Enhancement of Damping-Like Spin-Orbit-Torque Efficiency in Synthetic Antiferromagnetic System using Pt-Cu Alloy

Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh

2023 IEEE International Magnetic Conference - Short Papers (INTERMAG Short Papers)　2023年5月

DOI： 10.1109/intermagshortpapers58606.2023.10228766 　

Charge-to-Spin Conversion Efficiency in Synthetic Antiferromagnetic System using Pt-Cu/Ir/Pt-Cu spacer layers

Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh

IEEE Transactions on Magnetics　1-1　2023年

DOI： 10.1109/tmag.2023.3282626 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

Correlation between the magnitude of interlayer exchange coupling and charge-to-spin conversion efficiency in a synthetic antiferromagnetic system

Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

Applied Physics Express　16　(1)　013002-013002　2023年1月1日

DOI： 10.35848/1882-0786/acb311 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786

25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance>107 for eFlash-type MRAM 査読有り

H. Honjo, K. Nishioka, S. Miura, H. Naganuma, T. Watanabe, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, H. Inoue, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

IEEE International electron devices meeting　226-229　2022年12月

DOI： 10.1109/IEDM45625.2022.10019412 　

Influence of Iridium Sputtering Conditions on the Magnetic Properties of Co/Pt-Based Iridium-Synthetic Antiferromagnetic Coupling Reference Layer

H. Honjo, H. Naganuma, K. Nishioka, T. V.A. Nguyen, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

IEEE Transactions on Magnetics　58　(8)　2022年8月1日

DOI： 10.1109/TMAG.2022.3151562 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

Effect of oxygen incorporation on dynamic magnetic properties in Ta-O/Co-Fe-B bilayer films under out-of-plane and in-plane magnetic fields

T. V.A. Nguyen, Y. Saito, H. Naganuma, S. Ikeda, T. Endoh, Y. Endo

AIP Advances　12　(3)　2022年3月1日

DOI： 10.1063/9.0000297 　

eISSN：2158-3226

Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions With Four Anti-Ferromagnetically Coupled Co/Pt Pinning Layers

H. Honjo, K. Nishioka, S. Miura, H. Naganuma, T. Watanabe, Y. Noguchi, T. V.A. Nguyen, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

IEEE Transactions on Magnetics　58　(2)　2022年2月1日

DOI： 10.1109/TMAG.2021.3078710 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

Effect of Magnetic Coupling between Two CoFeB Layers on Thermal Stability in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with MgO/CoFeB/Insertion Layer/CoFeB/MgO Free Layer

K. Nishioka, S. Miura, H. Honjo, H. Naganuma, T. V.A. Nguyen, T. Watanabe, S. Ikeda, T. Endoh

IEEE Transactions on Magnetics　58　(2)　2022年2月1日

DOI： 10.1109/TMAG.2021.3083575 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

Enhancement of current to spin-current conversion and spin torque efficiencies in a synthetic antiferromagnetic layer based on a Pt/Ir/Pt spacer layer

Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

Physical Review B　105　(5)　2022年2月1日

DOI： 10.1103/PhysRevB.105.054421 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969

Nanometer-thin L1<inf>0</inf>-MnAl film with B2-CoAl underlayer for high-speed and high-density STT-MRAM: Structure and magnetic properties

Yutaro Takeuchi, Ryotaro Okuda, Junta Igarashi, Butsurin Jinnai, Takaharu Saino, Shoji Ikeda, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　120　(5)　2022年1月31日

DOI： 10.1063/5.0077874 　

ISSN：0003-6951

Design and Heavy-Ion Testing of MTJ/CMOS Hybrid LSIs for Space-Grade Soft-Error Reliability

K. Watanabe, T. Shimada, K. Hirose, H. Shindo, D. Kobayashi, T. Tanigawa, S. Ikeda, T. Shinada, H. Koike, T. Endoh, T. Makino, T. Ohshima

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings　2022-March　P541-P545　2022年

DOI： 10.1109/IRPS48227.2022.9764491 　

ISSN：1541-7026

Synthetic antiferromagnetic layer based on Pt/Ru/Pt spacer layer with 1.05 nm interlayer exchange oscillation period for spin-orbit torque devices

Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

Applied Physics Letters　119　(14)　2021年10月4日

DOI： 10.1063/5.0063317 　

ISSN：0003-6951

Antiferromagnetic interlayer exchange coupling and large spin Hall effect in multilayer systems with Pt/Ir/Pt and Pt/Ir layers

Yoshiaki Saito, Nobuki Tezuka, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

Physical Review B　104　(6)　2021年8月1日

DOI： 10.1103/PhysRevB.104.064439 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969

First Demonstration of 25-nm Quad Interface p-MTJ Device with Low Resistance-Area Product MgO and Ten Years Retention for High Reliable STT-MRAM

K. Nishioka, S. Miura, H. Honjo, H. Inoue, T. Watanabe, T. Nasuno, H. Naganuma, T. V.A. Nguyen, Y. Noguchi, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

IEEE Transactions on Electron Devices　68　(6)　2680-2685　2021年6月

DOI： 10.1109/TED.2021.3074103 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646

Dual-Port SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations under Field-Assistance-Free Condition

Masanori Natsui, Akira Tamakoshi, Hiroaki Honjo, Toshinari Watanabe, Takashi Nasuno, Chaoliang Zhang, Takaho Tanigawa, Hirofumi Inoue, Masaaki Niwa, Toru Yoshiduka, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Yitao Ma, Hui Shen, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu

IEEE Journal of Solid-State Circuits　56　(4)　1116-1128　2021年4月

DOI： 10.1109/JSSC.2020.3039800 　

ISSN：0018-9200

eISSN：1558-173X

40 nm 1T-1MTJ 128 Mb STT-MRAM with Novel Averaged Reference Voltage Generator Based on Detailed Analysis of Scaled-Down Memory Cell Array Design

Hiroki Koike, Takaho Tanigawa, Toshinari Watanabe, Takashi Nasuno, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Toru Yoshiduka, Yitao Ma, Hiroaki Honjo, Koichi Nishioka, Sadahiko Miura, Hirofumi Inoue, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

IEEE Transactions on Magnetics　57　(3)　2021年3月

DOI： 10.1109/TMAG.2020.3038110 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

Structural Analysis of CoFeB/MgO-Based Perpendicular MTJs with Junction Size of 20 nm by STEM Tomography

M. Niwa, K. Kimura, T. Naijo, A. Oshurahunov, S. Nagamachi, H. Inoue, H. Honjo, S. Ikeda, T. Endoh

IEEE Transactions on Magnetics　57　(2)　2021年2月

DOI： 10.1109/TMAG.2020.3008436 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

Effect of surface modification treatment on top-pinned MTJ with perpendicular easy axis

H. Honjo, H. Naganuma, T. V.A. Nguyen, H. Inoue, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

AIP Advances　11　(2)　2021年2月1日

DOI： 10.1063/9.0000047 　

eISSN：2158-3226

W thickness dependence of spin Hall effect for (W/Hf)-multilayer electrode/CoFeB/MgO systems with flat and highly (100) oriented MgO layer

Yoshiaki Saito, Nobuki Tezuka, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

AIP Advances　11　(2)　2021年2月1日

DOI： 10.1063/9.0000011 　

eISSN：2158-3226

Enhancement of magnetic coupling and magnetic anisotropy in MTJs with multiple CoFeB/MgO interfaces for high thermal stability

K. Nishioka, H. Honjo, H. Naganuma, T. V.A. Nguyen, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

AIP Advances　11　(2)　2021年2月1日

DOI： 10.1063/9.0000048 　

eISSN：2158-3226

Advanced 18 nm Quad-MTJ technology overcomes dilemma of Retention and Endurance under Scaling beyond 2X nm

H. Naganuma, S. Miura, H. Honjo, K. Nishioka, T. Watanabe, T. Nasuno, H. Inoue, T. V.A. Nguyen, Y. Endo, Y. Noguchi, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　2021-June　2021年

ISSN：0743-1562

Scalability of Quad Interface p-MTJ for 1X nm STT-MRAM with 10-ns Low Power Write Operation, 10 Years Retention and Endurance &gt; 10¹¹

Sadahiko Miura, Koichi Nishioka, Hiroshi Naganuma, T. V.A. Nguyen, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Toshinari Watanabe, Hirofumi Inoue, Masaaki Niwa, Takaho Tanigawa, Yasuo Noguchi, Toru Yoshizuka, Mitsuo Yasuhira, Tetsuo Endoh

IEEE Transactions on Electron Devices　67　(12)　5368-5373　2020年12月

DOI： 10.1109/TED.2020.3025749 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646

Review of STT-MRAM circuit design strategies, and a 40-nm 1T-1MTJ 128Mb STT-MRAM design practice

Hiroki KOIKE, Takaho TANIGAWA, Toshinari WATANABE, Takashi NASUNO, Yasuo NOGUCHI, Mitsuo YASUHIRA, Toru YOSHIDUKA, Yitao MA, Hiroaki HONJO, Koichi NISHIOKA, Sadahiko MIURA, Hirofumi INOUE, Shoji IKEDA, Tetsuo ENDOH

2020 IEEE 31st Magnetic Recording Conference (TMRC)　2020年8月17日

DOI： 10.1109/tmrc49521.2020.9366711 　

Influence of Hard Mask Materials on the Magnetic Properties of Perpendicular MTJs with Double CoFeB/MgO Interface

H. Honjo, M. Niwa, K. Nishioka, T. V.A. Nguyen, H. Naganuma, Y. Endo, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

IEEE Transactions on Magnetics　56　(8)　2020年8月

DOI： 10.1109/TMAG.2020.3004576 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

Micromagnetic simulation of the temperature dependence of the switching energy barrier using string method assuming sidewall damages in perpendicular magnetized magnetic tunnel junctions

Hiroshi Naganuma, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

AIP Advances　2020年7月1日

DOI： 10.1063/5.0007499 　

Dual-Port Field-Free SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations under 55-nm CMOS Technology and 1.2-V Supply Voltage 査読有り

M. Natsui, A. Tamakoshi, H. Honjo, T. Watanabe, T. Nasuno, C. Zhang, T. Tanigawa, H. Inoue, M. Niwa, T. Yoshiduka, Y. Noguchi, M. Yasuhira, Y. Ma, H. Shen, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu

VLSI Symposium　2020-June　2020年6月

DOI： 10.1109/VLSICircuits18222.2020.9162774 　

Scalability of Quad Interface p-MTJ for 1X nm STT-MRAM with 10 ns Low Power Write Operation, 10 years Retention and Endurance > 10^11 査読有り

VLSI Symposium　2020年6月

Recent progresses in STT-MRAM and SOT-MRAM for next generation MRAM 招待有り 査読有り

Tetsuo Endoh, H. Honjo, K. Nishioka, S. Ikeda

VLSI Symposium　2020年6月

Micromagnetic simulation of the temperature dependence of the switching energy barrier using string method assuming side wall damages in perpendicular magnetized magnetic tunnel junctions 査読有り

Hiroshi Naganuma, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

AIP Advanced　2020年6月

Effect of metallic Mg insertion in CoFeB/MgO interface perpendicular magnetic tunnel junction on tunnel magnetoresistance ratio observed by Synchrotron x-ray diffraction 査読有り

Masaaki Niwa, Hiroaki Honjo, Loku Singgappulige Rosantha Kumara, Hirofumi Inoue, Shoji Ikeda, Hiroo Tajiri, Tetsuo Endoh

