東北大学研究者紹介

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チチブ　シゲフサ

秩父　重英

Shigefusa Chichibu

所属

多元物質科学研究所　計測研究部門　量子光エレクトロニクス研究分野

職名

教授

学位

博士（工学）（慶應義塾大学）
工学修士（慶應義塾大学）

researchmap

https://researchmap.jp/read0133222

J-GLOBAL ID

200901059371803885

ORCID

https://orcid.org/0000-0001-9558-1642

経歴 10

2007年2月～継続中

東北大学多元物質科学研究所
2001年10月～ 2007年3月

科学技術振興機構創造科学技術推進事業中村不均一結晶プロジェクト不均一結晶評価グループリーダー
1999年5月～ 2007年1月

筑波大学助教授物理工学系
1999年4月～ 1999年4月

筑波大学助教授物質工学系
1994年4月～ 1999年3月

東京理科大学嘱託助手理工学部電気工学科
1997年9月～ 1998年9月

アメリカ合衆国・カリフォルニア州立大学サンタバーバラ校材料科学部有任期助教授
1997年2月～ 1997年3月

ドイツ・国立ハーンマイトナー研究所(Festkorperphysik) 訪問研究員
1991年4月～ 1993年3月

日本学術振興会特別研究員
1988年4月～ 1990年3月

株式会社東芝　総合研究所電子部品研究所
1999年～

理化学研究所フォトダイナミクス研究センター非常勤研究員

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学歴 3

慶應義塾大学　理工学研究科　電気工学

1990年4月～ 1994年3月
慶應義塾大学　理工学研究科　電気工学

1986年4月～ 1988年3月
慶應義塾大学　理工学部　電気工学

1982年4月～ 1986年3月

委員歴 3

日本学術振興会　第162委員会学術委員

2011年4月～継続中
応用物理学会　論文賞審査委員

2008年4月～ 2009年3月
応用物理学会　論文賞審査委員

2008年4月～ 2009年3月

所属学協会 1

応用物理学会

研究キーワード 5

半導体量子光物性
半導体電子工学
半導体結晶光物性
酸化物半導体
窒化物半導体

研究分野 4

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /
ナノテク・材料 / 結晶工学 /
ナノテク・材料 / 応用物性 /
自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 /

受賞 17

Best Paper Award

2025年6月　22nd International Workshop on Junction Technology (IWJT2025)　Characterization of vacancy-type defects in Mg- and N-implanted GaN by using a monoenergetic positron beam
Editor's Pick

2021年11月　Applied Physics Letters　Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy- guided redistribution of Mg
第43回(2021年度)応用物理学会優秀論文賞

2021年7月　公益社団法人応用物理学会
ベストポスター賞

2019年7月　The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN
Best Paper Award,

2019年6月　19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019),　"Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes"
応用物理学会フェロー表彰

2017年7月　応用物理学会
矢上賞

2016年10月　慶應義塾大学理工学部
平成22年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞（研究部門）

2010年4月13日　文部科学省　インジウムを含む窒化物半導体混晶の光物性の研究
第41回(平成21年)市村学術賞功績賞

2009年4月28日　財団法人新技術開発財団　Inを含む窒化物半導体混晶の光物性研究
第7回 (2008年) ドコモ・モバイル・サイエンス賞基礎科学部門優秀賞「非視認通信および表示・照明用III族窒化物半導体の物性研究」

2008年10月　NPO法人モバイル・コミュニケーション・ファンド
2008年度応用物理学会論文賞「JJAP論文賞」

2008年9月　応用物理学会　論文名 Continuous-Wave Operation of m-Plane InGaN Multiple Quantum Well Laser Diodes
第７回丸文研究奨励賞（平成１５年度） III窒化物半導体の励起子構造および量子構造発光素子における局在励起子発光過程の解明」

2004年
平成9年度矢崎学術賞奨励賞

1997年
第1回応用物理学会講演奨励賞

1996年
平成8年日本MRSシンポジウムシンポジウムR奨励賞

1996年
第8回安藤博記念学術奨励賞

1994年
平成5年電気学会電子情報システム部門大会優秀論文発表賞

1994年

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論文 553

Cathodoluminescence spectroscopy of monolayer hexagonal boron nitride 査読有り

Kohei Shima, Tin S. Cheng, Christopher J. Mellor, Peter H. Beton, Christine Elias, Pierre Valvin, Bernard Gil, Guillaume Cassabois, Sergei V. Novikov, Shigefusa F. Chichibu

Scientific Reports　14　(1)　169 1-8　2024年1月2日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-023-50502-9 　

eISSN：2045-2322

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Abstract Cathodoluminescence (CL) spectroscopy is a suitable technique for studying the luminescent properties of optoelectronic materials because CL has no limitation on the excitable bandgap energy and eliminates ambiguous signals due to simple light scattering and resonant Raman scattering potentially involved in the photoluminescence spectra. However, direct CL measurements of atomically thin two-dimensional materials have been difficult due to the small excitation volume that interacts with high-energy electron beams. Herein, distinct CL signals from a monolayer hexagonal BN (hBN), namely mBN, epitaxial film grown on a graphite substrate are shown by using a CL system capable of large-area and surface-sensitive excitation. Spatially resolved CL spectra at 13 K exhibited a predominant 5.5-eV emission band, which has been ascribed to originate from multilayered aggregates of hBN, markedly at thicker areas formed on the step edges of the substrate. Conversely, a faint peak at 6.04 ± 0.01 eV was routinely observed from atomically flat areas, which is assigned as being due to the recombination of phonon-assisted direct excitons of mBN. The CL results support the transition from indirect bandgap in bulk hBN to direct bandgap in mBN. The results also encourage one to elucidate emission properties of other low-dimensional materials by using the present CL configuration.
Operation-induced degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on a sapphire substrate 国際誌招待有り査読有り

S. F. Chichibu, K. Nagata, M. Oya, T. Kasuya, K. Okuno, H. Ishiguro, Y. Saito, T. Takeuchi, K. Shima

Applied Physics Letters　122　(20)　201105 1-7　2023年5月17日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0147984 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

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Abstract Degradation mechanisms of 275-nm-band AlxGa1-xN multiple quantum well deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on a (0001) sapphire substrate were investigated under hard operation conditions with the current of 350mA and the junction temperature of 105 C. The optical output power (Po) initially decreased by about 20% within the operating time less than 102 h and then gradually decreased to about 60% by 484 h. For elucidating the causes for the initial and subsequent degradations, complementary electrical, time-resolved photoluminescence (TRPL), and impurity characterizations were carried out making a connection with the energy band profiles. Because the degradation of the wells was less significant than the Po reduction, the initial degradation is attributed essentially to the decrease in carrier injection efficiency (ginjection), not in internal quantum efficiency of the wells, most likely due to depassivation of initially H-passivated preexisting nonradiative recombination centers (NRCs) in a Mg-doped p-type Al0.85Ga0.15N electron blocking layer. The principal cause for the subsequent Po reduction until 484 h is attributed to further decrease in ginjection due to the appearance of certain current bypasses in addition to continuous depassivation of the NRCs in p-type AlxGa1-xN layers. According to our database on the species of vacancy-type defects acting as NRCs in GaN and AlN, which have been identified using the combination of positron annihilation and TRPL measurements, vacancy clusters comprised of a cation vacancy (VIII) and nitrogen vacancies (VN), such as VIIIðVNÞ24, are the most suspicious origins of the NRCs in Mg-doped p-type AlxGa1-xN layers.
Impacts of ultra-high-pressure annealing on undoped and ion-implanted GaN studied by photoluminescence measurements 国際誌査読有り

K. Shima, T. Narita, A. Uedono, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. F. Chichibu

Journal of Applied Physics　137　(23)　235702 1-12　2025年6月18日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0266700 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

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Selective-area doping of GaN using ion implantation (I/I) followed by ultra-high-pressure annealing (UHPA) under 1-GPa-N2 has emerged as a promising technique for GaN power devices. In this article, the impacts of UHPA on the midgap recombination centers (MGRCs) in undoped, Si-implanted, Mg-implanted, and Mg/N-implanted GaN epitaxial layers are described based on the results of photoluminescence (PL) and time-resolved PL measurements. For undoped GaN, PL lifetimes at 300 K for the near-band-edge emission decreased with increasing the annealing temperature (Ta), indicating higher Ta increased the concentration of MGRCs. In contrast, for I/I-GaN, PL lifetimes or PL intensities at 300 K for the near-band-edge emission increased with increasing Ta, indicating higher Ta decreased the concentration of MGRCs originating from the I/I-induced vacancy-type defects comprising Ga and N vacancies [e.g., (VGaVN)3]. Nevertheless, MGRC concentrations in I/I-GaN after UHPA remained several orders of magnitude higher than in undoped GaN. Additional N-I/I onto Mg-implanted GaN followed by UHPA at Ta = 1480 °C enhanced the activation of a Mg acceptor substituted on a Ga site (MgGa) and decreased the concentration of MGRCs. For Mg- and Mg/N-implanted GaN, the progressive activation of MgGa acceptors with increasing Ta was confirmed. However, the PL lifetimes for Mg- and Mg/N-implanted GaN with Mg concentrations higher than 1 × 1018 cm−3 were limited to shorter than 1 ps. To fabricate reliable p-contacts and electron inversion layers using Mg- or Mg/N-I/I combined with UHPA, it is crucial to eliminate or etch away residual defective layers near the surface, which limits the minority carrier lifetime to below 1 ps.
Roles of Al-vacancy complexes on the luminescence spectra of low dislocation density Si-doped AlN grown by halide vapor phase epitaxy 国際誌査読有り

Chichibu, S.F., Kikuchi, K., Shima, K., Moody, B., Mita, S., Collazo, R., Sitar, Z., Kumagai, Y., Ishibashi, S., Uedono, A.

Applied Physics Letters　126　(11)　111905 1-7　2025年3月18日

DOI： 10.1063/5.0252149 　

ISSN：0003-6951
Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers 国際誌査読有り

Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Jun Suda, Hiroshi Amano, Tetsu Kachi, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide

Journal of Applied Physics　135　(18)　185701 1-20　2024年5月8日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0201931 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

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For rooting the development of GaN-based optoelectronic devices, understanding the roles of midgap recombination centers (MGRCs), namely, nonradiative recombination centers and deep-state radiative recombination centers, on the carrier recombination dynamics is an essential task. By using the combination of time-resolved photoluminescence and positron annihilation spectroscopy (PAS) measurements, the origins of major MGRCs in the state-of-the-art GaN epilayers, bulk crystals, and Mg-implanted layers were identified, and their concentrations were quantified for deriving the capture coefficients of minority carriers. In this article, potential standardization of the room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission (τPLRT) as the concentration of major MGRCs well below the detection limit of PAS is proposed. For n-GaN substrates and epilayers grown from the vapor phase, τPLRT was limited by the concentration of carbon on N sites or divacancies comprising a Ga vacancy (VGa) and a N vacancy (VN), [VGaVN], when carbon concentration was higher or lower, respectively, than approximately 1016 cm−3. Here, carbon and VGaVN act as major deep-state radiative and nonradiative recombination centers, respectively, while major MGRCs in bulk GaN crystals were identified as VGa(VN)3 vacancy clusters in Na-flux GaN and VGa or VGaVN buried by a hydrogen and/or VGa decorated with oxygen on N sites, VGa(ON)3–4, in ammonothermal GaN. The values of τPLRT in n-GaN samples are compared with those of p-GaN, in which τPLRT was limited by the concentration of VGa(VN)2 in Mg-doped epilayers and by the concentrations of VGaVN and (VGaVN)3 in Mg-implanted GaN right after the implantation and after appropriate activation annealing, respectively.
Improved midgap recombination lifetimes in GaN crystals grown by the low-pressure acidic ammonothermal method 国際誌査読有り

K. Shima, K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, M. Saito, D. Tomida, A. Uedono, S. Ishibashi, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

Applied Physics Letters　124　(18)　181103 1-6　2024年4月29日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0208853 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

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To investigate the carrier recombination processes in GaN crystals grown by the low-pressure acidic ammonothermal (LPAAT) method, the photoluminescence (PL) spectra and PL lifetimes of LPAAT GaN crystals grown on acidic ammonothermal (AAT) GaN seed crystals were correlated with the growth polarity and species/concentration of point defects. The PL spectra of LPAAT GaN grown toward the (0001¯) direction (−c region), which provided the highest growth rate, exhibited a predominant near-band edge (NBE) emission. Neither bandgap narrowing nor Burstein–Moss shifts due to high concentration residual impurities were observed in the NBE emissions, indicating higher purity than the previously reported AAT GaN crystals. In addition, strain-induced energy shift or energy broadening of excitonic emission peaks was not observed, indicating excellent crystal coherency. Because of the reduced concentration of midgap recombination centers, a record-long room-temperature PL lifetime for the NBE emission of ammonothermal GaN (40 ps) was obtained from the −c region. Meanwhile, the PL spectra also exhibited the yellow and blue luminescence bands originating from particular deep-state radiative recombination centers. The major vacancy-type defects acting as midgap recombination centers are identified as vacancy complexes comprising a Ga vacancy (VGa) and a few N vacancies (VN), namely, VGa(VN)n buried by H and/or O, where n is an integer. Further reduction of such defect complexes will allow less compensated stable carrier concentration in the LPAAT GaN crystals.
Vacancy‐Type Defects and Their Trapping/Detrapping of Charge Carriers in Ion‐Implanted GaN Studied by Positron Annihilation 査読有り

Akira Uedono, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Shoji Ishibashi, Kacper Sierakowski, Michal Bockowski

physica status solidi (b)　261　2400060 1-10　2024年2月29日
出版者・発行元： Wiley
DOI： 10.1002/pssb.202400060 　

ISSN：0370-1972

eISSN：1521-3951

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Annealing behaviors of vacancy‐type defects in ion‐implanted GaN are studied by positron annihilation. Mg⁺ and N⁺ ions are implanted to obtain 700 nm deep box profiles with Mg and N concentrations of 1 × 10¹⁸ cm⁻³, and the samples are annealed using an ultrahigh‐pressure annealing system. For as‐implanted samples, the major defect species is identified as Ga‐vacancy (V_Ga)‐type defects. For N‐implanted GaN, the size of the vacancies increases as the annealing temperature increases up to 1100 °C and then shrank above 1200 °C. This behavior is attributed to recombinations between N‐vacancy (V_N)‐type defects and excess N. For Mg‐implanted GaN, the major defect species after annealing above 1000 °C is vacancy clusters such as (V_GaV_N)₃. Some of them act as nonradiative recombination centers for blue and ultraviolet luminescence. Their energy levels corresponding to the transition from positive to neutral are located between 2.6 eV above the valence band maximum and the conduction band minimum. The thermal activation process of electron detrapping from the vacancy clusters is also studied. For Mg‐implanted GaN, one of the major secondary defects is collapsed vacancy disks forming dislocation loops. They are eliminated by additional N implantation, which is associated with vacancy agglomerations under the annealing in V_Ga‐rich condition.
Steady-state and dynamic characteristics of deep UV luminescence in rock salt-structured MgxZn1-xO 査読有り

T. Onuma, K. Kudo, M. Ono, W. Kosaka, K. Shima, K. Ishii, K. Kaneko, Y, Ota, T. Yamaguchi, K. Kojima, S. Fujita, S. F. Chichibu, T. Honda

Journal of Applied Physics (2023)　134　(2)　025102 1-11　2023年7月13日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0155269 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550

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Temperature-dependent cathodoluminescence spectra were measured for rock salt-structured MgxZn1−xO films with x = 0.95–0.61. The Mg0.95Zn0.05O film exhibited the shortest deep UV peak wavelength of 199 nm (6.24 eV) at 6 K. Relatively high equivalent internal quantum efficiencies of 0.9%–11% were obtained. The Tauc plots, which were obtained from temperature-dependent optical transmittance measurements, exhibited large Stokes-like shifts of 0.7–0.9 eV at 6–300 K. Time-resolved photoluminescence (PL) signals at 7 K exhibited fast and slow decay components. The fast decay component had PL lifetimes of 2.59–3.08 ns, and the slow decay component far exceeded the measurement time range of 12.5 ns. The fast decay constant reflected the transfer lifetime of the photoexcited carriers to certain trapping centers. These centers were tentatively ascribed to Zn-related isoelectronic trapped-hole centers and may be a cause of the large Stokes-like shifts. The signals at 300 K exhibited very short PL lifetimes of 120–180 ps. The PL lifetimes were mainly attributed to the nonradiative recombination lifetime. Simultaneous decreases in the Zn-related isoelectronic trapped-hole centers and the nonradiative recombination centers were found to be necessary to improve the DUV emission properties of RS-MgxZn1−xO films.
Temporary and spatially resolved luminescence studies of p-GaN segments fabricated by vacancy-guided redistribution of Mg using sequential ion implantation of Mg and N 国際誌査読有り

K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, A. Uedono, S. Ishibashi, and, S. F. Chichibu

Proceedings of IWJT2023: IEEE Xplore Digital Library (2023)　1-4　2023年7月12日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10. 23919/IWJT59028.2023.10175182 　

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Extended Abstract of the 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT2023) : pp. S3-1 (2023) ISBN:978-4-86348-807-6
Polishing and etching damages of ZnO single crystals studied using time-resolved photoluminescence spectroscopy 査読有り

Kasuya, T., Shima, K., Chichibu, S.F.

Journal of Applied Physics　134　(2)　025302 1-10　2023年7月10日

DOI： 10.1063/5.0149404 　

ISSN：0021-8979 1089-7550
Band alignment and quality of Al0.6Ga0.4N/AlN films grown on diamond (111) substrate by remote N-plasma assisted MBE 国際誌査読有り

Shozo Kono, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Masaru Shimomura, Taisuke Kageura, Hiroshi Kawarada

Diamond and Related Materials　136　(6)　110013 1-17　2023年5月12日
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.diamond.2023.110013 　

ISSN：0925-9635

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Abstract In an attempt to fabricate an n-type Al0.6Ga0.4N film on a p-type diamond (111) substrate, the technique of remote N-plasma assisted MBE was used. Thin AlN layers were grown on boron-doped p-type diamonds to examine band alignment. Al0.6Ga0.4N layers were grown on the AlN layer. The techniques of RHEED, AFM, XPS, XPD, and Hall-measurements were used for the characterization. It was found that the AlN layers are not pure wurtzite but mixed possibly with amorphous Al2O3 region and that the band alignments are favorably modified by the presence of possible amorphous Al2O3. It was further found that the presence of ~1ML of Si on the substrate diamond surface gives nearly type-I band alignment of amorphous Al2O3 to the substrate. The Al0.6Ga0.4N layers were found in a form of ~2 nm size grains surrounded possibly by amorphous Al2O3/Ga2O3 regions. The Al0.6Ga0.4N layers were found to be n-type conductive with a very low mobility and the conductivity seems to be derived by thin metallic layers that possibly surrounding Al0.6Ga0.4N grains.
Annealing properties of vacancy-type defects in ion implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam 国際誌招待有り査読有り

Akira Uedono, Hideki Sakurai, Jun Uzuhashi, Tetsuo Narita, Kacper Sierakowski, Shoji Ishibashi, Shigefusa F. Chichibu, Michal Bockowski, Jun Suda, Tadakatsu Ohokubo, Nobuyuki Ikarashi, Kazuhiro Hono, Tetsu Kachi

Proceedings of SPIE2023,Gallium Nitride Materials and Devices XVIII　1-8　2023年3月15日
出版者・発行元： SPIE
DOI： 10.1117/12.2646233 　

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The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2023, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XVIII (OE107), San Francisco, USA, Jan.30-Feb.2, (2023), No.12421-25 (Invited-oral)
Temperature Field, Flow Field, and Temporal Fluctuations Thereof in Ammonothermal Growth of Bulk GaN—Transition from Dissolution Stage to Growth Stage Conditions 査読有り

Schimmel, S., Tomida, D., Honda, Y., Amano, H., Ishiguro, T., Chichibu, S.F.

Materials　16　(5)　2016 1-27　2023年2月28日

DOI： 10.3390/ma16052016 　

ISSN：1996-1944
Room-temperature nonradiative recombination lifetimes in c-plane Al1-xInxN epilayers nearly and modestly lattice-matched to GaN (0.11 ≤ x ≤ 0.21) 査読有り

Li, L.Y., Shima, K., Chichibu, S.F., Yamanaka, M., Egawa, T., Miyoshi, M., Takeuchi, T., Ishibashi, S., Uedono, A.

Journal of Applied Physics　132　(16)　163102 1-10　2022年10月25日

DOI： 10.1063/5.0106540 　

ISSN：0021-8979 1089-7550
High-Energy Computed Tomography as a Prospective Tool for In Situ Monitoring of Mass Transfer Processes inside High-Pressure Reactors—A Case Study on Ammonothermal Bulk Crystal Growth of Nitrides including GaN 査読有り

Schimmel, S., Salamon, M., Tomida, D., Honda, Y., Amano, H., Neumeier, S., Ishiguro, T., Chichibu, S.F.

Materials　15　(17)　6165 1-17　2022年9月5日

DOI： 10.3390/ma15176165 　

ISSN：1996-1944
Weak metastability of Al_xGa_1−xN (x = 13/24, 15/24, 17/24) shown by analyzing AlGaN grown on AlN with dense macrosteps 国際誌査読有り

Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Express　15　(7)　075505 1-5　2022年7月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/ac79a1 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Recombination dynamics of indirect excitons in hexagonal BN epilayers containing polytypic segments grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors 国際誌査読有り

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kikuchi, N. Umehara, K. Takiguchi, Y. Ishitani, K. Hara

Applied Physics Letters　120　(23)　231904 1-7　2022年6月6日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0090431 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

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Hexagonal (h) BN is a semiconductor that crystallizes in layers of a two-dimensional honeycomb structure. Since hBN exhibits high quantum efficiency (QE) near-band edge emission at around 5.8 eV in spite of the indirect bandgap, hBN has a potential for the use in deep-ultraviolet light emitters. For elucidating the emission dynamics of indirect excitons (iXs) in hBN, spatially and temporally resolved luminescence measurements were carried out on hBN epilayers grown using carbon-free precursors. In addition to major [Formula: see text]m-side flat-topped (0001) hBN columnar grains, sub-[Formula: see text]m-scale polytypic segments were identified, which were likely formed by certain growth instabilities. The hBN domains exhibited predominant emissions of phonon-assisted fundamental iXs at 5.7–5.9 eV and a less-pronounced 4.0-eV emission band. The photoluminescence lifetime ([Formula: see text]) for the iX emissions was 54 ps, which most likely represents the midgap recombination lifetime ([Formula: see text]) for an iX reservoir. Because [Formula: see text] did not change while the cathodoluminescence (CL) intensity increased with temperature above 100 K, both the immobile character of iXs and strong exciton–phonon interaction seem significant for procreating the high QE. The CL intensity and [Formula: see text] of the 5.5 eV band monotonically decreased with temperature, indicating that [Formula: see text] represents [Formula: see text], most probably a nonradiative lifetime, around the real states. Equally significant emissions at 6.035 eV at 12 K and 6.0–6.1 eV at 300 K were observed from the polytypic segments, most probably graphitic bernal BN, which also exhibited negligible thermal quenching property.
Precise determination of deformation potentials in InGaN alloy material in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells 査読有り

Shigeta Sakai, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Atsushi A. Yamaguchi

Japanese Journal of Applied Physics　61　(6)　061003 1-6　2022年6月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac62e4 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

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Abstract Deformation potentials of InGaN have been precisely determined in order to make a reliable prediction of optical gain characteristics in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells (QWs) laser didoes (LDs). Since the optical polarization properties in semipolar and nonpolar InGaN QWs are very sensitive to the values of deformation potentials, all the reported data on the optical polarization properties have been theoretically analyzed based on the k·p perturbation theory in this study, and we have made a precise determination of the deformation potentials’ set. In addition, optical gain characteristics of InGaN QWs on GaN substrates with arbitrary substrate orientations have been theoretically calculated by using the determined deformation potentials’ set. It is found that low-angle semipolar substrate orientation (θ ∼ 45°) is very promising for low-cost and high-performance green LDs with cleaved-facet cavity mirrors.
Effect of Ultra-High-Pressure Annealing on Defect Reactions in Ion-Implanted GaN Studied by Positron Annihilation 査読有り

Uedono, A., Sakurai, H., Bockowski, M., Suda, J., Ikarashi, N., Kachi, T., Uzuhashi, J., Ohkubo, T., Hono, K., Narita, T., Sierakowski, K., Ishibashi, S., Chichibu, S.F.

Physica Status Solidi B Basic Research　259　(10)　2200183 1-12　2022年5月20日
出版者・発行元： Wiley
DOI： 10.1002/pssb.202200183 　

ISSN：0370-1972 1521-3951

eISSN：1521-3951
Low-pressure acidic ammonothermal growth of 2-inch-diameter nearly bowing-free bulk GaN crystals 査読有り

Kouhei kurimoto, Quanxi Bao, Yutaka Mikawa, Kohei Shima, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Express　15　(5)　055504 1-4　2022年5月13日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/ac67fc 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786

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Abstract Seeded growth of 2-inch-diameter GaN crystals via low-pressure (~100 MPa) acidic ammonothermal method is demonstrated. Nearly bowing- and mosaic-free GaN crystals exhibiting the full-width at half-maximum values for the 0002 x-ray rocking curves below 20 arcsec were achieved on high lattice coherency c-plane SCAAT^TM seeds with gross dislocation densities in the order of 10⁴ cm^-2. The photoluminescence spectra of the grown crystals exhibited a predominant near-band-edge emission at 295 K, of which intensity was one order of magnitude higher than the characteristic deep-state emission bands. A nearly bowing-free 60 mm × 60 mm c-plane GaN crystal was eventually obtained.
Impacts of Si-doping on vacancy complex formation and their influences on deep ultraviolet luminescence dynamics in AlxGa1−xN films and multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Chichibu, S.F., Miyake, H., Uedono, A.

Japanese Journal of Applied Physics　61　(5)　050501 1-14　2022年4月27日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac46b1 　

ISSN：0021-4922 1347-4065

eISSN：1347-4065
Dual-peak electroluminescence spectra generated from Al n/12Ga1- n/12N ( n = 2, 3, 4) for AlGaN-based LEDs with nonflat quantum wells 査読有り

Nagasawa, Y., Hirano, A., Ippommatsu, M., Kojima, K., Chichibu, S.F., Honda, Y., Amano, H.

Journal of Physics D Applied Physics　55　(25)　255102 1-11　2022年3月29日

DOI： 10.1088/1361-6463/ac5d03 　

ISSN：0022-3727 1361-6463
High-speed solar-blind optical wireless communication enabled by DUV LED

Yuki Yoshida, Kazunobu Kojima, Masaki Shiraiwa, Atsushi Kanno, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Naokatsu Yamamoto, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinari Awaji

Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVI　2022年3月9日
出版者・発行元： SPIE
DOI： 10.1117/12.2608459 　
Reactive RF magnetron sputtering epitaxy of NiO thin films on (0001) sapphire and (100) MgO substrates 査読有り

Nishimoto, K., Sugiyama, M., Shima, K., Chichibu, S.F.

Japanese Journal of Applied Physics　61　(2)　025505-1-5　2022年2月24日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac4392 　

ISSN：0021-4922 1347-4065

eISSN：1347-4065
Enhanced quantum efficiency of a self-organized silica mixed red phosphor CaAlSiN3:Eu 査読有り

Oishi, M., Moriga, T., Kai, Y., Takatori, A., Kojima, K., Shiomi, S., Ohara, K., Fujishiro, F., Shih, S.-J., Chichibu, S.F.

Journal of Solid State Chemistry　309　122968 1-8　2022年2月
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.jssc.2022.122968 　

ISSN：0022-4596 1095-726X
全方位フォトルミネセンス（ODPL）分光法による半導体結晶の評価招待有り

小島一信, 嶋紘平, 秩父重英

=特集= ワイドギャップ半導体の光・フォノン物性の最先端評価解析技術日本結晶成長学会誌 (解説)　48　(4)　1-9　2022年1月
Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors 国際誌招待有り査読有り

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

Proceedings of IWJT2021, IEEE Xplore Digital Library　1-4　2021年11月6日
出版者・発行元： IEEE

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20th International Workshop on Junction Technology (IWJT2021), June 10-11 (2021), No.KN-4, On-line Conference (Plenary)
Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg 国際誌招待有り査読有り

Shima, K., Kojima, K., Chichibu, S.F., Tanaka, R., Takashima, S., Ueno, K., Edo, M., Uedono, A., Ishibashi, S.

Applied Physics Letters　119　(18)　182106-182106　2021年11月3日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0066347 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Dopant activation process in Mg-implanted GaN studied by monoenergetic positron beam 査読有り

Akira Uedono, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi

Scientific Reports　11　(1)　20660 1-8　2021年10月19日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-021-00102-2 　

eISSN：2045-2322

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<title>Abstract</title>A process for activating Mg and its relationship with vacancy-type defects in Mg-implanted GaN were studied by positron annihilation spectroscopy. Mg⁺ ions were implanted with an energy of 10 keV, and the Mg concentration in the subsurface region (≤ 50 nm) was on the order of 10¹⁹ cm⁻³. After the Mg-implantation, N⁺ ions were implanted to provide a 300-nm-deep box profile with a N concentration of 6 × 10¹⁸ cm⁻³. From capacitance–voltage measurements, the sequential implantation of N was found to enhance the activation of Mg. For N-implanted GaN before annealing, the major defect species were determined to Ga-vacancy related defects such as divacancy. After annealing below 1000 °C, the clustering of vacancies was observed. Above 1200 °C annealing, however, the size of the vacancies started to decrease, which was due to recombinations of vacancy clusters and excess N atoms in the damaged region. The suppression of vacancy clustering by sequential N-implantation in Mg-implanted GaN was attributed to the origin of the enhancement of the Mg activation.
Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes 査読有り

Takayuki Nakano, Ken Mochizuki, Takuya Arikawa, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Adrian Vogt, Sebastian Schütt, Michael Fiederle, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki

Journal of Applied Physics　130　(12)　124501-1-10　2021年9月22日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0051053 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Discrete wavelengths observed in electroluminescence originating from Al1/2Ga1/2N and Al1/3Ga2/3N created in nonflat AlGaN quantum wells 査読有り

Yosuke Nagasawa, Kazunobu Kojima, Akira Hirano, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Masamichi Ippommatsu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Shigefusa F Chichibu

Journal of Physics D: Applied Physics　54　(48)　485107-1-10　2021年9月7日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.1088/1361-6463/ac2065 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Reduced nonradiative recombination rates in c-plane Al0.83In0.17N films grown on a nearly lattice-matched GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, K. Kojima, T. Egawa, A. Uedono, S. Ishibashi, T, Takeuchi, M. Miyoshi, S. F. Chichibu

Applied Physics Letters　119　(9)　091105 1-6　2021年8月31日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0066263 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Facile method for the synthesis of zinc- or magnesium-doped gallium nitride powders from gallium metal 国際誌国際共著査読有り

Daisuke Tomida, Quanxi Bao, Makoto Saito, Kouhei Kurimoto, Kazunobu Kojima, Kun Qiao, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

Journal of Crystal Growth　570　126190-126190　2021年5月21日
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2021.126190 　

ISSN：0022-0248
Electrical degradation and recovery of NiO/ZnO visible-light-transparent flexible solar cells

Kim, J., Kato, N., Sugiyama, M., Chichibu, S.F.

Japanese Journal of Applied Physics　60　(6)　064001 1-4　2021年5月20日

DOI： 10.35848/1347-4065/abff3c 　

ISSN：0021-4922 1347-4065
Discrete AlN mole fraction of n/12 (n=4-8) in Ga-rich zones functioning as electron pathways created in nonflat AlGaN layers grown on high-miscut sapphire substrates 査読有り

Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, H. Sako, A. Hashimoto, R. Sugie, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, K. Kojima, S. F. Chichibu

Journal of Applied Physics　129　(16)　164503 1--9　2021年4月26日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0042036 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Numerical simulation of ammonothermal crystal growth of GaN-current state, challenges, and prospects 査読有り

Schimmel, S., Tomida, D., Honda, Y., Chichibu, S., Amano, H., Ishiguro, T.

Crystals　11　(4)　356 1-30　2021年3月30日
出版者・発行元： MDPI AG
DOI： 10.3390/cryst11040356 　

ISSN：2073-4352

eISSN：2073-4352
Boundary conditions for simulations of fluid flow and temperature field during ammonothermal crystal growth—a machine-learning assisted study of autoclave wall temperature distribution 査読有り

Schimmel, S., Tomida, D., Honda, Y., Chichibu, S., Amano, H., Saito, M., Bao, Q., Ishiguro, T.

Crystals　11　(3)　254 -1-27　2021年3月4日
出版者・発行元： MDPI AG
DOI： 10.3390/cryst11030254 　

ISSN：2073-4352

eISSN：2073-4352
Innovative Techniques for Fast Growth and Fabrication of High Purity GaN Single Crystals

Daisuke Tomida, Makoto Saito, Quanxi Bao, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

Springer Series in Materials Science　304　65-76　2021年
出版者・発行元： Springer Science and Business Media Deutschland GmbH
DOI： 10.1007/978-3-030-56305-9_5 　

ISSN：2196-2812 0933-033X
Correlation between the internal quantum efficiency and photoluminescence lifetime of the near-band-edge emission in a ZnO single crystal grown by the hydrothermal method 査読有り

Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Express　13　(12)　121005 1-5　2020年12月3日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/abcd73 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Up-to 292-Mbps Deep-UV Communication over a Diffuse-Line-of-Sight Link Based on Silicon Photo Multiplier Array

Yuki Yoshida, Kazunobu Kojima, Masaki Shiraiwa, Atsushi Kanno, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Naokatsu Yamamoto, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinari Awaji

2020 European Conference on Optical Communications (ECOC)　2020年12月
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/ecoc48923.2020.9333325 　
Detailed analysis of Ga-rich current pathways created in an n-Al0.7Ga0.3N layer grown on an AlN template with dense macrosteps 査読有り

Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ipponmatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Express　13　(2)　124001 1-5　2020年11月30日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/abcb49 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1−xInxN on GaN 査読有り

Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Yoshihiro Kangawa

Scientific Reports　10　(1)　18570 1-11　2020年10月29日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-020-75380-3 　

eISSN：2045-2322

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<title>Abstract</title> Immiscible semiconductors are of premier importance since the source of lighting has been replaced by white light-emitting-diodes (LEDs) composed of thermodynamically immiscible In_{<italic>x</italic>}Ga_{1−<italic>x</italic>}N blue LEDs and yellow phosphors. For realizing versatile deep-ultraviolet to near-infrared light-emitters, Al_{1−<italic>x</italic>}In_{<italic>x</italic>}N alloys are one of the desirable candidates. Here we exemplify the appearance and self-formation sequence of compositional superlattices in compressively strained <italic>m</italic>-plane Al_{1−<italic>x</italic>}In_{<italic>x</italic>}N films. On each terrace of atomically-flat <italic>m</italic>-plane GaN, In- and Al-species diffuse toward a monolayer (ML) step edge, and the first and second uppermost < <inline-formula><alternatives><tex-math>$$\stackrel{-}{1}\stackrel{-}{1}20$$</tex-math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mrow> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mn>20</mml:mn> </mml:mrow> </mml:math></alternatives></inline-formula>> cation-rows are preferentially occupied by Al and In atoms, respectively, because the configuration of one In-N and two Al-N bonds is more stable than that of one Al-N and two In-N bonds. Subsequent coverage by next < <inline-formula><alternatives><tex-math>$$\stackrel{-}{1}\stackrel{-}{1}20$$</tex-math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mrow> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mn>20</mml:mn> </mml:mrow> </mml:math></alternatives></inline-formula>> Al-row buries the < <inline-formula><alternatives><tex-math>$$\stackrel{-}{1}\stackrel{-}{1}20$$</tex-math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mrow> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mn>20</mml:mn> </mml:mrow> </mml:math></alternatives></inline-formula>> In-row, producing nearly Al_0.5In_0.5N cation-stripe ordering along [0001]-axis on GaN. At the second Al_0.72In_0.28N layer, this ordinality suddenly lessens but In-rich and In-poor < <inline-formula><alternatives><tex-math>$$\stackrel{-}{1}\stackrel{-}{1}20$$</tex-math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mrow> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mn>20</mml:mn> </mml:mrow> </mml:math></alternatives></inline-formula>>-rows are alternately formed, which grow into respective {0001}-planes. Simultaneously, approximately 5-nm-period Al_0.70In_0.30N/Al_0.74In_0.26N ordering is formed to mitigate the lattice mismatch along [0001], which grow into approximately 5-nm-period Al_0.70In_0.30N/Al_0.74In_0.26N {<inline-formula><alternatives><tex-math>$$10\stackrel{-}{1}2$$</tex-math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mrow> <mml:mn>10</mml:mn> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mn>2</mml:mn> </mml:mrow> </mml:math></alternatives></inline-formula>} superlattices as step-flow growth progresses. Spatially resolved cathodoluminescence spectra identify the emissions from particular structures.
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価 =特集= 深紫外発光デバイスの実現に向けた窒化物半導体結晶成長の進展日本結晶成長学会誌 (総合報告)

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤﨑勇, 秩父重英

日本結晶成長学会誌 (総合報告)　47　(3)　1-8　2020年10月28日
Urbach-Martienssen tail as the origin of the two-peak structure in the photoluminescence spectra for the near-band-edge emission of a freestanding GaN crystal observed by omnidirectional photoluminescence spectroscopy 査読有り

Kojima, K., Chichibu, S.F.

Applied Physics Letters　117　(17)　171103 1-5　2020年10月28日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0028134 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Effects of ultra-high-pressure annealing on characteristics of vacancies in Mg-implanted GaN studied using a monoenergetic positron beam 査読有り

Uedono, A., Sakurai, H., Bockowski, M., Suda, J., Chichibu, S.F., Kachi, T., Narita, T., Sierakowski, K., Ishibashi, S.

Scientific Reports　10　(1)　17349 1-7　2020年10月15日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-020-74362-9 　

ISSN：2045-2322

eISSN：2045-2322
Temperature dependence of internal quantum efficiency of radiation for the near-band-edge emission of GaN crystals quantified by omnidirectional photoluminescence spectroscopy 査読有り

Kazunobu Kojima, Kenichiro Ikemura, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Express　13　(10)　105504-105504　2020年10月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/abb788 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Annealing behaviors of vacancy-type defects in AlN deposited by radio-frequency sputtering and metalorganic vapor phase epitaxy studied using monoenergetic positron beams 査読有り

Akira Uedono, Kanako Shojiki, Kenjiro Uesugi, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, Hideto Miyake

Journal of Applied Physics　128　(8)　085704-085704　2020年8月28日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0015225 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Room-temperature cavity-polaritons in planar ZnO microcavities fabricated by a top-down process 査読有り

K. Shima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

Applied Physics Letters　117　(7)　071103-071103　2020年8月17日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0011662 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Self-organized micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications 査読有り

K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, S. F. Chichibu

Applied Physics Letters　117　(3)　031103-031103　2020年7月20日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0013112 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Hole capture-coefficient of intrinsic nonradiative recombination centers that commonly exist in bulk, epitaxial, and proton-irradiated ZnO 査読有り

S. F. Chichibu, A. Uedono, K. Kojima, K. Koike, M. Yano, S. Gonda, S. Ishibashi

Journal of Applied Physics　127　(215704)　1-6　2020年6月

DOI： 10.1063/5.0011309 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Characterization of a Self-Organized Deep-Ultraviolet Micro-Light-Emitting Diode Structure for High-Speed Solar-Blind Optical Wireless Communications

Kazunobu Kojima, Yuki Yoshida, Masaki Shiraiwa, Yoshinari Awaji, Atsushi Kanno, Naokatsu Yamamoto, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Shigefusa F. Chichibu

Conference Proceedings - Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting-LEOS　2020-　2020年5月1日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISSN：1092-8081
Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN 査読有り

Masahiro Takahashi, Atsushi Tanaka, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Hiroshi Amano

Japanese Journal of Applied Physics　59　(5)　056502-056502　2020年5月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ab8b3d 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Analyzing oxygen and silicon incorporation in GaN microstructures composed of c-planes and angled facets by confocal magneto-photoluminescence microscopy 査読有り

Kamiyama, A., Yusa, G., Kojima, K., Chichibu, S.F.

Aip Advances　10　(3)　035215 1-5　2020年5月

DOI： 10.1063/1.5144549 　

ISSN：2158-3226
Ammonothermal growth of 2 inch long GaN single crystals using an acidic NH4F mineralizer in a Ag-lined autoclave 査読有り

Tomida, D., Bao, Q., Saito, M., Osanai, R., Shima, K., Kojima, K., Ishiguro, T., Chichibu, S.F.

Applied Physics Express　13　(5)　055505 1-5　2020年4月17日

DOI： 10.35848/1882-0786/ab8722 　

ISSN：1882-0778 1882-0786
Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy 招待有り査読有り

Proceedings of SPIE　11280　(112800C)　11280C-1-8　2020年2月
Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors 招待有り査読有り

11280　(112800B)　112800B-1-10　2020年2月
出版者・発行元：
DOI： 10.1117/12.2545409 　
Theoretical analysis of photo-recycling effect on external quantum efficiency considering spatial carrier dynamics 査読有り

Asai, H., Fukuda, K., Kojima, K., Chichibu, S.F.

Japanese Journal of Applied Physics　59　(SG)　SGGK02 1-4　2020年2月

DOI： 10.7567/1347-4065/ab5b4d 　

ISSN：0021-4922 1347-4065
Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies of wide-bandgap group-III nitride semiconductors 査読有り

Chichibu, S.F., Ishikawa, Y., Hazu, K., Furusawa, K.

Japanese Journal of Applied Physics　59　(2)　020501 1-17　2020年1月

DOI： 10.7567/1347-4065/ab5ef4 　

ISSN：0021-4922 1347-4065
Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature 査読有り

Takahashi, M., Ando, Y., Kushimoto, M., Tanaka, A., Watanabe, H., Deki, M., Nitta, S., Honda, Y., Chichibu, S.F., Chen, K.J., Amano, H., Shima, K., Kojima, K.

Physica Status Solidi B Basic Research　257　(4)　1900554-1900554　2020年

DOI： 10.1002/pssb.201900554 　

ISSN：0370-1972 1521-3951
Roles of carbon impurities and intrinsic nonradiative recombination centers on the carrier recombination processes of GaN crystals 査読有り

Kojima, K., Chichibu, S.F., Horikiri, F., Narita, Y., Yoshida, T., Fujikura, H.

Applied Physics Express　13　(1)　012004-1-4　2020年1月

DOI： 10.7567/1882-0786/ab5adc 　

ISSN：1882-0778 1882-0786
Review - Defect-Tolerant Luminescent Properties of Low InN Mole Fraction InxGa1- xN Quantum Wells under the Presence of Polarization Fields 査読有り

Chichibu, S.F.

Ecs Journal of Solid State Science and Technology　9　(1)　015016 1-10　2020年1月

DOI： 10.1149/2.0382001JSS 　

ISSN：2162-8769 2162-8777
Two-dimensional analysis of the nonuniform quantum yields of multiple quantum wells for AlGaN-based deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates with dense macrosteps using cathodoluminescence spectroscopy 査読有り

Yosuke Nagasawa, Ryuichi Sugie, Kazunobu Kojima, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　126　(21)　215703 1-10　2019年12月

DOI： 10.1063/1.5125623 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
In-plane optical polarization and dynamic properties of the near-band-edge emission of an m -plane freestanding AlN substrate and a homoepitaxial film 査読有り

Chichibu, S.F., Kojima, K., Hazu, K., Ishikawa, Y., Furusawa, K., Mita, S., Collazo, R., Sitar, Z., Uedono, A.

Applied Physics Letters　115　(15)　151903-1-5　2019年9月

DOI： 10.1063/1.5116900 　
Internal quantum efficiency of radiation in a bulk CH₃NH₃PbBr₃ perovskite crystal quantified by using the omnidirectional photoluminescence spectroscopy 査読有り

K. Kojima, K. Ikemura, K. Matsumori, Y. Yamada, Y. Kanemitsu, S. F. Chichibu

APL Materials　7　(7)　071116-1-071116-6　2019年7月
出版者・発行元：
DOI： 10.1063/1.5110652 　

eISSN：2166-532X
Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes 査読有り

Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

Proceedings of IWJT2019　2019年7月
Theoretical Formulation of Experimentally Observed Quantum Efficiency of Radiation in Semiconducting Crystal THEORETICAL FORMULATION of EXPERIMENTALLY... ASAI, KOJIMA, CHICHIBU, and FUKUDA 査読有り

Asai, H., Kojima, K., Chichibu, S.F., Fukuda, K.

Physical Review Applied　12　(1)　014002-1-014002-12　2019年6月

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.12.014002 　
Comparison of Al x Ga1-xN multiple quantum wells designed for 265 and 285 nm deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates having macrosteps 査読有り

Nagasawa, Y., Hirano, A., Ipponmatsu, M., Kojima, K., Chichibu, S.F., Honda, Y., Amano, H., Akasaki, I.

Applied Physics Express　12　(6)　064009-1-064009-6　2019年6月

DOI： 10.7567/1882-0786/ab21a9 　

ISSN：1882-0778 1882-0786
Annealing Behavior of Vacancy-Type Defects in Mg- and H-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams 査読有り

Uedono, A., Iguchi, H., Narita, T., Kataoka, K., Egger, W., Koschine, T., Hugenschmidt, C., Dickmann, M., Shima, K., Kojima, K., Chichibu, S.F., Ishibashi, S.

Physica Status Solidi (B) Basic Research　256　(10)　1900104-1-1900104-12　2019年5月

DOI： 10.1002/pssb.201900104 　
Impact of growth temperature on the structural properties of bgan films grown by metal-organic vapor phase epitaxy using trimethylboron 査読有り

Ebara, K., Mochizuki, K., Inoue, Y., Aoki, T., Kojima, K., Chichibu, S.F., Nakano, T.

Japanese Journal of Applied Physics　58　(SC)　SC1042-1-SC1042-5　2019年5月

DOI： 10.7567/1347-4065/ab1395 　
Quantification of the quantum efficiency of radiation of a freestanding GaN crystal placed outside an integrating sphere 査読有り

Kojima, K., Ikemura, K., Chichibu, S.F.

Applied Physics Express　12　(6)　062010-1-062010-4　2019年5月

DOI： 10.7567/1882-0786/ab2165 　
Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures 査読有り

Chichibu, S.F., Shima, K., Kojima, K., Takashima, S.-Y., Ueno, K., Edo, M., Iguchi, H., Narita, T., Kataoka, K., Ishibashi, S., Uedono, A.

Japanese Journal of Applied Physics　58　(SC)　SC0802-1-SC0802-10　2019年5月

DOI： 10.7567/1347-4065/ab0d06 　
Carrier localization structure combined with current micropaths in AlGaN quantum wells grown on an AlN template with macrosteps 査読有り

Kojima, K., Nagasawa, Y., Hirano, A., Ippommatsu, M., Honda, Y., Amano, H., Akasaki, I., Chichibu, S.F.

Applied Physics Letters　114　(1)　011102　2019年1月

DOI： 10.1063/1.5063735 　
酸性アモノサーマル法によるGaN単結晶の育成査読有り

冨田大輔, 斉藤真, 包全喜, 石黒徹, 秩父重英

日本セラミックス協会セラミックス誌特集号「結晶材料・結晶育成技術のフロンティア　53　(12)　874-877　2018年12月
Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of (000 1 ) p-type GaN fabricated by sequential ion-implantation of Mg and H 査読有り

Shima, K., Iguchi, H., Narita, T., Kataoka, K., Kojima, K., Uedono, A., Chichibu, S.F.

Applied Physics Letters　113　(19)　191901-1-191901-5　2018年11月

DOI： 10.1063/1.5050967 　
Effects of extra metals added in an autoclave during acidic ammonothermal growth of m-plane GaN single crystals using an NH4F mineralizer 査読有り

Tomida, D., Bao, Q., Saito, M., Sato, F., Ishiguro, T., Chichibu, S.F., Kurimoto, K.

