研究者詳細

顔写真

スズキ　イツセイ
鈴木　一誓
Issei Suzuki
所属
多元物質科学研究所　附属金属資源プロセス研究センター　原子空間制御プロセス研究分野
職名
講師
学位

  • 博士（工学）（大阪大学）

  • 修士（工学）（大阪大学）

e-Rad 研究者番号
60821717

経歴 6

  • 2023年4月 ～ 継続中
    東北大学 多元物質科学研究所　講師

  • 2018年3月 ～ 2023年3月
    東北大学 多元物質科学研究所　助教

  • 2019年5月 ～ 2022年3月
    National Renewable Energy Laboratory,　Visiting assistant professor

  • 2018年10月 ～ 2021年3月
    物質・材料研究機構　機能性材料研究拠点　客員研究員 (兼任)

  • 2016年4月 ～ 2018年2月
    Technical University of Darmstadt　日本学術振興会・海外特別研究員

  • 2014年3月 ～ 2016年4月
    日本学術振興会 特別研究員（DC2）

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学歴 3

  • 大阪大学　大学院工学研究科　マテリアル生産科学専攻 博士後期課程

    2013年4月 ～ 2016年3月

  • 大阪大学　大学院工学研究科　マテリアル生産科学専攻 博士前記課程

    2011年4月 ～ 2013年3月

  • 大阪大学　工学部　応用理工学科

    2007年4月 ～ 2011年3月

所属学協会 6

  • 日本太陽光発電学会

  • 日本固体イオニクス学会

  • 応用物理学会

  • アメリカ材料学会

  • 資源・素材学会

  • 日本セラミックス協会

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研究分野 1

  • ナノテク・材料 / 無機材料、物性 / 太陽電池・燃料電池・イオン交換

受賞 9

  1. 令和７年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞

    2025年　文部科学省　環境適合型薄膜太陽電池を実現する新しい半導体材料の研究

  2. 第7回物質・デバイス共同研究賞

    2025年　物質・デバイス領域共同研究拠点　ダイヤモンド関連構造を有するナローギャップ酸化物半導体の特性評価

  3. 進歩賞

    2022年　日本セラミックス協会　薄膜太陽電池用の新規酸化物および硫化物半導体材料の開発

  4. 第4回物質・デバイス共同研究賞

    2022年　物質・デバイス領域共同研究拠点　次世代太陽電池材料SnSのn型薄膜の作製

  5. 優秀講演賞

    2022年　日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム 先進的な構造科学と分析技術　角度分解光電子分光によるSnS価電子帯の原子軌道の同定

  6. 三元系ウルツ鉱型酸化物：β-CuGaO2の電子構造とバンドアラインメント

    2018年　発表奨第38回 エレクトロセラミックス研究討論会励賞

  7. Silver Poster Award

    2015年　TOEO-9　Fabrication of β-CuGaO2 Thin Films; An Oxide Thin-Film Solar Cell Absorber

  8. MRS Poster Award Nominee

    2014年　Materials Research Society

  9. 優秀発表賞

    2011年　資源素材学会関西支部　ZnF2薄膜の作製と光学的性質

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論文 49

  1. Role of hydrogen in the n-type oxide semiconductor MgIn2O4: Experimental observation of electrical conductivity and first-principles insight

    Saki Kudo, Tomoyuki Yamasaki, Issei Suzuki, Arunkumar Dorai, Rafael Costa-Amaral, Soungmin Bae, Yu Kumagai, Hiroshi Tanimura, Tetsu Ichitsubo, Takahisa Omata

    APL Materials　13　(4)　2025年4月1日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0253161 　

    eISSN：2166-532X

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    Hydrogen impurities significantly influence the electrical conductivity of oxide semiconductors such as MgIn2O4, widely used in devices such as thin-film transistors. However, their role and chemical environment have not been fully clarified. This study investigated the conductivity of MgIn2O4 at elevated temperatures under air and H2 atmospheres, revealing higher and reversible conductivity in H2 due to hydrogen dissolution. Hall measurements, thermal desorption spectrometry, and nuclear magnetic resonance spectroscopy revealed that hydrogen dissolves in MgIn2O4, ionizing to produce electrons and interstitial protons. Density functional theory calculations indicate that hydrogen stabilizes near vacant octahedral cation sites, forming O–H bonds and shallow donor levels. Indium atoms at magnesium sites lead to shallow donor levels, whereas oxygen vacancies form deep levels. The results identify interstitial hydrogen and indium atoms at magnesium sites, rather than oxygen vacancies, as key donors under H2-rich or low oxygen conditions, providing insights for controlling the conductivity of MgIn2O4 in devices.

  2. Non-stoichiometry in SnS: How it affects thin-film morphology and electrical properties 査読有り

    Taichi Nogami, Issei Suzuki, Daiki Motai, Hiroshi Tanimura, Tetsu Ichitsubo, Takahisa Omata

    APL Materials　2025年3月

    DOI： 10.48550/arXiv.2411.07530 　

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    Tin sulfide (SnS) has garnered much attention as a promising material for various applications, including solar cells and thermoelectric devices, owing to its favorable optical and electronic properties and the abundant and nontoxic nature of its constituent elements. Herein, we investigated the effect of non-stoichiometry on the morphology and electrical properties of SnS thin films. Using a unique sputtering technique with a sulfur plasma supply, SnS films with precise sulfur content control, [S]/([Sn] + [S]) (xS) ranging from 0.47 to 0.51, were fabricated. Systematic characterization revealed that non-stoichiometry on the S-rich side led to a marked increase in the carrier density of p-type conduction, which was attributed to the formation of intrinsic acceptor-type defects. In contrast, non-stoichiometry on the S-poor side hardly affects the p-type electrical properties, apparently because of the self-compensation between the intrinsic acceptor- and donor-type defects. In addition, non-stoichiometry has been identified as the cause of thin-film morphological changes, with non-stoichiometric films exhibiting rough and porous surfaces. Achieving a stoichiometric composition results in smooth and dense thin-film morphologies, which are crucial for optimizing SnS thin films for device applications. These findings underscore the importance of compositional control for tailoring the morphology and electrical behavior of SnS, paving the way for more efficient SnS-based devices.

  3. Unconventional and Powerful Ion Sources for Solid-State Ion Exchange, Cu2SO4 and Cu3PO4: Exemplified by the Synthesis of Metastable β-CuGaO2 from Stable β-LiGaO2 査読有り

    Issei Suzuki, Kako Washizu, Daiki Motai, Masao Kita, Takahisa Omata

    Inorganic Chemistry　2025年2月10日

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.4c05078 　

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    This study introduces a new method for synthesizing Cu+-containing metastable phases through ion exchange. Traditionally, CuCl has been used as a Cu+ ion source for solid-state ion exchanges; however, its thermodynamic driving force is often insufficient for complete ion exchange with Li+-containing precursors. First-principles calculations have identified Cu2SO4 and Cu3PO4 as more powerful alternatives, providing a higher driving force than CuCl. It has been experimentally demon-strated that these ion sources can open up new reaction pathways through experimental ion exchanges, such as from \beta-LiGaO2 to \beta-CuGaO2, which were previously unattainable. An important perspective provided by this study is that the poten-tial of such basic compounds to act as powerful ion sources has been overlooked, and that they were identified through straightforward first-principles calculations. This work presents the initial strategic design of an ion exchange reaction by exploring suitable ion sources, thereby expanding the potential for synthesizing metastable materials.

  4. Effects of Process Gas Pressure on Properties of WO3 Thin Films Deposited by RF Sputtering 査読有り

    Rantaro Matsuo, Tomoyuki Yamasaki, Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Takahisa Omata

    The Journal of Physical Chemistry C　2025年1月16日

    DOI： 10.1021/acs.jpcc.4c07254 　

  5. Enhancing Proton Mobility in Silicophosphoric Acid by Replacing Si with Al 査読有り

    Tomohiro Ishiyama, Yuya Yamada, Hiroki Nagashima, Issei Suzuki, Masaya Fujioka, Madoka Ono, Takahisa Omata, Junji Nishii

    Inorganic Chemistry　2025年1月13日

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.4c04250 　

  6. Replacing Sodium Ions with Protons in Vanadophosphate Glass: Suppression of Electronic Conduction by Local Structural Change around Vanadium Ions 査読有り

    Aman Sharma, Issei Suzuki, Kei Toyooka, Tomohiro Ishiyama, Junji Nishii, Takahisa Omata

    The Journal of Physical Chemistry C　2024年6月13日

    DOI： 10.1021/acs.jpcc.4c02589 　

  7. Designing Topotactic Ion-Exchange Reactions in Solid-State Oxides Through First-Principles Calculations 査読有り

    Issei Suzuki, Masao Kita, Takahisa Omata

    Chemistry of Materials　2024年5月14日

    DOI： 10.1021/acs.chemmater.3c03016 　

  8. Low-temperature growth of BaZrO3 and Ba(Zr,Y)O3–δ thin films via spray pyrolysis deposition 査読有り

    Issei Suzuki, Hiromasa Tawarayama, Masatoshi Majima, Takahisa Omata

    Thin Solid Films　140249-140249　2024年2月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.tsf.2024.140249 　

    ISSN：0040-6090

  9. Alkali Mono-Pnictides: A New Class of Photovoltaic Materials by Element Mutation

    Yu Kumagai, Seán R. Kavanagh, Issei Suzuki, Takahisa Omata, Aron Walsh, David O. Scanlon, Haruhiko Morito

    PRX Energy　2023年10月3日

    DOI： 10.1103/PRXEnergy.2.043002 　

  10. Carrier control in SnS by doping: A review 招待有り 査読有り

    Issei Suzuki

    Journal of the Ceramic Society of Japan　131　(10)　777-788　2023年10月1日

    DOI： 10.2109/jcersj2.23098 　

    ISSN：1348-6535 1882-0743

    eISSN：1348-6535

  11. High open-circuit voltage in single-crystalline n-type SnS/MoO3 photovoltaics 査読有り

    Issei Suzuki, Zexin Lin, Taichi Nogami, Sakiko Kawanishi, Binxiang Huang, Andreas Klein, Takahisa Omata

    APL Materials　11　(3)　031116-031116　2023年3月1日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0143617 　

    eISSN：2166-532X

  12. Pulsed laser deposition of β-NaGaO2: significant dependence of sodium fraction, morphology, and phases of the film on deposition position in the plume 査読有り

