東北大学研究者紹介

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スエミツ　テツヤ

末光　哲也

Tetsuya Suemitsu

所属

未来科学技術共同研究センター　開発研究部　窒化物半導体の結晶成長と光デバイス・電子デバイスの研究

職名

特任教授（研究）

学位

博士（工学）（早稲田大学）
修士（工学）（早稲田大学）

researchmap

https://researchmap.jp/read0131931

J-GLOBAL ID

200901091215836219

経歴 5

2017年8月～継続中

東北大学　教授
2007年4月～ 2017年7月

東北大学　准教授
2006年9月～ 2007年3月

東北大学　助教授
1994年4月～ 2006年8月

NTT厚木研究所
2002年1月～ 2003年1月

MIT　客員研究員

委員歴 24

Compound Semiconductor Week (CSW 2025)　Chair of High-Frequency Devices Subcommittee

2024年8月～ 2025年5月
International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025)　TPC Member

2025年1月～ 2025年3月
IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2021)　TPC Member

2021年1月～ 2021年3月
European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)　TPC Member

2009年1月～ 2019年12月
応用物理学会　講演会企画運営委員（半導体大分類代表）

2014年4月～ 2016年3月
International Electron Devices Meeting (IEDM)　Member of Technical Program Committee

2004年1月～ 2005年12月
Device Research Conference (DRC)　Member of Technical Program Committee

2002年12月～ 2005年6月
International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2024)　TPC Member

2024年1月～ 2024年3月
International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2023)　TPC Member

2023年1月～ 2023年3月
International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022)　TPC Member

2022年1月～ 2022年3月
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)　Guest Editor

2021年3月～ 2021年8月
International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2021)　TPC Member

2021年1月～ 2021年3月
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)　Guest Editor

2020年3月～ 2020年9月
International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2020)　Vice Chair of Technical Program Committee

2020年1月～ 2020年3月
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)　RF Electron Devices Subcommittee Chair

2018年8月～ 2019年5月
International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2019)　TPC Member

2019年1月～ 2019年3月
Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018)　Regional Chair for Asia and Australia

2018年1月～ 2018年6月
Compound Semiconductor Week (CSW 2017)　TPC Member

2016年7月～ 2017年6月
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2016)　TPC member

2016年1月～ 2016年6月
応用物理学会　講演会プログラム編集委員

2008年1月～ 2016年3月
Compound Semiconductor Week (CSW 2015)　TPC Member

2015年1月～ 2015年7月
International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012)　Program Committee Member

2012年1月～ 2012年8月
応用物理学会　代議員

2008年2月～ 2012年2月
電子情報通信学会　和文論文誌編集幹事

2010年5月～ 2011年5月

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所属学協会 4

IEEE

1995年1月～継続中
応用物理学会

1991年5月～継続中
Materials Research Society

2012年7月～継続中
American Physical Society

1995年7月～継続中

研究分野 1

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

受賞 7

IEEE Fellow

2021年1月
IEICE ELEX Best Paper Award

2007年9月　Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
第59回電子情報通信学会論文賞

2003年5月　電子情報通信学会
第1回応用物理学会講演奨励賞

1996年11月　応用物理学会
Outstanding Reviewer Award

2021年4月　IOP Publishing
ISPlasma 2021 Best Presentation Award

2021年3月　ISPlasma
電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰

2012年3月　電子情報通信学会

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論文 280

Polarization interface charge model to calculate threshold voltage of AlGaN/GaN HEMTs 査読有り

T. Suemitsu

15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15), Malmö, Sweden, Jul. 6-11, 2025　426　2025年7月10日
Impact of polarization charges on threshold voltage and band offset in GaN/AlGaN/GaN heterostructures 査読有り

T. Suemitsu, H. Imabayashi, K. Shiojima

Compound Semiconductor Week (CSW 2025), Banff, Canada, May 27-30, 2025　273　2025年5月29日
300-GHz-Band Operation of UTC-PD-Integrated HEMT Photonic Double-Mixer

Tsung-Tse Lin, Shota Horiuchi, Mitsuki Watanabe, Shinnosuke Uchigasaki, Koichi Tamura, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

2024 49th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)　1-2　2024年9月1日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/irmmw-thz60956.2024.10697824 　
New polarization interface charge model to calculate carrier concentration of GaN HEMTs 査読有り

Tetsuya Suemitsu

Compound Semiconductor Week (CSW), Lund, Sweden, Jun. 3-6, 2024　P16　2024年6月
Gate-readout and a 3D rectification effect for giant responsivity enhancement of asymmetric dual-grating-gate plasmonic terahertz detectors

Akira Satou, Takumi Negoro, Kenichi Narita, Tomotaka Hosotani, Koichi Tamura, Chao Tang, Tsung-Tse Lin, Paul-Etienne Retaux, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji

Nanophotonics　2023年11月9日
出版者・発行元： Walter de Gruyter GmbH
DOI： 10.1515/nanoph-2023-0256 　

ISSN：2192-8606

eISSN：2192-8614

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Abstract We experimentally investigated the asymmetric dual-grating-gate plasmonic terahertz (THz) detector based on an InGaAs-channel high-electron-mobility transistor (HEMT) in the gate-readout configuration. Throughout the THz pulse detection measurement on the fabricated device, we discovered a new detection mechanism called the “3D rectification effect” at the positive gate bias application, which is a cooperative effect of the plasmonic nonlinearities in the channel with the diode nonlinearity in the heterobarrier between the InGaAs channel layer and the InAlAs spacer/carrier-supply/barrier layers, resulting in a giant enhancement of the detector responsivity. We also found that an undesired long-tail waveform observed on the temporal pulse photoresponse of the device is due to trapping of carriers to the donor levels in the silicon δ-doped carrier-supply layer when they tunnel through the barrier to the gate and can be eliminated completely by introducing the so-called inverted-HEMT structure. The internal current responsivity and noise-equivalent power are estimated to be 0.49 A/W (with the equivalent voltage responsivity of 4.9 kV/W with a high output impedance of 10 kΩ) and 196 pW/√Hz at 0.8 THz. These results pave the way towards the application of the plasmonic THz detectors to beyond-5G THz wireless communication systems.
Efficient Optical-to-sub-THz Carrier Frequency Down-Conversion by UTC-PD-Integrated HEMT

Tsung-Tse Lin, Mitsuki Watanabe, Dai Nagajima, Keisuke Kasai, Masato Yoshida, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

2023 International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP)　1-4　2023年10月15日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/mwp58203.2023.10416637 　
Utilizing High-Intensity Optical Subcarrier Signal for Conversion Gain Enhancement of a UTC-PD-Integrated HEMT Photonic Double-Mixer

T.-T. Lin, D. Nakajima, K. Nishimura, M. Watanabe, K. Kasai, M. Yoshida, T. Suemitsu, T. Otsuji, A. Satou

2023 48th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)　2023年9月17日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/irmmw-thz57677.2023.10299383 　
Introduction of Inverted-HEMT Structure in a Grating-Gate Plasmonic THz Detector for Drastic Improvement of the Pulse Response

K. Narita, T. Negoro, Y. Takida, H. Minamide, T. Suemitsu, T. Otsuji, A. Satou

2023 48th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)　2023年9月17日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/irmmw-thz57677.2023.10299025 　
Nitride Semiconductors Realizing Sustainable Society 招待有り査読有り

Takashi Matsuoka, Tetsuya Suemitsu

358-362　2023年6月19日
出版者・発行元：
DOI： 10.1109/metroaerospace57412.2023.10189994 　
Fast and Sensitive THz Detection by an Asymmetric-Dual-Grating-Gate Epitaxial-Graphene-Channel FET Due to Plasmonic and Photothermoelectric Rectification Effects

Koichi Tamura, Chao Tang, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

2023 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2023　2023年
Fast THz Detection by an Asymmetric-Dual-Grating-Gate Graphene-Channel FET Based on Plasmonic and Photothermoelectric Effects

Koichi Tamura, Shinnosuke Uchigasaki, Hironobu Seki, Chao Tang, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz　2023年

DOI： 10.1109/IRMMW-THz57677.2023.10299381 　

ISSN：2162-2027

eISSN：2162-2035
Fast and sensitive THz detection by an Asymmetric-Dual-Grating-Gate Epitaxial-Graphene-Channel FET based on plasmonic and photothermoelectric rectification effects

Koichi Tamura, Chao Tang, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　12683　2023年

DOI： 10.1117/12.2676102 　

ISSN：0277-786X

eISSN：1996-756X
Conversion Gain Enhancement of a UTC-PD-Integrated HEMT Photonic Double-Mixer by High-Intensity Optical Subcarrier Signal

D. Nakajima, K. Nishimura, M. Watanabe, T. T. Lin, K. Kasai, M. Yoshida, T. Suemitsu, T. Otsuji, A. Satou

Optical Fiber Communication Conference (OFC) 2023　2023年
出版者・発行元： Optica Publishing Group
DOI： 10.1364/ofc.2023.m3d.7 　

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We experimentally investigate the effect of high-intensity subcarrier signal input to the UTC-PD-integrated HEMT working for optical-to-wireless carrier frequency down-conversion on enhancement of its double-mixing conversion gain. The fabricated UTC-PD-integrated HEMT demonstrated the linear increase in the conversion gain by up to +7 dB with increasing the subcarrier signal intensity without saturation, and the conversion gain enhancement of +6.8 dB from -51.0 dB to -44.2 dB was achieved.
Fast and sensitive terahertz detection with a current-driven epitaxial-graphene asymmetric dual-grating-gate field-effect transistor structure

Koichi Tamura, Chao Tang, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

APL Photonics　7　(12)　126101-126101　2022年12月1日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0122305 　

eISSN：2378-0967

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We designed and fabricated an epitaxial-graphene-channel field-effect transistor (EG-FET) featuring an asymmetric dual-grating-gate (ADGG) structure working as a current-driven terahertz detector and experimentally demonstrated a 10 ps-order fast response time and a high responsivity of 0.3 mA/W to 0.95 Terahertz (THz) radiation incidence at room temperature. The ADGG and drain–source bias dependencies of the measured photoresponse showed a clear transition between plasmonic detection under periodic electron density modulation conditions with depleted regions and photothermoelectric (PTE) detection under entirely highly doped conditions without depleted regions. We identified the PTE detection that we observed as a new type of unipolar mechanism in which only electrons or holes contribute to rectifying THz radiation under current-driven conditions. These two detection mechanisms coexisted over a certain wide transcendent range of the applied bias voltages. The temporal photoresponses of the plasmonic and PTE detections were clearly shown to be comparably fast on the order of 10 ps, whereas the maximal photoresponsivity of the PTE detection was almost twice as high as that of the plasmonic detection under applied bias conditions. These results suggest that the ADGG-EG-FET THz detector will be promising for use in 6G- and 7G-class high-speed wireless communication systems.
UTC-PD-Integrated HEMT for Optical-to-MMW/THz Carrier Frequency Down-Conversion: Scaling Rule of Conversion Gain on UTC-PD Mesa Size

D. Nakajima, K. Nishimura, T. Hosotani, K. Kasai, M. Yoshida, T. Suemitsu, T. Otsuji, A. Satou

2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz)　2022年8月28日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/irmmw-thz50927.2022.9895988 　
Pulse Response of Asymmetric Dual-Grating-Gate HEMT Plasmonic THz Detector

K. Narita, T. Negoro, Y. Takida, H. Ito, H. Minamide, T. Suemitsu, T. Otsuji, A. Satou

2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz)　2022年8月28日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/irmmw-thz50927.2022.9895931 　
Graphene-based plasmonic metamaterial for terahertz laser transistors

Taiichi Otsuji, Stephane Albon Boubanga-Tombet, Akira Satou, Deepika Yadav, Hirokazu Fukidome, Takayuki Watanabe, Tetsuya Suemitsu, Alexander A. Dubinov, Vyacheslav V. Popov, Wojciech Knap, Valentin Kachorovskii, Koichi Narahara, Maxim Ryzhii, Vladimir Mitin, Michael S. Shur, Victor Ryzhii

Nanophotonics　11　(9)　1677-1696　2022年5月11日
出版者・発行元： Walter de Gruyter GmbH
DOI： 10.1515/nanoph-2021-0651 　

eISSN：2192-8614

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Abstract This paper reviews recent advances in the research and development of graphene-based plasmonic metamaterials for terahertz (THz) laser transistors. The authors’ theoretical discovery on THz laser transistors in 2007 was realized as a distributed-feedback dual-gate graphene-channel field-effect transistor (DFB-DG-GFET) in 2018, demonstrating ∼0.1 µW single-mode emission at 5.2 THz and ∼80 µW amplified spontaneous 1–7.6 THz emission at 100 K. To realize room-temperature, dry-cell-battery operating intense THz lasing with fast direct modulation, various approaches based on graphene plasmonic metamaterials are investigated and introduced as real device implementations, including (i) replacement of the laser photonic cavity with plasmonic cavity enormously improving the THz photon field confinement with larger gain overlapping, (ii) introduction of THz amplification of stimulated emission via current-driven graphene Dirac plasmons (GDPs), and (iii) controlling the parity and time-reversal symmetry of GDPs enabling ultrafast direct gain-switch modulation. Possible real device structures and design constraints are discussed and addressed toward coherent light sources applicable to future 6G- and 7G-class THz wireless communication systems.
Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors 査読有り

Kiattiwut Prasertsuk, Tetsuya Suemitsu, Takashi Matsuoka

Japanese Journal of Applied Physics　61　(SA)　SA1006-SA1006　2022年1月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac2214 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

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<title>Abstract</title> Reverse bias annealing (RBA) is applied to N-polar GaN high electron mobility transistors (HEMTs) to improve the quality of the gate stack interface. As demonstrated for Ga-polar HEMTs, RBA improves the stability of the gate stack interface. However, the decrease in the maximum drain current density is observed as a unique phenomenon for the N-polar HEMTs. The calculation of the band profile suggests that in the N-polar HEMTs the electrons injected from the gate electrode by the reverse bias accumulate at the gate stack interface in the extrinsic gate region. This promotes the electron trapping in the gate stack, which results in an increase in the source access resistance by the virtual gate phenomenon. In the Ga-polar HEMTs, the electrons tend to accumulate at the AlGaN/GaN interface rather than the gate stack interface, which gives less chance of the virtual gate phenomenon.
UTC-PD-integrated HEMT double-mixer for optical to MMW/THz carrier frequency down-conversion

A. Satou, D. Nakajima, K. Nishimura, T. Hosotani, T. Suemitsu, K. Iwatsuki, T. Otsuji

International Conference Micro- and Nanoelectronics (ICMNE-2021)　O2-02　2021年10月
Optical-to-wireless carrier frequency down-conversion by UTC-PD-integrated HEMT: Dependece of conversion gain on UTC-PD mesa size 査読有り

K. Nishimura, T. Hosotani, D. Nakajima, T. Suemitsu, K. Iwatsuki, T. Otsuji, A. Satou

Conf. on Lasers and Electro-Optics Europe & European Quantum Electronics Conference (EQEC 2021)　CI-3.5 THU　2021年6月
Impact of polarization-induced charges on Schottky barrier height of polar GaN 査読有り

T. Suemitsu, I. Makabe

13th International Symposium on Advanced Plasma Sciene and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma), Mar. 7-11　09pD12O　2021年3月
Evidence of carrier trapping at extrinsic gate region in N-polar GaN/AlGaN MIS HEMTs 査読有り

K. Prasertsuk, T. Suemitsu, T. Matsuoka

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma), Mar. 7-11　10aD05O　2021年3月
Unitraveling-Carrier-Photodiode-Integrated High-Electron-Mobility Transistor for Photonic Double-Mixing 査読有り

Akira Satou, Yuya Omori, Kazuki Nishimura, Tomotaka Hosotani, Katsumi Iwatsuki, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji

Journal of Lightwave Technology　39　(10)　3341-3349　2021年2月
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI： 10.1109/jlt.2021.3060795 　

ISSN：0733-8724

eISSN：1558-2213
Effective Schottky barrier height model for N-polar and Ga-polar GaN by polarization-induced surface charges with finite thickness 国際誌査読有り

Tetsuya Suemitsu, Isao Makabe

Phys. Status Solidi B　257　(4)　1900528-1-1900528-6　2020年1月

DOI： 10.1002/pssb.201900528 　
Optimum frequency in a millimeter-wave wireless power transfer system for wearable terminals using InGaAs HEMTs 査読有り

M. Hanaoka, Y. Koike, Y. Umeda, T. Suemitsu

13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM), Toyama, Japan, Aug. 26-29　6-5　2019年8月
Photonic double-mixing by UTC-PD-integrated-HEMT for optical to MMW carrier frequency down-conversion 査読有り

K. Nishimura, Y. Omori, T. Hosotani, T. Suemitsu, K. Iwatsuki, T. Otsuji, A. Satou

13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM), Toyama, Japan, Aug. 26-29　6-2　2019年8月
Effective Schottky barrier height model for Ga- and N-polar GaN by polarization-induced surface charges with finite depth 査読有り

T. Suemitsu, I. Makabe

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13), Bellevue, WA, USA, Jul. 7-12　271-LP01.05　2019年7月
Graphene-based 2D-heterostructures for terahertz lasers and amplifiers

D. Yadav, S. Boubanga-Tombet, A. Satou, T. Tamamushi, T. Watanabe, T. Suemitsu, H. Fukidome, M. Suemitsu, A. A. Dubinov, V. V. Popov, M. Ryzhii, V. Mitin, M. S. Shur, V. Ryzhii, T. Otsuji

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　10917　2019年

DOI： 10.1117/12.2516494 　

ISSN：0277-786X

eISSN：1996-756X
Mapping of damage induced by neutral beam etching on GaN surfaces using scanning internal photoemission microscopy 査読有り

Shiojima, K., Suemitsu, T., Ozaki, T., Samukawa, S.

Japanese Journal of Applied Physics　58　(SC)　SCCD13-1-SCCD13-5　2019年

DOI： 10.7567/1347-4065/ab106d 　
Electrical characteristic of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with recess gate structure 査読有り

Shrestha, N.M., Li, Y., Suemitsu, T., Samukawa, S.

IEEE Transactions on Electron Devices　66　(4)　1694-1698　2019年

DOI： 10.1109/TED.2019.2901719 　
Reverse-bias-induced virtual gate phenomenon in N-polar GaN HEMTs 査読有り

T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka

2018 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, Nov. 25-30　EP08.08.04　2018年12月
N-polar GaN/AlGaN inversed high electron mobility transistors 招待有り

T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka

4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4), Sendai, Japan, Nov. 19-20　ED-III-4　2018年11月
[Invited Talk] Advanced plasma process for GaN high electron mobility transistors 招待有り

Tetsuya Suemitsu

International Workshop on Plasma and Bionano Devices, Kanazawa, Japan, Nov. 14　2018年11月
Three dimensional and non-destructive investigation of relation between reverse leakage current and threading dislocation in vertical GaN Schottky barrier diodes 査読有り

T. Fujita, T. Tanikawa, H. Fukushima, S. Usami, A. Tanaka, T. Suemitsu, T. Matsuoka

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), Kanazawa, Japan, Nov. 12-16　CR10-3　2018年11月
Mapping of neutral-beam etching induced damages on GaN surfaces using scanning internal photoemission microscopy 査読有り

K. Shiojima, T. Suemitsu, T. Ozaki, S. Samukawa

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), Kanazawa, Japan, Nov. 12-16　ThP-ED-8　2018年11月
Coupling of 2D plasmons in grating-gate plasmonic THz detector to THz wave with lateral polarization 査読有り

M. Suzuki, T. Hosotani, T. Otsuji, T. Suemitsu, Y. Takida, H. Ito, H. Minamide, A. Satou

43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)　Tu-A2-1a-2　2018年9月
Introduction of 2D diffraction grating into grating-gate plasmonic THz detector for controlling its polarization characteristics

M. Suzuki, T. Hosotani, T. Otsuji, T. Suemitsu, Y. Takida, H. Ito, H. Minamide, A. Satou

Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), Kitakyushu, Japan, Jul. 2-4, 2018　A2-4　2018年7月
Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN/GaN HEMTs 査読有り

T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Matsuoka

Compound Semiconductor Week, Boston, MA, USA, May 29-Jun. 1, 2018　705-706　2018年5月
N-polar GaN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor formed on sapphire substrate with minimal step bunching 査読有り

Kiattiwut Prasertsuk, Tomoyuki Tanikawa, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Tetsuya Suemitsu, Takashi Matsuoka

Applied Physics Express　11　(1)　015503_1-4　2018年1月1日
出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/APEX.11.015503 　

ISSN：1882-0786 1882-0778

eISSN：1882-0786
Neutral beam process in AlGaN/GaN HEMTs: Impact on current collapse 査読有り

Fuyumi Hemmi, Cedric Thomas, Yi-Chun Lai, Akio Higo, Yoh Watamura, Seiji Samukawa, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

SOLID-STATE ELECTRONICS　137　1-5　2017年11月

DOI： 10.1016/j.sse.2017.07.015 　

ISSN：0038-1101

eISSN：1879-2405
High-speed pulse response of asymmetric-dual-grating-gate high-electron-mobility-transistor for plasmonic THz detection 国際誌査読有り

T. Hosotani, F. Kasuya, M. Suzuki, T. Suemitsu, T. Otsuji, Y. Takida, H. Ito, H. Minamide, T. Ishibashi, M. Shimizu, A. Satou

International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz　1　(1)　IV-O2　2017年10月12日
出版者・発行元： IEEE Computer Society
DOI： 10.1109/IRMMW-THz.2017.8066947 　

ISSN：2162-2035 2162-2027
In-situ mapping of degradation of AlGaN/GaN MIS-HEMTs using video-mode scanning internal photoemission microscopy 査読有り

K. Shiojima, S. Murase, Y. Watamura, T. Suemitsu

Int. Conf. on Solid-State Devices and Materials (SSDM), Sendai, Japan, Sep. 19-22　PS-6-14　2017年9月21日
Terahertz light emission and lasing in graphene-based vdW 2D heterostructures 招待有り査読有り

T. Otsuji, D. Yadav, T. Watanabe, S. Boubanga-Tombet, A. Satou, T. Suemitsu, V. Ryzhii, A.A. Dubinov, M. Ryzhii, V. Mitin, M.S. Shur

RPGR2017: Int. Conf. Recent Progress in Graphene and 2D Materials Research, Singapore, Sept. 19-22, 2017.　1　(1)　WD-I2-1-2　2017年9月

DOI： 10.1117/12.918662 　
Terahertz light emission and lasing in graphene-based heterostructure 2D material systems -theory and experiments 招待有り査読有り

