Details of the Researcher

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Takashi Matsuoka
Section
New Industry Creation Hatchery Center
Job title
Specially Appointed Research Fellow
Degree

  • 工学博士 (Hokkaido University)

Research History 17

  • 2023/01 - Present
    IEEE Life Fellow

  • 2019/04 - Present
    Tohoku University, New Industry Creation Hatchery Center (NICHe)　Specially Appointed Professor

  • 2019/04 - Present
    Tohoku University　Emeritus Professor

  • 2014/09 - Present
    Fellow, The Japan Society of Applied Physics

  • 2023/04 - Present
    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Life Member

  • 2022/01 - Present
    The Japanese Association for Crystal Growth

  • - Present
    The international Society for Optics and Photonics (SPIE)

  • 2008/04 - 2019/03
    Institute for Materials Research, Tohoku University　Physics of Electronic Materials

  • 2005/02 - 2008/03
    Institute for Materials Research, Tohoku University　Advanced Electronic Materials Science

  • 1999/04 - 2005/01
    NTT Basic Research Laboratories　Senior Research Engineer, Supervisor

  • 1997/04 - 1999/03
    日本電信電話株式会社 基礎研究所　主幹研究員

  • 1989/04 - 1997/03
    日本電信電話株式会社 光エレクトロニクス研究所　主幹研究員

  • 1987/07 - 1989/03
    日本電信電話株式会社 光エレクトロニクス研究所　光材料研究部　主任研究員

  • 1985/02 - 1987/06
    日本電信電話株式会社 厚木電気通信研究所　機能デバイス研究部　主任研究員

  • 1983/04 - 1985/01
    日本電信電話株式会社 厚木電気通信研究所　機能デバイス研究部　研究主任

  • 1980/10 - 1983/03
    日本電信電話株式会社 武蔵野電気通信研究所　機能デバイス研究部　研究主任

  • 1978/04 - 1980/09
    日本電信電話株式会社 武蔵野電気通信研究所　電子装置研究部　研究員

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Education 2

  • Hokkaido University　Graduate School, Division of Engineering　電子工学専攻

    1976/04 - 1978/03

  • Hokkaido University　Faculty of Engineering　電子工学科

    1972/04 - 1976/03

Committee Memberships 42

  • The Open Applied Physics Journal　Associate Editor

    2010/01 - Present

  • 電子情報通信学会　エレクトロニクスソサイエティ賞選定委員

    2020/11 - 2021/03

  • イムラ・ジャパン賞　審査委員

    2017/11 - 2020

  • 日本学術振興会　科学研究費補助金 基盤研究Sおよび新学術領域 審査委員

    2017/12 - 2019/01

  • 応用物理学会　フェロー選考委員

    2017/11 - 2018/11

  • 日本学術振興会　科学研究費補助金 特別推進 審査委員

    2016/12 - 2017/08

  • 文部科学省 科学技術政策研究所 科学技術動向研究センター　専門調査員

    2012/08 - 2017/03

  • 日本学術振興会　科学研究費補助金 基盤研究AおよびB 審査委員

    2015/12 - 2017/01

  • European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting　Session organizer of “Nitride semiconductors for high power and high frequency electronic devices II

    2016/01 - 2016/09

  • 18th Intern. Conf. Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE),　Session organizer of “III-V semiconductors

    2015/12 - 2016/08

  • APEX/JJAP　編集委員

    2011/05 - 2016/03

  • Japanese Journal of Applied Physics Selected Topics in Applied Physics “Progress of Nitride Semiconductors and their Future Prospects”　特別編集委員長

    2013/07 - 2014/09

  • 日本学術振興会　科学研究費補助金 審査委員

    2012/12 - 2014/01

  • 2013 International Symposium on Optomechatronic Technologies, Special session “Current Status and Future Prospects of Nitride Semiconductors”　Organizer,

    2013/01 - 2013/10

  • 2013 International Symposium on Optomechatronic Technologies, Special session “Current Status and Future Prospects of Nitride Semiconductors”　セッション オーガナイザ

    2013/01 - 2013/10

  • International Workshop on Nitrides (IWN2012), JJAP特集号　編集委員

    2012/10 - 2012/12

  • Organizing Chair

    2008/10 - 2009/10

  • Organizing Chair

    2008/09 - 2009/09

  • Member of program committee

    2008 - 2009

  • 14th Intern. Conf. Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 2008 (ICMOVPE, 2008.6.1-6), Metz　publication committee

    2008/06 - 2008/12

  • 2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2, 2008.7.6-9), 伊豆　出版副委員長

    2007/08 - 2008/12

  • 応用物理学会　member of paper award nomination committee

    2006/08 - 2008/08

  • Vice chair of publication committee

    2007/08 - 2008/07

  • 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4, 2008.5.22-24), 仙台　セッションチェア

    2007/07 - 2008/05

  • 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’07)　Member of program committee

    2006/03 - 2007/05

  • 電子情報通信学会　和文論文誌Ｃ 次世代ナノテクノロジー特集号 編集委員

    2006/01 - 2006/10

  • 電子情報通信学会　エレクトロニクスソサイエティ 次世代ナノ技術に関する時限研究専門委員

    2004/03 - 2006/02

  • International Workshop on Nitrides (IWN2006)　Member of organizing committee and session chair of program committee

    2005 - 2006

  • International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE’06)　Member of organizing committee

    2005 - 2006

  • SPIE International Symposium on Optomechatronic Technologies (SPIE-ISOT’05)　Member of organizing committee

    2004 - 2005

  • Pacific Rim Con. Lasers and Electro-Optics (CLEO/Pacific Rim '05)　Member of Session program committee

    2004 - 2005

  • Science Foundation Ireland (SFI)　International Reviewer on a specific SFI proposal

    2000/12 - 2001/03

  • Electronic Materials Symposium　Member of organising committee

    1999 - 2001

  • European GaN Workshop (EGW)　International Advisory Committee member

    1995 - 2000

  • Electronic Materials Symposium　Member of program committee

    1997 - 1999

  • International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED'98)　Member of organising committee and Vice chair of program committee

    1997 - 1998

  • 日本電子材料協会　光・半導体デバイス委員会 幹事

    1995/06 - 1997/05

  • International Conference on Nitrides semiconductor (ICNS'97)　Member of Organising committee and Program Committee

    1996 - 1997

  • Topical Workshop on III-V Nitrides (TWN'95)　Topical Workshop on III-V Nitrides (TWN'95)

    1994 - 1995

  • International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-95 (ICSCRM-95)　Program Comｍittee Meｍber

    1994 - 1995

  • 科学研究費補助金S　意見書策定委員

    2022/10 -

  • The Chinese Academy of Science-Croucher Foundation　International Reviewer on a proposal of The Chinese Academy of Science-Croucher Foundation

    2004/06 -

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Professional Memberships 6

  • Japanese Association for Crystal Growth

    2010 - Present

  • The international Society for Optics and Photonics (SPIE)

    2007/12 - Present

  • Materials Research Society (MRS)

    1998/01 - Present

  • The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

    1984/06 - Present

  • The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

    1980 - Present

  • The Japan Society of Applied Physics

    1977 - Present

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Research Interests 10

  • 半導体

  • 分布帰還型レーザ

  • 半導体発光素子

  • MOVPE

  • Epitaxial Growth

  • Blue LED

  • Wide-gap Semiconductor

  • Nitride Semiconductor

  • InN

  • GaN

Research Areas 5

  • Nanotechnology/Materials / Applied physics - general /

  • Nanotechnology/Materials / Nanobioscience /

  • Nanotechnology/Materials / Nanomaterials /

  • Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering) / Electric/electronic material engineering /

  • Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering) / Electronic devices and equipment /

Awards 30

  1. IEEE Fellow Award

    2023/01　IEEE　"For Contributions to Laser Diodes for Optical Communications and Nitride Semiconductors for Light Emitting Devices",

  2. Best Presentation Award in ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021

    2021/04　ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021　"Evidence of Carrier Trapping at Extrinsic Gate Region in N-Polar GaN/AlGaN MIS HEMTs"

  3. Best Paper Award

    2019/09　Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in GaN Crystals using Two-Photon Excitation Photoluminescence

  4. 第8回（平成29年度）応用物理学会 化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）

    2018/03　公益社団法人 応用物理学会　「InGaN系混晶半導体のエピタキシャル成長技術に関する先駆的研究」

  5. 第69回（平成29年度）河北文化賞

    2018/01　河北新報社　「赤外から青色までの半導体材料とその素子応用によるエレクトロニクスの発展への貢献」

  6. エレクトロニクスソサイエティ賞, 光半導体およびフォトニクス分野

    2017/09　電子情報通信学会　「長波長帯分布帰還型レーザの開発と窒化物半導体基礎物性の解明によるエレクトロニクスへの貢献」

  7. 平成29年度 文部科学大臣表彰 科学技術賞

    2017/04　文部科学省　「新しい半導体材料の開発とその素子応用に関する研究」

  8. 第42回（2017年春季）応用物理学会講演奨励賞

    2017/03　応用物理学会　「二光子励起フォトルミネッセンス法によるGaN中の貫通転位の三次元分布評価」

  9. 日本結晶成長学会 第11回業績賞および赤﨑 勇賞

    2016/08　日本結晶成長学会　「光ファイバ通信・青色発光素子用結晶の先駆的成長技術」

  10. 平成27年度総長優秀学生賞

    2016/03/25　東北大学

  11. 第6回日本学術振興会育志賞

    2016/03　日本学術振興会　「-c面窒化インジウムガリウム混晶の有機金属気相成長と光学素子応用」

  12. 第７回薄膜太陽電池セミナー 優秀ポスター賞

    2016/03　第7回薄膜太陽電池セミナー組織委員会　「InGaN/GaN 太陽電池の格子極性と発電特性」

  13. 第20回応用物理学会東北支部 講演奨励賞

    2016/01　応用物理学会東北支部　「N極性(000-1)p型GaNのMOVPE成長における Mg/Ga・V/III 原料供給比の正孔濃度への影響」

  14. 第19回 応用物理学会東北支部 講演奨励賞

    2014/12　応用物理学会　「MOVPE法による可視光全域波長の発光を有するN 極性(000-1)InGaN 発光ダイオードの作製」

  15. 第37回（2014年秋季）応用物理学会講演奨励賞

    2014/11　応用物理学会　サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1) InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製

  16. 第128回 金属材料研究所講演会 優秀ポスター賞

    2014/11　東北大学金属材料研究所　「転位低減に向けたN 極性(000-1)面GaN のMOVPE 選択成長」

  17. 第128回 金属材料研究所講演会 優秀ポスター賞

    2014/11　東北大学金属材料研究所　「MOVPE成長N極性(000-1)InGaN発光ダイオードによる可視光全域波長での発光の実現」

  18. 第8回（2014年度）応用物理学会フェロー表彰

    2014/09　応用物理学会　長波長DFB-LDと窒化物の研究による半導体光素子の開発」

  19. 第127回金属材料研究所講演会 ポスター賞

    2014/05　東北大学金属材料研究所　サファイア窒化AIN基板を用いたMOVPE法によるN極性GaNの成長

  20. APEX/JJAP Editorial Contribution Award

    2014/04　The Japana Society of Applied Physics

  21. 2013 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" Poster Presentation Award

    2014/03　Institute for Materials Research　Observation of Indium Content Distribution on m-plane InGaN Film with Hillocks

  22. 第126回金属材料研究所講演会 優秀ポスター賞

    2013/11　東北大学金属材料研究所　サイファイア基板上（000-1）GaNの有機金属気相成長におけるMgによる表面マイグレーションの促進

  23. 第74回応用物理学会秋季講演会 ポスター賞

    2013/09　応用物理学会

  24. 第74回応用物理学会秋季講演会ポスタ賞

    2013/09　応用物理学会

  25. 第17回(2012年度)応用物理学会東北支部講演奨励賞

    2012/12　応用物理学会東北支部

  26. 東北大学総長賞

    2011/03/25　東北大学

  27. CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第二回公開シンポジウム ポスター賞

    2009/11　科学技術振興機構　温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究

  28. Paper Award in Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation

    2003/03　Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation　"Optical Band-Gap Energy of Wurtzite InN", Appl. Phys. Lett., 81(2002)1246

  29. NTT社長表彰

    1988/10　日本電信電話株式会社　超高速・長スパン光ファイバ伝送技術の開発

  30. ECOC Prize 1984 (the best paper of 10th European Conference on Optical Communication)

    1984/09　10th European Conference on Optical Communication　Verification of the Light Phase Effect at the Facet on DFB Laser Properties

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Papers 130

  1. The Underemphasized Concept of Crystal Polarity in Conventional Semiconductors and Its Device Application

    Takashi Matsuoka, Takeshi Kimura, Tetsuya Suemitsu

    physica status solidi (a)　222　(23)　2025/11/09

    Publisher: Wiley

    DOI： 10.1002/pssa.202500372 　

    ISSN： 1862-6300

    eISSN： 1862-6319

    More details Close

    This review focuses on nitrogen (N)‐polar GaN grown on (0001) sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). Although N‐polar GaN growth is often considered challenging, the mechanisms behind its crystal growth are discussed in detail. For the growth of InN with the highest nitrogen equilibrium vapor pressure among nitride semiconductors, N‐polar growth can be considered to be advantageous because N‐polar growth allows for more efficient nitrogen incorporation from the gas phase compared with Ga‐polar growth. MOVPE with a pressurized reactor is introduced as a method for growing high‐quality indium‐rich InGaN. N‐polar growth with this technique also suggests the potential to narrow the miscibility gap in nitride semiconductors. In nitride semiconductor devices, polarization, which is a unique characteristic of these materials, plays a significant role. The interplay between device performance and polarization is explored, highlighting how careful control of polarization enables the fabrication of advanced devices such as “Inverted HEMTs”. In the fabrication process of nitride semiconductor devices, the Mg‐doped p‐type layer must be grown last due to the risk of Mg contamination in the MOVPE reactor, making band engineering crucial. Using solar cells as an example, the advantages of N‐polar growth in device applications are demonstrated.

  2. Parameter‐Free Calculation for the Optical Bandgap Energies of InGaAlN

    Takashi Matsuoka, Yoshiyuki Kawazoe, Talgat M. Inerbaev

    physica status solidi (b)　262　(3)　2024/11/28

    Publisher: Wiley

    DOI： 10.1002/pssb.202400107 　

    ISSN： 0370-1972

    eISSN： 1521-3951

    More details Close

    The accurate prediction of bandgap energy Eg is crucial for the future development of semiconductors. Ab initio simulation studies have been undertaken to unravel the intricacies of compound semiconductors. However, traditional density functional theory estimates Eg to be mostly 30–50% smaller than experimental values. To reconcile these disparities, fitting parameters such as U have been employed, albeit at the expense of violating the virial theorem's essential conditions. In our pursuit of a more accurate approach, utilizing a computational method that adheres to virial's theorem without resorting to fitting parameters is proposed. Employing the self‐consistent Green‐function vertex (GW) approximation calculation, standard phenomenological results are built upon as an initial condition. This novel methodology successfully resolves the long‐standing issue surrounding Eg of InN, a nitride semiconductor InGaAlN known for blue light‐emitting diodes. The numerical results from our calculations demonstrate a remarkable alignment with experimental values across the entire InxGa1−xN range, with an impressive accuracy of 0.1 eV. This innovative method holds promise for application to various semiconductors, serving as a potent tool for predicting new semiconductors with small Eg. This calculation method is also applied to Eg of In1−xAlxN and Ga1−xAlxN.

  3. Nitride Semiconductors Realizing Sustainable Society

    Takashi Matsuoka, Tetsuya Suemitsu

    2023 IEEE 10th International Workshop on Metrology for AeroSpace (MetroAeroSpace)　358-362　2023/06/19

    Publisher: IEEE

    DOI： 10.1109/metroaerospace57412.2023.10189994 　

  4. Properties of ScAlMgO4 as Substrate for Nitride Semiconductors

    Takashi Matsuoka, Hitoshi Morioka, Satoshi Semboshi, Yukihiko Okada, Kazuya Yamamura, Shigeyuki Kuboya, Hiroshi Okamoto, Tsuguo Fukuda

    Crystals　13　(3)　449-449　2023/03/04

    Publisher: {MDPI} {AG}

    DOI： 10.3390/cryst13030449 　

    ISSN： 2073-4352

    eISSN： 2073-4352

  5. N-Polar Gowth of Nitride Semiconductors with MOVPE and its Applications Peer-reviewed

    T. Matsuoka, T. Mitate, S. Mizuno, H. Takahata, T. Tanikawa

    J. Cryst. Growth　65　127056　2023/01

  6. Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors Peer-reviewed

    K. Prasertsuk, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    Jpn. J. Appl. Phys.　61　SA1006　2022/06

  7. Optical Band Gap Energy Values in Wurtzite InxGa1-xN Peer-reviewed

    T. M. Inerbaev, T. Matsuoka, Y. Kawazoe

    Bulletin of The University of Karaganda-Physics　105　107-116　2022

  8. Dependence of the V/III Ratio on Indium Incorporation in InGaN Films Grown by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy Peer-reviewed

    V. Suresh Kumar, S. Y. Ji, Y. T. Zhang, K. Shojiki, J. H. Choi, T. Kimura, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　20　(5)　2979-2986　2020/05

    DOI： 10.1166/jnn.2020.17466 　

    ISSN： 1533-4880

    eISSN： 1533-4899

  9. Reuse of ScAlMgO4 Substrates Utilized for Halide Vapor Phase Epitaxy of GaN Peer-reviewed

    K. Ohnishi, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Iwabuchi, K. Yamamura, N. Hasuike, H. Harima, T. Fukuda, T. Matsuoka

    Jpn. J. Appl. Phys.　58　(SC)　SC1023-1-SC1023-5　2019

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab06ab 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  10. Asymmetric Waveguide-Coupled Scheme for Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cell Peer-reviewed

    A. Ishibashi, N. Sawamura, T. Matsuoka, H. Kobayashi, T. Kasai

    Transanction of the Materials Research Society of Japan　44　(5)　187-191　2019

  11. Current Status, and Future of Research on Optical and Electrical Semiconductor Devices Peer-reviewed

    T. Matsuoka

    IEEE Xplore digital library published in 2019 IEEE 5th International Workshop on Metrology for AeroSpace (MetroAeroSpace)　154-159　2019

  12. Crystal Growth Technology of N-polar Nitride Semiconductors by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    Tanikawa Tomoyuki, Prasertsuk Kiattiwut, Kimura Takeshi, Kuboya Shigeyuki, Matsuoka Takashi

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　45　(1)　n/a　2018

    Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth

    DOI： 10.19009/jjacg.3-45-1-01 　

    ISSN： 0385-6275

    More details Close

    <p>  N-polar III-nitride materials have been attracted attention for the application to InGaN-based optical devices and AlGaN-based electronic devices. Most of the III-nitride-based device structures have been grown using metalorganic vapor phase epitaxy. In this report, recent progress of crystal growth technology of N-polar III-nitride materials using metalorganic vapor phase epitaxy is reviewed. The growth of N-polar materials shows different behavior from that of Ga-polar materials, several optimizations of growth conditions are necessary. N-polar GaN often shows hillock structure at the surface. The use of vicinal substrates helps the suppression of hillock formation. InGaN growth often suffers from the inclusion of zinc-blende crystal phase. Growth at low supersaturation conditions is one of the solutions to obtain pure wurtzite InGaN films. To prevent hillock formation during the growth of AlGaN on N-polar GaN, lowering the growth rate is effective.</p>

  13. Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in GaN Crystals by Two-Photon-excitation Photoluminescence Peer-reviewed

    T. Tanikawa, K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Mukai, T. Matsuoka

    Appl. Phys. Express　11　(3)　031004-1-031004-4　2018

    DOI： 10.7567/APEX.11.031004 　

    ISSN： 1882-0778

    eISSN： 1882-0786

  14. N-polar GaN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor formed on sapphire substrate with minimal step bunching Peer-reviewed

    Kiattiwut Prasertsuk, Tomoyuki Tanikawa, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Tetsuya Suemitsu, Takashi Matsuoka

    Applied Physics Express　11　(1)　015503-1-015503-4　2018/01/01

    Publisher: Japan Society of Applied Physics

    DOI： 10.7567/APEX.11.015503 　

    ISSN： 1882-0786 1882-0778

    eISSN： 1882-0786

  15. Characterization of the ScAlMgO4 Cleaving Layer by X-Ray Crystal Truncation Rod Scattering Peer-reviewed

    T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Fukuda, T. Matsuoka

    J App. Phys.　123　(20)　205305-1-205305-8　2018

    DOI： 10.1063/1.5031024 　

    ISSN： 0021-8979

    eISSN： 1089-7550

  16. New solar cell and clean unit system platform (CUSP) for earth and environmental science Peer-reviewed

    A. Ishibashi, T. Matsuoka, R. Enomoto, M. Yasutake

    IOP Conference Series: Earth and Environmental Science　93　(1)　012081-1-012081-7　2017/11/09

    Publisher: Institute of Physics Publishing

    DOI： 10.1088/1755-1315/93/1/012081 　

    ISSN： 1755-1315 1755-1307

  17. Ga-polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter-scale wide terraces Peer-reviewed

    Takuya Iwabuchi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　214　(9)　1607054-1-1607054-8　2017/09

    DOI： 10.1002/pssa.201600754 　

    ISSN： 1862-6300

    eISSN： 1862-6319

  18. Control of impurity concentration in N-polar (000(1)over-bar) GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

    Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　254　(8)　1600751　2017/08

    DOI： 10.1002/pssb.201600751 　

    ISSN： 0370-1972

    eISSN： 1521-3951

  19. Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations Peer-reviewed

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Ryuji Katayama, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　10　(8)　082101-1-082101-4　2017/08

    DOI： 10.7567/APEX.10.082101 　

    ISSN： 1882-0778

    eISSN： 1882-0786

  20. N-polar GaN MIS-HEMTs with flat interface grown by optimized MOVPE

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    IEICE Technical Report　117　(58)　59-64　2017/05/26

    Publisher:

    ISSN： 0913-5685

  21. Low-temperature (&lt;= 600 degrees C) growth of high-quality InxGa1-xN (x similar to 0.3) by metalorganic vapor phase epitaxy using NH3 decomposition catalyst Peer-reviewed

    Akio Yamamoto, Kazuki Kodama, Takashi Matsuoka, Masaaki Kuzuhara

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　56　(4)　041001-1-041001-5　2017/04

    DOI： 10.7567/JJAP.56.041001 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  22. Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN Films on ScAlMgO4 Substrates and their Self-Separation for Fabricating Free-Standing Wafers Peer-reviewed

    K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Mukai, T. Matsuoka

    Appl. Phys. Express　10　(10)　101001-1-101001-4　2017

    DOI： 10.7567/APEX.10.101001 　

    ISSN： 1882-0778

    eISSN： 1882-0786

  23. History of Distributed Feedback Laser Peer-reviewed

    T. Matsuoka, K. Iwashita

    Proc. History of Electro-technology Conference (HISTELCON 2017)　127-132　2017

  24. History of blue LED consisted of Nitride Semiconductors Peer-reviewed

    T. Matsuoka

    Proc. History of Electro-technology Conference (HISTELCON 2017)　121-126　2017

  25. Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000(1)over-bar) p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

    Ryohei Nonoda, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(5)　05FE01-1-05FE01-4　2016/05

    DOI： 10.7567/JJAP.55.05FE01 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  26. Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

    Jinyeop Yoo, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(5)　05FA04-1-05FA04-4　2016/05

    DOI： 10.7567/JJAP.55.05FA04 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  27. Low-temperature (&gt;= 400 degrees C) growth of InN by metalorganic vapor phase epitaxy using an NH3 decomposition catalyst Peer-reviewed

    Akio Yamamoto, Kazuki Kodama, Naoteru Shigekawa, Takashi Matsuoka, Masaaki Kuzuhara

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(5)　05FD04-1-05FD04-5　2016/05

    DOI： 10.7567/JJAP.55.05FD04 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  28. Large Stokes-like shift in N-polar (0001) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes Peer-reviewed

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(5)　05FJ03-1-05FJ03-4　2016/05

    DOI： 10.7567/JJAP.55.05FJ03 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  29. Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut-angle toward a-sapphire plane Peer-reviewed

    K. Shojiki, T. Hanada, T. Tanikawa, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　55　(5S)　05FA09-1-05FA09-8　2016/04/13

    Publisher: IOP Publishing

    DOI： 10.7567/JJAP.55.05FA09 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  30. Electrical characteristics of N-polar (000(1)over-bar) p-type GaN Schottky contacts Peer-reviewed

    Toshichika Aoki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka, Kenji Shiojima

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(4)　04EJ09-1-04EJ09-5　2016/04

    DOI： 10.7567/JJAP.55.04EJ09 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  31. Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (000(1)over-bar) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

    Kanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Takuya Iwabuchi, Noritaka Usami, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    APPLIED PHYSICS LETTERS　106　(22)　222102-1-222102-4　2015/06

    DOI： 10.1063/1.4922131 　

    ISSN： 0003-6951

    eISSN： 1077-3118

  32. Red to blue wavelength emission of N-polar (000(1)over-bar) lnGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

    Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Jung-Hun Choi, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　8　(6)　061005-1-061005-4　2015/06

    DOI： 10.7567/APEX.8.061005 　

    ISSN： 1882-0778

    eISSN： 1882-0786

  33. Overview of Nitride Semiconductors Peer-reviewed

    Takashi Matsuoka

    INTERNATIONAL JOURNAL OF OPTOMECHATRONICS　9　(1)　1-8　2015/01

    DOI： 10.1080/15599612.2014.944292 　

    ISSN： 1559-9612

    eISSN： 1559-9620

  34. Progresses and Future Prospects in Nitride Semiconductors: Crystal Growth and Device Applications FOREWORD Peer-reviewed

    Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(10)　1-1　2014/10

    DOI： 10.7567/JJAP.53.100200 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  35. Improvement of surface morphology of nitrogen-polar GaN by introducing indium surfactant during MOVPE growth Peer-reviewed

    Takashi Aisaka, Tomoyuki Tanikawa, Takeshi Kimura, Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(8)　085501 1-4　2014/08

    DOI： 10.7567/JJAP.53.085501 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  36. Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Peer-reviewed

    J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　14　(8)　6112-6115　2014/08

    DOI： 10.1166/jnn.2014.8306 　

    ISSN： 1533-4880

    eISSN： 1533-4899

  37. Homoepitaxy of ZnO and MgZnO Films at 90 degrees C Peer-reviewed

    Dirk Ehrentraut, Gregory K. L. Goh, Katsushi Fujii, Chin Chun Ooi, Le Hong Quang, Tsuguo Fukuda, Masataka Kano, Yuantao Zhang, Takashi Matsuoka

    JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY　214　96-100　2014/06

    DOI： 10.1016/j.jssc.2013.10.008 　

    ISSN： 0022-4596

    eISSN： 1095-726X

  38. Effect of c-plane sapphire substrate miscut angle on indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN Peer-reviewed

    Kanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Hirofumi Shindo, Takeshi Kimura, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(5)　05FL07-1-05FL07-5　2014/05

    DOI： 10.7567/JJAP.53.05FL07 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  39. Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (000(1) over bar) GaN/sapphire Peer-reviewed

    Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Takashi Aisaka, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(5)　05FL05 1-4　2014/05

    DOI： 10.7567/JJAP.53.05FL05 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  40. Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

    Yuantao Zhang, Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertusk, Takuya Iwabuchi, Suresh Kumar, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    Thin Solid Films　536　152-155　2013/06/01

    DOI： 10.1016/j.tsf.2013.04.004 　

    ISSN： 0040-6090

  41. AlGaN/GaN MIS-gate HEMTs with SiCN gate stacks Peer-reviewed

    K. Kobayashi, M. Kano, T. Yoshida, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Otsuji, T. Suemitsu

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　10　(5)　790-793　2013/05

    DOI： 10.1002/pssc.201200609 　

    ISSN： 1862-6351 1610-1642

  42. AlGaN/GaN MIS-gate HEMTs with SiCN gate stacks

    K. Kobayashi, T. Yoshida, T. Otsuji, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Suemitsu

    IEICE Technical Report　112　(380)　75-78　2013/01/17

    Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

    ISSN： 0913-5685

    More details Close

    This paper reports AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor (MIS)-gate high electron mobility transistors (HEMTs) with a SiCN gate stack deposited by PECVD using HMDS vapor A transconductance of 69 mS/mm and a current gain cutoff frequency (fT) of 25 GHz are obtained for the SiCN MIS-HEMTs with a gate length of 0 .3 μm These performances are better than those of the Schottky-gate reference devices To clarify the origin of these improvements, we venfied the cleaning effect of hydrogen used as a carner gas for HMDS during the PECVD of SiCN The results indicate that the hydrogen annealing improves the drain current density and fr as well as it suppresses the current collapse

  43. Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE Peer-reviewed

    Jung-Hun Choi, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3　10　(3)　417-420　2013

    DOI： 10.1002/pssc.201200667 　

    ISSN： 1862-6351

  44. Erratum: Strain relaxation mechanism of InGaN thin film grown on m-GaN [Phys. Status Solidi C 8, 444-446 (2011)]

    T. Hanada, T. Shimada, S. Y. Ji, K. Hobo, Y. H. Liu, T. Matsuoka

    Phys. Status Solidi C　9　(8-9)　1856-1856　2012/07/09

    DOI： 10.1002/pssc.201270001 　

  45. Raman-scattering characterization of InN films grown by pressurized metal organic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

    Jung Gon Kim, Yasuhito Kamei, Atsuhito Kimura, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Kenji Kisoda, Yu Huai Liu, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　249　(4)　779-783　2012/04

    DOI： 10.1002/pssb.201147452 　

    ISSN： 0370-1972

  46. Tilted Domain and Indium Content of InGaN Layer on m-Plane GaN Substrate Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Peer-reviewed

    Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Takaaki Shimada, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(4)　2012/04

    DOI： 10.1143/JJAP.51.04DH01 　

    ISSN： 0021-4922

  47. Effect of Phase Purity on Dislocation Density of Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Grown InN Peer-reviewed

    Takuya Iwabuchi, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Yuantao Zhang, Kiattiwut Prasertsuk, Haruna Watanabe, Noritaka Usami, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(4)　1-4　2012/04

    DOI： 10.1143/JJAP.51.04DH02 　

    ISSN： 0021-4922

  48. Phase diagram on phase purity of InN grown pressurized-reactor MOVPE Peer-reviewed

    Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertsuk, Yuantao Zhang, Yuhuai Liu, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4　9　(3-4)　654-657　2012

    DOI： 10.1002/pssc.201100390 　

    ISSN： 1862-6351

  49. Relationship between residual carrier density and phase purity in InN grown by pressurized-reactor MOVPE Peer-reviewed

    Kiattiwut Prasertsuk, Masaki Hirata, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Yuantao Zhang, Takuya Iwabuchi, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4　9　(3-4)　681-684　2012

    DOI： 10.1002/pssc.201100404 　

    ISSN： 1862-6351

  50. Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN Films Peer-reviewed

    Jung-Hun Choi, Suresh Kumar, Shi-Yang Ji, Shojiki Kanako, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    MATERIALS INTEGRATION　508　193-+　2012

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/KEM.508.193 　

    ISSN： 1013-9826

  51. Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides Invited Peer-reviewed

