研究者詳細

顔写真

イノウエ　コウジ
井上　耕治
Koji Inoue
所属
金属材料研究所　材料設計研究部　材料照射工学研究部門
職名
准教授
学位

  • 博士（学術）（東京大学）

  • 修士（学術）（東京大学）

委員歴 6

  • 陽電子科学会　会報編集委員

    2013年4月 ～ 継続中

  • 陽電子科学会　会報編集委員

    2013年4月 ～ 継続中

  • 日本金属学会「まてりあ」編集委員会　委員

    2011年4月 ～ 2013年3月

  • 日本金属学会「まてりあ」編集委員会　委員

    2011年4月 ～ 2013年3月

  • 日本物理学会領域１０格子欠陥ナノ構造分科運営委員会　委員

    2009年10月 ～ 2010年9月

  • 日本物理学会領域１０格子欠陥ナノ構造分科運営委員会　委員

    2009年10月 ～ 2010年9月

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

研究キーワード 3

  • 陽電子消滅

  • 3次元アトムプローブ

  • 格子欠陥

研究分野 3

  • ナノテク・材料 / 構造材料、機能材料 /

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

  • 自然科学一般 / 磁性、超伝導、強相関系 /

受賞 8

  1. 俵論文賞

    2021年9月　多結晶フェライト鋼の静的ひずみ時効発現機構 (鉄と鋼, Vol.106, No.6, pp.391-401)

  2. Summit of Materials Science 2012 Short Presentation Award

    2012年11月　Summit of Materials Science 2012

  3. 第1回日本陽電子科学会奨励賞

    2011年9月　日本陽電子科学会

  4. 第2回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞

    2011年3月　応用物理学会　“Dopant distributions in n-MOSFET structure observed by atom probe tomography” Ultramicroscopy vol. 109, pp. 1479-1484 (2009)

  5. 日本鉄鋼協会俵論文賞

    2010年3月28日　日本鉄鋼協会　陽電子ドット閉じ込めを利用したFe中Cuナノ析出物の寸法評価法の開発

  6. 平成21 年度MIRAI 賞優秀賞

    2010年3月10日　半導体MIRAIプロジェクト　アトムプローブを用いたSi-MOSFET の三次元不純物分布

  7. 第4回物理学会若手奨励賞

    2010年3月　日本物理学会

  8. 第15回陽電子消滅国際会議ポスター賞

    2009年1月　第１５回陽電子消滅国際会議ポスター賞

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

論文 165

  1. Mechanistic origin of grain size and oxygen interstitial effects on strain-induced α" martensitic transformation in Ti-12Mo alloy

    Yan Chong, Tomohito Tsuru, Masatoshi Mitsuhara, Baoqi Guo, Reza Gholizadeh, Koji Inoue, Andrew Godfrey, Nobuhiro Tsuji

    COMMUNICATIONS MATERIALS　6　(1)　2025年3月20日

    DOI： 10.1038/s43246-025-00777-4 　

    eISSN：2662-4443

  2. Fracture behavior and grain boundary cohesion of alumina scales formed on ion-irradiated FeCrAl-ODS alloy

    Hao Yu, Diancheng Geng, Yasuyuki Ogino, Naoko Oono-Hori, Koji Inoue, Sosuke Kondo, Ryuta Kasada, Shigeharu Ukai

    JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS　606　2025年2月

    DOI： 10.1016/j.jnucmat.2025.155663 　

    ISSN：0022-3115

    eISSN：1873-4820

  3. Oxide particles in oxide dispersion strengthened steel neutron-irradiated up to 158 dpa at Joyo 査読有り

    T. Toyama, T. Tanno, Y. Yano, K. Inoue, Y. Nagai, T. Ohtsuka, T. Miyazawa, M. Mitsuhara, H. Nakashima, M. Ohnuma, T. Kaito

    Journal of Nuclear Materials　599　155252　2024年10月

    DOI： 10.1016/j.jnucmat.2024.155252 　

    ISSN：0022-3115

  4. Multiscale observation of nano-oxide particles in oxide-dispersion-strengthened Cu alloys 査読有り

    Toshiki Saito, Hao Yu, Zimo Gao, Koji Inoue, Sosuke Kondo, Ryuta Kasada, Yasuyoshi Nagai, Yojiro Oba, Kosuke Hiroi

    Journal of Alloys and Compounds　983　2024年5月5日

    DOI： 10.1016/j.jallcom.2024.173852 　

    ISSN：0925-8388

    eISSN：1873-4669

  5. Contribution of Y2O3/Hf co-doping to alumina scale growth on oxide dispersion strengthened Co-based superalloy

    Hao Yu, Ryuta Kasada, Koji Inoue, Sosuke Kondo, Yasuyuki Ogino, Shigeharu Ukai

    CORROSION SCIENCE　227　2024年2月

    DOI： 10.1016/j.corsci.2023.111775 　

    ISSN：0010-938X

    eISSN：1879-0496

  6. Direct observation of voids decorated with transmuted rhenium atoms in neutron-irradiated tungsten by correlative use of TEM and APT 査読有り

    Koji Inoue, Taiki Yamashita, Shuhei Nogami, Akira Hasegawa, Takeshi Toyama, Yasuyoshi Nagai

    Materialia　32　2023年12月

    DOI： 10.1016/j.mtla.2023.101963 　

    eISSN：2589-1529

  7. High Thermal Stability and Low Thermal Resistance of Large Area GaN/3C‐SiC/Diamond Junctions for Practical Device Processes 査読有り

    Ryo Kagawa, Zhe Cheng, Keisuke Kawamura, Yutaka Ohno, Chiharu Moriyama, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    Small　2023年11月14日

    出版者・発行元： Wiley

    DOI： 10.1002/smll.202305574 　

    ISSN：1613-6810

    eISSN：1613-6829

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abstract Thermal management is critical in contemporary electronic systems, and integrating diamond with semiconductors offers the most promising solution to improve heat dissipation. However, developing a technique that can fully exploit the high thermal conductivity of diamond, withstand high‐temperature annealing processes, and enable mass production is a significant challenge. In this study, the successful transfer of AlGaN/GaN/3C‐SiC layers grown on Si to a large‐size diamond substrate is demonstrated, followed by the fabrication of GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on the diamond. Notably, no exfoliation of 3C‐SiC/diamond bonding interfaces is observed even after annealing at 1100 °C, which is essential for high‐quality GaN crystal growth on the diamond. The thermal boundary conductance of the 3C‐SiC‐diamond interface reaches ≈55 MW m−2 K−1, which is efficient for device cooling. GaN HEMTs fabricated on the diamond substrate exhibit the highest maximum drain current and the lowest surface temperature compared to those on Si and SiC substrates. Furthermore, the device thermal resistance of GaN HEMTs on the diamond substrate is significantly reduced compared to those on SiC substrates. These results indicate that the GaN/3C‐SiC on diamond technique has the potential to revolutionize the development of power and radio‐frequency electronics with improved thermal management capabilities.

  8. Irradiation effects on binary tungsten alloys at elevated temperatures: Vacancy cluster formation, precipitation of alloying elements and irradiation hardening 査読有り

    Jing Wang, Yuji Hatano, Takeshi Toyama, Tatsuya Hinoki, Kiyohiro Yabuuchi, Yi-fan Zhang, Bing Ma, Alexander V. Spitsyn, Nikolay P. Bobyr, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    Materials & Design　229　111899-111899　2023年5月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.matdes.2023.111899 　

    ISSN：0264-1275

  9. Defect Analysis of Matrix Damage in Reactor Pressure Vessel Steel Using WB-STEM 招待有り 査読有り

    Kenta Yoshida, Takeshi Toyama, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Masaki Shimodaira

    Materia Japan　62　(3)　154-158　2023年3月1日

    出版者・発行元： Japan Institute of Metals

    DOI： 10.2320/materia.62.154 　

    ISSN：1340-2625

    eISSN：1884-5843

  10. Grain refinement in titanium prevents low temperature oxygen embrittlement 査読有り

    Yan Chong, Reza Gholizadeh, Tomohito Tsuru, Ruopeng Zhang, Koji Inoue, Wenqiang Gao, Andy Godfrey, Masatoshi Mitsuhara, J. W. Morris, Andrew M. Minor, Nobuhiro Tsuji

    Nature Communications　14　(1)　2023年2月1日

    出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC

    DOI： 10.1038/s41467-023-36030-0 　

    eISSN：2041-1723

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abstract Interstitial oxygen embrittles titanium, particularly at cryogenic temperatures, which necessitates a stringent control of oxygen content in fabricating titanium and its alloys. Here, we propose a structural strategy, via grain refinement, to alleviate this problem. Compared to a coarse-grained counterpart that is extremely brittle at 77 K, the uniform elongation of an ultrafine-grained (UFG) microstructure (grain size ~ 2.0 µm) in Ti-0.3wt.%O is successfully increased by an order of magnitude, maintaining an ultrahigh yield strength inherent to the UFG microstructure. This unique strength-ductility synergy in UFG Ti-0.3wt.%O is achieved via the combined effects of diluted grain boundary segregation of oxygen that helps to improve the grain boundary cohesive energy and enhanced <c + a> dislocation activities that contribute to the excellent strain hardening ability. The present strategy will not only boost the potential applications of high strength Ti-O alloys at low temperatures, but can also be applied to other alloy systems, where interstitial solution hardening results into an undesirable loss of ductility.

  11. Ultrahigh yield strength and large uniform elongation achieved in ultrafine-grained titanium containing nitrogen 査読有り

    Yan Chong, Tomohito Tsuru, Baoqi Guo, Reza Gholizadeh, Koji Inoue, Nobuhiro Tsuji

    Acta Materialia　240　2022年11月

    DOI： 10.1016/j.actamat.2022.118356 　

    ISSN：1359-6454

  12. Investigation of Nanoscale Phase Formation in Rapidly Solidified Fe<sub>20</sub>Co<sub>20</sub>Ni<sub>20</sub>Cr<sub>20</sub>B<sub>20−</sub><i><sub>x</sub></i>Si<i><sub>x</sub></i> Alloys 査読有り

    Yicheng Zhang, Koji Inoue, Manabu Ishimaru, Tatsuya Tokunaga, Hidenori Era

    MATERIALS TRANSACTIONS　63　(9)　1211-1216　2022年9月1日

    出版者・発行元： Japan Institute of Metals

    DOI： 10.2320/matertrans.mt-m2022058 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

  13. Effect of rhenium addition on deuterium retention in neutron-irradiated tungsten

    Y. Nobuta, T. Toyama, A. Matsumoto, M. Shimada, Y. Oya, K. Inoue, Y. Nagai, Y. Hatano

    Journal of Nuclear Materials　566　2022年8月1日

    DOI： 10.1016/j.jnucmat.2022.153774 　

    ISSN：0022-3115

  14. In situ thermal annealing transmission electron microscopy of irradiation induced Fe nanoparticle precipitation in Fe-Si alloy

    Y. Shimada, Y. Ikeda, K. Yoshida, M. Sato, J. Chen, Y. Du, K. Inoue, R. Maaß, Y. Nagai, T. J. Konno

    Journal of Applied Physics　131　(16)　2022年4月

    DOI： 10.1063/5.0070471 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  15. In Situ TEM Observation and MD Simulation of Frank Partial Dislocation Climbing in Al-Cu Alloy

    Jiao Chen, Kenta Yoshida, Tomoaki Suzudo, Yusuke Shimada, Koji Inoue, Toyohiko J. Konno, Yasuyoshi Nagai

    MATERIALS TRANSACTIONS　63　(4)　468-474　2022年2月

    DOI： 10.2320/matertrans.MT-M2021233 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

  16. Direct observation of local chemical ordering in a few nanometer range in CoCrNi medium-entropy alloy by atom probe tomography and its impact on mechanical properties 査読有り

    Koji Inoue, Shuhei Yoshida, Nobuhiro Tsuji

    Physical Review Materials　5　(8)　2021年8月26日

    出版者・発行元： American Physical Society (APS)

    DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.5.085007 　

    eISSN：2475-9953

  17. Segregation mechanism of arsenic dopants at grain boundaries in silicon

    Yutaka Ohno, Tatsuya Yokoi, Yasuo Shimizu, Jie Ren, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Kentaro Kutsukake, Kozo Fujiwara, Atsutomo Nakamura, Katsuyuki Matsunaga, Hideto Yoshida

    Science and Technology of Advanced Materials: Methods　1　(1)　169-180　2021年8月20日

    出版者・発行元： Informa UK Limited

    DOI： 10.1080/27660400.2021.1969701 　

    eISSN：2766-0400

  18. Recovery features of kink boundaries upon post-annealing of a hot-extruded Mg-Zn-Y alloy

    Daisuke Egusa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Eiji Abe

    Materials Characterization　177　2021年7月

    DOI： 10.1016/j.matchar.2021.111153 　

    ISSN：1044-5803

  19. Radiation-enhanced diffusion of copper in iron studied by three-dimensional atom probe

    T. Toyama, C. Zhao, T. Yoshiie, S. Yamasaki, S. Uno, M. Shimodaira, H. Miyata, T. Suzudo, Y. Shimizu, K. Yoshida, K. Inoue, Y. Nagai

    Journal of Nuclear Materials　556　153176-153176　2021年7月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.jnucmat.2021.153176 　

    ISSN：0022-3115

  20. Investigation of Cu Diffusivity in Fe by a Combination of Atom Probe Experiments and Kinetic Monte Carlo Simulation

    Can Zhao, Tomoaki Suzudo, Takeshi Toyama, Shigeto Nishitani, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    MATERIALS TRANSACTIONS　62　(7)　929-934　2021年7月1日

    出版者・発行元： Japan Institute of Metals

    DOI： 10.2320/matertrans.mt-m2021028 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

  21. Insight into segregation sites for oxygen impurities at grain boundaries in silicon

    Yutaka Ohno, Jie Ren, Shingo Tanaka, Masanori Kohyama, Koji Inoue, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Hideto Yoshida

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　14　(4)　2021年4月

    DOI： 10.35848/1882-0786/abe80d 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  22. Iron nitride, α″-Fe16N2, around <100> interstitial type dislocation loops in neutron-irradiated iron 査読有り

    T. Yoshiie, K. Inoue, K. Yoshida, T. Toyama, Y. Satoh, Y. Nagai

    Philosophical Magazine　1-12　2021年2月26日

    出版者・発行元： Informa UK Limited

    DOI： 10.1080/14786435.2021.1891317 　

    ISSN：1478-6435

    eISSN：1478-6443

  23. Correlative atom probe tomography and scanning transmission electron microscopy reveal growth sequence of LPSO phase in Mg alloy containing Al and Gd 国際誌 査読有り

    Koji Inoue, Kenta Yoshida, Yasuyoshi Nagai, Kyosuke Kishida, Haruyuki Inui

    Scientific Reports　11　(1)　3073-3073　2021年2月

    出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC

    DOI： 10.1038/s41598-021-82705-3 　

    eISSN：2045-2322

    詳細を見る 詳細を閉じる

    <title>Abstract</title>Atom probe tomography (APT) and transmission electron microscopy (TEM)/scanning transmission electron microscopy (STEM) have been used correlatively to explore atomic-scale local structure and chemistry of the exactly same area in the vicinity of growth front of a long-period stacking ordered (LPSO) phase in a ternary Mg–Al–Gd alloy. It is proved for the first time that enrichment of Gd atoms in four consecutive (0001) atomic layers precedes enrichment of Al atoms so that the formation of Al6Gd8 clusters occurs only after sufficient Al atoms to form Al6Gd8 clusters diffuse into the relevant portions. Lateral growth of the LPSO phase is found to occur by ‘ledge’ mechanism with the growth habit plane either {1<inline-formula><alternatives><tex-math>$$\overline{1}$$</tex-math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>¯</mml:mo> </mml:mover> </mml:math></alternatives></inline-formula>00} or {11<inline-formula><alternatives><tex-math>$$\overline{2}$$</tex-math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mover> <mml:mn>2</mml:mn> <mml:mo>¯</mml:mo> </mml:mover> </mml:math></alternatives></inline-formula>0} planes. The motion of ledges that give rise to lateral growth of the LPSO phase is considered to be controlled by diffusion of Al atoms.

