研究者詳細

顔写真

ハナダ タカシ
花田 貴
Takashi Hanada
所属
金属材料研究所 材料設計研究部 先端結晶工学研究部門
職名
助教
学位
  • 理学博士(東京大学)

  • 理学修士(東京大学)

Researcher ID

所属学協会 2

  • 応用物理学会

  • 日本物理学会

研究キーワード 3

  • 表面構造

  • 化合物半導体

  • 分子線エピタキシ

研究分野 4

  • 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 半導体物性

  • ナノテク・材料 / 結晶工学 / 結晶成長

  • ナノテク・材料 / 応用物性 / 結晶成長

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 / 表面界面物性

論文 235

  1. Crystal growth and evaluating luminescent properties of Eu-doped (Y, Lu, Sc)<inf>2</inf>O<inf>3</inf> for optical thermometry

    Yuka Abe, Takahiko Horiai, Yuui Yokota, Masao Yoshino, Jan Pejchal, Romana Kucerkova, Rikito Murakami, Takashi Hanada, Akihiro Yamaji, Hiroki Sato, Yuji Ohashi, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Martin Nikl, Akira Yoshikawa

    Journal of Luminescence 280 2025年5月

    DOI: 10.1016/j.jlumin.2025.121118  

    ISSN:0022-2313

  2. Crystal growth and characterization of 1-inch GTAGG: Ce single crystal for sub-micron resolution synchrotron radiation X-ray imaging

    Kazuya Omuro, Masao Yoshino, Liudmila Gushchina, Seiichi Yamamoto, Kohei Nakanishi, Kei Kamada, Karol Bartosiewicz, Kyoung Jin Kim, Takahiko Horiai, Rikito Murakami, Akihiro Yamaji, Takashi Hanada, Yuui Yokota, Shunsuke Kurosawa, Yuji Ohashi, Hiroki Sato, Jun Kataoka, Akira Yoshikawa

    Scientific Reports 15 (1) 2025年4月15日

    出版者・発行元: Springer Science and Business Media LLC

    DOI: 10.1038/s41598-025-96031-5  

    eISSN:2045-2322

  3. Crystal Growth and Energy Transfer Study in Ce3+ and Pr3+ Co-Doped Lu2Si2O7

    Yuka Abe, Takahiko Horiai, Yuui Yokota, Masao Yoshino, Rikito Murakami, Takashi Hanada, Akihiro Yamaji, Hiroki Sato, Yuji Ohashi, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Akira Yoshikawa

    Crystals 2025年2月20日

    DOI: 10.3390/cryst15030202  

  4. Crystal growth and temperature dependence of luminescence characteristics of Pr3+ and Tb3+ doped solid-solution sesquioxide single crystals

    Yuka Abe, Takahiko Horiai, Yuui Yokota, Masao Yoshino, Rikito Murakami, Takashi Hanada, Akihiro Yamaji, Hiroki Sato, Yuji Ohashi, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Akira Yoshikawa

    Journal of Materials Chemistry C 2025年

    DOI: 10.1039/D5TC00156K  

  5. Tailoring scintillation and luminescence through Co-doping engineering: A comparative study of Ce,Tb Co-doped YAGG and GAGG garnet crystals

    Kazuya Omuro, Masao Yoshino, Karol Bartosiewicz, Takahiko Horiai, Rikito Murakami, Kyoung Jin Kim, Kei Kamada, Romana Kucerkova, Vladimir Babin, Martin Nikl, Akihiro Yamaji, Takashi Hanada, Yuui Yokota, Shunsuke Kurosawa, Yuji Ohashi, Hiroki Sato, Akira Yoshikawa

    Journal of Alloys and Compounds 1008 2024年12月15日

    DOI: 10.1016/j.jallcom.2024.176550  

    ISSN:0925-8388

  6. Insights into luminescence and energy transfer processes in Ce3+- and Tb3+ co-doped (Gd, Y)<inf>3</inf>Al<inf>2</inf>Ga<inf>3</inf>O<inf>12</inf> garnet single crystals

    Kazuya Omuro, Masao Yoshino, Karol Bartosiewicz, Takahiko Horiai, Rikito Murakami, Kyoung Jin Kim, Kei Kamada, Romana Kucerkova, Vladimir Babin, Martin Nikl, Akihiro Yamaji, Takashi Hanada, Yuui Yokota, Shunsuke Kurosawa, Yuji Ohashi, Hiroki Sato, Akira Yoshikawa

    Journal of Luminescence 273 2024年9月

    DOI: 10.1016/j.jlumin.2024.120663  

    ISSN:0022-2313

  7. Optical and scintillation properties of Pr3+-doped (La, Y)<inf>2</inf>Si<inf>2</inf>O<inf>7</inf> single crystals

    Yuka Abe, Takahiko Horiai, Jan Pejchal, Yuui Yokota, Masao Yoshino, Rikito Murakami, Takashi Hanada, Akihiro Yamaji, Hiroki Sato, Yuji Ohashi, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Akira Yoshikawa, Martin Nikl

    Optical Materials: X 22 2024年5月

    DOI: 10.1016/j.omx.2024.100318  

    eISSN:2590-1478

  8. Relationship of single crystal growth and luminescence properties of Cr-doped gadolinium gallium garnet crystals for radiation dose-rate monitoring systems

    Daisuke Matsukura, Shunsuke Kurosawa, Akihiro Yamaji, Yuji Ohashi, Yuui Yokota, Kei Kamada, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Masao Yoshino, Takashi Hanada, Rikito Murakami, Takahiko Horiai, Akira Yoshikawa

    Journal of Crystal Growth 2024年3月

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2024.127581  

  9. Investigation of the phase diagram of the CsI-LiBr system and fabrication of the eutectic scintillator for thermal neutron detection

    Rei Sasaki, Kei Kamada, Masao Yoshino, Kyoung Jin Kim, Rikito Murakami, Takahiko Horiai, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Akira Yoshikawa

    Journal of Crystal Growth 628 2024年2月15日

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2023.127543  

    ISSN:0022-0248

  10. Crystal growth, luminescence, and scintillation properties of Er-doped La2Hf2O7 single crystal

    Naomoto Hayashi, Yuui Yokota, Takahiko Horiai, Kohei Yamanoi, Masao Yoshino, Akihiro Yamaji, Rikito Murakami, Takashi Hanada, Hiroki Sato, Yuji Ohashi, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Nobuhiko Sarukura, Akira Yoshikawa

    Japanese Journal of Applied Physics 63 (3) 03SP15-03SP15 2024年2月12日

    出版者・発行元: IOP Publishing

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad1e97  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abstract The growth of Er-doped La2Hf2O7 (LHO:Er) single crystals with a high mp of 2413 °C was achieved by the melt-growth method using a tungsten (W) crucible. Polished LHO:Er specimens were obtained from the as-grown crystals. The full width at half maximum of the X-ray Rocking curve on the (222) diffraction peak was 599 arcsec, and the crystals have relatively low crystallinity. The photoluminescence spectra of the polished LHO:Er specimen showed emission peaks originating from the Er3+ ions in both the visible and IR wavelength ranges. It also exhibited scintillation light under X-ray irradiation.

  11. Feasibility study of one-dimensional imaging with an optical fiber for radiation dose-rate monitoring system in the decommissioning process

    Daisuke Matsukura, Shunsuke Kurosawa, Chihaya Fujiwara, Akihiro Yamaji, Yuji Ohashi, Yuui Yokota, Kei Kamada, Hiroki Sato, Yoshino Masao, Takashi Hanada, Rikito Murakami, Takahiko Horiai, Akira Yoshikawa, Takushi Takata, Hiroki Tanaka

    Journal of Instrumentation 19 (2) 2024年2月1日

    DOI: 10.1088/1748-0221/19/02/C02053  

    eISSN:1748-0221

  12. Growth of Mg2Si thermoelectric eutectics by unidirectional solidification

    Naomoto Hayashi, Yuui Yokota, Takahiko Horiai, Masao Yoshino, Akihiro Yamaji, Rikito Murakami, Takashi Hanada, Hiroki Sato, Yuji Ohashi, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Akira Yoshikawa

    Journal of Crystal Growth 2024年2月

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2023.127533  

  13. Fabrication and Properties for Thermal Neutron Detection of 6LiCl/Rb2CeCl5 Eutectic Scintillator 査読有り

    Rei Sasaki, Kei Kamada, Masao Yoshino, Kyoung Jin Kim, Rikito Murakami, Takahiko Horiai, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Akira Yoshikawa

    Crystals 14 (2) 154 2024年1月

    DOI: 10.3390/cryst14020154  

  14. Growth and Scintillation Properties of 6Li Containing Ce:LaCl<inf>3</inf>-Based Eutectic Scintillator for Neutron Detection

    Rei Sasaki, Kyoung Jin Kim, Kei Kamada, Ryuga Yajima, Naoko Kutsuzawa, Masao Yoshino, Rikito Murakami, Takahiko Horiai, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Isao Takahashi, Taketoshi Tomida, Vladimir V. Kochurikhin, Akira Yoshikawa

    IEEE Transactions on Nuclear Science 70 (7) 1337-1341 2023年7月1日

    DOI: 10.1109/TNS.2023.3271639  

    ISSN:0018-9499

    eISSN:1558-1578

  15. Tl-Doped CsI/LiBr Scintillator for Thermal Neutron Detection With Ultrahigh Light Yield

    Ryuga Yajima, Kei Kamada, Masao Yoshino, Rei Sasaki, Takahiko Horiai, Rikito Murakami, Kyoung Jin Kim, Vladimir V. Kochurikhin, Yuji Ohashi, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Takashi Hanada, Akira Yoshikawa

    IEEE Transactions on Nuclear Science 70 (7) 1331-1336 2023年7月1日

    DOI: 10.1109/TNS.2023.3278465  

    ISSN:0018-9499

    eISSN:1558-1578

  16. Prototype fabrication of optical-guiding Tl:CsI crystal scintillators and investigation of the crystallization process

    Ryuga Yajima, Kei Kamada, Rikito Murakami, Naoko Kutsuzawa, Rei Sasaki, Masao Yoshino, Takahiko Horiai, Kyoung Jin Kim, Vladimir V. Kochurikhin, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Akira Yoshikawa

    Japanese Journal of Applied Physics 62 2023年4月

    DOI: 10.35848/1347-4065/acb3d1  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

  17. Fabrication and scintillation properties of a flexible optical-guiding crystal scintillator

    Ryuga Yajima, Kei Kamada, Rikito Murakami, Naoko Kutsuzawa, Rei Sasaki, Masao Yoshino, Takahiko Horiai, Kyoung Jin Kim, Vladimir V. Kochurikhin, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Akira Yoshikawa

    Applied Physics Express 16 (2) 2023年2月

    DOI: 10.35848/1882-0786/acb891  

    ISSN:1882-0778

    eISSN:1882-0786

  18. A two-stage data-analysis method for total-reflection high-energy positron diffraction (TRHEPD)

    Kazuyuki Tanaka, Izumi Mochizuki, Takashi Hanada, Ayahiko Ichimiya, Toshio Hyodo, Takeo Hoshi

    JJAP Conference Proceedings 9 011301-011301 2023年

    出版者・発行元: The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.56646/jjapcp.9.0_011301  

    eISSN:2758-2450

  19. Novel optical-guiding crystal scintillator composed of an Eu-doped SrI<inf>2</inf> core and glass cladding

    Ryuga Yajima, Kei Kamada, Yui Takizawa, Naoko Kutsuzawa, Rei Sasaki, Masao Yoshino, Takahiko Horiai, Rikito Murakami, Kyoung Jin Kim, Vladimir V. Kochurikhin, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Hanada Takashi, Akira Yoshikawa

    Ceramics International 2023年

    DOI: 10.1016/j.ceramint.2022.12.264  

    ISSN:0272-8842

  20. Fabrication and Characterization of K2CeCl5/6LiCl and CeCl3/SrCl2/6LiCl Eutectics for Thermal Neutron Detection 査読有り

    Ryuga Yajima, Kei Kamada, Masao Yoshino, Yui Takizawa, Naoko Kutsuzawa, Rei Sasaki, Takahiko Horiai, Rikito Murakami, Kyoung Jin Kim, Vladimir V. Kochurikhin, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Akira Yoshikawa

    Crystals 12 (12) 1795-1-1795-10 2022年12月9日

    出版者・発行元: MDPI AG

    DOI: 10.3390/cryst12121795  

    eISSN:2073-4352

    詳細を見る 詳細を閉じる

    In recent years, thermal neutron detection using scintillators has been used in a wide range of fields. Thus, the development of scintillators with a higher light yield, faster decay, and higher sensitivity for thermal neutrons is required. In this study, K2CeCl5/6LiCl and CeCl3/SrCl2/6LiCl were developed as novel eutectic scintillators for thermal neutron detection. LiCl was selected as the neutron capture phase and K2CeCl5 and CeCl3 were used as the scintillator phases. The eutectics of K2CeCl5/6LiCl and CeCl3/SrCl2/6LiCl were prepared using the Vertical Bridgman method and the phases were identified by scanning electron microscopy and powder X-ray diffraction measurements. The results of radioluminescence measurements under Ag source X-ray tube irradiation confirmed that the 5d-4f emission derived from Ce3+. The cathodoluminescence spectra and thermal neutron responses of the prepared eutectics were measured to evaluate their optical properties.

  21. Growth of thallium-doped CsI/CsCl/KCl eutectics and their scintillation properties 査読有り

    Yui Takizawa, Kei Kamada, Masao Yoshino, Kyoung Jin Kim, Naoko Kutsuzawa, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Vladimir Kochurikhin, Akira Yoshikawa

    Optical Materials: X 15 100159-1-100159-7 2022年8月

    出版者・発行元: Elsevier BV

    DOI: 10.1016/j.omx.2022.100159  

    ISSN:2590-1478

  22. sim-trhepd-rheed – Open-source simulator of total-reflection high-energy positron diffraction (TRHEPD) and reflection high-energy electron diffraction (RHEED) 査読有り

    Takashi Hanada, Yuichi Motoyama, Kazuyoshi Yoshimi, Takeo Hoshi

    Computer Physics Communications 277 108371-1-108371-10 2022年8月

    出版者・発行元: Elsevier BV

    DOI: 10.1016/j.cpc.2022.108371  

    ISSN:0010-4655

  23. Growth of Zn3Ta2O8 crystal scintillator by a novel melt growth technique named shielded arc melting method 査読有り

    Ryuga Yajima, Kei Kamada, Yui Takizawa, Masao Yoshino, Rikito Murakami, Kyoung Jin Kim, Takahiko Horiai, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Akira Yoshikawa

    Optical Materials: X 14 100149-1-100149-5 2022年5月

    DOI: 10.1016/j.omx.2022.100149  

    eISSN:2590-1478

  24. Growth and scintillation properties of LiBr/CeBr<inf>3</inf>eutectic scintillator for neutron detection 査読有り

    Ryuga Yajima, Kei Kamada, Yui Takizawa, Masao Yoshino, Kyoung Jin Kim, Vladimir V. Kochurikhin, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Akira Yoshikawa

    Japanese Journal of Applied Physics 61 (SC) 1028-1-1028-6 2022年5月

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac4076  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

  25. Large size growth of terbium doped BaCl<inf>2</inf>/NaCl/KCl eutectic for radiation imaging 査読有り

    Yui Takizawa, Kei Kamada, Kyoung Jin Kim, Masao Yoshino, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Vladimir V. Kochurikhin, Akira Yoshikawa

    Japanese Journal of Applied Physics 61 (SC) 1009-1-1009-5 2022年5月

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac3b23  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

  26. Crystal growth of La<inf>2</inf>Hf<inf>2</inf>O<inf>7</inf> by micro-pulling-down method using W crucible 査読有り

    Takahiro Suda, Yuui Yokota, Takahiko Horiai, Akihiro Yamaji, Masao Yoshino, Takashi Hanada, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Akira Yoshikawa

    Journal of Crystal Growth 583 126547-1-126547-6 2022年4月

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.126547  

    ISSN:0022-0248

  27. Growth and scintillation properties of Ce doped 6LiBr/LaBr<inf>3</inf> eutectic scintillator for neutron detection 査読有り

    Yui Takizawa, Kei Kamada, Masao Yoshino, Kyoung Jin Kim, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Vladimir V. Kochurikhin, Akira Yoshikawa

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 1028 166384-1-166384-5 2022年4月

    DOI: 10.1016/j.nima.2022.166384  

    ISSN:0168-9002

  28. Growth and scintillation properties of directionally solidified Ce:LaCl<inf>3</inf>/AECl<inf>2</inf> (AE = Mg, Ca, Sr) eutectic Scintillators 査読有り

    Kyoung Jin Kim, Kei Kamada, Rikito Murakami, Masao Yoshino, Shunsuke Kurosawa, Akihiro Yamaji, Yasuhiro Shoji, Vladimir V. Kochurikhin, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Yuui Yokota, Akira Yoshikawa

    Journal of Crystal Growth 584 126549-1-126549-5 2022年4月

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.126549  

    ISSN:0022-0248

  29. Growth of Tb-doped BaCl<inf>2</inf>/NaCl/KCl ternary eutectic and its luminescence properties 査読有り

    Yui Takizawa, Kei Kamada, Kyoung Jin Kim, Masao Yoshino, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Vladimir V. Kochurikhin, Akira Yoshikawa

    Journal of Crystal Growth 580 126467-1-126467-7 2022年2月15日

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126467  

    ISSN:0022-0248

  30. Temperature Characteristics of Resonance Frequency for Double-Layered Thickness-Shear Resonator 査読有り

    Yuji Ohashi, Yusuke Owada, Yuui Yokota, Akira Yoshikawa, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Akihiro Yamaji, Masao Yoshino, Takashi Hanada

    IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control 69 (2) 870-877 2022年2月1日

    DOI: 10.1109/TUFFC.2021.3121782  

    ISSN:0885-3010

    eISSN:1525-8955

  31. Crystal growth of La<inf>2</inf>Zr<inf>2</inf>O<inf>7</inf> by micro-pulling-down method using Mo and W crucibles 査読有り

    Takahiro Suda, Yuui Yokota, Takahiko Horiai, Akihiro Yamaji, Masao Yoshino, Takashi Hanada, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Akira Yoshikawa

    Journal of Crystal Growth 575 126357-1-126357-5 2021年12月1日

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126357  

    ISSN:0022-0248

  32. Growth and scintillation properties of Tl-doped CsI/KI/KCl ternary eutectics 査読有り

    Yui Takizawa, Kei Kamada, Naoko Kutsuzawa, Kyoung Jin Kim, Masao Yoshino, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Vladimir V. Kochurikhin, Akira Yoshikawa

    Journal of Crystal Growth 573 126287-1-126287-6 2021年11月1日

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126287  

    ISSN:0022-0248

  33. Crystal growth and optical properties of Ce-doped (La,Y)<inf>2</inf>Si<inf>2</inf>O<inf>7</inf> single crystal 査読有り

    Takahiko Horiai, Juraj Paterek, Jan Pejchal, Marketa Jarosova, Jan Rohlicek, Shunsuke Kurosawa, Takashi Hanada, Masao Yoshino, Akihiro Yamaji, Satoshi Toyoda, Hiroki Sato, Yuji Ohashi, Kei Kamada, Yuui Yokota, Akira Yoshikawa, Martin Nikl

    Journal of Crystal Growth 572 126252-1-126252-6 2021年10月15日

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126252  

    ISSN:0022-0248

  34. Luminescent Properties for Garnet-Type Crystals with Fast Decay Time and Red Emission Band

    Chihaya Fujiwara, Shunsuke Kurosawa, Akihiro Yamaji, Satoshi Ishizawa, Yuji Ohashi, Yuui Yokota, Kei Kamata, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Masao Yoshino, Takashi Hanada, Akira Yoshikawa

    Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials 2021年9月8日

    出版者・発行元: The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.7567/ssdm.2021.k-4-05  

  35. Optimum measurement condition for V(x) method using the line-focus-beam ultrasonic-material-characterization system 査読有り

    Yuji Ohashi, Yuui Yokota, Akihiro Yamaji, Masao Yoshino, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Takashi Hanada, Akira Yoshikawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60 (7) 078002-1-078002-4 2021年7月

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac06dc  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

  36. Growth and scintillation properties of Tl-doped CsI/CsCl/NaCl ternary eutectic scintillators 査読有り

    Yui Takizawa, Kei Kamada, Masao Yoshino, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Yuji Ohashi, Takashi Hanada, Vladimir. V. Kochurikhin, Akira Yoshikawa

    Japanese Journal of Applied Physics 60 (SB) SBBK01-1-SBBK01-6 2021年5月1日

    出版者・発行元: IOP Publishing

    DOI: 10.35848/1347-4065/abcdab  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

