研究者詳細

顔写真

サイトウ　ユウタ
齊藤　雄太
Yuta Saito
所属
グリーン未来創造機構　グリーンクロステック研究センター
職名
教授
学位

  • 博士（工学）（東北大学）

  • 修士（工学）（東北大学）

e-Rad 研究者番号
50738052
Researcher ID
H-7119-2014

経歴 10

  • 2023年11月 ～ 継続中
    東北大学　大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻　教授

  • 2023年11月 ～ 継続中
    東北大学　グリーンクロステック研究センター　教授

  • 2023年4月 ～ 2023年10月
    国立研究開発法人産業技術総合研究所　研究グループ長

  • 2022年4月 ～ 2023年3月
    国立研究開発法人産業技術総合研究所　企画主幹

  • 2018年10月 ～ 2022年3月
    国立研究開発法人産業技術総合研究所　主任研究員

  • 2018年4月 ～ 2018年9月
    国立研究開発法人産業技術総合研究所　研究員

  • 2017年4月 ～ 2018年3月
    ケンブリッジ大学　客員研究員

  • 2014年4月 ～ 2017年3月
    国立研究開発法人産業技術総合研究所　研究員

  • 2013年4月 ～ 2014年3月
    国立研究開発法人産業技術総合研究所　産総研特別研究員

  • 2010年4月 ～ 2013年3月
    東北大学　日本学術振興会特別研究員DC１

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学歴 3

  • 東北大学大学院　工学研究科　知能デバイス材料学専攻 博士課程

    2010年4月 ～ 2013年3月

  • 東北大学大学院　工学研究科　知能デバイス材料学専攻 修士課程

    2008年4月 ～ 2010年3月

  • 東北大学　工学部　材料科学総合学科

    2004年4月 ～ 2008年3月

委員歴 7

  • 公益社団法人 日本金属学会　調査研究委員

    2025年4月 ～ 継続中

  • 公益社団法人 日本金属学会　講演大会委員

    2021年4月 ～ 継続中

  • 公益社団法人 日本金属学会　会報誌「まてりあ」編集委員

    2021年3月 ～ 継続中

  • 相変化研究会 (PCOS)　幹事

    2016年4月 ～ 継続中

  • Electrochemical Society (ECS), Non-volatile memory Symposium,　Symposium Organizer

    2016年4月 ～ 2020年10月

  • 2017 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting & Exhibit,　Symposium Organizer

    2016年4月 ～ 2017年4月

  • 2016 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting & Exhibit,　Symposium Organizer

    2015年4月 ～ 2016年4月

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所属学協会 3

  • Materials Research Society

  • 日本金属学会

  • 応用物理学会

研究キーワード 13

  • 放射光測定

  • トランジスタ

  • 電子材料

  • 2次元材料

  • 結晶化

  • アモルファス

  • 相変化メモリ

  • 層状物質

  • トポロジカル絶縁体

  • 第一原理計算

  • 超格子

  • カルコゲナイド薄膜

  • 相変化材料

研究分野 1

  • ナノテク・材料 / 無機材料、物性 / 機能材料、デバイス材料

受賞 8

  1. 令和7年度科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞

    2025年4月　文部科学省　「カルコゲナイド系電子デバイス材料の研究」

  2. 第46回本多記念研究奨励賞

    2025年2月　公益財団法人 本多記念会　「カルコゲナイド薄膜材料の設計・高品質成膜・電子デバイス応用に関する研究」

  3. 第14回日本金属学会まてりあ論文賞

    2024年9月　公益社団法人日本金属学会　「層状カルコゲナイドが拓く電子デバイス材料の新展開」

  4. 第19回 日本金属学会村上奨励賞

    2022年9月　公益社団法人 日本金属学会　「機能性カルコゲナイド薄膜の材料評価とデバイス応用に関する研究」

  5. 日本金属学会奨励賞[物性部門]

    2019年9月　公益社団法人 日本金属学会　「新規カルコゲナイド相変化材料の開発とその実用化研究」

  6. 応用物理学会講演奨励賞

    2019年3月　公益社団法人 応用物理学会　「不揮発性メモリ用遷移金属相変化材料の電子構造の解明」

  7. 第6回 日本金属学会まてりあ論文賞

    2016年9月　公益社団法人日本金属学会　「不揮発性メモリ用Ge-Cu-Te 系相変化材料の研究」

  8. EPCOS2014 Best Presentation Award

    2014年9月

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論文 116

  1. Realization of ideal Ohmic contact to n-Ge: The key roles of Ge-Bi-Te for quasi-van der Waals interface formation

    Wen Hsin Chang, Shogo Hatayama, Naoya Okada, Toshifumi Irisawa, Yuta Saito

    APL Materials　2025年7月1日

    DOI： 10.1063/5.0278628 　

  2. Room temperature ferromagnetism in polymorphic (Cr,Mn)Te films

    Mihyeon Kim, Ryoga Nakajima, Takashi Harumoto, Yi Shuang, Daisuke Ando, Nobuki Tezuka, Yuta Saito, Yuji Sutou

    APL Materials　2025年6月1日

    DOI： 10.1063/5.0266675 　

  3. Unveiling the Significant Role of Schottky Interfaces for Threshold Voltage in Ovonic Threshold Switching

    Shogo Hatayama, Keisuke Hamano, Yi Shuang, Mihyeon Kim, Paul Fons, Yuta Saito

    ACS Applied Electronic Materials　2025年3月25日

    DOI： 10.1021/acsaelm.5c00292 　

  4. Amorphous-to-crystalline transition-induced two-step thin film growth of quasi-one-dimensional penta-telluride ZrTe<inf>5</inf>

    Yi Shuang, Yuta Saito, Shogo Hatayama, Paul Fons, Ando Daisuke, Yuji Sutou

    Journal of Materials Science and Technology　210　246-253　2025年3月1日

    DOI： 10.1016/j.jmst.2024.05.039 　

    ISSN：1005-0302

  5. Thermally stable Bi<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>/WSe<inf>2</inf> Van Der Waals contacts for pMOSFETs application

    Wen Hsin Chang, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Naoya Okada, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata, Toshifumi Irisawa

    Scientific Reports　14　(1)　2024年12月

    DOI： 10.1038/s41598-024-79750-z 　

    eISSN：2045-2322

  6. Soret-Effect Induced Phase-Change in a Chromium Nitride Semiconductor Film

    Yi Shuang, Shunsuke Mori, Takuya Yamamoto, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Paul J. Fons, Yun-Heub Song, Jin-Pyo Hong, Daisuke Ando, Yuji Sutou

    ACS Nano　2024年8月1日

    出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acsnano.4c03574 　

    ISSN：1936-0851

    eISSN：1936-086X

  7. Interfacial reaction behavior between ferromagnetic CoFeB and the topological insulator Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>

    Misako Morota, Shogo Hatayama, Yi Shuang, Shunsuke Mori, Yuji Sutou, Paul Fons, Yuta Saito

    Surfaces and Interfaces　51　2024年8月

    DOI： 10.1016/j.surfin.2024.104486 　

    ISSN：2468-0230

  8. Phase-change behavior of RuSbTe thin film for photonic applications with amplitude-only modulation

    Shogo Hatayama, Kotaro Makino, Yuta Saito

    Scientific Reports　2024年4月17日

    DOI： 10.1038/s41598-024-59235-9 　

  9. Modified Electronic Structure of Amorphous Mn–Si–Te for Ovonic Threshold Switch Application: Improved Thermal Stability by the Formation of Mn–Te Bonding

    Kentaro Saito, Shogo Hatayama, Yuta Saito

    physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters　2024年3月13日

    DOI： 10.1002/pssr.202300474 　

  10. Electrical properties and band alignments of Sb2Te3/Si heterojunctions, low-barrier Sb2Te3/n-Si and high-barrier Sb2Te3/p-Si junctions

    Naoya Okada, Wen Hsin Chang, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Toshifumi Irisawa

    Applied Physics Express　2024年3月1日

    DOI： 10.35848/1882-0786/ad2d75 　

  11. Coherent optical response driven by non-equilibrium electron–phonon dynamics in a layered transition-metal dichalcogenide

    Takumi Fukuda, Kotaro Makino, Yuta Saito, Paul Fons, Atsushi Ando, Takuya Mori, Ryo Ishikawa, Keiji Ueno, Jessica Afalla, Muneaki Hase

    APL Materials　2024年2月1日

    DOI： 10.1063/5.0188537 　

  12. Nonvolatile Isomorphic Valence Transition in SmTe Films

    Shogo Hatayama, Shunsuke Mori, Yuta Saito, Paul J. Fons, Yi Shuang, Yuji Sutou

    ACS Nano　2024年1月30日

    DOI： 10.1021/acsnano.3c07960 　

  13. Origins of midgap states in Te-based Ovonic threshold switch materials

    Shogo Hatayama, Yuta Saito, Paul Fons, Yi Shuang, Mihyeon Kim, Yuji Sutou

    Acta Materialia　258　2023年10月1日

    DOI： 10.1016/j.actamat.2023.119209 　

    ISSN：1359-6454

  14. NbTe<inf>4</inf> Phase-Change Material: Breaking the Phase-Change Temperature Balance in 2D Van der Waals Transition-Metal Binary Chalcogenide

    Yi Shuang, Qian Chen, Mihyeon Kim, Yinli Wang, Yuta Saito, Shogo Hatayama, Paul Fons, Daisuke Ando, Momoji Kubo, Yuji Sutou

    Advanced Materials　35　(39)　2023年9月27日

    DOI： 10.1002/adma.202303646 　

    ISSN：0935-9648

    eISSN：1521-4095

  15. All-Optical Rapid Formation, Transport, and Sustenance of a Sessile Droplet in a Two-Dimensional Slit with Few-Micrometer Separation

    Yuka Takamatsu, Chizuru Yamato, Masashi Kuwahara, Yuta Saito, Toshiharu Saiki

    Micromachines　2023年7月21日

    DOI： 10.3390/mi14071460 　

  16. Tunable pheromone interactions among microswimmers

    Bokusui Nakayama, Hikaru Nagase, Hiromori Takahashi, Yuta Saito, Shogo Hatayama, Kotaro Makino, Eiji Yamamoto, Toshiharu Saiki

    Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America　120　(9)　2023年2月28日

    DOI： 10.1073/pnas.2213713120 　

    ISSN：0027-8424

    eISSN：1091-6490

  17. Discovery of a metastable van der Waals semiconductor via polymorphic crystallization of an amorphous film

    Yuta Saito, Shogo Hatayama, Wen Hsin Chang, Naoya Okada, Toshifumi Irisawa, Fumihiko Uesugi, Masaki Takeguchi, Yuji Sutou, Paul Fons

    Materials Horizons　10　(6)　2254-2261　2023年

    DOI： 10.1039/D2MH01449A 　

    ISSN：2051-6347

    eISSN：2051-6355

  18. Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>/MoS<inf>2</inf> Van der Waals Junctions with High Thermal Stability and Low Contact Resistance

    Wen Hsin Chang, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Naoya Okada, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata, Toshifumi Irisawa

    Advanced Electronic Materials　9　(4)　2023年

    DOI： 10.1002/aelm.202201091 　

    eISSN：2199-160X

  19. An isomorphic valency transition in SmTe film enabling nonvolatile resistive change

    Shogo Hatayama, Shunsuke Mori, Yuta Saito, Paul Fons, Yi Shuang, Yuji Sutou

    2022年11月30日

    DOI： 10.21203/rs.3.rs-2318820/v1 　

  20. Photo‐Induced Tellurium Segregation in MoTe 2

    Takumi Fukuda, Ryota Kaburauchi, Yuta Saito, Kotaro Makino, Paul Fons, Keiji Ueno, Muneaki Hase

    physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters　16　(9)　2100633-2100633　2022年6月11日

    出版者・発行元： Wiley

    DOI： 10.1002/pssr.202100633 　

    ISSN：1862-6254

    eISSN：1862-6270

  21. Improved Ordering of Quasi-Two-Dimensional MoS2 via an Amorphous-to-Crystal Transition Initiated from Amorphous Sulfur-Rich MoS2+x

    Milos Krbal, Vit Prokop, Jan Prikryl, Jhonatan Rodriguez Pereira, Igor Pis, Alexander V. Kolobov, Paul J. Fons, Yuta Saito, Shogo Hatayama, Yuji Sutou

    Crystal Growth & Design　22　(5)　3072-3079　2022年4月12日

    出版者・発行元： American Chemical Society ({ACS})

    DOI： 10.1021/acs.cgd.1c01504 　

    ISSN：1528-7483

    eISSN：1528-7505

  22. The formation of a one-dimensional van der Waals selenium crystal from the three-dimensional amorphous phase: A spectroscopic signature of van der Waals bonding

    Milos Krbal, Alexander V. Kolobov, Paul Fons, Yuta Saito, George Belev, Safa Kasap

    Applied Physics Letters　2022年1月17日

    DOI： 10.1063/5.0080133 　

  23. Phase control of sputter-grown large-area MoTe2 films by preferential sublimation of Te: amorphous, 1T′ and 2H phases

    Shogo Hatayama, Yuta Saito, Kotaro Makino, Noriyuki Uchida, Yi Shuang, Shunsuke Mori, Yuji Sutou, Milos Krbal, Paul Fons

    Journal of Materials Chemistry C　10　(29)　10627-10635　2022年

    出版者・発行元： Royal Society of Chemistry (RSC)

    DOI： 10.1039/d2tc01281b 　

    ISSN：2050-7526

    eISSN：2050-7534

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    The crystallization mechanism of sputter-deposited amorphous Mo–Te film is revealed enabling the large-area growth of 2D materials.