  24. Crystallite distribution analysis based on hydrogen content in thin-film nanocrystalline silicon solar cells by atom probe tomography

    Yasuo Shimizu, Hitoshi Sai, Takuya Matsui, Kenji Taki, Taiki Hashiguchi, Hirotaka Katayama, Mitsuhiro Matsumoto, Akira Terakawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　14　(1)　2021年1月

    DOI： 10.35848/1882-0786/abd13f 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  25. 3D impurity profiles of doped/intrinsic amorphous-silicon layers composing textured silicon heterojunction solar cells detected by atom probe tomography

    Yasuo Shimizu, Bin Han, Naoki Ebisawa, Yoshinari Ichihashi, Taiki Hashiguchi, Hirotaka Katayama, Mitsuhiro Matsumoto, Akira Terakawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　13　(12)　2020年12月

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  26. In-situ WB-STEM observation of dislocation loop behavior in reactor pressure vessel steel during post-irradiation annealing 査読有り

    Yufeng Du, Kenta Yoshida, Yusuke Shimada, Takeshi Toyama, Koji Inoue, Kazuto Arakawa, Tomoaki Suzudo, Konstantinovic J. Milan, Robert Gerard, Somei Ohnuki, Yasuyoshi Nagai

    Materialia　12　100778-100778　2020年8月

    DOI： 10.1016/j.mtla.2020.100778 　

    ISSN：2589-1529

  27. In-situ WB-STEM observation of dislocation loop behavior in reactor pressure vessel steel during post-irradiation annealing 査読有り

    Yufeng Du, Kenta Yoshida, Yusuke Shimada, Takeshi Toyama, Koji Inoue, Kazuto Arakawa, Tomoaki Suzudo, Konstantinovic J. Milan, Robert Gerard, Somei Ohnuki, Yasuyoshi Nagai

    Materialia　12　100778-100778　2020年8月

    DOI： 10.1016/j.mtla.2020.100778 　

    ISSN：2589-1529

  28. High concentration of vacancies induced by β″ phase formation in Al–Mg–Si alloys 査読有り

    Koji Inoue, Ken Takata, Kenji Kazumi, Yasuharu Shirai

    Philosophical Magazine Letters　100　(6)　260-270　2020年6月2日

    出版者・発行元： Informa UK Limited

    DOI： 10.1080/09500839.2020.1751324 　

    ISSN：0950-0839

    eISSN：1362-3036

  29. 多結晶フェライト鋼の静的ひずみ時効発現機構 査読有り

    小野 義彦, 船川 義正, 奥田 金晴, 瀬戸 一洋, 井上 耕治, 永井 康介

    106　(6)　391-401　2020年6月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.2355/tetsutohagane.tetsu-2019-108 　

    ISSN：0021-1575

    eISSN：1883-2954

  30. Multiscale characterization of the joint bonded by Cu@Ag core@shell nanoparticles 国際共著 査読有り

    Y. Tu, P. L. Zhu, G. Li, Q. L. Ouyang, H. Chang, F. R. Zhou, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, R. Sun, C. P. Wong

    Applied Physics Letters　116　(21)　213101/1-213101/5　2020年5月

    DOI： 10.1063/5.0007534 　

  31. Effects of neutron flux on irradiation-induced hardening and defects in RPV steels studied by positron annihilation spectroscopy 査読有り

    T. Toyama, T. Yamamoto, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai, G. R. Odette

    Journal of Nuclear Materials　532　2020年4月

    DOI： 10.1016/j.jnucmat.2020.152041 　

    ISSN：0022-3115

  32. Development of Niobium Bearing High Carbon Steel Sheet for Knitting Needles

    Eiji Tsuchiya, Yuta Matsumura, Yoshihiro Hosoya, Yuka Miyamoto, Takashi Kobayashi, Kazuhiro Seto, Keiko Tomura, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    ISIJ INTERNATIONAL　60　(5)　1052-1062　2020年

    DOI： 10.2355/isijinternational.ISIJINT-2019-084 　

    ISSN：0915-1559

    eISSN：1347-5460

  33. Dislocation Substructure Analysis in gamma '-Precipitated Ni-Based Alloy by X-Ray Diffraction Combined with Positron Annihilation 査読有り

    Mitsuharu Yonemura, Koji Inoue

    METALLURGICAL AND MATERIALS TRANSACTIONS A-PHYSICAL METALLURGY AND MATERIALS SCIENCE　50A　(7)　3201-3212　2019年7月

    DOI： 10.1007/s11661-019-05228-7 　

    ISSN：1073-5623

    eISSN：1543-1940

  34. Hydrogen behavior in Al2O3/HfxSi1-xO2/SiO2 gate dielectric stacks in memory device structures analyzed by atom probe tomography 招待有り

    Y. Shimizu, K. Inoue, K. Nagumo, Y. Nagai

    IMR KINKEN Research Highlights 2019　33-33　2019年7月

  35. Diffusionless isothermal omega transformation in titanium alloys driven by quenched-in compositional fluctuations 査読有り

    Masakazu Tane, Hiroki Nishiyama, Akihiro Umeda, Norihiko L. Okamoto, Koji Inoue, Martin Luckabauer, Yasuyoshi Nagai, Tohru Sekino, Takayoshi Nakano, Tetsu Ichitsubo

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS　3　(4)　2019年4月

    DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.3.043604 　

    ISSN：2475-9953

  36. Evaluation of spatial and temporal resolution on in situ annealing aberration-corrected transmission electron microscopy with proportional–integral–differential controller 査読有り

    Yusuke Shimada, Kenta Yoshida, Koji Inoue, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Yasuyoshi Nagai, Toyohiko J. Konno

    Microscopy　68　(3)　1-8　2019年3月

    DOI： 10.1093/jmicro/dfz010 　

    ISSN：2050-5698

    eISSN：2050-5701

  37. Outstanding tensile properties of a precipitation-strengthened FeCoNiCrTi0.2 high-entropy alloy at room and cryogenic temperatures 査読有り

    Y. Tong, D. Chen, B. Han, J. Wang, R. Feng, T. Yang, C. Zhao, Y. L. Zhao, W. Guo, Y. Shimizu, C. T. Liu, P. K. Liaw, K. Inoue, Y. Nagai, A. Hu, J. J. Kai

    Acta Materialia　165　228-240　2019年2月

    DOI： 10.1016/j.actamat.2018.11.049 　

  38. Development of Niobium Bearing High Carbon Steel Sheet for Knitting Needles 査読有り

    Eiji Tsuchiya, Yuta Matsumura, Yoshihiro Hosoya, Yuka Miyamoto, Takashi Kobayashi, Kazuhiro Seto, Keiko Tomura, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    TETSU TO HAGANE-JOURNAL OF THE IRON AND STEEL INSTITUTE OF JAPAN　105　(1)　76-85　2019年1月

    DOI： 10.2355/tetsutohagane.TETSU-2018-097 　

    ISSN：0021-1575

    eISSN：1883-2954

  39. Roles of Solute C and Grain Boundary in Strain Aging Behaviour of Fine-grained Ultra-low Carbon Steel Sheets 査読有り

    Ono Yoshihiko, Funakawa Yoshimasa, Okuda Kaneharu, Seto Kazuhiro, Ebisawa Naoki, Inoue Koji, Nagai Yasuyoshi

    TETSU TO HAGANE-JOURNAL OF THE IRON AND STEEL INSTITUTE OF JAPAN　105　(4)　452-461　2019年

    DOI： 10.2355/tetsutohagane.TETSU-2018-110 　

    ISSN：0021-1575

  40. Vacancy Behavior during Aging at 50 and 100 degrees C in Al-Mg-Si Alloys with Excess Si Studied by Positron Annihilation Spectroscopy 査読有り

    Koji Inoue, Ken Takata, Koji Ichitani, Yasuharu Shirai

    MATERIALS TRANSACTIONS　60　(11)　2255-2259　2019年

    DOI： 10.2320/matertrans.L-M2019846 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

  41. Atom probe tomography of GaAs homointerfaces fabricated by surface-activated bonding 査読有り

    Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    PROCEEDINGS OF 2019 6TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)　56-56　2019年

    DOI： 10.23919/LTB-3D.2019.8735167 　

  42. Effect of carbon on boron diffusion and clustering in silicon: Temperature dependence study 査読有り

    Y. Tu, Y. Shimizu, Y. Kunimune, Y. Shimada, T. Katayama, T. Ide, M. Inoue, F. Yano, K. Inoue, Y. Nagai

    Journal of Applied Physics　124　(15)　155702/1-155702/8　2018年10月

    DOI： 10.1063/1.5048313 　

  43. Direct observation of deuterium trapping at irradiation-induced vacancy clusters in tungsten by positron annihilation spectroscopy 招待有り

    Y. Nagai, K. Inoue, Y. Shimizu, K. Nagumo

    IMR KINKEN Research Highlights 2018　19-19　2018年7月

  44. Industrial application of atom probe tomography to semiconductor devices 査読有り

    Alexander Devin Giddings, Sebastian Koelling, Yasuo Shimizu, Robert Estivill, Koji Inoue, Wilfried Vandervorst, Wai Kong Yeoh

    Scripta Materialia　148　82-90　2018年4月15日

    DOI： 10.1016/j.scriptamat.2017.09.004 　

    ISSN：1359-6462

  45. Composition evolution of gamma prime nanoparticles in the Ti-doped CoFeCrNi high entropy alloy 査読有り

    Bin Han, Jie Wei, Yang Tong, Da Chen, Yilu Zhao, Jing Wang, Feng He, Tao Yang, Can Zhao, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Alice Hu, Chain Tsuan Liu, Ji Jung Kai

    Scripta Materialia　148　42-46　2018年4月15日

    DOI： 10.1016/j.scriptamat.2018.01.025 　

    ISSN：1359-6462

  46. Blocking of deuterium diffusion in poly-Si/Al2O3/HfxSi1-xO2/SiO2 high- k stacks as evidenced by atom probe tomography 査読有り

    Y. Tu, B. Han, Y. Shimizu, Y. Kunimune, Y. Shimada, T. Katayama, T. Ide, M. Inoue, F. Yano, K. Inoue, Y. Nagai

    Applied Physics Letters　112　(3)　032902　2018年1月15日

    DOI： 10.1063/1.5010256 　

    ISSN：0003-6951

  47. Deuterium trapping at vacancy clusters in electron/neutron-irradiated tungsten studied by positron annihilation spectroscopy 査読有り

    Toyama, T., Ami, K., Inoue, K., Nagai, Y., Sato, K., Xu, Q., Hatano, Y.

    Journal of Nuclear Materials　499　464-470　2018年

    DOI： 10.1016/j.jnucmat.2017.11.022 　

    ISSN：0022-3115

  48. Nanoscopic analysis of oxygen segregation at tilt boundaries in silicon ingots using atom probe tomography combined with TEM and ab initio calculations 査読有り

    Y. Ohno, K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama

    JOURNAL OF MICROSCOPY　268　(3)　230-238　2017年12月

    DOI： 10.1111/jmi.12602 　

    ISSN：0022-2720

    eISSN：1365-2818

  49. 1.54 mu m photoluminescence from Er:O-x centers at extremely low concentration in silicon at 300 K 査読有り

    Michele Celebrano, Lavinia Ghirardini, Marco Finazzi, Yasuo Shimizu, Yuan Tu, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Takahiro Shinada, Yuki Chiba, Ayman Abdelghafar, Maasa Yano, Takashi Tanii, Enrico Prati

    OPTICS LETTERS　42　(17)　3311-3314　2017年9月

    DOI： 10.1364/OL.42.003311 　

    ISSN：0146-9592

    eISSN：1539-4794

  50. Atom probe tomographic assessment of the distribution of germanium atoms implanted in a silicon matrix through nano-apertures 査読有り

    Y. Tu, B. Han, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Fukui, M. Yano, T. Tanii, T. Shinada, Y. Nagai

    NANOTECHNOLOGY　28　(38)　385301　2017年9月

    DOI： 10.1088/1361-6528/aa7f49 　

    ISSN：0957-4484

    eISSN：1361-6528

  51. Atom probe analysis of silicon nanocrystals embedded in silicon dioxide matrix 招待有り

    Y. Shimizu, Y. Nagai, K. Inoue

    IMR KINKEN Research Highlights 2017　32-32　2017年7月

  52. Weak-beam scanning transmission electron microscopy for quantitative dislocation density measurement in steels 査読有り

    Kenta Yoshida, Masaki Shimodaira, Takeshi Toyama, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Toshimasa Yoshiie, Konstantinovic J. Milan, Robert Gerard, Yasuyoshi Nagai

    MICROSCOPY　66　(2)　120-130　2017年4月

    DOI： 10.1093/jmicro/dfw111 　

    ISSN：2050-5698

    eISSN：2050-5701

  53. Impact of local atomic stress on oxygen segregation at tilt boundaries in silicon 査読有り

    Yutaka Ohno, Kaihei Inoue, Kozo Fujiwara, Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Ichiro Yonenaga, Naoki Ebisawa, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Shingo Tanaka, Masanori Kohyama

    APPLIED PHYSICS LETTERS　110　(6)　062105/1-062105/5　2017年2月

    DOI： 10.1063/1.4975814 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  54. Atom Probe Study of Erbium and Oxygen Co-Implanted Silicon 査読有り

    Yasuo Shimizu, Yuan Tu, Ayman Abdelghafar, Maasa Yan, Yudai Suzuki, Takashi Tanii, Takahiro Shinada, Enrico Prati, Michele Celebrano, Marco Finazzi, Lavinia Ghirardini, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    2017 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW)　99-100　2017年

    DOI： 10.23919/SNW.2017.8242316 　

    ISSN：2161-4636

  55. Revisiting room-temperature 1.54 mu m photoluminescence of ErOx centers in silicon at extremely low concentration 査読有り

    2017 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW)　105-106　2017年

    ISSN：2161-4636

  56. Roles of Solute C and Grain Boundary in Strain Aging Behaviour of Fine-grained Ultra-low Carbon Steel Sheets 査読有り

    Yoshihiko Ono, Yoshimasa Funakawa, Kaneharu Okuda, Kazuhiro Seto, Naoki Ebisawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    ISIJ INTERNATIONAL　57　(7)　1273-1281　2017年

    DOI： 10.2355/isijinternational.ISIJINT-2016-622 　

    ISSN：0915-1559

    eISSN：1347-5460

  57. Influence of laser power on atom probe tomographic analysis of boron distribution in silicon 査読有り

    Tu, Y., Takamizawa, H., Han, B., Shimizu, Y., Inoue, K., Toyama, T., Yano, F., Nishida, A., Nagai, Y.

    Ultramicroscopy　173　58-63　2017年

    DOI： 10.1016/j.ultramic.2016.11.023 　

    ISSN：0304-3991

  58. Dislocation Substructure in the Cold-Rolled Ni-20 Mass Pct Cr Alloy Analyzed by X-ray Diffraction, Positron Annihilation Lifetime, and Transmission Electron Microscopy 査読有り

    Mitsuharu Yonemura, Koji Inoue

    METALLURGICAL AND MATERIALS TRANSACTIONS A-PHYSICAL METALLURGY AND MATERIALS SCIENCE　47A　(12)　6384-6393　2016年12月

    DOI： 10.1007/s11661-016-3717-y 　

    ISSN：1073-5623

    eISSN：1543-1940

  59. Recombination activity of nickel, copper, and oxygen atoms segregating at grain boundaries in mono-like silicon crystals 査読有り

    Yutaka Ohno, Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Ichiro Yonenaga, Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Hideto Yoshida, Seiji Takeda

    APPLIED PHYSICS LETTERS　109　(14)　142105/1-142105/4　2016年10月

    DOI： 10.1063/1.4964440 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  60. Predoping effects of boron and phosphorous on arsenic diffusion along grain boundaries in polycrystalline silicon investigated by atom probe tomography 査読有り

    Hisashi Takamizawa, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Yasuko Nozawa, Takeshi Toyama, Fumiko Yano, Masao Inoue, Akio Nishida, Yasuyoshi Nagai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　9　(10)　106601/1-106601/4　2016年10月

    DOI： 10.7567/APEX.9.106601 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  61. Quantitative analysis of hydrogen in SiO2/SiN/SiO2 stacks using atom probe tomography 査読有り

    Yorinobu Kunimune, Yasuhiro Shimada, Yusuke Sakurai, Masao Inoue, Akio Nishida, Bin Han, Yuan Tu, Hisashi Takamizawa, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Fumiko Yano, Yasuyoshi Nagai, Toshiharu Katayama, Takashi Ide

    AIP ADVANCES　6　(4)　045121/1-045121/7　2016年4月

    DOI： 10.1063/1.4948558 　

    ISSN：2158-3226

  62. Suppression of segregation of the phosphorus δ-doping layer in germanium by incorporation of carbon 査読有り

    M. Yamada, K. Sawano, M. Uematsu, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, K. M. Itoh

    Japanese Journal of Applied Physics　55　(3)　031304/1-031304/5　2016年3月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.031304 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  63. Impact of carbon co-implantation on boron distribution and activation in silicon studied by atom probe tomography and spreading resistance measurements 査読有り

    Yasuo Shimizu, Hisashi Takamizawa, Koji Inoue, Fumiko Yano, Shuichi Kudo, Akio Nishida, Takeshi Toyama, Yasuyoshi Nagai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(2)　026501/1-026501/5　2016年2月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.026501 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  64. 22aAQ-8 3次元アトムプローブ、透過電子顕微鏡、陽電子消滅による照射欠陥 : 溶質原子クラスター相互作用の解析

    永井 康介, 下平 昌樹, 吉田 健太, 外山 健, 井上 耕治, Konstantinovic M., Gerard R.

    日本物理学会講演概要集　71　2761-2761　2016年

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2761 　

    ISSN：2189-079X

  65. 21pAQ-8 陽電子消滅とアトムプローブを組み合わせた材料解析

    井上 耕治

    日本物理学会講演概要集　71　2738-2739　2016年

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2738 　

    ISSN：2189-079X

  66. 22aAQ-7 シリコン中の小角粒界における銅の偏折機構

    大野 裕, 井上 海平, 沓掛 健太郎, 出浦 桃子, 米永 一郎, 海老澤 直樹, 清水 康雄, 井上 耕治, 永井 康介, 吉田 秀人, 竹田 精治, 谷口 僚, 大坪 秀礎, 西谷 滋人, Kutsukake K.

    日本物理学会講演概要集　71　2760-2760　2016年

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2760 　

    ISSN：2189-079X

  67. 球面収差補正透過電子顕微鏡法による原子炉構造材料内の局所ひずみ解析

    下平 昌樹, 吉田 健太, 外山 健, 海老澤 直樹, 戸村 恵子, 井上 耕治, 永井 康介, Konstantinovic Milan, Gerard Robert

    日本物理学会講演概要集　71　2523-2523　2016年

    出版者・発行元： 一般社団法人 日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2523 　

    詳細を見る 詳細を閉じる

    <p>球面収差補正透過電子顕微鏡法により、中性子照射によって原子炉構造材料に誘起される照射欠陥解析を行う。例として原子炉圧力容器監視試験片の_bcc_Fe-[100]、[111]晶帯軸から結晶構造像の取得を行い、硬化に寄与する溶質原子クラスター、転位ループおよびそれら以外の硬化の要因となりうる欠陥構造の格子位置を特定した。そして、GPAとPPAを組み合わせたひずみ解析により原子スケールの格子欠陥を視覚化した。</p>

  68. Boron distributions in individual core-shell Ge/Si and Si/Ge heterostructured nanowires 査読有り

    Bin Han, Yasuo Shimizu, Jevasuwan Wipakorn, Kotaro Nishibe, Yuan Tu, Koji Inoue, Naoki Fukata, Yasuyoshi Nagai

    NANOSCALE　8　(47)　19811-19815　2016年

    DOI： 10.1039/c6nr04384d 　

    ISSN：2040-3364

    eISSN：2040-3372

  69. Atom probe tomography of nanoscale electronic materials 査読有り

    D. J. Larson, T. J. Prosa, D. E. Perea, K. Inoue, D. Mangelinck

    MRS BULLETIN　41　(1)　30-34　2016年1月

    DOI： 10.1557/mrs.2015.308 　

    ISSN：0883-7694

    eISSN：1938-1425

  70. Evolution of shape, size, and areal density of a single plane of Si nanocrystals embedded in SiO2 matrix studied by atom probe tomography 査読有り

    Bin Han, Yasuo Shimizu, Gabriele Seguini, Elisa Arduca, Celia Castro, Gerard Ben Assayag, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Sylvie Schamm-Chardon, Michele Perego

    RSC ADVANCES　6　(5)　3617-3622　2016年

    DOI： 10.1039/c5ra26710b 　

    ISSN：2046-2069

  71. 陽電子消滅同時計数ドップラー広がりによる元素分析法 査読有り

    井上耕治, 永井康介

    陽電子科学　6　21-28　2016年

  72. Hole size distributions in cardo-based polymer membranes deduced from the lifetimes of ortho-positronium 査読有り

    Kobayashi, Y., Kinomura, A., Kazama, S., Inoue, K., Toyama, T., Nagai, Y., Haraya, K., Mohamed, H. F. M., O'Rourke, B. E., Oshima, N., Suzuki, R.

