TOHOKU UNIVERSITY Researchers - Shigefusa Chichibu

Details of the Researcher

Home

日本語 English

Shigefusa Chichibu

Section

Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials

Job title

Professor

Degree

博士（工学）（慶應義塾大学）
工学修士（慶應義塾大学）

researchmap

https://researchmap.jp/read0133222

J-GLOBAL ID

200901059371803885

ORCID

https://orcid.org/0000-0001-9558-1642

Research History 10

2007/02 - Present

Tohoku University　Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials
2001/10 - 2007/03

科学技術振興機構創造科学技術推進事業中村不均一結晶プロジェクト不均一結晶評価グループリーダー
1999/05 - 2007/01

筑波大学助教授物理工学系
1999/04 - 1999/04

筑波大学助教授物質工学系
1994/04 - 1999/03

東京理科大学嘱託助手理工学部電気工学科
1997/09 - 1998/09

アメリカ合衆国・カリフォルニア州立大学サンタバーバラ校材料科学部有任期助教授
1997/02 - 1997/03

ドイツ・国立ハーンマイトナー研究所(Festkorperphysik) 訪問研究員
1991/04 - 1993/03

日本学術振興会特別研究員
1988/04 - 1990/03

株式会社東芝　総合研究所電子部品研究所
1999 -

理化学研究所フォトダイナミクス研究センター非常勤研究員

Show all Show first 5

Education 3

Keio University　Graduate School of Science and Technology

1990/04 - 1994/03
Keio University　Graduate School of Science and Technology

1986/04 - 1988/03
Keio University　Faculty of Science and Technology

1982/04 - 1986/03

Committee Memberships 3

日本学術振興会　第162委員会学術委員

2011/04 - Present
応用物理学会　論文賞審査委員

2008/04 - 2009/03
応用物理学会　論文賞審査委員

2008/04 - 2009/03

Professional Memberships 1

応用物理学会

Research Interests 5

半導体量子光物性
半導体電子工学
半導体結晶光物性
Oxide Semiconductors
Nitride Semiconductors

Research Areas 4

Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering) / Electric/electronic material engineering /
Nanotechnology/Materials / Crystal engineering /
Nanotechnology/Materials / Applied materials /
Natural sciences / Semiconductors, optical and atomic physics /

Awards 17

Best Paper Award

2025/06　22nd International Workshop on Junction Technology (IWJT2025)　Characterization of vacancy-type defects in Mg- and N-implanted GaN by using a monoenergetic positron beam
Editor's Pick

2021/11　Applied Physics Letters　Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy- guided redistribution of Mg
43rd JSAP Outstanding Paper Award

2021/07　The Japan Society of Applied Physics　Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures
Best poster Award

2019/07　The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN
Best Paper Award

2019/06　19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019),　"Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes"
応用物理学会フェロー表彰

2017/07　応用物理学会
矢上賞

2016/10　慶應義塾大学理工学部
平成22年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞（研究部門）

2010/04/13　文部科学省　インジウムを含む窒化物半導体混晶の光物性の研究
第41回(平成21年)市村学術賞功績賞

2009/04/28　財団法人新技術開発財団　Inを含む窒化物半導体混晶の光物性研究
第7回 (2008年) ドコモ・モバイル・サイエンス賞基礎科学部門優秀賞「非視認通信および表示・照明用III族窒化物半導体の物性研究」

2008/10　NPO法人モバイル・コミュニケーション・ファンド
2008年度応用物理学会論文賞「JJAP論文賞」

2008/09　応用物理学会　論文名 Continuous-Wave Operation of m-Plane InGaN Multiple Quantum Well Laser Diodes
第７回丸文研究奨励賞（平成１５年度） III窒化物半導体の励起子構造および量子構造発光素子における局在励起子発光過程の解明」

2004
平成9年度矢崎学術賞奨励賞

1997
第1回応用物理学会講演奨励賞

1996
平成8年日本MRSシンポジウムシンポジウムR奨励賞

1996
第8回安藤博記念学術奨励賞

1994
平成5年電気学会電子情報システム部門大会優秀論文発表賞

1994

Show all ︎Show 5

Papers 554

Cathodoluminescence spectroscopy of monolayer hexagonal boron nitride Peer-reviewed

Kohei Shima, Tin S. Cheng, Christopher J. Mellor, Peter H. Beton, Christine Elias, Pierre Valvin, Bernard Gil, Guillaume Cassabois, Sergei V. Novikov, Shigefusa F. Chichibu

Scientific Reports　14　(1)　169 1-8　2024/01/02
Publisher: Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-023-50502-9 　

eISSN： 2045-2322

More details Close

Abstract Cathodoluminescence (CL) spectroscopy is a suitable technique for studying the luminescent properties of optoelectronic materials because CL has no limitation on the excitable bandgap energy and eliminates ambiguous signals due to simple light scattering and resonant Raman scattering potentially involved in the photoluminescence spectra. However, direct CL measurements of atomically thin two-dimensional materials have been difficult due to the small excitation volume that interacts with high-energy electron beams. Herein, distinct CL signals from a monolayer hexagonal BN (hBN), namely mBN, epitaxial film grown on a graphite substrate are shown by using a CL system capable of large-area and surface-sensitive excitation. Spatially resolved CL spectra at 13 K exhibited a predominant 5.5-eV emission band, which has been ascribed to originate from multilayered aggregates of hBN, markedly at thicker areas formed on the step edges of the substrate. Conversely, a faint peak at 6.04 ± 0.01 eV was routinely observed from atomically flat areas, which is assigned as being due to the recombination of phonon-assisted direct excitons of mBN. The CL results support the transition from indirect bandgap in bulk hBN to direct bandgap in mBN. The results also encourage one to elucidate emission properties of other low-dimensional materials by using the present CL configuration.
Operation-induced degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on a sapphire substrate International-journal Invited Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Nagata, M. Oya, T. Kasuya, K. Okuno, H. Ishiguro, Y. Saito, T. Takeuchi, K. Shima

Applied Physics Letters　122　(20)　201105 1-7　2023/05/17
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0147984 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118

More details Close

Abstract Degradation mechanisms of 275-nm-band AlxGa1-xN multiple quantum well deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on a (0001) sapphire substrate were investigated under hard operation conditions with the current of 350mA and the junction temperature of 105 C. The optical output power (Po) initially decreased by about 20% within the operating time less than 102 h and then gradually decreased to about 60% by 484 h. For elucidating the causes for the initial and subsequent degradations, complementary electrical, time-resolved photoluminescence (TRPL), and impurity characterizations were carried out making a connection with the energy band profiles. Because the degradation of the wells was less significant than the Po reduction, the initial degradation is attributed essentially to the decrease in carrier injection efficiency (ginjection), not in internal quantum efficiency of the wells, most likely due to depassivation of initially H-passivated preexisting nonradiative recombination centers (NRCs) in a Mg-doped p-type Al0.85Ga0.15N electron blocking layer. The principal cause for the subsequent Po reduction until 484 h is attributed to further decrease in ginjection due to the appearance of certain current bypasses in addition to continuous depassivation of the NRCs in p-type AlxGa1-xN layers. According to our database on the species of vacancy-type defects acting as NRCs in GaN and AlN, which have been identified using the combination of positron annihilation and TRPL measurements, vacancy clusters comprised of a cation vacancy (VIII) and nitrogen vacancies (VN), such as VIIIðVNÞ24, are the most suspicious origins of the NRCs in Mg-doped p-type AlxGa1-xN layers.
Impacts of homoepitaxial AlN thickness on the qualities of AlGaN QWs fabricated on the face-to-face annealed sputter-deposited AlN templates International-journal Peer-reviewed

Ryota Akaike, Kenjiro Uesugi, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Akira Uedono, Takao Nakamura, Hideto Miyake

Applied Physics Express　18　(6)　065503 1-5　2025/06/30
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/ade2b7 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786

More details Close

Abstract AlGaN quantum wells (QWs) emitting at 265 nm were fabricated on face-to-face annealed sputter-deposited AlN (FFA Sp-AlN) templates with n-AlGaN and different homoepitaxial AlN thicknesses (200–2000 nm) by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). Thicker MOVPE-AlN led to higher dislocation densities. The type and concentration of vacancies in n-AlGaN, as well as the photoluminescence efficiencies and time-resolved photoluminescence lifetimes of the QWs were nearly unchanged regardless of the MOVPE-AlN thickness, suggesting nearly identical internal quantum efficiencies. The results prove high-quality AlGaN QW growth with only 200 nm thick MOVPE-AlN, resulting in reduced total thickness of AlN by using FFA Sp-AlN.
Impacts of ultra-high-pressure annealing on undoped and ion-implanted GaN studied by photoluminescence measurements International-journal Peer-reviewed

K. Shima, T. Narita, A. Uedono, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. F. Chichibu

Journal of Applied Physics　137　(23)　235702 1-12　2025/06/18
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0266700 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550

More details Close

Selective-area doping of GaN using ion implantation (I/I) followed by ultra-high-pressure annealing (UHPA) under 1-GPa-N2 has emerged as a promising technique for GaN power devices. In this article, the impacts of UHPA on the midgap recombination centers (MGRCs) in undoped, Si-implanted, Mg-implanted, and Mg/N-implanted GaN epitaxial layers are described based on the results of photoluminescence (PL) and time-resolved PL measurements. For undoped GaN, PL lifetimes at 300 K for the near-band-edge emission decreased with increasing the annealing temperature (Ta), indicating higher Ta increased the concentration of MGRCs. In contrast, for I/I-GaN, PL lifetimes or PL intensities at 300 K for the near-band-edge emission increased with increasing Ta, indicating higher Ta decreased the concentration of MGRCs originating from the I/I-induced vacancy-type defects comprising Ga and N vacancies [e.g., (VGaVN)3]. Nevertheless, MGRC concentrations in I/I-GaN after UHPA remained several orders of magnitude higher than in undoped GaN. Additional N-I/I onto Mg-implanted GaN followed by UHPA at Ta = 1480 °C enhanced the activation of a Mg acceptor substituted on a Ga site (MgGa) and decreased the concentration of MGRCs. For Mg- and Mg/N-implanted GaN, the progressive activation of MgGa acceptors with increasing Ta was confirmed. However, the PL lifetimes for Mg- and Mg/N-implanted GaN with Mg concentrations higher than 1 × 1018 cm−3 were limited to shorter than 1 ps. To fabricate reliable p-contacts and electron inversion layers using Mg- or Mg/N-I/I combined with UHPA, it is crucial to eliminate or etch away residual defective layers near the surface, which limits the minority carrier lifetime to below 1 ps.
Roles of Al-vacancy complexes on the luminescence spectra of low dislocation density Si-doped AlN grown by halide vapor phase epitaxy International-journal Peer-reviewed

Chichibu, S.F., Kikuchi, K., Shima, K., Moody, B., Mita, S., Collazo, R., Sitar, Z., Kumagai, Y., Ishibashi, S., Uedono, A.

Applied Physics Letters　126　(11)　111905 1-7　2025/03/18

DOI： 10.1063/5.0252149 　

ISSN： 0003-6951
Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers International-journal Peer-reviewed

Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Jun Suda, Hiroshi Amano, Tetsu Kachi, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide

Journal of Applied Physics　135　(18)　185701 1-20　2024/05/08
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0201931 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550

More details Close

For rooting the development of GaN-based optoelectronic devices, understanding the roles of midgap recombination centers (MGRCs), namely, nonradiative recombination centers and deep-state radiative recombination centers, on the carrier recombination dynamics is an essential task. By using the combination of time-resolved photoluminescence and positron annihilation spectroscopy (PAS) measurements, the origins of major MGRCs in the state-of-the-art GaN epilayers, bulk crystals, and Mg-implanted layers were identified, and their concentrations were quantified for deriving the capture coefficients of minority carriers. In this article, potential standardization of the room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission (τPLRT) as the concentration of major MGRCs well below the detection limit of PAS is proposed. For n-GaN substrates and epilayers grown from the vapor phase, τPLRT was limited by the concentration of carbon on N sites or divacancies comprising a Ga vacancy (VGa) and a N vacancy (VN), [VGaVN], when carbon concentration was higher or lower, respectively, than approximately 1016 cm−3. Here, carbon and VGaVN act as major deep-state radiative and nonradiative recombination centers, respectively, while major MGRCs in bulk GaN crystals were identified as VGa(VN)3 vacancy clusters in Na-flux GaN and VGa or VGaVN buried by a hydrogen and/or VGa decorated with oxygen on N sites, VGa(ON)3–4, in ammonothermal GaN. The values of τPLRT in n-GaN samples are compared with those of p-GaN, in which τPLRT was limited by the concentration of VGa(VN)2 in Mg-doped epilayers and by the concentrations of VGaVN and (VGaVN)3 in Mg-implanted GaN right after the implantation and after appropriate activation annealing, respectively.
Improved midgap recombination lifetimes in GaN crystals grown by the low-pressure acidic ammonothermal method International-journal Peer-reviewed

K. Shima, K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, M. Saito, D. Tomida, A. Uedono, S. Ishibashi, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

Applied Physics Letters　124　(18)　181103 1-6　2024/04/29
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0208853 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118

More details Close

To investigate the carrier recombination processes in GaN crystals grown by the low-pressure acidic ammonothermal (LPAAT) method, the photoluminescence (PL) spectra and PL lifetimes of LPAAT GaN crystals grown on acidic ammonothermal (AAT) GaN seed crystals were correlated with the growth polarity and species/concentration of point defects. The PL spectra of LPAAT GaN grown toward the (0001¯) direction (−c region), which provided the highest growth rate, exhibited a predominant near-band edge (NBE) emission. Neither bandgap narrowing nor Burstein–Moss shifts due to high concentration residual impurities were observed in the NBE emissions, indicating higher purity than the previously reported AAT GaN crystals. In addition, strain-induced energy shift or energy broadening of excitonic emission peaks was not observed, indicating excellent crystal coherency. Because of the reduced concentration of midgap recombination centers, a record-long room-temperature PL lifetime for the NBE emission of ammonothermal GaN (40 ps) was obtained from the −c region. Meanwhile, the PL spectra also exhibited the yellow and blue luminescence bands originating from particular deep-state radiative recombination centers. The major vacancy-type defects acting as midgap recombination centers are identified as vacancy complexes comprising a Ga vacancy (VGa) and a few N vacancies (VN), namely, VGa(VN)n buried by H and/or O, where n is an integer. Further reduction of such defect complexes will allow less compensated stable carrier concentration in the LPAAT GaN crystals.
Vacancy‐Type Defects and Their Trapping/Detrapping of Charge Carriers in Ion‐Implanted GaN Studied by Positron Annihilation Peer-reviewed

Akira Uedono, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Shoji Ishibashi, Kacper Sierakowski, Michal Bockowski

physica status solidi (b)　261　2400060 1-10　2024/02/29
Publisher: Wiley
DOI： 10.1002/pssb.202400060 　

ISSN： 0370-1972

eISSN： 1521-3951

More details Close

Annealing behaviors of vacancy‐type defects in ion‐implanted GaN are studied by positron annihilation. Mg⁺ and N⁺ ions are implanted to obtain 700 nm deep box profiles with Mg and N concentrations of 1 × 10¹⁸ cm⁻³, and the samples are annealed using an ultrahigh‐pressure annealing system. For as‐implanted samples, the major defect species is identified as Ga‐vacancy (V_Ga)‐type defects. For N‐implanted GaN, the size of the vacancies increases as the annealing temperature increases up to 1100 °C and then shrank above 1200 °C. This behavior is attributed to recombinations between N‐vacancy (V_N)‐type defects and excess N. For Mg‐implanted GaN, the major defect species after annealing above 1000 °C is vacancy clusters such as (V_GaV_N)₃. Some of them act as nonradiative recombination centers for blue and ultraviolet luminescence. Their energy levels corresponding to the transition from positive to neutral are located between 2.6 eV above the valence band maximum and the conduction band minimum. The thermal activation process of electron detrapping from the vacancy clusters is also studied. For Mg‐implanted GaN, one of the major secondary defects is collapsed vacancy disks forming dislocation loops. They are eliminated by additional N implantation, which is associated with vacancy agglomerations under the annealing in V_Ga‐rich condition.
Steady-state and dynamic characteristics of deep UV luminescence in rock salt-structured MgxZn1-xO Peer-reviewed

T. Onuma, K. Kudo, M. Ono, W. Kosaka, K. Shima, K. Ishii, K. Kaneko, Y, Ota, T. Yamaguchi, K. Kojima, S. Fujita, S. F. Chichibu, T. Honda

Journal of Applied Physics (2023)　134　(2)　025102 1-11　2023/07/13
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0155269 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550

More details Close

Temperature-dependent cathodoluminescence spectra were measured for rock salt-structured MgxZn1−xO films with x = 0.95–0.61. The Mg0.95Zn0.05O film exhibited the shortest deep UV peak wavelength of 199 nm (6.24 eV) at 6 K. Relatively high equivalent internal quantum efficiencies of 0.9%–11% were obtained. The Tauc plots, which were obtained from temperature-dependent optical transmittance measurements, exhibited large Stokes-like shifts of 0.7–0.9 eV at 6–300 K. Time-resolved photoluminescence (PL) signals at 7 K exhibited fast and slow decay components. The fast decay component had PL lifetimes of 2.59–3.08 ns, and the slow decay component far exceeded the measurement time range of 12.5 ns. The fast decay constant reflected the transfer lifetime of the photoexcited carriers to certain trapping centers. These centers were tentatively ascribed to Zn-related isoelectronic trapped-hole centers and may be a cause of the large Stokes-like shifts. The signals at 300 K exhibited very short PL lifetimes of 120–180 ps. The PL lifetimes were mainly attributed to the nonradiative recombination lifetime. Simultaneous decreases in the Zn-related isoelectronic trapped-hole centers and the nonradiative recombination centers were found to be necessary to improve the DUV emission properties of RS-MgxZn1−xO films.
Temporary and spatially resolved luminescence studies of p-GaN segments fabricated by vacancy-guided redistribution of Mg using sequential ion implantation of Mg and N International-journal Peer-reviewed

K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, A. Uedono, S. Ishibashi, and, S. F. Chichibu

Proceedings of IWJT2023: IEEE Xplore Digital Library (2023)　1-4　2023/07/12
Publisher: IEEE
DOI： 10. 23919/IWJT59028.2023.10175182 　

More details Close

Extended Abstract of the 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT2023) : pp. S3-1 (2023) ISBN:978-4-86348-807-6
Polishing and etching damages of ZnO single crystals studied using time-resolved photoluminescence spectroscopy Peer-reviewed

Kasuya, T., Shima, K., Chichibu, S.F.

Journal of Applied Physics　134　(2)　025302 1-10　2023/07/10

DOI： 10.1063/5.0149404 　

ISSN： 0021-8979 1089-7550
Band alignment and quality of Al0.6Ga0.4N/AlN films grown on diamond (111) substrate by remote N-plasma assisted MBE International-journal Peer-reviewed

Shozo Kono, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Masaru Shimomura, Taisuke Kageura, Hiroshi Kawarada

Diamond and Related Materials　136　(6)　110013 1-17　2023/05/12
Publisher: Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.diamond.2023.110013 　

ISSN： 0925-9635

More details Close

Abstract In an attempt to fabricate an n-type Al0.6Ga0.4N film on a p-type diamond (111) substrate, the technique of remote N-plasma assisted MBE was used. Thin AlN layers were grown on boron-doped p-type diamonds to examine band alignment. Al0.6Ga0.4N layers were grown on the AlN layer. The techniques of RHEED, AFM, XPS, XPD, and Hall-measurements were used for the characterization. It was found that the AlN layers are not pure wurtzite but mixed possibly with amorphous Al2O3 region and that the band alignments are favorably modified by the presence of possible amorphous Al2O3. It was further found that the presence of ~1ML of Si on the substrate diamond surface gives nearly type-I band alignment of amorphous Al2O3 to the substrate. The Al0.6Ga0.4N layers were found in a form of ~2 nm size grains surrounded possibly by amorphous Al2O3/Ga2O3 regions. The Al0.6Ga0.4N layers were found to be n-type conductive with a very low mobility and the conductivity seems to be derived by thin metallic layers that possibly surrounding Al0.6Ga0.4N grains.
Annealing properties of vacancy-type defects in ion implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam International-journal Invited Peer-reviewed

Akira Uedono, Hideki Sakurai, Jun Uzuhashi, Tetsuo Narita, Kacper Sierakowski, Shoji Ishibashi, Shigefusa F. Chichibu, Michal Bockowski, Jun Suda, Tadakatsu Ohokubo, Nobuyuki Ikarashi, Kazuhiro Hono, Tetsu Kachi

Proceedings of SPIE2023,Gallium Nitride Materials and Devices XVIII　1-8　2023/03/15
Publisher: SPIE
DOI： 10.1117/12.2646233 　

More details Close

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2023, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XVIII (OE107), San Francisco, USA, Jan.30-Feb.2, (2023), No.12421-25 (Invited-oral)
Temperature Field, Flow Field, and Temporal Fluctuations Thereof in Ammonothermal Growth of Bulk GaN—Transition from Dissolution Stage to Growth Stage Conditions Peer-reviewed

Schimmel, S., Tomida, D., Honda, Y., Amano, H., Ishiguro, T., Chichibu, S.F.

Materials　16　(5)　2016 1-27　2023/02/28

DOI： 10.3390/ma16052016 　

ISSN： 1996-1944
Room-temperature nonradiative recombination lifetimes in c-plane Al1-xInxN epilayers nearly and modestly lattice-matched to GaN (0.11 ≤ x ≤ 0.21) Peer-reviewed

Li, L.Y., Shima, K., Chichibu, S.F., Yamanaka, M., Egawa, T., Miyoshi, M., Takeuchi, T., Ishibashi, S., Uedono, A.

Journal of Applied Physics　132　(16)　163102 1-10　2022/10/25

DOI： 10.1063/5.0106540 　

ISSN： 0021-8979 1089-7550
High-Energy Computed Tomography as a Prospective Tool for In Situ Monitoring of Mass Transfer Processes inside High-Pressure Reactors—A Case Study on Ammonothermal Bulk Crystal Growth of Nitrides including GaN Peer-reviewed

Schimmel, S., Salamon, M., Tomida, D., Honda, Y., Amano, H., Neumeier, S., Ishiguro, T., Chichibu, S.F.

Materials　15　(17)　6165 1-17　2022/09/05

DOI： 10.3390/ma15176165 　

ISSN： 1996-1944
Weak metastability of Al_xGa_1−xN (x = 13/24, 15/24, 17/24) shown by analyzing AlGaN grown on AlN with dense macrosteps International-journal Peer-reviewed

Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Express　15　(7)　075505 1-5　2022/07/01
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/ac79a1 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786
Recombination dynamics of indirect excitons in hexagonal BN epilayers containing polytypic segments grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors International-journal Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kikuchi, N. Umehara, K. Takiguchi, Y. Ishitani, K. Hara

Applied Physics Letters　120　(23)　231904 1-7　2022/06/06
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0090431 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118

More details Close

Hexagonal (h) BN is a semiconductor that crystallizes in layers of a two-dimensional honeycomb structure. Since hBN exhibits high quantum efficiency (QE) near-band edge emission at around 5.8 eV in spite of the indirect bandgap, hBN has a potential for the use in deep-ultraviolet light emitters. For elucidating the emission dynamics of indirect excitons (iXs) in hBN, spatially and temporally resolved luminescence measurements were carried out on hBN epilayers grown using carbon-free precursors. In addition to major [Formula: see text]m-side flat-topped (0001) hBN columnar grains, sub-[Formula: see text]m-scale polytypic segments were identified, which were likely formed by certain growth instabilities. The hBN domains exhibited predominant emissions of phonon-assisted fundamental iXs at 5.7–5.9 eV and a less-pronounced 4.0-eV emission band. The photoluminescence lifetime ([Formula: see text]) for the iX emissions was 54 ps, which most likely represents the midgap recombination lifetime ([Formula: see text]) for an iX reservoir. Because [Formula: see text] did not change while the cathodoluminescence (CL) intensity increased with temperature above 100 K, both the immobile character of iXs and strong exciton–phonon interaction seem significant for procreating the high QE. The CL intensity and [Formula: see text] of the 5.5 eV band monotonically decreased with temperature, indicating that [Formula: see text] represents [Formula: see text], most probably a nonradiative lifetime, around the real states. Equally significant emissions at 6.035 eV at 12 K and 6.0–6.1 eV at 300 K were observed from the polytypic segments, most probably graphitic bernal BN, which also exhibited negligible thermal quenching property.
Precise determination of deformation potentials in InGaN alloy material in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells Peer-reviewed

Shigeta Sakai, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Atsushi A. Yamaguchi

Japanese Journal of Applied Physics　61　(6)　061003 1-6　2022/06/01
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac62e4 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065

More details Close

Abstract Deformation potentials of InGaN have been precisely determined in order to make a reliable prediction of optical gain characteristics in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells (QWs) laser didoes (LDs). Since the optical polarization properties in semipolar and nonpolar InGaN QWs are very sensitive to the values of deformation potentials, all the reported data on the optical polarization properties have been theoretically analyzed based on the k·p perturbation theory in this study, and we have made a precise determination of the deformation potentials’ set. In addition, optical gain characteristics of InGaN QWs on GaN substrates with arbitrary substrate orientations have been theoretically calculated by using the determined deformation potentials’ set. It is found that low-angle semipolar substrate orientation (θ ∼ 45°) is very promising for low-cost and high-performance green LDs with cleaved-facet cavity mirrors.
Effect of Ultra-High-Pressure Annealing on Defect Reactions in Ion-Implanted GaN Studied by Positron Annihilation Peer-reviewed

Uedono, A., Sakurai, H., Bockowski, M., Suda, J., Ikarashi, N., Kachi, T., Uzuhashi, J., Ohkubo, T., Hono, K., Narita, T., Sierakowski, K., Ishibashi, S., Chichibu, S.F.

Physica Status Solidi B Basic Research　259　(10)　2200183 1-12　2022/05/20
Publisher: Wiley
DOI： 10.1002/pssb.202200183 　

ISSN： 0370-1972 1521-3951

eISSN： 1521-3951
Low-pressure acidic ammonothermal growth of 2-inch-diameter nearly bowing-free bulk GaN crystals Peer-reviewed

Kouhei kurimoto, Quanxi Bao, Yutaka Mikawa, Kohei Shima, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Express　15　(5)　055504 1-4　2022/05/13
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/ac67fc 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786

More details Close

Abstract Seeded growth of 2-inch-diameter GaN crystals via low-pressure (~100 MPa) acidic ammonothermal method is demonstrated. Nearly bowing- and mosaic-free GaN crystals exhibiting the full-width at half-maximum values for the 0002 x-ray rocking curves below 20 arcsec were achieved on high lattice coherency c-plane SCAAT^TM seeds with gross dislocation densities in the order of 10⁴ cm^-2. The photoluminescence spectra of the grown crystals exhibited a predominant near-band-edge emission at 295 K, of which intensity was one order of magnitude higher than the characteristic deep-state emission bands. A nearly bowing-free 60 mm × 60 mm c-plane GaN crystal was eventually obtained.
Impacts of Si-doping on vacancy complex formation and their influences on deep ultraviolet luminescence dynamics in AlxGa1−xN films and multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

Chichibu, S.F., Miyake, H., Uedono, A.

Japanese Journal of Applied Physics　61　(5)　050501 1-14　2022/04/27
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac46b1 　

ISSN： 0021-4922 1347-4065

eISSN： 1347-4065
Dual-peak electroluminescence spectra generated from Al n/12Ga1- n/12N ( n = 2, 3, 4) for AlGaN-based LEDs with nonflat quantum wells Peer-reviewed

Nagasawa, Y., Hirano, A., Ippommatsu, M., Kojima, K., Chichibu, S.F., Honda, Y., Amano, H.

Journal of Physics D Applied Physics　55　(25)　255102 1-11　2022/03/29

DOI： 10.1088/1361-6463/ac5d03 　

ISSN： 0022-3727 1361-6463
High-speed solar-blind optical wireless communication enabled by DUV LED

Yuki Yoshida, Kazunobu Kojima, Masaki Shiraiwa, Atsushi Kanno, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Naokatsu Yamamoto, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinari Awaji

Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVI　2022/03/09
Publisher: SPIE
DOI： 10.1117/12.2608459 　
Reactive RF magnetron sputtering epitaxy of NiO thin films on (0001) sapphire and (100) MgO substrates Peer-reviewed

Nishimoto, K., Sugiyama, M., Shima, K., Chichibu, S.F.

Japanese Journal of Applied Physics　61　(2)　025505-1-5　2022/02/24
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac4392 　

ISSN： 0021-4922 1347-4065

eISSN： 1347-4065
Enhanced quantum efficiency of a self-organized silica mixed red phosphor CaAlSiN3:Eu Peer-reviewed

Oishi, M., Moriga, T., Kai, Y., Takatori, A., Kojima, K., Shiomi, S., Ohara, K., Fujishiro, F., Shih, S.-J., Chichibu, S.F.

Journal of Solid State Chemistry　309　122968 1-8　2022/02
Publisher: Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.jssc.2022.122968 　

ISSN： 0022-4596 1095-726X
Characterization of semiconductor crystals based on omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy Invited

Kazunobu Kojima, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu

48　(4)　1-9　2022/01
Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors International-journal Invited Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

Proceedings of IWJT2021, IEEE Xplore Digital Library　1-4　2021/11/06
Publisher: IEEE

More details Close

20th International Workshop on Junction Technology (IWJT2021), June 10-11 (2021), No.KN-4, On-line Conference (Plenary)
Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg International-journal Invited Peer-reviewed

Shima, K., Kojima, K., Chichibu, S.F., Tanaka, R., Takashima, S., Ueno, K., Edo, M., Uedono, A., Ishibashi, S.

Applied Physics Letters　119　(18)　182106-182106　2021/11/03
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0066347 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Dopant activation process in Mg-implanted GaN studied by monoenergetic positron beam Peer-reviewed

Akira Uedono, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi

Scientific Reports　11　(1)　20660 1-8　2021/10/19
Publisher: Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-021-00102-2 　

eISSN： 2045-2322

More details Close

<title>Abstract</title>A process for activating Mg and its relationship with vacancy-type defects in Mg-implanted GaN were studied by positron annihilation spectroscopy. Mg⁺ ions were implanted with an energy of 10 keV, and the Mg concentration in the subsurface region (≤ 50 nm) was on the order of 10¹⁹ cm⁻³. After the Mg-implantation, N⁺ ions were implanted to provide a 300-nm-deep box profile with a N concentration of 6 × 10¹⁸ cm⁻³. From capacitance–voltage measurements, the sequential implantation of N was found to enhance the activation of Mg. For N-implanted GaN before annealing, the major defect species were determined to Ga-vacancy related defects such as divacancy. After annealing below 1000 °C, the clustering of vacancies was observed. Above 1200 °C annealing, however, the size of the vacancies started to decrease, which was due to recombinations of vacancy clusters and excess N atoms in the damaged region. The suppression of vacancy clustering by sequential N-implantation in Mg-implanted GaN was attributed to the origin of the enhancement of the Mg activation.
Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes Peer-reviewed

Takayuki Nakano, Ken Mochizuki, Takuya Arikawa, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Adrian Vogt, Sebastian Schütt, Michael Fiederle, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki

Journal of Applied Physics　130　(12)　124501-1-10　2021/09/22
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0051053 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Discrete wavelengths observed in electroluminescence originating from Al1/2Ga1/2N and Al1/3Ga2/3N created in nonflat AlGaN quantum wells Peer-reviewed

Yosuke Nagasawa, Kazunobu Kojima, Akira Hirano, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Masamichi Ippommatsu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Shigefusa F Chichibu

Journal of Physics D: Applied Physics　54　(48)　485107-1-10　2021/09/07
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.1088/1361-6463/ac2065 　

ISSN： 0022-3727

eISSN： 1361-6463
Reduced nonradiative recombination rates in c-plane Al0.83In0.17N films grown on a nearly lattice-matched GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, K. Kojima, T. Egawa, A. Uedono, S. Ishibashi, T, Takeuchi, M. Miyoshi, S. F. Chichibu

Applied Physics Letters　119　(9)　091105 1-6　2021/08/31
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0066263 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Facile method for the synthesis of zinc- or magnesium-doped gallium nitride powders from gallium metal International-journal International-coauthorship Peer-reviewed

Daisuke Tomida, Quanxi Bao, Makoto Saito, Kouhei Kurimoto, Kazunobu Kojima, Kun Qiao, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

Journal of Crystal Growth　570　126190-126190　2021/05/21
Publisher: Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2021.126190 　

ISSN： 0022-0248
Electrical degradation and recovery of NiO/ZnO visible-light-transparent flexible solar cells

Kim, J., Kato, N., Sugiyama, M., Chichibu, S.F.

