研究者詳細

顔写真

マツオカ　タカシ
松岡　隆志
Takashi Matsuoka
所属
未来科学技術共同研究センター　開発研究部　窒化物半導体による革新的光・電子デバイスの開発
職名
特任研究員
学位

  • 工学博士 （北海道大学）

経歴 17

  • 2023年1月 ～ 継続中
    IEEE ライフ フェロー

  • 2019年4月 ～ 継続中
    東北大学 未来科学技術共同研究センター　特任教授

  • 2019年4月 ～ 継続中
    東北大学　名誉教授

  • 2014年9月 ～ 継続中
    応用物理学会 フェロー

  • 2023年4月 ～ 継続中
    電子情報通信学会 正員（終身）

  • 2022年1月 ～ 継続中
    日本結晶成長学会

  • ～ 継続中
    国際光工学会

  • 2008年4月 ～ 2019年3月
    東北大学 金属材料研究所

  • 2005年2月 ～ 2008年3月
    東北大学 金属材料研究所 先端電子材料学研究分野　教授

  • 1999年4月 ～ 2005年1月
    日本電信電話株式会社 物性科学基礎研究所　主幹研究員

  • 1997年4月 ～ 1999年3月
    日本電信電話株式会社 基礎研究所　主幹研究員

  • 1989年4月 ～ 1997年3月
    日本電信電話株式会社 光エレクトロニクス研究所　主幹研究員

  • 1987年7月 ～ 1989年3月
    日本電信電話株式会社 光エレクトロニクス研究所　光材料研究部　主任研究員

  • 1985年2月 ～ 1987年6月
    日本電信電話株式会社 厚木電気通信研究所　機能デバイス研究部　主任研究員

  • 1983年4月 ～ 1985年1月
    日本電信電話株式会社 厚木電気通信研究所　機能デバイス研究部　研究主任

  • 1980年10月 ～ 1983年3月
    日本電信電話株式会社 武蔵野電気通信研究所　機能デバイス研究部　研究主任

  • 1978年4月 ～ 1980年9月
    日本電信電話株式会社 武蔵野電気通信研究所　電子装置研究部　研究員

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学歴 2

  • 北海道大学　工学研究科 修士課程　電子工学専攻

    1976年4月 ～ 1978年3月

  • 北海道大学　工学部　電子工学科

    1972年4月 ～ 1976年3月

委員歴 42

  • The Open Applied Physics Journal　副編集委員長

    2010年1月 ～ 継続中

  • 電子情報通信学会　エレクトロニクスソサイエティ賞選定委員

    2020年11月 ～ 2021年3月

  • イムラ・ジャパン賞　審査委員

    2017年11月 ～ 2020年

  • 日本学術振興会　科学研究費補助金 基盤研究Sおよび新学術領域 審査委員

    2017年12月 ～ 2019年1月

  • 応用物理学会　フェロー選考委員

    2017年11月 ～ 2018年11月

  • 日本学術振興会　科学研究費補助金 特別推進 審査委員

    2016年12月 ～ 2017年8月

  • 文部科学省 科学技術政策研究所 科学技術動向研究センター　専門調査員

    2012年8月 ～ 2017年3月

  • 日本学術振興会　科学研究費補助金 基盤研究AおよびB 審査委員

    2015年12月 ～ 2017年1月

  • European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting　Session organizer of “Nitride semiconductors for high power and high frequency electronic devices II

    2016年1月 ～ 2016年9月

  • 18th Intern. Conf. Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE),　Session organizer of “III-V semiconductors

    2015年12月 ～ 2016年8月

  • APEX/JJAP　編集委員

    2011年5月 ～ 2016年3月

  • Japanese Journal of Applied Physics Selected Topics in Applied Physics “Progress of Nitride Semiconductors and their Future Prospects”　特別編集委員長

    2013年7月 ～ 2014年9月

  • 日本学術振興会　科学研究費補助金 審査委員

    2012年12月 ～ 2014年1月

  • 2013 International Symposium on Optomechatronic Technologies, Special session “Current Status and Future Prospects of Nitride Semiconductors”　大会委員長

    2013年1月 ～ 2013年10月

  • 2013 International Symposium on Optomechatronic Technologies, Special session “Current Status and Future Prospects of Nitride Semiconductors”　セッション オーガナイザ

    2013年1月 ～ 2013年10月

  • International Workshop on Nitrides (IWN2012), JJAP特集号　編集委員

    2012年10月 ～ 2012年12月

  • 2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea, SI-1, (Gyeongju, Korea, Oct. 23-24, 2009)　大会委委員長

    2008年10月 ～ 2009年10月

  • 2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea, SI-1, (松島, 日本, Sept. 4-5, 2009)　大会委員長

    2008年9月 ～ 2009年9月

  • SPIE International Symposium on Optomechatronic Technologies (SPIE-ISOT’09), Istanbul　プログラム委員

    2008年 ～ 2009年

  • 14th Intern. Conf. Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 2008 (ICMOVPE, 2008.6.1-6), Metz　publication committee

    2008年6月 ～ 2008年12月

  • 2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2, 2008.7.6-9), 伊豆　出版副委員長

    2007年8月 ～ 2008年12月

  • 応用物理学会　論文賞選考委員

    2006年8月 ～ 2008年8月

  • 2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides　出版副委員長

    2007年8月 ～ 2008年7月

  • 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4, 2008.5.22-24), 仙台　セッションチェア

    2007年7月 ～ 2008年5月

  • 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’07)　プログラム委員

    2006年3月 ～ 2007年5月

  • 電子情報通信学会　和文論文誌Ｃ 次世代ナノテクノロジー特集号 編集委員

    2006年1月 ～ 2006年10月

  • 電子情報通信学会　エレクトロニクスソサイエティ 次世代ナノ技術に関する時限研究専門委員

    2004年3月 ～ 2006年2月

  • International Workshop on Nitrides (IWN2006)　実行委員およびプログラム委員（セッションチェア）.

    2005年 ～ 2006年

  • International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE’06)　実行委員.

    2005年 ～ 2006年

  • SPIE International Symposium on Optomechatronic Technologies (SPIE-ISOT’05)　実行委員

    2004年 ～ 2005年

  • Pacific Rim Con. Lasers and Electro-Optics (CLEO/Pacific Rim '05)　セッション論文委員

    2004年 ～ 2005年

  • Science Foundation Ireland (SFI)　International Reviewer on a specific SFI proposal

    2000年12月 ～ 2001年3月

  • 電子材料シンポジウム　実行委員

    1999年 ～ 2001年

  • European GaN Workshop (EGW)　国際諮問委員

    1995年 ～ 2000年

  • 電子材料シンポジウム　論文委員

    1997年 ～ 1999年

  • International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED'98)　実行委員及び副プログラム委員長

    1997年 ～ 1998年

  • 日本電子材料協会　光・半導体デバイス委員会 幹事

    1995年6月 ～ 1997年5月

  • International Conference on Nitrides semiconductor (ICNS'97)　実行委員及びプログラム委員

    1996年 ～ 1997年

  • Topical Workshop on III-V Nitrides (TWN'95)　Topical Workshop on III-V Nitrides (TWN'95)

    1994年 ～ 1995年

  • International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-95 (ICSCRM-95)　プログラム委員

    1994年 ～ 1995年

  • 科学研究費補助金S　意見書策定委員

    2022年10月 ～

  • The Chinese Academy of Science-Croucher Foundation　International Reviewer on a proposal of The Chinese Academy of Science-Croucher Foundation

    2004年6月 ～

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所属学協会 6

  • 日本結晶成長学会

    2010年 ～ 継続中

  • The international Society for Optics and Photonics (SPIE)

    2007年12月 ～ 継続中

  • Materials Research Society (MRS)

    1998年1月 ～ 継続中

  • The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

    1984年6月 ～ 継続中

  • 電子情報通信学会

    1980年 ～ 継続中

  • 日本応用物理学会

    1977年 ～ 継続中

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研究キーワード 10

  • 半導体

  • 分布帰還型レーザ

  • 半導体発光素子

  • 有機金属気相成長

  • 薄膜成長

  • 青色発光ダイオード

  • ワイドギャップ半導体

  • 窒化物半導体

  • 窒化インジウム

  • 窒化ガリウム

研究分野 5

  • ナノテク・材料 / 応用物理一般 /

  • ナノテク・材料 / ナノバイオサイエンス /

  • ナノテク・材料 / ナノ材料科学 /

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

受賞 30

  1. IEEE フェロー表彰

    2023年1月　IEEE　"For Contributions to Laser Diodes for Optical Communications and Nitride Semiconductors for Light Emitting Devices",

  2. ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021における最優秀講演賞

    2021年4月　ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021　"Evidence of Carrier Trapping at Extrinsic Gate Region in N-Polar GaN/AlGaN MIS HEMTs"

  3. 第41回応用物理学会優秀論文賞

    2019年9月　応用物理学会　”Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in GaN Crystals using Two-Photon Excitation Photoluminescence”

  4. 第8回（平成29年度）応用物理学会 化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）

    2018年3月　公益社団法人 応用物理学会　「InGaN系混晶半導体のエピタキシャル成長技術に関する先駆的研究」

  5. 第69回（平成29年度）河北文化賞

    2018年1月　河北新報社　「赤外から青色までの半導体材料とその素子応用によるエレクトロニクスの発展への貢献」

  6. エレクトロニクスソサイエティ賞, 光半導体およびフォトニクス分野

    2017年9月　電子情報通信学会　「長波長帯分布帰還型レーザの開発と窒化物半導体基礎物性の解明によるエレクトロニクスへの貢献」

  7. 平成29年度 文部科学大臣表彰 科学技術賞

    2017年4月　文部科学省　「新しい半導体材料の開発とその素子応用に関する研究」

  8. 第42回（2017年春季）応用物理学会講演奨励賞

    2017年3月　応用物理学会　「二光子励起フォトルミネッセンス法によるGaN中の貫通転位の三次元分布評価」

  9. 日本結晶成長学会 第11回業績賞および赤﨑 勇賞

    2016年8月　日本結晶成長学会　「光ファイバ通信・青色発光素子用結晶の先駆的成長技術」

  10. 平成27年度総長優秀学生賞

    2016年3月25日　東北大学

  11. 第6回日本学術振興会育志賞

    2016年3月　日本学術振興会　「-c面窒化インジウムガリウム混晶の有機金属気相成長と光学素子応用」

  12. 第７回薄膜太陽電池セミナー 優秀ポスター賞

    2016年3月　第7回薄膜太陽電池セミナー組織委員会　「InGaN/GaN 太陽電池の格子極性と発電特性」

  13. 第20回応用物理学会東北支部 講演奨励賞

    2016年1月　応用物理学会東北支部　「N極性(000-1)p型GaNのMOVPE成長における Mg/Ga・V/III 原料供給比の正孔濃度への影響」

  14. 第19回 応用物理学会東北支部 講演奨励賞

    2014年12月　応用物理学会　「MOVPE法による可視光全域波長の発光を有するN 極性(000-1)InGaN 発光ダイオードの作製」

  15. 第37回（2014年秋季）応用物理学会講演奨励賞

    2014年11月　応用物理学会　「サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1) InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製」

  16. 第128回 金属材料研究所講演会 優秀ポスター賞

    2014年11月　東北大学金属材料研究所　「転位低減に向けたN 極性(000-1)面GaN のMOVPE 選択成長」

  17. 第128回 金属材料研究所講演会 優秀ポスター賞

    2014年11月　東北大学金属材料研究所　「MOVPE成長N極性(000-1)InGaN発光ダイオードによる可視光全域波長での発光の実現」

  18. 第8回（2014年度）応用物理学会フェロー表彰

    2014年9月　応用物理学会　「長波長DFB-LDと窒化物の研究による半導体光素子の開発」

  19. 第127回金属材料研究所講演会 ポスター賞

    2014年5月　東北大学金属材料研究所　「サファイア窒化AIN基板を用いたMOVPE法によるN極性GaNの成長」

  20. APEX/JJAP Editorial Contribution Award

    2014年4月　The Japana Society of Applied Physics

  21. 2013年度卓越補助金「材料インテグレーション拠点・知能デバイス拠点合同成果報告会」ポスタ賞

    2014年3月　東北大学金属材料研究所　Observation of Indium Content Distribution on m-plane InGaN Film with Hillocks

  22. 第126回金属材料研究所講演会 優秀ポスター賞

    2013年11月　東北大学金属材料研究所　サイファイア基板上（000-1）GaNの有機金属気相成長におけるMgによる表面マイグレーションの促進

  23. 第74回応用物理学会秋季講演会 ポスター賞

    2013年9月　応用物理学会　ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察

  24. 第74回応用物理学会秋季講演会ポスタ賞

    2013年9月　応用物理学会

  25. 第17回(2012年度)応用物理学会東北支部講演奨励賞

    2012年12月　応用物理学会東北支部　(0001)面、(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの表面モフォロジーとIn取り込み

  26. 東北大学総長賞

    2011年3月25日　東北大学

  27. CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第二回公開シンポジウム ポスター賞

    2009年11月　科学技術振興機構　温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究

  28. NTT物性科学研究所長表彰 論文賞

    2003年3月　日本電信電話株式会社　"Optical Band-Gap Energy of Wurtzite InN", Appl. Phys. Lett., 81(2002)1246

  29. NTT社長表彰

    1988年10月　日本電信電話株式会社　超高速・長スパン光ファイバ伝送技術の開発

  30. ECOC Prize 1984 (the best paper of 10th European Conference on Optical Communication)

    1984年9月　ヨーロッパ光通信国際会議　Verification of the Light Phase Effect at the Facet on DFB Laser Properties

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論文 130

  1. The Underemphasized Concept of Crystal Polarity in Conventional Semiconductors and Its Device Application

    Takashi Matsuoka, Takeshi Kimura, Tetsuya Suemitsu

    physica status solidi (a)　222　(23)　2025年11月9日

    出版者・発行元： Wiley

    DOI： 10.1002/pssa.202500372 　

    ISSN：1862-6300

    eISSN：1862-6319

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    This review focuses on nitrogen (N)‐polar GaN grown on (0001) sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). Although N‐polar GaN growth is often considered challenging, the mechanisms behind its crystal growth are discussed in detail. For the growth of InN with the highest nitrogen equilibrium vapor pressure among nitride semiconductors, N‐polar growth can be considered to be advantageous because N‐polar growth allows for more efficient nitrogen incorporation from the gas phase compared with Ga‐polar growth. MOVPE with a pressurized reactor is introduced as a method for growing high‐quality indium‐rich InGaN. N‐polar growth with this technique also suggests the potential to narrow the miscibility gap in nitride semiconductors. In nitride semiconductor devices, polarization, which is a unique characteristic of these materials, plays a significant role. The interplay between device performance and polarization is explored, highlighting how careful control of polarization enables the fabrication of advanced devices such as “Inverted HEMTs”. In the fabrication process of nitride semiconductor devices, the Mg‐doped p‐type layer must be grown last due to the risk of Mg contamination in the MOVPE reactor, making band engineering crucial. Using solar cells as an example, the advantages of N‐polar growth in device applications are demonstrated.

  2. Parameter‐Free Calculation for the Optical Bandgap Energies of InGaAlN

    Takashi Matsuoka, Yoshiyuki Kawazoe, Talgat M. Inerbaev

    physica status solidi (b)　262　(3)　2024年11月28日

    出版者・発行元： Wiley

    DOI： 10.1002/pssb.202400107 　

    ISSN：0370-1972

    eISSN：1521-3951

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    The accurate prediction of bandgap energy Eg is crucial for the future development of semiconductors. Ab initio simulation studies have been undertaken to unravel the intricacies of compound semiconductors. However, traditional density functional theory estimates Eg to be mostly 30–50% smaller than experimental values. To reconcile these disparities, fitting parameters such as U have been employed, albeit at the expense of violating the virial theorem's essential conditions. In our pursuit of a more accurate approach, utilizing a computational method that adheres to virial's theorem without resorting to fitting parameters is proposed. Employing the self‐consistent Green‐function vertex (GW) approximation calculation, standard phenomenological results are built upon as an initial condition. This novel methodology successfully resolves the long‐standing issue surrounding Eg of InN, a nitride semiconductor InGaAlN known for blue light‐emitting diodes. The numerical results from our calculations demonstrate a remarkable alignment with experimental values across the entire InxGa1−xN range, with an impressive accuracy of 0.1 eV. This innovative method holds promise for application to various semiconductors, serving as a potent tool for predicting new semiconductors with small Eg. This calculation method is also applied to Eg of In1−xAlxN and Ga1−xAlxN.

  3. Nitride Semiconductors Realizing Sustainable Society

    Takashi Matsuoka, Tetsuya Suemitsu

    2023 IEEE 10th International Workshop on Metrology for AeroSpace (MetroAeroSpace)　358-362　2023年6月19日

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.1109/metroaerospace57412.2023.10189994 　

  4. Properties of ScAlMgO4 as Substrate for Nitride Semiconductors

    Takashi Matsuoka, Hitoshi Morioka, Satoshi Semboshi, Yukihiko Okada, Kazuya Yamamura, Shigeyuki Kuboya, Hiroshi Okamoto, Tsuguo Fukuda

    Crystals　13　(3)　449-449　2023年3月4日

    出版者・発行元： {MDPI} {AG}

    DOI： 10.3390/cryst13030449 　

    ISSN：2073-4352

    eISSN：2073-4352

  5. N-Polar Gowth of Nitride Semiconductors with MOVPE and its Applications 査読有り

    T. Matsuoka, T. Mitate, S. Mizuno, H. Takahata, T. Tanikawa

    J. Cryst. Growth　65　127056　2023年1月

  6. Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors 査読有り

    K. Prasertsuk, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    Jpn. J. Appl. Phys.　61　SA1006　2022年6月

  7. Optical Band Gap Energy Values in Wurtzite InxGa1-xN 査読有り

    T. M. Inerbaev, T. Matsuoka, Y. Kawazoe

    Bulletin of The University of Karaganda-Physics　105　107-116　2022年

  8. Dependence of the V/III Ratio on Indium Incorporation in InGaN Films Grown by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy 査読有り

    V. Suresh Kumar, S. Y. Ji, Y. T. Zhang, K. Shojiki, J. H. Choi, T. Kimura, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　20　(5)　2979-2986　2020年5月

    DOI： 10.1166/jnn.2020.17466 　

    ISSN：1533-4880

    eISSN：1533-4899

  9. Reuse of ScAlMgO4 Substrates Utilized for Halide Vapor Phase Epitaxy of GaN 査読有り

    K. Ohnishi, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Iwabuchi, K. Yamamura, N. Hasuike, H. Harima, T. Fukuda, T. Matsuoka

    Jpn. J. Appl. Phys.　58　(SC)　SC1023-1-SC1023-5　2019年

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab06ab 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  10. Asymmetric Waveguide-Coupled Scheme for Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cell 査読有り

    A. Ishibashi, N. Sawamura, T. Matsuoka, H. Kobayashi, T. Kasai

    Transanction of the Materials Research Society of Japan　44　(5)　187-191　2019年

  11. Current Status, and Future of Research on Optical and Electrical Semiconductor Devices 査読有り

    T. Matsuoka

    IEEE Xplore digital library published in 2019 IEEE 5th International Workshop on Metrology for AeroSpace (MetroAeroSpace)　154-159　2019年

  12. 有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術

    谷川 智之, プラスラットスック キャッティウット, 木村 健司, 窪谷 茂幸, 松岡 隆志

    日本結晶成長学会誌　45　(1)　n/a　2018年

    出版者・発行元： 日本結晶成長学会

    DOI： 10.19009/jjacg.3-45-1-01 　

    ISSN：0385-6275

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    <p>  N-polar III-nitride materials have been attracted attention for the application to InGaN-based optical devices and AlGaN-based electronic devices. Most of the III-nitride-based device structures have been grown using metalorganic vapor phase epitaxy. In this report, recent progress of crystal growth technology of N-polar III-nitride materials using metalorganic vapor phase epitaxy is reviewed. The growth of N-polar materials shows different behavior from that of Ga-polar materials, several optimizations of growth conditions are necessary. N-polar GaN often shows hillock structure at the surface. The use of vicinal substrates helps the suppression of hillock formation. InGaN growth often suffers from the inclusion of zinc-blende crystal phase. Growth at low supersaturation conditions is one of the solutions to obtain pure wurtzite InGaN films. To prevent hillock formation during the growth of AlGaN on N-polar GaN, lowering the growth rate is effective.</p>

  13. Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in GaN Crystals by Two-Photon-excitation Photoluminescence 査読有り

    T. Tanikawa, K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Mukai, T. Matsuoka

    Appl. Phys. Express　11　(3)　031004-1-031004-4　2018年

    DOI： 10.7567/APEX.11.031004 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  14. N-polar GaN/AlGaN/GaN Metal–Insulator–Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor Formed on Sapphire Substrate with Minimal Step Bunching 査読有り

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    Appl. Phys. Express　11　(1)　015503-1-015503-4　2018年1月1日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.7567/APEX.11.015503 　

    ISSN：1882-0786 1882-0778

    eISSN：1882-0786

  15. Characterization of the ScAlMgO4 Cleaving Layer by X-Ray Crystal Truncation Rod Scattering 査読有り

    T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Fukuda, T. Matsuoka

    J App. Phys.　123　(20)　205305-1-205305-8　2018年

    DOI： 10.1063/1.5031024 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  16. New solar cell and clean unit system platform (CUSP) for earth and environmental science 査読有り

    A. Ishibashi, T. Matsuoka, R. Enomoto, M. Yasutake

    IOP Conference Series: Earth and Environmental Science　93　(1)　012081-1-012081-7　2017年11月9日

    出版者・発行元： Institute of Physics Publishing

    DOI： 10.1088/1755-1315/93/1/012081 　

    ISSN：1755-1315 1755-1307

  17. Ga-polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter-scale wide terraces 査読有り

    Takuya Iwabuchi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　214　(9)　1607054-1-1607054-8　2017年9月

    DOI： 10.1002/pssa.201600754 　

    ISSN：1862-6300

    eISSN：1862-6319

  18. Control of impurity concentration in N-polar (000(1)over-bar) GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　254　(8)　1600751　2017年8月

    DOI： 10.1002/pssb.201600751 　

    ISSN：0370-1972

    eISSN：1521-3951

  19. Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations 査読有り

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Ryuji Katayama, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　10　(8)　082101-1-082101-4　2017年8月

    DOI： 10.7567/APEX.10.082101 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  20. N-polar GaN MIS-HEMTs with flat interface grown by optimized MOVPE

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    信学技報　117　(58)　59-64　2017年5月26日

    出版者・発行元： 電子情報通信学会

    ISSN：0913-5685

  21. Low-temperature (≦ 600ºC) Growth of High-quality InXGa1-XN (x ～ 0.3) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy using an NH3 Decomposition Catalyst 査読有り

    A. Yamamoto, K. Kodama, T. Matsuoka, M. Kuzuhara

    Jpn. J. Appl. Phys.　56　(4)　041001-1-041001-5　2017年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.56.041001 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  22. Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN Films on ScAlMgO4 Substrates and their Self-Separation for Fabricating Free-Standing Wafers 査読有り

    K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Mukai, T. Matsuoka

    Appl. Phys. Express　10　(10)　101001-1-101001-4　2017年

    DOI： 10.7567/APEX.10.101001 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  23. History of Distributed Feedback Laser 査読有り

    T. Matsuoka, K. Iwashita

    Proc. History of Electro-technology Conference (HISTELCON 2017)　127-132　2017年

  24. History of blue LED consisted of Nitride Semiconductors 査読有り

    T. Matsuoka

    Proc. History of Electro-technology Conference (HISTELCON 2017)　121-126　2017年

  25. Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000(1)over-bar) p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Ryohei Nonoda, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(5)　05FE01-1-05FE01-4　2016年5月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.05FE01 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  26. Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Jinyeop Yoo, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(5)　05FA04-1-05FA04-4　2016年5月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.05FA04 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  27. Low-temperature (>=400°C) Growth of InN by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy using an NH3 Decomposition Catalyst 査読有り

    A. Yamamoto, K. Kodama, N. Shigekawa, T. Matsuoka, M. Kuzuhara

    Jpn. J. Appl. Phys.　55　(5)　05FD04-1-05FD04-5　2016年5月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.05FD04 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  28. Large Stokes-like shift in N-polar (0001) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes 査読有り

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(5)　05FJ03-1-05FJ03-4　2016年5月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.05FJ03 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  29. Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut-angle toward a-sapphire plane 査読有り

    K. Shojiki, T. Hanada, T. Tanikawa, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　55　(5S)　05FA09-1-05FA09-8　2016年4月13日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.7567/JJAP.55.05FA09 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  30. Electrical characteristics of N-polar (000(1)over-bar) p-type GaN Schottky contacts 査読有り

    Toshichika Aoki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka, Kenji Shiojima

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(4)　04EJ09-1-04EJ09-5　2016年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.04EJ09 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  31. Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (000(1)over-bar) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Kanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Takuya Iwabuchi, Noritaka Usami, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    APPLIED PHYSICS LETTERS　106　(22)　222102-1-222102-4　2015年6月

    DOI： 10.1063/1.4922131 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  32. Red to blue wavelength emission of N-polar (000(1)over-bar) lnGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Jung-Hun Choi, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　8　(6)　061005-1-061005-4　2015年6月

    DOI： 10.7567/APEX.8.061005 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  33. Overview of Nitride Semiconductors 査読有り

    Takashi Matsuoka

    INTERNATIONAL JOURNAL OF OPTOMECHATRONICS　9　(1)　1-8　2015年1月

    DOI： 10.1080/15599612.2014.944292 　

    ISSN：1559-9612

    eISSN：1559-9620

  34. Progresses and Future Prospects in Nitride Semiconductors: Crystal Growth and Device Applications FOREWORD 査読有り

    Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(10)　1-1　2014年10月

    DOI： 10.7567/JJAP.53.100200 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  35. Improvement of surface morphology of nitrogen-polar GaN by introducing indium surfactant during MOVPE growth 査読有り

    Takashi Aisaka, Tomoyuki Tanikawa, Takeshi Kimura, Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(8)　085501 1-4　2014年8月

    DOI： 10.7567/JJAP.53.085501 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  36. Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　14　(8)　6112-6115　2014年8月

    DOI： 10.1166/jnn.2014.8306 　

    ISSN：1533-4880

    eISSN：1533-4899

  37. Homoepitaxy of ZnO and MgZnO Films at 90 ºC 査読有り

    D. Ehrentraut, G. K.L. Goh, K. Fujii, C. C. Ooi, L. H. Quang, T. Fukuda, M. Kano, Y. Zhang, T. Matsuoka

    J. Sol. Stat. Chem　214　96-100　2014年6月

    DOI： 10.1016/j.jssc.2013.10.008 　

    ISSN：0022-4596

    eISSN：1095-726X

  38. Effect of c-plane sapphire substrate miscut angle on indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN 査読有り

    Kanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Hirofumi Shindo, Takeshi Kimura, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(5)　05FL07-1-05FL07-5　2014年5月

    DOI： 10.7567/JJAP.53.05FL07 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  39. Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (000(1) over bar) GaN/sapphire 査読有り

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Takashi Aisaka, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(5)　05FL05 1-4　2014年5月

    DOI： 10.7567/JJAP.53.05FL05 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  40. Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Yuantao Zhang, Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertusk, Takuya Iwabuchi, Suresh Kumar, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Thin Solid Films　536　152-155　2013年6月1日

    DOI： 10.1016/j.tsf.2013.04.004 　

    ISSN：0040-6090

  41. AlGaN/GaN MIS-gate HEMTs with SiCN gate stacks 査読有り

    K. Kobayashi, M. Kano, T. Yoshida, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Otsuji, T. Suemitsu

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　10　(5)　790-793　2013年5月

    DOI： 10.1002/pssc.201200609 　

    ISSN：1862-6351 1610-1642

  42. SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT

    小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 片山竜二, 松岡隆志, 末光哲也

    信学技報　112　(380)　75-78　2013年1月17日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN：0913-5685

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    HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動度トランジスタを作製し,その特性を評価したlゲート長0.3μmのSiCN MIS-HEMTにおいて相互コンダクタンス69mS/mmと電流利得遮断周波数(fr)25GHzか得られた.これらは比較のため用意したショットキーゲートデバイスと比べ,良好なものとなっている.この原因を明らかにするため,SiCN膜を堆積する際にHMDSのキャリアカガスとして用いた水素によるクリーニング効果を検証した.結果として,水素アニールによりドレイン電流密度,frが改善され,電流コラプスが抑制されることが示された.

