研究者詳細

顔写真

カイ　タダシ
甲斐　正
Tadashi Kai
所属
国際集積エレクトロニクス研究開発センター　研究開発部門
職名
教授
学位

  • 博士（工学）（慶應義塾大学）

  • 修士（工学）（慶應義塾大学）

e-Rad 研究者番号
60296746

経歴 6

  • 2025年6月 ～ 継続中
    東北大学　国際集積エレクトロニクス研究開発センター 研究開発部門　教授

  • 2019年9月 ～ 2025年2月
    サムソン電子株式会社　半導体研究所　首席研究官

  • 2017年 ～ 2019年7月
    東芝メモリ株式会社　メモリ技術研究所　主幹

  • 2000年9月 ～ 2017年
    株式会社 東芝　研究開発センター　研究主幹

  • 1998年8月 ～ 2000年7月
    University of Alabama　MINT Center　Post Doctoral researcher

  • 1997年4月 ～ 1998年3月
    慶應義塾大学　理工学部　助手

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学歴 2

  • 慶應義塾大学　理工学研究科　計測工学専攻

    1992年4月 ～ 1997年3月

  • 慶應義塾大学　理工学部　計測工学科

    1988年4月 ～ 1992年3月

委員歴 1

  • 日本磁気学会　編集委員、論文委員、広報委員

    2001年 ～ 2010年

研究キーワード 1

  • スピントロニクス

研究分野 1

  • ナノテク・材料 / ナノ材料科学 / スピントロニクス、固体物性、電子状態、計算物理

論文 33

  1. World-most energy-efficient MRAM technology for non-volatile RAM applications 査読有り

    T. Y. Lee, J. M. Lee, M. K. Kim, J. S. Oh, J. W. Lee, H. M. Jeong, P. H. Jang, M. K. Joo, K. Suh, S. H. Han, D. -E. Jeong, T. Kai, J. H. Jeong, J. -H. Park, J. H. Lee, Y. H. Park, E. B. Chang, Y. K. Park, H. J. Shin, Y. S. Ji, S. H. Hwang, K. T. Nam, B. S. Kwon, M. K. Cho, B. Y. seo, Y. J. Song, G. H. Koh, K. Lee, J. -H. Lee, G. T. Jeong

    2022 International Electron Device Meeting (IEDM2022)　2022年

  2. 28nm CIS-Compatible Embeded STT-MRAM for Frame Buffer Memory 査読有り

    K. Lee, D. S. Kim, J. H. Bak, S. P. Ko, W. C. Lim, H. C. Shin, J. H. Lee, J. H. Park, J. H. Jeong, J. M. Lee, T. Kai, H. Sato, J. W. Lee, K. H. Ryu, Y. J. Kim, S. H. Han, B. Y. Seo, K. S. Suh, H. H. Kim, H. T. Jung, D. H. Jang, N. Y. Ji, M. J. Eom, I. H. Kim, K. Lee, K. H. Hwang, Y. J. Song, H. S. Kim

    2021 International Electron Device Meeting (IEDM2021)　2021年

  3. Ab initio calculation of interlayer exchange coupling in Co-based synthetic antiferromagnetic with alloy spacer 査読有り

    R. Takashima, T. Tsukagoshi, T. Ishihara, T. Kai

    AIP Advance　10　015324　2020年

  4. Effect of reference layer magnetic properties on storage layer switching properties with STT-MRAM 査読有り

    S. Itai, T. Kai, J. Ozeki, M. Nakayama, J. Ito, T. Ishihara

    2019 Joint MMM- Intermag Conference　2019年

  5. High efficient spin transfer torque writing on perpendicular magnetic tunnel junctions for high density MRAMs 査読有り

    H. Yoda, T. Kishi, T. Nagase, M. Yoshikawa, K. Nishiyama, E. Kitagawa, T. Daibou, M. Amano, N. Shimomura, S. Takahashi, T. Kai, M. Nakayama, H. Aikawa, S. Ikegawa, M. Nagamine, J., Ozeki, S. Mizukami, M. Oogane, Y. Ando, S. Yuasa, K. Yakushiji, H. Kubota, Y. Suzuki, Y., Nakatani, T. Miyazaki, K. Ando