Journal of Vacuum Science & Technology B　38　(3)　033801-033801　2020年5月

DOI： 10.1116/1.5144850 　

ISSN：2166-2746

eISSN：2166-2754

A free-extendible and ultralow-power nonvolatile multi-core associative coprocessor based on MRAM with inter-core pipeline scheme for large-scale full-adaptive nearest pattern searching 査読有り

Y. Ma, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Endoh

Japanease Journal of Applied Physics　2020年2月

Magnetic properties of Co film in Pt/Co/Cr<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/Pt structure 査読有り

T. V.A. Nguyen, Y. Shiratsuchi, H. Sato, S. Ikeda, T. Endoh, Y. Endo

AIP Advances　10　(1)　015152-1-015152-5　2020年1月1日

DOI： 10.1063/1.5130439 　

eISSN：2158-3226

Effect of capping layer material on thermal tolerance of magnetic tunnel junctions with MgO/CoFeB-based free layer/MgO/capping layers

H. Honjo, T. V. A. Nguyen, M. Yasuhira, M. Niwa, S. Ikeda, H. Sato, T. Endoh

AIP Advances　9　(12)　125330-125330　2019年12月1日

DOI： 10.1063/1.5129794 　

eISSN：2158-3226

First demonstration of field-free SOT-MRAM with 0.35 ns write speed and 70 thermal stability under 400℃ thermal tolerance by canted SOT structure and its advanced patterning/SOT channel technology 査読有り

International Electron Device Meeting　2019-December　2019年12月

DOI： 10.1109/IEDM19573.2019.8993443 　

ISSN：0163-1918

Spin Hall effect investigated by spin Hall magnetoresistance in Pt100−xAux/CoFeB systems 査読有り

Yoshiaki Saito, Nobuki Tezuka, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

AIP Advances　9　125312-1-125312-5　2019年12月

DOI： 10.1063/1.5129889 　

A novel memory test system with an electromagnet for STT-MRAM testing

R. Tamura, N. Watanabe, H. Koike, H. Sato, S. Ikeda, T. Endoh, S. Sato

NVMTS 2019 - Non-Volatile Memory Technology Symposium 2019　2019年10月1日

DOI： 10.1109/NVMTS47818.2019.8986200 　

Effect of surface modification treatment for buffer layer on thermal tolerance of synthetic ferrimagnetic reference layer in perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions 査読有り

Journal of Applied Physics　126　113902　2019年9月

DOI： 10.1063/1.5112017 　

Critical Role of W Insertion Layer Sputtering Condition for Reference Layer on Magnetic and Transport Properties of Perpendicular-Anisotropy Magnetic Tunnel Junction

Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Sato, Mitsuo Yasuhira, Tetsuo Endoh

IEEE Transactions on Magnetics　55　2019年7月1日

DOI： 10.1109/TMAG.2019.2897067 　

ISSN：0018-9464

Novel Quad Interface MTJ Technology and Its First Demonstration with High Thermal Stability and Switching Efficiency for STT-MRAM Beyond 2Xnm 査読有り

2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits　2019年6月

DOI： 10.23919/VLSIT.2019.8776499 　

Change in chemical bonding state by thermal treatment in MgO-based magnetic tunnel junction observed by angle-resolved hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読有り

Masaaki Niwa, Akira Yasui, Eiji Ikenaga, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Tetsuya Nakamura, Tetsuo Endoh

Journal of Applied Physics　125　(203903)　2019年5月

DOI： 10.1063/1.5094067 　

12.1 An FPGA-Accelerated Fully Nonvolatile Microcontroller Unit for Sensor-Node Applications in 40nm CMOS/MTJ-Hybrid Technology Achieving 47.14μW Operation at 200MHz

Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Akira Tamakoshi, Toshinari Watanabe, Hiroaki Honjo, Hiroki Koike, Takashi Nasuno, Yitao Ma, Takaho Tanigawa, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu

Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference　2019-February　202-204　2019年3月6日

DOI： 10.1109/ISSCC.2019.8662431 　

ISSN：0193-6530

A 47.14-µW 200-MHz MOS/MTJ-Hybrid Nonvolatile Microcontroller Unit Embedding STT-MRAM and FPGA for IoT Applications. 査読有り

Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Akira Tamakoshi, Toshinari Watanabe, Hiroaki Honjo, Hiroki Koike, Takashi Nasuno, Yitao Ma, Takaho Tanigawa, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu

J. Solid-State Circuits　54　(11)　2991-3004　2019年

DOI： 10.1109/JSSC.2019.2930910 　

Increase in spin-Hall effect and influence of anomalous Nernst effect on spin-Hall magnetoresistance in β-phase and α-phase W <inf>100-x</inf> Ta <inf>x</inf> /CoFeB systems

Yoshiaki Saito, Nobuki Tezuka, Shoji Ikeda, Hideo Sato, Tetsuo Endoh

Applied Physics Express　12　2019年1月1日

DOI： 10.7567/1882-0786/ab1a66 　

ISSN：1882-0778

A Fully Nonvolatile Microcontroller Unit with Embedded STT-MRAM and FPGA-Based Accelerator for Sensor-Node Applications in 40nm CMOS/MTJ-Hybrid Technology 査読有り

M. Natsui, D. Suzuki, A. Tamakoshi, T. Watanabe, H. Honjo, H. Koike, T. Nasuno, Y. Ma, T. Tanigawa, Y. Noguchi, M. Yasuhira, H. Sato, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu

IEEE Journal of Solid State Circuits　2019年

DOI： 10.1109/JSSC.2019.2930910 　

Insertion Layer Thickness Dependence of Magnetic and Electrical Properties for Double CoFeB/MgO Interface Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

S.Miura, H.Sato, S.Ikeda, K. Nishioka, H.Honjo, T.Endoh

IEEE. Transaction on Magnetics　2019年

DOI： 10.1109/TMAG.2019.2901841 　

14ns write speed 128Mb density Embedded STT-MRAM with endurance>10^10 and 10yrs retention @85°C using novel low damage MTJ integration process 査読有り

H. Sato, H. Honjo, T. Watanabe, M. Niwa, H. Koike, S. Miura, T. Saito, H. Inoue, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, T. Yoshiduka, M. Yasuhira, S. Ikeda, S.- Y. Kang, T. Kubo, K. Yamashita, Y. Yagi, R. Tamura, T. Endoh

International Electron Devise Meeting　2018年12月

DOI： 10.1109/IEDM.2018.8614606 　

STEM tomography study on structural features induced by MTJ processing 査読有り

Masaaki Niwa, Kosuke Kimura, Toshinari Watanabe, Takanori Naijou, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

Applied Physics A　124　(724)　2018年10月

DOI： 10.1007/s00339-018-2144-x 　

ISSN：0947-8396

1T-1MTJ Type Embedded STT-MRAM with Advanced Low-Damage and Short-Failure-Free RIE Technology down to 32 nmφ MTJ Patterning 査読有り

Hideo Sato, Toshinari Watanabe, Hiroki Koike, Takashi Saito, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Hirofumi Inoue, Shoji Ikeda, Yasuo Noguchi, Takaho Tanigawa, Mitsuo Yasuhira, Hideo Ohno, Song Yun Kang, Takuya Kubo, Koichi Takatsuki, Koji Yamashita, Yasushi Yagi, Ryo Tamura, Takuro Nishimura, Koh Murata, Tetsuo Endoh

2018 IEEE International Memory Workshop (IMW)　2018年5月

DOI： 10.1109/imw.2018.8388774 　

Novel Method of Evaluating Accurate Thermal Stability for MTJs Using Thermal Disturbance and its Demonstration for Single-/Double-Interface p-MTJ 査読有り

Saito Takashi, Ito Kenchi, Honjo Hiroaki, Ikeda Shoji, Endoh Tetsuo

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　54　(4)　2018年4月

DOI： 10.1109/TMAG.2017.2688440 　

ISSN：0018-9464

Annealing temperature dependence of magnetic properties of CoFeB/MgO stacks on different buffer layers

Kyota Watanabe, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　56　(8)　2017年8月

DOI： 10.7567/JJAP.56.0802B2 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

Magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis at junction diameter of less than 20nm

Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　56　(8)　2017年8月

DOI： 10.7567/JJAP.56.0802A6 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

Fast neutron tolerance of the perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with junction diameters between 46 and 64 nm

Yuzuru Narita, Yutaka Takahashi, Masahide Harada, Kenichi Oikawa, Daisuke Kobayashi, Kazuyuki Hirose, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　56　(8)　2017年8月

DOI： 10.7567/JJAP.56.0802B3 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

Soft errors in 10-nm-scale magnetic tunnel junctions exposed to high-energy heavy-ion radiation

Daisuke Kobayashi, Kazuyuki Hirose, Takahiro Makino, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Shoji Ikeda, Hideo Sato, Eli Christopher Inocencio Enobio, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　56　(8)　2017年8月

DOI： 10.7567/JJAP.56.0802B4 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

Impact of tungsten sputtering condition on magnetic and transport properties of double-MgO magnetic tunneling junction with CoFeB/W/CoFeB free layer 査読有り

Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Sato, Koichi Nishioka, Toshinari Watanabe, Sadahiko Miura, Takashi Nasuno, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Takaho Tanigawa, Hiroki Koike, Hirofumi Inoue, Masakazu Muraguchi, Masaaki Niwa, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

IEEE Transactions on Magnetics　PP　(99)　1-1　2017年5月5日

DOI： 10.1109/TMAG.2017.2701838 　

Origin of variation of shift field via annealing at 400 degrees C in a perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction with [Co/Pt]-multilayers based synthetic ferrimagnetic reference layer 査読有り

H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

AIP ADVANCES　7　(5)　2017年5月

DOI： 10.1063/1.4973946 　

ISSN：2158-3226

Atomic structure and electronic properties of MgO grain boundaries in tunnelling magnetoresistive devices 査読有り

Bean Jonathan J, Saito Mitsuhiro, Fukami Shunsuke, Sato Hideo, Ikeda Shoji, Ohno Hideo, Ikuhara Yuichi, McKenna Keith P

SCIENTIFIC REPORTS　7　2017年4月4日

DOI： 10.1038/srep45594 　

ISSN：2045-2322

A spin transfer torque magnetoresistance random access memory-based high-density and ultralow-power associative memory for fully data-adaptive nearest neighbor search with current-mode similarity evaluation and time-domain minimum searching 査読有り

Yitao Ma, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　56　(4)　04CF08　2017年4月

DOI： 10.7567/JJAP.56.04CF08 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

A 600-µW ultra-low-power associative processor for image pattern recognition employing magnetic tunnel junction-based nonvolatile memories with autonomic intelligent power-gating scheme 査読有り

Yitao Ma, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

Japanese Journal of Applied Physics　2017年4月

DOI： 10.7567/JJAP.55.04EF15 　

Design of a variation-resilient single-ended non-volatile six-input lookup table circuit with a redundant-magnetic tunnel junction-based active load for smart Internet-of-things applications 査読有り

D. Suzuki, M. Natsui, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

ELECTRONICS LETTERS　53　(7)　2017年3月

DOI： 10.1049/el.2016.4233 　

ISSN：0013-5194

eISSN：1350-911X

Beyond MRAM: Nonvolatile Logic-in-Memory VLSI 査読有り

Takahiro Hanyu, Tetsuo Endoh, Shoji Ikeda, Tadahiko Sugibayashi, Naoki Kasai, Daisuke Suzuki, Masanori Natsui, Hiroki Koike, Hideo Ohno

Introduction to Magnetic Random-Access Memory　199-229　2016年11月26日

DOI： 10.1002/9781119079415.ch7 　

Standby-Power-Free Integrated Circuits Using MTJ-Based VLSI Computing 招待有り 査読有り

Takahiro Hanyu, Tetsuo Endoh, Daisuke Suzuki, Hiroki Koike, Yitao Ma, Naoya Onizawa, Masanori Natsui, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