    International Workshop on Positron Studies of Defects 2014　674　012017　2016年

    DOI： 10.1088/1742-6596/674/1/012017 　

  73. The diffusivity and solubility of copper in a reactor pressure vessel steel studied by atom probe tomography

    Y. Nagai, K. Inoue, Y. Shimizu, K. Nagumo

    IMR KINKEN Research Highlights 2016　20　2016年

  74. Characterization and process development of CVD/ALD-based Cu(Mn)/Co(W) interconnect system 査読有り

    K. Shima, Y. Tu, B. Han, H. Takamizawa, H. Shimizu, Y. Shimizu, T. Momose, K. Inoue, Y. Nagai, Y. Shimogaki

    Proceedings of Advanced Metallization Conference　2016年

  75. Elemental Distribution in Multilayer Systems by Laser-Assisted Atom Probe Tomography with Various Analysis Directions 査読有り

    Masaki Kubota, Hisashi Takamizawa, Yasuo Shimizu, Yasuko Nozawa, Naoki Ebisawa, Takeshi Toyama, Yoichi Ishida, Katsuaki Yanagiuchi, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    MICROSCOPY AND MICROANALYSIS　21　(6)　1373-1378　2015年12月

    DOI： 10.1017/S1431927615015160 　

    ISSN：1431-9276

    eISSN：1435-8115

  76. Diffusivity and Solubility of Cu in a Reactor Pressure Vessel Steel Studied by Atom Probe Tomography 査読有り

    Masaki Shimodaira, Takeshi Toyama, Fumihiko Takahama, Naoki Ebisawa, Yasuko Nozawa, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    MATERIALS TRANSACTIONS　56　(9)　1513-1516　2015年9月

    DOI： 10.2320/matertrans.M2015072 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

  77. Phosphorus and boron diffusion paths in polycrystalline silicon gate of a trench-type three-dimensional metal-oxide-semiconductor field effect transistor investigated by atom probe tomography 査読有り

    Bin Han, Hisashi Takamizawa, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Fumiko Yano, Yorinobu Kunimune, Masao Inoue, Akio Nishida

    APPLIED PHYSICS LETTERS　107　(2)　023506/1-023506/4　2015年7月

    DOI： 10.1063/1.4926970 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  78. Nanoscopic mechanism of Cu precipitation at small-angle tilt boundaries in Si 査読有り

    Yutaka Ohno, Kaihei Inoue, Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, Takayuki Ohsawa, Ichiro Yonenaga, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Ryo Taniguchi, Hideki Otubo, Sigeto R. Nishitani, Naoki Ebisawa, Yasuo Shimizu, Hisashi Takamizawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    PHYSICAL REVIEW B　91　(23)　235315/1-235315/5　2015年6月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.91.235315 　

    ISSN：1098-0121

    eISSN：1550-235X

  79. Three-dimensional evaluation of gettering ability for oxygen atoms at small-angle tilt boundaries in Czochralski-grown silicon crystals 査読有り

    Yutaka Ohno, Kaihei Inoue, Kozo Fujiwara, Momoko Deura, Kentaro Kutsukake, Ichiro Yonenaga, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Naoki Ebisawa, Yasuyoshi Nagai

    APPLIED PHYSICS LETTERS　106　(25)　251603/1-251603/4　2015年6月

    DOI： 10.1063/1.4921742 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  80. Microstructural evolution of RPV steels under proton and ion irradiation studied by positron annihilation spectroscopy 査読有り

    J. Jiang, Y. C. Wu, X. B. Liu, R. S. Wang, Y. Nagai, K. Inoue, Y. Shimizu, T. Toyama

    JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS　458　326-334　2015年3月

    DOI： 10.1016/j.jnucmat.2014.12.113 　

    ISSN：0022-3115

    eISSN：1873-4820

  81. 17aAB-2 シリコン中の小角粒界における酸素の偏析機構

    大野 裕, 井上 海平, 藤原 航三, 出浦 桃子, 沓掛 健太郎, 米永 一郎, 清水 康雄, 井上 耕治, 海老澤 直樹, 永井 康介

    日本物理学会講演概要集　70　2434-2434　2015年

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_2434 　

    ISSN：2189-079X

  82. 21pCH-5 高照射量領域の原子炉圧力容器鋼の微細組織変化

    永井 康介, 下平 昌樹, 外山 健, 井上 耕治, Konstantinovic M., Gerard R.

    日本物理学会講演概要集　70　2692-2692　2015年

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_2692 　

    ISSN：2189-079X

  83. Development of a mono-energetic positron beam line at the Kyoto University Research Reactor 査読有り

    K. Sato, Q. Xu, T. Yoshiie, T. Sano, H. Kawabe, Y. Nagai, K. Nagumo, K. Inoue, T. Toyama, N. Oshima, A. Kinomura, Y. Shirai

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　342　104-107　2015年1月

    DOI： 10.1016/j.nimb.2014.09.022 　

    ISSN：0168-583X

    eISSN：1872-9584

  84. ３次元アトムプローブ法を用いたSiO2/SiN/SiO2積層膜中の水素濃度分析

    島田康弘, 国宗依信, 片山俊治, 井手隆, 井上真雄, 清水康雄, 韓斌, 井上耕治, 永井康介, 矢野史子

    第45回信頼性・保全性シンポジウム（45R&MS）報文　377-381　2015年

  85. Atom probe analysis of dopant and contaminant diffusion on silicon introduced by the molecular doping method

    Y. Shimizu, K. Nagumo, K. Inoue, Y. Nagai

    IMR KINKEN Research Highlights 2015　35　2015年

  86. ３次元アトムプローブ法を用いたONO膜中の水素濃度定量分析

    国宗依信, 島田康弘, 井上真雄, 韓斌, 涂远, 清水康雄, 井上耕治, 矢野史子, 永井康介, 片山俊治, 井手隆

    第35回ナノテスティングシンポジウム会議録　259-264　2015年

  87. Role of W and Mn for reliable 1X nanometer-node ultra-large-scale integration Cu interconnects proved by atom probe tomography 査読有り

    K. Shima, Y. Tu, H. Takamizawa, H. Shimizu, Y. Shimizu, T. Momose, K. Inoue, Y. Nagai, Y. Shimogaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS　105　(13)　133512　2014年9月

    DOI： 10.1063/1.4896961 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  88. Diffusivity and Solubility of Cu in a Reactor Pressure Vessel Steel Studied by Atom Probe Tomography 査読有り

    Masaki Shimodaira, Takeshi Toyama, Fumihiko Takahama, Naoki Ebisawa, Yasuko Nozawa, Yasuo Shimizu, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    MATERIALS TRANSACTIONS　55　(9)　1460-1463　2014年9月

    DOI： 10.2320/matertrans.MAW201410 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

  89. The diffusivity and solubility of copper in ferromagnetic-iron at lower temperatures studied by atom probe tomography 査読有り

    T. Toyama, F. Takahama, A. Kuramoto, H. Takamizawa, Y. Nozawa, N. Ebisawa, M. Shimodaira, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai

    Scripta Materialia　83　(9)　5-1463　2014年9月

    DOI： 10.2320/matertrans.MAW201410 　

    ISSN：1345-9678

  90. The diffusivity and solubility of copper in ferromagnetic iron at lower temperatures studied by atom probe tomography 査読有り

    T. Toyama, F. Takahama, A. Kuramoto, H. Takamizawa, Y. Nozawa, N. Ebisawa, M. Shimodaira, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai

    SCRIPTA MATERIALIA　83　5-8　2014年7月

    DOI： 10.1016/j.scriptamat.2014.03.009 　

    ISSN：1359-6462

  91. Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals 査読有り

    I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, R. Gotoh, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　395　94-97　2014年6月

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2014.02.052 　

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

  92. Positron Annihilation in Cardo-Based Polymer Membranes 査読有り

    Y. Kobayashi, Shingo Kazama, K. Inoue, T. Toyama, Y. Nagai, K. Haraya, Hamdy F. M. Mohamed, B. E. O'Rouke, N. Oshima, A. Kinomura, R. Suzuki

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B　118　(22)　6007-6014　2014年6月

    DOI： 10.1021/jp501706d 　

    ISSN：1520-6106

  93. Effects of post-irradiation annealing and re-irradiation on microstructure in surveillance test specimens of the Loviisa-1 reactor studied by atom probe tomography and positron annihilation 査読有り

    T. Toyama, A. Kuramoto, Y. Nagai, K. Inoue, Y. Nozawa, Y. Shimizu, Y. Matsukawa, M. Hasegawa, M. Valo

    JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS　449　(1-3)　207-212　2014年6月

    DOI： 10.1016/j.jnucmat.2014.01.036 　

    ISSN：0022-3115

    eISSN：1873-4820

  94. Short and medium range order in two-component silica glasses by positron annihilation spectroscopy 査読有り

    K. Inoue, H. Kataoka, Y. Nagai, M. Hasegawa, Y. Kobayashi

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(20)　204903　2014年5月

    DOI： 10.1063/1.4878457 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  95. Positron annihilation study for enhanced nitrogen-vacancy center formation in diamond by electron irradiation at 77 K 査読有り

    Z. Tang, T. Chiba, Y. Nagai, K. Inoue, T. Toyama, M. Hasegawa

    APPLIED PHYSICS LETTERS　104　(17)　172101　2014年4月

    DOI： 10.1063/1.4872243 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  96. Behavior of phosphorous and contaminants from molecular doping combined with a conventional spike annealing method 査読有り

    Yasuo Shimizu, Hisashi Takamizawa, Koji Inoue, Fumiko Yano, Yasuyoshi Nagai, Luca Lamagna, Giovanni Mazzeo, Michele Perego, Enrico Prati

    NANOSCALE　6　(2)　706-710　2014年

    DOI： 10.1039/c3nr03605g 　

    ISSN：2040-3364

    eISSN：2040-3372

  97. Positron beam facility at Kyoto University Research Reactor 査読有り

    Q. Xu, K. Sato, T. Yoshiie, T. Sano, H. Kawabe, Y. Nagai, K. Inoue, T. Toyama, N. Oshima, A. Kinomura, Y. Shirai

    Journal of Physics: Conference Series　505　012030　2014年

    DOI： 10.1088/1742-6596/505/1/012030 　

    ISSN：1742-6588

  98. 構造材料の劣化機構解明へ向けた３次元アトムプローブの応用 査読有り

    外山健, 井上耕治, 永井康介

    機能材料　34　(6)　3-10　2014年

    出版者・発行元： シーエムシー出版

    ISSN：0286-4835

  99. Depth Analysis of Ta/NiFe/Ta/CoFeB/Ta/NiFe Multilayer Thin Films: Comparison of Atom Probe Tomography and Auger Electron Spectroscopy 査読有り

    M. Kubota, Y. Ishida, K. Yanagiuchi, H. Takamizawa, Y. Nozawa, N. Ebisawa, Y. Shimizu, T. Toyama, K. Inoue, Y. Nagai

    Journal of Surface Analysis　20　(3)　207-210　2014年

  100. 3D-APと陽電子消滅－LPSO構造の局所組成解析・空隙分析－

    井上耕治, 永井康介

    応用物理学会第42回薄膜表面物理セミナーテキスト　17-24　2014年

  101. Microstructural origins of embrittlement in nuclear reactor pressure vessel steels.

    Y. Nagai, K. Inoue, Y. Shimizu, K. Nagumo

    IMR KINKEN Research Highlights　2014　19　2014年

  102. Reaction of positronium with doped ions in silica-based glasses in the size determination of subnanometer structural open spaces 査読有り

    K. Inoue, H. Kataoka, Y. Nagai, M. Hasegawa, Y. Kobayashi

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　114　(15)　154904-1-154904-7　2013年10月

    DOI： 10.1063/1.4825131 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  103. Three-dimensional evaluation of gettering ability of Σ3{111} grain boundaries in silicon by atom probe tomography combined with transmission electron microscopy 査読有り

    Y. Ohno, K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda

    Applied Physics Letters　103　(10)　102102/1-102102/4　2013年9月

    DOI： 10.1063/1.4820140 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  104. Microstructural changes in a Russian-type reactor weld material after neutron irradiation, post-irradiation annealing and re-irradiation studied by atom probe tomography and positron annihilation spectroscopy 査読有り

    A. Kuramoto, T. Toyama, Y. Nagai, K. Inoue, Y. Nozawa, M. Hasegawa, M. Valo

    Acta Materialia　61　(14)　5236-5246　2013年8月

    DOI： 10.1016/j.actamat.2013.05.016 　

    ISSN：1359-6454

  105. Three-Dimensional Characterization of Deuterium Implanted in Silicon Using Atom Probe Tomography 査読有り

    Hisashi Takamizawa, Katsuya Hoshi, Yasuo Shimizu, Fumiko Yano, Koji Inoue, Shinji Nagata, Tatsuo Shikama, Yasuyoshi Nagai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　6　(6)　066602-1-066602-3　2013年6月

    DOI： 10.7567/APEX.6.066602 　

    ISSN：1882-0778

  106. Lattice Defects of Cold-drawn and Aged Fe-36wt%Ni Alloys and Effects of Additions of C and V on Hardness and Thermal Expansion 査読有り

    Kazuo Nakama, Shinichi Furuya, Kazuki Sugita, Koji Inoue, Yasuharu Shirai

    TETSU TO HAGANE-JOURNAL OF THE IRON AND STEEL INSTITUTE OF JAPAN　99　(5)　380-389　2013年5月

    DOI： 10.2355/tetsutohagane.99.380 　

    ISSN：0021-1575

    eISSN：1883-2954

  107. Single atom imaging-dopant atoms in silicon-based semiconductor devices- by atom probe tomography 査読有り

    Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    Single-Atom Nanoelectronics　151-186　2013年4月30日

    出版者・発行元： Pan Stanford Publishing Pte. Ltd.

    DOI： 10.4032/9789814316699 　

  108. Three-Dimensional Dopant Characterization of Actual Metal-Oxide-Semiconductor Devices of 65 nm Node by Atom Probe Tomography 査読有り

    Koji Inoue, Hisashi Takamizawa, Yasuo Shimizu, Fumiko Yano, Takeshi Toyama, Akio Nishida, Tohru Mogami, Katsuyuki Kitamoto, Takahiro Miyagi, Jun Kato, Seishi Akahori, Noriyuki Okada, Mikio Kato, Hiroshi Uchida, Yasuyoshi Nagai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　6　(4)　046502　2013年4月

    DOI： 10.7567/APEX.6.046502 　

    ISSN：1882-0778

  109. Atomic-scale characterization of germanium isotopic multilayers by atom probe tomography 査読有り

    Y. Shimizu, H. Takamizawa, Y. Kawamura, M. Uematsu, T. Toyama, K. Inoue, E. E. Haller, K. M. Itoh, Y. Nagai

    J. Appl. Phys.　113　(2)　026101　2013年1月14日

    DOI： 10.1063/1.4773675 　

    ISSN：0021-8979

  110. 引抜加工-時効処理したFe-36wt%Niインバー合金の格子欠陥と，硬さ，熱膨張に及ぼすC，Vの影響 査読有り

    中間一夫, 古谷真一, 杉田一樹, 井上耕治, 白井泰治

    鉄と鋼　99　380　2013年

    DOI： 10.2355/tetsutohagane.99.380 　

  111. ３次元アトムプローブによる半導体ナノ構造の元素分布解析 査読有り

    清水康雄, 井上耕治, 髙見澤悠, 矢野史子, 永井康介

    J. Vac. Soc. Jpn.　56　(9)　340-347　2013年

    DOI： 10.3131/jvsj2.56.340 　

    ISSN：1882-2398 1882-4749

  112. 陽電子消滅および３次元アトムプローブによる原子炉圧力容器鋼の照射脆化機構に関する研究－フィンランド・ロビーザ炉監視試験片を例として― 査読有り

    外山健, 蔵本明, M. Valo, 野沢康子, 清水康雄, 井上耕治, 長谷川雅幸, 永井康介

    陽電子科学　1　41-46　2013年

  113. Positron annihilation study of the Mg-Zn -Y alloys with long period stacking ordered (LPSO) structures 査読有り

    H. X. Xu, K. Inoue, Y. Nagai, T. Toyama, Y. Matsukawa, A. Kuramoto, D. Egusa, E. Abe, B. J. Ye

    Journal of Physics: Conference Series　443　(1)　012029-1-012029-4　2013年

    DOI： 10.1088/1742-6596/443/1/012029 　

    ISSN：1742-6588

    eISSN：1742-6596

  114. Three-dimensional elemental analysis in semiconductor-based actual devices with atom probe tomography.

    Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai

    IMR KINKEN Research Highlights　2013　43-44　2013年

  115. Size estimation of embedded Cu nanoprecipitates in Fe by using affinitively trapped positrons 査読有り

    T. Toyama, Z. Tang, K. Inoue, T. Chiba, T. Ohkubo, K. Hono, Y. Nagai, M. Hasegawa

    PHYSICAL REVIEW B　86　(10)　104106　2012年9月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.86.104106 　

    ISSN：1098-0121

  116. Correlation between threshold voltage and channel dopant concentration in negative-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors studied by atom probe tomography 査読有り

    H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, T. Toyama, F. Yano, A. Nishida, T. Mogami, N. Okada, M. Kato, H. Uchida, K. Kitamoto, T. Miyagi, J. Kato, Y. Nagai

    APPLIED PHYSICS LETTERS　100　(25)　253504　2012年6月

    DOI： 10.1063/1.4730437 　

    ISSN：0003-6951

  117. New Applications in Atom Probe Tomography 査読有り

    D. J. Larson, V. S. Smentkowski, L. M. Gordon, D. Joester, K. Inoue, D. A. Reinhard, T. J. Prosa, D. Olson, D. Lawrence, P. H. Clifton, R. M. Ulfig, I. Martin, T. F. Kelly

    Microscopy and Microanalysis　18　926-927　2012年

    DOI： 10.1017/S1431927612006484 　

    ISSN：1435-8115 1431-9276

  118. 陽電子消滅法によるアルミニウム合金中の原子空孔挙動観察 査読有り

    井上耕治, 白井泰治

    低温物質科学研究センター誌　20　1　2012年

  119. レーザー３次元アトムプローブによる半導体材料中のドーパント分布解析 査読有り

    井上耕治, 清水康雄, 高見澤悠

    日本物理学会誌　67　645　2012年

  120. Atom-probe-tomographic Studies on Silicon-Based Semiconductor Devices 査読有り

    K. Inoue, A. K. Kambham, D. Mangelinck, D. Lawrence, D. J. Larson

    Microscopy Today　20　(5)　38　2012年

  121. Three-Dimensional Elemental Analysis of Commercial 45 nm Node Device with High-k/Metal Gate Stack by Atom Probe Tomography 査読有り

    Koji Inoue, Hisashi Takamizawa, Katsuyuki Kitamoto, Jun Kato, Takahiro Miyagi, Yoshitsugu Nakagawa, Naohiko Kawasaki, Naoyuki Sugiyama, Hideki Hashimoto, Yasuo Shimizu, Takeshi Toyama, Yasuyoshi Nagai, Akiya Karen