  37. X線光電子分光における時空間計測/解析技術の開発~NAP-HARPESから4D-XPSへ~

    豊田 智史, 大橋 雄二, 黒澤 俊介, 鎌田 圭, 佐藤 浩樹, 山路 晃広, 吉野 将生, 花田 貴, 横田 有為, 吉川 彰, 山本 知樹, 吉村 真史, 住田 弘祐, 三根生 晋, 町田 雅武, 吉越 章隆, 鈴木 哲, 横山 和司

    表面と真空 64 (2) 86-91 2021年

    出版者・発行元: 公益社団法人 日本表面真空学会

    DOI: 10.1380/vss.64.86  

    ISSN:2433-5835

    詳細を見る 詳細を閉じる

    <p>We have developed spatiotemporal measurement and analysis techniques in x-ray photoelectron spectroscopy. To begin with, time-division depth profiles of gate stacked film interfaces have been achieved by NAP-HARPES (Near Ambient Pressure Hard x-ray Angle-Resolved PhotoEmission Spectroscopy) data. We then have promoted our methods to quickly perform peak fittings and depth profiling from time-division ARPES data, which enables us to realize 4D-XPS analysis. It is found that the traditional maximum entropy method (MEM) combined with Jackknife averaging of sparse modeling in NAP-HARPES data is effective to perform dynamic measurement of depth profiles with high precision.</p>

  38. Crystal growth and scintillation properties of tube shape-controlled Ce-doped Y3Al5O12 single crystals grown by micro-pulling-down method 査読有り

    Atsushi Kotaki, Masao Yoshino, Yuui Yokota, Takashi Hanada, Akihiro Yamaji, Satoshi Toyoda, Hiroki Sato, Yuji Ohashi, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Akira Yoshikawa

    Applied Physics Express 13 (12) 125503-1-125503-4 2020年12月1日

    出版者・発行元: IOP Publishing

    DOI: 10.35848/1882-0786/abc8ab  

    ISSN:1882-0778

    eISSN:1882-0786

  39. Effect of Thickness Ratio of Double Layered Thickness-Shear Resonator on Temperature Characteristics of Resonance Frequency

    Yusuke Owada, Yuji Ohashi, Masaya Omote, Yuui Yokota, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Hiroki Sato, Satoshi Toyoda, Akihiro Yamaji, Masao Yoshino, Takashi Hanada, Akira Yoshikawa

    2020 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS) 2020-September 2020年9月7日

    出版者・発行元: IEEE

    DOI: 10.1109/ius46767.2020.9251706  

    ISSN:1948-5719

    eISSN:1948-5727

  40. Dependence of the V/III Ratio on Indium Incorporation in InGaN Films Grown by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy 査読有り

    V. Suresh Kumar, S. Y. Ji, Y. T. Zhang, K. Shojiki, J. H. Choi, T. Kimura, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 20 (5) 2979-2986 2020年5月

    DOI: 10.1166/jnn.2020.17466  

    ISSN:1533-4880

    eISSN:1533-4899

  41. Development of Data-Analysis Software for Total-Reflection High-Energy Positron Diffraction (TRHEPD) 査読有り

    K. Tanaka, T. Hoshi, I. Mochizuki, T. Hanada, A. Ichimiya, T. Hyodo

    Acta Physica Polonica A 137 (2) 188-192 2020年2月

    出版者・発行元: Institute of Physics, Polish Academy of Sciences

    DOI: 10.12693/aphyspola.137.188  

    ISSN:1898-794X

    eISSN:0587-4246

  42. Thermodynamic model for metalorganic vapor-phase epitaxy of N-polar group-III nitrides in step-flow growth mode: Hydrogen, competitive adsorption, and configuration entropy 査読有り

    Takashi Hanada

    Physical Review Materials 3 (10) 103404-1-103404-16 2019年10月31日

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.3.103404  

  43. Characterization of the ScAlMgO4 cleaving layer by X-ray crystal truncation rod scattering 査読有り

    Takashi Hanada, Hiroo Tajiri, Osami Sakata, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka

    Journal of Applied Physics 123 (20) 205305-1-205305-8 2018年5月28日

    出版者・発行元: American Institute of Physics Inc.

    DOI: 10.1063/1.5031024  

    ISSN:1089-7550 0021-8979

  44. Ga-polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter-scale wide terraces 査読有り

    Takuya Iwabuchi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 214 (9) 1600754-1-1600754-8 2017年9月

    DOI: 10.1002/pssa.201600754  

    ISSN:1862-6300

    eISSN:1862-6319

  45. Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Jinyeop Yoo, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 (5) 05FA04-1-05FA04-5 2016年5月

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FA04  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

  46. Homogeneity improvement of N-polar (000(1)over-bar) InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut-angle toward a-sapphire plane 査読有り

    Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Tomoyuki Tanikawa, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Ryohei Nonoda, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 (5) 05FA09-1-05FA09-8 2016年5月

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FA09  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

  47. Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (000(1)over-bar) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Kanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Takuya Iwabuchi, Noritaka Usami, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    APPLIED PHYSICS LETTERS 106 (22) 222102-1-222102-4 2015年6月

    DOI: 10.1063/1.4922131  

    ISSN:0003-6951

    eISSN:1077-3118

  48. Red to blue wavelength emission of N-polar (000(1)over-bar) lnGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Jung-Hun Choi, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS 8 (6) 061005-1-061005-4 2015年6月

    DOI: 10.7567/APEX.8.061005  

    ISSN:1882-0778

    eISSN:1882-0786

  49. Improvement of surface morphology of nitrogen-polar GaN by introducing indium surfactant during MOVPE growth 査読有り

    Takashi Aisaka, Tomoyuki Tanikawa, Takeshi Kimura, Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 (8) 085501-1-085501-4 2014年8月

    DOI: 10.7567/JJAP.53.085501  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

  50. Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 14 (8) 6112-6115 2014年8月

    DOI: 10.1166/jnn.2014.8306  

    ISSN:1533-4880

    eISSN:1533-4899

  51. Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (000(1) over bar) GaN/sapphire 査読有り

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Takashi Aisaka, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 (5) 05FL05-1-05FL05-4 2014年5月

    DOI: 10.7567/JJAP.53.05FL05  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

  52. Effect of c-plane sapphire substrate miscut angle on indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN 査読有り

    Kanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Hirofumi Shindo, Takeshi Kimura, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 (5) 05FL07-1-05FL07-5 2014年5月

    DOI: 10.7567/JJAP.53.05FL07  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

  53. Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE 査読有り

    Jung-Hun Choi, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3 10 (3) 417-420 2013年

    DOI: 10.1002/pssc.201200667  

    ISSN:1862-6351

  54. Erratum: Strain relaxation mechanism of InGaN thin film grown on m-GaN [Phys. Status Solidi C 8, 444-446 (2011)]

    Takashi Hanada, Taka-aki Shimada, Shi-Yang Ji, Kenji Hobo, Yuhuai Liu, Takashi Matsuoka

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 9 (8-9) 1856-1856 2012年8月

    DOI: 10.1002/pssc.201270001  

    ISSN:1862-6351 1610-1642

  55. Tilted Domain and Indium Content of InGaN Layer on m-Plane GaN Substrate Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Takaaki Shimada, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 (4) 04DH01-1-04DH01-4 2012年4月

    DOI: 10.1143/JJAP.51.04DH01  

    ISSN:0021-4922

  56. Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN Films 査読有り

    Jung-Hun Choi, Suresh Kumar, Shi-Yang Ji, Shojiki Kanako, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    MATERIALS INTEGRATION 508 193-+ 2012年

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.508.193  

    ISSN:1013-9826

  57. Phase diagram on phase purity of InN grown pressurized-reactor MOVPE 査読有り

    Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertsuk, Yuantao Zhang, Yuhuai Liu, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4 9 (3-4) 654-657 2012年

    DOI: 10.1002/pssc.201100390  

    ISSN:1862-6351

  58. Electrochemical isothermal-capacitance-transient spectroscopy: A new depth profiling method of deep levels 査読有り

    S. Q. Wang, F. Lu, D. C. Oh, J. H. Chang, T. Hanada, T. Yao

    REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS 82 (9) 093905-1-093905-4 2011年9月

    DOI: 10.1063/1.3632118  

    ISSN:0034-6748

  59. Strain relaxation mechanism of InGaN thin film grown on m-GaN 査読有り

    Takashi Hanada, Taka-aki Shimada, Shi-Yang Ji, Kenji Hobo, Yuhuai Liu, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2 8 (2) 444-446 2011年

    DOI: 10.1002/pssc.201000565  

    ISSN:1862-6351

  60. An empirical equation including the strain effect for optical transition energy of strained and fully relaxed GaN films 査読有り

    S. W. Lee, Jun-Seok Ha, Hyun Jae Lee, Hyo-Jong Lee, H. Goto, T. Hanada, T. Goto, Katsushi Fujii, M. W. Cho, T. Yao

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 43 (17) 175101-1-175101-5 2010年5月

    DOI: 10.1088/0022-3727/43/17/175101  

    ISSN:0022-3727

    eISSN:1361-6463

  61. Effect of anion-to-cation supplying ratio on the surface morphology of AlN films grown on ZnO substrates at low temperature 査読有り

    Inho Im, Mina Jung, Jieun Koo, Hyunjae Lee, Jinsub Park, Tsutomu Minegishi, Seunghwan Park, Katsushi Fujii, Takafumi Yao, Gyungsuk Kil, Takashi Hanada, Jiho Chang

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 28 (1) 61-64 2010年1月

    DOI: 10.1116/1.3264479  

    ISSN:0734-2101

    eISSN:1520-8559

  62. X-ray photoelectron spectroscopy study on the CrN surface grown on sapphire substrate to control the polarity of ZnO by plasma-assisted molecular beam epitaxy 査読有り

    J. H. Chang, M. N. Jung, J. S. Park, S. H. Park, I. H. Im, H. J. Lee, J. S. Ha, K. Fujii, T. Hanada, T. Yao, Y. Murakami, N. Ohtsu, G. S. Kil

    APPLIED SURFACE SCIENCE 255 (20) 8582-8586 2009年7月

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2009.06.034  

    ISSN:0169-4332

  63. Lattice strain in bulk GaN epilayers grown on CrN/sapphire template 査読有り

    S. W. Lee, Jun-Seok Ha, Hyun-Jae Lee, Hyo-Jong Lee, H. Goto, T. Hanada, T. Goto, Katsushi Fujii, M. W. Cho, T. Yao

    APPLIED PHYSICS LETTERS 94 (8) 082105-1-082105-3 2009年2月

    DOI: 10.1063/1.3086890  

    ISSN:0003-6951

    eISSN:1077-3118

  64. Comparative study of photoluminescences for Zn-polar and O-polar faces of single-crystalline ZnO bulks 査読有り

    D. C. Oh, T. Kato, H. Goto, S. H. Park, T. Hanada, T. Yao, J. J. Kim

    APPLIED PHYSICS LETTERS 93 (24) 241907-1-241907-3 2008年12月

    DOI: 10.1063/1.3033224  

    ISSN:0003-6951

  65. The high quality ZnO growth on c-Al(2)O(3) substrate with Cr(2)O(3) buffer layer using plasma-assisted molecular beam epitaxy 査読有り

    J. S. Park, S. K. Hong, T. Minegishi, I. H. Im, S. H. Park, T. Hanada, J. H. Chang, M. W. Cho, T. Yao

    APPLIED SURFACE SCIENCE 254 (23) 7786-7789 2008年9月

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.02.031  

    ISSN:0169-4332

  66. Growth of polarity-controlled ZnO films on (0001) Al2O3 査読有り

    J. S. Park, J. H. Chang, T. Minegishi, H. J. Lee, S. H. Park, I. H. Im, T. Hanada, S. K. Hong, M. W. Cho, T. Yao

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 37 (5) 736-742 2008年5月

    DOI: 10.1007/s11664-007-0350-y  

    ISSN:0361-5235

  67. Optical properties and electrical properties of heavily Al-doped ZnSe layers 査読有り

    D. C. Oh, T. Takai, I. H. Im, S. H. Park, T. Hanada, T. Yao, J. S. Song, J. H. Chang, H. Makino, C. S. Han, K. H. Koo

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 26 (2) 259-264 2008年3月

    DOI: 10.1116/1.2836404  

    ISSN:0734-2101

  68. Electrical properties of conductive and resistive ZnSe layers 査読有り

    D. C. Oh, I. H. Im, S. H. Park, T. Hanada, T. Yao, J. S. Song, J. H. Chang, H. Makino, C. S. Han, K. H. Koo

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 26 (2) 559-565 2008年3月

    DOI: 10.1116/1.2884758  

    ISSN:1071-1023

  69. The effect of hydrogen irradiation and annealing on the low-temperature growth of homoepitaxial ZnO layers grown on (0001) ZnO substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy 査読有り

    S. H. Park, H. Suzuki, J. H. Chang, T. Minegishi, J. S. Park, I. H. Im, G. Fujimoto, T. Hanada, D. C. Oh, M. W. Cho, T. Yao

    APPLIED SURFACE SCIENCE 254 (10) 3120-3124 2008年3月

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2007.10.083  

    ISSN:0169-4332

  70. Study of local segregation in GaInNAs using EXAFS measurements 査読有り

    Takahiro Mori, Takashi Hanada, Toshiharu Morimura, Genki Kobayashi, Takafumi Yao, Takao Miyajima, Tomoya Uruga

    JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS 69 (2-3) 298-301 2008年2月

    DOI: 10.1016/j.jpcs.2007.07.023  

    ISSN:0022-3697

  71. Effects of interfacial layer structures on crystal structural properties of ZnO films 査読有り

    J. S. Park, T. Minegishi, S. H. Lee, I. H. Irn, S. H. Park, T. Hanada, T. Goto, M. W. Cho, T. Yao, S. K. Hong, J. H. Chang

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 26 (1) 90-96 2008年1月

    DOI: 10.1116/1.2821741  

    ISSN:0734-2101

  72. Lattice relaxation mechanism of ZnO thin films grown on c-Al(2)O(3) substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 査読有り

    S. H. Park, T. Hanada, D. C. Oh, T. Minegishi, H. Goto, G. Fujimoto, J. S. Park, I. H. Im, J. H. Chang, M. W. Cho, T. Yao

    APPLIED PHYSICS LETTERS 91 (23) 231904-1-231904-3 2007年12月

    DOI: 10.1063/1.2813021  

    ISSN:0003-6951

  73. Structural investigation of nitrided c-sapphire substrate by grazing incidence x-ray diffraction and transmission electron microscopy 査読有り

    Hyo-Jong Lee, Jun-Seok Ha, S. W. Lee, H. J. Lee, H. Goto, S. H. Lee, M. W. Cho, T. Yao, T. Minegishi, T. Hanada, Soon-Ku Hong, Osami Sakata, Jae Wook Lee, Jeong Yong Lee

    APPLIED PHYSICS LETTERS 91 (20) 202116-1-202116-3 2007年11月

    DOI: 10.1063/1.2815919  

    ISSN:0003-6951

    eISSN:1077-3118

  74. Impact of V/III ratio on electrical properties of GaN thick films grown by hydride vapor-phase epitaxy 査読有り

    D. C. Oh, S. W. Lee, H. Goto, S. H. Park, I. H. Im, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao

    APPLIED PHYSICS LETTERS 91 (13) 132112-1-132112-3 2007年9月

    DOI: 10.1063/1.2786851  

    ISSN:0003-6951

  75. Polarity control of ZnO films on (0001) Al2O3 by Cr-compound intermediate layers 査読有り

    J. S. Park, S. K. Hong, T. Minegishi, S. H. Park, I. H. Im, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao, J. W. Lee, J. Y. Lee

    APPLIED PHYSICS LETTERS 90 (20) 201907-1-201907-3 2007年5月

    DOI: 10.1063/1.2740190  

    ISSN:0003-6951

  76. Molecular beam epitaxy and magnetic properties of GaMnNAs 査読有り

    Genki Kobayashi, Takahiro Mori, Takashi Kato, Takashi Hanada, Hisao Makino, Takafumi Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 301 642-646 2007年4月

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.159  

    ISSN:0022-0248

    eISSN:1873-5002

  77. Strain-free GaN thick films grown on single crystalline ZnO buffer layer with in situ lift-off technique 査読有り

    S. W. Lee, T. Minegishi, W. H. Lee, H. Goto, H. J. Lee, S. H. Lee, Hyo-Jong Lee, J. S. Ha, T. Goto, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao

    APPLIED PHYSICS LETTERS 90 (6) 061907-1-061907-3 2007年2月

    DOI: 10.1063/1.2470163  

    ISSN:0003-6951

  78. Crystal growth 査読有り

    Noboru Ohtani, Takao Nakamura, Hitoshi Sumiya, Fumio Hasegawa, Seiji Sarayama, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Shinsuke Fujiwara, Yasube Kashiwaba, Ikuo Niikura, Tsunenobu Kimoto, Takashi Egawa, Hideyo Okushi, Kentaro Onabe, Kazuyuki Tadatomo, Kazumasa Hiramatsu, Akihiko Yoshikawa, Hideo Kawanishi, Katsuhiro Akimoto, Takafumi Yao, Takashi Hanada

    Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices 329-445 2007年

    出版者・発行元: Springer Berlin Heidelberg

    DOI: 10.1007/978-3-540-47235-3_6  

  79. Analysis of the relation between leakage current and dislocations in GaN-based light-emitting devices 査読有り

    S. W. Lee, D. C. Oh, H. Goto, J. S. Ha, H. J. Lee, T. Hanada, M. W. Ch, S. K. Hong, H. Y. Lee, S. R. Cho, J. W. Choi, J. H. Choi, J. H. Jang, J. E. Shin, J. S. Lee, T. Yao

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4, NO 1 4 (1) 37-+ 2007年

    DOI: 10.1002/pssc.200673552  

    ISSN:1862-6351

  80. Structural characterization of MgO/c-Al2O3 interfaces 査読有り

    T. Minegishi, T. Hanada, H. Suzuki, Z. Vashaei, D. C. Oh, K. Sumitani, O. Sakata, M. W. Cho, T. Yao

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4, NO 5 4 (5) 1715-+ 2007年

    DOI: 10.1002/pssc.200674275  

    ISSN:1862-6351

  81. Characterization of free-standing GaN substrates prepared by self lift-off 査読有り

    S. W. Lee, H. Goto, T. Minegishi, W. H. Lee, J. S. Ha, H. J. Lee, Hyo-Jong Lee, S. H. Lee, T. Goto, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007 4 (7) 2617-+ 2007年

    DOI: 10.1002/pssc.200674783  

    ISSN:1862-6351

  82. Metal catalyst enhanced growth of high quality and density GaN dots on Si(111) by implant source growth 査読有り

    Ryan Buckmaster, Takenari Goto, Takashi Hanada, Katsushi Fujii, Takashi Kato, Takafumi Yao

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007 4 (7) 2314-+ 2007年

    DOI: 10.1002/pssc.200674896  

    ISSN:1862-6351

  83. Correlation between ZnO nanowire growth and the surface of AlN substrate 査読有り

    Sang Hyun Lee, In-Ho Im, Hyun Jung Lee, Zahra Vashaei, Takashi Hanada, Meoung-Whan Cho, Takafumi Yao

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN 6 (12) 2640-2642 2006年12月

    DOI: 10.1021/cg060435j  

    ISSN:1528-7483

    eISSN:1528-7505

  84. Structural properties of CrN buffers for GaN growth 査読有り

    W. H. Lee, I. H. Im, T. Minegishi, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao, D. C. Oh, C. S. Han, K. W. Koo, J. J. Kim, O. Sakata, K. Sumitani, S. J. Cho, H. Y. Lee, S. K. Hong, S. T. Kim

    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 49 (3) 928-933 2006年9月

    ISSN:0374-4884

  85. Anisotropic X-ray rocking curve due to a damaged surface layer in a freestanding GaN thick film 査読有り

    S. H. Park, J. H. Chang, D. C. Oh, T. Minegishi, W. H. Lee, H. Goto, H. Suzuki, G. Fujimoto, T. Hanada, T. Yao

    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 49 (3) 934-937 2006年9月

    ISSN:0374-4884

  86. Roles of kinetics and energetics in the growth of AlN by plasma-assisted molecular beam epitaxy 査読有り

    I. H. Im, T. Minegishi, T. Hanada, S. W. Lee, D. C. Oh, J. H. Chang, M. W. Cho, T. Yao

    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 49 (3) 908-912 2006年9月

    ISSN:0374-4884

  87. Origin of forward leakage current in GaN-based light-emitting devices 査読有り

    S. W. Lee, D. C. Oh, H. Goto, J. S. Ha, H. J. Lee, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao, S. K. Hong, H. Y. Lee, S. R. Cho, J. W. Choi, J. H. Choi, J. H. Jang, J. E. Shin, J. S. Lee

    APPLIED PHYSICS LETTERS 89 (13) 132117 2006年9月

    DOI: 10.1063/1.2357930  

    ISSN:0003-6951

  88. Slowdown in development of self-assembled InAs/GaAs(001) dots near the critical thickness 査読有り

    Takashi Hanada, Hirofumi Totsuka, Soon-Ku Hong, Kenji Godo, Kensuke Miyajima, Takenari Goto, Takafumi Yao

