Details of the Researcher

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Issei Suzuki
Section
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials
Job title
Senior Assistant Professor
Degree

  • 博士（工学）（大阪大学）

  • 修士（工学）（大阪大学）

e-Rad No.
60821717

Research History 6

  • 2023/04 - Present
    IMRAM (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials), Tohoku University　Lecturer

  • 2018/03 - 2023/03
    IMRAM (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials), Tohoku University　Assistant Professor

  • 2019/05 - 2022/03
    National Renewable Energy Laboratory　Visiting assistant professor

  • 2018/10 - 2021/03
    NIMS　Research Center for Functional Materials　Visiting Researcher

  • 2016/04 - 2018/02
    Technical University of Darmstadt (Germany)　JSPS overseas research fellow

  • 2014/03 - 2016/04
    JSPS Research Fellowship (DC2)

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Education 3

  • Osaka University　Graduate school of engineering　Division of materials and manufacturing science

    2013/04 - 2016/03

  • Osaka University　Graduate school of engineering　Division of materials and manufacturing science

    2011/04 - 2013/03

  • Osaka University

    2007/04 - 2011/03

Professional Memberships 6

  • 日本太陽光発電学会

  • 日本固体イオニクス学会

  • THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS

  • Materials Research Society

  • THE MINING AND MATERIALS PROCESSING INSTITUTE OF JAPAN

  • The Ceramic Society of Japan

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Research Areas 1

  • Nanotechnology/Materials / Inorganic materials /

Awards 9

  1. 令和７年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞

    2025　文部科学省　環境適合型薄膜太陽電池を実現する新しい半導体材料の研究

  2. 第7回物質・デバイス共同研究賞

    2025　物質・デバイス領域共同研究拠点　ダイヤモンド関連構造を有するナローギャップ酸化物半導体の特性評価

  3. 進歩賞

    2022　日本セラミックス協会　薄膜太陽電池用の新規酸化物および硫化物半導体材料の開発

  4. 第4回物質・デバイス共同研究賞

    2022　物質・デバイス領域共同研究拠点　次世代太陽電池材料SnSのn型薄膜の作製

  5. 優秀講演賞

    2022　日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム 先進的な構造科学と分析技術　角度分解光電子分光によるSnS価電子帯の原子軌道の同定

  6. 三元系ウルツ鉱型酸化物：β-CuGaO2の電子構造とバンドアラインメント

    2018　発表奨第38回 エレクトロセラミックス研究討論会励賞

  7. Silver Poster Award

    2015　TOEO-9　Fabrication of β-CuGaO2 Thin Films; An Oxide Thin-Film Solar Cell Absorber

  8. MRS Poster Award Nominee

    2014　Materials Research Society

  9. 優秀発表賞

    2011　資源素材学会関西支部　ZnF2薄膜の作製と光学的性質

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Papers 49

  1. Role of hydrogen in the n-type oxide semiconductor MgIn2O4: Experimental observation of electrical conductivity and first-principles insight

    Saki Kudo, Tomoyuki Yamasaki, Issei Suzuki, Arunkumar Dorai, Rafael Costa-Amaral, Soungmin Bae, Yu Kumagai, Hiroshi Tanimura, Tetsu Ichitsubo, Takahisa Omata

    APL Materials　13　(4)　2025/04/01

    Publisher: AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0253161 　

    eISSN： 2166-532X

    More details Close

    Hydrogen impurities significantly influence the electrical conductivity of oxide semiconductors such as MgIn2O4, widely used in devices such as thin-film transistors. However, their role and chemical environment have not been fully clarified. This study investigated the conductivity of MgIn2O4 at elevated temperatures under air and H2 atmospheres, revealing higher and reversible conductivity in H2 due to hydrogen dissolution. Hall measurements, thermal desorption spectrometry, and nuclear magnetic resonance spectroscopy revealed that hydrogen dissolves in MgIn2O4, ionizing to produce electrons and interstitial protons. Density functional theory calculations indicate that hydrogen stabilizes near vacant octahedral cation sites, forming O–H bonds and shallow donor levels. Indium atoms at magnesium sites lead to shallow donor levels, whereas oxygen vacancies form deep levels. The results identify interstitial hydrogen and indium atoms at magnesium sites, rather than oxygen vacancies, as key donors under H2-rich or low oxygen conditions, providing insights for controlling the conductivity of MgIn2O4 in devices.

  2. Non-stoichiometry in SnS: How it affects thin-film morphology and electrical properties Peer-reviewed

    Taichi Nogami, Issei Suzuki, Daiki Motai, Hiroshi Tanimura, Tetsu Ichitsubo, Takahisa Omata

    APL Materials　2025/03

    DOI： 10.48550/arXiv.2411.07530 　

    More details Close

    Tin sulfide (SnS) has garnered much attention as a promising material for various applications, including solar cells and thermoelectric devices, owing to its favorable optical and electronic properties and the abundant and nontoxic nature of its constituent elements. Herein, we investigated the effect of non-stoichiometry on the morphology and electrical properties of SnS thin films. Using a unique sputtering technique with a sulfur plasma supply, SnS films with precise sulfur content control, [S]/([Sn] + [S]) (xS) ranging from 0.47 to 0.51, were fabricated. Systematic characterization revealed that non-stoichiometry on the S-rich side led to a marked increase in the carrier density of p-type conduction, which was attributed to the formation of intrinsic acceptor-type defects. In contrast, non-stoichiometry on the S-poor side hardly affects the p-type electrical properties, apparently because of the self-compensation between the intrinsic acceptor- and donor-type defects. In addition, non-stoichiometry has been identified as the cause of thin-film morphological changes, with non-stoichiometric films exhibiting rough and porous surfaces. Achieving a stoichiometric composition results in smooth and dense thin-film morphologies, which are crucial for optimizing SnS thin films for device applications. These findings underscore the importance of compositional control for tailoring the morphology and electrical behavior of SnS, paving the way for more efficient SnS-based devices.

  3. Unconventional and Powerful Ion Sources for Solid-State Ion Exchange, Cu2SO4 and Cu3PO4: Exemplified by the Synthesis of Metastable β-CuGaO2 from Stable β-LiGaO2 Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Kako Washizu, Daiki Motai, Masao Kita, Takahisa Omata

    Inorganic Chemistry　2025/02/10

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.4c05078 　

    More details Close

    This study introduces a new method for synthesizing Cu+-containing metastable phases through ion exchange. Traditionally, CuCl has been used as a Cu+ ion source for solid-state ion exchanges; however, its thermodynamic driving force is often insufficient for complete ion exchange with Li+-containing precursors. First-principles calculations have identified Cu2SO4 and Cu3PO4 as more powerful alternatives, providing a higher driving force than CuCl. It has been experimentally demon-strated that these ion sources can open up new reaction pathways through experimental ion exchanges, such as from \beta-LiGaO2 to \beta-CuGaO2, which were previously unattainable. An important perspective provided by this study is that the poten-tial of such basic compounds to act as powerful ion sources has been overlooked, and that they were identified through straightforward first-principles calculations. This work presents the initial strategic design of an ion exchange reaction by exploring suitable ion sources, thereby expanding the potential for synthesizing metastable materials.

  4. Effects of Process Gas Pressure on Properties of WO3 Thin Films Deposited by RF Sputtering Peer-reviewed

    Rantaro Matsuo, Tomoyuki Yamasaki, Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Takahisa Omata

    The Journal of Physical Chemistry C　2025/01/16

    DOI： 10.1021/acs.jpcc.4c07254 　

  5. Enhancing Proton Mobility in Silicophosphoric Acid by Replacing Si with Al Peer-reviewed

    Tomohiro Ishiyama, Yuya Yamada, Hiroki Nagashima, Issei Suzuki, Masaya Fujioka, Madoka Ono, Takahisa Omata, Junji Nishii

    Inorganic Chemistry　2025/01/13

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.4c04250 　

  6. Replacing Sodium Ions with Protons in Vanadophosphate Glass: Suppression of Electronic Conduction by Local Structural Change around Vanadium Ions Peer-reviewed

    Aman Sharma, Issei Suzuki, Kei Toyooka, Tomohiro Ishiyama, Junji Nishii, Takahisa Omata

    The Journal of Physical Chemistry C　2024/06/13

    DOI： 10.1021/acs.jpcc.4c02589 　

  7. Designing Topotactic Ion-Exchange Reactions in Solid-State Oxides Through First-Principles Calculations Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Masao Kita, Takahisa Omata

    Chemistry of Materials　2024/05/14

    DOI： 10.1021/acs.chemmater.3c03016 　

  8. Low-temperature growth of BaZrO3 and Ba(Zr,Y)O3–δ thin films via spray pyrolysis deposition Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Hiromasa Tawarayama, Masatoshi Majima, Takahisa Omata

    Thin Solid Films　140249-140249　2024/02

    Publisher: Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.tsf.2024.140249 　

    ISSN： 0040-6090

  9. Alkali Mono-Pnictides: A New Class of Photovoltaic Materials by Element Mutation

    Yu Kumagai, Seán R. Kavanagh, Issei Suzuki, Takahisa Omata, Aron Walsh, David O. Scanlon, Haruhiko Morito

    PRX Energy　2023/10/03

    DOI： 10.1103/PRXEnergy.2.043002 　

  10. Carrier control in SnS by doping: A review Invited Peer-reviewed

    Issei Suzuki

    Journal of the Ceramic Society of Japan　131　(10)　777-788　2023/10/01

    DOI： 10.2109/jcersj2.23098 　

    ISSN： 1348-6535 1882-0743

    eISSN： 1348-6535

  11. High open-circuit voltage in single-crystalline n-type SnS/MoO3 photovoltaics Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Zexin Lin, Taichi Nogami, Sakiko Kawanishi, Binxiang Huang, Andreas Klein, Takahisa Omata