PROCEEDINGS OF THE IEEE　104　(10)　1844-1863　2016年10月

DOI： 10.1109/JPROC.2016.2574939 　

ISSN：0018-9219

eISSN：1558-2256

A Compact and Ultra-Low-Power STT-MRAMBased Associative Memory for Nearest Neighbor Search with Full Adaptivity of Template Data Format Employing Current-Mode Similarity Evaluation and Time-Domain Minimum Searching 査読有り

Y.Ma, S.Miura, H.Honjo, S.Ikeda, T.Hanyu, H.Ohno, T.Endoh

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　B-2-06　83-84　2016年9月26日

Improvement of Thermal Tolerance of CoFeB-MgO Perpendicular-Anisotropy Magnetic Tunnel Junctions by Controlling Boron Composition 査読有り

H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, S. Sato, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　52　(7)　2016年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2016.2518203 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

An Overview of Nonvolatile Emerging Memories-Spintronics for Working Memories 招待有り 査読有り

Tetsuo Endoh, Hiroki Koike, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno

IEEE JOURNAL ON EMERGING AND SELECTED TOPICS IN CIRCUITS AND SYSTEMS　6　(2)　109-119　2016年6月

DOI： 10.1109/JETCAS.2016.2547704 　

ISSN：2156-3357

Study on initial current leakage spots in CoFeB-capped MgO tunnel barrier by conductive atomic force microscopy 査読有り

Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(4)　04EE05　2016年4月

DOI： 10.7567/JJAP.55.04EE05 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

Atomic-Scale Structure and Local Chemistry of CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

Wang Zhongchang, Saito Mitsuhiro, McKenna Keith P, Fukami Shunsuke, Sato Hideo, Ikeda Shoji, Ohno Hideo, Ikuhara Yuichi

NANO LETTERS　16　(3)　1530-1536　2016年3月

DOI： 10.1021/acs.nanolett.5b03627 　

ISSN：1530-6984

磁気トンネル接合素子のMgO膜における初期電流リークスポット密度のconductive AFM法による評価手法解析 査読有り

佐藤創志, 本庄弘明, 池田正二, 大野英男, 遠藤哲郎, 丹羽正昭

電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-（第21回研究会）　2016年1月22日

スピントロニクスのデバイス応用 招待有り 査読有り

遠藤哲郎, 小池洋紀, 池田正二, 羽生貴弘, 大野英男

電子情報通信学会論文誌 C　J99-C　(1)　1-9　2016年1月14日

Optimum boron concentration difference between single and double CoFeB/MgO interface perpendicular MTJs with high thermal tolerance and its mechanism 査読有り

H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, S. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M.Yasuhira, T.Tanigawa, H.Koike, M.Muraguchi, M.Niwa, K.Ito, H.Ohno, T.Endoh

13th Joint MMM-Intermag Conference　FB-06　2016年1月14日

Demonstration of yield improvement for on-via MTJ using a 2-Mbit 1T-1MTJ STT-MRAM test chip 査読有り

Hiroki Koike, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Toshinari Watanabe, Hideo Sato, Soshi Sato, Takashi Nasuno, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Takaho Tanigawa, Masakazu Muraguchi, Masaaki Niwa, Kenchi Ito, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

2016 IEEE 8TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW)　2016年

DOI： 10.1109/imw.2016.7495264 　

ISSN：2330-7978

MTJ素子を活用した高性能・高信頼VLSI設計技術 招待有り 査読有り

夏井雅典, 鈴木大輔, 池田正二, 遠藤哲郎, 大野英男, 羽生貴弘

応用物理学会スピントロニクス研究会・日本磁気学会スピンエレクトロニクス専門研究会・日本磁気学会ナノマグネティックス専門研究会共同主催研究会　2015年11月12日

Challenge of MTJ-based nonvolatile logic-in-memory architecture for ultra low-power and highly dependable VLSI computing 査読有り

Takahiro Hanyu, Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Akira Mochizuki, Naoya Onizawa, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S),　1-3　2015年10月5日

DOI： 10.1109/S3S.2015.7333502 　

Optimization of CoFeB capping layer thickness for characterization of leakage spots in MgO tunneling barrier of magnetic tunnel junction 査読有り

S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, M. Niwa

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials　O-5-4　2015年9月29日

垂直磁気異方性 CoFeB-MgO 磁気トンネル接合の高速中性子耐性評価(II) 査読有り

成田 克, 高橋 豊, 原田 正英, 大井 元貴, 及川 健一, 小林 大輔, 廣瀬 和之, 石川 慎也, E. C. I. Enobio, 佐藤 英夫, 池田 正二, 遠藤 哲郎, 大野 英男

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日

10 nm perpendicular anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with over 400oC high thermal tolerance by boron diffusion control 査読有り

H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, S. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

2015 Symposia on VLSI technology　2015年6月18日

DOI： 10.1109/VLSIT.2015.7223661 　

Fabrication of a 3000-6-Input-LUTs Embedded and Block-Level Power-Gated Nonvolatile FPGA Chip Using p-MTJ-Based Logic-in-Memory Structure 査読有り

D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

2015 Diguest of Technical Papers, Symp. VLSI Circuit　172-173　2015年6月

Driving Force in Diffusion and Redistribution of Reducing Agents during Redox Reaction on the Surface of CoFeB Film 査読有り

S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, M. Niwa, T. Endoh

IEEE. Transactions on Magnetics　PP　(99)　1　2015年5月19日

DOI： 10.1109/TMAG.2015.2434840 　

1T1MTJ STT-MRAM Cell Array Design with an Adaptive Reference Voltage Generator for Improving Device Variation Tolerance 査読有り

H. Koike, S. Miura, H. Honjo, T. Watanabe, H. Sato, S. Sato, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh

2015 IEEE International Memory Workshop　1-4　2015年5月17日

DOI： 10.1109/IMW.2015.7150264 　

Diffusion Behaviors Observed on the Surface of CoFeB Film after the Natural Oxidation and the Annealing 査読有り

S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, M. Niwa

2015 IEEE Magnetic Conference (INTERMAG2015)　GP-01　2015年5月15日

DOI： 10.1109/INTMAG.2015.7157496 　

不揮発ロジックインメモリアーキテクチャとその低電力VLSIシステムへの応用 招待有り 査読有り

羽生貴弘, 鈴木大輔, 望月明, 夏井雅典, 鬼沢直哉, 杉林直彦, 池田正二, 遠藤哲郎, 大野英男

集積回路研究会　2015年4月17日

In-plane anisotropy of a nano-scaled magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic easy axis 査読有り

Eriko Hirayama, Shun Kanai, Koji Sato, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(4)　04EM03　2015年4月

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DM03 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

Properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions fabricated over the bottom 査読有り

S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, H. Koike, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　54　04DM06-1-04DM06-4　2015年3月11日

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DM06 　

Dependence of magnetic properties of MgO/CoFeB/Ta stacks on CoFeB and Ta thicknesses

Watanabe Kyota, Ishikawa Shinya, Sato Hideo, Ikeda Shoji, Yamanouchi Michihiko, Fukami Shunsuke, Matsukura Fumihiro, Ohno Hideo

Jpn. J. Appl. Phys.　54　(4)　04DM04　2015年3月3日

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DM04 　

ISSN：0021-4922

Spintronics: from basic research to VLSI application 招待有り 査読有り

Shun Kanai, Fumihiro Matsukura, Shoji Ikeda, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Association of Aisa Pacific Physical Societies, AAPPS　25　4-11　2015年2月

DOI： 10.22661/AAPPSBL.2015.25.1.04 　

Nonvolatile Logic-in-Memory LSI Using Cycle-Based Power Gating and Its Application to Motion-Vector Prediction 査読有り

M. Natui, D. Suzuki, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, T. Sugibayashi, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

Journal of Solid State Circuit　50　(2)　476-189　2015年1月28日

DOI： 10.1109/JSSC.2014.2362853 　

Evidence of a reduction reaction of oxidized iron/cobalt by boron atoms diffused toward naturally oxidized surface of CoFeB layer during annealing 査読有り

Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa

Applied Physics Letter　2015年

DOI： 10.1063/1.4917277 　

Power-gated 32 bit microprocessor with a power controller circuit activated by deep-sleep-mode instruction achieving ultra-low power operation 査読有り

Hiroki Koike, Takashi Ohsawa, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

Japanese Journal of Appllied Physics　2015年

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DE08 　

磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）の最新技術動向 招待有り 査読有り

小池洋紀, 池田正二, 羽生貴弘, 大野英男, 遠藤哲郎

CVD研究会　2014年12月18日

Challenge of MOS/MTJ-Hybrid Nonvolatile Logic-in-Memory Architecture in Dark-Silicon Era 招待有り 査読有り

Takahiro Hanyu, Daisuke Suzuki, Akira Mochizuki, Masanori Natsui, Naoya Onizawa, Tadahiko Sugibayashi, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM2014)　28.2.1-28.2.3　2014年12月

DOI： 10.1109/IEDM.2014.7047124 　

Domain Wall Motion Device for Nonvolatile Memory and Logic - Size Dependence of Device Properties 査読有り

Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　50　(11)　6971556　2014年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2014.2321396 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

Process-induced damage and its recovery for a CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic easy axis 査読有り

Keizo Kinoshita, Hiroaki Honjo, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Kotaro Mizunuma, Keiichi Tokutome, Michio Murahata, Shoji Ikeda, Sadahiko Miura, Naoki Kasai, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(10)　2014年10月

DOI： 10.7567/JJAP.53.103001 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

A 500ps/8.5ns Array Read/Write Latency 1Mb Twin 1T1MTJ STT-MRAM designed in 90nm CMOS/40nm MTJ Process with Novel Positive Feedback S/A Circuit 査読有り

T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

International Conference on Solid State Dvices and Materails (SSDM)　A-8-3　2014年9月9日

A Power-gated 32bit MPU with a Power Controller Circuit Activated by Deep-sleep-mode Instraction Achieving Ultra-low Power Operation 査読有り

H. Koike, T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, K, Kinoshita, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

International Conference on Solid State Dvices and Materails (SSDM)　A-7-1　2014年9月9日

Properties of Perpendicular-Anisotrapy Magnetic Tunnel Junctions Fabricated over the Cu Via 査読有り

S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, H, Koike, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno

International Conference on Solid State Dvices and Materails (SSDM)　A-6-3　2014年9月9日

Influence of Heavy Ion Irradiation on Perpendicular-Anisotropy CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

Daisuke Kobayashi, Yuya Kakehashi, Kazuyuki Hirose, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Eli Christopher Enobio, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　61　(4)　1710-1716　2014年8月

DOI： 10.1109/TNS.2014.2304738 　

ISSN：0018-9499

eISSN：1558-1578

Electric-field effects on magnetic anisotropy and damping constant in Ta/CoFeB/MgO investigated by ferromagnetic resonance 査読有り

A. Okada, S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　105　(5)　052415-(1)-052415-(4)　2014年8月

DOI： 10.1063/1.4892824 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

Properties of magnetic tunnel junctions with a MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure down to junction diameter of 11 nm 査読有り

H. Sato, E. C. I. Enobio, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, S. Kanai, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　105　(6)　062403(1)-062403(4)　2014年8月

DOI： 10.1063/1.4892924 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis 査読有り

C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17C714　2014年5月

DOI： 10.1063/1.4863260 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

Magnetization switching in a CoFeB/MgO magnetic tunnel junction by combining spin-transfer torque and electric field-effect 査読有り