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 24 (4) 1886-1890 2006年7月

    DOI: 10.1116/1.2219756  

    ISSN:1071-1023

  89. Photoresponsivity of ZnO Schottky barrier diodes 査読有り

    D. C. Oh, T. Suzuki, T. Hanada, T. Yao, H. Makino, H. J. Ko

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 24 (3) 1595-1598 2006年5月

    DOI: 10.1116/1.2200378  

    ISSN:1071-1023

  90. Ordering of In and Ga in epitaxially grown In0.53Ga0.47As films on (001)InP substrates 査読有り

    Keesam Shin, Junghoon Yoo, Sungwook Joo, Takahiro Mori, Daisuke Shindo, Takashi Hanada, Hisao Makino, Meoungwhan Cho, Takafumi Yao, Young-Gil Park

    MATERIALS TRANSACTIONS 47 (4) 1115-1120 2006年4月

    DOI: 10.2320/matertrans.47.1115  

    ISSN:1345-9678

    eISSN:1347-5320

  91. Electrical properties of ZnO/GaN heterostructures and photo-responsvity of ZnO layers 査読有り

    D. C. Oh, T. Suzuki, H. Makino, T. Hanada, H. J. Ko, T. Yao

    Physica Status Solidi C: Conferences 3 (4) 946-951 2006年

    DOI: 10.1002/pssc.200564758  

    ISSN:1610-1634

  92. Low-Temperature Growth of AlN thin films on ZnO templates prepared on Al2O3 substrates 査読有り

    In-Ho Im, Jin-Sub Park, Tsutomu Minegishi, Seung-Hwan Park, Takashi Hanada, Ji-Ho Chang, Dong-Cheol Oh, Meung-Whan Cho, Takafumi Yao

    2006 CONFERENCE ON OPTOELECTRONIC AND MICROELECTRONIC MATERIALS & DEVICES 157-+ 2006年

    DOI: 10.1109/COMMAD.2006.4429904  

  93. Magnetic and crystalline properties of GaMnNAs and low-temperature annealing effect 査読有り

    Genki Kobayashi, Takahiro Mori, Takashi Kato, Katsushi Fujii, Takashi Hanada, Hisao Makino, Takafumi Yao

    2006 CONFERENCE ON OPTOELECTRONIC AND MICROELECTRONIC MATERIALS & DEVICES 154-+ 2006年

    DOI: 10.1109/COMMAD.2006.4429903  

  94. Electrical properties of ZnO/GaN heterostructures and photoresponsivity of ZnO layers 査読有り

    DC Oh, T Suzuki, H Makino, T Hanada, HJ Ko, T Yao

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 4 3 (4) 946-+ 2006年

    DOI: 10.1001/pssc.200564758  

    ISSN:1862-6351

  95. Observation of a filled electronic state in the conduction band of InN 査読有り

    J. J. Kim, H. Makino, K. Kobayashi, P. P. Chen, E. Ikenaga, M. Kobata, A. Takeuchi, M. Awaji, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6 3 (6) 1846-1849 2006年

    DOI: 10.1002/pssc.200565214  

    ISSN:1862-6351

  96. Capacitance-voltage characteristics of ZnO/GaN heterostructures 査読有り

    DC Oh, T Suzuki, JJ Kim, H Makino, T Hanada, T Yao, HJ Ko

    APPLIED PHYSICS LETTERS 87 (16) 162104-1-162104-3 2005年10月

    DOI: 10.1063/1.2108107  

    ISSN:0003-6951

  97. Experimental demonstration of Fano-type resonance in photoluminescence of ZnS : Mn/SiO2 one-dimensional photonic crystals 査読有り

    T Baba, H Makino, T Mori, T Hanada, T Yao, HY Lee

    APPLIED PHYSICS LETTERS 87 (17) 171106-1-171106-3 2005年10月

    DOI: 10.1063/1.2117611  

    ISSN:0003-6951

  98. Structural variation of cubic and hexagonal MgxZn1-xO layers grown on MgO(111)/c-sapphire 査読有り

    Z Vashaei, T Minegishi, H Suzuki, T Hanada, MW Cho, T Yao, A Setiawan

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 98 (5) 054911-1-054911-4 2005年9月

    DOI: 10.1063/1.2039273  

    ISSN:0021-8979

  99. Soft X-ray spectroscopy of diluted magnetic semiconductor Ga1-xMxN (M = Cr, Mn) 査読有り

    T Takeuchi, Y Harada, T Tokushima, Y Takata, A Chainani, JJ Kim, PP Chen, H Makino, T Hanada, T Yao, T Yamamoto, T Tsukamoto, K Kobayashi, S Shin

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA 144 707-710 2005年6月

    DOI: 10.1016/j.elspec.2005.01.130  

    ISSN:0368-2048

    eISSN:1873-2526

  100. Electronic structure of the Ga1-xCrxN studied by high-energy photoemission spectroscopy 査読有り

    JJ Kim, H Makino, T Yao, Y Takata, K Kobayashi, T Yamamoto, T Hanada, MW Cho, E Ikenaga, A Yabashi, D Miwa, Y Nishino, K Tamasaku, T Ishikawa, S Shin

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA 144 561-564 2005年6月

    DOI: 10.1016/j.elspec.2005.01.137  

    ISSN:0368-2048

    eISSN:1873-2526

  101. Electrical characterization for ZnO layers grown on GaN templates by molecular-beam epitaxy 査読有り

    DC Oh, T Suzuki, JJ Kim, H Makino, T Hanada, MW Cho, T Yao, JS Song, HJ Ko

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23 (3) 1281-1285 2005年5月

    DOI: 10.1116/1.1913673  

    ISSN:1071-1023

  102. Structure and magnetic properties of Cr-doped GaN 査読有り

    JJ Kim, H Makino, M Sakurai, DC Oh, T Hanada, MW Cho, T Yao, S Emura, K Kobayashi

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23 (3) 1308-1312 2005年5月

    DOI: 10.1116/1.1924468  

    ISSN:1071-1023

  103. GaNAs(001) surface phases under growing condition 査読有り

    T Mori, T Morimura, T Hanada, T Yao

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23 (3) 1341-1344 2005年5月

    DOI: 10.1116/1.1894416  

    ISSN:1071-1023

  104. Novel method for site-controlled surface nanodot fabrication by ion beam synthesis 査読有り

    R Buckmaster, T Hanada, Y Kawazoe, MW Cho, TF Yao, N Urushihara, A Yamamoto

    NANO LETTERS 5 (4) 771-776 2005年4月

    DOI: 10.1021/nl048044j  

    ISSN:1530-6984

  105. Formation and evolution of strain-induced self-assembled dot 査読有り

    T Hanada, T Yao

    MICROELECTRONICS JOURNAL 36 (3-6) 216-218 2005年3月

    DOI: 10.1016/j.mejo.2005.02.009  

    ISSN:0026-2692

  106. GaN nanodot fabrication by implant source growth 査読有り

    R Buckmaster, JH Yoo, K Shin, Y Yao, T Sekiguchi, M Yokoyama, T Hanada, T Goto, M Cho, Y Kawazoe, T Yao

    MICROELECTRONICS JOURNAL 36 (3-6) 456-459 2005年3月

    DOI: 10.1016/j.mejo.2005.02.046  

    ISSN:0026-2692

  107. Step-flow growth of high quality perovskite Prl(1-x)Sr(x)MnO(3-8) thin films by plasma MBE 査読有り

    G Liu, YH Feng, HM Wang, H Makino, T Hanada, T Yao

    ISTM/2005: 6th International Symposium on Test and Measurement, Vols 1-9, Conference Proceedings 2098-2100 2005年

  108. ZnO/GaN heteroepitaxy 査読有り

    KW Jang, DC Oh, T Minegishi, H Suzuki, T Hanada, H Makino, MW Cho, T Yao

    PROGRESS IN COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS IV-ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC APPLICATIONS 829 491-502 2005年

    ISSN:0272-9172

  109. Electron-trap centers in ZnO layers grown by molecular-beam epitaxy 査読有り

    DC Oh, T Suzuki, JJ Kim, H Makino, T Hanada, MW Cho, T Yao

    APPLIED PHYSICS LETTERS 86 (3) 032909-1-032909-3 2005年1月

    DOI: 10.1063/1.1849852  

    ISSN:0003-6951

  110. Characteristics of Schottky contacts to ZnO : N layers grown by molecular-beam epitaxy 査読有り

    DC Oh, JJ Kim, H Makino, T Hanada, MW Cho, T Yao, HJ Ko

    APPLIED PHYSICS LETTERS 86 (4) 042110-1-042110-3 2005年1月

    DOI: 10.1063/1.1854191  

    ISSN:0003-6951

  111. Fabrication of self-assembled nanodots at arbitrary locations by spatially controlled implant source growth 査読有り

    R Buckmaster, T Hanada, N Cho, Y Kawazoe, T Yao, N Urashihara, A Yamamoto

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS 184 17-20 2005年

    ISSN:0951-3248

  112. Control of crystal polarity of ZnO and GaN epitaxial layers by interfacial engineering 査読有り

    KW Jang, T Minegishi, T Suzuki, SK Hong, DC Oh, T Hanada, MW Cho, T Yao

    JOURNAL OF CERAMIC PROCESSING RESEARCH 6 (2) 167-183 2005年

    ISSN:1229-9162

  113. Deep-level-transient spectroscopy of heavily Al-doped ZnSe layers grown by molecular-beam epitaxy 査読有り

    DC Oh, T Takai, T Hanada, MW Cho, T Yao, JS Song, JH Chang, F Lu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 96 (12) 7332-7337 2004年12月

    DOI: 10.1063/1.1814170  

    ISSN:0021-8979

  114. Effect of growth interruption on the structural and optical properties of (100) InAs/InAlAs/InP nanostructures 査読有り

    BH Koo, CG Lee, JH Chang, T Hanada, H Makino, T Yao, YG Park, D Shindo

    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 45 S681-S684 2004年12月

    ISSN:0374-4884

  115. Electronic structure of Ga1-xCrxN investigated by photoemission spectroscopy 査読有り

    JJ Kim, H Makino, K Yamazaki, A Ino, H Namatame, M Taniguchi, T Hanada, MW Cho, T Yao

    CURRENT APPLIED PHYSICS 4 (6) 603-606 2004年11月

    DOI: 10.1016/j.cap.2004.01.028  

    ISSN:1567-1739

  116. Optical anisotropy and surface morphology of InGaAs lattice-mismatched with GaAS(001) 査読有り

    T Morimura, T Mori, MW Cho, T Hanada, T Yao

    CURRENT APPLIED PHYSICS 4 (6) 621-624 2004年11月

    DOI: 10.1016/j.cap.2004.01.034  

    ISSN:1567-1739

  117. Characterization of N-doped ZnO layers grown on (0001)GaN/Al2O3 substrates by molecular beam epitaxy 査読有り

    DC Oh, A Setiawan, JJ Kim, H Ko, H Makino, T Hanada, MW Cho, T Yao

    CURRENT APPLIED PHYSICS 4 (6) 625-629 2004年11月

    DOI: 10.1016/j.cap.2004.01.035  

    ISSN:1567-1739

  118. Optical anisotropy of GaNAs grown on GaAS(001) substrate 査読有り

    T Mori, T Hanada, T Morimura, MW Cho, T Yao

    CURRENT APPLIED PHYSICS 4 (6) 640-642 2004年11月

    DOI: 10.1016/j.cap.2004.01.033  

    ISSN:1567-1739

  119. Hybridization of Cr 3d-N 2p-Ga 4s in the wide band-gap diluted magnetic semiconductor Ga1-xCrxN [20] 査読有り

    J. J. Kim, H. Makino, K. Kobayashi, Y. Takata, T. Yamamoto, T. Hanada, M. W. Cho, E. Ikenaga, M. Yabashi, D. Miwa, Y. Nishino, K. Tamasaku, T. Ishikawa, S. Shin, T. Yao

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 70 (16) 1-4 2004年10月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.70.161315  

    ISSN:0163-1829

  120. Hybridization of Cr 3d–N 2p–Ga 4s in the wide band-gap diluted magnetic semiconductor Ga1-x Crx N 査読有り

    J. J. Kim, H. Makino, K. Kobayashi, Y. Takata, T. Yamamoto, T. Hanada, M. W. Cho, E. Ikenaga, M. Yabashi, D. Miwa, Y. Nishino, K. Tamasaku, T. Ishikawa, S. Shin, T. Yao

    Phys. Rev. B 70 (16) 161315(R)-1-161315(R)-4 2004年10月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.70.161315  

    ISSN:1098-0121

    eISSN:1550-235X

  121. Surface structure of InGaAs/InP(001) ordered alloy during and after growth 査読有り

    T Mori, T Hanada, T Morimura, K Shin, H Makino, T Yao

    APPLIED SURFACE SCIENCE 237 (1-4) 230-234 2004年10月

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.07.027  

    ISSN:0169-4332

  122. Ordering of In and Ga in epitaxially grown In0.5Ga0.5As film on InP studied by energy-filtered electron diffraction 査読有り

    Keesam Shin, Sungwwok Joo, Young-Gil Park, Takahiro Mori, Takashi Hanada, Daisuke Shindo, Hisao Makino, Meoungwhan Cho, Takafumi Yao

    Proc. of 8th Asia-Pacific Conf. on Electron Microsc. 550-551 2004年6月7日

  123. Investigation of radiative and nonradiative trap centers in ZnSe : Al layers grown by molecular beam epitaxy 査読有り

    DC Oh, H Makino, T Hanada, MW Cho, T Yao, JS Song, JH Chang, F Lu

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 22 (3) 1475-1478 2004年5月

    DOI: 10.1116/1.1755713  

    ISSN:1071-1023

  124. Reduction of stacking faults in the ZnSe/GaAs heterostructure with a low-temperature-grown ZnSe buffer layer 査読有り

    JS Song, DC Oh, H Makino, T Hanada, MW Cho, T Yao, YG Park, D Shindo, JH Chang

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 22 (2) 607-610 2004年3月

    DOI: 10.1116/1.1651555  

    ISSN:1071-1023

  125. Characteristics of deep levels in Al-doped ZnSe grown by molecular beam epitaxy 査読有り

    DC Oh, JS Song, JH Chang, T Takai, T Hanada, MW Cho, T Yao

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 6 (5-6) 567-571 2003年10月

    DOI: 10.1016/j.mssp.2003.07.017  

    ISSN:1369-8001

  126. High-energy photoemission spectroscopy of ferromagnetic Ga1-xMnxN 査読有り

    JJ Kim, H Makino, PP Chen, T Hanada, T Yao, K Kobayashi, M Yabashi, Y Takata, T Tokushima, D Miwa, K Tamasaku, T Ishikawa, S Shin, T Yamamoto

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 6 (5-6) 503-506 2003年10月

    DOI: 10.1016/j.mssp.2003.07.023  

    ISSN:1369-8001

  127. Realization of one-chip-two-wavelength light sources 査読有り

    JS Song, MW Cho, DC Oh, H Makino, T Hanada, BP Zhang, Y Segawa, HS Song, IS Cho, JH Chang, T Yao

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 6 (5-6) 561-565 2003年10月

    DOI: 10.1016/j.mssp.2003.05.001  

    ISSN:1369-8001

  128. Measurements of a component of the piezo-optic tensor of Si by reflectance difference spectroscopy 査読有り

    T Mori, N Kumagai, T Hanada, T Yao, T Yasuda

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 94 (3) 1458-1460 2003年8月

    DOI: 10.1063/1.1586965  

    ISSN:0021-8979

  129. Realization of one-chip-multiple-wavelength laser diodes with II-VI/III-V compound semiconductors 査読有り

    JS Song, MW Cho, DC Oh, H Makino, T Hanada, T Yao, BP Zhang, Y Segawa, JH Chang, HS Song, IS Cho, HW Kim, JJ Jung

    APPLIED PHYSICS LETTERS 82 (23) 4095-4097 2003年6月

    DOI: 10.1063/1.1578178  

    ISSN:0003-6951

  130. MBE growth and characterization of A-site deficient, low-field magnetoresistance (Pr1-xSrx)yMnO3-δ oriented thin films 査読有り

    LIU G.J, FENG Y.H, WANG H.M, MAKINO H, HANADA T, YAO T

    Journal of Crystal Growth 251 (1-4) 619-622 2003年4月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(02)02202-9  

    ISSN:0022-0248

    eISSN:1873-5002

  131. Optimization of ZnSe growth on miscut GaAs substrates by molecular beam epitaxy 査読有り

    JS Song, JH Chang, DC Oh, JJ Kim, MW Cho, H Makino, T Hanada, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 249 (1-2) 128-143 2003年2月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(02)02129-2  

    ISSN:0022-0248

  132. Molecular beam epitaxial growth of InAs quantum dots on (100) InAlAs/InP emitting at near infrared wavelength 査読有り

    BH Koo, JH Chang, H Makino, T Hanada, T Yao, YG Park, D Shindo, JH Lee, CG Lee, YD Kim

    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 42 S246-S249 2003年2月

    ISSN:0374-4884

  133. Growth and characterization of Ga1-xCrxN with high Cr content grown on ZnO templates 査読有り

    J. J. Kim, H. Makino, P. P. Chen, T. Suzuki, D. C. Oh, H. J. Ko, J. H. Chang, T. Hanada, T. Yao

    Physica Status Solidi C: Conferences (7) 2869-2873 2003年

    DOI: 10.1002/pssc.200303281  

    ISSN:1610-1634

  134. Formation and optical properties of Cr-doped CdTe/ZnTe nanostructures on ZnTe substrates by molecular beam epitaxy 査読有り

    K Godo, JH Chang, H Makino, T Hanada, H Goto, T Yao, T Goto

    2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS 0 (4) 1242-1245 2003年

    DOI: 10.1002/pssc.200303058  

  135. Growth and characterization of Ga1-xCrxN with high Cr content grown on ZnO templates 査読有り

    JJ Kim, H Makino, PP Chen, T Suzuki, DC Oh, HJ Ko, JH Chang, T Hanada, T Yao

    5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS 0 (7) 2869-2873 2003年

    DOI: 10.1002/pssc.200303281  

    ISSN:1862-6351

  136. Erratum: Atomic structure of the GaAs(001)-(2×4) surface under As flux (Physical Review B-Condensed Matter and Materials Physics (2002) 65 (165315))

    Akihiro Ohtake, Masashi Ozeki, Tetsuji Yasuda, Takashi Hanada

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 66 (20) 2099021 2002年11月15日

    ISSN:0163-1829

  137. Formation processes of CdTe quantum dots on ZnTe substrates studied by reflection high-energy electron diffraction and photoluminescence 査読有り

    K Godo, JH Chang, H Makino, T Takai, T Hanada, T Yao, T Sasao, T Goto

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 92 (9) 5490-5493 2002年11月

    DOI: 10.1063/1.1513888  

    ISSN:0021-8979

  138. Correlation of surface chemistry of GaAs substrates with growth mode and stacking fault density in ZnSe epilayers 査読有り

    SK Hong, JH Chang, T Hanada, E Kurtz, M Oku, T Yao

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 20 (6) 1948-1954 2002年11月

    DOI: 10.1116/1.1513645  

    ISSN:0734-2101

  139. Improvement in crystallinity of ZnSe by inserting a low-temperature buffer layer between the ZnSe epilayer and the GaAs substrate 査読有り

    JS Song, JH Chang, SK Hong, MW Cho, H Makino, T Hanada, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 242 (1-2) 95-103 2002年7月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(02)01355-6  

    ISSN:0022-0248

  140. Determination of carrier concentration in n-ZnSe by reflectance difference spectroscopy: Experimental results and model calculation 査読有り

    N Kumagai, T Hanada, T Yao, T Yasuda

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 92 (1) 139-143 2002年7月

    DOI: 10.1063/1.1483917  

    ISSN:0021-8979

  141. Molecular beam epitaxy growth and characterization of self-assembled InAs quantum dots on (100) InAlAs/InP substrates 査読有り

    BH Koo, YG Park, H Makino, JH Chang, T Hanada, D Shindo, T Yao

    APPLIED SURFACE SCIENCE 190 (1-4) 226-230 2002年5月

    DOI: 10.1016/S0169-4332(01)00876-5  

    ISSN:0169-4332

  142. X-ray diffraction characterization of MBE grown Pr1-xSrxMnO3 thin films on NGO(110) 査読有り

    G Liu, H Wang, H Makino, HJ Ko, T Hanada, T Yao

    APPLIED SURFACE SCIENCE 190 (1-4) 408-415 2002年5月

    DOI: 10.1016/S0169-4332(01)00906-0  

    ISSN:0169-4332

    eISSN:1873-5584

  143. Control of polarity of heteroepitaxial ZnO films by interface engineering 査読有り

    SK Hong, T Hanada, YF Chen, HJ Ko, T Yao, D Imai, K Araki, M Shinohara

    APPLIED SURFACE SCIENCE 190 (1-4) 491-497 2002年5月

    DOI: 10.1016/S0169-4332(01)00924-2  

    ISSN:0169-4332

  144. Atomic structure of the GaAs(001)-(2 × 4) surface under As flux

    Akihiro Ohtake, Masashi Ozeki, Tetsuji Yasuda, Takashi Hanada

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 65 (16) 1653151-16531510 2002年4月15日