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　4　(11)　116601　2011年11月

    DOI： 10.1143/APEX.4.116601 　

    ISSN：1882-0778

  122. Origin of characteristic variability in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors revealed by three-dimensional atom imaging 査読有り

    H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, T. Toyama, N. Okada, M. Kato, H. Uchida, F. Yano, A. Nishida, T. Mogami, Y. Nagai

    APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(13)　133502　2011年9月

    DOI： 10.1063/1.3644960 　

    ISSN：0003-6951

  123. Impact of carbon coimplantation on boron behavior in silicon: Carbon-boron coclustering and suppression of boron diffusion 査読有り

    Y. Shimizu, H. Takamizawa, K. Inoue, T. Toyama, Y. Nagai, N. Okada, M. Kato, H. Uchida, F. Yano, T. Tsunomura, A. Nishida, T. Mogami

    APPLIED PHYSICS LETTERS　98　(23)　232101　2011年6月

    DOI： 10.1063/1.3597303 　

    ISSN：0003-6951

  124. Delocalized Positronium in BaF2 査読有り

    Koji Inoue, Naoki Suzuki, Toshio Hyodo, Yasuyoshi Nagai, Masayuki Hasegawa

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN　80　(5)　054709　2011年5月

    DOI： 10.1143/JPSJ.80.054709 　

    ISSN：0031-9015

  125. Time evolution of positron affinity trapping at embedded nanoparticles by age-momentum correlation 査読有り

    K. Inoue, Y. Nagai, Z. Tang, T. Toyama, Y. Hosoda, A. Tsuto, M. Hasegawa

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　83　(11)　2011年3月31日

    DOI： 10.1103/PhysRevB.83.115459 　

    ISSN：1098-0121

    eISSN：1550-235X

  126. Channel Dopant Distribution in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Analyzed by Laser-Assisted Atom Probe Tomography 査読有り

    Hisashi Takamizawa, Koji Inoue, Yasuo Shimizu, Takeshi Toyama, Fumiko Yano, Takaaki Tsunomura, Akio Nishida, Tohru Mogami, Yasuyoshi Nagai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　4　(3)　036601　2011年3月

    DOI： 10.1143/APEX.4.036601 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  127. Time evolution of positron affinity trapping at embedded nanoparticles by age-momentum correlation 査読有り

    K. Inoue, Y. Nagai, Z. Tang, T. Toyama, Y. Hosoda, A. Tsuto, M. Hasegawa

    PHYSICAL REVIEW B　83　(11)　115459　2011年3月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.83.115459 　

    ISSN：2469-9950

    eISSN：2469-9969

  128. 3D-AP法によるSi-MOSFET中不純物分布解析 査読有り

    清水康雄, 高見澤悠, 井上耕治, 外山健, 永井康介, 矢野史子, 西田彰男

    日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会　第63回研究会資料　50-57　2011年

  129. ３次元アトムプローブ：その原理と応用－MOSFET不純物分布解析を例に－ 招待有り

    永井康介, 高見澤悠, 外山健, 清水康雄, 井上耕治, 矢野史子, 角村貴昭, 西田彰男, 最上徹

    応用物理学会結晶工学分科第15回結晶工学セミナーテキスト　9-15　2010年11月

  130. ３次元アトムプローブ：その原理と応用－MOSFET不純物分布解析を例に－ 査読有り

    永井康介, 高見澤悠, 外山健, 清水康雄, 井上耕治, 矢野史子, 角村貴昭, 西田彰男, 最上徹

    応用物理学会結晶工学分科 第15回結晶工学セミナーテキスト　5-12　2010年

  131. 3DAP法による炭素を共注入したシリコン基板中ホウ素分布の解析 査読有り

    清水康雄, 高見澤悠, 井上耕治, 外山健, 永井康介, 矢野史子, 角村貴昭, 西田彰男, 最上徹, 岡田徳行, 加藤幹雄, 内田博

    第30回LSTテスティングシンポジウム会議録　305-309　2010年

  132. Dopant distributions in n-MOSFET structure observed by atom probe tomography 査読有り

    K. Inoue, F. Yano, A. Nishida, H. Takamizawa, T. Tsunomura, Y. Nagai, M. Hasegawa

    ULTRAMICROSCOPY　109　(12)　1479-1484　2009年11月

    DOI： 10.1016/j.ultramic.2009.08.002 　

    ISSN：0304-3991

  133. Dopant distribution in gate electrode of n- and p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor by laser-assisted atom probe 査読有り

    K. Inoue, F. Yano, A. Nishida, H. Takamizawa, T. Tsunomura, Y. Nagai, M. Hasegawa

    APPLIED PHYSICS LETTERS　95　(4)　043502　2009年7月

    DOI： 10.1063/1.3186788 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  134. Interactions between Fermi surfaces and Brillouin zone boundaries and phase stability of embedded metallic nanoparticles 査読有り

    Y. Nagai, T. Toyama, Z. Tang, K. Inoue, T. Chiba, M. Hasegawa, S. Hirosawa, T. Sato

    Phys. Rev. B　79　(20)　201405　2009年5月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.79.201405 　

    ISSN：1098-0121

  135. Positron annihilation lifetime measurements of vanadium alloy and F82H irradiated with fission and fusion neutrons 査読有り

    K. Sato, K. Inoue, T. Yoshiie, Q. Xu, E. Wakai, C. Kutsukake, K. Ochiai

    JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS　386-88　203-205　2009年4月

    DOI： 10.1016/j.jnucmat.2008.12.089 　

    ISSN：0022-3115

  136. 陽電子量子ドット閉じ込めを利用したFe中Cuナノ析出物の寸法評価法の開発 査読有り

    外山健, 永井康介, 唐政, 井上耕治, 千葉利信, 長谷川雅幸, 大久保忠勝, 宝野和博

    鉄と鋼　95　(2)　118-123　2009年2月

    DOI： 10.2355/tetsutohagane.95.118 　

    ISSN：0021-1575

  137. Interlaboratory Comparison of Positron Annihilation Lifetime Measurements 査読有り

    K. Ito, T. Oka, Y. Kobayashi, Y. Shirai, K. Wada, M. Matsumoto, M. Fujinami, T. Hirade, Y. Honda, H. Hosomi, Y. Nagai, K. Inoue, H. Saito, K. Sakaki, K. Sato, A. Shimazu, A. Uedono

    POSITRON AND POSITRONIUM CHEMISTRY　607　248-+　2009年

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.607.248 　

    ISSN：0255-5476

  138. Interlaboratory comparison of positron annihilation lifetime measurements 査読有り

    K. Ito, T. Oka, Y. Kobayashi, Y. Shirai, K. Wada, M. Matsumoto, M. Fujinami, T. Hirade, Y. Honda, H. Hosomi, Y. Nagai, K. Inoue, H. Saito, K. Sakaki, K. Sato, A. Shimazu, A. Uedono

    Mater. Sci. Forum　607　(2)　248-250　2009年

    DOI： 10.4028/0-87849-348-4.248 　

  139. 3次元アトムプローブによるMOSトランジスタ中のドーパント分布解析 査読有り

    高見澤悠, 井上耕治, 矢野史子, 西田彰男, 永井康介, 長谷川雅幸

    第29回LSTテスティングシンポジウム会議録　371-375　2009年

  140. Size-dependent momentum smearing effect of positron annihilation radiation in embedded nano Cu clusters 査読有り

    Z. Tang, T. Toyama, Y. Nagai, K. Inoue, Z. Q. Zhu, M. Hasegawa

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　20　(44)　445203-1-5　2008年11月

    DOI： 10.1088/0953-8984/20/44/445203 　

    ISSN：0953-8984

  141. Three dimensional characterization of dopant distribution in polycrystalline silicon by atom probe microscopy 査読有り

    K. Inoue, F. Yano, A. Nishida, T. Tsunomura, T. Toyama, Y. Nagai, M. Hasegawa

    Appl. Phys. Lett.　93　(13)　133507-1-3　2008年10月

    DOI： 10.1063/1.2995864 　

    ISSN：0003-6951

  142. Interlaboratory comparison of positron annihilation lifetime measurements for synthetic fused silica and polycarbonate 査読有り

    Kenji Ito, Toshitaka Oka, Yoshinori Kobayashi, Yasuharu Shirai, Ken'ichiro Wada, Masataka Matsumoto, Masanori Fujinami, Tetsuya Hirade, Yoshihide Honda, Hiroyuki Hosomi, Yasuyoshi Nagai, Koji Inoue, Haruo Saito, Koji Sakaki, Kiminori Sato, Akira Shimazu, Akira Uedono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　104　(2)　026102　2008年7月

    DOI： 10.1063/1.2957074 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  143. Monolayer segregation of As atoms at the interface between gate oxide and Si substrate in a metal-oxide-semiconductor field effect transistor by three-dimensional atom-probe technique 査読有り

    Koji Inoue, Fumiko Yano, Akio Nishida, Takaaki Tsunomura, Takeshi Toyama, Yasuyoshi Nagai, Masayuki Hasegawa

    APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(10)　103506-1-3　2008年3月

    DOI： 10.1063/1.2891081 　

    ISSN：0003-6951

  144. The Characterization of MgB2 Thin Film by Slow Positron Annihilation Spectroscopy 査読有り

    C. Y. Lee, W. N. Kang, Y. Nagai, K. Inoue, M. Hasegawa

    J. Korean Vac. Soc.　17　160　2008年

  145. Temperature-activated transition of positronium from self-trapped to delocalized state in CaF2 査読有り

    K. Inoue, N. Suzuki, I. V. Bondarev, T. Hyodo

    PHYSICAL REVIEW B　76　(2)　024304-1-024304-6　2007年7月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.76.024304 　

    ISSN：1098-0121

  146. Tunnel detrapping of self-trapped positronium in SrF2 single crystal 査読有り

    I. V. Bondarev, K. Inoue, N. Suzuki, T. Hyodo

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　4　(10)　3867-3870　2007年

    DOI： 10.1002/pssc.200675735 　

    ISSN：1862-6351

  147. Annealing behavior of vacancy type defect in electron-irradiated FZ-Si at 77K by positron annihilation

    Y. Nagai, K. Inoue, M. Hatakeyama, J. Yang, T. Toyama, H. Uno, R. Hashitani, T. Yoshiie, Q. Xu

    KUR Progress report　2007　0-0　2007年

  148. Tunnel detrapping of self-trapped positronium in SrF2 single crystal 査読有り

    I. V. Bondarev, K. Inoue, N. Suzuki, T. Hyodo

    Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics, Vol 4, No 10　4　(10)　3867-3870　2007年

    DOI： 10.1002/pssc.200675735 　

    ISSN：1610-1634

  149. Positronium in a SrF2 single crystal: Temperature-induced transition from the localized to the delocalized state 査読有り

    K Inoue, N Suzuki, T Hyodo

    PHYSICAL REVIEW B　71　(13)　134305　2005年4月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.71.134305 　

    ISSN：2469-9950

    eISSN：2469-9969

  150. Self-energy correction to momentum-density distribution of positron-electron pairs 査読有り

    Z Tang, Y Nagai, K Inoue, T Toyama, T Chiba, M Saito, M Hasegawa

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　94　(10)　106402　2005年3月

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.94.106402 　

    ISSN：0031-9007

    eISSN：1079-7114

  151. Positronium in a SrF2 single crystal: Temperature-induced transition from the localized to the delocalized state 査読有り

    K. Inoue, N. Suzuki, T. Hyodo

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　71　(13)　2005年

    DOI： 10.1103/PhysRevB.71.134305 　

    ISSN：1098-0121 1550-235X

  152. Bookmark shared system using agent systems 査読有り

    Y Nagai, K Inoue

    5th International Conference on Intelligent Systems Design and Applications, Proceedings　470-475　2005年

  153. Vacancy-solute binding energies in aluminum by positron annihilation 査読有り

    H Ohkubo, Y Nagai, K Inoue, Z Tang, M Hasegawa

    POSITRON ANNIHILATION, ICPA-13, PROCEEDINGS　445-6　165-167　2004年

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.445-446.165 　

    ISSN：0255-5476

  154. Structural subnanovoids in silica-based glasses probed by positronium 査読有り

    K Inoue, Y Nagai, Y Sasaki, Z Tang, H Ohkubo, M Hasegawa

    POSITRON ANNIHILATION, ICPA-13, PROCEEDINGS　445-6　304-306　2004年

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.445-446.304 　

    ISSN：0255-5476

  155. Jahn-Teller distortion of neutral divacancy in Si studied by positron annihilation spectroscopy 査読有り

    Y Nagai, K Inoue, Z Tang, Yonenaga, I, T Chiba, M Saito, M Hasegawa

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER　340　518-522　2003年12月

    DOI： 10.1016/j.physb.2003.09.144 　

    ISSN：0921-4526

  156. Positronium in silica-based glasses 査読有り

    K. Inoue, Y. Sasaki, Y. Nagai, H. Ohkubo, Z, Tang, M. Hasegawa

    Proc. of International Workshop on Positron Studies of Defects in Semiconductors (PSSD-2002), Edited by M. Hasegawa, Z. Tang and Y. Nagai, Sept. 29-Oct. 4, 2002, Sendai, Japan [CD-ROM版]　205-210　2003年10月

    詳細を見る 詳細を閉じる

    0312Rev

  157. Positronium in silica-based glasses 査読有り

    Y Sasaki, Y Nagai, H Ohkubo, K Inoue, Z Tang, M Hasegawa

    RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY　68　(3-4)　569-572　2003年10月

    DOI： 10.1016/S0969-806X(03)00233-0 　

    ISSN：0969-806X

  158. Ultrafine Cu Precipitates in RPV Model Alloys Studied by Positron Annihilation and 3D Atom Probe

    Y. Nagai, T. Toyama, Z. Tang, H. Ohkubo, K. Inoue, M. Hasegawa

    Proc. of 11th Int. Conf. On “Environmental Degradation of Materials in Nuclear Power Systems - Water Reactors”　103-109　2003年

  159. Improvement of the 2D-ACAR apparatus in University of Tokyo 査読有り

    INOUE Koji, SAITO Haruo, NAGASHIMA Yasuyuki, HYODO Toshio, NAGAI Yasuyoshi, MURAMATSU S, NAGAI Shyota, MASUDA K

    Proc. of International Workshop on Positron Studies of Defects in Semiconductors (PSSD-2002), Edited by M. Hasegawa, Z. Tang and Y. Nagai, Sept. 29-Oct. 4, 2002, Sendai, Japan [CD-ROM版]　180-187　2003年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    0312Rev

  160. 2D-ACAR apparatus installed in Tohoku University 査読有り

    NAGAI Yasuyoshi, INOUE Koji, OHKUBO Hideaki, TANG Zheng, HASEGAWA Masayuki

    Proc. of International Workshop on Positron Studies of Defects in Semiconductors (PSSD-2002), Edited by M. Hasegawa, Z. Tang and Y. Nagai, Sept. 29-Oct. 4, 2002, Sendai, Japan [CD-ROM版]　245-250　2003年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    0312Rev

  161. A position-sensitive gamma-ray detector for positron annihilation 2D-ACAR based on metal package photomultiplier tubes 査読有り

    K Inoue, H Saito, Y Nagashima, T Hyodo, Y Nagai, S Muramatsu, S Nagai, K Masuda

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT　487　(3)　471-476　2002年7月

    DOI： 10.1016/S0168-9002(02)00390-X 　

    ISSN：0168-9002

  162. Intense positron beam at KEK 査読有り

    T Kurihara, A Yagishita, A Enomoto, H Kobayashi, T Shidara, A Shirakawa, K Nakahara, H Saitou, K Inoue, Y Nagashima, T Hyodo, Y Nagai, M Hasegawa, Y Inoue, Y Kogure, M Doyama

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS　171　(1-2)　164-171　2000年8月

    DOI： 10.1016/S0168-583X(00)00074-4 　

    ISSN：0168-583X

  163. Effect of refraction index and thickness of the light guide in the position-sensitive gamma-ray detector using compact PS-PMTs 査読有り

    K Inoue, H Saito, Y Nagashima, T Hyodo, Y Nagai, S Muramatsu, S Nagai

    RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY　58　(5-6)　763-766　2000年6月

    DOI： 10.1016/S0969-806X(00)00255-3 　

    ISSN：0969-806X

  164. A position-sensitive scintillation detector for two-dimensional angular correlation of annihilation radiation using metal-package position-sensitive photomultiplier tubes 査読有り

    K Inoue, Y Nagai, H Saito, Y Nagashima, T Hyodo, S Muramatsu, S Nagai

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT　423　(2-3)　364-368　1999年3月

    DOI： 10.1016/S0168-9002(98)01266-2 　

    ISSN：0168-9002

  165. 2D-ACAR Apparatus Combined with Slow Positron Beam in KEK

    Y. Nagai, T. Shimamura, M. Hasegawa, H. Saito, K. Inoue, T. Hyodo, T. Kurihara, T. Shidara, K. Nakahara, A. Shirakawa, AQ. Enomoto, H. Kobayashi, A. Yagishita

    Proceedings of the International Workshop on AdvancedTechniques of Positron Beam Generation and Control　22-26　1998年1月

