研究者詳細

顔写真

シマ　コウヘイ
嶋　紘平
Kohei Shima
所属
多元物質科学研究所　計測研究部門　量子光エレクトロニクス研究分野
職名
准教授
学位

  • 博士（工学）（東京大学）

  • 修士（工学）（東京大学）

e-Rad 研究者番号
40805173
Researcher ID
N-1648-2014
プロフィール

 

■Research Interest

Elucidating Fundamental Physics of Wide Bandgap Nitride Semiconductors for Advanced Optoelectronic and Power Devices

Main research directions include:

(1) Investigating the formation mechanisms and roles of intrinsic defects and impurities, especially vacancy-type defects, in determining the luminescence properties and carrier dynamics of group III-nitrides (InN, GaN, AlN, and BN), group II-oxides (ZnO and MgO), and their alloys.

(2) Developing advanced characterization techniques, including spatio-time-resolved luminescence spectroscopy to precisely evaluate recombination lifetimes and defect structures in wide bandgap semiconductors.

(3) Optimizing material growth and processing techniques, such as ion implantation and annealing, to control defect formation and enhance the performance of p-type GaN and related heterostructures for high-efficiency devices.

(4) Exploring novel wide bandgap materials and heterojunctions (e.g., polytypes of hexagonal BN, nitride/diamond) for next-generation deep-UV light emitters and power electronics.

 

 ■ Curriculum Vitae

 ■ Lab homepage

 ■ Born Oct. 3, 1988

 

経歴 9

  • 2023年4月 ～ 継続中
    東北大学　多元物質科学研究所 計測研究部門　准教授

  • 2018年8月 ～ 2023年3月
    東北大学　多元物質科学研究所 計測研究部門　助教

  • 2017年4月 ～ 2018年7月
    東北大学　多元物質科学研究所 計測研究部門　ポスドク

  • 2013年4月 ～ 2017年3月
    東京大学 工学系研究科 マテリアル工学専攻 博士課程

  • 2012年10月 ～ 2017年3月
    東京大学 統合物質科学リーダー養成プログラム（MERIT）

  • 2016年5月 ～ 2016年6月
    インターンシップ, 株式会社IHI 航空宇宙事業本部 技術開発センター材料技術部

  • 2011年4月 ～ 2013年3月
    東京大学 工学系研究科 マテリアル工学専攻 修士課程

  • 2009年4月 ～ 2011年3月
    東京大学 工学部 マテリアル工学科

  • 2007年4月 ～ 2009年3月
    東京大学 教養学部 理科一類

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学歴 3

  • 東京大学　工学系研究科　マテリアル工学専攻

    ～ 2017年3月

  • 東京大学　工学系研究科　マテリアル工学専攻

    ～ 2013年3月

  • 東京大学　工学部　マテリアル工学専攻

    ～ 2011年3月

委員歴 1

  • 窒化物半導体国際ワークショップ2026　総務委員会

    2024年12月 ～ 2027年3月

所属学協会 5

  • 透明酸化物光・電子材料研究会

    2024年7月 ～ 継続中

  • 日本結晶成長学会

    2020年7月 ～ 継続中

  • 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会

    2012年9月 ～ 継続中

  • 応用物理学会

    2011年8月 ～ 継続中

  • 化学工学会

    2012年9月 ～ 2020年6月

研究キーワード 20

  • イオン注入

  • 深紫外線発光素子

  • 空孔型欠陥

  • 二次元材料

  • メタライゼーション

  • 繊維強化セラミックス

  • 窒化ホウ素

  • 気相エピタキシャル成長法

  • 光エレクトロニクス

  • アモノサーマル法

  • ポラリトンレーザ

  • 励起子

  • 時間空間同時分解カソードルミネッセンス

  • III族窒化物半導体

  • ワイドバンドギャップ半導体

  • SiC/SiCセラミックス基複合材料

  • ULSI銅配線

  • 化学気相含浸

  • 原子層堆積

  • 化学気相成長

研究分野 4

  • ナノテク・材料 / 応用物理一般 /

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 反応工学、プロセスシステム工学 /

  • ナノテク・材料 / 材料加工、組織制御 /

  • ナノテク・材料 / 結晶工学 /

受賞 9

  1. Best Paper Award

    2025年6月　The 22nd International Workshop on Junction Technology (IWJT2025)　"Characterization of vacancy-type defects in Mg- and N-implanted GaN by using a monoenergetic positron beam"

  2. 第16回（令和6年度）ナノ構造エピタキシャル成長講演会 研究奨励賞

    2024年5月　日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会　Mgイオン注入GaNにおける空孔型欠陥のルミネッセンス評価

  3. 第33回(令和4年度)トーキン財団奨励賞

    2023年3月　トーキン科学技術振興財団　室温で共振器ポラリトンを呈するチップサイズ酸化亜鉛微小共振器の実現

  4. 第43回(2021年度)応用物理学会優秀論文賞

    2021年7月　公益社団法人応用物理学会　Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures

  5. ベストポスター賞

    2019年7月　The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN

  6. Best Paper Award

    2019年6月　19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019)　"Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes"

  7. COMSOL Conference Tokyo 2015優秀ポスター賞

    2015年12月　微細溝への薄膜堆積における溝内膜厚分布の時間変化の可視化

  8. The Bruce Deal & Andy Grove Young Author Award 2015

    2015年10月　The Electrochemical Society　"Comparative Study on Cu-CVD Nucleation Using β-diketonato and Amidinato Precursors for Sub-10-nm-Thick Continuous Film Growth"

  9. 化学工学会反応工学部会CVD反応分科会 平成２７年度 奨励賞

    2015年9月　化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会　「超高アスペクト比ミクロキャビティを用いたSiC-CVI法のモデリング」

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論文 55

  1. Impacts of homoepitaxial AlN thickness on the qualities of AlGaN QWs fabricated on the face-to-face annealed sputter-deposited AlN templates 国際誌 査読有り

    R. Akaike, K. Uesugi, K. Shima, S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Nakamura, H. Miyake

    Applied Physics Express　18　065503-1-5　2025年6月

    DOI： 10.35848/1882-0786/ade2b7 　

  2. Impacts of ultra-high-pressure annealing on undoped and ion-implanted GaN studied by photoluminescence measurements 国際誌 国際共著 査読有り

    K. Shima, T. Narita, A. Uedono, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. F. Chichibu

    Journal of Applied Physics　137　235702-1-12　2025年6月

    DOI： 10.1063/5.0266700 　

  3. Roles of Al-vacancy complexes on the luminescence spectra of Si-doped AlN grown by halide vapor phase epitaxy 国際誌 国際共著 査読有り

    S. F. Chichibu, K. Kikuchi, B. Moody, S. Mita, R. Collazo, Z. Sitar, Y. Kumagai, S. Ishibashi, A. Uedono, K. Shima

    Applied Physics Letters　126　111905-1-7　2025年3月

    DOI： 10.1063/5.0252149 　

  4. 間接遷移型半導体層状BNポリタイプの発光特性 招待有り 査読有り

    秩父重英, 嶋紘平, 原和彦

    日本結晶成長学会誌　52　pp-p-pp-1-10　2025年

    出版者・発行元： 日本結晶成長学会

  5. Characterization of vacancy-type defects in Mg- and N-implanted GaN by using a monoenergetic positron beam 国際誌 国際共著

    A. Uedono, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Shima, S. F. Chichibu, J. Uzuhashi, T. Ohkubo, S. Ishibashi, K. Sierakowski, M. Bockowski

    Proceedings of IWJT2025　79-82　2025年

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.23919/IWJT66253.2025.11072893 　

  6. 275 nm帯AlGaN LEDの初期劣化機構 招待有り

    秩父重英, 奥野浩司, 大矢昌輝, 齋藤義樹, 石黒永孝, 竹内哲也, 嶋紘平

    応用電子物性分科会誌　30　(2)　57-67　2024年7月

    出版者・発行元： 応用電子物性分科会

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    ISSN1341-5123

  7. Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers 国際誌 招待有り 査読有り

    S. F. Chichibu, K. Shima, A. Uedono, S. Ishibashi, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H. Watanabe, A. Tanaka, Y. Honda, J. Suda, H. Amano, T. Kachi, T. Nabatame, Y. Irokawa, Y. Koide

    Journal of Applied Physics　135　185701-1-20　2024年5月

    DOI： 10.1063/5.0201931 　

  8. Improved midgap recombination lifetimes in GaN crystals grown by the low-pressure acidic ammonothermal method 国際誌 査読有り

    K. Shima, K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, M. Saito, D. Tomida, A. Uedono, S. Ishibashi, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    Applied Physics Letters　124　(18)　181103-1-6　2024年4月

    DOI： 10.1063/5.0208853 　

  9. Vacancy-type defects and their trapping/detrapping of charge carriers in ion-implanted GaN studied by positron annihilation 国際誌 国際共著 査読有り

    A. Uedono, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Shima, S. F. Chichibu, J. Uzuhashi, T. Ohkubo, S. Ishibashi, K. Sierakowski, M. Bockowski

    Physica Status Solidi B　261　2400060-1-10　2024年2月

    DOI： 10.1002/pssb.202400060 　

  10. Cathodoluminescence spectroscopy of monolayer hexagonal boron nitride 国際誌 国際共著 査読有り

    K. Shima, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, C. Elias, P. Valvin, B. Gil, G. Cassabois, S. V. Novikov, S. F. Chichibu

    Scientific Reports　14　169-1-8　2024年1月

    DOI： 10.1038/s41598-023-50502-9 　

  11. Steady-state and dynamic characteristics of deep UV luminescence in rocksalt-structured MgxZn1-xO 国際誌 査読有り

    T. Onuma, K. Kudo, M. Ono, W. Kosaka, K. Shima, K. Ishii, K. Kaneko, Y. Ota, T. Yamaguchi, K. Kojima, S. Fujita, S. F. Chichibu, T. Honda

    Journal of Applied Physics　134　(2)　025102-1-11　2023年7月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1063/5.0155269 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  12. Polishing and etching damages of ZnO single crystals studied using time-resolved photoluminescence spectroscopy 国際誌 査読有り

    T. Kasuya, K. Shima, S. F. Chichibu

    Journal of Applied Physics　134　(2)　025302-1-10　2023年7月

    DOI： 10.1063/5.0149404 　

  13. Temporary and spatially resolved luminescence studies of p-GaN segments fabricated by vacancy-guided redistribution of Mg using sequential ion implantation of Mg and N 国際誌

    K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, A. Uedono, S. Ishibashi, S. F. Chichibu

    Proceedings of IWJT2023　1-4　2023年7月

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.23919/IWJT59028.2023.10175182 　

  14. Operation-induced degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on a sapphire substrate 国際誌 招待有り 査読有り

    S. F. Chichibu, K. Nagata, M. Oya, T. Kasuya, K. Okuno, H. Ishiguro, Y. Saito, T. Takeuchi, K. Shima

    Applied Physics Letters　122　(20)　201105-1-7　2023年5月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1063/5.0147984 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    APL Special Collection on UV/DUV Light Emitters

  15. Band Alignment and Quality of Al0.6Ga0.4N/AlN Films Grown on Diamond (111) Substrate by Remote N-Plasma Assisted MBE 国際誌 査読有り

    Shozo Kono, Kohei Shima, Shigefusa Chichibu, Masaru Shimomura, Taisuke Kageura, Hiroshi Kawarada

    Diamond & Related Materials　136　110013-1-17　2023年5月

    DOI： 10.1016/j.diamond.2023.110013 　

    eISSN：1556-5068

  16. Kinetic Study on Heterogeneous Nucleation and Incubation Period during Chemical Vapor Deposition 国際誌 査読有り

    Kohei Shima, Yuhei Otaka, Noboru Sato, Yuichi Funato, Yasuyuki Fukushima, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki

    The Journal of Chemical Physics　158　124704-1-12　2023年3月

    DOI： 10.1063/5.0133157 　

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    JCP Special Topic on Nucleation: Current Understanding Approaching 150 Years After Gibbs

  17. Room-temperature nonradiative recombination lifetimes in c-plane Al1-xInxN epilayers nearly and modestly lattice-matched to GaN (0.11 ≤ x ≤ 0.21) 国際誌 査読有り

    L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. Ishibashi, A. Uedono, S. F. Chichibu

    Journal of Applied Physics　132　(16)　163102-1-10　2022年10月

    DOI： 10.1063/5.0106540 　

  18. 【Featured Article】Recombination dynamics of indirect excitons in hexagonal BN epilayers containing polytypic segments grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors 国際誌 査読有り

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kikuchi, N. Umehara, K. Takiguchi, Y. Ishitani, K. Hara

    Applied Physics Letters　120　(23)　231904-1-7　2022年6月6日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0090431 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    Hexagonal (h) BN is a semiconductor that crystallizes in layers of a two-dimensional honeycomb structure. Since hBN exhibits high quantum efficiency (QE) near-band edge emission at around 5.8 eV in spite of the indirect bandgap, hBN has a potential for the use in deep-ultraviolet light emitters. For elucidating the emission dynamics of indirect excitons (iXs) in hBN, spatially and temporally resolved luminescence measurements were carried out on hBN epilayers grown using carbon-free precursors. In addition to major [Formula: see text]m-side flat-topped (0001) hBN columnar grains, sub-[Formula: see text]m-scale polytypic segments were identified, which were likely formed by certain growth instabilities. The hBN domains exhibited predominant emissions of phonon-assisted fundamental iXs at 5.7–5.9 eV and a less-pronounced 4.0-eV emission band. The photoluminescence lifetime ([Formula: see text]) for the iX emissions was 54 ps, which most likely represents the midgap recombination lifetime ([Formula: see text]) for an iX reservoir. Because [Formula: see text] did not change while the cathodoluminescence (CL) intensity increased with temperature above 100 K, both the immobile character of iXs and strong exciton–phonon interaction seem significant for procreating the high QE. The CL intensity and [Formula: see text] of the 5.5 eV band monotonically decreased with temperature, indicating that [Formula: see text] represents [Formula: see text], most probably a nonradiative lifetime, around the real states. Equally significant emissions at 6.035 eV at 12 K and 6.0–6.1 eV at 300 K were observed from the polytypic segments, most probably graphitic bernal BN, which also exhibited negligible thermal quenching property.

  19. Low-pressure acidic ammonothermal growth of 2-inch-diameter nearly bowing-free bulk GaN crystals 国際誌 査読有り

    Kouhei Kurimoto, Quanxi Bao, Yutaka Mikawa, Kohei Shima, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express　15　055504-1-4　2022年4月18日

    出版者・発行元： IOP Publishing

    DOI： 10.35848/1882-0786/ac67fc 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

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    Abstract Seeded growth of 2-inch-diameter GaN crystals via low-pressure (~100 MPa) acidic ammonothermal method is demonstrated. Nearly bowing- and mosaic-free GaN crystals exhibiting the full-width at half-maximum values for the 0002 x-ray rocking curves below 20 arcsec were achieved on high lattice coherency c-plane SCAATTM seeds with gross dislocation densities in the order of 104 cm-2. The photoluminescence spectra of the grown crystals exhibited a predominant near-band-edge emission at 295 K, of which intensity was one order of magnitude higher than the characteristic deep-state emission bands. A nearly bowing-free 60 mm × 60 mm c-plane GaN crystal was eventually obtained.

