東北大学研究者紹介

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オオシマ　タケシ

大島　武

Takeshi Ohshima

所属

大学院工学研究科　知能デバイス材料学専攻　情報デバイス材料学講座（電光子情報材料学分野）

職名

特任教授（研究）

学位

博士（工学）（筑波大学）

researchmap

https://researchmap.jp/read0112223

J-GLOBAL ID

200901034698587199

経歴 9

2024年4月～継続中

国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構　高崎量子技術基盤研究所量子機能創製研究センター　センター長 / プロジェクトリーダー
2023年6月～継続中

東北大学　大学院工学研究科　特任教授
2018年8月～継続中

筑波大学　数理物質系　客員教授
2022年4月～ 2024年3月

国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構　量子ビーム科学部門高崎量子応用研究所量子機能創製研究センター　センター長 / プロジェクトリーダー
2020年4月～ 2022年3月

国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構　量子ビーム科学部門高崎量子応用研究所先端機能材料研究部　部長 / プロジェクトリーダー
2016年4月～ 2020年3月

国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構　量子ビーム科学研究部門　リーダー/上席研究員
2014年4月～ 2017年3月

群馬大学　研究・産学連携戦略推進機構　客員教授
2008年4月～ 2017年3月

群馬高等工業専門学校　非常勤講師
2005年6月～ 2016年3月

日本原子力研究開発機構　量子ビーム応用研究センター　リーダー

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学歴 2

筑波大学　工学研究科　物質工学専攻

～ 1994年
筑波大学　第三学群　基礎工学類

～ 1989年

所属学協会 3

量子生命科学会
応用物理学会
日本物理学会

研究キーワード 7

量子センシング
欠陥エンジニアリング
放射線照射効果
素子作製技術
耐環境性電子材料
Radiation Effects
Semiconductors

研究分野 2

エネルギー / 量子ビーム科学 / 半導体照射効果
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

受賞 7

ポスター賞

2014年4月　応用物理学会　窒素分子・炭素イオン共注入によるダイヤモンドスピン量子ビット生成
最優秀ポスター賞

2010年6月
35th IEEE PVSC poster award, 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)

2010年
34th IEEE PVSC poster award: the 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)

2009年
第12回放射線プロセスシンポジウム奨励賞

2007年
"2003 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, Outstanding Radiation Effects Data Workshop Presentation" by the Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE), Nuclear and Plasma Sciences Society

2004年
"3rd WCPEC poster award" by the program committee of 3rd WCPEC: the 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion),

2003年

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論文 606

Photoionization Current Spectroscopy of Individual Silicon Vacancies in Silicon Carbide

Kazuki Okajima, Tetsuri Nishikawa, Hiroshi Abe, Koichi Murata, Takeshi Ohshima, Hidekazu Tsuchida, Naoya Morioka, Norikazu Mizuochi

Nano Letters　2026年4月18日
出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/acs.nanolett.5c05964 　

ISSN：1530-6984

eISSN：1530-6992
Photoelectrical detection and characterization of divacancy and PL5–PL7 spins in silicon carbide

Naoya Morioka, Tetsuri Nishikawa, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Norikazu Mizuochi

Physical Review B　113　(10)　2026年3月16日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/mdy9-x7lk 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Defect-Activated and Surface-Modified Hexagonal Boron Nitride Nanoparticles toward Intracellular Quantum Sensing. 国際誌

Suzune Shimomura, Yurina Nakane, Hiroshi Abe, Yusuke Miyake, Takeshi Ohshima, Yumi Yoshida, Kohji Maeda, Takuma Sugi, Shingo Sotoma

Nano letters　2026年3月12日

DOI： 10.1021/acs.nanolett.5c05398 　

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van der Waals materials hosting spin defects have emerged as a new platform for solid-state quantum sensing. We report hexagonal boron nitride (hBN) nanoparticles containing negatively charged boron vacancy (VB-) centers that function as nanoscale quantum sensors. High-energy electron irradiation efficiently generated VB- centers, enabling clear optically detected magnetic resonance (ODMR) detection from nanoparticle ensembles. To improve dispersion and suppress nonspecific protein adsorption, we developed a two-step surface modification process using silica encapsulation followed by hyperbranched polyglycerol (HPG) grafting. The HPG coating enhanced colloidal stability and reduced nonspecific protein adsorption. ODMR thermometry revealed temperature-dependent frequency shifts with a thermal coefficient of approximately - 300 kHz/°C. Finally, we demonstrated proof-of-concept detection of ODMR signal in HeLa cells after uptake of the nanoparticles. These results establish VB--containing hBN nanoparticles as promising nanoscale quantum sensors for future intracellular applications.
The future of quantum technology as seen from the EU, USA and Japan: Experts’ vision over the next two decades

Dana Anderson, Philippe Chomaz, Shigeki Takeuchi, Yasuhiko Arakawa, Yoshinobu Baba, Oliver Benson, Kathy-Anne Brickman Soderberg, Eleni Diamanti, David Elkouss, Keisuke Fujii, Akira Furusawa, Elie Gouzien, Hidetoshi Katori, Shiro Kawabata, Taku Kawahara, Hideo Kosaka, Marina Marinkovic, Yoko Miyamoto, N. Mizuochi, Mio Murao, Kae Nemoto, Kenji Ohmori, Takeshi Ohshima, Eugene Polzik, Marina Radulaski, Nicolas Sangouard, Yoshiro Takahashi, Utako Tanaka, Seigo Tarucha, Paolo Villoresi, Nan Yu, Julian Zivy

Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics　2025年12月2日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.1088/1361-6455/ae271a 　

ISSN：0953-4075

eISSN：1361-6455

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Abstract The development of quantum technology is facing substantial scientific and technological challenges. More importantly, there are as-yet-unknown aspects and applications of quantum technology to be uncovered. There is thus global acknowledgement by stakeholder communities and governments alike that the ongoing advancement of quantum science and technology ought to be an international pursuit in which the strain between competition and cooperation is balanced through collaboration. It is in this spirit of “coopetition” that this article seeks to give a cross-sectional view of the state of Quantum 2.0 technology in the USA, Europe and Japan, by providing the predictions of a large number of experts concerning progress in quantum technology over the next two decades.&#xD;
Investigating size and surface modification to optimise the delivery of nanodiamonds to brain glial cells

Manami Takahashi, Ayaka Takada, Chihiro Suzuki, Kiichi Kaminaga, Masaki Yoshioka, Mariko Handa, Jeff Kershaw, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Ryuji Igarashi, Hiroyuki Takuwa

Discover Nano　20　(1)　2025年8月20日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1186/s11671-025-04335-2 　

eISSN：2731-9229

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Abstract Nanodiamonds (NDs) with nitrogen-vacancy (NV) defects have garnered attention as promising nano-quantum sensors due to their high photostability, low biotoxicity, and ability to measure intracellular parameters such as temperature, magnetic fields, and electric fields. While NDs have been extensively studied in in vitro systems, their application in vivo remains underdeveloped. Efficient delivery of NDs to specific cells within biological tissues remains a critical challenge for advancing their applications in the life sciences. In this study, we investigated the intracellular uptake of NDs by glial cells (microglia and astrocytes) in the brain. Twelve types of NDs, differing in size (50 nm, 150 nm, 250 nm, and 350 nm) and surface modification (COOH, HPG and HPG-COOH), were locally injected into the brain parenchyma of mice. The intracellular uptake of NDs was assessed using immunostaining and confocal microscopy. Microglia preferentially internalized HPG-modified NDs. HPG-modified NDs also exhibited high diffusivity, facilitating interactions with surrounding microglia and enhancing uptake efficiency. In contrast, COOH-modified NDs were more efficiently internalized by astrocytes than HPG-modified NDs. This suggests that COOH-modified NDs tend to remain at the local injection site, where inflammation induced by tissue damage may have enhanced the phagocytic activity of astrocytes. These findings demonstrate that the uptake characteristics of NDs differ by cell type. HPG-modified NDs, are optimal for microglia, while COOH-modified NDs, are more suitable for astrocytes. It is anticipated that the results of this study will act as an important guide for the use of NDs as nano-quantum sensors in living brain tissues.
Creation of Single Tin-Vacancy Color Centers in Small Nanodiamonds

Hideaki Takashima, Konosuke Shimazaki, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Shigeki Takeuchi

ACS Photonics　12　(9)　4950-4955　2025年8月13日
出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/acsphotonics.5c00627 　

ISSN：2330-4022

eISSN：2330-4022
Hybrid nanosensors of carbon quantum dots and fluorescent nanodiamonds: Ratiometric thermometry and multicolor sensing

Kota Shiraya, Yurina Nakane, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Takuma Sugi, Yumi Yoshida, Kohji Maeda, Shingo Sotoma

Carbon　242　120457-120457　2025年7月
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.carbon.2025.120457 　

ISSN：0008-6223
A near-quantum-limited diamond maser amplifier operating at millikelvin temperatures

Yuimaru Kubo, Morihiro Ohta, Ching-Ping Lee, Vincent Sietses, Ivan Kostylev, Jason Ball, Petr Moroshkin, Tatsuki Hamamoto, Yutaka Kobayashi, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya, Hiroki Takahashi

2025年6月20日

DOI： 10.21203/rs.3.rs-6766240/v1 　
Formation of Cl–C Chemical Bonds by High-Energy Heavy Ion Irradiation of KCl/Graphene Heterostructures

Shiro Entani, Mitsunori Honda, Masaki Mizuguchi, Hideo Watanabe, Takeshi Ohshima, Makoto Kohda

ACS Omega　10　(21)　21537-21542　2025年5月18日
出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/acsomega.5c00580 　

ISSN：2470-1343

eISSN：2470-1343
Performance evaluation of a diamond quantum magnetometer for biomagnetic sensing: A phantom study

Naota Sekiguchi, Yuta Kainuma, Motofumi Fushimi, Chikara Shinei, Masashi Miyakawa, Takashi Taniguchi, Tokuyuki Teraji, Hiroshi Abe, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Mutsuko Hatano, Masaki Sekino, Takayuki Iwasaki

Applied Physics Letters　126　(19)　2025年5月12日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0254828 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

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We employ a dry-type phantom to evaluate the performance of a diamond quantum magnetometer with a high sensitivity of about 6 pT/Hz from the viewpoint of practical measurement in biomagnetic sensing. The dry phantom is supposed to represent an equivalent current dipole (ECD) generated by brain activity, emulating an encephalomagnetic field. The spatial resolution of the magnetometer is evaluated to be sufficiently higher than the length of the variation in the encephalomagnetic field distribution. The minimum detectable ECD moment is evaluated to be 0.2 nA m by averaging about 8000 measurements for a standoff distance of 2.4 mm from the ECD. We also discuss the feasibility of detecting an ECD in the measurement of an encephalomagnetic field in humans. We conclude that it is feasible to detect an encephalomagnetic field from a shallow cortex area such as the primary somatosensory cortex.
Radiation tolerance analysis of space solar cells under increased irradiance conditions

Yoshiyuki Murakami, Teppei Okumura, Tetsuya Nakamura, Daisuke Sato, Shinichiro Sato, Shota Yamasaki, Naotsugu Nagasawa, Takeshi Ohshima, Taishi Sumita

Japanese Journal of Applied Physics　64　(5)　05SP31-05SP31　2025年5月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/add539 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

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Abstract In this study, we obtained the electrical performance of concentrator photovoltaics (CPV) using InGaP/GaAs/Ge triple-junction solar cells before and after high-energy particle irradiation to examine the effects of solar concentration on radiation tolerance. The conversion efficiency before radiation exposure increased in proportion to the received solar irradiance mainly because of the solar concentration effect of the open-circuit voltage (V _oc). Additionally, our experimental results revealed that the solar concentration effect of V _oc was enhanced after radiation exposure, which mitigated V _oc degradation. To investigate the solar concentration effect on V _oc in detail, the recombination current dependencies of the external luminescence efficiency ( ) of InGaP and GaAs single-junction (1J) cells were measured before and after radiation exposure. It was found that the of InGaP 1J cells after radiation exposure increased with increasing recombination current, which is considered to suppress the degradation of the V _oc of the CPV. These findings demonstrate the significant advantages of CPV for space applications.
Coherent photoelectrical readout of single spins in silicon carbide at room temperature

Tetsuri Nishikawa, Naoya Morioka, Hiroshi Abe, Koichi Murata, Kazuki Okajima, Takeshi Ohshima, Hidekazu Tsuchida, Norikazu Mizuochi

Nature Communications　2025年4月15日

DOI： 10.1038/s41467-025-58629-1 　
Homogeneous spin-dephasing time of NV− centre in millimetre-scale 12C-enriched high-pressure high-temperature diamond crystals

Chikara Shinei, Yuta Masuyama, Hiroshi Abe, Masashi Miyakawa, Takashi Taniguchi, Takeshi Ohshima, Tokuyuki Teraji

Communications Materials　6　(1)　2025年4月8日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s43246-025-00782-7 　

eISSN：2662-4443
Evaluation of single silicon vacancy centers in nanodiamonds created by ion implantation at cryogenic temperatures

Konosuke Shimazaki, Kazuki Suzuki, Kengo Sakamoto, Yudai Okashiro, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Hideaki Takashima, Shigeki Takeuchi

New Journal of Physics　26　(9)　093034-093034　2024年9月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.1088/1367-2630/ad7282 　

eISSN：1367-2630

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Abstract Silicon vacancy (SiV) centers in diamonds have attracted much attention because of their stability and narrow emission linewidth, and are promising for applications in quantum information technology. SiV-center-encapsulated nanodiamonds have also attracted much attention because of their potential to be coupled to various photonic devices. One efficient way to fabricate nanodiamonds that contain SiV centers is Si ion implantation into nanodiamonds. However, the evaluation of a single SiV center in a nanodiamond produced by this method at low temperatures has not been performed. In this study, we report on the optical properties of a single SiV center in a nanodiamond produced by ion implantation at cryogenic temperatures. The emission spectrum from a single SiV center ( ) was observed with four distinct fine splittings of the zero-phonon line (ZPL) at 4 K. At an excitation power of 50 W, the full width at half maximum of the ZPL reached the spectrometer resolution limit (0.09 nm). The temperature dependence of the emission peak is consistent with that of the emission coming from an SiV center under high strain. The results obtained in this work suggest that nanodiamonds containing single SiV centers formed using this method will be an important building block for the realization of quantum information applications.
Diamond energy-dispersive dosimeter for measuring linear energy deposition distributions in clinical carbon beam therapy

Takumi Matsumoto, Katsumi Aoki, Hideyuki Takei, Takahiro Makino, Shunsuke Yonai, Christina Weiss, Erich Griesmayer, Takeshi Ohshima, Makoto Sakai, Akihiko Matsumura, Wataru Kada

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　554　2024年9月

DOI： 10.1016/j.nimb.2024.165430 　

ISSN：0168-583X
Columnar excitation fluorescence microscope for accurate evaluation of quantum properties of color centers in bulk materials

Yuta Masuyama, Chikara Shinei, Shuya Ishii, Hiroshi Abe, Takashi Taniguchi, Tokuyuki Teraji, Takeshi Ohshima

Scientific Reports　14　(1)　2024年8月5日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-024-68610-5 　

eISSN：2045-2322
Compact and Stable Diamond Quantum Sensors for Wide Applications

Yuta Kainuma, Yuji Hatano, Takayuki Shibata, Naota Sekiguchi, Akimichi Nakazono, Hiromitsu Kato, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Mutsuko Hatano, Takayuki Iwasaki

Advanced Quantum Technologies　2024年6月19日
出版者・発行元： Wiley
DOI： 10.1002/qute.202300456 　

ISSN：2511-9044

eISSN：2511-9044

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Abstract This study proposes compact, highly sensitive, and stable diamond quantum sensors for a wide range of applications, including biomedical and energy electronics. For enhanced sensitivity and alignment precision within the objective field, a high‐quality, (111)‐oriented ¹²C‐enriched chemical vapor deposition (CVD) diamond, featuring a nitrogen‐vacancy (NV) axis in the (111) direction, is employed as the sensor. To increase the fluorescence collection efficiency, the laser beam is irradiated from the side surface of the CVD diamond, and fluorescence is detected using a compound parabolic concentrator (CPC) lens. The floor noise level of the magnetic field signal is 44 pT/Hz^0.5. An Allan deviation of 1.2 pT over 1000 s of averaging demonstrates stability. This is attributable to the integration of a balancing circuit to cancel out laser noise, alongside mechanisms to compensate for temperature fluctuations and a copper housing to shield against electromagnetic field noise.
Diamond quantum magnetometer with dc sensitivity of sub-10 pT <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" overflow="scroll"><mml:mi>Hz</mml:mi><mml:msup><mml:mspace width="0.2em"/><mml:mrow><mml:mo>−</mml:mo><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>/</mml:mo><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msup></mml:math> toward measurement of biomagnetic field

N. Sekiguchi, M. Fushimi, A. Yoshimura, C. Shinei, M. Miyakawa, T. Taniguchi, T. Teraji, H. Abe, S. Onoda, T. Ohshima, M. Hatano, M. Sekino, T. Iwasaki

Physical Review Applied　21　(6)　2024年6月5日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevapplied.21.064010 　

eISSN：2331-7019
Detection characteristics for neutrons in an InGaP solar cell under high-temperature conditions

Yasuki Okuno, Mitsuru Imaizumi, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yuki Jimba, Tamotsu Okamoto, Tomohiro Kobayashi

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　551　165339-165339　2024年6月
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.nimb.2024.165339 　

ISSN：0168-583X
All-Electrical Readout of Coherently Controlled Spins in Silicon Carbide

C. T.-K. Lew, V. K. Sewani, N. Iwamoto, T. Ohshima, J. C. McCallum, B. C. Johnson

Physical Review Letters　132　(14)　2024年4月4日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevlett.132.146902 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Enhancement in photoluminescence from GaPAsN/GaP alloys by 6-MeV electrons irradiation and rapid thermal annealing

E. M. Pavelescu, D. Ticoş, O. Ligor, C. Romaniţan, A. Matei, F. Comănescu, V. Ţucureanu, S. I. Spânulescu, C. Ticoş, T. Ohshima, T. Nakamura, M. Imaizumi, R. S. Goldman, A. Wakahara, K. Yamane

Optical Materials　149　2024年3月

DOI： 10.1016/j.optmat.2024.115075 　

ISSN：0925-3467
All-optical determination of one or two emitters using polarization-enhanced photon correlations of nitrogen-vacancy centers in diamond

Davin Yue Ming Peng, Josef G. Worboys, Qiang Sun, Shuo Li, Marco Capelli, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Philipp Reineck, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree

Physical Review A　2024年2月29日

DOI： 10.1103/PhysRevA.109.023723 　
A wide dynamic range diamond quantum sensor as an electric vehicle battery monitor

Yuji Hatano, Junya Tanigawa, Akimichi Nakazono, Takeharu Sekiguchi, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano

Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences　2024年1月22日

DOI： 10.1098/rsta.2022.0312 　
Intravital microscopic thermometry of rat mammary epithelium by fluorescent nanodiamond

Takahiro Hamoya, Kiichi Kaminaga, Ryuji Igarashi, Yukiko Nishimura, Hiromi Yanagihara, Takamitsu Morioka, Chihiro Suzuki, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Tatsuhiko Imaoka

Nanoscale Horizons　2024年
出版者・発行元： Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI： 10.1039/d4nh00237g 　

ISSN：2055-6756

eISSN：2055-6764

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This study reports an application of microscopic thermometry in a living rat using quantum sensing based on the fluorescent nanodiamond (FND) nitrogen-vacancy center, demonstrating the relevance of the technique in biomedical research using a mammal.
Ultralong-Term High-Density Data Storage with Atomic Defects in SiC

M. Hollenbach, C. Kasper, D. Erb, L. Bischoff, G. Hlawacek, H. Kraus, W. Kada, T. Ohshima, M. Helm, S. Facsko, V. Dyakonov, G. V. Astakhov

Advanced Functional Materials　2024年

DOI： 10.1002/adfm.202313413 　

ISSN：1616-301X

eISSN：1616-3028
Change in charge state of NV center caused by monovacancy formation

Chikara Shinei, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Tokuyuki Teraji

Diamond and Related Materials　140　110523-110523　2023年12月
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.diamond.2023.110523 　

ISSN：0925-9635
Highly Sensitive Temperature Sensing Using the Silicon Vacancy in Silicon Carbide by Simultaneously Resonated Optically Detected Magnetic Resonance

Yuichi Yamazaki, Yuta Masuyama, Kazutoshi Kojima, Takeshi Ohshima

Physical Review Applied　2023年9月5日

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.20.L031001 　
Development of a SiC semiconductor-based dosimeter for evaluating clinical dose distribution in carbon ion cancer therapy fields

Takumi Matsumoto, Kohei Yamaguchi, Rio Yanagisawa, Kei Kubodera, Yudai Arai, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Makoto Sakai, Akihiko Matsumura, Wataru Kada

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　542　151-157　2023年9月
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.nimb.2023.06.013 　

ISSN：0168-583X
Measurement of radiation-induced current through a SiC Schottky barrier diode in a clinical carbon beam cancer therapy field

Kei Kubodera, Takumi Matsumoto, Kohei Yamaguchi, Ryo Yokota, Yudai Arai, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Makoto Sakai, Akihiko Matsumura, Wataru Kada

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　540　80-84　2023年7月
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.nimb.2023.04.009 　

ISSN：0168-583X
Enhanced magnetometry with an electrically detected spin defect ensemble in silicon carbide 査読有り

C. T.-K. Lew, V. K. Sewani, N. Iwamoto, T. Ohshima, J. C. McCallum, B. C. Johnson

Applied Physics Letters　2023年6月5日

DOI： 10.1063/5.0154382 　
Optically detected magnetic resonance of silicon vacancies in 4H-SiC at elevated temperatures toward magnetic sensing under harsh environments

Shu Motoki, Shin-ichiro Sato, Seiichi Saiki, Yuta Masuyama, Yuichi Yamazaki, Takeshi Ohshima, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, Yasuto Hijikata

Journal of Applied Physics　133　(15)　2023年4月21日

DOI： 10.1063/5.0139801 　

ISSN：1089-7550 0021-8979
Highly Dispersed 3C Silicon Carbide Nanoparticles with a Polydopamine/Polyglycerol Shell for Versatile Functionalization

Shingo Sotoma, Hiroshi Abe, Yohei Miyanoiri, Takeshi Ohshima, Yoshie Harada

ACS Applied Materials & Interfaces　2023年4月18日
出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/acsami.3c00194 　

ISSN：1944-8244

eISSN：1944-8252
Spin-Dependent Dynamics of Photocarrier Generation in Electrically Detected Nitrogen-Vacancy-Based Quantum Sensing

Hiroki Morishita, Naoya Morioka, Testuri Nishikawa, Hajime Yao, Shinobu Onoda, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Norikazu Mizuochi

Physical Review Applied　19　(3)　2023年3月20日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevapplied.19.034061 　

eISSN：2331-7019
Spin property improvement of boron vacancy defect in hexagonal boron nitride by thermal treatment

Tetta Suzuki, Yuichi Yamazaki, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Yusuke Nishiya, Yu-ichiro Matsushita, Kazuya Harii, Yuta Masuyama, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima

Applied Physics Express　16　(3)　032006-032006　2023年3月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/acc442 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786

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Abstract Negatively charged boron vacancy (V _B ^–) in hexagonal boron nitride has attracted attention as a promising spin defect for quantum sensing applications. Hence, a fabrication method for generation of V _B ^– with superior spin properties would be desirable. In this study, we demonstrated V _B ^– formation by two thermal treatment methods. Both methods improve the signal-to-noise ratio of optically detected magnetic resonance signal by a factor of 4. Furthermore, a zero-field splitting parameter E which reflects crystal distortion after irradiation significantly reduces for irradiation above 650 °C. These findings indicate that thermal treatment is an effective method for a V _B ^– based quantum sensor.
Effects of He ion and electron beam irradiations on CdTe solar cell dosimeter in substrate configuration

Tamotsu OKAMOTO, Fumiya Furumaki, Eiku Sato, Ippei Isogai, Yuji Kurimoto, Yasuki Okuno, Mitsuru Imaizumi, Masafumi Akiyoshi, Takeshi OHSHIMA

Japanese Journal of Applied Physics　2023年2月21日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/acbd92 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

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Abstract In this work, the effects of He ion and electron beam irradiations to the substrate-type CdTe solar cells, which was suitable for the detection of alpha and beta radiation, were investigated. He ion irradiation revealed that the induced current proportionally increased with the increase of He ion current and that it was possible to detect alpha radiation using the substrate-type CdTe solar cell dosimeter. Next, the electron irradiation effects were investigated. The induced current proportional to the electron flux was also observed, and the sensitivity depended on the electron energy. In addition, the degradation of substrate-type CdTe solar cell dosimeter by electron beam irradiation was investigated. No significant degradation in short-circuit current was observed by the electron irradiation of 3×10¹⁶ cm^-2 at 200 keV and 1×10¹⁶ cm^-2 at 400 keV. This result suggests that the substrate-type CdTe solar cell dosimeter is sufficiently resistant to electron irradiation.
Broadband microwave antenna for uniform manipulation of millimeter-scale volumes of diamond quantum sensors

Y. Takemura, K. Hayashi, Y. Yoshii, M. Saito, S. Onoda, H. Abe, T. Ohshima, T. Taniguchi, M. Fujiwara, H. Morishita, I. Ohki, N. Mizuochi

Journal of Applied Physics　132　(22)　224501-224501　2022年12月14日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0128406 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

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Quantum sensors based on nitrogen-vacancy (NV) centers in diamond are expected to demonstrate a wide variety of applications. For high-sensitivity quantum sensors with NV center ensembles, uniform manipulation of the electron spins of the NV centers in large volumes is required. In addition, a broad microwave frequency bandwidth for manipulating the NV centers' electron spin is necessary for vector magnetometry and measurement under a finite static magnetic field. Here, we demonstrate a broadband microwave antenna for uniform manipulation of millimeter-scale volumes of diamond quantum sensors. The simulation shows that the current is distributed at both edges of the loop coil of a single copper plate due to the skin effect. The loop coil acts like a Helmholtz coil, which realizes uniformity in the z-direction of the microwave magnetic field ( B₁). The plate structure has a higher mechanical stability, durability, and a larger heat capacity than the Helmholtz coil, due to its large volume. The antenna achieves a higher performance than previously reported antennae, with a maximal B₁ of 4.5 G, a broad bandwidth of 287 ± 6 MHz, and a peak-to-peak variation of [Formula: see text] over a 3.1 mm³ cylinder volume. These performances show that the presented antenna is suitable for manipulating solid-state spin ensembles for high-sensitivity quantum sensors.
Photon extraction enhancement of praseodymium ions in gallium nitride nanopillars

Shin-ichiro Sato, Shuo Li, Andrew D. Greentree, Manato Deki, Tomoaki Nishimura, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Brant C. Gibson, Takeshi Ohshima

Scientific Reports　12　(1)　2022年12月8日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-022-25522-6 　

eISSN：2045-2322

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Abstract Lanthanoid-doped Gallium Nitride (GaN) integrated into nanophotonic technologies is a promising candidate for room-temperature quantum photon sources for quantum technology applications. We manufactured praseodymium (Pr)-doped GaN nanopillars of varying size, and showed significantly enhanced room-temperature photon extraction efficiency compared to unstructured Pr-doped GaN. Implanted Pr ions in GaN show two main emission peaks at 650.3 nm and 651.8 nm which are attributed to ³P₀-³F₂ transition in the 4f-shell. The maximum observed enhancement ratio was 23.5 for 200 nm diameter circular pillars, which can be divided into the emitted photon extraction enhancement by a factor of 4.5 and the photon collection enhancement by a factor of 5.2. The enhancement mechanism is explained by the eigenmode resonance inside the nanopillar. Our study provides a pathway for Lanthanoid-doped GaN nano/micro-scale photon emitters and quantum technology applications.
Nitrogen related paramagnetic defects: Decoherence source of ensemble of NV− center 査読有り

Chikara Shinei, Yuta Masuyama, Masashi Miyakawa, Hiroshi Abe, Shuya Ishii, Seiichi Saiki, Shinobu Onoda, Takashi Taniguchi, Takeshi Ohshima, Tokuyuki Teraji

Journal of Applied Physics　2022年12月7日

DOI： 10.1063/5.0103332 　
Electrical detection of nuclear spins via silicon vacancies in silicon carbide at room temperature

Tetsuri Nishikawa, Naoya Morioka, Hiroshi Abe, Hiroki Morishita, Takeshi Ohshima, Norikazu Mizuochi

Applied Physics Letters　121　(18)　184005-184005　2022年10月31日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0115928 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

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Color centers in wide-bandgap semiconductors, including diamond and silicon carbide (SiC), are attractive systems for quantum information and quantum sensor devices with excellent spin properties at room temperature. In addition, nuclear spins in crystals are expected to serve as the quantum memory and to enhance the sensitivity of quantum sensors with the combination with color centers as a result of an extremely long spin coherence time. Although the spin state of both color centers and nuclear spins coupled through hyperfine interactions is usually optically read out, an electrical readout technique is important for miniaturizing and integrating devices. In the present study, we report the electrical detection of silicon vacancy (V2) centers in 4H-SiC by photocurrent-detected magnetic resonance (PDMR) using a frequency-sweep technique. We electrically observe the spin coherence of the V2 centers and clearly resolve the hyperfine splitting of the electron spin signal for the V2 centers coupled with next-nearest-neighbor ²⁹Si atoms. In addition, we apply PDMR to electron–nuclear double resonance (PD-ENDOR) to detect nuclear magnetic resonance of ²⁹Si at room temperature and find that this method can resolve nuclear spins coupled with neighboring electron spins in the V2 centers. The realization of PD-ENDOR is expected to be a critical step toward the development of electrically driven integrated quantum devices.
Transfer-printing-based integration of silicon nitride grating structure on single-crystal diamond toward sensitive magnetometers

Ryota Katsumi, Takeshi Hizawa, Akihiro Kuwahata, Shun Naruse, Yuji Hatano, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano, Fedor Jelezko, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Masaki Sekino, Takashi Yatsui

Applied Physics Letters　121　(16)　161103-161103　2022年10月17日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0107854 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

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Negatively charged nitrogen-vacancy (NV) centers in diamond have emerged as promising candidates for a wide range of quantum applications, especially quantum sensing of magnetic field. Implementation of nanostructure into diamond is powerful for efficient photon collection of NV centers and chip-scale miniaturization of the device, which is crucial for sensitive and practical diamond magnetometers. However, fabrication of the diamond nanostructure involves technical limitations and can degrade the spin coherence of the NV centers. In this study, we demonstrate the hybrid integration of a silicon nitride grating structure on a single-crystal diamond by utilizing transfer printing. This approach allows the implementation of the nanostructure in diamond using a simple pick-and-place assembly, facilitating diamond-based quantum applications without any complicated diamond nanofabrication. We observed the intensity enhancement in the collected NV emissions both theoretically and experimentally using the integrated grating structure. By applying the increased photon intensity, we demonstrate the improved magnetic sensitivity of the fabricated device. The proposed hybrid integration approach will offer a promising route toward a compact and sensitive diamond NV-based magnetometer.
Structural analysis of high-energy implanted Ni atoms into Si(100) by X-ray absorption fine structure spectroscopy

Shiro Entani, Shin-ichiro Sato, Mitsunori Honda, Chihiro Suzuki, Tomitsugu Taguchi, Shunya Yamamoto, Takeshi Ohshima

Radiation Physics and Chemistry　199　110369-110369　2022年10月
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.radphyschem.2022.110369 　

ISSN：0969-806X
High-precision robust monitoring of charge/discharge current over a wide dynamic range for electric vehicle batteries using diamond quantum sensors

Yuji Hatano, Jaewon Shin, Junya Tanigawa, Yuta Shigenobu, Akimichi Nakazono, Takeharu Sekiguchi, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Keigo Arai, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano

Scientific Reports　12　(1)　2022年9月6日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-022-18106-x 　

eISSN：2045-2322

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Abstract Accurate prediction of the remaining driving range of electric vehicles is difficult because the state-of-the-art sensors for measuring battery current are not accurate enough to estimate the state of charge. This is because the battery current of EVs can reach a maximum of several hundred amperes while the average current is only approximately 10 A, and ordinary sensors do not have an accuracy of several tens of milliamperes while maintaining a dynamic range of several hundred amperes. Therefore, the state of charge has to be estimated with an ambiguity of approximately 10%, which makes the battery usage inefficient. This study resolves this limitation by developing a diamond quantum sensor with an inherently wide dynamic range and high sensitivity for measuring the battery current. The design uses the differential detection of two sensors to eliminate in-vehicle common-mode environmental noise, and a mixed analog–digital control to trace the magnetic resonance microwave frequencies of the quantum sensor without deviation over a wide dynamic range. The prototype battery monitor was fabricated and tested. The battery module current was measured up to 130 A covering WLTC driving pattern, and the accuracy of the current sensor to estimate battery state of charge was analyzed to be 10 mA, which will lead to 0.2% CO₂ reduction emitted in the 2030 WW transportation field. Moreover, an operating temperature range of − 40 to + 85 °C and a maximum current dynamic range of ± 1000 A were confirmed.
Millimetre-scale magnetocardiography of living rats with thoracotomy

Keigo Arai, Akihiro Kuwahata, Daisuke Nishitani, Ikuya Fujisaki, Ryoma Matsuki, Yuki Nishio, Zonghao Xin, Xinyu Cao, Yuji Hatano, Shinobu Onoda, Chikara Shinei, Masashi Miyakawa, Takashi Taniguchi, Masatoshi Yamazaki, Tokuyuki Teraji, Takeshi Ohshima, Mutsuko Hatano, Masaki Sekino, Takayuki Iwasaki

Communications Physics　5　(1)　2022年8月23日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s42005-022-00978-0 　

eISSN：2399-3650

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Abstract Magnetocardiography is a contactless imaging modality for electric current propagation in the cardiovascular system. Although conventional sensors provide sufficiently high sensitivity, their spatial resolution is limited to a centimetre-scale, which is inadequate for revealing the intra-cardiac electrodynamics such as rotational waves associated with ventricular arrhythmias. Here, we demonstrate invasive magnetocardiography of living rats at a millimetre-scale using a quantum sensor based on nitrogen-vacancy centres in diamond. The acquired magnetic images indicate that the cardiac signal source is well explained by vertically distributed current dipoles, pointing from the right atrium base via the Purkinje fibre bundle to the left ventricular apex. We also find that this observation is consistent with and complementary to an alternative picture of electric current density distribution calculated with a stream function method. Our technique will enable the study of the origin and progression of various cardiac arrhythmias, including flutter, fibrillation, and tachycardia.
Mechanism of improved crystallinity by defect-modification in proton-irradiated GaAsPN photovoltaics: Experimental and first-principle calculations approach

Keisuke Yamane, Yuito Maki, Shun One, Akihiro Wakahara, Emil Mihai Pavelescu, Takeshi Ohshima, Tetsuya Nakamura, Mitsuru Imaizumi

Journal of Applied Physics　132　(6)　2022年8月14日

DOI： 10.1063/5.0096345 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Magnetic-field-dependent stimulated emission from nitrogen-vacancy centers in diamond

Felix A. Hahl, Lukas Lindner, Xavier Vidal, Tingpeng Luo, Takeshi Ohshima, Shinobu Onoda, Shuya Ishii, Alexander M. Zaitsev, Marco Capelli, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree, Jan Jeske

Science Advances　2022年6月3日

DOI： 10.1126/sciadv.abn7192 　
Creation of multiple NV centers by phthalocyanine ion implantation

Kosuke Kimura, Shinobu Onoda, Keisuke Yamada, Wataru Kada, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Osamu Hanaizumi, Takeshi Ohshima

Applied Physics Express　15　(6)　2022年6月

DOI： 10.35848/1882-0786/ac7030 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Spin-Optical Dynamics and Quantum Efficiency of a Single V1 Center in Silicon Carbide

Naoya Morioka, Di Liu, Öney O. Soykal, Izel Gediz, Charles Babin, Rainer Stöhr, Takeshi Ohshima, Nguyen Tien Son, Jawad Ul-Hassan, Florian Kaiser, Jörg Wrachtrup

Physical Review Applied　17　(5)　2022年5月3日
出版者・発行元： American Physical Society ({APS})
DOI： 10.1103/PhysRevApplied.17.054005 　
Displacement damage dose analysis of the output characteristics of In0.5Ga0.5P and Cu(In,Ga)(S,Se)(2) solar cells irradiated with alpha ray simulated helium ions

Mitsuru Imaizumi, Yasuki Okuno, Tatsuya Takamoto, Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　61　(4)　2022年4月

DOI： 10.35848/1347-4065/ac48d6 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Anomalous Formation of Irradiation-Induced Nitrogen-Vacancy Centers in 5 nm-Sized Detonation Nanodiamonds

Frederick T.-K. So, Alexander I. Shames, Daiki Terada, Takuya Genjo, Hiroki Morishita, Izuru Ohki, Takeshi Ohshima, Shinobu Onoda, Hideaki Takashima, Shigeki Takeuchi, Norikazu Mizuochi, Ryuji Igarashi, Masahiro Shirakawa, Takuya F. Segawa

The Journal of Physical Chemistry C　126　(11)　5206-5217　2022年3月24日
出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/acs.jpcc.1c10466 　

ISSN：1932-7447

eISSN：1932-7455
Electrical detection of TV2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs 査読有り

Yuta Abe, Akihumi Chaen, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Yuichi Yamazaki, Takeshi Ohshima, Takahide Umeda

Applied Physics Letters　2022年2月7日

DOI： 10.1063/5.0078189 　
Improved crystallinity of GaP-based dilute nitride alloys by proton/electron irradiation and rapid thermal annealing

Keisuke Yamane, Ryo Futamura, Shigeto Genjo, Daiki Hamamoto, Yuito Maki, Emil Mihai Pavelescu, Takeshi Ohshima, Taishi Sumita, Mitsuru Imaizumi, Akihiro Wakahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　61　(2)　2022年2月

DOI： 10.35848/1347-4065/ac4a06 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Linear energy transfer (LET) spectroscopy and relative biological effect estimation by SiC-based dosimeter at clinical carbon-beam cancer therapy field

Kohei Yamaguchi, Rio Yanagisawa, Kohei Osaki, Yuya Ohki, Akihiko Matsumura, Makoto Sakai, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Wataru Kada

Journal of Physics: Conference Series　2326　(1)　2022年

DOI： 10.1088/1742-6596/2326/1/012015 　

ISSN：1742-6588

eISSN：1742-6596
炭素線がん治療場における臨床線量推定を目的としたSiC半導体検出器の開発

松本卓己, 山口皐平, 柳澤理央, 窪寺敬, 新井優大, 横田凌, 大島武, 牧野高紘, 酒井真理, 松村彰彦, 加田渉

アイソトープ・放射線研究発表会　2　96　2022年
出版者・発行元：公益社団法人日本アイソトープ協会
DOI： 10.50955/happyokai.2.0_96 　

eISSN：2436-4487
SiC-SBDを用いた炭素線がん治療場における放射線誘起電流測定

窪寺敬, 新井優大, 山口皐平, 横田凌, 松本卓己, 大島武, 牧野高紘, 酒井真理, 松村彰彦, 加田渉

アイソトープ・放射線研究発表会　2　95　2022年
出版者・発行元：公益社団法人日本アイソトープ協会
DOI： 10.50955/happyokai.2.0_95 　

eISSN：2436-4487
Design and Heavy-Ion Testing of MTJ/CMOS Hybrid LSIs for Space-Grade Soft-Error Reliability

K. Watanabe, T. Shimada, K. Hirose, H. Shindo, D. Kobayashi, T. Tanigawa, S. Ikeda, T. Shinada, H. Koike, T. Endoh, T. Makino, T. Ohshima

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings　2022-March　P541-P545　2022年

DOI： 10.1109/IRPS48227.2022.9764491 　

ISSN：1541-7026
Equilibrium charge state of NV centers in diamond

Chikara Shinei, Masashi Miyakawa, Shuya Ishii, Seiichi Saiki, Shinobu Onoda, Takashi Taniguchi, Takeshi Ohshima, Tokuyuki Teraji

Applied Physics Letters　119　(25)　2021年12月20日

DOI： 10.1063/5.0079687 　

ISSN：0003-6951
Ensemble Negatively-Charged Nitrogen-Vacancy Centers in Type-Ib Diamond Created by High Fluence Electron Beam Irradiation 査読有り

Shuya Ishii, Seiichi Saiki, Shinobu Onoda, Yuta Masuyama, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima

Quantum Beam Science　2021年12月

DOI： 10.3390/qubs6010002 　
Infrared erbium photoluminescence enhancement in silicon carbide nano-pillars

R. A. Parker, N. Dontschuk, S. I. Sato, C. T.-K. Lew, P. Reineck, A. Nadarajah, T. Ohshima, B. C. Gibson, S. Castelletto, J. C. McCallum, B. C. Johnson

Journal of Applied Physics　130　(14)　2021年10月14日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/5.0055100 　

ISSN：1089-7550 0021-8979
放射線検出器応用を見据えたInGaP太陽電池のアルファ線耐性評価

今泉充, 奥野泰希, 佐藤真一郎, 大島武

「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集　1　100-100　2021年10月12日
出版者・発行元：日本太陽光発電学会
DOI： 10.57295/jpvsproc.1.0_100 　

eISSN：2436-6498
M-center in 4H-SiC: Isothermal DLTS and first principles modeling studies

I. Capan, T. Brodar, R. Bernat, Pastuović, T. Makino, T. Ohshima, J. D. Gouveia, J. Coutinho

Journal of Applied Physics　130　(12)　2021年9月28日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/5.0064958 　

ISSN：1089-7550 0021-8979
Non-contact measurement of internal body temperature using subcutaneously implanted diamond microparticles. 国際誌

Kiichi Kaminaga, Hiromi Yanagihara, Takuya Genjo, Takamitsu Morioka, Hiroshi Abe, Masahiro Shirakawa, Takeshi Ohshima, Shizuko Kakinuma, Ryuji Igarashi

Biomaterials science　9　(21)　7049-7053　2021年9月28日

DOI： 10.1039/d1bm01187a 　

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We constructed a highly sensitive fluorescence wide-field imaging system with a microwave source, implanted fluorescent diamond microparticles ("microdiamonds") subcutaneously into the dorsal skin of a mouse after sacrifice, and demonstrated the feasibility of using optically detected magnetic resonance (ODMR) to measure internal body temperature in a mammal.
Deep levels related to the carbon antisite-vacancy pair in 4H-SiC

Hiroki Nakane, Masashi Kato, Yutaro Ohkouchi, Xuan Thang Trinh, Ivan G. Ivanov, Takeshi Ohshima, Nguyen Tien Son

Journal of Applied Physics　130　(6)　2021年8月14日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/5.0059953 　

ISSN：1089-7550 0021-8979
All-Optical Wide-Field Selective Imaging of Fluorescent Nanodiamonds in Cells, In Vivo and Ex Vivo. 国際誌

Tamami Yanagi, Kiichi Kaminaga, Michiyo Suzuki, Hiroshi Abe, Hiroki Yamamoto, Takeshi Ohshima, Akihiro Kuwahata, Masaki Sekino, Tatsuhiko Imaoka, Shizuko Kakinuma, Takuma Sugi, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Ryuji Igarashi

ACS nano　2021年8月2日

DOI： 10.1021/acsnano.0c07740 　

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Fluorescence imaging is a critical tool to understand the spatial distribution of biomacromolecules in cells and in vivo, providing information on molecular dynamics and interactions. Numerous valuable insights into biological systems have been provided by the specific detection of various molecular species. However, molecule-selective detection is often hampered by background fluorescence, such as cell autofluorescence and fluorescence leakage from molecules stained by other dyes. Here we describe a method for all-optical selective imaging of fluorescent nanodiamonds containing nitrogen-vacancy centers (NVCs) for wide-field fluorescence bioimaging. The method is based on the fact that the fluorescence intensity of NVCs strictly depends on the configuration of ground-state electron spins, which can be controlled by changing the pulse recurrence intervals of microsecond excitation laser pulses. Therefore, by using regulated laser pulses, we can oscillate the fluorescence from NVCs in a nanodiamond, while oscillating other optical signals in the opposite phase to NVCs. As a result, we can reconstruct a selective image of a nanodiamond by using a series of oscillated fluorescence images. We demonstrate application of the method to the selective imaging of nanodiamonds in live cells, in microanimals, and on a hippocampal slice culture obtained from a rat. Our approach potentially enables us to achieve high-contrast images of nanodiamond-labeled biomolecules with a signal-to-background ratio improved by up to 100-fold over the standard fluorescence image, thereby providing a more powerful tool for the investigation of molecular dynamics in cells and in vivo.
Fabrication of Detonation Nanodiamonds Containing Silicon‐Vacancy Color Centers by High Temperature Annealing

Konosuke Shimazaki, Hiroki Kawaguchi, Hideaki Takashima, Takuya Fabian Segawa, Frederick T.-K. So, Daiki Terada, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Masahiro Shirakawa, Shigeki Takeuchi

physica status solidi (a)　2100144-2100144　2021年7月29日
出版者・発行元： Wiley
DOI： 10.1002/pssa.202100144 　

ISSN：1862-6300

eISSN：1862-6319
Creation of silicon vacancy color centers with a narrow emission line in nanodiamonds by ion implantation

Hideaki Takashima, Atsushi Fukuda, Konosuke Shimazaki, Yusuke Iwabata, Hiroki Kawaguchi, Andreas W. Schell, Toshiyuki Tashima, Hiroshi Abe, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Shigeki Takeuchi

Optical Materials Express　11　(7)　1978-1978　2021年7月1日
出版者・発行元： The Optical Society
DOI： 10.1364/ome.424786 　

eISSN：2159-3930
Evaluation of Damage Coefficient for Minority-Carrier Diffusion Length of Triple-Cation Perovskite Solar Cells under 1 MeV Electron Irradiation for Space Applications

Yu Miyazawa, Gyu Min Kim, Ayumi Ishii, Masashi Ikegami, Tsutomu Miyasaka, Yudai Suzuki, Tomoyuki Yamamoto, Takeshi Ohshima, Shusaku Kanaya, Hiroyuki Toyota, Kazuyuki Hirose

The Journal of Physical Chemistry C　125　(24)　13131-13137　2021年6月24日
出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/acs.jpcc.1c01590 　

ISSN：1932-7447

eISSN：1932-7455
Effects of Beam Conditions in Ground Irradiation Tests on Degradation of Photovoltaic Characteristics of Space Solar Cells

Mitsuru Imaizumi, Takeshi Ohshima, Yosuke Yuri, Kohtaku Suzuki, Yoshifumi Ito

Quantum Beam Science　5　(2)　15-15　2021年5月20日
出版者・発行元： MDPI AG
DOI： 10.3390/qubs5020015 　

eISSN：2412-382X

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We investigated the effects of irradiation beam conditions on the performance degradation of silicon and triple-junction solar cells for use in space. The fluence rates of electron and proton beams were varied. Degradation did not depend on the fluence rate of protons for both cells. A higher fluence rate of electrons caused greater degradation of the Si cell, but the dependence was due to the temperature increase during irradiation. Two beam-area expansion methods, defocusing and scanning, were examined for proton irradiation of various energies (50 keV–10 MeV). In comparing the output degradation from irradiation with defocused and scanned proton beams, no significant difference in degradation was found for any proton energy. We plan to reflect these findings into ISO standard of irradiation test method of space solar cells.
Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces

Yasuto Hijikata, Shota Komori, Shunsuke Otojima, Yu-Ichiro Matsushita, Takeshi Ohshima

Applied Physics Letters　118　(20)　2021年5月17日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/5.0048772 　

ISSN：0003-6951
Narrow inhomogeneous distribution of spin-active emitters in silicon carbide

Roland Nagy, Durga Bhaktavatsala Rao Dasari, Charles Babin, Di Liu, Vadim Vorobyov, Matthias Niethammer, Matthias Widmann, Tobias Linkewitz, Izel Gediz, Rainer Stöhr, Heiko B. Weber, Takeshi Ohshima, Misagh Ghezellou, Nguyen Tien Son, Jawad Ul-Hassan, Florian Kaiser, Jörg Wrachtrup

Applied Physics Letters　118　(14)　2021年4月5日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/5.0046563 　

ISSN：0003-6951
Multimodal Imaging and Soft X-Ray Tomography of Fluorescent Nanodiamonds in Cancer Cells

Philipp Reineck, Amanda N. Abraham, Arpita Poddar, Ravi Shukla, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Brant C. Gibson, Chaitali Dekiwadia, José J. Conesa, Eva Pereiro, Amy Gelmi, Gary Bryant

Biotechnology Journal　16　(3)　2021年3月

DOI： 10.1002/biot.202000289 　

ISSN：1860-6768

eISSN：1860-7314
サブストレート型CdTe太陽電池線量計へのHeイオン・電子線照射の影響

岡本保, 古牧郁弥, 佐藤瑛空, 奥野泰希, 今泉充, 秋吉優史, 大島武, 小林知洋, 後藤康仁

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2021.1　2494-2494　2021年2月26日
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2494 　

eISSN：2436-7613
放射線検出器応用のためのInGaP太陽電池のアルファ線劣化評価 –Ⅱ

今泉充, 奥野泰希, 佐藤真一郎, 大島武

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2021.1　2472-2472　2021年2月26日
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2472 　

eISSN：2436-7613
ボロンコンバータ接触型InGaP太陽電池による中性子束検出

奥野泰希, 今泉充, 小林知洋, 岡本保, 秋吉優史, 後藤康仁, 牧野高紘, 大島武, 近藤創介, 余浩, 笠田竜太

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2021.1　441-441　2021年2月26日
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_441 　

eISSN：2436-7613
Room-temperature hyperpolarization of polycrystalline samples with optically polarized triplet electrons: pentacene or nitrogen-vacancy center in diamond?