    Current Appl. Phys.　10　e87　2010年

  6. Reduction of switching current distribution in spin transfer magnetic random access memories 査読有り

    M. Iwayama, T. Kai, M. Nakayama, H. Aikawa, Y. Asao, T. Kajiyama, S. Ikegawa, H. Yoda, A. Nitayama

    Journal of Applied Physics　103　07A720　2008年

  7. Spin transfer switching in TbCoFe/CoFeB/MgO/CoFeB/TbCoFe magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy 査読有り

    M. Nakayama, T. Kai, N. Shimomura, M. Amano, E. Kitagawa, T. Nagase, M. Yoshikawa, T. Kishi, S. Ikegawa, H. Yoda

    J. Appl. Phys.　103　07A710　2008年

  8. Estimation of spin transfer torque effect and thermal activation effect on magnetization reversal in CoFeB∕MgO∕CoFeB 査読有り

    M. Yoshikawa, E. Kitagawa, S. Takahashi, T. Kai, M. Amano, N. Shimomura, T. Kishi, S., Ikegawa, Y. Asao, H. Yoda, K. Nagahara, H. Numata, N. Ishiwata, H. Hada, S. Tahara

    Journal of Applied Physics　99　08R702　2007年

  9. Reduction of switching field distributions by edge oxidization of submicron magnetoresistive tunneling junction cells for high-density magnetoresistive random access memories 査読有り

    M. Yoshikawa, E. Kitagawa, S. Takahashi, T. Kai, M. Amano, N. Shimomura, T. Kishi, S., Ikegawa, Y. Asao, H. Yoda, K. Nagahara, H. Numata, N. Ishiwata, H. Hada, S. Tahara

    Journal of Applied Physics　99　08R702　2006年

  10. Ion-beam-etched profile control of MTJ cells for improving the switching characteristics of high-density MRAM 査読有り

    S. Takahashi, T. Kai, N. Shimomura, T. Ueda, M. Amano, M. Yoshikawa, E. Kitagawa, Y. Asao, S. Ikegawa, T. Kishi, H. Yoda, K. Nagahara, T. Mukai, H. Hada

    IEEE Transactions on Magnetics,　42　2745　2006年

  11. 1.8 V power supply 16Mb-MRAMs with 42.3% array efficiency 査読有り

    H. Yoda, T. Kai, T. Inaba, Y. Iwata, N. Shimomura, S. Ikegawa, K. Tsuchida, Y. Asao, T. Kishi, T. Ueda, S. Takahashi, M. Nagamine, T. Kajiyama, M. Yoshikawa, M. Amano, T. Nagase, K. Hosotani, M. Nakayama, Y. Shimizu, H. Aikawa, K. Nishiyama, E. Kitagawa, R. Takizawa, Y. Ueda, M. Iwayama, K. Itagaki

    IEEE Transactions on Magnetics,　42　2724　2006年

  12. Disturb robust switching astroid curve od C-shape cell with weakly coupled synthetic antiferromagnetic layer 査読有り

    M. Nakayama, T. Kai, S. Ikegawa, H. Yoda, T. Kishi, E. Kitagawa, T. Nagase, M. Yoshikawa, Y. Asao, K. Tsuchida

    IEEE Transactions on Magnetics,　42　2733　2006年

  13. Switching current fluctuation and repeatability for MRAM with propeller-shape MTJ 査読有り

    N. Shimomura, H. Yoda, S. Ikegawa, T. Kai, M. Amano, T. Ueda, M. Nakayama, Y. Asao, K. Hosotani, Y. Shimizu, K. Tsuchida

    IEEE Transactions on Magnetics,　42　2757　2006年

  14. A concept of exchange-coupled recording medium for heat-assisted magnetic recording 査読有り

    A. Kikitsu, T. Kai, T. Nagase, J. Akiyama

    Journal of Applied Physics　97　10P701　2005年

  15. Bit yield improvement by precise control of stray fields from SAF pinned layers for high-density MRAMs 査読有り

    M. Yoshikawa, T. Kai, M. Amano, E. Kitagawa, T. Nagase, M. Nakayama, S. Takahashi, T. Ueda, T. Kishi, K. Tsuchida, S. Ikegawa, Y. Asao, H. Yoda, Y. Fukuzumi, K. Nagahara, H. Numata, H. Hada, N. Ishiwata, S. Tahara