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

MISC 91

  1. 純鉄および鉄クロム合金の磁性に与えるHeイオン照射効果

    鎌田康寛, 梅山大輝, 清水一行, 村上武, 大澤一人, 渡辺英雄, 井上耕治, 外山健, 永井康介

    日本金属学会講演大会(Web)　173rd　2023年

  2. Fe-20%Cr合金の組織と磁性に与えるHeイオンの照射温度効果

    梅山大輝, 清水一行, 村上武, 鎌田康寛, 渡辺英雄, 井上耕治, 外山健, 永井康介

    日本金属学会講演大会(Web)　173rd　2023年

  3. Zr添加ODS-Cuにおける微細YSZ粒子の形成

    齋藤隼輝, YU Hao, 井上耕治, GAO Zimo, 近藤創介, 笠田竜太, 永井康介

    日本金属学会東北支部研究発表大会予稿集　21st (Web)　2022年

  4. FeSi-D03格子への電子線照射で誘起される点欠陥による拡散促進のその場TEM観察

    嶋田雄介, CHEN J., 池田裕樹, 吉田健太, 井上耕治, 今野豊彦, 永井康介

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　76　(1)　2021年

    ISSN： 2189-079X

  5. 球面収差補正透過電子顕微鏡による空孔クラスター由来のAl格子ひずみの定量解析

    CHEN Jiao, 吉田健太, ZHAO Can, 嶋田雄介, 井上耕治, 今野豊彦, 鈴土知明, 永井康介

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　76　(2)　2021年

    ISSN： 2189-079X

  6. FeSi規則合金のFe原子拡散における電子線照射量の及ぼす影響

    嶋田雄介, CHEN J., 池田裕樹, 吉田健太, 井上耕治, MAASS Robert, 今野豊彦, 永井康介

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　76　(2)　2021年

    ISSN： 2189-079X

  7. その場WB-STEM法による照射誘起転位ループ焼鈍過程の定量解析

    吉田健太, DU Yufeng, 嶋田雄介, 鈴土知明, 荒河一渡, 外山健, 井上耕治, 大貫聡明, 永井康介

    日本原子力学会春の年会予稿集(CD-ROM)　2020　2020年

  8. 照射誘起転位ループの熱的安定性のその場WB-STEM計測

    吉田健太, YUFENG D., 嶋田雄介, 鈴土知明, 荒河一渡, 外山健, 井上耕治, 大貫聡明, 永井康介

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　75　(1)　2020年

    ISSN： 2189-079X

  9. その場WB-STEM計測による中性子照射誘起転位ループの熱的安定性の評価

    吉田健太, DU Yufeng, 嶋田雄介, 鈴土知明, 荒河一渡, 外山健, 井上耕治, 大貫聡明, 永井康介

    日本原子力学会秋の大会予稿集(CD-ROM)　2020　2020年

  10. その場WB-STEM計測による中性子照射誘起転位ループの熱的安定性の評価

    吉田健太, YUFENG D., 嶋田雄介, 鈴土知明, 荒河一渡, 外山健, 井上耕治, 大貫聡明, 永井康介

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　75　(2)　2020年

    ISSN： 2189-079X

  11. 多結晶フェライト鋼のひずみ時効現象における固溶Cと結晶粒界の役割

    小野義彦, 船川義正, 奥田金晴, 瀬戸一洋, 海老澤直樹, 井上耕治, 永井康介

    鉄と鋼　105　(4)　452-461　2019年4月

  12. その場WB-STEM法による照射誘起転位ループ焼鈍過程の定量解析

    吉田健太, YUFENG D., 嶋田雄介, 荒河一渡, 外山健, 井上耕治, KONSTANTINOVICH Milan, GERARD Robert, 永井康介

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　74　(2)　2019年

    ISSN： 2189-079X

  13. 球面収差補正透過電子顕微鏡による金属/Si界面反応の原子分解能その場加熱観察

    原田寛大, 嶋田雄介, 吉田健太, 井上耕治, 永井康介, 今野豊彦

    日本金属学会東北支部研究発表大会予稿集　18th　2019年

  14. 微量Nbを添加した繊維機械部品用高炭素鋼板の開発

    土屋栄司, 松村雄太, 細谷佳弘, 宮本友佳, 小林崇, 瀬戸一洋, 戸村恵子, 井上耕治, 永井康介

    鉄と鋼　105　(1)　76-85　2019年1月

  15. 陽電子消滅法で調べたタングステン中の照射欠陥への重水素捕獲

    外山健, 網恭平, 佐藤紘一, Xu Qiu, 井上耕治, 永井康介, 波多野雄治

    陽電子科学　12　23-30　2019年

  16. Contribution of irradiation-induced defects to hardening of a low-copper reactor pressure vessel steel 査読有り

    Masaki Shimodaira, Takeshi Toyama, Kenta Yoshida, Koji Inoue, Naoki Ebisawa, Keiko Tomura, Toshimasa Yoshiie, Milan J. Konstantinovic, Robert Gerard, Yasuyoshi Nagai

    ACTA MATERIALIA　155　402-409　2018年8月

    DOI： 10.1016/j.actamat.2018.06.015 　

    ISSN： 1359-6454

    eISSN： 1873-2453

  17. 透過電子顕微鏡内加熱ホルダーを用いたその場観察における試料中温度分布の影響

    池田裕樹, 嶋田雄介, 吉田健太, 井上耕治, 永井康介, 今野豊彦

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　163rd　2018年

    ISSN： 2433-3093

  18. ヒーター式その場加熱観察手法のSTEMへの適用

    嶋田雄介, 吉田健太, 井上耕治, 白石貴久, 木口賢紀, 永井康介, 今野豊彦

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　163rd　2018年

    ISSN： 2433-3093

  19. ケイ酸塩ガラス中でのアルミニウムイオンの化学状態

    助永壮平, Kyung-Ho Kim, 遠藤貴彦, 柴田浩幸, 吉田慎一郎, 安東真理子, 井上耕治, 永井康介, 脇原徹, 山田大貴, 尾原幸治, 金橋康二

    日本学術振興会製鋼第19委員会 提出資料　1-17　2018年1月

  20. 陽電子消滅2光子角相関法

    井上耕治, 永井康介

    陽電子科学　11　11-24　2018年

  21. アトムプローブによるCVD薄膜中の合金原子組成分析

    金泰雄, 百瀬健, 出浦桃子, YUAN Tu, 清水康雄, 外山健, 井上耕治, 永井康介, 霜垣幸浩

    東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM)　34　2017年

  22. 原子炉圧力容器材料の焼鈍過程を解明にするためのIn situ WB-STEM法の開発

    吉田健太, 下平昌樹, 外山健, 嶋田雄介, 井上耕治, 張磊, 鈴木克弥, 海老澤直樹, 永井康介

    東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM)　34　2017年

  23. ヒーター式加熱による原子分解能その場加熱観察

    嶋田雄介, 吉田健太, 井上耕治, 白石貴久, 木口賢紀, 永井康介, 今野豊彦

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　161st　2017年

    ISSN： 2433-3093

  24. 3次元アトムプローブ法によるGe中のドーパント分布評価

    澤野憲太郎, 池上和彦, 山田道洋, 清水康雄, 韓斌, と えん, 井上耕治, 永井康介

    東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM)　33　68‐69　2016年

  25. アトムプローブによるCVD薄膜中の合金原子組成分析

    金泰雄, YUAN Tu, 嶋紘平, 韓斌, 清水康雄, 百瀬健, 外山健, 井上耕治, 永井康介, 霜垣幸浩

    東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM)　33　13‐14　2016年

  26. PデルタドープしたGe基板の3次元アトムプローブ評価

    清水康雄, 山田道洋, HAN Bin, TU Yuan, 澤野憲太郎, 植松真司, 伊藤公平, 井上耕治, 永井康介

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　ROMBUNNO.13P-2W-6　2015年8月31日

  27. 招待講演 CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価 (シリコン材料・デバイス)

    嶋 紘平, 涂 远, 韓 斌, 高見澤 悠, 清水 秀治, 清水 康雄, 百瀬 健, 井上 耕治, 永井 康介, 霜垣 幸浩

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　114　(469)　39-44　2015年3月2日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    ULSI-Cu配線の微細化に伴う配線抵抗の増大及びエレクトロマイグレーションの問題を克服すべく、我々はこれまでに新規バリヤ層としてCo(W)単層バリヤ/ライナー膜を原子層堆積法(ALD)により作製し、その特性を報告して来た。本研究では、Co(W)層の極薄化(l〜2nm)に伴うバリヤ性の低下を見据え、Co(W)バリヤ層上に形成するCuシード層中に微量のMnを添加した。Cuの拡散経路とWおよびMnの偏析機構を解明すべく、サブナノスケールの分解能および3次元での元素マッピングを実現出来る3次元アトムプローブを導入した。その結果、Co(W)中でWが結晶粒界に偏析しスタッフィング構造を取ること、またMnがCu(Mn)中から抜け出しCo(W)の結晶粒界に選択的に偏析することでCo(W)のバリヤ性を効果的に向上させられる事を見出した。

  28. アトムプローブ法によるGe中にデルタドープしたPの3次元分布評価

    澤野憲太郎, 山田道洋, 伊藤公平, 清水康雄, 韓斌, と遠, 井上耕治, 永井康介

    東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM)　32　75‐76　2015年

  29. 21aCJ-13 シリコン中のΣ9{114}粒界における不純物集積能とひずみの相関

    大野 裕, 吉田 秀人, 竹田 精治, 田中 真悟, 香山 正憲, 井上 海平, 出浦 桃子, 沓掛 健太郎, 米永 一郎, 海老澤 直樹, 清水 康雄, 井上 耕治, 永井 康介

    日本物理学会講演概要集　70　(0)　2687-2687　2015年

    出版者・発行元： 一般社団法人 日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_2687 　

    ISSN： 2189-079X

  30. アトムプローブによるCVD薄膜中の合金原子組成分析

    嶋紘平, 韓斌, 清水康雄, 百瀬健, 井上耕治, 永井康介, 霜垣幸浩

    東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM)　2014　63-64　2015年

  31. アトムプローブによるCVD薄膜中の合金原子組成分析

    金泰雄, TU Yuan, 嶋紘平, 韓斌, 清水康雄, 百瀬健, 外山健, 井上耕治, 永井康介, 霜垣幸浩

    東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM)　32　67‐68　2015年

  32. 3次元アトムプローブを用いた新規Cu(Mn)/Co(W)配線システムのサブナノ構造の解明とバリヤ性評価

    嶋紘平, TU Y, BIN H, 高見澤悠, 清水秀治, 清水康雄, 百瀬健, 井上耕治, 永井康介, 霜垣幸浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　ROMBUNNO.19P-A19-4　2014年9月1日

  33. 8aAE-8 3次元アトムプローブによって調べたA533B鋼中のCu拡散(8aAE 格子欠陥(水素・照射損傷・拡散),領域10(構造物性(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)))

    永井 康介, 高濱 郁彦, 下平 昌樹, 外山 健, 清水 康雄, 井上 耕治

    日本物理学会講演概要集　69　(2)　689-689　2014年8月22日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  34. How to best measure atomic segregation to grain boundaries by analytical transmission electron microscopy

    T. Walther, M. Hopkinson, N. Daneu, A. Recnik, Y. Ohno, K. Inoue, I. Yonenaga

    JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE　49　(11)　3898-3908　2014年6月

    DOI： 10.1007/s10853-013-7932-2 　

    ISSN： 0022-2461

    eISSN： 1573-4803

  35. アトムプローブによるCVD薄膜中の合金原子組成分析

    嶋紘平, TU Yuan, 高見澤悠, 清水秀治, 清水康雄, 百瀬健, 井上耕治, 永井康介, 霜垣幸浩

    東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM)　30th　ROMBUNNO.I.(3).9　2014年6月

  36. Czochralski growth of heavily indium-doped Si crystals and co-doping effects of group-IV elements

    K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, T. Ohsawa, R. Gotoh, I. Yonenaga

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　393　(1)　45-48　2014年5月

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.10.033 　

    ISSN： 0022-0248

    eISSN： 1873-5002

  37. 28pAM-4 シリコン中におけるΣ9{114}粒界と不純物の相互作用(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    大野 裕, 井上 海平, 二宮 駿也, 沓掛 健太郎, 米永 一郎, 海老澤 直樹, 高見澤 悠, 清水 康雄, 井上 耕治, 永井 康介

    日本物理学会講演概要集　69　(1)　931-931　2014年3月5日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  38. 28pAM-1 3次元アトムプローブによるFe中Cuの拡散係数および固溶限の測定(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    永井 康介, 高濱 郁彦, 下平 昌樹, 藏本 明, 外山 健, 清水 康雄, 井上 耕治

    日本物理学会講演概要集　69　(1)　930-930　2014年3月5日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  39. Formation of thermal double donors in Ge

    K. Inoue, T. Taishi, Y. Murao, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga

    J. Phys. Soc. Conf. Proc.　1　(1)　012082-1-012082-4　2014年

  40. シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    大野 裕, 井上 海平, 徳本 有紀, 沓掛 健太朗, 米永 一郎, 海老澤 直樹, 高見澤 悠, 清水 康雄, 井上 耕治, 永井 康介, 吉田 秀人, 竹田 精治

    日本物理学会講演概要集　68　(2)　861-861　2013年8月26日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  41. 27aKA-5 アトムプローブを用いたFe中のCuの拡散定数測定(格子欠陥・ナノ構造(炭素系・金属・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    永井 康介, 高濱 郁彦, 蔵本 明, 外山 健, 清水 康雄, 井上 耕治

    日本物理学会講演概要集　68　(2)　866-866　2013年8月26日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  42. 25pPSA-16 3次元アトムプローブと陽電子消滅法を用いた商用発電炉圧力容器鋼の中性子照射によるナノ構造変化(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    若林 俊也, 外山 健, 井上 耕治, 永井 康介, Almazouzi A., van Walle E., Gerard R.

    日本物理学会講演概要集　68　(2)　851-851　2013年8月26日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  43. 26pXS-4 原子レベルで見るLPSO中の積層欠陥と溶質原子相互作用(26pXS 領域10シンポジウム:Mg基長周期積層構造(LPSO)における面欠陥と溶質原子の相互作用,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    井上 耕治

    日本物理学会講演概要集　68　(1)　1024-1024　2013年3月26日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  44. 28pXZB-2 旧ソ連型原子炉圧力容器鋼の照射損傷と焼鈍回復(28pXZB 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    永井 康介, 外山 健, 蔵本 明, 野沢 康子, 井上 耕治, 長谷川 雅幸, Valo Matti

    日本物理学会講演概要集　68　(1)　1044-1044　2013年3月26日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  45. Interstitial oxygen behavior for thermal double donor formation in germanium: Infrared absorption studies

    K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, Y. Ohno, M. Suezawa, I. Yonenaga

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　113　(7)　073501-1-073501-5　2013年2月

    DOI： 10.1063/1.4792061 　

    ISSN： 0021-8979

  46. Oxygen in Ge crystals grown by the B2O3 encapsulated Czochralski method

    Ichiro Yonenaga, Toshinori Taishi, Hideaki Ise, Yu Murao, Kaihei Inoue, Takayuki Ohsawa, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Yoshio Hashimoto

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER　407　(15)　2932-2934　2012年8月

    DOI： 10.1016/j.physb.2011.08.038 　

    ISSN： 0921-4526

  47. Growth of Heavily Indium doped Si Crystals by Co-Doping of Neutral Impurity Carbon or Germanium

    Kaihei Inoue, Yuki Tokumoto, Kentaro Kutsukake, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

    MATERIALS INTEGRATION　508　220-223　2012年

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/KEM.508.220 　

    ISSN： 1013-9826

  48. Czochralski growth of highly In doped Si -Effect of co-doping of C and Ge-

    K. Inoue, Y. Ohno, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, I. Yonenaga

    Proceeding of the 7th International Workshop on Modeling of Crystal Growth (IWMCG-7) (Taihei, Oct. 28-31, 2012)　132-133　2012年

  49. 26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))

    高見澤 悠, 清水 康雄, 永井 康介, 外山 健, 井上 耕治, 矢野 史子, 角村 貴昭, 西田 彰男, 最上 徹

    日本物理学会講演概要集　65　(2)　926-926　2010年8月18日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  50. 20pHT-3 レーザー3次元アトムプローブによるMOS構造中ドーパントの不均一分布の解明(20pHT 若手奨励賞受賞記念講演(若手奨励賞),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    井上 耕治

    日本物理学会講演概要集　65　(1)　978-978　2010年3月1日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  51. 29pRB-2 中性子照射したFe-CuおよびFe-Cu-Mnモデル合金中の陽電子消滅温度依存性(29pRB 格子欠陥・ナノ構造(金属・陽電子・水素・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

    外山 健, 井上 耕治, 畠山 賢彦, 永井 康介, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　64　(1)　961-961　2009年3月3日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  52. 27aRB-3 陽電子消滅法による低温電子線照射したSi-Ge単結晶中の空孔型欠陥の回復挙動(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

    高見澤 悠, 武内 伴照, 井上 耕治, 永井 康介, 長谷川 雅幸, 米永 一郎

    日本物理学会講演概要集　64　(1)　930-930　2009年3月3日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  53. 21aRB-5 ポリSiゲート中の不純物原子の粒界偏析の3次元観察(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

    井上 耕治, 矢野 史子, 西田 彰男, 外山 健, 永井 康介, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　63　(2)　866-866　2008年8月25日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  54. 24pYF-13 3次元アトムプローブによるゲート酸化膜/シリコン基板界面へのAs原子偏析の観察(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

    井上 耕治, 矢野 史子, 西田 彰男, 外山 健, 永井 康介, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　63　(1)　939-939　2008年2月29日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  55. 24pYF-1 陽電子消滅法を用いた低温電子線照射したSi中の空孔型欠陥の低温測定(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

    武内 伴照, 井上 耕治, 唐 政, 永井 康介, 長谷川 雅幸, 兵頭 俊夫

    日本物理学会講演概要集　63　(1)　936-936　2008年2月29日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  56. 22pTD-3 電子スピン共鳴および陽電子消滅法による硼酸ガラス中の照射欠陥(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

    井上 耕治, 宇野 弘倫, 武内 伴照, 永井 康介, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　62　(2)　992-992　2007年8月21日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  57. 20aXC-6 Fe中のCuナノ析出物への陽電子捕獲機構(X線・粒子線(陽電子消滅),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

    井上 耕治, 津戸 昭良, 外山 健, 永井 康介, 唐 政, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　62　(1)　970-970　2007年2月28日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  58. 20aXC-5 イオン結晶および氷中のBloch-Psの2次元角相関運動量分布(X線・粒子線(陽電子消滅),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

    武内 伴照, 永井 康介, 唐 政, 井上 耕治, 外山 健, 千葉 利信, 長谷川 雅幸, 斎藤 晴雄, 兵頭 俊夫, Eldrup Morten

    日本物理学会講演概要集　62　(1)　969-969　2007年2月28日

    出版者・発行元： 社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  59. 25aXB-2 Fe-Cu合金中の陽電子拡散係数 : Cu濃度および測定温度依存性(25aXB 陽電子消滅・コンプトン散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

    井上 耕治, 津戸 昭良, 外山 健, 永井 康介, 唐 政, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　61　(2)　797-797　2006年8月18日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  60. Irradiation-induced defects in B<inf>2</inf>O<inf>3</inf> glass studied by electron spin resonance spectroscopy

    M. Hasegawa, Y. Nagai, Z. Tang, K. Inoue, M. Hatakeyama, T. Toyama, A. Tsuto, E. Kuramoto, T. Yoshiie

    KURRI Progress Report　110　2006年4月

    ISSN： 0919-1038

  61. 27pXD-3 低速陽電子ビーム装置を用いたFeおよびFe-Cu合金中の陽電子拡散係数測定(27pXD 格子欠陥・ナノ構造(金属・電子状態・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

    井上 耕治, 津戸 昭良, 外山 健, 永井 康介, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　61　(1)　925-925　2006年3月4日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  62. 30aXD-6 氷中Psの陽電子消滅2次元角相関(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

    武内 伴照, 永井 康介, 唐 政, 井上 耕治, 外山 健, 千葉 利信, 長谷川 雅幸, Eldrup Morten, 斎藤 晴雄, 兵頭 俊夫

    日本物理学会講演概要集　61　(1)　960-960　2006年3月4日

    出版者・発行元： 社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  63. 22aYM-1 シリカ基モデルガラス中におけるポジトロニウムに対する鉄イオンのクエンチング効果(格子欠陥・ナノ構造(陽電子・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