    Ryuji Katayama, Yujiro Fukuhara, Masahiro Kakuda, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Syusai Kurokawa, Naoto Fujii, Takashi Matsuoka

    QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES IX　8268　2012

    DOI： 10.1117/12.909831 　

    ISSN： 0277-786X

  52. A novel substrate LaBGeO5 lattice-matched to InN Peer-reviewed

    Shintaro Miyazawa, Satoru Ichikawa, Yuhuai Liu, Shiyang Ji, Takashi Matsuoka, Hideo Nakae

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　208　(5)　1195-1198　2011/05

    DOI： 10.1002/pssa.201000909 　

    ISSN： 1862-6300

    eISSN： 1862-6319

  53. Effect of growth temperature on structure properties of InN grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

    Yuantao Zhang, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Masaki Hirata, Kiattiwut Prasertusk, Shiyang Ji, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2　8　(2)　482-484　2011

    DOI： 10.1002/pssc.201000464 　

    ISSN： 1862-6351

  54. Strain relaxation mechanism of InGaN thin film grown on m-GaN Peer-reviewed

    Takashi Hanada, Taka-aki Shimada, Shi-Yang Ji, Kenji Hobo, Yuhuai Liu

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2　8　(2)　444-446　2011

    DOI： 10.1002/pssc.201000565 　

    ISSN： 1862-6351

  55. Paving the way to high-quality Indium Nitride -The effects of pressurized reactor - Invited Peer-reviewed

    Takashi Matsuoka, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Yuantao Zhang, Kiattiwut Prasertsuk, Ryuji Katayama

    QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES VIII　7945　1-5　2011

    DOI： 10.1117/12.869771 　

    ISSN： 0277-786X

  56. Growth Temperature Dependence of Phase Purity in InN Grown by Pressurized Reactor MOVPE Peer-reviewed

    T. Kimura, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, J. G. Kim, N. Hasuike, H. Harima, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Workshop Nitride Semicond. (IWN2010)　AP1.49　2010

  57. MOVPE growth of InN: a comparison between a horizontal and a vertical reactor Peer-reviewed

    Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Taka-aki Shimada, Masaki Hirata, Masaki Wakaba, Masashi Nakao, Shi-Yang Ji, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2　6　(S2)　S381-S384　2009

    DOI： 10.1002/pssc.200880914 　

    ISSN： 1862-6351

  58. Fabricating gratings on nitrides grown by MOVPE for DFB lasers Peer-reviewed

    Masashi Nakao, Takeshi Kimura, Yuhuai Liu, Shi-Yang Ji, Takashi Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2　6　(S2)　S893-S896　2009

    DOI： 10.1002/pssc.200880909 　

    ISSN： 1862-6351

  59. A simple method for analyzing peak broadening due to tilt and twist distributions in X-ray diffraction measurements of materials of arbitrary type Peer-reviewed

    Kiichi Nakashima, Takashi Matsuoka

    JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY　41　191-197　2008/02

    DOI： 10.1107/S0021889807064011 　

    ISSN： 0021-8898

  60. 1.5-mu m emission of naturally-oxidized InN crystals grown by MOVPE Peer-reviewed

    M. Nakao, T. Shimada, M. Wakaba, N. Motegi, A. Gomyo, S. Mizuno, T. Matsuoka

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9　5　(9)　3063-+　2008

    DOI： 10.1002/pssc.200779273 　

    ISSN： 1862-6351

  61. Mysterious material InN in nitride semiconductors - What's the bandgap energy and its application? Invited Peer-reviewed

    Takashi Matsuoka, Masashi Nakao

    The 2007 IEEE Intern. Conf. Indium Phosphide and Related Mat. (IPRM) Proceedings　372-375　2008

    ISSN： 1092-8669

  62. Progress in MOVPE-growth of GaN to InN Peer-reviewed

    Takashi Matsuoka

    QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES V　6900　69000S-1-69000S-6　2008

    DOI： 10.1117/12.768644 　

    ISSN： 0277-786X

  63. Calculation of phase separation in wurtzite In1-x-y-zGaxAlyBzN Peer-reviewed

    Takeshi Kimura, Takashi Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(20-24)　L574-L576　2007/06

    DOI： 10.1143/JJAP.46.L574 　

    ISSN： 0021-4922

  64. New possibility of MOVPE-growth in GaN and InN - Polarization in GaN and nitrogen-incorporation in InN - Invited Peer-reviewed

    Takashi Matsuoka

    GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES II　6473　1-12　2007

    DOI： 10.1117/12.707607 　

    ISSN： 0277-786X

  65. N-polarity GaN on sapphire substrate grown by MOVPE Peer-reviewed

    Takashi Matsuoka, Yasuyuki Kobayashi, Hiroko Takahata, Toshitugu Mitate, Seiichiro Mizuno, Atsushi Sasaki, Mamoru Yoshimoto, Tuyoshi Ohnishi, Masatomo Sumiya

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　243　(7)　1446-1450　2006/06

    DOI： 10.1002/pssb.200565456 　

    ISSN： 0370-1972

    eISSN： 1521-3951

  66. High resolution hard X-ray photoemission using synchrotron radiation as an essential tool for characterization of thin solid films Invited Peer-reviewed

    J. J. Kim, E. Ikenaga, M. Kobata, A. Takeuchi, M. Awaji, H. Makino, P. P. Chen, A. Yamamoto, T. Matsuoka, D. Miwa, Y. Nishino, T. Yamamoto, T. Yao, K. Kobayashi

    APPLIED SURFACE SCIENCE　252　(15)　5602-5606　2006/05

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2005.12.032 　

    ISSN： 0169-4332

  67. Nitride-semiconductor technologies for blue lasers Invited Peer-reviewed

    Takashi Matsuoka

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　6050　60500K1-60500K9　2006

    DOI： 10.1117/12.659862 　

    ISSN： 0277-786X

  68. InN polarity determination by convergent-beam electron diffraction Peer-reviewed

    T Mitate, S Mizuno, H Takahata, R Kakegawa, T Matsuoka, N Kuwano

    APPLIED PHYSICS LETTERS　86　(13)　134103-1-134103-3　2005/03

    DOI： 10.1063/1.1885174 　

    ISSN： 0003-6951

  69. Progress in nitride semiconductors from GaN to InN - MOVPE growth and characteristics Invited Peer-reviewed

    Takashi Matsuoka

    Superlattices and Microstructures　37　(1)　19-32　2005/01

    DOI： 10.1016/j.spmi.2004.06.003 　

    ISSN： 0749-6036

  70. MOVPE growth and photoluminescence of wurtzite InN Peer-reviewed

    T Matsuoka, H Okamoto, H Takahata, T Mitate, S Mizuno, Y Uchiyama, T Makimoto

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　269　(1)　139-144　2004/08

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.05.057 　

    ISSN： 0022-0248

    eISSN： 1873-5002

  71. Experimental consideration of optical band-gap energy of wurtzite InN Peer-reviewed

    T Matsuoka, M Nakao, H Okamoto, H Harima, E Kurimoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　42　(4B)　2288-2290　2003/04

    DOI： 10.1143/JJAP.42.2288 　

    ISSN： 0021-4922

  72. Growth of wurtzite InN using MOVPE and its optical characteristics Peer-reviewed

    T Matsuoka, H Okamoto, M Nakao

    5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS　0　(7)　2806-2809　2003

    DOI： 10.1002/pssc.200303301 　

    ISSN： 1862-6351

  73. Optical bandgap energy of wurtzite InN Peer-reviewed

    T Matsuoka, H Okamoto, M Nakao, H Harima, E Kurimoto

    APPLIED PHYSICS LETTERS　81　(7)　1246-1248　2002/08

    DOI： 10.1063/1.1499753 　

    ISSN： 0003-6951

    eISSN： 1077-3118

  74. GaN growth on novel lattice-matching substrate: Tilted M-plane sapphire Peer-reviewed

    T Matsuoka, E Hagiwara

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　188　(2)　485-489　2001/11

    DOI： 10.1002/1521-396X(200112)188:2<485::AID-PSSA485>3.0.CO;2-# 　

    ISSN： 0031-8965

  75. Green LEDs look good for plastic-fiber LAN transmission Peer-reviewed

    T Matsuoka

    LASER FOCUS WORLD　37　(1)　9-9　2001/01

    ISSN： 0740-2511

  76. First plastic optical fibre transmission experiment using 520nm LEDs with intensity modulation/direct detection Peer-reviewed

    T Matsuoka, T Ito, T Kaino

    ELECTRONICS LETTERS　36　(22)　1836-1837　2000/10

    DOI： 10.1049/el:20001336 　

    ISSN： 0013-5194

    eISSN： 1350-911X

  77. Polarity of GaN grown on (001) beta-LiGaO2 Peer-reviewed

    T Matsuoka, T Ishii

    PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS　1　11-14　2000

  78. Surface cleaning with hydrogen plasma for low-defect-density ZnSe homoepitaxial growth Peer-reviewed

    T Ohno, A Ohki, T Matsuoka

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　16　(4)　2539-2545　1998/07

    DOI： 10.1116/1.581378 　

    ISSN： 0734-2101

    eISSN： 1520-8559

  79. Unstable mixing region in wurtzite In1-X-YGaXAlYN Peer-reviewed

    T Matsuoka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　189　19-23　1998/06

    DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00148-1 　

    ISSN： 0022-0248

    eISSN： 1873-5002

  80. Room-temperature CW operation of II-VI lasers grown on ZnSe substrates cleaned with hydrogen plasma Peer-reviewed

    T Ohno, A Ohki, T Matsuoka

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　184　550-553　1998/02

    ISSN： 0022-0248

    eISSN： 1873-5002

  81. Phase separation in wurtzite In1-x-yGaxAlyN Peer-reviewed

    T Matsuoka

    MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH　3　(54)　54　1998

    ISSN： 1092-5783

  82. Reactive Fast-Atom-Beam-Etching of GaN, InGaN, and AlGaN using Cl2 Peer-reviewed

    H. Tanaka, A. Nakadaira, T. Matsuoka

    Proceedings of the Topical Workshop on III-V Nitrides　71-73　1997/12/31

  83. Calculation of unstable mixing region in wurtzite In1-x-yGaxAlyN Peer-reviewed

    T Matsuoka

    APPLIED PHYSICS LETTERS　71　(1)　105-106　1997/07

    DOI： 10.1063/1.119440 　

    ISSN： 0003-6951

    eISSN： 1077-3118

  84. Continuous-wave operation of ZnSe-based laser diodes homoepitaxially grown on semi-insulating ZnSe substrates Peer-reviewed

    A Ohki, T Ohno, T Matsuoka, Y Ichimura

    ELECTRONICS LETTERS　33　(11)　990-991　1997/05

    DOI： 10.1049/el:19970624 　

    ISSN： 0013-5194

    eISSN： 1350-911X

  85. Investigation of degradation in homoepitaxially grown ZnCdSe/ZnSe light emitting diode Peer-reviewed

    T Ohno, A Ohki, T Matsuoka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　36　(2B)　L190-L193　1997/02

    DOI： 10.1143/jjap.36.L190 　

    ISSN： 0021-4922

  86. InGaAlN and II-VI systems for blue-green light-emitting devices Peer-reviewed

    T Matsuoka

    ADVANCED MATERIALS　8　(6)　469-479　1996/06

    DOI： 10.1002/adma.19960080603 　

    ISSN： 0935-9648

    eISSN： 1521-4095

  87. Low temperature grown Be-doped InAlP band offset reduction layer to p-type ZnSe Peer-reviewed

    K Iwata, H Asahi, T Ogura, J Sumino, S Gonda, A Ohki, Y Kawaguchi, T Matsuoka

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS　25　(4)　637-641　1996/04

    ISSN： 0361-5235

  88. Molecular beam epitaxy growth and characteristics of p-type Ge/p-type ZnSe heterostructures Peer-reviewed

    A Ohki, T Ohno, T Matsuoka

    BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES　252-255　1996

  89. Lattice-matching growth of InGaAlN systems Invited Peer-reviewed

    T Matsuoka

    GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS　395　39-50　1996

    ISSN： 0272-9172

  90. GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY GROWTH OF INALP BAND-OFFSET REDUCTION LAYERS ON P-TYPE ZNSE Peer-reviewed

    K IWATA, H ASAHI, JH KIM, XF LIU, S GONDA, Y KAWAGUCHI, A OHKI, T MATSUOKA

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　150　(1-4)　833-837　1995/05

    ISSN： 0022-0248

    eISSN： 1873-5002

  91. THE INGAALN SYSTEM AS A COMPETITOR OF ZNSE Invited Peer-reviewed

    T MATSUOKA

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　187　(2)　471-476　1995/02

    DOI： 10.1002/pssb.2221870228 　

    ISSN： 0370-1972

    eISSN： 1521-3951

  92. EFFECT OF TILTED SUBSTRATES ON P-TYPE DOPING IN ZNSE AND ZNCDSE/ZNSE QUANTUM-WELLS Peer-reviewed

    T MATSUOKA, T OHNO, A OHKI, Y KAWAGUCHI

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　187　(2)　401-406　1995/02

    ISSN： 0370-1972

    eISSN： 1521-3951

  93. ANALYSIS OF 2-STEP-GROWTH CONDITIONS FOR GAN ON AN ALN BUFFER LAYER Peer-reviewed

    T SASAKI, T MATSUOKA

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　77　(1)　192-200　1995/01

    DOI： 10.1063/1.359368 　

    ISSN： 0021-8979

    eISSN： 1089-7550

  94. ZNCDSE/ZNSE QUANTUM-WELL LASER-DIODE ON A (711)A GAAS SUBSTRATE Peer-reviewed

    T OHNO, Y KAWAGUCHI, A OHKI, T MATSUOKA

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　33　(10)　5766-5773　1994/10

    DOI： 10.1143/JJAP.33.5766 　

    ISSN： 0021-4922

  95. COMPARISON OF GAN-BASED AND ZNSE-BASED MATERIALS FOR LIGHT EMITTERS Invited Peer-reviewed

    T MATSUOKA, A OHKI, T OHNO, Y KAWAGUCHI

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　138　(1-4)　727-736　1994/04

    DOI： 10.1016/0022-0248(94)90898-2 　

    ISSN： 0022-0248

    eISSN： 1873-5002

  96. Current Status of GaN and Compounds as Wide-Gap Semiconductor Invited Peer-reviewed

    T MATSUOKA

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　124　(1-4)　433-438　1992/11

    DOI： 10.1016/0022-0248(92)90496-6 　

    ISSN： 0022-0248

    eISSN： 1873-5002

  97. Wide-gap semiconductor InGaN and InGaAln grown by MOVPE Peer-reviewed

    T. Matsuoka, N. Yoshimoto, T. Sasaki, A. Katsui

    Journal of Electronic Materials　21　(2)　157-163　1992/02

    Publisher: Springer-Verlag

    DOI： 10.1007/BF02655831 　

    ISSN： 0361-5235 1543-186X

  98. PHOTOLUMINESCENCE OF INGAN FILMS GROWN AT HIGH-TEMPERATURE BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY Peer-reviewed

    N YOSHIMOTO, T MATSUOKA, T SASAKI, A KATSUI

    APPLIED PHYSICS LETTERS　59　(18)　2251-2253　1991/10

    DOI： 10.1063/1.106086 　

    ISSN： 0003-6951

    eISSN： 1077-3118

  99. Reactive Fast Atom Beam Etching of a Wide-Gap Semiconductor GaN Peer-reviewed

    H. Tanaka, F. Shimokawa, T. Sasaki, T. Matsuoka

    J. Optoelectronics　6　(1)　150-153　1991/06

    ISSN： 0912-5434

  100. CRYSTALLINITY OF GAN FILM GROWN BY ECR PLASMA-EXCITED MOVPE Peer-reviewed

    H SATO, T SASAKI, T MATSUOKA, A KATSUI

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　29　(9)　1654-1655　1990/09

    ISSN： 0021-4922

  101. Growth and Properties of a Wide-Gap Semiconductor InGaN Peer-reviewed

    T. Matsuoka, T. Sasaki, A. Katsui

    J. Optoelectronics　5　(1)　53-64　1990/06

  102. Wide-Gap Semiconductor (In, Ga)N Peer-reviewed

    T MATSUOKA, H TANAKA, T SASAKI, A KATSUI

    Institute of Physics Conference Series　106　141-146　1990

  103. MOVPE-GROWN GAN ON POLAR PLANES OF 6H-SIC Peer-reviewed

    T SASAKI, T MATSUOKA, A KATSUI

    APPLIED SURFACE SCIENCE　41-2　504-508　1989/11

    DOI： 10.1016/0169-4332(89)90110-4 　

    ISSN： 0169-4332

    eISSN： 1873-5584

  104. SUBSTRATE-POLARITY DEPENDENCE OF METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY-GROWN GAN ON SIC Peer-reviewed

    T SASAKI, T MATSUOKA

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　64　(9)　4531-4535　1988/11

    DOI： 10.1063/1.341281 　

    ISSN： 0021-8979

    eISSN： 1089-7550

  105. 高出力1.5μｍ帯分布帰還形レーザの設計とその特性 Peer-reviewed

    松岡隆志, 吉国裕三, 本杉常治, 遠谷光広

    電子通信学会　J70-C　(3)　369-378　1987/03

    Publisher:

    ISSN： 0913-5723

  106. Design and performance of high‐power 1.5 μm DFB lasers Peer-reviewed

    Takashi Matsuoka, Yuzo Yoshikuni, George Motosugi, Mitsuhiro Enya

    Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics)　70　(12)　369-378　1987

    DOI： 10.1002/ecjb.4420701208 　

    ISSN： 1520-6432 8756-663X

  107. InP Etchant for Submicron Patterns Peer-reviewed

    T MATSUOKA, H NAGAI

    JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY　133　(12)　2485-2491　1986/12

    DOI： 10.1149/1.2108455 　

    ISSN： 0013-4651

    eISSN： 1945-7111

  108. Broad Wavelength Tuning under Single-Mode Oscillation with a Multi-Electrode Distributed Feedback Laser Peer-reviewed

    Y YOSHIKUNI, K OE, G MOTOSUGI, T MATSUOKA

    ELECTRONICS LETTERS　22　(22)　1153-1154　1986/10

    DOI： 10.1049/el:19860789 　

    ISSN： 0013-5194

    eISSN： 1350-911X

  109. TEMPERATURE-RANGE FOR DFB MODE OSCILLATION IN 1.5 MU-M INGAASP/INP DFB LASERS Peer-reviewed

    T MATSUOKA

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　25　(8)　1206-1210　1986/08

    ISSN： 0021-4922

  110. InGaAsP/InP DFB-BH Lasers with Both Facets Cleaved Structures Peer-reviewed

    H. Nagai, T. Matsuoka, Y. Noguchi, Y. Suzuki, Y. Yoshikuni

    IEEE J. Quantum Electron.　QE-22　(3)　450-457　1986/03

    DOI： 10.1109/JQE.1986.1072981 　

  111. SUFFICIENTLY SIDE-MODE-SUPPRESSED HIGH-OUTPUT-POWER 1.5 MU-M DFB LASERS Peer-reviewed

    J YOSHIDA, Y ITAYA, Y NOGUCHI, T MATSUOKA, Y NAKANO

    ELECTRONICS LETTERS　22　(6)　327-328　1986/03

    DOI： 10.1049/el:19860224 　

    ISSN： 0013-5194

    eISSN： 1350-911X

  112. Verification of the Light Phase Effect at the Facet on DFB Laser Properties Peer-reviewed

    T MATSUOKA, Y YOSHIKUNI, H NAGAI

    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS　21　(12)　1880-1886　1985/12

    DOI： 10.1109/JQE.1985.1072596 　

    ISSN： 0018-9197

    eISSN： 1558-1713

  113. THERMAL DEFORMATION OF SURFACE CORRUGATIONS ON INGAASP CRYSTALS Peer-reviewed

    H NAGAI, Y NOGUCHI, T MATSUOKA

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　71　(1)　225-231　1985

    DOI： 10.1016/0022-0248(85)90066-1 　

    ISSN： 0022-0248

    eISSN： 1873-5002

  114. BISTABLE OUTPUT CHARACTERISTICS IN SEMICONDUCTOR-LASER INJECTION LOCKING Peer-reviewed

    H KAWAGUCHI, K INOUE, T MATSUOKA, K OTSUKA

    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS　21　(9)　1314-1317　1985

    DOI： 10.1109/JQE.1985.1072847 　

    ISSN： 0018-9197

    eISSN： 1558-1713

  115. DEPENDENCE OF SINGLE-LONGITUDINAL-MODE PROBABILITY ON DFB LASER FACET STRUCTURE Peer-reviewed

    T MATSUOKA, Y YOSHIKUNI, G MOTOSUGI

    ELECTRONICS LETTERS　21　(24)　1151-1152　1985

    DOI： 10.1049/el:19850814 　

    ISSN： 0013-5194

    eISSN： 1350-911X

  116. 単一縦モード半導体レーザを用いた高速光ファイバ伝送系の符号誤り率特性 Peer-reviewed

    岩下克, 中川清司, 松岡隆志

    電子通信学会　J67-B　(12)　1415-1422　1984/12

    Publisher:

    ISSN： 0373-6105

  117. LONGITUDINAL MODE BEHAVIORS OF 1.5 MU-M RANGE GAINASP-INP DISTRIBUTED FEEDBACK LASERS Peer-reviewed

    Y ITAYA, T MATSUOKA, K KUROIWA, T IKEGAMI

    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS　20　(3)　230-235　1984

    DOI： 10.1109/JQE.1984.1072378 　

    ISSN： 0018-9197

  118. EFFECT OF THE GRATING PHASE AT THE CLEAVED FACET ON DFB LASER PROPERTIES Peer-reviewed

    T MATSUOKA, H NAGAI, Y NOGUCHI, Y SUZUKI, Y KAWAGUCHI

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　23　(3)　L138-L140　1984

  119. INP/INGAASP P-TYPE SUBSTRATE AND MASS TRANSPORTED DOUBLY BURIED HETEROSTRUCTURE LASER Peer-reviewed

    Y NOGUCHI, Y SUZUKI, T MATSUOKA, H NAGAI

    ELECTRONICS LETTERS　20　(19)　769-771　1984

    DOI： 10.1049/el:19840524 　

    ISSN： 0013-5194

  120. MODE BEHAVIOR IMPROVEMENT IN DFB LDS BY LIGHT PHASE-CONTROL AT THE FACET Peer-reviewed

    T MATSUOKA, H NAGAI, Y SUZUKI, Y NOGUCHI, K WAKITA

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　23　(10)　L782-L784　1984

  121. HIGH-POWER SLM OPERATION OF 1.3-MU-M INP/INGAASP DFB LD WITH DOUBLY BURIED HETEROSTRUCTURE ON P-TYPE INP SUBSTRATE Peer-reviewed

    Y SUZUKI, H NAGAI, Y NOGUCHI, T MATSUOKA, K KURUMADA

    ELECTRONICS LETTERS　20　(21)　881-882　1984

    DOI： 10.1049/el:19840598 　

    ISSN： 0013-5194

  122. FINE-STRUCTURES IN THE BROADENED LINE OF DISTRIBUTED FEEDBACK LASERS UNDER HIGH-SPEED DIRECT MODULATION Peer-reviewed

    Y YOSHIKUNI, T MATSUOKA, G MOTOSUGI, N YAMANAKA

    APPLIED PHYSICS LETTERS　45　(8)　820-822　1984

    DOI： 10.1063/1.95430 　

    ISSN： 0003-6951

  123. PREVENTION OF SURFACE CORRUGATION THERMAL DEFORMATION FOR INGAASP/INP DFB LASERS Peer-reviewed

    H NAGAI, Y NOGUCHI, T MATSUOKA, Y SUZUKI

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　22　(5)　L291-L293　1983

    DOI： 10.1143/JJAP.22.L291 　

  124. HYBRID LPE/MBE-GROWN INGAASP INP DFB LASERS Peer-reviewed

    H ASAHI, Y KAWAMURA, Y NOGUCHI, T MATSUOKA, H NAGAI

    ELECTRONICS LETTERS　19　(14)　507-509　1983

    DOI： 10.1049/el:19830345 　

    ISSN： 0013-5194

  125. HIGH-POWER SINGLE-LONGITUDINAL-MODE OPERATION OF 1.3-MU-M DFB-DC-PBH LD Peer-reviewed

    M KITAMURA, M SEKI, M YAMAGUCHI, MITO, I, K KOBAYASHI, K KOBAYASHI, T MATSUOKA

    ELECTRONICS LETTERS　19　(20)　840-841　1983

    DOI： 10.1049/el:19830572 　

    ISSN： 0013-5194

    eISSN： 1350-911X

  126. GAINASP-INP DH LASER ON SEMI-INSULATING INP SUBSTRATE WITH TERRACE STRUCTURE Peer-reviewed

    T MATSUOKA, Y SUZUKI, Y NOGUCHI, H NAGAI

    ELECTRONICS LETTERS　18　(9)　359-361　1982

    DOI： 10.1049/el:19820246 　

    ISSN： 0013-5194

  127. 400 MBIT/S TRANSMISSION TEST USING A 1.53 MU-M DFB LASER DIODE AND 104 KM SINGLE-MODE FIBER Peer-reviewed

    K IWASHITA, K NAKAGAWA, T MATSUOKA, M NAKAHARA

    ELECTRONICS LETTERS　18　(22)　937-938　1982

    DOI： 10.1049/el:19820643 　

    ISSN： 0013-5194

  128. NEW 1.5 MU-M WAVELENGTH GAINASP INP DISTRIBUTED FEEDBACK LASER Peer-reviewed

    Y ITAYA, T MATSUOKA, Y NAKANO, Y SUZUKI, K KUROIWA, T IKEGAMI

    ELECTRONICS LETTERS　18　(23)　1006-1008　1982

    DOI： 10.1049/el:19820689 　

    ISSN： 0013-5194

  129. CW OPERATION OF DFB-BH GAINASP INP LASERS IN 1,5-MU-M WAVELENGTH REGION Peer-reviewed

    T MATSUOKA, H NAGAI, Y ITAYA, Y NOGUCHI, Y SUZUKI, T IKEGAMI

    ELECTRONICS LETTERS　18　(1)　27-28　1982

    DOI： 10.1049/el:19820020 　

    ISSN： 0013-5194

  130. 1.5 MU-M REGION INP-GAINASP BURIED HETEROSTRUCTURE LASERS ON SEMI-INSULATING SUBSTRATES Peer-reviewed

    T MATSUOKA, K TAKAHEI, Y NOGUCHI, H NAGAI

    ELECTRONICS LETTERS　17　(1)　12-14　1981

    DOI： 10.1049/el:19810010 　

    ISSN： 0013-5194

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Misc. 15

  1. GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

    谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018

  2. Crystal Growth Technology of N-polar Nitride Semiconductors by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    45　(1)　8p　2018

    Publisher: 日本結晶成長学会

    ISSN： 2188-7268

  3. 分布帰還型レーザと青色発光素子の研究開発

    MATSUOKA Takashi

    電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ News Letter　168　(1)　6-8　2018

  4. Possibility of Pressurized-Reactor MOVPE for Nitride Semiconductors

    T. Matsuoka, Y. Liu, T. Kimura, R. Katayama

    Proceedings of LED 2011　2011

  5. 窒化物半導体の有機金属気相成長

    MATSUOKA Takashi

    金属　79　(11)　23-28　2009

  6. 高濃度に酸素添加されたInNの電子状態

    山本哲也, 牧野久雄, KIM J. J, CHEN P. P, 山本あき勇, 松岡隆志, 高田恭孝, 池永英司, 西野吉則

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　52nd　(1)　383　2005/03/29

  7. InN

    松岡隆志

    光技術動向調査委員会報告書　56-62　2004/03

    Publisher: 光産業技術振興協会

  8. 窒化インジウムのバンドギャップは従来報告の半分

    松岡隆志

    日経先端技術　24　1-2　2002/10/28

    Publisher: 日本経済新聞社

  9. 赤から紫へ −半導体可視発光素子の開発−

    松岡隆志

    電気学会誌　117　(5)　299-302　1997/05

    Publisher: 電気学会

    DOI： 10.1541/ieejjournal.117.299 　

    ISSN： 1340-5551

  10. Substrates for Epitaxial Growth of InGaAlN System and Growth on Their Substrates

    MATSUOKA Takashi

    Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　23　(4)　345-353　1996/09/25

    Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)

    ISSN： 0385-6275

    More details Close

    The properties of substrate lattice-matching to InGaAlN, which has progressed in light emitting devices in the wavelength shorter than that of green light, and high-power transport devices operated at high temperature, are described. The lattice constant, crystal structure, cleavability and its direction of substrates is explained in comparison with InGaAlN. Of the sapphire substrates widely used at present, the (011^^-0) plane is shown to be the most suitable substrate commercially available. The GaN growth on a (0001) 6H-SiC substrate with polarity is introduced and the substrate polarity is described to severely affect the crystalline quality of an epitaxially grown film. This paper also reviews (101) NdGaO_3 and (111) MgAl_2O_4 as substrates nearly lattice-matched to GaN. The In_<0.22>Ga_<0.78>N on a house-made (0001) ZnO substrate is reported as the only attempt of lattice-matching growth in InGaAlN.

