24
高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の形成について

大澤隆亨, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 井上海平, 米永一郎, 清水康夫, 高見澤悠, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治

日本物理学会第67回年次大会　2012/03/24
GeAs/Ge(111)界面の構造解析

徳本有紀, 太子敏則, 米永一郎

日本物理学会第67回年次大会　2012/03/24
シリコン結晶中の対応粒界の粒界転位構造と結晶成長に伴う変化

沓掛健太朗, 井上海平, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会第67回年次大会　2012/03/24
IV族不純物添加ゲルマニウム結晶中の転位の運動

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第67回年次大会　2012/03/24
Ge単結晶内の格子間酸素の熱処理による挙動

井上海平, 太子敏則, 徳本有紀, 村尾優, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第67回年次大会　2012/03/24
Interaction of dopant atoms with stacking faults in Si

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Togase, S. R. Nishitani

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012/03/05
高濃度ボロン添加シリコン中の銅析出物の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 井上海平, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012/03/05
ゲルマニウム結晶中の転位動特性に対する不純物の影響

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012/03/05
Ge(111)基板上に形成されたGeAsの微細構造解析

徳本有紀, 太子敏則, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012/03/05
赤外吸収法による熱処理Ge単結晶中の格子間酸素の析出挙動の解明

井上海平, 太子敏則, 徳本有紀, 村尾優, 沓掛健太朗, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012/03/05
EL・PLイメージを用いた粒界でのキャリア再結合速度導出の研討

沓掛健太朗, 宮崎直人, 鮫島祟, 立花福久, 小椋厚志, 徳本有紀, 宇佐美徳隆, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012/03/05
ナイトライド中の転位の運動特性と電子・光学特性の解明による高機能化

米永一郎, 徳本有紀

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2012/03/05
Morphology and microstructure of GeAs formed on Ge(111) surfaces International-presentation

Y. Tokumoto, T. Taishi, K. Kutsukake, I. Yonenaga

International Symposium on Role of Electron Microscopy in Industry -Toward genuine collaboration between academiaand industry-　2012/01/19
多結晶シリコン中の酸素・炭素不純物の結晶育成方向に対する分布の解析

沓掛健太郎, 伊勢秀彰, 徳本有紀, 森下浩平, 中島一雄, 米永一郎

応用物理学会・結晶工学分科会「究極の結晶成長と分析＆若手ポスター発表会」　2011/12/16
シリコン結晶中の人工粒界の成長-CZ, FZ, ブリッジマン成長での比較-

沓掛健太郎, 井上海平, 徳本有紀, 宇佐美特隆, 菅原隆昌, 宍戸統悦, 中島一雄, 米永一郎

応用物理学会・結晶工学分科会「究極の結晶成長と分析＆若手ポスター発表会」　2011/12/16
半導体転位の電子特性：酸化亜鉛＆シリコン

大阪大学産業科学研究所セミナー　2011/12/13
Dynamic interactions between impurities and dislocations in Ge crystals International-presentation

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga

International Symposium on Materials Integration (ASPT2011 & KINKEN-WAKATE 2011)　2011/12/01
Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO introduced at elevated temperatures International-presentation

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

Materials Research Society 2011 Fall Meeting　2011/11/28
Impact of dopant atoms on stacking fault energy in Si crystals

T.Tokumoto, H. Taneichi, I.Yonenaga, K. Togase, S. R. Nishitani

金属材料研究所第122回講演会　2011/11/24
ゲルマニウム結晶中での酸素不純物による転位固着への時効効果

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第122回講演会　2011/11/24
高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出物の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 成田一生, 井上海平, 米永一郎

金属材料研究所第122回講演会　2011/11/24
AlＮ基板上に成長されたAlGaN薄膜のナノインデンテーション法による機械的特性の研究

種市寛人, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第122回講演会　2011/11/24
分野融合型格子欠陥研究の発展にむけて

東北大学金属材料研究所ワークショップ「分野融合型格子欠陥研究の発展にむけて」　2011/10/27
ZnO中のプリズム面上転位の電子状態

藤井克司, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会2011年秋季大会　2011/09/21
非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造

徳本有紀, 李賢宰, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会2011年秋季大会　2011/09/21
高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動（そのIII)

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会2011年秋季大会　2011/09/21
高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究その2

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 成田一生, 井上海平, 米永一郎

日本物理学会2011年秋季大会　2011/09/21
P，Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算

西谷滋人, 戸賀瀬健介, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会2011年秋季大会　2011/09/21
第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性

谷口僚, 西谷滋人, 米永一郎

日本物理学会2011年秋季大会　2011/09/21
Doping effects on the stability of sigma-3 interfaces in Czochralski-grown silicon crystals International-presentation

Y. Tokumoto, T. Taishi, I. Yonenaga

7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures　2011/08/28
Dynamic properties of dislocations in impurity doped Ge crystals International-presentation

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures　2011/08/28
Energy levels of dislocations in GaN and ZnO

徳本有紀, 米永一郎, 藤井克司, 八百隆文

特定領域「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」最終成果報告公開シンポジウム　2011/08/03
非極性GaN成長における低温バッファ層の構造評価

徳本有紀, 李賢宰, 八百隆文, 米永一郎

特定領域「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」最終成果報告公開シンポジウム　2011/08/03
ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

米永一郎, 徳本有紀, 太子敏則, 上殿明良

特定領域「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」最終成果報告公開シンポジウム　2011/08/03
Liquid boron-oxide encapsulated Czochralski-growth of Ge crystals International-presentation

T. Taishi, H. Ise, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2011/07/24
Orientation relationship in GaN buffer layer grown on r-sapphire International-presentation

Y. Tokumoto, H.-J. Lee, T. Yao, I. Yonenaga

18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2011/07/24
Modeling of incorporation of oxygen and carbon impurities into multi-crystalline silicon ingot during one-directional solidification International-presentation

K. Kutsukake, H. Ise, Y. Tokumoto, K. Nakajima, I. Yonenaga

18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2011/07/24
Recombination activity of dislocations in wurtite ZnO introduced at elevated temperatures International-presentation

Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011/07/17
Dislocation levels acting as radiative recombination centers in compound semiconductors International-presentation

I. Yonenaga

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011/07/17
Interaction of dopant atoms with stacking faults in Si International-presentation

Y. Tokumoto, H. Taneichi, I. Yonenaga, K. Togase, S. R. Nishitani

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011/07/17
Grown-in defects in CZ-Si heavily doped with B atoms International-presentation

Y. Tokumoto, T. Ohsawa, K. Inoue, I. Yonenaga, K. Shoda, S. Ichikawa, R. Taniguchi, S. R. Nishitani

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011/07/17
Oxygen in B2O3 encapsulated Czochralski-grown Ge International-presentation

T. Taishi, H. Ise, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011/07/17
Doping effects for dislocation motion in Ge International-presentation

I. Yonenaga, Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011/07/17
Microstructure of nonpolar GaN grown at low temperature International-presentation

Y. Tokumoto, H. Lee, T. Yao, I. Yonenaga

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011/07/17
Modelling of incorporation of oxygen into multi-crystalline silicon during crystal growth International-presentation

K. Kutsukake, H. Ise, Y. Tokumoto, K. Nakajima, I. Yonenaga

26th International Conference on Defects in Semiconductors　2011/07/17
ゲルマニウム結晶中の転位の発生および運動とその制御

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太郎, 米永一郎

第8回次世代の太陽発電システム　2011/06/30
ZnO中の(1100)面上転位の電子状態

藤井克司, 八百隆文, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第121回講演会　2011/05/24
非極性GaN薄膜成長における低温バッファ層の構造

徳本有紀, Lee Hyun-Jae, 八百隆文, 米永一郎

金属材料研究所第121回講演会　2011/05/24
多結晶シリコン中の酸素・炭素不純物の結晶育成方向に対する分布

沓掛健太朗, 伊勢秀彰, 徳本有紀, 森下浩平, 中嶋一雄, 米永一郎

金属材料研究所第121回講演会　2011/05/24
ゲルマニウム結晶中での酸素不純物による転位の不動化

村尾優, 太子敏則, 伊勢秀彰, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第121回講演会　2011/05/24
Czochralski-growth of Si crystals doped with various kinds of impurities

井上海平, 沓掛健太朗, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第121回講演会　2011/05/24
インデンテーション法により酸化亜鉛(11-20)面に導入される転位の研究

種市寛人, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

金属材料研究所第121回講演会　2011/05/24
First principles calculations of stacking fault energy of P doped Si crystal International-presentation

S. R. Nishitani, K. Togase, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

Computer Coupling of Phase Diagrams and Thermochemistry XL　2011/05/22
First principles calculations of the copper silicide precipitates International-presentation

R. Taniguchi, S. R. Nishitani, I. Yonenaga

Computer Coupling of Phase Diagrams and Thermochemistry XL　2011/05/22
Crystallites with specific orientation in polycrystalline GaN buffer layer International-presentation

Y. Tokumoto, H.J. Lee, T. Yao, I. Yonenaga

5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS)　2011/05/22
Doping effects on the stability of sigma-3 interfaces in silicon crystals International-presentation

Y. Tokumoto, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2011 Spring Meeting　2011/05/09
Preferential orientation for crystallites in polycrystalline GaN buffer layer International-presentation

Y. Tokumoto, H.J. Lee, T. Yao, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2011 Spring Meeting　2011/05/09
ＴＥＭ内その場顕微分光・電気測定による半導体転位の機能評価

日本金属学会2011年春期大会　2011/03/25
ZnO中のプリズム面上転位の光学特性

藤井克司, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会第66回年次大会　2011/03/25
低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化

徳本有紀, 李賢宰, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会第66回年次大会　2011/03/25
高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動（そのII）

村尾優, 太子敏則, 伊勢秀彰, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会第66回年次大会　2011/03/25
高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 成田一生, 井上海平, 米永一郎

日本物理学会第66回年次大会　2011/03/25
Interaction of impurities with dislocations in Ge

Y. Murao, T. Taishi, H. Ise, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」若手研究者研究報告会　2011/03/02
ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

米永一郎, 大野裕, 徳本有紀, 上殿明良

特定領域「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」平成22年度研究成果報告会　2011/03/01
Electronic properties of dislocations in ZnO and GaN

I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao, S. Ichikawa, N. Yamamoto

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2011/02/09
GaNバッファー層における成長方位の変化

徳本有紀, H-J. Lee, 八百隆文, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2011/02/09
高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 成田一生, 米永一郎

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2011/02/09
高酸素濃度ゲルマニウムの実現

米永一郎, 太子敏則, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 徳本有紀

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2011/02/09
Development of an apparatus for in-situ micro- and near-field optical measurements in TEM

I. Yonenaga

金属材料研究所第120回講演会　2010/11/24
Electronic properties of dislocations in wurtzite ZnO and GaN

Y. Tokumoto, I. Yonenaga

金属材料研究所第120回講演会　2010/11/24
高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出物の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第120回講演会　2010/11/24
高酸素濃度ゲルマニウムの実現

米永一郎, 太子敏則, 伊勢秀彰, 大澤隆亮, 徳本有紀

金属材料研究所第120回講演会　2010/11/24
ゲルマニウム結晶中での不純物による転位の固着現象

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第120回講演会　2010/11/24
酸素添加ゲルマニウム結晶中の局所振動モード

伊勢秀彰, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第120回講演会　2010/11/24
欠陥反応制御による太陽電池用シリコン結晶の高機能化にむけて

東北大学金属材料研究所・低炭素社会基盤材料融合研究センターワークショップ「低炭素社会実現に向けた材料科学」　2010/11/19
格子欠陥・ナノ構造体の制御技術と新機能性

第6回励起ナノプロセス研究会　2010/11/02
シリコン中の転位の構造特性に対するドーピング効果

徳本有紀, 大澤隆亮, 太子敏則, 米永一郎

日本物理学会2010年秋期大会　2010/09/23
高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会2010年秋期大会　2010/09/23
P添加Si中の転位構造

