研究者詳細

顔写真

ホンジヨウ　ヒロアキ
本庄　弘明
Hiroaki Honjo
所属
国際集積エレクトロニクス研究開発センター　研究開発部門
職名
教授
学位

  • 博士（工学）（東北大学）

  • 修士（理学）（九州大学）

プロフィール
In 1992, I joined NEC Corporation, where I engaged in development of magnetic head of hard disk drive. Since 2002, I have been working on research and development for fabrication process of MRAMs. Since 2014, I am being sent to Tohoku University. I received PhD in literature of "A study on dry etching process for three terminal spintronics devices". My current interests are process integration and material development of high-speed embedded MRAMs.

経歴 2

  • 2019年4月 ～ 継続中
    日本電気株式会社　主幹研究員

  • 2017年8月 ～ 継続中
    東北大学　国際集積エレクトロニクス研究開発センター　教授

所属学協会 1

  • 応用物理学会

    2021年8月 ～ 継続中

研究キーワード 3

  • MRAM

  • オービトロニクス

  • スピントロニクス

研究分野 2

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

受賞 2

  1. Dry Process Symposium Paper Award

    2016年10月　Dry Process Symposium

  2. Best Paper Award: International Symposium on Dry Process 2011

    2011年6月　日本応用物理学会

論文 149

  1. 25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance>107 for eFlash-type MRAM 査読有り

    H. Honjo, K. Nishioka, S. Miura, H. Naganuma, T. Watanabe, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, H. Inoue, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

    IEEE International electron devices meeting　226-229　2022年12月

    DOI： 10.1109/IEDM45625.2022.10019412 　

  2. Advanced 18 nm Quad-MTJ technology overcomes dilemma of Retention and Endurance under Scaling beyond 2X nm 査読有り

    H. Naganuma, S. Miura, H. Honjo, K. Nishioka, T. Watanabe, T. Nasuno, H. Inoue, T. V. A. Nguyen, Y. Endo, Y. Noguchi, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

    2021-June　2021年6月

    ISSN：0743-1562

  3. First demonstration of field-free SOT-MRAM with 0.35 ns write speed and 70 thermal stability under 400℃ thermal tolerance by canted SOT structure and its advanced patterning/SOT channel technology 査読有り

    H. Honjo, T. V. A. Nguyen, T. Watanabe, T. Nasuno, C. Zhang, T. Tanigawa, S. Miura, H. Inoue, M. Niwa, T. Yoshiduka, Y. Noguchi, M. Yasuhira, A. Tamakoshi, M. Natsui, Y. Ma, H. Koike, Y. Takahashi, K. Furuya, H. Shen, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

    International Electron Device Meeting　2019-December　2019年12月

    DOI： 10.1109/IEDM19573.2019.8993443 　

    ISSN：0163-1918

  4. Effect of surface modification treatment for buffer layer on thermal tolerance of synthetic ferrimagnetic reference layer in perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions 査読有り

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, M. Yasuhira, T. Endoh

    Journal of Applied Physics　126　113902　2019年9月

    DOI： 10.1063/1.5112017 　

  5. 14ns write speed 128Mb density Embedded STT-MRAM with endurance>10^10 and 10yrs retention @85°C using novel low damage MTJ integration process 査読有り

    H. Sato, H. Honjo, T. Watanabe, M. Niwa, H. Koike, S. Miura, T. Saito, H. Inoue, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, T. Yoshiduka, M. Yasuhira, S. Ikeda, S.- Y. Kang, T. Kubo, K. Yamashita, Y. Yagi, R. Tamura, T. Endoh

    International Electron Devise Meeting　2018-December　27.2.1-27.2.4　2018年12月

    DOI： 10.1109/IEDM.2018.8614606 　

    ISSN：0163-1918

  6. 10 nm Φ perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with over 400 degrees C high thermal tolerance by boron diffusion control 査読有り

    H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, S. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

    2015 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY (VLSI TECHNOLOGY)　2015年

    DOI： 10.1109/VLSIT.2015.7223661 　

  7. Strong antiferromagnetic interlayer exchange coupling induced by small additions of Re to an Ir interlayer in synthetic antiferromagnetic systems

    Yoshiaki Saito, Tufan Roy, Shoji Ikeda, Masafumi Shirai, Hiroaki Honjo, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh

    Scientific Reports　15　(1)　2025年3月15日

    出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC

    DOI： 10.1038/s41598-025-94088-w 　

    eISSN：2045-2322

  8. Ultrafast spin–orbit torque-induced magnetization switching in a 75°-canted magnetic tunnel junction 査読有り

    T. V. A. Nguyen, H. Naganuma, H. Honjo, S. Ikeda, T. Endoh

    AIP Advances　14　025018-025018　2024年2月1日

    DOI： 10.1063/9.0000789 　

  9. Influence of sidewall damage on thermal stability in quad-CoFeB/MgO interfaces by micromagnetic simulation 査読有り

    Hiroshi Naganuma, Hiroaki Honjo, Chikako Kaneta, Koichi Nishioka, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

    AIP Advances　12　000000-1-000000-11　2022年12月

    DOI： 10.1063/5.0112741 　

  10. Influence of Iridium Sputtering Conditions on the Magnetic Properties of Co/Pt-Based Iridium-Synthetic Antiferromagnetic Coupling Reference Layer 国際誌 査読有り

    H. Honjo, H. Naganuma, K. Nishioka, T. V. A. Nguyen, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

    IEEE Transactions on Magnetics　58　(8)　1-1　2022年

    出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

    DOI： 10.1109/tmag.2022.3151562 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  11. Effect of Magnetic Coupling Between Two CoFeB Layers on Thermal Stability in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with MgO/CoFeB/Insertion Layer/CoFeB/MgO Free Layer 査読有り

    K. Nishioka, S. Miura, H. Honjo, H. Naganuma, T.V.A. Nguyen, T. Watanabe, S. Ikeda, T. Emdoh

    IEEE Transactions on Magnetics　1-1　2021年5月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1109/tmag.2021.3083575 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  12. Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with Four Anti-ferromagnetically Coupled Co/Pt Pinning Layers 査読有り

    H. Honjo, K. Nishioka, S. Miura, H. Naganuma, T. Watanabe, Y. Noguchi, T. V. A. Nguyen, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

    IEEE Transactions on Magnetics　58　(2)　1-1　2021年

    出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

    DOI： 10.1109/tmag.2021.3078710 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  13. First Demonstration of 25-nm Quad Interface p-MTJ Device With Low Resistance-Area Product MgO and Ten Years Retention for High Reliable STT-MRAM 査読有り

    K. Nishioka, S. Miura, H. Honjo, H. Inoue, T. Watanabe, T. Nasuno, H. Naganuma, T. V. A. Nguyen, Y. Noguchi, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

    IEEE Transactions on Electron Devices　68　(6)　1-6　2021年

    出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

    DOI： 10.1109/ted.2021.3074103 　

    ISSN：0018-9383

    eISSN：1557-9646

  14. Enhancement of magnetic coupling and magnetic anisotropy in MTJ with multiple CoFeB/MgO interfaces for high thermal stability 査読有り

    K. Nishioka, H.Honjo, H. Naganuma, T.V.A. Nguyen, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

    AIP Advances　11　(2)　2021年

    DOI： 10.1063/9.0000048 　

    eISSN：2158-3226

  15. Effect of surface modification treatment on top pinned MTJ with perpendicular easy axis 国際誌 査読有り

    H. Honjo, H. Naganuma, T. V. A. Nguyen, H. Inoue, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

    AIP advances　11　(2)　025211-025211　2021年

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1063/9.0000047 　

    eISSN：2158-3226

  16. Dual-Port SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations under Field-Assistance-Free Condition 査読有り

    M. Natsui, A. Tamakoshi, H. Honjo, T. Watanabe, T. Nasuno, C. Zhang, T. Tanigawa, H. Inoue, M. Niwa, T. Yoshiduka, Y. Noguchi, M. Yasuhira, Y. Ma, H. Shen, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu

    IEEE Journal of Solid State Circuits　56　(4)　1116-1128　2020年11月

    DOI： 10.1109/JSSC.2020.3039800 　

    ISSN：0018-9200

    eISSN：1558-173X

  17. 40-nm 1T-1MTJ 128Mb STT-MRAM with Novel Averaged Reference Voltage Generator Based on Detailed Analysis of Scaled-Down Memory Cell Array Design 査読有り

    Hiroki KOIKE, Takaho TANIGAWA, Toshinari WATANABE, Takashi NASUNO, Yasuo NOGUCHI, Mitsuo YASUHIRA, Toru YOSHIDUKA, Yitao MA, Hiroaki HONJO, Koichi NISHIOKA, Sadahiko MIURA, Hirofumi INOUE, Shoji IKEDA, Tetsuo ENDOH

    57　(3)　2020年11月

    DOI： 10.1109/TMAG.2020.3038110 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  18. Enhancement of magnetic interaction and magnetic anisotropy in MTJ with multiple CoFeB/MgO interfaces for high thermal stability 査読有り

    K. Nishioka, H.Honjo, M.Yasuhira, S.Ikeda, T.Endoh

    66th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2020年11月

  19. Effect of surface modification treatment on top pinned MTJ with perpendicular easy axis 査読有り

    H. Honjo, S.Ikeda, M. Yasuhira, T. Endoh

    66th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2020年11月

  20. Scalability of Quad Interface p-MTJ for 1X nm STT-MRAM With 10-ns Low Power Write Operation, 10 Years Retention and Endurance > 10¹¹ 国際誌 査読有り

    Sadahiko Miura, Koichi Nishioka, Hiroshi Naganuma, Nguyen T. V. A, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Toshinari Watanabe, Hirofumi Inoue, Masaaki Niwa, Takaho Tanigawa, Yasuo Noguchi, Toru Yoshizuka, Mitsuo Yasuhira, Tetsuo Endoh

    IEEE Transactions on Electron Devices　67　(12)　1-6　2020年10月

    DOI： 10.1109/ted.2020.3025749 　

    ISSN：0018-9383

    eISSN：1557-9646

  21. Review of STT-MRAM circuit design strategies, and a 40-nm 1T-1MTJ 128Mb STT-MRAM design practice 招待有り

    Hiroki KOIKE, Takaho TANIGAWA, Toshinari WATANABE, Takashi NASUNO, Yasuo NOGUCHI, Mitsuo YASUHIRA, Toru YOSHIDUKA, Yitao MA, Hiroaki HONJO, Koichi NISHIOKA, Sadahiko MIURA, Hirofumi INOUE, Shoji IKEDA, Tetsuo ENDOH

    TMRC 2020　2020年8月17日

    DOI： 10.1109/tmrc49521.2020.9366711 　

  22. Scalability of Quad Interface p-MTJ for 1X nm STT-MRAM with 10 ns Low Power Write Operation, 10 years Retention and Endurance 10-11

    S. Miura, K. Nishioka, H. Naganuma, T. V.A. Nguyen, H. Honjo, S. Ikeda, T. Watanabe, H. Inoue, M. Niwa, T. Tanigawa, Y. Noguchi, T. Yoshiduka, M. Yasuhira, T. Endoh

    Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　2020-　2020年6月1日

    出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

    DOI： 10.1109/VLSITechnology18217.2020.9265104 　

    ISSN：0743-1562

  23. Influence of Hard Mask Materials on the Magnetic Properties of Perpendicular MTJs with Double CoFeB/MgO Interface 査読有り

    Honjo Hiroaki, Niwa Masaaki, Nguyen Thi Van Anh, Naganuma Hiroshi, Endo Yasushi, Yasuhira Mitsuo, Ikeda Shoji, Endoh Tetsuo

    IEEE Trans. on Magnetics　56　(8)　1-4　2020年6月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1109/TMAG.2020.3004576 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  24. Recent progresses in STT-MRAM and SOT-MRAM for next generation MRAM 招待有り

    Tetsuo Endoh, H. Honjo, K. Nishioka, S. Ikeda

    VLSI Symposium　2020年6月

    DOI： 10.1109/VLSITechnology18217.2020.9265042 　

    ISSN：0743-1562

    eISSN：2158-9682

  25. Dual-Port Field-Free SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations under 55-nm CMOS Technology and 1.2-V Supply Voltage 査読有り

    M. Natsui, A. Tamakoshi, H. Honjo, T. Watanabe, T. Nasuno, C. Zhang, T. Tanigawa, H. Inoue, M. Niwa, T. Yoshiduka, Y. Noguchi, M. Yasuhira, Y. Ma, H. Shen, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu

    VLSI Symposium　2020-June　2020年6月

    DOI： 10.1109/VLSICircuits18222.2020.9162774 　

  26. Scalability of Quad Interface p-MTJ for 1X nm STT-MRAM with 10 ns Low Power Write Operation, 10 years Retention and Endurance > 10^11 査読有り

    S. Miura, K. Nishioka, H. Naganuma, T. V. A. Nguyen, H. Honjo, S. Ikeda, T. Watanabe, H. Inoue, M. Niwa, T. Tanigawa, Y. Noguchi, T. Yoshiduka, M. Yasuhira, T. Endoh

    VLSI Symposium　1-6　2020年6月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1109/ted.2020.3025749 　

    ISSN：0018-9383

    eISSN：1557-9646

  27. Effect of metallic Mg insertion in CoFeB/MgO interface perpendicular magnetic tunnel junction on tunnel magnetoresistance ratio observed by Synchrotron x-ray diffraction 査読有り

    M. Niwa, H. Honjo, H. Inoue, T. Endoh

    Journal of Vacuum Science & Technology B　38　(3)　033801-033801　2020年5月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1116/1.5144850 　

    ISSN：2166-2746

    eISSN：2166-2754

  28. Novel Quad-Interface MTJ Technology and Its First Demonstration With High Thermal Stability Factor and Switching Efficiency for STT-MRAM Beyond 2X nm 査読有り

    K. Nhishioka, H. Honjo et al.,

    IEEE Transactions on electron device　67　(3)　995-1000　2020年2月

    DOI： 10.1109/TED.2020.2966731 　

    ISSN：0018-9383

    eISSN：1557-9646

  29. A free-extendible and ultralow-power nonvolatile multi-core associative coprocessor based on MRAM with inter-core pipeline scheme for large-scale full-adaptive nearest pattern searching 査読有り