T. Otsuji, D. Yadav, T. Watanabe, S. Boubanga-Tombet, A. Satou, T. Suemitsu, V. Ryzhii, A.A. Dubinov, M. Ryzhii, V. Mitin, M.S. Shur

NANOP 2017: International Conference on Nanophotonics and Micro/Nano Optics Abstract Book, Barcelona, Spain, Sept. 13-15, 2017.　1　(1)　115-116　2017年9月
Frequency down-conversion from optical data signal to MMW IF data signal using InP-HEMT 査読有り

Y. Omori, T. Hosotani, T. Suemitsu, K. Iwatsuki, T. Otsuji, A. Satou

The 24th Congress of the International Commissions for Optics Dig., Keio-Plaza Hotel, Tokyo, 21-25 Aug. 2017.　1　(1)　Tu2G-05-1-2　2017年8月
Effective electron velocity in InGaAs-HEMTs with slant field plates 査読有り

T. Hosotani, T. Otsuji, T. Suemitsu

Compound Semiconductor Week, Berlin, Germany, May 14-18　A5-5　2017年5月16日
N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on sapphire substrates with small off-cut for flat interface by MOVPE 査読有り

K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Suemitsu, T. Matsuoka

Compound Semiconductor Week, Berlin, Germany, May 14-18　P1-43　2017年5月14日
Solution-based formation of high-quality gate dielectrics on epitaxial graphene by microwave-assisted annealing 査読有り

Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Won-Ju Cho, Maki Suemitsu

Japanese Journal of Applied Physics　56　(6)　06GF09-1-06GF09-5　2017年5月9日
出版者・発行元： Institute of Physics
DOI： 10.7567/JJAP.56.06GF09 　

ISSN：0021-4922

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We propose a damage-free formation method for high-quality gate dielectrics on epitaxial graphene (EG), which involves solution-based Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>coating combined with microwave-assisted annealing (MW-sol-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>). This method substantially preserves the pristine properties of EG with minimized hole doping and strain induction. The MW-sol-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>showed a surface roughness of ∼0.237 nm and a dielectric constant of 7.5. A leakage current of 8.7 × 10⁻⁶A/cm², which is 3 orders of magnitude smaller than that of natural Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>at the same electric field, was obtained. These excellent MW-sol-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>properties are ascribed to the effective elimination of hydroxyl- and carboxyl-related components from the film by microwave-assisted annealing.
Lens-integrated asymmetric-dual-grating-gate high-electron-mobility-transistor for plasmonic terahertz detection 査読有り

T. Hosotani, F. Kasuya, H. Taniguchi, T. Watanabe, T. Suemitsu, T. Otsuji, T. Ishibashi, M. Shimizu, A. Satou

IEEE IMS: 2017 IEEE Int. Microwave Symposium Dig., Honolulu, Hawaii, USA, June 4-9, 2017.　1　(1)　578-581　2017年5月

DOI： 10.1109/MWSYM.2017.8058632 　
Neutral beam etching for device isolation in AlGaN/GaN HEMTs 査読有り

Fuyumi Hemmi, Cedric Thomas, Yi-Chun Lai, Akio Higo, Alex Guo, Shireen Warnock, Jesus A. del Alamo, Seiji Samukawa, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　214　(3)　1600617_1-5　2017年3月

DOI： 10.1002/pssa.201600617 　

ISSN：1862-6300

eISSN：1862-6319
Current-injection terahertz lasing in a distributed-feedback dual-gate graphene-channel transistor 査読有り

G. Tamamushi, T. Watanabe, J. Mitsushio, A. A. Dubinov, A. Satou, T. Suemitsu, M. Ryzhii, V. Ryzhii, T. Otsuji

QUANTUM SENSING AND NANO ELECTRONICS AND PHOTONICS XIV　10111　2017年

DOI： 10.1117/12.2249983 　

ISSN：0277-786X
Neutral beam process in AlGaN/GaN HEMTs: Impact on current collapse 査読有り

F. Hemmi, C. Thomas, Y.-C. Lai, A. Higo, S. Samukawa, T. Otsuji, T. Suemitsu

International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), Bethesda, MD, USA, Dec. 7-9　FP1-03　2016年12月9日
Achievement of balanced high frequency and high breakdown by InGaAs-based high-electron-mobility transistors with slant field plates 査読有り

Tomotaka Hosotani, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　9　(11)　114101_1-3　2016年11月

DOI： 10.7567/APEX.9.114101 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
[Invited Talk] Progress in device and process technology for GaN HEMTs 招待有り査読有り

Tetsuya Suemitsu

2016 Euroepan Materials Research Society Fall Meeting, Warsaw, Poland, Sep. 19-22　G.6.2　2016年9月20日
Solution-processed Al₂O₃ gate dielectrics for graphene field-effect transistors 査読有り

Goon-Ho Park, Kwan-Soo Kim, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Won-Ju Cho, Maki Suemitsu

Japanese Journal of Applied Physics　55　(9)　091502-1-091502-5　2016年8月26日

DOI： 10.7567/JJAP.55.091502 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Cross sectional observation of slant field plates integrated to InAlAs/InGaAs HEMTs 査読有り

T. Hosotani, T. Otsuji, T. Suemitsu

Lester Eastman Conference on High Performance Devices, Bethlehem, PA, USA, Aug. 2-4　32-33　2016年8月2日
A fitting model for extraction of intrinsic transistor parameters in graphene FETs 査読有り

J. Mitsushio, G. Tamamushi, K. Sugawara, A. Satou, T. Suemitsu, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

AWAD 2016: Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices Proc., Hakodake, Hokkaido, Japan　1　(1)　A7-5-1-5　2016年7月6日
Sub-THz Photonic Double-Mixing Conversion Using Transistors 査読有り

A. Satou, K. Sugawara, G. Tamamushi, T. Watanabe, A. Dobroiu, T. Suemitsu, H. Fukidome, M. Suemitsu, V. Ryzhii, K. Iwatsuki, S. Kuwano, J. Kani, J. Terada, T. Otsuji

AWAD 2016: Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices Proc., Hakodake, Hokkaido, Japan　1　(1)　A5-5-1-6　2016年7月5日
Photonic Frequency Double-Mixing Conversion Over the 120-GHz Band Using InP - and Graphene-Based Transistors 査読有り

Kenta Sugawara, Tetsuya Kawasaki, Gen Tamamushi, Hussin Mastura, Adrian Dobroju, Tomohiro Yoshida, Tetsuya Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Victor Ryzhii, Katsumi Iwatsuki, Shigeru Kuwano, Jun-Ichi Kani, Jun Terada, Taiichi Otsuji

Journal of Lightwave Technology　34　(8)　2011-2019　2016年4月15日

DOI： 10.1109/JLT.2015.2505146 　

ISSN：0733-8724
Sub-THz photonic frequency conversion using optoelectronic transistors for future fully coherent access network systems 招待有り査読有り

Taiichi Otsuji, Kenta Sugawara, Gen Tamamushi, Adrian Dobroiu, Tetsuya Suemitsu, Victor Ryzhii, Katsumi Iwatsuki, Shigeru Kuwano, Jun-ichi Kani, Jun Terada

SPIE Photonics West, OPTO 2016, Conference 9772 on Broadband Access Communication Technologies X, San Francisco, CA, USA, Feb. 16, 2016. (invited); Proc. SPIE　9772　(1)　977204-1-977204-9　2016年2月16日

DOI： 10.1117/12.2209211 　
Nanostructured Asymmetric Dual-Grating-Gate Plasmonic THz Detectors: Enhancement of External Coupling Efficiency by Array Configuration and Silicon-Lens Integration 査読有り

F. Kasuya, H. Taniguchi, T. Watanabe, T. Suemitsu, T. Otsuji, Y. Takida, H. Ito, H. Minamide, T. Ishibashi, M. Shimizu, A. Satou

2016 IEEE 16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO)　116-118　2016年
5.2-THz Single-Mode Lasing in Current-Injection Distributed-Feedback Dual-Gate Graphene-Channel Field-Effect Transistor 招待有り査読有り

Gen Tamamushi, Takayuki Watanabe, Alexander A. Dubinov, Hiroyuki Wako, Akira Satou, Tetsuya Suemitsu, Maxim Ryzhii, Victor Ryzhii, Taiichi Otsuji

2016 41ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ)　3　(3)　40-40　2016年

DOI： 10.4172/2469-410X.C1.007 　

ISSN：2162-2027
Array Configuration and Silicon-Lens Integration of Asymmetric Dual-Grating-Gate Plasmonic THz Detectors 査読有り

F. Kasuya, H. Taniguchi, T. Watanabe, T. Suemitsu, T. Otsuji, T. Ishibashi, M. Shimizu, Y. Takida, H. Ito, H. Minamide, A. Satou

2016 41ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ)　1　(1)　T4C.6-1-2　2016年

DOI： 10.1109/IRMMW-THz.2016.7758755 　

ISSN：2162-2027
Single-Mode Terahertz Emission from Current-Injection Graphene-Channel Transistor under Population Inversion 査読有り

Gen Tamamushi, Takayuki Watanabe, Alexander A. Dubinov, Junki Mitsushio, Hiroyuki Wako, Akira Satou, Tetsuya Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Maxim Ryzhii, Victor Ryzhii, Taiichi Otsuji

2016 74TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE (DRC)　1　(1)　225-226　2016年

DOI： 10.1109/DRC.2016.7548491 　
Current-Injection Terahertz Lasing in Distributed-Feedback Dual-Gate Graphene-Channel Field-Effect Transistor 招待有り査読有り

Gen Tamamushi, Takayuki Watanabe, Alexander A. Dubinov, Hiroyuki Wako, Akira Satou, Tetsuya Suemitsu, Maxim Ryzhii, Victor Ryzhii, Taiichi Otsuji

2016 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)　1　(1)　18-18　2016年

ISSN：2160-9020
A new process approach for slant field plates in GaN-based high-electron-mobility transistors 招待有り査読有り

Tetsuya Suemitsu, Kengo Kobayashi, Shinya Hatakeyama, Nana Yasukawa, Tomohiro Yoshida, Taiichi Otsuji, Daniel Piedra, Tomas Palacios

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(1)　01AD02_1-6　2016年1月

DOI： 10.7567/JJAP.55.01AD02 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Gate delay analysis in two-step recess gate InGaAs-HEMTs with slant field plates 査読有り

Tomotaka Hosotani, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)　TuD4-5　2016年
MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface 査読有り

K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)　WeB1-3　2016年

DOI： 10.1109/ICIPRM.2016.7528837 　
The effect of neutral beam etching on device isolation in AlGaN/GaN HEMTs 査読有り

Fuyumi Hemmi, Cedric Thomas, Yi-Chun Lai, Akio Higo, Alex Guo, Shireen Warnock, Jesus A. del Alamo, Seiji Samukawa, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)　WeB2-4　2016年
Photonic frequency conversion using graphene FETs for future fully coherent access network

Kenta Sugawara, Tetsuya Kawasaki, Mastura Binti Hussin, Gen Tamamushi, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Katsumi Iwatsuki, Tetsuya Suemitsu, Victor Ryzhii, Taiichi Otsuji, Jun Ichi Kani, Jun Terada, Shigeru Kuwano

2015 Opto-Electronics and Communications Conference, OECC 2015　2015年11月30日

DOI： 10.1109/OECC.2015.7340108 　
High Performance Self-Aligned Graphene Transistors using Contamination-Free Process 査読有り

Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

MNC 2015　2015年11月10日
Broadband characteristics of ultrahigh responsivity of asymmetric dual-grating-gate plasmonic terahertz detectors 査読有り

F. Kasuya, T. Kawasaki, S. Hatakeyama, S. Boubanga Tombet, T. Suemitsu, T. Otsuji, G. Ducournau, D. Coquillat, W. Knap, Y. Takida, H. Ito, H. Minamide, D.V. Fateev, V.V. Popov, Y.M. Meziani, A. Satou

IRMMW-THz 2015: the 40th Int. Conf. on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves Dig., Hong Kong, China, 27 Aug. 2016.　1　(1)　WS-45-1-WS-45-2　2015年8月26日

DOI： 10.1109/IRMMW-THz.2015.7327926 　
InP and GaN high electron mobility transistors for millimeter-wave applications

Tetsuya Suemitsu

IEICE ELECTRONICS EXPRESS　12　(13)　20152005_1-12　2015年7月

DOI： 10.1587/elex.12.20152005 　

ISSN：1349-2543
65-nm-gate InGaAs-HEMTs with slant field plates 査読有り

T. Yoshida, S. Hatakeyama, N. Yasukawa, T. Otsuji, T. Suemitsu

27th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), Santa Barbara, CA, USA, Jun. 28-Jul. 2　94-95　2015年6月29日
Drain depletion length in InAlN/GaN MIS-HEMTs with slant field plates 査読有り

N. Yasukawa, S. Hatakeyama, T. Yoshida, T. Kimura, T. Matsuoka, T. Otsuji, T. Suemitsu

42nd Int. Symp. on Compound Semiconductors (ISCS), Santa Barbara, CA, USA, Jun. 28-Jul. 2　68-69　2015年6月29日
High carrier mobility graphene-channel FET using SiN gate stack 査読有り

G. Tamamushi, K. Sugawara, M. B. Hussin, T. Suemitsu, R. Suto, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

42nd Int. Symp. on Compound Semiconductors (ISCS), Santa Barbara, CA, USA, Jun. 28-Jul. 2　189-190　2015年6月29日
InGaAs channel HEMTs for photonic frequency double mixing conversion over the sub-THz band 査読有り

T. Kawasaki, K. Sugawara, A. Dobroiu, H. Wako, T. Watanabe, T. Suemitsu, V. Ryzhii, K. Iwatsuki, S. Kuwano, J. Kani, J. Terada, T. Otsuji

IMS: Int. Microwave Symposium, Phoenix, AZ, USA, 17-22 May 2015.　1　(1)　1-4　2015年5月20日

DOI： 10.1109/MWSYM.2015.7166896 　
[Invited Talk] A new process approach for slant field plates in GaN-based HEMTs 招待有り査読有り

T. Suemitsu, K. Kobayashi, S. Hatakeyama, N. Yasukawa, T. Yoshida, T. Otsuji, D. Piedra, T. Palacios

7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitride and Nanomaterials (ISPlasma), Nagoya, Japan, Mar. 26-31　B2-I-02　2015年3月29日
Geometrical dependence of ultrahigh responsivity and its broadband characteristics of InP-based asymmetric dual-grating-gate high-electron-mobility transistors 査読有り

A. Satou, T. Kawasaki, S. Hatakeyama, S. Boubanga Tombet, T. Suemitsu, G. Ducournau, D. Coquillat, D.V. Fateev, V.V. Popov, Y.M. Meziahi, T. Otsuji

OTST: Int. Conf. on Optical Teraherz Science and Technology, PS2-9, San Diego, CA, USA, 8-13 March 2015.　PS2　9　2015年3月10日
Room-temperature zero-bias plasmonic THz detection by asymmetric dual-grating-gate HEMT 査読有り

T. Watanabe, T. Kawasaki, A. Satou, S.A. Boubanga Tombet, T. Suemitsu, G. Ducournau, D. Coquillat, W. Knap, H. Minamide, H. Ito, Y.M. Meziani, V.V. Popov, T. Otsuji

SPIE Photonics West, Paper No. 9362-13, San Francisco, CA, USA, 11 Feb. 2015; Proc. SPIE Vol. 9362, 2015. (in press.)　9362　(1)　2015年2月11日

DOI： 10.1117/12.2079184 　
Graphene-channel FETs for photonic frequency double-mixing conversion over the sub-THz band 査読有り

Tetsuya Kawasaki, Kenta Sugawara, Adrian Dobroiu, Takanori Eto, Yuki Kurita, Kazuki Kojima, Yuhei Yabe, Hiroki Sugiyama, Takayuki Watanabe, Tetsuya Suemitsu, Victor Ryzhii, Katsumi Iwatsuki, Youichi Fukada, Jun-ichi Kani, Jun Terada, Naoto Yoshimoto, Kenji Kawahara, Hiroki Ago, Taiichi Otsuji

SOLID-STATE ELECTRONICS　103　216-221　2015年1月

DOI： 10.1016/j.sse.2014.07.009 　

ISSN：0038-1101

eISSN：1879-2405
Sub-THz Photonic Frequency Conversion Using Graphene and InP-Based Transistors for Future Fully Coherent Access Network 査読有り

Kenta Sugawara, Tetsuya Kawasaki, Gen Tamamushi, Mastura B. Hussin, Adrian Dobroiu, Tomohiro Yoshida, Tetsuya Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Ryzhii Victor, Katsumi Iwatsuki, Shigeru

ECOC 2015　115　(407(OCS2015 88-99))　2015年

DOI： 10.1109/ECOC.2015.7341625 　

ISSN：0913-5685
Impact of T-gate stem height on parasitic gate delay time in InGaAs-HEMTs 査読有り

Tomohiro Yoshida, Kengo Kobayashi, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

SOLID-STATE ELECTRONICS　102　93-97　2014年12月

DOI： 10.1016/j.sse.2014.06.005 　

ISSN：0038-1101

eISSN：1879-2405
Current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMTs by means of slant field plates fabricated by multi-layer SiCN 査読有り

Kengo Kobayashi, Shinya Hatakeyama, Tomohiro Yoshida, Daniel Piedra, Tomas Palacios, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

SOLID-STATE ELECTRONICS　101　63-69　2014年11月

DOI： 10.1016/j.sse.2014.06.022 　

ISSN：0038-1101

eISSN：1879-2405
Progresses and future prospects in nitride semiconductors: Crystal growth and device applications 査読有り

Takashi Matsuoka, Akio Yamamoto, Kazuyuki Tadatomo, Tetsuya Suemitsu, Yoshihiro Ishitani

Japanese Journal of Applied Physics　53　(10)　2014年10月1日
出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/JJAP.53.100200 　

ISSN：1347-4065 0021-4922
An improved self-aligned ohmic-contact process for graphene-channel field-effect transistors 査読有り

M. Hussin, K. Sugawara, T. Suemitsu, T. Otsuji

第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, Sep. 16-20　17p-C3-5　2014年9月17日
Improved breakdown voltage and RF characteristics in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors achieved by slant field plates 査読有り

Kengo Kobayashi, Shinya Hatakeyama, Tonnohiro Yoshida, Yuhei Yabe, Daniel Piedra, Tomas Palacios, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　7　(9)　096501_1-4　2014年9月

DOI： 10.7567/APEX.7.096501 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Ultrahigh sensitive sub-terahertz detection by InP-based asymmetric dual-grating-gate high-electron-mobility transistors and their broadband characteristics 査読有り

Y. Kurita, G. Ducournau, D. Coquillat, A. Satou, K. Kobayashi, S. Boubanga Tombet, Y. M. Meziani, V. V. Popov, W. Knap, T. Suemitsu, T. Otsuji

APPLIED PHYSICS LETTERS　104　(25)　251114　2014年6月

DOI： 10.1063/1.4885499 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Current-driven detection of terahertz radiation using a dual-grating-gate plasmonic detector 査読有り

S. Boubanga-Tombet, Y. Tanimoto, A. Satou, T. Suemitsu, Y. Wang, H. Minamide, H. Ito, D. V. Fateev, V. V. Popov, T. Otsuji

APPLIED PHYSICS LETTERS　104　(26)　262104　2014年6月

DOI： 10.1063/1.4886763 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
RF characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with slant field plates 査読有り

S. Hatakeyama, K. Kobayashi, T. Yoshida, T. Otsuji, T. Suemitsu

41st Int. Symp. on Compound Semiconductors, Montpellier, France, May 11-15　Th-C1-6　2014年5月15日
Detection of Terahertz and Mid-Infrared radiations by InP-Based Asymmetric Dual-Grating-Gate HEMTs 査読有り

D. Coquillat, P. Zagrajek, N. Dyakonova, K. Chrzanowski, J. Marczewski, Y. Kurita, A. Satou, K. Kobayashi, S. Boubanga Tombet, V. V. Popov, T. Suemitsu, T. Otsuji, W. Knap

2014 39TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ)　1　(1)　1-2　2014年

DOI： 10.1109/IRMMW-THz.2014.6956522 　

ISSN：2162-2027
Impact of Drain Conductance in InGaAs-HEMTs Operated in a Class-F Amplifier 査読有り

Tomohiro Yoshida, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu, Masashi Oyama, Kunihiko Watanabe, Yohtaro Umeda

2014 LESTER EASTMAN CONFERENCE ON HIGH PERFORMANCE DEVICES (LEC)　36-37　2014年

DOI： 10.1109/LEC.2014.6951560 　

ISSN：1550-4905
Solution-processed Al2O3 for gate dielectrics in the Top-Gated Graphene Field Effect Transistors

G.-H. Park, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

Abstract book of MNC2013　7P-7-118L-7P-7-118L　2013年11月5日
Terahertz emission and detection using two dimensional plasmons in semiconductor nano-heterostructures for sensing applications 査読有り

T. Otsuji, T. Watanabe, S. Boubanga Tombet, T. Suemitsu, V. Popov, W. Knap

Proc. IEEE Sensors Conf　2013年11月4日

DOI： 10.1109/ICSENS.2013.6688150 　
Ultrahigh sensitive non-resonant and resonant terahertz detection by asymmetric dual-grating gate HEMTs 査読有り

Y. Kurita, G. Ducournau, D. Coquillat, K. Kobayashi, A. Satou, Y.M. Meziani, V.V. Popov, W. Knap, T. Suemitsu, T. Otsuji

SSDM: International Conf. on Solid State Devices and Materials　2013年9月26日
Terahertz monochromatic coherent emission from an asymmetric chirped dual-grating-gate InP-HEMT with a photonic vertical cavity 査読有り

Watanabe, T, Kurita, Y, Satou, A, Suemitsu, T, Knap, W, Popov, V.V, Otsuji, T

International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz, Mainz, Germany　1　(1)　1-2　2013年9月5日

DOI： 10.1109/IRMMW-THz.2013.6665894 　
Fabrication of slant field plates for AlGaN/GaN HEMTs by multi-layer SiCN 査読有り

Shinya Hatakeyama, Kengo Kobayashi, Tomohiro Yoshida, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM), Hakodate, Japan, Sep. 2-5　129-130　2013年9月4日
Fabrication of InGaAs-HEMTs with sub-100-nm T-gates by multi-layer SiCN molds 査読有り

Tomohiro Yoshida, Kengo Kobayashi, Shinya Hatakeyama, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM), Hakodate, Japan, Sep. 2-5　17-18　2013年9月2日
Site-Selective Epitaxy of Graphene on Si Wafers 招待有り査読有り