  24. Amorphous Hf–O–Te as a selector via a modified conduction mechanism by Te content control

    Shogo Hatayama, Yuta Saito, Noriyuki Uchida

    APL Materials　10　(1)　2022年1月1日

    DOI： 10.1063/5.0076942 　

    eISSN：2166-532X

  25. Recent developments concerning the sputter growth of chalcogenide-based layered phase-change materials

    Yuta Saito, Misako Morota, Kotaro Makino, Junji Tominaga, Alexander V. Kolobov, Paul Fons

    Materials Science in Semiconductor Processing　135　106079-106079　2021年11月

    DOI： 10.1016/j.mssp.2021.106079 　

    ISSN：1369-8001

    eISSN：1873-4081

  26. Amorphous-to-Crystal Transition in Quasi-Two-Dimensional MoS2: Implications for 2D Electronic Devices

    Milos Krbal, Vit Prokop, Alexey A. Kononov, Jhonatan Rodriguez Pereira, Jan Mistrik, Alexander V. Kolobov, Paul J. Fons, Yuta Saito, Shogo Hatayama, Yi Shuang, Yuji Sutou, Stepan A. Rozhkov, Jens R. Stellhorn, Shinjiro Hayakawa, Igor Pis, Federica Bondino

    ACS Applied Nano Materials　4　(9)　8834-8844　2021年9月24日

    DOI： 10.1021/acsanm.1c01504 　

    ISSN：2574-0970

  27. Polymorphism of CdTe in the Few-Monolayer Limit

    Alexander V. Kolobov, Vladimir G. Kuznetsov, Paul Fons, Yuta Saito, Dmitriy I. Elets, Berangere Hyot

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS　2021年9月

    DOI： 10.1002/pssr.202100358 　

    ISSN：1862-6254

    eISSN：1862-6270

  28. Understanding the low resistivity of the amorphous phase of Cr2Ge2Te6 phase-change material: Experimental evidence for the key role of Cr clusters

    Shogo Hatayama, Keisuke Kobayashi, Yuta Saito, Paul Fons, Yi Shuang, Shunsuke Mori, Alexander V. Kolobov, Yuji Sutou

    Physical Review Materials　5　(8)　2021年8月

    DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.5.085601 　

    eISSN：2475-9953

  29. Evolution of the local structure surrounding nitrogen atoms upon the amorphous to crystalline phase transition in nitrogen-doped Cr<inf>2</inf>Ge<inf>2</inf>Te<inf>6</inf> phase-change material

    Yi Shuang, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Daisuke Ando, Yuji Sutou

    Applied Surface Science　556　2021年8月1日

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2021.149760 　

    ISSN：0169-4332

  30. Enhancement of Spin Pumping from CoFeB to Sb 2 Te 3 Layers by Crystal Orientation Control

    Misako Morota, Yuta Saito, Noriyuki Uchida

    physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters　15　(9)　2100247-2100247　2021年7月14日

    DOI： 10.1002/pssr.202100247 　

    ISSN：1862-6254

    eISSN：1862-6270

  31. Dielectric relaxation in amorphous and crystalline Sb2Te3 thin films

    A. A. Kononov, R. A. Castro, Y. Saito, P. Fons, G. A. Bordovsky, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov

    Journal of Materials Science: Materials in Electronics　2021年5月8日

    出版者・発行元： Springer Science and Business Media {LLC}

    DOI： 10.1007/s10854-021-05986-4 　

  32. Chalcogenide Materials Engineering for Phase‐Change Memory and Future Electronics Applications: From Sb–Te to Bi–Te

    Yuta Saito, Kirill V. Mitrofanov, Kotaro Makino, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Fumihiko Uesugi, Masaki Takeguchi

    physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters　15　(3)　2000414-2000414　2021年3月15日

    出版者・発行元： Wiley

    DOI： 10.1002/pssr.202000414 　

    ISSN：1862-6254

    eISSN：1862-6270

  33. Crystalline Sb2Te3: Side Surfaces and Disappearance of Dirac Cones

    Alexander V. Kolobov, Paul Fons, Yuta Saito

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS　15　(3)　2021年3月

    DOI： 10.1002/pssr.202000418 　

    ISSN：1862-6254

    eISSN：1862-6270

  34. Electric Fields and Interfacial Phase-Change Memory Structures

    Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Yuta Saito

    Physica Status Solidi - Rapid Research Letters　15　(3)　2021年3月

    DOI： 10.1002/pssr.202000412 　

    ISSN：1862-6254

    eISSN：1862-6270

  35. Dimensional transformation of chemical bonding during crystallization in a layered chalcogenide material

    Yuta Saito, Shogo Hatayama, Yi Shuang, Paul Fons, Alex, er V. Kolobov, Yuji Sutou

    Scientific Reports　11　(1)　2021年3月

    出版者・発行元： Springer Science and Business Media {LLC}

    DOI： 10.1038/s41598-020-80301-5 　

    ISSN：2045-2322

    eISSN：2045-2322

  36. Ultrafast scattering dynamics of coherent phonons in Bi1−x Sb x in the Weyl semimetal phase

    Yuta Komori, Yuta Saito, Paul Fons, Muneaki Hase

    New Journal of Physics　23　(2)　023034-023034　2021年2月1日

    DOI： 10.1088/1367-2630/abe2c0 　

    ISSN：1367-2630

  37. Low-frequency dielectric relaxation in amorphous MoTe<inf>2</inf>layers obtained by RF magnetron sputtering

    Rene Castro, Sergej Khachaturov, Aleksei Kononov, Yuta Saito, Paul Fons, Nadezhda Anisimova, Alexander Kolobov

    AIP Conference Proceedings　2308　2020年12月1日

    DOI： 10.1063/5.0033533 　

    ISSN：0094-243X

    eISSN：1551-7616

  38. Dielectric relaxation in the GeSb<inf>2</inf>Te<inf>4</inf>phase-change material

    Aleksei Kononov, Yuta Saito, Paul Fons, Junji Tominaga, Nadezhda Anisimova, Alexander Kolobov

    AIP Conference Proceedings　2308　2020年12月1日

    DOI： 10.1063/5.0033358 　

    ISSN：0094-243X

    eISSN：1551-7616

  39. Dielectric Relaxation and Charge Transfer in Amorphous MoS<inf>2</inf> Thin Films

    Aleksei A. Kononov, Rene A. Castro, Diana D. Glavnaya, Nadezhda I. Anisimova, Gennady A. Bordovsky, Alexander V. Kolobov, Yuta Saito, Paul Fons

    Physica Status Solidi (B) Basic Research　257　(11)　2020年11月

    DOI： 10.1002/pssb.202000114 　

    ISSN：0370-1972

    eISSN：1521-3951

  40. Structural Metastability in Chalcogenide Semiconductors: The Role of Chemical Bonding

    Alexander V. Kolobov, Yuta Saito, Paul Fons, Milos Krbal

    Physica Status Solidi (B) Basic Research　257　(11)　2020年11月

    DOI： 10.1002/pssb.202000138 　

    ISSN：0370-1972

    eISSN：1521-3951

  41. The importance of contacts in Cu2GeTe3 phase change memory devices

    Satoshi Shindo, Yi Shuang, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Keisuke Kobayashi, Yuji Sutou

    Journal of Applied Physics　128　(16)　2020年10月28日

    DOI： 10.1063/5.0019269 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  42. The effect of ion irradiation on dephasing of coherent optical phonons in GaP

    Takuto Ichikawa, Yuta Saito, Muneaki Hase

    AIP Advances　10　(10)　2020年10月1日

    DOI： 10.1063/5.0020810 　

    eISSN：2158-3226

  43. High-quality sputter-grown layered chalcogenide films for phase change memory applications and beyond 査読有り

    Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V Kolobov, Kirill V Mitrofanov, Kotaro Makino, Junji Tominaga, Shogo Hatayama, Yuji Sutou, Muneaki Hase, John Robertson

    Journal of Physics D: Applied Physics　53　(28)　2020年7月8日

    DOI： 10.1088/1361-6463/ab850b 　

    ISSN：0022-3727

    eISSN：1361-6463

  44. Effects of electric and magnetic fields on the resistive switching operation of iPCM

    K. V. Mitrofanov, Y. Saito, N. Miyata, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga

    Applied Physics Letters　116　(20)　2020年5月18日

    DOI： 10.1063/1.5135608 　

    ISSN：0003-6951

  45. Polarization Processes in Thin Layers of Amorphous MoS<inf>2</inf> Obtained by RF Magnetron Sputtering

    A. A. Kononov, R. A. Castro-Arata, D. D. Glavnaya, V. M. Stozharov, D. M. Dolginsev, Y. Saito, P. Fons, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov

    Semiconductors　54　(5)　558-562　2020年5月1日

    DOI： 10.1134/S1063782620050073 　

    ISSN：1063-7826

    eISSN：1090-6479

  46. Structural and Dielectric Study of Thin Amorphous Layers of the Ge–Sb–Te System Prepared by RF Magnetron Sputtering 査読有り

    Yuta Saito

    Semiconductors　54　(2)　201-204　2020年2月

    DOI： 10.1134/s106378262002013x 　

    ISSN：1090-6479

    eISSN：1090-6479

  47. Dielectric relaxation and photo-electromotive force in Ge-Sb-Te/Si structures

    R. A. Castro-Arata, M. A. Goryaev, A. A. Kononov, Y. Saito, P. Fons, J. Tominaga, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov

    PHOTOPTICS 2020 - Proceedings of the 8th International Conference on Photonics, Optics and Laser Technology　146-150　2020年

  48. Ultrafast dynamics of the low frequency shear phonon in 1T′- MoTe 2 査読有り

    Fukuda, T., Makino, K., Saito, Y., Fons, P., Kolobov, A.V., Ueno, K., Hase, M.

    Applied Physics Letters　116　(9)　2020年

    DOI： 10.1063/1.5143485 　

    ISSN：0003-6951

  49. Chalcogenide van der Waals superlattices: a case example of interfacial phase-change memory 査読有り

    Yuta Saito, Paul Fons, Kirill V. Mitrofanov, Kotaro Makino, Junji Tominaga, John Robertson, Alexander V. Kolobov

    Pure and Applied Chemistry　91　(11)　1777-1786　2019年11月26日

    DOI： 10.1515/pac-2019-0105 　

    ISSN：0033-4545

    eISSN：1365-3075

  50. Photon energy dependence of Kerr rotation in GeTe/Sb2Te3 chalcogenide superlattices 査読有り

    Takara Suzuki, Richarj Mondal, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V Kolobov, Junji Tominaga, Hidemi Shigekawa, Muneaki Hase

    Journal of Physics: Condensed Matter　31　(41)　2019年10月16日

    DOI： 10.1088/1361-648X/ab2e9f 　

    ISSN：0953-8984

    eISSN：1361-648X

  51. Switching of the Optical Properties of Ge<inf>2</inf>Sb<inf>2</inf>Te<inf>5</inf> Phase Change Material in the Terahertz Frequency Region 査読有り

    Kotaro Makino, Kosaku Kato, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Takashi Nakano, Makoto Nakajima

    International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz　2019-September　2019年9月

    DOI： 10.1109/IRMMW-THz.2019.8873769 　

    ISSN：2162-2027

    eISSN：2162-2035

  52. High-Speed Bipolar Switching of Sputtered Ge–Te/Sb–Te Superlattice iPCM with Enhanced Cyclability 査読有り

    Kirill V. Mitrofanov, Yuta Saito, Noriyuki Miyata, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

    Physica Status Solidi - Rapid Research Letters　13　(8)　2019年8月

    DOI： 10.1002/pssr.201900105 　

    ISSN：1862-6254

    eISSN：1862-6270

  53. Systematic materials design for phase-change memory with small density changes for high-endurance non-volatile memory applications 査読有り

    Yuta Saito, Shogo Hatayama, Yi Shuang, Satoshi Shindo, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Keisuke Kobayashi, Yuji Sutou

    Applied Physics Express　12　(5)　2019年5月1日

    DOI： 10.7567/1882-0786/ab1301 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  54. Origin of resistivity contrast in interfacial phase-change memory: The crucial role of Ge/Sb intermixing 査読有り

    Yuta Saito, Alexander V. Kolobov, Paul Fons, Kirill V. Mitrofanov, Kotaro Makino, Junji Tominaga, John Robertson

    Applied Physics Letters　114　(13)　2019年4月

    DOI： 10.1063/1.5088068 　

    ISSN：0003-6951

  55. Transient Fano Resonance in topological insulators observed by coherent phonon spectroscopy

    Richarj Mondal, Akira Arai, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander Kolobov, Junji Tominaga, Muneaki Hase

    XXI INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTRAFAST PHENOMENA 2018 (UP 2018)　205　2019年

    DOI： 10.1051/epjconf/201920504021 　

    ISSN：2100-014X

  56. Dynamics of long-lifetime coherent phonon in MoTe2

    Kotaro Makino, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Keiji Ueno, Muneaki Hase

    Optics InfoBase Conference Papers　Part F146-JSAP 2019　2019年

  57. Terahertz spectroscopic characterization of Ge<inf>2</inf>Sb<inf>2</inf>Te<inf>5</inf> phase change materials for photonics applications 査読有り

    Kotaro Makino, Kosaku Kato, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Takashi Nakano, Makoto Nakajima

    Journal of Materials Chemistry C　7　(27)　8209-8215　2019年

    DOI： 10.1039/c9tc01456j 　

    ISSN：2050-7534

    eISSN：2050-7526

  58. Terahertz spectroscopic characterization of Ge2Sb2Te5 phase change materials for photonics applications 査読有り

    Kotaro Makino, Kosaku Kato, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Takashi Nakano, Makoto Nakajima

    Journal of Materials Chemistry C　7　(27)　8209-8215　2019年

    DOI： 10.1039/C9TC01456J 　

    ISSN：2050-7526

  59. Terahertz generation measurements of multilayered GeTe–Sb <inf>2</inf> Te <inf>3</inf> phase change materials 査読有り

    Kotaro Makino, Kosaku Kato, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Takashi Nakano, Makoto Nakajima

    Optics Letters　44　(6)　1355-1358　2019年

    DOI： 10.1364/OL.44.001355 　

    ISSN：0146-9592

    eISSN：1539-4794

  60. Cr-Triggered Local Structural Change in Cr<inf>2</inf>Ge<inf>2</inf>Te<inf>6</inf> Phase Change Material 査読有り

    Hatayama, S., Shuang, Y., Fons, P., Saito, Y., Kolobov, A.V., Kobayashi, K., Shindo, S., Ando, D., Sutou, Y.