  43. Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE 査読有り

    Jung-Hun Choi, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3　10　(3)　417-420　2013年

    DOI： 10.1002/pssc.201200667 　

    ISSN：1862-6351

  44. Erratum: Strain relaxation mechanism of InGaN thin film grown on m-GaN [Phys. Status Solidi C 8, 444-446 (2011)]

    T. Hanada, T. Shimada, S. Y. Ji, K. Hobo, Y. H. Liu, T. Matsuoka

    Phys. Status Solidi C　9　(8-9)　1856-1856　2012年7月9日

    DOI： 10.1002/pssc.201270001 　

  45. Raman-scattering characterization of InN films grown by pressurized metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Jung Gon Kim, Yasuhito Kamei, Atsuhito Kimura, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Kenji Kisoda, Yu Huai Liu, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　249　(4)　779-783　2012年4月

    DOI： 10.1002/pssb.201147452 　

    ISSN：0370-1972

  46. Tilted Domain and Indium Content of InGaN Layer on m-Plane GaN Substrate Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Takaaki Shimada, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(4)　2012年4月

    DOI： 10.1143/JJAP.51.04DH01 　

    ISSN：0021-4922

  47. Effect of Phase Purity on Dislocation Density of Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Grown InN 査読有り

    Takuya Iwabuchi, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Yuantao Zhang, Kiattiwut Prasertsuk, Haruna Watanabe, Noritaka Usami, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(4)　1-4　2012年4月

    DOI： 10.1143/JJAP.51.04DH02 　

    ISSN：0021-4922

  48. Phase diagram on phase purity of InN grown pressurized-reactor MOVPE 査読有り

    Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertsuk, Yuantao Zhang, Yuhuai Liu, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4　9　(3-4)　654-657　2012年

    DOI： 10.1002/pssc.201100390 　

    ISSN：1862-6351

  49. Relationship between residual carrier density and phase purity in InN grown by pressurized-reactor MOVPE 査読有り

    Kiattiwut Prasertsuk, Masaki Hirata, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Yuantao Zhang, Takuya Iwabuchi, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4　9　(3-4)　681-684　2012年

    DOI： 10.1002/pssc.201100404 　

    ISSN：1862-6351

  50. Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN Films 査読有り

    Jung-Hun Choi, Suresh Kumar, Shi-Yang Ji, Shojiki Kanako, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    MATERIALS INTEGRATION　508　193-+　2012年

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/KEM.508.193 　

    ISSN：1013-9826

  51. Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides 招待有り 査読有り

    Ryuji Katayama, Yujiro Fukuhara, Masahiro Kakuda, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Syusai Kurokawa, Naoto Fujii, Takashi Matsuoka

    QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES IX　8268　2012年

    DOI： 10.1117/12.909831 　

    ISSN：0277-786X

  52. A novel substrate LaBGeO5 lattice-matched to InN 査読有り

    Shintaro Miyazawa, Satoru Ichikawa, Yuhuai Liu, Shiyang Ji, Takashi Matsuoka, Hideo Nakae

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　208　(5)　1195-1198　2011年5月

    DOI： 10.1002/pssa.201000909 　

    ISSN：1862-6300

    eISSN：1862-6319

  53. Effect of growth temperature on structure properties of InN grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Yuantao Zhang, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Masaki Hirata, Kiattiwut Prasertusk, Shiyang Ji, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2　8　(2)　482-484　2011年

    DOI： 10.1002/pssc.201000464 　

    ISSN：1862-6351

  54. Strain relaxation mechanism of InGaN thin film grown on m-GaN 査読有り

    Takashi Hanada, Taka-aki Shimada, Shi-Yang Ji, Kenji Hobo, Yuhuai Liu

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2　8　(2)　444-446　2011年

    DOI： 10.1002/pssc.201000565 　

    ISSN：1862-6351

  55. Paving the way to high-quality Indium Nitride -The effects of pressurized reactor - 招待有り 査読有り

    Takashi Matsuoka, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Yuantao Zhang, Kiattiwut Prasertsuk, Ryuji Katayama

    QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES VIII　7945　1-5　2011年

    DOI： 10.1117/12.869771 　

    ISSN：0277-786X

  56. Growth Temperature Dependence of Phase Purity in InN Grown by Pressurized Reactor MOVPE 査読有り

    T. Kimura, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, J. G. Kim, N. Hasuike, H. Harima, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Workshop Nitride Semicond. (IWN2010)　AP1.49　2010年

  57. MOVPE growth of InN: a comparison between a horizontal and a vertical reactor 査読有り

    Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Taka-aki Shimada, Masaki Hirata, Masaki Wakaba, Masashi Nakao, Shi-Yang Ji, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2　6　(S2)　S381-S384　2009年

    DOI： 10.1002/pssc.200880914 　

    ISSN：1862-6351

  58. Fabricating gratings on nitrides grown by MOVPE for DFB lasers 査読有り

    Masashi Nakao, Takeshi Kimura, Yuhuai Liu, Shi-Yang Ji, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2　6　(S2)　S893-S896　2009年

    DOI： 10.1002/pssc.200880909 　

    ISSN：1862-6351

  59. A simple method for analyzing peak broadening due to tilt and twist distributions in X-ray diffraction measurements of materials of arbitrary type 査読有り

    Kiichi Nakashima, Takashi Matsuoka

    JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY　41　191-197　2008年2月

    DOI： 10.1107/S0021889807064011 　

    ISSN：0021-8898

  60. 1.5-μm Emission of Slightly Oxidized InN Crystals Grown by MOVPE 査読有り

    M. Nakao, T. Shimada, M. Wakaba, N. Motegi, A. Gomyo, S. Mizuno, T. Matsuoka

    phys. stat. sol. (c)　5　(9)　3063-+　2008年

    DOI： 10.1002/pssc.200779273 　

    ISSN：1862-6351

  61. Mysterious material InN in nitride semiconductors - What's the bandgap energy and its application? 招待有り 査読有り

    Takashi Matsuoka, Masashi Nakao

    The 2007 IEEE Intern. Conf. Indium Phosphide and Related Mat. (IPRM) Proceedings　372-375　2008年

    ISSN：1092-8669

  62. Progress in MOVPE-growth of GaN to InN 査読有り

    Takashi Matsuoka

    QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES V　6900　69000S-1-69000S-6　2008年

    DOI： 10.1117/12.768644 　

    ISSN：0277-786X

  63. Calculation of phase separation in wurtzite In1-x-y-zGaxAlyBzN 査読有り

    Takeshi Kimura, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(20-24)　L574-L576　2007年6月

    DOI： 10.1143/JJAP.46.L574 　

    ISSN：0021-4922

  64. New possibility of MOVPE-growth in GaN and InN - Polarization in GaN and nitrogen-incorporation in InN - 招待有り 査読有り

    Takashi Matsuoka

    GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES II　6473　1-12　2007年

    DOI： 10.1117/12.707607 　

    ISSN：0277-786X

  65. N-polarity GaN on sapphire substrate grown by MOVPE 査読有り

    Takashi Matsuoka, Yasuyuki Kobayashi, Hiroko Takahata, Toshitugu Mitate, Seiichiro Mizuno, Atsushi Sasaki, Mamoru Yoshimoto, Tuyoshi Ohnishi, Masatomo Sumiya

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　243　(7)　1446-1450　2006年6月

    DOI： 10.1002/pssb.200565456 　

    ISSN：0370-1972

    eISSN：1521-3951

  66. High resolution hard X-ray photoemission using synchrotron radiation as an essential tool for characterization of thin solid films 招待有り 査読有り

    J. J. Kim, E. Ikenaga, M. Kobata, A. Takeuchi, M. Awaji, H. Makino, P. P. Chen, A. Yamamoto, T. Matsuoka, D. Miwa, Y. Nishino, T. Yamamoto, T. Yao, K. Kobayashi

    APPLIED SURFACE SCIENCE　252　(15)　5602-5606　2006年5月

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2005.12.032 　

    ISSN：0169-4332

  67. Nitride-semiconductor technologies for blue lasers 招待有り 査読有り

    Takashi Matsuoka

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　6050　60500K1-60500K9　2006年

    DOI： 10.1117/12.659862 　

    ISSN：0277-786X

  68. InN polarity determination by convergent-beam electron diffraction 査読有り

    T Mitate, S Mizuno, H Takahata, R Kakegawa, T Matsuoka, N Kuwano

    APPLIED PHYSICS LETTERS　86　(13)　134103-1-134103-3　2005年3月

    DOI： 10.1063/1.1885174 　

    ISSN：0003-6951

  69. Progress in nitride semiconductors from GaN to InN - MOVPE growth and characteristics 招待有り 査読有り

    Takashi Matsuoka

    Superlattices and Microstructures　37　(1)　19-32　2005年1月

    DOI： 10.1016/j.spmi.2004.06.003 　

    ISSN：0749-6036

  70. MOVPE growth and photoluminescence of wurtzite InN 査読有り

    T Matsuoka, H Okamoto, H Takahata, T Mitate, S Mizuno, Y Uchiyama, T Makimoto

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　269　(1)　139-144　2004年8月

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.05.057 　

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

  71. Experimental consideration of optical band-gap energy of wurtzite InN 査読有り

    T Matsuoka, M Nakao, H Okamoto, H Harima, E Kurimoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　42　(4B)　2288-2290　2003年4月

    DOI： 10.1143/JJAP.42.2288 　

    ISSN：0021-4922

  72. Growth of wurtzite InN using MOVPE and its optical characteristics 査読有り

    T Matsuoka, H Okamoto, M Nakao

    5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS　0　(7)　2806-2809　2003年

    DOI： 10.1002/pssc.200303301 　

    ISSN：1862-6351

  73. Optical bandgap energy of wurtzite InN 査読有り

    T Matsuoka, H Okamoto, M Nakao, H Harima, E Kurimoto

    APPLIED PHYSICS LETTERS　81　(7)　1246-1248　2002年8月

    DOI： 10.1063/1.1499753 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  74. GaN growth on novel lattice-matching substrate: Tilted M-plane sapphire 査読有り

    T Matsuoka, E Hagiwara

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　188　(2)　485-489　2001年11月

    DOI： 10.1002/1521-396X(200112)188:2<485::AID-PSSA485>3.0.CO;2-# 　

    ISSN：0031-8965

  75. Green LEDs look good for plastic-fiber LAN transmission 査読有り

    T Matsuoka

    LASER FOCUS WORLD　37　(1)　9-9　2001年1月

    ISSN：0740-2511

  76. First plastic optical fibre transmission experiment using 520nm LEDs with intensity modulation/direct detection 査読有り

    T Matsuoka, T Ito, T Kaino

    ELECTRONICS LETTERS　36　(22)　1836-1837　2000年10月

    DOI： 10.1049/el:20001336 　

    ISSN：0013-5194

    eISSN：1350-911X

  77. Polarity of GaN Grown on (001) β-LiGaO2 査読有り

    T. Matsuoka, T. Ishii

    Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series　1　11-14　2000年

  78. Surface cleaning with hydrogen plasma for low-defect-density ZnSe homoepitaxial growth 査読有り

    T Ohno, A Ohki, T Matsuoka

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　16　(4)　2539-2545　1998年7月

    DOI： 10.1116/1.581378 　

    ISSN：0734-2101

    eISSN：1520-8559

  79. Unstable mixing region in wurtzite In1-X-YGaXAlYN 査読有り

    T Matsuoka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　189　19-23　1998年6月

    DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00148-1 　

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

  80. Room-temperature CW operation of II-VI lasers grown on ZnSe substrates cleaned with hydrogen plasma 査読有り

    T Ohno, A Ohki, T Matsuoka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　184　550-553　1998年2月

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

  81. Phase separation in wurtzite In1-x-yGaxAlyN 査読有り

    T Matsuoka

    MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH　3　(54)　54　1998年

    ISSN：1092-5783

  82. Reactive Fast-Atom-Beam-Etching of GaN, InGaN, and AlGaN using Cl2 査読有り

    H. Tanaka, A. Nakadaira, T. Matsuoka

    Proceedings of the Topical Workshop on III-V Nitrides　71-73　1997年12月31日

  83. Calculation of unstable mixing region in wurtzite In1-x-yGaxAlyN 査読有り

    T Matsuoka

    APPLIED PHYSICS LETTERS　71　(1)　105-106　1997年7月

    DOI： 10.1063/1.119440 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  84. Continuous-wave operation of ZnSe-based laser diodes homoepitaxially grown on semi-insulating ZnSe substrates 査読有り

    A Ohki, T Ohno, T Matsuoka, Y Ichimura

    ELECTRONICS LETTERS　33　(11)　990-991　1997年5月

    DOI： 10.1049/el:19970624 　

    ISSN：0013-5194

    eISSN：1350-911X

  85. Investigation of degradation in homoepitaxially grown ZnCdSe/ZnSe light emitting diode 査読有り

    T Ohno, A Ohki, T Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　36　(2B)　L190-L193　1997年2月

    DOI： 10.1143/jjap.36.L190 　

    ISSN：0021-4922

  86. InGaAlN and II-VI systems for blue-green light-emitting devices 査読有り

    T Matsuoka

    ADVANCED MATERIALS　8　(6)　469-479　1996年6月

    DOI： 10.1002/adma.19960080603 　

    ISSN：0935-9648

    eISSN：1521-4095

  87. Low temperature grown Be-doped InAlP band offset reduction layer to p-type ZnSe 査読有り

    K Iwata, H Asahi, T Ogura, J Sumino, S Gonda, A Ohki, Y Kawaguchi, T Matsuoka

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS　25　(4)　637-641　1996年4月

    ISSN：0361-5235

  88. Molecular beam epitaxy growth and characteristics of p-type Ge/p-type ZnSe heterostructures 査読有り

    A Ohki, T Ohno, T Matsuoka

    BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES　252-255　1996年

  89. Lattice-matching growth of InGaAlN systems 招待有り 査読有り

    T Matsuoka

    GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS　395　39-50　1996年

    ISSN：0272-9172

  90. GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY GROWTH OF INALP BAND-OFFSET REDUCTION LAYERS ON P-TYPE ZNSE 査読有り

    K IWATA, H ASAHI, JH KIM, XF LIU, S GONDA, Y KAWAGUCHI, A OHKI, T MATSUOKA

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　150　(1-4)　833-837　1995年5月

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

  91. THE INGAALN SYSTEM AS A COMPETITOR OF ZNSE 招待有り 査読有り

    T MATSUOKA

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　187　(2)　471-476　1995年2月

    DOI： 10.1002/pssb.2221870228 　

    ISSN：0370-1972

    eISSN：1521-3951

  92. EFFECT OF TILTED SUBSTRATES ON P-TYPE DOPING IN ZNSE AND ZNCDSE/ZNSE QUANTUM-WELLS 査読有り

    T MATSUOKA, T OHNO, A OHKI, Y KAWAGUCHI

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　187　(2)　401-406　1995年2月

    ISSN：0370-1972

    eISSN：1521-3951

  93. ANALYSIS OF 2-STEP-GROWTH CONDITIONS FOR GAN ON AN ALN BUFFER LAYER 査読有り

    T SASAKI, T MATSUOKA

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　77　(1)　192-200　1995年1月

    DOI： 10.1063/1.359368 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  94. ZNCDSE/ZNSE QUANTUM-WELL LASER-DIODE ON A (711)A GAAS SUBSTRATE 査読有り

    T OHNO, Y KAWAGUCHI, A OHKI, T MATSUOKA

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　33　(10)　5766-5773　1994年10月

    DOI： 10.1143/JJAP.33.5766 　

    ISSN：0021-4922

  95. COMPARISON OF GAN-BASED AND ZNSE-BASED MATERIALS FOR LIGHT EMITTERS 招待有り 査読有り

    T MATSUOKA, A OHKI, T OHNO, Y KAWAGUCHI

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　138　(1-4)　727-736　1994年4月

    DOI： 10.1016/0022-0248(94)90898-2 　

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

  96. Current Status of GaN and Compounds as Wide-Gap Semiconductor 招待有り 査読有り

    T MATSUOKA

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　124　(1-4)　433-438　1992年11月

    DOI： 10.1016/0022-0248(92)90496-6 　

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

  97. Wide-gap semiconductor InGaN and InGaAln grown by MOVPE 査読有り

    T. Matsuoka, N. Yoshimoto, T. Sasaki, A. Katsui

    Journal of Electronic Materials　21　(2)　157-163　1992年2月

    出版者・発行元： Springer-Verlag

    DOI： 10.1007/BF02655831 　

    ISSN：0361-5235 1543-186X

  98. PHOTOLUMINESCENCE OF INGAN FILMS GROWN AT HIGH-TEMPERATURE BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY 査読有り

    N YOSHIMOTO, T MATSUOKA, T SASAKI, A KATSUI

    APPLIED PHYSICS LETTERS　59　(18)　2251-2253　1991年10月

    DOI： 10.1063/1.106086 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  99. Reactive Fast Atom Beam Etching of a Wide-Gap Semiconductor GaN 査読有り

    H. Tanaka, F. Shimokawa, T. Sasaki, T. Matsuoka

    J. Optoelectronics　6　(1)　150-153　1991年6月

    ISSN：0912-5434

  100. CRYSTALLINITY OF GAN FILM GROWN BY ECR PLASMA-EXCITED MOVPE 査読有り

    H SATO, T SASAKI, T MATSUOKA, A KATSUI

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　29　(9)　1654-1655　1990年9月

    ISSN：0021-4922

  101. Growth and Properties of a Wide-Gap Semiconductor InGaN 査読有り

    T. Matsuoka, T. Sasaki, A. Katsui

    J. Optoelectronics　5　(1)　53-64　1990年6月

  102. Wide-Gap Semiconductor (In, Ga)N 査読有り

    T MATSUOKA, H TANAKA, T SASAKI, A KATSUI

    Institute of Physics Conference Series　106　141-146　1990年

  103. MOVPE-GROWN GAN ON POLAR PLANES OF 6H-SIC 査読有り

    T SASAKI, T MATSUOKA, A KATSUI

    APPLIED SURFACE SCIENCE　41-2　504-508　1989年11月

    DOI： 10.1016/0169-4332(89)90110-4 　

    ISSN：0169-4332

    eISSN：1873-5584

  104. SUBSTRATE-POLARITY DEPENDENCE OF METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY-GROWN GAN ON SIC 査読有り

    T SASAKI, T MATSUOKA

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　64　(9)　4531-4535　1988年11月

    DOI： 10.1063/1.341281 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  105. 高出力1.5μｍ帯分布帰還形レーザの設計とその特性 査読有り

    松岡隆志, 吉国裕三, 本杉常治, 遠谷光広

    電子通信学会　J70-C　(3)　369-378　1987年3月

    出版者・発行元： 電子情報通信学会

    ISSN：0913-5723

  106. Design and performance of high‐power 1.5 μm DFB lasers 査読有り

    Takashi Matsuoka, Yuzo Yoshikuni, George Motosugi, Mitsuhiro Enya

    Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics)　70　(12)　369-378　1987年

    DOI： 10.1002/ecjb.4420701208 　

    ISSN：1520-6432 8756-663X

  107. InP Etchant for Submicron Patterns 査読有り

    T MATSUOKA, H NAGAI

    133　(12)　2485-2491　1986年12月

    DOI： 10.1149/1.2108455 　

    ISSN：0013-4651

    eISSN：1945-7111

  108. Broad Wavelength Tuning under Single-Mode Oscillation with a Multi-Electrode Distributed Feedback Laser 査読有り

    22　(22)　1153-1154　1986年10月

    DOI： 10.1049/el:19860789 　

    ISSN：0013-5194

    eISSN：1350-911X

  109. Temperature Range for DFB mode Oscillation in 1.5 μm InGaAsP/InP DFB Lasers 査読有り

    T. Matsuoka

    Jpn. J. Appl. Phys.　25　(8)　1206-1210　1986年8月

    ISSN：0021-4922

  110. InGaAsP/InP DFB-BH Lasers with Both Facets Cleaved Structures 査読有り

    H. Nagai, T. Matsuoka, Y. Noguchi, Y. Suzuki, Y. Yoshikuni

    IEEE J. Quantum Electron.　QE-22　(3)　450-457　1986年3月

    DOI： 10.1109/JQE.1986.1072981 　

  111. Sufficiently Side-Mode-Suppressed High-Output Power 1.5 μm DFB Lasers 査読有り

    J. Yoshida, Y. Itaya, Y. Noguchi, T. Matsuoka, Y. Nakano

    Electron. Lett.　22　(6)　327-328　1986年3月

    DOI： 10.1049/el:19860224 　

    ISSN：0013-5194

    eISSN：1350-911X

  112. Verification of the Light Phase Effect at the Facet on DFB Laser Properties 査読有り

    21　(12)　1880-1886　1985年12月

    DOI： 10.1109/JQE.1985.1072596 　

    ISSN：0018-9197

    eISSN：1558-1713

  113. THERMAL DEFORMATION OF SURFACE CORRUGATIONS ON INGAASP CRYSTALS 査読有り

    H NAGAI, Y NOGUCHI, T MATSUOKA

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　71　(1)　225-231　1985年

    DOI： 10.1016/0022-0248(85)90066-1 　

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

  114. BISTABLE OUTPUT CHARACTERISTICS IN SEMICONDUCTOR-LASER INJECTION LOCKING 査読有り

    H KAWAGUCHI, K INOUE, T MATSUOKA, K OTSUKA

    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS　21　(9)　1314-1317　1985年

    DOI： 10.1109/JQE.1985.1072847 　

    ISSN：0018-9197

    eISSN：1558-1713

  115. DEPENDENCE OF SINGLE-LONGITUDINAL-MODE PROBABILITY ON DFB LASER FACET STRUCTURE 査読有り

    T MATSUOKA, Y YOSHIKUNI, G MOTOSUGI

    ELECTRONICS LETTERS　21　(24)　1151-1152　1985年

    DOI： 10.1049/el:19850814 　

    ISSN：0013-5194

    eISSN：1350-911X

  116. 単一縦モード半導体レーザを用いた高速光ファイバ伝送系の符号誤り率特性 査読有り

    岩下克, 中川清司, 松岡隆志

    電子通信学会　J67-B　(12)　1415-1422　1984年12月

    出版者・発行元： 電子通信学会

    ISSN：0373-6105

  117. Longitudinal Mode Behaviors of 1.5 μm Range InGaAsP/InP Distributed Feedback Lasers 査読有り

    Y. Itaya, T. Matsuoka, K. Kuroiwa, T. Ikegami

    IEEE J. Quantum Electron.　20　(3)　230-235　1984年

    DOI： 10.1109/JQE.1984.1072378 　

    ISSN：0018-9197

  118. EFFECT OF THE GRATING PHASE AT THE CLEAVED FACET ON DFB LASER PROPERTIES 査読有り

    T MATSUOKA, H NAGAI, Y NOGUCHI, Y SUZUKI, Y KAWAGUCHI

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　23　(3)　L138-L140　1984年

  119. INP/INGAASP P-TYPE SUBSTRATE AND MASS TRANSPORTED DOUBLY BURIED HETEROSTRUCTURE LASER 査読有り

    Y NOGUCHI, Y SUZUKI, T MATSUOKA, H NAGAI

    ELECTRONICS LETTERS　20　(19)　769-771　1984年

    DOI： 10.1049/el:19840524 　

    ISSN：0013-5194

  120. MODE BEHAVIOR IMPROVEMENT IN DFB LDS BY LIGHT PHASE-CONTROL AT THE FACET 査読有り

    T MATSUOKA, H NAGAI, Y SUZUKI, Y NOGUCHI, K WAKITA

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　23　(10)　L782-L784　1984年

  121. High-Power SLM Operation 1.5 μm InP/InGaAsP DFB LD with Doubly Buried Heterostructure on p-Type InP Substrate 査読有り

    Y. Suzuki, H. Nagai, Y. Noguchi, T. Matsuoka, K. Kurumada

    Electron. Lett.　20　(21)　881-882　1984年

    DOI： 10.1049/el:19840598 　

    ISSN：0013-5194

  122. FINE-STRUCTURES IN THE BROADENED LINE OF DISTRIBUTED FEEDBACK LASERS UNDER HIGH-SPEED DIRECT MODULATION 査読有り

    Y YOSHIKUNI, T MATSUOKA, G MOTOSUGI, N YAMANAKA

    APPLIED PHYSICS LETTERS　45　(8)　820-822　1984年

    DOI： 10.1063/1.95430 　

    ISSN：0003-6951

  123. PREVENTION OF SURFACE CORRUGATION THERMAL DEFORMATION FOR INGAASP/INP DFB LASERS 査読有り

    H NAGAI, Y NOGUCHI, T MATSUOKA, Y SUZUKI

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　22　(5)　L291-L293　1983年

    DOI： 10.1143/JJAP.22.L291 　

  124. HYBRID LPE/MBE-GROWN INGAASP INP DFB LASERS 査読有り

    H ASAHI, Y KAWAMURA, Y NOGUCHI, T MATSUOKA, H NAGAI

    ELECTRONICS LETTERS　19　(14)　507-509　1983年

    DOI： 10.1049/el:19830345 　

    ISSN：0013-5194

  125. High-Power Single-Longitudinal-Mode Operation of 1.3 μm DFB-DC-PBH-LD 査読有り

    M. Kitamura, M. Seki, M. Yamaguchi, I. Mito, Ke. Kobayashi, Ko. Kobayashi, T. Matsuoka

    Electron. Lett.　19　(20)　840-841　1983年

    DOI： 10.1049/el:19830572 　

    ISSN：0013-5194

    eISSN：1350-911X

  126. GAINASP-INP DH LASER ON SEMI-INSULATING INP SUBSTRATE WITH TERRACE STRUCTURE 査読有り

    T MATSUOKA, Y SUZUKI, Y NOGUCHI, H NAGAI

    ELECTRONICS LETTERS　18　(9)　359-361　1982年

    DOI： 10.1049/el:19820246 　

    ISSN：0013-5194

  127. 400Mbit/s Transmission Test using a 1.53 μm DFB Laser Diode and 104 km Single-Mode Fibre 査読有り

    K. Iwashita, K. Nakagawa, T. Matsuoka, M. Nakahara

    Electron. Lett.　18　(22)　937-938　1982年

    DOI： 10.1049/el:19820643 　

    ISSN：0013-5194

  128. New 1.5μm Wavelength GaInAsP/InP Distributed Feedback Laser 査読有り

    Y. Itaya, T. Matsuoka, Y. Nakano, Y. Suzuki, K. Kuroiwa, T. Ikegami

    Electron. Lett.　18　(23)　1006-1008　1982年

    DOI： 10.1049/el:19820689 　

    ISSN：0013-5194

  129. CW Operation of DFB-BH GaInAsP/InP Lasers in 1.5 μm Wavelength Region 査読有り

    T. Matsuoka, H. Nagai, Y. Itaya, Y. Noguchi, Y. Suzuki, T. Ikegami

    Electron. Lett.　18　(1)　27-28　1982年

    DOI： 10.1049/el:19820020 　

    ISSN：0013-5194

  130. 1.5 μm Region InP/GaInAsP Buried Heterostructure Lasers on Semi-Insulating Substrate 査読有り

    T. Matsuoka, K. Takahei, Y. Noguchi, H. Nagai

    Electron. Lett.　17　(1)　12-14　1981年

    DOI： 10.1049/el:19810010 　

    ISSN：0013-5194

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MISC 15

  1. GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

    谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年

  2. 有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術 (特集 特異構造の結晶科学 : 結晶成長と構造・物性相関)

    谷川 智之, プラスラットスック キャッティウット, 木村 健司, 窪谷 茂幸, 松岡 隆志

    日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　45　(1)　8p　2018年

    出版者・発行元： 日本結晶成長学会

    ISSN： 2188-7268

  3. 分布帰還型レーザと青色発光素子の研究開発

    松岡 隆志

    電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ News Letter　168　(1)　6-8　2018年

  4. Possibility of Pressurized-Reactor MOVPE for Nitride Semiconductors

    T. Matsuoka, Y. Liu, T. Kimura, R. Katayama

    Proceedings of LED 2011　2011年

  5. 窒化物半導体の有機金属気相成長

    松岡 隆志

    金属　79　(11)　23-28　2009年

  6. 高濃度に酸素添加されたInNの電子状態

    山本哲也, 牧野久雄, KIM J. J, CHEN P. P, 山本あき勇, 松岡隆志, 高田恭孝, 池永英司, 西野吉則

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　52nd　(1)　383　2005年3月29日

  7. InN

    松岡隆志

    光技術動向調査委員会報告書　56-62　2004年3月

    出版者・発行元： 光産業技術振興協会

  8. 窒化インジウムのバンドギャップは従来報告の半分

    松岡隆志

    日経先端技術　24　1-2　2002年10月28日

    出版者・発行元： 日本経済新聞社

  9. 赤から紫へ −半導体可視発光素子の開発−

    松岡隆志

    電気学会誌　117　(5)　299-302　1997年5月

    出版者・発行元： 電気学会

    DOI： 10.1541/ieejjournal.117.299 　

    ISSN： 1340-5551

  10. InGaAlNエピタキシャル成長用基板およびその上のエピタキシャル成長

    松岡 隆志

    日本結晶成長学会誌　23　(4)　345-353　1996年9月25日

    出版者・発行元： 日本結晶成長学会

    ISSN： 0385-6275

    詳細を見る 詳細を閉じる

    The properties of substrate lattice-matching to InGaAlN, which has progressed in light emitting devices in the wavelength shorter than that of green light, and high-power transport devices operated at high temperature, are described. The lattice constant, crystal structure, cleavability and its direction of substrates is explained in comparison with InGaAlN. Of the sapphire substrates widely used at present, the (011^^-0) plane is shown to be the most suitable substrate commercially available. The GaN growth on a (0001) 6H-SiC substrate with polarity is introduced and the substrate polarity is described to severely affect the crystalline quality of an epitaxially grown film. This paper also reviews (101) NdGaO_3 and (111) MgAl_2O_4 as substrates nearly lattice-matched to GaN. The In_<0.22>Ga_<0.78>N on a house-made (0001) ZnO substrate is reported as the only attempt of lattice-matching growth in InGaAlN.