Koichiro Miyanishi, Takuya F. Segawa, Kazuyuki Takeda, Izuru Ohki, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Hiroshi Abe, Hideaki Takashima, Shigeki Takeuchi, Alexander I. Shames, Kohki Morita, Yu Wang, Frederick T.-K. So, Daiki Terada, Ryuji Igarashi, Akinori Kagawa, Masahiro Kitagawa, Norikazu Mizuochi, Masahiro Shirakawa, Makoto Negoro

Magnetic Resonance　2　(1)　33-48　2021年2月17日
出版者・発行元： Copernicus GmbH
DOI： 10.5194/mr-2-33-2021 　

eISSN：2699-0016

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Abstract. We demonstrate room-temperature 13C hyperpolarization by dynamic nuclear polarization (DNP) using optically polarized triplet electron spins in two polycrystalline systems: pentacene-doped [carboxyl-13C] benzoic acid and microdiamonds containing nitrogen-vacancy (NV−) centers. For both samples, the integrated solid effect (ISE) is used to polarize the 13C spin system in magnetic fields of 350–400 mT. In the benzoic acid sample, the 13C spin polarization is enhanced by up to 0.12 % through direct electron-to-13C polarization transfer without performing dynamic 1H polarization followed by 1H−13C cross-polarization. In addition, the ISE has been successfully applied to polarize naturally abundant 13C spins in a microdiamond sample to 0.01 %. To characterize the buildup of the 13C polarization, we discuss the efficiencies of direct polarization transfer between the electron and 13C spins as well as that of 13C−13C spin diffusion, examining various parameters which are beneficial or detrimental for successful bulk dynamic 13C polarization.
Gradiometer Using Separated Diamond Quantum Magnetometers

Yuta Masuyama, Katsumi Suzuki, Akira Hekizono, Mitsuyasu Iwanami, Mutsuko Hatano, Takayuki Iwasaki, Takeshi Ohshima

Sensors　21　(3)　977-977　2021年2月2日
出版者・発行元： MDPI AG
DOI： 10.3390/s21030977 　

eISSN：1424-8220

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The negatively charged nitrogen-vacancy (NV) center in diamonds is known as the spin defect and using its electron spin, magnetometry can be realized even at room temperature with extremely high sensitivity as well as a high dynamic range. However, a magnetically shielded enclosure is usually required to sense weak magnetic fields because environmental magnetic field noises can disturb high sensitivity measurements. Here, we fabricated a gradiometer with variable sensor length that works at room temperature using a pair of diamond samples containing negatively charged NV centers. Each diamond is attached to an optical fiber to enable free sensor placement. Without any magnetically shielding, our gradiometer realizes a magnetic noise spectrum comparable to that of a three-layer magnetically shielded enclosure, reducing the noises at the low-frequency range below 1 Hz as well as at the frequency of 50 Hz (power line frequency) and its harmonics. These results indicate the potential of highly sensitive magnetic sensing by the gradiometer using the NV center for applications in noisy environments such as outdoor and in vehicles.
Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride: erratum

Shin-Ichiro Sato, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Tomoaki Nishimura, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree, Hiroshi Amano, Takeshi Ohshima

Optical Materials Express　11　(2)　524-524　2021年2月1日
出版者・発行元： OSA - The Optical Society
DOI： 10.1364/OME.420328 　

ISSN：2159-3930
Influences of hydrogen ion irradiation on NcVsi− formation in 4H-silicon carbide

Takuma Narahara, Shin-Ichiro Sato, Kazutoshi Kojima, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima

Applied Physics Express　14　(2)　2021年2月1日
出版者・発行元： IOP Publishing Ltd
DOI： 10.35848/1882-0786/abdc9e 　

ISSN：1882-0786 1882-0778
Thermometric quantum sensor using excited state of silicon vacancy centers in 4H-SiC devices

Tuan Minh Hoang, Hitoshi Ishiwata, Yuta Masuyama, Yuichi Yamazaki, Kazutoshi Kojima, Sang-Yun Lee, Takeshi Ohshima, Takayuki Iwasaki, Digh Hisamoto, Mutsuko Hatano

Applied Physics Letters　118　(4)　044001-044001　2021年1月25日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0027603 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Photoluminescence at the ground-state level anticrossing of the nitrogen-vacancy center in diamond: A comprehensive study

Viktor Ivády, Huijie Zheng, Arne Wickenbrock, Lykourgos Bougas, Georgios Chatzidrosos, Kazuo Nakamura, Hitoshi Sumiya, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya, Dmitry Budker, Igor A. Abrikosov, Adam Gali

Physical Review B　103　(3)　2021年1月20日
出版者・発行元： American Physical Society
DOI： 10.1103/PhysRevB.103.035307 　

ISSN：2469-9969 2469-9950
Simultaneous thermometry and magnetometry using a fiber-coupled quantum diamond sensor

Yuji Hatano, Jaewon Shin, Daisuke Nishitani, Haruki Iwatsuka, Yuta Masuyama, Hiroki Sugiyama, Makoto Ishii, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Keigo Arai, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano

Applied Physics Letters　118　(3)　034001-034001　2021年1月18日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0031502 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations

Yuichi Yamazaki, Yoji Chiba, Shin-Ichiro Sato, Takahiro Makino, Naoto Yamada, Takahiro Satoh, Kazutoshi Kojima, Yasuto Hijikata, Hidekazu Tsuchida, Norihiro Hoshino, Sang-Yun Lee, Takeshi Ohshima

Applied Physics Letters　118　(2)　2021年1月11日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/5.0028318 　

ISSN：0003-6951
Displacement Damage Dose Analysis on Alfa-ray Degradation of Output of a CIGS Solar Cell

Mitsuru Imaizumi, Yasuki Okuno, Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima

2021 IEEE 48TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)　1876-1879　2021年

DOI： 10.1109/PVSC43889.2021.9518453 　

ISSN：0160-8371
An SRAM SEU Cross Section Curve Physics Model

Daisuke Kobayashi, Kazuyuki Hirose, Keita Sakamoto, Yuta Tsuchiya, Shogo Okamoto, Shunsuke Baba, Hiroyuki Shindou, Osamu Kawasaki, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima

IEEE Transactions on Nuclear Science　1-1　2021年
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI： 10.1109/tns.2021.3129185 　

ISSN：0018-9499

eISSN：1558-1578
Near-Infrared Fluorescence from Silicon- and Nickel-Based Color Centers in High-Pressure High-Temperature Diamond Micro- and Nanoparticles

Alexander I. Shames, Adamos Dalis, Andrew D. Greentree, Brant C. Gibson, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Olga Shenderova, Alexander Zaitsev, Philipp Reineck

Advanced Optical Materials　8　(23)　2020年12月3日

DOI： 10.1002/adom.202001047 　

eISSN：2195-1071
Spin-controlled generation of indistinguishable and distinguishable photons from silicon vacancy centres in silicon carbide

Naoya Morioka, Charles Babin, Roland Nagy, Izel Gediz, Erik Hesselmeier, Di Liu, Matthew Joliffe, Matthias Niethammer, Durga Dasari, Vadim Vorobyov, Roman Kolesov, Rainer Stöhr, Jawad Ul-Hassan, Nguyen Tien Son, Takeshi Ohshima, Péter Udvarhelyi, Gergő Thiering, Adam Gali, Jörg Wrachtrup, Florian Kaiser

Nature Communications　2020年12月

DOI： 10.1038/s41467-020-16330-5 　
Spectrally reconfigurable quantum emitters enabled by optimized fast modulation

Daniil M. Lukin, Alexander D. White, Rahul Trivedi, Melissa A. Guidry, Naoya Morioka, Charles Babin, Öney O. Soykal, Jawad Ul-Hassan, Nguyen Tien Son, Takeshi Ohshima, Praful K. Vasireddy, Mamdouh H. Nasr, Shuo Sun, Jean-Philippe W. MacLean, Constantin Dory, Emilio A. Nanni, Jörg Wrachtrup, Florian Kaiser, Jelena Vučković

npj Quantum Information　2020年12月

DOI： 10.1038/s41534-020-00310-0 　
Entanglement and control of single nuclear spins in isotopically engineered silicon carbide

Alexandre Bourassa, Christopher P. Anderson, Kevin C. Miao, Mykyta Onizhuk, He Ma, Alexander L. Crook, Hiroshi Abe, Jawad Ul-Hassan, Takeshi Ohshima, Nguyen T. Son, Giulia Galli, David D. Awschalom

Nature Materials　19　(12)　1319-1325　2020年12月

DOI： 10.1038/s41563-020-00802-6 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Fluorescent Nanodiamonds Embedded in Poly-ϵ-Caprolactone Fibers as Biomedical Scaffolds

Vincenzo Guarino, Iriczalli Cruz-Maya, Philipp Reineck, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Kate Fox, Andrew D. Greentree, Brant C. Gibson, Luigi Ambrosio

ACS Applied Nano Materials　3　(11)　10814-10822　2020年11月25日

DOI： 10.1021/acsanm.0c02103 　

eISSN：2574-0970
Bright Nitrogen-Vacancy Centers in Diamond Inverted Nanocones

Seong-Woo Jeon, Junghyun Lee, Hojoong Jung, Sang-Wook Han, Young-Wook Cho, Yong-Su Kim, Hyang-Tag Lim, Yanghee Kim, Matthias Niethammer, Weon Cheol Lim, Jonghan Song, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Rolf Reuter, Andrej Denisenko, Joerg Wrachtrup, Sang-Yun Lee

ACS Photonics　7　(10)　2739-2747　2020年10月21日
出版者・発行元： American Chemical Society
DOI： 10.1021/acsphotonics.0c00813 　

ISSN：2330-4022
Development of wide-bandgap semiconductor-based dosimeter for LET distribution measurement in carbon therapy filed

W. Kada, K. Ohsaki, Y. Ohki, Y. Yamazaki, T. Makino, T. Ohshima, A. Mattsumura, M. Sakai

Journal of Physics: Conference Series　1662　(1)　2020年10月16日

DOI： 10.1088/1742-6596/1662/1/012015 　

ISSN：1742-6588

eISSN：1742-6596
Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride

Shin-Ichiro Sato, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Tomoaki Nishimura, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree, Hiroshi Amano, Takeshi Ohshima

OPTICAL MATERIALS EXPRESS　10　(10)　2614-2623　2020年10月

DOI： 10.1364/OME.401765 　

ISSN：2159-3930
Amplification by stimulated emission of nitrogen-vacancy centres in a diamond-loaded fibre cavity

Sarath Raman Nair, Lachlan J. Rogers, Xavier Vidal, Reece P. Roberts, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Takashi Yatsui, Andrew D. Greentree, Jan Jeske, Thomas Volz

Nanophotonics　0　(0)　2020年9月28日
出版者・発行元： Walter de Gruyter GmbH
DOI： 10.1515/nanoph-2020-0305 　

ISSN：2192-8606

eISSN：2192-8614

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<title>Abstract</title>Laser threshold magnetometry using the negatively charged nitrogen-vacancy (NV⁻) centre in diamond as a gain medium has been proposed as a technique to dramatically enhance the sensitivity of room-temperature magnetometry. We experimentally explore a diamond-loaded open tunable fibre-cavity system as a potential contender for the realisation of lasing with NV⁻ centres. We observe amplification of the transmission of a cavity-resonant seed laser at 721 nm when the cavity is pumped at 532 nm and attribute this to stimulated emission. Changes in the intensity of spontaneously emitted photons accompany the amplification, and a qualitative model including stimulated emission and ionisation dynamics of the NV⁻ centre captures the dynamics in the experiment very well. These results highlight important considerations in the realisation of an NV⁻ laser in diamond.
Depth profile analysis of deep level defects in 4h-sic introduced by radiation

Tomislav Brodar, Luka Bakrač, Ivana Capan, Takeshi Ohshima, Luka Snoj, Vladimir Radulović, Željko Pastuović

Crystals　10　(9)　1-16　2020年9月1日
出版者・発行元： MDPI AG
DOI： 10.3390/cryst10090845 　

ISSN：2073-4352
Influence of neutron radiation on majority and minority carrier traps in n-type 4H-SiC

Ivana Capan, Tomislav Brodar, Yuichi Yamazaki, Yuya Oki, Takeshi Ohshima, Yoji Chiba, Yasuto Hijikata, Luka Snoj, Vladimir Radulović

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　478　224-228　2020年9月1日
出版者・発行元： Elsevier B.V.
DOI： 10.1016/j.nimb.2020.07.005 　

ISSN：0168-583X
Universal coherence protection in a solid-state spin qubit

Kevin C. Miao, Joseph P. Blanton, Christopher P. Anderson, Alexandre Bourassa, Alexander L. Crook, Gary Wolfowicz, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, David D. Awschalom

Science　369　(6509)　1493-1497　2020年9月

DOI： 10.1126/SCIENCE.ABC5186 　

ISSN：0036-8075

eISSN：1095-9203
Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures 査読有り

Shin-ichiro Sato, Manato Deki, Tomoaki Nishimura, Hiroshi Okada, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Takeshi Ohshima

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　479　7-12　2020年9月
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.nimb.2020.06.007 　

ISSN：0168-583X
Silicon carbide neutron detector testing at the JSI TRIGA reactor for enhanced border and port security

Vladimir Radulović, Yuichi Yamazaki, Željko Pastuović, Adam Sarbutt, Klemen Ambrožič, Robert Bernat, Zoran Ereš, José Coutinho, Takeshi Ohshima, Ivana Capan, Luka Snoj

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment　972　2020年8月21日
出版者・発行元： Elsevier B.V.
DOI： 10.1016/j.nima.2020.164122 　

ISSN：0168-9002
Quantum magnetic sensor using fibre-cavity diamond nitrogen-vacancy centre laser

Sarath Raman Nair, Lachlan J. Rogers, Reece P. Roberts, Thomas Volz, Andrew D. Greentree, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Takashi Yatsui, Xavier Vidal, Jan Jeske

2020 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, CLEO-PR 2020 - Proceedings　2020年8月

DOI： 10.1364/CLEOPR.2020.P5_17 　
Electron paramagnetic resonance and theoretical study of gallium vacancy in β -Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>

Nguyen Tien Son, Quoc Duy Ho, Ken Goto, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai, Thomas Frauenheim, Peter Deák

Applied Physics Letters　117　(3)　2020年7月20日

DOI： 10.1063/5.0012579 　

ISSN：0003-6951
Displacement Damage Dose Analysis of Alpha-ray Degradation on Output of an InGaP Solar Cell

Mitsuru Imaizumi, Yasuki Okuno, Tatsuya Takamoto, Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Tamotsu Okamoto

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2020-June　0843-0846　2020年6月14日

DOI： 10.1109/PVSC45281.2020.9300777 　

ISSN：0160-8371
Purcell enhancement of a single silicon carbide color center with coherent spin control

Alexander L. Crook, Christopher P. Anderson, Kevin C. Miao, Alexandre Bourassa, Hope Lee, Sam L. Bayliss, David O. Bracher, Xingyu Zhang, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Evelyn L. Hu, David D. Awschalom

Nano Letters　20　(5)　3427-3434　2020年5月13日

DOI： 10.1021/acs.nanolett.0c00339 　

ISSN：1530-6984

eISSN：1530-6992
Vibronic States and Their Effect on the Temperature and Strain Dependence of Silicon-Vacancy Qubits in 4H - SiC

Péter Udvarhelyi, Gergő Thiering, Naoya Morioka, Charles Babin, Florian Kaiser, Daniil Lukin, Takeshi Ohshima, Jawad Ul-Hassan, Nguyen Tien Son, Jelena Vučković, Jörg Wrachtrup, Adam Gali

Physical Review Applied　2020年5月7日

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.13.054017 　
Experimental and Theoretical Analysis of Noise Strength and Environmental Correlation Time for Ensembles of Nitrogen-Vacancy Centers in Diamond 査読有り

Kan Hayashi, Yuichiro Matsuzaki, Takaki Ashida, Shinobu Onoda, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Mutsuko Hatano, Takashi Taniguchi, Hiroki Morishita, Masanori Fujiwara, Norikazu Mizuochi

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN　89　(5)　2020年5月

DOI： 10.7566/JPSJ.89.054708 　

ISSN：0031-9015
Microwave-Free Vector Magnetometry with Nitrogen-Vacancy Centers along a Single Axis in Diamond

Huijie Zheng, Zhiyin Sun, Georgios Chatzidrosos, Chen Zhang, Kazuo Nakamura, Hitoshi Sumiya, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya, Jörg Wrachtrup, Arne Wickenbrock, Dmitry Budker

Physical Review Applied　13　(4)　2020年4月1日
出版者・発行元： American Physical Society
DOI： 10.1103/PhysRevApplied.13.044023 　

ISSN：2331-7019
Influence of Irradiation on Defect Spin Coherence in Silicon Carbide

C. Kasper, D. Klenkert, Z. Shang, D. Simin, A. Gottscholl, A. Sperlich, H. Kraus, C. Schneider, S. Zhou, M. Trupke, W. Kada, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. V. Astakhov

Physical Review Applied　13　(4)　2020年4月

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.13.044054 　

eISSN：2331-7019
A Methodology for Reconstructing DSET Pulses from Heavy-Ion Broad-Beam Measurements

Takahiro Makino, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Daisuke Kobayashi, Hirokazu Ikeda, Kazuyuki Hirose

QUANTUM BEAM SCIENCE　4　(1)　2020年3月

DOI： 10.3390/qubs4010015 　

eISSN：2412-382X
ダイヤモンド磁気センサにおける光取り出し効率のためのグレーティング結合器の作製と検討

佐藤匠, 北泉隆裕, 齋地康太, 桑波田晃弘, 五十嵐龍治, 大島武, 増山雄太, 岩崎孝之, 波多野睦子, 牧野俊晴, 山崎聡, Fedor Jelezko, 日下部守昭, 関野正樹, 八井崇

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2020.1　723-723　2020年2月28日
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_723 　

eISSN：2436-7613
Magnetometer with nitrogen-vacancy center in a bulk diamond for detecting magnetic nanoparticles in biomedical applications. 国際誌査読有り

Akihiro Kuwahata, Takahiro Kitaizumi, Kota Saichi, Takumi Sato, Ryuji Igarashi, Takeshi Ohshima, Yuta Masuyama, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano, Fedor Jelezko, Moriaki Kusakabe, Takashi Yatsui, Masaki Sekino

Scientific reports　10　(1)　2483-2483　2020年2月12日

DOI： 10.1038/s41598-020-59064-6 　

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We developed a novel magnetometer that employs negatively charged nitrogen-vacancy (NV-) centers in diamond, to detect the magnetic field generated by magnetic nanoparticles (MNPs) for biomedical applications. The compact probe system is integrated into a fiber-optics platform allowing for a compact design. To detect signals from the MNPs effectively, we demonstrated, for the first time, the application of an alternating current (AC) magnetic field generated by the excitation coil of several hundred microteslas for the magnetization of MNPs in diamond quantum sensing. In the lock-in detection system, the minimum detectable AC magnetic field (at a frequency of 1.025 kHz) was approximately 57.6 nT for one second measurement time. We were able to detect the micromolar concentration of MNPs at distances of a few millimeters. These results indicate that the magnetometer with the NV- centers can detect the tiny amounts of MNPs, thereby offering potential for future biomedical applications.
Erratum: Identification of divacancy and silicon vacancy qubits in 6H-SiC (Applied Physics Letters (2019) 114 (112107) DOI: 10.1063/1.5083031)

Joel Davidsson, Viktor Ivády, Rickard Armiento, Takeshi Ohshima, N. T. Son, Adam Gali, Igor A. Abrikosov

Applied Physics Letters　116　(5)　2020年2月3日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.5144728 　

ISSN：0003-6951
Color centers in wide-gap semiconductors for quantum technology

Y. Yamazaki, S. Onoda, T. Ohshima

Defects in Functional Materials　93-116　2020年1月1日
出版者・発行元： World Scientific Publishing Co.
DOI： 10.1142/9789811203176_0004 　
Static and dynamic stark tuning of the silicon vacancy in silicon carbide

Alexander D. White, Daniil M. Lukin, Melissa A. Guidry, Rahul Trivedi, Naoya Morioka, Charles Babin, Florian Kaiser, Jawad Ul-Hassan, Nguyen Tien Son, Takeshi Ohshima, Praful Vasireddy, Mamdouh Nasr, Emilio Nanni, Jörg Wrachtrup, Jelena Vuckovic

Optics InfoBase Conference Papers　2020　2020年
出版者・発行元： OSA - The Optical Society
DOI： 10.1364/CLEO_QELS.2020.FTu3D.1 　
Radiation hardness of 4h-sic jfets in mgy dose ranges

Akinori Takeyama, Keigo Shimizu, Takahiro Makino, Yuichi Yamazaki, Shin-Ichiro Kuroki, Yasunori Tanaka, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　1004　1109-1114　2020年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.1109 　

ISSN：1662-9752 0255-5476
The effect of γ-ray irradiation on optical properties of single photon sources in 4h-sic mosfet

Yuta Abe, Takahide Umeda, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Yuichi Yamazaki, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　1004　361-366　2020年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.361 　

ISSN：1662-9752 0255-5476
Near infrared photoluminescence of ncvsi-centers in high-purity semi-insulating 4h-sic irradiated with energetic charged particles

Shin-Ichiro Sato, Takuma Narahara, Shinobu Onoda, Yuichi Yamazaki, Yasuto Hijikata, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　1004　355-360　2020年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.355 　

ISSN：1662-9752 0255-5476
Enhancement of ODMR contrasts of silicon vacancy in SiC by thermal treatment

Yoji Chiba, Yuichi Yamazaki, Shin-Ichiro Sato, Takahiro Makino, Naoto Yamada, Takahiro Satoh, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　1004　337-342　2020年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.337 　

ISSN：1662-9752 0255-5476
Effects of nitrogen impurity concentration on nitrogen-vacancy center formation in 4h-sic

Takuma Narahara, Shin-Ichiro Sato, Kazutoshi Kojima, Yuichi Yamazaki, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　1004　349-354　2020年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.349 　

ISSN：1662-9752 0255-5476
Optically detected magnetic resonance study of 3d arrayed silicon vacancies in sic pn diodes

Yamazaki, Y., Chiba, Y., Sato, S.-I., Makino, T., Yamada, N., Satoh, T., Kojima, K., Hijikata, Y., Tsuchida, H., Hoshino, N., Lee, S.-Y., Ohshima, T.

Materials Science Forum　1004 MSF　2020年
出版者・発行元： Materials Science Forum
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.343 　

ISSN：1662-9752 0255-5476
Data-Retention-Voltage-Based Analysis of Systematic Variations in SRAM SEU Hardness: A Possible Solution to Synergistic Effects of TID

Daisuke Kobayashi, Kazuyuki Hirose, Keita Sakamoto, Shogo Okamoto, Shunsuke Baba, Hiroyuki Shindou, Osamu Kawasaki, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshiharu Mori, Daisuke Matsuura, Masaki Kusano, Takanori Narita, Shigeru Ishii

IEEE Transactions on Nuclear Science　67　(1)　328-335　2020年1月
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI： 10.1109/tns.2019.2956760 　

ISSN：0018-9499

eISSN：1558-1578
Magnetic field generation system of the magnetic probe with diamond quantum sensor and ferromagnetic materials for the detection of sentinel lymph nodes with magnetic nanoparticles 査読有り

Takahiro Kitaizumi, Akihiro Kuwahata, Kota Saichi, Takumi Sato, Ryuji Igarashi, Takeshi Ohshima, Yuta Masuyama, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano, Fedor Jelezko, Moriaki Kusakabe, Takashi Yatsui, Masaki Sekino

IEEE Transactions on Magnetics　1-1　2020年
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI： 10.1109/tmag.2020.3009334 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Electrical and optical control of single spins integrated in scalable semiconductor devices

Christopher P. Anderson, Alexandre Bourassa, Kevin C. Miao, Gary Wolfowicz, Peter J. Mintun, Alexander L. Crook, Hiroshi Abe, Jawad Ul Hassan, Nguyen T. Son, Takeshi Ohshima, David D. Awschalom

Science　366　(6470)　1225-1230　2019年12月6日

DOI： 10.1126/science.aax9406 　

ISSN：0036-8075

eISSN：1095-9203
Coherent electrical readout of defect spins in silicon carbide by photo-ionization at ambient conditions 査読有り

Niethammer Matthias, Widmann Matthias, Rendler Torsten, Morioka Naoya, Chen Yu-Chen, Stoehr Rainer, Ul Hassan Jawad, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi, Lee Sang-Yun, Mukherjee Amlan, Isoya Junichi, Nguyen Tien Son, Wrachtrup Joerg

NATURE COMMUNICATIONS　10　2019年12月5日

DOI： 10.1038/s41467-019-13545-z 　

ISSN：2041-1723
High-fidelity spin and optical control of single silicon-vacancy centres in silicon carbide

Roland Nagy, Matthias Niethammer, Matthias Widmann, Yu-Chen Chen, Péter Udvarhelyi, Cristian Bonato, Jawad Ul Hassan, Robin Karhu, Ivan G. Ivanov, Nguyen Tien Son, Jeronimo R. Maze, Takeshi Ohshima, Öney O. Soykal, Ádám Gali, Sang-Yun Lee, Florian Kaiser, Jörg Wrachtrup

Nature Communications　10　(1)　2019年12月1日
出版者・発行元： Nature Publishing Group
DOI： 10.1038/s41467-019-09873-9 　

ISSN：2041-1723
Electrically driven optical interferometry with spins in silicon carbide

Kevin C. Miao, Alexandre Bourassa, Christopher P. Anderson, Samuel J. Whiteley, Alexander L. Crook, Sam L. Bayliss, Gary Wolfowicz, Gergõ Thiering, Péter Udvarhelyi, Viktor Ivády, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Ádám Gali, David D. Awschalom

Science Advances　5　(11)　2019年11月22日

DOI： 10.1126/sciadv.aay0527 　

eISSN：2375-2548
Degradation and regeneration of radiation-induced defects in silicon: A study of vacancy-hydrogen interactions

Muhammad U. Khan, Daniel Chen, Saman Jafari, Takeshi Ohshima, Hiroshi Abe, Ziv Hameiri, Chee Mun Chong, Malcolm Abbott

Solar Energy Materials and Solar Cells　200　2019年9月15日

DOI： 10.1016/j.solmat.2019.109990 　

ISSN：0927-0248
放射線検出器応用のためのInGaP太陽電池のアルファ線劣化評価

今泉充, 奥野泰希, 大島武

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2019.2　3371-3371　2019年9月4日
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3371 　

eISSN：2436-7613
Electrical Charge State Manipulation of Single Silicon Vacancies in a Silicon Carbide Quantum Optoelectronic Device

Matthias Widmann, Matthias Niethammer, Dmitry Yu. Fedyanin, Igor A. Khramtsov, Torsten Rendler, Ian D. Booker, Jawad Ul Hassan, Naoya Morioka, Yu-Chen Chen, Ivan G. Ivanov, Nguyen Tien Son, Takeshi Ohshima, Michel Bockstedte, Adam Gali, Cristian Bonato, Sang-Yun Lee, Jörg Wrachtrup

Nano Letters　19　(10)　7173-7180　2019年9月
出版者・発行元： American Chemical Society ({ACS})
DOI： 10.1021/acs.nanolett.9b02774 　

ISSN：1530-6984
Radiation Response of Negative Gate Biased SiC MOSFETs

Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima

MATERIALS　12　(17)　2019年9月

DOI： 10.3390/ma12172741 　

eISSN：1996-1944
pH Nanosensor Using Electronic Spins in Diamond. 査読有り

Fujisaku T, Tanabe R, Onoda S, Kubota R, Segawa TF, So FT, Ohshima T, Hamachi I, Shirakawa M, Igarashi R

ACS nano　2019年9月

DOI： 10.1021/acsnano.9b05342 　

ISSN：1936-0851
Formation of nitrogen-vacancy centers in 4H-SiC and their near infrared photoluminescence properties 査読有り

Shin Ichiro Sato, Takuma Narahara, Yuta Abe, Yasuto Hijikata, Takahide Umeda, Takeshi Ohshima

Journal of Applied Physics　126　(8)　2019年8月28日

DOI： 10.1063/1.5099327 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Effect of coating adhesion and degradation on tin whisker mitigation of polyurethane-based conformal coatings

Fei Dong, Stephan J. Meschter, Shinji Nozaki, Takeshi Ohshima, Takahiro Makino, Junghyun Cho

Polymer Degradation and Stability　166　219-229　2019年8月1日
出版者・発行元： Elsevier Ltd
DOI： 10.1016/j.polymdegradstab.2019.05.019 　

ISSN：0141-3910
Engineering the Interface: Nanodiamond Coating on 3D-Printed Titanium Promotes Mammalian Cell Growth and Inhibits Staphylococcus aureus Colonization

Aaqil Rifai, Nhiem Tran, Philipp Reineck, Aaron Elbourne, Edwin Mayes, Avik Sarker, Chaitali Dekiwadia, Elena P. Ivanova, Russell J. Crawford, Takeshi Ohshima, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree, Elena Pirogova, Kate Fox

ACS Applied Materials and Interfaces　11　(27)　24588-24597　2019年7月10日
出版者・発行元： American Chemical Society
DOI： 10.1021/acsami.9b07064 　

ISSN：1944-8252 1944-8244
Minority carrier trap in n-type 4H–SiC schottky barrier diodes

Ivana Capan, Yuichi Yamazaki, Yuya Oki, Tomislav Brodar, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima

Crystals　9　(7)　2019年7月1日
出版者・発行元： MDPI AG
DOI： 10.3390/cryst9070328 　

ISSN：2073-4352
Single-Event Effects Induced on Atom Switch-based Field-Programmable Gate Array

Kozo Takeuchi, Toshitsugu Sakamoto, Munehiro Tada, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Satoshi Kuboyama, Hiroyuki Shindo

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　66　(7)　1355-1360　2019年7月

DOI： 10.1109/TNS.2019.2923013 　

ISSN：0018-9499

eISSN：1558-1578
Zero-Field Magnetometry Based on Nitrogen-Vacancy Ensembles in Diamond

Huijie Zheng, Jingyan Xu, Geoffrey Z. Iwata, Till Lenz, Julia Michl, Boris Yavkin, Kazuo Nakamura, Hitoshi Sumiya, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya, Jörg Wrachtrup, Arne Wickenbrock, Dmitry Budker

Physical Review Applied　11　(6)　2019年6月27日
出版者・発行元： American Physical Society
DOI： 10.1103/PhysRevApplied.11.064068 　

ISSN：2331-7019
Triple nitrogen-vacancy centre fabrication by C₅N₄H_n ion implantation. 査読有り

Haruyama M, Onoda S, Higuchi T, Kada W, Chiba A, Hirano Y, Teraji T, Igarashi R, Kawai S, Kawarada H, Ishii Y, Fukuda R, Tanii T, Isoya J, Ohshima T, Hanaizumi O

Nature communications　10　(1)　2664　2019年6月

DOI： 10.1038/s41467-019-10529-x 　

eISSN：2041-1723
Monodisperse Five-Nanometer-Sized Detonation Nanodiamonds Enriched in Nitrogen-Vacancy Centers 査読有り

Daiki Terada, Takuya F. Segawa, Alexander I. Shames, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Eiji Osawa, Ryuji Igarashi, Masahiro Shirakawa

ACS NANO　13　(6)　6461-6468　2019年6月
出版者・発行元： AMER CHEMICAL SOC
DOI： 10.1021/acsnano.8b09383 　

ISSN：1936-0851
Energy levels and charge state control of the carbon antisite-vacancy defect in 4H-SiC

Nguyen Tien Son, Pontus Stenberg, Valdas Jokubavicius, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Jawad Ul Hassan, Ivan G. Ivanov

Applied Physics Letters　114　(21)　2019年5月27日

DOI： 10.1063/1.5098070 　

ISSN：0003-6951
Identification of divacancy and silicon vacancy qubits in 6H-SiC

Joel Davidsson, Viktor Ivády, Rickard Armiento, Takeshi Ohshima, N. T. Son, Adam Gali, Igor A. Abrikosov

Applied Physics Letters　114　(11)　2019年3月18日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.5083031 　

ISSN：0003-6951
Increased nitrogen-vacancy centre creation yield in diamond through electron beam irradiation at high temperature

M. Capelli, A. H. Heffernan, T. Ohshima, H. Abe, J. Jeske, A. Hope, A. D. Greentree, P. Reineck, B. C. Gibson

Carbon　143　714-719　2019年3月

DOI： 10.1016/j.carbon.2018.11.051 　

ISSN：0008-6223
重粒子線がん治療場での線量評価を目的としたSiC半導体検出器の開発

加田渉, 大木佑哉, 大崎晃平, 山﨑雄一, 牧野高紘, 大島武, 松村彰彦, 酒井真理, 花泉修

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2019.1　512-512　2019年2月25日
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_512 　

eISSN：2436-7613
Nitrogen-Terminated Diamond Surface for Nanoscale NMR by Shallow Nitrogen-Vacancy Centers 査読有り

Kawai Sora, Yamano Hayate, Sonoda Takahiro, Kato Kanami, Buendia Jorge J, Kageura Taisuke, Fukuda Ryosuke, Okada Takuma, Tanii Takashi, Higuchi Taisei, Haruyama Moriyoshi, Yamada Keisuke, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi, Kada Wataru, Hanaizumi Osamu, Stacey Alastair, Teraji Tokuyuki, Kono Shozo, Isoya Junichi, Kawarada Hiroshi

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C　123　(6)　3594-3604　2019年2月14日

DOI： 10.1021/acs.jpcc.8b11274 　

ISSN：1932-7447

eISSN：1932-7455
Engineering silicon carbide for enhanced borders and ports security

Ivana Capan, Tomislav Brodar, Željko Pastuović, Jose Coutinho, Vladimir Radulović, Luka Snoj, Takeshi Ohshima

NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics　52-62　2019年
出版者・発行元： Springer
ISSN：1874-6535 1874-6500
Direct bonding of 4H-SIC and SOI wafers for radiation-hardened image sensors

Fumiaki Hasebe, Tatsuya Meguro, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki

Materials Science Forum　963　726-729　2019年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.963.726 　

ISSN：1662-9752 0255-5476
Ligand hyperfine interactions at silicon vacancies in 4H-SiC

Nguyen Tien Son, Pontus Stenberg, Valdas Jokubavicius, Takeshi Ohshima, Jawad Ul Hassan, Ivan G. Ivanov

Journal of Physics Condensed Matter　31　(19)　2019年
出版者・発行元： Institute of Physics Publishing
DOI： 10.1088/1361-648X/ab072b 　

ISSN：1361-648X 0953-8984
Creation of color centers in sic pn diodes using proton beam writing 査読有り

Chiba, Y., Yamazaki, Y., Makino, T., Sato, S.-I., Yamada, N., Satoh, T., Kojima, K., Lee, S.-Y., Hijikata, Y., Ohshima, T.

Materials Science Forum　963 MSF　2019年
出版者・発行元： Materials Science Forum
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.963.709 　
The effect of nitrogen concentration on quantum sensing with nitrogen-vacancy centres

Marco Capelli, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Brett C. Johnson, David A. Simpson, Jan Jeske, Andrew D. Greentree, Philipp Reineck, Brant C. Gibson

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　11202　2019年

DOI： 10.1117/12.2541225 　

ISSN：0277-786X

eISSN：1996-756X
Process Variation Aware Analysis of SRAM SEU Cross Sections Using Data Retention Voltage

Daisuke Kobayashi, Naoki Hayashi, Kazuyuki Hirose, Yuya Kakehashi, Osamu Kawasaki, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Daisuke Matsuura, Yoshiharu Mori, Masaki Kusano, Takanori Narita, Shigeru Ishii, Kazunori Masukawa

IEEE Transactions on Nuclear Science　66　(1)　155-162　2019年1月
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI： 10.1109/tns.2018.2882221 　

ISSN：0018-9499

eISSN：1558-1578
First-principles study of oxygen-related defects on 4H-SiC surface: The effects of surface amorphous structure

Yu-ichiro Matsushita, Yoritaka Furukawa, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima

APPLIED SURFACE SCIENCE　464　451-454　2019年1月

DOI： 10.1016/j.apsusc.2018.09.072 　

ISSN：0169-4332

eISSN：1873-5584
Photoluminescence properties of praseodymium ions implanted into submicron regions in gallium nitride 査読有り

Shin Ichiro Sato, Manato Deki, Tohru Nakamura, Tomoaki Nishimura, Daniel Stavrevski, Andrew D. Greentree, Brant C. Gibson, Takeshi Ohshima

Japanese Journal of Applied Physics　58　(5)　2019年

DOI： 10.7567/1347-4065/ab142b 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Acceptor levels of the carbon vacancy in 4H-SiC: Combining Laplace deep level transient spectroscopy with density functional modeling

Ivana Capan, Tomislav Brodar, José Coutinho, Takeshi Ohshima, Vladimir P. Markevich, Anthony R. Peaker

Journal of Applied Physics　124　(24)　2018年12月28日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.5063773 　

ISSN：1089-7550 0021-8979
Recovery from radiation-induced degradation in InGaP solar cells by light soaking

Yuichi Shibata, Mitsuru Imaizumi, Shin-Ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Masafumi Akiyoshi, Shuichi Okuda

Applied Physics Express　11　(12)　2018年12月1日
出版者・発行元： Institute of Physics Publishing
DOI： 10.7567/APEX.11.122301 　

ISSN：1882-0786 1882-0778
Extending coherence time of macro-scale diamond magnetometer by dynamical decoupling with coplanar waveguide resonator 査読有り

Y. Masuyama, K. Mizuno, H. Ozawa, H. Ishiwata, Y. Hatano, T. Ohshima, T. Iwasaki, M. Hatano

Review of Scientific Instruments　89　(12)　125007-125007　2018年12月
出版者・発行元： {AIP} Publishing
DOI： 10.1063/1.5047078 　

ISSN：1089-7623

eISSN：1089-7623
Fabrication of two-dimensional arrays of fluorescent centers in single-crystalline diamond using particle beam writing 査読有り

M. Haruyama, Y. Suda, W. Kada, S. Onoda, T. Ohshima, K. Miura, O. Hanaizumi

key Engineering Materials　790　2018年12月
Laplace DLTS study of deep defects created in neutron-irradiated n-type 4H-SiC 査読有り

Tomislav Brodar, Ivana Capan, Vladimir Radulovi{\'{c, Luka Snoj, v{Z } }eljko Pastuovi{\'{c, Jos{\'{e, Coutinho, Takeshi Ohshima

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　437　27　2018年12月
出版者・発行元： Elsevier {BV}
DOI： 10.1016/j.nimb.2018.10.030 　
Magnetically sensitive nanodiamond-doped tellurite glass fibers 査読有り

Yinlan Ruan, David A. Simpson, Jan Jeske, Heike Ebendorff-Heidepriem, Desmond W. M. Lau, Hong Ji, Brett C. Johnson, Takeshi Ohshima, Shahraam V. Afshar, Lloyd Hollenberg, Andrew D. Greentree, Tanya M. Monro, Brant C. Gibson

Scientific Reports　8　(1)　2018年12月1日
出版者・発行元： Nature Publishing Group
DOI： 10.1038/s41598-018-19400-3 　

ISSN：2045-2322
Oxygen-incorporated single-photon sources observed at the surface of silicon carbide crystals 査読有り

Journal of Physics Communications　2　(11)　2018年11月

DOI： 10.1088/2399-6528/aaede4 　

ISSN：2399-6528
Characterization of stability of benchmark organic photovoltaic films after proton and electron bombardments 査読有り

Jérémy Barbé, Harrison K.H. Lee, Hiroyuki Toyota, Kazuyuki Hirose, Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Keith C. Heasman, Wing C. Tsoi

Applied Physics Letters　113　(18)　2018年10月29日

DOI： 10.1063/1.5046829 　

ISSN：0003-6951
NV^- - N⁺ pair centre in 1b diamond 査読有り

New Journal of Physics　20　2018年10月

DOI： 10.1088/1367-2630/aaec58 　

ISSN：1367-2630
Optimization of Temperature Sensitivity Using the Optically Detected Magnetic-Resonance Spectrum of a Nitrogen-Vacancy Center Ensemble 査読有り

Hayashi Kan, Matsuzaki Yuichiro, Taniguchi Takashi, Shimo-Oka Takaaki, Nakamura Ippei, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi, Morishita Hiroki, Fujiwara Masanori, Saito Shiro, Mizuochi Norikazu

PHYSICAL REVIEW APPLIED　10　(3)　2018年9月6日

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.10.034009 　

ISSN：2331-7019
Room Temperature Electrical Control of Single Photon Sources at 4H-SiC Surface 査読有り

Shin Ichiro Sato, Tomoya Honda, Takahiro Makino, Yasuto Hijikata, Sang Yun Lee, Takeshi Ohshima

ACS Photonics　5　(8)　3159-3165　2018年8月15日
出版者・発行元： American Chemical Society ({ACS})
DOI： 10.1021/acsphotonics.8b00375 　

eISSN：2330-4022
Flight demonstration of inverted metamorphic triple-junction solar cells in space 査読有り

Sumita Taishi, Shibata Yuichi, Nakamura Tetsuya, Shimazaki Kazunori, Kukita Akio, Imaizumi Mitsuru, Sato Shin-ichiro, Ohshima Takeshi, Takamoto Tatsuya

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　57　(8)　2018年8月

DOI： 10.7567/JJAP.57.08RD01 　

ISSN：0021-4922
Lithographically engineered shallow nitrogen-vacancy centers in diamond for external nuclear spin sensing 査読有り

Ryosuke Fukuda, Priyadharshini Balasubramanian, Itaru Higashimata, Godai Koike, Takuma Okada, Risa Kagami, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Moriyoshi Haruyama, Keisuke Yamada, Masafumi Inaba, Hayate Yamano, Felix M. Stürner, Simon Schmitt, Liam, P. McGuinness, Fedor Jelezko, Takeshi Ohshima, Takahiro Shinada, Hiroshi Kawarada, Wataru Kada, ers

JournalNew Journal of Physics　20　(8)　083029/1-083029/9　2018年8月

DOI： 10.1088/1367-2630/aad997 　

ISSN：1367-2630
Single-Event Damage Observed in GaN-on-Si HEMTs for Power Control Applications 査読有り

E. Mizuta, S. Kuboyama, Y. Nakada, A. Takeyama, T. Ohshima, Y. Iwata, K. Suzuki

IEEE Transactions on Nuclear Science　65　(8)　1956　2018年8月
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE})
DOI： 10.1109/TNS.2018.2819990 　
Creation of silicon vacancy in silicon carbide by proton beam writing toward quantum sensing applications 査読有り

Takeshi Ohshima, Takahiro Satoh, Hannes Kraus, Georgy V Astakhov, Vladimir V Dyakonov, Pavel G. Baranov

Journal of Physics D: Applied Physics　2018年8月
出版者・発行元： {IOP} Publishing
DOI： 10.1088/1361-6463/aad0ec 　
Publisher's Note: “Loop-gap microwave resonator for hybrid quantum systems” [Appl. Phys. Lett. 112, 204102 (2018)] 査読有り

Applied Physics Letters　2018年7月

DOI： 10.1063/1.5048381 　
Effects of High-Energy Electron Irradiation on Quantum Emitters in Hexagonal Boron Nitride 査読有り

Hanh Ngoc My Duong, Minh Anh, Phan Nguyen, Mehran Kianinia, Takeshi Ohshima, Hiroshi Abe, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, James H. Edgar, Igor Aharonovich, Milos Toth

ACS Applied Materials & Interfaces　10　(29)　24886-24891　2018年7月
出版者・発行元： American Chemical Society ({ACS})
DOI： 10.1021/acsami.8b07506 　

ISSN：1944-8244

eISSN：1944-8252
Bright single photon sources in lateral silicon carbide light emitting diodes 査読有り

Matthias Widmann, Matthias Niethammer, Takahiro Makino, Torsten Rendler, Stefan Lasse, Takeshi Ohshima, Jawad Ul Hassan, Nguyen Tien Son, Sang-Yun Lee, Jörg Wrachtrup

Applied Physics Letters　112　(23)　2018年6月4日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.5032291 　

ISSN：0003-6951
Various single photon sources observed in SiC pin diodes 査読有り

H. Tsunemi, H. Tsunemi, T. Honda, T. Honda, T. Makino, S. Onoda, S. I. Sato, Y. Hijikata, T. Ohshima

Materials Science Forum　924　204-207　2018年6月

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.204 　

ISSN：0255-5476
Tolerance of Perovskite Solar Cell to High-Energy Particle Irradiations in Space Environment (vol 2, pg 148, 2018) 査読有り

Miyazawa Yu, Ikegami Masashi, Chen Hsin-Wei, Ohshima Takeshi, Imaizumi Mitsuru, Hirose Kazuyuki, Miyasaka Tsutomu

ISCIENCE　3　86　2018年5月25日

DOI： 10.1016/j.isci.2018.04.023 　

ISSN：2589-0042
Loop-gap microwave resonator for hybrid quantum systems 査読有り

Jason R. Ball, Yu Yamashiro, Hitoshi Sumiya, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya, Denis Konstantinov, Yuimaru Kubo

Applied Physics Letters　112　(20)　204102　2018年5月14日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.5025744 　