    Shunichi Suzuki, Issei Suzuki, Takahisa Omata

    Japanese Journal of Applied Physics　62　(3)　2023年2月14日

    出版者・発行元： IOP Publishing

    DOI： 10.35848/1347-4065/acbbff 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  13. Experimental Identification of Atomic Orbital Contributions to SnS Valence Band using Polarization‐Dependent Angle‐Resolved Photoemission Spectroscopy 査読有り

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Kiyohisa Tanaka, Takahisa Omata, Shin-ichiro Tanaka

    physica status solidi (b)　260　(4)　2200408-2200408　2023年2月8日

    出版者・発行元： Wiley

    DOI： 10.1002/pssb.202200408 　

    ISSN：0370-1972

    eISSN：1521-3951

  14. Enhancing proton mobility and thermal stability in phosphate glasses with WO3: the mixed glass former effect in proton conducting glasses 査読有り

    Aman Sharma, Issei Suzuki, Tomohiro Ishiyama, Takahisa Omata

    Physical Chemistry Chemical Physics　25　(28)　18766-18774　2023年

    出版者・発行元： Royal Society of Chemistry (RSC)

    DOI： 10.1039/d3cp01453c 　

    ISSN：1463-9076

    eISSN：1463-9084

  15. Avoiding Fermi Level Pinning at the SnS Interface for High Open-Circuit Voltage 査読有り

    Issei Suzuki, Binxiang Huang, Sakiko Kawanishi, Takahisa Omata, Andreas Klein

    The Journal of Physical Chemistry C　126　(48)　20570-20576　2022年12月8日

    出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acs.jpcc.2c04212 　

    ISSN：1932-7447

    eISSN：1932-7455

  16. Current status of n-Type SnS: Paving the way for SnS homojunction solar cells 査読有り

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Takahisa Omata, Hiroshi Yanagi

    Journal of Physics: Energy　4　(4)　042002-042002　2022年8月3日

    出版者・発行元： IOP Publishing

    DOI： 10.1088/2515-7655/ac86a1 　

    eISSN：2515-7655

  17. Contribution of the Sn 5s state to the SnS valence band: direct observation via ARPES measurements 査読有り

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Kiyohisa Tanaka, Takahisa Omata, Shin-ichiro Tanaka

    Electronic Structure　4　(2)　025004-025004　2022年6月1日

    出版者・発行元： {IOP} Publishing

    DOI： 10.1088/2516-1075/ac6ea8 　

    eISSN：2516-1075

  18. Growth of β-NaGaO2 thin films using ultrasonic spray pyrolysis 査読有り

    Issei Suzuki, Shunichi Suzuki, Tatsuya Watanabe, Masao Kita, Takahisa Omata

    Journal of Asian Ceramic Societies　10　(2)　520-529　2022年6月1日

    DOI： 10.1080/21870764.2022.2082049 　

    eISSN：2187-0764

  19. Phase Transformation of Metastable Cu<inf>2</inf>ZnGeO<inf>4</inf> with a Wurtz-Kesterite Structure at Elevated Temperatures 査読有り

    Masao Kita, Issei Suzuki, Noriyuki Wada, Takahisa Omata

    Inorganic Chemistry　61　(35)　13700-13707　2022年

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.2c00480 　

    ISSN：0020-1669

    eISSN：1520-510X

  20. First Principles Calculation of Electrical and Optical Properties of Cu3AsO4: Promising Thin-Film Solar Cell Absorber from Nonferrous Metal Manufacturing By-Products 査読有り

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Naoki Ohashi, Aiga Gomi, Junya Kano, Hiroto Watanabe, Satoshi Asano, Takahisa Omata

    MATERIALS TRANSACTIONS　63　(1)　73-81　2022年1月

    出版者・発行元： Japan Institute of Metals

    DOI： 10.2320/matertrans.m-m2021851 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

  21. Anhydrous Silicophosphoric Acid Glass: Thermal Properties and Proton Conductivity 査読有り

    Takahisa Omata, Aman Sharma, Issei Suzuki, Tomohiro Ishiyama, Shinji Kohara, Koji Ohara, Madoka Ono, Yang Ren, Khurelbaatar Zagarzusem, Masaya Fujioka, Gaoyang Zhao, Junji Nishii

    ChemPhysChem　23　(3)　2022年1月

    DOI： 10.1002/cphc.202100840 　

    ISSN：1439-4235

    eISSN：1439-7641

  22. Direct evaluation of hole effective mass of SnS–SnSe solid solutions with ARPES measurement 査読有り

    Issei Suzuki, Zexin Lin, Sakiko Kawanishi, Kiyohisa Tanaka, Yoshitaro Nose, Takahisa Omata, Shin-Ichiro Tanaka

    Physical Chemistry Chemical Physics　24　(2)　634-638　2022年1月

    DOI： 10.1039/D1CP04553A 　

    ISSN：1463-9076

    eISSN：1463-9084

  23. n-type electrical conduction in SnS thin films 査読有り

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Sage R. Bauers, Andriy Zakutayev, Zexin Lin, Satoshi Tsukuda, Hiroyuki Shibata, Minseok Kim, Hiroshi Yanagi, Takahisa Omata

    Physical Review Materials　5　(12)　2021年12月9日

    出版者・発行元： American Physical Society (APS)

    DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.5.125405 　

    eISSN：2475-9953

  24. SnS Homojunction Solar Cell with n‐Type Single Crystal and p‐Type Thin Film 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Issei Suzuki, Sage R. Bauers, Andriy Zakutayev, Hiroyuki Shibata, Hiroshi Yanagi, Takahisa Omata

    Solar RRL　5　(4)　2000708-2000708　2021年4月25日

    出版者・発行元： Wiley

    DOI： 10.1002/solr.202000708 　

    ISSN：2367-198X

    eISSN：2367-198X

  25. Investigating the role of GeO2 in enhancing the thermal stability and proton mobility of proton-conducting phosphate glasses 査読有り

    Takahisa Omata, Aman Sharma, Takuya Kinoshita, Issei Suzuki, Tomohiro Ishiyama, Shinji Kohara, Koji Ohara, Madoka Ono, Tong Fang, Yang Ren, Masaya Fujioka, Gaoyang Zhao, Junji Nishii

    Journal of Materials Chemistry A　9　(36)　20595-20606　2021年

    出版者・発行元： Royal Society of Chemistry ({RSC})

    DOI： 10.1039/D1TA04445A 　

    ISSN：2050-7488

    eISSN：2050-7496

  26. Understanding the effect of oxide components on proton mobility in phosphate glasses using a statical analysis approach 査読有り

    Takahisa Omata, Issei Suzuki, Aman Sharma, Tomohiro Ishiyama, Junji Nishii, Toshiharu Yamashita, Hiroshi Kawazoe

    RSC Advances　11　(5)　3012-3019　2021年

    出版者・発行元： Royal Society of Chemistry (RSC)

    DOI： 10.1039/D0RA10327F 　

    eISSN：2046-2069

  27. Fermi Energy Limitation at β-CuGaO2 Interfaces Induced by Electrochemical Oxidation/Reduction of Cu 査読有り

    Issei Suzuki, Binxiang Huang, Takahisa Omata, Andreas Klein

    ACS Applied Energy Materials　3　(9)　9117-9125　2020年9月28日

    出版者・発行元： American Chemical Society ({ACS})

    DOI： 10.1021/acsaem.0c01493 　

    ISSN：2574-0962

    eISSN：2574-0962

  28. Growth of Large Single Crystals of n-Type SnS from Halogen-Added Sn Flux 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Issei Suzuki, Takeo Ohsawa, Naoki Ohashi, Hiroyuki Shibata, Takahisa Omata

    Crystal Growth & Design　20　(9)　5931-5939　2020年9月2日

    出版者・発行元： American Chemical Society ({ACS})

    DOI： 10.1021/acs.cgd.0c00617 　

    ISSN：1528-7483

    eISSN：1528-7505

  29. Ultra-thin phosphate glass exhibiting high proton conductivity at intermediate temperatures 査読有り

    Issei Suzuki, Masataka Tashiro, Takuya Yamaguchi, Tomohiro Ishiyama, Junji Nishii, Toshiharu Yamashita, Hiroshi Kawazoe, Takahisa Omata

    International Journal of Hydrogen Energy　45　(33)　16690-16697　2020年6月

    出版者・発行元： Elsevier {BV}

    DOI： 10.1016/j.ijhydene.2020.04.114 　

    ISSN：0360-3199

  30. Comprehensive first-principles study of AgGaO<inf>2</inf> and CuGaO<inf>2</inf> polymorphs 査読有り

    Issei Suzuki, Yuki Iguchi, Chiyuki Sato, Hiroshi Yanagi, Naoki Ohashi, Takahisa Omata

    Journal of the Ceramic Society of Japan　127　(6)　339-347　2019年6月

    DOI： 10.2109/jcersj2.19025 　

    ISSN：1882-0743

    eISSN：1348-6535

  31. Tunable Direct Band Gap of β?CuGaO2 and β?LiGaO2 Solid Solutionsin the Full Visible Range 査読有り

    I. Suzuki, Y. Mizuno, T. Omata

    Inorg. Chem.　58　(7)　4262-4267　2019年4月15日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.8b03370 　

    ISSN：0020-1669

    eISSN：1520-510X

  32. The energy level of the Fe2+/3+-transition in BaTiO3 and SrTiO3 single crystals 査読有り

    Issei Suzuki, Leonard Gura, Andreas Klein

    Physical Chemistry Chemical Physics　21　(11)　6238-6246　2019年

    出版者・発行元： Royal Society of Chemistry ({RSC})

    DOI： 10.1039/C8CP07872F 　

    ISSN：1463-9076

  33. Flux Growth of β-NaGaO2 Single Crystals 査読有り

    I. Suzuki, A. Kakinuma, M. Ueda, T. Omata

    J. Cryst. Growth　504　26-30　2018年12月15日

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.034 　

    ISSN：0022-0248

  34. Controlling the electrical conductivity of ternary wurtzite-type and metastable β-AgGaO2 by impurity doping 査読有り

    H. Nagatani, I. Suzuki, S. Takemura, T. Ohsawa, N. Ohashi, S. Fujimoto, T. Omata

    AIP Advances　8　(8)　085203　2018年8月

    DOI： 10.1063/1.5046361 　

    eISSN：2158-3226

  35. Orientation control of β-NaGaO2 thin film: A precursor for β-CuGaO2 as a thin-film solar cell absorber 査読有り

    I. Suzuki, M. Tanemura, T. Omata

    J. Ceram. Soc. Jpn.　125　(12)　872-875　2017年12月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.2109/jcersj2.17157 　

    ISSN：1882-0743

    eISSN：1348-6535

  36. Wurtzite-Derived Quaternary Oxide Semiconductor Cu2ZnGeO4: Its Structural Characteristics, Optical Properties, and Electronic Structure 査読有り