    APL Materials　11　(3)　031116-031116　2023/03/01

    Publisher: AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0143617 　

    eISSN： 2166-532X

  12. Pulsed laser deposition of β-NaGaO2: significant dependence of sodium fraction, morphology, and phases of the film on deposition position in the plume Peer-reviewed

    Shunichi Suzuki, Issei Suzuki, Takahisa Omata

    Japanese Journal of Applied Physics　62　(3)　2023/02/14

    Publisher: IOP Publishing

    DOI： 10.35848/1347-4065/acbbff 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  13. Experimental Identification of Atomic Orbital Contributions to SnS Valence Band using Polarization‐Dependent Angle‐Resolved Photoemission Spectroscopy Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Kiyohisa Tanaka, Takahisa Omata, Shin-ichiro Tanaka

    physica status solidi (b)　260　(4)　2200408-2200408　2023/02/08

    Publisher: Wiley

    DOI： 10.1002/pssb.202200408 　

    ISSN： 0370-1972

    eISSN： 1521-3951

  14. Enhancing proton mobility and thermal stability in phosphate glasses with WO3: the mixed glass former effect in proton conducting glasses Peer-reviewed

    Aman Sharma, Issei Suzuki, Tomohiro Ishiyama, Takahisa Omata

    Physical Chemistry Chemical Physics　25　(28)　18766-18774　2023

    Publisher: Royal Society of Chemistry (RSC)

    DOI： 10.1039/d3cp01453c 　

    ISSN： 1463-9076

    eISSN： 1463-9084

  15. Avoiding Fermi Level Pinning at the SnS Interface for High Open-Circuit Voltage Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Binxiang Huang, Sakiko Kawanishi, Takahisa Omata, Andreas Klein

    The Journal of Physical Chemistry C　126　(48)　20570-20576　2022/12/08

    Publisher: American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acs.jpcc.2c04212 　

    ISSN： 1932-7447

    eISSN： 1932-7455

  16. Current status of n-Type SnS: Paving the way for SnS homojunction solar cells Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Takahisa Omata, Hiroshi Yanagi

    Journal of Physics: Energy　4　(4)　042002-042002　2022/08/03

    Publisher: IOP Publishing

    DOI： 10.1088/2515-7655/ac86a1 　

    eISSN： 2515-7655

  17. Contribution of the Sn 5s state to the SnS valence band: direct observation via ARPES measurements Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Kiyohisa Tanaka, Takahisa Omata, Shin-ichiro Tanaka

    Electronic Structure　4　(2)　025004-025004　2022/06/01

    Publisher: {IOP} Publishing

    DOI： 10.1088/2516-1075/ac6ea8 　

    eISSN： 2516-1075

  18. Growth of β-NaGaO2 thin films using ultrasonic spray pyrolysis Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Shunichi Suzuki, Tatsuya Watanabe, Masao Kita, Takahisa Omata

    Journal of Asian Ceramic Societies　10　(2)　520-529　2022/06/01

    DOI： 10.1080/21870764.2022.2082049 　

    eISSN： 2187-0764

  19. Phase Transformation of Metastable Cu<inf>2</inf>ZnGeO<inf>4</inf> with a Wurtz-Kesterite Structure at Elevated Temperatures Peer-reviewed

    Masao Kita, Issei Suzuki, Noriyuki Wada, Takahisa Omata

    Inorganic Chemistry　61　(35)　13700-13707　2022

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.2c00480 　

    ISSN： 0020-1669

    eISSN： 1520-510X

  20. First Principles Calculation of Electrical and Optical Properties of Cu3AsO4: Promising Thin-Film Solar Cell Absorber from Nonferrous Metal Manufacturing By-Products Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Naoki Ohashi, Aiga Gomi, Junya Kano, Hiroto Watanabe, Satoshi Asano, Takahisa Omata

    MATERIALS TRANSACTIONS　63　(1)　73-81　2022/01

    Publisher: Japan Institute of Metals

    DOI： 10.2320/matertrans.m-m2021851 　

    ISSN： 1345-9678

    eISSN： 1347-5320

  21. Anhydrous Silicophosphoric Acid Glass: Thermal Properties and Proton Conductivity Peer-reviewed

    Takahisa Omata, Aman Sharma, Issei Suzuki, Tomohiro Ishiyama, Shinji Kohara, Koji Ohara, Madoka Ono, Yang Ren, Khurelbaatar Zagarzusem, Masaya Fujioka, Gaoyang Zhao, Junji Nishii

    ChemPhysChem　23　(3)　2022/01

    DOI： 10.1002/cphc.202100840 　

    ISSN： 1439-4235

    eISSN： 1439-7641

  22. Direct evaluation of hole effective mass of SnS–SnSe solid solutions with ARPES measurement Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Zexin Lin, Sakiko Kawanishi, Kiyohisa Tanaka, Yoshitaro Nose, Takahisa Omata, Shin-Ichiro Tanaka

    Physical Chemistry Chemical Physics　24　(2)　634-638　2022/01

    DOI： 10.1039/D1CP04553A 　

    ISSN： 1463-9076

    eISSN： 1463-9084

  23. n-type electrical conduction in SnS thin films Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Sage R. Bauers, Andriy Zakutayev, Zexin Lin, Satoshi Tsukuda, Hiroyuki Shibata, Minseok Kim, Hiroshi Yanagi, Takahisa Omata

    Physical Review Materials　5　(12)　2021/12/09

    Publisher: American Physical Society (APS)

    DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.5.125405 　

    eISSN： 2475-9953

  24. SnS Homojunction Solar Cell with n‐Type Single Crystal and p‐Type Thin Film Peer-reviewed

    Sakiko Kawanishi, Issei Suzuki, Sage R. Bauers, Andriy Zakutayev, Hiroyuki Shibata, Hiroshi Yanagi, Takahisa Omata

    Solar RRL　5　(4)　2000708-2000708　2021/04/25

    Publisher: Wiley

    DOI： 10.1002/solr.202000708 　

    ISSN： 2367-198X

    eISSN： 2367-198X

  25. Investigating the role of GeO2 in enhancing the thermal stability and proton mobility of proton-conducting phosphate glasses Peer-reviewed

    Takahisa Omata, Aman Sharma, Takuya Kinoshita, Issei Suzuki, Tomohiro Ishiyama, Shinji Kohara, Koji Ohara, Madoka Ono, Tong Fang, Yang Ren, Masaya Fujioka, Gaoyang Zhao, Junji Nishii

    Journal of Materials Chemistry A　9　(36)　20595-20606　2021

    Publisher: Royal Society of Chemistry ({RSC})

    DOI： 10.1039/D1TA04445A 　

    ISSN： 2050-7488

    eISSN： 2050-7496

  26. Understanding the effect of oxide components on proton mobility in phosphate glasses using a statical analysis approach Peer-reviewed

    Takahisa Omata, Issei Suzuki, Aman Sharma, Tomohiro Ishiyama, Junji Nishii, Toshiharu Yamashita, Hiroshi Kawazoe

    RSC Advances　11　(5)　3012-3019　2021

    Publisher: Royal Society of Chemistry (RSC)

    DOI： 10.1039/D0RA10327F 　

    eISSN： 2046-2069

  27. Fermi Energy Limitation at β-CuGaO2 Interfaces Induced by Electrochemical Oxidation/Reduction of Cu Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Binxiang Huang, Takahisa Omata, Andreas Klein

    ACS Applied Energy Materials　3　(9)　9117-9125　2020/09/28

    Publisher: American Chemical Society ({ACS})

    DOI： 10.1021/acsaem.0c01493 　

    ISSN： 2574-0962

    eISSN： 2574-0962

  28. Growth of Large Single Crystals of n-Type SnS from Halogen-Added Sn Flux Peer-reviewed

    Sakiko Kawanishi, Issei Suzuki, Takeo Ohsawa, Naoki Ohashi, Hiroyuki Shibata, Takahisa Omata

    Crystal Growth & Design　20　(9)　5931-5939　2020/09/02

    Publisher: American Chemical Society ({ACS})

    DOI： 10.1021/acs.cgd.0c00617 　

    ISSN： 1528-7483

    eISSN： 1528-7505

  29. Ultra-thin phosphate glass exhibiting high proton conductivity at intermediate temperatures Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Masataka Tashiro, Takuya Yamaguchi, Tomohiro Ishiyama, Junji Nishii, Toshiharu Yamashita, Hiroshi Kawazoe, Takahisa Omata

    International Journal of Hydrogen Energy　45　(33)　16690-16697　2020/06

    Publisher: Elsevier {BV}

    DOI： 10.1016/j.ijhydene.2020.04.114 　

    ISSN： 0360-3199

  30. Comprehensive first-principles study of AgGaO<inf>2</inf> and CuGaO<inf>2</inf> polymorphs Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Yuki Iguchi, Chiyuki Sato, Hiroshi Yanagi, Naoki Ohashi, Takahisa Omata

    Journal of the Ceramic Society of Japan　127　(6)　339-347　2019/06

    DOI： 10.2109/jcersj2.19025 　

    ISSN： 1882-0743

    eISSN： 1348-6535

  31. Tunable Direct Band Gap of β-CuGaO2 and β-LiGaO2 Solid Solutions in the Full Visible Range Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Yuki Mizuno, Takahisa Omata

    Inorganic Chemistry　58　(7)　4262-4267　2019/04/15

    Publisher: American Chemical Society ({ACS})

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.8b03370 　

    ISSN： 0020-1669

    eISSN： 1520-510X

  32. The energy level of the Fe2+/3+-transition in BaTiO3 and SrTiO3 single crystals Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Leonard Gura, Andreas Klein

    Physical Chemistry Chemical Physics　21　(11)　6238-6246　2019

    Publisher: Royal Society of Chemistry ({RSC})