ISSN：0003-6951
Double negatively charged carbon vacancy at the h- and k-sites in 4H-SiC: Combined Laplace-DLTS and DFT study 査読有り

Ivana Capan, Tomislav Brodar, Zeljko Pastuović, Rainer Siegele, Takeshi Ohshima, Shin-Ichiro Sato, Takahiro Makino, Luka Snoj, Vladimir Radulović, José Coutinho, Vitor J. B. Torres, Kamel Demmouche

Journal of Applied Physics　123　(16)　2018年4月28日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.5011124 　

ISSN：1089-7550 0021-8979
Tolerance of Perovskite Solar Cell to High-Energy Particle Irradiations in Space Environment 査読有り

Miyazawa Yu, Ikegami Masashi, Chen Hsin-Wei, Ohshima Takeshi, Imaizumi Mitsuru, Hirose Kazuyuki, Miyasaka Tsutomu

ISCIENCE　2　148-+　2018年4月27日

DOI： 10.1016/j.isci.2018.03.020 　

ISSN：2589-0042
Impact of Surface Functionalization on the Quantum Coherence of Nitrogen-Vacancy Centers in Nanodiamonds 査読有り

Robert G. Ryan, Alastair Stacey, Kane M. O'Donnell, Takeshi Ohshima, Brett C. Johnson, Lloyd C. L. Hollenberg, Paul Mulvaney, David A. Simpson

ACS Applied Materials and Interfaces　10　(15)　13143-13149　2018年4月18日
出版者・発行元： American Chemical Society
DOI： 10.1021/acsami.7b19238 　

ISSN：1944-8252 1944-8244
Quantum Properties of Dichroic Silicon Vacancies in Silicon Carbide 査読有り

Roland Nagy, Matthias Widmann, Matthias Niethammer, Durga B. R. Dasari, Ilja Gerhardt, Öney O. Soykal, Marina Radulaski, Takeshi Ohshima, Jelena Vučković, Nguyen Tien Son, Ivan G. Ivanov, Sophia E. Economou, Cristian Bonato, Sang-Yun Lee, Jörg Wrachtrup

Physical Review Applied　9　(3)　2018年3月23日
出版者・発行元： American Physical Society
DOI： 10.1103/PhysRevApplied.9.034022 　

ISSN：2331-7019
Analysis of radiation resistance in GaN HEMT

Takayuki Hisaka, Hajime Sasaki, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima

Mitsubishi Electric Advance　161　17-19　2018年3月1日
出版者・発行元： Mitsubishi Electric Corp.
ISSN：1345-3041
Ultra-high voltage electron microscopy investigation of irradiation induced displacement defects on AlGaN/GaN HEMTs. 査読有り

Hajime Sasaki, Takayuki Hisaka, Kaoru Kadoiwa, Tomoki Oku, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Eiji Taguchi, Hidehiro Yasuda

Microelectronics Reliability　81　312-319　2018年2月

DOI： 10.1016/j.microrel.2017.10.005 　

ISSN：0026-2714
Single photon sources in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 査読有り

Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, S. Onoda, T. Ohshima

Applied Physics Letters　112　(3)　031105　2018年1月15日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.4994241 　

ISSN：0003-6951
Radiation hardness of beta-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors against gamma-ray irradiation 査読有り

Wong Man Hoi, Takeyama Akinori, Makino Takahiro, Ohshima Takeshi, Sasaki Kohei, Kuramata Akito, Yamakoshi Shigenobu, Higashiwaki Masataka

APPLIED PHYSICS LETTERS　112　(2)　2018年1月8日

DOI： 10.1063/1.5017810 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Recent Advances in Ga2O3 MOSFET Technologies

Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Takafumi Kamimura, Yoshiaki Nakata, Chia-Hung Lin, Ravikiran Lingaparthi, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Naoki Hatta, Kuniaki Yagi, Ken Goto, Kohei Sasaki, Shinya Watanabe, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Keita Konishi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai

2018 76TH DEVICE RESEARCH CONFERENCE (DRC)　2018年

ISSN：1548-3770
Low-parasitic-capacitance self-aligned 4H-SiC nMOSFETs for harsh environment electronics 査読有り

T. Kurose, S. I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Östling, C. M. Zetterling

Materials Science Forum　924　971-974　2018年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.971 　

ISSN：0255-5476
Ab initio theory of Si-vacancy quantum Bits in 4H and 6H-SiC 査読有り

Viktor Ivády, Joel Davidsson, Nguyen Tien Son, Takeshi Ohshima, Igor A. Abrikosov, Adam Gali

Materials Science Forum　924　895-900　2018年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.895 　

ISSN：0255-5476
4H-SiC pMOSFETs with al-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts 査読有り

J. Kajihara, S. I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Östling, C. M. Zetterling

Materials Science Forum　924　423-427　2018年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.423 　

ISSN：0255-5476
Latest progress in gallium-oxide electronic devices 査読有り

Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Keita Konishi, Yoshiaki Nakata, Chia-Hung Lin, Takafumi Kamimura, Lingaparthi Ravikiran, Kohei Sasaki, Ken Goto, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　10533　2018年
出版者・発行元： SPIE
DOI： 10.1117/12.2292666 　

ISSN：1996-756X 0277-786X
Heavy-Ion Soft Errors in Back-Biased Thin-BOX SOI SRAMs: Hundredfold Sensitivity Due to Line-Type Multicell Upsets 査読有り

Daisuke Kobayashi, Kazuyuki Hirose, Taichi Ito, Yuya Kakehashi, Osamu Kawasaki, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Daisuke Matsuura, Takanori Narita, Masahiro Kato, Shigeru Ishii, Kazunori Masukawa

IEEE Transactions on Nuclear Science　65　(1)　523-532　2018年1月1日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/TNS.2017.2774805 　

ISSN：0018-9499
Reliability of gamma-irradiated n-channel ZnO thin-film transistors: electronic and interface properties 査読有り

Lee Kin Kiong, Wang Danna, Shinobu Onoda, Ohshima Takeshi

Radiation Effects and Defects in Solids　173　(3-4)　250-260　2018年1月

DOI： 10.1080/10420150.2018.1427093 　

ISSN：1042-0150
Oxidation-process dependence of single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFEts

Yuta Abe, Takahide Umeda, Mitsuo Okamoto, Shinobu Onoda, Moriyoshi Haruyama, Moriyoshi Haruyama, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Ryoji Kosugi, Shinsuke Harada, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　924 MSF　281-284　2018年1月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.281 　

ISSN：0255-5476

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c 2018 Trans Tech Publications, Switzerland. We investigated single photon sources (SPSs) in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) by means of confocal microscope techniques. We found SPSs only in 4H-SiC/SiO2interface regions of wet-oxide C-face MOSFETs. The other regions of MOSFETs such as source, drain and well did not exhibit SPSs. The luminescent intensity of the SPSs at room temperature was at least twice larger than that of the most famous SPSs, the nitrogen-vacancy center, in diamond. We examined four types of C-face and Si-face 4H-SiC MOSFETs with different oxidation processes, and found that the formation of the SPSs strongly depended on the preparation of SiC/SiO2interfaces.
Evaluation of subcell power conversion efficiencies of radiation-damaged triple-junction solar cells using photoluminescence decays 査読有り

David M. Tex, Toshiyuki Ihara, Tetsuya Nakamura, Mitsuru Imaizumi, Takeshi Ohshima, Yoshihiko Kanemitsu

PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS　25　(12)　1005-1014　2017年12月

DOI： 10.1002/pip.2912 　

ISSN：1062-7995

eISSN：1099-159X
Stark tuning and electrical charge state control of single divacancies in silicon carbide 査読有り

Charles F. de las Casas, David J. Christle, Jawad Ul Hassan, Takeshi Ohshima, Nguyen T. Son, David D. Awschalom

APPLIED PHYSICS LETTERS　111　(26)　2017年12月

DOI： 10.1063/1.5004174 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Diffusion of Vacancies Created by High-Energy Heavy Ion Strike Into Diamond 査読有り

Shinobu Onoda, Kazumasa Tatsumi, Moriyoshi Haruyama, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Wataru Kada, Takeshi Ohshima, Osamu Hanaizumi

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　214　(11)　2017年11月

DOI： 10.1002/pssa.201700160 　

ISSN：1862-6300

eISSN：1862-6319
Scalable quantum photonics with single color centers in silicon carbide 査読有り

Marina Radulaski, Matthias Widmann, Matthias Niethammer, Jingyuan Linda Zhang, Sang-Yun Lee, Torsten Rendler, Konstantinos G. Lagoudakis, Nguyen Tien Son, Erik Janzen, Takeshi Ohshima, Jörg Wrachtrup, Jelena Vučković

2017 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2017 - Proceedings　2017-　1-2　2017年10月25日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1364/CLEO_QELS.2017.JM3E.4 　
Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide 査読有り

Viktor Ivady, Joel Davidsson, Nguyen Tien Son, Takeshi Ohshima, Igor A. Abrikosov, Adam Gali

PHYSICAL REVIEW B　96　(16)　2017年10月

DOI： 10.1103/PhysRevB.96.161114 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Femtosecond-Laser-Induced Defects on Silicon Carbide Probed by Electrical Conductivity 査読有り

Takuro Tomita, Manato Deki, Eizo Yanagita, Yota Bando, Yoshiki Naoi, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima

JOURNAL OF LASER MICRO NANOENGINEERING　12　(2)　72-75　2017年9月

DOI： 10.2961/jlmn.2017.02.0004 　

ISSN：1880-0688
Radiation hardness of Ga2O3 MOSFETs against gamma-ray irradiation 査読有り

Man Hoi Wong, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Masataka Higashiwaki

Device Research Conference - Conference Digest, DRC　2017年8月1日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/DRC.2017.7999400 　

ISSN：1548-3770
Soft errors in 10-nm-scale magnetic tunnel junctions exposed to high-energy heavy-ion radiation

Daisuke Kobayashi, Kazuyuki Hirose, Takahiro Makino, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Shoji Ikeda, Hideo Sato, Eli Christopher Inocencio Enobio, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　56　(8)　2017年8月

DOI： 10.7567/JJAP.56.0802B4 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Effects of SiH Groups on ELDRS Quantified by XPS with Combined Use of Gamma-ray and Electron-beam Irradiation

Shintaro Toguchi, Daisuke Kobayashi, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Kazuyuki Hirose

2017 17th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, RADECS 2017　2017年7月2日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/RADECS.2017.8696199 　
Electron beam irradiation effect on the mechanical properties of nanosilica-filled polyurethane films 査読有り

Fei Dong, Suraj Maganty, Stephan J. Meschter, Shinji Nozaki, Takeshi Ohshima, Takahiro Makino, Junghyun Cho

POLYMER DEGRADATION AND STABILITY　141　45-53　2017年7月

DOI： 10.1016/j.polymdegradstab.2017.05.003 　

ISSN：0141-3910

eISSN：1873-2321
Isolated Spin Qubits in SiC with a High-Fidelity Infrared Spin-to-Photon Interface 査読有り

David J. Christle, Paul V. Klimov, Charles F. de las Casas, Krisztian Szasz, Viktor Ivady, Valdas Jokubavicius, Jawad Ul Hassan, Mikael Syvajarvi, William F. Koehl, Takeshi Ohshima, Nguyen T. Son, Erik Janzen, Adam Gali, David D. Awschalom

PHYSICAL REVIEW X　7　(2)　2017年6月

DOI： 10.1103/PhysRevX.7.021046 　

ISSN：2160-3308
Three-Dimensional Proton Beam Writing of Optically Active Coherent Vacancy Spins in Silicon Carbide 査読有り

H. Kraus, D. Simin, C. Kasper, Y. Suda, S. Kawabata, W. Kada, T. Honda, Y. Hijikata, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. V. Astakhov

Nano Letters　17　(5)　2865-2870　2017年5月10日
出版者・発行元： American Chemical Society
DOI： 10.1021/acs.nanolett.6b05395 　

ISSN：1530-6992 1530-6984
Creation and functionalization of defects in SiC by proton beam writing 査読有り

T. Ohshima, T. Honda, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, M. Haruyama, M. Haruyama, T. Kamiya, T. Satoh, Y. Hijikata, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, H. Kraus, V. Dyakonov, G. V. Astakhov

Materials Science Forum　897　233-237　2017年5月

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.233 　

ISSN：0255-5476
Direct evaluation of influence of electron damage on the subcell performance in triple-junction solar cells using photoluminescence decays 査読有り

David M. Tex, Tetsuya Nakamura, Mitsuru Imaizumi, Takeshi Ohshima, Yoshihiko Kanemitsu

SCIENTIFIC REPORTS　7　1985-1985/8　2017年5月

DOI： 10.1038/s41598-017-02141-0 　

ISSN：2045-2322
Optimum structures for gamma-ray radiation resistant SiC-MOSFETs 査読有り

Satoshi Mitomo, Takuma Matsuda, Koichi Murata, Takashi Yokoseki, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　214　(4)　2017年4月

DOI： 10.1002/pssa.201600425 　

ISSN：1862-6300

eISSN：1862-6319
Impacts of gate bias and its variation on gamma-ray irradiation resistance of SiC MOSFETs 査読有り

Koichi Murata, Satoshi Mitomo, Takuma Matsuda, Takashi Yokoseki, Takahiro Makino, Shinobu Onoda, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　214　(4)　2017年4月

DOI： 10.1002/pssa.201600446 　

ISSN：1862-6300

eISSN：1862-6319
Scalable Quantum Photonics with Single Color Centers in Silicon Carbide 査読有り

Marina Radulaski, Matthias Widmann, Matthias Niethammer, Jingyuan Linda Zhang, Sang-Yun Lee, Torsten Rendler, Konstantinos G. Lagoudakis, Nguyen Tien Son, Erik Janzen, Takeshi Ohshima, Joerg Wrachtrup, Jelena Vuckovic

NANO LETTERS　17　(3)　1782-1786　2017年3月

DOI： 10.1021/acs.nanolett.6b05102 　

ISSN：1530-6984

eISSN：1530-6992
Nanomechanical Sensing Using Spins in Diamond 査読有り

Michael S. J. Barson, Phani Peddibhotla, Preeti Ovartchaiyapong, Kumaravelu Ganesan, Richard L. Taylor, Matthew Gebert, Zoe Mielens, Berndt Koslowski, David A. Simpson, Liam P. McGuinness, Jeffrey McCallum, Steven Prawer, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Ania C. Bleszynski Jayich, Fedor Jelezko, Neil B. Manson, Marcus W. Doherty

NANO LETTERS　17　(3)　1496-1503　2017年3月

DOI： 10.1021/acs.nanolett.6b04544 　

ISSN：1530-6984

eISSN：1530-6992
Radiation degradation characteristics of component subcells in inverted metamorphic triple-junction solar cells irradiated with electrons and protons 査読有り

Mitsuru Imaizumi, Tetsuya Nakamura, Tatsuya Takamoto, Takeshi Ohshima, Michio Tajima

PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS　25　(2)　161-174　2017年2月

DOI： 10.1002/pip.2840 　

ISSN：1062-7995

eISSN：1099-159X
High Gamma Ray Tolerance for 4H-SiC Bipolar Circuits 査読有り

Sethu Saveda Suvanam, Shin-Ichiro Kuroki, Luigia Lanni, Raheleh Hadayati, Takeshi Ohshima, Takahiro Makino, Anders Hallen, Carl-Mikael Zetterling

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　64　(2)　852-858　2017年2月

DOI： 10.1109/TNS.2016.2642899 　

ISSN：0018-9499

eISSN：1558-1578
Interface defects in C-face 4H-SiC MOSFETs: An electrically-detected-magnetic-resonance study

T. Umeda, M. Okamoto, H. Yoshioka, G. W. Kim, S. Ma, R. Arai, T. Makino, T. Ohshima, S. Harada

ECS Transactions　80　(1)　147-153　2017年
出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.
DOI： 10.1149/08001.0147ecst 　

ISSN：1938-5862 1938-6737
Defect Characterization of III-V Quantum Structure Solar Cells Using Photo-Induced Current Transient Spectroscopy

Shin-ichiro Sato, Takeyoshi Sugaya, Tetsuya Nakamura, Takeshi Ohshima

2017 IEEE 44TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)　562-566　2017年

ISSN：0160-8371
Theoretical and experimental investigation of point defects in cubic boron nitride 査読有り

Nicholas L. McDougall, Jim G. Partridge, Desmond W. M. Lau, Philipp Reineck, Brant C. Gibson, Takeshi Ohshima, Dougal G. McCulloch

MRS Advances　2　(29)　1545-1550　2017年
出版者・発行元： Materials Research Society
DOI： 10.1557/adv.2017.53 　

ISSN：2059-8521
4H-SiC pseudo-CMOS logic inverters for harsh environment electronics 査読有り

S. I. Kuroki, T. Kurose, H. Nagatsuma, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Kikkawa, T. Makino, T. Ohshima, M. Östling, C. M. Zetterling

Materials Science Forum　897　669-672　2017年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.669 　

ISSN：0255-5476
QUALIFICATION TEST RESULTS OF IMM TRIPLE-JUNCTION SOLAR CELLS, SPACE SOLAR SHEETS, AND LIGHTWEIGHT&COMPACT SOLAR PADDLE 査読有り

Mitsuru Imaizumi, Tatsuya Takamoto, Naoyuki Kaneko, Yukishige Nozaki, Takeshi Ohshima

11TH EUROPEAN SPACE POWER CONFERENCE　16　2017年

DOI： 10.1051/e3sconf/20171603012 　

ISSN：2267-1242
Abnormal Increase in Soft-error Sensitivity of Back-biased Thin-BOX SOI SRAMs 査読有り

Daisuke Kobayashi, Kazuyuki Hirose, Taichi Ito, Yuya Kakehashi, Osamu Kawasaki, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Daisuke Matsuura, Takanori Narita, Masahiro Kato, Kazunori Masukawa

2017 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS)　2017年

ISSN：1541-7026
Stimulated emission from nitrogen-vacancy centres in diamond 査読有り

Jan Jeske, Desmond W. M. Lau, Xavier Vidal, Liam P. McGuinness, Philipp Reineck, Brett C. Johnson, Marcus W. Doherty, Jeffrey C. McCallum, Shinobu Onoda, Fedor Jelezko, Takeshi Ohshima, Thomas Volz, Jared H. Cole, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree

Nature Communications　8　14000　2017年1月

DOI： 10.1038/ncomms14000 　

ISSN：2041-1723
Nanodiamond-polycaprolactone composite: A new material for tissue engineering with sub-dermal imaging capabilities 査読有り

Kate Fox, Phong A. Tran, Desmond W.M. Lau, Takeshi Ohshima, Andrew D. Greentree, Brant C. Gibson

Materials Letters　185　185-188　2016年12月15日
出版者・発行元： Elsevier
DOI： 10.1016/j.matlet.2016.08.140 　

ISSN：1873-4979 0167-577X
Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers 査読有り

T. Miyazaki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata

Superlattices and Microstructures　99　197-201　2016年11月

DOI： 10.1016/j.spmi.2016.03.005 　

ISSN：0749-6036
Improvement of radiation response of SiC MOSFETs under high temperature and humidity conditions 査読有り

Takeyama Akinori, Matsuda Takuma, Yokoseki Takashi, Mitomo Satoshi, Murata Koichi, Makino Takahiro, Onoda Shinobu, Okubo Shuichi, Tanaka Yuki, Kandori Mikio, Yoshie Toru, Hijikata Yasuto, Ohshima Takeshi

Japanese Journal of Applied Physics　55　(10)　104101-104101　2016年10月

DOI： 10.7567/JJAP.55.104101 　

ISSN：0021-4922
Vector Magnetometry Using Silicon Vacancies in 4H-SiC Under Ambient Conditions 査読有り

Matthias Niethammer, Matthias Widmann, Sang-Yun Lee, Pontus Stenberg, Olof Kordina, Takeshi Ohshima, Nguyen Tien Son, Erik Janzen, Joerg Wrachtrup

PHYSICAL REVIEW APPLIED　6　(3)　2016年9月

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.6.034001 　

ISSN：2331-7019
Towards a spin-ensemble quantum memory for superconducting qubits 査読有り

Grezes Cecile, Kubo Yuimaru, Julsgaard Brian, Umeda Takahide, Isoya Junichi, Sumiya Hitoshi, Abe Hiroshi, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi, Nakamura Kazuo, Diniz Igor, Auffeves Alexia, Jacques Vincent, Roch Jean-Francois, Vion Denis, Esteve Daniel, Moelmer Klaus, Bertet Patrice

Comptes Rendus Physique　17　(7)　693-704　2016年8月

DOI： 10.1016/j.crhy.2016.07.006 　

ISSN：1631-0705
Charge multiplication effect in thin diamond films 査読有り

N. Skukan, V. Grilj, I. Sudić, M. Pomorski, W. Kada, T. Makino, Y. Kambayashi, Y. Andoh, S. Onoda, S. Sato, T. Ohshima, T. Kamiya, M. Jakšić

Applied Physics Letters　109　(4)　043502　2016年7月

DOI： 10.1063/1.4959863 　

ISSN：0003-6951
Change in characteristics of SiC MOSFETs by gamma-ray irradiation at high temperature 査読有り

Takuma Matsuda, Takuma Matsuda, Takashi Yokoseki, Takashi Yokoseki, Satoshi Mitomo, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Koichi Murata, Takahiro Makino, Hiroshi Abe, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　858　860-863　2016年5月

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.860 　

ISSN：0255-5476
Epitaxial layer thickness dependence on heavy ion induced charge collection in 4H-SiC Schottky barrier diodes 査読有り

Takahiro Makino, Shinobu Onoda, Norihiro Hoshino, Hidekazu Tsuchida, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　858　753-756　2016年5月

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.753 　

ISSN：0255-5476
InGaP/GaAs heterojunction photosensor powered by an on-chip GaAs solar cell for energy harvesting 査読有り

Phuc Hong Than, Kazuo Uchida, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Shinji Nozaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(4)　2016年4月

DOI： 10.7567/JJAP.55.04ES09 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
The evaluation of radiation damage parameter for CVD diamond

V. Grilj, N. Skukan, M. Jaksic, M. Pomorski, W. Kada, T. Kamiya, T. Ohshima

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　372　161-164　2016年4月

DOI： 10.1016/j.nimb.2015.12.046 　

ISSN：0168-583X

eISSN：1872-9584
Investigation of electrically-active deep levels in single-crystalline diamond by particle-induced charge transient spectroscopy

W. Kada, Y. Kambayashi, Y. Kambayashi, Y. Ando, Y. Ando, S. Onoda, H. Umezawa, Y. Mokuno, S. Shikata, T. Makino, M. Koka, O. Hanaizumi, T. Kamiya, T. Ohshima

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　372　151-155　2016年4月1日

DOI： 10.1016/j.nimb.2015.12.044 　

ISSN：0168-583X

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c 2016 Elsevier B.V. All rights reserved. To investigate electrically-active deep levels in high-resistivity single-crystalline diamond, particle-induced charge transient spectroscopy (QTS) techniques were performed using 5.5 MeV alpha particles and 9 MeV carbon focused microprobes. For unintentionally-doped (UID) chemical vapor deposition (CVD) diamond, deep levels with activation energies of 0.35 eV and 0.43 eV were detected which correspond to the activation energy of boron acceptors in diamond. The results suggested that alpha particle and heavy ion induced QTS techniques are the promising candidate for in-situ investigation of deep levels in high-resistivity semiconductors.
Electronic properties of defects in high-fluence electron-irradiated bulk GaN 査読有り

Tran Thien Duc, Galia Pozina, Nguyen Tien Son, Takeshi Ohshima, Erik Janzen, Carl Hemmingsson

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　253　(3)　521-526　2016年3月

DOI： 10.1002/pssb.201552521 　

ISSN：0370-1972

eISSN：1521-3951
Deep levels in as-grown and electron-irradiated n-type GaN studied by deep level transient spectroscopy and minority carrier transient spectroscopy 査読有り

Tran Thien Duc, Galia Pozina, Nguyen Tien Son, Olof Kordina, Erik Janzen, Takeshi Ohshima, Carl Hemmingsson

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　119　(9)　2016年3月

DOI： 10.1063/1.4943029 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Engineering single defects in silicon carbide bulk, nanostructures and devices 査読有り

A. Lohrmann, B. C. Johnson, A. F.M. Almutairi, D. W.M. Lau, M. Negri, M. Bosi, B. C. Gibson, J. C. McCallum, A. Gali, T. Ohshima, S. Castelletto

Materials Science Forum　858　312-317　2016年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.312 　

ISSN：0255-5476
Characterization of 4H-SiC nMOSFETs in harsh environments, high-temperature and high gamma-ray radiation 査読有り

S. I. Kuroki, H. Nagatsuma, M. de Silva, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Kikkawa, T. Makino, T. Ohshima, M. Östling, C. M. Zetterling

Materials Science Forum　858　864-867　2016年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.864 　

ISSN：0255-5476
Relationship between C-face defects and threshold-voltage instability in C-face 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance 査読有り

G. W. Kim, R. Arai, S. J. Ma, M. Okamoto, H. Yoshioka, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima, T. Umeda

Materials Science Forum　858　591-594　2016年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.591 　

ISSN：0255-5476
Activation and control of visible single defects in 4H-, 6H-, and 3C-SiC by oxidation 査読有り

A. Lohrmann, S. Castelletto, J. R. Klein, T. Ohshima, M. Bosi, M. Negri, D. W. M. Lau, B. C. Gibson, S. Prawer, J. C. McCallum, B. C. Johnson

APPLIED PHYSICS LETTERS　108　(2)　2016年1月

DOI： 10.1063/1.4939906 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Analysis on Degradation Characteristics of Component Subcells in IMM Triple-Junction Solar Cells 査読有り

Mitsuru Imaizumi, Tatsuya Takamoto, Takeshi Ohshima

2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)　3396-3400　2016年

ISSN：0160-8371
Thermal stability of deep-level defects in high-purity semi-insulating 4H-SiC substrate studied by admittance spectroscopy

Naoya Iwamoto, Alexander Azarov, Takeshi Ohshima, Anne Marie M Moe, Bengt G. Svensson

Materials Science Forum　858　357-360　2016年1月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.357 　

ISSN：0255-5476
Radiation response of silicon carbide metal-oxide-semiconductor transistors in high dose region 査読有り

Ohshima Takeshi, Yokoseki Takashi, Murata Koichi, Matsuda Takuma, Mitomo Satoshi, Abe Hiroshi, Makino Takahiro, Onoda Shinobu, Hijikata Yasuto, Tanaka Yuki, Kandori Mikio, Okubo Shuichi, Yoshie Toru

Japanese Journal of Applied Physics　55　(1)　01AD01　2016年1月

DOI： 10.7567/JJAP.55.01AD01 　

ISSN：0021-4922
Gamma-ray irradiation response of the motor-driver circuit with SiC MOSFETs

Y. Kobayashi, T. Yokozeki, T. Yokozeki, T. Matsuda, T. Matsuda, S. Mitomo, S. Mitomo, K. Murata, K. Murata, M. Hachisuka, Y. Kaneko, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata

Materials Science Forum　858　868-871　2016年1月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.868 　

ISSN：0255-5476
Development of Single-Crystal CVD Diamond Detector with Embedded Living-Cell Cultivation Environment

Wataru Kada, Makoto Sakai, Michal Pomorski, Natko Skukan, Takahiro Makino, Milko Jak?i?, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Tomihiro Kamiya, Osamu Hanaizumi

GUMI AND AMDE 2016　57　2016年
Spectral response, carrier lifetime, and photocurrents of SiC photocathodes 査読有り

M. Kato, K. Miyake, T. Yasuda, M. Ichimura, T. Hatayama, T. Ohshima

Jpn. J. Appl. Phys.　55　(1)　01AC02　2016年1月
出版者・発行元： Institute of Physics
DOI： 10.7567/JJAP.55.01AC02 　

ISSN：0021-4922

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Silicon carbide (SiC) photocathode is one of the candidates for energy conversion from the solar light to hydrogen gas. The conversion efficiencies using SiC photocathodes are still low for practical use. In this study, to find origins of low conversion efficiency, we evaluated carrier lifetimes and depletion layer widths in SiC photocathodes and examined relationship of them with photocurrents. In addition, we observed spectral response of the photocurrents from the photocathodes. From these results, we found that enhancement of the carrier lifetime and the depletion layer width is effective for increase of the conversion efficiency for 4H- and 6H-SiC. 3C-SiC would have defects reducing the effective carrier lifetime, and thus decrease of such defects is essential for increase of the conversion efficiency using 3C-SiC.
Evaluation of radiation tolerance of perovskite solar cell for use in space 査読有り

Yu Miyazawa, Masashi Ikegami, Tsutomu Miyasaka, Takeshi Ohshima, Mitsuru Imaizumi, Kazuyuki Hirose

2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015　2015年12月14日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/PVSC.2015.7355859 　
Surface modifications of hydrogen storage alloy by heavy ion beams with keV to MeV irradiation energies 査読有り

Hiroshi Abe, Shinnosuke Tokuhira, Hirohisa Uchida, Takeshi Ohshima

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　365　214-217　2015年12月

DOI： 10.1016/j.nimb.2015.07.085 　

ISSN：0168-583X

eISSN：1872-9584
Investigation of the silicon vacancy color center for quantum key distribution 査読有り

Yan Liu, Petr Siyushev, Youying Rong, Botao Wu, Liam Paul McGuinness, Fedor Jelezko, Syuto Tamura, Takashi Tanii, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya, Takahiro Shinada, Heping Zeng, E. Wu

OPTICS EXPRESS　23　(26)　32961-32967　2015年12月

DOI： 10.1364/OE.23.032961 　

ISSN：1094-4087
Homoepitaxial diamond film growth: High purity, high crystalline quality, isotopic enrichment, and single color center formation 査読有り

Teraji Tokuyuki, Yamamoto Takashi, Watanabe Kenji, Koide Yasuo, Isoya Junichi, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi, Rogers Lachlan J, Jelezko Fedor, Neumann Philipp, Wrachtrup Joerg, Koizumi Satoshi

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　212　(11)　2365-2384　2015年11月

DOI： 10.1002/pssa.201532449 　

ISSN：1862-6300

eISSN：1862-6319
Subpicotesla Diamond Magnetometry 査読有り

Thomas Wolf, Philipp Neumann, Kazuo Nakamura, Hitoshi Sumiya, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya, Joerg Wrachtrup

PHYSICAL REVIEW X　5　(4)　041001　2015年10月

DOI： 10.1103/PhysRevX.5.041001 　

ISSN：2160-3308
Storage and retrieval of microwave fields at the single-photon level in a spin ensemble 査読有り

C. Grezes, B. Julsgaard, Y. Kubo, W. L. Ma, W. L. Ma, M. Stern, A. Bienfait, K. Nakamura, J. Isoya, S. Onoda, T. Ohshima, V. Jacques, D. Vion, D. Esteve, R. B. Liu, K. Mølmer, P. Bertet

Physical Review A　92　20301(R)　2015年8月

DOI： 10.1103/PhysRevA.92.020301 　

ISSN：1050-2947
Single-photon emitting diode in silicon carbide 査読有り

A. Lohrmann, N. Iwamoto, Z. Bodrog, S. Castelletto, T. Ohshima, T. J. Karle, A. Gali, S. Prawer, J. C. McCallum, B. C. Johnson

NATURE COMMUNICATIONS　6　2015年7月

DOI： 10.1038/ncomms8783 　

ISSN：2041-1723
High temperature annealing effects on deep-level defects in a high purity semi-insulating 4H-SiC substrate

Naoya Iwamoto, Alexander Azarov, Takeshi Ohshima, Anne Marie M. Moe, Bengt G. Svensson

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　118　(4)　2015年7月

DOI： 10.1063/1.4927040 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Atom-Photon Coupling from Nitrogen-vacancy Centres Embedded in Tellurite Microspheres 査読有り

Yinlan Ruan, Brant C. Gibson, Desmond W. M. Lau, Andrew D. Greentree, Hong Ji, Heike Ebendorff-Heidepriem, Brett C. Johnson, Takeshi Ohshima, Tanya M. Monro

SCIENTIFIC REPORTS　5　2015年6月

DOI： 10.1038/srep11486 　

ISSN：2045-2322
Single spin optically detected magnetic resonance with 60-90 GHz (E-band) microwave resonators 査読有り

Nabeel Aslam, Matthias Pfender, Rainer Stoehr, Philipp Neumann, Marc Scheffler, Hitoshi Sumiya, Hiroshi Abe, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya, Joerg Wrachtrup

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS　86　(6)　064704　2015年6月

DOI： 10.1063/1.4922664 　

ISSN：0034-6748

eISSN：1089-7623
Instability of Critical Electric Field in Gate Oxide Film of Heavy Ion Irradiated SiC MOSFETs 査読有り

Manato Deki, Takahiro Makino, Kazutoshi Kojima, Takuro Tomita, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　Vol.821-823　673-676　2015年5月

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.673 　

ISSN：1662-9752
Radiation hardness of n-type SiC Schottky barrier diodes irradiated with MeV He ion microbeam

Zeljko Pastuovic, Ivana Capan, David D. Cohen, Jacopo Forneris, Naoya Iwamoto, Takeshi Ohshima, Rainer Siegele, Norihiro Hoshino, Hidekazu Tsuchida

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　348　233-239　2015年4月

DOI： 10.1016/j.nimb.2014.12.064 　

ISSN：0168-583X

eISSN：1872-9584
Coherent control of single spins in silicon carbide at room temperature 査読有り

Matthias Widmann, Sang-Yun Lee, Torsten Rendler, Nguyen Tien Son, Helmut Fedder, Seoyoung Paik, Li-Ping Yang, Nan Zhao, Sen Yang, Ian Booker, Andrej Denisenko, Mohammad Jamali, S. Ali Momenzadeh, Ilja Gerhardt, Takeshi Ohshima, Adam Gali, Erik Janzen, Joerg Wrachtrup

NATURE MATERIALS　14　(2)　164-168　2015年2月

DOI： 10.1038/NMAT4145 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Isolated electron spins in silicon carbide with millisecond coherence times 査読有り

David J. Christle, Abram L. Falk, Paolo Andrich, Paul V. Klimov, Jawad Ul Hassan, Nguyen T. Son, Erik Janzen, Takeshi Ohshima, David D. Awschalom

NATURE MATERIALS　14　(2)　160-163　2015年2月

DOI： 10.1038/NMAT4144 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Effects of Electrical Stress and High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor 査読有り

Phuc Hong Than, Kazuo Uchida, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Shinji Nozaki

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.　1792　(-)　DOI:10.1557/opl.2015.403--　2015年
出版者・発行元： Cambridge Journals
DOI： 10.1557/opl.2015.403 　
Instability of critical electric field in gate oxide film of heavy ion irradiated SiC MOSFETs 査読有り

Manato Deki, Takahiro Makino, Kazutoshi Kojima, Takuro Tomita, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　821-823　673-676　2015年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.673 　

ISSN：0255-5476
Nanodiamond in tellurite glass Part II: Practical nanodiamond-doped fibers 査読有り

Yinlan Ruan, Hong Ji, Brett C. Johnson, Takeshi Ohshima, Andrew D. Greentree, Brant C. Gibson, Tanya M. Monro, Heike Ebendorff-Heidepriem

Optical Materials Express　5　(1)　73-87　2015年
出版者・発行元： Optical Society of America (OSA)
DOI： 10.1364/OME.5.000073 　

ISSN：2159-3930
Low-Loss Tellurite Fibers With Embedded Nanodiamonds 査読有り

Heike Ebendorff-Heidepriem, Yinlan Ruan, Hong Ji, Brett C. Johnson, Takeshi Ohshima, Andrew D. Greentree, Brant C. Gibson, Tanya M. Monro

2015 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)　2015年

ISSN：2160-9020
Atom-Photon Coupling from Nitrogen-vacancy Centers Embedded in Tellurite Microspheres 査読有り

Yinlan Ruan, Brant C. Gibson, Desmond W. M. Lau, Andrew D. Greentree, Hong Ji, Heike Ebendorff-Heidepriem, Brett C. Johnson, Takeshi Ohshima, Tanya M. Monro

2015 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)　2015年

ISSN：2160-9020
The effect of luminescence coupling in external quantum efficiency measurement of multi-junction solar cells 査読有り

Mitsunobu Sugai, Mitsuru Imaizumi, Tetsuya Nakamura, Takeshi Ohshima

2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)　2015年

ISSN：0160-8371
Development of Space Solar Sheet with Inverted Triple-junction Cells 査読有り

Hiroshi Yamaguchi, Ryo Ijichi, Yoshiyuki Suzuki, Sachiyo Ooka, Keiji Shimada, Naoki Takahashi, Hidetoshi Washio, Kazuyo Nakamura, Tatsuya Takamoto, Mitsuru Imaizumi, Taishi Sumita, Kazunori Shimazaki, Tetsuya Nakamura, Takeshi Ohshima

2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)　2015年

ISSN：0160-8371
Singlet levels of the NV(-)centre in diamond 査読有り

L. J. Rogers, M. W. Doherty, M. S. J. Barson, S. Onoda, T. Ohshima, N. B. Manson

NEW JOURNAL OF PHYSICS　17　2015年1月

DOI： 10.1088/1367-2630/17/1/013048 　

ISSN：1367-2630
X-Ray Characterization of Short Pulse Laser Illuminated Hydrogen Storage Alloys Having Very High Performance 査読有り

Hiroyuki Daido, Hiroshi Abe, Takashi Shobu, Takuya Shimomura, Shinnosuke Tokuhira, Yusuke Takenaka, Takehiro Furuyama, Akihiko Nishimura, Hirohisa Uchida, Takeshi Ohshima

X-RAY LASERS AND COHERENT X-RAY SOURCES: DEVELOPMENT AND APPLICATIONS XI　9589　2015年

DOI： 10.1117/12.2186898 　

ISSN：0277-786X
Ion-induced anomalous charge collection mechanisms in SiC Schottky barrier diodes 査読有り

Takahiro Makino, Manato Deki, Shinobu Onoda, Norihiro Hoshino, Hidekazu Tsuchida, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　821-823　575-578　2015年1月

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.575 　

ISSN：0255-5476
Recovery of the electrical characteristics of SiC MOSFETs irradiated with gamma-rays by thermal treatments 査読有り

Takashi Yokoseki, Takashi Yokoseki, Hiroshi Abe, Takahiro Makino, Shinobu Onoda, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　821-823　705-708　2015年1月

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.705 　

ISSN：0255-5476
Soft errors in silicon-on-insulator static random access memory induced by high-energy heavy-ion irradiation

Satoshi Abo, Masatoshi Hazama, Fujio Wakaya, Takahiro Makino, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Hidekazu Oda, Mikio Takai

Proceedings of the 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (11th-RASEDA), 11-13 November 2015, Gunma, Japan　105-108　2015年
Development of diagnostic method for deep levels in semiconductors using charge induced by heavy ion microbeams

Wataru Kada, Yuya Kambayashi, Yuya Kambayashi, Naoya Iwamoto, Naoya Iwamoto, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Masashi Koka, Tomihiro Kamiya, Norihiro Hoshino, Hidekazu Tsuchida, Kazutoshi Kojima, Osamu Hanaizumi, Takeshi Ohshima

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　348　240-245　2015年1月1日

DOI： 10.1016/j.nimb.2014.12.054 　

ISSN：0168-583X

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c 2015 Elsevier B.V. All rights reserved. In order to study defects that create deep energy levels in semiconductors which act as carrier traps, Charge Transient Spectroscopy using heavy ion microbeams (HIQTS) was developed at JAEA Takasaki. The HIQTS system was connected with the heavy ion microbeam line of the 3 MV Tandem accelerator. Using the HIQTS system, deep levels in 4H-SiC Schottky barrier diodes irradiated with 3 MeV-protons were studied. As a result, a HIQTS peak with an activation energy of 0.73 eV was observed. In addition, local damage in 6H-SiC pn diodes partially irradiated with 12 MeV-O ion microbeams was studied using HIQTS. With increasing 12 MeV-O ion fluence, charge collection efficiency in locally damaged areas decreased and HIQTS signals increased.
New application of NV centers in CVD diamonds as a fluorescent nuclear track detector

Shinobu Onoda, Moriyoshi Haruyama, Moriyoshi Haruyama, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Takeshi Ohshima

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science　212　(11)　2641-2644　2015年1月1日

DOI： 10.1002/pssa.201532219 　

ISSN：1862-6300

eISSN：1862-6319
Fluorescence Polarization Switching from a Single Silicon Vacancy Colour Centre in Diamond.