    ACS Applied Materials and Interfaces　11　(46)　43320-43329　2019年

    DOI： 10.1021/acsami.9b11535 　

    ISSN：1944-8244

    eISSN：1944-8252

  61. Significant Volume Expansion as a Precursor to Ablation and Micropattern Formation in Phase Change Material Induced by Intense Terahertz Pulses 査読有り

    Kotaro Makino, Kosaku Kato, Keisuke Takano, Yuta Saito, Junji Tominaga, Takashi Nakano, Goro Isoyama, Makoto Nakajima

    Scientific Reports　8　(1)　2018年12月1日

    DOI： 10.1038/s41598-018-21275-3 　

    ISSN：2045-2322

    eISSN：2045-2322

  62. A cascading nonlinear magneto-optical effect in topological insulators 査読有り

    Richarj Mondal, Yuta Saito, Yuki Aihara, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Shuichi Murakami, Muneaki Hase

    Scientific Reports　8　(1)　2018年12月1日

    DOI： 10.1038/s41598-018-22196-x 　

    ISSN：2045-2322

    eISSN：2045-2322

  63. Damage and Micropattem Formation in Ge-Sb-Te Phase Change Materials Induced by Intense Terahertz Pulse Train 査読有り

    Kotaro Makino, Kosaku Kato, Keisuke Takano, Yuta Saito, Junji Tominaga, Takashi Nakano, Goro Isoyarna, Makoto Nakajima

    International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz　2018-September　2018年10月25日

    DOI： 10.1109/IRMMW-THz.2018.8510045 　

    ISSN：2162-2027

    eISSN：2162-2035

  64. Zener Tunneling Breakdown in Phase-Change Materials Revealed by Intense Terahertz Pulses 査読有り

    Yasuyuki Sanari, Takehiro Tachizaki, Yuta Saito, Kotaro Makino, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Koichiro Tanaka, Yoshihiko Kanemitsu, Muneaki Hase, Hideki Hirori

    Physical Review Letters　121　(16)　2018年10月19日

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.121.165702 　

    ISSN：0031-9007

    eISSN：1079-7114

  65. All-Optical Detection of Periodic Structure of Chalcogenide Superlattice Using Coherent Folded Acoustic Phonons 査読有り

    Takara Suzuki, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Muneaki Hase

    Physica Status Solidi - Rapid Research Letters　12　(9)　2018年9月

    DOI： 10.1002/pssr.201800246 　

    ISSN：1862-6254

    eISSN：1862-6270

  66. Topological Phase Buried in a Chalcogenide Superlattice Monitored by Helicity-Dependent Kerr Measurement 査読有り

    Richarj Mondal, Yuki Aihara, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Muneaki Hase

    ACS Applied Materials and Interfaces　10　(31)　26781-26786　2018年8月8日

    DOI： 10.1021/acsami.8b07974 　

    ISSN：1944-8244

    eISSN：1944-8252

  67. Understanding the fast phase-change mechanism of tetrahedrally bonded Cu2GeTe3: Comprehensive analyses of electronic structure and transport phenomena 査読有り

    Keisuke Kobayashi, Jonathan M. Skelton, Yuta Saito, Satoshi Shindo, Masaaki Kobata, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Stephen Elliott, Daisuke Ando, Yuji Sutou

    Physical Review B　97　(19)　2018年5月3日

    DOI： 10.1103/PhysRevB.97.195105 　

    ISSN：2469-9950

    eISSN：2469-9969

  68. Resistive switching characteristics of interfacial phase-change memory at elevated temperature 査読有り

    Kirill V. Mitrofanov, Yuta Saito, Noriyuki Miyata, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

    Japanese Journal of Applied Physics　57　(4)　2018年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.57.04FE06 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  69. Direct transition of a HfGeTe<inf>4</inf> ternary transition-metal chalcogenide monolayer with a zigzag van der Waals gap 査読有り

    Yuta Saito, John Robertson

    APL Materials　6　(4)　2018年4月

    DOI： 10.1063/1.5023577 　

    ISSN：2166-532X

    eISSN：2166-532X

  70. Coherent Dirac plasmons in topological insulators 査読有り

    Richarj Mondal, Akira Arai, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Muneaki Hase

    Physical Review B　97　(14)　2018年4月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.97.144306 　

    ISSN：2469-9950

    eISSN：2469-9969

  71. Inverse Resistance Change Cr<inf>2</inf>Ge<inf>2</inf>Te<inf>6</inf>-Based PCRAM Enabling Ultralow-Energy Amorphization 査読有り

    Shogo Hatayama, Yuji Sutou, Satoshi Shindo, Yuta Saito, Yun Heub Song, Daisuke Ando, Junichi Koike

    ACS Applied Materials and Interfaces　10　(3)　2725-2734　2018年1月24日

    DOI： 10.1021/acsami.7b16755 　

    ISSN：1944-8244

    eISSN：1944-8252

  72. Sputter growth of chalcogenide superlattice films for future phase change memory applications 査読有り

    Yuta Saito, Kirill V. Mitrofanov, Kotaro Makino, Noriyuki Miyata, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

    ECS Transactions　86　(3)　49-54　2018年

    DOI： 10.1149/08603.0049ecst 　

    ISSN：1938-6737

    eISSN：1938-5862

  73. Reconfiguration of van der Waals Gaps as the Key to Switching in GeTe/Sb3 Superlattices 査読有り

    A. V. Kolobov, P. Fons, Y. Saito, J. Tominaga

    MRS Advances　3　(57-58)　3413-3418　2018年

    DOI： 10.1557/adv.2018.444 　

    eISSN：2059-8521

  74. Variations in Electric Switching and Transverse Resistance of GeTe/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> Superlattices at Elevated Temperature Studied by Conductive Scanning Probe Microscopy 査読有り

    Leonid Bolotov, Yuta Saito, Tetsuya Tada, Junji Tominaga

    MRS Advances　3　(5)　241-246　2018年

    DOI： 10.1557/adv.2018.241 　

    ISSN：2059-8521

    eISSN：2059-8521

  75. Compositional tuning in sputter-grown highly-oriented Bi-Te films and their optical and electronic structures 査読有り

    Yuta Saito, Paul Fons, Kotaro Makino, Kirill V. Mitrofanov, Fumihiko Uesugi, Masaki Takeguchi, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

    Nanoscale　9　(39)　15115-15121　2017年10月31日

    DOI： 10.1039/c7nr04709f 　

    ISSN：2040-3364

    eISSN：2040-3372

  76. A Magnetoresistance Induced by a Nonzero Berry Phase in GeTe/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> Chalcogenide Superlattices 査読有り

    Junji Tominaga, Yuta Saito, Kirill Mitrofanov, Nobuki Inoue, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Hisao Nakamura, Noriyuki Miyata

    Advanced Functional Materials　27　(40)　2017年10月26日

    DOI： 10.1002/adfm.201702243 　

    ISSN：1616-301X

    eISSN：1616-3028

  77. Atomic Reconfiguration of van der Waals Gaps as the Key to Switching in GeTe/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> Superlattices 査読有り

    Alexander V. Kolobov, Paul Fons, Yuta Saito, Junji Tominaga

    ACS Omega　2　(9)　6223-6232　2017年9月30日

    DOI： 10.1021/acsomega.7b00812 　

    ISSN：2470-1343

    eISSN：2470-1343

  78. Electronic Structure of Transition-Metal Based Cu<inf>2</inf>GeTe<inf>3</inf> Phase Change Material: Revealing the Key Role of Cu d Electrons 査読有り

    Yuta Saito, Yuji Sutou, Paul Fons, Satoshi Shindo, Xeniya Kozina, Jonathan M. Skelton, Alexander V. Kolobov, Keisuke Kobayashi

    Chemistry of Materials　29　(17)　7440-7449　2017年9月12日

    DOI： 10.1021/acs.chemmater.7b02436 　

    ISSN：0897-4756

    eISSN：1520-5002

  79. Enhancement of coherent phonon amplitude in phase-change materials by near-infrared laser irradiation 査読有り

    Takara Suzuki, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Muneaki Hase

    Applied Physics Letters　111　(11)　2017年9月11日

    DOI： 10.1063/1.5003346 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  80. Manipulating the Bulk Band Structure of Artificially Constructed van der Waals Chalcogenide Heterostructures 査読有り

    Yuta Saito, Kotaro Makino, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

    ACS Applied Materials and Interfaces　9　(28)　23918-23925　2017年7月19日

    DOI： 10.1021/acsami.7b04450 　

    ISSN：1944-8244

    eISSN：1944-8252

  81. Strain engineering of atomic and electronic structures of few-monolayer-thick GaN 査読有り

    A. V. Kolobov, P. Fons, Y. Saito, J. Tominaga, B. Hyot, B. André

    Physical Review Materials　1　(2)　2017年7月17日

    DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.1.024003 　

    eISSN：2475-9953

  82. THz Pulse Detection by Multilayered GeTe/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> 査読有り

    Kotaro Makino, Shota Kuromiya, Keisuke Takano, Kosaku Kato, Makoto Nakajima, Yuta Saito, Junji Tominaga, Hitoshi Iida, Moto Kinoshita, Takashi Nakano

    ACS Applied Materials and Interfaces　8　(47)　32408-32413　2016年11月30日

    DOI： 10.1021/acsami.6b11418 　

    ISSN：1944-8244

    eISSN：1944-8252

  83. Morphology and Electric Conductance Change Induced by Voltage Pulse Excitation in (GeTe)<inf>2</inf>/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> Superlattices 査読有り

    Leonid Bolotov, Yuta Saito, Tetsuya Tada, Junji Tominaga

    Scientific Reports　6　2016年9月13日

    DOI： 10.1038/srep33223 　

    ISSN：2045-2322

    eISSN：2045-2322

  84. Contact resistivity of amorphous and crystalline GeCu<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> to W electrode for phase change random access memory 査読有り

    S. Shindo, Y. Sutou, J. Koike, Y. Saito, Y. H. Song

    Materials Science in Semiconductor Processing　47　1-6　2016年6月1日

    DOI： 10.1016/j.mssp.2016.02.006 　

    ISSN：1369-8001

  85. Temperature dependence of magneto-optical Kerr signal in GeTe - Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> topological superlattice 査読有り

    Do Bang, Hiroyuki Awano, Yuta Saito, Junji Tominaga

    AIP Advances　6　(5)　2016年5月1日

    DOI： 10.1063/1.4943152 　

    ISSN：2158-3226

    eISSN：2158-3226

  86. Magnetic Field-Dependent Magneto-Optical Kerr Effect in [(GeTe)<inf>2</inf>(Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>)<inf>1</inf>]<inf>8</inf> Topological Superlattice 査読有り

    Do Bang, Hiroyuki Awano, Yuta Saito, Junji Tominaga

    Journal of Electronic Materials　45　(5)　2496-2500　2016年5月1日

    DOI： 10.1007/s11664-016-4389-5 　

    ISSN：0361-5235

  87. A two-step process for growth of highly oriented Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> using sputtering 査読有り

    Yuta Saito, Paul Fons, Leonid Bolotov, Noriyuki Miyata, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

    AIP Advances　6　(4)　2016年4月

    DOI： 10.1063/1.4948536 　

    ISSN：2158-3226

    eISSN：2158-3226

  88. Changes in morphology and local conductance of GeTe-Sb2Te3 superlattice films on silicon observed by scanning probe microscopy in a lithography mode 査読有り

    Leonid Bolotov, Tetsuya Tada, Yuta Saito, Junji Tominaga

    Japanese Journal of Applied Physics　55　(4)　2016年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.04EK02 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  89. XAFS analysis of crystal GeCu2Te3 phase change material 査読有り

    K. Kamimura, K. Kimura, S. Hosokawa, N. Happo, H. Ikemoto, Y. Sutou, S. Shindo, Y. Saito, J. Koike

    Z. Phys. Chem.　230　(3)　433-443　2016年3月28日

    DOI： 10.1515/zpch-2015-0672 　

    ISSN：2196-7156

  90. XAFS Analysis of Crystal GeCu<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> Phase Change Material 査読有り

    Kenji Kamimura, Koji Kimura, Shinya Hosokawa, Naohisa Happo, Hiroyuki Ikemoto, Yuji Sutou, Satoshi Shindo, Yuta Saito, Junichi Koike

    Zeitschrift fur Physikalische Chemie　230　(3)　433-443　2016年3月28日

    DOI： 10.1515/zpch-2015-0672 　

    ISSN：0942-9352

  91. Manipulation of the presence of helical surface states of topological insulators using Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>-GeTe superlattices 査読有り

    Y. Takagaki, Yuta Saito, Junji Tominaga

    Applied Physics Letters　108　(11)　112102-112102-5　2016年3月14日

    DOI： 10.1063/1.4944050 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  92. Changes in morphology and local conductance of GeTe–Sb

    Bolotov Leonid, Tada Tetsuya, Saito Yuta, Tominaga Junji

    Jpn. J. Appl. Phys.　55　(4)　04EK02　2016年3月9日

    出版者・発行元： Institute of Physics

    DOI： 10.7567/JJAP.55.04EK02 　

    ISSN：0021-4922

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    Changes in the morphology and conductance state of [(GeTe)<inf>2</inf>(Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>)] superlattice (SL) films on Si(100) caused by external voltage were investigated by multimode scanning probe microscopy (MSPM) and scanning probe lithography (SPL) at room temperature in vacuum. After SPL patterning at a write voltage exceeding a threshold value, grain-dependent changes in transverse film conductance appeared in the MSPM current maps at a low voltage. Specific details of the conductance state switching were dependent on the film growth process. In uniform films grown in a two-step process, a threshold voltage of 1.6 V and a minimum switching power of ∼15 pW were obtained for conductance switching activated by high-energy electrons injected from the probe. Above 3.0 V, thermally driven regrowth of the SL films was observed. The results demonstrate a simple and appropriate method of optimizing topological SL films as recording media without device fabrication.

  93. XAFS analysis on amorphous and crystalline new phase change material GeCu<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> 査読有り

    K. Kamimura, S. Hosokawa, N. Happo, H. Ikemoto, Y. Sutou, S. Shindo, Y. Saito, J. Koike

    Journal of Optoelectronics and Advanced Materials　18　(3-4)　248-253　2016年3月

    ISSN：1454-4164

  94. Anisotropic lattice response induced by a linearly-polarized femtosecond optical pulse excitation in interfacial phase change memory material 査読有り

    Kotaro Makino, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Takashi Nakano, Junji Tominaga, Muneaki Hase

    Scientific Reports　6　2016年1月25日

    DOI： 10.1038/srep19758 　

    ISSN：2045-2322

    eISSN：2045-2322

  95. Effect of surface cleaning on contact resistivity of amorphous GeCu<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> to a W electrode 査読有り

    S. Shindo, Y. Sutou, J. Koike, Y. Saito, Y. H. Song

    MRS Advances　1　(39)　2731-2736　2016年

    DOI： 10.1557/adv.2016.310 　

    eISSN：2059-8521

  96. Conductance switching behavior of GeTe/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> superlattice upon hot-electron injection: A scanning probe microscopy study 査読有り

    Leonid Bolotov, Yuta Saito, Tetsuya Tada, Junji Tominaga

    MRS Advances　1　(5)　375-380　2016年

    DOI： 10.1557/adv.2016.137 　

    ISSN：2059-8521

    eISSN：2059-8521

  97. Self-organized van der Waals epitaxy of layered chalcogenide structures 査読有り

    Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

    Physica Status Solidi (B) Basic Research　252　(10)　2151-2158　2015年10月

    DOI： 10.1002/pssb.201552335 　

    ISSN：0370-1972

    eISSN：1521-3951

  98. Crystallization processes of Sb<inf>100-x</inf>Zn<inf>x</inf> (0 ≤ x ≤ 70) amorphous films for use as phase change memory materials 査読有り

    Yuta Saito, Masashi Sumiya, Yuji Sutou, Daisuke Ando, Junichi Koike

    AIP Advances　5　(9)　2015年9月1日

    DOI： 10.1063/1.4931392 　

    ISSN：2158-3226

    eISSN：2158-3226

  99. 55-μA Ge<inf>x</inf>Te<inf>1-x</inf>/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> superlattice topological-switching random access memory (TRAM) and study of atomic arrangement in Ge-Te and Sb-Te structures 査読有り

    N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi, Y. Saito, J. Tominaga

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　2015-February　(February)　29.2.1-29.2.4　2015年2月20日

    DOI： 10.1109/IEDM.2014.7047132 　

    ISSN：0163-1918

  100. Giant multiferroic effects in topological GeTe-Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> superlattices 査読有り