徳本有紀, 太子敏則, 米永一郎

日本物理学会2010年秋期大会　2010/09/23
Doping effects on the stacking fault energy in Czochralski-grown silicon International-presentation

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2010　2010/09/19
Energy levels of dislocations in h-GaN and h-ZnO International-presentation

T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2010　2010/09/19
Effects of phosphorus doping and annealing on dislocation structure in silicon International-presentation

Y. Tokumoto, Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2010　2010/09/19
Oxygen-related defects in Czochralski germanium crystals grown using boron oxide International-presentation

T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2010　2010/09/19
Dislocation-impurity interaction in Ge International-presentation

Y. Murao, Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2010　2010/09/19
Si 結晶中に形成されるUltrashallow Thermal Donorについて

原明人, 淡野照義, 米永一郎

第71回応用物理学会学術講演会　2010/09/14
Dislocation activities in Ge crystals International-presentation

Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

第4回東北大金研/高麗大学材料学科学生交流セミナー　2010/08/26
Effects of n- and p-doping on the structural property of dislocations in Czochralski-grown silicon International-presentation

T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2010 Spring Meeting　2010/06/07
Growth of oxygen-rich germanium crystals with low dislocation density International-presentation

T. Taishi, H. Ise, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2010 Spring Meeting　2010/06/07
Formation of Nanotubes of Carbon by Joule Heating of Carbon-contaminated Si Nanochains International-presentation

H. Kohno, T. Nogami, I. Yonenaga, S. Ichikawa, S. Takeda

International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics　2010/06/03
チョクラルスキー成長シリコン中の転位の構造特性に対するドーピング効果

太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第119回講演会　2010/05/27
P添加および熱処理によるSi中の転位構造の変化

徳本有紀, 太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第119回講演会　2010/05/27
ゲルマニウム結晶中の転位の運動速度に対する不純物の効果

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第119回講演会　2010/05/27
高濃度ボロン添加シリコン中における銅析出物の研究

大澤隆亨, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第119回講演会　2010/05/27
酸素添加ゲルマニウム結晶中の局所振動モード

伊勢秀彰, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

金属材料研究所第119回講演会　2010/05/27
ルネサンス”ゲルマニウム”

米永一郎, 太子敏則, 村尾優, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 徳本有紀, J. Vanhellemont

金属材料研究所第119回講演会　2010/05/27
シリコンナノチェインのジュール加熱によるナノチューブ形成

河野日出夫, 野上隆文, 市川聡

日本顕微鏡学会第66回学術講演会　2010/05/23
シリコン中の転位の構造特性に対するドーピング効果

徳本有紀, 大澤隆亨, 米永一郎

日本顕微鏡学会第66回学術講演会　2010/05/23
P添加Siにおける転位の構造

徳本有紀, 太子敏則, 米永一郎

日本顕微鏡学会第66回学術講演会　2010/05/23
高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性

大野裕, 太子敏則, 米永一郎

日本物理学会第65回年次大会　2010/03/20
ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価

伊勢秀彰, 太子敏則, 大沢隆亮, 末澤正志, 徳本有紀, J. Vanhellemont, 米永一郎

日本物理学会第65回年次大会　2010/03/20
CZ-Ge結晶成長における酸素の混入と偏析現象

太子敏則, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 徳本有紀, 米永一郎

第57回応用物理学関係連合講演会　2010/03/17
ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

米永一郎, 太子敏則, 徳本有紀

特定領域「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」平成21年度研究成果報告会　2010/03/15
太陽電池基板用の無転位Ge結晶の育成

太子敏則, 徳本有紀, 村尾優, 米永一郎, 干川敬吾

平成21年度東北大学研究所連携プロジェクト研究成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」　2010/02/08
Copper defects in heavily boron doped silicon single-crystals grown by Czochralski method

T. Taishi, K. Shoda, I. Yonenaga

金属材料研究所第118回講演会　2009/11/26
B2O3被覆融液からの無転位Ge単結晶成長と評価

太子敏則, 伊勢秀彰, 徳本有紀, 米永一郎

第39回結晶成長国内会議　2009/11/12
Si・Ge結晶成長における組成的過冷却発生条件の検討

太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

第39回結晶成長国内会議　2009/11/12
In-situ analysis of optical properties of nanostructures in TEM International-presentation

The 20th Frontiers of Electron Microscopy in Materials Science　2009/09/27
高濃度ホウ素添加CZシリコン中の拡張欠陥

太子敏則, 米永一郎

日本物理学会2009年秋季大会　2009/09/25
シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生

太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会2009年秋季大会　2009/09/25
電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換

河野日出夫, 野上隆文, 市川聡, 竹田精治

日本物理学会2009年秋季大会　2009/09/25
B2O3被覆Ge融液からの低転位密度CZ-Ge結晶成長

太子敏則, 伊勢秀彰, 米永一郎

第70回応用物理学会学術講演会　2009/09/08
Optical properties of semiconductor nanostructures and defects studied by transmission electron microscopy in TEM International-presentation

5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2009/09/01
Transformation of an insulating silicon nanochain into a conducting carbon nanotube by selective Joule heating International-presentation

H. Kohno, T. Nogami, S. Ichikawa, S. Takeda

5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium　2009/09/01
Constitutional supercooling in SiGe International-presentation

I. Yonenaga, T. Taishi, Y. Tokumoto

17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2009/08/09
As-related precipitates in Czochralski-grown Ge and Si crystals International-presentation

T. Taishi, I. Yonenaga

17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2009/08/09
Relationship between morphological features of the growth interface and growth conditions in heavily-impurity doped Si and Ge crystal growth under occurrence of constitutional supercooling International-presentation

T. Taishi, I. Yonenaga

17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2009/08/09
Effect of composition on the secondary phase crystallization and seed/crystal interface in lithium niobate crystal by the vertical Bridgman (VB) technique International-presentation

T. Taishi, N. Bamba, K. Hoshikawa, I. Yonenaga

17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2009/08/09
Structural characteristics of dislocations in heavily phosphorus-doped silicon International-presentation

T. Shirakawa, T. Taishi, I. Yonenaga

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009/07/20
In-situ analysis of optical properties of dislocations in ZnO by opto-TEM International-presentation

T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009/07/20
Unique defects in heavily boron-doped silicon single-crystals grown by Czochralski method International-presentation

T. Taishi, I. Yonenaga

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009/07/20
Strength and dislocation mobility in wide bandgap semiconductors International-presentation

I. Yonenaga, T. Taishi, Y. Tokumoto

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009/07/20
Effects of dislocations on optical properties of wide bandgap GaN and ZnO International-presentation

I. Yonenaga, T. Taishi, Y. Tokumoto

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009/07/20
Precipitation of GeAs in heavily As-doped Ge crystal during Czochralski growth International-presentation

T. Taish, I. Yonenaga

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009/07/20
Dislocation generation due to thermal shock in Si crystal growth International-presentation

T. Taishi, K. Hoshikawa, I. Yonenaga

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009/07/20
Morphological features affected by constitutional supercooling during Czochralski growth of Si and Ge crystals International-presentation

T. Taishi, K. Hoshikawa, I. Yonenaga

25th International Conference on Defects in Semiconductors　2009/07/20
Dislocations in wide band gap semiconductors International-presentation

28th Electronic Materials Symposium　2009/07/08
Atomistic Structure of Dislocations in ZnO Revealed by Opto-TEM and PL Spectroscopy International-presentation

H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

2009 Electronic Materials Conference　2009/06/24
Electronic properties of dislocations in wurtzite ZnO single-crystals International-presentation

T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

European Materials Research Society 2009 Spring Meeting　2009/06/08
Characteristics of Czochralski-grown B-doped Ge crystal International-presentation

T. Taishi, Y. Murao, I. Yonenaga

European Materials Research Society 2009 Spring Meeting　2009/06/08
Opto-TEM法によるw-ZnO単結晶中の転位の局在電子状態解析

太子敏則, 米永一郎

日本顕微鏡学会第65回学術講演会　2009/05/26
透過電子顕微鏡内での顕微分光法によるナノ電子物性評価

太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第117回講演会　2009/05/14
高濃度リン添加シリコン中の転位の構造特性

白川徹, 太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第117回講演会　2009/05/14
シリコンの曲げ変形と転位の動特性

米永一郎, 太子敏則, 徳本有紀

金属材料研究所第117回講演会　2009/05/14
高濃度As添加CZ-Ge結晶成長におけるGeAs析出機構の解明

太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第117回講演会　2009/05/14
窒素ガス熱処理によって窒素をドープしたCZ-Si 結晶に形成されるSTD の熱的挙動

原明人, 及川拓也, 米永一郎

第56回応用物理学関係連合講演会　2009/03/30
個々のシリコンナノチェインの電気的ブレイクダウン

野上隆文, 河野日出夫, 市川聡, 米永一郎, 竹田精治

第56回応用物理学関係連合講演会　2009/03/30
半導体中の欠陥とその光学物性

米永一郎

日本金属学会2009年春期大会　2009/03/28
シリコンの曲げ変形と転位動特性

米永一郎, 太子敏則

日本物理学会第64回年次大会　2009/03/27
ホウ素およびリンを高濃度添加したシリコン中の格子欠陥形成

白川徹, 太子敏則, 米永一郎

日本物理学会第64回年次大会　2009/03/27
引き上げ法シリコンの種子-結晶界面におけるミスフィット転位発生現象

太子敏則, 米永一郎

東北大学金属材料研究所ワークショップ,　2009/01/19
Opto-TEM法によるZnO中の転位の局在電子状態解析

太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第116回講演会　2008/11/27
ZnOにおける転位とその硬度特性

米永一郎, 小泉晴比古, 太子敏則

金属材料研究所第116回講演会　2008/11/27
TEM内その場可視分光法によるw-ZnO単結晶中の転位の局在電子状態解析

太子敏則, 米永一郎

第4回励起ナノプロセス研究会　2008/11/21
Electric breakdown of individual Si nanochains International-presentation

T. Nogami, H. Kohno, S. Ichikawa, I. Yonenaga, S. Takeda

The 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology　2008/11/09
引き上げ法Ge結晶成長におけるBの偏析と固溶限

太子敏則, 村尾優, 米永一郎

第37回結晶成長国内会議　2008/11/04
Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO single-crystals International-presentation

H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

Dislocations 2008　2008/10/13
Dislocation impurity interaction in Si International-presentation

I. Yonenaga, T. Taishi

Dislocations 2008　2008/10/13
顕微鏡法を用いたナノ電子物性評価の現状と今後

第１８回格子欠陥フォーラム　2008/09/24
ZnO中の転位の電子励起誘起運動

太子敏則, 米永一郎

日本物理学会2008年秋季大会　2008/09/20
個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン

野上隆文, 河野日出夫, 竹田精治

日本物理学会2008年秋季大会　2008/09/20
ZnO結晶の硬度特性と転位挙動

小泉晴比古, 米永一郎, 太子敏則

日本物理学会2008年秋季大会　2008/09/20
In-situ analysis of opto-, electronic properties of defects in TEM observations International-presentation

Extended defects in semiconductors 2008　2008/09/14
Electronic Properties of Dislocations in wurtzite ZnO Bulk Single Crystals Freshly Induced by Plastic Deformation International-presentation

H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

Extended defects in semiconductors 2008　2008/09/14
Generation of misfit dislocations at the seeding interface in bulk crystal growth International-presentation

T. Taishi, K. Hoshikawa, I. Yonenaga

Extended defects in semiconductors 2008　2008/09/14
Strength and dislocation mobility in zinc oxide crystals International-presentation

I. Yonenaga, H. Koizumi, T. Taishi

Extended defects in semiconductors 2008　2008/09/14
Dislocation-impurity interaction under magnetic field International-presentation

I. Yonenaga, K. Takahashi, T. Taishi

Extended defects in semiconductors 2008　2008/09/14
Hardness and dislocation behavior in indentation of ZnO International-presentation