Hirokazu Fukidome, Yusuke Kawai, Hiroyuki Handa, Hiroki Hibino, Hidetoshi Miyashita, Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Myung-Ho Jung, Tetsuya Suemitsu, Toyohiko Kinoshita, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

PROCEEDINGS OF THE IEEE　101　(7)　1557-1566　2013年7月

DOI： 10.1109/JPROC.2013.2259131 　

ISSN：0018-9219

eISSN：1558-2256
High-Performance Graphene Field-Effect Transistors With Extremely Small Access Length Using Self-Aligned Source and Drain Technique 査読有り

Myung-Ho Jung, Goon-Ho Park, Tomohiro Yoshida, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

PROCEEDINGS OF THE IEEE　101　(7)　1603-1608　2013年7月

DOI： 10.1109/JPROC.2013.2258651 　

ISSN：0018-9219
Plasmonic terahertz monochromatic coherent emission from an asymmetric chirped dual-grating-gate InP-HEMT with highly asymmetric resonant cavities 査読有り

T. Watanabe, A. Satou, T. Suemitsu, W. Knap, V. V. Popov, T. Otsuji

40th Int. Symp. on Compound Semiconductors, Kobe, Japan, May 19-23　TuC4-5　2013年5月21日
AlGaN/GaN MIS-gate HEMTs with SiCN gate stacks 査読有り

K. Kobayashi, M. Kano, T. Yoshida, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Otsuji, T. Suemitsu

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　10　(5)　790-793　2013年5月

DOI： 10.1002/pssc.201200609 　

ISSN：1862-6351 1610-1642
Asymmetric Dual-Grating Gate InGaAs/InAlAs/InP HEMTs for Ultrafast and Ultrahigh Sensitive Terahertz Detection 査読有り

Taiichi Otsuji, Takayuki Watanabe, Stephane Boubanga-Tombet, Tetsuya Suemitsu, Dominique Coquillat, Wojciech Knap, Denis Fateev, Vyacheslav Popov

2013 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)　2013年

ISSN：1092-8669
Dielectric-tuned Diamondlike Carbon Materials for an Ultrahigh-speed Self-aligned Graphene Channel Field Effect Transistor 査読有り

Takabayashi, Susumu, Yang, Meng, Ogawa, Shuichi, Takakuwa, Yuji, Suemitsu, Tetsuya, Otsuji, Taiichi

ADAPTIVE, ACTIVE AND MULTIFUNCTIONAL SMART MATERIALS SYSTEMS　77　270-+　2013年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/AST.77.270 　

ISSN：1662-0356
Dielectric-tuned diamondlike carbon materials for high-performance self-aligned graphene-channel field effect transistors 査読有り

Susumu Takabayashi, Meng Yang, Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji

Materials Research Society Symposium Proceedings　1451　185-190　2013年

DOI： 10.1557/opl.2012.960 　

ISSN：0272-9172
InGaAs HEMTs with T-gate electrodes formed by multi-layer SiCN molds 査読有り

Tomohiro Yoshida, Kengo Kobayashi, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 5　10　(5)　773-776　2013年

DOI： 10.1002/pssc.201200610 　

ISSN：1862-6351
Plasmonic Terahertz Monochromatic Coherent Emission from an Asymmetric Chirped Dual-Grating-Gate InP-HEMT with a Photonic Vertical Cavity 査読有り

Takayuki Watanabe, Yuki Kurita, Akira Satou, Tetsuya Suemitsu, Wojciech Knap, Viacheslav V. Popov, Taiichi Otsuji

2013 71ST ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE (DRC)　129-+　2013年

DOI： 10.1109/DRC.2013.6633827 　

ISSN：1548-3770
Impact of T-gate stem height on parasitic gate delay time in InGaAs-HEMTs 査読有り

Tomohiro Yoshida, Kengo Kobayashi, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

European Solid-State Device Research Conference　115-118　2013年
出版者・発行元： IEEE Computer Society
DOI： 10.1109/ESSDERC.2013.6818832 　

ISSN：1930-8876
Graphene-Channel FETs for Photonic Frequency Double-Mixing Conversion over the Sub-THz Band 査読有り

Tetsuya Kawasaki, Adrian Dobroiu, Takanori Eto, Yuki Kurita, Kazuki Kojima, Yuhei Yabe, Hiroki Sugiyama, Takayuki Watanabe, Susumu Takabayashi, Tetsuya Suemitsu, Victor Ryzhii, Katsumi Iwatsuki, Taiichi Otsuji, Youichi Fukada, Jun-ichi Kani, Jun Terada, Naoto Yoshimoto

2013 PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC)　318-321　2013年

DOI： 10.1016/j.sse.2014.07.009 　

ISSN：1930-8876
[Invited] Graphene field effect transistors 招待有り

Tetsuya Suemitsu

5th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology, Osaka, Japan, Oct. 22-24　4-5　2012年10月22日
AlGaN/GaN MIS-gate HEMTs with SiCN gate stacks 査読有り

K. Kobayashi, M. Kano, T. Yoshida, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Otsuji, T. Suemitsu

39th Int. Symp. on Compound Semiconductors (ISCS), Santa Barbara, USA, Aug. 27-30　Mo-1B.3　2012年8月27日
InGaAs HEMTs with T-gate electrodes formed by multi-layer SiCN molds 査読有り

Tomohiro Yoshida, Kengo Kobayashi, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

39th Int. Symp. on Compound Semiconductors (ISCS), Santa Barbara, USA, Aug. 27-30　Mo-P.35　2012年8月27日
Nonresonant Detection of Terahertz Radiation in High-Electron-Mobility Transistor Structure Using InAlAs/InGaAs/InP Material Systems at Room Temperature 査読有り

A. El Moutaouakil, T. Suemitsu, T. Otsuji, D. Coquillat, W. Knap

JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　12　(8)　6737-6740　2012年8月

DOI： 10.1166/jnn.2012.4575 　

ISSN：1533-4880
Ultrahigh-sensitive plasmonic terahertz detectors based on an asymmetric dual-grating gate HEMT structure 招待有り査読有り

T. Otsuji, S. Boubanga Tombet, T. Watanabe, Y. Tanimoto, A. Satou, T. Suemitsu, Y. Wang, H. Minamide, H. Ito, Y.M. Meziani, D. Coquillat, W. Knap, V. Popov, D.V. Fatee

Proc. of SPIE (SPIE Defense Security and Sensing, Conference 8363: Terahertz Physics, Devices, and Systems VI: Advance Applications in Industry and Defense, Paper 8363-24, Baltimore, Maryland, USA, April 23-27, 2012.)　8363　(1)　83630P-1-8　2012年4月24日

DOI： 10.1117/12.919978 　
[Invited] Reliability and degradation phenomena in InP-based HEMTs 招待有り

Tetsuya Suemitsu

MRS Spring Meeting, San Francisco, USA, Apr. 9-13　G8.1　2012年4月12日
Control of electronic and structural properties of epitaxial graphene on 3C-SiC/Si and its device applications 査読有り

H. Fukidome, M. Kotsugi, T. Ohkouchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, Y. Enta, T. Kinoshita, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

MRS Spring Meeting, San Francisco, USA, Apr. 9-13　EE8.16　2012年4月12日
Carbonaceous field effect transistor with graphene and diamondlike carbon 査読有り

Takabayashi, Susumu, Ogawa, Shuichi, Takakuwa, Yuji, Kang, Hyun-Chul, Takahashi, Ryota, Fukidome, Hirokazu, Suemitsu, Maki, Suemitsu, Tetsuya, Otsuji, Taiichi

DIAMOND AND RELATED MATERIALS　22　118-123　2012年2月

DOI： 10.1016/j.diamond.2011.12.037 　

ISSN：0925-9635

eISSN：1879-0062
Asymmetric dual-grating gate InGaAs/InAlAs/InP HEMTs for ultrafast and ultrahigh sensitive terahertz detection 査読有り

Stephane Boubanga-Tombet, Yudai Tanimoto, Takayuki Watanabe, Tetsuya Suemitsu, Wang Yuye, Hiroaki Minamide, Hiromasa Ito, Vyacheslav Popov, T. Otsuji

Device Research Conference - Conference Digest, DRC　169-170　2012年

DOI： 10.1109/DRC.2012.6256927 　

ISSN：1548-3770
ダイヤモンドライクカーボン薄膜の誘電率制御およびリモートキャリア注入機構

鷹林将, 楊猛, 林広幸, 江藤隆紀, 小川修一, 高桑雄二, 末光哲也, 尾辻泰一

表面科学学術講演会要旨集　32　270-270　2012年
出版者・発行元：公益社団法人日本表面科学会
DOI： 10.14886/sssj2008.32.0_270 　

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アモルファス炭素材料であるダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜のグラフェン電界効果トランジスタへのトップゲート絶縁膜応用を目的として、光電子制御プラズマCVD(PA-CVD)法を用いてDLC薄膜の誘電率を制御し、その制御機構について考察した。酸素、窒素などのヘテロ元素を深さ選択的にドーピングすることによって、誘電率制御およびリモートキャリア注入機構について考察した。
InGaAs HEMTs with T-gate electrodes fabricated using HMDS SiN mold 査読有り

Tomohiro Yoshida, Keisuke Akagawa, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 2　9　(2)　354-356　2012年

DOI： 10.1002/pssc.201100272 　

ISSN：1862-6351
Asymmetric Dual-Grating Gate InGaAs/InAlAs/InP HEMTs for Ultrafast and Ultrahigh Sensitive Terahertz Detection 招待有り

Stephane Boubanga-Tombet, Yudai Tanimoto, Takayuki Watanabe, Tetsuya Suemitsu, Yuye Wang, Hiroaki Minamide, Hiromasa Ito, Vyacheslav Popov, Taiichi Otsuj

2012 37TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ)　ThD1-1　2012年

DOI： 10.1109/ICIPRM.2013.6562639 　

ISSN：2162-2027
[Invited] Epitaxial graphene on silicon substrates 招待有り

Tetsuya Suemitsu

1st Annual World Congress of Nano-S&T, Dalian, China, Oct. 23-26　399　2011年10月25日
Polymer Material as a Gate Dielectric for Graphene Field-Effect-Transistor Applications 査読有り

Myung-Ho Jung, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(7)　070107　2011年7月

DOI： 10.1143/JJAP.50.070107 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Investigation of Graphene Field Effect Transistors with Al2O3 Gate Dielectrics Formed by Metal Oxidation 査読有り

Myung-Ho Jung, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(7)　070111　2011年7月

DOI： 10.1143/JJAP.50.070111 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Room Temperature Logic Inverter on Epitaxial Graphene-on-Silicon Device 査読有り

Amine El Moutaouakil, Hyun-Chul Kang, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Eiichi Sano, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(7)　070113　2011年7月

DOI： 10.1143/JJAP.50.070113 　

ISSN：0021-4922
Graphene FETs with SiCN gate stack deposited by PECVD using HMDS vapor 査読有り

Tetsuya Suemitsu, Makoto Kubo, Ryo Takahashi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

35th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE), Catania, Italy, May 29-Jun. 1, 2011　85-86　2011年5月30日
Emission of Terahertz Radiation from Two-Dimensional Electron Systems in Semiconductor Nano- and Hetero-Structures 査読有り

Taiichi Otsuji, Takayuki Watanabe, Amine El Moutaouakil, Hiromi Karasawa, Tsuneyoshi Komori, Akira Satou, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Eiichi Sano, Wojciech Knap, Victor Ryzhii

JOURNAL OF INFRARED MILLIMETER AND TERAHERTZ WAVES　32　(5)　629-645　2011年5月

DOI： 10.1007/s10762-010-9714-0 　

ISSN：1866-6892

eISSN：1866-6906
Impact of T-gate electrode on gate capacitance in In0.7Ga0.3As HEMTs 査読有り

Keisuke Akagawa, Shunsuke Fukuda, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Hideo Yokohama, Gako Araki

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2　8　(2)　300-302　2011年

DOI： 10.1002/pssc.201000475 　

ISSN：1862-6351
Device loading effect on nonresonant detection of terahertz radiation in dual grating gate plasmon-resonant structure using InGaP/InGaAs/GaAs material systems 査読有り

Amine El Moutaouakil, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Hadley Videlier, Stephane-Albon Boubanga-Tombet, Dominique Coquillat, Wojciech Knap

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2　8　(2)　346-348　2011年

DOI： 10.1002/pssc.201000569 　

ISSN：1862-6351
Control of epitaxy of graphene by crystallographic orientation of a Si substrate toward device applications 査読有り

H. Fukidome, R. Takahashi, S. Abe, K. Imaizumi, H. Handa, H. -C. Kang, H. Karasawa, T. Suemitsu, T. Otsuji, Y. Enta, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, M. Kotsugi, T. Ohkouchi, T. Kinoshita, M. Suemitsu

JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY　21　(43)　17242-17248　2011年

DOI： 10.1039/c1jm12921j 　

ISSN：0959-9428
Graphene/SiC/Si FETs with SiCN Gate Stack 査読有り

T. Suemitsu, M. Kubo, H. Handa, R. Takahashi, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

STATE-OF-THE-ART PROGRAM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS 53 (SOTAPOCS 53)　41　(6)　249-254　2011年

DOI： 10.1149/1.3629973 　

ISSN：1938-5862
New Semiconductor Materials and Devices for Terahertz Imaging and Sensing 査読有り

T. Otsuji, T. Watanabe, K. Akagawa, Y. Tanimoto, S. Boubanga Tombet, T. Suemitsu, S. Chan, D. Coquillat, W. Knap, V. Ryzhii

2011 IEEE SENSORS　44-47　2011年

DOI： 10.1109/ICSENS.2011.6127001 　
Epitaxial graphene top-gate FETs on silicon substrates 査読有り

Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

SOLID-STATE ELECTRONICS　54　(10)　1071-1075　2010年10月

DOI： 10.1016/j.sse.2010.05.030 　

ISSN：0038-1101
Epitaxial Graphene-On-Silicon Logic Inverter 査読有り

Amine El Moutaouakil, Hyun-Chul Kang, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Eiichi Sano, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials　880-881　2010年9月22日
Nonresonant detection of terahertz radiation in high-electron mobility transistor structure using InAlAs/InGaAs/InP material systems at room temperature 査読有り

A. El Moutaouakil, T. Suemitsu, T. Otsuji, D. Coquillat, W. Knap

ANM2010: 3rd Int. Conf. on Advanced Nano Materials Digest　1　(1)　ANMM169　2010年9月
Epitaxial graphene field-effect transistors on silicon substrates 査読有り

Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

SOLID-STATE ELECTRONICS　54　(9)　1010-1014　2010年9月

DOI： 10.1016/j.sse.2010.04.018 　

ISSN：0038-1101

eISSN：1879-2405
Room Temperature Intense Terahertz Emission from a Dual Grating Gate Plasmon-Resonant Emitter Using InAlAs/InGaAs/InP Material Systems 査読有り

Amine El Moutaouakil, Tsuneyoshi Komori, Kouhei Horiike, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS　E93C　(8)　1286-1289　2010年8月

DOI： 10.1587/transele.E93.C.1286 　

ISSN：0916-8524

eISSN：1745-1353
Emission of terahertz radiation from two-dimensional electron systems in semiconductor nano-heterostructures 査読有り

Taiichi Otsuji, Hiromi Karasawa, Takayuki Watanabe, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Eiichi Sano, Wojciech Knap, Victor Ryzhii

COMPTES RENDUS PHYSIQUE　11　(7-8)　421-432　2010年8月

DOI： 10.1016/j.crhy.2010.04.002 　

ISSN：1631-0705

eISSN：1878-1535
[Invited Talk] Graphene channel FET: A new candidate for high-speed devices 招待有り

Tetsuya Suemitsu

Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), Tokyo, Japan, Jun. 30-Jul. 2　69-72　2010年6月30日
Impact of T-gate electrode on gate capacitance in In0:7Ga0:3As HEMTs 査読有り

K. Akagawa, S. Fukuda, T. Suemitsu, T. Otsuji, H. Yokohama, G. Araki

ISCS: Int. Symp. Compound Semicond. Dig.　1　(1)　273　2010年6月
Device loading effect on nonresonant detection of terahertz radiation in dual grating gate plasmon-resonant structure using InGaP/InGaAs/GaAs material systems 査読有り

Amine El Moutaouakil, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Hadley Videlier, Dominique Coquillat, Wojciech Knap

ISCS: Int. Symp. Compound Semicond. Dig.　1　(1)　274　2010年6月
Heteroepitaxial Graphene on a Si Substrate Field-Effect Transistor 査読有り

R. Olac-vaw, H.-C. Kang, T. Komori, T. Watanabe, H. Karasawa, Y. Miyamoto, H. Handa, H. Fukidome, T. Suemitsu, M. Suemitsu, V. Mitin, T. Otsuji

APS March Meeting　1　(1)　Y21.00011　2010年3月
Extraction of Drain Current and Effective Mobility in Epitaxial Graphene Channel Field-Effect Transistors on SiC Layer Grown on Silicon Substrates 査読有り

Hyun-Chul Kang, Roman Olac-vaw, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Tetsuya Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DF17 　

ISSN：0021-4922
T. Suemitsu Graphene channel FET: A new candidate for high-speed devices 査読有り

Tetsuya Suemitsu

AWAD 2010: Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices Proc.　1　(1)　2010年
Room temperature intense terahertz emission from a dual grating gate plasmon-resonant emitter using InAlAs/InGaAs/InP material systems 査読有り

Amine El Moutaouakil, Tsuneyoshi Komori, Kouhei Horiike, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji

IEICE Transactions on Electronics　E93-C　(8)　1286-1289　2010年
出版者・発行元： Institute of Electronics, Information and Communication, Engineers, IEICE
DOI： 10.1587/transele.E93.C1286 　

ISSN：1745-1353 0916-8524
Optoelectronic Application of Multi-layer Epitaxial Graphene on a Si Substrate 査読有り

R. Olac-vaw, H. C. Kang, T. Komori, T. Watanabe, H. Karasawa, Y. Miyamoto, H. Handa, H. Fukidome, T. Suemitsu, M. Suemitsu, V. Mitin, T. Otsuji

INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2　1　(1)　224-+　2010年
Extraction of Drain Current and Effective Mobility in Epitaxial Graphene Channel Field-Effect Transistors on SiC Layer Grown on Silicon Substrates (vol 49, 04DF17, 2010) 査読有り

Hyun-Chul Kang, Roman Olac-vaw, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Tetsuya Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(7)　04DF17　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.079201 　

ISSN：0021-4922
Ambipolar Behavior in Epitaxial Graphene-Based Field-Effect Transistors on Si Substrate 査読有り

Roman Olac-vaw, Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(6)　06GG01　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.06GG01 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Room Temperature Terahertz Detection in High-Electron-Mobility Transistor Structure using InAlAs/InGaAs/InP Material Systems 査読有り

A. El Moutaouakil, T. Suemitsu, T. Otsuji, D. Coquillat, W. Knap

35TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ 2010)　2010年

DOI： 10.1109/ICIMW.2010.5612598 　
Multichip Operation of Plasmon-Resonant Microchip Emitters for Broadband Terahertz Spectroscopic Measurement, 査読有り

T. Watanabe, T. Komori, T. Suemitsu, T. Otsuji

TeraTech''09: The Int. Workshop on Terahertz Technology 2009　203-204　2009年12月1日
Ambipolar behavior in epitaxial graphene based FETs on Si substrate 査読有り

Roman Olac-vaw, Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

22nd Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (MNC)　440-441　2009年11月19日
Heteroepitaxial graphene on silicon: Process&device technology for ultra-high frequency devices 査読有り

T. Otsuji, T. Suemitsu, H. Fukidome, M. Suemitsu, V. Ryzhii, E. Sano

22nd Int'l Microprocesses and Nanotechnology Conf.　17B-3-2　2009年11月
Extraction of drain current and effective mobility in epitaxial graphene channel FETs on silicon substrates 査読有り

Hyun-Chul Kang, Roman Olac-vaw, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Tetsuya Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sendai, Japan, Oct. 7-9　954-955　2009年10月7日
Application of plasmon-resonant microchip emitters to broadband terahertz spectroscopic measurement 査読有り

Yuki Tsuda, Tsuneyoshi Komori, Abdelouahad El Fatimy, Kouhei Horiike, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji

JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS　26　(9)　A52-A57　2009年9月

DOI： 10.1364/JOSAB.26.000A52 　

ISSN：0740-3224
Tunable terahertz source at room temperature based on GaN HEMT 査読有り

A. El Fatimy, T. Suemitsu, T. Otsuji, N. Dyakonova, W. Knap, Y. M.Meziani, C. Gaquiere, A. Cappy, M. Leszczynski, P. Dybko, C. Skierbiszewski, T. Suski, S. Porowski

EDISON: 16th Int. Conf. on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures Dig.　1　(1)　73-73　2009年8月
Epitaxial graphene on Si substrate for infrared photodetection 査読有り

R. Olac‐vaw, H.C. Kang, T. Komori, T. Watanabe, H. Karasawa, Y. Miyamoto, H. Handa, H. Fukidome, T. Suemitsu, M. Suemitsu, T. Otsuji

Int. Conf. on Graphene Tokyo　1　(1)　52　2009年7月
Enhancement of Room-Temperature Terahertz Emission from a Double Grating-Gate Plasmon-Resonant Emitter 査読有り

A. El Fatimy, Y. Tsuda, T. Komori, A. El Moutaouakil, K. Horiike, T. Suemitsu, T. Otsuji

Tech. Dig. CLEO: Conference on Lasers and Electrooptics　1　(1)　CMPP7-1-2　2009年6月
Emission of terahertz radiation from two-dimensional electron systems in semiconductor nanoheterostructures 招待有り査読有り

T. Otsuji, Y. Tsuda, H. Karasawa, T. Suemitsu, M. Suemitsu, E. Sano, V. Ryzhii

Proc. 19th Int. Symp. on Nanostructures: Physics and Technology　1　(1)　66-68　2009年6月
Analysis of Gate Delay Scaling in In0.7Ga0.3As-Channel High Electron Mobility Transistors 査読有り

Shunsuke Fukuda, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Dae-Hyun Kim, Jesus A. del Alamo

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　48　(4)　04C086-1-4　2009年4月

DOI： 10.1143/JJAP.48.04C086 　

ISSN：0021-4922
Analysis of Fringing Effect on Resonant Plasma Frequency in Plasma Wave Devices 査読有り

Takuya Nishimura, Nobuhiro Magome, Irina Khmyrova, Tetsuya Suemitsu, Wojtek Knap, Taiichi Otsuji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　48　(4)　04C096-1-4　2009年4月