    Masao Kita, Issei Suzuki, Naoki Ohashi, Takahisa Omata

    Inorganic Chemistry　56　(22)　14277-14283　2017年11月20日

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.7b02379 　

    ISSN：0020-1669

    eISSN：1520-510X

  37. Fabrication of β-CuGaO2 thin-films by ion-exchange of β-NaGaO2 thin-films 査読有り

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, T. Omata

    Appl. Phys. Express　10　(9)　095501　2017年9月1日

    DOI： 10.7567/APEX.10.095501 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  38. Variation of crystal structure and optical properties of wurtzite-type oxide semiconductor alloys of β-Cu(Ga,Al)O2 査読有り

    H. Nagatani, Y. Mizuno, I. Suzuki, M. Kita, N. Ohashi, T. Omata

    J. Appl. Phys.　121　(23)　235103-235103　2017年6月21日

    DOI： 10.1063/1.4985700 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  39. Multinary wurtzite-type oxide semiconductors: Present status and perspectives 招待有り 査読有り

    Issei Suzuki, Takahisa Omata

    Semiconductor Science and Technology　32　(1)　013007　2017年1月

    DOI： 10.1088/1361-6641/32/1/013007 　

    ISSN：0268-1242

    eISSN：1361-6641

  40. First-principles study of CuGaO2 polymorphs: delafossite α-CuGaO2 and wurtzite β-CuGaO2 査読有り

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    Inorg. Chem.　55　(15)　7610-7616　2016年8月1日

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.6b01012 　

    ISSN：0020-1669

    eISSN：1520-510X

  41. First principles calculations of ternary wurtzite β-CuGaO2 査読有り

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    J. Appl. Phys.　119　(9)　095701　2016年3月7日

    DOI： 10.1063/1.4942619 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  42. Wurtzite-derived ternary I-III-O<inf>2</inf> semiconductors 査読有り

    Takahisa Omata, Hiraku Nagatani, Issei Suzuki, Masao Kita

    Science and Technology of Advanced Materials　16　(2)　24902　2015年4月

    DOI： 10.1088/1468-6996/16/2/024902 　

    ISSN：1468-6996

    eISSN：1878-5514

  43. Structure of β-AgGaO2; ternary I-III-VI2 oxide semiconductor with a wurtzite-derived structure 査読有り

    H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, M. Tanaka, Y. Katsuya, O. Sakata, T. Omata

    J. Solid State Chem.　222　66-70　2015年2月

    DOI： 10.1016/j.jssc.2014.11.012 　

    ISSN：0022-4596

    eISSN：1095-726X

  44. Widely bandgap tunable amorphous Cd-Ga-O oxide semiconductors exhibiting electron mobilities ≥10-cm2-V-1-s-1 査読有り

    Yanagi, H., Sato, C., Kimura, Y., Suzuki, I., Omata, T., Kamiya, T., Hosono, H.

    Applied Physics Letters　106　(8)　82106　2015年

    DOI： 10.1063/1.4913691 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  45. Structural and thermal properties of ternary narrow-gap oxide semiconductor; wurtzite-derived β-CuGaO2 査読有り

    H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, M. Tanaka, Y. Katsuya, O. Sakata, T. Omata

    Inorg. Chem.　54　(4)　1698-1704　2015年

    DOI： 10.1021/ic502659e 　

    ISSN：0020-1669

    eISSN：1520-510X

  46. Fabrication of β-AgGaO2 thin films by radio frequency magnetron sputtering 査読有り

    I. Suzuki, H. Nagatani, Y. Arima, M. Kita, T. Omata

    Thin Solid Films　559　112-115　2014年5月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2013.10.099 　

    ISSN：0040-6090

  47. Wurtzite CuGaO2: A new direct and narrow band gap oxide semiconductor applicable as a solar cell absorber 査読有り

    Omata, T., Nagatani, H., Suzuki, I., Kita, M., Yanagi, H., Ohashi, N.

    Journal of the American Chemical Society　136　(9)　3378-3381　2014年

    DOI： 10.1021/ja501614n 　

    ISSN：0002-7863

    eISSN：1520-5126

  48. Fabrication of ZnF2 thin films and their vacuum ultraviolet transparency 査読有り

    Suzuki, I., Omata, T., Shiratsuchi, Y., Nakatani, R., Kitamura, N., Otsuka-Yao-Matsuo, S.

    Thin Solid Films　534　508-514　2013年

    DOI： 10.1016/j.tsf.2013.02.071 　

    ISSN：0040-6090

  49. Pseudo-binary alloying system of ZnO-AgGaO2 reducing the energy band gap of zinc oxide 査読有り

    Suzuki, I., Nagatani, H., Arima, Y., Kita, M., Omata, T.

    Applied Physics Letters　103　(22)　222107　2013年

    DOI： 10.1063/1.4836435 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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講演・口頭発表等 189

  1. 硫黄プラズマを用いた硫化物薄膜の作製 招待有り

    鈴木一誓

    日本表面真空学会 SP部会 第181回定例研究会　2025年3月13日

  2. 硫黄プラズマを用いた硫化物薄膜の作製法に関する研究

    茂田井大輝, 鈴木一誓, 野上大一, 小俣孝久

    応用物理学会若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会 第5回研究会　2025年3月10日

  3. 硫黄量を精密制御したSnS薄膜の作製：組成ずれがモフォロジーや電気的性質へ与える影響

    野上大一, 鈴木一誓, 茂田井大輝, 小俣孝久

    応用物理学会若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会 第5回研究会　2025年3月10日

  4. 硫黄プラズマを用いた金属硫化物の低温作製

    茂田井大輝, 鈴木一誓, 野上大一, 小俣孝久

    2024年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会　2024年12月13日

  5. 硫黄量を精密制御したSnS薄膜の作製：組成ずれがもたらすモフォロジーや電気的性質への影響

    野上大一, 鈴木一誓, 茂田井大輝, 小俣孝久

    2024年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会　2024年12月13日

  6. 固体イオン交換における新たな平衡場を活用した酸化物半導体の合成

    鈴木一誓, 鷲津加子, 喜多正雄, 小俣孝久

    第50回固体イオニクス討論会　2024年12月11日

  7. 薄膜太陽電池用の新規酸化物・硫化物半導体の開発 招待有り

    鈴木一誓

    日本セラミックス協会 第3回若手産業技術研究交流会　2024年12月6日

  8. 固体イオン交換を用いた準安定な酸化物の合成

    鈴木一誓, 喜多正雄, 鷲津加子, 小俣孝久

    第 44 回電子材料研究討論会　2024年11月22日

  9. LPEによるSnSホモ接合の作製

    宮井隆行, 鈴木一誓, 長谷川将克, 小俣孝久, 川西咲子

    第53回結晶成長国内会議(JCCG-53)　2024年11月19日

  10. Orientations and J-V characteristics of SnS homojunction solar cells fabricated by LPE

    T. Miyai, I. Suzuki, M. Hasegawa, T. Omata, S. Kawanishi

    PVSEC-35　2024年11月16日

  11. 組成を精密制御したSnS薄膜の作製： 組成ずれがもたらすモフォロジーや電気的性質への影響

    野上大一, 茂田井大輝, 鈴木一誓, 小俣孝久

    令和6年度 日本セラミックス協会 東北北海道支部 研究発表会　2024年11月12日

  12. 金属ターゲットと硫黄プラズマを用いた反応性スパッタによるCuxS・ZnS・SnS・WS2薄膜の作製

    茂田井 大輝, 野上 大一, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月19日

  13. 固体イオン交換を活用した酸化物固溶体の合成：(Na,Ag)GaO2の例

    鈴木 一誓, 喜多 正雄, 小俣 孝久

    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月18日

  14. 化学量論組成からのずれに起因する内因性欠陥がSnS薄膜の物性に与える影響

    野上 大一, 茂田井 大輝, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月17日

  15. 角度分解EELSによるα-AgGaO2の励起子サイズ評価

    斎藤興也, 佐藤庸平, 寺内正己, 小俣孝久, 鈴木一誓, 吉川純

    日本物理学会 第79回年次大会　2024年9月15日

  16. 30NaO1/2-20VO5/2-50PO5/2 ガラス中のNa イオンのプロトンへの置換による電子伝導性の抑制

    アマン シャルマ, 鈴木 一誓, 豊岡 慶, 石山 智大, 西井 準治, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム　2024年9月12日

  17. 固体イオン交換を用いた準安定な酸化物固溶体の合成

    鈴木 一誓, 喜多 正雄, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム　2024年9月12日

  18. Suppression of electronic conduction by local structural change around vanadium ions induced by replacing sodium ions with protons in vanadophosphate glass

    T. Omata, A. Sharma, I. Suzuki, K. Toyooka, T. Ishiyama, J. Nishii

    24th International Conference on Solid State Ionics (SSI24)　2024年7月16日

  19. The evaluation of exciton size by angle-resolved EELS and the role of exciton size in photocatalytic function

    T. Saito, Y. K. Sato, M. Terauchi, T. Omata, I. Suzuki, J. Kikkawa

    EDGE2024 International Workshop on EELS and Related Techniques　2024年6月10日

  20. 角度分解EELSによるβ-AgGaO2の励起子サイズ評価

    斎藤興也, 佐藤庸平, 寺内正己, 小俣孝久, 鈴木一誓, 吉川純

    日本顕微鏡学会 第80回学術講演会　2024年6月4日

  21. qEELS による光エネルギー変換材料β-CuGaO2 の電子構造の研究

    大澤優太, 佐藤庸平, 寺内正己, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本顕微鏡学会 第80回学術講演会　2024年6月3日