    Y. Ma, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Endoh

    Japanease Journal of Applied Physics　59　(SG)　2020年2月

    DOI： 10.35848/1347-4065/ab72d0 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  30. Structural Analysis of CoFeB/MgO-based Perpendicular MTJs with Junction Size of 20 nm by STEM Tomography 査読有り

    M. Niwa, K. Kimura, T. Naijo, A. Oshurahunov, S. Nagamachi, H. Inoue, H. Honjo, S. Ikeda, T. Endoh

    IEEE Transactions on Magnetics　1-1　2020年

    出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

    DOI： 10.1109/tmag.2020.3008436 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  31. Effect of capping layer material on thermal tolerance of magnetic tunnel junctions with MgO/CoFeB-based free layer/MgO/capping layers 査読有り

    HONJO Hiroaki

    AIP Advances　9　(12)　125330-125330　2019年12月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1063/1.5129794 　

    eISSN：2158-3226

  32. Novel Quad Interface MTJ Technology and Its First Demonstration with High Thermal Stability and Switching Efficiency for STT-MRAM Beyond 2Xnm 査読有り

    K. Nishioka, H. Honjo, S. Ikeda, T. Watanabe, S. Miura, H. Inoue, T. Tanigawa, Y. Noguchi, M. Yasuhira, H. Sato, T. Endoh

    2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits　2019-June　T120-T121　2019年6月

    DOI： 10.23919/VLSIT.2019.8776499 　

    ISSN：0743-1562

  33. Change in chemical bonding state by thermal treatment in MgO-based magnetic tunnel junction observed by angle-resolved hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読有り

    Masaaki Niwa, Akira Yasui, Eiji Ikenaga, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Tetsuya Nakamura, Tetsuo Endoh

    Journal of Applied Physics　125　(203903)　2019年5月

    DOI： 10.1063/1.5094067 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  34. 12.1 An FPGA-Accelerated Fully Nonvolatile Microcontroller Unit for Sensor-Node Applications in 40nm CMOS/MTJ-Hybrid Technology Achieving 47.14μW Operation at 200MHz

    Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Akira Tamakoshi, Toshinari Watanabe, Hiroaki Honjo, Hiroki Koike, Takashi Nasuno, Yitao Ma, Takaho Tanigawa, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu

    Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference　2019-February　202-204　2019年3月6日

    DOI： 10.1109/ISSCC.2019.8662431 　

    ISSN：0193-6530

  35. A 47.14-µW 200-MHz MOS/MTJ-Hybrid Nonvolatile Microcontroller Unit Embedding STT-MRAM and FPGA for IoT Applications. 査読有り

    Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Akira Tamakoshi, Toshinari Watanabe, Hiroaki Honjo, Hiroki Koike, Takashi Nasuno, Yitao Ma, Takaho Tanigawa, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu

    J. Solid-State Circuits　54　(11)　2991-3004　2019年

    DOI： 10.1109/JSSC.2019.2930910 　

    ISSN：0018-9200

    eISSN：1558-173X

  36. A Fully Nonvolatile Microcontroller Unit with Embedded STT-MRAM and FPGA-Based Accelerator for Sensor-Node Applications in 40nm CMOS/MTJ-Hybrid Technology 査読有り

    M. Natsui, D. Suzuki, A. Tamakoshi, T. Watanabe, H. Honjo, H. Koike, T. Nasuno, Y. Ma, T. Tanigawa, Y. Noguchi, M. Yasuhira, H. Sato, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu

    IEEE Journal of Solid State Circuits　2019年

    DOI： 10.1109/JSSC.2019.2930910 　

  37. Insertion Layer Thickness Dependence of Magnetic and Electrical Properties for Double CoFeB/MgO Interface Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

    S.Miura, H.Sato, S.Ikeda, K. Nishioka, H.Honjo, T.Endoh

    IEEE. Transaction on Magnetics　55　(7)　2019年

    DOI： 10.1109/TMAG.2019.2901841 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  38. Critical role of sputtering condition for reference layer on magnetic and transport properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction. 査読有り

    H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, T. Endoh

    IEEE. Transaction on Magnetics　2019年1月

    DOI： 10.1109/TMAG.2019.2897067 　

  39. A Recent Progress of Spintronics Devices for Integrated Circuit Applications 査読有り

    Tetsuo Endoh, Hiroaki Honjo

    Journal of Low Power Electronics and Applications　8　(4)　2018年11月

    DOI： 10.3390/jlpea8040044 　

  40. STEM tomography study on structural features induced by MTJ processing 査読有り

    Masaaki Niwa, Kosuke Kimura, Toshinari Watanabe, Takanori Naijou, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

    Applied Physics A　124　(724)　2018年10月

    DOI： 10.1007/s00339-018-2144-x 　

    ISSN：0947-8396

    eISSN：1432-0630

  41. 1T-1MTJ Type Embedded STT-MRAM with Advanced Low-Damage and Short-Failure-Free RIE Technology down to 32 nmφ MTJ Patterning 査読有り

    Hideo Sato, Toshinari Watanabe, Hiroki Koike, Takashi Saito, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Hirofumi Inoue, Shoji Ikeda, Yasuo Noguchi, Takaho Tanigawa, Mitsuo Yasuhira, Hideo Ohno, Song Yun Kang, Takuya Kubo, Koichi Takatsuki, Koji Yamashita, Yasushi Yagi, Ryo Tamura, Takuro Nishimura, Koh Murata, Tetsuo Endoh

    2018 IEEE International Memory Workshop (IMW)　1-4　2018年5月

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.1109/imw.2018.8388774 　

  42. Novel Method of Evaluating Accurate Thermal Stability for MTJs Using Thermal Disturbance and its Demonstration for Single-/Double-Interface p-MTJ 査読有り

    Takashi Saito, Kenchi Ito, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

    IEEE Transactions on Magnetics　54　(4)　2018年4月1日

    DOI： 10.1109/TMAG.2017.2688440 　

    ISSN：0018-9464

  43. Impact of Tungsten Sputtering Condition on Magnetic and Transport Properties of Double-MgO Magnetic Tunneling Junction With CoFeB/W/CoFeB Free Layer 査読有り

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, H. Inoue, M. Muraguchi, M. Niwa, H. Ohno, T. Endoh

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　53　(11)　2017年11月

    DOI： 10.1109/TMAG.2017.2701838 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  44. Origin of variation of shift field via annealing at 400 degrees C in a perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction with [Co/Pt]-multilayers based synthetic ferrimagnetic reference layer 査読有り

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

    AIP ADVANCES　7　(5)　2017年5月

    DOI： 10.1063/1.4973946 　

    ISSN：2158-3226

  45. A spin transfer torque magnetoresistance random access memory-based high-density and ultralow-power associative memory for fully data-adaptive nearest neighbor search with current-mode similarity evaluation and time-domain minimum searching 査読有り

    Yitao Ma, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　56　(4)　04CF08　2017年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.56.04CF08 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  46. A Compact and Ultra-Low-Power STT-MRAMBased Associative Memory for Nearest Neighbor Search with Full Adaptivity of Template Data Format Employing Current-Mode Similarity Evaluation and Time-Domain Minimum Searching 査読有り

    Y.Ma, S.Miura, H.Honjo, S.Ikeda, T.Hanyu, H.Ohno, T.Endoh

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　B-2-06　83-84　2016年9月26日

  47. Improvement of Thermal Tolerance of CoFeB-MgO Perpendicular-Anisotropy Magnetic Tunnel Junctions by Controlling Boron Composition 査読有り

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, S. Sato, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　52　(7)　2016年7月

    DOI： 10.1109/TMAG.2016.2518203 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  48. Study on initial current leakage spots in CoFeB-capped MgO tunnel barrier by conductive atomic force microscopy 査読有り

    Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(4)　2016年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.04EE05 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  49. Study on initial current leakage spots in CoFeB-capped MgO tunnel barrier by conductive atomic force microscopy 査読有り

    Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(4)　04EE05　2016年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.04EE05 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  50. A 600-µW ultra-low-power associative processor for image pattern recognition employing magnetic tunnel junction-based nonvolatile memories with autonomic intelligent power-gating scheme 査読有り

    Yitao Ma, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

    Japanese Journal of Applied Physics　55　(4)　2016年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.04EF15 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  51. Study on initial current leakage spots in CoFeB-capped MgO tunnel barrier by conductive atomic force microscopy 査読有り

    Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(4)　04EE05　2016年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.04EE05 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  52. A 600-µW ultra-low-power associative processor for image pattern recognition employing magnetic tunnel junction-based nonvolatile memories with autonomic intelligent power-gating scheme 査読有り

    Yitao Ma, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

    Japanese Journal of Applied Physics　55　(4)　04EF15　2016年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.04EF15 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  53. 磁気トンネル接合素子のMgO膜における初期電流リークスポット密度のconductive AFM法による評価手法解析 査読有り

    佐藤創志, 本庄弘明, 池田正二, 大野英男, 遠藤哲郎, 丹羽正昭

    電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-（第21回研究会）　2016年1月22日

  54. Optimum boron concentration difference between single and double CoFeB/MgO interface perpendicular MTJs with high thermal tolerance and its mechanism 査読有り

    H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, S. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M.Yasuhira, T.Tanigawa, H.Koike, M.Muraguchi, M.Niwa, K.Ito, H.Ohno, T.Endoh

    13th Joint MMM-Intermag Conference　FB-06　2016年1月14日

  55. Demonstration of yield improvement for on-via MTJ using a 2-Mbit 1T-1MTJ STT-MRAM test chip 査読有り

    Hiroki Koike, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Toshinari Watanabe, Hideo Sato, Soshi Sato, Takashi Nasuno, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Takaho Tanigawa, Masakazu Muraguchi, Masaaki Niwa, Kenchi Ito, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

    2016 IEEE 8TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW)　2016年

    DOI： 10.1109/IMW.2016.7495264 　

    ISSN：2330-7978

  56. Demonstration of yield improvement for on-via MTJ using a 2-Mbit 1T-1MTJ STT-MRAM test chip 査読有り

    Hiroki Koike, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Toshinari Watanabe, Hideo Sato, Soshi Sato, Takashi Nasuno, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Takaho Tanigawa, Masakazu Muraguchi, Masaaki Niwa, Kenchi Ito, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

    2016 IEEE 8TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW)　2016年

    DOI： 10.1109/imw.2016.7495264 　

    ISSN：2330-7978

  57. Driving Force in Diffusion and Redistribution of Reducing Agents During Redox Reaction on the Surface of CoFeB Film 査読有り

    S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, M. Niwa

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　51　(11)　1　2015年11月

    DOI： 10.1109/TMAG.2015.2434840 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  58. Optimization of CoFeB capping layer thickness for characterization of leakage spots in MgO tunneling barrier of magnetic tunnel junction 査読有り

    S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, M. Niwa

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials　O-5-4　2015年9月29日

  59. Erratum: “Evidence of a reduction reaction of oxidized iron/cobalt by boron atoms diffused toward naturally oxidized surface of CoFeB layer during annealing” [Appl. Phys. Lett. 106, 142407 (2015)] 査読有り

    Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa

    Applied Physics Letters　106　(24)　249901　2015年6月

    DOI： 10.1063/1.4922749 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  60. Power-gated 32 bit microprocessor with a power controller circuit activated by deep-sleep-mode instruction achieving ultra-low power operation 査読有り

    Hiroki Koike, Takashi Ohsawa, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(4)　2015年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.54.04DE08 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  61. Evidence of a reduction reaction of oxidized iron/cobalt by boron atoms diffused toward naturally oxidized surface of CoFeB layer during annealing 査読有り

    Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa

    APPLIED PHYSICS LETTERS　106　(14)　2015年4月

    DOI： 10.1063/1.4917277 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  62. Properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions fabricated over the bottom electrode contact 査読有り

    Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Keizo Kinoshita, Keiichi Tokutome, Hiroaki Koike, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(4)　04DM06-1-04DM06-4　2015年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.54.04DM06 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  63. Properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions fabricated over the bottom electrode contact 査読有り

    Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Keizo Kinoshita, Keiichi Tokutome, Hiroaki Koike, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(4)　04DM06　2015年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.54.04DM06 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  64. Nonvolatile Logic-in-Memory LSI Using Cycle-Based Power Gating and its Application to Motion-Vector Prediction 査読有り

    Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Noboru Sakimura, Ryusuke Nebashi, Yukihide Tsuji, Ayuka Morioka, Tadahiko Sugibayashi, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Keizo Kinoshita, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

    IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS　50　(2)　476-489　2015年2月

    DOI： 10.1109/JSSC.2014.2362853 　

    ISSN：0018-9200

    eISSN：1558-173X

  65. Fabrication of a 3000-6-Input-LUTs Embedded and Block-Level Power-Gated Nonvolatile FPGA Chip Using p-MTJ-Based Logic-in-Memory Structure 査読有り

    D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

    2015 SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS (VLSI CIRCUITS)　2015-August　7223644　2015年

    DOI： 10.1109/VLSIT.2015.7223644 　

  66. Diffusion Behaviors Observed on the Surface of CoFeB Film after the Natural Oxidation and the Annealing 査読有り

    S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, M. Niwa

    2015 IEEE MAGNETICS CONFERENCE (INTERMAG)　GP-01　2015年

    DOI： 10.1109/INTMAG.2015.7157496 　

  67. 1T1MTJ STT-MRAM Cell Array Design with an Adaptive Reference Voltage Generator for Improving Device Variation Tolerance 査読有り

    Hiroki Koike, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Tosinari Watanabe, Hideo Sato, Soshi Sato, Takashi Nasuno, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Takaho Tanigawa, Masakazu Muraguchi, Masaaki Niwa, Kenchi Ito, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

    2015 IEEE 7TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW)　141-144　2015年

    DOI： 10.1109/IMW.2015.7150264 　

    ISSN：2330-7978

  68. Fabrication of a 3000-6-Input-LUTs Embedded and Block-Level Power-Gated Nonvolatile FPGA Chip Using p-MTJ-Based Logic-in-Memory Structure 査読有り

    D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

    2015 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY (VLSI TECHNOLOGY)　172-173　2015年

  69. 1T1MTJ STT-MRAM Cell Array Design with an Adaptive Reference Voltage Generator for Improving Device Variation Tolerance 査読有り

    Hiroki Koike, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Tosinari Watanabe, Hideo Sato, Soshi Sato, Takashi Nasuno, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Takaho Tanigawa, Masakazu Muraguchi, Masaaki Niwa, Kenchi Ito, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