Japanese Journal of Applied Physics　60　(6)　064001 1-4　2021/05/20

DOI： 10.35848/1347-4065/abff3c 　

ISSN： 0021-4922 1347-4065
Discrete AlN mole fraction of n/12 (n=4-8) in Ga-rich zones functioning as electron pathways created in nonflat AlGaN layers grown on high-miscut sapphire substrates Peer-reviewed

Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, H. Sako, A. Hashimoto, R. Sugie, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, K. Kojima, S. F. Chichibu

Journal of Applied Physics　129　(16)　164503 1--9　2021/04/26
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0042036 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Numerical simulation of ammonothermal crystal growth of GaN-current state, challenges, and prospects Peer-reviewed

Schimmel, S., Tomida, D., Honda, Y., Chichibu, S., Amano, H., Ishiguro, T.

Crystals　11　(4)　356 1-30　2021/03/30
Publisher: MDPI AG
DOI： 10.3390/cryst11040356 　

ISSN： 2073-4352

eISSN： 2073-4352
Boundary conditions for simulations of fluid flow and temperature field during ammonothermal crystal growth—a machine-learning assisted study of autoclave wall temperature distribution Peer-reviewed

Schimmel, S., Tomida, D., Honda, Y., Chichibu, S., Amano, H., Saito, M., Bao, Q., Ishiguro, T.

Crystals　11　(3)　254 -1-27　2021/03/04
Publisher: MDPI AG
DOI： 10.3390/cryst11030254 　

ISSN： 2073-4352

eISSN： 2073-4352
Innovative Techniques for Fast Growth and Fabrication of High Purity GaN Single Crystals

Daisuke Tomida, Makoto Saito, Quanxi Bao, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

Springer Series in Materials Science　304　65-76　2021
Publisher: Springer Science and Business Media Deutschland GmbH
DOI： 10.1007/978-3-030-56305-9_5 　

ISSN： 2196-2812 0933-033X
Correlation between the internal quantum efficiency and photoluminescence lifetime of the near-band-edge emission in a ZnO single crystal grown by the hydrothermal method Peer-reviewed

Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Express　13　(12)　121005 1-5　2020/12/03
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/abcd73 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786
Up-to 292-Mbps Deep-UV Communication over a Diffuse-Line-of-Sight Link Based on Silicon Photo Multiplier Array

Yuki Yoshida, Kazunobu Kojima, Masaki Shiraiwa, Atsushi Kanno, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Naokatsu Yamamoto, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinari Awaji

2020 European Conference on Optical Communications (ECOC)　2020/12
Publisher: IEEE
DOI： 10.1109/ecoc48923.2020.9333325 　
Detailed analysis of Ga-rich current pathways created in an n-Al0.7Ga0.3N layer grown on an AlN template with dense macrosteps Peer-reviewed

Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ipponmatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Express　13　(2)　124001 1-5　2020/11/30
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/abcb49 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786
Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1−xInxN on GaN Peer-reviewed

Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Yoshihiro Kangawa

Scientific Reports　10　(1)　18570 1-11　2020/10/29
Publisher: Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-020-75380-3 　

eISSN： 2045-2322

More details Close

<title>Abstract</title> Immiscible semiconductors are of premier importance since the source of lighting has been replaced by white light-emitting-diodes (LEDs) composed of thermodynamically immiscible In_{<italic>x</italic>}Ga_{1−<italic>x</italic>}N blue LEDs and yellow phosphors. For realizing versatile deep-ultraviolet to near-infrared light-emitters, Al_{1−<italic>x</italic>}In_{<italic>x</italic>}N alloys are one of the desirable candidates. Here we exemplify the appearance and self-formation sequence of compositional superlattices in compressively strained <italic>m</italic>-plane Al_{1−<italic>x</italic>}In_{<italic>x</italic>}N films. On each terrace of atomically-flat <italic>m</italic>-plane GaN, In- and Al-species diffuse toward a monolayer (ML) step edge, and the first and second uppermost < <inline-formula><alternatives><tex-math>$$\stackrel{-}{1}\stackrel{-}{1}20$$</tex-math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mrow> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mn>20</mml:mn> </mml:mrow> </mml:math></alternatives></inline-formula>> cation-rows are preferentially occupied by Al and In atoms, respectively, because the configuration of one In-N and two Al-N bonds is more stable than that of one Al-N and two In-N bonds. Subsequent coverage by next < <inline-formula><alternatives><tex-math>$$\stackrel{-}{1}\stackrel{-}{1}20$$</tex-math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mrow> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mn>20</mml:mn> </mml:mrow> </mml:math></alternatives></inline-formula>> Al-row buries the < <inline-formula><alternatives><tex-math>$$\stackrel{-}{1}\stackrel{-}{1}20$$</tex-math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mrow> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mn>20</mml:mn> </mml:mrow> </mml:math></alternatives></inline-formula>> In-row, producing nearly Al_0.5In_0.5N cation-stripe ordering along [0001]-axis on GaN. At the second Al_0.72In_0.28N layer, this ordinality suddenly lessens but In-rich and In-poor < <inline-formula><alternatives><tex-math>$$\stackrel{-}{1}\stackrel{-}{1}20$$</tex-math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mrow> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mn>20</mml:mn> </mml:mrow> </mml:math></alternatives></inline-formula>>-rows are alternately formed, which grow into respective {0001}-planes. Simultaneously, approximately 5-nm-period Al_0.70In_0.30N/Al_0.74In_0.26N ordering is formed to mitigate the lattice mismatch along [0001], which grow into approximately 5-nm-period Al_0.70In_0.30N/Al_0.74In_0.26N {<inline-formula><alternatives><tex-math>$$10\stackrel{-}{1}2$$</tex-math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"> <mml:mrow> <mml:mn>10</mml:mn> <mml:mover> <mml:mn>1</mml:mn> <mml:mo>-</mml:mo> </mml:mover> <mml:mn>2</mml:mn> </mml:mrow> </mml:math></alternatives></inline-formula>} superlattices as step-flow growth progresses. Spatially resolved cathodoluminescence spectra identify the emissions from particular structures.
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価 =特集= 深紫外発光デバイスの実現に向けた窒化物半導体結晶成長の進展日本結晶成長学会誌 (総合報告)

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤﨑勇, 秩父重英

日本結晶成長学会誌 (総合報告)　47　(3)　1-8　2020/10/28
Urbach-Martienssen tail as the origin of the two-peak structure in the photoluminescence spectra for the near-band-edge emission of a freestanding GaN crystal observed by omnidirectional photoluminescence spectroscopy Peer-reviewed

Kojima, K., Chichibu, S.F.

Applied Physics Letters　117　(17)　171103 1-5　2020/10/28
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0028134 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Effects of ultra-high-pressure annealing on characteristics of vacancies in Mg-implanted GaN studied using a monoenergetic positron beam Peer-reviewed

Uedono, A., Sakurai, H., Bockowski, M., Suda, J., Chichibu, S.F., Kachi, T., Narita, T., Sierakowski, K., Ishibashi, S.

Scientific Reports　10　(1)　17349 1-7　2020/10/15
Publisher: Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-020-74362-9 　

ISSN： 2045-2322

eISSN： 2045-2322
Temperature dependence of internal quantum efficiency of radiation for the near-band-edge emission of GaN crystals quantified by omnidirectional photoluminescence spectroscopy Peer-reviewed

Kazunobu Kojima, Kenichiro Ikemura, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Express　13　(10)　105504-105504　2020/10/01
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/abb788 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786
Annealing behaviors of vacancy-type defects in AlN deposited by radio-frequency sputtering and metalorganic vapor phase epitaxy studied using monoenergetic positron beams Peer-reviewed

Akira Uedono, Kanako Shojiki, Kenjiro Uesugi, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, Hideto Miyake

Journal of Applied Physics　128　(8)　085704-085704　2020/08/28
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0015225 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Room-temperature cavity-polaritons in planar ZnO microcavities fabricated by a top-down process Peer-reviewed

K. Shima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

Applied Physics Letters　117　(7)　071103-071103　2020/08/17
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0011662 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Self-organized micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications Peer-reviewed

K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, S. F. Chichibu

Applied Physics Letters　117　(3)　031103-031103　2020/07/20
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0013112 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Hole capture-coefficient of intrinsic nonradiative recombination centers that commonly exist in bulk, epitaxial, and proton-irradiated ZnO Peer-reviewed

S. F. Chichibu, A. Uedono, K. Kojima, K. Koike, M. Yano, S. Gonda, S. Ishibashi

Journal of Applied Physics　127　(215704)　1-6　2020/06

DOI： 10.1063/5.0011309 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Characterization of a Self-Organized Deep-Ultraviolet Micro-Light-Emitting Diode Structure for High-Speed Solar-Blind Optical Wireless Communications

Kazunobu Kojima, Yuki Yoshida, Masaki Shiraiwa, Yoshinari Awaji, Atsushi Kanno, Naokatsu Yamamoto, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Shigefusa F. Chichibu

Conference Proceedings - Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting-LEOS　2020-　2020/05/01
Publisher: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISSN： 1092-8081
Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN Peer-reviewed

Masahiro Takahashi, Atsushi Tanaka, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Hiroshi Amano

Japanese Journal of Applied Physics　59　(5)　056502-056502　2020/05/01
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ab8b3d 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Analyzing oxygen and silicon incorporation in GaN microstructures composed of c-planes and angled facets by confocal magneto-photoluminescence microscopy Peer-reviewed

Kamiyama, A., Yusa, G., Kojima, K., Chichibu, S.F.

Aip Advances　10　(3)　035215 1-5　2020/05

DOI： 10.1063/1.5144549 　

ISSN： 2158-3226
Ammonothermal growth of 2 inch long GaN single crystals using an acidic NH4F mineralizer in a Ag-lined autoclave Peer-reviewed

Tomida, D., Bao, Q., Saito, M., Osanai, R., Shima, K., Kojima, K., Ishiguro, T., Chichibu, S.F.

Applied Physics Express　13　(5)　055505 1-5　2020/04/17

DOI： 10.35848/1882-0786/ab8722 　

ISSN： 1882-0778 1882-0786
Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy Invited Peer-reviewed

Akira Uedono, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, Shoji Ishibashi, Shigefusa F. Chichibu

11280　(112800C)　11280C-1-8　2020/02
Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors Invited Peer-reviewed

Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shoji Ishibashi, Akira Uedono

Proceeding of SPIE　11280　(112800B)　112800B-1-10　2020/02
Publisher: SPIE
DOI： 10.1117/12.2545409 　
Theoretical analysis of photo-recycling effect on external quantum efficiency considering spatial carrier dynamics Peer-reviewed

Asai, H., Fukuda, K., Kojima, K., Chichibu, S.F.

Japanese Journal of Applied Physics　59　(SG)　SGGK02 1-4　2020/02

DOI： 10.7567/1347-4065/ab5b4d 　

ISSN： 0021-4922 1347-4065
Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies of wide-bandgap group-III nitride semiconductors Peer-reviewed

Chichibu, S.F., Ishikawa, Y., Hazu, K., Furusawa, K.

Japanese Journal of Applied Physics　59　(2)　020501 1-17　2020/01

DOI： 10.7567/1347-4065/ab5ef4 　

ISSN： 0021-4922 1347-4065
Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature Peer-reviewed

Takahashi, M., Ando, Y., Kushimoto, M., Tanaka, A., Watanabe, H., Deki, M., Nitta, S., Honda, Y., Chichibu, S.F., Chen, K.J., Amano, H., Shima, K., Kojima, K.

Physica Status Solidi B Basic Research　257　(4)　1900554-1900554　2020

DOI： 10.1002/pssb.201900554 　

ISSN： 0370-1972 1521-3951
Roles of carbon impurities and intrinsic nonradiative recombination centers on the carrier recombination processes of GaN crystals Peer-reviewed

Kojima, K., Chichibu, S.F., Horikiri, F., Narita, Y., Yoshida, T., Fujikura, H.

Applied Physics Express　13　(1)　012004-1-4　2020/01

DOI： 10.7567/1882-0786/ab5adc 　

ISSN： 1882-0778 1882-0786
Review - Defect-Tolerant Luminescent Properties of Low InN Mole Fraction InxGa1- xN Quantum Wells under the Presence of Polarization Fields Peer-reviewed

Chichibu, S.F.

Ecs Journal of Solid State Science and Technology　9　(1)　015016 1-10　2020/01

DOI： 10.1149/2.0382001JSS 　

ISSN： 2162-8769 2162-8777
Two-dimensional analysis of the nonuniform quantum yields of multiple quantum wells for AlGaN-based deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates with dense macrosteps using cathodoluminescence spectroscopy Peer-reviewed

Yosuke Nagasawa, Ryuichi Sugie, Kazunobu Kojima, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　126　(21)　215703 1-10　2019/12

DOI： 10.1063/1.5125623 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
In-plane optical polarization and dynamic properties of the near-band-edge emission of an m -plane freestanding AlN substrate and a homoepitaxial film Peer-reviewed

Chichibu, S.F., Kojima, K., Hazu, K., Ishikawa, Y., Furusawa, K., Mita, S., Collazo, R., Sitar, Z., Uedono, A.

Applied Physics Letters　115　(15)　151903-1-5　2019/09

DOI： 10.1063/1.5116900 　
Internal quantum efficiency of radiation in a bulk CH₃NH₃PbBr₃ perovskite crystal quantified by using the omnidirectional photoluminescence spectroscopy Peer-reviewed

K. Kojima, K. Ikemura, K. Matsumori, Y. Yamada, Y. Kanemitsu, S. F. Chichibu

APL Materials　7　(7)　071116-1-071116-6　2019/07
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/1.5110652 　

eISSN： 2166-532X
Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes Peer-reviewed

Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

Proceedings of IWJT2019　2019/07
Theoretical Formulation of Experimentally Observed Quantum Efficiency of Radiation in Semiconducting Crystal THEORETICAL FORMULATION of EXPERIMENTALLY... ASAI, KOJIMA, CHICHIBU, and FUKUDA Peer-reviewed

Asai, H., Kojima, K., Chichibu, S.F., Fukuda, K.

Physical Review Applied　12　(1)　014002-1-014002-12　2019/06

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.12.014002 　
Comparison of Al x Ga1-xN multiple quantum wells designed for 265 and 285 nm deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates having macrosteps Peer-reviewed

Nagasawa, Y., Hirano, A., Ipponmatsu, M., Kojima, K., Chichibu, S.F., Honda, Y., Amano, H., Akasaki, I.

Applied Physics Express　12　(6)　064009-1-064009-6　2019/06

DOI： 10.7567/1882-0786/ab21a9 　

ISSN： 1882-0778 1882-0786
Annealing Behavior of Vacancy-Type Defects in Mg- and H-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams Peer-reviewed

Uedono, A., Iguchi, H., Narita, T., Kataoka, K., Egger, W., Koschine, T., Hugenschmidt, C., Dickmann, M., Shima, K., Kojima, K., Chichibu, S.F., Ishibashi, S.

Physica Status Solidi (B) Basic Research　256　(10)　1900104-1-1900104-12　2019/05

DOI： 10.1002/pssb.201900104 　
Impact of growth temperature on the structural properties of bgan films grown by metal-organic vapor phase epitaxy using trimethylboron Peer-reviewed

Ebara, K., Mochizuki, K., Inoue, Y., Aoki, T., Kojima, K., Chichibu, S.F., Nakano, T.

Japanese Journal of Applied Physics　58　(SC)　SC1042-1-SC1042-5　2019/05

DOI： 10.7567/1347-4065/ab1395 　
Quantification of the quantum efficiency of radiation of a freestanding GaN crystal placed outside an integrating sphere Peer-reviewed

Kojima, K., Ikemura, K., Chichibu, S.F.

Applied Physics Express　12　(6)　062010-1-062010-4　2019/05

DOI： 10.7567/1882-0786/ab2165 　
Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures Peer-reviewed

Chichibu, S.F., Shima, K., Kojima, K., Takashima, S.-Y., Ueno, K., Edo, M., Iguchi, H., Narita, T., Kataoka, K., Ishibashi, S., Uedono, A.

Japanese Journal of Applied Physics　58　(SC)　SC0802-1-SC0802-10　2019/05

DOI： 10.7567/1347-4065/ab0d06 　
Carrier localization structure combined with current micropaths in AlGaN quantum wells grown on an AlN template with macrosteps Peer-reviewed

Kojima, K., Nagasawa, Y., Hirano, A., Ippommatsu, M., Honda, Y., Amano, H., Akasaki, I., Chichibu, S.F.

Applied Physics Letters　114　(1)　011102　2019/01

DOI： 10.1063/1.5063735 　
酸性アモノサーマル法によるGaN単結晶の育成 Peer-reviewed

冨田大輔, 斉藤真, 包全喜, 石黒徹, 秩父重英

日本セラミックス協会セラミックス誌特集号「結晶材料・結晶育成技術のフロンティア　53　(12)　874-877　2018/12
Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of (000 1 ) p-type GaN fabricated by sequential ion-implantation of Mg and H Peer-reviewed

Shima, K., Iguchi, H., Narita, T., Kataoka, K., Kojima, K., Uedono, A., Chichibu, S.F.

Applied Physics Letters　113　(19)　191901-1-191901-5　2018/11

DOI： 10.1063/1.5050967 　
Effects of extra metals added in an autoclave during acidic ammonothermal growth of m-plane GaN single crystals using an NH4F mineralizer Peer-reviewed

Tomida, D., Bao, Q., Saito, M., Sato, F., Ishiguro, T., Chichibu, S.F., Kurimoto, K.

Applied Physics Express　11　(9)　2018/09

DOI： 10.7567/APEX.11.091002 　

ISSN： 1882-0778 1882-0786
Large electron capture-cross-section of the major nonradiative recombination centers in Mg-doped GaN epilayers grown on a GaN substrate Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, S. Ishibashi, A. Uedono

Applied Physics Letters　112　(21)　2018/05/21

DOI： 10.1063/1.5030645 　

ISSN： 0003-6951
Polarity-dependence of the defect formation in c -axis oriented ZnO by the irradiation of an 8 MeV proton beam Peer-reviewed

Kazuto Koike, Mitsuaki Yano, Shun-Ichi Gonda, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Journal of Applied Physics　123　(16)　161562-1-7　2018/04/28

DOI： 10.1063/1.5010704 　

ISSN： 1089-7550 0021-8979

eISSN： 1089-7550
The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN Peer-reviewed

S. F. Chichibu, A. Uedono, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, S. Ishibashi

Journal of Applied Physics　123　(16)　2018/04/28

DOI： 10.1063/1.5012994 　

ISSN： 1089-7550 0021-8979
Carrier Trapping by Vacancy-Type Defects in Mg-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams Peer-reviewed

Akira Uedono, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Katsunori Ueno, Hideaki Matsuyama, Werner Egger, Tönjes Koschine, Christoph Hugenschmidt, Marcel Dickmann, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi

Physica Status Solidi (B) Basic Research　255　(4)　2018/04/01

DOI： 10.1002/pssb.201700521 　

ISSN： 1521-3951 0370-1972
Nearly temperature-independent ultraviolet light emission intensity of indirect excitons in hexagonal BN microcrystals Peer-reviewed

Shigefusa F. Chichibu, Youichi Ishikawa, Hiroko Kominami, Kazuhiko Hara

Journal of Applied Physics　123　(6)　2018/02/14

DOI： 10.1063/1.5021788 　

ISSN： 1089-7550 0021-8979
Photocatalytic NO removal over calcium-bridged siloxenes under ultraviolet and visible light irradiation Peer-reviewed

Haruo Imagawa, Xiaoyong Wu, Hiroshi Itahara, Shu Yin, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Tsugio Sato

Dalton Transactions　47　(20)　7070-7076　2018

DOI： 10.1039/c7dt04310d 　

ISSN： 1477-9234 1477-9226

eISSN： 1477-9234
Local structure around In atoms in coherently grown m-plane InGaN film Peer-reviewed

Takafumi Miyanaga, Takashi Azuhata, Kiyofumi Nitta, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF SYNCHROTRON RADIATION　24　(5)　1012-1016　2017/09

DOI： 10.1107/S1600577517010669 　

ISSN： 1600-5775
High temperature degradation mechanism of a red phosphor, CaAlSiN3:Eu for solid-state lighting Peer-reviewed

Masatsugu Oishi, Shohei Shiomi, Takashi Yamamoto, Tomoyuki Ueki, Yoichiro Kai, Shigefusa F. Chichibu, Aiko Takatori, Kazunobu Kojima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　122　(11)　113104-1-8　2017/09

DOI： 10.1063/1.5003087 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Demonstration of omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for precise determination of internal quantum efficiency of radiation in GaN single crystals Peer-reviewed

Kazunobu Kojima, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　111　(3)　032111-1-4　2017/07

DOI： 10.1063/1.4995398 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Photocatalytic activity of silicon-based nanoflakes for the decomposition of nitrogen monoxide Peer-reviewed

Hiroshi Itahara, Xiaoyong Wu, Haruo Imagawa, Shu Yin, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Tsugio Sato

DALTON TRANSACTIONS　46　(26)　8643-8648　2017/07

DOI： 10.1039/c7dt01682d 　

ISSN： 1477-9226

eISSN： 1477-9234
Nitrogen vacancies as a common element of the green luminescence and nonradiative recombination centers in Mg-implanted GaN layers formed on a GaN substrate Peer-reviewed

Kazunobu Kojima, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Katsunori Ueno, Mitsuaki Shimizu, Tokio Takahashi, Shoji Ishibashi, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　10　(6)　061002-1-4　2017/06

DOI： 10.7567/APEX.10.061002 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786
A Low-Symmetry Cubic Mesophase of Dendronized CdS Nanoparticles and Their Structure-Dependent Photoluminescence Peer-reviewed

Masaki Matsubara, Warren Stevenson, Jun Yabuki, Xiangbing Zeng, Haoliang Dong, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Kaoru Tamada, Atsushi Muramatsu, Goran Ungar, Kiyoshi Kanie

CHEM　2　(6)　860-876　2017/06

DOI： 10.1016/j.chempr.2017.05.001 　

ISSN： 2451-9294
Ultraviolet light-absorbing and emitting diodes consisting of a p-type transparent-semiconducting NiO film deposited on an n-type GaN homoepitaxial layer Peer-reviewed

Hiroshi Nakai, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　110　(18)　181102-1-5　2017/05

DOI： 10.1063/1.4982653 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Defect-Resistant Radiative Performance of m-Plane Immiscible Al1-xInxN Epitaxial Nanostructures for Deep-Ultraviolet and Visible Polarized Light Emitters Peer-reviewed

Shigefusa F. Chichibu, Kazunobu Kojima, Akira Uedono, Yoshitaka Sato

ADVANCED MATERIALS　29　(5)　2017/02

DOI： 10.1002/adma.201603644 　

ISSN： 0935-9648

eISSN： 1521-4095
A design strategy for achieving more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high-AlN-mole-fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells Peer-reviewed

Kazunobu Kojima, Kentaro Furusawa, Yoshiki Yamazaki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　10　(1)　015802-1-4　2017/01

DOI： 10.7567/APEX.10.015802 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786
Phase transformation during simultaneous chalcogenization of CuIn(S,Se)(2) thin films using metalorganic sources Peer-reviewed

Ryuki Shoji, Yoshiki Kayama, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 14 NO 6　14　(6)　1600159-1-4　2017

DOI： 10.1002/pssc.201600159 　

ISSN： 1862-6351
Alloy-compositional-fluctuation effects on optical gain characteristics in AlGaN and InGaN quantum-well laser diodes

Atsushi A. Yamaguchi, Takuto Minami, Shigeta Sakai, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference　2016/12/02
Publisher: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISSN： 0899-9406
Vacancies and electron trapping centers in acidic ammonothermal GaN probed by a monoenergetic positron beam Peer-reviewed

Akira Uedono, Yusuke Tsukada, Yutaka Mikawa, Tae Mochizuki, Hideo Fujisawa, Hirotaka Ikeda, Kaori Kurihara, Kenji Fujito, Shigeru Terada, Shoji Ishibashi, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　448　117-121　2016/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.05.015 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Electrical properties of undoped and Li-doped NiO thin films deposited by RF sputtering without intentional heating Peer-reviewed

Mutsumi Sugiyama, Hiroshi Nakai, Gaku Sugimoto, Aika Yamada, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(8)　088003-1-3　2016/08

DOI： 10.7567/JJAP.55.088003 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Determination of absolute value of quantum efficiency of radiation in high quality GaN single crystals using an integrating sphere Peer-reviewed

Kazunobu Kojima, Tomomi Ohtomo, Ken-ichiro Ikemura, Yoshiki Yamazaki, Makoto Saito, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　120　(1)　015704-1-7　2016/07

DOI： 10.1063/1.4955139 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on the Si-doping effects in high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells grown on an AlN template by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Furusawa, H. Miyake, K. Hiramatsu

15th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2015　29-33　2016/05/09
Publisher: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/IWJT.2015.7467069 　
Electronic and optical characteristics of an m-plane GaN single crystal grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed synthesized by the ammonothermal method using an acidic mineralizer Peer-reviewed

Kazunobu Kojima, Yusuke Tsukada, Erika Furukawa, Makoto Saito, Yutaka Mikawa, Shuichi Kubo, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(5)　05FA03-1-4　2016/05

DOI： 10.7567/JJAP.55.05FA03 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Spectroscopic ellipsometry studies on the m-plane Al1-xInxN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a freestanding GaN substrate Peer-reviewed

Kazunobu Kojima, Daiki Kagaya, Yoshiki Yamazaki, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(5)　05FG04-1-5　2016/05

DOI： 10.7567/JJAP.55.05FG04 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Spectroscopic ellipsometry studies on the m-plane Al

Kojima Kazunobu, Kagaya Daiki, Yamazaki Yoshiki, Ikeda Hirotaka, Fujito Kenji, Chichibu Shigefusa

Jpn. J. Appl. Phys.　55　(5)　05FG04　2016/04/04
Publisher: Institute of Physics
DOI： 10.7567/JJAP.55.05FG04 　

ISSN： 0021-4922

More details Close

Dispersion relationships of the refractive index and extinction coefficient of m-plane Al<inf>1−</inf><inf>x</inf>In<inf>x</inf>N epitaxial films (x = 0.00, 0.23, and 0.30) grown on a freestanding m-plane GaN substrate were determined by spectroscopic ellipsometry measurement. The experimentally obtained ellipsometric parameters tan Ψ and cos Δ, which represent the differences in the p- and s-polarized amplitudes and phases of the incident light, respectively, were well fitted using the standard analytical functions. As the measurement was carried out at photon energies between 1.55 and 5.40 eV, the dispersion curves of the extinction coefficient k exhibited local maxima at approximately the Al<inf>1−</inf><inf>x</inf>In<inf>x</inf>N bandgap energies of x = 0.23 and 0.30, and the sample with x = 0.00 showed an ordinal absorption spectrum with a bandtail formed owing to high-concentration residual impurities. A large and x-dependent energy difference between the absorption and emission spectra (Stokes’ shift) was observed for the Al<inf>1−</inf><inf>x</inf>In<inf>x</inf>N films, suggesting the presence of carrier localization phenomena.
Liquid-crystalline organic-inorganic hybrid dendrimer with a CdS nano-core: The self-organized structure-dependent photoluminescence behavior

K. Kanie, M. Matsubara, W. Stevenson, Y. Yamazaki, J. Yabuki, K. Kojima, M. Nakaya, S. F. Chichibu, A. Muramatsu, X. Zeng, G. Ungar

22nd International Congress of Chemical and Process Engineering, CHISA 2016 and 19th Conference on Process Integration, Modelling and Optimisation for Energy Saving and Pollution Reduction, PRES 2016　2　795-796　2016
Publisher: Czech Society of Chemical Engineering
Impacts of dislocations and point defects on the internal quantum efficiency of the near-band-edge emission in ALGaN-based DUV light-emitting materials Peer-reviewed

Shigefusa F. Chichibu, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramtsu, Akira Uedono

Springer Series in Materials Science　227　115-136　2016/01/01
Publisher: Springer Verlag
DOI： 10.1007/978-3-319-24100-5_5 　

ISSN： 0933-033X
Controlling the carrier lifetime of nearly threading-dislocation-free ZnO homoepitaxial films by 3d transition-metal doping Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, A. Uedono

APPLIED PHYSICS LETTERS　108　(2)　021904-1-5　2016/01

DOI： 10.1063/1.4939838 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Alloy-Compositional-Fluctuation Effects on Optical Gain Characteristics in AlGaN and InGaN Quantum-Well Laser Diodes Peer-reviewed

Atsushi A. Yamaguchi, Takuto Minami, Shigeta Sakai, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

2016 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC)　2016

ISSN： 2326-5442
Spatio-Time-Resolved Cathodoluminescence Spectroscopy for Studying Local Carrier Dynamics in Ultraviolet Light-Emitting Group-III Nitride Semiconductors Using Focused Femtosecond Pulsed Electron Beams

秩父重英

旭硝子財団助成成果報告書(Web)　2016　ROMBUNNO.62 (WEB ONLY)-17　2016
Publisher:
ISSN： 1882-0069
Spatio-time-resolved cathodoluminescence study on high AlN mole fraction AlxGa1-xN structures grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

Shigefusa F. Chichibu, Youichi Ishikawa, Kentaro Furusawa, Akira Uedono, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)　2016
High Quality Bulk GaN Crystal Grown by Acidic Ammonothermal Method Peer-reviewed

Quanxi Bao, Makoto Saito, Kouhei Kurimoto, Daisuke Tomida, Kazunobu Kojima, Yuji Kagamitani, Rinzo Kayano, Tohru Ishiguro, Shigefusa F. Chichibu

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)　2016
Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on Si-doped high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells grown on an AlN epitaxial templates

秩父重英, 三宅秀人, 三宅秀人, 平松和政

電子情報通信学会技術研究報告　115　(331(LQE2015 100-122))　43‐48-48　2015/11/19
Publisher:
ISSN： 0913-5685
Electronic and optical characteristics of an m-plane freestanding GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed crystal synthesized by the ammonothermal method using an acidic mineralizer

小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

電子情報通信学会技術研究報告　115　(331(LQE2015 100-122))　15‐19-19　2015/11/19
Publisher:
ISSN： 0913-5685
Low-resistivity m-plane freestanding GaN substrate with very low point-defect concentrations grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed crystal synthesized by the ammonothermal method Peer-reviewed

Kazunobu Kojima, Yusuke Tsukada, Erika Furukawa, Makoto Saito, Yutaka Mikawa, Shuichi Kubo, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　8　(9)　095501-1-4　2015/09

DOI： 10.7567/APEX.8.095501 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786
Reduction in the concentration of cation vacancies by proper Si-doping in the well layers of high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, K. Furusawa, K. Hiramatsu

APPLIED PHYSICS LETTERS　107　(12)　121602-1-5　2015/09

DOI： 10.1063/1.4931754 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Reduction in the concentration of cation vacancies by proper Si-doping in the well layers of high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, K. Furusawa, K. Hiramatsu

APPLIED PHYSICS LETTERS　107　(12)　2015/09

DOI： 10.1063/1.4931754 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Low-resistivity m-plane freestanding GaN substrate with very low point-defect concentrations grown by hydride vapor phase epitaxy on a GaN seed crystal synthesized by the ammonothermal method Peer-reviewed

Kazunobu Kojima, Yusuke Tsukada, Erika Furukawa, Makoto Saito, Yutaka Mikawa, Shuichi Kubo, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　8　(9)　2015/09

DOI： 10.7567/APEX.8.095501 　

ISSN： 1882-0778

eISSN： 1882-0786
Structural and optical properties of AlN grown by solid source solution growth method Peer-reviewed

Yoshihiro Kangawa, Hiroshige Suetsugu, Michael Knetzger, Elke Meissner, Kouji Hazu, Shigefusa F. Chichibu, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka, Yosuke Iwasaki, Koichi Kakimoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(8)　085501-1-5　2015/08

DOI： 10.7567/JJAP.54.085501 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Structural and optical properties of AlN grown by solid source solution growth method Peer-reviewed