Applied Physics Express　11　(9)　2018年9月

DOI： 10.7567/APEX.11.091002 　

ISSN：1882-0778 1882-0786
Large electron capture-cross-section of the major nonradiative recombination centers in Mg-doped GaN epilayers grown on a GaN substrate 査読有り

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, S. Ishibashi, A. Uedono

Applied Physics Letters　112　(21)　2018年5月21日

DOI： 10.1063/1.5030645 　

ISSN：0003-6951
Polarity-dependence of the defect formation in c -axis oriented ZnO by the irradiation of an 8 MeV proton beam 査読有り

Kazuto Koike, Mitsuaki Yano, Shun-Ichi Gonda, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Journal of Applied Physics　123　(16)　161562-1-7　2018年4月28日

DOI： 10.1063/1.5010704 　

ISSN：1089-7550 0021-8979

eISSN：1089-7550
The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN 査読有り

S. F. Chichibu, A. Uedono, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, S. Ishibashi

Journal of Applied Physics　123　(16)　2018年4月28日

DOI： 10.1063/1.5012994 　

ISSN：1089-7550 0021-8979
Carrier Trapping by Vacancy-Type Defects in Mg-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams 査読有り

Akira Uedono, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Katsunori Ueno, Hideaki Matsuyama, Werner Egger, Tönjes Koschine, Christoph Hugenschmidt, Marcel Dickmann, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi

Physica Status Solidi (B) Basic Research　255　(4)　2018年4月1日

DOI： 10.1002/pssb.201700521 　

ISSN：1521-3951 0370-1972
Nearly temperature-independent ultraviolet light emission intensity of indirect excitons in hexagonal BN microcrystals 査読有り

Shigefusa F. Chichibu, Youichi Ishikawa, Hiroko Kominami, Kazuhiko Hara

Journal of Applied Physics　123　(6)　2018年2月14日

DOI： 10.1063/1.5021788 　

ISSN：1089-7550 0021-8979
Photocatalytic NO removal over calcium-bridged siloxenes under ultraviolet and visible light irradiation 査読有り

Haruo Imagawa, Xiaoyong Wu, Hiroshi Itahara, Shu Yin, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Tsugio Sato

Dalton Transactions　47　(20)　7070-7076　2018年

DOI： 10.1039/c7dt04310d 　

ISSN：1477-9234 1477-9226

eISSN：1477-9234
Local structure around In atoms in coherently grown m-plane InGaN film 査読有り

Takafumi Miyanaga, Takashi Azuhata, Kiyofumi Nitta, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF SYNCHROTRON RADIATION　24　(5)　1012-1016　2017年9月

DOI： 10.1107/S1600577517010669 　

ISSN：1600-5775
High temperature degradation mechanism of a red phosphor, CaAlSiN3:Eu for solid-state lighting 査読有り

Masatsugu Oishi, Shohei Shiomi, Takashi Yamamoto, Tomoyuki Ueki, Yoichiro Kai, Shigefusa F. Chichibu, Aiko Takatori, Kazunobu Kojima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　122　(11)　113104-1-8　2017年9月

DOI： 10.1063/1.5003087 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Demonstration of omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for precise determination of internal quantum efficiency of radiation in GaN single crystals 査読有り

Kazunobu Kojima, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　111　(3)　032111-1-4　2017年7月

DOI： 10.1063/1.4995398 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Photocatalytic activity of silicon-based nanoflakes for the decomposition of nitrogen monoxide 査読有り

Hiroshi Itahara, Xiaoyong Wu, Haruo Imagawa, Shu Yin, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Tsugio Sato

DALTON TRANSACTIONS　46　(26)　8643-8648　2017年7月

DOI： 10.1039/c7dt01682d 　

ISSN：1477-9226

eISSN：1477-9234
Nitrogen vacancies as a common element of the green luminescence and nonradiative recombination centers in Mg-implanted GaN layers formed on a GaN substrate 査読有り

Kazunobu Kojima, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Katsunori Ueno, Mitsuaki Shimizu, Tokio Takahashi, Shoji Ishibashi, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　10　(6)　061002-1-4　2017年6月

DOI： 10.7567/APEX.10.061002 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
A Low-Symmetry Cubic Mesophase of Dendronized CdS Nanoparticles and Their Structure-Dependent Photoluminescence 査読有り

Masaki Matsubara, Warren Stevenson, Jun Yabuki, Xiangbing Zeng, Haoliang Dong, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Kaoru Tamada, Atsushi Muramatsu, Goran Ungar, Kiyoshi Kanie

CHEM　2　(6)　860-876　2017年6月

DOI： 10.1016/j.chempr.2017.05.001 　

ISSN：2451-9294
Ultraviolet light-absorbing and emitting diodes consisting of a p-type transparent-semiconducting NiO film deposited on an n-type GaN homoepitaxial layer 査読有り

Hiroshi Nakai, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　110　(18)　181102-1-5　2017年5月

DOI： 10.1063/1.4982653 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Defect-Resistant Radiative Performance of m-Plane Immiscible Al1-xInxN Epitaxial Nanostructures for Deep-Ultraviolet and Visible Polarized Light Emitters 査読有り

Shigefusa F. Chichibu, Kazunobu Kojima, Akira Uedono, Yoshitaka Sato

ADVANCED MATERIALS　29　(5)　2017年2月

DOI： 10.1002/adma.201603644 　

ISSN：0935-9648

eISSN：1521-4095
A design strategy for achieving more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high-AlN-mole-fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells 査読有り

Kazunobu Kojima, Kentaro Furusawa, Yoshiki Yamazaki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　10　(1)　015802-1-4　2017年1月

DOI： 10.7567/APEX.10.015802 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Phase transformation during simultaneous chalcogenization of CuIn(S,Se)(2) thin films using metalorganic sources 査読有り

Ryuki Shoji, Yoshiki Kayama, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 14 NO 6　14　(6)　1600159-1-4　2017年

DOI： 10.1002/pssc.201600159 　

ISSN：1862-6351
Alloy-compositional-fluctuation effects on optical gain characteristics in AlGaN and InGaN quantum-well laser diodes

Atsushi A. Yamaguchi, Takuto Minami, Shigeta Sakai, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference　2016年12月2日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISSN：0899-9406
Vacancies and electron trapping centers in acidic ammonothermal GaN probed by a monoenergetic positron beam 査読有り

Akira Uedono, Yusuke Tsukada, Yutaka Mikawa, Tae Mochizuki, Hideo Fujisawa, Hirotaka Ikeda, Kaori Kurihara, Kenji Fujito, Shigeru Terada, Shoji Ishibashi, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　448　117-121　2016年8月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.05.015 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
Electrical properties of undoped and Li-doped NiO thin films deposited by RF sputtering without intentional heating 査読有り

Mutsumi Sugiyama, Hiroshi Nakai, Gaku Sugimoto, Aika Yamada, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(8)　088003-1-3　2016年8月

DOI： 10.7567/JJAP.55.088003 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Determination of absolute value of quantum efficiency of radiation in high quality GaN single crystals using an integrating sphere 査読有り

Kazunobu Kojima, Tomomi Ohtomo, Ken-ichiro Ikemura, Yoshiki Yamazaki, Makoto Saito, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　120　(1)　015704-1-7　2016年7月

DOI： 10.1063/1.4955139 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on the Si-doping effects in high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells grown on an AlN template by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Furusawa, H. Miyake, K. Hiramatsu

15th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2015　29-33　2016年5月9日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/IWJT.2015.7467069 　
Electronic and optical characteristics of an m-plane GaN single crystal grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed synthesized by the ammonothermal method using an acidic mineralizer 査読有り

Kazunobu Kojima, Yusuke Tsukada, Erika Furukawa, Makoto Saito, Yutaka Mikawa, Shuichi Kubo, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(5)　05FA03-1-4　2016年5月

DOI： 10.7567/JJAP.55.05FA03 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Spectroscopic ellipsometry studies on the m-plane Al1-xInxN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a freestanding GaN substrate 査読有り

Kazunobu Kojima, Daiki Kagaya, Yoshiki Yamazaki, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(5)　05FG04-1-5　2016年5月

DOI： 10.7567/JJAP.55.05FG04 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Spectroscopic ellipsometry studies on the m-plane Al

Kojima Kazunobu, Kagaya Daiki, Yamazaki Yoshiki, Ikeda Hirotaka, Fujito Kenji, Chichibu Shigefusa

Jpn. J. Appl. Phys.　55　(5)　05FG04　2016年4月4日
出版者・発行元： Institute of Physics
DOI： 10.7567/JJAP.55.05FG04 　

ISSN：0021-4922

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Dispersion relationships of the refractive index and extinction coefficient of m-plane Al<inf>1−</inf><inf>x</inf>In<inf>x</inf>N epitaxial films (x = 0.00, 0.23, and 0.30) grown on a freestanding m-plane GaN substrate were determined by spectroscopic ellipsometry measurement. The experimentally obtained ellipsometric parameters tan Ψ and cos Δ, which represent the differences in the p- and s-polarized amplitudes and phases of the incident light, respectively, were well fitted using the standard analytical functions. As the measurement was carried out at photon energies between 1.55 and 5.40 eV, the dispersion curves of the extinction coefficient k exhibited local maxima at approximately the Al<inf>1−</inf><inf>x</inf>In<inf>x</inf>N bandgap energies of x = 0.23 and 0.30, and the sample with x = 0.00 showed an ordinal absorption spectrum with a bandtail formed owing to high-concentration residual impurities. A large and x-dependent energy difference between the absorption and emission spectra (Stokes’ shift) was observed for the Al<inf>1−</inf><inf>x</inf>In<inf>x</inf>N films, suggesting the presence of carrier localization phenomena.
Liquid-crystalline organic-inorganic hybrid dendrimer with a CdS nano-core: The self-organized structure-dependent photoluminescence behavior

K. Kanie, M. Matsubara, W. Stevenson, Y. Yamazaki, J. Yabuki, K. Kojima, M. Nakaya, S. F. Chichibu, A. Muramatsu, X. Zeng, G. Ungar

22nd International Congress of Chemical and Process Engineering, CHISA 2016 and 19th Conference on Process Integration, Modelling and Optimisation for Energy Saving and Pollution Reduction, PRES 2016　2　795-796　2016年
出版者・発行元： Czech Society of Chemical Engineering
Impacts of dislocations and point defects on the internal quantum efficiency of the near-band-edge emission in ALGaN-based DUV light-emitting materials 査読有り

Shigefusa F. Chichibu, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramtsu, Akira Uedono

Springer Series in Materials Science　227　115-136　2016年1月1日
出版者・発行元： Springer Verlag
DOI： 10.1007/978-3-319-24100-5_5 　

ISSN：0933-033X
Controlling the carrier lifetime of nearly threading-dislocation-free ZnO homoepitaxial films by 3d transition-metal doping 査読有り

S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, A. Uedono

APPLIED PHYSICS LETTERS　108　(2)　021904-1-5　2016年1月

DOI： 10.1063/1.4939838 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Alloy-Compositional-Fluctuation Effects on Optical Gain Characteristics in AlGaN and InGaN Quantum-Well Laser Diodes 査読有り

Atsushi A. Yamaguchi, Takuto Minami, Shigeta Sakai, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

2016 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC)　2016年

ISSN：2326-5442
集束フェムト秒パルス電子線を用いた窒化物半導体紫外線発光素子材料の時間空間同時分解分光計測

秩父重英

旭硝子財団助成成果報告書(Web)　2016　ROMBUNNO.62 (WEB ONLY)-17　2016年
出版者・発行元：旭硝子財団
ISSN：1882-0069
Spatio-time-resolved cathodoluminescence study on high AlN mole fraction AlxGa1-xN structures grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Shigefusa F. Chichibu, Youichi Ishikawa, Kentaro Furusawa, Akira Uedono, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)　2016年
High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method 査読有り

Quanxi Bao, Makoto Saito, Kouhei Kurimoto, Daisuke Tomida, Kazunobu Kojima, Yuji Kagamitani, Rinzo Kayano, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)　2016年
AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率Al_xGa_1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価

秩父重英, 三宅秀人, 三宅秀人, 平松和政

電子情報通信学会技術研究報告　115　(331(LQE2015 100-122))　43‐48-48　2015年11月19日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN：0913-5685
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

電子情報通信学会技術研究報告　115　(331(LQE2015 100-122))　15‐19-19　2015年11月19日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN：0913-5685
Low-resistivity m-plane freestanding GaN substrate with very low point-defect concentrations grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed crystal synthesized by the ammonothermal method 査読有り

Kazunobu Kojima, Yusuke Tsukada, Erika Furukawa, Makoto Saito, Yutaka Mikawa, Shuichi Kubo, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　8　(9)　095501-1-4　2015年9月

DOI： 10.7567/APEX.8.095501 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Reduction in the concentration of cation vacancies by proper Si-doping in the well layers of high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, K. Furusawa, K. Hiramatsu

APPLIED PHYSICS LETTERS　107　(12)　121602-1-5　2015年9月

DOI： 10.1063/1.4931754 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Reduction in the concentration of cation vacancies by proper Si-doping in the well layers of high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, K. Furusawa, K. Hiramatsu

APPLIED PHYSICS LETTERS　107　(12)　2015年9月

DOI： 10.1063/1.4931754 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Low-resistivity m-plane freestanding GaN substrate with very low point-defect concentrations grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed crystal synthesized by the ammonothermal method 査読有り

Kazunobu Kojima, Yusuke Tsukada, Erika Furukawa, Makoto Saito, Yutaka Mikawa, Shuichi Kubo, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　8　(9)　2015年9月

DOI： 10.7567/APEX.8.095501 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Structural and optical properties of AlN grown by solid source solution growth method 査読有り

Yoshihiro Kangawa, Hiroshige Suetsugu, Michael Knetzger, Elke Meissner, Kouji Hazu, Shigefusa F. Chichibu, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka, Yosuke Iwasaki, Koichi Kakimoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(8)　085501-1-5　2015年8月

DOI： 10.7567/JJAP.54.085501 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Structural and optical properties of AlN grown by solid source solution growth method 査読有り

Yoshihiro Kangawa, Hiroshige Suetsugu, Michael Knetzger, Elke Meissner, Kouji Hazu, Shigefusa F. Chichibu, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka, Yosuke Iwasaki, Koichi Kakimoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(8)　2015年8月

DOI： 10.7567/JJAP.54.085501 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Local excitation and emission dynamics of an isolated single basal-plane stacking-fault in GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence 査読有り

Kentaro Furusawa, Yoichi Ishikawa, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(3)　030303-1-4　2015年3月

DOI： 10.7567/JJAP.54.030303 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Local excitation and emission dynamics of an isolated single basal-plane stacking-fault in GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence 査読有り

Kentaro Furusawa, Yoichi Ishikawa, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(3)　2015年3月

DOI： 10.7567/JJAP.54.030303 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Polarity Dependent Radiation Hardness of GaN 査読有り

Masayuki Matsuo, Takayuki Murayama, Kazuto Koike, Shigehiko Sasa, Mitsuaki Yano, Akira Uedono, Shun-ichi Gonda, Ryoya Ishigami, Kyo Kume, Tomomi Ohtomo, Erika Furukawa, Yoshiki Yamazaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu

2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)　2015年

DOI： 10.1109/IMFEDK.2015.7158544 　
Fabrication of visible-light transparent solar cells composed of NiO/NixZn1-xO/ZnO heterostructures 査読有り

Daisuke Kawade, Kazuma Moriyama, Fumika Nakamura, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 12, NO 6　12　(6)　785-788　2015年

DOI： 10.1002/pssc.201400256 　

ISSN：1862-6351
High internal quantum efficiency ultraviolet to green luminescence peaks from pseudomorphic m-plane Al1-xInxN epilayers grown on a low defect density m-plane freestanding GaN substrate 査読有り

S. F. Chichibu, K. Hazu, K. Furusawa, Y. Ishikawa, T. Onuma, T. Ohtomo, H. Ikeda, K. Fujito

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　116　(21)　213501-1-6　2014年12月

DOI： 10.1063/1.4902315 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
High internal quantum efficiency ultraviolet to green luminescence peaks from pseudomorphic m-plane Al1-xInxN epilayers grown on a low defect density m-plane freestanding GaN substrate 査読有り

S. F. Chichibu, K. Hazu, K. Furusawa, Y. Ishikawa, T. Onuma, T. Ohtomo, H. Ikeda, K. Fujito

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　116　(21)　2014年12月

DOI： 10.1063/1.4902315 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Homoepitaxial growth of ZnO films with reduced impurity concentrations by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy using a crystalline ZnO target prepared by hydrothermal technique 査読有り

Kentaro Furusawa, Hayato Nakasawa, Yoichi Ishikawa, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(10)　100301-1-4　2014年10月

DOI： 10.7567/JJAP.53.100301 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Ammonothermal growth of GaN on a self-nucleated GaN seed crystal 査読有り

Quanxi Bao, Makoto Saito, Kouji Hazu, Yuji Kagamitani, Kouhei Kurimoto, Daisuke Tomida, Kun Qiao, Tohru Ishiguro, Chiaki Yokoyama, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　404　168-171　2014年10月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2014.06.052 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
Experimental determination of band offsets of NiO-based thin film heterojunctions 査読有り

Daisuke Kawade, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　116　(16)　163108-1-5　2014年10月

DOI： 10.1063/1.4900737 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Homoepitaxial growth of ZnO films with reduced impurity concentrations by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy using a crystalline ZnO target prepared by hydrothermal technique 査読有り

Kentaro Furusawa, Hayato Nakasawa, Yoichi Ishikawa, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(10)　2014年10月

DOI： 10.7567/JJAP.53.100301 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Preparation of CuInS2 thin films by sulfurization using ditertiarybutylsulfide 査読有り

Xiaohui Liu, Zhengxin Liu, Fanying Meng, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

THIN SOLID FILMS　558　400-404　2014年5月

DOI： 10.1016/j.tsf.2014.02.066 　

ISSN：0040-6090
Polarized XAFS study of Al K-edge for m-plane AlGaN films

T. Miyanaga, T. Azuhata, K. Nakajima, H. Nagoya, K. Hazu, S. F. Chichibu

1ST CONFERENCE ON LIGHT AND PARTICLE BEAMS IN MATERIALS SCIENCE 2013 (LPBMS2013)　502　(B)　BL-11A/2011G587　2014年

DOI： 10.1088/1742-6596/502/1/012031 　

ISSN：1742-6588
Polarized XAFS study of Al K-edge for m-plane AlGaN films 査読有り

T. Miyanaga, T. Azuhata, K. Nakajima, H. Nagoya, K. Hazu, S. F. Chichibu

1ST CONFERENCE ON LIGHT AND PARTICLE BEAMS IN MATERIALS SCIENCE 2013 (LPBMS2013)　502　012031　2014年

DOI： 10.1088/1742-6596/502/1/012031 　

ISSN：1742-6588
Polarized XAFS study of Al K-edge for m-plane AlGaN films 査読有り

T. Miyanaga, T. Azuhata, K. Nakajima, H. Nagoya, K. Hazu, S. F. Chichibu

1ST CONFERENCE ON LIGHT AND PARTICLE BEAMS IN MATERIALS SCIENCE 2013 (LPBMS2013)　502　2014年

DOI： 10.1088/1742-6596/502/1/012031 　

ISSN：1742-6588
Ammonothermal crystal growth of GaN using an NH4F mineralizer 査読有り

Quanxi Bao, Makoto Saito, Kouji Hazu, Kentaro Furusawa, Yuji Kagamitani, Rinzo Kayano, Daisuke Tomida, Kun Qiao, Tohru Ishiguro, Chiaki Yokoyama, Shigefusa F. Chichibu

Crystal Growth and Design　13　(10)　4158-4161　2013年10月2日

DOI： 10.1021/cg4007907 　

ISSN：1528-7483 1528-7505
Ammonothermal crystal growth of GaN using an NH4F mineralizer 査読有り

Quanxi Bao, Makoto Saito, Kouji Hazu, Kentaro Furusawa, Yuji Kagamitani, Rinzo Kayano, Daisuke Tomida, Kun Qiao, Tohru Ishiguro, Chiaki Yokoyama, Shigefusa F. Chichibu

Crystal Growth and Design　13　(10)　4158-4161　2013年10月2日

DOI： 10.1021/cg4007907 　

ISSN：1528-7483 1528-7505
Electronic structure and spontaneous polarization in ScxAl yGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN: A first-principles study 査読有り

Kazuhiro Shimada, Shigefusa F. Chichibu, Masahiro Hata, Hiroyuki Sazawa, Tomoyuki Takada, Takayuki Sota

Japanese Journal of Applied Physics　52　(8)　08JM04-1-4　2013年8月

DOI： 10.7567/JJAP.52.08JM04 　

ISSN：0021-4922 1347-4065
Electronic structure and spontaneous polarization in ScxAl yGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN: A first-principles study 査読有り

Kazuhiro Shimada, Shigefusa F. Chichibu, Masahiro Hata, Hiroyuki Sazawa, Tomoyuki Takada, Takayuki Sota

Japanese Journal of Applied Physics　52　(8)　2013年8月

DOI： 10.7567/JJAP.52.08JM04 　

ISSN：0021-4922 1347-4065
Local carrier dynamics around the sub-surface basal-plane stacking faults of GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence using a front-excitation-type photoelectron-gun 査読有り

K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　103　(5)　052108-1-4　2013年7月

DOI： 10.1063/1.4817297 　

ISSN：0003-6951
Local carrier dynamics around the sub-surface basal-plane stacking faults of GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence using a front-excitation-type photoelectron-gun 査読有り

K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　103　(5)　2013年7月

DOI： 10.1063/1.4817297 　

ISSN：0003-6951
Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu, K. Hiramatsu, A. Uedono

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　113　(21)　213506-1-213506-6　2013年6月

DOI： 10.1063/1.4807906 　

ISSN：0021-8979
Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu, K. Hiramatsu, A. Uedono

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　113　(21)　2013年6月

DOI： 10.1063/1.4807906 　

ISSN：0021-8979
GaN基板と結晶成長技術

横山千昭, 秩父重英, 石黒徹, 包全喜

電子ジャーナル別冊2013化合物半導体技術大全第2編化合物半導体基板・デバイス技術　2013年3月
GaN結晶成長技術の最新動向

横山千昭, 秩父重英, 石黒徹, 包全喜

電子ジャーナル別冊2013最先端ウェーハ&製造技術大全第2編結晶成長技術第4章　41-45　2013年3月
Fabrication of Visible-Light-Transparent Solar Cells Using p-Type NiO Films by Low Oxygen Fraction Reactive RF Sputtering Deposition 査読有り

Moe Warasawa, Yousuke Watanabe, Jun Ishida, Yoshitsuna Murata, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　52　(2)　2013年2月

DOI： 10.7567/JJAP.52.021102 　

ISSN：0021-4922
Acidic ammonothermal growth of GaN crystals using GaN powder as a nutrient 査読有り

Quanxi Bao, Takanori Hashimoto, Fukuma Sato, Kouji Hazu, Makoto Saito, Yuji Kagamitani, Takayuki Ishinabe, Rinzo Kayano, Daisuke Tomida, Kun Qiao, Shigefusa F. Chichibu, Tohru Ishiguro, Chiaki Yokoyama

CRYSTENGCOMM　15　(26)　5382-5386　2013年

DOI： 10.1039/c3ce40448j 　

ISSN：1466-8033
Excitonic emission dynamics in homoepitaxial AlN films studied using polarized and spatio-time-resolved cathodoluminescence measurements 査読有り

S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, A. Uedono, S. Mita, J. Xie, R. Collazo, Z. Sitar

Applied Physics Letters　103　(14)　142103-1-5　2013年

DOI： 10.1063/1.4823826 　

ISSN：0003-6951
Excitonic emission dynamics in homoepitaxial AlN films studied using polarized and spatio-time-resolved cathodoluminescence measurements 査読有り

S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, A. Uedono, S. Mita, J. Xie, R. Collazo, Z. Sitar

Applied Physics Letters　103　(14)　2013年

DOI： 10.1063/1.4823826 　

ISSN：0003-6951
Spatio-Time-Resolved Cathodoluminescence Studies on Freestanding GaN Substrates Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy 査読有り

S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono

MATERIALS FOR SOLID STATE LIGHTING　50　(42)　1-8　2013年

DOI： 10.1149/05042.0001ecst 　

ISSN：1938-5862
Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys 査読有り

Shigefusa F. Chichibu, Takeyoshi Onuma, Kouji Hazu, Akira Uedono

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3　10　(3)　501-506　2013年

DOI： 10.1002/pssc.201200676 　

ISSN：1862-6351
Local lifetime and luminescence efficiency for the near-band-edge emission of freestanding GaN substrates determined using spatio-time-resolved cathodoluminescence 査読有り

Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(21)　212106-1-4　2012年11月

DOI： 10.1063/1.4767357 　

ISSN：0003-6951
First-principles study of spontaneous polarization and band gap bowing in ScxAlyGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN 査読有り

Kazuhiro Shimada, Masahiro Takouda, Yuuki Hashiguchi, Shigefusa F. Chichibu, Masahiro Hata, Hiroyuki Sazawa, Tomoyuki Takada, Takayuki Sota

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　27　(10)　1-5　2012年10月

DOI： 10.1088/0268-1242/27/10/105014 　

ISSN：0268-1242
Signatures of Gamma(1)-Gamma(5) mixed-mode polaritons in polarized reflectance spectra of ZnO 査読有り

Ayako Takagi, Atsushi Nakamura, Akira Yoshikaie, So-ichiro Yoshioka, Satoru Adachi, Shigefusa F. Chichibu, Takayuki Sota

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　24　(41)　415801-1-8　2012年10月

DOI： 10.1088/0953-8984/24/41/415801 　

ISSN：0953-8984
Structural, elastic, and polarization parameters and band structures of wurtzite ZnO and MgO 査読有り

S-H Jang, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　112　(7)　073503-1-6　2012年10月

DOI： 10.1063/1.4757023 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
First-principles study of spontaneous polarization and band gap bowing in ScxAlyGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN 査読有り

Kazuhiro Shimada, Masahiro Takouda, Yuuki Hashiguchi, Shigefusa F. Chichibu, Masahiro Hata, Hiroyuki Sazawa, Tomoyuki Takada, Takayuki Sota

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　27　(10)　2012年10月

DOI： 10.1088/0268-1242/27/10/105014 　

ISSN：0268-1242
Signatures of Gamma(1)-Gamma(5) mixed-mode polaritons in polarized reflectance spectra of ZnO 査読有り

Ayako Takagi, Atsushi Nakamura, Akira Yoshikaie, So-ichiro Yoshioka, Satoru Adachi, Shigefusa F. Chichibu, Takayuki Sota

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　24　(41)　2012年10月

DOI： 10.1088/0953-8984/24/41/415801 　

ISSN：0953-8984
Lateral transport properties of Nb-doped rutile- and anatase-TiO2 films epitaxially grown on c-plane GaN 査読有り

K. Hazu, T. Ohtomo, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(7)　072107-1-4　2012年8月

DOI： 10.1063/1.4746406 　

ISSN：0003-6951
Enhanced growth rate for ammonothermal gallium nitride crystal growth using ammonium iodide mineralizer 査読有り

D. Tomida, Y. Kagamitani, Q. Bao, K. Hazu, H. Sawayama, S. F. Chichibu, C. Yokoyama, T. Fukuda, T. Ishiguro

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　353　(1)　59-62　2012年8月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.04.042 　

ISSN：0022-0248
Lateral transport properties of Nb-doped rutile- and anatase-TiO2 films epitaxially grown on c-plane GaN 査読有り

K. Hazu, T. Ohtomo, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(7)　2012年8月

DOI： 10.1063/1.4746406 　

ISSN：0003-6951
酸性鉱化剤の気相合成によるアモノサーマル法成長GaN単結晶の高純度化査読有り

秩父重英

応用物理　81　(6)　502-505　2012年6月10日
出版者・発行元：応用物理学会
ISSN：0369-8009

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7095
Improving the purity of GaN grown by the ammonothermal method with in-autoclave gas-phase acidic mineralizer synthesis 査読有り

D. Tomida, S. F. Chichibu, Y. Kagamitani, Q. Bao, K. Hazu, R. Simura, K. Sugiyama, C. Yokoyama, T. Ishiguro, T. Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　348　(1)　80-84　2012年6月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.03.037 　

ISSN：0022-0248
Valence-band-ordering of a strain-free bulk ZnO single crystal identified by four-wave-mixing spectroscopy technique 査読有り

K. Hazu, S. F. Chichibu, S. Adachi, T. Sota

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(9)　093522-1-6　2012年5月

DOI： 10.1063/1.4711103 　

ISSN：0021-8979
Time-resolved photoluminescence, positron annihilation, and Al0.23Ga0.77N/GaN heterostructure growth studies on low defect density polar and nonpolar freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy 査読有り

S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(10)　103518-1-11　2012年5月

DOI： 10.1063/1.4717955 　

ISSN：0021-8979
Time-resolved photoluminescence, positron annihilation, and Al0.23Ga0.77N/GaN heterostructure growth studies on low defect density polar and nonpolar freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy 査読有り

S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(10)　2012年5月

DOI： 10.1063/1.4717955 　

ISSN：0021-8979
Femtosecond-laser-driven photoelectron-gun for time-resolved cathodoluminescence measurement of GaN 査読有り

T. Onuma, Y. Kagamitani, K. Hazu, T. Ishiguro, T. Fukuda, S. F. Chichibu

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS　83　(4)　043905-1-7　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3701368 　

ISSN：0034-6748
Photoluminescence Study of Defect Levels in CuInS2 Thin Films Grown by Sulfurization Using Ditertiarybutylsulfide 査読有り

Xiaohui Liu, Chika Fujiwara, Xiaoming Dou, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(3)　031202-1-4　2012年3月

DOI： 10.1143/JJAP.51.031202 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Photoluminescence Study of Defect Levels in CuInS2 Thin Films Grown by Sulfurization Using Ditertiarybutylsulfide 査読有り

Xiaohui Liu, Chika Fujiwara, Xiaoming Dou, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(3)　2012年3月

DOI： 10.1143/JJAP.51.031202 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Exciton binding energies in chalcopyrite semiconductors 査読有り

Bernard Gil, Didier Felbacq, Shigefusa F. Chichibu

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　85　(7)　2012年2月8日

DOI： 10.1103/PhysRevB.85.075205 　

ISSN：1098-0121 1550-235X
Advantages and remaining issues of state-of-the-art m-plane freestanding GaN substrates grown by halide vapor phase epitaxy for m-plane InGaN epitaxial growth 査読有り

S. F. Chichibu, M. Kagaya, P. Corfdir, J-D Ganiere, B. Deveaud-Pledran, N. Grandjean, S. Kubo, K. Fujito

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　27　(2)　024008-1-7　2012年2月

DOI： 10.1088/0268-1242/27/2/024008 　

ISSN：0268-1242

eISSN：1361-6641
Exciton binding energies in chalcopyrite semiconductors 査読有り

Bernard Gil, Didier Felbacq, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICAL REVIEW B　85　(7)　075205-1-5　2012年2月

DOI： 10.1103/PhysRevB.85.075205 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Advantages and remaining issues of state-of-the-art m-plane freestanding GaN substrates grown by halide vapor phase epitaxy for m-plane InGaN epitaxial growth 査読有り

S. F. Chichibu, M. Kagaya, P. Corfdir, J-D Ganiere, B. Deveaud-Pledran, N. Grandjean, S. Kubo, K. Fujito

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　27　(2)　2012年2月

DOI： 10.1088/0268-1242/27/2/024008 　

ISSN：0268-1242

eISSN：1361-6641
Defect characterization in Mg-doped GaN studied using a monoenergetic positron beam 査読有り

A. Uedono, S. Ishibashi, K. Tenjinbayashi, T. Tsutsui, K. Nakahara, D. Takamizu, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(1)　014508-1-6　2012年1月

DOI： 10.1063/1.3675516 　

ISSN：0021-8979
Powder synthesis and ammonothermal crystal growth of GaN from metallic Ga in the presence of NH4I 査読有り

Quanxi Bao, Hiromi Sawayama, Takanori Hashimoto, Fukuma Sato, Kouji Hazu, Yuji Kagamitani, Takayuki Ishinabe, Makoto Saito, Rinzo Kayano, Daisuke Tomida, Kun Qiao, Shigefusa F. Chichibu, Chiaki Yokoyama, Tohru Ishiguro

CRYSTENGCOMM　14　(10)　3351-3354　2012年

DOI： 10.1039/c2ce06669f 　

ISSN：1466-8033
Implementation of Spatio-Time-Resolved Cathodoluminescence Spectroscopy for Studying Local Carrier Dynamics in a Low Dislocation Density m-Plane In0.05Ga0.95N Epilayer Grown on a Freestanding GaN Substrate 査読有り

Munehito Kagaya, Pierre Corfdir, Jean-Daniel Ganiere, Benoit Deveaud-Pledran, Nicolas Grandjean, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(11)　111002-1-5　2011年11月

DOI： 10.1143/JJAP.50.111002 　

ISSN：0021-4922
Implementation of Spatio-Time-Resolved Cathodoluminescence Spectroscopy for Studying Local Carrier Dynamics in a Low Dislocation Density m-Plane In0.05Ga0.95N Epilayer Grown on a Freestanding GaN Substrate 査読有り

Munehito Kagaya, Pierre Corfdir, Jean-Daniel Ganiere, Benoit Deveaud-Pledran, Nicolas Grandjean, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(11)　2011年11月

DOI： 10.1143/JJAP.50.111002 　

ISSN：0021-4922
Spontaneous polarization and band gap bowing in YxAlyGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN 査読有り

Kazuhiro Shimada, Atsuhito Zenpuku, Kazuya Fujiwara, Kouji Hazu, Shigefusa F. Chichibu, Masahiro Hata, Hiroyuki Sazawa, Tomoyuki Takada, Takayuki Sota

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　110　(7)　074114-1-5　2011年10月

DOI： 10.1063/1.3651154 　

ISSN：0021-8979
Spontaneous polarization and band gap bowing in YxAlyGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN 査読有り

Kazuhiro Shimada, Atsuhito Zenpuku, Kazuya Fujiwara, Kouji Hazu, Shigefusa F. Chichibu, Masahiro Hata, Hiroyuki Sazawa, Tomoyuki Takada, Takayuki Sota

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　110　(7)　2011年10月

DOI： 10.1063/1.3651154 　

ISSN：0021-8979
Collateral evidence for an excellent radiative performance of AlxGa1-xN alloy films of high AlN mole fractions 査読有り

S. F. Chichibu, K. Hazu, T. Onuma, A. Uedono

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(5)　051902-1-3　2011年8月

DOI： 10.1063/1.3615681 　

ISSN：0003-6951
Optical and electrical properties of electron-irradiated Cu(In,Ga)Se-2 solar cells 査読有り

Y. Hirose, M. Warasawa, K. Takakura, S. Kimura, S. F. Chichibu, H. Ohyama, M. Sugiyama

THIN SOLID FILMS　519　(21)　7321-7323　2011年8月

DOI： 10.1016/j.tsf.2010.12.132 　

ISSN：0040-6090
Collateral evidence for an excellent radiative performance of AlxGa1-xN alloy films of high AlN mole fractions 査読有り

S. F. Chichibu, K. Hazu, T. Onuma, A. Uedono

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(5)　2011年8月

DOI： 10.1063/1.3615681 　

ISSN：0003-6951
Optical polarization properties of m-plane AlxGa1-xN epitaxial films grown on m-plane freestanding GaN substrates toward nonpolar ultraviolet LEDs 査読有り

Kouji Hazu, Shigefusa F. Chichibu

OPTICS EXPRESS　19　(14)　A1008-A1021　2011年7月

DOI： 10.1364/OE.19.0A1008 　

ISSN：1094-4087
Microstructure and interface control of GaN/MgAl2O4 grown by metalorganic chemical vapor deposition: Substrate-orientation dependence 査読有り

G. He, Shigefusa F. Chichibu, T. Chikyow

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　110　(2)　2011年7月

DOI： 10.1063/1.3606430 　

ISSN：0021-8979
Sulfurization Growth of CuInS2 Thin Film Using Ditertiarybutylsulfide as a Less Hazardous Source 査読有り

Mutsumi Sugiyama, Chika Fujiwara, Ryuki Shoji, Shigefusa Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(6)　065503-1-3　2011年6月

DOI： 10.1143/JJAP.50.065503 　

ISSN：0021-4922
地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測

秩父重英, 羽豆耕治

Mater Integr　2011年6月1日
Sulfurization Growth of CuInS2 Thin Film Using Ditertiarybutylsulfide as a Less Hazardous Source 査読有り

Mutsumi Sugiyama, Chika Fujiwara, Ryuki Shoji, Shigefusa Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(6)　2011年6月

DOI： 10.1143/JJAP.50.065503 　

ISSN：0021-4922
Growth of Cu(In,Al)(S,Se)(2) Thin Films by Selenization and Sulfurization for a Wide Bandgap Absorber 査読有り

Chika Fujiwara, Tomoaki Sato, Yoshifumi Kawasaki, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(5)　05FB07-1-4　2011年5月

DOI： 10.1143/JJAP.50.05FB07 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Morphological and Structural Changes in Cu(In,Ga)Se-2 Thin Films by Selenization Using Diethylselenide 査読有り

Tomoaki Sato, Yoshifumi Kawasaki, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(5)　05FB05-1-4　2011年5月

DOI： 10.1143/JJAP.50.05FB05 　

ISSN：0021-4922
Growth of Cu(In,Al)(S,Se)(2) Thin Films by Selenization and Sulfurization for a Wide Bandgap Absorber 査読有り

Chika Fujiwara, Tomoaki Sato, Yoshifumi Kawasaki, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(5)　2011年5月

DOI： 10.1143/JJAP.50.05FB07 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Morphological and Structural Changes in Cu(In,Ga)Se-2 Thin Films by Selenization Using Diethylselenide 査読有り

Tomoaki Sato, Yoshifumi Kawasaki, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(5)　2011年5月

DOI： 10.1143/JJAP.50.05FB05 　

ISSN：0021-4922
ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測

秩父重英, 羽豆耕治

マテリアルインテグレーション　24　(4)　273-276　2011年4月
出版者・発行元：ティー・アイ・シィー
ISSN：1344-7858
Time-Resolved Photoluminescence of a Two-Dimensional Electron Gas in an Al0.2Ga0.8N/GaN Heterostructure Fabricated on Ammonothermal GaN Substrates 査読有り

Shigefusa F. Chichibu, Kouji Hazu, Yuji Kagamitani, Takeyoshi Onuma, Dirk Ehrentraut, Tsuguo Fukuda, Tohru Ishiguro

APPLIED PHYSICS EXPRESS　4　(4)　2011年4月

DOI： 10.1143/APEX.4.045501 　

ISSN：1882-0778
Impacts of anisotropic tilt mosaics of state-of-the-art m-plane freestanding GaN substrates on the structural and luminescent properties of m-plane AlxGa1-xN epilayers 査読有り

K. Hazu, M. Kagaya, T. Hoshi, T. Onuma, S. F. Chichibu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　29　(2)　021208-1-9　2011年3月

DOI： 10.1116/1.3566010 　

ISSN：1071-1023
Time-Resolved Photoluminescence of a Two-Dimensional Electron Gas in an Al_0.2Ga_0.8N/GaN Heterostructure Fabricated on GaN Substrates Grown by the Ammonothermal Method Using an In-Autoclave Synthesized NH₄Cl Acidic Minerali 査読有り

S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Kagamitani, T. Onuma, D. Ehrentraut, T. Fukuda, T. Ishiguro

Applied Physics Express　4　(4)　045501-1-3　2011年3月

DOI： 10.1143/APEX.4.045501 　

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Impacts of anisotropic tilt mosaics of state-of-the-art m-plane freestanding GaN substrates on the structural and luminescent properties of m-plane AlxGa1-xN epilayers 査読有り

K. Hazu, M. Kagaya, T. Hoshi, T. Onuma, S. F. Chichibu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　29　(2)　2011年3月

DOI： 10.1116/1.3566010 　

ISSN：1071-1023
Sulfurization growth of CuInS 2 thin films and solar cells using ditertiarybutylsulfide as a less-hazardous source 査読有り

M. Sugiyama, C. Fujiwara, R. Shoji, S. F. Chichibu

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　000436-000439　2011年

DOI： 10.1109/PVSC.2011.6185987 　

ISSN：0160-8371
Impacts of anisotropic tilt mosaics of state-of-the-art m -plane freestanding GaN substrates on the structural and luminescent properties of m -plane Alx Ga1-x N epilayers 査読有り

K. Hazu, M. Kagaya, T. Hoshi, T. Onuma, S. F. Chichibu

Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics　29　(2)　2011年
出版者・発行元： AVS Science and Technology Society
DOI： 10.1116/1.3566010 　

ISSN：2166-2754 2166-2746
Transparent semiconducting Nb-doped anatase TiO2 films deposited by helicon-wave-excited-plasma sputtering 査読有り

A. Fouda, K. Hazu, M. Haemori, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics　29　(1)　0110171-0110176　2011年
出版者・発行元： AVS Science and Technology Society
DOI： 10.1116/1.3525918 　

ISSN：2166-2754 2166-2746
Point defects in GaN and related group-III nitrides studied by means of positron annihilation 招待有り査読有り

Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Shigefusa F. Chichibu, Katsuhiro Akimoto

GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES VI　7939　793901-1-10　2011年

DOI： 10.1117/12.871611 　

ISSN：0277-786X
Helicon-wave-excited plasma sputtering epitaxy of Nb-doped TiO2 films on GaN 査読有り

A. Fouda, K. Hazu, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2　8　(2)　534-536　2011年

DOI： 10.1002/pssc.201000466 　

ISSN：1862-6351
Transparent semiconducting Nb-doped anatase TiO2 films deposited by helicon-wave-excited-plasma sputtering 査読有り

A. Fouda, K. Hazu, M. Haemori, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　29　(1)　011017-1-6　2011年1月

DOI： 10.1116/1.3525918 　

ISSN：1071-1023
Helicon-wave-excited plasma sputtering epitaxy of Nb-doped TiO2 films on GaN 査読有り

A. Fouda, K. Hazu, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2　8　(2)　2011年

DOI： 10.1002/pssc.201000466 　

ISSN：1862-6351
Transparent semiconducting Nb-doped anatase TiO2 films deposited by helicon-wave-excited-plasma sputtering 査読有り

A. Fouda, K. Hazu, M. Haemori, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　29　(1)　2011年1月

DOI： 10.1116/1.3525918 　

ISSN：1071-1023
Major impacts of point defects and impurities on the carrier recombination dynamics in AlN 査読有り

S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, A. Uedono

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(20)　201904-1-3　2010年11月

DOI： 10.1063/1.3517484 　

ISSN：0003-6951
Ammonothermal epitaxy of wurtzite GaN using an NH4I mineralizer 査読有り

Y. Kagamitani, T. Kuribayashi, K. Hazu, T. Onuma, D. Tomida, R. Simura, S. F. Chichibu, K. Sugiyama, C. Yokoyama, T. Ishiguro, T. Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　312　(22)　3384-3387　2010年11月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.07.065 　

ISSN：0022-0248
Major impacts of point defects and impurities on the carrier recombination dynamics in AlN 査読有り

S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, A. Uedono

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(20)　2010年11月

DOI： 10.1063/1.3517484 　

ISSN：0003-6951
Interface chemistry and electronic structure of GaN/MgAl2O4 revealed by angle-resolved photoemission spectroscopy 査読有り

G. He, T. Chikyow, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(16)　161907(1)-(3)　2010年10月

DOI： 10.1063/1.3505153 　

ISSN：0003-6951
Interface chemistry and electronic structure of GaN/MgAl2O4 revealed by angle-resolved photoemission spectroscopy 査読有り

G. He, T. Chikyow, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(16)　2010年10月

DOI： 10.1063/1.3505153 　

ISSN：0003-6951
Surface stoichiometry and activity control for atomically smooth low dislocation density ZnO and pseudomorphic MgZnO epitaxy on a Zn-polar ZnO substrate by the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy method 査読有り

Y. Sawai, K. Hazu, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　108　(6)　063541-1-8　2010年9月

DOI： 10.1063/1.3485600 　

ISSN：0021-8979
ヨウ化アンモニウムを鉱化剤に用いたアモノサーマル法によるGaN育成

鏡谷勇二, 栗林岳人, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 冨田大輔, 志村玲子, 秩父重英, 杉山和正, 横山千昭, 石黒徹, 福田承生

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2010.2　3154-3154　2010年8月30日
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_3154 　

eISSN：2436-7613
Nitrogen doped MgxZn1-xO/ZnO single heterostructure ultraviolet light-emitting diodes on ZnO substrates 査読有り

K. Nakahara, S. Akasaka, H. Yuji, K. Tamura, T. Fujii, Y. Nishimoto, D. Takamizu, A. Sasaki, T. Tanabe, H. Takasu, H. Amaike, T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(1)　013501(1)-(3)　2010年7月

DOI： 10.1063/1.3459139 　

ISSN：0003-6951
Nitrogen doped MgxZn1-xO/ZnO single heterostructure ultraviolet light-emitting diodes on ZnO substrates 査読有り

K. Nakahara, S. Akasaka, H. Yuji, K. Tamura, T. Fujii, Y. Nishimoto, D. Takamizu, A. Sasaki, T. Tanabe, H. Takasu, H. Amaike, T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(1)　2010年7月

DOI： 10.1063/1.3459139 　

ISSN：0003-6951
A new approach to technology roadmapping of disruptive innovation 査読有り

A. Nagahira, D. Probert, T. Fukuda, S. F. Chichibu, Y. Kagamitani, A. Abe

Proceedings of the R&D Management Conference (2010), Roadmapping Session　1　(2)　9-23　2010年6月30日
Photoluminescence and positron annihilation studies on Mg-doped nitrogen-polarity semipolar, 10(1)over-bar(1)over-bar GaN heteroepitaxial layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

T. Onuma, A. Uedono, H. Asamizu, H. Sato, J. F. Kaeding, M. Iza, S. P. DenBaars, S. Nakamura, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(9)　091913 1-3　2010年3月

DOI： 10.1063/1.3337098 　

ISSN：0003-6951
Photoluminescence and positron annihilation studies on Mg-doped nitrogen-polarity semipolar, 10(1)over-bar(1)over-bar GaN heteroepitaxial layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

T. Onuma, A. Uedono, H. Asamizu, H. Sato, J. F. Kaeding, M. Iza, S. P. DenBaars, S. Nakamura, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(9)　2010年3月

DOI： 10.1063/1.3337098 　

ISSN：0003-6951
Light polarization characteristics of m-plane AlxGa1-xN films suffering from in-plane anisotropic tensile stresses 査読有り

K. Hazu, T. Hoshi, M. Kagaya, T. Onuma, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　107　(3)　033701　2010年2月

DOI： 10.1063/1.3282705 　

ISSN：0021-8979
Identification of extremely radiative nature of AlN by time-resolved photoluminescence 査読有り

T. Onuma, K. Hazu, A. Uedono, T. Sota, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(6)　061906 1-3　2010年2月

DOI： 10.1063/1.3284653 　

ISSN：0003-6951
Identification of extremely radiative nature of AlN by time-resolved photoluminescence 査読有り

T. Onuma, K. Hazu, A. Uedono, T. Sota, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(6)　2010年2月

DOI： 10.1063/1.3284653 　

ISSN：0003-6951
Light polarization characteristics of m-plane AlxGa1-xN films suffering from in-plane anisotropic tensile stresses 査読有り

K. Hazu, T. Hoshi, M. Kagaya, T. Onuma, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　107　(3)　2010年2月

DOI： 10.1063/1.3282705 　

ISSN：0021-8979
Optical Properties of GaN Substrates

Chichibu, S.F.

Springer Series in Materials Science　133　2010年

DOI： 10.1007/978-3-642-04830-2_13 　
Optical and Solar Cell Properties of Alpha-ray, Proton, and Gamma-ray Irradiated Cu(In,Ga)Se-2 Thin Films and Solar Cells 査読有り

Mutsumi Sugiyama, Toshihiro Yasuniwa, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu, Shinichi Kimura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　042302 1-3　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.042302 　

ISSN：0021-4922
Optimization of the Growth Conditions for Molecular Beam Epitaxy of MgxZn_1-xO (0 ≤ x ≤ 0.12) Films on Zn-polar ZnO Substrates 査読有り

H. Yuji, K. Nakahara, K. Tamura, S. Akasaka, Y. Nishimoto, D. Takamizu, T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

Japanese Journal of Applied Physics　49　(7)　071104 1-5　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.071104 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Crystal Phase-Selective Epitaxy of Rutile and Anatase Nb-Doped TiO2 Films on a GaN Template by the Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering Epitaxy Method 査読有り

Kouji Hazu, Aly Fouda, Tokuyuki Nakayama, Akikazu Tanaka, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　3　(9)　091102( 1)-(3)　2010年

DOI： 10.1143/APEX.3.091102 　

ISSN：1882-0778
Optical and Solar Cell Properties of Alpha-ray, Proton, and Gamma-ray Irradiated Cu(In,Ga)Se-2 Thin Films and Solar Cells 査読有り

Mutsumi Sugiyama, Toshihiro Yasuniwa, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu, Shinichi Kimura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.042302 　

ISSN：0021-4922
Optimization of the Growth Conditions for Molecular Beam Epitaxy of MgxZn1-xO (0 <= x <= 0.12) Films on Zn-Polar ZnO Substrates 査読有り

Hiroyuki Yuji, Ken Nakahara, Kentaro Tamura, Shunsuke Akasaka, Yoshio Nishimoto, Daiju Takamizu, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(7)　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.071104 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Crystal Phase-Selective Epitaxy of Rutile and Anatase Nb-Doped TiO2 Films on a GaN Template by the Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering Epitaxy Method 査読有り

Kouji Hazu, Aly Fouda, Tokuyuki Nakayama, Akikazu Tanaka, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　3　(9)　2010年

DOI： 10.1143/APEX.3.091102 　

ISSN：1882-0778
Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering as an Expandable Epitaxy Method for Planar Semiconductor Thin Films 査読有り

Hiroaki Amaike, Kouji Hazu, Yutaka Sawai, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　2　(10)　105503 1-3　2009年10月

DOI： 10.1143/APEX.2.105503 　

ISSN：1882-0778
Synthesis, crystal structure and characterization of iron pyroborate (Fe2B2O5) single crystals (vol 182, pg 2004, 2009) 査読有り

Tetsuya Kawano, Haruhiko Morito, Takahiro Yamada, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Hisanori Yamane

JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY　182　(10)　2947-2947　2009年10月

DOI： 10.1016/j.jssc.2009.08.008 　

ISSN：0022-4596
Structural, Optical, and Homoepitaxial Studies on the Bulk GaN Single Crystals Spontaneously Nucleated by the Na-Flux Method 査読有り

Takeyoshi Onuma, Takahiro Yamada, Hisanori Yamane, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　2　(9)　091004(1)-(3)　2009年9月

DOI： 10.1143/APEX.2.091004 　

ISSN：1882-0778
Synthesis, crystal structure and characterization of iron pyroborate (Fe2B2O5) single crystals 査読有り

Tetsuya Kawano, Haruhiko Morito, Takahiro Yamada, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Hisanori Yamane

JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY　182　(8)　2004-2009　2009年8月

DOI： 10.1016/j.jssc.2009.05.009 　

ISSN：0022-4596

eISSN：1095-726X
Local structural study of Mg0.06Zn0.94O film by polarized XAFS 査読有り

Tsutomu Yamada, Takafumi Miyanaga, Takashi Azuhata, Takahiro Koyama, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinori Kitajima

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　7　596-600　2009年5月9日

DOI： 10.1380/ejssnt.2009.596 　

ISSN：1348-0391
Nonpolar and Semipolar Group III Nitride-Based Materials 査読有り

J. S. Speck, S. F. Chichibu

MRS BULLETIN　34　(5)　304-312　2009年5月

DOI： 10.1557/mrs2009.91 　

ISSN：0883-7694
Thermal stability of semi-insulating property of Fe-doped GaN bulk films studied by photoluminescence and monoenergetic positron annihilation techniques 査読有り

Masashi Kubota, Takeyoshi Onuma, Yujiro Ishihara, Akira Usui, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(8)　083542(1)-(9)　2009年4月

DOI： 10.1063/1.3110205 　

ISSN：0021-8979
Vacancy-oxygen complexes and their optical properties in AlN epitaxial films studied by positron annihilation 査読有り

A. Uedono, S. Ishibashi, S. Keller, C. Moe, P. Cantu, T. M. Katona, D. S. Kamber, Y. Wu, E. Letts, S. A. Newman, S. Nakamura, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, T. Onuma, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(5)　054501 1-6　2009年3月

DOI： 10.1063/1.3079333 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Impacts of anisotropic lattice relaxation on crystal mosaicity and luminescence spectra of m-plane AlxGa1-xN films grown on m-plane freestanding GaN substrates by NH3 source molecular beam epitaxy 査読有り

T. Hoshi, K. Hazu, K. Ohshita, M. Kagaya, T. Onuma, K. Fujito, H. Namita, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　94　(7)　.071910 1-3　2009年2月

DOI： 10.1063/1.3089248 　

ISSN：0003-6951
Impacts of anisotropic lattice relaxation on crystal mosaicity and luminescence spectra of m-plane AlxGa1-xN films grown on m-plane freestanding GaN substrates by NH3 source molecular beam epitaxy 査読有り

T. Hoshi, K. Hazu, K. Ohshita, M. Kagaya, T. Onuma, K. Fujito, H. Namita, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　94　(7)　071910(1)-(3)　2009年2月

DOI： 10.1063/1.3089248 　

ISSN：0003-6951
Growth of single-phase Cu(In,Al)Se-2 photoabsorbing films by selenization using diethylselenide 査読有り

M. Sugiyama, A. Umezawa, T. Yasuniwa, A. Miyama, H. Nakanishi, S. F. Chichibu

THIN SOLID FILMS　517　(7)　2175-2177　2009年2月

DOI： 10.1016/j.tsf.2008.10.083 　

ISSN：0040-6090
Free and bound exciton fine structures in AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

T. Onuma, T. Shibata, K. Kosaka, K. Asai, S. Sumiya, M. Tanaka, T. Sota, A. Uedono, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(2)　023529(1)-(7)　2009年1月

DOI： 10.1063/1.3068335 　

ISSN：0021-8979
Fabrication of a n-type ZnO/p-type Cu-Al-O heterojunction diode by sputtering deposition methods 査読有り

Satoru Takahata, Keita Saiki, Takashi Imao, Hisayuki Nakanishi, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 5　6　(5)　1105-+　2009年

DOI： 10.1002/pssc.200881167 　

ISSN：1862-6351
Ga-doped ZnO transparent conducting films prepared by helicon-wave-excited plasma sputtering 査読有り

Shingo Masaki, Hisayuki Nakanishi, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 5　6　(5)　1109-+　2009年

DOI： 10.1002/pssc.200881168 　

ISSN：1862-6351
Preparation of CuInSe2 thin films by metal-organic decomposition with oxidation-reduction and subsequent selenization using diethylselenide 査読有り

S. Ando, N. Takayama, M. Sugiyama, H. Nakanishi, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 5　6　(5)　1038-+　2009年

DOI： 10.1002/pssc.200881245 　

ISSN：1862-6351
Study on dephasing dynamics of Exciton Fine Structure in GaN 査読有り

T. Ishiguro, Y. Toda, S. Adachi, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2　6　S719-S722　2009年

DOI： 10.1002/pssc.200880829 　

ISSN：1862-6351
Preparation of Cu(In,Al)Se-2 thin films by selenization using diethylselenide 査読有り

Akihisa Umezawa, Toshihiro Yasuniwa, Atsushi Miyama, Hisayuki Nakanishi, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 5　6　(5)　1016-+　2009年

DOI： 10.1002/pssc.200881165 　

ISSN：1862-6351
Fabrication of Zn-doped Cu(In,Ga)Se-2 thin film solar cells prepared by Zn diffusion from the gas phase using dimethylzinc 査読有り

Atsushi Miyama, Xiaoming Dou, Toshihiro Yasuniwa, Akihisa Umezawa, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 5　6　(5)　1213-+　2009年

DOI： 10.1002/pssc.200881169 　

ISSN：1862-6351
特集：発光材料の新展開非極性面窒化物半導体発光素子の最近の動向

尾沼猛儀, 秩父重英

マテリアルインテグレーション　21　(12)　53-63　2008年12月
出版者・発行元：ティー・アイ・シィー
ISSN：1344-7858
発光材料の新展開非極性面窒化物半導体発光素子の最近の動向

尾沼猛儀, 秩父重英

Mater Integr　2008年11月25日
Improved characteristics and issues of m-plane InGaN films grown on low defect density m-plane freestanding GaN substrates by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S. F. Chichibu, H. Yamaguchi, L. Zhao, M. Kubota, T. Onuma, K. Okamoto, H. Ohta

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(15)　151908 1-3　2008年10月

DOI： 10.1063/1.2998580 　

ISSN：0003-6951
Nonpolar Nitride Heterostructures and Devices grown by MOCVD 査読有り

Arpan Chakraborty, Shigefusa Chichibu, Umesh Mishra

Nitrides with Nonpolar Surfaces: Growth, Properties, and Devices　319-355　2008年9月16日
出版者・発行元： Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
DOI： 10.1002/9783527623150.ch12 　
Plasma-assisted molecular beam epitaxy of high optical quality MgZnO films on Zn-polar ZnO substrates 査読有り

Yoshio Nishimoto, Ken Nakahara, Daiju Takamizu, Atsushi Sasaki, Kentaro Tamura, Shunsuke Akasaka, Hiroyuki Yuji, Tetsuo Fujii, Tetsuhiro Tanabe, Hidemi Takasu, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Masashi Kawasaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(9)　091202-1-091202-3　2008年9月

DOI： 10.1143/APEX.1.091202 　

ISSN：1882-0778
Anisotropic optical gain in m-plane In(x)Ga(1-x)N/GaN multiple quantum well laser diode wafers fabricated on the low defect density freestanding GaN substrates 査読有り

T. Onuma, K. Okamoto, H. Ohta, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(9)　091112-1-091112-3　2008年9月

DOI： 10.1063/1.2978242 　

ISSN：0003-6951
Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane GaN homoepitaxial films grown by metal organic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing GaN substrates (vol 92, art no 091912, 2008) 査読有り

S. F. Chichibu, H. Yamaguchi, L. Zhao, M. Kubota, K. Okamoto, H. Ohta

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(12)　2008年9月

DOI： 10.1063/1.2991440 　

ISSN：0003-6951
Anisotropic optical gain in m-plane In(x)Ga(1-x)N/GaN multiple quantum well laser diode wafers fabricated on the low defect density freestanding GaN substrates 査読有り

T. Onuma, K. Okamoto, H. Ohta, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(9)　2008年9月

DOI： 10.1063/1.2978242 　

ISSN：0003-6951
Plasma-assisted molecular beam epitaxy of high optical quality MgZnO films on Zn-polar ZnO substrates 査読有り

Yoshio Nishimoto, Ken Nakahara, Daiju Takamizu, Atsushi Sasaki, Kentaro Tamura, Shunsuke Akasaka, Hiroyuki Yuji, Tetsuo Fujii, Tetsuhiro Tanabe, Hidemi Takasu, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Masashi Kawasaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(9)　2008年9月

DOI： 10.1143/APEX.1.091202 　

ISSN：1882-0778
Impact of strain on free-exciton resonance energies in wurtzite AlN (vol 102, art no 123707, 2007) 査読有り

Hirokatsu Ikeda, Takahiro Okamura, Kodai Matsukawa, Takayuki Sota, Mariko Sugawara, Takuya Hoshi, Pablo Cantu, Rajat Sharma, John F. Kaeding, Stacia Keller, Umesh K. Mishra, Kei Kosaka, Keiichiro Asai, Shigeaki Sumiya, Tomohiko Shibata, Mitsuhiro Tanaka, James S. Speck, Steven P. DenBaars, Shuji Nakamura, Takahiro Koyama, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(8)　2008年4月