  20. Reactive RF magnetron sputtering epitaxy of NiO thin films on (0001) sapphire and (100) MgO substrates 国際誌 査読有り

    Keisuke Nishimoto, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

    Japanese Journal of Applied Physics　61　(2)　025505-1-5　2022年1月24日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac4392 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  21. Identifying the mechanism of formation of chlorinated silane polymer by-products during chemical vapor infiltration of SiC from CH3SiCl3/H2 国際誌 査読有り

    N. Sato, Y. Fukushima, K. Shima, Y. Funato, T. Momose, M. Koshi, Y. Shimogaki

    International Journal of Chemical Kinetics　54　300-308　2022年1月

    DOI： 10.1002/kin.21559 　

  22. Dopant activation process in Mg-implanted GaN studied by monoenergetic positron beam 国際誌 査読有り

    Akira Uedono, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi

    Scientific Reports　11　(1)　20660-1-8　2021年12月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1038/s41598-021-00102-2 　

    eISSN：2045-2322

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    <title>Abstract</title>A process for activating Mg and its relationship with vacancy-type defects in Mg-implanted GaN were studied by positron annihilation spectroscopy. Mg+ ions were implanted with an energy of 10 keV, and the Mg concentration in the subsurface region (≤ 50 nm) was on the order of 1019 cm−3. After the Mg-implantation, N+ ions were implanted to provide a 300-nm-deep box profile with a N concentration of 6 × 1018 cm−3. From capacitance–voltage measurements, the sequential implantation of N was found to enhance the activation of Mg. For N-implanted GaN before annealing, the major defect species were determined to Ga-vacancy related defects such as divacancy. After annealing below 1000 °C, the clustering of vacancies was observed. Above 1200 °C annealing, however, the size of the vacancies started to decrease, which was due to recombinations of vacancy clusters and excess N atoms in the damaged region. The suppression of vacancy clustering by sequential N-implantation in Mg-implanted GaN was attributed to the origin of the enhancement of the Mg activation.

  23. Conformal and Stoichiometric Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide onto Ultradeep Heterogeneous Micropores by Controlling the Initial Nucleation Stage 国際誌 査読有り

    Kohei Shima, Yuhei Otaka, Noboru Sato, Yuichi Funato, Yasuyuki Fukushima, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki

    ACS Applied Materials & Interfaces　13　(44)　53009-53020　2021年11月10日

    出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acsami.1c13117 　

    ISSN：1944-8244

    eISSN：1944-8252

  24. 【Editor's pick】Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg 国際誌 招待有り 査読有り

    K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Kojima, A. Uedono, S. Ishibashi, S. F. Chichibu

    Applied Physics Letters　119　(18)　182106-1-7　2021年11月3日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0066347 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    [Invited Paper] APL Special Collection on Wide- and Ultrawide-Bandgap Electronic Semiconductor Devices

  25. c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価

    李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 上殿明良, 石橋章司, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

    信学技報、電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス(LQE)研究会　121　(259(ED2021 15-36))　45-50　2021年11月

    ISSN：2432-6380

  26. Reduced nonradiative recombination rates in c-plane Al0.83In0.17N films grown on a nearly lattice-matched GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 国際誌 査読有り

    L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, K. Kojima, T. Egawa, A. Uedono, S. Ishibashi, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. F. Chichibu

    Applied Physics Letters　119　(9)　091105-1-6　2021年8月31日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1063/5.0066263 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  27. 【Plenary】Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors 国際誌 招待有り

    Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shoji Ishibashi, Akira Uedono

    Proceedings of IWJT2021　2021年6月10日

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.23919/iwjt52818.2021.9609493 　

  28. Elementary gas‐phase reactions of radical species during chemical vapor deposition of silicon carbide using CH3SiCl3 国際誌 査読有り

    Noboru Sato, Yuichi Funato, Kohei Shima, Hidetoshi Sugiura, Yasuyuki Fukushima, Takeshi Momose, Mitsuo Koshi, Yukihiro Shimogaki

    International Journal of Chemical Kinetics　53　638-645　2021年1月11日

    出版者・発行元： Wiley

    DOI： 10.1002/kin.21470 　

    ISSN：0538-8066

    eISSN：1097-4601

  29. 全方位フォトルミネセンス（ODPL）分光法による半導体結晶の評価 招待有り 査読有り

    小島一信, 嶋紘平, 秩父重英

    日本結晶成長学会誌　48　48-4-03-1-9　2021年

    出版者・発行元： 日本結晶成長学会

  30. Porous Membranes as Sacrificial Layers Enabling Conformal Chemical Vapor Deposition Involving Multiple Film-Forming Species 国際誌 査読有り

    Kohei Shima, Yuichi Funato, Noboru Sato, Yasuyuki Fukushima, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki

    ACS Applied Materials & Interfaces　12　51016-51025　2020年10月30日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1021/acsami.0c14069 　

    ISSN：1944-8244

    eISSN：1944-8252

  31. Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1−xInxN on GaN 国際誌 査読有り

    Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Yoshihiro Kangawa

    Scientific Reports　10　(1)　18570-1-11　2020年10月29日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1038/s41598-020-75380-3 　

    eISSN：2045-2322

  32. Room-temperature cavity-polaritons in planar ZnO microcavities fabricated by a top-down process 国際誌 査読有り

    K. Shima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

    Applied Physics Letters　117　(7)　071103-1-6　2020年8月17日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1063/5.0011662 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  33. Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN 国際誌 査読有り

    Masahiro Takahashi, Atsushi Tanaka, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Hiroshi Amano

    Japanese Journal of Applied Physics　59　(5)　056502-1-7　2020年5月1日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.35848/1347-4065/ab8b3d 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  34. Ammonothermal growth of 2 inch long GaN single crystals using an acidic NH4F mineralizer in a Ag-lined autoclave 国際誌 査読有り

    Daisuke Tomida, Quanxi Bao, Makoto Saito, Ryu Osanai, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

    Applied Physics Express　13　(5)　055505-1-5　2020年4月

  35. Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors 国際誌 招待有り

    Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shoji Ishibashi, Akira Uedono

    Proceedings of SPIE　11280　(112800B)　112800B-1-10　2020年2月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1117/12.2545409 　

  36. Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature 国際誌 査読有り

    M. Takahashi, A. Tanaka, Y. Ando, H. Watanabe, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. J. Chen, H. Amano

    Physica Status Solidi B　256　(4)　1900554-1-7　2019年12月

    DOI： 10.1002/pssb.201900554 　

    ISSN：0370-1972

    eISSN：1521-3951

  37. Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes 国際誌

    Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

    Proceedings of IWJT2019　1-4　2019年7月

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.23919/IWJT.2019.8802886 　

  38. Identification of Film-Forming Species during SiC-CVD of CH3SiCl3/H2 by Exploiting Deep Microtrenches 国際誌 査読有り

    Kohei Shima, Noboru Sato, Yuichi Funato, Yasuyuki Fukushima, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki

    ECS Journal of Solid State Science and Technology　8　P423-P429　2019年7月

    DOI： 10.1149/2.0191908jss 　

    ISSN：2162-8777 2162-8769

  39. Annealing behavior of vacancy-type defects in Mg- and H-implanted GaN studied using monoenergetic positron beam 国際誌 国際共著 査読有り

    Akira Uedono, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Werner Egger, Tonjes Koschine, Christoph Hugenschmidt, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi

    Physica Status Solidi B　256　1900104-1-1900104-12　2019年5月

    DOI： 10.1002/pssb.201900104 　

  40. Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN structures 国際誌 査読有り

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono

    Japanese Journal of Applied Physics　58(SC)　SC0802-1-SC0802-10　2019年5月

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab0d06 　

  41. Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of (000<(1))over bar> p-type GaN fabricated by sequential ion-implantation of Mg and H 国際誌 査読有り

    Shima K, Iguchi H, Narita T, Kataoka K, Kojima K, Uedono A, Chichibu S. F

    Applied Physics Letters　113　(19)　2018年11月

    DOI： 10.1063/1.5050967 　

    ISSN：0003-6951

  42. Large electron capture-cross-section of the major nonradiative recombination centers in Mg-doped GaN epilayers grown on a GaN substrate 国際誌 査読有り

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, S. Ishibashi, A. Uedono

    Applied Physics Letters　112　(21)　211901-1-5　2018年5月21日

    DOI： 10.1063/1.5030645 　

    ISSN：0003-6951

  43. Separate evaluation of multiple film-forming species in chemical vapor deposition of SiC using high aspect-ratio microchannels 国際誌 査読有り

    Kohei Shima, Noboru Sato, Yuichi Funato, Yasuyuki Fukushima, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　56　(6)　06HE02-1-06HE02-6　2017年6月

    DOI： 10.7567/JJAP.56.06HE02 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  44. 緻密なセラミックス基複合材料の製造に向けた化学気相含浸プロセスの構築

