研究者詳細

顔写真

サクラバ　マサオ
櫻庭　政夫
Masao Sakuraba
所属
電気通信研究所　計算システム基盤研究部門　ナノ集積デバイス・システム研究室
職名
准教授
学位

  • 博士（工学）（東北大学）

Researcher ID
H-7504-2014
プロフィール

Ph.D. Researcher on materials science. Thinker for peace on the Earth based on empathetic intelligence.

- 研究業績リスト: https://www5a.biglobe.ne.jp/~tenrou/PresenList_MS.pdf

以下では、一般市民に対して誠実であろうとする科学者個人としての見解を投稿しています。
（投稿内容は所属機関とは一切関係ありません。）

- Personal Web: https://www5a.biglobe.ne.jp/~tenrou/

- Facebook: https://www.facebook.com/skrbmso

- X: https://x.com/Masao_Sakuraba

- Bluesky: https://bsky.app/profile/masao-sakuraba.bsky.social

経歴 14

  • 2023年4月 ～ 継続中
    東北大学　電気通信研究所 附属ナノ・スピン実験施設 ナノ集積デバイス・システム研究室 量子へテロ構造高集積化プロセス研究部　准教授

  • 2012年4月 ～ 2023年3月
    東北大学　電気通信研究所 附属ナノ・スピン実験施設 ナノ集積デバイス・プロセス研究室 量子へテロ構造高集積化プロセス研究部　准教授

  • 2007年4月 ～ 2012年3月
    東北大学　電気通信研究所 附属ナノ・スピン実験施設 ナノへテロプロセス研究室 量子へテロ構造高集積化プロセス研究部　准教授

  • 2004年4月 ～ 2007年3月
    東北大学　電気通信研究所 附属ナノ・スピン実験施設 ナノへテロプロセス研究部　助教授

  • 2002年8月 ～ 2004年3月
    東北大学　電気通信研究所 附属超高密度・高速知能システム実験施設 原子制御プロセス部　助教授

  • 1995年4月 ～ 2002年7月
    東北大学　電気通信研究所 附属超高密度・高速知能システム実験施設 原子制御プロセス部　助手

  • 2022年4月 ～ 継続中
    東北大学　電気通信研究機構　兼務研究者

  • 2002年8月 ～ 継続中
    東北大学　大学院工学研究科 電子情報システム・応物系　兼務教員

  • 2002年8月 ～ 継続中
    東北大学　工学部 電気情報物理工学科　兼務教員

  • 2020年 ～ 2022年
    岩手大学　理工学部　非常勤講師（10月から12月まで）

  • 2020年10月 ～ 2021年3月
    仙台高等専門学校　非常勤講師（広瀬キャンパス）

  • 2016年 ～ 2019年
    仙台高等専門学校　非常勤講師（前期，広瀬キャンパス）

  • 2010年 ～ 2013年
    仙台高等専門学校　非常勤講師（前期，広瀬キャンパス）

  • 2005年 ～ 2009年
    仙台電波工業高等専門学校　非常勤講師（前期）

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学歴 3

  • 東北大学　大学院工学研究科　電気及通信工学専攻 博士後期課程, 博士（工学）

    1992年4月 ～ 1995年3月

  • 東北大学　大学院工学研究科　電気及通信工学専攻 博士前期課程, 修士（工学）

    1990年4月 ～ 1992年3月

  • 東北大学　工学部　電気工学科, 学士（工学）

    1986年4月 ～ 1990年3月

委員歴 15

  • 米国電気化学会日本セクション　一般委員

    2023年1月 ～ 継続中

  • 新Ⅳ族半導体ナノエレクトロニクス国際ワークショップ　組織委員会, 委員長

    2018年2月 ～ 継続中

  • （社）応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会, ULSIデバイス研究委員会, 幹事

    2014年3月 ～ 継続中

  • 新Ⅳ族半導体ナノエレクトロニクス国際ワークショップ　組織委員会, 委員

    2005年4月 ～ 2017年2月

  • （社）応用物理学会　論文賞委員会, 委員

    2013年4月 ～ 2015年3月

  • （社）応用物理学会　和文機関紙「応用物理」編集委員会, 委員

    2010年4月 ～ 2012年3月

  • （社）電気学会　新IV族原子制御デバイス材料技術調査専門委員会, 幹事補佐

    2008年2月 ～ 2010年1月

  • （社）応用物理学会 東北支部　庶務幹事

    2008年1月 ～ 2009年12月

  • （社）電気学会 東北支部　協議員

    2007年5月 ～ 2009年5月

  • （社）電気学会　IV族系ヘテロ超微細デバイス材料技術調査専門委員会, 幹事補佐

    2006年2月 ～ 2008年1月

  • 電気関係学会東北支部連合大会　会計幹事

    2005年5月 ～ 2007年5月

  • （社）電気学会 東北支部　会計幹事

    2005年5月 ～ 2007年5月

  • （社）電気学会　IV族系へテロデバイス・システム材料技術調査専門委員会, 幹事補佐

    2004年2月 ～ 2006年1月

  • 新Ⅳ族（Si-Ge-C）半導体の物性制御と超高速・光・電子デバイス応用に関する国際ワークショップ　プログラム委員会, 委員

    2001年1月 ～ 2004年10月

  • （社）電気学会　超高速SiGeデバイス材料技術調査専門委員会, 幹事補佐

    2002年2月 ～ 2004年1月

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所属学協会 2

  • The Electrochemical Society

  • 応用物理学会

研究キーワード 6

  • 高集積化プロセス

  • プラズマ化学気相成長

  • エピタキシャル成長

  • IV族半導体

  • 量子効果デバイス

  • 歪ヘテロ構造

研究分野 6

  • ナノテク・材料 / ナノ構造物理 /

  • 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 /

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

  • ナノテク・材料 / 結晶工学 /

受賞 3

  1. 研究奨励賞

    2015年11月　（財）石田實記念財団　「Ⅳ族半導体量子ヘテロ構造高集積化のためのプラズマCVDプロセスに関する研究」

  2. 第12回（平成13年度） 研究奨励賞

    2002年3月　（財）トーキン科学技術振興財団　「原子層積層によるIV族半導体量子ヘテロ構造の製作」

  3. 新人研究者賞

    1992年8月　固体素子・材料に関する国際会議　“Atomic Layer Control of Germanium and Silicon on Silicon Using Flash Heating in Ultraclean Chemical Vapor Deposition”

論文 218

  1. SNDM Study of the MOS Interface State Densities on the 3C-SiC / 4H-SiC Stacked Structure 査読有り

    Hiroyuki Nagasawa, Yasuo Cho, Maho Abe, Takenori Tanno, Michimasa Musya, Masao Sakuraba, Yusuke Sato, Shigeo Sato

    Solid State Phenomena　362　(19)　33-40　2024年8月27日

    出版者・発行元： Trans Tech Publications, Ltd.

    DOI： 10.4028/p-3wy1yi 　

    eISSN：1662-9779

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    The layer structure of 3C-SiC stacked on 4H-SiC is implemented by simultaneous lateral epitaxy (SLE). The SLE, involving spontaneous nucleation of 3C-SiC(111) on the 4H-SiC(0001) surface followed by step-controlled epitaxy, facilitates the creation of a single-domain 3C-SiC layer with an epitaxial relationship to the underlying 4H-SiC, establishing a coherent (111)//(0001) interface aligned in the basal plane. An extremely low state density at an interface between thermally grown SiO2 and SLE-grown 3C-SiC layer is revealed by local deep level transient spectroscopy (local-DLTS) based on scanning nonlinear dielectric microscopy (SNDM).

  2. Electron-cyclotron resonance Ar plasma-induced electrical activation of B atoms without substrate heating in B doped Si epitaxial films on Si(100) 査読有り

    Wu Li, Masao Sakuraba, Shigeo Sato

    Materials Science in Semiconductor Processing　107　2020年3月1日

    DOI： 10.1016/j.mssp.2019.104823 　

    ISSN：1369-8001

  3. Silicon-Carbon alloy film formation on Si(100) using SiH4 and CH4 reaction under low-energy ECR Ar plasma irradiation 査読有り

    Shogo Sasaki, Masao Sakuraba, Hisanao Akima, Shigeo Sato

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　70　188-192　2017年11月

    DOI： 10.1016/j.mssp.2016.10.046 　

    ISSN：1369-8001

    eISSN：1873-4081

  4. Electronic properties of Si/Si-Ge Alloy/Si(100) heterostructures formed by ECR Ar plasma CVD without substrate heating 査読有り

    Naofumi Ueno, Masao Sakuraba, Yoshihiro Osakabe, Hisanao Akima, Shigeo Sato

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　70　55-62　2017年11月

    DOI： 10.1016/j.mssp.2016.09.035 　

    ISSN：1369-8001

    eISSN：1873-4081

  5. Electrical properties and B depth profiles of in-situ B doped Si films grown by ECR Ar plasma CVD without substrate heating 査読有り

    Koya Motegi, Naofumi Ueno, Masao Sakuraba, Yoshihiro Osakabe, Hisanao Akima, Shigeo Sato

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　70　50-54　2017年11月

    DOI： 10.1016/j.mssp.2016.10.030 　

    ISSN：1369-8001

    eISSN：1873-4081

  6. Low-Energy Plasma CVD for Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors in Nanoelectronics (eBook) 査読有り

    Chemical Vapor Deposition (CVD): Types, Uses and Selected Research, Chapter: 4, Publisher: Nova Science Publishers, Editors: Monica Powell, pp.61-115　61-115　2017年2月

  7. Low-Energy Plasma CVD for Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors in Nanoelectronics (Book) 査読有り

    M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato

    Chemical Vapor Deposition (CVD): Types, Uses and Selected Research, Chapter: 4, Publisher: Nova Science Publishers, Editors: Monica Powell, pp.61-115　61-115　2017年2月

  8. Computational Efficiency of a Modular Reservoir Network for Image Recognition 査読有り

    Yifan Dai, Hideaki Yamamoto, Masao Sakuraba, Shigeo Sato

    Frontiers in Computational Neuroscience　15　2021年2月5日

    出版者・発行元： Frontiers Media SA

    DOI： 10.3389/fncom.2021.594337 　

    eISSN：1662-5188

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    Liquid state machine (LSM) is a type of recurrent spiking network with a strong relationship to neurophysiology and has achieved great success in time series processing. However, the computational cost of simulations and complex dynamics with time dependency limit the size and functionality of LSMs. This paper presents a large-scale bioinspired LSM with modular topology. We integrate the findings on the visual cortex that specifically designed input synapses can fit the activation of the real cortex and perform the Hough transform, a feature extraction algorithm used in digital image processing, without additional cost. We experimentally verify that such a combination can significantly improve the network functionality. The network performance is evaluated using the MNIST dataset where the image data are encoded into spiking series by Poisson coding. We show that the proposed structure can not only significantly reduce the computational complexity but also achieve higher performance compared to the structure of previous reported networks of a similar size. We also show that the proposed structure has better robustness against system damage than the small-world and random structures. We believe that the proposed computationally efficient method can greatly contribute to future applications of reservoir computing.

  9. Learning rule for a quantum neural network inspired by Hebbian learning 査読有り

    Yoshihiro Osakabe, Shigeo Sato, Hisanao Akima, Mitsunaga Kinjo, Masao Sakuraba

    IEICE Transactions on Information and Systems　E104D　(2)　237-245　2021年2月1日

    DOI： 10.1587/transinf.2020EDP7093 　

    ISSN：0916-8532

    eISSN：1745-1361

  10. A spiking neuron MOS circuit for low-power neuromorphic computation 査読有り

    佐藤茂雄, 田村祐樹, 守谷 哲, 加藤達暉, 櫻庭政夫, 堀尾喜彦, Jordi Madrenas

    Proceedings of International Symposium on Nonlinear Theory and Its Applications　80-80　2019年12月

  11. An Izhikevich model neuron MOS crcuit for low voltage operation 査読有り

    Yuki Tamura, Satoshi Moriya, Tatsuki Kato, Masao Sakuraba, Yoshihiko Horio, Shigeo Sato

    Proceedings of 28th International Conference on Artificial Neural Networks　718-723　2019年9月

  12. IzhikevichニューロンモデルMOS回路の提案

    田村祐樹, 守谷 哲, 加藤達暉, 櫻庭政夫, 堀尾喜彦, 佐藤茂雄

    電子情報通信学会技術報告　NC2018-60　93-93　2019年3月

  13. Amphiphobic Septa Enhance the Mechanical Stability of Free-Standing Bilayer Lipid Membranes 査読有り

    Daichi Yamaura, Daisuke Tadaki, Shun Araki, Miyu Yoshida, Kohei Arata, Takeshi Ohori, Ken-ichi Ishibashi, Miki Kato, Teng Ma, Ryusuke Miyata, Hideaki Yamamoto, Ryugo Tero, Masao Sakuraba, Toshio Ogino, Michio Niwano, Ayumi Hirano-Iwata

    LANGMUIR　34　(19)　5615-5622　2018年5月

    DOI： 10.1021/acs.langmuir.8b00747 　

    ISSN：0743-7463

  14. Quantum Associative Memory with Quantum Neural Network via Adiabatic Hamiltonian Evolution 査読有り

    Yoshihiro Osakabe, Hisanao Akima, Masao Sakuraba, Mitsunaga Kinjo, Shigeo Sato

    IEICE TRANSACTIONS ON INFORMATION AND SYSTEMS　E100D　(11)　2683-2689　2017年11月

    DOI： 10.1587/transinf.2017EDP7138 　

    ISSN：1745-1361

  15. Neuro-inspired quantum associative memory using adiabatic hamiltonian evolution 査読有り

    Yoshihiro Osakabe, Shigeo Sato, Hisanao Akima, Masao Sakuraba, Mitsunaga Kinjo

    Proceedings of the International Joint Conference on Neural Networks　2017-　803-807　2017年6月30日

    出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

    DOI： 10.1109/IJCNN.2017.7965934 　

  16. Complexity reduction of neural network model for local motion detection in motion stereo vision 査読有り

    Hisanao Akima, Susumu Kawakami, Jordi Madrenas, Satoshi Moriya, Masafumi Yano, Koji Nakajima, Masao Sakuraba, Shige Sato

    Lecture Notes in Computer Science (including subseries Lecture Notes in Artificial Intelligence and Lecture Notes in Bioinformatics)　10639　830-839　2017年

    出版者・発行元： Springer Verlag

    DOI： 10.1007/978-3-319-70136-3_88 　

    ISSN：1611-3349 0302-9743

  17. Carrier properties of B atomic-layer-doped Si films grown by ECR Ar-plasma-enhanced CVD without substrate heating 査読有り

    Masao Sakuraba, Katsutoshi Sugawara, Takayuki Nosaka, Hisanao Akima, Shigeo Sato

    SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS　18　(1)　294-306　2017年

    DOI： 10.1080/14686996.2017.1312520 　

    ISSN：1468-6996

    eISSN：1878-5514

  18. CMOS Majority Circuit with Large Fan-In 査読有り

    Hisanao Akima, Yasuhiro Katayama, Masao Sakuraba, Koji Nakajima, Jordi Madrenas, Shigeo Sato

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS　E99C　(9)　1056-1064　2016年9月

    DOI： 10.1587/transele.E99.C.1056 　

    ISSN：1745-1353

  19. Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors by Low-Energy Plasma CVD for Quantum Heterointegration in Nanoelectronics (Invited Paper) 査読有り

    M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato

    Abstracts of the Energy Materials Nanotechnology (EMN) Meeting on Epitaxy, Budapest, Hungary, Sep. 4-8, 2016　2016年9月

    DOI： 10.13140/RG.2.2.27706.18889 　

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    Abstract presented at the Energy Materials Nanotechnology (EMN) Meeting on Epitaxy, Budapest, Hungary, Sep. 4-8, 2016, No.A19, pp.61-63.

  20. CMOS Majority Circuit with Large Fan-In 査読有り

    Hisanao Akima, Yasuhiro Katayama, Masao Sakuraba, Koji Nakajima, Jordi Madrenas, Shigeo Sato

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS　E99C　(9)　1056-1064　2016年9月

    DOI： 10.1587/transele.E99.C.1056 　

    ISSN：1745-1353

  21. Research and Development of Group IV Quantum Heterointegration Processing (Masao Sakuraba) (in English) 査読有り

    Masao Sakuraba

    2016年6月

    DOI： 10.13140/RG.2.1.1667.0322 　

  22. IV族半導体量子ヘテロ構造高集積化プロセスの研究開発（櫻庭政夫）（Research and Development of Group IV Quantum Heterointegration Processing (Masao Sakuraba) (in Japanese)） 査読有り

    Masao Sakuraba

    2016年6月

    DOI： 10.13140/RG.2.1.3764.1844 　

  23. C and Si delta doping in Ge by CH3SiH3 using reduced pressure chemical vapor deposition 査読有り

    Yuji Yamamoto, Naofumi Ueno, Masao Sakuraba, Junichi Murota, Andreas Mai, Bernd Tillack

    THIN SOLID FILMS　602　24-28　2016年3月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2015.09.046 　

    ISSN：0040-6090

  24. Learning Method for a Quantum Bit Network 査読有り

    Yoshihiro Osakabe, Shigeo Sato, Mitsunaga Kinjo, Koji Nakajima, Hisanao Akima, Masao Sakuraba

    ARTIFICIAL NEURAL NETWORKS AND MACHINE LEARNING - ICANN 2016, PT I　9886　558-559　2016年

    ISSN：0302-9743

  25. Effects of interfacial chemical states on the performance of perovskite solar cells 査読有り

    Teng Ma, Daisuke Tadaki, Masao Sakuraba, Shigeo Sato, Ayumi Hirano-Iwata, Michio Niwano

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A　4　(12)　4392-4397　2016年

    DOI： 10.1039/c5ta08098c 　

    ISSN：2050-7488

    eISSN：2050-7496

  26. 大脳皮質視覚野において局所運動を検出する神経回路網モデルのLSI化

    秋間学尚, 守谷哲, 川上進, 矢野雅文, 中島康治, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄

    信学技報　115　(111)　57-62　2015年6月23日

    出版者・発行元： 電子情報通信学会

    ISSN：0913-5685

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    ISSN 0913-5685, レポート番号 NC2015-4

  27. XPSによるIV族半導体材料における 深さ方向組成分布の評価事例 招待有り

    櫻庭政夫, 秋間学尚, 佐藤茂雄, 室田淳一

    表面分析研究懇談会講演要旨（2015年6月18～19日、（株）島津製作所秦野工場） 講演要旨集　6-1-6-9　2015年6月18日

    出版者・発行元： 島津製作所

    DOI： 10.13140/RG.2.1.2125.3284 　

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    XPS のナノメートルオーダの高い表面感度を利用して、IV 族半導体におけるサブナノメートル精度での深さ方向組成分布を評価した事例について解説した。それらの結果は、XPS を駆使した評価分析手法のポテンシャルの高さを示唆するものである。脱出角度依存性から推定する手法は、本手法のみでは同種原子が複数の深さ領域に分散しているかどうかを判定できないという制約があるが、XPS 測定するだけの非破壊的手法であり、同一試料を他の評価手法でも分析して結果を比較検証できるメリットがある。一方、表面層エッチングとの複合的手法では、XPS 測定以外のエッチング方法において多くの課題があるが、ほぼ直接的に深さ方向組成プロファイルが得られるというメリットがある。今後の最先端の半導体デバイスの研究開発においては、急峻なヘテロ界面形成や局所的な高濃度不純物ドーピング制御技術の確立が求められるものと考えられ、その中での XPS を駆使した評価の重要性も増していくと考えられる。

  28. Structure and optical properties of Si and SiGe layers grown on SiO2 by chemical vapor deposition 査読有り

    A. A. Shklyaev, V. I. Vdovin, V. A. Volodin, D. V. Gulyaev, A. S. Kozhukhov, M. Sakuraba, J. Murota

    THIN SOLID FILMS　579　131-135　2015年3月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2015.02.076 　

    ISSN：0040-6090

  29. Superconductivity Coherence in Series Array of Nb/AlOx/Nb Josephson Junctions

    刑部 好弘, 佐藤 茂雄, 小野美 武, 秋間 学尚, 櫻庭 政夫

    電気関係学会東北支部連合大会講演論文集　2015　10-10　2015年

    出版者・発行元： 電気関係学会東北支部連合大会実行委員会

    DOI： 10.11528/tsjc.2015.0_10 　

  30. STMを用いた電子注入によるSi表面終端水素原子の脱離に関する研究

    李 武, 佐藤 茂雄, 秋間 学尚, 櫻庭 政夫

    電気関係学会東北支部連合大会講演論文集　2015　140-140　2015年

    出版者・発行元： 電気関係学会東北支部連合大会実行委員会

    DOI： 10.11528/tsjc.2015.0_140 　

  31. Formation of stress free silicon nitride films by silane reaction and nitridation under ECR nitrogen plasma irradiation 査読有り

    M. Sakuraba, M. Saito, J. Murota

    Abstracts of the 7th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7, November 16-20, 2003, Nara, Japan)　212-212　2015年

    出版者・発行元： Unpublished

    DOI： 10.13140/RG.2.1.3317.2641 　

  32. Hydrogen atom desorption induced by electron bombardment on si surface 査読有り

    W. Li, S. Sato, H. Akima, M. Sakuraba

    ECS Transactions　69　(31)　35-38　2015年

    出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.

    DOI： 10.1149/06931.0035ecst 　

    ISSN：1938-6737 1938-5862

  33. Izhikevich neuron circuit using stochastic logic 査読有り

    S. Sato, H. Akima, K. Nakajima, M. Sakuraba

    ELECTRONICS LETTERS　50　(24)　1795-U157　2014年11月

    DOI： 10.1049/el.2014.3627 　

    ISSN：0013-5194

    eISSN：1350-911X

  34. Epitaxial Growth of Si1−xGex Alloys and Ge on Si(100) by Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition without Substrate Heating 査読有り

    N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota, S. Sato

    Thin Solid Films　557　31-35　2014年4月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2013.11.023 　

    ISSN：0040-6090

  35. Nitrogen doping effect upon hole tunneling characteristics of Si barriers in Si1-xGex/Si resonant tunneling diode 査読有り

    Tomoyuki Kawashima, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　557　302-306　2014年4月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2013.08.124 　

    ISSN：0040-6090

  36. Epitaxial growth of B-doped Si on Si(100) by electron-cyclotron-resonance Ar plasma chemical vapor deposition in a SiH4-B2H6-H-2 gas mixture without substrate heating 査読有り

    Yusuke Abe, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　557　10-13　2014年4月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2013.08.118 　

    ISSN：0040-6090

  37. ATOMICALLY CONTROLLED PROCESSING FOR NITROGEN DOPING OF GROUP IV SEMICONDUCTORS 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    2014 12TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT)　2014年

  38. Majority Neuron Circuit Having Large Fan-in with Non-volatile Synaptic Weight 査読有り

    Hisanao Akima, Yasuhiro Katayama, Koji Nakajima, Masao Sakuraba, Shigeo Sato

    PROCEEDINGS OF THE 2014 INTERNATIONAL JOINT CONFERENCE ON NEURAL NETWORKS (IJCNN)　4266-4271　2014年

    ISSN：2161-4393

  39. Atomic-Order Thermal Nitridation of Si, Si1-xGex and Ge by NH3 招待有り 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 6: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING　61　(2)　97-104　2014年

    DOI： 10.1149/06102.0097ecst 　

    ISSN：1938-5862

  40. Surface Reaction in Thin Film Formation of Si1-xGex Alloys on Si(100) by Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition without Substrate Heating 査読有り

    Naofumi Ueno, Masao Sakuraba, Shigeo Sato

    SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES　64　(6)　99-105　2014年

    DOI： 10.1149/06406.0099ecst 　

    ISSN：1938-5862

  41. X-Ray Photoemission Study of SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures 査読有り

    Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS　E96C　(5)　680-685　2013年5月

    DOI： 10.1587/transele.E96.C.680 　

    ISSN：0916-8524

    eISSN：1745-1353

  42. Epitaxial growth of heavily B-doped Si and Ge films on Si(100) by low-energy ECR Ar plasma CVD without substrate heating 査読有り

    Yusuke Abe, Shuji Kubota, Masao Sakuraba, Junichi Murota, Shigeo Sato

    ECS Transactions　58　(9)　223-228　2013年

    出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.