    2015 IEEE 7TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW)　141-144　2015年

    DOI： 10.1109/imw.2015.7150264 　

    ISSN：2330-7978

  70. Material Stack Design With High Tolerance to Process-Induced Damage in Domain Wall Motion Device 査読有り

    Hiroaki Honjo, Shunsuke Fukami, Kunihiko Ishihara, Keizo Kinoshita, Yukihide Tsuji, Ayuka Morioka, Ryusuke Nebashi, Keiichi Tokutome, Noboru Sakimura, Michio Murahata, Sadahiko Miura, Tadahiko Sugibayashi, Naoki Kasai, Hideo Ohno

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　50　(11)　1401904-1401904　2014年11月

    DOI： 10.1109/TMAG.2014.2325019 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  71. Process-induced damage and its recovery for a CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic easy axis 査読有り

    Keizo Kinoshita, Hiroaki Honjo, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Kotaro Mizunuma, Keiichi Tokutome, Michio Murahata, Shoji Ikeda, Sadahiko Miura, Naoki Kasai, Hideo Ohno

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(10)　2014年10月

    DOI： 10.7567/JJAP.53.103001 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  72. A 500ps/8.5ns Array Read/Write Latency 1Mb Twin 1T1MTJ STT-MRAM designed in 90nm CMOS/40nm MTJ Process with Novel Positive Feedback S/A Circuit 査読有り

    T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

    International Conference on Solid State Dvices and Materails (SSDM)　A-8-3　2014年9月9日

  73. A Power-gated 32bit MPU with a Power Controller Circuit Activated by Deep-sleep-mode Instraction Achieving Ultra-low Power Operation 査読有り

    H. Koike, T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, K, Kinoshita, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

    International Conference on Solid State Dvices and Materails (SSDM)　A-7-1　2014年9月9日

  74. Properties of Perpendicular-Anisotrapy Magnetic Tunnel Junctions Fabricated over the Cu Via 査読有り

    S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, H, Koike, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno

    International Conference on Solid State Dvices and Materails (SSDM)　A-6-3　2014年9月9日

  75. ３端子スピントロニクス素子のドライエッチングに関する研究 査読有り

    本庄 弘明

    東北大学　2014年9月

  76. Design and fabrication of a perpendicular magnetic tunnel junction based nonvolatile programmable switch achieving 40% less area using shared-control transistor structure 査読有り

    D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17B742-1-17B742-3　2014年5月

    DOI： 10.1063/1.4868332 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  77. Design and fabrication of a perpendicular magnetic tunnel junction based nonvolatile programmable switch achieving 40% less area using shared-control transistor structure 査読有り

    D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　2014年5月

    DOI： 10.1063/1.4868332 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  78. Three-terminal magnetic tunneling junction device with perpendicular anisotropy CoFeB sensing layer 査読有り

    H. Honjo, S. Fukami, K. Ishihara, R. Nebashi, K. Kinoshita, K. Tokutome, M. Murahata, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17B750　2014年5月

    DOI： 10.1063/1.4868623 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  79. 1.5ns/2.1nsのランダム読出／書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM －6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み（BGW）方式を適用 招待有り 査読有り

    大澤隆, 小池洋紀, 三浦貞彦, 木下啓藏, 本庄弘明, 池田正二, 羽生貴弘, 大野英男, 遠藤哲郎

    信学技報　114　(13)　33-38　2014年4月17日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN：0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    CMOSラッチと一対のMTJからなる差動対型メモリセルにおいて、CMOSラッチへ書き込んだデータを用いてMTJを自動的に反転するバックグラウンド書き込み(BWG)方式を適用することによって、2.1nsecという高速な書き込みサイクル時間を実現した1Mb STT-MRAMの設計・試作・評価に関する報告であり、本方式の適用により、L3やL2キャッシュ等の高速混載メモリを不揮発性化してコンピュータのローパワー化を図ることが可能となる。

  80. MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit 遅延時間のマイクロプロセッサ 招待有り 査読有り

    小池洋紀, 崎村昇, 根橋竜介, 辻幸秀, 森岡あゆ香, 三浦貞彦, 本庄弘明, 杉林直彦, 大澤隆, 池田正二, 羽生貴弘, 大野英男, 遠藤哲郎

    信学技報　114　(13)　85-90　2014年4月17日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN：0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    磁気トンネル接合素子(MTJ)による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路(NV-F/F)を用いた,パワーゲーティングマイクロプロセッサ(MPU)を提案する.NV-F/FをMPUの内部状態の記憶に用いることで,3μsecという短いEntry/Exit遅延時間でパワーゲーティング動作を実行可能とした.このEntry/Exit遅延時間を達成するために,安定かつ高速な不揮発データ書き込み/読み出し可能なNV-F/F回路を新たに開発した.このMPUは,そのパワーゲーティングモードの制御容易性という特長により,低電力システムの実現に寄与する.

  81. Wide operational margin capability of 1 kbit spin-transfer-torque memory array chip with 1-PMOS and 1-bottom-pin-magnetic-tunnel-junction type cell 査読有り

    Hiroki Koike, Takashi Ohsawa, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(4)　2014年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.53.04ED13 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  82. Co/Pt multilayer based reference layers in magnetic tunnel junctions for nonvolatile spintronics VLSIs 査読有り

    Hideo Sato, Shoji Ikeda, Shunsuke Fukami, Hiroaki Honjo, Shinya Ishikawa, Michihiko Yamanouchi, Kotaro Mizunuma, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(4)　2014年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.53.04EM02 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  83. Plasma process induced physical damages on multilayered magnetic films for magnetic domain wall motion 査読有り

    Keizo Kinoshita, Hiroaki Honjo, Shunsuke Fukami, Ryusuke Nebashi, Keiichi Tokutome, Michio Murahata, Sadahiko Miura, Naoki Kasai, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(3)　2014年3月

    DOI： 10.7567/JJAP.53.03DF03 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  84. A delay circuit with 4-terminal magnetic-random-access-memory device for power-efficient time- domain signal processing 査読有り

    Ryusuke Nebashi, Noboru Sakimura, Hiroaki Honjo, Ayuka Morioka, Yukihide Tsuji, Kunihiko Ishihara, Keiichi Tokutome, Sadahiko Miura, Shunsuke Fukami, Keizo Kinoshita, Takahiro Hanyu, Tetsuo Endoh, Naoki Kasai, Hideo Ohno, Tadahiko Sugibayashi

    Proceedings - IEEE International Symposium on Circuits and Systems　1588-1591　2014年

    出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

    DOI： 10.1109/ISCAS.2014.6865453 　

    ISSN：0271-4310

  85. Perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO based magnetic tunnel junctions scaling down to 1X nm 査読有り

    S. Ikeda, H. Sato, H. Honjo, E. C. I. Enobio, S. Ishikawa, M. Yamanouchi, S. Fukami, S. Kanai, F. Matsukura, T. Endoh, H. Ohno

    2014 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)　796-799　2014年

    DOI： 10.1109/IEDM.2014.7047160 　

  86. A Delay Circuit with 4-Terminal Magnetic-Random-Access-Memory Device for Power-Efficient Time-Domain Signal Processing 査読有り

    Ryusuke Nebashi, Noboru Sakimura, Hiroaki Honjo, Ayuka Morioka, Yukihide Tsuji, Kunihiko Ishihara, Keiichi Tokutome, Sadahiko Miura, Shunsuke Fukami, Keizo Kinoshita, Takahiro Hanyu, Tetsuo Endoh, Naoki Kasai, Hideo Ohno, Tadahiko Sugibayashi

    2014 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS)　1588-1591　2014年

    DOI： 10.1109/ISCAS.2014.6865453 　

    ISSN：0271-4302

  87. A 90nm 20MHz Fully Nonvolatile Microcontroller for Standby-Power-Critical Applications 査読有り

    Noboru Sakimura, Yukihide Tsuji, Ryusuke Nebashi, Hiroaki Honjo, Ayuka Morioka, Kunihiko Ishihara, Keizo Kinoshita, Shunsuke Fukami, Sadahiko Miura, Naoki Kasai, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu, Tadahiko Sugibayashi

    2014 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE DIGEST OF TECHNICAL PAPERS (ISSCC)　57　184-+　2014年

    DOI： 10.1109/ISSCC.2014.6757392 　

    ISSN：0193-6530

  88. Fabrication of a magnetic tunnel junction-based 240-tile nonvolatile field-programmable gate array chip skipping wasted write operations for greedy power-reduced logic applications 査読有り

    Daisuke Suzuki, Masanori Natsui, Akira Mochizuki, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Keizo Kinoshita, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

    IEICE Electronics Express　10　(23)　20130772　2013年11月21日

    DOI： 10.1587/elex.10.20130772 　

    ISSN：1349-2543

  89. Fabrication of a Perpendicular-MTJ-Based Compact Nonvolatile Programmable Switch Using Shared-Write-Control-Transistor Structure 査読有り

    D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

    Abst. 58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　233　2013年11月

  90. MTJ resistance distribution and its bit error rate of 1-kbit 1T-1MTJ STT-MRAM cell arrays fabricated on a 300-mm wafer 査読有り

    H. Koike, T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno

    58th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials Abstract　2013年11月

  91. Demonstration of a Nonvolatile Processor Core Chip with Software-Controlled Three-Terminal MRAM Cells for Standby-Power Critical Applications 査読有り

    R. Nebashi, Y. Tsuji, H. Honjo, N. Sakimura, A. Morioka, K. Tokutome, S. Miura, S. Fukami, M. Yamanouchi, K. Kinoshita, T. Hanyu, T. Endoh, N. Kasai, H. Ohno, T. Sugibayashi

    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　M-8-3　1102-1103　2013年9月24日

  92. Properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions prepared by different MTJ etching process 査読有り

    S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, N. Kasai, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno

    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　PS-12-11　396-397　2013年9月24日

  93. A 4x4 Nonvolatile Multiplier Using Novel MTJ-CMOS Hybrid Latch and Flip-Flop 査読有り

    Takashi Ohsawa, Sadahiro Miura, Hiroaki Honjo, Keizo Kinoshita, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetuso Endoh

    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　M-6-3　1086-1087　2013年9月24日

  94. Wide Operational Margin Capability of 1kbit STT-MRAM Array Chip with 1-PMOS and 1-Bottom-Pin-MTJ Type Cell 査読有り

    Hiroki Koike, Takashi Ohsawa, Sadahiro Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetuso Endoh

    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　M-7-3　1094-1095　2013年9月24日

  95. IEEE Journal of Solid-State Circuits 査読有り

    T. Ohsawa, H. Koike, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

    A 1 Mb nonvolatile embedded memory using 4T2MTJ cell with 32 b fine-grained power gating scheme　48　(6)　1511-1520　2013年6月22日

  96. A 1.5nsec/2.1nsec random read/write cycle 1Mb STT-RAM using 6T2MTJ cell with background write for nonvolatile e-memories 査読有り

    Takashi Ohsawa, Sadahiro Miura, Keizo Kinoshita, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetuso Endoh

    2013 Symposium on VLSI Technology (VLSIT) & 2013 Symposium on VLSI Cricuit (VLSIC) Digest of Technical Papers　C110-C111　2013年6月12日

  97. Applied Physics Letters 査読有り

    S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, S. Miura, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

    Electrical endurance of Co/Ni wire for magnetic domain wall motion device　102　222410(1)-222410(4)　2013年6月6日

  98. Electrical endurance of Co/Ni wire for magnetic domain wall motion device 査読有り

    S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, S. Miura, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

    Applied Physics Letters　102　(22)　222410　2013年6月3日

    DOI： 10.1063/1.4809734 　

    ISSN：0003-6951

  99. Fabrication of a 99%-Energy-Less Nonvolatile Multi-Functional CAM Chip Using Hierarchical Power Gating for a Massively-Parallel Full-Text-Search Engine 査読有り

    S. Matsunaga, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, T. Sugibayashi, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Fukami, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

    2013 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers　106-107　2013年6月

  100. A 1 Mb Nonvolatile Embedded Memory Using 4T2MTJ Cell With 32 b Fine-Grained Power Gating Scheme 査読有り

    Takashi Ohsawa, Hiroki Koike, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Keizo Kinoshita, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

    IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS　48　(6)　1511-1520　2013年6月

    DOI： 10.1109/JSSC.2013.2253412 　

    ISSN：0018-9200

    eISSN：1558-173X

  101. スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術 査読有り

    辻幸秀, 根橋竜介, 崎村昇, 森岡あゆ香, 本庄弘明, 徳留圭一, 三浦貞彦, 鈴木哲広, 深見俊輔, 木下啓藏, 羽生貴弘, 遠藤哲郎, 笠井直記, 大野英男, 杉林

    信学技報,　113　(1)　41-46　2013年4月1日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN：0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラー率をP(<<1)とした場合の論理ゲートのエラー率を〜2・Pから〜6・P^2に低減した。また、冗長化による以下のオーバーヘッド、(1)面積の増加、(2)実効的な読み出し抵抗の低下、(3)素子数増加による書き込み時の消費電力の増大、に関して検討した。

  102. 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現 査読有り

    松永翔雲, 三浦貞彦, 本庄弘明, 木下啓蔵, 池田正二, 遠藤哲郎, 大野英男, 羽生貴弘

    信学技報,　113　(1)　33-38　2013年4月1日

  103. A fine-grained power gating architecture for MTJ-based embedded memories 査読有り

    Takashi Ohsawa, Hiroki Koike, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Keiichi Tokutome, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

    The 3nd CSIS International Symposium on Spintronics-based VLSIs　2013年1月31日

  104. A Power-Gated MPU with 3-microsecond Entry/Exit Delay using MTJ-Based Nonvolatile Flip-Flop 査読有り

    H. Koike, T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, S. Miura, H. Honjo, T. Sugibayashi

    PROCEEDINGS OF THE 2013 IEEE ASIAN SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE (A-SSCC)　317-320　2013年

  105. Fabrication of a 99%-energy-less nonvolatile multi-functional CAM chip using hierarchical power gating for a massively-parallel full-text-search engine 査読有り

    Matsunaga, S, Sakimura, N, Nebashi, R, Tsuji, Y, Morioka, A, Sugibayashi, T, Miura, S, Honjo, H, Kinoshita, K, Sato, H.a, Fukami, S.a, Natsui, M, Mochizuki, A.a, Ikeda, S.a c, Endoh, T.a, Ohno, H.a c, Hanyu, T.a c

