東北大学研究者紹介

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フカミ　シユンスケ

深見　俊輔

Shunsuke Fukami

所属

電気通信研究所　計算システム基盤研究部門　スピントロニクス研究室

職名

教授

学位

博士（工学）（名古屋大学）
修士（工学）（名古屋大学）

researchmap

https://researchmap.jp/7000006893

J-GLOBAL ID

201401054922962988

経歴 9

2023年4月～継続中

東北大学　先端スピントロニクス研究開発センター　センター長
2020年1月～継続中

東北大学　国際集積エレクトロニクス研究開発センター　教授
2020年1月～継続中

東北大学　電気通信研究所　教授
2019年4月～継続中

東北大学　材料科学高等研究所　主任研究者
2016年2月～ 2019年12月

東北大学　電気通信研究所　准教授
2015年4月～ 2016年1月

東北大学　省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター　准教授
2005年4月～ 2016年1月

日本電気株式会社
2014年4月～ 2015年3月

東北大学　国際集積エレクトロニクス研究開発センター　助教
2011年2月～ 2014年3月

東北大学　省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター　助教

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学歴 2

名古屋大学　大学院工学研究科　結晶材料工学専攻

2003年4月～ 2005年3月
名古屋大学　工学部　物理工学科

1999年4月～ 2003年3月

所属学協会 3

IEEE Magnetics Society
日本磁気学会
応用物理学会

研究キーワード 3

半導体集積回路
磁性材料
スピントロニクス

研究分野 1

ナノテク・材料 / 応用物性 /

受賞 17

半導体・オブ・ザ・イヤー2024 半導体デバイス部門優秀賞

2024年6月　産業タイムズ社　STT-MRAM素子の極限微細化技術
日本学術振興会賞

2023年2月　日本学術振興会　新機能スピントロニクス素子の研究開発と新概念コンピューティングへの展開
日本磁気学会令和4年度業績賞

2022年9月　公益社団法人日本磁気学会　新機能スピントロニクス素子の開発と革新的情報処理への展開
丸文研究奨励賞

2021年3月　一般財団法人丸文財団　トンネル磁気抵抗素子を用いた確率論的コンピューターの原理実証
優秀論文賞

2019年9月　応用物理学会　Analogue spin–orbit torque device for artificial-neural-network-based associative memory operation
「貴金属に関わる研究助成金」ゴールド賞

2019年3月　田中貴金属記念財団　CoPt系ナノコンポジット材料を用いたアナログナノスピンメモリ素子の創製と脳型情報処理応用
優秀研究賞

2018年9月　日本磁気学会　高速メモリ・人工神経回路網応用に向けた不揮発性スピントロニクス素子技術に関する研究
Young Researchers Award

2018年6月　Asian Union of Magnetics Societies　Spin-orbit torque switching and its applications – from high-speed memory to artificial neural network –
青葉工学振興会賞

2017年12月　一般財団法人青葉工学振興会　新規スピントロニクス素子の開拓と集積回路・脳型情報処理応用
2nd ImPACT International Symposium on Spintronic Memory, Circuit and Storage, Best Poster Award

2017年9月　Spin-orbit torque induced magnetization switching in nano-scale Ta/CoFeB/MgO dots
DPS Paper Award

2016年11月　38th International Symposium on Dry Process(DPS2016) Organizing Committee　Plasma process induced physical damages on multilayered magnetic films for magnetic domain wall motion
原田研究奨励賞

2015年7月　本多記念会　高性能３端子スピントロニクス素子の研究開発
文部科学大臣表彰若手科学者賞

2015年4月　文部科学省　電流誘起磁壁移動とその集積回路応用に関する研究
応用物理学会講演奨励賞

2014年9月　応用物理学会　ナノ細線中の磁壁の熱安定性としきい電流
船井研究奨励賞

2014年4月　船井情報科学振興財団　高性能低消費電力論理集積回路の実現に向けた電流誘起磁壁移動デバイスの研究開発
RIEC Award東北大学研究者賞

2013年11月21日　電気通信工学振興会
応用物理学会論文賞

2012年9月11日　応用物理学会　Control of Multiple Magnetic Domain Walls by Current in a Co/Ni Nano-Wire

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論文 263

Unraveling effects of competing interactions and frustration in vdW ferromagnetic Fe3GeTe2 nanoflake devices

Rajeswari Roy Chowdhury, Daichi Kurebayashi, Jana Lustikova, Oleg A. Tretiakov, Shunsuke Fukami, Ravi Prakash Singh, Samik DuttaGupta

Applied Physics Letters　2025年7月7日

DOI： 10.1063/5.0262983 　
Electrically Controlled Nonlinear Magnon-Magnon Coupling in a Synthetic Antiferromagnet

A. Sud, K. Yamamoto, S. Iihama, K. Ishibashi, S. Fukami, H. Kurebayashi, S. Mizukami

Physical Review Letters　2025年6月20日

DOI： 10.1103/sc6y-rxbg 　
Interfacial Dzyaloshinskii-Moriya interaction in nonmagnetic/noncollinear-antiferromagnetic bilayers

Yuta Yamane, Yasufumi Araki, Shunsuke Fukami

Physical Review B　2025年4月11日

DOI： 10.1103/PhysRevB.111.144412 　
Unconventional Spin Hall Magnetoresistance in Noncollinear Antiferromagnet/Heavy-Metal Stacks

Tomohiro Uchimura, Jiahao Han, Ping Tang, Ju-Young Yoon, Yutaro Takeuchi, Yuta Yamane, Shun Kanai, Gerrit E. W. Bauer, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Physical Review Letters　2025年3月3日

DOI： 10.1103/PhysRevLett.134.096701 　
Unconventional responses in non-collinear antiferromagnets

Jiahao Han, Ju-Young Yoon, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Newton　2025年3月

DOI： 10.1016/j.newton.2025.100012 　
Electrical mutual switching in a noncollinear-antiferromagnetic–ferromagnetic heterostructure

Ju-Young Yoon, Yutaro Takeuchi, Ryota Takechi, Jiahao Han, Tomohiro Uchimura, Yuta Yamane, Shun Kanai, Jun’ichi Ieda, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Nature Communications　2025年2月5日

DOI： 10.1038/s41467-025-56157-6 　
Comparative Study of Current-Induced Torque in Cr/CoFeB/MgO and W/CoFeB/MgO

Shunya Chiba, Yukihiro Marui, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Nano Letters　2024年11月6日

DOI： 10.1021/acs.nanolett.4c03809 　
Block Copolymer-Directed Single-Diamond Hybrid Structures Derived from X-ray Nanotomography

Kenza Djeghdi, Dmitry Karpov, S. Narjes Abdollahi, Karolina Godlewska, René Iseli, Mirko Holler, Claire Donnelly, Takeshi Yuasa, Hiroaki Sai, Ulrich B. Wiesner, Ullrich Steiner, Bodo D. Wilts, Michimasa Musya, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Ana Diaz, Justin Llandro, Ilja Gunkel

ACS Nano　18　(39)　26503-26513　2024年10月1日

DOI： 10.1021/acsnano.3c10669 　

ISSN：1936-0851

eISSN：1936-086X
Impact of External Magnetic Fields on STT-MRAM: An Application Note

Bernard Dieny, Sanjeev Aggarwal, Vinayak Bharat Naik, Sebastien Couet, Thomas Coughlin, Shunsuke Fukami, Kevin Garello, Jack Guedj, Jean Anne C. Incorvia, Laurent Lebrun, Kyung-Jin Lee, Daniele Leonelli, Yonghwan Noh, Siamak Salimy, Steven Soss, Luc Thomas, Weigang Wang, Daniel C. Worledge

IEEE Electron Devices Magazine　2024年9月

DOI： 10.1109/MED.2024.3442086 　
Effect of nonlinear magnon interactions on stochastic magnetization switching

Mehrdad Elyasi, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Gerrit E.W. Bauer

Physical Review B　110　(9)　2024年9月1日

DOI： 10.1103/PhysRevB.110.094433 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Nanoscale spin rectifiers for harvesting ambient radiofrequency energy

Raghav Sharma, Tung Ngo, Eleonora Raimondo, Anna Giordano, Junta Igarashi, Butsurin Jinnai, Shishun Zhao, Jiayu Lei, Yong Xin Guo, Giovanni Finocchio, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Hyunsoo Yang

Nature Electronics　7　(8)　653-661　2024年8月

DOI： 10.1038/s41928-024-01212-1 　

eISSN：2520-1131
Voltage-insensitive stochastic magnetic tunnel junctions with double free layers

Rikuto Ota, Keito Kobayashi, Keisuke Hayakawa, Shun Kanai, Kerem Y. Çamsarı, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Applied Physics Letters　125　(2)　2024年7月8日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0219606 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Polarization-dependent photoluminescence of Ce-implanted MgO and MgAl<inf>2</inf>O<inf>4</inf>

Manato Kawahara, Yuichiro Abe, Koki Takano, F. Joseph Heremans, Jun Ishihara, Sean E. Sullivan, Christian Vorwerk, Vrindaa Somjit, Christopher P. Anderson, Gary Wolfowicz, Makoto Kohda, Shunsuke Fukami, Giulia Galli, David D. Awschalom, Hideo Ohno, Shun Kanai

Applied Physics Express　17　(7)　2024年7月1日

DOI： 10.35848/1882-0786/ad59f4 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Collective Spin-Wave Dynamics in Gyroid Ferromagnetic Nanostructures

Mateusz Gołębiewski, Riccardo Hertel, Massimiliano d’Aquino, Vitaliy Vasyuchka, Mathias Weiler, Philipp Pirro, Maciej Krawczyk, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Justin Llandro

ACS Applied Materials and Interfaces　16　(17)　22177-22188　2024年5月1日

DOI： 10.1021/acsami.4c02366 　

ISSN：1944-8244

eISSN：1944-8252
Temperature dependence of the properties of stochastic magnetic tunnel junction with perpendicular magnetization

Haruna Kaneko, Rikuto Ota, Keito Kobayashi, Shun Kanai, Mehrdad Elyasi, Gerrit E. W. Bauer, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Applied Physics Express　17　(5)　2024年5月1日

DOI： 10.35848/1882-0786/ad43b0 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Double-Free-Layer Stochastic Magnetic Tunnel Junctions with Synthetic Antiferromagnets

Kemal Selcuk, Shun Kanai, Rikuto Ota, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Camsari

Physical Review Applied　21　(5)　054002　2024年5月1日
出版者・発行元：
DOI： 10.1103/physrevapplied.21.054002 　

eISSN：2331-7019
Room-temperature flexible manipulation of the quantum-metric structure in a topological chiral antiferromagnet

Jiahao Han, Tomohiro Uchimura, Yasufumi Araki, Ju-Young Yoon, Yutaro Takeuchi, Yuta Yamane, Shun Kanai, Jun’ichi Ieda, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Nature Physics　20　(7)　1110-1117　2024年4月22日

DOI： 10.1038/s41567-024-02476-2 　

ISSN：1745-2473

eISSN：1745-2481
CMOS plus stochastic nanomagnets enabling heterogeneous computers for probabilistic inference and learning

Nihal Sanjay Singh, Keito Kobayashi, Qixuan Cao, Kemal Selcuk, Tianrui Hu, Shaila Niazi, Navid Anjum Aadit, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Camsari

Nature Communications　15　(1)　2024年3月27日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41467-024-46645-6 　

eISSN：2041-1723
Pitch Scaling Prospect of Ultra-Small Magnetic Tunnel Junctions for High-Density STT-MRAM: Effects of Magnetostatic Interference From Neighboring Bits

Takanobu Shinoda, Junta Igarashi, Butsurin Jinnai, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

IEEE Electron Device Letters　45　(2)　184-187　2024年2月

DOI： 10.1109/LED.2023.3345743 　

ISSN：0741-3106

eISSN：1558-0563
Single-nanometer CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions with high-retention and high-speed capabilities

Junta Igarashi, Butsurin Jinnai, Kyota Watanabe, Takanobu Shinoda, Takuya Funatsu, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

npj Spintronics　2024年1月4日

DOI： 10.1038/s44306-023-00003-2 　

ISSN：2948-2119

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<jats:title>Abstract</jats:title><jats:p>Making magnetic tunnel junctions (MTJs) smaller while meeting performance requirements is critical for future electronics with spin-transfer torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM). However, it is challenging in the conventional MTJs using a thin CoFeB free layer capped with an MgO layer because of increasing difficulties in satisfying the required data retention and switching speed at smaller scales. Here we report single-nanometer MTJs using a free layer consisting of CoFeB/MgO multilayers, where the number of CoFeB/MgO interfaces and/or the CoFeB thicknesses are engineered to tailor device performance to applications requiring high-data retention or high-speed capability. We fabricate ultra-small MTJs down to 2.0 nm and show high data retention (over 10 years) and high-speed switching at 10 ns or below in sub-5-nm MTJs. The stack design proposed here proves that ultra-small CoFeB/MgO MTJs hold the potential for high-performance and high-density STT-MRAM.</jats:p>
High-resolution three-dimensional imaging of topological textures in nanoscale single-diamond networks

D. Karpov, K. Djeghdi, M. Holler, S. Narjes Abdollahi, K. Godlewska, C. Donnelly, T. Yuasa, H. Sai, U. B. Wiesner, B. D. Wilts, U. Steiner, M. Musya, S. Fukami, H. Ohno, I. Gunkel, A. Diaz, J. Llandro

Nature Nanotechnology　2024年

DOI： 10.1038/s41565-024-01735-w 　

ISSN：1748-3387

eISSN：1748-3395
Hardware Demonstration of Feedforward Stochastic Neural Networks with Fast MTJ-based p-bits

Nihal Sanjay Singh, Shaila Niazi, Shuvro Chowdhury, Kemal Selcuk, Haruna Kaneko, Keito Kobayashi, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Camsari

2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)　1-4　2023年12月9日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/iedm45741.2023.10413686 　
Spintronic devices for high-density memory and neuromorphic computing – A review

BingJin Chen, Minggang Zeng, Khoong Hong Khoo, Debasis Das, Xuanyao Fong, Shunsuke Fukami, Sai Li, Weisheng Zhao, Stuart S.P. Parkin, S.N. Piramanayagam, Sze Ter Lim

Materials Today　70　193-217　2023年11月

DOI： 10.1016/j.mattod.2023.10.004 　

ISSN：1369-7021

eISSN：1873-4103
Handedness anomaly in a non-collinear antiferromagnet under spin–orbit torque

Ju-Young Yoon, Pengxiang Zhang, Chung-Tao Chou, Yutaro Takeuchi, Tomohiro Uchimura, Justin T. Hou, Jiahao Han, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Luqiao Liu

Nature Materials　22　(9)　1106-1113　2023年8月3日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41563-023-01620-2 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Magnetic order in nanoscale gyroid networks

Ami S. Koshikawa, Justin Llandro, Masayuki Ohzeki, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Naëmi Leo

Physical Review B　108　(2)　2023年7月17日

DOI： 10.1103/PhysRevB.108.024414 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Nonlinear conductance in nanoscale CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis 査読有り

Motoya Shinozaki, Junta Igarashi, Shuichi Iwakiri, Takahito Kitada, Keisuke Hayakawa, Butsurin Jinnai, Tomohiro Otsuka, Shunsuke Fukami, Kensuke Kobayashi, Hideo Ohno

Physical Review B　107　(9)　2023年3月30日

DOI： 10.1103/PhysRevB.107.094436 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Thermal stability of non-collinear antiferromagnetic Mn<inf>3</inf>Sn nanodot

Yuma Sato, Yutaro Takeuchi, Yuta Yamane, Ju Young Yoon, Shun Kanai, Jun'Ichi Ieda, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Applied Physics Letters　122　(12)　2023年3月20日

DOI： 10.1063/5.0135709 　

ISSN：0003-6951
A full-stack view of probabilistic computing with p-bits: devices, architectures and algorithms

Shuvro Chowdhury, Andrea Grimaldi, Navid Anjum Aadit, Shaila Niazi, Masoud Mohseni, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Luke Theogarajan, Giovanni Finocchio, Supriyo Datta, Kerem Y. Camsari

IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits　9　(1)　1-11　2023年

DOI： 10.1109/JXCDC.2023.3256981 　

eISSN：2329-9231
Tunnel conductance modeling of spintronics devices based on device temperature dynamics 査読有り

Yushi Kikuchi, Yoshihiko Horio, Shunsuke Fukami, Hiroyasu Ando

Proceedings of International Symposium on Nonlinear Theory and Its Applications　139-142　2022年12月

DOI： 10.34385/proc.71.A4L-D-04 　
External-Field-Robust Stochastic Magnetic Tunnel Junctions Using a Free Layer with Synthetic Antiferromagnetic Coupling