    DOI： 10.1039/C8CP07872F 　

    ISSN： 1463-9076

  33. Flux growth of β-NaGaO<inf>2</inf> single crystals Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Ayako Kakinuma, Masato Ueda, Takahisa Omata

    Journal of Crystal Growth　504　26-30　2018/12/15

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.034 　

    ISSN： 0022-0248

  34. Controlling the electrical conductivity of ternary wurtzite-type and metastable β-AgGaO2 by impurity doping Peer-reviewed

    Hiraku Nagatani, Issei Suzuki, Sayuri Takemura, Takeo Ohsawa, Naoki Ohashi, Shinji Fujimoto, Takahisa Omata

    AIP Advances　8　(8)　085203　2018/08

    DOI： 10.1063/1.5046361 　

    eISSN： 2158-3226

  35. Orientation control of β-NaGaO<inf>2</inf> thin film: A precursor for β-CuGaO<inf>2</inf> as a thin-film solar cell absorber Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Masatoshi Tanemura, Takahisa Omata

    Journal of the Ceramic Society of Japan　125　(12)　872-875　2017/12

    Publisher: Ceramic Society of Japan

    DOI： 10.2109/jcersj2.17157 　

    ISSN： 1882-0743

    eISSN： 1348-6535

  36. Wurtzite-Derived Quaternary Oxide Semiconductor Cu2ZnGeO4: Its Structural Characteristics, Optical Properties, and Electronic Structure Peer-reviewed

    Masao Kita, Issei Suzuki, Naoki Ohashi, Takahisa Omata

    Inorganic Chemistry　56　(22)　14277-14283　2017/11/20

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.7b02379 　

    ISSN： 0020-1669

    eISSN： 1520-510X

  37. Fabrication of β-CuGaO2 thin films by ion-exchange of β-NaGaO2 thin films Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Hiraku Nagatani, Masao Kita, Takahisa Omata

    Applied Physics Express　10　(9)　095501　2017/09/01

    DOI： 10.7567/APEX.10.095501 　

    ISSN： 1882-0778

    eISSN： 1882-0786

  38. Variation of crystal structure and optical properties of wurtzite-type oxide semiconductor alloys of β-Cu(Ga,Al)O2 Peer-reviewed

    Hiraku Nagatani, Yuki Mizuno, Issei Suzuki, Masao Kita, Naoki Ohashi, Takahisa Omata

    Journal of Applied Physics　121　(23)　235103-235103　2017/06/21

    DOI： 10.1063/1.4985700 　

    ISSN： 0021-8979

    eISSN： 1089-7550

  39. Multinary wurtzite-type oxide semiconductors: Present status and perspectives Invited Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Takahisa Omata

    Semiconductor Science and Technology　32　(1)　013007　2017/01

    DOI： 10.1088/1361-6641/32/1/013007 　

    ISSN： 0268-1242

    eISSN： 1361-6641

  40. First-Principles Study of CuGaO<inf>2</inf> Polymorphs: Delafossite α-CuGaO<inf>2</inf> and Wurtzite β-CuGaO<inf>2</inf> Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Hiraku Nagatani, Masao Kita, Yuki Iguchi, Chiyuki Sato, Hiroshi Yanagi, Naoki Ohashi, Takahisa Omata

    Inorganic Chemistry　55　(15)　7610-7616　2016/08/01

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.6b01012 　

    ISSN： 0020-1669

    eISSN： 1520-510X

  41. First principles calculations of ternary wurtzite β-CuGaO<inf>2</inf> Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Hiraku Nagatani, Masao Kita, Yuki Iguchi, Chiyuki Sato, Hiroshi Yanagi, Naoki Ohashi, Takahisa Omata

    Journal of Applied Physics　119　(9)　095701　2016/03/07

    DOI： 10.1063/1.4942619 　

    ISSN： 0021-8979

    eISSN： 1089-7550

  42. Wurtzite-derived ternary I-III-O<inf>2</inf> semiconductors Peer-reviewed

    Takahisa Omata, Hiraku Nagatani, Issei Suzuki, Masao Kita

    Science and Technology of Advanced Materials　16　(2)　24902　2015/04

    DOI： 10.1088/1468-6996/16/2/024902 　

    ISSN： 1468-6996

    eISSN： 1878-5514

  43. Structure of β-AgGaO2; ternary I–III–VI2 oxide semiconductor with a wurtzite-derived structure Peer-reviewed

    Hiraku Nagatani, Issei Suzuki, Masao Kita, Masahiko Tanaka, Yoshio Katsuya, Osami Sakata, Takahisa Omata

    Journal of Solid State Chemistry　222　66-70　2015/02

    DOI： 10.1016/j.jssc.2014.11.012 　

    ISSN： 0022-4596

    eISSN： 1095-726X

  44. Widely bandgap tunable amorphous Cd-Ga-O oxide semiconductors exhibiting electron mobilities ≥10-cm2-V-1-s-1 Peer-reviewed

    Yanagi, H., Sato, C., Kimura, Y., Suzuki, I., Omata, T., Kamiya, T., Hosono, H.

    Applied Physics Letters　106　(8)　82106　2015

    DOI： 10.1063/1.4913691 　

    ISSN： 0003-6951

    eISSN： 1077-3118

  45. Structural and thermal properties of ternary narrow-gap oxide semiconductor; Wurtzite-derived β-CuGaO2 Peer-reviewed

    Nagatani, H., Suzuki, I., Kita, M., Tanaka, M., Katsuya, Y., Sakata, O., Miyoshi, S., Yamaguchi, S., Omata, T.

    Inorganic Chemistry　54　(4)　1698-1704　2015

    DOI： 10.1021/ic502659e 　

    ISSN： 0020-1669

    eISSN： 1520-510X

  46. Fabrication of β-AgGaO2 thin films by radio frequency magnetron sputtering Peer-reviewed

    Issei Suzuki, Hiraku Nagatani, Yuta Arima, Masao Kita, Takahisa Omata

    Thin Solid Films　559　112-115　2014/05

    DOI： 10.1016/j.tsf.2013.10.099 　

    ISSN： 0040-6090

  47. Wurtzite CuGaO2: A new direct and narrow band gap oxide semiconductor applicable as a solar cell absorber Peer-reviewed

    Omata, T., Nagatani, H., Suzuki, I., Kita, M., Yanagi, H., Ohashi, N.

    Journal of the American Chemical Society　136　(9)　3378-3381　2014

    DOI： 10.1021/ja501614n 　

    ISSN： 0002-7863

    eISSN： 1520-5126

  48. Fabrication of ZnF2 thin films and their vacuum ultraviolet transparency Peer-reviewed

    Suzuki, I., Omata, T., Shiratsuchi, Y., Nakatani, R., Kitamura, N., Otsuka-Yao-Matsuo, S.

    Thin Solid Films　534　508-514　2013

    DOI： 10.1016/j.tsf.2013.02.071 　

    ISSN： 0040-6090

  49. Pseudo-binary alloying system of ZnO-AgGaO2 reducing the energy band gap of zinc oxide Peer-reviewed

    Suzuki, I., Nagatani, H., Arima, Y., Kita, M., Omata, T.

    Applied Physics Letters　103　(22)　222107　2013

    DOI： 10.1063/1.4836435 　

    ISSN： 0003-6951

    eISSN： 1077-3118

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Presentations 189

  1. 硫黄プラズマを用いた硫化物薄膜の作製 Invited

    鈴木一誓

    日本表面真空学会 SP部会 第181回定例研究会　2025/03/13

  2. 硫黄プラズマを用いた硫化物薄膜の作製法に関する研究

    茂田井大輝, 鈴木一誓, 野上大一, 小俣孝久

    応用物理学会若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会 第5回研究会　2025/03/10

  3. 硫黄量を精密制御したSnS薄膜の作製：組成ずれがモフォロジーや電気的性質へ与える影響

    野上大一, 鈴木一誓, 茂田井大輝, 小俣孝久

    応用物理学会若手チャプター 太陽光エネルギー変換機能材料・デバイス開発研究会 第5回研究会　2025/03/10

  4. 硫黄プラズマを用いた金属硫化物の低温作製

    茂田井大輝, 鈴木一誓, 野上大一, 小俣孝久

    2024年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会　2024/12/13

  5. 硫黄量を精密制御したSnS薄膜の作製：組成ずれがもたらすモフォロジーや電気的性質への影響

    野上大一, 鈴木一誓, 茂田井大輝, 小俣孝久

    2024年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会　2024/12/13

  6. 固体イオン交換における新たな平衡場を活用した酸化物半導体の合成

    鈴木一誓, 鷲津加子, 喜多正雄, 小俣孝久

    第50回固体イオニクス討論会　2024/12/11

  7. 薄膜太陽電池用の新規酸化物・硫化物半導体の開発 Invited

    鈴木一誓

    日本セラミックス協会 第3回若手産業技術研究交流会　2024/12/06

  8. 固体イオン交換を用いた準安定な酸化物の合成

    鈴木一誓, 喜多正雄, 鷲津加子, 小俣孝久

    第 44 回電子材料研究討論会　2024/11/22

  9. LPEによるSnSホモ接合の作製

    宮井隆行, 鈴木一誓, 長谷川将克, 小俣孝久, 川西咲子

    第53回結晶成長国内会議(JCCG-53)　2024/11/19

  10. Orientations and J-V characteristics of SnS homojunction solar cells fabricated by LPE

    T. Miyai, I. Suzuki, M. Hasegawa, T. Omata, S. Kawanishi

    PVSEC-35　2024/11/16

  11. 組成を精密制御したSnS薄膜の作製： 組成ずれがもたらすモフォロジーや電気的性質への影響

    野上大一, 茂田井大輝, 鈴木一誓, 小俣孝久

    令和6年度 日本セラミックス協会 東北北海道支部 研究発表会　2024/11/12

  12. 金属ターゲットと硫黄プラズマを用いた反応性スパッタによるCuxS・ZnS・SnS・WS2薄膜の作製

    茂田井 大輝, 野上 大一, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/19

  13. 固体イオン交換を活用した酸化物固溶体の合成：(Na,Ag)GaO2の例

    鈴木 一誓, 喜多 正雄, 小俣 孝久

    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/18

  14. 化学量論組成からのずれに起因する内因性欠陥がSnS薄膜の物性に与える影響

    野上 大一, 茂田井 大輝, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/17

  15. 角度分解EELSによるα-AgGaO2の励起子サイズ評価

    斎藤興也, 佐藤庸平, 寺内正己, 小俣孝久, 鈴木一誓, 吉川純

    日本物理学会 第79回年次大会　2024/09/15

  16. 30NaO1/2-20VO5/2-50PO5/2 ガラス中のNa イオンのプロトンへの置換による電子伝導性の抑制

    アマン シャルマ, 鈴木 一誓, 豊岡 慶, 石山 智大, 西井 準治, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム　2024/09/12