    IEEE Symp VLSI Circuits Dig Tech Pap　6578736　2013年

  106. Nonvolatile Logic-in-Memory Array Processor in 90nm MTJ/MOS Achieving 75% Leakage Reduction Using Cycle-Based Power Gating 査読有り

    Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Noboru Sakimura, Ryusuke Nebashi, Yukihide Tsuji, Ayuka Morioka, Tadahiko Sugibayashi, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Keizo Kinoshita, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

    2013 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE DIGEST OF TECHNICAL PAPERS (ISSCC)　56　194-+　2013年

    DOI： 10.1109/ISSCC.2013.6487696 　

    ISSN：0193-6530

  107. Damage Recovery by Reductive Chemistry after Methanol-Based Plasma Etch to Fabricate Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

    Keizo Kinoshita, Tadashi Yamamoto, Hiroaki Honjo, Naoki Kasai, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(8)　08HA01.1-08HA01.6　2012年8月

    DOI： 10.1143/JJAP.51.08HA01 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  108. 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ 査読有り

    根橋竜介, 崎村昇, 辻幸秀, 深見俊輔, 本庄弘明, 齊藤信作, 三浦貞彦, 石綿延行, 木下啓蔵, 羽生貴弘, 遠藤哲郎, 笠井直記, 大野英男, 杉林直彦

    信学技報　112　(15)　49-54　2012年4月1日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN：0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した、16KbのCAMマクロは5nsでサーチ動作できることを実証した。このスピードは、既存のSRAMベースのCAMとほぼ同等である。

  109. Magnetic tunneling junction with Fe/NiFeB free layer for magnetic logic circuits 査読有り

    H. Honjo, S. Fukami, R. Nebashi, N. Ishiwata, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　07C709　2012年4月

    DOI： 10.1063/1.3675268 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  110. Domain-wall-motion cell with perpendicular anisotropy wire and in-plane magnetic tunneling junctions 査読有り

    H. Honjo, S. Fukami, T. Suzuki, R. Nebashi, N. Ishiwata, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　07C903　2012年4月

    DOI： 10.1063/1.3671437 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  111. High-Speed Simulator including Accurate MTJ Models for Spintronics Integrated Circuit Design 査読有り

    Noboru Sakimura, Ryusuke Nebashi, Yukihide Tsuji, Hiroaki Honjo, Tadahiko Sugibayashi, Hiroki Koike, Takashi Ohsawa, Shunsuke Fukami, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

    2012 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS 2012)　1971-1974　2012年

    DOI： 10.1109/ISCAS.2012.6271663 　

    ISSN：0271-4302

  112. Spintronics primitive gate with high error correction efficiency 6(P error) 2 for logic-in memory architecture 査読有り

    Y. Tsuji, R. Nebashi, N. Sakimura, A. Morioka, H. Honjo, K. Tokutome, S. Miura, T. Suzuki, S. Fukami, K. Kinoshita, T. Hanyu, T. Endoh, N. Kasai, H. Ohno, T. Sugibayashi

    Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　63-64　2012年

    DOI： 10.1109/VLSIT.2012.6242462 　

    ISSN：0743-1562

  113. High-speed and reliable domain wall motion device: Material design for embedded memory and logic application 査読有り

    S. Fukami, M. Yamanouchi, T. Koyama, K. Ueda, Y. Yoshimura, K. J. Kim, D. Chiba, H. Honjo, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Kato, Y. Tsuji, A. Morioka, K. Kinoshita, S. Miura, T. Suzuki, H. Tanigawa, S. Ikeda, T. Sugibayashi, N. Kasai, T. Ono, H. Ohno

    Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　61-62　2012年

    DOI： 10.1109/VLSIT.2012.6242461 　

    ISSN：0743-1562

  114. Spintronics primitive gate with high error correction efficiency 6(P error) 2 for logic-in memory architecture 査読有り

    Y. Tsuji, R. Nebashi, N. Sakimura, A. Morioka, H. Honjo, K. Tokutome, S. Miura, T. Suzuki, S. Fukami, K. Kinoshita, T. Hanyu, T. Endoh, N. Kasai, H. Ohno, T. Sugibayashi

    Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　T7.4　63-64　2012年

    DOI： 10.1109/VLSIT.2012.6242462 　

    ISSN：0743-1562

  115. 1Mb 4T-2MTJ nonvolatile STT-RAM for embedded memories using 32b fine-grained power gating technique with 1.0ns/200ps wake-up/power-off times 査読有り

    T. Ohsawa, H. Koike, S. Miura, H. Honjo, K. Tokutome, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

    IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers　J-C6.3　46-47　2012年

    DOI： 10.1109/VLSIC.2012.6243782 　

  116. A 3.14 um 2 4T-2MTJ-cell fully parallel TCAM based on nonvolatile logic-in-memory architecture 査読有り

    Shoun Matsunaga, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjou, Keizo Kinoshita, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

    IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers　J-C6.2　44-45　2012年

    DOI： 10.1109/VLSIC.2012.6243781 　

  117. A Content Addressable Memory Using Magnetic Domain Wall Motion Cells 査読有り

    R. Nebashi, N. Sakimura, Y. Tsuji, S. Fukami, H. Honjo, S. Saito, S. Miura, N. Ishiwata, K. Kinoshita, T. Hanyu, T. Endoh, N. Kasai, H. Ohno, T. Sugibayashi

    2011 Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers　300-301　2011年6月

  118. A content addressable memory using magnetic domain wall motion cells 査読有り

    Nebashi, R, Sakimura, N, Tsuji, Y, Fukami, S.a, Honjo, H, Saito, S.a, Miura, S.a, Ishiwata, N, Kinoshita, K.a, Hanyu, T, Endoh, T, Kasai, N, Ohno, H, Sugibayashi, T, a

    IEEE Symp VLSI Circuits Dig Tech Pap　5986430-301　2011年

  119. Three-terminal domain-wall cell architectures 査読有り

    N. Ishiwata, S. Fukami, S. Saitho, R. Nebashi, N. Sakimura, H. Honjo, S. Miura, T. Sugibayashi, Y. Thuji, M. Murahata, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu, N. Kasai

    International Magnetics Conference 2011 abstract　2011年

  120. Current-induced Domain Wall Motion MRAM 査読有り

    N. Ishiwata, S. Fukami, T. Suzuki, K. Nagahara, N. Ohshima, S. Saito, R.Nebashi, N.Sakimura, H. Honjo, K. Mori, T. Igarashi, H. Tanigawa, S. Miura, T. Sugibayashi

    Int Magnetics Conf/Int Conf on Magnetism & Magnetic Materials Abstract　2011年

  121. Current Status and Future Challemge of Embedded High-speed MRAM 査読有り

    S. Fukami, T. Suzuki, K. Nagahara, N. Ohshima, S. Saitoh, R. Nebashi, N. Sakimura, H. Honjo, K. Mori, E. Kariyada, Y. Kato, K. Suemitsu, H. Tanigawa, K. Kinoshita, S. Miura, N. Ishiwata, T. Sugibayashi

    International Conference on Solid State Devices and Materials Proceedings　2010年

  122. Analysis of MTJ Edge Deformation Influence on Switching Current Distribution for Next-Generation High-Speed MRAMs 査読有り

    Yukoh Katoh, Shinsaku Saito, Hiroaki Honjo, Ryusuke Nebashi, Noboru Sakimura, Tetsuhiro Suzuki, Sadahiko Miura, Tadahiko Sugibayashi

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　45　(10)　3804-3807　2009年10月

    DOI： 10.1109/TMAG.2009.2022336 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  123. Performance of shape-varying magnetic tunneling junction for high-speed magnetic random access memory cells 査読有り

    H. Honjo, S. Fukami, R. Nebashi, T. Suzuki, N. Ishiwata, S. Miura, T. Sugibayashi

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(7)　07C921　2009年4月

    DOI： 10.1063/1.3062825 　

    ISSN：0021-8979

  124. Low-Current Perpendicular Domain Wall Motion Cell for Scalable High-Speed MRAM 査読有り

    S. Fukami, T. Suzuki, K. Nagahara, N. Ohshima, Y. Ozaki, S. Saito, R. Nebashi, N. Sakimura, H. Honjo, K. Mori, C. Igarashi, S. Miura, N. Ishiwata, T. Sugibayashi

    2009 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS　230-+　2009年

  125. A 90nm 12ns 32Mb 2T1MTJ MRAM 査読有り

    R. Nebashi, N. Sakimura, H. Honjo, S. Saito, Y. Ito, S. Miura, Y. Kato, K. Mori, Y. Ozaki, Y. Kobayashi, N. Ohshima, K. Kinoshita, T. Suzuki, K. Nagahara, N. Ishiwata, K. Suemitsu, S. Fukami, H. Hada, T. Sugibayashi, N. Kasai

    Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference　4977508-464　2009年

    DOI： 10.1109/ISSCC.2009.4977508 　

    ISSN：0193-6530

  126. High-speed Magnetic Memory based on Spin-Torque Domain Wall Motion 査読有り

    N. Ishiwata, S. Fukami, T.Suzuki, K. Nagahara, N. Ohshima, H. Honjo, K. Mori, T. Igarashi, S. Miura, T. Sugibayashi, K. Ozaki, S. Saito, R. Nebashi, N. Sakimura

    Int Conf on Solid State Devices & Materials Proceedings　2009年

  127. A 90nm 12ns 32Mb 2T1MTJ MRAM 査読有り

    R. Nebashi, N. Sakimura, H. Honjo, S. Saito, Y. Ito, S. Miura, Y. Kato, K. Mori, Y. Ozaki, Y. Kobayashi, N. Ohshima, K. Kinoshita, T. Suzuki, K. Nagahara, N. Ishiwata, K. Suemitsu, S. Fukami, H. Hada, T. Sugibayashi, N. Kasai

    Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference　462-464　2009年

    DOI： 10.1109/ISSCC.2009.4977508 　

    ISSN：0193-6530

  128. Low write-current magnetic random access memory cell with anisotropy-varied free layers 査読有り

    S. Fukami, H. Honjo, T. Suzuki, N. Ishiwata

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　104　(11)　113901　2008年12月

    DOI： 10.1063/1.3032894 　

    ISSN：0021-8979

  129. Microwave spectrum of the GeCl radical 査読有り

    Keiichi Tanaka, Hiroaki Honjou, Masaki J. Tsuchiya, Takehiko Tanaka

    JOURNAL OF MOLECULAR SPECTROSCOPY　251　(1-2)　369-373　2008年9月

    DOI： 10.1016/j.jms.2008.04.007 　

    ISSN：0022-2852

    eISSN：1096-083X

  130. Performance of write-line inserted magnetic tunneling junction for low-write-current magnetic random access memory cell 査読有り

    H. Honjo, R. Nebashi, T. Suzuki, S. Fukami, N. Ishiwata, T. Sugibayashi, N. Kasai

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(7)　07A711　2008年4月

    DOI： 10.1063/1.2839288 　

    ISSN：0021-8979

  131. Improvement of thermal stability of magnetoresistive random access memory device with SiN protective film deposited by high-density plasma chemical vapor deposition 査読有り

    Katsumi Suemitsu, Yuichi Kawano, Hiroaki Utsumi, Hiroaki Honjo, Ryusuke Nebashi, Shinsaku Saito, Norikazu Ohshima, Tadahiko Sugibayashi, Hiromitsu Hada, Tatsuhiko Nohisa, Tadashi Shimazu, Masahiko Inoue, Naoki Kasai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　47　(4)　2714-2718　2008年4月

    DOI： 10.1143/JJAP.47.2714 　

    ISSN：0021-4922

  132. A 500-MHz MRAM Macro for High-performance SoCs 査読有り

    Noboru Sakimura, Ryusuke Nebashi, Hiroaki Honjo, Shinsaku Saito, Yuko Kato, Tadahiko Sugibayashi

    2008 IEEE ASIAN SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE　261-264　2008年

    DOI： 10.1109/ASSCC.2008.4708778 　

  133. A 16-Mb Toggle MRAM With Burst Modes”, IEEE J Solid-State Circuits, 査読有り

    T. Sugibayashi, N. Sakimura, T. Honda, K. Nagahara, K. Tsuji, H. Numata, S. Miura, K. Shimura, Y. Kato, S. Saito, Y. Fukumoto, H. Honjo, T. Suzuki, K. Suemitsu, T. Mukai, K. Mori, R. Nebashi, S. Fukami, N. Ohshima, H. Hada, N. Ishiwata, N. Kasai, S. Tahara

    IEEE. J Solid-State Circuits　42　(11)　2378-2385　2007年11月

    DOI： 10.1109/JSSC.2007.906195 　

    ISSN：0018-9200

    eISSN：1558-173X

  134. Reduction of writing field distribution in a magnetic random access memory with toggle switching 査読有り

    Shunsuke Fukami, Hiroaki Honjo, Tetsuhiro Suzuki, Nobuyuki Ishiwata

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　43　(8)　3512-3516　2007年8月

    DOI： 10.1109/TMAG.2007.900573 　

    ISSN：0018-9464

  135. MRAM cell technology for over 500-MHz SoC 査読有り

    Noboru Sakimura, Tadahiko Sugibayashi, Takeshi Honda, Hiroaki Honjo, Shinsaku Saito, Tetsuhiro Suzuki, Nobuyuki Ishiwata, Shuichi Tahara

    IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS　42　(4)　830-838　2007年4月

    DOI： 10.1109/JSSC.2007.891665 　

    ISSN：0018-9200

    eISSN：1558-173X

  136. A 250-MHz 1-mbit embedded MRAM macro using 2T1MTJ cell with bitline separation and half-pitch shift architecture 査読有り

    Noboru Sakimura, Tadahiko Sugibayashi, Ryusuke Nebashi, Hiroaki Honjo, Shinsaku Saito, Yuko Kato, Naoki Kasai

    2007 IEEE ASIAN SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE, PROCEEDINGS OF TECHNICAL PAPERS　216-219　2007年

  137. Large exchange coupling in synthetic antiferromagnet with ultrathin seed layer 査読有り

    Yoshiyuki Fukumoto, Hiroaki Honjo, Chuji Igarashi, Toshihiko Nagase, Nobuyuki Ishiwata, Sumio Ikegawa, Hiroaki Yoda, Shuichi Tahara