  11. 青色半導体発光素子

    松岡隆志

    ＮＴＴ技術ジャーナル　9　76-80　1996/09

    Publisher: NTT

  12. InGaAlNエピタキシャル成長用基板およびその上のエピタキシャル成長

    松岡隆志

    日本結晶成長学会誌　23　(3)　51-59　1996/03

    Publisher: 日本結晶成長学会

  13. 半導体ワイドバンドギャップ素子

    松岡隆志

    光技術動向調査委員会報告書　46-55　1995/03

    Publisher: 光産業技術振興協会

  14. 1.55 μm F-400M System

    K. Aida, Y. Hayashi, T. Matsuoka

    Review of the Electrical Communications Laboratories　35　(6)　621-626　1987/06

    Publisher: NTT

  15. 1.5μm帯光伝送方式用DFBレーザ

    松岡隆志, 吉国裕三, 中野好典, 車田克彦

    NTT 研究実用化報告　36　(3)　331-338　1987/03

    Publisher: NTT

    ISSN： 0415-3200

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Books and Other Publications 8

  1. Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds ~Computational Approach~

    Takashi Matsuoka, Yoshihiro Kangawa

    Springer　2018

  2. 未来をさがそう 韓国語版

    松岡 隆志

    ダイヤモンド社　2007

  3. 未来をさがそう

    東倉洋一, 清水雅史, 曽根原登, 鳥光慶一, 松岡隆志, 山田一郎, 大和淳司

    ダイヤモンド社　2005/11/04

  4. Advanced Materials in Electronics 2004

    K.S.A.Butcher, Q.Guo, T.Matsuoka, A.Yamamoto, Y.Sato, H.Itoh, T.Yamaguchi, Y.Chang, Z.Wu, H.Dumont 他

    Research Signpost　2004/12/31

  5. 新編 光学材料ハンドブック

    前田三男, 原 勝男, 皆方 誠, 小林孝嘉, 吉國裕三, 小山二三夫, 米津宏雄, 松岡隆志, 石田祐三, 高橋史郎, 谷内哲夫, 宮 哲雄, 村田則夫

    株式会社 リアライズ社　2000/12/25

  6. "Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, Vol. 2, "GaN and Related Materials"

    J.I.Pankove, C.R.Abernathy, Takashi Matsuoka, F. A. Ponce, S. K. Estreicher, M. Sato, T.L.Tansley, S. Porowski, P. Perlin, S. J. Pearton

    Oversea Publishers Association　1997/12/31

  7. Intermetallic Compounds: Principles and Practice

    J.H.Westbrook, R.L.Fleischer, K. Masumoto, A. Katsui, T. Matsuoka 他

    John Wiley & Sons　1995/12/31

  8. Properties of III-V Nitrides

    J.H.Edgar, I.Akasaki, T.L.Tansley, S.Porowski, W.R.L.Lambrecht, T.Matsuoka, S.C.Strite, R.F.Davis 他

    INSPEC, IEE　1994/12/31

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Presentations 625

  1. Three-Dimensional Strain Analysis near the AlGaN/GaN Heterointerface for Electron Density Analysis using 4D-STEM

    I. Kitakami, D. Morikawa, T. Matsuoka, K. Tsuda

    Asian Crystallographic Association Meeting 2025 (AsCA2025)　2025/12

  2. Development of the Semiconductor Material InGaAlN and Its Associated Innovations Invited

    T. Matsuoka

    2025 IEEE 11th International Conference on Applied System Innovation (IEEE ICASI 2025)　2025/04/22

  3. The Underemphasized Concept of Crystal Polarity in Conventional Semiconductors and Its Device Application Invited

    Takashi Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/05

  4. 収束電子回折法によるGaN/AlGaNヘテロ接合界面の微細構造解析

    北上偉武暉, 森川大輔, 松岡隆志, 津田健治

    日本顕微鏡学会 第67回シンポジウムシンポジウム　2024/11

  5. New Developments in Nitride Semiconductors Focusing on Wurtzite Structure Invited

    Takashi Matsuoka

    Asian Consortium on Computational Materials Science (ACCMS)-Global Research Center　2024/08/27

  6. 窒化物半導体の結晶成長とその光・電子デバイスへの応用 Invited

    松岡隆志

    一般社団法人 日本電子デバイス産業協会（NEDIA）　2024/07/16

  7. Semiconductor Materials and Devices Enabling Extreme Operating Characteristics Invited

    Takashi Matsuoka

    KOR-TWN-JPAN Trilateral Technology Dialogue on Semiconductor　2024/07/05

  8. New Developments in Nitride Semiconductors Focusing on Wurtzite Structure ~Inverted HEMTs, Solar Cells, and Red LEDs~ Invited

    Takashi Matsuoka

    7th International Workshop on UV Materials and Devices　2024/06/04

  9. Growth of Nitrides on Nearly Lattice-Matched Substrate ScAlMgO4 and its Application Invited

    Takashi Matsuoka, Hirotaka Yahara, Chihiro Hagiwara, Takuya Iwabuchi, Takeshi Kimura

    The 2023 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansa (IMFEDK) 2023　2023/11/17

  10. Parameter-Free Calculation for the Optical Band-Gap Energies of InGaN

    T. Matsuoka, Y. Kawazoe, T. M. Inerbaev

    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)　2023/11/13

  11. Nitride Semiconductors Realizing Sustainable Society Invited

    T. Matsuoka, T. Suemitsu

    2023 IEEE International Workshop on Metrology for Aerospace　2023/06/20

  12. 光通信用半導体レーザと窒化物半導体の研究開発を通して学んだこと ～これからの人たちへ～ Invited

    松岡隆志

    IEEE Sendai Section　2023/04/17

  13. Progress of Compound Semiconductors for the Last Half Century ～from GaAs to GaN, and from Epitaxial Growth to Devices～ Invited

    T. Matsuoka

    The 23rd RIES-Hokudai International Symposium “拓 [Taku]”　2022/12/05

  14. N-Polar Growth of Nitride Semiconductors with MOVPE and its Applications

    T. Matsuoka, T. Suemitsu

    20th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX)

  15. Growth and Devices of N-Polar Nitride Semiconductors Invited

    T. Matsuoka

    Advanced Materials and Semiconductor Technology Workshop　2021/10/28

  16. The Drawn to the Future of Nitride Semiconductors Invited

    T. Matsuoka

    3rd Global Conference & Expo on Materials Science and Engineering (ISTMAE-2021)　2021/08/28

  17. Evidence of carrier trapping at extrinsic gate region in N-polar GaN/AlGaN MIS HEMTs

    K. Prasertsuk, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma)　2021/03

  18. Crystal Growth of ScAlMgO4 and GaN on ScAlMgO4 for GaN-Based Optical Devices, High-Power and High-Frequency Transistors Invited

    T. Fukuda, Y. Shiraishi, T. Nanto, T. Fujii, K. Sugiyama, R. Simura, H. Iechi, K. Tadatomo, T. Matsuoka

    8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)　2021/03/01

  19. Research on Nitride Semiconductors ~from the Dawn, through the Present, to the Future~ Invited

    2020/10/07

  20. My Research on Nitrides and their Future ~Epitaxial Growth, Materials, and Device Applications~ Invited

    T. Matsuoka

    National Chiao Tung University (NCTU) Workshop, 2　2019/12/17

  21. Potential of N-Polarity in Applications for GaN-Based Devices Invited

    T. Matsuoka

    National Chiao Tung University (NCTU)/Tohoku University Workshop on High Voltage　2019/12/16

  22. Epitaxial Growth of N-Polar Nitride Semiconductors and its Device Applications Invited

    T. Matsuoka

    Materials Research Meeting 2019 (MRM 20219)　2019/12/10

  23. The World of Nitride Semiconductors Invited

    T. Matsuoka

    Global Submit on Material Science & Engineering Material Science 2019 (GSEMSE 2019)　2019/11/14

  24. GaN薄膜結晶成長における揺籃期を振り返る Invited

    松岡隆志

    一般財団法人 光産業技術振興協会　2019/11/07

  25. From the Drawn, Through the Present, to the Future of Nitride Semiconductors Invited

    T. Matsuoka

    2019 Technical Workshop for International Joint Research between Tohoku University and NCTU　2019/11/05

  26. 窒化物半導体とは？ そして、その素子応用の現状と将来性は？ Invited

    松岡隆志

    新規事業研究会 第320回 月例研究会　2019/09

  27. The Drawn to the Future of Nitride Semiconductors Invited

    T. Matsuoka

    International Congress on Advanced Materials (AMSE-Japan)　2019/08

  28. Contribution of Nitride Semiconductors to Sustainable Society" Invited

    T. Matsuoka

    International Congress on Advanced Materials (AMSE-Japan)　2019/07

  29. Current Status, and Future of Research on Optical and Electrical Semiconductor Devices Invited

    T. Matsuoka

    IEEE International Workshop on Metrology for AeroSpace 2019　2019/06

  30. History of Nitride Semiconductors, its Current Status, and its Future Invited

    T. Matsuoka

    International Congress on Advanced Materials (AMSE-2019)　2019/06

  31. 界面顕微光応答法によるN極性p形GaNショットキー電極の2次元評価

    塩島謙次, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志

    第80回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2019/03/18

  32. Three-Dimensional Imaging of Threading Dislocations in GaN Crystals using Two-Photon Excitation Photoluminescence Invited

    2019/03/19

  33. ScAlMgO4基板上への窒素極性GaNの有機金属気相成長

    窪谷茂幸, 萩原千拡, 木口賢紀, 谷川智之, 松岡隆志

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019/03/09

  34. CZ法による直径100mm径金属Ni単結晶の育成・加工と評価

    藤井高志, 渡邊清和, 高橋和也, 熊谷毅, 福田承生, 松岡隆志, 川又透, 杉山和正

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019/03/09

  35. Three-Dimensional Characterization of GaN Crystals Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence Invited

    T. Tanikawa, T. Matsuoka

    SPIE Photonics West 2019　2019/02

  36. 40年余りの研究・教育生活を振り返って ～若い人へのメッセージ～ Invited

    松岡隆志

    第73回応用物理学会東北支部学術講演会　2019/02/02

  37. Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier Propagation Solar Cell (MOP3S) in Waveguide-Coupled Scheme

    A. Ishibashi, N. Sawamura, T. Matsuoka, H. Kobayashi, T. Kasai

    2018/12/18

  38. REverse-Bias-Inducced Virtual Gate Phenomenon in N-polar GaN HEMTs International-presentation

    T.Suemisyu, K.Prasertsuk, T.Tanikawa, T.Kimura, S.Kuboya, T.Matsuoka

    2018 MRS Fall Meeting　2018/11/25

  39. N-Polar GaN/AlGaN Inverted High Electron Mobility Transistors Invited

    T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka

    4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors

  40. Novel Characterrization Teshnique of Threading Dislocation in GaN Using Multiphoton-Excitation Photoluminesccence International-presentation Invited

    T.Tanikawa, T.Matsuoka

    4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4)　2018/11/18

  41. Three-dimensional and Non-Destructuve Inveestigation of Relation between Reverse Leakage Currwnt and Threading dislocation in Vertical GaN Schottky Barrier Diodes International-presentation

    T.Fujita, T.Yanikawa, H.Fukushima, S.Usami, A.TAnaka, T.Suemitsu, T.Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018/11/11

  42. Challenge to MOVPE Growth of N-Polar InAIN Film with Higt InN Mole Fractio International-presentation

    S.Kuboya, K.Oomura, T.Tanikawa, T.Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018/11/11

  43. Precise Characterrization of Expitaxial Laterral Overgrowth Process in HVPE-Grown GaN using Multiphoton-Excitation Photoluminescence International-presentation Invited

    T.Tanikawa, T.Yoshida, T.Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018/11/11

  44. Reuse of SeAlMgO4 Substrates Utilzed for Halide Vapor Phase Epitaxy of GaN International-presentation

    K.Ohnishi, S.Kuboya, T.Tanikawa, T.Fukuda, T.Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)　2018/11/11

  45. 多光子励起フォトルミネッセンスによるHVPE成長GaN結晶の貫通転位と成長形態の非破壊観察

    谷川智之, 松岡隆志

    第47回結晶成長国内会議, 01a-B02　2018/11/01

  46. lnGaN/GaNヘテロ構造のRF-MBE成長における格子緩和過程のその場観察格子極性の影響

    谷川智之, 山口智広, 藤川誠司, 佐々木拓生, 高橋正光, 松岡隆志

    第47回結晶成長国内会議, 01a-B01　2018/11/01

  47. MOVPEによる窒素極性窒化物半導体成長 Invited

    松岡隆志, 谷川智之, 窪谷茂幸

    第47回結晶成長国内会議, 31p-C01　2018/10/31

  48. 多光子励起過程を用いたGaN結晶の三次元蛍光イメージング Invited

    谷川智之, 松岡隆志

    第37回電子材料シンポジウム, We1-1　2018/10/10

  49. 多光子励起顕微鏡を用いたHVPE成長GaN結晶の貫通転位と成長形態の非破壊観察

    谷川智之, 松岡隆志

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム『紫外発光デバイスの最前線と将来展望』, 7　2018/09/27

  50. 多光子励起フォトルミネッセンスによるHVPE成長GaNの選択成長過程と貫通転位の伝搬の観察

    谷川智之, 吉田丈洋, 松岡隆志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会講演会, 18a-146-4　2018/09/18

  51. GaN結晶の多光⼦励起PL画像からの転位の3次元配置に関する数値情報抽出

    沓掛健太朗, 谷川智之, 松岡隆志, 井上憲一

    第79回応用物理学会秋季学術講演会講演会, 18a-146-3　2018/09/18

  52. 窒素極性GaN MIS-HEMTにおける逆バイアスアニールの効果

    末光哲也, K. Prasertsuk, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会講演会, 21a-331-2　2018/09/18

  53. MOVPE窒素極性成長による窒化物半導体の新展開 Invited

    松岡隆志

    第79回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2018/09/18

  54. Characterization of Threading Dislocation in Thick GaN Films Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence International-presentation Invited

    T.Tanikawa, K.Ohnishi, T.Fujita, T.Matsuoka

    International Symposium of Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018/08/05

  55. GaN Growth and Blue LED on Novel Oxide Substrate ScAlMgO4 International-presentation Invited

    S. Kuboya, T. Iwabuchi, K. Ohnisi, H.Yahara, T.Tanikawa, T.Fukuda, T.Matsuoka

    KINKEN-KIST Joint Symposium 2018　2018/07/04

  56. History and Current Status of Research on Nitride Semiconductors International-presentation Invited

    T.Matsuoka

    5th International Conference on Theoretical and Applied Physics　2018/07/02

  57. History and Future Perspectives of the Nitride Semiconductors International-presentation Invited

    T.Matsuoka

    2nd Global Summit & Expo on Laser Optics & Photonics (Optics-18)　2018/06/14

  58. Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN International-presentation

    T.Tanikawa, T.Fujita, K.kojima, S.F.Chichibu, T.Matsuoka

    19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE- XIX)　2018/06/03

  59. Growth of Indium-lndium-Including Nitride Semiconducto International-presentation Invited

    T.Matsuoka, S.Kuboya, T.Tanikawa

    19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE- XIX)　2018/06/03

  60. Reverse Bias Anneling Effects in N-polar GaN AlGaN GaN MIS-HENTs International-presentation

    T.Suemitsu, K.Prasertsuk, T.Tanikawa, T.Kimura, S.Kuboya, T.Matsuoka

    Compound Semiconductor Week (CSW) 2018　2018/05/29

  61. 多光子励起フォトルミネッセンス法により観察されたGaN結晶中の貫通転位の種別判定

    谷川智之, 松岡隆志

    第135回東北大学金属材料研究所講演会, P-47　2018/05/23

  62. ScAlMgO4基板上GaN薄膜成長における成長初期過程の検討

    窪谷茂幸, 萩原千拡, 大西一生, 岩渕拓也, 谷川智之, 福田承生, 松岡隆志

    第135回東北大学金属材料研究所講演会, P-69　2018/05/23

  63. 再利用ScAlMgO4基板を用いたGaN厚膜のハライド気相成長

    大西一生, 窪谷茂幸, 谷川智之, 福田承生, 松岡隆志

    第135回東北大学金属材料研究所講演会, P-13　2018/05/23

  64. Nondestructive Analysis of Threading Dislocations in GaN by Multiphoton Excitation Photoluminesccence International-presentation Invited

    T.Tanikawa, T.Matsuoka

    The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18),　2018/04/25

  65. 分布帰還型レーザと青色発光素子の研究開発 Invited

    松岡 隆志

    電子情報通信学会総合大会　2018/03/20

  66. GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

    谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/20

  67. フォトルミネッセンス測定によるGaN結晶中の貫通転位の種別判定

    谷川智之, 吉田丈洋, 松岡隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/19

  68. 窒化物半導体の研究 ～テーマ選択からエレクトロニクスの材料・部品の研究～ Invited

    松岡 隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/18

  69. HVPE法による（0001）面GaN基板上へのGaN厚膜成長

    加納聖也, 谷川智之, 向井孝志, 松岡隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/18

  70. GaN成長に用いたScAlMgO4基板の再利

    大西一生, 窪谷茂幸, 谷川智之, 福田承生, 松岡隆志

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018/03/17

  71. MOVPE- and HVPE- GaN Growth on SCAM Substrates International-presentation Invited

    T. Matsuoka, K. Ohnishi, S. Kuboya, T. Iwabuchi, M. Kanoh, T. Fukuda

    SPIE Photonics West 2018　2018/01/27

  72. 多光子励起フォトルミネッセンスによるワイドギャップ半導体の三次元イメージング Invited

    谷川智之, 松岡隆志

    応用物理学会 第１３回励起ナノプロセス研究会　2018/01/20

  73. ScAlMgO4基板上InGaN/GaN多重量子井戸構造の内部量子効率

    萩原千拡, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 松岡隆志

    第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017/11/29

  74. 多光子励起フォトルミネッセンス法によるGaNの三次元光物性評価

    谷川智之, 松岡隆志

    第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017/11/29

  75. 窒素極性Ⅲ族窒化物の有機金属気相エピタキシャル成長での水素の役割

    花田貴, 松岡隆志

    第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017/11/29

  76. 有機金属気相成長法によるN極性InGaN チャンネルHEMT構造の作製

    田中真二, プラスラットスック・キャッティウット, 木村健司, 谷川智之, 末光哲也, 松岡隆志

    第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017/11/29

  77. New Solar-cell System and Clean Unit System Platform (CUSP) for Electronics, Communications and Networks International-presentation

    A. Ishibashi, T. Matsuoka, R. Enomoto, M. Yasutake

    CECNet2017　2017/11/24

  78. Internal Quantum Efficiency of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Grown on ScAlMgO4 substrate

    C. Hagiwara, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Fukuda, T. Matsuoka

    35th Electron. Mat. Symp　2017/11/10

  79. Surface-Roughness Improvement and Electrical Properties in N-Polar InGaN/GaAlN HEMT Structures Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

    MATSUOKA Takashi

    36th Electron. Mat. Symp., Fr1-13　2017/11/10

  80. Growth of Emerging Materials for Electronics by Advanced Growth Technique based on the Carrier over Half Century International-presentation Invited

    T. Fukuda, T. Matsuoka, S. Suzuki, K. Sugiyama

    7th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-7)　2017/10/15

  81. State-the-art of-Nitride Semiconductors International-presentation Invited

    T. Matsuoka

    7th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-7)　2017/10/15

  82. Application of Nitride Semiconductors for Optical Communications Systems International-presentation Invited

    T. Matsuoka

    RIEC Intern. Symp. Photonics and Optical Commun. (ISPOC 2017)　2017/10

  83. Three-dimensional Imaging of Threading Dislocation in GaN crystals by Multiphoton-Excitation Photoluminescence International-presentation Invited

    T.Tanikawa, K.Ohnishi, T.Matsuoka

    International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 12)　2017/09/29

  84. Research on Nitride Semiconductors from the Dawn, through the Present, to the Future International-presentation Invited

    T. Matsuoka

    Solid State Device Meeting 2017 (SSDM 2017)　2017/09/20

  85. 多光子励起PL法によるGaN結晶の貫通転位の三次元イメージング Invited

    谷川智之, 大西一生, 松岡隆志

    第78回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2017/09/05

  86. リセスMISゲートN極性GaN HEMTのしきい値電圧の制御

    プラスラットスック・キャッティウット, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 末光哲也, 松岡隆志

    第78回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2017/09/05

  87. N極性Mgドープp型GaNの光電流DLTS評価

    鈴木秀明, 寺島勝哉, 及川峻梧, 正直花奈子, 野々田亮平, 谷川智之, 松岡隆志, 岡本浩

    第78回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2017/09/05

  88. N極性GaNの成長とそのトランジスタへの展開 Invited

    松岡 隆志

    第78回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2017/09/05

  89. 二光子励起フォトルミネッセンスを用いて観察したGaN中の貫通転位の伝搬特性 Invited

    谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡 隆志

    第78回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2017/09/05

  90. N極性n型GaN上Niショットキー特性に対するアニール効果の評価

    寺島勝哉, 野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 松岡隆志, 岡本浩

    平成29年度電気関係学会東北支部連合大会　2017/08/24

  91. History of Distributed Feedback Laser International-presentation

    T. Matsuoka, K. Iwashita

    Proc. History of Electro-technology Conference (HISTELCON 2017)　2017/08/07

  92. History of blue LED Consisted of Nitride Semiconductors International-presentation

    T. Matsuoka

    Proc. History of Electro-technology Conference (HISTELCON 2017)　2017/08/07

  93. Surface Structure of Cleaved ScAlMgO4 (0001) Substrate for III-nitrides Growth Analyzed by X‐ray Crystal Truncation Rod Scattering International-presentation

    T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Fukuda, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semiconductors　2017/07/24

  94. Roll of Hydrogen during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of N-polar III-nitrides International-presentation

    T. Hanada, T.Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semiconductors　2017/07/24

  95. Three-dimensional Analysis of Threading Dislocation in HVPE-grown GaN using Two-photon-excitation Photoluminescence Spectroscopy International-presentation

    T. Tanikawa, K. Ohnishi, M. Kanoh, T.Mukai, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semiconductors　2017/07/24

  96. HVPE of Thick GaN Layers on ScAlMgO4 Substrates and their Self-Separation for Fabricating Free-Standing Wafers International-presentation

    K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Mukai, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semiconductors　2017/07/24

  97. 光ファイバ通信・青色発光素子用結晶の成長技術 Invited

    松岡隆志

    日本結晶成長学会特別講演会　2017/06/15

  98. GaNのMOVPE成長用ScAlMgO4基板の裏面保護膜に関する研究

    岩渕拓也, 窪谷茂幸, 萩原千拡, 谷川智之, 福田承生, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017/05/26

  99. ScAlMgO4の剥離特性を活かしたGaN自立基板の作製

    大西一生, 加納聖也, 谷川智之, 窪谷茂幸, 向井孝志, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017/05/26

  100. X線CTR散乱による複合酸化物 ScAlMgO4(0001)劈開表面の同定

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 福田承生, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017/05/26

  101. N極性InAlN薄膜の有機金属気相成長とそのXPS分析

    窪谷茂幸, 大村和世, 谷川智之, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017/05/26

  102. 二光子励起フォトルミネッセンス法を用いたGaNエピタキシャル膜中の貫通転位の三次元解析

    谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

    第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017/05/26

  103. N-Polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on Sapphire Substrates with Small Off-Cut for Flat Interface by MOVPE International-presentation

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    Compound Semiconductor Week (CSW2017)　2017/05/14

  104. 最先端結晶成長技術による新電子材料単結晶の創出と実用化

    福田承生, 松岡隆志, 鈴木茂, 杉山和正

    日本学術振興会第161委員会 第100回研究会　2017/05/12

  105. Reduced Gate Leakage Current in N-polar GaN Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistors

    K. Prasertsuk, A. Miura, S. Tanaka, T.Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    2017/03/15

  106. X線CTR散乱によるScAlMgO4(0001)劈開面の構造解析

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 福田承生, 松岡隆志

    第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/15

  107. 二光子励起フォトルミネッセンス法によるGaN中の貫通転位の三次元分布評価

    谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志

    第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

  108. ハイドライド気相成長法によるScAlMgO4基板上へのGaN厚膜成長と自己剥離プロセス

    大西一生, 加納聖也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 向井孝志, 松岡隆志

    第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

  109. N極性GaN HEMTsにおけるMIS構造導入によるリーク電流の低減

    プラスラットスック, キャッティウット, 三浦輝紀, 田中真二, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 末光哲也, 松岡隆志

    第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

  110. MOVPE Growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN Inverted HEMT Structures and Their Electrical Properties International-presentation

    K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, A. Miura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    3rd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductor (IDGN-3)　2017/01/16

  111. Current Status and Future Prospects of Nitride Semiconductors for Energy Saving International-presentation

    T. Matsuoka

    Intern. Workshop on Advanced Functional Materials and Devices (IWAFMD2017)　2017/01/08

  112. N極性GaN-HEMT構造上に形成したNiショットキー電極の電気特性評価

    三浦輝紀, Kiattiwut Prasertsuk, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志

    第132回東北大学金属材料研究所講演会　2016/11/24

  113. Current Status and Future Prospecta of Nitride Semiconductors International-presentation Invited

    T.Matsuoka, K.Shojiki, T.Kimura, T.Tanikawa, S.Kuboya, R.Katayama, T.Suemitsu

    KINKEN-KIST Joint Seminar “Future Electronic Materials and Devices beyond Si”　2016/10/24

  114. Novel Approach to Fabrication of Free-standing GaN Wafer for Transistors Enabling Energy Saving International-presentation

    T. Matsuoka, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Fukuda

    10th Intern. Conf. on Polish Soc. for Crystal Growth (ICPSCG10)　2016/10/16

  115. Large-Scale Crystal Growth of Emerging Materrials for Electronics by Advanced Czochralski Technique International-presentation Invited

    T.Fukuda, T.Matsuoka, S.Suzuki

    10th International Conference on Polish Society for Crystal Growth (ICPSCG10)　2016/10/16

  116. Control of Impurity Concentration of Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy International-presentation

    T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)　2016/10/02

  117. Improvement of Emission Wavelength Homogeneity in N-polar (000-1) InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy International-presentation

    R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)　2016/10/02

  118. Ga-polar GaN Film Grown by MOVPE on Cleaved ScAlMgO4 (0001) Substrate with Nillimeter-scale Wide Terraces International-presentation

    T. Hanada, T. Iwabuchi, S. Kuboya, H. Tajiri, K. Inaba, T. Tanikawa, T. Fukuda, T. Matsuoka

    2016 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting　2016/09/19

  119. 偏光ラマン分光法によるScAlMgO4のフォノンモード同定

    折原由里子, 山村和也, 蓮池紀幸, 播磨弘, 福田承生, 窪谷茂幸, 花田貴, 松岡隆志

    第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016/09/13

  120. N 極性 n 型 GaN 上 Ni ショットキーダイオード特性の蒸着法依存性

    寺島 勝哉, 野々田 亮平, 正直 花奈子, 谷川 智之, 松岡 隆志, 鈴木 秀明, 岡本 浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016/09/13

  121. NH3雰囲気で熱処理した ScAlMgO4のラマン分光評価

    山村 和也, 蓮池 紀幸, 播磨 弘, 福田 承生, 窪谷 茂幸, 谷川 智之, 花田 貴, 松岡 隆志

    第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016/09/13

  122. Ni/N 極性 p-GaN ショットキー電極界面の電流-電圧特性の温度依存性

    青木俊周, 谷川智之, 松岡隆志, 塩島謙次

    第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016/09/13

  123. 窒化物半導体における窒素極性成長

    第77回応用物理学会秋季学術講演会講演会　2016/09/13

  124. Polarity in the Growth of Nitride Semiconductors International-presentation

    T. Matsuoka, T. Kimura, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Suemitsu

    Collaborative Conf. on Crystal Growth (EMN 3CG)　2016/09/04

  125. Localized emission from quantum-dot-like InGaN islands formed in N-polar InGaN/GaN multiple quantum wells

    T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    第３５回電子材料シンポジウム　2016/07/06

  126. Dependence of group-III source ratio on photoluminescence of N-polar (000-1) InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

    R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    第３５回電子材料シンポジウム　2016/07/06

  127. Phonon mode assignments of ScAlMgO4 single crystal by polarized Raman scattering spectroscopy

    K. Yamamura, N. Hasuike, H. Harima, T. Fukuda, S. Kuboya, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    第３５回電子材料シンポジウム　2016/07/06

  128. MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface International-presentation

    K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    Compound Semiconductor Week 2016　2016/06/26

  129. Influence of Growth Conditions on Transport Properties in Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy International-presentation

    T. Tanikawa, K. Prasertsuk, A. Miura, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications（LEDIA’16)　2016/05/18

  130. Group-Ⅲ Source Ratio Dependence on Photoluminesccence of N-Polar(0001)InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy International-presentation

    R.Nonoda, T.Tanikawa, K.Shojiki, T.Kimura, S.Tanaka, S.Kuboya, T.Matsuoka

    Summit of Materials Science (SMS 2016)　2016/05/18

  131. Large Stokes-like Shift due to Selt-Formed InGaN Islands in N-Polar InGaN Light-Emittimg Diodes International-presentation

    T.Tanukawa, K.Shojiki, R.Nonioda, S.Kuboya, R.Katayama, T.Matsuoka

    Summit of Materials Science (SMS 2016)　2016/05/18

  132. Paths of Impurity Incorporation in GaN Films Grow on ScAlMgO4 Substrates by MOVPE International-presentation

    S.Kuboya.H.Yahara, TIwabuti, H.Hanada, R.Katayama, T.Matsuoka

    2016/05/18

  133. N極性InGaN/GaN量子井戸の微視的構造・光学特性

    谷川智之, 正直花奈子, 野々田亮平, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 高宮健吾, 矢口裕之, 秋山英文

    第８回窒化物半導体結晶成長講演会　2016/05/09

  134. N 極性(000–1)InGaN における局所発光の III 族原料供給比依存性

    野々田 亮平, 谷川 智之, 正直 花奈子, 木村 健司, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志

    第８回窒化物半導体結晶成長講演会　2016/05/09

  135. N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微小島からの局所発光

    谷川 智之, 正直 花奈子, 片山 竜二, 窪谷 茂幸, 松岡 隆志

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19

  136. ScAlMgO4 基板上GaN の不純物混入の抑制

    矢原弘崇, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19

  137. InGaN Quantum Nanodisks by Fusion of Bio-nano-template and Neutral Beam Etching processes

    A. Higo, C. Thomas, C. Y. Lee, T. Kiba, S. Chen, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Shojiki, I. Yamashita, A. Murayama, S. Samukawa

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19

  138. NH3分解触媒援用MOVPE成長InXGa1-Xn (x~0.35)のMgドーピング挙動

    山本暠勇, 児玉和樹, 重川直輝, 松岡隆志, 葛原正明

    第63回応用物理学会春季学術講演会, 22a-P6-9　2016/03/19

  139. Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metal-organic vapor phase epitaxy International-presentation

    J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2016/03/18

  140. Two-dimensional electron gas in N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy International-presentation

    K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka

    Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2016/03/18

  141. Electrical properties of GaN films on ScAlMgO4 substrates grown by MOVPE International-presentation

    T. Iwabuchi, H. Yahara, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"　2016/03/18

  142. InGaN/GaN太陽電池の格子極性と発電特性

    谷川智之, 川島静人, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第７回薄膜太陽電池セミナー　2016/03/13

  143. N極性(000-1)窒化物半導体混晶InGaNの結晶成長表面と発光素子応用

    正直花奈子, 高宮健吾, 谷川智之, 花田貴, 野々田良平, 窪谷茂幸, 秋山英文, 矢口裕之, 片山竜二, 松岡隆志

    平成27年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会　2016/03/09

  144. N極性(000)p型GaNのMOVPE成長におけるMg/Ga・V/III原料供給比の正孔濃度への影響

    野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    70回 東北支部学術講演会, 3A11 (南田温泉 ホテルアップルランド, 2015年12月3-4日)　2015/12/03

  145. ScAlMgO4基板上SiドープGaNの電気伝導特性評価

    矢原弘崇, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

    70回 東北支部学術講演会, 3A11 (南田温泉 ホテルアップルランド, 2015年12月3-4日)　2015/12/03

  146. N極性(0001(_))p型GaNのMOVPE成長におけるMg/Ga・V/III原料供給比の正孔濃度への影響

    野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第70回 東北支部学術講演会, 3A11　2015/12/03

  147. MOVPE法を用いて作製したN極性GaN/AlGaN/GaNヘテロ構造における2次元電子ガスの形成

    キャッティウット プラスラットスック, 谷川智之, 正直花奈子, 木村健司, 三浦輝紀, 邊見ふゆみ, 田中真二, 窪谷茂幸, 片山竜二, 末光哲也, 松岡隆志

    第130回東北大学金属材料研究所講演会　2015/11/25

  148. マイクロビームX線回折によるｍ面GaN上InGaN島の外形とIｎ濃度の同時観察

    花田貴, 正直花奈子, 崔正焄, 島田貴章, 今井康彦, 木村滋, 片山竜二, 松岡隆志

    第130回東北大学金属材料研究所講演会,P-71　2015/11/25

  149. 電界変調反射分光法を用いたInGaN/GaN LEDの内部電界の直接観測

    松岡 隆志

    第130回東北大学金属材料研究所講演会,P-13　2015/11/25

  150. Devices of Nitride Semiconductors beyond Conventional Concepts International-presentation

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu

    Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology (TACT) 2015 International Thin Films Conference, C2 (Tainan, Taiwan, Nov. 16-18, 2015)　2015/11/16