S. Kanai, Y. Nakatani, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　104　(21)　212406(1)-212406(3)　2014年5月

DOI： 10.1063/1.4880720 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

Co/Pt multilayer-based magnetic tunnel junctions with a CoFeB/Ta insertion layer 査読有り

S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17C719(1)-17C719(3)　2014年5月

DOI： 10.1063/1.4862724 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

Distribution of critical current density for magnetic domain wall motion 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, Y. Nakatani, K. -J. Kim, T. Koyama, D. Chiba, S. Ikeda, N. Kasai, T. Ono, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17D508(1)-17D508(3)　2014年5月

DOI： 10.1063/1.4866394 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

Studies on read-stability and write-ability of fast access STT-MRAMs 査読有り

T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

2014 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA)　1-2　2014年4月28日

DOI： 10.1109/VLSI-TSA.2014.6839665 　

A two-transistor bootstrap type selective device for spin-transfer-torque magnetic tunnel junctions 査読有り

Takashi Ohsawa, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(4)　2014年4月

DOI： 10.7567/JJAP.53.04ED03 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

Power reduction by power gating in differential pair type spin-transfer-torque magnetic random access memories for low-power nonvolatile cache memories 査読有り

Takashi Ohsawa, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(4)　2014年4月

DOI： 10.7567/JJAP.53.04ED04 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

Co/Pt multilayer based reference layers in magnetic tunnel junctions for nonvolatile spintronics VLSIs 査読有り

Hideo Sato, Shoji Ikeda, Shunsuke Fukami, Hiroaki Honjo, Shinya Ishikawa, Michihiko Yamanouchi, Kotaro Mizunuma, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(4)　04EM02(1)-04EM02(3)　2014年4月

DOI： 10.7567/JJAP.53.04EM02 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure with low intrinsic critical current and high thermal stability 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

Journal of the Magnetics Society of Japan　38　(No. 2-2)　56-60　2014年3月20日

DOI： 10.3379/msjmag.1403R002 　

ISSN：1882-2924

Plasma process induced physical damages on multilayered magnetic films for magnetic domain wall motion 査読有り

Keizo Kinoshita, Hiroaki Honjo, Shunsuke Fukami, Ryusuke Nebashi, Keiichi Tokutome, Michio Murahata, Sadahiko Miura, Naoki Kasai, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(3)　2014年3月

DOI： 10.7567/JJAP.53.03DF03 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

Wide operational margin capability of 1 kbit spin-transfer-torque memory array chip with 1-PMOS and 1-bottom-pin-magnetic-tunnel-junction type cell 査読有り

Hiroki Koike, Takashi Ohsawa, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

Japanese Journal of Applied Physics(JJAP)　53　(4S)　04ED13-1-04ED13-7　2014年3月1日

DOI： 10.7567/JJAP.53.04ED13 　

Design and Fabrication of a Perpendicular-MTJ-Based Nonvolatile Programmable Switch Achieving 40% Less Area Using Shared-Control Transistor Structure 査読有り

Daisuke Suzuki, Masanori Natsui, Akira Mochizuki, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Keizo Kinoshita, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

Journal of Applied Physics　115　(17)　17B742-1-17B742-3　2014年3月

DOI： 10.1063/1.4868332 　

Trend of tunnel magnetoresistance and variation in threshold voltage for keeping data load robustness of metal–oxide–semiconductor/magnetic tunnel junction hybrid latches 査読有り

T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

Journal of Applied Physics (JAP)　115　(17)　17C728-1-17C728-3　2014年2月1日

DOI： 10.1063/1.4867129 　

Journal of Applied Physics 査読有り

C. Zhang, M. Yamanouchi, H .Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis　115　17C714(1)-17C714(3)　2014年1月29日

Advances in spintronics devices for microelectronics - From spin-transfer torque to spin-orbit torque 査読有り

S. Fukami, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Proceedings of the Asia and South Pacific Design Automation Conference, ASP-DAC　684-691　2014年

DOI： 10.1109/ASPDAC.2014.6742970 　

ISSN：2153-6961

Electric Field-Induced Magnetization Switching in CoFeB-MgO-Static Magnetic Field Angle Dependence 査読有り

Shun Kanai, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Yoshinobu Nakatani, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　50　(1)　article number 4200103　2014年1月

DOI： 10.1109/TMAG.2013.2278559 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

Perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO based magnetic tunnel junctions scaling down to 1X nm 査読有り

S. Ikeda, H. Sato, H. Honjo, E. C. I. Enobio, S. Ishikawa, M. Yamanouchi, S. Fukami, S. Kanai, F. Matsukura, T. Endoh, H. Ohno

2014 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)　796-799　2014年

DOI： 10.1109/IEDM.2014.7047160 　

A 1Mb Nonvolatile Embedded Memory Using 4T2MTJ Cell with 32b Fine-Grained Power Gating Scheme 査読有り

T. Ohsawa, H. Koike, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno

IEEE Journal of Solid State Circuits　48　(6)　2014年

DOI： 10.1109/JSSC.2013.2253412 　

IEEE Transactions on Magnetics 査読有り

S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, Y. Nakatani, F. Matsukura, H. Ohno

Electric field-induced magnetization switching in CoFeB-MgO-static magnetic field angle dependence　50　(1)　4200103(1)-4200103(3)　2014年1月

Applied Physics Express 査読有り

L. Chen, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

DC voltages in Py and Py/Pt under ferromagnetic resonance　7　013002(1)-013002(4)　2014年1月

Applied Physics Letters 査読有り

C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Magnetotransport measurements of current induced effective fields in Ta/CoFeB/MgO　103　262407(1)-262407(3)　2013年12月31日

DC voltages in Py and Py/Pt under ferromagnetic resonance

Chen Lin, Ikeda Shoji, Matsukura Fumihiro, Ohno Hideo

Appl. Phys. Express　7　(1)　13002-13002　2013年12月30日

DOI： 10.7567/APEX.7.013002 　

ISSN：1882-0778

Magnetotransport measurements of current induced effective fields in Ta/CoFeB/MgO 査読有り

Chaoliang Zhang, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　103　(26)　262407　2013年12月

DOI： 10.1063/1.4859656 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

Trend of TMR and Variation in Vth for Keeping Data Load Robustness of MOS/MTJ Hybrid Latches 査読有り

Takashi Ohsawa, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

The 58th Annual Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM2013)　GT-10　693-693　2013年11月4日

MTJ resistance distribution and its bit error rate of 1-kbit 1T-1MTJ STT-MRAM cell arrays fabricated on a 300-mm wafer 査読有り

H. Koike, T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno

58th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials Abstract　2013年11月

Strategy of STT-MRAM Cell Design and Its Power Gating Technique for Low-Voltage and Low-Power Cache Memories 査読有り

Takashi Ohsawa, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetuso Endoh

2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　M-7-1　1090-1091　2013年9月24日

Studies on Selective Devices for Spin-Transfer-Torque Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

Takashi Ohsawa, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetuso Endoh

2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　M-8-4　1104-1105　2013年9月24日

Properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions prepared by different MTJ etching process 査読有り

S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, N. Kasai, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno

2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　PS-12-11　396-397　2013年9月24日

A 4x4 Nonvolatile Multiplier Using Novel MTJ-CMOS Hybrid Latch and Flip-Flop 査読有り

Takashi Ohsawa, Sadahiro Miura, Hiroaki Honjo, Keizo Kinoshita, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetuso Endoh

2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　M-6-3　1086-1087　2013年9月24日

Wide Operational Margin Capability of 1kbit STT-MRAM Array Chip with 1-PMOS and 1-Bottom-Pin-MTJ Type Cell 査読有り

Hiroki Koike, Takashi Ohsawa, Sadahiro Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetuso Endoh

2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　M-7-3　1094-1095　2013年9月24日

Applied Physics Letters 査読有り

S. Kanai, Y. Nakatani, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

In-plane magnetic field dependence of electric field-induced magnetization switching　103　072408(1)-072408(4)　2013年8月16日

Nature Communications 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Ohno

Depinning probability of a magnetic domain wall in nanowires by spin-polarized currents　4　1-7　2013年8月15日

In-plane magnetic field dependence of electric field-induced magnetization switching 査読有り

S. Kanai, Y. Nakatani, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Applied Physics Letters　103　(7)　072408-072408(4)　2013年8月

DOI： 10.1063/1.4818676 　

ISSN：0003-6951

Applied Physics Express 査読有り

S. Fukami, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Ohno

CoNi films with perpendicular magnetic anisotropy prepared by alternate monoatomic layer deposition　6　073010(1)-073010(3)　2013年7月9日

IEEE Transactions on Magnetics 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure in magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis　49　(7)　4437-4440　2013年7月7日

CoNi Films with Perpendicular Magnetic Anisotropy Prepared by Alternate Monoatomic Layer Deposition 査読有り

Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS EXPRESS　6　(7)　073010　2013年7月

DOI： 10.7567/APEX.6.073010 　

ISSN：1882-0778

Size Dependence of Magnetic Properties of Nanoscale CoFeB--MgO Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Magnetic Easy Axis Observed by Ferromagnetic Resonance

Mizunuma Kotaro, Yamanouchi Michihiko, Sato Hideo, Ikeda Shoji, Kanai Shun, Matsukura Fumihiro, Ohno Hideo

Applied physics express　6　(6)　63002-063002-3　2013年6月25日

DOI： 10.7567/APEX.6.063002 　

ISSN：1882-0778

IEEE Journal of Solid-State Circuits 査読有り

T. Ohsawa, H. Koike, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

A 1 Mb nonvolatile embedded memory using 4T2MTJ cell with 32 b fine-grained power gating scheme　48　(6)　1511-1520　2013年6月22日

Applied Physics Letters 査読有り

J. Sinha, M. Hayashi, A. J. Kellock, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, S. Mitani, S. H. Yang, S. S. P. Parkin, H. Ohno

Enhanced interface perpendicular magnetic anisotropy in Ta|CoFeB|MgO using nitrogen doped Ta underlayers　102　l 242405(1)-l 242405(4)　2013年6月18日

A 1.5nsec/2.1nsec random read/write cycle 1Mb STT-RAM using 6T2MTJ cell with background write for nonvolatile e-memories 査読有り

Takashi Ohsawa, Sadahiro Miura, Keizo Kinoshita, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetuso Endoh

2013 Symposium on VLSI Technology (VLSIT) & 2013 Symposium on VLSI Cricuit (VLSIC) Digest of Technical Papers　C110-C111　2013年6月12日

Applied Physics Letters 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, S. Miura, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

Electrical endurance of Co/Ni wire for magnetic domain wall motion device　102　222410(1)-222410(4)　2013年6月6日

A Model Reflecting Preheat Effect by Two-step Writing Technique for High Speed and Stable STT-MRAM 査読有り

Yasuhiro Yoshida, Hiroki Koike, Masakazu Muraguchi, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetuso Endoh

16th International Workshop on Computational Electronics (IWCE)　248-249　2013年6月4日

Enhanced interface perpendicular magnetic anisotropy in Ta vertical bar CoFeB vertical bar MgO using nitrogen doped Ta underlayers 査読有り

Jaivardhan Sinha, Masamitsu Hayashi, Andrew J. Kellock, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Seiji Mitani, See-hun Yang, Stuart S. P. Parkin, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　102　(24)　2013年6月

DOI： 10.1063/1.4811269 　

ISSN：0003-6951

Fabrication of a 99%-Energy-Less Nonvolatile Multi-Functional CAM Chip Using Hierarchical Power Gating for a Massively-Parallel Full-Text-Search Engine 査読有り

S. Matsunaga, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, T. Sugibayashi, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Fukami, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