    Journal of Applied Physics　97　10P508　2005年

  16. Magnetic and electronic structures of FePtCu ternary ordered alloy 査読有り

    T. Kai, T. Maeda, A. Kikitsu, J. Akiyama, T. Nagase, T. Kishi

    Journal of Applied Physics　95　609　2004年

  17. Reduction of ordering temperature of an FePt-ordered alloy by addition of Cu 査読有り

    T. Maeda, T. Kai, A. Kikitsu, T. Nagase, J. Akiyama

    Appl. Phys. Lett.　80　2147　2002年

  18. Effect of direct exchange coupling between antiferromagnetic grains on magnetic behavior of ferro/antiferromagnetic exchange coupled polycrystalline layer systems 査読有り

    H. Fujiwara, K. Zhang, T. Kai, T. Zhao

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials　235　319　2001年

  19. Rotational hysteresis of torque curves in polycrystalline ferro/antiferromagnetic systems 査読有り

    K. Zhang, T. Kai, T. Zhao, H. Fujiwara, C. Hou, M. T. Kief

    Journal of Applied Physics　89　7546　2001年

  20. Biquadratic coupling effect on magnetoresistance response curves of spin valves with a synthetic antiferromagnet

    K. Zhang, T. Kai, T. Zhao, H. Fujiwara, G. J. Mankey

    Journal of Applied Physics　89　6814　2001年

  21. First principles study of direct exchange coupling between the grains in NiMn antiferromagnets 査読有り

    T. Kai, H. Fujiwara, T. C. Schulthess, W. H. Butler

    Journal of Applied Physics　89　7940　2001年

  22. First-principle band calculation of ruthenium for various phases 査読有り

    S. Watanabe, T. Komine, T. Kai, K. Shiiki

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials　220　277　2000年

  23. Interlayer exchange coupling and electronic structure of Co/Mn multilayers 査読有り

    T. Kai

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials　214　167　2000年

  24. Influence of spin-dependent scattering at rough interface on the giant magnetoresistance in magnetic multilayers 査読有り

    T. Kai, K. Shiiki

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials　195　537　1999年

  25. Study of Giant MagnetoResistance in Co/X superlattices (X=Cu, Ru, Rh and Pd) by first principle band calculation 査読有り

    T. Kai, Y. Ohashi, K. Shiiki

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials　183　292　1998年

  26. Effect of 4d-transition metal on the electronic structure and magnetic properties of a-Fe 査読有り

    T. Kai, M. Nakamura, N. Takano, Y. Ohashi, K. Shiiki

    J. Phys.: Condens. Mater.　10　371　1998年

  27. Electronic Structure and Giant MagnetoResistance of Co/X Superlattices 査読有り

    T. Kai, K. Shiiki

    J. Magn. Soc. Jpn.　22　529　1998年

  28. Effect of Nb addition to Ni and Fe on electronic structure and magnetic properties 査読有り

    M. Kobayashi, T. Kai, N. Takano, Y. Ohashi, K. Shiiki

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials　166　329　1997年

  29. EFFECT OF COPICIOUS VACANCIES ON MAGNETISM OF Pd 査読有り

    N. Takano, T. Kai, K. Shiiki, F. Terasaki

    Solid State Communications　97　153　1996年

  30. Effect of Ru addition to Ni on electronic structure and magnetic property 査読有り

    M. Kobayashi, T. Kai, N. Takano, Y. Ohashi, K. Shiiki

    J. Phys. : Condens. Matter.　8　7863　1996年

  31. The possibility of ferromagnetic BCC ruthenium 査読有り

    M. Kobayashi, T. Kai, N. Takano, K. Shiiki

    J. Phys. : Condens. Matter.　7　1835　1995年

  32. The effect of addition of Ru to Fe on the electronic structure and magnetic properties 査読有り

    M. Kobayashi, N. Ando, T. Kai, N. Takano, K. Shiiki

    J. Phys. : Condens. Matter.　7　9607　1995年

  33. EFFECT OF CHARGE NEUTRALITY CONDITION IN KKR-CPA METHOD 査読有り

    T. Kai, N. Takano, K. Shiiki, M. Fukuchi

    Solid State Communications　96　971　1995年

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講演・口頭発表等 25

  1. Spin Hall conductivity in 5d elemental metals and high-entropy alloys: Influence of lattice structures and atomic arrangements