DOI： 10.1063/1.2903974 　

ISSN：0021-8979
Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane GaN homoepitaxial films grown by metal organic vapor phase epitaxy on low defect density freestanding GaN substrates 査読有り

S. F. Chichibu, H. Yamaguchi, L. Zhao, M. Kubota, K. Okamoto, H. Ohta

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(9)　091912-1-091912-3　2008年3月

DOI： 10.1063/1.2842387 　

ISSN：0003-6951
Direct correlation between the internal quantum efficiency and photoluminescence lifetime in undoped ZnO epilayers grown on Zn-polar ZnO substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy 査読有り

D. Takamizu, Y. Nishimoto, S. Akasaka, H. Yuji, K. Tamura, K. Nakahara, T. Onuma, T. Tanabe, H. Takasu, M. Kawasaki, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(6)　pp.063502-1-pp.063502-4　2008年3月

DOI： 10.1063/1.2841199 　

ISSN：0021-8979
Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane GaN homoepitaxial films grown by metal organic vapor phase epitaxy on low defect density freestanding GaN substrates 査読有り

S. F. Chichibu, H. Yamaguchi, L. Zhao, M. Kubota, K. Okamoto, H. Ohta

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(9)　129901 1　2008年3月

DOI： 10.1063/1.2842387 　

ISSN：0003-6951
Improvement of AI-Polar AIN layer quality by three-stage flow-modulation metalorganic chemical vapor deposition 査読有り

Misaichi Takeuchi, Shin Ooishi, Takumi Ohtsuka, Tomohiro Maegawa, Takahiro Koyama, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinobu Aoyagi

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(2)　021102-1-021102-3　2008年2月

DOI： 10.1143/APEX.1.021102 　

ISSN：1882-0778
Formation of Zn-doped CuInSe2 films by thermal annealing using dimethylzinc 査読有り

M. Sugiyama, A. Kinoshita, A. Miyama, H. Nakanishi, S. F. Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　310　(4)　794-797　2008年2月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.172 　

ISSN：0022-0248
Microstructural evolution in m-plane GaN growth on m-plane SiC 査読有り

Qian Sun, Soon-Yong Kwon, Zaiyuan Ren, Jung Han, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Shaoping Wang

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(5)　051112-1-051112-3　2008年2月

DOI： 10.1063/1.2841671 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Improvement of AI-Polar AIN layer quality by three-stage flow-modulation metalorganic chemical vapor deposition 査読有り

Misaichi Takeuchi, Shin Ooishi, Takumi Ohtsuka, Tomohiro Maegawa, Takahiro Koyama, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinobu Aoyagi

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(2)　2008年2月

DOI： 10.1143/APEX.1.021102 　

ISSN：1882-0778
Preparation of ZnO : Ga thin films by helicon-wave-excited plasma sputtering 査読有り

Shingo Masaki, Hisayuki Nakanishi, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9　5　(9)　3135-+　2008年

DOI： 10.1002/pssc.200779182 　

ISSN：1862-6351
Correlation between the violet luminescence intensity and defect density in AlN epilayers grown by ammonia-source molecular beam epitaxy 査読有り

Takuya Hoshi, Takahiro Koyama, Mariko Sugawara, Akira Uedono, John F. Kaeding, Rajat Sharma, Shuji Nakamura, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6　5　(6)　2129-+　2008年

DOI： 10.1002/pssc.200778473 　

ISSN：1862-6351
III族窒化物半導体(Al,Ga)Nにおける発光特性と点欠陥の相関関係

秩父重英, 上殿明良

日本結晶成長学会誌　590　2008年
出版者・発行元：
DOI： 10.4028/0-87849-358-1.233 　
Four-wave mixing spectroscopy of ultraviolet excitons in strained GaN 査読有り

T. Ishiguro, Y. Toda, S. Adachi, S. F. Chichibu

ULTRAFAST PHENOMENA IN SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURE MATERIALS XII　6892　2008年

DOI： 10.1117/12.762839 　

ISSN：0277-786X
MgxZn1-xO epitaxial films grown on ZnO substrates by molecular beam epitaxy 査読有り

H. Yuji, K. Nakahara, K. Tamura, S. Akasaka, A. Sasaki, T. Tanabe, H. Takasu, T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

ZINC OXIDE MATERIALS AND DEVICES III　6895　2008年

DOI： 10.1117/12.774974 　

ISSN：0277-786X
Helicon-wave-excited plasma sputtering deposition of CuAlO2 thin films 査読有り

Satoru Takahata, Takashi Imao, Hisayuki Nakanishi, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9　5　(9)　3101-+　2008年

DOI： 10.1002/pssc.200779181 　

ISSN：1862-6351
Impacts of dislocation bending and impurity incorporation on the local cathodoluminescence spectra of GaN grown by ammonothermal method 招待有り査読有り

S. F. Chichibu, T. Onuma, T. Hashimoto, K. Fujito, F. Wu, J. S. Speck, S. Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　91　(25)　251911 1-3　2007年12月

DOI： 10.1063/1.2825471 　

ISSN：0003-6951
Impact of strain on free-exciton resonance energies in wurtzite AlN 招待有り査読有り

Hirokatsu Ikeda, Takahiro Okamura, Kodai Matsukawa, Takayuki Sota, Mariko Sugawara, Takuya Hoshi, Pablo Cantu, Rajat Sharma, John F. Kaeding, Stacia Keller, Umesh K. Mishra, Kei Kosaka, Keiichiro Asai, Shigeaki Sumiya, Tomohiko Shibata, Mitsuhiro Tanaka, James S. Speck, Steven P. DenBaars, Shuji Nakamura, Takahiro Koyama, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　102　(12)　123707 1-5　2007年12月

DOI： 10.1063/1.2825577 　

ISSN：0021-8979
Impacts of dislocation bending and impurity incorporation on the local cathodoluminescence spectra of GaN grown by ammonothermal method 査読有り

S. F. Chichibu, T. Onuma, T. Hashimoto, K. Fujito, F. Wu, J. S. Speck, S. Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　91　(25)　2007年12月

DOI： 10.1063/1.2825471 　

ISSN：0003-6951
Impact of strain on free-exciton resonance energies in wurtzite AlN 査読有り

Hirokatsu Ikeda, Takahiro Okamura, Kodai Matsukawa, Takayuki Sota, Mariko Sugawara, Takuya Hoshi, Pablo Cantu, Rajat Sharma, John F. Kaeding, Stacia Keller, Umesh K. Mishra, Kei Kosaka, Keiichiro Asai, Shigeaki Sumiya, Tomohiko Shibata, Mitsuhiro Tanaka, James S. Speck, Steven P. DenBaars, Shuji Nakamura, Takahiro Koyama, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　102　(12)　2007年12月

DOI： 10.1063/1.2825577 　

ISSN：0021-8979
Effects of the high-temperature-annealed self-buffer layer on the improved properties of ZnO epilayers grown by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy on a-plane sapphire substrates 査読有り

T. Koyama, A. N. Fouda, N. Shibata, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　102　(7)　073505-1-4　2007年10月

DOI： 10.1063/1.2786090 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Quantum-confined Stark effects in the m-plane In0.15Ga0.85N/GaN multiple quantum well blue light-emitting diode fabricated on low defect density freestanding GaN substrate 査読有り

T. Onuma, H. Amaike, M. Kubota, K. Okamoto, H. Ohta, J. Ichihara, H. Takasu, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　91　(18)　181903-1-3　2007年10月

DOI： 10.1063/1.2802042 　

ISSN：0003-6951
Effects of the high-temperature-annealed self-buffer layer on the improved properties of ZnO epilayers grown by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy on a-plane sapphire substrates 査読有り

T. Koyama, A. N. Fouda, N. Shibata, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　102　(7)　2007年10月

DOI： 10.1063/1.2786090 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Quantum-confined Stark effects in the m-plane In0.15Ga0.85N/GaN multiple quantum well blue light-emitting diode fabricated on low defect density freestanding GaN substrate 査読有り

T. Onuma, H. Amaike, M. Kubota, K. Okamoto, H. Ohta, J. Ichihara, H. Takasu, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　91　(18)　2007年10月

DOI： 10.1063/1.2802042 　

ISSN：0003-6951
Al- and N-polar AlN layers grown on c-plane sapphire substrates by modified flow-modulation MOCVD 査読有り

M. Takeuchi, H. Shimizu, R. Kajitani, K. Kawasaki, T. Kinoshita, K. Takada, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, T. Koyama, S. F. Chichibu, Y. Aoyagi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　305　(2)　360-365　2007年7月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.04.004 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
Atomic distribution in InxGa1-xN single quantum wells studied by extended x-ray absorption fine structure 査読有り

Takafumi Miyanaga, Takashi Azuhata, Shigenobu Matsuda, Yoshikazu Ishikawa, Shinya Sasaki, Tomoya Uruga, Hajime Tanida, Shigefusa F. Chichibu, Takayuki Sota

PHYSICAL REVIEW B　76　(3)　035314 1-5　2007年7月

DOI： 10.1103/PhysRevB.76.035314 　

ISSN：1098-0121
Atomic distribution in InxGa1-xN single quantum wells studied by extended x-ray absorption fine structure 査読有り

Takafumi Miyanaga, Takashi Azuhata, Shigenobu Matsuda, Yoshikazu Ishikawa, Shinya Sasaki, Tomoya Uruga, Hajime Tanida, Shigefusa F. Chichibu, Takayuki Sota

PHYSICAL REVIEW B　76　(3)　2007年7月

DOI： 10.1103/PhysRevB.76.035314 　

ISSN：1098-0121
Relation between AI vacancies and deep emission bands in AIN epitaxial films grown by NH3-source molecular beam epitaxy 査読有り

T. Koyama, M. Sugawara, T. Hoshi, A. Uedono, J. F. Kaeding, R. Sharma, S. Nakamura, S. F. Chichibua

APPLIED PHYSICS LETTERS　90　(24)　241914-1-3　2007年6月

DOI： 10.1063/1.2748315 　

ISSN：0003-6951
Growth of single-phase CuInGaSe2 photo-absorbing alloy films by the selenization method using diethylselenide as a less-hazardous Se source 査読有り

M. Sugiyama, A. Kinoshita, M. Fukaya, H. Nakanishi, S. F. Chichibu

THIN SOLID FILMS　515　(15)　5867-5870　2007年5月

DOI： 10.1016/j.tsf.2006.12.061 　

ISSN：0040-6090
Recombination dynamics of excitons in Mg0.11Zn0.89O alloy films grown using the high-temperature-annealed self-buffer layer by laser-assisted molecular-beam epitaxy 査読有り

Masashi Kubota, Takeyoshi Onuma, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki, Takayuki Sota, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　90　(14)　141903-1-141903-3　2007年4月

DOI： 10.1063/1.2719168 　

ISSN：0003-6951
Continuous-wave operation of m-plane InGaN multiple quantum well laser diodes 査読有り

Kuniyoshi Okamoto, Hiroaki Ohta, Shigefusa F. Chichibu, Jun Ichihara, Hidemi Takasu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(8-11)　L187-L189　2007年3月

DOI： 10.1143/JJAP.46.L187 　

ISSN：0021-4922
Radiative and nonradiative lifetimes in nonpolar m -plane Inx Ga1-x NGaN multiple quantum wells grown on GaN templates prepared by lateral epitaxial overgrowth

Onuma, T., Koyama, T., Chakraborty, A., McLaurin, M., Haskell, B.A., Fini, P.T., Keller, S., Denbaars, S.P., Speck, J.S., Nakamura, S., Mishra, U.K., Sota, T., Chichibu, S.F.

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures　25　(4)　2007年

DOI： 10.1116/1.2746354 　
Papers presented at the International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, IWN 2006: Preface

Akimoto, K., Chichibu, S., Suemasu, T.

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　4　(7)　2204-2204　2007年
Cross-sectional spatially resolved cathodoluminescence study of cubic GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on free-standing (001) 3C-SiC and GaAs substrates 査読有り

T. Onuma, T. Nozaka, H. Yamaguchi, T. Suzuki, S. F. Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　298　193-197　2007年1月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.045 　

ISSN：0022-0248
Increased power from deep ultraviolet LEDs via precursor selection 査読有り

C. Moe, T. Onuma, K. Vampola, N. Fellows, H. Masui, S. Newman, S. Keller, S. F. Chichibu, S. P. DenBaars, D. Emerson

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　298　710-713　2007年1月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.126 　

ISSN：0022-0248
Coherent manipulation of A and B excitons in GaN 査読有り

T. Ishiguro, Y. Toda, S. Adachi, K. Hazu, T. Sota, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007　4　(7)　2776-+　2007年

DOI： 10.1002/pssc.200674741 　

ISSN：1862-6351
Origin of localized excitons in In-containing three-dimensional bulk (Al,In,Ga)N alloy films probed by time-resolved photoluminescence and monoenergetic positron annihilation techniques 査読有り

S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B. A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P. T. Fini, S. Keller, S. P. Denbaars, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. Nakamura, S. Yamaguchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Han, T. Sota

PHILOSOPHICAL MAGAZINE　87　(13)　2019-2039　2007年

DOI： 10.1080/14786430701241689 　

ISSN：1478-6435
Local structure around in atoms in InxGa1-xN multi-quantum-wells studied by XAFS 査読有り

Shinya Sasaki, Takafumi Miyanaga, Takashi Azuhata, Tomoya Uruga, Hajime Tanida, Shigefusa F. Chichibu, Takayuki Sota

X-RAY ABSORPTION FINE STRUCTURE-XAFS13　882　499-+　2007年

ISSN：0094-243X
Recombination dynamics of excitons in Mg0.11 Zn0.89 O alloy films grown using the high-temperature-annealed self-buffer layer by laser-assisted molecular-beam epitaxy 査読有り

Masashi Kubota, Takeyoshi Onuma, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki, Takayuki Sota, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Letters　90　(14)　2007年

DOI： 10.1063/1.2719168 　

ISSN：0003-6951
Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al, In, Ga) N alloy semiconductors 査読有り

Shigefusa F. Chichibu, Akira Uedono, Takeyoshi Onuma, Benjamin A. Haskell, Arpan Chakraborty, Takahiro Koyama, Paul T. Fini, Stacia Keller, Steven P. Denbaars, James S. Speck, Umesh K. Mishra, Shuji Nakamura, Shigeo Yamaguchi, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Jung Han, Takayuki Sota

NATURE MATERIALS　5　(10)　810-816　2006年10月

DOI： 10.1038/nmat1726 　

ISSN：1476-1122
Helicon-wave-excited plasma sputtering deposition of Ga-doped ZnO transparent conducting films 査読有り

Mutsumi Sugiyama, Akira Murayama, Takashi Imao, Keita Saiki, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science　203　(11)　2882-2886　2006年9月

DOI： 10.1002/pssa.200669616 　

ISSN：1862-6300 1862-6319
The use of diethylselenide as a less-hazardous source in CuInGaSe2 photoabsorbing alloy formation by selenization of metal precursors premixed with Se 査読有り

M. Sugiyama, F. B. Dejene, A. Kinoshita, M. Fukaya, Y. Maru, T. Nakagawa, H. Nakanishi, V. Alberts, S. F. Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　294　(2)　214-217　2006年9月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.05.062 　

ISSN：0022-0248
Helicon-wave-excited plasma sputtering deposition of Ga-doped ZnO transparent conducting films 査読有り

Mutsumi Sugiyama, Akira Murayama, Takashi Imao, Keita Saiki, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　203　(11)　2882-2886　2006年9月

DOI： 10.1002/pssa.200669616 　

ISSN：0031-8965
Prospective emission efficiency and in-plane light polarization of nonpolar m-plane InxGa1-xN/GaN blue light emitting diodes fabricated on freestanding GaN substrates 査読有り

T. Koyama, T. Onuma, H. Masui, A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. Nakamura, S. P. DenBaars, T. Sota, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(9)　2006年8月

DOI： 10.1063/1.2337085 　

ISSN：0003-6951
Strain-relaxation in NH 3-source molecular beam epitaxy of AlN epilayers on GaN epitaxial templates 査読有り

T. Koyama, M. Sugawara, Y. Uchinuma, J. F. Kaeding, R. Sharma, T. Onuma, S. Nakamura, S. F. Chichibu

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science　203　(7)　1603-1606　2006年5月

DOI： 10.1002/pssa.200565289 　

ISSN：1862-6300 1862-6319
Strain-relaxation in NH3-source molecular beam epitaxy of AlN epilayers on GaN epitaxial templates 査読有り

T Koyama, M Sugawara, Y Uchinuma, JF Kaeding, R Sharma, T Onuma, S Nakamura, SF Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　203　(7)　1603-1606　2006年5月

DOI： 10.1002/pssa.200565289 　

ISSN：0031-8965
Improvements in quantum efficiency of excitonic emissions in ZnO epilayers by the elimination of point defects 査読有り

SF Chichibu, T Onuma, M Kubota, A Uedono, T Sota, A Tsukazaki, A Ohtomo, M Kawasaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(9)　2006年5月

DOI： 10.1063/1.2193162 　

ISSN：0021-8979
Extremely high quantum efficiency of donor-acceptor-pair emission in N-and-B-doped 6H-SiC 査読有り

S Kamiyama, T Maeda, Y Nakamura, M Iwaya, H Amano, Akasaki, I, H Kinoshita, T Furusho, M Yoshimoto, T Kimoto, J Suda, A Henry, IG Ivanov, JP Bergman, B Monemar, T Onuma, SF Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(9)　2006年5月

DOI： 10.1063/1.2195883 　

ISSN：0021-8979
Dielectric SiO2/ZrO2 distributed Bragg reflectors for ZnO microcavities prepared by the reactive helicon-wave-excited-plasma sputtering method 査読有り

SF Chichibu, T Ohmori, N Shibata, T Koyama

APPLIED PHYSICS LETTERS　88　(16)　2006年4月

DOI： 10.1063/1.2197932 　

ISSN：0003-6951
Recombination dynamics of a 268 nm emission peak in Al0.53In0.11Ga0.36N/Al0.58In0.02Ga0.40N multiple quantum wells 査読有り

T Onuma, S Keller, SP DenBaars, JS Speck, S Nakamura, UK Mishra, T Sota, SF Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　88　(11)　2006年3月

DOI： 10.1063/1.2186109 　

ISSN：0003-6951
光技術動向調査報告書

土屋朋信, 秋山知之, 宮本裕, 木下進, 西村信治, 増田浩一, 松尾昌一郎, 森田逸郎, 川田善正, 加園修, 川瀬晃道, 永妻忠夫, 菅博文, 西田好毅, 工藤耕治, 青柳利隆, 松井康浩, 阿南隆由, 三川孝, 榎並顕, 細川速美, 冨田茂, 北村雅季, 飯尾晋司, 笹岡千秋, 平山秀樹, 秩父重英, 本田徹, ORR Jim, 田島章雄, 豊嶋守生, 西岡到, 岡村治男, 高良秀彦, 岡本聡, 富永淳二, 三浦博, 北原弘昭, 樋口隆信, 譚小地

光技術動向調査報告書平成17年度　2006年
Growth and characterization of semipolar InGaN/GaN multiple quantum wells and light-emitting diodes on (10(1)over-bar(1)over-bar) GaN templates56 査読有り

Arpan Chakraborty, T. Onuma, T. J. Baker, S. Keller, S. F. Chichibu, S. P. DenBaars, S. Nakamura, J. S. Speck, U. K. Mishra

GAN, AIN, INN AND RELATED MATERIALS　892　143-+　2006年

ISSN：0272-9172
MOCVD growth and characterization of AIGaInN nanowires and narrostructures 査読有り

J. Han, K. Kim, J. Su, M. Gherasimova, A. V. Nurmikko, S. F. Chichibu, C. Broadbridge

GaN, AIN, InN and Related Materials　892　789-798　2006年

ISSN：0272-9172
Exciton dynamics in nonpolar (1120) InGaN/GaN multiple quantum wells grown on GaN templates prepared by lateral epitaxial overgrowth 査読有り

T. Onuma, A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, T. Sota, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, J. S. Speck, S. Nakamura, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6　3　(6)　2082-2086　2006年

DOI： 10.1002/pssc.200565444 　

ISSN：1862-6351
Growth and characterization of semipolar InGaN/GaN multiple quantum wells and light-emitting diodes on (10(1)over-bar(1)over-bar) GaN templates 査読有り

Arpan Chakraborty, T. Onuma, T. J. Baker, S. Keller, S. F. Chichibu, S. P. DenBaars, S. Nakamura, J. S. Speck, U. K. Mishra

PROGRESS IN SEMICONDUCTOR MATERIALS V-NOVEL MATERIALS AND ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC APPLICATIONS　891　231-+　2006年

ISSN：0272-9172
Influence of the stacking order on structural features of the Cu-In-Ga-Se precursors for formation of Cu(In,Ga)Se-2 thin films prepared by thermal reaction of InSe/Cu/GaSe alloys to elemental Se vapor and diethylselenide gas 査読有り

F. B. Dejene, M. Sugiyama, H. Nakanishi, V. Alberts, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 8　3　(8)　2572-+　2006年

DOI： 10.1002/pssc.200669657 　

ISSN：1862-6351
Use of diethylselenide for the preparation of CuInGaSe2 films by selenization of metal precursors premixed with Se 査読有り

Mutsumi Sugiyama, Francis B. Dejene, Atsuki Kinoshita, Masahiro Fukaya, Vivian Alberts, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 8　3　(8)　2543-+　2006年

DOI： 10.1002/pssc.200669615 　

ISSN：1862-6351
Preparation of high Ga-content CuInGaSe2 films by selenization of metal precursors using diethylselenide as a less-hazardous source 査読有り

Atsuki Kinoshita, Masahiro Fukaya, Hisayuki Nakanishi, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 8　3　(8)　2539-+　2006年

DOI： 10.1002/pssc.200669645 　

ISSN：1862-6351
Fabrication of p-(CuGaS2/n-ZnO : Al heterojunction light-emitting diode grown by metalorganic vapor phase epitaxy and helicon-wave-excited-plasma sputtering methods 査読有り

SF Chichibu, T Ohmori, N Shibata, T Koyama, T Onuma

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS　66　(11)　1868-1871　2005年11月

DOI： 10.1016/j.jpcs.2005.09.007 　

ISSN：0022-3697
Selected topics in applied physics III - Physics of UV materials and devices and their applications 査読有り

O Ueda, H Amano, S Fujita, K Kishino, K Hiramatsu, M Kawasaki, S Chichibu, S Niki, H Hirayama, J Speck, A Hangleiter, M Kneissl

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　44　(10)　VII-VII　2005年10月

ISSN：0021-4922
Growth of AlGaN nanowires by metalorganic chemical vapor deposition 査読有り

J Su, M Gherasimova, G Cui, H Tsukamoto, J Han, T Onuma, M Kurimoto, SF Chichibu, C Broadbridge, Y He, AV Nurmikko

APPLIED PHYSICS LETTERS　87　(18)　2005年10月

DOI： 10.1063/1.2126113 　

ISSN：0003-6951
AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減

秩父重英, 鈴木智士, 野坂大樹, 杉山睦, 尾沼猛儀, 知京豊裕, 上殿明良

日本結晶成長学会誌　32　(3)　207-208　2005年8月17日
出版者・発行元：日本結晶成長学会
DOI： 10.19009/jjacg.32.3_207 　

ISSN：0385-6275

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Al_xGaN_<1-x>/GaN superlattice (SL) insertion was shown to improve the structural homogeneity and photoluminescence (PL) lifetime of cubic (c-) GaN epilayers on (001) GaAs substrates due to the reduction in structural and nonradiative defects during low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). The density or size of Ga-vacancy (V_<Ga>)-related defects was also significantly reduced by the SL insertion. Correlation between the lifetime and point defect species was made using time-resolved PL and monoenergetic positron annihilation measurements.
Exciton-polariton spectra and limiting factors for the room-temperature photoluminescence efficiency in ZnO 査読有り

SF Chichibu, A Uedono, A Tsukazaki, T Onuma, M Zamfirescu, A Ohtomo, A Kavokin, G Cantwell, CW Litton, T Sota, M Kawasaki

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　20　(4)　S67-S77　2005年4月

DOI： 10.1088/0268-1242/20/4/009 　

ISSN：0268-1242
Measurements of exciton-polariton dynamics in ZnO by using nonlinear spectroscopic techniques 査読有り

K Hazu, S Adachi, T Sota, SF Chichibu

JOURNAL OF LUMINESCENCE　112　(1-4)　7-10　2005年4月

DOI： 10.1016/j.jlumin.2004.09.033 　

ISSN：0022-2313

eISSN：1872-7883
Localized exciton dynamics in nonpolar (1120) InxGa1-xN multiple quantum wells grown on GaN templates prepared by lateral epitaxial overgrowth 査読有り

T Onuma, A Chakraborty, BA Haskell, S Keller, SP DenBaars, JS Speck, S Nakamura, UK Mishra, T Sota, SF Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　86　(15)　2005年4月

DOI： 10.1063/1.1900947 　

ISSN：0003-6951
Vacancy-type defects in Si-doped InN grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy probed using monoenergetic positron beams 査読有り

A Uedono, SF Chichibu, M Higashiwaki, T Matsui, T Ohdaira, R Suzuki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　97　(4)　2005年2月

DOI： 10.1063/1.1845575 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Reduction of bound-state and nonradiative defect densities in nonpolar (1120) AlGaN/GaN quantum wells by the use of lateral epitaxial overgrowth technique 査読有り

S. F. Chichibu, T. Koida, M. D. Craven, B. A. Haskell, T. Onuma, T. Sota, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura

Physica Status Solidi C: Conferences　2　(7)　2700-2703　2005年

DOI： 10.1002/pssc.200461423 　

ISSN：1610-1634
Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO 査読有り

A Tsukazaki, A Ohtomo, T Onuma, M Ohtani, T Makino, M Sumiya, K Ohtani, SF Chichibu, S Fuke, Y Segawa, H Ohno, H Koinuma, M Kawasaki

NATURE MATERIALS　4　(1)　42-46　2005年1月

DOI： 10.1038/nmat1284 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Limiting factors of room-temperature nonradiative photoluminescence lifetime in polar and nonpolar GaN studied by time-resolved photoluminescence and slow positron annihilation techniques 査読有り

SF Chichibu, A Uedono, T Onuma, T Sota, BA Haskell, SP DenBaars, JS Speck, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　86　(2)　2005年1月

DOI： 10.1063/1.1851619 　

ISSN：0003-6951
Blue light-emitting diode based on ZnO 査読有り

A Tsukazaki, M Kubota, A Ohtomo, T Onuma, K Ohtani, H Ohno, SF Chichibu, M Kawasaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(20-23)　L643-L645　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L643 　

ISSN：0021-4922
Biexcitons and their dephasing processes in ZnO 査読有り

S Adachi, K Hazu, T Sota, S Chichibu, G Cantwell, DC Reynolds, CW Litton

FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHYSICS OF LIGHT-MATTER COUPLING IN NANOSTRUCTURES (PLMCN4)　2　(2)　890-895　2005年

DOI： 10.1002/pssc.200460332 　

ISSN：1862-6351
Reduction of bound-state and nonradiative defect densities in nonpolar (11(-)20) AlGaN/GaN quantum wells by the use of lateral epitaxial overgrowth technique 査読有り

SF Chichibu, T Koida, MD Craven, BA Haskell, T Onuma, T Sota, JS Speck, SP DenBaars, S Nakamura

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS, VOL 2, NO 7　2　(7)　2700-2703　2005年

DOI： 10.1002/pssc.200461423 　

ISSN：1862-6351
Vapor-liquid-solid growth of III-Nitride nanowires and heterostructures by metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

J Su, M Gherasimova, G Cui, J Han, S Lim, D Ciuparu, L Pfefferle, Y He, AV Nurmikko, C Broadbridge, A Lehman, T Onuma, M Kurimoto, SF Chichibu

GaN, AIN, InN and Their Alloys　831　753-758　2005年

ISSN：0272-9172
Reduced nonradiative defect densities in ZnO epilayers grown on Si substrates by the use of ZnS epitaxial buffer layers

Onuma, T, Chichibu, SF, Uedono, A

Appl. Phys. Lett./AIP　85 (23), pp.5586-5588　2004年12月
Reduced defect densities in the ZnO epilayer grown on Si substrates by laser-assisted molecular-beam epitaxy using a ZnS epitaxial buffer layer 査読有り

T Onuma, SF Chichibu, A Uedono, YZ Yoo, T Chikyow, T Sota, M Kawasaki, H Koinuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　85　(23)　5586-5588　2004年12月

DOI： 10.1063/1.1832734 　

ISSN：0003-6951
Reduction of point defect density in cubic GaN epilayers on (001) GaAs substrates using AlxGa1-xN/GaN superlattice underlayers 査読有り

SF Chichibu, M Sugiyama, T Nozaka, T Suzuki, T Onuma, K Nakajima, T Aoyama, M Sumiya, T Chikyow, A Uedono

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　272　(1-4)　481-488　2004年12月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.086 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
Greenish-white electroluminescence from p-type CuGaS2 heterojunction diodes using n-type ZnO as an electron injector 査読有り

SF Chichibu, T Ohmori, N Shibata, T Koyama, T Onuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　85　(19)　4403-4405　2004年11月

DOI： 10.1063/1.1818333 　

ISSN：0003-6951
Direct comparison of photoluminescence lifetime and defect densities in ZnO epilayers studied by time-resolved photoluminescence and slow positron annihilation techniques 査読有り

T Koida, A Uedono, A Tsukazaki, T Sota, M Kawasaki, SF Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　201　(12)　2841-2845　2004年9月

DOI： 10.1002/pssa.200405035 　

ISSN：0031-8965
Phonon scattering of excitons and biexcitons in ZnO 査読有り

K Hazu, T Sota, S Adachi, S Chichibu, G Cantwell, DC Reynolds, CW Litton

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　96　(2)　1270-1272　2004年7月

DOI： 10.1063/1.1760831 　

ISSN：0021-8979
Improved surface morphology in GaN homoepitaxy by NH3-source molecular-beam epitaxy 査読有り

T Koida, Y Uchinuma, J Kikuchi, KR Wang, M Terazaki, T Onuma, JF Keading, R Sharma, S Nakamura, SF Chichibu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　22　(4)　2158-2164　2004年7月

DOI： 10.1116/1.1775202 　

ISSN：1071-1023
In situ monitoring of Zn* and Mg* species during helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO and Mg0.06Zn0.94O films 査読有り

T Koyama, T Ohmori, N Shibata, T Onuma, SF Chichibu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　22　(4)　2220-2225　2004年7月

DOI： 10.1116/1.1768522 　

ISSN：1071-1023
Importance of lattice matching and surface arrangement for the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO 査読有り

T Koyama, SF Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　95　(12)　7856-7861　2004年6月

DOI： 10.1063/1.1739294 　

ISSN：0021-8979
II-VI族酸化物半導体ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル―III-V族窒化物半導体GaNとの類似点と相違点―

秩父重英, 宗田孝之

応用物理　73　(5)　624-628　2004年5月10日
出版者・発行元：応用物理学会
ISSN：0369-8009
Impact of the k-linear term on nonlinear optical response of the C-exciton manifold in ZnO 査読有り

K Hazu, K Torii, T Sota, S Adachi, SF Chichibu, G Cantwell, DC Reynolds, CW Litton

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　95　(10)　5498-5501　2004年5月

DOI： 10.1063/1.1710727 　

ISSN：0021-8979
Improved quantum efficiency in nonpolar (11(2)over-bar0) AlGaN/GaN quantum wells grown on GaN prepared by lateral epitaxial overgrowth 査読有り

T Koida, SF Chichibu, T Sota, MD Craven, BA Haskell, JS Speck, SP DenBaars, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　84　(19)　3768-3770　2004年5月

DOI： 10.1063/1.1738185 　

ISSN：0003-6951
Biexciton formation and exciton-exciton correlation effects in bulk ZnO 査読有り

S Adachi, K Hazu, T Sota, SF Chichibu, G Cantwell, DB Eason, DC Reynolds, CW Litton

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　19　(4)　S276-S278　2004年4月

DOI： 10.1088/0268-1242/19/4/092 　

ISSN：0268-1242
Radiative and nonradiative processes in strain-free AlxGa1-xN films studied by time-resolved photoluminescence and positron annihilation techniques 査読有り

T Onuma, SF Chichibu, A Uedono, T Sota, P Cantu, TM Katona, JF Keading, S Keller, UK Mishra, S Nakamura, SP DenBaars

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　95　(5)　2495-2504　2004年3月

DOI： 10.1063/1.1644041 　

ISSN：0021-8979
Reduced defect densities in cubic GaN epilayers with AlGaN/GaN superlattice underlayers grown on (001) GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

M Sugiyama, T Nosaka, T Suzuki, T Koida, K Nakajima, T Aoyama, M Sumiya, T Chikyow, A Uedono, SF Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　43　(3)　958-965　2004年3月

DOI： 10.1143/JJAP.43.958 　

ISSN：0021-4922
Radiative and nonradiative excitonic transitions in nonpolar (11(2)over-bar-0) and polar (000(1)over-bar) and (0001) ZnO epilayers 査読有り

T Koida, SF Chichibu, A Uedono, T Sota, A Tsukazaki, M Kawasaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　84　(7)　1079-1081　2004年2月

DOI： 10.1063/1.1646749 　

ISSN：0003-6951
II-VI族酸化物半導体ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル−III-V族窒化物系半導体GaNとの類似点と相違点−

秩父重英, 宗田孝之

応用物理 (研究紹介)　2004年
V defects of ZnO thin films grown on Si as an ultraviolet optical path 査読有り

YZ Yoo, T Sekiguchi, T Chikyow, M Kawasaki, T Onuma, SF Chichibu, JH Song, H Koinuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　84　(4)　502-504　2004年1月

DOI： 10.1063/1.1643535 　

ISSN：0003-6951
Critical roles of decomposition-shielding layer deposited at low temperature governing the structural and photoluminescence properties of cubic GaN epilayers grown on (001)GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

M Sugiyama, T Nosaka, T Onuma, K Nakajima, P Ahmet, T Aoyama, T Chikyow, SF Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　43　(1)　106-110　2004年1月

DOI： 10.1143/JJAP.43.106 　

ISSN：0021-4922
Position controlled GaN nano-structures fabricated by low energy focused ion beam system. 査読有り

T Nagata, P Ahmet, T Koida, SF Chichibu, T Chikyow

RADIATION EFFECTS AND ION-BEAM PROCESSING OF MATERIALS　792　605-609　2004年

ISSN：0272-9172
Influence of internal electric field on the recombination dynamics of localized excitons in an InGaN double-quantum-well laser diode wafer operated at 450 nm 査読有り

T Onuma, SF Chichibu, T Aoyama, K Nakajima, P Ahmet, T Azuhata, T Chikyow, T Sota, S Nagahama, T Mukai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　42　(12)　7276-7283　2003年12月

DOI： 10.1143/JJAP.42.7276 　

ISSN：0021-4922
Exciton-exciton correlation effects on FWM in GaN 査読有り

S Adachi, H Sasakura, S Muto, K Hazu, T Sota, SF Chichibu, T Mukai

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　240　(2)　348-351　2003年11月

DOI： 10.1002/pssb.200303254 　

ISSN：0370-1972
Heteroepitaxy of hexagonal ZnS thin films directly on Si (111) 査読有り

YZ Yoo, T Chikyow, M Kawasaki, T Onuma, S Chichibu, H Koinuma

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　42　(11)　7029-7032　2003年11月

DOI： 10.1143/JJAP.42.7029 　

ISSN：0021-4922
Improved emission efficiency in InGaN/GaN quantum wells with compositionally-graded barriers studied by time-resolved photoluminescence spectroscopy 査読有り

T Onuma, Y Uchinuma, EK Suh, HJ Lee, T Sota, SF Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　42　(11B)　L1369-L1371　2003年11月

DOI： 10.1143/JJAP.42.L1369 　

ISSN：0021-4922
Cathodoluminescence characterization of dislocations in gallium nitride using a transmission electron microscope 査読有り

N Yamamoto, H Itoh, Grillo, V, SF Chichibu, S Keller, JS Speck, SP DenBaars, UK Mishra, S Nakamura, G Salviati

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　94　(7)　4315-4319　2003年10月

DOI： 10.1063/1.1598632 　

ISSN：0021-8979
Layer-by-layer growth of high-optical-quality ZnO film on atomically smooth and lattice relaxed ZnO buffer layer 査読有り

A Tsukazaki, A Ohtomo, S Yoshida, M Kawasaki, CH Chia, T Makino, Y Segawa, T Koida, SF Chichibu, H Koinuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　83　(14)　2784-2786　2003年10月

DOI： 10.1063/1.1615834 　

ISSN：0003-6951
In situ spectral control of Zn species during helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO 査読有り

T Koyama, T Onuma, S Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　83　(14)　2973-2975　2003年10月

DOI： 10.1063/1.1616650 　

ISSN：0003-6951
Metalorganic vapor phase epitaxy of Cu(AlxGa1-x)(SySe1-y)(2) chalcopyrite semiconductors and their band offsets 査読有り

S Chichibu, Y Harada, M Sugiyama, H Nakanishi

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS　64　(9-10)　1481-1489　2003年9月

DOI： 10.1016/S0022-3697(03)00125-2 　

ISSN：0022-3697
Interface Fermi level pinning in a Cu/p-CuGaS2 Schottky diode 査読有り

M Sugiyama, R Nakai, H Nakanishi, S Chichibu

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS　64　(9-10)　1787-1790　2003年9月

DOI： 10.1016/S0022-3697(03)00144-6 　

ISSN：0022-3697

eISSN：1879-2553
Use of diethylselenide as a less-hazardous source for preparation of CuInSe2 thin films by selenization of metal precursors 査読有り

T Yamamoto, M Nakamura, J Ishizuki, T Deguchi, S Ando, H Nakanishi, S Chichibu

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS　64　(9-10)　1855-1858　2003年9月

DOI： 10.1016/S0022-3697(03)00146-X 　

ISSN：0022-3697
Recombination dynamics of localized excitons in cubic InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells grown by rf-MBE on 3C-SiC substrate

Chichibu, SF, Onuma, T, Aoyama, T

J. Vac. Sci. Techn. B/AVS　21;4,pp.1856-1862　2003年8月
Recombination dynamics of localized excitons in Al1-xInxN epitaxial films on GaN templates grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

T Onuma, S Chichibu, Y Uchinuma, T Sota, S Yamaguchi, S Kamiyama, H Amano, Akasaki, I

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　94　(4)　2449-2453　2003年8月

DOI： 10.1063/1.1592868 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Strong biexcitonic effects and exciton-exciton correlations in ZnO 査読有り

K. Hazu, T. Sota, K. Suzuki, S. Adachi, S. F. Chichibu, G. Cantwell, B. Eason, C. Reynolds, W. Litton

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　68　(11)　2003年7月15日

DOI： 10.1103/PhysRevB.68.033205 　

ISSN：1550-235X 1098-0121
Brillouin scattering study of ZnO 査読有り

T Azuhata, M Takesada, T Yagi, A Shikanai, S Chichibu, K Torii, A Nakamura, T Sota, G Cantwell, DB Eason, CW Litton

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　94　(2)　968-972　2003年7月

DOI： 10.1063/1.1586466 　

ISSN：0021-8979
Recombination dynamics of localized excitons in cubic InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells grown by radio frequency molecular beam epitaxy on 3C-SiC substrate 査読有り

SF Chichibu, T Onuma, T Aoyama, K Nakajima, P Ahmet, T Chikyow, T Sota, SP DenBaars, S Nakamura, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　21　(4)　1856-1862　2003年7月

DOI： 10.1116/1.1593645 　

ISSN：1071-1023
Strong biexcitonic effects and exciton-exciton correlations in ZnO 査読有り

K Hazu, T Sota, K Suzuki, S Adachi, SF Chichibu, G Cantwell, DB Eason, DC Reynolds, CW Litton

PHYSICAL REVIEW B　68　(3)　2003年7月

DOI： 10.1103/PhysRevB.68.033205 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
InGaN-based single-chip multicolor light-emitting diodes 査読有り

T Azuhata, T Homma, Y Ishikawa, SF Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　42　(5B)　L497-L498　2003年5月

DOI： 10.1143/JJAP.42.L497 　

ISSN：0021-4922
Exciton-exciton interaction and heterobiexcitons in GaN 査読有り

S Adachi, S Muto, K Hazu, T Sota, K Suzuki, SF Chichibu, T Mukai

PHYSICAL REVIEW B　67　(20)　2003年5月

DOI： 10.1103/PhysRevB.67.205212 　

ISSN：1098-0121
Defects in ZnO thin films grown on ScAlMgO4 substrates probed by a monoenergetic positron beam 査読有り

A Uedono, T Koida, A Tsukazaki, M Kawasaki, ZQ Chen, S Chichibu, H Koinuma

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　93　(5)　2481-2485　2003年3月

DOI： 10.1063/1.1539915 　

ISSN：0021-8979
Influence of InN mole fraction on the recombination processes of localized excitons in strained cubic InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 査読有り

S Chichibu, T Onuma, T Sota, SP DenBaars, S Nakamura, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　93　(4)　2051-2054　2003年2月

DOI： 10.1063/1.1535746 　

ISSN：0021-8979
Light emission versus energy gap in group-III nitrides: hydrostatic pressure studies 査読有り

T Suski, H Teisseyre, SP Lepkowski, P Perlin, H Mariette, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura, SF Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　235　(2)　225-231　2003年2月

DOI： 10.1002/pssb.200301561 　

ISSN：0370-1972
Effects of deposition parameters of low-temperature GaN layer on the structural and optical properties of cubic GaN epilayers grown on GaAs(001) substrates by MOVPE 査読有り

Mutsumi Sugiyama, Taiki Nosaka, Kiyomi Nakajima, Parhat Ahmet, Toyomi Aoyama, Toyohiro Chikyow, Shigefusa F. Chichibu

Physica Status Solidi C: Conferences　(7)　2099-2102　2003年

DOI： 10.1002/pssc.200303410 　

ISSN：1610-1634
Anomalous pressure dependence of light emission in cubic InGaN 査読有り

S. P. Łepkowski, T. Suski, H. Teisseyre, T. Kitamura, Y. Ishida, H. Okumura, T. Onuma, T. Koida, S. F. Chichibu

Physica Status Solidi C: Conferences　(7)　2682-2685　2003年

DOI： 10.1002/pssc.200303294 　

ISSN：1610-1634
Effects of deposition parameters of low-temperature GaN layer on the structural and optical properties of cubic GaN epilayers grown on GaAs(001) substrates by MOVPE 査読有り

M Sugiyama, T Nosaka, K Nakajima, P Ahmet, T Aoyama, T Chikyow, SF Chichibu

5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS　0　(7)　2099-2102　2003年

DOI： 10.1002/pssc.200303410 　

ISSN：1862-6351
Anomalous pressure dependence of light emission in cubic InGaN 査読有り

SP Lepkowski, T Suski, H Teisseyre, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura, T Onuma, T Koida, SF Chichibu

5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS　0　(7)　2682-2685　2003年

DOI： 10.1002/pssc.200303294 　

ISSN：1862-6351
Polarized photoreflectance spectra of excitonic polaritons in a ZnO single crystal 査読有り

SF Chichibu, T Sota, G Cantwell, DB Eason, CW Litton

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　93　(1)　756-758　2003年1月

DOI： 10.1063/1.1527707 　

ISSN：0021-8979
Properties of optical phonons in cubic InxGa1-xN 査読有り

K Torii, N Usukura, A Nakamura, T Sota, SF Chichibu, T Kitamura, H Okumura

APPLIED PHYSICS LETTERS　82　(1)　52-54　2003年1月

DOI： 10.1063/1.1535273 　

ISSN：0003-6951
Correlation between the photoluminescence lifetime and defect density in bulk and epitaxial ZnO 査読有り

T Koida, SF Chichibu, A Uedono, A Tsukazaki, M Kawasaki, T Sota, Y Segawa, H Koinuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　82　(4)　532-534　2003年1月

DOI： 10.1063/1.1540220 　

ISSN：0003-6951
Scattering processes and dynamics of exciton-biexciton system in GaN 査読有り

S Adachi, K Hazu, T Sota, SF Chichibu, T Mukai, S Muto, K Suzuki

ULTRAFAST PHENOMENA IN SEMICONDUCTORS VII　4992　188-201　2003年

DOI： 10.1117/12.475699 　

ISSN：0277-786X
Optical nonlinearities of excitons in ZnO single crystal 査読有り

K Hazu, T Sota, K Suzuki, S Adachi, S Chichibu

ULTRAFAST PHENOMENA IN SEMICONDUCTORS VII　4992　257-264　2003年

DOI： 10.1117/12.475710 　

ISSN：0277-786X
Fermi-level pinning at the metal/p-type CuGaS2 interfaces 査読有り

M Sugiyama, R Nakai, H Nakanishi, S Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　92　(12)　7317-7319　2002年12月

DOI： 10.1063/1.1522488 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Pressure coefficients of the light emission in cubic InGaN epilayers and cubic InGaN/GaN quantum wells 査読有り

T Suski, H Teisseyre, SP Lepkowski, P Perlin, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura, SF Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　234　(3)　759-763　2002年12月

DOI： 10.1002/1521-3951(200212)234:3<759::AID-PSSB759>3.0.CO;2-L 　

ISSN：0370-1972
Recombination dynamics of localized excitons in cubic phase InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells on 3C-SiC/Si(001) 査読有り

SF Chichibu, T Onuma, T Kitamura, T Sota, SP DenBaars, S Nakamura, H Okumura

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　234　(3)　746-749　2002年12月

DOI： 10.1002/1521-3951(200212)234:3<746::AID-PSSB746>3.0.CO;2-0 　

ISSN：0370-1972
Use of diethylselenide as a less-hazardous source for preparation of CuInSe2 photo-absorbers by selenization of metal precursors 査読有り

SF Chichibu, M Sugiyama, M Ohbasami, A Hayakawa, T Mizutani, H Nakanishi, T Negami, T Wada

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　243　(3-4)　404-409　2002年9月

DOI： 10.1016/S0022-0248(02)01558-0 　

ISSN：0022-0248
Observation of exciton-polariton emissions from a ZnO epitaxial film on the a-face of sapphire grown by radical-source molecular-beam-epitaxy 査読有り

SF Chichibu, T Sota, PJ Fons, K Ivata, A Yamada, K Matsubara, S Niki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　41　(8B)　L935-L937　2002年8月

DOI： 10.1143/JJAP.41.L935 　

ISSN：0021-4922
Different pressure coefficients of the light emission in cubic and hexagonal InGaN/GaN quantum wells 査読有り

T Suski, H Teisseyre, SP Lepkowski, P Perlin, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura, SF Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　81　(2)　232-234　2002年7月

DOI： 10.1063/1/1490400 　

ISSN：0003-6951
Exciton spectra of an AlN epitaxial film on (0001) sapphire substrate grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

T Onuma, SF Chichibu, T Sota, K Asai, S Sumiya, T Shibata, M Tanaka

APPLIED PHYSICS LETTERS　81　(4)　652-654　2002年7月

DOI： 10.1063/1.1493666 　

ISSN：0003-6951
Photoreflectance and photoluminescence of exciton-polaritons in a ZnO epilayer grown on the a-face of sapphire by radical-source molecular-beam epitaxy 査読有り

SF Chichibu, T Sota, PJ Fons, K Iwata, A Yamada, K Matsubara, S Niki

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　192　(1)　171-176　2002年7月

DOI： 10.1002/1521-396X(200207)192:1<171::AID-PSSA171>3.0.CO;2-W 　

ISSN：0031-8965

eISSN：1862-6319
Optical nonlinearities and phase relaxation of excitons in GaN 査読有り

K. Hazu, A. Shikanai, T. Sota, K. Suzuki, S. Adachi, S. F. Chichibu, T. Mukai

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　65　(19)　1952021-1952028　2002年5月15日

DOI： 10.1103/PhysRevB.65.195202 　

ISSN：0163-1829
Band gap energy bowing and residual strain in CuAl(SxSe1-x)(2) chalcopyrite semiconductor epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Y Harada, H Nakanishi, SF Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　91　(9)　5909-5914　2002年5月

DOI： 10.1063/1.1468907 　

ISSN：0021-8979
Localized exciton dynamics in InGaN quantum well structures 査読有り

SF Chichibu, T Azuhata, H Okumura, A Tackeuchi, T Sota, T Mukai

APPLIED SURFACE SCIENCE　190　(1-4)　330-338　2002年5月

DOI： 10.1016/S0169-4332(01)00907-2 　

ISSN：0169-4332
Optical nonlinearities and phase relaxation of excitons in GaN 査読有り

K Hazu, A Shikanai, T Sota, K Suzuki, S Adachi, SF Chichibu, T Mukai

PHYSICAL REVIEW B　65　(19)　2002年5月

DOI： 10.1103/PhysRevB.65.195202 　

ISSN：1098-0121
Optical properties of β-FeSi2 under pressure

K. Takarabe, R. Teranishi, J. Oinuma, Y. Mori, T. Suemasu, S. Chichibu, F. Hasegawa

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　65　(16)　1652151-1652155　2002年4月15日

ISSN：0163-1829
Photoreflectance spectra of a ZnO heteroepitaxial film on the nearly lattice-matched ScAlMgO4 (0001) substrate grown by laser molecular-beam epitaxy 査読有り

SF Chichibu, A Tsukazaki, M Kawasaki, K Tamura, Y Segawa, T Sota, H Koinuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　80　(16)　2860-2862　2002年4月

DOI： 10.1063/1.1471374 　

ISSN：0003-6951
Optical properties of beta-FeSi2 under pressure 査読有り

K Takarabe, R Teranishi, J Oinuma, Y Mori, T Suemasu, S Chichibu, F Hasegawa

PHYSICAL REVIEW B　65　(16)　2002年4月

DOI： 10.1103/PhysRevB.65.165215 　

ISSN：1098-0121
Crystal growth of AgIn1-XGaXSe2 crystals grown by a vertical gradient freeze method 査読有り

K Yoshino, H Komaki, K Itani, SF Chichibu, Y Akaki, T Ikari

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　236　(1-3)　257-260　2002年3月

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)02134-0 　

ISSN：0022-0248
Helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO on sapphire (0001) substrates 査読有り

SF Chichibu, T Yoshida, T Onuma, H Nakanishi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　91　(2)　874-877　2002年1月

DOI： 10.1063/1.1426238 　

ISSN：0021-8979
Investigation of direct and indirect band gaps of [100]-oriented nearly strain-free beta-FeSi2 films grown by molecular-beam epitaxy 査読有り

K Takakura, N Hiroi, T Suemasu, SF Chichibu, F Hasegawa

APPLIED PHYSICS LETTERS　80　(4)　556-558　2002年1月

DOI： 10.1063/1.1432755 　

ISSN：0003-6951
Similarities in the optical properties of hexagonal and cubic InGaN quantum wells 査読有り

SF Chichibu, T Onuma, T Kuroda, A Tackeuchi, T Sota, T Kitamura, H Nakanishi, Y Ishida, H Okumura, S Keller, UK Mishra, SP DenBaars, S Nakamura, M Sugiyama

GAN AND RELATED ALLOYS-2001　693　481-486　2002年

ISSN：0272-9172
Piezoelectric field and its influence on the pressure behavior of the light emission from InGaN/GaN and GaN/AlGaN quantum wells 査読有り

T Suski, P Perlin, SP Lepkowski, H Teisseyre, Gorczyca, I, P Prystawko, M Leszczynski, N Grandjean, J Massies, T Kitamura, Y Ishida, SF Chichibu, H Okumura

GAN AND RELATED ALLOYS-2001　693　487-499　2002年

ISSN：0272-9172
Exciton spectra of AlN epitaxial films 査読有り

T Onuma, SF. Chichibu, T Sota, K Asai, S Sumiya, T Shibata, M Tanaka

GAN AND RELATED ALLOYS-2001　693　515-520　2002年

ISSN：0272-9172
Localized exciton dynamics in strained cubic In0.1Ga0.9N/GaN multiple quantum wells 査読有り

SF Chichibu, M Sugiyama, T Onuma, T Kitamura, H Nakanishi, T Kuroda, A Tackeuchi, T Sota, Y Ishida, H Okumura

APPLIED PHYSICS LETTERS　79　(26)　4319-4321　2001年12月

DOI： 10.1063/1.1428404 　

ISSN：0003-6951
Band gap bowing and exciton localization in strained cubic InxGa1-xN films grown on 3C-SiC (001) by rf molecular-beam epitaxy 査読有り

SF Chichibu, M Sugiyama, T Kuroda, A Tackeuchi, T Kitamura, H Nakanishi, T Sota, SP DenBaars, S Nakamura, Y Ishida, H Okumura

APPLIED PHYSICS LETTERS　79　(22)　3600-3602　2001年11月

DOI： 10.1063/1.1421082 　

ISSN：0003-6951
Optical properties of cubic InGaN/GaN multiple quantum wells on 3C-SiC substrates by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy 査読有り

T Kitamura, Y Suzuki, Y Ishida, XQ Shen, H Nakanishi, SF Chichibu, M Shimizu

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　188　(2)　705-709　2001年11月

DOI： 10.1002/1521-396X(200112)188:2<705::AID-PSSA705>3.0.CO;2-J 　

ISSN：0031-8965
Electrical characterization at cubic AlN/GaN heterointerface grown by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy 査読有り

T Kitamura, Y Ishida, XQ Shen, H Nakanishi, SF Chichibu, M Shimizu, H Okumura

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　228　(2)　599-602　2001年11月

DOI： 10.1002/1521-3951(200111)228:2<599::AID-PSSB599>3.3.CO;2-6 　

ISSN：0370-1972
Optical and structural studies in InGaN quantum well structure laser diodes 査読有り

SF Chichibu, T Azuhata, M Sugiyama, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura, H Nakanishi, T Sota, T Mukai

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　19　(6)　2177-2183　2001年11月

DOI： 10.1116/1.1418404 　

ISSN：1071-1023
Green to ultraviolet photoluminescence from CuAlxGa1-xS2 chalcopyrite semiconductor heteroepitaxial alloys grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Y Harada, H Nakanishi, SF Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　226　(4)　473-480　2001年8月

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)01409-9 　

ISSN：0022-0248
Current-modulated electroluminescence spectroscopy and its application to InGaN single-quantum-well blue and green light-emitting diodes 査読有り

T Azuhata, T Homma, Y Ishikawa, SF Chichibu, T Sota, T Mukai

APPLIED PHYSICS LETTERS　79　(8)　1100-1102　2001年8月

DOI： 10.1063/1.1396312 　

ISSN：0003-6951
Excitonic polariton structures in Wurtzite GaN 査読有り

K Torii, SF Chichibu, T Deguchi, H Nakanishi, T Sota, S Nakamura

PHYSICA B　302　268-276　2001年8月

DOI： 10.1016/S0921-4526(01)00440-9 　

ISSN：0921-4526
Photoluminescence spectra of CuGaSe2 crystals 査読有り

K Yoshino, M Sugiyama, D Maruoka, SF Chichibu, H Komaki, K Umeda, T Ikari

PHYSICA B　302　357-363　2001年8月

DOI： 10.1016/S0921-4526(01)00454-9 　

ISSN：0921-4526
Optical and electrical properties of AgIn(SSe)(2) crystals 査読有り

K Yoshino, N Mitani, M Sugiyama, SF Chichibu, H Komaki, T Ikari

PHYSICA B　302　349-356　2001年8月

DOI： 10.1016/S0921-4526(01)00453-7 　

ISSN：0921-4526
Study of defects in GaN grown by the two-flow metalorganic chemical vapor deposition technique using monoenergetic positron beams 査読有り

A Uedono, SF Chichibu, ZQ Chen, M Sumiya, R Suzuki, T Ohdaira, T Mikado, T Mukai, S Nakamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　90　(1)　181-186　2001年7月

DOI： 10.1063/1.1372163 　

ISSN：0021-8979
Localized excitons in an In0.06Ga0.94N multiple-quantum-well laser diode lased at 400 nm 査読有り

SF Chichibu, T Azuhata, T Sota, T Mukai

APPLIED PHYSICS LETTERS　79　(3)　341-343　2001年7月

DOI： 10.1063/1.1385583 　

ISSN：0003-6951
Growth and characterization of cubic InGaN epilayers on 3C-SiC by RF MBE 査読有り

T Kitamura, SH Cho, Y Ishida, T Ide, XQ Shen, H Nakanishi, S Chichibu, H Okumura

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　227　471-475　2001年7月

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)00745-X 　

ISSN：0022-0248
ナイトライドセラミックスの新展開 (1) 立方晶III族窒化物半導体量子構造のMBE成長と評価

奥村元, 秩父重英

Materials Integration　14　(6)　21-26　2001年6月
出版者・発行元：ティ-・アイ・シ-
ISSN：1344-7858
Experimental determination of valence band discontinuities at Cu(Al,Ga)(S,Se)(2)/GaAs(001) heterointerfaces using ultraviolet photoemission spectroscopy 査読有り

M Sugiyama, H Nakanishi, SF Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　40　(5A)　L428-L430　2001年5月

DOI： 10.1143/JJAP.40.L428 　

ISSN：0021-4922
Structural studies of Cu-III-VI2 chalcopyrite semiconductor heteroepitaxial films grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Y Harada, H Nakanishi, SF Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　89　(10)　5406-5413　2001年5月

DOI： 10.1063/1.1364643 　

ISSN：0021-8979
Role of localized quantum well excitons in InGaN quantum well structure correlated with microstructural analysis

S. F. Chichibu, T. Sota, S. Nakamura

Materials Research Society Symposium - Proceedings　639　G9.3.6　2001年

ISSN：0272-9172
Impact of the growth polar direction on the optical properties of GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Setoguchi, A., Yoshimura, K., Sumiya, M., Uedono, A., Chichibu, S.F.