H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga

Extended defects in semiconductors 2008　2008/09/14
Dislocation-related energy levels in wurtzite ZnO International-presentation

H. Koizumi, T. Taishi, K. Fujii, H. Goto, T. Yao, I. Yonenaga

The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21
Impurity segregation in Si-rich SiGe International-presentation

I. Yonenaga, T. Ayuzawa, T. Taishi

The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21
Segregation and precipitation in heavily As-doped Czochralski Ge crystal growth International-presentation

T. Taishi, Y. Murao, I. Yonenaga

The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21
Dislocation control with impurity interactions in Si International-presentation

I. Yonenaga, T. Taishi

The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21
Dynamics and luminescence of dislocations in GaN International-presentation

I. Yonenaga, H. Makino, T. Taishi, T. Yao

The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21
Dislocation-oxygen interaction in Si under high magnetic field International-presentation

I. Yonenaga, K. Takahashi, T. Taishi

The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21
ウルツ鉱型酸化亜鉛中の転位に関係する局在電子準位

小泉晴比古, 太子敏則, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎

金属材料研究所第115回講演会　2008/05/13
GaN、ZnOにおける転位とその光学特性

米永一郎, 太子敏則, 藤井克司, 八百隆文

金属材料研究所第115回講演会　2008/05/13
引き上げ(CZ)法によるGe結晶成長におけるBの偏析現象-他の不純物、CZ-Siとの比較-

太子敏則, 八百隆文

金属材料研究所第115回講演会　2008/05/13
微小硬度試験法により導入されたZnO単結晶の転位の運動および光学特性

小泉晴比古, 太子敏則, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎

第55回応用物理学関係連合講演会　2008/03/27
高濃度GaおよびAs添加CZ-Ge結晶成長における偏析挙動

太子敏則, 村尾優, 米永一郎

日本金属学会2008年春期大会　2008/03/26
半導体の転位-不純物欠陥反応に対する強磁場の影響

米永一郎, 高橋弘紀, 太子敏則

日本金属学会2008年春期大会　2008/03/26
GaN、ZnOにおける転位とその光学特性

米永一郎, 上村祥史, 枝川圭一, 八百隆文

日本金属学会2008年春期大会　2008/03/26
ZnO中の転位に関係する局在電子準位

小泉晴比古, 太子敏則, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会第６３回年次大会　2008/03/22
ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動

米永一郎, 太子敏則, 小泉晴比古

日本物理学会第６３回年次大会　2008/03/22
塑性変形したバルク単結晶の降伏強度と転位の運動

小泉晴比古, 太子敏則, 米永一郎

金属材料研究所第114回講演会　2007/11/29
高濃度Ga、As添加CZ-Ge単結晶成長における不純物分析

太子敏則, 小泉晴比古, 米永一郎

金属材料研究所第114回講演会　2007/11/29
塑性変形した ZnO単結晶の光学特性

小泉晴比古, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎

金属材料研究所第114回講演会　2007/11/29
Dynamics of dislocations in plastically deformed ZnO International-presentation

I. Yonenaga, H. Koizumi, T. Taishi

Materials Research Society 2007 Fall Meeting　2007/11/26
Optical properties of ZnO including fresh dislocations induced by plastic deformation International-presentation

H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

Materials Research Society 2007 Fall Meeting　2007/11/26
Formation of multiple nanoscale twin boundaries acting as twinning superlattice in AlGaAs epilayers International-presentation

T. Taishi, I. Yonenaga, K. Shoda, S. Takeda

The 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures　2007/11/11
Electronic structure of a stacking fault in a commercial GaAs:Si wafer International-presentation

T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

The 34th International Symposium on Compound Semiconductors　2007/10/15
塑性変形したZnO単結晶の降伏強度と転位の運動

小泉晴比古, 米永一郎

日本物理学会第62回年次大会　2007/09/21
塑性変形したZnOの光学特性

小泉晴比古, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会第62回年次大会　2007/09/21
フレッシュな転位を導入したZnO単結晶の力学特性および光学特性

小泉晴比古, 太子敏則, 藤井克司, 後藤裕輝, 八百隆文, 米永一郎

第68回応用物理学会学術講演会　2007/09/04
Growth of lithium niobate (LiNbO₃) crystals by vertical Bridgman (VB) method International-presentation

T. Nishio, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Hoshikawa

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007/08/12
Growth of langasite (La₃Ga₅SiO₁₄) crystals by vertical Bridgman (VB) method in air and an Ar atmosphere for applications to pressure sensors International-presentation

T. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, I. Yonenaga, K. Hoshikawa

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007/08/12
Dopant segregation in SiGe International-presentation

I. Yonenaga, T. Ayuzawa, T. Taishi

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007/08/12
Low stacking fault areas in pseudomorphic ZnSe layers grown by photo molecular beam epitaxy International-presentation

R. Hirai, S. Ichikawa, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007/08/12
Multiple twin boundaries acting as superlattice in AlGaAs epilayers International-presentation

N. Yamamoto, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Shoda, S. Takeda

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007/08/12
Influence of seed/crystal interface shape on dislocation generation due to thermal shock in Czochralski Si crystal growth International-presentation

T. Taishi, I. Yonenaga, K. Hoshikawa

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007/07/22
Oxygen defects in langasite (La₃Ga₅SiO₁₄) single crystal grown by vertical Bridgman method International-presentation

T. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, I. Yonenaga, K. Hoshikawa

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007/07/22
Misfit strain control at seed/crystal interface for hetero-seeding crystal growth International-presentation

I. Yonenaga, T. Taishi

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007/07/22
Influence of High-Magnetic-Field on Dislocation-Oxygen Interaction in Silicon International-presentation

I. Yonenaga, K. Takahashi, T. Taishi

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007/07/22
Control of the stacking fault areas in pseudomorphic ZnSe layers by photo-molecular beam epitaxy International-presentation

R. Hirai, S. Ichikawa, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007/07/22
Electronic properties of twin boundaries in AlGaAs International-presentation

N. Yamamoto, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Shoda, S. Takeda

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007/07/22
Atomistic structure of stacking faults in a commercial GaAs:Si wafer revealed by cross-sectional STM International-presentation

T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

24th International Conference on Defects in Semiconductors　2007/07/22
AlGaAs薄膜中の多重双晶の電子状態

山本直紀, 太子敏則, 米永一郎, 正田薫, 竹田精治

金属材料研究所第113回講演会　2007/05/24
成長中光照射によるZnSe薄膜の構造変化

平井竜太, 市川聡, 竹田精治

日本顕微鏡学会第63回学術講演会　2007/05/20
Optical properties of twin boundaries in indirect gap AlGaAs International-presentation

K. Shoda, S. Takeda, N. Yamamoto

15th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2007/04/02
Dislocation motion in ZnSe International-presentation

I. Yonenaga, S. Itoh

15th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2007/04/02
MBE-VLS法で成長したZnSeナノワイヤーの光学特性

白濱武郎, 竹田精治, 石墨淳, 金光義彦

科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開－ポストスケーリングテクノロジー」研究成果発表会　2007/03/15
透過電子顕微鏡内における光照射・分光法の開発と応用

日本電子顕微鏡学会北海道支部・ビーム誘起・励起効果研究部会　2007/03/06
Atomistic structure of nanotwins in indirect-gap AlGaAs layers

N. Yamamoto, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Shoda, S. Takeda

IMR Workshop on Advanced Materials　2007/03/01
Site-selective growth of nanoparticle catalysts on silicon surfaces for growth of nanowires International-presentation

K. Torigoe, J. Kikkawa, S. Ichikawa, T. Ichihhashi, S. Takeda

The 10th ISSP International Symposium on Nanoscience at Surfaces　2006/10/09
成長中光照射によるZnSe疑似格子整合膜の構造変化

市川聡, 大野裕, 竹田精治

日本物理学会2006年秋季大会　2006/09/23
ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成

鳥越和尚, 吉川純, 市川聡, 市橋鋭也, 竹田精治

日本物理学会2006年秋季大会　2006/09/23
Quantitative analysis of optical polarization in semiconductor nanostructures by polarized cathodoluminescence spectroscopy in a transmission electron microscope International-presentation

S. Takeda

The 16th International Microscopy Congress　2006/09/03
Microstructure and optical properties of ZnSe nanowires grown on .ZnSe(001) with Fe catalysts International-presentation

T. Shirahama, S. Takeda, A. Ishizumi, Y. Kanemitsu

The 16th International Microscopy Congress　2006/09/03
Formation mechanism of silicon surface manoholes International-presentation

S. Takeda, T. Ichihashi, S. Iijima

The 16th International Microscopy Congress　2006/09/03
Growth property of silicon nanowires International-presentation

J. Kikkawa, S. Takeda

The 16th International Microscopy Congress　2006/09/03
Controlled arrangement of gold nanoparticles on silicon surfaces using high-energy electron beam International-presentation

K. Torigoe, T. Ichihhashi, S. Takeda

The 16th International Microscopy Congress　2006/09/03
Atomistic structure of ZnSe nanowires on ZnSe(001) grown catalytically at low temperatures International-presentation

T. Shirahama, S. Takeda, A. Ishizumi, Y. Kanemitsu

28th International Conference on the Physics of Semiconductors　2006/07/24
多重双晶をふくむAlGaAsエピタキシャル膜の光学特性

山本直紀

第53回応用物理学関係連合講演会　2006/03/22
高速電子ビームによるナノプロセス

竹田精治, 鳥越和尚

第53回応用物理学関係連合講演会　2006/03/22
荒れた表面におけるシリコンナノワイヤの触媒の成長制御

鳥越和尚, 吉川純, 市橋鋭也, 竹田精治

第53回応用物理学関係連合講演会　2006/03/22
光照射MBE法により成長させたGaAs(001)基板上ZnSe薄膜の構造評価

平井竜太, 市川聡, 竹田精治

第53回応用物理学関係連合講演会　2006/03/22
電子線照射によるナノプロセス

竹田精治

応用物理学会関西支部平成18年度関西支部セミナー　2006/02/07
Novel optical properties of twin boundaries in AlGaAs revealed by polarized cathodoluminescence spectroscopy in a transmission electron microscope International-presentation

K. Shoda, S. Takeda, N. Yamamoto

The 5th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices　2005/12/04
Nucleation and growth processes of silicon nanowires International-presentation

S. Takeda, N. Ozaki, K. Ueda, H. Kohno, J. Kikkawa

The 5th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices　2005/12/04
Growth rate and critical diameter of silicon nanowires International-presentation

J. Kikkawa, S. Takeda

Osaka University-Asia Pacific-Vietnam National University Hanoi Forum 2005　2005/09/27
Size Distribution of gold nanoparticles arranged on inhomogeneously roughened silicon International-presentation

K. Torigoe, S. Takeda

Osaka University-Asia Pacific-Vietnam National University Hanoi Forum 2005　2005/09/27
断面STM法およびTEM-CL法による半導体界面の原子・電子構造

第15回格子欠陥フォーラム　2005/09/22
劈開STM法によるn-GaAs:Si中の積層欠陥の電子状態

日本物理学会2005年秋季大会　2005/09/19
電子線照射したSi表面上でのAuナノ微粒子の選択的成長

鳥越和尚, 市橋鋭也, 竹田精治

第66回応用物理学会学術講演会　2005/09/07
Atomistic structure of CuPt-ordered GaInP alloys revealed by XSTM and polarized CL spectroscopy in a TEM International-presentation

23th International Conference on Defects in Semiconductors　2005/07/24
Arrangement of gold nanoparticles on rough surfaces introduced by electron irradiation with high flux International-presentation

K. Torigoe, T. Ichihhashi, S. Takeda

23th International Conference on Defects in Semiconductors　2005/07/24
Microstructure of a CuPt-ordered GaInP alloy revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy International-presentation

13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques　2005/07/03
光照射下偏光カソードルミネセンス法で調べるZnSe薄膜中の90^oα部分転位の光誘起運動