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　42　(10)　2636-2638　2006年10月

    DOI： 10.1109/TMAG.2006.878864 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  138. Conceptual material design for magnetic tunneling junction cap layer for high magnetoresistance ratio 査読有り

    M Nagamine, T Nagase, K Nishiyama, M Yoshikawa, M Amano, Y Asao, S Ikegawa, H Yoda, H Honjo, K Mori, N Ishiwata, S Tahara

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(8)　08K703　2006年4月

    DOI： 10.1063/1.2173637 　

    ISSN：0021-8979

  139. Enhancement of writing margin for low switching toggle magnetic random access memories using multilayer synthetic antiferromagnetic structures 査読有り

    Y Fukumoto, T Suzuki, K Mori, H Honjo, C Igarashi, N Ohshima, S Miura, N Ishiwata, S Tahara, Y Asao, H Yoda

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(8)　08N905　2006年4月

    DOI： 10.1063/1.2173962 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  140. A 16Mb toggle MRAM with burst modes 査読有り

    Tadahiko Sugibayashi, Noboru Sakimura, Takeshi Honda, Kiyokazu Nagahara, Kiyotaka Tsuji, Hideaki Numata, Sadahiko Miura, Ken-Ichi Shimura, Yuko Kato, Shinsaku Saito, Yoshiyuki Fukumoto, Hiroaki Honjo, Tetsuhiro Suzuki, Katsumi Suemitsu, Tomonori Mukai, Kaoru Mori, Ryusuke Nebashi, Shunsuke Fukami, Hiromitsu Hada, Nobuyuki Ishiwata, Naoki Kasai, Shuichi Tahara

    2006 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, ASSCC 2006　299-302　2006年

    DOI： 10.1109/ASSCC.2006.357910 　

  141. MRAM Cell Technology for Over 500MHz SoC 査読有り

    N. Sakimura, T. Sugibayashi, Y. Honda, H. Honjo, S. Saito, T. Suzuki, N. Ishiwata, S.Tahara

    Symp on VLSI Circuits Proceedings　2006年

  142. Toggling cell with four antiferromagnetically coupled ferromagnetic layers for high density MRAM with low switching current 査読有り

    T Suzuki, Y Fukumoto, K Mori, H Honjo, R Nebashi, S Miura, K Nagahara, S Saito, H Numata, K Tsuji, T Sugibayashi, H Hada, N Ishiwata, Y Asao, S Ikegawa, H Yoda, S Tahara

    2005 Symposium on VLSI Technology, Digest of Technical Papers　188-189　2005年

    DOI： 10.1109/.2005.1469262 　

  143. Thermally Stable MTJ for High Density MRAM 査読有り

    S. Ikegawa, T. Kishi, Y. Asao, T. Sugibayashi, H. Hada, S. Tahara, H. Yoda, N. Ishiwata, M. Nagamine, T. Nagase, K. Nishiyama, T. Mituzuka, N. Ohshima, H. Honjo, T. Ueda

    Int Conf on Solid State Devices & Materials Proceedings　2004年

  144. Read performance of tunneling magnetoresistive heads 査読有り

    K Ishihara, M Nakada, E Fukami, K Nagahara, H Honjo, K Ohashi

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　37　(4)　1687-1690　2001年7月

    DOI： 10.1109/20.950938 　

    ISSN：0018-9464

  145. Co-Ni-Fe Write Heads with a 10-μm Yoke Length for High-Speed Recording. 査読有り

    Y. Nonaka, H. Honjo, T. Toba, S. Saito, T. Ishi, M. Saito, N. Ishiwata, K. Ohashi

    IEEE Transaction on Magnetics　36　(5)　2514-2516　2000年9月

    DOI： 10.1109/20.908490 　

    ISSN：0018-9464

  146. CoNiFe write heads with a 10-μm core for high-speed recording

    Y. Nonaka, H. Honjo, T. Toba, S. Saitho, T. Ishi, M. Saito, N. Ishiwata, K. Ohashi

    Digests of the Intermag Conference　2000年

    出版者・発行元： IEEE

    ISSN：0074-6843

  147. Purity of films and performance of recording heads 査読有り

    K Ohashi, M Saito, H Honjo, T Toba, Y Nonaka, N Ishiwata

    ELECTROCHEMICAL TECHNOLOGY APPLICATIONS IN ELECTRONICS III　99　(34)　241-249　2000年

  148. Determination of the proton tunneling splitting of tropolone in the ground state by microwave spectroscopy 査読有り

    K Tanaka, H Honjo, T Tanaka, H Kohguchi, Y Ohshima, Y Endo

    JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS　110　(4)　1969-1978　1999年1月

    DOI： 10.1063/1.477863 　

    ISSN：0021-9606

  149. MILLIMETER-WAVE SPECTRUM OF GERMANIUM DICHLORIDE GECL2 - EQUILIBRIUM STRUCTURE AND ANHARMONIC-FORCE FIELD 査読有り

    MJ TSUCHIYA, H HONJOU, K TANAKA, T TANAKA

    JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE　352　407-415　1995年6月

    ISSN：0022-2860

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MISC 46

  1. High thermal tolerance synthetic ferrimagnetic reference layer with modified buffer layer by ion irradiation for perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions.

    H. Honjo

    International magnetic Conference　2018年4月

    DOI： 10.1109/INTMAG.2018.8508823 　

  2. 革新的スピントロニクス技術による消費電力と演算性能のジレンマの解決 (磁気が拓くイノベーション)

    遠藤哲郎, 本庄弘明, 西岡浩一, 小池洋紀, 馬奕涛, 池田正二

    社団法人日本磁気学会研究会資料　231　1-6　2021年3月

  3. A demonstration of high-performance STT-MRAM by development of unit process and integration process

    H. Sato, H. Honjo, T. Watanabe, M. Niwa, H. Koike, S. Miura, T. Saito, H. Inoue, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, T. Yoshiduka, M. Yasuhira, S. Ikeda, S.- Y. Kang, T. Kubo, K. Yamashita, R. Tamura, T. Nishimura, K. Murata, T. Endoh

    ICD研究会　2019年4月23日

  4. 依頼講演 適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計 (集積回路)

    小池 洋紀, 三浦 貞彦, 本庄 弘明, 渡辺 俊成, 佐藤 英夫, 佐藤 創志, 那須野 孝, 野口 靖夫, 安平 光雄, 谷川 高穂, 村口 正和, 丹羽 正昭, 伊藤 顕知, 池田 正二, 大野 英男, 遠藤 哲郎

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　116　(3)　51-56　2016年4月14日

    出版者・発行元： 電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

  5. 適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT‐MRAMセルアレイ設計

    小池洋紀, 三浦貞彦, 本庄弘明, 渡辺俊成, 小池洋紀, 三浦貞彦, 本庄弘明, 渡辺俊成, 佐藤英夫, 佐藤創志, 那須野孝, 野口靖夫, 安平光雄, 谷川高穂, 村口正和, 丹羽正昭, 佐藤創志, 那須野孝, 野口靖夫, 安平光雄, 谷川高穂, 村口正和, 丹羽正昭, 伊藤顕知, 池田正二, 池田正二, 大野英男, 遠藤哲郎, 遠藤哲郎

    電子情報通信学会技術研究報告　116　(3(ICD2016 1-15))　51‐56　2016年4月7日

    ISSN： 0913-5685

  6. 招待講演 待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ (シリコン材料・デバイス)

    崎村 昇, 辻 幸秀, 根橋 竜介, 本庄 弘明, 森岡 あゆ香, 石原 邦彦, 木下 啓藏, 深見 俊輔, 三浦 貞彦, 笠井 直記, 遠藤 哲郎, 大野 英男, 羽生 貴弘, 杉林 直彦

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　114　(174)　39-44　2014年8月4日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    本講演では,90nm混載MRAM技術を用いて設計された不揮発性マイクロコントローラの構成について述べる.本チップは,動作速度,動作電圧,信頼性に優れた特長を有する三端子磁気抵抗素子を用いて,メモリとロジックの両方が不揮発化されている.これにより,センサーノードで必要なスタンバイリーク・ゼロと瞬時システム復帰が可能な間欠動作が可能となる.また,MRAMを混載しても超低消費電力マイコン市場の主流である20MHzの動作周波数を達成できた.

  7. 招待講演 待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ (集積回路)

    崎村 昇, 辻 幸秀, 根橋 竜介, 本庄 弘明, 森岡 あゆ香, 石原 邦彦, 木下 啓藏, 深見 俊輔, 三浦 貞彦, 笠井 直記, 遠藤 哲郎, 大野 英男, 羽生 貴弘, 杉林 直彦

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　114　(175)　39-44　2014年8月4日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    本講演では,90nm混載MRAM技術を用いて設計された不揮発性マイクロコントローラの構成について述べる.本チップは,動作速度,動作電圧,信頼性に優れた特長を有する三端子磁気抵抗素子を用いて,メモリとロジックの両方が不揮発化されている.これにより,センサーノードで必要なスタンバイリーク・ゼロと瞬時システム復帰が可能な間欠動作が可能となる.また,MRAMを混載しても超低消費電力マイコン市場の主流である20MHzの動作周波数を達成できた.

  8. 待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ

    崎村昇, 辻幸秀, 根橋竜介, 本庄弘明, 森岡あゆ香, 石原邦彦, 木下啓藏, 深見俊輔, 三浦貞彦, 笠井直記, 遠藤哲郎, 大野英男, 羽生貴弘, 杉林直彦

    電子情報通信学会技術研究報告　114　(175(ICD2014 31-52))　39-44　2014年7月28日

    ISSN： 0913-5685

  9. 依頼講演 1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM : 6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み(BGW)方式を適用 (集積回路)

    大澤 隆, 小池 洋紀, 三浦 貞彦, 木下 啓蔵, 本庄 弘明, 池田 正二, 羽生 貴弘, 大野 英男, 遠藤 哲郎

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　114　(13)　33-38　2014年4月17日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    CMOSラッチと一対のMTJからなる差動対型メモリセルにおいて、CMOSラッチへ書き込んだデータを用いてMTJを自動的に反転するバックグラウンド書き込み(BWG)方式を適用することによって、2.1nsecという高速な書き込みサイクル時間を実現した1Mb STT-MRAMの設計・試作・評価に関する報告であり、本方式の適用により、L3やL2キャッシュ等の高速混載メモリを不揮発性化してコンピュータのローパワー化を図ることが可能となる。

  10. 依頼講演 MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ (集積回路)

    小池 洋紀, 崎村 昇, 根橋 竜介, 辻 幸秀, 森岡 あゆ香, 三浦 貞彦, 本庄 弘明, 杉林 直彦, 大澤 隆, 池田 正二, 羽生 貴弘, 大野 英男, 遠藤 哲郎

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　114　(13)　85-90　2014年4月17日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    磁気トンネル接合素子(MTJ)による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路(NV-F/F)を用いた,パワーゲーティングマイクロプロセッサ(MPU)を提案する.NV-F/FをMPUの内部状態の記憶に用いることで,3μsecという短いEntry/Exit遅延時間でパワーゲーティング動作を実行可能とした.このEntry/Exit遅延時間を達成するために,安定かつ高速な不揮発データ書き込み/読み出し可能なNV-F/F回路を新たに開発した.このMPUは,そのパワーゲーティングモードの制御容易性という特長により,低電力システムの実現に寄与する.

  11. MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec‐Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ

    小池洋紀, 崎村昇, 根橋竜介, 辻幸秀, 森岡あゆ香, 三浦貞彦, 本庄弘明, 杉林直彦, 大澤隆, 池田正二, 羽生貴弘, 大野英男, 遠藤哲郎

    電子情報通信学会技術研究報告　114　(13(ICD2014 1-18))　85-90　2014年4月10日

    ISSN： 0913-5685

  12. 15ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT‐MRAM―6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み(BGW)方式を適用―

    大澤隆, 小池洋紀, 三浦貞彦, 木下啓蔵, 本庄弘明, 池田正二, 羽生貴弘, 大野英男, 遠藤哲郎

    電子情報通信学会技術研究報告　114　(13(ICD2014 1-18))　33-38　2014年4月10日

    ISSN： 0913-5685

  13. 依頼講演 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 (集積回路)

    遠藤 哲郎, 大澤 隆, 小池 洋紀, 三浦 貞彦, 本庄 弘明, 徳留 圭一, 池田 正二, 羽生 貴弘, 大野 英男

    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報　113　(1)　27-32　2013年4月11日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセルによる1Mbの高速な混載用メモリを設計・試作した。スタンドバイ電流をなくし、動作電流を極力下げ、かつ高速なアクセス時間とサイクル時間を達成するために32bからなる細粒度パワーゲーティングを適用した。このセルは4個のNFETでその大きささが決まるために、従来のSRAMよりもセルサイズが小さくなるポテンシャルを持ち、実際スケーリングに基づきSTTMTJのスイッチング電流が小さくなることによって、NFETのチャンネル幅をスケーリングできるために25nm-45nm世代以降においてSRAMよりも小さいマクロを実現できる可能性を示した。

  14. 依頼講演 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現 (集積回路)

    松永 翔雲, 三浦 貞彦, 本庄 弘明, 木下 啓蔵, 池田 正二, 遠藤 哲郎, 大野 英男, 羽生 貴弘

    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報　113　(1)　33-38　2013年4月11日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア,Ternary Content-Addressable Memory(TCAM)では,記憶情報の大容量化と検索処理の低スタンバイ電力化が強く要求される.本稿では,4個のMOSトランジスタと2個のMagnetic Tunnel Junction(MTJ)素子を用いることで,記憶機能が不揮発化され,かつ所望の演算機能も実現できる新しい不揮発TCAMセル構造(4T-2MTJ構造)を提案する.90nm CMOSプロセスと100nm MTJプロセスにおいて3.14um^2という最小面積の不揮発TCAMセルを実現し,不揮発TCAMテストチップによりその動作を実証した.また,本提案手法による大容量化と低スタンバイ電力化の優位性を明らかにする.