  11. 青色半導体発光素子

    松岡隆志

    ＮＴＴ技術ジャーナル　9　76-80　1996年9月

    出版者・発行元： NTT

  12. InGaAlNエピタキシャル成長用基板およびその上のエピタキシャル成長

    松岡隆志

    日本結晶成長学会誌　23　(3)　51-59　1996年3月

    出版者・発行元： 日本結晶成長学会

  13. 半導体ワイドバンドギャップ素子

    松岡隆志

    光技術動向調査委員会報告書　46-55　1995年3月

    出版者・発行元： 光産業技術振興協会

  14. 1.55 μm F-400M System

    K. Aida, Y. Hayashi, T. Matsuoka

    Review of the Electrical Communications Laboratories　35　(6)　621-626　1987年6月

    出版者・発行元： NTT

  15. 1.5μm帯光伝送方式用DFBレーザ

    松岡隆志, 吉国裕三, 中野好典, 車田克彦

    NTT 研究実用化報告　36　(3)　331-338　1987年3月

    出版者・発行元： NTT

    ISSN： 0415-3200

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書籍等出版物 8

  1. Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds ~Computational Approach~

    Springer　2018年

  2. 未来をさがそう 韓国語版

    松岡 隆志

    ダイヤモンド社　2007年

  3. 未来をさがそう

    東倉洋一, 清水雅史, 曽根原登, 鳥光慶一, 松岡隆志, 山田一郎, 大和淳司

    ダイヤモンド社　2005年11月4日

  4. Advanced Materials in Electronics 2004

    K.S.A.Butcher, Q.Guo, T.Matsuoka, A.Yamamoto, Y.Sato, H.Itoh, T.Yamaguchi, Y.Chang, Z.Wu, H.Dumont 他

    Research Signpost　2004年12月31日

  5. 新編 光学材料ハンドブック

    前田三男, 原 勝男, 皆方 誠, 小林孝嘉, 吉國裕三, 小山二三夫, 米津宏雄, 松岡隆志, 石田祐三, 高橋史郎, 谷内哲夫, 宮 哲雄, 村田則夫

    株式会社 リアライズ社　2000年12月25日

  6. "Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, Vol. 2, "GaN and Related Materials"

    J.I.Pankove, C.R.Abernathy, Takashi Matsuoka, F. A. Ponce, S. K. Estreicher, M. Sato, T.L.Tansley, S. Porowski, P. Perlin, S. J. Pearton

    Oversea Publishers Association　1997年12月31日

  7. Intermetallic Compounds: Principles and Practice

    J.H.Westbrook, R.L.Fleischer, K. Masumoto, A. Katsui, T. Matsuoka 他

    John Wiley & Sons　1995年12月31日

  8. Properties of III-V Nitrides

    J.H.Edgar, I.Akasaki, T.L.Tansley, S.Porowski, W.R.L.Lambrecht, T.Matsuoka, S.C.Strite, R.F.Davis 他

    INSPEC, IEE　1994年12月31日

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講演・口頭発表等 625

  1. Three-Dimensional Strain Analysis near the AlGaN/GaN Heterointerface for Electron Density Analysis using 4D-STEM

    I. Kitakami, D. Morikawa, T. Matsuoka, K. Tsuda

    Asian Crystallographic Association Meeting 2025 (AsCA2025)　2025年12月

  2. Development of the Semiconductor Material InGaAlN and Its Associated Innovations 招待有り

    T. Matsuoka

    2025 IEEE 11th International Conference on Applied System Innovation (IEEE ICASI 2025)　2025年4月22日

  3. The Underemphasized Concept of Crystal Polarity in Conventional Semiconductors and Its Device Application 招待有り

    Takashi Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月5日

  4. 収束電子回折法によるGaN/AlGaNヘテロ接合界面の微細構造解析

    北上偉武暉, 森川大輔, 松岡隆志, 津田健治

    日本顕微鏡学会 第67回シンポジウムシンポジウム　2024年11月

  5. New Developments in Nitride Semiconductors Focusing on Wurtzite Structure 招待有り

    Takashi Matsuoka

    Asian Consortium on Computational Materials Science (ACCMS)-Global Research Center　2024年8月27日

  6. 窒化物半導体の結晶成長とその光・電子デバイスへの応用 招待有り

    松岡隆志

    一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）　2024年7月16日

  7. Semiconductor Materials and Devices Enabling Extreme Operating Characteristics 招待有り

    Takashi Matsuoka

    KOR-TWN-JPAN Trilateral Technology Dialogue on Semiconductor　2024年7月5日

  8. New Developments in Nitride Semiconductors Focusing on Wurtzite Structure ~Inverted HEMTs, Solar Cells, and Red LEDs~ 招待有り

    Takashi Matsuoka

    7th International Workshop on UV Materials and Devices　2024年6月4日

  9. Growth of Nitrides on Nearly Lattice-Matched Substrate ScAlMgO4 and its Application 招待有り

    Takashi Matsuoka, Hirotaka Yahara, Chihiro Hagiwara, Takuya Iwabuchi, Takeshi Kimura

    The 2023 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansa (IMFEDK) 2023　2023年11月17日

  10. Parameter-Free Calculation for the Optical Band-Gap Energies of InGaN

    T. Matsuoka, Y. Kawazoe, T. M. Inerbaev

    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)　2023年11月13日

  11. Nitride Semiconductors Realizing Sustainable Society 招待有り

    T. Matsuoka, T. Suemitsu

    2023 IEEE International Workshop on Metrology for Aerospace　2023年6月20日

  12. 光通信用半導体レーザと窒化物半導体の研究開発を通して学んだこと ～これからの人たちへ～ 招待有り

    松岡隆志

    IEEE Sendai Section　2023年4月17日

  13. Progress of Compound Semiconductors for the Last Half Century ～from GaAs to GaN, and from Epitaxial Growth to Devices～ 招待有り

    T. Matsuoka

    The 23rd RIES-Hokudai International Symposium “拓 [Taku]　2022年12月5日

  14. N-Polar Growth of Nitride Semiconductors with MOVPE and its Applications

    T. Matsuoka, T. Suemitsu

    20th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX)

  15. Growth and Devices of N-Polar Nitride Semiconductors 招待有り

    T. Matsuoka

    Advanced Materials and Semiconductor Technology Workshop　2021年10月28日

  16. The Drawn to the Future of Nitride Semiconductors 招待有り

    T. Matsuoka

    3rd Global Conference & Expo on Materials Science and Engineering (ISTMAE-2021)　2021年8月28日

  17. Evidence of carrier trapping at extrinsic gate region in N-polar GaN/AlGaN MIS HEMTs

    K. Prasertsuk, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma)　2021年3月

  18. Crystal Growth of ScAlMgO4 and GaN on ScAlMgO4 for GaN-Based Optical Devices, High-Power and High-Frequency Transistors 招待有り

    T. Fukuda, Y. Shiraishi, T. Nanto, T. Fujii, K. Sugiyama, R. Simura, H. Iechi, K. Tadatomo, T. Matsuoka

    8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021年3月1日

  19. 窒化物半導体研究の夜明け、現在、そして将来 招待有り

    松岡隆志

    第39回電子材料シンポジウム　2020年10月7日

  20. My Research on Nitrides and their Future ~Epitaxial Growth, Materials, and Device Applications~ 招待有り

    T. Matsuoka

    National Chiao Tung University (NCTU) Workshop, 2　2019年12月17日

  21. Potential of N-Polarity in Applications for GaN-Based Devices 招待有り

    T. Matsuoka

    National Chiao Tung University (NCTU)/Tohoku University Workshop on High Voltage　2019年12月16日

  22. Epitaxial Growth of N-Polar Nitride Semiconductors and its Device Applications 招待有り

    T. Matsuoka

    Materials Research Meeting 2019 (MRM 20219)　2019年12月10日

  23. The World of Nitride Semiconductors 招待有り

    T. Matsuoka

    Global Submit on Material Science & Engineering Material Science 2019 (GSEMSE 2019)　2019年11月14日

  24. GaN薄膜結晶成長における揺籃期を振り返る 招待有り

    松岡隆志

    一般財団法人 光産業技術振興協会　2019年11月7日

  25. From the Drawn, Through the Present, to the Future of Nitride Semiconductors 招待有り

    T. Matsuoka

    2019 Technical Workshop for International Joint Research between Tohoku University and NCTU　2019年11月5日

  26. 窒化物半導体とは？ そして、その素子応用の現状と将来性は？ 招待有り

    松岡隆志

    新規事業研究会 第320回 月例研究会　2019年9月

  27. The Drawn to the Future of Nitride Semiconductors 招待有り

    T. Matsuoka

    International Congress on Advanced Materials (AMSE-Japan)　2019年8月

  28. Contribution of Nitride Semiconductors to Sustainable Society" 招待有り

    T. Matsuoka

    International Congress on Advanced Materials (AMSE-Japan)　2019年7月

  29. Current Status, and Future of Research on Optical and Electrical Semiconductor Devices 招待有り

    T. Matsuoka

    IEEE International Workshop on Metrology for AeroSpace 2019　2019年6月

  30. History of Nitride Semiconductors, its Current Status, and its Future 招待有り

    T. Matsuoka

    International Congress on Advanced Materials (AMSE-2019)　2019年6月

  31. 界面顕微光応答法によるN極性p形GaNショットキー電極の2次元評価

    塩島謙次, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志

    第80回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2019年3月18日

  32. 多光子励起PLマッピングによるGaN系特異構造の3次元マッピング 招待有り

    谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

    第80回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2019年3月19日

  33. ScAlMgO4基板上への窒素極性GaNの有機金属気相成長

    窪谷茂幸, 萩原千拡, 木口賢紀, 谷川智之, 松岡隆志

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日

  34. CZ法による直径100mm径金属Ni単結晶の育成・加工と評価

    藤井高志, 渡邊清和, 高橋和也, 熊谷毅, 福田承生, 松岡隆志, 川又透, 杉山和正

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日

  35. Three-Dimensional Characterization of GaN Crystals Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence 招待有り

    T. Tanikawa, T. Matsuoka

    SPIE Photonics West 2019　2019年2月

  36. 40年余りの研究・教育生活を振り返って ～若い人へのメッセージ～ 招待有り

    松岡隆志

    第73回応用物理学会東北支部学術講演会　2019年2月2日

  37. Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier Propagation Solar Cell (MOP3S) in Waveguide-Coupled Scheme

    A. Ishibashi, N. Sawamura, T. Matsuoka, H. Kobayashi, T. Kasai

    第28回日本MRS年次大会G2分科会B-4セッション　2018年12月18日

  38. Reverse-Bias-Induced Virtual Gate Phenomenon in N-polar GaN HEMTs 国際会議

    T.Suemisyu, K.Prasertsuk, T.Tanikawa, T.Kimura, S.Kuboya, T.Matsuoka

    2018 MRS Fall Meeting　2018年11月25日

  39. N-Polar GaN/AlGaN Inverted High Electron Mobility Transistors 招待有り

    T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka

    4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors

  40. Novel Characterrization Teshnique of Threading Dislocation in GaN Using Multiphoton-Excitation Photoluminesccence 国際会議 招待有り

    T.Tanikawa, T.Matsuoka

    4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4)　2018年11月18日

  41. Three-dimensional and Non-Destructive Investigation of Relation between Reverse Leakage Currwnt and Threading dislocation in Vertical GaN Schottky Barrier Diodes 国際会議

    T.Fujita, T.Yanikawa, H.Fukushima, S.Usami, A.TAnaka, T.Suemitsu, T.Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018年11月11日

  42. Challenge to MOVPE Growth of N-Polar InAIN Film with Higt InN Mole Fractio 国際会議

    S.Kuboya, K.Oomura, T.Tanikawa, T.Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018年11月11日

  43. Precise Characterrization of Expitaxial Laterral Overgrowth Process in HVPE-Grown GaN using Multiphoton-Excitation Photoluminescence 国際会議 招待有り

    T.Tanikawa, T.Yoshida, T.Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018年11月11日

  44. Reuse of SeAlMgO4 Substrates Utilzed for Halide Vapor Phase Epitaxy of GaN 国際会議

    K.Ohnishi, S.Kuboya, T.Tanikawa, T.Fukuda, T.Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018年11月11日

  45. 多光子励起フォトルミネッセンスによるHVPE成長GaN結晶の貫通転位と成長形態の非破壊観察

    谷川智之, 松岡隆志

    第47回結晶成長国内会議, 01a-B02　2018年11月1日

  46. lnGaN/GaNヘテロ構造のRF-MBE成長における格子緩和過程のその場観察格子極性の影響

    谷川智之, 山口智広, 藤川誠司, 佐々木拓生, 高橋正光, 松岡隆志

    第47回結晶成長国内会議, 01a-B01　2018年11月1日

  47. MOVPEによる窒素極性窒化物半導体成長 招待有り

    松岡隆志, 谷川智之, 窪谷茂幸

    第47回結晶成長国内会議, 31p-C01　2018年10月31日

  48. 多光子励起過程を用いたGaN結晶の三次元蛍光イメージング 招待有り

    谷川智之, 松岡隆志

    第37回電子材料シンポジウム, We1-1　2018年10月10日

  49. 多光子励起顕微鏡を用いたHVPE成長GaN結晶の貫通転位と成長形態の非破壊観察

    谷川智之, 松岡隆志

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム『紫外発光デバイスの最前線と将来展望』, 7　2018年9月27日

  50. 多光子励起フォトルミネッセンスによるHVPE成長GaNの選択成長過程と貫通転位の伝搬の観察

    谷川智之, 吉田丈洋, 松岡隆志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会講演会, 18a-146-4　2018年9月18日

  51. GaN結晶の多光⼦励起PL画像からの転位の3次元配置に関する数値情報抽出

    沓掛健太朗, 谷川智之, 松岡隆志, 井上憲一

    第79回応用物理学会秋季学術講演会講演会, 18a-146-3　2018年9月18日

  52. 窒素極性GaN MIS-HEMTにおける逆バイアスアニールの効果

    末光哲也, K. Prasertsuk, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会講演会, 21a-331-2　2018年9月18日

  53. MOVPE窒素極性成長による窒化物半導体の新展開 招待有り

    松岡隆志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2018年9月18日

  54. Characterization of Threading Dislocation in Thick GaN Films Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence 国際会議 招待有り

    T.Tanikawa, K.Ohnishi, T.Fujita, T.Matsuoka

    International Symposium of Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018年8月5日

  55. GaN Growth and Blue LED on Novel Oxide Substrate ScAlMgO4 国際会議 招待有り

    S. Kuboya, T. Iwabuchi, K. Ohnisi, H.Yahara, T.Tanikawa, T.Fukuda, T.Matsuoka

    KINKEN-KIST Joint Symposium 2018　2018年7月4日

  56. History and Current Status of Research on Nitride Semiconductors 国際会議 招待有り

    T.Matsuoka

    5th International Conference on Theoretical and Applied Physics　2018年7月2日

  57. History and Future Perspectives of the Nitride Semiconductors 国際会議 招待有り

    T.Matsuoka

    2nd Global Summit & Expo on Laser Optics & Photonics (Optics-18)　2018年6月14日

  58. Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN 国際会議

    T.Tanikawa, T.Fujita, K.kojima, S.F.Chichibu, T.Matsuoka

    第19回有機金属気相成長に関する国際会議　2018年6月3日

  59. Growth of Indium-lndium-Including Nitride Semiconducto 国際会議 招待有り

    T.Matsuoka, S.Kuboya, T.Tanikawa

    第19回有機金属気相成長に関する国際会議　2018年6月3日

  60. Reverse Bias Anneling Effects in N-polar GaN AlGaN GaN MIS-HENTs 国際会議

    T.Suemitsu, K.Prasertsuk, T.Tanikawa, T.Kimura, S.Kuboya, T.Matsuoka

    化合物半導体週間2018　2018年5月29日

  61. 多光子励起フォトルミネッセンス法により観察されたGaN結晶中の貫通転位の種別判定

    谷川智之, 松岡隆志

    第135回東北大学金属材料研究所講演会, P-47　2018年5月23日

  62. ScAlMgO4基板上GaN薄膜成長における成長初期過程の検討

    窪谷茂幸, 萩原千拡, 大西一生, 岩渕拓也, 谷川智之, 福田承生, 松岡隆志

    第135回東北大学金属材料研究所講演会, P-69　2018年5月23日

  63. 再利用ScAlMgO4基板を用いたGaN厚膜のハライド気相成長

    大西一生, 窪谷茂幸, 谷川智之, 福田承生, 松岡隆志

    第135回東北大学金属材料研究所講演会, P-13　2018年5月23日

  64. Nondestructive Analysis of Threading Dislocations in GaN by Multiphoton Excitation Photoluminesccence 国際会議 招待有り

    T.Tanikawa, T.Matsuoka

    The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18),　2018年4月25日

  65. 分布帰還型レーザと青色発光素子の研究開発 招待有り

    松岡 隆志

    電子情報通信学会総合大会　2018年3月20日

  66. GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

    谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月20日

  67. フォトルミネッセンス測定によるGaN結晶中の貫通転位の種別判定

    谷川智之, 吉田丈洋, 松岡隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月19日

  68. 窒化物半導体の研究 ～テーマ選択からエレクトロニクスの材料・部品の研究～ 招待有り

    松岡 隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月18日

  69. HVPE法による（0001）面GaN基板上へのGaN厚膜成長

    加納聖也, 谷川智之, 向井孝志, 松岡隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月18日

  70. GaN成長に用いたScAlMgO4基板の再利

    大西一生, 窪谷茂幸, 谷川智之, 福田承生, 松岡隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日

  71. MOVPE- and HVPE- GaN Growth on SCAM Substrates 国際会議 招待有り

    T. Matsuoka, K. Ohnishi, S. Kuboya, T. Iwabuchi, M. Kanoh, T. Fukuda

    SPIE Photonics West 2018　2018年1月27日

  72. 多光子励起フォトルミネッセンスによるワイドギャップ半導体の三次元イメージング 招待有り

    谷川智之, 松岡隆志

    応用物理学会 第１３回励起ナノプロセス研究会　2018年1月20日

  73. ScAlMgO4基板上InGaN/GaN多重量子井戸構造の内部量子効率

    萩原千拡, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 松岡隆志

    第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017年11月29日

  74. 多光子励起フォトルミネッセンス法によるGaNの三次元光物性評価

    谷川智之, 松岡隆志

    第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017年11月29日

  75. 窒素極性Ⅲ族窒化物の有機金属気相エピタキシャル成長での水素の役割

    花田貴, 松岡隆志

    第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017年11月29日

  76. 有機金属気相成長法によるN極性InGaN チャンネルHEMT構造の作製

    田中真二, プラスラットスック・キャッティウット, 木村健司, 谷川智之, 末光哲也, 松岡隆志

    第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017年11月29日

  77. New Solar-cell System and Clean Unit System Platform (CUSP) for Electronics, Communications and Networks 国際会議

    A. Ishibashi, T. Matsuoka, R. Enomoto, M. Yasutake

    CECNet2017　2017年11月24日

  78. Internal Quantum Efficiency of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Grown on ScAlMgO4 substrate

    C. Hagiwara, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Fukuda, T. Matsuoka

    35th Electron. Mat. Symp　2017年11月10日

  79. Surface-Roughness Improvement and Electrical Properties in N-Polar InGaN/GaAlN HEMT Structures Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    S. Tanaka, K. Prasertsuk, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    36th Electron. Mat. Symp., Fr1-13　2017年11月10日

  80. Growth of Emerging Materials for Electronics by Advanced Growth Technique based on the Carrier over Half Century 国際会議 招待有り

    T. Fukuda, T. Matsuoka, S. Suzuki, K. Sugiyama

    7th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-7)　2017年10月15日

  81. State-the-art of-Nitride Semiconductors 国際会議 招待有り

    T. Matsuoka

    7th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-7)　2017年10月15日

  82. Application of Nitride Semiconductors for Optical Communications Systems 国際会議 招待有り

    T. Matsuoka

    RIEC Intern. Symp. Photonics and Optical Commun. (ISPOC 2017)　2017年10月

  83. Three-dimensional Imaging of Threading Dislocation in GaN crystals by Multiphoton-Excitation Photoluminescence 国際会議 招待有り

    T.Tanikawa, K.Ohnishi, T.Matsuoka

    International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 12)　2017年9月29日

  84. Research on Nitride Semiconductors from the Dawn, through the Present, to the Future 国際会議 招待有り

    T. Matsuoka

    Solid State Device Meeting 2017 (SSDM 2017)　2017年9月20日

  85. 多光子励起PL法によるGaN結晶の貫通転位の三次元イメージング 招待有り

    谷川智之, 大西一生, 松岡隆志

    第78回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2017年9月5日

  86. リセスMISゲートN極性GaN HEMTのしきい値電圧の制御

    プラスラットスック・キャッティウット, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 末光哲也, 松岡隆志

    第78回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2017年9月5日

  87. N極性Mgドープp型GaNの光電流DLTS評価

    鈴木秀明, 寺島勝哉, 及川峻梧, 正直花奈子, 野々田亮平, 谷川智之, 松岡隆志, 岡本浩

    第78回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2017年9月5日

  88. N極性GaNの成長とそのトランジスタへの展開 招待有り

    松岡 隆志

    第78回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2017年9月5日

  89. 二光子励起フォトルミネッセンスを用いて観察したGaN中の貫通転位の伝搬特性 招待有り

    谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡 隆志

    第78回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2017年9月5日

  90. N極性n型GaN上Niショットキー特性に対するアニール効果の評価

    寺島勝哉, 野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 松岡隆志, 岡本浩

    平成29年度電気関係学会東北支部連合大会　2017年8月24日

  91. History of Distributed Feedback Laser 国際会議

    T. Matsuoka, K. Iwashita

    Proc. History of Electro-technology Conference (HISTELCON 2017)　2017年8月7日

  92. History of blue LED Consisted of Nitride Semiconductors 国際会議

    T. Matsuoka

    Proc. History of Electro-technology Conference (HISTELCON 2017)　2017年8月7日

  93. Surface Structure of Cleaved ScAlMgO4 (0001) Substrate for III-nitrides Growth Analyzed by X‐ray Crystal Truncation Rod Scattering 国際会議

    T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Fukuda, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semiconductors　2017年7月24日

  94. Roll of Hydrogen during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of N-polar III-nitrides 国際会議

    T. Hanada, T.Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semiconductors　2017年7月24日

  95. Three-dimensional Analysis of Threading Dislocation in HVPE-grown GaN using Two-photon-excitation Photoluminescence Spectroscopy 国際会議

    T. Tanikawa, K. Ohnishi, M. Kanoh, T.Mukai, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semiconductors　2017年7月24日

  96. HVPE of Thick GaN Layers on ScAlMgO4 Substrates and their Self-Separation for Fabricating Free-Standing Wafers 国際会議

    K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Mukai, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semiconductors　2017年7月24日

  97. 光ファイバ通信・青色発光素子用結晶の成長技術 招待有り

    松岡隆志

    日本結晶成長学会特別講演会　2017年6月15日

  98. GaNのMOVPE成長用ScAlMgO4基板の裏面保護膜に関する研究

    岩渕拓也, 窪谷茂幸, 萩原千拡, 谷川智之, 福田承生, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017年5月26日

  99. ScAlMgO4の剥離特性を活かしたGaN自立基板の作製

    大西一生, 加納聖也, 谷川智之, 窪谷茂幸, 向井孝志, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017年5月26日

  100. X線CTR散乱による複合酸化物 ScAlMgO4(0001)劈開表面の同定

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 福田承生, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017年5月26日

  101. N極性InAlN薄膜の有機金属気相成長とそのXPS分析

    窪谷茂幸, 大村和世, 谷川智之, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017年5月26日

  102. 二光子励起フォトルミネッセンス法を用いたGaNエピタキシャル膜中の貫通転位の三次元解析

    谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017年5月26日

  103. N-Polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on Sapphire Substrates with Small Off-Cut for Flat Interface by MOVPE 国際会議

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    Compound Semiconductor Week (CSW2017)　2017年5月14日

  104. 最先端結晶成長技術による新電子材料単結晶の創出と実用化

    福田承生, 松岡隆志, 鈴木茂, 杉山和正

    日本学術振興会第161委員会 第100回研究会　2017年5月12日

  105. Reduced Gate Leakage Current in N-polar GaN Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistors

    K. Prasertsuk, A. Miura, S. Tanaka, T.Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月15日

  106. X線CTR散乱によるScAlMgO4(0001)劈開面の構造解析

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 福田承生, 松岡隆志

    第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月15日

  107. 二光子励起フォトルミネッセンス法によるGaN中の貫通転位の三次元分布評価

    谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

    第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月14日

  108. ハイドライド気相成長法によるScAlMgO4基板上へのGaN厚膜成長と自己剥離プロセス

    大西一生, 加納聖也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 向井孝志, 松岡隆志

    第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月14日

  109. N極性GaN HEMTsにおけるMIS構造導入によるリーク電流の低減

    プラスラットスック, キャッティウット, 三浦輝紀, 田中真二, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 末光哲也, 松岡隆志

    第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月14日

  110. MOVPE Growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN Inverted HEMT Structures and Their Electrical Properties 国際会議

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, A. Miura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    3rd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductor (IDGN-3)　2017年1月16日

  111. Current Status and Future Prospects of Nitride Semiconductors for Energy Saving 国際会議

    T. Matsuoka

    Intern. Workshop on Advanced Functional Materials and Devices (IWAFMD2017)　2017年1月8日

  112. N極性GaN-HEMT構造上に形成したNiショットキー電極の電気特性評価

    三浦輝紀, Kiattiwut Prasertsuk, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志

    第132回東北大学金属材料研究所講演会　2016年11月24日

  113. Current Status and Future Prospecta of Nitride Semiconductors 国際会議 招待有り

    T.Matsuoka, K.Shojiki, T.Kimura, T.Tanikawa, S.Kuboya, R.Katayama, T.Suemitsu

    KINKEN-KIST Joint Seminar “Future Electronic Materials and Devices beyond Si”　2016年10月24日

  114. Novel Approach to Fabrication of Free-standing GaN Wafer for Transistors Enabling Energy Saving 国際会議

    T. Matsuoka, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Fukuda

    10th Intern. Conf. on Polish Soc. for Crystal Growth (ICPSCG10)　2016年10月16日

  115. Large-Scale Crystal Growth of Emerging Materrials for Electronics by Advanced Czochralski Technique 国際会議 招待有り

    T.Fukuda, T.Matsuoka, S.Suzuki

    10th International Conference on Polish Society for Crystal Growth (ICPSCG10)　2016年10月16日

  116. Control of Impurity Concentration of Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)　2016年10月2日

  117. Improvement of Emission Wavelength Homogeneity in N-polar (000-1) InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)　2016年10月2日

  118. Ga-polar GaN Film Grown by MOVPE on Cleaved ScAlMgO4 (0001) Substrate with Nillimeter-scale Wide Terraces 国際会議

    T. Hanada, T. Iwabuchi, S. Kuboya, H. Tajiri, K. Inaba, T. Tanikawa, T. Fukuda, T. Matsuoka

    2016 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting　2016年9月19日

  119. 偏光ラマン分光法によるScAlMgO4のフォノンモード同定

    折原由里子, 山村和也, 蓮池紀幸, 播磨弘, 福田承生, 窪谷茂幸, 花田貴, 松岡隆志

    第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日

  120. N 極性 n 型 GaN 上 Ni ショットキーダイオード特性の蒸着法依存性

    寺島 勝哉, 野々田 亮平, 正直 花奈子, 谷川 智之, 松岡 隆志, 鈴木 秀明, 岡本 浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日

  121. NH3雰囲気で熱処理した ScAlMgO4のラマン分光評価

    山村 和也, 蓮池 紀幸, 播磨 弘, 福田 承生, 窪谷 茂幸, 谷川 智之, 花田 貴, 松岡 隆志

    第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日

  122. Ni/N 極性 p-GaN ショットキー電極界面の電流-電圧特性の温度依存性

    青木俊周, 谷川智之, 松岡隆志, 塩島謙次

    第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日

  123. 窒化物半導体における窒素極性成長

    第77回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2016年9月13日

  124. Polarity in the Growth of Nitride Semiconductors 国際会議

    T. Matsuoka, T. Kimura, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Suemitsu

    Collaborative Conf. on Crystal Growth (EMN 3CG)　2016年9月4日

  125. Localized emission from quantum-dot-like InGaN islands formed in N-polar InGaN/GaN multiple quantum wells

    T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    第３５回電子材料シンポジウム　2016年7月6日

  126. Dependence of group-III source ratio on photoluminescence of N-polar (000-1) InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    第３５回電子材料シンポジウム　2016年7月6日

  127. Phonon mode assignments of ScAlMgO4 single crystal by polarized Raman scattering spectroscopy

    K. Yamamura, N. Hasuike, H. Harima, T. Fukuda, S. Kuboya, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    第３５回電子材料シンポジウム　2016年7月6日

  128. MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface 国際会議

    K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    Compound Semiconductor Week 2016　2016年6月26日

  129. Influence of Growth Conditions on Transport Properties in Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    T. Tanikawa, K. Prasertsuk, A. Miura, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications（LEDIA’16)　2016年5月18日

  130. Group-Ⅲ Source Ratio Dependence on Photoluminesccence of N-Polar(0001)InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    R.Nonoda, T.Tanikawa, K.Shojiki, T.Kimura, S.Tanaka, S.Kuboya, T.Matsuoka

    Summit of Materials Science (SMS 2016)　2016年5月18日

  131. Large Stokes-like Shift due to Selt-Formed InGaN Islands in N-Polar InGaN Light-Emittimg Diodes 国際会議

    T.Tanukawa, K.Shojiki, R.Nonioda, S.Kuboya, R.Katayama, T.Matsuoka

    Summit of Materials Science (SMS 2016)　2016年5月18日

  132. Paths of Impurity Incorporation in GaN Films Grow on ScAlMgO4 Substrates by MOVPE 国際会議

    S.Kuboya.H.Yahara, TIwabuti, H.Hanada, R.Katayama, T.Matsuoka

    2016年5月18日

  133. N極性InGaN/GaN量子井戸の微視的構造・光学特性

    谷川智之, 正直花奈子, 野々田亮平, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 高宮健吾, 矢口裕之, 秋山英文

    第８回窒化物半導体結晶成長講演会　2016年5月9日

  134. N 極性(000–1)InGaN における局所発光の III 族原料供給比依存性

    野々田 亮平, 谷川 智之, 正直 花奈子, 木村 健司, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志

    第８回窒化物半導体結晶成長講演会　2016年5月9日

  135. N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微小島からの局所発光

    谷川 智之, 正直 花奈子, 片山 竜二, 窪谷 茂幸, 松岡 隆志

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日

  136. ScAlMgO4 基板上GaN の不純物混入の抑制

    矢原弘崇, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日

  137. InGaN Quantum Nanodisks by Fusion of Bio-nano-template and Neutral Beam Etching processes

    A. Higo, C. Thomas, C. Y. Lee, T. Kiba, S. Chen, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Shojiki, I. Yamashita, A. Murayama, S. Samukawa

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日

  138. NH3分解触媒援用MOVPE成長InXGa1-Xn (x~0.35)のMgドーピング挙動

    山本暠勇, 児玉和樹, 重川直輝, 松岡隆志, 葛原正明

    第63回応用物理学会春季学術講演会, 22a-P6-9　2016年3月19日

  139. Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metal-organic vapor phase epitaxy 国際会議

    J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2016年3月18日

  140. Two-dimensional electron gas in N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議

    K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2016年3月18日

  141. Electrical properties of GaN films on ScAlMgO4 substrates grown by MOVPE 国際会議

    T. Iwabuchi, H. Yahara, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2016年3月18日

  142. InGaN/GaN太陽電池の格子極性と発電特性

    谷川智之, 川島静人, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第７回薄膜太陽電池セミナー　2016年3月13日

  143. N極性(000-1)窒化物半導体混晶InGaNの結晶成長表面と発光素子応用

    正直花奈子, 高宮健吾, 谷川智之, 花田貴, 野々田良平, 窪谷茂幸, 秋山英文, 矢口裕之, 片山竜二, 松岡隆志

    平成27年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会　2016年3月9日

  144. N極性(000)p型GaNのMOVPE成長におけるMg/Ga・V/III原料供給比の正孔濃度への影響

    野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    70回 東北支部学術講演会, 3A11 (南田温泉 ホテルアップルランド, 2015年12月3-4日)　2015年12月3日

  145. ScAlMgO4基板上SiドープGaNの電気伝導特性評価

    矢原弘崇, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

    70回 東北支部学術講演会, 3A11 (南田温泉 ホテルアップルランド, 2015年12月3-4日)　2015年12月3日

  146. N極性(0001(_))p型GaNのMOVPE成長におけるMg/Ga・V/III原料供給比の正孔濃度への影響

    野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第70回 東北支部学術講演会, 3A11　2015年12月3日

  147. MOVPE法を用いて作製したN極性GaN/AlGaN/GaNヘテロ構造における2次元電子ガスの形成

    キャッティウット プラスラットスック, 谷川智之, 正直花奈子, 木村健司, 三浦輝紀, 邊見ふゆみ, 田中真二, 窪谷茂幸, 片山竜二, 末光哲也, 松岡隆志

    第130回東北大学金属材料研究所講演会　2015年11月25日

  148. マイクロビームX線回折によるｍ面GaN上InGaN島の外形とIｎ濃度の同時観察

    花田貴, 正直花奈子, 崔正焄, 島田貴章, 今井康彦, 木村滋, 片山竜二, 松岡隆志

    第130回東北大学金属材料研究所講演会,P-71　2015年11月25日

  149. 電界変調反射分光法を用いたInGaN/GaN LEDの内部電界の直接観測

    松岡 隆志

    第130回東北大学金属材料研究所講演会,P-13　2015年11月25日

  150. Devices of Nitride Semiconductors beyond Conventional Concepts 国際会議

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu

    Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology (TACT) 2015 International Thin Films Conference, C2 (Tainan, Taiwan, Nov. 16-18, 2015)　2015年11月16日

  151. NH3 Decomposition Catalyst-Assisted MOVPE Growth of In0.3Ga0.7N 国際会議

    A. Yamamoto, K. Kodama, N. Shigekawa, T. Matsuoka, M. Kuzuhara

    25th Intern.Photovoltaic Science and Engineering Conf. (PVSEC-25), NMD-O-06 (Busan, Korea, Nov. 15-20, 2015)　2015年11月15日

  152. Waveguide-coupled Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells with InGaN layers 国際会議

    A. Ishibashi, T. Matsuoka, T. Kasai, K. Kondo, N. Sawamura

    16th Ries-Hokudai Intern. Symp., P52 (Sapporo, Nov. 10-11, 2015)　2015年11月10日

  153. Polarity control of GaN grown on PLD-AlN/GaN templates by MOVPE 国際会議

    J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015年11月8日

  154. Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by MOVPE 国際会議

    R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015年11月8日

  155. Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by changing substrate off-cut-angle direction 国際会議

    K Shojiki, T Hanada, T. Tanikawa, Y Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015年11月8日

  156. Large Stokes Shift in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diodes 国際会議

    T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, S. Kuboya, T. Matsuoka

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015年11月8日

  157. Microscopic structure of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells and light-emitting diodes 国際会議

    K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015年11月8日

  158. Migration-enhanced, Low-temperature (~400˚C) MOVPE Growth of InN using NH3 Decomposition Catalysts 国際会議

    A. Yamamoto, K. Kodama, N. Shigekawa, T. Matsuoka, M. Kuzuhara

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015年11月8日

  159. Low-resistivity InxGa1-xN (x=0~0.35) Grown by Low-temperature (≲600˚C) MOVPE using NH3 Decomposition Catalysts 国際会議

    A. Yamamoto, K. Kodama, N. Shigekawa, T. Matsuoka, M. Kuzuhara

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015年11月8日

  160. 窒化物半導体のMOVPE成長における相純度

    片山竜二, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志, 矢口裕之, 尾鍋研太郎

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) ナノ構造エピ成長分科会シンポジウム「結晶におけるポリタイプの制御と利用」(主催：日本結晶成長学会), 6 (東北大学, 2015年10月19-21日)　2015年10月19日