Yoshihiro Kangawa, Hiroshige Suetsugu, Michael Knetzger, Elke Meissner, Kouji Hazu, Shigefusa F. Chichibu, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka, Yosuke Iwasaki, Koichi Kakimoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(8)　2015/08

DOI： 10.7567/JJAP.54.085501 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Local excitation and emission dynamics of an isolated single basal-plane stacking-fault in GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence Peer-reviewed

Kentaro Furusawa, Yoichi Ishikawa, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(3)　030303-1-4　2015/03

DOI： 10.7567/JJAP.54.030303 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Local excitation and emission dynamics of an isolated single basal-plane stacking-fault in GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence Peer-reviewed

Kentaro Furusawa, Yoichi Ishikawa, Hirotaka Ikeda, Kenji Fujito, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(3)　2015/03

DOI： 10.7567/JJAP.54.030303 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Polarity Dependent Radiation Hardness of GaN Peer-reviewed

Masayuki Matsuo, Takayuki Murayama, Kazuto Koike, Shigehiko Sasa, Mitsuaki Yano, Akira Uedono, Shun-ichi Gonda, Ryoya Ishigami, Kyo Kume, Tomomi Ohtomo, Erika Furukawa, Yoshiki Yamazaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu

2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)　2015

DOI： 10.1109/IMFEDK.2015.7158544 　
Fabrication of visible-light transparent solar cells composed of NiO/NixZn1-xO/ZnO heterostructures Peer-reviewed

Daisuke Kawade, Kazuma Moriyama, Fumika Nakamura, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 12, NO 6　12　(6)　785-788　2015

DOI： 10.1002/pssc.201400256 　

ISSN： 1862-6351
High internal quantum efficiency ultraviolet to green luminescence peaks from pseudomorphic m-plane Al1-xInxN epilayers grown on a low defect density m-plane freestanding GaN substrate Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Hazu, K. Furusawa, Y. Ishikawa, T. Onuma, T. Ohtomo, H. Ikeda, K. Fujito

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　116　(21)　213501-1-6　2014/12

DOI： 10.1063/1.4902315 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
High internal quantum efficiency ultraviolet to green luminescence peaks from pseudomorphic m-plane Al1-xInxN epilayers grown on a low defect density m-plane freestanding GaN substrate Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Hazu, K. Furusawa, Y. Ishikawa, T. Onuma, T. Ohtomo, H. Ikeda, K. Fujito

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　116　(21)　2014/12

DOI： 10.1063/1.4902315 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Homoepitaxial growth of ZnO films with reduced impurity concentrations by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy using a crystalline ZnO target prepared by hydrothermal technique Peer-reviewed

Kentaro Furusawa, Hayato Nakasawa, Yoichi Ishikawa, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(10)　100301-1-4　2014/10

DOI： 10.7567/JJAP.53.100301 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Ammonothermal growth of GaN on a self-nucleated GaN seed crystal Peer-reviewed

Quanxi Bao, Makoto Saito, Kouji Hazu, Yuji Kagamitani, Kouhei Kurimoto, Daisuke Tomida, Kun Qiao, Tohru Ishiguro, Chiaki Yokoyama, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　404　168-171　2014/10

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2014.06.052 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Experimental determination of band offsets of NiO-based thin film heterojunctions Peer-reviewed

Daisuke Kawade, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　116　(16)　163108-1-5　2014/10

DOI： 10.1063/1.4900737 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Homoepitaxial growth of ZnO films with reduced impurity concentrations by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy using a crystalline ZnO target prepared by hydrothermal technique Peer-reviewed

Kentaro Furusawa, Hayato Nakasawa, Yoichi Ishikawa, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(10)　2014/10

DOI： 10.7567/JJAP.53.100301 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Preparation of CuInS2 thin films by sulfurization using ditertiarybutylsulfide Peer-reviewed

Xiaohui Liu, Zhengxin Liu, Fanying Meng, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

THIN SOLID FILMS　558　400-404　2014/05

DOI： 10.1016/j.tsf.2014.02.066 　

ISSN： 0040-6090
Polarized XAFS study of Al K-edge for m-plane AlGaN films

T. Miyanaga, T. Azuhata, K. Nakajima, H. Nagoya, K. Hazu, S. F. Chichibu

1ST CONFERENCE ON LIGHT AND PARTICLE BEAMS IN MATERIALS SCIENCE 2013 (LPBMS2013)　502　(B)　BL-11A/2011G587　2014

DOI： 10.1088/1742-6596/502/1/012031 　

ISSN： 1742-6588
Polarized XAFS study of Al K-edge for m-plane AlGaN films Peer-reviewed

T. Miyanaga, T. Azuhata, K. Nakajima, H. Nagoya, K. Hazu, S. F. Chichibu

1ST CONFERENCE ON LIGHT AND PARTICLE BEAMS IN MATERIALS SCIENCE 2013 (LPBMS2013)　502　012031　2014

DOI： 10.1088/1742-6596/502/1/012031 　

ISSN： 1742-6588
Polarized XAFS study of Al K-edge for m-plane AlGaN films Peer-reviewed

T. Miyanaga, T. Azuhata, K. Nakajima, H. Nagoya, K. Hazu, S. F. Chichibu

1ST CONFERENCE ON LIGHT AND PARTICLE BEAMS IN MATERIALS SCIENCE 2013 (LPBMS2013)　502　2014

DOI： 10.1088/1742-6596/502/1/012031 　

ISSN： 1742-6588
Ammonothermal crystal growth of GaN using an NH4F mineralizer Peer-reviewed

Quanxi Bao, Makoto Saito, Kouji Hazu, Kentaro Furusawa, Yuji Kagamitani, Rinzo Kayano, Daisuke Tomida, Kun Qiao, Tohru Ishiguro, Chiaki Yokoyama, Shigefusa F. Chichibu

Crystal Growth and Design　13　(10)　4158-4161　2013/10/02

DOI： 10.1021/cg4007907 　

ISSN： 1528-7483 1528-7505
Ammonothermal crystal growth of GaN using an NH4F mineralizer Peer-reviewed

Quanxi Bao, Makoto Saito, Kouji Hazu, Kentaro Furusawa, Yuji Kagamitani, Rinzo Kayano, Daisuke Tomida, Kun Qiao, Tohru Ishiguro, Chiaki Yokoyama, Shigefusa F. Chichibu

Crystal Growth and Design　13　(10)　4158-4161　2013/10/02

DOI： 10.1021/cg4007907 　

ISSN： 1528-7483 1528-7505
Electronic structure and spontaneous polarization in ScxAl yGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN: A first-principles study Peer-reviewed

Kazuhiro Shimada, Shigefusa F. Chichibu, Masahiro Hata, Hiroyuki Sazawa, Tomoyuki Takada, Takayuki Sota

Japanese Journal of Applied Physics　52　(8)　08JM04-1-4　2013/08

DOI： 10.7567/JJAP.52.08JM04 　

ISSN： 0021-4922 1347-4065
Electronic structure and spontaneous polarization in ScxAl yGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN: A first-principles study Peer-reviewed

Kazuhiro Shimada, Shigefusa F. Chichibu, Masahiro Hata, Hiroyuki Sazawa, Tomoyuki Takada, Takayuki Sota

Japanese Journal of Applied Physics　52　(8)　2013/08

DOI： 10.7567/JJAP.52.08JM04 　

ISSN： 0021-4922 1347-4065
Local carrier dynamics around the sub-surface basal-plane stacking faults of GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence using a front-excitation-type photoelectron-gun Peer-reviewed

K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　103　(5)　052108-1-4　2013/07

DOI： 10.1063/1.4817297 　

ISSN： 0003-6951
Local carrier dynamics around the sub-surface basal-plane stacking faults of GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence using a front-excitation-type photoelectron-gun Peer-reviewed

K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　103　(5)　2013/07

DOI： 10.1063/1.4817297 　

ISSN： 0003-6951
Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu, K. Hiramatsu, A. Uedono

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　113　(21)　213506-1-213506-6　2013/06

DOI： 10.1063/1.4807906 　

ISSN： 0021-8979
Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu, K. Hiramatsu, A. Uedono

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　113　(21)　2013/06

DOI： 10.1063/1.4807906 　

ISSN： 0021-8979
GaN基板と結晶成長技術

横山千昭, 秩父重英, 石黒徹, 包全喜

電子ジャーナル別冊2013化合物半導体技術大全第2編化合物半導体基板・デバイス技術　2013/03
GaN結晶成長技術の最新動向

横山千昭, 秩父重英, 石黒徹, 包全喜

電子ジャーナル別冊2013最先端ウェーハ&製造技術大全第2編結晶成長技術第4章　41-45　2013/03
Fabrication of Visible-Light-Transparent Solar Cells Using p-Type NiO Films by Low Oxygen Fraction Reactive RF Sputtering Deposition Peer-reviewed

Moe Warasawa, Yousuke Watanabe, Jun Ishida, Yoshitsuna Murata, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　52　(2)　2013/02

DOI： 10.7567/JJAP.52.021102 　

ISSN： 0021-4922
Acidic ammonothermal growth of GaN crystals using GaN powder as a nutrient Peer-reviewed

Quanxi Bao, Takanori Hashimoto, Fukuma Sato, Kouji Hazu, Makoto Saito, Yuji Kagamitani, Takayuki Ishinabe, Rinzo Kayano, Daisuke Tomida, Kun Qiao, Shigefusa F. Chichibu, Tohru Ishiguro, Chiaki Yokoyama

CRYSTENGCOMM　15　(26)　5382-5386　2013

DOI： 10.1039/c3ce40448j 　

ISSN： 1466-8033
Excitonic emission dynamics in homoepitaxial AlN films studied using polarized and spatio-time-resolved cathodoluminescence measurements Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, A. Uedono, S. Mita, J. Xie, R. Collazo, Z. Sitar

Applied Physics Letters　103　(14)　142103-1-5　2013

DOI： 10.1063/1.4823826 　

ISSN： 0003-6951
Excitonic emission dynamics in homoepitaxial AlN films studied using polarized and spatio-time-resolved cathodoluminescence measurements Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, A. Uedono, S. Mita, J. Xie, R. Collazo, Z. Sitar

Applied Physics Letters　103　(14)　2013

DOI： 10.1063/1.4823826 　

ISSN： 0003-6951
Spatio-Time-Resolved Cathodoluminescence Studies on Freestanding GaN Substrates Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy Peer-reviewed

S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono

MATERIALS FOR SOLID STATE LIGHTING　50　(42)　1-8　2013

DOI： 10.1149/05042.0001ecst 　

ISSN： 1938-5862
Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys Peer-reviewed

Shigefusa F. Chichibu, Takeyoshi Onuma, Kouji Hazu, Akira Uedono

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3　10　(3)　501-506　2013

DOI： 10.1002/pssc.201200676 　

ISSN： 1862-6351
Local lifetime and luminescence efficiency for the near-band-edge emission of freestanding GaN substrates determined using spatio-time-resolved cathodoluminescence Peer-reviewed

Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(21)　212106-1-4　2012/11

DOI： 10.1063/1.4767357 　

ISSN： 0003-6951
First-principles study of spontaneous polarization and band gap bowing in ScxAlyGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN Peer-reviewed

Kazuhiro Shimada, Masahiro Takouda, Yuuki Hashiguchi, Shigefusa F. Chichibu, Masahiro Hata, Hiroyuki Sazawa, Tomoyuki Takada, Takayuki Sota

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　27　(10)　1-5　2012/10

DOI： 10.1088/0268-1242/27/10/105014 　

ISSN： 0268-1242
Signatures of Gamma(1)-Gamma(5) mixed-mode polaritons in polarized reflectance spectra of ZnO Peer-reviewed

Ayako Takagi, Atsushi Nakamura, Akira Yoshikaie, So-ichiro Yoshioka, Satoru Adachi, Shigefusa F. Chichibu, Takayuki Sota

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　24　(41)　415801-1-8　2012/10

DOI： 10.1088/0953-8984/24/41/415801 　

ISSN： 0953-8984
Structural, elastic, and polarization parameters and band structures of wurtzite ZnO and MgO Peer-reviewed

S-H Jang, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　112　(7)　073503-1-6　2012/10

DOI： 10.1063/1.4757023 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
First-principles study of spontaneous polarization and band gap bowing in ScxAlyGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN Peer-reviewed

Kazuhiro Shimada, Masahiro Takouda, Yuuki Hashiguchi, Shigefusa F. Chichibu, Masahiro Hata, Hiroyuki Sazawa, Tomoyuki Takada, Takayuki Sota

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　27　(10)　2012/10

DOI： 10.1088/0268-1242/27/10/105014 　

ISSN： 0268-1242
Signatures of Gamma(1)-Gamma(5) mixed-mode polaritons in polarized reflectance spectra of ZnO Peer-reviewed

Ayako Takagi, Atsushi Nakamura, Akira Yoshikaie, So-ichiro Yoshioka, Satoru Adachi, Shigefusa F. Chichibu, Takayuki Sota

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　24　(41)　2012/10

DOI： 10.1088/0953-8984/24/41/415801 　

ISSN： 0953-8984
Lateral transport properties of Nb-doped rutile- and anatase-TiO2 films epitaxially grown on c-plane GaN Peer-reviewed

K. Hazu, T. Ohtomo, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(7)　072107-1-4　2012/08

DOI： 10.1063/1.4746406 　

ISSN： 0003-6951
Enhanced growth rate for ammonothermal gallium nitride crystal growth using ammonium iodide mineralizer Peer-reviewed

D. Tomida, Y. Kagamitani, Q. Bao, K. Hazu, H. Sawayama, S. F. Chichibu, C. Yokoyama, T. Fukuda, T. Ishiguro

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　353　(1)　59-62　2012/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.04.042 　

ISSN： 0022-0248
Lateral transport properties of Nb-doped rutile- and anatase-TiO2 films epitaxially grown on c-plane GaN Peer-reviewed

K. Hazu, T. Ohtomo, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(7)　2012/08

DOI： 10.1063/1.4746406 　

ISSN： 0003-6951
酸性鉱化剤の気相合成によるアモノサーマル法成長GaN単結晶の高純度化 Peer-reviewed

秩父重英

応用物理　81　(6)　502-505　2012/06/10
Publisher:
ISSN： 0369-8009

More details Close

7095
Improving the purity of GaN grown by the ammonothermal method with in-autoclave gas-phase acidic mineralizer synthesis Peer-reviewed

D. Tomida, S. F. Chichibu, Y. Kagamitani, Q. Bao, K. Hazu, R. Simura, K. Sugiyama, C. Yokoyama, T. Ishiguro, T. Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　348　(1)　80-84　2012/06

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.03.037 　

ISSN： 0022-0248
Valence-band-ordering of a strain-free bulk ZnO single crystal identified by four-wave-mixing spectroscopy technique Peer-reviewed

K. Hazu, S. F. Chichibu, S. Adachi, T. Sota

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(9)　093522-1-6　2012/05

DOI： 10.1063/1.4711103 　

ISSN： 0021-8979
Time-resolved photoluminescence, positron annihilation, and Al0.23Ga0.77N/GaN heterostructure growth studies on low defect density polar and nonpolar freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(10)　103518-1-11　2012/05

DOI： 10.1063/1.4717955 　

ISSN： 0021-8979
Time-resolved photoluminescence, positron annihilation, and Al0.23Ga0.77N/GaN heterostructure growth studies on low defect density polar and nonpolar freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(10)　2012/05

DOI： 10.1063/1.4717955 　

ISSN： 0021-8979
Femtosecond-laser-driven photoelectron-gun for time-resolved cathodoluminescence measurement of GaN Peer-reviewed

T. Onuma, Y. Kagamitani, K. Hazu, T. Ishiguro, T. Fukuda, S. F. Chichibu

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS　83　(4)　043905-1-7　2012/04

DOI： 10.1063/1.3701368 　

ISSN： 0034-6748
Photoluminescence Study of Defect Levels in CuInS2 Thin Films Grown by Sulfurization Using Ditertiarybutylsulfide Peer-reviewed

Xiaohui Liu, Chika Fujiwara, Xiaoming Dou, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(3)　031202-1-4　2012/03

DOI： 10.1143/JJAP.51.031202 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Photoluminescence Study of Defect Levels in CuInS2 Thin Films Grown by Sulfurization Using Ditertiarybutylsulfide Peer-reviewed

Xiaohui Liu, Chika Fujiwara, Xiaoming Dou, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(3)　2012/03

DOI： 10.1143/JJAP.51.031202 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Exciton binding energies in chalcopyrite semiconductors Peer-reviewed

Bernard Gil, Didier Felbacq, Shigefusa F. Chichibu

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　85　(7)　2012/02/08

DOI： 10.1103/PhysRevB.85.075205 　

ISSN： 1098-0121 1550-235X
Advantages and remaining issues of state-of-the-art m-plane freestanding GaN substrates grown by halide vapor phase epitaxy for m-plane InGaN epitaxial growth Peer-reviewed

S. F. Chichibu, M. Kagaya, P. Corfdir, J-D Ganiere, B. Deveaud-Pledran, N. Grandjean, S. Kubo, K. Fujito

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　27　(2)　024008-1-7　2012/02

DOI： 10.1088/0268-1242/27/2/024008 　

ISSN： 0268-1242

eISSN： 1361-6641
Exciton binding energies in chalcopyrite semiconductors Peer-reviewed

Bernard Gil, Didier Felbacq, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICAL REVIEW B　85　(7)　075205-1-5　2012/02

DOI： 10.1103/PhysRevB.85.075205 　

ISSN： 2469-9950

eISSN： 2469-9969
Advantages and remaining issues of state-of-the-art m-plane freestanding GaN substrates grown by halide vapor phase epitaxy for m-plane InGaN epitaxial growth Peer-reviewed

S. F. Chichibu, M. Kagaya, P. Corfdir, J-D Ganiere, B. Deveaud-Pledran, N. Grandjean, S. Kubo, K. Fujito

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　27　(2)　2012/02

DOI： 10.1088/0268-1242/27/2/024008 　

ISSN： 0268-1242

eISSN： 1361-6641
Defect characterization in Mg-doped GaN studied using a monoenergetic positron beam Peer-reviewed

A. Uedono, S. Ishibashi, K. Tenjinbayashi, T. Tsutsui, K. Nakahara, D. Takamizu, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(1)　014508-1-6　2012/01

DOI： 10.1063/1.3675516 　

ISSN： 0021-8979
Powder synthesis and ammonothermal crystal growth of GaN from metallic Ga in the presence of NH4I Peer-reviewed

Quanxi Bao, Hiromi Sawayama, Takanori Hashimoto, Fukuma Sato, Kouji Hazu, Yuji Kagamitani, Takayuki Ishinabe, Makoto Saito, Rinzo Kayano, Daisuke Tomida, Kun Qiao, Shigefusa F. Chichibu, Chiaki Yokoyama, Tohru Ishiguro

CRYSTENGCOMM　14　(10)　3351-3354　2012

DOI： 10.1039/c2ce06669f 　

ISSN： 1466-8033
Implementation of Spatio-Time-Resolved Cathodoluminescence Spectroscopy for Studying Local Carrier Dynamics in a Low Dislocation Density m-Plane In0.05Ga0.95N Epilayer Grown on a Freestanding GaN Substrate Peer-reviewed

Munehito Kagaya, Pierre Corfdir, Jean-Daniel Ganiere, Benoit Deveaud-Pledran, Nicolas Grandjean, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(11)　111002-1-5　2011/11

DOI： 10.1143/JJAP.50.111002 　

ISSN： 0021-4922
Implementation of Spatio-Time-Resolved Cathodoluminescence Spectroscopy for Studying Local Carrier Dynamics in a Low Dislocation Density m-Plane In0.05Ga0.95N Epilayer Grown on a Freestanding GaN Substrate Peer-reviewed

Munehito Kagaya, Pierre Corfdir, Jean-Daniel Ganiere, Benoit Deveaud-Pledran, Nicolas Grandjean, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(11)　2011/11

DOI： 10.1143/JJAP.50.111002 　

ISSN： 0021-4922
Spontaneous polarization and band gap bowing in YxAlyGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN Peer-reviewed

Kazuhiro Shimada, Atsuhito Zenpuku, Kazuya Fujiwara, Kouji Hazu, Shigefusa F. Chichibu, Masahiro Hata, Hiroyuki Sazawa, Tomoyuki Takada, Takayuki Sota

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　110　(7)　074114-1-5　2011/10

DOI： 10.1063/1.3651154 　

ISSN： 0021-8979
Spontaneous polarization and band gap bowing in YxAlyGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN Peer-reviewed

Kazuhiro Shimada, Atsuhito Zenpuku, Kazuya Fujiwara, Kouji Hazu, Shigefusa F. Chichibu, Masahiro Hata, Hiroyuki Sazawa, Tomoyuki Takada, Takayuki Sota

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　110　(7)　2011/10

DOI： 10.1063/1.3651154 　

ISSN： 0021-8979
Collateral evidence for an excellent radiative performance of AlxGa1-xN alloy films of high AlN mole fractions Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Hazu, T. Onuma, A. Uedono

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(5)　051902-1-3　2011/08

DOI： 10.1063/1.3615681 　

ISSN： 0003-6951
Optical and electrical properties of electron-irradiated Cu(In,Ga)Se-2 solar cells Peer-reviewed

Y. Hirose, M. Warasawa, K. Takakura, S. Kimura, S. F. Chichibu, H. Ohyama, M. Sugiyama

THIN SOLID FILMS　519　(21)　7321-7323　2011/08

DOI： 10.1016/j.tsf.2010.12.132 　

ISSN： 0040-6090
Collateral evidence for an excellent radiative performance of AlxGa1-xN alloy films of high AlN mole fractions Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Hazu, T. Onuma, A. Uedono

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(5)　2011/08

DOI： 10.1063/1.3615681 　

ISSN： 0003-6951
Optical polarization properties of m-plane AlxGa1-xN epitaxial films grown on m-plane freestanding GaN substrates toward nonpolar ultraviolet LEDs Peer-reviewed

Kouji Hazu, Shigefusa F. Chichibu

OPTICS EXPRESS　19　(14)　A1008-A1021　2011/07

DOI： 10.1364/OE.19.0A1008 　

ISSN： 1094-4087
Microstructure and interface control of GaN/MgAl2O4 grown by metalorganic chemical vapor deposition: Substrate-orientation dependence Peer-reviewed

G. He, Shigefusa F. Chichibu, T. Chikyow

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　110　(2)　2011/07

DOI： 10.1063/1.3606430 　

ISSN： 0021-8979
Sulfurization Growth of CuInS2 Thin Film Using Ditertiarybutylsulfide as a Less Hazardous Source Peer-reviewed

Mutsumi Sugiyama, Chika Fujiwara, Ryuki Shoji, Shigefusa Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(6)　065503-1-3　2011/06

DOI： 10.1143/JJAP.50.065503 　

ISSN： 0021-4922
地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測

秩父重英, 羽豆耕治

Mater Integr　2011/06/01
Sulfurization Growth of CuInS2 Thin Film Using Ditertiarybutylsulfide as a Less Hazardous Source Peer-reviewed

Mutsumi Sugiyama, Chika Fujiwara, Ryuki Shoji, Shigefusa Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(6)　2011/06

DOI： 10.1143/JJAP.50.065503 　

ISSN： 0021-4922
Growth of Cu(In,Al)(S,Se)(2) Thin Films by Selenization and Sulfurization for a Wide Bandgap Absorber Peer-reviewed

Chika Fujiwara, Tomoaki Sato, Yoshifumi Kawasaki, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(5)　05FB07-1-4　2011/05

DOI： 10.1143/JJAP.50.05FB07 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Morphological and Structural Changes in Cu(In,Ga)Se-2 Thin Films by Selenization Using Diethylselenide Peer-reviewed

Tomoaki Sato, Yoshifumi Kawasaki, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(5)　05FB05-1-4　2011/05

DOI： 10.1143/JJAP.50.05FB05 　

ISSN： 0021-4922
Growth of Cu(In,Al)(S,Se)(2) Thin Films by Selenization and Sulfurization for a Wide Bandgap Absorber Peer-reviewed

Chika Fujiwara, Tomoaki Sato, Yoshifumi Kawasaki, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(5)　2011/05

DOI： 10.1143/JJAP.50.05FB07 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Morphological and Structural Changes in Cu(In,Ga)Se-2 Thin Films by Selenization Using Diethylselenide Peer-reviewed

Tomoaki Sato, Yoshifumi Kawasaki, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(5)　2011/05

DOI： 10.1143/JJAP.50.05FB05 　

ISSN： 0021-4922
ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測

秩父重英, 羽豆耕治

マテリアルインテグレーション　24　(4)　273-276　2011/04
Publisher:
ISSN： 1344-7858
Time-Resolved Photoluminescence of a Two-Dimensional Electron Gas in an Al0.2Ga0.8N/GaN Heterostructure Fabricated on Ammonothermal GaN Substrates Peer-reviewed

Shigefusa F. Chichibu, Kouji Hazu, Yuji Kagamitani, Takeyoshi Onuma, Dirk Ehrentraut, Tsuguo Fukuda, Tohru Ishiguro

APPLIED PHYSICS EXPRESS　4　(4)　2011/04

DOI： 10.1143/APEX.4.045501 　

ISSN： 1882-0778
Impacts of anisotropic tilt mosaics of state-of-the-art m-plane freestanding GaN substrates on the structural and luminescent properties of m-plane AlxGa1-xN epilayers Peer-reviewed

K. Hazu, M. Kagaya, T. Hoshi, T. Onuma, S. F. Chichibu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　29　(2)　021208-1-9　2011/03

DOI： 10.1116/1.3566010 　

ISSN： 1071-1023
Time-Resolved Photoluminescence of a Two-Dimensional Electron Gas in an Al_0.2Ga_0.8N/GaN Heterostructure Fabricated on GaN Substrates Grown by the Ammonothermal Method Using an In-Autoclave Synthesized NH₄Cl Acidic Minerali Peer-reviewed

S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Kagamitani, T. Onuma, D. Ehrentraut, T. Fukuda, T. Ishiguro

Applied Physics Express　4　(4)　045501-1-3　2011/03

DOI： 10.1143/APEX.4.045501 　

More details Close

6666
Impacts of anisotropic tilt mosaics of state-of-the-art m-plane freestanding GaN substrates on the structural and luminescent properties of m-plane AlxGa1-xN epilayers Peer-reviewed

K. Hazu, M. Kagaya, T. Hoshi, T. Onuma, S. F. Chichibu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　29　(2)　2011/03

DOI： 10.1116/1.3566010 　

ISSN： 1071-1023
Sulfurization growth of CuInS 2 thin films and solar cells using ditertiarybutylsulfide as a less-hazardous source Peer-reviewed

M. Sugiyama, C. Fujiwara, R. Shoji, S. F. Chichibu

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference　000436-000439　2011

DOI： 10.1109/PVSC.2011.6185987 　

ISSN： 0160-8371
Impacts of anisotropic tilt mosaics of state-of-the-art m -plane freestanding GaN substrates on the structural and luminescent properties of m -plane Alx Ga1-x N epilayers Peer-reviewed

K. Hazu, M. Kagaya, T. Hoshi, T. Onuma, S. F. Chichibu

Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics　29　(2)　2011
Publisher: AVS Science and Technology Society
DOI： 10.1116/1.3566010 　

ISSN： 2166-2754 2166-2746
Transparent semiconducting Nb-doped anatase TiO2 films deposited by helicon-wave-excited-plasma sputtering Peer-reviewed

A. Fouda, K. Hazu, M. Haemori, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics　29　(1)　0110171-0110176　2011
Publisher: AVS Science and Technology Society
DOI： 10.1116/1.3525918 　

ISSN： 2166-2754 2166-2746
Point defects in GaN and related group-III nitrides studied by means of positron annihilation Invited Peer-reviewed

Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Shigefusa F. Chichibu, Katsuhiro Akimoto

GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES VI　7939　793901-1-10　2011

DOI： 10.1117/12.871611 　

ISSN： 0277-786X
Helicon-wave-excited plasma sputtering epitaxy of Nb-doped TiO2 films on GaN Peer-reviewed

A. Fouda, K. Hazu, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2　8　(2)　534-536　2011

DOI： 10.1002/pssc.201000466 　

ISSN： 1862-6351
Transparent semiconducting Nb-doped anatase TiO2 films deposited by helicon-wave-excited-plasma sputtering Peer-reviewed

A. Fouda, K. Hazu, M. Haemori, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　29　(1)　011017-1-6　2011/01

DOI： 10.1116/1.3525918 　

ISSN： 1071-1023
Helicon-wave-excited plasma sputtering epitaxy of Nb-doped TiO2 films on GaN Peer-reviewed

A. Fouda, K. Hazu, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2　8　(2)　2011

DOI： 10.1002/pssc.201000466 　

ISSN： 1862-6351
Transparent semiconducting Nb-doped anatase TiO2 films deposited by helicon-wave-excited-plasma sputtering Peer-reviewed

A. Fouda, K. Hazu, M. Haemori, T. Nakayama, A. Tanaka, S. F. Chichibu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　29　(1)　2011/01

DOI： 10.1116/1.3525918 　

ISSN： 1071-1023
Major impacts of point defects and impurities on the carrier recombination dynamics in AlN Peer-reviewed

S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, A. Uedono

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(20)　201904-1-3　2010/11

DOI： 10.1063/1.3517484 　

ISSN： 0003-6951
Ammonothermal epitaxy of wurtzite GaN using an NH4I mineralizer Peer-reviewed

Y. Kagamitani, T. Kuribayashi, K. Hazu, T. Onuma, D. Tomida, R. Simura, S. F. Chichibu, K. Sugiyama, C. Yokoyama, T. Ishiguro, T. Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　312　(22)　3384-3387　2010/11

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.07.065 　

ISSN： 0022-0248
Major impacts of point defects and impurities on the carrier recombination dynamics in AlN Peer-reviewed

S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, A. Uedono

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(20)　2010/11

DOI： 10.1063/1.3517484 　

ISSN： 0003-6951
Interface chemistry and electronic structure of GaN/MgAl2O4 revealed by angle-resolved photoemission spectroscopy Peer-reviewed

G. He, T. Chikyow, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(16)　161907(1)-(3)　2010/10

DOI： 10.1063/1.3505153 　

ISSN： 0003-6951
Interface chemistry and electronic structure of GaN/MgAl2O4 revealed by angle-resolved photoemission spectroscopy Peer-reviewed

G. He, T. Chikyow, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(16)　2010/10

DOI： 10.1063/1.3505153 　

ISSN： 0003-6951
Surface stoichiometry and activity control for atomically smooth low dislocation density ZnO and pseudomorphic MgZnO epitaxy on a Zn-polar ZnO substrate by the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy method Peer-reviewed

Y. Sawai, K. Hazu, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　108　(6)　063541-1-8　2010/09

DOI： 10.1063/1.3485600 　

ISSN： 0021-8979
ヨウ化アンモニウムを鉱化剤に用いたアモノサーマル法によるGaN育成

鏡谷勇二, 栗林岳人, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 冨田大輔, 志村玲子, 秩父重英, 杉山和正, 横山千昭, 石黒徹, 福田承生

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2010.2　3154-3154　2010/08/30
Publisher: 公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_3154 　

eISSN： 2436-7613
Nitrogen doped MgxZn1-xO/ZnO single heterostructure ultraviolet light-emitting diodes on ZnO substrates Peer-reviewed

K. Nakahara, S. Akasaka, H. Yuji, K. Tamura, T. Fujii, Y. Nishimoto, D. Takamizu, A. Sasaki, T. Tanabe, H. Takasu, H. Amaike, T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(1)　013501(1)-(3)　2010/07

DOI： 10.1063/1.3459139 　

ISSN： 0003-6951
Nitrogen doped MgxZn1-xO/ZnO single heterostructure ultraviolet light-emitting diodes on ZnO substrates Peer-reviewed

K. Nakahara, S. Akasaka, H. Yuji, K. Tamura, T. Fujii, Y. Nishimoto, D. Takamizu, A. Sasaki, T. Tanabe, H. Takasu, H. Amaike, T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(1)　2010/07

DOI： 10.1063/1.3459139 　

ISSN： 0003-6951
A new approach to technology roadmapping of disruptive innovation Peer-reviewed

A. Nagahira, D. Probert, T. Fukuda, S. F. Chichibu, Y. Kagamitani, A. Abe

Proceedings of the R&D Management Conference (2010), Roadmapping Session　1　(2)　9-23　2010/06/30
Photoluminescence and positron annihilation studies on Mg-doped nitrogen-polarity semipolar, 10(1)over-bar(1)over-bar GaN heteroepitaxial layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

T. Onuma, A. Uedono, H. Asamizu, H. Sato, J. F. Kaeding, M. Iza, S. P. DenBaars, S. Nakamura, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(9)　091913 1-3　2010/03

DOI： 10.1063/1.3337098 　

ISSN： 0003-6951
Photoluminescence and positron annihilation studies on Mg-doped nitrogen-polarity semipolar, 10(1)over-bar(1)over-bar GaN heteroepitaxial layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

T. Onuma, A. Uedono, H. Asamizu, H. Sato, J. F. Kaeding, M. Iza, S. P. DenBaars, S. Nakamura, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(9)　2010/03

DOI： 10.1063/1.3337098 　

ISSN： 0003-6951
Light polarization characteristics of m-plane AlxGa1-xN films suffering from in-plane anisotropic tensile stresses Peer-reviewed

K. Hazu, T. Hoshi, M. Kagaya, T. Onuma, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　107　(3)　033701　2010/02

DOI： 10.1063/1.3282705 　

ISSN： 0021-8979
Identification of extremely radiative nature of AlN by time-resolved photoluminescence Peer-reviewed

T. Onuma, K. Hazu, A. Uedono, T. Sota, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(6)　061906 1-3　2010/02

DOI： 10.1063/1.3284653 　

ISSN： 0003-6951
Identification of extremely radiative nature of AlN by time-resolved photoluminescence Peer-reviewed

T. Onuma, K. Hazu, A. Uedono, T. Sota, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(6)　2010/02

DOI： 10.1063/1.3284653 　

ISSN： 0003-6951
Light polarization characteristics of m-plane AlxGa1-xN films suffering from in-plane anisotropic tensile stresses Peer-reviewed

K. Hazu, T. Hoshi, M. Kagaya, T. Onuma, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　107　(3)　2010/02

DOI： 10.1063/1.3282705 　

ISSN： 0021-8979
Optical Properties of GaN Substrates

Chichibu, S.F.