    Junji Tominaga, Alexander V. Kolobov, Paul J. Fons, Xiaomin Wang, Yuta Saito, Takashi Nakano, Muneaki Hase, Shuichi Murakami, Jens Herfort, Yukihiko Takagaki

    Science and Technology of Advanced Materials　16　(1)　014402 (WEB ONLY)　2015年

    DOI： 10.1088/1468-6996/16/1/014402 　

    ISSN：1468-6996

    eISSN：1878-5514

  101. Chronological change of electrical resistance in GeCu<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> amorphous film induced by surface oxidation 査読有り

    Yuta Saito, Satoshi Shindo, Yuji Sutou, Junichi Koike

    Journal of Physics D: Applied Physics　47　(47)　475302,1-8　2014年11月26日

    DOI： 10.1088/0022-3727/47/47/475302 　

    ISSN：0022-3727

    eISSN：1361-6463

  102. Phase change characteristics in GeTe-CuTe pseudobinary alloy 査読有り

    Yuta Saito, Yuji Sutou, Junichi Koike

    Journal of Physical Chemistry C　118　(46)　26973-26980　2014年11月20日

    DOI： 10.1021/jp5066264 　

    ISSN：1932-7447

    eISSN：1932-7455

  103. Coherent phonon study of (GeTe)<inf>l</inf>(Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>)<inf>m</inf> interfacial phase change memory materials 査読有り

    Kotaro Makino, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Takashi Nakano, Junji Tominaga, Muneaki Hase

    Applied Physics Letters　105　(15)　151902-151902-4　2014年10月13日

    DOI： 10.1063/1.4897997 　

    ISSN：0003-6951

  104. Mirror-symmetric magneto-optical kerr rotation using visible light in [(GeTe)<inf>2</inf>(Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>)<inf>1</inf>[<inf>n</inf> topological superlattices 査読有り

    Do Bang, Hiroyuki Awano, Junji Tominaga, Alexander V. Kolobov, Paul Fons, Yuta Saito, Kotaro Makino, Takashi Nakano, Muneaki Hase, Yukihiko Takagaki, Alessandro Giussani, Raffaella Calarco, Shuichi Murakami

    Scientific Reports　4　2014年7月17日

    DOI： 10.1038/srep05727 　

    ISSN：2045-2322

    eISSN：2045-2322

  105. Ab-initio calculations and structural studies of (SiTe)<inf>2</inf>(Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>)<inf>n</inf> (n: 1, 2, 4 and 6) phase-change superlattice films 査読有り

    Y. Saito, J. Tominaga, P. Fons, A. V. Kolobov, T. Nakano

    Physica Status Solidi - Rapid Research Letters　8　(4)　302-306　2014年4月

    DOI： 10.1002/pssr.201409013 　

    ISSN：1862-6254

    eISSN：1862-6270

  106. Multiple phase change structure for the scalable phase change random access memory array 査読有り

    Jung Min Lee, Yuta Saito, Yuji Sutou, Junichi Koike, Jin Won Jung, Masashi Sahashi, Yun Heub Song

    Japanese Journal of Applied Physics　53　(4)　041801.1-041801.3　2014年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.53.041801 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  107. 不揮発性メモリ用Ge-Cu-Te系相変化材料の研究

    須藤祐司, 齊藤雄太, 齊藤雄太, 小池淳一

    まてりあ　53　(2)　45-51　2014年

    DOI： 10.2320/materia.53.45 　

    ISSN：1340-2625

  108. Investigation of a selective switching device using a phase-change material for a 3-dimensional PCRAM array 査読有り

    Jung Min Lee, Yun Heub Song, Yuta Saito, Yuji Sutou, Junichi Koike

    Journal of the Korean Physical Society　62　(9)　1258-1263　2013年5月

    DOI： 10.3938/jkps.62.1258 　

    ISSN：0374-4884

    eISSN：1976-8524

  109. Optical contrast and laser-induced phase transition in GeCu <inf>2</inf>Te<inf>3</inf> thin film 査読有り

    Yuta Saito, Yuji Sutou, Junichi Koike

    Applied Physics Letters　102　(5)　051910-051910-5　2013年2月4日

    DOI： 10.1063/1.4791567 　

    ISSN：0003-6951

  110. Fourfold coordinated Te atoms in amorphous GeCu <inf>2</inf>Te <inf>3</inf> phase change material 査読有り

    P. Jóvári, Y. Sutou, I. Kaban, Y. Saito, J. Koike

    Scripta Materialia　68　(2)　122-125　2013年1月

    DOI： 10.1016/j.scriptamat.2012.09.028 　

    ISSN：1359-6462

  111. Effects of Si addition on the crystallization behaviour of GeTe phase change materials 査読有り

    Y. Saito, Y. Sutou, J. Koike

    Journal of Physics D: Applied Physics　45　(40)　405302,1-7　2012年10月10日

    DOI： 10.1088/0022-3727/45/40/405302 　

    ISSN：0022-3727

    eISSN：1361-6463

  112. Fast crystal nucleation induced by surface oxidation in Si-doped GeTe amorphous thin film 査読有り

    Yuta Saito, Yuji Sutou, Junichi Koike

    Applied Physics Letters　100　(23)　231606-231606-4　2012年6月4日

    DOI： 10.1063/1.4726107 　

    ISSN：0003-6951

  113. Crystallization and electrical characteristics of Ge <inf>1</inf>Cu <inf>2</inf>Te <inf>3</inf> films for phase change random access memory 査読有り

    Toshiya Kamada, Yuji Sutou, Masashi Sumiya, Yuta Saito, Junichi Koike

    Thin Solid Films　520　(13)　4389-4393　2012年4月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2012.02.025 　

    ISSN：0040-6090

  114. Crystallization process and thermal stability of Ge <inf>1</inf>Cu <inf>2</inf>Te <inf>3</inf> amorphous thin films for use as phase change materials 査読有り

    Y. Sutou, T. Kamada, M. Sumiya, Y. Saito, J. Koike

    Acta Materialia　60　(3)　872-880　2012年2月

    DOI： 10.1016/j.actamat.2011.10.048 　

    ISSN：1359-6454

  115. Crystallization behavior and resistance change in eutectic Si <inf>15</inf>Te <inf>85</inf> amorphous films 査読有り

    Yuta Saito, Yuji Sutou, Junichi Koike

    Thin Solid Films　520　(6)　2128-2131　2012年1月1日

    DOI： 10.1016/j.tsf.2011.09.012 　

    ISSN：0040-6090

  116. Multiresistance characteristics of PCRAM with Ge <inf>1</inf>Cu <inf>2</inf>Te <inf>3</inf> and Ge <inf>2</inf> Sb <inf>2</inf>Te <inf>5</inf> films 査読有り

    Yuta Saito, Yun Heub Song, Jung Min Lee, Yuji Sutou, Junichi Koike

    IEEE Electron Device Letters　33　(10)　1399-1401　2012年

    DOI： 10.1109/LED.2012.2210534 　

    ISSN：0741-3106

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MISC 106

  1. Si-Te系セレクタ材料の抵抗スイッチ挙動

    畑山祥吾, 齊藤雄太, 齊藤雄太, フォンス ポール, シュアン イ, キム ミヒョン, 須藤祐司

    日本金属学会講演大会(Web)　174th　2024年

  2. TM-Ge-Te系セレクタ材料薄膜におけるアモルファス相の耐熱性

    濱野恵佑, 濱野恵佑, 竹内英輔, 畑山祥吾, 齊藤雄太, フォンス ポール

    日本金属学会講演大会(Web)　174th　2024年

  3. 価数変化型不揮発性メモリ材料の創製

    畑山祥吾, 森竣祐, 齊藤雄太, 齊藤雄太, フォンス ポール, 双逸, 須藤祐司

    日本金属学会講演大会(Web)　175th　2024年

  4. 二酸化バナジウム薄膜を用いたスマートウィンドウの光学解析

    篠原維月, NGUYEN Huy Hiep, 馬場将亮, 畑山祥吾, 齊藤雄太, 内田紀之, 武田雅敏

    日本金属学会講演大会(Web)　175th　2024年

  5. 群知能理解・活用に向けたコロイド系へのスティグマジー実装

    中山牧水, 長瀬暉, 高橋廣守, 齊藤雄太, 畑山祥吾, 牧野孝太郎, 山本詠士, 斎木敏治

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　84th　2023年

    ISSN： 2758-4704

  6. Sb2Te3層状膜によるMoS2上低抵抗コンタクトの実現

    CHANG W. H., 畑山祥吾, 齊藤雄太, 岡田直也, 遠藤尚彦, 宮田耕充, 入沢寿史

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　84th　2023年

    ISSN： 2758-4704

  7. 金属-酸化物-相変化材料積層構造を利用したセレクタフリーメモリ素子

    畑山祥吾, 齊藤雄太

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　70th　2023年

    ISSN： 2758-4704

  8. アクティブコロイド間の調節可能なフェロモン相互作用

    中山牧水, 長瀬暉, 高橋廣守, 齊藤雄太, 畑山祥吾, 牧野孝太郎, 山本詠士, 斎木敏治

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　70th　2023年

    ISSN： 2758-4704

  9. Sb2Te3/強磁性体における逆スピンホール効果と界面構造

    諸田美砂子, 畑山祥吾, JEVASUWAN Wipakorn, 深田直樹, 齊藤雄太

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　70th　2023年

    ISSN： 2758-4704

  10. 光熱流体効果を利用したコロイド粒子・相変化材料系への群知能の実装

    斎木敏治, 中山牧水, 遠藤博紀, 高橋廣守, 長瀬暉, 山本詠士, 齊藤雄太, 畑山祥吾, 牧野孝太郎

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　70th　2023年

    ISSN： 2758-4704

  11. スパッタ法で成膜したVO2薄膜の物性に及ぼすWドープの影響

    石原島弘明, 石原島弘明, 馬場将亮, 畑山祥吾, 齊藤雄太, 内田紀行, 武田雅敏

    日本金属学会講演大会(Web)　171st　2022年

  12. Hf-O-Te系アモルファス薄膜の組成制御によるセレクタ機能の発現

    畑山祥吾, 齊藤雄太, 齊藤雄太, 内田紀行, 内田紀行

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　69th　2022年

    ISSN： 2436-7613

  13. 配向制御したカルコゲナイド相変化材料薄膜

    齊藤雄太, 畑山祥吾, 諸田美砂子

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　69th　2022年

    ISSN： 2436-7613

  14. 遷移金属含有アモルファスカルコゲナイドの低抵抗化機構の解明

    畑山祥吾, 畑山祥吾, 小林啓介, 小林啓介, 齊藤雄太, FONS Paul, FONS Paul, YI Shuang, 森竣祐, KOLOBOV Alexander V., KOLOBOV Alexander V., 須藤祐司

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年

    ISSN： 2436-7613

  15. 層状カルコゲナイドにおける化学結合の次元変化を伴う結晶化

    齊藤雄太, 畑山祥吾, 畑山祥吾, YI Shuang, FONS Paul, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., KOLOBOV Alexander V., 須藤祐司

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年

    ISSN： 2436-7613

  16. 逆抵抗変化型Cr2Ge2Te6相変化材料の局所構造変化

    畑山祥吾, イ シュアン, フォンス ポール, フォンス ポール, 齊藤雄太, コロボフ アレキサンダー, コロボフ アレキサンダー, 小林啓介, 進藤怜史, 安藤大輔, 須藤祐司

    日本金属学会講演大会(Web)　166th　2020年

  17. 次世代電子デバイス用カルコゲナイド系相変化材料の研究

    齊藤雄太

    まてりあ　59　(7)　2020年

    ISSN： 1340-2625

  18. GaPにおけるコヒーレントフォノンのGa+集束イオンビーム照射効果

    市川卓人, 市川卓人, 関口隆史, 齊藤雄太, 長谷宗明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年

  19. 相変化材料の材料設計指針とテルライド材料の新しい展開

    齊藤雄太

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年

  20. 不揮発性メモリ用Cr2Ge2Te6相変化材料の局所構造の解明

    畑山祥吾, YI Shuang, FONS Paul, FONS Paul, 齊藤雄太, KOLOBOV Alexander V., KOLOBOV Alexander V., 小林啓介, 進藤怜史, 安藤大輔, 須藤祐司

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年

  21. スパッタ法による高配向Bi-Te薄膜の成膜と電子状態解析

    齊藤雄太, FONS Paul, 牧野孝太郎, MITROFANOV Kirill V., 上杉文彦, 竹口雅樹, KOLOBOV Alexander V., 富永淳二

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　164th　2019年

    ISSN： 2433-3093

  22. 不揮発性相変化メモリ用遷移金属カルコゲナイド相変化材料の開発

    齊藤雄太, 畑山祥吾, YI Shuang, 進藤怜史, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., 小林啓介, 小林啓介, 小林啓介, 須藤祐司

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年

  23. 1T’-MoTe2バルク結晶におけるコヒーレントフォノンの観測

    福田拓未, 牧野孝太郎, 齊藤雄太, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., KOLOBOV Alexander V., 上野啓司, MONDAL Richarj, 長谷宗明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年

  24. Ultrafast Dynamics of Electron-phonon Coupling in Transition-metal Dichalcogenides

    Kotaro Makino, Yuta Saito, Shuuto Horii, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Atsushi Ando, Keiji Ueno, Richarj Mondal, Muneaki Hase

    2018年7月28日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Time-domain femtosecond laser spectroscopic measurements of the ultrafast<br /> lattice dynamics in 2H-MoTe2 bulk crystals were carried out to understand the<br /> carrier-phonon interactions that govern electronic transport properties. An<br /> unusually long lifetime coherent A1g phonon mode was observed even in the<br /> presence of very large density of photo-excited carriers at room temperature.<br /> The decay rate was observed to decrease with increasing excitation laser<br /> fluence. Based on the laser fluence dependence including the inducement of<br /> significant phonon softening and a peculiar decrease in phonon decay rate, we<br /> attribute the long lifetime lattice dynamics to weak anharmonic phonon-phonon<br /> coupling and a carrier-density-dependent deformation potential electron-phonon<br /> coupling.