DOI： 10.1143/JJAP.48.04C096 　

ISSN：0021-4922
Application of plasmonic microchip emitters to broadband terahertz spectroscopic measurement 査読有り

Y. Tsuda, T. Komori, H. Chen, T. Suemitsu, T. Otsuji

OTST 2009: International Workshop on Terahertz Science and Technology　2009年3月
Emission and intensity modulation of terahertz electromagnetic radiation utilizing 2-dimensional plasmons in dual-grating-gate HEMT's 査読有り

Taiichi Otsuji, Takuya Nishimura, Yuki Tsuda, Yahya Moubarak Meziani, Tetsuya Suemitsu, Eiichi Sano

International Journal of High Speed Electronics and Systems　19　(1)　33-53　2009年3月

DOI： 10.1142/S0129156409006072 　

ISSN：0129-1564
Plasmon-resonant Microchip Emitters and Their Applications to Terahertz Spectroscopy 招待有り査読有り

T. Otsuji, Y. Tsuda, T. Komori, T. Nishimura, A. El Fatimy, Y. M. Meziani, T. Suemitsu, E. Sano

PIERS 2009 BEIJING: PROGESS IN ELECTROMAGNETICS RESEARCH SYMPOSIUM, PROCEEDINGS I AND II　11-+　2009年

ISSN：1559-9450
Spectral Narrowing of Terahertz Emission from Super-grating Dual-Gate Plasmon-Resonant High-Electron Mobility Transistors 査読有り

A. El Moutaouakil, T. Watanabe, C. Haibo, T. Komori, T. Nishimura, T. Suemitsu, T. Otsuji

16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 16)　193　(1)　68-68　2009年

DOI： 10.1088/1742-6596/193/1/012068 　

ISSN：1742-6588
Enhancement of terahertz radiation by CW infrared laser excitation in a doubly interdigitated grating gates transistors 査読有り

Y. M. Meziani, T. Nishimura, H. Tsuda, T. Suemitsu, W. Knap, V. V. Popov, T. Otsuji

16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 16)　193　(1)　69-69　2009年

DOI： 10.1088/1742-6596/193/1/012071 　

ISSN：1742-6588
Epitaxial graphene field effect transistors on silicon substrates 査読有り

Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

ESSDERC 2009 - Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference　189-192　2009年

DOI： 10.1109/ESSDERC.2009.5331308 　
Terahertz Plasmon-Resonant Microship Emitters and their Possible Sensing and Spectroscopic Applications 招待有り査読有り

Taiichi Otsuji, Yuki Tsuda, Tsuneyoshi Komori, Abdelouabad El Fatimy, Tetsuya Suemitsu

2009 IEEE SENSORS, VOLS 1-3　1　(1)　1991-1996　2009年

DOI： 10.1109/ICSENS.2009.5398309 　
Efficiency enhancement of emission of terahertz radiation by optical excitation from dual grating gate HEMT 査読有り

Y. M. Meziani, T. Nishimura, H. Handa, H. Tsuda, T. Suemitsu, W. Knap, T. Otsuji, E. Sano, G. M. Tsymbalov, V. V. Popov

JOURNAL OF NANOPHOTONICS　3　031980-1　2009年

DOI： 10.1117/1.3266497 　

ISSN：1934-2608
Spectral Narrowing of Terahertz Emission from Super-grating Dual-Gate Plasmon-Resonant High-Electron Mobility Transistors 査読有り

A. El Moutaouakil, T. Watanabe, C. Haibo, T. Komori, T. Nishimura, T. Suemitsu, T. Otsuji

16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 16)　193　012068-1-4　2009年

DOI： 10.1088/1742-6596/193/1/012068 　

ISSN：1742-6588
Tunable room temperature Terahertz sources based on two dimensional plasma instability in GaN HEMTs 査読有り

A. El Fatimy, T. Suemitsu, T. Otsuji, N. Dyakonova, W. Knap, Y. M. Meziani, S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Theron, Ch. Gaquiere, P. Prystawko, C. Skierbiszewski

16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 16)　193　012072-1-4　2009年

DOI： 10.1088/1742-6596/193/1/012072 　

ISSN：1742-6588
Enhancement of terahertz radiation by CW infrared laser excitation in a doubly interdigitated grating gates transistors 査読有り

Y. M. Meziani, T. Nishimura, H. Tsuda, T. Suemitsu, W. Knap, V. V. Popov, T. Otsuji

16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 16)　193　012071-1-4　2009年

DOI： 10.1088/1742-6596/193/1/012071 　

ISSN：1742-6588
Tunable room temperature Terahertz sources based on two dimensional plasma instability in GaN HEMTs 査読有り

A. El Fatimy, T. Suemitsu, T. Otsuji, N. Dyakonova, W. Knap, Y. M. Meziani, S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Theron, Ch. Gaquiere, P. Prystawko, C. Skierbiszewski

16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 16)　193　012072　2009年

DOI： 10.1088/1742-6596/193/1/012072 　

ISSN：1742-6588
Spectral Narrowing of Terahertz Emission from Super-grating Dual-Gate Plasmon-Resonant High-Electron Mobility Transistors 査読有り

A. El Moutaouakil, T. Watanabe, C. Haibo, T. Komori, T. Nishimura, T. Suemitsu, T. Otsuji

16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 16)　193　012068　2009年

DOI： 10.1088/1742-6596/193/1/012068 　

ISSN：1742-6588
Enhancement of terahertz radiation by CW infrared laser excitation in a doubly interdigitated grating gates transistors 査読有り

Y. M. Meziani, T. Nishimura, H. Tsuda, T. Suemitsu, W. Knap, V. V. Popov, T. Otsuji

16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON 16)　193　012071　2009年

DOI： 10.1088/1742-6596/193/1/012071 　

ISSN：1742-6588
Epitaxial graphene top-gate FETs on silicon substrates 査読有り

Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

2009 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS '09　TP1-03　2009年

DOI： 10.1109/ISDRS.2009.5378157 　
Emission of terahertz radiation for spectroscopic applications utilizing two-dimensional plasmons in semiconductor eterostructures 招待有り査読有り

Taiichi Otsuji, Yuki Tsuda, Tsuneyoshi Komori, Takuya Nishimura, Yahya M. Meziani, Abdelouahad El Fatimy, Tetsuya Suemitsu, Eiichi Sano

13th Advanced Heterostructures and Nanostructures Workshop　2008年12月
Transistor operation of epitaxial graphene channel on silicon substrate with SiC backgate barrier layer 査読有り

H.-C. Kang, H. Karasawa, Y. Miyamoto, H. Handa, T. Suemitsu, M. Suemitsu, T. Otsuji

Int. Symp. on Graphene Devices, Aizu-Wakamatsu, Japan, Nov. 17-19　30-31　2008年11月19日
Graphene/SiC/Si group IV heterostructure transistors 査読有り

Tetsuya Suemitsu, Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

14th European Workshop on Heterostructure Technology, Nov. 3-5, Venice, Italy　135-136　2008年11月4日
Analysis of Gate Delay Scaling in In_0.7Ga_0.3As-Channel HEMTs 査読有り

Shunsuke Fukuda, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Dae-Hyun Kim, Jesus A. del Alamo

Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), Tsukuba, Japan　166-167　2008年9月24日
Effect of nonideality of the gate-2DEG channel capacitance on the frequency of plasma oscillations in the plasma wave devices 査読有り

T. Nishimura, N. Magome, I. Khmyrova, T. Suemitsu, W. Knap, T. Otsuji

Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), Tsukuba, Japan　170-171　2008年9月24日
Emission of terahertz radiation from dual grating gate plasmon-resonant emitters fabricated with InGaP/InGaAs/GaAs material systems 招待有り査読有り

T. Otsuji, Y. M. Meziani, T. Nishimura, T. Suemitsu, W. Knap, E. Sano, T. Asano, V. V. Popov

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　20　(38)　384206　2008年9月

DOI： 10.1088/0953-8984/20/38/384206 　

ISSN：0953-8984
An optically clocked transistor array for high-speed asynchronous label swapping: 40 Gb/s and beyond 査読有り

Ryohei Urata, Ryo Takahashi, Tetsuya Suemitsu, Tatsushi Nakahara, Hiroyuki Suzuki

JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY　26　(5-8)　692-703　2008年3月

DOI： 10.1109/JLT.2007.915279 　

ISSN：0733-8724

eISSN：1558-2213
Terahertz emission from two-dimensional plasmons in high-electron-mobility transistors stimulated by optical signals 招待有り査読有り

Y. M. Meziani, T. Suemitsu, T. Otsuji, E. Sano

PIERS 2008 HANGZHOU: PROGRESS IN ELECTROMAGNETICS RESEARCH SYMPOSIUM, VOLS I AND II, PROCEEDINGS　393-+　2008年

ISSN：1559-9450
Broadband Terahertz Emission from Dual-Grating Gate HEMT’s - Emission Spectral Profile and its Mechanism 査読有り

T. Nishimura, H. Handa, H. Tsuda, T. Suemitsu, Y. M. Meziani, W. Knap, T. Otsuji, E. Sano, V. Ryzhii, A. Satou, V. V. Popov, D. Coquillat, F. Teppe

66th Device Research Conference (DRC), Santa Barbara, CA, USA　263-264　2008年

DOI： 10.1109/DRC.2008.4800831 　

ISSN：1548-3770
Analysis of intrinsic and parasitic gate delay of InGaAs HEMTs 招待有り査読有り

Tetsuya Suemitsu

ECS Transactions　16　(7)　65-72　2008年

DOI： 10.1149/1.2983160 　

ISSN：1938-5862 1938-6737
FREQUENCY PERFORMANCE OF PLASMA WAVE DEVICES FOR THZ APPLICATIONS AND THE ROLE OF FRINGING EFFECTS 査読有り

Irina Khmyrova, Takuya Nishimura, Nobuhiro Magome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji

2008 IEEE 25TH CONVENTION OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS IN ISRAEL, VOLS 1 AND 2　640-+　2008年

DOI： 10.1109/EEEI.2008.4736613 　

ISSN：0899-6156
Terahertz emission from two-dimensional plasmons in HEMT’s stimulated by optical signals 招待有り査読有り

Taiichi Otsuji, Yahya M. Meziani, Tetsuya Suemitsu, Mitsuhiro Hanabe, Eiichi Sano

34th Int. Symp. on compound Semiconductors (ISCS)　TuBIII-6　2007年10月1日
Terahertz emission from high electron mobility transistors stimulated by photo-induced plasmon instability 招待有り査読有り

T. Otsuji, T. Suemitsu, Y.M. Meziani, E. Sano

Virtual Conf. on Nanoscale Science and Technology (VC-NST)　2007年10月1日
Enhanced gate swing in InPHEMTs with high threshold voltage by means of InAlAsSb barrier 査読有り

Tetsuya Suemitsu, Haruki Yokoyama, Hiroki Sugiyama, Masami Tokurnitsu

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS　28　(8)　669-671　2007年8月

DOI： 10.1109/LED.2007.901269 　

ISSN：0741-3106
Terahertz-wave emission stimulated by photo-induced plasmon instability in double-decked InGaP/InGaAs/GaAs HEMT structures

Yohei Hosono, Yahya M. Meziani, Mitsuhiro Hanabe, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Eiichi Sano

26th Electronic Materials Symposium　M7　2007年7月
Development of solitons in composite right- and left-handed transmission lines periodically loaded with Schottky varactors 査読有り

Koichi Narahara, Toru Nakamichi, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Eiichi Sano

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　102　(2)　024501　2007年7月

DOI： 10.1063/1.2753568 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
InPHEMT technology for high-speed logic and communications 招待有り査読有り

Tetsuya Suemitsu, Masami Tokumitsu

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS　E90C　(5)　917-922　2007年5月

DOI： 10.1093/ietele/e90-c.5.917 　

ISSN：1745-1353
高電子移動度トランジスタの高速性能極限の追求

末光哲也

電子情報通信学会論文誌　J90-C　(4)　312-318　2007年4月1日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN：1345-2827

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InP系材料を中心とした,高電子移動度トランジスタ(HEMT)の高周波特性の基礎,測定,及び解析について解説する.高周波特性を支配するトランジスタの遅延時間は,ゲート下におけるキャリヤの走行に起因する真性遅延と,ゲート外における寄生抵抗,寄生容量等がもたらす充電時間等による寄生遅延に大別できる.ゲート長が大きい場合は真性遅延が素子の遅延時間の主要部分であったのだが,それが100nmを下回るまで微細化が進んだ現在では,むしろ寄生遅延が真性遅延を上回る現象が生じている.それを示すInP系HEMTにおける実際の解析例を紹介し,それぞれの遅延時間の傾向と今後の性能向上に向けた展望について解説する.
Recent achievements in the reliability of InP-based HEMTs 査読有り

Tetsuya Suemitsu

THIN SOLID FILMS　515　(10)　4378-4383　2007年3月

DOI： 10.1016/j.tsf.2006.07.108 　

ISSN：0040-6090
A 40-Gb/s self-clocked bidirectional serial/parallel converter for asynchronous label swapping 査読有り

Ryo Takahashi, Ryohei Urata, Tetsuya Suemitsu, Hiroyuki Suzuki

IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS　19　(5-8)　294-296　2007年3月

DOI： 10.1109/LPT.2007.891239 　

ISSN：1041-1135

eISSN：1941-0174
Error-free label swapping of asynchronous optical packets with multifunctional optically clocked transistor array 査読有り

R. Urata, R. Takahashi, T. Nakahara, T. Suemitsu, H. Suzuki

ELECTRONICS LETTERS　43　(6)　359-361　2007年3月

DOI： 10.1049/el:20073866 　

ISSN：0013-5194
SAW filters composed of interdigital Schottky and Ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures 査読有り

Naoteru Shigekawa, Kazumi Nishimura, Tetsuya Suemitsu, Haruki Yokoyama, Kohji Hohkawa

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS　28　(2)　90-92　2007年2月

DOI： 10.1109/LED.2006.889043 　

ISSN：0741-3106
Novel plasmon-resonant terahertz-wave emitter using a double-decked HEMT structure 査読有り

T. Suemitsu, Y. M. Meziani, Y. Hosono, M. Hanabe, T. Otsuji, E. Sano

65th DRC Device Research Conference　157-158　2007年

DOI： 10.1109/DRC.2007.4373696 　
Ultrafast optoelectronic switching of an optically clocked transistor array 査読有り

R. Urata, R. Takahashi, T. Suemitsu, T. Nakahara

2007 PHOTONICS IN SWITCHING　59-60　2007年

DOI： 10.1109/PS.2007.4300743 　

ISSN：2155-8515
Improved stability in wide-recess InPHEMTs by means of a fully passivated two-step-recess gate 査読有り

Tetsuya Suemitsu, Yoshino K. Fukai, Masami Tokumitsu, Fabiana Rampazzo, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni

IEICE ELECTRONICS EXPRESS　3　(13)　310-315　2006年7月

DOI： 10.1587/elex.3.310 　

ISSN：1349-2543
Interdigital transducers with control gates on AlGaN/GaN heterostructures 査読有り

Naoteru Shigekawa, Kazumi Nishimura, Tetsuya Suemitsu, Haruki Yokoyama, Kohji Hohkawa

APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(3)　033501　2006年7月

DOI： 10.1063/1.2221899 　

ISSN：0003-6951
[Invited Talk] InP HEMT technology for high-speed logic and communications 招待有り

Tetsuya Suemitsu, Masami Tokumitsu

Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), Sendai, Japan, Jul. 3-5　2006年7月
Field-effect AlGaN/GaN surface acoustic wave filters with >40-dB isolation for integration with HEMTs 査読有り

Naoteru Shigekawa, Kazumi Nishimura, Tetsuya Suemitsu, Haruki Yokoyama, Kohji Hohkawa

64th Device Research Conf. (DRC)　2006年6月

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State College, PA, USA, Jun. 26-28
An optically clocked transistor array (OCTA) for 40-Gb/s, bidirectional serial-to-parallel conversion of asynchronous burst optical packets 査読有り

Ryohei Urata, Ryo Takahashi, Tetsuya Suemitsu, Hiroyuki Suzuki

IEICE ELECTRONICS EXPRESS　3　(7)　129-135　2006年4月

DOI： 10.1587/elex.3.129 　

ISSN：1349-2543
Dual-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with short gate length for high-power mixers 査読有り

K. Shiojima, T. Makimura, T. Maruyama, T. Kosugi, T. Suemitsu, N. Shigekawa, M. Hiroki, H. Yokoyama

Physica Status Solidi C: Conferences　3　(3)　469-472　2006年

DOI： 10.1002/pssc.200564104 　

ISSN：1610-1634
40-Gb/s serial-to-parallel and parallel-to-serial conversion with an optically clocked transistor array 査読有り

Ryohei Urata, Ryo Takahashi, Tetsuya Suemitsu, Hiroyuki Suzuki

2006 OPTICAL FIBER COMMUNICATION CONFERENCE/NATIONAL FIBER OPTIC ENGINEERS CONFERENCE, VOLS 1-6　2322-2324　2006年
Dual-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with short gate length for high-power mixers 査読有り

K Shiojima, T Makimura, T Maruyama, T Kosugi, T Suemitsu, N Shigekawa, M Hiroki, H Yokoyama

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3 NO 3　3　(3)　469-+　2006年

DOI： 10.1002/pssc.200564104 　

ISSN：1862-6351
Self-clocked serial-to-parallel and parallel-to-serial conversion with an optically clocked transistor array 査読有り

Ryohei Urata, Ryo Takahashi, Tetsuya Suemitsu, Hiroyuki Suzuki

Conference on Lasers and Electro-Optics and 2006 Quantum Electronics and Laser Science Conference, CLEO/QELS 2006　2006年

DOI： 10.1109/CLEO.2006.4628165 　
AlGaN/GaN dual-gate HEMT mixers for 24 GHz pulse-modulation 査読有り

Kenji Shiojima, Takashi Makimura, Toshihiko Kosugi, Tetsuya Suemitsu, Naoteru Shigekawa, Masanobu Hiroki, Haruki Yokoyama

2006 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM DIGEST, VOLS 1-5　1331-+　2006年

DOI： 10.1109/MWSYM.2006.249494 　

ISSN：0149-645X
Label swapping of an asynchronous burst optical packet stream with a self-clocked optically clocked transistor array 査読有り

R. Urata, R. Takahashi, T. Nakahara, T. Suemitsu, H. Suzuki

2006 European Conference on Optical Communications Proceedings, ECOC 2006　2006年

DOI： 10.1109/ECOC.2006.4801177 　
All-optical and optoelectronic serial-to-parallel conversion of high-speed, asynchronous optical packets 招待有り査読有り

Ryohei Urata, Ryo Takahashi, Takako Yasui, Tetsuya Suemitsu, Tatsushi Nakahara, Hiroyuki Suzuki

2006 IEEE LEOS ANNUAL MEETING CONFERENCE PROCEEDINGS, VOLS 1 AND 2　747-+　2006年

DOI： 10.1109/LEOS.2006.278965 　

ISSN：1092-8081
Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs 査読有り

K. Shiojima, T. Makimura, T. Maruyama, T. Suemitsu, N. Shigekawa, M. Hiroki, H. Yokoyama

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6　3　(6)　2360-2363　2006年

DOI： 10.1002/pssc.200565130 　

ISSN：1862-6351
Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate high-electron-mobility transistors on sapphire substrates 査読有り

K Shiojima, T Makimura, T Suemitsu, N Shigekawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　44　(12)　8435-8440　2005年12月

DOI： 10.1143/JJAP.44.8435 　

ISSN：0021-4922
Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate high-electron-mobility transistors on sapphire substrates 査読有り

K Shiojima, T Makimura, T Suemitsu, N Shigekawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　44　(12)　8435-8440　2005年12月

DOI： 10.1143/JJAP.44.8435 　

ISSN：0021-4922
Effect of T-shaped gate structure on RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs 査読有り

Kenji Shiojima, Takashi Makimura, Takashi Maruyama, Tetsuya Suemitsu, Naoteru Shigekawa, Masanobu Hiroki, Haruki Yokoyama

State-of-the-art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS)　2005年10月

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Los Angels, CA, USA, Oct. 16-21
[Invited Talk] Recent achievements in the reliability of InP HEMTs 招待有り査読有り

Tetsuya Suemitsu

3rd Int. Conf. on Materials for Advanced Technologies (ICMAT), Singapore, Jul. 3-8　2005年7月
Growth of InP high electron mobility transistor structures with Te doping 査読有り

BR Bennett, T Suemitsu, N Waldron, JA del Alamo

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　278　(1-4)　596-599　2005年5月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.12.070 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
Hydrogen sensitivity of InPHEMTs with WSiN-based gate stack 査読有り

SD Mertens, JA del Alamo, T Suemitsu, T Enoki

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　52　(3)　305-310　2005年3月

DOI： 10.1109/TED.2005.843871 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
Intrinsic transit delay and effective electron velocity of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 査読有り

T Suemitsu, K Shiojima, T Makimura, N Shigekawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(1-7)　L211-L213　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L211 　

ISSN：0021-4922
An intrinsic delay extraction method for Schottky gate field effect transistors 査読有り

T Suemitsu

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS　25　(10)　669-671　2004年10月

DOI： 10.1109/LED.2004.834910 　

ISSN：0741-3106

eISSN：1558-0563
Growth of InP HEMTs with Te doping 査読有り

Brian R. Bennett, Tetsuya Suemitsu, Niamh Waldron, Jesus A. del Alamo

13th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy (MBE)　2004年8月

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Edinburgh, UK, Aug. 22-27
Study of breakdown dynamics in InAlAs/InGaAs/InP HEMTs with gate length scaling down to 80 nm 査読有り

R. Pierobon, F. Rampazzo, F. Clonfero, T. De Pellegrin, M. Bertazzo, G. Meneghesso, E. Zanoni, T. Suemitsu, T. Enoki

16th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM)　823-826　2004年6月

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Kagoshima, Japan, May 31-Jun. 4
Frequency transconductance and gate-lag dispersion in InAlAs/InGaAs/InP HEMTs 査読有り

G. Meneghesso, F. Rampazzo, G. Schentato, L. Cecchetto, R. Pierobon, E. Zanoni, T. Suemitsu, T. Enoki

27th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits Held in Europe (WOCSDICE)　2003年5月

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Fuerigen, Switzerland, May 26-28
Correlation between current-voltage characteristics and dislocations evaluated with submicrometer Schottky contacts on n-GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読有り

K Shiojima, T Suemitsu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　21　(2)　698-705　2003年3月