Keito Kobayashi, Keisuke Hayakawa, Junta Igarashi, William A. Borders, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Physical Review Applied　18　(5)　2022年11月29日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevapplied.18.054085 　

eISSN：2331-7019
Large Exotic Spin Torques in Antiferromagnetic Iron Rhodium

Jonathan Gibbons, Takaaki Dohi, Vivek P. Amin, Fei Xue, Haowen Ren, Jun-Wen Xu, Hanu Arava, Soho Shim, Hilal Saglam, Yuzi Liu, John E. Pearson, Nadya Mason, Amanda K. Petford-Long, Paul M. Haney, Mark D. Stiles, Eric E. Fullerton, Andrew D. Kent, Shunsuke Fukami, Axel Hoffmann

Physical Review Applied　18　(2)　2022年8月29日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevapplied.18.024075 　

eISSN：2331-7019
Anisotropic magnetotransport in the layered antiferromagnet TaFe1.25Te3

Rajeswari Roy Chowdhury, Samik DuttaGupta, Chandan Patra, Anshu Kataria, Shunsuke Fukami, Ravi Prakash Singh

Physical Review Materials　6　(8)　2022年8月12日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevmaterials.6.084408 　

eISSN：2475-9953
Local bifurcation with spin-transfer torque in superparamagnetic tunnel junctions

Takuya Funatsu, Shun Kanai, Jun’ichi Ieda, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Nature Communications　13　(1)　2022年7月

DOI： 10.1038/s41467-022-31788-1 　

eISSN：2041-1723
Large Antisymmetric Interlayer Exchange Coupling Enabling Perpendicular Magnetization Switching by an In-Plane Magnetic Field 査読有り

Hiroto Masuda, Takeshi Seki, Yuta Yamane, Rajkumar Modak, Ken-ichi Uchida, Jun’ichi Ieda, Yong-Chang Lau, Shunsuke Fukami, Koki Takanashi

Physical Review Applied　17　(5)　054036-1-054036-9　2022年5月

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.17.054036 　

eISSN：2331-7019
Observation of domain structure in non-collinear antiferromagnetic Mn3Sn thin films by magneto-optical Kerr effect

Tomohiro Uchimura, Ju-Young Yoon, Yuma Sato, Yutaro Takeuchi, Shun Kanai, Ryota Takechi, Keisuke Kishi, Yuta Yamane, Samik DuttaGupta, Jun'ichi Ieda, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

APPLIED PHYSICS LETTERS　120　(17)　2022年4月

DOI： 10.1063/5.0089355 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Theory of Emergent Inductance with Spin-Orbit Coupling Effects

Yuta Yamane, Shunsuke Fukami, Jun'ichi Ieda

PHYSICAL REVIEW LETTERS　128　(14)　2022年4月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.128.147201 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Nanometer-thin L10-MnAl film with B2-CoAl underlayer for high-speed and high-density STT-MRAM: Structure and magnetic properties

Yutaro Takeuchi, Ryotaro Okuda, Junta Igarashi, Butsurin Jinnai, Takaharu Saino, Shoji Ikeda, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　120　(5)　2022年1月31日

DOI： 10.1063/5.0077874 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Experimental evaluation of simulated quantum annealing with MTJ-augmented p-bits

Andrea Grimaldi, Kemal Selcuk, Navid Anjum Aadit, Keito Kobayashi, Qixuan Cao, Shuvro Chowdhury, Giovanni Finocchio, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Camsari

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　2022-December　2241-2244　2022年

DOI： 10.1109/IEDM45625.2022.10019530 　

ISSN：0163-1918
Modification of unconventional Hall effect with doping at the nonmagnetic site in a two-dimensional van der Waals ferromagnet

Rajeswari Roy Chowdhury, Chandan Patra, Samik DuttaGupta, Sayooj Satheesh, Shovan Dan, Shunsuke Fukami, Ravi Prakash Singh

Physical Review Materials　6　(1)　2022年1月

DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.6.014002 　

ISSN：2475-9953

eISSN：2475-9953
Hardware-Aware In Situ Learning Based on Stochastic Magnetic Tunnel Junctions

Jan Kaiser, William A. Borders, Kerem Y. Camsari, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Supriyo Datta

Physical Review Applied　17　(1)　2022年1月

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.17.014016 　

ISSN：2331-7019

eISSN：2331-7019
Memristive control of mutual spin Hall nano-oscillator synchronization for neuromorphic computing

Mohammad Zahedinejad, Himanshu Fulara, Roman Khymyn, Afshin Houshang, Mykola Dvornik, Shunsuke Fukami, Shun Kanai, Hideo Ohno, Johan Åkerman

Nature Materials　21　(1)　81-87　2022年1月

DOI： 10.1038/s41563-021-01153-6 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Temperature dependence of intrinsic critical current in perpendicular easy axis CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions

Yutaro Takeuchi, Eli Christopher I. Enobio, Butsurin Jinnai, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　119　(24)　2021年12月13日

DOI： 10.1063/5.0072957 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Unconventional Hall effect and its variation with Co-doping in van der Waals Fe3GeTe2

Rajeswari Roy Chowdhury, Samik DuttaGupta, Chandan Patra, Oleg A. Tretiakov, Sudarshan Sharma, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Ravi Prakash Singh

Scientific Reports　11　(1)　2021年12月

DOI： 10.1038/s41598-021-93402-6 　

ISSN：2045-2322

eISSN：2045-2322
Sigmoidal curves of stochastic magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis

Keito Kobayashi, William A. Borders, Shun Kanai, Keisuke Hayakawa, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Applied Physics Letters　119　(13)　2021年9月27日

DOI： 10.1063/5.0065919 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Roadmap of Spin-Orbit Torques

Qiming Shao, Peng Li, Luqiao Liu, Hyunsoo Yang, Shunsuke Fukami, Armin Razavi, Hao Wu, Kang Wang, Frank Freimuth, Yuriy Mokrousov, Mark D. Stiles, Satoru Emori, Axel Hoffmann, Johan Akerman, Kaushik Roy, Jian Ping Wang, See Hun Yang, Kevin Garello, Wei Zhang

IEEE Transactions on Magnetics　57　(7)　2021年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2021.3078583 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Magnetization processes and magnetic domain structures in Ta/CoFeB/MgO stacks

A. K. Dhiman, T. Dohi, W. Dobrogowski, Z. Kurant, I. Sveklo, S. Fukami, H. Ohno, A. Maziewski

Journal of Magnetism and Magnetic Materials　529　2021年7月1日

DOI： 10.1016/j.jmmm.2020.167699 　

ISSN：0304-8853
Influence of domain wall anisotropy on the current-induced hysteresis loop shift for quantification of the Dzyaloshinskii-Moriya interaction

Takaaki Dohi, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Physical Review B　103　(21)　2021年6月29日

DOI： 10.1103/physrevb.103.214450 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Correlation of anomalous Hall effect with structural parameters and magnetic ordering in Mn3+xSn1−x thin films

Ju-Young Yoon, Yutaro Takeuchi, Samik DuttaGupta, Yuta Yamane, Shun Kanai, Jun’ichi Ieda, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

AIP Advances　11　(6)　065318-065318　2021年6月1日

DOI： 10.1063/5.0043192 　

eISSN：2158-3226
Electrically connected spin-torque oscillators array for 2.4GHz WiFi band transmission and energy harvesting

Raghav Sharma, Rahul Mishra, Tung Ngo, Yong-Xin Guo, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Hideo Ohno, Hyunsoo Yang

NATURE COMMUNICATIONS　12　(1)　2021年5月

DOI： 10.1038/s41467-021-23181-1 　

ISSN：2041-1723

eISSN：2041-1723
Chiral-spin rotation of non-collinear antiferromagnet by spin-orbit torque

Yutaro Takeuchi, Yuta Yamane, Ju-Young Yoon, Ryuichi Itoh, Butsurin Jinnai, Shun Kanai, Jun'ichi Ieda, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

NATURE MATERIALS　20　(10)　1364-1370　2021年5月

DOI： 10.1038/s41563-021-01005-3 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Double-Free-Layer Magnetic Tunnel Junctions for Probabilistic Bits

Kerem Y. Camsari, Mustafa Mert Torunbalci, William A. Borders, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

PHYSICAL REVIEW APPLIED　15　(4)　2021年4月

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.15.044049 　

ISSN：2331-7019

eISSN：2331-7019
Dual-Port SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations under Field-Assistance-Free Condition

Masanori Natsui, Akira Tamakoshi, Hiroaki Honjo, Toshinari Watanabe, Takashi Nasuno, Chaoliang Zhang, Takaho Tanigawa, Hirofumi Inoue, Masaaki Niwa, Toru Yoshiduka, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Yitao Ma, Hui Shen, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu

IEEE Journal of Solid-State Circuits　56　(4)　1116-1128　2021年4月

DOI： 10.1109/JSSC.2020.3039800 　

ISSN：0018-9200

eISSN：1558-173X
Erratum: Coherent magnetization reversal of a cylindrical nanomagnet in shape-anisotropy magnetic tunnel junctions (Appl. Phys. Lett. (2021) 118 (082404) DOI: 10.1063/5.0043058)

Butsurin Jinnai, Junta Igarashi, Kyota Watanabe, Eli Christopher I. Enobio, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　118　(13)　2021年3月29日

DOI： 10.1063/5.0050431 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Nanosecond Random Telegraph Noise in In-Plane Magnetic Tunnel Junctions

K. Hayakawa, S. Kanai, T. Funatsu, J. Igarashi, B. Jinnai, W. A. Borders, H. Ohno, S. Fukami

Physical Review Letters　126　(11)　2021年3月17日

DOI： 10.1103/PhysRevLett.126.117202 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Theory of relaxation time of stochastic nanomagnets

Shun Kanai, Keisuke Hayakawa, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Physical Review B　103　(9)　2021年3月17日

DOI： 10.1103/PhysRevB.103.094423 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Field-free and sub-ns magnetization switching of magnetic tunnel junctions by combining spin-transfer torque and spin-orbit torque

Chaoliang Zhang, Yutaro Takeuchi, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　118　(9)　2021年3月1日

DOI： 10.1063/5.0039061 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Coherent magnetization reversal of a cylindrical nanomagnet in shape-anisotropy magnetic tunnel junctions

Butsurin Jinnai, Junta Igarashi, Kyota Watanabe, Eli Christopher I. Enobio, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　118　(8)　2021年2月22日

DOI： 10.1063/5.0043058 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Temperature dependence of the energy barrier in X/1X nm shape-anisotropy magnetic tunnel junctions

Junta Igarashi, Butsurin Jinnai, Valentin Desbuis, Stéphane Mangin, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　118　(1)　2021年1月4日

DOI： 10.1063/5.0029031 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Fast Switching Down to 3.5 ns in Sub-5-nm Magnetic Tunnel Junctions Achieved by Engineering Relaxation Time

B. Jinnai, J. Igarashi, T. Shinoda, K. Watanabe, S. Fukami, H. Ohno

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　2021-December　1-4　2021年

DOI： 10.1109/IEDM19574.2021.9720509 　

ISSN：0163-1918
High-performance shape-anisotropy magnetic tunnel junctions down to 2.3 nm

B. Jinnai, J. Igarashi, K. Watanabe, T. Funatsu, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　2020-December　24.6.1-24.6.4　2020年12月12日

DOI： 10.1109/IEDM13553.2020.9371972 　

ISSN：0163-1918
Engineering Single-Shot All-Optical Switching of Ferromagnetic Materials 国際誌

Junta Igarashi, Quentin Remy, Satoshi Iihama, Grégory Malinowski, Michel Hehn, Jon Gorchon, Julius Hohlfeld, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Stéphane Mangin

Nano Letters　20　(12)　8654-8660　2020年12月9日

DOI： 10.1021/acs.nanolett.0c03373 　

ISSN：1530-6984

eISSN：1530-6992
Energy Efficient Control of Ultrafast Spin Current to Induce Single Femtosecond Pulse Switching of a Ferromagnet 国際誌

Quentin Remy, Junta Igarashi, Satoshi Iihama, Grégory Malinowski, Michel Hehn, Jon Gorchon, Julius Hohlfeld, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Stéphane Mangin

Advanced Science　7　(23)　2001996-2001996　2020年12月2日

DOI： 10.1002/advs.202001996 　

eISSN：2198-3844
Spin-orbit torque switching of an antiferromagnetic metallic heterostructure

Samik DuttaGupta, A. Kurenkov, Oleg A. Tretiakov, G. Krishnaswamy, G. Sala, V. Krizakova, F. Maccherozzi, S. S. Dhesi, P. Gambardella, S. Fukami, H. Ohno

Nature Communications　11　(1)　2020年12月

DOI： 10.1038/s41467-020-19511-4 　

eISSN：2041-1723
Giant voltage-controlled modulation of spin Hall nano-oscillator damping 国際誌

Himanshu Fulara, Mohammad Zahedinejad, Roman Khymyn, Mykola Dvornik, Shunsuke Fukami, Shun Kanai, Hideo Ohno, Johan Åkerman

Nature Communications　11　(1)　4006-4006　2020年12月1日

DOI： 10.1038/s41467-020-17833-x 　

ISSN：2041-1723

eISSN：2041-1723
Probing edge condition of nanoscale CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions by spin-wave resonance

M. Shinozaki, T. Dohi, J. Igarashi, J. Llandro, S. Fukami, H. Sato, H. Ohno

Applied Physics Letters　117　(20)　2020年11月16日

DOI： 10.1063/5.0020591 　

ISSN：0003-6951
Multidomain Memristive Switching of Pt38Mn62/ [Co/Ni] n Multilayers

G. K. Krishnaswamy, A. Kurenkov, G. Sala, M. Baumgartner, V. Krizakova, C. Nistor, F. MacCherozzi, S. S. Dhesi, S. Fukami, H. Ohno, P. Gambardella

Physical Review Applied　14　(4)　2020年10月20日

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.14.044036 　

eISSN：2331-7019
All-optical probe of magnetization precession modulated by spin-orbit torque

Kazuaki Ishibashi, Satoshi Iihama, Yutaro Takeuchi, Kaito Furuya, Shun Kanai, Shunsuke Fukami, Shigemi Mizukami

Applied Physics Letters　117　(12)　2020年9月21日

DOI： 10.1063/5.0020852 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Antiferromagnetic spintronics

Shunsuke Fukami, Virginia O. Lorenz, Olena Gomonay

Journal of Applied Physics　128　(7)　2020年8月21日

DOI： 10.1063/5.0023614 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Neuromorphic computing with antiferromagnetic spintronics

Aleksandr Kurenkov, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Journal of Applied Physics　128　(1)　2020年7月7日

DOI： 10.1063/5.0009482 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Composition dependence of spin-orbit torque in Pt<inf>1-</inf><inf>x </inf>Mn<inf>x </inf>/CoFeB heterostructures 査読有り

K. Vihanga De Zoysa, Samik Duttagupta, Ryuichi Itoh, Yutaro Takeuchi, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Applied Physics Letters　117　(1)　012402-012402　2020年7月6日

DOI： 10.1063/5.0011448 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Current distribution in metallic multilayers from resistance measurements

Ondřej Stejskal, André Thiaville, Jaroslav Hamrle, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Physical Review B　101　(23)　2020年6月15日

DOI： 10.1103/PhysRevB.101.235437 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Dual-Port Field-Free SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations under 55-nm CMOS Technology and 1.2-V Supply Voltage

M. Natsui, A. Tamakoshi, H. Honjo, T. Watanabe, T. Nasuno, C. Zhang, T. Tanigawa, H. Inoue, M. Niwa, T. Yoshiduka, Y. Noguchi, M. Yasuhira, Y. Ma, H. Shen, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu

IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers　2020-June　2020年6月

DOI： 10.1109/VLSICircuits18222.2020.9162774 　
Probabilistic computing based on spintronics technology

Shunsuke Fukami, William A. Borders, Ahmed Z. Pervaiz, Kerem Y. Camsari, Supriyo Datta, Hideo Ohno

2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2020　21-22　2020年6月

DOI： 10.1109/SNW50361.2020.9131622 　

ISSN：2161-4636
Visualizing magnetic structure in 3d nanoscale ni-fe gyroid networks 国際誌査読有り

Justin Llandro, David M. Love, András Kovács, Jan Caron, Kunal N. Vyas, Attila Kákay, Ruslan Salikhov, Kilian Lenz, Jürgen Fassbender, Maik R.J. Scherer, Christian Cimorra, Ullrich Steiner, Crispin H.W. Barnes, Rafal E. Dunin-Borkowski, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Nano Letters　20　(5)　3642-3650　2020年5月13日

DOI： 10.1021/acs.nanolett.0c00578 　

ISSN：1530-6984

eISSN：1530-6992
Scaling magnetic tunnel junction down to single-digit nanometers - Challenges and prospects 査読有り

Butsurin Jinnai, Kyota Watanabe, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　116　(16)　160501-160501　2020年4月

DOI： 10.1063/5.0004434 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
スピントロニクスデバイスに基づくシナプスの数理モデル

佐藤拓, 菊地優志, Aleksandr Kurenkov, 堀尾喜彦, 深見俊輔

電子情報通信学会技術報告　NLP2019-122　55-60　2020年3月
Crystal orientation and anomalous Hall effect of sputter-deposited non-collinear antiferromagnetic Mn<inf>3</inf>Sn thin films