  15. スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術 (集積回路)

    辻 幸秀, 根橋 竜介, 崎村 昇, 森岡 あゆ香, 本庄 弘明, 徳留 圭一, 三浦 貞彦, 鈴木 哲広, 深見 俊輔, 木下 啓藏, 羽生 貴弘, 遠藤 哲郎, 笠井 直記, 大野 英男, 杉林 直彦

    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報　113　(1)　41-46　2013年4月11日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラー率をP(&lt;&lt;1)とした場合の論理ゲートのエラー率を〜2・Pから〜6・P^2に低減した。また、冗長化による以下のオーバーヘッド、(1)面積の増加、(2)実効的な読み出し抵抗の低下、(3)素子数増加による書き込み時の消費電力の増大、に関して検討した。

  16. 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb4T2MTJ STT‐RAM―1.0ns/200psのWake‐up/Power‐off時間を達成―

    遠藤哲郎, 大澤隆, 小池洋紀, 三浦貞彦, 本庄弘明, 徳留圭一, 池田正二, 羽生貴弘, 大野英男

    電子情報通信学会技術研究報告　113　(1(ICD2013 1-23))　27-32　2013年4月4日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセルによる1Mbの高速な混載用メモリを設計・試作した。スタンドバイ電流をなくし、動作電流を極力下げ、かつ高速なアクセス時間とサイクル時間を達成するために32bからなる細粒度パワーゲーティングを適用した。このセルは4個のNFETでその大きささが決まるために、従来のSRAMよりもセルサイズが小さくなるポテンシャルを持ち、実際スケーリングに基づきSTTMTJのスイッチング電流が小さくなることによって、NFETのチャンネル幅をスケーリングできるために25nm-45nm世代以降においてSRAMよりも小さいマクロを実現できる可能性を示した。

  17. 4T‐2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現

    松永翔雲, 三浦貞彦, 本庄弘明, 木下啓蔵, 池田正二, 遠藤哲郎, 大野英男, 羽生貴弘

    電子情報通信学会技術研究報告　113　(1(ICD2013 1-23))　33-38　2013年4月4日

    ISSN： 0913-5685

  18. スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術

    辻幸秀, 根橋竜介, 崎村昇, 森岡あゆ香, 本庄弘明, 徳留圭一, 三浦貞彦, 鈴木哲広, 深見俊輔, 木下啓藏, 羽生貴弘, 遠藤哲郎, 笠井直記, 大野英男, 杉林直彦

    電子情報通信学会技術研究報告　113　(1(ICD2013 1-23))　41-46　2013年4月4日

    ISSN： 0913-5685

  19. 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ

    根橋竜介, 崎村昇, 辻幸秀, 深見俊輔, 本庄弘明, 齊藤信作, 三浦貞彦, 石綿延行, 木下啓蔵, 羽生貴弘, 遠藤哲郎, 笠井直記, 大野英男, 杉林直彦

    電子情報通信学会技術研究報告　112　(15(ICD2012 1-18))　49-54　2012年4月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した、16KbのCAMマクロは5nsでサーチ動作できることを実証した。このスピードは、既存のSRAMベースのCAMとほぼ同等である。

  20. 磁気トンネル接合素子のプラズマプロセス誘起ダメージとリカバリーの試み

    木下啓藏, 山本直志, 本庄弘明, 末光克巳, 石綿延行, 大嶋則和, 深見俊輔, 山本弘輝, 森田正, 笠井直記, 杉林直彦, 池田正二, 大野英男

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　72nd　ROMBUNNO.31P-M-5　2011年8月16日

  21. 高速Spin‐RAM技術とロジック回路への適用

    崎村昇, 根橋竜介, 本庄弘明, 深見俊輔, 石綿延行, 杉林直彦

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　58th　ROMBUNNO.24P-KQ-4　2011年3月9日

  22. C-12-5 磁気フリップフロップによる不揮発性論理演算マクロの設計と実証(C-12.集積回路,一般セッション)

    崎村 昇, 根橋 竜介, 本庄 弘明, 斉藤 信作, 三浦 貞彦, 杉林 直彦

    電子情報通信学会総合大会講演論文集　2011　(2)　77-77　2011年2月28日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

  23. 磁気フリップフロップによる不揮発性論理演算マクロの設計と実証

    崎村昇, 根橋竜介, 本庄弘明, 斉藤信作, 三浦貞彦, 杉林直彦

    電子情報通信学会大会講演論文集　2011　(2)　77-77　2011年2月28日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 1349-1369

  24. スピン移行トルク磁壁移動を用いた高速磁気ランダムアクセスメモリ

    三浦貞彦, 深見俊輔, 鈴木哲広, 永原聖万, 大嶋則和, 加藤有光, 斉藤信作, 根橋竜介, 崎村昇, 本庄弘明, 森馨, 谷川博信, 石綿延行, 杉林直彦

    半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集　74th　89-92　2010年7月8日

    出版者・発行元： 電気化学会電子材料委員会

  25. SoC混載に適した垂直磁化磁壁移動型MRAM

    石綿延行, 深見俊輔, 鈴木哲広, 永原聖万, 大嶋則和, 尾崎康亮, 齊藤信作, 根橋竜介, 崎村昇, 本庄弘明, 森馨, 五十嵐忠二, 三浦貞彦, 杉林直彦

    日本磁気学会研究会資料　168th　41-45　2009年11月2日

    出版者・発行元： 日本磁気学会

    ISSN： 1882-2940

  26. 高速混載MRAM用磁場書きセルの書込み電流ばらつきの解析

    加藤有光, 斎藤信作, 本庄弘明, 根橋竜介, 崎村昇, 三浦貞彦, 杉林直彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　70th　(2)　691　2009年9月8日

  27. MRAMの技術動向,今後の展開,32MbMRAM開発

    杉林直彦, 根橋竜介, 崎村昇, 本庄弘明, 斉藤信作, 伊藤雄一, 三浦貞彦, 加藤有光, 森馨, 尾崎康亮, 小林洋介, 大嶋則和, 木下啓藏, 鈴木哲広, 永原聖万, 石綿延行, 末光克巳, 深見俊輔, 波田博光, 笠井直記

    電子情報通信学会技術研究報告　109　(2(ICD2009 1-12))　13-17　2009年4月6日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    MRAMは、磁性体を使用した書き換え回数制限のない唯一の不揮発メモリである。MRAMの最近の技術動向とその特徴を活かした応用先について議論し、今後の展開についての見通しについて述べる。我々は、MRAMの特徴は混載メモリに向いていると考え、2T1MTJ方式のメモリセルを中心に開発してきた。その最新の結果である32MbMRAMの試作について述べる。

  28. 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM

    深見俊輔, 鈴木哲広, 永原聖万, 大嶋則和, 尾崎康亮, 齊藤信作, 根橋竜介, 崎村昇, 本庄弘明, 森馨, 五十嵐忠二, 三浦貞彦, 石綿延行, 杉林直彦

    電子情報通信学会技術研究報告　109　(133(SDM2009 97-116))　230-+　2009年

    ISSN： 0913-5685

  29. 一軸書込みMRAMセルの低電流化

    三浦貞彦, 本庄弘明, 加藤有光, 齋藤信作, 崎村昇, 根橋竜介, 杉林直彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　69th　(2)　662　2008年9月2日

  30. Improvement of Thermal Stability of MRAM Device with SiN Protective Film Deposited by HDP CVD

    SUEMITSU Katsumi, KAWANO Yuichi, UTSUMI Hiroaki, HONJO Hiroaki, NEBASHI Ryusuke, SAITO Shinsaku, OHSHIMA Norikazu, SUGIBAYASHI Tadahiko, HADA Hiromitsu, NOHISA Tatsuhiko, SHIMAZU Tadashi, INOUE Masahiko, KASAI Naoki

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　2007　1154-1155　2007年9月19日

  31. 混載向け高速MRAMセル技術

    崎村昇, 杉林直彦, 根橋竜介, 本庄弘明, 志村健一, 笠井直記

    電子情報通信学会技術研究報告　107　(1(ICD2007 1-16))　1-5　2007年4月5日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    我々は、次世代のシステムLSIへ混載可能な新しい高速MRAMセル技術を開発した。このセル技術は、(1)書き込み動作速度を飛躍的に向上できる2T1MTJセル、(2)読出し速度を500MHz異常に向上できる5T2MTJセル、(3)書き込み電流を1mA以下に削減できる書き込み線挿入型MTJである。このセル技術によって、200MHz以上で動作するシステムLSIのSRAMマクロを付加価値の高い不揮発性のMRAMマクロへ置き換えることが実現できる。

  32. 半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb‐MRAMマクロ

    崎村昇, 杉林直彦, 根橋竜介, 本庄弘明, 斉藤信作, 加藤有光, 笠井直記

    電子情報通信学会技術研究報告　108　(6(ICD2008 1-16))　216-219　2007年

    ISSN： 0913-5685

  33. 共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4‐Mb MRAMマクロ

    根橋竜介, 崎村昇, 杉林直彦, 本庄弘明, 齊藤信作, 加藤有光, 笠井直記

    電子情報通信学会技術研究報告　108　(6(ICD2008 1-16))　220-223　2007年

    ISSN： 0913-5685

  34. 4Mb MRAMとその応用

    杉林 直彦, 本田 雄士, 崎村 昇, 永原 聖万, 三浦 貞彦, 志村 健一, 辻 清孝, 福本 能之, 本庄 弘明, 鈴木 哲広, 加藤 有光, 齋藤 信作, 笠井 直記, 沼田 秀昭, 大嶋 則和, 根橋 竜介, 末光 克巳, 向井 智徳, 森 馨, 深見 俊輔, 石綿 延行, 波田 博光, 田原 修一

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路　106　(2)　61-65　2006年4月6日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    新規に開発した4MbMRAMのセル技術、回路技術、試作結果及び応用提案について報告する。メモリセルはトグルセルであり、0.24μmMRAM+0.18μmCMOSルールで設計し、面積は2.24μm^2である。センスアンプ・書込み電流源回路はバーストモード動作ができ、FUSE付レジスタで回路特性を調整しやすいような構成になっている。チップサイズは、5mm×7.8mmである。MRAMの特徴が活きるドライブレコーダへの応用を提案するデモシステムを製作した。

  35. 技術開発 高速・大容量磁気ヘッド技術 (ストレージソリューション技術特集)

    石綿 延行, 本庄 弘明, 藤方 潤一

    NEC技報　54　(6)　41-44　2001年6月

    出版者・発行元： 日本電気

    ISSN： 0285-4139

  36. 超小型コアヘッドによる高周波磁気記録

    大橋 啓之, 石綿 延行, 本庄 弘明, 石 勉, 野中 義弘, 鳥羽 環, 斎藤 信作

    日本応用磁気学会誌 = Journal of Magnetics Society of Japan　25　(6)　1316-1321　2001年6月1日

    出版者・発行元： 日本応用磁気学会

    ISSN： 0285-0192

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Magnetic recording heads with a high-moment Co-Ni-Fe core are examined. Saturation flux density B_s of the core is 2.0 T. Good high-frequency write performance up to 500 MHz is obtained by reducing the core length to less than 10 μm. Excellent write performance of narrow (0.55 μm) pole tip head is also confirmed with high coercivity of a 480 kA/m (6000 Oe) medium. Finally, simulation results for higher-density and higher-speed magnetic recording are discussed.

  37. SC-5-4 Co-Ni-Feめっき膜を用いた高密度記録ヘッドの開発

    石綿 延行, 野中 義弘, 本庄 弘明, 鳥羽 環, 斎藤 信作, 斎藤 美紀子, 石 勉, 大橋 啓之

    電子情報通信学会総合大会講演論文集　2001　(2)　163-163　2001年3月7日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

  38. SC-5-6 スピントンネル素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッド

    中田 正文, 藤方 潤一, 石原 邦彦, 石 勉, 森 茂, 永原 聖万, 本庄 弘明, 深見 栄三, 石綿 延行, 大橋 啓之

    電子情報通信学会総合大会講演論文集　2001　(2)　165-166　2001年3月7日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

  39. 高飽和磁化磁極を用いた記録ヘッド : 高速記録用小型コアCo-Ni-Fe記録ヘッド

    石 勉, 野中 義弘, 本庄 弘明, 鳥羽 環, 斎藤 信作, 斎藤 美紀子, 鈴木 富士夫, 石綿 延行, 大橋 啓之

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　160a-160b　2000年9月1日

    ISSN： 1340-8100

  40. 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性

    野中 義弘, 鳥羽 環, 本庄 弘明, 斉藤 信作, 石 勉, 斎藤 美紀子, 石綿 延行, 大橋 啓之

    電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録　100　(188)　17-22　2000年7月7日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    高保磁力媒体に対して高周波記録が可能な, 飽和磁束密度(Bs)2TのCo-Ni-Feめっき膜を用いたコア長9.5μmの高Bs記録ヘッドを開発した.記録磁界の高速応答を計算した結果, 0.2μΩmと低抵抗率のCo-Ni-Feめっき膜であっても, ヘッドのコア長を10μmに縮小することで, 記録磁界は高速に応答することを見出した.小型コアCo-Ni-Feヘッドは, 保磁力400kA/m(5kOe)の媒体に対して周波数250MHzにおいても良好な記録特性を示し, 高速・高密度記録用ヘッドとして有望である.

  41. 高Bs記録ヘッドによる高保磁力媒体への記録特性

    野中 義弘, 鳥羽 環, 斎藤 信作, 本庄 弘明, 石 勉, 石綿 延行, 大橋 啓之

    日本応用磁気学会誌　24　(4)　355-358　2000年4月15日

    出版者・発行元： 公益社団法人 日本磁気学会

    DOI： 10.3379/jmsjmag.24.355 　

    ISSN： 0285-0192

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    A magnetic recording head with a Co-Ni-Fe/Ni-Fe composite write pole was designed. The saturation induction &lt;i&gt;Bs&lt;/i&gt; of Co-Ni-Fe is 2 T. In a computer simulation of a 3D static magnetic field, a recording head with Co-Ni-Fe films on both sides of a write gap generated a longitudinal write field of 9.9 kOe at a magnetic spacing of 40 nm from the write gap. The write characteristics of the recording head with the dual high-Bs structure designed above was tested for media with high coercivities of 4.5 to 7 kOe. The overwrite performance is over 30 dB for a medium with high coercivity of 7 kOe. Straight patterns of magnetic transitions written on the medium with a coercivity of 7 kOe were observed by using a magnetic force microscope (MFM). On the other hand, bends were found in the track-edges of magnetic transitions written on a medium with a coercivity of 4.5 kOe. This indicates that the recording head generated too large a write field for the medium with a coercivity of 4.5 kOe.