    嶋紘平

    東京大学大学院, 工学系研究科マテリアル工学専攻, 博士論文　1-210　2017年3月

    DOI： 10.15083/00075752 　

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    本論文の目的は，航空宇宙分野の次世代材料として期待されるSiC/SiCセラミックス基複合材料（Ceramic Matrix Composite；CMC）を緻密に製造するための化学気相含浸（Chemical Vapor Infiltration ; CVI）プロセスを開発し，材料の設計自由度を向上させることである．CVIプロセスは，BN界面層がコーティングされたSiC繊維上にSiCを析出させ，SiC繊維の織物を一体化・緻密化するプロセスである．CVIプロセスは溶融含浸や液相含浸プロセスと比較してSiCの埋め込み均一性に優れる手法であるが，cmスケールの肉厚を有するタービン部材を完全均一に埋め込むことが現状できていない．また，CVIプロセスは一般的に数百時間の長時間プロセスであるため緻密化と同時にプロセス時間の短縮も要求される． SiCの埋め込み均一性と高速性を両立させるためには，CVIプロセスの気相反応および表面反応の素過程と反応速度を理解する必要がある．特に，表面における反応機構は非常に複雑であるため，気相反応のようにコンピュータシミュレーションにより精度良く素過程を予測することができず，実験的手法により究明する必要がある．表面反応はさらに，BN下地の上のSiC成長（初期成長）段階と，SiC下地の上のSiC成長（連続成長）段階に分類される．CVIプロセスの初期成長は，製膜遅れ時間など埋め込みに悪影響を及ぼす問題を有しているものの，これまで体系的に理解されておらず対策がなされていない．また，CVIプロセスの連続成長はこれまで多くの検討が行われてきたものの，実験手法の限界により，製膜種の付着確率および分圧の測定精度が低かった．そのため，CVI炉内のSiC製膜速度分布や織物の含浸挙動をうまく説明できていなかった． そこで，本論文はCVIプロセスの初期成長および連続成長の反応機構をモデリングすることに焦点を当てた．研究の順序は次の通りである．まず，付着確率の解析精度を向上させるために新規テスト基板を開発した．次に，このテスト基板を用いて連続成長段階におけるCVIプロセスの付着確率を精密に測定した．これによりCVIプロセスの連続成長モデルが精緻化され，埋め込みの均一性と高速性を両立するためのプロセス設計指針を導き出した．次に，連続成長モデルに基づいてBN下地の際の初期成長のモデリングに取り組んだ．これにより初期成長の観点からCVI埋め込み均一性を向上させるためのプロセス設計指針を導き出した．さらに，CVIプロセス条件の最適化だけに留まらず，連続成長モデルで明らかになった埋め込み均一性を著しく阻害する製膜パスを除去するための新規CVIプロセスを開発した．以上の検討により，均一性と高速性を両立させた最適CVIプロセス設計指針を論理的に導き出した．以下に実験結果に関する詳細（論文第３〜６章）を示す． 第３章では，プリフォーム内におけるCVI製膜現象を理解するため，超高アスペクト比（深さ/孔径の比）マイクロチャネルを有するテスト基板を開発した．テスト基板は，構造が単純かつ寸法が厳密に定義されているため，織物よりもCVI表面反応の素過程を理解したり付着確率を精密に測定するのに適している．なお，本章ではCMC製造のためのCVIプロセスに限定せず，近年盛んに研究されている深い３次元構造内壁への均一製膜を狙う気相製膜プロセス全般を対象として，本テスト基板の有用性を示した．結果として，本テスト基板は従来のテスト基板よりもアスペクト比が100倍近く高いため，これまで観察されなかった製膜パスの特定や10^-6台の低い付着確率の精密測定に役立った．さらに，マイクロチャネル内壁に自由な下地材料を自由な手法で深さ方向に均一に製膜できる特徴や，製膜後に基板を分解し堆積した膜の物理化学的性質を様々な手法により解析することができる特徴を示した． 第４章では，連続成長の反応モデル精緻化のため，テスト基板を用いて製膜種の数，付着確率，分圧を測定した．従来の手法よりもテスト基板のアスペクト比を増加することにより，低い付着確率を精密に測定することが可能となった．その結果，製膜種は２種類存在しそれぞれMTS（原料）およびMTSが気相で分解した反応中間体であることを特定した．MTSは付着確率が低く均一埋め込みに適するのに対して，中間体はMTSよりも付着確率が1000倍高く均一性を著しく損なう原因であることが判明した．さらに，アスペクト比が数百を超える領域においては製膜表面に残留したClによりMTSの製膜が阻害され，見かけの付着確率が1/10倍に低下することが明らかになった．また，MTSおよび中間体の付着確率は，温度に対して熱活性型であり，かつ分圧に対して一次反応を示した．従って，埋め込み均一性を向上させるためには温度を低下させる一方で，高速性を向上させるためには原料分圧を増加させればよいという方針が得られた．原料分圧を単純に増加させるという方針は，MTS原料の直接反応パスを特定した結果明確になった方針である．以上の反応速度に関する検討に加え，プリフォーム内部に製膜したSiC膜の物理化学的性質も究明した．本テスト基板を活用し，これまで検討が不可能であったプリフォーム内部における化学組成，結晶性，表面粗さを測定した．このような検討は，プロセスウィンドウを絞る上で有用な情報となる．最終的に，タービン部材に使用される３次元織物の含浸をターゲットとした際には，高原料分圧条件を採用することにより均一性を維持したまま埋め込みに要する時間を低減できることを示した． 第５章では，これまで検討されてこなかったBN下地に対するSiC-CVI初期成長を，超高アスペクト比マイクロチャネルを活用してモデリングした．材料学的にはBNとSiCは濡れ性が悪いため，BN下地におけるSiC-CVIプロセスはVolmer-Weberモードの３次元核成長を伴う．さらに，インキュベーションタイム（製膜遅れ時間）が３次元構造の中部から底部にかけて選択的に発生する問題や，SiC膜とBN下地の界面においてC過剰組成の膜が生成する問題が実際に観察された．中部〜底部における選択的なインキュベーションタイム発生は，CVIの埋め込み均一性を阻害することを明らかにした．一方で，C過剰組成の膜の生成はCMCの耐酸化性能の低下を引き起こす可能性が高い．これら２つの問題を解決すべく，初期核発生モデルに立ち返り，最適にCVIプロセスを設計した．インキュベーションタイムは原料分圧を増加することにより解決し，C過剰組成の膜の発生は製膜温度を低減することにより解決した．高原料分圧かつ低温のプロセス条件により２つの問題が同時に解決することを実証した．従って，CVIプロセス条件を初期成長段階と連続成長段階で変調する新しいプロセス設計指針を論理的に導き出した． 第６章では，CVIプロセス条件の最適化だけに留まらず，均一性を著しく阻害する中間体製膜種を除去する新しいCVIプロセスを開発した．具体的には，プリフォームの周囲に繊維体積含有率が小さい不織布（フェルト）を犠牲層として巻きつけ，そこで中間体製膜種をトラップするという手法である．中間体製膜種はMTS製膜種よりも付着確率が1000倍高いため，犠牲層の比表面積よび厚みを最適に設計することにより，中間体製膜種をほぼ100%除去するがMTS製膜種を80%程度透過させることが可能になる．犠牲層をテスト基板の上部に設置し，テスト基板の細孔内に堆積するSiC膜の製膜速度および均一性の変化から製膜種のトラップ率を測定した．その結果，予測通り中間体製膜種はほぼ100%除去できることを実証した．中間体製膜種の除去により，均一性は中間体製膜種を除去しない場合よりも最大で2倍程度向上させられる．さらに，犠牲層を用いてCVIによる埋め込み均一性を向上させた一次元方向CMC（ミニコンポジット）を試作し，その材料特性を評価した．その結果，CVIマトリックスの付着総量が同じ場合でも，ミニコンポジット表面から深部にかけてのCVIマトリックス付着量の均一性が向上することにより破断強度が改善する傾向が見られた．従って，犠牲層による埋め込み均一性の制御は，将来的にSiC/SiCセラミックス基複合材料の設計自由度を増加させる可能性がある． 以上のように，CVIプロセスの表面反応をモデリングすることにより，埋め込み均一性を最大2倍向上させるとともにプロセス時間を短縮するプロセスを合理的に設計することに成功した．さらに，CMCの緻密度を制御することが，将来のCMCの設計自由度を向上させられる可能性を示した． 【Related publications】 [9] "Surface reaction kinetics of chemical vapor infiltration of SiC from CH3SiCl3/H2 studied using ultradeep microchannels", Submitted to ACS Applied Materials & Interfaces. K. Shima, Y. Otaka, N. Sato, Y. Funato, H. Sugiura, T. Nakahara, Y. Fukushima, T. Momose, and Y. Shimogaki [8] "Kinetic Study on Heterogeneous Nucleation and Incubation Period during Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide", The Journal of Chemical Physics 158, 124704 (2023). [doi.org/10.1063/5.0133157] K. Shima, Y. Otaka, N. Sato, Y. Funato, Y. Fukushima, T. Momose, and Y. Shimogaki. [7] "Identifying the mechanism of formation of chlorinated silane polymer by-products during chemical vapor infiltration of SiC from CH3SiCl3/H2", International Journal of Chemical Kinetics 54, 300 (2022). [doi.org/10.1002/kin.21559] N. Sato, Y. Fukushima, K. Shima, Y. Funato, T. Momose, M. Koshi, Y. Shimogaki. [6] "Conformal and stoichiometric chemical vapor deposition of silicon carbide onto ultradeep heterogeneous micropores by controlling the initial nucleation stage", ACS Applied Materials & Interfaces 13, 53009-53020 (2021). [doi.org/10.1021/acsami.1c13117] K. Shima, Y. Otaka, N. Sato, Y. Funato, Y. Fukushima, T. Momose, and Y. Shimogaki. [5] "Elementary gas-phase reactions of radical species during chemical vapor deposition of silicon carbide using CH3SiCl3", International Journal of Chemical Kinetics 53, 638-645 (2021). [doi.org/10.1002/kin.21470] N. Sato, Y. Funato, K. Shima, H. Sugiura, Y. Fukushima, T. Momose, M. Koshi, Y. Shimogaki. [4] "Porous Membranes as Sacrificial Layers Enabling Conformal Chemical Vapor Deposition Involving Multiple Film-Forming Species", ACS Applied Materials & Interfaces 12, 51016-51025 (2020). [doi.org/10.1021/acsami.0c14069] K. Shima, Y. Funato, N. Sato, Y. Fukushima, T. Momose, and Y. Shimogaki. [3] "Identification of film-forming species during SiC-CVD of CH3SiCl3/H2 by exploiting deep microtrenches", ECS Journal of Solid State Science and Technology 8, P423-P429 (2019). [doi.org/10.1149/2.0191908jss] K. Shima, N. Sato, Y. Funato, Y. Fukushima, T. Momose, and Y. Shimogaki. [2] "Separate evaluation of multiple film-forming species in chemical vapor deposition of SiC using high aspect-ratio microchannels", Japanese Journal of Applied Physics 56, 06HE02-1-6 (2017). [doi.org/10.7567/JJAP.56.06HE02] K. Shima, N. Sato, Y. Funato, Y. Fukushima, T. Momose, and Y. Shimogaki. [1] "High-aspect-ratio parallel-plate microchannels applicable to kinetic analysis of chemical vapor deposition", Advanced Materials Interfaces 3, 1600254-1-11 (2016). [doi.org/10.1002/admi.201600254] [Selected as back cover] K. Shima, Y. Funato, H. Sugiura, N. Sato, Y. Fukushima, T. Momose, and Y. Shimogaki.

  45. 【Back cover】High-Aspect-Ratio Parallel-Plate Microchannels Applicable to Kinetic Analysis of Chemical Vapor Deposition 国際誌 査読有り

    Kohei Shima, Yuichi Funato, Hidetoshi Sugiura, Noboru Sato, Yasuyuki Fukushima, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki

    ADVANCED MATERIALS INTERFACES　3　(16)　1600254-1--11　2016年8月

    DOI： 10.1002/admi.201600254 　

    ISSN：2196-7350

  46. Characterization and Process Development of CVD/ALD-based Cu(Mn)/Co(W) Interconnect System 国際誌 査読有り

    K. Shima, Y. Tu, B. Han, H. Takamizawa, H. Shimizu, Y. Shimizu, T. Momose, K. Inoue, Y. Nagai, Y. Shimogaki

    Proceedings of 32nd Annual Advanced Metallization Conference　2015年8月

  47. 【招待講演】CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と３次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価 招待有り

    嶋紘平, 涂远, 韓斌, 高見澤悠, 清水秀治, 清水康雄, 百瀬健, 井上耕治, 永井康介, 霜垣幸浩

    信学技報、電子情報通信学会技術研究報告　114　39-44　2015年3月

  48. Study on the Adhesion Strength of CVD-Cu Films with ALD-Co(W) Underlayers Made Using Amidinato Precursors 国際誌 査読有り

    Kohei Shima, Hideharu Shimizu, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY　4　(2)　P20-P29　2015年

    DOI： 10.1149/2.0061502jss 　

    ISSN：2162-8769

  49. Precursor-based designs of nano-structures and their processing for Co(W) alloy films as a single layered barrier/liner layer in future Cu-interconnect 国際誌 査読有り

    H. Shimizu, K. Shima, Y. Suzuki, T. Momose, Y. Shimogaki

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C　3　(11)　2500-2510　2015年

    DOI： 10.1039/c4tc01088d 　

    ISSN：2050-7526

    eISSN：2050-7534

  50. Comparative Study on Cu-CVD Nucleation Using β-diketonato and Amidinato Precursors for Sub-10-nm-Thick Continuous Film Growth 国際誌 査読有り

    Kohei Shima, Hideharu Shimizu, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki

    ECS Journal of Solid State Science and Technology　4　(8)　P305-P313　2015年

    DOI： 10.1149/2.0061508jss 　

    ISSN：2162-8769

  51. Role of W and Mn for reliable 1X nanometer-node ultra-large-scale integration Cu interconnects proved by atom probe tomography 国際誌 査読有り

    K. Shima, Y. Tu, H. Takamizawa, H. Shimizu, Y. Shimizu, T. Momose, K. Inoue, Y. Nagai, Y. Shimogaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS　105　(13)　133512-1-5　2014年9月

    DOI： 10.1063/1.4896961 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  52. Study on the Adhesion Strength of CVD-Cu Films with CVD/ALD-Co(W) Underlayers Made Using Carbonyl Precursors 国際誌 査読有り

    Kohei Shima, Hideharu Shimizu, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki

    ECS SOLID STATE LETTERS　3　(2)　P20-P22　2014年

    DOI： 10.1149/2.005402ssl 　

    ISSN：2162-8742

  53. Self-Assembled Nano-Stuffing Structure in CVD and ALD Co(W) Films as a Single-Layered Barrier/Liner for Future Cu-Interconnects 国際誌 国際共著 査読有り

    Hideharu Shimizu, Akihito Kumamoto, Kohei Shima, Yoshihiko Kobayashi, Takeshi Momose, Takeshi Nogami, Yukihiro Shimogaki

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY　2　(11)　P471-P477　2013年

    DOI： 10.1149/2.029311jss 　

    ISSN：2162-8769

  54. ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜

    清水秀治, 嶋紘平, 百瀬健, 小林芳彦, 霜垣幸浩

    信学技報、電子情報通信学会技術研究報告　111　25-29　2012年3月

  55. Comparative study on ALD/CVD-Co(W) films as a single barrier/liner layer for 22-1x nm generation interconnects 国際誌 国際共著

    Hideharu Shimizu, Henry Wojcik, Kohei Shima, Yoshihiko Kobayashi, Takeshi Momose, Johann W. Bartha, Yukihiro Shimogaki

    2012 IEEE International Interconnect Technology Conference, IITC 2012　2012年

    DOI： 10.1109/IITC.2012.6251657 　

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書籍等出版物 2

  1. 全方位フォトルミネセンス（ODPL）分光法を用いたGaN自立結晶の評価

    小島一信, 嶋紘平, 秩父重英

    S&T出版「次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術」　2022年7月

    ISBN: 9784907002930

  2. 大口径・高純度GaN単結晶基板の量産法と結晶評価

    栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 嶋紘平, 石黒徹, 秩父重英

    S&T出版「次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術」　2022年7月

    ISBN: 9784907002930

講演・口頭発表等 276

  1. サファイア基板上rs-MgO薄膜の高温成長

    木村航介, 川端重温, 嶋紘平, 松尾浩一, 内田浩二, 大野篤史, 高橋勲, 荒木努, 秩父重英, 金子健太郎

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月7日

  2. 電子線照射GaNのルミネッセンス評価

    嶋紘平, 堀田昌宏, 須田淳, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月7日

  3. サファイア基板上にCVD成長させた層状BN薄膜の陰極線蛍光評価

    秩父重英, 粕谷拓生, 辻谷陽仁, 原和彦, 嶋紘平

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月7日

  4. 275 nm帯AlGaN量子井戸LEDの劣化対策

    秩父重英, 嶋紘平, 奥野浩司, 大矢昌輝, 宮﨑敦嗣, 坊山晋也, 齋藤義樹, 本田善央, 天野浩, 石黒永孝, 竹内哲也

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月7日

  5. Transient Process Conditions during Ammonothermal Crystal Growth of GaN 国際共著

    S. C. Schimmel, D. Tomida, K. Shima, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F. Chichibu, H. Amano

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月7日

  6. 低ドーズSi, Al, Nイオン注入GaNのルミネッセンス評価

    嶋紘平, 堀田昌宏, 須田淳, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月7日

  7. Cathodoluminescence studies of sp2-hybridized BN thin films and monolayers grown by vapor phase epitaxy 国際会議 国際共著 招待有り

    K. Shima, K. Hara, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, P. Valvin, B. Gil, G. Cassabois, S. V. Novikov, S. F. Chichibu

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE), Optics and Photonics　2025年8月3日

  8. サファイア基板上への岩塩構造MgZnO薄膜成長における成長温度・降温速度の効果

    木村航介, 嶋紘平, 松尾浩一, 内田浩二, 大野篤史, 秩父重英, 金子健太郎

    第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2025年7月17日

  9. 長寿命高効率深紫外LEDの開発 招待有り

    齋藤義樹, 宮﨑敦嗣, 坊山晋也, 三輪浩士, 奥野浩司, 大矢昌輝, 久志本真希, 本田善央, 天野浩, 石黒英孝, 竹内哲也, 嶋紘平, 秩父重英

    第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2025年7月17日

  10. Cathodoluminescence spectroscopy of layered-structure BN thin films grown by metalorganic vapor phase epitaxy using tris(dimethylamino)borane 国際会議

    K. Shima, H. Tsujitani, S. F. Chichibu

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025年7月6日

  11. Cathodoluminescence studies of layered-structure BN epilayers grown by chemical vapor deposition using carbon-free molecules 国際会議

    S. F. Chichibu, H. Tsujitani, S. Takaya, T. Suzuki, K. Hara, K. Shima

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025年7月6日

  12. Annealing behaviors of vacancies and their impact on dopant activation in ion-implanted GaN studied by positron annihilation 国際会議 招待有り

    A. Uedono, K. Shima, S. F. Chichibu, S. Ishibashi

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025年7月6日

  13. Improved device lifetime of 275-nm-band AlGaN MQW LEDs by decelerating the degradation of carrier injection efficiency 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Okuno, M. Oya, A. Miyazaki, S. Boyama, Y. Saito, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025年7月6日

  14. Impacts of ultra-high-pressure annealing on undoped and ion-implanted GaN studied by photoluminescence measurements 国際会議 国際共著

    K. Shima, T. Narita, A. Uedono, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. F. Chichibu

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025年7月6日

  15. Formation of layered polytypes during the thin film growth of boron nitride by chemical vapor deposition using boron trichloride as a boron source 国際会議

    K. Hara, S. Ota, R. Aoike, A. Takemura, H. Nakano, H. Kominami, K. Shima, S. F. Chichibu

    The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025年7月6日

  16. 低圧水銀灯を代替するMgZnO真空紫外固体光源の開発

    木村航介, 嶋紘平, 松尾浩一, 内田浩二, 大野篤史, 秩父重英, 金子健太郎

    立命館科学技術振興会（ASTER）フォーラム2025　2025年6月13日

  17. Characterization of vacancy-type defects in Mg- and N-implanted GaN by using a monoenergetic positron beam 国際会議 国際共著

    A. Uedono, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Shima, S. F. Chichibu, J. Uzuhashi, T. Ohkubo, S. Ishibashi, K. Sierakowski, M. Bockowski