    DOI： 10.1149/05809.0223ecst 　

    ISSN：1938-6737 1938-5862

  43. Formation and Characterization of Strained Si1-xGex Films Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate Heating 査読有り

    Naofumi Ueno, Masao Sakuraba, Junichi Murota, Shigeo Sato

    ULSI PROCESS INTEGRATION 8　58　(9)　207-211　2013年

    DOI： 10.1149/05809.0207ecst 　

    ISSN：1938-5862

  44. Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma CVD Processing 招待有り 査読有り

    Masao Sakuraba, Junichi Murota

    ULSI PROCESS INTEGRATION 8　58　(9)　195-200　2013年

    DOI： 10.1149/05809.0195ecst 　

    ISSN：1938-5862

  45. Atomically Controlled CVD Processing of Group IV Semiconductors for Strain Engineering and Doping in Ultralarge Scale Integration 招待有り 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    2013 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS AND THIN FILM TRANSISTORS (ULSIC VS. TFT 4)　54　(1)　55-64　2013年

    DOI： 10.1149/05401.0055ecst 　

    ISSN：1938-5862

  46. Atomically controlled CVD processing of group IV semiconductors for ultra-large-scale integrations 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology　3　(2)　023002 (4 pages)　2012年6月

    DOI： 10.1088/2043-6262/3/2/023002 　

    ISSN：2043-6262

  47. Behavior of N atoms after thermal nitridation of Si1-xGex surface 査読有り

    Tomoyuki Kawashima, Masao Sakuraba, Bernd Tillack, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　520　(8)　3392-3396　2012年2月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.108 　

    ISSN：0040-6090

  48. Strain control of Si and Si1-yCy layers in Si/Si 1-yCy/Si(100) heterostructures 査読有り

    Tomohira Kikuchi, Masao Sakuraba, Ioan Costina, Bernd Tillack, Junichi Murota

    2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings　122-123　2012年

    DOI： 10.1109/ISTDM.2012.6222488 　

  49. Atomically Controlled CVD Technology of Group IV Semiconductors for Ultra large Scale Integration 招待有り 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    2012 IEEE 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT-2012)　293-296　2012年

    DOI： 10.1109/ICSICT.2012.6467700 　

  50. Strain Control of Si and Si1-x-yGexCy Layers in Si/Si1-x-yGexCy/Si Heterostructures by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 招待有り 査読有り

    Junichi Murota, Tomohira Kikuchi, Jiro Hasegawa, Masao Sakuraba

    SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 5: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES　50　(9)　245-254　2012年

    DOI： 10.1149/05009.0245ecst 　

    ISSN：1938-5862

  51. Atomically Controlled Processing in Silicon-Based CVD Epitaxial Growth 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　11　(9)　8348-8353　2011年9月

    DOI： 10.1166/jnn.2011.5052 　

    ISSN：1533-4880

  52. Flat band shift for MIS with insulator gate fabricated by an electron cyclotron resonance sputter 査読有り

    Kohei Izumi, Hiroshi Toyota, Junichi Murota, Masao Sakuraba, Yukio Fukuda, Toshiro Ono

    Proceedings of The 11th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes　23-26　2011年7月

  53. Atomically Controlled CVD Processing for Doping in Future Si-Based Devices (Invited Paper) 招待有り 査読有り

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    Proc. 2011 Int. Conf. on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT) (Edited by Y. Kuo and G. Bersuker, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2011) : ECS Trans.　37　(1)　181-188　2011年6月

    DOI： 10.1149/1.3600738 　

    ISSN：1938-6737

  54. Fabrication of high-Ge-fraction strained Si1-xGex/Si hole resonant tunneling diode using low-temperature Si2H6 reaction for nanometer-order ultrathin Si barriers 査読有り

    Kuniaki Takahashi, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    SOLID-STATE ELECTRONICS　60　(1)　112-115　2011年6月

    DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.040 　

    ISSN：0038-1101

  55. Atomically Controlled Plasma Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors 査読有り

    Masao Sakuraba, Junichi Murota

    ULSI PROCESS INTEGRATION 7　41　(7)　337-343　2011年

    DOI： 10.1149/1.3633314 　

    ISSN：1938-5862

  56. Atomically Controlled Formation of Strained Si1-xGex/Si Quantum Heterostructure for Room-Temperature Resonant Tunneling Diode 査読有り

    Masao Sakuraba, Junichi Murota

    ULSI PROCESS INTEGRATION 7　41　(7)　309-314　2011年

    DOI： 10.1149/1.3633311 　

    ISSN：1938-5862

  57. Atomically Controlled CVD Processing for Doping in Future Si-Based Devices 招待有り 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    2011 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS AND THIN FILM TRANSISTORS (ULSIC VS. TFT)　37　(1)　181-188　2011年

    DOI： 10.1149/1.3600738 　

    ISSN：1938-5862

  58. Capture/Emission Processes of Carriers in Heterointerface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs 査読有り

    Toshiaki Tsuchiya, Keiichi Yoshida, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS　470　201-+　2011年

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/KEM.470.201 　

    ISSN：1013-9826

  59. Atomically Controlled Plasma Processing for Group IV Quantum Heterostructure Formation 査読有り

    Masao Sakuraba, Katsutoshi Sugawara, Junichi Murota

    TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS　470　98-103　2011年

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/KEM.470.98 　

    ISSN：1013-9826

  60. Room-Temperature Resonant Tunneling Diode with High-Ge-Fraction Strained Si1-xGex and Nanometer-Order Ultrathin Si 査読有り

    Masao Sakuraba, Kuniaki Takahashi, Junichi Murota

    SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 4: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES　33　(6)　379-387　2010年

    DOI： 10.1149/1.3487569 　

    ISSN：1938-5862

  61. Atomically controlled processing in strained Si-based CVD epitaxial growth 招待有り 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings　1513-1516　2010年

    DOI： 10.1109/ICSICT.2010.5667510 　

  62. Atomically controlled plasma processing for epitaxial growth of group IV semiconductors 招待有り 査読有り

    Masao Sakuraba, Junichi Murota

    ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings　1521-1524　2010年

    DOI： 10.1109/ICSICT.2010.5667504 　

  63. Impact of Si cap layer growth on surface segregation of P incorporated by atomic layer doping 査読有り

    Yohei Chiba, Masao Sakuraba, Bernd Tillack, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　518　S231-S233　2010年1月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.095 　

    ISSN：0040-6090

  64. Heavy carbon atomic-layer doping at Si-1 (-) Ge-x(x)/Si heterointerface 査読有り

    Tomoya Hirano, Masao Sakuraba, Bernd Tillack, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　518　S222-S225　2010年1月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.093 　

    ISSN：0040-6090

  65. Heavy B atomic-layer doping in Si epitaxial growth on Si(100) using electron-cyclotron-resonance plasma CVD 査読有り

    Takayuki Nosaka, Masao Sakuraba, Bernd Tillack, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　518　S140-S142　2010年1月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.073 　

    ISSN：0040-6090

  66. Heavy atomic-layer doping of nitrogen in Si1-xGex film epitaxially grown on Si(100) by ultraclean low-pressure CVD 査読有り

    Tomoyuki Kawashima, Masao Sakuraba, Bernd Tillack, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　518　S62-S64　2010年1月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.056 　

    ISSN：0040-6090

  67. Electrical characteristics of thermal CVD B-doped Si films on highly strained Si epitaxially grown on Ge(100) by plasma CVD without substrate heating 査読有り

    Katsutoshi Sugawara, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　518　S57-S61　2010年1月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2009.10.055 　

    ISSN：0040-6090

  68. Improvement in negative differential conductance characteristics of hole resonant-tunneling diodes with high Ge fraction Si/strained Si1-xGex/Si(100) heterostructure 査読有り

    Takahiro Seo, Kuniaki Takahashi, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    SOLID-STATE ELECTRONICS　53　(8)　912-915　2009年8月

    DOI： 10.1016/j.sse.2009.04.016 　

    ISSN：0038-1101

  69. Heavy B atomic-layer doping characteristics in Si epitaxial growth on B adsorbed Si(100) by ultraclean low-pressure CVD system 査読有り

    Hiroki Tanno, Masao Sakuraba, Bernd Tillack, Junichi Murota

    SOLID-STATE ELECTRONICS　53　(8)　877-879　2009年8月

    DOI： 10.1016/j.sse.2009.04.015 　

    ISSN：0038-1101

  70. An electrical characterization of metal oxy-nitride deposited by an ECR sputtering for MIS gates 査読有り

    Hiroyuki Arihara, Hiroshi Toyota, Junichi Murota, Masao Sakuraba, Yukio Fukuda, Toshiro Ono

    Proc. 10th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes　293-296　2009年7月

  71. Atomically Controlled Plasma Processing for Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures 査読有り

    Masao Sakuraba, Katsutoshi Sugawara, Junichi Murota

    ULSI PROCESS INTEGRATION 6　25　(7)　229-236　2009年

    DOI： 10.1149/1.3203960 　

    ISSN：1938-5862

  72. Atomically Controlled CVD Processing for Doping of Si-Based Group IV Semiconductors 招待有り 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    ULSI PROCESS INTEGRATION 6　25　(7)　177-184　2009年

    DOI： 10.1149/1.3203954 　

    ISSN：1938-5862

  73. Atomically controlled processing for group IV semiconductors 招待有り 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba

    ECS Transactions　22　(1)　111-120　2009年

    DOI： 10.1149/1.3152967 　

    ISSN：1938-5862 1938-6737

  74. High-performance pMOSFETs with high Ge fraction strained SiGe-heterostructure channel and ultrashallow source/drain formed by selective B-doped SiGeCVD 査読有り

    S. Takehiro, M. Sakuraba, J. Murota, T. Tsuchiya

    Electrical Engineering in Japan　165　(3)　46-50　2008年11月

    DOI： 10.1002/eej.20597 　

    ISSN：0424-7760

  75. High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth 査読有り

    Shinobu Takehiro, Masao Sakuraba, Toshiaki Tsuchiya, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　517　(1)　346-349　2008年11月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.040 　

    ISSN：0040-6090

  76. Local strain in Si/Si(0.6)Ge(0.4)/Si(100) heterostructures by stripe-shape patterning 査読有り

    Jangwoong Uhm, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　517　(1)　300-302　2008年11月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.094 　

    ISSN：0040-6090

  77. Si epitaxial growth on self-limitedly B adsorbed Si(1-x)Ge(x)(100) by ultraclean low-pressure CVD system 査読有り

    Kiyohisa Ishibashi, Masao Sakuraba, Junichi Murota, Yasuhiro Inokuchi, Yasuo Kunii, Harushige Kurokawa

    THIN SOLID FILMS　517　(1)　229-231　2008年11月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.012 　

    ISSN：0040-6090

  78. Structural change of atomic-order nitride formed on Si(1-x)Ge(x)(100) and Ge(100) by heat treatment 査読有り

    Nao Akiyama, Masao Sakuraba, Bernd Tillack, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　517　(1)　219-221　2008年11月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.007 　

    ISSN：0040-6090

  79. Impact of Ge fraction modulation upon electrical characteristics of hole resonant tunneling diodes with Si/Strained Si(1-x)Ge(x)/Si(100) heterostructure 査読有り

    Takahiro Seo, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　517　(1)　110-112　2008年11月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.037 　

    ISSN：0040-6090

  80. Very low-temperature epitaxial growth of silicon and germanium using plasma-assisted CVD 招待有り 査読有り

    Masao Sakuraba, Daisuke Muto, Masaki Mori, Katsutoshi Sugawara, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　517　(1)　10-13　2008年11月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2008.08.028 　

    ISSN：0040-6090

  81. Self-limited growth of Si on B atomic-layer formed Ge(100) by ultraclean low-pressure CVD system 査読有り

    Takashi Yokogawa, Kiyohisa Ishibashi, Masao Sakuraba, Junichi Murota, Yasuhiro Inokuchi, Yasuo Kunii, Harushige Kurokawa

    APPLIED SURFACE SCIENCE　254　(19)　6090-6093　2008年7月

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2008.02.131 　

    ISSN：0169-4332

  82. Heavy atomic-layer doping of B in low-temperature Si epitaxial growth on Si(100) by ultraclean low-pressure chemical vapor deposition 査読有り

    Hiroki Tanno, Masao Sakuraba, Bernd Tillack, Junichi Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　254　(19)　6086-6089　2008年7月

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2008.02.132 　

    ISSN：0169-4332

  83. Behavior of N atoms in atomic-order nitrided Si(0.5)Ge(0.5)(100) 査読有り

    Nao Akiyama, Masao Sakuraba, Bernd Tillack, Junichi Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　254　(19)　6021-6024　2008年7月

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2008.02.125 　

    ISSN：0169-4332

  84. Electrical characteristics of hole resonant tunneling diodes with high Ge fraction (x > 0.4) Si/strained Si(1-x)Ge(x)/Si(100) heterostructure 査読有り

    Takahiro Seo, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　254　(19)　6265-6267　2008年7月

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2008.02.153 　

    ISSN：0169-4332

  85. Atomically Controlled CVD Processing for Future Si-Based Devices 招待有り 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4　1304-+　2008年

    DOI： 10.1109/ICSICT.2008.4734796 　

  86. Hot carrier degradation of SiGe/Si heterointerface and experimental estimation of density of locally generated heterointerface traps 査読有り

    Toshiaki Tsuchiya, Seishi Mishima, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　46　(8A)　5015-5020　2007年8月

    DOI： 10.1143/JJAP.46.5015 　

    ISSN：0021-4922

  87. Atomically Controlled Processing for Future Si-Based Devices 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    Future Trends in Microelectronics: Up the Nano Creek　246-258　2007年1月22日

    出版者・発行元： John Wiley & Sons, Inc.

    DOI： 10.1002/9780470168264.ch22 　

  88. Fabrication of hole resonant tunneling diodes with nanometer order heterostructures of Si/strained Si1-xGex epitaxially grown on Si(100) 招待有り 査読有り

    Masao Sakuraba, Ryota Ito, Takahiro Seo, Junichi Murota

    ECS Transactions　11　(6)　131-139　2007年

    DOI： 10.1149/1.2778371 　

    ISSN：1938-5862 1938-6737

  89. Strain control of Si and Si1-xGex layers in the Si/Si1-xGex/Si heterostructures by stripe-shape patterning for future Si-based devices 招待有り 査読有り

    Junichi Murota, Jangwoong Uhm, Masao Sakuraba

    ECS Transactions　11　(6)　91-99　2007年

    DOI： 10.1149/1.2778368 　

    ISSN：1938-5862 1938-6737

  90. Atomically controlled CVD technology for group IV semiconductors 招待有り 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings　440-443　2007年

    DOI： 10.1109/ICSICT.2006.306295 　

  91. Epitaxial growth of P atomic layer doped Si film by alternate surface reactions of PH3 and Si2H6 on strained Si1-xGex/Si(100) in ultraclean low-pressure CVD 査読有り

    Yohei Chiba, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　22　(1)　S118-S122　2007年1月

    DOI： 10.1088/0268-1242/22/1/S28 　

    ISSN：0268-1242

  92. Epitaxial growth of highly strained Si on relaxed Ge/Si(100) using ECR plasma CVD without substrate heating 査読有り

    Katsutoshi Sugawara, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　22　(1)　S42-S45　2007年1月

    DOI： 10.1088/0268-1242/22/1/S10 　

    ISSN：0268-1242

  93. Hole tunnelling properties in resonant tunnelling diodes with Si/strained Si0.8Ge0.2 heterostructures grown on Si(100) by low-temperature ultraclean LPCVD 査読有り

    Ryota Ito, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　22　(1)　S38-S41　2007年1月

    DOI： 10.1088/0268-1242/22/1/S09 　

    ISSN：0268-1242

  94. Strain control and electrical properties of stripe-patterned Si/Si1-xGex/Si(100) heterostructures 査読有り

    Jangwoong Uhm, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　22　(1)　S33-S37　2007年1月

    DOI： 10.1088/0268-1242/22/1/S08 　

    ISSN：0268-1242

  95. Carbon doping effect on strain relaxation during Si1-x-yGexCy epitaxial growth on Si(100) at 500 degrees C 査読有り

    Hiroaki Nitta, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　22　(1)　S5-S8　2007年1月

    DOI： 10.1088/0268-1242/22/1/S02 　

    ISSN：0268-1242

  96. Atomically controlled processing for group IV semiconductors by chemical vapor deposition 招待有り 査読有り

    Junichi Murota, Masao Sakuraba, Bernd Tillack

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　45　(9A)　6767-6785　2006年9月

    DOI： 10.1143/JJAP.45.6767 　

    ISSN：0021-4922

  97. Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices (Invited Paper) 招待有り 査読有り

    T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota

    Proc. 2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, Sendai, Japan, Jul. 3-5, 2006, (IEICE Technical Report, The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)　21-24　2006年7月

  98. Photo detection characteristics of Si/Si1-xGex/Si p-i-n diodes integrated with optical waveguides 査読有り

    A Yamada, M Sakuraba, J Murota

    THIN SOLID FILMS　508　(1-2)　399-401　2006年6月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.06.111 　

    ISSN：0040-6090

  99. Characterization of hot-carrier degraded SiGe/Si-hetero-PMOSFETs 査読有り

    T Tsuchiya, M Sakuraba, J Murota

    THIN SOLID FILMS　508　(1-2)　326-328　2006年6月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.320 　

    ISSN：0040-6090

  100. Surface reaction and B atom segregation in ECR chlorine plasma etching of B-doped Si1-xGex epitaxial films 査読有り

    HS Cho, M Sakuraba, J Murota

    THIN SOLID FILMS　508　(1-2)　301-304　2006年6月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.06.116 　

    ISSN：0040-6090

  101. Strain relaxation by stripe patterning in Si/Si(1-x)Gex/Si(100) heterostructures 査読有り

    J Uhm, M Sakuraba, J Murota

    THIN SOLID FILMS　508　(1-2)　239-242　2006年6月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.08.396 　

    ISSN：0040-6090

  102. Thermal effect on strain relaxation in Ge films epitaxially grown on Si(100) using ECR plasma CVD 査読有り

    K Sugawara, M Sakuraba, J Murota

    THIN SOLID FILMS　508　(1-2)　143-146　2006年6月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.332 　

    ISSN：0040-6090

  103. Carbon effect on strain compensation in Si1-x-yGexCy films epitaxially grown on Si(100) 査読有り

    H Nitta, J Tanabe, M Sakuraba, J Murota

    THIN SOLID FILMS　508　(1-2)　140-142　2006年6月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.06.105 　

    ISSN：0040-6090

  104. Effect of grain boundary on electrical characteristics in B- and P-doped polycrystalline Si1-x-yGexCy film deposited by ultraclean LPCVD 査読有り

    Hyunyoung Shim, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    THIN SOLID FILMS　508　(1-2)　36-39　2006年6月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.327 　

    ISSN：0040-6090

  105. Silicon Self-Diffusion in Heavily B-Doped Si Using Highly Pure 30Si Epitaxial Layer 査読有り

    S. Matsumoto, S. R. Aid, S. Seto, K. Toyonaga, Y. Nakabayashi, M. Sakuraba, Y. Shimamune, Y. Hashiba, J. Murota, K. Wada, T. Abe

    ECS Trans.　2　(2)　287-297　2006年5月7日

    DOI： 10.1149/1.2195666 　

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    Silicon Materials Science and Technology X (Edited by H. Huff, L. Fabry, D. Gilles, U. Goesele, T. Hattori, W. Huber, S. Ikeda, H. Iwai, P. Packan, H. Richter, M. Rodder, E. Weber and R. Wise, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2006)

  106. Carbon doping effect on strain relaxation during Si1-x-yGe xCy epitaxial growth on Si(100) at 500°C

    Hiroaki Nitta, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest　2006　2006年

  107. Atomic order thermal nitridation of Si1-xGex(100) at low temperatures by NH3 査読有り

    Nao Akiyama, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    ECS Transactions　3　(7)　1205-1210　2006年

    DOI： 10.1149/1.2355915 　

    ISSN：1938-5862 1938-6737

  108. A study on B atomic layer formation for B-doped Si1-xGe x(100) epitaxial growth using ultraclean LPCVD system 査読有り

    Kiyohisa Ishibashi, Masao Sakuraba, Junichi Murota, Yasuhiro Inokuchi, Yasuo Kunii, Harushige Kurokawa

    ECS Transactions　3　(7)　861-866　2006年

    DOI： 10.1149/1.2355881 　

    ISSN：1938-5862 1938-6737

  109. Strain control of stripe patterned Si/Si1-xGe x/Si(100) heterostructures 査読有り

    Jangwoong Uhm, Masao Sakuraba, Junichi Murota

    ECS Transactions　3　(7)　421-427　2006年

    DOI： 10.1149/1.2355839 　

    ISSN：1938-5862 1938-6737

  110. SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生 査読有り

    土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一

    電気学会論文誌C（電気学会）　126　(9)　1101-1106　2006年

    出版者・発行元： The Institute of Electrical Engineers of Japan

    DOI： 10.1541/ieejeiss.126.1101 　

    ISSN：0385-4221

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    It is reported for the first time that hot-carrier-induced degradation occurs in a SiGe/Si heterostructure introduced into the channel region of SiGe/Si-hetero-MOSFETs, using a newly established elaborate low-temperature charge pumping (LTCP) technique. Moreover, the hetero-interface trap density generated and the width of the degraded region are estimated from the LTCP characteristics. These results will enable new levels of improvement to the performance and reliability of strained-Si and SiGe devices.

  111. BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET 査読有り

    竹廣忍, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章

    電気学会論文誌C（電気学会）　126　(9)　1079-1082　2006年

    出版者・発行元： The Institute of Electrical Engineers of Japan

    DOI： 10.1541/ieejeiss.126.1079 　

    ISSN：0385-4221

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    [Translated Version in English, Electr. Eng. Jpn., Vol.165, No.3, pp.46-50 (2008), doi:10.1002/eej.20597.]

  112. Quantitative Evaluation of the Interface Trap Density in Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructures by Low-Temperature Charge-Pumping Technique 招待有り 査読有り

    T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota

    Proc. 13th Int. Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD-2005), New Delhi, India, Dec. 13-17, 2005　1171-1175　2005年12月

  113. Atomically Controlled CVD Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper) 招待有り 査読有り

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    Proc. Int. Symp. ULSI Process Integration IV, Spring Meeting of The Electrochem. Soc., Quebec City, Canada, May 15-20, 2005　53-66　2005年5月

  114. Separation by bonding Si islands (SBSI) for advanced CMOS LSI applications 査読有り

    T Yamazaki, S Ohmi, S Morita, H Ohri, J Murota, M Sakuraba, H Omi, T Sakai

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS　E88C　(4)　656-661　2005年4月

    DOI： 10.1093/ietele/e88-c.4.656 　

    ISSN：0916-8524

    eISSN：1745-1353

  115. Separation by bonding Si islands (SBST) for LSI applications 査読有り

    T Yamazaki, S Ohmi, S Morita, H Ohri, J Murota, M Sakuraba, H Omi, Y Takahashi, T Sakai

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　8　(1-3)　59-63　2005年2月

    DOI： 10.1016/j.mssp.2004.09.082 　

    ISSN：1369-8001

    eISSN：1873-4081

  116. Integration of Si p-i-n diodes for light emitter and detector with optical waveguides 査読有り

    A Yamada, M Sakuraba, J Murota

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　8　(1-3)　435-438　2005年2月

    DOI： 10.1016/j.mssp.2004.09.108 　

    ISSN：1369-8001

  117. Sidewall protection by nitrogen and oxygen in poly-Si1-xGex anisotropic etching usingCl(2)/N-2/O-2 plasma 査読有り

    HS Cho, S Takehiro, M Sakuraba, J Murota

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　8　(1-3)　239-243　2005年2月

    DOI： 10.1016/j.mssp.2004.09.035 　

    ISSN：1369-8001

  118. Si epitaxial growth on atomic-order nitrided Si(100) using electron cyclotron resonance plasma 査読有り

    M Mori, T Seino, D Muto, M Sakuraba, J Murota

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　8　(1-3)　65-68　2005年2月

    DOI： 10.1016/j.mssp.2004.09.034 　

    ISSN：1369-8001

  119. Electrical properties of N atomic layer doped Si epitaxial films grown by ultraclean low-pressure chemical vapor deposition 査読有り

    YC Jeong, M Sakuraba, J Murota

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　8　(1-3)　121-124　2005年2月

    DOI： 10.1016/j.mssp.2004.09.031 　

    ISSN：1369-8001

  120. Electrical properties of W delta doped Si epitaxial films grown on Si(100) by ultraclean low-pressure chemical vapor deposition 招待有り 査読有り

    T Kurosawa, T Komatsu, M Sakuraba, J Murota

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　8　(1-3)　125-129　2005年2月

    DOI： 10.1016/j.mssp.2004.09.025 　

    ISSN：1369-8001

  121. Atomically controlled Ge epitaxial growth on Si(100) in Ar-plasma-enhanced GeH4 reaction 査読有り

    K Sugawara, M Sakuraba, J Murota

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　8　(1-3)　69-72　2005年2月

    DOI： 10.1016/j.mssp.2004.09.078 　

    ISSN：1369-8001

  122. Determination of diffusivities of Si self-diffusion and Si self-interstitials using isotopically enriched single-or multi-Si-30 epitaxial layers 査読有り

    S Matsumoto, Aid, SR, T Sakaguchi, K Toyonaga, Y Nakabayashi, M Sakuraba, Y Shimamune, Y Hashiba, J Murota, K Wada, T Abe

    Semiconductor Defect Engineering-Materials, Synthetic Structures and Devices　864　425-436　2005年

    ISSN：0272-9172

  123. SiGe系エピタキシャル成長とその原子層制御（解説） 招待有り 査読有り

    室田淳一, 櫻庭政夫

    真空（日本真空協会）　48　(1)　8-12　2005年

    出版者・発行元：

    DOI： 10.3131/jvsj.48.8 　

    ISSN：0559-8516

  124. Si self-diffusivity using isotopically pure Si-30 epitaxial layers 査読有り

    Aid, SR, T Sakaguchi, K Toyonaga, Y Nakabayashi, S Matumoto, M Sakuraba, Y Shimamune, Y Hashiba, J Murota, K Wada, T Abe

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　114　330-333　2004年12月

    DOI： 10.1016/j.mseb.2004.07.055 　

    ISSN：0921-5107

  125. C Atomic Order Doping at Si/Si1-xGex/Si Heterointerface and Improvement of Thermal Stability 査読有り

    K. Takahashi, T. Kobayashi, M. Sakuraba, J. Murota

    Proc. SiGe: Materials Processing and Device (Edited by D. Harame, J. Boquet, J. Cressler, D. Houghton, H. Iwai, T.-J. King, G. Masini, J. Murota, K. Rim, B. Tillack, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2004)　PV.2004-07　915-922　2004年10月

  126. Electrical Properties of B-doped Polycrystalline Si1-x-yGexCy Film Deposited by Ultraclean Low-pressure CVD 査読有り

    H. Shim, M. Sakuraba, J. Murota

    Proc. SiGe: Materials Processing and Device (Edited by D. Harame, J. Boquet, J. Cressler, D. Houghton, H. Iwai, T.-J. King, G. Masini, J. Murota, K. Rim, B. Tillack, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2004)　PV.2004-07　261-268　2004年10月

  127. Sidewall Protection by Nitrogen in Anisotropic Etching of P-doped Poly-Si1-xGex 査読有り

    H.-S. Cho, S. Takehiro, M. Sakuraba, J. Murota

    Proc. SiGe: Materials Processing and Device (Edited by D. Harame, J. Boquet, J. Cressler, D. Houghton, H. Iwai, T.-J. King, G. Masini, J. Murota, K. Rim, B. Tillack, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2004)　PV.2004-07　243-250　2004年10月

  128. Low-Temperature SiGe(C) Epitaxial Growth by Ultraclean Hot-Wall Low-Pressure CVD 招待有り 査読有り

    J. Murota, M. Sakuraba

    Proc. SiGe: Materials Processing and Device (Edited by D. Harame, J. Boquet, J. Cressler, D. Houghton, H. Iwai, T.-J. King, G. Masini, J. Murota, K. Rim, B. Tillack, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2004)　PV.2004-07　825-836　2004年10月

  129. Fabrication of 0.12-µm SiGe-Channel MOSFET Containing High Ge Fraction with Ultrashallow Source/Drain Formed by Selective B-Doped SiGe CVD 査読有り

    D. Lee, S. Takehiro, M. Sakuraba, J. Murota, T. Tsuchiya

    Appl. Surf. Sci.　224　(1-4)　254-259　2004年3月15日

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2003.08.052 　

    ISSN：0169-4332

  130. Ar plasma irradiation effects in atomically controlled Si epitaxial growth 査読有り

    D Muto, M Sakuraba, T Seino, J Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　224　(1-4)　210-214　2004年3月

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2003.08.048 　

    ISSN：0169-4332

  131. Effect of carbon on the thermal stability of a Si atomic layer on Ge(100) 査読有り

    M Fujiu, K Takahashi, M Sakuraba, J Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　224　(1-4)　206-209　2004年3月

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2003.08.047 　

    ISSN：0169-4332

  132. Formation of heavily P-doped Si epitaxial film on Si(100) by multiple atomic-layer doping technique 査読有り

    Y Shimamune, M Sakuraba, J Murota, B Tillack

    APPLIED SURFACE SCIENCE　224　(1-4)　202-205　2004年3月

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2003.08.033 　

    ISSN：0169-4332

  133. Epitaxial growth of N delta doped Si films on Si(100) by alternately supplied NH3 and SiH4 査読有り

    YC Jeong, M Sakuraba, J Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　224　(1-4)　197-201　2004年3月

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2003.08.034 　

    ISSN：0169-4332

  134. Relationship between impurity (B or P) and carrier concentration in SiGe(C) epitaxial film produced by thermal treatment 査読有り

    J Noh, S Takehiro, M Sakuraba, J Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　224　(1-4)　77-81　2004年3月

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2003.08.046 　

    ISSN：0169-4332

  135. Proposal of a multi-layer channel MOSFET: the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers 査読有り

    D Sasaki, S Ohmi, M Sakuraba, J Murota, T Sakai

    APPLIED SURFACE SCIENCE　224　(1-4)　270-273　2004年3月

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2003.08.107 　

    ISSN：0169-4332

  136. Propagation characteristics of Si nitride optical waveguide integrated with Si p-i-n diodes for light emitter and detector 査読有り