Juyoung Yoon, Yutaro Takeuchi, Ryuichi Itoh, Shun Kanai, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Express　13　(1)　2020年1月1日

DOI： 10.7567/1882-0786/ab5874 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
熱ダイナミクスを利用したスピントロニクスニューロンデバイスの数理モデル

菊地優志, 佐藤拓, Aleksandr KURENKOV, 堀尾喜彦, 深見俊輔

電子情報通信学会技術報告　NLP2019-104　96-104　2020年1月
Stack structure and temperature dependence of spin-orbit torques in heterostructures with antiferromagnetic PtMn

Ryuichi Itoh, Yutaro Takeuchi, Samik Duttagupta, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　115　(24)　2019年12月9日

DOI： 10.1063/1.5129829 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
ブレインモルフィックコンピューティングハードウェアへのスピントロニクス素子の応用招待有り

堀尾喜彦, 深見俊輔

応用物理学会応用電子物性分科会誌　25　(5)　167-172　2019年12月
Spin-orbit torque neuron and synapse devices for brainmorphic computing 査読有り

堀尾喜彦, Aleksandr Kurenkov, 深見俊輔, 大野英男

Proceedings of International Symposium on Nonlinear Theory and Its Applications　78-78　2019年12月
First demonstration of field-free SOT-MRAM with 0.35 ns write speed and 70 thermal stability under 400℃ thermal tolerance by canted SOT structure and its advanced patterning/SOT channel technology 査読有り

International Electron Device Meeting　2019-December　2019年12月

DOI： 10.1109/IEDM19573.2019.8993443 　

ISSN：0163-1918
Formation and current-induced motion of synthetic antiferromagnetic skyrmion bubbles 国際誌査読有り

Takaaki Dohi, Samik DuttaGupta, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Nature Communications　10　(1)　5153-5153　2019年12月1日

DOI： 10.1038/s41467-019-13182-6 　

ISSN：2041-1723

eISSN：2041-1723
Giant perpendicular magnetic anisotropy in Ir/Co/Pt multilayers 査読有り

Yong Chang Lau, Zhendong Chi, Tomohiro Taniguchi, Masashi Kawaguchi, Goro Shibata, Naomi Kawamura, Motohiro Suzuki, Shunsuke Fukami, Atsushi Fujimori, Hideo Ohno, Masamitsu Hayashi

Physical Review Materials　3　(10)　2019年10月25日

DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.3.104419 　

ISSN：2475-9953

eISSN：2475-9953
Write-error rate of nanoscale magnetic tunnel junctions in the precessional regime 査読有り

Takaharu Saino, Shun Kanai, Motoya Shinozaki, Butsurin Jinnai, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　115　(14)　2019年9月30日

DOI： 10.1063/1.5121157 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Integer factorization using stochastic magnetic tunnel junctions 国際誌査読有り

William A. Borders, Ahmed Z. Pervaiz, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Camsari, Hideo Ohno, Supriyo Datta

Nature　573　(7774)　390-393　2019年9月19日

DOI： 10.1038/s41586-019-1557-9 　

ISSN：0028-0836

eISSN：1476-4687
Spin-Pumping-Free Determination of Spin-Orbit Torque Efficiency from Spin-Torque Ferromagnetic Resonance

Atsushi Okada, Yutaro Takeuchi, Kaito Furuya, Chaoliang Zhang, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Physical Review Applied　12　(1)　2019年7月23日

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.12.014040 　

eISSN：2331-7019
Artificial Neuron and Synapse Realized in an Antiferromagnet/Ferromagnet Heterostructure Using Dynamics of Spin–Orbit Torque Switching 国際誌査読有り

Aleksandr Kurenkov, Samik DuttaGupta, Chaoliang Zhang, Shunsuke Fukami, Yoshihiko Horio, Hideo Ohno

Advanced Materials　31　(23)　e1900636　2019年6月6日

DOI： 10.1002/adma.201900636 　

ISSN：0935-9648

eISSN：1521-4095
Artificial neuron and synapse realized in an antiferromagnet/ferromagnet heterostructure using dynamics of spin-orbit torque switching 査読有り

A. Kurenkov, S. DuttaGupta, C. Zhang, S. Fukami, Y. Horio, H. Ohno

Advanced Materials　31　(23)　1900636　2019年4月

DOI： 10.1002/adma.201900636 　
Reversal of domain wall chirality with ferromagnet thickness in W/(Co)FeB/MgO systems 査読有り

Takaaki Dohi, Samik Duttagupta, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　114　(4)　042405　2019年1月28日

DOI： 10.1063/1.5084095 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Spin-orbit torque-induced switching of in-plane magnetized elliptic nanodot arrays with various easy-axis directions measured by differential planar Hall resistance 査読有り

Yu Takahashi, Yutaro Takeuchi, Chaoliang Zhang, Butsurin Jinnai, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　114　(1)　012410　2019年1月7日

DOI： 10.1063/1.5075542 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Shape anisotropy revisited in single-digit nanometer magnetic tunnel junctions 査読有り

K. Watanabe, B. Jinnai, S. Fukami, H. Sato, H. Ohno

Nature Communications　9　(1)　2018年12月1日

DOI： 10.1038/s41467-018-03003-7 　

ISSN：2041-1723

eISSN：2041-1723
Scalability and wide temperature range operation of spin-orbit torque switching devices using Co/Pt multilayer nanowires 査読有り

Butsurin Jinnai, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　113　(21)　212403　2018年11月19日

DOI： 10.1063/1.5045814 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Angle dependent magnetoresistance in heterostructures with antiferromagnetic and non-magnetic metals 査読有り

S. Duttagupta, R. Itoh, S. Fukami, H. Ohno

Applied Physics Letters　113　(20)　202404　2018年11月12日

DOI： 10.1063/1.5049566 　

ISSN：0003-6951
An effect of capping-layer material on interfacial anisotropy and thermal stability factor of MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO/capping-layer structure 査読有り

M. Bersweiler, E. C.I. Enobio, S. Fukami, H. Sato, H. Ohno

Applied Physics Letters　113　(17)　172401　2018年10月22日

DOI： 10.1063/1.5050486 　

ISSN：0003-6951
Perspective: Spintronic synapse for artificial neural network 招待有り査読有り

Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Journal of Applied Physics　124　(15)　151904　2018年10月21日

DOI： 10.1063/1.5042317 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Characterization of spin–orbit torque-controlled synapse device for artiﬁcial neural network applications 査読有り

W. A. Borders, S. Fukami, H. Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　57　(10)　1002B2　2018年10月

DOI： 10.7567/JJAP.57.1002B2 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Non-linear variation of domain period under electric field in demagnetized CoFeB/MgO stacks with perpendicular easy axis 査読有り

N. Ichikawa, T. Dohi, A. Okada, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

Applied Physics Letters　112　(20)　2018年5月14日

DOI： 10.1063/1.5035487 　

ISSN：0003-6951
Spin-orbit torques in high-resistivity-W/CoFeB/MgO 査読有り

Yutaro Takeuchi, Chaoliang Zhang, Atsushi Okada, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　112　(19)　2018年5月7日

DOI： 10.1063/1.5027855 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Time and spatial evolution of spin-orbit torque-induced magnetization switching in W/CoFeB/MgO structures with various sizes 査読有り

Chaoliang Zhang, Shunsuke Fukami, Samik Dutta Gupta, Hideo Sato, Hideo Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　57　(4)　2018年4月

DOI： 10.7567/JJAP.57.04FN02 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Evaluation of energy barrier of CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis using retention time measurement 査読有り

Eli Christopher Inocencio Enobio, Mathias Bersweiler, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　57　(4)　2018年4月

DOI： 10.7567/JJAP.57.04FN08 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Electric-field effect on the easy cone angle of the easy-cone state in CoFeB/MgO investigated by ferromagnetic resonance 査読有り

Atsushi Okada, Shun Kanai, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　112　(17)　2018年4月

DOI： 10.1063/1.5026418 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Stack Structure Dependence of Magnetic Properties of PtMn/[Co/Ni] Films for Spin-Orbit Torque Switching Device 査読有り

William A. Borders, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

IEEE Transactions on Magnetics　53　(11)　2017年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2017.2703817 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Spintronics based random access memory: a review 査読有り

Sabpreet Bhatti, Rachid Sbiaa, Atsufumi Hirohata, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, S. N. Piramanayagam

Materials Today　20　(9)　530-548　2017年11月

DOI： 10.1016/j.mattod.2017.07.007 　

ISSN：1369-7021

eISSN：1873-4103
Spin-orbit torques and Dzyaloshinskii-Moriya interaction in PtMn/[Co/Ni] heterostructures 査読有り

S. DuttaGupta, T. Kanemura, C. Zhang, A. Kurenkov, S. Fukami, H. Ohno

Applied Physics Letters　111　(18)　2017年10月30日

DOI： 10.1063/1.5005593 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Spin-orbit torque induced magnetization switching in Co/Pt multilayers 査読有り

Butsurin Jinnai, Chaoliang Zhang, Aleksandr Kurenkov, Mathias Bersweiler, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　111　(10)　2017年9月4日

DOI： 10.1063/1.5001171 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
An artificial neural network with an analogue spin-orbit torque device 査読有り

W. A. Borders, H. Akima, S. Fukami, S. Moriya, S. Kurihara, A. Kurenkov, Y. Horio, S. Sato, H. Ohno

2017 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2017　2017年8月10日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/INTMAG.2017.8007937 　
Magnetization switching schemes for nanoscale three-terminal spintronics devices 査読有り

Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　56　(8)　2017年8月

DOI： 10.7567/JJAP.56.0802A1 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Annealing temperature dependence of magnetic properties of CoFeB/MgO stacks on different buffer layers 査読有り

Kyota Watanabe, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　56　(8)　2017年8月

DOI： 10.7567/JJAP.56.0802B2 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Use of analog spintronics device in performing neuro-morphic computing functions 査読有り

Shunsuke Fukami, William A. Borders, Aleksandr Kurenkov, Chaoliang Zhang, Samik DuttaGupta, Hideo Ohno

2017 5th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems, E3S 2017 - Proceedings　2018-January　1-3　2017年6月28日

DOI： 10.1109/E3S.2017.8246168 　
Current-induced magnetization switching in a nano-scale CoFeB-MgO magnetic tunnel junction under in-plane magnetic field 査読有り

N. Ohshima, H. Sato, S. Kanai, J. Llandro, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

AIP Advances　7　(5)　055927　2017年5月1日

DOI： 10.1063/1.4977224 　

ISSN：2158-3226

eISSN：2158-3226
Magnetic domain-wall creep driven by field and current in Ta/CoFeB/MgO 査読有り

S. DuttaGupta, S. Fukami, B. Kuerbanjiang, H. Sato, F. Matsukura, V. K. Lazarov, H. Ohno

AIP Advances　7　(5)　055918　2017年5月1日

DOI： 10.1063/1.4974889 　

ISSN：2158-3226

eISSN：2158-3226
Atomic structure and electronic properties of MgO grain boundaries in tunnelling magnetoresistive devices 国際誌査読有り

Jonathan J. Bean, Mitsuhiro Saito, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Yuichi Ikuhara, Keith P. McKenna

Scientific Reports　7　45594-45594　2017年4月

DOI： 10.1038/srep45594 　

ISSN：2045-2322

eISSN：2045-2322
スピン軌道トルク磁気メモリデバイスを用いた自己連想記憶

秋間学尚, Borders William, 深見俊輔, 守谷哲, 栗原祥太, Kurenkov Alexander, 下橋亮太, 堀尾喜彦, 佐藤茂雄, 大野英男

電子情報通信学会総合大会講演論文集　S-31-S-31　2017年3月22日
アナログ磁気メモリデバイスを用いた自己連想記憶システムの構築

栗原祥太, 秋間学尚, William A. Borders, 深見俊輔, 守谷哲, Aleksandr Kurenkov, 下橋亮太, 堀尾喜彦, 佐藤茂雄, 大野英男

電子情報通信学会技術報告　116　(521)　127-132　2017年3月13日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN：0913-5685
Device-size dependence of field-free spin-orbit torque induced magnetization switching in antiferromagnet/ferromagnet structures 査読有り

A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, S. Fukami, H. Ohno

Applied Physics Letters　110　(9)　092410　2017年2月27日

DOI： 10.1063/1.4977838 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Analogue spin-orbit torque device for artificial-neural-network-based associative memory operation 査読有り

William A. Borders, Hisanao Akima, Shunsuke Fukami, Satoshi Moriya, Shouta Kurihara, Yoshihiko Horio, Shigeo Sato, Hideo Ohno

BIOINSPIRATION & BIOMIMETICS　12　(1)　2017年2月

DOI： 10.7567/APEX.10.013007 　

ISSN：1748-3182

eISSN：1748-3190
Analogue spin-orbit torque device for artificial-neural-network-based associative memory operation 査読有り

William A. Borders, Hisanao Akima, Shunsuke Fukami, Satoshi Moriya, Shouta Kurihara, Yoshihiko Horio, Shigeo Sato, Hideo Ohno

Applied Physics Express　10　(1)　013007　2017年1月

DOI： 10.7567/APEX.10.013007 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Critical role of W deposition condition on spin-orbit torque induced magnetization switching in nanoscale W/CoFeB/MgO 査読有り

C. Zhang, S. Fukami, K. Watanabe, A. Ohkawara, S. DuttaGupta, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

Applied Physics Letters　109　(19)　192405　2016年11月7日

DOI： 10.1063/1.4967475 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
A sub-ns three-terminal spin-orbit torque induced switching device 査読有り

Shunsuke Fukami, Tetsuro Anekawa, Ayato Ohkawara, Chaoliang Zhang, Hideo Ohno

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　2016-September　7573379　2016年9月21日

DOI： 10.1109/VLSIT.2016.7573379 　

ISSN：0743-1562
A spin-orbit torque switching scheme with collinear magnetic easy axis and current configuration 査読有り

S. Fukami, T. Anekawa, C. Zhang, H. Ohno

Nature Nanotechnology　11　(7)　621-625　2016年7月1日

DOI： 10.1038/nnano.2016.29 　

ISSN：1748-3387

eISSN：1748-3395
Magnetic Properties of CoFeB-MgO Stacks with Different Buffer-Layer Materials (Ta or Mo) 査読有り

Kyota Watanabe, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE Transactions on Magnetics　52　(7)　7378950　2016年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2016.2514525 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Current-Induced Magnetization Switching of CoFeB/Ta/[Co/Pd (Pt)]-Multilayers in Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Anisotropy 査読有り

Shinya Ishikawa, Eli C.I. Enobio, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE Transactions on Magnetics　52　(7)　7378992　2016年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2016.2517098 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Magnetization switching by spin-orbit torque in an antiferromagnet-ferromagnet bilayer system. 国際誌査読有り

Shunsuke Fukami, Chaoliang Zhang, Samik DuttaGupta, Aleksandr Kurenkov, Hideo Ohno

Nature materials　15　(5)　535-41　2016年5月

DOI： 10.1038/nmat4566 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Magnetization switching by spin–orbit torque in an antiferromagnet–ferromagnet bilayer system 査読有り

Fukami, S, Zhang, C, DuttaGupta, S, Kurenkov, A, Ohno, H

Nat. Mater.　15　(5)　535-541　2016年5月1日

DOI： 10.1038/nmat4566 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Magnetization switching by spin-orbit torque in an antiferromagnet-ferromagnet bilayer system 査読有り

Shunsuke Fukami, Chaoliang Zhang, Samik Duttagupta, Aleksandr Kurenkov, Hideo Ohno

Nature Materials　15　(5)　535-541　2016年5月1日

DOI： 10.1038/nmat4566 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Adiabatic spin-transfer-torque-induced domain wall creep in a magnetic metal 査読有り

S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

Nature Physics　12　(4)　333-336　2016年4月

DOI： 10.1038/nphys3593 　

ISSN：1745-2473

eISSN：1745-2481
Electric field control of Skyrmions in magnetic nanodisks 査読有り

Y. Nakatani, M. Hayashi, S. Kanai, S. Fukami, H. Ohno

Applied Physics Letters　108　(15)　152403　2016年4月

DOI： 10.1063/1.4945738 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Current-induced domain wall motion in magnetic nanowires with various widths down to less than 20nm 査読有り

Shunsuke Fukami, Toru Iwabuchi, Hideo Sato, Hideo Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　55　(4)　04EN01　2016年4月

DOI： 10.7567/JJAP.55.04EN01 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Atomic-Scale Structure and Local Chemistry of CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions 国際誌査読有り

Zhongchang Wang, Mitsuhiro Saito, Keith P. McKenna, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Yuichi Ikuhara

Nano Letters　16　(3)　1530-1536　2016年3月9日

DOI： 10.1021/acs.nanolett.5b03627 　

ISSN：1530-6984

eISSN：1530-6992
Three-Terminal Spintronics Devices for Integrated Circuits 招待有り査読有り