    22nd International Workshop on Junction Technology (IWJT2025)　2025年6月5日

  18. 超高圧アニール処理したMgイオン注入GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

    嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

    第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月14日

  19. サファイア基板上岩塩構造MgZnO 薄膜成長における徐冷の効果

    木村航介, 嶋紘平, 松尾浩一, 内田浩二, 大野篤史, 秩父重英, 金子健太郎

    第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月14日

  20. HVPE 成長Mg 添加p 型GaN のフォトルミネッセンススペクトル(II)

    秩父重英, 大西一生, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 上殿明良, 石橋章司, 嶋紘平

    第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月14日

  21. HVPE 成長Si 添加ホモエピタキシャルAlN の発光特性 国際共著

    秩父重英, 菊地清, Baxter Moody, 三田清二, Ramon Collazo, Zlatko Sitar, 熊谷義直, 石橋章司, 上殿明良, 嶋紘平

    第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月14日

  22. サファイア基板上に有機金属気相成長させたBN薄膜の深紫外発光特性

    嶋紘平, 辻谷陽仁, 秩父重英

    第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月14日

  23. 超高圧アニール処理した無添加およびイオン注入GaNのフォトルミネッセンス評価 国際共著

    嶋紘平, 石橋章司, 上殿明良, Michal Bockowski, 須田淳, 加地徹, 秩父重英

    第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月14日

  24. Roles of vacancy complexes on the output-power degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, Y. Furusawa, A. Tanaka, R. Tsukamoto, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima

    17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2025)/18th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2025)　2025年3月3日

  25. Room-temperature cavity-polaritons in planar ZnO microcavities fabricated via a top-down process using bulk ZnO single crystals 国際会議

    K. Shima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

    11th International Workshop on Semiconductor Oxides (IWSO-2025)　2025年3月2日

  26. Origins and dynamic properties of midgap recombination centers in ZnO 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, A. Uedono, S. Ishibashi, K. Shima

    11th International Workshop on Semiconductor Oxides (IWSO-2025)　2025年3月2日

  27. Power degradation mechanism of UV-C LEDs under current stress 国際会議 招待有り

    Y. Honda, S. F. Chichibu, K. Shima, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, Y. Saito, A. Tanaka, T. Takeuchi, M. Kushimoto, H. Amano

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2025　2025年1月25日

  28. Development for long lifetime and high efficiency DUV LEDs 国際会議 招待有り

    Y. Saito, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, K. Kataoka, T. Narita, K. Horibuchi, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, S. F. Chichibu

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2025　2025年1月25日

  29. Zn1-xMgxO ナノロッドのサファイア基板上へのスパッタリング成長：3次元島バッファー層の効果

    大津山裕生, 嶋紘平, 湯上貴文, 成重椋太, 秩父重英, 板垣奈穂

    第24回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2024年12月12日

  30. 多形を含む層状窒化ホウ素半導体薄膜のカソードルミネッセンススペクトル

    辻谷陽仁, 嶋紘平, 原和彦, 秩父重英

    第24回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2024年12月12日

  31. ダイヤモンドとウルツ構造Al, Ga酸窒化物との界面バンド接合

    河野省三, 成田憲人, 浅野雄大, 太田康介, 嶋紘平, 秩父重英, 川原田洋

    第38回ダイヤモンドシンポジウム　2024年11月20日

  32. Minority carrier capture coefficients of major midgap recombination centers in the state-of-the-art GaN substrates, epilayers, and Mg-implanted layers 国際会議

    S. F. Chichibu, K. Shima, A. Uedono, S. Ishibashi, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H. Watanabe, A. Tanaka, Y. Honda, J. Suda, H. Amano, T. Kachi, T. Nabatame, Y. Irokawa, Y. Koide

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 (IWN2024)　2024年11月3日

  33. Room-temperature photoluminescence lifetimes of Mg-doped p-type GaN layers grown by halide vapor phase epitaxy 国際会議

    S. F. Chichibu, K. Ohnishi, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, A. Uedono, S. Ishibashi, K. Shima

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 (IWN2024)　2024年11月3日

  34. Spatio-time-resolved cathodoluminescence study of InGaN/GaN multiquantum shells 国際会議

    K. Shima, W. Lu, T. Takeuchi, S. Kamiyama, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 (IWN2024)　2024年11月3日

  35. Catalyst-free sputtering growth of Zn1-xMgxO nanorods on c-sapphire substrate using 3D buffer layers 国際会議

    H. Otsuyama, K. Shima, K. Yataka, T. Yunoue, S. F. Chichibu, N. Itagaki

    The 10th International Symposium on Surface Science (ISSS-10)　2024年10月20日

  36. エミッション顕微鏡を用いたUV-C LEDにおける中長期劣化の観察

    本田善央, 古澤優太, 田中敦之, 塚本涼子, 宮﨑敦嗣, 坊山晋也, 奥野浩司, 齋藤義樹, 嶋紘平, 秩父重英, 石黒永孝, 竹内哲也, 久志本真希, 天野浩

    第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月16日

  37. Cathodoluminescence studies of hexagonal BN polytypes and monolayer BN 国際会議 国際共著 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Hara, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, P. Valvin, B. Gil, G. Cassabois, S. V. Novikov, K. Shima

    2024 Fall Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS)　2024年9月16日

  38. 低圧酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長 招待有り

    栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 斉藤真, 嶋紘平, 石黒徹, 秩父重英

    化学工学会第55回秋季大会　2024年9月11日

  39. 超臨界アンモニアを用いた窒化物材料の作製 国際共著 招待有り

    冨田大輔, Saskia Schimmel, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 石黒徹, 秩父重英, 斉藤真, 栗本浩平, 包全喜

    第37回日本セラミックス協会秋季シンポジウム　2024年9月10日

  40. ワイドギャップ半導体の空孔型欠陥と発光ダイナミクス計測－ZnOとGaNの類似点と相違点－ 招待有り

    秩父重英, 嶋紘平, 上殿明良, 石橋章司

    透明酸化物光・電子材料研究会, 第9回（2024年度第2回）研究会チュートリアル「材料設計・作製・物性評価の基礎および応用」　2024年7月11日

  41. 275 nm帯AlGaN LEDの初期劣化機構 招待有り

    秩父重英, 奥野浩司, 大矢昌輝, 齋藤義樹, 石黒永孝, 竹内哲也, 嶋紘平

    応用電子物性分科会/結晶工学分科会 合同研究会「窒化物半導体発光デバイスの最前線」　2024年7月2日

  42. Roles of vacancy complexes on the luminescence spectra of Si-doped AlN layers grown by HVPE on (0001) AlN substrates prepared by PVT 国際会議 国際共著

    S. F. Chichibu, K. Kikuchi, B. Moody, S. Mita, R. Collazo, Z. Sitar, Y. Kumagai, S. Ishibashi, A. Uedono, K. Shima

    7th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-IV)　2024年6月2日

  43. Cathodoluminescence spectroscopy of monolayer hexagonal boron nitride grown on a highly oriented pyrolytic graphite substrate 国際会議 国際共著

    K. Shima, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, C. Elias, P. Valvin, B. Gil, G. Cassabois, S. V. Novikov, S. F. Chichibu

    7th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-IV)　2024年6月2日

  44. Developments in highly efficient and long-life AlGaN-based UVC LEDs 国際会議 招待有り

    Y. Saito, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, K. Kataoka, T. Narita, K. Horibuchi, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, S. F. Chichibu

    7th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-IV)　2024年6月2日

  45. 275 nm 帯AlGaN 量子井戸LED の初期劣化について

    秩父重英, 奥野浩司, 大矢昌輝, 齋藤義樹, 石黒永孝, 竹内哲也, 嶋紘平

    第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024年5月30日

  46. 酸性アモノサーマル法の低圧化と大口径GaNバルク結晶作製技術の進展 招待有り

    石黒徹, 斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 秩父重英

    第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024年5月30日

  47. Mgイオン注入GaNにおける空孔型欠陥のルミネッセンス評価 招待有り

    嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

    第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024年5月30日

  48. Technology development for long life and high efficiency DUV LEDs 国際会議 招待有り

    Y. Saito, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, K. Kataoka, T. Narita, K. Horibuchi, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, S. F. Chichibu

    The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'24)　2024年4月24日

  49. Short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN quantum well deep-ultraviolet light emitting diodes fabricated on a sapphire substrate 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima

    The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'24)　2024年4月24日

  50. 275 nm 帯AlGaN 量子井戸LED の初期劣化機構(II)

    秩父重英, 嶋紘平, 奥野浩司, 大矢昌輝, 齋藤義樹, 本田善央, 天野浩, 石黒永孝, 竹内哲也

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月22日

  51. BCl3/NH3を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜および多形BNセグメントの陰極線蛍光評価

    嶋紘平, 粕谷拓生, 髙屋竣大, 辻谷陽仁, 原和彦, 秩父重英

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月22日

  52. GaN 成長層･Mg イオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (III)

    秩父重英, 嶋紘平, 上殿明良, 石橋章司, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 渡邉浩崇, 田中敦之, 本田善央, 須田淳, 天野浩, 加地徹, 生田目俊秀, 色川芳宏, 小出康夫

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月22日

  53. GaN 成長層･Mg イオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (II)

    秩父重英, 嶋紘平, 上殿明良, 石橋章司, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 渡邉浩崇, 田中敦之, 本田善央, 須田淳, 天野浩, 加地徹, 生田目俊秀, 色川芳宏, 小出康夫

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月22日

  54. 低圧酸性アモノサーマル成長GaNのミッドギャップ再結合過程

    嶋紘平, 上殿明良, 石橋章司, 石黒徹, 秩父重英

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月22日

  55. Operation-induced short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes on a sapphire substrate 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2024　2024年1月27日

  56. Low-pressure acidic ammonothermal (LPAAT) growth of large diameter nearly bowing-free GaN crystals 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, M. Saito, D. Tomida, T. Ishiguro, K. Shima

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2024　2024年1月27日

  57. Operation-induced short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on a sapphire substrate 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima

    The 49th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-49)　2024年1月14日

  58. Polishing and etching damages of hydrothermally grown ZnO single crystals studied using time-resolved photoluminescence spectroscopy 国際会議

    K. Shima, T. Kasuya, S. F. Chichibu

    Materials Research Meeting 2023 (MRM2023)　2023年12月11日

  59. フォトルミネッセンス法によるZnOのプロセス誘起欠陥の評価

    Leiyu Wu, 嶋紘平, 秩父重英

    第23回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2023年12月7日

  60. Mgイオン注入GaN中の空孔型欠陥がルミネッセンス特性に与える影響の評価 招待有り

    嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

    応用物理学会九州支部特別講演会　2023年11月12日

  61. Recent developments for high efficiency for deep UV LEDs 国際会議 招待有り

    Y. Saito, K. Nagata, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, K. Kataoka, T. Narita, K. Horibuchi, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, S. F. Chichibu

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月12日

  62. Impacts of vacancy clusters on the luminescence dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures 国際会議 国際共著 招待有り

    S. F. Chichibu, A. Uedono, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, S. Ishibashi, K. Shima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月12日

  63. Effect on QWs Qualities of Thickness of Homoepitaxial AlN on AlN/sapphire Prepared by Sputtering and High-temperature Annealing 国際会議

    R. Akaike, K. Uesugi, K. Shima, S. F. Chichibu, A. Uedono, H. Miyake

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月12日

  64. Optical Characteristics of BGaN Films Using Oblique Polishing 国際会議

    R. Ozeki, D. Nakamura, R. Kudo, T. Ito, K. Shima, S. F. Chichibu, T. Nakano

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月12日

  65. Spatially resolved cathodoluminescence studies of graphitic BN segments formed in hexagonal BN epilayers grown on a (0001) sapphire by CVD 国際会議

    S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Hara, K. Shima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月12日

  66. Short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light emitting diodes on a sapphire substrate 国際会議

    S. F. Chichibu, K. Nagata, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月12日

  67. Wafer-scale characterization of mosaics and the impact on point defects in GaN studied using 2D birefringence and photoluminescence measurements 国際会議

    K. Shima, S. F. Chichibu

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月12日

  68. Luminescence studies of Mg-implanted and undoped GaN-on-GaN structures processed by ultra-high-pressure annealing 国際会議 国際共著

    K. Shima, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. F. Chichibu

    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月12日

  69. Structural, electrical and optical properties of α-In2O3 grown by mist CVD on (0001)α-Al2O3 substrate 国際会議

    T. Yamaguchi, A. Taguchi, K. Shima, T. Nagata, T. Yamamoto, Y. Hayakawa, M. Matsuda, T. Konno, T. Onuma, S. F. Chichibu, H. Honda

    7th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2023)　2023年10月31日

  70. 化学反応を用いるものづくり －殺菌・消毒を行う深紫外線LED－ 招待有り

    嶋紘平

    本場仙台味噌醤油鑑評会表彰式・70周年記念式典　2023年10月20日

  71. HVPE成長Mg添加p型GaNのフォトルミネッセンススペクトル

    秩父重英, 大西一生, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平

    第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月19日

  72. 二次元複屈折およびフォトルミネッセンス測定によるGaNウエハの結晶モゼイクと点欠陥の評価

    嶋紘平, 秩父重英

    第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月19日

  73. 斜め研磨加工を用いたBGaN薄膜の光学特性評価

    小関凌也, 中村大輔, 工藤涼兵, 伊藤哲, 嶋紘平, 秩父重英, 中野貴之

    第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月19日

  74. 炭素フリー原料を用いてサファイア基板にCVD成長させたhBN薄膜に混在する多形BNの空間分解カソードルミネッセンス評価

    秩父重英, 梅原直己, 原和彦, 嶋紘平

    第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月19日

  75. Ultraviolet luminescence dynamics of hexagonal BN epilayers grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors 国際会議

    T. Kasuya, K. Shima, K. Hara, S. F. Chichibu

    65th Electronic Materials Conference　2023年6月28日

  76. Short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deepultraviolet light emitting diodes fabricated on a sapphire substrate 国際会議

    S. F. Chichibu, K. Shima, T. Kasuya, K. Nagata, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi

    65th Electronic Materials Conference　2023年6月28日

  77. Luminescence studies of bulk GaN crystals grown by the low-pressure acidic ammonothermal method 国際会議

    K. Shima, K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    65th Electronic Materials Conference　2023年6月28日

  78. 空孔複合体が(Al,Ga)Nの発光特性に与える影響 招待有り

    秩父重英, 嶋紘平, 上殿明良

    第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2023年6月15日

  79. Temporary and spatially resolved luminescence studies of p-GaN segments fabricated by vacancy-guided redistribution of Mg using sequential ion implantation of Mg and N 国際会議