  25. Terahertz­-Induced Phase Change, Volume Expansion and Micropattern Formation Observed in Ge2Sb2Te5 and GeTe/Sb2Te3 Phase Change Materials

    K. Makino, K. Kato, K. Takano, Y Saito, J. Tominaga, T. Nakano, G. Isoyama, M. Nakajima

    2018年4月

  26. 超格子型相変化メモリ材料におけるコヒーレント折り返し縦波音響フォノンの観測

    鈴木隆良, 齊藤雄太, FONS P., KOLOBOV A. V., 富永淳二, 長谷宗明

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　73　(1)　2018年

    ISSN： 2189-079X

  27. 高強度THz電場パルスが誘起するアモルファスGe2Sb2Te5の結晶化と成長機構

    佐成晏之, 齊藤雄太, 立崎武弘, 田中耕一郎, 富永淳二, 長谷宗明, 廣理英基

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　73　(1)　2018年

    ISSN： 2189-079X

  28. 逆抵抗変化Cr2Ge2Te6相変化材料の結晶化メカニズム

    畑山祥吾, 須藤祐司, 安藤大輔, 小池淳一, 齊藤雄太, 進藤怜史, 進藤怜史, SONG Yun-Heub

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年

  29. 不揮発性メモリ用遷移金属相変化材料の電子構造の解明

    齊藤雄太, 須藤祐司, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., 進藤怜史, 進藤怜史, 畑山祥吾, YI Shuang, KOZINA Xeniya, SKELTON Jonathan M., 小林啓介

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年

  30. 高強度THz電場パルスによるGe2Sb2Te5の1次元的結晶成長機構の解明

    佐成晏之, 立崎武弘, 立崎武弘, 齊藤雄太, 牧野孝太郎, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., 富永淳二, 田中耕一郎, 田中耕一郎, 金光義彦, 長谷宗明, 廣理英基, 廣理英基

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年

  31. 高強度THz電場による相変化材料におけるゼナートンネリング誘起結晶成長の解明

    佐成晏之, 立崎武弘, 立崎武弘, 齊藤雄太, 牧野孝太郎, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., 富永淳二, 田中耕一郎, 田中耕一郎, 金光義彦, 長谷宗明, 廣理英基, 廣理英基

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　73　(2)　2018年

    ISSN： 2189-079X

  32. 高強度THz電場パルスが誘起するアモルファスGe2Sb2Te5の結晶化と成長機構

    佐成, 晏之, 齊藤, 雄太, 立崎, 武弘, 田中, 耕一郎, 富永, 淳二, 長谷, 宗明, 廣理, 英基

    日本物理学会講演概要集　73　1451-1451　2018年

    出版者・発行元： 一般社団法人 日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.73.1.0_1451 　

    ISSN： 2189-0803

  33. 超格子型相変化メモリ材料におけるコヒーレント折り返し縦波音響フォノンの観測

    鈴木, 隆良, 齊藤, 雄太, Fons, Paul, Kolobov, Alexander V, 富永, 淳二, 長谷, 宗明

    日本物理学会講演概要集　73　1486-1486　2018年

    出版者・発行元： 一般社団法人 日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.73.1.0_1486 　

    ISSN： 2189-0803

  34. Switching effects in iPCM beyond standard operation

    MITROFANOV Kirill V, SAITO Yuta, MIYATA Noriyuki, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, TOMINAGA Junji

    Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science　30th　18‐20　2018年

  35. Understanding the switching mechanism of GeTe/Sb2Te3 interfacial phase change memory

    SAITO Yuta, SAITO Yuta, KOLOBOV Alexander V, FONS Paul, MITROFANOV Kirill V, MAKINO Kotaro, TOMINAGA Junji, ROBERTSON John

    Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science　30th　43‐46　2018年

  36. Electric Field Effects in GeTe/Sb2Te3 interfacial phase change memory

    FONS Paul, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, SAITO Yuta, MITROFANOV Kirill V, MAKINO Kotaro, TOMINAGA Junji

    Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science　30th　28‐31　2018年

  37. テラヘルツ波デバイスに向けたGe2Sb2Te5相変化材料の評価

    牧野孝太郎, 加藤康作, 齊藤雄太, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., 富永淳二, 中野隆志, 中嶋誠

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年

  38. Terahertz spectroscopy study in GeTe/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> and Ge<inf>2</inf>Sb<inf>2</inf>Te<inf>5</inf> phase change memory materials 査読有り

    K. Makino, K. Kato, K. Takano, S. Kuromiya, M. Nakajima, Y. Saito, J. Tominaga, T. Nakano

    International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz　2017年10月12日

    DOI： 10.1109/IRMMW-THz.2017.8067227 　

    ISSN： 2162-2027

    eISSN： 2162-2035

  39. 将来のエレクトロニクスを支える材料とプロセス (創立100周年記念特集 エレクトロニクスが創り出したもの,創り出すもの) -- (エレクトロニクスのこれから)

    中野 隆志, 齊藤 雄太, 渡邊 幸志, 吉田 学, 来見田 淳也

    電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers　100　(9)　962-967　2017年9月

    出版者・発行元： 電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5693

  40. 高強度THz電場による超格子(GeTe)2/Sb2Te3の構造変化

    佐成晏之, 佐成晏之, 廣理英基, 廣理英基, 内田健人, 内田健人, 田中耕一郎, 田中耕一郎, 齊藤雄太, 齊藤雄太, 富永淳二, 富永淳二, 長谷宗明, 長谷宗明

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　72　(1)　2017年

    ISSN： 2189-079X

  41. ダイカルコゲナイドMoTe2における長寿命コヒーレントフォノン

    牧野孝太郎, 齊藤雄太, 堀井嵩斗, FONS P., KOLOBOV A.V., 安藤淳, 上野啓司, 長谷宗明

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　72　(2)　2017年

    ISSN： 2189-079X

  42. [GeTe/Sb2Te3]超格子の磁気容量効果

    鷲見聡, 平野友市郎, BANG Do, 粟野博之, 齊藤雄太, 富永淳二

    日本磁気学会学術講演概要集　41st　2017年

    ISSN： 1882-2959

  43. 高強度THz電場パルスによるアモルファスGe2Sb2Te5の構造変化

    佐成晏之, 齊藤雄太, 齊藤雄太, 内田健人, 立崎武弘, 田中耕一郎, 富永淳二, 富永淳二, 長谷宗明, 長谷宗明, 廣理英基, 廣理英基

    Optics & Photonics Japan講演予稿集(CD-ROM)　2017　2017年

  44. 高強度THz電場下でのアモルファスGe2Sb2Te5の結晶化と成長機構

    佐成晏之, 齊藤雄太, 内田健人, 立崎武弘, 田中耕一郎, 富永淳二, 長谷宗明, 廣理英基

    光物性研究会論文集　28th　2017年

  45. ダイカルコゲナイドMoTe2における長寿命コヒーレントフォノン

    牧野, 孝太郎, 齊藤, 雄太, 堀井, 嵩斗, Fons, P, Kolobov, A. V, 安藤, 淳, 上野, 啓司, 長谷, 宗明

    日本物理学会講演概要集　72　(0)　1300-1300　2017年

    出版者・発行元： 一般社団法人 日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.72.2.0_1300 　

    ISSN： 2189-0803

  46. 高強度テラヘルツ波による相変化材料のアブレーション

    牧野孝太郎, 加藤康作, 高野恵介, 齊藤雄太, 富永淳二, 中野隆志, 磯山悟朗, 中嶋誠

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017年

  47. エレクトロニクスが創り出したもの,創り出すもの 2.エレクトロニクスのこれから 2-7 将来のエレクトロニクスを支える材料とプロセス

    中野隆志, 齊藤雄太, 渡邊幸志, 吉田学, 来見田淳也

    電子情報通信学会誌　100　(9)　962‐967　2017年

    ISSN： 0913-5693

  48. トポロジカル転移制御によるオプトエレクトロニクスデバイス開発

    牧野孝太郎, 齊藤雄太, 中野隆志, 富永淳二

    村田学術振興財団年報　(31)　418‐425　2017年

    ISSN： 0919-3383

  49. THz detection by multi-layered topological insulator 査読有り

    K. Makino, S. Kuromiya, K. Takano, K. Kato, M. Nakajima, H. Iida, M. Kinoshita, Y. Saito, J. Tominaga, T. Nakano

    International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz　2016-November　2016年11月28日

    DOI： 10.1109/IRMMW-THz.2016.7758408 　

    ISSN： 2162-2027

    eISSN： 2162-2035

  50. A study on phase transition behaviors of GeCu2Te3 phase change material for PCRAM application 査読有り

    Y. Sutou, S. Shindo, Y. Saito, J. Koike, YH. Song

    Proceedings of the 28th Symposium on Phase Change Oriented Science 2016　1　52-55　2016年11月

  51. スパッタ法による不揮発性メモリ用高配向相変化材料薄膜の成膜技術の開発

    齊藤雄太, 宮田典幸, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, 富永淳二

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　159th　ROMBUNNO.S3.20　2016年9月7日

    ISSN： 1342-5730

  52. Resisatnce contrast of GeCu2Te3 phase change memory cell

    S. Shindo, Y. Sutou, J. Koike, Y. Saito, JS. An, YH. Song

    European Symposium on Phase Change and Ovonic Science proceedings 2016　1　195-196　2016年9月

  53. 直線偏光パルスによる非等方的なコヒーレントフォノンの制御

    牧野孝太郎, 齊藤雄太, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., 中野隆志, 富永淳二, 長谷宗明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年

  54. トポロジカル絶縁体Sb2Te3におけるコヒーレント表面フォノンの実時間観測

    新井輝, 齊藤雄太, KOLOBOV A.V., 富永淳二, 長谷宗明

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　71　(2)　2016年

    ISSN： 2189-079X

  55. W電極/GeCu2Te3相変化材料間のコンタクト抵抗

    進藤怜史, 須藤祐司, 安藤大輔, 小池淳一, 齊藤雄太

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　159th　2016年

    ISSN： 2433-3093

  56. スパッタ法による不揮発性メモリ用高配向相変化材料薄膜の成膜技術の開発

    齊藤雄太, 宮田典幸, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., 富永淳二

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　159th　2016年

    ISSN： 2433-3093

  57. Multi-layered topological insulator for THz detection 査読有り

    K. Makino, S. Kuromiya, K. Takano, K. Kato, M. Nakajima, H. Iida, M. Kinoshita, Y. Saito, J. Tominaga, T. Nakano

    Optics InfoBase Conference Papers　2016年

    DOI： 10.1364/sensors.2016.sew1e.3 　

  58. Switching behavior of GeCu2Te3 phase change memory cell

    SHINDO Satoshi, SUTOU Yuji, KOIKE Junichi, SAITO Yuta, AN Jun‐Seop, SONG Yun‐Heub

    Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science　28th　69‐70　2016年

  59. Physical properties of sputter grown Bi-Te and GeTe/Bi-Te superlattice films

    SAITO Yuta, MITROFANOV Kirill, MAKINO Kotaro, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, MIYATA Noriyuki, TOMINAGA Junji

    Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science　28th　50‐51　2016年

  60. Contact resistivity change of GeCu2Te3 to W electrode by crystallization

    S. Shindo, Y. Sutou, J. Koike, Y. Saito

    Proceedings of the 27th Symposium on Phase Change Oriented Science　67-68　2015年11月26日

  61. Contact resistivity of GeCu2Te3 phase change material on W electrode

    S. Shindo, Y. Sutou, J. Koike, Y. Saito

    European Symposium on Phase Change and Ovonic Science proceedings　147-148　2015年9月

  62. Feasibility study of multi-level PCRAM with multiple phase change layers

    Y. Sutou, Y. Saito, S. Shindo, J. Koike, J.M. Lee, Y.H. Song

    European Symposium on Phase Change and Ovonic Science proceedings　133-134　2015年9月

  63. Magneto optical Kerr rotation of [(GeTe)<inf>2</inf>(Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>)<inf>1</inf>]<inf>n</inf> superlattice 査読有り

    B. Do, H. Awano, Y. Saito, J. Tominaga, S. Murakami

    2015 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2015　2015年7月14日

    DOI： 10.1109/INTMAG.2015.7157042 　

  64. W電極上のGeCu2Te3の相変態に伴う界面接触抵抗変化

    進藤怜史, 須藤祐司, 小池淳一, 齊藤雄太

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年

  65. GeTe-CuTe擬二元系薄膜の相変化挙動

    須藤祐司, 齊藤雄太, 進藤怜史, 小池淳一

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年

  66. トポロジカル絶縁体超格子の電子状態に及ぼすファンデルワールス力の影響

    齊藤雄太, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., 富永淳二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年

  67. GeTe/Sb2Te3相変化材料の赤外線・THz波検出器応用に向けた研究

    牧野孝太郎, 齊藤雄太, 富永淳二, 中野隆志

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年

  68. トポロジカル絶縁体カルコゲナイド薄膜のスパッタ法による高配向成膜

    齊藤雄太, 富永淳二, 牧野孝太郎, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., 中野隆志

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年

  69. THz detection by GeTe/Sb2Te3 interfacial phase change materials 査読有り

    K. Makino, S. Kuromiya, K. Takano, M. Nakajima, H. Iida, M. Kinoshita, Y. Saito, J. Tominaga, T. Nakano

    Optics InfoBase Conference Papers　Part F132-JSAP 2019　2015年

  70. Anomalous phase change in [(GeTe)<inf>2</inf>/(Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>)]20 superlattice observed by coherent phonon spectroscopy 査読有り

    K. Makino, Y. Saito, K. Mitrofanov, J. Tominaga, A. V. Kolobov, T. Nakano, P. Fons, M. Hase

    Springer Proceedings in Physics　162　199-201　2015年

    DOI： 10.1007/978-3-319-13242-6_47 　

    ISSN： 0930-8989

    eISSN： 1867-4941

  71. A study on phase change characteristics of (GeTe)1-xSix films

    Y. Sutou, Y. Saito, J. Koike

    Proceedings of the 26th symposium on Phase Change Oriented Science (PCOS)　1　53-56　2014年11月

  72. Contact resistivity of GeCu2Te3 on metal electrode measured by CTLM 査読有り

    S. Shindo, Y. Sutou, J. Koike, Y. Saito

    Proceedings of the 26th symposium on Phase Change Oriented Science (PCOS)　1　63-64　2014年11月

  73. Fast crystallization in Si-doped GeTe amorphous film by surface oxidation

    Y. Sutou, Y. Saito, J. Koike

    European/ Phase Change and Ovonics Symposium　1　(1)　109-110　2014年9月7日

  74. Dependence pf electrode material on resistance-temperature curves in GeCu2Te3

    S. Shindo, Y. Sutou, J. Koike, Y. Saito

    European/ Phase Change and Ovonics Symposium　1　(1)　131-132　2014年9月7日

  75. 超格子相変化記録材料におけるコヒーレントフォノン分光

    牧野孝太郎, 齊藤雄太, FONA P., KOLOBOV A.V., 富永淳二, 中野隆志, 長谷宗明

    日本物理学会講演概要集　69　(1)　755　2014年

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  76. Anomalous phase change process in [(GeTe)<inf>2</inf>/(Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>)]20 superlattice observed by coherent phonon spectroscopy 査読有り

    K. Makino, Y. Saito, K. Mitrofanov, J. Tominaga, A. V. Kolobov, T. Nakano, P. Fons, M. Hase

    Optics InfoBase Conference Papers　2014年

    DOI： 10.1364/up.2014.09.wed.p3.34 　

    eISSN： 2162-2701

  77. Magneto-optical Kerr effect of [(GeTe)2(Sb2Te3)1]n superlattice without any magnetic elements

    AWANO H, BANG D, TOMINAGA J, KOLOBOV A, FONS P, SAITO Y, MAKINO K, NAKANO T, HASE M, TAKAGAKI Y, GIUSSANI A, CALARCO R, MURAKAMI S