Materials Research Society Symposium - Proceedings　639　2001年
Optical and structural studies in InGaN quantum well structure laser diodes 査読有り

Chichibu, S.F., Azuhata, T., Sugiyama, M., Kitamura, T., Ishida, Y., Okumura, H., Nakanishi, H., Sota, T., Mukai, T.

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures　19　(6)　2177-2183　2001年

DOI： 10.1116/1.1418404 　

ISSN：0734-211X
High temperature growth of ZnS films on bare Si and transformation of ZnS to ZnO by thermal oxidation 査読有り

YZ Yoo, Y Osaka, T Fukumura, Z Jin, M Kawasaki, H Koinuma, T Chikyow, P Ahmet, A Setoguchi, SF Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　78　(5)　616-618　2001年1月

DOI： 10.1063/1.1344572 　

ISSN：0003-6951
Evidence of localization effects in InGaN single-quantum-well ultraviolet light-emitting diodes (vol 76, pg 1671, 2000) 査読有り

SF Chichibu, K Wada, J Mullhauser, O Brandt, KH Ploog, T Mizutani, A Setoguchi, R Nakai, M Sugiyama, H Nakanishi, K Torii, T Deguchi, T Sota, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　78　(5)　679-679　2001年1月

DOI： 10.1063/1.1343504 　

ISSN：0003-6951
Impact of growth polar direction on the optical properties of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

SF Chichibu, A Setoguchi, A Uedono, K Yoshimura, M Sumiya

APPLIED PHYSICS LETTERS　78　(1)　28-30　2001年1月

DOI： 10.1063/1.1337641 　

ISSN：0003-6951
Impact of internal electric field and localization effect on quantum well excitons in AlGaN/GaN/InGaN light emitting diodes 査読有り

SF Chichibu, T Sota, K Wada, O Brandt, KH Ploog, SP DenBaars, S Nakamura

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　183　(1)　91-98　2001年1月

DOI： 10.1002/1521-396X(200101)183:1<91::AID-PSSA91>3.0.CO;2-L 　

ISSN：0031-8965
Optical absorption spectra of beta-FeSi2 under pressure 査読有り

K Takarabe, R Teranisi, J Oinuma, Y Mori, T Suemasu, S Chichibu, F Hasegawa

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　223　(1)　259-263　2001年1月

DOI： 10.1002/1521-3951(200101)223:1<259::AID-PSSB259>3.0.CO;2-F 　

ISSN：0370-1972
Forward Raman scattering by quasilongitudinal optical phonons in GaN 査読有り

T Azuhata, M Ono, K Torii, T Sota, SF Chichibu, S Nakamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　88　(9)　5202-5205　2000年11月

DOI： 10.1063/1.1316056 　

ISSN：0021-8979
Localized quantum well excitons in InGaN single-quantum-well amber light-emitting diodes 査読有り

SF Chichibu, T Azuhata, T Sota, T Mukai, S Nakamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　88　(9)　5153-5157　2000年11月

DOI： 10.1063/1.1314906 　

ISSN：0021-8979
Structural studies of CuAlSe2, and CuAlS2 chalcopyrites at high pressures 査読有り

RS Kumar, A Sekar, NV Jaya, S Natarajan, S Chichibu

JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS　312　(1-2)　4-8　2000年11月

DOI： 10.1016/S0925-8388(00)00909-9 　

ISSN：0925-8388
Raman scattering from phonon-polaritons in GaN(共著) 査読有り

TORII K, ONO M, SOTA T, AZUHATA T, CHICHIBU S F, NAKAMURA S

Phys. Rev. B　62　(16)　10861-10866　2000年10月15日

DOI： 10.1103/PhysRevB.62.10861 　

ISSN：0163-1829
Raman scattering from phonon-polaritons GaN 査読有り

K Torii, M Ono, T Sota, T Azuhata, SF Chichibu, S Nakamura

PHYSICAL REVIEW B　62　(16)　10861-10866　2000年10月

DOI： 10.1103/PhysRevB.62.10861 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Structural analysis of InxGa1-xN single quantum wells by coaxial-impact collision ion scattering spectroscopy 査読有り

M Sumiya, S Nakamura, SF Chichibu, K Mizuno, M Furusawa, M Yoshimoto

APPLIED PHYSICS LETTERS　77　(16)　2512-2514　2000年10月

DOI： 10.1063/1.1318933 　

ISSN：0003-6951
An attenuated-total-reflection study on the surface phonon-polariton in GaN 査読有り

K Torii, T Koga, T Sota, T Azuhata, SF Chichibu, S Nakamura

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　12　(31)　7041-7044　2000年8月

DOI： 10.1088/0953-8984/12/31/305 　

ISSN：0953-8984
Effective localization of quantum well excitons in InGaN quantum well structures with high InN mole fraction

SF Chichibu, A Setoguchi, T Azuhata, J Mullhauser, M Sugiyama, T Mizutani, T Deguchi, H Nakanishi, T Sota, O Brandt, KH Ploog, T Mukai, S Nakamura

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　180　(1)　321-325　2000年7月

ISSN：0031-8965
Optical properties of CuGaSe2 and CuAlSe2 layers epitaxially grown on Cu(In0.04Ga0.96)Se-2 substrates 査読有り

S Shirakata, S Chichibu, H Miyake, K Sugiyama

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　87　(10)　7294-7302　2000年5月

DOI： 10.1063/1.372983 　

ISSN：0021-8979
Photoluminescence of CuGaS2 epitaxial layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S Shirakata, S Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　87　(8)　3793-3799　2000年4月

DOI： 10.1063/1.372416 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Comparison of optical properties of GaN/AlGaN and InGaN/AlGaN single quantum wells 査読有り

SF Chichibu, A Shikanai, T Deguchi, A Setoguchi, R Nakai, H Nakanishi, K Wada, SP DenBaars, T Sota, S Nakamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　39　(4B)　2417-2424　2000年4月

DOI： 10.1143/JJAP.39.2417 　

ISSN：0021-4922
Evidence of localization effects in InGaN single-quantum-well ultraviolet light-emitting diodes 査読有り

SF Chichibu, K Wada, J Mullhauser, O Brandt, KH Ploog, T Mizutani, A Setoguchi, R Nakai, M Sugiyama, H Nakanishi, K Korii, T Deguchi, T Sota, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　76　(13)　1671-1673　2000年3月

DOI： 10.1063/1.126131 　

ISSN：0003-6951
Photoreflectance spectra of excitonic polaritons in GaN substrate prepared by lateral epitaxial overgrowth 査読有り

SF Chichibu, K Torii, T Deguchi, T Sota, A Setoguchi, H Nakanishi, T Azuhata, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　76　(12)　1576-1578　2000年3月

DOI： 10.1063/1.126100 　

ISSN：0003-6951
Growth and characterization of cubic InGaN/GaN multiple quantum wells on 3C-SiC by RF-MBE 査読有り

T Kitamura, SH Cho, Y Ishida, XQ Shen, H Nakanishi, S Chichibu, H Okumura

PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS　1　93-96　2000年
Photoreflectance spectra of excitonic polaritons in wurtzite GaN 査読有り

K Torii, SF Chichibu, T Deguchi, H Nakanishi, T Sota, S Nakamura

PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS　1　548-551　2000年
Spectroscopic studies in InGaN single-quantum-well amber light-emitting diodes 査読有り

SF Chichibu, T Azuhata, T Sota, T Mukai, S Nakamura

PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS　1　528-531　2000年
Correlation between optical emission and disordering of indium in InxGa1-xN single quantum wells analyzed by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy 査読有り

M Sumiya, SF Chichibu, K Mizuno, M Furusawa, M Yoshimoto, S Nakamura

PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS　1　575-578　2000年
A pump and probe study of photoinduced internal field screening dynamics in an AlGaN/GaN single-quantum-well structure 査読有り

A Shikanai, T Deguchi, T Sota, T Kuroda, A Tackeuchi, S Chichibu, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　76　(4)　454-456　2000年1月

DOI： 10.1063/1.125785 　

ISSN：0003-6951
Crystal Growth of High Purity AgIn(SxSe1-x)(2) Single Crystals 査読有り

Kenji Yoshino, Naoji Mitani, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa Chichibu, Hisayuki Nakanishi, Tetsuo Ikari

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　39　(1)　50-51　2000年

DOI： 10.7567/JJAPS.39S1.50 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Disappearance of the surface Cu-Se second phase during post-growth annealing of CuInSe2 epitaxial films grown under excess Cu-flux conditions 査読有り

Manabu Uchino, Shigeru Niki, Yousuke Ai, Paul J. Fons, Akimasa Yamada, Natsuko Sakaf, Harumi Yokokawa, Hiroyuki Oyanagi, Shigefusa F. Chichibu, Hisayuki Nakanishi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　39　(1)　205-207　2000年

DOI： 10.7567/JJAPS.39S1.205 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Exciton structures of single- and polycrystalline CuInSe2 and CuGaSe2 査読有り

Shigefusa F. Chichibu, Tsutomu Mizutani, Hisayuki Nakanishi, Shigeru Niki, Paul J. Fons, Akimasa Yamada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　39　(1)　326-327　2000年

DOI： 10.7567/JJAPS.39S1.326 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Optical Properties of AgIn(SySe1-y)(2) 査読有り

Mutsumi Sugiyama, Naoji Mitani, Kenji Yoshino, Tetsuo Ikari, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　39　(1)　96-97　2000年

DOI： 10.7567/JJAPS.39S1.96 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Growth and Band-gap Estimation of CuIn3Se5 Polycrystalline Thin Films 査読有り

Akinori Hayakawa, Tsutomu Mizutani, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　39　(1)　162-163　2000年

DOI： 10.7567/JJAPS.39S1.162 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Effect of the confinement layer design on the luminescence of InGaN/GaN single quantum wells 査読有り

S Keller, SB Fleischer, SF Chichibu, JE Bowers, UK Mishra, SP DenBaars

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　216　(1)　269-272　1999年11月

DOI： 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<269::AID-PSSB269>3.0.CO;2-4 　

ISSN：0370-1972
Properties of quantum well excitons in GaN/AlGaN and InGaN/GaN/AlGaN UV, blue, green, and amber light emitting diode structures 査読有り

SF Chichibu, T Deguchi, T Sota, K Wada, SP DenBaars, T Mukai, S Nakamura

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　176　(1)　85-90　1999年11月

DOI： 10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<85::AID-PSSA85>3.0.CO;2-T 　

ISSN：0031-8965
Two-phonon absorption spectra in wurtzite GaN 査読有り

T Azuhata, K Shimada, T Deguchi, T Sota, K Suzuki, S Chichibu, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　75　(14)　2076-2078　1999年10月

DOI： 10.1063/1.124921 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Optical properties of an InGaN active layer in ultraviolet light emitting diode 査読有り

T Deguchi, K Torii, K Shimada, T Sota, R Matsuo, M Sugiyama, A Setoguchi, S Chichibu, S Nakamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　38　(9AB)　L975-L977　1999年9月

DOI： 10.1143/jjap.38.L975 　

ISSN：0021-4922
Structural and vibrational properties of GaN 査読有り

T Deguchi, D Ichiryu, K Toshikawa, K Sekiguchi, T Sota, R Matsuo, T Azuhata, M Yamaguchi, T Yagi, S Chichibu, S Nakamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　86　(4)　1860-1866　1999年8月

DOI： 10.1063/1.370980 　

ISSN：0021-8979
Reflectance and emission spectra of excitonic polaritons in GaN 査読有り

K Torii, T Deguchi, T Sota, K Suzuki, S Chichibu, S Nakamura

PHYSICAL REVIEW B　60　(7)　4723-4730　1999年8月

DOI： 10.1103/PhysRevB.60.4723 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Quantum-confined Stark effect in an AlGaN/GaN/AlGaN single quantum well structure 査読有り

T Deguchi, K Sekiguchi, A Nakamura, T Sota, R Matsuo, S Chichibu, S Nakamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　38　(8B)　L914-L916　1999年8月

DOI： 10.1143/jjap.38.L914 　

ISSN：0021-4922
Optical properties of InGaN quantum wells 査読有り

SF Chichibu, AC Abare, MP Mack, MS Minsky, T Deguchi, D Cohen, P Kozodoy, SB Fleischer, S Keller, JS Speck, JE Bowers, E Hu, UK Mishra, LA Coldren, SP DenBaars, K Wada, T Sota, S Nakamura

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　59　(1-3)　298-306　1999年5月

DOI： 10.1016/S0921-5107(98)00359-6 　

ISSN：0921-5107
Emission mechanisms of bulk GaN and InGaN quantum wells prepared by lateral epitaxial overgrowth 査読有り

SF Chichibu, H Marchand, MS Minsky, S Keller, PT Fini, JP Ibbetson, SB Fleischer, JS Speck, JE Bowers, E Hu, UK Mishra, SP DenBaars, T Deguchi, T Soto, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　74　(10)　1460-1462　1999年3月

DOI： 10.1063/1.123581 　

ISSN：0003-6951
Infrared lattice absorption in wurtzite GaN 査読有り

T Azuhata, K Shimada, T Deguchi, T Sota, K Suzuki, S Chichibu, S Nakamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　38　(2B)　L151-L153　1999年2月

DOI： 10.1143/jjap.38.L151 　

ISSN：0021-4922
Comparison of optical properties in GaN and InGaN quantum well structures 査読有り

SF Chichibu, A Shikanai, T Deguchi, A Setoguchi, R Nakai, K Wada, SP DenBaars, T Sota, T Mukai, S Nakamura

DESIGN, FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF PHOTONIC DEVICES　3896　98-106　1999年

DOI： 10.1117/12.370352 　

ISSN：0277-786X
Structural and optical properties of low-dislocation-density GaN laterally overgrown by metalorganic chemical vapor deposition 査読有り

H Marchand, JP Ibbetson, PT Fini, S Chichibu, SJ Rosner, S Keller, SP DenBaars, JS Speck, UK Mishra

COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998　(162)　681-686　1999年

ISSN：0951-3248
Spectroscopic studies in InGaN quantum wells 査読有り

SF Chichibu, T Sota, K Wada, SP DenBaars, S Nakamura

MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH　4　1999年

ISSN：1092-5783
Effect of the growth rate and the barrier doping on the morphology and the properties of InGaN/GaN quantum wells 査読有り

S Keller, SF Chichibu, MS Minsky, E Hu, UK Mishra, SP DenBaars

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　195　(1-4)　258-264　1998年12月

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00680-0 　

ISSN：0022-0248
Optical properties of InGaN/GaN quantum wells with Si doped barriers 査読有り

MS Minsky, S Chichibu, SB Fleischer, AC Abare, JE Bowers, EL Hu, S Keller, UK Mishra, SP DenBaars

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　37　(11B)　L1362-L1364　1998年11月

DOI： 10.1143/jjap.37.L1362 　

ISSN：0021-4922
ワイドギャップ窒化物半導体立方晶および六方晶GaNエピタキシャル層における自由励起子スペクトル

秩父重英, 奥村元

電子技術総合研究所い報　62　(10)　1998年10月
Effective band gap inhomogeneity and piezoelectric field in InGaN/GaN multiquantum well structures 査読有り

SF Chichibu, AC Abare, MS Minsky, S Keller, SB Fleischer, JE Bowers, E Hu, UK Mishra, LA Coldren, SP DenBaars, T Sota

APPLIED PHYSICS LETTERS　73　(14)　2006-2008　1998年10月

DOI： 10.1063/1.122350 　

ISSN：0003-6951
Characteristics of muscular contraction caused by magnetic stimulation 査読有り

A Chiba, H Nakanishi, S Chichibu

NEUROREPORT　9　(12)　2903-2905　1998年8月

DOI： 10.1097/00001756-199808240-00041 　

ISSN：0959-4965
Apoptosis in the kidney of malignant hypertensive rats (M-SHRSP). 査読有り

Y Ohta, T Suzuki, M Yasui, A Chiba, S Chichibu

JAPANESE HEART JOURNAL　39　(4)　547-547　1998年7月

ISSN：0021-4868
Magnetically induced motor evoked potentials and H-reflex during nembutal and ketamine anesthesia administration in rats 査読有り

A Chiba, H Nakanishi, S Hiruma, T Satou, S Hashimoto, S Chichibu

RESEARCH COMMUNICATIONS IN MOLECULAR PATHOLOGY AND PHARMACOLOGY　101　(1)　43-57　1998年7月

ISSN：1078-0297
Relation of pathological changes to EMGs evoked by magnetic stimulation of brain and spinal cord in the hypertensive rats. 査読有り

Y Ohta, A Chiba, S Chichibu, M Yasui, T Suzuki

JAPANESE HEART JOURNAL　39　(4)　549-549　1998年7月

ISSN：0021-4868
カソードルミネッセンス法による量子微細構造の評価

和田一実, 秩父重英, 中村修二, 宗田孝之, 幸前篤朗, 村下達

応用物理　67　(7)　798-801　1998年7月
出版者・発行元： The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.11470/oubutsu1932.67.798 　

ISSN：0369-8009

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GaN系とGaAs系とを対象に,量子微細構造のカソードルミネッセンス法による評価に関する最近の進展をまとめた.
Improved optical properties of CuInSe2 thin films prepared by alternate-feeding physical vapor deposition 査読有り

S Chichibu, T Shioda, T Irie, H Nakanishi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　84　(1)　522-525　1998年7月

DOI： 10.1063/1.368056 　

ISSN：0021-8979
Exciton localization in InGaN quantum well devices 査読有り

S Chichibu, T Sota, K Wada, S Nakamura

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　16　(4)　2204-2214　1998年7月

DOI： 10.1116/1.590149 　

ISSN：1071-1023
Effects of Si-doping in the barriers of InGaN multiquantum well purplish-blue laser diodes 査読有り

S Chichibu, DA Cohen, MP Mack, AC Abare, P Kozodoy, M Minsky, S Fleischer, S Keller, JE Bowers, UK Mishra, LA Coldren, DR Clarke, SP DenBaars

APPLIED PHYSICS LETTERS　73　(4)　496-498　1998年7月

DOI： 10.1063/1.121912 　

ISSN：0003-6951
Promising characteristics of GaN layers grown on amorphous silica substrates by gas-source MBE 査読有り

K Iwata, H Asahi, K Asami, A Ishida, R Kuroiwa, H Tampo, S Gonda, S Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　189　218-222　1998年6月

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00229-2 　

ISSN：0022-0248
Analysis of MBE growth mode for GaN epilayers by RHEED 査読有り

H Okumura, K Balakrishnan, H Hamaguchi, T Koizumi, S Chichibu, H Nakanishi, T Nagatomo, S Yoshida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　189　364-369　1998年6月

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00313-3 　

ISSN：0022-0248
Luminescence spectra from InGaN multiquantum wells heavily doped with Si 査読有り

T Deguchi, A Shikanai, K Torii, T Sota, S Chichibu, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　72　(25)　3329-3331　1998年6月

DOI： 10.1063/1.121594 　

ISSN：0003-6951
Growth of cubic III-nitrides by gas source MBE using atomic nitrogen plasma: GaN, AlGaN and AlN 査読有り

H Okumura, H Hamaguchi, T Koizumi, K Balakrishnan, Y Ishida, M Arita, S Chichibu, H Nakanishi, T Nagatomo, S Yoshida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　189　390-394　1998年6月

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00321-2 　

ISSN：0022-0248
Changes in the gastric vascular network of malignant stroke-prone spontaneously hypertensive rats (M-SHRSP) after administration of the calcium antagonist manidipine 査読有り

A Chiba, Y Ohta, T Suzuki, H Nakanishi, S Chichibu

RESEARCH COMMUNICATIONS IN MOLECULAR PATHOLOGY AND PHARMACOLOGY　100　(2)　151-160　1998年5月

ISSN：1078-0297
Gastric vascular network in stroke-prone spontaneously hypertensive rats 査読有り

A Chiba, Y Ohta, T Suzuki, H Nakanishi, S Chichibu

RESEARCH COMMUNICATIONS IN MOLECULAR PATHOLOGY AND PHARMACOLOGY　100　(1)　65-76　1998年4月

ISSN：1078-0297
Band gap energies of bulk, thin-film, and epitaxial layers of CuInSe2 and CuGaSe2 査読有り

S Chichibu, T Mizutani, K Murakami, T Shioda, T Kurafuji, H Nakanishi, S Niki, PJ Fons, A Yamada

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　83　(7)　3678-3689　1998年4月

DOI： 10.1063/1.366588 　

ISSN：0021-8979
Band-gap separation in InGaN epilayers grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読有り

S Chichibu, M Arita, H Nakanishi, J Nishio, L Sugiura, Y Kokubun, K Itaya

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　83　(5)　2860-2862　1998年3月

DOI： 10.1063/1.367048 　

ISSN：0021-8979
ワイドギャップ窒化物半導体 MBE成長GaNエピ膜の表面再配列構造とAsサーファクタント効果

奥村元, 浜口寛, 太田一生, FEUILLET G, BALAKRISHNAN K, 石田夕起, 秩父重英, 吉田貞史

電子技術総合研究所い報　264-2　1167-1172　1998年

ISSN：0255-5476
Photoluminescence of CuCaSe2 and CuAlSe2 MOVPE layers grown on CuGa0.96In0.04Se2 substrate 査読有り

S Shirakata, S Chichibu, H Miyake, S Isomura, H Nakanishi, K Sugiyama

TERNARY AND MULTINARY COMPOUNDS　152　445-448　1998年

ISSN：0951-3248
Localized excitons in InGaN 査読有り

S Chichibu, T Deguchi, T Sota, K Wada, S Nakamura

NITRIDE SEMICONDUCTORS　482　613-624　1998年

ISSN：0272-9172
High-quality CuInSe2 polycrystalline films and epitaxial layers prepared by multi-source physical vapor deposition 査読有り

Y Yamaki, T Shioda, T Irie, H Nakanishi, S Chichibu

TERNARY AND MULTINARY COMPOUNDS　152　237-240　1998年

ISSN：0951-3248
Metalorganic vapor phase epitaxy and characterization of very high-purity CuInSe2 layers 査読有り

T Mizutani, H Nakanishi, S Chichibu

TERNARY AND MULTINARY COMPOUNDS　152　297-300　1998年

ISSN：0951-3248
Preparation of aluminium-doped ZnO films by helicon-wave excited plasma sputtering 査読有り

Y Yamaki, K Yamaya, H Araya, H Nakanishi, S Chichibu

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II　48-51　1998年
Improved properties of InGaN multiple quantum well purplish-blue laser diodes by Si-doping in the InGaN barriers 査読有り

S Chichibu, D Cohen, M Mack, A Abare, P Kozodoy, M Minsky, S Fleischer, S Keller, J Bowers, U Mishra, L Coldren, D Clarke, S Denbaars

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II　381-384　1998年
Ultraviolet excitonic photoluminescence from CuAlS2 heteroepitaxial films grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S Chichibu, S Shirakata, M Sugiyama, H Nakanishi

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II　596-599　1998年
Exciton localization in InGaN quantum wells grown on lateral epitaxially overgrown (LEO) GaN 査読有り

S Chichibu, H Marchand, S Keller, P Fini, J Ibbetson, M Minsky, S Fleischer, J Speck, J Bowers, E Hu, U Mishra, S Denbaars, T Deguchi, T Sota, S Nakamura

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II　604-607　1998年
Electroreflectance of CuInSe2, CuIn3Se5 and Cu2In4Se7 査読有り

S Shirakata, S Chichibu, H Miyake, S Isomura, H Nakanishi, K Sugiyama

TERNARY AND MULTINARY COMPOUNDS　152　597-600　1998年

ISSN：0951-3248
Characterization of high quality CuGaSe2 heteroepitaxial layers grown by MOVPE 査読有り

A Bauknecht, U Blieske, T Kampschulte, J Bruns, K Diesner, Y Tomm, S Chichibu, MC Lux-Steiner

TERNARY AND MULTINARY COMPOUNDS　152　269-272　1998年

ISSN：0951-3248
Surface reconstruction and As surfactant effects on MBE-grown GaN epilayers 査読有り

H Okumura, H Hamaguch, K Ohta, G Feuillet, K Balakrishnan, Y Ishida, S Chichibu, H Nakanishi, T Nagatomo, S Yoshida

SILICON CARBIDE, III-NITRIDES AND RELATED MATERIALS, PTS 1 AND 2　264-2　1167-1172　1998年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.1167 　

ISSN：0255-5476
Use of a helicon-wave excited plasma for aluminum-doped ZnO thin-film sputtering 査読有り

K Yamaya, Y Yamaki, H Nakanishi, S Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　72　(2)　235-237　1998年1月

DOI： 10.1063/1.120707 　

ISSN：0003-6951
Metalorganic vapour phase epitaxy of Cu-III-VI2 widegap chalcopyrite semiconductors 査読有り

S Chichibu, S Shirakata, H Nakanishi

TERNARY AND MULTINARY COMPOUNDS　152　257-260　1998年

ISSN：0951-3248
Effective bandgap separation in InGaN epilayers grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読有り

S Chichibu, L Sugiura, J Nishio, A Setoguchi, H Nakanishi, K Itaya

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II　616-619　1998年
Gain spectroscopy of continuous wave InGaN multi-quantum well laser diodes 査読有り

T Deguchi, T Azuhata, T Sota, S Chichibu, M Arita, H Nakanishi, S Nakamura

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　13　(1)　97-101　1998年1月

DOI： 10.1088/0268-1242/13/1/015 　

ISSN：0268-1242

eISSN：1361-6641
Nanosecond pump-and-probe study of wurtzite GaN 査読有り

T Deguchi, T Azuhata, T Sota, S Chichibu, N Sarukura, H Ohtake, T Yamanaka, S Nakamura

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　50　(1-3)　180-182　1997年12月

DOI： 10.1016/S0921-5107(97)00159-1 　

ISSN：0921-5107
Effects of annealing on CuInSe2 films grown by molecular beam epitaxy 査読有り

S Niki, Kim, I, PJ Fons, H Shibata, A Yamada, H Oyanagi, T Kurafuji, S Chichibu, H Nakanishi

SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS　49　(1-4)　319-326　1997年12月

DOI： 10.1016/S0927-0248(97)00065-2 　

ISSN：0927-0248
Room-temperature photoreflectance of CuAlxGa1-xSe2 alloys 査読有り

S Shirakata, S Chichibu, S Isomura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(12A)　7160-7161　1997年12月

DOI： 10.1143/JJAP.36.7160 　

ISSN：0021-4922
Gain spectra in cw InGaN/GaN MQW laser diodes 査読有り

T Deguchi, T Azuhata, T Sota, S Chichibu, S Nakamura

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　50　(1-3)　251-255　1997年12月

DOI： 10.1016/S0921-5107(97)00186-4 　

ISSN：0921-5107
Crystal growth and optical properties of CuAl(SxSe1-x)(2) alloys 査読有り

S Shirakata, S Chichibu, S Isomura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(11)　6645-6649　1997年11月

DOI： 10.1143/JJAP.36.6645 　

ISSN：0021-4922
Spatially resolved cathodoluminescence spectra of InGaN quantum wells 査読有り

S Chichibu, K Wada, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　71　(16)　2346-2348　1997年10月

DOI： 10.1063/1.120025 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
A scanning electron-microscopic study of pituitary vascular casts in M-SHRSP, SHRSP, SHR B2 and WKY. 査読有り

Y Ohta, T Suzuki, A Chiba, S Chichibu

JAPANESE HEART JOURNAL　38　(4)　581-581　1997年7月

ISSN：0021-4868
Improved quality of CuGaSe2 and CuAlSe2 epilayers grown on CuGa0.96In0.04Se2 substrates 査読有り

S Chichibu, H Nakanishi, S Shirakata, S Isomura, H Miyake, K Sugiyama

APPLIED PHYSICS LETTERS　71　(4)　533-535　1997年7月

DOI： 10.1063/1.119600 　

ISSN：0003-6951
Periodicity and phase relationship of slow waves in M-SHRSP electroencephalogram. 査読有り

S Chichibu, Y Ohta, T Suzuki

JAPANESE HEART JOURNAL　38　(4)　560-560　1997年7月

DOI： 10.1536/ihj.38.560 　

ISSN：0021-4868
Growth and characterization of cubic GaN 査読有り

H Okumura, K Ohta, G Feuillet, K Balakrishnan, S Chichibu, H Hamaguchi, P Hacke, S Yoshida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　178　(1-2)　113-133　1997年6月

DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00084-5 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
Urbach-Martienssen tails in a wurtzite GaN epilayer 査読有り

S Chichibu, T Mizutani, T Shioda, H Nakanishi, T Deguchi, T Azuhata, T Sota, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　70　(25)　3440-3442　1997年6月

DOI： 10.1063/1.119196 　

ISSN：0003-6951
Luminescences from localized states in InGaN epilayers 査読有り

S Chichibu, T Azuhata, T Sota, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　70　(21)　2822-2824　1997年5月

DOI： 10.1063/1.119013 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Electroreflectance of CuInSe2 single crystals 査読有り

S Shirakata, S Chichibu, S Isomura, K Nakanishi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　36　(5A)　L543-L546　1997年5月

DOI： 10.1143/jjap.36.L543 　
Optical properties of tensile-strained wurtzite GaN epitaxial layers 査読有り

S Chichibu, T Azuhata, T Sota, H Amano, Akasaki, I

APPLIED PHYSICS LETTERS　70　(16)　2085-2087　1997年4月

DOI： 10.1063/1.118958 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Room-temperature near-band-edge photoluminescence from CuInSe2 heteroepitaxial layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　70　(14)　1840-1842　1997年4月

DOI： 10.1063/1.118708 　

ISSN：0003-6951
Visible and ultraviolet photoluminescence from Cu-III-VI2 chalcopyrite semiconductors grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S Chichibu, S Shirakata, S Isomura, H Nakanishi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(3B)　1703-1714　1997年3月

DOI： 10.1143/JJAP.36.1703 　

ISSN：0021-4922
Exciton spectra of cubic and hexagonal GaN epitaxial films 査読有り

S Chichibu, H Okumura, S Nakamura, G Feuillet, T Azuhata, T Sota, S Yoshida

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　36　(3B)　1976-1983　1997年3月

DOI： 10.1143/JJAP.36.1976 　

ISSN：0021-4922
Valence band physics in wurtzite GaN 査読有り

T Azuhata, T Sota, S Chichibu, A Kuramata, K Horino, M Yamaguchi, T Yagi, S Nakamura

GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS II　468　445-456　1997年

DOI： 10.1557/PROC-468-445 　

ISSN：0272-9172
Thermal and antiradical properties of indirect moxibustion 査読有り

A Chiba, H Nakanishi, S Chichibu

AMERICAN JOURNAL OF CHINESE MEDICINE　25　(3-4)　281-287　1997年

DOI： 10.1142/S0192415X97000317 　

ISSN：0192-415X
Effect of indirect moxibustion on mouse skin 査読有り

A Chiba, H Nakanishi, S Chichibu

AMERICAN JOURNAL OF CHINESE MEDICINE　25　(2)　143-151　1997年

DOI： 10.1142/S0192415X97000160 　

ISSN：0192-415X
MOVPE of CuGaSe2 for photovoltaic applications 査読有り

T Kampschulte, A Bauknecht, U Blieske, M Saad, S Chichibu, MC Lux-Steiner

CONFERENCE RECORD OF THE TWENTY SIXTH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE - 1997　391-394　1997年

DOI： 10.1109/PVSC.1997.654110 　

ISSN：0160-8371
Brillouin scattering study of gallium nitride: Elastic stiffness constants 査読有り

M Yamaguchi, T Yagi, T Azuhata, T Sota, K Suzuki, S Chichibu, S Nakamura

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　9　(1)　241-248　1997年1月

DOI： 10.1088/0953-8984/9/1/025 　

ISSN：0953-8984
Recombination of localized excitons in InGaN single- and multiquantum well structures 査読有り

S Chichibu, T Azuhata, T Sota, S Nakamura

III-V NITRIDES　449　653-658　1997年

ISSN：0272-9172
Biaxial strain dependence of exciton resonance energies in wurtzite GaN 査読有り

A Shikanai, T Azuhata, T Sota, S Chichibu, A Kuramata, K Horino, S Nakamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　81　(1)　417-424　1997年1月

DOI： 10.1063/1.364074 　

ISSN：0021-8979
Structural and optical characterization of high-quality cubic GaN epilayers grown on GaAs and 3C-SiC substrates by gas source MBE using RHEED in-situ monitoring 査読有り

H Okumura, K Balakrishnan, G Feuillet, K Ohta, H Hamaguchi, S Chichibu, Y Ishida, S Yoshida

III-V NITRIDES　449　435-440　1997年

ISSN：0272-9172
Growth and doping characteristics of ZnSeTe epilayers by MOCVD 査読有り

A Kamata, H Yoshida, S Chichibu, H Nakanishi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　170　(1-4)　518-522　1997年1月

DOI： 10.1016/S0022-0248(96)00575-1 　

ISSN：0022-0248
Spontaneous emission of localized excitons in InGaN single and multiquantum well structures 査読有り

S Chichibu, T Azuhata, T Sota, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　69　(27)　4188-4190　1996年12月

DOI： 10.1063/1.116981 　

ISSN：0003-6951
Preparation and characterization of CuAlxGa1-xSe2 alloy layers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S Chichibu, H Nakanishi, S Shirakata, S Isomura, Y Harada, S Matsumoto, H Higuchi, T Kariya

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　80　(6)　3338-3345　1996年9月

DOI： 10.1063/1.363245 　

ISSN：0021-8979
Visible and Ultraviolet Photoluminescence from Cu-III-VI_2 Chalcopyrite Semiconductors Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

CHICHIBU Shigefusa, SHIRAKATA Sho, ISOMURA Shigehiro, NAKANISHI Hisayuki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　1996　733-735　1996年8月26日
High quality CuInSe2 films grown on pseudo-lattice-matched substrates by molecular beam epitaxy 査読有り

S Niki, PJ Fons, A Yamada, T Kurafuji, S Chichibu, H Nakanishi, WG Bi, CW Tu

APPLIED PHYSICS LETTERS　69　(5)　647-649　1996年7月

DOI： 10.1063/1.117793 　

ISSN：0003-6951
Influence of nonstoichiometry on the Urbach's tails of absorption spectra for CuInSe2 single crystals 査読有り

T Shioda, S Chichibu, T Irie, H Nakanishi, T Kariya

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　80　(2)　1106-1111　1996年7月

DOI： 10.1063/1.362914 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Effects of biaxial strain on exciton resonance energies of hexagonal GaN heteroepitaxial layers 査読有り

S Chichibu, A Shikanai, T Azuhata, T Sota, A Kuramata, K Horino, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　68　(26)　3766-3768　1996年6月

DOI： 10.1063/1.116000 　

ISSN：0003-6951
Band-edge photoluminescence of CuGaSe2 films grown by molecular beam epitaxy 査読有り

A Yamada, Y Makita, S Niki, A Obara, P Fons, H Shibata, M Kawai, S Chichibu, H Nakanishi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　79　(8)　4318-4322　1996年4月

DOI： 10.1063/1.361800 　

ISSN：0021-8979
Lattice dynamics of CuAlS2, and CuAlSe2 査読有り

T Azuhata, T Terasako, K Yoshida, T Sota, K Suzuki, S Chichibu

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　219-20　496-498　1996年4月

DOI： 10.1016/0921-4526(95)00790-3 　

ISSN：0921-4526
Depth profiles of spatially-resolved Raman spectra of a CuInSe2-based thin-film solar cell 査読有り

R Takei, H Tanino, S Chichibu, H Nakanishi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　79　(5)　2793-2795　1996年3月

DOI： 10.1063/1.361095 　

ISSN：0021-8979
Excitonic emissions from hexagonal GaN epitaxial layers 査読有り

S Chichibu, T Azuhata, T Sota, S Nakamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　79　(5)　2784-2786　1996年3月

DOI： 10.1063/1.361110 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Photoreflectance of Cu-based I-III-VI2 heteroepitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読有り

S Shirakata, S Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　79　(4)　2043-2054　1996年2月

DOI： 10.1063/1.361059 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
CuAlS₂・CuAlSe₂からの励起子発光

秩父重英

応用物理　65　(1)　74-77　1996年1月
出版者・発行元： The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.11470/oubutsu1932.65.74 　

ISSN：0369-8009

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可視～紫外域の発光素子材料として興味深いワイドギャップl-lll-Vil₂族力ルコパイライト型三元化合物半導体OuAlS₂およびOuAlSe₂からの励起子の関与したフォトルミネッセンスについて報告する.高品質ヘテロエピタキシャル薄膜を成長することにより,これらの材料から励起子発光が観測されるようになった.特にCuAlS₂では,低次元構造を形成することなく室温でも励起子が関与すると思われる発光が観測された.
Contribution of excitons in the photoluminescence spectra of h-GaN epitaxial layers grown on sapphire substrates by TF-MOCVD 査読有り

S Chichibu, T Azuhata, T Sota, S Nakamura

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES　202-205　1996年
HETEROEPITAXIAL GROWTH OF CUGAS2 LAYERS BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION 査読有り

S CHICHIBU, S SHIRAKATA, M UCHIDA, Y HARADA, T WAKIYAMA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　34　(8A)　3991-3997　1995年8月

DOI： 10.1143/JJAP.34.3991 　

ISSN：0021-4922
EXCITONIC EMISSIONS FROM CUINSE2 ON GAAS(001) GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY 査読有り

S NIKI, H SHIBATA, PJ FONS, A YAMADA, A OBARA, Y MAKITA, T KURAFUJI, S CHICHIBU, H NAKANISHI

APPLIED PHYSICS LETTERS　67　(9)　1289-1291　1995年8月

DOI： 10.1063/1.114400 　

ISSN：0003-6951
ULTRAVIOLET PHOTOLUMINESCENCE FROM CUALS2 HETEROEPITAXIAL LAYERS GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION 査読有り

S CHICHIBU, H NAKANISHI, S SHIRAKATA

APPLIED PHYSICS LETTERS　66　(25)　3513-3515　1995年6月

DOI： 10.1063/1.113781 　

ISSN：0003-6951
HETEROEPITAXY AND CHARACTERIZATION OF CUINSE2 ON GAAS(001) 査読有り

S NIKI, Y MAKITA, A YAMADA, O HELLMAN, PJ FONS, A OBARA, Y OKADA, R SHIODA, H OYANAGI, T KURAFUJI, S CHICHIBU, H NAKANISHI

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　150　(1-4)　1201-1205　1995年5月

DOI： 10.1016/0022-0248(95)80129-Z 　

ISSN：0022-0248
USE OF TETRAETHYLGERMANE IN ARF EXCIMER-LASER CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION OF AMORPHOUS SILICON-GERMANIUM FILMS 査読有り

F ISHIHARA, H UJI, T KAMIMURA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI, S CHICHIBU

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　34　(5A)　2229-2234　1995年5月

DOI： 10.1143/JJAP.34.2229 　

ISSN：0021-4922
RAMAN-SPECTRA OF CUALSE2 HETEROEPITAXIAL LAYERS 査読有り

S CHICHIBU, A KAMATA

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　77　(10)　5470-5472　1995年5月

DOI： 10.1063/1.359247 　

ISSN：0021-8979
PHOTOLUMINESCENCE STUDIES IN CUALSE2 EPILAYERS GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION 査読有り

S CHICHIBU, S SHIRAKATA, S ISOMURA, Y HARADA, M UCHIDA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　77　(3)　1225-1232　1995年2月

DOI： 10.1063/1.358990 　

ISSN：0021-8979
Characteristics of slow waves in malignant stroke-prone SHR electroencephalogram 査読有り

S. Chichibu, Y. Ohta, T. A. Chikugo

Japanese Heart Journal　36　(4)　521　1995年
出版者・発行元： International Heart Journal Association
DOI： 10.1536/ihj.36.521 　

ISSN：0021-4868
HETEROEPITAXY AND CHARACTERIZATION OF CUGASE2 LAYERS GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION 査読有り

S CHICHIBU, Y HARADA, M UCHIDA, T WAKIYAMA, S MATSUMOTO, S SHIRAKATA, S ISOMURA, H HIGUCHI

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　76　(5)　3009-3015　1994年9月

ISSN：0021-8979
Zn-related donor-acceptor pair emission in CuAlSe2 epitaxial layers

Sho Shirakata, Shigefusa Chichibu, Satoru Matsumoto, Shigehiro Isomura

Japanese Journal of Applied Physics　33　(3)　L345-L347　1994年

DOI： 10.1143/JJAP.33.L345 　

ISSN：1347-4065 0021-4922
Optical characteristics of CuInSe2 grown by molecular beam epitaxy 査読有り

S NIKI, Y MAKITA, A YAMADA, H SHIBATA, PJ FONS, A OBARA, T KURAFUJI, S CHICHIBU, H NAKANISHI

1994 IEEE FIRST WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION/CONFERENCE RECORD OF THE TWENTY FOURTH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE-1994, VOLS I AND II　132-135　1994年

ISSN：0160-8371
PHOSPHATE-METABOLISM DURING MUSCULAR-CONTRACTION IN STARVED FROGS (RANA-CATESBEIANA) 査読有り

A CHIBA, M TAKASHIMA, M HAMAGUCHI, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY A-PHYSIOLOGY　106　(4)　725-729　1993年12月

ISSN：0300-9629
PHOSPHORYLATION IN CRAYFISH (PROCAMBARUS-CLARKII) EGGS DURING HATCHING 査読有り

A CHIBA, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY B-BIOCHEMISTRY & MOLECULAR BIOLOGY　106　(2)　433-436　1993年10月

ISSN：0305-0491
P-31-NMR STUDY ON EFFECTS OF ELECTRIC-SHOCK ON SWIMMING LEECHES, HIRUDO-MEDICINALIS 査読有り

A CHIBA, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY A-PHYSIOLOGY　106　(2)　239-243　1993年10月

ISSN：0300-9629
HIGH-ENERGY PHOSPHATE METABOLITES IN LOACH (COBITIS-BIWAE) DURING URETHANE ANESTHESIA 査読有り

A CHIBA, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY C-PHARMACOLOGY TOXICOLOGY & ENDOCRINOLOGY　106　(1)　87-91　1993年9月

ISSN：0742-8413
CHANGES OF P-31 METABOLISM DURING MUCUS SECRETION IN THE SLUG (INCILARIA-BILINEATA) 査読有り

A CHIBA, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY C-PHARMACOLOGY TOXICOLOGY & ENDOCRINOLOGY　105　(2)　179-183　1993年6月

ISSN：0742-8413
MONOENERGETIC POSITRON BEAM STUDY OF SI-DOPED GAAS EPILAYERS GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION USING TERTIARYBUTYLARSINE 査読有り

S CHICHIBU, A IWAI, Y NAKAHARA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI, L WEI, S TANIGAWA

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　73　(8)　3880-3885　1993年4月

ISSN：0021-8979
HEAVILY ARSENIC DOPING INTO SI BY ARF EXCIMER-LASER IRRADIATION USING TERTIARYBUTYLARSINE (TBAS) 査読有り

S CHICHIBU, T NII, T AKANE, S MATSUMOTO

SHALLOW IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS　117　243-248　1993年

ISSN：0255-5476
MONOENERGETIC POSITRON BEAM STUDY OF HEAVILY SI-DOPED GAAS GROWN BY MOCVD USING TERTIARYBUTYLARSINE 査読有り

S CHICHIBU, A WAI, Y NAKAHARA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI, L WEI, S TANIGAWA

SHALLOW IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS　117　315-320　1993年

ISSN：0255-5476
PHOTOREFLECTANCE CHARACTERIZATION OF CUALSE2 HETEROEPITAXIAL LAYERS GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION 査読有り

S SHIRAKATA, S CHICHIBU, S MATSUMOTO, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　32　494-496　1993年

DOI： 10.7567/JJAPS.32S3.494 　

ISSN：0021-4922
PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF CU(AL,GA)(S,SE)2 PENTERNARY ALLOYS 査読有り

A OGAWA, R SUDO, A GUPTA, S SHIRAKATA, S CHICHIBU, S MATSUMOTO, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　32　588-589　1993年

DOI： 10.7567/JJAPS.32S3.588 　

ISSN：0021-4922
2.51 EV DONOR-ACCEPTOR PAIR PHOTOLUMINESCENCE FROM ZN-DOPED CUALSE2 EPILAYER GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION 査読有り

S CHICHIBU, S SHIRAKATA, R SUDO, M UCHIDA, Y HARADA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　32　531-533　1993年

DOI： 10.7567/JJAPS.32S3.531 　

ISSN：0021-4922
LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION OF CUALSE2 EPITAXIAL-FILMS 査読有り

S CHICHIBU, S SHIRAKATA, R SUDO, M UCHIDA, Y HARADA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　32　139-141　1993年

DOI： 10.7567/JJAPS.32S3.139 　

ISSN：0021-4922
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION OF CU FILM ON SIO2 USING CYCLOPENTADIENYLCOPPERTRIETHYLPHOSPHINE 査読有り

S CHICHIBU, N YOSHIDA, H HIGUCHI, S MATSUMOTO

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　31　(12B)　L1778-L1780　1992年12月

ISSN：0021-4922
HIGH-ENERGY PHOSPHATE-METABOLISM IN THE PHENTHIAZAMINE HYDROBROMIDE ANESTHETIZED LOACH COBITIS-BIWAE 査読有り

A CHIBA, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY C-PHARMACOLOGY TOXICOLOGY & ENDOCRINOLOGY　102　(3)　433-437　1992年7月

ISSN：0742-8413
WATER PROTON ION IN LEG MUSCLES OF CRAYFISH SUBJECTED TO STARVATION 査読有り

A CHIBA, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY A-PHYSIOLOGY　102　(1)　127-131　1992年5月

ISSN：0300-9629
Erratum: Heavily Si-doped GaAs grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine and silane" (Applied Physics Letters (1992) 60 (489)) 査読有り

S. Chichibu, A. Iwai, S. Matsumoto, H. Higuchi

Applied Physics Letters　60　(19)　2439　1992年

DOI： 10.1063/1.107447 　

ISSN：0003-6951
HEAVILY SI-DOPED GAAS GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION USING TERTIARYBUTYLARSINE AND SILANE 査読有り

S CHICHIBU, A IWAI, S MATSUMOTO, H HIGUCHI

APPLIED PHYSICS LETTERS　60　(4)　489-491　1992年1月

ISSN：0003-6951
ROLE OF ELECTRON TRAPS ON THE THERMAL-CONVERSION AND ITS SUPPRESSION FOR LIQUID-ENCAPSULATED CZOCHRALSKI GAAS SINGLE-CRYSTALS 査読有り

S CHICHIBU, N OHKUBO, S MATSUMOTO

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　28　(10)　1750-1755　1989年10月

ISSN：0021-4922
EL2 DEEP LEVEL DISTRIBUTION UNDER CONTROLLED AS PRESSURE ANNEALING OF LEC GAAS 査読有り

S CHICHIBU, N OHKUBO, S MATSUMOTO

SEMI-INSULATING III-V MATERIALS, MALMO 1988　25-30　1988年

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MISC 236

低圧酸性アモノサーマル法による GaN 単結晶成長技術の開発

栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 石黒徹, 秩父重英

日本製鋼所技報　(72)　13-20　2021年11月
特集：東北大学グリーンネストICT "LEDを用いたノイズに強い光無線通信技術の研究～真夏の直射日光下において毎秒1ギガビット以上の通信速度を実現～"

小島一信, 秩父重英, 吉田悠来, 白岩雅輝, 菅野敦史, 山本直克, 淡路祥成, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道

電波技術協会報FORN　(342)　18-21　2021年9月

ISSN： 0910-593X
深紫外AlGaN LEDを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM)　2021　2021年

ISSN： 1349-144X
BGaN中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2)

宮澤篤也, 太田悠斗, 松川真也, 林幸佑, 中川央也, 川崎晟也, 安藤悠人, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年

ISSN： 2436-7613
InGaN/GaN多重量子殻の時間空間分解カソードルミネッセンス評価

嶋紘平, LU Weifang, 小島一信, 上山智, 竹内哲也, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年
AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, MOODY Baxter, 三田清二, COLLAZO Ramon, SITAR Zlatko, SITAR Zlatko, 熊谷義直, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(3)

長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年

ISSN： 2436-7613
低圧酸性アモノサーマル成長バルクGaN結晶のルミネッセンス評価

嶋紘平, 栗本浩平, BAO Q., 三川豊, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(1)

長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 赤崎勇, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年

ISSN： 2436-7613
格子整合系c面AlInN/GaNヘテロ構造のルミネッセンス評価

LI L. Y., 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年
全方位フォトルミネセンス(ODPL)分光法による半導体結晶の発光量子効率測定

小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(2)

長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年

ISSN： 2436-7613
Mgイオン注入後の空孔ガイド拡散法により形成したp型GaNのルミネッセンス評価

嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年
c面Al_0.83In_0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価

LI Liyang, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 上殿明良, 石橋章司, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

電子情報通信学会技術研究報告(Web)　121　(259(ED2021 15-36))　2021年

ISSN： 2432-6380
炭素フリー原料を用いてサファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス評価

秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦, 原和彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年
陽電子消滅を用いたMgイオン注入により形成したp型GaNのMg活性プロセスと空孔型欠陥の研究

上殿明良, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年
高品質SCAAT GaNシードを用いた低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法によるGaN単結晶成長

栗本浩平, BAO Q., 三川豊, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年
空孔ガイドMg拡散法によるp型イオン注入GaNの空間分解CL評価

嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年
紫外線光デバイス開発と実用化の期待窒化アルミニウムガリウム深紫外発光ダイオードを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信

小島一信, 秩父重英, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 長澤陽祐, 平野光

Optronics　(462)　2020年

ISSN： 0286-9659
BGaN中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響

太田悠斗, 高橋祐吏, 山田夏暉, 宮澤篤也, 中川央也, 川崎晟也, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年

ISSN： 2436-7613
高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)

嶋紘平, 中須大蔵, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)

中須大蔵, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
深紫外AlGaN発光ダイオードとマルチピクセルフォトンカウンタを用いたソーラーブラインド帯モバイル光無線通信

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(3)-断面CL-

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, MOODY Baxter, 三田清二, COLLAZO Ramon, SITAR Zlatko, SITAR Zlatko, 熊谷義直, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
GaN結晶の輻射量子効率に対して炭素不純物および非輻射再結合中心が及ぼす影響

小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 藤倉序章, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス

LI L. Y., 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
4インチ成長用オートクレーブを用いた低圧酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長

栗本浩平, 栗本浩平, BAO Q., BAO Q., 斉藤真, 斉藤真, 三川豊, 茅野林造, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
岩塩構造MgZnO薄膜の時間分解フォトルミネッセンス分光