日本電子顕微鏡学会第61回学術講演会　2005/06/01
断面STM法およびTEM内偏光カソードルミネセンス法で調べるCuPt型GaInP薄膜中の反位相境界の光学特性

日本電子顕微鏡学会第61回学術講演会　2005/06/01
TEM内偏光カソードルミネセンス法で調べるAlGaAs薄膜中の双晶面の光学特性

山本直紀

日本電子顕微鏡学会第61回学術講演会　2005/06/01
Localized energy levels associated with dislocations in ZnSe revealed by polarized CL spectroscopy under light illumination International-presentation

S. Takeda

14th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2005/04/11
Atomistic structure of spontaneously-ordered GaInP alloy revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy and polarized cathodoluminescence spectroscopy International-presentation

S. Takeda

14th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2005/04/11
Dynamics of Au Adatoms on electron-irradiated rough Si surfaces International-presentation

K. Torigoe, T. Ichihhashi, S. Takeda

14th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2005/04/11
CuPt型GaInP中の反位相境界に自己形成された量子井戸構造からの偏光発光

第53回応用物理学関係連合講演会　2005/03/29
ZnSe中の転位の局在エネルギー準位：光照射その場偏光カソードルミネセンス法

第52回応用物理学関係連合講演会　2005/03/29
表面ラフネスがAuナノ微粒子の分布に与える影響

鳥越和尚, 市橋鋭也, 竹田精治

第52回応用物理学関係連合講演会　2005/03/29
AlGaAs中の多重双晶の光学特性

山本直紀

日本物理学会第60回年次大会　2005/03/24
VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径

吉川純, 竹田精治

日本物理学会第60回年次大会　2005/03/24
Growth of Au clusters in electron-irradiated rough Si surfaces International-presentation

K. Torigoe, T. Ichihhashi, S. Takeda

8th SANKEN International Symposium & 3rd International Symposium on Scientific and Industrial Nanotechnology　2004/12/06
Nucleation and growth processes of silicon nanowires International-presentation

S. Takeda, N. Ozaki, K. Ueda, H. Kohno, J. Kikkawa

Materials Research Society 2004 Fall Meeting　2004/11/29
Analysis of growth rate of silicon nanowires International-presentation

J. Kikkawa, S. Takeda

Materials Research Society 2004 Fall Meeting　2004/11/29
TEM-CL法による双晶面が存在するAlGaAsの光学特性の評価

山本直紀

日本物理学会2004年秋季大会　2004/09/12
MBE-VLS法で成長したZnSeナノワイヤーの光学特性

白濱武郎, 石墨淳, 金光義彦

日本物理学会2004年秋季大会　2004/09/12
荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数

鳥越和尚, 市橋鋭也, 竹田精治

日本物理学会2004年秋季大会　2004/09/12
触媒CVD法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析

吉川純, 竹田精治

日本物理学会2004年秋季大会　2004/09/12
再成長界面を基点に形成されるAlGaAs中の双晶の光学特性

望月多恵, 藤井克司

日本物理学会第59回年次大会　2004/03/27
ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構

白濱武郎, 竹田精治

日本物理学会第59回年次大会　2004/03/27
ラフネスを導入したSi表面におけるAu原子の拡散

鳥越和尚, 市橋鋭也, 竹田精治

日本物理学会第59回年次大会　2004/03/27
Formation and disappearance of stacking faults during epitaxial growth of ZnSe layers on GaAs International-presentation

International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials　2004/01/20
Formation of nanoholes on Si surfaces by electron irradiation International-presentation

International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials　2004/01/20
Growth of ZnSe nanowires with catalystic Fe particles by molecular beam epitaxy International-presentation

T. Shirahama, S. Takeda

International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials　2004/01/20
Diffusion of Au adatoms on Si surface irradiated by electrons International-presentation

K. Torigoe, T. Ichihashi, S. Takeda

International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials　2004/01/20
Initial stage of the growth of silicon nanowires International-presentation

J. Kikkawa, S. Takeda

International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials　2004/01/20
Nanocatalysts for the growth of silicon nanowires International-presentation

S. Takeda, N. Ozaki, H. Kohno, J. Kikkawa

International Symposium on the Creation of Novel Nanomaterials　2004/01/20
Formation and properties silicon/silicide/oxide nanochains International-presentation

H. Kohno, S. Ichikawa, T. Akita, K. Tanaka, S. Takeda

Materials Research Society 2003 Fall Meeting　2003/12/01
半導体ナノ構造の形成メカニズムとその応用の可能性:Si表面ナノホール,拡張欠陥を中心として

第13回格子欠陥フォーラム　2003/09/23
ZnSe薄膜中における積層欠陥の光誘起成長（TEM内光照射その場観察）

日本物理学会2003年秋季大会　2003/09/20
MBE法によるZnSeナノホイスカーの成長

白濱武郎, 竹田精治

日本物理学会2003年秋季大会　2003/09/20
Si表面ナノホールが存在する表面でのAu集合体の形成

鳥越和尚, 市橋鋭也, 秋田知樹, 竹田精治

日本物理学会2003年秋季大会　2003/09/20
金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温STM観察

吉川純, 竹田精治

日本物理学会2003年秋季大会　2003/09/20
Formation mechanism of the pairs of stacking faults in pseudomorphic ZnSe epilayers on GaAs International-presentation

N. Adachi, T. Shirahama, S. Takeda

13th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2003/03/31
Quantitative analysis of linear polarization by means of polarized cathodoluminescence spectroscopy in a TEM International-presentation

S. Takeda

13th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2003/03/31
Extension of stacking faults at low temperatures in a pseudomorphic ZnSe epilayer induced by laser illumination International-presentation

S. Takeda

13th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2003/03/31
水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程

吉川純, 植田耕平, 竹田精治

日本物理学会第58回年次大会　2003/03/28
電子線照射したSi(001)表面上での吸着原子の拡散と集合

鳥越和尚, 市橋鋭也, 竹田精治

日本物理学会第58回年次大会　2003/03/28
ZnSe薄膜中における積層欠陥の光誘起成長

竹田精治

日本結晶学会2002年秋季大会　2002/12/11
ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の形成機構

足立直人, 白濱武郎, 竹田精治

日本結晶学会2002年秋季大会　2002/12/11
Formation of extended defects in polycrystalline SiGe by electron irradiation International-presentation

J. Kikkawa, J. Yamasaki, M. Kohyama, S. Takeda

International Conference on Polycrystalline Semiconductors 2002　2002/09/10
ZnSe薄膜中における光照射による積層欠陥の形成（電子顕微鏡その場観察）

足立直人, 竹田精治

日本物理学会2002年秋季大会　2002/09/06
SiGe混晶における電子線照射誘起の拡張欠陥

吉川純, 香山正憲, 竹田精治

日本物理学会2002年秋季大会　2002/09/06
ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造とその形成機構

足立直人, 竹田精治

日本電子顕微鏡学会第58回学術講演会　2002/05/14
面欠陥からの偏光CL光の定量解析

竹田精治

日本物理学会第57回年次大会　2002/03/24
SiGeにおける電子線照射効果

吉川純, 山崎順, 河野日出夫, 竹田精治

日本物理学会第57回年次大会　2002/03/24
シリコンナノワイヤー成長におけるナノ触媒形成過程のSTM観察

植田耕平, 尾崎信彦, 竹田精治

日本物理学会第57回年次大会　2002/03/24
ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の生成消滅メカニズム

足立直人, 竹田精治

日本物理学会第57回年次大会　2002/03/24
劈開STM法によるCuPt型GaInP中の反位相境界の研究

竹田精治

日本物理学会2001年秋季大会　2001/09/17
金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察

植田耕平, 尾崎信彦, 竹田精治

日本物理学会2001年秋季大会　2001/09/17
ZnSe薄膜中のＶ字型積層欠陥の構造

足立直人, 竹田精治

日本物理学会2001年秋季大会　2001/09/17
Novel amorphization process in silicon induced by electron irradiation International-presentation

J. Yamasaki, H. Kohno, N. Ozaki, S. Takeda

19th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors　2001/08/27
Fabrication of nanohole periodic multilayer structure on silicon surface toward photonic crystal International-presentation

S. Takeda

21th International Conference on Defects in Semiconductors　2001/07/26
偏光CL-TEM法による半導体ナノ構造の光物性評価

竹田精治

日本電子顕微鏡学会第57回学術講演会　2001/05/10
シリコン表面ナノホール形成の初期過程

馬淵敏暢, 河野日出夫, 竹田精治

第48回応用物理学関係連合講演会　2001/03/28
シリコン表面ナノホールの配列機構

竹田精治

第48回応用物理学関係連合講演会　2001/03/28
STMによるシリコン表面ナノホールの形成初期過程の観察

尾崎信彦, 丹原匡彦, 濱田大介, 山崎順, 竹田精治

第48回応用物理学関係連合講演会　2001/03/28
シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム

馬淵敏暢, 河野日出夫, 竹田精治

日本物理学会第56回年次大会　2001/03/27
シリコン表面ナノホールのSTM観察

尾崎信彦, 丹原匡彦, 濱田大介, 山崎順, 竹田精治

日本物理学会第56回年次大会　2001/03/27
Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察

植田耕平, 尾崎信彦, 竹田精治

日本物理学会第56回年次大会　2001/03/27
Formation process of silicon surface nanoholes International-presentation

S. Takeda

12th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　2001/03/26
CL法による電子状態解析の基礎

日本電子顕微鏡学会関西支部・平成12年度電子顕微鏡技術研究会（非生物系）　2000/12/08
Control of the arrangement of nanoholes on silicon surface International-presentation

S. Takeda

Materials Research Society 2000 Fall Meeting　2000/11/27
シリコン表面ナノホールの形成機構

山崎順, 竹田精治

日本物理学会第55回年次大会　2000/09/22
シリコン表面上の電子線誘起欠陥のSTM観察

尾崎信彦, 丹原匡彦, 山崎順, 濱田大介, 白浜晃一, 河野日出夫, 竹田精治

日本物理学会第55回年次大会　2000/09/22
シリコン表面に形成した多形シリコンナノワイヤー

尾崎信彦, 竹田精治

日本物理学会第55回年次大会　2000/09/22
シリコンナノホールの極低温における形成過程

山崎順, 竹田精治

日本物理学会2000年春の分科会　2000/03/22
シリコン表面ナノホールの光物性

丹原匡彦, 竹田精治

日本物理学会2000年春の分科会　2000/03/22
シリコンナノワイヤーのTEM内その場可視分光装置による光学測定

尾崎信彦, 竹田精治

日本物理学会2000年春の分科会　2000/03/22
GaPの点欠陥移動における表面効果

池中清乃, 竹田精治

日本物理学会2000年春の分科会　2000/03/22
相変態研究のための可視分光−透過電子顕微鏡複合法の開発とその応用

竹田精治, 河野日出夫

科研費特定領域研究「材料組織制御をめざした相変態の微視的機構の解明」研究成果発表会　2000/01/29
TEM-CL法による自己形成量子井戸構造の研究

竹田精治

東北大学金属材料研究所平成11年度研究会　2000/01/13
Luminescence from self-organized quantum well structures in CuPt-ordered GaInP International-presentation

S. Takeda

Materials Research Society 1999 Fall Meeting　1999/11/29
Optical properties of Si nanowhiskers (nanowires) on a Si (111) surface International-presentation

N. Ozaki, S. Takeda

Materials Research Society 1999 Fall Meeting　1999/11/29
GaInP中の反位相境界に自己形成された量子井戸構造

竹田精治

日本物理学会1999年秋の分科会　1999/09/24
シリコン(111)表面上に生成したシリコンナノワイヤーの光物性

尾崎信彦, 竹田精治

日本物理学会1999年秋の分科会　1999/09/24
GaInP中の自己形成量子井戸構造からの発光

竹田精治

第60回応用物理学会学術講演会　1999/09/01
Point defect reaction in (Al)GaInP STQW lasers enhanced by laser operation International-presentation