  161. Electrical Characteristics of N-polar p-type GaN Schottky Contacts 国際会議

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), G-1-4 (Sapporo, Japan, Sept. 28-30, 2015)　2015年9月28日

  162. Potential of N-Polarity in Applications for GaN-based Devices 国際会議

    2015 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting (Warsaw, Poland, Sept. 15-18, 2015).　2015年9月15日

  163. NH3分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(～400℃)成長(I): InN成長

    山本暠勇, 児玉和樹, 重川直輝, 松岡隆志, 葛原正明

    第76回応用物理学会学術講演会講演会, 14a-1D-1 (名古屋国際会議場, 2015年9月13-16日)　2015年9月13日

  164. NH3分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(～400℃)成長(II): InxGa1-xN (x~0.3)の成長

    山本暠勇, 児玉和樹, 重川直輝, 松岡隆志, 葛原正明

    第76回応用物理学会学術講演会講演会, 14a-1D-1 (名古屋国際会議場, 2015年9月13-16日)　2015年9月13日

  165. MOVPE成長N極性(000)p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga・V/III原料比の影響

    野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第76回応用物理学会学術講演会講演会, 14a-1D-1 (名古屋国際会議場, 2015年9月13-16日)　2015年9月13日

  166. MOVPE成長N極性(001) p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga･Ⅴ/Ⅲ原料比の影響

    野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第76回応用物理学会学術講演会,14a-1D-2　2015年9月13日

  167. 窒化物半導体用各種基板とⅢ族窒化物半導体のヘテロ成長

    松岡隆志, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 福田承生

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第94回研究会 (主婦会館プラザエフ, 2015年7月24日)　2015年7月24日

  168. Surface Energy and Facet Formation in InN Films Grown by Pressurized-reactor MOVPE

    A. Kusaba, Y. Kangawa, S. Krukowski, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto

    第34回電子材料シンポジウム, We1-23 (ラフォーレ琵琶湖, 2015年7月15日～17日)　2015年7月15日

  169. Polarity-controlled MOVPE Growth of GaN on PLD-AlN Templates

    J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第34回電子材料シンポジウム, We1-23 (ラフォーレ琵琶湖, 2015年7月15日～17日)　2015年7月15日

  170. Design of the Transverse Quasi-Phase Matched AlN Waveguides for Deep-UV Second Harmonic Generation

    Y. Mitani, R. Katayama, J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

    第34回電子材料シンポジウム, We1-23 (ラフォーレ琵琶湖, 2015年7月15日～17日)　2015年7月15日

  171. Effects of V/III Source Ratio on the Hole Concentration of N-polar (000) p-type GaN Grown by MOVPE

    R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    第34回電子材料シンポジウム, We1-23 (ラフォーレ琵琶湖, 2015年7月15日～17日)　2015年7月15日

  172. Drain Depletion Length in InAlN/GaN MIS-HEMTs with Slant Field Plates 国際会議

    N. Yasukawa, S. Hatakeyama, T. Yoshida, T.Kimura, T. Matsuoka, T. Otsuji, T. Suemitsu

    the Compound Semiconductor Week 2015, the common venue for the 42nd Intern. Symp. Comp.Semicond. and the 27th Intern. Conf. Indium Phosphide and Related Mat., (Santa Barbara, USA, June 28-July 2, 2015).　2015年6月28日

  173. Possibility of N-Polarity in Applications for GaN-based Devices 国際会議

    T. Matsuoka, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama

    the Compound Semiconductor Week 2015, the common venue for the 42nd Intern. Symp. Comp.Semicond. and the 27th Intern. Conf. Indium Phosphide and Related Mat., (Santa Barbara, USA, June 28-July 2, 2015).　2015年6月28日

  174. ScAlMgO4基板上に成長したGaN薄膜の電気伝導特性評価

    矢原弘崇, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

    第129回金属材料研究所講演会,P-87　2015年5月29日

  175. 横型疑似位相整合AIN導波路を用いた深紫外第二高調波発生の検討

    三谷悠貴, 片山竜二, 劉陳燁, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志

    第129回金属材料研究所講演会,P-71　2015年5月29日

  176. 3C-SiC/Si基板上InGaN/GaN縦型発光ダイオード

    谷川智之, 生川満久, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 川村啓介

    第129回金属材料研究所講演会,P-49　2015年5月29日

  177. 窒化物半導体の開発経緯とその将来

    松岡隆志

    第7回窒化物半導体結晶成長講演会（主催：日本結晶成長学会ナノエピ分科会）, 基調講演 (東北大学, 2015年5月7-8日）　2015年5月7日

  178. N極性p形GaNショットキー電極の電気的特性の評価

    青木俊周, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志, 塩島謙次

    62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月11日

  179. MOVPE成長N極性(0001)InGaN多重量子井戸構造と発光ダイオードの構造・光学特性

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    62回応用物理学会春季学術講演会 [講演奨励賞受賞記念講演]　2015年3月11日

  180. N極性(0001)GaNのMOVPE選択成長における貫通転位密度の低減

    逢坂崇, 谷川智之, 木村健司, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 三宅秀人

    62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月11日

  181. ±c面GaNの表面熱的安定性に関する研究

    岡田俊祐, 三宅秀人, 平松和政, 逢坂崇, 谷川智之, 松岡隆志

    62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月11日

  182. オール窒化物半導体による白色LEDの開発に向けて

    松岡隆志, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二

    日本学術振興会 光電相互変換第125委員会 EL分科会第46回研究会　2015年2月4日

  183. 励起子吸収による増感を利用した高効率太陽電池の研究"

    堀越佳治, 松岡隆志

    CREST「太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出」研究領域　2015年1月20日

  184. 励起子吸収による増感を利用した高効率太陽電池の研究～InGa(Al)N/GaN超格子太陽電池～

    松岡隆志, 堀越佳治

    CREST「太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出」研究領域　2015年1月20日

  185. N 極性(000-1)GaN のMOVPE 選択成長における結晶形態変化

    逢坂崇, 谷川智之, 木村健司, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第69回 東北支部学術講演会　2014年12月4日

  186. MOVPE 法による可視光全域波長の発光を有するN 極性(000-1)InGaN 発光ダイオードの作製

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第69回 東北支部学術講演会　2014年12月4日

  187. ZnAl2O4 Interlayer for Suppressing Impurity Out－diffusion in HVPE Growth of GaN on ZnO Substrate

    J.Yoo.Chang, H.Lee, S.Kim, T.MATSUOKA

    第128回金属材料研究所講演会,P-5　2014年11月27日

  188. MOVPE成長N極性(001) InGaN発光ダイオードによる可視光全域波長での発光の実現

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第128回金属材料研究所講演会,P-2　2014年11月27日

  189. Demonstration of N-polar InGaN/GaN MQW Solar Cells 国際会議

    T. Tanikawa, J. H. Choi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Matsuoka

    The 6th World Conf. Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)　2014年11月24日

  190. Crystallographic Polarity in Nitride Semicondcutors 国際会議

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, R. Katayama

    2014 Intern.Symp. Crystal Growth and Crystal Technol., I-04　2014年11月12日

  191. N極性(000-1)InGaN/GaN多重量子井戸構造のMOVPE成長と発光ダイオード作製

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）　2014年11月6日

  192. Recent Progress in Nitride Semiconductors ~from Epitaxial Growth to Device Applications~" 国際会議

    1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE, iΦ) –New Frontiers in Advanced Engineering–, 6　2014年11月1日

  193. Overview on Crystallographic Polarization 国際会議

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, R. Katayama

    2nd Intensive Discussion on Gallium Nitride (IDGN 2014)　2014年10月30日

  194. Control of GaN growth orientation by MOVPE 国際会議

    T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, T. Matsuoka, Y. Honda, H. Amano

    2nd Intensive Discussion on Gallium Nitride (IDGN 2014)　2014年10月30日

  195. Recent Progress in Nitride Semiconductors from Epitaxial Growth to Device Applications 国際会議

    Chitose International Forum 15, 9　2014年10月2日

  196. Mist CVD 法を用いて製作したα-Al2O3 基板上Ga-In-O 薄膜の評価

    田沼圭亮, 畠山匠, 尾沼猛儀, 山口智広, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 本田徹

    第75回応用物理学会学術講演会講演会　2014年9月17日

  197. サファイア基板上MOVPE 成長N 極性面(000"1" ̅)InGaN を用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第75回応用物理学会学術講演会講演会　2014年9月17日

  198. 変調分光法によるInGaN/GaN LED の内部電界の観測", 第75回応用物理学会学術講演会講演会

    谷川智之, 片山竜二, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 松岡隆志, 本田善央, 天野浩

    第75回応用物理学会学術講演会講演会　2014年9月17日

  199. Emission Wavelength Extension of Light Emitting Diode Using MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN 国際会議

    K. Shojiki, J.H. Choi, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014年8月24日

  200. MOVPE Growth of GaN on ScAlMgO4 Substrate 国際会議

    T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Hanada, A. Minato, T. Fukuda, T. Matsuoka, MOVPE Growth, of, GaN on ScAlMgO, Substrate

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014年8月24日

  201. Modulation Spectroscopic Investigation on Internal Electric Fields in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes 国際会議

    T. Tanikawa, R. Katayama, K. Shojiki, S. Kuboya, T. Matsuoka, Y. Honda, H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014年8月24日

  202. Accurate Determination of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by Spectroscopic m-line Technique 国際会議

    R. Katayama, N. Yoshinogawa, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014年8月24日

  203. N 極性面(000-1)InGaN による発光ダイオードの長発光波長化”, 第6回窒化物半導体研究会

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第6回窒化物半導体研究会　2014年7月25日

  204. 様々な極性面GaN上へのInGaNの結晶成長

    谷川智之, 正直花奈子, Jung-Hun Choi, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 久志本真希, 本田善央, 天野浩

    第6回窒化物半導体研究会　2014年7月25日

  205. ZnAl2O4 interlayer for suppressing impurity out-diffusion in HVPE growth of GaN on ZnO substrate

    J. Yoo, J. Chang, J. Lee, S. Choi, H. Lee, S. Kim, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014年7月9日

  206. MOVPE growth of GaN on ScAlMgO4 Substrates

    T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, A. Minato, T.Fukuda, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014年7月9日

  207. Investigation of surface morphology of -c GaN crystals grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy

    T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014年7月9日

  208. Suppression of metastable-phase inclusion in MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014年7月9日

  209. Fabrication of red, green, and blue light emitting diodes using MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN on sapphire substrate

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014年7月9日

  210. 窒化物半導体において高効率を望める 窒素極性太陽電池

    谷川智之, 崔正焄, 正直花奈子, 片山竜二, 松岡隆志

    第 11回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム,　2014年7月3日

  211. Crystallographic Polarity in Nitride Semiconductors and its Device Applications 国際会議

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, R. Katayama

    Research Institute of Electronic Communication- Research Laboratory of Electronics (RIEC-RLE) Meeting in Boston　2014年7月1日

  212. Structural Phase Diagram of InN by Pressurized-Reactor MOVPE: A Theoretical Study 国際会議

    Y. Kangawa, T. Hamada, T. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto

    5th Intern. Conf. White LEDs and Solid State Lighting (WLED-5)　2014年6月1日

  213. Realization of p-Type Conduction in Mg-Doped N-Polar (0001(＿)) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    T. Tanikawa, J. H. Choi, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14)　2014年4月22日

  214. Suppression of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells 国際会議

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14)　2014年4月22日

  215. MOVPE成長－c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

    正直花奈子, 崔正焄, 岩渕拓也, 宇佐美徳隆, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  216. ScAlMgO4基板上におけるGaNのMOVPE成長

    岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 湊明郎, 福田承生, 松岡隆志

    61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  217. c面ScAlMgO4基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定

    花田貴, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 片山竜二, 湊明朗, 福田承生, 稲葉克彦, 松岡隆志

    61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  218. InN 加圧MOVPE 成長における立方晶混入メカニズム

    寒川義裕, 濱田達郎, 木村健司, 片山竜二, 松岡隆志, 柿本浩一

    61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  219. c面Al2O3基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定

    花田貴, 稲葉克彦, 正直花奈子, 崔正焄, 片山竜二, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志

    61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  220. Recent Trends in Nitride Semiconductors for Optoelectronic Applications 国際会議

    T. Matsuoka

    International Workshop on Electronic Materials Technology　2014年3月13日

  221. Recent Trends in Wide-Gap LEDs and LDs from Epitaxial Growth to Devices Structures 国際会議

    T. Matsuoka

    Thailand National Science and Technology Development Agency (NSTDA)　2014年3月11日

  222. Recent Progress of Nitride Semiconductors from Optical Devices to Electronic devices 国際会議

    T. Matsuoka

    Thailand National Science and Technology Development Agency (NSTDA)　2014年3月11日

  223. Possibility of ZnAl2O4 Interlayer for Suppressing Impurity Out-diffusion in Growth of GaN on ZnO Substrate

    J. Yoo, J. Chang, T. Matsuoka

    2013年度卓越補助金「材料インテグレーション拠点・知能デバイス拠点合同成果報告会」　2014年3月10日

  224. Observation of Indium Content Distribution on m-plane InGaN Film with Hillocks

    K. Shojiki, T. Hanada, J.H. Choi, Y. Imai, S. Kimura, T. Shimada, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    2013年度卓越補助金「材料インテグレーション拠点・知能デバイス拠点合同成果報告会」　2014年3月10日

  225. Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN 国際会議

    T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    8th Intern. Symp. Medical, Bio- and Nano-Electronics　2014年3月5日

  226. Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire 国際会議

    N. Yoshinogawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    8th Intern. Symp. Medical, Bio- and Nano-Electronics,　2014年3月5日

  227. Reduction of Impurity Out-diffusion during HVPE Growth of GaN on ZnO by using ZnAl2O4 Interlayer 国際会議

    J. Yoo, J. Chang, J. Lee, S. Choi, S. Lee, H. Lee, S. Kim, T. Matsuoka

    The 5th International Symposium on Advanced Ceramics (ISAC-5)　2013年12月10日

  228. Raman scattering studies and UV optical absorption spectrum of MOVPE grown InGaN epilayers 国際会議

    V. Suresh Kumar, S.Y. Ji, J.G. Kim, H. Harima, J.H. Choi, Y.T. Zhang, R. Katayama, T. Matsuoka

    International Union of Materials Research Societies - International Conference in Asia - 2013 (IUMRS-ICA-2013)　2013年12月6日

  229. MOVPE成長 −c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

    正直 花奈子, 崔 正焄, 岩渕 拓也, 宇佐美 徳隆, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 花田 貴, 片山 竜二, 松岡 隆志

    第68回東北支部学術講演会　2013年12月5日

  230. MOVPE成長－c面 InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

    正直花奈子, チェ・ジョンフン, 岩渕拓也, 宇佐美徳隆, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第126回金属材料研究所講演会,P-77　2013年11月28日

  231. サファイア基板上(0001)GaNの有機金属気相成長におけるMgによる表面マイグレーションの促進

    谷川智之, 正直花奈子, 逢坂崇, 木村健司, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第126回金属材料研究所講演会,P-11　2013年11月28日

  232. Investigation and Suppression of Metastable-phase Inclusion in MOVPE-grown –c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells 国際会議

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    KINKEN-WAKATE 2013 10th Materials Science School for Young Scientists, No. 14　2013年11月21日

  233. Overview of Nitride Semiconductors 国際会議

    T. Matsuoka

    13 International Symposium on Optomechatronic Technologies　2013年10月28日

  234. 窒化物半導体太陽電池の高効率化への取り組み

    松岡隆志, 谷川智之

    早稲田大学各務記念材料研究所オープンセミナー　2013年10月15日

  235. Progress in Research on InN for D-WDM Systems 国際会議

    T. Matsuoka, T. Kimura, T. Iwabuchi, T. Hanada, T. Tanikawa, R. Katayama

    Resarch Institute of Electronic Communication- Research Laboratory of Electronics (RIEC-RLE)　2013年9月30日

  236. Effect of c-plane Sapphire Substrate Miscut-angle on Indium Content of MOVPE-grown N-polar InGaN 国際会議

    K. Shojiki, J. H. Choi, H. Shindo, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月16日

  237. Improvement of Surface Morphology of N-polar GaN by Introducing Indium Surfactant during MOVPE Growth 国際会議

    T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月16日

  238. In situ X-ray Diffraction during Reactive Deposition Epitaxy of FeSi2 on Si(001)

    T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Matsuoka

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月16日

  239. Nonlinear Optical Application of Periodic Polarity-inverted GaN Waveguide 国際会議

    R. Katayama, N. Yoshinogawa, S. Kurokawa, T. Tanikawa, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Matsuoka

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月16日

  240. Effect of Reactor Pressure on Rate-determining Process in InN Growth 国際会議

    T. Kimura, K. Prasertsuk, Y. Zhang, T. Iwabuchi, Y. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月16日

  241. ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察

    正直花奈子, 花田 貴, 崔 正焄, 島田貴章, 今井康彦, 木村 滋, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志

    74回応用物理学会秋季学術講演会　2013年9月16日

  242. Evaluation and Solution of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-grown −c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells 国際会議

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)　2013年8月25日

  243. Influence of Mg-Doping on the Surface Morphology of (000-1) GaN/Sapphire Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    T. Tanikawa, T. Aisaka, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)　2013年8月25日

  244. 材料科学の融合研究により低炭素社会実現への貢献を目指す

    松岡隆志

    PV Japan 2013　2013年7月24日

  245. Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire

    N. Yoshinogawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    第32回電子材料シンポジウム　2013年7月10日

  246. Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN"

    T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, T. Matsuoka

    第32回電子材料シンポジウム　2013年7月10日

  247. Observation of Phase Separation on m-plane InGaN Films with Micro-vicinal surface by Micro-beam XRD

    K. Shojiki, T. Hanada, J. H. Choi, Y. Imai, S. Kimura, T. Shimada, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    第32回電子材料シンポジウム　2013年7月10日

  248. Lattice-matching Substrates to InGaAlN and its Epitaxial Growth 国際会議

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki

    2nd International Symposium on Single Crystals and Wafers, C-12　2013年6月25日

  249. サファイアN極性GaNの有機金属気相成長におけるInサーファクタントの効果

    逢坂崇, 谷川智之, 木村健司, 正直花奈子, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第125回金属材料研究所講演会,P-84　2013年5月22日

  250. マイクロピームＸ線回折によるm面InGaN/GaNのミスフィット転位密度分布の観察

    花田貴, 正直花奈子, 雀正焄, 島田貴章, 今井康彦, 木村滋, 劉玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第125回金属材料研究所講演会,P-23　2013年5月22日

  251. 異常分散Ⅹ線回析を用いたm面GaNの面内極性判定

    花田貴, 島田貴章, 田尻寛男, 坂田修身, 劉玉懐, 松岡隆志

    第125回金属材料研究所講演会,P-22　2013年5月22日

  252. Improvement of Surface Morphology in (000-1) GaN/Sapphire Grown by MOVPE with Indium Surfactant 国際会議

    T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, T. Matsuoka

    Ｉntern. Symp. Comp. Semcond. (ISCS2013)　2013年5月19日

  253. Improvement of surface morphology in (000-1) GaN/Sapphire grown by MOVPE with indium surfactant 国際会議

    T. Tanikawa, T. Aisaka, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, T. Matsuoka

    Conference on LED and its industrial application '13 (LEDIA '13)　2013年4月23日

  254. MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性

    正直花奈子, 崔 正焄, 進藤裕文, 木村健司, 谷川智之, 花田 貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第60回応用物理学春季学術講演会　2013年3月27日

  255. Inサーファクタントによる(0001)GaNのMOVPE成長におけるステップフロー成長の促進

    逢坂 崇, 谷川智之, 正直花奈子, 木村健司, 岩渕拓也, 花田 貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第60回応用物理学春季学術講演会　2013年3月27日

  256. サファイア基板上GaN薄膜のMOVPE成長挙動の格子極性依存性

    吉野川伸雄, 岩渕拓也, 正直花奈子, 木村健司, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志

    第60回応用物理学春季学術講演会　2013年3月27日

  257. X線異常分散を用いたm面GaNの面内極性判定

    花田 貴, 島田貴章, 田尻寛男, 坂田修身, 劉 玉懐, 松岡隆志

    第60回応用物理学春季学術講演会　2013年3月27日

  258. Effect of N-polar Growth in In-incorporation into Nitride Semiconductors 国際会議

    T. Matsuoka, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Tanikawa, R. Katayama

    2nd IMR & KMU Joint Workshop　2013年2月18日

  259. Fabrication of semipolar/nonpolar GaN on patterned silicon substrate for optical device application 国際会議

    T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    2nd IMR & KMU Joint Workshop, GaN-1　2013年2月18日

  260. Comparison of growth behavior in thick InGaN on (0001) and (000-1) GaN/Sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議

    T. Tanikawa, K. Shojiki, J. H. Choi, R. Katayama, T. Matsuoka

    5th Intenr. Symp. Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides nad Nanomaterials 2012 (ISPlasma2013)　2013年1月28日

  261. Novel Material InN for D-WDM Systems and Its Current Status 国際会議

    T. Matsuoka, T. Kimura, T. Iwabuchi, T. Hanada, T. Tanikawa, R. Katayama

    Meeting on Research Collaboration in Photonics　2013年1月21日

  262. Growth of Indium-Incorporated Nitride Semiconductors in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    T. Matsuoka

    Intern. Workshop on “Crystal Growth and Characterization of Advanced Materials and Devices”　2012年12月16日

  263. MOVPE成長(000-1) GaNのステップフロー成長の促進

    逢坂 崇, 正直花奈子, 岩渕拓也, 木村健司, 谷川智之, 花田 貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012年12月6日

  264. MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性

    正直花奈子, 崔 正焄, 進藤裕文, 木村健司, 谷川智之, 花田貴, 片山竜ニ, 松岡隆志

    第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012年12月6日

  265. サファイア基板上GaN薄膜の有機金属気相成長初期過程における表面モフォロジーの格子極性依存性

    吉野川伸雄, 岩渕拓也, 正直花奈子, 木村健司, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志

    第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012年12月6日

  266. (0001)面、(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの表面モフォロジーとIn取り込み

    谷川智之, 正直花奈子, 崔 正焄, 片山竜二, 松岡隆志

    第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012年12月6日

  267. 材料科学の融合研究により低炭素社会実現への貢献を目指す

    松岡 隆志

    PV Japan 2012　2012年12月5日

  268. Influence of c-Plan Sapphire Substrate Miscut Angle on the Indim Content of MOVPE-Grown N-Polarity InGaN Films 国際会議

    K.Shojiki, J.H.Choi, H.Shindo, T.Kimura, T.Tanikawa, T.Hanada, R.Katayama, T.Matsuoka

    Material Science Week (MSW) 2012　2012年11月27日

  269. Enhancement of Step Flow in MOVPE-grown (000-1) GaN 国際会議

    T. Aisaka, T. Iwabuchi, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Material Science Week 2012 (MSW2012)　2012年11月25日

  270. Comparison of indium incorporation in InGaN on (000-1) and (0001) GaN/Sapphire grown by MOVPE 国際会議

    T. Tanikawa, K. Shojiki, J. H. Choi, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Material Science Week 2012 (MSW2012)　2012年11月25日

  271. Anisotropic Distribution of Indium in m-plane InGaN Film Observed by Microbeam X-ray Diffraction 国際会議

    T. Hanada, K. Shojiki, J. H. Choi, T. Shimada, Y. Imai, S. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka

    Material Science Week 2012 (MSW2012)　2012年11月25日

  272. Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of GaN/Sapphire 国際会議

    Yoshinogawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    Material Science Week 2012 (MSW2012)　2012年11月25日

  273. Influence of Substrate Miscut-angle on In-content of InGaN on (0001) Sapphire Grown by MOVPE 国際会議

    K. Shojiki, J. H. Choi, H. Shindo, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Material Science Week 2012 (MSW2012)　2012年11月25日

  274. Comparison of Indium Incorporation in InGaN on (0001) and (000-1) GaN/Sapphire Grown by MOVPE 国際会議

    Material Science Week (MSW) 2012　2012年11月25日

  275. Nitride Semiconductos for Energy Saving and Generation 国際会議

    T. Matsuoka

    2012 Intern. Symp. Cryst. Growth　2012年11月14日

  276. Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-incorporation into InGaN Grown by MOVPE 国際会議

    J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    International Conference on Nano Science and Nano Technology (ICNST 2012)　2012年11月8日

  277. Comparison of Crystalline Quality in InGaN Grown on (0001) and (000-1) GaN/Sapphire by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    Intern. Workshop Nitride Semicond. (IWN 2012)　2012年10月14日

  278. Study of In-composition of InGaN Islands on m-plane GaN Substrate using High-resolution Microbeam XRD 国際会議

    J. Choi, K. Shojiki, T. Shimada, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka, Y. Imai, S. Kimura

    Intern. Workshop Nitride Semicond. (IWN 2012)　2012年10月14日

  279. Observation of Local Misfit-dislocation Density of Partly Relaxed InGaN Film Grown on m-GaN using Microbeam X-ray Diffraction 国際会議

    T. Hanada, K. Shojiki, T. Shimada, J. H. Choi, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, Y. H. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    Intern. Workshop Nitride Semicond. (IWN 2012)　2012年10月14日

  280. Violet Second-harmonic-generation from Polarity-inverted GaN Waveguides 国際会議

    R. Katayama, S. Kurokawa, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Matsuoka

    Intern. Workshop Nitride Semicond. (IWN 2012)　2012年10月14日

  281. Enhancement of violet second harmonic generation in periodic polarity-inverted GaN waveguides 国際会議

    R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Matsuoka

    17th Int. Conf. Molecular Beam Epitaxy　2012年9月23日

  282. Current Status of InN Growth by Pressurized-Reactor MOVPE

    松岡隆志

    第73回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2012年9月11日

  283. AlGaN/GaN MISゲートHEMT形成におけるH2アニールの効果

    小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 片山竜二, 松岡隆志, 末光哲也

    第73回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2012年9月11日

  284. マイクロビームX線回折によるm面InGaN/GaNのミスフィット転位密度分布の観察

    花田 貴, 正直花奈子, 島田貴章, 崔 正焄, 今井康彦, 木村 滋, 坂田修身, 劉 玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第73回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2012年9月11日

  285. (0001)および(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの結晶品質比較

    谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志

    第73回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2012年9月11日

  286. 窒化インジウム ～発光素子から太陽電池まで～

    松岡隆志, 木村健司, 片山竜二

    日本学術振興会 素材プロセシング第69委員会 第2分科会（新素材関連技術）第66回研究会　2012年7月31日

  287. Linear and nonlinear optical investigations of periodic polarity-inverted GaN waveguides 国際会議

    R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Matsuoka

    4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)　2012年7月16日

  288. Influence of Sapphire Substrate Miscut Angle on Indium Content of MOVPE-grown InGaN Films 国際会議

    K. Shojiki, H. Shindo, S. Y. Ji, V. S. Kumar, J. H. Choi, Y. H. Liu, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)　2012年7月16日

  289. Evaluation of Metastable-Phase Inclusion in PR-MOVPE- Grown InN Films by EBSD 国際会議

    T. Iwabuchi, H. Matsumura, K. Prasertsuk, T. Kimura, Y. Zhang, Y. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)　2012年7月16日

  290. Enhancement of In-incorporation into InGaN by Nitridation of Sapphire Substrate in MOVPE 国際会議

    J. H. Choi, S. Kumar, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)　2012年7月16日

  291. Evaluation of metastable-phase inclusion in PR-MOVPE-grown InN films by EBSD

    T. Iwabuchi, H. Matsumura, K. Prasertsuk, T. Kimura, Y. Zhang, Y. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    第31回電子材料シンポジウム　2012年7月11日

  292. Influence of sapphire substrate miscut angle on Indium content of MOVPE-grown InGaN films

    K. Shojiki, J. H. Choi, H. Shindo, S.Y. Ji, V.S. Kumar, Y.H. Liu, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第31回電子材料シンポジウム　2012年7月11日

  293. Violet-colored enhanced second harmonic generation from periodic polarity-inverted GaN waveguide

    R. Katayama, S. Kurokawa, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Matsuoka

    第31回電子材料シンポジウム　2012年7月11日

  294. 周期的極性反転GaN導波路による紫色第二高調波発生

    片山竜二, 松岡隆志

    第123回金属材料研究所講演会,P-80　2012年5月23日

  295. 加圧型MOVPE成長InN薄膜における準安定相混在のEBSDによる評価

    岩渕拓也, 松村博史, 木村健司, 張源涛, キャッティウット, プラスラットスック, 劉玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第123回金属材料研究所講演会,P－PE成長I16　2012年5月23日

  296. ワイドギャップ半導体導波路作成にむけたa-TiOx薄膜の光学特性評価

    黒川周斉, 岩渕拓也, 片山竜二, 松岡 隆志

    第123回金属材料研究所講演会,P-15　2012年5月23日

  297. マイクロファセットができたm面InGaN薄膜のIn濃度分布観察

    花田 貴, 崔 正焄, 正直花奈子, 今井康彦, 木村 滋, 島田貴章, 片山竜二, 松岡隆志

    プレIWN2012　2012年4月4日

  298. 極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能

    片山竜二, 松岡隆志, 福原裕次郎, 角田雅弘, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎

    第59回応用物理学会関係連合講演会　2012年3月15日

  299. SiCNをゲート絶縁膜として用いたAlGaN/GaN HEMT

    鹿野優毅, 小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 片山竜二, 松岡隆志, 末光哲也

    第59回応用物理学会関係連合講演会　2012年3月15日

  300. Effect of c-Sapphire Nitridation on Indium-composition of InGaN Films

    J. H. Choi, Suresh Kumar, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第59回応用物理学会関係連合講演会　2012年3月15日

  301. 加圧型MOVPE成長InN薄膜における準安定相混在のEBSDによる評価

    岩渕拓也, 松村博史, 木村健司, 張源涛, キャッティウット プラスラットスック, 劉玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第59回応用物理学会関係連合講演会　2012年3月15日

  302. Recent progress in InN research 国際会議

    T. Matsuoka, T. Kimura, K. Prasertsuk, Y. T. Zhang, T. Iwabuchi, R. Katayama

    1st IMR & KMU Joint Workshop　2012年2月19日

  303. Tilted Domain and Indium Content of MOVPE-grown InGaN Layer on m-plane GaN Substrate 国際会議

    K. Shojiki, T. Hanada, T. Shimada, Y. H. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    1st IMR & KMU Joint Workshop　2012年2月19日

  304. Effect of Phase Purity on Dislocation Density of PR-MOVPE-Grown InN 国際会議

    T. Iwabuchi, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, R. Katayama, T. Matsuoka

    1st IMR & KMU Joint Workshop　2012年2月19日

  305. Optical Properties of the Periodic Polarity-inverted GaN Waveguides 国際会議

    R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, S. Kurokawa, N. Fujii, T. Matsuoka

    SPIE　2012年1月

  306. 材料科学の融合研究により低炭素社会実現への貢献を目指す

    松岡隆志, 宇佐美徳隆

    PV Japan2011　2011年12月5日

  307. 材料科学の融合研究により低炭素社会実現への貢献を目指す

    松岡隆志, 宇佐美徳隆

    PV Japan 2011　2011年12月5日

  308. 窒化インジウムのエピタキシャル成長とバンドギャップ・エネルギの温度安定性

    松岡隆志, 木村健司, Kiattiwut Prasertsuk, 岩渕拓也, 花田貴, 片山竜二

    JST-CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」 第4回公開シンポジウム　2011年12月2日