  17. 固体イオン交換を用いた準安定な酸化物固溶体の合成

    鈴木 一誓, 喜多 正雄, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム　2024/09/12

  18. Suppression of electronic conduction by local structural change around vanadium ions induced by replacing sodium ions with protons in vanadophosphate glass

    T. Omata, A. Sharma, I. Suzuki, K. Toyooka, T. Ishiyama, J. Nishii

    24th International Conference on Solid State Ionics (SSI24)　2024/07/16

  19. The evaluation of exciton size by angle-resolved EELS and the role of exciton size in photocatalytic function

    T. Saito, Y. K. Sato, M. Terauchi, T. Omata, I. Suzuki, J. Kikkawa

    EDGE2024 International Workshop on EELS and Related Techniques　2024/06/10

  20. 角度分解EELSによるβ-AgGaO2の励起子サイズ評価

    斎藤興也, 佐藤庸平, 寺内正己, 小俣孝久, 鈴木一誓, 吉川純

    日本顕微鏡学会 第80回学術講演会　2024/06/04

  21. qEELS による光エネルギー変換材料β-CuGaO2 の電子構造の研究

    大澤優太, 佐藤庸平, 寺内正己, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本顕微鏡学会 第80回学術講演会　2024/06/03

  22. SnSホモ接合太陽電池における短絡電流密度の向上

    宮井 隆行, 川西 咲子, 長谷川 将克, 鈴木 一誓, 小俣 孝久, 柏谷 悦章

    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/24

  23. 硫黄プラズマを援用したスパッタリングによる化学量論組成SnS薄膜の作製

    野上 大一, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月23日　2024/03/24

  24. Sn ターゲットと S プラズマの反応性スパッタリングによる SnS 薄膜の作製

    茂田井 大輝, 野上 大一, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/23

  25. 硫黄プラズマを用いた反応性スパッタリングによる種々の硫化物薄膜の作製

    鈴木 一誓, 茂田井 大輝, 野上 大一, 小俣 孝久

    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/22

  26. 角度分解EELSによるβ-AgGaO2の励起子サイズ評価

    斎藤興也, 佐藤庸平, 寺内正己, 小俣孝久, 鈴木一誓, 吉川純

    日本物理学会 2024年春季大会　2024/03/20

  27. q分解EELSを用いたβ-CuGaO2の電子構造の研究Ⅱ

    大澤優太, 斎藤興也, 佐藤庸平, 寺内正己, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本物理学会 2024年春季大会　2024/03/20

  28. β-LiGaO2のイオン交換による太陽電池材料β-CuGaO2の合成

    鈴木 一誓, 鷲津 加子, 喜多 正雄, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 2024年・年会　2024/03/16

  29. スプレーCVD法により成膜したCu3VO4薄膜の光学的・電気的特性

    喜多 正雄, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 2024年・年会　2024/03/16

  30. リン酸塩ガラスの熱安定性とプロトン伝導性に及ぼすWO3添加の効果

    アマン シャルマ, 鈴木 一誓, 石山 智大, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 2024年・年会　2024/03/14

  31. Synthesis of solar-cell absorber β-CuGaO2 by ion exchange of β-LiGaO2

    I. Suzuki, K. Washizu, M. Kita, T.Omata

    STAC-D2MatE 2024　2024/02/29

  32. DFT prediction and experimental verification of possibility of ion-exchange reactions in wurtzite-type ternary oxide semiconductors applicable to optoelectronic devices in a wide wavelength regions

    I. Suzuki, T. Omata

    MRM2023/IUMRS-ICA2023　2023/12/12

  33. イオン交換を用いた準安定化合物の合成

    鈴木 一誓, 小俣孝久

    2023年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会　2023/12/02

  34. 金属スズと硫黄プラズマの反応性スパッタリングによるSnS 薄膜の作製

    茂田井大輝, 野上大一, 鈴木一誓, 小俣孝久

    2023年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会　2023/12/01

  35. 酸化物とイオン結晶間の固相ー固相／固相ー液相イオン交換反応による準安定化合物の合成

    鈴木 一誓, 小俣孝久

    第49回固体イオニクス討論会　2023/11/17

  36. Synthesis of β-CuGaO;hin films by cation-exchange in alcohol

    S. Igarashi, I. Suzuki, T. Omata, M. Kita

    STI-Gigaku　2023/11/06

  37. Band gap engineering of Cu2ZnGeO4 with wurtzite-related structure

    S. Izumi, M. Inoue, T. Homma, I. Suzuki, T. Omata, M. Kita

    STI-Gigaku　2023/11/06

  38. Evaluation of electrical characteristics of Cu3VO4 thin film deposited by ultrasonic spray pyrolysis

    R. Fujimaru, I. Suzuki, T. Omata, M. Kita

    STI-Gigaku　2023/11/06

  39. イオン交換を用いた準安定な三元系ウルツ鉱型酸化物の合成

    鈴木 一誓, 小俣孝久

    連合年会2023（第36回日本イオン交換研究発表会・第42回溶媒抽出討論会）　2023/10/19

  40. リン蒸気供給法によるNaP化合物の合成

    森戸春彦, 熊谷悠, 鈴木一誓, 小俣孝久, 藤原航三

    日本金属学会 2023年秋期講演大会　2023/09/21

  41. Suppression of proton migration by SiO6 in phosphate glasses and its mitigation by AlO6 substitution

    T. Ishiyama, Y. Yamada, H. Nagashima, I. Suzuki, M. Fujioka, M. Ono, T. Omata, J. Nishii

    Solid State Proton Conductors (SSPC-21)　2023/09/18

  42. q分解EELSを用いたβ-CuGaO2の電子構造の研究

    大澤優太, 斎藤興也, 佐藤庸平, 寺内正己, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本物理学会 第78回年次大会　2023/09/18

  43. 放射光角度分解光電子分光を用いた太陽電池・熱電材料SnSの電子状態研究 Invited

    鈴木一誓

    日本物理学会 第78回年次大会　2023/09/17

  44. 副産物の有効利用に向けた機能材料開発；電気化学的陽イオン置換法によるヒ素を含有する準安定な機能性酸化物半導体の合成

    鈴木一誓, 小俣孝久, 渡邉寛人, 浅野聡

    資源・素材 2023　2023/09/13

  45. 角度分解光電子分光による SnS-SnSe 混晶半導体の有効質量の直接評価

    鈴木一誓, リンタクシン, 川西咲子, 田中清尚, 野瀬嘉太郎, 小俣孝久, 田中慎一郎

    日本セラミックス協会 第36回秋季シンポジウム　2023/09/07

  46. n型硫化スズの作製と太陽電池への応用

    鈴木一誓

    素材プロセシング第69委員会 第2分科会（新素材関連技術）第76回研究会　2023/07/25

  47. 硫黄プラズマ援用スパッタリング法による化学量論組成のSnS薄膜の作製

    野上大一, 鈴木一誓, 小俣孝久

    資源・素材学会 東北支部 2023年度春季大会　2023/06/08

  48. 三元系ウルツ鉱型酸化物半導体におけるイオン交換反応

    鈴木 一誓, 小俣孝久

    2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/16

  49. PGSカソードを用いたスパッタリング法によるSnS薄膜の作製

    野上大一, 鈴木一誓, 小俣孝久

    2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/16

  50. 三元系ウルツ鉱型酸化物半導体におけるイオン交換反応』2023

    鈴木 一誓, 小俣孝久

    2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/16

  51. 三元系ウルツ鉱型酸化物とイオン結晶のイオン交換反応

    鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2023年・年会　2023/03/10

  52. 近赤外・可視光域に直接遷移型ギャップを有する三元系ウルツ鉱型酸化物 Invited

    鈴木一誓

    日本セラミックス協会 2023年・年会　2023/03/10

  53. NbドープしたTiO2の水素雰囲気下での電気伝導度の増大とその起源

    白岩拓真, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2023年・年会　2023/03/08

  54. n型SnSの作製とホモ接合太陽電池への展開 Invited

    鈴木一誓

    2022年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会　2022/12/16

  55. 新たな擬固体リン酸ポリマー；無水シリコリン酸・ゲルマノリン酸ガラスのプロトン伝導性と中温域での安定性

    小俣孝久, Aman Sharma, 鈴木一誓, 石山智大, 西井準治

    第48回 固体イオニクス討論会　2022/12/06

  56. N-type SnS and its application to homojunction solar cells

    PVSEC-33　2022/11/16

  57. BaTiO3およびSrTiO3中のFe2+/3+遷移準位の伝導度測定による決定

    鈴木一誓, 小俣孝久, Leonard Gura, Andreas Klein

    第42回電子材料研究討論会　2022/11/11

  58. 角度分解光電子分光によるSnS価電子帯の原子軌道同定

    鈴木一誓, 川西咲子, 田中清尚, 田中慎一郎, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム　2022/09/21