  22. SnSホモ接合太陽電池における短絡電流密度の向上

    宮井 隆行, 川西 咲子, 長谷川 将克, 鈴木 一誓, 小俣 孝久, 柏谷 悦章

    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月24日

  23. 硫黄プラズマを援用したスパッタリングによる化学量論組成SnS薄膜の作製

    野上 大一, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月23日　2024年3月24日

  24. Sn ターゲットと S プラズマの反応性スパッタリングによる SnS 薄膜の作製

    茂田井 大輝, 野上 大一, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月23日

  25. 硫黄プラズマを用いた反応性スパッタリングによる種々の硫化物薄膜の作製

    鈴木 一誓, 茂田井 大輝, 野上 大一, 小俣 孝久

    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月22日

  26. 角度分解EELSによるβ-AgGaO2の励起子サイズ評価

    斎藤興也, 佐藤庸平, 寺内正己, 小俣孝久, 鈴木一誓, 吉川純

    日本物理学会 2024年春季大会　2024年3月20日

  27. q分解EELSを用いたβ-CuGaO2の電子構造の研究Ⅱ

    大澤優太, 斎藤興也, 佐藤庸平, 寺内正己, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本物理学会 2024年春季大会　2024年3月20日

  28. β-LiGaO2のイオン交換による太陽電池材料β-CuGaO2の合成

    鈴木 一誓, 鷲津 加子, 喜多 正雄, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 2024年・年会　2024年3月16日

  29. スプレーCVD法により成膜したCu3VO4薄膜の光学的・電気的特性

    喜多 正雄, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 2024年・年会　2024年3月16日

  30. リン酸塩ガラスの熱安定性とプロトン伝導性に及ぼすWO3添加の効果

    アマン シャルマ, 鈴木 一誓, 石山 智大, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 2024年・年会　2024年3月14日

  31. Synthesis of solar-cell absorber β-CuGaO2 by ion exchange of β-LiGaO2

    I. Suzuki, K. Washizu, M. Kita, T.Omata

    STAC-D2MatE 2024　2024年2月29日

  32. DFT prediction and experimental verification of possibility of ion-exchange reactions in wurtzite-type ternary oxide semiconductors applicable to optoelectronic devices in a wide wavelength regions

    I. Suzuki, T. Omata

    MRM2023/IUMRS-ICA2023　2023年12月12日

  33. イオン交換を用いた準安定化合物の合成

    鈴木 一誓, 小俣孝久

    2023年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会　2023年12月2日

  34. 金属スズと硫黄プラズマの反応性スパッタリングによるSnS 薄膜の作製

    茂田井大輝, 野上大一, 鈴木一誓, 小俣孝久

    2023年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会　2023年12月1日

  35. 酸化物とイオン結晶間の固相ー固相／固相ー液相イオン交換反応による準安定化合物の合成

    鈴木 一誓, 小俣孝久

    第49回固体イオニクス討論会　2023年11月17日

  36. Synthesis of β-CuGaO;hin films by cation-exchange in alcohol

    S. Igarashi, I. Suzuki, T. Omata, M. Kita

    STI-Gigaku　2023年11月6日

  37. Band gap engineering of Cu2ZnGeO4 with wurtzite-related structure

    S. Izumi, M. Inoue, T. Homma, I. Suzuki, T. Omata, M. Kita

    STI-Gigaku　2023年11月6日

  38. Evaluation of electrical characteristics of Cu3VO4 thin film deposited by ultrasonic spray pyrolysis

    R. Fujimaru, I. Suzuki, T. Omata, M. Kita

    STI-Gigaku　2023年11月6日

  39. イオン交換を用いた準安定な三元系ウルツ鉱型酸化物の合成

    鈴木 一誓, 小俣孝久

    連合年会2023（第36回日本イオン交換研究発表会・第42回溶媒抽出討論会）　2023年10月19日

  40. リン蒸気供給法によるNaP化合物の合成

    森戸春彦, 熊谷悠, 鈴木一誓, 小俣孝久, 藤原航三

    日本金属学会 2023年秋期講演大会　2023年9月21日

  41. Suppression of proton migration by SiO6 in phosphate glasses and its mitigation by AlO6 substitution

    T. Ishiyama, Y. Yamada, H. Nagashima, I. Suzuki, M. Fujioka, M. Ono, T. Omata, J. Nishii

    Solid State Proton Conductors (SSPC-21)　2023年9月18日

  42. q分解EELSを用いたβ-CuGaO2の電子構造の研究

    大澤優太, 斎藤興也, 佐藤庸平, 寺内正己, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本物理学会 第78回年次大会　2023年9月18日

  43. 放射光角度分解光電子分光を用いた太陽電池・熱電材料SnSの電子状態研究 招待有り

    鈴木一誓

    日本物理学会 第78回年次大会　2023年9月17日

  44. 副産物の有効利用に向けた機能材料開発；電気化学的陽イオン置換法によるヒ素を含有する準安定な機能性酸化物半導体の合成

    鈴木一誓, 小俣孝久, 渡邉寛人, 浅野聡

    資源・素材 2023　2023年9月13日

  45. 角度分解光電子分光による SnS-SnSe 混晶半導体の有効質量の直接評価

    鈴木一誓, リンタクシン, 川西咲子, 田中清尚, 野瀬嘉太郎, 小俣孝久, 田中慎一郎

    日本セラミックス協会 第36回秋季シンポジウム　2023年9月7日

  46. n型硫化スズの作製と太陽電池への応用

    鈴木一誓

    素材プロセシング第69委員会 第2分科会（新素材関連技術）第76回研究会　2023年7月25日

  47. 硫黄プラズマ援用スパッタリング法による化学量論組成のSnS薄膜の作製

    野上大一, 鈴木一誓, 小俣孝久

    資源・素材学会 東北支部 2023年度春季大会　2023年6月8日

  48. 三元系ウルツ鉱型酸化物半導体におけるイオン交換反応

    鈴木 一誓, 小俣孝久

    2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月16日

  49. PGSカソードを用いたスパッタリング法によるSnS薄膜の作製

    野上大一, 鈴木一誓, 小俣孝久

    2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月16日

  50. 三元系ウルツ鉱型酸化物半導体におけるイオン交換反応』2023

    鈴木 一誓, 小俣孝久

    2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月16日

  51. 三元系ウルツ鉱型酸化物とイオン結晶のイオン交換反応

    鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2023年・年会　2023年3月10日

  52. 近赤外・可視光域に直接遷移型ギャップを有する三元系ウルツ鉱型酸化物 招待有り

    鈴木一誓

    日本セラミックス協会 2023年・年会　2023年3月10日

  53. NbドープしたTiO2の水素雰囲気下での電気伝導度の増大とその起源

    白岩拓真, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2023年・年会　2023年3月8日

  54. n型SnSの作製とホモ接合太陽電池への展開 招待有り

    鈴木一誓

    2022年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会　2022年12月16日

  55. 新たな擬固体リン酸ポリマー；無水シリコリン酸・ゲルマノリン酸ガラスのプロトン伝導性と中温域での安定性

    小俣孝久, Aman Sharma, 鈴木一誓, 石山智大, 西井準治

    第48回 固体イオニクス討論会　2022年12月6日

  56. N-type SnS and its application to homojunction solar cells

    PVSEC-33　2022年11月16日

  57. BaTiO3およびSrTiO3中のFe2+/3+遷移準位の伝導度測定による決定

    鈴木一誓, 小俣孝久, Leonard Gura, Andreas Klein

    第42回電子材料研究討論会　2022年11月11日

  58. 角度分解光電子分光によるSnS価電子帯の原子軌道同定

    鈴木一誓, 川西咲子, 田中清尚, 田中慎一郎, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム　2022年9月21日

  59. 偏光依存ARPESを用いたSnS価電子帯の電子構造の解析

    鈴木一誓, 川西咲子, 田中清尚, 田中慎一郎, 小俣 孝久

    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  60. n型電子伝導性酸化物MgIn2O4の高温での電気伝導性

    工藤咲季, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム　2022年9月14日

  61. 副産物の有効利用に向けた機能材料開発：太陽電池材料Enargite型Cu3AsO4の電気化学的陽イオン置換による合成

    鈴木一誓, 小俣孝久, 渡邉寛人, 浅野聡

    資源・素材 2022　2022年9月6日

  62. Proton Conductivity and Thermal Stability of Anhydrous Silico- and Germano-Phosphoric Acid Glasses 国際会議

    T. Omata, A. Sharma, I. Suzuki, T. Ishiyama, J. Nishii

    23rd International Conference on Solid State Ionics (SSI-23)　2022年7月19日

  63. Close to energy gap band bending at SnS interface 国際会議

    I. Suzuki, B. Huang, S. Kawanishi, T. Omata, A. Klein

    E-MRS 2022 Spring Meeting　2022年6月2日

  64. N-type SnS and its application to homojunction PV 国際会議 招待有り

    I. Suzuki, S. Kawanishi, S. R. Bauers, A. Zakutayev, B. Huang, Z. Lin, H. Shibata, A. Klein, H. Yanagi, T. Omata

    2022 MRS Spring Meeting & Exhibit　2022年5月23日

  65. SnS–SnSe固溶体のホール有効質量のARPESによる直接評価

    鈴木一誓, リンタクシン, 川西咲子, 田中清尚, 野瀬嘉太郎, 小俣孝久, 田中慎一郎

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月25日

  66. n型SnS単結晶/MoO3接合を用いた太陽電池の高変換効率化

    鈴木一誓, リンタクシン, 野上大一, 川西咲子, 小俣孝久

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月23日

  67. n型SnS単結晶/MoO3接合を用いた太陽電池の変換効率の向上

    鈴木一誓, リンタクシン, 野上大一, 川西咲子, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2022年・年会　2022年3月12日

  68. PLD 法で作製したβ-NaGaO2薄膜組成の基板-ターゲット間距離依存性

    鈴木惇市, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2022年・年会　2022年3月10日

  69. スプレーパイロリシス法による β-NaGaO2薄膜の作製

    鈴木惇市, 渡邉竜也, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2022年・年会　2022年3月10日