  309. 温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究とその進展

    松岡隆志, 木村健司, 花田貴, 片山竜二, 金廷坤, 播磨弘, 宮澤信太郎, 中江秀雄

    JST-CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」 第4回公開シンポジウム　2011年12月2日

  310. 温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究

    松岡隆志

    JST-CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」 第4回公開シンポジウム　2011年12月2日

  311. InNの平均二乗変位の温度依存性

    花田貴, 劉玉懐, 張源涛, 木村健司, プラスラットスック キャッティウット, 田尻寛男, 坂田修身, 片山竜二, 松岡隆志

    第121回東北大学金属材料研究所講演会　2011年11月24日

  312. Phase Diagram of InN grown Pressurized-Reactor MOVPE

    T. Kimura, K. Prasetsuk, Y. T. Zhang, Y. H. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    第121回東北大学金属材料研究所講演会　2011年11月24日

  313. Relationship between residual carrier density and phase purity in InN grown by pressurized-reactor MOVPE

    K. Prasertsuk, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, T. Iwabuchi, R. Katayama, T. Matsuoka

    第121回東北大学金属材料研究所講演会　2011年11月24日

  314. 温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究とその進展

    松岡隆志, 木村健司, 花田貴, 片山竜二, 金廷坤, 播磨弘, 宮澤信太郎, 中江秀雄

    サイエンスアゴラ2011　2011年11月19日

  315. 東北大金研における東日本大震災

    佐藤香織, 椛沢祐輔, 松岡隆志

    サイエンスアゴラ2011　2011年11月19日

  316. ワイドギャップ半導体薄膜導波路の実効屈折率評価

    片山竜二, 黒川周斉, 松岡隆志

    東北大学光科学技術フォーラム,　2011年11月16日

  317. 温度安定性に優れた光通信用レーザを目指したInN研究の現状

    松岡隆志, 木村健司, 花田貴, 片山竜二

    東北大学光科学技術フォーラム,　2011年11月16日

  318. Tilted Domain and Indium Content of MOVPE-grown InGaN Layer on m-plane GaN Substrate 国際会議

    K. Shojiki, T. Hanada, T. Shimada, Y. H. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    2011 Intern. Conf. Solid State Devices and Mat. (SSDM 2011)　2011年9月28日

  319. Effect of Phase Purity on Dislocation Density of PR-MOVPE-Grown InN 国際会議

    T. Iwabuchi, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, R. Katayama, T. Matsuoka

    2011 Intern. Conf. Solid State Devices and Mat. (SSDM 2011)　2011年9月28日

  320. MOVPE成長InGaN/m-GaNにおけるチルトドメインとIn濃度

    正直花奈子, 花田貴, 島田貴章, 劉玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第72回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2011年8月29日

  321. 加圧型MOVPE成長InNの転位密度と相純度の成長圧力依存性

    岩渕拓也, 平田 雅貴, 木村 健司, 劉 玉懐, 張 源涛, プラスラットスック キャッティウット, 片山竜二, 松岡隆志

    第72回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2011年8月29日

  322. 青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその素子応用

    松岡隆志

    東北大学金属材料研究所 第81回夏期講習会　2011年7月27日

  323. Phase Diagram on Phase Purity of InN grown Pressurized-Reactor MOVPE 国際会議

    T. Kimura, K. Prasertsuk, Y. Zhang, Y. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semicond. (ICNS-9)　2011年7月10日

  324. Temperature-Dependent Static Correlation Functions of Vibrational Atomic Displacements for InN Film Measured by X-ray Diffraction 国際会議

    T. Hanada, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, H. Tajiri, O. Sakata, T. Kimura, K. Prasertsuk, R. Katayama, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semicond. (ICNS-9)　2011年7月10日

  325. Relationship between Residual Carrier Density and Phase Purity in InN Grown by Pressurized-Reactor MOVPE 国際会議

    K. Prasertsuk, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, T. Iwabuchi, R. Katayama, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semicond. (ICNS-9)　2011年7月10日

  326. Possibility of Pressurized-Reactor MOVPE for Nitride Semiconductor 国際会議

    T. Matsuoka, Y. H. Liu, T. Kimura, R. Katayama

    5th International Conference on LED and Solid State Lighting　2011年6月30日

  327. 加圧型MOVPE法によるInNの転位密度における相純度の影響

    岩渕拓也, 劉玉懐, 木村健司, 張源涛, キャッティウット プラスラットブック, 片山竜二, 松岡隆志

    第121回東北大学金属材料研究所講演会　2011年5月24日

  328. m面GaN基板上InGaN薄膜のIn濃度の基板傾斜角依存性

    正直花奈子, 花田貴, 島田貴章, 劉玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第121回東北大学金属材料研究所講演会　2011年5月24日

  329. ワイドバンドギャップ半導体単結晶薄膜の加圧成長と成長制御技術

    劉玉懐, 木村健司, 片山竜二

    応用物理学会結晶工学分科会　2011年4月21日

  330. Recent progress in Growth of InN and its Applications 国際会議

    T. Matsuoka

    International Conference on LED and Solid Sate Lighting (LED2011)　2011年4月11日

  331. ラマン散乱によるPR-MOVPE成長InN膜質評価 (II)

    金廷坤, 亀井靖人, 木村篤人, 蓮池紀幸, 木曽田賢治, 播磨 弘, 劉玉懐, 松岡隆志

    第58回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2011年3月24日

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    震災のため未開催

  332. 加圧型MOVPE法によるInNの転位密度における相純度の影響

    岩渕拓也, 劉玉懐, 木村健司, 張源涛, キャッティウット プラスラットスック, 片山竜二, 松岡隆志

    第58回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2011年3月24日

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    震災のため未開催

  333. 加圧MOVPEにおけるInNの残留キャリア濃度の成長温度依存性

    プラスラットスック・キャッティウット, 平田雅貴, 劉玉懐, 木村健司, 張源涛, 岩渕拓也, 片山竜二, 松岡隆志

    第58回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2011年3月24日

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    震災のため未開催

  334. MOVPE成長InGaN薄膜のIn組成の成長速度依存性

    正直花奈子, 片山竜二, 紀世陽, サレッシュ・クマール, 進藤裕文, 崔正焄, 劉玉壊, 松岡隆志

    第58回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2011年3月24日

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    震災のため未開催

  335. m面GaN 基板上InGaN 薄膜のIn 濃度の基板傾斜角依存性

    正直花奈子, 花田貴, 島田貴章, 劉玉壊, 片山竜二, 松岡隆志

    第58回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2011年3月24日

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    震災のため未開催

  336. ウルツ鉱型と閃亜鉛鉱型結晶構造の混在したInNの構造解析

    木村健司, 岩渕拓也, Kiattiwut・Prasertsuk, 張源涛, 劉玉懐, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第58回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2011年3月24日

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    震災のため未開催

  337. Progress in MOVPE-Growth in GaN and InN 国際会議

    T. Matsuoka

    The International Society for Optical Engineering, Optoelectronics 2010　2011年1月22日

  338. m面GaN基板上InGaN薄膜In濃度の基板傾斜角依存性

    正直花奈子, 花田貴, 島田貴章, 劉玉壊, 片山竜二

    第4回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応　2011年1月17日

  339. Comparisons of optical properties between polar and non-polar InGaN/GaN mutiple-quantum-well light-emitting-diodes

    CHOI J. H, R. Katayama, T. Hanada, Y. Liu

    第4回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応　2011年1月17日

  340. Progress and Current Status in Nitride Semiconductors from GaN to InN 国際会議

    T. Matsuoka

    Intern. Conf. Emerging Technology in Renewable Energy (ICETRE-2010)　2011年1月10日

  341. Paving the way to high-quality InN- effects of pressurized reactor in MOVPE- 国際会議

    T. Matsuoka, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, R. Katayama

    Intern. Conf. Nano and Information Technol.of Semicond.　2010年12月9日

  342. Comparison of optical properties between polar and non-polar InGaN/GaN multi-quantum-well light-emitting-diodes

    J. H. Choi, Y. H. Liu, R. Katayama, T. Hanada

    Kinken-Wakate 2010, 7th Materials Science School for Young Scientists "Challenge of radiation for advanced materials science　2010年12月2日

  343. Growth temperature dependence of phase purity in InN grown by pressurized MOVPE

    T. Kimura, Y. H. Liu, R. Katayama, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, J. G. Kim, N. Hasuike, H. Harima, R. Katayama

    Kinken-Wakate 2010, 7th materials Science School for Young Scientists "Challenge of radiation fro advanced materials science　2010年12月2日

  344. 温度安定性に優れた光通信用ＩｎＮ半導体レーザの研究」～最近の進捗～

    播磨弘, 宮澤信太郎

    JST-CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」第3回公開シンポジウム　2010年11月26日

  345. 窒化インジウム薄膜高品質化への道

    劉玉懐, 木村健司, 張源涛, キャッティウット プラスラットブック, 岩渕拓也, 花田貴, 片山竜二

    JST-CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」第3回公開シンポジウム　2010年11月26日

  346. 窒化物半導体研究のトレンド：InN

    劉玉懐, 木村健司, 片山竜二

    第120回東北大学金属材料研究所講演会　2010年11月24日

  347. MOVPE成長におけるInGaN薄膜品質の原料供給V/III比依存性

    正直花奈子, 紀世陽, ベンガーダーチャラム, サレッシュ クマール, 進藤裕文, 劉玉懐, 片山竜二

    第120回東北大学金属材料研究所講演会　2010年11月24日

  348. 窒化インジウムのMOVPE成長における相純度の成長圧力依存性

    岩渕 拓也, 木村健司, 劉玉懐, 張源涛, キャッティウット プラスラットブック, 片山 竜二

    第120回東北大学金属材料研究所講演会　2010年11月24日

  349. 周期的格子極性反転GaNヘテロ構造の光学特性

    藤井直人, 福原裕次郎, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 劉玉懐

    第120回東北大学金属材料研究所講演会　2010年11月24日

  350. GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状

    木村健司, 劉玉懐, 張源涛, 片山竜二

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会　2010年11月4日

  351. 窒化インジウムのMOVPE成長における相純度の成長圧力依存性

    岩渕拓也, 木村健司, 劉玉懐, 張源涛, キャッティウット プラスラットスック, 片山竜二

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会　2010年11月4日

  352. MOVPE法InGaN薄膜成長における基板微傾斜のIn組成への寄与

    進藤裕文, 紀世陽, ベンガーダーチャラム, サレッシュ クマール, 正直花奈子, 劉玉懐, 片山竜二

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会　2010年11月4日

  353. MOVPE成長におけるInGaN薄膜の構造・光学特性のV/III比依存性

    正直花奈子, 紀世陽, ベンガーダーチャラム, サレッシュ クマール, 進藤裕, 劉玉懐, 片山 竜二

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会　2010年11月4日

  354. 周期的格子極性反転GaNヘテロ構造の光学特性

    藤井直人, 福原裕次郎, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 劉玉懐

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会　2010年11月4日

  355. 加圧MOVPE成長InNのバンドギャップ∙エネルギの温度依存性

    キャッティウット プラスラットブック, 劉玉懐, 木村健司, 張源涛, 平田雅貴, 片山竜二

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会　2010年11月4日

  356. InN成長における加圧型有機金属気相成長法の可能性 招待有り

    松岡 隆志

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会 GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状,V-2　2010年11月4日

  357. Step-Flow Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    Y. T. Zhang, Y. H. Liu, T. Kimura, M. Hirata, K. Prasertsuk, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Workshop on Nitride semiconds (IWN2010)　2010年9月17日

  358. Growth Temperature Dependence of Phase Purity in InN Grown by Pressurized MOVPE 国際会議

    T. Kimura, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, J. G. Kim, N. Hasuike, H. Harima, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Workshop on Nitride Semicond. (IWN2010)　2010年9月17日

  359. Temperature Dependence of Bandgap Energy of InN Grown by Pressurized Reactor MOVPE 国際会議

    Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern.Workshop on Nitride Semicond. (IWN2010)　2010年9月17日

  360. 加圧MOVPE成長InNのバンドギャプエネルギーの温度依存性

    Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, M. Hirata, T. Iwabuchi, K. Prasertsuk, T. Hanada, R. Katayama

    第71回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2010年9月14日

  361. 加圧MOVPE成長InNの相純度の成長温度依存性

    木村健司, 劉玉懐, 張源涛, K. Prasertsuk, 金延坤, 蓮池紀之, 播磨弘, 片山竜二

    第71回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2010年9月14日

  362. Nitride Semiconductors: Planet Conscious Materials 国際会議

    Y. Liu, T. Kimura, Y. Zhang, K. Prasertsuk, R. Katayama

    Intern. Conf. Emerging Technology in Renewable Energy (ICETRE-2010)　2010年8月18日

  363. Nitride Semiconductors: Planet Conscious Material 国際会議

    T. Matsuoka, Y. H. Liu

    Intern. Conf. Emerging Technology in Renewable Energy (ICETRE-2010)　2010年8月18日

  364. 青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその応用

    松岡隆志

    東北大学金属材料研究所 第80回夏期講習会　2010年7月29日

  365. ピエゾ力およびケルビン力顕微鏡を用いたN極性GaNテンプレート上周期的極性反転GaNの微視的評価

    R. Katayama, N. Fujii, Y. Fukuhara, K. Onabe, Y. H.Liu, T. Matsuoka

    第29回電子材料シンポジウム　2010年7月14日

  366. Novel Substrate LaBGeO5 Lattice-matching to InN 国際会議

    S. Miyazawa, S. Ichikawa, Y. H. Liu, S. Y. Ji, H. Nakae

    Intern. Symp. Gallium Nitride (ISGN-3)　2010年7月4日

  367. Possibility of Novel Substrate LaBGeO5 Lattice-Matching to InN 国際会議

    S. Miyazawa, S. Ichikawa, Y. H. Liu, T. Hanada, R. Katayama

    Intern. Symp. Gallium Nitride (ISGN-3)　2010年7月4日

  368. デバイス側からみたナイトライド用基板結晶

    松岡隆志

    結晶成長学会 バルク結晶分科会　2010年6月18日

  369. 窒化インジウム薄膜の加圧エピタキシャル成長

    Kiattiwut Prasertsuk, 劉 玉懐, 木村 健司, 張源涛, 紀世陽, 片山竜二

    第3回東北大学光学科学技術フォーラム　2010年6月16日

  370. GaN極性反転構造の構造・光学特性

    藤井直人, 福原裕次郎, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 劉玉懐

    第3回東北大学光学科学技術フォーラム　2010年6月16日

  371. Extended Growth Windows for Single Crystalline InN Grown by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, M. Hirata, K. Prasertsuk, R. Katayama

    Interm. Symp. Comp. Semiconds. (ISCS2010)　2010年6月1日

  372. Effect of Growth Temperature on Structure Properties of InN Grown by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    Y. T. Zhang, Y. H. Liu, T. Kimura, M. Hirata, K. Prasertsuka, R. Katayama

    Interm. Symp. Comp. Semiconds. (ISCS2010)　2010年6月1日

  373. Strain relaxation mechanisum of IngaN thin film grown on m -Gan 国際会議

    T. Hanada, T. Shimada, S. Ji, K. Hobo, Y. Liu

    Interm. Symp. Comp. Semiconds. (ISCS2010)　2010年6月1日

  374. Electrical Properties of InN Films Grown by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 国際会議

    T. Kimura, Y. H. Liu, M. Hirata, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, R. Katayama

    Interm. Symp. Comp. Semiconds. (ISCS2010)　2010年6月1日

  375. m面GaN基板上でのInGaN薄膜の歪緩和機構

    花田貴, 島田貴章, 紀世陽, 保浦健二, 劉玉懐

    第119回東北大学金属材料研究所講演会　2010年5月27日

  376. Twist分布に起因したＸ線回折ピーク拡がりの指数依存性解析法：受光系開口角の影響(3)

    中島紀伊知, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2010年3月17日

  377. m面GaN基板上でのInGaN薄膜の歪緩和

    花田貴, 島田貴章, 若葉昌布, 紀世陽, 保浦健二, 木村健司, 劉玉懐, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2010年3月17日

  378. MOVPE法によるGaNテンプレート上へのInGaNエピタキシャル成長

    紀世陽, 保浦健二, 劉玉懐, スレシクマル, 張源涛, 進藤裕文, 片山竜二, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2010年3月17日

  379. InNのMOVPE 成長における相図に関する圧力依存性

    劉 玉懐, 木村健司, 張源涛, 平田雅貴, 紀世陽, 片山竜二, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2010年3月17日

  380. InGaNのMOVPE 成長におけるV/III 比の依存性

    Venkatachalam Suresh Kumar, S. Y. Ji, K. Hobo, Y. H. Liu, H. Shindo, M. Wakaba, T. Matsuoka

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2010年3月17日

  381. InN薄膜成長用基板結晶LaBGeO5の単結晶育成

    市川 智, 金森俊樹, 宮澤信太郎, 中江秀雄, 紀世陽, 劉玉懐, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2010年3月17日

  382. Twist分布に起因したＸ線回折ピーク拡がりの指数依存性解析法：受光系開口角の影響(3)

    中島紀伊知

    第57回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2010年3月17日

  383. m面GaN基板上でのInGaN薄膜の歪緩和

    花田貴, 島田貴章, 若葉昌布, 紀世陽, 保浦健二, 木村健司, 劉玉懐

    第57回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2010年3月17日

  384. MOVPE法によるGaNテンプレート上へのInGaNエピタキシャル成長

    紀世陽, 保浦健二, 劉玉懐, ベンガーダーチャラム, サレッシュ クマール, 張源涛, 進藤裕文, 片山竜二

    第57回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2010年3月17日

  385. InNのMOVPE 成長における相図に関する圧力依存性

    劉玉懐, 木村健司, 張源涛, 平田雅貴, 紀世陽, 片山竜二

    第57回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2010年3月17日

  386. InGaNのMOVPE 成長におけるV/III 比の依存性

    V. Suresh Kumar, S. Y. Ji, K. Hobo, Y. H. Liu, H. Shindo, M. Wakaba

    第57回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2010年3月17日

  387. InN薄膜成長用基板結晶LaBGeO5の単結晶育成

    市川智, 金森俊樹, 宮澤信太郎, 中江秀雄, 紀世陽, 劉玉懐

    第57回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2010年3月17日

  388. InN系光通信用光源の現状と将来展望

    松岡隆志

    第3回東北大学光科学技術フォーラム　2010年3月1日

  389. Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (1) ~ The Growth Mechanisms ~ 国際会議

    Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, M. Hirata, K. Prasertusk, R. Katayama, T. Matsuoka

    5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2010年2月24日

  390. Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (2) ~ Towards the Dense Films under High-Temperature Growth ~ 国際会議

    T. Kimura, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, M. Hirata, K. Prasertusk, R. Katayama, T. Matsuoka

    5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2010年2月24日

  391. Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (3) ~ Temperature Dependence on Structure Properties ~ 国際会議

    Y. T. Zhang, Y. H. Liu, T. Kimura, M. Hirata, K. Prasertusk, R. Katayama, T. Matsuoka

    5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2010年2月24日

  392. Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (4) ~ Optical and Electrical Properties ~ 国際会議

    M. Hirata, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, T. Kimura, K. Prasertusk, R. Katayama, T. Matsuoka

    5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2010年2月24日

  393. Progresses in GaN Growth on ZnO Substrate 国際会議

    S. Y. Ji, V. Suresh Kumar, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, T. Kimura, K. Hobo, T. Matsuoka

    5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2010年2月24日

  394. Influence of V/III ratio on surface morphologies and optical properties of MOVPE-grown InGaN epitaxial layers 国際会議

    V. Suresh Kumar, S. Y. Ji, K. Hobo, Y. H. Liu, H. Shindo, T. Matsuoka

    5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2010年2月24日

  395. 温度安定性に優れた光通信用InN分布帰還型レーザの半導体レーザの研究

    松岡隆志

    新機能創成に向けた光・光量子科学技術第２回公開シンポジウム　2009年11月27日

  396. 加圧有機金属気相成長法による高品質窒化インジウム膜の作製

    劉玉懐, 木村健司, 張源涛, 片山竜二, 松岡隆志

    新機能創成に向けた光・光量子科学技術第２回公開シンポジウム　2009年11月27日

  397. ラマン散乱によるMOVPE成長InN薄膜の評価―加圧成長炉及び低圧成長炉比較

    金廷坤, 播磨弘

    新機能創成に向けた光・光量子科学技術第２回公開シンポジウム　2009年11月27日

  398. 新基板結晶作製技術

    宮澤信太郎

    新機能創成に向けた光・光量子科学技術第２回公開シンポジウム　2009年11月27日

  399. 回折格子作製技術

    中尾正史

    新機能創成に向けた光・光量子科学技術第２回公開シンポジウム　2009年11月27日

  400. Evaluation of Carrier Density of Pressurized-MOVPE Grown InN by using FTIR Spectroscopy 国際会議

    M. Hirata, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, T. Kimura, K. Prasertsuk, R. Katayama, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009年10月23日

  401. The Mechanism of InN Growth by MOVPE 国際会議

    Y. H. Liu, Y. T. Zhang, T. Kimura, S. Y. Ji, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009年10月23日

  402. MOVPE Growth of InGaAlN Layer for High Brightness LEDs 国際会議

    S. Y. Ji, Y. H. Liu, V. Suresh Kumar, Y. T. Zhang, T. Kimura, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009年10月23日

  403. Band Gap of Miscible InGaAlBN as an Novel Materials for Optical Communications System 国際会議

    T. Kimura, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009年10月23日

  404. Effects of Substrate Misorientation on InGaN Grown on M-plane GaN 国際会議

    Y. H. Liu, S. Y. Ji, K. Hobo, T. Kimura, M. Hirata, Y. T. Zhang, T. Shimada, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semicond. (ICNS-8)　2009年10月18日

  405. MOVPE Growth of GaN on Novel Susbstrate ZnO 国際会議

    S. Y. Ji, K.Hobo, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, V. Suresh Kumar, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semicond. (ICNS-8)　2009年10月18日

  406. Growth of InN by Pressurized Reactor MOVPE: Morphology Evolution 国際会議

    Y. H. Liu, Y. T. Zhang, T. Kimura, S. Y. Ji, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semicond. (ICNS-8)　2009年10月18日

  407. New Trends of Nitride Semiconductors 国際会議

    International Symposium on Optomechatronics Technology (ISOT 2009)　2009年9月21日

  408. 加圧有機金属気相成長法によるInNのｃ面成長促進のメカニズム

    劉玉懐, 張源涛, 木村健司, 平田雅貴, 紀世陽, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2009年9月8日

  409. 加圧MOVPE法によるInN結晶成長における成長温度の影響

    張源涛, 劉玉懐, 木村健司, 紀世陽, 平田雅貴, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2009年9月8日

  410. MOVPE法によるZnO基板上にInGaNエピタキシ膜の成長

    紀世陽, 保浦健二, 劉玉懐, スレシクマル, 張源涛, 木村健司, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2009年9月8日

  411. β-FeSi2/Si(001)熱反応堆積成長のその場X線回折:α-FeSi2の成長と消滅

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2009年9月8日

  412. 擬似格子整合成長によるInGaNの相分離抑制効果のシミュレーション

    花田貴, 松岡隆志

    第118回東北大学金属材料研究所講演会　2009年9月8日

  413. Challenges, Stratagies, and Future Perspectives in MOVPE Grown of InN 国際会議

    Y. H. Liu, Y. T. Zhang, T. Kimura, M. Hirata, M. Nakao, S. Y. Ji, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009年9月4日

  414. The Way to the growth of High Quality InN 国際会議

    T. Kimura, Y. H. Liu, M. Hirata, S. Y. Ji, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009年9月4日

  415. MOVPE Growth of Gallium Nitride Layer on ZnO Substrate 国際会議

    S. Y. Ji, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, V. Suresh Kumar, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009年9月4日

  416. Perspective in growth of high-quality InN by pressurized MOVPE 国際会議

    Y. H. Liu, T. Matsuoka

    6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors　2009年8月23日

  417. Review on InGaAlN Research and Its Future Prospects 国際会議

    T. Matsuoka

    Harvard and Tohoku May Exchange Meeting　2009年5月6日

  418. 自ら拘ったGaNによる青色発光を一旦諦めざるを得なかった思い

    日本総研 技術価値創造戦略グループセミナー“夢を語り実現する研究者になるための若手研究者セミナー ～一流の研究を知り、実践するためにすべきこと～”　2009年4月17日

  419. 有機金属気相成長法を用いたInN結晶成長におけるリアクタ圧力の効果

    劉玉懐, 張源涛, 木村健司, 平田雅貴, 大田由一, 紀世陽, 松岡隆志

    第56回応用物理学会関係連合講演会　2009年3月30日

  420. ラマン散乱によるMOVPE成長InN膜質評価―加圧成長炉と減圧成長炉の比較

    金廷坤, 亀井靖人, 山本宏明, 蓮池紀幸, 播磨弘, 木曽田賢治, 劉玉懐, 松岡隆志

    第56回応用物理学会関係連合講演会　2009年3月30日

  421. 高圧MOVPE法により成長したInNの構造特性に関する研究

    張源涛, 劉玉懐, 平田雅貴, 木村健司, 大田由一, 紀世陽, 松岡隆志

    第56回応用物理学会関係連合講演会　2009年3月30日

  422. 高圧MOVPE成長InNの光学特性

    平田雅貴, 劉玉懐, 張源涛, 木村健司, 大田由一, 紀世陽, 松岡隆志

    第56回応用物理学会関係連合講演会　2009年3月30日

  423. MOVPE法によるZnO基板上にGaNエピタキシ膜の成長

    紀世陽, 保浦健二, 劉玉懐, 張源涛, 若葉昌布, 木村健司, 松岡隆志

    第56回応用物理学会関係連合講演会　2009年3月30日

  424. Twist分布に起因したＸ線回折ピーク拡がりの指数依存性解析法：受光系開口角の影響(2)

    中島紀伊知, 松岡隆志

    第56回応用物理学関係連合講演会　2009年3月20日

  425. β-FeSi2/Si(001)熱反応堆積成長のその場X線回折

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 松岡隆志

    第70回応用物理学会関係連合講演会予稿集,　2009年3月20日

  426. Effect of Reactor Geometry on Epitaxial Growth of InN ～InN: A Novel Semiconductor for Laser Material 国際会議

    Y. Liu, Y. Zhang, T. Kimura, Y. Ohta, M. Hirata, S-Y. Ji, T. Matsuoka

    4th International Symposium on Medical, Bio-and Nano-Electronics　2009年3月5日

  427. High Pressure MOVPE Growth of InN 国際会議

    T. Kimura, Y. Ohta, M. Hirata, Y. Zhang, Y. Liu, T. Matsuoka

    4th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2009年3月5日

  428. Structural Properties of InN Grown by High-Pressure MOVPE 国際会議

    Y. Zhang, Y. Liu, M. Hirata, T. Kimura, Y. Ohta, S-Y. Ji, T. Matsuoka

    4th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics,　2009年3月5日

  429. Optical Properties of InN Grown under High-Pressure 国際会議

    M. Hirata, Y. Liu, Y. Zhang, T. Kimura, Y. Ohta, S-Y. Ji, T. Matsuoka

    4th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics,　2009年3月5日

  430. Epitaxial Growth of GaN Film on ZnO Substrate 国際会議

    S.Y. Ji, K. Hobo, Y.H. Liu, Y.T. Zhang, M. Wakaba, K. Kimura, V. Suresh Kumar, T. Hanada, T. Matsuoka

    4th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics,　2009年3月5日

  431. New Applications of Nitride Semiconductors – Originating from New Band-gap Energy of InN 国際会議

    T. Matsuoka, Y. H. Liu, N. Usami

    NTU-Tohoku Research Student Workshop on Materials Integration for Health, Energy & Better Enviroment, 18　2009年2月24日

  432. Si(001)上のβ-FeSi2熱反応堆積成長とその場X線回折

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 松岡隆志

    第116回東北大学金属材料研究所講演会　2008年11月29日

  433. 窒化物半導体の通信応用と太陽電池への展開

    松岡隆志

    第2回東北大学光科学技術フォーラム　2008年11月6日

  434. Next Generation Solar Cell Based on Nitride Semiconductors 国際会議

    T. Matsuoka, N. Usami, A. Yamamoto

    Asian Core Workshop on Wide band gap Semiconductors　2008年10月22日

  435. MOVPE Growth of InN: A Comparison between a Horizontal and a Vertical Reactor 国際会議

    Y. Liu, T. Kimura, T. Shimada, M. Hirata, M. Wakaba, M.Nakao, S-Y. Ji, T. Matsuoka

    5th Intern. Workshop on Nitrides (IWN 2008)　2008年10月5日

  436. Grating Fabrication on Nitrides Grown by MOVPE for DFB Lasers 国際会議

    M. Nakao, T. Kimura, Y. Liu, S-Y. Ji, T. Matsuoka

    5th Intern. Workshop on Nitrides (IWN 2008), Tu6-P29　2008年10月5日

  437. 窒化物次世代太陽電池

    松岡隆志, 宇佐美徳隆

    第69回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム「再生可能サイクルへ向けたエネルギーデバイスの現状」　2008年9月

  438. Twist分布に起因したＸ線回折ピーク拡がりの指数依存性解析法：受光系開口角の影響

    中島紀伊知, 松岡隆志

    第69回応用物理学会学術講演会講演会　2008年9月

  439. InNのMOVPE成長における横型炉と縦型炉の比較

    劉玉懐, 木村健司, 島田貴章, 平田雅貴, 中尾正史, 紀世陽, 松岡隆志

    第69回応用物理学会学術講演会講演会　2008年9月

  440. 青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその応用

    松岡隆志

    東北大学金属材料研究所 第78回夏期講習会　2008年7月30日

  441. InNおよびIn-rich InGaNの問題点と新しい応用

    松岡隆志

    次世代ナノ技術に関する専門委員会（第Ⅲ期）第一回研究会“材料デバイスサマーミーティング、「InN系材料の現状と将来」第二段　2008年6月27日

  442. InNのMOVPE成長における横型炉と縦型炉の比較

    劉玉懐, 木村健司, 松岡隆志

    次世代ナノ技術に関する専門委員会（第Ⅲ期）第一回研究会“材料デバイスサマーミーティング”、「InN系材料の現状と将来」第二段　2008年6月27日

  443. Progress in MOVPE Growth of GaN to InN 国際会議

    T. Matsuoka

    The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)　2008年5月21日

  444. 有機金属気相成長法によるC面サファイア基板上への窒素極性GaNの成長機構

    茂木信之, 中尾正史, 松岡隆志

    第55回応用物理学関係連合講演会　2008年3月27日

  445. MOVPE Growth Mechanism of N-Polar GaN on C-Plane Sapphire 国際会議

    N. Motegi, M. Nakao, T. Matsuoka

    3rd Internation Symposium on Medical, Bio-and Nano-Electronics　2008年3月5日

  446. Band Gap of Miscible InGaAlBN for Use in Optical Communications Systems

    木村健司, 松岡隆志

    グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」若手研究者研究報告会　2008年3月

  447. New possibility of MOVPE-Growth in N-Polar GaN and InN 国際会議

    T. Matsuoka

    Asian Core workshop on Wide bang gap semiconductors　2008年2月18日

  448. Progress in MOVPE-Growth of GaN to InN 国際会議

    T. Matsuoka

    The International Society for Optical Engineering, Optoelectronics 2008, Quantum Sensing nd Nanophotonic Devices V　2008年1月19日