Liu Yan, Chen Gengxu, Rong Youying, McGuinness Liam Paul, Jelezko Fedor, Tamura Syuto, Tanii Takashi, Teraji Tokuyuki, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi, Isoya Junichi, Shinada Takahiro, Wu E, Zeng Heping

Scientific reports　5　2015年

DOI： 10.1038/srep12244 　

ISSN：2045-2322

eISSN：2045-2322
High Proton Radiation Tolerance of InAsSb Quantum-Well-Based micro-Hall Sensors 査読有り

Abdelkader Abderrahmane, Pil Ju Ko, Hiroshi Okada, Shin-Ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Ichiro Shibasaki, Adarsh Sandhu

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS　35　(12)　1305-1307　2014年12月

DOI： 10.1109/LED.2014.2359879 　

ISSN：0741-3106

eISSN：1558-0563
Charge Collection Characteristics of A Super-Thin Diamond Membrane Detector Measured With High-Energy Heavy Ions 査読有り

N. Iwamoto, T. Makino, W. Kada, N. Skukan, M. Pomorski, V. Grilj, M. Jaksic, S. Onoda, T. Ohshima, T. Kamiya

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　61　(6)　3732-3738　2014年12月

DOI： 10.1109/TNS.2014.2360937 　

ISSN：0018-9499

eISSN：1558-1578
Proton Irradiation Enhancement of Low-Field Negative Magnetoresistance Sensitivity of AlGaN/GaN-Based Magnetic Sensor at Cryogenic Temperature 査読有り

Abdelkader Abderrahmane, Pil Ju Ko, Hiroshi Okada, Shin-Ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Adarsh Sandhu

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS　35　(11)　1130-1132　2014年11月

DOI： 10.1109/LED.2014.2358613 　

ISSN：0741-3106

eISSN：1558-0563
Array of bright silicon-vacancy centers in diamond fabricated by low-energy focused ion beam implantation 査読有り

Syuto Tamura, Godai Koike, Akira Komatsubara, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Liam P. McGuinness, Lachlan Rogers, Boris Naydenov, E. Wu, Liu Yan, Fedor Jelezko, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya, Takahiro Shinada, Takashi Tanii

APPLIED PHYSICS EXPRESS　7　(11)　115201　2014年11月

DOI： 10.7567/APEX.7.115201 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Radiation-induced defects in GaN bulk grown by halide vapor phase epitaxy 査読有り

Tran Thien Duc, Galia Pozina, Nguyen Tien Son, Erik Janzen, Takeshi Ohshima, Carl Hemmingsson

APPLIED PHYSICS LETTERS　105　(10)　2014年9月

DOI： 10.1063/1.4895390 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Room Temperature Quantum Emission from Cubic Silicon Carbide Nanoparticles 査読有り

Stefania Castelletto, Brett C. Johnson, Cameron Zachreson, David Beke, Istvan Balogh, Takeshi Ohshima, Igor Aharonovich, Adam Gali

ACS NANO　8　(8)　7938-7947　2014年8月

DOI： 10.1021/nn502719y 　

ISSN：1936-0851

eISSN：1936-086X
Influence of Heavy Ion Irradiation on Perpendicular-Anisotropy CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

Daisuke Kobayashi, Yuya Kakehashi, Kazuyuki Hirose, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Eli Christopher Enobio, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　61　(4)　1710-1716　2014年8月

DOI： 10.1109/TNS.2014.2304738 　

ISSN：0018-9499

eISSN：1558-1578
Isotopic identification of engineered nitrogen-vacancy spin qubits in ultrapure diamond 査読有り

T. Yamamoto, S. Onoda, T. Ohshima, T. Teraji, K. Watanabe, S. Koizumi, T. Umeda, L. P. McGuinness, C. Mueller, B. Naydenov, F. Dolde, H. Fedder, J. Honert, M. L. Markham, D. J. Twitchen, J. Wrachtrup, F. Jelezko, J. Isoya

PHYSICAL REVIEW B　90　(8)　081117(R)　2014年8月

DOI： 10.1103/PhysRevB.90.081117 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Continuous observation of polarization effects in thin SC-CVD diamond detector designed for heavy ion microbeam measurement 査読有り

Wataru Kada, Naoya Iwamoto, Takahiro Satoh, Shinobu Onoda, Veljko Grilj, Natko Skukan, Masashi Koka, Takeshi Ohshima, Milko Jaksic, Tomihiro Kamiya

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　331　113-116　2014年7月

DOI： 10.1016/j.nimb.2013.11.040 　

ISSN：0168-583X

eISSN：1872-9584
Multimode Storage and Retrieval of Microwave Fields in a Spin Ensemble 査読有り

C. Grezes, B. Julsgaard, Y. Kubo, M. Stern, T. Umeda, J. Isoya, H. Sumiya, H. Abe, S. Onoda, T. Ohshima, V. Jacques, J. Esteve, D. Vion, D. Esteve, K. Molmer, P. Bertet

PHYSICAL REVIEW X　4　(2)　021049　2014年6月

DOI： 10.1103/PhysRevX.4.021049 　

ISSN：2160-3308
Study of Proton Irradiation Effects on p- and n-Type GaN Based-on Two-Terminal Resistance Dependence on 380 keV Proton Fluence 査読有り

Hiroshi Okada, Yuki Okada, Hiroto Sekiguchi, Akihiro Wakahara, Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS　E97C　(5)　409-412　2014年5月

DOI： 10.1587/transele.E97.C.409 　

ISSN：1745-1353
In vivo imaging and tracking of individual nanodiamonds in drosophila melanogaster embryos 査読有り

David A. Simpson, Amelia J. Thompson, Mark Kowarsky, Nida F. Zeeshan, Michael S. J. Barson, Liam T. Hall, Yan Yan, Stefan Kaufmann, Brett C. Johnson, Takeshi Ohshima, Frank Caruso, Robert E. Scholten, Robert B. Saint, Michael J. Murray, Lloyd C. L. Hollenberg

BIOMEDICAL OPTICS EXPRESS　5　(4)　1250-1261　2014年4月

DOI： 10.1364/BOE.5.001250 　

ISSN：2156-7085
Observation of deep levels and their hole capture behavior in p-type 4H-SiC epilayers with and without electron irradiation 査読有り

Masashi Kato, Kazuki Yoshihara, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(4)　04EP09　2014年4月

DOI： 10.7567/JJAP.53.04EP09 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
耐放射線性半導体デバイスの開発

田中保宣, 小野田忍, 大島武

放射線　39　(4)　185-188　2014年2月
出版者・発行元：応用物理学会放射線分科会
ISSN：0285-3604
Quantum error correction in a solid-state hybrid spin register 査読有り

G. Waldherr, Y. Wang, S. Zaiser, M. Jamali, T. Schulte-Herbrueggen, H. Abe, T. Ohshima, J. Isoya, J. F. Du, P. Neumann, J. Wrachtrup

NATURE　506　(7487)　204-+　2014年2月

DOI： 10.1038/nature12919 　

ISSN：0028-0836

eISSN：1476-4687
A silicon carbide room-temperature single-photon source 査読有り

S. Castelletto, B. C. Johnson, V. Ivady, N. Stavrias, T. Umeda, A. Gali, T. Ohshima

NATURE MATERIALS　13　(2)　151-156　2014年2月

DOI： 10.1038/nmat3806 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
The study of dependency of external quantum efficiency of triple-junction solar cells on measurement condition 査読有り

Mitsunobu Sugai, Jiro Harada, Mitsuru Imaizumi, Tetsuya Nakamura, Takeshi Ohshima

2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)　2605-2610　2014年
Development of irradiation methods and degradation modeling for state-of-the-art space solar cells 査読有り

Takeshi Ohshima, Shin-ichiro Sato, Taishi Sumita, Tetsuya Nakamura, Mitsuru Imaizumi

ENERGY HARVESTING AND STORAGE: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS V　9115　2014年

DOI： 10.1117/12.2052810 　

ISSN：0277-786X
C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance 査読有り

T. Umeda, M. Okamoto, R. Arai, Y. Satoh, R. Kosugi, S. Harada, H. Okumura, T. Makino, T. Ohshima

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2　778-780　414-+　2014年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.414 　

ISSN：0255-5476
Effect of Annealing on Proton Irradiated AlGaN/GaN based micro-Hall sensors 査読有り

A. Abderrahmane, H. Takahashi, T. Tashiro, P. J. Ko, H. Okada, S. Sato, T. Ohshima, A. Sandhu

IRAGO CONFERENCE 2013　1585　123-127　2014年

DOI： 10.1063/1.4866629 　

ISSN：0094-243X
Partial recovery of the magnetoelectrical properties of AlGaN/GaN-based micro-Hall sensors irradiated with protons 査読有り

A. Abderrahmane, T. Tashiro, H. Takahashi, P. J. Ko, H. Okada, S. Sato, T. Ohshima, A. Sandhu

APPLIED PHYSICS LETTERS　104　(2)　2014年1月

DOI： 10.1063/1.4861902 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Opportunity of single atom control for quantum processing in silicon and diamond 査読有り

Takahiro Shinada, Prati Enrico, Syuto Tamura, Takashi Tanii, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Liam P. McGuinness, Lachlan Rogers, Boris Naydenov, Fedor Jelezko, Junichi Isoya

2014 IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW)　2014年

ISSN：2161-4636
鉛エミッタを用いた自己出力型γ線検出器(SPGD)の開発

柴田晃, 武内伴照, 大塚紀彰, 斎藤隆, 小野田忍, 大島武, 土谷邦彦

日本原子力研究開発機構JAEA-Technology(Web)　(2013-043)　WEB ONLY　2014年1月
Hydrogen at zinc vacancy of ZnO: an EPR and ESEEM study 査読有り

N. T. Son, J. Isoya, I. G. Ivanov, T. Ohshima, E. Janzen

INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEFECTS IN SEMICONDUCTORS 2013　1583　341-344　2014年

DOI： 10.1063/1.4865666 　

ISSN：0094-243X
Quantum-Well Solar Cells for Space: The Impact of Carrier Removal on End-of-Life Device Performance 査読有り

R. Hoheisel, M. Gonzalez, M. P. Lumb, D. A. Scheiman, S. R. Messenger, C. G. Bailey, J. Lorentzen, T. N. D. Tibbits, M. Imaizumi, T. Ohshima, S. Sato, P. P. Jenkins, R. J. Walters

IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS　4　(1)　253-259　2014年1月

DOI： 10.1109/JPHOTOV.2013.2289935 　

ISSN：2156-3381
Radiation-Induced Currents in 4H-SiC Dosimeters for Real-Time Gamma-Ray Dose Rate Monitoring 査読有り

Natsuko Fujita, Naoya Iwamoto, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2　778-780　1042-1045　2014年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.1042 　

ISSN：0255-5476
Ternperature Dependence of Electric Conductivities in Femtosecond Laser Modified Areas in Silicon Carbide 査読有り

Manato Deki, Tomoki Oka, Shodai Takayoshi, Yoshiki Naoi, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Takuro Tomita

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2　778-780　661-+　2014年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.661 　

ISSN：0255-5476
Impact of carrier lifetime on efficiency of photolytic hydrogen generation by p-type SIC 査読有り

Keiko Miyake, Tomonari Yasuda, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2　778-780　503-+　2014年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.503 　

ISSN：0255-5476
Single Event Gate Rupture in SiC MOS Capacitors with Different Gate Oxide Thicknesses 査読有り

Manato Deki, T. Makino, K. Kojima, T. Tomita, T. Ohshima

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2　778-780　440-+　2014年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.440 　

ISSN：0255-5476
Defect Levels in High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Studied by Alpha Particle Induced Charge Transient Spectroscopy 査読有り

Naoya Iwamoto, Shinobu Onoda, Natsuko Fujita, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2　778-780　289-292　2014年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.289 　

ISSN：0255-5476
Identification of structures of the deep levels in 4H-SiC 査読有り

Hiroki Nakane, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Takeshi Ohshima

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2　778-780　277-+　2014年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.277 　

ISSN：0255-5476
Annealing of Electron Irradiated, Thick, Ultrapure 4H SiC between 1100 degrees C and 1500 degrees C and Measurements of Lifetime and Photoluminescence 査読有り

W. M. Klahold, R. P. Devaty, W. J. Choyke, K. Kawahara, T. Kimoto, T. Ohshima

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2　778-780　273-+　2014年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.273 　

ISSN：0255-5476
Linear energy transfer dependence of single event gate rupture in SiC MOS capacitors 査読有り

Manato Deki, Takahiro Makino, Naoya Iwamoto, Shinobu Onoda, Kazutoshi Kojima, Takuro Tomita, Takeshi Ohshima

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　319　75-78　2014年1月

DOI： 10.1016/j.nimb.2013.09.014 　

ISSN：0168-583X

eISSN：1872-9584
An ultra-thin diamond membrane as a transmission particle detector and vacuum window for external microbeams 査読有り

V. Grilj, N. Skukan, M. Pomorski, W. Kada, N. Iwamoto, T. Kamiya, T. Ohshima, M. Jaksic

APPLIED PHYSICS LETTERS　103　(24)　243106　2013年12月

DOI： 10.1063/1.4833236 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Enhanced Charge Collection by Single Ion Strike in AlGaN/GaN HEMTs 査読有り

S. Onoda, A. Hasuike, Y. Nabeshima, H. Sasaki, K. Yajima, S-i. Sato, T. Ohshima

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　60　(6)　4446-4450　2013年12月

DOI： 10.1109/TNS.2013.2289373 　

ISSN：0018-9499

eISSN：1558-1578
Strongly coupled diamond spin qubits by molecular nitrogen implantation 査読有り

Takashi Yamamoto, Christoph Mueller, Liam P. McGuinness, Tokuyuki Teraji, Boris Naydenov, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Joerg Wrachtrup, Fedor Jelezko, Junichi Isoya

PHYSICAL REVIEW B　88　(20)　201201　2013年11月

DOI： 10.1103/PhysRevB.88.201201 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Temperature influence on performance degradation of hydrogenated amorphous silicon solar cells irradiated with protons 査読有り

Shin-ichiro Sato, Hitoshi Sai, Takeshi Ohshima, Mitsuru Imaizumi, Kazunori Shimazaki, Michio Kondo

PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS　21　(7)　1499-1506　2013年11月

DOI： 10.1002/pip.2342 　

ISSN：1062-7995

eISSN：1099-159X
Ion-induced changes in semiconductor properties of hydrogenated amorphous silicon 査読有り

Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　314　153-157　2013年11月

DOI： 10.1016/j.nimb.2013.05.042 　

ISSN：0168-583X

eISSN：1872-9584
Degradation Behavior of Flexible a-Si/a-SiGe/a-SiGe Triple-Junction Solar Cells Irradiated With Protons 査読有り

Shin-ichiro Sato, Kevin Beernink, Takeshi Ohshima

IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS　3　(4)　1415-1422　2013年10月

DOI： 10.1109/JPHOTOV.2013.2271672 　

ISSN：2156-3381
Extending spin coherence times of diamond qubits by high-temperature annealing 査読有り

T. Yamamoto, T. Umeda, K. Watanabe, S. Onoda, M. L. Markham, D. J. Twitchen, B. Naydenov, L. P. McGuinness, T. Teraji, S. Koizumi, F. Dolde, H. Fedder, J. Honert, J. Wrachtrup, T. Ohshima, F. Jelezko, J. Isoya

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　88　(7)　075206　2013年8月23日

DOI： 10.1103/PhysRevB.88.075206 　

ISSN：1098-0121 1550-235X

eISSN：1550-235X
Magnetic resonance identification of hydrogen at a zinc vacancy in ZnO 査読有り

Nguyen Tien Son, Junichi Isoya, Ivan G. Ivanov, Takeshi Ohshima, Erik Janzen

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　25　(33)　335804　2013年8月

DOI： 10.1088/0953-8984/25/33/335804 　

ISSN：0953-8984
Heavy-Ion Induced Anomalous Charge Collection From 4H-SiC Schottky Barrier Diodes 査読有り

Takahiro Makino, Manato Deki, Naoya Iwamoto, Shinobu Onoda, Norihiro Hoshino, Hidekazu Tsuchida, Toshio Hirao, Takeshi Ohshima

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　60　(4)　2647-2650　2013年8月

DOI： 10.1109/TNS.2013.2243469 　

ISSN：0018-9499
Effects of ultra-intense laser driven proton beam on the hydriding property of palladium 査読有り

Hiroshi Abe, Satoshi Orimo, Masahiko Kishimoto, Shigeo Aone, Hirohisa Uchida, Hiroyuki Daido, Takeshi Ohshima

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　307　218-220　2013年7月

DOI： 10.1016/j.nimb.2013.01.024 　

ISSN：0168-583X

eISSN：1872-9584
Detection of atomic spin labels in a lipid bilayer using a single-spin nanodiamond probe 査読有り

Stefan Kaufmann, David A. Simpson, Liam T. Hall, Viktor Perunicic, Philipp Senn, Steffen Steinert, Liam P. McGuinness, Brett C. Johnson, Takeshi Ohshima, Frank Caruso, Joerg Wrachtrup, Robert E. Scholten, Paul Mulvaney, Lloyd Hollenberg

PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA　110　(27)　10894-10898　2013年7月

DOI： 10.1073/pnas.1300640110 　

ISSN：0027-8424
Experimental implementation of assisted quantum adiabatic passage in a single spin 査読有り

Jingfu Zhang, Jeong Hyun Shim, Ingo Niemeyer, T. Taniguchi, T. Teraji, H. Abe, S. Onoda, T. Yamamoto, T. Ohshima, J. Isoya, Dieter Suter

Physical Review Letters　110　(24)　240501　2013年6月11日

DOI： 10.1103/PhysRevLett.110.240501 　

ISSN：0031-9007 1079-7114

eISSN：1079-7114
Electronic Transport Transition of Hydrogenated Amorphous Silicon Irradiated With Self Ions 査読有り

Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　60　(3)　2288-2299　2013年6月

DOI： 10.1109/TNS.2013.2261320 　

ISSN：0018-9499

eISSN：1558-1578
Effect of proton irradiation on AlGaN/GaN micro-Hall sensors 査読有り

Abderrahmane, A, Koide, S, Okada, H, Takahashi, H, Sato, S, Ohshima, T, Sandhu, A

APPLIED PHYSICS LETTERS　102　(19)　2013年5月

DOI： 10.1063/1.4805357 　

ISSN：0003-6951
Effects of radiation-induced defects on the charge collection efficiency of a silicon carbide particle detector 査読有り

Iwamoto Naoya, Onoda Shinobu, Makino Takahiro, Ohshima Takeshi, Kojima Kazutoshi, Nozaki Shinji

Micro- and Nanotechnology Sensors, Systems, and Applications　8725　2013年5月

DOI： 10.1117/12.2016464 　

ISSN：0277-786X
Defect-induced performance degradation of 4H-SiC Schottky barrier diode particle detectors 査読有り

N. Iwamoto, B. C. Johnson, N. Hoshino, M. Ito, H. Tsuchida, K. Kojima, T. Ohshima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　113　(14)　143714　2013年4月

DOI： 10.1063/1.4801797 　

ISSN：0021-8979
Broadband excitation by chirped pulses: Application to single electron spins in diamond

I. Niemeyer, J. H. Shim, J. Zhang, D. Suter, T. Taniguchi, T. Teraji, H. Abe, S. Onoda, T. Yamamoto, T. Ohshima, J. Isoya, F. Jelezko

New Journal of Physics　15　033027　2013年3月

DOI： 10.1088/1367-2630/15/3/033027 　

ISSN：1367-2630
SiC MOS interface states: Difference between Si face and C face 査読有り

T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, R. Arai, Y. Sato, T. Makino, T. Ohshima

ECS Transactions　58　(7)　55-60　2013年
出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.
DOI： 10.1149/05807.0055ecst 　

ISSN：1938-6737 1938-5862
Radiation Effects in Solar Cells 査読有り

Mitsuru Imaizumi, Takeshi Ohshima

MICRO- AND NANOTECHNOLOGY SENSORS, SYSTEMS, AND APPLICATIONS V　8725　2013年

DOI： 10.1117/12.2015362 　

ISSN：0277-786X
A Room Temperature Single Photon Source in Silicon Carbide 査読有り

S. Castelletto, B. C. Johnson, V. Ivady, N. Stavrias, T. Umeda, A. Gali, T. Ohshima

2013 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)　2013年

ISSN：2160-9020
Influence of Generated Charge by High Energy Ion Irradiation on Soft Error Rate in SOI SRAM 査読有り

M. Hazama, S. Abo, F. Wakaya, T. Makino, S. Onoda, T. Ohshima, T. Iwamatsu, H. Oda, M. Takai

JAEA Review　2013-059　8　2013年
Focused Microbeam Irradiation Effects in Transmission CVD Diamond Film Detectors 査読有り

Kada Wataru, Kamiya Tomihiro, Iwamoto Naoya, Onoda Shinobu, Grilj Veljko, Skukan Natko, Makino Takahiro, Koka Masashi, Satoh Takahiro, Jakšić Milko, Ohshima Takeshi

Transactions of the Materials Research Society of Japan　38　(2)　279-282　2013年
出版者・発行元： The Materials Research Society of Japan
DOI： 10.14723/tmrsj.38.279 　

ISSN：1382-3469

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The response of chemical vapor deposited (CVD) diamond thin film to focused ionized particle irradiation was investigated in order to evaluate the films use as a transmission detector for heavy ion hits from azimuthally varying field (AVF) cyclotron at the Takasaki Advanced Radiation Research Institute, Japan Atomic Energy Agency. A spectroscopic grade Single-Crystalline (SC) CVD diamond film with thickness of 50 μm was prepared and characterized by using an ion beam-induced charge (IBIC) system with a 3 MeV H⁺ microbeam and a transient ion beam-induced current (TIBIC) system with a 15 MeV O⁴⁺ microbeam. The IBIC signals decreased significantly during a short period of microbeam irradiation, whereas the signal responded satisfactorily to the alpha particles from an ²⁴¹Am radiation source. The peak degradation due to microbeam irradiation was quickly recovered by releasing the bias. These effects can be explained by terms of polarization due to charge capture by defects in the SC-CVD diamond.
Change in the electrical performance of GaAs solar cells with InGaAs quantum dot layers by electron irradiation 査読有り

T. Ohshima, S. Sato, M. Imaizumi, T. Nakamura, T. Sugaya, K. Matsubara, S. Niki

SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS　108　263-268　2013年1月

DOI： 10.1016/j.solmat.2012.09.027 　

ISSN：0927-0248

eISSN：1879-3398
Breakdown Voltage In Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Devices Induced By Ion Beams 査読有り

T. Ohshima, M. Deki, T. Makino, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Hirao, K. Kojima, T. Tomita, S. Matsuo, S. Hashimoto

APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY　1525　654-658　2013年

DOI： 10.1063/1.4802408 　

ISSN：0094-243X
Deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation 査読有り

Kazuki Yoshihara, Masashi Kato, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012　740-742　373-+　2013年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.373 　

ISSN：0255-5476
E-1/E-2 traps in 6H-SiC studied with Laplace deep level transient spectroscopy 査読有り

A. Koizumi, V. P. Markevich, N. Iwamoto, S. Sasaki, T. Ohshima, K. Kojima, T. Kimoto, K. Uchida, S. Nozaki, B. Hamilton, A. R. Peaker

APPLIED PHYSICS LETTERS　102　(3)　032104　2013年1月

DOI： 10.1063/1.4788814 　

ISSN：0003-6951
電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化 (シリコン材料・デバイス)

村田耕司, 森根達也, 松浦秀治, 小野田忍, 大島武

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報　112　(337)　13-18　2012年12月7日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN：0913-5685

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Si (Silicon) に比べ,放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は,次世代パワーデバイスとして注目されている.しかし,半導体デバイスの設計には詳細な物性パラメータが必要であるが,Si に比べSiC は放射線耐性についての詳細なデータが少ない.そのため当研究室ではvan der Pauw 法を用いたHall 効果測定によりキャリア密度と移動度の温度依存性を測定した.その結果,高エネルギーの電子線照射によりキャリア密度と移動度の減少が起こることが分かった.本研究では,各種散乱機構の内,実験で得られた正孔の移動度の変化に最も影響を与える散乱機構を検討する.
Transmission charged-particle detectors using CVD diamond thin film for single ion hit measurement

Wataru Kada, Takahiro Satoh, Takahiro Makino, Shinobu Onoda, Masashi Koka, Takeshi Ohshima, Tomihiro Kamiya, Veljko Grilj, Natko Skukan, Milko Jaksic

Proceedings of the 26th Workshop on Radiation Detectors and Their Uses　89-98　2012年12月1日
Influence of Heavy Ion Irradiation on Perpendicular-Anisotropy CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

Daisuke Kobayashi, Yuya Kakehashi, Kazuyuki Hirose, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanocuhi, Hideo Sato, Eli Christopher Enobio, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

JOURNAL OF LATEX CLASS FILES　11　(4)　1-3　2012年12月1日
Capacitance transient study of a bistable deep level in e(-)-irradiated n-type 4H-SiC 査読有り

F. C. Beyer, C. G. Hemmingsson, H. Pedersen, A. Henry, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, E. Janzen

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　45　(45)　455301(1-7)　2012年11月

DOI： 10.1088/0022-3727/45/45/455301 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Robust Hall Effect Magnetic Field Sensors for Operation at High Temperatures and in Harsh Radiation Environments 査読有り

Abderrahmane Abdelkader, Koide Shota, Sato Shin-Ichiro, Ohshima Takeshi, Sandhu Adarsh, Okada Hiroshi

Ieee Transactions on Magnetics　48　(11)　4421-4423　2012年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2012.2196986 　

ISSN：0018-9464
Negative-U System of Carbon Vacancy in 4H-SiC 査読有り

N. T. Son, X. T. Trinh, L. S. Lovlie, B. G. Svensson, K. Kawahara, J. Suda, T. Kimoto, T. Umeda, J. Isoya, T. Makino, T. Ohshima, E. Janzen

PHYSICAL REVIEW LETTERS　109　(18)　187603(1-5)　2012年10月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.109.187603 　

ISSN：0031-9007
Electron spin resonance detected by a superconducting qubit

Y. Kubo, I. Diniz, C. Grezes, T. Umeda, J. Isoya, H. Sumiya, T. Yamamoto, H. Abe, S. Onoda, T. Ohshima, V. Jacques, A. Dréau, J. F. Roch, A. Auffeves, D. Vion, D. Esteve, P. Bertet

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　86　2012年8月10日

DOI： 10.1103/PhysRevB.86.064514 　

ISSN：1098-0121
Spatial, LET and Range Dependence of Enhanced Charge Collection by Single Ion Strike in 4H-SiC MESFETs 査読有り

Onoda Shinobu, Makino Takahiro, Ono Shuich, Katakami Shuji, Arai Manabu, Ohshima Takeshi

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　59　(4)　742-748　2012年8月

DOI： 10.1109/TNS.2012.2195199 　

ISSN：0018-9499
SiC半導体デバイスの進展と放射線

田中保宣, 小野田忍, 大島武

放射線と産業　(132)　54-58　2012年6月1日
出版者・発行元：放射線利用振興協会
ISSN：0286-8873
Peak degradation of heavy-ion induced transient currents in 6H-SiC MOS capacitors

T. Makino, N. Iwamoto, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Ohshima, K. Kojima, S. Nozaki

Materials Science Forum　717-720　469-472　2012年5月28日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.469 　

ISSN：0255-5476
Defects in an electron-irradiated 6H-SiC diode studied by alpha particle induced charge transient spectroscopy: Their impact on the degraded charge collection efficiency

N. Iwamoto, N. Iwamoto, A. Koizumi, S. Onoda, T. Makino, T. Ohshima, K. Kojima, S. Koike, K. Uchida, S. Nozaki

Materials Science Forum　717-720　267-270　2012年5月28日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.267 　

ISSN：0255-5476
Anharmonic vibrations of the dicarbon antisite defect in 4H-SiC 査読有り

F. Yan, R. P. Devaty, W. J. Choyke, A. Gali, T. Kimoto, T. Ohshima, G. Pensl

APPLIED PHYSICS LETTERS　100　(13)　2012年3月

DOI： 10.1063/1.3699269 　

ISSN：0003-6951
Electrical Conduction Properties of SiC Modified by Femtosecond Laser 査読有り

Ito Takuto, Deki Manato, Tomita Takuro, Matsuo Shigeki, Hashimoto Shuichi, Kitada Takahiro, Isu Toshiro, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi

JOURNAL OF LASER MICRO NANOENGINEERING　7　(1)　16-20　2012年2月

DOI： 10.2961/jlmn.2012.01.0003 　

ISSN：1880-0688
Difference of soft error rates in SOI SRAM induced by various high energy ion species 査読有り

Satoshi Abo, Naoyuki Masuda, Fujio Wakaya, Tivadar Lohner, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Toshio Hirao, Takeshi Ohshima, Toshiaki Iwamatsu, Hidekazu Oda, Mikio Takai

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　273　262-265　2012年2月

DOI： 10.1016/j.nimb.2011.07.090 　

ISSN：0168-583X
Dopant effects on solid phase epitaxy in silicon and germanium 査読有り

B. C. Johnson, T. Ohshima, J. C. McCallum

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(3)　034906　2012年2月

DOI： 10.1063/1.3682532 　

ISSN：0021-8979
Excess Carrier Lifetime in p-Type 4H-SiC Epilayers with and without Low-Energy Electron Irradiation 査読有り

Masashi Kato, Yoshinori Matsushita, Masaya Ichimura, Tomoaki Hatayama, Takeshi Ohshima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(2)　028006-1-028006-2　2012年2月

DOI： 10.1143/JJAP.51.028006 　

ISSN：0021-4922
Diamonds Utilized in the Development of Single Ion Detector with High Spatial Resolution

Onoda Shinobu, Yamamoto Takashi, Ohshima Takeshi, Isoya Junichi, Teraji Tokuyuki, Watanabe Kenji

Transactions of the Materials Research Society of Japan　37　(2)　241-244　2012年
出版者・発行元： The Materials Research Society of Japan
DOI： 10.14723/tmrsj.37.241 　

ISSN：1382-3469

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We are developing the Ion Photon Emission Microscopy (IPEM) system at JAEA. To observe a map by IPEM, the position where an ion strikes a scintillator placed over a microelectronics circuit is recorded together with the ion induced event. Since the spatial resolution is determined by the spot size of the Ion Beam Induced Luminescence (IBIL), the scintillator is one of the most important parts of IPEM. In this study we propose that a diamond containing a high concentration of Nitrogen Vacancy (NV) centers can be used as a scintillator with high spatial resolution. For both Y₃Al₅O₁₂:Ce (YAG:Ce) and the diamond containing NV centers, the minimum spot size is a few micrometers. The IBIL intensity from the diamond containing NV centers is higher than that from YAG:Ce. According to these results, we suggest that a diamond containing NV centers is a rival candidate of a YAG:Ce from the point of view of single ion detection with high spatial resolution.
SiC MOS interface states: Similarity and dissimilarity from silicon 査読有り

T. Umeda, R. Kosugi, Y. Sakuma, Y. Satoh, H. Okamoto, S. Harada, T. Ohshima

ECS Transactions　50　(4)　305-311　2012年

DOI： 10.1149/05004.0305ecst 　

ISSN：1938-5862 1938-6737
Defect Levels in Low-Doped 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Detected by Using Alpha Particles 査読有り

N. Iwamoto, B. C. Johnson, N. Hoshino, M. Ito, H. Tsuchida, T. Ohshima

2012 CONFERENCE ON OPTOELECTRONIC AND MICROELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES (COMMAD 2012)　169-+　2012年

ISSN：1097-2137
STUDIES OF RADIATION EFFECTS ON SEMICONDUCTOR DEVICES AT JAEA 査読有り

Takeshi Ohshima

REPORT OF RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY, HOSEI UNIVERSITY, SUPPL NO 30　(30)　9-16　2012年

ISSN：0914-2908
Fabrication Of Single Photon Centres In Silicon Carbide 査読有り

B. C. Johnson, S. Castelletto, T. Ohshima, T. Umeda

2012 CONFERENCE ON OPTOELECTRONIC AND MICROELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES (COMMAD 2012)　217-+　2012年

ISSN：1097-2137
Local thermal expansion and the C-C stretch vibration of the dicarbon antisite in 4H SiC 査読有り

R.P. Devaty, F. Yan, W.J. Choyke, A. Gali, T. Kimoto, T. Ohshima

Materials Science Forum　717-720　263-266　2012年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.263 　
Spatial, LET and range dependence of enhanced charge collection by single ion strike in 4H-SiC MESFETs

S. Onoda, T. Makino, S. Ono, S. Katakami, M. Arai, T. Ohshima

Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS　36-41　2011年12月1日

DOI： 10.1109/RADECS.2011.6131381 　
Single-Alpha-Particle-Induced Charge Transient Spectroscopy of the 6H-SiC p(+)n Diode Irradiated With High-Energy Electrons 査読有り

Naoya Iwamoto, Atsushi Koizumi, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Kazutoshi Kojima, Shunpei Koike, Kazuo Uchida, Shinji Nozaki

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　58　(6)　3328-3332　2011年12月

DOI： 10.1109/TNS.2011.2167631 　

ISSN：0018-9499
Hybrid Quantum Circuit with a Superconducting Qubit Coupled to a Spin Ensemble 査読有り

Y. Kubo, C. Grezes, A. Dewes, T. Umeda, J. Isoya, H. Sumiya, N. Morishita, H. Abe, S. Onoda, T. Ohshima, V. Jacques, A. Dreau, J. -F. Roch, I. Diniz, A. Auffeves, D. Vion, D. Esteve, P. Bertet

PHYSICAL REVIEW LETTERS　107　(22)　220501　2011年11月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.107.220501 　

ISSN：0031-9007
Charge generated in 6H-SiC n(+)p diodes by MeV range heavy ions 査読有り

T. Ohshima, N. Iwamoto, S. Onoda, G. Wagner, H. Itoh, K. Kawano

SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY　206　(5)　864-868　2011年11月

DOI： 10.1016/j.surfcoat.2011.03.097 　

ISSN：0257-8972
Effect of a body-tie structure fabricated by partial trench isolation on the suppression of floating body effect induced soft errors in SOI SRAM investigated using nuclear probes 査読有り

Satoshi Abo, Naoyuki Masuda, Fujio Wakaya, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Toshio Hirao, Takeshi Ohshima, Toshiaki Iwamatsu, Hidekazu Oda, Mikio Takai

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　269　(20)　2360-2363　2011年10月

DOI： 10.1016/j.nimb.2011.02.053 　

ISSN：0168-583X
Behavior of nitrogen atoms in SiC-SiO2 interfaces studied by electrically detected magnetic resonance 査読有り

T. Umeda, K. Esaki, R. Kosugi, K. Fukuda, T. Ohshima, N. Morishita, J. Isoya

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(14)　142105　2011年10月

DOI： 10.1063/1.3644156 　

ISSN：0003-6951
Characterization of LiNbO

Miyazaki Hisashi, Morimoto Jun, Toda Kohji, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi

Jpn J Appl Phys　50　(7)　07HB07-07HB07-4　2011年7月25日
出版者・発行元： Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
DOI： 10.1143/JJAP.50.07HB07 　

ISSN：0021-4922

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Electron irradiation effects on lithium niobate (LiNbO₃) single crystals have been investigated by photoacoustic spectroscopy (PAS), Fourier transform infrared (FT-IR) spectroscopy, and Raman scattering spectroscopy. The photoacoustic signal intensity at 750 nm increase with increasing electron electron fluence. The OH- absorption spectra in the IR region are used to examine the defect structure of LiNbO₃. The absorption spectra are almost the same at electron fluencies below $5 \times 10^{17}$/cm2. We found that the influence of the electron irradiation was different between the mirror-polished side and the as-sliced side, as determined from the Raman spectra. There was no change in the Raman spectra on the mirror-polished LiNbO₃surface side. The control of the composition is most important to avoid the effects of electron irradiation.
Characterization of LiNbO3 Single-Crystal Substrates Irradiated with Electrons 査読有り

Hisashi Miyazaki, Jun Morimoto, Kohji Toda, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(7)　07HB07-1-07HB07-4　2011年7月

DOI： 10.1143/JJAP.50.07HB07 　

ISSN：0021-4922
耐放射線性の炭化ケイ素半導体デバイスの開発

大島武, 小野田忍, 田中保宣, 新井学

Isot News　(686)　8-12　2011年6月1日

ISSN：0285-5518
Defects at nitrogen site in electron-irradiated AlN 査読有り

N. T. Son, A. Gali, A. Szabo, M. Bickermann, T. Ohshima, J. Isoya, E. Janzen

APPLIED PHYSICS LETTERS　98　(24)　242116　2011年6月

DOI： 10.1063/1.3600638 　

ISSN：0003-6951
Temporal Donor Generation in Undoped Hydrogenated Amorphous Silicon Induced by Swift Proton Bombardment 査読有り

Shin-ichiro Sato, Hitoshi Sai, Takeshi Ohshima, Mitsuru Imaizumi, Kazunori Shimazaki, Michio Kondo

APPLIED PHYSICS EXPRESS　4　(6)　061401-1-061401-3　2011年6月

DOI： 10.1143/APEX.4.061401 　

ISSN：1882-0778
Annealing behavior of the EB-centers and M-center in low-energy electron irradiated n-type 4H-SiC 査読有り

F. C. Beyer, C. Hemmingsson, H. Pedersen, A. Henry, E. Janzen, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　109　(10)　103703　2011年5月

DOI： 10.1063/1.3586042 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
EPR Identification of Intrinsic Defects in SiC 査読有り

J. Isoya, T. Umeda, N. Mizuochi, Nguyen Tien Son, E. Janzén, T. Ohshima

Silicon Carbide　1　147-179　2011年4月28日
出版者・発行元： Wiley-VCH
DOI： 10.1002/9783527629053.ch6 　
Enhancement of local electrical conductivities in SiC by femtosecond laser modification 査読有り

Manato Deki, Takuto Ito, Minoru Yamamoto, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima

APPLIED PHYSICS LETTERS　98　(13)　133104　2011年3月

DOI： 10.1063/1.3573786 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Degradation mechanisms of cable insulation materials during radiation-thermal ageing in radiation environment 査読有り

Tadao Seguchi, Kiyotoshi Tamura, Takeshi Ohshima, Akihiko Shimada, Hisaaki Kudoh

RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY　80　(2)　268-273　2011年2月

DOI： 10.1016/j.radphyschem.2010.07.045 　

ISSN：0969-806X
Transient Analysis of an Extended Drift Region in a 6H-SiC Diode Formed by a Single Alpha Particle Strike and Its Contribution to the Increased Charge Collection 査読有り

N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, T. Ohshima, K. Kojima, A. Koizumi, K. Uchida, S. Nozaki

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　58　(1)　305-313　2011年2月

DOI： 10.1109/TNS.2010.2096432 　

ISSN：0018-9499
Radiation degradation and damage coefficients of InGaP/GaAs/Ge triple-junction solar cell by low-energy electrons 査読有り

Mitsuru Imaizumi, Chiharu Morioka, Taishi Sumita, Takeshi Ohshima, Shuichi Okuda

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　001579-001582　2011年

DOI： 10.1109/PVSC.2011.6186259 　

ISSN：0160-8371
Effect of Body-tie Structure Fabricated by Partial Trench Isolation for Suppression of Soft Errors in SOI SRAM Investigated by Helium and Oxygen Ion Probes 査読有り

S. Abo, N. Masuda, F. Wakaya, S. Onoda, T. Makino, T. Hirao, T. Ohshima, T. Iwamatsu, H. Oda, M. Takai

JAEA Review　2011-043　5　2011年
Reduction in Majority-Carrier Concentration in Lightly-Doped 4H-SiC Epilayers by Electron Irradiation 査読有り

Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Takunori Nojiri, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010　679-680　181-+　2011年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.181 　

ISSN：0255-5476
Compensation-Dependent Carrier Transport of Al-Doped p-Type 4H-SiC 査読有り

Atsushi Koizumi, Naoya Iwamoto, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Tsunenobu Kimoto, Kazuo Uchida, Shinji Nozaki

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010　679-680　201-+　2011年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.201 　

ISSN：0255-5476
Using Intrinsic Defect Spectra in 4H SiC as Imbedded Thermometers in the Temperature Range from 100 degrees C to 1500 degrees C 査読有り

F. Yan, A. Espenlaub, R. P. Devaty, T. Ohshima, W. J. Choyke

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010　679-680　237-+　2011年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.237 　

ISSN：0255-5476
Observation of bistable defects in electron irradiated n-type 4H-SiC 査読有り

Franziska C. Beyer, Carl Hemmingsson, Henrik Pedersen, Anne Henry, Junichi Isoya, Norio Morishita, Takeshi Ohshima, Erik Janzen

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010　679-680　249-+　2011年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.249 　

ISSN：0255-5476
Oxygen Ion Induced Charge in SiC MOS Capacitors Irradiated with Gamma-rays 査読有り

Takeshi Ohshima, Naoya Iwamoto, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Shinji Nozaki, Kazutoshi Kojima

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010　679-680　362-+　2011年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.362 　

ISSN：0255-5476
Electrically detected ESR study of interface defects in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistor 査読有り

T. Umeda, K. Esaki, R. Kosugi, K. Fukuda, N. Morishita, T. Ohshima, J. Isoya

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010　679-680　370-+　2011年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.370 　

ISSN：0255-5476
Co-60 Gamma-Ray Irradiation Effects on Pentacene-Based Organic Thin-film Transistors 査読有り

Li Cai, Toshio Hirao, Hiroaki Yano, Zongfan Duan, Hideharu Takayanagi, Hideharu Ueki, Takeshi Ohshima, Yasushiro Nishioka

FUNCTIONAL AND ELECTRONIC MATERIALS　687　576-+　2011年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.687.576 　

ISSN：0255-5476
Characteristics of Gamma-Ray Irradiated Pentacene Organic Thin Film Field Effect Transistors 査読有り

Hiroaki Yano, Li Cai, Toshio Hirao, Zongfan Duan, Yutaro Takayanagi, Hirokuni Ohuchi, Hideharu Ueki, Takeshi Ohshima, Yasushiro Nishioka

EMERGING FOCUS ON ADVANCED MATERIALS, PTS 1 AND 2　306-307　185-+　2011年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/AMR.306-307.185 　

ISSN：1022-6680
Reduction of Electron Concentration in Lightly N-Doped n-Type 4H-SiC Epilayers by 200 keV Electron Irradiation 査読有り

H. Matsuura, H. Yanagisawa, K. Nishino, T. Nojiri, Y. Myojin, Y. Matsuyama, S. Onoda, T. Ohshima

The Open Applied Physics Journal　4　37-40　2011年
Refreshable Decrease In Peak Height Of Ion Beam Induced Transient Current From Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors 査読有り

T. Ohshima, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, M. Deki, S. Nozaki

APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY: TWENTY-FIRST INTERNATIONAL CONFERENCE　1336　660-664　2011年

DOI： 10.1063/1.3586184 　

ISSN：0094-243X
EPR and ab initio calculation study on the EI4 center in 4H- and 6H-SiC 査読有り

P. Carlsson, N. T. Son, A. Gali, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, B. Magnusson, E. Janzen

PHYSICAL REVIEW B　82　(23)　2010年12月

DOI： 10.1103/PhysRevB.82.235203 　

ISSN：1098-0121
Charge Enhancement Effects in 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Strike 査読有り

Onoda Shinobu, Makino Takahiro, Iwamoto Naoya, Vizkelethy Gyorgy, Kojima Kazutoshi, Nozaki Shinji, Ohshima Takeshi

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　57　(6)　3373-3379　2010年12月

DOI： 10.1109/TNS.2010.2070076 　

ISSN：0018-9499
Defects in low-energy electron-irradiated n-type 4H-SiC 査読有り

F. C. Beyer, C. Hemmingsson, H. Pedersen, A. Henry, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, E. Janzen

PHYSICA SCRIPTA　T141　2010年11月

DOI： 10.1088/0031-8949/2010/T141/014006 　

ISSN：0031-8949
Radiation-induced defects in GaN 査読有り

N. T. Son, C. G. Hemmingsson, N. Morishita, T. Ohshima, T. Paskova, K. R. Evans, A. Usui, J. Isoya, B. Monemar, E. Janzen

PHYSICA SCRIPTA　T141　2010年11月

DOI： 10.1088/0031-8949/2010/T141/014015 　

ISSN：0031-8949
EPR and ENDOR Studies of Shallow Donors in SiC 査読有り

N. T. Son, J. Isoya, T. Umeda, I. G. Ivanov, A. Henry, T. Ohshima, E. Janzen

APPLIED MAGNETIC RESONANCE　39　(1-2)　49-85　2010年10月

DOI： 10.1007/s00723-010-0134-z 　

ISSN：0937-9347

eISSN：1613-7507
Bistable defects in low-energy electron irradiated n-type 4H-SiC 査読有り

F. C. Beyer, C. G. Hemmingsson, H. Pedersen, A. Henry, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, E. Janzen

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS　4　(8-9)　227-229　2010年9月

DOI： 10.1002/pssr.201004249 　

ISSN：1862-6254
Fluorine-vacancy defects in fluorine-implanted silicon studied by electron paramagnetic resonance

T. Umeda, J. Isoya, T. Ohshima, S. Onoda, N. Morishita, K. Okonogi, S. Shiratake

Applied Physics Letters　97　(4)　41911-41911　2010年7月26日
出版者・発行元： American Institute of Physics
DOI： 10.1063/1.3473763 　

ISSN：0003-6951
Study of ion-beam-induced damage and luminescence properties in terbium-implanted AlGaN 査読有り

Ji Ho Park, Akihiro Wakahara, Hiroshi Okada, Yuzo Furukawa, Yong Tae Kim, Ho Jung Chang, Jonghan Song, Sangwon Shin, Jong Han Lee, Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima

Japanese Journal of Applied Physics　49　(3)　32401-032401-5　2010年7月1日
出版者・発行元： Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
DOI： 10.1143/JJAP.49.032401 　

ISSN：0021-4922

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Terbium (Tb) ions were implanted into Al0.35Ga0.65N epitaxial layers at room temperature to investigate ion-beam-induced damage and luminescence properties at various doses of 1 × 1012-2.8 × 1016 Tb/cm2. Rutherford backscattering spectrometry/channeling (RBS/channeling) reveals that ion-beam-induced damage level steeply increases and that the damage cannot be fully suppressed even after rapid thermal annealing at 1100°C, when the dose exceeds 5 × 1014 Tb/cm2. However, cathodoluminescence (CL) intensity related to Tb3+ transitions increased initially and saturated above a dose of 1 × 1013 Tb/cm2. Furthermore, transient decay time determined by time-resolved photoluminescence (TRPL) decreased faster and a fast decay component related to the formation of nonradiative Tb-defect complexes became dominant, as Tb ion dose increases. Therefore, the results suggest that Tb-related luminescence properties are much susceptible to defects and nonradiative defects, namely, Tb-defect complexes, are formed under low-dose conditions even at a very low structural defect density. ? 2010 The Japan Society of Applied Physics.
Evaluation of soft error rates using nuclear probes in bulk and SOI SRAMs with a technology node of 90 nm 査読有り

Abo Satoshi, Masuda Naoyuki, Wakaya Fujio, Onoda Shinobu, Hirao Toshio, Ohshima Takeshi, Iwamatsu Toshiaki, Takai Mikio

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　268　(11-12)　2074-2077　2010年6月

DOI： 10.1016/j.nimb.2010.02.027 　

ISSN：0168-583X
Phase transformation of Mg-Fe alloys 査読有り

Yasuhiro Yoneda, Hiroshi Abe, Takeshi Ohshima, Hirohisa Uchida

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　107　(9)　2010年5月

DOI： 10.1063/1.3402498 　

ISSN：0021-8979
Characterization of the excess carrier lifetime of as-grown and electron irradiated epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconductivity decay method 査読有り

Yoshinori MATSUSHITA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Tomoaki HATAYAMA, Takeshi OHSHIMA

Materials Science Forum　645-648　207-210　2010年4月
Radiation effects on semiconductors and polymers for space applications

Takeshi Ohshima, Shinobu Onoda, Yugo Kimoto

Charged Particle and Photon Interactions with Matter: Recent Advances, Applications, and Interfaces　841-877　2010年1月1日
出版者・発行元： CRC Press
DOI： 10.1201/b10389 　
VERIFICATION OF SOFT-ERROR RATE ESTIMATION METHOD IN A LOGIC LSI 査読有り

T. Makino, S. Onoda, T. Hirao, T. Ohshima, D. Kobayashi, K. Hirose

REPORT OF RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY, HOSEI UNIVERSITY, SUPPL NO 28　28　35-40　2010年

ISSN：0914-2908
Defects in low-energy electron-irradiated n-type 4H-SiC 査読有り

F. C. Beyer, C. Hemmingsson, H. Pedersen, A. Henry, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, E. Janzén

Physica Scripta T　T141　2010年

DOI： 10.1088/0031-8949/2010/T141/014006 　

ISSN：0281-1847
Radiation-induced defects in GaN 査読有り

N. T. Son, C. G. Hemmingsson, N. Morishita, T. Ohshima, T. Paskova, K. R. Evans, A. Usui, J. Isoya, B. Monemar, E. Janzén

Physica Scripta T　T141　2010年

DOI： 10.1088/0031-8949/2010/T141/014015 　

ISSN：0281-1847
The EI4 EPR centre in 6H SiC 査読有り

P. Carlsson, N. T. Son, B. Magnusson, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, E. Janzén

Physica Scripta T　T141　2010年

DOI： 10.1088/0031-8949/2010/T141/014013 　

ISSN：0281-1847
Deep defects in 3C-SiC generated by H+- and He +-implantation or by irradiation with high-energy electrons 査読有り

M. Weidner, L. Trapaidze, G. Pensl, S. A. Reshanov, A. Schöner, H. Itoh, T. Ohshima, T. Kimoto

Materials Science Forum　645-648　439-443　2010年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.439 　

ISSN：0255-5476
EFFECTS OF IRRADIATION BEAM CONDITIONS ON RADIATION DEGRADATION OF SOLAR CELLS 査読有り

Masashi Saito, Mitsuru Imaizumi, Takeshi Ohshima, Yasuo Takeda

35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE　2010年

ISSN：0160-8371
Metastable defects in low-energy electron irradiated n-type 4H-SiC 査読有り

Franziska C. Beyer, Carl Hemmingsson, Henrik Pedersen, Anne Henry, Junichi Isoya, Norio Morishita, Takeshi Ohshima, Erik Janzen

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2009, PTS 1 AND 2　645-648　435-+　2010年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.435 　

ISSN：0255-5476
The carbon vacancy related EI4 defect in 4H-SiC 査読有り

N. T. Son, P. Carlsson, J. Isoya, N. Monshita, T. Ohshima, B. Magnusson, E. Janzen

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2009, PTS 1 AND 2　645-648　399-+　2010年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648399 　

ISSN：0255-5476
New lines and issues associated with deep defect spectra in electron, proton and ⁴He ion irradiated 4H SiC 査読有り

F. Yan, R.P. Devaty, W.J. Choyke, T. Kimoto, T. Ohshima, G. Pensl, A. Gali

Materials Science Forum　645-648　411-414　2010年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.411 　
Radiation hardness evaluation of SiC-BGSIT 査読有り

Tanaka Yasunori, Onoda Shinobu, Takatsuka Akio, Ohshima Takeshi, Yatsuo Tsutomu

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2009, PTS 1 AND 2　645-648　941-+　2010年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.941 　

ISSN：0255-5476
Thermal histories of defect centers as measured by low temperature photoluminescence in n- and p-type 4H SiC epilayers generated by irradiation with 170 keV or 1 MeV electrons

F. Yan, R. P. Devaty, W. J. Choyke, K. Danno, G. Alfieri, T. Kimoto, S. Onoda, T. Ohshima, S. A. Reshanov, S. Beljakowa, B. Zippelius, G. Pensl

Materials Science Forum　645-648　419-422　2010年1月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.419 　

ISSN：0255-5476
Shallow defects observed in as-grown and electron-irradiated or He⁺-implanted Al-doped 4H-SiC epilayers

S. Beljakowa, S. A. Reshanov, B. Zippelius, M. Krieger, G. Pensl, K. Danno, T. Kimoto, S. Onoda, T. Ohshima, Fei Yan, R. P. Devaty, W. J. Choyke

Materials Science Forum　645-648　427-430　2010年1月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.427 　

ISSN：0255-5476
Current transient effect in N-channel 6H-SiC MOSFET induced by heavy ion irradiation

Kin Kiong Lee, Jamie S. Laird, T. Ohshima, S. Onoda, T. Hirao, H. Itoh

Materials Science Forum　645-648　1013-1016　2010年1月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.1013 　

ISSN：0255-5476
Charge collection efficiency of 6H-SiC p⁺n diodes degraded by low-energy electron irradiation

N. Iwamoto, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Ohshima, K. Kojima, A. Koizumi, K. Uchida, S. Nozaki

Materials Science Forum　645-648　921-924　2010年1月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.921 　

ISSN：0255-5476
Thermal stability of defect centers in n- and p-type 4H-SiC epilayers generated by irradiation with High-energy electrons

S. A. Reshanov, S. Beljakowa, B. Zippelius, G. Pensl, K. Danno, G. Alfieri, T. Kimoto, S. Onoda, T. Ohshima, Fei Yan, R. P. Devaty, W. J. Choyke

Materials Science Forum　645-648　423-426　2010年1月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.423 　

ISSN：0255-5476
Evaluation of Soft Errors using Nuclear Probes in SOI SRAM with Body-tie Structure Fabricated by Partial Trench Isolation

Satoshi Abo, Naoyuki Masuda, Fujio Wakaya, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Toshio Hirao, Takeshi Ohshima, Toshiaki Iwamatsu, Hidekazu Oda, Mikio Takai

Proceedings of the 9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (9th-RASEDA), 27-29 October 2010, Gunma, Japan　72-75　2010年
Evaluation of Soft Error Rates in SOI SRAM with a Technology Node of 90 nm Using Oxygen Ion Probe 査読有り

S. Abo, N. Masuda, F. Wakaya, S. Onoda, T. Makino, T. Hirao, T. Ohshima, T. Iwamatsu, H. Oda, M. Takai

JAEA Review　2010-065　7　2010年
Electronic properties of femtosecond laser induced modified spots on single crystal silicon carbide 査読有り

Takuro Tomita, Masahiro Iwami, Minoru Yamamoto, Manato Deki, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shingo Saito, Kiyomi Sakai, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima

Materials Science Forum　645-648　239-242　2010年1月

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.239 　
Effect of Base Doping Concentration on Radiation-Resistance for GaAs Sub-Cells in InGaP/GaAs/Ge 査読有り