  70. 偏光を用いたバンド起源の解明：SnSの角度分解光電子分光

    田中慎一郎, 鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久, 田中清尚

    第35回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム　2022年1月9日

  71. N-type conduction in Cl-doped SnS thin film 国際会議

    I. Suzuki, S. Kawanishi, S.R. Bauers, A. Zakutayev, H. Shibata, M. Kim, H. Yanagi, T. Omata

    Materials Research Meeting 2021　2021年12月14日

  72. GeO2添加によるリン酸塩ガラスのプロトン移動度と熱安定性の向上

    小俣 孝久, Aman Sharma, 鈴木 一誓, 石山智大, 西井準治

    第47回固体イオニクス討論会　2021年12月8日

  73. SnS 単結晶/MoO3 界面の電子構造と太陽電池への応用

    鈴木一誓, 川西咲子, リンタクシン, 小俣孝久, Binxiang Huang, Andreas Klein

    第41回電子材料研究討論会　2021年11月4日

  74. ARPESによるSnSの価電子帯の原子軌道の同定

    鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久, 田中慎一郎

    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月12日

  75. n型SnS単結晶/MoO3接合の太陽電池特性

    リンタクシン, 鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久

    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月11日

  76. ウルツ鉱型関連構造のナローギャップ酸化物半導体 Cu2ZnGeO4の高温における相転移

    喜多正雄, 和田憲幸, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム　2021年9月2日

  77. 大きなバンド屈曲を示すn型SnS/MoO3接合の太陽電池への応用

    リンタクシン, 鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム　2021年9月1日

  78. β-CuGaO2薄膜の作製と特性評価

    鈴木惇市, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム　2021年9月1日

  79. ARPES による SnS の価電子帯の電子構造の解明

    鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久, 田中慎一郎

    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム　2021年9月1日

  80. Solution growth of large single crystals of n type tin monosulfide

    S. Kawanishi, I. Suzuki, T. Omata, H. Shibata

    ACCGE-22/OMVPE-20　2021年8月3日

  81. N-Type SnS Thin Films Applicable for Homojunction Solar Cells 国際会議

    2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit　2021年4月21日

  82. Fabrication of pn Homojunction of SnS and Its Photovoltaic Properties 国際会議

    I. Suzuki, S. Kawanishi, S.R. Bauers, A. Zakutayev, H. Shibata, H. Yanagi, T. Omata

    2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit　2021年4月18日

  83. N-Type SnS Thin Films Applicable for Homojunction Solar Cells 国際会議 国際共著

    I. Suzuki, S. Kawanishi, S.R. Bauers, A. Zakutayev, H. Shibata, M. Kim, H. Yanagi, T. Omata

    2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit　2021年4月18日

  84. フェルミ準位がとりうるエネルギー範囲からみたSnS太陽電池のポテンシャル

    鈴木一誓, 川西咲子, リンタクシン, 小俣孝久, Huang Binxiang, Klein Andreas

    日本セラミックス協会 2021年・年会　2021年3月25日

  85. パルスレーザー堆積法による化学量論組成のβ-NaGaO2薄膜作製

    鈴木惇市, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2021年・年会　2021年3月25日

  86. SnS 太陽電池におけるVOC > 0.7 V の可能性：フェルミ準位の制御性の観点から

    鈴木一誓, Huang Binxiang, 川西咲子, リンタクシン, Klein Andreas, 小俣孝久

    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  87. Understanding the effect of oxide components on proton mobility in phosphate glasses; statistical analysis and experimental studies

    T. Omata, I. Suzuki, A. Sharma, T. Kinoshita, T. Ishiyama, S. Kohara, T. Yamashita, H. Kawazoe, T. Fang, Y. Ren, M. Fujioka, M. Ono, G. Zhao, J. Nishii

    Solid State Proton Conductors (SSPC-20)　2021年1月1日

  88. 機械学習を利用したリン酸塩ガラス中の各種成分のプロトン伝導性に及ぼす効果の理解

    小俣孝久, Aman Sharma, 鈴木一誓, 石山智大, 西井準治, 山下俊晴, 川副博司

    第46回固体イオニクス討論会　2020年12月9日

  89. n型SnS の作製とホモ接合太陽電池への展開

    鈴木一誓, 川⻄咲子, Bauers Sage, Zakutayev Andriy, 柴田浩幸, Kim Minseok, 柳博, 小俣 孝久

    第40回電子材料研究討論会　2020年11月12日

  90. SnS単結晶の溶液成長におけるハロゲン成分の寄与

    川西咲子, 鈴木一誓, 小俣孝久, 柴田浩幸

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)　2020年11月11日

  91. スパッタリング法によるn型SnS薄膜の作製

    鈴木一誓, 川⻄咲子, Bauers Sage, Zakutayev Andriy, 柴田浩幸, Kim Minseok, 柳博, 小俣孝久

    2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月9日

  92. pnホモ接合SnSの作製と太陽電池特性

    川⻄咲子, 鈴木一誓, Bauers Sage, Zakutayev Andriy, 柴田浩幸, 柳博, 小俣孝久

    2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月9日

  93. n型SnS薄膜のスパッタリング法による作製

    鈴木一誓, 川西咲子, Bauers Sage, Zakutayev Andriy, 柴田浩幸, Kim Minseok, 柳博, 小俣 孝久

    資源・素材 2020　2020年9月9日

  94. 副産物の有効利用に向けた機能材料開発：太陽電池材料 Enargite型 Cu3AsO4のイオン交換による合成

    鈴木一誓, 小俣孝久, 渡邉寛人, 浅野聡

    資源・素材 2020　2020年9月8日

  95. パルスレーザー堆積法によるウルツ鉱型β-NaGaO2薄膜の作製

    鈴木惇市, 鈴木一誓, 小俣孝久, 喜多正雄

    日本セラミックス協会 第33回秋季シンポジウム　2020年9月3日

  96. n型SnS薄膜の作製 国際会議

    鈴木一誓, 川西咲子, Bauers Sage, Zakutayev Andriy, 柴田浩幸, Kim Minseok, 柳博, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第33回秋季シンポジウム　2020年9月3日

  97. About the difficulties to achieve high photovoltages and conversion efficiencies with CuO and other Cu oxides

    A. Klein, D. Moritz, K. Schuldt, I. Suzuki

    Virtual Chalcogenide PV Conference 2020　2020年5月26日

  98. パルスレーザー堆積法による β-NaGaO2薄膜の作製

    鈴木惇市, 鈴木一誓, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 2020年・年会　2020年3月19日

  99. BaTiO3および SrTiO3単結晶中の Fe2+/3+遷移準位の決定

    鈴木一誓, 小俣孝久, Leonard Gura, Andreas Klein

    日本セラミックス協会 2020年・年会　2020年3月19日

  100. 伝導度測定によるBaTiO3およびSrTiO3 中のFe2+/3+ 遷移 準位の決定

    鈴木一誓, 小俣孝久, Leonard Gura, Andreas Klein

    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日

  101. Growth of Halogen Doped n-Type SnS Single Crystals Using Self-Flux

    H. Yanagi, Y. Iguchi, K. Sato, K. Inoue, I. Suzuki, S. Kawanishi

    Materials Research Meeting 2019　2019年12月12日

  102. Cl-doped SnS single crystal and its n-type conduction

    I. Suzuki, S. Kawanishi, Y. Iguchi, K. Sato, T. Omata, H. Yanagi

    2019 MRS Fall Meeting & Exhibit　2019年12月4日

  103. Development of Mist-CVD Equipment for β-NaGaO2 Thin-Film Deposition 国際会議

    T. Watanabe, S. Suzuki, I. Suzuki, T. Omata

    TAIPEI TECH-IMRAM Symposium 2019　2019年11月26日

  104. Growth of Cl-doped n-type SnS single crystals and their electrical properties

    H. Yanagi, Y. Iguchi, K. Sato, S. Kawanishi, I. Suzuki

    The 5th International Conference on Advanced Electromaterials　2019年11月6日

  105. Phase transformations of the narrow gap oxide semiconductor Cu2ZnGeO4 with wurtzite-derived structure in Ar atmosphere

    M. Kita, I. Suzuki, N. Wada, T. Omata

    The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies (PACRIM13)　2019年10月28日

  106. Effects of Cl implantation to SnS thin films

    M. Onaka, S. Kawanishi, I. Suzuki, H. Yanagi

    The 11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-11)　2019年10月7日

  107. Band alignment and Fermi level shift of β-CuGaO2

    I. Suzuki, B. Huang, A. Klein, T. Omata

    The 11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-11)　2019年10月7日

  108. パルス通電焼結装置を用いたClドープSnS焼結体の作製

    西村肇, 平井伸治, 鈴木一誓, 小俣孝久, 川西咲子

    2019年度 資源・素材関係学協会合同秋季大会　2019年9月25日

  109. 副産物の有効利?に向けた機能材料開発：Enargite型Cu As(S,O)4 の太陽電池材料としてのポテンシャル

    鈴木一誓, 小俣孝久, 大橋直樹, 渡邉寛人, 浅野聡

    2019年度 資源・素材関係学協会合同秋季大会　2019年9月24日

  110. n型SnS単結晶の電子状態

    鈴木一誓, 川西咲子, 井口雄喜, 佐藤孝一, 小俣孝久, 柳博

    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日

  111. Energy band alignment and electrical properties of ferroelectrics

    B. Huang, K. Schuldt, N. Bein, I. Suzuki, A. Klein

    Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM meeting 2019　2019年7月18日

  112. Electronic structure and band alignment of ternary wurtzite-type oxide semiconductor, β-CuGaO2

    I. Suzuki, N. Ohashi, A. Klein, T. Omata

    The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11)　2019年7月9日

  113. ミスト CVD 法によるβ-NaGaO2薄膜の作製とβ-CuGaO2薄膜へのイオン交換

    鈴木 一誓, 竹村 沙友理, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 2019年・年会　2019年3月25日

  114. The Fermi energy in acceptor doped SrTiO3 and BaTiO3

    A. Klein, I. Suzuki, B. Huang, K. Schuldt, C.C. Chavarria

    Nonstoichiometric Compounds VII　2019年3月11日

  115. Novel candidate for solar cell absorber: Ternary wurtzite-type β-CuGaO2

    I. Suzuki

    Research seminar at National Renewable Energy Laboratory (NREL)　2018年12月11日

  116. ウルツ鉱型関連構造のナローギャップ酸化物半導体Cu2ZnGeO4の高温相変化

    喜多 正雄, 和田 憲幸, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    第21回日本セラミックス協会北陸支部秋季研究発表会　2018年11月23日