A. Ihara, S. Takeda, S. Nagao, D. Diffily, Y. Satoh, K. Shimoyama, N. Hosoi

20th International Conference on Defects in Semiconductors　1999/07/26
GaInP中の反位相境界に起因する局在電子準位

竹田精治

日本物理学会第54回年会　1999/03/28
GaInPの反位相境界に起因する電子線誘起発光

竹田精治

第46回応用物理学関係連合講演会　1999/03/28
窒化物半導体cBN中の窒素バブルの形成

秋元成, 竹田精治

第46回応用物理学関係連合講演会　1999/03/28
Optical properties of anti-phase boundaries and Frenkel-type defects in CuPt-ordered GaInP studied by optical spectroscopy in a transmission electron microscope International-presentation

S. Takeda

11th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　1999/03/22
Formation of microcracks in an annealed cubic boron nitride International-presentation

M. Aki, S. Takeda

11th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　1999/03/22
構造が制御された水素導入シリコン極微結晶の光学特性

竹田精治

科研費特定領域研究「サブナノ格子物質におけるプロチウム新機能」研究成果発表会　1999/01/21
VLS growth of Si nanowhiskers on a H-terminated Si (111) surface International-presentation

N. Ozaki, S. Takeda, M. Hirata

Materials Research Society 1998 Fall Meeting　1998/11/30
自然超格子GaInPにおける反位相境界の光学的性質

竹田精治

日本物理学会1998年秋の分科会　1998/09/25
Electron-irradiation-induced disordering of CuPt-ordered GaInP studied by TEM-mode optical spectroscopy International-presentation

Y. Kawai, S. Takeda

10th Conference on Semiconducting and Insulating Materials　1998/06/01
電子顕微鏡内その場可視分光法によるCuPt型自然超格子GaInPの電子線誘起異常不規則化の研究

竹田精治

日本電子顕微鏡学会第54回学術講演会　1998/05/13
CuPt型自然超格子GaInPにおける電子線照射誘起欠陥反応

河井康幸, 竹田精治

日本物理学会第53回年会　1998/03/30
シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成

尾崎信彦, 竹田精治, 平田光兒

日本物理学会第53回年会　1998/03/30
c-BNの転位に形成された窒素バブル

秋元成, 竹田精治

日本物理学会第53回年会　1998/03/30
CuPt型自然超格子GaInPの電子線照射による不規則化

河井康幸, 竹田精治

第45回応用物理学関係連合講演会　1998/03/28
GaPおよびGaInP中の電子線誘起欠陥反応（TEM-CL法）

日本電子顕微鏡学会第42回シンポジウム　1997/10/31
c-BNの拡張欠陥

秋元成, 平田光兒

日本物理学会1997年秋の分科会,　1997/10/05
Formation of electron-irradiation-induced defects in GaP and GaInP studied by TEM-mode cathodoluminescence method International-presentation

Y. Kawai, S. Takeda

Scanning Microscopy 1997 Meeting　1997/05/10
Diffusion process of interstitial atoms in InP studied by transmission electron microscopy International-presentation

S. Takeda, M. Hirata

Materials Research Society 1996 Fall Meeting　1996/12/02
TEM内その場可視分光測定法の開発とその応用

竹田精治

日本電子顕微鏡学会第41回シンポジウム　1996/10/24
InPにおける点欠陥の拡散過程

竹田精治, 平田光兒

日本物理学会1996年秋の分科会,　1996/10/01
TEM内その場フォトルミネセンス法による半導体微細構造研究

日本物理学会1996年秋の分科会,　1996/10/01
InP中の格子間原子の拡散過程（その場透過型電子顕微鏡法）

竹田精治, 平田光兒

第57回応用物理学会学術講演会　1996/09/07
III-V族半導体の電子照射効果

竹田精治, 野田憲秀

東北大学金属材料研究所平成7年共同研究会　1995/11/06
TEM内その場PL/CL測定による半導体微細構造の研究

日本電子顕微鏡学会/電子顕微鏡とニューマイクロスコープの基礎研究部会平成7年度研究会　1995/10/26
GaPの電子線照射誘起欠陥のTEM内その場分光測定

竹田精治, 平田光兒

日本物理学会1995年秋の分科会　1995/09/27
InPにおける2次欠陥成長過程のTEM観察

齊藤長人, 平田光兒

日本物理学会1995年秋の分科会　1995/09/27
The clustering process of point defects in GaP studied by transmission electron microscopy International-presentation

S. Takeda, M. Hirata

18th International Conference on Defects in Semiconductors　1995/07/23
化合物半導体GaPにおける2次欠陥の成長過程

竹田精治, 平田光兒

日本物理学会第50回年会　1995/03/28
電子顕微鏡内におけるその場PL測定

日本電子顕微鏡学会／電子顕微鏡周辺機器の活用・開発とその応用に関する研究部会平成6年度研究会　1994/11/25
その場TEM/PL法によるCVDダイヤモンドの格子欠陥の研究

竹田精治

日本金属学会1994年秋期大会　1994/10/08
TEM内その場PL測定によるCVDダイヤモンドの格子欠陥の研究

竹田精治

第55回応用物理学会学術講演会　1994/09/17
TEM法によるGaP中の点欠陥移動度の評価

竹田精治, 平田光兒

日本物理学会1994年秋の分科会　1994/09/02
In-situ TEM-PL study of lattice defects in CVD-diamond International-presentation

S. Takeda, M. Hirata

13th International Congress on Electron Microscopy　1994/07/17
GaPの電子線誘起欠陥

竹田精治, 平田光兒

日本物理学会第49回年会　1994/03/28
HRTEM study of the (111) planar defect in heavily Si-doped GaAs International-presentation

S. Takeda, S. Horiuchi

8th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials　1993/04/05
TEM-ラマン分光による格子欠陥研究の可能性

竹田精治, 平田光兒

日本電子顕微鏡学会/電子顕微鏡周辺機器の活用・開発とその応用に関する研究部会平成4年度研究会　1992/12/11
ダイヤモンドの熱ルミネセンスIV

西田良男, 横田嘉宏, 平木昭夫, 岡田守民, 矢津修示

日本物理学会第47回年会　1992/03/27
ダイヤモンドの格子欠陥による熱ルミネセンスの増強

西田良男, 岡田守民, 中嶋猛, 佐藤周

京都大学原子炉実験所第26回学術講演会　1992/02/03
ダイヤモンドの熱ルミネセンスIII

西田良男, 横田嘉宏, 平木昭夫, 岡田守民, 矢津修示

日本物理学会第46回年会　1991/09/27
ダイヤモンドの熱ルミネセンスの格子欠陥による増強

西田良男, 岡田守民, 横田嘉宏, 平木昭夫, 矢津修示

1991年度光物性研究会　1991/05/24
合成ダイヤモンドの熱ルミネセンスの格子欠陥による増感

西田良男, 岡田守民, 矢津修示

第4回ダイヤモンドシンポジウム　1991/01/22
ダイヤモンドのサーモルミネセンスII

西田良男, 横田嘉宏, 河原田洋, 平木昭夫, 岡田守民

日本物理学会1990年秋の分科会　1990/10/02
ダイヤモンドのサーモルミネセンス

錦織均, 美田佳三, 西田良男, 横田嘉宏, 河原田洋, 平木昭夫

日本物理学会第45回年会　1990/03/30
アトムプローブと低温FIB加工法の複合による半導体粒界の構造・組成精密評価 Invited

大野裕

カメカテクニカルセミナー 2021
Twinning at lineages accompanied with cracking in Czochralski-grown LiTaO3 ingots

Y. Ohno, T. Kajigaya, K. Osako, T. Kochiya

22nd American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-22)　2021/08/02
Segregation mechanism of arsenic dopants at Si grain boundaries

Y. Ohno, T. Yokoi, Y. Shimizu, J. Ren, K. Inoue, Y. Nagai, K. Kutsukake, K. Fujiwara, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida

31st International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS31)　2021/07/26
Structural analysis of Si/diamond heterointerfaces fabricated by surface activated bonding using LT-FIB and STEM

Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, Y. Shimizu, Y. Nagai

Global Institute for Materials Research Tohoku Joint International Symposium on Radiation Effects in Materials and Actinide Science 2020 (GIMRT-REMAS2020)　2020/09/30

Show all Show first 5

Industrial Property Rights 2

タンタル酸リチウム結晶における転位評価方法

大野裕, 窪内裕太

Property Type: Patent
窒化物半導体積層構造体前駆体、窒化物半導体積層構造体、半導体装置、窒化物半導体積層構造体前駆体の製造方法、窒化物半導体積層構造体の製造方法

重川直輝, 梁剣波, 大野裕

Property Type: Patent

Research Projects 27

Control of nanostructures of directly-bonded Si/diamond interfaces by annealing

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

2021/04/01 - 2025/03/31
多結晶材料情報学による一般粒界物性理論の確立とスマートシリコンインゴットの創製

Offer Organization: 科学技術振興機構

System: 戦略的な研究開発の推進戦略的創造研究推進事業 CREST

Institution: 名古屋大学

2017/10 - 2024/03

More details Close

多結晶材料は、組織の複雑さと粒界の多様性により、普遍的な高性能化指針が不明確でした。本研究では、大量の実用多結晶ウェーハに対するデータ収集・機械学習・理論計算の連携により、一般粒界の構造・物性の理論構築を行う多結晶材料情報学を開拓します。その有用性を、データ科学によって設計され、理論に裏付けされた多結晶組織を有し、優れた特性を示す太陽電池用スマートシリコンインゴットの創製により実証します。
LT結晶育成における転位形成と多結晶化発生メカニズム解明

大野裕

Offer Organization: 住友金属鉱山株式会社

System: 共同研究

2017/04 - 2024/03
Potential induced degradation mechanism due to Na impurities in Si megasolar systems investigated by in-situ transmission electron microscopy

Yutaka Ohno

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Institution: Tohoku University

2018/04/01 - 2021/03/31

More details Close

Transmission electron microscopy combined with ab initio calculations reveals that, Na atoms would agglomerate at stacking faults (SFs) under an electronic interaction, reducing the SF formation energy. The energy would decrease with the decrease of the Fermi level: it is reduced by more than 10 mJ/m＾2 in p-type Si, whereas it was barely reduced in n-type Si. Owing to the energy reduction, Na atoms agglomerating at SFs in p-type Si are stable compared with those in n-type Si. It is also shown that Na atoms preferentially interact with grain boundaries (GBs), as well as with SFs, and the degree of the GB interaction would be related to the GB energy; the degree is high for GBs with a high GB energy such as random-angle GBs, and it is low for GBs with a low GB energy such as ∑3{111} GBs and SFs.
正極活物質のカソードルミネセンス

Offer Organization: 3. 住友金属鉱山株式会社

System: 共同研究

2018/04 - 2019/03
Glide motion and electronic structure of partial dislocations in 4H-SiC under electronic excitation conditions

Ohno Yutaka, MAEDA Koji

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: Tohoku University

2015/04/01 - 2018/03/31

More details Close

Photo-induced glide of 30degrees-Si partial dislocations in 4H-SiC was induced by the illumination of laser light with a sub-gap energy (2.71 eV and 3.06 eV) in a transmission electron microscope (TEM), and the glide was observed in-situ by TEM under photo-illumination. It was concluded that the glide was enhanced by the photo-ionization of the dislocations with a localized energy level below 0.55 eV in depth. Under the hypothesis that 1) the glide velocity was determined by the drift motion of kinks on the dislocations and 2) the driving force of the glide was related to the energy of the stacking faults bound by the dislocations as well as to the line tension of the dislocations, the activation energy for the kink motion was estimated to be below 0.6 eV.
Development of an apparatus for near-field Raman spectroscopy under transmission electron microscopy toward the degradation analyses of lithium ion battery

OHNO YUTAKA

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Institution: Tohoku University