工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
4インチ対応オートクレーブを用いた低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法によるバルクGaN結晶成長

栗本浩平, 栗本浩平, BAO Q., BAO Q., 三川豊, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020年
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(4)

秩父重英, 嶋紘平, 稲富悠也, 小島一信, 寒川義裕

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020年
岩塩構造MgZnO薄膜における深紫外PL寿命の評価

工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020年
全方位フォトルミネセンス分光にて観測される双峰性スペクトルの起源

小島一信, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020年
高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)

粕谷拓生, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020年
GaN結晶の輻射量子効率と炭素不純物濃度の相関

小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 藤倉序章, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020年
高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)

嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020年
全方位フォトルミネッセンス(ODPL)分光法によるGaNウエハの発光量子効率マッピング評価

池村賢一郎, 小島一信, 堀切文正, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020年
GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス

LI L. Y., 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020年
変化するということ招待有り

秩父重英

応用物理学会結晶工学分科会クリスタルレターズ (会員の広場)　75　(114)　2020年
(巻頭言) 窒化物半導体の物性と新規光デバイスの夢招待有り

秩父重英

応用物理学会フォトニクス分科会誌フォトニクスニュース第15回フォトニクスニュース「窒化物半導体の発展とフォトニクス応用」　6　(1)　1-1　2020年
Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD

Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, Hideki Hirayama, Mark Holmes, Yoshio Honda, Masataka Imura, Ryota Ishii, Yoshihiro Ishitani, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Yoshihiro Kangawa, Ryuji Katayama, Yoichi Kawakami, Takahiro Kawamura, Atsushi Kobayashi, Masaaki Kuzuhara, Koh Matsumoto, Yusuke Mori, Takashi Mukai, Hisashi Murakami, Hideaki Murotani, Satoshi Nakazawa, Narihito Okada, Yoshiki Saito, Akira Sakai, Hiroto Sekiguchi, Koji Shiozaki, Kanako Shojiki, Jun Suda, Tetsuya Takeuchi, Tomoyuki Tanikawa, Jun Tatebayashi, Shigetaka Tomiya, Yoichi Yamada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　58　2019年6月

DOI： 10.7567/1347-4065/ab1411 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発

高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 太田悠人, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年

ISSN： 2436-7613
分光計測を用いた窒化ガリウム自立結晶の品質評価

小島一信, 秩父重英

Jasco Report　61　(1)　2019年

ISSN： 0916-3492
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるp型NiO薄膜の堆積

嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
窒化物半導体特異構造の時間空間分解カソードルミネツセンス評価

秩父重英, 秩父重英, 秩父重英, 嶋紘平, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
超高効率発光素子開発に向けた時間・空間同時分解カソードルミネセンス分光装置の高性能化

小島一信, 秩父重英

村田学術振興財団年報　(33)　2019年

ISSN： 0919-3383
深紫外AlGaN発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネセンス分光

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
注入深さ・極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス

秩父重英, 秩父重英, 秩父重英, 嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 小島一信, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
容量測定を用いたp-GaNエピへの低濃度Mg注入と共注入影響の評価

高島信也, 上野勝典, 田中亮, 松山秀昭, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(1)

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
自己吸収過程を考慮した発光量子効率の解析式

浅井栄大, 小島一信, 秩父重英, 福田浩一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
自立窒化ガリウム結晶の角度分解フォトルミネセンス分光

小島一信, 池村賢一郎, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(2)

長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
薄膜固体二次電池の充放電解析

津国和之, 殿川孝司, 小島一信, 秩父重英

電気化学会大会講演要旨集(CD-ROM)　86th　2019年
水熱合成単結晶ZnO基板の薄膜化プロセスと微小共振器構造への応用

嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
ZnO微小共振器の作製と室温における共振器ポラリトン形成

嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)

谷川智之, 小島一信, 粕谷拓生, 秩父重英, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 上向井正裕, 片山竜二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス

秩父重英, 小島一信, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 三田清二, COLLAZO Ramon, SITAR Zlatko, 上殿明良

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
温度可変全方位フォトルミネセンス分光装置の実現

小島一信, 池村賢一郎, 中村明裕, 齋藤琢也, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
深紫外AlGaN発光ダイオードの顕微エレクトロルミネセンス測定

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
H₂キャリアガスを用いたBGaN結晶成長メカニズムの解析

清水勇希, 江原一司, 新宅秀矢, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 中野貴之, 中野貴之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)

小島一信, 谷川智之, 粕谷拓生, 上向井正裕, 片山竜二, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶成長

栗本浩平, 栗本浩平, BAO Q., BAO Q., 斉藤真, 斉藤真, 茅野林造, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出デバイスの作製

太田悠斗, 高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 中川央也, 川崎晟也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之, 中野貴之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年

ISSN： 2436-7613
ZnOの反応性イオンエッチングによる損傷とHClによる損傷回復

中須大蔵, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
発光量子効率におけるフォトンリサイクル効果の理論解析

浅井栄大, 小島一信, 秩父重英, 福田浩一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
ZnOの反応性イオンエッチングにおけるプラズマ損傷とHCl浸漬処理による損傷回復

中須大蔵, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　19th　2019年
An Outdoor Evaluation of 1-Gbps Optical Wireless Communication using AlGaN-based LED in 280-nm Band 査読有り

Yoshida Y, Kojima K, Shiraiwa M, Awaji Y, Kanno A, Yamamoto N, Chichibu S.F, Hirano A, Ippommatsu M

2019 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2019 - Proceedings　2019年

DOI： 10.23919/CLEO.2019.8750309 　
超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法による2インチバルクGaN結晶育成

包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)　83rd　ROMBUNNO.M202　2018年3月13日
Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 上殿明良, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　ROMBUNNO.19a‐C302‐6　2018年3月5日
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(2)

嶋紘平, 粕谷拓生, 粕谷拓生, 菊地清, 小島一信, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　ROMBUNNO.18p‐E201‐7　2018年3月5日
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(1)

粕谷拓生, 粕谷拓生, 嶋紘平, 菊地清, 小島一信, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　ROMBUNNO.18p‐E201‐6　2018年3月5日
酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長の検討

斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　ROMBUNNO.18p‐E202‐6　2018年3月5日
厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価

丸山貴之, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年

ISSN： 2436-7613
MOVPE法を用いた厚膜BGaN結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製

丸山貴之, 高橋祐吏, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年

ISSN： 2436-7613
BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価

高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年

ISSN： 2436-7613
赤色蛍光体(CaAlSiN₃:Eu)の高温劣化機構の評価

大石昌嗣, 大石昌嗣, 塩見昌平, 山本孝, 植木智之, 改井陽一郎, 秩父重英, 高取愛子, 小島一信, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年
GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率の関係(1)

浅井栄大, 小島一信, 福田浩一, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年
GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率との関係(2)

小島一信, 浅井栄大, 福田浩一, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年
Mgイオン注入GaN MOSFETのチャネル特性向上

高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 上殿明良, 中川清和

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年
GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年
六方晶BNの薄膜成長とその深紫外発光評価

原和彦, 原和彦, 梅原直己, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2)

稲富悠也, 草場彰, 柿本浩一, 柿本浩一, 寒川義裕, 寒川義裕, 寒川義裕, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年
サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル

秩父重英, 梅原直己, 小島一信, 原和彦, 原和彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(1)

秩父重英, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年
ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)

小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年
有機金属気相成長法にて自立GaN基板上に成長させたGaNホモエピタキシャル層の光物性評価

小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるSiO₂/HfO₂誘電体分布ブラッグ反射鏡の作製

嶋紘平, 粕谷拓生, 粕谷拓生, 小島一信, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年
高純度ZnO中のSRH型非輻射再結合中心の起源と捕獲断面積

秩父重英, 小島一信, 小池一歩, 矢野満明, 權田俊一, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年
時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥の評価

粕谷拓生, 粕谷拓生, 嶋紘平, 小島一信, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年
サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス

秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦, 原和彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年
空間・時間分解PLを用いたGaNの局所励起子応答

神山晃範, 小島一信, 遊佐剛, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年

ISSN： 2436-7613
バンド端近傍発光の外部量子効率が4%を超える六方晶BN単結晶の光学評価

小島一信, 渡邊賢司, 谷口尚, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年
280nm帯深紫外AlGaN発光ダイオードを用いた日光下における1.6Gbps光無線伝送

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年
深紫外発光ダイオードを用いたソーラーブラインド・ギガビット級光無線伝送

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　18th　2018年
1.6-Gbps LED-Based Ultraviolet Communication at 280 nm in Direct Sunlight 査読有り

Kojima K, Yoshida Y, Shiraiwa M, Awaji Y, Kanno A, Yamamoto N, Chichibu S

European Conference on Optical Communication, ECOC　2018-September　2018年

DOI： 10.1109/ECOC.2018.8535544 　
Determination of Deformation Potentials in InGaN Alloy Material for Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in Semipolar and Nonpolar InGaN Quantum Wells Laser Diodes 査読有り

Sakai S, Kojima K, Chichibu S.F, Yamaguchi A.A

Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference　2018-September　135-136　2018年

DOI： 10.1109/ISLC.2018.8516203 　
酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法による電子デバイス用GaN結晶合成の進展

秩父重英, 斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　ROMBUNNO.6p‐A301‐2　2017年8月25日
GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

秩父重英, 秩父重英, 小島一信, 嶋紘平, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　ROMBUNNO.7a‐S22‐10　2017年8月25日
超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成

包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 小島一信, 冨田大輔, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)　82nd　2017年
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(4)

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年
マクロステップを有するc面AlGaN量子井戸発光ダイオード構造の発光特性

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年
ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定

小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年
GaN基板上イオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価(2)

秩父重英, 秩父重英, 小島一信, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 清水三聡, 高橋言緒, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年
m面AlInNエピタキシャルナノ構造を用いた偏光光源の可能性

秩父重英, 小島一信, 上殿明良, 佐藤義孝

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年
偏光遷移領域におけるc面AlGaN量子井戸構造の量子細線型状態密度

坂井繁太, 南琢人, 小島一信, 秩父重英, 山口敦史

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017年
二次組成変調によって電子・正孔波動関数の重なり積分を増強させたc面AlGaN多重量子井戸の発光特性評価

小島一信, 林侑介, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017年
光励起下のGaN単結晶における内部量子効率の空間的不均一

小島一信, 浅井栄大, 福田浩一, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017年
減衰全反射法を用いたGaN単結晶の表面状態評価

小島一信, 赤尾賢一, 菅野美幸, 水野広介, 永森浩司, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017年
サファイア基板上に成長した六方晶窒化ホウ素薄膜の深紫外カソードルミネッセンス

原和彦, 原和彦, 梅原直己, 秩父重英, 小島一信, 光野徹也, 小南裕子

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　46th　2017年

ISSN： 0385-6275
全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた窒化物半導体の発光量子効率測定

小島一信, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　46th　2017年

ISSN： 0385-6275
AlInNを用いた深紫外光源の開発~薄膜成長における組成引込現象の理論解析~

稲富悠也, 寒川義裕, 寒川義裕, 寒川義裕, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 柿本浩一

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　17th　2017年
積分球を用いた窒化ガリウム単結晶の光物性評価

小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　17th　2017年
単分散球状 CdS ナノ粒子をコアとする液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー：ナノ組織構造由来発光・消光挙動

蟹江澄志, Ungar Goran, 松原正樹, Stevenson Warren, 矢吹純, Zeng Xiangbing, 小島一信, 秩父重英, 玉田薫, 村松淳司

日本液晶学会討論会講演予稿集　2017　(0)　3A03　2017年
出版者・発行元：一般社団法人日本液晶学会
DOI： 10.11538/ekitou.2017.0_3A03 　

ISSN： 1880-3490

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単分散球状CdSナノ粒子をコアとする液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織構造由来の蛍光特性の発現

蟹江澄志, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, ZENG Xiangbing, DONG Haoliang, 小島一信, 秩父重英, 玉田薫, 村松淳司, UNGAR Goran, UNGAR Goran

ナノ学会大会講演予稿集　14th　67　2016年6月14日

ISSN： 1347-8028
Si系剥片状ナノ材料の光物性・光触媒特性

板原浩, WU Xiaoyong, 山崎芳樹, 今川晴雄, YIN Shu, 小島一信, 秩父重英, 佐藤次雄

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年
90%を超える電子・正孔波動関数の重なり積分を達成可能なAlGaN量子井戸の設計指針

小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定

小島一信, 大友友美, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(IV)

秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 佐藤義孝, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年
低貫通転位密度Zn極性ZnOホモエピタキシャル薄膜への3d遷移金属添加によるキャリア寿命制御

秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年
組成揺らぎを考慮したAlGaNおよびInGaN量子井戸における光学利得の理論的比較

南琢人, 小島一信, 坂井繁太, 秩父重英, 山口敦史

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年
高キャリア濃度n型m面GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年
時間空間分解カソードルミネッセンスによるIII族窒化物半導体の評価

秩父重英, 山崎芳樹, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年
酸性アモノサーマル法による高品質GaN結晶の育成

包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 小島一信, 山崎芳樹, 冨田大輔, 喬焜, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)　81st　2016年
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)

小島一信, 大友友美, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016年
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(3)

小島一信, 大友友美, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016年
GaN基板上に作製されたMgイオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価

小島一信, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 清水三聡, 高橋言緒, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016年
固相剥離法によるSi系剥片状ナノ粒子の合成と光物性・光触媒特性

板原浩, 今川晴雄, WU X., 山崎芳樹, YIN S., 小島一信, 秩父重英, 佐藤次雄

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)　29th　2016年
酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶の育成

包全喜, 包全喜, 斉藤真, 斉藤真, 栗本浩平, 栗本浩平, 小島一信, 冨田大輔, 喬焜, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　16th　2016年
酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶の高速成長

栗本浩平, 包全喜, 包全喜, 斉藤真, 斉藤真, 茅野林造, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

日本金属学会講演概要(CD-ROM)　158th　2016年

ISSN： 2433-3093
Polarity dependent radiation hardness of GaN 査読有り

Masayuki Matsuo, Takayuki Murayama, Kazuto Koike, Shigehiko Sasa, Mitsuaki Yano, Shun-ichi Gonda, Akira Uedono, Ryoya Ishigami, Kyo Kume, Tomomi Ohtomo, Erika Furukawa, Yoshiki Yamazaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu

2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)　2015年6月

DOI： 10.1109/imfedk.2015.7158544 　
ミストCVDによって作製したコランダム型酸化インジウム(α‐In₂O₃)の特性評価

須和祐太, 川原村敏幸, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　ROMBUNNO.13A-P18-14　2015年2月26日
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に及ぼす圧力の効果

栗本浩平, 栗本浩平, BAO Q., BAO Q., 斉藤真, 斉藤真, 冨田大輔, 伊藤みずき, 山崎芳樹, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(3):浅い不純物に関する考察

山崎芳樹, 古澤健太郎, 岩橋咲弥, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(III)

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
m面Al_1-xIn_xN薄膜の分光エリプソメトリーによる評価

加賀谷大樹, 山崎芳樹, 池田宏隆, 藤戸健史, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(4):遷移金属不純物に関する考察

岩橋咲弥, 山崎芳樹, 小島一信, 古澤健太郎, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

斉藤真, 斉藤真, BAO Q., BAO Q., 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年
酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長

斉藤真, 斉藤真, BAO Q., BAO Q., 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　45th　2015年

ISSN： 0385-6275
高品質GaN単結晶における自由励起子とドナー束縛励起子の発光ダイナミクス

小島一信, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年
水熱合成ZnOターゲットを用いた低ドナー不純物濃度ZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル成長

古澤健太郎, 山崎芳樹, 小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　15th　2015年
液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織化CdS量子ドットのフォトルミネッセンス挙動

松原正樹, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, 山崎芳樹, 小島一信, 秩父重英, ZENG Xiangbing, DONG Haoliang, UNGAR Goran, 蟹江澄志, 村松淳司

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　15th　36　2015年
フェムト秒集束パルス電子線を用いた特異構造界面の発光ダイナミクス解析

秩父重英, 石川陽一, 山崎芳樹, 小島一信

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年
酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

斉藤真, 斉藤真, BAO Q., BAO Q., 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, QIAO K., 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年
m面GaN基板上に成長したAl_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の偏光特性

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年
混晶組成変調によるSi添加AlGaN多重量子井戸の発光効率向上

山崎芳樹, 古澤健太郎, 小島一信, 中濱和大, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年
酸化亜鉛の放射線耐性

小池一歩, 藤本龍吾, 和田涼太, 佐々誠彦, 矢野満明, 權田俊一, 羽豆耕治, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　12th　2012年
23aJA-6 m面成長したInGaN薄膜の偏光XAFS解析(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

宮永崇史, 小豆畑敬, 新田清文, 秩父重英

日本物理学会講演概要集　66　(2)　1001-1001　2011年8月24日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
電子線照射によるCIGS太陽電池の電気的・光学的特性への影響

廣瀬維子, 藁澤萌, 高倉健一郎, 木村真一, 秩父重英, 大山英典, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　ROMBUNNO.17P-NA-3　2010年8月30日
AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構

尾沼猛儀, 羽豆耕治, 宗田孝之, 上殿明良, 秩父重英

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　109　(288)　29-32　2009年11月12日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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有機金属化学気相エピタキシー法によりc面サファイア基板上に成長された、転位密度の異なるAlN薄膜の励起子エネルギー領域における光学特性を報告する。転位密度の低減に伴って、Al空孔に関連した点欠陥複合体密度の低減と、面内圧縮歪(Δa/a)の増加が観測された。最も転位密度の低い試料(2×10^8cm^<-2>)はΔa/a&cong;-1.68%と大きな歪を受けており、低温のカソードルミネセンス(CL)スペクトルには4本の束縛励起子発光ピークが観測された。部分偏光反射およびCL測定から、基底および第一励起状態にあるA自由励起子の発光が同定され、水素原子様モデルを適用すると励起子束縛エネルギーは51meVと見積もられた。
AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構

尾沼猛儀, 羽豆耕治, 宗田孝之, 上殿明良, 秩父重英

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料　109　(289)　29-32　2009年11月12日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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有機金属化学気相エピタキシー法によりc面サファイア基板上に成長された、転位密度の異なるAlN薄膜の励起子エネルギー領域における光学特性を報告する。転位密度の低減に伴って、Al空孔に関連した点欠陥複合体密度の低減と、面内圧縮歪(Δa/a)の増加が観測された。最も転位密度の低い試料(2×10^8cm^<-2>)はΔa/a&cong;-1.68%と大きな歪を受けており、低温のカソードルミネセンス(CL)スペクトルには4本の束縛励起子発光ピークが観測された。部分偏光反射およびCL測定から、基底および第一励起状態にあるA自由励起子の発光が同定され、水素原子様モデルを適用すると励起子束縛エネルギーは51meVと見積もられた。
「窒化物半導体結晶中の欠陥」特集によせて

藤岡洋, 秩父重英

日本結晶成長学会誌　36　(3)　147-147　2009年10月31日
出版者・発行元：日本結晶成長学会
ISSN： 0385-6275
Cu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の耐粒子線特性に関する考察

廣瀬維子, 安庭宗弘, 高倉健一郎, 藤原千佳, 中西久幸, 秩父重英, 大山英典, 木村真一, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集　70th　(3)　1309　2009年9月8日
Cu(In,Ga)Se₂薄膜のガンマ線照射による影響

村澤一樹, 安庭宗弘, 梅澤明央, 深山敦, 中西久幸, 秩父重英, 木村真一, 杉山睦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　55th　(3)　1505　2008年3月27日
AlN,GaNにおける貫通転位密度と点欠陥密度の関係

秩父重英, 秩父重英, 小山享宏, 小山享宏, 菅原茉莉子, 星拓也, CANTU P., KAEDING J. F., SHARMA R., 小坂圭, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 柴田智彦, 田中光浩, 尾沼猛儀, 尾沼猛儀, KELLER S., MISHRA U. K., DENBAARS S. P., DENBAARS S. P., 中村修二, 中村修二, 宗田孝之, 上殿明良

応用物理学会学術講演会講演予稿集　68th　(1)　2007年
Fabrication of a CuInSe2 pn junction prepared by thermal diffusion of Zn using Dimethylzinc

A.Miyama, T.Yasuniwa, A.Umezawa, H.Nakanishi, M.Sugiyama, S.F.Chichibu

17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-15) Technical Digest　2007年
29pXD-5 InGaN/GaN量子井戸構造の局所発光とキャリアダイナミクス(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

宮岡豊, 山本直紀, 秩父重英, 向井孝志

日本物理学会講演概要集　61　(1)　949-949　2006年3月4日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
28aPS-18 c面およびa面GaNにおける励起子の緩和ダイナミクス(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))

羽豆耕治, 池田大勝, 大島進, 宗田孝之, 秩父重英, Haskell B.A., Speck J.S., DenBaars S.P., 中村修二

日本物理学会講演概要集　61　(1)　728-728　2006年3月4日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
20aYN-2 InGaN/GaN量子井戸構造中のIn組成揺らぎとキャリアのダイナミクス(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

宮岡豊, 山本直紀, 秩父重英, 向井孝志

日本物理学会講演概要集　60　(2)　809-809　2005年8月19日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
27aYM-9 InGaN成長膜中の転位と発光分布(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))

宮岡豊, 山本直紀, 秩父重英, 向井孝志

日本物理学会講演概要集　60　(1)　929-929　2005年3月4日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCuGaSe2薄膜成長

深谷真大, 木下淳紀, 波能康晴, 杉山睦, 秩父重英, 中西久幸

多元機能材料研究会平成16年度成果報告集　32-35　2005年
CuGaSe2薄膜に対する電極材料の検討

村山聡, 深谷真大, 木下淳紀, 波能康晴, 杉山睦, 秩父重英, 中西久幸

多元機能材料研究会平成16年度成果報告集　20-23　2005年
Preparation of CuInS2 Thin Films by Thermal Decomposition of Metal-Octoate and Subsequent Sulfurization Using DTBS.

T.Hashimoto, S.Merdes, H.Nakahishi, S.F.Chichibu, S.Ando

Proceedings of 20th European Photovoltaic Solar and Energy Conference and Exhibition (EU-PVSEC-20　1926-1929　2005年
15aTJ-1 InGaN 成長膜中の転位の歪場と発光分布(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)

宮岡豊, 山本直紀, 秩父重英, 向井孝志

日本物理学会講演概要集　59　(2)　882-882　2004年8月25日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
28pXQ-3 ZnOにおけるC励起子領域での四光波混合シグナル(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)

羽豆耕治, 宗田孝之, 足立智, 秩父重英

日本物理学会講演概要集　59　(1)　741-741　2004年3月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
30aPS-24 2光子吸収制御によるZnO励起子分子生成(領域5ポスターセッション)(領域5)

足立智, 羽豆耕治, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英

日本物理学会講演概要集　59　(1)　760-760　2004年3月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
Effect of Annealing on the Crystallinity of ZnS Thin Films for CIGS-Based Solar Cells Prepared by Chemical Bath Deposition Method.

H.Sakuno, H.Nakanishi, S.F.Chichibu, S.Ando

Technical Digest of the International PVSEC-14　2　709-710　2004年
Influence nonstoichiomety and layer structure of Cu-In precursor on the CIS film properties prepared by the selenization technique using diethylselenide as a Se source.

J.Ishizuki, S.Ando, S.F.Chichibu, H.Nakanishi

Technical Digest of the International PVSEC-14　2　615-616　2004年
Preparation of CuInSe2 Thin Films by Metal-organic Decomposition with Oxidation-reduction and Subsequent Selenization using Diethylselenide.

N.Takayama, H.Nakanishi, S.F.Chichibu, S.Ando

Technical Digest of the International PVSEC-9　525-526　2004年
20aWB-2 ZnO における四光波混合シグナルの温度依存性

羽豆耕治, 宗田孝之, 鈴木克生, 足立智, 秩父重英

日本物理学会講演概要集　58　(2)　617-617　2003年8月15日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
28pYF-7 ZnO における四光波混合

足立智, 羽豆耕治, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英

日本物理学会講演概要集　58　(1)　691-691　2003年3月6日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
28pYF-8 ZnO における価電子帯オーダリング

羽豆耕治, 鳥井康介, 宗田孝之, 鈴木克生, 足立智, 秩父重英

日本物理学会講演概要集　58　(1)　691-691　2003年3月6日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
塗布熱分解法およびDESeを用いたセレン化法によるCuInSe2薄膜の作製と評価

高山直樹, 宮地順子, 山本貴史, 出口隆弘, 中西久幸, 秩父重英, 安藤靜敏

応用物理学会三元・多元機能性材料研究会平成14年度成果報告書　65-68　2003年3月
ジエチルセレンを用いたSe化法によるCuInSe2薄膜の成長過程の観察

中村元宜, 山本貴史, 石附純, 安藤靜敏, 出口隆弘, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学会三元・多元機能性材料研究会平成14年度成果報告書　61-64　2003年3月
DESeによるSe化法を用いたCuInSe2薄膜の作製及び構造評価

石附純, 山本貴史, 中村元宜, 出口隆弘, 安藤靜敏, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学会三元・多元機能性材料研究会平成14年度成果報告書　57-60　2003年3月
7aSG-5 GaNでの励起子・励起子分子ダイナミクス(励起子・ポラリトン・低次元物質,領域5)

足立智, 羽豆耕治, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 向井孝志

日本物理学会講演概要集　57　(2)　608-608　2002年8月13日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
7aSG-4 Pump and probe法で観測したGaNにおける励起子の非線形効果(2)(励起子・ポラリトン・低次元物質,領域5)

羽豆耕治, 宗田孝之, 鈴木克生, 足立智, 秩父重英, 向井孝志

日本物理学会講演概要集　57　(2)　608-608　2002年8月13日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
6aSK-5 ZnOにおけるブリルアン散乱(フォノン物性,領域10)

小豆畑敬, 武貞正樹, 八木駿郎, 鹿内周, 秩父重英, 鳥井康介, 宗田孝之

日本物理学会講演概要集　57　(2)　790-790　2002年8月13日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
7aSK-10 IEM-CL法によるInGaN層の発光と格子欠陥III(格子欠陥・ナノ構造,領域10)

堀内大吾, 山本直紀, 秩父重英, 向井孝志

日本物理学会講演概要集　57　(2)　805-805　2002年8月13日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果

秩父重英, 黒田剛正, 尾沼猛儀, 北村寿朗, 宗田孝之, 竹内淳, DenBaars Steven P., 中村修二, 奥村元

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス　102　(118)　25-28　2002年6月7日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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対称性の違いにより生じるInGaN量子井戸の光学特性の差異について議論する. InNモル分率の比較的高い六方晶InGaN量子井戸では圧電分極により生じる電場に起因する量子閉じ込めシュタルク効果が顕著であり、電子-正孔対の波動関数分離による発光再結合寿命の増加と発光ピークの低エネルギシフトが大いに強調される。一方、InNモル分率の低い六方晶InGaNや立方晶InGaN量子井戸ではこれらの分極効果は顕著で無くなる。特に後者の立方晶InGaN量子井戸では結晶の対称性から圧電分極が井戸面に垂直に発生しない。このような圧電分極の無いないしは弱い井戸構造においても、局在系に特有なフォトルミネッセンス特性が観測された。従って、圧電効果の有無に関わらずInGaN量子井戸において観測される励起子局在効果は材料に本質的なものであると考えられる。
24aWJ-7 GaN成長膜における格子欠陥の発光特性評価(24aWJ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

伊東洋嗣, Grillo V., 山本直紀, 秩父重英

日本物理学会講演概要集　57　(1)　876-876　2002年3月1日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
24aYE-8 Pump and probe法で観測したGaNにおける励起子の非線形効果(24aYE 励起子・ポラトリン,領域5(光物性分野))

羽豆耕治, 宗田孝之, 鈴木克生, 足立智, 秩父重英, 向井孝志

日本物理学会講演概要集　57　(1)　665-665　2002年3月1日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
25aXR-9 TEM-CL法によるInGaN層の発光と格子欠陥II(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

堀内大吾, 山本直紀, Criila V., 秩父重英, 向井孝志

日本物理学会講演概要集　57　(1)　893-893　2002年3月1日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
17aTG-6 TEM-CLによるInGaN層の発光と格子欠陥

堀内大吾, Grillo V., 山本直紀, 秩父重英, 向井孝志

日本物理学会講演概要集　56　(2)　778-778　2001年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
17pRE-7 GaNでの励起子間相互作用と励起子分子

足立智, 羽豆耕治, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 向井孝志

日本物理学会講演概要集　56　(2)　579-579　2001年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
17pRE-6 GaNにおける励起子の相互作用と位相緩和

羽豆耕治, 宗田孝之, 鈴木克生, 足立智, 秩父重英, 向井孝志

日本物理学会講演概要集　56　(2)　579-579　2001年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
立方晶3族窒化物半導体量子構造のMBE成長と評価 (特集ナイトライドセラミックスの新展開(1))

奥村元, 秩父重英

マテリアルインテグレ-ション　14　(6)　45-51　2001年6月
出版者・発行元：ティ-・アイ・シ-
ISSN： 1344-7858
[100]配向高品質β‐FeSi₂連続膜の吸収特性

高倉健一郎, 広井典良, 末益崇, 秩父重英, 長谷川文夫

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　48th　(3)　1307　2001年3月28日
29pYA-4 GaNにおける位相緩和ダイナミクス

足立智, 鹿内周, 羽豆耕治, 宗田孝之, 秩父重英, 向井孝志, 中村修二

日本物理学会講演概要集　56　(1)　676-676　2001年3月9日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
Metalorgranic Vapor Phase Epitaxy of Cu(Al,Ga,In)(S,Se)2 Chalcopyrite Semiconductors

S.F.Chichibu, S.Shirakata, 中西久幸

Ternary and Multinary Compounds in the 21st Century IPAP Books　1　85-90　2001年
Optical Absorption of CuInSe2

S.F.Chichibu, 中西久幸

Ternary and Multinary Compounds in the 21st Century IPAP Books　1　285-289　2001年
24pYP-8 TEM-CL法によるGaN結晶中の格子欠陥評価

伊東洋嗣, 三田朋宏, 山本直紀, 秩父重英, DenBaar S. P.

日本物理学会講演概要集　55　(2)　848-848　2000年9月10日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
カルコパイライト型三元化合物半導体発光素子材料 (特集発光材料の展開)

秩父重英, 杉山睦, 中西久幸

化学工業　51　(9)　663-669　2000年9月
出版者・発行元：化学工業社
ISSN： 0451-2014
β-FeSi₂半導体の高圧下における光吸収特性

寺西良太, 老沼純, 森嘉久, 財部健一, 末益崇, 長谷川文夫, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　61st　(3)　2000年
Comparison of Optical Properties in GaN/AlGaN and InGaN/AlGaN Single Quantum Wells

CHICHIBU Shigefusa, DEGUCHI Takahiro, SETOGUCHI Akiko, SUGIYAMA Mutsumi, NAKANISHI Hisayuki, SOTA Takayuki, MUKAI Takashi, NAKAMURA Shuji

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　1999　198-199　1999年9月20日
27a-R-2 h-GaNのブリルアン散乱 II

山口雅史, 八木駿郎, 出口隆弘, 島田和宏, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二

日本物理学会講演概要集　53　(2)　275-275　1998年9月5日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
7a-YC-12 CuAlSe_2の格子力学

渡辺宗久, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 鈴木克生

日本物理学会講演概要集　52　(2)　259-259　1997年9月16日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
MOCVD成長h‐GaN/Sapphireの光学的特性 VIII 時間分解分光 (1)

出口隆弘, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 猿倉信彦, 大竹秀幸, 山中孝弥, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　44th　(1)　182　1997年3月
31a-F-6 h-GaNのブリルアン散乱

山口雅史, 小豆畑敬, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二, 八木駿郎

日本物理学会講演概要集. 年会　51　(2)　124-124　1996年3月15日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of CuAlxGa1-xSe2 Alloys

秩父重英

Tras.of the Mater.Res.Soc.of Japan　20　727-730　1996年
4p-PSB-10 CuAlS_2、CuAlSe_2の格子力学

小豆畑敬, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英

日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1994　(2)　487-487　1994年8月16日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
Growth of Cu（AlxGal-x）SSe pentenary alloy crystals by iodine chemical vapor transport method

CHICHIBU S, SHIRAKATA S, OGAWA A, SUDO R, UCHIDA M, HARADA Y, WAKIYAMA T, SHISHIKURA M, ISOMURA S

J. of Crystal Growth　140　(3-4)　388-397　1994年7月

DOI： 10.1016/0022-0248(94)90315-8 　

ISSN： 0022-0248
LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION OF A CUGASE2/CUALSE2 HETEROSTRUCTURE

S CHICHIBU, R SUDO, N YOSHIDA, Y HARADA, M UCHIDA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　33　(3A)　L286-L289　1994年3月

DOI： 10.1143/jjap.33.L286 　

ISSN： 0021-4922
Heteroepitaxy and characterization of CuGaSe2 layers grown by low-pressure metalorganic chemical-vapor deposition

S. Chichibu, Y. Harada, M. Uchida, T. Wakiyama, S. Matsumoto, S. Shirakata, S. Isomura, H. Higuchi

Journal of Applied Physics　76　(5)　3009-3015　1994年

DOI： 10.1063/1.357503 　

ISSN： 0021-8979
EXCITONIC PHOTOLUMINESCENCE IN A CUALSE2 CHALCOPYRITE SEMICONDUCTOR GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION

S CHICHIBU, S MATSUMOTO, S SHIRAKATA, S ISOMURA, H HIGUCHI

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　74　(10)　6446-6447　1993年11月

ISSN： 0021-8979
SURFACE PASSIVATION OF GAAS USING ARF EXCIMER-LASER IN A H2S GAS AMBIENT

N YOSHIDA, S CHICHIBU, T AKANE, M TOTSUKA, H UJI, S MATSUMOTO, H HIGUCHI

APPLIED PHYSICS LETTERS　63　(22)　3035-3037　1993年11月

DOI： 10.1063/1.110250 　

ISSN： 0003-6951
EL2 OUT-DIFFUSION IN THERMALLY ANNEALED LIQUID-ENCAPSULATED CZOCHRALSKI GAAS

J OGATA, A IWAI, S CHICHIBU, S MATSUMOTO

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　32　(11A)　5059-5061　1993年11月

ISSN： 0021-4922
PHOTOREFLECTANCE AND PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF CUALXGA1-XSE2 ALLOYS

S SHIRAKATA, S CHICHIBU, R SUDO, A OGAWA, S MATSUMOTO, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　32　(9B)　L1304-L1307　1993年9月

ISSN： 0021-4922
USE OF TERTIARYBUTYLARSINE IN ARF EXCIMER LASER DOPING OF ARSENIC INTO SILICON

S CHICHIBU, T NII, T AKANE, S MATSUMOTO

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　11　(2)　341-343　1993年3月

ISSN： 1071-1023
PHOTOREFLECTANCE STUDY OF CUALSE2 HETEROEPITAXIAL LAYERS

S SHIRAKATA, S CHICHIBU, S MATSUMOTO, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　32　(2A)　L167-L169　1993年2月

ISSN： 0021-4922
LP-MOCVD GROWTH OF CUALSE2 EPITAXIAL LAYERS

S CHICHIBU, A IWAI, S MATSUMOTO, H HIGUCHI

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　126　(4)　635-642　1993年2月

DOI： 10.1016/0022-0248(93)90814-D 　

ISSN： 0022-0248
The use of tertialbuthylarsine in ArF excimer laser As doping into Si

S. Chichibu, T. Nii, T. Akane, S. Matsumoto

J.Vac.Sci.and Tec　11　(2)　341-343　1993年

DOI： 10.1116/1.586682 　

ISSN： 0734-211X
Monoeneritic positron beam study of heavily Si-doped GaAs grown by MOCVD

S. Chichibu, A. Iwai, Y. Nakahara, S. Matsumoto, L. Wei, S. Tanigawa

Materials Science Forum　Vol.117-118　243-248　1993年
Monoenergetic positron beam study of Si-doped GaAs epilayers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine

S. Chichibu, A. Iwai, Y. Nakahara, S. Matsumoto, H. Higuchi, L. Wei, S. Tanigawa

Journal of Applied Physics　73　(8)　3880-3885　1993年

DOI： 10.1063/1.352900 　

ISSN： 0021-8979
Heavily As doping in Si by ArF excimer laser doping

S. Chichibu, T. Nii, T. Akane, S. Matsumoto

Materials Science Forum　Vol.117-118　243-248　1993年
CuAlSe2 chalcopyrite epitaxial layers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition

S. Chichibu, S. Shirakata, A. Iwai, S. Matsumoto, H. Higuchi, S. Isomura

Journal of Crystal Growth　131　(3-4)　551-559　1993年

DOI： 10.1016/0022-0248(93)90207-D 　

ISSN： 0022-0248
2.51 eV photoluminescence from Zn-doped CuAlSe2 epilayers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition

S. Chichibu, S. Matsumoto, S. Shirakata, S. Isomura, H. Higuchi

Applied Physics Letters　62　(25)　3306-3308　1993年

DOI： 10.1063/1.109054 　

ISSN： 0003-6951
Exitonic photoluminescence in a CuAlSe2 chalcopyrite semiconductor grown by LPMOCVD

Chichibu, S, Matsumoto, S, Shirakata, S, Isomura, S, Higuchi, H

J. Appl. Phys　74　(10)　6446-6447　1993年

DOI： 10.1063/1.355129 　

ISSN： 0021-8979
Phtorefle-ctance characteristics of CuAlSe2 Heteroepitaxial Layers Grown by MOCVD

Shirakata, S, Chichibu, S, Matsumoto,S, Isomura, S

Jpn. J. Appl. Phys　Vol.32　(Suppl.32-3)　494-496　1993年
LPMOCVD CuAlSe2 Epitaxial Layers

Chichibu, S, Shirakata, S, Sudo, R, Uchida, M, Harada, Y, Matsumoto, S, Higuchi, H, Isomura, S

Jpn. J. Appl. Phys　Vol.32　(Suppl.32-3)　71-73　1993年
ELECTRICAL AND OPTICAL-PROPERTIES OF CUALSE2 GROWN BY IODINE CHEMICAL VAPOR TRANSPORT

S CHICHIBU, M SHISHIKURA, J INO, S MATSUMOTO

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　70　(3)　1648-1655　1991年8月

DOI： 10.1063/1.349531 　

ISSN： 0021-8979
HIGH-CONCENTRATION ZN DOPING IN INP GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

S CHICHIBU, M KUSHIBE, K EGUCHI, M FUNEMIZU, Y OHBA

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　68　(2)　859-861　1990年7月

ISSN： 0021-8979
EFFECTS OF CONTROLLED AS PRESSURE ANNEALING ON DEEP LEVELS OF LIQUID-ENCAPSULATED CZOCHRALSKI GAAS SINGLE-CRYSTALS

S CHICHIBU, N OHKUBO, S MATSUMOTO

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　64　(8)　3987-3993　1988年10月

DOI： 10.1063/1.341358 　

ISSN： 0021-8979
EFFECT OF CARBON CONCENTRATION ON THE THERMAL-CONVERSION OF LIQUID-ENCAPSULATED CZOCHRALSKI SEMI-INSULATING GAAS

N OHKUBO, S CHICHIBU, S MATSUMOTO

APPLIED PHYSICS LETTERS　53　(12)　1054-1055　1988年9月

DOI： 10.1063/1.100063 　

ISSN： 0003-6951
EFFECT OF DOPANT CONCENTRATION ON OXIDATION-INDUCED STACKING-FAULTS IN BORON-DOPED CZ SILICON

S CHICHIBU, T HARADA, S MATSUMOTO

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　27　(8)　L1543-L1545　1988年8月

ISSN： 0021-4922
EFFECT OF CARBON CONCENTRATION ON THE ELECTRICAL-PROPERTIES OF LIQUID-ENCAPSULATED CZOCHRALSKI SEMIINSULATING GAAS

S CHICHIBU, S MATSUMOTO, T OBOKATA

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　62　(10)　4316-4318　1987年11月

ISSN： 0021-8979
THE EFFECT OF AS PRESSURE CONTROLLED ANNEALING ON DEEP LEVELS OF LEC GAAS CRYSTALS

S CHICHIBU, S MATSUMOTO

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY　134　(9)　C576-C576　1987年9月

ISSN： 0013-4651
BASIC STUDIES ON HYPERTENSION AND INTRACRANIAL HYPERTENSION

Y OHTA, T CHIKUGO, S CHICHIBU, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　26　(4)　701-701　1985年

ISSN： 0021-4868
CALCIUM-CONCENTRATION IN SHR AORTA

A CHIBA, C KITAGAWA, S CHICHIBU, H ITO, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　25　(5)　882-882　1984年

ISSN： 0021-4868
THE SHIFT RATE MAP OF THE SURFACE-RECORDED QRS-COMPLEX OF THE RAT

C KITAGAWA, A CHIBA, S CHICHIBU, H ITO, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　25　(5)　844-844　1984年

ISSN： 0021-4868
SOME REMARKS ON THE QUANTITATIVE ELASTIN CONCENTRATION ESTIMATION METHOD IN SHRSP AORTIC MEDIA

S CHICHIBU, C KITAGAWA, A CHIBA, H ITO, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　24　(5)　826-826　1983年

ISSN： 0021-4868
TEMPORAL DECOLORIZATION EFFECT OF LIGHT AND THE ERROR RANGE IN THE QUANTITATIVE MEASUREMENTS OF ELASTIN IN THE SHRSP AORTA

C KITAGAWA, S CHICHIBU, H ITO, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　23　(3)　410-410　1982年

ISSN： 0021-4868
STUDIES ON THE ECG FIELD ON THE BODY-SURFACE OF THE RATS, SHR, WKY AND WISTAR ST STRAINS

S CHICHIBU, C KITAGAWA, H ITO, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　23　(3)　416-416　1982年

ISSN： 0021-4868
ELECTRON-MICROSCOPICAL AND SPECTROPHOTOMETRIC EXAMINATION OF MESENTERIC-ARTERY OF SHRSP

H ITO, S CHICHIBU, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　22　(3)　488-488　1981年

ISSN： 0021-4868
HISTOLOGICAL STUDIES ON STAINING CHARACTERISTIC DIFFERENCES IN ARTERIAL ELASTIC FIBERS

S CHICHIBU, H ITO, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　21　(4)　596-596　1980年

ISSN： 0021-4868

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書籍等出版物 11

応用電子物性分科会誌

秩父重英, 奥野浩司, 大矢昌輝, 齋藤義樹, 石黒永孝, 竹内哲也, 嶋紘平

応用電子物性分科会　2024年

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応用電子物性分科会/結晶工学分科会合同研究会「窒化物半導体発光デバイスの最前線」京都テルサ, 2024年7月3日, 依頼講演
次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術

小島一信, 嶋紘平, 秩父重英

S&T出版, 岩室憲幸監修　2022年7月27日

ISBN: 9784907002930
次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術

栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 嶋紘平, 石黒徹, 秩父重英

S&T出版, 岩室憲幸監修　2022年7月27日

ISBN: 9784907002930
次世代パワー半導体の開発・評価と実用化

三川豊, 秩父重英, 栗本浩平

(株)エヌ・ティー・エス, 岩室憲幸監修　2022年2月25日
Ammonothermal Synthesis and Crystal Growth of Nitrides edited by E. Meissner and R. Niewa

D. Tomida, M. Saito, Q. Bao, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

Springer (Springer Series in Materials Sciences, Vol. 304)　2021年2月8日
III-Nitride Ultlaviolet Emitters - Technology and Applications

Shigefusa F. Chichibu, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramtsu, Akira Uedono

Springer　2015年11月

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847
Technology of Gallium Nitride Crystal Growth

edited by, D. Ehrentraut, E. Meissner, M. Bockowski

Springer Series in Materials Sciences　2010年7月
日本結晶成長学会誌

秩父重英, 上殿明良

日本結晶成長学会　2009年10月
Advances in Light Emitting Materials

S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. Nakamura

Materials Science Forum　2008年
科学立国日本を築く－極限に挑む気鋭の研究者たち－

榊裕之監修

日刊工業新聞社　2006年3月24日
Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes

Taylor and Francis (英国)　2000年

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講演・口頭発表等 752

Cathodoluminescence studies of layered-structure BN epilayers grown by chemical vapor deposition using carbon-free molecules 国際会議

S. F. Chichibu, T. Kasuya, H. Tsujitani, K. Hara, K. Shima

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025年7月9日

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No.PC-Wed-4 (oral)
Cathodoluminescence spectroscopy of sp2-hybridized BN thin films grown by metalorganic vapor phase epitaxy using tris(dimethylamino)borane 国際会議

K. Shima, H. Tsujitani, S. F. Chichibu

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025年7月9日

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No.PC-Wed-2 (oral)
Impacts of ultra-high-pressure annealing on undoped and ion-implanted GaN studied by photoluminescence measurements 国際会議

K. Shima, T. Narita, A. Uedono, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. F. Chichibu

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025年7月7日

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No.PC-Mon-8 (oral)
Formation of layered polytypes during the thin film growth of boron nitride by chemical vapor deposition using boron trichloride as a boron source 国際会議

K. Hara, S. Ota, R. Aoike, A. Takemura, H. Nakano, H. Kominami, K. Shima, S. F. Chichibu

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025年7月7日

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No.GR-Mon-B7 (oral)
Causes and countermeasures for the operation-induced power degradation issues in 275-nm-band AlGaN-based MQW LEDs 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, K. Okuno, M. Oya, A. Miyazaki, S. Boyama, Y. Saito, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025年7月8日

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No.OD-Tue-11 (Upgraded Invited-oral)
Annealing behaviors of vacancies and their impact on dopant activation in ion-implanted GaN studied by positron annihilation 国際会議招待有り

A. Uedono, K. Shima, S. F. Chichibu, S. Ishibashi

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025年7月8日

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No.PC-Tue-A1 (Invited-oral)
Characterization of vacancy-type defects in Mg- and N-implanted GaN by using a monoenergetic positron beam 国際会議

A. Uedono, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Shima, S. F. Chichibu, J., Uzuhashi, T. Ohkubo, S. Ishibashi, K. Sierakowski, M. Bockowski

22nd International Workshop on Junction Technology (IWJT2025)　2025年6月6日

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No.S9-2. (oral)
超高圧アニール処理したMgイオン注入GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月17日

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17a-K301-4
サファイア基板上岩塩構造MgZnO 薄膜成長における徐冷の効果

木村航介, 嶋紘平, 松尾浩一, 内田浩二, 大野篤史, 秩父重英, 金子健太郎

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月16日

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16p-Y1311-11
HVPE成長Mg添加p型GaNのフォトルミネッセンススペクトル(II)

秩父重英, 大西一生, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 上殿明良, 石橋章司, 嶋紘平

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月16日

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16p-K401-10
HVPE成長Si添加ホモエピタキシャルAlNの発光特性

秩父重英, 菊地清, B. Moody, 三田清二, R. Collazo, Z. Sitar, 熊谷義直, 石橋章司, 上殿明, 良,嶋紘平

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月16日

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16p-K401-9
サファイア基板上に有機金属気相成長させたBN薄膜の深紫外発光特性

嶋紘平, 辻谷陽仁, 秩父重英

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月16日

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16p-K401-8
超高圧アニール処理した無添加およびイオン注入GaNのフォトルミネッセンス評価

嶋紘平, 石橋章司, 上殿明良, Michal Bockowski, 須田淳, 加地徹, 秩父重英

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月16日

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16p-K401-7
Roles of vacancy complexes on the output-power degradation mechanisms of 275-nm -band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, Y. Furusawa, A. Tanaka, R. Tsukamoto, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T., Takeuchi, K. Shima

17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2025)　2025年3月6日

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No.06pC11I (Invited-oral).
Room-temperature cavity-polaritons in planar ZnO microcavities fabricated via a top-down process using bulk ZnO single crystals 国際会議

K. Shima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

11th International Workshop on Semiconductor Oxides (IWSO-2025)　2025年3月5日

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Mar. 5th Session 2-4 (oral)
Origins and dynamic properties of midgap recombination centers in ZnO 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, A. Uedono, S. Ishibashi, K. Shima

11th International Workshop on Semiconductor Oxides (IWSO-2025)　2025年3月3日

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Mar. 3rd Session 3-1 (Invited-oral)
Development for long lifetime and high efficiency DUV LEDs 国際会議招待有り

Y. Saito, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, K. Kataoka, T. Narita, K., Horibuchi, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, d, S. F. Chichibu

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2025, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XX (OE107)　2025年1月30日

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No.13366-52 (Invited-oral)
Power degradation mechanisms of UV-C LEDs under current stress 国際会議招待有り

Y. Honda, S. F. Chichibu, K. Shima, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, Y. Saito, A. Tanaka, T. Takeuchi, M. Kushimoto, H. Amano

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2025, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XX (OE107)　2025年1月30日

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No.13366-47 (Invited-oral)
Room-temperature photoluminescence lifetimes of Mg-doped p-type GaN layers grown by halide vapor phase epitaxy 国際会議

S. F. Chichibu, K. Ohnishi, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, A. Uedono, S. Ishibashi, K. Shima

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月8日

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Session Characterization: Optical Properties, No.241 (oral)
Minority carrier capture coefficients of major midgap recombination centers in the state-of-the-art GaN substrates, epilayers, and Mg-implanted layers 国際会議

S. F. Chichibu, K. Shima, A. Uedono, S. Ishibashi, H. Iguchi, T. Narita, K., Kataoka, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H. Watanabe, A. Tanaka, Y., Honda, J. Suda, H. Amano, T. Kachi, T. Nabatame, Y. Irokawa, Y. Koide

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月6日

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Session Characterization: Carrier Dynamics II, No.229 (oral)
Spatio-time-resolved cathodoluminescence study of InGaN/GaN multiquantum shells 国際会議

K. Shima, W. Lu, T. Takeuchi, S. Kamiyama, S. F. Chichibu

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024年11月5日

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Session Characterization: InGaN, No.60 (oral)
Catalyst-free sputtering growth of Zn1-xMgxO nanorods on c-sapphire substrate using 3D buffer layers 国際会議

H. Otsuyama, K. Shima, K. Yataka, T. Yunoue, N. Yamashita, S. F. Chichibu, and N., Itagaki

The 10th International Symposium on Surface Science (ISSS-10)　2024年10月22日

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No.3P06 (Poster)
エミッション顕微鏡を用いたUV-C LEDにおける中長期劣化の観察

本田善央, 古澤優太, 田中敦之, 塚本涼子, 宮﨑敦嗣, 坊山晋也, 奥野浩司, 齋藤義樹, 嶋紘平, 秩父重英, 石黒永孝, 竹内哲也, 久志本真希, 天野浩

2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024年9月16日

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16p-A21-12
Cathodoluminescence studies of hexagonal BN polytypes and monolayer BN 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, K. Hara, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, P. Valvin, B, Gil, G. Cassabois, S. V. Novikov, K. Shima

European Materials Research Society, 2024 Fall Meeting, Symposium P: Boron Nitride: from advanced growth approaches to advanced applications　2024年9月17日

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No. P05 (Invited-oral)
低圧酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長招待有り

栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 斉藤真, 嶋紘平, 石黒徹, 秩父重英

化学工学会第55回秋季大会　2024年9月11日

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(J120) 招待講演
超臨界アンモニアを用いた窒化物材料の作製招待有り

冨田大輔, Saskia Schimmel, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 石黒徹, 秩父重英, 斉藤真, 栗本浩平, 包全喜

日本セラミックス協会第37回秋季シンポジウム　2024年9月11日

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(2E01) 依頼講演
ワイドギャップ半導体の空孔型欠陥と発光ダイナミクス計測－ZnOとGaNの類似点と相違点－招待有り

秩父重英, 嶋紘平, 上殿明良, 石橋章司

透明酸化物光・電子材料研究会第9回(2024年度第2回)研究会チュートリアル「材料設計・作製・物性評価の基礎および応用」　2024年7月11日

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チュートリアル講演
275 nm帯AlGaN LEDの初期劣化機構招待有り

秩父重英, 奥野浩司, 大矢昌輝, 齋藤義樹, 石黒永孝, 竹内哲也, 嶋紘平

応用電子物性分科会/結晶工学分科会合同研究会「窒化物半導体発光デバイスの最前線」　2024年7月3日
Transition from etch-back to growth conditions during ammonothermal growth of GaN - a transient numerical model for convective flow and temperature distribution in a retrograde solubility configuration 国際会議

S. Schimmel, D. Tomida, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F. Chichibu, H. Amano

GaN Marathon 2024　2024年6月11日
Cathodoluminescence spectroscopy of monolayer hexagonal boron nitride grown on a highly oriented pyrolytic graphite substrate 国際会議

K. Shima, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, C. Elias, P. Valvin, B. Gil, G, Cassabois, S. V. Novikov, S. F. Chichibu

The 7th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-VII)　2024年6月4日

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No.TB1-3 (oral)
Developments in highly efficient and long-life AlGaN-based UVC LEDs 国際会議招待有り

Y. Saito, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, K. Kataoka, T. Narita, K, Horibuchi, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, d, S. F. Chichibu

The 7th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-VII)　2024年6月4日

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No.TA2-1 (Invited-oral)
Roles of vacancy complexes on the luminescence spectra of Si-doped AlN layers grown by HVPE on (0001) AlN substrates prepared by PVT 国際会議

S. F. Chichibu, K. Kikuchi, B. Moody, S. Mita, R. Collazo, Z. Sitar, Y. Kumagai, S. Ishibashi, A. Uedono, K. Shima

The 7th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-VII)　2024年6月3日

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No.MA3-5 (oral)
275 nm帯AlGaN量子井戸LEDの初期劣化について

秩父重英, 奥野浩司, 大矢昌輝, 齋藤義樹, 石黒永孝, 竹内哲也, 嶋紘平

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024年5月31日

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(Fr-P23) (poster)
Mgイオン注入GaNにおける空孔型欠陥のルミネッセンス評価招待有り

嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上, 殿明良, 秩父重英

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024年5月31日

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(Fr-I04), 招待講演
酸性アモノサーマル法の低圧化と大口径GaNバルク結晶作製技術の進展招待有り