Shunsuke Fukami, Chaoliang Zhang, Samik DuttaGupta, Aleksandr Kurenkov, Tetsuro Anekawa, Hideo Ohno

7TH IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE (INEC) 2016　2016年

DOI： 10.1109/INEC.2016.7589372 　

ISSN：2159-3523
Temperature dependence of energy barrier in CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis 査読有り

Y. Takeuchi, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

Applied Physics Letters　107　(15)　152405　2015年10月12日

DOI： 10.1063/1.4933256 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Fabrication of a 3000-6-input-LUTs embedded and block-level power-gated nonvolatile FPGA chip using p-MTJ-based logic-in-memory structure 査読有り

D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　2015-August　C172-C173　2015年8月25日

DOI： 10.1109/VLSIT.2015.7223644 　

ISSN：0743-1562
Three-terminal spintronics memory devices with perpendicular anisotropy 査読有り

H. Ohno, S. Fukami

2015 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2015　7157427　2015年7月14日

DOI： 10.1109/INTMAG.2015.7157427 　
Proposal and demonstration of a new spin-orbit torque induced switching device 査読有り

S. Fukami, T. Anekawa, C. Zhang, H. Ohno

2015 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2015　7156648　2015年7月14日

DOI： 10.1109/INTMAG.2015.7156648 　
Spin-orbit torque induced magnetization switching in nano-scale Ta/CoFeB/MgO 査読有り

C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

Applied Physics Letters　107　(1)　012401　2015年7月6日

DOI： 10.1063/1.4926371 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Thermal stability of a magnetic domain wall in nanowires 査読有り

S. Fukami, J. Ieda, H. Ohno

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　91　(23)　235401　2015年6月4日

DOI： 10.1103/PhysRevB.91.235401 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Dependence of magnetic properties of MgO/CoFeB/Ta stacks on CoFeB and Ta thicknesses 査読有り

Kyota Watanabe, Shinya Ishikawa, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanouchi, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　54　(4)　04DM04　2015年4月

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DM04 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO based magnetic tunnel junctions scaling down to 1X nm 査読有り

S. Ikeda, H. Sato, H. Honjo, E. C.I. Enobio, S. Ishikawa, M. Yamanouchi, S. Fukami, S. Kanai, F. Matsukura, T. Endoh, H. Ohno

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　2015-February　(February)　33.2.1-33.2.4　2015年2月20日

DOI： 10.1109/IEDM.2014.7047160 　

ISSN：0163-1918
Spintronics: from basic research to VLSI application 査読有り

S. Kanai, F. Matsukura, H. Sato, S. Fukami

Association of Aisa Pacific Physical Societies, AAPPS　25　4-11　2015年2月
Localized precessional mode of domain wall controlled by magnetic field and dc current 査読有り

Ryo Hiramatsu, Kab Jin Kim, Takuya Taniguchi, Takayuki Tono, Takahiro Moriyama, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno, Yoshinobu Nakatani, Teruo Ono

Applied Physics Express　8　(2)　023003-023003　2015年2月1日

DOI： 10.7567/APEX.8.023003 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
23pAD-1 磁場および電流によって制御された磁壁発振器

平松亮, Kim Kab-Jin, 谷口卓也, 東野隆之, 森山貴広, 深見俊輔, 山ノ内路彦, 大野英男, 仲谷栄伸, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　70　1196-1196　2015年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_1196 　

ISSN：2189-079X
Fabrication of a 3000-6-Input-LUTs Embedded and Block-Level Power-Gated Nonvolatile FPGA Chip Using p-MTJ-Based Logic-in-Memory Structure 査読有り

D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

2015 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY (VLSI TECHNOLOGY)　2015-August　7231371-C173　2015年

DOI： 10.1109/VLSIC.2015.7231371 　

ISSN：0743-1562
CoFeB Thickness Dependence of Damping Constants for Single and Double CoFeB-MgO Interface Structures 査読有り

Eli Christopher I. Enobio, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE Magnetics Letters　6　5700303　2015年

DOI： 10.1109/LMAG.2015.2475718 　

ISSN：1949-307X
Domain wall motion device for nonvolatile memory and logic - size dependence of device properties 査読有り

Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

IEEE Transactions on Magnetics　50　(11)　6971556　2014年11月1日

DOI： 10.1109/TMAG.2014.2321396 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Material stack design with high tolerance to process-induced damage in domain wall motion device 査読有り

Hiroaki Honjo, Shunsuke Fukami, Kunihiko Ishihara, Keizo Kinoshita, Yukihide Tsuji, Ayuka Morioka, Ryusuke Nebashi, Keiichi Tokutome, Noboru Sakimura, Michio Murahata, Sadahiko Miura, Tadahiko Sugibayashi, Naoki Kasai, Hideo Ohno

IEEE Transactions on Magnetics　50　(11)　6971768　2014年11月1日

DOI： 10.1109/TMAG.2014.2325019 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Process-induced damage and its recovery for a CoFeB–MgO magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic easy axis 査読有り

K. Kinoshita, H. Honjo, S. Fukami, H. Sato, K. Mizunuma, K. Tokutome, M. Murahata, S. Ikeda, S. Miura, N. Kasai, H. Ohno

Jpn. J. Appl. Phys.　53　(10)　103001　2014年10月1日

DOI： 10.7567/JJAP.53.103001 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Properties of magnetic tunnel junctions with a MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure down to junction diameter of 11nm 査読有り

H. Sato, E. C.I. Enobio, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, S. Kanai, F. Matsukura, H. Ohno

Applied Physics Letters　105　(6)　062403　2014年8月11日

DOI： 10.1063/1.4892924 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Distribution of critical current density for magnetic domain wall motion 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, Y. Nakatani, K. J. Kim, T. Koyama, D. Chiba, S. Ikeda, N. Kasai, T. Ono, H. Ohno

Journal of Applied Physics　115　(17)　17D508　2014年5月7日

DOI： 10.1063/1.4866394 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Co/Pt multilayer-based magnetic tunnel junctions with a CoFeB/Ta insertion layer 査読有り

S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

Journal of Applied Physics　115　(17)　17C719　2014年5月7日

DOI： 10.1063/1.4862724 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Design and fabrication of a perpendicular magnetic tunnel junction based nonvolatile programmable switch achieving 40% less area using shared-control transistor structure 査読有り

D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

Journal of Applied Physics　115　(17)　17B742　2014年5月7日

DOI： 10.1063/1.4868332 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Three-terminal magnetic tunneling junction device with perpendicular anisotropy CoFeB sensing layer 査読有り

H. Honjo, S. Fukami, K. Ishihara, R. Nebashi, K. Kinoshita, K. Tokutome, M. Murahata, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

Journal of Applied Physics　115　(17)　17B750　2014年5月7日

DOI： 10.1063/1.4868623 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis 査読有り

C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Journal of Applied Physics　115　(17)　2014年5月7日

DOI： 10.1063/1.4863260 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Co/Pt multilayer based reference layers in magnetic tunnel junctions for nonvolatile spintronics VLSIs 査読有り

Hideo Sato, Shoji Ikeda, Shunsuke Fukami, Hiroaki Honjo, Shinya Ishikawa, Michihiko Yamanouchi, Kotaro Mizunuma, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　53　(4 SPEC. ISSUE)　04EM02　2014年4月

DOI： 10.7567/JJAP.53.04EM02 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Plasma process induced physical damages on multilayered magnetic films for magnetic domain wall motion 査読有り

Keizo Kinoshita, Hiroaki Honjo, Shunsuke Fukami, Ryusuke Nebashi, Keiichi Tokutome, Michio Murahata, Sadahiko Miura, Naoki Kasai, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　53　(3 SPEC. ISSUE 2)　03DF03　2014年3月

DOI： 10.7567/JJAP.53.03DF03 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Effect of spin Hall torque on current-induced precessional domain wall motion 査読有り

Yoko Yoshimura, Tomohiro Koyama, Daichi Chiba, Yoshinobu Nakatani, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno, Kab Jin Kim, Takahiro Moriyama, Teruo Ono

Applied Physics Express　7　(3)　033005　2014年3月

DOI： 10.7567/APEX.7.033005 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Journal of Applied Physics 査読有り

C. Zhang, M. Yamanouchi, H .Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis　115　17C714(1)-17C714(3)　2014年1月29日
A delay circuit with 4-terminal magnetic-random-access-memory device for power-efficient time- domain signal processing 査読有り

Ryusuke Nebashi, Noboru Sakimura, Hiroaki Honjo, Ayuka Morioka, Yukihide Tsuji, Kunihiko Ishihara, Keiichi Tokutome, Sadahiko Miura, Shunsuke Fukami, Keizo Kinoshita, Takahiro Hanyu, Tetsuo Endoh, Naoki Kasai, Hideo Ohno, Tadahiko Sugibayashi

Proceedings - IEEE International Symposium on Circuits and Systems　1588-1591　2014年
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/ISCAS.2014.6865453 　

ISSN：0271-4310
10.5 A 90nm 20MHz fully nonvolatile microcontroller for standby-power-critical applications 査読有り

Noboru Sakimura, Yukihide Tsuji, Ryusuke Nebashi, Hiroaki Honjo, Ayuka Morioka, Kunihiko Ishihara, Keizo Kinoshita, Shunsuke Fukami, Sadahiko Miura, Naoki Kasai, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu, Tadahiko Sugibayashi

Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference　57　184-185　2014年

DOI： 10.1109/ISSCC.2014.6757392 　

ISSN：0193-6530
Advances in spintronics devices for microelectronics - From spin-transfer torque to spin-orbit torque 査読有り

S. Fukami, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Proceedings of the Asia and South Pacific Design Automation Conference, ASP-DAC　684-691　2014年

DOI： 10.1109/ASPDAC.2014.6742970 　

ISSN：2153-6961
MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure with low intrinsic critical current and high thermal stability 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

J. Magn. Soc. Jpn.　38　(2-2)　56-60　2014年
出版者・発行元：日本磁気学会
DOI： 10.3379/msjmag.1403R002 　

ISSN：1882-2924
A Delay Circuit with 4-Terminal Magnetic-Random-Access-Memory Device for Power-Efficient Time-Domain Signal Processing 査読有り

Ryusuke Nebashi, Noboru Sakimura, Hiroaki Honjo, Ayuka Morioka, Yukihide Tsuji, Kunihiko Ishihara, Keiichi Tokutome, Sadahiko Miura, Shunsuke Fukami, Keizo Kinoshita, Takahiro Hanyu, Tetsuo Endoh, Naoki Kasai, Hideo Ohno, Tadahiko Sugibayashi

2014 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS)　1588-1591　2014年

DOI： 10.1109/ISCAS.2014.6865453 　

ISSN：0271-4302
Applied Physics Letters 査読有り

C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Magnetotransport measurements of current induced effective fields in Ta/CoFeB/MgO　103　262407(1)-262407(3)　2013年12月31日
Magnetotransport measurements of current induced effective fields in Ta/CoFeB/MgO 査読有り

Chaoliang Zhang, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　103　(26)　262407　2013年12月23日

DOI： 10.1063/1.4859656 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Fabrication of a Perpendicular-MTJ-Based Compact Nonvolatile Programmable Switch Using Shared-Write-Control-Transistor Structure 査読有り

D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

Abst. 58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　233　2013年11月
Current-induced effective fields detected by magnetotrasport measurements 査読有り

Masashi Kawaguchi, Kazutoshi Shimamura, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno, Takahiro Moriyama, Daichi Chiba, Teruo Ono

Applied Physics Express　6　(11)　113002　2013年11月

DOI： 10.7567/APEX.6.113002 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Applied Physics Express 査読有り

M. Kawaguchi, K. Shimamura, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno, T. Moriyama, D. Chiba, T. Ono

Current-induced effectivve fields detected by magnetotransport measurements　6　113002(1)-113002(4)　2013年10月18日
Demonstration of a Nonvolatile Processor Core Chip with Software-Controlled Three-Terminal MRAM Cells for Standby-Power Critical Applications 査読有り

R. Nebashi, Y. Tsuji, H. Honjo, N. Sakimura, A. Morioka, K. Tokutome, S. Miura, S. Fukami, M. Yamanouchi, K. Kinoshita, T. Hanyu, T. Endoh, N. Kasai, H. Ohno, T. Sugibayashi

2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　M-8-3　1102-1103　2013年9月24日
Nature Communications 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Ohno

Depinning probability of a magnetic domain wall in nanowires by spin-polarized currents　4　1-7　2013年8月15日
Domain wall pinning by a stray field from NiFe on a Co/Ni nanowire 査読有り

R. Hiramatsu, T. Koyama, H. Hata, T. Ono, D. Chiba, S. Fukami, N. Ishiwata

Journal of the Korean Physical Society　63　(3)　608-611　2013年8月

DOI： 10.3938/jkps.63.608 　

ISSN：0374-4884

eISSN：1976-8524
IEEE Transactions on Magnetics 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure in magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis　49　(7)　4437-4440　2013年7月7日
Electric field modulation of magnetic anisotropy in MgO/Co/Pt structure 査読有り

Kihiro Yamada, Haruka Kakizakai, Kazutoshi Shimamura, Masashi Kawaguchi, Shunsuke Fukami, Nobuyuki Ishiwata, Daichi Chiba, Teruo Ono

Applied Physics Express　6　(7)　073004　2013年7月

DOI： 10.7567/APEX.6.073004 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
CoNi Films with perpendicular magnetic anisotropy prepared by alternate monoatomic layer deposition 査読有り

Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

Applied Physics Express　6　(7)　073010　2013年7月

DOI： 10.7567/APEX.6.073010 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Enhanced interface perpendicular magnetic anisotropy in Ta|CoFeB|MgO using nitrogen doped Ta underlayers 査読有り

Jaivardhan Sinha, Masamitsu Hayashi, Andrew J. Kellock, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Seiji Mitani, See Hun Yang, Stuart S.P. Parkin, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　102　(24)　242405　2013年6月17日

DOI： 10.1063/1.4811269 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Electrical endurance of Co/Ni wire for magnetic domain wall motion device 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, S. Miura, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

Applied Physics Letters　102　(22)　222410　2013年6月3日

DOI： 10.1063/1.4809734 　

ISSN：0003-6951
Three terminal magnetic tunnel junction utilizing the spin Hall effect of iridium-doped copper 査読有り

Michihiko Yamanouchi, Lin Chen, Junyeon Kim, Masamitsu Hayashi, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　102　(21)　212408　2013年5月27日

DOI： 10.1063/1.4808033 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Magnetic properties of MgO-[Co/Pt] multilayers with a CoFeB insertion layer 査読有り

S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

Journal of Applied Physics　113　(17)　17C721　2013年5月7日

DOI： 10.1063/1.4798499 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術査読有り

辻幸秀, 根橋竜介, 崎村昇, 森岡あゆ香, 本庄弘明, 徳留圭一, 三浦貞彦, 鈴木哲広, 深見俊輔, 木下啓藏, 羽生貴弘, 遠藤哲郎, 笠井直記, 大野英男, 杉林

信学技報,　113　(1)　41-46　2013年4月1日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN：0913-5685

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磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラー率をP(<<1)とした場合の論理ゲートのエラー率を〜2・Pから〜6・P^2に低減した。また、冗長化による以下のオーバーヘッド、(1)面積の増加、(2)実効的な読み出し抵抗の低下、(3)素子数増加による書き込み時の消費電力の増大、に関して検討した。
Thickness dependence of current-induced domain wall motion in a Co/Ni multi-layer with out-of-plane anisotropy 査読有り

Hironobu Tanigawa, Tetsuhiro Suzuki, Shunsuke Fukami, Katsumi Suemitsu, Norikazu Ohshima, Eiji Kariyada

Applied Physics Letters　102　(15)　152410　2013年4月

DOI： 10.1063/1.4802266 　

ISSN：0003-6951
Nature Materials 査読有り

J. Kim, J. Sinha, M. Hayashi, M. Yamanouchi, S. Fukami, T. Suzuki, S. Mitani, H. Ohno

Layer thickness dependence of the current-induced effective field vector in Ta/CoFeB/MgO　12　240-245　2013年3月
Layer thickness dependence of the current-induced effective field vector in Ta|CoFeB|MgO. 国際誌査読有り

Junyeon Kim, Jaivardhan Sinha, Masamitsu Hayashi, Michihiko Yamanouchi, Shunsuke Fukami, Tetsuhiro Suzuki, Seiji Mitani, Hideo Ohno

Nature materials　12　(3)　240-5　2013年3月

DOI： 10.1038/nmat3522 　

ISSN：1476-1122
Layer thickness dependence of the current-induced effective field vector in Ta vertical bar CoFeB vertical bar MgO 査読有り

Junyeon Kim, Jaivardhan Sinha, Masamitsu Hayashi, Michihiko Yamanouchi, Shunsuke Fukami, Tetsuhiro Suzuki, Seiji Mitani, Hideo Ohno

NATURE MATERIALS　12　(3)　240-245　2013年3月

DOI： 10.1038/NMAT3522 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Layer thickness dependence of the current-induced effective field vector in Ta|CoFeB|MgO 査読有り