    A Yamada, M Sakuraba, J Murota, K Wada, LC Kimerling

    2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS　142-144　2004年

  137. Hot carrier reliability of a SiGe/Si hetero-interface in SiGe MOSFETs 査読有り

    T Tsuchiya, M Sakuraba, J Murota

    2004 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS　449-454　2004年

    DOI： 10.1109/RELPHY.2004.1315370 　

  138. Atomically controlled impurity doping in Si-based CVD epitaxial growth 招待有り 査読有り

    J Murota, M Sakuraba, B Tillack

    HIGH-MOBILITY GROUP-IV MATERIALS AND DEVICES　809　201-212　2004年

    ISSN：0272-9172

  139. Atomically controlled impurity doping for future Si-based devices 招待有り 査読有り

    J Murota, M Sakuraba, B Tillack

    2004: 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, VOLS 1- 3, PROCEEDINGS　557-562　2004年

  140. Atomically controlled processing for future Si-based devices 招待有り 査読有り

    J Murota, M Sakuraba, S Takehiro

    2004 IEEE WORKSHOP ON MICROELECTRONIC AND ELECTRON DEVICES　31-34　2004年

    DOI： 10.1109/WMED.2004.1297343 　

  141. Atomically controlled technology for future Si-based devices 査読有り

    J Murota, M Sakuraba, B Tillack

    GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY　95-96　607-616　2004年

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/SSP.95-96.607 　

    ISSN：1012-0394

  142. Atomically Controlled Processing for SiGe-Based Ultimate-Small Devices 招待有り 査読有り

    J. Murota, M. Sakuraba, S. Takehiro

    Proc. 22nd Electronic Materials Symp. (EMS-22)　31-34　2003年7月2日

  143. Atomically Controlled Processing for SiGe-Based Ultimate-Small Devices (Invited Paper) 招待有り 査読有り

    J. Murota, M. Sakuraba, S. Takehiro

    Proc. 22nd Electronic Materials Symp. (EMS-22), Biwako, Jul. 2-4, 2003　39-42　2003年7月

  144. Atomic-layer doping in Si by alternately supplied NH3 and SiH4 査読有り

    YC Jeong, M Sakuraba, J Murota

    APPLIED PHYSICS LETTERS　82　(20)　3472-3474　2003年5月

    DOI： 10.1063/1.1576910 　

    ISSN：0003-6951

  145. Contact resistivity between tungsten and impurity (P and B)-doped Si1-x-yGexCy epitaxial layer 査読有り

    J Noh, M Sakuraba, J Murota, S Zaima, Y Yasuda

    APPLIED SURFACE SCIENCE　212　679-683　2003年5月

    DOI： 10.1016/S0169-4332(03)00067-9 　

    ISSN：0169-4332

    eISSN：1873-5584

  146. Work function of impurity-doped polycrystalline Si1-x-yGexCy film deposited by ultraclean low-pressure CVD 査読有り

    HY Shim, M Sakuraba, T Tsuchiya, J Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　212　209-212　2003年5月

    DOI： 10.1016/S0169-4332(03)00079-5 　

    ISSN：0169-4332

  147. Si epitaxial growth on SiH3CH3 reacted Ge(100) and intermixing between Si and Ge during heat treatment 査読有り

    K Takahashi, M Fujiu, M Sakuraba, J Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　212　193-196　2003年5月

    DOI： 10.1016/S0169-4332(03)00069-2 　

    ISSN：0169-4332

  148. W delta doping in Si(100) using ultraclean low-pressure CVD 査読有り

    T Kanaya, M Sakuraba, J Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　212　684-688　2003年5月

    DOI： 10.1016/S0169-4332(03)00416-1 　

    ISSN：0169-4332

  149. Si atomic layer-by-layer epitaxial growth process using alternate exposure of Si(100) to SiH4 and to Ar plasma 査読有り

    M Sakuraba, D Muto, T Seino, J Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　212　197-200　2003年5月

    DOI： 10.1016/S0169-4332(03)00072-2 　

    ISSN：0169-4332

  150. Si epitaxial growth on the atomic-order nitrided Si(100) surface in SiH4 reaction 査読有り

    Y Jeong, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    RAPID THERMAL PROCESSING FOR FUTURE SEMICONDUCTOR DEVICES　139-144　2003年

  151. Heavy doping characteristics of Si films epitaxially grown at 450 degrees C by alternately supplied PH3 and SiH4 査読有り

    Y Shimanume, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    RAPID THERMAL PROCESSING FOR FUTURE SEMICONDUCTOR DEVICES　145-150　2003年

    DOI： 10.1016/B978-044451339-7/50021-0 　

  152. SiGe Epitaxial CVD Technology for Si-Based Ultrasmall Devices (Invited Paper) 招待有り 査読有り

    J. Murota, M. Sakuraba

    Proc. 2nd Int. ECS Semiconductor Technol. Conf. (ISTC), (Edited by M. Yang, G. S. Mathad, M. Koyanagi, M. Engelhardt, M. Bonkohara and H. Iwai, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2002)　2002-17　135-147　2002年9月

  153. Thermal nitridation of ultrathin SiO2 on Si by NH3 査読有り

    O Jintsugawa, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS　34　(1)　456-459　2002年8月

    DOI： 10.1002/sia.1337 　

    ISSN：0142-2421

  154. Atomically controlled processing for group IV semiconductors 査読有り

    J Murota, T Matsuura, M Sakuraba

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS　34　(1)　423-431　2002年8月

    DOI： 10.1002/sia.1331 　

    ISSN：0142-2421

  155. Si Epitaxial Growth on the Atomic-Order Nitrided Si(100) Surface in SiH4 Reaction 査読有り

    Y. Jeong, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Proc. 6th Symp. Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics (The Japan Soc. for the Promotion of Sci., Mar. 1, 2002, Tokyo)　151-154　2002年5月1日

  156. Atomically Controlled Processing for Group IV Semiconductors 査読有り

    J. Murota, T. Matsuura, M. Sakuraba

    Proc. 6th Symp. Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics (The Japan Soc. for the Promotion of Sci., Mar. 1, 2002, Tokyo)　107-115　2002年3月1日

    DOI： 10.1002/sia.1331 　

  157. Super self-aligned technology of ultra-shallow junction in MOSFETs using selective Si1-xGexCVD 査読有り

    T Yamashiro, T Kikuchi, M Ishii, F Honma, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota, T Tsuchiya

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　89　(1-3)　120-124　2002年2月

    DOI： 10.1016/S0921-5107(01)00814-5 　

    ISSN：0921-5107

  158. SiGe-channel 0.1-μm pMOSFETs with super self-aligned ultra-shallow junction formed by selective in-situ B-doped SiGe CVD 査読有り

    D. Lee, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota, T. Tsuchiya

    Device Research Conference - Conference Digest, DRC　2002-　83-84　2002年

    出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

    DOI： 10.1109/DRC.2002.1029525 　

    ISSN：1548-3770

  159. Si epitaxial growth on atomic-order nitrided Si(100) using an ECR plasma 査読有り

    M Mori, T Seino, D Muto, M Sakuraba, J Murota

    PLASMA PROCESSING XIV　2002　(17)　17-24　2002年

  160. Atomic-layer doping of N in Si epitaxial growth on Si(100) and its thermal stability 査読有り

    Y Jeong, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    SEMICONDUCTOR SILICON 2002, VOLS 1 AND 2　2002　(2)　287-296　2002年

  161. CVD法によるSi1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御 査読有り

    室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝

    応用物理学会誌 （応用物理学会）　70　(9)　1082-1086　2001年9月

    出版者・発行元： 応用物理学会

    DOI： 10.11470/oubutsu1932.70.1082 　

    ISSN：0369-8009

  162. Epitaxial growth of heavily P-doped Si films at 450 degrees C by alternately supplied PH3 and SiH4 招待有り 査読有り

    Y Shimamune, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    JOURNAL DE PHYSIQUE IV　11　(PR3)　255-260　2001年8月

    DOI： 10.1051/jp4:2001332 　

    ISSN：1155-4339

  163. Atomic-order thermal nitridation of Si(100) and subsequent growth of Si 査読有り

    T Watanabe, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　19　(4)　1907-1911　2001年7月

    DOI： 10.1116/1.1359549 　

    ISSN：0734-2101

  164. Phosphorus doping in Si1-x-yGexCy epitaxial growth by low-pressure chemical vapor deposition using a SiH4-GeH4-CH3SiH3-PH3-H-2 gas system 査読有り

    D Lee, T Noda, H Shim, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　40　(4B)　2697-2700　2001年4月

    DOI： 10.1143/JJAP.40.2697 　

    ISSN：0021-4922

  165. CVD SiGe(C) epitaxial growth and its application to MOS devices 招待有り 査読有り

    J Murota, M Sakuraba, T Matsuura

    SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS　525-530　2001年

    DOI： 10.1109/ICSICT.2001.981533 　

  166. Atomic-layer doping in Si by alternately supplied PH3 and SiH4 査読有り

    Y Shimamune, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    THIN SOLID FILMS　380　(1-2)　134-136　2000年12月

    DOI： 10.1016/S0040-6090(00)01487-5 　

    ISSN：0040-6090

  167. Doping and electrical characteristics of in-situ heavily B-doped Si1-x-yGexCy films epitaxially grown using ultraclean LPCVD 査読有り

    T Noda, D Lee, H Shim, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    THIN SOLID FILMS　380　(1-2)　57-60　2000年12月

    DOI： 10.1016/S0040-6090(00)01469-3 　

    ISSN：0040-6090

  168. Epitaxial Growth and Electrical Characteristics of Impurity-Doped Si1-x-yGexCy on Si (100) by Ultraclean LPCVD 査読有り

    D. Lee, T. Noda, H. Shim, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration, Ise-Shima, Mie, Japan, Nov. 19-24, 2000　270-273　2000年11月19日

  169. Very Low-Resistive Si Epitaxial Growth at 450oC by Alternately Supplied PH3 and SiH4 査読有り

    Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration, Ise-Shima, Mie, Japan, Nov. 19-24, 2000　266-269　2000年11月19日

  170. Surface Reaction of Silane and Methylsilane on Ge (100) 査読有り

    M. Fujiu, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration, Ise-Shima, Mie, Japan, Nov. 19-24, 2000　262-265　2000年11月19日

  171. Nitrogen-Doped Si Epitaxial Growth by Alternately Supplied NH3 and SiH4 査読有り

    T. Watanabe, Y. Jeong, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration, Ise-Shima, Mie, Japan, Nov. 19-24, 2000　258-261　2000年11月19日

  172. Thermal Nitridation of Ultrathin Silicon Dioxide Films Using NH3 Gas 査読有り

    O. Jintsugawa, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration, Ise-Shima, Mie, Japan, Nov. 19-24, 2000　227-230　2000年11月19日

  173. Atomically Controlled Processing for Fabrication of Si-Based Ultimate-Small Devices 査読有り

    J. Murota, T. Matsuura, M. Sakuraba

    Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration, Ise-Shima, Mie, Japan, Nov. 19-24, 2000　131-134　2000年11月

  174. Atomic-layer adsorption of P on Si(100) and Ge(100) by PH3 using an ultraclean low-pressure chemical vapor deposition 査読有り

    Y Shimamune, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　162　390-394　2000年8月

    DOI： 10.1016/S0169-4332(00)00221-X 　

    ISSN：0169-4332

  175. Surface reaction of CH3SiH3 on Ge(100) and Si(100) 査読有り

    T Takatsuka, M Fujiu, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    APPLIED SURFACE SCIENCE　162　156-160　2000年8月

    DOI： 10.1016/S0169-4332(00)00185-9 　

    ISSN：0169-4332

  176. Drain leakage current and instability of drain current in Si/Si1-xGex MOSFETs 査読有り

    T Tsuchiya, K Goto, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    THIN SOLID FILMS　369　(1-2)　379-382　2000年7月

    DOI： 10.1016/S0040-6090(00)00894-4 　

    ISSN：0040-6090

  177. Segregation and diffusion of impurities from doped Si1-xGex films into silicon 査読有り

    S Kobayashi, T Aoki, N Mikoshiba, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    THIN SOLID FILMS　369　(1-2)　222-225　2000年7月

    DOI： 10.1016/S0040-6090(00)00811-7 　

    ISSN：0040-6090

  178. Epitaxial growth of Si1-x-yGexCy film on Si(100) in a SiH4-GeH4-CH3SiH3 reaction 査読有り

    A Ichikawa, Y Hirose, T Ikeda, T Noda, M Fujiu, T Takatsuka, A Moriya, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    THIN SOLID FILMS　369　(1-2)　167-170　2000年7月

    DOI： 10.1016/S0040-6090(00)00799-9 　

    ISSN：0040-6090

  179. CVD Si1-xGexエピタキシャル成長とドーピング制御 査読有り

    室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝

    日本結晶成長学会誌（日本結晶成長学会）　27　(4)　171-178　2000年4月

    DOI： 10.19009/jjacg.27.4_171 　

  180. Observation of sharp current peaks in resonant tunneling diode with strained Si0.6Ge0.4/Si(100) grown by low-temperature low-pressure CVD 査読有り

    P Han, M Sakuraba, YC Jeong, K Bock, T Matsuura, J Murota

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　209　(2-3)　315-320　2000年2月

    DOI： 10.1016/S0022-0248(99)00562-X 　

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

  181. Effect of Si/Si1-yCy/Si barriers the characteristics of Si1-xGex/Si resonant tunneling structures 査読有り

    P Han, XM Cheng

    CHINESE PHYSICS LETTERS　17　(11)　844-846　2000年

    DOI： 10.1088/0256-307X/17/11/023 　

    ISSN：0256-307X

    eISSN：1741-3540

  182. Segregation and diffusion of phosphorus from doped Si1-xGex films into silicon 査読有り

    S Kobayashi, M Iizuka, T Aoki, N Mikoshiba, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　86　(10)　5480-5483　1999年11月

    DOI： 10.1063/1.371549 　

    ISSN：0021-8979

  183. Atomically Controlled Processing for Si-Based Ultrasmall Devices (Invited Paper) 招待有り 査読有り

    J. Murota, T. Matsuura, M. Sakuraba

    Ext. Abs. 18th Symp. Future Electron Devices (FED), Tokyo, Oct. 20-21, 1999　65-70　1999年10月20日

  184. Layer-by-layer growth of silicon nitride films by NH3 and SiH4 査読有り

    T Watanabe, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    JOURNAL DE PHYSIQUE IV　9　(P8)　333-340　1999年9月

    DOI： 10.1051/jp4:1999841 　

    ISSN：1155-4339

  185. Doping and electrical characteristics of in situ heavily B-doped Si1-xGex films epitaxially grown using ultraclean LPCVD 査読有り

    A Moriya, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    THIN SOLID FILMS　343　541-544　1999年4月

    DOI： 10.1016/S0040-6090(98)01694-0 　

    ISSN：0040-6090

  186. Phosphorus diffusion from doped Si1-xGex films into silicon

    S. Kobayashi, M. Iizuka, T. Aoki, N. Mikoshiba, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Materials Research Society Symposium - Proceedings　568　265-269　1999年

    出版者・発行元： Materials Research Society

    DOI： 10.1557/proc-568-265 　

    ISSN：0272-9172

  187. Super Self-Aligned Processing for Sub 0.1μm MOS Devices Using Selective Si1-xGex CVD 査読有り

    T. Kikuchi, T. Yamashiro, A. Moriya, T. Noda, Y. Yamamoto, C. Deng, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Proc. 1st Int. Symp. ULSI Process Integration (Edited by C.L. Claeys, H. Iwai, G. Bronner and R. Fair, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 1999)　99　(18)　147-153　1999年

  188. CVD Si1-xGex epitaxial growth and its application to MOS devices 招待有り 査読有り

    J Murota, M Sakuraba, T Matsuura

    MICROELECTRONIC DEVICE TECHNOLOGY III　3881　33-45　1999年

    DOI： 10.1117/12.360548 　

    ISSN：0277-786X

  189. Surface termination of the Ge(100) and Si(100) surfaces by using DHF solution dipping 査読有り

    M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    III-V AND IV-IV MATERIALS AND PROCESSING CHALLENGES FOR HIGHLY INTEGRATED MICROELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS　535　281-286　1999年

    ISSN：0272-9172

  190. High quality Si1-xGex epitaxial growth by CVD 招待有り 査読有り

    J Murota, M Sakuraba, T Matsuura

    PROCEEDINGS OF THE THIRD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON DEFECTS IN SILICON　99　(1)　189-202　1999年

  191. Separation between surface adsorption and reaction of NH3 on Si(100) by flash heating 査読有り

    T Watanabe, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　38　(1B)　515-517　1999年1月

    DOI： 10.1143/JJAP.38.515 　

    ISSN：0021-4922

  192. Atomic-Layer Nitridation of Si(100) by NH3 Using Flash Heating 査読有り

    T. Watanabe, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Proc. Symp. Fundamental Gas-Phase and Surface Chemistry of Vapor-Phase Materials Synthesis (Edited by M.D. Allendorf, M.R. Zachariah, L. Mountziaris and A.H. McDaniel, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 1998)　PV.98-23　69-74　1998年11月

  193. Atomic-Layer Adsorption of P on Si(100) by Using Ultraclean LPCVD 査読有り

    Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Proc. Symp. Fundamental Gas-Phase and Surface Chemistry of Vapor-Phase Materials Synthesis (Edited by M.D. Allendorf, M.R. Zachariah, L. Mountziaris and A.H. McDaniel, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 1998)　PV.98-23　58-62　1998年11月

  194. Low-temperature reaction of CH4 on Si(100) 査読有り

    A Izena, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　188　(1-4)　131-136　1998年6月

    DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00076-1 　

    ISSN：0022-0248

  195. Process Technology for Sub 0.1μm Si Devices 査読有り

    J. Murota, T. Matsuura, M. Sakuraba

    “Future Trends in Microelectronics” (Edited by S. Luryi, J. Xu and A. Zaslavsky, John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, NJ, 1999)　1998年5月

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    1998 Advanced Research Workshop on “Future Trends in Microelectronics: Off the Beaten Path”, Ile des Embiez, France, May 31-Jun. 5, 1998.

  196. In-situ heavy doping of P and B in low-temperature Si1-xGex epitaxial growth using ultraclean LPCVD 査読有り

    J Murota, A Moriya, M Sakuraba, CJ Lee, T Matsuura

    SILICON MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2　PV.98-1　822-833　1998年

  197. Low-temperature epitaxial growth of in-situ heavily B-doped Si1-xGex films using ultraclean LPCVD 査読有り

    A Moriya, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota, Kawashima, I, N Yabumoto

    EPITAXY AND APPLICATIONS OF SI-BASED HETEROSTRUCTURES　533　349-354　1998年

    ISSN：0272-9172

  198. H-termination on Ge(100) and Si(100) by diluted HF dipping and by annealing in H-2 査読有り

    M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    CLEANING TECHNOLOGY IN SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING V　35　213-220　1998年

  199. Atomic-order thermal nitridation of silicon at low temperatures 査読有り

    Takeshi Watanabe, Akihiro Ichikawa, Mascio Sakuraba, Takashi Matsuura, Junichi Murota

    Journal of the Electrochemical Society　145　(12)　4252-4256　1998年

    出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.

    DOI： 10.1149/1.1838946 　

    ISSN：0013-4651

  200. Fabrication of 0.1μm MOSFET with Super Self-Aligned Ultrashallow Junction Electrodes Using Selective Si1-xGex CVD 査読有り

    J. Murota, M. Ishii, K. Goto, M. Sakuraba, T. Matsuura, Y. Kudoh, M. Koyanagi

    Proc. 27th Euro. Solid-State Device Res. Conf. (ESSDRC), Stuttgart, Germany, Sep. 22-24, 1997　376-379　1997年9月22日

    DOI： 10.1109/ESSDERC.1997.194444 　

  201. Atomic-layer surface reaction of SiH4 on Ge(100) 査読有り

    T Watanabe, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(6B)　4042-4045　1997年6月

    DOI： 10.1143/JJAP.36.4042 　

    ISSN：0021-4922

  202. Initial growth characteristics of germanium on silicon in LPCVD using germane gas 査読有り

    S Kobayashi, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota, N Mikoshiba

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　174　(1-4)　686-690　1997年4月

    DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00034-1 　

    ISSN：0022-0248

  203. Phosphorus Doping Effect on Si1-xGex Epitaxial Film Growth in the SiH4-GeH4-PH3 Gas System Using Ultraclean LPCVD 査読有り

    C.J. Lee, M. Sakuraba, M. Ishii, T. Matsuura, J. Murota, I. Kawashima, N. Yabumoto

    Proc. 14th Int. Conf. Chemical Vapor Deposition (CVD-XIV)/1997 (Edited by M.D. Allendorf and C. Bernard, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 1997)　PV97-25　1356-1363　1997年1月

  204. Atomic-Order Nitridation of the H-Terminated and H-Free Si Surfaces by NH3 査読有り

    T. Watanabe, A. Ichikawa, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Proc. 14th Int. Conf. Chemical Vapor Deposition (CVD-XIV)/1997 (Edited by M.D. Allendorf and C. Bernard, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 1997)　PV97-25　97-104　1997年1月

  205. 0.1μm MOSFET with Super Self-Aligned Shallow Junction Electrodes 査読有り

    M. Ishii, K. Goto, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota, Y. Kudoh, M. Koyanagi

    Proc. 6th Int. Symp. Ultra Large Scale Integration Sci. & Technol./1997 (Edited by H.Z. Massoud, H. Iwai, C. Claeys and R.B. Fair, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 1997)　1997　(3)　441-449　1997年

  206. Atomic-order layer growth of silicon nitride films at low temperatures 査読有り

    T Watanabe, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota

    PROCEEDINGS OF THE THIRTEENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON CHEMICAL VAPOR DEPOSITION　96　(5)　504-509　1996年

  207. ATOMIC LAYER-BY-LAYER EPITAXY OF SILICON AND GERMANIUM USING FLASH HEATING IN CVD 査読有り

    J MUROTA, M SAKURABA, T WATANABE, T MATSUURA, Y SAWADA

    JOURNAL DE PHYSIQUE IV　5　(C5)　1101-1108　1995年6月

    DOI： 10.1051/jphyscol:19955130 　

    ISSN：1155-4339

  208. ATOMIC-LAYER EPITAXY CONTROL OF GE AND SI IN FLASH-HEATING CVD USING GEH4 AND SIH4 GASES 査読有り

    M SAKURABA, J MUROTA, T WATANABE, Y SAWADA, S ONO

    APPLIED SURFACE SCIENCE　82-3　354-358　1994年12月

    DOI： 10.1016/0169-4332(94)90241-0 　

    ISSN：0169-4332

  209. Initial Growth Stages of Si on Ge and Ge on Si for Atomic-Layer Epitaxy Control Using GeH4 and SiH4 Gases 査読有り

    M. Sakuraba, J. Murota, T. Watanabe, Y. Sawada

    Ext. Abs. 1994 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), Yokohama, Aug. 23-26, 1994　757-759　1994年8月23日

  210. STABILITY OF THE DIMER STRUCTURE FORMED ON SI(100) BY ULTRACLEAN LOW-PRESSURE CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION 査読有り

    M SAKURABA, J MUROTA, S ONO

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　75　(7)　3701-3703　1994年4月

    DOI： 10.1063/1.356041 　

    ISSN：0021-8979

  211. Stability of the Dimer Structure on the Si Film Epitaxially Grown on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 査読有り

    M. Sakuraba, J. Murota, S. Ono

    Proc. Int. Conf. Advanced Microelectronic Devices and Processing (AMDP), Sendai, Mar. 3-5, 1994　445-448　1994年3月3日

  212. Stability of the Si(100) Surface Epitaxially Grown by CVD 査読有り

    M. Sakuraba, J. Murota, S. Ono

    Ext. Abs. 1993 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), Makuhari, Aug. 29-Sep. 1, 1993　373-375　1993年8月29日

  213. SILICON ATOMIC LAYER GROWTH USING FLASH HEATING IN CVD 査読有り

    M SAKURABA, J MUROTA, S ONO

    JOURNAL DE PHYSIQUE IV　3　(C3)　449-456　1993年8月

    DOI： 10.1051/jp4:1993362 　

    ISSN：1155-4339

  214. Atomic Layer Growth of Si in Flash Heating CVD Using SiH4 Gas 査読有り

    M. Sakuraba, J. Murota, S. Ono

    Proc. 12th Int. Symp. Chemical Vapor Deposition (CVD-XII) (Edited by K.F. Jensen and G.W. Cullen, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 1993)　PV.93-2　110-116　1993年5月

  215. SILICON ATOMIC LAYER GROWTH CONTROLLED BY FLASH HEATING IN CHEMICAL-VAPOR DEPOSITION USING SIH4 GAS 査読有り

    J MUROTA, M SAKURABA, S ONO

    APPLIED PHYSICS LETTERS　62　(19)　2353-2355　1993年5月

    DOI： 10.1063/1.109416 　

    ISSN：0003-6951

  216. ATOMIC LAYER EPITAXY OF GERMANIUM ON SILICON USING FLASH HEATING CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION 査読有り

    M SAKURABA, J MUROTA, N MIKOSHIBA, S ONO

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　115　(1-4)　79-82　1991年12月

    DOI： 10.1016/0022-0248(91)90716-I 　

    ISSN：0022-0248

  217. CONTROL OF GERMANIUM ATOMIC LAYER FORMATION ON SILICON USING FLASH HEATING IN GERMANIUM CVD 査読有り

    J MUROTA, M SAKURABA, N MIKOSHIBA, S ONO

    JOURNAL DE PHYSIQUE IV　1　(C2)　803-808　1991年9月

    DOI： 10.1051/jp4:1991294 　

    ISSN：1155-4339

  218. Atomic Layer Control of Germanium and Silicon on Silicon Using Flash Heating in Ultraclean Chemical Vapor Deposition 査読有り

    M. Sakuraba, J. Murota, N. Mikoshiba, S. Ono

    Ext. Abs. 1991 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), Yokohama, Aug. 27-29, 1991　147-149　1991年8月27日

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MISC 10

  1. ECRプラズマCVDによるIV族半導体エピタキシャル成長

    櫻庭 政夫, 武藤 大祐, 森 聖樹, 菅原 勝俊, 室田 淳一

    電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会　2006　(15)　39-43　2006年10月3日