  151. NH3 Decomposition Catalyst-Assisted MOVPE Growth of In0.3Ga0.7N International-presentation

    A. Yamamoto, K. Kodama, N. Shigekawa, T. Matsuoka, M. Kuzuhara

    25th Intern.Photovoltaic Science and Engineering Conf. (PVSEC-25), NMD-O-06 (Busan, Korea, Nov. 15-20, 2015)　2015/11/15

  152. Waveguide-coupled Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells with InGaN layers International-presentation

    A. Ishibashi, T. Matsuoka, T. Kasai, K. Kondo, N. Sawamura

    16th Ries-Hokudai Intern. Symp., P52 (Sapporo, Nov. 10-11, 2015)　2015/11/10

  153. Polarity control of GaN grown on PLD-AlN/GaN templates by MOVPE International-presentation

    J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015/11/08

  154. Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by MOVPE International-presentation

    R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015/11/08

  155. Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by changing substrate off-cut-angle direction International-presentation

    K Shojiki, T Hanada, T. Tanikawa, Y Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015/11/08

  156. Large Stokes Shift in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diodes International-presentation

    T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, S. Kuboya, T. Matsuoka

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015/11/08

  157. Microscopic structure of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells and light-emitting diodes International-presentation

    K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015/11/08

  158. Migration-enhanced, Low-temperature (~400˚C) MOVPE Growth of InN using NH3 Decomposition Catalysts International-presentation

    A. Yamamoto, K. Kodama, N. Shigekawa, T. Matsuoka, M. Kuzuhara

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015/11/08

  159. Low-resistivity InxGa1-xN (x=0~0.35) Grown by Low-temperature (≲600˚C) MOVPE using NH3 Decomposition Catalysts International-presentation

    A. Yamamoto, K. Kodama, N. Shigekawa, T. Matsuoka, M. Kuzuhara

    6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)　2015/11/08

  160. 窒化物半導体のMOVPE成長における相純度

    片山竜二, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志, 矢口裕之, 尾鍋研太郎

    第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) ナノ構造エピ成長分科会シンポジウム「結晶におけるポリタイプの制御と利用」(主催：日本結晶成長学会), 6 (東北大学, 2015年10月19-21日)　2015/10/19

  161. Electrical Characteristics of N-polar p-type GaN Schottky Contacts International-presentation

    T. Aoki, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Shiojima

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), G-1-4 (Sapporo, Japan, Sept. 28-30, 2015)　2015/09/28

  162. Potential of N-Polarity in Applications for GaN-based Devices International-presentation

    T. Matsuoka

    2015 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting (Warsaw, Poland, Sept. 15-18, 2015).　2015/09/15

  163. NH3分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(～400℃)成長(I): InN成長

    山本暠勇, 児玉和樹, 重川直輝, 松岡隆志, 葛原正明

    第76回応用物理学会学術講演会講演会, 14a-1D-1 (名古屋国際会議場, 2015年9月13-16日)　2015/09/13

  164. NH3分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(～400℃)成長(II): InxGa1-xN (x~0.3)の成長

    山本暠勇, 児玉和樹, 重川直輝, 松岡隆志, 葛原正明

    第76回応用物理学会学術講演会講演会, 14a-1D-1 (名古屋国際会議場, 2015年9月13-16日)　2015/09/13

  165. MOVPE成長N極性(000)p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga・V/III原料比の影響

    野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第76回応用物理学会学術講演会講演会, 14a-1D-1 (名古屋国際会議場, 2015年9月13-16日)　2015/09/13

  166. MOVPE成長N極性(001) p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga･Ⅴ/Ⅲ原料比の影響

    野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第76回応用物理学会学術講演会,14a-1D-2　2015/09/13

  167. 窒化物半導体用各種基板とⅢ族窒化物半導体のヘテロ成長

    松岡隆志, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 福田承生

    日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第94回研究会 (主婦会館プラザエフ, 2015年7月24日)　2015/07/24

  168. Surface Energy and Facet Formation in InN Films Grown by Pressurized-reactor MOVPE

    A. Kusaba, Y. Kangawa, S. Krukowski, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto

    第34回電子材料シンポジウム, We1-23 (ラフォーレ琵琶湖, 2015年7月15日～17日)　2015/07/15

  169. Polarity-controlled MOVPE Growth of GaN on PLD-AlN Templates

    J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第34回電子材料シンポジウム, We1-23 (ラフォーレ琵琶湖, 2015年7月15日～17日)　2015/07/15

  170. Design of the Transverse Quasi-Phase Matched AlN Waveguides for Deep-UV Second Harmonic Generation

    Y. Mitani, R. Katayama, J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

    第34回電子材料シンポジウム, We1-23 (ラフォーレ琵琶湖, 2015年7月15日～17日)　2015/07/15

  171. Effects of V/III Source Ratio on the Hole Concentration of N-polar (000) p-type GaN Grown by MOVPE

    R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    第34回電子材料シンポジウム, We1-23 (ラフォーレ琵琶湖, 2015年7月15日～17日)　2015/07/15

  172. Drain Depletion Length in InAlN/GaN MIS-HEMTs with Slant Field Plates International-presentation

    N. Yasukawa, S. Hatakeyama, T. Yoshida, T.Kimura, T. Matsuoka, T. Otsuji, T. Suemitsu

    the Compound Semiconductor Week 2015, the common venue for the 42nd Intern. Symp. Comp.Semicond. and the 27th Intern. Conf. Indium Phosphide and Related Mat., (Santa Barbara, USA, June 28-July 2, 2015).　2015/06/28

  173. Possibility of N-Polarity in Applications for GaN-based Devices International-presentation

    T. Matsuoka, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama

    the Compound Semiconductor Week 2015, the common venue for the 42nd Intern. Symp. Comp.Semicond. and the 27th Intern. Conf. Indium Phosphide and Related Mat., (Santa Barbara, USA, June 28-July 2, 2015).　2015/06/28

  174. ScAlMgO4基板上に成長したGaN薄膜の電気伝導特性評価

    矢原弘崇, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志

    第129回金属材料研究所講演会,P-87　2015/05/29

  175. 横型疑似位相整合AIN導波路を用いた深紫外第二高調波発生の検討

    三谷悠貴, 片山竜二, 劉陳燁, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志

    第129回金属材料研究所講演会,P-71　2015/05/29

  176. 3C-SiC/Si基板上InGaN/GaN縦型発光ダイオード

    谷川智之, 生川満久, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 川村啓介

    第129回金属材料研究所講演会,P-49　2015/05/29

  177. 窒化物半導体の開発経緯とその将来

    松岡隆志

    第7回窒化物半導体結晶成長講演会（主催：日本結晶成長学会ナノエピ分科会）, 基調講演 (東北大学, 2015年5月7-8日）　2015/05/07

  178. N極性p形GaNショットキー電極の電気的特性の評価

    青木俊周, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志, 塩島謙次

    62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

  179. MOVPE成長N極性(0001)InGaN多重量子井戸構造と発光ダイオードの構造・光学特性

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    62回応用物理学会春季学術講演会 [講演奨励賞受賞記念講演]　2015/03/11

  180. N極性(0001)GaNのMOVPE選択成長における貫通転位密度の低減

    逢坂崇, 谷川智之, 木村健司, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 三宅秀人

    62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

  181. ±c面GaNの表面熱的安定性に関する研究

    岡田俊祐, 三宅秀人, 平松和政, 逢坂崇, 谷川智之, 松岡隆志

    62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

  182. オール窒化物半導体による白色LEDの開発に向けて

    松岡隆志, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二

    日本学術振興会 光電相互変換第125委員会 EL分科会第46回研究会　2015/02/04

  183. 励起子吸収による増感を利用した高効率太陽電池の研究"

    堀越佳治, 松岡隆志

    CREST「太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出」研究領域　2015/01/20

  184. 励起子吸収による増感を利用した高効率太陽電池の研究～InGa(Al)N/GaN超格子太陽電池～

    松岡隆志, 堀越佳治

    CREST「太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出」研究領域　2015/01/20

  185. N 極性(000-1)GaN のMOVPE 選択成長における結晶形態変化

    逢坂崇, 谷川智之, 木村健司, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第69回 東北支部学術講演会　2014/12/04

  186. MOVPE 法による可視光全域波長の発光を有するN 極性(000-1)InGaN 発光ダイオードの作製

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第69回 東北支部学術講演会　2014/12/04

  187. ZnAl2O4 Interlayer for Suppressing Impurity Out－diffusion in HVPE Growth of GaN on ZnO Substrate

    J.Yoo.Chang, H.Lee, S.Kim, T.MATSUOKA

    2014/11/27

  188. MOVPE成長N極性(001) InGaN発光ダイオードによる可視光全域波長での発光の実現

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第128回金属材料研究所講演会,P-2　2014/11/27

  189. Demonstration of N-polar InGaN/GaN MQW Solar Cells International-presentation

    T. Tanikawa, J. H. Choi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Matsuoka

    The 6th World Conf. Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)　2014/11/24

  190. Crystallographic Polarity in Nitride Semicondcutors International-presentation

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, R. Katayama

    2014 Intern.Symp. Crystal Growth and Crystal Technol., I-04　2014/11/12

  191. N極性(000-1)InGaN/GaN多重量子井戸構造のMOVPE成長と発光ダイオード作製

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）　2014/11/06

  192. Recent Progress in Nitride Semiconductors ~from Epitaxial Growth to Device Applications~" International-presentation

    1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education (IFAEE, iΦ) –New Frontiers in Advanced Engineering–, 6　2014/11/01

  193. Overview on Crystallographic Polarization International-presentation

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, R. Katayama

    2nd Intensive Discussion on Gallium Nitride (IDGN 2014)　2014/10/30

  194. Control of GaN growth orientation by MOVPE International-presentation

    T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, T. Matsuoka, Y. Honda, H. Amano

    2nd Intensive Discussion on Gallium Nitride (IDGN 2014)　2014/10/30

  195. Recent Progress in Nitride Semiconductors from Epitaxial Growth to Device Applications International-presentation

    Chitose International Forum 15, 9　2014/10/02

  196. Mist CVD 法を用いて製作したα-Al2O3 基板上Ga-In-O 薄膜の評価

    田沼圭亮, 畠山匠, 尾沼猛儀, 山口智広, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 本田徹

    第75回応用物理学会学術講演会講演会　2014/09/17

  197. サファイア基板上MOVPE 成長N 極性面(000"1" ̅)InGaN を用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第75回応用物理学会学術講演会講演会　2014/09/17

  198. 変調分光法によるInGaN/GaN LED の内部電界の観測", 第75回応用物理学会学術講演会講演会

    谷川智之, 片山竜二, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 松岡隆志, 本田善央, 天野浩

    第75回応用物理学会学術講演会講演会　2014/09/17

  199. Emission Wavelength Extension of Light Emitting Diode Using MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN International-presentation

    K. Shojiki, J.H. Choi, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014/08/24

  200. MOVPE Growth of GaN on ScAlMgO4 Substrate International-presentation

    T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Hanada, A. Minato, T. Fukuda, T. Matsuoka, MOVPE Growth, of, GaN on ScAlMgO, Substrate

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014/08/24

  201. Modulation Spectroscopic Investigation on Internal Electric Fields in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes International-presentation

    T. Tanikawa, R. Katayama, K. Shojiki, S. Kuboya, T. Matsuoka, Y. Honda, H. Amano

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014/08/24

  202. Accurate Determination of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by Spectroscopic m-line Technique International-presentation

    R. Katayama, N. Yoshinogawa, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Matsuoka

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)　2014/08/24

  203. N 極性面(000-1)InGaN による発光ダイオードの長発光波長化”, 第6回窒化物半導体研究会

    正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第6回窒化物半導体研究会　2014/07/25

  204. 様々な極性面GaN上へのInGaNの結晶成長

    谷川智之, 正直花奈子, Jung-Hun Choi, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 久志本真希, 本田善央, 天野浩

    第6回窒化物半導体研究会　2014/07/25

  205. ZnAl2O4 interlayer for suppressing impurity out-diffusion in HVPE growth of GaN on ZnO substrate

    J. Yoo, J. Chang, J. Lee, S. Choi, H. Lee, S. Kim, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014/07/09

  206. MOVPE growth of GaN on ScAlMgO4 Substrates

    T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, A. Minato, T.Fukuda, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014/07/09

  207. Investigation of surface morphology of -c GaN crystals grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy

    T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014/07/09

  208. Suppression of metastable-phase inclusion in MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014/07/09

  209. Fabrication of red, green, and blue light emitting diodes using MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN on sapphire substrate

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第33回電子材料シンポジウム　2014/07/09

  210. 窒化物半導体において高効率を望める 窒素極性太陽電池

    谷川智之, 崔正焄, 正直花奈子, 片山竜二, 松岡隆志

    第 11回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム,　2014/07/03

  211. Crystallographic Polarity in Nitride Semiconductors and its Device Applications International-presentation

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, R. Katayama

    Research Institute of Electronic Communication- Research Laboratory of Electronics (RIEC-RLE) Meeting in Boston　2014/07/01

  212. Structural Phase Diagram of InN by Pressurized-Reactor MOVPE: A Theoretical Study International-presentation

    Y. Kangawa, T. Hamada, T. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto

    5th Intern. Conf. White LEDs and Solid State Lighting (WLED-5)　2014/06/01

  213. Realization of p-Type Conduction in Mg-Doped N-Polar (0001(＿)) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy International-presentation

    T. Tanikawa, J. H. Choi, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, T. Matsuoka

    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14)　2014/04/22

  214. Suppression of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells International-presentation

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14)　2014/04/22

  215. MOVPE成長－c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

    正直花奈子, 崔正焄, 岩渕拓也, 宇佐美徳隆, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

  216. ScAlMgO4基板上におけるGaNのMOVPE成長

    岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 湊明郎, 福田承生, 松岡隆志

    61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

  217. c面ScAlMgO4基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定

    花田貴, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 片山竜二, 湊明朗, 福田承生, 稲葉克彦, 松岡隆志

    61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

  218. InN 加圧MOVPE 成長における立方晶混入メカニズム

    寒川義裕, 濱田達郎, 木村健司, 片山竜二, 松岡隆志, 柿本浩一

    61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

  219. c面Al2O3基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定

    花田貴, 稲葉克彦, 正直花奈子, 崔正焄, 片山竜二, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志

    61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

  220. Recent Trends in Nitride Semiconductors for Optoelectronic Applications International-presentation

    T. Matsuoka

    International Workshop on Electronic Materials Technology　2014/03/13

  221. Recent Trends in Wide-Gap LEDs and LDs from Epitaxial Growth to Devices Structures International-presentation

    T. Matsuoka

    Thailand National Science and Technology Development Agency (NSTDA)　2014/03/11

  222. Recent Progress of Nitride Semiconductors from Optical Devices to Electronic devices International-presentation

    T. Matsuoka

    Thailand National Science and Technology Development Agency (NSTDA)　2014/03/11

  223. Possibility of ZnAl2O4 Interlayer for Suppressing Impurity Out-diffusion in Growth of GaN on ZnO Substrate

    J. Yoo, J. Chang, T. Matsuoka

    2013年度卓越補助金「材料インテグレーション拠点・知能デバイス拠点合同成果報告会」　2014/03/10

  224. Observation of Indium Content Distribution on m-plane InGaN Film with Hillocks

    K. Shojiki, T. Hanada, J.H. Choi, Y. Imai, S. Kimura, T. Shimada, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    2013年度卓越補助金「材料インテグレーション拠点・知能デバイス拠点合同成果報告会」　2014/03/10

  225. Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN International-presentation

    T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    8th Intern. Symp. Medical, Bio- and Nano-Electronics　2014/03/05

  226. Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire International-presentation

    N. Yoshinogawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    8th Intern. Symp. Medical, Bio- and Nano-Electronics,　2014/03/05

  227. Reduction of Impurity Out-diffusion during HVPE Growth of GaN on ZnO by using ZnAl2O4 Interlayer International-presentation

    J. Yoo, J. Chang, J. Lee, S. Choi, S. Lee, H. Lee, S. Kim, T. Matsuoka

    The 5th International Symposium on Advanced Ceramics (ISAC-5)　2013/12/10

  228. Raman scattering studies and UV optical absorption spectrum of MOVPE grown InGaN epilayers International-presentation

    V. Suresh Kumar, S.Y. Ji, J.G. Kim, H. Harima, J.H. Choi, Y.T. Zhang, R. Katayama, T. Matsuoka

    International Union of Materials Research Societies - International Conference in Asia - 2013 (IUMRS-ICA-2013)　2013/12/06

  229. MOVPE成長 −c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

    正直 花奈子, 崔 正焄, 岩渕 拓也, 宇佐美 徳隆, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 花田 貴, 片山 竜二, 松岡 隆志

    第68回東北支部学術講演会　2013/12/05

  230. MOVPE成長－c面 InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

    正直花奈子, チェ・ジョンフン, 岩渕拓也, 宇佐美徳隆, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第126回金属材料研究所講演会,P-77　2013/11/28

  231. サファイア基板上(0001)GaNの有機金属気相成長におけるMgによる表面マイグレーションの促進

    谷川智之, 正直花奈子, 逢坂崇, 木村健司, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志

    第126回金属材料研究所講演会,P-11　2013/11/28

  232. Investigation and Suppression of Metastable-phase Inclusion in MOVPE-grown –c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells International-presentation

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    KINKEN-WAKATE 2013 10th Materials Science School for Young Scientists, No. 14　2013/11/21

  233. Overview of Nitride Semiconductors International-presentation

    T. Matsuoka

    13 International Symposium on Optomechatronic Technologies　2013/10/28

  234. 窒化物半導体太陽電池の高効率化への取り組み

    松岡隆志, 谷川智之

    早稲田大学各務記念材料研究所オープンセミナー　2013/10/15

  235. Progress in Research on InN for D-WDM Systems International-presentation

    T. Matsuoka, T. Kimura, T. Iwabuchi, T. Hanada, T. Tanikawa, R. Katayama

    Resarch Institute of Electronic Communication- Research Laboratory of Electronics (RIEC-RLE)　2013/09/30

  236. Effect of c-plane Sapphire Substrate Miscut-angle on Indium Content of MOVPE-grown N-polar InGaN International-presentation

    K. Shojiki, J. H. Choi, H. Shindo, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013/09/16

  237. Improvement of Surface Morphology of N-polar GaN by Introducing Indium Surfactant during MOVPE Growth International-presentation

    T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013/09/16

  238. In situ X-ray Diffraction during Reactive Deposition Epitaxy of FeSi2 on Si(001)

    T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Matsuoka

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013/09/16

  239. Nonlinear Optical Application of Periodic Polarity-inverted GaN Waveguide International-presentation

    R. Katayama, N. Yoshinogawa, S. Kurokawa, T. Tanikawa, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Matsuoka

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013/09/16

  240. Effect of Reactor Pressure on Rate-determining Process in InN Growth International-presentation

    T. Kimura, K. Prasertsuk, Y. Zhang, T. Iwabuchi, Y. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013/09/16

  241. ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察

    正直花奈子, 花田 貴, 崔 正焄, 島田貴章, 今井康彦, 木村 滋, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志

    74回応用物理学会秋季学術講演会　2013/09/16

  242. Evaluation and Solution of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-grown −c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells International-presentation

    K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)　2013/08/25

  243. Influence of Mg-Doping on the Surface Morphology of (000-1) GaN/Sapphire Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy International-presentation

    T. Tanikawa, T. Aisaka, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)　2013/08/25

  244. 材料科学の融合研究により低炭素社会実現への貢献を目指す

    松岡隆志

    PV Japan 2013　2013/07/24

  245. Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during MOVPE Growth of GaN/Sapphire

    N. Yoshinogawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    第32回電子材料シンポジウム　2013/07/10

  246. Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN"

    T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, T. Matsuoka

    第32回電子材料シンポジウム　2013/07/10

  247. Observation of Phase Separation on m-plane InGaN Films with Micro-vicinal surface by Micro-beam XRD

    K. Shojiki, T. Hanada, J. H. Choi, Y. Imai, S. Kimura, T. Shimada, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    第32回電子材料シンポジウム　2013/07/10

  248. Lattice-matching Substrates to InGaAlN and its Epitaxial Growth International-presentation

    T. Matsuoka, T. Tanikawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki

    2nd International Symposium on Single Crystals and Wafers, C-12　2013/06/25

  249. サファイアN極性GaNの有機金属気相成長におけるInサーファクタントの効果

    逢坂崇, 谷川智之, 木村健司, 正直花奈子, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第125回金属材料研究所講演会,P-84　2013/05/22

  250. マイクロピームＸ線回折によるm面InGaN/GaNのミスフィット転位密度分布の観察

    花田貴, 正直花奈子, 雀正焄, 島田貴章, 今井康彦, 木村滋, 劉玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第125回金属材料研究所講演会,P-23　2013/05/22

  251. 異常分散Ⅹ線回析を用いたm面GaNの面内極性判定

    花田貴, 島田貴章, 田尻寛男, 坂田修身, 劉玉懐, 松岡隆志

    第125回金属材料研究所講演会,P-22　2013/05/22

  252. Improvement of Surface Morphology in (000-1) GaN/Sapphire Grown by MOVPE with Indium Surfactant International-presentation

    T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, T. Matsuoka

    Ｉntern. Symp. Comp. Semcond. (ISCS2013)　2013/05/19

  253. Improvement of surface morphology in (000-1) GaN/Sapphire grown by MOVPE with indium surfactant International-presentation

    T. Tanikawa, T. Aisaka, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, T. Matsuoka

    Conference on LED and its industrial application '13 (LEDIA '13)　2013/04/23

  254. MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性

    正直花奈子, 崔 正焄, 進藤裕文, 木村健司, 谷川智之, 花田 貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第60回応用物理学春季学術講演会　2013/03/27

  255. Inサーファクタントによる(0001)GaNのMOVPE成長におけるステップフロー成長の促進

    逢坂 崇, 谷川智之, 正直花奈子, 木村健司, 岩渕拓也, 花田 貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第60回応用物理学春季学術講演会　2013/03/27

  256. サファイア基板上GaN薄膜のMOVPE成長挙動の格子極性依存性

    吉野川伸雄, 岩渕拓也, 正直花奈子, 木村健司, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志

    第60回応用物理学春季学術講演会　2013/03/27

  257. X線異常分散を用いたm面GaNの面内極性判定

    花田 貴, 島田貴章, 田尻寛男, 坂田修身, 劉 玉懐, 松岡隆志

    第60回応用物理学春季学術講演会　2013/03/27

  258. Effect of N-polar Growth in In-incorporation into Nitride Semiconductors International-presentation

    T. Matsuoka, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Tanikawa, R. Katayama

    2nd IMR & KMU Joint Workshop　2013/02/18

  259. Fabrication of semipolar/nonpolar GaN on patterned silicon substrate for optical device application International-presentation

    T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    2nd IMR & KMU Joint Workshop, GaN-1　2013/02/18

  260. Comparison of growth behavior in thick InGaN on (0001) and (000-1) GaN/Sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy International-presentation

    T. Tanikawa, K. Shojiki, J. H. Choi, R. Katayama, T. Matsuoka

    5th Intenr. Symp. Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides nad Nanomaterials 2012 (ISPlasma2013)　2013/01/28

  261. Novel Material InN for D-WDM Systems and Its Current Status International-presentation

    T. Matsuoka, T. Kimura, T. Iwabuchi, T. Hanada, T. Tanikawa, R. Katayama

    Meeting on Research Collaboration in Photonics　2013/01/21

  262. Growth of Indium-Incorporated Nitride Semiconductors in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy International-presentation

    T. Matsuoka

    Intern. Workshop on “Crystal Growth and Characterization of Advanced Materials and Devices”　2012/12/16

  263. MOVPE成長(000-1) GaNのステップフロー成長の促進

    逢坂 崇, 正直花奈子, 岩渕拓也, 木村健司, 谷川智之, 花田 貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012/12/06

  264. MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性

    正直花奈子, 崔 正焄, 進藤裕文, 木村健司, 谷川智之, 花田貴, 片山竜ニ, 松岡隆志

    第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012/12/06

  265. サファイア基板上GaN薄膜の有機金属気相成長初期過程における表面モフォロジーの格子極性依存性

    吉野川伸雄, 岩渕拓也, 正直花奈子, 木村健司, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志

    第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012/12/06

  266. (0001)面、(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの表面モフォロジーとIn取り込み

    谷川智之, 正直花奈子, 崔 正焄, 片山竜二, 松岡隆志

    第67回応用物理学会東北支部学術講演会　2012/12/06

  267. 材料科学の融合研究により低炭素社会実現への貢献を目指す

    松岡 隆志

    PV Japan 2012　2012/12/05

  268. Influence of c-Plan Sapphire Substrate Miscut Angle on the Indim Content of MOVPE-Grown N-Polarity InGaN Films International-presentation

    K.Shojiki, J.H.Choi, H.Shindo, T.Kimura, T.Tanikawa, T.Hanada, R.Katayama, T.Matsuoka

    Material Science Week (MSW) 2012　2012/11/27

  269. Enhancement of Step Flow in MOVPE-grown (000-1) GaN International-presentation

    T. Aisaka, T. Iwabuchi, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Material Science Week 2012 (MSW2012)　2012/11/25

  270. Comparison of indium incorporation in InGaN on (000-1) and (0001) GaN/Sapphire grown by MOVPE International-presentation

    T. Tanikawa, K. Shojiki, J. H. Choi, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Material Science Week 2012 (MSW2012)　2012/11/25

  271. Anisotropic Distribution of Indium in m-plane InGaN Film Observed by Microbeam X-ray Diffraction International-presentation

    T. Hanada, K. Shojiki, J. H. Choi, T. Shimada, Y. Imai, S. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka

    Material Science Week 2012 (MSW2012)　2012/11/25

  272. Crystallographic Polarity Dependence of Surface Morphology Evolution during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of GaN/Sapphire International-presentation

    Yoshinogawa, T. Iwabuchi, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    Material Science Week 2012 (MSW2012)　2012/11/25

  273. Influence of Substrate Miscut-angle on In-content of InGaN on (0001) Sapphire Grown by MOVPE International-presentation

    K. Shojiki, J. H. Choi, H. Shindo, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    Material Science Week 2012 (MSW2012)　2012/11/25

  274. Comparison of Indium Incorporation in InGaN on (0001) and (000-1) GaN/Sapphire Grown by MOVPE International-presentation

    T.Tanikawa, K.Shojiki, J.H.Choi, T.Hanada, R.Katayama, T.Matsuoka

    Material Science Week (MSW) 2012　2012/11/25

  275. Nitride Semiconductos for Energy Saving and Generation International-presentation

    T. Matsuoka

    2012 Intern. Symp. Cryst. Growth　2012/11/14

  276. Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-incorporation into InGaN Grown by MOVPE International-presentation

    J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    International Conference on Nano Science and Nano Technology (ICNST 2012)　2012/11/08

  277. Comparison of Crystalline Quality in InGaN Grown on (0001) and (000-1) GaN/Sapphire by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy International-presentation

    T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka

    Intern. Workshop Nitride Semicond. (IWN 2012)　2012/10/14

  278. Study of In-composition of InGaN Islands on m-plane GaN Substrate using High-resolution Microbeam XRD International-presentation

    J. Choi, K. Shojiki, T. Shimada, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka, Y. Imai, S. Kimura

    Intern. Workshop Nitride Semicond. (IWN 2012)　2012/10/14

  279. Observation of Local Misfit-dislocation Density of Partly Relaxed InGaN Film Grown on m-GaN using Microbeam X-ray Diffraction International-presentation

    T. Hanada, K. Shojiki, T. Shimada, J. H. Choi, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, Y. H. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    Intern. Workshop Nitride Semicond. (IWN 2012)　2012/10/14

  280. Violet Second-harmonic-generation from Polarity-inverted GaN Waveguides International-presentation

    R. Katayama, S. Kurokawa, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Matsuoka

    Intern. Workshop Nitride Semicond. (IWN 2012)　2012/10/14

  281. Enhancement of violet second harmonic generation in periodic polarity-inverted GaN waveguides International-presentation

    R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Matsuoka

    17th Int. Conf. Molecular Beam Epitaxy　2012/09/23

  282. Current Status of InN Growth by Pressurized-Reactor MOVPE

    松岡隆志

    第73回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2012/09/11

  283. AlGaN/GaN MISゲートHEMT形成におけるH2アニールの効果

    小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 片山竜二, 松岡隆志, 末光哲也

    第73回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2012/09/11

  284. マイクロビームX線回折によるm面InGaN/GaNのミスフィット転位密度分布の観察

    花田 貴, 正直花奈子, 島田貴章, 崔 正焄, 今井康彦, 木村 滋, 坂田修身, 劉 玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第73回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2012/09/11

  285. (0001)および(000-1)面GaN上へMOVPE成長したInGaNの結晶品質比較

    谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志

    第73回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2012/09/11

  286. 窒化インジウム ～発光素子から太陽電池まで～

    松岡隆志, 木村健司, 片山竜二

    日本学術振興会 素材プロセシング第69委員会 第2分科会（新素材関連技術）第66回研究会　2012/07/31

  287. Linear and nonlinear optical investigations of periodic polarity-inverted GaN waveguides International-presentation

    R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Matsuoka

    4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)　2012/07/16

  288. Influence of Sapphire Substrate Miscut Angle on Indium Content of MOVPE-grown InGaN Films International-presentation

    K. Shojiki, H. Shindo, S. Y. Ji, V. S. Kumar, J. H. Choi, Y. H. Liu, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)　2012/07/16

  289. Evaluation of Metastable-Phase Inclusion in PR-MOVPE- Grown InN Films by EBSD International-presentation

    T. Iwabuchi, H. Matsumura, K. Prasertsuk, T. Kimura, Y. Zhang, Y. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)　2012/07/16

  290. Enhancement of In-incorporation into InGaN by Nitridation of Sapphire Substrate in MOVPE International-presentation

    J. H. Choi, S. Kumar, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    4th Intern. Symp.on Growth of III- nitrides (ISGN-4)　2012/07/16

  291. Evaluation of metastable-phase inclusion in PR-MOVPE-grown InN films by EBSD

    T. Iwabuchi, H. Matsumura, K. Prasertsuk, T. Kimura, Y. Zhang, Y. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    第31回電子材料シンポジウム　2012/07/11

  292. Influence of sapphire substrate miscut angle on Indium content of MOVPE-grown InGaN films

    K. Shojiki, J. H. Choi, H. Shindo, S.Y. Ji, V.S. Kumar, Y.H. Liu, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第31回電子材料シンポジウム　2012/07/11

  293. Violet-colored enhanced second harmonic generation from periodic polarity-inverted GaN waveguide

    R. Katayama, S. Kurokawa, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, T. Tanikawa, T. Hanada, T. Matsuoka

    第31回電子材料シンポジウム　2012/07/11

  294. 周期的極性反転GaN導波路による紫色第二高調波発生

    片山竜二, 松岡隆志

    第123回金属材料研究所講演会,P-80　2012/05/23

  295. 加圧型MOVPE成長InN薄膜における準安定相混在のEBSDによる評価

    岩渕拓也, 松村博史, 木村健司, 張源涛, キャッティウット, プラスラットスック, 劉玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第123回金属材料研究所講演会,P－PE成長I16　2012/05/23