石黒徹, 斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 秩父重英

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024年5月31日

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(Fr-T01), チュートリアル講演
Technology development for long life and high efficiency DUV LEDs 国際会議招待有り

Y. Saito, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, K. Kataoka, T. Narita, K, Horibuchi, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, d, S. F. Chichibu

The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024)　2024年4月24日

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No.LEDIA1-03 (Invited-oral)
Short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN quantum well deep- ultraviolet light emitting diodes fabricated on a sapphire substrate 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi, and K, Shima

The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024)　2024年4月24日

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No.LEDIA1-02 (Invited-oral)
275 nm帯AlGaN量子井戸LEDの初期劣化機構(II)

秩父重英, 嶋紘平, 奥野浩司, 大矢昌輝, 齋藤義樹, 本田善央, 天野浩, 石黒永孝, 竹内哲也

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月24日

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24p-61C-10
BCl3/NH3を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜および多形BNセグメントの陰極線蛍光評価

嶋紘平, 粕谷拓生, 髙屋竣大, 辻谷陽仁, 原和彦, 秩父重英

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月22日

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22p-21C-18
GaN成長層・Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (III)

秩父重英, 嶋紘平, 上殿明良, 石橋章司, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 渡邉浩崇, 田, 中敦之, 本田善央, 須田淳, 天野浩, 加地徹, 生田目俊秀, 色川芳宏, 小出康夫

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月22日

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22p-21C-17
GaN成長層・Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (II)

秩父重英, 嶋紘平, 上殿明良, 石橋章司, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 渡邉浩崇, 田, 中敦之, 本田善央, 須田淳, 天野浩, 加地徹, 生田目俊秀, 色川芳宏, 小出康夫

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月22日

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22p-21C-16
低圧酸性アモノサーマル成長GaNのミッドギャップ再結合過程

嶋紘平, 上殿明良, 石橋章司, 石黒徹, 秩父重英

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月22日

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22p-21C-15
Operation-induced short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes on a sapphire substrate 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi, and K, Shima

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2024, OPTO, Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVIII (OE603)　2024年1月30日

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No.12906-25 (Invited-oral)
Low-pressure acidic ammonothermal growth of bulk GaN crystals 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, M. Saito, D. Tomida, T. Ishiguro, K. Shima

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2024, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XIX (OE107)　2024年1月29日

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No.12886-1 (Invited-oral)
Operation-induced short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on a sapphire substrate 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi, and K, Shima

49th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI- 49)　2024年1月18日

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Session PCSI-ThM1 Wide Bandgap Materials, No.PCSI-ThM1-9 (Invited-oral&poster).
Polishing and etching damages of hydrothermally grown ZnO single crystals studied using time-resolved photoluminescence spectroscopy 国際会議

K. Shima, T. Kasuya, S. F. Chichibu

Advanced Materials Research Grand Meeting and IUMRS-ICA2023　2023年12月14日

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Session Synthesis, Processing and Characterization of Nanoscale and Functional Oxide Films -7th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium, No.D1-O402-06 (oral)
Short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light emitting diodes on a sapphire substrate 国際会議

S. F. Chichibu, K. Nagata, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月17日

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No.OD13-3 (oral)
Optical characteristics of BGaN films using oblique polishing 国際会議

R. Ozeki, D. Nakamura, R. Kudo, T. Ito, K. Shima, S. F. Chichibu, T. Nakano

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月16日

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No.ThP-GR-16 (poster)
Spatially resolved cathodoluminescence studies of graphitic BN segments formed in hexagonal BN epilayers grown on a (0001) sapphire by CVD 国際会議

S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Hara, K. Shima

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月16日

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No.CH12-3 (oral)
Effect on QWs qualities of thickness of homoepitaxial AlN on AlN/sapphire prepared by sputtering and high-temperature annealing 国際会議

R. Akaike, K. Uesugi, K. Shima, S. F. Chichibu, A. Uedono, H. Miyake

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月15日

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No.CH9-2 (oral)
Luminescence studies of Mg-implanted and undoped GaN-on-GaN structures processed by ultra-high-pressure annealing 国際会議

K. Shima, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. F. Chichibu

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月14日

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No.CH6-3 (oral)
Wafer-scale characterization of mosaics and the impact on point defects in GaN studied using 2D birefringence and photoluminescence measurements 国際会議

K. Shima, S. F. Chichibu

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月14日

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No.CH5-4 (oral)
Recent developments for high efficiency for deep UV LEDs 国際会議招待有り

Y. Saito, K. Nagata, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, K. Kataoka, T, Narita, K. Horibuchi, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, S. F. Chichibu

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月17日

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No.OD13-1 (Invited-oral)
Impacts of vacancy clusters on the luminescence dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, A. Uedono, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, M. Bockowski, J, Suda, T. Kachi, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, S. Ishibashi, and K, Shima

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023年11月14日

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No.CH6-1 (Invited-oral)
Mgイオン注入GaN中の空孔型欠陥がルミネッセンス特性に与える影響の評価招待有り

嶋紘平, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会九州支部特別講演会　2023年11月12日
Structural, electrical and optical properties of alpha-In2O3 grown by mist CVD on (0001) alpha-Al2O3 substrate 国際会議

T. Yamaguchi, A. Taguchi, K. Shima, T. Nagata, T. Yamamoto, Y. Hayakawa, M, Matsuda, T. Konno, T. Onuma, S. F. Chichibu, H. Honda

7th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2023)　2023年11月2日

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Symposium 8: Material and Devices for Power Electronics, No. 8-2510 (oral)
HVPE成長Mg添加p型GaNのフォトルミネッセンススペクトル

秩父重英, 大西一生, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平

2023年秋季応用物理学会　2023年9月22日
二次元複屈折およびフォトルミネッセンス測定によるGaNウエハの結晶モゼイクと点欠陥の評価

嶋紘平, 秩父重英

2023年秋季応用物理学会　2023年9月22日
斜め研磨加工を用いたBGaN薄膜の光学特性評価

小関凌也, 中村大輔, 工藤涼兵, 伊藤哲, 嶋紘平, 秩父重英, 中野貴之

2023年秋季応用物理学会　2023年9月20日
炭素フリー原料を用いてサファイア基板にCVD成長させたhBN薄膜に混在する多形BNの空間分解カソードルミネッセンス評価

秩父重英, 梅原直己, 原和彦, 嶋紘平

2023年秋季応用物理学会　2023年9月20日
Luminescence studies of bulk GaN crystals grown by the low-pressure acidic ammonothermal method 国際会議

K. Shima, K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

65th Electronic Materials Conference (EMC-65)　2023年6月29日

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Session Group III-Nitrides Growth and Characterization No.W06 (oral)
Ultraviolet luminescence dynamics of hexagonal BN epilayers grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors 国際会議

T. Kasuya, K. Shima, K. Hara, S. F. Chichibu

65th Electronic Materials Conference (EMC-65)　2023年6月29日

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Session 2D Materials Synthesis and Characterizations, No.P07 (oral)
Short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light emitting diodes fabricated on a sapphire substrate 国際会議

S. F. Chichibu, K. Shima, T. Kasuya, K. Nagata, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi

65th Electronic Materials Conference (EMC-65)　2023年6月28日

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Session Group III-Nitrides Optical Emitters, No.M01 (oral)
空孔複合体が(Al,Ga)Nの発光特性に与える影響招待有り

秩父重英, 嶋紘平, 上殿明良

第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2023年6月16日

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(Fr-T01), チュートリアル講演
Temporary and spatially resolved luminescence studies of p-GaN segments fabricated by vacancy-guided redistribution of Mg using sequential ion implantation of Mg and N 国際会議

K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, A. Uedono, S. Ishibashi, and, S. F. Chichibu

21st International Workshop on Junction Technology (IWJT2023)　2023年6月9日

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No.S3-1 (oral)
280 nm帯AlGaN量子井戸LEDの劣化機構に関する考察

秩父重英, 嶋紘平, 粕谷拓生, 永田賢吾, 奥野浩司, 齋藤義樹, 石黒永孝, 竹内哲也

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月17日

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17p-B401-8
炭素フリー原料を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜の発光ダイナミクス

粕谷拓生, 嶋紘平, 原和彦, 秩父重英

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月17日

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17a-B401-7
陰極線励起による単層六方晶BNのバンド端発光の観測

嶋紘平, T.S.Cheng, C.J.Mellor, P.H.Beton, C.Elias, B.Gil, G.Cassabois, S.V.Novikov, 秩父, 重英

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月17日

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17a-B401-6
赤色発光In0.35Ga0.65N/GaN量子井戸のフォトルミネッセンス寿命

李リヤン,嶋紘平, 飯田大輔, 大川和宏, 秩父重英

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月16日

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16a-B401-8
反応性イオンエッチングを行ったZnO表面の時間分解フォトルミネッセンス及びX線光電子分光評価

粕谷拓生, 嶋紘平, 秩父重英

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月15日

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15a-E102-9
Gbps-Class Solar-Blind WDM Optical Wireless Communication By (264, 274, 282)-nm Deep-UV LEDs and CsTe Photomultiplier Tube 国際会議

Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, A. Kanno, A. Hirano, Y. Nagasawa, M, Ippommatsu, N. Yamamoto, S. F. Chichibu, Y. Awaji

Optical Fiber Communication Conference and Exposition (OFC2023)　2023年3月9日

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No.Th1H.2 (oral)
High-speed solar-blind optical wireless communications based on AlGaN deep- ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN/sapphire templates with dense macro-steps 国際会議招待有り

K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, S. F. Chichibu

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2023, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XVIII (OE107)　2023年2月2日

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No.12421-56 (Invited-oral)
Impacts of vacancy clusters on the recombination dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, H. Sakurai, M, Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, S, Ishibashi, A. Uedono

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2023, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XVIII (OE107)　2023年1月31日

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No.12421-26 (Invited-oral)
Annealing properties of vacancy-type defects in ion implanted GaN during ultra- high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam 国際会議招待有り

A. Uedono, H. Sakurai, J. Uzuhashi, T. Narita, K. Sierakowski, S. Ishibashi, S, F. Chichibu, M. Bockowski, J. Suda, T. Ohkubo, N. Ikarashi, K. Hono, and T, Kachi

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2023, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XVIII (OE107)　2023年1月31日

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No.12421-25 (Invited-oral)
時間分解フォトルミネッセンス法によるZnOのプロセス誘起欠陥評価

粕谷拓生, 嶋紘平, 秩父重英

第5回結晶工学 x ISYSE合同研究会　2022年11月18日

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(P-10)
Near-band-edge recombination in monolayer hBN epitaxial films studied using cathodoluminescence spectroscopy 国際会議

K. Shima, C. Elias, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, S. V, Novikov, B, Gil, G. Cassabois, S. F. Chichibu

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022年10月14日

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Session Novel Materials and Nanostructures, Processing of hBN No. AT232 (oral).
Fabrication of BGaN neutron detectors and evaluation of the radiation detection characteristics 国際会議

T. Nakano, Y. Ota, A. Miyazawa, H. Nakagawa, S. Kawasaki, Y. Ando, Y. Honda, H, Amano, K. Shima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022年10月14日

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Session Novel Materials and Nanostructures, Processing of hBN No. AT231 (oral).
Low-pressure acidic ammonothermal (LPAAT) growth of 2-inch-diameter bulk GaN crystals 国際会議

K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, K. Shima, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022年10月12日

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Session Growth, GaN Bulk Growth, No. AT167 (oral).
Temperature field and fluid flow in ammonothermal growth of GaN during etch- back and crystal growth for a retrograde solubility configuration 国際会議

S. Schimmel, D. Tomida, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F. Chichibu, H. Amano

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022年10月11日

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Session Growth, No. PP272 (poster).
Self-formed compositional superlattices in m-plane Al0.7In0.3N alloys on a GaN substrate triggered by atomic ordering of In and Al along the c-axis 国際会議

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022年10月11日

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Session Novel Materials and Nanostructures, No. PP170 (poster) .
Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy- guided redistribution of Mg 国際会議

K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Kojima, A. Uedono, S, Ishibashi, S. F. Chichibu

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022年10月11日

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Session Electronic devices, Ion implantation and annealing, No. AT049 (oral).
Emission dynamics of indirect excitons in hexagonal BN epilayers containing polytypic segments grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, K. Shima, N. Umehara, K. Takiguchi, Y. Ishitani, K. Hara

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022年10月11日

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Session Novel Materials and Nanostructures, Excitons in hexagonal and cubic GaN, No. IT26 (Invited-oral).
n型GaN基板・エピタキシャル薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 上殿明良, 石橋章司, 渡邉浩崇, 田中敦之, 本田善央, 今西正幸, 森勇介, 生田目俊秀, 色川芳宏, 天野浩, 小出康夫

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月23日
超高圧アニールによるMgイオン注入p型GaNのルミネッセンス評価

嶋紘平, 櫻井秀樹, 石橋章司, 上殿明良, Michal Bockowski, 須田淳, 加地徹, 秩父重英

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月22日
炭素フリー原料を用いてサファイア基板にCVD成長させた多型を含むhBN薄膜における間接遷移励起子の発光ダイナミクス

秩父重英, 嶋紘平, 菊地清, 梅原直己, 瀧口佳祐, 石谷善博, 原和彦

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日
時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥評価

粕谷拓生, 嶋紘平, 秩父重英

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日
GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

李リヤン,嶋紘平, 山中瑞樹, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月20日
低圧酸性アモノサーマル成長バルクGaN結晶のルミネッセンス評価(2)

嶋紘平, 栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 石黒徹, 秩父重英

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月20日
In situ monitoring technologies as prospective validation tools for numerical simulations of ammonothermal crystal growth

S. Schimmel, M. Salamon, D. Tomida, I. Kobelt, L. Heinlein, A.-C. L, Kimmel, T, G. Steigerwald, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F. Chichibu, H. Amano, E. Schluecker, P. Wellmann

7th European Conference on Crystal Growth (ECCG-7)　2022年7月26日
Mechanism underlying high internal quantum efficiency of AlGaN-based LEDs fabricated on AlN with dense macrosteps 国際会議

Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Kazunobu Kojima, Masamichi Ippommatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Shigefusa F.Chichibu

The 20th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE- 20)　2022年7月10日

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No.Tu A3.4; LN375
Impacts of vacancy clusters on the recombination dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures for power devices 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, H, Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono

Compound Semiconductor Week (CSW) 2022　2022年6月1日

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Session: Power Elecronics I, No.5:00-5:30PM (Invited-oral)
Observation of room-temperature cavity-polaritons in ZnO microcavities fabricated by a top-down process 国際会議

K. Shima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

European Materials Research Society, 2022 Spring Meeting, Symposium N: Synthesis, processing and characterization of nanoscale multi functional oxide films VIII and 6th E-MRS & MRS-J bilateral symposium　2022年6月3日

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No.N15.5
High energy computed tomography as a tool for validation of numerical simulations of ammonothermal crystal growth of GaN 国際会議国際共著

S. Schimmel, M. Salamon, D. Tomida, M. Saito, Q. Bao, T. Ishiguro, Y. Honda, S, F. Chichibu, H. Amano

8th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-8), Berlin　2022年5月30日

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No.P13 (poster)
Characterization of semiconductor crystals based on omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy 国際会議招待有り

K. Kojima, S. Ichikawa, O. Maida, K. Shima, S. F. Chichibu

241st Meeting of ECS, The Electrochemical Society, Vancouver Convention Center　2022年5月31日
Reduction of polishing-induced surface recombination centers of ZnO single crystals grown by the hydrothermal method 国際会議

T. Kasuya, K. Shima, S. F. Chichibu

5th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-V)　2022年5月26日
Luminescence studies of nearly lattice-matched c-plane AlInN/GaN heterostructures 国際会議国際共著

L. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. F, Chichibu

5th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-V)　2022年5月26日
時間分解PL測定による岩塩構造MgZnOの発光特性の評価

高坂亘, 小川広太郎, 日下皓也, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

2022年春季応用物理学会　2022年3月26日

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(26a-E202-4)
エピタキシャル成長及びイオン注入により作製されたGaN基板上Mg添加 p型GaNの室温フォトルミネッセンス寿命（第43回応用物理学会優秀論文賞 JJAP論文賞受賞記念講演）国際会議招待有り

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

2022年春季応用物理学会　2022年3月23日

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(23p-E302-1) [第43回応用物理学会優秀論文賞 JJAP論文賞受賞記念講演]
Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, K, Shima, S. Ishibashi, A. Uedono

Advances in III-Nitride Materials & Photonic Devices (IIIN-MPD)　2022年3月9日
低圧酸性アモノサーマル法によるGaN単結晶製造技術の開発招待有り

栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 嶋紘平, 石黒徹, 秩父重英

日本学術振興会産業イノベーションのための結晶成長第R032委員会キックオフ研究会（オンライン開催）　2022年3月4日
High-speed solar-blind optical wireless communication enabled by DUV LED 国際会議招待有り

Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, A. Kanno, A. Hirano, Y. Nagasawa, M, Ippommatsu, N. Yamamoto, S. F. Chichibu, Y. Awaji

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West on Demand 2022, OPTO, Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVI (OE603)　2022年2月21日
Room-temperature cavity-polaritons in planar ZnO microcavities fabricated by a top-down process 国際会議招待有り

K. Shima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022) & The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (ISWGPDs 2022)　2022年1月13日

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No.S-I18
ミストCVD法により成長したRS-MgZnOにおける深紫外PL寿命の評価

高坂亘, 工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2021年12月9日
BGaNダイオードによる中性子半導体検出器の開発

中野貴之, 宮澤篤也, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 秩父重英

第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2021年12月9日
c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価国際共著

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 上殿明良, 石橋章司, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス(LQE)研究会　2021年11月25日
全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた窒化ガリウム結晶の品質評価

小島一信, 嶋紘平, 秩父重英

応用物理学会先進パワー半導体分科会第21回研究会「ワイドバンドギャップ半導体の点欠陥の評価・制御・デバイス応用」　2021年11月17日
Impact of growth pressure on the neutron-detection efficiency of BGaN diodes 国際会議

A. Miyazawa, Y. Ohta, S. Matsukawa, K. Hayashi, H. Nakagawa, S. Kawasaki, Y. Ando, G. Wakabayashi, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano

2021 IEEE NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM AND MEDICAL IMAGING CONFERENCE (2021 IEEE NSD MIC)　2021年10月21日

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R-08-07
高品質GaNシードを用いた低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法によるGaN単結晶成長国際共著

栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

2021年9月12日
空孔ガイドMg拡散法によるp型イオン注入GaNの空間分解CL評価

嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月11日
陽電子消滅を用いたMgイオン注入により形成したp型GaNのMg活性プロセスと空孔型欠陥の研究

上殿明良, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月11日
混合鉱化剤を用いた低圧酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成国際共著

冨田大輔, Saskia Schimmel, 斉藤真, 包全喜, 石黒徹, 本田善央, 秩父重英, 天野浩

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月12日
炭素フリー原料を用いてサファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス評価

秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月10日
Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

20th International Workshop on Junction Technology (IWJT2021)　2021年6月11日

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No.KN-4, On-line Conference (Plenary)
酸性アモノサーマル法による大口径高品質GaN結晶成長招待有り

三川豊, 石鍋隆幸, 鏡谷勇二, 包全喜, 栗本浩平, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

ワイドギャップ半導体学会（WideG）第１回研究会「ＷＢＧ材料のバルク結晶成長とウェハ化技術」　2021年5月14日
Characterization of AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN/ sapphire templates with dense macro-steps and application of high-speed solar- blind optical wireless communications 国際会議

K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, Y. Honda, H. Amano, S. F. Chichibu

2nd International Conference on UV LED Technologies & Applications (ICULTA2020), Mo-A3-1　2021年4月19日
室温動作ポラリトンレーザの実現に向けたZnO微小共振器の形成招待有り

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 古澤健太郎

第4回固体レーザーの高速探索と機能開発に向けたレーザー材料研究会-新しい機能を持ったレーザとそれに関連した材料-　2021年3月22日
Simulation of the global thermal field in a setup for ammonothermal growth of GaN

S. C. Schimmel, 冨田大輔, 斉藤真, 包全喜石黒徹, 本田善央, 秩父重英, 天野浩

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月17日公益社団法人応用物理学会　2021年3月17日
トップダウンプロセスで作製したZnO微小共振器中の共振器ポラリトンの室温における観測

嶋紘平, 古澤健太郎, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月19日
AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, Moody Baxte, 三田清二, Collazo Ramon, Sitar Zlatko, 熊谷義直, 上殿明良

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月19日
陽電子消滅によるスパッタ堆積AlN薄膜中の空孔型欠陥検出

上殿明良, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 秩父重英, 石橋章司, Dickmann M, Egger W, Hugenschmidt C, 三宅秀人

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月19日
全方位フォトルミネセンス（ODPL）分光法による半導体結晶の発光量子効率測定招待有り

小島一信, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月19日
BGaN 中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2)

宮澤篤也, 太田悠斗, 松川真也, 林幸佑, 中川央也, 川崎晟也, 安藤悠人, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月18日
Mgイオン注入後の空孔ガイド拡散法により形成したp型GaNのルミネッセンス評価

嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月18日
低圧酸性アモノサーマル成長バルクGaN結晶のルミネッセンス評価

嶋紘平, 栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月17日
格子整合系c面AlInN/GaNヘテロ構造のルミネッセンス評価

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月17日
InGaN/GaN多重量子殻の時間空間分解カソードルミネッセンス評価

嶋紘平, Weifang Lu, 小島一信, 上山智, 竹内哲也, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月17日
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率（3）

長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤﨑勇, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率（2)

長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤﨑勇, 小島一信, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率（1）

平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 小島一信, 秩父重英

2021年応用物理学会春季学術講演会　2021年3月16日
深紫外AlGaN LEDを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信招待有り

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

電子情報通信学会総合大会光エレクトロニクス（OPE）セッション　2021年3月9日
Current progress of omnidirectional photoluminescence spectroscopy for the quantification of quantum efficiency of radiation in GaN crystals 国際会議招待有り

K. Kojima, K. Ikemura, S. F. Chichibu

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2021, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XV (OE107)　2021年3月6日
Behaviors of vacancy-type defects in Mg-implanted GaN during ultra-high- pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam 国際会議招待有り

A. Uedono, H. Sakurai, T. Narita, K. Sierakowski, M. Bockowski, J. Suda, S, Ishibashi, S. F. Chichibu, T. Kachi

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2021, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XV (OE107)　2021年3月6日
(Al,Ga,In)Nの輻射・非輻射再結合過程に点欠陥が及ぼす影響招待有り

秩父重英

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第121回研究会（第五期総括記念研究会）　2021年3月5日
Vacancies in AlN deposited by radio-frequency sputtering and MOVPE studied by positron annihilation spectroscopy 国際会議

A. Uedono, K. Shojiki, K. Uesugi, S. F. Chichibu, S. Ishibash, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, H. Miyake

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021年3月1日
Evaluation of realistic boundary conditions for simulations of ammonothermal GaN crystal growth 国際会議

S. Schimmel, D. Tomida, M. Saito, Q. Bao, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F, Chichibu, H. Amano

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021年3月1日
Macroscopically homogeneous cathodoluminescence mapping images of c-plane nearly lattice-matched Al1-xInxN films on a GaN substrate 国際会議

L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, K. Kojima, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. F. Chichibu

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021年3月1日
Cathodoluminescence studies of AlN epilayers grown by MOVPE on sputtered AlN templates annealed at high temperature 国際会議

K. Shima, T. Kasuya, K. Shojiki, K. Uesugi, K. Kojima, A. Uedono, H. Miyake, S. F. Chichibu

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021年3月1日
Omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for the quantification of 招待有り

K. Kojima, S. F. Chichibu

Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by　2021年2月2日
Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1-xInxN on GaN 招待有り

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa

Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity　2021年2月3日
室温で共振器ポラリトンを呈する酸化亜鉛微小共振器の実現

嶋紘平, 古澤健太郎, 秩父重英

第20回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2020年12月3日
時間空間分解カソードルミネッセンス法によるワイドバンドギャップ窒化物半導体の評価招待有り

秩父重英

日本学術振興会放射線科学とその応用第186委員会第36回研究会　2020年12月4日
AlNおよび高AlNモル分率AlGaN混晶におけるAl空孔複合体の役割

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 三宅秀人, 上殿明良

応用物理学会結晶工学分科会,応用電子物性分科会との連携研究例会「紫外材料・デバイス開発の最前線」　2020年11月19日
AlGaN-LEDとBeyond 5G

吉田悠来, 小島一信, 白岩雅輝, 菅野敦史, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 山本直克, 秩父重英, 淡路祥成

応用物理学会応用電子物性分科会,結晶工学分科会との連携研究例会「紫外材料・デバイス開発の最前線」　2020年11月18日
陽電子消滅法によるMgイオン注入GaNの空孔型欠陥の焼鈍特性及び欠陥によるキャリア捕獲の研究

上殿明良, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 松山秀昭, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司

応用物理学会先進パワー半導体分科会, 第7回個別討論会　2020年11月16日
陽電子消滅法によるMgイオン注入GaNの空孔型欠陥の焼鈍特性及び欠陥によるキャリア捕獲の研究招待有り

上殿明良, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 松山秀昭, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司

応用物理学会先進パワー半導体分科会, 第7回個別討論会　2020年11月11日
陽電子を用いた超高圧焼鈍によるイオン注入GaNの欠陥回復特性の研究招待有り

上殿明良, 櫻井秀樹, 成田哲生, Sierakowski Kacper, Bockowski Michal, 須田淳, 石橋章司, 嶋紘平, 秩父重英, 加地徹

第49回結晶成長国内会議(JCCG-49), シンポジウム「窒化物半導体における不純物制御」　2020年11月9日
全方位フォトルミネセンス計測：新しい評価技術招待有り

小島一信, 秩父重英

日本学術振興会光電相互変換第125委員会第250回記念研究会「新しい光電変換材料・評価法」　2020年9月18日
全方位フォトルミネッセンス(ODPL)分光法によるGaNウエハの発光量子効率マッピング評価

池村賢一郎, 小島一信, 秩父重英, 堀切文正

2020年秋季応用物理学会　2020年9月10日
高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)

嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

2020年秋季応用物理学会　2020年9月10日
全方位フォトルミネセンス分光にて観測される双峰性スペクトルの起源

小島一信, 秩父重英

2020年秋季応用物理学会　2020年9月10日
低圧酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成の初期成長制御

冨田大輔, Saskia Schimmel, 斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 石黒徹, 秩父重英, 本田善央, 天野浩

2020年秋季応用物理学会　2020年9月10日
GaN結晶の輻射量子効率と炭素不純物濃度の相関

小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 藤倉序章, 秩父重英

2020年秋季応用物理学会　2020年9月11日
高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)

粕谷拓生, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

2020年秋季応用物理学会　2020年9月10日
GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

2020年秋季応用物理学会　2020年9月10日
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(4)

秩父重英, 嶋紘平, 稲富悠也, 小島一信, 寒川義裕

2020年秋季応用物理学会　2020年9月10日
4インチ対応オートクレーブを用いた低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法によるバルクGaN結晶成長

栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

2020年秋季応用物理学会　2020年9月10日
岩塩構造MgZnO薄膜における深紫外PL寿命の評価

工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

2020年秋季応用物理学会　2020年9月9日
スパッタAlN上にMOVPE成長させたAlN薄膜のカソードルミネッセンス評価

粕谷拓生, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会,「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」　2020年7月31日
c面エピタキシャルAl0.82In0.18N/GaN構造の空間分解カソードルミネッセンス

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会,「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」　2020年7月31日
Characterization of a self-organized deep-ultraviolet micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications

K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, S. F. Chichibu

Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2020, Laser Science to Photonic Applications, Session Free-Space & Underwater Communication　2020年5月10日
深紫外AlGaN発光ダイオードとマルチピクセルフォトンカウンタを用いたソーラーブラインド帯モバイル光無線通信

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, Baxter Moody, 三田清二, Ramon Collazo, Zlatko Sitar, 熊谷義直, 上殿明良

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)

中須大蔵, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)

嶋紘平, 中須大蔵, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(3)-断面CL-

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
4インチ成長用オートクレーブを用いた低圧酸性アモノサーマル法によるバルク GaN結晶成長

栗本浩平, 包全喜, 斉藤真, 三川豊, 茅野林造, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
BGaN 中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響

太田悠斗, 高橋祐吏, 山田夏暉, 宮澤篤也, 中川央也, 川崎晟也, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
GaN結晶の輻射量子効率に対して炭素不純物および非輻射再結合中心が及ぼす影響

小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 藤倉序章, 秩父重英

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
岩塩構造MgZnO薄膜の時間分解フォトルミネッセンス分光

工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
フレキシブル基板上に作製したNiO/ZnO過視光透過型太陽電池の電気特性

金冑男, 加藤匠秀, 濱田知弘, 秩父重英, 杉山睦

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020年3月12日
Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors 招待有り

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West　2020年2月4日
Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy 招待有り

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West　2020年2月3日
自己組織的に形成された深紫外マイクロ発光ダイオード構造の変調特性招待有り

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

レーザー学会学術講演会第40回年次大会　2020年1月22日
深紫外AlGaN発光ダイオードを用いたギガビット級光無線通信招待有り

片岡恵太, 成田哲生, 井口紘子, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第116回研究会　2019年12月14日
Characterization of planar ZnO microcavities for the near ultraviolet polariton laser operatable at room temperature 国際会議

K. Shima, K. Furusawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

Materials Research Meeting 2019, Materials Innovation for Sustainable　2019年12月11日
Improvement of neutron detection efficiency for BGaN semiconductor detectors 国際会議

T. Nakano, Y. Takahashi, Y. Ohta, N. Yamada, H. Nakagawa, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki

2019 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, and Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD)　2019年10月29日
深紫外AlGaN発光ダイオードを用いたギガビット級光無線通信招待有り

吉田悠来, 小島一信, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英, 平野光, 一本松正道

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第115回研究会　2019年10月25日
Origin and dynamic properties of intrinsic nonradiative recombination centers in bulk and epitaxial ZnO 国際会議

S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Koike, M. Yano, S. Gonda, S. Ishibashi, A. Uedono

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019年10月12日
Evaluation of BGaN growth temperature dependence and fabrication of neutron semiconductor detectors 国際会議

Y. Takahashi, T. Maruyama, N. Yamada, K. Ebara, Y. Ohta, H. Nakagawa, S. Usami, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019年10月11日
発光量子効率におけるフォトンリサイクル効果の理論解析

浅井栄大, 小島一信, 秩父重英, 福田浩一

2019年秋季応用物理学会　2019年9月21日
酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶成長

栗本浩平, 包全喜, 斉藤真, 茅野林造, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

2019年秋季応用物理学会　2019年9月21日
ZnOの反応性イオンエッチングによる損傷とHClによる損傷回復

中須大蔵, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

2019年秋季応用物理学会　2019年9月21日
BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出デバイスの作製

太田悠斗, 高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 中川央也, 川崎晟也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

2019年秋季応用物理学会　2019年9月20日
ZnO微小共振器の作製と室温における共振器ポラリトン形成

嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

2019年秋季応用物理学会　2019年9月20日
深紫外AlGaN発光ダイオードの顕微エレクトロルミネセンス測定

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

2019年秋季応用物理学会　2019年9月19日
気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス

秩父重英, 小島一信, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 三田清二, R.Collazo, Z.Sitar, 上殿明良

2019年秋季応用物理学会　2019年9月19日
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)

小島一信, 谷川智之, 粕谷拓生, 片山竜二, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 秩父重英

2019年秋季応用物理学会　2019年9月19日
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)

谷川智之, 小島一信, 粕谷拓生, 田中敦之, 本田善央, 秩父重英, 天野浩, 上向井正裕, 片山竜二

2019年秋季応用物理学会　2019年9月19日
温度可変全方位フォトルミネセンス分光装置の実現

小島一信, 池村賢一郎, 中村明裕, 齋藤琢也, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019年9月19日
H2キャリアガスを用いたBGaN 結晶成長メカニズムの解析

清水勇希, 江原一司, 新宅秀矢, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

2019年秋季応用物理学会　2019年9月18日
Role of Al-vacancy complexes in AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, H. Miyake, A. Uedono

4th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-IV)　2019年9月12日
"Fabrication of planar ZnO microcavities for near ultraviolet polariton laser operating at room temperature 国際会議

K. Shima, K. Furusawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

4th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-IV)　2019年9月11日
Theoretical Analysis of Photo-Recycling Effect on External Quantum Efficiency Considering Spatial Carrier Dynamics 国際会議

H. Asai, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. Fukuda

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials　2019年9月2日
全方位フォトルミネセンス（ODPL）法を用いた半導体結晶の光物性評価招待有り

小島一信, 秩父重英

ナノテスティング学会「第２５回Ｐ＆Ａ解析研究会」　2019年9月2日
窒化物半導体の時間空間分解カソードルミネッセンス評価招待有り

秩父重英

応用物理学会薄膜・表面物理研究会第47回薄膜・表面物理セミナー「半導体GaNの基礎と応用」－パワーデバイス開発のための合成・分析・構造設計技術－　2019年7月26日
Impact of vacancy complexes on the nonradiative recombination processes in III-N devices 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019年7月12日
Time-resolved luminescence studies of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors 国際会議

S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Takiguchi, K. Shima, K. Kojima, Y. Ishitani, K. Hara

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019年7月10日
Dependences of external quantum efficiency of radiation and photoluminescence lifetime on the carbon concentration in GaN on GaN structures 国際会議

K. Kojima, F. Horikiri, Y. Narita, T. Yoshida, S. F. Chichibu

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019年7月10日
Photoluminescence studies of sequentially Mg and H ion-implanted GaN with various implantation depths and crystallographic planes 国際会議

K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

he 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019年7月10日
Effects of an extra Al metal added during the acidic ammonothermal growth of GaN crystals 国際会議

D. Tomida, Q. Bao, M. Saito, K. Kurimoto, M. Ito, T. Ishiguro, S. F.Chichibu

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019年7月8日
Microscopic nonuniformities in AlGaN-based 260 and 285 nm light-emitting multiple quantum wells grown on AlN templates with dense macrosteps analyzed by cathodoluminescence spectroscopy 国際会議

Y. Nagasawa, R. Sugie, K. Kojima, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, S. F. Chichibu

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019年7月8日
Analytical formula for quantum efficiency of radiation considering self- absorption process 国際会議

H. Asai, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. Fukuda

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019年7月7日
Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN 国際会議

S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, H. Matsuyama, Y. Fukushima, M. Edo, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, A. Uedono

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019年7月7日
時間空間分解カソードルミネッセンスによるワイドバンドギャップ半導体の所発光ダイナミクス評価招待有り

秩父重英

日本表面真空学会 2019年6月研究例会「電子ビーム技術の新展開」　2019年6月25日
BGaN-MOVPE法におけるキャリアガスとホウ素原料の影響

清水勇希, 江原一司, 新宅秀矢, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会, 「第１１回窒化物半導体結晶成長講演会」　2019年6月13日
MOVPE法を用いた厚膜BGaN成長および縦型中性子検出デバイスの作製

太田悠斗, 高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 中川央也, 川崎晟也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会, 「第１１回窒化物半導体結晶成長講演会」　2019年6月13日
Improvement in the luminescence property of hexagonal boron nitride grown by CVD on a c-plane sapphire substrate 国際会議招待有り

K. Hara, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu

The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C4)　2019年6月10日
Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes

K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019)　2019年6月6日
酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望招待有り

秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹

日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会研究会　2019年5月31日
Quantification of external quantum efficiency for near-band-edge emission of h-BN bulk crystals under photo-excitation 国際会議

Kazunobu Kojima, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Shigefusa F. Chichibu

Compound Semiconductor Week 2019　2019年5月20日
Quantification of external quantum efficiency for near-band-edge emission of freestanding h-BN crystals under photo-excitation 国際会議

K. Kojima, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. F. Chichibu

Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Spectroscopy & growth of h-BN II　2019年5月19日
An outdoor evaluation of 1-Gbps optical wireless communication using AlGaN- based LED in 280-nm Band 国際会議

Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S. Chichibu, A. Hirano, M. Ippommatsu

Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2019, Laser Science to Photonic Applications, Session Free-Space & Underwater Communication　2019年5月5日
薄膜固体二次電池の充放電解析

津国和之, 殿川孝司, 小島一信, 秩父重英

電気化学会第88回大会　2019年3月27日
Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, D. Tomida, K. Kurimoto, K. Shima, K.Kojima, T. Ishiguro

11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPLasma2019)　2019年3月17日
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に金属添加が与える影響

冨田大輔, 包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 佐藤福馬, 石黒徹, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019年3月9日
容量測定を用いたp-GaNエピへの低濃度Mg注入と共注入影響の評価

高島信也, 上野勝典, 田中亮, 松山秀昭, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

2019年春季応用物理学会　2019年3月9日
中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発

高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 太田悠人, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

2019年春季応用物理学会　2019年3月9日
水熱合成単結晶ZnO基板の薄膜化プロセスと微小共振器構造への応用

嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019年3月9日
自己吸収過程を考慮した発光量子効率の解析式

浅井栄大, 小島一信, 秩父重英, 福田浩一

2019年春季応用物理学会　2019年3月9日
自立窒化ガリウム結晶の角度分解フォトルミネセンス分光

小島一信, 池村賢一郎, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019年3月9日
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(2)

長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019年3月9日
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(1)

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019年3月9日
深紫外AlGaN発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネセンス分光

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019年3月9日
注入深さ・極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス

秩父重英, 嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 小島一信, 上殿明良

2019年春季応用物理学会　2019年3月9日
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるp型NiO薄膜の堆積

嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019年3月9日
窒化物半導体特異構造の時間空間分解カソードルミネッセンス評価招待有り

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信

窒化物半導体特異構造の科学－ナノ物性評価技術の進展と物性制御 2019年春季応用物理学会シンポジウム　2019年3月9日
エピタキシャル成長およびイオン注入Mg添加GaN中の非輻射再結合中心招待有り

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会接合研究委員会研究会　2019年2月28日
Helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of (001) anatase or (100) rutile TiO2 films on a (0001) GaN template for optoelectronic applications 国際会議招待有り

秩父重英

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2019, OPTO, Oxide-based Materials and Devices X, Session 5 Ultra Wide Bandgap Oxide Semiconductors: Progress in Thin Film Growth I　2019年2月2日
酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望招待有り

秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹

日本学術振興会結晶加工と評価技術145委員会, パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会（第6回）　2018年12月17日
GaN パワー半導体のエピ成長・プロセスで生じる点欠陥の理解と制御招待有り

成田哲生, 冨田一義, 徳田豊, 小木曽達也, 嶋紘平, 井口紘子, 片岡恵太, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良, 堀田昌宏, 五十嵐信行, 加地徹

日本学術振興会結晶加工と評価技術145委員会, パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会（第6回）　2018年12月17日
Different Nonradiative Recombination on Terraces and Macrosteps of Uneven QW for 285 nm LED Grown on AlN Template with Dense Macrosteps 国際会議

Yosuke Nagasawa, Kazunobu Kojima, Ryuichi Sugie, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Shigefusa, F. Chichibu

IWUMD 2018　2018年12月11日
Microscopic structure of boosting IQE for AlGaN-based UV-B (285 nm) LED grown on macrosteps 国際会議

Y. Nagasawa, K. Kojima, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I.Akasaki, S.F.Chichibu

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018年11月11日
Luminescence dynamics of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by BCl3-NH3 chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate 国際会議

S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, K. Hara

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018年11月11日
Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE 国際会議

K. Ebara, K. Mochizuki, Y. Inoue, T. Aoki, K. Kojima, S. F. Chichibu, T.Nakano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018年11月11日
Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes 国際会議

T. Maruyama, Y. Takahashi, N. Yamada, K. Ebara, H. Nakagawa, S. Usami, Y.Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018年11月11日
Multi-gigabit-class deep ultraviolet wireless communication at 280 nm based on an AlGaN light emitting diode 国際会議

K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S.F.Chichibu

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018年11月11日
Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN structures 国際会議

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H.Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018年11月11日
Current localization structure observed in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN templates with macrosteps 国際会議

K. Kojima, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I.Akasaki, S.F.Chichibu

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018年11月11日
Recent progress of large size bulk GaN crystal growth by acidic ammonothermal method 国際会議

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018年11月11日
Radiation detection characteristic of BGaN semiconductor detectors 国際会議

N. Yamada, K. Mochizuki, T. Maruyama, K. Ebara, Y. Takahashi, H. Nakagawa, S. Usami, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano

2018 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference and Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD)　2018年11月10日
1.6-Gbps LED-based ultraviolet communication at 280 nm in direct sunlight 国際会議

K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S.F.Chichibu

44th European Conference on Optical Communication (ECOC 2018)　2018年9月23日
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるSiO2/HfO2誘電体分布ブラッグ反射鏡の作製

嶋紘平, 粕谷拓生, 小島一信, 秩父重英

2018年秋季応用物理学会　2018年9月18日
時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥の評価

粕谷拓生, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

2018年秋季応用物理学会　2018年9月18日
高純度ZnO中のSRH型非輻射再結合中心の起源と捕獲断面積

秩父重英, 小島一信, 小池一歩, 矢野満明, 權田俊一, 石橋章司, 上殿明良

2018年秋季応用物理学会,　2018年9月18日
空間・時間分解PL を用いたGaN の局所励起子応答

神山晃範, 小島一信, 遊佐剛, 秩父重英

2018年秋季応用物理学会　2018年9月18日
バンド端近傍発光の外部量子効率が4%を超える六方晶BN単結晶の光学評価

小島一信, 渡邊賢司, 谷口尚, 秩父重英

2018年秋季応用物理学会　2018年9月18日
サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス

秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦

2018年秋季応用物理学会　2018年9月18日
MOVPE法を用いた厚膜BGaN結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製

丸山貴之, 高橋祐吏, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

2018年秋季応用物理学会　2018年9月18日
BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価

高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

2018年秋季応用物理学会,　2018年9月18日
BGaN-MOVPE法における脱離過程の解析

江原一司, 望月健, 井上翼, 青木徹, 秩父重英, 中野貴之

2018年秋季応用物理学会　2018年9月18日
280nm帯深紫外AlGaN発光ダイオードを用いた日光下における1.6 Gbps光無線伝送

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英

2018年秋季応用物理学会　2018年9月18日
Determination of Deformation Potentials in InGaN-Alloy Material for Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in Semipolar and Nonpolar InGaN Quantum Wells Laser Diodes 国際会議

IEEE 26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2018)　2018年9月16日
The origin and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in the bulk and epitaxial ZnO 国際会議

S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Koike, M. Yano, S. Gonda, S. Ishibashi, A. Uedono

The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018　2018年9月11日
Relationship between internal quantum efficiency of radiation and photoluminescence lifetime in a ZnO single crystal 国際会議

K. Kojima, S. F. Chichibu

The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018)　2018年9月11日
Fabrication of a ZnO-based microcavity using the reactive helicon-wave-excited-plasma sputtering method 国際会議

T. Kasuya, K. Shima, K. Kojima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018　2018年9月11日
A comparative study on SiO2/ZrO2 and SiO2/HfO2 distributed Bragg reflectors for ZnO-based microcavities 国際会議

K. Shima, T. Kasuya, K. Furusawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018)　2018年9月11日
Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, D. Tomida, K. Kurimoto, K. Shima, K. Kojima, T. Ishiguro

The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides (ISGN-7),　2018年8月5日
酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長への取り組み招待有り

斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

2018年日本結晶成長学会特別講演会「パワーエレクトロニクス結晶の最前線」,　2018年7月18日
MOVPE法を用いた厚膜BGaN成長および縦型中性子検出デバイスの作製

高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会,プレIWN2018第１０回窒化物半導体結晶成長講演会,　2018年7月12日
GaN結晶成長技術の進展と発光特性向上の現状招待有り

秩父重英, 上殿明良

日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会,プレIWN2018第１０回窒化物半導体結晶成長講演会　2018年7月12日
酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶作製技術の進展招待有り

斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会　2018年7月6日
陽電子消滅法によるp-GaNエピ層、イオン注入層の点欠陥評価招待有り

上殿明良, 石橋章司, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて～p型GaNの結晶工学～」,　2018年6月15日
Mg添加GaNエピ層及びイオン注入層のフォトルミネッセンス評価招待有り

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて～p型GaNの結晶工学～」,　2018年6月15日
Mgイオン注入GaN層上におけるノーマリーオフMOSFET検討招待有り

高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 高橋言緒, 清水三聡, 石橋章司, 中川清和, 堀田昌宏, 須田淳, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて～p型GaNの結晶工学～」,　2018年6月15日
Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN 国際会議

T. Tanikawa, T. Fujita, K. Kojima, S. F. Chichibu, T. Matsuoka

The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)　2018年6月3日
Evaluation of cubic phase formation in wurtzite type BGaN by MOVPE 国際会議

K. Ebara, K. Mochizuki, Y. Inoue, T. Aoki, K. Kojima, S. F. Chichibu, T.Nakano

The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)　2018年6月3日
Carrier trapping properties of defects in Mg-implanted GaN probed by monoenergetic positron beams 国際会議

A. Uedono, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, H. Matsuyama, W. Egger, T.Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, K. Kojima, S. F. Chichibu, S. Ishibashi

The 45th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2018),　2018年5月29日
Luminescence spectra of hexagonal BN thin films grown by chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, K. Hara

The 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3)　2018年5月29日
Fabrication of BGaN solid state detector for neutron imaging 国際会議

T. Nakano, K. Mochizuki, T. Maruyama, N. Yamada, H. Nakagawa, S. Usami, Y.Honda, H. Amano, S. F. Chichibi, Y. Inoue, T. Aoki

International Workshop on Position Sensitive Neutron Detectors (PSND 2018 workshop),,　2018年5月15日
Quantum efficiency of radiation in wide bandgap semiconductors 国際会議招待有り

K. Kojima, S. F. Chichibu

19th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN19)　2018年5月15日
P-type Conduction of Mg-ion Implanted N-polar GaN and the Optical Investigation 国際会議招待有り

T. Narita, K. Kataoka, H. Iguchi, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, M.Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi

The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18　2018年4月23日
Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE 国際会議招待有り

Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18　2018年4月23日
六方晶BNの薄膜成長とその深紫外発光評価招待有り

原和彦, 梅原直己, 小島一信, 秩父重英

2018年春季応用物理学会,多元化合物の新規な物性と応用, 多元系化合物・太陽電池研究会企画シンポジウム　2018年3月17日
超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法による2インチバルクGaN結晶育成

包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)　2018年3月13日
Parametric model for the anisotropic dielectric function of m-plane AlGaN up to 20 eV 国際会議

M. Winkler, M. Feneberg, S. F. Chichibu, R. Collazo, Z. Sitar, M. D. Neumann, N.Esser, R. Goldhahn

German Physical Society (DPG) Spring Meeting, Session HL 27, Nitrides: Preparation and Characterization II　2018年3月11日
全方位フォトルミネッセンス法による絶対輻射量子効率測定招待有り

小島一信, 秩父重英

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス162委員会 3月研究会　2018年3月9日
ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)

小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価

丸山貴之, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
MOVPE法を用いて作製したBGaN結晶相の評価

江原一司, 望月健, 井上翼, 青木徹, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(2)

嶋紘平, 粕谷拓生, 粕谷拓生, 菊地清, 小島一信, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 上殿明良, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
赤色蛍光体(CaAlSiN₃:Eu)の高温劣化機構の評価

大石昌嗣, 大石昌嗣, 塩見昌平, 山本孝, 植木智之, 改井陽一郎, 秩父重英, 高取愛子, 小島一信, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率との関係(2)

小島一信, 浅井栄大, 福田浩一, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率の関係(1)

浅井栄大, 小島一信, 福田浩一, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
有機金属気相成長法にて自立GaN基板上に成長させたGaNホモエピタキシャル層の光物性評価

小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(1)

秩父重英, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長の検討

斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(1)

粕谷拓生, 粕谷拓生, 嶋紘平, 菊地清, 小島一信, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル

秩父重英, 梅原直己, 小島一信, 原和彦, 原和彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2)

稲富悠也, 草場彰, 柿本浩一, 柿本浩一, 寒川義裕, 寒川義裕, 寒川義裕, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
六方晶BNの薄膜成長とその深紫外発光評価

原和彦, 原和彦, 梅原直己, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
Mgイオン注入GaN MOSFETのチャネル特性向上

高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 上殿明良, 中川清和

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018年3月5日
Quantum efficiency of radiation in wide bandgap semiconductor materials 国際会議

Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Kick-off Symposium for World Leading Research Centers　2018年2月19日
Spatio-time-resolved cathodoluminescence of h-BN microcrystals 国際会議招待有り

S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, H. Kominami, K. Hara

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018, Gallium Nitride Materials and Devices XIII (OE107),　2018年1月27日
Determination of absolute quantum efficiency of radiation in nitride semiconductors using an integrating sphere 国際会議招待有り

K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018, Gallium Nitride Materials and Devices XIII (OE107)　2018年1月27日
ワイドギャップ半導体の発光量子効率と発光寿命の相関招待有り

小島一信, 秩父重英

応用物理学会励起ナノプロセス研究会第13回研究会, 「ワイドギャップ半導体の励起ナノプロセス」　2018年1月20日
BGaN半導体材料を用いた新規熱中性子検出器の提案と開発

中野貴之, 望月健, 中村匠, 有川卓弥, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 三村秀典, 井上翼, 青木徹

日本原子力学会秋の大会予稿集(CD-ROM)　2017年8月29日
BGaN‐MOVPE法におけるB有機金属原料の検討

望月健, 中村匠, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 中野貴之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年8月25日
減衰全反射法を用いたGaN単結晶の表面状態評価

小島一信, 赤尾賢一, 菅野美幸, 水野広介, 永森浩司, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年8月25日
六方晶BN微結晶の発光ダイナミクス評価(4)

秩父重英, 石川陽一, 小南裕子, 原和彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年8月25日
光励起下のGaN単結晶における内部量子効率の空間的不均一

小島一信, 浅井栄大, 福田浩一, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年8月25日
二次組成変調によって電子・正孔波動関数の重なり積分を増強させたc面AlGaN多重量子井戸の発光特性評価

小島一信, 林侑介, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年8月25日
偏光遷移領域におけるc面AlGaN量子井戸構造の量子細線型状態密度

坂井繁太, 南琢人, 小島一信, 秩父重英, 山口敦史

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年8月25日
GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

秩父重英, 秩父重英, 小島一信, 嶋紘平, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年8月25日
n‐GaNホモエピ薄膜上へのp‐NiOスパッタ堆積とUV光吸収太陽電池及びLEDの試作

WANG Z, 中井洋志, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年8月25日
酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法による電子デバイス用GaN結晶合成の進展

秩父重英, 斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年8月25日
六方晶BN微結晶の発光ダイナミクス評価(3)

秩父重英, 石川陽一, 小南裕子, 原和彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年8月25日
単分散球状CdSナノ粒子をコアとする液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:ナノ組織構造由来発光・消光挙動

蟹江澄志, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, ZENG Xiangbing, 小島一信, 秩父重英, 玉田薫, 村松淳司, UNGAR Goran

日本液晶学会討論会講演予稿集(CD-ROM)　2017年8月10日
超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成

包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 小島一信, 冨田大輔, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)　2017年3月6日
マクロステップを有するc面AlGaN量子井戸発光ダイオード構造の発光特性

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年3月1日
BGaN縦型ダイオードの作製と放射線検出特性の評価

望月健, 中村匠, 有川卓弥, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 本田善央, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 三村秀典, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年3月1日
絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

宇佐美茂佳, 小島一信, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 秩父重英, 秩父重英, 天野浩, 天野浩, 天野浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年3月1日
GaN基板上イオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価(2)

秩父重英, 秩父重英, 小島一信, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 清水三聡, 高橋言緒, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年3月1日
m面AlInNエピタキシャルナノ構造を用いた偏光光源の可能性

秩父重英, 小島一信, 上殿明良, 佐藤義孝

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年3月1日
ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定

小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年3月1日
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(4)

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年3月1日
積分球を用いた窒化ガリウム単結晶の光物性評価

小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2017年
TMBを用いた高品質BGaN結晶成長技術の開発

中野貴之, 望月健, 江原一司, 井上翼, 青木徹, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2017年
AlInNを用いた深紫外光源の開発~薄膜成長における組成引込現象の理論解析~

稲富悠也, 寒川義裕, 寒川義裕, 寒川義裕, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 柿本浩一

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2017年
全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた窒化物半導体の発光量子効率測定

小島一信, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　2017年
サファイア基板上に成長した六方晶窒化ホウ素薄膜の深紫外カソードルミネッセンス

原和彦, 原和彦, 梅原直己, 秩父重英, 小島一信, 光野徹也, 小南裕子

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　2017年
GaN基板上に作製されたMgイオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価

小島一信, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 清水三聡, 高橋言緒, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年9月1日
Sc_xAl_1-xNとY_xAl_1-xNのバンドギャップとバンドオフセットの第一原理計算

島田和宏, 市川拓也, 坂巻宏紀, 近拳輔, 堂上真人, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年9月1日
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(3)

小島一信, 大友友美, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年9月1日
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)

小島一信, 大友友美, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年9月1日
固相剥離法によるSi系剥片状ナノ粒子の合成と光物性・光触媒特性

板原浩, 今川晴雄, WU X, 山崎芳樹, YIN S, 小島一信, 秩父重英, 佐藤次雄

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)　2016年8月29日
集束フェムト秒パルス電子線を用いた窒化物半導体紫外線発光素子材料の時間空間同時分解分光計測

秩父重英

旭硝子財団研究助成成果発表会　2016年7月
単分散球状CdSナノ粒子をコアとする液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織構造由来の蛍光特性の発現

蟹江澄志, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, ZENG Xiangbing, DONG Haoliang, 小島一信, 秩父重英, 玉田薫, 村松淳司, UNGAR Goran, UNGAR Goran

ナノ学会大会講演予稿集　2016年6月14日
酸性アモノサーマル法による高品質GaN結晶の育成

包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 小島一信, 山崎芳樹, 冨田大輔, 喬焜, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)　2016年3月13日
酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶の高速成長