  2. SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面のホットキャリア局所劣化

    土屋 敏章, 櫻庭 政夫, 室田 淳一

    電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会　2006　(15)　1-6　2006年10月3日

  3. SiGe技術の最新研究動向

    財満鎭明, 櫻庭政夫, 室田淳一

    電子材料　6　(6)　97-103　2003年6月

    出版者・発行元： 工業調査会

    ISSN： 0387-0774

  4. CVD Si1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング

    室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝, 高澤裕真, 森谷敦, 野田孝暁, 国井泰夫

    日立国際電気技報　1　2-10　2001年1月

    出版者・発行元： 日立国際電気

  5. CVD Si1-xGexエピタキシャル成長とドーピング制御

    室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝

    日本結晶成長学会誌　27　171-178　2000年4月

    出版者・発行元： 日本結晶成長学会

    DOI： 10.19009/jjacg.27.4_171 　

  6. 高清浄減圧CVD法を用いたPH3によるSi(100)およびGe(100)表面でのPの原子層吸着

    島宗 洋介, 櫻庭 政夫, 松浦 孝, 室田 淳一

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　99　(339)　13-18　1999年9月27日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    高清浄減圧CVD法を用いて200-750℃でのSi(100)ならびにGe(100)表面でのPの原子層吸着について調べた。300℃において水素終端されたSi表面上では、PH_3の吸着が阻害されたが、水素のない表面では解離吸着し、P原子面密度は1原子層以下に飽和する傾向があった。450-750℃では、Si表面のP原子面密度は、キャリアガスによる影響をほとんど受けずに約2-3原子層に飽和する傾向があった。650℃でPH_3曝露後、Pが吸着したSi表面をArあるいはH_2雰囲気中に保持すると、P原子面密度はPの熱脱離や水素還元により約l原子層に減少した。Ge表面の場合、200℃でPH_3吸着は水素終端により阻害され、300-450℃ではP原子面密度は約l原子層に飽和する傾向があった。450℃でのGe表面からのPの脱離は650℃のSi表面からよりもより早く起こる一方、300℃ではGe表面のPは脱離せず安定であった。

  7. NH3によるSi(100)の原子層熱窒化過程

    渡辺 健, 櫻庭 政夫, 松浦 孝, 室田 淳一

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　98　(242)　43-48　1998年8月20日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

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    NH_3によるSi(100)の原子層熱窒化過程を研究した。ここで、表面吸着と反応を分離するために、高清浄瞬時加熱LPCVD装置を用いた。基板温度400℃で毎分1回のXeフラッシュ光照射(60J/cm^2)による瞬時加熱をした場合、Si(100)表面のN原子面密度は窒化時間(Xeフラシュ光照射回数)とともに増加し、約2.7x10^<15>cm^-2に飽和する傾向にある。そのNH_3の反応効率は瞬時加熱なしの熱窒化に比べて大幅に増加した。吸着と反応の分離により、Si(100)表面の窒化過程は、ラングミュア型吸着に基づくNH_3の物理吸着とそれに続く反応で定量的に説明できることを見いだした。またXPSにより、瞬時加熱による窒化でも、650℃での熱窒化と同様に表面Si原子のバックボンドへ窒化が進行することが確認された。

  8. NH3によるSi表面の低温熱窒化

    渡辺 健, 櫻庭 政夫, 松浦 孝, 室田 淳一

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　97　(240)　1-6　1997年8月26日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

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    高清浄LPCVD装置を用いて、NH_3(124〜1400Pa)による300〜650℃でのSi表面への低温熱窒化について研究を行なった。300℃、400℃におけるNH_3窒化では、希HF処理後の水素終端したSi表面では、N原子面密度はSiハイドライドの減少にともなって増加し、N原子面密度がSi表面原子密度(6.8×10^<14>cm^<-2>と同程度に達すると、Siハイドライドは観察されなくなった。一方、650℃のAr雰囲気中で熱処理を行なった清浄Si表面では、N原子面密度がNH_3供給直後に約2×10^<14>cm^<-2>まで増加すると同時に、Siハイドライドが観察され、MH_3分子が解離吸着していることが明らかになった。さらにNH_3を供給すると、窒化の進行とともにSiハイドライドは減少した。

  9. 高清浄雰囲気下での熱CVD法によるSi上のGe成長初期過程

    小林 信一, 櫻庭 政夫, 松浦 孝, 室田 淳一, 御子柴 宣夫, Shin-ichi KOBAYASHI, Masao SAKURABA, Takashi MATSUURA, Junichi MUROTA, Nobuo MIKOSHIBA

    東京工芸大学工学部紀要 = The Academic Reports, the Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnic University　19　(1)　52-56　1996年

    ISSN： 0387-6055

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    The growth characteristics in the initial stage of Ge epitaxy on the Si(100) epitaxial buffer layer have been investigated by ultraclean LPCVD at 350℃ using GeH_4 with H_2 or Ar as a carrier gas. When H_2 was used as a carrier gas, an incubation period for Ge nucleus formation on Si was found. After the incubation period layer growth of Ge film started. When Ar was used as a carrier gas, the incubation period was drastically reduced without any change in the layer growth rate. The nucleus size was larger and the nucleus density was lower in the case of using H_2 as a carrier gas in comparison with using Ar. These growth characteristics are attributed to the suppression of adsorption and/or decomposition of GeH_4 on the H-terminated Si surface in the case of H_2 as a carrier gas.

  10. Si-Ge系ヘテロエピタキシャル成長とその応用

    室田 淳一, 後藤 欣哉, 櫻庭 政夫, 澤田 康次

    電子情報通信学会秋季大会講演論文集　1994　(2)　232-233　1994年9月26日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

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    Si_<1-x>Ge_x混晶は、SiとGeの組成比によりバンドギャップが変えられるため、Si基板上の半導体へテロ構造構成の上で興味ある材料である。すでに、MBE法を用いて、Si_<1-x>Ge_xをベースとしたHBTや変調ドープ電解効果トランジスタ等が実現されている。Si基板上へのSi_<1-x>Ge_xのヘテロエピタキシャル成長法として、CVD法は、MBE法等の他の成長法に比べ、選択成長しやすく、成長時に不純物添加が容易であり、量産性に優れていることから、集積回路の製作に最も有効な方法である。しかしながら、急峻なヘテロ界面を得るために、成長を低温化しようとすると、反応雰囲気中の水等の不要不純物が表面に吸着してしまい、エピタキシャル成長しなくなり、基板材質差による選択成長が生じなくなるという問題があった。これは、超高真空CVD装置を使用しての低圧分子流領域でのエピタキシャル成長等により、解決されてきている。しかしながら、Ge比率x=0. 2以上になると、島状成長やミスフィット転位の発生が生じやすく、デバイス製作時の熱履歴によりSiとGeが相互拡散するという問題が残されている。ここでは、CVDプロセスを高清浄化することにより、x=0. 2以上の高品質Si/Si_<1-x>Ge_x/Si構造を形成し、Si_<1-x>Ge_xチャネルMOSFET に適用した結果を示し、さらに、SiとGeの原子層成長制御の可能性を述べる。

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書籍等出版物 12

  1. 雑誌 Newsがわかる特別編 半導体がわかる2025

    毎日新聞出版

    毎日新聞出版　2025年3月27日

    ISBN: 4620794821

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    スマホやクルマ、身近な家電からAIまで、電気を使うあらゆるものに欠かせないのが「半導体」。では、その正体は？ 知っているようで知らない半導体のこと、ピエール＆チップとともに調べに行きましょう！ 「半導体がわかる」シリーズ第3弾の2025年版では、半導体の基本から製造プロセス、発明の歴史など、これまでのコンテンツをバージョンアップし、よりわかりやすい解説とともにお届けします。今年のトピックスは「ウワサのAI半導体」。「半導体★大研究」のコーナーでは、ロジック半導体、メモリー、パワー半導体といったいろんな半導体についてざっくり紹介します。人気YouTuberものづくり太郎さんが教えてくれるは「今、熱いAIと後工程」のこと。「半導体を学べる学校」コーナーでは北海道から九州の高専・大学・技科大・大学院を紹介します。「月刊Newsがわかる」で大人気のマンガも復活!! 【本書の内容】 ●半導体ニュースクリップ ●半導体って何だろう ●一目でわかる半導体製造 全プロセス ●半導体の歴史：ノーベル賞受賞者／そのとき日本の半導体は… ●半導体★大研究：ロジック半導体とメモリー／光半導体／センサー半導体／パワー半導体 ●数字で見る半導体 ●ウワサのAI半導体 ●半導体に関わる会社 ●半導体のくわしい製造プロセス 材料・シリコンウェーハ：目指せ、99.999999999％ 前工程：シリコンウェーハからICチップができるまで 後工程：ICチップから半導体デバイスができるまで 徹底的にキレイに！ シリコンウェーハの洗浄・乾燥 ●YouTuberものづくり太郎さんにインタビュー「今、熱いのはAIと後工程」 ●マンガ「熱血！ 半導体社会ドッジボーラー ナゲル＆ウケル」 ●半導体を学べる学校に行こう 旭川工業高等専門学校／奈良女子大学工学部／豊橋技術科学大学／ 東北大学大学院工学研究科／九州大学大学院 システム情報科学府 ●半導体を学べるスポット ●ピエールとチップの感想文 ○半導体の素材や製造装置、検査装置を作る企業のコーナーもいっぱい 子どもも大人も、電気や理系の知識がなくても、半導体について楽しくわかるための超入門書。これまでにない渾身の全100ページを読んだら、みんな半導体が好きになる！

  2. 宮城県半導体PR冊子「ゼロからわかる！世界にひろがる宮城の半導体」

    株式会社ユーメディア

    宮城県経済商工観光部 新産業振興課 高度電子機械産業振興班　2024年12月23日

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    スマートフォン、自動車、家電などの多くの製品に組み込まれている半導体は、私たちの生活に欠かせない重要な部品であるとともに、脱炭素や省電力、デジタル社会の実現など、様々な社会的課題の解決に不可欠なキーテクノロジーです。一方、半導体は普段目にする機会が少ないため、半導体がどういうものなのか、製造にあたってどのような企業、人が携わっているのかは、あまり知られていません。こうした状況をふまえ、この度、宮城県では、半導体や県内の半導体関連企業をPRするため、「ゼロからわかる！世界にひろがる宮城の半導体」を発行しました。​本冊子では、半導体の役割や仕組み、種類、そして半導体産業に関わる宮城県内の企業、人についてご紹介しております。

  3. 展示パネル「半導体って何だろう？？」（「親子で知ろう！半導体ってなんだろう？inダテリウム」、主催：宮城県（経済商工観光部 新産業振興課））

    株式会社ジェイアール東日本企画仙台支社

    宮城県（経済商工観光部 新産業振興課）　2024年11月17日

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    化学や半導体について、親子で楽しみながら学ぶことができるイベントを開催します！大人気お笑い芸人である小島よしおさんとサイエンスインストラクターとして活躍する阿部清人さんの楽しいサイエンスショーやワークショップも開催します。

  4. 雑誌 Newsがわかる特別編 半導体がわかる2024

    毎日新聞出版

    毎日新聞出版　2024年4月29日

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    スマホやパソコン、家電、自動車など、電気製品に使われている「半導体」。かつては「産業のコメ」といわれましたが、現在では経済安全保障のカギを握る重要な「戦略物質」として注目されています。その半導体について、発明からの歴史やノーベル賞受賞者、製造プロセスまでをわかりやすく紹介したのが「半導体がわかる2024」。2023年に発売した「半導体がわかる」は、一部の高等専門学校で教材として使われるなどご好評をいただき、1年足らずで完売しました。リニューアルした2024年度版には、日本の半導体産業復活のために期待がかかるラピダスへの取材、日本が高いシェアを維持しているパワー半導体の情報など、新コンテンツを追加。半導体を学べる高専・大学・大学院も紹介します。人気YouTuberものづくり太郎さんのインタビューなど、楽しいコンテンツも盛りだくさん！ 【本書の内容】 ●半導体ニュースクリップ ●そもそも半導体って何だろう ●半導体★大研究 ●半導体 75年のヒストリー ●半導体とノーベル賞 ●ラピダスがチャレンジ 2ナノメートルの先端ロジック半導体 ●話題のパワー半導体が地球を守る？ ●半導体の製造プロセス 材料・シリコンウェーハを学ぶ 目指せ、99.999999999％ 前工程～シリコンウェーハからICチップができるまで 後工程～ICチップから半導体デバイスができるまで 徹底的にキレイに！ シリコンウェーハの洗浄＆乾燥 ●半導体に関わる会社 ●YouTuber ものづくり太郎さんにインタビュー「半導体には夢がある！」 ●世界最高の出力電力・出力電圧 ダイヤモンドパワー半導体 ●半導体やエレクトロニクスがもっとわかるスポット ●半導体を学べる学校に行こう 佐世保工業高等専門学校／東北大学大学院 工学研究科／佐賀大学理 工学部 子どもでも、理系の知識がなくても、半導体についてざっくりわかる入門書。ニュース番組や日常会話で半導体の話題が出ても、このムックさえ読んでいれば「ああ、半導体ね～」と言えるようになっちゃいます。

  5. 雑誌 Newsがわかる特別編 半導体がわかる

    毎日新聞出版

    毎日新聞出版　2023年4月29日

    ISBN: 9784620794648

    詳細を見る 詳細を閉じる

    スマホやパソコン、家電、自動車など、電気製品に使われている「半導体」。実は発明されてから、まだたったの75年しかたっていないって、知っていましたか？ その短い間に、世界をひっくり返すような大発明が何度も生まれ、半導体に関連した技術で4組ものノーベル賞受賞者が誕生しています。でも、半導体って何がそんなにすごいの？ その答えを一緒に探しに行きましょう！ 本誌では、半導体の材料や製造プロセスをわかりやすい図で紹介。半導体を学べる高専・大学・大学院も紹介します。人気YouTuberものづくり太郎さんのインタビューやマンガ など、楽しいコンテンツを盛りだくさんでお届けします！ ◇目次 【本書の内容】 ●半導体ニュースクリップ ●そもそも半導体って何だろう ●半導体★大研究 ●半導体 75年のヒストリー ●半導体とノーベル賞 ●マンガ 科学少女 電ちゃんは異世界転生しない件 ●数字で見る半導体 ●YouTuber ものづくり太郎さんにインタビュー「半導体には夢がある！」 ●目指せ、99.999999999％ 半導体材料・シリコンウェーハを学ぶ ●半導体の製造プロセス 前工程〜シリコンウェーハからICチップができるまで 徹底的にキレイに！ シリコンウェーハの洗浄＆乾燥 後工程〜ICチップから半導体デバイスができるまで ●半導体に関わる会社 ●半導体やエレクトロニクスがもっとわかるスポット ●半導体とSDGs ●全国 半導体工場MAP ●半導体を学べる学校に行こう 熊本高等専門学校／神奈川工科大学／東北大学大学院

  6. Chapter 4: Low-Energy Plasma CVD for Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors in Nanoelectronics (in "Chemical Vapor Deposition (CVD): Types, Uses and Selected Research" (ebook) (Edited by Monica Powell))

    Masao Sakuraba, Hisanao Akima, Shigeo Sato

    Nova Science Publishers, Inc.　2017年2月14日

    ISBN: 9781536109085

  7. Chapter 4: Low-Energy Plasma CVD for Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors in Nanoelectronics (in "Chemical Vapor Deposition (CVD): Types, Uses and Selected Research" (Book) (Edited by Monica Powell))

    Masao Sakuraba, Hisanao Akima, Shigeo Sato

    Nova Science Publishers, Inc.　2017年2月14日

    ISBN: 9781536108934

  8. 薄膜ハンドブック（第2版）（日本学術振興会薄膜第131委員会編）

    櫻庭政夫

    オーム社　2008年3月24日

    ISBN: 9784274205194

  9. 新訂版・表面科学の基礎と応用（日本表面科学会編）

    室田淳一, 櫻庭政夫

    エヌ・ティー・エス社　2004年

    ISBN: 4860430514

  10. 21世紀版・薄膜作成応用ハンドブック（權田俊一・監修）

    室田淳一, 櫻庭政夫

    エヌ・ティー・エス社　2003年

    ISBN: 9784860430191

  11. 半導体結晶成長（大野英男・編著）

    室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝

    コロナ社　1999年

    ISBN: 9784339007046

  12. ウェーハ表面完全性の創成・評価技術（津屋英樹・編著）

    室田淳一, 松浦孝, 櫻庭政夫

    サイエンスフォーラム社　1998年

    ISBN: 4916164148

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講演・口頭発表等 320

  1. 同時横方向エピタキシャル成長（SLE）法により製作した3C／4Hポリタイプヘテロ構造SiCウェハを用いたAlゲートMOSダイオードの電気特性

    沖竜徳, 渡辺聡, 森田伊織, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄, 長澤弘幸, 末光眞希, 渡邉幸宗

    先進パワー半導体分科会第11回講演会　2024年11月

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    Poster No. IIB-6 (2024年11月26日)

  2. 走査型非線形誘電率顕微鏡法を用いた3C-SiC/4H-SiC積層構造MOS界面の定量評価

    長康雄, 長澤弘幸, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄

    44th Annual NANO Testing Symposium (NANOTS2024)　2024年11月14日

  3. Study of gate dielectric formation process and evaluation of electrical characteristics for high performance 4H-SiC-MOSFETs 国際会議

    Tatsunori Oki, Masao Sakuraba, Shigeo Sato

    15th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2024年10月22日

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    Abs.No.P-07, pp.55-56

  4. Formation of Alternating Epilayers of 4H-SiC and 3C-SiC by Simultaneous Lateral Epitaxy 国際会議

    H. Nagasawa, M. Abe, T. Tanno, M. Musya, M. Sakuraba, S. Sato, Y. Watanabe, M. Suemitsu

    Internatonal Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM)　2024年10月4日

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    Session ID: 19A, Epitaxial Growth 3, Paper ID: 226, Abst.pp. 733-734

  5. 4H-SiC-MOSFETの高性能化のためのゲート絶縁膜形成プロセスと電気特性評価に関する研究

    沖竜徳, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄

    電気関係学会東北支部連合大会　2024年8月30日

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    No. 2H01-04-01

  6. SNDM study of MOS interface state densities on 3C-SiC and 4H-SiC stacked structure 国際会議

    H. Nagasawa, Y. Cho, M. Abe, T. Tanno, M. Musya, M. Sakuraba, Y. Sato, S. Sato

    14th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2023年12月15日

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    P-09

  7. SNDM Study on Cubic and Hexagonal Epitaxially Stacked SiC MOS Interfaces 国際会議

    Y. Cho, H. Nagasawa, M. Sakuraba, S. Sato

    2023 MRS Fall Meeting & Exhibit　2023年11月28日

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    Symp.: CH01: Advanced Characterization Methods of Energy Material Applications, November 28, 2023, 20:00-22:00.

  8. 3C-SiC/4H-SiC積層構造MOS界面のSNDM評価

    長康雄, 長澤弘幸, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄

    第84回応用物理秋季学術講演会　2023年9月21日

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    2023 年 9 月 21 日(木) 14:45〜15:00、講演番号: 21p-B201-6.

  9. SNDM study of MOS interface state densities on 3C-SiC and 4H-SiC stacked structure 国際会議

    H. Nagasawa, Y. Cho, M. Abe, T. Tanno, M. Musya, M. Sakuraba, Y. Sato, S. Sato

    Internatonal Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM)　2023年9月19日

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    Session 15A: Process 2: MOS II (11:40-12:00, Sep. 19, 2023)

  10. ウェット酸化を利用した二重イオン注入4H-SiC MOSFETの製作プロセスに関する研究

    佐藤勇介, 渡辺聡, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月16日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    13 半導体, 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価, 2023年3月16日(木) 13:30 〜 15:30, No.16p-PA04-4.

  11. Fabrication Process of Double-Implanted Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor of 4H-SiC Utilizing Wet Oxidation 国際会議

    Y. Sato, S. Watanabe, M. Sakuraba, S. Sato

    13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2023年1月24日

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    Poster No. P-07 (Jan. 24, 2023)

  12. 同時横方向エピタキシャル法により形成した3C-SiCと4H-SiCの界面構造

    長澤弘幸, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄

    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　2022年12月21日

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    Poster No. IIA-4 (12月21日（水）10:00-11:15)

  13. 電界効果トランジスタ高性能化のためのプラズマ窒化絶縁膜形成に関する研究

    渋谷凱政, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄

    応用物理学会東北支部 第76回講演会　2021年12月3日

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    No. 3a-A-5-3, pp. 64-65 (2021年12月3日 11:15-11:30)

  14. SiC デバイス高性能化に向けた金属－半導体界面制御に関する研究

    佐々木達矢, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄

    応用物理学会東北支部 第76回講演会　2021年12月3日

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    No. 3a-A-4-2, pp. 54-55 (2021年12月3日 9:45-10:00)

  15. Low-Energy Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and In-Situ Doping for Junction Formation in Group-IV Semiconductor Devices 国際会議 招待有り

    Masao Sakuraba, Shigeo Sato

    Symp. G03: Semiconductor Process Integration 11, 236th Meeting of the Electrochem. Soc.　2019年10月15日

  16. Low-Energy Plasma Enhanced Epitaxy and In-Situ Doping for Group-IV Semiconductor Device Fabrication 国際会議 招待有り

    Masao Sakuraba, Shigeo Sato

    Collaborative Conf. on Materials Research (CCMR)　2019年6月4日

  17. Epitaxy and In-Situ Doping in Low-Energy Plasma CVD Processing for GroupIV Semiconductor Nanoelectronics 国際会議 招待有り

    Masao Sakuraba, Shigeo Sato

    11th Int. Symp. on Advanced Plasma Sci. and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019) / 12th Int. Conf. on Plasma-Nano Technol. & Sci. (IC-PLANTS2019)　2019年3月19日

  18. Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors by Low-Energy Plasma CVD for Nanoelectronics 国際会議 招待有り

    M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato

    11th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2018年2月23日

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    Abs.No.I-14, pp.27-28

  19. Si-Ge Alloy and Si Epitaxy by Low-Energy Plasma CVD for Semiconductor Device Fabrication 国際会議 招待有り

    M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato

    JSPS – FZ-Jülich Workshop –Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration–　2016年11月24日

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    Abs.No.1-3 (pp.11-12)

  20. Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors by Low-Energy Plasma CVD for Quantum Heterointegration in Nanoelectronics 国際会議 招待有り

    M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato

    Energy Materials Nanotechnology (EMN) Meeting on Epitaxy　2016年9月4日

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    Abs.No.A19

  21. Electronic Properties of Si/Si-Ge Alloy/Si(100) Heterostructures Formed by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating 国際会議

    N. Ueno, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato

    7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) & Int. SiGe Technol. and Device Meeting (ISTDM 2016)　2016年6月7日

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    Abs.No.WE-PB-15

  22. In-Situ B Doping Control in Si Film Deposition Using ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating 国際会議

    K. Motegi, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato

    7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) & Int. SiGe Technol. and Device Meeting (ISTDM 2016)　2016年6月7日

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    Abs.No.WE-PB-13

  23. Silicon-Carbon Alloy Film Formation on Si(100) Using SiH4 and CH4 Reaction under Low-Energy ECR Ar Plasma Irradiation 国際会議

    S. Sasaki, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato

    7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) & Int. SiGe Technol. and Device Meeting (ISTDM 2016)　2016年6月7日

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    Abs.No.FE-PB-19

  24. Current and voltage dependence of STM induced hydrogen desorption on Si(111) 国際会議

    W. Li, S. Sato, H. Akima, M. Sakuraba

    9th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2016年1月11日

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    Abs.No.P-16

  25. Characteristics of B Doping in Si Epitaxial Growth on Si(100) Using ECR Ar Plasma CVD 国際会議

    K. Motegi, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato

    9th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2016年1月11日

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    Abs.No.P-17

  26. Evaluation of Electronic Properties of Si/SiGe/Si(100) Heterostructures Formed by ECR Ar Plasma CVD 国際会議

    N. Ueno, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato

    9th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2016年1月11日

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    Abs.No.O-06

  27. Group-IV Quantum-Heterostructure Formation Based on Low-Energy Plasma CVD towards Electronic Device Application 国際会議 招待有り

    M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato

    Energy Materials Nanotechnology (EMN) Hong Kong Meeting　2015年12月9日

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    Abs.No.D11

  28. Low-Energy Plasma CVD Processing for Quantum Heterointegration of Group-IV Semiconductors 招待有り

    M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato

    2nd Joint IT Workshop of Moscow State University-Tohoku University　2015年9月7日

  29. A Fundamental Study on STM Lithography on Hydrogen-terminated Silicon Surface 国際会議

    S. Sato, W. Li, H. Akima, M. Sakuraba

    JSPS Int. Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration　2015年7月9日

  30. Experimental Analysis of Macroscopic Quantum Tunneling Rate in Series Array of Nb/AlOx/Nb Josephson Junctions 国際会議

    Y. Osakabe, T. Onomi, H. Akima, M. Sakuraba, S. Sato

    15th Int. Superconductive Electronics Conf. (ISEC 2015)　2015年7月6日

  31. 運動視により局所運動を検出する神経網モデルのLSI化

    守谷哲, 秋間学尚, 川上進, 矢野雅文, 中島康治, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄

    2015年電子情報通信学会 総合大会　2015年3月10日

  32. Study on Surface Reaction in ECR Ar Plasma CVD of SiGe Alloy on Si(100) without Substrate Heating 国際会議

    N. Ueno, M. Sakuraba, S. Sato

    Joint Symp. of 9th Int. Symp. on Medical, Bio- and Nano-Electronics, and 6th Int. Workshop on Nanoelectronics　2015年3月2日

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    Abs.No.P-10

  33. VLSI Design of Neural Network Model for Local Motion Detection in Motion Stereo Vision 国際会議

    H. Akima, S. Moriya, S. Kawakami, M. Yano, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato

    2nd Int. Symp. on Brainware LSI　2015年3月2日

  34. VLSI Design of Neural Network Model for Local Motion Detection in Motion Stereo Vision 国際会議

    Hisanao Akima, Satoshi Moriya, Susumu Kawakami, Masafumi Yano, Koji Nakajima, Masao Sakuraba, Shigeo Sato

    The 2nd Int. Symp. on Brainware LSI　2015年3月2日

  35. Study on Surface Reaction in ECR Ar Plasma CVD of SiGe Alloy on Si(100) without Substrate Heating 国際会議

    Naofumi. Ueno, Masao Sakuraba, Hisanao Akima, Shigeo Sato

    Joint Symp. of 9th Int. Symp on Medical, Bio- and Nano-Electronics, and 6th Int. Workshop on Nanostructures & Nanoelectronics　2015年3月2日

  36. VLSI implementation of neural network model in local motion detection in motion stereo vision 国際会議

    H. Akima, S. Moriya, S. Kawakami, M. Yano, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato

    3rd RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer　2015年2月18日

  37. Quantum neural network and its application to optimization problems 国際会議

    S. Sato, M. Kinjo, K. Nakajima, H. Akima, M. Sakuraba

    3rd RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer　2015年2月18日

  38. VLSI implementation of neural network model in local motion detection in motion stereo vision 国際会議

    Hisanao Akima, Satoshi Moriya, Susumu Kawakami, Masafumi Yano, Koji Nakajima, Masao Sakuraba, Shigeo Sato

    The 3rd RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer　2015年2月18日

  39. Quantum neural network and its application to optimization problems 国際会議

    Shigeo Sato, Mitsunaga Kinjo, Koji Nakajima, Hisanao Akima, Masao Sakuraba

    The 3rd RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer　2015年2月18日

  40. Influence of Partial Pressures upon Rate Coefficients of SiH4 and GeH4 in ECR Ar Plasma CVD of Si1-xGex on Si(100) without Substrate Heating 国際会議

    N. Ueno, M. Sakuraba, S. Sato

    8th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2015年1月29日

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    Abs.No.P-10

  41. Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition for Group-IV Semiconductor Quantum-Heterostructure 国際会議 招待有り

    M. Sakuraba, S. Sato

    Energy Materials Nanotechnology (EMN) Meeting on Photovoltaics　2015年1月12日

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    Abs.No.A13

  42. Thin Film Formation of Si1-xGex Alloy on Si(100) for Quantum-Effect Nano Heterostructure by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating 国際会議 招待有り