Elfiky Dalia, Yamaguchi Masafumi, Sasaki Takuo, Takamoto Tatsuya, Morioka Chiharu, Imaizumi Mitsuru, Ohshima Takeshi, Sato Shin-ichiro, Elnawawy Mohamed, Eldesuky Tarek, Ghitas Ahmed

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(12)　121202-121202-5　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.121202 　

ISSN：0021-4922
Theoretical Optimization of Base Doping Concentration for Radiation Resistance of InGaP Subcells of InGaP/GaAs/Ge Based on Minority-Carrier Lifetime 査読有り

Elfiky Dalia, Yamaguchi Masafumi, Sasaki Takuo, Takamoto Tatsuya, Morioka Chiharu, Imaizumi Mitsuru, Ohshima Takeshi, Sato Shin-ichiro, Elnawawy Mohamed, Eldesoky Tarek, Ghitas Ahmed

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(12)　121201-121201-7　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.121201 　

ISSN：0021-4922
Radiation hardness assessment of high voltage 4H-SiC BJTs 査読有り

M. Nawaz, C. Zaring, S. Onoda, T. Ohshima, M. Östling

Device Research Conference - Conference Digest, DRC　279-280　2009年12月11日

DOI： 10.1109/DRC.2009.5354932 　

ISSN：1548-3770
Mechanisms of changes of hole concentration in Al-doped 6H-SiC by electron irradiation and annealing 査読有り

Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Yoshiko Myojin, Takunori Nojiri, Yukei Matsuyama, Takeshi Ohshima

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　404　(23-24)　4755-4757　2009年12月

DOI： 10.1016/j.physb.2009.08.192 　

ISSN：0921-4526
The role of a radial ion-track distribution in semiconductors studied by numerical simulations 査読有り

Onoda Shinobu, Hirao Toshio, Ohshima Takeshi, Itoh Hisayoshi

RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY　78　(12)　1116-1119　2009年12月

DOI： 10.1016/j.radphyschem.2009.06.025 　

ISSN：0969-806X
Soft-Error Rate in a Logic LSI Estimated From SET Pulse-Width Measurements 査読有り

Makino Takahiro, Kobayashi Daisuke, Hirose Kazuyuki, Takahashi Daisuke, Ishii Shigeru, Kusano Masaki, Onoda Shinobu, Hirao Toshio, Ohshima Takeshi

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　56　(6)　3180-3184　2009年12月

DOI： 10.1109/TNS.2009.2033795 　

ISSN：0018-9499
Transient Response of Charge Collection by Single Ion Strike in 4H-SiC MESFETs 査読有り

Onoda Shinobu, Iwamoto Naoya, Ono Shuich, Katakami Shuji, Arai Manabu, Kawano Katsuyasu, Ohshima Takeshi

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　56　(6)　3218-3222　2009年12月

DOI： 10.1109/TNS.2009.2032395 　

ISSN：0018-9499
Effects of the surface condition of the substrates on the electrical characteristics of 4H-SiC MOSFETs

T. Ohshima, S. Onoda, T. Kamada, K. Hotta, K. Kawata, O. Eryu

Materials Science Forum　615 617　781-784　2009年12月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.781 　

ISSN：0255-5476
Transient currents induced in 6H-SiC MOS capacitors by oxygen ion incidence

N. Iwamoto, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Ohshima, K. Kojima, K. Kawano

Materials Science Forum　615 617　517-520　2009年12月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.517 　

ISSN：0255-5476
Charge collection properties of 6H-SiC diodes by wide variety of charged particles up to several hundreds MeV

S. Onoda, N. Iwamoto, N. Iwamoto, M. Murakami, M. Murakami, T. Ohshima, T. Hirao, K. Kojima, K. Kawano, I. Nakano

Materials Science Forum　615 617　861-864　2009年12月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.861 　

ISSN：0255-5476
Identification of the gallium vacancy-oxygen pair defect in GaN 査読有り

N. T. Son, C. G. Hemmingsson, T. Paskova, K. R. Evans, A. Usui, N. Morishita, T. Ohshima, J. Isoya, B. Monemar, E. Janzen

PHYSICAL REVIEW B　80　(15)　2009年10月

DOI： 10.1103/PhysRevB.80.153202 　

ISSN：1098-0121
Identification of a Frenkel-pair defect in electron-irradiated 3C SiC

N. T. Son, E. Janzen, J. Isoya, N. Morishita, H. Hanaya, H. Takizawa, T. Ohshima, A. Gali

PHYSICAL REVIEW B　80　(12)　125201(1-8)　2009年9月

DOI： 10.1103/PhysRevB.80.125201 　

ISSN：1098-0121
Light emitting FET based-on spatially selective doping of Eu in AlGaN/GaN HEMT 査読有り

Hiroshi Okada, Kazumasa Takemoto, Fumitake Oikawa, Yuzo Furukawa, Akihiro Wakahara, Shin ichiro Sato, Takeshi Ohshima

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　6　(52)　S631-S634　2009年7月1日

DOI： 10.1002/pssc.200880811 　

ISSN：1862-6351

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Light emitting field effect transistor (FET) based-on AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure with spatially selective doping of rare-earth ions (REIs) as a luminescence center in the channel is proposed and investigated. Fabricated device showed excellent I -V characteristics as a transistor with gate control. By applying a drain bias of 20 V, red emission suggesting a luminescence from Eu ion was clearly observed. Applying a negative bias to the Schottky gate decreased the luminescence intensity. ? 2009 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
Comparative study of transient current induced in SiC p(+)n and n(+)p diodes by heavy ion micro beams 査読有り

Ohshima Takeshi, Iwamoto Naoya, Onoda Shinobu, Kamiya Tomihiro, Kawano Katsuyasu

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　267　(12-13)　2189-2192　2009年6月15日

DOI： 10.1016/j.nimb.2009.03.056 　

ISSN：0168-583X
Transient current mapping obtained from silicon photodiodes using focused ion microbeams with several hundreds of MeV

T. Hirao, S. Onoda, M. Oikawa, M. Oikawa, T. Satoh, T. Kamiya, T. Ohshima

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　267　2216-2218　2009年6月15日

DOI： 10.1016/j.nimb.2009.03.051 　

ISSN：0168-583X
Time Resolved Ion Beam Induced Current measurements on MOS capacitors using a cyclotron microbeam

G. Vizkelethy, S. Onoda, T. Hirao, T. Ohshima, T. Kamiya

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　267　2185-2188　2009年6月15日

DOI： 10.1016/j.nimb.2009.03.057 　

ISSN：0168-583X
Change in ion beam induced current from Si metal-oxide- semiconductor capacitors after gamma-ray irradiation

T. Ohshima, S. Onoda, T. Hirao, Y. Takahashi, G. Vizkelethy, B. L. Doyle

AIP Conference Proceedings　1099　1014-1017　2009年5月5日

DOI： 10.1063/1.3119985 　

ISSN：0094-243X
Deep levels in low-energy electron-irradiated 4H-SiC

P. Carlsson, N. T. Son, F. C. Beyer, H. Pedersen, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, E. Janzen

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS　3　(4)　121-123　2009年5月

DOI： 10.1002/pssr.200903060 　

ISSN：1862-6254
Degradation of Charge Collection Efficiency for 6H-SiC diodes by electron irradiation

N. Iwamoto, N. Iwamoto, S. Onoda, S. Hishiki, T. Ohshima, M. Murakami, M. Murakami, I. Nakano, K. Kawano

Materials Science Forum　600-603　1043-1046　2009年4月10日

DOI： 10.4028/3-908453-11-9.1043 　

ISSN：0255-5476
Transient response to high energy heavy ions in 6H-SiC n+p diodes

S. Onoda, T. Ohshima, T. Hirao, S. Hishiki, N. Iwamoto, N. Iwamoto, K. Kojima, K. Kawano

Materials Science Forum　600-603　1039-1042　2009年4月10日

DOI： 10.4028/3-908453-11-9.1039 　

ISSN：0255-5476
Dicarbon antisite defect in n-type 4H-SiC 査読有り

T. Umeda, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, E. Janzen, A. Gali

PHYSICAL REVIEW B　79　(11)　2009年3月

DOI： 10.1103/PhysRevB.79.115211 　

ISSN：1098-0121
Effect of the Schottky Barrier Height on the Detection of Midgap Levels in 4H-SiC by Deep Level Transient Spectroscopy 査読有り

S. A. Reshanov, G. Pensl, K. Danno, T. Kimoto, S. Hishiki, T. Ohshima, Fei Yan, R. P. Devaty, W. J. Choyke

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, PTS 1 AND 2　600-603　417-+　2009年

DOI： 10.4028/3-908453-11-9.417 　

ISSN：0255-5476
Structural and magnetic properties of Mn-Doped SiC 査読有り

Fumiyoshi Takano, Wenhong Wang, Hironori Ofuchi, Takeshi Ohshima, Hiro Akinaga

AIP Conference Proceedings　1199　443-444　2009年

DOI： 10.1063/1.3295496 　

ISSN：0094-243X 1551-7616
TRANSIENT CURRENT MAPPING USING FOCUSED HEAVY-ION MICROBEAMS WITH SEVERAL HUNDREDS OF MEV 査読有り

S. Onoda, T. Hirao, T. Ohshima

REPORT OF RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY, HOSEI UNIVERSITY　(27)　43-46　2009年

ISSN：0914-2908
Identification of The Negative Di-carbon Antisite Defect in n-type 4H-SiC 査読有り

A. Gali, T. Umeda, E. Janzen, N. Morishita, T. Ohshima, J. Isoya

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008　615-617　361-364　2009年

ISSN：0255-5476
Reduction of Interface Traps and Enhancement of Channel Mobility in n-channel 6H-SiC MOSFETs by Irradiation with Gamma-Rays 査読有り

S. Hishiki, S. A. Reshanov, T. Ohshima, H. Itoh, G. Pensl

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, PTS 1 AND 2　600-603　703-+　2009年

ISSN：0255-5476
RADIATION RESISTANCE OF InGaP/GaAs DUAL-JUNCTION THIN-FILM SPACE SOLAR CELL 査読有り

Mitsuru Imaizumi, Takeshi Ohshima, Tatsuya Takamoto

2009 34TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, VOLS 1-3　1549-+　2009年

ISSN：0160-8371
Photo-EPR Studies on Low-Energy Electron-irradiated 4H-SiC 査読有り

P. Carlsson, N. T. Son, H. Pedersen, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008　615-617　401-404　2009年

ISSN：0255-5476
Defects Introduced by Electron-irradiation at Low Temperatures in SiC 査読有り

N. T. Son, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, A. Gali, E. Janzen

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008　615-617　377-380　2009年

ISSN：0255-5476
Pulsed EPR Studies of the T-v2a Center in 4H-SiC 査読有り

J. Isoya, T. Umeda, N. Mizuochi, T. Ohshima

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008　615-617　353-356　2009年

ISSN：0255-5476
Effects of Fabrication Process on the Electrical Characteristics of n-channel MOSFETs Irradiated with Gamma-Rays 査読有り

S. Hishiki, N. Iwamoto, T. Ohshima, H. Itoh, K. Kojima, K. Kawano

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, PTS 1 AND 2　600-603　707-+　2009年

ISSN：0255-5476
Photo-EPR Study of Vacancy-type Defects in Irradiated n-type 4H-SiC 査読有り

T. Umeda, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, PTS 1 AND 2　600-603　409-+　2009年

ISSN：0255-5476
RADIATION DEGRADATION MODELING OF TRIPLE-JUNCTION SPACE SOLAR CELLS 査読有り

Sato Shin-ichiro, Imaizumi Mitsuru, Ohshima Takeshi

REPORT OF RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY, HOSEI UNIVERSITY　(27)　37-42　2009年

ISSN：0914-2908
Reduction of Effective Carrier Density and Charge Collection Efficiency in SiC Devices Due to Radiations 査読有り

Onoda Shinobu, Iwamoto Naoya, Hirao Toshio, Kawano Katsuyasu, Kojima Kazuhisa, Ohshima Takeshi

APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY　1099　1010-1013　2009年

DOI： 10.1063/1.3119984 　

ISSN：0094-243X
Dependence on Irradiation Energy of Soft Error Rates in Bulk and SOI SRAMs 査読有り

S. Abo, S. Onoda, T. Hirao, T. Ohshima, T. Iwamatsu, M. Takai

JAEA Review　2009-041　8　2009年
EPR identification of defects and impurities in SiC: To be decisive 査読有り

J. Isoya, T. Umeda, N. Mizuochi, N.T. Son, E. Janzen, T. Ohshima

Material Science Forum　600-603　279-284　2008年9月

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.279 　
Mechanisms of unexpected reduction in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by 200 keV electron irradiation 査読有り

Hideharu Matsuura, Nobumasa Minohara, Takeshi Ohshima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　104　(4)　2008年8月

DOI： 10.1063/1.2969788 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Mechanisms of reduction in hole concentration in Al-implanted p-type 6H-SiC by 1 MeV electron irradiation 査読有り

Hideharu Matsuura, Keisuke Izawa, Nobumasa Minohara, Takeshi Ohshima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　47　(7)　5355-5357　2008年7月

DOI： 10.1143/JJAP.47.5355 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
EPR Identification of Intrinsic Defects in 4H-SiC 査読有り

J. Isoya, T. Umeda, N. Mizuochi, N.T. Son, E. Janzen, T. Ohshima

Wileyphysica status solidi (b)　245　(7)　1298-1314　2008年6月

DOI： 10.1002/pssb.200844209 　
Common point defects in as-grown ZnO substrates studied by optical detection of magnetic resonance

N. T. Son, I. G. Ivanov, A. Kuznetsov, B. G. Svensson, Q. X. Zhao, M. Willander, M. N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya, E. Janzen, R. Yakimova

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　310　(5)　1006-1009　2008年3月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.144 　

ISSN：0022-0248
380 keV proton irradiation effects on photoluminescence of Eu-doped GaN 査読有り

Hiroshi Okada, Yasuo Nakanishi, Akihiro Wakahara, Akira Yoshida, Takeshi Ohshima

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　266　(5)　853-856　2008年3月1日

DOI： 10.1016/j.nimb.2007.12.103 　

ISSN：0168-583X

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The effect of 380 keV proton irradiation on the photoluminescence (PL) properties has been investigated for undoped and Eu-doped GaN. As the proton irradiation exceeds 1 × 10 13 cm - 2, a drastic decrease of PL intensity of the near band-edge emission of undoped GaN was observed. On the other hand, for Eu-doped GaN, the PL emission corresponding to the 5 D 0 → 7 F 2 transition in Eu 3 + kept the initial PL intensity after the proton irradiation up to 1 × 10 14 cm - 2. Present results, together with our previous report on electron irradiation results, suggest that Eu-doped GaN is a strong candidate for light emitting devices in high irradiation environment. ? 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.
Durability of triple-junction solar cell for HIHT environments, Venus and Mercury exploration missions

M. Imaizumi, H. Toyota, T. Shimada, H. Ogawa, M. Tajima, T. Hisamatsu, K. Nakamura, T. Takamoto, S. Satoh, T. Ohshima

European Space Agency, (Special Publication) ESA SP　(661)　2008年

ISSN：0379-6566
Gas evolution from insulating materials for superconducting coil of ITER by gamma ray irradiation at liquid nitrogen temperature 査読有り

A. Idesaki, N. Koizumi, M. Sugimoto, N. Morishita, T. Ohshima, K. Okuno

AIP Conference Proceedings　986　169-173　2008年

DOI： 10.1063/1.2900341 　

ISSN：0094-243X 1551-7616
Investigation of Tb-related green emission in group-III nitrides by time-resolved photoluminescence measurement 査読有り

A. Wakahara, K. Takemoto, F. Oikawa, H. Okada, T. Ohshima, H. Itoh

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science　205　(1)　56-59　2008年1月

DOI： 10.1002/pssa.200776703 　

ISSN：1862-6300 1862-6319
Enhanced annealing of the Z(1/2) defect in 4H-SiC epilayers 査読有り

Liutauras Storasta, Hidekazu Tsuchida, Tetsuya Miyazawa, Takeshi Ohshima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(1)　2008年1月

DOI： 10.1063/1.2829776 　

ISSN：0021-8979
Electrical characteristics of 6H-SiC mosfets after high dose irradiation 査読有り

T. Ohshima, S. Hishiki, N. Iwamoto, S. A. Reshanov, G. Pensl, K. Kojima, K. Kawano

REPORT OF RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY, HOSEI UNIVERSITY, PROCEEDINGS　(26)　31-34　2008年

ISSN：0914-2908
Decrease in ion beam induced charge of 6H-SiC diodes 査読有り

S. Onoda, N. Iwamoto, T. Ohshima, T. Hirao, K. Kawano

REPORT OF RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY, HOSEI UNIVERSITY, PROCEEDINGS　(26)　35-40　2008年

ISSN：0914-2908
Electron Paramagnetic Resonance study on n-type electron-irradiated 3C-SiC 査読有り

P. Carlsson, K. Rabia, N. T. Son, T. Ohshima, N. Morishita, H. Itoh, J. Isoya, E. Janzen

PROCEEDINGS OF THE 17TH INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS/13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACE SCIENCE/INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY　100　2008年

DOI： 10.1088/1742-6596/100/4/042032 　

ISSN：1742-6588
Charge collection efficiency of 6H-SiC diodes damaged by electron irradiation 査読有り

N. Iwamoto, T. Ohshima, S. Onoda, S. Hishiki, M. Murakami, I. Nakano, K. Kawano

REPORT OF RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY, HOSEI UNIVERSITY, PROCEEDINGS　(26)　27-30　2008年

ISSN：0914-2908
Magnetic resonance studies of defects in electron-irradiated ZnO substrates 査読有り

N. T. Son, I. G. Ivanov, A. Yu. Kuznetsov, B. G. Svensson, Q. X. Zhao, M. Willander, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya, E. Janzen, R. Yakimova

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　401　507-510　2007年12月

DOI： 10.1016/j.physb.2007.09.010 　

ISSN：0921-4526
Impact of auger recombination on charge collection of a 6H-SiC diode by heavy ions

S. Onoda, T. Ohshima, T. Hirao, K. Mishima, S. Hishiki, N. Iwamoto, K. Kawano

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　54　(6)　2706-2713　2007年12月

DOI： 10.1109/TNS.2007.908459 　

ISSN：0018-9499
Effect of the Schottky barrier height on the detection of midgap levels in 4H-SiC by deep level transient spectroscopy 査読有り

Reshanov S. A., Pensl G., Danno K., Kimoto T., Hishiki S., Ohshima T., Itoh H., Yan Fei, Devaty R. P., Choyke W. J.

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　102　(11)　2007年12月1日
出版者・発行元： American Institute of Physics
DOI： 10.1063/1.2818050 　

ISSN：0021-8979

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The effect of the Schottky barrier height on the detection of the concentration of midgap defects using deep level transient spectroscopy (DLTS) is experimentally and theoretically studied for EH6 and EH7 defects in 4H-SiC. In this special case, the DLTS signal height for EH6 and EH7 increases with increasing barrier height and saturates at values above 1.5 and 1.7 eV, respectively. Below 1.1 eV, the DLTS peak completely disappears for both defects. The experimental data are explained by a theoretical model. The course of the quasi-Fermi level in the space charge region is calculated as a function of the reverse current through it, which is determined by the barrier height, and the reverse bias applied.
Decrease of charge collection due to displacement damage by gamma rays in a 6H-SiC diode 査読有り

Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi, Hirao Toshio, Mishima Kenta, Hishiki Shigeomi, Iwamoto Naoya, Kojima Kazuhisa, Kawano Katsuyasu

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　54　(6)　1953-1960　2007年12月

DOI： 10.1109/TNS.2007.910203 　

ISSN：0018-9499
The role of ion track structure on high-injection carrier dynamics in high-speed Si and III-V optoelectronic sensors 査読有り

Laird Jamie S, Onoda Shinobu, Hirao Toshio, Edmonds Larry, Ohshima Takeshi

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　54　(6)　2384-2393　2007年12月

DOI： 10.1109/TNS.2007.911421 　

ISSN：0018-9499
Recombination centers in as-grown and electron-irradiated ZnO substrates

N. T. Son, I. G. Ivanov, A. Kuznetsov, B. G. Svensson, Q. X. Zhao, M. Willander, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya, E. Janzen, R. Yakimova

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　102　(9)　093504　2007年11月

DOI： 10.1063/1.2802186 　

ISSN：0021-8979
Energetically deep defect centers in vapor-phase grown zinc oxide 査読有り

T. Frank, G. Pensl, R. Tena-Zaera, J. Zúñiga-Pérez, C. Martínez-Tomás, V. Muñoz-Sanjosé, T. Ohshima, H. Itoh, D. Hofmann, D. Pfisterer, J. Sann, B. Meyer

Applied Physics A: Materials Science and Processing　88　(1)　141-145　2007年7月

DOI： 10.1007/s00339-007-3963-3 　

ISSN：0947-8396 1432-0630
Analysis of anomalous degradation of Cu(In,Ga)Se-2 thin-film solar cells irradiated with protons 査読有り

Shirou Kawakita, Mitsuru Imaizumi, Koichi Kibe, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Shinichi Yoda, Osamu Odawara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(25-28)　L670-L672　2007年7月

DOI： 10.1143/JJAP.46.L670 　

ISSN：0021-4922
Radiation resistance of wide band gap n+/p AlInGaP solar cell for high-efficient multijunction space solar cells 査読有り

Hae-Seok Lee, Masafumi Yamaguchi, Nicholas J. Ekins-Daukes, Aurangzeb Khan, Tatsuya Takamoto, Mitsuru Imaizumi, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(25-28)　L645-L647　2007年7月

DOI： 10.1143/JJAP.46.L645 　

ISSN：0021-4922
Identification of positively charged carbon antisite-vacancy pairs in 4H-SiC 査読有り

T. Umeda, J. Ishoya, T. Ohshima, N. Morishita, H. Itoh, A. Gali

PHYSICAL REVIEW B　75　(24)　2007年6月

DOI： 10.1103/PhysRevB.75.245202 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Degradation of charge collection efficiency obtained for 6H-SiC n+p diodes irradiated with gold ions

T. Ohshima, T. Satoh, M. Oikawa, S. Onoda, S. Hishiki, T. Hirao, T. Kamiya, T. Yokoyama, A. Sakamoto, R. Tanaka, I. Nakano, G. Wagner, H. Itoh

Materials Science Forum　556-557　913-916　2007年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.913 　

ISSN：1662-9752 0255-5476
Mechanisms of decrease in hole concentration in al-doped 4H-SiC by irradiation of 200 keV electrons

Hideharu Matsuura, Nobumasa Minohara, Yusuke Inagawa, Miyuki Takahashi, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh

Materials Science Forum　556-557　379-382　2007年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.379 　

ISSN：1662-9752 0255-5476
Recovery of short circuit current of 3J solar cells by current injection at low temperature 査読有り

Haruki Miyamoto, Takeshi Ohshima, Mitsuru Imaizumi, Hisayoshi Itoh, Koichi Kibe, Katsuyasu Kawano

Conference Record of the 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, WCPEC-4　2　1815-1817　2007年

DOI： 10.1109/WCPEC.2006.279845 　
Characterization of Mn-doped 3C-SiC prepared by ion implantation 査読有り

Fumiyoshi Takano, Wenhong Wang, Hiro Akinaga, Hironori Ofuchi, Shigeomi Hishiki, Takeshi Ohshima

Journal of Applied Physics　101　(9)　2007年

DOI： 10.1063/1.2709749 　

ISSN：0021-8979
Hall effect and admittance measurements of n-channel 6H-SiC MOSFETs 査読有り

Kin Kiong Lee, Michael Laube, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Gerhard Pensl

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2006　556-557　791-+　2007年

ISSN：0255-5476
Electron paramagnetic resonance study of carbon antisite-vacancy pair in p-type 4H-SiC 査読有り

T. Umeda, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2006　556-557　453-+　2007年

ISSN：0255-5476
Quenching of Impact Ionization in Heavy Ion Induced Tracks in Wide Bandwidth Si Avalanche Photodiodes 査読有り

Laird Jamie S, Onoda Shinobu, Hirao Toshio, Edmonds Larry, Ohshima Takeshi

RADECS 2007: PROCEEDINGS OF THE 9TH EUROPEAN CONFERENCE ON RADIATION AND ITS EFFECTS ON COMPONENTS AND SYSTEMS　508-+　2007年

DOI： 10.1109/RADECS.2007.5205467 　
Photoluminescence evaluation of light element impurities in ultrathin SOI wafers by luminescence activation using electron irradiation 査読有り

S. Nakagawa, Y. Sone, M. Tajima, T. Ohshima, H. Itoh

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology　134　(2-3)　172-175　2006年10月15日

DOI： 10.1016/j.mseb.2006.07.003 　

ISSN：0921-5107
Anomalous increase in effective channel mobility on gamma-irradiated p-channel SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors containing step bunching 査読有り

Kin Kiong Lee, Takeshi Ohshima, Akihiko Ohi, Hisayoshi Itoh, Gerhard Pensl

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　45　(9A)　6830-6836　2006年9月

DOI： 10.1143/JJAP.45.6830 　

ISSN：0021-4922
Structural analysis of (Ga,Mn)N epilayers and self-organized dots using MeV ion channeling 査読有り

S. Kuroda, S. Marcet, E. Bellet-Amalric, J. Cibert, H. Mariette, S. Yamamoto, T. Sakai, T. Ohshima, H. Itoh

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science　203　(7)　1724-1728　2006年5月

DOI： 10.1002/pssa.200565396 　

ISSN：1862-6300 1862-6319
Si substrate suitable for radiation-resistant space solar cells 査読有り

Hideharu Matsuura, Hirofumi Iwata, Sou Kagamihara, Ryohei Ishihara, Masahiko Komeda, Hideaki Imai, Masanori Kikuta, Yuuki Inoue, Tadashi Hisamatsu, Shirou Kawakita, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　45　(4 A)　2648-2655　2006年4月7日

DOI： 10.1143/JJAP.45.2648 　

ISSN：0021-4922 1347-4065
Fluorescence EXAFS study on local structures around Eu atoms implanted in AlxGa1-xN 国際誌査読有り

H Ofuchi, T Nishlwaki, K Takaba, K Ogawa, M Tabuchi, Y Takeda, A Wakahara, A Yoshida, T Ohshima, H Itoe

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　376　496-498　2006年4月

DOI： 10.1016/j.physb.2005.12.126 　

ISSN：0921-4526

eISSN：1873-2135
Identification of divacancies in 4H-SiC 査読有り

N. T. Son, T. Umeda, J. Isoya, A. Gali, M. Bockstedte, B. Magnusson, A. Ellison, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzén

Physica B: Condensed Matter　376-377　(1)　334-337　2006年4月1日

DOI： 10.1016/j.physb.2005.12.086 　

ISSN：0921-4526
Effects of a low-energy proton irradiation on n+/p-AlInGaP solar cells 査読有り

H. S. Lee, M. Yamaguchi, N. J. Ekins-Daukes, A. Khan, T. Takamoto, M. Imaizumi, T. Ohshima, H. Itoh

Physica B: Condensed Matter　376-377　(1)　564-567　2006年4月1日

DOI： 10.1016/j.physb.2005.12.142 　

ISSN：0921-4526
Relationship between defects induced by irradiation and reduction of hole concentration in Al-doped 4H-SiC 査読有り

H Matsuura, S Kagamihara, Y Itoh, T Ohshima, H Itoh

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　376　342-345　2006年4月

DOI： 10.1016/j.physb.2005.12.088 　

ISSN：0921-4526
Identification of the carbon antisite-vacancy pair in 4H-SiC

T Umeda, NT Son, J Isoya, E Janzen, T Ohshima, N Morishita, H Itoh, A Gali, M Bockstedte

PHYSICAL REVIEW LETTERS　96　(14)　145501(1-4)　2006年4月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.96.145501 　

ISSN：0031-9007
Divacancy in 4H-SiC 査読有り

NT Son, P Carlsson, J ul Hassan, E Janzen, T Umeda, J Isoya, A Gali, M Bockstedte, N Morishita, T Ohshima, H Itoh

PHYSICAL REVIEW LETTERS　96　(5)　2006年2月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.96.055501 　

ISSN：0031-9007
Study of electron irradiation-induced defects in CuInSe2 and CuInxGa1-xSe2 by electron spin resonance 査読有り

H. Okada, H. S. Lee, A. Wakahara, A. Yoshida, T. Ohshima, T. Kamiya

Solar Energy Materials and Solar Cells　90　(1)　93-99　2006年1月6日

DOI： 10.1016/j.solmat.2005.03.005 　

ISSN：0927-0248
Self-organized dots of GaN:Mn grown by molecular beam epitaxy

S. Kuroda, S. Marcet, D. Halley, D. Ferrand, J. Cibert, H. Mariette, S. Yamamoto, T. Sakai, T. Ohshima, H. Itoh

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　3　(11)　3967-3970　2006年

DOI： 10.1002/pssc.200671601 　

ISSN：1862-6351
Deactivation of nitrogen donors in silicon carbide 査読有り

F. Schmid, S. A. Reshanov, H. B. Weber, G. Pensl, M. Bockstedte, A. Mattausch, O. Pankratov, T. Ohshima, H. Itoh

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　74　(24)　2006年

DOI： 10.1103/PhysRevB.74.245212 　

ISSN：1098-0121 1550-235X
Defect-engineering in SiC by ion implantation and electron irradiation 査読有り

G. Pensl, F. Ciobanu, T. Frank, D. Kirmse, M. Krieger, S. Reshanov, F. Schmid, M. Weidner, T. Ohshima, H. Itoh, W. J. Choyke

Microelectronic Engineering　83　(1)　146-149　2006年1月

DOI： 10.1016/j.mee.2005.10.040 　

ISSN：0167-9317
Electron paramagnetic resonance study of the HEI4/SI5 center in 4H-SiC 査読有り

T. Urneda, N. T. Son, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen

Silicon Carbide and Related Materials 2005, Pts 1 and 2　527-529　543-546　2006年

ISSN：0255-5476
Shallow P donors in 3C-, 4H-, and 6H-SiC 査読有り

J. Isoya, M. Katagiri, T. Umeda, N. T. Son, A. Henry, A. Gali, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen

Silicon Carbide and Related Materials 2005, Pts 1 and 2　527-529　593-596　2006年

ISSN：0255-5476
Mechanisms of reduction in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by electron irradiation 査読有り

H Matsuura, S Kagamihara, Y Itoh, T Ohshima, H Itoh

MICROELECTRONIC ENGINEERING　83　(1)　17-19　2006年1月

DOI： 10.1016/j.mee.2005.10.015 　

ISSN：0167-9317
Current injection effects on the electrical performance of 3J solar cells irradiated with low and high energy protons 査読有り

Takeshi Ohshima, Haruki Miyamoto, Mitsuru Imaizumi, Chiharu Morioka, Shirou Kawakita, Kazunori Shimazaki, Koichi Kibe, Katsuyasu Kawano, Hisayoshi Itoh

CONFERENCE RECORD OF THE 2006 IEEE 4TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION, VOLS 1 AND 2　1818-+　2006年
Divacancy model for P6/P7 centers in 4H-and 6H-SiC 査読有り

N. T. Son, T. Umeda, J. Isoya, A. Gali, M. Bockstedte, B. Magnusson, A. Ellison, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2005, PTS 1 AND 2　527-529　527-530　2006年

ISSN：0255-5476
Analysis for radiation-resistance of InGaP and GaAs sub-cells for InGaP/GaAs/Ge 3-junction solar cells 査読有り

Masafumi Yamaguchi, Nicholas J. Ekins-Daukes, Hae-Seok Lee, Taishi Sumita, Mitsuru Imaizumi, Tatsuya Takamoto, Takaaki Agui, Minoru Kaneiwa, Kunio Kamimura, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh

CONFERENCE RECORD OF THE 2006 IEEE 4TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION, VOLS 1 AND 2　1789-+　2006年
Charge induced in 6H-SiC PN diodes by irradiation of oxygen ion microbeams 査読有り

T. Ohshima, T. Satoh, M. Oikawa, S. Onoda, T. Hirao, H. Itoh

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2005, PTS 1 AND 2　527-529　1347-+　2006年

ISSN：0255-5476
Minority-carrier injection-enhanced recovery of radiationinduced defects in n(+)p alingap solar cells 査読有り

Hae-Seok Lee, Masafumi Yamaguchi, Nicholas J. Ekins-Daukes, Aurangzeb Khan, Tatsuya Takamoto, Mitsuru Imaizumi, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh

CONFERENCE RECORD OF THE 2006 IEEE 4TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION, VOLS 1 AND 2　1826-+　2006年
Study on optimum structure of AllnGaP top cell for triple-junction space solar cell 査読有り

Chiharu Morioka, Mitsuri Imaizumi, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Koichi Kibe

Conference Record of the 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Vols 1 and 2　1846-1849　2006年
Analysis of radiation response and recovery characteristics of amorphous silicon solar cells 査読有り

Kazunori Shimazaki, Mitsuru Imaizumi, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Koichi Kibe

Conference Record of the 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Vols 1 and 2　1797-1800　2006年
Spin multiplicity and charge state of a silicon vacancy (TV2a) in 4H-SiC determined by pulsed ENDOR 査読有り

N. Mizuochi, S. Yamasaki, H. Takizawa, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, T. Umeda, J. Isoya

Physical Review B　72　(23)　235208 (1-6)-235208　2005年12月
出版者・発行元： The American Physical Society
DOI： 10.1103/PhysRevB.72.235208 　

ISSN：1098-0121

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In this paper, we unambiguously re-determine the spin multiplicity of TV2a by pulsed electron nucleus double resonance technique. The TV2a center is one of the most commonly observed defects in 4H-SiC, and its origin was identified as one belonging to a class of negatively charged silicon vacancy by means of continuous-wave electron paramagnetic resonance (EPR) and the two-dimensional nutation method of pulsed EPR technique. However, a model with the spin multiplicity of triplet (S=1) and the neutral charge state has recently been suggested. Our result clearly shows that TV2a is a quartet spin (S=3∕2) state and thus should be single-negatively charged (−1).
Deep-level defects introduced by 1 MeV electron radiation in AlInGaP for multijunction space solar cells 査読有り

HS Lee, M Yamaguchi, NJ Ekins-Daukes, A Khan, T Takamoto, T Agui, K Kamimura, M Kaneiwa, M Imaizumi, T Ohshima, H Itoh

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　98　(9)　2005年11月

DOI： 10.1063/1.2115095 　

ISSN：0021-8979
Activity and current status of R&D on space solar cells in Japan 査読有り

M. Imaizumi, S. Matsuda, S. Kawakita, T. Sumita, T. Takamoto, T. Ohshima, M. Yamaguchi

Progress in Photovoltaics: Research and Applications　13　(6)　529-543　2005年9月

DOI： 10.1002/pip.644 　

ISSN：1062-7995
Piezoelectric photothermal investigation of proton irradiation induced defects in CuInSe2 epitaxial films 査読有り

Y. Akaki, N. Ohryoji, A. Fukuyama, K. Yoshino, S. Kawakita, M. Imaizumi, S. Niki, K. Sakurai, S. Ishizuka, T. Ohshima, T. Ikari

Thin Solid Films　480-481　250-253　2005年6月1日

DOI： 10.1016/j.tsf.2004.11.028 　

ISSN：0040-6090
EPR and theoretical studies of negatively charged carbon vacancy in 4H-SiC 査読有り

T Umeda, Y Ishitsuka, J Isoya, NT Son, E Janzen, N Morishita, T Ohshima, H Itoh, A Gali

PHYSICAL REVIEW B　71　(19)　2005年5月

DOI： 10.1103/PhysRevB.71.193202 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Enhancement effect of Tb-related luminescence in AlxGa1-xN with the AlN molar fraction 0 <= x <= 1 査読有り

A Wakahara, Y Nakanishi, T Fujiwara, A Yoshida, T Ohshima, T Kamiya

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　202　(5)　863-867　2005年4月

DOI： 10.1002/pssa.200461430 　

ISSN：1862-6300

eISSN：1862-6319
Radiation effect on pn-SiC diode as a detector 査読有り

Akimasa Kinoshita, Motohiro Iwami, Ken-Ichi Kobayashi, Itsuo Nakano, Reisaburo Tanaka, Tomihiro Kamiya, Akihiko Ohi, Takeshi Ohshima, Yasutaka Fukushima

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment　541　(1-2)　213-220　2005年4月1日

DOI： 10.1016/j.nima.2005.01.059 　

ISSN：0168-9002
Characterization of charge generated in silicon carbide n(+) p diodes using transient ion beam-induced current 査読有り

T Ohshima, T Satoh, M Oikawa, T Yamakawa, S Onoda, T Wakasa, JS Laird, T Hirao, T Kamiya, H Itoh, A Kinoshita, R Tanaka, Nakano, I, M Iwami, Y Fukushima

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT　541　(1-2)　236-240　2005年4月

DOI： 10.1016/j.nima.2005.01.062 　

ISSN：0168-9002
Analysis of flight demonstration results of an InGaP/GaAs dual- junction tandem solar cell

Mitsuru Imaizumi, Taishi Sumita, Shirou Kawakita, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Ito, Saburo Kuwajima

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　563-566　2005年

ISSN：0160-8371
Energy-back-transfer process in rare-earth doped AlGaN 査読有り

A Wakahara, T Fujiwara, H Okada, A Yoshida, T Ohshima, H Itho

RARE-EARTH DOPING FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS　866　91-96　2005年

ISSN：0272-9172
Analysis of proton induced defects in Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells 査読有り

Shirou Kawakita, Mitsuru Imaizumi, Koichi Kibe, Shinichi Yoda, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Masafumi Yamaguchi

Materials Research Society Symposium Proceedings　865　2005年
出版者・発行元： Materials Research Society
DOI： 10.1557/PROC-865-F5.17 　

ISSN：0272-9172
Evaluation of the electrical characteristics of III-V compounds solar cells irradiated with protons at low temperature 査読有り

Takeshi Ohshima, Taishi Sumita, Mitsuru Imaizumi, Shirou Kawakita, Kazunori Shimazaki, Saburo Kuwajima, Akihiko Ohi, Hisayoshi Itoh

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　806-809　2005年

DOI： 10.1109/PVSC.2005.1488255 　

ISSN：0160-8371
Effects of electron irradiation on CuInS2 crystals 査読有り

Kenichiro Abe, Yoshihiro Miyoshi, Atsushi Ashida, Kazuki Wakita, Takeshi Ohshima, Norio Morishita, Tomihiro Kamiya, Seiji Watase, Masanobu Izaki

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　44　(1 B)　718-721　2005年1月

DOI： 10.1143/JJAP.44.718 　

ISSN：0021-4922
Analysis of EOL prediction methodology for triple-junction solar cells in actual radiation environment 査読有り

T Sumita, M Imaizumi, T Ohshima, H Itoh, S Kuwajima

CONFERENCE RECORD OF THE THIRTY-FIRST IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE - 2005　667-670　2005年

ISSN：0160-8371
EPR and theoretical studies of positively charged carbon vacancy in 4H-SiC 査読有り

T Umeda, J Isoya, N Morishita, T Ohshima, T Kamiya, A Gali, P Deak, NT Son, E Janzen

PHYSICAL REVIEW B　70　(23)　2004年12月

DOI： 10.1103/PhysRevB.70.235212 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Low-energy proton irradiation effects on GaAs/Si solar cell 査読有り

Nallathambi Chandrasekaran, Tetsuo Soga, Yousuke Inuzuka, Hironori Taguchi, Mitsuru Imaizumi, Takeshi Ohshima, Takashi Jimbo

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters　43　(10 A)　L1302-L1304　2004年10月1日

DOI： 10.1143/JJAP.43.L1302 　

ISSN：0021-4922
Proton irradiation damages in CuInSe2 thin film solar cell materials by a piezoelectric photothermal spectroscopy 査読有り

Yoji Akaki, Naoto Ohryoji, Kenji Yoshino, Shirou Kawakita, Mitsuru Imaizumi, Shigeru Niki, Keiichiro Sakurai, Shogo Ishizuka, Takeshi Ohshima, Tetsuo Ikari

Solid-State Electronics　48　(10-11)　1815-1818　2004年10月

DOI： 10.1016/j.sse.2004.05.018 　

ISSN：0038-1101
Strong blue emission from Er3+ doped in AlxGa1-xN 国際誌国際共著査読有り

A Wakahara, Y Nakanishi, T Fujiwara, H Okada, A Yoshida, T Ohshima, T Kamiya, YT Kim

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　201　(12)　2768-2772　2004年9月

DOI： 10.1002/pssa.200405006 　

ISSN：1862-6300

eISSN：1862-6319
Carrier removal in lattice-mismatched InGaP solar cells under 1-MeV-electron irradiation 査読有り

NJ Ekins-Daukes, HS Lee, T Sasaki, M Yamaguchi, A Khan, T Takamoto, T Agui, K Kamimura, M Kaneiwa, M Imaizumi, T Ohshima, T Kamiya

APPLIED PHYSICS LETTERS　85　(13)　2511-2513　2004年9月

DOI： 10.1063/1.1794371 　

ISSN：0003-6951
Effect of Al Composition on Luminescence Properties of Rare-Earth Implanted into AlGaN 査読有り

Akira Yoshida, Akihiro Wakahara, Yasuo Nakanishi, Hiroshi Okada, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Young Tae Kim

Key Engineering Materials　270-273　890-894　2004年8月
出版者・発行元： Trans Tech Publications, Ltd.
DOI： 10.4028/www.scientific.net/kem.270-273.890 　

eISSN：1662-9795
Proton-beam-induced defect levels in CuInSe2 thin-film absorbers: An investigation on nonradiative electron transitions 査読有り

Y Akaki, K Yoshino, T Ikari, S Kawakita, M Imaizumi, S Niki, K Sakurai, S Ishizuka, T Ohshima

APPLIED PHYSICS LETTERS　85　(8)　1347-1349　2004年8月

DOI： 10.1063/1.1784518 　

ISSN：0003-6951
EPR identification of two types of carbon vacancies in 4H-SiC 査読有り

T Umeda, J Isoya, N Morishita, T Ohshima, T Kamiya

PHYSICAL REVIEW B　69　(12)　2004年3月

DOI： 10.1103/PhysRevB.69.121201 　

ISSN：1098-0121
Relationship between the current direction in the inversion layer and the electrical characteristics of metal-oxide-semiconductor field effect transistors on 3C-SiC 査読有り

T Ohshima, KK Lee, Y Ishida, K Kojima, Y Tanaka, T Takahashi, M Yoshikawa, H Okumura, K Arai, T Kamiya

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PRTS 1 AND 2　457-460　1405-1408　2004年

ISSN：0255-5476
EPR and pulsed ENDOR study of EI6 and related defects in 4H-SiC 査読有り

T Umeda, Y Ishitsuka, J Isoya, N Morishita, T Ohshima, T Kamiya

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PRTS 1 AND 2　457-460　465-468　2004年

ISSN：0255-5476
Introduction of phosphorus atoms in silicon carbide using nuclear transmutation doping at elevated temperatures 査読有り

T Ohshima, N Morishita, T Kamiya, J Isoya, S Baba, J Aihara, M Yamaji, M Ishihara

BASIC STUDIES IN THE FIELD OF HIGH-TEMPERATURE ENGINEERING　197-202　2004年
Pulsed EPR studies of shallow donor impurities in SiC 査読有り

J Isoya, T Ohshima, N Morishita, T Kamiya, H Itoh, S Yamasaki

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　340　903-907　2003年12月

DOI： 10.1016/j.physb.2003.09.097 　

ISSN：0921-4526
Improvement of luminescence capability of Tb3+-related emission by AlxGa1-xN 査読有り

Y Nakanishi, A Wakahara, H Okada, A Yoshida, T Ohshima, H Itoh

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　240　(2)　372-375　2003年11月

DOI： 10.1002/pssc.200303479 　

ISSN：0370-1972

eISSN：1521-3951
EPR studies of the isolated negatively charged silicon vacancies in n-type 4H- and 6H-SiC: Identification of C3v symmetry and silicon sites 査読有り

N. Mizuochi, S. Yamasaki, H. Takizawa, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya

Physical Review B　68　(16)　165206 (1-11)-165206　2003年10月
出版者・発行元： The American Physical Society
DOI： 10.1103/PhysRevB.68.165206 　

ISSN：1098-0121

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The isolated negatively charged silicon vacancy (VSi-) in the hexagonal lattices of 4H- and 6H-SiC has been studied by electron paramagnetic resonance (EPR). The local structure was suggested to have Td symmetry from the isotropic g value within the resolution of the conventional X-band measurements, from the isotropic 29Si hyperfine interaction of the next-nearest-neighbor silicon atoms and from the absence of the zero-field splitting with the high spin state of S=3/2. From the 13C hyperfine spectrum of the nearest-neighbor carbon atoms, the two kinds of VSi-, denoted VSi-(I) and VSi-(II), respectively have been distinguished. VSi-(I) and VSi-(II) are assigned to be arising from hexagonal site (h) and quasicubic sites (k in 4H-SiC, k1 and k2 in 6H-SiC), respectively. In both VSi-(I) and VSi-(II), from the 13C hyperfine interactions, the symmetry has been revealed to be C3v with the arrangement of the four nearest-neighbor carbon atoms slightly distorted from a regular tetrahedron.
Effects of high-energy proton irradiation on the density and hall mobility of majority carriers in single crystalline n-type CuInSe2 thin films 査読有り

Hae Seok Lee, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, Akira Yoshida, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Shirou Kawakita, Mitsuru Imaizumi, Sumio Matsuda

Physica Status Solidi (A) Applied Research　199　(3)　471-474　2003年10月1日

DOI： 10.1002/pssa.200306669 　

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Proton irradiation effects in CuInSe2 (CIS) thin films have been investigated as a function of proton energy (0.38, 1 and 3 MeV). Single crystalline n-CIS thin films were prepared by radio frequency sputtering. The electrical properties of as-grown and irradiated samples were measured. The typical electron concentration and Hall mobility in as-grown samples were 4 × 1016 cm-3 and 120 cm2/Vs, respectively. After 0.38 and 1MeV proton irradiation, both of the electron concentration and Hall mobility were decreased as the fluence exceeded 1 × 1013 cm-2, but for 3 MeV proton irradiation, they were decreased over the fluence of 1 × 1014 cm-2. The damage by high-energy proton irradiation was lower than that by low-energy proton irradiation. The carrier removal rate with proton fluence was estimated about from 1800 to 300 cm-1 as proton energy was changed from 0.38 to 3 MeV.
Deep level transient spectroscopy study of electron-irradiated CuInSe2 thin films 査読有り

H Okada, N Fujita, HS Lee, A Wakahara, A Yoshida, T Ohshima, H Itoh

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS　32　(9)　L5-L8　2003年9月

DOI： 10.1007/s11664-003-0234-8 　

ISSN：0361-5235
Observation of single-ion induced charge collection in diode by a heavy ion microbeam system 査読有り

T Kamiya, M Oikawa, T Ohshima, T Hirao, KK Lee, S Onoda, JS Laird

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　210　206-210　2003年9月

DOI： 10.1016/S0168-583X(03)01071-1 　

ISSN：0168-583X
Evaluation of the characteristics of silicon carbide diodes using transient-IBIC technique 査読有り

T Ohshima, KK Lee, S Onoda, T Kamiya, M Oikawa, JS Laird, T Hirao, H Itoh

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　210　201-205　2003年9月

DOI： 10.1016/S0168-583X(03)01070-X 　

ISSN：0168-583X
Radiation damage on 6H-SiC Schottky diodes 査読有り

T Nishijima, SM Hearne, DN Jamieson, T Ohshima, KK Lee, H Itoh

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　210　196-200　2003年9月

DOI： 10.1016/S0168-583X(03)01069-3 　

ISSN：0168-583X
A comparative study of the radiation hardness of silicon carbide using light ions 査読有り

KK Lee, T Ohshima, A Saint, T Kamiya, DN Jamieson, H Itoh

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　210　489-494　2003年9月

DOI： 10.1016/S0168-583X(03)01096-6 　

ISSN：0168-583X
The electrical characteristics of metal-oxide-semiconductor field effect transistors fabricated on cubic silicon carbide 査読有り

T Ohshima, KK Lee, Y Ishida, K Kojima, Y Tanaka, T Takahashi, M Yoshikawa, H Okumura, K Arai, T Kamiya

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　42　(6B)　L625-L627　2003年6月

DOI： 10.1143/JJAP.42.L625 　

ISSN：0021-4922
Effects of implantation conditions on the luminescence properties of Eu-doped GaN 査読有り

Y. Nakanishi, A. Wakahara, H. Okada, A. Yoshida, T. Ohshima, H. Itoh, S. Nakao, K. Saito, Y. T. Kim

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　206　1033-1036　2003年5月

DOI： 10.1016/S0168-583X(03)00928-5 　

ISSN：0168-583X
Proton radiation analysis of multi junction space solar cells 査読有り

T Sumita, M Imaizumi, S Matsuda, T Ohshima, A Ohi, H Itoh

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　206　448-451　2003年5月

DOI： 10.1016/S0168-583X(03)00791-2 　

ISSN：0168-583X
ESR characterization of activation of implanted phosphorus ions in silicon carbide 査読有り

J Isoya, T Ohshima, A Ohi, N Morishita, H Itoh

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　206　965-968　2003年5月

DOI： 10.1016/S0168-583X(03)00903-0 　

ISSN：0168-583X
Observation of transient current induced in silicon carbide diodes by ion irradiation 査読有り

T Ohshima, KK Lee, S Onoda, T Kamiya, M Oikawa, JS Laird, T Hirao, H Itoh

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　206　979-983　2003年5月

DOI： 10.1016/S0168-583X(03)00906-6 　

ISSN：0168-583X
Performance of gamma irradiated p-channel 6H-SiC MOSFETs: High total dose 査読有り

KK Lee, T Ohshima, H Itoh

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　50　(1)　194-200　2003年2月

DOI： 10.1109/TNS.2002.807853 　

ISSN：0018-9499
A pn-SiC diode as a radiation detector

Akimasa Kinoshita, Motohiro Iwami, Itsuo Nakano, Reisaburo Tanaka, Tomihiro Kamiya, Akihiko Ohi, Takeshi Ohshima, Yasutaka Fukushima

IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record　2　1346-1350　2003年
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/nssmic.2003.1351943 　

ISSN：1095-7863
Study of radiation response on single-junction component sub-cells in triple-junction solar cells

Mitsuru Imaizumi, Tatsuya Takamoto, Taishi Sumita, Takeshi Ohshima, Masafumi Yamaguchi, Sumio Matsuda, Akihiko Ohi, Tomihiro Kamiya

Proceedings of the 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion　A　599-602　2003年
Analysis of end-of-life performance for proton-irradiated triple-junction space solar cell

Taishi Sumita, Mitsuru Imaizumi, Sumio Matsuda, Takeshi Ohshima, Akihiko Ohi, Tomihiro Kamiya

Proceedings of the 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion　A　689-692　2003年
Super radiation tolerance of CIGS solar cells demonstrated in space by MDS-1 satellite

Shirou Kawakita, Mitsuru Imaizumi, Taishi Sumita, Katsumi Kushiya, Takeshi Ohshima, Masafumi Yamaguchi, Sumio Matsuda, Shinichi Yoda, Tomihiro Kamiya

Proceedings of the 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion　A　693-696　2003年
Annealing of a Vacancy-Type Defect and Diffusion of Implanted Boron in 6H-SiC 査読有り

Ohshima, T., Uedono, A., Eryu, O., Lee, K.K., Abe, K., Itoh, H., Nakashima, K.