栗本浩平, 包全喜, 包全喜, 斉藤真, 斉藤真, 茅野林造, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

日本金属学会講演概要(CD-ROM)　2016年3月9日
Si系剥片状ナノ材料の光物性・光触媒特性

板原浩, WU Xiaoyong, 山崎芳樹, 今川晴雄, YIN Shu, 小島一信, 秩父重英, 佐藤次雄

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年3月3日
時間空間分解カソードルミネッセンスによるIII族窒化物半導体の評価

秩父重英, 山崎芳樹, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年3月3日
高キャリア濃度n型m面GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年3月3日
組成揺らぎを考慮したAlGaNおよびInGaN量子井戸における光学利得の理論的比較

南琢人, 小島一信, 坂井繁太, 秩父重英, 山口敦史

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年3月3日
低貫通転位密度Zn極性ZnOホモエピタキシャル薄膜への3d遷移金属添加によるキャリア寿命制御

秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年3月3日
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(IV)

秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 佐藤義孝, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年3月3日
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定

小島一信, 大友友美, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年3月3日
90%を超える電子・正孔波動関数の重なり積分を達成可能なAlGaN量子井戸の設計指針

小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年3月3日
MOVPE法を用いたBGaN成長における成長雰囲気の検討

中村匠, 矢野雄大, 上山浩平, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016年3月3日
BGaN中性子半導体検出器に向けた基礎特性評価およびデバイス開発

中野貴之, 中村匠, 望月健, 有川卓弥, 青木徹, SCHUETT Sebastian, FIEDERLE Michael, 小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2016年
酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶の育成

包全喜, 包全喜, 斉藤真, 斉藤真, 栗本浩平, 栗本浩平, 小島一信, 冨田大輔, 喬焜, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2016年
酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長

斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　2015年10月19日
NiO:Li/ZnOヘテロ接合透明太陽電池の試作

中井洋志, 前田亮, 小笠原愛理, 森山和眞, 山田愛佳, 熊谷健太, 杉本岳, ISHWOR Khatri, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年8月31日
高品質GaN単結晶における自由励起子とドナー束縛励起子の発光ダイナミクス

小島一信, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年8月31日
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年8月31日
ウルツ鉱In_xAl_1-xNの格子定数,弾性定数,圧電定数,自発分極の第一原理計算

島田和宏, 伊藤大稚, 岩崎克宣, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年8月31日
ZnOの点欠陥と非輻射再結合中心に関する考察

秩父重英, 上殿明良

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年8月31日
酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年8月31日
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に及ぼす圧力の効果

栗本浩平, BAO Q, 斉藤真, 冨田大輔, 伊藤みずき, 山崎芳樹, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年2月26日
ミストCVDによって作製したコランダム型酸化インジウム(α‐In₂O₃)の特性評価

須和祐太, 川原村敏幸, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年2月26日
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(4):遷移金属不純物に関する考察

岩橋咲弥, 山崎芳樹, 小島一信, 古澤健太郎, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年2月26日
m面Al_1-xIn_xN薄膜の分光エリプソメトリーによる評価

加賀谷大樹, 山崎芳樹, 池田宏隆, 藤戸健史, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年2月26日
RFリアクティブスパッタ堆積したLi添加NiO薄膜の正孔濃度制御

中井洋志, 前田亮, 小笠原愛理, 森山和眞, 川出大佑, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年2月26日
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(III)

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年2月26日
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(3):浅い不純物に関する考察

山崎芳樹, 古澤健太郎, 岩橋咲弥, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年2月26日
水熱合成ZnOターゲットを用いた低ドナー不純物濃度ZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル成長

古澤健太郎, 山崎芳樹, 小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2015年
液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織化CdS量子ドットのフォトルミネッセンス挙動

松原正樹, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, 山崎芳樹, 小島一信, 秩父重英, ZENG Xiangbing, DONG Haoliang, UNGAR Goran, 蟹江澄志, 村松淳司

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2015年
BGaN半導体材料における結晶成長技術の開発と諸特性の評価

中野貴之, 上山浩平, 中村匠, 井上翼, 青木徹, 小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2015年
混晶組成変調によるSi添加AlGaN多重量子井戸の発光効率向上

山崎芳樹, 古澤健太郎, 小島一信, 中濱和大, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014年9月1日
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(II)

秩父重英, 石川陽一, 大友友美, 古澤健太郎, 池田宏隆, 藤戸健史

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014年9月1日
m面GaN基板上に成長したAl_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の偏光特性

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014年9月1日
酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

斉藤真, BAO Q, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, QIAO K, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014年9月1日
RFリアクティブスパッタ堆積したNiOを用いた透明薄膜トランジスタの試作

川出大佑, 酒井涼, 渡邊康之, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014年9月1日
フェムト秒集束パルス電子線を用いた特異構造界面の発光ダイナミクス解析

秩父重英, 石川陽一, 山崎芳樹, 小島一信

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014年9月1日
集束フェムト秒パルス電子線を用いた窒化物半導体紫外線発光素子材料の時間空間同時分解分光計測

秩父重英

旭硝子財団研究助成成果発表会　2014年7月
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(2)

古澤健太郎, 中沢駿仁, 石川陽一, 田代公則, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014年3月3日
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(I)

秩父重英, 古澤健太郎, 大友友美, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 石川陽一, 田代公則, 池田宏隆, 藤戸健史

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014年3月3日
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるZnO系微小光共振器形成の検討

古澤健太郎, 柿畑研人, 小山雅史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014年3月3日
酸性アモノサーマル法による高品位GaN結晶育成

斉藤真, BAO Q, 冨田大輔, 古澤健太郎, 鏡谷勇二, 茅野林造, QIAO K, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014年3月3日
AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率Al_xGa_1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価

秩父重英, 石川陽一, 古澤健太郎, 田代公則, 大友友美, 三宅秀人, 平松和政

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014年3月3日
InGaN系アンバー発光ダイオードを用いた単一チップマルチカラー発光ダイオード

柴田翔太, 小豆畑敬, 秩父重英

応用物理学会東北支部学術講演会講演予稿集　2013年12月5日
Mg添加(0001)面p型GaN上への(001)面Nb添加アナターゼのヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル成長と電気伝導特性

山岸正裕, 羽豆耕治, 大友友美, 石川陽一, 古澤健太郎, 中山徳行, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013年8月31日
時間空間分解カソードルミネッセンス法による単一積層欠陥回りでの発光ダイナミクス解析

古澤健太郎, 石川陽一, 田代公則, 羽豆耕治, 長尾哲, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013年8月31日
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成と鉱化剤の影響

BAO Q, 斉藤真, 冨田大輔, 羽豆耕治, 古澤健太郎, 鏡谷勇二, 茅野林造, QIAO K, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013年8月31日
NiO薄膜と様々な半導体・金属とのバンドアライメントの検討

川出大佑, 森山和眞, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013年8月31日
気相成長AlN基板上AlNエピタキシャル層の時間空間分解カソードルミネッセンス計測

秩父重英, 石川陽一, 田代公則, 古澤健太郎, 羽豆耕治, XIE Jinqian, 三田清二, COLLAZO Ramon, SITAR Zlatko

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013年8月31日
Si添加Al_0.6Ga_0.4N混晶薄膜の時間分解カソードルミネッセンス評価

羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 古澤健太郎, 三宅秀人, 平松和政, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013年3月11日
高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価

石川陽一, 古澤健太郎, 田代公則, 羽豆耕治, 長尾哲, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013年3月11日
NiO/Ni_xZn_1-xO/ZnO構造を用いた可視光透過型太陽電池の試作

川出大佑, 中村文香, 山下貴史, 橋本龍一, 清水翼, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013年3月11日
m面GaN基板上にNH₃‐MBE成長したAl_0.25Ga_0.75Nの時間空間分解CL評価―GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響―

秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 古澤健太郎, 長尾哲, 藤戸健史

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年8月27日
有機原料を用いたCuIn(S,Se)₂薄膜の成長過程解析

庄司竜輝, 佐藤宗一, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年8月27日
ジターシャリブチル硫黄を用いたCuInS₂薄膜の硫化過程の検討

加山慶樹, 庄司竜輝, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年8月27日
六方晶BN微結晶の時間・空間分解カソードルミネッセンス評価

石川陽一, 田代公則, 羽豆耕治, 古澤健太郎, 小南裕子, 原和彦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年8月27日
可視光透過型太陽電池に向けたNiO薄膜のキャリア密度の制御

川出大佑, 石田淳, 渡辺遥翼, 藁澤萌, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年8月27日
ZnO単結晶基板上AlInGaN薄膜の屈折率分散の測定

羽豆耕治, 加賀谷宗仁, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年8月27日
表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価

古澤健太郎, 石川陽一, 田代公則, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年8月27日
GaNと格子整合するSc_xAl_yGa_1-x-yNの自発分極と電子構造の第一原理計算

島田和宏, 秩父重英, 秦雅彦, 高田朋幸, 佐沢洋幸, 宗田孝之

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年8月27日
高純度低転位密度GaN基板の評価(2)―HVPE成長GaN上AlGaN/GaN構造の時間分解PL評価―

秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 浪田秀郎, 長尾哲, 藤戸健史

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年2月29日
ルチルおよびアナターゼTiO₂/GaNヘテロ界面のX線光電子分光法による価電子帯オフセット評価

羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年2月29日
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー

JANG S.‐H, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年2月29日
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶の高速成長

冨田大輔, BAO Quanxi, 鏡谷勇二, 澤山拓洋, 羽豆耕治, 斉藤真, 秩父重英, 横山千昭, 石黒徹

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年2月29日
時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体の評価(2)―HVPE成長GaN基板

石川陽一, 羽豆耕治, 田代公則, 松本創, 藤戸健史, 下山謙司, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年2月29日
六方晶BN微結晶の時間分解ルミネッセンス評価

石川陽一, 羽豆耕治, 田代公則, 小南裕子, 原和彦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年2月29日
Si添加Al_0.6Ga_0.4N混晶薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価

羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 三宅秀人, 平松和政, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年2月29日
フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価

秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 上殿明良

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年2月29日
高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価

秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年2月29日
高純度低転位密度GaN基板の評価(1)―HVPE成長GaNの陽電子消滅と時間分解フォトルミネッセンス評価―

秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 浪田秀郎, 長尾哲, 藤戸健史, 上殿明良

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012年2月29日
自立GaN基板の時間・空間同時分解カソードルミネッセンス評価

田代公則, 石川陽一, 羽豆耕治, 古澤健太郎, 浪田秀朗, 長尾哲, 藤戸健史, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2012年
酸化亜鉛の放射線耐性

小池一歩, 藤本龍吾, 和田涼太, 佐々誠彦, 矢野満明, 權田俊一, 羽豆耕治, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2012年
m面成長したInGaN薄膜の偏光XAFS解析

宮永崇史, 小豆畑敬, 新田清文, 秩父重英

日本物理学会講演概要集　2011年8月24日
時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体評価(1)―HVPE成長GaN基板

石川陽一, 羽豆耕治, 松本創, 藤戸健史, 下山謙司, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年8月16日
有機硫黄原料を用いたCuInS₂薄膜の成長過程解析

庄司竜輝, LIU X. H, 藤原千佳, DOU X, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年8月16日
ウルツ鉱型Mg_xZn_1-xO混晶の弾性テンソル要素C₁₃,C₃₃に関する考察

JANG S.‐H, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年8月16日
アモノサーマルGaN基板上に形成したAlGaN/GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

秩父重英, 羽豆耕治, 鏡谷勇二, 尾沼猛儀, EHRENTRAUT D, 福田承生, 石黒徹

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年8月16日
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるc面GaN上へのルチル/アナターゼTiO₂:Nb薄膜の結晶相選択成長(2)

羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年8月16日
AlNエピタキシャル薄膜の発光寿命と点欠陥他の関係について

秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年8月16日
セレン化/硫化成長の特徴とCu(In,Ga)(S,Se)₂の成長プロセス

杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年8月16日
偏光反射スペクトル解析によるZnOの物性値の同定

羽豆耕治, 吉海江憲, 吉岡宗一郎, 高木絢子, 鳥井康介, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年8月16日
GaNと格子整合するY_xAl_yGa_1-x-yNの自発分極とバンドギャップボーイングの第一原理計算

島田和宏, 羽豆耕治, 秩父重英, 秦雅彦, 高田朋幸, 佐沢洋幸, 宗田孝之

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年8月16日
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO₂薄膜の堆積(4)

羽豆耕治, 南風盛将光, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年8月16日
RFスパッタ法によるNiO系可視光透過型太陽電池の試作

石田淳, 村田芳綱, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年8月16日
CIGS薄膜のセレン化成長―これまでとこれから―

杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日
極性・非極性(Al,In,Ga)N混晶薄膜における振動子強度の歪依存性

尾沼猛儀, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日
気相合成NH₄Cl鉱化剤を用いて成長したアモノサーマルGaN基板上にMOVPE形成したAlGaN/GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

秩父重英, 羽豆耕治, 鏡谷勇二, 尾沼猛儀, EHRENTRAUT D, 福田承生, 石黒徹

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日
MOVPE成長AlN薄膜の点欠陥・不純物が発光寿命に及ぼす影響

秩父重英, 尾沼猛儀, 羽豆耕治, 上殿明良

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日
ウルツ鉱型Mg_xZn_1-xO混晶の弾性テンソル要素に関する考察

JANG S.‐H, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日
アモノサーマル法によるGaN結晶育成速度の圧力・鉱化剤依存

鏡谷勇二, BAO Quanxi, 澤山拓洋, 冨田大輔, 羽豆耕治, 秩父重英, 横山千昭, 石黒徹

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日
m面自立GaN基板のチルトモザイク異方性がNH₃‐MBE成長m面Al_0.25Ga_0.75N薄膜の発光特性に与える影響

秩父重英, 加賀谷宗仁, 尾沼猛儀, 羽豆耕治

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日
ジターシャリブチル硫黄を用いたCuInS₂薄膜の硫化成長

LIU X.H, 藤原千佳, 庄司竜輝, DOU X, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日
m面ZnO基板の偏光反射スペクトルの解析

羽豆耕治, 吉海江憲, 吉岡宗一郎, 高木絢子, 鳥井康介, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるc面GaN上へのルチル/アナターゼTiO₂:Nb薄膜の結晶相選択成長

羽豆耕治, FOUDA A, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO₂薄膜の堆積(3)

羽豆耕治, FOUDA A, 南風盛将光, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日
RFリアクティブスパッタ法によるNiO薄膜の低酸素分圧成長

石田淳, 村田芳綱, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成

包全喜, 澤山拓洋, 橋本貴範, 佐藤福馬, 冨田大輔, 羽豆耕治, 秩父重英, 横山千昭, 石黒徹

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2011年
NH₄Iを用いたアモノサーマル法によるGaN結晶の高速育成

橋本貴範, 澤山拓洋, 佐藤福馬, 包全喜, 羽豆耕治, 冨田大輔, 喬焜, 秩父重英, 石黒徹, 横山千昭

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2011年
NiO系酸化物半導体を用いた可視光透過型太陽電池機能を有する窓ガラスの創成

石田淳, 渡辺遥翼, 藁澤萌, 秩父重英, 杉山睦

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2011年
ウルツ鉱型Mg_xZn_1-xO混晶の弾性テンソル要素C₁₃,C₃₃に関する考察

張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2011年
偏光XAFS法によるm面AlGaN薄膜のAl原子周囲の局所構造解析

中嶋堅悟, 宮永崇史, 宮崎達也, 小豆畑敬, 秩父重英

PFシンポジウム要旨集　2011年
時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるm面自立GaN基板上InGaN膜の局所キャリアダイナミクス解析

加賀谷宗仁, CORFDIR P, GANIERE J.D, DEVEAUD‐PLEDRAN B, GRANDJEAN N, 秩父重英

応用物理学会東北支部学術講演会講演予稿集　2010年11月22日
ヨウ化アンモニウムを鉱化剤に用いたアモノサーマル法によるGaN育成

鏡谷勇二, 栗林岳人, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 冨田大輔, 志村玲子, 秩父重英, 杉山和正, 横山千昭, 石黒徹, 福田承生

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年8月30日
RFリアクティブスパッタ法によるNiO薄膜の成長とNiO系太陽電池の試作

石田淳, 工藤遥, 村田芳綱, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年8月30日
CdフリーCIGS太陽電池に向けたSe化法によるZnOSe薄膜成長

石川薫, 川崎善史, 庄司竜輝, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年8月30日
セレン化・硫化法を用いたCu(In,Al)(S,Se)₂薄膜成長

庄司竜輝, 藤原千佳, 石川薫, 川崎善史, 佐藤友昭, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年8月30日
CIS系太陽電池に向けたキャリア密度傾斜ZnO系窓層の試作

村田芳綱, 工藤遥, 石田淳, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年8月30日
電子線照射によるCIGS太陽電池の電気的・光学的特性への影響

廣瀬維子, 藁澤萌, 高倉健一郎, 木村真一, 秩父重英, 大山英典, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年8月30日
ジエチルセレンを用いたSe化法によるCIGS薄膜の成長過程の検討

川崎善史, 佐藤友昭, 石川薫, 庄司竜輝, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年8月30日
気相合成した酸性鉱化剤を用いて成長したアモノサーマルGaN及びMOVPEホモエピタキシャル層の評価

秩父重英, 鏡谷勇二, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 石黒徹, 福田承生

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年8月30日
非極性面AlInN混晶を用いた紫外線発光素子の基礎研究

秩父重英

旭硝子財団研究助成成果発表会　2010年7月
自立GaN基板へのm面Al_1-xIn_xN薄膜のMOVPE成長

秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年3月3日
パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(3)―MOVPE 成長高AlNモル分率AlGaNの時間分解CL計測―

羽豆耕治, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年3月3日
パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(2)―MOVPE成長AlNの時間分解PLとの比較―

尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年3月3日
TiO₂:Nb薄膜のGaNへのヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー

羽豆耕治, FOUDA A. N, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年3月3日
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのMgZnO/ZnOヘテロ構造形成

秩父重英, 澤井泰, 天池宏明, 羽豆耕治

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年3月3日
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO₂薄膜の堆積(2)

FOUDA A. N, 羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年3月3日
アンモニアの相状態がアモノサーマル法GaN結晶作製に与える影響

鏡谷勇二, 石鍋隆幸, 栗林岳人, 増田善雄, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 秩父重英, 横山千昭, 石黒徹

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年3月3日
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのホモエピ成長

澤井泰, 天池宏明, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年3月3日
パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(1)―パルス電子線発生とGaN計測―

秩父重英, 尾沼猛儀, 羽豆耕治, 鏡谷勇二, 石黒徹, 福田承生

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年3月3日
パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(4)―MOVPE成長m面InGaN薄膜の時空間同時分解計測―

加賀谷宗仁, CORFDIR P, GANIERE J. D, DEVEAUD‐PLEDRAN B, GRANDJEAN N, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年3月3日
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのMgZnO/ZnOヘテロ構造形成

羽豆耕治, 澤井泰, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2010年
非極性面AlInN混晶を用いた紫外線発光素子の基礎研究

秩父重英

旭硝子財団助成成果報告書(Web)　2010年
時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるm面自立GaN基板上InGaN薄膜の局所キャリアダイナミクス解析

加賀谷宗仁, CORFDIR Pierre, GANIERE Jean‐Daniel, DEVEAUD‐PLEDRAN Benoit, GRANDJEAN Nicolas, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2010年
AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構

尾沼猛儀, 羽豆耕治, 宗田孝之, 上殿明良, 秩父重英

電子情報通信学会技術研究報告　2009年11月12日
NH₃‐MBE成長m面Al_xGa_1-xN薄膜の空間分解陰極線蛍光評価

秩父重英, 羽豆耕治, 加賀谷宗仁, 尾沼猛儀

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009年9月8日
アモノサーマル法による高純度GaN結晶育成

鏡谷勇二, 秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 石黒徹, 福田承生

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009年9月8日
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのホモエピ成長

澤井泰, 天池宏明, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009年9月8日
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO₂薄膜の堆積

FOUDA Aly N, 羽豆耕治, 中山徳行, 阿部能之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009年9月8日
RFスパッタ堆積時の酸素混合比がNiO薄膜の配向性に与える影響

村田芳綱, 平田裕紀, 高畑覚, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009年9月8日
Cu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の耐粒子線特性に関する考察

廣瀬維子, 安庭宗弘, 高倉健一郎, 藤原千佳, 中西久幸, 秩父重英, 大山英典, 木村真一, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009年9月8日
AlN薄膜の時間分解フォトルミネッセンス

尾沼猛儀, 羽豆耕治, 柴田智彦, 小坂圭, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 田中光浩, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009年9月8日
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Al)Se₂薄膜成長(III)

藤原千佳, 藁澤萌, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009年9月8日
有機金属を用いたCIGS薄膜太陽電池用ZnSe系バッファ層の成長

川崎善史, 佐藤友昭, 中西久幸, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009年9月8日
m面Al_xGa_1-xN薄膜の偏光特性の面内異方性歪依存性

羽豆耕治, 星拓也, 加賀谷宗仁, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009年9月8日
m面自立GaN基板上NH₃‐MBE成長ホモエピタキシャル薄膜の構造的・光学的特性のV/III比依存性

羽豆耕治, 星拓也, 加賀谷宗仁, 尾沼猛儀, 藤戸健史, 浪田秀郎, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2009年3月30日
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNiO:Cu薄膜成長

村田芳綱, 高畑覚, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2009年3月30日
Cu(Al,Ga,In)(S,Se)₂カルコパイライト型半導体の有機金属化学気相エピタキシャル成長

秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2009年3月30日
ジメチル亜鉛を用いたZn拡散CIGS薄膜太陽電池の作製

佐藤友昭, 深山敦, DOU X, 中西久幸, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2009年3月30日
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法成長ZnOエピタキシャル薄膜の励起子ポラリトン発光

澤井泰, 天池宏明, 尾沼猛儀, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2009年3月30日
NaフラックスGaN単結晶上へのホモエピタキシャル成長

尾沼猛儀, 山田高広, 山根久典, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2009年
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのホモエピ成長

澤井泰, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2009年
m面自立GaN基板上Al_xGa_1-xN薄膜の空間分解陰極線蛍光特性

羽豆耕治, 加賀谷宗仁, 尾沼猛儀, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2009年
m面自立GaN基板上NH₃‐MBE成長ホモエピタキシャル薄膜の構造的・光学的特性のV/III比依存性

加賀谷宗仁, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2009年
AIN価電子帯オーダリングの歪依存性

宗田孝之, 池田大勝, 尾沼猛儀, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2009年
m面自立GaN基板上へのAl_xGa_1-xN薄膜のNH₃ソースMBE成長

星拓也, 羽豆耕治, 大下紘史, 加賀谷宗仁, 藤戸健史, 浪田秀郎, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008年9月2日
Zn極性MgZnO/ZnOヘテロ接合の分子線エピタキシーとキャラクタリゼーション

赤坂俊輔, 塚崎敦, 湯地洋行, 田村謙太郎, 西本宜央, 高水大樹, 佐々木敦, 藤井哲雄, 中原健, 田辺哲弘, 神澤公, 大友明, 尾沼猛儀, 秩父重英, 川崎雅司

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008年9月2日
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Al)Se₂薄膜成長(II)

藤原千佳, 梅澤明央, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008年9月2日
Naフラックス法により成長したGaN単結晶の発光特性

尾沼猛儀, 山田高広, 山根久典, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008年9月2日
m面自立GaN基板上に成長したAl_xGa_1-xN薄膜の偏光・空間分解陰極線蛍光特性

羽豆耕治, 星拓也, 大下紘史, 加賀谷宗仁, 藤戸健史, 浪田秀郎, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008年9月2日
Cu(Al,In,Ga)Se₂薄膜に適したフレキシブル基板の検討

佐藤友昭, 安庭宗弘, 梅澤明央, 中西久幸, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008年9月2日
GaNテンプレート及びバルクZnO基板上へのZnOのHWPSE成長

天池宏明, 澤井泰, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 小山享宏, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008年9月2日
酸性鉱化剤を用いた安熱合成GaNエピタキシャル層の陰極線蛍光特性

羽豆耕治, 鏡谷勇二, 尾沼猛儀, 石鍋孝幸, 栗林岳人, 横山千昭, 石黒徹, 福田承生, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008年9月2日
p‐NiO/n‐ZnOによるp‐n接合ダイオードの試作

村田芳綱, WANG L, 藤井健太郎, 高畑覚, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008年9月2日
m面自立GaN基板上へのInGaN薄膜のMOVPE成長

秩父重英, 山口宏, LU Z, 久保田将司, 岡本國美, 太田裕朗, 尾沼猛儀

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2008年3月27日
分子線エピタキシー法で成長したZn極性ZnO基板上ZnO膜の時間分解フォトルミネッセンス

高水大樹, 田村謙太郎, 西本宜央, 佐々木敦, 赤坂俊輔, 湯地洋行, 中原健, 尾沼猛儀, 川崎雅司, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2008年3月27日
Cu(In,Ga)Se₂薄膜のガンマ線照射による影響

村澤一樹, 安庭宗弘, 梅澤明央, 深山敦, 中西久幸, 秩父重英, 木村真一, 杉山睦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2008年3月27日
分子線エピタキシー法(MBE)によるZn極性ZnO基板上MgZnO/ZnOヘテロ構造

中原健, 湯地洋行, 赤坂俊輔, 田村謙太郎, 西本宜央, 高水大樹, 佐々木敦, 藤井哲雄, 田辺哲弘, 高須秀視, 塚崎敦, 大友明, 天池弘明, 尾沼猛儀, 秩父重英, 川崎雅司

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2008年3月27日
低転位非極性m面InGaN/GaN多重量子井戸LDの光学利得

尾沼猛儀, 岡本國美, 太田裕朗, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2008年3月27日
塩基性鉱化剤を用いた安熱合成GaNエピタキシャル層の構造および発光特性

秩父重英, 尾沼猛儀, 橋本忠朗, 藤戸健史, WU F, SPECK J. S, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2008年3月27日
CIS系薄膜の放射線照射による影響

村澤一樹, 安庭宗弘, 木村悠太, 中西久幸, 秩父重英, 木村真一, 杉山睦

宇宙科学技術連合講演会講演集(CD-ROM)　2008年
陽電子消滅を用いた窒化物光半導体の空孔型欠陥の検出

上殿明良, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2007年9月4日
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Al)Se₂薄膜成長

梅澤明央, 深山敦, 安庭宗弘, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2007年9月4日
AlN,GaNにおける貫通転位密度と点欠陥密度の関係

秩父重英, 小山享宏, 菅原茉莉子, 星拓也, CANTU P, KAEDING J. F, SHARMA R, 小坂圭, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 柴田智彦, 田中光浩, 尾沼猛儀, KELLER S, MISHRA U. K, DENBAARS S. P, 中村修二, 宗田孝之, 上殿明良

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2007年9月4日
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるCuAlO₂薄膜成長

今尾隆, 高畑覚, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2007年9月4日
分子線エピタキシー法(MBE)による(Mg)ZnOホモエピタキシー技術

中原健, 湯地洋行, 田村謙太郎, 赤坂俊輔, 高水大樹, 田辺哲弘, 久保田将司, 尾沼猛儀, 秩父重英, 塚崎敦, 大友明, 川崎雅司

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007年3月27日
AlN価電子帯オーダリングの歪依存性

池田大勝, 岡村隆弘, 松川紘大, 小山享宏, 星拓也, 菅原茉莉子, 尾沼猛儀, CANTU P, SHARMA R, KAEDING J.F, KELLER S, SPECK J.S, DENBAARS S.P, 中村修二, MISHRA U.K, 小坂圭, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 柴田智彦, 田中光浩, 秩父重英, 宗田孝之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007年3月27日
有機金属を用いたCuInSe₂薄膜への亜鉛添加

深山敦, 木下淳紀, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007年3月27日
MOVPE成長AlN薄膜の発光特性

尾沼猛儀, 小山享宏, 小坂圭, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 柴田智彦, 田中光浩, 宗田孝之, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007年3月27日
自立GaN基板上への非極性m面GaN及びInGaN薄膜のMOVPE成長

LU Z, 山口宏, 久保田将司, 岡本國美, 太田裕朗, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007年3月27日
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Ga)Se₂薄膜成長(III)

安庭宗弘, DEJENE F. B, 木下淳紀, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007年3月27日
AlN薄膜におけるVL発光強度と欠陥密度の相関性

小山享宏, 菅原茉莉子, 星拓也, CANTU P, KAEDING J.F, SHARMA R, 尾沼猛儀, KELLER S, MISHRA U.K, DENBAARS S.P, 中村修二, 宗田孝之, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007年3月27日
酸化亜鉛の非輻射過程と点欠陥の関係

秩父重英, 尾沼猛儀, 塚崎敦, 久保田将司, 大友明, 宗田孝之, 川崎雅司, 上殿明良

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007年3月27日
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるZnO:Ga薄膜成長

政木真悟, 村山聡, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007年3月27日
低転位非極性m面In_xGa_1-xN/GaN多重量子井戸LEDの光学的特性

天池宏明, 久保田将司, 岡本國美, 太田裕朗, 市原淳, 高須秀視, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007年3月27日
NH₃‐MBE法によりGaNテンプレート上に成長したAlN薄膜の陰極線蛍光特性

星拓也, 菅原茉莉子, 小山享宏, KAEDING J.F, SHARMA R, 中村修二, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007年3月27日
Inを含むIII族窒化物半導体混晶における局在励起子について

秩父重英, 上殿明良, 尾沼猛儀, HASKELL B. A, CHAKRABORTY A, 小山享宏, FINI P. T, KELLER S, DENBAARS S. P, SPECK J. S, MISHRA U. K, 中村修二, 山口栄雄, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, HAN J, 宗田孝之

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2006年8月29日
ニオブ添加酸化チタン薄膜の抵抗率に対する熱処理効果

荒谷毅, 久保田将司, 尾沼猛儀, 小山享宏, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2006年8月29日
MOVPE成長Mg添加p型半極性面(1011)GaNのフォトルミネセンス評価

尾沼猛儀, 浅水啓州, 佐藤均, KAEDING J. F, IZA M, 小山享宏, FINI P. T, DENBAARS S. P, SPECK J. S, 中村修二, 宗田孝之, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2006年8月29日
NH₃‐MBE成長AlN薄膜の成長温度およびV/III比が光学的特性に与える影響

小山享宏, 菅原茉莉子, 星拓也, KAEDING J. F, SHARMA R, 尾沼猛儀, KELLER S, MISHRA U. K, DENBAARS S. P, 中村修二, 宗田孝之, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2006年8月29日
非極性面GaN系量子井戸構造およびLEDの光学的特性

秩父重英, 尾沼猛儀, 小山享宏, CHAKRABORTY A, 増井久志, HASKELL B. A, FINI P. T, KELLER S, 草部一秀, 大川和宏, DENBAARS S. P, SPECK J. S, MISHRA U. K, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2006年8月29日
高温熱処理自己バッファ層(HITAB)を用いたZnOのHWPSE成長

柴田直之, 小山享宏, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006年3月22日
窒素およびホウ素をドープした6H‐SiC蛍光層の光学特性

前田智彦, 中村佳博, 生田美奈, 柴田陽子, 村田諭是, 新田州吾, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, 吉本昌広, 尾沼猛儀, 秩父重英, 古庄智明, 木下博之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006年3月22日
低温中間層を用いたGaNテンプレート上へのNH₃‐MBE法AlN高温成長

菅原まり子, 小山享宏, KAEDING J. F, SHARMA R, 尾沼猛儀, 中村修二, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006年3月22日
MOVPE成長3C‐SiC基板上立方晶GaNの空間分解陰極線蛍光評価

鈴木智士, 野坂大樹, 山口宏, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006年3月22日
自立GaN基板上非極性(1100)In_xGa_1-xN/GaN量子井戸LEDの光学的特性

小山享宏, 尾沼猛儀, 増井久志, CHAKRABORTY A, HASKELL B. A, MISHRA U. K, SPECK J. S, 中村修二, DENBAARS S. P, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006年3月22日
高温熱処理自己バッファ層(HITAB)を用いたL‐MBE成長Mg_0.15Zn_0.85Oの温室発光寿命

久保田将司, 塚崎敦, 尾沼猛儀, 大友明, 宗田孝之, 川崎雅司, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006年3月22日
LEO‐GaN上非極性(1100)In_xGa_1-xN/GaN量子井戸における発光ダイナミクス

尾沼猛儀, CHAKRABORTY A, HASKELL B. A, 小山享宏, FINI P. T, KELLER S, DENBAARS S. P, SPECK J. S, 中村修二, MISHRA U. K, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006年3月22日
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるCuAlO₂薄膜成長

佐伯圭太, 今尾隆, 村山聡, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006年3月22日
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法を用いた酸化亜鉛系多層膜構造空間制御による光と物質の結合機構の検討

秩父重英, 宗田孝之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006年3月22日
安熱合成法によるGaNエピタキシャル層の空間分解陰極線蛍光評価

秩父重英, 尾沼猛儀, 橋本忠朗, 藤戸健史, SPECK J. S, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005年9月7日
窒化物半導体混晶中の点欠陥密度と室温発光寿命の関係

秩父重英, 尾沼猛儀, CHAKRABORTY A, HASKELL B. A, MOE C, KELLER S, DENBAARS S. P, SPECK J. S, 中村修二, MISHRA U. K, 宗田孝之, 上殿明良

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005年9月7日
InGaN量子井戸の偏光カソードルミネッセンス

宮岡豊, 山本直紀, 秩父重英, 向井孝志

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005年9月7日
LEO‐GaN上無極性(11‐20)In_xGa_1‐xN/GaN量子井戸における励起子局在

尾沼猛儀, CHAKRABORTY A, HASKELL B. A, KELLER S, DENBAARS S. P, SPECK J. S, 中村修二, MISHRA U. K, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005年9月7日
HVPE成長Fe添加GaNの半絶縁性に熱処理が与える影響

久保田将司, 石原裕次郎, 尾沼猛儀, 上殿明良, 碓井彰, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005年9月7日
発光波長265nmのAl_xIn_yGa_1-x-yN四元多重量子井戸における発光ダイナミクス

尾沼猛儀, KELLER S, DENBAARS S. P, SPECK J. S, 中村修二, MISHRA U. K, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005年9月7日
440nm帯ZnO青色発光ダイオード

塚崎敦, 久保田将司, 大友明, 尾沼猛儀, 大谷啓太, 大野英男, 秩父重英, 川崎雅司

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005年9月7日
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Ga)Se₂薄膜成長(II)

杉山睦, DEJENE F. B, 木下淳紀, 深谷真大, 丸義太郎, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005年9月7日
カルコパイライト型半導体の発光デバイス材料としての特徴―n型ZnO/p型CuGaS₂接合LEDを例として―

秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005年3月29日
ZnOの励起子共鳴波長で動作する誘電体DBRの試作とHWPS法によるSiO₂およびZrO₂製膜

小山享宏, 大森拓也, 柴田直之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005年3月29日
レーザMBE成長ZnO薄膜の欠陥制御による高品質化(II)

久保田将司, 塚崎敦, 尾沼猛儀, 大友明, 宗田孝之, 上殿明良, 川崎雅司, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005年3月29日
MOVPE成長3C‐SiC基板上立方晶GaNのフォトルミネッセンススペクトルのV/III比依存性

鈴木智士, 野坂大樹, 山口宏, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005年3月29日
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Ga)Se₂薄膜成長

深谷真大, 木下淳紀, 波能康晴, 杉山睦, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005年3月29日
レーザMBE成長ZnO薄膜の欠陥制御による高品質化(I)

秩父重英, 塚崎敦, 尾沼猛儀, 大友明, 宗田孝之, 上殿明良, 川崎雅司

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005年3月29日
LEO‐GaN上無極性(11‐20)In_XGa_1‐XN量子井戸における発光ダイナミクス

尾沼猛儀, CHAKRABORTY A, HASKELL B. A, KELLER S, DENBAARS S. P, SPECK J. S, 中村修二, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005年3月29日
ZnOp‐nホモ接合発光ダイオード

塚崎敦, 大友明, 尾沼猛義, 大谷亮, 牧野哲征, 角谷正友, 大谷啓太, 秩父重英, 鯉沼秀臣

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004年9月1日
低速陽電子ビームによるInN膜中の空孔型欠陥の検出

上殿明良, 東脇正高, 松井敏明, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004年9月1日
HWPS堆積n‐ZnO/MOVPE成長p‐CuGaS₂ヘテロ接合LEDの鴬色EL発光

秩父重英, 大森拓也, 柴田直之, 小山享宏, 尾沼猛儀

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004年9月1日
塗布熱分解法およびDTBSを用いた硫化法によるCuInS₂薄膜の作製

橋本隆道, 高山直樹, 杉山睦, 中西久幸, 秩父重英, 安藤静敏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004年9月1日
GaN中の非ふく射再結合中心密度と点欠陥密度の相関関係

秩父重英, 尾沼猛儀, HASKELL B, 杉山睦, 角谷正友, 奥村元, 宗田孝之, SPECK J, DEN BAARS S

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004年9月1日
ZnOの励起子共鳴波長で動作する誘電体DBRの設計とHWPS法によるSiO₂製膜

小山享宏, 大森拓也, 柴田直之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004年9月1日
NH₃ガスソースMBE法によるGaNテンプレート上への高温AlN成長

内沼善将, 菅原まり子, KEADING J F, SHARMA R, 尾沼猛儀, 中村修二, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004年9月1日
LEO‐GaN上無極性(1120)Al_xGa_1-xN/GaN MQWの偏光光学スペクトル

鯉田崇, 秩父重英, 宗田孝之, CRAVEN M D, HASKELL B A, SPECK J S, DENBAARS S P, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2004年3月28日
GaNテンプレート基板の熱分解がホモエピタキシャル薄膜に与える影響

菊地純一, 内沼善将, 鯉田崇, WANG K R, 尾沼猛儀, KEADING J F, SHARMA R, 中村修二, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2004年3月28日
NH₃ガスソースMBE法によるGaNテンプレート上へのホモエピタキシャル成長

内沼善将, 菊地純一, 鯉田崇, WANG K R, 尾沼猛儀, KEADING J F, SHARMA R, 中村修二, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2004年3月28日
LEO‐GaN上無極性(1120)Al_xGa_1-xN/GaN MQWの発光ダイナミクス

鯉田崇, 秩父重英, 宗田孝之, CRAVEN M D, HASKELL B A, SPECK J S, DENBAARS S P, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2004年3月28日
HWPSE法を用いたMg_0.06Zn_0.94O薄膜のエピタキシャル成長

大森拓也, 小山享宏, 柴田直之, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2004年3月28日
無極性(11‐20)ZnOエピタキシャル薄膜の光学特性

鯉田崇, 秩父重英, 上殿明良, 塚崎敦, 宗田孝之, 川崎雅司

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003年8月30日
HWPSE法におけるZnOエピタキシャル薄膜の成長メカニズム

小山享宏, 大森拓也, 柴田直之, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003年8月30日
立方晶GaN/GaAs基板界面のvoidがMOVPE成長薄膜に及ぼす影響

野坂大樹, 杉山睦, 中島清美, 青山登代美, 尾沼猛儀, 知京豊裕, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003年8月30日
Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の光学特性

尾沼猛儀, 秩父重英, 上殿明良, YOO Y‐Z, 知京豊裕, 宗田孝之, 川崎雅司, 鯉沼秀臣

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003年8月30日
Low‐Energy‐FIBによるGaNナノ構造の作製

長田貴弘, AHMET P, 鯉田崇, 秩父重英, 知京豊裕

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003年8月30日
Al_xGa_1‐xN混晶薄膜の発光寿命支配要因

秩父重英, 上殿明良, 尾沼猛儀, CANTU P, KATONA T, KEADING J F, 鯉田崇, 宗田孝之, MISHRA U K

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003年8月30日
超格子中間層を用いた立方晶GaN薄膜のMOVPE成長

杉山睦, 野坂大樹, 鈴木智士, 中島清美, 青山登代美, 尾沼猛儀, 鯉田崇, 知京豊裕, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003年8月30日
ZnOにおけるブリルアン散乱

小豆畑敬, 武貞正樹, 八木駿郎, 鹿内周, 秩父重英, 鳥井康介, 中村厚, CANTWELL G, LITTON C W

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003年8月30日
ジエチルセレンを用いたCuInSe₂薄膜のセレン化成長 (2)

山本貴史, 中村元宜, 石附純, 出口隆弘, 安藤静敏, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003年3月27日
HWPSE法によるサファイアA面上へのZnOエピタキシャル成長

小山享宏, 白浜丈詞, 萩原勝, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003年3月27日
立方晶GaN薄膜のMOVPE成長における低温緩衝層が及ぼす影響

杉山睦, 野坂大樹, 中島清美, AHMET P, 青山登代美, 知京豊裕, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003年3月27日
アンモニアガスソースMBE法による(0001)サファイア基板上GaN薄膜の成長

鯉田崇, 寺崎誠也, KEADING J F, 尾沼猛儀, 中村修二, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003年3月27日
塗布熱分解法およびDESeを用いたセレン化法によるCuInSe₂薄膜の作製

高山直樹, 宮地順子, 山本貴史, 中村元宜, 出口隆弘, 中西久幸, 秩父重英, 安藤静敏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003年3月27日
Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜における発光ダイナミクス

尾沼猛儀, 内沼善将, 秩父重英, 宗田孝之, 山口栄雄, 上山智, 天野浩, 赤崎勇

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003年3月27日
Al_xGa_1-xNエピタキシャル薄膜における発光ダイナミクス

尾沼猛儀, CANTU P, KEADING J F, KELLER S, 鯉田崇, 宗田孝之, DENBAARS S P, MISHRA U K, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003年3月27日
組成傾斜障壁を持つInGaN/GaN量子井戸の発光ダイナミクス

内沼善将, 尾沼猛儀, SUH E‐K, LEE H J, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003年3月27日
塗布熱分解法によりMo/glass基板上に作製したCuInSe₂薄膜と評価

宮地順子, 高山直樹, 山本貴史, 塚本恒世, 中西久幸, 秩父重英, 安藤静敏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003年3月27日
ZnO単結晶の偏光光学スペクトル

秩父重英, 宗田孝之, CANTWELL G, EASON D B, LITTON C W

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002年9月24日
低速陽電子ビームによるZnOの空孔型欠陥の検出

上殿明良, 鯉田崇, 塚崎敦, 秩父重英, 宗田孝之, 瀬川勇三郎, 鯉沼秀臣, 川崎雅司

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002年9月24日
ZnO単結晶における励起子の非線形光学効果

羽豆耕治, 中村厚, 宗田孝之, 鈴木克生, 足立智, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002年9月24日
InGaN MQW 450nm LDにおける局在励起子ダイナミクス

尾沼猛儀, 秩父重英, 宗田孝之, 長浜慎一, 向井孝志

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002年9月24日
ZnOバルク単結晶及びエピタキシャル薄膜の発光特性比較

鯉田崇, 秩父重英, 塚崎敦, 上殿明良, 宗田孝之, 瀬川勇三郎, 鯉沼秀臣, 川崎雅司

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002年9月24日
立方晶In_xGa_1-xN/GaN量子井戸における発光ダイナミクス

秩父重英, 尾沼猛儀, 北村寿朗, 宗田孝之, 中村修二, 奥村元

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002年9月24日
ZnO単結晶の偏光反射スペクトルの解析

鳥井康介, 秩父重英, 宗田孝之, CANTWELL G, EASON D B, LITTON C W

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002年9月24日
立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較分極効果の有無と励起子局在効果

秩父重英, 黒田剛正, 尾沼猛儀, 北村寿朗, 宗田孝之, 竹内淳, DENBAARS S P, 中村修二, 奥村元

電子情報通信学会技術研究報告　2002年6月14日
減圧MOVPE成長CuAl(S_xSe_1-x)₂エピタキシャル薄膜におけるバンドギャップボーイングと残留歪

原田佳幸, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002年3月27日
ジエチルセレンを用いたCIS薄膜のセレン化成長

杉山睦, 大挟正寛, 早川明憲, 水谷勤, 中西久幸, 秩父重英, 根上卓之, 和田隆博

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002年3月27日
ラマン散乱による3C‐SiC基板上の立方晶InGaNにおける光学フォノンの観察

鳥井康介, 臼倉奈留, 北村寿朗, 秩父重英, 宗田孝之, 奥村元

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002年3月27日
カルコパイライト型半導体Sb‐doped CuInS₂結晶の結晶成長と評価

小牧弘典, 吉野賢二, 三宅秀人, 秩父重英, 横山宏有, 前田幸治, 碇哲雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002年3月27日
ZnOエピタキシャル薄膜のフォトリフレクタンススペクトル (2)

秩父重英, 塚崎敦, 田村謙太郎, 瀬川勇三郎, 宗田孝之, 川崎雅司, 鯉沼秀臣

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002年3月27日
ZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー

秩父重英, 吉田丈洋, 尾沼猛儀, 保立倫則, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002年3月27日
TEM‐CL法によるInGaN層の発光と格子欠陥

堀内大吾, GRILLO V, 山本直紀, 秩父重英, 向井孝志

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002年3月27日
H⁺打ち込みCuInSe₂バルク単結晶のフォトルミネッセンス特性

山本貴史, 秩父重英, 吉野賢二, YAKUSHEV M, PILKINGTON R D

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002年3月27日
ZnOエピタキシャル薄膜のフォトリフレクタンススペクトル (1)

秩父重英, 宗田孝之, FONS P J, 岩田拡也, 山田昭政, 松原浩司, 仁木栄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002年3月27日
GaN成長膜中の転位のTEM‐CL評価

山本直紀, 三田朋宏, 伊東洋嗣, 秩父重英, DENBAARS S. P

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001年9月11日
立方晶In_0.1Ga_0.9N量子井戸における励起子局在効果

秩父重英, 黒田剛正, 杉山睦, 北村寿朗, 尾沼猛儀, 山本貴史, 中西久幸, 宗田孝之, 竹内淳, 石田夕起, 奥村元

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001年9月11日
RF‐MBE法により作製した立方晶AlGaN/GaNヘテロ構造における電気的特性のAl組成依存性

北村寿朗, SHEN X. Q, 石田夕起, 中西久幸, 秩父重英, 奥村元

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001年9月11日
緑色‐紫外フォトルミネッセンスを呈する減圧MOVPE成長CuAl_xGa_1-xS₂エピタキシャル薄膜

原田佳幸, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001年9月11日
AIN薄膜の励起子スペクトル

尾沼猛儀, 秩父重英, 宗田孝之, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 柴田智彦, 田中光浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001年9月11日
CuGaS₂への銅Schottkyコンタクト形成

杉山睦, 仲井陸郎, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001年9月11日
GaNにおける励起子の光学的非線形性と位相緩和

羽豆耕治, 鹿内周, 宗田孝之, 足立智, 秩父重英, 向井孝志

日本分光学会講演要旨集　2001年5月10日
RF‐MBE法による立方晶InGaN/GaN多重量子井戸構造の光学特性の構造依存性

鈴木祥仁, 北村寿朗, SHEN X. Q, 石田夕起, 中西久幸, 秩父重英, 奥村元

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
タンデムファブリ‐ペローを用いたAlNのブリルアン散乱

山口雅史, 八木駿郎, 古賀雄大, 中村厚, 宗田孝之, 秩父重英, 浅井圭一郎, 中村幸則, 柴田智彦, 田中光浩

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
AlNのラマン及び赤外活性フォノンの観察 II

紺野泰正, 古賀雄大, 中村厚, 宗田孝之, 秩父重英, 浅井圭一郎, 中村幸則, 柴田智彦, 田中光浩

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
カルコパイライト型半導体AgGa_xIn_1-xS₂の結晶成長と評価

吉野賢二, 梅田研太, 小牧弘典, 碇哲雄, 秩父重英, 中村元宣, 大挟正寛, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
InGaNにおける励起子の局在化(1)―圧電効果の小さい量子井戸―

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
Cu(Al,Ga)(S,Se)₂のバンド不連続量の見積もり

杉山睦, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
[100]配向高品質β‐FeSi₂連続膜の吸収特性

高倉健一郎, 広井典良, 末益崇, 秩父重英, 長谷川文夫

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
陽電子消滅によるGaNの評価(II)―Polarity制御GaN

上殿明良, 秩父重英, CHEN Z. Q, 角谷正友, 鈴木良一, 大平俊行, 三角智久, 向井孝志, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
InGaNにおける励起子の局在化(2)―圧電効果の無い立方晶InGaN薄膜―

杉山睦, 黒田剛正, 北村寿朗, 山本貴史, 出口隆弘, 中西久幸, 石田夕起, 奥村元, 竹内淳, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
RF‐MBE法によるAlNバッファを用いた立方晶GaNの作製と電気的特性

北村寿朗, 鈴木祥仁, SHEN X. Q, 石田夕起, 中西久幸, 秩父重英, 奥村元

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
陽電子消滅によるGaNの評価(I)―アンドープ,Si,MgドープGaN

上殿明良, 秩父重英, CHEN Z. Q, 角谷正友, 鈴木良一, 大平俊行, 三角智久, 向井孝志, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
β‐FeSi₂半導体の高圧下における光吸収特性 II

寺西良太, 老沼純, 森嘉久, 財部健一, 末益崇, 長谷川文夫, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
アンモニアMBE法におけるGaN膜の結晶性の向上

大来英之, 嶋田雄二, 鈴木晃, 清水三聡, 中西久幸, 秩父重英, 奥村元

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
GaNにおける励起子の位相破壊時間の温度依存性

羽豆耕治, 鹿内周, 宗田孝之, 足立智, 秩父重英, 向井孝志, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
電流変調法によるInGaN単一量子井戸青/緑色発光ダイオードの評価

小豆畑敬, 本間健史, 秩父重英, 宗田孝之, 向井孝志, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
GaNにおける縮退四光波混合シグナルの励起波長依存性

羽豆耕治, 鹿内周, 宗田孝之, 足立智, 秩父重英, 向井孝志, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日
β‐FeSi₂における高圧光吸収測定

寺西良太, 老沼純, 森嘉久, 財部健一, 末益崇, 長谷川文夫, 秩父重英

高圧討論会講演要旨集　2000年10月20日
Ga過剰条件MBE成長CuGaSe₂エピタキシャル薄膜の酸素アニール効果

西尾明彦, 山田昭政, 仁木栄, FONS Paul, 大柳宏之, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2000年9月3日
GaNのATRスペクトル

鳥井康介, 臼倉奈留, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2000年9月3日
Polarity制御GaN薄膜の光学的特性

瀬戸口晶子, 吉村克彦, 角谷正友, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2000年9月3日
Si基板上のZnS薄膜の高温成長と酸化による特性変化考察

YOO Y. Z, 知京豊裕, 福村知昭, JIN Z. W, 瀬戸口晶子, 秩父重英, 川崎雅司, 鯉沼秀臣

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2000年9月3日
CAICISSによる3元混晶In_xGA_1-xN SQWsの構造解析

角谷正友, 水野敬介, 古澤光康, 吉本護, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2000年9月3日
InGaN/AlGaN単一量子井戸紫外発光ダイオードの分光学的評価(1)

出口隆弘, 鳥井康介, 島田和宏, 宗田孝之, 松尾隆二, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2000年3月28日
R面サファイア上A面AlNエピタキシャル膜のX線解析

中村厚, 松尾隆二, 宗田孝之, 秩父重英, 浅井圭一郎, 中村幸則, 柴田智彦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2000年3月28日
AlNのラマン及び赤外活性フォノンの観察

古賀雄大, 小野将之, 鳥井康介, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 浅井圭一郎, 中村幸則, 柴田智彦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2000年3月28日
InGaN/AlGaN単一量子井戸紫外発光ダイオードの分光学的評価(2)

瀬戸口晶子, 和田一実, 仲井陸郎, 鳥井康介, 出口隆弘, 中西久幸, 秩父重英, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2000年3月28日
GaN単一量子井戸による光励起による内部電場遮蔽のダイナミクス

鹿内周, 羽豆耕治, 出口隆弘, 黒田剛正, 竹内淳, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999年9月1日
Si添加InGaNにおけるキャリア緩和の温度依存性

鹿内周, 羽豆耕治, 黒田剛正, 竹内淳, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999年9月1日
CuInSe₂薄膜における成長その場Se空孔制御

内野学, 仁木栄, FONS P J, 山田昭政, 大柳宏之, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999年9月1日
無添加,およびSi添加InGaNにおける吸収飽和

鹿内周, 羽豆耕治, 黒田剛正, 竹内淳, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999年9月1日
LEO成長GaN基板のフォトリフレクタンススペクトル

秩父重英, 鳥井康介, 出口隆弘, 瀬戸口晶子, 仲井陸郎, 杉山睦, 中西久幸, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999年9月1日
GaN/AlGaN単一量子井戸における量子閉じ込めシュタルク効果

出口隆弘, 山本政, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
RF MBEによるInGaN三元混晶成長

CHO S H, 奥村元, 江井智康, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
GaN基板の光学フォノン II

小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
MBE成長CuGaSe₂/GaAsの輸送特性とその評価における障害

山田昭政, 小田島大介, FONS P, 仁木栄, 大柳宏之, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
LEO‐GaN上に成長したGaN単膜,InGaN量子井戸の光学的特性

瀬戸口晶子, 秩父重英, MARCHAND H, MINSKY M, DENBAARS S, ROSNER J, 出口隆弘, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
Si添加障壁層を有するInGaN量子井戸の光学的特性

杉山陸, 秩父重英, MINSKY M, ABARE A, MACK M, DENBAARS S, 出口隆弘, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
CuIn₃Se₅薄膜における禁制帯幅の組成依存性

水谷勤, 杉山睦, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
InGaN量子井戸における電界効果とエネルギーギャップ不均一性

秩父重英, 和田一実, ABARE A, MINSKY M, DENBAARS S, 出口隆弘, 鳥井康介, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
AgIn(S_ySe_1-y)₂の光学特性

杉山睦, 曽雌孝宏, 秩父重英, 中西久幸, 三谷直司, 吉野賢二, 碇哲雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
MBE成長GaNエピ膜の電気的特性に対する窒素フラックス変調操作の効果