  296. ワイドギャップ半導体導波路作成にむけたa-TiOx薄膜の光学特性評価

    黒川周斉, 岩渕拓也, 片山竜二, 松岡 隆志

    第123回金属材料研究所講演会,P-15　2012/05/23

  297. マイクロファセットができたm面InGaN薄膜のIn濃度分布観察

    花田 貴, 崔 正焄, 正直花奈子, 今井康彦, 木村 滋, 島田貴章, 片山竜二, 松岡隆志

    プレIWN2012　2012/04/04

  298. 極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能

    片山竜二, 松岡隆志, 福原裕次郎, 角田雅弘, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎

    第59回応用物理学会関係連合講演会　2012/03/15

  299. SiCNをゲート絶縁膜として用いたAlGaN/GaN HEMT

    鹿野優毅, 小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 片山竜二, 松岡隆志, 末光哲也

    第59回応用物理学会関係連合講演会　2012/03/15

  300. Effect of c-Sapphire Nitridation on Indium-composition of InGaN Films

    J. H. Choi, Suresh Kumar, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    第59回応用物理学会関係連合講演会　2012/03/15

  301. 加圧型MOVPE成長InN薄膜における準安定相混在のEBSDによる評価

    岩渕拓也, 松村博史, 木村健司, 張源涛, キャッティウット プラスラットスック, 劉玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第59回応用物理学会関係連合講演会　2012/03/15

  302. Recent progress in InN research International-presentation

    T. Matsuoka, T. Kimura, K. Prasertsuk, Y. T. Zhang, T. Iwabuchi, R. Katayama

    1st IMR & KMU Joint Workshop　2012/02/19

  303. Tilted Domain and Indium Content of MOVPE-grown InGaN Layer on m-plane GaN Substrate International-presentation

    K. Shojiki, T. Hanada, T. Shimada, Y. H. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    1st IMR & KMU Joint Workshop　2012/02/19

  304. Effect of Phase Purity on Dislocation Density of PR-MOVPE-Grown InN International-presentation

    T. Iwabuchi, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, R. Katayama, T. Matsuoka

    1st IMR & KMU Joint Workshop　2012/02/19

  305. Optical Properties of the Periodic Polarity-inverted GaN Waveguides International-presentation

    R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, S. Kurokawa, N. Fujii, T. Matsuoka

    SPIE　2012/01

  306. 材料科学の融合研究により低炭素社会実現への貢献を目指す

    松岡隆志, 宇佐美徳隆

    PV Japan2011　2011/12/05

  307. 材料科学の融合研究により低炭素社会実現への貢献を目指す

    松岡隆志, 宇佐美徳隆

    PV Japan 2011　2011/12/05

  308. 窒化インジウムのエピタキシャル成長とバンドギャップ・エネルギの温度安定性

    松岡隆志, 木村健司, Kiattiwut Prasertsuk, 岩渕拓也, 花田貴, 片山竜二

    JST-CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」 第4回公開シンポジウム　2011/12/02

  309. 温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究とその進展

    松岡隆志, 木村健司, 花田貴, 片山竜二, 金廷坤, 播磨弘, 宮澤信太郎, 中江秀雄

    JST-CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」 第4回公開シンポジウム　2011/12/02

  310. 温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究

    松岡隆志

    JST-CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」 第4回公開シンポジウム　2011/12/02

  311. InNの平均二乗変位の温度依存性

    花田貴, 劉玉懐, 張源涛, 木村健司, プラスラットスック キャッティウット, 田尻寛男, 坂田修身, 片山竜二, 松岡隆志

    第121回東北大学金属材料研究所講演会　2011/11/24

  312. Phase Diagram of InN grown Pressurized-Reactor MOVPE

    T. Kimura, K. Prasetsuk, Y. T. Zhang, Y. H. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    第121回東北大学金属材料研究所講演会　2011/11/24

  313. Relationship between residual carrier density and phase purity in InN grown by pressurized-reactor MOVPE

    K. Prasertsuk, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, T. Iwabuchi, R. Katayama, T. Matsuoka

    第121回東北大学金属材料研究所講演会　2011/11/24

  314. 温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究とその進展

    松岡隆志, 木村健司, 花田貴, 片山竜二, 金廷坤, 播磨弘, 宮澤信太郎, 中江秀雄

    サイエンスアゴラ2011　2011/11/19

  315. 東北大金研における東日本大震災

    佐藤香織, 椛沢祐輔, 松岡隆志

    サイエンスアゴラ2011　2011/11/19

  316. ワイドギャップ半導体薄膜導波路の実効屈折率評価

    片山竜二, 黒川周斉, 松岡隆志

    東北大学光科学技術フォーラム,　2011/11/16

  317. 温度安定性に優れた光通信用レーザを目指したInN研究の現状

    松岡隆志, 木村健司, 花田貴, 片山竜二

    東北大学光科学技術フォーラム,　2011/11/16

  318. Tilted Domain and Indium Content of MOVPE-grown InGaN Layer on m-plane GaN Substrate International-presentation

    K. Shojiki, T. Hanada, T. Shimada, Y. H. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    2011 Intern. Conf. Solid State Devices and Mat. (SSDM 2011)　2011/09/28

  319. Effect of Phase Purity on Dislocation Density of PR-MOVPE-Grown InN International-presentation

    T. Iwabuchi, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, R. Katayama, T. Matsuoka

    2011 Intern. Conf. Solid State Devices and Mat. (SSDM 2011)　2011/09/28

  320. MOVPE成長InGaN/m-GaNにおけるチルトドメインとIn濃度

    正直花奈子, 花田貴, 島田貴章, 劉玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第72回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2011/08/29

  321. 加圧型MOVPE成長InNの転位密度と相純度の成長圧力依存性

    岩渕拓也, 平田 雅貴, 木村 健司, 劉 玉懐, 張 源涛, プラスラットスック キャッティウット, 片山竜二, 松岡隆志

    第72回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2011/08/29

  322. 青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその素子応用

    T. Matsuoka

    東北大学金属材料研究所 第81回夏期講習会　2011/07/27

  323. Phase Diagram on Phase Purity of InN grown Pressurized-Reactor MOVPE International-presentation

    T. Kimura, K. Prasertsuk, Y. Zhang, Y. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semicond. (ICNS-9)　2011/07/10

  324. Temperature-Dependent Static Correlation Functions of Vibrational Atomic Displacements for InN Film Measured by X-ray Diffraction International-presentation

    T. Hanada, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, H. Tajiri, O. Sakata, T. Kimura, K. Prasertsuk, R. Katayama, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semicond. (ICNS-9)　2011/07/10

  325. Relationship between Residual Carrier Density and Phase Purity in InN Grown by Pressurized-Reactor MOVPE International-presentation

    K. Prasertsuk, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, T. Iwabuchi, R. Katayama, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semicond. (ICNS-9)　2011/07/10

  326. Possibility of Pressurized-Reactor MOVPE for Nitride Semiconductor International-presentation

    T. Matsuoka, Y. H. Liu, T. Kimura, R. Katayama

    5th International Conference on LED and Solid State Lighting　2011/06/30

  327. 加圧型MOVPE法によるInNの転位密度における相純度の影響

    岩渕拓也, 劉玉懐, 木村健司, 張源涛, キャッティウット プラスラットブック, 片山竜二, 松岡隆志

    第121回東北大学金属材料研究所講演会　2011/05/24

  328. m面GaN基板上InGaN薄膜のIn濃度の基板傾斜角依存性

    正直花奈子, 花田貴, 島田貴章, 劉玉懐, 片山竜二, 松岡隆志

    第121回東北大学金属材料研究所講演会　2011/05/24

  329. ワイドバンドギャップ半導体単結晶薄膜の加圧成長と成長制御技術

    劉玉懐, 木村健司, 片山竜二

    応用物理学会結晶工学分科会　2011/04/21

  330. Recent progress in Growth of InN and its Applications International-presentation

    T. Matsuoka

    International Conference on LED and Solid Sate Lighting (LED2011)　2011/04/11

  331. ラマン散乱によるPR-MOVPE成長InN膜質評価 (II)

    金廷坤, 亀井靖人, 木村篤人, 蓮池紀幸, 木曽田賢治, 播磨 弘, 劉玉懐, 松岡隆志

    第58回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2011/03/24

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    震災のため未開催

  332. 加圧型MOVPE法によるInNの転位密度における相純度の影響

    岩渕拓也, 劉玉懐, 木村健司, 張源涛, キャッティウット プラスラットスック, 片山竜二, 松岡隆志

    第58回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2011/03/24

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    震災のため未開催

  333. 加圧MOVPEにおけるInNの残留キャリア濃度の成長温度依存性

    プラスラットスック・キャッティウット, 平田雅貴, 劉玉懐, 木村健司, 張源涛, 岩渕拓也, 片山竜二, 松岡隆志

    第58回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2011/03/24

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    震災のため未開催

  334. MOVPE成長InGaN薄膜のIn組成の成長速度依存性

    正直花奈子, 片山竜二, 紀世陽, サレッシュ・クマール, 進藤裕文, 崔正焄, 劉玉壊, 松岡隆志

    第58回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2011/03/24

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    震災のため未開催

  335. m面GaN 基板上InGaN 薄膜のIn 濃度の基板傾斜角依存性

    正直花奈子, 花田貴, 島田貴章, 劉玉壊, 片山竜二, 松岡隆志

    第58回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2011/03/24

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    震災のため未開催

  336. ウルツ鉱型と閃亜鉛鉱型結晶構造の混在したInNの構造解析

    木村健司, 岩渕拓也, Kiattiwut・Prasertsuk, 張源涛, 劉玉懐, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志

    第58回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2011/03/24

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    震災のため未開催

  337. Progress in MOVPE-Growth in GaN and InN International-presentation

    T. Matsuoka

    The International Society for Optical Engineering, Optoelectronics 2010　2011/01/22

  338. m面GaN基板上InGaN薄膜In濃度の基板傾斜角依存性

    正直花奈子, 花田貴, 島田貴章, 劉玉壊, 片山竜二

    第4回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応　2011/01/17

  339. Comparisons of optical properties between polar and non-polar InGaN/GaN mutiple-quantum-well light-emitting-diodes

    CHOI J. H, R. Katayama, T. Hanada, Y. Liu

    第4回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応　2011/01/17

  340. Progress and Current Status in Nitride Semiconductors from GaN to InN International-presentation

    T. Matsuoka

    Intern. Conf. Emerging Technology in Renewable Energy (ICETRE-2010)　2011/01/10

  341. Paving the way to high-quality InN- effects of pressurized reactor in MOVPE- International-presentation

    T. Matsuoka, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, R. Katayama

    Intern. Conf. Nano and Information Technol.of Semicond.　2010/12/09

  342. Comparison of optical properties between polar and non-polar InGaN/GaN multi-quantum-well light-emitting-diodes

    J. H. Choi, Y. H. Liu, R. Katayama, T. Hanada

    Kinken-Wakate 2010, 7th Materials Science School for Young Scientists "Challenge of radiation for advanced materials science　2010/12/02

  343. Growth temperature dependence of phase purity in InN grown by pressurized MOVPE

    T. Kimura, Y. H. Liu, R. Katayama, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, J. G. Kim, N. Hasuike, H. Harima, R. Katayama

    Kinken-Wakate 2010, 7th materials Science School for Young Scientists "Challenge of radiation fro advanced materials science　2010/12/02

  344. 温度安定性に優れた光通信用ＩｎＮ半導体レーザの研究」～最近の進捗～

    播磨弘, 宮澤信太郎

    JST-CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」第3回公開シンポジウム　2010/11/26

  345. 窒化インジウム薄膜高品質化への道

    劉玉懐, 木村健司, 張源涛, キャッティウット プラスラットブック, 岩渕拓也, 花田貴, 片山竜二

    JST-CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」第3回公開シンポジウム　2010/11/26

  346. 窒化物半導体研究のトレンド：InN

    劉玉懐, 木村健司, 片山竜二

    第120回東北大学金属材料研究所講演会　2010/11/24

  347. MOVPE成長におけるInGaN薄膜品質の原料供給V/III比依存性

    正直花奈子, 紀世陽, ベンガーダーチャラム, サレッシュ クマール, 進藤裕文, 劉玉懐, 片山竜二

    第120回東北大学金属材料研究所講演会　2010/11/24

  348. 窒化インジウムのMOVPE成長における相純度の成長圧力依存性

    岩渕 拓也, 木村健司, 劉玉懐, 張源涛, キャッティウット プラスラットブック, 片山 竜二

    第120回東北大学金属材料研究所講演会　2010/11/24

  349. 周期的格子極性反転GaNヘテロ構造の光学特性

    藤井直人, 福原裕次郎, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 劉玉懐

    第120回東北大学金属材料研究所講演会　2010/11/24

  350. GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状

    木村健司, 劉玉懐, 張源涛, 片山竜二

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会　2010/11/04

  351. 窒化インジウムのMOVPE成長における相純度の成長圧力依存性

    岩渕拓也, 木村健司, 劉玉懐, 張源涛, キャッティウット プラスラットスック, 片山竜二

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会　2010/11/04

  352. MOVPE法InGaN薄膜成長における基板微傾斜のIn組成への寄与

    進藤裕文, 紀世陽, ベンガーダーチャラム, サレッシュ クマール, 正直花奈子, 劉玉懐, 片山竜二

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会　2010/11/04

  353. MOVPE成長におけるInGaN薄膜の構造・光学特性のV/III比依存性

    正直花奈子, 紀世陽, ベンガーダーチャラム, サレッシュ クマール, 進藤裕, 劉玉懐, 片山 竜二

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会　2010/11/04

  354. 周期的格子極性反転GaNヘテロ構造の光学特性

    藤井直人, 福原裕次郎, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 劉玉懐

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会　2010/11/04

  355. 加圧MOVPE成長InNのバンドギャップ∙エネルギの温度依存性

    キャッティウット プラスラットブック, 劉玉懐, 木村健司, 張源涛, 平田雅貴, 片山竜二

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会　2010/11/04

  356. InN成長における加圧型有機金属気相成長法の可能性 Invited

    松岡 隆志

    東北大学多元物質科学研究所 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会 GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状,V-2　2010/11/04

  357. Step-Flow Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy International-presentation

    Y. T. Zhang, Y. H. Liu, T. Kimura, M. Hirata, K. Prasertsuk, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Workshop on Nitride semiconds (IWN2010)　2010/09/17

  358. Growth Temperature Dependence of Phase Purity in InN Grown by Pressurized MOVPE International-presentation

    T. Kimura, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, J. G. Kim, N. Hasuike, H. Harima, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern. Workshop on Nitride Semicond. (IWN2010)　2010/09/17

  359. Temperature Dependence of Bandgap Energy of InN Grown by Pressurized Reactor MOVPE International-presentation

    Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka

    6th Intern.Workshop on Nitride Semicond. (IWN2010)　2010/09/17

  360. 加圧MOVPE成長InNのバンドギャプエネルギーの温度依存性

    Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, M. Hirata, T. Iwabuchi, K. Prasertsuk, T. Hanada, R. Katayama

    第71回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2010/09/14

  361. 加圧MOVPE成長InNの相純度の成長温度依存性

    木村健司, 劉玉懐, 張源涛, K. Prasertsuk, 金延坤, 蓮池紀之, 播磨弘, 片山竜二

    第71回応用物理学会学術講演会講演会予稿集　2010/09/14

  362. Nitride Semiconductors: Planet Conscious Materials International-presentation

    Y. Liu, T. Kimura, Y. Zhang, K. Prasertsuk, R. Katayama

    Intern. Conf. Emerging Technology in Renewable Energy (ICETRE-2010)　2010/08/18

  363. Nitride Semiconductors: Planet Conscious Material International-presentation

    T. Matsuoka, Y. H. Liu

    Intern. Conf. Emerging Technology in Renewable Energy (ICETRE-2010)　2010/08/18

  364. 青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその応用

    T. Matsuoka

    東北大学金属材料研究所 第80回夏期講習会　2010/07/29

  365. ピエゾ力およびケルビン力顕微鏡を用いたN極性GaNテンプレート上周期的極性反転GaNの微視的評価

    R. Katayama, N. Fujii, Y. Fukuhara, K. Onabe, Y. H.Liu, T. Matsuoka

    第29回電子材料シンポジウム　2010/07/14

  366. Novel Substrate LaBGeO5 Lattice-matching to InN International-presentation

    S. Miyazawa, S. Ichikawa, Y. H. Liu, S. Y. Ji, H. Nakae

    Intern. Symp. Gallium Nitride (ISGN-3)　2010/07/04

  367. Possibility of Novel Substrate LaBGeO5 Lattice-Matching to InN International-presentation

    S. Miyazawa, S. Ichikawa, Y. H. Liu, T. Hanada, R. Katayama

    Intern. Symp. Gallium Nitride (ISGN-3)　2010/07/04

  368. Substrate crystals for nitride semiconductors from the viewpoint of device fabrication

    T. Matsuoka

    結晶成長学会 バルク結晶分科会　2010/06/18

  369. 窒化インジウム薄膜の加圧エピタキシャル成長

    Kiattiwut Prasertsuk, 劉 玉懐, 木村 健司, 張源涛, 紀世陽, 片山竜二

    第3回東北大学光学科学技術フォーラム　2010/06/16

  370. GaN極性反転構造の構造・光学特性

    藤井直人, 福原裕次郎, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 劉玉懐

    第3回東北大学光学科学技術フォーラム　2010/06/16

  371. Extended Growth Windows for Single Crystalline InN Grown by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy International-presentation

    Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, M. Hirata, K. Prasertsuk, R. Katayama

    Interm. Symp. Comp. Semiconds. (ISCS2010)　2010/06/01

  372. Effect of Growth Temperature on Structure Properties of InN Grown by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy International-presentation

    Y. T. Zhang, Y. H. Liu, T. Kimura, M. Hirata, K. Prasertsuka, R. Katayama

    Interm. Symp. Comp. Semiconds. (ISCS2010)　2010/06/01

  373. Strain relaxation mechanisum of IngaN thin film grown on m -Gan International-presentation

    T. Hanada, T. Shimada, S. Ji, K. Hobo, Y. Liu

    Interm. Symp. Comp. Semiconds. (ISCS2010)　2010/06/01

  374. Electrical Properties of InN Films Grown by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy International-presentation

    T. Kimura, Y. H. Liu, M. Hirata, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, R. Katayama

    Interm. Symp. Comp. Semiconds. (ISCS2010)　2010/06/01

  375. m面GaN基板上でのInGaN薄膜の歪緩和機構

    花田貴, 島田貴章, 紀世陽, 保浦健二, 劉玉懐

    第119回東北大学金属材料研究所講演会　2010/05/27

  376. Twist分布に起因したＸ線回折ピーク拡がりの指数依存性解析法：受光系開口角の影響(3)

    中島紀伊知, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2010/03/17

  377. m面GaN基板上でのInGaN薄膜の歪緩和

    花田貴, 島田貴章, 若葉昌布, 紀世陽, 保浦健二, 木村健司, 劉玉懐, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2010/03/17

  378. MOVPE法によるGaNテンプレート上へのInGaNエピタキシャル成長

    紀世陽, 保浦健二, 劉玉懐, スレシクマル, 張源涛, 進藤裕文, 片山竜二, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2010/03/17

  379. InNのMOVPE 成長における相図に関する圧力依存性

    劉 玉懐, 木村健司, 張源涛, 平田雅貴, 紀世陽, 片山竜二, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2010/03/17

  380. InGaNのMOVPE 成長におけるV/III 比の依存性

    Venkatachalam Suresh Kumar, S. Y. Ji, K. Hobo, Y. H. Liu, H. Shindo, M. Wakaba, T. Matsuoka

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2010/03/17

  381. InN薄膜成長用基板結晶LaBGeO5の単結晶育成

    市川 智, 金森俊樹, 宮澤信太郎, 中江秀雄, 紀世陽, 劉玉懐, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2010/03/17

  382. Twist分布に起因したＸ線回折ピーク拡がりの指数依存性解析法：受光系開口角の影響(3)

    中島紀伊知

    第57回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2010/03/17

  383. m面GaN基板上でのInGaN薄膜の歪緩和

    花田貴, 島田貴章, 若葉昌布, 紀世陽, 保浦健二, 木村健司, 劉玉懐

    第57回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2010/03/17

  384. MOVPE法によるGaNテンプレート上へのInGaNエピタキシャル成長

    紀世陽, 保浦健二, 劉玉懐, ベンガーダーチャラム, サレッシュ クマール, 張源涛, 進藤裕文, 片山竜二

    第57回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2010/03/17

  385. InNのMOVPE 成長における相図に関する圧力依存性

    劉玉懐, 木村健司, 張源涛, 平田雅貴, 紀世陽, 片山竜二

    第57回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2010/03/17

  386. InGaNのMOVPE 成長におけるV/III 比の依存性

    V. Suresh Kumar, S. Y. Ji, K. Hobo, Y. H. Liu, H. Shindo, M. Wakaba

    第57回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2010/03/17

  387. InN薄膜成長用基板結晶LaBGeO5の単結晶育成

    市川智, 金森俊樹, 宮澤信太郎, 中江秀雄, 紀世陽, 劉玉懐

    第57回応用物理学会関係連合講演会予稿集　2010/03/17

  388. InN系光通信用光源の現状と将来展望

    松岡隆志

    第3回東北大学光科学技術フォーラム　2010/03/01

  389. Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (1) ~ The Growth Mechanisms ~ International-presentation

    Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, M. Hirata, K. Prasertusk, R. Katayama, T. Matsuoka

    5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2010/02/24

  390. Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (2) ~ Towards the Dense Films under High-Temperature Growth ~ International-presentation

    T. Kimura, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, M. Hirata, K. Prasertusk, R. Katayama, T. Matsuoka

    5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2010/02/24

  391. Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (3) ~ Temperature Dependence on Structure Properties ~ International-presentation

    Y. T. Zhang, Y. H. Liu, T. Kimura, M. Hirata, K. Prasertusk, R. Katayama, T. Matsuoka

    5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2010/02/24

  392. Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (4) ~ Optical and Electrical Properties ~ International-presentation

    M. Hirata, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, T. Kimura, K. Prasertusk, R. Katayama, T. Matsuoka

    5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2010/02/24

  393. Progresses in GaN Growth on ZnO Substrate International-presentation

    S. Y. Ji, V. Suresh Kumar, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, T. Kimura, K. Hobo, T. Matsuoka

    5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2010/02/24

  394. Influence of V/III ratio on surface morphologies and optical properties of MOVPE-grown InGaN epitaxial layers International-presentation

    V. Suresh Kumar, S. Y. Ji, K. Hobo, Y. H. Liu, H. Shindo, T. Matsuoka

    5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2010/02/24

  395. 温度安定性に優れた光通信用InN分布帰還型レーザの半導体レーザの研究

    松岡隆志

    新機能創成に向けた光・光量子科学技術第２回公開シンポジウム　2009/11/27

  396. 加圧有機金属気相成長法による高品質窒化インジウム膜の作製

    劉玉懐, 木村健司, 張源涛, 片山竜二, 松岡隆志

    新機能創成に向けた光・光量子科学技術第２回公開シンポジウム　2009/11/27

  397. ラマン散乱によるMOVPE成長InN薄膜の評価―加圧成長炉及び低圧成長炉比較

    金廷坤, 播磨弘

    新機能創成に向けた光・光量子科学技術第２回公開シンポジウム　2009/11/27

  398. 新基板結晶作製技術

    宮澤信太郎

    新機能創成に向けた光・光量子科学技術第２回公開シンポジウム　2009/11/27

  399. 回折格子作製技術

    中尾正史

    新機能創成に向けた光・光量子科学技術第２回公開シンポジウム　2009/11/27

  400. Evaluation of Carrier Density of Pressurized-MOVPE Grown InN by using FTIR Spectroscopy International-presentation

    M. Hirata, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, T. Kimura, K. Prasertsuk, R. Katayama, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009/10/23

  401. The Mechanism of InN Growth by MOVPE International-presentation

    Y. H. Liu, Y. T. Zhang, T. Kimura, S. Y. Ji, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009/10/23

  402. MOVPE Growth of InGaAlN Layer for High Brightness LEDs International-presentation

    S. Y. Ji, Y. H. Liu, V. Suresh Kumar, Y. T. Zhang, T. Kimura, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009/10/23

  403. Band Gap of Miscible InGaAlBN as an Novel Materials for Optical Communications System International-presentation

    T. Kimura, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009/10/23

  404. Effects of Substrate Misorientation on InGaN Grown on M-plane GaN International-presentation

    Y. H. Liu, S. Y. Ji, K. Hobo, T. Kimura, M. Hirata, Y. T. Zhang, T. Shimada, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semicond. (ICNS-8)　2009/10/18

  405. MOVPE Growth of GaN on Novel Susbstrate ZnO International-presentation

    S. Y. Ji, K.Hobo, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, V. Suresh Kumar, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semicond. (ICNS-8)　2009/10/18

  406. Growth of InN by Pressurized Reactor MOVPE: Morphology Evolution International-presentation

    Y. H. Liu, Y. T. Zhang, T. Kimura, S. Y. Ji, T. Matsuoka

    Intern. Conf. Nitride Semicond. (ICNS-8)　2009/10/18

  407. New Trends of Nitride Semiconductors International-presentation

    International Symposium on Optomechatronics Technology (ISOT 2009)　2009/09/21

  408. 加圧有機金属気相成長法によるInNのｃ面成長促進のメカニズム

    劉玉懐, 張源涛, 木村健司, 平田雅貴, 紀世陽, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2009/09/08

  409. 加圧MOVPE法によるInN結晶成長における成長温度の影響

    張源涛, 劉玉懐, 木村健司, 紀世陽, 平田雅貴, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2009/09/08

  410. MOVPE法によるZnO基板上にInGaNエピタキシ膜の成長

    紀世陽, 保浦健二, 劉玉懐, スレシクマル, 張源涛, 木村健司, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2009/09/08

  411. β-FeSi2/Si(001)熱反応堆積成長のその場X線回折:α-FeSi2の成長と消滅

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 松岡隆志

    第70回応用物理学会学術講演会講演会　2009/09/08

  412. 擬似格子整合成長によるInGaNの相分離抑制効果のシミュレーション

    花田貴, 松岡隆志

    第118回東北大学金属材料研究所講演会　2009/09/08

  413. Challenges, Stratagies, and Future Perspectives in MOVPE Grown of InN International-presentation

    Y. H. Liu, Y. T. Zhang, T. Kimura, M. Hirata, M. Nakao, S. Y. Ji, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009/09/04

  414. The Way to the growth of High Quality InN International-presentation

    T. Kimura, Y. H. Liu, M. Hirata, S. Y. Ji, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009/09/04

  415. MOVPE Growth of Gallium Nitride Layer on ZnO Substrate International-presentation

    S. Y. Ji, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, V. Suresh Kumar, T. Matsuoka

    2009 Asian Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors in Korea　2009/09/04

  416. Perspective in growth of high-quality InN by pressurized MOVPE International-presentation

    Y. H. Liu, T. Matsuoka

    6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors　2009/08/23

  417. Review on InGaAlN Research and Its Future Prospects International-presentation

    T. Matsuoka

    Harvard and Tohoku May Exchange Meeting　2009/05/06

  418. 自ら拘ったGaNによる青色発光を一旦諦めざるを得なかった思い

    日本総研 技術価値創造戦略グループセミナー“夢を語り実現する研究者になるための若手研究者セミナー ～一流の研究を知り、実践するためにすべきこと～”　2009/04/17

  419. 有機金属気相成長法を用いたInN結晶成長におけるリアクタ圧力の効果

    劉玉懐, 張源涛, 木村健司, 平田雅貴, 大田由一, 紀世陽, 松岡隆志

    第56回応用物理学会関係連合講演会　2009/03/30

  420. ラマン散乱によるMOVPE成長InN膜質評価―加圧成長炉と減圧成長炉の比較

    金廷坤, 亀井靖人, 山本宏明, 蓮池紀幸, 播磨弘, 木曽田賢治, 劉玉懐, 松岡隆志

    第56回応用物理学会関係連合講演会　2009/03/30

  421. 高圧MOVPE法により成長したInNの構造特性に関する研究

    張源涛, 劉玉懐, 平田雅貴, 木村健司, 大田由一, 紀世陽, 松岡隆志

    第56回応用物理学会関係連合講演会　2009/03/30

  422. 高圧MOVPE成長InNの光学特性

    平田雅貴, 劉玉懐, 張源涛, 木村健司, 大田由一, 紀世陽, 松岡隆志

    第56回応用物理学会関係連合講演会　2009/03/30

  423. MOVPE法によるZnO基板上にGaNエピタキシ膜の成長

    紀世陽, 保浦健二, 劉玉懐, 張源涛, 若葉昌布, 木村健司, 松岡隆志

    第56回応用物理学会関係連合講演会　2009/03/30

  424. Twist分布に起因したＸ線回折ピーク拡がりの指数依存性解析法：受光系開口角の影響(2)

    中島紀伊知, 松岡隆志

    第56回応用物理学関係連合講演会　2009/03/20

  425. β-FeSi2/Si(001)熱反応堆積成長のその場X線回折

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 松岡隆志

    第70回応用物理学会関係連合講演会予稿集,　2009/03/20

  426. Effect of Reactor Geometry on Epitaxial Growth of InN ～InN: A Novel Semiconductor for Laser Material International-presentation

    Y. Liu, Y. Zhang, T. Kimura, Y. Ohta, M. Hirata, S-Y. Ji, T. Matsuoka

    4th International Symposium on Medical, Bio-and Nano-Electronics　2009/03/05

  427. High Pressure MOVPE Growth of InN International-presentation

    T. Kimura, Y. Ohta, M. Hirata, Y. Zhang, Y. Liu, T. Matsuoka

    4th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics　2009/03/05

  428. Structural Properties of InN Grown by High-Pressure MOVPE International-presentation

    Y. Zhang, Y. Liu, M. Hirata, T. Kimura, Y. Ohta, S-Y. Ji, T. Matsuoka

    4th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics,　2009/03/05

  429. Optical Properties of InN Grown under High-Pressure International-presentation

    M. Hirata, Y. Liu, Y. Zhang, T. Kimura, Y. Ohta, S-Y. Ji, T. Matsuoka

    4th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics,　2009/03/05

  430. Epitaxial Growth of GaN Film on ZnO Substrate International-presentation

    S.Y. Ji, K. Hobo, Y.H. Liu, Y.T. Zhang, M. Wakaba, K. Kimura, V. Suresh Kumar, T. Hanada, T. Matsuoka

    4th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics,　2009/03/05

  431. New Applications of Nitride Semiconductors – Originating from New Band-gap Energy of InN International-presentation

    T. Matsuoka, Y. H. Liu, N. Usami

    NTU-Tohoku Research Student Workshop on Materials Integration for Health, Energy & Better Enviroment, 18　2009/02/24