    K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, A. Uedono, S. Ishibashi, S. F. Chichibu

    21st International Workshop on Junction Technology (IWJT2023)　2023年6月8日

  80. 280 nm帯AlGaN量子井戸LEDの劣化機構に関する考察

    秩父重英, 嶋紘平, 粕谷拓生, 永田賢吾, 奥野浩司, 齋藤義樹, 石黒永孝, 竹内哲也

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月15日

  81. 陰極線励起による単層六方晶BNのバンド端発光の観測 国際共著

    嶋紘平, Tin S. Cheng, Christopher J. Mellor, Peter H. Beton, Christine Elias, Bernard Gil, Guillaume Cassabois, Sergei V. Novikov, 秩父重英

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月15日

  82. 炭素フリー原料を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜の間接遷移励起子の発光ダイナミクス

    粕谷拓生, 嶋紘平, 梅原直己, 原和彦, 秩父重英

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月15日

  83. 反応性イオンエッチングを行ったZnO表面の時間分解フォトルミネッセンス及びX線光電子分光評価

    粕谷拓生, 嶋紘平, 秩父重英

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月15日

  84. 赤色発光In0.35Ga0.65N/GaN量子井戸のフォトルミネッセンス寿命 国際共著

    李リヤン, 嶋紘平, 飯田大輔, 大川和宏, 秩父重英

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月15日

  85. 可視光透過型デバイス実現に向けたp型NiOエピタキシャル薄膜の電気特性

    橋本侑弥, 杉山睦, 嶋紘平, 秩父重英

    第22回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2022年12月8日

  86. 空孔ガイドMg再分配法によるp型イオン注入GaNの少数キャリア寿命の改善

    嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 石橋章司, 秩父重英

    第22回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2022年12月8日

  87. GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の室温における非輻射再結合寿命

    李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

    第77回応用物理学会東北支部学術講演会　2022年12月1日

  88. 時間分解フォトルミネッセンス法によるZnOのプロセス誘起欠陥評価

    粕谷拓生, 嶋紘平, 秩父重英

    応用物理学会結晶工学分科会, 電子材料若手交流会（ISYSE）, 大阪大学大学院工学研究科共催, 「第5回結晶工学×ISYSE合同研究会」　2022年11月18日

  89. Fabrication of BGaN neutron detectors and evaluation of the radiation detection characteristics 国際会議

    T. Nakano, Y. Ota, A. Miyazawa, H. Nakagawa, S. Kawasaki, Y. Ando, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN2022)　2022年10月9日

  90. Near-band-edge recombination in monolayer hBN epitaxial films studied using cathodoluminescence spectroscopy 国際会議 国際共著

    K. Shima, C. Elias, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, S. V. Novikov, B. Gil, G. Cassabois, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN2022)　2022年10月9日

  91. Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg 国際会議

    K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Kojima, A. Uedono, S. Ishibashi, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN2022)　2022年10月9日

  92. Low-pressure acidic ammonothermal (LPAAT) growth of 2-inch-diameter bulk GaN crystals 国際会議

    K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, K. Shima, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN2022)　2022年10月9日

  93. Self-formed compositional superlattices in m-plane Al0.7In0.3N alloys on a GaN substrate triggered by atomic ordering of In and Al along the c-axis 国際会議

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN2022)　2022年10月9日

  94. Emission dynamics of indirect excitons in hexagonal BN epilayers containing polytypic segments grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kikuchi, N. Umehara, K. Takiguchi, Y. Ishitani, K. Hara

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN2022)　2022年10月9日

  95. n型GaN基板・エピタキシャル薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 上殿明良, 石橋章司, 渡邉浩崇, 田中敦之, 本田善央, 今西正幸, 森勇介, 生田目俊秀, 色川芳宏, 天野浩, 小出康夫

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月20日

  96. 炭素フリー原料を用いてサファイア基板にCVD成長させた多型を含むhBN薄膜における間接遷移励起子の発光ダイナミクス

    秩父重英, 嶋紘平, 菊地清, 梅原直己, 瀧口佳祐, 石谷善博, 原和彦

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月20日

  97. 低圧酸性アモノサーマル成長バルクGaN結晶のルミネッセンス評価(2)

    嶋紘平, 栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 石黒徹, 秩父重英

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月20日

  98. 超高圧アニールによるMgイオン注入p型GaNのルミネッセンス評価 国際共著

    嶋紘平, 櫻井秀樹, 石橋章司, 上殿明良, Michal Bockowski, 須田淳, 加地徹, 秩父重英

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月20日

  99. GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

    李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月20日

  100. 時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥評価

    粕谷拓生, 嶋紘平, 秩父重英

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月20日

  101. Impacts of vacancy clusters on the recombination dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures for power devices 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono

    Compound Semiconductor Week 2022　2022年6月1日

  102. Observation of room-temperature cavity-polaritons in ZnO microcavities fabricated by a top-down process 国際会議

    K. Shima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

    2022 Spring Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS), Symposium N: Synthesis, processing and characterization of nanoscale multi functional oxide films VIII and 6th E-MRS & MRS-J bilateral symposium　2022年5月30日

  103. Luminescence studies of nearly lattice-matched c-plane AlInN/GaN heterostructures 国際会議

    L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. F. Chichibu

    5th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-V)　2022年5月23日

  104. Reduction of polishing-induced surface recombination centers of ZnO single crystals grown by the hydrothermal method 国際会議

    T. Kasuya, K. Shima, S. F. Chichibu

    5th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-V)　2022年5月23日

  105. エピタキシャル成長及びイオン注入により作製されたGaN基板上Mg添加 p型GaNの室温フォトルミネッセンス寿命 招待有り

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

    第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月22日

  106. 時間分解PL測定による岩塩構造MgZnOの発光特性の評価

    高坂亘, 小川広太郎, 日下皓也, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

    第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月22日

  107. Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Shima, S. Ishibashi, A. Uedono

    Advances in III-Nitride Materials & Photonic Devices (IIIN-MPD), Org. by T. Wernicke, A. Haglund, M. Weyers, S. Einfeldt, and M. Kneissl, Technical University of Berlin, Germany　2022年3月9日

  108. Spatially resolved cathodoluminescence studies on α-In2O3 films grown by mist CVD method 国際会議

    A. Taguchi, K. Shima, M. Matsuda, T. Onuma, T. Honda, S. F. Chichibu, T. Yamaguchi

    The 9th Advanced Functional Materials & Devices (AFMD) & The 4th Symposium for Collaborative Research on Energy Science and Technology (SCREST)　2022年3月5日

  109. 低圧酸性アモノサーマル法によるGaN単結晶製造技術の開発 招待有り

    栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 嶋紘平, 石黒徹, 秩父重英

    日本学術振興会R032 産業イノベーションのための結晶成長委員会 キックオフ研究会「ワイドギャップ半導体II」　2022年3月4日

  110. Room-temperature cavity-polaritons in planar ZnO microcavities fabricated by a top-down process 国際会議 招待有り

    K. Shima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

    The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022) & The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (ISWGPDs 2022)　2022年1月13日

  111. ミストCVD法により成長したRS-MgZnOにおける深紫外PL寿命の評価

    高坂亘, 工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

    第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2021年12月9日

  112. BGaNダイオードによる中性子半導体検出器の開発

    中野貴之, 宮澤篤也, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 秩父重英

    第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2021年12月9日

  113. c面Al0.82In0.18N/GaN格子整合ヘテロ構造の発光特性

    李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 上殿明良, 石橋章司, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

    第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2021年12月9日

  114. c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価

    李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 上殿明良, 石橋章司, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

    電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会/電子デバイス研究会/電子部品・材料研究会　2021年11月25日

  115. Impact of growth pressure on the neutron-detection efficiency of BGaN diodes 国際会議

    A. Miyazawa, Y. Ohta, S. Matsukawa, K. Hayashi, H. Nakagawa, S. Kawasaki, Y. Ando, G. Wakabayashi, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano

    IEEE Nuclear Science Symposium (NSS) and Medical Imaging Conference (MIC)　2021年10月21日

  116. 炭素フリー原料を用いてサファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の空間分解陰極線蛍光評価

    秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦

    第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月10日

  117. 空孔ガイドMg拡散法によるp型イオン注入GaNの空間分解CL評価

    嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英

    第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月10日

  118. 陽電子消滅を用いたMgイオン注入により形成したp型GaNのMg活性プロセスと空孔型欠陥の研究

    上殿明良, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司

    第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月10日

  119. 高品質GaNシードを用いた低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法によるGaN単結晶成長

    栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月10日

  120. Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

    20th International Workshop on Junction Technology (IWJT2021)　2021年6月10日

  121. 酸性アモノサーマル法による大口径高品質GaN結晶成長 招待有り

    三川豊, 石鍋隆幸, 鏡谷勇二, 包全喜, 栗本浩平, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    ワイドギャップ半導体学会（WideG）第１回研究会「ＷＢＧ材料のバルク結晶成長とウェハ化技術」　2021年5月14日

  122. 室温動作ポラリトンレーザの実現に向けたZnO微小共振器の形成 招待有り

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 古澤健太郎

    第4回固体レーザーの高速探索と機能開発に向けたレーザー材料研究会 -新しい機能を持ったレーザとそれに関連した材料- Smart Combinatorial Technology, Inc.　2021年3月22日

  123. InGaN/GaN多重量子殻の時間空間分解カソードルミネッセンス評価

    嶋紘平, Weifang Lu, 小島一信, 上山智, 竹内哲也, 秩父重英

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  124. トップダウンプロセスで作製したZnO微小共振器中の共振器ポラリトンの室温における観測

    嶋紘平, 古澤健太郎, 秩父重英

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  125. Mgイオン注入後の空孔ガイド拡散法により形成したp型GaNのルミネッセンス評価

    嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  126. 低圧酸性アモノサーマル成長バルクGaN結晶のルミネッセンス評価

    嶋紘平, 栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  127. 格子整合系c面AlInN/GaNヘテロ構造のルミネッセンス評価

    李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  128. BGaN中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2)

    宮澤篤也, 太田悠斗, 松川真也, 林幸佑, 中川央也, 川崎晟也, 安藤悠人, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  129. AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性 国際共著

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, Baxter Moody, 三田清二, Ramon Collazo, Zlatko Sitar, 熊谷義直, 上殿明良

    第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日

  130. (Al,Ga,In)Nの輻射・非輻射再結合過程に点欠陥が及ぼす影響 招待有り

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 上殿明良, 石橋章司

    日本学術振興会第162委員会 第121回研究会「ワイドギャップ半導体の進展 ― 結晶成長、物性評価からデバイスまで」　2021年3月5日

  131. Macroscopically homogeneous cathodoluminescence mapping images of c-plane nearly lattice-matched Al1-xInxN films on a GaN substrate 国際会議

    L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, K. Kojima, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. F. Chichibu

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021年3月1日

  132. Cathodoluminescence studies of AlN epilayers grown by MOVPE on sputtered AlN templates annealed at high temperature 国際会議

    T. Kasuya, K. Shima, K. Shojiki, K. Uesugi, K. Kojima, A. Uedono, H. Miyake, S. F. Chichibu

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021年3月1日

  133. Striped and fin-shaped cation orderings and self-formed compositional superlattices in an m-plane Al0.7In0.3N on GaN heterostructure 国際会議

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021年3月1日

  134. Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1-xInxN on GaN 国際会議

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa

    Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity　2021年2月1日

  135. 室温で共振器ポラリトンを呈する酸化亜鉛微小共振器の実現

    嶋紘平, 古澤健太郎, 秩父重英

    第20回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2020年12月3日

  136. AlNおよび高AlNモル分率AlGaN混晶におけるAl空孔複合体の役割 招待有り

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 三宅秀人, 上殿明良

    第153回結晶工学分科会研究会　2020年11月19日

  137. 陽電子消滅法によるMgイオン注入GaNの空孔型欠陥の焼鈍特性及び欠陥によるキャリア捕獲の研究 国際共著 招待有り

    上殿明良, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 松山秀昭, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司

    応用物理学会先進パワー半導体分科会, 第7回個別討論会　2020年11月16日

  138. 陽電子を用いた超高圧焼鈍によるイオン注入GaNの欠陥回復特性の研究 国際共著 招待有り

    上殿明良, 櫻井秀樹, 成田哲生, Sierakowski Kacper, Bockowski Michal, 須田淳, 石橋章司, 嶋紘平, 秩父重英, 加地徹

    第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）　2020年11月9日

  139. 岩塩構造MgZnO薄膜における深紫外PL寿命の評価

    工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日

  140. 4インチ対応オートクレーブを用いた低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法によるバルクGaN結晶成長

    栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日

  141. MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(4)

    秩父重英, 嶋紘平, 稲富悠也, 小島一信, 寒川義裕

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日

  142. GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス

    李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日

  143. 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)

    嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日

  144. 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)

    粕谷拓生, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月8日

  145. c面エピタキシャルAl0.82In0.18N/GaN構造の空間分解カソードルミネッセンス

    李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

    第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2020年7月30日

  146. スパッタAlN上にMOVPE成長させたAlN薄膜のカソードルミネッセンス評価

    粕谷拓生, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

    第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2020年7月30日

  147. 岩塩構造MgZnO薄膜の時間分解フォトルミネッセンス分光

    工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日

  148. BGaN中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響

    太田悠斗, 高橋祐吏, 山田夏暉, 宮澤篤也, 中川央也, 川崎晟也, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日

  149. 4インチ成長用オートクレーブを用いた低圧酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長

    栗本浩平, 包全喜, 斎藤真, 三川豊, 茅野林造, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日

  150. MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(3)-断面CL-

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日

  151. GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス

    李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日

  152. 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)

    嶋紘平, 中須大蔵, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日

  153. 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)

    中須大蔵, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日

  154. PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価 国際共著

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, Moody Baxte, 三田清二, Collazo Ramon, Sitar Zlatko, 熊谷義直, 上殿明良

    第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日

  155. Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2020　2020年2月1日

  156. ZnOの反応性イオンエッチングにおけるプラズマ損傷とHCl浸漬処理による損傷回復

    中須大蔵, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

    第19回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2019年12月12日

  157. Characterization of planar ZnO microcavities for the near ultraviolet polariton laser operatable at room temperature 国際会議

    K. Shima, K. Furusawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

    Materials Research Meeting 2019 (MRM2019)　2019年12月10日

  158. Improvement of neutron detection efficiency for BGaN semiconductor detectors 国際会議

    T. Nakano, Y. Takahashi, Y. Ohta, N. Yamada, H. Nakagawa, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki

    Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD)　2019年10月26日

  159. Inhibition of explosive by-products generation during CVD from Cl-containing silane precursors in reactor exhaust system 国際会議