    M. Sakuraba, N. Ueno, S. Sato

    JSPS Int. Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration　2014年11月13日

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    Abs.No.6.2

  43. Epitaxial Growth of Si/Strained Si1-xGex Heterostructure on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating 国際会議

    N. Ueno, M. Sakuraba, S. Sato

    Symp. D-5 : "Control of Interfaces and Materials Processing for Nanoelectronics", International Union of Materi als Research Societies - International Conference in Asia (IUMRS-ICA)　2014年8月25日

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    Abs.No.D5-O26-003

  44. Majority Neuron Circuit Having Large Fan-in with Non-Volatile Synaptic Weight 国際会議

    Int. Joint Conf. on Neural Networks　2014年7月6日

  45. Characterization of Strain in Si1-xGex Films Epitaxially Grown on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating 国際会議

    N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota, S. Sato

    7th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2014年1月27日

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    Abs.No.P-21

  46. Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma CVD Processing 国際会議 招待有り

    M. Sakuraba, J. Murota

    Symp. E12: ULSI Process Integration 8 (224th Meeting of the Electrochem. Soc.)　2013年10月27日

  47. Formation and Characterization of Strained Si1-xGex Films Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating 国際会議

    N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota, S. Sato

    Symp. E12: ULSI Process Integration 8 (224th Meeting of the Electrochem. Soc.)　2013年10月27日

  48. Epitaxial Growth of Heavily B-Doped Si and Ge Films on Si(100) by Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating 国際会議

    Y. Abe, S. Kubota, M. Sakuraba, J. Murota, S. Sato

    Symp. E12: ULSI Process Integration 8 (224th Meeting of the Electrochem. Soc.)　2013年10月27日

  49. Formation of Heavily B-Doped Si and Ge Films Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating 国際会議 招待有り

    M. Sakuraba, J. Murota, S. Sato

    JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2013年10月24日

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    Abs.No.01

  50. Atomically Controlled CVD Processing of Group IV Semiconductors for Strain Engineering and Doping in Ultralarge Scale Integration 国際会議 招待有り

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    4th Int. Conf. on Semiconductor Technology for Ultra Large Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT 4)　2013年7月7日

  51. Atomically Controlled Processing of Group IV Semiconductors by CVD for Ultralarge Scale Integration 国際会議 招待有り

    J. Murota, M. Sakuraba and, B. Tillack

    JSPS Core-to Core Program Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2013年6月6日

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    Abs.No.C2-2

  52. Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD in a SiH4-B2H6-H2 Gas Mixture without Substrate Heating 国際会議

    Y. Abe, M. Sakuraba, J. Murota

    8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)　2013年6月2日

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    Abs.No.P1-4

  53. Epitaxial Growth of Si1-xGex Alloy on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD in a SiH4-GeH4 Gas Mixture without Substrate Heating 国際会議

    N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota, S. Sato

    8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)　2013年6月2日

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    Abs.No.P1-8

  54. Nitrogen Doping Effect upon Hole Tunneling Characteristics of Si Barriers in Si1-xGex/Si Resonant Tunneling Diode 国際会議

    T. Kawashima, M. Sakuraba, J. Murota

    8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)　2013年6月2日

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    Abs.No.P1-27

  55. DLTS Evaluation of GeNX/Ge Structures Fabricated by ECR-Plasma Techniques 国際会議

    H. Okamoto, H. Narita, T. Iwasaki, T. Ono, Y. Fukuda, Y. Otani, H. Toyota, M. Sakuraba, J. Murota, M. Niwano

    The Joint Symp. of 7th Int.Symp. on Medical, Bio- and Nano-Electronics, 4th Int. Workshop on Nanostructures & Nanoelectronics, and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2013年3月7日

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    Abs.No.9

  56. Atomically Controlled Plasma CVD Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors 国際会議 招待有り

    M. Sakuraba, J. Murota

    6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2013年2月22日

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    Abs.No.D-3

  57. Nitrogen Doping into Si Barriers and Modulation of Hole Tunneling Characteristics in Si1-xGex/Si Resonant Tunneling Diode 国際会議

    T. Kawashima, M. Sakuraba, J. Murota

    6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2013年2月22日

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    Abs.No.P-15

  58. Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD from SiH4-B2H6-H2 Gas Mixture without Substrate Heating 国際会議

    Y. Abe, M. Sakuraba, J. Murota

    6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2013年2月22日

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    Abs.No.P-16

  59. Epitaxial Growth of Si1-xGex on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD from SiH4-GeH4 Gas Mixture without Substrate Heating 国際会議

    N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota, S. Sato

    6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2013年2月22日

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    Abs.No.P-17

  60. Epitaxial Growth of B-Doped Ge on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD from GeH4-B2H6-H2 Gas Mixture without Substrate Heating 国際会議

    S. Kubota, M. Sakuraba, J. Murota, S. Sato

    6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"　2013年2月22日

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    Abs.No.P-18

  61. Strain Control of Si and Si1-x-yGexCy Layers in Si/Si1-x-yGexCy/Si Heterostructures by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 国際会議 招待有り

    J. Murota, T. Kikuchi, J. Hasegawa, M. Sakuraba

    Symp. E17: 5th SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symp. (222nd Meeting of the Electrochem. Soc.)　2012年10月7日

  62. Strain Control of Si and Si1-yCy Layers in Si/Si1-yCy/Si(100) Heterostructures 国際会議

    T. Kikuchi, M. Sakuraba, I. Costina, B. Tillack, J. Murota

    6th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012)　2012年6月4日

  63. Atomically Controlled Processing for Group IV Semiconductors 国際会議 招待有り

    J. Murota, M. Sakuraba

    4th French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (FRONTIER 2011)　2011年12月4日

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    p.33

  64. Fabrication of Room-Temperature Resonant Tunneling Diode with Atomically Controlled Strained Si1-xGex/Si Quantum Heterostructure 国際会議 招待有り

    M. Sakuraba, J. Murota

    4th French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (FRONTIER 2011)　2011年12月4日

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    p.35

  65. Atomically Controlled Formation of Strained Si1-xGex/Si Quantum Heterostructure for Room-Temperature Resonant Tunneling Diode 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota

    Symp. E9: ULSI Process Integration 7 (220th Meeting of the Electrochem. Soc.)　2011年10月9日

  66. Atomically Controlled Plasma Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota

    Symp. E9: ULSI Process Integration 7 (220th Meeting of the Electrochem. Soc.)　2011年10月9日

  67. Atomically Controlled Processing in Silicon-Based CVD Epitaxial Growth 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    18th Euro. Conf. on Chemical Vapor Deposition (EuroCVD 18)　2011年9月4日

  68. Behavior of N Atoms after Thermal Nitridation of Si1-xGex Surface 国際会議

    T. Kawashima, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    7th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)　2011年8月27日

  69. Atomically Controlled CVD Processing for Doping in Future Si-Based Devices 国際会議 招待有り

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    2011 Int. Conf. on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT)　2011年6月26日

  70. Atomically Controlled Processing in Strained Si-Based CVD Epitaxial Growth 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba

    3rd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (FRONTIER 2010)　2010年12月7日

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    p.55

  71. Atomically Controlled Plasma Processing for Group IV Quantum Heterointegration 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota

    3rd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (FRONTIER 2010)　2010年12月7日

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    p.116

  72. Formation of Room-Temperature Resonant-Tunneling Quantum Heterostructures with High-Ge-Fraction Strained Si1-xGex/Si(100) 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota

    3rd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (FRONTIER 2010)　2010年12月7日

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    p.117

  73. Atomically Controlled Plasma Processing for Epitaxial Growth of Group IV Semiconductors 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota

    10th IEEE Int. Conf. on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2010)　2010年11月1日

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    Proc.No.I12_07

  74. Atomically Controlled Processing in Strained Si-Based CVD Epitaxial Growth 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    10th IEEE Int. Conf. on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2010)　2010年11月1日

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    Proc.No.I12_05

  75. Atomically Controlled Plasma Processing for Group IV Quantum Heterostructure Formation 国際会議

    M. Sakuraba, K. Sugawara, J. Murota

    Int. Symp. on Technology Evolution for Silicon Nano-Eelectronics (ISTESNE)　2010年6月3日

  76. Room-Temperature Resonant Tunneling Diode with Nanometer-Order High-Ge-Fraction Strained Si1-xGex/Si Heterostructures on Si(100) 国際会議

    M. Sakuraba, K. Takahashi, J. Murota

    Int. Symp. on Technology Evolution for Silicon Nano-Eelectronics (ISTESNE)　2010年6月3日

  77. Determination of Valence Band Alignment in SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si(100) Heterostructures 国際会議

    A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba, J. Murota

    5th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2010)　2010年5月24日

  78. Evolution of the Hydrogen Terminated Structure of the Si(100) Surface and Its Interaction with H2 at 20-800oC 国際会議

    A. Uto, M. Sakuraba, M. Caymax, J. Murota

    5th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2010)　2010年5月24日

  79. In-Situ Heavy B-Doped Si Epitaxial Growth on Tensile-Strained Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD Using SiH4 and B2H6 国際会議

    M. Nagato, M. Sakuraba, J. Murota, B. Tillack, Y. Inokuchi, Y. Kunii, H. Kurokawa

    5th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2010)　2010年5月24日

  80. Influence of Strain on P Atomic-Layer Doping Characteristics in Strained Si0.3Ge0.7/Si(100) Heterostructures 国際会議

    Y. Chiba, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    5th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2010)　2010年5月24日

  81. Fabrication of High-Ge-Fraction Strained Si1-xGex/Si Hole Resonant Tunneling Diode Using Low-Temperature Si2H6 Reaction for Nanometer-Order Ultrathin Si Barriers 国際会議

    K. Takahashi, M. Sakuraba, J. Murota

    5th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2010)　2010年5月24日

  82. Effects of 193 nm Excimer laser radiation on SiO2/Si/SiGe heterostructures grown on s-SOI substrates 国際会議

    S. Chiussi, J.C. Conde, A. Benedetti, C. Serra, M. Sakuraba, J. Murota

    5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2010年1月29日

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    No.I-11, pp.65-66

  83. Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures Using Atomically Controlled Plasma Processing 国際会議

    M. Sakuraba, T. Nosaka, K. Sugawara, J. Murota

    5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2010年1月29日

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    No.I-13, pp.69-70

  84. Adsorption and Desorption of Hydrogen on Si(100) in H2 or Ar Heat Treatment 国際会議

    A. Uto, M. Sakuraba, M. Caymax, J. Murota

    5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2010年1月29日

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    No.P-04, pp.25-26

  85. Mobility Enhancement by Highly Strained Si on Relaxed Ge(100) Buffer Grown by Plasma CVD 国際会議

    K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota

    5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2010年1月29日

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    No.P-11, pp.39-40

  86. Heavy P Atomic-Layer Doping between Si and Si0.3Ge0.7(100) by Ultraclean Low Pressure CVD 国際会議

    Y. Chiba, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2010年1月29日

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    No.P-19, pp.55-56

  87. Evaluation of Valence Band Offsets for SiO2/Si/SiGe0.5/Si Heterostructures Using by X-ray Photoelectron Spectroscopy 国際会議

    A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba, J. Murota

    5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2010年1月29日

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    No.P-20, pp.57-58

  88. Effect of Heavy Carbon Atomic-Layer Doping upon Intermixing and Strain at Si1-xGex/Si(100) Heterointerface 国際会議

    T. Hirano, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2010年1月29日

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    No.P-21, pp.59-60

  89. N Atomic-Layer Doping in Si/Si1-xGex/Si(100) Heterostructure Growth by Low-Pressure CVD 国際会議

    T. Kawashima, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2010年1月29日

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    No.P-22, pp.61-62

  90. Atomically Controlled Processing for Future Si-Based Devices 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba

    2nd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (FRONTIER 2009)　2009年11月29日

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    Abs.No.O-4, p.22

  91. Atomically Controlled Plasma Processing for Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures 国際会議

    K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (FRONTIER 2009)　2009年11月29日

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    Abs.No.P-70, p.131

  92. Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100) 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota

    2nd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (FRONTIER 2009)　2009年11月29日

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    Abs.No.P-71, p.132

  93. Atomically Controlled CVD Processing for Doping of Si-Based Group IV Semiconductors 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    Symp. E10: ULSI Process Integration 6 (216th Meeting of the Electrochem. Soc.)　2009年10月4日

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    Abst.No.2360

  94. Atomically Controlled Plasma Processing for Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures 国際会議

    M. Sakuraba, K. Sugawara, J. Murota

    Symp. E10: ULSI Process Integration 6 (216th Meeting of the Electrochem. Soc.)　2009年10月4日

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    Abst.No.2367

  95. Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100) 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota

    1st Int. Workshop on Si Based Nano-Electronics and -Photonics (SiNEP-09)　2009年9月20日

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    No.S4-5, pp.81-82

  96. Atomically Controlled Processing for Group-IV Semiconductors 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba

    2009 Int. Conf. on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT)　2009年7月5日

  97. Electrical Characteristics of B-Doped Highly Strained Si Films Epitaxially Grown on Ge(100) Formed by Plasma CVD 国際会議

    K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota

    6th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)　2009年5月17日

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    No.3B.3

  98. Heavy Nitrogen Atomic-Layer Doping of Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD 国際会議

    T. Kawashima, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    6th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)　2009年5月17日

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    No.3B.4

  99. Heavily B Atomic-Layer Doping Characteristics in Si Epitaxial Growth on Si(100) Using Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma 国際会議

    T. Nosaka, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    6th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)　2009年5月17日

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    No.1P.11

  100. Heavy Carbon Atomic-Layer Doping at Si1-xGex/Si Heterointerface 国際会議

    T. Hirano, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    6th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)　2009年5月17日

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    No.3P.3

  101. Impact of Si Cap Layer Growth on Surface Segregation of P Incorporated by Atomic-Layer Doping of Strained Si1-xGex 国際会議

    Y. Chiba, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    6th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)　2009年5月17日

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    No.3P.8

  102. Atomically Controlled Processing in Si-Based CVD Epitaxial Growth 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    Symp. Z:"Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices", Int. Union of Mat. Res. Soc. - Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)　2008年12月9日

  103. Nitrogen Atomic-Layer Doping in Nanometer-Order Heterostructure of Si/Si1-xGex/Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD 国際会議

    T. Kawashima, M. Sakuraba, J. Murota

    Symp. Z:"Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices", Int. Union of Mat. Res. Soc. - Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)　2008年12月9日

  104. Heavily B Atomic-Layer Doping in Si Epitaxial Growth Using Electron-Cyclotron-Resonance Plasma 国際会議

    T. Nosaka, M. Sakuraba, J. Murota

    Symp. Z:"Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices", Int. Union of Mat. Res. Soc. - Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)　2008年12月9日

  105. Epitaxial Growth of Highly Strained B Doped Si on Relaxed Ge/Si(100) 国際会議

    K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota

    Symp. Z:"Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices", Int. Union of Mat. Res. Soc. - Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)　2008年12月9日

  106. Atomically Controlled CVD Processing for Future Si-Based Devices 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    9th Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT 2008)　2008年10月20日

  107. Application of Relaxed Ge/Si(100) by ECR Plasma CVD to Highly Strained B Doped Si 国際会議

    K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2008年9月25日

  108. P Atomic-Layer Doping in Heteroepitaxial Growth of Si on Strained Si1-xGex/Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD 国際会議

    Y. Chiba, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2008年9月25日

  109. Formation of Nitrogen Atomic-Layer Doped Si/Si1-xGex/Si(100) Epitaxially Grown by Ultraclean Low-Pressure CVD 国際会議

    T. Kawashima, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2008年9月25日

  110. Epitaxial Growth of B Atomic-Layer Doped Si Film on Si(100) Using Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma 国際会議

    T. Nosaka, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2008年9月25日

  111. Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing High Ge Fraction (x>0.5) Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure with Improved Performance at Higher Temperature above 200 K 国際会議

    K. Takahashi, T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2008年9月25日

  112. Heat-Treatment Effect upon H-Terminated Structure Formed on Wet-Cleaned Si(100) and Ge(100) 国際会議

    A. Uto, M. Sakuraba, M. Caymax, J. Murota

    4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2008年9月25日

  113. Transient Charge-Pumping Characteristics in SiGe/Si-Hetero-Channel MOSFETs 国際会議

    T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2008年9月25日

  114. Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe/Si(100) Heterostructures with High Ge Fraction 国際会議

    M. Sakuraba, R. Ito, T. Seo, J. Murota

    4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2008年9月25日

  115. Atomically Controlled Processing for Impurity Doping in Si-Based CVD Epitaxial Growth 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    8th Int. Conf. on Atomic Layer Deposition (ALD 2008)　2008年6月29日

  116. Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs 国際会議

    T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)　2008年5月11日

  117. Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure 国際会議

    T. Seo, K. Takahashi, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)　2008年5月11日

  118. Heavy B Atomic-Layer Doping Characteristics in Si Epitaxial Growth on B Adsorbed Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System 国際会議

    H. Tanno, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    4th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)　2008年5月11日

  119. Change of H-Termination on Wet-Cleaned Si(100) and Ge(100) by Heat-Treatment in H2 or Ar 国際会議

    A. Uto, M. Sakuraba, M. Caymax, J. Murota

    4th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)　2008年5月11日

  120. Behavior of N Atoms on Atomic-Order Nitrided Si0.5Ge0.5(100) 国際会議

    N. Akiyama, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    5th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)　2007年11月12日

  121. Heavily Atomic-Layer Doping of B in Low-Temperature Si Epitaxial Growth on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 国際会議

    H. Tanno, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    5th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)　2007年11月12日

  122. Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure 国際会議

    T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota

    5th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)　2007年11月12日

  123. Self-Limited Growth of Si on B Atomic-Layer Formed Ge(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System 国際会議

    T. Yokogawa, K. Ishibashi, M. Sakuraba, J. Murota, Y. Inokuchi, Y. Kunii, H. Kurokawa

    5th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)　2007年11月12日

  124. Instability of a SiGe/Si-hetereo-interface in hetero-channel MOSFETs due to Joule heating 国際会議

    T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2007年11月8日

  125. Characterization of B Incorporation in B Atomic Layer Doping at Si/Ge(100) Heterointerface 国際会議

    T. Yokogawa, K. Ishibashi, M. Sakuraba, J. Murota, Y. Inokuchi, Y. Kunii, H. Kurokawa

    3rd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2007年11月8日

  126. Heat-Treatment Effect on Structure of Atomic-Order Nitrided Si0.5Ge0.5(100) Using Low Pressure CVD 国際会議

    N. Akiyama, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    3rd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2007年11月8日

  127. Effect of Low-Temperature SiH4 Exposure on Heavily Atomic-Layer Doping of B in Si Epitaxial Growth on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD 国際会議

    H. Tanno, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    3rd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2007年11月8日

  128. Characterization of Temperature-Dependent Hole Resonant Tunneling Properties with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure 国際会議

    T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2007年11月8日

  129. Strain Control of Si and Si1-xGex Layers in the Si/Si1-xGex/Si Heterostructures by Stripe-Shape Patterning for Future Si-Based Devices 国際会議

    J. Murota, J. Uhm, M. Sakuraba

    Symp. E9: ULSI Process Integration 5 (The Electrochem. Soc.)　2007年10月7日

  130. Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si1-x"DRGe#Dx Epitaxially Grown on Si(100) 国際会議

    M. Sakuraba, R. Ito, T. Seo, J. Murota

    Symp. E9: ULSI Process Integration 5 (The Electrochem. Soc.)　2007年10月7日

  131. Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD (Invited Paper) 国際会議

    M. Sakuraba, D. Muto, M. Mori, K. Sugawara, J. Murota

    5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)　2007年5月20日

  132. High Ge Fraction Intrinsic SiGe-Heterochannel MOSFETs with Embedded SiGe Source/Drain Electrode Formed by In-Situ Doped Selective CVD Epitaxial Growth 国際会議

    S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota

    5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)　2007年5月20日

  133. Local Strain in Si/Si0.6Ge0.4/Si(100) Heterostructures by Stripe-Shape Patterning 国際会議

    J. Uhm, M. Sakuraba, J. Murota

    5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)　2007年5月20日

  134. Si Epitaxial Growth on Self-Limitedly B Adsorbed Si1-xGex(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System 国際会議

    K. Ishibashi, M. Sakuraba, J. Murota, Y. Inokuchi, Y. Kunii, H. Kurokawa

    5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)　2007年5月20日

  135. Structural Change of Atomic-Order Nitride Formed on Si1-xGex(100) and Ge(100) by Heat Treatment 国際会議

    N. Akiyama, M. Sakuraba, B. Tillack, J. Murota

    5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)　2007年5月20日

  136. Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure 国際会議

    T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota

    5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)　2007年5月20日

  137. Reliability and Instability of a SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-Channel MOSFETs (Invited Paper) 国際会議

    T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota

    5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)　2007年5月20日

  138. Atomically Controlled Technology for Group IV Semiconductors (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    4th Int. Workshop on Nanoscale Semiconductor Devices　2007年4月5日

  139. The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress 国際会議

    37th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conf. (IEEE SISC 2006)　2006年12月7日

  140. Atomic-Order Thermal Nitridation of Si1-xGex(100) at Low Temperatures by NH3 国際会議

    N. Akiyama, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. SiGe & Ge: Materials, Processing, and Device Symp. (210th Electrochem. Soc. Meeting)　2006年10月29日

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    Paper No.20.4: ECS Trans., Vol.3, No.7, SiGe and Ge: Materials, Processing, and Devices (Edited by D. Harame, J. Boquet, J. Cressler, K. Rim, B. Tillack, M. Caymax, G. Masini, A. Reznicek, S. Koester, S. Zaima, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2006), pp.1205-1210 (2006).

  141. A Study on B Atomic Layer Formation for B-Doped Si1-xGex(100) Epitaxial Growth Using Ultraclean LPCVD System 国際会議

    K. Ishibashi, M. Sakuraba, J. Murota, Y. Inokuchi, Y. Kunii, H. Kurokawa

    2nd Int. SiGe & Ge: Materials, Processing, and Device Symp. (210th Electrochem. Soc. Meeting)　2006年10月29日

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    Paper No.14.4: ECS Trans., Vol.3, No.7, SiGe and Ge: Materials, Processing, and Devices (Edited by D. Harame, J. Boquet, J. Cressler, K. Rim, B. Tillack, M. Caymax, G. Masini, A. Reznicek, S. Koester, S. Zaima, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2006), pp.861-866 (2006).

  142. Strain Control of Stripe Patterned Si/Si1-xGex/Si Heterostructures 国際会議

    J. Uhm, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. SiGe & Ge: Materials, Processing, and Device Symp. (210th Electrochem. Soc. Meeting)　2006年10月29日

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    Paper No.6.3: ECS Trans., Vol.3, No.7, SiGe and Ge: Materials, Processing, and Devices (Edited by D. Harame, J. Boquet, J. Cressler, K. Rim, B. Tillack, M. Caymax, G. Masini, A. Reznicek, S. Koester, S. Zaima, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2006), pp.421-427 (2006).

  143. Atomically Controlled CVD Technology for Group IV Semiconductors (Invited Paper) 国際会議

    8th Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT 2006)　2006年10月23日

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    No.B3.2, pp.440-443.

  144. Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si1-xGex Heterostructures on Si(100) Grown by Low-Temperature Ultraclean LPCVD 国際会議

    T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2006年10月2日

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    No.P-29.

  145. Thermal Stability of Nitrided Si Atomic Layer on Ge(100) Using Low Pressure CVD 国際会議

    N. Akiyama, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2006年10月2日

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    No.P-28.

  146. P atomic Layer Doping at Heterointerface of Epitaxial Si Layer and Si1-xGex(100) Substrate by Alternate Surface Reaction of PH3 and Si2H6 in Ultraclean LPCVD 国際会議

    Y. Chiba, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2006年10月2日

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    No.P-27.

  147. Highly Strained-Si/Relaxed-Ge Epitaxial Growth on Si(100) by ECR Plasma CVD and Evaluation of Thermal Stability 国際会議

    K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2006年10月2日

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    No.P-17.

  148. B Atomic Layer Formation on Si1-xGex(100) by Ultraclean LPCVD System 国際会議

    K. Ishibashi, M. Sakuraba, J. Murota, Y. Inokuchi, Y. Kunii, H. Kurokawa

    2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2006年10月2日

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    No.P-16.

  149. Fabrication of Sub-100-nm Gate-Length SiGe-Heterochannel MOSFETs with In-Situ Doped Selectively Epitaxial SiGe Source/Drain 国際会議

    S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2006年10月2日

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    No.P-02.

  150. Strain and Conductivity Behavior of Stripe Patterned Si/Si1-xGex/Si(100) Heterostructures 国際会議

    J. Uhm, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2006年10月2日

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    No.P-01.

  151. Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor in ECR Plasma Enhanced CVD 国際会議

    M. Sakuraba, D. Muto, M Mori, K. Sugawara, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2006年10月2日

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    No. O-09.

  152. Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs 国際会議

    T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2006年10月2日

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    No. O-01.

  153. Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices (Invited Paper) 国際会議

    T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota

    2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, Sendai, Japan, Jul. 3-5, 2006, (IEICE Technical Report, The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)　2006年7月3日

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    ED2006-61, SDM2006-69 (2006-7), pp.21-24.

  154. Atomically Controlled Processing for Future Si-Based Devices 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    2006 Advanced Research Workshop on “Future Trends in Microelectronics (FTM-5): Up the Nano Creek"　2006年6月26日

  155. Atomic-Order Si Nitride Formation on Ge(100) by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 国際会議

    N. Kanai, N. Akiyama, M. Sakuraba, J. Murota

    Symp. L: Characterization of High-K Dielectric Materials, E-MRS 2006 Spring Meeting (IUMRS-ICEM 06)　2006年5月29日

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    Paper No.L-8b.

  156. Strain Control and Electrical Properties of Stripe Patterned Si/Si1-xGex/Si(100) Heterostructures 国際会議

    J. Uhm, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. SiGe Technol. and Device Meeting (ISTDM 2006)　2006年5月15日

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    Paper No.13B.4.

  157. Epitaxial Growth of P Atomic Layer Doped Si Film by Alternate Surface Reaction of PH3 and Si2H6 on Strained Si1-xGex/Si(100) in Ultraclean Low Pressure CVD 国際会議

    Y. Chiba, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. SiGe Technol. and Device Meeting (ISTDM 2006)　2006年5月15日

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    Paper No.5P.27.

  158. Epitaxial Growth of Highly Strained Si on Relaxed Ge/Si(100) Using ECR Plasma CVD without Substrate Heating 国際会議

    K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. SiGe Technol. and Device Meeting (ISTDM 2006)　2006年5月15日

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    Paper No.5P.26.

  159. Hole Tunneling Properties in Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si0.8Ge0.2 Heterostructures Grown on Si(100) by Low-Temperature Ultraclean LPCVD 国際会議

    R. Ito, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. SiGe Technol. and Device Meeting (ISTDM 2006)　2006年5月15日

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    Paper No.5P.25.

  160. Carbon Doping Effect on Strain Relaxation during Si1-x-yGexCy Epitaxial Growth on Si(100) at 500 oC 国際会議

    H. Nitta, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. SiGe Technol. and Device Meeting (ISTDM 2006)　2006年5月15日

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    Paper No.5P.24.