Junyeon Kim, Jaivardhan Sinha, Masamitsu Hayashi, Michihiko Yamanouchi, Shunsuke Fukami, Tetsuhiro Suzuki, Seiji Mitani, Hideo Ohno

Nature Materials　12　(3)　240-245　2013年3月

DOI： 10.1038/nmat3522 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
600MHz Nonvolatile Latch Based on a New MTJ/CMOS Hybrid Circuit Concept 査読有り

Tetsuo Endoh, Shuta Togashi, Fumitaka Iga, Yasuhiro Yoshida, Takashi Ohsawa, Hiroki Koike, Shunsuke Fukami, Shoji Ikeda, Naoki Kasai, Noboru Sakimura, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

The 3nd CSIS International Symposium on Spintronics-based VLSIs　2013年1月31日
Comprehensive study of CoFeB-MgO magnetic tunnel junction characteristics with single- and double-interface scaling down to 1X nm 査読有り

H. Sato, T. Yamamoto, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, K. Kinoshita, F. Matsukura, N. Kasai, H. Ohno

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　6724550　2013年

DOI： 10.1109/IEDM.2013.6724550 　

ISSN：0163-1918
20-nm magnetic domain wall motion memory with ultralow-power operation 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, K. J. Kim, T. Suzuki, N. Sakimura, D. Chiba, S. Ikeda, T. Sugibayashi, N. Kasai, T. Ono, H. Ohno

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　6724553　2013年

DOI： 10.1109/IEDM.2013.6724553 　

ISSN：0163-1918
Fabrication of a 99%-energy-less nonvolatile multi-functional CAM chip using hierarchical power gating for a massively-parallel full-text-search engine 査読有り

S. Matsunaga, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, T. Sugibayashi, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Fukami, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　6576611　2013年

ISSN：0743-1562
Low-current domain wall motion MRAM with perpendicularly magnetized CoFeB/MgO magnetic tunnel junction and underlying hard magnets 査読有り

T. Suzuki, H. Tanigawa, Y. Kobayashi, K. Mori, Y. Ito, Y. Ozaki, K. Suemitsu, T. Kitamura, K. Nagahara, E. Kariyada, N. Ohshima, S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, M. Hayashi, M. Sakao, H. Ohno

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　6576703　2013年

ISSN：0743-1562
MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure in magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis 査読有り

Hideo Sato, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE Transactions on Magnetics　49　(7)　4437-4440　2013年

DOI： 10.1109/TMAG.2013.2251326 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Two-barrier stability that allows low-power operation in current-induced domain-wall motion 国際誌査読有り

Kab Jin Kim, Ryo Hiramatsu, Tomohiro Koyama, Kohei Ueda, Yoko Yoshimura, Daichi Chiba, Kensuke Kobayashi, Yoshinobu Nakatani, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno, Hiroshi Kohno, Gen Tatara, Teruo Ono

Nature Communications　4　2011-2011　2013年

DOI： 10.1038/ncomms3011 　

ISSN：2041-1723

eISSN：2041-1723
Direct observation of domain wall motion in Co/Pt wire under gate electric field 査読有り

Haruka Kakizakai, Kihiro Yamada, Masashi Kawaguchi, Kazutoshi Shimamura, Shunsuke Fukami, Nobuyuki Ishiwata, Daichi Chiba, Teruo Ono

Japanese Journal of Applied Physics　52　(7 PART 1)　070206　2013年1月

DOI： 10.7567/JJAP.52.070206 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Depinning probability of a magnetic domain wall in nanowires by spin-polarized currents 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Ohno

Nature Communications　4　2293　2013年

DOI： 10.1038/ncomms3293 　

ISSN：2041-1723

eISSN：2041-1723
Spin 査読有り

S. Ikeda, H. Sato, M. Yamanouchi, H. Gan, K. Miura, K. Mizunuma, S. Kanai, S. Fukami, F. Matsukura, N. Kasai, H. Ohno

Recent progress of perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions for nonvolatile VLSI　2　(3)　1240003(1)-1240003(12)　2012年12月4日

DOI： 10.4018/ijfsa.2012070101 　
Recent progress of perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions for nonvolatile vlsi 査読有り

Shoji Ikeda, Hideo Sato, Michihiko Yamanouchi, Huadong Gan, Katsuya Miura, Kotaro Mizunuma, Shun Kanai, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Naoki Kasai, Hideo Ohno

SPIN　2　(3)　1240003　2012年9月1日

DOI： 10.1142/S2010324712400036 　

ISSN：2010-3247

eISSN：2010-3255
Current-induced magnetic domain wall motion below intrinsic threshold triggered by Walker breakdown 査読有り

T. Koyama, K. Ueda, K. J. Kim, Y. Yoshimura, D. Chiba, K. Yamada, J. P. Jamet, A. Mougin, A. Thiaville, S. Mizukami, S. Fukami, N. Ishiwata, Y. Nakatani, H. Kohno, K. Kobayashi, T. Ono

Nature Nanotechnology　7　(10)　635-639　2012年8月26日

DOI： 10.1038/nnano.2012.151 　

ISSN：1748-3387

eISSN：1748-3395
Observation of magnetic domain-wall dynamics transition in Co/Ni multilayered nanowires 査読有り

Kab Jin Kim, D. Chiba, K. Kobayashi, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, Soong Geun Je, Sug Bong Choe, T. Ono

Applied Physics Letters　101　(2)　022407　2012年7月9日

DOI： 10.1063/1.4733667 　

ISSN：0003-6951
Perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with a MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

Applied Physics Letters　101　(2)　022414　2012年7月9日

DOI： 10.1063/1.4736727 　

ISSN：0003-6951
Electric field-induced magnetization reversal in a perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

Applied Physics Letters　101　022414　2012年7月

DOI： 10.1063/1.4753816 　
Current-induced domain wall motion in perpendicularly magnetized Co/Ni nanowire under in-plane magnetic fields 査読有り

Yoko Yoshimura, Tomohiro Koyama, Daichi Chiba, Yoshinobu Nakatani, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno, Teruo Ono

Applied Physics Express　5　(6)　063001　2012年6月

DOI： 10.1143/APEX.5.063001 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Electric field effect on magnetization of an Fe ultrathin film 査読有り

Masashi Kawaguchi, Kazutoshi Shimamura, Shimpei Ono, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno, Daichi Chiba, Teruo Ono

Applied Physics Express　5　(6)　063307　2012年6月

DOI： 10.1143/APEX.5.063007 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Temperature dependence of carrier spin polarization determined from current-induced domain wall motion in a Co/Ni nanowire 査読有り

K. Ueda, T. Koyama, R. Hiramatsu, D. Chiba, S. Fukami, H. Tanigawa, T. Suzuki, N. Ohshima, N. Ishiwata, Y. Nakatani, K. Kobayashi, T. Ono

Applied Physics Letters　100　(20)　202407　2012年5月14日

DOI： 10.1063/1.4718599 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Spatial control of magnetic anisotropy for current induced domain wall injection in perpendicularly magnetized CoFeBMgO nanostructures 査読有り

Masamitsu Hayashi, Michihiko Yamanouchi, Shunsuke Fukami, Jaivardhan Sinha, Seiji Mitani, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　100　(19)　192411　2012年5月7日

DOI： 10.1063/1.4711016 　

ISSN：0003-6951
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ査読有り

根橋竜介, 崎村昇, 辻幸秀, 深見俊輔, 本庄弘明, 齊藤信作, 三浦貞彦, 石綿延行, 木下啓蔵, 羽生貴弘, 遠藤哲郎, 笠井直記, 大野英男, 杉林直彦

信学技報　112　(15)　49-54　2012年4月1日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN：0913-5685

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3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した、16KbのCAMマクロは5nsでサーチ動作できることを実証した。このスピードは、既存のSRAMベースのCAMとほぼ同等である。
Magnetic tunneling junction with Fe/NiFeB free layer for magnetic logic circuits 査読有り

H. Honjo, S. Fukami, R. Nebashi, N. Ishiwata, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

Journal of Applied Physics　111　(7)　07C709　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3675268 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Domain-wall-motion cell with perpendicular anisotropy wire and in-plane magnetic tunneling junctions 査読有り

H. Honjo, S. Fukami, T. Suzuki, R. Nebashi, N. Ishiwata, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

Journal of Applied Physics　111　(7)　07C903　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3671437 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Attenuation of propagating spin wave induced by layered nanostructures 査読有り

K. Sekiguchi, T. N. Vader, K. Yamada, S. Fukami, N. Ishiwata, S. M. Seo, S. W. Lee, K. J. Lee, T. Ono

Applied Physics Letters　100　(13)　132411　2012年3月26日

DOI： 10.1063/1.3699020 　

ISSN：0003-6951
Electrical control of Curie temperature in cobalt using an ionic liquid film 査読有り

K. Shimamura, D. Chiba, S. Ono, S. Fukami, N. Ishiwata, M. Kawaguchi, K. Kobayashi, T. Ono

Applied Physics Letters　100　(12)　122402　2012年3月19日

DOI： 10.1063/1.3695160 　

ISSN：0003-6951
A Content Adddressable Memory Using Three-Terminal Magnetic Domain Wall Motion Cells 招待有り査読有り

R. Nebashi, N. Sakimura, Y Tsuji, S. Fukami, H. Honjo, S. Saito, S.Miura, N.Ishiwata, K. kinoshita, T. Hanyu, T. Endoh, N. Kasai, H. Ohno, T. Sugibayashi

The 2nd CSIS International Symposium on Spintronics-based VLSIs　F7　24-24　2012年2月2日
Effect of current on domain wall depinning field in Co/Ni nanowire 査読有り

Ryo Hiramatsu, Kouta Kondou, Tomohiro Koyama, Yoko Yoshimura, Daichi Chiba, Shunsuke Fukami, Nobuyuki Ishiwata, Teruo Ono

Japanese Journal of Applied Physics　51　(2 PART 1)　028005　2012年2月

DOI： 10.1143/JJAP.51.028005 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Domain wall dynamics driven by spin transfer torque and the spinorbit field 国際誌査読有り

Masamitsu Hayashi, Yoshinobu Nakatani, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Seiji Mitani, Hideo Ohno

Journal of Physics Condensed Matter　24　(2)　024221-024221　2012年1月18日

DOI： 10.1088/0953-8984/24/2/024221 　

ISSN：0953-8984

eISSN：1361-648X
High-speed simulator including accurate MTJ models for spintronics integrated circuit design 査読有り

Noboru Sakimura, Ryusuke Nebashi, Yukihide Tsuji, Hiroaki Honjo, Tadahiko Sugibayashi, Hiroki Koike, Takashi Ohsawa, Shunsuke Fukami, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

ISCAS 2012 - 2012 IEEE International Symposium on Circuits and Systems　1971-1974　2012年

DOI： 10.1109/ISCAS.2012.6271663 　

ISSN：0271-4302
Spintronics primitive gate with high error correction efficiency 6(P <inf>error</inf>) ² for logic-in memory architecture 査読有り

Y. Tsuji, R. Nebashi, N. Sakimura, A. Morioka, H. Honjo, K. Tokutome, S. Miura, T. Suzuki, S. Fukami, K. Kinoshita, T. Hanyu, T. Endoh, N. Kasai, H. Ohno, T. Sugibayashi

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　63-64　2012年

DOI： 10.1109/VLSIT.2012.6242462 　

ISSN：0743-1562
High-speed and reliable domain wall motion device: Material design for embedded memory and logic application 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, T. Koyama, K. Ueda, Y. Yoshimura, K. J. Kim, D. Chiba, H. Honjo, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Kato, Y. Tsuji, A. Morioka, K. Kinoshita, S. Miura, T. Suzuki, H. Tanigawa, S. Ikeda, T. Sugibayashi, N. Kasai, T. Ono, H. Ohno

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　61-62　2012年

DOI： 10.1109/VLSIT.2012.6242461 　

ISSN：0743-1562
Electric-field control of magnetic domain-wall velocity in ultrathin cobalt with perpendicular magnetization 査読有り

D. Chiba, M. Kawaguchi, S. Fukami, N. Ishiwata, K. Shimamura, K. Kobayashi, T. Ono

Nature Communications　3　888　2012年

DOI： 10.1038/ncomms1888 　

ISSN：2041-1723

eISSN：2041-1723
Scalability prospect of three-terminal magnetic domain-wall motion device 査読有り

Shunsuke Fukami, Nobuyuki Ishiwata, Naoki Kasai, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

IEEE Transactions on Magnetics　48　(7)　2152-2157　2012年

DOI： 10.1109/TMAG.2012.2187792 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Electrical control of the ferromagnetic phase transition in cobalt at room temperature 査読有り

D. Chiba, S. Fukami, K. Shimamura, N. Ishiwata, K. Kobayashi, T. Ono

Nature Materials　10　(11)　853-856　2011年11月

DOI： 10.1038/nmat3130 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Electrical control of the ferromagnetic phase transition in cobalt at room temperature 査読有り

D. Chiba, S. Fukami, K. Shimamura, N. Ishiwata, K. Kobayashi, T. Ono

NATURE MATERIALS　10　(11)　853-856　2011年11月

DOI： 10.1038/NMAT3130 　

ISSN：1476-1122
Wire width dependence of threshold current density for domain wall motion in Co/Ni nanowires 査読有り

Tomohiro Koyama, Daichi Chiba, Kohei Ueda, Hironobu Tanigawa, Shunsuke Fukami, Tetsuhiro Suzuki, Norikazu Ohshima, Nobuyuki Ishiwata, Yoshinobu Nakatani, Teruo Ono

IEEE Transactions on Magnetics　47　(10)　3089-3091　2011年10月

DOI： 10.1109/TMAG.2011.2157308 　

ISSN：0018-9464
Electrical investigation of notch width dependence of domain wall structure in Co/Ni Nanowires 査読有り

Kouta Kondou, Ryo Hiramatsu, Tomohiro Koyama, Yoshinobu Nakatani, Daichi Chiba, Shunsuke Fukami, Nobuyuki Ishiwata, Teruo Ono

Japanese Journal of Applied Physics　50　(7 PART 1)　073002　2011年7月

DOI： 10.1143/JJAP.50.073002 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Current-induced magnetic domain wall motion in Co/Ni nanowire at low temperature 査読有り

Kohei Ueda, Tomohiro Koyama, Daichi Chiba, Kazutoshi Shimamura, Hironobu Tanigawa, Shunsuke Fukami, Tetsuhiro Suzuki, Norikazu Ohshima, Nobuyuki Ishiwata, Yoshinobu Nakatani, Teruo Ono

Applied Physics Express　4　(6)　063003　2011年6月

DOI： 10.1143/APEX.4.063003 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Magnetic field insensitivity of magnetic domain wall velocity induced by electrical current in Co/Ni nanowire 査読有り

T. Koyama, D. Chiba, K. Ueda, H. Tanigawa, S. Fukami, T. Suzuki, N. Ohshima, N. Ishiwata, Y. Nakatani, T. Ono

Applied Physics Letters　98　(19)　192509　2011年5月9日

DOI： 10.1063/1.3590713 　

ISSN：0003-6951
Current-induced effective field in perpendicularly magnetized Ta/CoFeB/MgO wire 査読有り

T. Suzuki, S. Fukami, N. Ishiwata, M. Yamanouchi, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

Applied Physics Letters　98　(14)　142505　2011年4月

DOI： 10.1063/1.3579155 　

ISSN：0003-6951
Observation of the intrinsic pinning of a magnetic domain wall in a ferromagnetic nanowire 査読有り

T. Koyama, D. Chiba, K. Ueda, K. Kondou, H. Tanigawa, S. Fukami, T. Suzuki, N. Ohshima, N. Ishiwata, Y. Nakatani, K. Kobayashi, T. Ono

Nature Materials　10　(3)　194-197　2011年3月

DOI： 10.1038/nmat2961 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Current-induced domain wall motion in perpendicularly magnetized CoFeB nanowire 査読有り

S. Fukami, T. Suzuki, Y. Nakatani, N. Ishiwata, M. Yamanouchi, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

Applied Physics Letters　98　(8)　082504　2011年2月21日

DOI： 10.1063/1.3558917 　

ISSN：0003-6951
Three-terminal domain-wall cell architectures 査読有り

N. Ishiwata, S. Fukami, S. Saitho, R. Nebashi, N. Sakimura, H. Honjo, S. Miura, T. Sugibayashi, Y. Thuji, M. Murahata, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu, N. Kasai

International Magnetics Conference 2011 abstract　2011年
Current-induced Domain Wall Motion MRAM 査読有り

N. Ishiwata, S. Fukami, T. Suzuki, K. Nagahara, N. Ohshima, S. Saito, R.Nebashi, N.Sakimura, H. Honjo, K. Mori, T. Igarashi, H. Tanigawa, S. Miura, T. Sugibayashi

Int Magnetics Conf/Int Conf on Magnetism & Magnetic Materials Abstract　2011年
A 600MHz MTJ-based nonvolatile latch making use of incubation time in MTJ switching 査読有り