2013 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers　106-107　2013年6月

Applied Physics Letters 査読有り

M. Yamanouchi, L. Chen, J. Kim, M. Hayashi, S. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Three terminal magnetic tunnel junction utilizing the spin Hall effect of iridium-doped copper　102　212408(1)-212408(4)　2013年5月30日

Applied Physics Express 査読有り

K. Mizunuma, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, S. Kanai, F. Matsukura, H. Ohno

Size dependence of magnetic properties of nanoscale CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic easy axis observed by ferromagnetic resonance　6　063002(1)-063002(3)　2013年5月22日

Magnetic properties of MgO-[Co/Pt] multilayers with a CoFeB insertion layer 査読有り

S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

Journal of Applied Physics　113　(17)　17C721　2013年5月7日

DOI： 10.1063/1.4798499 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

Three terminal magnetic tunnel junction utilizing the spin Hall effect of iridium-doped copper 査読有り

Michihiko Yamanouchi, Lin Chen, Junyeon Kim, Masamitsu Hayashi, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　102　(21)　212408　2013年5月

DOI： 10.1063/1.4808033 　

ISSN：0003-6951

Journal of Applied Physics 査読有り

S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

Magnetic properties of MgO-[Co/Pt] multilayers with a CoFeB insertion layer　113　17C721(1)-17C721(3)　2013年4月3日

Nonvolatile Logic-in-Memory Array Processor in 90nm MTJ/MOS Achieving 75% Leakage Reduction Using Cycle-Based Power Gating 査読有り

M. Natsui, D. Suzuki, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, T. Sugibayashi, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

2013 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)　194-195　2013年2月

DOI： 10.1109/ISSCC.2013.6487696 　

Two-step writing method for STT-MTJ to improve switching probability and write-speed 査読有り

Fumitaka Iga, Takashi Ohsawa, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

The 3nd CSIS International Symposium on Spintronics-based VLSIs　2013年1月31日

600MHz Nonvolatile Latch Based on a New MTJ/CMOS Hybrid Circuit Concept 査読有り

Tetsuo Endoh, Shuta Togashi, Fumitaka Iga, Yasuhiro Yoshida, Takashi Ohsawa, Hiroki Koike, Shunsuke Fukami, Shoji Ikeda, Naoki Kasai, Noboru Sakimura, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

The 3nd CSIS International Symposium on Spintronics-based VLSIs　2013年1月31日

A fine-grained power gating architecture for MTJ-based embedded memories 査読有り

Takashi Ohsawa, Hiroki Koike, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Keiichi Tokutome, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

The 3nd CSIS International Symposium on Spintronics-based VLSIs　2013年1月31日

A Power-Gated MPU with 3-microsecond Entry/Exit Delay using MTJ-Based Nonvolatile Flip-Flop 査読有り

H. Koike, T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, S. Miura, H. Honjo, T. Sugibayashi

PROCEEDINGS OF THE 2013 IEEE ASIAN SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE (A-SSCC)　317-320　2013年

Observation of boron diffusion in an annealed Ta/CoFeB/MgO magnetic tunnel junction with standing-wave hard x-ray photoemission (vol 101, 202402, 2012) 査読有り

A. A. Greer, A. X. Gray, S. Kanai, A. M. Kaiser, S. Ueda, Y. Yamashita, C. Bordel, G. Palsson, N. Maejima, S. -H. Yang, G. Conti, K. Kobayashi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno, C. M. Schneider, J. B. Kortright, F. Hellman, C. S. Fadley

APPLIED PHYSICS LETTERS　102　(1)　019901　2013年1月

DOI： 10.1063/1.4773064 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

Comprehensive study of CoFeB-MgO magnetic tunnel junction characteristics with single- and double-interface scaling down to 1X nm 査読有り

H. Sato, T. Yamamoto, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, K. Kinoshita, F. Matsukura, N. Kasai, H. Ohno

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　6724550　2013年

DOI： 10.1109/IEDM.2013.6724550 　

ISSN：0163-1918

20-nm magnetic domain wall motion memory with ultralow-power operation 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, K. J. Kim, T. Suzuki, N. Sakimura, D. Chiba, S. Ikeda, T. Sugibayashi, N. Kasai, T. Ono, H. Ohno

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　6724553　2013年

DOI： 10.1109/IEDM.2013.6724553 　

ISSN：0163-1918

MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure in magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis 査読有り

Hideo Sato, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE Transactions on Magnetics　49　(7)　4437-4440　2013年

DOI： 10.1109/TMAG.2013.2251326 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

Depinning probability of a magnetic domain wall in nanowires by spin-polarized currents 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Ohno

Nature Communications　4　2293　2013年

DOI： 10.1038/ncomms3293 　

ISSN：2041-1723

eISSN：2041-1723

A 1-Mb STT-MRAM with Zero-Array Standby Power and 1.5-ns Quick Wake-Up by 8-b Fine-Grained Power Gating 査読有り

Takashi Ohsawa, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

2013 5TH IEEE INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW)　80-83　2013年

Fabrication of a Magnetic Tunnel Junction-Based 240-Tile Nonvolatile Field-Programmable Gate Array Chip Skipping Wasted Write Operations for Greedy Power-Reduced Logic Applications 査読有り

D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

IEICE Electronics Express　10　(23)　20130772　2013年

DOI： 10.1587/elex.10.20130772 　

Electrical endurance of Co/Ni wire for magnetic domain wall motion device 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, S. Miura, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

Applied Physics Letter　102　222410　2013年

DOI： 10.1063/1.4809734 　

Spin 査読有り

S. Ikeda, H. Sato, M. Yamanouchi, H. Gan, K. Miura, K. Mizunuma, S. Kanai, S. Fukami, F. Matsukura, N. Kasai, H. Ohno

Recent progress of perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions for nonvolatile VLSI　2　(3)　1240003(1)-1240003(12)　2012年12月4日

DOI： 10.4018/ijfsa.2012070101 　

Influence of Heavy Ion Irradiation on Perpendicular-Anisotropy CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

Daisuke Kobayashi, Yuya Kakehashi, Kazuyuki Hirose, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanocuhi, Hideo Sato, Eli Christopher Enobio, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

JOURNAL OF LATEX CLASS FILES　11　(4)　1-3　2012年12月1日

Applied Physics Letters 査読有り

A. A. Greer, A. X. Gray, S. Kanai, A. M. Kaiser, S. Ueda, Y. Yamashita, C. Bordel, G. Palsson, N. Maejima, S. H. Yang, G. Conti, K. Kobayashi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno, C. M. Schneider, J. B. Kortright, F. Hellman, C. S. Fadley

Observation of boron diffusion in an annealed Ta/CoFeB/MgO magnetic tunnel junction with standing-wave hard x-ray photoemission　101　202402(1)-202402(4)　2012年11月12日

Observation of boron diffusion in an annealed Ta/CoFeB/MgO magnetic tunnel junction with standing-wave hard x-ray photoemission 査読有り

A. A. Greer, A. X. Gray, S. Kanai, A. M. Kaiser, S. Ueda, Y. Yamashita, C. Bordel, G. Palsson, N. Maejima, S. -H. Yang, G. Conti, K. Kobayashi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno, C. M. Schneider, J. B. Kortright, F. Hellman, C. S. Fadley

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(20)　202402　2012年11月

DOI： 10.1063/1.4766351 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

Boron Composition Dependence of Magnetic Anisotropy and Tunnel Magnetoresistance in MgO/CoFe(B) Based Stack Structures 査読有り

Shoji Ikeda, Ryohei Koizumi, Hideo Sato, Michihiko Yamanouchi, Katsuya Miura, Kotaro Mizunuma, Huadong Gan, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　48　(11)　3829-3832　2012年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2012.2203588 　

ISSN：0018-9464

IEEE Transactions on Magnetics 査読有り

S. Ikeda, R. Koizumi, H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, K. Mizunuma, H. Gan, F. Matsukura, H. Ohno

Boron composition dependence of magnetic anisotropy and tunnel magnetoresistance in MgO/CoFe(B) based stack structures　48　(11)　3829-3832　2012年11月

Recent progress of perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions for nonvolatile vlsi 査読有り

Shoji Ikeda, Hideo Sato, Michihiko Yamanouchi, Huadong Gan, Katsuya Miura, Kotaro Mizunuma, Shun Kanai, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Naoki Kasai, Hideo Ohno

SPIN　2　(3)　1240003　2012年9月1日

DOI： 10.1142/S2010324712400036 　

ISSN：2010-3247

eISSN：2010-3255

Material parameters and thermal stability of synthetic ferrimagnet free layers in magnetic tunnel junction nanopillars 招待有り 査読有り

D. Marko, T. Devolder, K. Miura, K. Ito, Joo-Von Kim, C. Chappert, S. Ikeda, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　112　(5)　053922(1)-053922(4)　2012年9月

DOI： 10.1063/1.4751025 　

ISSN：0021-8979

Electric field-induced magnetization reversal in a perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction 招待有り 査読有り

S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, Y. Nakatani, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(12)　122403(1)-122403(3)　2012年9月

DOI： 10.1063/1.4753816 　

ISSN：0003-6951

Damage Recovery by Reductive Chemistry after Methanol-Based Plasma Etch to Fabricate Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

Keizo Kinoshita, Tadashi Yamamoto, Hiroaki Honjo, Naoki Kasai, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(8)　08HA01(1)-08HA01(6)　2012年8月

DOI： 10.1143/JJAP.51.08HA01 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

Scalability Prospect of Three-Terminal Magnetic Domain-Wall Motion Device 査読有り

Shunsuke Fukami, Nobuyuki Ishiwata, Naoki Kasai, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　48　(7)　2152-2157　2012年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2012.2187792 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

Perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with a MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(2)　022414(1)-02414(4)　2012年7月

DOI： 10.1063/1.4736727 　

ISSN：0003-6951

1Mb 4T-2MTJ Nonvolatile STT-RAM for Embedded Memories Using 32b Fine-Grained Power Gating Technique with 1.0ns/200ps Wake-up/Power-off Times 査読有り

T. Ohsawa, H. Koike, S. Miura, H. Honjo, K. Tokutome, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

2012 Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers　J-C6.3　46-47　2012年6月

DOI： 10.1109/VLSIC.2012.6243782 　

A 3.14 um^2 4T-2MTJ-Cell Fully Parallel TCAM Based on Nonvolatile Logic-in-Memory Architecture 査読有り

Shoun Matsunaga, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjou, Keizo Kinoshita, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

2012 Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers　J-C6.2　44-45　2012年6月

DOI： 10.1109/VLSIC.2012.6243781 　

MTJ based non volatile SRAM and low power non volatile logic-in-memory architecture 招待有り 査読有り

Tetsuo Endoh, Takashi Ohsawa, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Naoki Kasai, Hideo Ohno

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG2012)　HB-06-HB-06　2012年5月9日

Dependence of Magnetic Anisotropy in Co20Fe60B20 Free Layers on Capping Layers in MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions with In-Plane Easy Axis 査読有り

Hiroyuki Yamamoto, Jun Hayakawa, Katsuya Miura, Kenchi Ito, Hideyuki Matsuoka, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS EXPRESS　5　(5)　053002(1)-053002(3)　2012年5月

DOI： 10.1143/APEX.5.053002 　

ISSN：1882-0778

Transmission electron microscopy study on the effect of various capping layers on CoFeB/MgO/CoFeB pseudo spin valves annealed at different temperatures 査読有り

S. V. Karthik, Y. K. Takahashi, T. Ohkubo, K. Hono, H. D. Gan, S. Ikeda, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(8)　083922(1)-083922(8)　2012年4月

DOI： 10.1063/1.4707964 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

Time-Resolved Switching Characteristic in Magnetic Tunnel Junction with Spin Transfer Torque Write Scheme