  449. 有機金属気相成長法によるC面サファイア基板上への窒素極性GaNの成長機構

    茂木信之, 中尾正史, 松岡隆志

    応用物理学会 結晶工学分科会 年末講演会　2007年12月14日

  450. 有機金属気相成長法によるC面サファイア基板上への窒素極性GaNの成長機構

    茂木信之, 中尾正史, 松岡隆志

    第114回東北大学金属材料研究所講演会　2007年11月29日

  451. 1.5-μm Emission of Slightly Oxidized InN Crystals Grown by MOVPE 国際会議

    M. Nakao, T. Shimada, M. Wakaba, N. Motegi, A. Gomyo, S. Mizuno, T. Matsuoka

    34th International Symposium on Compound Semiconductors　2007年10月15日

  452. Band Gap of Miscible InGaAIBN for Use in Optional Communicatiosn Systems 国際会議

    T. Kimura, T. Matsuoka

    7th Internaitonl Conference on Nitride Semiconductors　2007年9月16日

  453. Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence for InN Grown by MOVPE 国際会議

    M. Nakao, T. Shimada, M. Wakaba, N. Motegi, A. Gomyo, S. Mizuno, T. Matsuoka

    7th Internaitonl Conference on Nitride Semiconductors　2007年9月16日

  454. MOVPE Growth Mechanism of High Quality N-Polar GaN on C-Plane Sapphire 国際会議

    N. Motegi, M. Nakao, T. Matsuoka

    7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)　2007年9月16日

  455. Mysterious Material InN in Nitride semiconductors, -What's the bandgap energy and its application 国際会議

    T. Matsuoka

    8th International Balkan Workshop on Applied Physics　2007年7月5日

  456. Mysterious Material InN in Nitride Semiconductors 国際会議

    M. Nakao

    The Second Polish-Japanese-German Crystal Growth Meeting 19th (PJG-CGM2)　2007年5月24日

  457. Mysterious Material InN in Nitride Semiconductors, - What's the bandgap energy and its application? 国際会議

    T. Matsuoka

    19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2007)　2007年5月14日

  458. X線回折ピーク拡がり要因の指数依存性による解析法の拡張(２)：twist分布解析

    中島紀伊知, 松岡隆志

    第68回応用物理学関係連合講演会　2007年3月

  459. Calculation of Phase Separation in Wurtzite In1-x-y-zGaxAlyBzN 国際会議

    T. Kimura, T. Matsuoka

    Inst. Materials Res. (IMR) Workshop on Advanced Materials　2007年3月1日

  460. New possibility of MOVPE-Grown in GaN and InN -Polarization in GaN and Nitrogen Corporation in InN- 国際会議

    T. Matsuoka

    The International Society for Optical Engineering　2007年1月20日

  461. Progress in Nitride Semiconductors from GaN to InN 国際会議

    T. Matsuoka

    2006 International Electron Devices and Materials Symposia　2006年12月7日

  462. 窒化物半導体InNの現状と将来

    松岡隆志

    第112回東北大学金属材料研究所講演会, 一般講演　2006年11月30日

  463. Possibility of InN in Applications for Optical Communications System 国際会議

    T. Matsuoka

    Third International Workshop on Indium Nitride　2006年11月12日

  464. 窒化物半導体の開発経緯とInN研究

    松岡隆志

    次世代ナノ技術に関する専門委員会（第Ⅱ期）第一回研究会“材料デバイスサマーミーティング”、「InN系材料の現状と将来」　2006年6月30日

  465. TEM characterization of MOVPE-grown N-polar GaN 国際会議

    T. Mitate, S. Mizuno, H. Takahata, T. Matsuoka

    International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy(ICMOVPE-XⅢ)　2006年5月22日

  466. Calculation of Phase Separation in Wurtzite In1-x-y-zGaxAlyBzN 国際会議

    T. Kimura, T. Matsuoka

    International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy　2006年5月22日

  467. TEMによるN極性MOVPE成長GaNの成長初期過程の解析

    見立壽継, 水野誠一郎, 高畠弘子

    第53回応用物理学関係連合講演会　2006年3月22日

  468. 五元混晶InGaAlBNの相分離シミュレーション

    木村健司

    第53回応用物理学関係連合講演会　2006年3月22日

  469. Current Status of InN -Application field is extended to infra-red- 国際会議

    T. Matsuoka

    International Workshop on Crystal Growth and Characterization of Advanced Materials　2006年1月9日

  470. Progress in Nitride Semiconductors from GaN to InN 国際会議

    T. Matsuoka

    International Conference on Frontiers of Materials Science　2005年12月5日

  471. 窒化物半導体の開発経緯から現状の問題点

    第２回窒化物半導体ミニワークショップ　2005年11月15日

  472. 四元混晶InAlBN の相分離に関するシミュレーション

    木村健司, 松岡隆志

    第110回東北大学金属材料研究所講演会　2005年11月15日

  473. 五元混晶InGaAlBNの相分離に関するシュミレーション

    木村健司

    電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, レーザ量子エレクトロニクス研究会　2005年10月13日

  474. Growth and Crystalline Quality of Flat-Surface GaN with N-Polarity 国際会議

    T. Matsuoka, T. Mitate, H. Takahata, S. Mizuno, Y. Uchiyama, A. Sasaki, M. Yoshimoto, T. Ohnishi, M. Sumiya

    6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)　2005年8月28日

  475. Effect of Oxygen Incorporation on the Electronic Structure of InN 国際会議

    J.J. Kim, H. Makino, K. Kobayashi, T. Yamamoto, P.P. Chen, A. Yamamoto, T. Matsuoka, E. Ikenaga, M. Kobata, A. Takeuchi, M. Awaji, Y. Nishino, D. Miwa, K. Tamasaku, M. Yabashi, T. Ishikawa, T. Yao

    6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)　2005年8月28日

  476. 窒化物半導体の研究経過と現状 ～GaNからInNまで～

    松岡隆志

    第６回酸化亜鉛研究会　2005年7月22日

  477. High Resolution Hard X-ray Photoemission using Synchrotron Radiation as an Essential Tool for Characterization of Thin Solid Films 国際会議

    J. J. Kim, E. Ikenaga, M. Kobata, A. Takeuchi, M. Awaji, H. Makino, P. P. Chen, A. Yamamoto, T. Matsuoka, D. Miwa, Y. Nishino, T. Yamamoto, T. Yao, K. Kobayashi

    8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures　2005年6月19日

  478. Progress in Nitride Semiconductors from GaN to InN 国際会議

    T. Matsuoka

    2005 The Korean Association of Crystal Growth (KACG) Spring Meeting　2005年6月9日

  479. CBED 法によるInN極性判定法の確立

    見立壽継, 水野誠一郎, 高畠弘子, 掛川龍

    日本顕微鏡学会第61回学術講演会　2005年6月

  480. 光エネルギ-光電子分光法によるInNの電子状態と酸素の影響

    牧野久雄, 金正鎮, 陳平平, 山本暠勇, 松岡隆志, 高田泰孝, 池永英司, 小畠雅明, 竹内晃久, 淡路晃弘, 西野吉則, 三輪大吾, 玉作賢治, 矢橋牧名, 石川哲也, 山本哲也, 小林啓介, 八百隆文

    第52回応用物理学関係連合講演会　2005年3月

  481. Temperature Dependence of InN Bandgap Energy Evaluated by Optical Tramsmission 国際会議

    T. Matsuoka

    AFOSR Indium Nitride Workshop 2　2005年1月9日

  482. ウルツ鉱型InNの光学吸収特性の温度依存性

    松岡隆志, 岡本浩, 硴塚孝明, 牧本俊樹

    第65回応用物理学会学術講演会　2004年9月

  483. CBED 法によるInN 結晶の極性判定

    見立壽継, 高畠弘子, 水野誠一郎, 松岡隆志, 桑野範之

    第51回応用物理学関係連合講演会　2004年3月

  484. Ｎ極性を有するMOVPE成長GaNの結晶性

    松岡隆志, 見立壽継, 高畠弘子, 水野誠一郎, 内山泰宏, 佐々木敦, 吉本護, 大西剛, 角谷正友, 牧本俊樹

    第51回応用物理学関係連合講演会　2004年3月

  485. Current Status of Nitride Semiconductors from GaN to InN -MOVPE Growth of Characteristics - 国際会議

    T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, H. Harima, T. Makimoto

    International Workshop on Crystal Growth and Characterization of Technologically Important Materials　2004年2月24日

  486. 窒化物半導体材料の現状

    松岡隆志

    第22回電子セラミック研究会　2004年1月

  487. 窒化物半導体材料とその応用

    松岡隆志

    早稲田大学 各務記念材料技術研究所 講演会　2004年1月

  488. MOVPE Growth of Wurtzite InN and Experimental Consideration of Optical Characteristics 国際会議

    T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, H. Harima, T. Makimoto

    ONR Indium Nitride Workshop　2003年11月16日

  489. MOVPE Growth of InN and its Band-Gap Energy 国際会議

    T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, T. Makimoto

    8th Wide-Bandgap III-Nitride Workshop　2003年9月28日

  490. Polarity of GaN Grown on Several Substrates by MOVPE 国際会議

    T. Matsuoka, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, T. Makimoto

    8th Wide-Bandgap III-Nitride Workshop　2003年9月28日

  491. MOVPE Growth of Wurtzite InN and its Optical Characteristics 国際会議

    T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, T. Makimoto

    International Conference on Solid State Devices and Materials　2003年9月16日

  492. MOVPE成長ウルツ鉱型InNとGaNテンプレートとの結晶方位の対応

    松岡隆志, 高畠弘子, 見立壽継, 水野誠一郎, 内山泰宏, 牧本俊樹

    第64回応用物理学会学術講演会　2003年9月

  493. Growth of Wurtzite InN using MOVPE and its Optical Characteristics 国際会議

    T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao

    5th International Conference on Nitride Semiconductors　2003年5月25日

  494. MOCVD法によるウルツ鉱型InN及びInGaNの成長と評価

    松岡隆志

    第50回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム窒化物半導体の新しい可能性 -InN系半導体の結晶成長とバンドギャップエネルギ-　2003年3月

  495. InGaN混晶のMOVPE成長

    松岡隆志, 見立壽継, 高畠弘子, 水野誠一郎

    日本学術振興会第１２５および第１６２委員会合同研究会　2003年1月

  496. InNの結晶成長とその光学特性

    松岡隆志, 高畠弘子, 見立壽継, 水野誠一郎, 播磨弘, 内山泰宏, 牧本俊樹

    科学技術振興機構 戦略的創造研究 「電界効果型ナノ構造光機能素子の集積化技術開発」公開ミニシンポジウム　2003年1月

  497. InGaAlNエピ成長技術の新展開 −InNのバンドギャップは？

    松岡隆志

    第３４回学振１６１委員会研究会「エピタキシャル成長技術の新展開と基板材料に求められる性能」　2003年1月

  498. InNの結晶成長とその光学特性

    松岡隆志

    応用物理学会結晶工学分科会研究会「次世代ブロードバンドネットワークを築く結晶工学」　2003年1月

  499. Experimental Consideration of Optical Band-Gap Energy of Wurtzite InN 国際会議

    T. Matsuoka, M. Nakao, H. Okamoto, H. Harima, E. Kurimoto

    2002 International Conference on Solid State Devices and Materials　2002年9月17日

  500. ウルツ鉱型InNの結晶性とMOVPE成長条件

    松岡隆志, 岡本浩, 中尾正史, 播磨弘, 栗本英治, 谷賢典

    第63回応用物理学会学術講演会　2002年9月

  501. Miscibility Gap in wurtzite In1-X-YGaXAlYN 国際会議

    T. Matsuoka

    Compound Semiconductor Optoelectronic Materials and Device Workshop　2002年3月6日

  502. InNのバンドギャップ・エネルギ

    松岡隆志, 中尾正史, 岡本浩, 播磨弘, 栗本英治, 萩原恵美

    第49回応用物理学関係連合講演会　2002年3月

  503. ウルツ鉱型InNのバンドギャップ・エネルギ

    松岡隆志, 中尾正史, 岡本浩, 播磨弘, 栗本英治

    信学会, 電子デバイス／レーザ・量子エレクトロニクス研究会　2002年1月

  504. OPTICAL BANDGAP ENERGY of InN

    T. Matsuoka, M. Nakao, H. Okamoto, H. Harima, E. Kurimoto

    第21回電子材料シンポジウム　2002年1月

  505. Substrates for Epitaxial Growth of InGaAlN System and Growth on Their Substrates 国際会議

    Frontier Science Research Conference in Materials Science and Technology Series; Science and Technology of NITRIDE MATERIALS-2001　2001年11月19日

  506. サファイアM面傾斜基板上に成長したGaNの配向性と結晶性

    松岡隆志, 萩原恵美

    第62回応用物理学会学術講演会　2001年9月

  507. GaN Growth on Novel Lattice-Matching Substrate -Tilted M-Plane Sapphire 国際会議

    T. Matsuoka, E. Hagiwara

    4th International Conference on Nitride Semiconductors　2001年7月14日

  508. GaNへのナノプリンティングにより誘起されるナノピラー

    金澤顕治, 西岡和之, 松岡隆志, 中尾正史, 横尾篤, 玉村敏昭, 益田秀樹

    第48回応用物理学関係連合講演会　2001年3月

  509. サファイアM面傾斜基板上でのGaNの単結晶成長

    松岡隆志, 萩原恵美

    第48回応用物理学関係連合講演会　2001年3月

  510. サファイアM面傾斜基板上に成長したGaNの配向性

    萩原恵美, 松岡隆志

    マテリアルズ・テーラリング研究会　2001年1月

  511. Impact on InGaAlN Growth of Substrate and Polarity Effects 国際会議

    Next Generation mm-Wavelength Solid State Power: Materials, Devices & Systems Workshop　2000年10月22日

  512. Polarity of GaN Grown on (001) β-LiGaO2 国際会議

    T. Matsuoka, T. Ishii

    International Workshop on Nitride Semiconductors　2000年9月24日

  513. サファイアM面傾斜基板上へのMOVPEによるGaN二段階成長

    松岡隆志, 萩原恵美

    第61回応用物理学会学術講演会　2000年9月

  514. Review of Substrate for InGaAlN System 国際会議

    Japan-Taiwan Joint Workshop 4th Seminar on Science and Technology; Nitride Semiconductor Materials and Devices　2000年3月21日

  515. ワイドギャップ半導体材料の現状

    松岡隆志

    マテリアルズ・テーラリング研究会　2000年1月

  516. (001)LiGaO2基板上に成長したGaNの極性

    松岡隆志, 石井隆生

    第60回応用物理学会学術講演会　1999年9月

  517. MOVPE選択成長GaN微小六角柱の電流注入発光

    赤坂哲也, 安藤精後, 熊谷雅美, 松岡隆志, 小林直樹

    第46回応用物理学会関係連合講演会　1999年3月

  518. 青色発光素子とその最新動向

    松岡隆志

    東海大学 産学連絡協議会「特別講義」　1999年1月

  519. 青色発光素子の現状と課題

    松岡隆志

    日本電子材料協会光デバイスセミナー　1999年1月

  520. Phase Separation in Wurtzite In1-X-YGaXAlYN 国際会議

    T. Matsuoka

    3rd European GaN Workshop　1998年6月21日

  521. ワイドギャップ半導体GaNの紹介とSTM探針への応用

    松岡隆志

    科学技術振興事業団 戦略的基礎研究 "スピン計測研究チーム" 第3回研究会　1998年1月

  522. Unstable Mixing Region in Wurtzite In1-X-YGaXAlYN 国際会議

    T. Matsuoka

    The 2nd International Conference on Nitride Semiconductors　1997年10月26日

  523. InGaNの混合不安定領域の実験的検証

    松岡隆志

    第58回応用物理学会学術講演会　1997年9月

  524. LiGaO2基板上へのGaNのMOVPE成長

    松岡隆志, 石井隆生, 宮澤信太郎

    第58回応用物理学会学術講演会　1997年9月

  525. Room-Temperature CW Operation of II-VI Laser Grown on ZnSe Substrate Cleaned with Hydrogen Plasma 国際会議

    T. Ohno, A. Ohki, T. Matsuoka

    8th International Conference on II-VI Compound and Related Materials　1997年8月25日

  526. Unstable Mixing Region in Wurtzite In1-X-YGaXAlYN 国際会議

    17th International Union of Vacuum Science and Technology Associations Workshop　1997年8月10日

  527. 基板フリー立方晶GaNのフォトルミネッセンス

    田中秀尚, 中平篤, 松岡隆志

    第44回応用物理学関係連合講演会　1997年3月

  528. 半絶縁性ZnSe基板上に作製したZnMgSSe系LDの室温ＣＷ発振

    大木明, 大野哲一郎, 松岡隆志

    第44回応用物理学関係連合講演会　1997年3月

  529. 低欠陥ZnSeホモエピタキシャルMBE成長のための前処理法

    大野哲一郎, 大木明, 松岡隆志

    第44回応用物理学関係連合講演会　1997年3月

  530. 半導体光部品 −材料から応用まで−

    松岡隆志

    電子情報通信学会九州支部専門講習会　1997年1月

  531. 光通信用分布帰還型レーザの実用化への道

    松岡隆志

    日本電子材料協会光デバイス委員会セミナー　1997年1月

  532. InGaAlNの混合不安定領域の計算

    松岡隆志

    第57回応用物理学会学術講演会　1996年9月

  533. Molecular Beam Epitaxy Growth and Characteristics of p-Ge/p-ZnSe Heterostructures 国際会議

    A. Ohki, T. Ohno, T. Matsuoka

    Inter. Symp. Blue Laser & Light Emitting Diodes　1996年5月5日

  534. ZnSeホモエピタキシャル発光ダイオードの劣化

    大野哲一郎, 大木明, 松岡隆志

    第43回応用物理学関係連合講演会　1996年3月

  535. Lattice-Matching Growth of InGaAlN Systems 国際会議

    T. Matsuoka

    The 1995 Fall Meeting of Materials Research Society　1995年11月27日

  536. Reactive Fast-Atom-Beam Etching of GaN, InGaN and AlGaN using Cl2 国際会議

    H. Tanaka, A. Nakadaira, T. Matsuoka

    III-V Nitrides Workshop　1995年9月21日

  537. ZnSe上へのGe薄膜のMBE成長

    大木明, 大野哲一郎, 松岡隆志

    第56回応用物理学会学術講演会　1995年9月

  538. ZnSe/GaAs界面を用いた障壁緩和層p形InAlPのガスソースMBE成長

    岩田拡也, 朝日一, 権田俊一, 大木明, 松岡隆志

    第56回応用物理学会学術講演会　1995年9月

  539. Low Temperature Grown Be-Doped InAlP Band-Offset Reduction Layer to p-Type ZnSe 国際会議

    K. Iwata, H. Asahi, T. Ogura, J. Sumino, S. Gonda, A. Ohki, Y. Kawaguchi, T. Matsuoka

    Inter. Conf. on InP and Related Materials　1995年5月9日

  540. p形ZnSeに対する障壁緩和層p形InAlPの低温ガスソースMBE成長(II)

    岩田拡也, 朝日一, 小倉卓, 権田俊一, 松岡隆志

    第42回応用物理学関係連合講演会　1995年3月

  541. レーザ実現に向けたIII族窒化物結晶の加工技術

    田中秀尚, 松岡隆志

    応用物理学会 結晶工学分科会 第103回研究会　1995年1月

  542. The InGaAlN System as a Competitor of ZnSe 国際会議

    T. Matsuoka

    International Workshop, ZnSe-Based Blue-Green Laser Structure　1994年9月18日

  543. The effect of tilted substrates for p-type doping and quantum wells of ZnCdSe/ZnSe 国際会議

    T. Matsuoka, T. Ohno, A. Ohki

    International Workshop, ZnSe-Based Blue-Green Laser Structure　1994年9月18日

  544. MBE成長p型ZnSe/Au界面接合特性 (II)

    安東孝止, 米沢洋樹, 大木明, 大野哲一郎, 松岡隆志

    第55回応用物理学会学術講演会　1994年9月

  545. 傾斜基板上ZnCdSe/ZnSe MQWのMBE成長

    大野哲一郎, 大木明, 松岡隆志, 川口悦弘

    第55回応用物理学会学術講演会　1994年9月

  546. Gas Source MBE Growth of InAlP Band-Offset Reduction Layer on p-Type ZnSe 国際会議

    K. Iwata, H. Asahi, J. H. Kim, X. F. Liu, S. Gonda, Y. Kawaguchi, T. Matsuoka

    8th International Conference on MBE　1994年8月29日

  547. ZnSe層上へのInAlPのガスソースMBE成長

    岩田拡也, 朝日一, 金竣弘, 劉学鋒, 権田俊一, 川口悦弘, 松岡隆志

    第41回応用物理学関係連合講演会　1994年3月

  548. ZnCdSe/ZnSe Laser on GaAs Tilted Substrate 国際会議

    Y. Kawaguchi, T. Ohno, A. Ohki, T. Matsuoka

    Compact Blue-Green Lasers Topical Meeting　1994年2月7日

  549. InGaN成長 −II-VI族比較して

    松岡隆志

    窒化物半導体セミナー（応用物理学会中国四国支部主催）　1994年1月

  550. Reactive fast-atom-beam etching of GaN using Cl2

    田中秀尚, 松岡隆志, 佐々木徹

    第13回混晶エレクトロニクスシンポジウム　1994年1月

  551. InGaAlN growth

    松岡隆志

    第13回混晶エレクトロニクスシンポジウム　1994年1月

  552. 青色光源の展望 −III-V族半導体の立場から

    松岡隆志

    電気学会次世代光情報専門委員会　1994年1月

  553. Comparison of GaN- and ZnSe-Based Materials for Light Emitters 国際会議

    T. Matsuoka, A. Ohki, T. Ohno, Y. Kawaguchi

    6th International Conference on II-VI Compound and Related Materials　1993年9月13日

  554. Au-p ZnSe界面の電気的特性：電位障壁の起源

    安東孝止, 米沢洋樹, 重松俊男, 大木明, 川口悦弘, 松岡隆志, 大野哲一郎

    第54回応用物理学会学術講演会　1993年9月

  555. (311)GaAs基板上に成長したZnCdSe/ZnSe MQWレーザの室温発振

    川口悦弘, 松岡隆志, 大木明, 大野哲一郎

    第54回応用物理学会学術講演会　1993年9月

  556. p型GaAs基板上Zn0.8Cd0.2Se/ZnSe MQWレーザの室温発振

    松岡隆志, 川口悦弘, 大木明, 大野哲一郎

    第54回応用物理学会学術講演会　1993年9月

  557. MBE及びMOVPE成長p形ZnSe結晶薄膜のキャリア補償欠陥

    安東孝止, 大木明, 川口悦弘, 松岡隆志

    第54回応用物理学会学術講演会　1993年9月

  558. Increase of Acceptor Concentration in Nitrogen-Doped ZnSe Film Grown on a Tilted GaAs Substrate 国際会議

    T. Ohno, Y. Kawaguchi, T. Matsuoka, A. Ohki

    International Solid State Device Meeting　1993年8月29日

  559. NH3雰囲気中GaNにおける窒素解離抑制機構

    佐々木徹, 松岡隆志

    第40回応用物理学関係連合講演会　1993年3月

  560. サファイアM面上に成長したGaNの膜特性

    佐々木徹, 松岡隆志, 小林秀樹, 戒能俊邦

    第40回応用物理学関係連合講演会　1993年3月

  561. C-V法によるp型ZnSeのアクセプタ濃度評価

    大野哲一郎, 川口悦弘, 松岡隆志, 安東孝止

    第40回応用物理学関係連合講演会　1993年3月

  562. 微傾斜GaAs(100)基板上への窒素ドープZnSeのMBE成長

    川口悦弘, 大野哲一郎, 松岡隆志

    第40回応用物理学関係連合講演会　1993年3月

  563. 青色光半導体材料

    松岡隆志

    日本電子材料協会光デバイス委員会　1993年1月

  564. GaN系化合物の多元成長の現状

    松岡隆志

    第21回薄膜・表面物理セミナー (応用物理学会主催)　1993年1月

  565. GaNの3次の非線形光学特性

    佐々木徹, 松岡隆志, 前佛栄, 小林秀紀, 戒能俊邦

    第53回応用物理学会学術講演会　1992年9月

  566. AlNバッファ層上に成長したGaN膜特性の成長温度依存性

    佐々木徹, 松岡隆志, 前佛栄

    第53回応用物理学会学術講演会　1992年9月

  567. 活性N添加p型ZnSeのD-A対発光特性(I)