  59. 偏光依存ARPESを用いたSnS価電子帯の電子構造の解析

    鈴木一誓, 川西咲子, 田中清尚, 田中慎一郎, 小俣 孝久

    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21

  60. n型電子伝導性酸化物MgIn2O4の高温での電気伝導性

    工藤咲季, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム　2022/09/14

  61. 副産物の有効利用に向けた機能材料開発：太陽電池材料Enargite型Cu3AsO4の電気化学的陽イオン置換による合成

    鈴木一誓, 小俣孝久, 渡邉寛人, 浅野聡

    資源・素材 2022　2022/09/06

  62. Proton Conductivity and Thermal Stability of Anhydrous Silico- and Germano-Phosphoric Acid Glasses International-presentation

    T. Omata, A. Sharma, I. Suzuki, T. Ishiyama, J. Nishii

    23rd International Conference on Solid State Ionics (SSI-23)　2022/07/19

  63. Close to energy gap band bending at SnS interface International-presentation

    I. Suzuki, B. Huang, S. Kawanishi, T. Omata, A. Klein

    E-MRS 2022 Spring Meeting　2022/06/02

  64. N-type SnS and its application to homojunction PV International-presentation Invited

    I. Suzuki, S. Kawanishi, S. R. Bauers, A. Zakutayev, B. Huang, Z. Lin, H. Shibata, A. Klein, H. Yanagi, T. Omata

    2022 MRS Spring Meeting & Exhibit　2022/05/23

  65. SnS–SnSe固溶体のホール有効質量のARPESによる直接評価

    鈴木一誓, リンタクシン, 川西咲子, 田中清尚, 野瀬嘉太郎, 小俣孝久, 田中慎一郎

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会　2022/03/25

  66. n型SnS単結晶/MoO3接合を用いた太陽電池の高変換効率化

    鈴木一誓, リンタクシン, 野上大一, 川西咲子, 小俣孝久

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会　2022/03/23

  67. n型SnS単結晶/MoO3接合を用いた太陽電池の変換効率の向上

    鈴木一誓, リンタクシン, 野上大一, 川西咲子, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2022年・年会　2022/03/12

  68. PLD 法で作製したβ-NaGaO2薄膜組成の基板-ターゲット間距離依存性

    鈴木惇市, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2022年・年会　2022/03/10

  69. スプレーパイロリシス法による β-NaGaO2薄膜の作製

    鈴木惇市, 渡邉竜也, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2022年・年会　2022/03/10

  70. 偏光を用いたバンド起源の解明：SnSの角度分解光電子分光

    田中慎一郎, 鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久, 田中清尚

    第35回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム　2022/01/09

  71. N-type conduction in Cl-doped SnS thin film International-presentation

    I. Suzuki, S. Kawanishi, S.R. Bauers, A. Zakutayev, H. Shibata, M. Kim, H. Yanagi, T. Omata

    Materials Research Meeting 2021　2021/12/14

  72. GeO2添加によるリン酸塩ガラスのプロトン移動度と熱安定性の向上

    小俣 孝久, Aman Sharma, 鈴木 一誓, 石山智大, 西井準治

    第47回固体イオニクス討論会　2021/12/08

  73. SnS 単結晶/MoO3 界面の電子構造と太陽電池への応用

    鈴木一誓, 川西咲子, リンタクシン, 小俣孝久, Binxiang Huang, Andreas Klein

    第41回電子材料研究討論会　2021/11/04

  74. ARPESによるSnSの価電子帯の原子軌道の同定

    鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久, 田中慎一郎

    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/12

  75. n型SnS単結晶/MoO3接合の太陽電池特性

    リンタクシン, 鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久

    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/11

  76. ウルツ鉱型関連構造のナローギャップ酸化物半導体 Cu2ZnGeO4の高温における相転移

    喜多正雄, 和田憲幸, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム　2021/09/02

  77. 大きなバンド屈曲を示すn型SnS/MoO3接合の太陽電池への応用

    リンタクシン, 鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム　2021/09/01

  78. β-CuGaO2薄膜の作製と特性評価

    鈴木惇市, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム　2021/09/01

  79. ARPES による SnS の価電子帯の電子構造の解明

    鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久, 田中慎一郎

    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム　2021/09/01

  80. Solution growth of large single crystals of n type tin monosulfide

    S. Kawanishi, I. Suzuki, T. Omata, H. Shibata

    ACCGE-22/OMVPE-20　2021/08/03

  81. N-Type SnS Thin Films Applicable for Homojunction Solar Cells International-presentation

    I. Suzuki, S. Kawanishi, S.R. Bauers, A. Zakutayev, H. Shibata, M. Kim, H. Yanagi, T. Omata

    2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit　2021/04/21

  82. Fabrication of pn Homojunction of SnS and Its Photovoltaic Properties International-presentation

    I. Suzuki, S. Kawanishi, S.R. Bauers, A. Zakutayev, H. Shibata, H. Yanagi, T. Omata

    2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit　2021/04/18

  83. N-Type SnS Thin Films Applicable for Homojunction Solar Cells International-presentation International-coauthorship

    I. Suzuki, S. Kawanishi, S.R. Bauers, A. Zakutayev, H. Shibata, M. Kim, H. Yanagi, T. Omata

    2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit　2021/04/18

  84. フェルミ準位がとりうるエネルギー範囲からみたSnS太陽電池のポテンシャル

    鈴木一誓, 川西咲子, リンタクシン, 小俣孝久, Huang Binxiang, Klein Andreas

    日本セラミックス協会 2021年・年会　2021/03/25

  85. パルスレーザー堆積法による化学量論組成のβ-NaGaO2薄膜作製

    鈴木惇市, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2021年・年会　2021/03/25

  86. SnS 太陽電池におけるVOC > 0.7 V の可能性：フェルミ準位の制御性の観点から

    鈴木一誓, Huang Binxiang, 川西咲子, リンタクシン, Klein Andreas, 小俣孝久

    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/16

  87. Understanding the effect of oxide components on proton mobility in phosphate glasses; statistical analysis and experimental studies

    T. Omata, I. Suzuki, A. Sharma, T. Kinoshita, T. Ishiyama, S. Kohara, T. Yamashita, H. Kawazoe, T. Fang, Y. Ren, M. Fujioka, M. Ono, G. Zhao, J. Nishii

    Solid State Proton Conductors (SSPC-20)　2021/01/01

  88. 機械学習を利用したリン酸塩ガラス中の各種成分のプロトン伝導性に及ぼす効果の理解

    小俣孝久, Aman Sharma, 鈴木一誓, 石山智大, 西井準治, 山下俊晴, 川副博司

    第46回固体イオニクス討論会　2020/12/09

  89. n型SnS の作製とホモ接合太陽電池への展開

    鈴木一誓, 川⻄咲子, Bauers Sage, Zakutayev Andriy, 柴田浩幸, Kim Minseok, 柳博, 小俣 孝久

    第40回電子材料研究討論会　2020/11/12

  90. SnS単結晶の溶液成長におけるハロゲン成分の寄与

    川西咲子, 鈴木一誓, 小俣孝久, 柴田浩幸

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)　2020/11/11

  91. スパッタリング法によるn型SnS薄膜の作製

    鈴木一誓, 川⻄咲子, Bauers Sage, Zakutayev Andriy, 柴田浩幸, Kim Minseok, 柳博, 小俣孝久

    2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/09

  92. pnホモ接合SnSの作製と太陽電池特性

    川⻄咲子, 鈴木一誓, Bauers Sage, Zakutayev Andriy, 柴田浩幸, 柳博, 小俣孝久

    2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/09

  93. n型SnS薄膜のスパッタリング法による作製

    鈴木一誓, 川西咲子, Bauers Sage, Zakutayev Andriy, 柴田浩幸, Kim Minseok, 柳博, 小俣 孝久

    資源・素材 2020　2020/09/09

  94. 副産物の有効利用に向けた機能材料開発：太陽電池材料 Enargite型 Cu3AsO4のイオン交換による合成

    鈴木一誓, 小俣孝久, 渡邉寛人, 浅野聡

    資源・素材 2020　2020/09/08

  95. パルスレーザー堆積法によるウルツ鉱型β-NaGaO2薄膜の作製

    鈴木惇市, 鈴木一誓, 小俣孝久, 喜多正雄

    日本セラミックス協会 第33回秋季シンポジウム　2020/09/03

  96. n型SnS薄膜の作製 International-presentation

    鈴木一誓, 川西咲子, Bauers Sage, Zakutayev Andriy, 柴田浩幸, Kim Minseok, 柳博, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第33回秋季シンポジウム　2020/09/03

  97. About the difficulties to achieve high photovoltages and conversion efficiencies with CuO and other Cu oxides

    A. Klein, D. Moritz, K. Schuldt, I. Suzuki

    Virtual Chalcogenide PV Conference 2020　2020/05/26

  98. パルスレーザー堆積法による β-NaGaO2薄膜の作製

    鈴木惇市, 鈴木一誓, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 2020年・年会　2020/03/19