    井上 耕治, 片岡 弘康, 永井 康介, 唐 政, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　60　(2)　833-833　2005年8月19日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  64. 22aYM-2 Intrinsic Nanovoids in Silica : First-Principles Simulations and Positron Annihilation Studies

    Tang Zheng, Inoue Koji, Nagai Yasuyoshi, Sasaki Fumiko, Hasegawa Masayuki

    日本物理学会講演概要集　60　(2)　833-833　2005年8月19日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  65. 26pYS-2 陽電子量子閉じ込めを利用した金属中埋込みナノクラスターの電子構造解析(スクッテルダイトのフォノン物性,領域10,領域8合同招待講演)

    永井 康介, 唐 政, 井上 耕治, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　60　(1)　595-595　2005年3月4日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  66. 26pYS-2 陽電子量子閉じ込めを利用した金属中埋込みナノクラスターの電子構造解析(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))

    永井 康介, 唐 政, 井上 耕治, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　60　(1)　925-925　2005年3月4日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  67. 14pTJ-5 ポジトロニウムで調べた SiO_2 基 2 成分系ガラス中の構造空隙(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)

    井上 耕治, 片岡 弘康, 永井 康介, 唐 政, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　59　(2)　877-877　2004年8月25日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  68. 14aTJ-9 埋め込みナノ微粒子のフェルミオロジー(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)

    永井 康介, 外山 健, 唐 政, 井上 耕治, 細田 裕司, 長谷川 雅幸, 廣澤 渉一, 里 達雄

    日本物理学会講演概要集　59　(2)　870-870　2004年8月25日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  69. Effecct of low temperature electron irradiation on an Fe-Cu alloy studied by positron annihilation spectroscopy

    M. Hasegawa, Y. Nagai, Z. Tang, K. Inoue, M. Hatakeyama, T. Toyama, E. Kuramoto, T. Yoshiie

    KURRI Progress Report　43　2004年4月

    ISSN： 0919-1038

  70. 28aXT-1 陽電子消滅法による電子線照射Si中の空孔型欠陥の研究 : 電子線照射したFZ-SiのPの添加効果について(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)

    井上 耕治, 今井 賢, 永井 康介, 唐 政, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　59　(1)　960-960　2004年3月3日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  71. 22aXA-12 ポジトロニウムをプローブとしたシリカ基ガラスの構造的空隙の測定

    井上 耕治, 永井 康介, 佐々木 譲, 大窪 秀明, 唐 政, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　58　(2)　865-865　2003年8月15日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  72. Effects of low temperature electron irradiation on AI alloys studied by positron annihilation spectroscopy

    M. Hasegawa, Y. Nagai, Z. Tang, K. Inoue, H. Ohkubo, T. Toyama, M. Imai, T. Yoshiie

    KURRI Progress Report　61　2003年4月

    ISSN： 0919-1038

  73. 31pYG-1 陽電子消滅 2 次元角相関法による Si 中性複空孔のヤン・テラー効果の研究

    井上 耕治, 永井 康介, 今井 賢, 大窪 秀明, 唐 政, 長谷川 雅幸, 米永 一郎, 末沢 正志

    日本物理学会講演概要集　58　(1)　932-932　2003年3月6日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  74. 29pXJ-6 Al 中の空孔-溶質複合体の陽電子消滅同時計数ドップラー広がり法による研究

    大窪 秀明, 永井 康介, 井上 耕治, 唐 政, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　58　(1)　907-907　2003年3月6日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  75. 29pXJ-4 陽電子消滅時間-運動量相関測定による Fe 中 Cu 析出初期過程の解明

    永井 康介, 北田 智史, 唐 政, 井上 耕治, 外山 健, 大窪 秀明, 長谷川 雅幸, 柳田 誠也, 大久保 忠勝, 宝野 和博

    日本物理学会講演概要集　58　(1)　906-906　2003年3月6日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  76. Al中の空孔-溶質原子結合エネルギーの同時計数ドップラー広がり法による測定 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)

    大窪 秀明, 永井 康介, 井上 耕治

    KURRI-KR　(89)　38-44　2002年11月15日

    出版者・発行元： 京都大学原子炉実験所

    ISSN： 1342-0852

  77. 陽電子消滅2次元角相関装置を用いたSi中の中性複空孔の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)

    井上 耕治, 永井 康介, 今井 賢

    KURRI-KR　(89)　1-9　2002年11月15日

    出版者・発行元： 京都大学原子炉実験所

    ISSN： 1342-0852

  78. Fe-Cu合金に関する陽電子消滅と3次元アトムプローブによる研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)

    永井 康介, 北田 智史, 井上 耕治

    KURRI-KR　(89)　16-18　2002年11月15日

    出版者・発行元： 京都大学原子炉実験所

    ISSN： 1342-0852

  79. 7pSK-5 石英ガラスおよび各種ガラスの陽電子消滅、光吸収、ESR測定(格子欠陥・ナノ構造,領域10)

    井上 耕治, 佐々木 譲, 永井 康介, 大窪 秀明, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　57　(2)　812-812　2002年8月13日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  80. 8aSK-7 陽電子消滅同時計数ドップラー広がり法によるAI中の溶質原子と空孔との結合エネルギー(格子欠陥・ナノ構造,領域10)

    大窪 秀明, 永井 康介, 井上 耕治, 唐 政, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　57　(2)　820-820　2002年8月13日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  81. 7pSL-7 アンガーカメラベースの陽電子消滅2次元角相関測定装置の製作と性能評価((陽電子・コンプトン),X線・粒子線,領域10)

    永井 康介, 井上 耕治, 大窪 秀明, 唐 政, 長谷川 雅幸

    日本物理学会講演概要集　57　(2)　815-815　2002年8月13日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  82. 26pPSA-63 アルカリ土類フッ化物中のポジトロニウム(26pPSA,領域5(光物性分野))

    井上 耕治, 鈴木 直毅, 兵頭 俊夫

    日本物理学会講演概要集　57　(1)　708-708　2002年3月1日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  83. SrF2単結晶中のポジトロニウム--局在-非局在転移について (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)

    井上 耕治, 鈴木 直毅, 兵頭 俊夫

    KURRI-KR　(76)　52-58　2001年10月11日

    出版者・発行元： 京都大学原子炉実験所

    ISSN： 1342-0852

  84. 18aTH-8 TiO_2単結晶中の陽電子消滅とコンプトン散乱の比較

    井上 耕治, 久保 康則, 櫻井 吉晴, 伊藤 真義, 平岡 望, 鈴木 直毅, 兵頭 俊夫

    日本物理学会講演概要集　56　(2)　792-792　2001年9月3日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  85. 27pXC-3 TiO_2単結晶中の陽電子消滅(実験II)

    井上 耕治, 久保 康則, 鈴木 直毅, 兵頭 俊夫

    日本物理学会講演概要集　56　(1)　841-841　2001年3月9日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  86. 錯塩[Zn(ptz)6](BF4)2中のポジトロニウムの温度依存性 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)

    斎藤 晴雄, 井上 耕治, 永井 康介

    KURRI-KR　(63)　29-31　2000年11月1日

    出版者・発行元： 京都大学原子炉実験所

    ISSN： 1342-0852

  87. 23pYH-5 TiO_2単結晶中の陽電子消滅

    井上 耕治, 久保 康則, 兵頭 俊夫

    日本物理学会講演概要集　55　(2)　836-836　2000年9月10日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  88. 29a-XK-8 陽電子消滅2D-ACAR用の位置敏感γ線検出器の大型化の試み

    井上 耕治, 永井 康介, 齋藤 晴雄, 長嶋 泰之, 兵頭 俊夫, 村松 新一, 永井 正太

    日本物理学会講演概要集　54　(1)　742-742　1999年3月15日

    出版者・発行元： 社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  89. 2D-ACAR用の位置敏感γ線検出器の大型化の試み (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))

    井上 耕治, 永井 康介, 斎藤 晴雄

    KURRI-KR　(40)　4-6　1998年11月

    出版者・発行元： 京都大学原子炉実験所

    ISSN： 1342-0852

  90. 31a-K-3 新しいタイプの位置敏感γ線検出器の開発 II

    井上 耕治, 永井 康介, 斎藤 晴雄, 長嶋 泰之, 兵頭 俊夫

    日本物理学会講演概要集　53　(1)　752-752　1998年3月10日

    出版者・発行元： 社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  91. 29a-A-9 新しいタイプの位置敏感γ線検出器の開発

    井上 耕治, 永井 康介, 齋藤 晴雄, 長嶋 泰之, 兵頭 俊夫

    日本物理学会講演概要集　52　(1)　378-378　1997年3月17日

    出版者・発行元： 社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

書籍等出版物 2

  1. Single-Atom Nanoelectronics

    Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    Pan Stanford Publishing　2013年4月

  2. 試料分析講座．半導体・電子材料分析（日本分析化学会編）

    井上耕治, 清水康雄, 永井康介

    丸善出版　2013年

    ISBN: 9784621087008

講演・口頭発表等 54

  1. 高速実験炉「常陽」で中性子照射された純タングステンにおける 核変換レニウムでデコレートされたボイドの直接観察

    井上耕治, 山下大輝, 長谷川晃, 外山健, 永井康介

    日本金属学会　2023年9月22日

  2. 3次元アトムプローブによる極低炭素鋼における転位線および粒界での元素分布の歪時効時間依存性

    井上耕治, 海老澤直樹, 廣田太一, 永井康介, 小野義彦, 船川義正

    日本鉄鋼協会　2017年9月6日

  3. 陽電子消滅法を用いた材料中の格子欠陥分析 招待有り

    井上 耕治

    第71回若手材料研究会 『格子欠陥研究の最前線』　2017年3月24日

  4. ３次元アトムプローブと透過電子顕微鏡を組み合わせたMg-TM-RE系LPSO/OD構造の局所組成分析

    井上耕治, 海老澤直樹, 戸村恵子, 吉田健太, 永井康介, 岸田恭輔, 乾晴行, 伊津野仁史, 萩原幸司, 江草大祐, 阿部英司, 山崎倫昭, 河村能人

    金属学会　2016年3月23日

  5. 陽電子消滅とアトムプローブを組み合わせた材料解析

    井上耕治

    物理学会　2016年3月19日

  6. Analysis of local chemical composition in Mg-TM-RE alloys with LPSO/OD structure by atom probe tomography 国際会議

    K. Inoue, N. Ebisawa, K. Tomura, K. Yoshida, Y. Nagai, H. X. Xu, D. Egusa, E. Abe, K. Kishida, H. Inui, M. Yamasaki, Y. Kawamura

    The 10th International Conference on Magnesium Alloys and Their Applications　2015年10月11日

  7. ３次元アトムプローブによるNi基耐熱合金のクリープ変形における微細組織変化観察

    井上耕治, 野沢康子, 永井康介, 米村光治

    金属学会　2015年9月16日

  8. ３次元アトムプローブによるMg-TM-RE系LPSO/OD構造の局所組成分析

    井上耕治, 海老澤直樹, 戸村恵子, 許紅霞, 永井康介

    金属学会　2015年3月18日

  9. Atom-Probe-Tomographic Studies on Mg-Zn-Y Alloys with LPSO Phases 国際会議

    K. Inoue, N. Ebisawa, K. Tomura, Y. Nagai, H. X. Xu, D. Egusa, E. Abe

    International Symposium on Long-Period Stacking Ordered Structure and Its Related Materials　2014年10月6日

  10. Numerous vacancies induced by β” phase formation in Al-Mg-Si alloys 国際会議

    K. Inoue, Y. Xiao, K. Kazumi, K. Takata, M. Saga, K. Ichitani, Y. Bekki, Y. Shirai

    The International Workshop on Positron Studies of Defects 2014　2014年9月14日

  11. Dopant Drive-in Path Analysis in Poly-silicon Filled in Trench type 3D-MOSFET using Atom Probe Tomography 国際会議

    K. Inoue, H. Takamizawa, Y. Shimizu, B. Han, Y. Nagai, F. Yano, Y. Kunimune, M. Inoue, A. Nishida

    International Conference on Solid State Devices and Materials　2014年9月10日

  12. Elemental Distribution Analysis in Silicon-Based Semiconductor Devices 国際会議

    K. Inoue

    Atom Probe Tomography & Microscopy 2014　2014年9月3日

  13. 3次元アトムプローブによるLPSO型Mg-Zn-Y合金におけるキンク変形境界近傍の元素分析

    井上耕治, 海老澤直樹, 野沢康子, 永井康介, 許紅霞, 江草大祐, 阿部英司

    日本金属学会2014年春期大会　2014年3月23日

  14. 多結晶シリコントレンチゲート構造中のドーパント拡散の3次元評価

    高見澤悠, 清水康雄, 井上耕治, 矢野史子, 永井康介, 国宗依信, 井上真雄, 西田彰男, 池田昌弘

    応用物理学会　2014年3月20日

  15. 3次元アトムプローブによるLPSO型Mg-Zn-Y合金における積層欠陥と組成分布

    井上耕治, 海老澤直樹, 野沢康子, 外山健, 永井康介, 許紅霞, 江草大祐, 阿部英司

    日本金属学会2013年秋期大会　2013年9月19日

  16. Dopant Diffusion in Poly-silicon Filled in Trench Structures Analyzed by Atom Probe Tomography 国際会議

    Koji Inoue, Hisashi Takamizawa, Yasuo Shimizu, Fumiko Yano, Yasuyoshi Nagai, Yorinobu Kunimune, Masao Inoue, Akio Nishida, Masahiro Ikeda

    JSAP-MRS 2013 Fall meeting　2013年9月17日

  17. 低温電子線照射したLPSO相MgZnY合金中の空孔回復挙動

    井上耕治, 許紅霞, 海老澤直樹, 永井康介, 江草大祐, 阿部英司

    アイソトープ・放射線研究発表会　2013年7月4日

  18. ポリSiゲート中の不純物原子の粒界偏析の3次元観察

    井上耕治, 矢野史子, 西田彰男, 外山健, 永井康介, 長谷川雅幸

    日本物理学会2008年秋季大会　2008年9月20日

  19. 3次元アトムプローブによるn-typeとp-type MOSの不純物原子分布の比較

    井上耕治, 矢野史子, 西田彰男, 角村貴昭, 外山健, 永井康介, 長谷川雅幸

    2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会　2008年9月2日

  20. 3次元アトムプローブによるMOSFET構造中の不純物評価

    井上耕治, 矢野史子, 西田彰男, 外山健, 永井康介, 長谷川雅幸

    2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会　2008年3月27日

  21. MOSトランジスタ構造の3次元アトムプローブ観察

    井上耕治, 矢野史子, 西田彰男, 外山健, 永井康介, 長谷川雅幸

    日本金属学会2008年春期講演大会　2008年3月26日

  22. 3次元アトムプローブによるゲート酸化膜/シリコン基板界面へのAs原子偏析の観察

    井上耕治, 矢野史子, 西田彰男, 外山健, 永井康介, 長谷川雅幸

    日本物理学会第63回年次大会　2008年3月22日

  23. 電子スピン共鳴および陽電子消滅法による硼酸ガラス中の照射欠陥

    井上耕治, 宇野弘倫, 武内伴照, 永井康介, 長谷川雅幸

    日本物理学会 第62年次大会　2007年9月21日

  24. Fe-Cuモデル合金中のCuナノ析出物極初期段階における数密度評価

    井上耕治, 津戸昭良, 外山健, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    第44回アイソトープ・放射線研究発表会　2007年7月4日

  25. 陽電子消滅法による Fe-Cu モデル合金中の Cu ナノ析出物極初期段階における数密度評価

    井上耕治, 津戸昭良, 外山健, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    日本金属学会2007年春期大会　2007年3月27日

  26. Fe中のCuナノ析出物への陽電子捕獲機構

    井上耕治, 津戸昭良, 外山健, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    日本物理学会2007年春季大会　2007年3月17日

  27. Fe-Cu合金中の陽電子拡散係数－Cu濃度および測定温度依存性－

    井上耕治, 津戸昭良, 外山健, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    日本物理学会2006年秋季大会　2006年9月23日

  28. Positron trapping rate into Cu nanoprecipitates by positron annihilation age-momentum correlation technique 国際会議

    K. Inoue, Y. Nagai, Y. Hosoda, A. Tsuto, M. Hasegawa

    The 14th International Conference on Positron Annihilation　2006年7月23日

  29. Structural subnanovoids in silica-based model glasses 国際会議

    K. Inoue, H. Kataoka, Y. Nagai, Z. Tang, M. Hasegawa

    The 14th International Conference on Positron Annihilation　2006年7月23日

  30. 低速陽電子ビーム装置を用いたFeおよびFe-Cu合金中の陽電子拡散係数測定

    井上耕治, 津戸昭良, 外山健, 永井康介, 長谷川雅幸

    日本物理学会第61回年次大会　2006年3月27日

  31. シリカ基モデルガラス中のポジトロニウムに対する鉄イオンのクエンチング効果

    井上耕治, 片岡弘康, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    京都大学原子炉実験所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」　2005年11月21日

  32. シリカ基モデルガラス中におけるポジトロニウムに対する鉄イオンのクエンチング効果

    井上耕治, 片岡弘康, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    日本物理学会2005年秋季大会　2005年9月21日

  33. Chemical Quenching of Positronium by Fe Ions in Silica-Based glasses:2D-ACAR and Positronium Lifetime 国際会議

    K. Inoue, H. Kataoka, Y. Nagai, Z. Tang, M. Hasegawa

    8th International Workshop on Positron and Positronium Chemistry (PPC-8)　2005年9月4日

  34. ポジトロニウムで調べたシリカ基を中心とする各種モデルガラス中の構造空隙

    井上耕治, 片岡弘康, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    第42回アイソトープ・放射線研究発表会　2005年7月6日

  35. ポジトロニウムによって調べたガラス中の構造空隙（II）:シリカ基を中心とする各種モデルガラス

    井上耕治, 片岡弘康, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    日本金属学会2005年春期大会　2005年3月29日

  36. ポジトロニウムで調べたSiO2其成分系ガラス中の構造空隙

    井上耕治, 片岡弘康, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    日本物理学会第60回2005年次大会　2005年3月24日

  37. Temperature Induced Transition of Positronium from the Localized to the Delocalized State

    K. Inoue, N. Suzuki, T. Hyodo

    第15回光物性研究会　2004年12月3日

  38. ポジトロニウムによって調べたSiO2基2成分系ガラス中の構造空隙

    井上耕治, 片岡弘康, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    京都大学原子炉実験所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」　2004年11月26日

  39. Vacancy Clusters and Vacancy-Impurity Complexes in Electron-Irradiated Si Positron Annihilation, Electron Spin Resonance and Hall Coefficient Measurement 国際会議