DOI： 10.1116/1.1547735 　

ISSN：1071-1023
A voltage-controlled phase shifter that uses gate electrode lines of traveling-wave field effect transistors 査読有り

Koichi Narahara, Tetsuya Suemitsu

Ultrafast Electronics and Optoelectronics (UEO)　2003年1月

DOI： 10.1143/jjap.42.4953 　

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Washington, DC, USA, Jan. 15-16
Hydrogen sensitivity of InPHEMTs with a thick Ti-layer in the Ti/Pt/Au gate stack 査読有り

SD Mertens, JA del Alamo, T Suemitsu, T Enoki

2003 INTERNATIONAL CONFERENCE INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, CONFERENCE PROCEEDINGS　223-226　2003年

ISSN：1092-8669
30-nm two-step recess gate InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs 査読有り

T Suemitsu, H Yokoyama, T Ishii, T Enoki, G Meneghesso, E Zanoni

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　49　(10)　1694-1700　2002年10月

DOI： 10.1109/TED.2002.803646 　

ISSN：0018-9383
Optical study of high-biased AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors 査読有り

N Shigekawa, K Shiojima, T Suemitsu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　92　(1)　531-535　2002年7月

DOI： 10.1063/1.1481973 　

ISSN：0021-8979
Influence of hole accumulation on source resistance, kink effect and on-state breakdown of InP-based high electron mobility transistors: Light irradiation study 査読有り

T Suemitsu, H Fushimi, S Kodama, S Tsunashima, S Kimura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　41　(2B)　1104-1107　2002年2月

DOI： 10.1143/JJAP.41.1104 　

ISSN：0021-4922
Bias-stress-induced increase in parasitic resistance of InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs 査読有り

T Suemitsu, YK Fukai, H Sugiyama, K Watanabe, H Yokoyama

MICROELECTRONICS RELIABILITY　42　(1)　47-52　2002年1月

DOI： 10.1016/S0026-2714(01)00215-3 　

ISSN：0026-2714
Hydrogen sensitivity of InP HEMTs with WSiN-based gate stack 査読有り

S. D. Mertens, J. A. Del Alamo, T. Suemitsu, T. Enoki

Conference Proceedings-International Conference on Indium Phosphide and Related Materials　323-326　2002年

DOI： 10.1109/ICIPRM.2002.1014397 　

ISSN：1092-8669
Gate and recess engineering for ultrahigh-speed InP-based HEMTs 招待有り査読有り

T Suemitsu, T Ishii, Y Ishii

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS　E84C　(10)　1283-1288　2001年10月

ISSN：0916-8524

eISSN：1745-1353
Electroluminescence characterization of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors 査読有り

N Shigekawa, K Shiojima, T Suemitsu

APPLIED PHYSICS LETTERS　79　(8)　1196-1198　2001年8月

DOI： 10.1063/1.1398332 　

ISSN：0003-6951
Correlation between current-voltage characteristics and dislocations for n-GaN Schottky contacts 査読有り

K Shiojima, T Suemitsu, M Ogura

APPLIED PHYSICS LETTERS　78　(23)　3636-3638　2001年6月

DOI： 10.1063/1.1370538 　

ISSN：0003-6951
Correlation between I-V characteristics and dislocations for Au/Ni/n-GaN Schottky contacts 査読有り

Kenji Shiojima, Tetsuya Suemitsu, Mitsumasa Ogura

43rd Electronic Material Conf. (EMC)　2001年6月

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Notre Dame, IN, USA, Jun. 27-29
Influence of hole accumulation on source resistance, kink effect and on-state breakdown of InP-based high electron mobility transistors: Light irradiation study 査読有り

Tetsuya Suemitsu, Hiroshi Fushimi, Satoshi Kodama, Satoshi Tsunashima, Shunji Kimura

13th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM)　14-18　2001年5月

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Nara, Japan, May 14-18
[Invited Talk] Design and fabrication of gate and gate recess for ultrahigh-speed InP-based HEMTs 招待有り査読有り

Tetsuya Suemitsu, Tetsuyoshi Ishii, Haruki Yokoyama

25th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits Held in Europe (WOCSDICE), Cagliari, Italy, May 27-30　47-48　2001年5月
Frequency dispersion in drain conductance of InAlAs/InGaAs hight-electron mobility transisters (HEMTs) and its relationship with impact ionization 査読有り

T Kosugi, Y Umeda, T Suemitsu, T Enoki, Y Yamane

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　40　(4B)　2725-2727　2001年4月

DOI： 10.1143/JJAP.40.2725 　

ISSN：0021-4922
Improved carrier confinement by a buried p-layer in the AlGaN/GaN HEMT structure 査読有り

K Shiojima, N Shigekawa, T Suemitsu

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS　E83C　(12)　1968-1970　2000年12月

ISSN：0916-8524

eISSN：1745-1353
Frequency dispersion in drain conductance of InAlAs/InGaAs HEMTs and its correlation with impact ionization 査読有り

Toshihiko Kosugi, Yohtaro Umeda, Tetsuya Suemitsu, Takatomo Enoki

Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)　394-395　2000年9月

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Sendai, Japan, Sep. 29-31
[Invited Talk] Gate and recess engineering for ultrahigh-speed InP-based HEMTs 招待有り査読有り

Tetsuya Suemitsu, Tetsuyoshi Ishii, Yasunobu Ishii

Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM), Kyoto, Japan, Aug. 20-23　2-3　2000年8月
Suppression of degradation in InP-based HEMTs by inserting InAlP in carrier supply layer 査読有り

Yoshino K. Fukai, Tetsuya Suemitsu, Takashi Makimura, Haruki Yokoyama

Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM)　30-31　2000年8月

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Kyoto, Japan, Aug. 20-23
Characterization and reliability of InP-based HEMTs implemented with different process options 査読有り

G. Meneghesso, R. Luise, D. Buttari, A. Chini, H. Yokoyama, T. Suemitsu, E. Zanoni

European Workshop on Compound Semiconductor Devices (WOCSDICE)　2000年5月

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Aegean Sea, Greece, May 29-Jun. 2
InP系高電子移動度トランジスタ（HEMT）

末光哲也

応用物理　69　(2)　141-151　2000年2月
出版者・発行元：応用物理学会
DOI： 10.11470/oubutsu1932.69.141 　

ISSN：0369-8009
Depletion- and enhancement-mode modulation-doped field-effect transistors for ultrahigh-speed applications: An electrochemical fabrication technology 査読有り

D Xu, T Suemitsu, J Osaka, Y Umeda, Y Yamane, Y Ishii, T Ishii, T Tamamura

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　47　(1)　33-43　2000年1月

DOI： 10.1109/16.817564 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
Fabrication of AlGaN/GaN HEMTs with buried p-layers 査読有り

K Shiojima, N Shigekawa, T Suemitsu

PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS　1　927-930　2000年
Parasitic effects and long term stability of InP-based HEMTs 査読有り

G. Meneghesso, R. Luise, D. Buttari, A. Chini, H. Yokoyama, T. Suemitsu, E. Zanoni

Microelectronics Reliability　40　(8-10)　1715-1720　2000年
出版者・発行元： Elsevier Ltd
DOI： 10.1016/S0026-2714(00)00168-2 　

ISSN：0026-2714
Effective length of high-field region in InGaAs-based lattice-matched HEMTs 査読有り

N Shigekawa, T Suemitsu, Y Umeda

2001 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS　333-338　2000年
Parasitic effects and long term stability of InP-based HEMTs 査読有り

G. Meneghesso, R. Luise, D. Buttari, A. Chini, H. Yokoyama, T. Suemitsu, E. Zanoni

Microelectronics Reliability　40　(8-10)　1715-1720　2000年
出版者・発行元： Elsevier Ltd
DOI： 10.1016/S0026-2714(00)00168-2 　

ISSN：0026-2714
Reliability study of parasitic source and drain resistances of InP-based HEMTs 査読有り

T Suemitsu, YK Fukai, H Sugiyama, K Watanabe, H Yokoyama

INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2000, TECHNICAL DIGEST　190-193　2000年

DOI： 10.1109/IEDM.2000.904290 　
Impact-ionization-induced noise in InGaAs-based 0.1-μm-gate HEMTs 査読有り

N. Shigekawa, T. Furuta, T. Suemitsu, Y. Umeda

Physica B　272　(1-4)　562-564　1999年12月

DOI： 10.1016/S0921-4526(99)00339-7 　

ISSN：0921-4526
Impact of nonlinear drain resistance in bias-stressed InAlAs/InGaAs HEMTs 査読有り

T Suemitsu, H Yokoyama, Y Ishii

ELECTRONICS LETTERS　35　(24)　2141-2143　1999年11月

DOI： 10.1049/el:19991433 　

ISSN：0013-5194
Optical characterization of impact ionization in flip-chip-bonded InP-based high electron mobility transistors 査読有り

N Shigekawa, T Furuta, T Suemitsu, Y Umeda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　38　(10)　5823-5828　1999年10月

DOI： 10.1143/JJAP.38.5823 　

ISSN：0021-4922
Impact-ionization-induced noise in InGaAs-based 0.1-um gate HEMTs 査読有り

Naoteru Shigekawa, Tomofumi Furuta, Tetsuya Suemitsu, Yohtaro Umeda

11th Int. Conf. on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS)　94　1999年7月

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Kyoto, Japan
High-performance 0.1-mu m gate enhancement-mode InAlAs InGaAs HEMT's using two-step recessed gate technology 査読有り

T Suemitsu, H Yokoyama, Y Umeda, T Enoki, Y Ishii

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　46　(6)　1074-1080　1999年6月

DOI： 10.1109/16.766866 　

ISSN：0018-9383
Ultrahigh-speed InP-based D- and E-mode MODFETs with ultra-short electrochemically-recessed gate contacts 招待有り査読有り

Dong Xu, Tetsuya Suemitsu, Jiro Osaka, Yohtaro Umeda, Yasunobu Ishii, Tetsuyoshi Ishii, Toshiaki Tamamura

57th Annual Device Research Conf. (DRC)　150-151　1999年6月

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Santa Barbara, USA
An 0.03-mu m gate-length enhancement-mode InAlAs/InGaAs/InP MODFET's with 300 GHz f(T) and 2 S/mm extrinsic transconductance 査読有り

D Xu, T Suemitsu, J Osaka, Y Umeda, Y Yamane, Y Ishii, T Ishii, T Tamamura

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS　20　(5)　206-208　1999年5月

DOI： 10.1109/55.761016 　

ISSN：0741-3106
Ultrahigh-speed IC technologies using InP-based HEMTs for future optical communication systems 査読有り

Y Umeda, T Enoki, T Otsuji, T Suemitsu, H Yokoyama, Y Ishii

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS　E82C　(3)　409-418　1999年3月

ISSN：1745-1353
Modulation-doped field-effect transistors with an 8-nm InGaAs/InAs/InGaAs quantum well 査読有り

D Xu, J Osaka, Y Umeda, T Suemitsu, Y Yamane, Y Ishii

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS　20　(3)　109-112　1999年3月

DOI： 10.1109/55.748904 　

ISSN：0741-3106
Highly stable device characteristics of InP-based enhancement-mode high electron mobility transistors with two-step-recessed gates 査読有り

T Suemitsu, H Yokoyama, Y Umeda, T Enoki, Y Ishii

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　38　(2B)　1174-1177　1999年2月

DOI： 10.1143/JJAP.38.1174 　

ISSN：0021-4922
High-resolution scanning electron microscopy observation of electrochemical etching in the formation of gate grooves for InP-based modulation-doped field-effect transistors 査読有り

D Xu, T Enoki, T Suemitsu, Y Ishii

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　38　(2B)　1182-1185　1999年2月

DOI： 10.1143/JJAP.38.1182 　

ISSN：0021-4922
Electroluminescence of flip-chip-bonded InP-based HEMTs with 0.1-mu m gate 査読有り

N Shigekawa, T Furuta, S Kodama, T Suemitsu, Y Umeda

COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998　(162)　865-870　1999年

ISSN：0951-3248
30-nm-gate InP-based lattice-matched high electron mobility transistors with 350 GHz cutoff frequency 査読有り

Tetsuya Suemitsu, Tetsuyoshi Ishiii, Haruki Yokoyama, Takatomo Enoki, Yasunobu Ishii, Toshiaki Tamamura

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters　38　(2 B)　L154-L156　1999年
出版者・発行元： JJAP
DOI： 10.1143/JJAP.38.L154 　

ISSN：0021-4922
Short gate-length InAlAs/InGaAs MODFETs with asymmetry gate-recess grooves: electrochemical fabrication and performance 査読有り

D. Xu, T. Suemitsu, H. Yokoyama, Y. Umeda, Y. Yamane, T. Enoki, Y. Ishii

Solid-State Electronics　43　(8)　1527-1533　1999年
出版者・発行元： Elsevier Science Ltd
DOI： 10.1016/S0038-1101(99)00099-4 　

ISSN：0038-1101
An analysis of the kink phenomena in InAlAs/InGaAs HEMT's using two-dimensional device simulation 査読有り

T Suemitsu, T Enoki, N Sano, M Tomizawa, Y Ishii

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　45　(12)　2390-2399　1998年12月

DOI： 10.1109/16.735714 　

ISSN：0018-9383
Self-compensation of short-channel effects in sub-0.1-mu m InAlAs/InGaAs MODFET's by electrochemical etching 査読有り

D Xu, T Enoki, Y Umeda, T Suemitsu, Y Yamane, Y Ishii

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS　19　(12)　484-486　1998年12月

DOI： 10.1109/55.735754 　

ISSN：0741-3106

eISSN：1558-0563
Impact of subchannel design on DC and RF performance of 0.1 mu m MODFETs with InAs-inserted channel 査読有り

D Xu, J Osaka, T Suemitsu, Y Umeda, Y Yamane, Y Ishii

ELECTRONICS LETTERS　34　(20)　1976-1977　1998年10月

DOI： 10.1049/el:19981231 　

ISSN：0013-5194
Enhancement of wak impact ionization in InAlAs/InGaAs HEMTs induced by surface traps: simulation and experiments 査読有り

Tetsuya Suemitsu, Masaaki Tomizawa, Takatomo Enoki, Yasunobu Ishii

6th Int. Workshop on Computational Electronics (IWCE)　250-253　1998年10月

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Osaka, Japan, Oct. 19-22
Improving threshold-voltage uniformity of 0.1 μm InP-based MODFETs with different gate layouts 査読有り

D. Xu, T. Enoki, T. Suemitsu, Y. Umeda, Y. Yamane, Y. Ishii

Electronics Letters　34　(16)　1614-1615　1998年8月6日
出版者・発行元： Institution of Engineering and Technology
DOI： 10.1049/el:19981118 　

ISSN：0013-5194
Electrochemical formation of asymmetry in gate-recess groove for InAlAs/InGaAs MOFETs with short gate-lengths 査読有り

Dong Xu, Takatomo Enoki, Tetsuya Suemitsu, Yohtaro Umeda, Haruki Yokoyama, Yasunobu Ishii

Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM)　70-71　1998年8月

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Kanagawa, Japan
Electrochemical-induced asymmetrical etching in InAlAs/InGaAs heterojunction for MODFET fabrication 査読有り

Dong Xu, Takatomo Enoki, Tetsuya Suemitsu, Yohtaro Umeda, Haruki Yokoyama, Yasunobu Ishii

J. Electronic Materials　27　(7)　L51-L53　1998年7月

DOI： 10.1007/s11664-998-0122-3 　
Improved recessed-gate structure for sub-0.1-mu m-gate InP-based high electron mobility transistors 査読有り

T Suemitsu, T Enoki, H Yokoyama, Y Ishii

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　37　(3B)　1365-1372　1998年3月

DOI： 10.1143/JJAP.37.1365 　

ISSN：0021-4922
Impact of two-step-recessed gate structure on RF performance of InP-based HEMTs 査読有り

T Suemitsu, T Enoki, H Yokoyama, Y Umeda, Y Ishii

ELECTRONICS LETTERS　34　(2)　220-222　1998年1月

DOI： 10.1049/el:19980166 　

ISSN：0013-5194
High-performance 0.1-mu m-gate enhancement-mode InAlAs/InGaAs HEMTs using two-step-recessed gate technology 査読有り

T Suemitsu, H Yokoyama, Y Umeda, T Enoki, Y Ishii

1998 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS - CONFERENCE PROCEEDINGS　497-500　1998年

ISSN：1092-8669
Electrochemical etching in wet-chemical gate recess for InAlAs/InGaAs heterojunction FETs 査読有り

D Xu, T Enoki, T Suemitsu, Y Ishii

1998 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS - CONFERENCE PROCEEDINGS　797-800　1998年

ISSN：1092-8669
30-nm-gate InAlAs/InGaAs HEMTs lattice-matched to InP substrates 査読有り

T Suemitsu, T Ishii, H Yokoyama, Y Umeda, T Enoki, Y Ishii, T Tamamura

INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 1998 - TECHNICAL DIGEST　223-226　1998年

DOI： 10.1109/IEDM.1998.746339 　
Novel gate-recess process for the reduction of parasitic phenomena due to side-etching in InAlAs/InGaAs HEMTs 査読有り

Tetsuya Suemitsu, Takatomo Enoki, Haruki Yokoyama, Yasunobu Ishii

Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)　16-19　1997年9月

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Hamamatsu, Japan, Sep. 16-19
Mechanism and structural dependence of kink phenomena in InAlAs/InGaAs HEMTs 査読有り

T Suemitsu, T Enoki, M Tomizawa, N Shigekawa, Y Ishii

1997 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS - CONFERENCE PROCEEDINGS　365-368　1997年

ISSN：1092-8669
Kink modification using body contact bias in InP based InAlAs/InGaAs HEMTs 査読有り

T Suemitsu, T Enoki, Y Ishii

ELECTRONICS LETTERS　32　(12)　1143-1144　1996年6月

DOI： 10.1049/el:19960726 　

ISSN：0013-5194

eISSN：1350-911X
BODY CONTACTS IN INP-BASED INALAS/INGAAS HEMTS AND THEIR EFFECTS ON BREAKDOWN VOLTAGE AND KINK SUPPRESSION 査読有り

T SUEMITSU, T ENOKI, Y ISHII

ELECTRONICS LETTERS　31　(9)　758-759　1995年4月

DOI： 10.1049/el:19950496 　

ISSN：0013-5194

eISSN：1350-911X

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MISC 40

グラフェンFETにおけるユニポーラ動作による光熱電型高速テラヘルツ検出の実現

田村紘一, TANG Chao, 荻浦大地, 諏訪健斗, 吹留博一, 佐藤昭, 瀧田佑馬, 南出泰亜, 末光哲也, 尾辻泰一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　83rd　2022年

ISSN： 2758-4704
光通信-Beyond5G無線通信間キャリアダウンコンバージョンデバイスの新展開

佐藤昭, 佐藤昭, 中嶋大, 中嶋大, 西村和樹, 西村和樹, 細谷友崇, 細谷友崇, 細谷友崇, 岩月勝美, 末光哲也, 末光哲也, 葛西恵介, 葛西恵介, 吉田真人, 吉田真人, 尾辻泰一, 尾辻泰一

電子情報通信学会技術研究報告(Web)　121　(309(ED2021 48-61))　2021年

ISSN： 2432-6380
N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE (電子デバイス)

PRASERTSUK Kiattiwut, TANIKAWA Tomoyuki, KIMURA Takeshi, KUBOYA Shigeyuki, SUEMITSU Tetsuya, MATSUOKA Takashi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　117　(58)　59-64　2017年5月25日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
直列アレイ化とレンズ集積による非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタのテラヘルツ波受光効率向上 (電子デバイス)

細谷友崇, 糟谷文月, 谷口弘樹, 渡辺隆之, 末光哲也, 尾辻泰一, 瀧田佑馬, 伊藤弘昌, 南出泰亜, 石橋忠夫, 清水誠, 佐藤昭

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　116　(375)　23-28　2016年12月19日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
グラフェンFET及びInGaAs-HEMTを用いたミリ波帯光電子ミキサ

菅原健太, 川崎鉄哉, 玉虫元, 末光眞希, 吹留博一, 可児淳一, 寺田純, 桑野茂, 岩月勝美, 末光哲也, 末光哲也, 尾辻泰一, 尾辻泰一

電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM)　2015　2015年

ISSN： 1349-144X
グラフェンチャネルFETのサブテラヘルツ帯ミキサ応用

菅原健太, 川崎鉄哉, HUSSIN Mastura Binti, 玉虫元, 末光眞希, 吹留博一, 可児淳一, 寺田純, 桑野茂, 岩月勝美, 末光哲也, 末光哲也, 尾辻泰一, 尾辻泰一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
SiNゲートスタックによる高キャリア移動度グラフェンチャネルFET

玉虫元, 菅原健太, HUSSIN Mastura binti, 末光哲也, 須藤亮太, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
プラズモニックメタマテリアルを用いたテラヘルツ波発生 (特集自然界の物質を超える人口物質「メタマテリアル」と赤外領域への応用)

渡辺隆之, 佐藤昭, 末光哲也

日本赤外線学会誌 = Journal of the Japan Society of Infrared Science and Technolog　24　(1)　48-56　2014年8月
出版者・発行元：日本赤外線学会
ISSN： 0916-7900
グラフェン/SiC/SiバックゲートFET特性とSiC層厚の関係

江藤隆紀, 鷹林将, 鷹林将, 三本菅正太, 猪俣州哉, 吹留博一, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希, 末光哲也, 末光哲也, 尾辻泰一, 尾辻泰一

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　73rd　2012年
C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)

久保真人, 半田浩之, 姜顯〓, 福嶋哲也, 高橋良太, 鷹林将, 吹留博一, 末光哲也, 末光眞希, 尾辻泰一

電子情報通信学会総合大会講演論文集　2011　(2)　49-49　2011年2月28日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
Dual-gate動作によるgraphene channel変調と超高速デバイスへの応用

鄭明鎬, 全春日, 吹留博一, 末光哲也, 末光哲也, 尾辻泰一, 尾辻泰一, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　72nd　2011年
グラフェン/金属界面の化学

鷹林将, 鷹林将, 久保真人, 高橋良太, 吹留博一, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希, 末光哲也, 末光哲也, 尾辻泰一, 尾辻泰一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　58th　2011年
ダイヤモンドライクカーボンをゲート絶縁膜としたグラフェンFET

鷹林将, 鷹林将, 小川修一, 高桑雄二, KANG Hyun-Chul, 高橋良太, 吹留博一, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希, 末光哲也, 末光哲也, 尾辻泰一, 尾辻泰一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　58th　2011年
HMDS-SiNをゲート絶縁膜として用いたグラフェンFET

久保真人, 福嶋哲也, KANG H.-C., 赤川啓介, 吉田智洋, 高橋良太, 半田浩之, JUNG M.-H., 鷹林将, 鷹林将, 吹留博一, 吹留博一, 末光哲也, 末光哲也, 末光眞希, 末光眞希, 尾辻泰一, 尾辻泰一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　58th　2011年
グラフェン/白金コンタクト界面の化学結合

鷹林将, 高橋良太, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　2010年
シリコン基板上におけるトップゲート型エピタキシャルグラフェンFET

久保真人, KANG H-C, 唐澤宏美, 宮本優, 半田浩之, 吹留博一, 吹留博一, 末光哲也, 末光哲也, 末光眞希, 末光眞希, 尾辻泰一, 尾辻泰一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　57th　2010年
H₂アニールによるエピタキシャルグラフェンの電気特性への影響

久保真人, KANG H-C, 高橋良太, 半田浩之, 鷹林将, 鷹林将, 吹留博一, 吹留博一, 末光哲也, 末光哲也, 末光眞希, 末光眞希, 尾辻泰一, 尾辻泰一

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　2010年
グラフェン/10族金属コンタクト界面の化学結合

鷹林将, 久保真人, 高橋良太, 阿部峻佑, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一, 鷹林将, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

表面科学学術講演会講演要旨集　30th　2010年
DLCをゲート絶縁膜としたグラフェンFET

鷹林将, 鷹林将, 小川修一, 高桑雄二, 阿部峻佑, 高橋良太, 吹留博一, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希, 末光哲也, 末光哲也, 尾辻泰一, 尾辻泰一

炭素材料学会年会要旨集　37th　2010年
プラズモン共鳴型エミッタのマルチチップ動作によるテラヘルツ分光測定

渡辺隆之, 小森常義, 末光哲也, 尾辻泰一

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　109　(313)　47-51　2009年11月22日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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我々は、半導体ヘテロ接合界面の二次元電子プラズモン共鳴を利用したテラヘルツ光源として、テラヘルツ光の放射効率を高めるための二重格子状ゲート電極および縦型共振器構造を特徴としたプラズモン共鳴型エミッタを開発している。試作したエミッタからはブロードなテラヘルツ波の放射が確認されており、分光用光源としての利用が可能である。今回、このエミッタを3チップ同時に動作させることにより、放射強度が増大することを確認した。また、エミッタを光源として分光をおこない、3チップ動作により、結果のS/N比が向上することを確認した。本エミッタのアレイ化により、汎用の水銀灯に代わるテラヘルツ光源となることが期待される。
C-4-7 二次元共鳴プラズモンを利用したテラヘルツ帯光源デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

久保真人, 小森常義, 津田祐樹, チェンハイボー, 末光哲也, 尾辻泰一

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集　2009　(1)　245-245　2009年9月1日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
InGaAsチャネルHEMTにおける真性・寄生遅延の解析

末光哲也, 福田俊介, 堀池恒平, 尾辻泰一, KIM Dae-Hyun, DEL ALAMO Jesus A.