  99. BaTiO3および SrTiO3単結晶中の Fe2+/3+遷移準位の決定

    鈴木一誓, 小俣孝久, Leonard Gura, Andreas Klein

    日本セラミックス協会 2020年・年会　2020/03/19

  100. 伝導度測定によるBaTiO3およびSrTiO3 中のFe2+/3+ 遷移 準位の決定

    鈴木一誓, 小俣孝久, Leonard Gura, Andreas Klein

    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12

  101. Growth of Halogen Doped n-Type SnS Single Crystals Using Self-Flux

    H. Yanagi, Y. Iguchi, K. Sato, K. Inoue, I. Suzuki, S. Kawanishi

    Materials Research Meeting 2019　2019/12/12

  102. Cl-doped SnS single crystal and its n-type conduction

    I. Suzuki, S. Kawanishi, Y. Iguchi, K. Sato, T. Omata, H. Yanagi

    2019 MRS Fall Meeting & Exhibit　2019/12/04

  103. Development of Mist-CVD Equipment for β-NaGaO2 Thin-Film Deposition International-presentation

    T. Watanabe, S. Suzuki, I. Suzuki, T. Omata

    TAIPEI TECH-IMRAM Symposium 2019　2019/11/26

  104. Growth of Cl-doped n-type SnS single crystals and their electrical properties

    H. Yanagi, Y. Iguchi, K. Sato, S. Kawanishi, I. Suzuki

    The 5th International Conference on Advanced Electromaterials　2019/11/06

  105. Phase transformations of the narrow gap oxide semiconductor Cu2ZnGeO4 with wurtzite-derived structure in Ar atmosphere

    M. Kita, I. Suzuki, N. Wada, T. Omata

    The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies (PACRIM13)　2019/10/28

  106. Effects of Cl implantation to SnS thin films

    M. Onaka, S. Kawanishi, I. Suzuki, H. Yanagi

    The 11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-11)　2019/10/07

  107. Band alignment and Fermi level shift of β-CuGaO2

    I. Suzuki, B. Huang, A. Klein, T. Omata

    The 11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-11)　2019/10/07

  108. パルス通電焼結装置を用いたClドープSnS焼結体の作製

    西村肇, 平井伸治, 鈴木一誓, 小俣孝久, 川西咲子

    2019年度 資源・素材関係学協会合同秋季大会　2019/09/25

  109. 副産物の有効利?に向けた機能材料開発：Enargite型Cu As(S,O)4 の太陽電池材料としてのポテンシャル

    鈴木一誓, 小俣孝久, 大橋直樹, 渡邉寛人, 浅野聡

    2019年度 資源・素材関係学協会合同秋季大会　2019/09/24

  110. n型SnS単結晶の電子状態

    鈴木一誓, 川西咲子, 井口雄喜, 佐藤孝一, 小俣孝久, 柳博

    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019/09/19

  111. Energy band alignment and electrical properties of ferroelectrics

    B. Huang, K. Schuldt, N. Bein, I. Suzuki, A. Klein

    Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM meeting 2019　2019/07/18

  112. Electronic structure and band alignment of ternary wurtzite-type oxide semiconductor, β-CuGaO2

    I. Suzuki, N. Ohashi, A. Klein, T. Omata

    The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11)　2019/07/09

  113. ミスト CVD 法によるβ-NaGaO2薄膜の作製とβ-CuGaO2薄膜へのイオン交換

    鈴木 一誓, 竹村 沙友理, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 2019年・年会　2019/03/25

  114. The Fermi energy in acceptor doped SrTiO3 and BaTiO3

    A. Klein, I. Suzuki, B. Huang, K. Schuldt, C.C. Chavarria

    Nonstoichiometric Compounds VII　2019/03/11

  115. Novel candidate for solar cell absorber: Ternary wurtzite-type β-CuGaO2

    I. Suzuki

    Research seminar at National Renewable Energy Laboratory (NREL)　2018/12/11

  116. ウルツ鉱型関連構造のナローギャップ酸化物半導体Cu2ZnGeO4の高温相変化

    喜多 正雄, 和田 憲幸, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    第21回日本セラミックス協会北陸支部秋季研究発表会　2018/11/23

  117. 三元系ウルツ鉱型酸化物：β-CuGaO2の電子構造とバンドアラインメント

    鈴木一誓, 大橋直樹, Andreas Klein, 小俣孝久

    第38回 エレクトロセラミックス研究討論会　2018/11/15

  118. ナローバンドギャップ酸化物半導体：β-CuGaO2 の電子構造とバンドアラインメント

    鈴木一誓, 大橋直樹, Andreas Klein, 小俣孝久

    平成20年度 日本セラミックス協会 東北北海道支部研究発表会　2018/11/02

  119. Cu deficiency in the narrow gap oxide semiconductor Cu2ZnGeO4with wurtzite-derived structure International-presentation

    M. Kita, I. Suzuki, N. Wada, T. Omata

    10th International Workshop on Zinc Oxide and Other Oxide Semiconductors (IWZnO 2018)　2018/09/12

  120. Conductivity Control of Ternary Wurtzite β-AgGaO2 by Impurity Doping International-presentation

    I. Suzuki, H. Nagatani, S. Takemura, M. Kita, T. Omata

    10th International Workshop on Zinc Oxide and Other Oxide Semiconductors (IWZnO 2018)　2018/09/12

  121. Fabrication of β-CuGaO2 Thin Films International-presentation

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, T. Omata

    10th International Workshop on Zinc Oxide and Other Oxide Semiconductors (IWZnO 2018)　2018/09/12

  122. プロトン伝導性リン酸塩ガラスのプレス加工による薄板化

    田代真敬, 山口拓哉, 石山智大, 鈴木一誓, 西井準治, 山下俊晴, 川副博司, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム　2018/09/07

  123. ミスト CVD 法による β-NaGaO2薄膜の作製

    竹村 沙友理, 鈴木 一誓, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム　2018/09/05

  124. プロトン伝導性リン酸塩ガラスのホットプレスによる薄板化

    鈴木一誓, 田代真敬, 山口拓哉, 石山智大, 西井準治, 山下俊晴, 川副博司, 小俣孝久

    第14回固体イオニクスセミナー　2018/09/02

  125. XPS study of the band alignment of β-CuGaO2 with other oxides International-presentation

    I. Suzuki, A. Klein, T. Omata

    Data Science in Life Science and Engineering Collaboration and Symposium, 5th CWRU-Tohoku Joint Workshop　2018/08/03

  126. The influence of electrode material on the resistance degradation of Fe-doped SrTiO3 International-presentation

    B. Huang, I. Suzuki, R. Giesecke, A. Klein

    Electroceramics XVI　2018/07/09

  127. 不純物ドーピングによるβ-AgGaO2の伝導性制御

    竹村沙友理, 鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 小俣孝久

    資源・素材学会 平成30年度東北支部総会・春季大会　2018/05/25

  128. BaTiO3単結晶中におけるFe不純物準位の直接測定

    鈴木一誓, Andreas Klein

    日本セラミックス協会 2018年・年会　2018/03/15

  129. ウルツ鉱型酸化物半導体 β-AgGaO2の伝導性制御

    竹村沙友理, 長谷拓, 鈴木一誓, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2018年・年会　2018/03/15

  130. ウルツ鉱型関連構造のナローギャップ酸化物半導体 Cu2ZnGeO4の結晶構造と電子構造の解析

    喜多正雄, 井上誠, 鈴木一誓, 大橋直樹, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2018年・年会　2018/03/15

  131. Direct observation of the Fe impurity levels in BaTiO3 single crystal by electrical measurement International-presentation

    I. Suzuki, A. Klein

    2017 MRS Fall Meeting & Exhibit　2017/11/30

  132. Crystal and electronic structure of quaternary narrow gap oxide semiconductor Cu2ZnGeO4 with a wurtzite-derived structure International-presentation

    M. Kita, I. Suzuki, M. Inoue, T. Omata

    2017 MRS Fall Meeting & Exhibit　2017/11/28

  133. ウルツ鉱関連構造のナローギャップ酸化物半導体 Cu2ZnGeO4の結晶構造と電子構造

    喜多正雄, 鈴木一誓, 小俣孝久

    第２０回日本セラミックス協会北陸支部秋季研究発表会　2017/11/24

  134. Modification of Schottky barrier heights during resistance degradation of Fe-doped SrTiO3 International-presentation

    R. Giesecke, B. Huang, I. Suzuki, A. Klein

    21st International Conference on Solid State Ionincs　2017/06/20

  135. ウルツ鉱型関連構造の4元系ナローギャップ酸化物半導体 Cu2ZnGeO4の高温における相変化

    喜多 正雄, 井上 誠, 和田 憲幸, 鈴木 一誓, 長谷 拓, 小俣 孝久

    日本セラミックス協会 2017年・年会　2017/03/17

  136. New quaternary narrow gap oxide semiconductor Cu2ZnGeO4 with a wurtzite-derived structure International-presentation

    M. Kita, I. Suzuki, H. Nagatani, Y. Mizuno, M. Inoue, T. Omata

    9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2016)　2016/11/01

  137. Band gap engineering of wurtzite β-CuGaO2 by alloying with β-CuAlO2 and β-LiGaO2 and their electronic structures International-presentation

    T. Omata, H. Nagatani, Y. Mizuno, I. Suzuki, M. Kita, N. Ohashi

    9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2016)　2016/11/01

  138. Flux grouwth of ternary wurtzite β-NaGaO2 and β-LiGaO2 single crystals International-presentation

    A. Kakinuma, I. Suzuki, M. Ueda, T. Omata

    9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2016)　2016/11/01

  139. Control of electrical conductivity of ternary wurtzite β-AgGaO2 International-presentation

    H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, T. Omata

    9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2016)　2016/10/30

  140. Ternary and quaternary wurtzite-type oxide semiconductors: b -CuGaO2 and its related materials International-presentation

    T. Omata, Y. Mizuno, I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita

    Compound Semiconductor Week 2016　2016/06/30

  141. 新しいナローギャップ酸化物半導体の探索：多元系ウルツ鉱型化合物

    鈴木一誓

    透明酸化物光・電子材料第166委員会 第70回研究会　2016/01/29

  142. Fabrication of β-CuGaO2 thin films; An oxide thin-film solar cell absorber International-presentation

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, T. Omata

    2015 MRS Fall Meeting & Exhibit　2015/12/02

  143. Fabrication of β-CuGaO2 thin films; An oxide thin-film solar cell absorber International-presentation

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, T. Omata

    The 9th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-9) and the 9th Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-9)　2015/10/20