    安東孝止, 川口悦弘, 大木明, 松岡隆志, 大野哲一郎

    第53回応用物理学会学術講演会　1992年9月

  568. Current Status of GaN and Compounds as Wide-Gap Semiconductor 国際会議

    T. Matsuoka

    International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy　1992年6月8日

  569. Blue-Green ZnCdSe/ZnSe MQW Laser Diode without GaAs Buffer Layer 国際会議

    Y. Kawaguchi, T. Ohno, T. Matsuoka

    International Solid State Device Meeting　1992年6月

  570. 窒素ドープp型ZnSeのMBE成長

    川口悦弘, 大野哲一郎, 松岡隆志, 安東孝止, 大木明, 前佛栄

    第39回応用物理学関係連合講演会　1992年3月

  571. ZnCdSe/ZnSe量子井戸のMBE成長

    大野哲一郎, 川口悦弘, 松岡隆志, 安東孝止, 前佛栄

    第39回応用物理学関係連合講演会　1992年3月

  572. InGaAlN四元混晶のエピタキシャル成長

    吉本直人, 松岡隆志, 佐々木徹, 勝井明憲, 前佛栄

    第39回応用物理学関係連合講演会　1992年3月

  573. p型ZnSeおよびZnSe-ZnCdSe量子井戸構造の電気・光学特性

    川口悦弘, 大野哲一郎, 松岡隆志, 大木明, 安東孝止

    電気学会電子材料研究会　1992年1月

  574. Wide-Gap Semiconductor InGaN and InGaAlN Grown by MOVPE 国際会議

    T. Matsuoka, N. Yoshimoto, T. Sasaki, A. Katsui, S. Zembutsu

    Electronic Materials Conference　1991年6月19日

  575. ZnO基板上へのInGaN格子整合成長

    吉本直人, 松岡隆志, 佐々木徹, 勝井明憲, 前佛栄

    第38回応用物理学関係連合講演会　1991年3月

  576. X線ディフラクトメータを用いた面内格子定数の測定 −InGaN/ZnOへの適用

    佐々木徹, 松岡隆志, 吉本直人, 勝井明憲, 前佛栄

    第38回応用物理学関係連合講演会　1991年3月

  577. GaN/a-Al2O3系におけるGaNエピタキシャル層の結晶性と結晶学上の極性の評価

    芳賀哲也, 小松潤, 阿部寛, 佐々木徹, 松岡隆志

    第38回応用物理学関係連合講演会　1991年3月

  578. InGaNのフォトルミネッセンス

    吉本直人, 松岡隆志, 佐々木徹, 勝井明憲

    第51回応用物理学会学術講演会　1990年9月

  579. MOVPE成長GaN/(0001)サファイアの表面モホロジ゛ −成長温度・H2キャリアガス流量依存性−

    佐々木徹, 松岡隆志, 吉本直人, 勝井明憲

    第51回応用物理学会学術講演会　1990年9月

  580. MOVPE-Grown on Polar Planes of 6H-SiC 国際会議

    T. Sasaki, T. Matsuoka, A. Katsui

    International Conference on Formation of Semiconductor Interfaces　1989年11月

  581. Wide-Gap Semiconductor (In, Ga)N 国際会議

    T. Matsuoka, H. Tanaka, T. Sasaki, A. Katsui

    International Symposium on GaAs and Related Compounds　1989年9月25日

  582. Cl2を用いたGaNの高速原子線エッチング

    田中 秀尚, 下川 房男, 佐々木 徹, 松岡 隆志

    第50回応用物理学会学術講演会　1989年9月

  583. MOVPE法によるIn1-XGaXN(0≦X≦1)の組成制御

    松岡隆志, 佐々木徹, 勝井明憲

    第50回応用物理学会学術講演会　1989年9月

  584. イオンビームを用いたサファイア基板上のGaNエピタキシャル成長膜の結晶性評価

    小松潤, 芳賀哲也, 阿部寛, 佐々木徹, 松岡隆志

    第50回応用物理学会学術講演会　1989年9月

  585. ECRプラズマ励起MOVPE法によるGaN成長における原料供給量と結晶性

    佐藤弘次, 佐々木徹, 松岡隆志, 勝井明憲

    第36回応用物理学関係連合講演会　1989年3月

  586. MOVPE法によるInN薄膜成長

    松岡隆志, 佐々木徹, 佐藤弘次, 勝井明憲

    第36回応用物理学関係連合講演会　1989年3月

  587. MOVPE成長GaN及びAlN単結晶成長温度の基板面方位依存性

    佐々木徹, 松岡隆志, 佐藤弘次, 勝井明憲

    第36回応用物理学関係連合講演会　1989年3月

  588. GaN/サファイアMOVPE二段階成長におけるバッファ層成長条件

    佐々木徹, 松岡隆志, 佐藤弘次, 勝井明憲

    第49回応用物理学会学術講演会　1988年9月

  589. SiC基板上へのGaN MOVPE成長(2) −GaNの極性判定−

    佐々木徹, 松岡隆志, 勝井明憲

    第35回応用物理学関係連合講演会　1988年3月

  590. Broad Wavelength Tuning under Single-Mode Oscillation with a Multi-Electrode Distributed Feedback Laser 国際会議

    Y. Yoshikuni, K. Oe, G. Motosugi, T. Matsuoka

    International Semiconductor Laser Conference　1986年9月

  591. 多電極DFBレーザによる広帯域連続波長可変

    吉國裕三, 尾江邦重, 本杉常治, 松岡隆志

    第47回応用物理学会学術講演会　1986年9月

  592. Design and Performance of High-Power 1.5 µm DFB Lasers 国際会議

    T. Matsuoka, Y. Noguchi, Y. Itaya, Y. Nakano, G. Motosugi

    Opto-Electronics Conference (OEC'86)　1986年7月

  593. 1.5μm帯DFBレーザの高出力化と単一モード性

    吉田淳一, 板屋義夫, 野口悦男, 松岡隆志, 中野好典

    第33回応用物理学関係連合講演会　1986年3月

  594. AR/HRミラーコーティングによる1.5μm DFBレーザの高出力化

    中野好典, 板野義夫, 野口悦男, 松岡隆志, 吉田淳一, 本杉常治

    半導体レーザシンポジウム　1986年1月

  595. 1.5μm帯高光出力DFBレーザ

    野口悦男, 吉田淳一, 板屋義夫, 松岡隆志, 中野好典

    レーザ学会学術講演会第6回年次大会　1986年1月

  596. λ/4シフト形DFBレーザにおける活性層厚不均一の影響

    吉国裕三, 遠谷光広, 松岡隆志, 本杉常治

    信学会全大　1986年1月

  597. DFBレーザの周波数変調特性

    吉國裕三, 板屋義夫, 松岡隆志, 本杉常治

    第46回応用物理学会学術講演会　1985年9月

  598. 光注入同期によるヒステリシスの観測

    井上恭, 河口仁司, 松岡隆志, 大塚建樹

    第32回応用物理学関係連合講演会　1985年3月

  599. DFBレーザの単一縦モード動作温度範囲

    松岡隆志, 永井治男

    第32回応用物理学関係連合講演会　1985年3月

  600. P基板DBH構造DFBレーザの特性分布

    野口悦男, 鈴木与志雄, 松岡隆志, 永井治男

    第32回応用物理学関係連合講演会　1985年3月

  601. DFB-LDにおける1.5μm帯長距離伝送実験

    林義博, 杉江利彦, 小林由紀夫, 松岡隆志

    信学会全大　1985年1月

  602. Verification of the Light Phase Effect at the Facet on DFB Laser Properties 国際会議

    T. Matsuoka, H. Nagai, Y. Yoshikuni, K. Kuroiwa

    European Conference on Optical Communication (ECOC'84)　1984年9月

  603. 高出力1.3μm DFB-PM-DBHレーザ

    鈴木与志雄, 野口悦男, 松岡隆志, 永井治男

    第45回応用物理学会学術講演会　1984年9月

  604. 高速変調時におけるDFBレーザの時間分解スペクトル測定

    山中直明, 吉国裕三, 松岡隆志, 本杉常治

    第31回応用物理学関係連合講演会　1984年3月

  605. DFB-LDにおける端面回折格子位相効果の検討(II)

    松岡隆志, 吉国裕三

    第31回応用物理学関係連合講演会　1984年3月

  606. 劈開による両端面を有するInP/InGaAsP DFBレーザの特性

    松岡隆志, 鈴木与志雄, 野口悦男, 河野淳一, 永井治男

    第31回応用物理学関係連合講演会　1984年3月

  607. GaInAsP回折格子熱変形の組成依存性

    野口悦男, 松岡隆志, 永井治男

    第31回応用物理学関係連合講演会　1984年3月

  608. 高速変調時におけるDFBレーザの縦モード微細構造

    吉国裕三, 松岡隆志, 本杉常治

    信学会全大　1984年1月

  609. BH構造光素子と導波路の集積化

    野口悦男, 鈴木与志雄, 松岡隆志, 永井治男

    第44回応用物理学会学術講演会　1983年9月

  610. DFBレーザにおける端面の回折格子位相効果の検討

    松岡隆志, 鈴木与志雄, 吉国裕三, 永井治男

    第44回応用物理学会学術講演会　1983年9月

  611. Longitudinal Mode Spectra of 1.5 µm GaInAsP/InP Distributed Feedback Lasers 国際会議

    Y. Itaya, T. Matsuoka, K. Kuroiwa, T. Ikegami

    Integrated Optics and Optical Fiber Communication (IOOC'83)　1983年7月

  612. 長波長帯DFBレーザ用回折格子の変形と保存

    永井治男, 野口悦男, 松岡隆志

    第30回応用物理学関係連合講演会　1983年3月

  613. 臭素水を用いたInP系結晶用エッチング゛液

    松岡隆志

    第30回応用物理学関係連合講演会　1983年3月

  614. 単一縦モード半導体レーザ用回折格子の製作

    松岡隆志

    電子通信学会　1983年1月

  615. 分布帰還形レーザの温度特性

    今井崇雅, 松岡隆志, 中野好典

    信学会全大　1983年1月

  616. 分布帰還形レーザの直接変調時におけるスペクトル特性

    板屋義夫, 松岡隆志, 黒岩紘一

    信学会全大　1983年1月

  617. DFB-LDを用いた単一モード光ファイバパルス伝送特性

    中川清司, 岩下克, 松岡隆志

    信学会全大　1983年1月

  618. 端面埋め込み構造によるファブリペロモードの抑圧

    野口悦男, 松岡隆志, 永井治男

    第43回応用物理学会学術講演会　1982年9月

  619. 活性層上に周期構造を持つDFBレーザ

    松岡隆志, 鈴木与志雄, 中野好典

    第43回応用物理学会学術講演会　1982年9月

  620. 分布帰還形レーザの縦モード特性

    板屋義夫, 松岡隆志, 野口悦男

    信学会全大　1982年1月

  621. 分布帰還形レーザの室温連続発振

    松岡隆志, 板屋義夫

    信学会全大　1982年1月

  622. 半絶縁性基板上のGaInAsP/InPレーザ

    松岡隆志, 野口悦男, 鈴木与志雄, 永井治男

    第42回応用物理学会学術講演会　1981年9月

  623. FeドープInP基板上の1.5μm帯BHレーザ

    松岡隆志, 高幣謙一郎, 野口悦男, 永井治男

    第28回応用物理学関係連合講演会　1981年3月

  624. InGaAsP/InP 成長過程のメルトバック

    高橋信一, 松岡隆志, 永井治男

    第41回応用物理学会学術講演会　1980年9月

  625. 溝付き基板上に成長した1.55μm InGaAsP/InP DH レーザ

    高橋信一, 斉藤秀穂, 豊島与志雄, 松岡隆志

    第41回応用物理学会学術講演会　1980年9月

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産業財産権 79

  1. 半導体発光素子

    佐々木徹, 松岡隆志, 前佛栄

    特許3243768

    産業財産権の種類: 特許権

  2. 窒化物半導体自立基板作製方法

    松岡 隆志

    特許第6872724号

    産業財産権の種類: 特許権

  3. 窒化物半導体自立基板作製方法

    松岡隆志, 窪谷茂幸, 福田承生

    特許第6711975号

    産業財産権の種類: 特許権

  4. 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法

    松岡隆志, 花田貴, 福田承生, 湊明朗

    特許第6514915号

    産業財産権の種類: 特許権

  5. 光電変換装置、建築物および電子機器

    石橋 晃, 松岡 隆志

    特許第6261088号

    産業財産権の種類: 特許権

  6. 太陽電池

    松岡 隆志, 片山 竜二, 谷川 智之

    特許第6164685号

    産業財産権の種類: 特許権

  7. 結晶基板および薄膜形成方法ならびに半導体装置

    松岡 隆志, 藤戸 健史

    特許第5255935号

    産業財産権の種類: 特許権

  8. 基板製造方法およびIII族窒化物半導体結晶

    松岡隆志, 長尾哲, 瀬戸健司, 下山謙司

    特許5099763

    産業財産権の種類: 特許権

  9. 光変調器

    都築 健, 松岡 隆志

    特許4494257

    産業財産権の種類: 特許権

    権利者: 日本電信電話株式会社

  10. Semiconductor Light-emitting Device

    Takashi Matsuoka, Hiroshi Okamoto

    特許EP 1389814

    産業財産権の種類: 特許権

    権利者: Nippon Telegram & Telephone Corporation

  11. Semiconductor Light-Emitting Device

    Takashi Matsuoka, Hiroshi Okamoto

    ZL03107531.2

    産業財産権の種類: 特許権

    権利者: Nippon Telegram & Telephone Corporation

  12. Semiconductor Light-emitting Device

    Takashi Matsuoka, Hiroshi Okamoto

    特許0568701

    産業財産権の種類: 特許権

    権利者: Nippon Telegram and Telephone Corporation

  13. 研磨装置および研磨方法

    松岡隆志

    特許3616989

    産業財産権の種類: 特許権

  14. 半導体発光素子およびその製造方法

    松岡隆志, 石井隆生

    特許3508010

    産業財産権の種類: 特許権

  15. 気相成長装置及び結晶成長方法

    松岡隆志

    3489711

    産業財産権の種類: 特許権

  16. 原子間力顕微鏡、トンネル顕微鏡又はスピン偏極トンネル顕微鏡に用いる探針及びカンチレバー並びにその作製法

    松岡隆志, 赤坂哲也

    特許3441051

    産業財産権の種類: 特許権

  17. Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザおよびその形成法

    松岡隆志, 川口悦弘, 大野哲一郎

    特許3344633

    産業財産権の種類: 特許権

  18. 半導体発光素子の作製方法

    佐々木徹, 松岡隆志

    特許3147316

    産業財産権の種類: 特許権

  19. 半導体光素子

    松岡隆志, 吉本直人, 勝井明憲

    特許3062510

    産業財産権の種類: 特許権

  20. ビーム変調分光装置およびその測定方法

    佐々木徹, 安東孝止, 松岡隆志, 勝井明憲

    特許2970818

    産業財産権の種類: 特許権

  21. 半導体発光素子の作製方法

    佐々木徹, 松岡隆志, 吉本直人, 勝井明憲

    特許2965709

    産業財産権の種類: 特許権

  22. 光電子集積回路及びその製法

    芹川正, 松岡隆志, 田中秀尚

    特許2916639

    産業財産権の種類: 特許権

  23. ＭＩＳ型高効率発光素子

    安東孝止, 佐々木徹, 松岡隆志, 勝井明憲

    特許2893099

    産業財産権の種類: 特許権

  24. 半導体面発光素子

    松岡隆志

    特許2825527

    産業財産権の種類: 特許権

  25. 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法

    佐々木徹, 松岡隆志

    特許2704181

    産業財産権の種類: 特許権

  26. 半導体装置およびその製造方法

    松岡隆志, 窪谷茂幸, 福田承生

    産業財産権の種類: 特許権

  27. 窒化物半導体自立基板作製方法

    松岡隆志

    産業財産権の種類: 特許権

  28. 窒化物薄膜の製造方法

    松岡隆志, 劉玉懐, 保浦健二

    産業財産権の種類: 特許権

  29. ｐ型ⅠⅠ-Ⅵ族化合物半導体用電極およびⅠⅠ-Ⅵ族化合物半導体発光素子

    松岡 隆志, 川口 悦弘

    産業財産権の種類: 特許権

  30. 分子線エピタキシャル結晶成長法

    川口悦弘, 大野哲一, 松岡隆志

    産業財産権の種類: 特許権

  31. 半導体発光素子及びその作製方法

    大木明, 松岡隆志, 川口悦弘, 大野哲一

    産業財産権の種類: 特許権

  32. 半導体発光素子及びその作製方法

    吉本直人, 松岡隆志, 佐々木徹

    産業財産権の種類: 特許権

  33. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 佐々木 徹, 前佛栄

    産業財産権の種類: 特許権

  34. 半導体発光素子

    勝井明憲, 柴田典義, 松岡隆志

    特許2136803

    産業財産権の種類: 特許権

  35. 半導体レーザ

    松岡隆志, 柴田典義

    特許1929002

    産業財産権の種類: 特許権

  36. 半導体発光素子

    田中秀尚, 松岡隆志, 尾江邦重

    特許1985649

    産業財産権の種類: 特許権

  37. GaN自立基板作製方法

    松岡隆志, 福田承生, 谷川智之

    産業財産権の種類: 特許権

  38. Photoelectric Conversion Device, Built Strcture, and Electronic Instrument

    A. Ishibashi, T. Matsuoka

    産業財産権の種類: 特許権

  39. Semiconductor Light Modulator and Laser Diode with Semiconductor Light Modulator

    松岡 隆志, 深野 秀樹

    特許EP1400835

    産業財産権の種類: 特許権

  40. Semiconductor Light Modulator and Semiconductor Laser Diode with Semiconductor Light Modulator

    Takashi Matsuoka, Hideki Fukano

    特許ZL03158879.4

    産業財産権の種類: 特許権

  41. Semiconducotor Light-emitting Device for Optical Communications

    Takashi Matsuoka, Hiroshi Okamoto

    US 6927426 B2

    産業財産権の種類: 特許権

  42. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 岡本 弘

    特許4300004

    産業財産権の種類: 特許権

  43. Sapphire Substrates, Semiconductor Device, Electronic Component, and Crystal growing Method

    Takashi Matsuoka

    EPC90102634.4

    産業財産権の種類: 特許権

  44. Sapphire Substrates, Semiconductor Device, Electronic Component, and Crystal growing Method

    Takashi Matsuoka

    US 6586819 B2

    産業財産権の種類: 特許権

  45. ビームエキスパンダーとその微動装置及び微動装置つきビームエキスパンダ

    松岡 隆志, 中尾 正史

    産業財産権の種類: 特許権

  46. 半導体発光素子

    大木明, 松岡隆志, 大野哲一郎

    産業財産権の種類: 特許権

  47. II-Ⅵ族半導体レーザおよびその形成法

    大野哲一, 川口悦弘, 松岡隆志

    産業財産権の種類: 特許権

  48. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 川口 悦弘

    産業財産権の種類: 特許権

  49. 半導体発光素子

    松岡 隆志

    産業財産権の種類: 特許権

  50. 半導体発光素子

    吉本直人, 松岡隆志, 勝井明憲

    特許3102647

    産業財産権の種類: 特許権

  51. Epitaxial Wurtzite growth structure for semiconductor light-emitting device

    Takashi Matsuoka, Toru Sasaki

    US 5,006,908

    産業財産権の種類: 特許権

  52. Epitaxial-growth Structure for a Semiconductor Light-Emitting Device、and Semiconductor Light-Emitting Device Using the Same

    Takashi Matsuoka, Toru Sasaki

    特許EP0383215

    産業財産権の種類: 特許権

  53. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 川口 悦弘, 藤井 明憲

    産業財産権の種類: 特許権

  54. 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法

    松岡 隆志, 佐々木 徹, 藤井 明憲, 前沸栄

    産業財産権の種類: 特許権

  55. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 藤井 明憲

    産業財産権の種類: 特許権

  56. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 佐々木 徹, 藤井 明憲

    産業財産権の種類: 特許権

  57. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 佐々木 徹, 藤井 明憲

    産業財産権の種類: 特許権

  58. 表示装置

    佐々木徹, 松岡隆志, 佐藤弘次, 藤井明憲

    産業財産権の種類: 特許権

  59. 化合物半導体薄膜の製造方法

    佐藤弘次, 佐々木徹, 松岡隆志, 藤井名憲, 助川健

    産業財産権の種類: 特許権

  60. 化合物半導体単薄膜の製造方法

    佐藤弘次, 佐々木徹, 松岡隆志, 藤井名憲, 助川健

    産業財産権の種類: 特許権

  61. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 佐々木 徹, 藤井 明憲

    産業財産権の種類: 特許権

  62. 半導体レーザ

    松岡 隆志, 佐々木 徹, 安東 孝止

    産業財産権の種類: 特許権

  63. 半導体光回路装置

    松岡 隆志, 安東 孝止

    産業財産権の種類: 特許権

  64. 電子写真記録装置

    佐藤 弘次, 松岡 隆志, 勝井 明憲

    産業財産権の種類: 特許権

  65. 半導体レーザ装置

    河口仁司, 松岡隆志, 吉国裕三, 中野好典, 都築信頼

    産業財産権の種類: 特許権

  66. 分布帰還形半導体レーザ

    松岡 隆志, 野口 悦男

    産業財産権の種類: 特許権

  67. 分布帰還構造半導体レーザ

    本杉常治, 松岡隆志, 板屋義夫, 吉國裕三

    産業財産権の種類: 特許権

  68. 微細周期格子形成方法およびその装置

    内海裕一, 久良木億, 宇理須恒雄, 松岡隆志

    産業財産権の種類: 特許権

  69. 単一軸モード半導体レーザ装置

    松岡 隆志, 永井 治男

    産業財産権の種類: 特許権

  70. 半導体レーザ装置

    松岡 隆志, 脇田 紘一

    産業財産権の種類: 特許権

  71. 分布反射形半導体レーザ

    松岡 隆志, 永井 治男

    産業財産権の種類: 特許権

  72. 周期構造を有する埋込形半導体レーザ

    松岡隆志

    産業財産権の種類: 特許権

  73. 分布帰還形半導体レーザ（１）

    松岡隆志, 永井治男

    特許1470882

    産業財産権の種類: 特許権

  74. 分布帰還形半導体レーザ

    松岡隆志, 永井治男

    特許1472193

    産業財産権の種類: 特許権

  75. 単一軸モード発振半導体レーザ

    日本電気, 松岡隆志

    特許1496549

    産業財産権の種類: 特許権

  76. 半導体レーザの製造方法

    松岡隆志, 永井治男

    特許1734162

    産業財産権の種類: 特許権

  77. 半導体レーザ装置

    松岡隆志, 永井治男

    特許1700300

    産業財産権の種類: 特許権

  78. ２波長半導体発光素子

    松岡隆志, 永井治男

    産業財産権の種類: 特許権

  79. 多層配線形成

    松岡隆志, 加藤謹矢, 植岡康成

    産業財産権の種類: 特許権

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共同研究・競争的資金等の研究課題 22

  1. 日本の半導体産業再興への道を拓く酸化ガリウムの新規バルク単結晶成長法の開発

    吉川 彰, 松岡 隆志, 姚 永昭, 末光 哲也

    2025年4月1日 ～ 2028年3月31日

  2. 窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究

    末光 哲也

    2024年4月 ～ 2027年3月

  3. 半導体中における進行波増幅の可能性の検証に関する研究

    末光 哲也

    2023年4月 ～ 2026年3月

  4. 窒素極性窒化物半導体による二次元電子ガス発生構造の成長技術

    松岡 隆志, 花田 貴, 谷川 智之

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2016年4月 ～ 2019年3月

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    研究目的は、青色LEDで知られる窒化物半導体において、高周波動作を可能にするN極性（逆）HEMTを作製することである。課題は、成長中に膜中に取り込まれる炭素と酸素の低減である。原料輸送ガス中の水素割合の増加による炭素取り込み減少と、窒素原料であるアンモニアとGa原料の供給比増大による酸素取り込み低減を示した。さらに、GaN/GaAlN/GaN逆HEMT構造においてはｃ面から0.8°傾けたサファイア基板上に平坦に成長できた。その2次元電子ガス特性はGa極性と同程度であった。HEMTにおいては、結晶方位に依存しない三極管特性を確認できた。この結果は、本技術が素子作製に有効であることを示している。

  5. 非対称導波路結合光子・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池の研究

    石橋 晃, 松岡 隆志

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Hokkaido University

    2016年4月 ～ 2019年3月

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    循環型の緑の地球には高効率の太陽電池が必要である。本研究課題では、光とフォトキャリアの進行方向を直交させ、複数バンドギャップの半導体ストライプが自動的にフォトンのエネルギーを弁別する新しい光電変換デバイスを進化させ、①太陽光の吸収とフォトキャリアの収集効率の最適化が両立可能で、②太陽光全スペクトルに対し光電変換を実行し、③高効率で素子寿命も長い太陽電池を実現する。光導波効率を、左右非対称導波路と結合させることで、向上させると共に④温度上昇が少なく、拡散光にも強い集光型発電システムを形成し、以って光電変換素子において熱力学的に許される最大効率に迫るための原理確認とその作製の基礎を築いた。

  6. 窒素極性InGaNチャネルヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタの研究

    末光 哲也, 松岡 隆志

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2016年4月 ～ 2019年3月

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    窒素極性窒化物半導体を用いた(In)GaN/AlGaN逆HEMT（高電子移動度トランジスタ）の作製・評価を行った。これまでに報告のない、オフ角が僅か0.8度の基板で平坦な結晶表面を実現でき、2次元電子ガスの形成を実現した。オフ角を既報告例の半分以下に抑えたことにより、素子特性の面内異方性が低減できたことをHEMT試作によって確認した。また、ゲート絶縁膜界面の深い準位の密度を低減するため、逆バイアスアニール実験を行い、窒素極性逆HEMTでもガリウム極性の場合と同様に界面準位は低減できるが、バイアス条件によってはアクセス抵抗の増加が発生することを確認した。

  7. 窒化物半導体デバイスに印加される分極電界の観測と制御

    谷川 智之, 松岡 隆志

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

    研究機関：Tohoku University

    2016年4月 ～ 2019年3月

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    様々な面方位のGaN上にInGaN/GaN LED構造を作製し、内部電界の定量評価を電界変調反射スペクトル測定により行った。その結果、バイアス印加時のGaN障壁層およびInGaN井戸層の電界を反映した反射信号が得られ、反射信号の位相および周期から電界の向きや強度を求めることができた。 N極性InGaN/AlGaN/GaN構造を作製し、分極効果による最上層に形成される二次元電子ガス濃度の増強を試みた。まず最上層をGaNとし、AlGaNの組成・膜厚を最適化し、二次元電子ガス濃度1E13cm-2程度が得られた。次に最上層をInGaNとし、InNモル分率0.11で電子濃度は二倍程度に増加した。

  8. 高効率低コストLEDを実現する GaNベース基板の開発

    提供機関：New Energy and Industrial Technology Development Organization

    研究機関：Panasonic

    2015年8月 ～ 2018年3月

  9. ScAlMgO4基板を用いた窒化物半導体縦型トランジスタ作製プロセスの研究

    末光 哲也, 松岡 隆志

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

    研究機関：Tohoku University

    2015年4月 ～ 2018年3月

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    劈開にて形成した新鮮なScAlMgO4（以下SCAM）基板c面にGaN HEMT構造を有機金属気相成長法によって成長した。c軸に対してオフ角を付けて研磨したSCAM基板を用いて、サファイア基板に成長したものと同等の平坦性を有するHEMT層を得た。GaN HEMT作製プロセスでは、中性粒子ビームエッチングをGaN系半導体に初めて適用し、プラズマ損傷に起因する電流コラプスの低減への効果を確認した。縦型トランジスタ形成の要素技術の一つとして、SCAM基板の劈開によるGaN層の剥離技術を検討し、厚膜GaNが結晶成長後の冷却過程に基板から自然剥離する現象を確認した。

  10. N極性InAlN混晶半導体の減圧および加圧有機金属気相成長による高効率光・電子素子応用

    窪谷茂幸, 松岡隆志

    提供機関：Institute for Materials Research, Tohoku University

    研究機関：Institute for Materials Research, Tohoku University

    2014年4月 ～ 2018年3月

  11. オール窒化物半導体による白色光源の実現に向けた赤色発光層の開発

    松岡 隆志, 花田 貴

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究機関：Tohoku University

    2012年4月 ～ 2015年3月

    詳細を見る 詳細を閉じる

    白色照明の高効率化に向けて、蛍光材料を一切使わずに光の三原色全てを窒化物半導体で構成する白色LED実現の可能性を検証した。最も大きな課題となる赤色領域の発光波長を得るために、Inを取り込みやすい窒素極性面を成長面に用いた。窒素極性面成長においては、成長条件によっては、閃亜鉛鉱構造が混在し、結晶相純度が悪化することを確認した。成長温度およびV/III原料比の最適化によって、結晶相純度の制御が可能であることを明らかにした。青色・緑色・赤色の発光色を有する発光ダイオードを作製し、電流注入による発光を確認し、白色照明の高効率化の可能性を示した。

  12. 励起子吸収による増感を利用した高効率太陽電池の研究

    堀越 佳治

    提供機関：Japan Science and Technology Agency

    制度名：Core Research for Evolutional Science and Technology

    研究機関：Waseda University

    2009年 ～ 2014年

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    低コスト高効率の太陽電池を実現するためには薄膜化と吸収係数の増大が不可欠です。これを同時に実現するため、通常のバンド端吸収に加え、励起子の励起に伴う光吸収も利用します。室温における十分な励起子吸収は、励起子束縛エネルギーの高いZnOやGaNを含む半導体材料を用いること、および半導体超格子を利用することによって実現します。欠陥の少ない大面積ヘテロ接合薄膜の製作技術、および太陽電池としての最適なドーピング技術を確立し高効率化を達成します。

  13. 窒化物半導体の素子応用に向けた高In組成InAlNエピタキシャル成長に関する実用化

    松岡 隆志

    提供機関：Japan Science and Technology Agency

    制度名：Adaptable and seamless technology transfer program through target-driven R&D

    研究機関：Tohoku Univerisity

    2013年 ～ 2013年

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    高In組成側のInAlN薄膜の有機金属気相成長(MOVPE)を目的とし、そのホスト材料であるInN薄膜の結晶成長条件について減圧・加圧型MOVPE装置を用いて探索した。成長用基板の窒化処理、GaNバッファ層の導入、および、InN薄膜層の成長温度等の成長条件を最適化し、加圧環境下においてサファイア基板上に結晶配向性の良いInN薄膜を成長することができた。また、準安定相である立方晶InNの混在形態や出現条件についても明らかにした。

  14. 格子整合基板ScAlMgO4導入によるエピタキシャル成長GaN薄膜の高品質化に関する研究

    松岡 隆志

    提供機関：Japan Science and Technology Agency

    制度名：Adaptable and seamless technology transfer program through target-driven R&D

    研究機関：Tohoku Univerisity

    2012年 ～ 2013年

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    GaNへの格子整合基板であるScAlMgO4(SCAM)上へのエピタキシャル成長条件の確立を目的とし、結晶成長条件の検討を行った。ブールから劈開によって作製したSCAM基板の有機洗浄、水素雰囲気下でのサーマルクリーニング条件、および、低温GaN緩衝層の成長条件と膜厚を最適化し、この上にGaN薄膜を成長した。その結果、原子層オーダーで平坦かつ配向性の良いGaN結晶を得ることができた。このGaNはGa極性であり、SCAMとの結晶学的配向関係も明らかにした。しかし、GaN薄膜のフォトルミネッセンス特性において示唆されたSCAM基板構成元素のGaNへの拡散は、今後の課題である。このGaN上に5周期のInGaN/GaN 多重量子井戸(MQW)を活性層とするLED構造を作製し、ダイオード特性と電流注入による発光を確認した。

  15. シリコン基板を用いた超高効率窒化物半導体「太陽電池要素技術」に関する開発研究

    松岡 隆志

    提供機関：Japan Science and Technology Agency

    制度名：Adaptable and seamless technology transfer program through target-driven R&D

    研究機関：Tohoku Univerisity

    2011年 ～ 2012年

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    本研究の目的は、バンドギャップ・エネルギ1.7eVを有するInGaN薄膜のエピタキシャル成長技術の確立である。 本研究期間では、厳密にIn組成を評価する方法を用いて、成長条件、特に、InとGaの原料供給比を一定としてV/III比を変えて、成長圧力650Torr一定の元で、有機金属気相成長法(metalorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)を用いて、InGaNを成長した。その結果、V/III比と組成との関係を実験的に明らかにした。さらに従来用いられているGa極性面と本研究独自の手法であるN極性面を用いてInGaN結晶成長を試み、N極性面において平坦に高In組成InGaN結晶を作製可能であることを明らかにした。

  16. 温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究

    松岡 隆志

    提供機関：Japan Science and Technology Agency

    制度名：Core Research for Evolutional Science and Technology

    研究機関：Tohoku Univerisity

    2006年 ～ 2011年

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    高度情報化社会の発展のため、通信システムの低価格化と大容量化が望まれています。このような状況の中で、温度安定性に優れた光源が期待されています。我々は、青色発光ダイオード用材料である窒化物半導体の内のInNが赤外域で発光し、その効率と波長の温度安定性が優れていることを、見いだしました。本研究では、InNを発光材料とする通信用レーザを実現します。このレーザは、砒素や燐を含まない低環境負荷素子という特徴も有します。

  17. MOVPE法によるZnO基板上の「緑色発光用InGaN」の高温成長技術の確立

    松岡 隆志

    提供機関：Japan Science and Technology Agency

    制度名：Adaptable and seamless technology transfer program through target-driven R&D

    研究機関：Tohoku Univerisity

    2009年 ～ 2009年

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    現在、市販されている「窒化物系発光デバイス」は、サファイア基板上に発光層InGaN(インジウムガリウム窒素)を積層して製品化されている。しかし、これら材料間の格子不整合率は14%に及び、LED特性向上の障害となっている。ZnO(酸化亜鉛)基板は、不整合率1.9%と小さく、サファイア基板の代替を切望されるも、実用に至っていない。本課題では、ZnO基板実用化の障壁である“原料アンモニアガスによるZnO基板の腐食”問題を克服し、ZnO基板上InGaNを800°C以上で高温成長する技術を確立し、ZnO基板を用いた発光デバイスの早期製品化に寄与する。

  18. 温度安定性に優れた光通信用ＩｎＮ半導体レーザに関する基礎研究

    提供機関：Institute for Materials Research, Tohoku University

    制度名：Research program assist on creation of nanomaterial s and their function

    研究機関：Institute for Materials Research, Tohoku University

    2006年4月 ～ 2008年3月

  19. シリコン基板上ナノ発光材料探索と素子化に関する研究

    提供機関：Japan Science and Technology Agency

    制度名：Core Research for Evolutional Science and Technology

    研究機関：Institute for Materials Research, Tohoku University

    2005年10月 ～ 2006年3月

  20. ZnO単結晶基板と格子整合する青色発光用「高品質InGaN」の薄膜成長技術の確立

    松岡 隆志

    2006年 ～ 2006年

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    本試験では、ZnO 単結晶基板上への InGaN 薄膜の格子整合成長技術の確立および InGaN 結晶の高品質化を目指し、高性能青色発光素子をはじめとして、窒化物半導体による高性能素子の開発を目的とする。ZnO 単結晶基板の前処理法および基板保護法を確立し、ZnO 単結晶基板上へのInGaN 成長の条件検討と評価を行う。

  21. II-VI,III-V族ワイドバンドギャップ半導体発光デバイスの劣化機構解明と制御

    安東 孝止, 石井 晃, 阿部 友紀, 松岡 隆志

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tottori University

    2004年 ～ 2006年

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    H18年度は本研究で進めてきたワイドギャップ半導体光デバイスの動作劣化の系統的なエージング試験結果、およびミクロ点欠陥の増殖反応をもとに各光デバイス(ZnSe-白色LED,InGaAlN-GaN系青-紫外LED,ZnSSe-PIN光検出素子)の劣化メカニズムの判定とその制御手法の開発を進めた。主要な成果を以下にまとめる: [1]ZnSSe II-VI系ワイドギャップ光デバイス(LED, LD, PIN型光検出素子) (1)順バイアス(キャリア注入)で動作させるLED, LD素子の劣化の要因はp型クラッド層中のミクロ点欠陥の増殖(大部分は電子的刺激による欠陥増殖)によって生じる。p型での欠陥(アクセプター原子であるN原子の複合欠陥)増殖のドライビング・フォースは欠陥が形成する深い欠陥準位でのREDR効果(電子-正孔・非発光再結合促進反応)であり、この電子的刺激と素子中の歪効果がリンクして欠陥の増殖・移動・凝縮が進行し、素子劣化を引き起こす→対策はp型クラッドでのREDR反応の人口的制御(後述):III)で可能。 (2)逆バイアス(高電界下)で動作させるPIN, APD型Photodiodeにおいてミクロ点欠陥は関与しない。この要因は、点欠陥の増殖が全てREDR(少数キャリア注入)反応で生じており、高電界下では欠陥の顕著な増殖・移動は生じないことによる。この幸運は、逆バイアス・高電界動作のワイドギャップ・Photo-voltaic素子の実用化にとって非常に有利となる。 [II]InGaAlN-GaN系LEDおよびPIN-,APD型光検出素子の劣化と制御 GaN系LED(青-白色)の順バイアス動作でのミクロ点欠陥増殖は、ZnSSe系のそれより二桁小さく、数万時間動作でもp-クラッドの劣化は無視できる。GaN系の高輝度LEDのSLOW-MODE劣化は、量子井戸活性層での非発光型点欠陥の増殖が要因となる。欠陥発生のドライビング・フォースはZnSeと同様、REDR効果であることから、その人工的制御が可能である(IIIで記述)。 [III]ワイドキャップ半導体の高輝度LED素子(緑-青-白色)の超・長寿命化技術の開発) 欠陥増殖の起源となるREDR反応を人工的に制御する「電流パルス幅制御」を見出し、素子動作の飛躍的な長寿命化(15-40倍の寿命改良:ZnSe-白色LED、InGaAlN-GaN紫外LED)を実際の加速・エージング試験で検証した。本手法は、増殖するミクロ欠陥のキャリア捕獲時間(=再結合レート)以内に電流パルス幅を制御して動作させるもので、輝度低下をさせずにLEDの長寿命化(>数万時間)を実現する新手法である。今後の超・高輝度LEDの動作寿命確保に重要な技術となるものと思われる。

  22. スピン計測

    提供機関：Japan Science and Technology Agency

    制度名：Core Research for Evolutional Science and Technology

    研究機関：Hokkaido University

    1997年4月 ～ 2001年3月

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社会貢献活動 109

  1. イムラ・ジャパン賞 審査委員

    2017年11月 ～ 継続中

  2. 科学研究費補助金 基盤研究S 「審査意見書」作成委員

    2022年10月 ～ 2022年11月

  3. フェロー審査委員会委員

    2017年11月 ～ 2019年3月

  4. 科学研究費補助金 基盤研究Sおよび新学術領域 審査委員

    2017年12月 ～ 2019年1月

  5. みやぎ県民大学, "地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良～"

    2018年8月27日 ～ 2018年8月30日

  6. みやぎ県民大学, "地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良～"

    2017年8月22日 ～ 2017年8月25日

  7. 科学研究費補助金 特別推進研究 審査委員

    2016年12月 ～ 2017年8月

  8. 科学研究費補助金 基盤研究AおよびB 審査委員

    2015年12月 ～ 2017年1月

  9. みやぎ県民大学主催: "地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良～"

    2016年8月22日 ～ 2016年8月25日

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    一般者向けに題目の講義を行う。

  10. みやぎ県民大学主催

    2016年8月22日 ～ 2016年8月25日

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    地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良～

  11. みやぎ県民大学主催

    2015年8月17日 ～ 2015年8月20日

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    地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良～

  12. みやぎ県民大学主催

    2014年8月18日 ～ 2014年8月21日

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    地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良～

  13. みやぎ県民大学主催

    2013年8月19日 ～ 2013年8月22日

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    地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導～", 2013.8.19-22.