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会　2009　(34)　27-31　2009年3月9日
Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用

尾辻泰一, 末光哲也, 姜顯〓, 唐澤宏美, 宮本優, 半田浩之, 末光眞希, 佐野栄一, リズィーマキシム, リズィーヴィクトール

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　108　(437)　1-6　2009年2月19日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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Si基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその電子デバイス応用について研究状況を紹介する.グラフェンの形成技術としては,グラファイト片からのピーリングとエピタキシャル成長したSiCの表面改質が一般的であるが,ポストCMOS新材料としての適用を考慮すると,Si基板の導入と半導体集積加工に耐える量産性に優れた低温成長技術が不可欠である.その要求に応えるために,有機シランガスソースMBEによるSi基板上への3C-SiCエピ成長と表面改質によるグラフェン・オン・シリコン(GOS)成長技術を開発した.本GOS材料を用いて,グラフェンをチャネルとするトランジスタ動作の観測に成功した.グラフェン成長層数の制御や膜平坦性など,GOSプロセス技術の改善・発展,オーミック電極形成,閾値制御,不純物注入制御など,今後解決すべき課題は多い.グラフェンの特異な電子輸送特性は,FET応用以外にも,プラズモニックデバイス,テラヘルツレーザーなど,多様な電子デバイスへの活用が期待される.ここではそれらの一端も併せて紹介する.
InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響

堀池恒平, 福田俊介, 赤川啓介, 末光哲也, 尾辻泰一

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　108　(376)　77-81　2009年1月7日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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InP系材料を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高速・高周波用素子として研究開発が進められてきている。HEMTは主としてゲート長(L_g)の短縮化によって電流利得遮断周波数(f_T)の向上を実現してきた。しかし、ゲート長が100nm以下の領域では,ゲート長の短縮化に対してf_Tの伸びはゆるやかになってきており、その原因として寄生遅延因子の影響が相対的に大きくなっていることが考えられる。今回、HEMTのゲート・ソース間容量(C_<gs>)に着目し、T型ゲート電極構造の有無がC_<gs>に与える影響を確認したので報告する。
エピタキシャルグラフェン電界効果トランジスター

KANG H-C., 唐澤宏美, 宮本優, 半田浩之, 末光哲也, 末光哲也, 吹留博一, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希, 尾辻泰一, 尾辻泰一

応用物理学会学術講演会講演予稿集　70th　(3)　2009年
HEMTのテラヘルツ帯プラズマ共鳴に与える寄生ゲートフリンジ容量の影響

馬籠伸紘, 西村拓也, Khmyrova Irina, 末光哲也, KNAP Wojtek, 尾辻泰一

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　108　(369)　53-58　2008年12月12日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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高電子移動度トランジスタ(HEMT)の2次元電子ガス(2DEG)チャネル内で励起されるプラズモンの基本共鳴周波数に及ぼすゲートーチャネル間寄生容量に伴うフリンジング電界の影響を検討した。2DEGチャネルの真性ゲート領域と非ゲート領域部のフリンジング効果を表現するためにカスケード伝送線路(TL)等価回路モデルを新たに導入し、本等価回路モデルに基づいて2DEGチャネルのフリンジング領域のシート電子密度の空間分布と基本プラズモン共鳴周波数の表現式を導出した。解析式による計算結果とカスケードTLモデルに基づくIsSpiceシミュレーション結果はともに、フリンジング効果が基本プラズモン周波数の低下要因となることを示している。提案するモデルは、従来モデルに比して実験データをよく説明できる。
ナノメートルサイズトランジスタにおける2次元プラズマ発振を利用した放射・検出とそれらのテラヘルツイメージングへの応用

エルファティミアブデルアハド, 末光哲也, 尾辻泰一, モネアピー, デラネジェイ, クナップウォイチェック, ディアコノワニーナ

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　108　(369)　47-52　2008年12月12日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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InGaAs/InP、GaAs/AlGaAs、およびGaN/AlGaNナノメートル級高電子移動度トランジスタの二次元プラズモンを利用したテラヘルツ波放射/検出に関する最近の成果を紹介する。テラヘルツ波放射では、放射周波数はプラズマ共鳴周波数に対応しており、放射強度はドレインバイアスに対してしきい値特性を有している。これらの結果は、プラズマ不安定性に起因したコヒーレントな自励発振が得られていることを示唆している。一方、テラヘルツ波検出では、100nm未満の短ゲートを有するInGaAs/InP系HEMTでは、3THzまでの周波数範囲で電圧制御による周波数可変な共鳴型検出が可能である。それらの素子を使用することによって、室温下でプラズマ波によるイメージが実現できるという実験結果を示す。それらの素子がアレイ状に集積化されれば、近い将来、テラヘルツイメージングの有効な光源/検出デバイスになるであろう。
HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ帯電磁波放射

半田大幸, 細野洋平, 津田祐樹, MEZIANI Yahya Moubarak, 末光哲也, 尾辻泰一

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　107　(355)　45-50　2007年11月20日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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2重回折格子ゲートを有する高電子移動度トランジスタ構造からなる2次元プラズモン共鳴型テラヘルツ電磁波放射デバイスを試作し,そのテラヘルツ帯電磁波放射特性を評価した.本素子は,2次元電子走行層内に凝集した電子集団のプラズマ振動量子(プラズモン)を電気的,光学的にコヒーレントに励起し,そのプラズマ振動を種として,2重回折格子型ゲートのアンテナ機構を介して空間放射可能なテラヘルツ電磁波を生成する.プラズモンの励起方法としては,直流バイアスもしくは直流光電流注入によるによる電気的不安定性励起,フォトミキシング励起,フェムト秒レーザ励起などの手法がある.本稿では,直流バイアスおよび直流光電流注入による自励発振モードでのテラヘルツ電磁波放射特性をフーリエ変換赤外分光計で計測した結果を中心に述べる.
0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー

塩島謙次, 牧村隆司, 小杉敏彦, 末光哲也, 重川直輝, 廣木正伸, 横山春喜

電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波　105　(524)　41-44　2006年1月12日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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SiC基板上0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaNHEMTミキサーを作製し、DC、及び変調特性を評価した。T字0.15×300μmゲートデバイスは最大相互コンダクタンス40mS, オン耐圧30V以上、オフ耐圧86Vを示した。電源電圧30V、ローカル周波数10GHzにおいて、最大RF出力17dBm, 変換利得7.5dBの特性を示した。ローカル周波数が2GHzから10GHzに増加しても、最大RF出力、及び変換利得の低下はそれぞれ2dB、2.6dBに抑えたれた。これらの結果はゲート長短縮による周波数特性の改善で、AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTがX帯までの応用を実現できることを示唆するものである。
短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関

塩島謙次, 牧村隆司, 末光哲也, 重川直輝, 廣木正伸, 横山春喜

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス　105　(329)　43-46　2005年10月13日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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サファイアおよびSiC基板上に短ゲートAlGaN/GaN HEMTを作製し、DC、及びRF特性を評価した。表面モフォロジー、移動度、接触抵抗に両者で違いがみられ、接触抵抗が相互コンダクタンスを制限していることが分かった。しかし、ソース抵抗の影響を差し引いた真性相互コンダクタンスはほぼ同じであり、遮断周波数のゲート長依存性も同一線上に乗ることが分かった。これらの結果はサファイアおよびSiC基板上HEMTの電子速度に差が無いことを示唆するものである。
微小ショットキー電極を用いたGaN結晶の評価 : 低キャリアn-GaNの結晶欠陥とI-V特性との相関

塩島謙次, 末光哲也

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　102　(294)　35-38　2002年8月23日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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我々は微小電極の形成と導電性プローブを用いたAFM(atomic force microscopy)測定とを組み合わせることにより、結晶欠陥と電極特性との相関を得る手法を提案している。低キャリア濃度n-GaN基板上に直径0.5μmのAu/Niショットキー電極を形成し、転位と電流-電圧(I-V)特性との相関を評価した。混合、及び刃状転位は順逆両方向のI-V特性に影響を及ぼさないことが分かった。しかし、構造の大きな欠陥は電極を短絡させることが分かった。この結果はFETのゲート電極の微細化を進める上で、転位の有無による不均一性を考慮しなくても良いという知見を与えるものである。
短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価

塩島謙次, 重川直輝, 末光哲也

電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society　122　(8)　1240-1245　2002年8月1日
出版者・発行元：電気学会
ISSN： 0385-4221
埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価

塩島謙次, 末光哲也, 重川直輝

電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society　122　(7)　1085-1088　2002年7月1日
出版者・発行元：電気学会
ISSN： 0385-4221
短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価

塩島謙次, 重川直輝, 末光哲也

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　101　(337)　61-66　2001年10月4日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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電子ビーム描画法を用いて短ゲートAlGaN/Gan HEMTを試作し、DC、及びRF特性を評価した。デバイスは良好なピンチオフ特性を示し、g_m=195 mS/mm, f_T=26GHz, f_<max>=80GHzの値が得られた。また、フォトルミネッセンス法及び、エレクトロルミネッセンス法を用いて電流輸送機構を評価した結果、ドレイン端における伝導電子のバンド内遷移に伴うEL発光を観測した。これらの結果は従来III-V化合物半導体電子デバイスで用いられてきたプロセス技術を用いて高周波応用にも適応できる短ゲート素子が作製可能であることを示した。
InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動

末光哲也, 深井佳乃, 杉山弘樹, 渡辺和夫, 横山春喜

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　100　(547)　21-25　2001年1月10日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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0.1μmゲートInP系HEMTについて高温通電試験による特性変動を調べ, ソース抵抗(R_s)とドレイン抵抗(R_d)にそれぞれ異なる変動がみられた。R_sについては, ドレイン電圧が低い場合には安定であるが, 1.5Vの電圧を印加し続けると増加がみられる。また, その増加はキャリア供給層としてInPやInAlPを用いることにより抑制されており, フッ素混入によるInAlAs中のSiドナー不活性化の影響を示唆している。一方R_dの増加はキャリア供給層材料によらず増加がみられる。またリセス領域の広がりに対する依存性をみると, R_sの増加がリセス領域が広いほど大きくなるのに対し, R_d増加はリセス領域を広げても大きな増加を示さず, 電界集中緩和によるホットキャリアの低減が広いリセス領域を持つFETにおけるR_d増加を抑えていると考えられる。
チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性

塩島謙次, 末光哲也, 重川直輝

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　100　(369)　31-36　2000年10月12日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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ゲート長の短縮に伴うピンチオフ特性の劣化、及び耐圧の低下を抑制する目的で、チャネル直下に埋め込みp層を有した構造をAlGaN/GaN HEMTに適応することを検討している。今回、初期的な実験結果が得られたので報告する。ゲート長2μmのHEMTを作製し良好なピンチオフ、飽和特性を確認した。最大ドレイン電流=210 mA/mm, 最大gm=55mS/mm、オン耐圧=70-90 V、f_T=5.5 GHzが得られた。また、シュミレーション、及びC-V測定により、p層によるキャリアの閉じこめ効果を確認した。
微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関

塩島謙次, 末光哲也, 小椋充将

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　100　(369)　19-24　2000年10月12日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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AFMによる表面観察と、電子ビーム描画を用いた微小電極形成技術を組み合わせることにより、転位の存在と電極特性との相関を直接的に評価した。厚さ2μmのn-GaNに直径0.35μm径のAu/Niショットキー電極を蒸着した。導電性プローブを用いたAFMでドットの位置確認、およびI-V測定を行った。順方向特性に直線性がみられ、良好なI-V特性が得られた。酸により電極を溶解した後、再びAFM測定を行い、各電極の痕跡から電極内の転位の有無を判断し、I-V特性と一対の対応づけを行った。転位の存在は微小電極のI-V特性に影響を及ぼさないことが分かった。
SC-7-12 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性

塩島謙次, 末光哲也, 重川直輝

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集　2000　(2)　157-158　2000年9月7日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
Ultrahigh-Speed IC Technologies Using InP-Based HEMTs for Future Optical Communication Systems

UMEDA Yotaro, ENOKI Takatomo, OTSUJI Taiichi, SUEMITSU Tetsuya, YOKOYAMA Haruki, ISHII Yasunobu

IEICE transactions on electronics　82　(3)　409-418　1999年3月25日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0916-8524

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This paper presents the technologies for over-40-Gbit/s operation of InP-based HEMT ICs for future optical communication systems. High-speed interconnection using low-permittivity benzocyclobutene (BCB) film as an inter-layer insulator decreases interconnection delay and results in high-speed operation of digital circuits. A static frequency divider and a 2:l multiplexer using this novel interconnection demonstrate 49-GHz and 80-Gbit/s operation, respectively. Ultrahigh-speed digital/analog ICs fabricated using the HEMTs were used in 40Gbit/s optical transmission experiment and showed good bit-error-rate performance. A novel two-step recess process for gate recess etching considerably improves the performance of InP-based HEMTs and is found to be promising for future ultrashort-gate devices.
30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性

末光哲也, 石井哲好, 横山春喜, 楳田洋太郎, 榎木孝知, 石井康信, 玉村敏昭

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　98　(517)　15-20　1999年1月20日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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ゲート長30nmのInP格子整合HEMTの作製と評価について報告する。30nmという微細なゲートパターンを形成するため, 電子線描画においてフラーレンを添加したナノコンポジットレジストを使用した。また, ゲート電極の広がりによる高周波特性の低下を防止するため, 2段階リセスゲート構造を用いた。得られたデバイスにおける電流利得遮断周波数の最高値は350GHzであり, これまで報告のあるあらゆるトランジスタの中でも最高の値のひとつである。

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書籍等出版物 2

Comprehensive Semiconductor Science and Technology

P. Bhattacharya, R. Fornari, H. Kamimura

Elsevier Amsterdam　2011年4月

ISBN: 9780444531438
テラヘルツ技術総覧

テラヘルツテクノフォーラム編

NGTコーポレーション　2007年12月1日

講演・口頭発表等 157

高電子移動度トランジスタ：究極の高周波電子デバイスを目指して招待有り

末光哲也

IEEE Sendai Section 2021年総会・新Fellow記念講演会　2021年4月22日
窒素極性GaN HEMTの現状と今後の展望招待有り

末光哲也

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第112回研究会　2019年3月15日
窒化物半導体パワーデバイスの新展開：材料、デバイス構造、プロセスそれぞれのアプローチ招待有り

末光哲也

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第203回研究会, 東京, Nov. 16　2017年11月16日
トランジスタ高速化のトレンドとテラヘルツへの展望（チュートリアル講演）招待有り

末光哲也

電子情報通信学会総合大会　2008年3月19日
窒化物半導体トランジスタ：材料、プロセス、デバイスそれぞれの特色招待有り

末光哲也

電子実装工学研究所（IMSI）第44回LTB3D研究会　2023年7月21日
フェロー昇格者体験談招待有り

末光哲也

2021年第2回IEEE Fellowを目指すすべての方のためのウェビナー　2021年12月9日
UTC-PD集積HEMT光ダブルミキサへの格子状ソース電極の導入

中嶋大, 西村和樹, 大森雄也, 細谷友崇, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一, 佐藤昭

電子情報通信学会ソサイエティ大会　2021年9月
ミリ波帯用InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討

谷口慶伍, 細谷友崇, 楳田洋太郎, 高野恭弥, 末光哲也, 佐藤昭

信学技報　2021年1月
分極電荷の広がりを考慮したGa極性・N極性の実効ショットキー障壁高さモデル

末光哲也, 眞壁勇夫

第67回応用物理学会春季学術講演会, 東京, Mar. 12-15　2020年3月
格子ゲート構造プラズモニックTHz検出素子におけるゲート電極からの光起電圧出力に関する検討

根来拓海, 齋藤琢, 鈴木雅也, 細谷友崇, 末光哲也, 瀧田佑馬, 伊藤弘昌, 南出泰亜, 尾辻泰一, 佐藤昭

第67回応用物理学会春季学術講演会, 東京, Mar. 12-15　2020年3月
光吸収層面積縮小によるUTC-PD集積HEMTの光ダブルミキシング効率向上

西村和樹, 大森雄也, 細谷友崇, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一, 佐藤昭

第67回応用物理学会春季学術講演会, 東京, Mar. 12-15　2020年3月
格子ゲート構造プラズモニックTHzディテクタの偏光特性制御のための二次元ナノアンテナ導入

鈴木雅也, 細谷友崇, 末光哲也, 瀧田佑馬, 伊藤弘昌, 南出泰亜, 尾辻泰一, 佐藤昭

信学技報　2018年12月18日
中性粒子ビームエッチングによりGaN 表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2 次元評価

塩島謙次, 末光哲也, 尾崎卓哉, 寒川誠二

第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋, Sep. 18-21, 2018　2018年9月
窒素極性GaN MIS-HEMT における逆バイアスアニールの効果

末光哲也, K. Prasertsuk, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志

第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋, Sep. 18-21, 2018　2018年9月
InP-HEMTによる光－ミリ波帯キャリア周波数下方変換

大森雄也, 細谷友崇, 尾辻泰一, 岩月勝美, 末光哲也, 日隈薫, 市川潤一郎, 坂本高秀, 山本直克, 佐藤昭

信学技報　2017年12月
小型端末用電磁波方式WPTに最適な周波数・最大効率の検討

小池悠介, 楳田洋太郎, 末光哲也

2017年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 東京, SEP 12-15　2017年9月13日
Threshold voltage engineering of recessed MIS-gate N-polar GaN HEMTs

K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡, Sep. 5-8　2017年9月7日
N-polar GaN MIS-HEMTs with flat interface grown by optimized MOVPE

K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

信学技報　2017年5月26日
傾斜型フィールドプレートによるInGaAs系HEMT中の電子速度への影響

細谷友崇, 尾辻泰一, 末光哲也

第64回応用物理学会春季学術講演会, 横浜, Mar 14-17　2017年3月16日
Reduced gate leakage current in N-polar GaN MIS-HEMTs

K. Prasertsuk, A. Miura, S. Tanaka, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

第64回応用物理学会春季学術講演会, 横浜, Mar 14-17　2017年3月15日
AlGaN/GaN HEMTのゲートリセス構造形成における中性粒子ビームエッチング適用効果

渡村遥, 邉見ふゆみ, Thomas, Cedric、Lai, Yi-Chun, 肥後昭男, 寒川誠二, 尾辻泰一, 末光哲也

第64回応用物理学会春季学術講演会, 横浜, Mar 14-17　2017年3月14日
直列アレイ化とレンズ集積による非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタのテラヘルツ波受光効率向上

細谷友崇, 糟谷文月, 谷口弘樹, 渡辺隆之, 末光哲也, 尾辻泰一, 瀧田佑馬, 伊藤弘昌, 南出泰亜, 石橋忠夫, 清水誠, 佐藤昭

信学技報　2016年12月19日
傾斜型フィールドプレートを有するInGaAs HEMTの寄生容量抽出

細谷友崇, 尾辻泰一, 末光哲也

電子情報通信学会ソサイエティ大会、札幌、Sep. 20-23　2016年9月20日
AlGaN/GaN HEMTにおける中性粒子ビームエッチングの素子間リーク電流および素子間耐圧への影響

F. Hemmi, C. Thomas, Y-C. Lai, A. Higo, A. Guo, S. Warnock, J. A. del Alamo, S. Samukawa, T. Otsuji, T. Suemitsu

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月16日
招待講演トランジスタ構造内二次元プラズモンを用いたサブテラヘルツ/テラヘルツデバイス (集積回路)

佐藤昭, 渡辺隆之, 末光哲也, リズィーヴィクトール, 尾辻泰一

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　2016年8月1日
招待講演トランジスタ構造内二次元プラズモンを用いたサブテラヘルツ/テラヘルツデバイス (情報センシング)