Springer Series in Materials Science　133　2010

DOI： 10.1007/978-3-642-04830-2_13 　
Optical and Solar Cell Properties of Alpha-ray, Proton, and Gamma-ray Irradiated Cu(In,Ga)Se-2 Thin Films and Solar Cells Peer-reviewed

Mutsumi Sugiyama, Toshihiro Yasuniwa, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu, Shinichi Kimura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　042302 1-3　2010

DOI： 10.1143/JJAP.49.042302 　

ISSN： 0021-4922
Optimization of the Growth Conditions for Molecular Beam Epitaxy of MgxZn1-xO (0 <= x <= 0.12) Films on Zn-Polar ZnO Substrates Peer-reviewed

Hiroyuki Yuji, Ken Nakahara, Kentaro Tamura, Shunsuke Akasaka, Yoshio Nishimoto, Daiju Takamizu, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(7)　071104 1-5　2010

DOI： 10.1143/JJAP.49.071104 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Crystal Phase-Selective Epitaxy of Rutile and Anatase Nb-Doped TiO2 Films on a GaN Template by the Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering Epitaxy Method Peer-reviewed

Kouji Hazu, Aly Fouda, Tokuyuki Nakayama, Akikazu Tanaka, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　3　(9)　091102( 1)-(3)　2010

DOI： 10.1143/APEX.3.091102 　

ISSN： 1882-0778
Optical and Solar Cell Properties of Alpha-ray, Proton, and Gamma-ray Irradiated Cu(In,Ga)Se-2 Thin Films and Solar Cells Peer-reviewed

Mutsumi Sugiyama, Toshihiro Yasuniwa, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu, Shinichi Kimura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　2010

DOI： 10.1143/JJAP.49.042302 　

ISSN： 0021-4922
Optimization of the Growth Conditions for Molecular Beam Epitaxy of MgxZn1-xO (0 <= x <= 0.12) Films on Zn-Polar ZnO Substrates Peer-reviewed

Hiroyuki Yuji, Ken Nakahara, Kentaro Tamura, Shunsuke Akasaka, Yoshio Nishimoto, Daiju Takamizu, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(7)　2010

DOI： 10.1143/JJAP.49.071104 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Crystal Phase-Selective Epitaxy of Rutile and Anatase Nb-Doped TiO2 Films on a GaN Template by the Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering Epitaxy Method Peer-reviewed

Kouji Hazu, Aly Fouda, Tokuyuki Nakayama, Akikazu Tanaka, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　3　(9)　2010

DOI： 10.1143/APEX.3.091102 　

ISSN： 1882-0778
Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering as an Expandable Epitaxy Method for Planar Semiconductor Thin Films Peer-reviewed

Hiroaki Amaike, Kouji Hazu, Yutaka Sawai, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　2　(10)　105503 1-3　2009/10

DOI： 10.1143/APEX.2.105503 　

ISSN： 1882-0778
Synthesis, crystal structure and characterization of iron pyroborate (Fe2B2O5) single crystals (vol 182, pg 2004, 2009) Peer-reviewed

Tetsuya Kawano, Haruhiko Morito, Takahiro Yamada, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Hisanori Yamane

JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY　182　(10)　2947-2947　2009/10

DOI： 10.1016/j.jssc.2009.08.008 　

ISSN： 0022-4596
Structural, Optical, and Homoepitaxial Studies on the Bulk GaN Single Crystals Spontaneously Nucleated by the Na-Flux Method Peer-reviewed

Takeyoshi Onuma, Takahiro Yamada, Hisanori Yamane, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　2　(9)　091004(1)-(3)　2009/09

DOI： 10.1143/APEX.2.091004 　

ISSN： 1882-0778
Synthesis, crystal structure and characterization of iron pyroborate (Fe2B2O5) single crystals Peer-reviewed

Tetsuya Kawano, Haruhiko Morito, Takahiro Yamada, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Hisanori Yamane

JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY　182　(8)　2004-2009　2009/08

DOI： 10.1016/j.jssc.2009.05.009 　

ISSN： 0022-4596

eISSN： 1095-726X
Local structural study of Mg0.06Zn0.94O film by polarized XAFS Peer-reviewed

Tsutomu Yamada, Takafumi Miyanaga, Takashi Azuhata, Takahiro Koyama, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinori Kitajima

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　7　596-600　2009/05/09

DOI： 10.1380/ejssnt.2009.596 　

ISSN： 1348-0391
Nonpolar and Semipolar Group III Nitride-Based Materials Peer-reviewed

J. S. Speck, S. F. Chichibu

MRS BULLETIN　34　(5)　304-312　2009/05

DOI： 10.1557/mrs2009.91 　

ISSN： 0883-7694
Thermal stability of semi-insulating property of Fe-doped GaN bulk films studied by photoluminescence and monoenergetic positron annihilation techniques Peer-reviewed

Masashi Kubota, Takeyoshi Onuma, Yujiro Ishihara, Akira Usui, Akira Uedono, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(8)　083542(1)-(9)　2009/04

DOI： 10.1063/1.3110205 　

ISSN： 0021-8979
Vacancy-oxygen complexes and their optical properties in AlN epitaxial films studied by positron annihilation Peer-reviewed

A. Uedono, S. Ishibashi, S. Keller, C. Moe, P. Cantu, T. M. Katona, D. S. Kamber, Y. Wu, E. Letts, S. A. Newman, S. Nakamura, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, T. Onuma, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(5)　054501 1-6　2009/03

DOI： 10.1063/1.3079333 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Impacts of anisotropic lattice relaxation on crystal mosaicity and luminescence spectra of m-plane AlxGa1-xN films grown on m-plane freestanding GaN substrates by NH3 source molecular beam epitaxy Peer-reviewed

T. Hoshi, K. Hazu, K. Ohshita, M. Kagaya, T. Onuma, K. Fujito, H. Namita, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　94　(7)　.071910 1-3　2009/02

DOI： 10.1063/1.3089248 　

ISSN： 0003-6951
Impacts of anisotropic lattice relaxation on crystal mosaicity and luminescence spectra of m-plane AlxGa1-xN films grown on m-plane freestanding GaN substrates by NH3 source molecular beam epitaxy Peer-reviewed

T. Hoshi, K. Hazu, K. Ohshita, M. Kagaya, T. Onuma, K. Fujito, H. Namita, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　94　(7)　071910(1)-(3)　2009/02

DOI： 10.1063/1.3089248 　

ISSN： 0003-6951
Growth of single-phase Cu(In,Al)Se-2 photoabsorbing films by selenization using diethylselenide Peer-reviewed

M. Sugiyama, A. Umezawa, T. Yasuniwa, A. Miyama, H. Nakanishi, S. F. Chichibu

THIN SOLID FILMS　517　(7)　2175-2177　2009/02

DOI： 10.1016/j.tsf.2008.10.083 　

ISSN： 0040-6090
Free and bound exciton fine structures in AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

T. Onuma, T. Shibata, K. Kosaka, K. Asai, S. Sumiya, M. Tanaka, T. Sota, A. Uedono, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(2)　023529(1)-(7)　2009/01

DOI： 10.1063/1.3068335 　

ISSN： 0021-8979
Fabrication of a n-type ZnO/p-type Cu-Al-O heterojunction diode by sputtering deposition methods Peer-reviewed

Satoru Takahata, Keita Saiki, Takashi Imao, Hisayuki Nakanishi, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 5　6　(5)　1105-+　2009

DOI： 10.1002/pssc.200881167 　

ISSN： 1862-6351
Ga-doped ZnO transparent conducting films prepared by helicon-wave-excited plasma sputtering Peer-reviewed

Shingo Masaki, Hisayuki Nakanishi, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 5　6　(5)　1109-+　2009

DOI： 10.1002/pssc.200881168 　

ISSN： 1862-6351
Preparation of CuInSe2 thin films by metal-organic decomposition with oxidation-reduction and subsequent selenization using diethylselenide Peer-reviewed

S. Ando, N. Takayama, M. Sugiyama, H. Nakanishi, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 5　6　(5)　1038-+　2009

DOI： 10.1002/pssc.200881245 　

ISSN： 1862-6351
Study on dephasing dynamics of Exciton Fine Structure in GaN Peer-reviewed

T. Ishiguro, Y. Toda, S. Adachi, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2　6　S719-S722　2009

DOI： 10.1002/pssc.200880829 　

ISSN： 1862-6351
Preparation of Cu(In,Al)Se-2 thin films by selenization using diethylselenide Peer-reviewed

Akihisa Umezawa, Toshihiro Yasuniwa, Atsushi Miyama, Hisayuki Nakanishi, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 5　6　(5)　1016-+　2009

DOI： 10.1002/pssc.200881165 　

ISSN： 1862-6351
Fabrication of Zn-doped Cu(In,Ga)Se-2 thin film solar cells prepared by Zn diffusion from the gas phase using dimethylzinc Peer-reviewed

Atsushi Miyama, Xiaoming Dou, Toshihiro Yasuniwa, Akihisa Umezawa, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu, Mutsumi Sugiyama

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 5　6　(5)　1213-+　2009

DOI： 10.1002/pssc.200881169 　

ISSN： 1862-6351
特集：発光材料の新展開非極性面窒化物半導体発光素子の最近の動向

尾沼猛儀, 秩父重英

マテリアルインテグレーション　21　(12)　53-63　2008/12
Publisher:
ISSN： 1344-7858
発光材料の新展開非極性面窒化物半導体発光素子の最近の動向

尾沼猛儀, 秩父重英

Mater Integr　2008/11/25
Improved characteristics and issues of m-plane InGaN films grown on low defect density m-plane freestanding GaN substrates by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S. F. Chichibu, H. Yamaguchi, L. Zhao, M. Kubota, T. Onuma, K. Okamoto, H. Ohta

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(15)　151908 1-3　2008/10

DOI： 10.1063/1.2998580 　

ISSN： 0003-6951
Nonpolar Nitride Heterostructures and Devices grown by MOCVD Peer-reviewed

Arpan Chakraborty, Shigefusa Chichibu, Umesh Mishra

Nitrides with Nonpolar Surfaces: Growth, Properties, and Devices　319-355　2008/09/16
Publisher: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
DOI： 10.1002/9783527623150.ch12 　
Plasma-assisted molecular beam epitaxy of high optical quality MgZnO films on Zn-polar ZnO substrates Peer-reviewed

Yoshio Nishimoto, Ken Nakahara, Daiju Takamizu, Atsushi Sasaki, Kentaro Tamura, Shunsuke Akasaka, Hiroyuki Yuji, Tetsuo Fujii, Tetsuhiro Tanabe, Hidemi Takasu, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Masashi Kawasaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(9)　091202-1-091202-3　2008/09

DOI： 10.1143/APEX.1.091202 　

ISSN： 1882-0778
Anisotropic optical gain in m-plane In(x)Ga(1-x)N/GaN multiple quantum well laser diode wafers fabricated on the low defect density freestanding GaN substrates Peer-reviewed

T. Onuma, K. Okamoto, H. Ohta, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(9)　091112-1-091112-3　2008/09

DOI： 10.1063/1.2978242 　

ISSN： 0003-6951
Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane GaN homoepitaxial films grown by metal organic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing GaN substrates (vol 92, art no 091912, 2008) Peer-reviewed

S. F. Chichibu, H. Yamaguchi, L. Zhao, M. Kubota, K. Okamoto, H. Ohta

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(12)　2008/09

DOI： 10.1063/1.2991440 　

ISSN： 0003-6951
Anisotropic optical gain in m-plane In(x)Ga(1-x)N/GaN multiple quantum well laser diode wafers fabricated on the low defect density freestanding GaN substrates Peer-reviewed

T. Onuma, K. Okamoto, H. Ohta, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(9)　2008/09

DOI： 10.1063/1.2978242 　

ISSN： 0003-6951
Plasma-assisted molecular beam epitaxy of high optical quality MgZnO films on Zn-polar ZnO substrates Peer-reviewed

Yoshio Nishimoto, Ken Nakahara, Daiju Takamizu, Atsushi Sasaki, Kentaro Tamura, Shunsuke Akasaka, Hiroyuki Yuji, Tetsuo Fujii, Tetsuhiro Tanabe, Hidemi Takasu, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Masashi Kawasaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(9)　2008/09

DOI： 10.1143/APEX.1.091202 　

ISSN： 1882-0778
Impact of strain on free-exciton resonance energies in wurtzite AlN (vol 102, art no 123707, 2007) Peer-reviewed

Hirokatsu Ikeda, Takahiro Okamura, Kodai Matsukawa, Takayuki Sota, Mariko Sugawara, Takuya Hoshi, Pablo Cantu, Rajat Sharma, John F. Kaeding, Stacia Keller, Umesh K. Mishra, Kei Kosaka, Keiichiro Asai, Shigeaki Sumiya, Tomohiko Shibata, Mitsuhiro Tanaka, James S. Speck, Steven P. DenBaars, Shuji Nakamura, Takahiro Koyama, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(8)　2008/04

DOI： 10.1063/1.2903974 　

ISSN： 0021-8979
Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane GaN homoepitaxial films grown by metal organic vapor phase epitaxy on low defect density freestanding GaN substrates Peer-reviewed

S. F. Chichibu, H. Yamaguchi, L. Zhao, M. Kubota, K. Okamoto, H. Ohta

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(9)　091912-1-091912-3　2008/03

DOI： 10.1063/1.2842387 　

ISSN： 0003-6951
Direct correlation between the internal quantum efficiency and photoluminescence lifetime in undoped ZnO epilayers grown on Zn-polar ZnO substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy Peer-reviewed

D. Takamizu, Y. Nishimoto, S. Akasaka, H. Yuji, K. Tamura, K. Nakahara, T. Onuma, T. Tanabe, H. Takasu, M. Kawasaki, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(6)　pp.063502-1-pp.063502-4　2008/03

DOI： 10.1063/1.2841199 　

ISSN： 0021-8979
Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane GaN homoepitaxial films grown by metal organic vapor phase epitaxy on low defect density freestanding GaN substrates Peer-reviewed

S. F. Chichibu, H. Yamaguchi, L. Zhao, M. Kubota, K. Okamoto, H. Ohta

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(9)　129901 1　2008/03

DOI： 10.1063/1.2842387 　

ISSN： 0003-6951
Improvement of AI-Polar AIN layer quality by three-stage flow-modulation metalorganic chemical vapor deposition Peer-reviewed

Misaichi Takeuchi, Shin Ooishi, Takumi Ohtsuka, Tomohiro Maegawa, Takahiro Koyama, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinobu Aoyagi

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(2)　021102-1-021102-3　2008/02

DOI： 10.1143/APEX.1.021102 　

ISSN： 1882-0778
Formation of Zn-doped CuInSe2 films by thermal annealing using dimethylzinc Peer-reviewed

M. Sugiyama, A. Kinoshita, A. Miyama, H. Nakanishi, S. F. Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　310　(4)　794-797　2008/02

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.172 　

ISSN： 0022-0248
Microstructural evolution in m-plane GaN growth on m-plane SiC Peer-reviewed

Qian Sun, Soon-Yong Kwon, Zaiyuan Ren, Jung Han, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Shaoping Wang

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(5)　051112-1-051112-3　2008/02

DOI： 10.1063/1.2841671 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Improvement of AI-Polar AIN layer quality by three-stage flow-modulation metalorganic chemical vapor deposition Peer-reviewed

Misaichi Takeuchi, Shin Ooishi, Takumi Ohtsuka, Tomohiro Maegawa, Takahiro Koyama, Shigefusa F. Chichibu, Yoshinobu Aoyagi

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(2)　2008/02

DOI： 10.1143/APEX.1.021102 　

ISSN： 1882-0778
Preparation of ZnO : Ga thin films by helicon-wave-excited plasma sputtering Peer-reviewed

Shingo Masaki, Hisayuki Nakanishi, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9　5　(9)　3135-+　2008

DOI： 10.1002/pssc.200779182 　

ISSN： 1862-6351
Correlation between the violet luminescence intensity and defect density in AlN epilayers grown by ammonia-source molecular beam epitaxy Peer-reviewed

Takuya Hoshi, Takahiro Koyama, Mariko Sugawara, Akira Uedono, John F. Kaeding, Rajat Sharma, Shuji Nakamura, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6　5　(6)　2129-+　2008

DOI： 10.1002/pssc.200778473 　

ISSN： 1862-6351
Impact of point defects on the luminescence properties of (Al,Ga)N

Chichibu, S.F., Uedono, A., Onuma, T., DenBaars, S.P., Mishra, U.K., Speck, J.S., Nakamura, S.

Materials Science Forum　590　2008
Publisher: Materials Science Forum
DOI： 10.4028/0-87849-358-1.233 　
Four-wave mixing spectroscopy of ultraviolet excitons in strained GaN Peer-reviewed

T. Ishiguro, Y. Toda, S. Adachi, S. F. Chichibu

ULTRAFAST PHENOMENA IN SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURE MATERIALS XII　6892　2008

DOI： 10.1117/12.762839 　

ISSN： 0277-786X
MgxZn1-xO epitaxial films grown on ZnO substrates by molecular beam epitaxy Peer-reviewed

H. Yuji, K. Nakahara, K. Tamura, S. Akasaka, A. Sasaki, T. Tanabe, H. Takasu, T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

ZINC OXIDE MATERIALS AND DEVICES III　6895　2008

DOI： 10.1117/12.774974 　

ISSN： 0277-786X
Helicon-wave-excited plasma sputtering deposition of CuAlO2 thin films Peer-reviewed

Satoru Takahata, Takashi Imao, Hisayuki Nakanishi, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9　5　(9)　3101-+　2008

DOI： 10.1002/pssc.200779181 　

ISSN： 1862-6351
Impacts of dislocation bending and impurity incorporation on the local cathodoluminescence spectra of GaN grown by ammonothermal method Invited Peer-reviewed

S. F. Chichibu, T. Onuma, T. Hashimoto, K. Fujito, F. Wu, J. S. Speck, S. Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　91　(25)　251911 1-3　2007/12

DOI： 10.1063/1.2825471 　

ISSN： 0003-6951
Impact of strain on free-exciton resonance energies in wurtzite AlN Invited Peer-reviewed

Hirokatsu Ikeda, Takahiro Okamura, Kodai Matsukawa, Takayuki Sota, Mariko Sugawara, Takuya Hoshi, Pablo Cantu, Rajat Sharma, John F. Kaeding, Stacia Keller, Umesh K. Mishra, Kei Kosaka, Keiichiro Asai, Shigeaki Sumiya, Tomohiko Shibata, Mitsuhiro Tanaka, James S. Speck, Steven P. DenBaars, Shuji Nakamura, Takahiro Koyama, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　102　(12)　123707 1-5　2007/12

DOI： 10.1063/1.2825577 　

ISSN： 0021-8979
Impacts of dislocation bending and impurity incorporation on the local cathodoluminescence spectra of GaN grown by ammonothermal method Peer-reviewed

S. F. Chichibu, T. Onuma, T. Hashimoto, K. Fujito, F. Wu, J. S. Speck, S. Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　91　(25)　2007/12

DOI： 10.1063/1.2825471 　

ISSN： 0003-6951
Impact of strain on free-exciton resonance energies in wurtzite AlN Peer-reviewed

Hirokatsu Ikeda, Takahiro Okamura, Kodai Matsukawa, Takayuki Sota, Mariko Sugawara, Takuya Hoshi, Pablo Cantu, Rajat Sharma, John F. Kaeding, Stacia Keller, Umesh K. Mishra, Kei Kosaka, Keiichiro Asai, Shigeaki Sumiya, Tomohiko Shibata, Mitsuhiro Tanaka, James S. Speck, Steven P. DenBaars, Shuji Nakamura, Takahiro Koyama, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　102　(12)　2007/12

DOI： 10.1063/1.2825577 　

ISSN： 0021-8979
Effects of the high-temperature-annealed self-buffer layer on the improved properties of ZnO epilayers grown by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy on a-plane sapphire substrates Peer-reviewed

T. Koyama, A. N. Fouda, N. Shibata, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　102　(7)　073505-1-4　2007/10

DOI： 10.1063/1.2786090 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Quantum-confined Stark effects in the m-plane In0.15Ga0.85N/GaN multiple quantum well blue light-emitting diode fabricated on low defect density freestanding GaN substrate Peer-reviewed

T. Onuma, H. Amaike, M. Kubota, K. Okamoto, H. Ohta, J. Ichihara, H. Takasu, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　91　(18)　181903-1-3　2007/10

DOI： 10.1063/1.2802042 　

ISSN： 0003-6951
Effects of the high-temperature-annealed self-buffer layer on the improved properties of ZnO epilayers grown by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy on a-plane sapphire substrates Peer-reviewed

T. Koyama, A. N. Fouda, N. Shibata, S. F. Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　102　(7)　2007/10

DOI： 10.1063/1.2786090 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Quantum-confined Stark effects in the m-plane In0.15Ga0.85N/GaN multiple quantum well blue light-emitting diode fabricated on low defect density freestanding GaN substrate Peer-reviewed

T. Onuma, H. Amaike, M. Kubota, K. Okamoto, H. Ohta, J. Ichihara, H. Takasu, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　91　(18)　2007/10

DOI： 10.1063/1.2802042 　

ISSN： 0003-6951
Al- and N-polar AlN layers grown on c-plane sapphire substrates by modified flow-modulation MOCVD Peer-reviewed

M. Takeuchi, H. Shimizu, R. Kajitani, K. Kawasaki, T. Kinoshita, K. Takada, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, T. Koyama, S. F. Chichibu, Y. Aoyagi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　305　(2)　360-365　2007/07

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.04.004 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Atomic distribution in InxGa1-xN single quantum wells studied by extended x-ray absorption fine structure Peer-reviewed

Takafumi Miyanaga, Takashi Azuhata, Shigenobu Matsuda, Yoshikazu Ishikawa, Shinya Sasaki, Tomoya Uruga, Hajime Tanida, Shigefusa F. Chichibu, Takayuki Sota

PHYSICAL REVIEW B　76　(3)　035314 1-5　2007/07

DOI： 10.1103/PhysRevB.76.035314 　

ISSN： 1098-0121
Atomic distribution in InxGa1-xN single quantum wells studied by extended x-ray absorption fine structure Peer-reviewed

Takafumi Miyanaga, Takashi Azuhata, Shigenobu Matsuda, Yoshikazu Ishikawa, Shinya Sasaki, Tomoya Uruga, Hajime Tanida, Shigefusa F. Chichibu, Takayuki Sota

PHYSICAL REVIEW B　76　(3)　2007/07

DOI： 10.1103/PhysRevB.76.035314 　

ISSN： 1098-0121
Relation between AI vacancies and deep emission bands in AIN epitaxial films grown by NH3-source molecular beam epitaxy Peer-reviewed

T. Koyama, M. Sugawara, T. Hoshi, A. Uedono, J. F. Kaeding, R. Sharma, S. Nakamura, S. F. Chichibua

APPLIED PHYSICS LETTERS　90　(24)　241914-1-3　2007/06

DOI： 10.1063/1.2748315 　

ISSN： 0003-6951
Growth of single-phase CuInGaSe2 photo-absorbing alloy films by the selenization method using diethylselenide as a less-hazardous Se source Peer-reviewed

M. Sugiyama, A. Kinoshita, M. Fukaya, H. Nakanishi, S. F. Chichibu

THIN SOLID FILMS　515　(15)　5867-5870　2007/05

DOI： 10.1016/j.tsf.2006.12.061 　

ISSN： 0040-6090
Recombination dynamics of excitons in Mg0.11Zn0.89O alloy films grown using the high-temperature-annealed self-buffer layer by laser-assisted molecular-beam epitaxy Peer-reviewed

Masashi Kubota, Takeyoshi Onuma, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki, Takayuki Sota, Shigefusa F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　90　(14)　141903-1-141903-3　2007/04

DOI： 10.1063/1.2719168 　

ISSN： 0003-6951
Continuous-wave operation of m-plane InGaN multiple quantum well laser diodes Peer-reviewed

Kuniyoshi Okamoto, Hiroaki Ohta, Shigefusa F. Chichibu, Jun Ichihara, Hidemi Takasu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(8-11)　L187-L189　2007/03

DOI： 10.1143/JJAP.46.L187 　

ISSN： 0021-4922
Radiative and nonradiative lifetimes in nonpolar m -plane Inx Ga1-x NGaN multiple quantum wells grown on GaN templates prepared by lateral epitaxial overgrowth

Onuma, T., Koyama, T., Chakraborty, A., McLaurin, M., Haskell, B.A., Fini, P.T., Keller, S., Denbaars, S.P., Speck, J.S., Nakamura, S., Mishra, U.K., Sota, T., Chichibu, S.F.

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures　25　(4)　2007

DOI： 10.1116/1.2746354 　
Papers presented at the International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, IWN 2006: Preface

Akimoto, K., Chichibu, S., Suemasu, T.

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　4　(7)　2204-2204　2007
Cross-sectional spatially resolved cathodoluminescence study of cubic GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on free-standing (001) 3C-SiC and GaAs substrates Peer-reviewed

T. Onuma, T. Nozaka, H. Yamaguchi, T. Suzuki, S. F. Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　298　193-197　2007/01

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.045 　

ISSN： 0022-0248
Increased power from deep ultraviolet LEDs via precursor selection Peer-reviewed

C. Moe, T. Onuma, K. Vampola, N. Fellows, H. Masui, S. Newman, S. Keller, S. F. Chichibu, S. P. DenBaars, D. Emerson

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　298　710-713　2007/01

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.126 　

ISSN： 0022-0248
Coherent manipulation of A and B excitons in GaN Peer-reviewed

T. Ishiguro, Y. Toda, S. Adachi, K. Hazu, T. Sota, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007　4　(7)　2776-+　2007

DOI： 10.1002/pssc.200674741 　

ISSN： 1862-6351
Origin of localized excitons in In-containing three-dimensional bulk (Al,In,Ga)N alloy films probed by time-resolved photoluminescence and monoenergetic positron annihilation techniques Peer-reviewed

S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B. A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P. T. Fini, S. Keller, S. P. Denbaars, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. Nakamura, S. Yamaguchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Han, T. Sota

PHILOSOPHICAL MAGAZINE　87　(13)　2019-2039　2007

DOI： 10.1080/14786430701241689 　

ISSN： 1478-6435
Local structure around in atoms in InxGa1-xN multi-quantum-wells studied by XAFS Peer-reviewed

Shinya Sasaki, Takafumi Miyanaga, Takashi Azuhata, Tomoya Uruga, Hajime Tanida, Shigefusa F. Chichibu, Takayuki Sota

X-RAY ABSORPTION FINE STRUCTURE-XAFS13　882　499-+　2007

ISSN： 0094-243X
Recombination dynamics of excitons in Mg0.11 Zn0.89 O alloy films grown using the high-temperature-annealed self-buffer layer by laser-assisted molecular-beam epitaxy Peer-reviewed

Masashi Kubota, Takeyoshi Onuma, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki, Takayuki Sota, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Letters　90　(14)　2007

DOI： 10.1063/1.2719168 　

ISSN： 0003-6951
Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al, In, Ga) N alloy semiconductors Peer-reviewed

Shigefusa F. Chichibu, Akira Uedono, Takeyoshi Onuma, Benjamin A. Haskell, Arpan Chakraborty, Takahiro Koyama, Paul T. Fini, Stacia Keller, Steven P. Denbaars, James S. Speck, Umesh K. Mishra, Shuji Nakamura, Shigeo Yamaguchi, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Jung Han, Takayuki Sota

NATURE MATERIALS　5　(10)　810-816　2006/10

DOI： 10.1038/nmat1726 　

ISSN： 1476-1122
Helicon-wave-excited plasma sputtering deposition of Ga-doped ZnO transparent conducting films Peer-reviewed

Mutsumi Sugiyama, Akira Murayama, Takashi Imao, Keita Saiki, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science　203　(11)　2882-2886　2006/09

DOI： 10.1002/pssa.200669616 　

ISSN： 1862-6300 1862-6319
The use of diethylselenide as a less-hazardous source in CuInGaSe2 photoabsorbing alloy formation by selenization of metal precursors premixed with Se Peer-reviewed

M. Sugiyama, F. B. Dejene, A. Kinoshita, M. Fukaya, Y. Maru, T. Nakagawa, H. Nakanishi, V. Alberts, S. F. Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　294　(2)　214-217　2006/09

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.05.062 　

ISSN： 0022-0248
Helicon-wave-excited plasma sputtering deposition of Ga-doped ZnO transparent conducting films Peer-reviewed

Mutsumi Sugiyama, Akira Murayama, Takashi Imao, Keita Saiki, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　203　(11)　2882-2886　2006/09

DOI： 10.1002/pssa.200669616 　

ISSN： 0031-8965
Prospective emission efficiency and in-plane light polarization of nonpolar m-plane InxGa1-xN/GaN blue light emitting diodes fabricated on freestanding GaN substrates Peer-reviewed

T. Koyama, T. Onuma, H. Masui, A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. Nakamura, S. P. DenBaars, T. Sota, S. F. Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(9)　2006/08

DOI： 10.1063/1.2337085 　

ISSN： 0003-6951
Strain-relaxation in NH 3-source molecular beam epitaxy of AlN epilayers on GaN epitaxial templates Peer-reviewed

T. Koyama, M. Sugawara, Y. Uchinuma, J. F. Kaeding, R. Sharma, T. Onuma, S. Nakamura, S. F. Chichibu

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science　203　(7)　1603-1606　2006/05

DOI： 10.1002/pssa.200565289 　

ISSN： 1862-6300 1862-6319
Strain-relaxation in NH3-source molecular beam epitaxy of AlN epilayers on GaN epitaxial templates Peer-reviewed

T Koyama, M Sugawara, Y Uchinuma, JF Kaeding, R Sharma, T Onuma, S Nakamura, SF Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　203　(7)　1603-1606　2006/05

DOI： 10.1002/pssa.200565289 　

ISSN： 0031-8965
Improvements in quantum efficiency of excitonic emissions in ZnO epilayers by the elimination of point defects Peer-reviewed

SF Chichibu, T Onuma, M Kubota, A Uedono, T Sota, A Tsukazaki, A Ohtomo, M Kawasaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(9)　2006/05

DOI： 10.1063/1.2193162 　

ISSN： 0021-8979
Extremely high quantum efficiency of donor-acceptor-pair emission in N-and-B-doped 6H-SiC Peer-reviewed

S Kamiyama, T Maeda, Y Nakamura, M Iwaya, H Amano, Akasaki, I, H Kinoshita, T Furusho, M Yoshimoto, T Kimoto, J Suda, A Henry, IG Ivanov, JP Bergman, B Monemar, T Onuma, SF Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(9)　2006/05

DOI： 10.1063/1.2195883 　

ISSN： 0021-8979
Dielectric SiO2/ZrO2 distributed Bragg reflectors for ZnO microcavities prepared by the reactive helicon-wave-excited-plasma sputtering method Peer-reviewed

SF Chichibu, T Ohmori, N Shibata, T Koyama

APPLIED PHYSICS LETTERS　88　(16)　2006/04

DOI： 10.1063/1.2197932 　

ISSN： 0003-6951
Recombination dynamics of a 268 nm emission peak in Al0.53In0.11Ga0.36N/Al0.58In0.02Ga0.40N multiple quantum wells Peer-reviewed

T Onuma, S Keller, SP DenBaars, JS Speck, S Nakamura, UK Mishra, T Sota, SF Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　88　(11)　2006/03

DOI： 10.1063/1.2186109 　

ISSN： 0003-6951
Research report on the trend of optical technology.