  161. Silicon Self-Diffusion in Heavily B-Doped Si Using Highly Pure 30Si Epitaxial Layer 国際会議

    S. Matsumoto, S. R. Aid, S. Seto, K. Toyonaga, Y. Nakabayashi, M. Sakuraba, Y. Shimamune, Y. Hashiba, J. Murota, K. Wada, T. Abe

    Silicon Materials Science and Technology X, The Electrochem. Soc. Spring Meeting　2006年5月7日

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    Abs.No. 528.

  162. Quantitative Evaluation of the Interface Trap Density in Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructures by Low-Temperature Charge-Pumping Technique (Invited Paper) 国際会議

    T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota

    13th Int. Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD-2005)　2005年12月13日

  163. Experimental Estimation of the Width of the Hot-Carrier-Degraded Region and the Density of Locally-Generated Hetero-Interface Traps in a SiGe/Si Heterostructure 国際会議

    T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, J. Murota

    36th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conf. (IEEE SISC 2005)　2005年12月1日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Paper No.7.4.

  164. Carbon Doping Effect on Strained Si1-xGex Epitaxial Growth on Si(100) 国際会議

    H. Nitta, J. Tanabe, M. Sakuraba, J. Murota

    1st Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2005年5月27日

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    No.P-21

  165. Strain Relaxation by Heat Treatment in Epitaxial Ge Films on Si(100) Using ECR Plasma CVD 国際会議

    K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota

    1st Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2005年5月27日

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    No.P-20

  166. Si Epitaxial Growth Using Si2H#6R on PH#D3 Reacted Si1-xGex(100) by Ultraclean Low Pressure CVD 国際会議

    K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota

    1st Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2005年5月27日

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    No.P-19

  167. Line-Shape Patterning Effect on Strain in Si/Si1-xGex/Si(100) Heterostructures 国際会議

    J. Uhm, M. Sakuraba, J. Murota

    1st Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics　2005年5月27日

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    No.P-18

  168. Photo Detection Characteristics of Si1-xGex/Si p-i-n Diode Integrated with Optical Waveguides 国際会議

    A. Yamada, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)　2005年5月23日

  169. Surface Reaction and B Atom Segregation in ECR Chlorine Plasma Etching of B-Doped Si1-xGex Epitaxial Films 国際会議

    H.-S. Cho, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)　2005年5月23日

  170. Strain Relaxation by Line-Shape Patterning in Si/Si1-xGex/Si(100) Heterostructures 国際会議

    J. Uhm, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)　2005年5月23日

  171. Thermal Effect on Strain Relaxation in Ge Films Epitaxially Grown on Si(100) Using ECR Plasma CVD 国際会議

    K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)　2005年5月23日

  172. Effect of Grain Boundary on Electrical Characteristics in B- and P-doped Polycrystalline Si1-x-yGexCy Film Deposited by Ultraclean LPCVD 国際会議

    H. Shim, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)　2005年5月23日

  173. Plasma Enhanced Surface Reaction of CH4 on Si(100) and Subsequent Si Epitaxial Growth Using Ultraclean ECR Plasma CVD 国際会議

    Y. Noji, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)　2005年5月23日

  174. Carbon Effect on Strain Compensation in Si1-x-yGexCy Films Epitaxially Grown on Si(100) 国際会議

    H. Nitta, J. Tanabe, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)　2005年5月23日

  175. P Atomic Layer Formation on Si1-xGex(100) and Subsequent Si Epitaxy Using Si2H6 by Ultraclean Low Pressure CVD 国際会議

    Y. Chiba, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)　2005年5月23日

  176. Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs 国際会議

    T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota

    4th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)　2005年5月23日

  177. Atomically Controlled CVD Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    Int. Symp. ULSI Process Integration IV, Spring Meeting of The Electrochem. Soc.　2005年5月15日

  178. Determination of Diffusivities of Si Self-Diffusion and Si Self-Interstitials using Isotopically Enriched Single- or Multi-30Si Epitaxial Layers (Invited Paper) 国際会議

    S. Matsumoto, S. Seto, S. Aid, T. Sakaguchi, Y. Nakabayashi, K. Toyonaga, Y. Shimamune, Y. Hashiba, M. Sakuraba, J. Murota, K. Wada, T. Abe

    2005 Mat. Res. Soc. Spring Meeting, Symp.E: “Semiconductor Defect Engineering - Materials, Synthetic Structures, and Devices　2005年3月28日

  179. Direct Measurements of Trap Density in a SiGe/Si Hetero Interface by New Charge-Pumping Technique (Invited Paper) 国際会議

    T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota

    2005 Mat. Res. Soc. Spring Meeting, Symp.E: “Semiconductor Defect Engineering - Materials, Synthetic Structures, and Devices　2005年3月28日

  180. Atomically Controlled Impurity Doping for Future Si-Based Devices (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    2004 Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT)　2004年10月18日

  181. Hetero-Interface Traps and Hot Carrier Reliability of SiGe/Si Heterostructure and Low Frequency Noise in SiGe-Channel pMOSFETs 国際会議

    T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors (Si-Ge-C Workshop)　2004年10月12日

  182. Novel SOI Fabrication Process Utilizing the Selective Etching for Si/SiGe Stacked Layers: Separation by Bonding Si Islands Technology (SBSI) 国際会議

    S. Ohmi, H. Ohri, T. Yamazaki, M. Sakuraba, J. Murota, T. Sakai

    3rd Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors (Si-Ge-C Workshop)　2004年10月12日

  183. High Performance Strained SiGe Channel pMOSFETs with Selective CVD B-Doped SiGe Source/Drain Electrode 国際会議

    S. Takehiro, D. Lee, M. Sakuraba, J. Murota, T. Tsuchiya

    3rd Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors (Si-Ge-C Workshop)　2004年10月12日

  184. Epitaxial Growth of N Delta Doped Si Films on Si(100) by ECR Plasma CVD Using N2 and SiH4 国際会議

    M. Mori, T. Seino, D. Muto, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors (Si-Ge-C Workshop)　2004年10月12日

  185. Epitaxial Growth and Electrical Properties of N Atomic Layer Doped Si Films on Si(100) by Ultraclean LPCVD 国際会議

    Y. Jeong, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors (Si-Ge-C Workshop)　2004年10月12日

  186. Epitaxial Growth and Electrical Properties of W Delta Doped Si Films on Si(100) by Ultraclean LPCVD 国際会議

    T. Komatsu, T. Kurosawa, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors (Si-Ge-C Workshop)　2004年10月12日

  187. Thermal Stability of Si/Si1-xGex/Si Heterointerface with C Atomic Order Doping Using Ultraclean LPCVD 国際会議

    K. Takahashi, T. Kobayashi, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors (Si-Ge-C Workshop)　2004年10月12日

  188. Epitaxial Growth of Strained Ge Film on Si(100) by ECR Plasma CVD Using GeH4 Gas 国際会議

    K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors (Si-Ge-C Workshop)　2004年10月12日

  189. Light Emission and Photo Detection Using Si p-i-n Diodes Integrated with Optical Waveguides 国際会議

    A. Yamada, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors (Si-Ge-C Workshop)　2004年10月12日

  190. Electrical Properties of Impurity-doped Polycrystalline Si1-x-yGexCy Film Deposited on SiO2 by Ultraclean LPCVD 国際会議

    H. Shim, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors (Si-Ge-C Workshop)　2004年10月12日

  191. Sidewall Protection by Nitrogen in Anisotropic Etching of P-Doped Poly-Si1-xGex Using Cl2/N2/SiCl4 Plasma 国際会議

    H.-S. Cho, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors (Si-Ge-C Workshop)　2004年10月12日

  192. Etching Characteristics of B-Doped Si1-xGex Epitaxial Films Using Electron-Cyclotron-Resonance Chlorine Plasma 国際会議

    H.-S. Cho, M. Sakuraba, J. Murota

    3rd Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors (Si-Ge-C Workshop)　2004年10月12日

  193. C Atomic Order Doping at Si/Si1-x#RGe#Dx/Si Heterointerface and Improvement of Thermal Stability 国際会議

    K. Takahashi, T. Kobayashi, M. Sakuraba, J. Murota

    SiGe: Materials Processing and Device, The Electrochem. Soc. Fall Meeting　2004年10月3日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.1373.

  194. Electrical Properties of B-doped Polycrystalline Si1-x-yGexCy Film Deposited by Ultraclean Low-pressure CVD 国際会議

    H. Shim, M. Sakuraba, J. Murota

    SiGe: Materials Processing and Device, The Electrochem. Soc. Fall Meeting　2004年10月3日

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    Abs.No.1309.

  195. Sidewall Protection by Nitrogen in Anisotropic Etching of P-doped Poly-Si1-xGex 国際会議

    H.-S. Cho, S. Takehiro, M. Sakuraba, J. Murota

    SiGe: Materials Processing and Device, The Electrochem. Soc. Fall Meeting　2004年10月3日

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    Abs.No.1307.

  196. Propagation Characteristics of Si Nitride Optical Waveguide Integrated with Si p-i-n Diodes for Light Emitter and Detector 国際会議

    A. Yamada, M. Sakuraba, J. Murota

    1st Int. Conf. Group IV Photonics　2004年9月29日

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    Abs.No.FA2.

  197. Atomically Controlled Processing for High-Performance Si-Based Devices 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba

    Tohoku-Cambridge Forum　2004年6月10日

  198. Separation by Bonding Si Island (SBSI) for LSI Applications 国際会議

    T. Sakai, T. Yamazaki, S. Ohmi, S. Morita, H. Ohri, J. Murota, M. Sakuraba, H. Omi, Y. Takahashi

    2nd Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2004)　2004年5月16日

  199. Sidewall Protection by Nitrogen and Oxygen in Poly-Si1-xGex Anisotropic Etching Using Cl2/N2/O2 Plasma 国際会議

    H.-S. Cho, S. Takehiro, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2004)　2004年5月16日

  200. Si Epitaxial Growth on Atomic-Order Nitrided Si(100) Using Electron Cyclotron Resonance Plasma 国際会議

    M. Mori, T. Seino, D. Muto, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2004)　2004年5月16日

  201. Electrical Properties of N Atomic Layer Doped Si Epitaxial Films Grown by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 国際会議

    Y. Jeong, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2004)　2004年5月16日

  202. Electrical Properties of W Delta Doped Si Epitaxial Films Grown on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 国際会議

    T. Kurosawa, T. Komatsu, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2004)　2004年5月16日

  203. Integration of Light Emitter and Detector Using Si p-i-n Diodes with Optical Waveguides 国際会議

    A. Yamada, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2004)　2004年5月16日

  204. Atomically Controlled Ge Epitaxial Growth on Si(100) in Ar Plasma Enhanced GeH4 Reaction 国際会議

    K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2004)　2004年5月16日

  205. Hot Carrier Reliability of SiGe/Si-Hetero-MOSFETs (Invited Paper) 国際会議

    T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2004)　2004年5月16日

  206. Hot Carrier Reliability of a SiGe/Si Hetero-Interface in SiGe MOSFETs 国際会議

    T. Tsuchiya, M. Sakuraba, J. Murota

    IEEE Int. Reliability Physics Symp. (IRPS)　2004年4月25日

  207. Atomically Controlled Processing for Future Si-Based Devices (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, S. Takehiro

    2004 IEEE Workshop on Microelectronics and Electron Devices (WMED)　2004年4月16日

  208. Atomically Controlled Impurity Doping in Si-Based CVD Epitaxial Growth (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    2004 Mat. Res. Soc. Spring Meeting, Symp. B: High-Mobility Group-IV Materials and Devices　2004年4月12日

  209. Formation of Stress Free Silicon Nitride Films by Silane Reaction and Nitridation under ECR Nitrogen Plasma Irradiation 国際会議

    M, Saito, M. Sakuraba, J. Murota

    7th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7)　2003年11月17日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.20C55, https://doi.org/10.13140/RG.2.1.3317.2641

  210. Atomically Controlled Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B.Tillack

    10th Int. Autumn Meeting on Gettering and Defect Eng. in Semiconductor Technol. (GADEST 2003)　2003年9月21日

  211. Atomically Controlled Processing for SiGe-Based Ultimate-Small Devices (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, S. Takehiro

    22nd Electronic Materials Symp. (EMS-22)　2003年7月2日

  212. Atomically Controlled Epitaxial Growth for Future Si-Based Devices 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack

    2003 Advanced Research Workshop, “Future Trends in Microelectronics: The Nano, the Giga, the Ultra, and the Bio”　2003年6月23日

  213. Characterization of High Ge Fraction SiGe-Channel MOSFET with Ultrashallow Source/Drain Formed by Selective B-Doped SiGe CVD 国際会議

    S. Takehiro, D. Lee, M. Sakuraba, J. Murota, T. Tsuchiya

    3rd Int. Conf. SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures (ICSI3)　2003年3月9日

  214. Atomically Controlled Silane Reaction on Si(100) Using Ar Plasma Irradiation without Substrate Heating 国際会議

    D. Muto, M. Sakuraba, T. Seino, J. Murota

    3rd Int. Conf. SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures (ICSI3)　2003年3月9日

  215. Ar Plasma Irradiation Effects in Atomically Controlled Si Epitaxial Growth 国際会議

    D. Muto, M. Sakuraba, T. Seino, J. Murota

    1st Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2003)　2003年1月15日

  216. Carbon Effect on Thermal Stability of Si Atomic Layer on Ge(100) 国際会議

    M. Fujiu, K. Takahashi, M. Sakuraba, J. Murota

    1st Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2003)　2003年1月15日

  217. Formation of Heavily P Doped Si Epitaxial Film on Si(100) by Multiple Atomic-Layer Doping Technique 国際会議

    Y. Shimamune, M. Sakuraba, J. Murota

    1st Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2003)　2003年1月15日

  218. Epitaxial Growth of N Delta Doped Si Films on Si(100) by Alternately Supplied NH3 and SiH4 国際会議

    Y. Jeong, M. Sakuraba, J. Murota

    1st Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2003)　2003年1月15日

  219. Si Self-Diffusion in Heavily B-Doped Epitaxial Silicon 国際会議

    K. Toyonaga, S. Rahamah, Bt Aid, Y. Nakabayashi, S. Matsumoto, M. Sakuraba, Y. Shimada, A. Hashiba, J. Murota

    1st Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2003)　2003年1月15日

  220. Etching Characteristics of Impurity-Doped Si1-xGex Epitaxial Films Using Electron-Cyclotron-Resonance Chlorine Plasma 国際会議

    H.-S. Cho, S. Takehiro, M. Sakuraba, J. Murota

    1st Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2003)　2003年1月15日

  221. Relationship between Total Impurity (B or P) and Carrier Concentrations in SiGe Epitaxial Film Produced by the Thermal Treatment 国際会議

    J. Noh, S. Takehiro, M. Sakuraba, J. Murota

    1st Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2003)　2003年1月15日

  222. A Proposal of Multi-Layer Channel MOSFET: The Application of Selective Etching for Si/SiGe Stacked Layers 国際会議

    T. Sakai, S. Ohmi, D. Sasaki, M. Sakuraba, J. Murota

    1st Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2003)　2003年1月15日

  223. Fabrication of 0.12-µm SiGe-Channel MOSFET Containing High Ge Fraction with Ultrashallow Source/Drain Formed by Selective B-Doped SiGe CVD 国際会議

    D. Lee, S. Takehiro, M. Sakuraba, J. Murota, T. Tsuchiya

    1st Int. SiGe Technol. & Device Meeting (ISTDM 2003)　2003年1月15日

  224. Atomically Controlled Si Epitaxial Growth in Ar Plasma Enhanced Silane Reaction 国際会議

    D. Muto, M. Sakuraba, T. Seino, J. Murota

    4th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-4)　2002年10月21日

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    Abs.No.P4-2.

  225. 0.1μm pMOSFETs with SiGe-Channel and B-Doped SiGe Source/Drain Layers 国際会議

    D. Lee, M. Sakuraba, J. Murota, T. Tsuchiya

    2002 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM 2002)　2002年9月17日

  226. SiGe Epitaxial CVD Technology for Si-Based Ultrasmall Devices (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba

    2nd Int. ECS Semiconductor Technol. Conf. (ISTC), The Electrochem. Soc.　2002年9月11日

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    Abs.No.53.

  227. Atomically Controlled Heterostructure Growth of Group IV Semiconductors 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba

    3rd “Trends in NanoTechnology” Int. Conf. (TNT2002)　2002年9月9日

  228. Electrical Properties of Impurity-Doped Polycrystalline Si1-x-yGexC#Dy Films Using Ultraclean Low-Pressure CVD 国際会議

    H. Shim, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota

    11th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS)　2002年7月8日

  229. Contact Resistivity between Tungsten and Impurity(P and B)-Doped Si1-x-yGexCy Epitaxial Layer 国際会議

    J. Noh, M. Sakuraba, J. Murota, S. Zaima, Y. Yasuda

    11th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS)　2002年7月8日

  230. Si Epitaxial Growth on Monomethylsilane Reacted Ge(100) and Suppression of Si/Ge Interdiffusion 国際会議

    K. Takahashi, M. Fujiu, M. Sakuraba, J. Murota

    11th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS)　2002年7月8日

  231. W Delta Doping in Si(100) Using Ultraclean Low-Pressure CVD 国際会議

    T. Kanaya, M. Sakuraba, J. Murota

    11th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS)　2002年7月8日

  232. Atomic-Layer Doping of Boron in Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD 国際会議

    M. Nomura, M. Sakuraba, J. Murota

    11th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS)　2002年7月8日

  233. Si Atomic Layer-by-Layer Epitaxial Growth Process Using Alternate Exposure of Si(100) to SiH4 and to Ar Plasma 国際会議

    M. Sakuraba, D. Muto, T. Seino, J. Murota

    11th Int. Conf. Solid Films and Surfaces (ICSFS)　2002年7月8日

  234. SiGe-Channel 0.1-μm pMOSFETs with Super Self-Aligned Ultra-Shallow Junction Formed by Selective In-Situ B-Doped SiGe CVD 国際会議

    D. Lee, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota, T. Tsuchiya

    60th Annual Device Res. Conf. (DRC)　2002年6月24日

  235. Double-Polysilicon Self-Aligned HBT with Non-Selective Epitaxial SiGe:C Base Layer 国際会議

    T. Yamazaki, S. Ohmi, M. Sakuraba, J. Murota, T. Sakai

    2nd Int. Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices (SiGeC Workshop)　2002年6月2日

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    Abs.No.VIII-06.

  236. Fabrication of 0.1 μm SiGe-Channel pMOSFETs with In-Situ B-Doped SiGe Source/Drain 国際会議

    D. Lee, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices (SiGeC Workshop)　2002年6月2日

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    Abs.No.VIII-05.

  237. Side-Wall Protection by B in Poly-Si and Si1-xGex in Gate Etching 国際会議

    H.-S. Cho, T. Seino, A. Fukuchi, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices (SiGeC Workshop)　2002年6月2日

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    Abs.No.VI-05.

  238. Boron Atomic-Layer Doping in Low-Temperature Si Epitaxial Growth on Si(100) by Ultraclean Low- Pressure Chemical Vapor Deposition 国際会議

    M. Nomura, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices (SiGeC Workshop)　2002年6月2日

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    Abs.No.VI-09.

  239. Contact Resistivity between W and Heavily Doped Si1-x-yGexCy Epitaxial Film 国際会議

    J. Noh, M. Sakuraba, J. Murota, S. Zaima, Y. Yasuda

    2nd Int. Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices (SiGeC Workshop)　2002年6月2日

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    Abs.No.VI-07.

  240. Si Epitaxial Growth on SiH3CH3 Reacted Ge(100) and Intermixing between Si and Ge during Heat Treatment 国際会議

    K. Takahashi, M. Fujiu, M. Sakuraba, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices (SiGeC Workshop)　2002年6月2日

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    Abs.No.IV-12.

  241. Work Function of Impurity-Doped Poly-Si1-x-yGexCy Film Deposited by Ultraclean Low-Pressure CVD 国際会議

    H. Shim, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota

    2nd Int. Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices (SiGeC Workshop)　2002年6月2日

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    Abs.No.IV-10.

  242. Si Epitaxial Growth on Atomic-Order Nitrided Si(100) Using an ECR Plasma 国際会議

    M. Mori, T. Seino, D. Muto, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    The Electrochem. Soc. Spring Meeting　2002年5月12日

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    Abs.No.402.

  243. Atomic-Layer Doping of N in Si Epitaxial Growth on Si(100) and Its Thermal Stability 国際会議

    Y. Jeong, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    9th Int. Symp. Silicon Materials Sci. & Technol., The Electrochem. Soc. Spring Meeting　2002年5月12日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.574.

  244. Si Epitaxial Growth on the Atomic-Order Nitrided Si(100) Surface in SiH4 Reaction 国際会議

    Y. Jeong, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    6th Symp. Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics (The Japan Soc. for the Promotion of Sci.)　2002年3月1日

  245. Atomically Controlled Processing for Group IV Semiconductors 国際会議

    J. Murota, T. Matsuura, M. Sakuraba

    6th Symp. Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics (The Japan Soc. for the Promotion of Sci.)　2002年3月1日

  246. Heavy Doping Characteristics of Si Films Epitaxially Grown at 450oC by Alternately Supplied PH3 and SiH4

    Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    2001 Int. Conf. Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices (RTP2001)　2001年11月14日

  247. Si Epitaxial Growth on the Atomic-Order Nitrided Si(100) Surface in SiH4 Reaction

    Y. Jeong, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    2001 Int. Conf. Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices (RTP2001)　2001年11月14日

  248. Growth Characteristics of Si1-x-yGexCy on Si(100) and SiO2 in Ultraclean Low-Temperature LPCVD 国際会議

    Y. Hashiba, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    48th American Vac. Soc. Int. Symp.　2001年10月29日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    SS-SC-TuP2.

  249. CVD SiGe(C) Epitaxial Growth and Its Application to MOS Devices (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, T. Matsuura

    6th Int. Conf. Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT)　2001年10月22日

  250. Thermal Nitridation of Ultrathin SiO2 on Si by NH3 国際会議

    O. Jintsugawa, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    9th Euro. Conf. Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA)　2001年9月30日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.MO-P-MOE 08.

  251. Atomically Controlled Processing for Group IV Semiconductors (Keynote Lecture) 国際会議

    J. Murota, T. Matsuura, M. Sakuraba

    9th Euro. Conf. Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA)　2001年9月30日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.MO-KL-MOE.

  252. Epitaxial Growth of Heavily P-Doped Si Films at 450oC by Alternately Supplied PH3 and SiH4 国際会議

    Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    13th Euro. Conf. Chemical Vapor Deposition (EUROCVD)　2001年8月26日

  253. Atomically Precise Control of Heterointerfaces for High-Performance SiGe-Based Heterodevices 国際会議

    J. Murota, T. Matsuura, M. Sakuraba

    2001 Advanced Research Workshop, “Future Trends in Microelectronics: The Nano Millennium”　2001年6月25日

  254. Super Self-Aligned Technology of Ultra-Shallow Junction MOSFETs Using Selective Si1-xGex 国際会議

    T. Yamashiro, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota, T. Tsuchiya

    2nd Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSi2), Symp. D, 2001 Euro. Mat. Res. Soc. Spring Meeting　2001年6月5日

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    Abs.No.D-V/P20.

  255. Influence of Carbon on Thermal Stability of Silicon Atomic Layer Formed on Ge(100) 国際会議

    M. Fujiu, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    2nd Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSi2), Symp. D, 2001 Euro. Mat. Res. Soc. Spring Meeting　2001年6月5日

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    Abs.No.D-VIII/P9.

  256. Doping and Electrical Characteristics of Si Films Eptaxially Grown at 450oC by Alternately Supplied PH3 and SiH4 国際会議

    Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    2nd Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSi2), Symp. D, 2001 Euro. Mat. Res. Soc. Spring Meeting　2001年6月5日

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    Abs.No.D-X.3.

  257. Thermal Nitridation of Ultrathin Silicon Dioxide Films at 750-850oC in an NH3 Environment 国際会議

    O. Jintsugawa, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    1st Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices (SiGeC Workshop)　2001年1月21日

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    Abs.No.PVI-20.

  258. Self-Limiting Surface Reaction of SiH4 and CH3SiH3 on Ge(100) 国際会議

    M. Fujiu, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    1st Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices (SiGeC Workshop)　2001年1月21日

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    Abs.No.PVI-19.

  259. B- and P-Doped SiGe(C) Epitaxial Growth on Si(100) by Ultraclean LPCVD 国際会議

    T. Noda, D. Lee, H. Shim, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    1st Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices (SiGeC Workshop)　2001年1月21日

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    Abs.No.PIV-08.

  260. Heavy Doping Characteristics in Si Epitaxial Growth at 450oC by Alternate Supplies of PH3 and SiH4 国際会議

    Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    1st Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices (SiGeC Workshop)　2001年1月21日

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    Abs.No.PII-12.

  261. Fabrication of 0.1µm MOSFETs with Super Self-Aligned Ultrashallow Junction Formed by Selective In-Situ Doped Si1-xGex CVD 国際会議

    T. Yamashiro, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota, T. Tsuchiya

    1st Int. WorkShop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices (SiGeC Workshop)　2001年1月21日

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    Abs.No.PII-07.

  262. Epitaxial Growth and Electrical Characteristics of Impurity-Doped Si1-x-yGexCy on Si (100) by Ultraclean LPCVD 国際会議

    D. Lee, T. Noda, H. Shim, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration　2000年11月19日

  263. Very Low-Resistive Si Epitaxial Growth at 450#Uo#UC by Alternately Supplied PH3 and SiH4 国際会議

    Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration　2000年11月19日

  264. Surface Reaction of Silane and Methylsilane on Ge (100) 国際会議

    M. Fujiu, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration　2000年11月19日

  265. Nitrogen-Doped Si Epitaxial Growth by Alternately Supplied NH3 and SiH4 国際会議

    T. Watanabe, Y. Jeong, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration　2000年11月19日

  266. Thermal Nitridation of Ultrathin Silicon Dioxide Films Using NH3 Gas 国際会議

    O. Jintsugawa, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration　2000年11月19日

  267. Atomically Controlled Processing for Fabrication of Si-Based Ultimate-Small Devices 国際会議

    J. Murota, T. Matsuura, M. Sakuraba

    Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration　2000年11月19日

  268. Thermal Stability of Si and C Atomic Layers Formed on Ge(100) in Silane and Methylsilane Reactions 国際会議

    M. Fujiu, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    47th American Vac. Soc. Int. Symp., Vacuum Thin Films, Surfaces/Interfaces, Processing & NANO-6　2000年10月2日

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    Abs.No.TF-MoM4.

  269. Thermal Nitridation of Ultrathin Silicon Dioxide Films Using NH3 Gas 国際会議

    O. Jintsugawa, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    47th American Vac. Soc. Int. Symp., Vacuum Thin Films, Surfaces/Interfaces, Processing & NANO-6　2000年10月2日

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    Abs.No.SC1+EL+SS-MoM4.

  270. Atomic-Order Thermal Nitridation of Si(100) and Subsequent Epitaxial Growth of Si 国際会議

    T. Watanabe, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    47th American Vac. Soc. Int. Symp., Vacuum Thin Films, Surfaces/Interfaces, Processing & NANO-6　2000年10月2日

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    Abs.No.SC1+EL+SS-MoM1.