  14. みやぎ県民大学主催

    2012年8月20日 ～ 2012年8月24日

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    "地球にやさしいエネルギーとエコ材料 －太陽電池から水素まで－"

  15. JSTサイエンス・アゴラ

    2011年11月19日 ～ 2011年11月20日

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    世界をつなぐ光 震災を超えて次世代へ＆実験ショー

  16. みやぎ県民大学主催

    2011年8月23日 ～ 2011年8月26日

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    地球にやさしいエネルギーとエコ材料 －太陽電池から水素までの講座を市民の皆さんに参加してもらう

  17. 東北大学金属材料研究所

    2011年8月23日 ～ 2011年8月26日

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    青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその応用

  18. みやぎ県民大学主催

    2010年7月27日 ～ 2010年8月24日

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    地球にやさしいエネルギーとエコ材料 －太陽電池から水素までの講座を市民の皆さんに参加してもらう

  19. PVJapan 2010

    2010年6月30日 ～ 2010年7月2日

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    パシフィコ横浜にて展示、紹介

  20. みやぎ県民大学主催

    2009年7月29日 ～ 2009年8月26日

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    地球にやさしいエネルギーとエコ材料 －太陽電池から水素までの講座を市民の皆さんに参加してもらう

  21. みやぎ県民大学主催

    2008年6月4日 ～ 2008年6月25日

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    地球にやさしいエネルギーとエコ材料 －太陽電池から水素までの講座を市民の皆さんに参加してもらう

  22. "未来をさがそう" （ダイヤモンド社刊） 企画編集委員

    2004年4月 ～ 2005年11月

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    小中高生の啓蒙用書籍の企画編集。子供達と一緒に「今と未来」を考えるためのヒントとして企画。ホームページも作成しており、この本の使い方の説明や具体例を掲載。全国小学校に無料配布。

  23. International Reviewer on a specific SFI(Science Foundation Ireland) proposal

    2000年12月 ～ 2001年3月

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    レビューアー

  24. 科学技術振興事業団戦略的研究推進事業 “スピン計測”研究チーム(代表者 北海道大学大学院工学研究科 武笠幸一教授)

    1997年4月 ～ 2001年3月

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    アドバイザー

  25. 第１回未来科学オープンセミナー, "高度情報化社会を支える半導体を見てみよう～光通信、青色LEDから5Gへ～"

    2020年7月31日 ～

  26. 東北大学 新技術説明会 No.5, "結晶極性を利用した高効率太陽電池"

    2019年12月5日 ～

  27. 三菱電機 高周波光デバイス製作所 社員研修, "窒化物半導体の可能性とその社会貢献"

    2019年9月5日 ～

  28. イムラ・ジャパン 社員研修, "Methods and Mental Attitude for Progressing Research ～Based on My Experiences～"

    2019年8月25日 ～

  29. 住友商事勉強会, "窒化物半導体の勉強会"

    2019年8月2日 ～

  30. 第31回 NTT通研OB物理と化学・材料の会, "青色LED開発の歴史と、ワイドギャップ半導体の展開"

    2019年6月29日 ～

  31. 出前授業, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」 「私たちの暮らしを変えた光革命 ～LEDの不思議～」

    宮城県黒川郡大和町立吉田小学校4･5･6年生 11名

    2019年6月3日 ～

  32. 最終講義, "40年余りの研究・教育生活を振り返って ～研究の楽しさと教育の難しさ～"

    2019年3月8日 ～

  33. 出前授業 総括編, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

    2018年8月23日 ～

  34. 第88回金研夏期講習会, 実習 "青色発光ダイオードの作製

    2018年7月27日 ～

  35. 第88回金研夏期講習会, 産官学連携講演 1, "日本再浮上のための産官学連携にむけて"

    2018年7月27日 ～

  36. 第88回金研夏期講習会, 講義 "青色LEDで知られる窒化物半導体によるエレクトロニクスの新展開"

    2018年7月26日 ～

  37. 出前授業, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

    2018年5月31日 ～

  38. 出前授業 総括編, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

    2017年8月22日 ～

  39. 出前授業, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」",

    2017年6月30日 ～

  40. 山形県立鶴岡南高等学校 理数セミナー

    2017年3月21日 ～

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    『“豆電球”から“発光ダイオード”を考えてみよう』 金研にて、半導体の座学、実験、および、実験室見学を通して、生きた学問を学ぶ。

  41. 出前授業 総括編, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

    2016年8月23日 ～

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    一般向けに、光通信に必要な波長多重通信の技術を体感してもらう。

  42. 出前授業 総括編, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

    2016年6月29日 ～

  43. 第21回通研OB物理と化学・材料の会, "NTTでの窒化物半導体の研究開発"

    2016年6月25日 ～

  44. 文部科学省 国立大学法人支援課 吉田企画官 見学

    2016年6月2日 ～

  45. 放送大学学園 理事（財務担当）視察

    2016年5月27日 ～

  46. 研究室見学招待

    2016年3月8日 ～

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    古川学園中学校

  47. 研究室見学招待

    2015年11月12日 ～

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    山形県立楯岡高校（文科省SSH指定校）

  48. 職場体験学習

    2015年9月3日 ～

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    宮城県立白石高校

  49. 出前授業

    2015年7月15日 ～

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    楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」, 仙台市若林小学校（宮城県仙台市宮城野区燕沢小学校）

  50. 東京４０会での卓話

    2015年4月15日 ～

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    青色LEDの開発と通研における研究管理

  51. 仙台高専 専攻特別講義

    2015年1月20日 ～

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    半導体材料と光素子の研究開発 ～赤外から青色へ

  52. 青色発光ダイオード技術のノーベル物理学賞記念講演会, 仙台市民会館大ホール, 主催：東北大学多元物質科学研究所・東北大学知の創出センター

    2014年12月26日 ～

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    白色LED 光源の発光原理、開発経緯、そして、その意義

  53. 企業と天才 後編

    2014年11月29日 ～

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    青色発光ダイオードの開発経緯において、大企業が貢献できなかった理由を考察している。

  54. 企業と天才 中編

    2014年11月22日 ～

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    青色発光ダイオードの開発経緯において、大企業が貢献できなかった理由を考察している。

  55. 企業と天才 前編

    2014年11月8日 ～

    詳細を見る 詳細を閉じる

    青色発光ダイオードの開発経緯において、大企業が貢献できなかった理由を考察している。

  56. 青色LED３氏以外も貢献

    2014年10月8日 ～

  57. AEI (Asia Electronics Industry) October 2014,「New Crystal Supports GaN LED, LD Creation」, pp.72-73.

    2014年8月21日 ～

  58. Laser Focus World Japan, 「GaN LEDおよびLD用新結晶 ScAlMgO4開発」

    2014年8月21日 ～

  59. Semiconductor Today,「Fukuda Crystal Lab grows 2-inch scandium aluminium magnesium oxide crystal rivalling sapphire」

    2014年8月21日 ～

  60. Compoud Semiconductors apanese Lab Creates New GaN Substrate -SCAM substrate better than sapphire for crystal defects-

    2014年8月21日 ～

  61. 日経産業新聞, 「LED用新基板材料」

    2014年8月21日 ～

  62. 出前授業 総括編,

    2014年8月21日 ～

    詳細を見る 詳細を閉じる

    しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」

  63. 出前授業 仙台市若林小学校

    2014年6月25日 ～

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    楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議

  64. 福島市立福島第４中学校 進路体験学習

    2014年5月9日 ～

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    楽光通信の不思議について

  65. 第22回市民型講座

    2014年2月4日 ～

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    石からどんな光が出るのか？ ～信号機から光通信まで～

  66. 平成25年応用物理学会東北支部リフレッシュ理科教室 仙台市立愛宕中学校

    2013年12月13日 ～

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    リフレッシュ理科教室

  67. 楽しい理科のはなし 総括イベント

    2013年11月16日 ～

  68. 山形県新庄市立日新中学校 進路体験学習

    2013年11月15日 ～

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    楽光通信の不思議

  69. 出前授業 総括編

    2013年10月14日 ～

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    楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」

  70. 片平まつり Bizナビにて紹介

    2013年10月7日 ～

  71. 片平まつり紹介記事,

    2013年10月3日 ～

  72. 片平まつり広告 4段1/2

    2013年9月19日 ～

  73. 片平まつり」紹介記事1ページ、広告1ページ, 2013年9月11日（水）.

    2013年9月11日 ～

  74. 楽しい理科のはなし 出前授業

    2013年8月3日 ～

  75. 出前授業 仙台市立沖野東小学校

    2013年5月31日 ～

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    楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議

  76. 山形県立鶴岡南高等学校 大学訪問見学

    2013年3月22日 ～

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    "半導体とは"

  77. 楽しい理科のはなし 総括イベント

    2012年9月16日 ～

  78. 出前授業 総括編

    2012年8月21日 ～

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    "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

  79. JST 平成24年度 「サイエンス・パートナーシップ・プロジェクト」

    2012年8月6日 ～

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    "豆電球”から“発光ダイオード”を考えてみよう"

  80. 楽しい理科のはなし 出前授業

    2012年8月4日 ～

  81. 出前授業 仙台市館小学校

    2012年6月28日 ～

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    "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

  82. 日本基礎化学教育学会

    2012年3月29日 ～

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    最近の半導体について、学理と研究現場を学ぶ。座学と実験室見学を行った。

  83. 楽しい理科のはなし2011後編 不思議の箱を開けよう

    2011年8月7日 ～

  84. 第81回金研夏期講習会 トヨタテクノミュージアム産業技術記念館

    2011年7月28日 ～

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    青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその応用

  85. 出前授業 仙台市東宮城野小学校

    2011年7月21日 ～

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    楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」

  86. JSTイノベーションフォーラム2010 in みやぎ

    2010年12月1日 ～

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    "MOVPE法によるZnO基板上の「緑色発光用InGaN」高温成長技術"

  87. 平成22年度福島県立福島高校スーパーサイエンスハイスクール事業

    2010年10月18日 ～

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    実験講座, "半導体光素子による社会貢献 ～青色発光から光通信まで～"

  88. 楽しい理科のはなし2010 不思議の箱を開けよう 楽しい理科実験教室

    2010年9月25日 ～

  89. 出前授業 総括編

    2010年8月28日 ～

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    仙台市東京エレクトロンホールに於いて"楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」

  90. 楽しい理科のはなし2010 不思議の箱を開けよう 後編

    2010年8月7日 ～

  91. 仙台第三高等学校理数科研修会

    2010年8月2日 ～

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    金研講堂にて講演

  92. 平成22年度金研夏期記念見学会

    2010年7月29日 ～

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    研究室見学

  93. 平成22年度金研夏期講習会

    2010年7月29日 ～

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    東北大学にて "青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその応用”の講演を行う

  94. 夏休み大学探検２０１０

    2010年7月23日 ～

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    "発光ダイオードでネームプレートを作ってみよう"の企画

  95. サイエンスディ

    2010年7月11日 ～

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    東北大学 川内キャンパスにて "光を使って話をしよう"

  96. 出前授業 総括イベント

    2010年6月22日 ～

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    市民会館での総括イベントで、LEDを用いた工作を行い光通信実験を行った。

  97. 出前授業 総括イベント

    2009年9月20日 ～

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    市民会館での総括イベントで、LEDを用いた工作を行い光通信実験を行った。

  98. 磐城高校体験学習

    2009年8月7日 ～

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    研究室紹介、実験体験

  99. 出前授業

    2009年5月27日 ～

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    仙台市立松陵小学校にて、“楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」”と題して、半導体発光素子や光通信についての座学と、LEDを用いた工作を行い光通信実験を行った。

  100. 日本総研 技術価値創造戦略グループセミナー

    2009年4月17日 ～

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    “夢を語り実現する研究者になるための若手研究者セミナー ～一流の研究を知り、実践するためにすべきこと～”において、「自ら拘ったGaNによる青色発光を一旦諦めざるを得なかった思い」と題して講演。その後、パネラーとして、若手研究者が自己実現を図るための方法について発言。

  101. 金研大阪センター

    2008年7月30日 ～

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    青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその応用について講演

  102. 磐城高校体験学習

    2008年7月24日 ～

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    研究室紹介、実験体験

  103. 先端電子材料 研究最前線

    2008年3月28日 ～

  104. イノベーション 破壊と共鳴

    2006年10月 ～

  105. International Reviewer on a proposal of The Chinese Academy of Science-Croucher Foundation,

    2004年6月 ～

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    レビューアー

  106. 青色に挑んだ男たち

    2003年10月 ～

  107. 定説を覆す No.1

    2003年7月23日 ～

  108. 「巨人」たちの敗北

    2003年3月22日 ～

  109. 日本国際賞推薦委員

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メディア報道 55

  1. "システムに変革をもたらす素子応用を鑑みた半導体材料開発とその物性研究"

    産学連携推進協会　メルマガ29号

    2020年7月27日

    メディア報道種別: インターネットメディア

  2. "楽しい理科のはなし 出前授業"

    河北新報　朝刊

    2019年7月29日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  3. "一貫して追及した窒化物半導体の可能性"

    New テクノマートSO（創）　27巻, pp.14-15

    2019年1月8日

  4. "GaNとほぼ格子整合するScAlMgO4基板上への窒化物半導体素子の製造法"

    New テクノマートSO（創）　27巻, p. 36

    2019年1月8日

    メディア報道種別: その他

  5. "楽しい理科のはなし 出前授業"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2018年7月29日

  6. "楽しい理科のはなし 総括イベント"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2018年7月23日

  7. "東北発展 輝く功績

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2018年1月18日

  8. "第67回河北文化賞"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2018年1月1日

  9. "楽しい理科のはなし 総括イベント"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2017年9月24日

  10. "楽しい理科のはなし 出前授業"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2017年7月29日

  11. "楽しい理科のはなし 総括イベント"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2016年9月24日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  12. "楽しい理科のはなし 出前授業"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2016年7月30日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  13. "世界の材料科学 常にリード～東北大学 金研 100周年～"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2016年5月10日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  14. "究極効率の太陽電池～普及が進む太陽電池は最終目標への通過点に過ぎない"

    日経サイエンス　11月号, pp. 52-53

    2015年11月

  15. "楽しい理科のはなし 総括イベント"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2015年9月27日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  16. "北大 光電変換効率60%へ"

    日本経済新聞

    2015年8月31日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  17. “Fukuda Crystal Lab grows 2-inch scandium aluminum magnesium oxide crystal rivaling sapphire”

    Semiconductor Today

    2015年8月21日

  18. "楽しい理科のはなし 出前授業"

    河北新報社　河北新報

    2015年8月2日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  19. 驚きを呼んだ「第三の男」天野の受賞

    化学

    2015年1月

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

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    2014年のノーベル物理学賞の受賞者に関する考察

  20. 企業と天才

    東洋経済新報社　週刊東洋経済

    2014年11月29日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  21. 企業と天才

    東洋経済新報社　週刊東洋経済　pp83-91

    2014年11月22日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  22. 企業と天才

    東洋経済新報社　週刊東洋経済　pp54-61

    2014年11月8日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  23. 青色LED３氏以外も貢献

    読売新聞　読売新聞夕刊

    2014年10月8日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  24. 楽しい理科のはなし 総括イベント

    河北新報　河北新報朝刊

    2014年9月21日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  25. New Crystal Supports GaN LED, LD Creation

    32. AEI (Asia Electronics Industry)　pp72-73

    2014年8月21日

    メディア報道種別: 会誌・広報誌

  26. GaN LEDおよびLD用新結晶 ScAlMgO4開発

    Laser Focus World Japan

    2014年8月21日

    メディア報道種別: インターネットメディア

  27. Fukuda Crystal Lab grows 2-inch scandium aluminum magnesium oxide crystal rivalling sapphire

    Semiconductor Today

    2014年8月21日

    メディア報道種別: インターネットメディア

  28. Japanese Lab Creates New GaN Substrate -SCAM substrate better than sapphire for crystal defects-

    Compound Semiconductors

    2014年8月21日

    メディア報道種別: インターネットメディア

  29. LED用新基板材料

    日本経済新聞社　日経産業新聞

    2014年8月21日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  30. 楽しい理科のはなし 出前授業

    河北新報　河北新報朝刊

    2014年7月26日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  31. 楽しい理科のはなし 総括イベント

    河北新報

    2013年11月16日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  32. 片平まつり

    ミヤギテレビ OH！バンデス

    2013年10月11日

    メディア報道種別: テレビ・ラジオ番組

  33. 片平まつり

    TBC東北放送（テレビ）One Switch Café

    2013年10月7日

    メディア報道種別: テレビ・ラジオ番組

  34. 「片平まつり」

    河北新報　河北ウイークリー

    2013年10月3日

    メディア報道種別: 会誌・広報誌

  35. 「片平まつり」

    河北新報　河北新報朝刊　Bizナビ

    2013年9月19日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  36. 片平まつり」紹介記事

    河北新報　河北ウイークリー

    2013年9月12日

    メディア報道種別: 会誌・広報誌

  37. 「片平まつり」紹介記事

    河北新報　河北ウイークリージュニア

    2013年9月11日

    メディア報道種別: 会誌・広報誌

  38. 楽しい理科のはなし 出前授業

    河北新報　河北新報朝刊

    2013年8月3日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  39. 楽しい理科のはなし 総括イベント

    河北新報　河北新報朝刊

    2012年9月16日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  40. 楽しい理科のはなし 出前授業

    河北新報　河北新報朝刊

    2012年8月4日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  41. Science Window 早春号

    科学技術振興機構

    2012年2月

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  42. 楽しい理科のはなし2011後編 不思議の箱を開けよう

    河北新報　河北新報朝刊

    2011年8月7日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  43. 楽しい理科のはなし2010 不思議の箱を開けよう 楽しい理科実験教室

    河北新報　河北新報朝刊

    2010年9月25日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  44. "楽しい理科のはなし2010 不思議の箱を開けよう

    河北新報　河北新報朝刊

    2010年8月7日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  45. 楽しい理科のはなし 総括イベント

    河北新報　河北新報朝刊

    2009年10月25日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  46. 楽しい理科のはなし 前編

    河北新報　河北新報朝刊

    2009年7月26日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  47. 地球温暖化の防止、ＣＯ２の削減に資するような研究成果が出ている研究室を取材した

    東北大学の新世紀

    2008年9月8日

    メディア報道種別: テレビ・ラジオ番組

  48. 窒化物半導体が拓く新しい半導体の世界とは

    7.ガスレビュー 増刊号 ガストロン

    2008年4月

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  49. 先端電子材料 研究最前線

    朝日新聞

    2008年3月28日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  50. かっぺいのいったりきたり

    みやぎテレビ

    2007年12月23日

    メディア報道種別: テレビ・ラジオ番組

  51. イノベーション 破壊と共鳴

    NTT出版

    2006年2月

  52. 社会を変えた科学技術の成果（青色発光デバイスの実用化）

    文部科学省　平成19年版 科学技術白書　第1部 第1章 第3節 1

    2006年1月

    メディア報道種別: その他

  53. 青色に挑んだ男たち

    日本経済新聞社

    2003年10月

    メディア報道種別: その他

  54. 定説を覆す

    日刊工業新聞

    2003年7月23日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  55. 巨人」たちの敗北 青色発光デバイスに挑戦した男たち

    週刊東洋経済

    2003年3月22日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

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その他 26

  1. 高効率低コストLEDを実現する GaNベース基板の開発

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    提案法人名：パナソニック株式会社 （委託：株式会社福田結晶技術研究所）

  2. フォトン・フォトキャリア直交型太陽電池のInGaN系による展開可能性の検討

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    フォトン・フォトキャリア直交型太陽電池のInGaN系による展開可能性の検討を行う

  3. N極性InAlN混晶半導体の減圧および加圧有機金属気相成長による高効率光・電子素子応用

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    N極性InAlN混晶半導体の減圧および加圧有機金属気相成長による高効率光・電子素子応用に関する研究

  4. 窒化物半導体の素子応用に向けた高In組成InAlNエピタキシャル成長に関する実用化研究

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    青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体混晶InGaAlNは、バンドギャップ・エネルギEgが0.65～6.0eV（波長換算0.2～1.9μm）と広く、固体照明用高輝度紫外発光ダイオード、高効率太陽電池、高周波・高出力トランジスタ等の実用化が緊急に期待されている。Egが広いという特性を活かすために、混晶組成域の拡大が必須である。従来の研究は、InN、GaNやAlNの成長温度の差や熱力学的相分離のため、GaNへInやAlを添加する研究がなされてきた。本課題では、素子応用に有利な価電子帯のバンド障壁が大きくなるInNに、Alを添加する「エピタキシャル成長技術」を研究する。

  5. 窒化物半導体エピタキシャル成長に関する研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    窒化物半導体エピタキシャル成長に関する研究を行う

  6. 格子整合基板ScAlMgO4導入によるエピタキシャル成長GaN薄膜の高品質化に関する研究

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    持続可能な社会実現に向けて、半導体は、高効率・低コストの太陽電池および省エネルギー各種素子の実用化に責務がある。中でも、青色LEDで知られている窒化物半導体は、固体照明の高効率化、タンデム型高効率太陽電池、次世代の高密度波長多重光通信用光源、および、高出力・高周波スィッチング素子の実現に大きな可能を有する。しかしながら、窒化物半導体の転位密度は、従来からある化合物半導体に比し数桁高く、結晶品質の改善が急務である。その原因は、格子整合基板の不在にある。本研究では、大型高品質結晶を成長できるScAlMgO4を新たに導入し、申請者の保有するエピタキシャル成長技術を用い、GaNの高品質化に挑戦する。

  7. シリコン基板を用いた超高効率窒化物半導体「太陽電池要素技術」に関する開発研究

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    持続可能社会実現のネルギー対策として、＜太陽電池＞は有効である。現用の高効率太陽電池はシリコン製で、その効率は最大22%である。これに対して、Si基板の表裏にバンドギャップ・エネルギ0.7eVと1.4eVの窒化物半導体を積層した、光・電気の理論変換効率36%の高効率太陽電池を提案する。 0.7eV用材料はInNで、現在、高品質化の研究も申請者で進められている。一方、1.4eV用材料は高In組成窒化物半導体である。この成長は、相分離現象のため困難とされるが、20年以上の歳月で培った窒化物半導体エキシャル成長の経験・技術を申請者は駆使し、高In組成窒化物半導体の成長に挑戦する。

  8. 次世代環境・エネルギー技術に関する研究

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    次世代のエネルギー技術や環境技術について，外部技術動向調査や今後のトレンドの分析を実施し，環境・エネルギー問題解決に資する革新的な技術の研究開発について検討を行う．

  9. 励起子吸収による増感を利用した高効率太陽電池の研究

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    太陽電池の高効率化を目指し、半導体中の励起子の増感作用について研究する。研究対象とする材料は、太陽光の全波長域をほぼカバーできる窒化物半導体である。

  10. MOVPE法によるZnO基板上の「緑色発光用InGaN」の高温成長技術の確立

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    光の三原色を構成するLEDのうち、発光層にInGaNを用いている緑色LEDは、赤や青に比べて光出力が一桁低い。このInGaNが相分離しているためである。本研究では、相分離を抑止し均一な組成のInGaNを得るために、成長温度の高温化を図る。さらに、結晶の高品質化を目指し、窒化物半導体用基板として一般に用いられているサファイアより一桁格子整合性の良いZnO基板の使用にも挑戦する。

  11. ZnOおよびGaNの単結晶基板上MO-CVDによる窒化物薄膜形成とデバイス応用に関する共同研究

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    青色発光用窒化物半導体薄膜成長用基板として研究代表者が１９８７年に提案したＺｎＯ単結晶の２インチ基板が現在作製されるようになった。この基板上に高品質窒化物半導体単結晶薄膜を成長する技術と、そのデバイス化の開発研究を行う。

  12. 材料インテグレーション国際教育研究拠点

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    インターンシップ事業、英語教育推進のための事業、初の試みとなりました国際講義、若手研究者研究報告会、外部評価委員会等々のため

  13. 温度安定性に優れたInN半導体レーザの研究

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    高密度波長多重光通信方式に向けて、温度安定性に優れた光源として、窒化物半導体であるInNの薄膜成長技術とその物性について研究する。

  14. 窒化物半導体物性およびデバイス応用に関する研究

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    青色発光ダイオードで知られている窒化物半導体に関して、その物性とデバイス応用に関する研究を行う。窒化物半導体の中でも特に、研究代表者がバンドギャップの既報告値が誤っていることを１９８９年から指摘してきているＩｎＮに重点をおいて研究を進める。

  15. ZnOおよびGaNの単結晶基板上MO-CVDによる窒化物薄膜形成とデバイス応用に関する共同研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    青色発光用窒化物半導体薄膜成長用基板として研究代表者が１９８７年に提案したＺｎＯ単結晶の２インチ基板が現在作製されるようになった。この基板上に高品質窒化物半導体単結晶薄膜を成長する技術と、そのデバイス化の開発研究を行う。

  16. ＩｎＮ薄膜エピタキシャル成長の研究とＤＦＢレーザ化

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    本研究では、光ファイバ通信用光源として、低密度波長分割多重通信方式（CWDM）の低価格化のためにペルチエ素子による冷却を必要としないuncooled laserと、高密度波長分割多重通信方式(DWDM)の高密度化のために波長間隔の狭小化を可能にする波長に関して温度安定性に優れたレーザと、を実現することを目的とする。

  17. ＺｎＯ単結晶基板と格子整合する青色発光用「高品質InGaN」の薄膜成長技術の確立

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    現在、信号機などに使用されている青色発光ダイオード(LED)は、サファイア単結晶基板上に窒化物半導体を積層して作製されている。発光層のInGaNとサファイア基板との格子定数の不整合率は、14%に及ぶ。半導体光素子では、素子の特性と寿命の点から、この不整合率は0.1%以下とされている。本課題では、ZnO単結晶基板を用いて、InGaNの格子整合成長を図り、InGaNの高品質化を目指す。

  18. ZnOおよびGaNの単結晶基板上MO-CVDによる窒化物薄膜形成とデバイス応用に関する共同研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    青色発光用窒化物半導体薄膜成長用基板として研究代表者が１９８７年に提案したＺｎＯ単結晶の２インチ基板が現在作製されるようになった。この基板上に高品質窒化物半導体単結晶薄膜を成長する技術と、そのデバイス化の開発研究を行う

  19. 窒化物半導体物性およびデバイス応用に関する研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    青色発光ダイオードで知られている窒化物半導体に関して、その物性とデバイス応用に関する研究を行う。窒化物半導体の中でも特に、研究代表者がバンドギャップの既報告値が誤っていることを１９８９年から指摘してきているＩｎＮに重点をおいて研究を進める。

  20. 温度安定性に優れた光通信用ＩｎＮ半導体レーザに関する基礎研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    光通信方式の大容量化のために、高密度の波長多重を可能にしうるInNを発光層とする分布帰還型レーザの開発を最終目標とし、薄膜の成長法とその物性に関する基礎研究を行う。

  21. ＭＯＣＶＤによる窒化物薄膜の作製と評価に関する研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    青色発光ダイオードで知られている窒化物半導体について、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いた薄膜成長法と、窒化物半導体の物性評価に関する研究を行う。

  22. ＺｎＯ基板上の窒化物系化合物半導体デバイスの開発研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    青色発光用窒化物半導体薄膜成長用基板として研究代表者が１９８７年に提案したＺｎＯ単結晶の２インチ基板が現在作製されるようになった。この基板上に高品質窒化物半導体単結晶薄膜を成長する技術と、そのデバイス化の開発研究を行う。

  23. シリコン基板上ナノ発光材料探索と素子化に関する研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    シリコン上においてフォトニクス回路を実現するためには、光/電子インターフェイス用の高速・高効率な発光デバイスの開発は必須である。シリコン発光の研究は、ポーラスシリコンやSiナノ結晶、SiGeやβ-FeSi2、ErSiOといった混晶半導体、シリコンへのErなどの不純物ドーピングといった具合にいづれもシリコンを材料のベースとしている。これらシリコンをベースとした発光材料は、シリコン物性の見地や今までの研究経過から、良好な発光効率の素子には適さないと判断される。我々は新たにIII-V族半導体をシリコン上で発光させる研究に優位性を見い出したので、研究推進致したく今回のテーマを提案する。具体的には、サファイア上でのGaNやInNの結晶成長で蓄積された技術を基盤にし、シリコン基板上へ直接、あるいはシリコン基板上の酸化膜上に、またはシリコン基板上に作製した金属膜や金属ドットを介して、ナノサイズのIII-V族結晶成長を行い、素子化を図る。成長モードの工夫や新たな材料探索を行いながら、研究を進める。研究代表者は1987年から窒素を含んだIII-V族材料すなわち窒化物半導体InGaAlNの研究を行ってきている。2001年にInNのバンドギャップは、多結晶を用いて求められた従来の報告値の半分以下の赤外域にあることを指摘した。シリコン光導波路を活用できる赤外領域で発光するInN系材料をベースとし、そのナノ結晶化によって発光効率の増大や高速応答を期待できる、シリコン上発光素子の実現を目指す。

  24. ＺｎＯおよびＧａＮの単結晶基板上のＭＯ－ＣＶＤによる窒化物薄膜形成とデバイス応用に関する共同研究

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    青色発光ダイオードなどで知られている窒化物半導体において、基板として現状で広く用いられているサファイアに較べて遙かに良く格子整合するＺｎＯやＧａＮ単結晶基板を用いた薄膜成長法、およびそのデバイス化に関する研究を行う。

  25. 窒化物半導体物性およびデバイス応用に関する研究

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    青色発光ダイオードで知られている窒化物半導体に関して、その物性とデバイス応用に関する研究を行う。窒化物半導体の中でも特に、研究代表者がバンドギャップの既報告値が誤っていることを１９８９年から指摘してきているＩｎＮに重点をおいて研究を進める。

  26. スピン計測

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    電子スピンの関与する量子現象を積極的に用いた新世界を切り開くことを目的とする。物質表面のスピン状態を原子分解能レベルで観測する走査型プローブ顕微鏡を開発し、導電性並びに絶縁体表面のスピン計測を行う。さらに表面の特性を生かした新物質創製を目指し、この評価法を活用する。この評価機の開発途上で、スピン状態の保存の問題を手がけ、スピンデバイス、スピンメモリへの糸口を見いだす。

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