    K. Inoue, M. Imai, Y. Nagai, Z. Tang, M. Hasegawa

    The 4th International Workshop on Positron Studies of Semiconductor Defects (PSSD-2004)　2004年11月7日

  40. Positronium studies of structural open volumes in two-component silica-based glasses 国際会議

    K. Inoue, H. Kataoka, Y. Nagai, Z. Tang, M. Hasegawa

    The 4th International Workshop on Positron Studies of Semiconductor Defects (PSSD-2004)　2004年11月7日

  41. 東北大金研大洗センターの低速陽電子ビーム装置について

    井上耕治, 細田裕司, 片岡弘康, 外山健, 永井康介, 長谷川雅幸

    日本金属学会2004年秋期大会　2004年9月28日

  42. ポジトロニウムで調べたSiO2基2成分系ガラス中の構造空隙

    井上耕治, 片岡弘康, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    日本物理学会2004年秋季大会　2004年9月12日

  43. 電子線照射したP添加FZ-Si中の空孔型欠陥の研究

    井上耕治, 今井賢, 片岡弘康, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    第41回理工学における同位元素・放射線研究発表会　2004年7月7日

  44. 陽電子消滅法による電子線照射Si中の空孔型欠陥の研究―電子線照射したFZ-SiのPの添加効果について―

    井上耕治, 今井賢, 永井康介, 唐政, 長谷川雅幸

    日本物理学会2004年第59回年次大会　2004年3月27日

  45. ポジトロニウムをプローブとしたシリカ基ガラスの構造的空隙の測定

    井上耕治, 永井康介, 佐々木譲, 大窪秀明, 唐政, 長谷川雅幸

    日本物理学会2003年秋期大会　2003年9月20日

  46. 2D-ACAR Study of Divacancy in Si: Jahn Teller Effect 国際会議

    K. Inoue, Y. Nagai, Z. Tang, I. Yonenaga, M. Imai, H. Ohkubo, M. Saito, N. Suezawa, M. Hasegawa

    (ICPA-13) 13th International Conference on Positron Annihilation　2003年9月7日

  47. Si中の中性複空孔のヤン・テラー効果

    井上耕治, 永井康介, 今井賢, 大窪秀明, 唐政, 長谷川雅幸, 米永一郎, 末沢正志

    第40回理工学における同位元素・放射線研究発表会　2003年7月9日

  48. 陽電子消滅2次元角相関法によるSi中性複空孔のヤン・テラー効果の研究

    井上耕治, 永井康介, 今井賢, 大窪秀明, 唐政, 長谷川雅幸, 米永一郎, 末沢正志

    日本物理学会2000年第58回年次大会　2003年3月28日

  49. 陽電子消滅2次元角相関法を用いたシリコン中性複空孔のヤン・テラー効果の研究

    井上耕治, 永井康介, 今井賢, 大窪秀明, 唐政, 長谷川雅幸, 米永一郎, 末沢正志

    日本金属学会2003年春期(第132回)大会　2003年3月27日

  50. 陽電子消滅2次元角相関装置を用いたＳｉ中の中性複空孔の研究

    井上耕治, 永井康介, 今井賢, 大窪秀明, 唐政, 長谷川雅幸, 米永一郎, 末沢正志

    京都大学原子炉実験所専門研究会「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」　2002年11月15日

  51. 東北大金研における陽電子消滅2次元角相関装置の製作と性能評価

    井上耕治, 永井康介, 大窪秀明, 唐政, 長谷川雅幸

    日本金属学会2002年秋期（第131回）大会　2002年11月2日

  52. Defects in vitreous SiO2 studied by positron annihilation, ESR, and optical absorption 国際会議

    K. Inoue, Y. Nagai, Z. Tang, Y. Sasaki, M. Hasegawa

    The 3rdInternational Workshop on Positron Studies of Semiconductor Defects　2002年9月29日

  53. Improvement of the 2D-ACAR apparatus in University of Tokyo 国際会議

    K. Inoue, H. Saito, Y. Nagashima, T. Hyodo, Y. Nagai, S. Muramatsu, S. Nagai, K. Masuda

    The 3rdInternational Workshop on Positron Studies of Semiconductor Defects　2002年9月29日

  54. 石英ガラスおよび各種ガラスの陽電子消滅、光吸収、ESR測定

    井上耕治, 佐々木譲, 永井康介, 大窪秀明, 長谷川雅幸

    日本物理学会 2002年秋期大会　2002年9月6日

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

産業財産権 1

  1. パーライト組織を含む鋼材の陽電子消滅法を用いた評価方法

    白井 泰治, 井上 耕治, 清水 健一, 高村 伸栄

    産業財産権の種類: 特許権

共同研究・競争的資金等の研究課題 24

  1. LPSO-Mg合金中の局所組成解析 競争的資金

    制度名：Grant-in-Aid for Scientific Research

    2012年4月 ～ 継続中

  2. 鉄鋼材料中の組織観察および３次元元素分布解析 競争的資金

    制度名：The Other Research Programs

    2012年4月 ～ 継続中

  3. 半導体デバイス中の3次元ドーパント分布解析 競争的資金

    制度名：The Other Research Programs

    2007年4月 ～ 継続中

  4. 転位への溶質原子偏析メカニズムの解明

    井上 耕治

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究機関：Tohoku University

    2021年4月1日 ～ 2024年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    転位線への溶質原子の偏析（所謂、コットレル雰囲気）の詳細について、透過型電子顕微鏡観察と３次元アトムプローブ分析を同一の転位に対して行い、透過型電子顕微鏡観察で転位構造を決定し、透過型電子顕微鏡で観察した転位における溶質原子の３次元元素分布を３次元アトムプローブ測定で得る。そして、転位構造と溶質原子の分布の対応を見ることで、転位－溶質原子相互作用の起源として、弾性応力場と化学的相互作用のどちらの影響が大きいのかを明らかにする。 ３次元アトムプローブの測定領域は、針の直径が最大でも100nmで、針の長手方向には数百nm程度の領域であり、例えば転位周囲の元素分布を取得する場合、その狭い針状領域の中に転位を含める必要がある。集束イオンビーム加工装置に具備する走査電子顕微鏡では転位観察は困難であるため、集束イオンビーム加工によって針試料を作製してから透過型電子顕微鏡観察を行い、針試料内での転位線の位置を確認する必要がある。転位線が針先数百nm以内に存在しない場合には、再度、集束イオンビーム加工装置を用いて追加工を行う。この作業工程を繰り返すことで、観察したい転位を針先端へ持ってくる。 上記で述べた方法により、針先端に転位を含む試料を作製し、透過型電子顕微鏡観察で針先端の転位構造を決定し、透過型電子顕微鏡で観察した転位における溶質原子の３次元元素分布を３次元アトムプローブで得る。３次元アトムプローブ測定では針試料が電界応力で破壊する可能性が高く、転位線におけるC分布を取得する前に試料が破壊することが頻発することが予想されるため、何度も繰り返し行うことでデータを取得する。

  5. サブナノ分解能応力下その場観察法の開拓による新たな照射硬化機構の解明

    永井 康介, 吉田 健太, 嶋田 雄介, 井上 耕治, 外山 健, 鈴土 知明, 清水 康雄

    2020年4月1日 ～ 2023年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    応力印加下その場観察のためのデバイス作製のため、ビッカース試験機による圧痕導入、FIBマイクロサンプリング、その場焼鈍などの実験工程を確立した。外部応力によって導入された残留ひずみの微視的構造およびその熱緩和過程が明らかになってきた。低合金鋼で得られた初期データは学会発表を行い、論文投稿準備を進めた。 <BR> その場等温焼鈍は、F82H鋼およびLAF 9Cr-W鋼、ODS鋼の中性子照射材に適用した。F82H鋼では、中性子照射材とイオン照射材に硬さ試験、3D-AP計測を実施し、室温から525℃まで、その場WB-STEM焼鈍実験により転位ループなど照射欠陥集合体の熱的安定性を評価した。それにより、従来の静的な照射欠陥分析では分からなかった照射欠陥集合体－転位複合体の形成など照射脆化機構における新しい素過程が見つかった。ODS鋼 中性子照射材は、600℃まで焼鈍試験を行い高い耐照射損傷特性の原因である酸化物粒子の構造安定性を評価した。

  6. ハイエントロピー合金に内在する元素間相互作用と相安定性原理の実験的解明

    古原 忠, 荒木 秀樹, 杉山 和正, 井上 耕治

    2018年6月29日 ～ 2023年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本年度は、以下の分担項目において検討を行った。 Fe-35Ni-10Cr合金の窒化材を調査し，極めて高い窒素濃度と表面硬さが得られることならびに，固溶体中に存在するナノスケールのCr-Nクラスターが発達すことをTEMならびに3DAP解析により明確に示した．さらに，同程度のN濃度を有するFe-N合金の数倍の硬度を有することから，Cr-Nクラスターは硬化に対しても有効であることを示した． 結晶質・非晶質を問わず，様々な試料に関して含有される元素を分別しその局所構造や短配位置規則性を解明する方法論として異常散乱法を駆使した研究を展開し，継続して構造解析方法としての異常散乱法の実現と高精度化を目指し，物質構造科学研究所に設置の装置の整備も進めてきた．本年度末には，本領域で購入整備した実験室系で活躍する装置の放射光セットの設置が完了する計画である． CrCoNiミディアムエントロピー合金の双晶界面への溶質原子の偏析について３次元アトムプローブ（APT）とTEMを組み合わせた手法により調査し，TEM像での双晶界面に対応する位置で、元素マップ上でCrが欠乏し、わずかにCoとNiが濃くなる偏析現象を見出した． AlxCrFeCoNi合金について、電子線照射により導入した空孔の回復挙動を陽電子寿命法により調べた結果、Al0.1CrFeCoNi、Al0.3CrFeCoNi合金における空孔移動エネルギーはそれぞれ0.62 eV、0.59 eVとなった。CrMnFeCoNi合金における値0.93 eVと比較するとAl添加により空孔移動エネルギーが顕著に減少する傾向が見られた。また、空孔形成エネルギーについて第一原理計算により調べた結果、Al添加により各原子種の空孔形成エネルギーは低下する傾向が見られた。これらのAl添加の影響は、Al添加に伴う各原子種の平均二乗変位の増加に加え、近接原子との結合力の低下が影響していると考えられる．

  7. 決定論的ドーピング法に基づく量子物性制御とその確率的情報処理・量子計測への応用

    品田 賢宏, 谷井 孝至, 大矢 剛嗣, 河野 行雄, 井上 耕治, 清水 康雄

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2018年4月1日 ～ 2023年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    ①決定論的ドーピング法の多元化と量子機能の発現：1)新たな液体金属イオン源を開発し、質量分離可能な集束イオンビーム装置およびシングルイオン注入装置に搭載することで、決定的ドーピング法の多元化を進めた。ガスイオン源の搭載による軽元素の注入可能性については、現有装置への搭載が不可能であったことから、特にシリコンやダイヤモンドのバンドギャップ中に不純物準位を形成する液体金属イオン源を開発することによる代替法の構築を行った。2)シリコン中に不純物を注入し、深い不純物準位の形成とその室温特性を利用した量子輸送特性評価を行った。また、シングルイオン注入法を用いて、シリコン中に希土類元素を注入し、その内殻電子の励起・緩和を活用した単一光子源の開発を進めた。ダイヤモンド中のNVセンターの活用では、NVセンターと他の電子スピンとの磁気的結合を活用した量子ビットの形成と応用を目指している。 ②単一ドーパント量子ドットを用いたTHz波検出器の開発と量子コヒーレント制御：ドーパントへのテラヘルツ集光効率向上のための更なる光電界集中構造の検討を、シミュレーションと実験の両面から行った。誘電率を適切に設定することで、光電界サイズの局限化に成功した。また、テラヘルツ波検出に対するドーパント分布の効果について考察を行い、ドーパント同士の距離を制御することで、 検出帯域をチューニングできる可能性を示した。 ③単一ドーパント量子物性制御デバイスの回路実装：単一ドーパント情報処理回路向けのシミュレータ作成を進めた。単一ドーパント量子系に発現する現象・動作を表現するシミュレータの開発を進めると同時に、同回路に実装する具体的な自然・生物的情報処理アーキテクチャの設計、及び試作中のシミュレータにてその動作確認を進め、それらの有用性を確認し、国際会議等で成果発表を行った。

  8. 微小欠陥－元素分布トモグラフィー法による原子炉構造材料の照射劣化機構の解明

    永井 康介, 井上 耕治, 外山 健, 吉田 健太, 清水 康雄, 西山 裕孝, 勝山 仁哉, 南雲 一章, 鈴土 智明

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2016年4月1日 ～ 2019年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    「微小欠陥－元素分布トモグラフィー法（同一試料に最先端の透過電子顕微鏡(TEM）法と3次元アトムプローブ（3D-AP）法を組み合わせて、照射欠陥構造と不均一な元素分布をサブナノメートルの分解能で3次元空間に同時マッピングする方法）」を開発した。これを用いて原子炉の安全性に直結する構造材料の未だ解明されていない新しい照射劣化機構を見いだした。例えば、圧力容器鋼の照射脆化の主因として、従来考えられていた溶質原子クラスターだけではなく、微小な転位ループも同程度の寄与があることを明らかにした。

  9. ３次元アトムプローブと透過電子顕微鏡を組み合わせた単一ナノワイヤの解析法の確立

    清水 康雄, 深田 直樹, 井上 耕治, 永井 康介

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

    研究機関：Tohoku University

    2015年4月1日 ～ 2018年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    将来の量子デバイス構造の候補であるナノワイヤの最先端研究において、不純物添加時に導入される欠陥が電気的特性に与える影響を理解するためには、ドーパントと欠陥の位置関係を明確にする必要がある。本研究では、シリコンとゲルマニウムで構成するコア－シェル型に着目し、原子レベルの位置分解能で元素の実空間分布を得る３次元アトムプローブと透過電子顕微鏡を同一の試料に適用した。任意のナノワイヤを集束イオンビーム装置のマニピュレータを用いて拾い上げ、測定用の試料台に効率良く設置する手法を確立し、ナノワイヤを構成する元素の実空間分布を得ることに成功した。ドーパント－欠陥の位置関係を明らかにする研究体系を構築した。

  10. 拡散メカニズム解析に基づく３次元トランジスタ局所領域におけるドーパント分布制御

    井上 耕治, 永井 康介, 清水 康雄

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2014年4月1日 ～ 2017年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    次世代３次元構造トランジスタの特定の微細領域におけるドーパント拡散過程を明らかにするために、最新のUVレーザー型３次元アトムプローブ法を用いて、粒界、粒内、ゲート酸化膜界面を区別してドーパント分布の900℃での熱処理時間依存性を調べた。n-typeトランジスタのゲートドーパントのPとp-typeトランジスタのゲートドーパントのBでメインの拡散メカニズムが異なることが明らかになった。多結晶Siゲート中のPの拡散は粒界拡散が支配的であった。一方、Bは粒界拡散だけではなく粒内拡散も支配的であり、Pの粒界拡散よりもBの拡散のほうが速いこともわかった。

  11. 決定論的ドーピング法による量子物性制御

    品田 賢宏, 谷井 孝至, 井上 耕治, 田部 道治, 磯谷 順一

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    2013年4月1日 ～ 2017年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究では、10nm以下の領域へのドーピングを実現し、次世代デバイスに適応可能な決定論的ドーピング法の確立を第1の目的とし、単一ドーパントシリコンデバイス、単一シリコン-空孔ダイヤモンドデバイスをはじめとする量子デバイスの物性制御を第2の目的とした。具体的には、①10nm以下の領域への単一ドーパントドーピングプロセスモジュールの開発に成功し、②単一ドーパントシリコンデバイス量子輸送、及び③単一ドーパントシリコン－空孔ダイヤモンド量子発光の観測と制御に成功した。将来のCMOSテクノロジーの延伸に資する決定論的ドーピング法の確立、及びその量子物性制御を実現したことは大きな成果である。

  12. アトムプローブ法によるLPSO濃化元素のMg中における拡散係数測定

    井上 耕治

    2014年4月1日 ～ 2016年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究では、シンクロ型LPSO構造を持つMg合金の代表例としてMg-Zn-Yの合金を念頭におき、Mg中のZn、Yの拡散係数を最新のレーザーパルス局所電極型アトムプローブを用いて求める。具体的な研究の流れは以下の通りである。１、拡散対試料の作製。２、アトムプローブ用試料作製：アトムプローブ測定試料形状は先端が数十nmの細い針状である。蒸着したZnやYとMgの界面部分を針の先端領域にもってくる必要がある。この作業は集束イオンビーム加工装置（FIB）に具備されている走査型電子顕微鏡（SEM）観察しながら針加工を実施する。SEMで確認しながら、界面が針状試料の先端から50～100 nm程度内に含まれるように試料を作製する。３、アトムプローブ測定条件の最適化：測定データのS/N比はアトムプローブの測定条件（測定温度、レーザーパワー）によって大きく左右されるため、測定条件の検討を繰り返し行い、S/N比を向上させる。４、Mg中のZn、Yの粒内拡散係数の決定：アトムプローブ測定によってアトムマップ取得し、アトムマップから求めた濃度分布から、粒内の拡散係数を求める。 上記１、２、３、４、までの一通りの実験作業行い、拡散対試料作製部分以外はうまくいくことが確認できた。拡散対試料作製に関しては、電解研磨でMg表面処理を行っても、すぐに表面が酸化してしまい、アトムプローブ測定で、薄い表面酸化膜層が検出された。また劈開することで酸化膜のない表面を得ようと試みたが、液体窒素温度ではMgは脆性破壊しないことがわかった。今年度、蒸着チェンバー内でArスパッタ装置を導入することで、表面酸化膜を除去し、その場で蒸着しようとしたが、密着性に問題があった。電子ビーム溶解ではなくスパッタリングで蒸着を行った結果、密着性のよい拡散対試料が作製でき、アトムマップを得ることができ、拡散プロファイルを得ることができた。

  13. 人間の歯の健全性評価に向けた３次元アトムプローブによるナノスケール元素分析解析

    清水 康雄, サダル アリレザ, 永井 康介, 井上 耕治

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

    研究機関：Tohoku University

    2014年4月1日 ～ 2016年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究では、これまで金属や無機材料にしか適用できなかった３次元アトムプローブ法を人間の歯に応用し、ナノスケールで実空間上の元素分布を調べた。まず、人間の歯を構成する主な成分であるハイドロキシアパタイト（HAp）を用いて、集束イオンビーム加工技術を駆使して分析用の針状試料形状の最適化を図った。紫外光レーザー補助による３次元アトムプローブ測定条件を見出し、HApを用いて蓄積した技術ノウハウを人間の歯（エナメル質・象牙質）に適用し、元素分布を得られるようにした。より詳細な解析を実施することで、エナメル質領域においてマグネシウムの顕著な粒界偏析・析出が見られることが分かった。