    Proc Symp Phase Chang Oriented Sci　26th　38-41　2014年

  78. Spintronics using interfacial phase change memory, iPCM

    TOMINAGA Junji, RICHTER Jan, SAITO Yuta, KOLOBOV Alexander, FONS Paul, MURAKAMI Shuichi

    Proc Symp Phase Chang Oriented Sci　25th　38-40　2013年

  79. Theoretical and experimental research for SiTe/Sb2Te3 phase change superlattice

    SAITO Yuta, TOMINAGA Junji, FONS Paul J, KOLOBOV Alexander V

    Proc Symp Phase Chang Oriented Sci　25th　77-78　2013年

  80. Electronic Structure of the Novel Phase-Change Material GeCu2Te3

    KOBAYASHI K, KOBATA M, SKELTON J, ELLIOTT S, SAITO Y, SUTOU Y, KOIKE J

    Proc Symp Phase Chang Oriented Sci　25th　48-51　2013年

  81. Feasibility study of Ge2Sb2Te5/GeCu2Te3 memory cell with multi-level resistance

    SHINDO S, SAITO Y, SUTOU Y, KOIKE J, LEE J. M, SONG Y. H

    Proc Symp Phase Chang Oriented Sci　25th　75-76　2013年

  82. Phase transition characteristics of GeCu2Te3 thin film

    SUTOU Y, SAITO Y, KOIKE J

    Proc Symp Phase Chang Oriented Sci　25th　41-44　2013年

  83. Crystallization behaviors and structral study of amorphous GeCu2Te3 招待有り

    Y. Sutou, Y. Saito, J. Koike, P. Jovari, I. Kaban

    Proceedings of EPCOS 2012　50-55　2012年7月8日

  84. Composition dependence on phase change characteristics in Ge-Cu-Te ternary phase change materials

    Y. Saito, Y. Sutou, J. Koike

    Proceedings of EPCOS2012　152-153　2012年7月8日

  85. Study of GeCu2Te3 by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

    KOBAYASHI K, KOBATA M, KOBATA M, SAITO Y, SUTOU Y, KOIKE J

    Proc Symp Phase Chang Oriented Sci　24th　76-84　2012年

  86. A study on phase change characteristics of Ge-Cu-Te ternary alloy thin films

    SUTOU Y, SAITO Y, KOIKE J

    Proc Symp Phase Chang Oriented Sci　24th　45-48　2012年

  87. Phase change characteristics of Ge1Cu2Te3 films for use as phase change material 招待有り

    Y. Sutou, Y. Saito, T. Kamada, M. Sumiya, J. Koike

    European Symposium on Phase Change and Ovonic Science proceedings　2011年9月4日

  88. Crystallization behaviors of Si-doped GeTe phase change materials

    Y. Saito, Y. Sutou, J. Koike

    Proceedings of EPCOS 2012　197-198　2011年9月4日

  89. Hard X-ray photoelectron spectroscopy of crystalline and amorphous Ge1Cu2Te3 招待有り

    K. Kobayashi, M. Kobata, I. Pis, S. Ueda, Y. Sutou, Y. Saito, J. Koike

    Proceedings of EPCOS 2012　40-43　2011年9月4日

  90. (GeTe)100-xSix相変化材料の電気抵抗変化及び相変化挙動

    齊藤雄太, 隅谷真志, 須藤祐司, 小池淳一

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　58th　2011年

  91. GeCu2Te3の電気特性とその相変化挙動

    隅谷真志, 鎌田俊哉, 齊藤雄太, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　149th　2011年

    ISSN： 2433-3093

  92. Ge-Cu-Te films for phase change random access memory

    SUTOU Y, SAITO Y, KAMADA T, SUMIYA M, KOIKE J

    Proc Symp Phse Chang Opt Inf Storage　23rd　27-29　2011年

  93. Phase change behavior of Ge1Cu2Te3 thin films

    Y. Sutou, T. Kamada, Y. Saito, M. Sumiya, J. Koike

    European Symposium on Phase Change and Ovonic Science proceedings　185-186　2010年9月

  94. Crystallization processes of eutectic Si-Te and Ge-Te phase change materials

    Y. Saito, Y. Sutou, J. Koike

    European Symposium on Phase Change and Ovonic Science proceedings　183　(184)　2010年9月

  95. Ge1Cu2Te3薄膜の相変化挙動

    須藤祐司, 鎌田俊哉, 齊藤雄太, 隅谷真志, 小池淳一

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　2010年

  96. Si-TeおよびGe-Te共晶型相変化材料の結晶化過程

    齊藤雄太, 鎌田俊哉, 隅谷真志, 須藤祐司, 小池淳一

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　2010年

  97. GeTe相変化メモリ材料の結晶化挙動に及ぼすSi添加の影響

    齊藤雄太, 隅谷真志, 鎌田俊哉, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要　147th　2010年

    ISSN： 1342-5730

  98. Ge-Cu-Teアモルファス薄膜の相変化過程に及ぼすSi添加の影響

    隅谷真志, 鎌田俊哉, 齊藤雄太, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要　147th　2010年

    ISSN： 1342-5730

  99. Crystallization behavior of Ge<inf>1</inf>Cu<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> amorphous film 査読有り

    Y. Sutou, T. Kamada, Y. Saito, M. Sumiya, J. Koike

    Materials Research Society Symposium Proceedings　1251　7-12　2010年

    DOI： 10.1557/proc-1251-h05-08 　

    ISSN： 0272-9172

  100. Electrical resistance change with crystallization in Si-Te amorphous thin films 査読有り

    Yuta Saito, Yuji Sutou, Junichi Koike

    Materials Research Society Symposium Proceedings　1251　99-104　2010年

    DOI： 10.1557/proc-1251-h06-07 　

    ISSN： 0272-9172

  101. Phase change behavior of Ge1Cu2Te3 thin films

    KAMADA Toshiya, SAITO Yuta, SUMIYA Masashi, SUTOU Yuji, KOIKE Junichi

    Proc Symp Phse Chang Opt Inf Storage　22nd　21-23　2010年

  102. アモルファスGe100-xTex薄膜の昇温過程における電気抵抗及び構造変化

    齊藤雄太, 鎌田俊哉, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要　144th　2009年

    ISSN： 1342-5730

  103. アモルファスSi100-xTex薄膜の昇温過程における電気抵抗及び構造変化

    齊藤雄太, 鎌田俊哉, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要　145th　2009年

    ISSN： 1342-5730

  104. Ge-Cu-Te三元合金薄膜の相変化挙動

    鎌田俊哉, 齊藤雄太, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要　145th　2009年

    ISSN： 1342-5730

  105. Electrical resistance and structural changes on crystallization process of amorphous Ge-Te thin films 査読有り

    Yuta Saito, Yuji Sutou, Junichi Koike

    Materials Research Society Symposium Proceedings　1160　143-148　2009年

    ISSN： 0272-9172

  106. アモルファスGeTe薄膜の結晶化過程における電気抵抗及び構造変化

    齊藤雄太, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要　143rd　2008年

    ISSN： 1342-5730

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書籍等出版物 1

  1. Phase change materials for optical disc and display applications

    Yuta Saito, Kotaro Makino, Paul Fons

    World Scientific Publishing Co.　2020年1月1日

    DOI： 10.1142/9789811215575_0020 　

講演・口頭発表等 52

  1. 新材料研究開発に向けた新たなアプローチ 招待有り

    齊藤雄太

    令和5年度軽金属学会東北支部講演会　2024年3月29日

  2. アモルファス結晶化を利用した二次元層状物質の新展開 招待有り

    齊藤雄太

    日本結晶成長学会 新技術・新材料分科会 第３回研究会　2024年3月7日

  3. Fabrication of layered tellurides by crystallization of sputter-grown amorphous thin films 招待有り

    Yuta Saito, Shogo Hatayama, Wen Hsin Chang, Naoya Okada, Toshifumi Irisawa

    The 66th Fullerenes-Nanotubes-Graphene (FNTG) General Symposium　2024年3月6日

  4. Emerging Sb- and Ge- based layered tellurides for electronic device application 招待有り

    Yuta Saito, Shogo Hatayama, Wen Hsin Chang, Naoya Okada, Toshifumi Irisawa

    PRICM11 (The 11th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing)　2023年11月21日

  5. Layered Chalcogenide Materials for Phase-Change Memory and Novel Applications 招待有り

    Yuta Saito

    2022 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting & Exhibit　2022年11月30日

  6. カルコゲナイド材料の高機能化と次世代電子デバイスへの応用 招待有り

    齊藤雄太

    2022年秋期(第171回)日本金属学会講演大会　2022年9月22日

  7. カルコゲナイド系相変化材料の発展と今後の展望 招待有り

    齊藤雄太

    2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月18日

  8. 相変化材料の材料設計指針とテルライド材料の新しい展開 招待有り

    齊藤雄太

    2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月14日

  9. Origin of electrical contrast in interfacial phase change memory 招待有り

    Yuta Saito

    Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2019)　2019年7月2日

  10. スパッタ法による高配向Bi‐Te薄膜の成膜と電子状態解析

    齊藤雄太, FONS Paul, 牧野孝太郎, MITROFANOV Kirill V, 上杉文彦, 竹口雅樹, KOLOBOV Alexander V, 富永淳二

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　2019年3月6日

  11. 不揮発性相変化メモリ用遷移金属カルコゲナイド相変化材料の開発

    齊藤雄太, 畑山祥吾, YI Shuang, 進藤怜史, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, 小林啓介, 小林啓介, 小林啓介, 須藤祐司

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2019年2月25日

  12. Sputter Growth of Chalcogenide Superlattice Films for Future Phase Change Memory Applications 招待有り

    Yuta Saito, Kirill V. Mitrofanov, Kotaro Makino, N. Miyata, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES) 2018　2018年10月3日

  13. Understanding the crystalline and electronic structure of GeTe/Sb2Te3 chalcogenide superlattices 招待有り

    Yuta Saito, Alexander V. Kolobov, Paul Fons, Kirill V. Mitrofanov, Kotaro Makino, Junji Tominaga, John Robertson

    European Phase Change and Ovonics Symposium 2018 (EPCOS2018)　2018年9月24日

  14. 高強度THz電場による相変化材料におけるゼナートンネリング誘起結晶成長の解明

    佐成晏之, 立崎武弘, 立崎武弘, 齊藤雄太, 牧野孝太郎, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, 富永淳二, 田中耕一郎, 田中耕一郎, 金光義彦, 長谷宗明, 廣理英基, 廣理英基

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　2018年9月21日

  15. テラヘルツ波デバイスに向けたGe2Sb2Te5相変化材料の評価

    牧野孝太郎, 加藤康作, 齊藤雄太, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, 富永淳二, 中野隆志, 中嶋誠

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年9月5日

  16. 不揮発性メモリ用遷移金属相変化材料の電子構造の解明

    齊藤雄太, 須藤祐司, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, 進藤怜史, 進藤怜史, 畑山祥吾, YI Shuang, KOZINA Xeniya, SKELTON Jonathan M, 小林啓介

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年9月5日

  17. 逆抵抗変化Cr2Ge2Te6相変化材料の結晶化メカニズム

    畑山祥吾, 須藤祐司, 安藤大輔, 小池淳一, 齊藤雄太, 進藤怜史, 進藤怜史, SONG Yun‐Heub

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年9月5日

  18. 高強度THz電場パルスによるGe2Sb2Te5の1次元的結晶成長機構の解明

    佐成晏之, 立崎武弘, 立崎武弘, 齊藤雄太, 牧野孝太郎, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, 富永淳二, 田中耕一郎, 田中耕一郎, 金光義彦, 長谷宗明, 廣理英基, 廣理英基

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年9月5日

  19. Growth Mechanism of Layered Chalcogenides by Sputtering and Their Applications in Future Electronics 招待有り

    Yuta Saito

    2018 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting & Exhibit　2018年4月5日

  20. 超格子型相変化メモリ材料におけるコヒーレント折り返し縦波音響フォノンの観測

    鈴木隆良, 齊藤雄太, FONS P, KOLOBOV A. V, 富永淳二, 長谷宗明

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　2018年3月23日

  21. 高強度THz電場パルスが誘起するアモルファスGe2Sb2Te5の結晶化と成長機構

    佐成晏之, 齊藤雄太, 立崎武弘, 田中耕一郎, 富永淳二, 長谷宗明, 廣理英基

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　2018年3月23日

  22. 高強度THz電場パルスによるアモルファスGe2Sb2Te5の構造変化

    佐成晏之, 齊藤雄太, 齊藤雄太, 内田健人, 立崎武弘, 田中耕一郎, 富永淳二, 富永淳二, 長谷宗明, 長谷宗明, 廣理英基, 廣理英基

    Optics &amp; Photonics Japan講演予稿集(CD-ROM)　2017年10月16日

  23. ダイカルコゲナイドMoTe2における長寿命コヒーレントフォノン

    牧野孝太郎, 齊藤雄太, 堀井嵩斗, FONS P, KOLOBOV A.V, 安藤淳, 上野啓司, 長谷宗明

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　2017年9月25日

  24. [GeTe/Sb2Te3]超格子の磁気容量効果

    鷲見聡, 平野友市郎, BANG Do, 粟野博之, 齊藤雄太, 富永淳二

    日本磁気学会学術講演概要集　2017年9月5日

  25. 高強度THz電場による超格子(GeTe)2/Sb2Te3の構造変化

    佐成晏之, 佐成晏之, 廣理英基, 廣理英基, 内田健人, 内田健人, 田中耕一郎, 田中耕一郎, 齊藤雄太, 齊藤雄太, 富永淳二, 富永淳二, 長谷宗明, 長谷宗明

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　2017年3月21日

  26. 高強度THz電場による超格子GeTe/Sb2Te3の構造変化

    佐成 晏之, 廣理 英基, 内田 健人, 田中 耕一郎, 齊藤 雄太, 富永 淳二, 長谷 宗明

    日本物理学会講演概要集　2017年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    <p>相変化材料である超格子GeTe/Sb_2_Te_3_に高強度THz電場を印加すると、ラマン散乱スペクトルにおいて新たな振動ピークが出現することを確認した。これはTe由来の振動に起因する可能性が高く、THz電場の印加によって試料の構造変化が誘起されたことを示唆している。講演では、超高速分光によるTHz電場誘起の反射率変化ダイナミクスと構造変化の関係性、また光励起キャリアの影響について議論する。</p>

  27. トポロジカル絶縁体Sb2Te3におけるコヒーレント表面フォノンの実時間観測

    新井輝, 齊藤雄太, KOLOBOV A.V, 富永淳二, 長谷宗明

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　2016年9月23日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    <p>フェムト秒レーザーを用いた時間分解反射率測定により、Sb_2_Te_3_薄膜試料のコヒーレントフォノンを測定し、発生したA_1g_モードのスペクトル形状を様々な膜厚（1 ~ 10 QL）で比較した。その結果、10~5 QLの試料では、鋭いA_1g_モードのピークが5.0 THz付近に一つだけ見えていたのに対し、4 QL以下の試料では4.7 THz付近にも幅の広いピークが新たに発生していることが確認できた。このような低周波のピークはカルコゲナイド系材料の表層における表面フォノンと考えられている。講演では、トポロジカル絶縁体との関連についても議論する。</p>