  144. Band gap engineering of wurtzite-type narrow band gap semiconductor β-CuGaO2 International-presentation

    Y. Mizuno, H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, T. Omata

    The 9th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-9) and the 9th Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-9)　2015/10/20

  145. Flux growth of β-NaGaO2 single crystals and their ion-exchange to fabricate β-CuGaO2 and β-AgGaO2 International-presentation

    A. Kakinuma, I. Suzuki, M. Ueda, T. Omata

    The 9th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-9) and the 9th Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-9)　2015/10/20

  146. ウルツ鉱型酸化物半導体β-CuGaO2, β-AgGaO2への不純物ドーピング

    長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム　2015/09/18

  147. ウルツ鉱型ナローバンドギャップ半導体β-CuGaO2のバンドエンジニアリング

    水野裕貴, 長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム　2015/09/18

  148. ウルツ鉱型関連構造の4元系ナローギャップ酸化物半導体Cu2ZnGeO4 の合成

    喜多正雄, 鈴木一誓, 長谷拓, 水野裕貴, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム　2015/09/18

  149. Fabrication of β-CuGaO2 thin films International-presentation

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, T. Omata

    17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials　2015/09/15

  150. Novel ternary wurtzite semiconductor β-CuGaO2 International-presentation

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, H. Yanagi, T. Omata

    17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials　2015/09/15

  151. ウルツ鉱型酸化物半導体β-CuGaO2, β-AgGaO2への不純物ドーピング

    長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 小俣孝久

    資源素材学会 平成27年度資源・素材関係学協会合同秋季大会　2015/09/08

  152. 酸化物薄膜太陽電池材料β-CuGaO2の薄膜作製

    鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 小俣孝久

    資源素材学会 平成27年度資源・素材関係学協会合同秋季大会　2015/09/08

  153. フラックス 法によるβ-NaGaO2単結晶の育 成とそのイオン交換

    柿沼綾子, 鈴木一誓, 上田正人, 小俣孝久

    資源素材学会 平成27年度資源・素材関係学協会合同秋季大会　2015/09/08

  154. 新規酸化物半導体：ウルツ鉱型 β-CuGaO2

    鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 井口雄喜, 佐藤千友紀, 柳博, 大橋直樹, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2015年・年会　2015/03/20

  155. ウルツ鉱型β-CuGaO2の第一原理計算

    鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 井口雄喜, 佐藤千友紀, 柳博, 大橋直樹, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2015年・年会　2015/03/20

  156. Novel ternary wurtzite-type semiconductor, β-CuGaO2 International-presentation

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    2014 MRS Fall Meeting & Exhibit　2014/12/03

  157. First principle calculations of wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2 International-presentation

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    2014 MRS Fall Meeting & Exhibit　2014/12/01

  158. Band gap narrowing of ZnO by alloying with β-AgGaO2 International-presentation

    I. Suzuki, Y. Arima, M. Kita, T. Omata

    8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2014)　2014/09/09

  159. A new ternary oxide semiconductor; Wurtzite CuGaO2 International-presentation

    H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2014)　2014/09/08

  160. First principle calculation of electronic band structure of wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2 International-presentation

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2014)　2014/09/08

  161. Band gap engineering of wurtzite-derived CuGaO2 with CuAlO2 International-presentation

    Y. Mizuno, H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, T. Omata

    The 3rd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion　2014/08/25

  162. A new direct and narrow band gap oxide semiconductor; Wurtzite CuGaO2 International-presentation

    H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    The 3rd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion　2014/08/25

  163. First principle calculations of electronic band structures of wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2 International-presentation

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    The 3rd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion　2014/08/25

  164. ウルツ鉱型β-CuGaO2、β-AgGaO2の第一原理計算

    鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 井口雄喜, 佐藤千友紀, 柳博, 大橋直樹, 小俣孝久

    第9回日本セラミックス協会関西支部学術講演会　2014/07/25

  165. 接遷移型ナローギャップ半導体；ウルツ鉱型β-CuGaO2

    長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 柳博, 田中雅彦, 勝矢良雄, 坂田修身, 大橋直樹, 小俣孝久

    第9回日本セラミックス協会関西支部学術講演会　2014/07/25

  166. CuAlO2との混晶化によるウルツ鉱型CuGaO2のバンドギャップエンジニアリング

    水野裕貴, 長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 小俣孝久

    第9回日本セラミックス協会関西支部学術講演会　2014/07/25

  167. A new direct and narrow band gap oxide semiconductor; Wurtzite CuGaO2 International-presentation

    H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8)　2014/06/26

  168. First principle calculations of electronic band structures of wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2 International-presentation

    I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata

    The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8)　2014/06/26

  169. 新規酸化物半導体材料の探索；ウルツ鉱型I-III-O2化合物半導体

    小俣孝久, 鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄

    2014年応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

  170. AgGaO2との混晶化によるZnOのバンドギャップナローイング

    鈴木一誓, 長谷拓, 有馬優太, 喜多正雄, 小俣孝久

    2014年応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

  171. 直接遷移型ナローギャップ半導体；ウルツ鉱型β-CuGaO2

    長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 柳博, 田中雅彦, 勝矢良雄, 大橋直樹, 小俣孝久

    2014年応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

  172. 第一原理計算によるウルツ鉱型β-CuGaO2、β-AgGaO2の電子構造解析

    鈴木一誓, 長谷拓, 喜多正雄, 井口雄喜, 佐藤千友紀, 柳博, 大橋直樹, 小俣孝久

    2014年応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

  173. ウルツ鉱型酸化物半導体β-CuGaO2、β-AgGaO2の伝導性制御

    長谷拓, 鈴木一誓, 常深浩, 井藤幹夫, 喜多正雄, 小俣孝久

    2014年応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

  174. 新規の薄膜太陽電池用酸化物半導体; β-CuGaO2

    長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 柳博, 大橋直樹, 小俣孝久

    資源素材学会 第10回・若手研究者・学生のための研究発表会　2013/12/12

  175. 高移動度アモルファス酸化物半導体a-Cd-Ga-Oの作製とバンドギャップ制御

    佐藤千友紀, 柳博, 鈴木一誓, 小俣孝久, 神谷利夫, 細野秀雄

    第29回日本セラミックス協会関東支部研究発表会　2013/09/11

  176. Band-gap engineering of high mobility amorphous oxide semiconductor, a-Cd-Ga-O International-presentation

    C. Sato, H. Yanagi, I. Suzuki, T. Omata, T. Kamiya, H. Hosono

    The 2nd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion　2013/09/02

  177. Band gap engineering of ZnO by alloying with β-AgGaO2 International-presentation

    I. Suzuki, Y. Arima, M. Kita, T. Omata

    The 2nd International Seminar: International Workshop on Green Energy Conversion　2013/09/02

  178. Band gap narrowing of ZnO by alloying with β-AgGaO2 International-presentation

    I. Suzuki, Y. Arima, M. Kita, T. Omata

    8th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO8)　2013/05/15

  179. Band-gap control in amorphous oxide semiconductor Cd-Ga-O thin films International-presentation

    C. Sato, H. Yanagi, I. Suzuki, T. Omata, T. Kamiya, H. Hosono

    2013 MRS Spring Meeting & Exhibit　2013/04/03

  180. New pseudo-binary alloy system of x(AgGaO2)1/2-(1-x)ZnO for band gap narrowing of ZnO International-presentation

    I. Suzuki, Y. Arima, M. Kita, T. Omata

    2013 MRS Spring Meeting & Exhibit　2013/04/02

  181. 新規のウルツ鉱型酸化物ナローギャップ半導体β-CuGaO2

    長谷拓, 鈴木一誓, 喜多正雄, 柳博, 小俣孝久

    資源素材学会 平成24年度春季大会　2013/03/29

  182. 新規アモルファス酸化物半導体Cd-M-O薄膜(M = Ga, Si)の作製とバンドギャップ制御

    柳博, 佐藤千友紀, 高木暢人, 鈴木一誓, 小俣孝久, 神谷利夫, 細野秀雄

    2013年第60回応用物理学会春季学術講演会　2013/03/29

  183. β-AgGaO2の固溶によるZnOのバンドギャップナローイング

    鈴木一誓, 有馬優太, 喜多正雄, 小俣孝久

    資源素材学会 平成24年度春季大会　2013/03/29

  184. β-AgGaO2の固溶によるZnOのバンドギャップナローイング

    鈴木一誓, 有馬優太, 喜多正雄, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2013年・年会　2013/03/18

  185. アモルファスCd-Ga-O薄膜の作製と電気・光学特性の組成依存

    佐藤千友紀, 柳博, 鈴木一誓, 小俣孝久, 神谷利夫, 細野秀雄

    日本セラミックス協会 2013年・年会　2013/03/18

  186. ZnF2薄膜の作製と光学的性質

    鈴木一誓, 小俣孝久, 白土優, 中谷亮一, 松尾伸也

    日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム　2012/09/20

  187. ZnF2薄膜の作製と光学的性質

    鈴木一誓, 小俣孝久, 白土優, 中谷亮一, 松尾伸也

    資源素材学会 第8回・若手研究者・学生のための研究発表会　2011/12/12

  188. Fabrication of ZnF2 thin film and their transparency in vacuum ultraviolet International-presentation

    I. Suzuki, T. Omata, Y. Shiratsuchi, R. Nakatani, S. Otsuka-Yao-Matsuo

    IUMRS-ICA 12th International Conference in Asia　2011/09/11

  189. 硫黄プラズマ援用スパッタリングを用いた化学量論組成SnS 薄膜の作製

    野上大一, 鈴木一誓, 小俣孝久

    2023年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会

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Industrial Property Rights 4