IGA Fumitaka, YOSHIDA Yasuhiro, IKEDA Shoji, HANYU Takahiro, OHNO Hideo, ENDOH Tetsuo

Jpn J Appl Phys　51　(2,Issue 2)　02BM02.1-02BM02.5　2012年2月25日

DOI： 10.1143/JJAP.51.02BM02 　

ISSN：0021-4922

High-Density and Low-Power Nonvolatile Static Random Access Memory Using Spin-Transfer-Torque Magnetic Tunnel Junction 査読有り

Takashi Ohsawa, Fumitaka Iga, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(2)　02BD01(1)-02BD01(6)　2012年2月

DOI： 10.1143/JJAP.51.02BD01 　

ISSN：0021-4922

Effects of boron composition on tunneling magnetoresistance ratio and microstructure of CoFeB/MgO/CoFeB pseudo-spin-valve magnetic tunnel junctions 査読有り

M. Kodzuka, T. Ohkubo, K. Hono, S. Ikeda, H. D. Gan, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(4)　043913(1)-043913(3)　2012年2月

DOI： 10.1063/1.3688039 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

Implementation of a Perpendicular MTJ-Based Read-Disturb-Tolerant 2T-2R Nonvolatile TCAM Based on a Reversed Current Reading Scheme 査読有り

S. Matsunaga, M. Natsui, S. Ikeda, K. Miura, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

2012 17TH ASIA AND SOUTH PACIFIC DESIGN AUTOMATION CONFERENCE (ASP-DAC)　Session D1-5　475-476　2012年

DOI： 10.1109/ASPDAC.2012.6164998 　

ISSN：2153-6961

High-speed and reliable domain wall motion device: Material design for embedded memory and logic application 査読有り

Fukami, S.a, Yamanouchi, M.a, Koyama, T, Ueda, K, Yoshimura, Y, Kim, K.-J, Chiba, D.b c, Honjo, H, Sakimura, N, Nebashi, R, Kato, Y, Tsuji, Y, Morioka, A, Kinoshita, K, Miura, S, Suzuki, T.e, Tanigawa, H.e, Ikeda, S, Sugibayashi, T, Kasai, N.a, Ono, T, Ohno, H.a f

Dig Tech Pap Symp VLSI Technol　6242461　2012年

DOI： 10.1109/VLSIT.2012.6242461 　

CoFeB Thickness Dependence of Thermal Stability Factor in CoFeB/MgO Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, S. Ikeda, R. Koizumi, F. Matsukura, H. Ohno

IEEE MAGNETICS LETTERS　3　3000204(1)-3000204(4)　2012年

DOI： 10.1109/LMAG.2012.2190722 　

ISSN：1949-307X

Origin of the collapse of tunnel magnetoresistance at high annealing temperature in CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions 査読有り

H. D. Gan, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, K. Miura, R. Koizumi, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(25)　252507　2011年12月

DOI： 10.1063/1.3671669 　

ISSN：0003-6951

Reduction of intrinsic critical current density under a magnetic field along the hard axis of a free layer in a magnetic tunnel junction 査読有り

Miura Katsuya, Sugano Ryoko, Ichimura Masahiko, Hayakawa Jun, Ikeda Shoji, Ohno Hideo, Maekawa Sadamichi

Physical Review B　84　(17)　2011年11月23日

DOI： 10.1103/PhysRevB.84.174434 　

ISSN：1098-0121

Studies on Static Noise Margin and Scalability for Low-Power and High-Density Nonvolatile SRAM using Spin -Transfer -Torque (STT) MTJs 査読有り

Takashi Ohsawa, Fumitaka Iga, Shoji Ikeda, Takahiro, Hanyu, Hideo Ohno, Testuo Endoh

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)　959-960　2011年9月28日

Novel 2step Writing Method for STT-RAM to Improve Switching Probability and Write Speed 査読有り

Fumitaka. Iga, Yasuhiko Suzuki, Takashi Ohsawa, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)　963-964　2011年9月28日

Junction size effect on switching current and thermal stability in CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, S. Ikeda, H. D. Gan, K. Mizunuma, R. Koizumi, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(4)　042501　2011年7月

DOI： 10.1063/1.3617429 　

ISSN：0003-6951

Tunnel Magnetoresistance Properties of Double MgO-Barrier Magnetic Tunnel Junctions With Different Free-Layer Alloy Compositions and Structures 査読有り

Huadong Gan, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanouchi, Katsuya Miura, Kotaro Mizunuma, Jun Hayakawa, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　47　(6)　1567-1570　2011年6月

DOI： 10.1109/TMAG.2010.2104137 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069

Design and Fabrication of a One-Transistor/One-Resistor Nonvolatile Binary Content-Addressable Memory Using Perpendicular Magnetic Tunnel Junction Devices with a Fine-Grained Power-Gating Scheme 査読有り

Shoun Matsunaga, Masanori Natsui, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(6)　063004-(1)-063004-(7)　2011年6月

DOI： 10.1143/JJAP.50.063004 　

ISSN：0021-4922

Dependence of magnetic anisotropy on MgO thickness and buffer layer in Co20Fe60B20-MgO structure 査読有り

M. Yamanouchi, R. Koizumi, S. Ikeda, H. Sato, K. Mizunuma, K. Miura, H. D. Gan, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　109　(7)　07C712-(1)-07C712-(3)　2011年4月

DOI： 10.1063/1.3554204 　

ISSN：0021-8979

Spin-torque switching window, thermal stability, and material parameters of MgO tunnel junctions 査読有り

T. Devolder, L. Bianchini, K. Miura, K. Ito, Joo-Von Kim, P. Crozat, V. Morin, A. Helmer, C. Chappert, S. Ikeda, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　98　(16)　162502-(1)-162502-(3)　2011年4月

DOI： 10.1063/1.3576937 　

ISSN：0003-6951

Tunnel magnetoresistance properties and annealing stability in perpendicular anisotropy MgO-based magnetic tunnel junctions with different stack structures 査読有り

K. Mizunuma, S. Ikeda, H. Sato, M. Yamanouchi, H. D. Gan, K. Miura, H. Yamamoto, J. Hayakawa, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　109　(7)　07C711-(1)-07C711-(3)　2011年4月

DOI： 10.1063/1.3554092 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

Current-induced effective field in perpendicularly magnetized Ta/CoFeB/MgO wire 査読有り

T. Suzuki, S. Fukami, N. Ishiwata, M. Yamanouchi, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　98　(14)　142505-(1)-142505-(3)　2011年4月

DOI： 10.1063/1.3579155 　

ISSN：0003-6951

Pd Layer Thickness Dependence of Tunnel Magnetoresistance Properties in CoFeB/MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Anisotropy CoFe/Pd Multilayers 査読有り

Kotaro Mizunuma, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Hideo Sato, Hiroyuki Yamamoto, Hua-Dong Gan, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS EXPRESS　4　(2)　023002-(1)-023002-(3)　2011年2月

DOI： 10.1143/APEX.4.023002 　

ISSN：1882-0778

Current-induced domain wall motion in perpendicularly magnetized CoFeB nanowire 査読有り

S. Fukami, T. Suzuki, Y. Nakatani, N. Ishiwata, M. Yamanouchi, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　98　(8)　082504-(1)-082504-(3)　2011年2月

DOI： 10.1063/1.3558917 　

ISSN：0003-6951

Domain Structure in CoFeB Thin Films With Perpendicular Magnetic Anisotropy 査読有り

Michihiko Yamanouchi, Albrecht Jander, Pallavi Dhagat, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE MAGNETICS LETTERS　2　3000304　2011年

DOI： 10.1109/LMAG.2011.2159484 　

ISSN：1949-307X

A 600MHz MTJ-Based Nonvolatile Latch Making Use of Incubation Time in MTJ Switching 査読有り

T. Endoh, S. Togashi, F. Iga, Y. Yoshida, T. Ohsawa, H. Koike, S. Fukami, S. Ikeda, N. Kasai, N. Sakimura, T. Hanyu, H. Ohno

2011 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)　4.3.1-4.3.2　2011年

DOI： 10.1109/IEDM.2011.6131487 　

A perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction 査読有り

S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, H. Ohno

NATURE MATERIALS　9　(9)　721-724　2010年9月

DOI： 10.1038/NMAT2804 　

ISSN：1476-1122

Electric-field effects on thickness dependent magnetic anisotropy of sputtered MgO/Co40Fe40B20/Ta structures 査読有り

M. Endo, S. Kanai, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(21)　212503　2010年5月

DOI： 10.1063/1.3429592 　

ISSN：0003-6951

Tunnel magnetoresistance properties and film structures of double MgO barrier magnetic tunnel junctions 査読有り

H. D. Gan, S. Ikeda, W. Shiga, J. Hayakawa, K. Miura, H. Yamamoto, H. Hasegawa, F. Matsukura, T. Ohkubo, K. Hono, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(19)　2010年5月

DOI： 10.1063/1.3429594 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-End Metal Line of CMOS Circuits 査読有り

Fumitaka Iga, Masashi Kamiyanagi, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Haruhiro Hasegawa, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS　E93C　(5)　608-613　2010年5月

DOI： 10.1587/transele.E93.C.608 　

ISSN：0916-8524

eISSN：1745-1353

Fabrication of a Nonvolatile Lookup-Table Circuit Chip Using Magneto/Semiconductor- Hybrid Structure for an Immediate-Power-Up Field Programmable Gate Array 招待有り 査読有り

鈴木大輔, 夏井雅典, 池田正二, 長谷川晴弘, 三浦勝哉, 早川純, 遠藤哲郎, 大野英男, 羽生貴弘

電子情報通信学会集積回路研究会技報　1-5　2010年4月22日

A 32-Mb SPRAM With 2T1R Memory Cell, Localized Bi-Directional Write Driver and &apos;1&apos;/&apos;0&apos; Dual-Array Equalized Reference Scheme 査読有り

Riichiro Takemura, Takayuki Kawahara, Katsuya Miura, Hiroyuki Yamamoto, Jun Hayakawa, Nozomu Matsuzaki, Kazuo Ono, Michihiko Yamanouchi, Kenchi Ito, Hiromasa Takahashi, Shoji Ikeda, Haruhiro Hasegawa, Hideyuki Matsuoka, Hideo Ohno

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS　45　(4)　869-879　2010年4月

DOI： 10.1109/JSSC.2010.2040120 　

ISSN：0018-9200

A nondestructive analysis of the B diffusion in Ta-CoFeB-MgO-CoFeB-Ta magnetic tunnel junctions by hard x-ray photoemission 査読有り

Xeniya Kozina, Siham Ouardi, Benjamin Balke, Gregory Stryganyuk, Gerhard H. Fecher, Claudia Felser, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Eiji Ikenaga

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(7)　072105-1-072105-3　2010年2月

DOI： 10.1063/1.3309702 　

ISSN：0003-6951

Spin-transfer Switching in Magnetic Tunnel Junctions with Synthetic Ferri-magnetic Free Layer 査読有り

M. Nishimura, M. Oogane, H. Naganuma, N. Inami, S. Ikeda, H. Ohno, Y. Ando

INTERNATIONAL CONFERENCE ON MAGNETISM (ICM 2009)　200　052018-1-052018-5　2010年

DOI： 10.1088/1742-6596/200/5/052018 　

ISSN：1742-6588

The Performance of Magnetic Tunnel Junction Integrated on the Back-End Metal Line of Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor Circuits 査読有り

Tetsuo Endoh, Fumitaka Iga, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Masashi Kamiyanagi, Haruhiro Hasegawa, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DM06 　