土屋朋信, 秋山知之, 宮本裕, 木下進, 西村信治, 増田浩一, 松尾昌一郎, 森田逸郎, 川田善正, 加園修, 川瀬晃道, 永妻忠夫, 菅博文, 西田好毅, 工藤耕治, 青柳利隆, 松井康浩, 阿南隆由, 三川孝, 榎並顕, 細川速美, 冨田茂, 北村雅季, 飯尾晋司, 笹岡千秋, 平山秀樹, 秩父重英, 本田徹, ORR Jim, 田島章雄, 豊嶋守生, 西岡到, 岡村治男, 高良秀彦, 岡本聡, 富永淳二, 三浦博, 北原弘昭, 樋口隆信, 譚小地

光技術動向調査報告書平成17年度　2006
Growth and characterization of semipolar InGaN/GaN multiple quantum wells and light-emitting diodes on (10(1)over-bar(1)over-bar) GaN templates56 Peer-reviewed

Arpan Chakraborty, T. Onuma, T. J. Baker, S. Keller, S. F. Chichibu, S. P. DenBaars, S. Nakamura, J. S. Speck, U. K. Mishra

GAN, AIN, INN AND RELATED MATERIALS　892　143-+　2006

ISSN： 0272-9172
MOCVD growth and characterization of AIGaInN nanowires and narrostructures Peer-reviewed

J. Han, K. Kim, J. Su, M. Gherasimova, A. V. Nurmikko, S. F. Chichibu, C. Broadbridge

GaN, AIN, InN and Related Materials　892　789-798　2006

ISSN： 0272-9172
Exciton dynamics in nonpolar (1120) InGaN/GaN multiple quantum wells grown on GaN templates prepared by lateral epitaxial overgrowth Peer-reviewed

T. Onuma, A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, T. Sota, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, J. S. Speck, S. Nakamura, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6　3　(6)　2082-2086　2006

DOI： 10.1002/pssc.200565444 　

ISSN： 1862-6351
Growth and characterization of semipolar InGaN/GaN multiple quantum wells and light-emitting diodes on (10(1)over-bar(1)over-bar) GaN templates Peer-reviewed

Arpan Chakraborty, T. Onuma, T. J. Baker, S. Keller, S. F. Chichibu, S. P. DenBaars, S. Nakamura, J. S. Speck, U. K. Mishra

PROGRESS IN SEMICONDUCTOR MATERIALS V-NOVEL MATERIALS AND ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC APPLICATIONS　891　231-+　2006

ISSN： 0272-9172
Influence of the stacking order on structural features of the Cu-In-Ga-Se precursors for formation of Cu(In,Ga)Se-2 thin films prepared by thermal reaction of InSe/Cu/GaSe alloys to elemental Se vapor and diethylselenide gas Peer-reviewed

F. B. Dejene, M. Sugiyama, H. Nakanishi, V. Alberts, S. F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 8　3　(8)　2572-+　2006

DOI： 10.1002/pssc.200669657 　

ISSN： 1862-6351
Use of diethylselenide for the preparation of CuInGaSe2 films by selenization of metal precursors premixed with Se Peer-reviewed

Mutsumi Sugiyama, Francis B. Dejene, Atsuki Kinoshita, Masahiro Fukaya, Vivian Alberts, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 8　3　(8)　2543-+　2006

DOI： 10.1002/pssc.200669615 　

ISSN： 1862-6351
Preparation of high Ga-content CuInGaSe2 films by selenization of metal precursors using diethylselenide as a less-hazardous source Peer-reviewed

Atsuki Kinoshita, Masahiro Fukaya, Hisayuki Nakanishi, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa F. Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 8　3　(8)　2539-+　2006

DOI： 10.1002/pssc.200669645 　

ISSN： 1862-6351
Fabrication of p-(CuGaS2/n-ZnO : Al heterojunction light-emitting diode grown by metalorganic vapor phase epitaxy and helicon-wave-excited-plasma sputtering methods Peer-reviewed

SF Chichibu, T Ohmori, N Shibata, T Koyama, T Onuma

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS　66　(11)　1868-1871　2005/11

DOI： 10.1016/j.jpcs.2005.09.007 　

ISSN： 0022-3697
Selected topics in applied physics III - Physics of UV materials and devices and their applications Peer-reviewed

O Ueda, H Amano, S Fujita, K Kishino, K Hiramatsu, M Kawasaki, S Chichibu, S Niki, H Hirayama, J Speck, A Hangleiter, M Kneissl

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　44　(10)　VII-VII　2005/10

ISSN： 0021-4922
Growth of AlGaN nanowires by metalorganic chemical vapor deposition Peer-reviewed

J Su, M Gherasimova, G Cui, H Tsukamoto, J Han, T Onuma, M Kurimoto, SF Chichibu, C Broadbridge, Y He, AV Nurmikko

APPLIED PHYSICS LETTERS　87　(18)　2005/10

DOI： 10.1063/1.2126113 　

ISSN： 0003-6951
Reduction of Defects in Cubic GaN Epilayers Grown by MOVPE by the Insertion of AlGaN/GaN Superlattices

秩父重英, 鈴木智士, 野坂大樹, 杉山睦, 尾沼猛儀, 知京豊裕, 上殿明良

日本結晶成長学会誌　32　(3)　207-208　2005/08/17
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
DOI： 10.19009/jjacg.32.3_207 　

ISSN： 0385-6275

More details Close

Al_xGaN_<1-x>/GaN superlattice (SL) insertion was shown to improve the structural homogeneity and photoluminescence (PL) lifetime of cubic (c-) GaN epilayers on (001) GaAs substrates due to the reduction in structural and nonradiative defects during low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). The density or size of Ga-vacancy (V_<Ga>)-related defects was also significantly reduced by the SL insertion. Correlation between the lifetime and point defect species was made using time-resolved PL and monoenergetic positron annihilation measurements.
Exciton-polariton spectra and limiting factors for the room-temperature photoluminescence efficiency in ZnO Peer-reviewed

SF Chichibu, A Uedono, A Tsukazaki, T Onuma, M Zamfirescu, A Ohtomo, A Kavokin, G Cantwell, CW Litton, T Sota, M Kawasaki

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　20　(4)　S67-S77　2005/04

DOI： 10.1088/0268-1242/20/4/009 　

ISSN： 0268-1242
Measurements of exciton-polariton dynamics in ZnO by using nonlinear spectroscopic techniques Peer-reviewed

K Hazu, S Adachi, T Sota, SF Chichibu

JOURNAL OF LUMINESCENCE　112　(1-4)　7-10　2005/04

DOI： 10.1016/j.jlumin.2004.09.033 　

ISSN： 0022-2313

eISSN： 1872-7883
Localized exciton dynamics in nonpolar (1120) InxGa1-xN multiple quantum wells grown on GaN templates prepared by lateral epitaxial overgrowth Peer-reviewed

T Onuma, A Chakraborty, BA Haskell, S Keller, SP DenBaars, JS Speck, S Nakamura, UK Mishra, T Sota, SF Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　86　(15)　2005/04

DOI： 10.1063/1.1900947 　

ISSN： 0003-6951
Vacancy-type defects in Si-doped InN grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy probed using monoenergetic positron beams Peer-reviewed

A Uedono, SF Chichibu, M Higashiwaki, T Matsui, T Ohdaira, R Suzuki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　97　(4)　2005/02

DOI： 10.1063/1.1845575 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Reduction of bound-state and nonradiative defect densities in nonpolar (1120) AlGaN/GaN quantum wells by the use of lateral epitaxial overgrowth technique Peer-reviewed

S. F. Chichibu, T. Koida, M. D. Craven, B. A. Haskell, T. Onuma, T. Sota, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura

Physica Status Solidi C: Conferences　2　(7)　2700-2703　2005

DOI： 10.1002/pssc.200461423 　

ISSN： 1610-1634
Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO Peer-reviewed

A Tsukazaki, A Ohtomo, T Onuma, M Ohtani, T Makino, M Sumiya, K Ohtani, SF Chichibu, S Fuke, Y Segawa, H Ohno, H Koinuma, M Kawasaki

NATURE MATERIALS　4　(1)　42-46　2005/01

DOI： 10.1038/nmat1284 　

ISSN： 1476-1122

eISSN： 1476-4660
Limiting factors of room-temperature nonradiative photoluminescence lifetime in polar and nonpolar GaN studied by time-resolved photoluminescence and slow positron annihilation techniques Peer-reviewed

SF Chichibu, A Uedono, T Onuma, T Sota, BA Haskell, SP DenBaars, JS Speck, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　86　(2)　2005/01

DOI： 10.1063/1.1851619 　

ISSN： 0003-6951
Blue light-emitting diode based on ZnO Peer-reviewed

A Tsukazaki, M Kubota, A Ohtomo, T Onuma, K Ohtani, H Ohno, SF Chichibu, M Kawasaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(20-23)　L643-L645　2005

DOI： 10.1143/JJAP.44.L643 　

ISSN： 0021-4922
Biexcitons and their dephasing processes in ZnO Peer-reviewed

S Adachi, K Hazu, T Sota, S Chichibu, G Cantwell, DC Reynolds, CW Litton

FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHYSICS OF LIGHT-MATTER COUPLING IN NANOSTRUCTURES (PLMCN4)　2　(2)　890-895　2005

DOI： 10.1002/pssc.200460332 　

ISSN： 1862-6351
Reduction of bound-state and nonradiative defect densities in nonpolar (11(-)20) AlGaN/GaN quantum wells by the use of lateral epitaxial overgrowth technique Peer-reviewed

SF Chichibu, T Koida, MD Craven, BA Haskell, T Onuma, T Sota, JS Speck, SP DenBaars, S Nakamura

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS, VOL 2, NO 7　2　(7)　2700-2703　2005

DOI： 10.1002/pssc.200461423 　

ISSN： 1862-6351
Vapor-liquid-solid growth of III-Nitride nanowires and heterostructures by metal-organic chemical vapor deposition Peer-reviewed

J Su, M Gherasimova, G Cui, J Han, S Lim, D Ciuparu, L Pfefferle, Y He, AV Nurmikko, C Broadbridge, A Lehman, T Onuma, M Kurimoto, SF Chichibu

GaN, AIN, InN and Their Alloys　831　753-758　2005

ISSN： 0272-9172
Reduced nonradiative defect densities in ZnO epilayers grown on Si substrates by the use of ZnS epitaxial buffer layers

Onuma, T, Chichibu, SF, Uedono, A

Appl. Phys. Lett./AIP　85 (23), pp.5586-5588　2004/12
Reduced defect densities in the ZnO epilayer grown on Si substrates by laser-assisted molecular-beam epitaxy using a ZnS epitaxial buffer layer Peer-reviewed

T Onuma, SF Chichibu, A Uedono, YZ Yoo, T Chikyow, T Sota, M Kawasaki, H Koinuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　85　(23)　5586-5588　2004/12

DOI： 10.1063/1.1832734 　

ISSN： 0003-6951
Reduction of point defect density in cubic GaN epilayers on (001) GaAs substrates using AlxGa1-xN/GaN superlattice underlayers Peer-reviewed

SF Chichibu, M Sugiyama, T Nozaka, T Suzuki, T Onuma, K Nakajima, T Aoyama, M Sumiya, T Chikyow, A Uedono

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　272　(1-4)　481-488　2004/12

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.086 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Greenish-white electroluminescence from p-type CuGaS2 heterojunction diodes using n-type ZnO as an electron injector Peer-reviewed

SF Chichibu, T Ohmori, N Shibata, T Koyama, T Onuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　85　(19)　4403-4405　2004/11

DOI： 10.1063/1.1818333 　

ISSN： 0003-6951
Direct comparison of photoluminescence lifetime and defect densities in ZnO epilayers studied by time-resolved photoluminescence and slow positron annihilation techniques Peer-reviewed

T Koida, A Uedono, A Tsukazaki, T Sota, M Kawasaki, SF Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　201　(12)　2841-2845　2004/09

DOI： 10.1002/pssa.200405035 　

ISSN： 0031-8965
Phonon scattering of excitons and biexcitons in ZnO Peer-reviewed

K Hazu, T Sota, S Adachi, S Chichibu, G Cantwell, DC Reynolds, CW Litton

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　96　(2)　1270-1272　2004/07

DOI： 10.1063/1.1760831 　

ISSN： 0021-8979
Improved surface morphology in GaN homoepitaxy by NH3-source molecular-beam epitaxy Peer-reviewed

T Koida, Y Uchinuma, J Kikuchi, KR Wang, M Terazaki, T Onuma, JF Keading, R Sharma, S Nakamura, SF Chichibu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　22　(4)　2158-2164　2004/07

DOI： 10.1116/1.1775202 　

ISSN： 1071-1023
In situ monitoring of Zn* and Mg* species during helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO and Mg0.06Zn0.94O films Peer-reviewed

T Koyama, T Ohmori, N Shibata, T Onuma, SF Chichibu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　22　(4)　2220-2225　2004/07

DOI： 10.1116/1.1768522 　

ISSN： 1071-1023
Importance of lattice matching and surface arrangement for the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO Peer-reviewed

T Koyama, SF Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　95　(12)　7856-7861　2004/06

DOI： 10.1063/1.1739294 　

ISSN： 0021-8979
Excitonic optical spectra of ZnO, a group-II oxide semiconductor

秩父重英, 宗田孝之

応用物理　73　(5)　624-628　2004/05/10
Publisher:
ISSN： 0369-8009
Impact of the k-linear term on nonlinear optical response of the C-exciton manifold in ZnO Peer-reviewed

K Hazu, K Torii, T Sota, S Adachi, SF Chichibu, G Cantwell, DC Reynolds, CW Litton

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　95　(10)　5498-5501　2004/05

DOI： 10.1063/1.1710727 　

ISSN： 0021-8979
Improved quantum efficiency in nonpolar (11(2)over-bar0) AlGaN/GaN quantum wells grown on GaN prepared by lateral epitaxial overgrowth Peer-reviewed

T Koida, SF Chichibu, T Sota, MD Craven, BA Haskell, JS Speck, SP DenBaars, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　84　(19)　3768-3770　2004/05

DOI： 10.1063/1.1738185 　

ISSN： 0003-6951
Biexciton formation and exciton-exciton correlation effects in bulk ZnO Peer-reviewed

S Adachi, K Hazu, T Sota, SF Chichibu, G Cantwell, DB Eason, DC Reynolds, CW Litton

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　19　(4)　S276-S278　2004/04

DOI： 10.1088/0268-1242/19/4/092 　

ISSN： 0268-1242
Radiative and nonradiative processes in strain-free AlxGa1-xN films studied by time-resolved photoluminescence and positron annihilation techniques Peer-reviewed

T Onuma, SF Chichibu, A Uedono, T Sota, P Cantu, TM Katona, JF Keading, S Keller, UK Mishra, S Nakamura, SP DenBaars

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　95　(5)　2495-2504　2004/03

DOI： 10.1063/1.1644041 　

ISSN： 0021-8979
Reduced defect densities in cubic GaN epilayers with AlGaN/GaN superlattice underlayers grown on (001) GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

M Sugiyama, T Nosaka, T Suzuki, T Koida, K Nakajima, T Aoyama, M Sumiya, T Chikyow, A Uedono, SF Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　43　(3)　958-965　2004/03

DOI： 10.1143/JJAP.43.958 　

ISSN： 0021-4922
Radiative and nonradiative excitonic transitions in nonpolar (11(2)over-bar-0) and polar (000(1)over-bar) and (0001) ZnO epilayers Peer-reviewed

T Koida, SF Chichibu, A Uedono, T Sota, A Tsukazaki, M Kawasaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　84　(7)　1079-1081　2004/02

DOI： 10.1063/1.1646749 　

ISSN： 0003-6951
II-VI族酸化物半導体ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル−III-V族窒化物系半導体GaNとの類似点と相違点−

秩父重英, 宗田孝之

応用物理 (研究紹介)　2004
V defects of ZnO thin films grown on Si as an ultraviolet optical path Peer-reviewed

YZ Yoo, T Sekiguchi, T Chikyow, M Kawasaki, T Onuma, SF Chichibu, JH Song, H Koinuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　84　(4)　502-504　2004/01

DOI： 10.1063/1.1643535 　

ISSN： 0003-6951
Critical roles of decomposition-shielding layer deposited at low temperature governing the structural and photoluminescence properties of cubic GaN epilayers grown on (001)GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

M Sugiyama, T Nosaka, T Onuma, K Nakajima, P Ahmet, T Aoyama, T Chikyow, SF Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　43　(1)　106-110　2004/01

DOI： 10.1143/JJAP.43.106 　

ISSN： 0021-4922
Position controlled GaN nano-structures fabricated by low energy focused ion beam system. Peer-reviewed

T Nagata, P Ahmet, T Koida, SF Chichibu, T Chikyow

RADIATION EFFECTS AND ION-BEAM PROCESSING OF MATERIALS　792　605-609　2004

ISSN： 0272-9172
Influence of internal electric field on the recombination dynamics of localized excitons in an InGaN double-quantum-well laser diode wafer operated at 450 nm Peer-reviewed

T Onuma, SF Chichibu, T Aoyama, K Nakajima, P Ahmet, T Azuhata, T Chikyow, T Sota, S Nagahama, T Mukai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　42　(12)　7276-7283　2003/12

DOI： 10.1143/JJAP.42.7276 　

ISSN： 0021-4922
Exciton-exciton correlation effects on FWM in GaN Peer-reviewed

S Adachi, H Sasakura, S Muto, K Hazu, T Sota, SF Chichibu, T Mukai

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　240　(2)　348-351　2003/11

DOI： 10.1002/pssb.200303254 　

ISSN： 0370-1972
Heteroepitaxy of hexagonal ZnS thin films directly on Si (111) Peer-reviewed

YZ Yoo, T Chikyow, M Kawasaki, T Onuma, S Chichibu, H Koinuma

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　42　(11)　7029-7032　2003/11

DOI： 10.1143/JJAP.42.7029 　

ISSN： 0021-4922
Improved emission efficiency in InGaN/GaN quantum wells with compositionally-graded barriers studied by time-resolved photoluminescence spectroscopy Peer-reviewed

T Onuma, Y Uchinuma, EK Suh, HJ Lee, T Sota, SF Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　42　(11B)　L1369-L1371　2003/11

DOI： 10.1143/JJAP.42.L1369 　

ISSN： 0021-4922
Cathodoluminescence characterization of dislocations in gallium nitride using a transmission electron microscope Peer-reviewed

N Yamamoto, H Itoh, Grillo, V, SF Chichibu, S Keller, JS Speck, SP DenBaars, UK Mishra, S Nakamura, G Salviati

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　94　(7)　4315-4319　2003/10

DOI： 10.1063/1.1598632 　

ISSN： 0021-8979
Layer-by-layer growth of high-optical-quality ZnO film on atomically smooth and lattice relaxed ZnO buffer layer Peer-reviewed

A Tsukazaki, A Ohtomo, S Yoshida, M Kawasaki, CH Chia, T Makino, Y Segawa, T Koida, SF Chichibu, H Koinuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　83　(14)　2784-2786　2003/10

DOI： 10.1063/1.1615834 　

ISSN： 0003-6951
In situ spectral control of Zn species during helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO Peer-reviewed

T Koyama, T Onuma, S Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　83　(14)　2973-2975　2003/10

DOI： 10.1063/1.1616650 　

ISSN： 0003-6951
Metalorganic vapor phase epitaxy of Cu(AlxGa1-x)(SySe1-y)(2) chalcopyrite semiconductors and their band offsets Peer-reviewed

S Chichibu, Y Harada, M Sugiyama, H Nakanishi

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS　64　(9-10)　1481-1489　2003/09

DOI： 10.1016/S0022-3697(03)00125-2 　

ISSN： 0022-3697
Interface Fermi level pinning in a Cu/p-CuGaS2 Schottky diode Peer-reviewed

M Sugiyama, R Nakai, H Nakanishi, S Chichibu

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS　64　(9-10)　1787-1790　2003/09

DOI： 10.1016/S0022-3697(03)00144-6 　

ISSN： 0022-3697

eISSN： 1879-2553
Use of diethylselenide as a less-hazardous source for preparation of CuInSe2 thin films by selenization of metal precursors Peer-reviewed

T Yamamoto, M Nakamura, J Ishizuki, T Deguchi, S Ando, H Nakanishi, S Chichibu

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS　64　(9-10)　1855-1858　2003/09

DOI： 10.1016/S0022-3697(03)00146-X 　

ISSN： 0022-3697
Recombination dynamics of localized excitons in cubic InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells grown by rf-MBE on 3C-SiC substrate

Chichibu, SF, Onuma, T, Aoyama, T

J. Vac. Sci. Techn. B/AVS　21;4,pp.1856-1862　2003/08
Recombination dynamics of localized excitons in Al1-xInxN epitaxial films on GaN templates grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

T Onuma, S Chichibu, Y Uchinuma, T Sota, S Yamaguchi, S Kamiyama, H Amano, Akasaki, I

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　94　(4)　2449-2453　2003/08

DOI： 10.1063/1.1592868 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Strong biexcitonic effects and exciton-exciton correlations in ZnO Peer-reviewed

K. Hazu, T. Sota, K. Suzuki, S. Adachi, S. F. Chichibu, G. Cantwell, B. Eason, C. Reynolds, W. Litton

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　68　(11)　2003/07/15

DOI： 10.1103/PhysRevB.68.033205 　

ISSN： 1550-235X 1098-0121
Brillouin scattering study of ZnO Peer-reviewed

T Azuhata, M Takesada, T Yagi, A Shikanai, S Chichibu, K Torii, A Nakamura, T Sota, G Cantwell, DB Eason, CW Litton

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　94　(2)　968-972　2003/07

DOI： 10.1063/1.1586466 　

ISSN： 0021-8979
Recombination dynamics of localized excitons in cubic InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells grown by radio frequency molecular beam epitaxy on 3C-SiC substrate Peer-reviewed

SF Chichibu, T Onuma, T Aoyama, K Nakajima, P Ahmet, T Chikyow, T Sota, SP DenBaars, S Nakamura, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　21　(4)　1856-1862　2003/07

DOI： 10.1116/1.1593645 　

ISSN： 1071-1023
Strong biexcitonic effects and exciton-exciton correlations in ZnO Peer-reviewed

K Hazu, T Sota, K Suzuki, S Adachi, SF Chichibu, G Cantwell, DB Eason, DC Reynolds, CW Litton

PHYSICAL REVIEW B　68　(3)　2003/07

DOI： 10.1103/PhysRevB.68.033205 　

ISSN： 2469-9950

eISSN： 2469-9969
InGaN-based single-chip multicolor light-emitting diodes Peer-reviewed

T Azuhata, T Homma, Y Ishikawa, SF Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　42　(5B)　L497-L498　2003/05

DOI： 10.1143/JJAP.42.L497 　

ISSN： 0021-4922
Exciton-exciton interaction and heterobiexcitons in GaN Peer-reviewed

S Adachi, S Muto, K Hazu, T Sota, K Suzuki, SF Chichibu, T Mukai

PHYSICAL REVIEW B　67　(20)　2003/05

DOI： 10.1103/PhysRevB.67.205212 　

ISSN： 1098-0121
Defects in ZnO thin films grown on ScAlMgO4 substrates probed by a monoenergetic positron beam Peer-reviewed

A Uedono, T Koida, A Tsukazaki, M Kawasaki, ZQ Chen, S Chichibu, H Koinuma

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　93　(5)　2481-2485　2003/03

DOI： 10.1063/1.1539915 　

ISSN： 0021-8979
Influence of InN mole fraction on the recombination processes of localized excitons in strained cubic InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells Peer-reviewed

S Chichibu, T Onuma, T Sota, SP DenBaars, S Nakamura, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　93　(4)　2051-2054　2003/02

DOI： 10.1063/1.1535746 　

ISSN： 0021-8979
Light emission versus energy gap in group-III nitrides: hydrostatic pressure studies Peer-reviewed

T Suski, H Teisseyre, SP Lepkowski, P Perlin, H Mariette, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura, SF Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　235　(2)　225-231　2003/02

DOI： 10.1002/pssb.200301561 　

ISSN： 0370-1972
Effects of deposition parameters of low-temperature GaN layer on the structural and optical properties of cubic GaN epilayers grown on GaAs(001) substrates by MOVPE Peer-reviewed

Mutsumi Sugiyama, Taiki Nosaka, Kiyomi Nakajima, Parhat Ahmet, Toyomi Aoyama, Toyohiro Chikyow, Shigefusa F. Chichibu

Physica Status Solidi C: Conferences　(7)　2099-2102　2003

DOI： 10.1002/pssc.200303410 　

ISSN： 1610-1634
Anomalous pressure dependence of light emission in cubic InGaN Peer-reviewed

S. P. Łepkowski, T. Suski, H. Teisseyre, T. Kitamura, Y. Ishida, H. Okumura, T. Onuma, T. Koida, S. F. Chichibu

Physica Status Solidi C: Conferences　(7)　2682-2685　2003

DOI： 10.1002/pssc.200303294 　

ISSN： 1610-1634
Effects of deposition parameters of low-temperature GaN layer on the structural and optical properties of cubic GaN epilayers grown on GaAs(001) substrates by MOVPE Peer-reviewed

M Sugiyama, T Nosaka, K Nakajima, P Ahmet, T Aoyama, T Chikyow, SF Chichibu

5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS　0　(7)　2099-2102　2003

DOI： 10.1002/pssc.200303410 　

ISSN： 1862-6351
Anomalous pressure dependence of light emission in cubic InGaN Peer-reviewed

SP Lepkowski, T Suski, H Teisseyre, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura, T Onuma, T Koida, SF Chichibu

5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS　0　(7)　2682-2685　2003

DOI： 10.1002/pssc.200303294 　

ISSN： 1862-6351
Polarized photoreflectance spectra of excitonic polaritons in a ZnO single crystal Peer-reviewed

SF Chichibu, T Sota, G Cantwell, DB Eason, CW Litton

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　93　(1)　756-758　2003/01

DOI： 10.1063/1.1527707 　

ISSN： 0021-8979
Properties of optical phonons in cubic InxGa1-xN Peer-reviewed

K Torii, N Usukura, A Nakamura, T Sota, SF Chichibu, T Kitamura, H Okumura

APPLIED PHYSICS LETTERS　82　(1)　52-54　2003/01

DOI： 10.1063/1.1535273 　

ISSN： 0003-6951
Correlation between the photoluminescence lifetime and defect density in bulk and epitaxial ZnO Peer-reviewed

T Koida, SF Chichibu, A Uedono, A Tsukazaki, M Kawasaki, T Sota, Y Segawa, H Koinuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　82　(4)　532-534　2003/01

DOI： 10.1063/1.1540220 　

ISSN： 0003-6951
Scattering processes and dynamics of exciton-biexciton system in GaN Peer-reviewed

S Adachi, K Hazu, T Sota, SF Chichibu, T Mukai, S Muto, K Suzuki

ULTRAFAST PHENOMENA IN SEMICONDUCTORS VII　4992　188-201　2003

DOI： 10.1117/12.475699 　

ISSN： 0277-786X
Optical nonlinearities of excitons in ZnO single crystal Peer-reviewed

K Hazu, T Sota, K Suzuki, S Adachi, S Chichibu

ULTRAFAST PHENOMENA IN SEMICONDUCTORS VII　4992　257-264　2003

DOI： 10.1117/12.475710 　

ISSN： 0277-786X
Fermi-level pinning at the metal/p-type CuGaS2 interfaces Peer-reviewed

M Sugiyama, R Nakai, H Nakanishi, S Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　92　(12)　7317-7319　2002/12

DOI： 10.1063/1.1522488 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Pressure coefficients of the light emission in cubic InGaN epilayers and cubic InGaN/GaN quantum wells Peer-reviewed

T Suski, H Teisseyre, SP Lepkowski, P Perlin, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura, SF Chichibu

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　234　(3)　759-763　2002/12

DOI： 10.1002/1521-3951(200212)234:3<759::AID-PSSB759>3.0.CO;2-L 　

ISSN： 0370-1972
Recombination dynamics of localized excitons in cubic phase InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells on 3C-SiC/Si(001) Peer-reviewed

SF Chichibu, T Onuma, T Kitamura, T Sota, SP DenBaars, S Nakamura, H Okumura

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　234　(3)　746-749　2002/12

DOI： 10.1002/1521-3951(200212)234:3<746::AID-PSSB746>3.0.CO;2-0 　

ISSN： 0370-1972
Use of diethylselenide as a less-hazardous source for preparation of CuInSe2 photo-absorbers by selenization of metal precursors Peer-reviewed

SF Chichibu, M Sugiyama, M Ohbasami, A Hayakawa, T Mizutani, H Nakanishi, T Negami, T Wada

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　243　(3-4)　404-409　2002/09

DOI： 10.1016/S0022-0248(02)01558-0 　

ISSN： 0022-0248
Observation of exciton-polariton emissions from a ZnO epitaxial film on the a-face of sapphire grown by radical-source molecular-beam-epitaxy Peer-reviewed

SF Chichibu, T Sota, PJ Fons, K Ivata, A Yamada, K Matsubara, S Niki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　41　(8B)　L935-L937　2002/08

DOI： 10.1143/JJAP.41.L935 　

ISSN： 0021-4922
Different pressure coefficients of the light emission in cubic and hexagonal InGaN/GaN quantum wells Peer-reviewed

T Suski, H Teisseyre, SP Lepkowski, P Perlin, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura, SF Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　81　(2)　232-234　2002/07

DOI： 10.1063/1/1490400 　

ISSN： 0003-6951
Exciton spectra of an AlN epitaxial film on (0001) sapphire substrate grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

T Onuma, SF Chichibu, T Sota, K Asai, S Sumiya, T Shibata, M Tanaka

APPLIED PHYSICS LETTERS　81　(4)　652-654　2002/07

DOI： 10.1063/1.1493666 　

ISSN： 0003-6951
Photoreflectance and photoluminescence of exciton-polaritons in a ZnO epilayer grown on the a-face of sapphire by radical-source molecular-beam epitaxy Peer-reviewed

SF Chichibu, T Sota, PJ Fons, K Iwata, A Yamada, K Matsubara, S Niki

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　192　(1)　171-176　2002/07

DOI： 10.1002/1521-396X(200207)192:1<171::AID-PSSA171>3.0.CO;2-W 　

ISSN： 0031-8965

eISSN： 1862-6319
Optical nonlinearities and phase relaxation of excitons in GaN Peer-reviewed

K. Hazu, A. Shikanai, T. Sota, K. Suzuki, S. Adachi, S. F. Chichibu, T. Mukai

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　65　(19)　1952021-1952028　2002/05/15

DOI： 10.1103/PhysRevB.65.195202 　

ISSN： 0163-1829
Band gap energy bowing and residual strain in CuAl(SxSe1-x)(2) chalcopyrite semiconductor epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

Y Harada, H Nakanishi, SF Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　91　(9)　5909-5914　2002/05

DOI： 10.1063/1.1468907 　

ISSN： 0021-8979
Localized exciton dynamics in InGaN quantum well structures Peer-reviewed

SF Chichibu, T Azuhata, H Okumura, A Tackeuchi, T Sota, T Mukai

APPLIED SURFACE SCIENCE　190　(1-4)　330-338　2002/05

DOI： 10.1016/S0169-4332(01)00907-2 　

ISSN： 0169-4332
Optical nonlinearities and phase relaxation of excitons in GaN Peer-reviewed