佐藤昭, 渡辺隆之, 末光哲也, リズィーヴィクトール, 尾辻泰一

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report　2016年8月
Suppression of isolation leakage current in AlGaN/GaN HEMTs by neutral-beam etching

F. Hemmi, C. Thomas, Y.-C. Lai, A. Higo, A. Guo, S. Warnock, J. A. del Alamo, S. Samukawa, T. Otsuji, T. Suemitsu

第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、Mar. 19-22　2016年3月19日
Arプラズマエッチングを用いた二段階ゲートリセス構造を持つInGaAs系HEMTの試作とその特性

細谷友崇, 尾辻泰一, 末光哲也

第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、Mar. 19-22　2016年3月19日
非対称二重格子ゲート・プラズモニックTHz波検出器のアレイ化と超半球シリコンレンズ集積による受光効率向上

谷口弘樹, 糟谷文月, 渡辺隆之, 末光哲也, 尾辻泰一, 瀧田佑馬, 伊藤弘昌, 南出泰亜, 石橋忠夫, 清水誠, 佐藤昭

第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、Mar. 19-22　2016年3月19日
グラフェンFETにおける真性トランジスタパラメータ抽出用モデルの評価

満塩純希, 玉虫元, 菅原健太, 佐藤昭, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

第63回応用物理学会春季学術講演会予稿集　2016年3月19日
次世代フルコヒーレントアクセスネットワークに向けたグラフェンチャネルFET及びInP系HEMTによるサブテラヘルツ帯光電子融合周波数変換

菅原健太, 玉虫元, ドブロユ, ア, 吉田智洋, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, ビクトール, リ, 岩月勝美, 桑野茂, 可児淳一, 寺田純, 尾辻泰一

信学技報　2016年1月22日
非対称性指数向上とアレイ化による非対称二重格子ゲートHEMTの検出感度向上

糟谷文月, 川﨑鉄哉, 渡辺隆之, Stephane Boubanga Tombet, 末光哲也, 尾辻泰一, 瀧田佑馬, 伊藤弘昌, 南出泰亜, 佐藤昭

2015年電子情報通信学会総合大会予稿集　2015年9月9日
C-10-3 グラフェンFET及びInGaAs-HEMTを用いたミリ波帯光電子ミキサ(C-10.電子デバイス/シリコン材料・デバイス,一般セッション)

菅原健太, 川崎鉄哉, 玉虫元, 末光眞希, 吹留博一, 可児淳一, 寺田純, 桑野茂, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集　2015年8月25日
InGaAs HEMTを用いた60GHz帯リアクティブ負帰還F級電力増幅器の設計

渡邊邦彦, 楳田洋太郎, 吉田智洋, 末光哲也

信学技報　2015年4月16日
SiNゲートスタックによる高キャリア移動度グラフェンチャネルFET

玉虫元, 菅原健太, Mastura Binti Hussin, 末光哲也, 須藤亮太, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、Mar. 11-14　2015年3月14日
InAlN/GaN HEMTs における傾斜型フィールドプレトによるドレイン空乏領域長への影響

安川奈那, 畠山信也, 吉田智洋, 尾辻泰一, 末光哲也

第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、Mar. 11-14　2015年3月13日
グラフェンチャネル FETのサブテラヘルツ帯ミキサ応用

菅原健太, 川﨑鉄哉, Mastura Binti Hussin, 玉虫元, 末光眞希, 吹留博一, 可児淳一, 寺田純, 桑野茂, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一

第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、Mar. 11-14　2015年3月13日
非対称二重格子ゲートHEMTによるテラヘルツ波検出の周波数特性

佐藤昭, S. Boubanga=Tombet, 渡辺隆之, 川﨑鉄哉, 糟谷文月, 末光哲也, D. V. Fateev, V. V. Popov, 南出泰亜, 伊藤弘昌, D. Coquillat, W. Knap, G. Ducournau, Y. M. Meziani, 尾辻泰一

第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、Mar. 11-14　2015年3月12日
界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN HEMT の劣化過程の２次元評価

山本晋吾, 畠山信也, 末光哲也, 塩島謙次

第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、Mar. 11-14　2015年3月12日
SiCN鋳型プロセスを用いた傾斜フィールドプレート構造を持つInGaAs系HEMTの作製とその特性

吉田智洋, 畠山信也, 安川奈那, 尾辻泰一, 末光哲也

第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、Mar. 11-14　2015年3月11日
接触抵抗改善によるグラフェンFETの高性能化

小岩匡, 岡謙吾, 末光哲也, 尾辻泰一, 内野俊

第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、Mar. 11-14　2015年3月11日
非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタを用いたプラズモニックテラヘルツ検出の広帯域特性

佐藤昭, Stephane Boubanga Tombet, 渡辺隆之, 川﨑鉄哉, 末光哲也, Denis V. Fateev, Vyacheslav V. Popov, 南出泰亜, 伊藤弘昌, Dominique Coquillat, Wojciech Knap, Guillaume Ducournau, 尾辻泰一

信学技報　2014年12月22日
InGaAsチャネルHEMT及びグラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング

川崎鉄哉, 吉田智洋, 菅原健太, Dobroiu Adrian, 渡辺隆之, 杉山弘樹, 若生洋由希, 可児淳一, 寺田純, 桑野茂, 吾郷浩樹, 河原憲冶, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一

信学技報　2014年12月22日

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InGaAsチャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)、及びグラフェンチャネルFETを用いて、差周波12.5〜37.5GHzの赤外二光波混合光の照射に対する光起電力スペクトルを観測した。InGaAsチャネルHEMTを用いたフォトミキシングでは、閾値電圧付近で最大の光応答が得られた。グラフェンチャネルFETを用いた場合では、電流遮断周波数2GHzという乏しい高周波特性にも関わらず、フォトミキシング機能を有することが確認できた。
傾斜型フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTのRF特性

畠山信也, 小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 末光哲也

第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, Sep. 16-20　2014年9月19日
F級増幅器におけるInGaAs-HEMTゲート寄生遅延時間の影響

吉田智洋, 小山雅史, 渡邊邦彦, 楳田洋太郎, 尾辻泰一, 末光哲也

第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, Sep. 16-20　2014年9月17日
多層SiCN を用いて作製した傾斜型フィールドプレートによるAlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの抑制

小林健悟, 畠山信也, 吉田智洋, 矢部裕平, Daniel Piedra, Tomás Palacios, 尾辻泰一, 末光哲也

第61回応用物理学会春季学術講演会，青山学院大学，Mar. 17-20　2014年3月19日
InAlN/GaN HEMTsとAlGaN/GaN HEMTsにおける相互コンダクタンスの周波数分散

畠山信也, 小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 末光哲也

第61回応用物理学会春季学術講演会，青山学院大学，Mar. 17-20　2014年3月18日
グラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング

菅原健太, 江藤隆紀, 川崎鉄哉, Mastura Bindi Hussin, 若生洋由希, 末光哲也, 尾辻泰一, 吾郷浩樹, 河原憲治, 深田陽一, 可児淳一, 寺田純, 吉本直人

第61回応用物理学会春季学術講演会，青山学院大学，Mar. 17-20　2014年3月17日
InGaAs系HEMTを用いた60GHz帯F級増幅器の設計

小山雅史, 岸俊樹, 楳田洋太郎, 吉田智洋, 末光哲也

信学技報　2014年3月4日
InGaAs-HEMTにおける寄生遅延時間へのT型ゲート高さの影響

吉田智洋, 小林健悟, 畠山信也, 尾辻泰一, 末光哲也

第61回応用物理学会春季学術講演会，青山学院大学，Mar. 17-20　2014年
非対称二重回折格子状ゲート構造HEMTによる超高感度・周波数選択制テラヘルツ波検出

川崎鉄哉, 畠山信也, 栗田裕記, Ducournau Guillaume, Coquillat Dominique, 小林健悟, 佐藤昭, Meziani Yahya M., Popov Vyacheslav. V., Knap Wojciech, 末光哲也, 尾辻泰一

信学技報　2013年12月16日

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我々は、二次元プラズモン流体非線形性を検出原理とする、独自の非対称二重格子状ゲート構造を有するHEMT(Asymmetric Dual-Grating-Gate High Electron Mobility Transistor(A-DGG HEMT)素子に対して、テラヘルツ(THz)波検出性能評価を行った。本素子構造がもたらす優れた検出感度特性とTHz波-二次元プラズモン間の優れた結合効率により、室温環境下での200GHz、292GHz連続光照射時において20kV/Wを超える世界最高感度を実現した。また、低温環境下においては、運動量緩和時間の増大に起因して発現するプラズモン共鳴型狭帯域検出モードの観測に成功した。このことは、本素子において周波数選択性THz波検出が可能であることを示唆している。
p型GaNショットキー接触における水素プラズマ処理の影響

青木俊周, 吉田智洋, 末光哲也, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次

第74回応用物理学会秋季学術講演会，同志社大， Sep. 17-20　2013年9月20日
InGaAs系HEMTを用いた分布発振器の設計

瀬川智子, 小山雅史, 楳田洋太郎, 吉田智洋, 末光哲也

電子情報通信学会ソサイエティ大会，福岡工大， Sep. 17-20　2013年9月17日
多層SiCN鋳型による50nm級T型ゲートInGaAs HEMTの作製

吉田智洋, 小林健悟, 尾辻泰一, 末光哲也

第60回応用物理学春季学術講演会，神奈川工科大学，Mar. 27-30　2013年3月27日
非対称二重格子状ゲート構造を導入した縦型共振器HEMTからの単色テラヘルツコヒーレント放射

渡辺隆之, 福嶋哲也, 栗田裕記, 佐藤昭, 末光哲也, 尾辻泰一

第60回応用物理学春季学術講演会，神奈川工科大学，Mar. 27-30　2013年3月27日
多層SiCN絶縁膜によるAlGaN/GaN HEMT用傾斜フィールドプレートの形成

小林健悟, 吉田智洋, 畠山信也, 尾辻泰一, 末光哲也

電子情報通信学会総合大会，岐阜大学，Mar. 19-22　2013年3月19日
多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT

吉田智洋, 小林健悟, 尾辻泰一, 末光哲也

信学技報　2013年1月17日
SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT

小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 片山竜二, 松岡隆志, 末光哲也

信学技報　2013年1月17日
グラフェン/SiC/SiバックゲートFET特性とSiC層厚の関係

江藤隆紀, 鷹林将, 三本菅正太, 猪俣州哉, 吹留博一, 末光眞希, 末光哲也, 尾辻泰一

第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学, Sep. 11-14　2012年9月13日
AlGaN/GaN MIS ゲートHEMT 形成におけるH2 アニールの効果

小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 片山竜二, 松岡隆志, 末光哲也

第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学, Sep. 11-14　2012年9月11日
InGaAs系HEMTにおけるT型ゲート形状の静電場解析

吉田智洋, 佐藤昭, 尾辻泰一, 末光哲也

第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学, Sep. 11-14　2012年9月11日
ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET

鷹林将, 楊猛, 小川修一, 林広幸, 栗田裕記, 高桑雄二, 末光哲也, 尾辻泰一

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　2012年7月19日

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ダイヤモンドライクカーボン(DLC)トップゲート絶縁膜を有するグラフェンチャネル電界効果トランジスタ(DLC-GFET)について報告する.DLC薄膜は,著者ら独自の光電子制御プラズマ気相化学成長法(PA-CVD)を用いて,グラフェンチャネル上に「直接」形成した.このプラズマは,サンプルからの放出光電子を利用して極めて低い電力で精密制御されるため,グラフェンへのプラズマダメージは最小限に抑えられる.DLC-GFETは明瞭なアンバイポーラ特性を示しつつ,その電荷中性点(ディラック電圧)はやや正にシフトした.DLC-GFETは,48nmのDLC厚膜および5μmの長ゲート条件下において,n(p)型モードそれぞれ14.6(8.8)mS/mmという比較的高い相互コンダクタンスを示したことから,垂直微細化によって優れた高周波特性の実現が期待される.ディラック電圧の正シフトは,DLC/グラフェン界面における水などの酸素吸着種からの「unintentional」正孔ドーピングによるものであることがわかった.これらの結果を踏まえて,著者らは不純物原子/分子をδ-ドーピングした変調ドープDLC/グラフェン構造を提案する.
ダイヤモンドライクカーボン薄膜をトップゲート絶縁膜としたグラフェンFET

鷹林将, 楊猛, 小川修一, 高桑雄二, 末光眞希, 末光哲也, 尾辻泰一

電子情報通信学会総合大会, 岡山大学, Mar. 20-23　2012年3月23日
SiCNをゲート絶縁膜として用いたAlGaN/GaN HEMT

鹿野優毅, 小林健悟, 吉田智洋, 尾辻泰一, 片山竜二, 松岡隆志, 末光哲也

第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, Mar. 15-18　2012年3月18日
多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極の断面形状制御

吉田智洋, 鹿野優毅, 尾辻泰一, 末光哲也

第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, Mar. 15-18　2012年3月18日
ダイヤモンドライクカーボントップゲート絶縁膜によるグラフェンチャネルFETのチャネルドーピング制御

鷹林将, 楊猛, 小川修一, 高桑雄二, 末光眞希, 末光哲也, 尾辻泰一

第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, Mar. 15-18　2012年3月17日
Graphene field effect transistor using a novel self-aligned technique for high speed applications

G.-H. Park, M.-H. Jung, S. Zen, H. Fukidome, T. Yoshida, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, Mar. 15-18　2012年3月15日
HMDS-SiN鋳型により作製したT型ゲート電極InGaAs HEMTのゲート遅延解析

吉田智洋, 赤川啓介, 尾辻泰一, 末光哲也

第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学, Aug. 30-Sep. 2　2011年8月31日
光電子制御プラズマCVDによるDLC合成

楊猛, 小川修一, 鷹林将, 末光哲也, 尾辻泰一, 高桑雄二

第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学, Aug. 30-Sep. 2　2011年8月31日
Dual-gate 動作によるgraphene channel 変調と超高速デバイスへの応用

鄭明鎬, 全春日, 吹留博一, 末光哲也, 尾辻泰一, 末光眞希

第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学, Aug. 30-Sep. 2　2011年8月31日
InP 系高電子移動度トランジスタによるサブテラヘルツイメージング

渡辺隆之, 赤川啓介, 谷本雄大, W. Knap, D. Coquillat, F. Teppe, 末光哲也, 尾辻泰一

第58回応用物理学関係連合講演会，神奈川工科大学　2011年3月
HMDS-SiN をゲート絶縁膜として用いたグラフェンFET

久保真人, 福嶋哲也, 姜顯澈, 赤川啓介, 吉田智洋, 高橋良太, 半田浩之, 鄭明鎬, 鷹林将, 吹留博一, 末光哲也, 末光眞希, 尾辻泰一

第58回応用物理学関係連合講演会，神奈川工科大学　2011年3月
Si(001)基板上におけるグラフェンFET

久保真人, 半田浩之, 姜顯澈, 福嶋哲也, 高橋良太, 鷹林将, 吹留博一, 末光哲也, 末光眞希, 尾辻泰一

電子情報通信学会総合大会，東京　2011年3月
ダイヤモンドライクカーボンをゲート絶縁膜としたグラフェンFET

鷹林将, 小川修一, 高桑雄二, 姜顯澈, 高橋良太, 吹留博一, 末光眞希, 末光哲也, 尾辻泰一

第58回応用物理学関係連合講演会，神奈川工科大学　2011年3月
HMDS-SiN を鋳型として用いたT 型ゲート電極の形成

赤川啓介, 吉田智洋, 尾辻泰一, 末光哲也

第58回応用物理学関係連合講演会，神奈川工科大学　2011年3月
二次元プラズモンおよびグラフェンによるテラヘルツ波発生招待有り

尾辻泰一, 佐藤昭, 末光哲也, Maxim Ryzhii, Victor Ryzhii

春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集　2011年3月
グラフェン/白金コンタクト界面の化学結合

鷹林将, 高橋良太, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

第71回応用物理学会学術講演会，長崎大学　2010年9月15日
H2アニールによるエピタキシャルグラフェンの電気特性への影響

久保真人, Hyun-Chul Kang, 高橋良太, 半田浩之, 鷹林将, 吹留博一, 末光哲也, 尾辻泰一

第71回応用物理学会学術講演会，長崎大学　2010年9月15日
［招待講演］グラフェンチャネルFET：新たな高速デバイスの可能性招待有り

末光哲也

電子情報通信学会電子デバイス研究会、東京　2010年6月30日
Si基板上グラフェンに形成したオーミック電極のコンタクト抵抗の評価

姜顯澈, 唐澤宏美, 宮本優, 半田浩之, 末光哲也, 末光眞希, 尾辻泰一

第57回応用物理学関係連合講演会，東海大学　2010年3月20日
シリコン基板上におけるトップゲート型エピタキシャルグラフェンFET

久保真人, 姜顯澈, 唐澤宏美, 宮本優, 半田浩之, 吹留博一, 末光哲也, 末光眞希, 尾辻泰一

第57回応用物理学関係連合講演会，東海大学　2010年3月20日
HEMTにおけるゲート電極と寄生遅延要因との関係

赤川啓介, 福田俊介, 末光哲也, 尾辻泰一

第57回応用物理学関係連合講演会，東海大学　2010年3月19日
グラフェンチャネルFET：新たな高速デバイスの可能性（招待講演）招待有り

末光哲也

電子情報通信学会総合大会　2010年3月16日
プラズモン共鳴型エミッタのマルチチップ動作によるテラヘルツ分光測定

渡辺隆之, 小森常義, 末光哲也, 尾辻泰一

信学技報　2009年11月30日
HMDS液体気化導入を用いたプラズマCVD法によるSiN絶縁膜形成

赤川啓介, 福田俊介, 末光哲也, 尾辻泰一

第70回応用物理学会学術講演会，富山大学　2009年9月10日
InGaAsチャネルHEMTにおけるゲート遅延時間解析のモデルの比較

福田俊介, 堀池恒平, 赤川啓介, 末光哲也, 尾辻泰一

第70回応用物理学会学術講演会，富山大学　2009年9月9日
エピタキシャルグラフェン電界効果トランジスタ

姜顯澈, 唐澤宏美, 宮本優, 半田浩之, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

第70回応用物理学会学術講演会，富山大学　2009年9月8日
二次元共鳴プラズモンを利用したテラヘルツ帯光源デバイス

久保真人, 小森常義, 津田祐樹, チェンハイボー, 末光哲也, 尾辻泰一

電子情報通信学会ソサエティ大会予稿集　2009年9月
二次元プラズモン共鳴を利用したテラヘルツ帯光源デバイスと分光測定応用

久保真人, 津田祐樹, 小森常義, ハイボーチェン, 末光哲也, 尾辻泰一

第70回応用物理学会学術講演会，富山大学　2009年9月
二次元プラズモン共鳴型テラヘルツエミッタにおける注入同期発振の検討

渡辺隆之, アブデルエルファティミ, 小森常義, 末光哲也, 尾辻泰一

第70回応用物理学会学術講演会，富山大学　2009年9月
InP系材料を用いた二次元プラズモン共鳴型エミッターによる室温テラヘルツ電磁波放射

小森常義, アミンエル, 渡辺隆之, 堀池恒平, 末光哲也, 尾辻泰一

第70回応用物理学会学術講演会，富山大学　2009年9月
Application of Plasmon-Resonant Microchip Emitters to Broadband Terahertz Spectroscopic Measurement

T. Komori, Y. Tsuda, T. Suemitsu, T. Otsuji

電気関係学会東北支部連合大会　2009年8月
Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとそのトランジスタへの応用

姜顯澈, 唐澤宏美, 宮本優, 半田浩之, 末光哲也, 末光眞希, 尾辻泰一

第56回応用物理学関係連合講演会　2009年3月
［招待講演］Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用招待有り

尾辻泰一, 末光哲也, 姜顯澈, 唐澤宏美, 宮本優, 半田浩之, 末光眞希, 佐野栄一, マキシム, リズィー, ヴィクトール, リズィー

電子情報通信学会電子デバイス研究会、札幌　2009年2月26日
InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響

堀池恒平, 福田俊介, 赤川啓介, 末光哲也, 尾辻泰

信学技報　2009年1月15日
Ｓｉ基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用

尾辻泰一, 末光哲也, 姜顯澈, 唐澤宏美, 宮本優, 半田浩之, 末光眞希, 佐野栄一, リズィーマキシム, リズィーヴィクトール

電子情報通信学会信学技報　2009年1月
ナノメートルサイズトランジスタにおける2次元プラズマ発振を利用した放射・検出とそれらのテラヘルツイメージングへの応用

アブデルアハドエルファティミ, 末光哲也, 尾辻泰一, ジェイモネアピー・デラネ, ウォイチェック, クナップ, ニーナ, ディアコノワ

信学技報　2008年12月20日
HEMTのテラヘルツ帯プラズマ共鳴に与える寄生ゲートフリンジ容量の影響

馬籠伸紘, 西村拓也, I. Khmyrova, 末光哲也, W. Knap, 尾辻泰一

信学技報　2008年12月20日
短ゲートInGaAsチャネルHEMTの寄生遅延におけるT型ゲートの影響

堀池恒平, 福田俊介, 末光哲也, 尾辻泰一

第69回応用物理学会学術講演会，中部大学　2008年9月4日
サブ100nm In_0.7Ga_0.3As HEMTにおけるゲート真性遅延時間解析

福田俊介, 末光哲也, 尾辻泰一, Dae-Hyun. Kim, Jesus. A. del Alamo

第69回応用物理学会学術講演会，中部大学　2008年9月4日
Impact of parasitic delay in sub-100-nm-gate InGaAs HEMTs

S. Fukuda, T. Suemitsu, T. Otsuji, D.-H. Kim, J. A. del Alamo

電気関係学会東北支部連合大会　2008年8月
HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ電磁波放射

半田大幸, 細野洋平, 津田祐樹, Yahya. M. Meziani, 末光哲也, 尾辻泰一

信学技報, Vol. 107, No. 355, ED2007-195, pp. 45-50, 仙台　2007年11月
Novel plasmon-resonant terahertz-wave emitter using double-decked HEMT structure

Yahya M. Meziani, Tetsuya Suemitsu, Yohei Hosono, Mitsuhiro Hanabe, Taiichi Otsuji, Eiichi Sano

第1回JSAP-THz研・IEICE-THz研合同研究会, Jul. 5-7, 2007, 沖縄　2007年7月
Terahertz-wave emission stimulated by photo-induced plasmon insta¬bility in double-decked InGaP/InGaAs/GaAs HEMT structures