ISSN：0021-4922

Magnetic Tunnel Junction for Nonvolatile CMOS Logic 査読有り

Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu, Naoki Kasai, Shoji Ikeda

2010 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - TECHNICAL DIGEST　2010年

MgO barrier-perpendicular magnetic tunnel junctions with CoFe/Pd multilayers and ferromagnetic insertion layers 査読有り

K. Mizunuma, S. Ikeda, J. H. Park, H. Yamamoto, H. Gan, K. Miura, H. Hasegawa, J. Hayakawa, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　95　(23)　232516-1-232516-3　2009年12月

DOI： 10.1063/1.3265740 　

ISSN：0003-6951

Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with CoFe/Pd Multilayer Electrodes and an MgO Barrier 査読有り

Ji-Ho Park, Shoji Ikeda, Hiroyuki Yamamoto, Huadong Gan, Kotaro Mizunuma, Katsuya Miura, Haruhiro Hasegawa, Jun Hayakawa, Kenchi Ito, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　45　(10)　3476-3479　2009年10月

DOI： 10.1109/TMAG.2009.2023237 　

ISSN：0018-9464

Transmission electron microscopy investigation of CoFeB/MgO/CoFeB pseudospin valves annealed at different temperatures 査読有り

S. V. Karthik, Y. K. Takahashi, T. Ohkubo, K. Hono, S. Ikeda, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　106　(2)　023920-1-023920-6　2009年7月

DOI： 10.1063/1.3182817 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit 招待有り 査読有り

Masashi Kamiyanagi, Fumitaka Iga, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Haruhiro Hasegawa, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices　1A　3　2009年6月24日

Standby-Power-Free Compact Ternary Content-Addressable Memory Cell Chip Using Magnetic Tunnel Junction Devices 招待有り 査読有り

Shoun Matsunaga, Kimiyuki Hiyama, Atsushi Matsumoto, Shoji Ikeda, Haruhiro Hasegawa, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　2　(2)　0023004-(1)-023004-(3)　2009年2月

DOI： 10.1143/APEX.2.023004 　

ISSN：1882-0778

MTJ-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuit, Future Prospects and Issues 査読有り

Shoun Matsunaga, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

DATE: 2009 DESIGN, AUTOMATION & TEST IN EUROPE CONFERENCE & EXHIBITION, VOLS 1-3　433-+　2009年

ISSN：1530-1591

Fabrication of a Standby-Power-Free TMR-Based Nonvolatile Memory-in-Logic Circuit Chip with a Spin-Injection Write Scheme 査読有り

Shoun Matsunaga, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

International Conference on Solid State Devices and Materials　C3　(6)　274-275　2008年9月

Fabrication of a nonvolatile full adder based on logic-in-memory architecture using magnetic tunnel junctions 招待有り 査読有り

Shoun Matsunaga, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Haruhiro Hasegawa, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(9)　091301-(1)-091301-(3)　2008年9月

DOI： 10.1143/APEX.1.091301 　

ISSN：1882-0778

Fabrication of a nonvolatile full adder based on logic-in-memory architecture using magnetic tunnel junctions 査読有り

Shoun Matsunaga, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Haruhiro Hasegawa, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(9)　091301　2008年9月

DOI： 10.1143/APEX.1.091301 　

ISSN：1882-0778

Tunnel magnetoresistance of 604% at 300 K by suppression of Ta diffusion in CoFeB/MgO/CoFeB pseudo-spin-valves annealed at high temperature 査読有り

S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. Ashizawa, Y. M. Lee, K. Miura, H. Hasegawa, M. Tsunoda, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(8)　082508　2008年8月

DOI： 10.1063/1.2976435 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

Tunnel magnetoresistance of 604% at 300 K by suppression of Ta diffusion in CoFeB/MgO/CoFeB pseudo-spin-valves annealed at high temperature 招待有り 査読有り

S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. Ashizawa, Y. M. Lee, K. Miura, H. Hasegawa, M. Tsunoda, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(8)　082508-(1)-082508-(3)　2008年8月

DOI： 10.1063/1.2976435 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

Current-induced magnetization switching in MgO barrier magnetic tunnel junctions with CoFeB-based synthetic ferrimagnetic free layers 招待有り 査読有り

Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Michihiko Yarnanouchi, Young Min Lee, Ryutaro Sasaki, Masahiko Ichimura, Kenchi Ito, Takayuki Kawahara, Riichiro Takemura, Toshiyasu Meguro, Fumihiro Matsukura, Hiromasa Takahashi, Hideyuki Matsuoka, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　44　(7)　1962-1967　2008年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2008.924545 　

ISSN：0018-9464

Current-induced magnetization switching in MgO barrier magnetic tunnel junctions with CoFeB-based synthetic ferrimagnetic free layers 査読有り

Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Michihiko Yarnanouchi, Young Min Lee, Ryutaro Sasaki, Masahiko Ichimura, Kenchi Ito, Takayuki Kawahara, Riichiro Takemura, Toshiyasu Meguro, Fumihiro Matsukura, Hiromasa Takahashi, Hideyuki Matsuoka, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　44　(7)　1962-1967　2008年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2008.924545 　

ISSN：0018-9464

TMR Design Methodology for SPin-Transfer Torque RAM (SPRAM) with Nonvolatile and SRAM Compatible Operations 査読有り

R. Takemura, T. Kawahara, J. Hayakawa, K. Miura, K. Ito, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Takahashi, H. Matsuoka, H. Ohno

Joint Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop 2008, and 2008 International Conference on Memory Technology and Design (NVSMW/ICMTD)　54-56　2008年5月

DOI： 10.1109/NVSMW.2008.22 　

Electrical time-domain observation of magnetization switching induced by spin transfer in magnetic nanostructures (invited) 招待有り 査読有り

T. Devolder, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, J. A. Katine, M. J. Carey, P. Crozat, J. V. Kim, C. Chappert, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(7)　07A723　2008年4月

DOI： 10.1063/1.2839341 　

ISSN：0021-8979

Single-shot time-resolved measurements of nanosecond-scale spin-transfer induced switching: Stochastic versus deterministic aspects 査読有り

T. Devolder, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, P. Crozat, N. Zerounian, Joo-Von Kim, C. Chappert, H. Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS　100　(5)　057206　2008年2月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.100.057206 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114

2 Mb SPRAM (SPin-transfer torque RAM) with bit-by-bit bi-directional current write and parallelizing-direction current read 査読有り

Takayuki Kawahara, Riichiro Takemura, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Young Min Lee, Ryutaro Sasaki, Yasushi Goto, Kenchi Ito, Toshiyasu Meguro, Fumihiro Matsukura, Hiromasa Takahashi, Hideyuki Matsuoka, Hideo Ohno

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS　43　(1)　109-120　2008年1月

DOI： 10.1109/JSSC.2007.909751 　

ISSN：0018-9200

A Novel SPRAM (SPin-transfer torque RAM)-based Reconfigurable Logic Block for 3D-Stacked reconfigurable Spin Processor 招待有り 査読有り

M. Sekikawa, K. Kiyoyama, H. Hasegawa, K. Miura, T. Fukushima, S. Ikeda, T. Tanaka, H. Ohno, M. Koyanagi

IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2008, TECHNICAL DIGEST　935-+　2008年

DOI： 10.1109/IEDM.2008.4796645 　

Effect of electrode composition on the tunnel magnetoresistance of pseudo-spin-valve magnetic tunnel junction with a MgO tunnel barrier 査読有り

Y. M. Lee, J. Hayakawa, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　90　(21)　212507(1)-212507(3)　2007年5月

DOI： 10.1063/1.2742576 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

Magnetic tunnel junctions for spintronic memories and beyond 招待有り 査読有り

Shoji Ikeda, Jun Hayakawa, Young Min Lee, Futnihifo Matsukura, Yuzo Ohno, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　54　(5)　991-1002　2007年5月

DOI： 10.1109/TED.2007.894617 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646

Dependence of tunnel magnetoresistance on ferromagnetic electrode materials in MgO-barrier magnetic tunnel junctions 査読有り

Shoji Ikeda, Jun Hayakawa, Young Min Lee, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　310　(2)　1937-1939　2007年3月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2006.10.770 　

ISSN：0304-8853

eISSN：1873-4766

A novel SPRAM (SPin-transfer torque RAM) with a synthetic ferrimagnetic free layer for higher immunity to read disturbance and reducing write-current dispersion 査読有り

K. Miura, I. Kawahara, R. Takemura, J. Hayakawa, S. Ikeda, R. Sasaki, H. Takahashi, H. Matsuoka, H. Ohno

2007 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS　234-+　2007年

DOI： 10.1109/VLSIT.2007.4339706 　

Effect of high annealing temperature on giant tunnel magnetoresistance ratio of CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions 査読有り

J. Hayakawaa, S. Ikeda, Y. M. Lee, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(23)　232510-1-232510-3　2006年12月

DOI： 10.1063/1.2402904 　

ISSN：0003-6951

Current-induced magnetization switching in MgO barrier based magnetic tunnel junctions with CoFeB/Ru/CoFeB synthetic ferrimagnetic free layer 査読有り

Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Young Min Lee, Ryutaro Sasaki, Toshiyasu Meguro, Fumihiro Matsukura, Hiromasa Takahashi, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　45　(37-41)　L1057-L1060　2006年10月

DOI： 10.1143/JJAP.45.L1057 　

ISSN：0021-4922

Giant tunnel magnetoresistance and high annealing stability in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions with synthetic pinned layer 査読有り

Y. M. Lee, J. Hayakawa, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(4)　042506-1-042506-3　2006年7月

DOI： 10.1063/1.2234720 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

Tunnel magnetoresistance in MgO-barrier magnetic tunnel junctions with bcc-CoFe(B) and fcc-CoFe free layers 査読有り

S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. M. Lee, T. Tanikawa, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(8)　08A907-1-08A907-3　2006年4月

DOI： 10.1063/1.2176588 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

Fabrication and evaluation of magnetic tunnel junction with MgO tunneling barrier 査読有り

Takeshi Sakaguchi Hoon Choi, Ahn Sung-Jin, Takeaki Sugimura, Mungi Park, Milcihiko Oogane, Hyuckjae Oh, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Young Min Lee, Takafumi Fukushima, Terunobu Miyazaki, Hideo Ohno, Mitsumasa Koyanagi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　45　(4B)　3228-3232　2006年4月

DOI： 10.1143/JJAP.45.3228 　

ISSN：0021-4922

Fabrication and Evaluation of Magnetic Tunnel Junction with MgO Tunneling Barrier 査読有り

Takeshi Sakaguchi, Hoon Choi, Takeaki Sugimura, Mikihiko Oogane, Hyuckjae Oh, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Young Min Lee, Takafumi Fukushima, Terunobu Miyazaki, Hideo Ohno, Mitsumasa Koyanagi

International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM)　642-643　2005年9月

Current-driven magnetization reversal in exchange-biased spin-valve nanopillars 査読有り

J Hayakawa, H Takahashi, K Ito, M Fujimori, S Heike, T Hashizume, M Ichimura, S Ikeda, H Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　97　(11)　114321-114323　2005年6月

DOI： 10.1063/1.1927707 　

ISSN：0021-8979

Dependence of giant tunnel magnetoresistance of sputtered CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions on MgO barrier thickness and annealing temperature 査読有り

J Hayakawa, S Ikeda, F Matsukura, H Takahashi, H Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(16-19)　L587-L589　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L587 　

ISSN：0021-4922

Dependence of tunnel magnetoresistance in MgO based magnetic tunnel junctions on Ar pressure during MgO sputtering 査読有り

S Ikeda, J Hayakawa, YM Lee, R Sasaki, T Meguro, F Matsukura, H Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(46-49)　L1442-L1445　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L1442 　