  271. Heavily P-doped Si Films Epitaxially Grown at 450oC by Alternately Supplied PH3 and SiH4 国際会議

    Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    2000 Int. Symp. Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (QDS2000)　2000年10月2日

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    Abs.No.Tul-4.

  272. In-Situ Impurity Doping in Si1-x-yGexCy Epitaxial Growth Using Ultraclean LPCVD 国際会議

    D. Lee, T. Noda, H. Shim, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    2000 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM2000)　2000年8月29日

  273. Atomic-Layer Doping in Si by Alternately Supplied PH3 and SiH4 国際会議

    Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    2000 Euro. Mat. Res. Soc. Spring Meeting　2000年5月30日

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    Abs.No.F-IV.3.

  274. Doping and Electrical Characteristics of In Situ Heavily B-Doped Si1-x-yGexCy Films Epitaxially Grown Using Ultraclean LPCVD 国際会議

    T. Noda, D. Lee, H. Shim, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    2000 Euro. Mat. Res. Soc. Spring Meeting　2000年5月30日

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    Abs.No.F-II.6.

  275. Atomically Controlled Processing for Si-Based Ultrasmall Devices (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, T. Matsuura, M. Sakuraba

    18th Symp. Future Electron Devices (FED)　1999年10月20日

  276. Super Self-Aligned Processing for Sub 0.1μm MOS Devices Using Selective Si1-xGex CVD 国際会議

    T. Kikuchi, T. Yamashiro, A. Moriya, T. Noda, Y. Yamamoto, C. Deng, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    1st Int. Symp. ULSI Process Integration, The Electrochem. Soc. Fall Meeting　1999年10月17日

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    Abs. No.1334.

  277. SiGe Processing and its Application to MOS Devices (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, T. Matsuura

    1st Microelectronics Workshop　1999年10月12日

  278. CVD Si1-xGex Epitaxial Growth and Its Application to MOS Devices (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, T. Matsuura

    SPIE Conf. Microelectronic Device Technol. III, The Int. Society for Optical Eng.　1999年9月22日

  279. Drain Leakage Current and Instability of Drain Current in Si/Si1-xGex MOSFETs 国際会議

    T. Tsuchiya, K. Goto, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Int. Joint Conf. Si Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si)　1999年9月12日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.PII-14.

  280. Diffusion and Segregation of Impurities from Doped Si1-xGex Films into Silicon 国際会議

    S. Kobayashi, M. Iizuka, T. Aoki, N. Mikoshiba, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Int. Joint Conf. Si Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si)　1999年9月12日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.PII-1.

  281. Micro-Roughness Control of the Si1-xGex Surfaces Treated with Buffered Hydrofluoric Acid 国際会議

    S. Ishida, T. Osada, M. Miyamoto, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Int. Joint Conf. Si Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si)　1999年9月12日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.PI-2.

  282. C Introduced Si1-xGex/Si Resonant Tunneling Diodes Epitaxially Grown Using Low-Temperature Low-Pressure CVD 国際会議

    P. Han, M. Sakuraba, Y. Jeong, T. Matsuura, J. Murota

    Int. Joint Conf. Si Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si)　1999年9月12日

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    Abs.No.J-4.

  283. Epitaxial Growth of Si1-x-yGexCy Film on Si(100) in a SiH4-GeH4-CH3SiH3 Reaction 国際会議

    A. Ichikawa, Y. Hirose, T. Ikeda, T. Noda, M. Fujiu, T. Takatsuka, A. Moriya, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Int. Joint Conf. Si Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si)　1999年9月12日

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    Abs.No.PII-2.

  284. Layer-by-Layer Growth of Silicon Nitride Films by NH3 and SiH4 国際会議

    T. Watanabe, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    12th Euro. Conf. Chemical Vapor Deposition (EUROCVD)　1999年9月5日

  285. Observation of Sharp Current Peaks in Resonant Tunneling Diode of Strained Si0.6Ge0.4/Si(100) Grown by Low-Temperature Low-Pressure CVD 国際会議

    P. Han, M. Sakuraba, Y. Jeong, K. Bock, T. Matsuura, J. Murota

    7th Int. Conf. Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques (ICCBE7)　1999年7月27日

  286. Atomic-Layer Adsorption of P on Si(100) and Ge(100) by PH3 Using an Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 国際会議

    Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    5th Int. Conf. Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-5)　1999年7月6日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.P37.

  287. Atomic-Order Surface Reaction of CH3SiH3 on Ge(100) and Si(100) 国際会議

    T. Takatsuka, M. Fujiu, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    5th Int. Conf. Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-5)　1999年7月6日

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    Abs.No.P20.

  288. High Quality Si1-xGex Epitaxial Growth by CVD (Invited Paper) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, T. Matsuura

    3rd Int. Symp. Defects in Silicon, The Electrochem. Soc. Spring Meeting　1999年5月2日

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    Abs.No.332.

  289. In-Situ Doping in CVD Epitaxial Si1-xGex Heavy-Doping and Electrical Characteristics 国際会議

    J. Murota, A. Moriya, T. Kikuchi, T. Noda, C. Deng, M. Sakuraba, T. Matsuura

    1999 Mat. Res. Soc. Spring Meeting　1999年4月5日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.V2.3.

  290. Phosphorus Diffusion from Doped Si1-xGex Film into Silicon 国際会議

    S. Kobayashi, M. Iizuka, T. Aoki, N. Mikoshiba, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    1999 Mat. Res. Soc. Spring Meeting　1999年4月5日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.S9.2.

  291. Surface Termination of the Ge(100) and Si(100) Surfaces by Using DHF Solution Dipping 国際会議

    M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    1998 Mat. Res. Soc. Fall Meeting, Symp. I: III-V and SiGe Group IV Device/IC Processing Challenges for Commercial Applications　1998年11月30日

  292. Atomic-Layer Nitridation of Si(100) by NH3 Using Flash Heating 国際会議

    T. Watanabe, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Symp. Fundamental Gas-Phase and Surface Chemistry of Vapor-Phase Materials Synthesis, The Electrochem. Soc. Fall Meeting　1998年11月1日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.806.

  293. Atomic-Layer Adsorption of P on Si(100) by Using Ultraclean LPCVD 国際会議

    Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    Symp. Fundamental Gas-Phase and Surface Chemistry of Vapor-Phase Materials Synthesis, The Electrochem. Soc. Fall Meeting　1998年11月1日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.784.

  294. Doping and Electrical Characteristics of In-Situ Heavily B-doped Si1-xGex Films Epitaxially Grown Using Ultraclean LPCVD 国際会議

    A. Moriya, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    14th Int. Vacuum Congress (IVC-14) & 10th Int. Conf. Solid Surfaces (ICSS-10)　1998年8月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.EM.WeA.4.

  295. Heavy Doping Characteristics of P and B in Si1-xGex Epitaxial Films 国際会議

    J. Murota, A. Moriya, M. Sakuraba, T. Matsuura

    1998 Euro. Mat. Res. Soc. Spring Meeting　1998年6月16日

  296. Process Technology for Sub 0.1μm Si Devices 国際会議

    J. Murota, T. Matsuura, M. Sakuraba

    1998 Advanced Research Workshop on “Future Trends in Microelectronics: Off the Beaten Path”　1998年5月31日

  297. Atomic-Layer Surface Reaction of NH3 on Si (100) at Low Temperatures 国際会議

    J. Murota, T. Watanabe, M. Sakuraba, T. Matsuura

    1998 Int. Symp. Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (QDS'98)　1998年5月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.Tu4-10.

  298. In-Situ Heavy Doping of P and B in Low-Temperature Si1-xGex Epitaxial Growth Using Ultraclean LPCVD 国際会議

    J. Murota, A. Moriya, M. Sakuraba, C.J. Lee, T. Matsuura

    8th Int. Symp. Silicon Materials Sci. & Technol./1998, The Electrochem. Soc., 193rd Meeting　1998年5月3日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.No.336.

  299. Low-Temperature Epitaxial Growth of In-Situ Heavily B-Doped Si1-xGex Films Using Ultraclean LPCVD 国際会議

    A. Moriya, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota, I. Kawashima, N. Yabumoto

    1998 Mat. Res. Soc. Spring Meeting, Symp. FF: Epitaxy and Applications of Si-Based Heterostructures　1998年4月13日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abs.FF9.8.

  300. Low Temperature Selective Heteroepitaxy of Heavily Doped Si1-xGex on Si for Application to Ultrasmall Devices 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, T. Matsuura

    44th American Vac. Soc. National Symp　1997年10月20日

  301. Atomic-Layer Growth of Si on Ge(100) Using SiH4 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, T. Watanabe, T. Matsuura

    44th American Vac. Soc. National Symp　1997年10月20日

  302. Fabrication of 0.1μm MOSFET with Super Self-Aligned Ultrashallow Junction Electrodes Using Selective Si1-xGex CVD 国際会議

    J. Murota, M. Ishii, K. Goto, M. Sakuraba, T. Matsuura, Y. Kudoh, M. Koyanagi

    27th Euro. Solid-State Device Res. Conf. (ESSDRC)　1997年9月22日

  303. Low-Temperature Surface Reaction of CH4 on the Si(100) Surface 国際会議

    A. Izena, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    6th Int. Conf. Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques (ICCBE6)　1997年9月7日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Tul.5

  304. Low-Temperature Epitaxial Growth of In-Situ Phosphorus Doped Si1-xGex Films in the SiH4-GeH4-PH3 Gas System 国際会議

    J. Murota, C.J. Lee, M. Sakuraba, M.Ishii. T. Matsuura, I. Kawashima, N. Yabumoto

    6th Int. Conf. Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques (ICCBE6)　1997年9月7日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Tul.4.

  305. H-Termination on Ge(100) and Si(100) by Diluted HF Dipping and by Annealing in H2 国際会議

    M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    5th Int. Symp. Cleaning Technol. in Semiconductor Device Manufacturing, The Electrochem. Soc. Fall Meeting　1997年8月31日

  306. Phosphorus Doping Effect on Si1-xGex Epitaxial Film Growth in the SiH4-GeH4-PH3 Gas System Using Ultraclean LPCVD 国際会議

    C.J. Lee, M. Sakuraba, M. Ishii, T. Matsuura, J. Murota, I. Kawashima, N. Yabumoto

    14th Int. Conf. Chemical Vapor Deposition (CVD-XIV)/1997, The Electrochem. Soc. Fall Meeting　1997年8月31日

  307. Atomic-Order Nitridation of the H-Terminated and H-Free Si Surfaces by NH3 国際会議

    T. Watanabe, A. Ichikawa, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    14th Int. Conf. Chemical Vapor Deposition (CVD-XIV)/1997, The Electrochem. Soc. Fall Meeting　1997年8月31日

  308. 0.1μm MOSFET with Super Self-Aligned Shallow Junction Electrodes 国際会議

    M. Ishii, K. Goto, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota, Y. Kudoh, M. Koyanagi

    6th Int. Symp. Ultra Large Scale Integration Sci. & Technol./1997, The Electrochem. Soc. Spring Meeting　1997年5月4日

  309. Atomic-Layer Surface Reaction of SiH4 on Ge(100) and GeH4 on Si(100) 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, T. Watanabe, T. Matsuura

    1996 Int. Symp. Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (QDS'96)　1996年11月4日

  310. Initial Growth Characteristics of Germanium on Silicon in LPCVD Using Germane Gas 国際会議

    S. Kobayashi, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota, N. Mikoshiba

    9th Int. Conf. Vapor Growth & Epitaxy (ICVGE-9)　1996年8月4日

  311. Atomic-Order Layer Growth of Silicon Nitride Films at Low Temperatures 国際会議

    T. Watanabe, M. Sakuraba, T. Matsuura, J. Murota

    13th Int. Conf. Chemical Vapor Deposition (CVD-XIII)/1996, The Electrochem. Soc. Spring Meeting　1996年5月5日

  312. Single Atomic-Layer Growth Control in Si/Ge Heteroepitaxy by CVD Using SiH4 and GeH4 Gases 国際会議

    J. Murota, M. Sakuraba, T. Watanabe, T. Matsuura

    1996 Mat. Res. Soc. Spring Meeting　1996年4月8日

  313. Single Atomic-Layer Growth of Si on Ge Using SiH4 国際会議

    T. Watanabe, M. Sakuraba, J. Murota, T. Matsuura, Y. Sawada

    13th Int. Vacuum Congress (IVC-13) & 9th Int. Conf. Solid Surfaces (ICSS-9)　1995年9月25日

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    EM3-tuA-8.

  314. Initial Growth Stages of Si on Ge and Ge on Si for Atomic-Layer Epitaxy Control Using GeH4 and SiH4 Gases 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota, T. Watanabe, Y. Sawada

    1994 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM)　1994年8月23日

  315. Atomic-Layer Epitaxy Control of Ge and Si in Flash-Heating CVD Using GeH4 and SiH4 Gases 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota, Y. Sawada, S. Ono

    3rd Int. Symp. Atomic Layer Epitaxy and Related Surface Processes (ALE-3)　1994年5月25日

  316. Stability of the Dimer Structure on the Si Film Epitaxially Grown on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota, S. Ono

    Int. Conf. Advanced Microelectronic Devices and Processing (AMDP)　1994年3月3日

  317. Stability of the Si(100) Surface Epitaxially Grown by CVD 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota, S. Ono

    1993 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM)　1993年8月29日

  318. Atomic Layer Growth of Si in Flash Heating CVD Using SiH4 Gas 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota, S. Ono

    12th Int. Symp. Chemical Vapor Deposition (CVD-XII), The Electrochem. Soc. Spring Meeting　1993年5月16日

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    Abs.No.1236

  319. Atomic Layer Control of Germanium and Silicon on Silicon Using Flash Heating in Ultraclean Chemical Vapor Deposition 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota, N. Mikoshiba, S. Ono

    1991 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM)　1991年8月27日

  320. Atomic Layer Epitaxy of Ge on Si Using Flash Heating CVD 国際会議

    M. Sakuraba, J. Murota, N. Mikoshiba, S. Ono

    7th Int. Conf. Vapour Growth and Epitaxy (ICVGE-7)　1991年7月14日

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産業財産権 17

  1. 半導体デバイス

    櫻庭政夫, 山田敦史, 室田淳一

    特許第4649604号

    産業財産権の種類: 特許権

    詳細を見る 詳細を閉じる

    存続期間満了による抹消 存続期間満了日(2024/05/12) 本権利消滅日(2024/05/12)

  2. 半導体装置

    室田淳一, 土屋敏章, 松浦孝, 櫻庭政夫

    産業財産権の種類: 特許権

  3. 電界効果トランジスタ及びその製造方法

    酒井徹志, 室田淳一, 大見俊一郎, 櫻庭政夫

    特許第3793808

    産業財産権の種類: 特許権

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    存続期間満了による抹消 存続期間満了日(2022/05/02) 本権利消滅日(2022/05/02)

  4. MOS型電界効果トランジスタ

    室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝, 土屋敏章

    産業財産権の種類: 特許権

  5. MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR COMPRISING LAYERED STRUCTURE INCLUDING Si LAYER AND SiGe LAYER OR SiGeC LAYER AS CHANNEL REGIONS

    J. Murota, M. Sakuraba, T. Matsuura, T. Tsuchiya

    産業財産権の種類: 特許権

  6. MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR COMPRISING LAYERED STRUCTURE INCLUDING Si LAYER AND SiGe LAYER OR SiGeC LAYER AS CHANNEL REGIONS

    J. Murota, M. Sakuraba, T. Matsuura, T. Tsuchiya

    産業財産権の種類: 特許権

  7. 半導体デバイス

    室田淳一, 島宗洋介, 櫻庭政夫, 松浦孝

    産業財産権の種類: 特許権

  8. NMOS and PMOS with strained channel layer

    J. Murota, T. Tsuchiya, T. Matsuura, M. Sakuraba

    産業財産権の種類: 特許権

  9. MOSFET WITH STRAINED CHANNEL LAYER

    J. Murota, T. Tsuchiya, T. Matsuura, M. Sakuraba

    産業財産権の種類: 特許権

  10. ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

    尾藤三津雄, 篠井潔, 和賀聡, 室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝

    産業財産権の種類: 特許権

  11. 気相成長方法

    室田淳一, 小野昭一, 櫻庭政夫, 御子柴宣夫, 黒河治重, 池田文秀

    特許第3163267号

    産業財産権の種類: 特許権

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    特願平3－56931の分割出願

  12. 気相成長方法及び装置

    室田淳一, 小野昭一, 櫻庭政夫, 御子柴宣夫, 黒河治重, 池田文秀

    特許第2680202

    産業財産権の種類: 特許権

  13. A Vapour Depositing Method and an Apparatus Therefor

    J. Murota, S. Ono, M. Sakuraba, N. Mikoshiba, H.Kurokawa, F. Ikeda

    産業財産権の種類: 特許権

  14. [US Patent] SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A METAL-SEMICONDUCOR JUNCTION WITH A REDUCED CONTACT RESISTANCE

    J. Murota, Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura

    特許No. 6800544

    産業財産権の種類: 特許権

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    US Patent

  15. [US Patenet] SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A METAL-SEMICONDUCOR JUNCTION WITH A REDUCED CONTACT RESISTANCE

    J. Murota, Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura

    No. 6621145

    産業財産権の種類: 特許権

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    US Patenet

  16. [US Patent] VAPOR DEPOSITING METHOD

    J. Murota, S. Ono, M. Sakuraba, N. Mikoshiba, H.Kurokawa, F. Ikeda

    特許No. 5705224

    産業財産権の種類: 特許権

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    US Patent

  17. A VAPOUR DEPOSITING METHOD AND AN APPARATUS THEREFOR

    J. Murota, S. Ono, M. Sakuraba, N. Mikoshiba, H.Kurokawa, F. Ikeda

    No. 311893

    産業財産権の種類: 特許権

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共同研究・競争的資金等の研究課題 24

  1. ３Ｃ／４Ｈヘテロエピ基板を用いた高信頼・高移動度ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴ製作 競争的資金

    櫻庭 政夫, 佐藤 茂雄

    2024年4月 ～ 2027年3月

  2. エッジ応用に向けた超低消費電力スパイキングニューラルネットワークハードウェア 競争的資金

    佐藤 茂雄, 櫻庭 政夫, 山本 英明

    2022年4月 ～ 2025年3月

  3. Ｓｉ極薄膜における低エネルギープラズマ誘起再配列による結晶構造転換の実験的研究 競争的資金

    櫻庭 政夫, 佐藤 茂雄

    2018年6月 ～ 2020年3月

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    橋脚構造によって支えられたGe／Si極薄膜／Ge(100)構造形成のために、規則的に配置された開口穴と橋脚構造の形成のためのフォトマスクセット設計・製作とともに、過酸化水素水浸漬によるGeエッチングによるSi(100)極薄膜宙づり構造製作プロセスの研究を進めた結果、開口穴の直径が広がっていく様子が観察されたことから、Si極薄膜がエッチングマスクとなってSi下部のGeエッチングが横方向に進行することを確認でき、Si極薄膜宙づり構造実現の見通しが得られた。さらに、Si(100)面に特有なダイハイドライド構造が、低エネルギープラズマ照射によってモノハイドライド構造へ変化することを確認できた。

  4. サブ原子層カーボンの媒介による緩和Ge薄膜と量子ドットの選択的形成とデバイス応用

    鷲尾 勝由, 櫻庭 政夫, 川島 知之

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2015年4月 ～ 2018年3月

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    機能融合デバイスの創生を目指し、サブ原子層カーボン(C)を媒介とした、Si基板上のGe量子ドットの形成技術を検討した。C-Si反応によるSi表面再構成とCを媒介した固相成長を用い、プロセスパラメータを最適化することによってGe量子ドットを形成できることを確認した。また、2つの手法における成長モードと形成メカニズムを解明した。さらに、Ge量子ドットの積層構造の形成を検討し、歪補償スペーサ層の導入によりドット径と密度を維持できることを確認した。

  5. サーファクタント媒介による緩和Ｇｅ薄膜結晶の形成とデバイス応用

    鷲尾 勝由, 櫻庭 政夫

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2012年4月 ～ 2015年3月

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    機能融合デバイス創生を目指し、カーボン(C)をサーファクタント媒介とした、Si基板上の緩和Ge薄膜結晶の形成技術を検討した。界面Si-C結合やSi-CとGe-C結合の同時形成により、ほぼ100%緩和したGe薄膜が形成できることを実証した。さらに、Si(100)表面をSi-C結合の形成を利用してc(4x4)再構成することにより、Ge量子ドットの自己組織的形成に向けた知見を得た。

  6. IV族半導体高度歪量子ヘテロ共鳴トンネル素子の高性能化プロセス 競争的資金

    櫻庭 政夫, 室田 淳一

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2011年4月 ～ 2014年3月

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    基板非加熱での電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学気相成長法により、Si(100)上に平坦かつ高度歪が導入されたSiGe混晶及びGe薄膜のエピタキシャル成長が実現され、SiとGeのエピタキシャル成長における高濃度Bドーピングも可能となった。高Ge比率SiGe系ナノスケール量子ヘテロ構造製作プロセスについても研究を進め、Si障壁層中への高濃度N原子層ドーピングが可能となる条件を確認し、SiGe(C)系IV族半導体共鳴トンネルダイオードにおける共鳴トンネル特性への影響を調べた。

  7. 室温動作を可能にするIV族半導体量子デバイスの製作 競争的資金

    櫻庭 政夫, 室田 淳一

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2007年 ～ 2009年

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    高Ge比率(0.4<x≦1)の歪Si_<1-x>Ge_x層表面へのSiキャップ層エピタキシャル成長において、低温SiH_4処理や従来のSiH_4の代わりに反応性の高いSi_2H_6を原料ガスとして用いてSi堆積を低温化・高速化させることにより、高Ge比率Si/歪Si_<1-x>Ge_x量子ヘテロ構造の界面ラフネス発生を効果的に抑制でき、これを共鳴トンネルダイオード製作プロセスに適用することにより、室温での負性コンダクタンス特性の向上につながることを明らかにした。

  8. CVD原子層積層による高キャリア濃度・高移動度IV族半導体人工結晶の創成 競争的資金

    室田 淳一, 櫻庭 政夫

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2007年 ～ 2009年

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    熱窒化SiGe上へのSiGe堆積によるSiGe中へのN 原子層ドーピング、並びに、歪SiGe表面に形成したP原子層上へのSi堆積の低温化・高速化によるP原子層ドーピングの超高濃度化を実現した。また、Si上へのB原子層形成とその上へのSi堆積の低温化によるB原子層ドープSiにおける超高キャリア濃度化を実現した。さらに、歪SiGe/Siヘテロ界面へのC原子層ドーピングによる相互拡散と歪緩和の抑制、並びに、SiGeやBドープSiエピタキシャル薄膜の熱CVDにおいて、歪が表面反応・偏析・固溶限界・不純物電気的活性化に大きな影響を与えることも明らかにした。

  9. ナノスケールデバイスにおける界面物性揺らぎと雑音 競争的資金

    土屋 敏章, 櫻庭 政夫, 最上 徹, 竹廣 忍, 三島 誠史, 吉田 啓一, 森 祐樹, 森村 由太

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

    研究機関：Shimane University

    2006年 ～ 2009年

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    MOSFETのチャージポンピング特性に,ゲートパルスのオン時間に関連した過渡現象を見出し,それを利用してMOS界面準位1個1個を検出して評価する界面物性揺らぎの究極的とも言える評価手法を考案した.この手法を用いて,ナノスケールMOSFETにおける界面準位の数とキャリア捕獲率揺らぎの直接観測に成功した.これらの成果は,MOSデバイスの雑音研究に新たな展開をもたらし,RTN機構解明にも大きな前進を与えると期待される.

  10. IV族系量子デバイス製作のための原子層制御プラズマプロセスの構築 競争的資金

    櫻庭 政夫, 室田 淳一

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

    研究機関：Tohoku University

    2006年 ～ 2009年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    基板非加熱ECR Arプラズマ照射下での原料ガスの表面反応により、原子オーダ平坦性を有するナノメートルオーダ厚さの高度歪Ge形成、並びに、高度歪SiやB原子層ドープSiの形成に成功した。そして、IV族エピタキシャル成長におけるプラズマの低エネルギー化の推進は、Arプラズマ照射によるプラズマ損傷やB還元脱離の問題を抑制し、高度歪導入とB原子層ドーピングの超高濃度化のために極めて重要であることを明らかにした。

  11. 非古典的ナノヘテロデバイス実現のためのヘテロ界面に関する先駆的基盤研究 競争的資金

    土屋 敏章, 室田 淳一, 櫻庭 政夫, 竹廣 忍, 三島 誠史, 吉田 啓一, 森 祐樹, 室田 淳一, 櫻庭 政夫

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Shimane University

    2006年 ～ 2008年

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    ポストスケーリングデバイスとして有望視されているSiGe/SiヘテロチャネルMOSデバイスにおいて,重要なチャネル部に導入されたSiGe/Siヘテロ界面について,その電気的特性を評価する手法を開発し,電気的品質やジュール熱による安定性を明らかにした.これらの結果は,非古典的ナノヘテロデバイス実現に向けて大きな寄与をするものである.