    N. Sato, Y. Fukushima, Y. Funato, K. Shima, T. Momose, M. Koshi, Y. Shimogaki

    18th Asian Pacific Confederation of Chemical Engineering Congress (APCChE 2019)　2019年9月23日

  160. 酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶成長

    栗本浩平, 包全喜, 斉藤真, 茅野林造, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月18日

  161. ZnOの反応性イオンエッチングによる損傷とHClによる損傷回復

    中須大蔵, 嶋紘平, 小島 一信, 秩父重英

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月18日

  162. BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出デバイスの作製

    太田悠斗, 高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 中川央也, 川崎晟也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月18日

  163. ZnO微小共振器の作製と室温における共振器ポラリトン形成

    嶋紘平, 小島 一信, 秩父重英

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月18日

  164. H2キャリアガスを用いたBGaN 結晶成長メカニズムの解析

    清水勇希, 江原一司, 新宅秀矢, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月18日

  165. Fabrication of planar ZnO microcavities for near ultraviolet polariton laser operating at room temperature 国際会議

    K. Shima, K. Furusawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

    4th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-IV)　2019年9月8日

  166. Time-resolved luminescence studies of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors 国際会議

    S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Takiguchi, K. Shima, K. Kojima, Y. Ishitani, K. Hara

    The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019年7月7日

  167. Photoluminescence studies of sequentially Mg and H ion-implanted GaN with various implantation depths and crystallographic planes 国際会議

    K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

    The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019年7月7日

  168. Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN 国際会議

    S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, H. Matsuyama, Y. Fukushima, M. Edo, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, A. Uedono

    The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019年7月7日

  169. Impact of vacancy complexes on the nonradiative recombination processes in III-N devices 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

    The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019年7月7日

  170. BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出器の開発

    太田悠斗, 高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 中川央也, 川崎晟也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

    第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2019年6月13日

  171. BGaN-MOVPE法におけるキャリアガスとホウ素原料の影響

    清水勇希, 江原一司, 新宅秀矢, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

    第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　2019年6月13日

  172. Comparative study on Cu-CVD nucleation using β-diketonato and amidinato precursors for sub-10-nm-thick continuous film formation 国際会議

    K. Shima, H. Shimizu, T. Momose, Y. Shimogaki

    2nd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC2019)　2019年6月10日

  173. Improvement in the luminescence property of hexagonal boron nitride grown by CVD on a c-plane sapphire substrate 国際会議 招待有り

    K. Hara, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu

    The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C4)　2019年6月10日

  174. Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes 国際会議

    K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

    19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019)　2019年6月6日

  175. 酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望 招待有り

    秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹

    日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会研究会　2019年5月31日

  176. Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, D. Tomida, K. Kurimoto, K. Shima, K. Kojima, T. Ishiguro

    11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019),　2019年3月17日

  177. 注入深さ･極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス

    秩父重英, 嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 小島一信, 上殿明良

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日

  178. 水熱合成単結晶ZnO基板の薄膜化プロセスと微小共振器構造への応用

    嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日

  179. 容量測定を用いたp-GaNエピへの低濃度Mg注入と共注入影響の評価

    高島信也, 上野勝典, 田中亮, 松山秀昭, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日

  180. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるp型NiO薄膜の堆積

    嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日

  181. 窒化物半導体特異構造の時間空間分解カソードルミネッセンス評価 招待有り

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日

  182. エピタキシャル成長およびイオン注入Mg添加GaN中の非輻射再結合中心 招待有り

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

    応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会接合研究委員会研究会　2019年2月28日

  183. 酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望 招待有り

    秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹

    日本学術振興会, 結晶加工と評価技術145委員会パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会（第6回）　2018年12月17日

  184. GaN パワー半導体のエピ成長・プロセスで生じる点欠陥の理解と制御 招待有り

    成田哲生, 冨田一義, 徳田豊, 小木曽達也, 嶋紘平, 井口紘子, 片岡恵太, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良, 堀田昌宏, 五十嵐信行, 加地徹

    日本学術振興会, 結晶加工と評価技術145委員会パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会（第6回）　2018年12月17日

  185. Luminescence dynamics of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by BCl3-NH3 chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate 国際会議

    S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, K. Hara

    Materials Research Society, 2018 Fall Meeting　2018年11月25日

  186. Recent progress of acidic ammonothermal growth of GaN 国際会議

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, K. Shima, D. Tomida, K. Kojima, T. Ishiguro

    4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4)　2018年11月18日

  187. Luminescence dynamics of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by BCl3-NH3 chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate 国際会議

    S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, K. Hara

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018年11月11日

  188. Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN structures 国際会議

    S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018),　2018年11月11日

  189. Recent progress of large size bulk GaN crystal growth by acidic ammonothermal method 国際会議 招待有り

    M. Saito, Q. Bao, K. Shima, D. Tomida, K. Kojima, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018年11月11日

  190. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による紫外線対応誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成

    嶋紘平, 粕谷拓生, 小島一信, 秩父重英

    日本学術振興会第162委員会110回研究会　2018年9月27日

  191. 時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥の評価

    粕谷拓生, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

    第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月18日

  192. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるSiO2/HfO2誘電体分布ブラッグ反射鏡の作製

    嶋紘平, 粕谷拓生, 小島一信, 秩父重英

    第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月18日

  193. サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス

    秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦

    第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月18日

  194. A comparative study on SiO2/ZrO2 and SiO2/HfO2 distributed Bragg reflectors for ZnO-based microcavities 国際会議

    K. Shima, T. Kasuya, K. Furusawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

    The 10th International Workshop on Zinc Oxide and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018)　2018年9月11日

  195. Fabrication of a ZnO-based microcavity using the reactive helicon-wave-excited-plasma sputtering method 国際会議

    T. Kasuya, K. Shima, K. Kojima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

    The 10th International Workshop on Zinc Oxide and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018)　2018年9月11日

  196. Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, D. Tomida, K. Kurimoto, K. Shima, K. Kojima, T. Ishiguro

    The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides (ISGN-7)　2018年8月5日

  197. 酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長への取り組み 招待有り

    斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    2018年日本結晶成長学会特別講演会　2018年7月18日

  198. 酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶作製技術の進展 招待有り

    斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    日本学術振興会 結晶成長の科学と技術第161委員会　2018年7月6日

  199. Mg添加GaNエピ層及びイオン注入層のフォトルミネッセンス評価 招待有り

    秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

    第149回結晶工学分科会研究会　2018年6月15日

  200. Mgイオン注入GaN層上におけるノーマリーオフMOSFET検討 招待有り

    高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 高橋言緒, 清水三聡, 石橋章司, 中川清和, 堀田昌宏, 須田淳, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

    第149回結晶工学分科会研究会　2018年6月15日

  201. Luminescence spectra of hexagonal BN thin films grown by chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, K. Hara

    The 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3)　2018年5月29日

  202. P-type Conduction of Mg-ion Implanted N-polar GaN and the Optical Investigation 国際会議 招待有り

    T. Narita, K. Kataoka, H. Iguchi, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi

    The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18)　2018年4月23日

  203. Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

    嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 上殿明良, 小島一信, 秩父重英

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日

  204. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成 (2)

    嶋紘平, 粕谷拓生, 菊地清, 小島一信, 秩父重英

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日

  205. 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成 (1)

    粕谷拓生, 嶋紘平, 菊地清, 小島一信, 秩父重英

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日

  206. 酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長の検討

    斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日

  207. 超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法による2インチバルクGaN結晶育成

    包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

    化学工学会第83年会　2018年3月13日

  208. GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心 招待有り

    秩父重英, 上殿明良, 嶋紘平, 小島一信, 石橋章司

    応用物理学会先進パワー半導体分科会, 第3回個別討論会　2017年12月12日

  209. SiC-CVDプロセスのマルチスケールでのモデル化とシミュレーション

    舩門佑一, 佐藤登, 嶋紘平, 中智明, 百瀬健, 霜垣幸浩

    COMSOL Conference 2017 Tokyo　2017年12月8日

  210. Consideration of Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in wide bandgap (Al,Ga)N and ZnO 国際会議 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Shima, A. Uedono, S. Ishibashi

    Materials Research Society, 2017 Fall Meeting　2017年11月26日

  211. 塩素-ケイ素含化合物を用いたCVDにおける添加ガスによる副生成物の低減

    佐藤登, 福島康之, 舩門佑一, 嶋紘平, 百瀬健, 越光男, 霜垣幸浩

    化学工学会第49回秋季大会　2017年9月20日

  212. SiC-CVIプロセスにおける高濃度原料供給条件下での製膜モデルの検討

    中智明, 佐藤登, 嶋紘平, 舩門佑一, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第49回秋季大会　2017年9月20日

  213. CVDトレンチ埋込プロセスのマルチスケール解析とシミュレーション

    舩門佑一, 佐藤登, 嶋紘平, 中智明, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第49回秋季大会　2017年9月20日

  214. SiC-CVD総括反応モデルの構築と検証

    舩門佑一, 佐藤登, 嶋紘平, 中智明, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第49回秋季大会　2017年9月20日

  215. GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

    秩父重英, 小島一信, 嶋紘平, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 石橋章司, 上殿明良

    第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月5日

  216. 酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法による電子デバイス用GaN結晶合成の進展 招待有り

    秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒 徹

    第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月5日

  217. Surface reaction modeling of SiC-CVI revealed using deep microchannels and process development for highly conformal deposition using novel sacrificial layer 国際会議

    K. Shima, N. Sato, Y. Funato, T. Naka, Y. Fukushima, T. Momose, Y. Shimogaki

    Joint EuroCVD 21 - Baltic ALD 15 Conference　2017年6月11日

  218. Reformation of analytical method for surface reaction kinetics on CVD based on the Microcavity method 国際会議

    Y. Funato, N. Sato, K. Shima, T. Naka, Y. Fukushima, T. Momose, Y. Shimogaki

    Joint EuroCVD 21 - Baltic ALD 15 Conference　2017年6月11日

  219. SiC-CVIプロセスにおけるマルチスケールでの均一成長を目指したHClガス添加及び高濃度原料供給効果

    中智明, 嶋紘平, 佐藤登, 舩門佑一, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第82年会　2017年3月6日

  220. モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築(4)

    舩門佑一, 嶋紘平, 佐藤登, 中智明, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第82年会　2017年3月6日

  221. SiC-CVIプロセスの合理設計による超均一含浸の実現および複合材料特性への影響

    嶋紘平, 佐藤登, 舩門佑一, 中智明, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第82年会　2017年3月6日

  222. 多孔質媒体での希釈種輸送モジュールを用いた繊維構造への含浸挙動予測

    舩門佑一, 佐藤登, 嶋紘平, 中智明, 百瀬健, 霜垣幸浩

    COMSOL Conference Tokyo 2016　2016年12月9日

  223. Tailoring high-aspect-ratio three-dimensional test structures for process development of conformal-film deposition technologies 国際会議

    K. Shima, N. Sato, Y. Funato, Y. Fukushima, T. Momose, Y. Shimogaki

    38th International Symposium on Dry Process (DPS2016)　2016年11月21日

  224. Co thin film fabrication using hot-wire assisted atomic layer deposition 国際会議

    T. Naka, K. Shima, T. Momose, Y. Shimogaki

    26th Asian Session of Advanced Metallization Conference (ADMETAplus)　2016年10月20日

  225. Preparation of High-Quality Metallic Films by Hot-Wire Assisted Atomic Layer Deposition 国際会議

    Y. Shimogaki, K. Shima, G. Yuan, T. Momose, H. Shimizu

    PRiME 2016/230th ECS Meeting　2016年10月2日

  226. 高純度・高配向性Co薄膜形成を目指したホットワイヤALDプロセスの最適化

    中智明, 嶋紘平, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第48回秋季大会　2016年9月6日

  227. 均一含浸を目指したSiC-CVIプロセスへのHClガス添加効果

    中智明, 佐藤登, 嶋紘平, 舩門佑一, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第48回秋季大会　2016年9月6日

  228. モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築(3)

    舩門佑一, 佐藤登, 嶋紘平, 中智明, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第48回秋季大会　2016年9月6日

  229. SiC-CVIプロセスの初期成長に対する下地材料の影響

    嶋紘平, 佐藤登, 舩門佑一, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第48回秋季大会　2016年9月6日

  230. ホットワイヤALDを用いたサファイア上へのCo薄膜合成

    中智明, 嶋紘平, 百瀬健, 霜垣幸浩

    第13回Cat-CVD研究会　2016年7月8日

  231. モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築(2)

    舩門佑一, 佐藤登, 嶋紘平, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第81年会　2016年3月13日

  232. 超高アスペクト比構造を用いて観察したSiC-CVI製膜挙動の温度・圧力依存性

    嶋紘平, 佐藤登, 舩門佑一, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第81年会　2016年3月13日

  233. 犠牲層を活用したSiC-CVI均一埋込プロセスの構築

    嶋紘平, 佐藤登, 舩門佑一, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第81年会　2016年3月13日

  234. 微細溝への薄膜堆積における溝内膜厚分布の時間変化の可視化

    舩門佑一, 佐藤登, 嶋紘平, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    COMSOL Conference Tokyo 2015　2015年12月3日

  235. Characterization and Process Development of CVD/ALD-based Cu(Mn)/Co(W) Interconnect System 国際会議

    K. Shima, Y. Tu, B. Han, H. Takamizawa, H. Shimizu, Y. Shimizu, T. Momose, K. Inoue, Y. Nagai, Y. Shimogaki

    32nd Annual Advanced Metallization Conference　2015年9月9日

  236. 塩素-ケイ素含化合物を用いたCVDでの下流堆積物生成反応モデルの構築

    佐藤登, 嶋紘平, 舩門佑一, 杉浦秀俊, 中原拓也, 福島康之, 百瀬健, 越光男, 霜垣幸浩

    化学工学会第47回秋季大会　2015年9月9日

  237. 超高アスペクト比ミクロキャビティを用いたSiC-CVI法のモデリング

    嶋紘平, 佐藤登, 舩門佑一, 杉浦秀俊, 中原拓也, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第47回秋季大会　2015年9月9日

  238. 微細トレンチにおける製膜物質の反応性解析手法の改良

    舩門佑一, 嶋紘平, 佐藤登, 杉浦秀俊, 中原拓也, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第47回秋季大会　2015年9月9日