    ISSN:0163-1829

  145. Atomic structure of the GaAs(001)-(2x4) surface under As flux 査読有り

    A Ohtake, M Ozeki, T Yasuda, T Hanada

    PHYSICAL REVIEW B 65 (16) 165315-1-165315-10 2002年4月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.65.165315  

    ISSN:1098-0121

  146. Control of crystal polarity in a wurtzite crystal: ZnO films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on GaN 査読有り

    SK Hong, T Hanada, HJ Ko, YF Chen, T Yao, D Imai, K Araki, M Shinohara, K Saitoh, M Terauchi

    PHYSICAL REVIEW B 65 (11) 115331-1-115331-10 2002年3月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.65.115331  

    ISSN:2469-9950

    eISSN:2469-9969

  147. Control of crystal polarity in a wurtzite crystal: ZnO films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on GaN 査読有り

    Soon-Ku Hong, Takashi Hanada, Hang-Ju Ko, Yefan Chen, Takafumi Yao, Daisuke Imai, Kiyoaki Araki, Makoto Shinohara, Koh Saitoh, Masami Terauchi

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 65 (11) 1-10 2002年

    DOI: 10.1103/PhysRevB.65.115331  

    ISSN:1550-235X 1098-0121

  148. Measurements of the linear electro-optic coefficients of ZnTe by RDS 査読有り

    T Mori, N Kumagai, T Yasuda, T Takai, JH Chang, T Hanada, T Yao

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 229 (1) 605-609 2002年1月

    DOI: 10.1002/1521-3951(200201)229:1<605::AID-PSSB605>3.0.CO;2-S  

    ISSN:0370-1972

  149. Molecular beam epitaxy of Al doped n-ZnSe 査読有り

    T Takai, JH Chang, K Godo, T Hanada, T Yao

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 229 (1) 381-384 2002年1月

    DOI: 10.1002/1521-3951(200201)229:1<381::AID-PSSB381>3.0.CO;2-O  

    ISSN:0370-1972

  150. ZnTe-based light-emitting-diodes grown on ZnTe substrates by molecular beam epitaxy 査読有り

    JH Chang, T Takai, K Godo, JS Song, BH Koo, T Hanada, T Yao

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 229 (2) 995-999 2002年1月

    DOI: 10.1002/1521-3951(200201)229:2<995::AID-PSSB995>3.0.CO;2-G  

    ISSN:0370-1972

  151. Effect of lattice mismatch on surface morphology of InAs quantum dots on (100) In1-xAlxAs/InP 査読有り

    BH Koo, T Hanada, H Makino, T Yao

    APPLIED PHYSICS LETTERS 79 (26) 4331-4333 2001年12月

    DOI: 10.1063/1.1428763  

    ISSN:0003-6951

  152. Anisotropic shape of self-assembled InAs quantum dots: Refraction effect on spot shape of reflection high-energy electron diffraction 査読有り

    T Hanada, BH Koo, H Totsuka, T Yao

    PHYSICAL REVIEW B 64 (16) 165307-1-165307-6 2001年10月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.64.165307  

    ISSN:1098-0121

    eISSN:1550-235X

  153. Structural and optical properties of InAs quantum dots with 1.55 mu m emission grown on (100) InAlAs/InP by using MBE 査読有り

    BH Koo, H Makino, JH Chang, T Hanada, T Yao

    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 39 (3) 466-468 2001年9月

    ISSN:0374-4884

  154. Aluminum-doped n-type ZnTe layers grown by molecular-beam epitaxy 査読有り

    JH Chang, T Takai, BH Koo, JS Song, T Handa, T Yao

    APPLIED PHYSICS LETTERS 79 (6) 785-787 2001年8月

    DOI: 10.1063/1.1390481  

    ISSN:0003-6951

  155. Surface structures of GaAs{111}A,B-(2 × 2)

    A. Ohtake, J. Nakamura, T. Komura, T. Hanada, T. Yao, H. Kuramochi, M. Ozeki

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 64 (4) 453181-453188 2001年7月15日

    ISSN:0163-1829

  156. Structural characteristics and magnetic properties of λ-MnO2 films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 査読有り

    L. W. Guo, D. L. Peng, H. Makino, T. Hanada, S. K. Hong, K. Sumiyama, T. Yao, K. Inaba

    J. Appl. Phys. 90 (1) 351-354 2001年7月

    DOI: 10.1063/1.1377303  

    ISSN:0021-8979

  157. Growth of PrSrMnO3-like thin films on NGO (110) substrates by plasma assisted MBE 査読有り

    G Liu, H Wang, H Makino, HJ Ko, T Hanada, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 227 960-965 2001年7月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(01)00959-9  

    ISSN:0022-0248

    eISSN:1873-5002

  158. Structural characteristic and magnetic properties of Mn oxide films grown by plasma-assisted MBE 査読有り

    LW Guo, H Makino, HJ Ko, YF Chen, T Hanada, DL Peng, K Inaba, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 227 955-959 2001年7月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(01)00936-8  

    ISSN:0022-0248

  159. Growth and characterization of ZnSe/BeTe superlattices 査読有り

    JS Song, JH Chang, MW Cho, T Hanada, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 229 (1) 104-108 2001年7月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(01)01102-2  

    ISSN:0022-0248

  160. ZnO epilayers on GaN templates: Polarity control and valence-band offset 査読有り

    SK Hong, T Hanada, H Makino, HJ Ko, YF Chen, T Yao, A Tanaka, H Sasaki, S Sato, D Imai, K Araki, M Shinohara

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 19 (4) 1429-1433 2001年7月

    DOI: 10.1116/1.1374630  

    ISSN:1071-1023

  161. Surface structures of GaAs{111}A,B-(2X2) 査読有り

    A Ohtake, J Nakamura, T Komura, T Hanada, T Yao, H Kuramochi, M Ozeki

    PHYSICAL REVIEW B 64 (4) 045318-1-045318-8 2001年7月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.64.045318  

    ISSN:1098-0121

    eISSN:1550-235X

  162. RHEED Investigation of the Formation Process of InAs Quantum Dots on (100) InAlAs/InP for Application to Photonic Devices in the 1.55μm Range 査読有り

    Koo Bon Heun, Hanada Takashi, Makino Hisao, Chang Ji Ho, Yao Takafumi

    Journal of Crystal Growth 229 (1) 142-146 2001年7月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(01)01109-5  

    ISSN:0022-0248

  163. ZnO and related materials: Plasma-assisted molecular beam epitaxial growth, characterization, and application 査読有り

    SK Hong, Y Chen, HJ Ko, H Wenisch, T Hanada, T Yao

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 30 (6) 647-658 2001年6月

    DOI: 10.1007/BF02665850  

    ISSN:0361-5235

  164. Band alignment at a ZnO/GaN (0001) heterointerface 査読有り

    SK Hong, T Hanada, H Makino, YF Chen, HJ Ko, T Yao, A Tanaka, H Sasaki, S Sato

    APPLIED PHYSICS LETTERS 78 (21) 3349-3351 2001年5月

    DOI: 10.1063/1.1372339  

    ISSN:0003-6951

  165. Strain relaxation of self-assembled InAs/GaAs(001) quantum dots observed by reflection high-energy electron diffraction 査読有り

    T Hanada, H Totsuka, T Yao

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 40 (3B) 1878-1881 2001年3月

    DOI: 10.1143/JJAP.40.1878  

    ISSN:0021-4922

  166. Surface structures of (formula presented) 査読有り

    Akihiro Ohtake, Jun Nakamura, Takuji Komura, Takashi Hanada, Takafumi Yao, Hiromi Kuramochi, Masashi Ozeki

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 64 (4) 2001年

    DOI: 10.1103/PhysRevB.64.045318  

    ISSN:1550-235X 1098-0121

  167. Low stacking-fault density in ZnSe epilayers directly grown on epi-ready GaAs substrates without GaAs buffer layers 査読有り

    SK Hong, E Kurtz, JH Chang, T Hanada, M Oku, T Yao

    APPLIED PHYSICS LETTERS 78 (2) 165-167 2001年1月

    DOI: 10.1063/1.1339262  

    ISSN:0003-6951

  168. Growth of Self-Assembled InAs Quantum Dots on(100)InAlAs/InP by Molecular Beam Epitaxy 査読有り

    B. H. Koo, T. Hanada, H. Makino, Y. G. Park, D. Shindo, T. Yao

    Proc. 6th Int. Symp. Advanced Physical Fields 387-391 2001年

  169. Structural and Optical Properties of MBE Grown InAs Quantum Dots on (100) InAlAs/InP with 1.55 mm Emission 査読有り

    B. H. Koo, H. Makino, J. H. Chang, T. Hanada, T. Yao

    J. Korean Phys. Soc. 39 466-468 2001年

  170. Strain- and field-induced optical anisotropies of GaAs measured by RDS 査読有り

    N Kumagai, T Yasuda, T Hanada, T Yao

    PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II 87 109-110 2001年

    ISSN:0930-8989

  171. Control of polarity of ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy: Growth of Zn- and O-polar ZnO films on Ga-polar GaN epilayers 査読有り

    SK Hong, T Hanada, HJ Ko, Y Chen, T Yao, D Imai, K Araki, M Shinohara

    PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II 87 1507-1508 2001年

    ISSN:0930-8989

  172. Control of polarity of ZnO films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Zn- and O-polar ZnO films on Ga-polar GaN templates 査読有り

    SK Hong, T Hanada, HJ Ko, Y Chen, T Yao, D Imai, K Araki, M Shinohara

    APPLIED PHYSICS LETTERS 77 (22) 3571-3573 2000年11月

    DOI: 10.1063/1.1329865  

    ISSN:0003-6951

  173. Growth of GaN Single Crystals from a Na-Ga Melt at 750℃ and 5 MPa of N[2] 査読有り

    Aoki Masato, Yamane Hisanori, Shimada Masahiko, Sekiguchi Takashi, Hanada Takashi, Yao Takafumi, Sarayama Seiji, DiSalvo Francis J

    Journal of Crystal Growth 218 (1) 7-12 2000年9月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00518-2  

    ISSN:0022-0248

  174. Adsorption Processes of Se on the GaAs(111)A-(2ラ2)Surface 査読有り

    Ohtake Akihiro, Komura Takuji, Hanada Takashi, Miwa Shiro, Yasuda Tetsuji, Yao Takafumi

    Applied Surface Science 162 419-424 2000年8月

    DOI: 10.1016/S0169-4332(00)00226-9  

    ISSN:0169-4332

  175. Structural and optical properties of high-quality ZnTe homoepitaxial layers 査読有り

    JH Chang, MW Cho, HM Wang, H Wenisch, T Hanada, T Yao, K Sato, O Oda

    APPLIED PHYSICS LETTERS 77 (9) 1256-1258 2000年8月

    DOI: 10.1063/1.1290155  

    ISSN:0003-6951

  176. ZnO/GaN heterointerfaces and ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) GaN/Al2O3 査読有り

    SK Hong, HJ Ko, Y Chen, T Hanada, T Yao

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 18 (4) 2313-2321 2000年7月

    DOI: 10.1116/1.1303809  

    ISSN:1071-1023

  177. Control and characterization of ZnO/GaN heterointerfaces in plasma-assisted MBE-grown ZnO films on GaN/Al2O3 査読有り

    SK Hong, HJ Ko, YF Chen, T Hanada, T Yao

    APPLIED SURFACE SCIENCE 159 441-448 2000年6月

    DOI: 10.1016/S0169-4332(00)00053-2  

    ISSN:0169-4332

  178. Evolution of initial layers of plasma-assisted MBE grown ZnO on (0001)GaN/sapphire 査読有り

    SK Hong, HJ Ko, YF Chen, T Hanada, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 214 81-86 2000年6月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00070-1  

    ISSN:0022-0248

  179. In situ measurement of carrier concentration in n-ZnSe by reflectance difference spectroscopy (RDS) 査読有り

    N Kumagai, T Yasuda, T Hanada, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 214 547-551 2000年6月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00149-4  

    ISSN:0022-0248

  180. Self-organized formation processes of CdSe quantum dots studied by reflection high-energy electron diffraction 査読有り

    K Arai, T Hanada, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 214 703-706 2000年6月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00185-8  

    ISSN:0022-0248

  181. Optical properties of ZnMgSeTe quaternary alloys grown on ZnTe substrates by molecular-beam epitaxy 査読有り

    JH Chang, HM Wang, MW Cho, H Makino, H Hanada, T Yao, K Shim, H Rabitz

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 18 (3) 1530-1533 2000年5月

    DOI: 10.1116/1.591420  

    ISSN:1071-1023

  182. The effect of magnesium oxide buffer on the epitaxial growth of zinc oxide on sapphire 査読有り

    YF Chen, HJ Ko, SK Hong, T Hanada, T Yao, Y Segawa

    RECENT DEVELOPMENTS IN OXIDE AND METAL EPITAXY-THEORY AND EXPERIMENT 619 123-128 2000年

    ISSN:0272-9172

  183. Surface reconstruction and crystal structure of MgSe films grown on ZnTe substrates by MBE 査読有り

    HM Wang, JH Chang, T Hanada, K Arai, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 208 (1-4) 253-258 2000年1月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00451-0  

    ISSN:0022-0248

  184. Effects of a low-temperature buffer layer on structural properties of ZnO epilayers grown on (111)CaF2 by two-step MBE 査読有り

    HJ Ko, YF Chen, Z Zhu, T Hanada, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 208 (1-4) 389-394 2000年1月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00510-2  

    ISSN:0022-0248

  185. Observation of bulk Bragg-reflection using reflection high-energy electron diffraction on Mn3O4-like films grown on MgO (001) by molecular beam epitaxy 査読有り

    LW Guo, T Hanada, HJ Ko, YF Chen, H Makino, T Yao

    SURFACE SCIENCE 445 (2-3) 151-158 2000年1月

    DOI: 10.1016/S0039-6028(99)01018-3  

    ISSN:0039-6028

  186. Self-assembled formation of ZnCdSe quantum dots on atomically smooth ZnSe surfaces on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 査読有り

    K Arai, A Ohtake, T Hanada, S Miwa, T Yasuda, Y Yao

    THIN SOLID FILMS 357 (1) 1-7 1999年12月

    DOI: 10.1016/S0040-6090(99)00464-2  

    ISSN:0040-6090

  187. Two-step MBE growth of ZnO layers on electron beam exposed (111)CaF2 査読有り

    HJ Ko, YF Chen, JM Ko, T Hanada, Z Zhu, T Fukuda, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 207 (1-2) 87-94 1999年11月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00345-0  

    ISSN:0022-0248

  188. Real-time analysis of adsorption processes of Zn on the GaAs(001)-(2 x 4) surface 査読有り

    A Ohtake, T Yasuda, T Hanada, T Yao

    PHYSICAL REVIEW B 60 (12) 8713-8718 1999年9月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.60.8713  

    ISSN:1098-0121

    eISSN:1550-235X

  189. Structure and composition of the ZnSe(001) surface during atomic-layer epitaxy 査読有り

    A Ohtake, T Hanada, T Yasuda, K Arai, T Yao

    PHYSICAL REVIEW B 60 (11) 8326-8332 1999年9月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.60.8326  

    ISSN:1098-0121

    eISSN:1550-235X

  190. In situ observation of strain-induced optical anisotropy of ZnSxSe1-x/GaAs(110) during molecular-beam epitaxy 査読有り

    T Hanada, T Yasuda, A Ohtake, K Hingerl, S Miwa, K Arai, T Yao

    PHYSICAL REVIEW B 60 (12) 8909-8914 1999年9月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.60.8909  

    ISSN:1098-0121

    eISSN:1550-235X

  191. Adsorption of Zn on the GaAs(001)-(2ラ4) Surface 査読有り

    Ohtake Akihiro, Hanada Takashi, Yasuda Tetsuji, Yao Takafumi

    Applied Physics Letters 74 (20) 2975-2977 1999年5月

    DOI: 10.1063/1.123984  

    ISSN:0003-6951

  192. Atomic layer epitaxy processes of ZnSe on GaAs(001) as observed by beam-rocking reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and total-reflection-angle X-ray spectroscopy (TRAXS) 査読有り

    A Ohtake, T Hanada, K Arai, T Komura, S Miwa, K Kimura, T Yasuda, CG Jin, TF Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 201 490-493 1999年5月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01383-9  

    ISSN:0022-0248

  193. Structure of Se-Adsorbed GaAs(111)A-(2$sqrt3x2$sqrt3)-R30ー Surface 査読有り

    Ohtake Akihiro, Komura Takuji, Hanada Takashi, Miwa Shiro, Yasuda Tetsuji, Arai Kenta, Yao Takafumi

    Physical Review B 59 (12) 8032-8036 1999年3月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.59.8032  

    ISSN:1098-0121

    eISSN:1550-235X

  194. X-ray reflectivity from ZnSe/GaAs heterostructures 査読有り

    A Ulyanenkov, A Takase, M Kuribayashi, K Ishida, A Ohtake, K Arai, T Hanada, T Yasuda, T Yao

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 85 (3) 1520-1523 1999年2月

    DOI: 10.1063/1.369281  

    ISSN:0021-8979

  195. Characterization and control of ZnSe/GaAs heterovalent interfaces in molecular-beam epitaxy 招待有り 査読有り

    T Hanada, T Yasuda, A Ohtake, S Miwa, T Yao

    LATTICE MISMATCHED THIN FILMS 81-86 1999年

  196. In situ determination of in-plane strain anisotropy in ZnSe(001)/GaAs layers using reflectance difference spectroscopy 査読有り

    K Hingerl, T Yasuda, T Hanada, S Miwa, K Kimura, A Ohtake, T Yao

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 16 (4) 2342-2349 1998年7月

    DOI: 10.1116/1.590172  

    ISSN:1071-1023

  197. The effect of surface modification on the formation of quantum structures in highly mismatched heterostructures: InAs on GaAs(100) 査読有り

    H Totsuka, E Kurtz, T Hanada, Z Zhu, T Yao

    APPLIED SURFACE SCIENCE 130 742-746 1998年6月

    DOI: 10.1016/S0169-4332(98)00147-0  

    ISSN:0169-4332

  198. Properties of self-organized CdSe quantum dots on an atomically flat (111)A ZnSe surface 査読有り

    E Kurtz, HD Jung, T Hanada, Z Zhu, T Yao

    APPLIED SURFACE SCIENCE 130 755-759 1998年6月

    DOI: 10.1016/S0169-4332(98)00149-4  

    ISSN:0169-4332

  199. Scanning tunneling microscopy study of the initial reaction of SiH(2)Cl(2) molecules with the Si(111)-7x7 surface 査読有り

    T Komura, S Okano, K Morikawa, T Hanada, M Yoshimura, T Yao

    APPLIED SURFACE SCIENCE 130 23-28 1998年6月

    DOI: 10.1016/S0169-4332(98)00019-1  

    ISSN:0169-4332

  200. Nitridation processes on GaAs(001) surfaces: Optical, structural, and chemical analysis 査読有り

    HD Jung, N Kumagai, T Hanada, Z Zhu, T Yao, T Yasuda, K Kimura

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 83 (10) 5497-5503 1998年5月

    DOI: 10.1063/1.367409  

    ISSN:0021-8979

    eISSN:1089-7550

  201. Growth of ZnSe on GaAs(1 1 0) surfaces by molecular beam epitaxy 査読有り

    KW Koh, MW Cho, Z Zhu, T Hanada, KH Yoo, M Isshiki, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 186 (4) 528-534 1998年4月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00831-2  

    ISSN:0022-0248

  202. Growth of ZnSe on GaAs(1 1 0) surfaces by molecular beam epitaxy 査読有り

    KW Koh, MW Cho, Z Zhu, T Hanada, KH Yoo, M Isshiki, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 186 (4) 528-534 1998年4月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(98)80291-1  

    ISSN:0022-0248

  203. Self-organized CdSe/ZnSe quantum dots on a ZnSe(111)A surface 査読有り

    E Kurtz, HD Jung, T Hanada, Z Zhu, T Sekiguchi, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 184 242-247 1998年2月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(98)80052-3  

    ISSN:0022-0248

  204. Non-destructive measurement of electron concentration in n-ZnSe by means of reflectance difference spectroscopy 査読有り

    N Kumagai, HD Jung, T Hanada, Z Zhu, T Yasuda, K Kimura, SD Lee, MH Jeon, HS Park, TI Kim, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 184 505-509 1998年2月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(98)80105-X  

    ISSN:0022-0248

  205. Investigation of the surfactant effect of Sn in ZnSe by reflectance difference spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction 査読有り

    HD Jung, N Kumagai, T Hanada, E Kurtz, Z Zhu, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 184 223-227 1998年2月

    DOI: 10.1016/S0022-0248(98)80049-3  

    ISSN:0022-0248

  206. In situ reflectance difference spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction observation of nitridation processes on GaAs(001) surfaces 査読有り

    HD Jung, N Kumagai, T Hanada, Z Zhu, T Yao, T Yasuda, K Kimura

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 82 (9) 4684-4686 1997年11月

    DOI: 10.1063/1.366209  

    ISSN:0021-8979

    eISSN:1089-7550

  207. Photoelectron diffraction of the Si(111)-(3×3)R30゜-Ga surface : Local atomic structure and vibrational correlation 査読有り

    T. Hanada, H. Daimon, S. Nagano, S. Ino, S. Suga, Y. Murata

    Physical Review B 55 (24) 16420-16425 1997年6月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.55.16420  

    ISSN:0163-1829

  208. Photoelectron diffraction of the Si(111)-×)R30°-Ga surface: Local atomic structureand vibrational correlation 査読有り

    T. Hanada, H. Daimon

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 55 (24) 16420-16425 1997年

    DOI: 10.1103/PhysRevB.55.16420  

    ISSN:1550-235X 1098-0121

  209. Growth and photoluminescence properties of self-organized CdSe quantum dots on a (111)A ZnSe surface 査読有り

    Kurtz, E., Jung, H.D., Hanada, T., Zhu, Z., Sekiguchi, T., Yao, T.