  432. Si(001)上のβ-FeSi2熱反応堆積成長とその場X線回折

    花田貴, 田尻寛男, 坂田修身, 松岡隆志

    第116回東北大学金属材料研究所講演会　2008/11/29

  433. 窒化物半導体の通信応用と太陽電池への展開

    Takashi Matsuoka

    第2回東北大学光科学技術フォーラム　2008/11/06

  434. Next Generation Solar Cell Based on Nitride Semiconductors International-presentation

    T. Matsuoka, N. Usami, A. Yamamoto

    Asian Core Workshop on Wide band gap Semiconductors　2008/10/22

  435. MOVPE Growth of InN: A Comparison between a Horizontal and a Vertical Reactor International-presentation

    Y. Liu, T. Kimura, T. Shimada, M. Hirata, M. Wakaba, M.Nakao, S-Y. Ji, T. Matsuoka

    5th Intern. Workshop on Nitrides (IWN 2008)　2008/10/05

  436. Grating Fabrication on Nitrides Grown by MOVPE for DFB Lasers International-presentation

    M. Nakao, T. Kimura, Y. Liu, S-Y. Ji, T. Matsuoka

    5th Intern. Workshop on Nitrides (IWN 2008), Tu6-P29　2008/10/05

  437. 窒化物次世代太陽電池

    松岡隆志, 宇佐美徳隆

    第69回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム「再生可能サイクルへ向けたエネルギーデバイスの現状」　2008/09

  438. Twist分布に起因したＸ線回折ピーク拡がりの指数依存性解析法：受光系開口角の影響

    中島紀伊知, 松岡隆志

    第69回応用物理学会学術講演会講演会　2008/09

  439. InNのMOVPE成長における横型炉と縦型炉の比較

    劉玉懐, 木村健司, 島田貴章, 平田雅貴, 中尾正史, 紀世陽, 松岡隆志

    第69回応用物理学会学術講演会講演会　2008/09

  440. 青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその応用

    Takashi Matsuoka

    東北大学金属材料研究所 第78回夏期講習会　2008/07/30

  441. InNおよびIn-rich InGaNの問題点と新しい応用

    Takashi Matsuoka

    次世代ナノ技術に関する専門委員会（第Ⅲ期）第一回研究会“材料デバイスサマーミーティング、「InN系材料の現状と将来」第二段　2008/06/27

  442. InNのMOVPE成長における横型炉と縦型炉の比較

    劉玉懐, 木村健司, 松岡隆志

    次世代ナノ技術に関する専門委員会（第Ⅲ期）第一回研究会“材料デバイスサマーミーティング”、「InN系材料の現状と将来」第二段　2008/06/27

  443. Progress in MOVPE Growth of GaN to InN International-presentation

    T. Matsuoka

    The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)　2008/05/21

  444. 有機金属気相成長法によるC面サファイア基板上への窒素極性GaNの成長機構

    茂木信之, 中尾正史, 松岡隆志

    第55回応用物理学関係連合講演会　2008/03/27

  445. MOVPE Growth Mechanism of N-Polar GaN on C-Plane Sapphire International-presentation

    N. Motegi, M. Nakao, T. Matsuoka

    3rd Internation Symposium on Medical, Bio-and Nano-Electronics　2008/03/05

  446. Band Gap of Miscible InGaAlBN for Use in Optical Communications Systems

    木村健司, 松岡隆志

    グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」若手研究者研究報告会　2008/03

  447. New possibility of MOVPE-Growth in N-Polar GaN and InN International-presentation

    T. Matsuoka

    Asian Core workshop on Wide bang gap semiconductors　2008/02/18

  448. Progress in MOVPE-Growth of GaN to InN International-presentation

    T. Matsuoka

    The International Society for Optical Engineering, Optoelectronics 2008, Quantum Sensing nd Nanophotonic Devices V　2008/01/19

  449. 有機金属気相成長法によるC面サファイア基板上への窒素極性GaNの成長機構

    茂木信之, 中尾正史, 松岡隆志

    応用物理学会 結晶工学分科会 年末講演会　2007/12/14

  450. 有機金属気相成長法によるC面サファイア基板上への窒素極性GaNの成長機構

    茂木信之, 中尾正史, 松岡隆志

    第114回東北大学金属材料研究所講演会　2007/11/29

  451. 1.5-μm Emission of Slightly Oxidized InN Crystals Grown by MOVPE International-presentation

    M. Nakao, T. Shimada, M. Wakaba, N. Motegi, A. Gomyo, S. Mizuno, T. Matsuoka

    34th International Symposium on Compound Semiconductors　2007/10/15

  452. Band Gap of Miscible InGaAIBN for Use in Optional Communicatiosn Systems International-presentation

    T. Kimura, T. Matsuoka

    7th Internaitonl Conference on Nitride Semiconductors　2007/09/16

  453. Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence for InN Grown by MOVPE International-presentation

    M. Nakao, T. Shimada, M. Wakaba, N. Motegi, A. Gomyo, S. Mizuno, T. Matsuoka

    7th Internaitonl Conference on Nitride Semiconductors　2007/09/16

  454. MOVPE Growth Mechanism of High Quality N-Polar GaN on C-Plane Sapphire International-presentation

    N. Motegi, M. Nakao, T. Matsuoka

    7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)　2007/09/16

  455. Mysterious Material InN in Nitride semiconductors, -What's the bandgap energy and its application International-presentation

    T. Matsuoka

    8th International Balkan Workshop on Applied Physics　2007/07/05

  456. Mysterious Material InN in Nitride Semiconductors International-presentation

    M. Nakao

    The Second Polish-Japanese-German Crystal Growth Meeting 19th (PJG-CGM2)　2007/05/24

  457. Mysterious Material InN in Nitride Semiconductors, - What's the bandgap energy and its application? International-presentation

    T. Matsuoka

    19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2007)　2007/05/14

  458. X線回折ピーク拡がり要因の指数依存性による解析法の拡張(２)：twist分布解析

    中島紀伊知, 松岡隆志

    第68回応用物理学関係連合講演会　2007/03

  459. Calculation of Phase Separation in Wurtzite In1-x-y-zGaxAlyBzN International-presentation

    T. Kimura, T. Matsuoka

    Inst. Materials Res. (IMR) Workshop on Advanced Materials　2007/03/01

  460. New possibility of MOVPE-Grown in GaN and InN -Polarization in GaN and Nitrogen Corporation in InN- International-presentation

    T. Matsuoka

    The International Society for Optical Engineering　2007/01/20

  461. Progress in Nitride Semiconductors from GaN to InN International-presentation

    T. Matsuoka

    2006 International Electron Devices and Materials Symposia　2006/12/07

  462. 窒化物半導体InNの現状と将来

    松岡隆志

    第112回東北大学金属材料研究所講演会, 一般講演　2006/11/30

  463. Possibility of InN in Applications for Optical Communications System International-presentation

    T. Matsuoka

    Third International Workshop on Indium Nitride　2006/11/12

  464. 窒化物半導体の開発経緯とInN研究

    松岡隆志

    次世代ナノ技術に関する専門委員会（第Ⅱ期）第一回研究会“材料デバイスサマーミーティング”、「InN系材料の現状と将来」　2006/06/30

  465. TEM characterization of MOVPE-grown N-polar GaN International-presentation

    T. Mitate, S. Mizuno, H. Takahata, T. Matsuoka

    International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy(ICMOVPE-XⅢ)　2006/05/22

  466. Calculation of Phase Separation in Wurtzite In1-x-y-zGaxAlyBzN International-presentation

    T. Kimura, T. Matsuoka

    International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy　2006/05/22

  467. TEMによるN極性MOVPE成長GaNの成長初期過程の解析

    見立壽継, 水野誠一郎, 高畠弘子

    第53回応用物理学関係連合講演会　2006/03/22

  468. 五元混晶InGaAlBNの相分離シミュレーション

    木村健司

    第53回応用物理学関係連合講演会　2006/03/22

  469. Current Status of InN -Application field is extended to infra-red- International-presentation

    T. Matsuoka

    International Workshop on Crystal Growth and Characterization of Advanced Materials　2006/01/09

  470. Progress in Nitride Semiconductors from GaN to InN International-presentation

    T. Matsuoka

    International Conference on Frontiers of Materials Science　2005/12/05

  471. 窒化物半導体の開発経緯から現状の問題点

    第２回窒化物半導体ミニワークショップ　2005/11/15

  472. 四元混晶InAlBN の相分離に関するシミュレーション

    木村健司, 松岡隆志

    第110回東北大学金属材料研究所講演会　2005/11/15

  473. 五元混晶InGaAlBNの相分離に関するシュミレーション

    木村健司

    電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, レーザ量子エレクトロニクス研究会　2005/10/13

  474. Growth and Crystalline Quality of Flat-Surface GaN with N-Polarity International-presentation

    T. Matsuoka, T. Mitate, H. Takahata, S. Mizuno, Y. Uchiyama, A. Sasaki, M. Yoshimoto, T. Ohnishi, M. Sumiya

    6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)　2005/08/28

  475. Effect of Oxygen Incorporation on the Electronic Structure of InN International-presentation

    J.J. Kim, H. Makino, K. Kobayashi, T. Yamamoto, P.P. Chen, A. Yamamoto, T. Matsuoka, E. Ikenaga, M. Kobata, A. Takeuchi, M. Awaji, Y. Nishino, D. Miwa, K. Tamasaku, M. Yabashi, T. Ishikawa, T. Yao

    6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)　2005/08/28

  476. 窒化物半導体の研究経過と現状 ～GaNからInNまで～

    T. Matsuoka

    第６回酸化亜鉛研究会　2005/07/22

  477. High Resolution Hard X-ray Photoemission using Synchrotron Radiation as an Essential Tool for Characterization of Thin Solid Films International-presentation

    J. J. Kim, E. Ikenaga, M. Kobata, A. Takeuchi, M. Awaji, H. Makino, P. P. Chen, A. Yamamoto, T. Matsuoka, D. Miwa, Y. Nishino, T. Yamamoto, T. Yao, K. Kobayashi

    8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures　2005/06/19

  478. Progress in Nitride Semiconductors from GaN to InN International-presentation

    T. Matsuoka

    2005 The Korean Association of Crystal Growth (KACG) Spring Meeting　2005/06/09

  479. CBED 法によるInN極性判定法の確立

    見立壽継, 水野誠一郎, 高畠弘子, 掛川龍

    日本顕微鏡学会第61回学術講演会　2005/06

  480. 光エネルギ-光電子分光法によるInNの電子状態と酸素の影響

    牧野久雄, 金正鎮, 陳平平, 山本暠勇, 松岡隆志, 高田泰孝, 池永英司, 小畠雅明, 竹内晃久, 淡路晃弘, 西野吉則, 三輪大吾, 玉作賢治, 矢橋牧名, 石川哲也, 山本哲也, 小林啓介, 八百隆文

    第52回応用物理学関係連合講演会　2005/03

  481. Temperature Dependence of InN Bandgap Energy Evaluated by Optical Tramsmission International-presentation

    T. Matsuoka

    AFOSR Indium Nitride Workshop 2　2005/01/09

  482. ウルツ鉱型InNの光学吸収特性の温度依存性

    松岡隆志, 岡本浩, 硴塚孝明, 牧本俊樹

    第65回応用物理学会学術講演会　2004/09

  483. CBED 法によるInN 結晶の極性判定

    見立壽継, 高畠弘子, 水野誠一郎, 松岡隆志, 桑野範之

    第51回応用物理学関係連合講演会　2004/03

  484. Ｎ極性を有するMOVPE成長GaNの結晶性

    松岡隆志, 見立壽継, 高畠弘子, 水野誠一郎, 内山泰宏, 佐々木敦, 吉本護, 大西剛, 角谷正友, 牧本俊樹

    第51回応用物理学関係連合講演会　2004/03

  485. Current Status of Nitride Semiconductors from GaN to InN -MOVPE Growth of Characteristics - International-presentation

    T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, H. Harima, T. Makimoto

    International Workshop on Crystal Growth and Characterization of Technologically Important Materials　2004/02/24

  486. 窒化物半導体材料の現状

    松岡隆志

    第22回電子セラミック研究会　2004/01

  487. 窒化物半導体材料とその応用

    松岡隆志

    早稲田大学 各務記念材料技術研究所 講演会　2004/01

  488. MOVPE Growth of Wurtzite InN and Experimental Consideration of Optical Characteristics International-presentation

    T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, H. Harima, T. Makimoto

    ONR Indium Nitride Workshop　2003/11/16

  489. MOVPE Growth of InN and its Band-Gap Energy International-presentation

    T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, T. Makimoto

    8th Wide-Bandgap III-Nitride Workshop　2003/09/28

  490. Polarity of GaN Grown on Several Substrates by MOVPE International-presentation

    T. Matsuoka, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, T. Makimoto

    8th Wide-Bandgap III-Nitride Workshop　2003/09/28

  491. MOVPE Growth of Wurtzite InN and its Optical Characteristics International-presentation

    T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, T. Makimoto

    International Conference on Solid State Devices and Materials　2003/09/16

  492. MOVPE成長ウルツ鉱型InNとGaNテンプレートとの結晶方位の対応

    松岡隆志, 高畠弘子, 見立壽継, 水野誠一郎, 内山泰宏, 牧本俊樹

    第64回応用物理学会学術講演会　2003/09

  493. Growth of Wurtzite InN using MOVPE and its Optical Characteristics International-presentation

    T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao

    5th International Conference on Nitride Semiconductors　2003/05/25

  494. MOCVD法によるウルツ鉱型InN及びInGaNの成長と評価

    松岡隆志

    第50回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム窒化物半導体の新しい可能性 -InN系半導体の結晶成長とバンドギャップエネルギ-　2003/03

  495. InGaN混晶のMOVPE成長

    松岡隆志, 見立壽継, 高畠弘子, 水野誠一郎

    日本学術振興会第１２５および第１６２委員会合同研究会　2003/01

  496. InNの結晶成長とその光学特性

    松岡隆志, 高畠弘子, 見立壽継, 水野誠一郎, 播磨弘, 内山泰宏, 牧本俊樹

    科学技術振興機構 戦略的創造研究 「電界効果型ナノ構造光機能素子の集積化技術開発」公開ミニシンポジウム　2003/01

  497. InGaAlNエピ成長技術の新展開 −InNのバンドギャップは？

    松岡隆志

    第３４回学振１６１委員会研究会「エピタキシャル成長技術の新展開と基板材料に求められる性能」　2003/01

  498. InNの結晶成長とその光学特性

    松岡隆志

    応用物理学会結晶工学分科会研究会「次世代ブロードバンドネットワークを築く結晶工学」　2003/01

  499. Experimental Consideration of Optical Band-Gap Energy of Wurtzite InN International-presentation

    T. Matsuoka, M. Nakao, H. Okamoto, H. Harima, E. Kurimoto

    2002 International Conference on Solid State Devices and Materials　2002/09/17

  500. ウルツ鉱型InNの結晶性とMOVPE成長条件

    松岡隆志, 岡本浩, 中尾正史, 播磨弘, 栗本英治, 谷賢典

    第63回応用物理学会学術講演会　2002/09

  501. Miscibility Gap in wurtzite In1-X-YGaXAlYN International-presentation

    T. Matsuoka

    Compound Semiconductor Optoelectronic Materials and Device Workshop　2002/03/06

  502. InNのバンドギャップ・エネルギ

    松岡隆志, 中尾正史, 岡本浩, 播磨弘, 栗本英治, 萩原恵美

    第49回応用物理学関係連合講演会　2002/03

  503. ウルツ鉱型InNのバンドギャップ・エネルギ

    松岡隆志, 中尾正史, 岡本浩, 播磨弘, 栗本英治

    信学会, 電子デバイス／レーザ・量子エレクトロニクス研究会　2002/01

  504. OPTICAL BANDGAP ENERGY of InN

    T. Matsuoka, M. Nakao, H. Okamoto, H. Harima, E. Kurimoto

    第21回電子材料シンポジウム　2002/01

  505. Substrates for Epitaxial Growth of InGaAlN System and Growth on Their Substrates International-presentation

    Frontier Science Research Conference in Materials Science and Technology Series; Science and Technology of NITRIDE MATERIALS-2001　2001/11/19

  506. サファイアM面傾斜基板上に成長したGaNの配向性と結晶性

    松岡隆志, 萩原恵美

    第62回応用物理学会学術講演会　2001/09

  507. GaN Growth on Novel Lattice-Matching Substrate -Tilted M-Plane Sapphire International-presentation

    T. Matsuoka, E. Hagiwara

    4th International Conference on Nitride Semiconductors　2001/07/14

  508. GaNへのナノプリンティングにより誘起されるナノピラー

    金澤顕治, 西岡和之, 松岡隆志, 中尾正史, 横尾篤, 玉村敏昭, 益田秀樹

    第48回応用物理学関係連合講演会　2001/03

  509. サファイアM面傾斜基板上でのGaNの単結晶成長

    松岡隆志, 萩原恵美

    第48回応用物理学関係連合講演会　2001/03

  510. サファイアM面傾斜基板上に成長したGaNの配向性

    萩原恵美, 松岡隆志

    マテリアルズ・テーラリング研究会　2001/01

  511. Impact on InGaAlN Growth of Substrate and Polarity Effects International-presentation

    Next Generation mm-Wavelength Solid State Power: Materials, Devices & Systems Workshop　2000/10/22

  512. Polarity of GaN Grown on (001) β-LiGaO2 International-presentation

    T. Matsuoka, T. Ishii

    International Workshop on Nitride Semiconductors　2000/09/24

  513. サファイアM面傾斜基板上へのMOVPEによるGaN二段階成長

    松岡隆志, 萩原恵美

    第61回応用物理学会学術講演会　2000/09

  514. Review of Substrate for InGaAlN System International-presentation

    Japan-Taiwan Joint Workshop 4th Seminar on Science and Technology; Nitride Semiconductor Materials and Devices　2000/03/21

  515. ワイドギャップ半導体材料の現状

    松岡隆志

    マテリアルズ・テーラリング研究会　2000/01

  516. (001)LiGaO2基板上に成長したGaNの極性

    松岡隆志, 石井隆生

    第60回応用物理学会学術講演会　1999/09

  517. MOVPE選択成長GaN微小六角柱の電流注入発光

    赤坂哲也, 安藤精後, 熊谷雅美, 松岡隆志, 小林直樹

    第46回応用物理学会関係連合講演会　1999/03

  518. 青色発光素子とその最新動向

    松岡隆志

    東海大学 産学連絡協議会「特別講義」　1999/01

  519. 青色発光素子の現状と課題

    松岡隆志

    日本電子材料協会光デバイスセミナー　1999/01

  520. Phase Separation in Wurtzite In1-X-YGaXAlYN International-presentation

    T. Matsuoka

    3rd European GaN Workshop　1998/06/21

  521. ワイドギャップ半導体GaNの紹介とSTM探針への応用

    松岡隆志

    科学技術振興事業団 戦略的基礎研究 "スピン計測研究チーム" 第3回研究会　1998/01

  522. Unstable Mixing Region in Wurtzite In1-X-YGaXAlYN International-presentation

    T. Matsuoka

    The 2nd International Conference on Nitride Semiconductors　1997/10/26

  523. InGaNの混合不安定領域の実験的検証

    松岡隆志

    第58回応用物理学会学術講演会　1997/09

  524. LiGaO2基板上へのGaNのMOVPE成長

    松岡隆志, 石井隆生, 宮澤信太郎

    第58回応用物理学会学術講演会　1997/09

  525. Room-Temperature CW Operation of II-VI Laser Grown on ZnSe Substrate Cleaned with Hydrogen Plasma International-presentation

    T. Ohno, A. Ohki, T. Matsuoka

    8th International Conference on II-VI Compound and Related Materials　1997/08/25

  526. Unstable Mixing Region in Wurtzite In1-X-YGaXAlYN International-presentation

    17th International Union of Vacuum Science and Technology Associations Workshop　1997/08/10

  527. 基板フリー立方晶GaNのフォトルミネッセンス

    田中秀尚, 中平篤, 松岡隆志

    第44回応用物理学関係連合講演会　1997/03

  528. 半絶縁性ZnSe基板上に作製したZnMgSSe系LDの室温ＣＷ発振

    大木明, 大野哲一郎, 松岡隆志

    第44回応用物理学関係連合講演会　1997/03

  529. 低欠陥ZnSeホモエピタキシャルMBE成長のための前処理法

    大野哲一郎, 大木明, 松岡隆志

    第44回応用物理学関係連合講演会　1997/03

  530. 半導体光部品 −材料から応用まで−

    松岡隆志

    電子情報通信学会九州支部専門講習会　1997/01

  531. 光通信用分布帰還型レーザの実用化への道

    松岡隆志

    日本電子材料協会光デバイス委員会セミナー　1997/01

  532. InGaAlNの混合不安定領域の計算

    松岡隆志

    第57回応用物理学会学術講演会　1996/09

  533. Molecular Beam Epitaxy Growth and Characteristics of p-Ge/p-ZnSe Heterostructures International-presentation

    A. Ohki, T. Ohno, T. Matsuoka

    Inter. Symp. Blue Laser & Light Emitting Diodes　1996/05/05

  534. ZnSeホモエピタキシャル発光ダイオードの劣化

    大野哲一郎, 大木明, 松岡隆志

    第43回応用物理学関係連合講演会　1996/03

  535. Lattice-Matching Growth of InGaAlN Systems International-presentation

    T. Matsuoka

    The 1995 Fall Meeting of Materials Research Society　1995/11/27

  536. Reactive Fast-Atom-Beam Etching of GaN, InGaN and AlGaN using Cl2 International-presentation

    H. Tanaka, A. Nakadaira, T. Matsuoka

    III-V Nitrides Workshop　1995/09/21

  537. ZnSe上へのGe薄膜のMBE成長

    大木明, 大野哲一郎, 松岡隆志

    第56回応用物理学会学術講演会　1995/09

  538. ZnSe/GaAs界面を用いた障壁緩和層p形InAlPのガスソースMBE成長

    岩田拡也, 朝日一, 権田俊一, 大木明, 松岡隆志

    第56回応用物理学会学術講演会　1995/09

  539. Low Temperature Grown Be-Doped InAlP Band-Offset Reduction Layer to p-Type ZnSe International-presentation

    K. Iwata, H. Asahi, T. Ogura, J. Sumino, S. Gonda, A. Ohki, Y. Kawaguchi, T. Matsuoka

    Inter. Conf. on InP and Related Materials　1995/05/09

  540. p形ZnSeに対する障壁緩和層p形InAlPの低温ガスソースMBE成長(II)

    岩田拡也, 朝日一, 小倉卓, 権田俊一, 松岡隆志

    第42回応用物理学関係連合講演会　1995/03

  541. レーザ実現に向けたIII族窒化物結晶の加工技術

    田中秀尚, 松岡隆志

    応用物理学会 結晶工学分科会 第103回研究会　1995/01

  542. The InGaAlN System as a Competitor of ZnSe International-presentation

    T. Matsuoka

    International Workshop, ZnSe-Based Blue-Green Laser Structure　1994/09/18

  543. The effect of tilted substrates for p-type doping and quantum wells of ZnCdSe/ZnSe International-presentation

    T. Matsuoka, T. Ohno, A. Ohki

    International Workshop, ZnSe-Based Blue-Green Laser Structure　1994/09/18

  544. MBE成長p型ZnSe/Au界面接合特性 (II)

    安東孝止, 米沢洋樹, 大木明, 大野哲一郎, 松岡隆志

    第55回応用物理学会学術講演会　1994/09

  545. 傾斜基板上ZnCdSe/ZnSe MQWのMBE成長

    大野哲一郎, 大木明, 松岡隆志, 川口悦弘

    第55回応用物理学会学術講演会　1994/09

  546. Gas Source MBE Growth of InAlP Band-Offset Reduction Layer on p-Type ZnSe International-presentation

    K. Iwata, H. Asahi, J. H. Kim, X. F. Liu, S. Gonda, Y. Kawaguchi, T. Matsuoka

    8th International Conference on MBE　1994/08/29

  547. ZnSe層上へのInAlPのガスソースMBE成長

    岩田拡也, 朝日一, 金竣弘, 劉学鋒, 権田俊一, 川口悦弘, 松岡隆志

    第41回応用物理学関係連合講演会　1994/03

  548. ZnCdSe/ZnSe Laser on GaAs Tilted Substrate International-presentation

    Y. Kawaguchi, T. Ohno, A. Ohki, T. Matsuoka

    Compact Blue-Green Lasers Topical Meeting　1994/02/07

  549. InGaN Growth −compared with II-VI group semiconductors

    Takashi Matsuoka

    窒化物半導体セミナー（応用物理学会中国四国支部主催）　1994/01

  550. Reactive fast-atom-beam etching of GaN using Cl2

    田中秀尚, 松岡隆志, 佐々木徹

    第13回混晶エレクトロニクスシンポジウム　1994/01

  551. InGaAlN growth

    松岡隆志

    第13回混晶エレクトロニクスシンポジウム　1994/01

  552. 青色光源の展望 −III-V族半導体の立場から

    松岡隆志

    電気学会次世代光情報専門委員会　1994/01

  553. Comparison of GaN- and ZnSe-Based Materials for Light Emitters International-presentation

    T. Matsuoka, A. Ohki, T. Ohno, Y. Kawaguchi

    6th International Conference on II-VI Compound and Related Materials　1993/09/13

  554. Au-p ZnSe界面の電気的特性：電位障壁の起源

    安東孝止, 米沢洋樹, 重松俊男, 大木明, 川口悦弘, 松岡隆志, 大野哲一郎

    第54回応用物理学会学術講演会　1993/09

  555. (311)GaAs基板上に成長したZnCdSe/ZnSe MQWレーザの室温発振

    川口悦弘, 松岡隆志, 大木明, 大野哲一郎

    第54回応用物理学会学術講演会　1993/09

  556. p型GaAs基板上Zn0.8Cd0.2Se/ZnSe MQWレーザの室温発振

    松岡隆志, 川口悦弘, 大木明, 大野哲一郎

    第54回応用物理学会学術講演会　1993/09

  557. MBE及びMOVPE成長p形ZnSe結晶薄膜のキャリア補償欠陥

    安東孝止, 大木明, 川口悦弘, 松岡隆志

    第54回応用物理学会学術講演会　1993/09

  558. Increase of Acceptor Concentration in Nitrogen-Doped ZnSe Film Grown on a Tilted GaAs Substrate International-presentation

    T. Ohno, Y. Kawaguchi, T. Matsuoka, A. Ohki

    International Solid State Device Meeting　1993/08/29

  559. NH3雰囲気中GaNにおける窒素解離抑制機構

    佐々木徹, 松岡隆志

    第40回応用物理学関係連合講演会　1993/03

  560. サファイアM面上に成長したGaNの膜特性

    佐々木徹, 松岡隆志, 小林秀樹, 戒能俊邦

    第40回応用物理学関係連合講演会　1993/03

  561. C-V法によるp型ZnSeのアクセプタ濃度評価

    大野哲一郎, 川口悦弘, 松岡隆志, 安東孝止

    第40回応用物理学関係連合講演会　1993/03

  562. 微傾斜GaAs(100)基板上への窒素ドープZnSeのMBE成長

    川口悦弘, 大野哲一郎, 松岡隆志

    第40回応用物理学関係連合講演会　1993/03

  563. 青色光半導体材料

    松岡隆志

    日本電子材料協会光デバイス委員会　1993/01

  564. GaN系化合物の多元成長の現状

    松岡隆志

    第21回薄膜・表面物理セミナー (応用物理学会主催)　1993/01

  565. GaNの3次の非線形光学特性

    佐々木徹, 松岡隆志, 前佛栄, 小林秀紀, 戒能俊邦

    第53回応用物理学会学術講演会　1992/09

  566. AlNバッファ層上に成長したGaN膜特性の成長温度依存性

    佐々木徹, 松岡隆志, 前佛栄

    第53回応用物理学会学術講演会　1992/09

  567. 活性N添加p型ZnSeのD-A対発光特性(I)

    安東孝止, 川口悦弘, 大木明, 松岡隆志, 大野哲一郎

    第53回応用物理学会学術講演会　1992/09

  568. Current Status of GaN and Compounds as Wide-Gap Semiconductor International-presentation

    T. Matsuoka

    International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy　1992/06/08

  569. Blue-Green ZnCdSe/ZnSe MQW Laser Diode without GaAs Buffer Layer International-presentation

    Y. Kawaguchi, T. Ohno, T. Matsuoka

    International Solid State Device Meeting　1992/06

  570. 窒素ドープp型ZnSeのMBE成長

    川口悦弘, 大野哲一郎, 松岡隆志, 安東孝止, 大木明, 前佛栄

    第39回応用物理学関係連合講演会　1992/03

  571. ZnCdSe/ZnSe量子井戸のMBE成長

    大野哲一郎, 川口悦弘, 松岡隆志, 安東孝止, 前佛栄

    第39回応用物理学関係連合講演会　1992/03

  572. InGaAlN四元混晶のエピタキシャル成長

    吉本直人, 松岡隆志, 佐々木徹, 勝井明憲, 前佛栄

    第39回応用物理学関係連合講演会　1992/03

  573. p型ZnSeおよびZnSe-ZnCdSe量子井戸構造の電気・光学特性

    川口悦弘, 大野哲一郎, 松岡隆志, 大木明, 安東孝止

    電気学会電子材料研究会　1992/01

  574. Wide-Gap Semiconductor InGaN and InGaAlN Grown by MOVPE International-presentation

    T. Matsuoka, N. Yoshimoto, T. Sasaki, A. Katsui, S. Zembutsu

    Electronic Materials Conference　1991/06/19

  575. ZnO基板上へのInGaN格子整合成長

    吉本直人, 松岡隆志, 佐々木徹, 勝井明憲, 前佛栄

    第38回応用物理学関係連合講演会　1991/03

  576. X線ディフラクトメータを用いた面内格子定数の測定 −InGaN/ZnOへの適用

    佐々木徹, 松岡隆志, 吉本直人, 勝井明憲, 前佛栄

    第38回応用物理学関係連合講演会　1991/03

  577. GaN/a-Al2O3系におけるGaNエピタキシャル層の結晶性と結晶学上の極性の評価

    芳賀哲也, 小松潤, 阿部寛, 佐々木徹, 松岡隆志

    第38回応用物理学関係連合講演会　1991/03

  578. InGaNのフォトルミネッセンス

    吉本直人, 松岡隆志, 佐々木徹, 勝井明憲

    第51回応用物理学会学術講演会　1990/09

  579. MOVPE成長GaN/(0001)サファイアの表面モホロジ゛ −成長温度・H2キャリアガス流量依存性−

    佐々木徹, 松岡隆志, 吉本直人, 勝井明憲

    第51回応用物理学会学術講演会　1990/09

  580. MOVPE-Grown on Polar Planes of 6H-SiC International-presentation

    T. Sasaki, T. Matsuoka, A. Katsui

    International Conference on Formation of Semiconductor Interfaces　1989/11

  581. Wide-Gap Semiconductor (In, Ga)N International-presentation

    T. Matsuoka, H. Tanaka, T. Sasaki, A. Katsui

    International Symposium on GaAs and Related Compounds　1989/09/25

  582. Cl2を用いたGaNの高速原子線エッチング

    田中 秀尚, 下川 房男, 佐々木 徹, 松岡 隆志

    第50回応用物理学会学術講演会　1989/09

  583. MOVPE法によるIn1-XGaXN(0≦X≦1)の組成制御

    松岡隆志, 佐々木徹, 勝井明憲

    第50回応用物理学会学術講演会　1989/09

  584. イオンビームを用いたサファイア基板上のGaNエピタキシャル成長膜の結晶性評価

    小松潤, 芳賀哲也, 阿部寛, 佐々木徹, 松岡隆志

    第50回応用物理学会学術講演会　1989/09

  585. ECRプラズマ励起MOVPE法によるGaN成長における原料供給量と結晶性

    佐藤弘次, 佐々木徹, 松岡隆志, 勝井明憲

    第36回応用物理学関係連合講演会　1989/03

  586. MOVPE法によるInN薄膜成長

    松岡隆志, 佐々木徹, 佐藤弘次, 勝井明憲

    第36回応用物理学関係連合講演会　1989/03

  587. MOVPE成長GaN及びAlN単結晶成長温度の基板面方位依存性

    佐々木徹, 松岡隆志, 佐藤弘次, 勝井明憲

    第36回応用物理学関係連合講演会　1989/03

  588. GaN/サファイアMOVPE二段階成長におけるバッファ層成長条件

    佐々木徹, 松岡隆志, 佐藤弘次, 勝井明憲

    第49回応用物理学会学術講演会　1988/09

  589. SiC基板上へのGaN MOVPE成長(2) −GaNの極性判定−

    佐々木徹, 松岡隆志, 勝井明憲

    第35回応用物理学関係連合講演会　1988/03

  590. Broad Wavelength Tuning under Single-Mode Oscillation with a Multi-Electrode Distributed Feedback Laser International-presentation