  42. 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性

    野中 義弘, 鳥羽 環, 本庄 弘明, 斎藤 信作, 石 勉, 斎藤 美紀子, 石綿 延行, 大橋 啓之

    電子情報通信学会総合大会講演論文集　2000　(2)　25-25　2000年3月7日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

  43. 高Bs記録ヘッドによる高保磁力媒体への記録特性

    野中義弘, 鳥羽環, 斎藤信作, 本庄弘明, 石勉, 石綿延行, 大橋啓之

    日本応用磁気学会学術講演概要集　23　200　1999年10月5日

    ISSN： 1340-8100

  44. 高Be記録ヘッドによる高保磁力媒体への記録特性

    野中 義弘, 鳥羽 環, 斎藤 信作, 本庄 弘明, 石 勉, 石綿 延行, 大橋 啓之

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　23　200-200　1999年10月1日

  45. GeClのミリ波分光

    本庄弘明, 田中桂一, 田中武彦

    日本化学会講演予稿集　63rd　(1)　417　1992年3月

    ISSN： 0285-7626

  46. トロポロンのマイクロ波分光

    本庄弘明, 尾中浩明, 田中桂一, 田中武彦

    分子構造総合討論会講演要旨集　1990　37　1990年10月

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書籍等出版物 1

  1. スピントロニクス ハンドブック

    2023年5月

講演・口頭発表等 42

  1. 25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance>10^7 for eFlash-type MRAM IEEE International electron devices meeting

    H. Honjo, K. Nishioka, S. Miura, H. Naganuma, T. Watanabe, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, H. Inoue, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

    IEDM2022　2022年12月

  2. First demonstration of field-free SOT-MRAM with 0.35 ns write speed and 70 thermal stability under 400℃ thermal tolerance by canted SOT structure and its advanced patterning/SOT channel technology

    H. Honjo, T. V. A. Nguyen, T. Watanabe, T. Nasuno, C. Zhang, T. Tanigawa, S. Miura, H. Inoue, M. Niwa, T. Yoshiduka, Y. Noguchi, M. Yasuhira, A. Tamakoshi, M. Natsui, Y. Ma, H. Koike, Y. Takahashi, K. Furuya, H. Shen, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

    International Electron Device Meeting　2019年12月

  3. Origin of variation of shift field via annealing at 400oC in a perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction with [Co/Pt]-multilayers based synthetic ferrimagnetic reference layer 国際会議

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi

    Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials　2016年10月31日

  4. iPMA-type Hexa-MTJ for High Density eFlash-type MRAM 招待有り

    Hiroaki Honjo

    8th CIES Forum　2023年3月28日

  5. Influence of Iridium Sputtering Conditions on the Magnetic Properties of Co/Pt-Based Iridium-Synthetic Antiferromagnetic Coupling Reference Layer

    H. Honjo, H. Naganuma, K. Nishioka, T. V. A. Nguyen, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

    Joint MMM-Intermag Conference　2022年1月10日

  6. Advanced 18 nm Quad-MTJ technology overcomes dilemma of Retention and Endurance under Scaling beyond 2X nm

    VLSI Symposium　2021年6月18日

  7. Effect of Magnetic Coupling Between Two CoFeB Layers on Thermal Stability in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with MgO/CoFeB/Insertion Layer/CoFeB/MgO Free Layer

    K. Nishioka, S. Miura, H. Honjo, H. Naganuma, T. V. A. Nguyen, T. Watanabe, S. Ikeda, T. Endoh

    IEEE International Magnetic Conference　2021年4月26日

  8. Perpendicular magnetic tunnel junctions with reference layer based on four anti-ferromagnetically coupled Co/Pt layers

    H. Honjo, S. Miura, K. Nishioka, H. Naganuma, T. Watanabe, Y. Noguchi, T. V. A. Nguyen, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

    IEEE International Magnetic Conference　2021年4月26日

  9. Hiroaki Honjo 革新的スピントロニクス技術による消費電力と演算性能のジレンマの解決 (磁気が拓くイノベーション) 招待有り

    遠藤哲郎, 本庄弘明, 西岡浩一, 小池洋紀, 馬奕涛, 池田正二

    日本磁気学会研究会　2021年3月30日

  10. Effect of surface modification treatment on top pinned MTJ with perpendicular easy axis

    H. Honjo, S.Ikeda, M. Yasuhira, T. Endoh

    66th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2020年11月

  11. Effect of cap material on thermal tolerance in a structure with MgO/CoFeB-based free layer/MgO/cap layer.

    H. Honjo, M. Yasuhira, S. Ikeda, H. Sato, T. Endoh

    64th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2019年11月7日

  12. An Ultra-Low-Power STT-MRAM-Based Multi-Core Associative Coprocessor with Inter-Core Pipeline Scheme for Large-Scale Full-Adaptive Nearest Pattern Search 国際会議

    Y. Ma, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Endoh

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials　2019年9月4日

  13. An FPGA-Accelerated Fully Nonvolatile Microcontroller Unit for Sensor- Node Applications in 40nm CMOS/MTJ-Hybrid Technology Achieving 47.14μW Operation at 200MHz

    M. Natsui, D. Suzuki, A. Tamakoshi, T. Watanabe, H. Honjo, H. Koike, T. Nasuno, Y. Ma, T. Tanigawa, Y. Noguchi, M. Yasuhira, H. Sato, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu

    2019年2月19日

  14. Insertion Layer Thickness Dependence of Magnetic and Electrical Properties for Double CoFeB/MgO Interface Magnetic Tunnel Junctions 国際会議

    S. Miura, T. V. A. Nguyen, Y. Endo, H. Sato, S. Ikeda, K. Nishioka, H. Honjo, T. Endoh

    Joint MMM-Intermag conference　2019年1月17日

  15. Critical role of sputtering condition for reference layer on magnetic and transport properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction. 国際会議

    H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, T. Endoh

    Joint MMM-Intermag conference　2019年1月15日

  16. High-performance (Co)FeB/MgO-based magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis down to single-digit nanometer scale 国際会議

    H. Sato, K. Watanabe, B. Jinnai, S. Fukami, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh

    Spintronics Workshop on LSI　2018年6月

  17. 1T-1MTJ type embedded STT-MRAM with advanced low-damage and short-failure-free RIE technology down to 32 nmΦ MTJ patterning 国際会議

    H. Sato, T. Watanabe, H. Honjo

    International Memory Workshop　2018年5月15日

  18. Performance advances in double CoFeB/MgO interface p-MTJs by designing cap stack structure 国際会議

    H. Honjo

    Kick-off Symposium for World Leading Research Centers -Materials Science and Spintronics-　2018年2月20日

  19. Improvement of magnetic and transport properties in perpendicular-anisotropy MTJs by engineering tungsten insertion layer sputtering conditions

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi

    IEDM MRAM Special Poster Session　2017年12月5日

  20. Impact of sputtering condition for tungsten on magnetic and transport properties of magnetic tunneling junction with CoFeB/W/CoFeB free layer.

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi

    Intermag2017　2017年4月24日

  21. Impact of sputtering condition for tungsten on magnetic and transport properties of magnetic tunneling junction 国際会議

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi

    IEEE. International Magnetic Conference　2017年4月23日

  22. Material development in advanced STT-MRAM 国際会議

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi

    3rd CIES Technology Forum　2017年3月21日

  23. High thermal tolerance reference layer with surface modification seed layer for perpendicular anisotropy MTJs 国際会議

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi

    IEDM　2016年12月

  24. Performance advances in double CoFeB/MgO interface p-MTJs with high thermal tolerance cap designed for CMOS BEOL compatibility 国際会議

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi

    IEDM　2016年12月

  25. High thermal tolerance synthetic ferrimagnetic reference layer with developed buffer layer for perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions 国際会議

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

    IEDM2016 MRAM Special Poster Session　2016年12月

  26. Thermally robust double CoFeB-MgO interface magnetic tunnel junction with perpendicular easy axis 国際会議

    H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

    IEDM2016 MRAM special poster session　2016年12月

  27. Demonstration of yield improvement for on-via MTJ using a 2-Mbit 1T-1MTJ STT-MRAM test chip 国際会議

    Hiroki Koike, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Tetsuo Endoh

    International Memory Workshop　2016年5月

  28. 磁気トンネル接合素子のMgO 膜における初期電流リークスポット密度のconductive AFM 法による評価手法解析

    佐藤創志, 本庄弘明, 池田正二, 大野英男, 遠藤哲郎, 丹羽正昭

    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第21回）　2016年1月22日

  29. Optimum boron concentration difference between single and double CoFeB/MgO interface perpendicular MTJs with high thermal tolerance and its mechanism 国際会議

    H. Honjo, H.Sato, S.Ikeda, S.Sato, T.Watanebe, S.Miura, T.NasunoY.Noguchi, M.Yasuhira, T.Tanigawa, H.Koike, M.Muraguchi, M.Niwa, K.Ito, H.Ohno, T.Endoh

    Joint MMM & Intermag Conference　2016年1月11日

  30. Optimization of CoFeB Capping Layer Thickness for Characterization of Leakage Spot in MgO Tunneling Barrier of Magnetic Tunnel Junction 国際会議

    International Conference on Solid State Devices and Materials　2015年9月28日

  31. A 600-μW Ultra-LowPower Associative Processor for Image Pattern Recognition Employing Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Based Nonvolatile Memories with Novel Intelligent Power-Gating (IPG) Scheme 国際会議

    Y. Ma, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Shibata, T. Endoh

    International Conference on Solid State Devices and Materials　2015年9月28日

  32. A 600-μW Ultra-LowPower Associative Processor for Image Pattern Recognition Employing Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Based Nonvolatile Memories with Novel Intelligent Power-Gating (IPG) Schem 国際会議

    Y. Ma, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Shibata, T. Endoh

    International Conference on Solid State Devices and Materials　2015年9月

  33. Optimization of CoFeB Capping Layer Thickness for Characterization of Leakage Spot in MgO Tunneling Barrier of Magnetic Tunnel Junction 国際会議

    S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, M. Niwa

    International Conference on Solid State Devices and Materials　2015年9月

  34. 10 nm perpendicular anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with over 400oC high thermal tolerance by boron diffusion control 国際会議

    H. Sato, S. Ikeda, S. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y.Noguchi, M.Yasuhira, T.Tanigawa, H.Koike, M.Muraguchi, M.Niwa, K.Ito, H.Ohno, T.Endoh

    2015 Symposium on VLSI Technology　2015年6月15日

  35. Material stack design with high tolerance to process induced damage in domain wall motion device 国際会議

    H. Honjo, S. Fukami, K. Ishihara, K. Kinoshita, A. Morioka, R. Nebashi, K. Tokutome, N.Sakimura, Y. Tsuji, S. Miura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

    IEEE International Magnetics Conference　2014年5月4日

  36. Three-terminal magnetic tunneling junction device with perpendicular anisotropy CoFeB sensing layer 国際会議

    H. Honjo, S. Fukami, K. Ishihara, R. Nebashi, K. Kinoshita, K. Tokutome, M. Murahata, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

    58th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials　2013年11月

  37. Magnetic tunneling junction with Fe/NiFeB free layer for magnetic logic circuits 国際会議

    H. Honjo, R. Nebashi, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, S. Fukami, N. Ishiwata, N. Kasai, H. Ohno

    56th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials　2011年11月

  38. Domain-wall-motion cell with perpendicular anisotropy wire and in-plane magnetic tunneling junctions 国際会議

    H. Honjo, T. Suzuki, R. Nebashi, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, S. Fukami, N. Ishiwata, N. Kasai, H. Ohno

    56th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials　2011年11月1日

  39. Performance of shape-varying magnetic tunneling junction for high-speed magnetic random access memory cells 国際会議

    H. Honjo, S. Fukami, R. Nebashi, T. Suzuki, N. Ishiwata, S. Miura, T. Sugibayashi

    52th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials　2008年11月

  40. Performance of write-lineinserted magnetic tunneling junction for low-write-current magnetic random access memory cell 国際会議

    H. Honjo, R. Nebashi, T. Suzuki, S. Fukami, N. Ishiwata

    51th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials　2007年11月

  41. Recording Head with a 2-Tesla Core 国際会議

    Int. Symp. on Future Magnetic Storage　1990年12月

  42. Influence of insertion layer deposition conditions on MTJ properties in perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO MTJs 国際会議

    本庄 弘明

    Kick-off Symposium for World Leading Research Centers -Materials Science and Spintronics-

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産業財産権 63

  1. 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ

    西岡 浩一, 遠藤 哲郎, 池田 正二, 本庄 弘明, 佐藤 英夫, 大野 英男

    特許第7055303号

    産業財産権の種類: 特許権

  2. 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果素子の製造方法

    本庄 弘明, 遠藤 哲郎, 池田 正二, 佐藤 英夫, 大野 英男

    特許第7018652号

    産業財産権の種類: 特許権

  3. 磁気トンネル接合素子およびその製造方法

    本庄 弘明, 池田 正二, 佐藤 英夫, 遠藤 哲郎, 大野 英男

    特許第7002134号

    産業財産権の種類: 特許権

  4. 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

    佐藤 英夫, 池田 正二, マティアス ベルスワイラー, 本庄 弘明, 渡部 杏太, 深見 俊輔, 松倉 文▲礼▼, 伊藤 顕知, 丹羽 正昭, 遠藤 哲郎, 大野 英男