    Molecular Crystals and Liquid Crystals Science and Technology Section B: Nonlinear Optics 18 (2-4) 93-98 1997年

  210. ELECTRON STANDING-WAVE AT A SURFACE DURING REFLECTION HIGH-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION AND ADATOM HEIGHT DETERMINATION 査読有り

    T YAMANAKA, T HANADA, S INO

    PHYSICAL REVIEW LETTERS 75 (4) 669-672 1995年7月

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.75.669  

    ISSN:0031-9007

  211. Rocking-curve analysis of reflection high-energy electron diffraction from the Si(111)-(3×3)R30°-Al, -Ga, and -In surfaces 査読有り

    T. Hanada, H. Daimon, S. Ino

    Physical Review B 51 (19) 13320-13325 1995年5月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.51.13320  

    ISSN:0163-1829

  212. In-situ Observation of Undevelopment Patterns in Atomic Force Microscope Liothography 査読有り

    Takao Shiokawa, Yoshinobu Aoyagi, Takashi Hanada, Takuo Sugano, Masatsugu Shigeno

    Journal of Photopolymer Science and Technology 8 (4) 677-678 1995年

    DOI: 10.2494/photopolymer.8.677  

    ISSN:1349-6336 0914-9244

  213. LAYER CONTROLLED GROWTH OF OXIDE SUPERCONDUCTORS 査読有り

    M KAWAI, ZY LIU, T HANADA, M KATAYAMA, M AONO, CF MCCONVILLE

    APPLIED SURFACE SCIENCE 82-3 487-493 1994年12月

    DOI: 10.1016/0169-4332(94)90263-1  

    ISSN:0169-4332

  214. ATOMIC LAYER CONTROL IN SR-CU-O ARTIFICIAL LATTICE GROWTH 査読有り

    ZY LIU, T HANADA, R SEKINE, M KAWAI, H KOINUMA

    APPLIED PHYSICS LETTERS 65 (13) 1717-1719 1994年9月

    DOI: 10.1063/1.112896  

    ISSN:0003-6951

  215. SURFACE-REACTIONS AT THE CONTROLLED STRUCTURE OF SRTIO3(001) 査読有り

    M KUDO, T HIKITA, T HANADA, R SEKINE, M KAWAI

    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 22 (1-12) 412-416 1994年7月

    DOI: 10.1002/sia.740220189  

    ISSN:0142-2421

  216. Study of the Si(111)7×7 surface by RHEED rocking curve analysis 査読有り

    T. Hanada, S. Ino, H. Daimon

    Surface Science 313 (1-2) 143-154 1994年6月

    DOI: 10.1016/0039-6028(94)91162-2  

    ISSN:0039-6028

  217. SURFACE-STRUCTURE OF SRTIO3(001) WITH VARIOUS SURFACE TREATMENTS 査読有り

    T HIKITA, T HANADA, M KUDO, M KAWAI

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 11 (5) 2649-2654 1993年9月

    DOI: 10.1116/1.578620  

    ISSN:0734-2101

  218. STRUCTURE AND ELECTRONIC STATE OF THE TIO2 AND SRO TERMINATED SRTIO3(100) SURFACES 査読有り

    T HIKITA, T HANADA, M KUDO, M KAWAI

    SURFACE SCIENCE 287 377-381 1993年5月

    DOI: 10.1016/0039-6028(93)90806-U  

    ISSN:0039-6028

  219. GLANCING ANGLE DEPENDENCE OF THE X-RAY-EMISSION MEASURED UNDER TOTAL REFLECTION ANGLE X-RAY SPECTROSCOPY (TRAXS) CONDITION DURING REFLECTION HIGH-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION OBSERVATION 査読有り

    T YAMANAKA, T HANADA, S INO, H DAIMON

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 31 (10B) L1503-L1505 1992年10月

    ISSN:0021-4922

  220. MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF SUPERCONDUCTING BA2DYCU3O6.5 THIN-FILMS AT 420-DEGREES-C USING NO2 AS AN OXIDANT 査読有り

    K NORIMOTO, R SEKINE, M MORI, T HANADA, M KUDO, M KAWAI

    APPLIED PHYSICS LETTERS 61 (16) 1971-1973 1992年10月

    DOI: 10.1063/1.108333  

    ISSN:0003-6951

  221. REACTION BETWEEN COPPER DIPIVALOYLMETHANATE CU(DPM)2 AND H2O ADSORBED ON SRTIO3(100) 査読有り

    T HIKITA, R SEKINE, T HANADA, M KAWAI

    SURFACE SCIENCE 262 (3) L139-L143 1992年2月

    DOI: 10.1016/0039-6028(92)90123-N  

    ISSN:0039-6028

  222. Glancing angle dependence of the x-ray emission measured under total reflection angle x-ray spectroscopy (Traxs) condition during reflection high energy electron diffraction observation 査読有り

    Toshiro Yamanaka, Shozo Ino, Takashi Hanada, Hiroshi Daimon

    Japanese Journal of Applied Physics 31 (10) L1503-L1505 1992年

    DOI: 10.1143/JJAP.31.L1503  

    ISSN:1347-4065 0021-4922

  223. ULTRA THIN-FILM OF BI CUPRATE GROWN BY A LOW-TEMPERATURE MOLECULAR-BEAM EPITAXY 査読有り

    M KAWAI, A YANASE, ZY LIU, M MORI, S WATANABE, T HANADA

    PHYSICA C 185 2057-2058 1991年12月

    DOI: 10.1016/0921-4534(91)91153-U  

    ISSN:0921-4534

  224. STRUCTURE AND GROWTH-MECHANISM OF ULTRATHIN FILMS OF BI CUPRATES GROWN BY LOW-TEMPERATURE MBE 査読有り

    M KAWAI, T HANADA, M KUDO, N ISHIZAWA, T GODA, S TERATANI

    PHYSICA C 190 (1-2) 27-30 1991年12月

    DOI: 10.1016/S0921-4534(05)80188-1  

    ISSN:0921-4534

  225. SELECTIVE SURFACE-REACTION BETWEEN METAL-COMPOUNDS AND SURFACE FUNCTIONAL-GROUPS 査読有り

    T HIKITA, R SEKINE, T HANADA, M KAWAI

    PHYSICA C 190 (1-2) 148-150 1991年12月

    DOI: 10.1016/S0921-4534(05)80232-1  

    ISSN:0921-4534

  226. MOLECULAR-BEAM EPITAXY OF BI2SR2CUOX AND BI2SR2CA0.85SR0.15CU2OX ULTRA THIN-FILMS AT 300-DEGREES-C 査読有り

    M KAWAI, S WATANABE, T HANADA

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 112 (4) 745-752 1991年7月

    DOI: 10.1016/0022-0248(91)90131-N  

    ISSN:0022-0248

  227. STUDY OF SUCCESSIVE PHASE-TRANSITIONS OF THE SI(001)-BI SURFACE BY RHEED 査読有り

    T HANADA, M KAWAI

    SURFACE SCIENCE 242 (1-3) 137-142 1991年2月

    DOI: 10.1016/0039-6028(91)90255-Q  

    ISSN:0039-6028

  228. THE REACTION OF COPPER AND CALCIUM DIPIVALOYLMETHANATES (CU(DPM)2 AND CA(DPM)2) WITH HYDROXYLS ON OXIDE SURFACE 査読有り

    R SEKINE, M KAWAI, T HIKITA, T HANADA

    SURFACE SCIENCE 242 (1-3) 508-512 1991年2月

    DOI: 10.1016/0039-6028(91)90318-M  

    ISSN:0039-6028

  229. INSITU RHEED AND XPS STUDIES ON CERAMIC LAYER EPITAXY IN UHV SYSTEM 査読有り

    H KOINUMA, M YOSHIMOTO, H NAGATA, T HASHIMOTO, T TSUKAHARA, S GONDA, S WATANABE, M KAWAI, T HANADA

    SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS // 219 326-335 1991年

  230. ULTRATHIN FILM OF BI2SR2CUOX FORMED BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY USING NO2 査読有り

    M KAWAI, S WATANABE, T HANADA

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 8 (6) 4104-4105 1990年11月

    DOI: 10.1116/1.576448  

    ISSN:0734-2101

  231. MOLECULAR-BEAM EPITAXY STUDY OF BI2SR2CUOX USING NO2 AS AN OXIDIZING-AGENT 査読有り

    S WATANABE, M KAWAI, T HANADA

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 29 (7) L1111-L1113 1990年7月

    DOI: 10.1143/JJAP.29.L1111  

    ISSN:0021-4922

  232. SURFACE-STRUCTURE AND OXIDATION OF SI(001)-BI 査読有り

    T HANADA, M KAWAI

    VACUUM 41 (1-3) 650-651 1990年

    DOI: 10.1016/0042-207X(90)90444-4  

    ISSN:0042-207X

  233. STUDY ON THE ELEMENTARY STEPS OF THE EPITAXIAL-GROWTH OF BI-SR-CA-CU-O ON THE SURFACE OF SI AND MGO BY MEANS OF RHEED AND PHOTOELECTRON SPECTROSCOPIES 査読有り

    T HANADA, M KAWAI, T GODA, S TERATANI

    HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTORS : FUNDAMENTAL PROPERTIES AND NOVEL MATERIALS PROCESSING 169 715-717 1990年

  234. Study of Si(111)3×3-Al surface structure by Kinetic-energy dependence of Polar-angle photoelectron diffraction 査読有り

    H. Daimon, S. Nagano, T. Hanada, S. Ino, S. Suga, Y. Murata

    Surface Science 221 (1-2) 244-252 1989年10月

    DOI: 10.1016/0039-6028(89)90578-5  

    ISSN:0039-6028

    eISSN:1879-2758

  235. RHEED螢光X線分光による表面物性の研究

    井野 正三, 山本 陽一, 長谷川 修司, 稲本 直大, 花田 貴, 大門 寛

    日本結晶学会誌 25 16A-11-16A-11 1983年

    出版者・発行元: The Crystallographic Society of Japan

    DOI: 10.5940/jcrsj.25.Supplement_16A-11  

    ISSN:0369-4585

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

MISC 96

  1. 接合境界での反射波を考慮した水晶二層構造厚みすべり振動子の設計方法

    大橋雄二, 野口太生, 面政也, 横田有為, 村上力輝斗, 黒澤俊介, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 豊田智史, 堀合毅彦, 山路晃広, 吉野将生, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年

    ISSN: 2436-7613

  2. Ru-Mo-W単結晶線材のDewettingマイクロ引き下げ法による作製および電気抵抗率の組成依存性

    米村虎太朗, 米村虎太朗, 村上力輝斗, 糸井椎香, 鎌田圭, 鎌田圭, 堀合毅彦, 堀合毅彦, 花田貴, 山路晃広, 山路晃広, 吉野将生, 吉野将生, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 大橋雄二, 大橋雄二, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 横田有為, 横田有為, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年

    ISSN: 2758-4704

  3. 共晶体構造を有するMg2Si/Si熱電結晶の局所構造制御と熱電特性

    林直志, 林直志, 横田有為, 横田有為, 堀合毅彦, 堀合毅彦, 吉野将生, 吉野将生, 山路晃広, 山路晃広, 村上力輝斗, 花田貴, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 大橋雄二, 大橋雄二, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 鎌田圭, 鎌田圭, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年

    ISSN: 2758-4704

  4. Pr3+添加(La,Y)2Si2O7バルク単結晶の光学およびシンチレーション特性

    阿部柚佳, 阿部柚佳, 堀合毅彦, 堀合毅彦, 横田有為, 横田有為, 吉野将生, 吉野将生, 村上力輝斗, 花田貴, 山路晃広, 山路晃広, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 大橋雄二, 大橋雄二, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 鎌田圭, 鎌田圭, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年

    ISSN: 2758-4704

  5. 放射線モニタリングシステム用シンチレータの開発における焼結体を用いた最適組成探索

    松倉大佑, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 山路晃広, 大橋雄二, 横田有為, 鎌田圭, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 吉野将生, 花田貴, 村上力輝斗, 堀合毅彦, 吉川彰, 吉川彰

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web) 36th 2023年

  6. X線イメージング用Ce添加(Gd,Y,Tb)3Ga3Al2O12シンチレータの結晶成長および光学特性

    大室和也, 大室和也, 吉野将生, 吉野将生, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, KIM Kyoung Jin, 堀合毅彦, 堀合毅彦, 村上力輝斗, 山路晃広, 山路晃広, 花田貴, 横田有為, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 大橋雄二, 大橋雄二, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年

    ISSN: 2758-4704

  7. 近赤外発光シンチレータの廃炉用放射線量率モニタリングシステムへの適用の検討

    松倉大佑, 松倉大佑, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 山路晃広, 山路晃広, 大橋雄二, 大橋雄二, 横田有為, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 吉野将生, 吉野将生, 花田貴, 村上力輝斗, 堀合毅彦, 堀合毅彦, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰, 田中浩基, 高田卓志

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年

    ISSN: 2758-4704

  8. 赤色発光を示すヨウ化物中性子シンチレータの発光特性

    藤原千隼, 藤原千隼, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 山路晃広, 山路晃広, 田中浩基, 高田卓志, 大橋雄二, 大橋雄二, 横田有為, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 豊田智史, 豊田智史, 吉野将生, 吉野将生, 村上力輝斗, 堀合毅彦, 堀合毅彦, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年

    ISSN: 2436-7613

  9. 廃炉作業用放射線モニタリングシステムに用いる酸化物長波長発光シンチレータの開発

    松倉大佑, 松倉大佑, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 藤原千隼, 藤原千隼, 山路晃広, 山路晃広, 大橋雄二, 大橋雄二, 横田有為, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 豊田智史, 豊田智史, 吉野将生, 吉野将生, 花田貴, 村上力輝斗, 堀合毅彦, 堀合毅彦, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰, 田中浩基, 高田卓志

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年

    ISSN: 2436-7613

  10. 高分解能及び高感度放射線イメージングに向けた光導波型シンチレータ結晶プレートの開発

    矢島隆雅, 矢島隆雅, 鎌田圭, 鎌田圭, 沓澤直子, 吉野将生, 吉野将生, 堀合毅彦, 堀合毅彦, 村上力輝斗, 村上力輝斗, KIM Kyoung Jin, KIM Kyoung Jin, 山路晃広, 山路晃広, 黒澤俊介, 横田有為, 佐藤浩樹, 豊田智史, 大橋雄二, 花田貴, KOCHURIKHIN Vladimir, 山本誠一, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年

    ISSN: 2758-4704

  11. 有限要素法による水晶二層構造厚みすべり振動子の粒子変位分布の評価

    野口太生, 大橋雄二, 面政也, 横田有為, 村上力輝斗, 黒澤俊介, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 豊田智史, 堀合毅彦, 山路晃広, 吉野将生, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年

    ISSN: 2758-4704

  12. Core Heating法によるCaHfO3結晶の作製とシンチレーション特性評価

    倉嶋佑太朗, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 村上力輝斗, 村上力輝斗, 山路晃広, 山路晃広, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 吉野将生, 豊田智史, 豊田智史, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 横田有為, 大橋雄二, 大橋雄二, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    放射線(Web) 47 (3) 2022年

    ISSN: 2758-9064

  13. 廃炉作業におけるガンマ線検出に向けたNd添加Y3Al5O12シンチレータの開発

    松倉大佑, 松倉大佑, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 黒澤俊介, KOCHURIKHIN Vladimir, 小玉翔平, 藤原千隼, 藤原千隼, 山路晃広, 山路晃広, 大橋雄二, 大橋雄二, 横田有為, 鎌田圭, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 豊田智史, 豊田智史, 吉野将生, 吉野将生, 花田貴, 村上力輝斗, 堀合毅彦, 堀合毅彦, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年

    ISSN: 2758-4704

  14. 水晶二層構造厚みすべり振動子の接合境界で生じる反射の影響の検討

    野口太生, 大橋雄二, 面政也, 横田有為, 黒澤俊介, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 豊田智史, 吉野将生, 山路晃広, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰

    圧電材料・デバイスシンポジウム 2022 2022年

  15. N極性GaN有機金属気相成長のステップフロー成長モデル

    花田 貴, 吉野 将生, 山路 晃広, 黒澤 俊介, 鎌田 圭, 大橋 雄二, 佐藤 浩樹, 豊田 智史, 横田 有為, 吉川 彰

    日本結晶成長学会誌 48 (1) 03-1-03-12 2021年5月

    出版者・発行元: 日本結晶成長学会

    DOI: 10.19009/jjacg.48-1-03  

    ISSN: 2188-7268

  16. シンチレーションコリメータを用いたPET/SPECT検出器の試作と検出器特性評価

    吉野将生, 小瀧淳, 横田有為, 鎌田圭, 鎌田圭, 黒澤俊介, 山路晃広, 大橋雄二, 佐藤浩樹, 豊田智史, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年

  17. 新規単結晶シンチレータの形状制御育成技術,微細加工技術及び放射線イメージング応用

    吉野将生, 鎌田圭, 鎌田圭, 庄子育宏, 小瀧淳, 横田有為, 黒澤俊介, 山路晃広, Hanada Takashi, 大橋雄二, 佐藤浩樹, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 48 (1) 2021年

    ISSN: 2188-7268

  18. 水晶を用いた二層構造厚みすべり振動子の動作特性の検討

    野口太生, 大橋雄二, 面政也, 横田有為, 黒澤俊介, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 豊田智史, 山路晃広, 吉野将生, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年

  19. BaCl2/NaCl/KCl系共晶体の作製と発光特性評価

    瀧澤優威, 鎌田圭, 鎌田圭, KIM Kyoung Jin, 吉野将生, 山路晃広, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 横田有為, 佐藤浩樹, 豊田智史, 大橋雄二, 花田貴, KOCHURIKHIN Vladimir. V., 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年

  20. 線量モニタ開発用の赤色発光Cs2Hf(I,Br)6シンチレータの発光特性研究

    藤原千隼, 小玉翔平, 石川志緒利, 石川志緒利, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 山路晃広, 山路晃広, 大橋雄二, 大橋雄二, 横田有為, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 豊田智史, 吉野将生, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年

  21. 中性子・ガンマ線デュアル検出用のLi2HfI6シンチレータ開発

    藤原千隼, 黒澤俊介, 山路晃広, 大橋雄二, 横田有為, 佐藤宏樹, 豊田智史, 鎌田圭, 鎌田圭, 吉野将生, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰

    Journal of Flux Growth 15 (2) 2021年

    ISSN: 1881-5316

  22. CeBr3/6LiBrおよびLaBr3:Ce/6LiBrの結晶育成とシンチレータ特性

    矢島隆雅, 矢島隆雅, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 瀧澤優威, 瀧澤優威, KIM Kyoung Jin, 吉野将生, 山路晃広, 黒澤俊介, 横田有為, 佐藤浩樹, 豊田智史, 大橋雄二, 花田貴, KOCHURIKHIN Vladimir, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    Journal of Flux Growth 15 (2) 2021年

    ISSN: 1881-5316

  23. Shielded Arc Melting法を用いた結晶育成

    矢島隆雅, 鎌田圭, 鎌田圭, 石川志緒利, 瀧澤優威, KIM Kyoung Jin, 吉野将生, 山路晃広, 黒澤俊介, 横田有為, 佐藤浩樹, 豊田智史, 大橋雄二, 花田貴, KOCHURIKHIN Vladimir, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 50th 2021年