Materials Science Forum　433-436　633-636　2003年
出版者・発行元： Materials Science Forum
ISSN：1662-9752
Improvement of Luminescence Capability of Tb3+-Related Emission by AlGaN 国際誌査読有り

Yasuo Nakanishi, Akihiro Wakahara, Hiroshi Okada, Akira Yoshida, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, T.Shibata, M.Tanaka

physica status solidi (b)　0　(7)　2623-2626　2003年

DOI： 10.1002/pssb.200303479 　
Effects of Al composition on luminescence properties of europium implanted AlxGa1-xN (0 ? × ? 1) 査読有り

Y. Nakanishi, A. Wakahara, H. Okada, A. Yoshida, T. Ohshima, H. Itoh, T. Shibata, M. Tanaka

Physica Status Solidi C: Conferences　0　(7)　2623-2626　2003年

DOI： 10.1002/pssc.200303440 　

ISSN：1610-1634
Effect of Alloy Composition on Photoluminescence Properties of Europium Implanted AlGaInN 査読有り

Y. Nakanishi, A. Wakahara, H. Okada, A. Yoshida, T. Ohshima, H. Itoh

physica status solidi (c)　0　(1)　461-464　2003年
出版者・発行元： Wiley
DOI： 10.1002/pssc.200390088 　

ISSN：1610-1634

eISSN：1610-1642
Effect of Cl ion implantation on electrical properties of CuInSe2 thin films 査読有り

T Tanaka, T Yamaguchi, T Ohshima, H Itoh, A Wakahara, A Yoshida

SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS　75　(1-2)　109-113　2003年1月

DOI： 10.1016/S0927-0248(02)00115-0 　

ISSN：0927-0248
Validation of SiC photodetectors response 査読有り

Kin Kiong Lee, Jamie S. Laird, T. Ohshima, T. Kamiya

Proceedings of the IEEE/LEOS 3rd International Conference on Numerical Simulation of Semiconductor Optoelectronic Devices, NUSOD 2003　2003-　2003年
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/NUSOD.2003.1263224 　
Proton irradiation damages in CuInSe2 thin film solar cell materials by a piezoelectric photothermal spectroscopy 査読有り

Y. Akaki, N. Ohryoji, K. Yoshino, S. Kawakita, M. Imaizumi, S. Niki, K. Sakurai, S. Ishizuka, T. Ohshima, T. Ikari

2003 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS 2003 - Proceedings　460-461　2003年
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/ISDRS.2003.1272189 　
Analysis of radiation effects in space for terrestrial solar cells on MDS-1 査読有り

T. Sumita, M. Imaizumi, S. Kawakita, S. Matsuda, S. Kuwajima, T. Ohshima, T. Kamiya

IEEE Radiation Effects Data Workshop　2003-　11-17　2003年
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/REDW.2003.1281315 　
Strategies for improving radiation tolerance of Si space solar cells 査読有り

A. Khan, M. Yamaguchi, Y. Ohshita, N. Dharmaraso, K. Araki, V. T. Khanh, H. Itoh, T. Ohshima, M. Imaizumi, S. Matsuda

Solar Energy Materials and Solar Cells　75　(1-2)　271-276　2003年1月

DOI： 10.1016/S0927-0248(02)00169-1 　

ISSN：0927-0248
Low-energy proton-induced defects in n(+)/p InGaP solar cells 査読有り

N Dharmarasu, M Yamaguchi, A Khan, T Takamoto, T Ohshima, H Itoh, M Imaizumi, S Matsuda

SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS　75　(1-2)　327-333　2003年1月

ISSN：0927-0248
Continuous-wave and pulsed EPR study of the negatively charged silicon vacancy with S=3/2 and C3v symmetry in n-type 4H-SiC 査読有り

N. Mizuochi, S. Yamasaki, H. Takizawa, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya

Physical Review B　66　235202-1-235202-12　2002年12月

DOI： 10.1103/PhysRevB.66.235202 　
Effect of 3 MeV electron irradiation on the photoluminescence properties of Eu-doped GaN 査読有り

Y Nakanishi, A Wakahara, H Okada, A Yoshida, T Ohshima, H Itoh

APPLIED PHYSICS LETTERS　81　(11)　1943-1945　2002年9月

DOI： 10.1063/1.1504873 　

ISSN：0003-6951
Majority- and minority-carrier deep level traps in proton-irradiated n +/p-InGaP space solar cells 査読有り

Nethaji Dharmarasu, Masafumi Yamaguchi, Jacques C. Bourgoin, Tatsuya Takamoto, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Mitsuru Imaizumi, Sumio Matsuda

Applied Physics Letters　81　(1)　64-66　2002年7月1日

DOI： 10.1063/1.1491005 　

ISSN：0003-6951
Annealing enhancement effect by light illumination on proton irradiated Cu(In,Ga)Se-2 thin-film solar cells 査読有り

S Kawakita, M Imaizumi, M Yamaguchi, K Kushiya, T Ohshima, H Itoh, S Matsuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　41　(7A)　L797-L799　2002年7月

DOI： 10.1143/JJAP.41.L797 　

ISSN：0021-4922
Investigation of the radiation hardness on semiconductor devices using the ion micro-beam 査読有り

T. Nishijima, T. Ohshima, K. K. Lee

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　190　(1-4)　329-334　2002年5月

DOI： 10.1016/S0168-583X(01)01243-5 　

ISSN：0168-583X
Effects of proton irradiation on n(+)p InGaP solar cells 査読有り

N Dharmarasu, A Khan, M Yamaguchi, T Takamoto, T Ohshima, H Itoh, M Imaizumi, S Matsuda

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　91　(5)　3306-3311　2002年3月

DOI： 10.1063/1.1445276 　

ISSN：0021-8979
Radiation effects on high-efficiency InGaP/InGaAs/Ge triple-junction solar cells developed for terrestrial use

Mitsuru Imaizumi, Tatsuya Takamoto, Takeshi Ohshima, Masafumi Yamaguchi, Hisayoshi Itoh, Sumio Matsuda

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　990-993　2002年

ISSN：0160-8371
In-situ measurement of degradation of Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells during electron and proton irradiations

Shirou Kawakita, Mitsuru Imaizumi, Masafumi Yamaguchi, Katsumi Kushiya, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Ito, Sumio Matsuda

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　978-981　2002年

ISSN：0160-8371
Annealing of a vacancy-type defect and diffusion of implanted boron in 6H-SiC 査読有り

T Ohshima, A Uedono, O Eryu, KK Lee, K Abe, H Itoh, K Nakashima

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 2002　433-4　633-636　2002年

ISSN：0255-5476
Post-implantation annealing effects on the surface morphology and electrical characteristics of 6H-SiC implanted with aluminum 査読有り

A. Ohi, T. Ohshima, M. Yoshikawa, K. K. Lee, M. Iwami, H. Itoh

Materials Science Forum　389-393　831-834　2002年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.831 　

ISSN：0255-5476
Effects of successive annealing of oxides on electrical characteristics of silicon carbide metal-oxide-semiconductor structures 査読有り

M Yoshikawa, M Satoh, T Ohshima, H Itoh

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS　389-3　1009-1012　2002年

ISSN：0255-5476
Radiation response of p-channel 6H-SiC MOSFETs fabricated using pyrogenic conditions 査読有り

KK Lee, T Ohshima, H Itoh

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS　389-3　1097-1100　2002年

ISSN：0255-5476
Gamma-ray irradiation effects on the electrical characteristics of 6H-SiC MOSFETs with annealed gate-oxide 査読有り

T Ohshima, KK Lee, A Ohi, M Yoshikawa, H Itoh

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS　389-3　1093-1096　2002年

ISSN：0255-5476
Modelling of radiation response of p-channel SiC MOSFETs 査読有り

KK Lee, T Ohshima, H Itoh

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 2002　433-4　761-764　2002年

ISSN：0255-5476
EPR Study of Single Silicon Bacancy-Related Defects in 4H-and 6H-SiC 査読有り

N. Mizuochi, J. Isoya, S. Yamasaki, H. Takizawa, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh

Material Science Forum　389-393　(2)　497-500　2002年1月

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.497 　
Deep-level transient spectroscopy analysis of proton-irradiated n+/p InGaP solar cells 査読有り

N. Dharmarasu, M. Yamaguchi, A. Khan, T. Takamoto, T. Ohshima, H. Itoh, M. Imaizumi, S. Matsuda

Physica B: Condensed Matter　308-310　1181-1184　2001年12月

DOI： 10.1016/S0921-4526(01)00935-8 　

ISSN：0921-4526
Positron annihilation study of vacancy-type defects in silicon carbide co-implanted with aluminum and carbon ions 査読有り

Takeshi Ohshima, Akira Uedono, Hiroshi Abe, Z. Q. Chen, Hisayoshi Itoh, Masahito Yoshikawa, Koji Abe, Osamu Eryu, Kenshiro Nakashima

Physica B: Condensed Matter　308-310　652-655　2001年12月

DOI： 10.1016/S0921-4526(01)00780-3 　

ISSN：0921-4526
High-radiation-resistant InGaP, InGaAsP, and InGaAs solar cells for multijuction solar cells 査読有り

Nethaji Dharmarasu, Masafumi Yamaguchi, Aurangzeb Khan, Takashi Yamada, Tatsuya Tanabe, Shigenori Takagishi, Tatsuya Takamoto, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Mitsuru Imaizumi, Sumio Matsuda

Applied Physics Letters　79　(15)　2399-2401　2001年10月8日

DOI： 10.1063/1.1409270 　

ISSN：0003-6951
Luminescence properties of Eu-implanted GaN for full color micro light-emitting diode array

A. Wakahara, Y. Nakanishi, T. Ohshima, H. Itoh

Journal of the Indian Institute of Science　81　(5)　579-583　2001年9月

ISSN：0970-4140
Effect of gamma-ray irradiation on the characteristics of 6H silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor with hydrogen-annealed gate oxide 査読有り

T Ohshima, H Itoh, M Yoshikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　90　(6)　3038-3041　2001年9月

ISSN：0021-8979
Role of the impurities in production rates of radiation-induced defects in silicon materials and solar cells 査読有り

Aurangzeb Khan, Masafumi Yamaguchi, Y. Ohshita, N. Dharmarasu, K. Araki, Takao Abe, Hisayoshi Itoh, T. Ohshima, M. Imaizumi, S. Matsuda

Journal of Applied Physics　90　(3)　1170-1178　2001年8月1日

DOI： 10.1063/1.1384855 　

ISSN：0021-8979
Ion beam induced charge gate rupture of oxide on 6H-SiC 査読有り

K. K. Lee, T. Nishijima, T. Ohshima, D. N. Jamieson

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　181　(1-4)　324-328　2001年7月

DOI： 10.1016/S0168-583X(01)00622-X 　

ISSN：0168-583X
Radiation Resistant Low Bandgap InGaAsP Solar Cell for Multi-Junction Solar Cells.

Khan Aurangzeb, Yamaguchi Masafumi, Dharmaras Nathaji, Yamada Takashi, Tanabe Tatsuya, Takagishi Shigenori, Itoh Hisayoshi, Ohshima Takeshi, Imaizumi Mitsuru, Matsuda Sumio

Japanese Journal of Applied Physics　40　(7)　L728-L731　2001年
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.1143/jjap.40.L728 　

ISSN：0021-4922

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We have explored the superior radiation tolerance of metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) grown, low bandgap, (0.95 eV) InGaAsP solar cells as compared to GaAs-on-Ge cells, after 1 MeV electron irradiation. The minority carrier injection due to forward bias and light illumination under low concentration ratio, can lead to enhanced recovery of radiation damage in InGaAsP n<FONT SIZE="-1">⁺</FONT>-p junction solar cells. An injection anneal activation energy (0.58 eV) of the defects involved in damage/recovery of the InGaAsP solar cells has been estimated from the resultant recovery of the solar cell properties following minority carrier injection. The results suggest that low bandgap radiation resistant InGaAsP (0.95 eV) lattice matched to InP substrates provide an alternative to use as bottom cells in multi-junction solar cells instead of less radiation ressitant conventional GaAs based solar cells for space applications.
Enhancement of electrical activation of aluminum accepters in 6H-SiC by co-implantation of carbon ions 査読有り

T Ohshima, H Itoh, M Yoshikawa

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, ECSCRM2000　353-356　575-578　2001年

ISSN：0255-5476
Steam annealing effects on CV characteristics of MOS structures on (11(2)over-bar-0) face of 4H-SiC 査読有り

M Yoshikawa, T Ohshima, H Itoh, K Takahashi, M Kitabatake

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, ECSCRM2000　353-356　635-638　2001年

ISSN：0255-5476
SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング

伊藤久義, 大島武

表面科学　21　(12)　778-783　2000年12月10日
出版者・発行元： The Surface Science Society of Japan
DOI： 10.1380/jsssj.21.778 　

ISSN：0388-5321

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Research and development of ion implantation technique for SiC semiconductor have been performed. Hot-implantation of P ions into 6H-SiC raises the electron concentration in P-implanted n-type layers, showing that the hot-implantation enhances the electrical activation of P donors. The hole concentration in Al ion implanted 6H-SiC is found to increase due to co-implantation of C ions. This fact demonstrates that the electrical properties of Al-implanted p-type layers are improved by the C co-implantation. Using the ion implantation methods, SiC-based metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) have been successfully fabricated. These results indicate that hot- and C co-implantations are quite useful for the fabrication of SiC devices.
Electrical activation of phosphorus-donors introduced in 6H-SiC by hot-implantation

T. Ohshima, K. Abe, H. Itoh, M. Yoshikawa, K. Kojima, I. Nashiyama, S. Okada

Applied Physics A: Materials Science and Processing　71　(2)　141-145　2000年8月
出版者・発行元： Springer-Verlag GmbH & Company KG
ISSN：0947-8396
Effect of Mg ion implantation on electrical properties of CuInSe<inf>2</inf> thin films 査読有り

Tooru Tanaka, Akihiro Wakahara, Akira Yoshida, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Sohei Okada

Journal of Applied Physics　87　(7)　3283-3286　2000年4月

DOI： 10.1063/1.372337 　

ISSN：0021-8979
Photoluminescence properties of Eu-doped GaN by ion implantation 査読有り

Y Nakanishi, A Wakahara, A Yoshida, T Ohshima, H Itoh, S Sakai

PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS　1　486-489　2000年
Relationship between donor activation and defect annealing in 6H-SiC hot-implanted with phosphorus ions 査読有り

T Ohshima, A Uedono, H Itoh, M Yoshikawa, K Kojima, S Okada, Nashiyama, I, K Abe, S Tanigawa, T Frank, G Pensl

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2　338-3　857-860　2000年

ISSN：0255-5476
Crystallization of an amorphous layer in P+-implanted 6H-SiC studied by monoenergetic positron beams 査読有り

Akira Uedono, Shoichiro Tanigawa, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Masahito Yoshikawa, Isamu Nashiyama, Thomas Frank, Gerhard Pensl, Ryoichi Suzuki, Toshiyuki Ohdaira, Tomohisa Mikado

Journal of Applied Physics　87　(9 I)　4119-4125　2000年
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.373039 　

ISSN：0021-8979
Effect of Electron Irradiation on Properties of CuInSe2 Thin Films 査読有り

Tooru Tanaka, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Sohei Okada, Akihiro Wakahara, Akira Yoshida

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　39　(1)　192-193　2000年

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Effects of steam annealing on electrical characteristics of 3C-SiC metal-oxide-semiconductor structures 査読有り

M Yoshikawa, K Kojima, T Ohshima, H Itoh, S Okada, Y Ishida

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2　338-3　1129-1132　2000年

ISSN：0255-5476
Characterization of Au Schottky contacts on p-type 3C-SiC grown by low pressure chemical vapor deposition 査読有り

K Kojima, M Yoshikawa, T Ohshima, H Itoh, S Okada

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2　338-3　1239-1242　2000年

ISSN：0255-5476
Influence of post-oxidation annealing on electrical characteristics in 6H-SiC MOSFETs 査読有り

T Ohshima, M Yoshikawa, H Itoh, K Kojima, S Okada, Nashiyama, I

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2　338-3　1299-1302　2000年

ISSN：0255-5476
Oxygen-related defects in O+-implanted 6H-SiC studied by a monoenergetic positron beam 査読有り

Akira Uedono, Shoichiro Tanigawa, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Yasushi Aoki, Masahito Yoshikawa, Isamu Nashiyama

Journal of Applied Physics　86　(10)　5392-5398　1999年11月15日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.371536 　

ISSN：0021-8979
γ-Ray irradiation effects on 6H-SiC MOSFET 査読有り

Takeshi Ohshima, Masahito Yoshikawa, Hisayoshi Itoh, Yasushi Aoki, Isamu Nashiyama

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology　61-62　480-484　1999年7月30日
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/S0921-5107(98)00560-1 　

ISSN：0921-5107
Investigation of Positron Moderator Materials for Electron-Linac-Based Slow Positron Beamlines

Suzuki Ryoichi, Ohdaira Toshiyuki, Uedono Akira, Cho Yang, Yoshida Sadafumi, Ishida Yuuki, Ohshima Takeshi, Itoh Hisayoshi, Chiwaki Mitsukuni, Mikado Tomohisa, Yamazaki Tetsuo, Tanigawa Shoichiro

Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes　37　(8)　4636-4643　1998年8月15日
出版者・発行元：社団法人応用物理学会
DOI： 10.1143/JJAP.37.4636 　

ISSN：0021-4922

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Positron re-emission properties were studied on moderator materials in order to improve the positron moderation system of electron-linac-based intense slow positron beamlines. The re-emitted positron fraction was measured on tungsten, SiC, GaN, SrTiO3, and hydrogen-terminated Si with a variable-energy pulsed positron beam. The results suggested that tungsten is the best material for the primary moderator of the positron beamlines while epitaxially grown n-type 6H–SiC is the best material for the secondary moderator. Defect characterization by monoenergetic positron beams and surface characterization by Auger electron spectroscopy were carried out to clarify the mechanism of tungsten moderator degradation induced by high-energy electron irradiation. The characterization experiments revealed that the degradation is due to both radiation-induced vacancy clusters and surface carbon impurities. For the restoration of degraded tungsten moderators, oxygen treatment at ∼900°C is effective. Furthermore, it was found that oxygen at the tungsten surface inhibits positronium formation; as a result, it can increase the positron re-emission fraction.
Generation of Interface Traps and Oxide-Trapped Charge in 6H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Transistors by Gamma-Ray Irradiation

Ohshima Takeshi, Yoshikawa Masahito, Ito Hisayoshi, Aoki Yasushi, Nashiyama Isamu

Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters　37　(8)　L1002-L1004　1998年8月15日
出版者・発行元：社団法人応用物理学会
DOI： 10.1143/JJAP.37.L1002 　

ISSN：0021-4922

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Enhancement-type n-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) were fabricated on 6H-SiC to investigate the influence of γ-ray irradiation on device characteristics. The net number of radiation-induced oxide-trapped charges and interface traps induced by γ-ray irradiation were ∼3×1012/cm2 and ∼5×1011/cm2 after 70 kGy irradiation, respectively. These were measured from changes in the subthreshold-current curve. On comparing the densities of oxide-trapped charges and interface traps produced by irradiation in 6H-SiC MOSFETs with those in Si MOSFETs, the 6H-SiC MOSFETs are found to have high radiation resistance.
ESR studies of defects in p-type 6H-SiC irradiated with 3MeV-electrons

D. Cha, H. Itoh, N. Morishita, A. Kawasuso, T. Ohshima, Y. Watanabe, J. Ko, K. Lee, I. Nashiyama

Materials Science Forum　264-268　(1)　615-618　1998年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.615 　

ISSN：1662-9752 0255-5476
Study of residual defects in ion-implanted and subsequently annealed 3C-SiC 査読有り

Ohshima, T., Ishida, Y., Ohdaira, T., Itoh, H., Takahashi, T., Nashiyama, I., Yoshida, S., Uedono, A., Yoshikawa, M., Tanigawa, S., Mikado, T., Suzuki, R., Kozima, K., Okumura, H., Okada, S.

Denshi Gijutsu Sogo Kenkyusho Iho/Bulletin of the Electrotechnical Laboratory　62　(10)　1998年
Study of thermal annealing of vacancies in ion implanted 3C-SiC by positron annihilation 査読有り

Ohshima, T., Uedono, A., Itoh, H., Abe, K., Suzuki, R., Ohdaira, T., Aoki, Y., Yoshikawa, M., Mikado, T., Okumura, H., Yoshida, S., Tanigawa, S., Nashiyama, I.

Materials Science Forum　264-268　(PART 2)　745-748　1998年
出版者・発行元： Materials Science Forum
ISSN：1662-9752
Study of thermal annealing of vacancies in ion implanted 3C-SiC by positron annihilation 査読有り

T Ohshima, A Uedono, H Itoh, K Abe, R Suzuki, T Ohdaira, Y Aoki, M Yoshikawa, T Mikado, H Okumura, S Yoshida, S Tanigawa, Nashiyama, I

SILICON CARBIDE, III-NITRIDES AND RELATED MATERIALS, PTS 1 AND 2　264-2　745-748　1998年

ISSN：0255-5476
Investigation of Vacancy-Type Defects in P+-Implanted 6H-SiC Using Monoenergetic Positron Beams.

Uedono Akira, Ohshima Takeshi, Itoh Hisayoshi, Suzuki Ryoichi, Ohdaira Toshiyuki, Tanigawa Shoichiro, Aoki Yasushi, Yoshikawa Masahito, Nashiyama Isamu, Mikado Tomohisa

Japanese Journal of Applied Physics　37　(5)　2422-2429　1998年
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.1143/JJAP.37.2422 　

ISSN：0021-4922

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Vacancy-type defects and their annealing properties for 200 keV P⁺-implanted 6H-SiC were studied using monoenergetic positron beams. For the specimen with a dose of 1×10¹³/cm², the mean size of the open volume of defects was estimated to be close to that of divacancies. Based on the annealing behavior of the S parameter corresponding to the annihilation of positrons trapped by vacancy-type defects, the temperature range for the annealing of vacancy-type defects was divided into three stages. Annealing behavior in stages I (200-700^°C) and II (700-1000^°C) was identified as the agglomeration of defects due to migrations of monovacancies and vacancy complexes such as divacancies, respectively. In stage II, near the defect-free region, the agglomeration of defects was suppressed by recombination of vacancy-type defects and interstitials. Stage III (1000-1300^°C) was assigned to be the formation of extended defects and their recovery processes. The annealing behavior of the amorphous region introduced by ion implantation was also discussed.
Characterization of vacancy-type defects and phosphorus donors introduced in 6H-SiC by ion implantation 査読有り

T. Ohshima, A. Uedono, K. Abe, H. Itoh, Y. Aoki, M. Yoshikawa, S. Tanigawa, I. Nashiyama

Applied Physics A: Materials Science and Processing　67　(4)　407-412　1998年
出版者・発行元： Springer Verlag
DOI： 10.1007/s003390050794 　

ISSN：0947-8396
Silicon vacancies in 3C-SiC observed by positron lifetime and electron spin resonance 査読有り

A. Kawasuso, H. Itoh, N. Morishita, M. Yoshikawa, T. Ohshima, I. Nashiyama, S. Okada, H. Okumura, S. Yoshida

Applied Physics A: Materials Science and Processing　67　(2)　209-212　1998年
出版者・発行元： Springer Verlag
DOI： 10.1007/s003390050759 　

ISSN：0947-8396
Characterization of residual defects in cubic silicon carbide subjected to hot-implantation and subsequent annealing 査読有り

Hisayoshi Itoh, Takeshi Ohshima, Yasushi Aoki, Koji Abe, Masahito Yoshikawa, Isamu Nashiyama, Hajime Okumura, Sadafumi Yoshida, Akira Uedono, Shoichiro Tanigawa

Journal of Applied Physics　82　(11)　5339-5347　1997年12月1日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.366301 　

ISSN：0021-8979
Formation of oxide-trapped charges in 6H-SiC MOS structures 査読有り

Masahito Yoshikawa, Kazunari Saitoh, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Isamu Nashiyama, Hajime Okumura, Sadafumi Yoshida

Radiation Physics and Chemistry　50　(5)　429-433　1997年11月
出版者・発行元： Elsevier Science Ltd
DOI： 10.1016/S0969-806X(97)00065-0 　

ISSN：0969-806X
ESR studies of high-energy phosphorus-ion implanted synthetic diamond crystals 査読有り

J. Isoya, H. Kanda, I. Sakaguchi, Y. Morita, T. Ohshima

Radiation Physics and Chemistry　50　(4)　321-330　1997年10月
出版者・発行元： Elsevier Science Ltd
DOI： 10.1016/S0969-806X(97)00070-4 　

ISSN：0969-806X
Vacancy production by 3 MeV electron irradiation in 6H-SiC studied by positron lifetime spectroscopy 査読有り

Atsuo Kawasuso, Hisayoshi Itoh, Takeshi Ohshima, Koji Abe, Sohei Okada

Journal of Applied Physics　82　(7)　3232-3238　1997年10月1日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.365630 　

ISSN：0021-8979
Anomalous degradation in silicon solar cells subjected to high-fluence proton and electron irradiations 査読有り

Yousuke Morita, Takeshi Ohshima, Isamu Nashiyama, Yasunari Yamamoto, Osamu Kawasaki, Sumio Matsuda

Journal of Applied Physics　81　(9)　6491-6493　1997年5月1日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.364437 　

ISSN：0021-8979
ESR studies of incorporation of phosphorus into high-pressure synthetic diamond

J. Isoya, H. Kanda, M. Akaishi, Y. Morita, T. Ohshima

Diamond and Related Materials　6　(2-4)　356-360　1997年
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/s0925-9635(96)00602-4 　

ISSN：0925-9635
Annealing Properties of Defects in Ion-Implanted 3C-SiC Studied Using Monoenergetic Positron Beams.

Uedono Akira, Itoh Hisayoshi, Ohshima Takeshi, Suzuki Ryoichi, Ohdaira Toshiyuki, Tanigawa Shoichiro, Aoki Yasushi, Yoshikawa Masahito, Nashiyama Isamu, Mikado Tomohisa, Okumura Hajime, Yoshida Sadafumi

Japanese Journal of Applied Physics　36　(11)　6650-6660　1997年
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.1143/JJAP.36.6650 　

ISSN：0021-4922

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Annealing properties of defects in N₂⁺- or Al⁺-implanted 3C-SiC were studied using monoenergetic positron beams. For as-implanted specimens, the mean size of the open volume of defects was estimated to be close to that of divacancies. Based on the annealing behavior of the characteristic value of the S parameter corresponding to the annihilation of positrons trapped by vacancy-type defects, the temperature range for the annealing of defects was divided into five stages, and they were arbitrarily designated as I-V. Annealing behavior in stages I (20-500^° C), II (500-800^° C) and III (800-1000^° C) was identified as the agglomeration of vacancy-type defects due to migrations of carbon vacancies, Si vacancies and vacancy complexes such as divacancies, respectively. Stages IV (1000-1200^° C) and V (1200-1400^° C) were assigned to be the formation of extended defects and their recovery processes, respectively. Effects of the species of the implanted ions and the substrate temperature during ion implantation on annealing properties of defects are also discussed.
Positron annihilation studies of defects in 3C-SiC hot-implanted with nitrogen and aluminum ions 査読有り

Hisayoshi Itoh, Akira Uedono, Takeshi Ohshima, Yasushi Aoki, Masahito Yoshikawa, Isamu Nashiyama, Shoichiro Tanigawa, Hajime Okumura, Sadafumi Yoshida

Applied Physics A: Materials Science and Processing　65　(3)　315-323　1997年
出版者・発行元： Springer Verlag
DOI： 10.1007/s003390050585 　

ISSN：0947-8396
Defects in Ion-Implanted 3C–SiC Probed by a Monoenergetic Positron Beam

Uedono Akira, Itoh Hisayoshi, Ohshima Takeshi, Aoki Yasushi, Yoshikawa Masahito, Nashiyama Isamu, Okumura Hajime, Yoshida Sadafumi, Moriya Tsuyoshi, Kawano Takao, Tanigawa Shoichiro

Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes　35　(12)　5986-5990　1996年12月15日
出版者・発行元：社団法人応用物理学会
DOI： 10.1143/JJAP.35.5986 　

ISSN：0021-4922

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Defects introduced by 200-keV N2+- or Al+-implantation into 3C–SiC were probed by a monoenergetic positron beam. Depth profiles of the defects were determined from measurements of Doppler broadening profiles of the annihilation radiation as a function of incident positron energy. For ion implanted specimens at high substrate temperature (≥800° C), the major species of defects was identified to be vacancy clusters. The depth profile of vacancy-type defects was found to be shifted towards the surface of the specimen by implantation at high temperatures. Upon furnace annealing after the implantation, an agglomeration of vacancy-type defects was observed, and interstitial clusters were introduced below the vacancy-rich region.
Mechanism of anomalous degradation of silicon solar cells subjected to high-fluence irradiation

T Ohshima, Y Morita, Nashiyama, I, O Kawasaki, T Hisamatsu, T Nakao, Y Wakow, S Matsuda

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　43　(6)　2990-2997　1996年12月

DOI： 10.1109/23.556896 　

ISSN：0018-9499
Depth profile of trapped charges in oxide layer of 6H-SiC metal-oxide-semiconductor structures 査読有り

M. Yoshikawa, K. Saitoh, T. Ohshima, H. Itoh, I. Nashiyama, S. Yoshida, H. Okumura, Y. Takahashi, K. Ohnishi

Journal of Applied Physics　80　(1)　282-287　1996年7月1日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.362817 　

ISSN：0021-8979
PROPOSAL OF MONOCHROMATIC ELECTRON-BEAM SOURCE USING RESONANT-TUNNELING EFFECT 査読有り

T OHSHIMA, M OKAMOTO, K KURODA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　34　(10B)　L1390-L1391　1995年10月

ISSN：0021-4922

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MISC 235

生体量子センサ用ナノダイヤモンドへの電子線照射NVセンター形成 3

阿部浩之, 神長輝一, 佐伯誠一, 五十嵐龍治, 長田健介, 大島武, 大島武

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　86th　2025年

ISSN： 2436-7613
細胞内温度計測の高感度化に向けた新規ナノ量子センサー作成法の開発

鈴木智達, 鈴木智達, 氏家里紗, KIT So Tze, 柳瑶美, 柳瑶美, 神長輝一, 阿部浩之, 小野田忍, 大島武, 五十嵐龍治, 五十嵐龍治, 五十嵐龍治

日本分子生物学会年会プログラム・要旨集(Web)　48th　2025年
ナノ量子センサーを用いた細胞周期依存的な細胞内温度変化の解明に向けて

神長輝一, 神長輝一, 氏家里紗, 鈴木智達, 鈴木智達, 鈴木啓司, 阿部浩之, 大島武, 小野田忍, 五十嵐龍治, 五十嵐龍治, 五十嵐龍治

日本分子生物学会年会プログラム・要旨集(Web)　48th　2025年
蛍光ナノダイヤモンドを用いたX線照射後の細胞内温度変化の計測と細胞周期依存性の解析

氏家里紗, 神長輝一, 鈴木智達, 柳原啓美, 鈴木啓司, 阿部浩之, 大島武, 五十嵐龍治

日本分子生物学会年会プログラム・要旨集(Web)　48th　2025年
炭化ケイ素シリコン空孔荷電状態安定性のドーピング条件依存性

山崎雄一, 明石遼介, 花輪雅史, 村田晃一, 佐藤真一郎, 宮脇信正, 圓谷志郎, 増山雄太, 松下雄一郎, 松下雄一郎, 土田秀一, 好田誠, 好田誠, 大島武, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　2024年

ISSN： 2758-4704
¹²C濃縮4H-SiC中に形成したシリコン空孔のODMR特性

山城宏育, 山城宏育, 佐藤真一郎, 村田晃一, 花輪雅史, ZHANG S., ZHANG S., 山崎雄一, 土田秀一, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　2024年

ISSN： 2758-4704
炭化ケイ素シリコン空孔荷電状態安定性の定量的解析

山崎雄一, 明石遼介, 花輪雅史, 村田晃一, 佐藤真一郎, 宮脇信正, 圓谷志郎, 増山雄太, 西谷侑将, 西谷侑将, 松下雄一郎, 松下雄一郎, 松下雄一郎, 土田秀一, 好田誠, 好田誠, 大島武, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　85th　2024年

ISSN： 2758-4704
スピン位相緩和がもつれNV対量子センサの感度に与える影響

木村晃介, 木村晃介, 小野田忍, 小野田忍, 大門俊介, 加田渉, 寺地徳之, 寺地徳之, 磯谷順一, 蓮沼倫弥, 新谷一騎, 川崎愛理, 花泉修, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　85th　2024年

ISSN： 2758-4704
薄膜型ダイヤモンド検出器による重粒子がん治療場での臨床線量分布評価

加田渉, 松本卓己, 青木勝海, 小黒翼, 大塚勇輝, 武居秀行, WEISS Christina, WEISS Christina, GRIESMAYER Erich, GRIESMAYER Erich, 米内俊祐, 牧野高紘, 大島武, 酒井真理, 松村彰彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　2024年

ISSN： 2758-4704
生体量子センサ用ナノダイヤモンドへの電子線照射NVセンター形成 2

阿部浩之, 阿部浩之, 神長輝一, 五十嵐龍治, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　85th　2024年

ISSN： 2758-4704
蛍光ナノダイヤモンドを使用した細胞内温度変化メカニズムの解明

氏家里紗, 神長輝一, 鈴木智達, 柳原啓美, 鈴木啓司, 阿部浩之, 大島武, 五十嵐龍治

日本分子生物学会年会プログラム・要旨集(Web)　47th　2024年
ナノ量子センサーを用いた放射線被ばくが誘発する細胞内温度変化の解明に向けて

神長輝一, 氏家里紗, 鈴木智達, 鈴木智達, 鈴木啓司, 阿部浩之, 大島武, 五十嵐龍治, 五十嵐龍治, 五十嵐龍治

日本分子生物学会年会プログラム・要旨集(Web)　47th　2024年
生体ナノ量子センサを用いた脳卒中マウスでの免疫細胞の多様な機能変化の可視化

高田彩加, 高橋真奈美, 半田真理子, 吉岡正揮, 神長輝一, 増山雄太, 鈴木智達, 阿部浩之, 大島武, 五十嵐龍治, 田桑弘之

バイオイメージング　33　(2)　2024年

ISSN： 1342-2634
SiC中のSi空孔を用いた全光磁場センサの試作

針井一哉, 佐藤真一郎, 山崎雄一, 秋葉圭一郎, 増山雄太, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　84th　2023年

ISSN： 2758-4704
電子線照射により形成した4H-SiC中シリコン空孔の荷電状態とドーピング濃度の関係

ZHANG S., ZHANG S., 佐藤真一郎, ZHANG Q., ZHANG Q., 元木秀, 元木秀, 村田晃一, 花輪雅史, 土田秀一, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　70th　2023年

ISSN： 2758-4704
電子線照射による4H-SiC中窒素・空孔複合欠陥の高濃度形成

ZHANG Q., ZHANG Q., 佐藤真一郎, 村田晃一, 花輪雅史, 元木秀, 元木秀, ZHANG S., ZHANG S., 土田秀一, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　70th　2023年

ISSN： 2758-4704
細胞周期依存的な細胞内温度変化の解明

神長輝一, 氏家里紗, 鈴木智達, 鈴木智達, 鈴木啓司, 阿部浩之, 阿部浩之, 大島武, 大島武, 五十嵐龍治, 五十嵐龍治

日本分子生物学会年会プログラム・要旨集(Web)　46th　2023年
生体ナノ量子センサを用いたマウス脳内の免疫細胞の代謝機能評価系の構築

高橋真奈美, 神長輝一, 増山雄太, 鈴木智達, 漆畑拓弥, 阿部浩之, 大島武, 須原哲也, 田桑弘之, 五十嵐龍治

脳循環代謝(Web)　35　(1)　2023年

ISSN： 2188-7519
生体量子センサ用ナノダイヤモンドへの電子線照射NVセンター形成

阿部浩之, 佐伯誠一, 神長輝一, 五十嵐龍治, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　84th　2023年

ISSN： 2758-4704
薄膜型SiC検出器による重粒子線がん治療場の線エネルギー付与分布測定

松本卓己, 新井優大, 新井優大, 窪寺敬, 山口皐平, 横田凌, 大島武, 牧野高紘, 酒井真理, 松村彰彦, 星乃紀博, 土田秀一, 加田渉

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　70th　2023年

ISSN： 2436-7613
重粒子がん治療場の線エネルギー付与分布測定を目的とした薄膜型ダイヤモンド検出器の開発

松本卓己, 新井優大, 新井優大, 清水省后, 窪寺敬, 青木勝海, 武井秀行, 牧野高紘, 米内俊祐, 大島武, 酒井真理, 松村彰彦, 加田渉

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　70th　2023年

ISSN： 2436-7613
効率的なIV族-Vセンター形成のための熱処理時間依存性評価

馬場智也, 馬場智也, 小野田忍, 小野田忍, 木村晃介, 木村晃介, 加田渉, 谷口尚, 宮川仁, 大島武, 花泉修

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　84th　2023年

ISSN： 2758-4704
分子イオン注入によって形成したNVセンター対の量子もつれ状態生成

木村晃介, 木村晃介, 小野田忍, 小野田忍, 加田渉, 寺地徳之, 寺地徳之, 磯谷順一, 馬場智也, 馬場智也, 後藤政哉, 後藤政哉, 花泉修, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　84th　2023年

ISSN： 2758-4704
高エネルギー電子線照射による4H-SiC中シリコン空孔の高濃度形成

元木秀, 元木秀, 佐藤真一郎, 佐伯誠一, 村田晃一, 増山雄太, 山崎雄一, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　83rd　2022年

ISSN： 2758-4704
電子線照射によって形成した4H-SiC中シリコン空孔の濃度定量

元木秀, 元木秀, 佐藤真一郎, 佐伯誠一, 増山雄太, 山崎雄一, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　69th　2022年

ISSN： 2758-4704
4H-SiC結晶中に形成された窒素空孔センタの偏光特性

松下大記, 佐藤真一郎, 大島武, 土方泰斗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　69th　2022年

ISSN： 2758-4704
4H-SiCSBDを用いた放射線誘起過渡電流測定による炭素線がん治療場での線量分布測定

新井優大, 新井優大, 窪寺敬, 山口皐平, 横田凌, 松本卓己, 大島武, 牧野高紘, 酒井真理, 松村彰彦, 加田渉, 星乃紀博, 土田秀一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　69th　2022年

ISSN： 2436-7613
窒素ドープによるNVセンターの電子スピン特性への影響

木村晃介, 木村晃介, 小野田忍, SAILER Roberto, JOAS Timo, SAID Ressa, 山田圭介, 加田渉, 寺地徳之, 磯谷順一, 小菅臨, 小菅臨, 馬場智也, 馬場智也, JELEZKO Fedor, 花泉修, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　83rd　2022年

ISSN： 2758-4704
粒子線の精密な線エネルギー付与の測定を目的とした薄膜化型SiC検出器の開発

新井優大, 新井優大, 窪寺敬, 山口皐平, 横田凌, 松本卓己, 大島武, 牧野高紘, 酒井真理, 松村彰彦, 星乃紀博, 土田秀一, 加田渉

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　83rd　2022年

ISSN： 2758-4704
フタロシアニンイオンビーム注入によるダイヤモンド中へのMultiple-NVセンターの形成と観測

木村晃介, 加田渉, 花泉修, 小野田忍, 山田圭介, 大島武, 寺地徳之, 磯谷順一

放射線化学(Web)　(114)　2022年

ISSN： 2188-0115
ダイヤモンドNVセンタを用いた生体磁場計測

桑波田晃弘, 桑波田晃弘, 荒井慧悟, 荒井慧悟, 西谷大祐, 藤崎伊久哉, 松木亮磨, 西尾有輝, XIN Zonghao, CAO Xinyu, 波多野雄治, 小野田忍, 真栄力, 宮川仁, 谷口尚, 山崎正俊, 寺地徳之, 大島武, 波多野睦子, 波多野睦子, 関野正樹, 岩崎孝之

日本生体磁気学会誌　35　(1)　2022年

ISSN： 0915-0374
フタロシアニンイオン注入により形成されたNVセンターのコヒーレンス時間の評価

木村晃介, 木村晃介, 小野田忍, 小野田忍, SAILER Roberto, LANG Johannes, FINDLER Christoph, 山田圭介, 加田渉, 寺地徳之, 磯谷順一, JELEZKO Fedor, 花泉修, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　69th　2022年

ISSN： 2436-7613
ダイヤモンドNVセンタを用いた心磁図

桑波田晃弘, 桑波田晃弘, 荒井慧悟, 西谷大祐, 藤崎伊久哉, 松木亮磨, 西尾有輝, 辛宗浩, 曹馨雨, 波多野雄治, 小野田忍, 眞榮力, 宮川仁, 谷口尚, 山崎正俊, 山崎正俊, 寺地徳之, 大島武, 波多野睦子, 関野正樹, 岩崎孝之

日本生体医工学会大会プログラム・抄録集(Web)　61st　2022年
Fluorescent Silicon Carbide Nanoparticles

Mitchell O. de Vries, Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Brant C. Gibson, Jean-Marie Bluet, Stefania Castelletto, Brett C. Johnson, Philipp Reineck

Advanced Optical Materials　9　(20)　2021年10月1日
出版者・発行元： John Wiley and Sons Inc
DOI： 10.1002/adom.202100311 　

ISSN： 2195-1071
Silicon carbide diodes for neutron detection

José Coutinho, Vitor J.B. Torres, Ivana Capan, Tomislav Brodar, Zoran Ereš, Robert Bernat, Vladimir Radulović, Klemen Ambrožič, Luka Snoj, Željko Pastuović, Adam Sarbutt, Takeshi Ohshima, Yuichi Yamazaki, Takahiro Makino

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment　986　2021年1月11日
出版者・発行元： Elsevier B.V.
DOI： 10.1016/j.nima.2020.164793 　

ISSN： 0168-9002
Vドープ4H-SiC単結晶薄膜の半絶縁性に対する不純物の影響

児島一聡, 佐藤真一郎, 大島武, 黒木伸一郎, 山口浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年

ISSN： 2758-4704
窒化ガリウム中プラセオジムの発光を利用したナノスケール領域温度計測

佐藤真一郎, 佐藤真一郎, 出来真斗, 西村智朗, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, GREENTREE Andrew D., GIBSON Brant C., 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年

ISSN： 2758-4704
4H-SiC中シリコン空孔における光検出磁気共鳴スペクトルの温度依存性

元木秀, 元木秀, 佐藤真一郎, 増山雄太, 山崎雄一, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年

ISSN： 2758-4704
シリコン空孔量子センサーによるSiCデバイス内電流誘起磁場の測定

山崎雄一, 増山雄太, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 児島一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年

ISSN： 2758-4704
SiC結晶中窒素空孔センタの量子状態測定

若林健, 冨高祐哉, 楢原拓真, 楢原拓真, 佐藤真一郎, 児島一聡, 大島武, 土方泰斗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年

ISSN： 2758-4704
ダイヤモンドNVバルク基板上のグレーティングカプラーの数値最適化および検証

高橋哲, 勝見亮太, 飛沢健, 佐藤匠, 桑波田晃弘, 五十嵐龍治, 大島武, 増山雄太, 岩崎孝之, 波多野雄治, 波多野睦子, 牧野俊晴, 山崎聡, JELEZKO Fedor, 関野正樹, 八井崇