    Y. Yoshikuni, K. Oe, G. Motosugi, T. Matsuoka

    International Semiconductor Laser Conference　1986/09

  591. 多電極DFBレーザによる広帯域連続波長可変

    吉國裕三, 尾江邦重, 本杉常治, 松岡隆志

    第47回応用物理学会学術講演会　1986/09

  592. Design and Performance of High-Power 1.5 µm DFB Lasers International-presentation

    T. Matsuoka, Y. Noguchi, Y. Itaya, Y. Nakano, G. Motosugi

    Opto-Electronics Conference (OEC'86)　1986/07

  593. 1.5μm帯DFBレーザの高出力化と単一モード性

    吉田淳一, 板屋義夫, 野口悦男, 松岡隆志, 中野好典

    第33回応用物理学関係連合講演会　1986/03

  594. AR/HRミラーコーティングによる1.5μm DFBレーザの高出力化

    中野好典, 板野義夫, 野口悦男, 松岡隆志, 吉田淳一, 本杉常治

    半導体レーザシンポジウム　1986/01

  595. 1.5μm帯高光出力DFBレーザ

    野口悦男, 吉田淳一, 板屋義夫, 松岡隆志, 中野好典

    レーザ学会学術講演会第6回年次大会　1986/01

  596. λ/4シフト形DFBレーザにおける活性層厚不均一の影響

    吉国裕三, 遠谷光広, 松岡隆志, 本杉常治

    信学会全大　1986/01

  597. DFBレーザの周波数変調特性

    吉國裕三, 板屋義夫, 松岡隆志, 本杉常治

    第46回応用物理学会学術講演会　1985/09

  598. 光注入同期によるヒステリシスの観測

    井上恭, 河口仁司, 松岡隆志, 大塚建樹

    第32回応用物理学関係連合講演会　1985/03

  599. DFBレーザの単一縦モード動作温度範囲

    松岡隆志, 永井治男

    第32回応用物理学関係連合講演会　1985/03

  600. P基板DBH構造DFBレーザの特性分布

    野口悦男, 鈴木与志雄, 松岡隆志, 永井治男

    第32回応用物理学関係連合講演会　1985/03

  601. DFB-LDにおける1.5μm帯長距離伝送実験

    林義博, 杉江利彦, 小林由紀夫, 松岡隆志

    信学会全大　1985/01

  602. Verification of the Light Phase Effect at the Facet on DFB Laser Properties International-presentation

    T. Matsuoka, H. Nagai, Y. Yoshikuni, K. Kuroiwa

    European Conference on Optical Communication (ECOC'84)　1984/09

  603. 高出力1.3μm DFB-PM-DBHレーザ

    鈴木与志雄, 野口悦男, 松岡隆志, 永井治男

    第45回応用物理学会学術講演会　1984/09

  604. 高速変調時におけるDFBレーザの時間分解スペクトル測定

    山中直明, 吉国裕三, 松岡隆志, 本杉常治

    第31回応用物理学関係連合講演会　1984/03

  605. DFB-LDにおける端面回折格子位相効果の検討(II)

    松岡隆志, 吉国裕三

    第31回応用物理学関係連合講演会　1984/03

  606. 劈開による両端面を有するInP/InGaAsP DFBレーザの特性

    松岡隆志, 鈴木与志雄, 野口悦男, 河野淳一, 永井治男

    第31回応用物理学関係連合講演会　1984/03

  607. GaInAsP回折格子熱変形の組成依存性

    野口悦男, 松岡隆志, 永井治男

    第31回応用物理学関係連合講演会　1984/03

  608. 高速変調時におけるDFBレーザの縦モード微細構造

    吉国裕三, 松岡隆志, 本杉常治

    信学会全大　1984/01

  609. BH構造光素子と導波路の集積化

    野口悦男, 鈴木与志雄, 松岡隆志, 永井治男

    第44回応用物理学会学術講演会　1983/09

  610. DFBレーザにおける端面の回折格子位相効果の検討

    松岡隆志, 鈴木与志雄, 吉国裕三, 永井治男

    第44回応用物理学会学術講演会　1983/09

  611. Longitudinal Mode Spectra of 1.5 µm GaInAsP/InP Distributed Feedback Lasers International-presentation

    Y. Itaya, T. Matsuoka, K. Kuroiwa, T. Ikegami

    Integrated Optics and Optical Fiber Communication (IOOC'83)　1983/07

  612. 長波長帯DFBレーザ用回折格子の変形と保存

    永井治男, 野口悦男, 松岡隆志

    第30回応用物理学関係連合講演会　1983/03

  613. 臭素水を用いたInP系結晶用エッチング゛液

    松岡隆志

    第30回応用物理学関係連合講演会　1983/03

  614. 単一縦モード半導体レーザ用回折格子の製作

    松岡隆志

    電子通信学会　1983/01

  615. 分布帰還形レーザの温度特性

    今井崇雅, 松岡隆志, 中野好典

    信学会全大　1983/01

  616. 分布帰還形レーザの直接変調時におけるスペクトル特性

    板屋義夫, 松岡隆志, 黒岩紘一

    信学会全大　1983/01

  617. DFB-LDを用いた単一モード光ファイバパルス伝送特性

    中川清司, 岩下克, 松岡隆志

    信学会全大　1983/01

  618. 端面埋め込み構造によるファブリペロモードの抑圧

    野口悦男, 松岡隆志, 永井治男

    第43回応用物理学会学術講演会　1982/09

  619. 活性層上に周期構造を持つDFBレーザ

    松岡隆志, 鈴木与志雄, 中野好典

    第43回応用物理学会学術講演会　1982/09

  620. 分布帰還形レーザの縦モード特性

    板屋義夫, 松岡隆志, 野口悦男

    信学会全大　1982/01

  621. 分布帰還形レーザの室温連続発振

    松岡隆志, 板屋義夫

    信学会全大　1982/01

  622. 半絶縁性基板上のGaInAsP/InPレーザ

    松岡隆志, 野口悦男, 鈴木与志雄, 永井治男

    第42回応用物理学会学術講演会　1981/09

  623. FeドープInP基板上の1.5μm帯BHレーザ

    松岡隆志, 高幣謙一郎, 野口悦男, 永井治男

    第28回応用物理学関係連合講演会　1981/03

  624. InGaAsP/InP 成長過程のメルトバック

    高橋信一, 松岡隆志, 永井治男

    第41回応用物理学会学術講演会　1980/09

  625. 溝付き基板上に成長した1.55μm InGaAsP/InP DH レーザ

    高橋信一, 斉藤秀穂, 豊島与志雄, 松岡隆志

    第41回応用物理学会学術講演会　1980/09

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Industrial Property Rights 79

  1. 半導体発光素子

    佐々木徹, 松岡隆志, 前佛栄

    特許3243768

    Property Type: Patent

  2. 窒化物半導体自立基板作製方法

    松岡 隆志

    特許第6872724号

    Property Type: Patent

  3. 窒化物半導体自立基板作製方法

    松岡隆志, 窪谷茂幸, 福田承生

    特許第6711975号

    Property Type: Patent

  4. 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法

    松岡 隆志, 花田 貴, 福田 承生, 湊 明朗

    特許第6514915号

    Property Type: Patent

  5. 光電変換装置、建築物および電子機器

    石橋 晃, 松岡 隆志

    特許第6261088号

    Property Type: Patent

  6. 太陽電池

    松岡 隆志, 片山 竜二, 谷川 智之

    特許第6164685号

    Property Type: Patent

  7. 結晶基板および薄膜形成方法ならびに半導体装置

    松岡 隆志, 藤戸 健史

    特許第5255935号

    Property Type: Patent

  8. 基板製造方法およびIII族窒化物半導体結晶

    松岡隆志, 長尾哲, 瀬戸健司, 下山謙司

    特許5099763

    Property Type: Patent

  9. 光変調器

    都築 健, 松岡 隆志

    特許4494257

    Property Type: Patent

    Holder: 日本電信電話株式会社

  10. Semiconductor Light-emitting Device

    Takashi Matsuoka, Hiroshi Okamoto

    特許EP 1389814

    Property Type: Patent

    Holder: Nippon Telegram & Telephone Corporation

  11. Semiconductor Light-emitting Device

    Takashi Matsuoka, Hiroshi Okamoto

    ZL03107531.2

    Property Type: Patent

    Holder: Nippon Telegram & Telephone Corporation

  12. Semiconductor Light-emitting Device

    Takashi Matsuoka, Hiroshi Okamoto

    特許0568701

    Property Type: Patent

    Holder: Nippon Telegram and Telephone Corporation

  13. 研磨装置および研磨方法

    松岡隆志

    特許3616989

    Property Type: Patent

  14. 半導体発光素子およびその製造方法

    松岡隆志, 石井隆生

    特許3508010

    Property Type: Patent

  15. 気相成長装置及び結晶成長方法

    松岡隆志

    3489711

    Property Type: Patent

  16. 原子間力顕微鏡、トンネル顕微鏡又はスピン偏極トンネル顕微鏡に用いる探針及びカンチレバー並びにその作製法

    松岡隆志, 赤坂哲也

    特許3441051

    Property Type: Patent

  17. Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザおよびその形成法

    松岡隆志, 川口悦弘, 大野哲一郎

    特許3344633

    Property Type: Patent

  18. 半導体発光素子の作製方法

    佐々木徹, 松岡隆志

    特許3147316

    Property Type: Patent

  19. 半導体光素子

    松岡隆志, 吉本直人, 勝井明憲

    特許3062510

    Property Type: Patent

  20. ビーム変調分光装置およびその測定方法

    佐々木徹, 安東孝止, 松岡隆志, 勝井明憲

    特許2970818

    Property Type: Patent

  21. 半導体発光素子の作製方法

    佐々木徹, 松岡隆志, 吉本直人, 勝井明憲

    特許2965709

    Property Type: Patent

  22. 光電子集積回路及びその製法

    芹川正, 松岡隆志, 田中秀尚

    特許2916639

    Property Type: Patent

  23. ＭＩＳ型高効率発光素子

    安東孝止, 佐々木徹, 松岡隆志, 勝井明憲

    特許2893099

    Property Type: Patent

  24. 半導体面発光素子

    松岡隆志

    特許2825527

    Property Type: Patent

  25. 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法

    佐々木徹, 松岡隆志

    特許2704181

    Property Type: Patent

  26. 半導体装置およびその製造方法

    松岡 隆志, 窪谷 茂幸, 福田 承生

    Property Type: Patent

  27. 窒化物半導体自立基板作製方法

    松岡隆志

    Property Type: Patent

  28. 窒化物薄膜の製造方法

    松岡 隆志, 劉 玉懐, 保浦 健二

    Property Type: Patent

  29. ｐ型ⅠⅠ-Ⅵ族化合物半導体用電極およびⅠⅠ-Ⅵ族化合物半導体発光素子

    松岡 隆志, 川口 悦弘

    Property Type: Patent

  30. 分子線エピタキシャル結晶成長法

    川口悦弘, 大野哲一, 松岡隆志

    Property Type: Patent

  31. 半導体発光素子及びその作製方法

    大木明, 松岡隆志, 川口悦弘, 大野哲一

    Property Type: Patent

  32. 半導体発光素子及びその作製方法

    吉本直人, 松岡隆志, 佐々木徹

    Property Type: Patent

  33. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 佐々木 徹, 前佛栄

    Property Type: Patent

  34. 半導体発光素子

    勝井明憲, 柴田典義, 松岡隆志

    特許2136803

    Property Type: Patent

  35. 半導体レーザ

    松岡隆志, 柴田典義

    特許1929002

    Property Type: Patent

  36. 半導体発光素子

    田中秀尚, 松岡隆志, 尾江邦重

    特許1985649

    Property Type: Patent

  37. GaN自立基板作製方法

    松岡隆志, 福田承生, 谷川智之

    Property Type: Patent

  38. Photoelectric Conversion Device, Built Strcture, and Electronic Instrument

    A. Ishibashi, T. Matsuoka

    Property Type: Patent

  39. Semiconductor Light Modulator and Laser Diode with Semiconductor Light Modulator

    松岡 隆志, 深野 秀樹

    特許EP1400835

    Property Type: Patent

  40. Semiconductor Light Modulator and Semiconductor Laser Diode with Semiconductor Light Modulator

    Takashi Matsuoka, Hideki Fukano

    特許ZL03158879.4

    Property Type: Patent

  41. Semiconducotor Light-emitting Device for Optical Communications

    Takashi Matsuoka, Hiroshi Okamoto

    US 6927426 B2

    Property Type: Patent

  42. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 岡本 弘

    特許4300004

    Property Type: Patent

  43. Sapphire Substrates, Semiconductor Device, Electronic Component, and Crystal growing Method

    Takashi Matsuoka

    EPC90102634.4

    Property Type: Patent

  44. Sapphire Substrates, Semiconductor Device, Electronic Component, and Crystal growing Method

    Takashi Matsuoka

    US 6586819 B2

    Property Type: Patent

  45. ビームエキスパンダーとその微動装置及び微動装置つきビームエキスパンダ

    松岡 隆志, 中尾 正史

    Property Type: Patent

  46. 半導体発光素子

    大木明, 松岡隆志, 大野哲一郎

    Property Type: Patent

  47. II-Ⅵ族半導体レーザおよびその形成法

    大野哲一, 川口悦弘, 松岡隆志

    Property Type: Patent

  48. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 川口 悦弘

    Property Type: Patent

  49. 半導体発光素子

    松岡 隆志

    Property Type: Patent

  50. 半導体発光素子

    吉本直人, 松岡隆志, 勝井明憲

    特許3102647

    Property Type: Patent

  51. Epitaxial Wurtzite growth structure for semiconductor light-emitting device

    Takashi Matsuoka, Toru Sasaki

    US 5,006,908

    Property Type: Patent

  52. Epitaxial-growth Structure for a Semiconductor Light-Emitting Device、and Semiconductor Light-Emitting Device Using the Same

    Takashi Matsuoka, Toru Sasaki

    特許EP0383215

    Property Type: Patent

  53. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 川口 悦弘, 藤井 明憲

    Property Type: Patent

  54. 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法

    松岡 隆志, 佐々木 徹, 藤井 明憲, 前沸栄

    Property Type: Patent

  55. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 藤井 明憲

    Property Type: Patent

  56. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 佐々木 徹, 藤井 明憲

    Property Type: Patent

  57. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 佐々木 徹, 藤井 明憲

    Property Type: Patent

  58. 表示装置

    佐々木徹, 松岡隆志, 佐藤弘次, 藤井明憲

    Property Type: Patent

  59. 化合物半導体薄膜の製造方法

    佐藤弘次, 佐々木徹, 松岡隆志, 藤井名憲, 助川健

    Property Type: Patent

  60. 化合物半導体単薄膜の製造方法

    佐藤弘次, 佐々木徹, 松岡隆志, 藤井名憲, 助川健

    Property Type: Patent

  61. 半導体発光素子

    松岡 隆志, 佐々木 徹, 藤井 明憲

    Property Type: Patent

  62. 半導体レーザ

    松岡 隆志, 佐々木 徹, 安東 孝止

    Property Type: Patent

  63. 半導体光回路装置

    松岡 隆志, 安東 孝止

    Property Type: Patent

  64. 電子写真記録装置

    佐藤 弘次, 松岡 隆志, 勝井 明憲

    Property Type: Patent

  65. 半導体レーザ装置

    河口仁司, 松岡隆志, 吉国裕三, 中野好典, 都築信頼

    Property Type: Patent

  66. 分布帰還形半導体レーザ

    松岡 隆志, 野口 悦男

    Property Type: Patent

  67. 分布帰還構造半導体レーザ

    本杉常治, 松岡隆志, 板屋義夫, 吉國裕三

    Property Type: Patent

  68. 微細周期格子形成方法およびその装置

    内海裕一, 久良木億, 宇理須恒雄, 松岡隆志

    Property Type: Patent

  69. 単一軸モード半導体レーザ装置

    松岡 隆志, 永井 治男

    Property Type: Patent

  70. 半導体レーザ装置

    松岡 隆志, 脇田 紘一

    Property Type: Patent

  71. 分布反射形半導体レーザ

    松岡 隆志, 永井 治男

    Property Type: Patent

  72. 周期構造を有する埋込形半導体レーザ

    MATSUOKA Takashi

    Property Type: Patent

  73. 分布帰還形半導体レーザ（１）

    松岡隆志, 永井治男

    特許1470882

    Property Type: Patent

  74. 分布帰還形半導体レーザ

    松岡隆志, 永井治男

    特許1472193

    Property Type: Patent

  75. 単一軸モード発振半導体レーザ

    日本電気, 松岡隆志

    特許1496549

    Property Type: Patent

  76. 半導体レーザの製造方法

    松岡隆志, 永井治男

    特許1734162

    Property Type: Patent

  77. 半導体レーザ装置

    松岡隆志, 永井治男

    特許1700300

    Property Type: Patent

  78. ２波長半導体発光素子

    松岡隆志, 永井治男

    Property Type: Patent

  79. 多層配線形成

    松岡隆志, 加藤謹矢, 植岡康成

    Property Type: Patent

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Research Projects 22

  1. 日本の半導体産業再興への道を拓く酸化ガリウムの新規バルク単結晶成長法の開発

    吉川 彰, 松岡 隆志, 姚 永昭, 末光 哲也

    Offer Organization: 日本学術振興会

    System: 科学研究費助成事業

    Category: 基盤研究(A)

    Institution: 東北大学

    2025/04/01 - 2028/03/31

  2. 窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究

    末光 哲也

    Offer Organization: 日本学術振興会

    System: 科学研究費補助金

    Category: 基盤研究（A）

    Institution: 東北大学

    2024/04 - 2027/03

  3. 半導体中における進行波増幅の可能性の検証に関する研究

    末光 哲也

    Offer Organization: 日本学術振興会

    System: 科学研究費補助金

    Category: 挑戦（開拓）

    Institution: 東北大学

    2023/04 - 2026/03

  4. Crystal Growth of N-polar Nitride Semiconductor Heterostructures with Two-Dimensional Electron Gas

    Matsuoka Takashi

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    Institution: Tohoku University

    2016/04 - 2019/03

    More details Close

    In nitride semiconductors famous for blue LEDs, the author proposed in 2006 that the nitrogen-polar growth was effective for devices. The purpose of this research is to reduce both concentrations of carbon and oxygen, which are said to be highly incorporated during the epitaxial growth. Both concentrations of carbon and oxygen have been reduced by increasing the concentration of hydrogen in the carrier gas and the source supply ration of ammonia to Ga source, respectively. GaN/GaAlN/GaN inverted HEMT structure with a flat surface can be successfully grown by introducing a sapphire substrate with off angle of 0.8 deg. from c-plane. The characteristics of its two-dimensional electron gas was almost the same as a Ga-polar HEMT. This HEMT showed triode characteristics and the pinch-off operation. These results reveal that the growth technique developed here is effective for the fabrication of inverted HEMTs.

  5. Asymmetric-waveguide-coupled multi-striped orthogonal photo-photocarrier-propagation solar cell

    Ishibashi Akira

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    Institution: Hokkaido University

    2016/04 - 2019/03

    More details Close

    We have investigated a new type of waveguides (WGs) for concentration solar-cell systems. The redirection WG converts 3D-photons into 2D-photons that propagate in a planar WG which serves as the mainstream of the redirection WG. The cladding layer on one side of the planar WG, not being spatially continuous, tangentially touches the core of the planar WG which, having open geometry, is connected, through tributary WGs, to the bottom plane where the 3D-photons come in vertically. We have confirmed that light-waves from the tributary WGs are well merged with those from the mainstream WG at the junction of the cores of the mainstream and the tributary WGs. The redirection WG is promising for the concentration photovoltaic systems with solar-cell units placed at its periphery. Our new concentrator solar cell would be able to convert virtually the whole spectrum of black body radiation into the electricity with a conversion efficiency virtually as high as the thermodynamic limit.

  6. Study on nitrogen-polar InGaAs-channel high electron mobility transistors

    Suemitsu Tetsuya

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    Institution: Tohoku University

    2016/04 - 2019/03

    More details Close

    Growth and fabrication of (In)GaN/AlGaN high electron mobility transistors (HEMTs) using N-polar GaN materials were studied. Flat surface and two-dimensional electron gas were realized by substrates with an off-cut angle of as small as 0.8 degree. This enables to achieve isotropic electrical characteristics in N-polar GaN HEMTs. To reduce the deep levels at the gate insulator interface, reverse bias annealing was carried out and the reduction of the interface trap density was confirmed in N-polar HEMTs as it was reported for gallium-polar HEMTs.

  7. Control of Polarization-Induced Electric Field in Nitride-Semiconductor-Based Devices

    Tanikawa Tomoyuki, MATSUOKA takashi

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

    Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

    Institution: Tohoku University

    2016/04 - 2019/03

    More details Close

    InGaN-based light-emitting diodes on GaN films with various crystal orientation were fabricated, and internal electric fields were evaluated using a electroreflectance method. Electroreflectance signals were originated from internal electric fields applied in GaN barrier and InGaN well layers. From the signal phase and the signal period, direction and intensity of electric fields could experimentally be measured. N-polar InGaN/AlGaN/GaN-based heterostructure field-effect transistors were fabricated and concentration of two-dimensonal electron gas was investigated. first, GaN/AlGaN/GaN structures were fabricated and alloy composition and thickness of AlGaN were optimized. Two dimensional electron gas in N-polar GaN/AlGaN/GaN had a high density of two-dimensional electron gas with 1E13 cm-2. InGaN channel could enhance the electron density. When InN alloy composition of was 0.11, electron concentration was twice.

  8. Development of GaN-based substrate for realizing highly efficient and low-cost LED

    Offer Organization: New Energy and Industrial Technology Development Organization

    Institution: Panasonic

    2015/08 - 2018/03

  9. Study on GaN-based vertical transistors using ScAlMgO4 substrates

    Suemitsu Tetsuya

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

    Category: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

    Institution: Tohoku University

    2015/04 - 2018/03

    More details Close

    GaN HEMT heterostructures are grown on cleaved ScAlMgO4 (SCAM) substrates. By using small off-cut SCAM, HEMT structures with flat surface comparable to those grown on conventional sapphire substrates are confirmed. As a part of the GaN HEMT process, neutral beam etching is applied to the GaN material systems for the first time. By means of this advanced etching, significant reduction of current collapse in GaN HEMTs are observed. The cleaving of thin SCAM layers off from bulk SCAM substrates is also a key technology to achieve GaN vertical transistors. It has been confirmed that thick GaN layers are automatically cleaved off from SCAM substrates during cooling down after growth by means of the stain induced by thermal expansion.

  10. Device application of N-polar InAlN compound semiconductor grown by low-and high-pressure metalorganic vapor phase epitaxy

    Sihgeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka

    Offer Organization: Institute for Materials Research, Tohoku University

    Institution: Institute for Materials Research, Tohoku University

    2014/04 - 2018/03

  11. Development of red-color emission layer based on nitride semiconductor for white lighting

    MATSUOKA Takashi, HANADA Takashi

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    Institution: Tohoku University

    2012/04 - 2015/03

    More details Close

    In this study, the realization of III-nitrides-based light-emitting diodes (LEDs) with the whole visible emission wavelength was demonstrated. N-polar crystal plane was adopted for the crystal growth for promoting indium incorporation into an InGaN layer, in order to achieve the long-wavelength emission. In the growth of N-polar InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs), the metastable zincblende (ZB) structure was unintentionally incorporated. Several growth conditions such as growth temperature and V/III source ratio were effective to suppress the inclusion of the ZB structure. By optimizing the growth conditions, the InGaN/GaN MQWs LED structures were grown. Clear emission was clearly observed under the operation of the current injection. As growth temperature for MQWs growth decreased, the emission color was successfully controlled from blue to red. These results will expand the high-efficient lighting based on LEDs.

  12. Research on highly efficient solar cells introducing sensitization by exciton absorption

    Offer Organization: Japan Science and Technology Agency

    System: Core Research for Evolutional Science and Technology

    Institution: Waseda University

    2009 - 2014

  13. Realization of epitaxial growth of In-rich InAlN for device application of nitride semiconductors

    Offer Organization: Japan Science and Technology Agency

    System: Adaptable and seamless technology transfer program through target-driven R&D

    Institution: Tohoku Univerisity

    2013 - 2013

  14. Research on qualitative improvement of epitaxially grown GaN thin layer by introducing lattice-matched ScAlMgO4 substrate

    Offer Organization: Japan Science and Technology Agency

    System: Adaptable and seamless technology transfer program through target-driven R&D

    Institution: Tohoku Univerisity

    2012 - 2013

  15. R&D on fabrication technology of highly efficient solar cells consisted of nitride semiconductors on Si substrate

    Offer Organization: Japan Science and Technology Agency

    System: Adaptable and seamless technology transfer program through target-driven R&D

    Institution: Tohoku Univerisity

    2011 - 2012

  16. Research on temperature-stable InN semiconductor laser for optical communications systemss

    Offer Organization: Japan Science and Technology Agency

    System: Core Research for Evolutional Science and Technology

    Institution: Tohoku Univerisity

    2006 - 2011

  17. Establishment of high-temperature growth technique for InGaN with green-color emission on ZnO substrate by MOVPE method

    Offer Organization: Japan Science and Technology Agency

    System: Adaptable and seamless technology transfer program through target-driven R&D

    Institution: Tohoku Univerisity

    2009 - 2009

  18. Basic research on temperature-stable InN semiconductor laser for optical communications systems

    Offer Organization: Institute for Materials Research, Tohoku University

    System: Research program assist on creation of nanomaterial s and their function

    Institution: Institute for Materials Research, Tohoku University

    2006/04 - 2008/03

  19. Research on exploration of light-emitting materials and their device fabrication on Si substrate

    Offer Organization: Japan Science and Technology Agency

    System: Core Research for Evolutional Science and Technology

    Institution: Institute for Materials Research, Tohoku University

    2005/10 - 2006/03

  20. ZnO単結晶基板と格子整合する青色発光用「高品質InGaN」の薄膜成長技術の確立

    松岡 隆志

    Offer Organization: 科学技術振興機構

    System: 産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

    Category: 研究成果活用プラザ宮城事業化可能性試験

    Institution: 東北大学

    2006 - 2006

    More details Close

    本試験では、ZnO 単結晶基板上への InGaN 薄膜の格子整合成長技術の確立および InGaN 結晶の高品質化を目指し、高性能青色発光素子をはじめとして、窒化物半導体による高性能素子の開発を目的とする。ZnO 単結晶基板の前処理法および基板保護法を確立し、ZnO 単結晶基板上へのInGaN 成長の条件検討と評価を行う。

  21. Study of degradation mechanism and its control on II-VI, III-V wide bandgap light emitting device

    ANDO Koshi, ISHII Akira, ABE Tomoki, MATSUOKA Takashi

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    Institution: Tottori University

    2004 - 2006

    More details Close

    In this term we have performed precise and systematic device aging-tests together with analysis of microscopic point defect reaction under device operation condition. Main results obtained are summarized as follows : [1] Device degradation mechanism of ZnSSe widgap LEDs and LDs (Forward Biased Operation). Slow-Mode degradation mechanism of ZnSe white LEDs and blue LDs has appeared during long period devic operation condition (1000-10000 hrs). This degradation mode is found to attribute to gradual carrier removal effect in p type cladding layer of white LED and blue-LDs. The reduction in the carrier (hole) concentration is induced by generation of deep compensating donors in p type region very close to active QW layer. Driving force of deep-donor generation is not from pure thermal effect, but from vicious electronic excitation effect (REDR effect : nonradiative e-h recombination enhanced defect reaction process with high-density multi-phonon emission). This degradation mode (REDR mode) is found to be a typical degradation process of long lived LED and LDs of widgap semiconductors as ZnSe, ZnO and GaN. One effective LED structure for improving this is to form "double cladding structure" on p-type region (cladding and guiding layer), and in fact this device structure is verified to act as useful one for long lived ZnSe white LEDs (> 10000 hrs operation). [2] Degradation of ZnSSe and GaN PIN and APD devises (Reverse Biased Operation) : Device aging tests of ZnSSe and GaN photodiodes (PIN and APD) are perormed under reverse biased (high electric field condition) operation conditions. Inn this experiment generation of microscopic point defects in high field region is monitored by in-situ DLTS (ICTS) measurements. Important insights on this study are (a) no detectable generation of point defects can be seen in both ZnSe-and GaN photodiodes, and (b) long device operation (>10000 hrs) can be established by using optimum device fabrication processes. This important results indicate that high electric field does not cause any defect reaction in widegap semiconductor photodiode devices. [3] New Defect Control Technique for long lived LEDs of Widegap Semiconductors Based on fundamental defect reaction study during this research project (2004-2006), we have found one effective control method (current injection pulse width control) of bright and long lived white LED operation. The point of this technique is to control of microscopic defect generation by adjusting current pulse width. Note here that pulse duty-ratio control (for thermal effect) is no meaning for long lived widegap light emitting devices To confirm the validity of this technique we have made detailed aging experiment with changing current pulse-width(Δw=m sec -- nano sec.), together with monitoring microscopic point defect reaction. Using the pulse-width controlling technique in high quality ZnSe white LED, we have demonstrated long lived operation (>20000 hour : 25 lm/W (averaged value). In addition it is confirmed that this new technology is more effective for bright and extremely long lived GaN white LEDs.