    Yuki Ohnishi, Yosephine Novita Apriati, Tadashi Kai, Kohji Nakamura

    ISAMMA2026　2026年6月

  2. Effective switching for field-free sub-ns write speed SOT-MRAM cell with canted SOT structure

    T. Kai, T. V. A. Nguyen, H. Honjo, Y. Sato, T. Tanigawa, S. Ikeda, T. Endoh

    17th MRAM Global Innovation Forum 2025　2025年12月

  3. World-most energy-efficient MRAM technology for non-volatile RAM applications

    T. Y. Lee, J. M. Lee, M. K. Kim, J. S. Oh, J. W. Lee, H. M. Jeong, P. H. Jang, M. K. Joo, K. Suh, S. H. Han, D. -E. Jeong, T. Kai, J. H. Jeong, J. -H. Park, J. H. Lee, Y. H. Park, E. B. Chang, Y. K. Park, H. J. Shin, Y. S. Ji, S. H. Hwang, K. T. Nam, B. S. Kwon, M. K. Cho, B. Y. seo, Y. J. Song, G. H. Koh, K. Lee, J. -H. Lee, G. T. Jeong

    IEDM 2022　2022年12月

  4. 28nm CIS-Compatible Embeded STT-MRAM for Frame Buffer Memory

    K. Lee, D. S. Kim, J. H. Bak, S. P. Ko, W. C. Lim, H. C. Shin, J. H. Lee, J. H. Park, J. H. Jeong, J. M. Lee, T. Kai, H. Sato, J. W. Lee, K. H. Ryu, Y. J. Kim, S. H. Han, B. Y. Seo, K. S. Suh, H. H. Kim, H. T. Jung, D. H. Jang, N. Y. Ji, M. J. Eom, I. H. Kim, K. Lee, K. H. Hwang, Y. J. Song, H. S. Kim

    IEDM 2021　2021年12月

  5. Investigation of Transport Property of MgO-based Magnetic Tunnel Junction with Vacancies and Grain Boundaries by First Principles Calculations

    H. Kawai, Y. Nakasaki, T. Daibou, T. Ishihara, T. Kai, J. Ito

    2019 Joint MMM- Intermag Conference　2019年

  6. Effect of reference layer magnetic properties on storage layer switching properties with STT-MRAM

    S. Itai, T. Kai, J. Ozeki, M. Nakayama, J. Ito, T. Ishihara

    2019 Joint MMM- Intermag Conference　2019年1月

  7. Effect of stray field from adjacent bits of high-density STT-MRAM on switching current

    S. Itai, T. Kai, M. Nakayama, T. Daibou, J. Ito

    in Intermag 2018　2018年5月

  8. Large tunnel magnetoresistance of over 200% in MgO-based magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic anisotropy

    K. Nishiyama, T. Nagase, M. Nakayama, M. Yoshikawa, E. Kitagawa, T. Daibou, M. Nagamine, T. Kai, H. Yoda

    11th Joint MMM/Intermag Conference　2010年

  9. Spin Transfer torque switching in perpendicular magnetic tunnel junctions using L10-ordered FePd electrodes

    T. Daibou, M. Yoshikawa, E. Kitagawa, T. Nagase, K. Nishiyama, M. Nagamine, M. Amano, M. Nakayama, T. Kai, T.Kishi, H. Yoda

    11th Joint MMM/Intermag Conference　2010年

  10. Lower- current and fast switching of a perpendicular TMR for high speed and high density spin-transfer- torque MRAM

    T. Kishi, H. Yoda, T. Kai, T. Nagase, E. Kitagawa, M. Yoshikawa, K. Nishiyama, T. Daibou, M. Nagamine, M. Amano, S. Takahashi, M. Nakayama, N. Shimomura, H. Aikawa, S. Ikegawa, S. Yuasa, K. Yakushiji, H. Kubota, A. Fukushima, M. Oogane, T. Miyazaki, K. Ando