    ISSN: 0385-6275

  24. W坩堝を用いたマイクロ引き下げ法によるLa2Hf2O7結晶育成と光学特性

    須田貴裕, 横田有為, 横田有為, 堀合毅彦, 山路晃広, 吉野将生, 花田貴, 佐藤浩樹, 豊田智史, 大橋雄二, 大橋雄二, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    Journal of Flux Growth 15 (2) 2021年

    ISSN: 1881-5316

  25. 放射線イメージング用のBaCl2/NaCl/KCl共晶体の大口径化

    瀧澤優威, 鎌田圭, 鎌田圭, KIM Kyoung Jin, 吉野将生, 山路晃広, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 横田有為, 佐藤浩樹, 豊田智史, 大橋雄二, 花田貴, KOCHURIKHIN Vladimir.V., 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    Journal of Flux Growth 15 (2) 2021年

    ISSN: 1881-5316

  26. 三元系共晶体シンチレータの作製とイメージング性能評価

    瀧澤優威, 鎌田圭, 鎌田圭, KIM Kyoung Jin, 吉野将生, 山路晃広, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 横田有為, 佐藤浩樹, 豊田智史, 大橋雄二, 花田貴, KOCHURIKHIN Vladimir. V., 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 50th 2021年

    ISSN: 0385-6275

  27. 廃炉用リアルタイム放射線計測のためのCs2HfI6シンチレータ結晶の透過率向上

    藤原千隼, 石川志緒利, 石川志緒利, 小玉翔平, 黒澤俊介, 山路晃広, 大橋雄二, 黒澤俊介, 山路晃広, 大橋雄二, 横田有為, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 豊田智史, 吉野将生, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 50th 2021年

    ISSN: 0385-6275

  28. 断熱材の形状の影響を考慮したマイクロ引き下げ法によるLa2Hf2O7の結晶育成

    須田貴裕, 横田有為, 堀合毅彦, 山路晃広, 吉野将生, 花田貴, 佐藤浩樹, 豊田智史, 大橋雄二, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 50th 2021年

    ISSN: 0385-6275

  29. ハフニウムを用いた赤色・近赤外発光ヨウ化物シンチレータ結晶育成とその光学特性

    藤原千隼, 小玉翔平, 黒澤俊介, 山路晃広, 大橋雄二, 横田有為, 佐藤宏樹, 豊田智史, 吉野将生, 花田貴, 鎌田圭, 吉川彰

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web) 34th 2021年

  30. 直線集束ビーム超音波材料解析システムによる材料均質性評価のための高速スキャン法

    大橋雄二, 横田有為, 山路晃広, 吉野将生, 黒澤俊介, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 豊田智史, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰

    電子情報通信学会技術研究報告(Web) 120 (174(US2020 27-42)) 2020年

    ISSN: 2432-6380

  31. マイクロ引き下げ法を用いた3次元形状制御単結晶育成への挑戦

    横田有為, 大橋雄二, 吉野将生, 山路晃広, 花田貴, 豊田智史, 佐藤浩樹, 黒澤俊介, 鎌田圭, 鎌田圭, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 49th 2020年

    ISSN: 0385-6275

  32. 微傾斜面または螺旋転位にともなうステップフロー型N極性GaN有機金属気相成長モデル

    花田貴, 吉野将生, 山路晃広, 黒澤俊介, 鎌田圭, 大橋雄二, 佐藤浩樹, 豊田智史, 横田有為, 吉川彰

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 49th 2020年

    ISSN: 0385-6275

  33. 形状制御チューブ型シンチレータ結晶の穴径制御と特性評価

    小瀧淳, 吉野将生, 横田有為, 花田貴, 山路晃広, 山路晃広, 豊田智史, 豊田智史, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 大橋雄二, 大橋雄二, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

  34. 二層構造厚みすべり振動子の厚さ比と共振周波数温度特性の関係

    大和田悠介, 大橋雄二, 面政也, 横田有為, 黒澤俊介, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 豊田智史, 山路晃広, 吉野将生, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

  35. CsI系共晶体の作製と発光特性評価

    瀧澤優威, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 吉野将生, 山路晃広, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 横田有為, 佐藤浩樹, 豊田智史, 大橋雄二, 花田貴, KOCHURIKHIN Vladimir. V., 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

  36. リモートガンマ線量モニタの実現を目指した新規赤色発光ヨウ化物シンチレータの開発と放射線応答特性

    小玉翔平, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 森下祐樹, 宇佐美博士, 鳥居建男, 林真照, 東哲史, 笹野理, 牧田泰介, 田中浩基, 花田貴, 山路晃広, 山路晃広, 吉野将生, 豊田智史, 豊田智史, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 大橋雄二, 大橋雄二, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 横田有為, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

  37. 熱CVD法によるモリブデン坩堝上へのイリジウム成膜とその評価

    佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 後藤孝, 奥野敦, 奥野敦, 横田有為, 鎌田圭, 鎌田圭, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 大橋雄二, 大橋雄二, 豊田智史, 豊田智史, 吉野将生, 山路晃広, 山路晃広, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

  38. フェナントレン結晶の育成と発光特性評価

    山路晃広, 黒澤俊介, 花田貴, 吉野将生, 豊田智史, 佐藤浩樹, 大橋雄二, 横田有為, 鎌田圭, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

  39. PET/SPECT検出器に用いるシンチレーションコリメータ最適化のためのGATEシミュレーション及び検出器特性評価

    吉野将生, 小瀧淳, 横田有為, 鎌田圭, 鎌田圭, 黒澤俊介, 山路晃広, 大橋雄二, 佐藤浩樹, 豊田智史, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

  40. Core Heating法を用いて育成された透明CaHfO3結晶の特性評価

    倉嶋佑太朗, 黒澤俊介, 黒澤俊介, 村上力輝斗, 村上力輝斗, 山路晃広, 山路晃広, 鎌田圭, 鎌田圭, 鎌田圭, 吉野将生, 豊田智史, 豊田智史, 佐藤浩樹, 佐藤浩樹, 横田有為, 大橋雄二, 大橋雄二, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

  41. Ca3B(Ga,Al)3Si2O14(B=Nb,Ta)圧電単結晶における結晶構造のAl置換量依存性

    横田有為, 大橋雄二, 吉野将生, 山路晃広, 花田貴, 豊田智史, 佐藤浩樹, 黒澤俊介, 鎌田圭, 鎌田圭, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

  42. Core Hearting法を用いたCaO,SrO結晶の作製とシンチレータ特性評価

    鎌田圭, 鎌田圭, 石川志緒利, 村上力輝斗, 村上力輝斗, 山路晃広, 吉野将生, 黒澤俊介, 豊田智史, 佐藤浩樹, 横田有為, 大橋雄二, 花田貴, 吉川彰, 吉川彰, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

  43. 4D-XPS法による多層積層膜に埋もれた界面反応可視化の逆解析シミュレーション検証

    豊田智史, 山本知樹, 吉村真史, 住田弘祐, 三根生晋, 町田雅武, 吉越章隆, 鈴木哲, 横山和司, 大橋雄二, 黒澤俊介, 鎌田圭, 佐藤浩樹, 山路晃広, 吉野将生, 花田貴, 横田有為, 吉川彰

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

  44. GaMnNAsのMBE成長と磁気特性に対するアニール効果

    小林元気, 小林元気, 森貴洋, KIM Jung‐Jin, 竹田幸治, 吉川英樹, 小林啓介, 藤井克司, 加藤崇, 花田貴, 牧野久雄, 八百隆文

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th (1) 516 2007年3月27日

  45. p‐MBE成長時のGaNAs(001)表面

    森貴洋, 花田貴, 小林元気, 小林元気, 小林亮, 中山隆史, 八百隆文

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 53rd (1) 323 2006年3月22日

  46. 3.5. II-VI族化合物半導体

    八百 隆文, 花田 貴

    電子材料ハンドブック 213-225 2006年

    出版者・発行元: 朝倉書店

  47. GaInNAsの局所構造評価:In濃度に対する変化

    森貴洋, 花田貴, 八百隆文, 宇留賀朋哉

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 66th (1) 236 2005年9月7日

  48. 秩序化III‐V族混晶半導体の光学特性

    花田貴, 森貴洋, 森村俊晴, 牧野久雄, CHO Meoung‐Whan, 八百隆文

    東北大学金属材料研究所金属ガラス総合研究センター共同利用研究報告書 2004 130-131 2005年6月

  49. GaNAs薄膜中の窒素原子位置

    森貴洋, 森村俊晴, 花田貴, 永田晋二, 八百隆文

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 65th (1) 249 2004年9月1日

  50. 反射率差分光法によるGaNAs(001)成長表面のその場観察

    森貴洋, 森村俊晴, 花田貴, 八百隆文

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 51st (1) 349 2004年3月28日

  51. ZnOエピタキシーの最近の進展

    花田貴, 高恒柱, 八百隆文

    応用物理 72 (6) 705-710 2003年6月

    出版者・発行元: 応用物理学会

    ISSN: 0369-8009

  52. 28pPSB-4 InAs/GaAs (001) 自己形成ドットのサイズ均一化の機構

    花田 貴, 戸塚 洋史, 八百 隆文

    日本物理学会講演概要集 58 (1) 846-846 2003年3月6日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

    ISSN: 1342-8349

  53. Atomic structure of the GaAs(001)-(2x4) surface under As flux (vol B 65, art no 165315, 2002)

    A Ohtake, M Ozeki, T Yasuda, T Hanada

    PHYSICAL REVIEW B 66 (20) 2002年11月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.66.209902  

    ISSN: 1098-0121

  54. SiO2/Si(001)のRDスペクトルにおける光弾性効果の寄与

    森貴洋, 安田哲二, 熊谷直人, 花田貴, 八百隆文

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 49th (2) 785 2002年3月27日

  55. Study of the growth kinetics of CdTe quantum-dots on ZnTe substrates

    K. Godo, J. H. Chang, H. Makino, T. Hanada, T. Takai, H. Goto, T. Yao, T. Sasao, T. Goto

    Proc. 26th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors 1-8 2002年

  56. ZnTeの反射率差分光法(RDS)による線形電気光学係数の測定

    森貴洋, 熊谷直人, 安田哲二, CHANG J. H, 花田貴, 八百隆文

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 48th (3) 1408 2001年3月28日

  57. RDSを用いたGaAsの吸収域における線形電気光学係数の測定

    熊谷直人, 安田哲二, 森貴洋, 花田貴, 八百隆文

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 48th (3) 1409 2001年3月28日

  58. As照射下におけるGaAs(001)-(2x4)表面原子配列

    大竹晃浩, 安田哲二, 花田貴, 尾関雅志, 塚本史郎, 小口信行

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 62nd (1) 2001年

  59. ZnO epilayers on GaN templates: Polarity control and valence-band offset

    S. K. Hong, T. Hanada, H. Makino, H. J. Ko, Y. F. Chen, T. Yao, A. Tanaka, H. Sasaki, S. Sato, D. Imai, K. Araki, M. Shinohara

    J. Vac. Sci. Technol. B 19 (4) 1429-1433 2001年

    DOI: 10.1116/1.1374630  

    ISSN: 0734-211X

  60. 原子価不整合のあるII-VI/III-V界面の形成

    花田貴, 八百隆文

    表面科学 21 (6) 355-360 2000年6月

    出版者・発行元: 日本表面科学会

    DOI: 10.1380/jsssj.21.355  

    ISSN: 0388-5321

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Heterovalent ZnSe/GaAs(001) interface structure was controlled by preparing various initial surface structures of GaAs(001) and by pre-growth deposition of Zn or Se. It was found that density of stacking faults and other kind of defects in the ZnSe film strongly depended on the interface structure. In order to reduce the defect density, it was important to avoid chalcogenization of GaAs surface and segregation of excess As. A ZnSe film with lowest density of defects was obtained by Zn treatment on the GaAs(001)-(2×4) surface.

  61. InAs/GaAs系自己組織化量子ドットの形成過程の調査

    戸塚洋史, 神門賢二, HONG S K, 花田貴, 八百隆文

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 46th (1) 377 1999年3月28日

  62. 29a-PS-39 ALE成長中におけるZnSe(001)表面

    大竹 晃浩, 花田 貴, 安田 哲二, 八百 隆文

    日本物理学会講演概要集 54 (1) 317-317 1999年3月15日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

    ISSN: 1342-8349

  63. 27a-PS-35 Se吸着GaAs(111)A-(2√<3>×2√<3>)-R30°表面再配列構造

    大竹 晃浩, 小村 琢治, 花田 貴, 三輪 司郎, 安田 哲二, 八百 隆文

    日本物理学会講演概要集 53 (2) 389-389 1998年9月5日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

    ISSN: 1342-8349

  64. Growth of ZnSe on misoriented GaAs(110) surface by molecular beam epitaxy

    KW Koh, MW Cho, Z Zhu, T Hanada, M Isshiki, T Yao

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 184 (185) 46-50 1998年2月

    ISSN: 0022-0248

  65. MBE法によるSrCuO2 薄膜の原子層成長

    劉紫園, 花田貴, 川合真紀, 工藤正博, 鯉沼秀臣

    表面科学 14 (5) 283-287 1993年12月

    出版者・発行元: The Surface Science Society of Japan

    DOI: 10.1380/jsssj.14.283  

    ISSN: 0388-5321

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Thin films of SrCuO2 with a tetragonal structure have been synthesized by molecular beam epitaxy. Two different patterns have been observed by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) during the alternating supply of strontium and copper under the flow of NO2. Incommensurate streaks appear during the copper supply. The intensity of the incommensurate streak decreases to zero with the strontium supply. We demonstrate that an exact control of the elemental composition of Sr and Cu can be carried out using in-situ intensity monitoring of the incommensurate streak.

  66. 12p-DL-8 電子線定在波を使った新しい方法による表面構造解析

    山中 俊朗, 花田 貴, 井野 正三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1993 (2) 581-581 1993年9月20日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  67. 25p-Y-5 入射角依存RHEED-TRAXSによるSi(111)-√<3>×√<3>-Inの構造解析

    山中 俊郎, 花田 貴, 井野 正三

    秋の分科会講演予稿集 1992 (2) 439-439 1992年9月14日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  68. 28p-Y-9 ペロブスカイト型複酸化物SrTiO_3(100) 表面構造の制御と科学特性

    疋田 時久, 花田 貴, 川合 真紀, 吉信 淳, 工藤 正博

    秋の分科会講演予稿集 1992 (2) 517-517 1992年9月14日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  69. SURFACE-STRUCTURE OF BI/SI(001)

    T HANADA, M KAWAI, M KUDO

    ABSTRACTS OF PAPERS OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY 203 352-COLL 1992年4月

    ISSN: 0065-7727

  70. 28p-PS-28 低温MBE法により作製したBi(2201)歪格子の歪緩和

    森 匡見, 川合 真紀, 石沢 伸夫, 花田 貴, 工藤 正博

    年会講演予稿集 47 (3) 286-286 1992年3月12日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  71. 29p-PS-38 StTiO_3(100)表面構造の制御

    疋田 時久, 花田 貴, 川合 真紀, 工藤 正博

    年会講演予稿集 47 (2) 476-476 1992年3月12日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  72. 27p-APS-91 Bi_2(Sr_<1-x>Ca_x)_<n+1>Cu_nO_y薄膜の層形成過程

    花田 貴, 森 匡見, 劉 紫園, 川合 真紀, 工藤 正博

    年会講演予稿集 46 (3) 288-288 1991年9月12日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  73. MBE法によるBi-Sr-ca-Cu-O系超薄膜の低温成長

    川合 真紀, 渡辺 俊二, 花田 貴

    秋の分科会講演予稿集 1990 (3) 379-379 1990年10月2日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  74. 2p-E-15 Si(100)-B1表面の2×n構造

    花田 貴, 川合 真紀

    秋の分科会講演予稿集 1990 (2) 426-426 1990年9月12日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  75. 30p-TA-1 入射角依存RHEED-TRAXSによるSi(111) : 金属吸着構造の研究

    山中 俊朗, 花田 貴, 大門 寛, 井野 正三

    年会講演予稿集 45 (2) 403-403 1990年3月16日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  76. 3a-T-13 Si(001)-Bi表面の構造と酸化

    花田 貴, 川合 真紀

    秋の分科会講演予稿集 1989 (2) 383-383 1989年9月12日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  77. 6p-T-2 RHEED-TRAXSを使った表面構造解析装置の作製

    山中 俊朗, 築野 孝, 花田 貴, 大門 寛, 井野 正三

    秋の分科会講演予稿集 1989 (2) 437-437 1989年9月12日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  78. 28a-TJ-10 Si・Ge清浄表面の相転移(表面・界面)

    日比野 浩樹, 福谷 克之, 花田 貴, 大門 寛, 井野 正三

    年会講演予稿集 44 (2) 359-359 1989年3月28日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  79. 31p-PS-111 Bi系酸化物超伝導薄膜の原子層成長及び酸化過程I(低温(酸化物超伝導))

    花田 貴, 川合 真紀, 合田 努, 寺谷 敞介

    年会講演予稿集 44 (3) 300-300 1989年3月28日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  80. 6p-B4-3 Ge(111)表面の高温での相転移

    日比野 浩樹, 福谷 克之, 花田 貴, 大門 寛, 井野 正三

    秋の分科会講演予稿集 1988 (2) 424-424 1988年9月16日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  81. 6p-B4-4 Ge(111)表面上のGeの成長

    福谷 克之, 日比野 浩樹, 花田 貴, 大門 寛, 井野 正三

    秋の分科会講演予稿集 1988 (2) 424-424 1988年9月16日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  82. 26a-P-6 RHEEDによるSi(111)7×7構造の解析

    花田 貴, 大門 寛, 井野 正三

    秋の分科会講演予稿集 1987 (2) 340-340 1987年9月16日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  83. 30p-H-5 Si(111)-√3×√3Ga構造のRHEEDによる研究(表面・界面)

    花田 貴, 大門 寛, 井野 正三

    年会講演予稿集 42 (2) 414-414 1987年3月27日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  84. 30a-H-12 Si(111)-Ge表面における2種の7×7構造(表面・界面)

    福谷 克之, 花田 貴, 松本 裕敦, 大門 寛, 井野 正三

    年会講演予稿集 42 (2) 411-411 1987年3月27日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  85. 30p-D-7 Si(111)√<3>×√<3>-GaのSOR光による光電子回折

    花田 貴, 大門 寛, 永野 真一郎, 井野 正三, 菅 滋正, 村田 好正

    秋の分科会講演予稿集 1986 (2) 467-467 1986年9月12日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  86. 30a-D-8 Si(111)-Ge表面の超構造と相転移の研究II

    福谷 克之, 松本 裕敦, 花田 貴, 大門 寛, 井野 正三

    秋の分科会講演予稿集 1986 (2) 461-461 1986年9月12日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  87. 30p-D-8 Si(111)√<3>×√<3>-AlのSOR光による光電子回折

    大門 寛, 花田 貴, 永野 真一郎, 井野 正三, 菅 滋正, 村田 好正

    秋の分科会講演予稿集 1986 (2) 467-467 1986年9月12日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  88. 1p-S-9 Si(111)-Auの光電子回折

    永野 眞一郎, 大門 寛, 井野 正三, 菅 滋正, 村田 好正, 花田 貴, 相沢 俊, 築野 孝, 福谷 克之, 松本 裕敦

    秋の分科会講演予稿集 1985 (2) 382-382 1985年9月13日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  89. 1p-S-3 Si(111)√<3>×√<3>-Gaの光電子回折

    大門 寛, 永野 真一郎, 井野 正三, 菅 滋正, 村田 好正, 花田 貴, 相沢 俊, 築野 孝, 福谷 克之, 松本 裕敦

    秋の分科会講演予稿集 1985 (2) 379-379 1985年9月13日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  90. 1a-S-8 Si(111)のRHEED強度測定 -- 温度依存性

    花田 貴, 井野 正三, 大門 寛

    秋の分科会講演予稿集 1985 (2) 376-376 1985年9月13日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  91. 31p-A1-4 Si(111)7×7構造のRHEED強度解析II(表面・界面)

    花田 貴, 井野 正三, 大門 寛

    年会講演予稿集 40 (2) 357-357 1985年3月31日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  92. 4p-E-10 Si,Geの(111)表面上の7×7,5×5,2×8構造に対する統一的模型II

    井野 正三, 大門 寛, 花田 貴

    秋の分科会講演予稿集 1984 (2) 413-413 1984年9月10日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  93. 2a-RJ-12 RHEEDの励起X線分光II

    長谷川 修司, 井野 正三, 大門 寛, 花田 貴

    年会講演予稿集 39 (2) 337-337 1984年3月12日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  94. 4a-RJ-4 Si(111)7×7構造のRHEED強度解析

    花田 貴, 井野 正三, 大門 寛, 山本 陽一, 長谷川 修司

    年会講演予稿集 39 (2) 353-353 1984年3月12日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  95. 4a-RJ-3 Si,Geの(111)表面上の7×7,5×5,2×8構造に対する統一的模型