T. Endoh, S. Togashi, F. Iga, Y. Yoshida, T. Ohsawa, H. Koike, S. Fukami, S. Ikeda, N. Kasai, N. Sakimura, T. Hanyu, H. Ohno

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　6131487　2011年

DOI： 10.1109/IEDM.2011.6131487 　

ISSN：0163-1918
Fully parallel 6T-2MTJ nonvolatile TCAM with single-transistor-based self match-line discharge control 査読有り

Shoun Matsunaga, Akira Katsumata, Masanori Natsui, Shunsuke Fukami, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers　298-299　2011年
A content addressable memory using magnetic domain wall motion cells 査読有り

R. Nebashi, N. Sakimura, Y. Tsuji, S. Fukami, H. Honjo, S. Saito, S. Miura, N. Ishiwata, K. Kinoshita, T. Hanyu, T. Endoh, N. Kasai, H. Ohno, T. Sugibayashi

IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers　300-301　2011年
Current-induced domain wall motion in Co/Ni nano-wires with different Co and Ni thicknesses 査読有り

K. Ueda, D. Chiba, T. Koyama, G. Yamada, H. Tanigawa, S. Fukami, T. Suzuki, N. Ohshima, N. Ishiwata, Y. Nakatani, T. Ono

Journal of Physics: Conference Series　266　(1)　012110　2011年

DOI： 10.1088/1742-6596/266/1/012110 　

ISSN：1742-6588

eISSN：1742-6596
Effect of device temperature on domain wall motion in a perpendicularly magnetized Co/Ni wire 査読有り

Hironobu Tanigawa, Katsumi Suemitsu, Shunsuke Fukami, Norikazu Ohshima, Tetsuhiro Suzuki, Eiji Kariyada, Nobuyuki Ishiwata

Applied Physics Express　4　(1)　013007　2011年1月

DOI： 10.1143/APEX.4.013007 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Large thermal stability independent of critical current of domain wall motion in Co/Ni nanowires with step pinning sites 査読有り

Shunsuke Fukami, Tetsuhiro Suzuki, Kiyokazu Nagahara, Norikazu Ohshima, Nobuyuki Ishiwata

Journal of Applied Physics　108　(11)　113914　2010年12月1日

DOI： 10.1063/1.3518046 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Stack structure dependence of Co/Ni multilayer for current-induced domain wall motion 査読有り

Shunsuke Fukami, Tetsuhiro Suzuki, Hironobu Tanigawa, Norikazu Ohshima, Nobuyuki Ishiwata

Applied Physics Express　3　(11)　113002　2010年11月

DOI： 10.1143/APEX.3.113002 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Control of multiple magnetic domain walls by current in a Co/Ni nano-wire 査読有り

Daichi Chiba, Gen Yamada, Tomohiro Koyama, Kohei Ueda, Hironobu Tanigawa, Shunsuke Fukami, Tetsuhiro Suzuki, Norikazu Ohshima, Nobuyuki Ishiwata, Yoshinobu Nakatani, Teruo Ono

Applied Physics Express　3　(7)　073004　2010年7月

DOI： 10.1143/APEX.3.073004 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Magnetic configuration of submicron-sized magnetic patterns in domain wall motion memory 査読有り

Norikazu Ohshima, Hideaki Numata, Shunsuke Fukami, Kiyokazu Nagahara, Tetsuhiro Suzuki, Nobuyuki Ishiwata, Keiki Fukumoto, Toyohiko Kinoshita, Teruo Ono

Journal of Applied Physics　107　(10)　103912　2010年5月15日

DOI： 10.1063/1.3427555 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Current Status and Future Challemge of Embedded High-speed MRAM 査読有り

S. Fukami, T. Suzuki, K. Nagahara, N. Ohshima, S. Saitoh, R. Nebashi, N. Sakimura, H. Honjo, K. Mori, E. Kariyada, Y. Kato, K. Suemitsu, H. Tanigawa, K. Kinoshita, S. Miura, N. Ishiwata, T. Sugibayashi

International Conference on Solid State Devices and Materials Proceedings　2010年
Evaluation of scalability for current-driven domain wall motion in a Co/Ni multilayer strip for memory applications 査読有り

Tetsuhiro Suzuki, Shunsuke Fukami, Kiyokazu Nagahara, Norikazu Ohshima, Nobuyuki Ishiwata

IEEE Transactions on Magnetics　45　(10)　3776-3779　2009年10月

DOI： 10.1109/TMAG.2009.2023069 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Domain wall motion induced by electric current in a perpendicularly magnetized Co/Ni nano-wire 査読有り

Hironobu Tanigawa, Tomohiro Koyama, Gen Yamada, Daichi Chiba, Shinya Kasai, Shunsuke Fukami, Tetsuhiro Suzuki, Norikazu Ohshima, Nobuyuki Ishiwata, Yoshinobu Nakatani, Teruo Ono

Applied Physics Express　2　(5)　053002　2009年5月

DOI： 10.1143/APEX.2.053002 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
High-speed Magnetic Memory based on Spin-Torque Domain Wall Motion 査読有り

N. Ishiwata, S. Fukami, T.Suzuki, K. Nagahara, N. Ohshima, H. Honjo, K. Mori, T. Igarashi, S. Miura, T. Sugibayashi, K. Ozaki, S. Saito, R. Nebashi, N. Sakimura

Int Conf on Solid State Devices & Materials Proceedings　2009年
Relation between critical current of domain wall motion and wire dimension in perpendicularly magnetized Co/Ni nanowires 査読有り

S. Fukami, Y. Nakatani, T. Suzuki, K. Nagahara, N. Ohshima, N. Ishiwata

Applied Physics Letters　95　(23)　232504　2009年

DOI： 10.1063/1.3271827 　

ISSN：0003-6951
Low-current perpendicular domain wall motion cell for scalable high-speed MRAM 査読有り

S. Fukami, T. Suzuki, K. Nagahara, N. Ohshima, Y. Ozaki, S. Saito, R. Nebashi, N. Sakimura, H. Honjo, K. Mori, C. Igarashi, S. Miura, N. Ishiwata, T. Sugibayashi

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　230-231　2009年

ISSN：0743-1562
A 90nm 12ns 32Mb 2T1MTJ MRAM 査読有り

R. Nebashi, N. Sakimura, H. Honjo, S. Saito, Y. Ito, S. Miura, Y. Kato, K. Mori, Y. Ozaki, Y. Kobayashi, N. Ohshima, K. Kinoshita, T. Suzuki, K. Nagahara, N. Ishiwata, K. Suemitsu, S. Fukami, H. Hada, T. Sugibayashi, N. Kasai

Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference　462-464　2009年

DOI： 10.1109/ISSCC.2009.4977508 　

ISSN：0193-6530
Performance of shape-varying magnetic tunneling junction for high-speed magnetic random access memory cells 査読有り

H. Honjo, S. Fukami, R. Nebashi, T. Suzuki, N. Ishiwata, S. Miura, T. Sugibayashi

Journal of Applied Physics　105　(7)　07C921　2009年

DOI： 10.1063/1.3062825 　

ISSN：0021-8979
Intrinsic threshold current density of domain wall motion in nanostrips with perpendicular magnetic anisotropy for use in low-write-current MRAMs 査読有り

Shunsuke Fukami, Tetsuhiro Suzuki, Norikazu Ohshima, Kiyokazu Nagahara, Nobuyuki Ishiwata

IEEE Transactions on Magnetics　44　(11 PART 2)　2539-2542　2008年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2008.2002370 　

ISSN：0018-9464
Current-driven domain wall motion, nucleation, and propagation in a Co/Pt multi-layer strip with a stepped structure 査読有り

Tetsuhiro Suzuki, Shunsuke Fukami, Kiyokazu Nagahara, Norikazu Ohshima, Nobuyuki Ishiwata

IEEE Transactions on Magnetics　44　(11 PART 2)　2535-2538　2008年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2008.2002486 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Control of domain wall position by electrical current in structured Co/Ni wire with perpendicular magnetic anisotropy 査読有り

Tomohiro Koyama, Gen Yamada, Hironobu Tanigawa, Shinya Kasai, Norikazu Ohshima, Shunsuke Fukami, Nobuyuki Ishiwata, Yoshinobu Nakatani, Teruo Ono

Applied Physics Express　1　(10)　1013031-1013033　2008年10月

DOI： 10.1143/APEX.1.101303 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Low write-current magnetic random access memory cell with anisotropy-varied free layers 査読有り

S. Fukami, H. Honjo, T. Suzuki, N. Ishiwata

Journal of Applied Physics　104　(11)　113901　2008年

DOI： 10.1063/1.3032894 　

ISSN：0021-8979
Analysis of current-driven domain wall motion from pinning sites in nanostrips with perpendicular magnetic anisotropy 査読有り

T. Suzuki, S. Fukami, N. Ohshima, K. Nagahara, N. Ishiwata

Journal of Applied Physics　103　(11)　113913　2008年

DOI： 10.1063/1.2938843 　

ISSN：0021-8979
Micromagnetic analysis of current driven domain wall motion in nanostrips with perpendicular magnetic anisotropy 査読有り

S. Fukami, T. Suzuki, N. Ohshima, K. Nagahara, N. Ishiwata

Journal of Applied Physics　103　(7)　07E718　2008年

DOI： 10.1063/1.2830964 　

ISSN：0021-8979
Performance of write-line inserted magnetic tunneling junction for low-write-current magnetic random access memory cell 査読有り

H. Honjo, R. Nebashi, T. Suzuki, S. Fukami, N. Ishiwata, T. Sugibayashi, N. Kasai

Journal of Applied Physics　103　(7)　07A711　2008年

DOI： 10.1063/1.2839288 　

ISSN：0021-8979
Reduction of critical current density for domain wall motion in U-shaped magnetic patterns 査読有り

N. Ohshima, H. Numata, T. Suzuki, S. Fukami, K. Nagahara, N. Ishiwata

Journal of Applied Physics　103　(7)　07D914　2008年

DOI： 10.1063/1.2830544 　

ISSN：0021-8979
Current-driven domain wall motion in CoCrPt wires with perpendicular magnetic anisotropy 査読有り

Hironobu Tanigawa, Kouta Kondou, Tomohiro Koyama, Kunihiro Nakano, Shinya Kasai, Norikazu Ohshima, Shunsuke Fukami, Nobuyuki Ishiwata, Teruo Ono

Applied Physics Express　1　(1)　011301　2008年1月

DOI： 10.1143/APEX.1.011301 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
A 16-Mb toggle MRAM with burst modes 査読有り

Tadahiko Sugibayashi, Noboru Sakimura, Takeshi Honda, Kiyokazu Nagahara, Kiyotaka Tsuji, Hideaki Numata, Sadahiko Miura, Ken Ichi Shimura, Yuko Kato, Shinsaku Saito, Yoshiyuki Fukumoto, Hiroaki Honjo, Tetsuhiro Suzuki, Katsumi Suemitsu, Tomonori Mukai, Kaoru Mori, Ryusuke Nebashi, Shunsuke Fukami, Norikazu Ohshima, Hiromitsu Hada, Nobuyuki Ishiwata, Naoki Kasai, Shuichi Tahara

IEEE Journal of Solid-State Circuits　42　(11)　2378-2385　2007年11月

DOI： 10.1109/JSSC.2007.906195 　

ISSN：0018-9200

eISSN：1558-173X
Reduction of writing field distribution in a magnetic random access memory with toggle switching 査読有り

Shunsuke Fukami, Hiroaki Honjo, Tetsuhiro Suzuki, Nobuyuki Ishiwata

IEEE Transactions on Magnetics　43　(8)　3512-3516　2007年8月

DOI： 10.1109/TMAG.2007.900573 　

ISSN：0018-9464
Scalable cell technology utilizing domain wall motion for high-speed MRAM 査読有り

H. Numata, T. Suzuki, N. Ohshima, S. Fukami, K. Nagahara, N. Ishiwata, N. Kasai

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　232-233　2007年

DOI： 10.1109/VLSIT.2007.4339705 　

ISSN：0743-1562
A 16Mb toggle MRAM with burst modes 査読有り

Tadahiko Sugibayashi, Noboru Sakimura, Takeshi Honda, Kiyokazu Nagahara, Kiyotaka Tsuji, Hideaki Numata, Sadahiko Miura, Ken Ichi Shimura, Yuko Kato, Shinsaku Saito, Yoshiyuki Fukumoto, Hiroaki Honjo, Tetsuhiro Suzuki, Katsumi Suemitsu, Tomonori Mukai, Kaoru Mori, Ryusuke Nebashi, Shunsuke Fukami, Hiromitsu Hada, Nobuyuki Ishiwata, Naoki Kasai, Shuichi Tahara

2006 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, ASSCC 2006　299-302　2006年

DOI： 10.1109/ASSCC.2006.357910 　
Nanostructure of CoPtCr-SiO <inf>2</inf> granular films for magnetic recording media 査読有り

Shunsuke Fukami, Nobuo Tanaka, Takehito Shimatsu, Osamu Kitakami

Materials Transactions　46　(8)　1802-1806　2005年8月

DOI： 10.2320/matertrans.46.1802 　

ISSN：1345-9678

eISSN：1347-5320
HRTEM and EELS studies of L1<inf>0</inf>-ordered FePt nano-clusters on MgO films prepared below 673 K 査読有り

Shunsuke Fukami, Akichika Ohno, Nobuo Tanaka

Materials Transactions　45　(7)　2012-2017　2004年7月

DOI： 10.2320/matertrans.45.2012 　

ISSN：1345-9678

eISSN：1347-5320
Microstructure change of vanadium clusters in ZnO crystalline films by heat-treatment 査読有り

Huayong Pan, Akichika Ohno, Shunsuke Fukami, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka

Nanotechnology　15　(6)　S420-S427　2004年6月

DOI： 10.1088/0957-4484/15/6/020 　

ISSN：0957-4484
Electron tomography of nano-magnetic materials less than 1 nm resolution 査読有り

N. Tanaka, A. Ohno, S. Fukami, J. Yamasaki

Microscopy and Microanalysis　10　(SUPPL. 2)　1176-1177　2004年

DOI： 10.1017/S1431927604887046 　

ISSN：1431-9276
Theoretical consideration of the stability of an L1<inf>0</inf> magnetic phase in Fe-(Pd, Pt) alloy clusters 査読有り

S. Fukami, N. Tanaka

Philosophical Magazine Letters　84　(1)　33-40　2004年1月

DOI： 10.1080/09500830310001628257 　

ISSN：0950-0839

eISSN：1362-3036
HRTEM Studies of nm-Size FePd Particles Embedded in MgO after Annealing over 920 K 査読有り

Huayong Pan, Shunsuke Fukami, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka

Materials Transactions　44　(10)　2048-2054　2003年10月

DOI： 10.2320/matertrans.44.2048 　

ISSN：1345-9678

eISSN：1347-5320
HRTEM studies of mn-size FePd particles embedded in MgO after annealing over 920K 査読有り

HY Pan, S Fukami, J Yamasaki, N Tanaka

MATERIALS TRANSACTIONS　44　(10)　2048-2054　2003年10月

DOI： 10.2320/matertrans.44.2048 　

ISSN：1345-9678

eISSN：1347-5320

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MISC 71

スピントロニクス確率論的コンピュータ Feynman,Hintonの提案のスピントロニクス素子による実現

深見俊輔

応用物理　94　(4)　2025年

ISSN： 0369-8009
Guest Editorial: Special Issue on Spin Pumping and Spin-Orbit Torques in Magnetic Heterostructures

Akash Kumar, Shunsuke Fukami, Johan Åkerman

SPIN　14　(2)　2024年6月1日

DOI： 10.1142/S2010324724020016 　

ISSN： 2010-3247

eISSN： 2010-3255
Directed Self-Assembly of Diamond Networks in Triblock Terpolymer Films on Patterned Substrates

Doha Abdelrahman, René Iseli, Michimasa Musya, Butsurin Jinnai, Shunsuke Fukami, Takeshi Yuasa, Hiroaki Sai, Ulrich B. Wiesner, Matthias Saba, Bodo D. Wilts, Ullrich Steiner, Justin Llandro, Ilja Gunkel

ACS Applied Materials and Interfaces　15　(50)　57981-57991　2023年12月20日

DOI： 10.1021/acsami.3c10619 　

ISSN： 1944-8244

eISSN： 1944-8252
確率ビット向け微細磁性体の熱ゆらぎ招待有り査読有り

金井駿, 深見俊輔, 大野英男

日本物理学会誌　78　(5)　256-261　2023年5月

DOI： 10.11316/butsuri.78.5_256 　
Coherent antiferromagnetic spintronics

Jiahao Han, Ran Cheng, Luqiao Liu, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Nature Materials　22　(6)　684-695　2023年

DOI： 10.1038/s41563-023-01492-6 　

ISSN： 1476-1122

eISSN： 1476-4660
Domain wall memory: Physics, materials, and devices

Durgesh Kumar, Tianli Jin, Rachid Sbiaa, Mathias Kläui, Subhankar Bedanta, Shunsuke Fukami, Dafine Ravelosona, See Hun Yang, Xiaoxi Liu, S. N. Piramanayagam