  239. Multi-scale analysis of chemical vapor deposition for SiC from organosilane precursors 国際会議

    H. Sugiura, N. Sato, Y. Funato, K. Shima, Y. Fukushima, T. Momose, Y. Shimogaki

    20th Biennial European Conference on Chemical Vapor Deposition　2015年7月13日

  240. Construction of overall reaction model of silicon carbide chemical vapor infiltration for process design 国際会議

    Y. Funato, N. Sato, K. Shima, H. Sugiura, Y. Fukushima, T. Momose, Y. Shimogaki

    20th Biennial European Conference on Chemical Vapor Deposition　2015年7月13日

  241. Kinetic study on chemical vapor infiltration of silicon carbide using high-aspect-ratio features 国際会議

    K. Shima, N. Sato, Y. Funato, H. Sugiura, Y. Fukushima, T. Momose, Y. Shimogaki

    20th Biennial European Conference on Chemical Vapor Deposition　2015年7月13日

  242. Gas phase and surface reaction simulation on chemical vapor infiltration of silicon carbide 国際会議

    N. Sato, Y. Funato, K. Shima, Y. Fukushima, T. Momose, M. Koshi, Y. Shimogaki

    20th Biennial European Conference on Chemical Vapor Deposition　2015年7月13日

  243. Barrier performance of Co(W) thin film against Cu diffusion for ULSI Cu interconnect proved by atom probe tomography 国際会議

    K. Shima, T. Kim, Y. Tu, B. Han, H. Takamizawa, H. Shimizu, Y. Shimizu, T. Momose, K. Inoue, Y. Nagai, Y. Shimogaki

    Workshop of Tohoku University and SCK-CEN　2015年6月21日

  244. モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセスにおける製膜種付着確率の詳細解析(3)

    嶋紘平, 佐藤登, 舩門佑一, 杉浦秀俊, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第80年会　2015年3月19日

  245. モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築

    舩門佑一, 佐藤登, 嶋紘平, 福島康之, 杉浦秀俊, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第80年会　2015年3月19日

  246. トリメチルクロロシランを原料としたSiC-CVDプロセスのマルチスケール解析

    杉浦秀俊, 嶋紘平, 佐藤登, 舩門佑一, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第80年会　2015年3月19日

  247. モノメチルトリクロロシランを原料としたSiC-CVDプロセスの滞留時間依存性

    中原拓也, 嶋紘平, 佐藤登, 舩門佑一, 杉浦秀俊, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第17回学生発表会　2015年3月7日

  248. CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と３次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価 招待有り

    嶋紘平, 涂远, 韓斌, 高見澤悠, 清水秀治, 清水康雄, 百瀬健, 井上耕治, 永井康介, 霜垣幸浩

    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会多層配線システム研究委員会主催（電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)共催）配線技術研究集会　2015年3月2日

  249. 3次元アトムプローブを用いた新規Cu(Mn)/Co(W)配線システムのサブナノ構造の解明とバリヤ性評価

    嶋紘平, 涂远, 韓斌, 高見澤悠, 清水秀治, 清水康雄, 百瀬健, 井上耕治, 永井康介, 霜垣幸浩

    第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日

  250. モノメチルトリクロロシランを原料としたSiC-CVIプロセス最適化のための反応炉スケールシミュレーション

    舩門佑一, 佐藤登, 福島康之, 嶋紘平, 杉浦秀俊, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第46回秋季大会　2014年9月17日

  251. モノメチルトリクロロシランを原料としたSiC-CVDプロセスにおける圧力依存性を考慮した素反応機構の構築

    佐藤登, 舩門佑一, 嶋紘平, 杉浦秀俊, 福島康之, 百瀬健, 越光男, 霜垣幸浩

    化学工学会第46回秋季大会　2014年9月17日

  252. SiC-CVDにおける有機シラン原料の比較検討

    杉浦秀俊, 嶋紘平, 佐藤登, 舩門佑一, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第46回秋季大会　2014年9月17日

  253. モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセスにおける製膜種付着確率の詳細解析(2)

    嶋紘平, 佐藤登, 舩門佑一, 杉浦秀俊, 福島康之, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第46回秋季大会　2014年9月17日

  254. Chemical Vapor Deposition Process for SiC Film using Tetramethylsilane/H2 system 国際会議

    H. Sugiura, Y. Fukushima, K. Shima, N. Sato, Y. Funato, T. Momose, Y. Shimogaki

    1st Belux workshop on Coating, Materials, Surface and Interface　2014年9月11日

  255. Kinetics of Chemical Vapor Infiltration Using MTS/H2 for SiC Film Coating Revealed by Multi-Scale Analysis 国際会議

    K. Shima, N. Sato, Y. Funato, H. Sugiura, Y. Fukushima, T. Momose, Y. Shimogaki

    1st Belux workshop on Coating, Materials, Surface and Interface　2014年9月11日

  256. Sub-nanoscale Structure and Barrier Performance of Cu(Mn)/Co(W) System for ULSI Cu Interconnects Examined by Atom Probe Tomography 国際会議

    K. Shima, Y. Tu, B. Han, H. Takamizawa, H. Shimizu, Y. Shimizu, T. Momose, K. Inoue, Y. Nagai, Y. Shimogaki

    1st Belux workshop on Coating, Materials, Surface and Interface　2014年9月11日

  257. Kinetics of Chemical Vapor Deposition Using CH3SiCl3/H2 for SiC Film Coating into the High Aspect Ratio Features 国際会議

    K. Shima, N. Sato, Y. Funato, H. Sugiura, Y. Fukushima, T. Momose, Y. Shimogaki

    13th GMSI-COSM-UT2 2014 Graduate Student Workshop (University of Tokyo – University of Toronto)　2014年6月10日

  258. モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセスにおける製膜種付着確率の詳細解析

    嶋紘平, 福島康之, 佐藤登, 舩門佑一, 杉浦秀俊, 保戸塚梢, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第79年会　2014年3月18日

  259. テトラメチルシランを原料としたSiC-CVDプロセスのマルチスケール解析

    杉浦秀俊, 福島康之, 嶋紘平, 佐藤登, 舩門佑一, 保戸塚梢, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第79年会　2014年3月18日

  260. Observation of Grain-Boundary Stuffing and Barrier Performance in CVD-Cu(Mn)/ALD-Co(W) System by Atom Probe Tomography 国際会議

    K. Shima, Y. Tu, H. Takamizawa, H. Shimizu, Y. Shimizu, T. Momose, K. Inoue, Y. Nagai, Y. Shimogaki

    Materials for Advanced Metallization 2014　2014年3月2日

  261. Fabrication of High-Quality and Reliability Cu interconnects by Chemical Processes 国際会議 招待有り

    Y. Shimogaki, H. Kim, H. Shimizu, K. Shima, T. Momose

    23rd Asian Session of Advanced Metallization Conference (ADMETAplus)　2013年10月7日

  262. Materials and Process Design to Realize Highly Reliable ULSI Cu Interconnects 国際会議

    K. Shima, H. Shimizu, T. Momose, Y. Shimogaki

    12th GMSI-COSM-UT2 2013 Graduate Student Workshop (University of Tokyo – University of Toronto)　2013年6月5日

  263. ALD-Co(W)バリヤ膜上に形成したCVD-Cu膜の密着性と初期核発生

    嶋紘平, 清水秀治, 百瀬健, 霜垣幸浩

    第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日

  264. Adhesion Strength of CVD-Cu with CVD or ALD-Co(W) for A Single Film Working as Cu Diffusion Barrier and Adhesion Layer in Future ULSI Interconnects 国際会議

    K. Shima, H. Shimizu, T. Momose, Y. Shimogaki

    Materials for Advanced Metallization 2013　2013年3月10日

  265. Adhesion and Nucleation Property of CVD-Cu with ALD-Co(W) Film as Cu Diffusion Barrier and Adhesion Promoting Layer in Future ULSI Interconnects 国際会議

    K. Shima, H. Shimizu, T. Momose, Y. Shimogaki

    22nd Asian Session of Advanced Metallization Conference (ADMETAplus)　2012年10月23日

  266. Process Design for Co(W) Alloy Films as a Single Layered Barrier/Liner Layer for 14 nm Generation Cu-interconnect 国際会議

    H. Shimizu, A. Kumamoto, Y. Suzuki, K. Shima, T. Momose, Y. Shimogaki

    22nd Asian Session of Advanced Metallization Conference (ADMETAplus)　2012年10月23日

  267. Process Design for Co(W) Alloy Films as a Single Layered Barrier/Liner Layer for 14 nm Generation Cu-interconnect 国際会議

    H. Shimizu, A. Kumamoto, K. Shima, Y. Suzuki, T. Momose, Y. Shimogaki

    29th Annual Advanced Metallization Conference　2012年10月9日

  268. Adhesion and Nucleation Property of CVD-Cu with ALD-Co(W) Film as Cu Diffusion Barrier and Adhesion Promoting Layer in Future ULSI Interconnects 国際会議

    K. Shima, H. Shimizu, T. Momose, Y. Shimogaki

    29th Annual Advanced Metallization Conference　2012年10月9日

  269. High Density Nucleation to Realize Ultra Thin and Continuous CVD-Cu Film Using Ruthenium Glue Layer Applied to Highly Reliable ULSIs 国際会議

    K. Shima, H. Shimizu, T. Momose, Y. Shimogaki

    International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2012　2012年9月23日

  270. Cu-CVDプロセスの初期核発生・成長に対する下地材料の影響

    嶋紘平, 清水秀治, 百瀬健, 霜垣幸浩

    化学工学会第44回秋季大会　2012年9月19日

  271. Comparative study on ALD/CVD-Co(W) films as a single barrier/liner layer for 22-1x nm generation interconnects 国際会議 国際共著

    H. Shimizu, H. Wojcik, K. Shima, Y. Kobayashi, T. Momose, J. W. Bartha, Y. Shimogaki

    IEEE International Interconnect Technology Conference　2012年6月4日

  272. ULSI多層配線におけるCVD-Cuシード層形成に適した下地の検討

    嶋紘平, 清水秀治, 百瀬健, 霜垣幸浩

    第59回応用物理学関係連合講演会　2012年3月15日

  273. 原子層堆積による次世代配線バリア層Co(W)膜のスタッフィング構造形成

    清水秀治, 嶋紘平, 迫田薫, 百瀬健, 霜垣幸浩

    第59回応用物理学関係連合講演会　2012年3月15日

  274. ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜

    清水秀治, 嶋紘平, 百瀬健, 小林芳彦, 霜垣幸浩

    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会多層配線システム研究委員会主催（電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)共催）配線技術研究集会　2012年3月15日

  275. CVDプロセスによるULSI多層配線用CuMn合金薄膜形成の検討

    嶋紘平, 百瀬健, 霜垣幸浩

    第72回応用物理学会学術講演会　2011年8月29日

  276. Impacts of vacancy clusters on the recombination dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures 国際会議 国際共著 招待有り

    S. F. Chichibu, K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, H. Sakurai, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, S. Ishibashi, A. Uedono

    The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2023　2023年1月30日

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産業財産権 6

  1. 耐熱複合材料の製造方法及び製造装置

    中村武志, 保戸塚梢, 福島康之, 霜垣幸浩, 百瀬健, 杉浦秀俊, 嶋紘平, 舩門佑一

    産業財産権の種類: 特許権

  2. 耐熱複合材料の製造方法及び製造装置

    中村武志, 石崎雅人, 保戸塚梢, 福島康之, 霜垣幸浩, 百瀬健, 杉浦秀俊, 嶋紘平, 舩門佑一

    産業財産権の種類: 特許権

  3. ケイ素化合物材料の製造方法およびケイ素化合物材料製造装置

    福島康之, 赤崎梢, 田中康智, 秋久保一馬, 中村武志, 霜垣幸浩, 百瀬健, 佐藤登, 嶋紘平, 舩門佑一

    産業財産権の種類: 特許権

  4. Method of producing a silicon compound material and apparatus for producing a silicon compound material

    Y. Fukushima, K. Akazaki, Y. Tanaka, K. Akikubo, T. Nakamura, Y. Shimogaki, T. Momose, N. Sato, K. Shima, Y. Funato

    特許20190135640 A1

    産業財産権の種類: 特許権

  5. Heat-resistant composite material production method and production device

    T. Nakamura, K. Hotozuka, Y. Fukushima, Y. Shimogaki, T. Momose, H. Sugiura, K. Shima, Y. Funato

    特許20160305015 A1

    産業財産権の種類: 特許権

  6. Heat-resistant composite material production method and production device

    T. Nakamura, M. Ishizaki, K. Hotozuka, Y. Fukushima, Y. Shimogaki, T. Momose, H. Sugiura, K. Shima, Y. Funato

    特許20160297716 A1

    産業財産権の種類: 特許権

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共同研究・競争的資金等の研究課題 17

  1. 半導体微小共振器のトップダウン形成と紫外ポラリトンレーザ応用

    嶋 紘平, 秩父 重英

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2025年4月 ～ 2028年3月

  2. III族窒化物半導体の欠陥科学：点欠陥物理と単一光子源の究明 競争的資金

    堀田昌宏, 嶋紘平, 金子光顕, 小林拓真

    提供機関：Center for Integrated Research of Future Electronics (CIRFE)

    制度名：2025年度若手活性化支援事業

    2025年7月 ～ 2026年3月

  3. 窒化ガリウム欠陥科学構築に向けた空孔型および格子間原子型欠陥の物理究明 競争的資金

    堀田昌宏, 嶋紘平, 金子光顕

    提供機関：Center for Integrated Research of Future Electronics (CIRFE)

    制度名：2024年度若手活性化支援事業

    2024年7月 ～ 2025年3月

  4. グラファイト型層状窒化ホウ素の気相合成と光電子素子材料としての物性解明

    秩父 重英, 嶋 紘平

    2023年6月 ～ 2025年3月

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    禁制帯幅約6 eVの六方晶窒化ホウ素(hBN)には、積層周期ABで表されるグラファイト(Bernal)構造のBNポリタイプ（bBN）が存在する。bBNはhBNと同様に室温で高効率な深紫外(DUV)発光が期待できるだけでなく、c軸に沿った反転対称性が無くなるためDUV波長域の第２高調波発生素子用材料としても期待できる。極最近bBNが存在する事が示されたが液相法により合成された微結晶しか報告されておらず、それらの試料を用いた発光計測や計算による物性予測が中心であった。本研究の目的は、物性計測に耐える大きさと相純度をもつbBNの気相成長を実現し発光ダイナミクス計測等を行うことにある。 R5年度は、半導体エレクトロニクスグレードのBNエピタキシャル薄膜を成長させるため既存の有機金属気相エピタキシャル（MOVPE）成長装置の改造を行い、基板温度を従来の最高1200℃から1450-1500 ℃で使用できるようにした。この理由は、BCl3とNH3を原料に用い化学気相堆積(CVD)法で成長されたhBNエピ層を評価した結果、高温成長の方がバンド端発光強度が強く非発光再結合寿命も長かったからである。また、bBNが混在する、主としてhBNのCVD薄膜を用いて空間分解カソードルミネッセンス(SRCL)評価を行い、どういった部位・表面状態の場所にbBNができやすいかを調べた。その結果、特定のカラムに於いて途中から積層がAA'からABに変化する箇所を発見した。 R6年度bBNおよびhBNの相純度が高いエピタキシャル薄膜を成長させるための条件を明らかにして発光効率の向上に努める。