K Hazu, A Shikanai, T Sota, K Suzuki, S Adachi, SF Chichibu, T Mukai

PHYSICAL REVIEW B　65　(19)　2002/05

DOI： 10.1103/PhysRevB.65.195202 　

ISSN： 1098-0121
Optical properties of β-FeSi2 under pressure

K. Takarabe, R. Teranishi, J. Oinuma, Y. Mori, T. Suemasu, S. Chichibu, F. Hasegawa

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　65　(16)　1652151-1652155　2002/04/15

ISSN： 0163-1829
Photoreflectance spectra of a ZnO heteroepitaxial film on the nearly lattice-matched ScAlMgO4 (0001) substrate grown by laser molecular-beam epitaxy Peer-reviewed

SF Chichibu, A Tsukazaki, M Kawasaki, K Tamura, Y Segawa, T Sota, H Koinuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　80　(16)　2860-2862　2002/04

DOI： 10.1063/1.1471374 　

ISSN： 0003-6951
Optical properties of beta-FeSi2 under pressure Peer-reviewed

K Takarabe, R Teranishi, J Oinuma, Y Mori, T Suemasu, S Chichibu, F Hasegawa

PHYSICAL REVIEW B　65　(16)　2002/04

DOI： 10.1103/PhysRevB.65.165215 　

ISSN： 1098-0121
Crystal growth of AgIn1-XGaXSe2 crystals grown by a vertical gradient freeze method Peer-reviewed

K Yoshino, H Komaki, K Itani, SF Chichibu, Y Akaki, T Ikari

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　236　(1-3)　257-260　2002/03

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)02134-0 　

ISSN： 0022-0248
Helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO on sapphire (0001) substrates Peer-reviewed

SF Chichibu, T Yoshida, T Onuma, H Nakanishi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　91　(2)　874-877　2002/01

DOI： 10.1063/1.1426238 　

ISSN： 0021-8979
Investigation of direct and indirect band gaps of [100]-oriented nearly strain-free beta-FeSi2 films grown by molecular-beam epitaxy Peer-reviewed

K Takakura, N Hiroi, T Suemasu, SF Chichibu, F Hasegawa

APPLIED PHYSICS LETTERS　80　(4)　556-558　2002/01

DOI： 10.1063/1.1432755 　

ISSN： 0003-6951
Similarities in the optical properties of hexagonal and cubic InGaN quantum wells Peer-reviewed

SF Chichibu, T Onuma, T Kuroda, A Tackeuchi, T Sota, T Kitamura, H Nakanishi, Y Ishida, H Okumura, S Keller, UK Mishra, SP DenBaars, S Nakamura, M Sugiyama

GAN AND RELATED ALLOYS-2001　693　481-486　2002

ISSN： 0272-9172
Piezoelectric field and its influence on the pressure behavior of the light emission from InGaN/GaN and GaN/AlGaN quantum wells Peer-reviewed

T Suski, P Perlin, SP Lepkowski, H Teisseyre, Gorczyca, I, P Prystawko, M Leszczynski, N Grandjean, J Massies, T Kitamura, Y Ishida, SF Chichibu, H Okumura

GAN AND RELATED ALLOYS-2001　693　487-499　2002

ISSN： 0272-9172
Exciton spectra of AlN epitaxial films Peer-reviewed

T Onuma, SF. Chichibu, T Sota, K Asai, S Sumiya, T Shibata, M Tanaka

GAN AND RELATED ALLOYS-2001　693　515-520　2002

ISSN： 0272-9172
Localized exciton dynamics in strained cubic In0.1Ga0.9N/GaN multiple quantum wells Peer-reviewed

SF Chichibu, M Sugiyama, T Onuma, T Kitamura, H Nakanishi, T Kuroda, A Tackeuchi, T Sota, Y Ishida, H Okumura

APPLIED PHYSICS LETTERS　79　(26)　4319-4321　2001/12

DOI： 10.1063/1.1428404 　

ISSN： 0003-6951
Band gap bowing and exciton localization in strained cubic InxGa1-xN films grown on 3C-SiC (001) by rf molecular-beam epitaxy Peer-reviewed

SF Chichibu, M Sugiyama, T Kuroda, A Tackeuchi, T Kitamura, H Nakanishi, T Sota, SP DenBaars, S Nakamura, Y Ishida, H Okumura

APPLIED PHYSICS LETTERS　79　(22)　3600-3602　2001/11

DOI： 10.1063/1.1421082 　

ISSN： 0003-6951
Optical properties of cubic InGaN/GaN multiple quantum wells on 3C-SiC substrates by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy Peer-reviewed

T Kitamura, Y Suzuki, Y Ishida, XQ Shen, H Nakanishi, SF Chichibu, M Shimizu

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　188　(2)　705-709　2001/11

DOI： 10.1002/1521-396X(200112)188:2<705::AID-PSSA705>3.0.CO;2-J 　

ISSN： 0031-8965
Electrical characterization at cubic AlN/GaN heterointerface grown by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy Peer-reviewed

T Kitamura, Y Ishida, XQ Shen, H Nakanishi, SF Chichibu, M Shimizu, H Okumura

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　228　(2)　599-602　2001/11

DOI： 10.1002/1521-3951(200111)228:2<599::AID-PSSB599>3.3.CO;2-6 　

ISSN： 0370-1972
Optical and structural studies in InGaN quantum well structure laser diodes Peer-reviewed

SF Chichibu, T Azuhata, M Sugiyama, T Kitamura, Y Ishida, H Okumura, H Nakanishi, T Sota, T Mukai

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　19　(6)　2177-2183　2001/11

DOI： 10.1116/1.1418404 　

ISSN： 1071-1023
Green to ultraviolet photoluminescence from CuAlxGa1-xS2 chalcopyrite semiconductor heteroepitaxial alloys grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

Y Harada, H Nakanishi, SF Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　226　(4)　473-480　2001/08

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)01409-9 　

ISSN： 0022-0248
Current-modulated electroluminescence spectroscopy and its application to InGaN single-quantum-well blue and green light-emitting diodes Peer-reviewed

T Azuhata, T Homma, Y Ishikawa, SF Chichibu, T Sota, T Mukai

APPLIED PHYSICS LETTERS　79　(8)　1100-1102　2001/08

DOI： 10.1063/1.1396312 　

ISSN： 0003-6951
Excitonic polariton structures in Wurtzite GaN Peer-reviewed

K Torii, SF Chichibu, T Deguchi, H Nakanishi, T Sota, S Nakamura

PHYSICA B　302　268-276　2001/08

DOI： 10.1016/S0921-4526(01)00440-9 　

ISSN： 0921-4526
Photoluminescence spectra of CuGaSe2 crystals Peer-reviewed

K Yoshino, M Sugiyama, D Maruoka, SF Chichibu, H Komaki, K Umeda, T Ikari

PHYSICA B　302　357-363　2001/08

DOI： 10.1016/S0921-4526(01)00454-9 　

ISSN： 0921-4526
Optical and electrical properties of AgIn(SSe)(2) crystals Peer-reviewed

K Yoshino, N Mitani, M Sugiyama, SF Chichibu, H Komaki, T Ikari

PHYSICA B　302　349-356　2001/08

DOI： 10.1016/S0921-4526(01)00453-7 　

ISSN： 0921-4526
Study of defects in GaN grown by the two-flow metalorganic chemical vapor deposition technique using monoenergetic positron beams Peer-reviewed

A Uedono, SF Chichibu, ZQ Chen, M Sumiya, R Suzuki, T Ohdaira, T Mikado, T Mukai, S Nakamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　90　(1)　181-186　2001/07

DOI： 10.1063/1.1372163 　

ISSN： 0021-8979
Localized excitons in an In0.06Ga0.94N multiple-quantum-well laser diode lased at 400 nm Peer-reviewed

SF Chichibu, T Azuhata, T Sota, T Mukai

APPLIED PHYSICS LETTERS　79　(3)　341-343　2001/07

DOI： 10.1063/1.1385583 　

ISSN： 0003-6951
Growth and characterization of cubic InGaN epilayers on 3C-SiC by RF MBE Peer-reviewed

T Kitamura, SH Cho, Y Ishida, T Ide, XQ Shen, H Nakanishi, S Chichibu, H Okumura

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　227　471-475　2001/07

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)00745-X 　

ISSN： 0022-0248
ナイトライドセラミックスの新展開 (1) 立方晶III族窒化物半導体量子構造のMBE成長と評価

奥村元, 秩父重英

Materials Integration　14　(6)　21-26　2001/06
Publisher:
ISSN： 1344-7858
Experimental determination of valence band discontinuities at Cu(Al,Ga)(S,Se)(2)/GaAs(001) heterointerfaces using ultraviolet photoemission spectroscopy Peer-reviewed

M Sugiyama, H Nakanishi, SF Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　40　(5A)　L428-L430　2001/05

DOI： 10.1143/JJAP.40.L428 　

ISSN： 0021-4922
Structural studies of Cu-III-VI2 chalcopyrite semiconductor heteroepitaxial films grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

Y Harada, H Nakanishi, SF Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　89　(10)　5406-5413　2001/05

DOI： 10.1063/1.1364643 　

ISSN： 0021-8979
Role of localized quantum well excitons in InGaN quantum well structure correlated with microstructural analysis

S. F. Chichibu, T. Sota, S. Nakamura

Materials Research Society Symposium - Proceedings　639　G9.3.6　2001

ISSN： 0272-9172
Impact of the growth polar direction on the optical properties of GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Setoguchi, A., Yoshimura, K., Sumiya, M., Uedono, A., Chichibu, S.F.

Materials Research Society Symposium - Proceedings　639　2001
Optical and structural studies in InGaN quantum well structure laser diodes Peer-reviewed

Chichibu, S.F., Azuhata, T., Sugiyama, M., Kitamura, T., Ishida, Y., Okumura, H., Nakanishi, H., Sota, T., Mukai, T.

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures　19　(6)　2177-2183　2001

DOI： 10.1116/1.1418404 　

ISSN： 0734-211X
High temperature growth of ZnS films on bare Si and transformation of ZnS to ZnO by thermal oxidation Peer-reviewed

YZ Yoo, Y Osaka, T Fukumura, Z Jin, M Kawasaki, H Koinuma, T Chikyow, P Ahmet, A Setoguchi, SF Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　78　(5)　616-618　2001/01

DOI： 10.1063/1.1344572 　

ISSN： 0003-6951
Evidence of localization effects in InGaN single-quantum-well ultraviolet light-emitting diodes (vol 76, pg 1671, 2000) Peer-reviewed

SF Chichibu, K Wada, J Mullhauser, O Brandt, KH Ploog, T Mizutani, A Setoguchi, R Nakai, M Sugiyama, H Nakanishi, K Torii, T Deguchi, T Sota, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　78　(5)　679-679　2001/01

DOI： 10.1063/1.1343504 　

ISSN： 0003-6951
Impact of growth polar direction on the optical properties of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

SF Chichibu, A Setoguchi, A Uedono, K Yoshimura, M Sumiya

APPLIED PHYSICS LETTERS　78　(1)　28-30　2001/01

DOI： 10.1063/1.1337641 　

ISSN： 0003-6951
Impact of internal electric field and localization effect on quantum well excitons in AlGaN/GaN/InGaN light emitting diodes Peer-reviewed

SF Chichibu, T Sota, K Wada, O Brandt, KH Ploog, SP DenBaars, S Nakamura

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　183　(1)　91-98　2001/01

DOI： 10.1002/1521-396X(200101)183:1<91::AID-PSSA91>3.0.CO;2-L 　

ISSN： 0031-8965
Optical absorption spectra of beta-FeSi2 under pressure Peer-reviewed

K Takarabe, R Teranisi, J Oinuma, Y Mori, T Suemasu, S Chichibu, F Hasegawa

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　223　(1)　259-263　2001/01

DOI： 10.1002/1521-3951(200101)223:1<259::AID-PSSB259>3.0.CO;2-F 　

ISSN： 0370-1972
Forward Raman scattering by quasilongitudinal optical phonons in GaN Peer-reviewed

T Azuhata, M Ono, K Torii, T Sota, SF Chichibu, S Nakamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　88　(9)　5202-5205　2000/11

DOI： 10.1063/1.1316056 　

ISSN： 0021-8979
Localized quantum well excitons in InGaN single-quantum-well amber light-emitting diodes Peer-reviewed

SF Chichibu, T Azuhata, T Sota, T Mukai, S Nakamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　88　(9)　5153-5157　2000/11

DOI： 10.1063/1.1314906 　

ISSN： 0021-8979
Structural studies of CuAlSe2, and CuAlS2 chalcopyrites at high pressures Peer-reviewed

RS Kumar, A Sekar, NV Jaya, S Natarajan, S Chichibu

JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS　312　(1-2)　4-8　2000/11

DOI： 10.1016/S0925-8388(00)00909-9 　

ISSN： 0925-8388
Raman scattering from phonon-polaritons in GaN Peer-reviewed

K. Torii, M. Ono, T. Sota, T. Azuhata, S. F. Chichibu, S. Nakamura

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　62　(16)　10861-10866　2000/10/15

DOI： 10.1103/PhysRevB.62.10861 　

ISSN： 0163-1829
Raman scattering from phonon-polaritons GaN Peer-reviewed

K Torii, M Ono, T Sota, T Azuhata, SF Chichibu, S Nakamura

PHYSICAL REVIEW B　62　(16)　10861-10866　2000/10

DOI： 10.1103/PhysRevB.62.10861 　

ISSN： 2469-9950

eISSN： 2469-9969
Structural analysis of InxGa1-xN single quantum wells by coaxial-impact collision ion scattering spectroscopy Peer-reviewed

M Sumiya, S Nakamura, SF Chichibu, K Mizuno, M Furusawa, M Yoshimoto

APPLIED PHYSICS LETTERS　77　(16)　2512-2514　2000/10

DOI： 10.1063/1.1318933 　

ISSN： 0003-6951
An attenuated-total-reflection study on the surface phonon-polariton in GaN Peer-reviewed

K Torii, T Koga, T Sota, T Azuhata, SF Chichibu, S Nakamura

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　12　(31)　7041-7044　2000/08

DOI： 10.1088/0953-8984/12/31/305 　

ISSN： 0953-8984
Effective localization of quantum well excitons in InGaN quantum well structures with high InN mole fraction

SF Chichibu, A Setoguchi, T Azuhata, J Mullhauser, M Sugiyama, T Mizutani, T Deguchi, H Nakanishi, T Sota, O Brandt, KH Ploog, T Mukai, S Nakamura

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　180　(1)　321-325　2000/07

ISSN： 0031-8965
Optical properties of CuGaSe2 and CuAlSe2 layers epitaxially grown on Cu(In0.04Ga0.96)Se-2 substrates Peer-reviewed

S Shirakata, S Chichibu, H Miyake, K Sugiyama

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　87　(10)　7294-7302　2000/05

DOI： 10.1063/1.372983 　

ISSN： 0021-8979
Photoluminescence of CuGaS2 epitaxial layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S Shirakata, S Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　87　(8)　3793-3799　2000/04

DOI： 10.1063/1.372416 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Comparison of optical properties of GaN/AlGaN and InGaN/AlGaN single quantum wells Peer-reviewed

SF Chichibu, A Shikanai, T Deguchi, A Setoguchi, R Nakai, H Nakanishi, K Wada, SP DenBaars, T Sota, S Nakamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　39　(4B)　2417-2424　2000/04

DOI： 10.1143/JJAP.39.2417 　

ISSN： 0021-4922
Evidence of localization effects in InGaN single-quantum-well ultraviolet light-emitting diodes Peer-reviewed

SF Chichibu, K Wada, J Mullhauser, O Brandt, KH Ploog, T Mizutani, A Setoguchi, R Nakai, M Sugiyama, H Nakanishi, K Korii, T Deguchi, T Sota, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　76　(13)　1671-1673　2000/03

DOI： 10.1063/1.126131 　

ISSN： 0003-6951
Photoreflectance spectra of excitonic polaritons in GaN substrate prepared by lateral epitaxial overgrowth Peer-reviewed

SF Chichibu, K Torii, T Deguchi, T Sota, A Setoguchi, H Nakanishi, T Azuhata, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　76　(12)　1576-1578　2000/03

DOI： 10.1063/1.126100 　

ISSN： 0003-6951
Growth and characterization of cubic InGaN/GaN multiple quantum wells on 3C-SiC by RF-MBE Peer-reviewed

T Kitamura, SH Cho, Y Ishida, XQ Shen, H Nakanishi, S Chichibu, H Okumura

PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS　1　93-96　2000
Photoreflectance spectra of excitonic polaritons in wurtzite GaN Peer-reviewed

K Torii, SF Chichibu, T Deguchi, H Nakanishi, T Sota, S Nakamura

PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS　1　548-551　2000
Spectroscopic studies in InGaN single-quantum-well amber light-emitting diodes Peer-reviewed

SF Chichibu, T Azuhata, T Sota, T Mukai, S Nakamura

PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS　1　528-531　2000
Correlation between optical emission and disordering of indium in InxGa1-xN single quantum wells analyzed by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy Peer-reviewed

M Sumiya, SF Chichibu, K Mizuno, M Furusawa, M Yoshimoto, S Nakamura

PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS　1　575-578　2000
A pump and probe study of photoinduced internal field screening dynamics in an AlGaN/GaN single-quantum-well structure Peer-reviewed

A Shikanai, T Deguchi, T Sota, T Kuroda, A Tackeuchi, S Chichibu, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　76　(4)　454-456　2000/01

DOI： 10.1063/1.125785 　

ISSN： 0003-6951
Crystal Growth of High Purity AgIn(SxSe1-x)(2) Single Crystals Peer-reviewed

Kenji Yoshino, Naoji Mitani, Mutsumi Sugiyama, Shigefusa Chichibu, Hisayuki Nakanishi, Tetsuo Ikari

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　39　(1)　50-51　2000

DOI： 10.7567/JJAPS.39S1.50 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Disappearance of the surface Cu-Se second phase during post-growth annealing of CuInSe2 epitaxial films grown under excess Cu-flux conditions Peer-reviewed

Manabu Uchino, Shigeru Niki, Yousuke Ai, Paul J. Fons, Akimasa Yamada, Natsuko Sakaf, Harumi Yokokawa, Hiroyuki Oyanagi, Shigefusa F. Chichibu, Hisayuki Nakanishi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　39　(1)　205-207　2000

DOI： 10.7567/JJAPS.39S1.205 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Exciton structures of single- and polycrystalline CuInSe2 and CuGaSe2 Peer-reviewed

Shigefusa F. Chichibu, Tsutomu Mizutani, Hisayuki Nakanishi, Shigeru Niki, Paul J. Fons, Akimasa Yamada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　39　(1)　326-327　2000

DOI： 10.7567/JJAPS.39S1.326 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Optical Properties of AgIn(SySe1-y)(2) Peer-reviewed

Mutsumi Sugiyama, Naoji Mitani, Kenji Yoshino, Tetsuo Ikari, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　39　(1)　96-97　2000

DOI： 10.7567/JJAPS.39S1.96 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Growth and Band-gap Estimation of CuIn3Se5 Polycrystalline Thin Films Peer-reviewed

Akinori Hayakawa, Tsutomu Mizutani, Hisayuki Nakanishi, Shigefusa F. Chichibu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　39　(1)　162-163　2000

DOI： 10.7567/JJAPS.39S1.162 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
Effect of the confinement layer design on the luminescence of InGaN/GaN single quantum wells Peer-reviewed

S Keller, SB Fleischer, SF Chichibu, JE Bowers, UK Mishra, SP DenBaars

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　216　(1)　269-272　1999/11

DOI： 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<269::AID-PSSB269>3.0.CO;2-4 　

ISSN： 0370-1972
Properties of quantum well excitons in GaN/AlGaN and InGaN/GaN/AlGaN UV, blue, green, and amber light emitting diode structures Peer-reviewed

SF Chichibu, T Deguchi, T Sota, K Wada, SP DenBaars, T Mukai, S Nakamura

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　176　(1)　85-90　1999/11

DOI： 10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<85::AID-PSSA85>3.0.CO;2-T 　

ISSN： 0031-8965
Two-phonon absorption spectra in wurtzite GaN Peer-reviewed

T Azuhata, K Shimada, T Deguchi, T Sota, K Suzuki, S Chichibu, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　75　(14)　2076-2078　1999/10

DOI： 10.1063/1.124921 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Optical properties of an InGaN active layer in ultraviolet light emitting diode Peer-reviewed

T Deguchi, K Torii, K Shimada, T Sota, R Matsuo, M Sugiyama, A Setoguchi, S Chichibu, S Nakamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　38　(9AB)　L975-L977　1999/09

DOI： 10.1143/jjap.38.L975 　

ISSN： 0021-4922
Structural and vibrational properties of GaN Peer-reviewed

T Deguchi, D Ichiryu, K Toshikawa, K Sekiguchi, T Sota, R Matsuo, T Azuhata, M Yamaguchi, T Yagi, S Chichibu, S Nakamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　86　(4)　1860-1866　1999/08

DOI： 10.1063/1.370980 　

ISSN： 0021-8979
Reflectance and emission spectra of excitonic polaritons in GaN Peer-reviewed

K Torii, T Deguchi, T Sota, K Suzuki, S Chichibu, S Nakamura

PHYSICAL REVIEW B　60　(7)　4723-4730　1999/08

DOI： 10.1103/PhysRevB.60.4723 　

ISSN： 1098-0121

eISSN： 1550-235X
Quantum-confined Stark effect in an AlGaN/GaN/AlGaN single quantum well structure Peer-reviewed

T Deguchi, K Sekiguchi, A Nakamura, T Sota, R Matsuo, S Chichibu, S Nakamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　38　(8B)　L914-L916　1999/08

DOI： 10.1143/jjap.38.L914 　

ISSN： 0021-4922
Optical properties of InGaN quantum wells Peer-reviewed

SF Chichibu, AC Abare, MP Mack, MS Minsky, T Deguchi, D Cohen, P Kozodoy, SB Fleischer, S Keller, JS Speck, JE Bowers, E Hu, UK Mishra, LA Coldren, SP DenBaars, K Wada, T Sota, S Nakamura

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　59　(1-3)　298-306　1999/05

DOI： 10.1016/S0921-5107(98)00359-6 　

ISSN： 0921-5107
Emission mechanisms of bulk GaN and InGaN quantum wells prepared by lateral epitaxial overgrowth Peer-reviewed

SF Chichibu, H Marchand, MS Minsky, S Keller, PT Fini, JP Ibbetson, SB Fleischer, JS Speck, JE Bowers, E Hu, UK Mishra, SP DenBaars, T Deguchi, T Soto, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　74　(10)　1460-1462　1999/03

DOI： 10.1063/1.123581 　

ISSN： 0003-6951
Infrared lattice absorption in wurtzite GaN Peer-reviewed

T Azuhata, K Shimada, T Deguchi, T Sota, K Suzuki, S Chichibu, S Nakamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　38　(2B)　L151-L153　1999/02

DOI： 10.1143/jjap.38.L151 　

ISSN： 0021-4922
Comparison of optical properties in GaN and InGaN quantum well structures Peer-reviewed

SF Chichibu, A Shikanai, T Deguchi, A Setoguchi, R Nakai, K Wada, SP DenBaars, T Sota, T Mukai, S Nakamura

DESIGN, FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF PHOTONIC DEVICES　3896　98-106　1999

DOI： 10.1117/12.370352 　

ISSN： 0277-786X
Structural and optical properties of low-dislocation-density GaN laterally overgrown by metalorganic chemical vapor deposition Peer-reviewed

H Marchand, JP Ibbetson, PT Fini, S Chichibu, SJ Rosner, S Keller, SP DenBaars, JS Speck, UK Mishra

COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998　(162)　681-686　1999

ISSN： 0951-3248
Spectroscopic studies in InGaN quantum wells Peer-reviewed

SF Chichibu, T Sota, K Wada, SP DenBaars, S Nakamura

MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH　4　1999

ISSN： 1092-5783
Effect of the growth rate and the barrier doping on the morphology and the properties of InGaN/GaN quantum wells Peer-reviewed

S Keller, SF Chichibu, MS Minsky, E Hu, UK Mishra, SP DenBaars

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　195　(1-4)　258-264　1998/12

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00680-0 　

ISSN： 0022-0248
Optical properties of InGaN/GaN quantum wells with Si doped barriers Peer-reviewed

MS Minsky, S Chichibu, SB Fleischer, AC Abare, JE Bowers, EL Hu, S Keller, UK Mishra, SP DenBaars

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　37　(11B)　L1362-L1364　1998/11

DOI： 10.1143/jjap.37.L1362 　

ISSN： 0021-4922
Free exciton spectra of cubic and hexagonal GaN epitaxial films

Chichibu, S., Okumura, H.

Denshi Gijutsu Sogo Kenkyusho Iho/Bulletin of the Electrotechnical Laboratory　62　(10)　1998/10
Effective band gap inhomogeneity and piezoelectric field in InGaN/GaN multiquantum well structures Peer-reviewed

SF Chichibu, AC Abare, MS Minsky, S Keller, SB Fleischer, JE Bowers, E Hu, UK Mishra, LA Coldren, SP DenBaars, T Sota

APPLIED PHYSICS LETTERS　73　(14)　2006-2008　1998/10

DOI： 10.1063/1.122350 　

ISSN： 0003-6951
Characteristics of muscular contraction caused by magnetic stimulation Peer-reviewed

A Chiba, H Nakanishi, S Chichibu

NEUROREPORT　9　(12)　2903-2905　1998/08

DOI： 10.1097/00001756-199808240-00041 　

ISSN： 0959-4965
Apoptosis in the kidney of malignant hypertensive rats (M-SHRSP). Peer-reviewed

Y Ohta, T Suzuki, M Yasui, A Chiba, S Chichibu

JAPANESE HEART JOURNAL　39　(4)　547-547　1998/07

ISSN： 0021-4868
Magnetically induced motor evoked potentials and H-reflex during nembutal and ketamine anesthesia administration in rats Peer-reviewed

A Chiba, H Nakanishi, S Hiruma, T Satou, S Hashimoto, S Chichibu

RESEARCH COMMUNICATIONS IN MOLECULAR PATHOLOGY AND PHARMACOLOGY　101　(1)　43-57　1998/07

ISSN： 1078-0297
Relation of pathological changes to EMGs evoked by magnetic stimulation of brain and spinal cord in the hypertensive rats. Peer-reviewed

Y Ohta, A Chiba, S Chichibu, M Yasui, T Suzuki

JAPANESE HEART JOURNAL　39　(4)　549-549　1998/07

ISSN： 0021-4868
Cathodoluminescence study on quantum microstructures.

和田一実, 秩父重英, 中村修二, 宗田孝之, 幸前篤朗, 村下達

応用物理　67　(7)　798-801　1998/07
Publisher: The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.11470/oubutsu1932.67.798 　

ISSN： 0369-8009
Improved optical properties of CuInSe2 thin films prepared by alternate-feeding physical vapor deposition Peer-reviewed

S Chichibu, T Shioda, T Irie, H Nakanishi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　84　(1)　522-525　1998/07

DOI： 10.1063/1.368056 　

ISSN： 0021-8979
Exciton localization in InGaN quantum well devices Peer-reviewed

S Chichibu, T Sota, K Wada, S Nakamura

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　16　(4)　2204-2214　1998/07

DOI： 10.1116/1.590149 　

ISSN： 1071-1023
Effects of Si-doping in the barriers of InGaN multiquantum well purplish-blue laser diodes Peer-reviewed

S Chichibu, DA Cohen, MP Mack, AC Abare, P Kozodoy, M Minsky, S Fleischer, S Keller, JE Bowers, UK Mishra, LA Coldren, DR Clarke, SP DenBaars

APPLIED PHYSICS LETTERS　73　(4)　496-498　1998/07

DOI： 10.1063/1.121912 　

ISSN： 0003-6951
Promising characteristics of GaN layers grown on amorphous silica substrates by gas-source MBE Peer-reviewed

K Iwata, H Asahi, K Asami, A Ishida, R Kuroiwa, H Tampo, S Gonda, S Chichibu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　189　218-222　1998/06

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00229-2 　

ISSN： 0022-0248
Analysis of MBE growth mode for GaN epilayers by RHEED Peer-reviewed

H Okumura, K Balakrishnan, H Hamaguchi, T Koizumi, S Chichibu, H Nakanishi, T Nagatomo, S Yoshida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　189　364-369　1998/06

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00313-3 　

ISSN： 0022-0248
Luminescence spectra from InGaN multiquantum wells heavily doped with Si Peer-reviewed

T Deguchi, A Shikanai, K Torii, T Sota, S Chichibu, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　72　(25)　3329-3331　1998/06

DOI： 10.1063/1.121594 　

ISSN： 0003-6951
Growth of cubic III-nitrides by gas source MBE using atomic nitrogen plasma: GaN, AlGaN and AlN Peer-reviewed

H Okumura, H Hamaguchi, T Koizumi, K Balakrishnan, Y Ishida, M Arita, S Chichibu, H Nakanishi, T Nagatomo, S Yoshida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　189　390-394　1998/06

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00321-2 　

ISSN： 0022-0248
Changes in the gastric vascular network of malignant stroke-prone spontaneously hypertensive rats (M-SHRSP) after administration of the calcium antagonist manidipine Peer-reviewed

A Chiba, Y Ohta, T Suzuki, H Nakanishi, S Chichibu

RESEARCH COMMUNICATIONS IN MOLECULAR PATHOLOGY AND PHARMACOLOGY　100　(2)　151-160　1998/05

ISSN： 1078-0297
Gastric vascular network in stroke-prone spontaneously hypertensive rats Peer-reviewed

A Chiba, Y Ohta, T Suzuki, H Nakanishi, S Chichibu

RESEARCH COMMUNICATIONS IN MOLECULAR PATHOLOGY AND PHARMACOLOGY　100　(1)　65-76　1998/04

ISSN： 1078-0297
Band gap energies of bulk, thin-film, and epitaxial layers of CuInSe2 and CuGaSe2 Peer-reviewed

S Chichibu, T Mizutani, K Murakami, T Shioda, T Kurafuji, H Nakanishi, S Niki, PJ Fons, A Yamada

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　83　(7)　3678-3689　1998/04

DOI： 10.1063/1.366588 　

ISSN： 0021-8979
Band-gap separation in InGaN epilayers grown by metalorganic chemical vapor deposition Peer-reviewed

S Chichibu, M Arita, H Nakanishi, J Nishio, L Sugiura, Y Kokubun, K Itaya

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　83　(5)　2860-2862　1998/03

DOI： 10.1063/1.367048 　

ISSN： 0021-8979
Surface reconstruction and As surfactant effects on MBE-grown GaN epilayers

H Okumura, H Hamaguch, K Ohta, G Feuillet, K Balakrishnan, Y Ishida, S Chichibu, H Nakanishi, T Nagatomo, S Yoshida

SILICON CARBIDE, III-NITRIDES AND RELATED MATERIALS, PTS 1 AND 2　264-2　1167-1172　1998

ISSN： 0255-5476
Photoluminescence of CuCaSe2 and CuAlSe2 MOVPE layers grown on CuGa0.96In0.04Se2 substrate Peer-reviewed

S Shirakata, S Chichibu, H Miyake, S Isomura, H Nakanishi, K Sugiyama

TERNARY AND MULTINARY COMPOUNDS　152　445-448　1998

ISSN： 0951-3248
Localized excitons in InGaN Peer-reviewed

S Chichibu, T Deguchi, T Sota, K Wada, S Nakamura

NITRIDE SEMICONDUCTORS　482　613-624　1998

ISSN： 0272-9172
High-quality CuInSe2 polycrystalline films and epitaxial layers prepared by multi-source physical vapor deposition Peer-reviewed

Y Yamaki, T Shioda, T Irie, H Nakanishi, S Chichibu

TERNARY AND MULTINARY COMPOUNDS　152　237-240　1998

ISSN： 0951-3248
Metalorganic vapor phase epitaxy and characterization of very high-purity CuInSe2 layers Peer-reviewed

T Mizutani, H Nakanishi, S Chichibu

TERNARY AND MULTINARY COMPOUNDS　152　297-300　1998

ISSN： 0951-3248
Preparation of aluminium-doped ZnO films by helicon-wave excited plasma sputtering Peer-reviewed