2014/04/01 - 2016/03/31

More details Close

An intense laser probe about 10 micrometer in diameter was formed on a specimen under transmission electron microscopy (TEM). With the light probe, micro-Raman spectroscopy under TEM, with a spatial resolution of the order of 10 micrometer simultaneously with an energy resolution of 6 meV, was demonstrated. A metal tip covered with silver nanoparticles (60 nanometer in diameter) was placed on an arbitrary position in the above-mentioned laser probe, and a near-field light was induced at the apex by a tip-enhanced effect. However, the intensity of the near-field light was too low to demonstrate near-field Raman spectroscopy under TEM with a spatial resolution of 60 nanometer.
Elucidation of dislocation generation mechanism from seed boundaries in mono-like Si crystals

Kutsukake Kentaro, YONENAGA Ichiro, OHNO Yutaka, DEURA Momoko, NINOMIYA Shunya, SUGIOKA Shota

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

Institution: Tohoku University

2013/04/01 - 2016/03/31

More details Close

Mono-like method is a next-generation manufacture process for solar cells to grow quasi-single crystalline silicon in a crucible with low production cost. The purpose of this study is to reveal generation mechanism of dislocations from seed joints (grain boundaries) during crystal growth of mono-like silicon. We performed (1) growth and characterization of mono-like silicon crystals with various grain boundary structure, (2) quantitative characterization of dislocations and grain boundaries using PL imaging, and (3) stress analysis using finite element method. We found correlations between grain boundary structure and stress applied on dislocations and between the structure and dislocation generation.
Elucidation of dynamic characters of dislocations and their electronic and optical properties in wide bandgap semiconductors

YONENAGA Ichiro, OHNO Yutaka, TOKUMOTO Yuki, KUTSUKAKE Kentaro, DEURA Momoko

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Institution: Tohoku University

2012/04/01 - 2015/03/31

More details Close

In various wide bandgap semiconductors as III-nitrides, II-VI zinc compounds and IV-IV compounds, dislocations are one of the detrimental defects affecting the device functions and at present, crucial for controlling in order to improve device efficiencies. Thus, various intrinsic properties of dislocations in the semiconductors were comprehensively investigated in terms of dynamic, electrical and optical properties together with the atomic structures and discussed a new ability to functional devices.
Basic studies for magnetic functional silicon devices utilizing highly dislocated structures

YONENAGA Ichiro, OHNO Yutaka, TOKUMOTO Yuki

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Institution: Tohoku University

2011 - 2012

More details Close

Development of nano-clusters with ferromagnetic impurities along a dislocation in silicon was attempted in order to explore a new magnetic device according to the established knowledge of defect-impurity interaction in semiconductors. MnSi1.75 layers with a thickness of about 1 micron were formed in the surface region of heavily-dislocated Si.
Study of carbon impurities in bulk multicrystalline silicon

KUTSUKAKE Kentaro, YONENAGA Ichiro, OHNO Yutaka, TOKUMOTO Yuki, NAKAJIMA Kazuo, MORISHITA Kohei, MURAI Ryota

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

Institution: Tohoku University

2011 - 2012

More details Close

We investigated carbon impurities in multicrystalline Si for solar cells. Our targets were to reveal the behavior of carbon impurities in the crystal growth process and to quantify the electrical properties of carbon precipitations and dissolved impurities. For the former, we created a model of impurities incorporation and clarified the incorporation mechanism by comparing the calculation results based on the model and the results of crystal growth experiments. For the later, we demonstrated the influence of the carbon precipitates on the electrical properties of the crystal. The investigation for influence of the dissolved carbon impurities is the challenge for the future.
Atomistic and electronic structural analysis of the catalyst mechanism of metal nanoparticles in gases

TAKEDA Seiji, TANAKA Koji, HARUTA Masatake, KOHNO Hideo, OHNO Yutaka, ICHIKAWA Satoshi, AKITA Tomoki, TANAKA Shingo, FUJITANI Tadahiro, KOHYAMA Masanori, YOSHIDA Hideto

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

Institution: Osaka University

2007 - 2012

More details Close

Gold acts as catalyst for CO oxidation even below room temperature when it is supported on specific metal oxides in the form of nanoparticles. Having combined atomic resolution environmental transmission electron microscopy, catalyst chemistry and ab-initio computation, we performed the atomistic and electronic analyses on the morphology and the atomistic structure of gold nanoparticles, the adsorption sites of CO and the activation sites of O2at the reaction conditions. Furthermore, we succeeded in visualizing gas molecules that were adsorbed in metal nanoparticles at the reaction conditions.
ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

米永一郎, 大野裕, 徳本有紀, 太子敏則

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 特定領域研究

Institution: 東北大学

2009 - 2010

More details Close

高機能ナイトライドの実現に向けた障害が転位欠陥であり、その発生の抑制・不活性化など材料制御技術の開発が焦眉の課題である。特に、我々は結晶成長時に他の点欠陥・不純物と反応していないフレッシュな転位を導入し、その転位自身の有する固有の電子・光学物性を解明することを主たる目的とする。本年度、以下の成果を得た。 (1)高温9000Cでの塑性変形によって導入されたフレッシュな転位を有するGaNについて、基底面上の転位は部分転位に拡張し、浅く非発光の電子準位を有すること、一方、柱面上の転位は拡張せず、深い発光性の準位を有する特徴を見出し、さらにそれらに基づいて化合物半導体中の転位の関する普遍的特性を明らかにした。 (2)同じく高温で塑性変形したGaN結晶について、陽電子消滅法による評価を行い、陽電子の消滅寿命が著しく増加すること、すなわち塑性変形によって高密の度空孔型点欠陥が導みされることを見出した。 (3)サファイア基板上に準備したGaNバッファ層から一定方位のGaN薄膜が優先的に成長する過程について、高分解能電子顕微鏡観察による結晶構造解析を行い、バッファ層中でc軸方位とa軸方位の結合ボンドの間でのミスボンディング機構が存在することを発見した。
Formation mechanism of grown-in defects in Czochralski germanium crystal growth

TAISHI Toshinori, YONENAGA Ichiro, OHNO Yutaka, TOKUMOTO Yuki, MURAO Yu, ISE Hideaki, OHSAWA Takayuki

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

Institution: Tohoku University

2008 - 2009

More details Close

Germanium (Ge) has been expected as materials for high-speed ULSI devices and for the substrate or the bottom cell of III-V-based solar cells. In this study, grown-in defects, such as dislocation, precipitates and void, in Ge crystals grown by the Czochralski (CZ) method were experimentally evaluated and formation mechanisms of such defects were investigated. As typical results, we succeeded in growing dislocation-free Ge crystals, and the new growth technique was proposed. An equilibrium segregation coefficient of B in Ge was found to be 6.2. When As concentration in a Ge crystal exceeded 1×10^<19>cm^<-3>, plate-like GeAs precipitates were formed along {111} plane.
Optical properties of semiconductor nanostructures studied by Near-field optical spectroscopy in a TEM

OHNO Yutaka, YONENAGA Ichirou, TAISHI Toshinori, KOHNO Hideo

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: Tohoku University

2007 - 2009

More details Close

We have developed an apparatus for making a localized evanescent field spot on a specimen equipped in a transmission electron microscope. We have applied the apparatus for evaluating an optical response of dislocations in ZnO crystals, and revealed that screw dislocations in ZnO have a localized energy level of about 2.5eV in depth.
Self organized 3D nano fabrication and multi-ferroic devices

TABATA Hitoshi, KONO Hideo

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

2006 - 2009

More details Close

We have proposed to create new-type electronics (Biotronics) which is learned from bio fluctuation. As one of examples of controllable physical fluctuation system, we will fabricate spin and/or dipole frustrated materials. Based on new physical properties coming form co-existence of competed phases and "Yuragi" (frustration system), it will be developed that flexible and adaptable information system and devices originated from bio-inspired system. Regarding present electronic devices represented by C-MOS type FET, effort has been aimed at the reduction of size according to the Scaling Rule, high integration, and the realization of high speed information processing. Therefore until now, "strict and precise control" and "structural order control" have been realized with an enormous amount of effort. By referring to biological systems, this research will aim to realize novel devices (information processing devices, memory devices) that actively utilize "Yuragi" and "randomness", which were previously thought of as impediments. We have demonstrated that preliminary works on "Biological Function Imitating Devices : Stochastic Resonant Devices" by using organism innate "Information Yuragi : information processing principles based on stochastic resonance phenomena" ; all of which are based upon ideas completely opposite of traditional conceptions.
Fundamental study of nanofabrication by electron irradiation

TAKEDA Seiji, KOHNO Hideo, OHNO Yutaka, ICHIKAWA Satoshi

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Institution: Osaka University

2003 - 2006

More details Close

We have studied electron irradiation effects in semiconductor crystals by means of electron microscopy and associated experimental techniques. In addition to structural studies on electron-irradiation-induced defects in silicon, we have examined silicon surface nanoholes, which are introduced on a clean silicon surface by electron irradiation. We have experimentally determined the dependence of diameters, spatial distribution and excavating rate of silicon surface nanoholes on electron irradiation condition. This detailed date can be used for application of silicon surface nonoholes. Furthermore, we have found that gold nanoparticles of certain size can be formed on electron-irradiated silicon surface. The experimental procedure is as follows ; 1) preparation of a clean silicon surface, 2) irradiation of electron beam of the surface, 3) deposition of gold homogeneously on the surface, and 4) annealing the surface at elevated temperatures. Al the processes are carried out in ultra vacuum environment. As a result, gold nanoparticles are formed selectively on either the center or the periphery of the irradiated areas at the certain experimental condition. We have analyzed this peculiar phenomenon based on a simple model. We assume that electron irradiation induces atomistic roughness on surface according to the intensity profile of electron beam. This roughness, introduced heterogeneously on the surface, affects the surface diffusion of adatoms, i.e. deposited gold atoms. Extending a basic theory of surface diffusion and clustering of adatoms to that on the heterogeneously roughened surface, we have explained qualitatively our experimental result. Furthermore, having known that the size of the selectively grown gold nanoparticles on electron irradiated areas are commensurate to that as catalysts for growing silicon nanowires, we have actually succeeded in growing silicon nanowires from the selectively grown gold particle via vapor liquid solid (VLS) mechanism using silane as source gas. The experimental results summarized above will be utilized for nanofabrication of semiconductor crystals by electron irradiation.
シリコン表面ナノホールをテンプレートとしたナノ構造の作製とその光学特性の評価

大野裕

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 若手研究(A)

Institution: 大阪大学

2003 - 2005

More details Close

電子線照射によって薄膜表面上の任意の領域に形成できるナノメーターサイズのくぼみの集合(表面ラフネス)を核形成のための鋳型(テンプレート)とする位置制御された表面ナノ構造の形成に関し、その形成機構を精密解析した。また、形成されたナノ構造の光学特性を調べるための測定法を開発した。電子線の照射量に依存する表面ラフネスが存在するシリコン表面上に金原子を蒸着し、熱処理して金微粒子を形成したのちその空間分布と個々のサイズを調べた。解析より、表面ラフネスに依存する拡散係数および吸着係数の兼ね合いで金微粒子の空間分布とサイズが変化する、とする独自の理論で実験結果がよく説明できた(K.Torigoe, Y.Ohno, T.Ichihashi and S.Takeda, Inst.Phys.Conf.Ser.,in press)。当初計画していたくぼみの内部への金原子の充填は本研究手法では原理的に無理であることが明らかになったが、電子線量を調節し適当な表面ラフネスを導入すると、その表面上に選択的に金ナノ構造の集合体を形成できることを示した(K.Torigoe, Y.Ohno, T.Ichihashi, and S.Takeda, to be published in Physica B)。ナノ構造独自の光学特性を評価するためには、高い空間分解能で光学測定することが必然である。とりわけ、内部構造や形状に依存する偏光特性の評価が重要と考え、従来より独自に開発を進めてきた、透過型電子顕微鏡内その場可視分光測定装置の改良を進めた。その手法を用いて、半導体内部に存在するナノ構造の光学特性を明らかにした(Y.Ohno, Phys.Rev.B72(2005)121307(R),Y.Ohno, Appl.Phys.Lett.87(2005)181909,etc.)。
Optical properties of semiconductor nanostructures studied by in-stu optical spectroscopy in a transmission electron microscope.