  5. 六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御

    秩父 重英, 嶋 紘平

    2022年4月 ～ 2025年3月

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    窒化ホウ素(BN)には、間接遷移型バンド構造でありながら室温で210～230nmの高効率発光を呈する六方晶(h)BNや、機械強度が強くp, n型の導電性や接合形成が報告されている閃亜鉛鉱構造(c)BNなどがあり、各々深紫外(DUV)光源、高温動作トランジスタ等を実現できる可能性がある。しかしながら、異相・多形が多く半導体光エレクトロニクスグレードの高純度エピタキシャル成長が困難である。R4年度の成果は以下のとおりである。 ①半導体光エレ品質のhBNエピ膜を成長させるため、既存の有機金属気相エピタキシャル成長（MOVPE）装置の改造を行った。目的は基板温度を従前の最高1200 ℃程度から1400-1500 ℃で使用できるように改造を行うことであり、付随して反応室全体の再構築を行った。年度末の段階で部品がすべて揃った。 ②BN薄膜の構造・電気的評価：世界情勢を鑑み、自前の装置による試料作製が間に合わない見込みであったため、他機関が結晶成長させた化学気相堆積（CVD）hBN薄膜を用いて異形や相純度に関する評価技術と知識を習得した。 ③BN薄膜の光学的特性評価：②と同じCVD hBN薄膜を用い、静的カソードルミネッセンス（CL）、時間分解CL、時間空間分解CL測定系を、波長200-230nmで高感度が得られるように修正した。 ④CVDによるBN薄膜の評価を通じ、間接遷移型のcBNの発光効率よりも、hBNの積層を少し変調しグラファイト積層構造にしたGraphitic BN（又はBernal BN、略してbBN）や単一hBN層（monolayer BN)の研究を進めた方が高効率発光が得られ、応用展開も開けると判断した（CVD膜でのbBN相の発見は世界初であり、当該論文はAPL誌のFeatured Articleに選ばれた）。R5年度以降はhBNとbBNの研究に集中する。

  6. 窒化ガリウム欠陥科学構築に向けた空孔型および格子間原子型欠陥の物理究明 競争的資金

    堀田昌宏, 嶋紘平, 金子光顕

    提供機関：Center for Integrated Research of Future Electronics (CIRFE)

    制度名：2023年度若手活性化支援事業

    2023年12月 ～ 2024年3月

  7. ZnO微小共振器への電流注入による室温ポラリトンレーザ発振

    嶋 紘平

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

    研究機関：Tohoku University

    2021年4月 ～ 2024年3月

    詳細を見る 詳細を閉じる

    超低閾値なコヒーレント光源として期待されるポラリトンレーザの室温電流注入発振を目指した。①水熱合成バルク酸化亜鉛単結晶を機械的・化学的方法により光の波長程度の厚さまで薄膜化し、かつ長い励起子寿命を確保するプロセスを確立した。②光励起型の微小共振器を作製し、角度分解反射測定により共振器ポラリトンの上枝・下枝のエネルギー分散を測定し、共振器ポラリトンの安定性指標であるラビ分裂量が従来の実験報告値（130 meV、低温）よりも数十 meV高いことを確認した。③電流注入型素子を作製し整流特性を確認した。これらの成果は、ポラリトンレーザの安定室温動作に繋がる重要な成果であると考えられる。

  8. 広禁制帯幅ナノ構造を計測可能な時間・空間同時分解陰極線蛍光計測システムの開発 競争的資金

    秩父重英, 嶋紘平

    提供機関：Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

    制度名：多元研プロジェクト2022

    研究種目：Research grant

    研究機関：Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

    2022年4月 ～ 2023年3月

  9. ZnO微小共振器による室温ポラリトンレーザ発振の実証 競争的資金

    嶋紘平

    提供機関：The Noguchi Institute

    制度名：2021年度野口遵研究助成

    研究種目：研究助成金

    研究機関：Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

    2022年4月 ～ 2023年3月

  10. 六方晶窒化ボロン半導体の直接遷移型化と深紫外励起子発光ダイナミクスの研究

    秩父 重英, 原 和彦, 小島 一信, 嶋 紘平

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    研究機関：Tohoku University

    2020年7月 ～ 2022年3月

    詳細を見る 詳細を閉じる

    六方晶層状窒化ボロン(hBN)は禁制帯幅約6eVの超広禁制帯幅(UWBG)半導体であり、間接遷移型半導体ながら230 nm以下の発光を呈すため深紫外(DUV)光源用材料として期待できる。ごく最近単一原子層六方晶BN（mBN）やBernal型層状BN(bBN)の禁制帯が直接遷移型となる事が報告されたが、検証する基礎研究が必要である。しかしながらUWBG半導体のパルス励起は困難であり発光ダイナミクス研究自体が極めて少ない。本研究の目的は、mBNやbBNの発光機構を明らかにすることである。 2021年度は以下の項目を実施した。 (1)原料ガスのNH3およびBCl3を反応管に導入するタイミングがhBN薄膜の形成に大きな影響を与えることを明らかにした。特に、同時供給の場合に結晶性、発光特性ともに大幅に改善されることがわかった。一方、 NH3先行供給は成長を阻害した。また、金属初期層による成長モードの制御も試み、Ni層上では、(i)凝集したNi粒上で横方向成長、(ii) 粒周囲で粒に沿った成長、および(iii) 粒と粒の間で柱状成長の、3つの異なる機構で成長していることがわかった。次年度は、これらの結果を活用し、layer by layer 成長に適した基板表面上においてNiを成長核としたmBNの作製を目指す。 (2)発光機構解明に用いるフェムト秒パルスDUVレーザの光学部品を刷新して高出力化と安定化を行い、hBNの時間分解フォトルミネッセンス測定を7～300 Kで実施して励起子発光ダイナミクスの温度依存性を取得した。 (3)フェムト秒パルス電子線を用いる時間分解カソードルミネッセンス（CL）計測の予備実験として連続電子線による広域CL測定を実施した。1μm厚のBN薄膜に加え、従来6層以下では計測が困難であったmBNのCL測定を実現した。 (4)フェムト秒パルス電子線を集束して用いる時間・空間同時分解蛍光計測系に電子線減速機構を付加して低加速電圧計測系を立ち上げ、hBN薄膜の空間分解CL測定を行った。

  11. BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発

    中野 貴之, 青木 徹, 井上 翼, 本田 善央, 小島 一信, 嶋 紘平

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Shizuoka University

    2019年4月 ～ 2022年3月

    詳細を見る 詳細を閉じる

    近年、中性子の利用拡大により、中性子イメージング技術に向けた新たな検出器の開発が期待されている。III族窒化物半導体材料であるBGaNを中性子半導体検出器として提案している。デバイスの実用化に向けて中性子捕獲反応の検出エネルギーの膜厚依存性を計算し、エネルギー弁別に必要な膜厚が5um以上であることを確認した。5um以上の高品質な厚膜結晶成長を実現するために、気相反応の抑制や成長温度の最適化およびに歪の制御により5um以上の厚膜結晶成長を達成し、最大21umの結晶成長の実現に至った。作製した厚膜BGaN結晶を用いて放射線検出用器の作製を実現し、厚膜化による中性子捕獲信号検出の高効率化を達成した。

  12. 酸化亜鉛微⼩共振器における室温ポラリトンレーザ発振の実証 競争的資金

    嶋紘平

    提供機関：The Japan Science Society

    制度名：笹川科学研究助成2021

    研究種目：研究助成金

    研究機関：Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

    2021年4月 ～ 2022年2月

  13. 電流注入により室温発振するZnO系紫外ポラリトンレーザの実現 競争的資金

    嶋 紘平

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

    研究種目：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

    研究機関：Tohoku University

    2019年4月 ～ 2021年3月

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    超低閾値なコヒーレント光源として期待されるポラリトンレーザの発振を、室温かつ電流注入により実現することを目指した。本研究の成果は(1)室温で共振器ポラリトンが存在可能なチップサイズ酸化亜鉛(ZnO)微小共振器の実現および(2)電流注入型ポラリトンレーザ構造の試作とダイオードの整流特性の確認である。なかでも共振器ポラリトンが励起直径80 umという比較的広い領域において観測されたこと、さらに微小共振器の面内（10x5 mm2）の至る場所で観測されたことは世界初の成果である。電流注入によるポラリトンレーザ発振までは至らなかったが、それを達成するための道筋を立てた。

  14. 時間空間分解カソードルミネッセンスによる特異構造の光物性解明と機能性探索

    秩父 重英, 小島 一信, 嶋 紘平, 中須 大蔵

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)

    研究機関：Tohoku University

    2016年6月 ～ 2021年3月

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    特異構造の内部や、外部との界面における局所的な発光ダイナミクスを把握するには、当該構造を狙い打ちして時間分解分光を行う必要がある。走査型電子顕微鏡にフェムト秒パルスレーザ励起光電子銃を組み込む時間・空間同時分解カソードルミネッセンス(STRCL)装置は、特異構造の発光イメージングやダイナミクス解析が可能である上、電子線励起のためバンドギャップの制限を受けない。B02-2班は、ワイドバンドギャップ窒化物及び酸化物半導体特異構造の評価を行い、光物性解明と光機能性発現のための設計指針を与える事を目的として研究を行った。 R1年度は大きく分けて４つの成果を得た。(1)評価技術進展：STRCL装置の試料リターディング電圧を、最大2.5kVまで印可できるようにしSEM解像度が向上した。(2)新規特異構造材料評価：m面成長AlInN混晶ナノ構造の空間分解CL像を得て発光メカニズムを明らかにし、A01-5寒川班と共同で周期構造発生メカニズムを明らかにした。また、2次元層状半導体六方晶BN薄膜のSTRCL評価を行った。(3)人工形成特異構造：A01-2三宅班により作製されたスパッタAlN及びAlNエピ層の評価を行った。また、マクロステップ上にエピタキシャル成長を行う事によって発生するAlGaN薄膜の組成変調と、その上に形成されるc面でなくなる量子井戸に起因するキャリア局在機構を明らかにした。さらに、Mgイオン注入されたGaNの時間分解分光を行い、アニールによる欠陥の動向をB01-2上殿班と共同で調べた。(4)次元性の制御された特異構造に関連する欠陥評価：A01-3上山班のInGaN量子殻構造や、Mgイオン注入GaNにおける点欠陥と非輻射再結合に関するモデルを構築した。

  15. 電流注入により室温発振するZnOポラリトンレーザの創製 競争的資金

    嶋 紘平

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

    研究種目：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

    研究機関：Tohoku University

    2017年8月 ～ 2019年3月

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    室温で電流注入動作するポラリトンレーザの創製を目指し、ZnO微小共振器の形成およびpn接合の要素技術を開拓した。励起子ポラリトンの寿命を延ばすために、高い反射率と広いストップバンド幅を有する誘電体分布ブラッグ反射鏡を、反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ（R-HWPS）法により形成した。貫通転位や点欠陥性の非輻射再結合中心が極力排除され130 psの室温バンド端発光寿命を呈するZnO活性層を、単結晶ZnO基板の薄膜化プロセスにより形成した。また、n型ZnOとのTYPE-II型ヘテロ界面形成が期待され高いキャリア濃度を有するp型NiOをR-HWPS法により製膜した。

  16. A comparative study on SiO2/ZrO2 and SiO2/HfO2 distributed Bragg reflectors for ZnO-based microcavities 競争的資金

    嶋紘平

    提供機関：Marubun Research Promotion Foundation

    制度名：丸文財団国際交流助成2018

    研究種目：研究助成金

    研究機関：Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

    2018年9月 ～ 2018年9月

  17. 超低閾値コヒーレント光源実現に向けたZnO微小共振器構造の形成 競争的資金

    嶋紘平

    提供機関：Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

    制度名：多元研プロジェクト2017

    研究種目：Research grant

    研究機関：Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

    2017年4月 ～ 2018年3月

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担当経験のある科目(授業) 3

  1. 半導体光物性学B　東北大学大学院 工学研究科応用物理学専攻 大学院専門科目

  2. 学問論演習「グリーンテクノロジーのための材料とデバイス （磁気デバイスおよび半導体光デバイス関連の実習・講義）」　東北大学

  3. 基礎ゼミ（省エネで環境に優しい 半導体発光デバイスの最先端）　東北大学

Works（作品等） 1

  1. Microchannels: High-Aspect-Ratio Parallel-Plate Microchannels Applicable to Kinetic Analysis of Chemical Vapor Deposition

    Kohei Shima, Yuichi Funato, Hidetoshi Sugiura, Noboru Sato, Yasuyuki Fukushima, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki

    Advanced Materials Interfaces　2016年8月22日 ～ 継続中

    作品分類: その他

    DOI： 10.1002/admi.201670080 　

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    Back cover

社会貢献活動 1

  1. 仙台高等専門学校の学生向け次世代放射光施設および多元研見学会（学生23名参加）

    2022年3月15日 ～

メディア報道 7

  1. 東北大、深紫外線LEDの初期劣化の仕組み解明

    日刊工業新聞

    2023年5月25日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  2. 光による消毒・殺菌でウィズコロナ社会の公衆衛生に貢献 －深紫外線発光ダイオード（波長275 nm帯）の初期劣化メカニズムを解明－ 執筆者本人

    東北大学　プレスリリース

    2023年5月19日

    メディア報道種別: インターネットメディア

  3. 東北大など、次世代半導体の寿命長く 材料の製造法開発

    日本経済新聞

    2022年7月1日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  4. 低圧超臨界相の活用で従来以上に高品質な窒化ガリウム結晶を作製 －実験炉で反りがなく高純度な窒化ガリウム結晶成長を実証 執筆者本人

    東北大学　プレスリリース

    2022年5月26日

    メディア報道種別: インターネットメディア

  5. 混ざり合わない混晶半導体の特異構造を利用した高効率光源実現に道 －窒化アルミニウムインジウム超格子の自己組織化メカニズムを解明－ 執筆者本人

    東北大学　プレスリリース

    2020年11月5日

    メディア報道種別: インターネットメディア

  6. 室温動作ポラリトンレーザの実現に向けて大きな前進 －超低消費電力な近紫外線コヒーレント光源の実現に道－ 執筆者本人

    東北大学　プレスリリース

    2020年8月31日

    メディア報道種別: インターネットメディア

  7. 省エネルギーに資する窒化ガリウム単結晶基板の量産法を開発 －次世代パワーエレクトロニクスの実現に道－ 執筆者本人

    東北大学　プレスリリース

    2020年6月1日

    メディア報道種別: インターネットメディア

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学術貢献活動 1

  1. 13th GMSI-COSM-UT2 2014 Graduate Student Workshop (University of Tokyo – University of Toronto)

    2014年6月9日 ～ 2014年6月12日

    学術貢献活動種別: 大会・シンポジウム等