  28. スパッタ法による不揮発性メモリ用高配向相変化材料薄膜の成膜技術の開発

    齊藤雄太, 宮田典幸, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, 富永淳二

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　2016年9月7日

  29. W電極/GeCu2Te3相変化材料間のコンタクト抵抗

    進藤怜史, 須藤祐司, 安藤大輔, 小池淳一, 齊藤雄太

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　2016年9月7日

  30. Voltage-Pulse-Induced Expansion of Chalcogenide Superlattices Measured by Scanning Probe Microscopy

    BOLOTOV Leonid, TADA Tetsuya, SAITO Yuta, TOMINAGA Junji

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年9月1日

  31. 直線偏光パルスによる非等方的なコヒーレントフォノンの制御

    牧野孝太郎, 齊藤雄太, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, 中野隆志, 富永淳二, 長谷宗明

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年3月3日

  32. Hysteresis of the Electrostatic Potential of (GeTe)2 Sb2Te3 Superlattice Grains Measured by Scanning Probe Spectroscopy

    BOLOTOV Leonid, TADA Tetsuya, SAITO Yuta, TOMINAGA Junji

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年3月3日

  33. Self-organized van der Waals epitaxy and two-step growth method for fabrication of chalcogenide superlattice films and their application 招待有り

    Yuta Saito, Leonid Bolotov, Noriyuki Miyata, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

    The 27th Symposium on Phase Change Oriented Science PCOS 2015　2015年11月27日

  34. GeTe‐CuTe擬二元系薄膜の相変化挙動

    須藤祐司, 齊藤雄太, 進藤怜史, 小池淳一

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年8月31日

  35. トポロジカル絶縁体超格子の電子状態に及ぼすファンデルワールス力の影響

    齊藤雄太, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, 富永淳二

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年8月31日

  36. W電極上のGeCu2Te3の相変態に伴う界面接触抵抗変化

    進藤怜史, 須藤祐司, 小池淳一, 齊藤雄太

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年8月31日

  37. トポロジカル絶縁体カルコゲナイド薄膜のスパッタ法による高配向成膜

    齊藤雄太, 富永淳二, 牧野孝太郎, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, 中野隆志

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年2月26日

  38. GeTe/Sb2Te3相変化材料の赤外線・THz波検出器応用に向けた研究

    牧野孝太郎, 齊藤雄太, 富永淳二, 中野隆志

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年2月26日

  39. 19aPS-110 相変化材料GeCu_2Te_3のXAFS解析

    上村 健二, 細川 伸也, 八方 直久, 池本 弘之, 須藤 祐司, 進藤 怜史, 齋藤 雄太, 小池 淳一

    日本物理学会講演概要集　2015年

  40. Fundamental properties and deposition behaviors of interfacial phase-change memory (iPCM) materials 招待有り

    Yuta Saito, Junji Tominaga, Kotaro Makino, Xiaomin Wang, Alexander V. Kolobov, Paul Fons, Takashi Nakano

    European\Phase Change and Ovonics Symposium, E\PCOS2014　2014年9月9日

  41. 超格子相変化記録材料におけるコヒーレントフォノン分光

    牧野孝太郎, 齊藤雄太, FONA P, KOLOBOV A.V, 富永淳二, 中野隆志, 長谷宗明

    日本物理学会講演概要集　2014年3月5日

  42. 28pCK-4 超格子相変化記録材料におけるコヒーレントフォノン分光(28pCK 超高速現象・格子振動,領域5(光物性))

    牧野 孝太郎, 斉藤 雄太, フォンス ポール, コロボフ アレクサンダー, 富永 淳二, 中野 隆志, 長谷 宗明

    日本物理学会講演概要集　2014年

  43. GeCu2Te3の電気特性とその相変化挙動

    隅谷真志, 鎌田俊哉, 齊藤雄太, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　2011年10月20日

  44. (GeTe)100-xSix相変化材料の電気抵抗変化及び相変化挙動

    齊藤雄太, 隅谷真志, 須藤祐司, 小池淳一

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日

  45. GeTe相変化メモリ材料の結晶化挙動に及ぼすSi添加の影響

    齊藤雄太, 隅谷真志, 鎌田俊哉, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要　2010年9月25日

  46. Ge‐Cu‐Teアモルファス薄膜の相変化過程に及ぼすSi添加の影響

    隅谷真志, 鎌田俊哉, 齊藤雄太, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要　2010年9月25日

  47. Si‐TeおよびGe‐Te共晶型相変化材料の結晶化過程

    齊藤雄太, 鎌田俊哉, 隅谷真志, 須藤祐司, 小池淳一

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年8月30日

  48. Ge1Cu2Te3薄膜の相変化挙動

    須藤祐司, 鎌田俊哉, 齊藤雄太, 隅谷真志, 小池淳一

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年8月30日

  49. アモルファスSi100-xTex薄膜の昇温過程における電気抵抗及び構造変化

    齊藤雄太, 鎌田俊哉, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要　2009年9月15日

  50. Ge‐Cu‐Te三元合金薄膜の相変化挙動

    鎌田俊哉, 齊藤雄太, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要　2009年9月15日

  51. アモルファスGe100-xTex薄膜の昇温過程における電気抵抗及び構造変化

    齊藤雄太, 鎌田俊哉, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要　2009年3月28日

  52. アモルファスGeTe薄膜の結晶化過程における電気抵抗及び構造変化

    齊藤雄太, 須藤祐司, 小池淳一

    日本金属学会講演概要　2008年9月23日

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産業財産権 9

  1. 固体のスピン特性からトポロジカル絶縁性を評価する方法及び装置

    長谷 宗明, マンダル リチャジ, 粟飯原 有輝, 齊藤 雄太, 富永 淳二

    特許第6782026号

    産業財産権の種類: 特許権

  2. マルチフェロイック素子の初期化方法

    富永 淳二, 齊藤 雄太

    産業財産権の種類: 特許権

  3. 相変化材料および相変化型メモリ素子

    須藤 祐司, 畑山 祥吾, 進藤 怜史, 小池 淳一, 齊藤 雄太

    産業財産権の種類: 特許権

  4. 多段相変化材料および多値記録相変化メモリ素子

    須藤 祐司, 小池 淳一, 齊藤 雄太

    産業財産権の種類: 特許権

  5. 多段相変化材料および多値記録相変化メモリ素子

    須藤 祐司, 小池 淳一, 齊藤 雄太

    特許第6086097号

    産業財産権の種類: 特許権

  6. 結晶配向層積層構造体、電子メモリ及び結晶配向層積層構造体の製造方法

    齊藤 雄太, 富永 淳二, 近藤 礼子

    産業財産権の種類: 特許権

  7. 相変化材料および相変化型メモリ素子

    須藤 祐司, 小池 淳一, 齊藤 雄太, 鎌田 俊哉

    産業財産権の種類: 特許権

  8. 結晶配向層積層構造体、電子メモリ及び結晶配向層積層構造体の製造方法

    齊藤 雄太, 富永 淳二, 近藤 礼子

    特許第6238495号

    産業財産権の種類: 特許権

  9. 相変化材料および相変化型メモリ素子

    須藤 祐司, 小池 淳一, 齊藤 雄太, 鎌田 俊哉

    特許第5403565号

    産業財産権の種類: 特許権

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共同研究・競争的資金等の研究課題 20

  1. 非平衡ポリモルフィック結晶化メカニズムの解明と電子デバイス応用

    齊藤 雄太, Fons Paul, 畑山 祥吾

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    2023年4月1日 ～ 2026年3月31日

  2. Geナノシートチャネルの精密構造制御及びvdWコンタクトにおけるキャリア輸送解明

    張 文馨, 齊藤 雄太

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

    2023年4月1日 ～ 2026年3月31日

  3. 非平衡ポリモルフィック結晶化メカニズムの解明と電子デバイス応用

    齊藤 雄太, Fons Paul

    2023年4月1日 ～ 2026年3月31日

  4. 多形メモリテクノロジーの創成

    須藤 祐司, 山本 卓也, 入沢 寿史, 齊藤 雄太, 谷村 洋, 春本 高志

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

    研究機関：Tohoku University

    2021年7月5日 ～ 2026年3月31日

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    本研究では、結晶多形転移半導体を提案し、その多形転移機構の学理を構築すると共に、多形体薄膜の熱、応力、電界、磁界および光によるメモリ応答制御を目指している。以下に本年度の主な実績を記述する。 相変化メモリの省エネルギー動作化に向け、適切な材料物性や界面物性について数値計算により検討を行った。ジュール加熱による温度上昇に及ぼすトムソン効果は、電極／ＰＣＭ界面の接触抵抗の寄与を示す無次元数：Ｃ＝ρ／（Δｘ／σ）によって支配されることが分かった。ここで、ρは電極／ＰＣＭの接触抵抗、ΔｘはＰＣＭの厚さ、σはＰＣＭの電気伝導度を示す（T. Yamamoto et. al., Mater. Res. Exp. 8(2021)115902））。更に、動作エネルギーＥは、Ｅ＝κ(１＋Ｃ)ΔＴ/Δｚによって記述できることを示した。ここで、κは熱伝導度、ΔＴ は融点、ΔｚはＰＣＭ厚さを示す(T. Yamamoto et. al., Mater. Des. 216(2022)110560)）。 次に、ＭｎＴｅ薄膜上に種々の電極層を形成し、ＭｎＴｅの多形変化に及ぼす応力（熱歪み）の影響を調査した。ＭｎＴｅ/電極界面に大きな熱歪み（圧縮）が生じる場合は、多形変化温度が低下することが明らかとなった（国内学会３件、国際学会１件発表）。更に、本期間においては、まだ研究報告がないβ―ＭｎＴｅ薄膜（ウルツ鉱型構造）の電気伝導メカニズムを調査した。その結果、幅広い温度範囲において様々なhopping伝導を示すことを明らかにした（M. Kim et. al., phys. stat. soli.(RRL）2100641)、国内学会２件、国際学会２件発表）。また、ラマン分光法を用いて、レーザー加熱によるその場観察から、β―ＭｎＴｅからα―ＭｎＴｅへの多形変化が生じることを確認した（国内学会２件発表）。

  5. 超高速光磁気効果を用いたトポロジカル物質におけるスピンダイナミクスの研究

    長谷 宗明, 齊藤 雄太, Fons Paul, 畑山 祥吾

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：University of Tsukuba

    2022年4月1日 ～ 2025年3月31日

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    今年度は、トポロジカル絶縁体における光磁気効果の観測技術をさらに高感度化・長波長化するために、光源整備を中心に実験準備を開始した。筑波大では、既存のフェムト秒レーザー再生増幅器＋光パラメトリック増幅器（Optical Parametric Amplifier：OPA, 中心波長800 nm, 1100~1600 nm, <60 fs, 繰り返し100 kHz）を活用して、基本波（800 nm; 1.55 eV）とOPA出力光との差周波光である2950 nm（0.42 eV）を非線形光学結晶中で発生させることを試みた。その結果、2190 nm（0.57 eV）の差周波光発生には成功したが、目標の2950 nm（0.42 eV）までには至っていない。一方、典型的なトポロジカル絶縁体であるBi2Se3単結晶を購入し、バルク試料の光磁気効果の観測をOPA出力光を用いて波長1200~1600 nmで行ったところ、逆ファラデー効果と光カー効果による信号を得ることができた。また、高圧下ではトポロジカル超伝導を示すことが知られる1T-TiSe2単結晶における基本波でのフェムト秒分光測定を行い、室温において電荷密度波に起因するフォノンモードの観測に成功している。さらに、第一原理計算により試料の電子構造や非線形感受率・誘電率テンソルに関する知見を得るため、高性能サーバーを慶應大学に導入し、試験的に遷移金属ダイカルコゲナイドであるMoTe2の誘電率の計算を行った。

  6. 超高速光磁気効果を用いたトポロジカル物質におけるスピンダイナミクスの研究

    長谷 宗明, 齊藤 雄太, Fons Paul

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：University of Tsukuba

    2022年4月1日 ～ 2025年3月31日

  7. 次世代新メモリに向けたディスプレイシブ相転移型多形半導体の開拓

    須藤 祐司, 山本 卓也, 齊藤 雄太

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2021年4月5日 ～ 2024年3月31日

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    本研究では、結晶多形転移半導体を提案し、その多形転移機構の学理を構築すると共に、次世代メモリ：「結晶多形メモリ」に向けた材料ブレークスルーを目指すことを目的としている。本研究期間では、相変化メモリデバイスのメモリ層である相変化材料層のジュール加熱による温度上昇について、特に、温度上昇に及ぼすトムソン効果を評価するための新しい無次元数を作成した。本解析にあたっては、既存のＧｅ－Ｓｂ－Ｔｅ系相変化材料（ＧＳＴ）を例として取り上げ評価した。その結果、トムソン効果は、電極とＧＳＴ相変化材料の界面での接触抵抗の寄与を示す無次元数：Ｃ＝ρ／（Δｘ／σ）に支配されることが分かった。ここで、ρは電極と相変化材料の接触抵抗、Δｘは相変化材料の厚さ、σは相変化材料の電気伝導度を示す。Ｃが１よりも非常に小さい場合、即ち、相変化材料の体積抵抗が支配的な場合は、トムソン効果は無次元数：Ｂ＝μ・σ・ΔΦ／ｋによって評価できることが分かった。ここで、μはトムソン効果、ΔΦは電圧、ｋは相変化材料の熱伝導度である。一方、Ｃが１に近いあるいは１より大きい場合、即ち、電極と相変化材料の接触抵抗が無視できない場合は、トムソン効果は無次元数：Ｂ／（１＋Ｃ）により評価できることが分かった。以上の無次元数を用いた解析により、ＧＳＴ系相変化材料の場合では、ＧＳＴが高温になるとトムソン効果に起因して温度上昇が約１０～２０％抑制されることが分かった。 以上の無次元数解析を導入することで、多形半導体メモリの動作メカニズムをより深く理解することが可能となる。