高平忍, 秩父重英, 中西久幸, 奥村元, BALAKRISHNAN K

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
CuInSe₂エピタキシャル薄膜の成長温度依存性

藍陽介, 仁木栄, 内野学, FONS P J, LACROIX Y, 山田昭政, 大柳宏之, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
GaNにおけるRashba‐Sheka‐Pikus価電子帯パラメータ

鳥井康介, 出口隆弘, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
CuInSe₂エピタキシャル薄膜におけるCu‐Se異相とアニール効果 (II)

内野学, 仁木栄, 藍陽介, FONS P J, 山田昭政, LACROIX Y, 大柳宏之, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
InGaN/AlGaN単一量子井戸のゲインスペクトロスコピー

出口隆弘, 山本政, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日
h‐GaNのブリルアン散乱 II

山口雅史, 八木駿郎, 出口隆弘, 島田和宏, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二

日本物理学会講演概要集　1998年9月5日
GaN基板の光学フォノン

小豆畑敬, 小野将之, 利川豪舜, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998年9月
タンデムファブリー・ペローを用いたGaNのブリルアン散乱 II

山口雅史, 八木駿郎, 出口隆弘, 島田和宏, 宗田孝之, 鈴木克生, 小豆畑敬, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998年9月
CuInSe₂のMBE成長におけるその場ラジカル照射効果

仁木栄, 内野学, FONS P J, LACROIX Y, 山田昭政, 岩田拡也, 大柳宏之, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998年9月
CuInSe₂エピタキシャル薄膜におけるCu‐Se異相とアニール効果

内野学, 仁木栄, 山田昭政, FONS P J, LACROIX Y, 岩田拡也, 藍陽介, 小田島大介, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998年9月
GaN基板の光学的特性 (1)

鳥井康介, 出口隆弘, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998年9月
InGaNの時間分解スペクトロスコピー (1)

鹿内周, 秩父重英, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998年3月
MBE成長したCuInSe₂エピタキシャル薄膜における空孔型欠陥とアニール効果

仁木栄, 内野学, FONS P, 山田昭政, LACROIX Y, 酒井夏子, 横川晴美, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998年3月
InGaNの光学的特性 (8)

出口隆弘, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998年3月
As雰囲気c‐GaN成長表面における表面再配列転移とAs照射量の関係

浜口寛, FEUILLET G, 奥村元, 石田夕起, 秩父重英, 中西久幸, 吉田貞史

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998年3月
InGaNの光学的特性 (9)

出口隆弘, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998年3月
InGaNの光学的特性 (10)

鳥井康介, 秩父重英, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998年3月
InGaNの光学的特性 (7)

出口隆弘, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1997年10月
MBD法によるCuGaSe₂薄膜の光吸収特性

内野学, 新谷英史, 水谷勤, 秩父重英, 中西久幸, 仁木栄, FONS P J, 山田昭政

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1997年10月
CuAlSe₂における2フォノン吸収スペクトルと格子力学

渡辺宗久, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 鈴木克生

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1997年10月
InGaNの光学的特性 (6)

出口隆弘, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 有田正樹, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1997年10月
Asサーファクタント効果を用いたc‐GaNの成長

浜口寛, 多田健司, BALAKRISHNAN K, 奥村元, 秩父重英, 中西久幸, 吉田貞史

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1997年10月
CuAlSe₂の格子力学

渡辺宗久, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 鈴木克生

日本物理学会講演概要集(分科会)　1997年9月
MOCVD成長h‐GaN/Sapphireの光学的特性 VIII 時間分解分光 (1)

出口隆弘, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 猿倉信彦, 大竹秀幸, 山中孝弥, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997年3月
InGaNの光学的特性 (5)

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997年3月
MOVPE成長CuInSe₂からの室温バンド端フォトルミネッセンス

水谷勤, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997年3月
InGaN量子井戸における励起子の局在化

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997年3月
ワイドギャップ化合物半導体のUrbach’s Tails (1) h‐GaN

水谷勤, 塩田剛史, 秩父重英, 中西久幸, 出口隆弘, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997年3月
引っ張り歪みh‐GaNのフォトリフレクタンスおよびフォトルミネッセンススペクトル

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 天野浩, 赤崎勇

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997年3月
RF‐MBE法による高品質立方晶GaN,AlGaNエピ膜の成長

白井啓一, 浜口寛, 太田一生, BALAKRISHNAN K, 奥村元, 秩父重英, 中西久幸, 石田夕起, 吉田貞史

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997年3月
交互供給法によるCuInSe₂系薄膜成長

八巻譲, 塩田剛史, 秩父重英, 入江泰三, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997年3月
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるCIS系薄膜太陽電池用各種機能層の作製 (II) ZnO:Al

八巻譲, 山谷一史, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997年3月
GaN成長におけるAsサーファクタント効果

浜口寛, 太田一生, BALAKRISHNAN K, 奥村元, 秩父重英, 中西久幸, 吉田貞史

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997年3月
RF‐MBE法によるサファイア基板上の六方晶GaNエピ膜の成長初期過程

八百枝徹, BALAKRISHNAN K, 奥村元, 秩父重英, 中西久幸, 吉田貞史

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997年3月
MOCVD成長h‐GaN/sapphireの光学特性VII 光吸収スペクトル (2)

出口隆弘, 小豆畑敬, 秩父重英, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
3C‐SiC基板上の立方晶GaNの表面再配列構造

浜口寛, FEUILLET G, 奥村元, 秩父重英, 中西久幸, 吉田貞史

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
InGaNの光学的特性 (2)

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
立方晶および六方晶GaNのフォトリフレクタンスおよびフォトルミネッセンススペクトル

秩父重英, 奥村元, FEUILLET G, 浜口寛, 中村修二, 吉田貞史

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるCIS系薄膜太陽電池用各種機能層の作製の試み

山谷一史, 塩田剛史, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
InGaNの光学的特性 (3)

筒井宏次, 小豆畑敬, 秩父重英, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
CuInSe₂バルク単結晶のエレクトロリフレクタンス

白方祥, 秩父重英, 中西久幸, 磯村滋宏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
InGaNの光学的特性 (4)

五十嵐隆史, 小豆畑敬, 秩父重英, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
多源時間差蒸着装置を用いた四元化合物半導体ZnInGaS₄薄膜成長の試み

万場則夫, 塩田剛史, 秩父重英, 入江泰三, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
多元化合物半導体薄膜の界面・構造制御と物性 MOVPE成長Cu‐III‐VI₂族エピタキシャル膜における格子歪の評価

白方祥, 秩父重英, 磯村滋宏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
多元化合物半導体薄膜の界面・構造制御と物性 I‐III‐VI₂カルコパイライト形半導体のMOVPE

秩父重英, 白方祥, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
InGaNの光学的特性 (1)

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
多源時間差蒸着装置を用いたCuInSe₂系薄膜成長の試み

塩田剛史, 万場則夫, 山谷一史, 秩父重英, 入江泰三, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996年9月
CuInSe₂薄膜の光吸収スペクトルの解析

鹿内周, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中西久幸, FONS P, 山田昭政, 仁木栄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996年3月
MBE,MBD成長CuInSe₂薄膜の励起子エネルギー

秩父重英, 仁木栄, 倉藤崇, 芳賀清顕, 山谷一史, FONS P, 山田昭政, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996年3月
MOCVD成長h‐GaNのフォトリフレクタンススペクトル (2)

小豆畑敬, 秩父重英, 宗田孝之, 鈴木克生

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996年3月
h‐GaNのブリルアン散乱

山口雅史, 小豆畑敬, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二, 八木駿郎

日本物理学会講演概要集(年会)　1996年3月
THM‐CuGa_0.96In_0.04Se₂基板上へのCuGaSe₂,CuAlSe₂のエピタキシャル成長 II 光学的評価

白方祥, 秩父重英, 三宅秀人, 磯村滋宏, 中西久幸, 杉山耕一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996年3月
InGaAs疑似格子整合基板上に成長したCuInSe₂エピ層の特性

仁木栄, 倉藤崇, FONS P J, 山田昭政, 牧田雄之助, 秩父重英, 中西久幸, BI W, TU C W

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996年3月
高輝度X線回折装置によるCuInSe₂エピタキシャル薄膜の構造評価

水谷勤, FONS P, 仁木栄, 秩父重英, 中西久幸, 山田昭政, 牧田雄之助

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996年3月
MOCVD成長h‐GaNのフォトリフレクタンススペクトル (1)

秩父重英, 小豆畑敬, 倉又朗人, 堀野和彦, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996年3月
THM‐CuGa_0.96In_0.04Se₂基板上へのCuGaSe₂,CuAlSe₂のエピタキシャル成長 I MOCVD成長

秩父重英, 白方祥, 三宅秀人, 杉山耕一, 磯村滋宏, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996年3月
タンデムファブリ・ペローを用いたGaNのブリルアン散乱

山口雅史, 小豆畑敬, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二, 八木駿郎

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996年3月
垂直ブリッジマン法によるZnInGaS₄単結晶成長

高橋昭, 秩父重英, 高橋正郎, 武井隆太郎, 万場則夫, 入江泰三, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995年8月
MOCVD成長h‐GaN/Sapphireの光学特性 V フォトルミネッセンススペクトル

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995年8月
CuInSe₂バルク単結晶の光吸収スペクトルにおけるUrbach’s tails

塩田剛史, 石川丈介, 木村宣隆, 山谷一史, 秩父重英, 刈谷哲也, 遠藤三郎, 入江泰三, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995年8月
MBE法により作製したCuInSe₂薄膜の光学的特性 (IV)

倉藤崇, 仁木栄, 牧田雄之助, 山田昭政, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995年8月
4元系ワイドギャップ化合物の結晶成長と光物性

安藤静敏, 秩父重英, 塚本恒世, 遠藤三郎, 中西久幸, 入江泰三

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995年8月
MOCVD成長h‐GaN/Sapphireの光学特性 VI 光吸収スペクトル

小豆畑敬, 古田紀文, 鹿内周, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995年8月
MBE装置により成長させたCuInSe2/7059glassの光吸収特性 (II)

石川丈介, 倉藤崇, 芳賀清顕, 牧田雄之助, 仁木栄, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995年8月
融液成長法によるAgGaS₂の成長 (II)

脇山俊士, 松本智, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995年8月
CuAlS₂エピタキシャル層からの可視・紫外フォトルミネッセンス

秩父重英, 小豆畑敬, 白方祥, 芳賀清顕, 宗田孝之, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995年8月
格子不整合の小さい基板上へのCuInSe₂エビ膜の成長とその評価

仁木栄, 倉藤崇, 山田昭政, 牧田雄之助, 秩父重英, 中西久幸, BI W, TU C W

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995年8月
MOCVD成長h‐GaN/Sapphireの光学特性 IV フォトリフレクタンススペクトル (2)

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995年8月
XPSによるCdS/CdInGaS₄ヘテロ界面の評価

万場則夫, 秩父重英, 高橋正郎, 高橋昭, 武井隆太郎, 中西久幸, 入江泰三

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995年8月
MBE法により成長させたCuInSe₂/7059glassの光吸収特性

石川丈介, 和田哲也, 倉藤崇, 芳賀清顕, 牧田雄之助, 仁木栄, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995年3月
MOCVD成長h‐GaN/Sapphireの光学特性 I ラマン分光

小豆畑敬, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995年3月
MOCVD成長h‐GaN/Sapphireの光学特性 II 赤外分光

松永知道, 小豆畑敬, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995年3月
MOCVD成長CuGaS₂の分光学的評価

白方祥, 秩父重英, 磯村滋宏, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995年3月
減圧MOCVD法によるCuAl_xGa_1-xSe₂の成長 (II)

秩父重英, 白方祥, 刈谷哲也, 森貴朗, 原田佳幸, 芳賀清顕, 樋口博文, 中西久幸, 磯村滋宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995年3月
MBE成長したCuGaSe₂薄膜のPL特性

山田昭政, 河合倫大, 神頭卓司, 牧田雄之助, 仁木栄, 小原明, 秩父重英, 中西久幸, 入江泰三

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995年3月
MBE法によるCuInSe₂薄膜の光学的特性 (III)

倉藤崇, 仁木栄, 牧田雄之助, 山田昭政, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995年3月
MOCVD成長h‐GaN/Sapphierの光学特性 III フォトリフレクタンススペクトル

秩父重英, 宗田孝之, 小豆畑敬, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995年3月
p型CuInSe₂の状態密度分布

塩田剛史, 竹嶋基浩, 秩父重英, 中西久幸, 入江泰三

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995年3月
CuAlSe₂薄膜のEXAFSによる研究

山口博隆, 岡田安正, 秩父重英, 大柳宏之

日本放射光学会年会予稿集　1995年1月
CuAlSe₂におけるラマン散乱

小豆畑敬, 宗田孝之, 鈴木克生, 内田盟, 松本智, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1994年9月
ヨウ素輸送成長ZnInGaS₄単結晶の青色発光

高橋昭, 高橋正郎, 秩父重英, 湯本久美, 中西久幸, 遠藤三郎, 入江泰三

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1994年9月
CuAlS₂,CuAlSe₂の格子力学

小豆畑敬, 宗転孝之, 鈴木克生, 秩父重英

日本物理学会講演概要集(分科会)　1994年9月
MBE法によるCuInSe₂薄膜の光学的特性 (II)

倉藤崇, 仁木栄, 中西久幸, 秩父重英, 牧田雄之助, 山田昭政, 小原明

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1994年9月
MBE法によるGa‐richなCuGaSe₂薄膜の光学特性

河合倫大, 山田昭政, 牟田高信, 神頭卓司, 中西久幸, 秩父重英, 牧田雄之助, 入江泰三, 轡田昇

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1994年9月
減圧MOCVD法によるCuAlS₂の成長

秩父重英, 白方祥, 内田盟, 原田佳幸, 芳賀清顕, 脇山俊士, 中山憲吾, 樋口博文, 磯村滋宏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1994年9月
有機金属セレン原料を用いたGaAs表面のドライパッシベーション

吉田信秀, 秩父重英, 茜俊光, 宇治博史, 戸塚正裕, 内田盟, 松本智, 樋口博文

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1994年3月
カルコパイライト半導体エピタキシャル層の透過電子顕微鏡による観察

原田佳幸, 秩父重英, 内田盟, 脇山俊士, 松本智, 樋口博文

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1994年3月
LP‐MOCVD成長CuAlSe₂のフォルトルミネッセンス

秩父重英, 白方祥, 樋口博文, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1994年3月
減圧MOCVD法によるCuGaS₂の成長

秩父重英, 白方祥, 内田盟, 原田佳幸, 脇山俊士, 松本智, 樋口博文, 磯村滋宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1994年3月
ArFエキシマレーザミキシングによるSi_1-xGe_x/Si構造の作成

梅川将, 茜俊光, 宇治博史, 秩父重英, 松本智, 樋口博文

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1994年3月
融液成長法によるAgGaS₂の成長

脇山俊士, 秩父重英, 須藤亮, 内田盟, 原田佳幸, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1994年3月
GaAs表面のH₂Sドライパッシベーション

吉田信秀, 秩父重英, 茜俊光, 戸塚正裕, 宇治博史, 樋口博文, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993年9月
カルコパイライト化合物のフォトリフレクタンス(IV)‐MOCVD成長CuAlSe₂の評価 (II)

白方祥, 秩父重英, 磯村滋宏, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993年9月
ヨウ素輸送法によるCu(Al_xGa_1-x)SSeの成長 (II)

須藤亮, 小川明宏, 秩父重英, 白方祥, 脇山俊士, 松本智, 磯村滋宏, GUPUTA A

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993年9月
減圧MOCVD法によるCu(Al_xGa_1-x)Se₂の成長

原田佳幸, 秩父重英, 白方祥, 須藤亮, 内田盟, 脇山俊士, 樋口博文, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993年9月
減圧MOCVD法によるCuGaSe₂の成長

内田盟, 秩父重英, 白方祥, 須藤亮, 原田佳幸, 脇山俊士, 樋口博文, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993年9月
MOCVD成長CuAlSe₂エピタキシャル層のラマンスペクトル

秩父重英, 内田盟, 松本智, 鎌田敦之

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993年9月
有機金属原料tBPを用いたArFエキシマレーザPドーピング

茜俊光, 宇治博史, 梅川将, 秩父重英, 樋口博文, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993年9月
多結晶シリコンの低温成長

宇治博史, 茜俊光, 梅川将, 秩父重英, 樋口博文, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993年9月
CuGaSe₂/CuAlSe₂ヘテロ界面における価電子帯不連続のXPS評価

須藤亮, 秩父重英, 吉田信秀, 内田盟, 原田佳幸, 樋口博文, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993年9月
CuAl(S_ySe_1-y)₂混晶のフォトリフレクタンスとフォトルミネッセンス

小川明宏, 須藤亮, 白方祥, 秩父重英, 磯村滋宏, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993年9月
Ge(C₂H₅)₄を用いたa‐SiGe:H,C膜の作製 (II) 不純物添加

石原不二夫, 宇治博史, 秩父重英, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1993年3月
減圧MOCVD法によるCuAlSe₂の成長 (IV) 不純物添加 (1)

秩父重英, 白方祥, 岩井昭佳, 須藤亮, 内田盟, 原田佳幸, 樋口博文, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1993年3月
CuAl_xGa_1-xSe₂のフォトリフレクタンスとフォトルミネッセンス

小川明宏, 須藤亮, 白方祥, 秩父重英, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1993年3月
MOCVD成長CuAlSe₂エピタキシャル層のフォトルミネッセンス

白方祥, 秩父重英, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1993年3月
CuAl_xGa_1-xSe₂のフォトリフレクタンスとフォトルミネッセンス

小川明宏, 須藤亮, 白方祥, 秩父重英, 松本智, 磯村滋宏

電気関係学会四国支部連合大会講演論文集　1993年
減圧MOCVD法によるCuAlSe₂の成長 (II) 成長条件と構造評価

秩父重英, 白方祥, 岩井昭佳, 須藤亮, 内田盟, 原田佳幸, 樋口博文, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1992年9月
Cuの気相成長

秩父重英, 岩井昭佳, 須藤亮, 内田盟, 原田佳幸, 樋口博文, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1992年9月
カルコパイライト化合物のフォトリフレクタンス (III) MOCVD成長CuAlSe₂の評価

白方祥, 秩父重英, 磯村滋宏, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1992年9月
減圧MOCVD法によるCuAlSe₂の成長 (III) 電気,光学的特性

岩井昭佳, 秩父重英, 須藤亮, 内田盟, 原田佳幸, 樋口博文, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1992年9月
有機V族原料(tBAs)を用いた減圧MOCVD法によるSiドープGaAs成長と単色陽電子消滅による評価

秩父重英, WEI L, 岩井昭佳, 中原寧, 樋口博文, 松本智, 谷川庄一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1992年9月
有機金属原料(tBAs)を用いたSiへのArFエキシマレーザAsドーピング

秩父重英, 二井隆博, 茜俊光, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1992年3月
エキシマレーザドーピングにおける不純物濃度プロファイルの制御

茜俊光, 二井隆博, 秩父重英, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1992年3月
減圧MOCVD法によるCuAlSe₂の成長

秩父重英, 岩井昭佳, 中原寧, 松本智, 樋口博文

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1992年3月
ヨウ素輸送法によるCu(Al_xGa_1-x)(S_0.5Se_0.5)₂の成長

秩父重英, 宍倉正人, 須藤亮, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1992年3月
溶融Zn処理による垂直ブリッジマン法成長ZnSeの低抵抗化

岩井昭佳, 大井鋼一郎, 秩父重英, 松本智, 吉田博昭, 鎌田敦之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1992年3月
TMGa:tBAs系減圧MOCVD法GaAsへの高濃度Siドーピング

秩父重英, 岩井昭佳, 松本智, 樋口博文

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1991年10月
ヨウ素輸送法によるCuAl(S_xSe_1‐x)₂混晶系の特性

宍倉正人, 須藤亮, 秩父重英, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1991年10月
LEC GaAsの熱処理におけるEL2の外方拡散

緒方順造, 岩井昭佳, 秩父重英, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1991年3月
ヨウ素輸送法CuAlSe₂結晶の特性(2):吸収,PL

秩父重英, 宍倉正人, 井野淳介, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1991年3月
ヨウ素輸送法CuAlSe₂結晶の特性(1):構造,ドーピング

秩父重英, 宍倉正人, 井野淳介, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1991年3月
超高速InGaAsP/InP SA‐CMレーザの低温動作特性

秩父重英, 平山雄三, 森永素安, 鈴木信夫

電子情報通信学会全国大会講演論文集　1989年9月
GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

李リヤン,嶋紘平, 山中瑞樹, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

第77回応用物理学会東北支部学術講演会　2022年12月2日

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2pA7-2
Striped and fin-shaped cation orderings and self-formed compositional superlattices in an m-plane Al0.7In0.3N on GaN heterostructure 国際会議

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021年3月1日
全方位フォトルミネセンス (ODPL) 分光法を用いた半導体結晶の評価招待有り

小島一信, 秩父重英

The 40th annual NANO testing symposium　2020年11月16日

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産業財産権 15

結晶製造用圧力容器

栗本浩平, 包全喜, 植田睦男, 笹川雄二, 森元雅也, 石黒徹, 秩父重英

米国特許第11,746,439B2号

産業財産権の種類: 特許権

権利者: 株式会社日本製鋼所,国立大学法人東北大学
結晶製造用圧力容器

栗本浩平, 包全喜, 植田睦男, 笹川雄二, 森元雅也, 石黒徹, 秩父重英

中国特許第ZL201880023029.8号

産業財産権の種類: 特許権

権利者: 株式会社日本製鋼所,国立大学法人東北大学
結晶製造用圧力容器

栗本浩平, 包全喜, 植田睦男, 笹川雄二, 森元雅也, 石黒徹, 秩父重英

特許第6931827号

産業財産権の種類: 特許権

権利者: 株式会社日本製鋼所,国立大学法人東北大学
中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法

中野孝之, 秩父重英, 小島一信

特許6856214

産業財産権の種類: 特許権

権利者: 国立大学法人静岡大学、国立大学法人東北大学
二次電池

殿川孝司, 小坂裕, 津國和之, 高野光, 秩父重英, 小島一信

産業財産権の種類: 特許権
光触媒

板原浩, 今川晴雄, 佐藤次雄, 殷シュウ, 呉暁勇, 秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹

産業財産権の種類: 特許権
周期表第13族金属窒化物結晶

斉藤真, 包全喜, 石黒徹, 秩父重英

産業財産権の種類: 特許権
周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法

斉藤真, 包全喜, 石黒徹, 秩父重英

産業財産権の種類: 特許権
窒化物単結晶の製造方法

石黒徹, 包全喜, 横山千昭, 冨田大輔, 秩父重英, 茅野林造, 植田睦男, 斉藤真, 鏡谷勇二

産業財産権の種類: 特許権
窒化物単結晶の製造方法

石黒徹, 包全喜, 横山千昭, 冨田大輔, 秩父重英, 茅野林造, 植田睦男, 斉藤真, 鏡谷勇二

特許第6192956号

産業財産権の種類: 特許権
窒化物単結晶の製造方法

石黒徹, 包全喜, 横山千昭, 冨田大輔, 秩父重英, 茅野林造, 植田睦男, 斉藤真, 鏡谷勇二

産業財産権の種類: 特許権
トランジスタ用半導体基板、トランジスタ及びトランジスタ用半導体基板の製造方法

秦雅彦, 佐沢洋幸, 秩父重英, 島田和宏

産業財産権の種類: 特許権
トランジスタ用半導体基板、トランジスタ及びトランジスタ用半導体基板の製造方法

秦雅彦, 佐沢洋幸, 秩父重英, 島田和宏

特許第6001345号

産業財産権の種類: 特許権
積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子

秩父重英, 羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和

特許第5661509号

産業財産権の種類: 特許権
窒化物半導体紫外線発光素子

平野光, 長澤陽祐, 秩父重英, 小島一信

特許6391207

産業財産権の種類: 特許権

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共同研究・競争的資金等の研究課題 24

半導体微小共振器のトップダウン形成と紫外ポラリトンレーザ応用

嶋紘平, 秩父重英

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2025年4月～ 2028年3月
グラファイト型層状窒化ホウ素の気相合成と光電子素子材料としての物性解明

秩父重英, 嶋紘平

2023年6月30日～ 2025年3月31日
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御

秩父重英, 嶋紘平

2022年4月1日～ 2025年3月31日
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御

上殿明良, 石橋章司, 秩父重英, 奥村宏典

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：University of Tsukuba

2021年4月1日～ 2025年3月31日

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半導体デバイスとして使用されるIII属窒化物半導体のイオン注入により導入された点欠陥の同定とその焼鈍挙動を、点欠陥を直接検出することができる手法である陽電子消滅、また、フォトルミネッセンス、カソードルミネッセンス法、電気的特性評価等により研究する。得られた結果から、窒化物半導体の点欠陥の挙動、各種ドーパントとの相互作用を解明することが本研究の目的である。また、ドナー、アクセプターとして機能する原子だけでなく、活性化を阻害ないしは促進すると考えられている元素についてもイオン注入を行い、欠陥の回復過程にどのような影響を与えるかを調べる。陽電子は物質中に入射すると電子と消滅しγ線が放出される。γ線のエネルギー分布や陽電子寿命を測定することにより、空孔型欠陥を検出する。陽電子消滅計算シミュレーションの結果と実験結果を比較することにより、空孔型欠陥の種類（サイズ、不純物との複合状態等）についての詳しい情報が得られる。本研究により、陽電子消滅と他の欠陥に敏感な手法を組み合わせることにより、注入不純物の活性化、拡散、等について詳細に研究する。
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御

上殿明良, 石橋章司, 秩父重英, 奥村宏典

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：University of Tsukuba

2021年4月1日～ 2025年3月31日
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御

秩父重英, 嶋紘平

2022年4月～ 2025年3月

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窒化ホウ素(BN)には、間接遷移型バンド構造でありながら室温で210～230nmの高効率発光を呈する六方晶(h)BNや、機械強度が強くp, n型の導電性や接合形成が報告されている閃亜鉛鉱構造(c)BNなどがあり、各々深紫外(DUV)光源、高温動作トランジスタ等を実現できる可能性がある。しかしながら、異相・多形が多く半導体光エレクトロニクスグレードの高純度エピタキシャル成長が困難である。R4年度の成果は以下のとおりである。 ①半導体光エレ品質のhBNエピ膜を成長させるため、既存の有機金属気相エピタキシャル成長（MOVPE）装置の改造を行った。目的は基板温度を従前の最高1200 ℃程度から1400-1500 ℃で使用できるように改造を行うことであり、付随して反応室全体の再構築を行った。年度末の段階で部品がすべて揃った。 ②BN薄膜の構造・電気的評価：世界情勢を鑑み、自前の装置による試料作製が間に合わない見込みであったため、他機関が結晶成長させた化学気相堆積（CVD）hBN薄膜を用いて異形や相純度に関する評価技術と知識を習得した。 ③BN薄膜の光学的特性評価：②と同じCVD hBN薄膜を用い、静的カソードルミネッセンス（CL）、時間分解CL、時間空間分解CL測定系を、波長200-230nmで高感度が得られるように修正した。 ④CVDによるBN薄膜の評価を通じ、間接遷移型のcBNの発光効率よりも、hBNの積層を少し変調しグラファイト積層構造にしたGraphitic BN（又はBernal BN、略してbBN）や単一hBN層（monolayer BN)の研究を進めた方が高効率発光が得られ、応用展開も開けると判断した（CVD膜でのbBN相の発見は世界初であり、当該論文はAPL誌のFeatured Articleに選ばれた）。R5年度以降はhBNとbBNの研究に集中する。
六方晶窒化ボロン半導体の直接遷移型化と深紫外励起子発光ダイナミクスの研究

秩父重英, 原和彦, 小島一信, 嶋紘平

2020年7月30日～ 2023年3月31日

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六方晶層状窒化ボロン(hBN)は禁制帯幅約6eVの超広禁制帯幅(UWBG)半導体であり、間接遷移型半導体ながら230 nm以下の発光を呈すため深紫外(DUV)光源用材料として期待できる。ごく最近単一原子層六方晶BN（mBN）やBernal型層状BN(bBN)の禁制帯が直接遷移型となる事が報告されたが、検証する基礎研究が必要である。しかしながらUWBG半導体のパルス励起は困難であり発光ダイナミクス研究自体が極めて少ない。本研究の目的は、mBNやbBNの発光機構を明らかにすることである。 2021年度は以下の項目を実施した。 (1)原料ガスのNH3およびBCl3を反応管に導入するタイミングがhBN薄膜の形成に大きな影響を与えることを明らかにした。特に、同時供給の場合に結晶性、発光特性ともに大幅に改善されることがわかった。一方、 NH3先行供給は成長を阻害した。また、金属初期層による成長モードの制御も試み、Ni層上では、(i)凝集したNi粒上で横方向成長、(ii) 粒周囲で粒に沿った成長、および(iii) 粒と粒の間で柱状成長の、3つの異なる機構で成長していることがわかった。次年度は、これらの結果を活用し、layer by layer 成長に適した基板表面上においてNiを成長核としたmBNの作製を目指す。 (2)発光機構解明に用いるフェムト秒パルスDUVレーザの光学部品を刷新して高出力化と安定化を行い、hBNの時間分解フォトルミネッセンス測定を7～300 Kで実施して励起子発光ダイナミクスの温度依存性を取得した。 (3)フェムト秒パルス電子線を用いる時間分解カソードルミネッセンス（CL）計測の予備実験として連続電子線による広域CL測定を実施した。1μm厚のBN薄膜に加え、従来6層以下では計測が困難であったmBNのCL測定を実現した。 (4)フェムト秒パルス電子線を集束して用いる時間・空間同時分解蛍光計測系に電子線減速機構を付加して低加速電圧計測系を立ち上げ、hBN薄膜の空間分解CL測定を行った。
窒化ホウ素の科学のための高品位単結晶創製

谷口尚, 町田友樹, 山田貴壽, 小島一信, 宮川仁, 秩父重英

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：National Institute for Materials Science

2020年4月1日～ 2023年3月31日

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本課題では現行の不純物がppmにとどまっている六方晶窒化ホウ素（hBN）の高純度化のレベルをppb領域にまで引き上げた高品位化を実現し、hBNの遠紫外線発光素子の高効率化を始めとしたBNの科学の基礎を先導すること、機能発現を目指したhBN層間へのインターカーレーションに挑むことを目的としている。 2021年度は前年に引き続き、①BN 結晶の高品位化②高輝度遠紫外線発光効率の評価③新機能発現を目指したhBN層間へのインターカーレーション実験④国内外の2次系原子層デバイス研究者にhBN結晶を提供した。高品位化では高純度hBN合成に有用なBa-N系溶媒の改質において添加するBa化合物の純度(水和物)の影響を系統的に評価した。多数のhBN結晶を積分球を用いた外部量子効率（EQE）測定によって評価し、高純度化された（管理番号の大きい世代の）試料におけるEQEがおよそ3%（平均値。最大値としては6%程度が得られることもある）で一定になっていることを確認した。時間分解発光計測においてBN試料の共鳴ラマン散乱等の影響を避けるため、チタンサファイヤレーザの第4高調波を用いた時間分解フォトルミネッセンス(TRPL)ではなく、フェムト秒レーザ励起によるフェムト秒光電子銃を用いた時間分解カソードルミネッセンス（TRCL）測定を用いてバンド端発光の発光寿命評価を行うことを検討し、TRCL装置の立ち上げ作業を行った。インターカーレーション実験では、電気化学的手法によるK添加により作製した試料をTEMで観察した結果、EELSでKが層間に局在していることが示唆された。ラマン分光法による評価では、結晶性を損なわずにドーピングされていることが明らかとなった。ドーピングによる抵抗低下は観測されず、電界効果トランジスタ構造によるゲート変調による評価手法の確立が課題である。
情報通信資源としての深紫外帯の再探索

淡路祥成, 小島一信, 吉田悠来, 秩父重英

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：National Institute of Information and Communications Technology

2019年4月1日～ 2022年3月31日

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波長280nm以下の深紫外波長帯は、地表において陽光の影響を受けない所謂ソーラーブラインド帯であり、日中屋外においても高速光無線通信を実現可能であると期待される。しかし、高速変調可能な光源の不足から、先行研究における伝送速度は数Mbps程度であり、5G以降の要件を満たしていなかった。本研究では、殺菌用途などで発展著しいAlGaN系深紫外LEDを用い、日中屋外にてGbps級伝送を達成するとともに、高速変調を可能とするAlGaN LED特有の発光メカニズムを解明した。さらに、広視野角と高速伝送を両立するソーラーブラインド帯波長多重伝送システムを提案し、Gbps級伝送実験に成功した。
時間空間分解カソードルミネッセンスによる特異構造の光物性解明と機能性探索

秩父重英, 小島一信, 嶋紘平, 中須大蔵

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)

研究機関：Tohoku University

2016年6月30日～ 2021年3月31日

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不完全性や不均一性を包含する「特異構造」はバルクや表面と異種界面を形成する。特異構造におけるキャリア緩和や発光過程を理解するには、空間分解能と時間分解能を併せ持つ分光計測系が必須である。本研究では、フェムト秒レーザ励起パルス光電子銃を走査型電子顕微鏡に組み込み構築した時間空間分解陰極線蛍光計測系の高性能化を行い、人為形成、自然形成、及び不可避的に形成された各種ワイドバンドギャップ半導体特異構造の微小領域における発光波長や強度の時間推移を多次元にイメージングすることに成功し、領域内の他の研究班との協業により発光機構の物理的モデルを構築した。本研究の成果は、新しい光科学創成に貢献するものである。
広禁制帯幅ナノ構造を計測可能な時間・空間同時分解陰極線蛍光計測法の開発と応用

秩父重英, 小島一信

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2017年4月1日～ 2020年3月31日

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半導体量子構造や蛍光体においてナノメートル領域で起こる発光の動的観測を実現するには、空間分解能と時間分解能を併せ持つ分光計測系が必要である。本研究では、禁制帯幅が大きい半導体を超短時間励起することができる、フェムト秒パルスレーザ励起フェムト～ピコ秒パルス光電子銃の高強度化を行い、それを走査型電子顕微鏡に組み込み微小領域に電子線を集束して発光計測を行う時間・空間同時分解カソードルミネッセンス装置の高空間分解能化と高感度化を、リターディング機構の付加や検出系の改善などにより達成した。そして、AlNやAlGaN、BN、ZnOナノ構造等の微小領域における発光寿命計測に成功し、発光機構モデルを構築した。
深紫外線波長で巨大な励起子効果を発揮する窒化ボロン半導体の発光ダイナミクス

秩父重英, 小島一信, 原和彦

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

研究機関：Tohoku University

2016年4月1日～ 2018年3月31日

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グローバルな水不足問題解決や各種励起光源の小型化のため、安価な固体深紫外線光源の実現が望まれている。本研究では、禁制帯幅波長が深紫外線域にあり、巨大な励起子効果が期待できる六方晶窒化ボロン（h-BN）微結晶・エピタキシャル膜の輻射・非輻射再結合ダイナミクスを明らかにするため、日本に唯一の時間空間同時分解蛍光計測装置を高機能化し、発光寿命や空間分布計測を行った。その結果、h-BNは間接遷移型半導体であるがよく光ること、その原因が巨大な励起子効果（強いフレーリヒ相互作用）により、フォノン散乱を介して運動量保存則を満たせるからであることを明らかにした。また、欠陥による影響も明らかにした。
高効率・高出力を両立するAlInN発光デバイスの実現

小島一信, 山崎芳樹, 秩父重英

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

研究機関：Tohoku University

2015年4月1日～ 2017年3月31日

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有機金属気相成長法によって成長したm面AlInNエピタキシャルナノ構造の構造解析および光物性の評価を行った。AlInNの結晶性は、ハイドライド気相成長法にて作製された低転位密度m面自立GaN基板上にコヒーレントに成長されたことで極めて改善した。AlInN層は1軸ないしは2軸性の異方的な歪を内包していたが、X線回折の半値幅は下地層と同等の低い値を示した。このようなm面AlInNエピタキシャルナノ構造を用いて、深紫外・青・緑色波長領域で動作する、蛍光表示管型の偏光発光素子を作製した。
室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成

秩父重英, 宗田孝之, 上殿明良, 羽豆耕治, 古澤健太郎

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2010年4月1日～ 2014年3月31日

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半導体中の励起子と微小共振器の光モードの強結合によりコヒーレント光を得る微小共振器結合励起子ポラリトンレーザは、新たな原理による低閾値コヒーレント光源として興味深い。本研究では、報告者の独自技術でありスパッタ法でありながら高品位半導体エピタキシャル成長が可能な「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法」を用い、室温動作の可能性が高い、酸化亜鉛活性層を分布ブラッグ反射鏡で挟む微小共振器構造を形成した。そして、共振器モードと結合した励起子ポラリトンによる発光を室温において観測した。本成果を導いたいくつかの技術により、新たなヘテロ構造や量子構造の形成及びナノ構造評価への道が拓けたといえる。
高輝度フェムト秒集束電子線発生によるワイドキャップ半導体の時空間同時分解計測開発

秩父重英, 羽豆耕治

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

研究機関：Tohoku University

2011年～ 2012年

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半導体微細構造においてナノメートル領域で起きる発光過程の動的観測を行うには、サブマイクロメートル台の空間分解能とピコ秒台の時間分解能を同時に実現するスペクトロスコピーが必要となる。本研究では、禁制帯幅が広い材料にもキャリアを励起可能であるが発生が困難であったフェムト秒～ピコ秒パルス電子線の高強度発生に成功して上記要求を満たす時間・空間同時分解カソードルミネッセンス(STRCL)計測装置を構築・確立し、GaN、AlN、高AlNモル分率AlGaN混晶の局所発光ダイナミクス計測を行ってカチオン空孔密度と非輻射再結合寿命、不純物総量と低温の輻射再結合寿命に強い相関があることを明らかにした。
III 族窒化物半導体の点欠陥と発光ダイナミックスの研究

上殿明良, 秩父重英, 押山淳, 内田和之, 白石賢二

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

研究機関：University of Tsukuba

2006年～ 2010年

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陽電子消滅と高精度時間分解PL測定により,(AlGaIn)Nの発光効率を支配する輻射・非輻射再結合寿命と点欠陥との相関を明らかにした.また,第一原理計算を用いて各種欠陥の原子・電子構造や表面・界面のバンド構造等について知見を得た.
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化亜鉛エピタキシーと微小共振器形成

秩父重英, 上殿明良, 宗田孝之, 杉山睦, 上殿明良, 宗田孝之, 杉山睦

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2007年～ 2009年

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微小共振器ポラリトンレーザは新たな原理によるコヒーレント光源として興味深い。本研究では、独自のヘリコン波励起プラズマスパッタ法により、酸化亜鉛をベースとする微小共振器構築に必須な酸化マグネシウム亜鉛系半導体のエピタキシャル成長を行った。また、誘電体及び導電性分布ブラッグ反射鏡の設計と作製を行い、新規導電性酸化膜(アナターゼ相ニオブ添加酸化チタン)のエピタキシャル成長にも成功した。安価なスパッタ技術で先端エピタキシー技術と遜色の無い上記材料群のエピタキシャル成長が可能な事を示した成果を発展させることにより、ヘテロ構造、量子構造デバイス形成への道を拓くことができた。
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化物半導体・誘電体エレクトロニクスの展開

秩父重英, 上殿明良, 末益崇

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：University of Tsukuba

2004年～ 2006年

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ヘリコン波励起プラズマスパッタ(HWPS)法を用いた酸化物エレクトロニクス開拓を目指し、多結晶薄膜の堆積、半導体単結晶のエピタキシャル成長、誘電物質の堆積と層構造形成、金属酸化物の堆積など多岐に渡るマテリアルデザインを行い、以下の成果を得た。 (1)HWPSによる半導体エピタキシャル成長法(HWPSE)を用いたMgZnO/ZnO構造の形成と紫外線発光デバイスヘの展開を図るべく、ZnOおよびMgZnOエピタキシャル成長における「高温熱処理自己緩衝層(HITAB)」の挿入効果を明らかにした。500-600℃程度の低温で約100nm程度のZnO、MgZnOを堆積後、高温(900℃-1000℃)で1時間熱処理することにより表面の平坦なHITABが形成できることがHWPSEおよびレーザMBE薄膜において確認できた。その機構は表面でのマストランスポートが支配的である。HITABの上に成長したZnO薄膜は、低温において自由励起子構造が分離観測できるフォトルミネッセンスを呈した。また、MgZnO薄膜の品質も向上することが明らかになった。 (2)太陽電池等の透明導電膜としてITOやAl、Ga添加ZnO多結晶をHWPS堆積した。III族ドナー不純物をAlからGaに変えたZnO: Ga堆積においても、ZnO: Al同様10^<20>cm^<-3>台の電子密度を実現できた。また、吸収層であるCuGaInSe_2のセレン化成長においては混晶の制御に成功した。 (3)中心波長366nmで99.5%の反射率を持ち、反射率95%以上の帯域幅が80nmに及ぶSiO_2/ZrO_2誘電体多層膜分布ブラッグ反射鏡(DBR)形成に、反応性HWPS(R-HWPS)法を用い成功した。 (4)Cu、Alの金属ターゲットと酸素ガスを用いたR-HWPS法と、CuAlO_2焼結ターゲットを用いたHWPS法によりデラフォサイト構造p型CuAlO_2透明導電膜の形成を行った。
酸化亜鉛系半導体を用いた室温動作励起子ポラリトンレーザ実現に関する基礎研究

秩父重英

2003年～ 2004年

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本研究は、励起子束縛エネルギーの大きい酸化亜鉛(ZnO)の優れた材料的特長をデバイスに抽出して生かすべく、励起子共鳴波長程度のZnO単結晶薄膜を対向する反射鏡で挟み込むことにより微小共振器を形成し、励起子と電磁波の連成波(励起子ポラリトン)を共振器モードに結合させることによって、室温において共振器結合励起子ポラリトンを形成することを最終目標として行った。2年間で得られた成果のハイライトは以下の点である。 1)申請者が独自に開発した「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(HWPSE)法」を用い、a面サファイヤ上へのZnOおよびMg_<0.06>Zn_<0.94>O混晶のエピタキシャル成長に成功した。また、プラズマ分光測定を通じ、MgZnO薄膜形成中にZnおよびMg原子からの強い発光が観測される事を見出した。従って、成長にはターゲットから飛び出すZn-O分子やMg-O分子だけでなく、カチオン原子が寄与している事を明らかにした。 2)微小共振器の構成部品となるSiO_2/ZrO_2誘電体多層膜および、MgZnO/ZnOとAIN/GaNの半導体多層膜の設計を、分布ブラッグ反射鏡の反射率計算から行った。その結果、誘電体多層膜では屈折率差が大きく取れることから、膜厚誤差ほぼ3nm以内で62.0nm/42.7nmの周期構造を8周期形成することにより99%の反射率が得られるが、半導体多層膜では同等の膜厚比で40周期程度堆積する必要がある事がわかった。この計算をもとに、実際に電子ビーム蒸着法と、HWPS法の2通りの方法でSiO_2/ZrO_2誘電体多層膜反射鏡の形成実験を行った。その結果、特にHWPS法を用いた場合に、表面の平均二乗粗さが0.2nm程度のSiO2やZrO2堆積できることが明らかになった。ブラッグ反射鏡としてはレコード級の平坦さである。 3)HWPSE法以外の成長法(レーザMBE法やMBE法)により成長されたZnO薄膜結晶を用い、励起子と電磁波の連成波の観測実験を行った。その結果、薄膜試料であってもi)高温成長による低Zn空孔密度化、ii)高温アニールによる低格子間欠陥密度化を行うことによって高次励起子や励起子ポラリトンが観測できることを示した。以上のように、萌芽的内容であり実現の可能性が未知数であった酸化亜鉛の励起子ポラリトン形成に関して、有用な知見を与えられたと考えている。
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法の提案と酸化物半導体ナノ構造の形成

秩父重英

2001年～ 2002年

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本研究は、独自に開発した「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(HWPSE)法」を用いて新機能性材料として期待される酸化亜鉛(ZnO)単結晶薄膜およびナノ構造を形成し、光エレクトロニクスデバイスへの応用を図ろうとるものである。 HWPSE法は、高密度かつ低エネルギーなヘリコン波励起プラズマ(HWP)をリモートプラスマ源として用いる新しい半導体薄膜形成技術である。しかし、特に化合物半導体ターゲットを用いたHWPスパッタ製膜の報告は現在でもほとんど無く、本手法による薄膜形成プロセスの詳細は明らかになっていなかった。そこで、ZnO薄膜成長中のHWP分光測定を初めて行い、ZnO薄膜形成過程を詳細を調査た・サファイアA面上へのZnO薄膜成長を試みた。ターゲットには無添加ZnO(5N)を用い、スパッタガスとしてAr/O_2混合ガスを導入した。分光の結果、HWP中からはArおよびO原子からの発光の他に、波長320nm付近にZn原子からの強い発光が観測された。同時にZnO分子からの弱い発光も観測した。これはZnO薄膜形成の主なプロセスがMBE法などと同様Zn+O→ZnOの化学反応であることを示すものである。基板温度700℃でサファイアA面上に成長したZnO薄膜は完全c軸配向し、面内においてもa軸がロックされた単一ドメインのエピタキシャル薄膜であった。原子間力顕微鏡による表面観測から、表面には原子レベルで平坦なテラスが特定の方位に幅100nm以上に拡がっており、各々のテラスが段差約3.04nmのステップを持って並ぶ構造であることがわかった。また、室温においてバンド端領域の紫外線発光(半値幅110meV程度)が支配的なPLスペクトルが得られた。バルクZnO結晶を用いて励起子と電磁波の連成波の観測も行なった。今後は超薄膜・テヘロ構造・量子構造の形成を行い、FIB加工によるナノ構造導入を検討する予定である。
陽電子消滅によるGaN系半導体の点欠陥の研究

上殿明良, 秩父重英, 秋本克洋

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

研究機関：UNIVERSITY OF TSUKUBA

2001年～ 2002年

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陽電子消滅は,材料の原子および電子構造に関してナノ・オーダーの情報を与える材料評価法である.この手法の特徴として,空孔型格子欠陥に対する感度が高いこと,欠陥あるいはバルクの電子状態の研究が可能であること,非破壊であること,また,試料温度や電気的特性など実験上制約となる条件が少ないことなどが上げられる.本研究の目的は,低速陽電子ビームを用いてGaNやZnOの欠陥評価をおこない,欠陥とその光学的特性の相関を明らかにすることにある. 低速陽電子ビームを用いて希土類(Eu及びTb)ドープGaNの空孔型欠陥を評価した.PL測定により,Euドープ試料では,母体GaNに関係する発光は観測されず,Eu^<3+>イオンの内殻遷移による発光のみが観測された(^5D_0→^7F_<1,2,3>).Tbドープ試料についても同様に測定した結果,Euイオンの内殻遷移による発光は観測されなかった.陽電子・電子消滅γ線ドップラー拡がり測定から,TbドープGaNについては,均一に空孔型欠陥が分布しているが,Euドープ試料では,GaN/サファイア界面近傍で欠陥の集合が起こっていることがわかった.加えて,空孔型欠陥のサイズが大きくなるほど,発光特性は上昇し,主な発光は,最も大きなサイズの空孔が集中する界面で起きていることがわかった.空孔型欠陥が導入されることによるEu近傍の対象性の低下が,内殻電子の移確率の上昇を引き起こしていると考えられる.また,欠陥サイズは複空孔以上のサイズを持つ空孔クラスターであると同定した. GaNと同様に青色発光素子として期待されているZnOについてもその特性を評価した.試料は単結晶基板とScAlMg_4およびZnO基板上にレーザーMBEで作成したZnO薄膜である.ZnO基板中には陽電子拡散を散乱する欠陥が存在するが,欠陥種は空孔型欠陥ではないことがわかった.MBEにより製作したZnO薄膜中にはZn空孔が存在するが,成長時の温度を最適化することにより,空孔密度の低減が可能であることがわかった.
環境に優しい半導体β-FeSi_2を用いた太陽電池の研究

長谷川文夫, 末益崇, 秩父重英

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：University of Tsukuba

2000年～ 2002年

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地球温暖化防止の為、安くて高効率の太陽電池開発への期待が高まってから久しい。現在の所、a-Si:Hあるいは多結晶Siに最も力が注がれているが、価格の低下、効率の向上がなかなか難しい。一方、安くて高効率のCuInSe_2を用いた太陽電池には、有害物質であるSeが含まれている上、一般に高効率化のためCdS層も必要である。従って、環境問題上太陽電池材料としては必ずしも好ましくない材料と言える。一方、半導体シリサイドの一つであるβ-FeSi_2は資源が豊富で環境に優しい直接遷移型半導体であり、吸収係数も10^5/cmとCuInSe_2並みに大きいと言われていた。本研究では多層膜法あるいはMBE法により、β-FeSi_2およびBaSi_2連続膜を作製、環境にやさしくて克つ安価にできる太陽電池の可能性を明らかにすることを目的とした。その結果、1)多層膜法により高品質β-FeSi_2連続膜を得、従来の報告より1桁近く高い、キャリア移動度を得た。2)高品質β-FeSi_2連続膜の吸収係数が10^5/cm以上あること、間接遷移端が0.81eV、間接遷移端が0.97eVであること、3)Si/Fe比を制御することで、伝導性制御が出来ること、を明らかにした。更に4)β-FeSi_2より大きなバンドギャップの半導体シリサイドを探索、BaSi_2が1.1eVの間接遷移端、1.25eVの直接遷移端を有し、5)Si基板上に600℃でMBE成長が出来ることを、実証した。太陽電池特性までは明確にすることが出来なかったが、これらの結果から、半導体シリサイドが有望な太陽電池材料であることを明らかにすることが出来た。
窒化物半導体量子井戸構造の光学遷移過程における励起子局在効果の研究

秩父重英

1999年～ 2000年

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1.有機金属化学気相エピタキシー(MOVPE)および分子線エピタキシー(MBE)法による立方晶InGaN成長 MBEではRFプラズマ源を用いて3C-SiC/Si基板上に立方晶GaNを成長させ、それをバッファとして立方晶InGaN及びInGaN/GaN量子井戸構造を成長した。MOVPE装置の立ち上げ作業も終焉を迎えた。得られたInGaN膜および量子井戸は下地のGaNのコヒーレントに成長していることが確認され、歪InGaN層のInNモル分率は最大20%近くまでを制御して成長できた。しかしながら組成の不均一性は大きかった。フォトルミネッセンス(PL)発光スペクトルは、InNモル分率の増加に伴ない紫外域から純青・緑色領域を越して黄緑色程度まで及んだ。 2.フォトルミネッセンス・フォトリフレクタンス・時間分解フォトルミネッセンス等の光学的物性評価 PLスペクトルとPL励起スペクトルから、InNモル分率の増加に伴ない有効バンドギャップ不均一性も増大することが確認された。そのストークスシフト量は六方晶のそれに匹敵ないしはそれより大きい。立方晶構造では六方晶構造で問題とされる圧電電場による電子-正孔の波動関数の重なりの減少は無い。したがって、これらの結果から励起子が局在している事が伺える。時間分解PL測定からも、強い局在を示す、検出波長の増加にともなう再結合寿命の増加が見られた。立方晶材料六方晶材料に比べ非発光再結合が強いが、温度の増加にともなう非発光再結合寿命の減少自体は顕著ではなかった。六方晶InGaN量子井戸において空間分解カソードルミネッセンス測定から数十nm以下のスケールでの組成変調が認められており、拡散長を短くしてキャリアを局在させ、発光効率の増大に寄与したものと考えている。バルクInGaNでも量子井戸でも局在は観測されており、励起子の局在はInGaN材料におけるユニバーサルな現象といえる。
MOCVD成長高品質銅カルコパイライト半導体エピタキシャル層の発光素子化検討

秩父重英

1995年～ 1995年

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1.CuAl_xGa_<1-x>Se_2の混晶組成制御 CuAl_xGa_<1-x>Se_2は赤〜青色までの可視光領域に相当する禁制帯幅を持つ混晶である。本研究では減圧MOCVD法を用いて高品質なエピ成長ができた。固相Al組成xは気相へ供給したAl原料とGa原料のAlモル比と一致(分配係数は1)した。混晶層は終端化合物同様、基板との格子整合性の関数からGaAs上にはc軸配向エピ成長しGaP上にはa軸配向し面内でc軸が交差するドメイン成長した。エピ層の表面荒さは2〜3nm程度であった。エピ層の励起子エネルギをフォトリフレクタンス(PR)測定で求めたところ、混晶全域で結晶場分裂がバルク結晶のそれより大きくスピン軌道分裂は同程度であった。この結果はエピ層が基板-エピ層間の熱膨張係数差によって熱歪を受けている事で説明できた。エピ層の低温フォトルミネッセンス(PL)スペクトルはバンド端に関与する発光が支配的であり、x増加に従い赤〜青紫と変化し可視領域発光を1つの混晶材料で実現できた。 2.CuGaS_2,CuAlS_2の成長と金属-半導体接触の検討両化合物において室温でバンド端発光が支配的なエピ層を成長できた。c軸の1/2よりa軸長の方がGaAs,GaPの格子定数に近いためいずれの基板にもc軸配向エピ成長した。格子不整合はGaP基板の方が小さいが成長層の特性はGaAs上の方が優れていた。エピ層諸特性に対して格子定数だけでなく熱膨張係数整合が重要であることがわかった。CuGaS_2とGaAs間の価電子帯不連続量を評価し、CuGaS_2/CuGaSe_2に転写したCuGaSe2中にキャリアを閉じこめられる可能性があることがわかった。さらなる結晶性改善により光、キャリア閉じこめ検討を行う予定である。

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担当経験のある科目(授業) 4

光エレクトロニクス　東北大学
光エレクトロニクス　筑波大学
電子回路　筑波大学
電磁気学　東京理科大学

Works（作品等） 1

科技機構創造科学技術推進事業中村不均一結晶プロジェクト

2001年～

学術貢献活動 1

CSW 2022 ショート速報 [化合物半導体材料･物性･デバイス]

2022年7月～

学術貢献活動種別: 学術調査