    特許第6948706号

    産業財産権の種類: 特許権

  5. 磁気トンネル接合素子および磁気メモリ

    本庄 弘明, 池田 正二, 佐藤 英夫, 遠藤 哲郎, 大野 英男

    特許第6934673号

    産業財産権の種類: 特許権

  6. 磁気トンネル接合素子を備える磁気メモリの製造方法

    伊藤 顕知, 遠藤 哲郎, 池田 正二, 佐藤 英夫, 大野 英男, 三浦 貞彦, 丹羽 正昭, 本庄 弘明

    特許第6887686号

    産業財産権の種類: 特許権

  7. 磁気トンネル接合素子及び磁気メモリ

    佐藤 英夫, 堀川 喜久, 深見 俊輔, 池田 正二, 松倉 文▲礼▼, 大野 英男, 遠藤 哲郎, 本庄 弘明

    特許第6806375号

    産業財産権の種類: 特許権

  8. 磁壁移動型メモリセル及びその初期化処理方法

    根橋 竜介, 崎村 昇, 杉林 直彦, 辻 幸秀, 多田 あゆ香, 本庄 弘明, 大野 英男

    特許第6260873号

    産業財産権の種類: 特許権

  9. 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ

    根橋 竜介, 崎村 昇, 辻 幸秀, 多田 あゆ香, 杉林 直彦, 本庄 弘明, 大野 英男

    特許第6191941号

    産業財産権の種類: 特許権

  10. 半導体装置及びその製造方法

    本庄 弘明, 木下 啓藏, 大野 英男

    特許第6191966号

    産業財産権の種類: 特許権

  11. 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリの製造方法

    本庄 弘明

    特許第5754531号

    産業財産権の種類: 特許権

  12. 磁壁移動素子及びその製造方法

    加藤 有光, 森 馨, 鈴木 哲広, 石綿 延行, 深見 俊輔, 本庄 弘明, 齊藤 信作, 三浦 貞彦

    特許第5633729号

    産業財産権の種類: 特許権

  13. 半導体記憶装置

    根橋 竜介, 崎村 昇, 杉林 直彦, 本庄 弘明

    特許第5565704号

    産業財産権の種類: 特許権

  14. 磁気抵抗記憶装置及びその製造方法

    本庄 弘明

    特許第5448242号

    産業財産権の種類: 特許権

  15. 磁気抵抗素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法

    尾崎 康亮, 本庄 弘明

    特許第5150531号

    産業財産権の種類: 特許権

  16. 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法

    本庄 弘明, 鈴木 哲広, 大嶋 則和

    特許第5146836号

    産業財産権の種類: 特許権

  17. 磁気ランダム・アクセス・メモリとその製造方法

    本庄 弘明, 斉藤 信作

    特許第4863151号

    産業財産権の種類: 特許権

  18. 薄膜電磁石およびこれを用いたスイッチング素子

    石綿 延行, 本庄 弘明, 鳥羽 環, 斉藤 信作, 大橋 啓之

    特許第3750574号

    産業財産権の種類: 特許権

  19. 磁気ヘッドおよびその製造方法、それを用いる磁気記録再生装置

    本庄 弘明, 石綿 延行, 石 勉, 斎藤 美紀子, 斉藤 信作, 鳥羽 環, 野中 義弘

    特許第3473684号

    産業財産権の種類: 特許権

  20. 磁気抵抗効果素子、その製造方法、及びそれを用いた磁気記録装置

    林 一彦, 中田 正文, 大橋 啓之, 石綿 延行, 深見 栄三, 永原 聖万, 本庄 弘明, 斉藤 信作, 藤方 潤一, 石原 邦彦, 森 茂, 柘植 久尚, 上條 敦

    特許第3446720号

    産業財産権の種類: 特許権

  21. 薄膜磁気ヘッド

    本庄 弘明, 斉藤 信作

    特許第2692622号

    産業財産権の種類: 特許権

  22. 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び、該磁気抵抗効果素子の成膜方法

    西岡 浩一, 遠藤 哲郎, 池田 正二, 佐藤 英夫, 本庄 弘明

    産業財産権の種類: 特許権

  23. 磁気トンネル接合素子、磁気トンネル接合素子の製造方法、及び、磁気メモリ

    西岡 浩一, 遠藤 哲郎, 池田 正二, 本庄 弘明, 佐藤 英夫, 三浦 貞彦

    産業財産権の種類: 特許権

  24. スピントロニクス素子

    佐藤 創志, 丹羽 正昭, 本庄 弘明, 池田 正二, 佐藤 英夫, 大野 英男, 遠藤 哲郎

    産業財産権の種類: 特許権

  25. 半導体装置及びその製造方法

    本庄 弘明, 深見 俊輔, 木下 啓蔵, 大野 英男

    産業財産権の種類: 特許権

  26. 磁壁移動型メモリセル及びその初期化処理方法

    根橋 竜介, 崎村 昇, 杉林 直彦, 辻 幸秀, 多田 あゆ香, 本庄 弘明, 大野 英男

    産業財産権の種類: 特許権

  27. 半導体装置及びその製造方法

    本庄 弘明, 木下 啓藏, 大野 英男

    産業財産権の種類: 特許権

  28. 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ

    本庄 弘明, 三浦 貞彦, 石綿 延行, 深見 俊輔

    産業財産権の種類: 特許権

  29. 磁気メモリ

    本庄 弘明

    産業財産権の種類: 特許権

  30. 磁気抵抗効果素子、および磁気ランダムアクセスメモリ

    本庄 弘明

    産業財産権の種類: 特許権

  31. 半導体記憶装置

    根橋 竜介, 崎村 昇, 杉林 直彦, 本庄 弘明

    産業財産権の種類: 特許権

  32. 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法

    本庄 弘明, 鈴木 哲広, 大嶋 則和

    産業財産権の種類: 特許権

  33. 磁気ランダムアクセスメモリ

    本庄 弘明, 福本 能之

    産業財産権の種類: 特許権

  34. 強磁性膜、磁気抵抗素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ

    石綿 延行, 本庄 弘明, 西山 勝哉, 永瀬 俊彦

    産業財産権の種類: 特許権

  35. 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ

    本庄 弘明, 福本 能之

    産業財産権の種類: 特許権

  36. 磁気メモリ素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ

    遠藤 哲郎, 丹羽 正昭, 本庄 弘明, 佐藤 英夫, 池田 正二, 渡辺 俊成

    産業財産権の種類: 特許権

  37. 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリの製造方法

    本庄 弘明

    産業財産権の種類: 特許権

  38. 磁気記憶装置

    加藤 有光, 鈴木 哲広, 深見 俊輔, 本庄 弘明, 齊藤 信作, 三浦 貞彦, 石綿 延行

    産業財産権の種類: 特許権

  39. 磁壁移動素子及びその製造方法

    加藤 有光, 森 馨, 鈴木 哲広, 石綿 延行, 深見 俊輔, 本庄 弘明, 齊藤 信作, 三浦 貞彦

    産業財産権の種類: 特許権

  40. 磁気抵抗記憶装置及びその製造方法

    本庄 弘明

    産業財産権の種類: 特許権

  41. 磁気抵抗素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法

    尾崎 康亮, 本庄 弘明

    産業財産権の種類: 特許権

  42. 磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム

    林 一彦, 大橋 啓之, 石綿 延行, 中田 正文, 深見 栄三, 永原 聖万, 本庄 弘明, 藤方 潤一, 石原 邦彦, 森 茂

    産業財産権の種類: 特許権

  43. 磁気ランダム・アクセス・メモリとその製造方法

    本庄 弘明, 斉藤 信作

    産業財産権の種類: 特許権

  44. 記録ヘッド、記録ヘッドの製造方法、及び複合ヘッド並びに磁気記録再生装置

    石綿 延行, 本庄 弘明, 鳥羽 環, 斉藤 信作, 野中 義弘, 石 勉, 斎藤 美紀子, 大橋 啓之

    産業財産権の種類: 特許権

  45. 薄膜構造部材とその製造方法およびこれを用いたスイッチング素子

    石綿 延行, 斉藤 信作, 本庄 弘明, 鳥羽 環, 大橋 啓之

    産業財産権の種類: 特許権

  46. 磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システム

    林 一彦, 大橋 啓之, 石綿 延行, 中田 正文, 石 勉, 本庄 弘明, 石原 邦彦, 藤方 潤一, 松寺 久雄, 柘植 久尚, 上條 敦

    産業財産権の種類: 特許権

  47. 磁気ヘッド及びその製造方法並びに磁気記憶装置

    本庄 弘明, 石 勉, 斎藤 美紀子, 斉藤 信作, 鳥羽 環, 野中 義弘, 林 一彦, 石綿 延行

    産業財産権の種類: 特許権

  48. 磁気抵抗効果素子の製造方法

    林 一彦, 深見 栄三, 大橋 啓之, 中田 正文, 永原 聖万, 本庄 弘明, 石原 邦彦, 藤方 潤一, 森 茂

    産業財産権の種類: 特許権

  49. 磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗効果センサの製造方法、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム

    林 一彦, 大橋 啓之, 石綿 延行, 中田 正文, 深見 栄三, 永原 聖万, 本庄 弘明, 藤方 潤一, 石原 邦彦, 森 茂

    産業財産権の種類: 特許権

  50. 記録ヘッド、記録ヘッドの製造方法、及び複合ヘッド並びに磁気記録再生装置

    石綿 延行, 本庄 弘明, 鳥羽 環, 斉藤 信作, 野中 義弘, 石 勉, 斎藤 美紀子, 大橋 啓之

    産業財産権の種類: 特許権

  51. 磁性材料、磁気ヘッド及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置

    斎藤 美紀子, 石綿 延行, 石 勉, 本庄 弘明, 鳥羽 環, 斉藤 信作, 野中 義弘

    産業財産権の種類: 特許権

  52. 磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗検出システムならびに磁気記録システム

    林 一彦, 大橋 啓之, 石綿 延行, 中田 正文, 深見 栄三, 本庄 弘明, 柘植 久尚, 上條 敦

    産業財産権の種類: 特許権

  53. 磁気ヘッドおよびその製造方法、それを用いる磁気記録再生装置

    本庄 弘明, 石綿 延行, 石 勉, 斎藤 美紀子, 斉藤 信作, 鳥羽 環, 野中 義弘

    産業財産権の種類: 特許権

  54. 磁気抵抗効果型複合ヘッド及びその製造方法並びに磁気記憶装置

    石 勉, 石綿 延行, 斎藤 美紀子, 本庄 弘明, 斉藤 信作, 鳥羽 環, 野中 義弘

    産業財産権の種類: 特許権

  55. 磁気ヘッドおよびその製造方法、および磁気記録再生装置

    石綿 延行, 石 勉, 斎藤 美紀子, 本庄 弘明, 斉藤 信作, 鳥羽 環, 野中 義弘

    産業財産権の種類: 特許権

  56. 磁気抵抗効果ヘッド、その製造方法、及びそれを用いた磁気記録装置

    林 一彦, 中田 正文, 大橋 啓之, 石綿 延行, 深見 栄三, 永原 聖万, 本庄 弘明, 斉藤 信作, 藤方 潤一, 石原 邦彦, 森 茂, 柘植 久尚, 上條 敦

    産業財産権の種類: 特許権

  57. 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法

    林 一彦, 大橋 啓之, 石綿 延行, 中田 正文, 深見 栄三, 永原 聖万, 本庄 弘明, 斉藤 信作

    産業財産権の種類: 特許権

  58. 磁気抵抗効果ヘッド及びそのヘッドを備えた磁気抵抗検出システム並びにそのヘッドを備えた磁気記憶システム

    林 一彦, 中田 正文, 深見 栄三, 永原 聖万, 本庄 弘明, 石原 邦彦, 鳥羽 環, 柘植 久尚, 上條 敦

    産業財産権の種類: 特許権

  59. 磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システム

    林 一彦, 大橋 啓之, 石綿 延行, 中田 正文, 石 勉, 本庄 弘明, 石原 邦彦, 藤方 潤一, 松寺 久雄, 柘植 久尚, 上條 敦

    産業財産権の種類: 特許権

  60. 強磁性トンネル接合素子、再生ヘッド、および記録再生システム

    林 一彦, 大橋 啓之, 石綿 延行, 中田 正文, 石 勉, 本庄 弘明, 石原 邦彦, 藤方 潤一, 松寺 久雄, 柘植 久尚, 上條 敦

    産業財産権の種類: 特許権

  61. 磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気抵抗効果ヘッドの製造方法

    丸山 隆男, 本庄 弘明, 山沢 貢, 池澤 延幸, 大橋 啓之

    産業財産権の種類: 特許権

  62. 薄膜磁気ヘッド

    本庄 弘明, 斉藤 信作

    産業財産権の種類: 特許権

  63. 半導体装置及びその製造方法

    特許6414984

    産業財産権の種類: 特許権

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共同研究・競争的資金等の研究課題 2

  1. マテリアルズインフォマティクスを用いた微細配線材料等の検討（継続) その他

    本庄 弘明、木野日織、金田千穂子、谷川高穂

    2021年6月 ～ 2022年3月

  2. マテリアルズインフォマティクスを用いた微細配線材料等の検討

    本庄 弘明、木野日織、金田千穂子、谷川高穂

    2020年4月 ～ 2021年3月

メディア報道 9

  1. 半導体、消費電力50分の1 次世代メモリー「MRAM」 普及にめど、東北大やソニーがAIなど応用

    日本経済新聞

    2021年7月19日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  2. ＳＴＴ―ＭＲＡＭ向け記憶素子、書き換え耐性6000億回超 東北大

    日刊工業新聞

    2021年6月9日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  3. 半導体産業、勝者交代も 普及期迎えるスピントロニクス

    日本経済新聞

    2021年6月1日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  4. 東北大、読み書きが同時に可能なデュアルポート型SOT-MRAMセルアレイの動作実証に成功

    PC-Watch

    2020年6月18日

    メディア報道種別: インターネットメディア

  5. STT-MRAM の車載応用を可能にする 高速かつ高信頼な微細磁気トンネル接合(MTJ)素子の実証動作に成功 ～IoT・AI 分野から車載分野までの STT-MRAM の応用領域拡大に道を拓く～

    日本経済新聞

    2020年6月14日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  6. 東北大が書き込みの速い「SOT-MRAM」、SRAMの1～2次キャッシュ代替も視野に

    日経 xTECH

    2019年12月13日

    メディア報道種別: インターネットメディア

  7. 【世界初】400℃熱耐性と10年データ保持特性を有する無磁場高速(350ピコ秒)書き換えスピン軌道トルク(SOT)素子の開発と、CMOS技術との集積化によりSOT-MRAMセルの動作実証に成功 ～スピン軌道トルク素子を適用した高速不揮発性磁気メモリの実用化に向け大きく前進～

    日本経済新聞

    2019年12月9日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  8. 東北大など、磁気ランダムアクセスメモリの高性能化と高書き換え耐性の両立に成功

    日本経済新聞

    2018年12月9日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  9. MRAMは本命不在、MTJ技術の裾野には広がり

    日経テクノロジーon line

    2015年6月23日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

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    VLで本庄らが発表した内容が日経テクノロジーon lineに取り上げられた。

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学術貢献活動 1

  1. Increasing the thermal tolerance of reference layer for STT-MRAM manufacturing

    2019年9月17日 ～

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Journal Of Applied Physicsに投稿した本庄らの論文が注目論文に選ばれ、アメリカ物理学協会が刊行する雑誌のSighlightに紹介された。