ISSN：0021-4922

Current-driven magnetization switching in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions 査読有り

J Hayakawa, S Ikeda, YM Lee, R Sasaki, T Meguro, F Matsukura, H Takahashi, H Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(37-41)　L1267-L1270　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L1267 　

ISSN：0021-4922

Effect of Ru underlayer on magnetic properties of high B-s-Fe70Co30 films 査読有り

Y Uehara, T Kubomiya, T Miyajima, S Ikeda, Y Miura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　43　(10)　7002-7005　2004年10月

DOI： 10.1143/JJAP.43.7002 　

ISSN：0021-4922

Writer Materials for High Performance Hard Disk Drives 査読有り

T. Kubomiya, M. Matsuoka, Y. Uehara, S. Ikeda, Y. Miura

Transactions of the Materials Research Society of Japan　29　1577-1580　2004年

高性能ライトヘッド用高Bs軟磁性材料 招待有り 査読有り

池田正二, 上原裕二, 三宅裕子, 金子大樹, 金井均, 田河育也

日本応用磁気学会誌　28　(9)　963-968　2004年

Dependence of magnetic properties on sputtering pressure for Fe-Al-O alloy films made by carousel-type sputtering 査読有り

Y Uehara, S Ikeda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　42　(7A)　4297-4301　2003年7月

DOI： 10.1143/JJAP.42.4297 　

ISSN：0021-4922

Flattop-type Writer using Soft Magnetic Films with High Resistivity 査読有り

Shoji Ikeda, Iukuya Tagawa, Yuji Uehara, Yoshinori Ohtsuka, Hiroshi Maeda, Takashi Sekikawa, Masahiro Kakehi, Minoru Hasegawa

Trans. Magn. Soc. Jpn.　3　(1)　22-25　2003年

DOI： 10.3379/tmjpn2001.3.22 　

ISSN：1346-7948

スパッタFe70Co30 二元合金膜における軟磁気特性の膜厚依存性 査読有り

上原裕二, 池田正二, 久保宮敬幸

日本応用磁気学会誌　27　(9)　958-962　2003年

DOI： 10.3379/jmsjmag.27.958 　

ISSN：0285-0192

Soft Magnetic Materials with Bs = 2.4 T for a High Performance Writer 査読有り

Shoji Ikeda, Ikuya Tagawa, Takayuki Kubomiya, Junichi Kane, Yuji Uehara, Takao Koshikawa

Trans. Magn. Soc. Jpn.　3　(1)　17-21　2003年

DOI： 10.3379/tmjpn2001.3.17 　

ISSN：1346-7948

Write heads with pole tip consisting of high-Bs FeCoAlO films 査読有り

S Ikeda, Tagawa, I, Y Uehara, T Kubomiya, J Kane, M Kakehi, A Chikazawa

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　38　(5)　2219-2221　2002年9月

DOI： 10.1109/TMAG.2002.802664 　

ISSN：0018-9464

Electric resistivity and magnetoanisotropy in Fe/Si evaporated multilayers 査読有り

A Yamada, W Takakura, S Ikeda, Y Ueda

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　189　(3)　753-757　2002年2月

DOI： 10.1002/1521-396X(200202)189:3<753::AID-PSSA753>3.0.CO;2-7 　

ISSN：0031-8965

高Bs-FeAlO軟磁性膜の磁気異方性 査読有り

池田正二, 久保宮敬幸, 松岡正昭, 田河育也, 上原裕二, 兼 淳一, 近沢哲史

日本応用磁気学会誌　26　(6)　835-838　2002年

DOI： 10.3379/jmsjmag.26.835 　

ISSN：0285-0192

High-performance write head design and materials

Tagawa, I, S Ikeda, Y Uehara

FUJITSU SCIENTIFIC & TECHNICAL JOURNAL　37　(2)　164-173　2001年

ISSN：0016-2523

高Bs Fe-N-Al-O膜の軟磁気特性に及ぼす窒素添加の影響 査読有り

池田正二, 田河育也, 上原裕二

日本応用磁気学会誌　25　(4)　911-914　2001年

DOI： 10.3379/jmsjmag.25.911 　

ISSN：0285-0192

高性能ライトヘッドの設計と材料 招待有り

田河育也, 池田正二, 上原裕二

IDEMA Japan News　49　9-13　2001年

Soft magnetic properties and microstructure of high moment Fe-N-Al-O films for recording heads 査読有り

S Ikeda, Y Uehara, Tagawa, I, N Takeguchi, M Kakehi

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　36　(5)　3470-3472　2000年9月

DOI： 10.1109/20.908863 　

ISSN：0018-9464

高BsスパッタFe-N-Al-O膜の軟磁気特性 査読有り

池田正二, 竹口直樹, 筧 正弘, 田河育也, 上原裕二

日本応用磁気学会誌　24　(4)　679-682　2000年

DOI： 10.3379/jmsjmag.24.679 　

ISSN：0285-0192

Electrical Resistance in Fe/Al2O3 Multilayered Films Prepared by an Electron Beam Evaporation Method (Electrical Resistance in Fe/Al2O3 Oblique Deposition Multilayers) 査読有り

W. Takakura, S. Ikeda, Y. Ueda

Mater. Trans. JIM　24　878-881　2000年

電子ビーム蒸着法で製作したFe/Al2O3多層膜の電気抵抗 査読有り

上田勇治, 高倉 亘, 池田正二

日本金属学会誌　64　(10)　878-881　2000年

DOI： 10.2320/jinstmet1952.64.10_878 　

ISSN：0021-4876

3.Soft Magnetic Properties and Microstructure of High Moment Fe-N-Al-O Films for Recording Heads

S. Ikeda, I. Tagawa, N. Takeguchi, M. Kakehi, Y. Uehara

電子情報通信学会技術研究報告　MR2000-17　(277)　1-3　2000年

ISSN：0913-5685

Magnetoresistance and compositional modulation near the layer boundary of Co Cu multilayers produced by pulse electrodeposition 査読有り

Y Ueda, N Kikuchi, S Ikeda, T Houga

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　198-99　740-742　1999年6月

DOI： 10.1016/S0304-8853(98)01024-5 　

ISSN：0304-8853

Magnetic Properties and GMR Effect in Nonequilibrium Co-Cu Alloys Produced by Mechanical Alloying 査読有り

S. Ikeda, W. Takakura, S. Chikazawa, Y. Ueda

J. Magn. Soc. Jpn.　23　(1)　138-140　1999年

DOI： 10.3379/jmsjmag.23.138 　

ISSN：0285-0192

MA Cox Cu100-x 合金の磁気抵抗磁性の温度依存性 査読有り

池田正二, 近沢 進, 高倉 亘, 宝賀 剛, 上田勇治

日本応用磁気学会誌　23　(4)　1133-1136　1999年

DOI： 10.3379/jmsjmag.23.1133 　

ISSN：0285-0192

薄膜・微粒子の構造と磁気抵抗，磁性及び超伝導

上田勇治, 松田瑞史, 近澤 進, 酒井 彰, 池田正二

室蘭工業大学紀要　48　21-31　1998年

ISSN：1344-2708

Magnetoresistance in Co-Ag multilayers and granular films produced by electrodeposition method 査読有り

H Zaman, S Ikeda, Y Ueda

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　33　(5)　3517-3519　1997年9月

DOI： 10.1109/20.619483 　

ISSN：0018-9464

Giant magnetoimpedance effect in nanocrystalline Fe74SixB22-xCu1Nb3 ribbons 査読有り

Y Ueda, S Ikeda, W Takakura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　81　(8)　5787-5789　1997年4月

DOI： 10.1063/1.364668 　

ISSN：0021-8979

Magnetoresistance in (CoxFe1-x)(20)Cu-80 granular alloys produced by mechanical alloying 査読有り

S Ikeda, T Houga, W Takakura, Y Ueda

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING　217　376-380　1996年10月

DOI： 10.1016/S0921-5093(96)10331-2 　

ISSN：0921-5093

Magnetoresistance and magnetism in Fe-Cu alloys produced by electrodeposition and mechanical alloying methods 査読有り

Y Ueda, S Ikeda, Y Mori, H Zaman

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING　217　371-375　1996年10月

DOI： 10.1016/S0921-5093(96)10332-4 　

ISSN：0921-5093

Magnetism and magnetoresistive properties in FexCu100-x alloys produced by mechanical alloying 査読有り

Y Ueda, S Ikeda, S Moriwaki, M Matsuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　35　(8B)　L1059-L1061　1996年8月

DOI： 10.1143/jjap.35.L1059 　

ISSN：0021-4922

Magnetotransport and magnetic properties of mechanically alloyed CoxCu100-x 査読有り

Y Ueda, S Ikeda, S Chikazawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　35　(6A)　3414-3418　1996年6月

DOI： 10.1143/JJAP.35.3414 　

ISSN：0021-4922

Magnetic properties and magnetoresistance of Fe/Cr multilayer films prepared by vapor deposition and electrodeposition 査読有り

Y Ueda, S Ikeda, S Hama, A Yamada

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　156　(1-3)　353-354　1996年4月

DOI： 10.1016/0304-8853(95)00895-0 　

ISSN：0304-8853

メカニカルアロイング法によって作製したFe-Cu合金の磁性と磁気抵抗効果 査読有り

池田正二, 森脇 憲, 上田勇治

日本応用磁気学会誌　20　(2)　385-388　1996年

DOI： 10.3379/jmsjmag.20.385 　

ISSN：0285-0192

メカニカルアロイング法によって作製したCo_xCu_100-x 合金の構造と磁気抵抗 査読有り

上田勇治, 池田正二, 近沢 進

日本応用磁気学会誌　20　(2)　381-384　1996年

DOI： 10.3379/jmsjmag.20.381 　

ISSN：0285-0192

Structure and temperature dependence of magnetic properties in the nanocrystalline Fe74SixB22-xCu1Nb3 alloys 査読有り

S Ikeda, M Nagai, Y Ueda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　34　(11)　6046-6052　1995年11月

DOI： 10.1143/JJAP.34.6046 　

ISSN：0021-4922

MAGNETORESISTANCE IN CO-CU ALLOYS PREPARED BY THE MECHANICAL ALLOYING 査読有り

Y UEDA, S IKEDA

MATERIALS TRANSACTIONS JIM　36　(2)　384-388　1995年2月

DOI： 10.2320/matertrans1989.36.384 　

ISSN：0916-1821

メカニカルアロイング法によるCo20Cu80合金の熱処理と磁気抵抗 査読有り

上田勇治, 池田正二

日本応用磁気学会誌　19　257-260　1995年

DOI： 10.3379/jmsjmag.19.257 　

Precipitation of α-Fe and Structure for Amorphous Fe74Cu1Nb3SixB22-x Alloys by Annealing 査読有り

Y. Ueda, S. Ikeda, K. Minami

Mater. Sci. Eng.　181　992-996　1994年5月

DOI： 10.1016/0921-5093(94)90786-2 　

ISSN：0921-5093

eISSN：1873-4936

Permeability and α-Fe phase precipitated in Fe-Si-B-Cu-Nb amorphous alloys

Y. Ueda, S. Ikeda, T. Sakaguchi

IEEE Trans. J. Mag. in Jpn.　9　(6)　39-46　1994年

DOI： 10.1109/TJMJ.1994.4565955 　

ISSN：0882-4959

Fe-Si-B-Cu-Nb非晶質合金中に析出したα-Feと透磁率 査読有り

上田勇治, 池田正二, 坂口 威

日本応用磁気学会誌　18　463-468　1994年

DOI： 10.3379/jmsjmag.18.463