  117. 三元系ウルツ鉱型酸化物：β-CuGaO2の電子構造とバンドアラインメント

    鈴木一誓, 大橋直樹, Andreas Klein, 小俣孝久

    第38回 エレクトロセラミックス研究討論会　2018年11月15日

  118. ナローバンドギャップ酸化物半導体：β-CuGaO2 の電子構造とバンドアラインメント

    鈴木一誓, 大橋直樹, Andreas Klein, 小俣孝久

    平成20年度 日本セラミックス協会 東北北海道支部研究発表会　2018年11月2日

  119. Cu deficiency in the narrow gap oxide semiconductor Cu2ZnGeO4with wurtzite-derived structure 国際会議

    M. Kita, I. Suzuki, N. Wada, T. Omata

    10th International Workshop on Zinc Oxide and Other Oxide Semiconductors (IWZnO 2018)　2018年9月12日

  120. Conductivity Control of Ternary Wurtzite β-AgGaO2 by Impurity Doping 国際会議

    I. Suzuki, H. Nagatani, S. Takemura, M. Kita, T. Omata

    10th International Workshop on Zinc Oxide and Other Oxide Semiconductors (IWZnO 2018)　2018年9月12日

  121. Fabrication of β-CuGaO2 Thin Films 国際会議

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, T. Omata

    10th International Workshop on Zinc Oxide and Other Oxide Semiconductors (IWZnO 2018)　2018年9月12日

  122. プロトン伝導性リン酸塩ガラスのプレス加工による薄板化

    田代真敬, 山口拓哉, 石山智大, 鈴木一誓, 西井準治, 山下俊晴, 川副博司, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム　2018年9月7日

  123. ミスト CVD 法による β-NaGaO2薄膜の作製

    竹村 沙友理, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム　2018年9月5日

  124. プロトン伝導性リン酸塩ガラスのホットプレスによる薄板化

    鈴木一誓, 田代真敬, 山口拓哉, 石山智大, 西井準治, 山下俊晴, 川副博司, 小俣孝久

    第14回固体イオニクスセミナー　2018年9月2日

  125. XPS study of the band alignment of β-CuGaO2 with other oxides 国際会議

    I. Suzuki, A. Klein, T. Omata

    Data Science in Life Science and Engineering Collaboration and Symposium, 5th CWRU-Tohoku Joint Workshop　2018年8月3日

  126. The influence of electrode material on the resistance degradation of Fe-doped SrTiO3 国際会議

    B. Huang, I. Suzuki, R. Giesecke, A. Klein

    Electroceramics XVI　2018年7月9日

  127. 不純物ドーピングによるβ-AgGaO2の伝導性制御

    竹村沙友理, 鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 小俣孝久

    資源・素材学会 平成30年度東北支部総会・春季大会　2018年5月25日

  128. BaTiO3単結晶中におけるFe不純物準位の直接測定

    鈴木一誓, Andreas Klein

    日本セラミックス協会 2018年・年会　2018年3月15日

  129. ウルツ鉱型酸化物半導体 β-AgGaO2の伝導性制御

    竹村沙友理, 長谷拓, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2018年・年会　2018年3月15日

  130. ウルツ鉱型関連構造のナローギャップ酸化物半導体 Cu2ZnGeO4の結晶構造と電子構造の解析

    喜多正雄, 井上誠, 鈴木一誓, 大橋直樹, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2018年・年会　2018年3月15日

  131. Direct observation of the Fe impurity levels in BaTiO3 single crystal by electrical measurement 国際会議

    I. Suzuki, A. Klein

    2017 MRS Fall Meeting & Exhibit　2017年11月30日

  132. Crystal and electronic structure of quaternary narrow gap oxide semiconductor Cu2ZnGeO4 with a wurtzite-derived structure 国際会議

    M. Kita, I. Suzuki, M. Inoue, T. Omata

    2017 MRS Fall Meeting & Exhibit　2017年11月28日

  133. ウルツ鉱関連構造のナローギャップ酸化物半導体 Cu2ZnGeO4の結晶構造と電子構造

    喜多正雄, 鈴木一誓, 小俣孝久

    第２０回日本セラミックス協会北陸支部秋季研究発表会　2017年11月24日

  134. Modification of Schottky barrier heights during resistance degradation of Fe-doped SrTiO3 国際会議

    R. Giesecke, B. Huang, I. Suzuki, A. Klein

    21st International Conference on Solid State Ionincs　2017年6月20日

  135. ウルツ鉱型関連構造の4元系ナローギャップ酸化物半導体 Cu2ZnGeO4の高温における相変化

    喜多 正雄, 井上 誠, 和田 憲幸, 鈴木 一誓, 長谷 拓, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 2017年・年会　2017年3月17日

  136. New quaternary narrow gap oxide semiconductor Cu2ZnGeO4 with a wurtzite-derived structure 国際会議

    M. Kita, I. Suzuki, H. Nagatani, Y. Mizuno, M. Inoue, T. Omata

    9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2016)　2016年11月1日

  137. Band gap engineering of wurtzite β-CuGaO2 by alloying with β-CuAlO2 and β-LiGaO2 and their electronic structures 国際会議

    T. Omata, H. Nagatani, Y. Mizuno, I. Suzuki, M. Kita, N. Ohashi

    9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2016)　2016年11月1日

  138. Flux grouwth of ternary wurtzite β-NaGaO2 and β-LiGaO2 single crystals 国際会議

    A. Kakinuma, I. Suzuki, M. Ueda, T. Omata

    9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2016)　2016年11月1日

  139. Control of electrical conductivity of ternary wurtzite β-AgGaO2 国際会議

    H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, T. Omata

    9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2016)　2016年10月30日

  140. Ternary and quaternary wurtzite-type oxide semiconductors: b -CuGaO2 and its related materials 国際会議

    T. Omata, Y. Mizuno, I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita

    Compound Semiconductor Week 2016　2016年6月30日

  141. 新しいナローギャップ酸化物半導体の探索：多元系ウルツ鉱型化合物

    鈴木一誓

    透明酸化物光・電子材料第166委員会 第70回研究会　2016年1月29日

  142. Fabrication of β-CuGaO2 thin films; An oxide thin-film solar cell absorber 国際会議

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, T. Omata

    2015 MRS Fall Meeting & Exhibit　2015年12月2日

  143. Fabrication of β-CuGaO2 thin films; An oxide thin-film solar cell absorber 国際会議

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, T. Omata

    The 9th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-9) and the 9th Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-9)　2015年10月20日

  144. Band gap engineering of wurtzite-type narrow band gap semiconductor β-CuGaO2 国際会議

    Y. Mizuno, H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, T. Omata

    The 9th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-9) and the 9th Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-9)　2015年10月20日

  145. Flux growth of β-NaGaO2 single crystals and their ion-exchange to fabricate β-CuGaO2 and β-AgGaO2 国際会議

    A. Kakinuma, I. Suzuki, M. Ueda, T. Omata

    The 9th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-9) and the 9th Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-9)　2015年10月20日

  146. ウルツ鉱型酸化物半導体β-CuGaO2, β-AgGaO2への不純物ドーピング

    長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム　2015年9月18日

  147. ウルツ鉱型ナローバンドギャップ半導体β-CuGaO2のバンドエンジニアリング

    水野裕貴, 長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム　2015年9月18日

  148. ウルツ鉱型関連構造の4元系ナローギャップ酸化物半導体Cu2ZnGeO4 の合成

    喜多正雄, 鈴木一誓, 長谷拓, 水野裕貴, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム　2015年9月18日

  149. Fabrication of β-CuGaO2 thin films 国際会議

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, T. Omata

    17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials　2015年9月15日

  150. Novel ternary wurtzite semiconductor β-CuGaO2 国際会議

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, H. Yanagi, T. Omata

    17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials　2015年9月15日

  151. ウルツ鉱型酸化物半導体β-CuGaO2, β-AgGaO2への不純物ドーピング

    長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 小俣孝久

    資源素材学会 平成27年度資源・素材関係学協会合同秋季大会　2015年9月8日

  152. 酸化物薄膜太陽電池材料β-CuGaO2の薄膜作製

    鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 小俣孝久

    資源素材学会 平成27年度資源・素材関係学協会合同秋季大会　2015年9月8日

  153. フラックス 法によるβ-NaGaO2単結晶の育 成とそのイオン交換

    柿沼綾子, 鈴木一誓, 上田正人, 小俣孝久

    資源素材学会 平成27年度資源・素材関係学協会合同秋季大会　2015年9月8日

  154. 新規酸化物半導体：ウルツ鉱型 β-CuGaO2

    鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 井口雄喜, 佐藤千友紀, 柳博, 大橋直樹, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2015年・年会　2015年3月20日

  155. ウルツ鉱型β-CuGaO2の第一原理計算

    鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 井口雄喜, 佐藤千友紀, 柳博, 大橋直樹, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2015年・年会　2015年3月20日

  156. Novel ternary wurtzite-type semiconductor, β-CuGaO2 国際会議

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    2014 MRS Fall Meeting & Exhibit　2014年12月3日

  157. First principle calculations of wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2 国際会議

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    2014 MRS Fall Meeting & Exhibit　2014年12月1日

  158. Band gap narrowing of ZnO by alloying with β-AgGaO2 国際会議

    I. Suzuki, Y. Arima, M. Kita, T. Omata

    8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2014)　2014年9月9日

  159. A new ternary oxide semiconductor; Wurtzite CuGaO2 国際会議

    H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2014)　2014年9月8日

  160. First principle calculation of electronic band structure of wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2 国際会議

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2014)　2014年9月8日

  161. Band gap engineering of wurtzite-derived CuGaO2 with CuAlO2 国際会議

    Y. Mizuno, H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, T. Omata

    The 3rd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion　2014年8月25日

  162. A new direct and narrow band gap oxide semiconductor; Wurtzite CuGaO2 国際会議

    H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    The 3rd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion　2014年8月25日

  163. First principle calculations of electronic band structures of wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2 国際会議

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    The 3rd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion　2014年8月25日

  164. ウルツ鉱型β-CuGaO2、β-AgGaO2の第一原理計算

    鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 井口雄喜, 佐藤千友紀, 柳博, 大橋直樹, 小俣孝久

    第9回日本セラミックス協会関西支部学術講演会　2014年7月25日

  165. 接遷移型ナローギャップ半導体；ウルツ鉱型β-CuGaO2

    長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 柳博, 田中雅彦, 勝矢良雄, 坂田修身, 大橋直樹, 小俣孝久