OHNO Yutaka, KOHNO Hideo, TAKEDA Seiji

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Institution: Osaka University

1999 - 2000

More details Close

We have developed a new experimental method of transmission electronmicroscopy (TEM) combined with optical spectroscopy. Supported by the Grant-in-Aid, the apparatus for optical measurement has been much advanced, and is available for polarizing measurement. The polarization of light emitted from a small area of specimen, which is simultaneously observed by TEM, can now be analyzed. We have applied this advanced technique to study the light emitted from Cu-Pt type ordered GalnPsemiconductors. We have found that extended defects, so called antiphase boundary (APB) act as quantum wells which emits exitonic light due to interband transition. The key experimental data in this new finding is that we have determined convincingly that the light is well polarized according to the well structures. We have also measured the light emitted from silicon nanowires that were grown by our own recipe of crystal growth. We have observed polarized light presumably due to quantum confinement, even though much qualitative studies is needed. In conclusion, we have developed the new experimental technique, anddemonstrated that this is very much suitable for the studies on nanostructures and associated electronic structures. The techniques will be applied generally to various heterogeneous nanostructures which has gained much interest recently.
Formation mechanism of silicon surface nanoholes

TAKEDA Seiji, KOHNO Hideo, OHNO Gutaka

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A).

Institution: Osaka University

1998 - 2000

More details Close

The aim of this research project is to elucidate the formation mechanism of silicon surface nanoholes, which are introduced on silicon surface by high energy electron irradiation. Preliminary studies on the formation of nanoholes were carried out soon after the finding of surface nanoholes by the principal investigator of the research project. Supported by the grant, the systematic studies were made possible by means of transmission electron microscopy and scanning tunneling microscopy. Based on the substantial experimental data along with computer simulation, we have shown that the formation process of surface nanoholes is classified in the three stages. 1) The minimum electron energy needed for the formation of nanoholes has been determined to be 30keV.This shows that, as the primary event of the nanohole formation, single Si atoms on a surface are sputtered out, leaving surface vacancies behind. 2) Under electron irradiation, surface vacancies can migrate athermaly as well as thermally in the wide temperature range from 4 to 500K.3) Nanoholes are gradually excavated along the direction of ongoing electrons with the increase of electron dose. The peculiar phenomenon is accounted for by the anisotropic diffusion of surface vacancies via the momentum transfer from electrons to Si atoms located on the wall of nanohoels. The present study has clarified that the dynamic nature of atoms on surface at the states far from the equilibrium, which has been much less described so far. During the experiments which were proposed in the project, we have found a new phenomenon that electron irradiation renders crystalline silicon to amorphous silicon. The mechanism of the amorphization is also accounted for by the clustering of point defects under electron irradiation. The present study will be a basis for fabrication of nanostructures and Si-based microelectronic devices, since an electron beam can be focused on an area smaller than nano-meters and scanned easily.
透過電子顕微鏡内その場可視分光法による相変態現象の精密解析

竹田精治, 河野日出夫, 大野裕

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 特定領域研究(A)

Institution: 大阪大学

1999 - 1999

More details Close

結晶学・電子論の両面から微視的に相変態現象を研究するため透過電子顕微鏡法と分光学的手法を組合わせた複合的研究法「可視分光・透過電子顕微鏡複合法」を開発した。この手法をCuPt型の規則構造を持つGaInPの反位相境界の研究に適用し、試料中のメゾスコピックな領域での構造変化と、それに付随する電子状態の変化を原子レベルで理解した。高い空間分解能を持つカソードルミネッセンス測定法によりはじめて反位相境界からの微弱な偏光発光を検出した。バンド間遷移によるバンドギャップエネルギーE_gにピークを持つ発光に加え、より低いエネルギー側に4つの発光線として観察された。詳細な実験の結果、これらの発光は(T11)および(T10)原子面と平行な反位相境界面からの発光と分かった。発光の偏光特性を調べ、反位相境界に水平な面内に偏光していると結論された。これらの結果を統合すると、反位相境界内でホールの量子閉じこめが生じて2つの新しいホール準位が形成され、それらの準位を介して発光が生じると結論された。今回調べた発光線はマクロスコピックな研究によりその存在自体は10年以上も前から知られる。その発光起源の詳細な解明は、この複合研究手法を用いることで我々が初めて成し得たことであり、この手法の優位性・有益性を示している。今後はこの装置を、空間的に組成や構造の異なる様々な不均一試料に適用し、電子論・構造論の両面からより微視的な相変態研究を進めたい。
透過電子顕微鏡内その場可視分光法による相変態の研究

竹田精治, 河野日出夫, 大野裕

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 特定領域研究(A)

Institution: 大阪大学

1998 - 1998

More details Close

透過型電子顕微鏡内その場可視分光測定装置に液体窒素冷却システムを装備できたので感度が大幅に向上した。CuPt型規則構造を持つGalnPの電子線照射に伴う不規則化の研究にこの測定手法を適用したところ、相変態によるフォトルミネッセシス(PL)光の微少な強度の変化を検出できた。この試料は規則化の度合(規則度Sで定義)に応じてバンドギャップが変化して、それが可視発光スペクトルのピークエネルギーの移動として観測される。PLピークエネルギーの精密測定からSを厳密に見積もった。規則度Sと電子線照射量Dの関係をから電子線量D≦2×1020cm-2の領域で従来知られていなかった不規則化が明瞭に観測された。これは可視分光法の持つ非常に高いエネルギー分解能によるもので、透過電子回折法では定量的解析は困難であった。さらにSと発光強度の関係も求めた。規則度の減少、すなわち電子線照射量の増加に伴う発光強度の減少が見られる。この減少はマクロな原子構造の不規則化だけでは理解できない。実験結果は、照射で導入されたIII属(Gaおよびln原子)格子位置のフレンケル欠陥の関与した欠陥準位が発光効率に影響するとしてよく理解された。詳細な解析から、空格子点の拡散と自発的な対消滅が同時に進行するモデルで原子・電子構造に関する実験データを統一的に説明できた。以上の結果は原著論文(Phys.Rev.B59.2694(1999))として既に公表した。
構造が制御された水素導入シリコン極微結晶の光学特性の研究

大野裕, 竹田精治

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 特定領域研究(A)

Institution: 大阪大学

1998 - 1998

More details Close

シリコンに原子状水素を添加すると、その添加条件(温度や添加量など)により内部および表面にさまざまな水素誘起欠陥が導入されて、それに伴い電子状態にも変化が生じる。本研究はシリコン微結晶へ原子状水素を導入して意図的に原子構造や表面状態を制御し、それによる光学特性の変化を調べるのを目的とした。我々は、原子状水素で被覆されたシリコン基盤を使うことで、直径10nm以下(最小3nm)で形状や構造が制御された一次元シリコン結晶(シリコンナノホイスカー)の形成に成功した。形成されたホイスカーはダイヤモンド構造を持ち、基盤に非エピタキシャルまたはエビタキシャルに<112>および<111>方向に成長した。ホイスカーからのラマン散乱測定では、バルク試料に比べて幅広で非対称なラマンスペクトルが得られた。このスペクトルの変化はサイズ効果によると解釈された。我々は、上記のように微細構造を持つ半導体結晶の生成を通して新機能材料の創生を試み、一方でその評価のための測定装置の開発を行ってきた。すなわち当グループで独自開発された電子顕微鏡内その場可視分光測定装置で、顕微鏡観察と同時に光学測定を行っている。詳しい解析はまだ達成されていないが、その場フォトルミネセンス測定で試料からの可視発光(波長ピーク約670nm)が得られた。今後はさらに実験を進め、原子状水素が極微シリコン結晶の光学特性におよぼす効果を定量的に調べたい。
Defect reactions in semiconductors under electronic excitation condition studied by in-stu optical spectroscopy in a transmission electron microscope.

OHNO Yutaka, KOHNO Hideo, TAKEDA Seiji

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Institution: Osaka University

1997 - 1998

More details Close

We have systematically investigated point-defects-reactions in CuPt-ordered GaInP under an electronic excitation condition by means of cathodoluminescence (CL) and photoluminescence (PL) spectroscopy in a transmission electron microscope. A decrease of luminescence intensity by an electron-irradiation in the energy range above 120 keV has been observed. From an analysis of the variation rate of the luminescence intensity vs. electron dose, we have shown that the decrease is due to the Frenkel-type defects on the Ga and In sublattices generated by electron-irradiation, and the threshold election energies for the displacement of Ga and In atoms have been estimated to be 145 and 120 keV, respectively. Formation of the Frenkel-type defects on both the Ga land In sublattices results in the decrease of the degree of atomic ordering, and we have quantitatively studied the decrease by in-situ optical spectroscopy. We have proposed that 1) an electron-irradiation-induced migration of group-Ill (Ga and In) vacancies dominates the disordering in the dose range below 2x10^<20> cm^<-2>, and 2) spontaneous recombinations of a group-HI vacancy and an interstitial dominate the disordering in the dose range above 5x10^<21> cm^<-2>. We could first observe the recombination-enhanced migration of the group-Ill vacancies in (Ga, In)P, and the present experimental data may be useful for a general understanding of point-defect-reactions under electron-irradiation. This study has provided additional experimental data about the generation and migration of Ga- and In-vacancies under electron-irradiation. in-situ optical spectroscopy in a TEM method is useful to study defect-reactions under electron-irradiation.
相変態研究のための可視分光・透過電子顕微鏡複合法の開発

竹田精治, 河野日出夫, 大野裕

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 重点領域研究

Institution: 大阪大学

1997 - 1997

More details Close

【可視分光・TEM複合法による自然超格子GainPにおける電子線照射誘起の不規則化の研究】我々は透過型電子顕微鏡内でその場可視分光測定できる測定装置の開発を行い、それをCuPt型規則構造を持つGaInPの電子線照射に伴う不規則化の研究に適用した。電子線照射に伴う可視発光スペクトルを開発した装置を用いて測定した。この試料は規則化の度合い(規則度Sで定義)に応じてバンドギャップが変化するが、それがピークエネルギーの移動として観測される。ピークエネルギーより見積もった規則度のSの電子線照射による変化から、150keV以上のエネルギーの電子線照射で不規則化が生じることが判明した。本装置を用いると非常に微細な電子構造の変化が定量的に捉えられる。これは可視分光法の持つ非常に高いエネルギー分解能によるところである。不規則化過程は透過電子回析法でも観測されたが、原子構造の変化がわずかであり定量的解析は困難であった。特に本装置を用いて電子線照射に伴う発光強度の減少を見いだしたが、この減少はマクロな原子構造の不規則化だけでは理解できない。すなわち発光強度は照射量に逆比例して減少し、強度減少は130keV以上のエネルギーの電子線の照射で観測される。その減少率は点欠陥の導入効率に比例し、照射電子のエネルギーと関係する。これらの実験結果と理論的結果を詳細に解析した結果、照射で導入されたIII属(GaおよびIn原子)格子位置のフレンケル欠陥の関与した欠陥準位が発光効率に影響するとして理解された。現状では点欠陥反応と不規則化機構の対応はまだ理解されていないが、不規則化過程内でのミクロな点欠陥の反応とマクロな構造の変化を同時に捉えられる点でこの手法は非常に有益と考えられている。
透過型電子顕微鏡内その場分光測定による半導体中のメゾスコピックな欠陥の研究

大野裕

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 奨励研究(A)