  8. HfO2系強誘電体の分極揺らぎの制御による新奇物性の探索

    浅沼 周太郎, 武貞 正樹, 齊藤 雄太, 太田 裕之, 森田 行則

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

    2020年4月1日 ～ 2023年3月31日

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    我々は本課題の目標を達成するために（１）バンドエンジニアリング及び（２）ドメインエンジニアリングの二つの観点からHfO2系強誘電体の特性と関連の大きいパラメータの探索を行った。また、作製した試料について電気特性及び光学特性の二つの面から評価を進めた。 バンドエンジニアリングからのアプローチではパルスレーザー堆積法(PLD法)を用いて薄膜試料の成膜を進めている。La0.7Sr0.3MnO3膜を下部電極層として成膜したSrTiO3(110)基板上にエピタキシャルHf0.5Zr0.5O2膜及びYドープHfO2膜を成膜することに成功した。現在、これらの試料に複数金属元素を共添加することでバンド構造を制御する手法について研究を進めている。また、バンドエンジニアリングに関する研究の一環として室温で酸素欠陥を低減する手法についても研究を進めており、一定の成果が出ている。 ドメインエンジニアリングからのアプローチでは、スパッタ法を用いて成膜したHf0.5Zr0.5O2膜のポーリング時のリーク電流とポーリング後のリーク電流の差異に関する研究を行った。この研究の結果、ポーリング後のリーク電流がプール=フレンケル型電流なのに対し、ポーリング前の電流は非プール=フレンケル型電流ことが明らかになった。この結果はポーリング時に酸素欠陥の再配置が生じていることを示唆しており、HfO2系強誘電体の特性に酸素欠陥が大きな役割を果たしていることを示唆している。 また、膜厚30nmと50nmのHf0.5Zr0.5O2薄膜のラマン散乱スペクトルの温度依存性を観測した結果、膜厚30nmの試料では約800K、膜厚50nmの試料では750Kでフォノン異常が観測された。この異常は強誘電体相転移を示唆するものである。さらに、Hf0.5Zr0.5O2薄膜の厚さが薄くなるにつれて転移温度は高温側にシフトする傾向が観察された。

  9. 遷移金属アモルファスカルコゲナイドにおける非線形電気特性の発現

    齊藤雄太

    2021年7月 ～ 2022年6月

  10. アモルファス由来ファンデルワールス層状物質の結晶化機構の解明

    Fons JamesPaul, 牧野 孝太郎, 長谷 宗明, 齊藤 雄太, 須藤 祐司

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

    2019年4月1日 ～ 2022年3月31日

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    本研究では、層状カルコゲナイドにおける構造的な特徴に着目し、三次元的な結合を有するアモルファスからの結合の次元が変化する結晶化メカニズムの解明や、レーザー照射による超高速ダイナミクスの測定、そして、高い配向性を持った層状カルコゲナイド薄膜の成膜技術の開発などを行なった。面内方向と面直方向で高い構造の異方性を有することから、結晶化や超高速現象に特異的な振る舞いが観察された。これらを駆使することで、高い配向性を持った様々な層状結晶カルコゲナイド薄膜の作製に成功した。

  11. 次世代デバイスに向けた二次元カルコゲナイドアモルファスの結晶化機構の解明

    齊藤雄太

    2020年4月 ～ 2022年3月

  12. 次世代不揮発性メモリに向けたd電子系相変化カルコゲナイドの開拓

    須藤 祐司, 齊藤 雄太

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2018年4月1日 ～ 2021年3月31日

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    本研究では、Ｃｕ２ＧｅＴｅ３やＣｒ２Ｇｅ２Ｔｅ６といった遷移金属を含有するカルコゲナイド系相変化材料について、その物性や伝導機構変化、局所構造や結合状態変化を調査し、新タイプの相変化材料：ｄ電子系相変化材料の相変化機構を解明する事を目的とし、本期間において以下の知見を得た。 （１）結晶化メカニズム Ｃｒ２Ｇｅ２Ｔｅ６アモルファスの結晶化過程について、示差走査熱量計を用いた非等温測定により、Ｏｚａｗａ法を用いて評価した。その結果、Ｃｒ２Ｇｅ２Ｔｅ６アモルファスの結晶化のＡｖｒａｍｉ次数は昇温速度に殆ど影響せず、３程度を示す事が分かった。この事は、その結晶化は界面成長支配である事を示す。一方で、従来材のＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５アモルファスは、同様の実験において大きなＡｖｒａｍｉ次数を示し、核生成支配により結晶化が進行する事を確認した。また、結晶化における速度定数を評価した所、Ｃｒ２Ｇｅ２Ｔｅ６アモルファスの速度定数はＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５のそれとほぼ同等であり、その結晶化速度は高速に進行する事が示された。以上より、Ｃｒ２Ｇｅ２Ｔｅ６は、高い結晶化温度を示すと同時に、成長支配による高速結晶化が可能である事が分かった。 （２）伝導機構 低い電気抵抗を有する特異なＣｒ２Ｇｅ２Ｔｅ６アモルファスの伝導機構について、伝導の温度依存性から評価した。その結果、３００Ｋ以上の温度領域ではバンド伝導、３００Ｋ以下の温度領域では、ホッピング伝導により伝導している事が明らかとなった。更に、３００Ｋ以下のホッピング伝導は、２００Ｋ以上ではＭｏｔｔ ＶＲＨ伝導、２００Ｋ以下ではＥｆｒｏｓ－Ｓｈｋｌｏｖｓｋｉｉ ＶＲＨ伝導に変化する事が分かった。また、Ｃｒ２Ｇｅ２Ｔｅ６アモルファスでは、従来材料のように、フェルミ準位はバンドギャップの中央にピンニングされておらず、価電子帯の直上に位置している事が明らかとなった。

  13. 層状カルコゲナイドpn接合セレクタを用いた大容量不揮発性メモリ素子の実現

    齊藤 雄太

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

    研究種目：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

    研究機関：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

    2018年4月1日 ～ 2020年3月31日

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    2018年度は高配向Bi2Te3/Sb2Te3積層膜の界面評価と拡散バリア層の影響の調査、およびpn接合デバイスによる縦方向整流作用の測定を行なった。異なる膜厚比のBi2Te3とSb2Te3を成膜したが、どのヘテロ構造でも結晶構造のｃ軸が常に基板に垂直に高い配向性を持って成長することがわかった。これら各種ヘテロ構造の横方向の電気輸送特性をホール測定によって計測したところ、膜厚比に応じてn型とｐ型の電気伝導を示した。これは、n型になりやすいBi2Te3と、ｐ型になりやすいSb2Te3の厚さの競合によるものと理解できる。 Bi2Te3/Sb2Te3積層膜を用いて縦型のpn接合デバイスを作製し、電気特性を測定した。その結果、電流-電圧特性は線形的なオーミック挙動を示し、整流作用を示さないことがわかった。これは、どちらの層もほとんど縮退したような半導体であり、金属的な電気伝導挙動を示すことに起因すると考えられる。先行研究において、本ヘテロ界面においてBiとSbが数nmスケールの相互拡散をしていることを突き止めていた。そこで、この界面拡散が電気特性に影響を与えている可能性を考慮し、拡散バリア層としてアモルファスSiをスパッタ法にて成膜した。その結果、界面での拡散は抑制されてはいるが、依然として電気特性はオーミック的であった。これは、アモルファスSi層は拡散防止には効果的だが、電気的には整流作用を生じさせる効果は期待できないことを示している。現在、第一原理計算によって、Bi2Te3とSb2Te3の格子定数と近く、かつバンドギャップが大きい（電気抵抗が高い）物質を体系的に調査し、拡散防止効果および高い電気抵抗層として働く可能性について検討している。

  14. トポロジカル絶縁体におけるコヒーレント表面フォノン誘起量子相転移の研究

    長谷 宗明, 齊藤 雄太

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：University of Tsukuba

    2017年4月1日 ～ 2020年3月31日

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    本研究では、トポロジカル絶縁体（Topological Insulator: TI）における低波数ベクトル領域のコヒーレント表面フォノンを高感度に観測し、表面における電子―フォノン相互作用に関する知見を得ることを目的としている。また、大振幅コヒーレントフォノン励起によるTIのバンドギャップ変調の可能性を探り、フォノンによるトポロジカル絶縁体―ノーマル絶縁体間の量子相転移の観測を目指している。 今年度は、昨年度導入した光電子増倍管（PMT）を、現有のレーザー光源であるフェムト秒レーザー発振器（中心波長830 nm, パルス幅20 fs, 繰り返し80 MHz, 3 nJ/pulse）を光源とした時間分解過渡反射測定装置に組み込み、主にSb2Te3の３次元TI薄膜試料からの微弱な表面第二高調波（SHG）信号の検出からコヒーレント表面フォノン（光学モード）の観測を試みた。標準試料としては半導体GaAs単結晶を用いているが、未だSHG信号の検出には至っていない。また、Bi1-xSbx合金の試料作製を前倒しで行い、バルク領域からのコヒーレント光学フォノン信号の取得には成功している。Bi1-xSbx合金は近年、混晶比xの値に依存してトポロジカル絶縁体あるいはワイル半金属になり得るとされている材料である。バルク領域からのコヒーレント光学フォノン信号にも表面状態の寄与が含まれると考えられるため、解析を進めている。

  15. Ab-initio study of topological chalcogenide van-der-Waals heterostructures and superlattices

    Kolobov A., 富永 淳二, フォンス ポール, 齊藤 雄太

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究機関：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

    2016年4月1日 ～ 2019年3月31日

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    本研究では、理論計算を駆使することで、次世代のエレクトロニクス用の新材料として注目されている層状カルコゲナイドという物質群の構造や電子状態、異種物質との組み合わせについて系統的に調査を行なった。主な結果は、(1)電子励起アシストによるMoTe2の構造相転移の理論的予測、(2)数原子層GaNとMoS2とのエピタキシャル接合の提案、(3)GeTe/Sb2Te3超格子における電子状態のトポロジカル特性と応力による制御、(4)GeTe/Sb2Te3超格子における欠陥と電子状態の関連の調査である。これらの理論計算による特性の予測は、今後のデバイス応用において極めて重要な知見であると考えられる。

  16. 次世代微細PCRAMに向けた相変化材料／電極間の接触界面抵抗に関する研究

    須藤 祐司, 小池 淳一, 安藤 大輔, 小林 啓介, 進藤 怜史

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2015年4月1日 ～ 2018年3月31日

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    相変化メモリの大容量化には相変化材料（PCM）/電極構造の微細化がカギとなるが、微細メモリセル抵抗はPCM/電極間の接触抵抗に支配される。本研究では、PCMの接触抵抗率を評価すると共に、次世代メモリの創成を試みた。その結果、アモルファスCu2GeTe3/電極はショットキー伝導を示し界面伝導に支配される事が分かった。また、耐熱性に優れる新PCMとしてCr2Ge2Te6を見出した。Cr2Ge2Te6は通常とは逆に、結晶抵抗率がアモルファス抵抗率よりも高い。更に、その抵抗率差は一桁であるが、接触抵抗率差は二桁を示すためメモリへの適用が可能であり、また、動作エネルギーを大幅に低減できる事が分かった。

  17. 不揮発性メモリ用カルコゲナイド積層膜の作製とトポロジカル絶縁性の発現

    齊藤雄太

    2016年10月 ～ 2017年9月

  18. ２ビット情報の記録可能な積層縦型構造多値記録相変化メモリ素子の創製

    須藤 祐司, 安藤 大輔, 小池 淳一, 齊藤 雄太, 進藤 怜史

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

    研究機関：Tohoku University

    2015年4月1日 ～ 2017年3月31日

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    次世代不揮発性メモリとして、アモルファス相と結晶相の電気抵抗差を利用した相変化メモリが注目されている。更なる大容量化を目指し、相変化メモリの多値記録化が期待されている。本研究では、二段階結晶化を示す相変化材料と一段階結晶化を示す相変化材料を積層する事により、2ビットの多値記録実現を目指した。Cu-Ge-Teについて、二段階結晶化過程を示す組成範囲を明確にした。その結果、23.4Cu-28.8Ge-47.8Te薄膜とGeTe薄膜の積層組み合わせにより、2ビット情報記録が可能である事が分かった。

  19. 超格子相変化薄膜の基礎的研究と電子デバイスへの応用 競争的資金

    齊藤 雄太

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Research Activity start-up

    研究種目：Grant-in-Aid for Research Activity start-up

    研究機関：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

    2014年8月29日 ～ 2016年3月31日

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    本研究では、コンピュータなどの電子機器に使われる電子デバイスの高性能化を目指し、それに使われる最適な材料の探索を行った。異なる化合物の組み合わせによって構成される超格子物質において、どの化合物を選択するかで特性が大きく異なることを理論的な計算によって予測し、その計算結果に基づいて実際の材料を作製して評価を行った。材料作製についてはまだ発展途上であるが、今後改良されることで、将来より便利な社会を実現するための電子デバイスが開発されることが期待される。

  20. 多段相変化型単一合金薄膜を用いた多値記録不揮発性メモリの開発 競争的資金

    齊藤 雄太

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for JSPS Fellows

    研究種目：Grant-in-Aid for JSPS Fellows

    研究機関：Tohoku University

    2010年 ～ 2012年

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    最終年度である本年度は、新規に開発したGeCu_2Te_3(GCT)三元化合物とこのGCTを含むGeTe-CuTe擬二元化合物の諸特性について体系的に調査した。またGCTと既存材料であるGSTを組み合わせたメモリデバイスを作製することで、電流印可による多値記録動作を試みた。 これまでの研究から、GCTは低融点を有するためアモルファス化に伴う消費電力が低く、さらに結晶化温度も高くアモルファスの安定性も高いことがわかっていた。一方、メモリ用材料として用いる場合、高速書き換え動作を実現するために結晶化に要する時間も重要なパラメータになる。そこでレーザー照射装置でGCTアモルファス薄膜の結晶化、アモルファス化時間を測定した。GCTは高速結晶化材料として知られるGSTと同等の結晶化時間を示し、またアモルファス化はGSTに比べ時間、電力ともに半分程度と、レーザー試験においても低消費電力であることが確認された。これらの結果から、GCTは高耐熱性、低消費電力、高速結晶化という優れた特性を併せ持つ材料であることを明らかにした。 GeTe-CuTe擬二元合金の諸特性の組成依存性を調べた結果、GeTe、GCT両化合物から組成がずれると結晶化温度は上昇するが、結晶化時間も遅くなることがわかった。また、アモルファスと結晶の体積変化や反射率変化の組成依存性を調べた結果、GeTe-CuTe擬二元合金は結晶化に伴いGeTeとGCTに相分解することがわかった。 GCTとGSTを積層させたメモリデバイスを作製した。異なる材料を組み合わせる場合、それぞれの材料特性の関係が最適化されている必要があるが、GCTとGSTはそれらの関係を満たすことが基礎実験から確認されていた。実際に作製したデバイスの電気特性を測定すると、どちらもアモルファスの高抵抗状態、GSTのみ結晶化した中間抵抗状態、どちらも結晶化した低抵抗状態の三段階の抵抗状態を持たせることができた。また、それぞれの状態間の変化も印可電流・電圧を調整することで制御できることが確認された。

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担当経験のある科目(授業) 4

  1. 量子力学入門　東北大学

  2. 電気電子デバイスシステム特別講義　慶應義塾大学

  3. 電気情報工学特別講義　慶應義塾大学

  4. 電気電子デバイスシステム特別講義　慶應義塾大学