    井野 正三, 花田 貴, 大門 寛

    年会講演予稿集 39 (2) 352-352 1984年3月12日

    出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

  96. NEW MODELS FOR THE 7X7, 5X5, 2X8 STRUCTURES ON SI(111) AND GE(111) SURFACES

    S INO, H DAIMON, T HANADA

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 53 (6) 1911-1914 1984年

    DOI: 10.1143/JPSJ.53.1911  

    ISSN: 0031-9015

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

書籍等出版物 9

  1. ZnO系の最新技術と応用 《普及版》

    花田貴

    シーエムシー出版 2013年3月8日

    ISBN: 9784781307107

  2. 酸化亜鉛の最先端技術と将来

    章, 花田貴

    シーエムシー出版 2011年1月

    ISBN: 9784781303208

  3. Oxide and Nitride Semiconductors Processing, Properties, and Applications

    Chapter, T. Hanada

    Springer Berlin Heidelberg 2009年3月20日

    ISBN: 9783540888468

    詳細を見る 詳細を閉じる

    ISBN 978-3-540-88846-8 (Print) 978-3-540-88847-5 (Online)

  4. 発光と受光の物理と応用

    節, 花田貴, 八百隆文

    培風館 2008年3月25日

    ISBN: 9784563067700

  5. 第5版 実験化学講座24 表面・界面

    花田貴

    丸善 2007年1月30日

    ISBN: 9784621073230

  6. ZnO系の最新技術と応用

    章, 花田貴

    シーエムシー出版 2007年1月

    ISBN: 9784882316619

  7. Wide Bandgap Semiconductors and Related Optoelectronic Devices

    T. Hanada, T. Yao

    Springer-Verlag GmbH 2007年1月

    ISBN: 9783540472346

  8. ワイドギャップ半導体光・電子デバイス

    節, 花田貴, 八百隆文

    森北出版 2006年3月31日

    ISBN: 4627773218

  9. 次世代光材料・デバイスの最新技術開発動向(普及版:光材料・デバイスの技術開発)

    章, 八百隆文, 花田貴

    シーエムシー出版 2003年4月

    ISBN: 9784882319603

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

講演・口頭発表等 40

  1. Polygonal Spiral Growth Model on N-polar GaN

    Takashi Hanada, Rikito Murakami, Takahiko Horiai, Masao Yoshino, Akihiro Yamaji, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Yuji Ohashi, Hiroki Sato, Yuui Yokota, Akira Yoshikawa

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月16日

  2. Surface Structure of Cleaved ScAlMgO4(0001) Substrate for III-nitrides Analyzed by X-ray Crystal Truncation Rod Scattering 国際会議

    T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Fukuda, T. Matsuoka

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月24日

  3. Roll of Hydrogen during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of N-polar III-nitrides 国際会議

    T. Hanada, T. Matsuoka

    The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12) 2017年7月24日

  4. X線CTR散乱によるScAlMgO4(0001)劈開面の構造解析

    花田 貴, 田尻寛男, 坂田修身, 福田 承生, 松岡 隆志

    第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日

  5. Ga-polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter-scale wide terraces 国際会議

    T. Hanada, T. Iwabuchi, S. Kuboya, H. Tajiri, K. Inaba, T. Tanikawa, T. Fukuda, T. Matsuoka

    The 2016 European Materials Research Society Fall Meeting 2016年9月19日

  6. c面Al2O3基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判

    花田 貴, 稲葉 克彦, 正直 花奈子, 崔 正焄, 片山 竜二, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 松岡 隆志

    第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月17日

  7. c面ScAlMgO4基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定

    花田 貴, 岩渕 拓也, 窪谷 茂幸, 谷川 智之, 片山 竜二, 湊 明朗, 福田 承生, 稲葉 克彦, 松岡 隆志

    第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月17日

  8. In situ X-ray Diffraction during Reactive Deposition Epitaxy of FeSi2 on Si(001) 国際会議

    T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Matsuoka

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia 2013年9月16日

  9. In-plane polarity determination of m-GaN using anomalous-dispersion X-ray diffraction 国際会議

    T. Hanada, T. Shimada, H. Tajiri, O. Sakata, Y. Liu, T. Matsuoka

    10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10) 2013年8月25日

  10. X線異常分散を用いたm面GaNの面内極性判定

    花田貴, 島田貴章, 田尻寛男, 坂田修身, 劉 玉懐, 松岡隆志

    第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年3月27日

  11. Anisotropic distribution of indium in m-plane InGaN film observed by micro-beam X-ray diffraction 国際会議

    T. Hanada, K. Shojiki, J. H. Choi, T. Shimada, Y. Imai, S. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka

    Material Science Week 2012 (MSW2012) 2012年11月25日

  12. Observation of local misfit-dislocation density of partly relaxed InGaN film grown on m-GaN using microbeam X-ray diffraction 国際会議

    T. Hanada, K. Shojiki, T. Shimada, J.-H. Choi, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, Y. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012) 2012年10月15日

  13. マイクロビームX線回折によるm面InGaN/GaNのミスフィット転位密度分布の観察

    花田貴, 正直花奈子, 島田貴章, 崔 正焄, 今井康彦, 木村 滋, 坂田修身, 劉 玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第73回応用物理学会学術講演会 2012年9月11日

  14. In situ X-ray diffraction during beta-FeSi2 formation on Si(001) 国際会議

    T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Matsuoka

    The 6th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics 2012年6月26日

  15. Temperature-Dependent Static Correlation Functions of Vibrational Atomic Displacements for InN Film Measured by X-ray Diffraction 国際会議

    T. Hanada, Y. Liu, Y. Zhang, H. Tajiri, O. Sakata, T. Kimura, K. Prasertsuk, R. Katayama, T. Matsuoka

    9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011年7月10日

  16. Reactive Deposition Epitaxy of β-FeSi2 Islands on Si(001) Observed by in situ X-Ray Diffraction 国際会議

    T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Matsuoka

    The Seventh International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD2011) 2011年5月22日

  17. Strain relaxation mechanism of InGaN thin film grown on m-GaN 国際会議

    T. Hanada, T. Shimada, S. Y. Ji, K. Hobo, Y. H. Liu, T. Matsuoka

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010) 2010年5月31日

  18. m面GaN基板上でのInGaN薄膜の歪緩和

    花田貴, 島田貴章, 紀世陽, 保浦健二, 劉玉懐, 松岡隆志

    第57回応用物理学関係連合講演会 2010年3月17日

  19. β-FeSi2/Si(001)熱反応堆積成長のその場X線回折:α-FeSi2の成長と消滅

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会 2009年9月8日

  20. β-FeSi2/Si(001)熱反応堆積成長のその場X線回折

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 松岡隆志

    第56回応用物理学関係連合講演会 2009年3月30日

  21. In-situ X-ray diffraction during molecular-beam epitaxy of Ge islands on Si(001) 国際会議

    T. Hanada, O. Sakata, H. Tajiri, T. Yao

    Material research Society fall meeting 2008 2008年12月1日

  22. 全反射X線回折によるGe/Si(001)ドットの等歪域の高さ測定

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 隅谷和嗣, 嶺岸 耕, Ryan Buckmaster, 八百隆文

    第55回応用物理学関係連合講演会 2008年3月27日

  23. In-Situ X-Ray Diffraction of Self-Assembled Ge/Si(001) Dots

    T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, K. Sumitani, T. Minegishi, R. Buckmaster, T. Yao

    第18回日本MRS学術シンポジウム 2007年12月7日

  24. Strain and composition of self-assembled Ge/Si(001) dots observed by in-situ X-ray diffraction 国際会議

    T. Hanada, K. Sumitani, O. Sakata, R. Buckmaster, T. Yao

    The Sixth International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD2007) 2007年4月15日

  25. 全反射X線回折によるGe/Si(001)ドットの組成と歪の観測

    花田貴, 隅谷和嗣, 坂田修身, Ryan Buckmaster, 八百隆文

    第54回応用物理学関係連合講演会 2007年3月27日

  26. LOCAL ATOMIC STRUCTURE AROUND Si IN Pd78Si16Cu6 BULK METALLIC GLASS STUDIED BY SOFT X-RAY ABSORPTION FINE STRUCTURE 国際会議

    T. Hanada, H. Kato, M. Hasegawa, S. Yagi, S. Qiao, T. Yao, A. Inoue

    The Fifth International Conference on Bulk Metallic Glasses (BMG V) 2006年10月1日

  27. Si incorporation into self-assembled Ge/Si(001) dots observed by X-ray diffraction 国際会議

    T. Hanada, K. Sumitani, O. Sakata, R. Buckmaster, T. Yao

    The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006) 2006年9月3日

  28. In situ X-ray diffraction during molecular-beam epitaxy of self-assembled Ge/Si(001) dots 国際会議

    T. Hanada, K. Sumitani, O. Sakata, R. Buckmaster, T. Yao

    4th International Conference on Quantum Dots 2006年5月1日

  29. その場X線回折によるGe/Si(001)ドット形成過程の観測

    花田貴, 隅谷和嗣, 坂田修身, Ryan Buckmaster, 八百隆文

    第53回応用物理学関係連合講演会 2006年3月22日

  30. Slowdown in development of self-assembled InAs/GaAs(001) dots near the critical thickness 国際会議

    T. Hanada, H. Totsuka, S. K. Hong, K. Godo, K. Miyajima, T. Goto, T. Yao

    23rd North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE) 2005年9月11日

  31. ZrAlNiバルク金属ガラスのXAFSによる局所構造評価

    花田 貴, 大柳 宏之, 張 涛, 八百 隆文, 井上 明久

    第52回応用物理学関係連合講演会 2005年3月29日

  32. Formation and evolution of strain-induced self-assembled dots 国際会議

    T. Hanada, T. Yao

    The Fifth International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD2004) 2004年12月12日

  33. (CH3C6H4CH2NH3)2PbBr4の構造変調と励起子線の分裂

    花田 貴, 後藤 武生, 八百 隆文

    第65回応用物理学会学術講演会 2004年9月1日

  34. InAs/GaAs(001)自己形成ドットのサイズ均一化の機構

    花田貴, 戸塚洋史, 八百隆文

    日本物理学会第58回年次大会 2003年3月

  35. InAs/GaAs(001)量子ドットの歪緩和

    花田貴, 戸塚洋史, 八百隆文

    春季第47回応用物理学関係連合講演会 2001年3月

  36. Strain relaxation of self-assembled InAs/GaAs(001) quantum dots observed by reflection high-energy electron diffraction 国際会議

    T. Hanada, H. Totsuka, T. Yao

    The 2000 International symposium on formation, physics and device application of quantum dot structures 2000年9月10日

  37. 反射率差分光によるZn1-xCdxSe/GaAs(110)の歪緩和のその測定

    花田貴, 安田哲二, 大竹晃浩, 新井健太, 八百隆文

    春季第45回応用物理学関係連合講演会 1999年3月

  38. Strain-Induced Optical Anisotropy of ZnSSe and ZnCdSe Layers Grown on GaAs(110) 国際会議

    T. Hanada, T. Yasuda, A. Ohtake, S. Miwa, K. Arai, T. Yao

    International Workshop on Physics and Applications of Semiconductor Quantum Structures 1998年10月18日

  39. Characterization and Control of ZnSe/GaAs Heterovalent Interfaces in Molecular-beam Epitaxy 国際会議

    T. Hanada, T. Yasuda, A. Ohtake, S. Miwa, T. Yao

    Engineering Foundation Conferences: Lattice-Mismatched and Heterovalent Thin Film Epitaxy 1998年9月13日

  40. 反射率差分光(RDS)による(110)面でのZnSe/GaAsヘテロエピタキシャル成長層の歪みの測定

    花田貴, 安田哲二, 大竹晃浩, Kurt Hingerl, 三輪司郎, 木村康三, 新井健太, 金成国, 八百隆文

    春季第44回応用物理学関係連合講演会 1998年3月

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

共同研究・競争的資金等の研究課題 20

  1. 酸化ガリウム低指数面の清浄・吸着表面の原子構造と電気特性

    花田 貴

    2022年4月1日 ~ 2026年3月31日

  2. 汎用表面構造解析プログラム「2DMAT」高度化に向けての調査研究II

    望月出海, 和田 健, 兵頭 俊夫, アハメッド レズワン, 福島 孝治, 吉見 一慶, 花田 貴, 平川 力, 星建夫, 高山あかり, 中西義典, 山本有作

    2023年4月 ~ 2024年3月

  3. 窒化物半導体エピタキシャル膜の極性選択機構

    花田 貴

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究機関:Tohoku University

    2018年4月1日 ~ 2021年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Gaの最内殻電子を励起する吸収端エネルギーを持つX線による回折強度測定により、GaNの極性方向を同定した。次に、結晶表面に垂直なロッドに沿ったX線散乱強度測定により、GaNと格子整合性の良いエピタキシャル成長基板となるScAlMgO4劈開面の表面構造解析を行った。還元雰囲気ではScAlMgO4表面の酸素欠損があり、これに基づいてGa極性面が成長する機構を提案した。最後に、N極性面の窒化物半導体成長モデルを提案した。実験の成長温度、ガス流量の条件に基づいて熱・統計力学的に見積もられた現実的なパラメータを用いた計算が可能になり、測定された成長速度を再現することができた。

  4. 窒素極性窒化物半導体による二次元電子ガス発生構造の成長技術

    松岡 隆志, 花田 貴, 谷川 智之

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関:Tohoku University

    2016年4月1日 ~ 2019年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    研究目的は、青色LEDで知られる窒化物半導体において、高周波動作を可能にするN極性(逆)HEMTを作製することである。課題は、成長中に膜中に取り込まれる炭素と酸素の低減である。原料輸送ガス中の水素割合の増加による炭素取り込み減少と、窒素原料であるアンモニアとGa原料の供給比増大による酸素取り込み低減を示した。さらに、GaN/GaAlN/GaN逆HEMT構造においてはc面から0.8°傾けたサファイア基板上に平坦に成長できた。その2次元電子ガス特性はGa極性と同程度であった。HEMTにおいては、結晶方位に依存しない三極管特性を確認できた。この結果は、本技術が素子作製に有効であることを示している。

  5. オール窒化物半導体による白色光源の実現に向けた赤色発光層の開発

    松岡 隆志, 花田 貴

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究機関:Tohoku University

    2012年4月1日 ~ 2015年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    白色照明の高効率化に向けて、蛍光材料を一切使わずに光の三原色全てを窒化物半導体で構成する白色LED実現の可能性を検証した。最も大きな課題となる赤色領域の発光波長を得るために、Inを取り込みやすい窒素極性面を成長面に用いた。窒素極性面成長においては、成長条件によっては、閃亜鉛鉱構造が混在し、結晶相純度が悪化することを確認した。成長温度およびV/III原料比の最適化によって、結晶相純度の制御が可能であることを明らかにした。青色・緑色・赤色の発光色を有する発光ダイオードを作製し、電流注入による発光を確認し、白色照明の高効率化の可能性を示した。

  6. その場X線回折によるシリコン基板上へテロエピタキシャル成長の観測と制御

    花田 貴

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究機関:Tohoku University

    2009年 ~ 2011年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    シリコン基板上の熱反応堆積法により鉄シリサイドが成長する初期過程をその場X線回折で初めて観測した。450℃成長では初期に高温相α-FeSi2のナノ結晶の成長が見られるが、β-FeSi2(100)面の成長に伴いα相は消滅した。500℃以上ではα-FeSi2は消滅しなかった。450℃でβ-FeSi2単相を成長した後、900℃までのアニールによりβ相[100] 軸がSi[001] 軸方向に整列する過程を観測した。

  7. 大面積・超高輝度紫外LEDへの挑戦

    河 俊碩, 花田 貴

    2008年 ~ 2010年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    平成20年度は紫外LED製作のため、サファイアを窒化することで得られるAINを形成することと、その上に形成する三角錐ナノ結晶構造、CrN基盤の形成過程に関するGaNテンプレート製作技術を開発した。具体的には(1)窒化条件の最適化、(2)多重バッファー層(AlNとCrN)とその上に成膜するGaNテンプレートの結晶性評価、(3)サファイア基板/AIN/CrNナノ結晶の界面における結晶性評価、転位及び欠陥分析である。 1. 窒化条件の最適化 スパッタリング法によりc面サファイア基板上にGr膜の成膜を行い、高温炉内でNH3による窒化を実施することでCrNの形成とサファイアを窒化することによるAlNの形成を行い多重バッファー層を形成する。すなわち、サファイア基板にCr薄膜を成膜、その後炉内(1,080℃ NH3)で窒化プロセスを行うことで単結晶CrNの三角錐ナノ結晶構造を形成した。この際、Cr薄膜の厚さと窒化時間によるCrNナノ結晶の表面モフォロジーとCrNの結晶性の向上に関する研究を実施した。 2. 多重バッファー層(AlNとCrN)とその上に成膜するGaNテンブレートの結晶性評価 さまざまな窒化条件によってCrNバッファー層上にGaNテンプレート層を成長して、これらGaNの結晶性を分析した。この結果、CrNの結晶性が良いほどGaNの結晶性が向上するのではなく、三角錐ナノ結晶構造の分布及び大きさによってGaNの結晶性が変わることが確認できた。 3. サファイア基板/AlN/CrNナノ結晶の界面における結晶性評価、転位及び欠陥分析 最適のGaNを成長した後XRD、PL法を利用して結晶性及び不純物の評価を行った。またSEM、AFMによる表面観察及びTEMによる欠陥密度を評価した。その結果、今までの研究結果より少ない刃状転位密度を持っている良質のGaN結晶成長が出来ているということを確認した。

  8. CrNナノ微結晶バッファー層を用いたGaN薄膜成長及び縦型発光ダイオードの作製

    花田 貴, ちょ 明煥, 花田 貴

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究機関:Tohoku University

    2007年 ~ 2008年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    サファイヤc面基板上に高品質GaNを成長するためCrNバッファ層を導入した。CrN層は過塩素酸ベースの混合溶液で選択的に化学エッチングされ、GaN自立膜を基板からケミカルリフトオフ(CLO)できた。CLOプロセスによるダメージの導入はなく、縦型GaN-LEDを作製し電流注入発光を観測した。CLOにより複数基板からのLED剥離は一括処理でき、基板は再利用できるため、従来のGaN-LED作製法に比べ大幅なコスト低減が可能となる。

  9. ヘテロ界面制御によるZnO基板上への高品質GaNの低温成長

    任 寅鎬, 花田 貴, 八百 隆文

    2007年 ~ 2008年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究の目的は、(a)ZnO基板上の窒化物半導体成長のための新しいバッファー層技術を開発しGaN/ZnO界面反応と相互拡散の抑制を可能にすること、(b)サーフアクタントMBEによって高品質GaN膜の成長技術を開発すること、(c)ZnO基板上に、800℃以下の基板温度での高品質GaN膜(X線ロッキングカーブ半値幅((0002)ω-scanの半値幅で300 arcsec以下)の成長技術を開発することである。その中で、ZnO基板とGaN薄膜のヘテロ界面反応の抑制にふさわしいバッファー層として、ZnOとGaNより小さな格子定数、高い凝集エネルギーを持つために高い熱的安定性を有するAIN層をin-situ観察が可能な窒素プラズマ援用MBEを利用して成長させ、成長条件を最適化することを今年の研究目標とした。A1フラックス、N_2流量率、RFパワー及び基板温度を変化させながらAINバッファー層を成長し、その成長過程を反射高速電子線回折(RHEED)でその場観察し、成長したバッファー層の表面モフォロジーを原子間力顕微鏡(AFM)で評価し、結晶性と結晶構造を高分解能X線回折(HR-XRD)を利用して決定し、最適な成長条件を探索した。さらにZnO基板とバッファー層とのヘテロ界面反応の程度と結晶性の関係を分析するために二次イオン質量分析(SIMS)、X線光電子分光(XPS)などで評価を行った。その結果、ZnO基板上のGaN成長において、最適成長条件で成長させたAIN層は、相互拡散による結晶性低下を抑止するためのバッファー層として非常に有効であることを見いだした。