Physics Reports　958　1-35　2022年5月5日
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.physrep.2022.02.001 　

ISSN： 0370-1573
Neuromorphic spintronics

J. Grollier, D. Querlioz, K. Y. Camsari, K. Everschor-Sitte, S. Fukami, M. D. Stiles

Nature Electronics　3　(7)　360-370　2020年7月1日

DOI： 10.1038/s41928-019-0360-9 　

eISSN： 2520-1131
不揮発性スピントロニクス素子技術ー大容量化、高速化、多機能化に向けた取り組みー招待有り

深見俊輔, 大野英男

日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会平成30年度第6回研究会資料「スピントロニクスの新たな展開と展望」　17-25　2019年2月
限界に迫る極微細磁気トンネル接合素子招待有り査読有り

深見俊輔, 大野英男

物理科学雑誌『パリティ』　33　(12)　60-63　2018年12月
反強磁性金属を用いたスピン軌道トルク磁化反転招待有り

深見俊輔, 大野英男

日本磁気学会誌『まぐね』　13　(5)　223-228　2018年11月
アナログスピン軌道トルクを用いた人工ニューラルネットワーク招待有り

深見俊輔, William A. Borders, Aleksandr Kurenkov, 張超亮, Samik DuttaGupta, 大野英男

日本磁気学会研究会資料　216　2018年1月
招待講演アナログスピントロニクス素子とその人工神経回路網応用 (磁気記録・情報ストレージ)

秋間学尚, BORDERS William, 深見俊輔, 守谷哲, 栗原祥太, KURENKOV Aleksandr, 堀尾喜彦, 佐藤茂雄, 大野英男

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　117　(247)　7-12　2017年10月19日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
招待講演アナログスピントロニクス素子とその人工神経回路網応用 (マルチメディアストレージ)

秋間学尚, BORDERS William, 深見俊輔, 守谷哲, 栗原祥太, KURENKOV Aleksandr, 堀尾喜彦, 佐藤茂雄, 大野英男

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report　41　(34)　7-12　2017年10月
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
スピン軌道トルクによる高速磁化反転とその応用招待有り

深見俊輔, 大野英男

応用物理　86　(7)　565-569　2017年7月
出版者・発行元：応用物理学会
ISSN： 0369-8009
IoT高性能化の切り札超高速不揮発メモリ招待有り

深見俊輔

セラミックス　51　(11)　801-801　2016年11月
3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子～高速低消費電力不揮発性集積回路の実現を目指して～招待有り

深見俊輔, 姉川哲朗, 大河原綾人, 張超亮, 大野英男

信学技報　116　(172)　99-103　2016年8月
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
スピン軌道トルク磁化反転とその集積回路応用招待有り

深見俊輔, 張超亮, 姉川哲朗, Samik DuttaGupta, Aleksandr Kurenkov, 大野英男

日本磁気学会研究会資料　208　15-22　2016年6月
招待講演待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ (集積回路)

崎村昇, 辻幸秀, 根橋竜介, 本庄弘明, 森岡あゆ香, 石原邦彦, 木下啓藏, 深見俊輔, 三浦貞彦, 笠井直記, 遠藤哲郎, 大野英男, 羽生貴弘, 杉林直彦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　114　(175)　39-44　2014年8月4日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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本講演では,90nm混載MRAM技術を用いて設計された不揮発性マイクロコントローラの構成について述べる.本チップは,動作速度,動作電圧,信頼性に優れた特長を有する三端子磁気抵抗素子を用いて,メモリとロジックの両方が不揮発化されている.これにより,センサーノードで必要なスタンバイリーク・ゼロと瞬時システム復帰が可能な間欠動作が可能となる.また,MRAMを混載しても超低消費電力マイコン市場の主流である20MHzの動作周波数を達成できた.
27aPS-19 MgO/Co/Ptにおける磁気異方性の電界変調(27aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性))

山田貴大, 柿堺悠, 島村一利, 河口真志, 深見俊輔, 石綿延行, 千葉大地, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　69　(0)　479-479　2014年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
27aPS-31 強磁性金属薄膜における電流誘起有効磁場の膜厚依存性(27aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性))

河口真志, 島村一利, 深見俊輔, 松倉文礼, 大野英男, 森山貴広, 千葉大地, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　69　(0)　481-481　2014年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
スピントロニクス論理集積回路の実現に向けた３端子磁壁移動素子の開発招待有り

深見俊輔, 大野英男

工業材料　62　(1)　32-33　2014年1月
出版者・発行元：日刊工業新聞社
27aKF-1 垂直磁化Co/Ni細線中の磁壁電流駆動におけるスピンホール効果の影響(スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))

吉村瑶子, 小山知弘, 森山貴広, Kim Kab-Jin, 千葉大地, 仲谷栄伸, 深見俊輔, 山ノ内路彦, 大野英男, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　68　(2)　415-415　2013年8月26日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
27pXA-4 垂直磁化Co/Ni多層膜における磁壁電流駆動現象の磁性層膜厚依存性(27pXA スピントロニクス(スピン依存伝導),領域3(磁性,磁気共鳴))

谷川博信, 鈴木哲広, 深見俊輔, 末光克巳, 大嶋則和, 苅屋田英嗣

日本物理学会講演概要集　68　(1)　539-539　2013年3月26日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
27pXA-6 Current pulse width dependence of magnetic domain wall motion in the presence of bias magnetic field

Kim Kab-Jin, Chiba D., Nakatani Y., Fukami S., Yamanouchi M., Ohno H., Ono T.

日本物理学会講演概要集　68　(1)　540-540　2013年3月26日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
25aPS-20 透明ゲート電極下のCo/Pt細線における磁壁移動のKerr顕微鏡による観察(II)(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))

柿堺悠, 山田貴大, 河口真志, 島村一利, 深見俊輔, 石綿延行, 千葉大地, 小野輝勇

日本物理学会講演概要集　68　(0)　366-366　2013年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
26aPS-15 非対称な膜構成を持つ強磁性金属薄膜における異常磁気抵抗効果(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

河口真志, 島村一利, 深見俊輔, 松倉文礼, 大野英男, 千葉大地, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　68　(0)　501-501　2013年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
27aXA-7 透明ゲート電極下のCo/Pt細線における磁壁移動のKerr顕微鏡による観察(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))

柿堺悠, 河口真志, 山田貴大, 島村一利, 深見俊輔, 石綿延行, 千葉大地, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　68　(0)　536-536　2013年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
27aXA-10 Co超薄膜における磁気異方性の電界制御(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))

山田貴大, 柿堺悠, 島村一利, 河口真志, 深見俊輔, 石綿延行, 千葉大地, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　68　(0)　536-536　2013年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
25aPS-11 Pt/Co/MgO界面垂直磁気異方性の電界による変調(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・表面・界面磁性・マルチフェロイクス・遍歴磁性・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))

山田貴大, 柿堺悠, 島村一利, 河口真志, 深見俊輔, 石綿延行, 千葉大地, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　68　(0)　364-364　2013年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
27aKF-3 強磁性金属薄膜における電流誘起有効磁場の直流ホール測定による決定(スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))

河口真志, 島村一利, 深見俊輔, 松倉文礼, 大野英男, 森山貴広, 千葉大地, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　68　(0)　416-416　2013年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
遷移金属強磁性体における磁性の電界制御

千葉大地, 島村一利, 河口真志, 小野新平, 深見俊輔, 石綿延行, 小林研介, 小野輝男

日本磁気学会研究会資料 = Bulletin of Topical Symposium of the Magnetics Society of Japan　186　1-3　2012年11月2日
出版者・発行元：日本磁気学会
ISSN： 1882-2940
電流誘起磁壁移動デバイス開発

深見俊輔, 大野英男

応用電子分科会会誌　18　(5)　2012年11月
27aAA-9 垂直磁化Co/Ni細線における面内磁場下の磁壁電流駆動(27aAA スピントロニクス(磁気渦・磁壁・磁気抵抗・スピントルク),領域3(磁性,磁気共鳴))

吉村瑤子, 小山知弘, 千葉大地, 深見俊輔, 山ノ内路彦, 大野英男, 仲谷栄伸, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　67　(0)　533-533　2012年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
20aCC-10 垂直磁化Co/Ni細線における面内磁場下の磁壁電流駆動(II)(20aCC スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))

吉村瑤子, 小山知弘, 千葉大地, 深見俊輔, 山ノ内路彦, 大野英男, 仲谷栄伸, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　67　(0)　427-427　2012年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
27aAA-8 磁壁電流駆動を用いたCo/Ni細線におけるスピン分極率の温度依存性(27aAA スピントロニクス(磁気渦・磁壁・磁気抵抗・スピントルク),領域3(磁性,磁気共鳴))

上田浩平, 仲谷栄伸, 小野輝男, 小山知弘, 平松亮, 千葉大地, 深見俊輔, 谷川博信, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行

日本物理学会講演概要集　67　(0)　533-533　2012年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
24aPS-14 Co超薄膜におけるイオン液体を用いた磁性制御(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

島村一利, 千葉大地, 川口真志, 小野新平, 深見俊輔, 石綿延行, 小林研介, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　67　(0)　478-478　2012年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
24aPS-27 遷移金属強磁性体薄膜における電場効果(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

川口真志, 千葉大地, 深見俊輔, 島村一利, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　67　(0)　481-481　2012年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
24aPS-28 Co/Ni細線における磁壁内の磁化回転検出の試みII(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

平松亮, 近藤浩太, 小山知弘, 千葉大地, 深見俊輔, 石綿延行, 仲谷栄伸, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　67　(0)　481-481　2012年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
24aPS-29 電流誘起磁壁速度と磁場誘起磁壁速度の加算性について(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

小山知弘, 上田浩平, 千葉大地, 深見俊輔, 石綿延行, 河野浩, 仲谷栄伸, 小林研介, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　67　(0)　481-481　2012年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
19aCC-10 電気二重層を用いた鉄超薄膜における電界効果(19aCC スピントロニクス(熱・力学的スピン・磁化制御),領域3(磁性,磁気共鳴))

河口真志, 島村一利, 小野新平, 深見俊輔, 松倉文礼, 大野英男, 千葉大地, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　67　(0)　413-413　2012年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
19aCC-12 Co/Ni細線における磁壁内の磁化回転検出の試みIII(19aCC スピントロニクス(熱・力学的スピン・磁化制御),領域3(磁性,磁気共鳴))

平松亮, 小山知弘, 千葉大地, 深見俊輔, 石綿延行, 仲谷栄伸, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　67　(0)　414-414　2012年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
磁気トンネル接合素子のプラズマプロセス誘起ダメージとリカバリーの試み

木下啓藏, 山本直志, 本庄弘明, 末光克巳, 石綿延行, 大嶋則和, 深見俊輔, 山本弘輝, 森田正, 笠井直記, 杉林直彦, 池田正二, 大野英男

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　72nd　ROMBUNNO.31P-M-5　2011年8月16日
26aPS-24 電流印加下におけるデピニング磁場測定(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

平松亮, 近藤浩太, 千葉大地, 深見俊輔, 石綿延行, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　66　(0)　489-489　2011年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
26aPS-35 Co/Ni細線における磁壁電流駆動の温度依存性II(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

上田浩平, 小野輝男, 小山知弘, 千葉大地, 谷川博信, 深見俊輔, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行, 仲谷栄伸

日本物理学会講演概要集　66　(0)　492-492　2011年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
28aHF-8 磁壁回転素子の開発2(28aHF スピントロニクス(スピンホール効果,ナノ磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))

近藤浩太, 仲谷栄伸, 平松亮, 千葉大地, 深見俊輔, 石綿延行, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　66　(0)　515-515　2011年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
21aPS-31 Co/Ni細線における磁壁内の磁化回転検出の試み(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

平松亮, 近藤浩太, 小山知弘, 千葉大地, 深見俊輔, 石綿延行, 仲谷栄伸, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　66　(0)　379-379　2011年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
23pRA-4 垂直磁化Co/Ni細線の磁壁電流駆動の温度依存性(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))

上田浩平, 小野輝男, 小山知弘, 千葉大地, 深見俊輔, 谷川博信, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行, 仲谷栄伸

日本物理学会講演概要集　66　(0)　450-450　2011年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
23pRA-5 磁壁電流駆動における閾電流密度に対する外部磁場の影響II(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))

小山知弘, 小野輝男, 上田浩平, 千葉大地, 深見俊輔, 谷川博信, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行, 仲谷栄伸

日本物理学会講演概要集　66　(0)　450-450　2011年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
28aHF-9 SPELEEMを用いたCo/Ni細線中の電流誘起磁壁移動観察(28aHF スピントロニクス(スピンホール効果,ナノ磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))

小山知弘, 石綿延行, 木下豊彦, 小野輝男, 大嶋則和, 千葉大地, 小嗣真人, 大河内拓雄, 谷川博信, 深見俊輔, 永原聖万, 鈴木哲広

日本物理学会講演概要集　66　(0)　516-516　2011年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
スピン移行トルク磁壁移動を用いた高速磁気ランダムアクセスメモリ

三浦貞彦, 深見俊輔, 鈴木哲広, 永原聖万, 大嶋則和, 加藤有光, 斉藤信作, 根橋竜介, 崎村昇, 本庄弘明, 森馨, 谷川博信, 石綿延行, 杉林直彦

半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集　74th　89-92　2010年7月8日
出版者・発行元：電気化学会電子材料委員会
電流誘起磁壁移動現象の高速MRAMへの応用招待有り

石綿延行, 深見俊輔, 鈴木哲弘, 大嶋則和, 永原聖万, 三浦貞彦, 杉林直彦

日本磁気学会誌　5　(4)　178-183　2010年4月
出版者・発行元：日本磁気学会
ISSN： 1880-7208
20pGJ-2 外部磁場によるCo/Ni細線中の磁壁伝搬観測(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))

山田啓介, 小林研介, 小野輝男, Jamet J. P, Ferre J, Thiaville A, 深見俊輔, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行, 千葉大地

日本物理学会講演概要集　65　(0)　466-466　2010年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
20aPS-28 細線形状制御による磁壁駆動電流密度の低減(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))

小山知弘, 仲谷栄伸, 小野輝男, 上田浩平, 山田元, 千葉大地, 谷川博信, 深見俊輔, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行

日本物理学会講演概要集　65　(0)　455-455　2010年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
20pGJ-3 Co/Ni多層膜細線における磁壁電流駆動の積層膜厚および膜厚比率依存性(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))

上田浩平, 仲谷栄伸, 小野輝男, 小山知弘, 山田元, 千葉大地, 谷川博信, 深見俊輔, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行

日本物理学会講演概要集　65　(0)　466-466　2010年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
20pGJ-4 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線における複数磁壁電流駆動II(20pGJ 磁壁,磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))

山田元, 仲谷栄伸, 小野輝男, 小山知弘, 上田浩平, 千葉大地, 谷川博信, 深見俊輔, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行

日本物理学会講演概要集　65　(0)　466-466　2010年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
24aWP-5 磁壁電流駆動における閾電流密度に対する外部磁場の影響(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))

小山知弘, 小野輝男, 上田浩平, 千葉大地, 谷川博信, 深見俊輔, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行, 仲谷栄伸

日本物理学会講演概要集　65　(0)　377-377　2010年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
25aPS-34 磁壁オシレーターの開発(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

近藤浩太, 仲谷栄伸, 千葉大地, 深見俊輔, 石綿延行, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　65　(0)　406-406　2010年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
25aPS-43 Co/Ni細線における磁壁電流駆動の温度依存性(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

上田浩平, 小野輝男, 小山知弘, 千葉大地, 谷川博信, 深見俊輔, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行, 仲谷栄伸

日本物理学会講演概要集　65　(0)　408-408　2010年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
SoC混載に適した垂直磁化磁壁移動型MRAM

石綿延行, 深見俊輔, 鈴木哲広, 永原聖万, 大嶋則和, 尾崎康亮, 齊藤信作, 根橋竜介, 崎村昇, 本庄弘明, 森馨, 五十嵐忠二, 三浦貞彦, 杉林直彦

日本磁気学会研究会資料　168th　41-45　2009年11月2日
出版者・発行元：日本磁気学会
ISSN： 1882-2940
垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM 招待有り

深見俊輔, 鈴木哲広, 永原聖万, 大嶋則和, 斉藤信作, 尾崎康亮, 根橋竜介, 崎村昇, 本庄弘明, 森馨, 五十嵐忠二, 三浦貞彦, 石綿延行, 杉林直彦

信学技報、IEICE Technical Report SDM2009-114, ICD2009-30　2009年7月

ISSN： 0913-5685
MRAMの技術動向,今後の展開,32MbMRAM開発

杉林直彦, 根橋竜介, 崎村昇, 本庄弘明, 斉藤信作, 伊藤雄一, 三浦貞彦, 加藤有光, 森馨, 尾崎康亮, 小林洋介, 大嶋則和, 木下啓藏, 鈴木哲広, 永原聖万, 石綿延行, 末光克巳, 深見俊輔, 波田博光, 笠井直記