  14. 原子レベル構造解析によるＬＰＳＯ構造の構造物性発現機構の解明

    乾 晴行, 永井 康介, 阿部 英司, 岸田 恭輔, 井上 耕治

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)

    研究機関：Kyoto University

    2011年4月1日 ～ 2016年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Mg-Al-GdおよびMg-Zn-Y系LPSOの結晶構造を原子レベルで決定した．Gd, Al あるいはZn, Yは隣接4原子層に濃縮し，L12型原子クラスターを形成する．L12型原子クラスターの面内配列はMg-Al-Gd系の場合は規則的であるが，Mg-Zn-Y系の場合はZn,Y濃度の増加により不規則から規則的に変化する．濃縮4原子層を含む原子層を構造ブロックとした積層構造として規則－不規則（OD: Order-Disorder）構造として結晶構造が記述できる．構造ブロックの原子層数（5～8）により，多種の構造多形が形成され，それぞれに最も単純な積層構造およびその空間群を決定した．

  15. 相変態誘起空孔－新しい原子空孔形成機構の解明とその役割の実証－

    白井 泰治, 井上 耕治, 杉田 一樹

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Kyoto University

    2012年5月31日 ～ 2015年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    新しい空孔形成機構“相変態誘起原子空孔”を実証するために、アルミニウム合金の時効過程や銀基希薄合金の内部酸化過程での格子欠陥挙動について陽電子消滅法を用いて調査を行った。アルミニウム合金の時効過程ではβ”相形成時に空孔が新たに導入されていること、銀合金の内部酸化に伴って母相中に空孔と空孔クラスタが形成されることを明らかにした。これらは相変態誘起の原子空孔形成を証明する結果である。

  16. 先端ナノ組織分析による事故時加熱環境を考慮した原子炉構造材料の劣化機構解明と予測

    永井 康介, 井上 耕治, 外山 健, 清水 康雄, 南雲 一章, 西山 裕孝, 勝山 仁哉, 西山 裕孝, 勝山 仁哉, 松川 義孝

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2012年4月1日 ～ 2015年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    福島第一原発事故以来、国民の原子力に対する安全への要請は極めて高くかつ緊急課題である。本研究では、従来は想定していない高温環境に圧力容器等の原子炉構造材料が曝されたときに、材料に生じる変化を最新のナノスケールの分析手法で解明し、それが材料の機械的特性等に与える影響を明らかにした。例えば、長期間中性子照射された圧力容器の監視試験片では、450℃程度の高温に曝されると、微細な銅富裕析出物の粗大化が起きることなど、未照射材と比べて変化の促進や異なる振る舞いを示すことがわかった。また、計算機シミュレーションによってナノスケールの組織変化と機械的特性との関係も明らかにした。

  17. 陽電子消滅法による耐熱鋼の新しい余寿命予測法の開発

    井上 耕治

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

    研究機関：Tohoku University

    2012年4月1日 ～ 2014年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    陽電子消滅法は、空孔や転位などの原子スケールの格子欠陥を敏感に検出することが可能な手法であるため、この手法をフェライト系耐熱鋼に適用することで、高温クリープ変形に伴う原子スケールの格子欠陥の初期挙動から耐熱鋼の余寿命予測を行うことが可能であるか検証を行った。平均陽電子寿命はクリープ試験片のねじ部ではほとんど変化しないが、平行部はクリープ時間とともに減少し、ねじ部の温度効果と平行部の温度と歪みの効果の差を明瞭に捉えた。平行部の平均陽電子寿命はクリープ変形の遷移、定常、加速領域にほぼ対応して３段階で減少することが明らかとなった。

  18. 3次元アトムプローブ法によるHigh-kゲート絶縁膜構造および界面解析

    井上 耕治

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

    研究機関：Tohoku University

    2008年 ～ 2009年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    レーザー3次元アトムプローブを用いて、MOS構造におけるドーパントの3次元空間分布やhigh-kゲート酸化膜構造について調べた。MOS構造やhigh-kゲート酸化膜構造の3次元アトムマップを得ることができた。ドーパントの種類による違い(ドーパントの偏析の有無やゲート酸化膜への侵入の有無)について明らかにした。high-kゲート酸化膜構造については傾斜構造を得ることができたが、今後詳細について検討していく。

  19. 先端ナノ材料学による原子炉鉄鋼材料の脆化・劣化機構の解明と制御・予測

    長谷川 雅幸, 永井 康介, 畠山 賢彦, 外山 健, 松川 義孝, 井上 耕治, 唐 政

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

    研究機関：Tohoku University

    2005年 ～ 2009年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    最先端の陽電子消滅法と3次元アトムプローブ法を組み合わせ、原子炉圧力容器の監視試験片や材料試験炉で加速照射したモデル合金試料で起こっているナノ組織変化、例えば、照射劣化の主因である溶質原子クラスター(Cuナノ析出物やMnNiSiクラスターなど)、照射欠陥や不純物粒界偏析の発達を明らかにした。またこれらが機械的性質に与える効果を調べることにより、照射劣化の制御に関する提案を行い、制御のための重要な知見を得た。

  20. ポジトロニウムを用いたガラス構内のナノボイドおよび中距離構造の解明

    井上 耕治, 永井 康介, 畠山 賢彦

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究機関：Tohoku University

    2006年 ～ 2007年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究では、ガラス構造の主要物性で重要な役割を果たすと言われている中距離規則構造とその揺らぎであるナノボイド(空隙)を、ナノボイドに局在するポジトロニウム(Ps:電子と陽電子の水素様束縛状態)を用いて調べた。Psは中性の軽粒子であり、ガラス中ではナノボイドを自ら探し出し(自己探索)、そこに局在し、そこの空間的拡がり、ナノボイド周囲化学元素の情報を選択的に伝えてくれるという特徴を持つ。そこで、SiO_2を主成分とする各種2成分系モデルガラスを製作し、ナノボイド中に形成したPsの運動量分布、寿命からナノボイドの寸法について系統的に調べた。即ち、パラPs(p-Ps)の運動量分布から不確定性原理を用いる方法と、オルソPs(o-Ps)のピックオフ消滅寿命から、高分子中の自由体積解析に使われているTao-Eldrup模型を用いる方法の両方から、各種ガラス中のナノボイドの平均半径の化学組成依存性を求めた。全く独立した手法による両者の解析結果はコンシステントであり、ガラス網目形成体であるB_2O_3、 GeO_2を添加したガラス中のナノボイド平均半径は2成分ガラスのモル濃度比に比例して変化した。一方、網目修飾体であるLi_2O、 Na_2O、K_2Oを添加したR_2O-SiO_2ガラス(R=Li,Na,K)では、R_2Oモル濃度が増加すると、平均半径が急激に減少した。これは、網目修飾体を含む場合には、SiO_4四面体が作るガラス網目のナノボイドに網目修飾体のRイオンが入り込む構造を取るためである。これらの結果は、Zachariasen-Warrenガラス構造模型の空隙を直接かつ系統的に観測した結果である。さらに実験結果は、Rイオンは大きなナノボイドから優先的入り込むことを示している。これらの結果は今問題となっている放射性廃棄物ガラス固化体の安定性を評価する上で重要なものではないかと考えている。

  21. 原子炉圧力容器鋼中の照射誘起ナノ析出物および欠陥の形成・発達過程の解明と制御

    長谷川 雅幸, 永井 康介, 唐 政, 井上 耕治, 畠山 賢彦, 大窪 秀明, 湯葢 邦夫

    2003年 ～ 2007年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    原子炉圧力容器(RPV)鋼の照射脆化の主原因とされている1nm程度の大きさのCu(富裕)析出物(CRP)についてはその原子レベルでの機構解明は未だ不十分である。本研究では、最近我々が発見したFeマトリクス中のCuナノ析出物の陽電子量子ドット現象を利用するとともに最新の3次元アトムプローブも併用し、照射下での(サブ)ナノCRPの形成と発展を明らかにすることを目的とする。 本年度は先ず、購入した半導体検出器などを利用し、デジタル・オッシロスコープを用いた新方式の陽電子寿命・運動量相関(AMOC)装置を完成させた。この装置を用い、FeCuモデル合金中に生ずるCuナノ析出物は熱時効析出の初期から既に純Cu銅であることなどを明らかにした。次いで陽電子消滅特性の精密計算に必要な計算方式(電子間の多体効果に由来する自己エネルギーを考慮したGW方式)の開発を行った。 RPV鋼の照射脆化を調べるには、発電炉の実機監視試験片を解析することが欠かせない。しかしながら、実機監視試験片のナノ材料学的な解析が行われたことは殆どないのが現状である。我々はこの点を解決すべく、以下の2種の監視試験片を入手し解析を行った。先ず日本原子力発電の東海1号炉(約20年間稼働後1998年廃炉)の監視試験片では、(i)いわゆる照射欠陥は殆ど認められず、Cuナノ析出物のみが形成していること、(ii)しかしながら、同じ試験片を材料試験炉で約10000倍早い照射速度で照射したところ、逆にCuナノ析出物は認められず、照射欠陥のみが生じていること、などを明らかにした。次にベルギーのDoel2号炉監視試験片(溶接部)を入手し、低Cu材と高Cu材では、Cuナノ析出物と照射欠陥の形成・発展挙動が大きく異なることを見いだした。これら実機試験片に関する結果は、この分野で非常に重要な新知見である。

  22. 放射性廃棄物核種を包含するガラスナノボイドの構造および安定性の解明

    井上 耕治

    2004年 ～ 2005年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究では、陽電子と電子の束縛状態であるポジトロニウムが、ガラス中の構造的なサブナノ空隙中で消滅し、そのサブナノ空隙のサイズに関する情報を与えてくれることに注目した。このことを利用して、放射性廃棄物ガラス固化体中に含まれる放射性核種からの放射線によって生ずる照射欠陥形成に伴う、核種含有サイトである構造サブナノ空隙の変化の解明やそれらが長期保管に与える影響について調べようとする。放射性廃棄物ガラス固化体を理解するには、その基本要素から構成される2成分系モデルガラスについての理解が必要不可欠であり、先ずこれらのガラスについて、サブナノ空隙の化学組成や照射による変化、照射欠陥の形成過程について調べた。 廃棄物ガラスの主成分であるSiO_2に網目形成酸化物であるB_2O_3や網目修飾酸化物Na_2Oを加えた2成分系モデルガラスについて組成比を変化させて試料を作製し、陽電子消滅法を用いてサブナノ空隙のサイズの化学組成依存性について系統的に調べた。その結果、大部分の放射性廃棄物核種が属する網目修飾酸化物の陽イオンは、サイズの大きなサブナノ空隙から選択的に入り込むことがわかった。また、この試料に、電子線(エネルギー3MeV、照射量1×10^<18>e/cm^2)やプロトン(エネルギー1MeV、照射量1×10^<16>H^+/cm^2)を照射し、照射欠陥形成に伴うサブナノボイドのサイズ変化を系統的に調べた。照射によるサブナノ空隙のサイズ変化は本研究の照射条件では起こらないことがわかった。電子スピン共鳴法を用いて、粒子線照射に伴うボンド切断や照射欠陥形成について系統的に調べた。SiO_2・B_2O_3系モデルガラスではB_2O_3の含有率が増えるほど、常磁性照射欠陥の回復温度は低くなること、Na_2Oを含有するSiO_2・Na_2O系モデルガラスではNa_2Oの含有率が増えるほど、常磁性照射欠陥の生成量が減少することがわかった。

  23. 陽電子消滅法と3次元アトムプローブ法の併用によるナノクラスター形成機構の解明

    永井 康介, 長谷川 雅幸, 唐 政, 井上 耕治, 畠山 賢彦, 宝野 和博, 湯葢 邦夫

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2003年 ～ 2005年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究は、陽電子消滅法と3次元アトムプローブ(3DAP)法を組み合わせることによって、従来の手法では不明であった、材料中のナノクラスターの形成機構、空孔-溶質複合体の形成、その移動によるクラスター形成過程を解明することが目的である。 今年度(最終年度)は、昨年度までに明らかにされた、Fe-Cu,Al-Ag,Al-Zn2元系合金中に生成する溶質ナノクラスターの電子構造やクラスター中の溶質濃度、空孔-溶質複合体形成等の情報をもとに、より一般的にナノクラスター形成の相安定性について議論した。我々が発見した、陽電子の埋め込みナノクラスターへの量子閉じ込め(陽電子親和性捕獲)現象を利用し、陽電子消滅2次元角相関(2D-ACAR)測定によって明らかにされた、ナノクラスターのフェルミ面のトポロジーを第一原理計算と比較した。その結果、パイエルス歪みや合金のヒューム・ロザリー則と同様の考察によって、ナノクラスター中の溶質濃度を決定する法則があることが示唆された。すなわち、格子歪みの影響が小さい微小のクラスターに対しては、ブリリュアン・ゾーンでのバンドギャップ効果がなるべく有効になるように価電子数(e/a)(言い換えるとフェルミ球の半径)が決まることがわかった。 一方、従来3DAPでも検出が困難なサブナノクラスターの数密度を、陽電子消滅法を用いて定量的に評価する方法を見いだした。陽電子寿命-運動量相関測定法により陽電子のクラスターへの捕獲率を評価し、低速陽電子ビームを用いて陽電子の拡散定数の測定を行い、陽電子のクラスターの検出感度も評価し、両者を用いて数密度評価が行えることを示した。 これらの成果から、陽電子と3DAPを組み合わせた埋め込みナノクラスターの新しい解析法が確立したといえる。

  24. 自己探索機能を持つ陽電子を利用したナノ粒子形成初期過程の原子・電子構造解明

    長谷川 雅幸, 永井 康介, 唐 政, 井上 耕治, 大窪 秀明, 湯蓋 邦夫

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2001年 ～ 2002年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    材料内部の"埋め込み"(サブ)ナノサイズ粒子は、その材料の物理的、機械的性質に大きな影響を与える。従ってこのようなナノ粒子の形成過程とその原子・電子構造を解明することは極めて重要である。本研究では、最近我々が世界に先駆けて開発しつつある最新の陽電子消滅実験(2次元角相関(2D-ACAR)や同時計数ドップラーブロードニング(CDB))および理論計算を組み合わせる方法を発展・応用し、ナノ粒子の検出とその原子的・電子的構造を解明しようとする。 CDB、2D-ACARの詳細な熱時効実験によって、Fe-Cu合金中のCu(BCC)ナノ粒子の析出過程に関する詳細を明らかした。すなわち、CDBによってCu原子の集合・析出物形成過程の系統的な変化を求めた。さらに熱処理条件(熱処理時間、温度)を変えることによってCuナノ粒子寸法を制御し、2D-ACAR法で測定される電子運動量分布の変化を詳細に観察した。Cuナノ粒子サイズが小さくなると運動量分布、特にフェルミカットオフ運動量付近にsmearingがおきる。Cu粒子の寸法がサブnmになるとsmearingが顕著になることが確認できた。このことを利用して、他の測定法では検出できないCuサブナノ粒子の寸法を評価できること、特に0.5nm以上の直径のものを検出できるが分かった。 Al-Ag、Al-Zn合金を熱時効処理することによって生成するAl中のAg_2Al, fcc Znクラスター(粒子)についても、同様に、単結晶試料の2D-ACAR測定と対応する第一原理計算を行い、これら埋め込み粒子の電子の運動量分布、そのフェルミ面の構造を明らかにした。

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

その他 12

  1. 極低炭素鋼・複合組織鋼の歪時効中のCの存在形態の解明

    詳細を見る 詳細を閉じる

    ３次元アトムプローブによる極低炭素鋼・複合組織鋼の歪時効中のCの存在形態の解明

  2. 照射ジルコニウム合金の微細組織変化に関する研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    照射ジルコニウム合金の粒界偏析の研究

  3. 焼付硬化型鋼板（BH鋼板）の歪時効中のCの存在形態の解明

    詳細を見る 詳細を閉じる

    焼付硬化型鋼板（BH鋼板）の歪時効中のCの存在形態の解明

  4. 半導体デバイスの微視的３次元構造の研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    アトムプローブによる半導体デバイスの微視的３次元構造観察

  5. Ni基耐熱合金損傷過程のナノ欠陥モデルの構築

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Ni基耐熱合金損傷過程のナノ欠陥モデルの構築

  6. 3D-APを用いた鋼中ナノ析出相の組成の高精度決定

    詳細を見る 詳細を閉じる

    3D-APを用いた鋼中ナノ析出相の組成の高精度決定

  7. 原子炉圧力容器鋼のナノスケール粒界組織分析

    詳細を見る 詳細を閉じる

    3次元アトムプローブ法により、原子炉圧力容器用低合金鋼の粒界分析を行う。

  8. 低炭素ステンレス鋼表面硬化層の材料組織評価研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    低炭素ステンレス鋼表面硬化層の材料組織評価研究

  9. アトムプローブによる半導体中の不純物の三次元評価技術に関する研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    シリコン中の不純物の三次元分布をアトムプローブ法により測定し、不純物分布のばらつきを検討する。

  10. 原子炉圧力容器鋼溶接熱影響部の照射脆化に関わるミクロ組織分析

    詳細を見る 詳細を閉じる

    原子炉圧力容器鋼溶接熱影響部の照射脆化に関わるミクロ組織分析

  11. 原子炉鉄鋼材料の脆化・劣化機構および予測に関する革新的ナノ材料研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    高経年化時代を迎えている軽水炉型原子炉鉄鋼材料の安全・安心性確保に関し、最重要かつ緊急な課題の１つに圧力容器(RPV)鋼の照射脆化やシュラウド、再循環系配管の応力腐食割れが挙げられる。本研究では、その原因となる照射誘起の超微小（ナノ）析出物および欠陥の形成・発展を最先端の陽電子消滅、アトムプローブなどを併用し、原子レベルから解明するとともに脆化・劣化の予測のための基本的な学術を確立することを目指す。 具体的には、先ず実機圧力容器鋼試験片(Calder Hall型炉、Belgium発電炉など)で実際に生じている（サブ）ナノCu（富裕）析出物およびそれらとMn，Ni，Pなどの相互作用、粒界偏析、照射欠陥形成などを最先端の陽電子消滅（同時計数ドップラー広がり、寿命－運動量相関など）およびエネルギー補償型３次元アトムプローブなどによる観察により明らかにする。さらにこれらの手法をさらに発展させ、シュラウド・ステンレス鋼中のナノクラスター（析出物）、粒界偏析、表面近傍欠陥など未解決の問題を明らかにしようとする。

  12. 照射影響評価研究

    詳細を見る 詳細を閉じる

    地層処分システムのガラス固化体、オーバーパック材料（炭素鋼等）等は、長期間に亘って、高放射線環境下に置かれる。本研究はこれらの材料に対する放射線照射損傷の評価技術を開発するとともに、照射影響を評価するためのデータの取得、理論計算等を行い、放射線照射の長期性能に及ぼす影響を評価する。

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示