    第9回日本セラミックス協会関西支部学術講演会　2014年7月25日

  166. CuAlO2との混晶化によるウルツ鉱型CuGaO2のバンドギャップエンジニアリング

    水野裕貴, 長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 小俣孝久

    第9回日本セラミックス協会関西支部学術講演会　2014年7月25日

  167. A new direct and narrow band gap oxide semiconductor; Wurtzite CuGaO2 国際会議

    H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8)　2014年6月26日

  168. First principle calculations of electronic band structures of wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2 国際会議

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8)　2014年6月26日

  169. 新規酸化物半導体材料の探索；ウルツ鉱型I-III-O2化合物半導体

    小俣孝久, 鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄

    2014年応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  170. AgGaO2との混晶化によるZnOのバンドギャップナローイング

    鈴木一誓, 長谷拓, 有馬優太, 喜多正雄, 小俣孝久

    2014年応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  171. 直接遷移型ナローギャップ半導体；ウルツ鉱型β-CuGaO2

    長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 柳博, 田中雅彦, 勝矢良雄, 大橋直樹, 小俣孝久

    2014年応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  172. 第一原理計算によるウルツ鉱型β-CuGaO2、β-AgGaO2の電子構造解析

    鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 井口雄喜, 佐藤千友紀, 柳博, 大橋直樹, 小俣孝久

    2014年応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  173. ウルツ鉱型酸化物半導体β-CuGaO2、β-AgGaO2の伝導性制御

    長谷拓, 鈴木一誓, 常深浩, 井藤幹夫, 喜多正雄, 小俣孝久

    2014年応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日

  174. 新規の薄膜太陽電池用酸化物半導体; β-CuGaO2

    長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 柳博, 大橋直樹, 小俣孝久

    資源素材学会 第10回・若手研究者・学生のための研究発表会　2013年12月12日

  175. 高移動度アモルファス酸化物半導体a-Cd-Ga-Oの作製とバンドギャップ制御

    佐藤千友紀, 柳博, 鈴木一誓, 小俣孝久, 神谷利夫, 細野秀雄

    第29回日本セラミックス協会関東支部研究発表会　2013年9月11日

  176. Band-gap engineering of high mobility amorphous oxide semiconductor, a-Cd-Ga-O 国際会議

    C. Sato, H. Yanagi, I. Suzuki, T. Omata, T. Kamiya, H. Hosono

    The 2nd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion　2013年9月2日

  177. Band gap engineering of ZnO by alloying with β-AgGaO2 国際会議

    I. Suzuki, Y. Arima, M. Kita, T. Omata

    The 2nd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion　2013年9月2日

  178. Band gap narrowing of ZnO by alloying with β-AgGaO2 国際会議

    I. Suzuki, Y. Arima, M. Kita, T. Omata

    8th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO8)　2013年5月15日

  179. Band-gap control in amorphous oxide semiconductor Cd-Ga-O thin films 国際会議

    C. Sato, H. Yanagi, I. Suzuki, T. Omata, T. Kamiya, H. Hosono

    2013 MRS Spring Meeting & Exhibit　2013年4月3日

  180. New pseudo-binary alloy system of x(AgGaO2)1/2-(1-x)ZnO for band gap narrowing of ZnO 国際会議

    I. Suzuki, Y. Arima, M. Kita, T. Omata

    2013 MRS Spring Meeting & Exhibit　2013年4月2日

  181. 新規のウルツ鉱型酸化物ナローギャップ半導体β-CuGaO2

    長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 柳博, 小俣孝久

    資源素材学会 平成24年度春季大会　2013年3月29日

  182. 新規アモルファス酸化物半導体Cd-M-O薄膜(M = Ga, Si)の作製とバンドギャップ制御

    柳博, 佐藤千友紀, 高木暢人, 鈴木一誓, 小俣孝久, 神谷利夫, 細野秀雄

    2013年第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月29日

  183. β-AgGaO2の固溶によるZnOのバンドギャップナローイング

    鈴木一誓, 有馬優太, 喜多正雄, 小俣孝久

    資源素材学会 平成24年度春季大会　2013年3月29日

  184. β-AgGaO2の固溶によるZnOのバンドギャップナローイング

    鈴木一誓, 有馬優太, 喜多正雄, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2013年・年会　2013年3月18日

  185. アモルファスCd-Ga-O薄膜の作製と電気・光学特性の組成依存

    佐藤千友紀, 柳博, 鈴木一誓, 小俣孝久, 神谷利夫, 細野秀雄

    日本セラミックス協会 2013年・年会　2013年3月18日

  186. ZnF2薄膜の作製と光学的性質

    鈴木一誓, 小俣孝久, 白土優, 中谷亮一, 松尾伸也

    日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム　2012年9月20日

  187. ZnF2薄膜の作製と光学的性質

    鈴木一誓, 小俣孝久, 白土優, 中谷亮一, 松尾伸也

    資源素材学会 第8回・若手研究者・学生のための研究発表会　2011年12月12日

  188. Fabrication of ZnF2 thin film and their transparency in vacuum ultraviolet 国際会議

    I. Suzuki, T. Omata, Y. Shiratsuchi, R. Nakatani, S. Otsuka-Yao-Matsuo

    IUMRS-ICA 12th International Conference in Asia　2011年9月11日

  189. 硫黄プラズマ援用スパッタリングを用いた化学量論組成SnS 薄膜の作製

    野上大一, 鈴木一誓, 小俣孝久

    2023年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会

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産業財産権 4

  1. ｎ型ＳｎＳ薄膜、光電変換素子、太陽光電池、ｎ型ＳｎＳ薄膜の製造方法、およびｎ型ＳｎＳ薄膜の製造装置

    鈴木一誓, 川西咲子, 柳博

    産業財産権の種類: 特許権

  2. ヒ酸銅化合物、太陽電池材料用ヒ酸銅化合物、およびヒ酸銅化合物の製造方法

    小俣孝久, 鈴木一誓, 浅野聡

    産業財産権の種類: 特許権

  3. 半導体用材料およびその製造方法

    小俣孝久, 鈴木一誓, 長谷拓

    産業財産権の種類: 特許権

  4. 半導体材料

    小俣孝久, 有馬優太, 鈴木一誓

    産業財産権の種類: 特許権

共同研究・競争的資金等の研究課題 12

  1. ナトリウム系複合金属フラックスを用いた新奇熱電シリコンクラスレートの創製

    森戸 春彦, 鈴木一誓

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)

    研究機関：Tohoku University

    2024年6月 ～ 2028年3月

  2. リン酸塩ガラス中のプロトン輸送を律する機構の解明；高速プロトン伝導の実現に向けて

    小俣 孝久, 山崎 智之, 鈴木 一誓

    2024年4月1日 ～ 2027年3月31日

  3. 固相イオン交換を駆使した革新的な単結晶育成法の黎明

    鈴木 一誓

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    研究機関：Tohoku University

    2024年6月28日 ～ 2026年3月31日

  4. 無機材料の新たな合成手法：電気化学的陽イオン置換

    鈴木 一誓

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    研究機関：Tohoku University

    2022年6月30日 ～ 2024年3月31日

  5. 次世代燃料電池ITFCを実現する電極反応の全貌解明とその高速化

    小俣 孝久, 石山 智大, 鈴木 一誓

    2021年4月5日 ～ 2024年3月31日

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    本年度は各種評価に供するWO3焼結体および薄膜の作製方法を重点的に検討し、高密度焼結体の作製方法を確立するとともに、薄膜の堆積条件が薄膜組織、生成相に与える効果を明らかにした。特に薄膜においては、電極性能に有利と思われる粒径5nm程度のナノ結晶の堆積条件を明らかにした。このような組織は従来報告されていない新たな発見である。これらの試料を用いて以下を行った。 (1-a) 昇温脱離分析による吸着気体の定性および定量分析：300℃の水素雰囲気で水素を注入したWO3焼結体の昇温脱離を行った。WO3バルクに溶解した水素を定量した。バルク溶解した水素は、昇温脱離により主にH2Oとして脱離し、H2Oの1/50程度がH2として脱離することを明らかにした。H2として脱離する水素は表面吸着した水素を含む。 (1-b) 水素および酸素の表面交換反応速度の評価・解析： 2H(D)および18Oの濃度の深さプロファイルのSIMS測定に供するWO3焼結体の同位体交換条件を検討した。 (1-c) インピーダンス解析による電極抵抗の評価・解析：WO3焼結体のプロトン伝導度評価法を見直し、電子ブロッキング電極を用いた直流伝導度測定により、混合伝導性の詳細を明らかにするとともに、各種電極候補材料に適用可能な混合伝導性の評価方法を確立した。 (2-a) ラマン分光法による吸着酸素とWO3酸化物表面の化学状態解析：購入した高温雰囲気調整ステージを改造しラマン分光測定の方法を確立した。 (2-b) X線光電子分光法による吸着気体分子と電極材料の電子状態の評価解析：酸素分圧の異なる雰囲気で作製したWO3薄膜を前処理なしにXPS測定し、W5+/W6+イオンの状態がXPSで捕捉できることを確認した。また価電子帯スペクトル、O1sスペクトルから、それらに与える吸着酸素の効果の測定方法を検討した。

  6. 化合物薄膜太陽電池の新展開：ホモ接合SnSによる高効率な太陽電池の実現

    鈴木 一誓

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2021年4月1日 ～ 2024年3月31日

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    本研究では、最近作製方法が明らかとなったn型SnS薄膜を用いて、高効率なSnSホモ接合太陽電池を実現することを目指している。初年度は、硫化物スパッタリング装置の立ち上げに伴い、基板加熱機構のキャリブレーションや、カソードの設置位置の最適化を行った。また、硫黄プラズマ供給装置から得られる硫黄プラズマの分光分析を行い、プラズマの供給条件の最適化についても進めた。スパッタリングカソードの異常放電によるトラブルから薄膜の作製にとりかかれない期間があったため、その期間においては、n型SnS単結晶を用いた太陽電池素子の作製と評価を進めた。従来の光電子分光法を用いた研究から、n型SnS単結晶とMoO3薄膜の接合では、界面においてSnSが大きなバンドディングを示すことがわかっていた。この接合に透明電極や裏面電極を取り付け、太陽電池へと応用する素子を作製したところ、従来のSnS太陽電池の開放電圧の最高値(405 mV)を大きく超える440 mVの開放電圧が得られた。これらの結果は、ホモ接合によって欠陥の少ない界面が実現できれば、SnS太陽電池から大きな開放電圧が得られるという本研究の方針を明確にするものであった。また、この研究の過程で、SnS単結晶を用いることで良質な界面が形成しやすく、SnSの本来の物性を反映する素子が得られることに気づいた。2022年度は、カソードのトラブルが解決次第、薄膜堆積とホモ接合に関する実験を迅速に進めるとともに、SnS単結晶と他の半導体とを接合した界面の光電流特性の分析についても進めることとする。