Institution: 大阪大学

1995 - 1995

More details Close

これまで、透過電子顕微鏡観察とフォトルミネセンス測定や励起スペクトル測定などの分光学的測定は独立に行われおり、2つの結果を統一的に解釈することは困難であった。通常の電子顕微鏡観察下で試料を顕微分光測定する装置を製作し、GaP中の電子線照射誘起欠陥の研究に適用した。 GaPに200keVの電子線を照射し、700K以上の熱処理を加えると、照射誘起欠陥の熱的な拡散により格子間型の転位ループが導入される。照射条件(照射量、照射温度)および熱処理条件(熱処理温度、熱処理時間)を変化させた時のループの直径および数密度を測定した。ループに集合する全格子間原子数は照射量の2乗に比例し、熱処理温度に依らない事が分かった。解析の結果は、GaとPの格子間原子対の拡散によるループの形成を示唆する。透過型電子顕微鏡ではループを形成する照射誘起点欠陥は直接観測できなかった。この欠陥に関する知見を得るため、透過型電子顕微鏡内その場可視発光分光(フォトルミネセンス、カソードルミネセンス)測定を行った。試料は照射の有無によらず残留不純物からの発光のみを示した。照射の効果は、照射量に位存する不純物発光強度の減少として観測された。この減少は、電子線照射誘起欠陥の関与する非発光準位の形成として理解される。発光強度の減少は20K照射中には観測されないが、照射後に90Kに加熱すると強度の減少が見い出された。この結果は、(1)20K照射で導入されたフレンケル欠陥は90Kまで安定で、(2)非発光準位を生じる複合欠陥は格子間原子の熱的拡散で形成の2点を強く支持している。90Kにおいて、発光強度は照射時間の2乗に反比例して減少する。解析の結果は複合欠陥の生成に格子間原子が複数個関与することを示唆する。
Structure Analysis of Point-Defect-Aggregates in Semiconductors by Means of Crystallographic Techniques

TAKEDA Seiji, KOHYAMA Masanori, OHNO Yutaka, HIRATA Mitsuji

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)

Institution: Osaka University

1991 - 1992

More details Close

Point defects in a semiconducting material are introduced during crystal growth, heat treatment, electron irradiation and ion-implantation. It is well known that they gave a considerable chance to aggregate at elevated temperatures. Atomic structures of several aggregates have remained uncertain, and this fact has caused unnecessary confusion. In the present research, atomic structures of the aggregates have been analyzed by means of transmission electron diffraction and transmission electron microscopy. Since the atoms which constitute a covalent material have a strong tendency to form covalent bonds even in a defect region, it is expected that the atomic structure of aggregates has a kind of order. This is the reason of the advantage of transmission electron diffraction and electron microscopic techniques, which are very convenient means to analyze small particles of a periodic structure which are embedded in the matrix crystal. The results of our analysis are summarized as follows. 1. Defect on {113} in Si and Ge A proposed atomic model shows that interstitial Si atoms aggregate on {113} and form a reconstructed structure in the interior of a Si crystal. The model is characterized by 5-6-7-and 8-membered atomic rings and has no dangling bond in the {110} projection. The 6-membered rings constitute tiny rods of the hexagonal structure, and the 8-membered rings are related to the {113} surface structure. It has been confirmed based on an energy calculation that the energy per self interstitial atom in the reconstructed structure is distinctively smaller than that estimated for an isolated interstitial atom. 2. Planar defects in a Si-doped GaAs crystal Small precipitates of triangular shape are observed in a Si-doped GaAs crystal. Transmission electron microscopic study has indicated that the two {111} crystallographic net planes of Si are inserted between the two existing {111} net planes in a GaAs crystal. Furthermore, we have proposed a new atomic model for a hydrogen-induced platelet in Si based on the precise analysis of high-resolution electron microscopic images. In conclusion, the crystallographic techniques such as electron diffraction and microscopy are very useful in analyzing atomic structures of point-defect-aggregates in semiconducting materials.

Show all Show first 5

Social Activities 15

金属材料研究所第84回夏期講習会

2014/07/28 - 2014/07/29

More details Close

講義：粒界特性を制御したシリコン太陽電池結晶の開発
欧米で集光型太陽電池開発シフトへ

2009/10/25 -
東北大高品質ゲルマニウム単結晶の育成に成功

2009/09/20 -
ゲルマニウム単結晶東北大学が新引き上げ法開発

2009/09/16 -
ゲルマニウム単結晶高品質成長法を開発

2009/09/10 -
「高品質のゲルマニウム単結晶の育成に成功」

2009/09/08 -
高品質ゲルマニウム単結晶の育成に成功

2009/09/08 -
Joule heating transforms silicon nanochains into CNTs

2009/08/26 -

More details Close

Carbon nanotubes (CNTs) are typically synthesized by chemical vapor deposition using transition metals such as iron as a catalyst. Now researchers at Osaka University and Tohoku University, Japan, have found a new route to synthesizing CNTs. Here, silicon nanochains, a type of insulating nanowire, are transformed into carbon nanotubes by Joule heating.
自然科学の基礎を訪ねる「科学の最先端を市民に語る」第２１回湯川記念講演会

2005/11/19 -

More details Close

物理学実験のデモンストレーション
シリコンナノワイヤの最小直径

2005/11/18 -
電子線照射で金ナノ粒子配列

2005/11/04 -
シリコンナノワイヤの最小直径

2005/10/25 -
電子線照射で金ナノ粒子配列

2005/10/12 -
シリコン表面ナノホール

2001/09/18 -
青少年のための科学の祭典

1995/12/24 -

More details Close

物理実験のデモンストレーション

Show all Show first 5

Other 18

多結晶材料情報学による一般粒界物性理論の確立とスマートシリコンインゴットの創製

More details Close

多結晶材料は、組織の複雑さと粒界の多様性により、普遍的な高性能化指針が不明確でした。本研究では、大量の実用多結晶ウェーハに対するデータ収集・機械学習・理論計算の連携により、一般粒界の構造・物性の理論構築を行う多結晶材料情報学を開拓します。その有用性を、データ科学によって設計され理論に裏付けされた多結晶組織を有し、優れた特性を示す太陽電池用スマートシリコンインゴットの創製により実証します。
LT結晶育成における転位形成と多結晶化発生メカニズム解明

More details Close

LT結晶育成における転位形成と多結晶化発生メカニズム解明
軽量高効率近赤外光電素子のためのGe双晶超格子の形成にむけて

More details Close

軽量高効率近赤外光電素子のためのGe双晶超格子の形成にむけて
太陽電池用半導体中の粒界機能

More details Close

半導体中の転位、粒界、ドーパント・不純物原子(点欠陥)を研究対象とし、同一欠陥に対して原子配列を透過電子顕微鏡法、電気特性（電気伝導度と少数キャリア寿命）を透過電子顕微鏡内での電気・光学測定法、また組成分布をアトムプローブ法で調べ、個々の欠陥が電気伝導特性に及ぼす影響を評価します。
第21回格子欠陥フォーラム「格子欠陥が担うエネルギー・環境材料に関する挑戦課題」

More details Close

「格子欠陥が担うエネルギー・環境材料に関する挑戦課題」に関するシンポジウム
欠陥反応制御による太陽電池用シリコン結晶の高機能化

More details Close

欠陥反応制御による太陽電池用シリコン結晶の高機能化
In-situ analysis of opto-, electronic properties of defects in TEM observations

More details Close

透過電子顕微鏡内に設置された試料の顕微鏡観察領域に任意波長の光を照射し、電子顕微鏡(TEM)観察下でフォトルミネセンス分光、ラマン散乱分光およびカソードルミネセンス(CL)分光測定ができる新しい研究手法を開発してきました。この手法のユニークな点は、電子あるいは光の照射により局所的に電子励起状態となった試料に対し、顕微鏡観察によってマクロな結晶構造をとらえながら、顕微鏡では調べにくい、その内部における微小格子欠陥の生成・消滅・移動などの挙動を光学的測定により直接調べられることです。本手法に関連するいくつかの研究を招待講演で紹介します。
近接場光と高速電子の融合によるナノ機能創製

More details Close

透過電子顕微鏡観察(高速電子の照射)下で観察領域中に任意波長を持つ高輝度な局在近接場光(数10nm以下)を形成し、局所的な光学応答(電子励起による原子構造・電子状態変化および付随する光学的特性変化)を透過電子顕微鏡法と分光(フォトルミネセンス・ラマン分光など)測定法で評価する研究法を開発します。3次元構造変化と光学応答との相関に関するデータを同時に同一条件で得ることでナノメーター領域における光学応答の機構を原子・電子のレベルで解明し、新奇ナノ機能の創製を目指します。
酸化亜鉛中の転位の荷電状態に関する研究

More details Close

半導体中に転位が存在すると、その荷電状態に応じて電気・光学的特性が変化する。光学素子材料として期待される酸化亜鉛の場合、結晶成長中に導入された転位の荷電状態は既知だが、成長後にデバイス作成温度で導入された転位の荷電状態は未解明である。電子線ホログラフィー法などによりそれを明らかにし、転位が光学特性に及ぼす影響を評価する。また、触媒特性についても考察する。
波数分解カソードルミネセンス分光法の開発

More details Close

イメージ分光器などを用いて波数方向ごとのCL分光データ(強度、波長、偏光度など)を測定し、その微小領域の光学異方性を定量評価できるようにします。高い空間分解能で内部構造と光学的異方的特性を同時に評価する手法はまだ確立されておらず、その開発は意義深いと考えます。
３次元偏光カソードルミネセンス分光法の開発と応用

More details Close

透過電子顕微鏡観察と同時に観察領域内の任意の微小領域から放射されるカソードルミネセンス光の強度、波長および偏光度を定量測定する分光法を開発し、半導体ナノ構造体の原子構造と光学的特性の相関を直接評価する。
半導体欠陥・ナノ構造体の電気的・光学的特性その場評価

More details Close

半導体の表面・界面・内部に自発的・人工的に形成されるナノ構造や格子欠陥などを制御する、すなわち任意の機能を持つ構造体を設計・形成するには、1)機能の起源、2)機能の発現機構、および3)構造体の形成機構、を解明する必要があります。本研究は、半導体欠陥・ナノ構造体の電気的・光学的特性を直視的手法により評価することを目的とします。具体的には、東北大学にある透過電子顕微鏡内その場電流測定法およびその場可視分光法(カソードルミネセンス・フォトルミネセンス)を用い、特定の格子欠陥・ナノ構造体の結晶学的データと電気的・光学的データの同時評価を進めます。
Atomistic structure of ZnSe nanowires on ZnSe (001) grown catalytically at low temperatures

More details Close

触媒法によりZnSe(001)基板上に低温成長させたZnSeナノワイヤーの原子構造および電子状態に関する研究を行った。適切な触媒と成長条件を選ぶことで、従来は不可能であった、低温での高品質ZnSeナノワイヤーの成長に成功した。
第15回格子欠陥フォーラム「原子・電子レベルで観る格子欠陥・ナノ構造」

More details Close

第15回格子欠陥フォーラム「原子・電子レベルで観る格子欠陥・ナノ構造」を企画・運営した。
カーボンナノチューブ形成過程その場観察と物性制御への展開

More details Close

カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は最も注目されているナノ構造材料ですが、電子素子への応用は、基板上での高度なＣＮＴ成長制御の実現無しには有りえません。本研究では、化学気相成長によるＣＮＴ成長過程を、電子顕微鏡および分光学的手法によりその場観察する計測技術を開発し、形成過程の解明を通じて精密な成長制御・物性制御を実現します。これにより、ＣＮＴを用いた量子集積素子や光集積素子の実現が期待されます。
シリコン表面ナノホールをもちいた微小光学材料の創製

More details Close

シリコン表面ナノホールをもちいた微小光学材料の創製を試みた。
透過電子顕微鏡内その場光散乱分光測定による半導体極微小欠陥の熱的挙動の研究

More details Close

透過電子顕微鏡内その場光散乱分光測定による半導体極微小欠陥の熱的挙動の研究結果を発表した。
透過電子顕微鏡内その場光散乱分光測定による半導体極微小欠陥の熱的挙動の研究

More details Close

透過電子顕微鏡内その場光散乱分光測定により半導体極微小欠陥の熱的挙動を研究した。

Show all Show first 5