Yohei Hosono, Yahya M. Meziani, Mitsuhiro Hanabe, Tetsuya Sue¬mitsu, Taiichi Otsuji, Eiichi Sano

第26回電子材料シンポジウム，pp. 303-304, Jul. 4-6, 2007，滋賀　2007年7月
Rump session: Materials selection from the viewpoint of electronic-device applications

第26回電子材料シンポジウム　2007年7月4日
高速光クロックトランジスタアレイとその非同期光パケット処理への応用

浦田涼平, 高橋亮, 中原達志, 末光哲也, 鈴木博之

第54回応用物理学関係連合講演会，東京　2007年3月
非同期任意長光パケットに対するエラーフリーラベル交換動作

浦田涼平, 高橋亮, 中原達志, 末光哲也, 鈴木博之

電子情報通信学会ソサイエティ大会（2006/09），金沢　2006年9月
光クロックトランジスタアレイを用いた40-Gb/s光シリアル-電気パラレル双方向変換器

浦田涼平, 高橋亮, 末光哲也, 中原達志, 高畑清人, 鈴木博之

第53回応用物理学関係連合講演会 (2006/03)，東京，24a-Y-1　2006年3月
ナイトライド系表面弾性波デバイスにおける特性変調

重川直輝, 西村一巳, 横山春喜, 末光哲也, 宝川幸司

第53回応用物理学関係連合講演会 (2006/03)，東京，24a-ZE-23　2006年3月
0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー

塩島謙次, 牧村隆司, 小杉敏彦, 末光哲也, 重川直輝, 廣木正伸, 横山春喜

信学技報　2006年1月19日
短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関

塩島謙次, 牧村隆司, 末光哲也, 重川直輝, 廣木正伸, 横山春喜

信学技報　2005年10月13日
InAlAsSb/InGaAs HEMTの特性評価

末光哲也, 横山春喜, 杉山弘樹

第66回応用物理学関係連合講演会 (2005/09), 徳島 7a-W-7　2005年9月
0.15µmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー

塩島謙次, 牧村隆司, 末光哲也, 重川直輝, 廣木正伸, 横山春喜

第66回応用物理学会学術講演会 (2005/09)，徳島，8p-W-15　2005年9月
短ゲートAlGaN/GaN HEMTのRF特性におけるT字ゲート構造の影響

塩島謙次, 牧村隆司, 小杉敏彦, 末光哲也, 重川直輝, 廣木正伸, 横山春喜

第66回応用物理学会学術講演会 (2005/09)，徳島，8p-W-14　2005年9月
AlGaN/GaN HEMT基板の比較とDC,RF特性への影響(2)

塩島謙次, 牧村隆司, 末光哲也, 重川直輝, 横山春喜, 廣木正伸

第52回応用物理学関係連合講演会 (2005/03)，東京　2005年3月
FETの真性遅延時間の抽出(2): GaN HEMT遅延時間の解析

末光哲也, 塩島謙次, 牧村隆司, 重川直輝

第65回応用物理学関係連合講演会 (2004/09), 仙台 2a-ZS-2　2004年9月
FETの真性遅延時間の抽出(1): InP HEMT遅延時間の解析

末光哲也

第65回応用物理学関係連合講演会 (2004/09), 仙台 3a-ZS-3　2004年9月
微細HEMTにおける特性ばらつきと短チャネル効果の関係

末光哲也

第64回応用物理学関係連合講演会 (2003/09), 福岡 1a-P7-3　2003年9月
微小ショットキー電極を用いたGaN結晶の評価 --低キャリアn-GaNの結晶欠陥とI-V特性との相関--

塩島謙次, 末光哲也

電子情報通信学会電子デバイス研究会(2002/08)　2002年8月
AlGaN/GaN構造における熱処理によるシート抵抗の変化

塩島謙次, 重川直輝, 末光哲也

第49回応用物理学関係連合講演会 (2002/03)　2002年3月
高バイアスAlGaN/GaN HEMTの光学的評価

重川直輝, 塩島謙次, 末光哲也

第49回応用物理学関係連合講演会 (2002/03)　2002年3月
短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価

塩島謙次, 重川直輝, 末光哲也

電子情報通信学会電子デバイス研究会(2001/10), ED2001-136, pp. 61-66　2001年10月
0.1µｍクラスAlGaN/GaN HEMTの作製と評価

塩島謙次, 末光哲也, 重川直輝

電気学会電子・情報・システム部門大会 (2001/09), TC10-6, pp. I-83-84　2001年9月
0.1µｍ級ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製

塩島謙次, 末光哲也, 重川直輝

第62回応用物理学会学術講演会 (2001/09) 13a-ZF-6　2001年9月
AlGaN/GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス

重川直輝, 塩島謙次, 末光哲也

第62回応用物理学会学術講演会 (2001/09) 13a-ZF-11　2001年9月
InP系HEMTにおけるドレイン抵抗の通電劣化 (2)

末光哲也, 深井佳乃, 横山春喜

第48回応用物理学関係連合講演会 (2001/03) 28p-YC-4　2001年3月
微小GaNショットキー接触のI-V特性(2) - 低キャリア濃度基板を用いた実験

塩島謙次, 末光哲也, 小椋充将

第48回応用物理学関係連合講演会 (2001/03) 28a-ZA-10　2001年3月
InP系HEMTの信頼性評価: ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動

末光哲也, 深井佳乃, 杉山弘樹, 渡辺和夫, 横山春喜

電子情報通信学会電子デバイス研究会 (2001/01) ED2000-222, p. 21-25　2001年1月
InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析

小杉敏彦, 末光哲也, 榎木孝知

電子情報通信学会電子デバイス研究会(2001/01), ED2000-221, pp. 15-19　2001年1月
HEMTにおける光応答特性

綱島聡, 木村俊二, 楢原浩一, 末光哲也, 佐野栄一

電子情報通信学会電子デバイス研究会(2000/11), ED2000-179, pp. 7-12　2000年11月
埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC，及びRF特性

塩島謙次, 末光哲也, 重川直輝

電子情報通信学会秋季大会(2000/10)　2000年10月
微小GaNショットキー接触によるGaN結晶の評価 - 転位とI-V特性との相関 -

塩島謙次, 末光哲也, 小椋充将

電子情報通信学会電子デバイス研究会(2000/10), ED2000-165, pp. 19-24　2000年10月
チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC，及びRF特性

塩島謙次, 末光哲也, 重川直輝

電子情報通信学会電子デバイス研究会(2000/10), ED2000-167, pp. 31-36　2000年10月
InP系HEMTにおけるドレイン抵抗の通電劣化

末光哲也, 深井佳乃, 横山春喜

第61回応用物理学会学術講演会 (2000/09) 3a-ZQ-8　2000年9月
InAlP電子供給層挿入によるInP-HEMTの信頼性向上

深井佳乃, 末光哲也, 牧村隆, 横山春喜

第61回応用物理学会学術講演会 (2000/09) 3a-ZQ-9　2000年9月
InP-HEMT構造へのフッ素混入

杉山弘樹, 末光哲也, 渡辺和夫, 深井佳乃, 小林隆

第61回応用物理学会学術講演会 (2000/09) 3a-ZQ-7　2000年9月
微小GaNショットキー接触のI-V特性 - 転位が与える影響 -

塩島謙次, 末光哲也, 小椋充将

第61回応用物理学会学術講演会 (2000/09) 3p-ZQ-4　2000年9月
InGaAsチャネルHEMTにおけるホール蓄積の影響：光照射検討

末光哲也, 児玉聡, 綱島聡, 木村俊二

第47回応用物理学関係連合講演会 (2000/03) 28a-ZA-9　2000年3月
InGaAs系HEMTのドレイン電流ノイズから求めた高電界領域広がり

重川直輝, 末光哲也, 楳田洋太郎

第47回応用物理学関係連合講演会 (2000/03) 28a-ZA-10　2000年3月
InPリセス停止層付きHEMTにおけるゲートリセスの最適化

末光哲也, 許東, 石井哲好, 横山春喜, 楳田洋太郎, 石井康信

第60回応用物理学会学術講演会 (1999/10) 1p-ZF-3　1999年10月
フラーレン複合化ナノコンポジットレジストのウェットエッチング耐性

石井哲好, 玉村敏昭, 末光哲也

第60回応用物理学会学術講演会 (1999/10) 3a-E-6　1999年10月
フラーレン・ナノコンポジットEBレジストを用いた30nmゲートHEMTの作製

末光哲也, 石井哲好, 横山春喜, 石井康信, 玉村敏昭

第46回応用物理学関係連合講演会 (1999/03) 31a-P11-29　1999年3月
InGaAs系HEMTのドレイン電流ノイズに対する衝突イオン化の寄与

重川直輝, 末光哲也, 楳田洋太郎

第46回応用物理学関係連合講演会 (1999/03) 31a-P11-28　1999年3月
30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性

末光哲也, 石井哲好, 横山春喜, 楳田洋太郎, 榎木孝知, 石井康信, 玉村敏昭

電子情報通信学会電子デバイス研究会 (1999/01) ED98-185, p. 15-20　1999年1月
２ステップリセスゲートInAlAs/InGaAs HEMTの劣化特性

末光哲也, 横山春喜, 石井康信

第59回応用物理学会学術講演会 (1998/09) 16p-ZK-13　1998年9月
Designing subchannel for the enhancement of 2DEG confinement in InAs-inserted channel for InP-based HFETs

D. Xu, J. Osaka, T. Suemitsu, Y. Umeda, Y. Yamane, Y. Ishii

第59回応用物理学会学術講演会 (1998/09) 16p-ZK-14　1998年9月
フリップチップボンディングされたInGaAs系HEMTのエレクトロルミネッセンス

重川直輝, 古田知史, 児玉聡, 末光哲也, 楳田洋太郎

第59回応用物理学会学術講演会 (1998/09) 16p-ZK-15　1998年9月
２ステップリセスエッチングを用いた0.1mゲート・エンハンスメント型InAlAs/InGaAs HEMT

末光哲也, 榎木孝知, 富沢雅彰, 石井康信

第45回応用物理学関係連合講演会 (1998/03) 29p-T-2　1998年3月
Fabricating asymmetrically-recessed InAlAs/InGaAs HFETs via electrochemical effects

D. Xu, T. Enoki, T. Suemitsu, Y. Umeda, H. Yokoyama, Y. Ishii

第45回応用物理学関係連合講演会 (1998/03) 30p-Q-7　1998年3月
InPリセスストッパ付きInAlAs/InGaAs HEMTにおけるArプラズマを用いた２ステップリセスエッチング

末光哲也, 榎木孝知, 横山春喜, 石井康信

第58回応用物理学会学術講演会 (1997/09) 3p-ZG-17　1997年9月
InAlAs/InGaAs HEMTにおけるキンク発現機構

末光哲也, 榎木孝知, 富沢雅彰, 石井康信

第44回応用物理学関係連合講演会 (1997/03) 30a-ZC-2　1997年3月
InAlAs/InGaAs HEMTにおけるボディコンタクト電流の評価

末光哲也, 榎木孝知, 石井康信

第57回応用物理学会学術講演会 (1996/09) 7a-SZB-9　1996年9月
InAlAs/InGaAs HEMTにおけるチャネル内ホールとキンク現象の関係

末光哲也, 榎木孝知, 石井康信

第43回応用物理学関係連合講演会 (1996/03) 28a-M-4　1996年3月
InAlAs/InGaAs HEMTにおけるボディコンタクトのホール引抜き効果

末光哲也, 榎木孝知, 佐野伸行, 富沢雅彰, 石井康信

第56回応用物理学会学術講演会 (1995/09) 28a-ZQ-3　1995年9月
p型ボディコンタクトを持つInAlAs/InGaAs HEMT

末光哲也, 榎木孝知, 石井康信

第42回応用物理学関係連合講演会 (1995/03) 29a-ZL-4　1995年3月
自己クロック型シリアル－パラレル双方向変換器

浦田涼平, 高橋亮, 末光哲也, 鈴木博之

第67回応用物理学会学術講演会 (2006/08)，草津　2006年8月
0.15µmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(2) - 24GHzパルス変調動作 -

塩島謙次, 牧村隆司, 小杉敏彦, 末光哲也, 重川直輝, 廣木正伸, 横山春喜

第53回応用物理学関係連合講演会 (2006/03)，東京，24a-ZE-22　2006年3月

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産業財産権 9

電界効果トランジスタ

末光哲也, 横山春喜

4799966

産業財産権の種類: 特許権
電界効果トランジスタの製造方法

3715557

産業財産権の種類: 特許権
ヘテロ接合型電界効果トランジスタ

3481554

産業財産権の種類: 特許権
光電気変換素子

3692466

産業財産権の種類: 特許権
ヘテロ接合型電界効果トランジスタ

3411511

産業財産権の種類: 特許権
ヘテロ接合型電界効果トランジスタの製造方法

3377022

産業財産権の種類: 特許権
電界効果トランジスタの製造方法

3316537

産業財産権の種類: 特許権
Heterojunction field effect transistor and method of fabricating the same

6090649

産業財産権の種類: 特許権
Heterojunction field effect transistor and method of fabricating the same

6144048

産業財産権の種類: 特許権

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共同研究・競争的資金等の研究課題 10

窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究

末光哲也, 重川直輝, 大野裕, 高橋琢二

2024年4月～ 2027年3月
半導体中における進行波増幅の可能性の検証に関する研究

末光哲也

2023年4月～ 2026年3月
窒素極性GaN系MIS-HEMTのパワーデバイス応用に向けた研究

末光哲也, 橋詰保

2019年4月1日～ 2022年3月31日

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窒素極性GaN結晶を用いた高電子移動度トランジスタ（HEMT）に注目し、次世代パワーデバイスへの応用に視点を向け、窒素極性の分極を生かしたノーマリーオフ型動作の実現や、低オン抵抗のショットキーダイオードの実現を通して、既存のGa極性HEMTに対する優位性を明らかにすることを目指している。新型コロナ蔓延による緊急事態宣言発令とその後の出勤者数制限により、結晶成長装置の立ち上げ作業が出来ない期間が長期に及んだ。このため研究計画を変更して、新たな結晶成長を伴う研究項目は次年度に延期し、今年度は分極電荷モデル解析とシミュレーション、および、既存結晶を用いたショットキー電極やMIS構造の形成と評価に絞って研究を実施した。分極電荷モデルの評価では、残留不純物密度が異なる窒素極性GaN結晶でショットキー電極を形成して障壁高さを評価した。その結果では、障壁高さは残留不純物密度に影響されるものの、Ga極性GaNとの障壁高さの差と比較するとその変動範囲は小さく、昨年度提唱した分極電荷モデルで説明可能な範囲であった。一方で、窒素極性とGa極性の障壁高さの違いを正しく評価するためには、残留キャリア密度が等しい結晶を用意する必要があることを改めて認識した。このため、結晶成長以外の方法、例えばGa極性GaN結晶の転写等で窒素極性GaN結晶を得る方法を調査・検討した。 MIS構造の評価では、既存の窒素極性GaN結晶に原子層堆積法（ALD）によってAl2O3薄膜を形成したMIS電極を作製し、容量特性の評価を行った。その結果、順方向電圧ではAl2O3単独での容量に一致し、逆方向電圧ではAl2O3とGaNの合成容量に一致する、合理的なMIS電極特性を確認した。
窒素極性InGaNチャネルヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタの研究

末光哲也, 松岡隆志

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2016年4月1日～ 2019年3月31日

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窒素極性窒化物半導体を用いた(In)GaN/AlGaN逆HEMT（高電子移動度トランジスタ）の作製・評価を行った。これまでに報告のない、オフ角が僅か0.8度の基板で平坦な結晶表面を実現でき、2次元電子ガスの形成を実現した。オフ角を既報告例の半分以下に抑えたことにより、素子特性の面内異方性が低減できたことをHEMT試作によって確認した。また、ゲート絶縁膜界面の深い準位の密度を低減するため、逆バイアスアニール実験を行い、窒素極性逆HEMTでもガリウム極性の場合と同様に界面準位は低減できるが、バイアス条件によってはアクセス抵抗の増加が発生することを確認した。
半導体二次元プラズモニックブームの発生とそのテラヘルツ応用

尾辻泰一, トンベットステファン, 渡辺隆之, 佐藤昭, 楢原浩一, リズイーヴィクトール, 末光哲也, シュールミハエル, アイジングレゴリ, ポポフヴィチャスラブ

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

研究機関：Tohoku University

2016年4月1日～ 2018年3月31日

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単層グラフェン内二次元電子電荷の集団密度振動波（プラズマ波）に対する電子ドリフト流の超速度現象を利用したプラズモン不安定性の一種であるプラズモニックブームの発現とそのテラヘルツ電磁波発生・増幅への応用に挑戦した。グラフェンチャネル電界効果トランジスタに非対称二重回折格子ゲートを導入し、電子ドリフト速度がプラズマ波速度を交差して空間的に繰り返し変調される系を構成した。理論的には、ドリフト速度がプラズマ波速度を超越した瞬間に超音速のごとき衝撃波（プラズモニックブーム）の発生が期待される。素子試作評価の結果、室温下でプラズモン不安定性に起因するテラヘルツ波の巨大誘導増幅放出の実証に初めて成功した。
ScAlMgO4基板を用いた窒化物半導体縦型トランジスタ作製プロセスの研究

末光哲也, 松岡隆志

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

研究機関：Tohoku University

2015年4月1日～ 2018年3月31日

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劈開にて形成した新鮮なScAlMgO4（以下SCAM）基板c面にGaN HEMT構造を有機金属気相成長法によって成長した。c軸に対してオフ角を付けて研磨したSCAM基板を用いて、サファイア基板に成長したものと同等の平坦性を有するHEMT層を得た。GaN HEMT作製プロセスでは、中性粒子ビームエッチングをGaN系半導体に初めて適用し、プラズマ損傷に起因する電流コラプスの低減への効果を確認した。縦型トランジスタ形成の要素技術の一つとして、SCAM基板の劈開によるGaN層の剥離技術を検討し、厚膜GaNが結晶成長後の冷却過程に基板から自然剥離する現象を確認した。
Graphene terahertz detectors based on plasmons and resonant tunneling

TOMBET STEPHANE, 尾辻泰一, 末光哲也, 佐藤昭, リズイーヴィクトール, 渡辺隆之, ヤダフディーピカ, 栗田裕紀, ポポフヴィチェスラブ

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

研究機関：Tohoku University

2014年4月1日～ 2016年3月31日

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本研究は、グラフェンを基本要素とし、プラズモンと量子力学的共鳴トンネリングを動作原理として導入した新規なテラヘルツ検出器の開発を目的として遂行した。トンネルバリア絶縁層を単層グラフェンでサンドウィッチしたグラフェン二重層と外部ゲート制御機構を基本素子構造とし、フォトンアシスト共鳴トンネリングとグラフェンプラズモンを検出感度向上を図る新たな動作原理として導入することを試みた。素子の試作評価を通して、提案する素子構造ならびに動作原理の有効性を検証し、素子実現の見通しを得た。
ＧａＮ系ＨＥＭＴにおける電子速度の詳細評価の研究

末光哲也

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

研究機関：Tohoku University

2012年4月1日～ 2015年3月31日

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窒化ガリウム（GaN）系高電子移動度トランジスタ（HEMT）において、そのミリ波・サブミリ波素子としてのポテンシャルを予測する上で貴重な情報である、ドレイン端における電子速度を評価した。異なる形状のゲート・フィールドプレート電極を持つゲート長180nmのHEMTについてゲート電極直下の電子走行時間を求め、ドレイン側への空乏領域の広がり分の補正を確認すると共に、電子速度を 1.21～1.27×10^7 cm/s と評価した。
グラフェンテラヘルツレーザーの創出

尾辻泰一, ヴィクトールリズィー, 末光眞希, 末光哲也, 佐藤昭, 佐野栄一, マキシムリズィー, 吹留博一, 渡辺隆之, ボーバンガ-トンベットステファン, 鷹林将, 高桑雄二, 吾郷浩樹, 河原憲治, ドゥビノフアレクサンダー, ポポフヴィチェスラブ, スヴィンツォフディミトリ, ミティンウラジミール, シュールマイケル

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

研究機関：Tohoku University

2011年～ 2015年

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本研究は、グラフェンを利得媒質とする新規なテラヘルツ(THz)レーザーの創出に挑んだものである。第一に、光学励起したグラフェンの過渡応答におけるTHz帯誘導放出の室温観測に成功し、自ら発見したレーザー理論を実証した。第二に、グラフェン表面プラズモンポラリトンの巨大利得増強作用を理論発見し、独自の光ポンプ・近接場THzプローブ分光法により初めて実証に成功した。第三に、独自開発した高品質エピタキシャルグラフェン製膜技術とレーザー素子加工技術を用いて電流注入型グラフェンレーザー素子を試作評価し、100Kの低温下ながら、5.2THzの単一モード発振に初めて成功した。第四に、グラフェンTHzレーザー設計論を構築するとともに、より高利得化が可能な独自構造を理論実験両面から明らかにし、室温THzレーザー発振実現の見通しを得た。
低次元プラズモンの分散特性を利用した電磁波伝搬モード型回路の研究

尾辻泰一, RYZHII VICTOR, 佐野栄一, 楢原浩一, MEZIANI YAHYA, 末光哲也

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

研究機関：Tohoku University

2006年～ 2010年

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本研究は、ミリ波からテラヘルツ波領域において超ブロードバンドな信号処理機能を可能とする集積型のデバイス・回路・システムの実現を目的として、低次元プラズモンの分散制御を利用したテラヘルツ領域で常温動作が可能な新規な電磁波伝搬モード型回路を創出した。具体的には、回路機能として本質的に重要な、「特異伝送」、「増幅」、「周波数変換」、「時間論理」の要素機能をグラフェンを含む半導体ヘテロ接合材料システムとナノ加工メタマテリアルプロセス技術によって創出した。

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社会貢献活動 1

金沢工業大学大学院高信頼ものづくり専攻公開技術講座

2009年11月12日～ 2009年11月13日

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公開技術講座「化合物半導体電子デバイス開発者のための基礎教養講座」において，「InP HEMT：物性，動作原理，デバイス構造，高速化，高信頼化の実例」を講演

メディア報道 1

シリコン基板上に「グラフェン」薄膜

河北新報

2008年7月24日

メディア報道種別: 新聞・雑誌

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東北大学電気通信研究所の末光眞希教授（半導体薄膜工学）と末光哲也准教授（半導体電子デバイス）らの研究グループは，新しい半導体材料として注目される「グラフェン」の薄膜をシリコン基板上に作ることに世界で初めて成功した。高速トランジスタを実現する次世代半導体の実用化に道を開いた。