Y Yamaki, K Yamaya, H Araya, H Nakanishi, S Chichibu

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II　48-51　1998
Improved properties of InGaN multiple quantum well purplish-blue laser diodes by Si-doping in the InGaN barriers Peer-reviewed

S Chichibu, D Cohen, M Mack, A Abare, P Kozodoy, M Minsky, S Fleischer, S Keller, J Bowers, U Mishra, L Coldren, D Clarke, S Denbaars

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II　381-384　1998
Ultraviolet excitonic photoluminescence from CuAlS2 heteroepitaxial films grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S Chichibu, S Shirakata, M Sugiyama, H Nakanishi

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II　596-599　1998
Exciton localization in InGaN quantum wells grown on lateral epitaxially overgrown (LEO) GaN Peer-reviewed

S Chichibu, H Marchand, S Keller, P Fini, J Ibbetson, M Minsky, S Fleischer, J Speck, J Bowers, E Hu, U Mishra, S Denbaars, T Deguchi, T Sota, S Nakamura

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II　604-607　1998
Electroreflectance of CuInSe2, CuIn3Se5 and Cu2In4Se7 Peer-reviewed

S Shirakata, S Chichibu, H Miyake, S Isomura, H Nakanishi, K Sugiyama

TERNARY AND MULTINARY COMPOUNDS　152　597-600　1998

ISSN： 0951-3248
Characterization of high quality CuGaSe2 heteroepitaxial layers grown by MOVPE Peer-reviewed

A Bauknecht, U Blieske, T Kampschulte, J Bruns, K Diesner, Y Tomm, S Chichibu, MC Lux-Steiner

TERNARY AND MULTINARY COMPOUNDS　152　269-272　1998

ISSN： 0951-3248
Surface reconstruction and As surfactant effects on MBE-grown GaN epilayers Peer-reviewed

H Okumura, H Hamaguch, K Ohta, G Feuillet, K Balakrishnan, Y Ishida, S Chichibu, H Nakanishi, T Nagatomo, S Yoshida

SILICON CARBIDE, III-NITRIDES AND RELATED MATERIALS, PTS 1 AND 2　264-2　1167-1172　1998

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.1167 　

ISSN： 0255-5476
Use of a helicon-wave excited plasma for aluminum-doped ZnO thin-film sputtering Peer-reviewed

K Yamaya, Y Yamaki, H Nakanishi, S Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　72　(2)　235-237　1998/01

DOI： 10.1063/1.120707 　

ISSN： 0003-6951
Metalorganic vapour phase epitaxy of Cu-III-VI2 widegap chalcopyrite semiconductors Peer-reviewed

S Chichibu, S Shirakata, H Nakanishi

TERNARY AND MULTINARY COMPOUNDS　152　257-260　1998

ISSN： 0951-3248
Effective bandgap separation in InGaN epilayers grown by metalorganic chemical vapor deposition Peer-reviewed

S Chichibu, L Sugiura, J Nishio, A Setoguchi, H Nakanishi, K Itaya

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II　616-619　1998
Gain spectroscopy of continuous wave InGaN multi-quantum well laser diodes Peer-reviewed

T Deguchi, T Azuhata, T Sota, S Chichibu, M Arita, H Nakanishi, S Nakamura

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY　13　(1)　97-101　1998/01

DOI： 10.1088/0268-1242/13/1/015 　

ISSN： 0268-1242

eISSN： 1361-6641
Nanosecond pump-and-probe study of wurtzite GaN Peer-reviewed

T Deguchi, T Azuhata, T Sota, S Chichibu, N Sarukura, H Ohtake, T Yamanaka, S Nakamura

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　50　(1-3)　180-182　1997/12

DOI： 10.1016/S0921-5107(97)00159-1 　

ISSN： 0921-5107
Effects of annealing on CuInSe2 films grown by molecular beam epitaxy Peer-reviewed

S Niki, Kim, I, PJ Fons, H Shibata, A Yamada, H Oyanagi, T Kurafuji, S Chichibu, H Nakanishi

SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS　49　(1-4)　319-326　1997/12

DOI： 10.1016/S0927-0248(97)00065-2 　

ISSN： 0927-0248
Room-temperature photoreflectance of CuAlxGa1-xSe2 alloys Peer-reviewed

S Shirakata, S Chichibu, S Isomura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(12A)　7160-7161　1997/12

DOI： 10.1143/JJAP.36.7160 　

ISSN： 0021-4922
Gain spectra in cw InGaN/GaN MQW laser diodes Peer-reviewed

T Deguchi, T Azuhata, T Sota, S Chichibu, S Nakamura

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　50　(1-3)　251-255　1997/12

DOI： 10.1016/S0921-5107(97)00186-4 　

ISSN： 0921-5107
Crystal growth and optical properties of CuAl(SxSe1-x)(2) alloys Peer-reviewed

S Shirakata, S Chichibu, S Isomura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(11)　6645-6649　1997/11

DOI： 10.1143/JJAP.36.6645 　

ISSN： 0021-4922
Spatially resolved cathodoluminescence spectra of InGaN quantum wells Peer-reviewed

S Chichibu, K Wada, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　71　(16)　2346-2348　1997/10

DOI： 10.1063/1.120025 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
A scanning electron-microscopic study of pituitary vascular casts in M-SHRSP, SHRSP, SHR B2 and WKY. Peer-reviewed

Y Ohta, T Suzuki, A Chiba, S Chichibu

JAPANESE HEART JOURNAL　38　(4)　581-581　1997/07

ISSN： 0021-4868
Improved quality of CuGaSe2 and CuAlSe2 epilayers grown on CuGa0.96In0.04Se2 substrates Peer-reviewed

S Chichibu, H Nakanishi, S Shirakata, S Isomura, H Miyake, K Sugiyama

APPLIED PHYSICS LETTERS　71　(4)　533-535　1997/07

DOI： 10.1063/1.119600 　

ISSN： 0003-6951
Periodicity and phase relationship of slow waves in M-SHRSP electroencephalogram. Peer-reviewed

S Chichibu, Y Ohta, T Suzuki

JAPANESE HEART JOURNAL　38　(4)　560-560　1997/07

DOI： 10.1536/ihj.38.560 　

ISSN： 0021-4868
Growth and characterization of cubic GaN Peer-reviewed

H Okumura, K Ohta, G Feuillet, K Balakrishnan, S Chichibu, H Hamaguchi, P Hacke, S Yoshida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　178　(1-2)　113-133　1997/06

DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00084-5 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Urbach-Martienssen tails in a wurtzite GaN epilayer Peer-reviewed

S Chichibu, T Mizutani, T Shioda, H Nakanishi, T Deguchi, T Azuhata, T Sota, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　70　(25)　3440-3442　1997/06

DOI： 10.1063/1.119196 　

ISSN： 0003-6951
Luminescences from localized states in InGaN epilayers Peer-reviewed

S Chichibu, T Azuhata, T Sota, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　70　(21)　2822-2824　1997/05

DOI： 10.1063/1.119013 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Electroreflectance of CuInSe2 single crystals Peer-reviewed

S Shirakata, S Chichibu, S Isomura, K Nakanishi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　36　(5A)　L543-L546　1997/05

DOI： 10.1143/jjap.36.L543 　
Optical properties of tensile-strained wurtzite GaN epitaxial layers Peer-reviewed

S Chichibu, T Azuhata, T Sota, H Amano, Akasaki, I

APPLIED PHYSICS LETTERS　70　(16)　2085-2087　1997/04

DOI： 10.1063/1.118958 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Room-temperature near-band-edge photoluminescence from CuInSe2 heteroepitaxial layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S Chichibu

APPLIED PHYSICS LETTERS　70　(14)　1840-1842　1997/04

DOI： 10.1063/1.118708 　

ISSN： 0003-6951
Visible and ultraviolet photoluminescence from Cu-III-VI2 chalcopyrite semiconductors grown by metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S Chichibu, S Shirakata, S Isomura, H Nakanishi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(3B)　1703-1714　1997/03

DOI： 10.1143/JJAP.36.1703 　

ISSN： 0021-4922
Exciton spectra of cubic and hexagonal GaN epitaxial films Peer-reviewed

S Chichibu, H Okumura, S Nakamura, G Feuillet, T Azuhata, T Sota, S Yoshida

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　36　(3B)　1976-1983　1997/03

DOI： 10.1143/JJAP.36.1976 　

ISSN： 0021-4922
Valence band physics in wurtzite GaN Peer-reviewed

T Azuhata, T Sota, S Chichibu, A Kuramata, K Horino, M Yamaguchi, T Yagi, S Nakamura

GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS II　468　445-456　1997

DOI： 10.1557/PROC-468-445 　

ISSN： 0272-9172
Thermal and antiradical properties of indirect moxibustion Peer-reviewed

A Chiba, H Nakanishi, S Chichibu

AMERICAN JOURNAL OF CHINESE MEDICINE　25　(3-4)　281-287　1997

DOI： 10.1142/S0192415X97000317 　

ISSN： 0192-415X
Effect of indirect moxibustion on mouse skin Peer-reviewed

A Chiba, H Nakanishi, S Chichibu

AMERICAN JOURNAL OF CHINESE MEDICINE　25　(2)　143-151　1997

DOI： 10.1142/S0192415X97000160 　

ISSN： 0192-415X
MOVPE of CuGaSe2 for photovoltaic applications Peer-reviewed

T Kampschulte, A Bauknecht, U Blieske, M Saad, S Chichibu, MC Lux-Steiner

CONFERENCE RECORD OF THE TWENTY SIXTH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE - 1997　391-394　1997

DOI： 10.1109/PVSC.1997.654110 　

ISSN： 0160-8371
Brillouin scattering study of gallium nitride: Elastic stiffness constants Peer-reviewed

M Yamaguchi, T Yagi, T Azuhata, T Sota, K Suzuki, S Chichibu, S Nakamura

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　9　(1)　241-248　1997/01

DOI： 10.1088/0953-8984/9/1/025 　

ISSN： 0953-8984
Recombination of localized excitons in InGaN single- and multiquantum well structures Peer-reviewed

S Chichibu, T Azuhata, T Sota, S Nakamura

III-V NITRIDES　449　653-658　1997

ISSN： 0272-9172
Biaxial strain dependence of exciton resonance energies in wurtzite GaN Peer-reviewed

A Shikanai, T Azuhata, T Sota, S Chichibu, A Kuramata, K Horino, S Nakamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　81　(1)　417-424　1997/01

DOI： 10.1063/1.364074 　

ISSN： 0021-8979
Structural and optical characterization of high-quality cubic GaN epilayers grown on GaAs and 3C-SiC substrates by gas source MBE using RHEED in-situ monitoring Peer-reviewed

H Okumura, K Balakrishnan, G Feuillet, K Ohta, H Hamaguchi, S Chichibu, Y Ishida, S Yoshida

III-V NITRIDES　449　435-440　1997

ISSN： 0272-9172
Growth and doping characteristics of ZnSeTe epilayers by MOCVD Peer-reviewed

A Kamata, H Yoshida, S Chichibu, H Nakanishi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　170　(1-4)　518-522　1997/01

DOI： 10.1016/S0022-0248(96)00575-1 　

ISSN： 0022-0248
Spontaneous emission of localized excitons in InGaN single and multiquantum well structures Peer-reviewed

S Chichibu, T Azuhata, T Sota, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　69　(27)　4188-4190　1996/12

DOI： 10.1063/1.116981 　

ISSN： 0003-6951
Preparation and characterization of CuAlxGa1-xSe2 alloy layers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy Peer-reviewed

S Chichibu, H Nakanishi, S Shirakata, S Isomura, Y Harada, S Matsumoto, H Higuchi, T Kariya

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　80　(6)　3338-3345　1996/09

DOI： 10.1063/1.363245 　

ISSN： 0021-8979
Visible and Ultraviolet Photoluminescence from Cu-III-VI_2 Chalcopyrite Semiconductors Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

CHICHIBU Shigefusa, SHIRAKATA Sho, ISOMURA Shigehiro, NAKANISHI Hisayuki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials　1996　733-735　1996/08/26
High quality CuInSe2 films grown on pseudo-lattice-matched substrates by molecular beam epitaxy Peer-reviewed

S Niki, PJ Fons, A Yamada, T Kurafuji, S Chichibu, H Nakanishi, WG Bi, CW Tu

APPLIED PHYSICS LETTERS　69　(5)　647-649　1996/07

DOI： 10.1063/1.117793 　

ISSN： 0003-6951
Influence of nonstoichiometry on the Urbach's tails of absorption spectra for CuInSe2 single crystals Peer-reviewed

T Shioda, S Chichibu, T Irie, H Nakanishi, T Kariya

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　80　(2)　1106-1111　1996/07

DOI： 10.1063/1.362914 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Effects of biaxial strain on exciton resonance energies of hexagonal GaN heteroepitaxial layers Peer-reviewed

S Chichibu, A Shikanai, T Azuhata, T Sota, A Kuramata, K Horino, S Nakamura

APPLIED PHYSICS LETTERS　68　(26)　3766-3768　1996/06

DOI： 10.1063/1.116000 　

ISSN： 0003-6951
Band-edge photoluminescence of CuGaSe2 films grown by molecular beam epitaxy Peer-reviewed

A Yamada, Y Makita, S Niki, A Obara, P Fons, H Shibata, M Kawai, S Chichibu, H Nakanishi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　79　(8)　4318-4322　1996/04

DOI： 10.1063/1.361800 　

ISSN： 0021-8979
Lattice dynamics of CuAlS2, and CuAlSe2 Peer-reviewed

T Azuhata, T Terasako, K Yoshida, T Sota, K Suzuki, S Chichibu

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　219-20　496-498　1996/04

DOI： 10.1016/0921-4526(95)00790-3 　

ISSN： 0921-4526
Depth profiles of spatially-resolved Raman spectra of a CuInSe2-based thin-film solar cell Peer-reviewed

R Takei, H Tanino, S Chichibu, H Nakanishi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　79　(5)　2793-2795　1996/03

DOI： 10.1063/1.361095 　

ISSN： 0021-8979
Excitonic emissions from hexagonal GaN epitaxial layers Peer-reviewed

S Chichibu, T Azuhata, T Sota, S Nakamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　79　(5)　2784-2786　1996/03

DOI： 10.1063/1.361110 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Photoreflectance of Cu-based I-III-VI2 heteroepitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition Peer-reviewed

S Shirakata, S Chichibu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　79　(4)　2043-2054　1996/02

DOI： 10.1063/1.361059 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Excitonic emissions from CuAlS2 and CuAlSe2.

秩父重英

応用物理　65　(1)　74-77　1996/01
Publisher: The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.11470/oubutsu1932.65.74 　

ISSN： 0369-8009
Contribution of excitons in the photoluminescence spectra of h-GaN epitaxial layers grown on sapphire substrates by TF-MOCVD Peer-reviewed

S Chichibu, T Azuhata, T Sota, S Nakamura

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES　202-205　1996
HETEROEPITAXIAL GROWTH OF CUGAS2 LAYERS BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION Peer-reviewed

S CHICHIBU, S SHIRAKATA, M UCHIDA, Y HARADA, T WAKIYAMA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　34　(8A)　3991-3997　1995/08

DOI： 10.1143/JJAP.34.3991 　

ISSN： 0021-4922
EXCITONIC EMISSIONS FROM CUINSE2 ON GAAS(001) GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY Peer-reviewed

S NIKI, H SHIBATA, PJ FONS, A YAMADA, A OBARA, Y MAKITA, T KURAFUJI, S CHICHIBU, H NAKANISHI

APPLIED PHYSICS LETTERS　67　(9)　1289-1291　1995/08

DOI： 10.1063/1.114400 　

ISSN： 0003-6951
ULTRAVIOLET PHOTOLUMINESCENCE FROM CUALS2 HETEROEPITAXIAL LAYERS GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION Peer-reviewed

S CHICHIBU, H NAKANISHI, S SHIRAKATA

APPLIED PHYSICS LETTERS　66　(25)　3513-3515　1995/06

DOI： 10.1063/1.113781 　

ISSN： 0003-6951
HETEROEPITAXY AND CHARACTERIZATION OF CUINSE2 ON GAAS(001) Peer-reviewed

S NIKI, Y MAKITA, A YAMADA, O HELLMAN, PJ FONS, A OBARA, Y OKADA, R SHIODA, H OYANAGI, T KURAFUJI, S CHICHIBU, H NAKANISHI

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　150　(1-4)　1201-1205　1995/05

DOI： 10.1016/0022-0248(95)80129-Z 　

ISSN： 0022-0248
USE OF TETRAETHYLGERMANE IN ARF EXCIMER-LASER CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION OF AMORPHOUS SILICON-GERMANIUM FILMS Peer-reviewed

F ISHIHARA, H UJI, T KAMIMURA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI, S CHICHIBU

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　34　(5A)　2229-2234　1995/05

DOI： 10.1143/JJAP.34.2229 　

ISSN： 0021-4922
RAMAN-SPECTRA OF CUALSE2 HETEROEPITAXIAL LAYERS Peer-reviewed

S CHICHIBU, A KAMATA

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　77　(10)　5470-5472　1995/05

DOI： 10.1063/1.359247 　

ISSN： 0021-8979
PHOTOLUMINESCENCE STUDIES IN CUALSE2 EPILAYERS GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION Peer-reviewed

S CHICHIBU, S SHIRAKATA, S ISOMURA, Y HARADA, M UCHIDA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　77　(3)　1225-1232　1995/02

DOI： 10.1063/1.358990 　

ISSN： 0021-8979
Characteristics of slow waves in malignant stroke-prone SHR electroencephalogram Peer-reviewed

S. Chichibu, Y. Ohta, T. A. Chikugo

Japanese Heart Journal　36　(4)　521　1995
Publisher: International Heart Journal Association
DOI： 10.1536/ihj.36.521 　

ISSN： 0021-4868
HETEROEPITAXY AND CHARACTERIZATION OF CUGASE2 LAYERS GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION Peer-reviewed

S CHICHIBU, Y HARADA, M UCHIDA, T WAKIYAMA, S MATSUMOTO, S SHIRAKATA, S ISOMURA, H HIGUCHI

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　76　(5)　3009-3015　1994/09

ISSN： 0021-8979
Zn-related donor-acceptor pair emission in CuAlSe2 epitaxial layers

Sho Shirakata, Shigefusa Chichibu, Satoru Matsumoto, Shigehiro Isomura

Japanese Journal of Applied Physics　33　(3)　L345-L347　1994

DOI： 10.1143/JJAP.33.L345 　

ISSN： 1347-4065 0021-4922
Optical characteristics of CuInSe2 grown by molecular beam epitaxy Peer-reviewed

S NIKI, Y MAKITA, A YAMADA, H SHIBATA, PJ FONS, A OBARA, T KURAFUJI, S CHICHIBU, H NAKANISHI

1994 IEEE FIRST WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION/CONFERENCE RECORD OF THE TWENTY FOURTH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE-1994, VOLS I AND II　132-135　1994

ISSN： 0160-8371
PHOSPHATE-METABOLISM DURING MUSCULAR-CONTRACTION IN STARVED FROGS (RANA-CATESBEIANA) Peer-reviewed

A CHIBA, M TAKASHIMA, M HAMAGUCHI, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY A-PHYSIOLOGY　106　(4)　725-729　1993/12

ISSN： 0300-9629
PHOSPHORYLATION IN CRAYFISH (PROCAMBARUS-CLARKII) EGGS DURING HATCHING Peer-reviewed

A CHIBA, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY B-BIOCHEMISTRY & MOLECULAR BIOLOGY　106　(2)　433-436　1993/10

ISSN： 0305-0491
P-31-NMR STUDY ON EFFECTS OF ELECTRIC-SHOCK ON SWIMMING LEECHES, HIRUDO-MEDICINALIS Peer-reviewed

A CHIBA, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY A-PHYSIOLOGY　106　(2)　239-243　1993/10

ISSN： 0300-9629
HIGH-ENERGY PHOSPHATE METABOLITES IN LOACH (COBITIS-BIWAE) DURING URETHANE ANESTHESIA Peer-reviewed

A CHIBA, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY C-PHARMACOLOGY TOXICOLOGY & ENDOCRINOLOGY　106　(1)　87-91　1993/09

ISSN： 0742-8413
CHANGES OF P-31 METABOLISM DURING MUCUS SECRETION IN THE SLUG (INCILARIA-BILINEATA) Peer-reviewed

A CHIBA, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY C-PHARMACOLOGY TOXICOLOGY & ENDOCRINOLOGY　105　(2)　179-183　1993/06

ISSN： 0742-8413
MONOENERGETIC POSITRON BEAM STUDY OF SI-DOPED GAAS EPILAYERS GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION USING TERTIARYBUTYLARSINE Peer-reviewed

S CHICHIBU, A IWAI, Y NAKAHARA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI, L WEI, S TANIGAWA

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　73　(8)　3880-3885　1993/04

ISSN： 0021-8979
HEAVILY ARSENIC DOPING INTO SI BY ARF EXCIMER-LASER IRRADIATION USING TERTIARYBUTYLARSINE (TBAS) Peer-reviewed

S CHICHIBU, T NII, T AKANE, S MATSUMOTO

SHALLOW IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS　117　243-248　1993

ISSN： 0255-5476
MONOENERGETIC POSITRON BEAM STUDY OF HEAVILY SI-DOPED GAAS GROWN BY MOCVD USING TERTIARYBUTYLARSINE Peer-reviewed

S CHICHIBU, A WAI, Y NAKAHARA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI, L WEI, S TANIGAWA

SHALLOW IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS　117　315-320　1993

ISSN： 0255-5476
PHOTOREFLECTANCE CHARACTERIZATION OF CUALSE2 HETEROEPITAXIAL LAYERS GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION Peer-reviewed

S SHIRAKATA, S CHICHIBU, S MATSUMOTO, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　32　494-496　1993

DOI： 10.7567/JJAPS.32S3.494 　

ISSN： 0021-4922
PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF CU(AL,GA)(S,SE)2 PENTERNARY ALLOYS Peer-reviewed

A OGAWA, R SUDO, A GUPTA, S SHIRAKATA, S CHICHIBU, S MATSUMOTO, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　32　588-589　1993

DOI： 10.7567/JJAPS.32S3.588 　

ISSN： 0021-4922
2.51 EV DONOR-ACCEPTOR PAIR PHOTOLUMINESCENCE FROM ZN-DOPED CUALSE2 EPILAYER GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION Peer-reviewed

S CHICHIBU, S SHIRAKATA, R SUDO, M UCHIDA, Y HARADA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　32　531-533　1993

DOI： 10.7567/JJAPS.32S3.531 　

ISSN： 0021-4922
LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION OF CUALSE2 EPITAXIAL-FILMS Peer-reviewed

S CHICHIBU, S SHIRAKATA, R SUDO, M UCHIDA, Y HARADA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　32　139-141　1993

DOI： 10.7567/JJAPS.32S3.139 　

ISSN： 0021-4922
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION OF CU FILM ON SIO2 USING CYCLOPENTADIENYLCOPPERTRIETHYLPHOSPHINE Peer-reviewed

S CHICHIBU, N YOSHIDA, H HIGUCHI, S MATSUMOTO

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　31　(12B)　L1778-L1780　1992/12

ISSN： 0021-4922
HIGH-ENERGY PHOSPHATE-METABOLISM IN THE PHENTHIAZAMINE HYDROBROMIDE ANESTHETIZED LOACH COBITIS-BIWAE Peer-reviewed

A CHIBA, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY C-PHARMACOLOGY TOXICOLOGY & ENDOCRINOLOGY　102　(3)　433-437　1992/07

ISSN： 0742-8413
WATER PROTON ION IN LEG MUSCLES OF CRAYFISH SUBJECTED TO STARVATION Peer-reviewed

A CHIBA, S CHICHIBU

COMPARATIVE BIOCHEMISTRY AND PHYSIOLOGY A-PHYSIOLOGY　102　(1)　127-131　1992/05

ISSN： 0300-9629
Erratum: Heavily Si-doped GaAs grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine and silane" (Applied Physics Letters (1992) 60 (489)) Peer-reviewed

S. Chichibu, A. Iwai, S. Matsumoto, H. Higuchi

Applied Physics Letters　60　(19)　2439　1992

DOI： 10.1063/1.107447 　

ISSN： 0003-6951
HEAVILY SI-DOPED GAAS GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION USING TERTIARYBUTYLARSINE AND SILANE Peer-reviewed

S CHICHIBU, A IWAI, S MATSUMOTO, H HIGUCHI

APPLIED PHYSICS LETTERS　60　(4)　489-491　1992/01

ISSN： 0003-6951
ROLE OF ELECTRON TRAPS ON THE THERMAL-CONVERSION AND ITS SUPPRESSION FOR LIQUID-ENCAPSULATED CZOCHRALSKI GAAS SINGLE-CRYSTALS Peer-reviewed

S CHICHIBU, N OHKUBO, S MATSUMOTO

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　28　(10)　1750-1755　1989/10

ISSN： 0021-4922
EL2 DEEP LEVEL DISTRIBUTION UNDER CONTROLLED AS PRESSURE ANNEALING OF LEC GAAS Peer-reviewed

S CHICHIBU, N OHKUBO, S MATSUMOTO

SEMI-INSULATING III-V MATERIALS, MALMO 1988　25-30　1988

Show all ︎Show first 5

Misc. 236

Development of GaN Single Crystal Growth Technology by Low-Pressure Acidic Ammonothermal Method

(72)　13-20　2021/11
特集：東北大学グリーンネストICT "LEDを用いたノイズに強い光無線通信技術の研究～真夏の直射日光下において毎秒1ギガビット以上の通信速度を実現～"

小島一信, 秩父重英, 吉田悠来, 白岩雅輝, 菅野敦史, 山本直克, 淡路祥成, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道

電波技術協会報FORN　(342)　18-21　2021/09

ISSN： 0910-593X
Gbps-class solar-blind optical wireless communication based on deep-ultraviolet AlGaN LEDs

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM)　2021　2021

ISSN： 1349-144X
Effect of crystal quality and device structure on detection characteristics in BGaN neutron detector: part2

宮澤篤也, 太田悠斗, 松川真也, 林幸佑, 中川央也, 川崎晟也, 安藤悠人, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021

ISSN： 2436-7613
Spatio-time-resolved cathodoluminescence study of InGaN/GaN multiquantum shells

嶋紘平, LU Weifang, 小島一信, 上山智, 竹内哲也, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021
Luminescent properties of Si-doped AlN substrates grown by HVPE on freestanding AlN

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, MOODY Baxter, 三田清二, COLLAZO Ramon, SITAR Zlatko, SITAR Zlatko, 熊谷義直, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021
Discrete AlN Mole Fraction Observed in AlGaN Layer with Dense Macrosteps (3)

長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021

ISSN： 2436-7613
Luminescence studies of bulk GaN crystals grown by the LPAAT method

嶋紘平, 栗本浩平, BAO Q., 三川豊, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021
Discrete AlN mole fraction observed in AlGaN Layer with Dense Macrosteps (1)

長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 赤崎勇, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021

ISSN： 2436-7613
Luminescence studies of nearly lattice-matched c-plane AlInN/GaN heterostructures

LI L. Y., 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021
Quantification of quantum efficiency of radiation in semiconductor crystals based on omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy

小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021
Discrete AlN Mole Fraction Observed in AlGaN Layer with Dense Macrosteps (2)

長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021

ISSN： 2436-7613
Luminescence studies of p-type Mg-implanted GaN using vacancy-guided Mg diffusion

嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021
Characterization of optical properties of c-plane Al_0.83In_0.17N/GaN lattice-matched heterostructures

LI Liyang, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 上殿明良, 石橋章司, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

電子情報通信学会技術研究報告(Web)　121　(259(ED2021 15-36))　2021

ISSN： 2432-6380
Spatially resolved CL studies of h-BN films on sap. by CVD using C-free precursors

秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦, 原和彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021
Study of Mg activation process in Mg-implanted GaN by means of positron annihilation

上殿明良, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021
Bulk GaN crystal growth by Low-Pressure Acidic Ammonothermal (LPAAT) method using high quality GaN SCAAT seed crystals

栗本浩平, BAO Q., 三川豊, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021
Spatially resolved CL of p-type ion-implanted GaN using vacancy-guided Mg diffusion

嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021
Gb/s-class solar-blind optical wireless communication by using AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes

小島一信, 秩父重英, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 長澤陽祐, 平野光

Optronics　(462)　2020

ISSN： 0286-9659
Effect of crystal quality and device structure on detection characteristics in BGaN neutron detector

太田悠斗, 高橋祐吏, 山田夏暉, 宮澤篤也, 中川央也, 川崎晟也, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020

ISSN： 2436-7613
CL studies of AlN films grown on high-temperature-annealed sputtered AlN (1)

嶋紘平, 中須大蔵, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020
CL studies of AlN films grown on high-temperature-annealed sputtered AlN (2)

中須大蔵, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020
A solar-blind optical wireless communication over diffuse line-of-site link based on AlGaN light-emitting diodes and multi-pixel photon counter

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020
Singular structures in m-plane AlInN/GaN heterostructures grown by MOVPE (3) SRCL

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020
Cathodoluminescence study of Si-doped AlN substrates grown by HVPE on PVT-AlN

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, MOODY Baxter, 三田清二, COLLAZO Ramon, SITAR Zlatko, SITAR Zlatko, 熊谷義直, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020
Effects of carbon impurities and nonradiative recombination centers for quantum efficiency of radiation in GaN crystals

小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 藤倉序章, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020
Spatially resolved cathodoluminescence study of c-plane AlInN films on a GaN substrate

LI L. Y., 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020
GaN bulk crystal growth by acidic ammonothermal method using a 4-inch-diam. autoclave

栗本浩平, 栗本浩平, BAO Q., BAO Q., 斉藤真, 斉藤真, 三川豊, 茅野林造, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020
Time-resolved Photoluminescence Spectroscopy of Rocksalt-structured MgZnO Films

工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020
Bulk GaN crystal growth by Low-pressure acidic ammonothermal (LPAAT) method using 4-inch scale autoclave

栗本浩平, 栗本浩平, BAO Q., BAO Q., 三川豊, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020
Singular structures in m-plane AlInN/GaN heterostructures grown by MOVPE (4)

秩父重英, 嶋紘平, 稲富悠也, 小島一信, 寒川義裕

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020
Evaluation of DUV Photoluminescence Lifetime in Rocksalt-structured MgZnO Films

工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020
Origin of a two-peak structure observed in omnidirectional photoluminescence spectroscopy

小島一信, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020
CL studies of MOVPE AlN films grown on high-temperature-annealed sputtered AlN (2)

粕谷拓生, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020
Correlation between quantum efficiency of radiation in GaN crystals and the concentration of carbon impurity

小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 藤倉序章, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020
CL studies of MOVPE AlN films grown on high-temperature-annealed sputtered AlN (1)

嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020
Evaluation for quantum efficiency mapping of GaN wafer by omni-directional photoluminescence (ODPL) spectroscopy

池村賢一郎, 小島一信, 堀切文正, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020
Spatially resolved cathodoluminescence study of c-plane AlInN films on GaN substrates

LI L. Y., 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020
変化するということ Invited

秩父重英

応用物理学会結晶工学分科会クリスタルレターズ (会員の広場)　75　(114)　2020
(巻頭言) 窒化物半導体の物性と新規光デバイスの夢 Invited

秩父重英

応用物理学会フォトニクス分科会誌フォトニクスニュース第15回フォトニクスニュース「窒化物半導体の発展とフォトニクス応用」　6　(1)　1-1　2020
Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD

Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, Hideki Hirayama, Mark Holmes, Yoshio Honda, Masataka Imura, Ryota Ishii, Yoshihiro Ishitani, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Yoshihiro Kangawa, Ryuji Katayama, Yoichi Kawakami, Takahiro Kawamura, Atsushi Kobayashi, Masaaki Kuzuhara, Koh Matsumoto, Yusuke Mori, Takashi Mukai, Hisashi Murakami, Hideaki Murotani, Satoshi Nakazawa, Narihito Okada, Yoshiki Saito, Akira Sakai, Hiroto Sekiguchi, Koji Shiozaki, Kanako Shojiki, Jun Suda, Tetsuya Takeuchi, Tomoyuki Tanikawa, Jun Tatebayashi, Shigetaka Tomiya, Yoichi Yamada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　58　2019/06

DOI： 10.7567/1347-4065/ab1411 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発

高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 太田悠人, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019

ISSN： 2436-7613
Quality evaluation of freestanding gallium nitride crystals based on the spectroscopic techniques