電子情報通信学会技術研究報告　109　(2(ICD2009 1-12))　13-17　2009年4月6日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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MRAMは、磁性体を使用した書き換え回数制限のない唯一の不揮発メモリである。MRAMの最近の技術動向とその特徴を活かした応用先について議論し、今後の展開についての見通しについて述べる。我々は、MRAMの特徴は混載メモリに向いていると考え、2T1MTJ方式のメモリセルを中心に開発してきた。その最新の結果である32MbMRAMの試作について述べる。
27pTF-2 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線中の磁壁電流駆動 : 磁壁移動速度の測定(27pTF 細線・トルク,領域3(磁性,磁気共鳴))

小山知弘, 小野輝男, 谷川博信, 山田元, 大嶋則和, 深見俊輔, 石綿延行, 千葉大地, 葛西伸哉, 仲谷栄伸

日本物理学会講演概要集　64　(0)　451-451　2009年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
28aPS-108 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線中の磁壁電流駆動現象 : しきい電流密度の低減(28aPS 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・フラストレーション系・実験技術),領域3(磁性,磁気共鳴))

谷川博信, 小野輝男, 小山知弘, 山田元, 千葉大地, 葛西伸哉, 大嶋則和, 深見俊輔, 石綿延行, 仲谷栄伸

日本物理学会講演概要集　64　(0)　482-482　2009年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
28aPS-112 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線への単一磁壁導入(28aPS 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・フラストレーション系・実験技術),領域3(磁性,磁気共鳴))

山田元, 小野輝男, 小山知弘, 谷川博信, 大嶋則和, 深見俊輔, 石綿延行, 千葉大地, 葛西伸哉, 仲谷栄伸

日本物理学会講演概要集　64　(0)　483-483　2009年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
25pPSA-27 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線の磁気異方性定数の決定(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)

上田浩平, 仲谷栄伸, 小野輝男, 小山知弘, 山田元, 千葉大地, 谷川博信, 深見俊輔, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行

日本物理学会講演概要集　64　(0)　344-344　2009年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
25pPSA-29 垂直磁気異方性を有するCo/Ni細線における複数磁壁電流駆動(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)

山田元, 仲谷栄伸, 小野輝男, 小山知弘, 上田浩平, 谷川博信, 深見俊輔, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行, 千葉大地

日本物理学会講演概要集　64　(0)　344-344　2009年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
27aRA-5 外部磁場下におけるCo/Ni細線中の磁壁電流駆動(磁化ダイナミクス,領域3,磁性,磁気共鳴)

小山知弘, 仲谷栄伸, 小野輝男, 山田元, 上田浩平, 谷川博信, 深見俊輔, 鈴木哲広, 大嶋則和, 石綿延行, 千葉大地

日本物理学会講演概要集　64　(0)　369-369　2009年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
21pQG-8 垂直磁気異方性を有する強磁性細線中の磁壁電流駆動(21pQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

小山知弘, 谷川博信, 近藤浩太, 大嶋則和, 深見俊輔, 石綿延行, 葛西伸哉, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　63　(0)　380-380　2008年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
23aPS-20 垂直磁気異方性を有する強磁性細線中の磁壁電流駆動における細線幅依存性(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

小山知弘, 谷川博信, 近藤浩太, 大嶋則和, 深見俊輔, 石綿延行, 葛西伸哉, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　63　(0)　429-429　2008年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
24aWL-10 垂直磁気異方性を有するCoCrPt細線中の磁壁電流駆動(24aWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

谷川博信, 近藤浩太, 小山知弘, 大嶋則和, 深見俊輔, 石綿延行, 葛西伸哉, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　63　(0)　475-475　2008年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
4Mb MRAMとその応用

杉林直彦, 本田雄士, 崎村昇, 永原聖万, 三浦貞彦, 志村健一, 辻清孝, 福本能之, 本庄弘明, 鈴木哲広, 加藤有光, 齋藤信作, 笠井直記, 沼田秀昭, 大嶋則和, 根橋竜介, 末光克巳, 向井智徳, 森馨, 深見俊輔, 石綿延行, 波田博光, 田原修一

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路　106　(2)　61-65　2006年4月6日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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新規に開発した4MbMRAMのセル技術、回路技術、試作結果及び応用提案について報告する。メモリセルはトグルセルであり、0.24μmMRAM+0.18μmCMOSルールで設計し、面積は2.24μm^2である。センスアンプ・書込み電流源回路はバーストモード動作ができ、FUSE付レジスタで回路特性を調整しやすいような構成になっている。チップサイズは、5mm×7.8mmである。MRAMの特徴が活きるドライブレコーダへの応用を提案するデモシステムを製作した。

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共同研究・競争的資金等の研究課題 17

キメラ準粒子総括班

村上修一, 深見俊輔, 中田陽介, 谷口耕治, 能崎幸雄

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Transformative Research Areas (A)

研究機関：Tokyo Institute of Technology

2024年4月1日～ 2029年3月31日
キメラ準粒子のエレクトロニクス

深見俊輔, 湯浅裕美, 畑中大樹, 関真一郎, 飯浜賢志

2024年4月～ 2029年3月
コヒーレントスピンダイナミクスを用いた省エネ・創エネデバイス

深見俊輔

2024年4月～ 2029年3月
スピントロニクス確率論的コンピュータの大規模集積化に向けた基盤構築と『確率超越性』の実証

深見俊輔

2024年2月～ 2029年3月
スピントロニクス確率論的コンピュータの大規模化に向けた材料・素子・回路・アルゴリズム融合研究

深見俊輔

2023年～ 2027年

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本研究は、スピントロニクス確率論的コンピュータの大規模化に向けて求められる材料・素子・回路・アルゴリズムに関する基盤的理解・技術を構築することを目的とする。日米の研究チームの緊密な連携の下、日本側チームは主に材料・素子研究を、相手側チームは主に回路・アルゴリズム研究を推進し、また両者で協力してデモ実証を行う。両国チームによる研究を通して、低炭素社会の実現に資する革新的情報技術の新基盤が構築されることが期待される。
スピン軌道創発インダクタンスの理論と実験競争的資金

山根結太, 金井駿, 深見俊輔

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

2023年4月～ 2026年3月
ブレインモルフィックコンピューティングハードウェア基盤の構築

堀尾喜彦, 池口徹, 加藤秀行, 香取勇一, KURENKOV ALEKSANDR, 佐藤茂雄, 島田裕, 鈴木秀幸, 深見俊輔, 藤原寛太郎

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2020年4月1日～ 2025年3月31日

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１．脳型デバイス・回路基盤の構築：スピントロニクス人工ニューロン・シナプスの材料・素子研究を行うとともに、その数理モデルを検討した。材料・素子研究については、３端子MTJ素子の基礎検討を行い、低消費電力化の知見を得た。数理モデルについては、リーク付き積分特性やスパイクタイミング依存可塑性の実験結果を概ね再現した。また、ニューロン素子に発火機構を付加するため、自励発振機能を有する共鳴トンネルダイオード(RTD)の製作プロセスの確立に向けてプラズマCVD等の条件出しを行った。さらに、CMOS回路との融合のため、基本となるニューロンCMOS回路の設計・試作・評価を行った。２．脳型基本アーキテクチャの構築：非線形力学的解析手法により、ニューロンモデルの非周期的な応答の解析を可能とした。また、点過程を含む時系列解析手法としてアトラクタ再構成法を検討した。さらに、昨年度構築したスパイキング神経回路網モデルを解析し、神経雪崩現象を確認した。加えて、振動子系の同期・非同期現象や神経伝達物質が脳波リズムに与える影響について調査し、脳神経系の発達と学習の数理モデルを構築した。リザバーニューラルネットワーク(RNN)については、時間遅れRNNから導かれるフィッシャー情報行列の最大固有値に対応する固有ベクトルに基づく入力マスクにより、ノイズ耐性が向上することを示した。一方、応用に関しては、RNN強化学習によるロボット制御のためのモデルを構築した。また、短期シナプス可塑性によりRNNのダイナミクスを拡張し、行動計画タスクの性能を改善した。３．脳型基本システム試作：１．のデバイスを応用し、２．で提案するアーキテクチャを集積回路として実装するための基本的な準備として、１．で述べたスピントロニクス素子とRTD素子およびCMOS回路を融合させるための基本的な枠組みについて検討した。
強磁性ワイル半金属のトポロジカルおよび量子効果の開拓とスピントロニクス素子応用

深見俊輔

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for JSPS Fellows

研究機関：Tohoku University

2023年3月8日～ 2024年3月31日
強磁性ワイル半金属のトポロジカルおよび量子効果の開拓とスピントロニクス素子応用

深見俊輔, HAN JIAHAO

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for JSPS Fellows

研究種目：Grant-in-Aid for JSPS Fellows

研究機関：Tohoku University

2022年7月27日～ 2024年3月31日
強磁性ワイル半金属のトポロジカルおよび量子効果の開拓とスピントロニクス素子応用

深見俊輔, HAN JIAHAO

2022年4月22日～ 2024年3月31日
ノンコリニアスピントロニクス

深見俊輔, 家田淳一, DUTTAGUPTA SAMIK, 金井駿, 張超亮

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

研究機関：Tohoku University

2019年6月26日～ 2024年3月31日
ストレッチャブルスピンデバイス実現を目指した超瞬間熱処理プロセス構築への挑戦

千葉大地, 深見俊輔

2021年7月9日～ 2023年3月31日

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今年度研究開始当初に、この研究の要となるフラッシュランプアニール装置が故障した。海外のメーカー製であり、コロナ禍のため技術者が来日できず、対応に苦慮した。来年度(2022年度)初めに再起動の目途が立ったが、今年度は既存試料の詳細な解析に注力することとした。そこで今年度は、磁気トンネル接合(MTJ)の、熱処理前後の既存試料の微細組織構造や元素分布、アニール過程の観察を、大阪大学超高圧電子顕微鏡センター(阪大電顕センター)にて行うための技術習得と、データどりを急ぐこととした。また、観測用磁気トンネル接合の試料作製や、通常の熱処理炉での条件出しなどを行った。阪大電顕センターにて、元素分布、つまり特定の元素の拡散の様子の違いを確認できる準備を整えた。具体的には、試料準備の方法、装置の使用方法などを習得する作業を行った。その後、通常の熱処理炉で450℃でアニールを行った試料と、フラッシュランプアニール装置を用いていくつかのコンディションで瞬間アニールした既存試料の、双方の透過型電子顕微鏡像、エネルギー分散型蛍光X線分析(EDX)ラインプロファイルを観察し、結晶化の様子や、元素部分布の違いを観察した。CoFeB/MgO系MTJのBの拡散の様子、下地層やキャップ層元素の拡散の様子などを観察したところ、通常の熱処理炉でアニールした試料では、B(ボロン)が下地層に多く含まれていることなど、特徴的な様子を観測することができた。今年度終盤にはフラッシュランプアニール装置でアニールした試料の観測も行うことができたが、EDXの計測については来年度以降に持ち越しとなった。
スピントロニクスを用いた人工知能ハードウェアパラダイムの創成

大野英男, 遠藤哲郎, 鈴木大輔, 佐藤茂雄, 堀尾喜彦, 深見俊輔

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

研究種目：Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

研究機関：Tohoku University

2017年4月25日～ 2022年3月31日

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本研究課題は、人工知能（AI）ハードウェアパラダイムの創成を念頭に、不揮発性スピン素子を用いたAIハードウェアとしての集積回路を設計実現することを目指して進めてきた。当初の計画に従い、３つの主要課題、①AIコンピューティングハードウェア向けスピントロニクス素子の開拓、②ノイマン型AIコンピューティングハードウェアの実現、③非ノイマン型AIコンピューティングハードウェアの実現、に対して研究を進めた。 ①については、アナログスピントロニクス素子のダイナミクスを利用することでスパイクタイミング依存可塑性やリーキー・インテグレート・アンド・ファイアなどの非ノイマン型ニューラルネットワークで必要とされるニューロン、シナプスの特性をスピン素子で再現できることなどが分かった。その他、反強磁性/強磁性ヘテロ構造におけるジャロシンスキー・守谷相互作用やスピン軌道トルクなどを評価し、人工知能ハードウェア応用に向けた有用な知見を得た。②については、基本回路の検討、ならびにハードウェアアルゴリズム検討のためのプラットフォーム構築に取り組み、スピン素子ベース多機能・再構成可能演算回路の設計や学習アルゴリズム評価のためのプラットフォーム構築などを進めノイマン型AIハードウェア実現の土台を形成した。③については、非ノイマン型・脳型コンピューティングアーキテクチャの検討、アナログスピンシナプス特性を考慮した学習則、アナログスピンメモリ素子を組み込んだアナログニューラルネットワーク集積回路の構築に向けた詳細な検討を行った。
ノンコリニアスピントロニクス

深見俊輔, 家田淳一, DUTTAGUPTA SAMIK, 金井駿, 張超亮

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2019年4月1日～ 2020年3月31日

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3か月弱の研究期間内においては、ノンコリニア反強磁性材料薄膜の成長技術に関する検討を開始し、方位制御された単結晶試料の作製の見通しを得ることができた。加えて、ノンコリニア磁気構造の代表例である磁気スキルミオンの電流による駆動に成功し、その詳細評価を行った。
反強磁性ヘテロ構造におけるスピン軌道トルク磁化反転の空間・元素・時間分解観察

深見俊輔, KURENKOV ALEKSANDR, DUTTAGUPTA SAMIK, LLANDRO Justin

2018年10月9日～ 2020年3月31日

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本研究課題は2018年10月に採択されて研究を開始し、当初は2021年3月に完了予定であったが、研究代表者が申請していた別の研究課題が2019年6月に基盤研究(S)で採択されたことを受け、廃止することとなった。約9か月の研究期間内において、2018年11月には英国に渡航し、放射光施設Diamond Light Sourceにおいて、共同研究相手であるスイス連邦工科大学のPietro Gambardella教授のグループと共同でX線磁気円二色性および磁気線二色性を用いた顕微鏡観察の実験を行った。研究代表者の深見および分担者のKurenkov、同じく分担者のDuttaGuptaの作製した磁性ヘテロ積層膜からなる微細素子の反強磁性層のネールベクトルおよび強磁性層の磁化の電流に対する応答を観察し、これまでに電気的な測定で得られていた結果の理解につながる有用な知見が得られた。その後、得られた結果を画像処理などから解析するとともにマイクロマグネティックシミュレーションなどを行い、反強磁性／強磁性ヘテロ構造、及び反強磁性／非磁性ヘテロ構造においてスピン軌道トルクによって誘起されるドメインのダイナミクスに関する統一的な理解が得られた。
極微細世代における新規磁壁移動方式の研究と3次元デバイスへの展開

深見俊輔

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

研究種目：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

研究機関：Tohoku University

2015年4月1日～ 2018年3月31日

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本研究では、極微細細線における電流誘起磁壁移動の新方式を提案、実証し、そこで得られた知見をもとに3次元磁壁移動デバイスの実現指針を検討することを目指して行った。はじめに垂直型の微細化限界を明らかにするとともに垂直型の延命方法を明らかにし、次いでそれとは異なる思想から面内型の新しい可能性を計算で明らかにした上で垂直型では実現できない微細領域での磁壁移動を実証した。最後に3次元磁壁移動デバイス実現のための端緒を得るところまで成功し、当初の研究課題の目標を概ね達成することができた。
スピン軌道トルクを用いた新規磁化制御方式の研究と3端子磁気メモリ素子への応用

深見俊輔

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

研究機関：Tohoku University

2015年4月1日～ 2017年3月31日

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高性能低消費電力集積回路への応用が期待される新規磁化反転方式を提案し、その動作実証、及び物理的機構の解明、ならびに集積回路応用に向けた基盤技術の構築に取り組んだ。ここ数年盛んな研究が行われている、スピン・軌道相互作用を用いた磁化制御技術―スピン軌道トルク磁化反転―の新方式を考案し、閾電流密度を決める物理的因子やナノ秒ダイナミクスを明らかにした。またサブナノ秒での磁化反転や無磁場動作を実現した。これらによってスピン軌道トルク磁化反転技術の集積回路応用への学理・技術基盤が構築された。

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その他 2

極微細世代における新規磁壁移動方式の研究と3次元デバイスへの展開

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本研究では極微細世代（30nm以下）での電流誘起磁壁移動を実現する新方式を提案し、微細ナノ磁性体の新たな物理を開拓する。またそこで確立した知見をもとに3次元磁壁移動デバイスの世界初の動作実証へと発展させる。
スピン軌道トルクを用いた新規磁化制御方式の研究と3端子磁気メモリ素子への応用

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本研究では、スピン軌道相互作用に由来するトルク―スピン軌道トルク―を用いた新しい磁化制御方式の基礎物理を確立し、それを用いた３端子磁気メモリ素子の実用化のための基盤技術を構築する。