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年

ISSN： 2758-4704
NV中心量子センサのための広領域・広帯域マイクロ波アンテナの研究開発

竹村祐輝, 林寛, 小野田忍, 阿部浩之, 大島武, 谷口尚, 藤原正規, 森下弘樹, 大木出, 水落憲和

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年

ISSN： 2436-7613
炭素線治療場における生物学的効果比分布推定を目的としたSiC半導体線量計の開発

山口皐平, 窪寺敬, 柳澤理央, 横田凌, 酒井真理, 松村彰彦, 牧野高紘, 大島武, 加田渉

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年
交差型広帯域高周波導波路基板を用いた,アンサンブルNVセンタのスピン横緩和時間T₂^*伸長の検証

関口武治, 上坪優希, 増山雄太, 谷口尚, 宮川仁, 真栄力, 小野田忍, 佐伯誠一, 石井秀弥, 寺地徳之, 大島武, 岩崎孝之, 波多野睦子, 波多野睦子

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年
ダイヤモンド量子センサによる心磁計測

荒井慧悟, 荒井慧悟, 桑波田晃弘, 桑波田晃弘, 西谷大祐, 藤崎伊久哉, 松木亮磨, 西尾有輝, XIN Zonghao, CAO Xinyu, 波多野雄治, 小野田忍, 真栄力, 宮川仁, 谷口尚, 山崎正俊, 山崎正俊, 寺地徳之, 大島武, 波多野睦子, 波多野睦子, 関野正樹, 岩崎孝之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年
手術中における乳がん転移診断用のダイヤモンド量子センサを用いた磁気プローブの開発 (マグネティックス医用・生体工学合同研究会神経工学&生体磁気)

北泉隆裕, 桑波田晃弘, 齋地康太, 佐藤匠, 五十嵐龍治, 大島武, 増山雄太, 岩崎孝之, 波多野睦子, Fedor Jelezko, 日下部守昭, 八井崇, 関野正樹

電気学会研究会資料. MAG = The papers of technical meeting on magnetics, IEE Japan　2020　(16)　47-52　2020年3月19日
出版者・発行元：電気学会
ダイヤモンド中NV中心アンサンブルの環境ノイズ解析

林寛, 松崎雄一郎, 芦田貴紀, 小野田忍, 阿部浩之, 大島武, 波多野睦子, 谷口尚, 森下弘樹, 藤原正規, 水落憲和

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年

ISSN： 2758-4704
窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅

佐藤真一郎, 佐藤真一郎, 出来真斗, LI Shuo, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 西村智朗, GIBSON Brant C., GREENTREE Andrew D., 天野浩, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年

ISSN： 2758-4704
室温下でのダイヤモンド中NV中心とペンタセンによる¹³C pulsed-DNP

宮西孝一郎, SEGAWA Takuya F., SEGAWA Takuya F., 大木出, 小野田忍, 大島武, 阿部浩之, 高島秀聡, 竹内繁樹, 武田和行, SO FREDERICK T.-K., SO FREDERICK T.-K., SO FREDERICK T.-K., 寺田大紀, 寺田大紀, 五十嵐龍治, 五十嵐龍治, 香川晃徳, 香川晃徳, 香川晃徳, 北川勝浩, 北川勝浩, 水落憲和, 白川昌宏, 白川昌宏, 根来誠, 根来誠

Abstracts. Annual Meeting of the NMR Society of Japan　59th　2020年
ダイヤモンド磁気センサにおける光取り出し効率のためのグレーティング結合器の作製と検討

佐藤匠, 北泉隆裕, 齋地康太, 桑波田晃弘, 五十嵐龍治, 大島武, 増山雄太, 増山雄太, 岩崎孝之, 波多野睦子, 牧野俊晴, 山崎聡, JELEZKO Fedor, 日下部守昭, 日下部守昭, 関野正樹, 八井崇

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
電子線照射によるNVセンター形成へのP1濃度による影響

小野田忍, 佐伯誠一, 増山雄太, 石井秀弥, 宮川仁, 谷口尚, 渡邊賢司, 寺地徳之, 上坪優希, 関口武治, 波多野睦子, 波多野睦子, 磯谷順一, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
ワイドバンドギャップ半導体を利用した量子センサ開発

小野田忍, 大島武, 磯谷順一, 寺地徳之, 川原田洋, 谷井孝至, 加田渉, 波多野睦子, 波多野睦子

電気学会研究会資料　(EDD-20-036-044)　2020年
C₅N₅H₅イオン注入によるNVセンターの形成

木村晃介, 木村晃介, 樋口泰成, 樋口泰成, 小野田忍, 加田渉, 薗田隆弘, 川原田洋, 渡邊幸志, 磯谷順一, 花泉修, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
高分解能ナノNMRに向けたダイヤモンドへのNVセンターと微小容器の一括形成

齋藤悠太, 石井邑, 川勝一斗, 永岡希朗, 畑雄貴, 中村洸介, 榎田尊昭, XU H., 薗田隆弘, 立石哲也, 金久京太郎, 寺地徳之, 小野田忍, 樋口泰成, 樋口泰成, 山田圭介, 大島武, 品田高宏, 川原田洋, 加田渉, 花泉修, 磯谷順一, 谷井孝至

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
NVセンターの多量子ビット化のための高窒素含有有機化合物イオン注入法の高度化

木村晃介, 木村晃介, 小野田忍, 山田圭介, 加田渉, 川原田洋, 渡邊幸志, 磯谷順一, 花泉修, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020年
4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響

楢原拓真, 楢原拓真, 佐藤真一郎, 児島一聡, 山崎雄一, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年

ISSN： 2758-4704
SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定

山崎雄一, 千葉陽史, 千葉陽史, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 児嶋一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年

ISSN： 2758-4704
SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響

千葉陽史, 千葉陽史, 山崎雄一, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年

ISSN： 2758-4704
4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオンビーム照射の影響

楢原拓真, 楢原拓真, 佐藤真一郎, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年

ISSN： 2758-4704
γ線照射が炭化ケイ素表面発光中心の生成・発光特性に与える影響

山崎雄一, 常見大貴, 常見大貴, 佐藤真一郎, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年

ISSN： 2758-4704
グレーティング結合によるダイヤモンド磁気センサの光取り出し効率に関する検討

佐藤匠, 北泉隆裕, 齋地康太, 桑波田晃弘, 五十嵐龍治, 大島武, 増山雄太, 増山雄太, 岩崎孝之, 波多野睦子, JELEZKO Fedor, 日下部守昭, 日下部守昭, 関野正樹, 八井崇

Optics & Photonics Japan講演予稿集(CD-ROM)　2019　2019年
ナノダイヤモンド中のNVセンター形成のための欠陥エンジニアリング

阿部浩之, 長田健介, 武山昭憲, 寺田大紀, 長谷川伸, 吉村公男, 小野田忍, 樋口泰成, 樋口泰成, 加田渉, 花泉修, 白川昌宏, 青木伊知男, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
ダイヤモンド中単一NVセンターのパルス光磁気共鳴測定のためのローエンドFPGAへのフォトンカウンタの実装

永岡希朗, 畑雄貴, 川勝一斗, 石井邑, 福田諒介, 寺地徳之, 小野田忍, 大島武, 品田高宏, 川原田洋, 磯谷順一, 谷井孝至

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
イオン注入による単一不純物欠陥の規則的配列形成とその応用-ダイヤモンド中浅い単一NVセンターの配列形成-

谷井孝至, 品田高宏, 寺地徳之, 小野田忍, 大島武, MCGUINNESS Liam P., JELEZKO Fedor, LIU Yan, WU E, 加田渉, 花泉修, 川原田洋, 磯谷順一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
C₅N₄H_nイオン注入による双極子結合したNVセンターの形成

春山盛善, 春山盛善, 小野田忍, 樋口泰成, 樋口泰成, 加田渉, 千葉敦也, 平野貴美, 寺地徳之, 五十嵐龍治, 河合空, 川原田洋, 石井邑, 石井邑, 福田諒介, 福田諒介, 谷井孝至, 磯谷順一, 大島武, 花泉修

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
高温高圧処理によるNVセンター形成効率

樋口泰成, 樋口泰成, 小野田忍, 齋藤寛之, 西原遊, 加田渉, 大島武, 花泉修

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
High efficiency and radiation resistant InGaP/GaAs//CIGS stacked solar cells for space applications

Shirou Kawakita, Mitsuru Imaizumi, Kikuo Makita, Jiro Nishinaga, Takeyoshi Sugaya, Hajime Shibata, Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima

2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2017　1-4　2018年5月25日

DOI： 10.1109/PVSC.2017.8366599 　
SiC p⁺nn⁺ダイオード中の単一光子源の発光特性に関する考察

常見大貴, 常見大貴, 佐藤真一郎, 山崎雄一, 牧野高紘, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年

ISSN： 2758-4704
プロトンビーム描画を用いてSiCデバイス中に作製したシリコン空孔のODMR測定

千葉陽史, 千葉陽史, 山崎雄一, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 児島一聡, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年

ISSN： 2758-4704
プロトンビーム描画プロセスがSiC pnダイオード中に導入したシリコン空孔の光学特性に与える影響

山崎雄一, 千葉陽史, 千葉陽史, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 児嶋一聡, LEE S.-Y., 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年

ISSN： 2758-4704
プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成

千葉陽史, 千葉陽史, 常見大貴, 常見大貴, 本多智也, 本多智也, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年

ISSN： 2758-4704
窒化ガリウム半導体に高温イオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測

佐藤真一郎, 出来真斗, 中村徹, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年

ISSN： 2758-4704
浅い単一NVセンターの規則配列を用いたナノNMRのスピンノイズ解析

石井邑, 福田諒介, BALASUBRAMANIAN Priyadharshini, 東又格, 永岡希朗, 河合空, 薗田隆弘, 寺地徳之, 小野田忍, 春山盛善, 春山盛善, 山田圭介, 稲葉優文, 稲葉優文, 山野颯, STUERNER Felix M., SCHMITT Simon, MCGUINNESS Liam P., JELEZKO Fedor, 大島武, 品田高宏, 川原田洋, 加田渉, 花泉修, 磯谷順一, 谷井孝至

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年
Electrically controllable position-controlled color centers created in SiC pn junction diode by proton beam writing

Yuichi Yamazaki, Yoji Chiba, Yoji Chiba, Takahiro Makino, Shin Ichiro Sato, Naoto Yamada, Takahiro Satoh, Yasuto Hijikata, Kazutoshi Kojima, Sang Yun Lee, Takeshi Ohshima

Journal of Materials Research　2018年1月1日

DOI： 10.1557/jmr.2018.302 　

ISSN： 0884-2914
Deep level defects in 4H-SiC epitaxial layers

Ivana Capan, Tomislav Brodar, Takeshi Ohshima, Shin Ichiro Sato, Takahiro Makino, Željko Pastuović, Rainer Siegele, Luka Snoj, Vladimir Radulović, José Coutinho, Vitor J.B. Torres, Kamel Demmouche

Materials Science Forum　924 MSF　225-228　2018年1月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.225 　

ISSN： 0255-5476
超高圧TEMによるAlGaN/GaN HEMTの観察

日坂隆行, 佐々木肇, 門岩薫, 石村栄太郎, 小野田忍, 大島武

大阪大学超高圧電子顕微鏡センター年報　(47)　25-28　2018年
出版者・発行元：大阪大学超高圧電子顕微鏡センター
Deep level defects in 4H-SiC introduced by ion implantation: The role of single ion regime

Željko Pastuović, Rainer Siegele, Ivana Capan, Tomislav Brodar, Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima

Journal of Physics Condensed Matter　29　2017年11月2日

DOI： 10.1088/1361-648X/aa908c 　

ISSN： 0953-8984
単結晶ダイヤモンドによる蛍光型の荷電粒子飛跡検出

春山盛善, 加藤実咲, 加田渉, 花泉修, 小野田忍, 大島武, 寺地徳之, 磯谷順一

放射線化学(Web)　104　(104)　23‐28 (WEB ONLY)　2017年10月31日
出版者・発行元：日本放射線化学会
DOI： 10.32157/jsrc.104.0_23 　

ISSN： 2188-0115

eISSN： 2188-0115

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重荷電粒子飛跡の高分解能可視化を目的として，単結晶ダイヤモンド基板を用いた新しい蛍光飛跡検出器（FNTD）を開発した．単結晶ダイヤモンド内部では窒素と原子空孔が結びつく形で蛍光中心（NVセンター）が形成される．荷電粒子の照射下では無数の原子空孔が粒子飛跡に沿って形成されるため，その領域にNVセンターが分布する．NVセンターは室温下で緑色レーザー励起により明るい赤色蛍光を発生するため，ダイヤモンド内部を所定波長のレーザーにより走査することでイオン飛跡を可視化するFNTDを開発できる．とりわけ本報告では，自作共焦点顕微鏡により窒素イオンやオスミウムイオン照射飛跡の計測例を示しながら，ダイヤモンドを用いた飛跡観察の利点を示す．
4H‐SiC MOSFETチャネル中の単一光子源に対する水素の影響

阿部裕太, 岡本光央, 小野田忍, 大島武, 春山盛善, 春山盛善, 加田渉, 花泉修, 原田信介, 鹿児山陽平, 梅田享英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　ROMBUNNO.6p‐A201‐20-3513　2017年8月25日
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3513 　

eISSN： 2436-7613
4H‐SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御

梅田享英, 阿部裕太, 岡本光央, 原田信介, 春山盛善, 春山盛善, 加田渉, 花泉修, 小野田忍, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　ROMBUNNO.6p‐A201‐19-3512　2017年8月25日
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3512 　

eISSN： 2436-7613
Transient current induced in thin film diamonds by swift heavy ions

Shin-Ichiro Sato, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Tomihiro Kamiya, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Veljko Grilj, Natko Skukan, Michal Pomorski, Gyorgy Vizkelethy

DIAMOND AND RELATED MATERIALS　75　161-168　2017年5月

DOI： 10.1016/j.diamond.2017.04.005 　

ISSN： 0925-9635

eISSN： 1879-0062
GaN HEMTの耐宇宙放射線性の解析 (特集光・高周波デバイス)

日坂隆行, 佐々木肇, 小野田忍, 大島武

三菱電機技報　91　(5)　305-308　2017年5月
出版者・発行元：三菱電機エンジニアリングe-ソリューション&サービス事業部 ; 1962-
ISSN： 0369-2302
AlGaN/GaN HEMTのイオン照射効果の観察 (電子デバイス研究会次世代化合物半導体デバイスの機能と応用)

佐々木肇, 日坂隆行, 門岩薫, 奥友希, 小野田忍, 大島武, 田口英次, 保田英洋

電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan　2017　(42)　23-28　2017年3月9日
出版者・発行元：電気学会
窒化ガリウム中の単一希土類元素からの発光観測を目指したイオン注入法および熱処理条件の検討

佐藤真一郎, 岡田浩, 出来真斗, 若原昭浩, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017年

ISSN： 2758-4704
SiC p⁺nn⁺ダイオードに形成される単一光子源の発光スペクトル

常見大貴, 常見大貴, 本多智也, 本多智也, 牧野高紘, 小野田忍, 佐藤真一郎, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017年

ISSN： 2758-4704
SiC p⁺nn⁺ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化

本多智也, 本多智也, 常見大貴, 常見大貴, 児島一聡, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 小野田忍, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017年

ISSN： 2758-4704
SiC pinダイオード中の発光中心の観察

常見大貴, 常見大貴, 本多智也, 本多智也, 牧野高紘, 小野田忍, 佐藤真一郎, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年

ISSN： 2758-4704
ダイヤモンドの高速重イオン誘起過渡電流測定とポーラリゼーション効果

佐藤真一郎, 牧野高紘, 大島武, VIZKELETHY Gyorgy, 神谷富裕

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年

ISSN： 2758-4704
4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源の偏光角度依存性

阿部裕太, 岡本光央, 小野田忍, 大島武, 春山盛善, 春山盛善, 加田渉, 花泉修, 小杉亮治, 原田信介, 梅田享英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年
イオン注入による原子空孔の形成とNVセンターへの変換効率

小野田忍, 立見和雅, 春山盛善, 春山盛善, 寺地徳之, 磯谷順一, 山田圭介, 谷井孝至, 川原田洋, 品田高宏, 加田渉, 花泉修, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年

ISSN： 2436-7613
ダイヤモンド蛍光飛跡検出器におけるNVセンター形成効率の窒素濃度依存性

立見和雅, 春山盛善, 立見和雅, 春山盛善, 小野田忍, 寺地徳之, 磯谷順一, 加田渉, 大島武, 花泉修

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年

ISSN： 2436-7613
イオン注入法によって作製したNVセンター近傍の欠陥のナノスケール磁気共鳴測定

春山盛善, 春山盛善, 小野田忍, 加田渉, 磯谷順一, 寺地徳之, 山野颯, 川原田洋, 大島武, 花泉修

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年

ISSN： 2436-7613
浅い単一NVセンターの規則的配列を用いた表面の水素核スピンの検出

福田諒介, 東又格, 岡田拓真, 加賀美理沙, 寺地徳之, 小野田忍, 春山盛善, 春山盛善, 山田圭介, 稲葉優文, 山野颯, BALASUBRAMANIAN P., STUERNER F., SCHMITT S., MCGUINNESS L.P., JELEZKO F., 大島武, 品田高宏, 川原田洋, 加田渉, 花泉修, 磯谷順一, 谷井孝至

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年

ISSN： 2436-7613
ダイヤモンドを母材とした蛍光飛跡検出器開発 (特集固体飛跡検出器)

春山盛善, 加田渉, 花泉修, 小野田忍, 大島武, 寺地徳之, 磯谷順一

放射線 = Ionizing radiation　42　(3)　91-95　2017年1月
出版者・発行元：応用物理学会放射線分科会
ISSN： 0285-3604
Defect characterization of proton irradiated GaAs pn-junction diodes with layers of InAs quantum dots

Shin Ichiro Sato, Shin Ichiro Sato, Kenneth J. Schmieder, Seth M. Hubbard, David V. Forbes, Jeffrey H. Warner, Takeshi Ohshima, Robert J. Walter

Journal of Applied Physics　119　2016年5月14日

DOI： 10.1063/1.4949476 　

ISSN： 0021-8979
プロトンマイクロビーム照射によるSiC中の発光中心の形成

本多智也, 本多智也, Kraus HANNES, Kraus HANNES, 加田渉, 小野田忍, 春山盛善, 春山盛善, 佐藤隆博, 江夏昌志, 神谷富裕, 川端駿介, 川端駿介, 三浦健太, 花泉修, 土方泰斗, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年
超薄窓型単結晶ダイヤモンド荷電粒子検出器の開発(2)

加田渉, 神谷富裕, GRILJ Veljko, SKUKAN Natko, SUDIC Ivan, POMORSKI Michal, 牧野高紘, 安藤裕士, 安藤裕士, 神林佑哉, 神林佑哉, 小野田忍, 花泉修, JAKSIC Milko, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年
4H-SiC MOSFETにおける単一発光欠陥の界面酸化プロセス依存性の共焦点顕微鏡評価

阿部裕太, 岡本光央, 小杉亮治, 原田信介, 波多野睦子, 岩崎孝之, 小野田忍, 春山盛善, 春山盛善, 加田渉, 花泉修, 大島武, 梅田享英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016年
超薄窓型単結晶ダイヤモンドを利用した透過型荷電粒子検出器の開発

加田渉, 神谷富裕, GRILJ Veljko, SKUKAN Natko, SUDIC Ivan, POMORSKI Michal, 牧野高紘, 安藤裕士, 安藤裕士, 神林佑哉, 神林佑哉, 小野田忍, 花泉修, JAKSIC Milko, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016年
NVセンターの形成効率の熱処理温度依存性

春山盛善, 春山盛善, 小野田忍, 立見和雅, 寺地徳之, 磯谷順一, 加田渉, 大島武, 花泉修

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年
ダイヤモンド蛍光飛跡検出器のイオン種依存性

立見和雅, 春山盛善, 春山盛善, 小野田忍, 寺地徳之, 磯谷順一, 加田渉, 大島武, 花泉修

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年
ナノホールレジストマスクを用いたNVセンター配列の作製 II

岡田拓真, 東又格, 加賀美理沙, 寺地徳之, 小野田忍, 山田圭介, 春山盛善, 春山盛善, 稲葉優文, 山野颯, BALASUBRAMANIAN Priyadharshini, NAYDENOV Boris, MCGUINNESS Liam, JELEZKO Fedor, 大島武, 品田高宏, 川原田洋, 加田渉, 花泉修, 磯谷順一, 谷井孝至

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016年
ナノホールレジストマスクを用いた低エネルギーイオン注入による量子センシングのためのNVセンター配列の作製

東又格, 岡田拓真, 加賀美理沙, 寺地徳之, 小野田忍, 春山盛善, 春山盛善, 山田圭介, 稲葉優文, 山野颯, BALASUBRAMANIAN Priyadharshini, MCGUINNESS Liam P, NAYDENOV Boris, JELEZKO Fedor, 大島武, 品田高宏, 川原田洋, 加田渉, 花泉修, 磯谷順一, 谷井孝至

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016年
イオン飛跡に沿って形成されるNVセンターのスピン特性

小野田忍, 立見和雅, 春山盛善, 春山盛善, 寺地徳之, 磯谷順一, 山野颯, 川原田洋, 加田渉, 花泉修, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016年
イオン注入を用いたSiVセンターの作製と生成収率のエネルギー依存性評価

加賀美理沙, 東又格, 岡田拓真, 寺地徳之, 小野田忍, 春山盛善, 春山盛善, 大島武, 品田高宏, 加田渉, 花泉修, 磯谷順一, 谷井孝至

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016年
20pCD-10 ダイヤモンドに入射した高エネルギー重イオンの飛跡検出

佐藤真一郎, 春山盛善, 小野田忍, 寺地徳之, 磯谷順一, 加田渉, 大島武, 花泉修

日本物理学会講演概要集　71　(0)　702-702　2016年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_702 　

ISSN： 2189-079X
21aBK-4 量子ビームを活用したダイヤモンド中のカラーセンター形成技術の現状

小野田忍, Muller Christoph, McGuinness Liam, Balasubramanian Priyadharshini, Naydenov Boris, Jelezko Fedor, 佐藤真一郎, 大島武, 加田渉, 花泉修, 谷井孝至, 春山盛善, 川原田洋, 寺地徳之, 磯谷順一, 小池悟大, 東又格, 稲葉優文, 山野楓, 加藤かなみ

日本物理学会講演概要集　71　(0)　725-726　2016年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_725 　

ISSN： 2189-079X
Defects in GaAs solar cells with InAs quantum dots created by proton irradiation

Shin Ichiro Sato, Shin Ichiro Sato, Kenneth J. Schmieder, Seth M. Hubbard, David V. Forbes, Jeffery H. Warner, Takeshi Ohshima, Robert J. Walter

2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015　2015年12月14日

DOI： 10.1109/PVSC.2015.7355868 　
Charged particle radiation effects on flexible a-Si/a-SiGe/a-SiGe triple junction solar cells for space use

Shin Ichiro Sato, Kevin Beernink, Takeshi Ohshima

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2015-August　76-82　2015年8月4日

DOI： 10.1109/PVSC-Vol2.2013.7179251 　

ISSN： 0160-8371
Energy loss process analysis for radiation degradation and immediate recovery of amorphous silicon alloy solar cells

Shin Ichiro Sato, Kevin Beernink, Takeshi Ohshima

Japanese Journal of Applied Physics　54　(6)　61401-61401　2015年6月1日
出版者・発行元： Institute of Physics
DOI： 10.7567/JJAP.54.061401 　

ISSN： 0021-4922
荷電粒子検出器となる薄膜型単結晶CVDダイヤモンド上での細胞培養の試み

加田渉, 酒井真理, POMORSKI Michal, GRILJ Veljko, SKUKAN Natko, 神林佑哉, 神林佑哉, 牧野高紘, JAKSIC Milko, 小野田忍, 大島武, 神谷富裕, 花泉修

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
荷電粒子誘起電荷解析法を利用したダイヤモンド検出器内部の欠陥準位計測

加田渉, 神林佑哉, 神林佑哉, 小野田忍, 牧野高紘, 安藤裕士, 梅沢仁, 杢野由明, 鹿田真一, 花泉修, 神谷富裕, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
重イオンマイクロビームを利用した4H-SiCショットキーバリアダイオード中の欠陥評価

神林佑哉, 神林佑哉, 安藤裕士, 加田渉, 小野田忍, 牧野高紘, 星乃紀博, 土田秀一, 花泉修, 神谷富裕, 大島武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
CVD合成ダイヤモンドを用いた高エネルギー重イオン飛跡の検出

春山盛善, 春山盛善, 小野田忍, 寺地徳之, 磯谷順一, 加田渉, 大島武, 花泉修

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
ナノホールレジストマスクを用いたNVセンタ配列の作製

東又格, 小池悟大, 寺地徳之, 小野田忍, 稲葉優文, BALASUBRAMANIAN Priyadharshini, NAYDENOV Boris, JELEZKO Fedor, 大島武, 品田高宏, 川原田洋, 磯谷順一, 谷井孝至

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年
重イオン照射を用いたNVセンター形成条件の最適化

春山盛善, 春山盛善, 小野田忍, 寺地徳之, 磯谷順一, 加田渉, 大島武, 花泉修

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年
Radiation response of multi-quantum well solar cells: Electron-beam-induced current analysis

S. I. Maximenko, M. P. Lumb, R. Hoheisel, M. Gonzalez, D. A. Scheiman, S. R. Messenger, T. N.D. Tibbits, M. Imaizumi, T. Ohshima, S. I. Sato, P. P. Jenkins, R. J. Walters

Journal of Applied Physics　118　2015年1月1日

DOI： 10.1063/1.4939067 　

ISSN： 0021-8979
24pDF-1 ワイドギャップ半導体を使用した半導体検出器の特性評価

田中真伸, 島崎昇一, 土田秀一, 身内賢太朗, 村上武, 星乃紀博, 山本和弘, 牧野高紘, 嶋岡毅紘, 新名章宏, 市川温子, 大島武, 小野田忍, 金子純一, 斉藤正俊

日本物理学会講演概要集　70　(0)　2015年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 2189-079X
Living cell cultivation on single-crystal CVD diamond membrane

Wataru Kada, Makoto Sakai, Michal Pomorski, Veljko Grilj, Natko Skukan, Yuya Kambayashi, Takahiro Makino, Milko Jaksic, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Tomihiro Kamiya, Osamu Hanaizumi

2015年
Reversible changes in temperature dependence of electric conductivity of hydrogenated amorphous silicon caused by proton irradiation

Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima

JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS　392　11-18　2014年6月

DOI： 10.1016/j.jnoncryso1.2014.03.026 　

ISSN： 0022-3093

eISSN： 1873-4812
SiC‐MOSキャパシタの電気特性のガンマ線照射線量依存性

田中量也, 横関貴史, 藤田奈津子, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　61st　ROMBUNNO.17A-PG3-11　2014年3月3日
Si及びSiC‐MOSFETのI‐V特性に対するガンマ線照射の影響

横関貴史, 田中量也, 藤田奈津子, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　61st　ROMBUNNO.17A-PG3-12　2014年3月3日
薄膜CVDダイヤモンド検出器で起こる集束イオンビーム照射効果の連続測定

加田渉, 岩本直也, GRILJ Veljko, 牧野高紘, 佐藤隆博, 小野田忍, SKUKAN Natko, 大島武, JAKSIC Milko, 神谷富裕, 花泉修

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　61st　2014年
超薄窓型単結晶ダイヤモンド荷電粒子検出器の開発

加田渉, 岩本直也, POMORSKI Michal, GRILJ Veljko, SKUKAN Natko, 牧野高紘, 神林佑哉, JAKSIC Milko, 小野田忍, 大島武, 神谷富裕, 花泉修

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年

ISSN： 2436-7613
ダイヤモンドショットキバリアダイオードを用いた高エネルギー荷電粒子の検出

小野田忍, 神林佑哉, 神林佑哉, 加田渉, 岩本直也, 岩本直也, 牧野高紘, 梅沢仁, 杢野由明, 鹿田真一, 花泉修, 神谷富裕, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年

ISSN： 2436-7613
高エネルギー重イオン照射により形成されたダイヤモンド中のイオン飛跡の検出

春山盛善, 春山盛善, 小野田忍, 磯谷順一, 加田渉, 花泉修, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年
アルファ粒子誘起過渡電荷を用いた4H-SiCショットキーバリアダイオード中の欠陥準位評価

神林佑哉, 神林佑哉, 小野田忍, 岩本直也, 岩本直也, 加田渉, 牧野高紘, 星乃紀博, 土田秀一, 大島武, 神谷富裕, 花泉修

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年

ISSN： 2436-7613
SiC中の単一発光源となる欠陥の探索

大島武, 小野田忍, 牧野高紘, 岩本直也, JOHNSON B.C., LOHRMANN A., KARLE T., MCCALLUM J.C., CASTELLETTO S., 梅田享英, 佐藤嘉洋, YUWEI Z., IVADY V., GALI A., 春山盛善, 加田渉, 花泉修

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年

ISSN： 2436-7613
単一光子源形成に適したダイヤモンド薄膜の成長

寺地徳之, 山本卓, 山本卓, 小泉聡, 渡邊賢司, 小野田忍, 大島武, NAYDENOV Boris, JELEZKO Fedor, 磯谷順一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　61st　2014年
ダイヤモンドへの低エネルギーSiイオン注入におけるSi-Vセンタ生成収率の評価

田村崇人, 小池悟大, 寺地徳之, 小野田忍, MCGUINNESS Liam P., ROGERS Lachlan, MUELLER Christoph, NAYDENOV Boris, WU E, YAN Liu, JELEZKO Fedor, 大島武, 品田賢宏, 磯谷順一, 谷井孝至

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年
窒素分子・炭素イオン共注入による室温ダイヤモンドスピン量子ビット

山本卓, 山本卓, MUELLER C., MCGUINNESS L.P., 寺地徳之, NAYDENOV B., 小野田忍, 大島武, 小泉聡, WRACHTRUP J., JELEZKO F., 磯谷順一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　61st　2014年
First Flight Demonstration of Glass-Type Space Solar Sheet

Kazunori Shimazaki, Yuki Kobayashi, Masato Takahashi, Mitsuru Imaizumi, Mio Murashima, Yu Takahashi, Hiroyuki Toyota, Akio Kukita, Takeshi Ohshima, Shin-ichiro Sato, Tatsuya Takamoto, Hiroaki Kusawake

2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)　2149-2154　2014年

DOI： 10.1109/PVSC.2014.6925350 　
Radiation Response of the Fill-Factor for GaAs Solar Cells with InGaAs Quantum Dot Layers

Tetsuya Nakamura, Taishi Sumita, Mitsuru Imaizumi, Takeyoshi Sugaya, Koji Matsubara, Shigeru Niki, Toru Mochizuki, Akihiro Takeda, Yoshinobu Okano, Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima

2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)　2886-2891　2014年

DOI： 10.1109/PVSC.2014.6925535 　
Radiation Resistance of Super-Straight Type Amorphous Silicon Germanium Alloy Solar Cells

Shin-ichiro Sato, Tomomi Meguro, Takashi Suezaki, Kenji Yamamoto, Takeshi Ohshima

2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)　1825-1829　2014年

DOI： 10.1109/PVSC.2014.6925278 　
Effect of irradiation on Gallium Arsenide solar cells with multi quantum well structures

S. I. Maximenko, M. P. Lumb, R. Hoheisel, M. Gonzalez, D. A. Scheiman, S. R. Messenger, T. N. D. Tibbits, M. Imaizumi, T. Ohshima, S. -I. Sato, P. P. Jenkins, R. J. Walters

2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)　2144-2148　2014年

DOI： 10.1109/PVSC.2014.6925349 　
Study of proton irradiation effects on p- and n-type GaN based-on two-terminal resistance dependence on 380 keV proton fluence

Hiroshi Okada, Yuki Okada, Hiroto Sekiguchi, Akihiro Wakahara, Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima

IEICE Transactions on Electronics　E97-C　409-412　2014年1月1日

DOI： 10.1587/transele.E97.C.409 　

ISSN： 0916-8524
アルファ粒子を利用したHPSI4H‐SiC中の欠陥評価

岩本直也, 藤田奈津子, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　74th　ROMBUNNO.17P-B3-6　2013年8月31日

ISSN： 2436-7613
4H‐SiCを用いた即時ガンマ線量率計の開発

藤田奈津子, 岩本直也, 小野田忍, 牧野高紘, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　74th　ROMBUNNO.17P-B3-5　2013年8月31日
4H‐SiC MOSキャパシタの放射線照射効果の酸化膜依存性

牧野高紘, 出来真斗, 藤田奈津子, 岩本直也, 小野田忍, 大島武

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　74th　ROMBUNNO.19A-P9-7　2013年8月31日
Ion irradiation effects on electric properties of hydrogenated amorphous silicon thin films

Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　8725　2013年8月12日

DOI： 10.1117/12.2015110 　

ISSN： 0277-786X
27pEG-1 陽子線照射による水素化アモルファスシリコン太陽電池の特性劣化と電気伝導度変化の関係(27pEG 放射線物理(放射線損傷・阻止能・二次電子放出・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

佐藤真一郎, 大島武

日本物理学会講演概要集　68　(1)　223-223　2013年3月26日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの規則配列作製 II

田村崇人, 小松原彰, 寺地徳之, 小野田忍, 大島武, MUELLER Christoph, NAYDENOV Boris, MCGUINNESS Liam, JELEZKO Fedor, 品田賢宏, 磯谷順一, 谷井孝至

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　60th　2013年
高純度¹²C同位体濃縮ダイヤモンドのホモエピタキシャル合成

寺地徳之, 山本卓, 山本卓, 小泉聡, 渡邊賢司, 谷口尚, 小野田忍, 大島武, NAYDENOV Boris, JELEZKO Fedor, 磯谷順一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　74th　2013年
ダイヤモンドスピン量子ビットの磁気的結合

山本卓, 山本卓, MUELLER C., MCGUINNESS L. P., 寺地徳之, NAYDENOV B., 小野田忍, 大島武, 小泉聡, WRACHTRUP J., JELEZKO F., 磯谷順一

ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　27th　2013年
Effect of proton irradiation on 2DEG in AlGaN/GaN heterostructures

A. Abderrahmane, S. Koide, T. Tahara, S. Sato, T. Ohshima, H. Okada, H. Okada, A. Sandhu, A. Sandhu

Journal of Physics: Conference Series　433　2013年1月1日

DOI： 10.1088/1742-6596/433/1/012011 　

ISSN： 1742-6588
Estimation of subcell photocurrent in IMM3J using LED bias light

Tetsuya Nakamura, Mitsuru Imaizumi, Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　696-700　2013年1月1日

DOI： 10.1109/PVSC.2013.6744247 　

ISSN： 0160-8371
Radiation study in quantum well III-V multi-junction solar cells

M. Gonzalez, M. Gonzalez, R. Hoheisel, R. Hoheisel, M. P. Lumb, M. P. Lumb, D. A. Scheiman, C. G. Bailey, J. Lorentzen, S. Maximenko, S. R. Messenger, P. P. Jenkins, T. N.D. Tibbits, M. Imaizumi, T. Ohshima, S. Sato, R. J. Walter

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　3233-3236　2013年1月1日

DOI： 10.1109/PVSC.2013.6745141 　

ISSN： 0160-8371
A study on the artifact external quantum efficiency of Ge bottom subcells in triple-junction solar cells

Mitsunobu Sugai, Jiro Harada, Mitsuru Imaizumi, Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　715-720　2013年1月1日

DOI： 10.1109/PVSC.2013.6744251 　

ISSN： 0160-8371
Electrical performance degradation of GaAs solar cells with InGaAs quantum dot layers due to proton irradiation

Takeshi Ohshima, Shin Ichiro Sato, Tetsuya Nakamura, Mitsuru Imaizumi, Takeyoshi Sugaya, Koji Matsubara, Shigeru Niki, Akihiro Takeda, Yoshinobu Okano

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2779-2783　2013年1月1日

DOI： 10.1109/PVSC.2013.6745049 　

ISSN： 0160-8371
Comparative study on degradation characteristics of component subcells in IMM triple-junction solar cells irradiated with high-energy electrons and protons

Mitsuru Imaizumi, Tetsuya Nakamura, Michio Tajima, Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　3243-3248　2013年1月1日

DOI： 10.1109/PVSC.2013.6745143 　

ISSN： 0160-8371
Innovative technologies on proton irradiation ground tests for space solar cells

Mitsuru Imaizumi, Yosuke Yuri, Paul R. Bolton, Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2831-2834　2012年11月26日

DOI： 10.1109/PVSC.2012.6318180 　

ISSN： 0160-8371
Change in I-V characteristics of subcells in a multi-junction solar cell due to radiation irradiation

Tetsuya Nakamura, Mitsuru Imaizumi, Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2846-2850　2012年11月26日

DOI： 10.1109/PVSC.2012.6318183 　

ISSN： 0160-8371
Degradation behavior of flexible a-Si/a-SiGe/a-SiGe triple junction solar cells irradiated with 20-350 keV protons

Shin Ichiro Sato, Kevin Beernink, Takeshi Ohshima

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2856-2861　2012年11月26日

DOI： 10.1109/PVSC.2012.6318185 　

ISSN： 0160-8371
Temporal electric conductivity variations of hydrogenated amorphous silicon due to high energy protons

Shin Ichiro Sato, Hitoshi Sai, Takeshi Ohshima, Mitsuru Imaizumi, Kazunori Shimazaki, Michio Kondo

Journal of Non-Crystalline Solids　358　2039-2043　2012年9月1日

DOI： 10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.111 　

ISSN： 0022-3093
Anomalous enhancement in radiation induced conductivity of hydrogenated amorphous silicon semiconductors

Shin Ichiro Sato, Hitoshi Sai, Takeshi Ohshima, Mitsuru Imaizumi, Kazunori Shimazaki, Michio Kondo

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　286　29-34　2012年9月1日

DOI： 10.1016/j.nimb.2012.02.039 　

ISSN： 0168-583X
4H‐SiCショットキーダイオードにおけるイオン誘起電荷の過剰収集

牧野高紘, 出来真斗, 岩本直也, 小野田忍, 星乃紀博, 土田秀一, 大島武

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　73rd　ROMBUNNO.12P-H7-13　2012年8月27日
イオン照射したSiC‐MOSキャパシタにおける絶縁破壊電界のLET依存性

出来真斗, 牧野高紘, 岩本直也, 小野田忍, 富田卓朗, 橋本修一, 児島一聡, 大島武

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　73rd　ROMBUNNO.12P-H7-18　2012年8月27日
19pAJ-4 イオン照射による水素化アモルファスシリコンのゼーベック係数変化(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

佐藤真一郎, 大島武

日本物理学会講演概要集　67　(2)　150-150　2012年8月24日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
Electric properties of undoped hydrogenated amorphous silicon semiconductors irradiated with self-ions

Shin Ichiro Sato, Hitoshi Sai, Takeshi Ohshima, Mitsuru Imaizumi, Kazunori Shimazaki, Michio Kondo

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms　285　107-111　2012年8月15日

DOI： 10.1016/j.nimb.2012.05.010 　

ISSN： 0168-583X
1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)

小倉俊太, 高橋芳浩, 牧野高紘, 小野田忍, 平尾敏雄, 大島武

信頼性シンポジウム発表報文集　2012　(20)　15-18　2012年6月11日
出版者・発行元：日本信頼性学会

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半導体デバイスに重イオンなどの放射線が照射されると,回路内に過渡電流が発生し,回路誤動作が引き起こされる(ソフトエラー).SOIデバイスはソフトエラー耐性に優れた構造であるものの,予想を超えた電流発生が確認されており,照射誘起過渡電流の更なる低減が望まれている.本研究ではSOIデバイスのソフトエラー耐性強化を目的に,SOI-pnダイオードの重イオン照射誘起電流および収集電荷量の抑制について検討を行った.その結果,異常電荷収集は埋め込み酸化膜を介した変位電流に起因すること,更に支持基板表面の空乏層幅の制御により,BOXを介した変位電流が抑制でき,ソフトエラー耐性向上が可能となることを実験的に明らかにした.
放射線による半導体デバイスへの影響

大島武

應用物理　81　(3)　216-219　2012年3月10日
出版者・発行元：応用物理学会
ISSN： 0369-8009
25aAB-3 自己イオン照射による水素化アモルファスシリコン薄膜の電子輸送機構変化(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

佐藤真一郎, 齋均, 大島武, 今泉充, 島崎一紀, 近彦道雄

日本物理学会講演概要集　67　(1)　196-196　2012年3月5日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
シングルイオンヒットのリアルタイム検出を目的とした透過型薄膜ダイヤモンド検出器の開発

加田渉, GRILJ Veljko, SKUKAN Natko, 佐藤隆博, 牧野高紘, 小野田忍, 江夏昌志, 大島武, JAKSIC Milko, 神谷富裕

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　59th　2012年
NV中心を含むダイヤモンドに単一イオンが誘起する発光の検出

小野田忍, 阿部浩之, 山本卓, 大島武, 磯谷順一, 寺地徳之, 渡邊賢司

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　59th　2012年
ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの規則配列作製

小松原彰, 寺地徳之, 堀匡寛, 熊谷国憲, 田村崇人, 大島武, 小野田忍, 山本卓, MUELLER Christoph, NAYDENOV Boris, MCGUINNESS Liam, JELEZKO Fedor, 谷井孝至, 品田賢宏, 磯谷順一

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　73rd　2012年
イオン照射生成による同位体濃縮ダイヤモンド結晶中窒素-空孔発光中心の単一スピン光検出磁気共鳴評価

山本卓, 小野田忍, 大島武, MCGUINNESS Liam, MULLER Christoph, JAHNKE Kay D., HELLER Pascal, GERSTMAYR Alexander, HAEUSSLER Andreas, NAYDENOV Boris, JELEZKO Fedor, DOLDE Florian, FEDDER Helmut, HONERT Jan, WRACHTRUP Joerg, 寺地徳之, 渡邊賢司, 谷口尚, 小泉聡, MARKHAM Matthew L., TWITCHEN Daniel J., 梅田享英, 磯谷順一

ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　26th　2012年
単一欠陥をプローブにしたダイヤモンド結晶の共焦点蛍光顕微鏡評価

小野田忍, 阿部浩之, 山本卓, 大島武, 谷口尚, 寺地徳之, SIYUSHEV P., TRAN Thai Hien, YANG S., FEDDER H., WRACHTRUP J., MUELLER C., MCGUINNESS L., NAYDENOV B., JELEZKO F., 角谷均, 磯谷順一

ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　26th　2012年
Effects of proton irradiation on the magnetoelectric properties of 2DEG AlGaN/GaN micro-hall sensors

H. Okada, H. Okada, A. Abderrahmane, S. Koide, H. Takahashi, S. Sato, T. Ohshima, A. Sandhu, A. Sandhu, A. Sandhu

Journal of Physics: Conference Series　352　2012年1月1日

DOI： 10.1088/1742-6596/352/1/012010 　

ISSN： 1742-6588
Electron and proton irradiation effects on substrate-type amorphous silicon solar cells

Shin Ichiro Sato, Hitoshi Sai, Takeshi Ohshima, Mitsuru Imaizumi, Kazunori Shimazaki, Michio Kondo

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　001615-001619　2011年12月1日

DOI： 10.1109/PVSC.2011.6186265 　

ISSN： 0160-8371
Radiation response of the electrical characteristics of GaAs solar cells with quantum dot layers

Takeshi Ohshima, Shin Ichiro Sato, Mitsuru Imaizumi, Takeyoshi Sugaya, Shigeru Niki

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　001605-001609　2011年12月1日

DOI： 10.1109/PVSC.2011.6186263 　

ISSN： 0160-8371
Pseudomorphic glass to enable high efficiency space photovoltaic devices

David Wilt, Alex Howard, Neil Snyder, Theodore Sahlstrom, Nicole A. Heersema, Lakshmi Nathan, Takeshi Ohshima, Shin Ichiro Sato, Mitrsuru Imaizumi

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　001949-001954　2011年12月1日

DOI： 10.1109/PVSC.2011.6186335 　

ISSN： 0160-8371
Femtosecond laser modification aiming at the enhancement of local electric conductivities in SiC

Manato Deki, Minoru Yamamoto, Takuto Ito, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima

AIP Conference Proceedings　1399 Pt.A　119-120　2011年12月1日

DOI： 10.1063/1.3666285 　

ISSN： 1551-7616 0094-243X

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Femtosecond laser modification was used to enhance the local electrical conductivities in silicon carbide (SiC). Current-voltage (I-V) characteristics of the laser-modified regions were measured between the ion-implanted metal contacts on SiC. The currents of modified lines increased more than six orders of magnitude when compared with those of the non-irradiated SiC. The current sharply increased in the fluence range from 3.3 to 6.7J/cm 2 . From the I-V characteristics and scanning elctroron microscope (SEM) observations, we conclude that the modification related to the formation of the classical laser-induced periodic structures causes the drastic increase of electrical conductivities. ? 2011 American Institute of Physics.
First flight demonstration of film-laminated InGaP/GaAs and CIGS thin-film solar cells by JAXA's small satellite in LEO

Chiharu Morioka, Kazunori Shimazaki, Shirou Kawakita, Mitsuru Imaizumi, Hiroshi Yamaguchi, Tatsuya Takamoto, Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Yosuke Nakamura, Keiichi Hirako, Masato Takahashi

PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS　19　(7)　825-833　2011年11月

DOI： 10.1002/pip.1046 　

ISSN： 1062-7995
21aEB-1 不純物ドープされた水素化アモルファスシリコン半導体のイオン照射による電気伝導度変化(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

佐藤真一郎, 齋均, 大島武, 今泉充, 島崎一紀, 近藤道雄

日本物理学会講演概要集　66　(2)　121-121　2011年8月24日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
SiC MOSキャパシタのイオン誘起電流

牧野高紘, 大島武, 岩本直也, 小野田忍, 野崎眞次, 児島一聡

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　58th　ROMBUNNO.25P-BL-11　2011年3月9日
25pRA-9 水素化アモルファスシリコン半導体の陽子線照射に伴うゼーベック係数変化(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

佐藤真一郎, 齋均, 大島武, 今泉充, 島崎一紀, 近藤道雄

日本物理学会講演概要集　66　(1)　178-178　2011年3月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
イオン照射によるダイヤモンド結晶中の窒素空孔センターの生成

山本卓, 小野田忍, 大島武, NAYDENOV Boris, DOLDE Florian, FEDDER Helmut, HONERT Jan, JELEZKO Fedor, WRACHTRUP Joerg, 寺地徳之, 渡邊賢司, 谷口尚, 小泉聡, 神田久生, 梅田享英, 磯谷順一

日本物理学会講演概要集　66　(2)　2011年

ISSN： 1342-8349
ダイヤモンド薄膜の同位体濃縮

寺地徳之, 小野田忍, 小泉聡, LIAO M., 谷口尚, 大島武, JELEZKO Fedor, WRACHTRUP Joerg, 磯谷順一

ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　25th　2011年
双極子双極子相互作用を制御したNVセンターの作成エンジニアリング

小野田忍, 山本卓, 阿部浩之, 花屋博明, 大島武, 谷口尚, 寺地徳之, 渡邊賢司, 小泉聡, 神田久生, 磯谷順一, 梅田享英, 角谷均, JELEZKO F., WRACHTRUP J.

ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　25th　2011年
22pGQ-12 イオン照射によるダイヤモンド結晶中の窒素空孔センターの生成(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

山本卓, 寺地徳之, 渡邊賢司, 谷口尚, 小泉聡, 神田久生, 梅田享英, 磯谷順一, 小野田忍, 大島武, Naydenov Boris, Dolde Florian, Fedder Helmut, Honert Jan, Jelezko Fedor, Wrachtrup Jorg

日本物理学会講演概要集　66　(0)　994-994　2011年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
2Pa1-2 電子線照射した半絶縁性6H-SiC単結晶の光音響分光法による評価(ポスターセッション)

若林啓美, 宮崎尚, 岡本庸一, 守本純, 小野田忍, 大島武

超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集　32　(0)　59-60　2011年
出版者・発行元：特定非営利活動法人超音波エレクトロニクス協会
ISSN： 1348-8236
Photo- and dark conductivity variations of solar cell quality a-Si:H thin films irradiated with protons

Shin Ichiro Sato, Hitoshi Sai, Takeshi Ohshima, Mitsuru Imaizumi, Kazunori Shimazaki, Michio Kondo

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2620-2624　2010年12月20日

DOI： 10.1109/PVSC.2010.5617173 　

ISSN： 0160-8371
Study the effects of proton irradiation on GaAs/Ge solar cells

Dalia Elfiky, Dalia Elfiky, Masafumi Yamaguchi, Takuo Sasaki, Tatsuya Takamoto, Chiharu Morioka, Mitsuru Imaizumi, Takeshi Ohshima, Shin Ichiro Sato, Mohamed Elnawawy, Tarek Eldesuky, Ahmed Ghitas

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2528-2532　2010年12月20日

DOI： 10.1109/PVSC.2010.5614633 　

ISSN： 0160-8371
Change in the electrical performance of InGaAs quantum dot solar cells due to irradiation

T. Ohshima, S. Sato, C. Morioka, M. Imaizumi, T. Sugaya, S. Niki

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2594-2598　2010年12月20日

DOI： 10.1109/PVSC.2010.5614152 　

ISSN： 0160-8371
200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化

野尻琢慎, 西野公三, 柳澤英樹, 松浦秀治, 小野田忍, 大島武

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　110　(351)　57-62　2010年12月10日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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添加量の異なるAl-doped 4H-SiC及びN-doped 4H-SiCエピ膜に200kevの電子線を照射した場合の多数キャリア密度の温度依存性を調べた.さらにこれらの実験結果を用いて,FCCS (Free Carrier Concentration Spectroscopy)法から電子線照射によるドーパント密度及び補償密度の変化を詳細に調べ,添加量及びドーパント種が及ぼす耐放射線性について検討した.
Proton-induced photoconductivity increment and the thermal stability of a-Si:H thin film

Shin Ichiro Sato, Hitoshi Sai, Takeshi Ohshima, Mitsuru Imaizumi, Kazunori Shimazaki, Michio Kondo

Journal of Non-Crystalline Solids　356　2114-2119　2010年9月1日

DOI： 10.1016/j.jnoncrysol.2010.07.018 　

ISSN： 0022-3093
SiCダイオードの過渡電荷収集における電子線誘起欠陥の影響

岩本直也, 小野田忍, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 小池俊平, 小泉淳, 内田和男, 野崎眞次

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　ROMBUNNO.15A-ZS-11　2010年8月30日
23pRH-3 水素化アモルファスシリコン半導体の放射線誘起電気伝導(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

佐藤真一郎, 齋均, 大島武, 今泉充, 島崎一紀, 近藤道雄

日本物理学会講演概要集　65　(2)　118-118　2010年8月18日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
ダイヤモンドのNVセンターのパルスENDOR:超微細相互作用・核四極子相互作用の符号決定とスピン密度分布の振動的ふるまい

磯谷順一, EDMONDS A. M., 梅田享英, 中村和郎, 角谷均, 神田久生, 谷口尚, 大島武, 小野田忍, 佐藤真一郎, 森下憲雄, 花屋博明, JELEZKO F., WRACHTRUP J.

電子スピンサイエンス学会年会講演要旨集　49th　2010年
21aHT-5 ダイヤモンドのNVセンターの高濃度作成とスピン緩和(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

磯谷順一, 大島武, 小野田忍, 森下憲雄, 花屋博明, 谷口尚, 渡邊賢司, 神田久生, 角谷均

日本物理学会講演概要集　65　(0)　983-983　2010年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
2E-9 電子線照射LiNbO_3単結晶基板の評価(超音波物性,フォノン物理,光超音波エレクトロニクス&非線形,強力超音波,ソノケミストリー)

宮崎尚, 守本純, 戸田耕司, 小野田忍, 大島武

超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集　31　(0)　429-430　2010年
出版者・発行元：特定非営利活動法人超音波エレクトロニクス協会
ISSN： 1348-8236
Anomalous photoconductivity variations of solar cell quality a-Si:H thin films induced by proton irradiation

Shin Ichiro Sato, Hitoshi Sai, Mitsuru Imaizumi, Kazunori Shimazaki, Michio Kondo, Takeshi Ohshima

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　002354-002358　2009年12月1日

DOI： 10.1109/PVSC.2009.5411322 　

ISSN： 0160-8371
200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性

柳澤英樹, 西野公三, 野尻琢慎, 松浦秀治, 大島武

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　109　(321)　17-22　2009年11月27日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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SiC中のC原子のみを変位させる200keVの電子線照射が,Al-doped 4H-SiCとN-doped 4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度に及ぼす影響について検討した.Al-doped 4H-SiCの場合,2種類のアクセプタ密度の照射量依存性が異なることを明らかにした.一方,N-doped 4H-SiCの場合,cubicサイトのNドナーはhexagonalサイトのNドナーより耐放射線性に強いことがわかった.
電子線照射によって生じるC変位による Al-doped 4H-SiC エピ膜中のアクセプタ密度減少について

西野公三, 柳澤英樹, 野尻琢慎, 松浦秀治, 大島武

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　109　(321)　23-28　2009年11月27日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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SiCは,放射線環境下など様々な環境下でSiに代わる新たな半導体デバイス材料として期待されている.Al-doped 4H-SiCエピ膜に200keVの電子線を照射した場合,エピ膜中に存在する二種類のアクセプタ密度が増減することが分かった.異なるエネルギー(100,150,500keV)の電子線を照射した実験結果も交えて,この二種類のアクセプタ密度の増減について検討した.
電子線照射による Al-doped 6H-SiC エピ膜中のアクセプタ密度変化

野尻琢慎, 柳澤英樹, 明神善子, 松浦秀治, 大島武

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　109　(321)　11-16　2009年11月27日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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電子線を照射したAl-doped 6H-SiCエピ膜に対して,van der pauw法を用いたホール効果測定により得られる正孔密度の温度依存性を用い,Free Carrier Concentration Spectroscopy (FCCS)法によってアクセプタと正孔卜ラップの密度及びエネルギー準位を評価した.その結果,200keV電子線照射によりAlアクセプタ密度が大きく減少することが分かった.この原因を調べる為,100keVの電子線を照射し,Al-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度と欠陥について検討した.
低エネルギー電子線照射による6H‐SiCダイオードの電荷収集効率の低下

岩本直也, 小野田忍, 大島武, 児島一聡, 小泉淳, 内田和男, 野崎眞次

応用物理学会学術講演会講演予稿集　70th　(1)　395　2009年9月8日
25pZB-4 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化2(放射線物理(イオン-固体相互作用・放射線損傷・核反応),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)

佐藤真一郎, 齋均, 今泉充, 島崎一紀, 大島武, 近藤道雄

日本物理学会講演概要集　64　(2)　59-59　2009年8月18日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
Effect of Ion-Beam-Induced Damage on Luminescence Properties in Tb-Implanted Al_xGa_<1-x>N

Park Ji-Ho, Okada Hiroshi, Wakahara Akihiro, FURUKAWA Yuzo, KIM Yong-Tae, SONG Jonghan, CHANG Ho-Jung, SATO Shin-ichiro, OHSHIMA Takeshi

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　109　(98)　141-144　2009年6月17日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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We investigated the effect of ion-beam-induced damage on luminescence properties for rare earth ions-doped III-nitride semiconductor. Tb ions were implanted into Al_<0.35>Ga_<0.65>N epi-layers grown by OMVPE, and the dose were in the range of 1×10^<12>〜2.8×10^<16>Tb/cm^2. RBS/C reveals that ion-beam-induced damage level steeply increases when the dose exceed 5×10^<14>Tb/cm^2. Tb-related luminescence properties are much susceptible to defect, because CL intensity begins to saturate even at low dose (1×10^<13>Tb/cm^2) at which expected defect density is very low. Transient decay time became faster as increases Tb ions dose above 1×10^<13>Tb/cm^2. The results suggest that non-radiative defects, perhaps Tb-defect complexes, are formed in low dose condition even though the structural defect density is very low.
Degradation modeling of InGaP/GaAs/Ge triple-junction solar cells irradiated with various-energy protons

Shin ichiro Sato, Haruki Miyamoto, Haruki Miyamoto, Mitsuru Imaizumi, Kazunori Shimazaki, Chiharu Morioka, Katsuyasu Kawano, Takeshi Ohshima

Solar Energy Materials and Solar Cells　93　768-773　2009年6月1日

DOI： 10.1016/j.solmat.2008.09.044 　

ISSN： 0927-0248
ガンマ線照射した4H‐SiC MESFETの電気特性評価

小野田忍, 岩本直也, 小野修一, 片上崇治, 新井学, 河野勝泰, 大島武

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　56th　(1)　447　2009年3月30日
Modeling of degradation behavior of InGaP/GaAs/Ge triple-junction space solar cell exposed to charged particles

Shin Ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Mitsuru Imaizumi

Journal of Applied Physics　105　2009年3月9日

DOI： 10.1063/1.3079522 　

ISSN： 0021-8979
28aSK-1 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化(28aSK 放射線物理(放射線損傷・電離・イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

佐藤真一郎, 齋均, 今泉充, 島崎一紀, 大島武

日本物理学会講演概要集　64　(1)　152-152　2009年3月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
重イオンマイクロビームを用いた半導体の拡散長評価

小野田忍, 岩本直也, 平尾敏雄, 大島武, 河野勝泰

日本原子力研究開発機構JAEA-Conf　146-149　2009年3月
Characterization of Light Element Impurities in Ultrathin Silicon-on-Insulator Layers by Luminescence Activation Using Electron Irradiation

Satoko Nakagawa-Toyota, Michio Tajima, Kazuyuki Hirose, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　48　(3)　031201-1-031201-4　2009年3月

DOI： 10.1143/JJAP.48.031201 　

ISSN： 0021-4922
LET Dependence of single event transient pulse-widths in SOI logic cell

T. Makino, D. Kobayashi, K. Hirose, Y. Yanagawa, H. Saito, D. Takahashi, S. Ishii, M. Kusano, S.Onoda, T. Hirao, T. Ohshima

IEEE Transactions on Nuclear Sciecnce　56　(1,Pt.2)　202-207　2009年

DOI： 10.1109/TNS.2008.2009054 　

ISSN： 0018-9499
Experimental verification of scan-architectured-based evaluation technique of SET and SEU soft-error rates at each flip-flop in logic VLSE systems

YANAGAWA Y.

IEEE Transactions on Nuclear Science　56　(4,Pt.2)　1958-1963　2009年

DOI： 10.1109/TNS.2009.2020166 　

ISSN： 0018-9499
Niel analysis of radiation degradation parameters derived from quantum efficiency of triple-junction space solar cell

Shin Ichiro Sato, Haruki Miyamoto, Haruki Miyamoto, Mitsuru Imaizumi, Kazunori Shimazaki, Chiharu Morioka, Katsuyasu Kawano, Takeshi Ohshima

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2008年12月1日

DOI： 10.1109/PVSC.2008.4922706 　

ISSN： 0160-8371
Irradiation and measurement of solar cells at low intensity, low temperature (LILT) conditions

M. Imaizumi, R. D. Harris, R. J. Walters, J. R. Lorentzen, S. R. Messenger, J. G. Tischler, T. Ohshima, S. Sato, P. R. Sharps, N. S. Fatemi

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　2008年12月1日

DOI： 10.1109/PVSC.2008.4922641 　

ISSN： 0160-8371
Irradiation and measurement of GaAs based solar cells at low intensity, low temperature (LILT) conditions

R. D. Harris, M. Imaizumi, R. J. Walters, J. R. Lorentzen, S. R. Messenger, J. G. Tischler, T. Ohshima, S. Sato, P. R. Sharps, N. S. Fatemi

European Space Agency, (Special Publication) ESA SP　2008年12月1日

ISSN： 0379-6566
In situ irradiation and measurement of triple junction solar cells at low intensity, Low Temperature (LILT) conditions

R. D. Harris, M. Imaizumi, R. J. Walters, J. R. Lorentzen, S. R. Messenger, J. G. Tischler, T. Ohshima, S. Sato, P. R. Sharps, N. S. Fatemi

IEEE Transactions on Nuclear Science　55　3502-3507　2008年12月1日

DOI： 10.1109/TNS.2008.2006971 　

ISSN： 0018-9499
6H‐SiC p‐MOSキャパシタに誘起されるシングルイベント過渡電流の測定

岩本直也, 大島武, 小野田忍, 児島一聡, 河野勝泰

応用物理学会学術講演会講演予稿集　69th　(1)　361　2008年9月2日
宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)

牧野高紘, 柳川善光, 小林大輔, 福田盛介, 廣瀬和之, 池田博一, 齋藤宏文, 小野田忍, 平尾敏雄, 大島武, 高橋大輔, 石井茂, 草野将樹, 池淵博, 黒田能克

電子情報通信学会技術研究報告. SANE, 宇宙・航行エレクトロニクス　108　(100)　67-72　2008年6月19日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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放射線によって論理LSI内に誘起されるスパイクノイズがソフトエラー源として顕在化してきている.論理LSIはチップ内部に多数のフリップフロップ(FF)やラッチ回路を保持しており,その記憶データが反転するとソフトエラーが起きる.論理LSIでは,放射線がFFやラッチ回路に当たってソフトエラーが起きるだけでなく,組み合わせ論理回路に当たって発生するスパイクノイズによってもソフトエラーが起きる.発生するスパイクノイズの長さが長くなるとソフトエラーの発生率が増加してしまう.そのため,スパイクノイズの放射線入射空LET依存性を測定した.また,放射線がFFやラッチ回路に当たって発生するソフトエラーだけでなく,組み合わせ論理回路に当たって発生するソフトエラー両方の影響をそれぞれ評価する必要がある.さらに各FFでどれだけデータが反転,すなわちソフトエラーが起きたか知る必要がある.これらの要求を満たす新しいLSIテスト技術を開発し,その妥当性を実証した.
マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価

松下由憲, 加藤正史, 市村正也, 畑山智亮, 大島武

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料　108　(35)　95-100　2008年5月15日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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SiCは高出力,高周波デバイスの材料として注目されている.実用化を妨げる原因のひとつとしてウェハー中の結晶欠陥の存在が挙げられるが,デバイス特性と結晶欠陥の関係がわかっていない.よって結晶欠陥の評価が必要である.本研究では電子線照射により欠陥濃度を変化させたp型4H-SiC(0001)Si面エピタキシャル試料中の過剰キャリア減衰曲線をμ-PCD(反射マイクロ波光導電減衰)法によって測定した.過剰キャリアは欠陥濃度の高い試料ほど速く減衰し,さらに注入過剰キャリアが少ないほど速く減衰した.これらの減衰と数値計算によって得られた減衰曲線とを比較した結果,EH_<6/7>センター,Z_<1/2>センターの密度が小さいときはEH_<6/7>センターが減衰曲線に対して支配的に働き,EH_<6/7>センター,Z_<1/2>センターの密度が大きいときはZ_<1/2>センターが減衰曲線に対して支配的に働くということが考えられた.
マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価

松下由憲, 加藤正史, 市村正也, 畑山智亮, 大島武

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　108　(34)　95-100　2008年5月15日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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SiCは高出力,高周波デバイスの材料として注目されている.実用化を妨げる原因のひとつとしてウェハー中の結晶欠陥の存在が挙げられるが,デバイス特性と結晶欠陥の関係がわかっていない.よって結晶欠陥の評価が必要である.本研究では電子線照射により欠陥濃度を変化させたp型4H-SiC(0001)Si面エピタキシャル試料中の過剰キャリア減衰曲線をμ-PCD(反射マイクロ波光導電減衰)法によって測定した.過剰キャリアは欠陥濃度の高い試料ほど速く減衰し,さらに注入過剰キャリアが少ないほど速く減衰した.これらの減衰と数値計算によって得られた減衰曲線とを比較した結果,EH_<6/7>センター,Z_<1/2>センターの密度が小さいときはEH_<6/7>センターが減衰曲線に対して支配的に働き,EH_<6/7>センター,Z_<1/2>センターの密度が大きいときはZ_<1/2>センターが減衰曲線に対して支配的に働くということが考えられた.
ドライ酸化により作製した6H‐SiC MOSFETのガンマ線照射効果

岩本直也, 大島武, 小野田忍, 児島一聡, 河野勝泰

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　55th　(1)　434　2008年3月27日
C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)

平尾敏雄, 府金賢, 小野田忍, 大島武, 高橋芳浩

電子情報通信学会総合大会講演論文集　2008　(2)　79-79　2008年3月5日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
Study of single event transient pulse-width in SOI logic cell

T. Makino, D. Kobayashi, K. Hirose, Y. Yanagawa, H. Saito, H. Ikeda, D. Takahashi, S. Ishii, M. Kusano, S. Onoda, T. Hirao, T. Ohshima

Proceedings of The 8th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA)　77-81　2008年
酸素およびニッケルイオン照射における6H‐SiC p⁺nダイオードのTIBIC測定

岩本直也, 小野田忍, 菱木繁臣, 三島健太, 大島武, 佐藤隆博, 及川将一, 神谷富裕, 坂本愛理, 中野逸夫, 河野勝泰

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　54th　(1)　436　2007年3月27日
6H‐SiCダイオードの電荷収集効率に及ぼすオージェ再結合の影響

小野田忍, 大島武, 平尾敏雄, 菱木繁臣, 岩本直也, 三島健太, 河野勝泰

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　54th　(1)　437　2007年3月27日
第7回宇宙用半導体素子放射線影響国際ワークショップ(7thRASEDA)の紹介

大島武

日本信頼性学会誌 : 信頼性 = The journal of Reliability Engineering Association of Japan　29　(2)　120-121　2007年3月1日
出版者・発行元：日本信頼性学会
ISSN： 0919-2697
Publisher's note: Divacancy in 4H-SiC (vol 96, 055501, 2006)

NT Son, P Carlsson, J ul Hassan, E Janzen, T Umeda, J Isoya, A Gali, M Bockstedte, N Morishita, T Ohshima, H Itoh

PHYSICAL REVIEW LETTERS　96　(6)　2006年2月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.96.069902 　

ISSN： 0031-9007
28aXT-10 SiC中のドナー・アクセプターの位相緩和(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)

磯谷順一, 野澤秀彰, 梅田享英, 大島武, 森下憲雄, 神谷富裕

日本物理学会講演概要集　59　(1)　962-962　2004年3月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
N-channel MOSFETs fabricated on homoepitaxy-grown 3C-SiC films

Kin Kiong Lee, Yuuki Ishida, Takeshi Ohshima, Kazutoshi Kojima, Yasunori Tanaka, Tetsuo Takahashi, Hajime Okumura, Kazuo Arai, Tomihiro Kamiya

IEEE Electron Device Letters　24　(7)　466-468　2003年7月

DOI： 10.1109/LED.2003.815006 　

ISSN： 0741-3106
31pYG-4 SiC 中の浅いドナーのスピン緩和

磯谷順一, 大島武, 森下憲雄, 神谷富裕, 伊藤久義

日本物理学会講演概要集　58　(1)　933-933　2003年3月6日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
3MeV Electron Irradiation-Induced Defects in CuInSe_2 Thin Films

Hae-Seok Lee, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Shirou Kawakita, Mitsuru Imaizumi, Sumio Matsuda, Akira Yoshida

Journal of Physics and Chemistry of Solids　64　1887-1890　2003年

DOI： 10.1016/S0022-3697(03)00109-4 　
Photoelectromagnetic Effects on Electron and Proton Irradiated CuInSe2 Thin Films

Hae-Seok Lee, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, Akira Yoshida, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh

Journal of Applied Physics　94　(1)　276-278　2003年

DOI： 10.1063/1.1579545 　

ISSN： 0021-8979
Effect of Proton Irradiation on Electrical Properties of CuInSe2 Thin Films

Hae-Seok Lee, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, Akira Yoshida, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Shirou Kawakita, Mitsuru Imaizumi, Sumio Matsuda

Solar Energy Materials and Solar Cells　75　(1/2)　57-63　2003年

DOI： 10.1016/S0927-0248(02)00100-9 　

ISSN： 0927-0248
28aYC-11 ダイヤモンドへの高エネルギー燐イオン照射 : 照射損傷低減条件の探索

磯谷順一, 森田洋右, 大島武, 伊藤久義, 神田久生, 角谷均

日本物理学会講演概要集　56　(1)　855-855　2001年3月9日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
27pYC-12 シリコンカーバイドにおける空孔欠陥のESRによる研究

水落憲和, 磯谷順一, 山崎聡, 瀧澤春喜, 森下憲雄, 大嶋武, 伊藤久義

日本物理学会講演概要集　56　(1)　846-846　2001年3月9日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
31a-ZA-1 高エネルギー炭素イオン照射したダイヤモンドの電子スピン共鳴

磯谷順一, 森田陽右, 大島武, 神田久生, 角谷均

日本物理学会講演概要集　54　(1)　111-111　1999年3月15日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム

吉川正人, 大島武, 伊藤久義, 梨山勇, 高橋芳宏, 大西一功, 奥村元, 吉田貞史

電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス 2-電子素子・応用　81　(1)　140-150　1998年1月
出版者・発行元：社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0915-1907

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copyright(c)1998 IEICE許諾番号：08RB0010 http://search.ieice.org/index.html宇宙環境で使用される半導体素子には，高温での素子動作ばかりでなく強い耐放射線性が要求される．今回我々は，広いバンドギャップをもつ炭化けい素半導体を用いて作製したMOS構造素子のγ線照射効果を調べた．また酸化膜中の電荷分布の照射による変化も併せて調べ，γ線照射効果のメカニズムを追求した．
8a-S-7 高温・高エネルギー燐イオン照射ダイヤモンドの電子スピン共鳴

磯谷順一, 神田久生, 森田洋右, 大島武, 角谷均, 佐藤周一

日本物理学会講演概要集　52　(2)　111-111　1997年9月16日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
高エネルギー燐イオン打ち込みダイヤモンドの電子スピン共鳴

磯谷順一, 神田久生, 森田洋右, 大島武

日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1996　(2)　191-191　1996年9月13日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
3a-M-6 高エネルギー燐イオンを照射した合成ダイヤモンド結晶の電子スピン共鳴

磯谷順一, 神田久生, 森田洋右, 大島武

日本物理学会講演概要集. 年会　51　(2)　66-66　1996年3月15日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
27p-N-13 燐イオンを照射した合成ダイアモンド結晶の電子スピン共鳴

磯谷順一, 神田久生, 森田洋右, 大島武

日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1995　(2)　31-31　1995年9月12日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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書籍等出版物 5

Defects in functional materials

Y. Yamazaki, S. Onoda, T. Ohshima

2021年

ISBN: 9789811203169
Applications of Laser-Driven Particle Acceleration

T. Ohshima, M. Imaizumi

CRC Press　2018年6月5日

ISBN: 1498766412
Radiation Response of Silicon Carbide Diodes and Transistors

T. Ohshima, S. Onoda, N. Iwamoto, T. Makino, M. Arai, Y. Tanaka

InTech　2012年10月
Radiation Effects on Semiconductors and Polymers for Space Applications

OHSHIMA Takeshi

CRC Press, Taylor & Francis Group　2010年
New Applications of Ion Beams to Material, Space, and Biological Science and Engineering

OHSHIMA Takeshi

Marcel Dekker Inc.　2003年

共同研究・競争的資金等の研究課題 26

人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立

黒木伸一郎, 田中保宣, 児島一聡, 大島武, 武山昭憲, 牧野高紘

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

研究機関：Hiroshima University

2024年4月1日～ 2029年3月31日
量子技術応用のためのダイヤモンドスピンキュービット

大島武

2024年～ 2029年

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室温でも高効率光読み出しと長コヒーレンス時間を併せ持つダイヤモンド中スピン量子ビットが注目されている。本課題は、材料科学とコヒーレンス制御を融合し、量子センシングや量子通信へ先進的ダイヤモンド技術を応用することを目的とする。共同で推進するダイヤモンド量子技術研究センターは、高機能ダイヤモンド材料による生物医学応用のための量子センシングを実現する。また、光・電子スピンによる量子ネットワーク要素を実証する。ドイツチームはスピンのコヒーレント制御、量子ビット、フォトニック集積、表面化学に関する専門知識を、日本チームは独自に持つダイヤモンド合成の専門知識や生物医学用センシング応用、量子ネットワーク要素に関する経験を活用する。また両チームは、若手研究者がダイヤモンド量子技術の専門知識を習得できるよう体系化された教育システムを構築する。
固体量子センサによる海中磁場計測ネットワーク技術の開発

大島武

2024年～ 2029年

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本研究開発では、将来的に音響センサとの連携による人工物の確実な検知を目指し、磁場の絶対値を計測可能、かつ温度変動による計測誤差を自己補償可能なダイヤモンド中の窒素-空孔(NV)量子センサを開発します。また、センサを複数配置した海中センサネットワークを構築し、得られたデータから人工物の位置を特定する解析ソフトウェアの開発を行います。さらに、ダイヤモンドNVのマルチモダル性を活かして、新たなpHセンシング原理の実証にも挑戦し、海底火山活動モニタリングに資する次世代海中センシング技術としてpHセンサユニットのシステム開発を目指します。
炭化ケイ素半導体を用いたもつれ光子対発生デバイスの実現

土方泰斗, 松下雄一郎, 大島武, 針井一哉

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)

研究機関：Saitama University

2022年6月30日～ 2025年3月31日

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第一原理計算を駆使して３準位系を有する表面SPSの欠陥構造を特定し，その形成エネルギーの計算から欠陥形成に適した酸化プロセスを構築していく．応募者らが過去に行った酸素関連欠陥の形成エネルギーの計算結果よると，最表面Siサイトに酸素が入った欠陥(OSi(1))は３準位系を有し，酸素化学ポテンシャルの高い領域で形成エネルギーが低いため，十分な酸素供給量を有する雰囲気（高圧酸素雰囲気下等）での酸化を行うことで優先的に形成されると予想される．本年度は，酸化条件として酸素圧を0.3－2atmまで変えて試料を作製し，それぞれの試料で表面SPSと思われる発光点のフォトルミネッセンス(PL)スペクトルおよびPLマッピング，光子相関測定，並びに偏光特性評価を行なった．その結果，PLスペクトルやPLマッピング，光子相関測定による単一光子源生成率に関しては特段の差異は見られなかったものの，唯一2atmの偏光特性測定において，直線偏光の偏光方位が統一されるという結果が得られた．エレクトロルミネッセンス(EL)デバイスの実現に向けて，1つのデバイスに対し１つないしは数個の表面SPSを内包するための「表面SPS間引きプロセス」の開発を行った．まず，酸化膜をフッ酸で除去した領域は，表面SPSを完全には除去できないことを確認した．そこで，Arミリングを用いて，酸化膜だけでなくSiC層も30nmほどエッチングしたところ，今度は表面SPSの完全除去を確認した．
炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生

土方泰斗, 針井一哉, 松下雄一郎, 大島武

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Saitama University

2022年4月1日～ 2025年3月31日

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炭化ケイ素（SiC）半導体へのスピン注入デバイス実現を目指し, 先ずは基板直上に磁気異方性が制御された強磁性薄膜，特に垂直磁気異方性を持つ磁化膜の成膜に挑戦した． 4H-SiC及び4H-SiC表面に熱酸化で形成したSiO2上に代表的な垂直磁気異方性磁化膜であるCo-Pt積層膜の成膜を行った. 本研究の開発目標であるスピン注入デバイスを考慮し，スピン減衰の大きなPt膜を下地層とする通常の構造ではなく，基板上に直接成膜したCo中間層の上にPtを積層する構造について, Co層の膜厚を変化させながら磁気特性の評価を行った.加えて，キャップ層の影響を調べるためにPtをTaに置き換えた試料についても評価した. 作製した全ての試料に対し極Kerr効果（極MOKE）測定を行い, 磁化曲線を得た. 実験結果から, SiC上に直接成膜した全てのPt/Co薄膜試料で垂直磁化膜を得られたが, キャップ層をTaへと変えた試料では垂直磁化膜は得られなかった. また, 保磁力・磁化の磁気特性のCo膜厚に依る変化が見られた. 一方で, SiO2上に作製した試料全てでは面内磁化膜を得た.これら2種の基板によるPt/Co薄膜の磁気異方性の違いは, Coを薄膜堆積する母基板の結晶構造がCoの結晶構造に影響を与えるためだと考えられる. また, キャップ層による磁気異方性の違いから, Pt/Co薄膜の垂直磁気異方性には異種金属界面における界面磁気異方性の影響も寄与している事が考えられる. さらに, フォトリソグラフィーにより描画した微細なSiO2/SiCストライプパターンに対し, 面内/面直磁化が微細パターンを追従することも確認され, 本方式による磁化膜が微細なデバイス構造にも適用できることを示した.
炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生

土方泰斗, 大島武, 松下雄一郎

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Saitama University

2022年4月1日～ 2025年3月31日
界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明

松下雄一郎, 藤ノ木享英, 大島武, 吉岡裕典, 土方泰斗, 押山淳

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tokyo Institute of Technology

2021年4月5日～ 2024年3月31日
光を高度に操った炭化ケイ素半導体中スピン欠陥の量子状態制御

大島武, 黒木伸一郎, 波多野睦子

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：National Institutes for Quantum Science and Technology

2020年4月1日～ 2023年3月31日

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炭化ケイ素（SiC）中のシリコン空孔（Vsi）に着目し、陽子線描画技術を用いて任意位置・深さにVsiを形成し、光検出磁気共鳴（ODMR）を用いた温度計測及び磁場計測を行った。特に、2021年度はSiC/Si貼り合わせ構造を有する試料に陽子線描画によりVsiを導入した。室温での共焦点蛍光顕微鏡観察によりSiC中の任意位置にVsiが形成されていることを確認した。加えて、リアクティブエッチングなどを利用してSiC基板を局所加工（ライン形状）することで光導波路の形成を試みた。SiC/Si貼り合わせ基板の作製の最適化に向けた研究では、貼り合わせ前に基板表面に酸化膜を形成すること、貼り合わせ時に行う熱処理温度を検討することで、歩留まりの向上を達成した。 ODMRの高感度化に関しては、基底状態と励起状態でODMRを発生させる高周波を同時に印加することで、本来は温度依存性を持たない基底状態のODMRが温度依存性を有することを発見し、この手法を用いることで従来の励起状態のODMR測定を用いる場合よりも高いコントラストのODMRシグナルが得られること、即ち、温度感度が向上することを見出した。
シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成

黒木伸一郎, 田中保宣, 児島一聡, 大島武, 武山昭憲, 牧野高紘

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Hiroshima University

2020年4月1日～ 2023年3月31日

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本研究ではシリコンカーバイド（SiC）半導体を用いた極限環境下でも駆動可能な4H-SiC CMOS集積回路の構築を行い、またこれに伴う回路設計パラメータ群を整備する。これによりこの技術を多くの研究者が利用な形にし、IoTプラットフォーム化する。特に福島第一原子力発電所廃炉に必要とされるMGy（メガグレイ）級耐放射線集積回路構築を行う。目標は、高周波駆動：＞100 MHz、耐放射線性（ガンマ線）：＞ 2 MGy、超高温動作: > 500°Cでの動作可能なセルフアライン・短チャネル・高移動度4H-SiC MOSFETsを用いた集積回路の実現である。令和2年度は集積回路の高周波動作のために、SiC CMOSプロセスの各技術要素を統合を進めた。研究要素は次のようなものである:１. 新提案セルフアラインプロセスおよび高精度イオン注入制御, 2. 短チャネル化技術, 3. キャリア高移動度化, 4. 高融点ゲート電極と仕事関数制御, 5. Nb/Niオーミック電極形成技術. これらに加えて６．エピタキシャル成長によるWell構造形成の研究を進めた。試作したデバイスの500℃までの超高温動作評価を実施し、またSiC NMOS/PMOS単体デバイスの回路設計用パラメータ抽出した。特に放射線曝露後・高温時での回路設計パラメータ抽出を行った。このデバイスパラメータを用いて4H-SiC CMOS 集積回路の設計に着手し、特にアンプ回路の設計試作を行った。極限環境エレクトロニクスが使いやすいように、仕様・インターフェースの検討を進めた。
マルチスケール計算によるSiC酸化機構に現れる複合相関とその界面電子物性への影響

松下雄一郎, 大島武, 土方泰斗, 押山淳, 櫻井鉄也

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tokyo Institute of Technology

2018年4月1日～ 2021年3月31日

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本課題では第一原理理論計算に基づいて、SiC-MOS界面欠陥の構造特定と界面欠陥低減法の理論的提案を行なった。SiC/SiO2界面に現れる欠陥の特定は、SiC-MOSデバイス特性の改善において重要な課題である。本研究課題では、SiC-MOS界面欠陥として2つの欠陥候補を特定に成功した。1つは、SiCの伝導帯下端の波動関数に由来するSiC固有の欠陥であり、もう1つは界面に析出した炭素関連欠陥である。特に、界面に析出した炭素関連欠陥を提言する方法として、熱酸化を使わない酸化膜形成法を提案した。また、それを実験によって検証した結果、界面欠陥密度を10分の1にまで低減できていることがわかった。
シリコンカーバイドによる極限環境エレクトロニクスの研究

黒木伸一郎, 大島武, 牧野高紘

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Hiroshima University

2017年4月1日～ 2020年3月31日

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本研究は極限環境下でも駆動可能な4H-SiC CMOS集積回路の構築を目的とし、高い放射線環境下でも動作可能なセルフアライン・短チャネル・高移動度4H-SiC MOSFET sの実現を行った。セルフアライメントゲート・トレンチ4H-SiC MOSFETsを提案・試作し、動作実証を行った。この新しく提案したデバイスにより、高速動作で問題となるトランジスタの寄生容量低減を行うことができた。また短チャネル4H-SiC MOSFETsにおいて短チャネル効果が抑制されることを示した。異種元素導入によるゲート絶縁膜/SiC界面制御を行い、4H-SiC nMOSFETsのチャネル移動度向上に成功した。
炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測

大島武, 波多野睦子, 藤ノ木享英, 土方泰斗

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology

2017年4月1日～ 2020年3月31日

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本研究では、炭化ケイ素（SiC）中の単一光子源（SPS）の発光やスピン特性を明らかにするとともに、それらSPSの状態制御技術の開発を目的に、a)SPSをSiCデバイス内の任意位置に導入する技術を開発し、光検出磁気共鳴（ODMR）を用いたSPSのスピン制御及びそれを応用した磁場センシングの実証、b)電圧印加や電流注入といったデバイス動作がSPSの発光やスピン特性といった量子状態に及ぼす影響を明らかにすることで、デバイス動作によるSPSの量子状態制御の基盤技術の構築、c)窒素-空孔（NcVsi）や表面SPSの形成条件や物性及び量子状態に関する情報を得た。
水素吸蔵材料高機能化に及ぼす量子ビーム照射による欠陥デザイン

阿部浩之, 内田裕久, 大道博行, 西村昭彦, 大島武, 菖蒲敬久, 原木岳史, 下村拓也, 徳平真之介, 島田幸洋, 竹仲祐介, 古山雄太

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

2014年4月1日～ 2017年3月31日

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量子ビーム（イオン・電子・レーザー）照射による水素吸蔵材料の表面改質・表面活性化等を施す事で水素吸蔵材料高機能化（例として自動車のバッテリーや乾電池など）を図るため、水素吸蔵測定系は電気化学的充放電測定装置を構築し、水素吸蔵初期反応速度を測定できる系を構築した。また、種々の量子ビーム照射を実施した結果、未照射に比べ、照射による水素吸蔵機能性は向上することが判明した。それぞれの照射によって表面構造がランダムな状態（乱れ）になる事がわかり、表面層に対して、欠陥導入、希土類酸化膜の形成、非熱加工効果や衝撃波による構造の乱れさせることが吸蔵機能を向上させる因子であることを突き止めた。
高エネルギーイオン大気取出し窓兼位置敏感型検出器としてのダイヤモンド薄膜の研究

神谷富裕, 鹿田真一, 加田渉, 佐藤隆博, 杢野由明, 大島武

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

2014年4月1日～ 2017年3月31日

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高エネルギーイオンの大気取出し窓兼イオン位置検出器として、単結晶ダイヤモンド薄膜による新奇透過型位置敏感型検出器の開発を行った。試験素子を作成しイオンビーム誘起電荷（IBIC）あるいはその時間応答（QTS）の計測により総合的な特性評価を行った。まずIBIC計測によりイオンの入射位置に依存する出力信号を観察した。加えて信号強度の照射量の増加に伴う劣化特性において実験と計算とを対比し、新たな劣化パラメータを提案した。また、単結晶ダイヤモンドの半導体としての電気的活性について、QTSにより検証した。加えてイオン照射が誘起するアバランシェ効果による生成電荷増幅という現象を新たに確認した。
炭化ケイ素中の高輝度単一発光中心のフォトン・スピン制御競争的資金

大島武

提供機関：JSPS

制度名：KAKENHI B

2014年4月～ 2017年3月
低質量暗黒物質探査用低物質量半導体ピクセル検出器の開発

田中真伸, 金子純一, 嶋岡毅紘, 大島武, 牧野高紘, 身内賢太朗

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

研究機関：High Energy Accelerator Research Organization

2013年4月1日～ 2016年3月31日

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炭素を含むダイヤモンド及び炭化硅素を利用して軽い暗黒物質の検出感度をあげるため、ワイドギャップ半導体ピクセル検出器の研究開発を行った。本研究ではダイヤモンド、炭化硅素を用いた100μmx100μm程度のピクセル検出器を製作しその静特性と電荷収集効率を評価し、充分な信号対雑音比を得る事を確認した。更にワイドギャップ半導体検出器評価用低雑音集積回路を製作し100electronを下回る低雑音性能を達成した。
半導体材料・素子の耐放射線性評価及び耐放射線性素子開発競争的資金

2005年～ 2015年

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・炭化ケイ素（SiC）を用いた耐放射線性素子の開発・宇宙用太陽電池、半導体の耐放射線性評価技術と耐性強化技術の開発
炭化ケイ素中のシリコン空孔欠陥を用いた単一フォトン操作

大島武, 梅田享英

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

2012年4月1日～ 2014年3月31日

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炭化ケイ素（SiC）中の単一光源となる欠陥中心の探索のため、半絶縁性SiC基板に室温で2 MeVの電子線を照射し、その後、アルゴン雰囲気中で300 ～ 500 Cの熱処理を行うことで、従来報告されているシリコン空孔（Vsi）からの発光に加えて、波長670~700nm領域に非常に強い発光が観測されることを明らかにした。低温でのフォトルミネッセンス測定より、この発光の起源が正に帯電したシリコン格子位置の炭素と炭素空孔の複合欠陥（CsiVc）であること、共焦点顕微鏡を用いたアンチバンチング測定から、CsiVcが単一光源であることを見出した。
量子コンピューティングのための半導体中の欠陥エンジニアリング競争的資金

2009年～ 2013年3月

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・イオンや電子線照射を用いたダイヤモンド中のNVセンター形成技術
イオンビーム誘起電荷による炭化ケイ素半導体上の酸化膜破壊機構に関する研究競争的資金

大島武

2009年4月～ 2012年3月
超高エネルギー粒子の挙動と照射効果に関する実験的研究(JASMIN)

中島宏, 柴田徳思, 春日井好己, 坂本幸夫, 岩元洋介, 松田規宏, 大島武, 中村尚司, 平山英夫, 伴秀一, 佐波俊哉, 松村宏, 萩原雅之, 岩瀬広, 八島浩, 関本俊, 大石晃嗣, 石橋健二, 執行伸寛

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Japan Atomic Energy Agency

2009年～ 2011年

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米国フェルミ国立加速器研究所における高エネルギー加速器施設において、120GeV陽子で生成した二次粒子線を用いた物質内粒子線挙動測定実験を行った。このデータを元に、高エネルギー加速器施設開発、宇宙線照射効果研究などにかかる、高エネルギー粒子輸送計算システム開発を行うと共に、粒子線照射効果評価法の確立に関する基礎研究を行った。
2キュービットゲートを用いた鎖状スケーラブル量子コンピュータの開発

磯谷順一, 谷口尚, 大島武

2009年～ 2009年

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本研究は、「ダイヤモンド中のNVセンター(室温で初期化と単一スピン検出ができる)を鎖状に並べたスヶーラブル・室温動作の量子コンピュータの開発の前提」である、(1)核スピンをもたない同位体^<12>Cの濃縮と不純物窒素低減とにより、NVセンターのコヒーレンス時間が十分に長くできること、それにより(2)双極子双極子相互作用を用いて、2キュービットのCNOTゲートが実現できること、を実証することを目的とした。 ^<12>C99.7%、不純物窒素濃度[N]=0.05ppbのCVD単結晶でNVセンターのコヒーレンス時間T_2=1.8ms(室温)が得られたのに対して、^<12>C99.97%,[N]=0.6ppmのHPHT結晶中のNVセンターではT_2=0.17msで、[N]=0.6ppmの天然存在比の結晶と同じであった。上記のCVD単結晶では成長時導入のNVセンターについてT_2が測定されているのに対して、HPHT結晶では電子線照射・熱処理を用いてNVセンターを作成している。2キュービットのCNOTゲートの実証には、イオン注人で作成したNVセンターのペアーが、長いT_2をもつような作製プロセスが不可欠である。電子線照射やイオン注入で効率よくNVセンターを作成するとともに、コヒーレンス時間を短くする要因となる余分な欠陥を残さないために、高温の電子線照射や窒素イオン照射を行い、照射条件・熱処理条件を探索した。 ^<12>C99.97%濃縮した炭素源を用いて作成したHPHT結晶において不純物窒素の低減をはかり、[N]=35ppbのものが得られた。この結晶に、単一イオン入射マイクロイオンビーム技術を用い、同一ポイント(径～1μm)に数を制御した窒素イオン(10MeV)の照射を行った。碁盤目状に打ち込んだたくさんのポイントのなかから、NVセンターのペアーを探し出すことにより、CNOTゲートに使える距離のペアーとして存在するNVセンターのT_2を長くする指針が得られると考えられる。
炭化ケイ素半導体を基板とする放射線検出器開発のための誘起電荷評価

大島武, 小野田忍, 伊藤久義, 神谷富裕, 佐藤隆博, 中野逸夫, 伊藤久義, 神谷富裕, 佐藤隆博, 中野逸夫

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Japan Atomic Energy Agency

2006年～ 2008年

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耐放射線性炭化ケイ素(SiC)粒子検出器開発に必要な基礎データとして、ベータ線、アルファ線及びイオン入射により、SiCダイオードに発生する電荷の収集効率(CCE)を調べた。アルファ線等では、ほぼ100%のCCEを観測しSiCの検出器応用の有効性を実証した。一方、Niのような重イオンではSiCの物性に起因するCCEの低下が見出された。更に、電子線等により損傷を加えたSiCダイオードのCCE低下を調べ、優れた耐性を明らかにした。
ルミネッセンスを利用した太陽電池用半導体材料の精密診断技術の開発

田島道夫, 今泉充, 大島武, 川北史朗, 高本達也

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Japan Aerospace Exploration Agency

2004年～ 2006年

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本研究においては,宇宙用・地上用の各種太陽電池の高効率化・長寿命化を図ることを目的とし,変換効率を低下させる原因となる欠陥の電子的性質・試料内分布状況を精密に評価することのできる,ルミネッセンスを利用した新しい診断技術を開発した. 当研究室が有していたフォトルミネッセンス(PL)スペクトル測定装置を基礎に,分光器.光検出器そして光学系に改良を加え2桁以上の高感度化を実現させた.また既有のフォトルミネッセンス(PL)ウエハーマッピング装置に選択励起PL法およびエレクトロルミネッセンス法の機能を付加し,多接合(MJ)セル,窓層・バッファ層を持つCu(In,Ga)Se_2(CIGS)系セル,そして地上用太陽電池材料の最大シェアを占める多結晶Siの評価を行った.これらの研究により宇宙用のSi太陽電池,MJセル,そしてCIGSセルにおける放射線照射誘起欠陥を初めとする各種欠陥の正体,発生原因,熱処理挙動に対し極めて有益な知見を得ることができた.また多結晶Si太陽電池の変換効率に直結する欠陥の実体を明確に突き止めることができた. 以上により得られた知見を基に,測定時間の革新的な短縮を図るPLイメージング法を開発した.とくにシリコン太陽電池に対しては「弗酸水溶液浸PLイメージング法」を発明した.この手法は,一般に用いられている少数キャリヤ拡散長測定法等と比較して,基板1枚あたりの評価時間を1/1000以下の1秒以下に短縮し,空間分解能も10倍以上向上させた画期的な技術であり,基板内のミクロンサイズの欠陥像が鮮明に得られることを実証した.本手法は,製造ラインに組み込み可能な革新的な実用化技術であるばかりでなく,表面の影響を受けることなく正確に基板結晶内の欠陥分布を捉えることを実現させた学術的価値の高いものであり,応用物理学に与えるインパクトは極めて大きいと確信する.
半導体電子スピン系量子コンピュータの要素技術の開発

磯谷順一, 梅田享英, 水落憲和, 大島武

2004年～ 2005年

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固体素子量子コンピュータのうち、ビットの選択や論理ゲートの方式が提案されている半導体中のドナーを対象に、母結晶やドナーの種類を変えて、位相記憶時間(T_M)・スピン格子緩和時間(T_1)の温度依存性・ドナー濃度依存性・同種体組成依存性から、コヒーレンス持続時間を決める機構を明らかにした。電子スピンを用いる量子コンピュータで必要とされる〜100μsを超えるT_Mを、より高い温度領域で得るには、バレー・軌道相互作用による励起状態のOrbach過程によるスピン格子緩和がより高い温度領域で凍結することと、核スピンを持つ同位体の存在比が低い元素からなる半導体結晶の選択により核スピンのフリップ・フロップによる位相緩和を抑えることが重要であることが明らかになった。新しいドナーとして、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC中のシリコンを置換した燐ドナー及びダイヤモンド中の燐ドナーのESRスペクトルを見出したが、バレー・軌道相互作用による励起状態が近接するために、4H-SiC、6H-SiC中の窒素ドナーのような高い温度領域での長いT_Mは得られなかった。ドナーを量子ビットに用いる提案は、ゲートに加える電圧により、ドナー電子の共鳴周波数を変化させることによりビットを選択すること、および、2つのドナーの電子雲のオーバーラップのON/OFF(交換相互作用のON/OFF)により論理ゲートが構成できることに基づいている。シリコン中の燐ドナーについて、電場印加による超微細相互作用の変化の実証を試みた。10kV/cmを超える電界を加えたが、線幅を越える^<31>P超微細相互分裂の大きさの変化は検出されなかった。アンサンブル系ESR量子コンピュータの2ビット論理ゲートのデモンストレーションに向けたパルス技術の問題点の洗い出しと現状の技術に見合う試料の選択を行った。
Radiation Effects on Semiconductor materials and devices 競争的資金

制度名：The Other Research Programs

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