  10. 周期分極反転した酸化亜鉛による励起子共鳴非線形波長変換

    花田 貴, CHO Meoung-Whan

    2006年 ~ 2007年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    酸素プラズマ援用分子線エピタキシ法を用いて周期分極反転(PPI)酸化亜鉛(ZnO)薄膜の作製を行い、紫外からテラヘルツ領域の疑似位相整合(QPM)波長変換素子への応用の可能性を確認した。サファイア(0001)基板上に直接成長したZn0は0極性の(000-1)面となるが、厚さ3nm以上の岩塩構造MgO(111)バッファ層を挟んで成長したZn0はZn極性の(0001)面となる。これを利用して、サファイア上にMgO(111)バッファ層を成長したあと、フォトリソグラフィーを用いて周期的にMgOバッファ層をエッチングし、MgOバッファ層の有無によるストライプ状の周期構造を持つ基板を作製した後、ZnO薄膜を成長することでZnOの1次元PPI構造を得ることが出来た。これまでに紫外からテラヘルツ領域のQPMに対応できる分極反転周期580nmから60μmにわたってPPI構造を作製することに成功している。これらの分極ドメイン構造は2インチc面サファイア基板上に均質に作製された。チタンサファイアレーザー(波長790nm)を基本波とした第二高調波発生(SHG)実験を行った。試料に対して斜めに基本波を入射させ、光の感じる実効的な極性反転周期を変化させた結果、QPM条件の計算値と良く一致する極性反転周期でSHGの増強が確認された。さらに、ZnOの極性反転を引き起こすバッファ層の物質探索を行い、サファイア(0001)基板上の岩塩構造CrN(111)バッファ層上ではZn極性ZnOが成長し、CrNバッファ層を酸化させ得られたコランダム構造Cr203(0001)層上では0極性ZnOが成長することを見いだした。これを利用して、1次元PPI構造を作製したほか、レーザー干渉リソグラフィーを利用して2次元PPI構造も作製できた。この技術により2次元非線形フォトニック結晶の作製が可能になった。

  11. CrNをバッファ層として用いたAlGaNテンプレイト作製技術の開発

    ちょ 明煥, 花田 貴

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究機関:Tohoku University

    2005年 ~ 2006年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究ではGaNとAlGaN層の新しいバッファ材料としてCrNを提案した。立方晶CrN(111)面はGaN(0001)面・サファイヤ(0001)面双方に近い格子定数、熱膨張係数を持っため、厚膜成長時の貫通転位、ベンディング、クラックを低減するのに適した材料である。また、窒化物であるためGaN、AlGaNとの相性もよく、高温での安定性も高い等の利点が挙げられる。 最初実験としては分子線エピタキシー成長法(MBE法)とハイドライド気相成長法(HVPE法)を用いた2段階成長により、CrNバッファ層上にGaN厚膜を成長し、高品質クラックフリーGaNテンプレイト基板を作製した。結晶性と表面モルフォロジの比較のためにMBE法により作成された単層CrN緩衝層、GaN/CrN二重緩衝層、低温GaN緩衝層、及びMOCVD-GaNテンプレート上へHVPE法によるGaN厚膜成長を行った。成長後、GaN/CrN二重緩衝層、低温GaN緩衝層、MOCVD-GaNテンプレート上には平坦な表面を有した単結晶GaN膜が得られたのに対し、単層CrN緩衝層上には多結晶GaNが成長した。単層CrN緩衝層上に単結晶GaN膜が得ることができなかった原因は不明であるが、HVPE成長条件を最適化し成長速度を小さくすることで単結晶GaN膜成長は可能であると考えられる。また、XRD測定及びPL測定の結果より、GaN/CrN二重緩衝層上に成長したGaN膜は他の試料に比べ優れた結晶性、光学特性を有していることを確認、GaN/CrN構造がサファイヤ基板上へのGaN厚膜成長に適した緩衝層であることを明らかにした。 CrNの他の形成方法としてスパッタリング法によりCrN緩衝層を成膜し、その上へGaN厚膜成長を行った。CrN緩衝層の作製はスパッタリング法により成膜したCr薄膜をHVPE装置内で窒化することで行った。その上にGaN厚膜成長を行ったところ、GaN単結晶膜を得ることができた。次に緩衝層上に成長したGaN厚膜を評価することによりCrN緩衝層膜厚の最適化を行い、スパッタリング時のCr最適膜厚を10nmと決定した。この条件を用いて作成したGaN厚膜は良好な結晶性を示したものの、表面に多数のピットが生成し、表面の平坦性及び光学特性が著しく損なわれていた。

  12. サーフアクタントMBEによる高ホール濃度・高品質p-型Zn0の成長技術開発

    八百 隆文, ちょ 明煥, 花田 貴, 任 寅縞

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関:Tohoku University

    2005年 ~ 2006年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    サーフアクタント原子として水素原子を用いてZnOのサーブアクタントMBE成長に世界で初めて成功した。これによって、成長温度を通常のMBEにおける700℃から400℃まで結晶性を劣化することなく成長することに成功した。基板としてはZnO基板を用いた。結晶性はX線回折とフォトルミネッセンスで評価し、700℃で通常のMBE成長したZnOと400℃でサーフアクタントMBEで成長したZnO膜はほぼ同じ特性を示した。具体的なX線半値幅は(0002)で30arcsec程度、(10-10)で40arcsecであり、最高レベルの結晶品質を示した。 サーフアクタントMBEによる窒素ドーピングを実施した。成長温度に対して大きな依存性を示した。Zn極性ZnOとO極性ZnOのドーピング効率を比較し、Zn極性ZnO上ではO極性ZnO上に比べて、約1桁程度の窒素取り込みが多いことがわかった。Zn極性ZnO上では成長温度が350℃で10^<20>cm^<-3>程度のドーピングが可能になった。しかし、電気特性測定をしたところ依然としてn型伝導を示した。さらに、フォトルミネッセンス測定では、Nドーピングによって発光特性が大輻に劣化する。フォトルミネッセンス・スペクトルの解析から、Nのアクセプター準位が180meVであるということがわかった。窒素ドーピングによって何故n型になるか、検討を行った。N原子がHによってパッシベーションされることが原因と考えられる。Hを除去するために、アニールをしたが、アニールによってp型伝導を示す試料も得られたが、再現性に問題があった。この原因として、試料表面の不安定性が原因と考えられる。

  13. 金属ガラス合金の軽元素周辺の局所構造と結合状態

    花田 貴

    2004年 ~ 2005年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    金属ガラスでは主構成元素の原子半径が12%以上異なっていることが知られている。小さな原子は骨格となる大きな原子のランダム配列の間隙を埋めることによって、充填率と結合強度を上げる繋ぎの役割を果たすと考えられる。従って、高いガラス形成能の起源を探るうえで軽元素の役割を理解することは重要である。X線吸収微細構造(XAFS)測定で軽元素の吸収端を測定すれば軽元素周辺の局所構造が観測できるが、軽元素の吸収端は大気でも短距離で吸収される軟X線領域になるため、金属ガラスについては軽元素のXAFS測定がこれまで行われていなかった。そこで、He雰囲気でPd78Cu6Si16金属ガラスの軽元素SiのK吸収端XAFS測定を広島大HiSORのBL3で行った。計算と比較した結果、Si周辺の局所構造について第一近似としてはPd9Si2結晶と類似していることが分かった。Si周辺のPd配位数は8から10程度で、Si-Pd距離はPd9Si2結晶の場合より0.1Åほど小さい。このことからガラス状態では静的にランダムに揺らいだ配置をとるPdによってSiが圧迫されて押しつぶされていると見られる。アルゴンに酸素を含む雰囲でアニールされたPd78Cu6Si16では表面3μm程度の深さまでSiは酸化されており、Si周辺は4配位の酸素で囲まれている。軟X線領域にあるPdのL3吸収端XAFS測定によると、Pdは酸化されておらずPd周辺の局所構造はもともとPd同士の結合が主であるため、Siが酸化されても大きな変化は見られなかった。さらに、Cu周辺のK吸収端XAFS測定を高エネ研PFのBL9Aで行った結果、Cuも酸化の影響は受けず、組成から予想される通りCuの周辺構造はPdが主に配位しているモデルで合う。このことから、Siだけが選択的に酸化され金属ガラス表面にシリカガラスが析出していると考えられる。

  14. 有機半導体の分子線エピタキシとエレクトロニクス応用

    八百 隆文, 花田 貴, 張 志豪, 岡田 修司, 牧野 久雄

    2002年 ~ 2002年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    当初はペンタセン、アントラセン等の芳香族分子結晶の高純度化と単結晶育成による機能デバイス開拓を目的としていた。そのため、原料精製装置と単結晶育成装置を試作し、アントラセン単結晶の精製と育成を行った。光学評価からは、不純物の少ない単結晶が育成されていることを確認した。しかし、電子移動度はこの物質系の標準的な値の0.1cm2/Vsレベルであった。この間、ベル研のショーンの研究グループのデータ捏造事件が明らかになり、また、彼らのグループの報告を除いた状況での文献検討を行なったところ、アントラセン、ペンタセン単結晶による機能デバイスの可能性が得られないことがわかった。このため、新たな機能デバイスとして、有機ゲートFETの可能性を探求することとした。この狙いは(1)半導体プロセスの簡略化、(2)半導体デバイスと有機デバイスのカップリング、(3)フレキシブルエレクトロニクスへの展開、であった。試作した有機膜ゲートMISFET作成するための予備実験として、まず、Au/アントラセン/GaAs構造をリフトオフプロセスを利用して作製し、電流-電圧特性、容量-電圧特性を測定し、アントラセン膜がFETゲート膜として使用できるかどうかのチェックをした。電流電圧特性からバリヤー障壁が0.6eV、ダイオードのn値も1.8と見積もられた。この結果は容量-電圧特性は結果とほぼ一致した。これらの原因として、Auのアントラセン中への拡散による電極特性の劣化、GaAs表面での界面準位形成などの原因が考えられる。そこで、GaAs表面をNH4Sによる硫化処理を施し、GaAs表面準位をGa-S結合で終端して表面準位密度を減少させた上でアントラセン膜を蒸着してMISダイオードを試作して特性評価を行なった。その結果、バリヤー障壁は0.7eV、ダイオードn値は1.6と見積もられ、若干の特性改善がなされた。以上の結果より、有機膜ゲートMIS構造はゲート電極、ゲート有機分子膜を適切に選ぶことで、充分動作可能であると考えられ、今後更なる研究の推進が必要である。

  15. ワイドギャップ半導体ナノ量子ビットの構築

    八百 隆文, 具 本欣, 牧野 久雄, 花田 貴, グラビア ローレント, クルツ エリザベス

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (A).

    研究機関:Tohoku University

    1998年 ~ 2000年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究の究極の目的は短波長光エレクトロニクスの基盤技術を確立することであり、そのために、可視短波長領域から紫外領域にわたるバンドギャップを持つII-VI族半導体を開発するとともにこの物質系をベースとしたナノスケール量子ドットの自己形成プロセス技術を確立する。対象とする物質系をZnO系、ZnSe/ZnS系、ZnCdSe/ZnSe系とした。これらの物質系を選んだ理由は、650-390nmの可視から紫外領域をカバーできること、ZnOの励起子束縛エネルギーは60meVと大きく、ZnSe/ZnS量子井戸での励起子束縛エネルギーも40meVと大きいこと、ZnCdSe/ZnSe量子井戸は青緑色レーザで開発が進められている系であること、による。さらに、この3つの物質系の量子構造の形成に関しては、我々のグループでは研究実績を積み重ねてきていることももう一つの理由であった。 本研究の成果は以下のようにまとめられる。(1)高品質のワイドギャップ半導体材料薄膜の作製技術を確立した。すなわち、既に分子線エピタキシによる高品質薄膜技術を確立していたZnS,ZnSe,ZnCdSe,系のII-VI族化合物半導体に加えて、酸素プラズマ援用分子線エピタキシ紫外領域の酸化物半導体ZnOの高品質薄膜作製技術、原子層エピタキシも取り入れたZnSe/ZnS,ZnCdSe/ZnSeヘテロ構造の形成技術、ZnOの極性制御技術、ZnO/ZnMgZnOヘテロ構造形成技術を確立した。この成果は、well-definedの半導体ナノ量子ドット作製には欠かせない技術である。(2)ZnO量子ピラミッド、ZnSe/ZnS,ZnCdSe/ZnSe量子ドット自己形成プロセスを確立した。特に、ZnO系については酸化物半導体では初めての量子ドット形成である。(3)量子ドット系に関して興味ある物性が得られた。特にZnCdSe/ZnSe系量子ドットに関する励起子局在の光学特性への影響の解明、ZnO/ZnMgO系量子構造に関して励起子機構による誘導放出の観測、ZnSe/ZnS量子ドットにおける初めてスペクトル拡散という量子ドット系に固有の現象を見いだした。以上述べた本研究の成果が短波長光エレクトロニクスの研究の進展に寄与することを願うものである。

  16. 走査容量顕微鏡を用いた半導体ナノスケール材料・デバイス評価技術の開発に関する研究

    八百 隆文, 花田 貴, 林 司, るー ふぁん, 朱 自強

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関:Tohoku University

    1997年 ~ 1998年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    平成9年度はWワイヤーカンチレバーを用いた原子間力顕微鏡フィードバックシステムを開発し、走査容量顕微鏡の高感度化ならびに高い空間分解能を得ることに成功した。本装置の容量の検出感度は1アトファラッド、面内分解能20nmであり、直接容量-電圧特性測定可能な装置としては世界最高性能を実現した。 平成10年度は、ナノスケール電気特性総合評価装置としての測定技術確立を目標として、(1)微分容量特性測定(dC/dV-V特性測定)と容量特性(C-V特性測定)との関係、(2)MOS実デバイスへの応用、(3)MOS容量特性のデバイスシミュレイションとの比較を行った。(1)に関しては、市販の走査容量顕微鏡はdC/dV特性の走査データを画像表示するが、この測定における致命的な問題点を明らかにし、本装置のような容量の直接測定が可能でない限り適切な半導体評価が可能でないことを明らかにした。逆に、容量の直接測定ならびにdC/dV測定がともに行える本装置の評価装置としての有用性が明らかになった。(2)に関しては、0.5ミクロンスケールMOSデバイスのゲート直下の容量測定を行い、ゲート直下での空乏層の拡がりに関する知見を得ることが可能であることを示した。また、ここでも、dC/dVによる高コントラスト画像と容量直接測定を併用することで、電界分布、空乏層拡がりに関するより詳細な知見が得られることを示した。(3)に関してはデバイスシミュレーションと比較することで、ナノスケールでの電気特性評価が的確に行えること、すなわち、探針直下の電界分布、空乏層の変化、ゲート、ドレイン、ソースにおけるチャージの流れ等の知見を得ることが出来る。以上、本装置の開発によって、革新的なナノスケールの電気特性評価装置が実現したことを示した。

  17. 酸化物超伝導体薄膜の原子層成長

    川合 真紀, 関根 理香, 花田 貴, 吉信 淳

    1993年 ~ 1993年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    平成5年度の研究では、酸化物超伝導体の母結晶である無限層化合物SrCuO_2の原子層単位での形成を実現すると同時に、SrCuO_2中に周期的に二重Sr層の導入を行い、人工的に超構造を構築し、その伝導物性を検討した。 一原子層単位での物質合成には基板となる結晶表面を目的とする物質合成に適した状態にする必要がある。前年度までに、基板となるチタン酸ストロンチウム単結晶の表面構造を明かにしており、その情報を手がかりに、無限層化合物の原子層単位での形成を実現した。また、一原子層単位での成長制御法により、二重Sr層を含む無限層(SrCuO_2)薄膜を形成した。無限層m層毎にSr二重層を含む構造をn回繰り返し積層した薄膜を((SrCuO_2)_mSr)_nと表すと、m≧8の範囲では超構造が形成できた。形成された薄膜の抵抗の温度変化を測定したところ、超構造を有する薄膜では、80Kおよび110K付近に抵抗異常が観測された。この異常な振舞いは、測定電流に依存し、測定電流20muA(10A/cm^2)以上では観測されなかった。抵抗異常は単純な無限層構造では観測されず、二重Sr層を含む超構造でのみ観測されたことから、二重Sr層を含む無限層構造に特有な振舞いであると考えられる。

  18. 酸化物超伝導体薄膜の原子層成長

    川合 真紀, 関根 理香, 花田 貴

    1992年 ~ 1992年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    酸化物超伝導体薄膜の原子層成長の制御成長の方法として、現状では、各原子層に対応する元素量を精密に制御し供給する方法がとられている。Bi系銅酸化物や「123」系酸化物においては、供給する元素量の制御により、原子層単位での物質合成が実現されているようである。しかしながら、現実には「各原子層に対応する元素量の精密制御」には供給量の的確な把握が必要とされ、金属元素を供給源とするMBE法においては、かなりの酸化ガス存在下で、%オーダーでの制御性を薄膜形成に要する数時間の間保持することは困難な場合が多い。供給量の的確な把握には、常時供給量をモニターする方法が考えられており、膜厚計による観測や、蒸発して来る金属ビームの濃度を直接原子吸光で調べる方法等が用いられており、それなりの成果を上げている。理想的には、薄膜表面に於て各原子層の形成に対応した情報を的確に把握し、この情報を常時モニターしつつ製膜制御することが望ましい。そこで、本研究においては、供給元素量を精密に制御し、薄膜形成する方法と、原子層形成時に得られるであろう情報を手がかりに、形成制御する方法とを検討した。 平成4年度においては、供給元素量を精密に制御し、薄膜形成する方法として、Bi系銅酸化物薄膜の低温低圧合成に引続き、「123」系銅酸化物薄膜の低温低圧合成を実現した。また、各原子層形成時の情報を手がかりとして薄膜形成する方法の例として、無限層化合物を取り上げ、チタン酸ストロンチウム単結晶表面からの成長を検討した。

  19. 固体表面反応を利用した酸化物超伝導 薄膜原子層の段階的形成

    川合 眞紀, 関根 理香, 花田 貴

    1990年 ~ 1990年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究は、膜形成過程における固体表面上での金属原子の配列構造、電子状を明らかにしつつ表面層を一層ずつの単位で制御、展開し、新しい表面相を創製することを目指している。本年度は、分子線エピタキシ-法により、Bi系2201および2212相の超薄膜を低温低圧条件下にて合成した。また、基板に格子整合のよい酸化物結晶を用いることにより、歪格子を形成し、その構造を議造を議論した。 薄膜の形成は、基板となる単結晶の表面が出発点となる。本研究では、超薄膜の形成に先立ち、基板表面の清浄化を行った。清浄基板表面上にBi系酸化物超伝導薄膜を形成した。Bi,Sr,Cuは製膜室内のKセルにより蒸着した。SrTiO_3(100)上にBi系酸化物を構築する場合、第1層目の膜形成は、Srから始める。清浄表面上に1原子層量に相当するSrを蒸着した後Cu、Srと各々1原子層相当量を蒸着した後、酸化ガスを導入して酸化、結晶化を計る。酸化ガスとしてNO_2を用いると表面2次元構造に起因するパタ-ンが得られる。 SrーCuーSr層を酸化し、2次元構造を得た後に、BiーBiーSrーCuーSrと蒸着したところで再び酸化結晶化する。SrーCuーSr上にBiーBiーSrーCuーSrを4回繰り返し得られた超薄膜はX線回析パタ-ンにより、Bi系のn=1相の構造をしていることが確認された。ひの製膜プロセスは、金属蒸着中の基板温度は常温、酸化過程も300℃と非常に低い温度で行っている。また、酸化ガスの圧力も10^<ー7>Torrの低圧で製膜されている。 チタン酸ストロンチウム(SrtiO_3)、ランタンアルミネイト(LaAlO_3)および酸化マグネシウム(MgO)上でBi系超薄膜の低温低圧エピタキシャル成長を試みた。清浄基板表面から低温でエピタキシャル成長を行った結果、基板の面内格子定数がBi系のa,b軸長と近い場合には、基板の格子定数を反映した薄膜が形成されることが解った。

  20. 団体表面反応を利用した酸化物超伝導薄膜原子層の段階的形成

    川合 眞紀, 関根 理香, 花田 貴

    1989年 ~ 1989年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    膜形成過程における固体表面上での金属原子の配列構造、電子状態を明らかにしつつ表面層を一層ずつの単位で制御、展開し、新しい表面相を創製することを試みた。その結果を、以下の3項目に分け述べる。 1 シリコン表面、Si(100)の不活性化 シリコン表面のダングリングボンドは、表面に一原子層吸着したビスマスと結合する。ビスマスの吸着した表面は、酸素との反応性が小さくなり、不活性化されていることが解った。このシリコン表面での1原子層のBiによる表面不活性化は、酸化物薄膜をシリコン上に積層する際の基板の表面処理として有望な方法である。 2 Cuキレ-ト化合物と酸化物表面水酸基の反応 酸化物表面の官能基と目的元素を含む化合物との反応により、原子層レベルで制御された酸化物超伝導薄膜を形成するためのモデル反応を行なった。Cu(DPM)2は、SiO2上の孤立水酸基と反応して酸化物表面に定量的に固定される。吸着したCuキレ-トのリガンドは、H2Oの気体と400℃で反応させることにより除去される。その結果、酸化物表面にCuの原子を固定することが出来た。この反応は、Cu以外のβジケトネ-ト化合物にも当てはまる。また、利用できる酸化物表面も多岐にわたる。今後、単結晶基板上への展開を行う予定である。 3 単斜晶系(Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_uにおける98.5Kの超伝導伝移 Bi系の2212層(Tc=80Kクラス)を窒素もしくはアルゴン中でアニ-ルすることにより、98.5Kの超伝導転移温度を示す相が得られた。結晶構造はPbの含有量とアニ-ル雰囲気によって支配される。98.5Kと高い転移温度を示した物は、単斜晶であり、Cuの形式電荷は2.05であった。

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示