  12. IV族半導体原子層制御による電子帯変調と量子トンネル構造形成 競争的資金

    櫻庭 政夫, 室田 淳一, 竹廣 忍

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2004年 ～ 2006年

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    本研究では、原子層制御法を用いて、IV族半導体結晶中への異種元素原子層の導入をおこない、電子帯変調を調べるとともに共鳴トンネルダイオード等の量子トンネル構造を形成し、その電気・光学特性評価結果から量子トンネル構造中でのキャリア輸送・生成・再結合過程を解明し、電子帯変調による新規半導体物性の創生を行うことを目的として研究を行った。そして、N, P, B等の表面異種原子層が拡散・凝集しないような表面反応制御を行うことにより、低温でのSi, Si_<1-x>Ge_x, Ge表面におけるB_2H_6及びPH_3の表面反応によってB及びPの原子層形成制御を可能な条件を見いだした。また、キャッピングSi成長時の原料ガスとして反応性の高いSi_2H_6を用いてP原子層の表面偏析現象を効果的に抑制することにより、大部分のP原子はヘテロ界面付近の厚さ2nm以下の極薄領域に分布し、局所P濃度が3×10^<21>cm^<-3>(原子密度6%)に達する超高濃度ドーピングに成功した。さらに、このP原子層ドープSi薄膜においては、従来知られていた高濃度PドープSiより高いHall移動度を示すことも見いだした。また、電子サイクロトロン共鳴により生成した低エネルギーArプラズマ照射によるGeH_4やSiH_4反応により、基板非加熱下での高平坦高度歪Ge及びSi薄膜のエピタキシャル成長制御を実現し、従来の熱分解反応を用いたCVD法では実現が困難な高度歪導入IV族半導体ヘテロ構造形成の可能性を示した。さらに、p型共鳴トンネルダイオードを高性能化するための歪Si_<1-x>Ge_x/Siヘテロ構造のエピタキシャル成長条件を検討し、IV族半導体負性抵抗デバイスの室温動作実現のために高Ge比率の推進が有効であることを明らかにし、電子帯変調による新規半導体物性の創生のために重要な成果を得た。

  13. IV族半導体原子層積層ヘテロ人工結晶の創成 競争的資金

    室田 淳一, 櫻庭 政夫, 竹廣 忍

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2003年 ～ 2005年

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    申請者らが培ってきたCVDにおけるラングミュア型吸着・反応制御技術を駆使して、Si, Ge, C等の異種(ヘテロ)元素を一層ずつ任意に積層するヘテロ積層技術を開発し、これを駆使した新しいIV族半導体原子層積層ヘテロ人工結晶を創成し、その新規物性を明らかにすることを目的として研究を行った。SiGe系IV族半導体(100)表面でのCやNの原子層オーダ反応制御条件と、その上への低温Siエピタキシャル成長条件を見いだし、原子層ドープIV族半導体ヘテロ構造の形成を可能にした。さらに、C原子導入により、Ge表面Si原子層の熱的安定性の向上とSi(100)基板上歪Si_<1-x>Ge_xエピタキシャル薄膜の臨界膜厚増大が可能であることを明らかにした。また、ナノオーダ歪Si_<1-x>Ge_x/Si(100)上のP原子層表面上へのSiエピタキシャル成長時において、Si_2H_6ガスを用いることにより効果的にP原子の表面偏析現象を抑制し、Si/ナノオーダ歪Si_<1-x>Ge_xヘテロ界面近傍に10^<21>cm^<-3>をはるかに超える超高濃度Pドーピングを可能にした。また、低エネルギーECRArプラズマ照射によるSiH_4やGeH_4の表面反応促進による、基板加熱なしでの高平坦なSiや歪Geの高品質エピタキシャル成長、並びにSi(100)面原子層窒化制御とその表面でのSiエピタキシャル成長を実現し、約2nm以内の極薄領域へのN原子層ドーピング(最大窒素濃度2x10^<21>cm^<-3>)に成功した。さらに、Si(100)基板に格子整合した約1nm厚さの歪Ge薄膜のエピタキシャル成長も実現した。以上のように、新規物性発現に必要となる高品質IV族半導体原子層ヘテロ積層膜の実現に関して重要な成果を得た。

  14. 超高キャリア濃度半導体構造を用いた超低抵抗金属/半導体接合の形成 競争的資金

    室田 淳一, 目黒 敏靖, 松浦 孝, 櫻庭 政夫

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2001年 ～ 2003年

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    本基盤研究では、申請者らの開発してきた高清浄減圧CVD技術を駆使して、SiGeC系IV族半導体ヘテロ構造中にBやP等の不純物を超高濃度かつ局所的に原子層ドープした積層構造を形成し、各種の金属/半導体接触を製作することにより、超低抵抗接触を実現するための最適構造を実現することを目的として研究を行い、以下の成果を得た。 高清浄減圧CVD装置を始めとする各種装置を駆使して、Si表面やGe表面での水素化物原料ガス(PH_3、B_2H_6)の表面吸着・反応における不純物(P、B)の原子層形成条件を明らかにし、さらに500℃以下の低温で不純物原子層表面でのSiH_4反応によるSiエピタキシャル成長条件を見いだし、局所的に10^<21>cm^<-3>を超える超高濃度不純物の原子層ドープSi薄膜を形成可能にした。また、この様にして形成した不純物ドープSi薄膜は、高温熱拡散法により形成した膜に比べキャリア濃度が高く、非平衡状態において電気的活性化率が高いことを明らかにした。そして、P原子層ドーピングの繰り返し法により形成した超高濃度不純物Si薄膜表面を適用することにより、Wとの接触抵抗において6.5×10^<-8>Ωcm^2の超低抵抗を実現した。また、Bを高濃度にドープした高品質Si_<1-x-y>Ge_xC_y膜とCVD-W及びスパッタTiとの接合特性・熱処理特性を最適化し、W/Si_<1-x>Ge_xで3.8×10^<-8>Ωcm^2以下、Ti/Si_<1-x>Ge_xで3×10^<-8>Ωcm^2以下という超低抵抗金属/半導体接触を実現した。 以上のように、MOSFETなどの半導体デバイス高性能化に重要となる、超低抵抗金属/半導体接触実現のための超高濃度不純物ドープ半導体構造形成において大きな成果を得た。

  15. 人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御 競争的資金

    白木 靖寛, 宇佐美 徳隆, 黄 晋二, 尾鍋 研太郎, 中川 清和, 末光 眞希, 片山 竜二, 長田 俊人, 櫻庭 政夫

    1999年 ～ 2003年

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    平成15年度の研究成果は、大きく分けて次の3つの項目に分けられる。(1)良質な緩和SiGe疑似基板作製に関する研究、(2)歪みSiおよびGeチャネルトランジスタの試作と評価、(3)SiGe量子構造の発光特性の評価、(4)Si中のN原子原子層ドーピング、である。(1)においては、イオン打ちこみを行ったSi基板上のSiGe薄膜エピタキシャル成長について評価し、イオン打ち込みによって、平坦でありながら、薄くかつ緩和率の高いSiGe疑似基板を作製できる技術の確立に成功した。(2)では、歪みSiチャネル素子は高移動度を有しているが、チャネル端の自由表面による応力緩和が素子を微細化することによりチャネル全体に及ぶと考えられるため、微細素子では歪みSi薄膜が示す高キャリア移動度が達成されない懸念がある。我々は、実験的に、メサ構造の両端部近傍では歪み緩和が起こっていること、またメサ構造の歪み分布が素子サイズに大きく依存すること、さらにシミュレーションにより、バンド構造が大きく変化することを見出し、今後の素子設計の基礎データを得た。(3)では、SiGe量子構造と並んでSiベース発光材料として期待されている鉄シリサイドの発光とSiGe量子構造の発光との比較を行った。両者の発光強度および温度特性はほぼ同じであり、化合物半導体の発光強度に比べると3桁から4桁低いことがわかった。実用化を考えた場合、SiGe量子構造および鉄シリサイド材料の更なる改善が必要であることが示された。(4)では、N原子層形成si(100)表面上において、500℃という低温でのCVD法によりSi薄膜がエピタキシャル成長することを見いだし、3nm間隔の多層N原子層ドーピング構造を実現した。また、Si(100)基板非加熱下での低エネルギーECR Arプラズマ支援により、原子層オーダでのSiエピタキシャル成長制御を実現するとともに、Si薄膜の結晶性劣化要因はArイオン打ち込みによるダメージであることを見いだし、Siエピタキシャル薄膜の高品質化を実現した。本研究で得られた成果については、平成16年度の「成果とりまとめ」において、ワークショップおよび成果報告冊子の作成を通してまとめる予定である。

  16. Si-Ge-C-N系原子層積層による共鳴トンネルダイオードの製作 競争的資金

    櫻庭 政夫, 目黒 敏靖, 室田 淳一, 松浦 孝

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2000年 ～ 2002年

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    本研究では、Si中に任意の周期でGe, C, Nの各原子層を配列し、共鳴トンネルダイオードに適用することにより、通常の不規則混晶材料では見られない新規物性の発現を制御・観測することを目指して研究を行なった。原子層周期ヘテロ構造を形成する研究を進めた結果、Ge(100)表面にSiH_3CH_3を導入すると一原子層のSiとCが自己制限的に形成されることを見いだした。また、500℃でのSiH_4反応により、C原子層形成Ge(100)表面ならびにN原子層形成Si(100)表面において、Siエピタキシャル成長が可能な条件を見いだした。それにより一層当りのN面密度が3×10^<14>cm^<-2>(約1/2原子層)に達するN原子層ドープSi単結晶を成長させることに世界で初めて成功し、厚さ1nmの中に原子密度10%を超える超高濃度Nドーピングが実現されていることを明らかにした。さらに、Si原子がN原子層を被覆してSi_3N_4構造形成を抑制することが高N原子密度化のために重要であるという指針を得た。また、Si/SiGe/Si(100)ヘテロ構造における熱処理時のSiとGeの相互拡散はGe比率が高いほど進行が早く、ヘテロ界面への面密度7×10^<13>cm^<-2>のC原子層ドーピングによりSi/Ge(100)ヘテロ界面での相互拡散は大きく抑制されることを明らかにし、原子オーダで急峻なヘテロ界面形成への指針を得た。さらに、Si-Ge系二重Si障壁共鳴トンネルダイオードの試作において、Si障壁への多層N原子層ドーピングを行なうことによりトンネル電流密度が著しく抑制される現象を見いだし、Si障壁の電子帯構造変調の可能性を示唆する結果を得た。以上のように、Si-N系及びSi-Ge-C系原子層積層による共鳴トンネルダイオード実現とその電子物性制御のための基盤技術の確立に必要不可欠となる大きな成果を得た。

  17. 高集積通信システム製作のためのSiGe系MOS-HBT技術の開発 競争的資金

    室田 淳一, 櫻庭 政夫, 松浦 孝, 山本 裕司

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    1999年 ～ 2001年

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    本基盤研究は、低電圧・低消費電力・超高速・大容量移動体通信システムの実現のため、SiGe系のMOSとHBTを集積した、新しい低電圧・低消費電力・超高速・大容量移動体通信用システムオンチップの製作技術を開発することを目的として、ドイツ半導体物理学研究所研究チームとの国際学術研究として3年計画で推進してきた。本年度は、その最終年度として、SiGe系半導体極微細構造の形成(不純物ドープSiGe(C)半導体薄膜形成の超高精度制御の実現とそ定式化、SiGe系半導体極微細構造の高選択異方性エッチング、プロセス原料ガス分子の吸着・反応定数の一覧表への集約、原子層成長制御および原子層プラズマプロセスのデータベース化、Pの原子層ドーピングによる超高濃度半導体の実現、原子オーダ窒化制御と窒素の原子層ドーピングの実現)と、超高速通信用デバイス技術(高精度要素プロセス技術の開発、集積化デバイス制作プロセスの構築、超高速デバイス構造とその製作プロセスの検討、デバイス試作と超高速動作の評価)の基盤研究を実施し、成果を得た。特に、デバイス技術としては、ソース/ドレインに自己整合形成不純物ドープSiGeを用いた0.1ミクロン極微細MOSデバイスのCMOS構成化、SiGeチャネルpMOSFETでの優れた低周波雑音特性の実証、100GHz-HBTのデバイス構造およびプロセス、低抵抗配線コンタクトの製作、CドープによるB、Pの不純物拡散抑制制御など、研究発表論文にも示すように重要な成果を得た。さらに、デバイスへの応用に重要な、SiGe(C)の極微細構造の高精度評価法の開発も行った。

  18. Si-Ge系エピタキシャル成長による超高濃度不純物半導体の形成とその物性 競争的資金

    室田 淳一, 櫻庭 政夫, 松浦 孝

    1999年 ～ 2000年

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    高性能超微細ヘテロデバイスを実現するために、高品質Si-Ge系ヘテロエピタキシャル薄膜の膜厚や不純物ドーピング濃度の精密な制御、不純物の拡散抑制と同時に、電極との超低抵抗コンタクトのために超高濃度ドーピングが不可欠である。平成11年度までに高清浄CVDを用いたSi-Ge系薄膜へのP及びBのin-situドーピング特性を明らかにした。本年度はSiH_4-GeH_4-PH_3,-B_2H_6系にCH_3SiH_3を添加して、Si-Ge-C系低温エピタキシャル膜のP及びBのin-situドーピング特性を調べた。その結果、P及びBのSi-Ge-C系薄膜へのドーピング特性は、Si-Ge系と同様に広い濃度範囲にわたってラングミュア型の吸着・反応を仮定することにより説明できることを明らかにした。また、C比率が1%以上のSi-Ge-C系薄膜では、P及びBが電気的に不活性になる傾向がある事を明らかにした。 一方、PH_3によりSi表面上にPを原子層形成し、その上にSiH_4によりSiを形成した原子層ドーピング構造を多重積層した超高濃度PドープSi単結晶の形成についても研究した。450℃において平均P濃度が6x10^<20>cm^<-3>のPとSiの多重積層膜を形成し、ドープしたPの60%が電気的に活性となり、3x10^<-4>Ωcmという低抵抗率になることを確認した。また、この薄膜を550-750℃で熱処理することにより、キャリア密度が減少し、抵抗率が増加することを確認した。これから低抵抗Si単結晶が450℃という低温でのみ形成できることを明らかにした。 以上のように、Si-Ge-C系薄膜中へのP及びBのIn-situドーピング特性を明らかにする一方で、原子層ドーピングを応用した超低抵抗Si単結晶の実現の見通しを得た。

  19. Si系アモルファス絶縁薄膜の表面構造敏感エッチングと原子制御 競争的資金

    松浦 孝, 櫻庭 政夫, 室田 淳一

    1998年 ～ 1998年

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    本萌芽研究では、Si系アモルファス絶縁膜の原子層エッチングを表面構造に敏感な形で実現し、その反応過程を基礎的に解明することを目指して研究を行った。高清浄ECRプラズマ装置を用い、まず、結晶性のSiやGeで実現した塩素ラジカルの吸着とArイオン照射を交互に繰り返す方法による原子層エッチング法を試み、アモルファスのSi窒化膜は物理的スパッタ効果と同程度の微少量しかエッチングされないことを明らかにした。これはSiとN原子の結合エネルギーが強いためと考え、それを効果的に弱める化学種として励起水素を用いた検討を行った。その結果、表面N原子のみを選択的に1原子層自己制限的に除去できる条件があることを見いだした。さらに、表面に残留した1原子層のSiを水素添加Arイオン照射で選択的に除去できるころを見いだした。そこで、これら2つの素過程を交互に繰り返すことにより、役割分担型でSi窒化膜の原子層エッチングが可能であることを提案し、これを3サイクルまで繰り返して1サイクル当たりSi窒化膜の平均原子層厚分ずつエッチングされることを実証した。なお、これらの実験は1〜2mmの極薄膜厚の試料を用い、表面分析をX線光電子分光法(XPS)、FTIR/RAS、RHEED等を用いて行ったものである。本萌芽研究の成果はSi系絶縁膜の原子層エッチングをはじめて可能にしたもので、デバイス極微細化の進展とともに今後重要になる技術であり、今後引き続いて関連研究を発展的に継続する予定である。

  20. IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究 競争的資金

    室田 淳一, 櫻庭 政夫, 松浦 孝

    1998年 ～ 1998年

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    本特定領域研究では、原子層成長・エッチング法をはじめとするラングミュア吸着・反応の制御プロセス技術を駆使して、IV族半導体極微構造を形成する原子制御プロセス技術を開拓することを目指して、その基礎から応用まで広く研究を行った。表面吸着・反応制御については、SiとGeの一原子層ずつの成長、Si表面のNH_3による400℃での原子層窒化、Si表面のCH_4による500〜600℃での原子層炭化、SiおよびGe表面でのSiH_3CH_3の原子層吸着、Si及びGe表面へのPの原子層ドーピング、Si_<1-x>Ge_x系の分数原子層エッチング、Si窒化膜の役割分担原子層エッチング、WF_6とSiH_4の交互導入による水素終端制御Si表面での低温吸着・反応制御等を実現し、各々の素過程をLangmuir型表面吸着・反応を基礎に考察した。また、窒素プラズマによるSi表面の原子層改質を実現し、その反応へのラジカルとイオンの寄与について調べ、一方、不純物ドープSi_<1-x>Ge_xと電極用金属との接触抵抗と界面反応について検討した。これらにおいては実験手法として、高清浄低温反応雰囲気、Xeフラッシュランプによる瞬時加熱法、ECRプラズマによる低エネルギーイオン照射法を駆使した。極微細構造の形成については、ソース/ドレインの自己整合型極浅接合形成法を用いた極微細MOSFET、Si_<1-x>Ge_xの高Ge組成エピタキシャル層をチャネルに用いたMOSFET、それらに用いるSi_<1-x>Ge_xの高品質選択エピタキシャル成長とPやBの高濃度ドーピング、高濃度不純物ドープポリシリコンの高選択異方性エッチング、選択成長Wによるソース/ドレイン抵抗の低減等を実現した。本基盤研究の成果は単電子デバイスをはじめ量子効果デバイスをSi集積回路技術に整合性良く実現するために不可欠なものであり、今後引き続いて関連研究を発展的に継続する予定である。

  21. ラングミュア吸着・反応制御プロセスを駆使して製作するIV族半導体極微細デバイス 競争的資金

    室田 淳一, 櫻庭 政夫, 松浦 孝

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：TOHOKU UNIVERSITY

    1996年 ～ 1998年

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    本研究では、原子層成長・エッチング法をはじめとするラングミュア吸着・反応制御プロセスを駆使して、IV族半導体極微細デバイスの製作プロセス技術を確立することを目的として、その基礎から応用まで広く研究を行った。本研究で得られた新たな成果の概要は以下のとおりである。 原子制御プロセスについては、高清浄低温反応雰囲気、Xeフラッシュランプによる瞬時加熱法、ECRプラズマによる低エネルギーイオン照射法を駆使して、SiとGeの一原子層ずつの成長、Si表面のNH_3による400℃での原子層窒化、CH_4による500〜600℃での原子層炭化、SiおよびGe表面でのSiH_3CH_3の原子層吸着、Si及びGe表面へのPの原子層ドーピング、SiGe系の分数原子層エッチング、Si窒化膜の役割分担原子層エッチングが可能であることを明らかにした。また、WF_6とSiH_4の交互導入によりSi上へのW低温選択成長における吸着・反応過程を調べた。これら各々において、その素過程をLangmuir型表面吸着・反応を基礎に定式化可能であることを明らかにし、プロセスの高精度制御の基盤を確立した。 デバイス製作プロセスについては、ソース/ドレインの自己整合型極浅接合形成法を用いた極微細 MOSFET、SiGeのエピタキシャル層をチャネルに用いたMOSFET等のデバイスを試作し、それらに用いるSiGeの選択エピタキシャル成長とPやBの高濃度ドーピング、高濃度不純物ドープポリシリコンの高選択異方性エッチング、選択成長Wによるソース/ドレイン抵抗の低減等の個別プロセスを実証するとともに、これらを組み合わせた一連の極微細プロセスを確立した。本基盤研究の成果は、IV族半導体をベースにした極限微細集積回路製造技術の基礎の一つを与えるものとして極めて重要である。

  22. IV族半導体薄膜へのタングステンのデルタド-ピング 競争的資金

    室田 淳一, 櫻庭 政夫, 松浦 孝

    1997年 ～ 1997年

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    本研究では、高清浄減圧CVD法をはじめとする高性能プロセス技術を駆使してSiやGe等のIV族半導体中に金属W元素を極薄層形成することを目的とし、Si表面及び比較のためのW表面上の水素終端状態を制御し、その上にWF_6とSiH_4を交互導入することにより、Si上へのW極薄層の低温選択成長の反応機構についてRHEED、XPS、FTIR/RAS等の評価法を用いて実験的に明らかにした。 まず、SiやGe表面の水素終端状態が、フッ酸処理時のフッ酸濃度、水洗時間等の処理条件、並びに高清浄雰囲気中熱処理時の温度、ガス種、冷却時間等のプロセス条件によりどう変化するか、その関係を明らかにした。これをもとに水素終端状態を制御したSi表面へのWF_6の吸着を調べ、Si表面水素、特にダイハイドライドがWF_6の吸着を抑制していることを明らかにした。また、WF_6-SiH_4反応ガス系での吸着・反応過程に関してガス交互導入法により調べ、まずWF_6により表面にWF_xが吸着し、つぎにSiH_4がその吸着WF_xに吸着すると考えられること、その際FはとSiH_yF_Z側に移動している可能性があること、さらにWFはSiH_yF_Zを脱離させる形で反応し、次のSiH_4の吸着点となると考えられることを順次明らかにしてきた。これらにより、Si表面に10^<15>cm^<-2>オーダのW原子を吸着させることができるようになり、半導体上に配置した原子オーダの金属元素の研究の路が拓かれた。

  23. IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究 競争的資金

    室田 淳一, 櫻庭 政夫, 松浦 孝

    1996年 ～ 1996年

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    本研究では、原子層成長・エッチング法をはじめとするラングミュア吸着・反応の制御プロセス技術を駆使して、IV族半導体極微細デバイスの製作プロセス技術を確立し、それによりSi系デバイスの微細化限界を実験的に追求し、新しい原理に基づくSiデバイス創生の指針を得ることを目的としている。本年度は、3年計画の第2年度として、前年度の改造整備を進めた原子制御プロセス装置の各種プロセス条件出しと安定化を進めると同時に、Si-Ge-C-N系の原子層成長、表面処理、並びに原子層エッチングを進め、また、SiGe低温選択エピタキシャル成長における高濃度ド-ピングとその極微細デバイスへの応用の研究を中心に行った。 原子層成長や表面処理の研究では、フッ酸処理やpreheat法によりSi及びGe表面の水素終端を制御してSiH_4、GeH_4等の単分子吸着層の形成を図った。また、NH_3による400℃での一原子層熱窒化過程が、Si表面にNH_3のLangmuir型吸着脱離平衡層が形成されその層からの反応としてよく記述されること、CH_4による500〜600℃でのSi表面一原子層炭化過程が、Si表面に入射するCH_4分子数に比例したLangmuir型吸着・反応でよく記述されることを明らかにした。また、原子層エッチングの研究では、塩素の吸着と低エネルギーAr^+イオン照射を交互に行うことにより、SiやGeに引き続いてSiGeの自己制限型原子層エッチングが可能であることを実証し、Si窒化膜の役割分担型原子層エッチングの可能性を見い出した。極微細デバイス製作プロセスの研究では、MOSFETの極浅ソース・ドレイン層形成のためのSiGe混晶選択エピタキシャル成長層への高濃度不純物ド-ピング過程について定式化を行った。

  24. IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究 競争的資金

    室田 淳一, 櫻場 政夫, 松浦 孝

    1996年 ～ 1996年

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    本研究では、原子層成長・エッチング法等ラングミュア吸着・反応の制御プロセス技術を駆使して、IV族半導体極微細構造を形成する原子制御プロセス技術を開拓することを目的としている。本年度は、表面吸着・反応制御の研究として原子層成長、表面処理、並びに原子層エッチング、デバイス製作プロセスの研究として低温ヘテロエピタキシャル成長とその極微細デバイスへの応用の研究を中心に行った。 原子層成長や表面処理の研究では、反応温度を低温化し反応雰囲気を高清浄化して不要不純物の吸着を抑え、Si及びGe表面の水素終端をpreheat法により制御して、SiH_4、GeH_4等の単分子吸着層の形成を図った。フラッシュ光照射による瞬時加熱を併用し、SiとGeの一原子層ずつの成長を可能にし、SiH_4やGeH_4の吸着量がLangmuir型吸着・脱離平衡で表され表面吸着点密度が表面原子密度に等しい条件があることを明らかにした。また、NH_3による300〜500℃での一原子層熱窒化を実現し、CH_4による600℃でのSi表面一原子層炭化の可能性を示した。原子層エッチングの研究では、塩素の吸着と低エネルギーAr^+イオン照射を交互に行うことにより、SiやGeの自己制限型分数原子層エッチングが可能であり、超微細パターン加工もできることを実証し、飽和エッチ量や塩素の吸着速度のSi基板面方位及び反応性吸着種依存性を明らかにした。極微細デバイス製作プロセスの研究では、不純物ドープSiGe混晶の選択エピタキシャル成長層をソース・ドレイン層とする新しいMOSFET製作プロセスを提案し、ゲート電極寸法と実効チャネル長がほぼ等しい75nmルールのMOSFETを実現した。また、水素終端の制御により〜100℃という低温でSi上へのWの選択成長を実現し、電極構成への適用の研究を進めている。

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担当経験のある科目(授業) 14

  1. 半導体工学　東北大学大学院工学研究科, 第一学期 大学院専門科目

  2. 半導体デバイス　東北大学工学部, 5セメスター 学部専門科目

  3. 半導体材料プロセス工学　東北大学工学部, 6セメスター 学部専門科目

  4. 電子材料プロセス工学　東北大学大学院工学研究科, 第一学期 大学院専門科目

  5. 微細プロセス科学　東北大学大学院工学研究科, 第二学期 大学院専門科目

  6. 半導体デバイス工学　岩手大学理工学部物理・材料理工学科マテリアルコース, 3年生後期, 非常勤講師 学部専門科目

  7. 電気・通信・電子・情報工学学生実験Ａ Ａ－６ 半導体Ⅰ（導電率、Hall効果）　東北大学工学部, 4セメスター 学部専門科目

  8. 集積回路基礎　仙台高等専門学校（広瀬キャンパス） 知能エレクトロニクス学科, 5年前期, 非常勤講師 学部専門科目

  9. 半導体デバイス　東北大学工学部, 6セメスター 学部専門科目

  10. 材料・プロセス工学　東北大学工学部, 6セメスター 学部専門科目

  11. 高集積電子工学　東北大学大学院工学研究科, 第一学期 大学院専門科目

  12. 半導体工学　仙台高等専門学校（広瀬キャンパス） 電子工学科, 5年前期, 非常勤講師 学部専門科目

  13. 熱学・統計力学A　東北大学工学部, 5セメスター 学部専門科目

  14. 半導体工学　仙台電波工業高等専門学校, 電子工学科, 5年前期, 非常勤講師 学部専門科目

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社会貢献活動 3

  1. 基礎講座「半導体を基礎から学べる社会人のための半導体基礎講座」

    東北大学電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設、研究基盤技術センター

    2015年12月15日 ～ 継続中

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    各種電⼦・磁性デバイスや集積回路の製作に必要な半導体プロセス技術の基本について学ぶ。実験ではSiO2膜の成膜とエッチング、フォトリソグラフィー、SEMを⽤いたナノ構造の観察、X線回折による薄膜試料の構造解析などを⾏う。2日間／年2回開催（9月、3月）。

  2. 講義「半導体ができるまで」

    いわて半導体アカデミー公開講座（大学生コース）

    2018年9月6日 ～ 2018年10月6日

  3. 特別講演「ナノへテロ半導体の創生」

    文部科学省 スーパーサイエンスハイスクール(SSH)制度講演会（新潟南高校）

    2004年6月9日 ～ 2004年6月9日

メディア報道 1

  1. 結晶構造が異なるSiC同士のシームレスな積層に成功 ─パワー半導体の電力損失を大幅に削減できる見通しを得る─ 執筆者本人

    東北大学　プレスリリース・研究成果

    2023年9月28日

    メディア報道種別: インターネットメディア

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    東北大学電気通信研究所の櫻庭政夫准教授と佐藤茂雄教授、東北大学未来科学技術共同研究センターの長康雄特任教授、そして株式会社CUSICの研究グループは、共同研究を進める中で、3C-SiCと4H-SiCを積層させた ハイブリッド構造基板を同時横方向エピタキシャル成長法（SLE法; Simultaneous Lateral Epitaxy Method）を用いて製作することに世界で初めて成功しました。さらに、絶縁膜を形成したハイブリッド構造基板表面の界面準位密度を走査型非線形誘電率顕微鏡法（SNDM法; Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy Method）によって計測した所、3C-SiC表面の密度を4H-SiC表面の200分の1以下まで大幅に低減できることを実証しました。これらのことから、SiCパワーMOSFETデバイスの長期信頼性が大幅に向上するのみならず、電力損失を30%以上削減でき、SiCパワー半導体デバイスを用いたシステムの高性能化・新機能創出と省エネルギー化の両立に大きく貢献できることが期待されます。

その他 1

  1. 材料仮想研究所（汎用分析機器を用いた材料分析の受託）