  1. ｎ型ＳｎＳ薄膜、光電変換素子、太陽光電池、ｎ型ＳｎＳ薄膜の製造方法、およびｎ型ＳｎＳ薄膜の製造装置

    鈴木一誓, 川西咲子, 柳博

    Property Type: Patent

  2. ヒ酸銅化合物、太陽電池材料用ヒ酸銅化合物、およびヒ酸銅化合物の製造方法

    小俣孝久, 鈴木一誓, 浅野聡

    Property Type: Patent

  3. 半導体用材料およびその製造方法

    小俣孝久, 鈴木一誓, 長谷拓

    Property Type: Patent

  4. 半導体材料

    小俣孝久, 有馬優太, 鈴木一誓

    Property Type: Patent

Research Projects 12

  1. Creation of novel thermoelectric silicon clathrates using sodium-based composite metal flux

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)

    Institution: Tohoku University

    2024/06 - 2028/03

  2. リン酸塩ガラス中のプロトン輸送を律する機構の解明；高速プロトン伝導の実現に向けて

    小俣 孝久, 山崎 智之, 鈴木 一誓

    Offer Organization: 日本学術振興会

    System: 科学研究費助成事業

    Category: 基盤研究(A)

    Institution: 東北大学

    2024/04/01 - 2027/03/31

  3. Innovative approach for single crystal growth using solid-state ion exchange

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    Institution: Tohoku University

    2024/06/28 - 2026/03/31

  4. Novel synthesis method for inorganic materials: electrochemical cation substitution

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    Institution: Tohoku University

    2022/06/30 - 2024/03/31

  5. 次世代燃料電池ITFCを実現する電極反応の全貌解明とその高速化

    小俣 孝久, 石山 智大, 鈴木 一誓

    Offer Organization: 日本学術振興会

    System: 科学研究費助成事業 基盤研究(A)

    Category: 基盤研究(A)

    Institution: 東北大学

    2021/04/05 - 2024/03/31

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    本年度は各種評価に供するWO3焼結体および薄膜の作製方法を重点的に検討し、高密度焼結体の作製方法を確立するとともに、薄膜の堆積条件が薄膜組織、生成相に与える効果を明らかにした。特に薄膜においては、電極性能に有利と思われる粒径5nm程度のナノ結晶の堆積条件を明らかにした。このような組織は従来報告されていない新たな発見である。これらの試料を用いて以下を行った。 (1-a) 昇温脱離分析による吸着気体の定性および定量分析：300℃の水素雰囲気で水素を注入したWO3焼結体の昇温脱離を行った。WO3バルクに溶解した水素を定量した。バルク溶解した水素は、昇温脱離により主にH2Oとして脱離し、H2Oの1/50程度がH2として脱離することを明らかにした。H2として脱離する水素は表面吸着した水素を含む。 (1-b) 水素および酸素の表面交換反応速度の評価・解析： 2H(D)および18Oの濃度の深さプロファイルのSIMS測定に供するWO3焼結体の同位体交換条件を検討した。 (1-c) インピーダンス解析による電極抵抗の評価・解析：WO3焼結体のプロトン伝導度評価法を見直し、電子ブロッキング電極を用いた直流伝導度測定により、混合伝導性の詳細を明らかにするとともに、各種電極候補材料に適用可能な混合伝導性の評価方法を確立した。 (2-a) ラマン分光法による吸着酸素とWO3酸化物表面の化学状態解析：購入した高温雰囲気調整ステージを改造しラマン分光測定の方法を確立した。 (2-b) X線光電子分光法による吸着気体分子と電極材料の電子状態の評価解析：酸素分圧の異なる雰囲気で作製したWO3薄膜を前処理なしにXPS測定し、W5+/W6+イオンの状態がXPSで捕捉できることを確認した。また価電子帯スペクトル、O1sスペクトルから、それらに与える吸着酸素の効果の測定方法を検討した。

  6. Frontier of the compound thin-film solar cells with homojunction SnS

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    Institution: Tohoku University

    2021/04/01 - 2024/03/31

  7. Control of non-equilibrium defects and n-type thin film of environmentally friendly next-generation solar cell material SnS

    Yanagi Hiroshi

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    Institution: University of Yamanashi

    2019/04/01 - 2022/03/31

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    To increase the Cl concentration in the films, we fabricated thin films using Cl-doped powders and single crystals as source materials and achieved a maximum Cl concentration of 1.8 at.%. By optimizing the film preparation method and conditions to reduce the in-gap states, a highly oriented film with an absorption coefficient of <2x10E4 cm-1 in the bandgap region was successfully fabricated. The carrier concentration was estimated to be <10E16 cm-3. It was also found that the p/n conduction type can be controlled by a slight change in the Sn/S ratio by optimizing the growth conditions of undoped single crystals. Furthermore, p-type SnS was deposited on n-type single crystals by the sublimation method to fabricate pn homojunctions, and clear rectifying properties were observed.

  8. Next Generation Thin Film Solar Cell Material SnS: Pursuit of Solid State Chemistry for Homojunction

    Yanagi Hiroshi

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (B))

    Institution: University of Yamanashi

    2018/10/09 - 2022/03/31

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    The n-type SnS thin film was realized by optimizing the film deposition conditions using a combinatorial sputtering method at NREL (USA). N-type SnS thin film was realized by supplying atomic sulfur, which reduces the number of in-gap states. It was found that SnS solar cells are expected to have a high open-circuit voltage of ~0.7 V if the interface defects at the p-n interface are suppressed, according to the XPS measurements performed at TU Darmstadt (Germany). A prototype homojunction solar cell was fabricated by forming a p-type thin film on an n-type single crystal. The conversion efficiency of 1.4% was lower than that of existing heterojunction solar cells, but the open-circuit voltage was as high as 0.36 V, demonstrating the effectiveness of homojunction solar cells.

  9. Development of novel cathode materials to realize intermediate temperature fuel cells; A major change of the material exploring field

    Omata Takahisa

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    Category: Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    Institution: Tohoku University

    2019/06/28 - 2021/03/31

    More details Close

    The proton conductivity of H0.39WO3 was determined to be 1.4×10-3 to 1.1×10-1Scm-1 at 300°C from the hydrogen permeation measurement and the proton conductivity measurement using a phosphate glass as a blocking electrode. This value is higher than the proton conductivity of phosphate glass electrolytes, indicating that the proton conductivity of WO3 is extremely high and the WO3-based materials have high potential as a cathode material. The electronic conductivity of the WO3-based material was successfully maintained at 10 Scm-1 in air at 300°C by Ca0.02HxWO3; the electronic conductivity is sufficient for cathode materials.

  10. Fast proton transport in WO3: its demonstration and elucidation of the mechanism

    Suzuki Issei

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

    Category: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

    Institution: Tohoku University

    2019/04/01 - 2021/03/31

    More details Close

    Tungsten oxide (WO3) is known to exhibit high electronic conduction due to the simultaneous injection of electrons and protons (monovalent hydrogen ions) by voltage application or light irradiation. However, the conductive property of injected protons has been little studied so far. In this study, hydrogen permeation measurements were performed on proton-injected WO3 (HxWO3) and it was shown for the first time that HxWO3 is a mixed conductor with high protonic conduction in addition to the electronic conduction.

  11. New Developments in Oxide Semiconductors; Material Science and Device Technology of Narrow-Gap Wurtzite Oxides

    Omata Takahisa

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    Institution: Tohoku University

    2017/04/01 - 2021/03/31

    More details Close

    In this study, we investigated mist CVD and PLD methods for the fabrication of β-NaGaO2 thin films, which are precursors of β-CuGaO2. For the mist-CVD method, we developed a new deposition apparatus. By using the new apparatus, deposition of β-NaGaO2 thin film with nearly stoichiometric composition (average composition of Na:Ga=1:0.91) and homogeneous morphology was successful. For the PLD method, we succeeded in depositing β-NaGaO2 thin film with stoichiometric composition and homogeneous microstructure by reducing the distance between target and substrate. XPS analysis revealed that the band alignment of β-CuGaO2 and Al-doped ZnO is Type II, and the electrons and holes generated by photoexcitation are separated, indicating that the p/n junctions of β-CuGaO2 with ZnO is applicable to thin-film solar cells.

  12. 三元系酸化物群の基礎物性の解明

    鈴木 一誓

    Offer Organization: 日本学術振興会

    System: 科学研究費助成事業 特別研究員奨励費

    Category: 特別研究員奨励費

    Institution: 大阪大学

    2014/04/25 - 2016/03/31

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    前年度に引き続き、β-NaFeO2型酸化物の電子構造を第一原理計算によって解析し、結晶構造が電子構造に与える影響を検討した。Cu+やAg+などのd10電子配置のイオンを含むβ-NaFeO2型酸化物の電子構造においては、Cu+やAg+の周囲の局所構造や、最近接原子間距離（Cu-Cu、Ag-Ag距離）が、価電子帯の分散を決定する因子であることを明らかにした。これらの成果は、論文二報として発表予定である。 また、β-CuGaO2薄膜の前駆体となるβ-NaGaO2薄膜を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法によって作製し、各種成膜パラメータが得られる薄膜の組成や結晶性、配向性にどのような影響を与えるかを検討した。成膜するサファイア基板の配向面によって、種々の配向性をもつβ-NaGaO2薄膜が得られることが明らかとなった。また、スパッタリングや電子ビームによる成膜では、時間経過によってターゲットの組成が変化してしまうため、化学量論組成のβ-NaGaO2薄膜を得るためには、ターゲットの組成が変化しづらい成膜方法を検討する必要がある。

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Teaching Experience 3

  1. エネルギー材料科学　東北大学工学部

  2. 工学英語II　東北大学工学部

  3. 界面物理化学　東北大学工学部