  22. Spin-polarized tunneling by spin-polarized scanning tunneling microscopy

    Offer Organization: Japan Science and Technology Agency

    System: Core Research for Evolutional Science and Technology

    Institution: Hokkaido University

    1997/04 - 2001/03

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Social Activities 109

  1. イムラ・ジャパン賞 審査委員

    2017/11 - Present

  2. 科学研究費補助金 基盤研究S 「審査意見書」作成委員

    2022/10 - 2022/11

  3. フェロー審査委員会委員

    2017/11 - 2019/03

  4. 科学研究費補助金 基盤研究Sおよび新学術領域 審査委員

    2017/12 - 2019/01

  5. みやぎ県民大学, "地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良～"

    2018/08/27 - 2018/08/30

  6. みやぎ県民大学, "地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良～"

    2017/08/22 - 2017/08/25

  7. 科学研究費補助金 特別推進研究 審査委員

    2016/12 - 2017/08

  8. 科学研究費補助金 基盤研究AおよびB 審査委員

    2015/12 - 2017/01

  9. みやぎ県民大学主催: "地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良～"

    2016/08/22 - 2016/08/25

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    一般者向けに題目の講義を行う。

  10. みやぎ県民大学主催

    2016/08/22 - 2016/08/25

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    地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良～

  11. みやぎ県民大学主催

    2015/08/17 - 2015/08/20

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    地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良～

  12. みやぎ県民大学主催

    2014/08/18 - 2014/08/21

    More details Close

    地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良～

  13. みやぎ県民大学主催

    2013/08/19 - 2013/08/22

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    地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ～太陽電池・半導体・超伝導～", 2013.8.19-22.

  14. みやぎ県民大学主催

    2012/08/20 - 2012/08/24

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    "地球にやさしいエネルギーとエコ材料 －太陽電池から水素まで－"

  15. JSTサイエンス・アゴラ

    2011/11/19 - 2011/11/20

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    世界をつなぐ光 震災を超えて次世代へ＆実験ショー

  16. みやぎ県民大学主催

    2011/08/23 - 2011/08/26

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    地球にやさしいエネルギーとエコ材料 －太陽電池から水素までの講座を市民の皆さんに参加してもらう

  17. 東北大学金属材料研究所

    2011/08/23 - 2011/08/26

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    青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその応用

  18. みやぎ県民大学主催

    2010/07/27 - 2010/08/24

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    地球にやさしいエネルギーとエコ材料 －太陽電池から水素までの講座を市民の皆さんに参加してもらう

  19. PVJapan 2010

    2010/06/30 - 2010/07/02

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    パシフィコ横浜にて展示、紹介

  20. みやぎ県民大学主催

    2009/07/29 - 2009/08/26

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    地球にやさしいエネルギーとエコ材料 －太陽電池から水素までの講座を市民の皆さんに参加してもらう

  21. みやぎ県民大学主催

    2008/06/04 - 2008/06/25

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    地球にやさしいエネルギーとエコ材料 －太陽電池から水素までの講座を市民の皆さんに参加してもらう

  22. "未来をさがそう" （ダイヤモンド社刊） 企画編集委員

    2004/04 - 2005/11

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    小中高生の啓蒙用書籍の企画編集。子供達と一緒に「今と未来」を考えるためのヒントとして企画。ホームページも作成しており、この本の使い方の説明や具体例を掲載。全国小学校に無料配布。

  23. International Reviewer on a specific SFI(Science Foundation Ireland) proposal

    2000/12 - 2001/03

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    レビューアー

  24. 科学技術振興事業団戦略的研究推進事業 “スピン計測”研究チーム(代表者 北海道大学大学院工学研究科 武笠幸一教授)

    1997/04 - 2001/03

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    アドバイザー

  25. 第１回未来科学オープンセミナー, "高度情報化社会を支える半導体を見てみよう～光通信、青色LEDから5Gへ～"

    2020/07/31 -

  26. 東北大学 新技術説明会 No.5, "結晶極性を利用した高効率太陽電池"

    2019/12/05 -

  27. 三菱電機 高周波光デバイス製作所 社員研修, "窒化物半導体の可能性とその社会貢献"

    2019/09/05 -

  28. イムラ・ジャパン 社員研修, "Methods and Mental Attitude for Progressing Research ～Based on My Experiences～"

    2019/08/25 -

  29. 住友商事勉強会, "窒化物半導体の勉強会"

    2019/08/02 -

  30. 第31回 NTT通研OB物理と化学・材料の会, "青色LED開発の歴史と、ワイドギャップ半導体の展開"

    2019/06/29 -

  31. 出前授業, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」 「私たちの暮らしを変えた光革命 ～LEDの不思議～」

    宮城県黒川郡大和町立吉田小学校4･5･6年生 11名

    2019/06/03 -

  32. 最終講義, "40年余りの研究・教育生活を振り返って ～研究の楽しさと教育の難しさ～"

    2019/03/08 -

  33. 出前授業 総括編, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

    2018/08/23 -

  34. 第88回金研夏期講習会, 実習 "青色発光ダイオードの作製

    2018/07/27 -

  35. 第88回金研夏期講習会, 産官学連携講演 1, "日本再浮上のための産官学連携にむけて"

    2018/07/27 -

  36. 第88回金研夏期講習会, 講義 "青色LEDで知られる窒化物半導体によるエレクトロニクスの新展開"

    2018/07/26 -

  37. 出前授業, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

    2018/05/31 -

  38. 出前授業 総括編, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

    2017/08/22 -

  39. 出前授業, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」",

    2017/06/30 -

  40. 山形県立鶴岡南高等学校 理数セミナー

    2017/03/21 -

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    『“豆電球”から“発光ダイオード”を考えてみよう』 金研にて、半導体の座学、実験、および、実験室見学を通して、生きた学問を学ぶ。

  41. 出前授業 総括編, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

    2016/08/23 -

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    一般向けに、光通信に必要な波長多重通信の技術を体感してもらう。

  42. 出前授業 総括編, "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

    2016/06/29 -

  43. 第21回通研OB物理と化学・材料の会, "NTTでの窒化物半導体の研究開発"

    2016/06/25 -

  44. 文部科学省 国立大学法人支援課 吉田企画官 見学

    2016/06/02 -

  45. 放送大学学園 理事（財務担当）視察

    2016/05/27 -

  46. 研究室見学招待

    2016/03/08 -

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    古川学園中学校

  47. 研究室見学招待

    2015/11/12 -

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    山形県立楯岡高校（文科省SSH指定校）

  48. 職場体験学習

    2015/09/03 -

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    宮城県立白石高校

  49. 出前授業

    2015/07/15 -

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    楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」, 仙台市若林小学校（宮城県仙台市宮城野区燕沢小学校）

  50. 東京４０会での卓話

    2015/04/15 -

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    青色LEDの開発と通研における研究管理

  51. 仙台高専 専攻特別講義

    2015/01/20 -

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    半導体材料と光素子の研究開発 ～赤外から青色へ

  52. 青色発光ダイオード技術のノーベル物理学賞記念講演会, 仙台市民会館大ホール, 主催：東北大学多元物質科学研究所・東北大学知の創出センター

    2014/12/26 -

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    白色LED 光源の発光原理、開発経緯、そして、その意義

  53. 企業と天才 後編

    2014/11/29 -

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    青色発光ダイオードの開発経緯において、大企業が貢献できなかった理由を考察している。

  54. 企業と天才 中編

    2014/11/22 -

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    青色発光ダイオードの開発経緯において、大企業が貢献できなかった理由を考察している。

  55. 企業と天才 前編

    2014/11/08 -

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    青色発光ダイオードの開発経緯において、大企業が貢献できなかった理由を考察している。

  56. 青色LED３氏以外も貢献

    2014/10/08 -

  57. AEI (Asia Electronics Industry) October 2014,「New Crystal Supports GaN LED, LD Creation」, pp.72-73.

    2014/08/21 -

  58. Laser Focus World Japan, 「GaN LEDおよびLD用新結晶 ScAlMgO4開発」

    2014/08/21 -

  59. Semiconductor Today,「Fukuda Crystal Lab grows 2-inch scandium aluminium magnesium oxide crystal rivalling sapphire」

    2014/08/21 -

  60. Compoud Semiconductors apanese Lab Creates New GaN Substrate -SCAM substrate better than sapphire for crystal defects-

    2014/08/21 -

  61. 日経産業新聞, 「LED用新基板材料」

    2014/08/21 -

  62. 出前授業 総括編,

    2014/08/21 -

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    しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」

  63. 出前授業 仙台市若林小学校

    2014/06/25 -

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    楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議

  64. 福島市立福島第４中学校 進路体験学習

    2014/05/09 -

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    楽光通信の不思議について

  65. 第22回市民型講座

    2014/02/04 -

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    石からどんな光が出るのか？ ～信号機から光通信まで～

  66. 平成25年応用物理学会東北支部リフレッシュ理科教室 仙台市立愛宕中学校

    2013/12/13 -

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    リフレッシュ理科教室

  67. 楽しい理科のはなし 総括イベント

    2013/11/16 -

  68. 山形県新庄市立日新中学校 進路体験学習

    2013/11/15 -

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    楽光通信の不思議

  69. 出前授業 総括編

    2013/10/14 -

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    楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」

  70. 片平まつり Bizナビにて紹介

    2013/10/07 -

  71. 片平まつり紹介記事,

    2013/10/03 -

  72. 片平まつり広告 4段1/2

    2013/09/19 -

  73. 片平まつり」紹介記事1ページ、広告1ページ, 2013年9月11日（水）.

    2013/09/11 -

  74. 楽しい理科のはなし 出前授業

    2013/08/03 -

  75. 出前授業 仙台市立沖野東小学校

    2013/05/31 -

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    楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議

  76. 山形県立鶴岡南高等学校 大学訪問見学

    2013/03/22 -

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    "半導体とは"

  77. 楽しい理科のはなし 総括イベント

    2012/09/16 -

  78. 出前授業 総括編

    2012/08/21 -

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    "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

  79. JST 平成24年度 「サイエンス・パートナーシップ・プロジェクト」

    2012/08/06 -

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    "豆電球”から“発光ダイオード”を考えてみよう"

  80. 楽しい理科のはなし 出前授業

    2012/08/04 -

  81. 出前授業 仙台市館小学校

    2012/06/28 -

    More details Close

    "楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」"

  82. 日本基礎化学教育学会

    2012/03/29 -

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    最近の半導体について、学理と研究現場を学ぶ。座学と実験室見学を行った。

  83. 楽しい理科のはなし2011後編 不思議の箱を開けよう

    2011/08/07 -

  84. 第81回金研夏期講習会 トヨタテクノミュージアム産業技術記念館

    2011/07/28 -

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    青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその応用

  85. 出前授業 仙台市東宮城野小学校

    2011/07/21 -

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    楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」

  86. JSTイノベーションフォーラム2010 in みやぎ

    2010/12/01 -

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    "MOVPE法によるZnO基板上の「緑色発光用InGaN」高温成長技術"

  87. 平成22年度福島県立福島高校スーパーサイエンスハイスクール事業

    2010/10/18 -

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    実験講座, "半導体光素子による社会貢献 ～青色発光から光通信まで～"

  88. 楽しい理科のはなし2010 不思議の箱を開けよう 楽しい理科実験教室

    2010/09/25 -

  89. 出前授業 総括編

    2010/08/28 -

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    仙台市東京エレクトロンホールに於いて"楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」

  90. 楽しい理科のはなし2010 不思議の箱を開けよう 後編

    2010/08/07 -

  91. 仙台第三高等学校理数科研修会

    2010/08/02 -

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    金研講堂にて講演

  92. 平成22年度金研夏期記念見学会

    2010/07/29 -

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    研究室見学

  93. 平成22年度金研夏期講習会

    2010/07/29 -

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    東北大学にて "青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその応用”の講演を行う

  94. 夏休み大学探検２０１０

    2010/07/23 -

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    "発光ダイオードでネームプレートを作ってみよう"の企画

  95. サイエンスディ

    2010/07/11 -

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    東北大学 川内キャンパスにて "光を使って話をしよう"

  96. 出前授業 総括イベント

    2010/06/22 -

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    市民会館での総括イベントで、LEDを用いた工作を行い光通信実験を行った。

  97. 出前授業 総括イベント

    2009/09/20 -

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    市民会館での総括イベントで、LEDを用いた工作を行い光通信実験を行った。

  98. 磐城高校体験学習

    2009/08/07 -

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    研究室紹介、実験体験

  99. 出前授業

    2009/05/27 -

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    仙台市立松陵小学校にて、“楽しい理科のはなし ～不思議の箱を開けよう～「光通信の不思議」”と題して、半導体発光素子や光通信についての座学と、LEDを用いた工作を行い光通信実験を行った。

  100. 日本総研 技術価値創造戦略グループセミナー

    2009/04/17 -

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    “夢を語り実現する研究者になるための若手研究者セミナー ～一流の研究を知り、実践するためにすべきこと～”において、「自ら拘ったGaNによる青色発光を一旦諦めざるを得なかった思い」と題して講演。その後、パネラーとして、若手研究者が自己実現を図るための方法について発言。

  101. 金研大阪センター

    2008/07/30 -

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    青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体とその応用について講演

  102. 磐城高校体験学習

    2008/07/24 -

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    研究室紹介、実験体験

  103. 先端電子材料 研究最前線

    2008/03/28 -

  104. イノベーション 破壊と共鳴

    2006/10 -

  105. International Reviewer on a proposal of The Chinese Academy of Science-Croucher Foundation,

    2004/06 -

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    レビューアー

  106. 青色に挑んだ男たち

    2003/10 -

  107. 定説を覆す No.1

    2003/07/23 -

  108. 「巨人」たちの敗北

    2003/03/22 -

  109. 日本国際賞推薦委員

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Media Coverage 55

  1. "システムに変革をもたらす素子応用を鑑みた半導体材料開発とその物性研究"

    産学連携推進協会　メルマガ29号

    2020/07/27

    Type: Internet

  2. "楽しい理科のはなし 出前授業"

    河北新報　朝刊

    2019/07/29

    Type: Newspaper, magazine

  3. "一貫して追及した窒化物半導体の可能性"

    New テクノマートSO（創）　27巻, pp.14-15

    2019/01/08

  4. "GaNとほぼ格子整合するScAlMgO4基板上への窒化物半導体素子の製造法"

    New テクノマートSO（創）　27巻, p. 36

    2019/01/08

    Type: Other

  5. "楽しい理科のはなし 出前授業"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2018/07/29

  6. "楽しい理科のはなし 総括イベント"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2018/07/23

  7. "東北発展 輝く功績

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2018/01/18

  8. "第67回河北文化賞"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2018/01/01

  9. "楽しい理科のはなし 総括イベント"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2017/09/24

  10. "楽しい理科のはなし 出前授業"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2017/07/29

  11. "楽しい理科のはなし 総括イベント"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2016/09/24

    Type: Newspaper, magazine

  12. "楽しい理科のはなし 出前授業"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2016/07/30

    Type: Newspaper, magazine

  13. "世界の材料科学 常にリード～東北大学 金研 100周年～"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2016/05/10

    Type: Newspaper, magazine

  14. "究極効率の太陽電池～普及が進む太陽電池は最終目標への通過点に過ぎない"

    日経サイエンス　11月号, pp. 52-53

    2015/11

  15. "楽しい理科のはなし 総括イベント"

    河北新報社　河北新報　朝刊

    2015/09/27

    Type: Newspaper, magazine

  16. "北大 光電変換効率60%へ"

    日本経済新聞

    2015/08/31

    Type: Newspaper, magazine

  17. “Fukuda Crystal Lab grows 2-inch scandium aluminum magnesium oxide crystal rivaling sapphire”

    Semiconductor Today

    2015/08/21

  18. "楽しい理科のはなし 出前授業"

    河北新報社　河北新報

    2015/08/02

    Type: Newspaper, magazine

  19. 驚きを呼んだ「第三の男」天野の受賞

    化学

    2015/01

    Type: Newspaper, magazine

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    2014年のノーベル物理学賞の受賞者に関する考察

  20. 企業と天才

    東洋経済新報社　週刊東洋経済

    2014/11/29

    Type: Newspaper, magazine

  21. 企業と天才

    東洋経済新報社　週刊東洋経済　pp83-91

    2014/11/22

    Type: Newspaper, magazine

  22. 企業と天才

    東洋経済新報社　週刊東洋経済　pp54-61

    2014/11/08

    Type: Newspaper, magazine

  23. 青色LED３氏以外も貢献

    読売新聞　読売新聞夕刊

    2014/10/08

    Type: Newspaper, magazine

  24. 楽しい理科のはなし 総括イベント

    河北新報　河北新報朝刊

    2014/09/21

    Type: Newspaper, magazine

  25. New Crystal Supports GaN LED, LD Creation

    32. AEI (Asia Electronics Industry)　pp72-73

    2014/08/21

    Type: Promotional material

  26. GaN LEDおよびLD用新結晶 ScAlMgO4開発

    Laser Focus World Japan

    2014/08/21

    Type: Internet

  27. Fukuda Crystal Lab grows 2-inch scandium aluminum magnesium oxide crystal rivalling sapphire

    Semiconductor Today

    2014/08/21

    Type: Internet

  28. Japanese Lab Creates New GaN Substrate -SCAM substrate better than sapphire for crystal defects-

    Compound Semiconductors

    2014/08/21

    Type: Internet

  29. LED用新基板材料

    日本経済新聞社　日経産業新聞

    2014/08/21

    Type: Newspaper, magazine

  30. 楽しい理科のはなし 出前授業

    河北新報　河北新報朝刊

    2014/07/26

    Type: Newspaper, magazine

  31. 楽しい理科のはなし 総括イベント

    河北新報

    2013/11/16

    Type: Newspaper, magazine

  32. 片平まつり

    ミヤギテレビ OH！バンデス

    2013/10/11

    Type: TV or radio program

  33. 片平まつり

    TBC東北放送（テレビ）One Switch Café

    2013/10/07

    Type: TV or radio program

  34. 「片平まつり」

    河北新報　河北ウイークリー

    2013/10/03

    Type: Promotional material

  35. 「片平まつり」

    河北新報　河北新報朝刊　Bizナビ

    2013/09/19

    Type: Newspaper, magazine

  36. 片平まつり」紹介記事

    河北新報　河北ウイークリー

    2013/09/12

    Type: Promotional material

  37. 「片平まつり」紹介記事

    河北新報　河北ウイークリージュニア

    2013/09/11

    Type: Promotional material

  38. 楽しい理科のはなし 出前授業

    河北新報　河北新報朝刊

    2013/08/03

    Type: Newspaper, magazine

  39. 楽しい理科のはなし 総括イベント

    河北新報　河北新報朝刊

    2012/09/16

    Type: Newspaper, magazine

  40. 楽しい理科のはなし 出前授業

    河北新報　河北新報朝刊

    2012/08/04

    Type: Newspaper, magazine

  41. Science Window 早春号

    科学技術振興機構

    2012/02

    Type: Newspaper, magazine

  42. 楽しい理科のはなし2011後編 不思議の箱を開けよう

    河北新報　河北新報朝刊

    2011/08/07

    Type: Newspaper, magazine

  43. 楽しい理科のはなし2010 不思議の箱を開けよう 楽しい理科実験教室

    河北新報　河北新報朝刊

    2010/09/25

    Type: Newspaper, magazine

  44. "楽しい理科のはなし2010 不思議の箱を開けよう

    河北新報　河北新報朝刊

    2010/08/07

    Type: Newspaper, magazine

  45. 楽しい理科のはなし 総括イベント

    河北新報　河北新報朝刊

    2009/10/25

    Type: Newspaper, magazine

  46. 楽しい理科のはなし 前編

    河北新報　河北新報朝刊

    2009/07/26

    Type: Newspaper, magazine

  47. 地球温暖化の防止、ＣＯ２の削減に資するような研究成果が出ている研究室を取材した

    東北大学の新世紀

    2008/09/08

    Type: TV or radio program

  48. 窒化物半導体が拓く新しい半導体の世界とは

    7.ガスレビュー 増刊号 ガストロン

    2008/04

    Type: Newspaper, magazine

  49. 先端電子材料 研究最前線

    朝日新聞

    2008/03/28

    Type: Newspaper, magazine

  50. かっぺいのいったりきたり

    みやぎテレビ

    2007/12/23

    Type: TV or radio program

  51. イノベーション 破壊と共鳴

    NTT出版

    2006/02

  52. 社会を変えた科学技術の成果（青色発光デバイスの実用化）

    文部科学省　平成19年版 科学技術白書　第1部 第1章 第3節 1

    2006/01

    Type: Other

  53. 青色に挑んだ男たち

    日本経済新聞社

    2003/10

    Type: Other

  54. 定説を覆す

    日刊工業新聞

    2003/07/23

    Type: Newspaper, magazine

  55. 巨人」たちの敗北 青色発光デバイスに挑戦した男たち

    週刊東洋経済

    2003/03/22

    Type: Newspaper, magazine

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Other 26

  1. 高効率低コストLEDを実現する GaNベース基板の開発

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    提案法人名：パナソニック株式会社 （委託：株式会社福田結晶技術研究所）

  2. フォトン・フォトキャリア直交型太陽電池のInGaN系による展開可能性の検討

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    フォトン・フォトキャリア直交型太陽電池のInGaN系による展開可能性の検討を行う

  3. N極性InAlN混晶半導体の減圧および加圧有機金属気相成長による高効率光・電子素子応用

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    N極性InAlN混晶半導体の減圧および加圧有機金属気相成長による高効率光・電子素子応用に関する研究

  4. 窒化物半導体の素子応用に向けた高In組成InAlNエピタキシャル成長に関する実用化研究

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    青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体混晶InGaAlNは、バンドギャップ・エネルギEgが0.65～6.0eV（波長換算0.2～1.9μm）と広く、固体照明用高輝度紫外発光ダイオード、高効率太陽電池、高周波・高出力トランジスタ等の実用化が緊急に期待されている。Egが広いという特性を活かすために、混晶組成域の拡大が必須である。従来の研究は、InN、GaNやAlNの成長温度の差や熱力学的相分離のため、GaNへInやAlを添加する研究がなされてきた。本課題では、素子応用に有利な価電子帯のバンド障壁が大きくなるInNに、Alを添加する「エピタキシャル成長技術」を研究する。

  5. 窒化物半導体エピタキシャル成長に関する研究

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    窒化物半導体エピタキシャル成長に関する研究を行う

  6. 格子整合基板ScAlMgO4導入によるエピタキシャル成長GaN薄膜の高品質化に関する研究

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    持続可能な社会実現に向けて、半導体は、高効率・低コストの太陽電池および省エネルギー各種素子の実用化に責務がある。中でも、青色LEDで知られている窒化物半導体は、固体照明の高効率化、タンデム型高効率太陽電池、次世代の高密度波長多重光通信用光源、および、高出力・高周波スィッチング素子の実現に大きな可能を有する。しかしながら、窒化物半導体の転位密度は、従来からある化合物半導体に比し数桁高く、結晶品質の改善が急務である。その原因は、格子整合基板の不在にある。本研究では、大型高品質結晶を成長できるScAlMgO4を新たに導入し、申請者の保有するエピタキシャル成長技術を用い、GaNの高品質化に挑戦する。

  7. シリコン基板を用いた超高効率窒化物半導体「太陽電池要素技術」に関する開発研究

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    持続可能社会実現のネルギー対策として、＜太陽電池＞は有効である。現用の高効率太陽電池はシリコン製で、その効率は最大22%である。これに対して、Si基板の表裏にバンドギャップ・エネルギ0.7eVと1.4eVの窒化物半導体を積層した、光・電気の理論変換効率36%の高効率太陽電池を提案する。 0.7eV用材料はInNで、現在、高品質化の研究も申請者で進められている。一方、1.4eV用材料は高In組成窒化物半導体である。この成長は、相分離現象のため困難とされるが、20年以上の歳月で培った窒化物半導体エキシャル成長の経験・技術を申請者は駆使し、高In組成窒化物半導体の成長に挑戦する。

  8. 次世代環境・エネルギー技術に関する研究

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    次世代のエネルギー技術や環境技術について，外部技術動向調査や今後のトレンドの分析を実施し，環境・エネルギー問題解決に資する革新的な技術の研究開発について検討を行う．

  9. 励起子吸収による増感を利用した高効率太陽電池の研究

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    太陽電池の高効率化を目指し、半導体中の励起子の増感作用について研究する。研究対象とする材料は、太陽光の全波長域をほぼカバーできる窒化物半導体である。

  10. MOVPE法によるZnO基板上の「緑色発光用InGaN」の高温成長技術の確立

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    光の三原色を構成するLEDのうち、発光層にInGaNを用いている緑色LEDは、赤や青に比べて光出力が一桁低い。このInGaNが相分離しているためである。本研究では、相分離を抑止し均一な組成のInGaNを得るために、成長温度の高温化を図る。さらに、結晶の高品質化を目指し、窒化物半導体用基板として一般に用いられているサファイアより一桁格子整合性の良いZnO基板の使用にも挑戦する。

  11. ZnOおよびGaNの単結晶基板上MO-CVDによる窒化物薄膜形成とデバイス応用に関する共同研究

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    青色発光用窒化物半導体薄膜成長用基板として研究代表者が１９８７年に提案したＺｎＯ単結晶の２インチ基板が現在作製されるようになった。この基板上に高品質窒化物半導体単結晶薄膜を成長する技術と、そのデバイス化の開発研究を行う。

  12. 材料インテグレーション国際教育研究拠点

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    インターンシップ事業、英語教育推進のための事業、初の試みとなりました国際講義、若手研究者研究報告会、外部評価委員会等々のため

  13. 温度安定性に優れたInN半導体レーザの研究

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    高密度波長多重光通信方式に向けて、温度安定性に優れた光源として、窒化物半導体であるInNの薄膜成長技術とその物性について研究する。

  14. 窒化物半導体物性およびデバイス応用に関する研究

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    青色発光ダイオードで知られている窒化物半導体に関して、その物性とデバイス応用に関する研究を行う。窒化物半導体の中でも特に、研究代表者がバンドギャップの既報告値が誤っていることを１９８９年から指摘してきているＩｎＮに重点をおいて研究を進める。

  15. ZnOおよびGaNの単結晶基板上MO-CVDによる窒化物薄膜形成とデバイス応用に関する共同研究

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    青色発光用窒化物半導体薄膜成長用基板として研究代表者が１９８７年に提案したＺｎＯ単結晶の２インチ基板が現在作製されるようになった。この基板上に高品質窒化物半導体単結晶薄膜を成長する技術と、そのデバイス化の開発研究を行う。

  16. ＩｎＮ薄膜エピタキシャル成長の研究とＤＦＢレーザ化

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    本研究では、光ファイバ通信用光源として、低密度波長分割多重通信方式（CWDM）の低価格化のためにペルチエ素子による冷却を必要としないuncooled laserと、高密度波長分割多重通信方式(DWDM)の高密度化のために波長間隔の狭小化を可能にする波長に関して温度安定性に優れたレーザと、を実現することを目的とする。

  17. ＺｎＯ単結晶基板と格子整合する青色発光用「高品質InGaN」の薄膜成長技術の確立

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    現在、信号機などに使用されている青色発光ダイオード(LED)は、サファイア単結晶基板上に窒化物半導体を積層して作製されている。発光層のInGaNとサファイア基板との格子定数の不整合率は、14%に及ぶ。半導体光素子では、素子の特性と寿命の点から、この不整合率は0.1%以下とされている。本課題では、ZnO単結晶基板を用いて、InGaNの格子整合成長を図り、InGaNの高品質化を目指す。

  18. ZnOおよびGaNの単結晶基板上MO-CVDによる窒化物薄膜形成とデバイス応用に関する共同研究

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    青色発光用窒化物半導体薄膜成長用基板として研究代表者が１９８７年に提案したＺｎＯ単結晶の２インチ基板が現在作製されるようになった。この基板上に高品質窒化物半導体単結晶薄膜を成長する技術と、そのデバイス化の開発研究を行う

  19. 窒化物半導体物性およびデバイス応用に関する研究

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    青色発光ダイオードで知られている窒化物半導体に関して、その物性とデバイス応用に関する研究を行う。窒化物半導体の中でも特に、研究代表者がバンドギャップの既報告値が誤っていることを１９８９年から指摘してきているＩｎＮに重点をおいて研究を進める。

  20. 温度安定性に優れた光通信用ＩｎＮ半導体レーザに関する基礎研究

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    光通信方式の大容量化のために、高密度の波長多重を可能にしうるInNを発光層とする分布帰還型レーザの開発を最終目標とし、薄膜の成長法とその物性に関する基礎研究を行う。

  21. ＭＯＣＶＤによる窒化物薄膜の作製と評価に関する研究

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    青色発光ダイオードで知られている窒化物半導体について、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いた薄膜成長法と、窒化物半導体の物性評価に関する研究を行う。

  22. ＺｎＯ基板上の窒化物系化合物半導体デバイスの開発研究

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    青色発光用窒化物半導体薄膜成長用基板として研究代表者が１９８７年に提案したＺｎＯ単結晶の２インチ基板が現在作製されるようになった。この基板上に高品質窒化物半導体単結晶薄膜を成長する技術と、そのデバイス化の開発研究を行う。

  23. シリコン基板上ナノ発光材料探索と素子化に関する研究

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    シリコン上においてフォトニクス回路を実現するためには、光/電子インターフェイス用の高速・高効率な発光デバイスの開発は必須である。シリコン発光の研究は、ポーラスシリコンやSiナノ結晶、SiGeやβ-FeSi2、ErSiOといった混晶半導体、シリコンへのErなどの不純物ドーピングといった具合にいづれもシリコンを材料のベースとしている。これらシリコンをベースとした発光材料は、シリコン物性の見地や今までの研究経過から、良好な発光効率の素子には適さないと判断される。我々は新たにIII-V族半導体をシリコン上で発光させる研究に優位性を見い出したので、研究推進致したく今回のテーマを提案する。具体的には、サファイア上でのGaNやInNの結晶成長で蓄積された技術を基盤にし、シリコン基板上へ直接、あるいはシリコン基板上の酸化膜上に、またはシリコン基板上に作製した金属膜や金属ドットを介して、ナノサイズのIII-V族結晶成長を行い、素子化を図る。成長モードの工夫や新たな材料探索を行いながら、研究を進める。研究代表者は1987年から窒素を含んだIII-V族材料すなわち窒化物半導体InGaAlNの研究を行ってきている。2001年にInNのバンドギャップは、多結晶を用いて求められた従来の報告値の半分以下の赤外域にあることを指摘した。シリコン光導波路を活用できる赤外領域で発光するInN系材料をベースとし、そのナノ結晶化によって発光効率の増大や高速応答を期待できる、シリコン上発光素子の実現を目指す。

  24. ＺｎＯおよびＧａＮの単結晶基板上のＭＯ－ＣＶＤによる窒化物薄膜形成とデバイス応用に関する共同研究

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    青色発光ダイオードなどで知られている窒化物半導体において、基板として現状で広く用いられているサファイアに較べて遙かに良く格子整合するＺｎＯやＧａＮ単結晶基板を用いた薄膜成長法、およびそのデバイス化に関する研究を行う。

  25. 窒化物半導体物性およびデバイス応用に関する研究

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    青色発光ダイオードで知られている窒化物半導体に関して、その物性とデバイス応用に関する研究を行う。窒化物半導体の中でも特に、研究代表者がバンドギャップの既報告値が誤っていることを１９８９年から指摘してきているＩｎＮに重点をおいて研究を進める。

  26. スピン計測

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    電子スピンの関与する量子現象を積極的に用いた新世界を切り開くことを目的とする。物質表面のスピン状態を原子分解能レベルで観測する走査型プローブ顕微鏡を開発し、導電性並びに絶縁体表面のスピン計測を行う。さらに表面の特性を生かした新物質創製を目指し、この評価法を活用する。この評価機の開発途上で、スピン状態の保存の問題を手がけ、スピンデバイス、スピンメモリへの糸口を見いだす。

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