    IEDM2008　2008年12月

  11. Spin Torque Transfer Switching of Perpendicular Magnetoresistive elements for High Density MRAMs

    H. Yoda, T. Kishi, T. Kai, T. Nagase, M. Yoshikawa, M. Nakayama, E. Kitagawa, M. Amano, H. Aikawa, N. Shimomura, K. Nishiyama, T. Daibou, S. Takahashi, S. Ikegawa, K. Yakushiji, T. Nagahama, H. Kubota, A. Fukushima, S. Yuasa, Y. Nakatani, M. Oogane, Y. Ando, Y. Suzuki, K. Ando, T. Miyazaki

    Intermag 2008　2008年

  12. Stable Spin transfer switching in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy

    M. Nakayama, T. Kai, H. Yoda, S. Ikegawa, T. Nagase, H. Aikawa, N. Shimomura

    53rd MMM Conference　2008年

  13. Advantage of Perpendicular MRAM using Spin Transfer Torque Switching for a high density non-volatile memory

    T. Kai, M. Nakayama, J. Ozeki, H. Aikawa, S. Ikegawa, H. Yoda

    53rd MMM Conference　2008年

  14. Pulse duration dependence and effective energy barrier for current- induced magnetization switching in MgO-based tunnel junctions

    S. Ikegawa, H. Aikawa, N. Shimomura, T. Ueda, T. Kai, M. Nakayama, M. Iwayama, H. Yoda, M. Yoshikawa, Y. Asao

    6th International Symposium on Metallic Multilayers (IEEE MML 2007)　2007年

  15. Thermal stability of MRAM with propeller shape

    T. Kai, T. Nagase, M. Yoshikawa, T. Kishi, S. Ikegawa, H. Yoda

    MORIS2006　2006年

  16. Enlargement of Operating Window and Reduction of Switching Current in MRAM with Yoke Wire

    H. Aikawa, T. Ueda, T. Kai, N. Shimomura, S. Ikegawa, Y. Asao, H. Yoda

    Inetrmag 2006　2006年

  17. Effect of magnetic domain on thermal stability for MRAM cells with propeller shape

    T. Kai, N. Shimomura, Y. Shimizu, S. Ikegawa, Y. Asao, K. Tsuchida, H. Yoda

    Inetrmag 2006　2006年

  18. Improvement in Thermal Stability of MRAM with novel MTJ cell

    T. Kai, Y. Shimizu, R. Takizawa, Y. Ueda, N. Shimomura, S. Ikegawa, Y. Asao, K. Tsuchida, H. Yoda, N. Ishiwata, H. Hada, S. Tahara

    MMM 2005　2005年

  19. Improvement of robustness against write disturbance by novel cell design for high density MRAM

    T. Kai, M. Yoshikawa, M. Nakayama, Y. Fukuzumi, T. Nagase, E. Kitagawa, T. Ueda, T. Kishi, S. Ikegawa, Y. Asao, K. Tsuchida, H. Yoda, N. Ishiwata, H. Hada, S. Tahara

    IEDM2004　2004年

  20. Influence of oxygen content on the reduction of the ordering temperature of L10 FePtCu alloy

    A. Kikitsu, T. Maeda, T. Kai, T. Nagase, J. Akiyama, N. Fujioka, T. Ishigami

    2003Intermag　2003年

  21. Ordering of FePt alloy at low temperature by addition of Cu

    T. Maeda, A. Kikitsu, T. Kai, T. Nagase, H. Aikawa, J. Akiyama

    2002Intermag,　2002年

  22. Magnetic and electronic structures of FePtCu ternary ordered alloy 招待有り

    T. Kai, T. Maeda, A. Kikitsu, J. Akiyama, T. Nagase, T. Kishi

    MMM2001　2001年

  23. Magnetization process of polycrystalline NiFe/NiO bilayers with enhanced coercivity

    T. Zhao, H. Fujiwara, K. Zhang, T. Kai, C. Hou

    2000Intrermag　2000年

  24. Effect of direct interaction between antiferromagnet grains on rotational hysteresis of torque curves in F/AF system

    T. Kai, C. Hou, T. Zhao, H. Fujiwara

    2000Intermag　2000年

  25. Prediction of Giant MagnetoResistance in Co/X Superlattice from First Principle Calculation

    T. Kai, Y. Ohashi, K. Shiiki

    PMRC ’97　1997年

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