  7. 環境調和型次世代太陽電池材料SnSの非平衡欠陥制御と薄膜のn型化

    柳 博, 鈴木 一誓, 川西 咲子

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：University of Yamanashi

    2019年4月1日 ～ 2022年3月31日

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    これまでの電気炉を用いた昇華法では、製膜した膜中から塩素が離脱する課題があり、最大でも約0.08 at.%しか膜中に塩素が残らなかった。これに対し、n型伝導を示したSnS単結晶中の塩素濃度0.14 at.%に比べて約半分の値であり、薄膜中に如何に多くの塩素を残留させるかが課題であった。塩素の離脱の主な理由は、電気炉による加熱では四方から加熱されるため、製膜中に膜の温度が上がり塩素が離脱すること、製膜後の冷却過程の冷却速度が遅いことなどが挙げられる。これらの課題を解決するために、原料のみの加熱が可能であり、製膜後速やかに冷却できるフラッシュ蒸着法による製膜を試みた。このフラッシュ蒸着法の装置では石英ガラス製の原料皿に塩素添加SnS粉末を置き、赤外線ランプで発せられた光を回転楕円鏡で石英ガラスロッドに集光し、原料皿の下面から石英ガラスロッドで原料を加熱する方法を取る。これにより原料のみが加熱され、基板の温度は低温に維持できる。また赤外線ランプを切ることで急冷が可能である。これまでに様々な製膜時間、原料基板間距離、基板温度で製膜実験を行った。これまでに得られた最大の膜中塩素濃度は1.82 at.%であり、n型SnS単結晶中の塩素含有量以上の薄膜試料が得られた。現時点までn型伝導の実現には至っていないが、高抵抗試料の薄膜は得られている。他の測定結果から類推されるこの薄膜試料のキャリア濃度は10^10 cm-3 であり、真正半導体の値とほぼ一致する。製膜条件のさらなる最適化や事後処理条件の最適化によりフラッシュ蒸着法によるn型SnS薄膜の作製が射程圏内に入ってきたと言える。

  8. 次世代薄膜太陽電池材料SnS：ホモ接合実現に向けた固体化学の追究

    柳 博, 川西 咲子, 鈴木 一誓

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (B))

    研究機関：University of Yamanashi

    2018年10月9日 ～ 2022年3月31日

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    本研究では、バルク焼結体や単結晶において塩素ドープにより実現したSnSのn型化が薄膜で困難な原因について、「Sn2+の孤立電子対が関わる電子欠陥による電荷補償が、非平衡状態が凍結される薄膜中で顕著であるため」との推論を立て、これを解決するために塩素ドープSnS薄膜中に導入される欠陥を同定することを第一の目的としている。次に、ここで同定した欠陥の導入起源の解明をすることによりn型伝導を阻害する孤立電子対起因の欠陥の抑制手法を確立し、SnS薄膜のn型化を実現することを目的とする。これらの目的を達成するために国立再生可能エネルギー研究所（NREL，アメリカ）所有のコンビナトリアルRFマグネトロンスパッタリング製膜装置（塩素添加量やSn/S比、基板温度等の製膜条件を一度に広範囲に制御できる堆積装置）により塩素ドープSnS薄膜を製膜することで欠陥を単離する製膜条件の高速スクリーニングを行う。 当該年度は、NRELにて使用予定のコンビナトリアルRFマグネトロンスパッタリング製膜装置ならびにコンビナトリアル評価装置（XRD、XRF、光学スペクトル、電気伝導度など）を現地で見学し、実験方法に関する入念な計画を検討するとともにNRELでの受け入れ研究員との意思統一を図った。これに加え、山梨大学にて現在行っている近接昇華法により製膜したSnS薄膜について東北大学でTOF-SIMSやEPMAによる分析を行った。EPMAでは検出限界に対して有意な塩素を確認することができなかったが、TOF-SIMSにより膜中に塩素が均質に分布していることが明らかとなった。

  9. 中温作動型燃料電池を実現する空気極触媒電極材料の開発；材料探索フィールドの大転換

    小俣 孝久, 鈴木 一誓

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    研究機関：Tohoku University

    2019年6月28日 ～ 2021年3月31日

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    水素透過量の測定およびリン酸塩ガラスをブロッキング電極とした伝導度の測定から，H0.39WO3のプロトン伝導度を300℃で1.4×10-3 ～1.1×10-1Scm-1と決定した。この値はリン酸塩ガラス電解質のプロトン伝導度より高く， WO3のプロトン伝導度は極めて高く，電極材料として高いポテンシャルを有することを明らかにした。H0.39WO3の300℃の空気中では電子伝導性が消失するという最大の課題をCa0.02HxWO3で解決し，300℃の空気中でも10 Scm-1という電極材料としては十分な電子伝導性を維持することに成功した。

  10. WO3における超高速プロトン輸送：その実証と発現因子の解明

    鈴木 一誓

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

    研究種目：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

    研究機関：Tohoku University

    2019年4月1日 ～ 2021年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    申請者は、水素を含有する酸化タングステン(HxWO3)が示す超高速プロトン輸送を実現する因子を明らかにすることを目指している。本研究開始以前は、WO3のプロトン伝導性は、水素(H2)を注入したHxWO3と重水素(D2)を注入したDxWO3の電気伝導性の差から見積もっていた。この測定はプロトン伝導性を間接的に明らかにするものであり、当該年度では、これをより直接的に測定することを試みた。 SPSで作製したWO3を水素中で、電流を印加しながら加熱することで、HxWO3を作製した。昇温脱離ガス分析法により、HxWO3から脱離するH2およびH2Oを定量し、含まれるプロトンの量（xの値)を決定した。 得られたHxWO3焼結体の両端に、水素濃度差をつけ、HxWO3内を拡散するプロトンの量をCaZrO3の水素ポンプを用いた水素検出器により定量した。これによりHxWO3中のプロトンの拡散係数を決定した。得られたプロトンの拡散係数から移動度を算出すると、従来のプロトン伝導帯よりも１桁高い移動度を有することがわかった。このことは、申請者が予想していた高速プロトン輸送が存在することを支持する。 また、昇温脱離ガス分析法から求めたキャリア密度（プロトン密度）と併せることで、HxWO3の輸率がおおよそ１万分の１であることが明らかとなった。 HxWO3のプロトン伝導度や輸率がこれまで報告されてこなかったのは、その電子伝導性が極めて高いがゆえにプロトンの移動に関する測定が困難であるからという申請者の予想と一致する結果となった。

  11. 酸化物半導体の新展開；ナローギャップウルツ鉱型酸化物の物質科学とデバイス化技術

    小俣 孝久, 鈴木 一誓, 佃 諭志, 喜多 正雄

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2017年4月1日 ～ 2021年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    高品質β-CuGaO2薄膜の作製プロセス開発を継続した。これまで行ってきたミストCVD法による薄膜の作製方法では、β-CuGaO2の前駆体となるβ-NaGaO2を繰り返し再現性良く堆積することが難しいことが明らかとなった。これに対処するため、(i)ミストCVD装置の大規模改良、および、(ii)β-NaGaO2をターゲットとしたパルスレーザー堆積法(PLD)によるβ-NaGaO2薄膜の作製を行った。装置の改良については、マイクロヒーターを使用し基板の直接加熱による基板温度の安定化と均一化、基板の下面に薄膜を堆積するdepo-upの導入、ミストの予備加熱により再現性の良い薄膜の堆積が可能になりつつある。(ii)PLD法による薄膜の堆積では、相対密度95%以上のターゲットに使用、基板の高温酸化雰囲気でのクリーニングなどにより再現性の良い薄膜の堆積が可能になりつつある。 βNaGaO2薄膜のイオン交換によるβ-CuGaO2の作製においては、従来のCuCl蒸気に曝す方法に加え、CuCl粉末を分散した高沸点有機溶媒中に薄膜を浸漬する方法を見出し、質の良い前駆体β-NaGaO2が得られれば直ちにイオン交換によりβ-CuGaO2とする技術が確立できた。 前年度から行ってきたXPS法によるβ-CuGaO2とn型ZnO、およびp型のα-CuGaO2とのバンドアラインメントの研究を完了した。β-CuGaO2の価電子帯頂上はAlドープしたZnOの価電子帯の2.6eV高い位置に、伝導帯底部は0.7eV高い位置にあり、これらはtype-IIの接合を作ることが明らかとなった。一方、同じCu3d軌道が価電子帯の上部を構成するα-CuGaO2とは価電子帯頂上のエネルギーはほぼ同じ（α-CuGaO2が0.15eVエネルギーが高い）であることが明らかとなった。

  12. 三元系酸化物群の基礎物性の解明

    鈴木 一誓

    2014年4月25日 ～ 2016年3月31日

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    前年度に引き続き、β-NaFeO2型酸化物の電子構造を第一原理計算によって解析し、結晶構造が電子構造に与える影響を検討した。Cu+やAg+などのd10電子配置のイオンを含むβ-NaFeO2型酸化物の電子構造においては、Cu+やAg+の周囲の局所構造や、最近接原子間距離（Cu-Cu、Ag-Ag距離）が、価電子帯の分散を決定する因子であることを明らかにした。これらの成果は、論文二報として発表予定である。 また、β-CuGaO2薄膜の前駆体となるβ-NaGaO2薄膜を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法によって作製し、各種成膜パラメータが得られる薄膜の組成や結晶性、配向性にどのような影響を与えるかを検討した。成膜するサファイア基板の配向面によって、種々の配向性をもつβ-NaGaO2薄膜が得られることが明らかとなった。また、スパッタリングや電子ビームによる成膜では、時間経過によってターゲットの組成が変化してしまうため、化学量論組成のβ-NaGaO2薄膜を得るためには、ターゲットの組成が変化しづらい成膜方法を検討する必要がある。

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担当経験のある科目(授業) 3

  1. エネルギー材料科学　東北大学工学部

  2. 工学英語II　東北大学工学部

  3. 界面物理化学　東北大学工学部