小島一信, 秩父重英

Jasco Report　61　(1)　2019

ISSN： 0916-3492
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるp型NiO薄膜の堆積

嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019
窒化物半導体特異構造の時間空間分解カソードルミネツセンス評価

秩父重英, 秩父重英, 秩父重英, 嶋紘平, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019
Development of a Spatio-time-resolved Cathodoluminescence System Toward the Realization of High-efficient Optical Devices

小島一信, 秩父重英

村田学術振興財団年報　(33)　2019

ISSN： 0919-3383
深紫外AlGaN発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネセンス分光

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019
注入深さ・極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス

秩父重英, 秩父重英, 秩父重英, 嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 小島一信, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019
容量測定を用いたp-GaNエピへの低濃度Mg注入と共注入影響の評価

高島信也, 上野勝典, 田中亮, 松山秀昭, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(1)

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019
自己吸収過程を考慮した発光量子効率の解析式

浅井栄大, 小島一信, 秩父重英, 福田浩一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019
自立窒化ガリウム結晶の角度分解フォトルミネセンス分光

小島一信, 池村賢一郎, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(2)

長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019
薄膜固体二次電池の充放電解析

津国和之, 殿川孝司, 小島一信, 秩父重英

電気化学会大会講演要旨集(CD-ROM)　86th　2019
水熱合成単結晶ZnO基板の薄膜化プロセスと微小共振器構造への応用

嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019
ZnO微小共振器の作製と室温における共振器ポラリトン形成

嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)

谷川智之, 小島一信, 粕谷拓生, 秩父重英, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 上向井正裕, 片山竜二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019
気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス

秩父重英, 小島一信, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 三田清二, COLLAZO Ramon, SITAR Zlatko, 上殿明良

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019
温度可変全方位フォトルミネセンス分光装置の実現

小島一信, 池村賢一郎, 中村明裕, 齋藤琢也, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019
深紫外AlGaN発光ダイオードの顕微エレクトロルミネセンス測定

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019
H₂キャリアガスを用いたBGaN結晶成長メカニズムの解析

清水勇希, 江原一司, 新宅秀矢, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 中野貴之, 中野貴之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)

小島一信, 谷川智之, 粕谷拓生, 上向井正裕, 片山竜二, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019
酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶成長

栗本浩平, 栗本浩平, BAO Q., BAO Q., 斉藤真, 斉藤真, 茅野林造, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019
BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出デバイスの作製

太田悠斗, 高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 中川央也, 川崎晟也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之, 中野貴之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019

ISSN： 2436-7613
ZnOの反応性イオンエッチングによる損傷とHClによる損傷回復

中須大蔵, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019
発光量子効率におけるフォトンリサイクル効果の理論解析

浅井栄大, 小島一信, 秩父重英, 福田浩一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019
ZnOの反応性イオンエッチングにおけるプラズマ損傷とHCl浸漬処理による損傷回復

中須大蔵, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　19th　2019
An Outdoor Evaluation of 1-Gbps Optical Wireless Communication using AlGaN-based LED in 280-nm Band Peer-reviewed

Yoshida Y, Kojima K, Shiraiwa M, Awaji Y, Kanno A, Yamamoto N, Chichibu S.F, Hirano A, Ippommatsu M

2019 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2019 - Proceedings　2019

DOI： 10.23919/CLEO.2019.8750309 　
超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法による2インチバルクGaN結晶育成

包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)　83rd　ROMBUNNO.M202　2018/03/13
Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 上殿明良, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　ROMBUNNO.19a‐C302‐6　2018/03/05
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(2)

嶋紘平, 粕谷拓生, 粕谷拓生, 菊地清, 小島一信, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　ROMBUNNO.18p‐E201‐7　2018/03/05
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(1)

粕谷拓生, 粕谷拓生, 嶋紘平, 菊地清, 小島一信, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　ROMBUNNO.18p‐E201‐6　2018/03/05
酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長の検討

斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　ROMBUNNO.18p‐E202‐6　2018/03/05
厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価

丸山貴之, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018

ISSN： 2436-7613
MOVPE法を用いた厚膜BGaN結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製

丸山貴之, 高橋祐吏, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018

ISSN： 2436-7613
BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価

高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018

ISSN： 2436-7613
赤色蛍光体(CaAlSiN₃:Eu)の高温劣化機構の評価

大石昌嗣, 大石昌嗣, 塩見昌平, 山本孝, 植木智之, 改井陽一郎, 秩父重英, 高取愛子, 小島一信, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018
GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率の関係(1)

浅井栄大, 小島一信, 福田浩一, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018
GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率との関係(2)

小島一信, 浅井栄大, 福田浩一, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018
Mgイオン注入GaN MOSFETのチャネル特性向上

高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 上殿明良, 中川清和

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018
GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018
六方晶BNの薄膜成長とその深紫外発光評価

原和彦, 原和彦, 梅原直己, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2)

稲富悠也, 草場彰, 柿本浩一, 柿本浩一, 寒川義裕, 寒川義裕, 寒川義裕, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018
サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル

秩父重英, 梅原直己, 小島一信, 原和彦, 原和彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(1)

秩父重英, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018
ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)

小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018
有機金属気相成長法にて自立GaN基板上に成長させたGaNホモエピタキシャル層の光物性評価

小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるSiO₂/HfO₂誘電体分布ブラッグ反射鏡の作製

嶋紘平, 粕谷拓生, 粕谷拓生, 小島一信, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018
高純度ZnO中のSRH型非輻射再結合中心の起源と捕獲断面積

秩父重英, 小島一信, 小池一歩, 矢野満明, 權田俊一, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018
時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥の評価

粕谷拓生, 粕谷拓生, 嶋紘平, 小島一信, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018
サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス

秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦, 原和彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018
空間・時間分解PLを用いたGaNの局所励起子応答

神山晃範, 小島一信, 遊佐剛, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018

ISSN： 2436-7613
バンド端近傍発光の外部量子効率が4%を超える六方晶BN単結晶の光学評価

小島一信, 渡邊賢司, 谷口尚, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018
280nm帯深紫外AlGaN発光ダイオードを用いた日光下における1.6Gbps光無線伝送

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018
深紫外発光ダイオードを用いたソーラーブラインド・ギガビット級光無線伝送

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　18th　2018
1.6-Gbps LED-Based Ultraviolet Communication at 280 nm in Direct Sunlight Peer-reviewed

Kojima K, Yoshida Y, Shiraiwa M, Awaji Y, Kanno A, Yamamoto N, Chichibu S

European Conference on Optical Communication, ECOC　2018-September　2018

DOI： 10.1109/ECOC.2018.8535544 　
Determination of Deformation Potentials in InGaN Alloy Material for Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in Semipolar and Nonpolar InGaN Quantum Wells Laser Diodes Peer-reviewed

Sakai S, Kojima K, Chichibu S.F, Yamaguchi A.A

Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference　2018-September　135-136　2018

DOI： 10.1109/ISLC.2018.8516203 　
酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法による電子デバイス用GaN結晶合成の進展

秩父重英, 斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　ROMBUNNO.6p‐A301‐2　2017/08/25
GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

秩父重英, 秩父重英, 小島一信, 嶋紘平, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　ROMBUNNO.7a‐S22‐10　2017/08/25
超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成

包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 小島一信, 冨田大輔, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)　82nd　2017
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(4)

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017
マクロステップを有するc面AlGaN量子井戸発光ダイオード構造の発光特性

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017
ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定

小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017
GaN基板上イオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価(2)

秩父重英, 秩父重英, 小島一信, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 清水三聡, 高橋言緒, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017
m面AlInNエピタキシャルナノ構造を用いた偏光光源の可能性

秩父重英, 小島一信, 上殿明良, 佐藤義孝

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017
偏光遷移領域におけるc面AlGaN量子井戸構造の量子細線型状態密度

坂井繁太, 南琢人, 小島一信, 秩父重英, 山口敦史

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017
二次組成変調によって電子・正孔波動関数の重なり積分を増強させたc面AlGaN多重量子井戸の発光特性評価

小島一信, 林侑介, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017
光励起下のGaN単結晶における内部量子効率の空間的不均一

小島一信, 浅井栄大, 福田浩一, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017
減衰全反射法を用いたGaN単結晶の表面状態評価

小島一信, 赤尾賢一, 菅野美幸, 水野広介, 永森浩司, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017
Deep-UV cathodoluminescence from the hexagonal boron nitride thin films grown on sapphire substrates

原和彦, 原和彦, 梅原直己, 秩父重英, 小島一信, 光野徹也, 小南裕子

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　46th　2017

ISSN： 0385-6275
Measurements of quantum efficiency of radiation in nitride semiconductors based on omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy

小島一信, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　46th　2017

ISSN： 0385-6275
AlInNを用いた深紫外光源の開発~薄膜成長における組成引込現象の理論解析~

稲富悠也, 寒川義裕, 寒川義裕, 寒川義裕, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 柿本浩一

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　17th　2017
積分球を用いた窒化ガリウム単結晶の光物性評価

小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　17th　2017
Liquid-Crystalline Organic-Inorganic Hybrid Dendrimer with a Monodispersed CdS Nano-Core: Self-Organized Stracture-Dependent Photoluminescence Emission-Quenching Behavior

Kanie Kiyoshi, Ungar Goran, Matsubara Masaki, Stevenson Warren, Yabuki Jyun, Zeng Xiangbing, Kojima Kazunobu, Chichibu Shigefusa, Tamada Kaoru, Muramatsu Atsushi

Proceedings of Japanese Liquid Crystal Society Annual meeting　2017　(0)　3A03　2017
Publisher: THE JAPANESE LIQUID CRYSTAL SOCIETY
DOI： 10.11538/ekitou.2017.0_3A03 　

ISSN： 1880-3490

More details Close
単分散球状CdSナノ粒子をコアとする液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織構造由来の蛍光特性の発現

蟹江澄志, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, ZENG Xiangbing, DONG Haoliang, 小島一信, 秩父重英, 玉田薫, 村松淳司, UNGAR Goran, UNGAR Goran

ナノ学会大会講演予稿集　14th　67　2016/06/14

ISSN： 1347-8028
Si系剥片状ナノ材料の光物性・光触媒特性

板原浩, WU Xiaoyong, 山崎芳樹, 今川晴雄, YIN Shu, 小島一信, 秩父重英, 佐藤次雄

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016
90%を超える電子・正孔波動関数の重なり積分を達成可能なAlGaN量子井戸の設計指針

小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定

小島一信, 大友友美, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(IV)

秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 佐藤義孝, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016
低貫通転位密度Zn極性ZnOホモエピタキシャル薄膜への3d遷移金属添加によるキャリア寿命制御

秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016
組成揺らぎを考慮したAlGaNおよびInGaN量子井戸における光学利得の理論的比較

南琢人, 小島一信, 坂井繁太, 秩父重英, 山口敦史

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016
高キャリア濃度n型m面GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016
時間空間分解カソードルミネッセンスによるIII族窒化物半導体の評価

秩父重英, 山崎芳樹, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016
酸性アモノサーマル法による高品質GaN結晶の育成

包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 小島一信, 山崎芳樹, 冨田大輔, 喬焜, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)　81st　2016
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)

小島一信, 大友友美, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(3)

小島一信, 大友友美, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016
GaN基板上に作製されたMgイオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価

小島一信, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 清水三聡, 高橋言緒, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016
固相剥離法によるSi系剥片状ナノ粒子の合成と光物性・光触媒特性

板原浩, 今川晴雄, WU X., 山崎芳樹, YIN S., 小島一信, 秩父重英, 佐藤次雄

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)　29th　2016
酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶の育成

包全喜, 包全喜, 斉藤真, 斉藤真, 栗本浩平, 栗本浩平, 小島一信, 冨田大輔, 喬焜, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　16th　2016
酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶の高速成長

栗本浩平, 包全喜, 包全喜, 斉藤真, 斉藤真, 茅野林造, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

日本金属学会講演概要(CD-ROM)　158th　2016

ISSN： 2433-3093
Polarity dependent radiation hardness of GaN Peer-reviewed

Masayuki Matsuo, Takayuki Murayama, Kazuto Koike, Shigehiko Sasa, Mitsuaki Yano, Shun-ichi Gonda, Akira Uedono, Ryoya Ishigami, Kyo Kume, Tomomi Ohtomo, Erika Furukawa, Yoshiki Yamazaki, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu

2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)　2015/06

DOI： 10.1109/imfedk.2015.7158544 　
ミストCVDによって作製したコランダム型酸化インジウム(α‐In₂O₃)の特性評価

須和祐太, 川原村敏幸, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　ROMBUNNO.13A-P18-14　2015/02/26
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に及ぼす圧力の効果

栗本浩平, 栗本浩平, BAO Q., BAO Q., 斉藤真, 斉藤真, 冨田大輔, 伊藤みずき, 山崎芳樹, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(3):浅い不純物に関する考察

山崎芳樹, 古澤健太郎, 岩橋咲弥, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(III)

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015
m面Al_1-xIn_xN薄膜の分光エリプソメトリーによる評価

加賀谷大樹, 山崎芳樹, 池田宏隆, 藤戸健史, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(4):遷移金属不純物に関する考察

岩橋咲弥, 山崎芳樹, 小島一信, 古澤健太郎, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015
酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

斉藤真, 斉藤真, BAO Q., BAO Q., 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015
酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長

斉藤真, 斉藤真, BAO Q., BAO Q., 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　45th　2015

ISSN： 0385-6275
高品質GaN単結晶における自由励起子とドナー束縛励起子の発光ダイナミクス

小島一信, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015
水熱合成ZnOターゲットを用いた低ドナー不純物濃度ZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル成長

古澤健太郎, 山崎芳樹, 小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　15th　2015
液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織化CdS量子ドットのフォトルミネッセンス挙動

松原正樹, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, 山崎芳樹, 小島一信, 秩父重英, ZENG Xiangbing, DONG Haoliang, UNGAR Goran, 蟹江澄志, 村松淳司

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　15th　36　2015
フェムト秒集束パルス電子線を用いた特異構造界面の発光ダイナミクス解析

秩父重英, 石川陽一, 山崎芳樹, 小島一信

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014
酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

斉藤真, 斉藤真, BAO Q., BAO Q., 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, QIAO K., 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014
m面GaN基板上に成長したAl_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の偏光特性

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014
混晶組成変調によるSi添加AlGaN多重量子井戸の発光効率向上

山崎芳樹, 古澤健太郎, 小島一信, 中濱和大, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014
酸化亜鉛の放射線耐性

小池一歩, 藤本龍吾, 和田涼太, 佐々誠彦, 矢野満明, 權田俊一, 羽豆耕治, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　12th　2012
23aJA-6 Polarized XAFS analyses of m-plane InGaN films

Miyanaga T., Azuhata T., Nitta K., Chichibu S. F.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　66　(2)　1001-1001　2011/08/24
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
電子線照射によるCIGS太陽電池の電気的・光学的特性への影響

廣瀬維子, 藁澤萌, 高倉健一郎, 木村真一, 秩父重英, 大山英典, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　ROMBUNNO.17P-NA-3　2010/08/30
Exciton emission mechanism in AlN epitaxial films

ONUMA Takeyoshi, HAZU Kouji, SOTA Takayuki, UEDONO Akira, CHICHIBU Shigefusa F.

IEICE technical report　109　(288)　29-32　2009/11/12
Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
ISSN： 0913-5685

More details Close

Exciton fine structures were observed in partially polarized optical reflectance and cathodoluminescence (CL) spectra of AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) Al_2O_3 substrates. A few free and four bound exciton lines were clearly resolved in the low-temperature CL spectra of the lowest threading dislocation density (2×10^8cm^<-2>) AlN film. From the energy difference between the ground- and the first-excited states, the hydrogenic A-exciton binding energy in the compressively strained (Δa/a&cong;-1.68%) AlN was estimated to be 51meV.
Exciton emission mechanism in AlN epitaxial films

ONUMA Takeyoshi, HAZU Kouji, SOTA Takayuki, UEDONO Akira, CHICHIBU Shigefusa F.

IEICE technical report　109　(289)　29-32　2009/11/12
Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
ISSN： 0913-5685

More details Close

Exciton fine structures were observed in partially polarized optical reflectance and cathodoluminescence (CL) spectra of AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) Al_2O_3 substrates. A few free and four bound exciton lines were clearly resolved in the low-temperature CL spectra of the lowest threading dislocation density (2×10^8cm^<-2>) AlN film. From the energy difference between the ground- and the first-excited states, the hydrogenic A-exciton binding energy in the compressively strained (Δa/a&cong;-1.68%) AlN was estimated to be 51meV.
Preface for Special Issue on Defects in Nitride Semiconductors

FUJIOKA Hiroshi, CHICHIBU Shigefusa

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　36　(3)　147-147　2009/10/31
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275
Cu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の耐粒子線特性に関する考察

廣瀬維子, 安庭宗弘, 高倉健一郎, 藤原千佳, 中西久幸, 秩父重英, 大山英典, 木村真一, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集　70th　(3)　1309　2009/09/08
Cu(In,Ga)Se₂薄膜のガンマ線照射による影響

村澤一樹, 安庭宗弘, 梅澤明央, 深山敦, 中西久幸, 秩父重英, 木村真一, 杉山睦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　55th　(3)　1505　2008/03/27
AlN,GaNにおける貫通転位密度と点欠陥密度の関係

秩父重英, 秩父重英, 小山享宏, 小山享宏, 菅原茉莉子, 星拓也, CANTU P., KAEDING J. F., SHARMA R., 小坂圭, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 柴田智彦, 田中光浩, 尾沼猛儀, 尾沼猛儀, KELLER S., MISHRA U. K., DENBAARS S. P., DENBAARS S. P., 中村修二, 中村修二, 宗田孝之, 上殿明良

応用物理学会学術講演会講演予稿集　68th　(1)　2007
Fabrication of a CuInSe2 pn junction prepared by thermal diffusion of Zn using Dimethylzinc

A.Miyama, T.Yasuniwa, A.Umezawa, H.Nakanishi, M.Sugiyama, S.F.Chichibu

17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-15) Technical Digest　2007
29pXD-5 Localization of luminescence and carrier dynamics in InGaN/GaN single quantum well structure

Miyaoka Y., Yamamoto N., Chichibu S.F., Mukai T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　61　(1)　949-949　2006/03/04
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
28aPS-18 Relaxation dynamics of excitons in c- and a-face GaN

Hazu K., Ikeda H., Oshima S., Sota T., Chichibu S.F., Haskell B.A., Speck J.S., DenBaars S.P., Nakamura S.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　61　(1)　728-728　2006/03/04
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
20aYN-2 Indium compositional fluctuation and carrier dynamics in the InGaN/CaN single quantum well structure

Miyaoka Y., Yamamoto N., Chichibu S. F., Mukai T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　60　(2)　809-809　2005/08/19
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
27aYM-9Relation between luminescence distribution and dislocations in an InGaN layer

Miyaoka Y., Yamamoto N., Chichibu S.F., Mukai T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　60　(1)　929-929　2005/03/04
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCuGaSe2薄膜成長

深谷真大, 木下淳紀, 波能康晴, 杉山睦, 秩父重英, 中西久幸

多元機能材料研究会平成16年度成果報告集　32-35　2005
CuGaSe2薄膜に対する電極材料の検討

村山聡, 深谷真大, 木下淳紀, 波能康晴, 杉山睦, 秩父重英, 中西久幸

多元機能材料研究会平成16年度成果報告集　20-23　2005
Preparation of CuInS2 Thin Films by Thermal Decomposition of Metal-Octoate and Subsequent Sulfurization Using DTBS.

T.Hashimoto, S.Merdes, H.Nakahishi, S.F.Chichibu, S.Ando

Proceedings of 20th European Photovoltaic Solar and Energy Conference and Exhibition (EU-PVSEC-20　1926-1929　2005
15aTJ-1 Relation between luminescence distribution and strain field around dislocations in an InGaN layer

Miyaoka Y., Yamamoto N., Chichibu S. F., Mukai T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　59　(2)　882-882　2004/08/25
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
28pXQ-3 Four-wave mixing signals at C-exciton rcsonances in ZnO

Hazu K., Sota T., Adachi S., Chichibu SF.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　59　(1)　741-741　2004/03/03
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
30aPS-24 Selective excitation of biexcitons in ZnO by controlled two-photon coherence

Adachi S., Hazu K., Sota T., Suzuki K., Chichibu S. F.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　59　(1)　760-760　2004/03/03
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Effect of Annealing on the Crystallinity of ZnS Thin Films for CIGS-Based Solar Cells Prepared by Chemical Bath Deposition Method.

H.Sakuno, H.Nakanishi, S.F.Chichibu, S.Ando

Technical Digest of the International PVSEC-14　2　709-710　2004
Influence nonstoichiomety and layer structure of Cu-In precursor on the CIS film properties prepared by the selenization technique using diethylselenide as a Se source.

J.Ishizuki, S.Ando, S.F.Chichibu, H.Nakanishi

Technical Digest of the International PVSEC-14　2　615-616　2004
Preparation of CuInSe2 Thin Films by Metal-organic Decomposition with Oxidation-reduction and Subsequent Selenization using Diethylselenide.

N.Takayama, H.Nakanishi, S.F.Chichibu, S.Ando

Technical Digest of the International PVSEC-9　525-526　2004
Temperature dependence of four-wave mixing signals in ZnO

Hazu K., Sota T., Suzuki K., Adachi S., Chichibu SF.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　58　(2)　617-617　2003/08/15
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
FWM measurements of exciton-exciton correlation in ZnO

Adachi S., Hazu K., Sota T., Suzuki K., Chichibu SF.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　58　(1)　691-691　2003/03/06
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Valence-band ordering in ZnO

Hazu K., Torii K., Sota T., Suzuki K., Adachi S., Chichibu SF.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　58　(1)　691-691　2003/03/06
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
塗布熱分解法およびDESeを用いたセレン化法によるCuInSe2薄膜の作製と評価

高山直樹, 宮地順子, 山本貴史, 出口隆弘, 中西久幸, 秩父重英, 安藤靜敏

応用物理学会三元・多元機能性材料研究会平成14年度成果報告書　65-68　2003/03
ジエチルセレンを用いたSe化法によるCuInSe2薄膜の成長過程の観察

中村元宜, 山本貴史, 石附純, 安藤靜敏, 出口隆弘, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学会三元・多元機能性材料研究会平成14年度成果報告書　61-64　2003/03
DESeによるSe化法を用いたCuInSe2薄膜の作製及び構造評価

石附純, 山本貴史, 中村元宜, 出口隆弘, 安藤靜敏, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学会三元・多元機能性材料研究会平成14年度成果報告書　57-60　2003/03
Dephasing dynamics in exciton-biexciton system of GaN

Adachi S., Hazu K., Sota T., Suzuki K., Chichibu S., Mukai T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　57　(2)　608-608　2002/08/13
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Optical nonlinearities of excitons in GaN using pump and probe spectroscopy

Hazu K., Sota T., Suzuki K., Adachi S., Chichibu S., Mukai T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　57　(2)　608-608　2002/08/13
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Brillouin scattering in ZnO

Azuhata T., Takesada M., Yagi T., Shikanai A., Chichibu S., Torii K., Sota T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　57　(2)　790-790　2002/08/13
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Effect of defects on luminescence properties of InGaN layers studied by TEM - CL technique

Horiuchi D., Yamamoto N., Chichibu S.F., Mukai T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　57　(2)　805-805　2002/08/13
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Comparison of Emission Properties between Cubic and Hexagonal InGaN : Effects of Polarization Field and Exciton Localization

CHICHIBU Shigefusa F., KURODA Tsunemasa, ONUMA Takeyoshi, KITAMURA Toshio, SOTA Takayuki, TACKEUCHI Atsushi, DENBAARS Steven P., NAKAMURA Shuji, OKUMURA Hajime

Technical report of IEICE. LQE　102　(118)　25-28　2002/06/07
Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
ISSN： 0913-5685

More details Close

Systematic comparison was made for optical properties between cubic and hexagonal InGaN quantum structures. Use of cubic materials made possible to investigate carrier localization phenomena in InGaN QWs without extrinsic electronic modulation due to polarization-induced electric field normal to the QW plane.
24aWJ-7 Optical Properties of Lattice defects in GaN epitaxial layers

Itoh H., Grillo V., Yamamoto N., Chichibu S.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　57　(1)　876-876　2002/03/01
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
24aYE-8 Optical nonlinearities of excitons in GaN using pump and probe methods

Hazu K., Sota T., Suzuki K., Adachi S., Chichibu S. F., Mukai T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　57　(1)　665-665　2002/03/01
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
25aXR-9 Effect of defects on luminescence properties oflnCaNlayers studied by TEM- CL technique

Horiuchi D., Yamamoto N., Criila V., Chichibu S.F., Mukae T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　57　(1)　893-893　2002/03/01
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Effect of defects on luminescence properties of InGaN layers studied by TEM-CL technique

Horiuchi D., Grillo V., Yamamoto N., Chichibu S. F., Mukai T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　56　(2)　778-778　2001/09/03
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Exciton-exciton interaction and biexciton formation in GaN eplayers

Adachi S., Hazu K., Sota T., Suzuki K., Chichibu S. F., Mukai T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　56　(2)　579-579　2001/09/03
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Interaction and dephasing of excitons in GaN

Hazu K., Sota T., Suzuki K., Adachi S., Chichibu S. F., Mukai T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　56　(2)　579-579　2001/09/03
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
立方晶3族窒化物半導体量子構造のMBE成長と評価 (特集ナイトライドセラミックスの新展開(1))

奥村元, 秩父重英

マテリアルインテグレ-ション　14　(6)　45-51　2001/06
Publisher: ティ-・アイ・シ-
ISSN： 1344-7858
[100]配向高品質β‐FeSi₂連続膜の吸収特性

高倉健一郎, 広井典良, 末益崇, 秩父重英, 長谷川文夫

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　48th　(3)　1307　2001/03/28
Dephasing dynamics in GaN eplayers

Adachi S., Shikanai A., Hazu K., Sota T., Chichibu S. F., Mukai T.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　56　(1)　676-676　2001/03/09
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Metalorgranic Vapor Phase Epitaxy of Cu(Al,Ga,In)(S,Se)2 Chalcopyrite Semiconductors

S.F.Chichibu, S.Shirakata, 中西久幸

Ternary and Multinary Compounds in the 21st Century IPAP Books　1　85-90　2001
Optical Absorption of CuInSe2

S.F.Chichibu, 中西久幸

Ternary and Multinary Compounds in the 21st Century IPAP Books　1　285-289　2001
Characterization of defects in GaN by TEM-CL technique

Ito H., Mita T., Yamamoto N., Chichibu S., DenBaar S. P.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　55　(2)　848-848　2000/09/10
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
カルコパイライト型三元化合物半導体発光素子材料 (特集発光材料の展開)

秩父重英, 杉山睦, 中西久幸

化学工業　51　(9)　663-669　2000/09
Publisher: 化学工業社
ISSN： 0451-2014
β-FeSi₂半導体の高圧下における光吸収特性

寺西良太, 老沼純, 森嘉久, 財部健一, 末益崇, 長谷川文夫, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　61st　(3)　2000
Comparison of Optical Properties in GaN/AlGaN and InGaN/AlGaN Single Quantum Wells

CHICHIBU Shigefusa, DEGUCHI Takahiro, SETOGUCHI Akiko, SUGIYAMA Mutsumi, NAKANISHI Hisayuki, SOTA Takayuki, MUKAI Takashi, NAKAMURA Shuji

1999　198-199　1999/09/20
Brillouin Scattering Study of h-GaN II

YAMAGUCHI M., YAGI T., DEGUCHI T., SHIMADA K., SOTA T., SUZUKI K., CHICHIBU S., NAKAMURA S.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　53　(2)　275-275　1998/09/05
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
7a-YC-12 Lattice dynamics in CuAlSe_2

Watanabe M., Azuhata T., Sota T., Chichibu S., Suzuki K.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　52　(2)　259-259　1997/09/16
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Optical properties of h-GaN/Sapphire grown by MOCVD. VIII. Time-resolved spectroscopy. (1).

出口隆弘, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 猿倉信彦, 大竹秀幸, 山中孝弥, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　44th　(1)　182　1997/03
31a-F-6 Brillouin Scattering Study of h-GaN using Tandem Fabry-Perot interferometer

Azuhata T., Sota T., Suzuki K., Chichibu S., Nakamura S., Yagi T.

Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Annual meeting　51　(2)　124-124　1996/03/15
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of CuAlxGa1-xSe2 Alloys

秩父重英

Tras.of the Mater.Res.Soc.of Japan　20　727-730　1996
4p-PSB-10 Lattice dynamics of CuAlS_2 and CuAlSe_2

Azuhata T., Sota T., Suzuki K., Chichibu S.

Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Sectional meeting　1994　(2)　487-487　1994/08/16
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
GROWTH OF CU(ALXGA1-X)SSE PENTENARY ALLOY CRYSTALS BY IODINE CHEMICAL-VAPOR TRANSPORT METHOD

S CHICHIBU, S SHIRAKATA, A OGAWA, R SUDO, M UCHIDA, Y HARADA, T WAKIYAMA, M SHISHIKURA, S MATSUMOTO, S ISOMURA

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　140　(3-4)　388-397　1994/07

DOI： 10.1016/0022-0248(94)90315-8 　

ISSN： 0022-0248
LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION OF A CUGASE2/CUALSE2 HETEROSTRUCTURE

S CHICHIBU, R SUDO, N YOSHIDA, Y HARADA, M UCHIDA, S MATSUMOTO, H HIGUCHI

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　33　(3A)　L286-L289　1994/03

DOI： 10.1143/jjap.33.L286 　

ISSN： 0021-4922
Heteroepitaxy and characterization of CuGaSe2 layers grown by low-pressure metalorganic chemical-vapor deposition

S. Chichibu, Y. Harada, M. Uchida, T. Wakiyama, S. Matsumoto, S. Shirakata, S. Isomura, H. Higuchi

Journal of Applied Physics　76　(5)　3009-3015　1994

DOI： 10.1063/1.357503 　

ISSN： 0021-8979
EXCITONIC PHOTOLUMINESCENCE IN A CUALSE2 CHALCOPYRITE SEMICONDUCTOR GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION

S CHICHIBU, S MATSUMOTO, S SHIRAKATA, S ISOMURA, H HIGUCHI

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　74　(10)　6446-6447　1993/11

ISSN： 0021-8979
SURFACE PASSIVATION OF GAAS USING ARF EXCIMER-LASER IN A H2S GAS AMBIENT

N YOSHIDA, S CHICHIBU, T AKANE, M TOTSUKA, H UJI, S MATSUMOTO, H HIGUCHI

APPLIED PHYSICS LETTERS　63　(22)　3035-3037　1993/11

DOI： 10.1063/1.110250 　

ISSN： 0003-6951
EL2 OUT-DIFFUSION IN THERMALLY ANNEALED LIQUID-ENCAPSULATED CZOCHRALSKI GAAS

J OGATA, A IWAI, S CHICHIBU, S MATSUMOTO

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　32　(11A)　5059-5061　1993/11

ISSN： 0021-4922
PHOTOREFLECTANCE AND PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF CUALXGA1-XSE2 ALLOYS

S SHIRAKATA, S CHICHIBU, R SUDO, A OGAWA, S MATSUMOTO, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　32　(9B)　L1304-L1307　1993/09

ISSN： 0021-4922
USE OF TERTIARYBUTYLARSINE IN ARF EXCIMER LASER DOPING OF ARSENIC INTO SILICON

S CHICHIBU, T NII, T AKANE, S MATSUMOTO

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　11　(2)　341-343　1993/03

ISSN： 1071-1023
PHOTOREFLECTANCE STUDY OF CUALSE2 HETEROEPITAXIAL LAYERS

S SHIRAKATA, S CHICHIBU, S MATSUMOTO, S ISOMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　32　(2A)　L167-L169　1993/02

ISSN： 0021-4922
LP-MOCVD GROWTH OF CUALSE2 EPITAXIAL LAYERS

S CHICHIBU, A IWAI, S MATSUMOTO, H HIGUCHI

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　126　(4)　635-642　1993/02

DOI： 10.1016/0022-0248(93)90814-D 　

ISSN： 0022-0248
The use of tertialbuthylarsine in ArF excimer laser As doping into Si

S. Chichibu, T. Nii, T. Akane, S. Matsumoto

J.Vac.Sci.and Tec　11　(2)　341-343　1993

DOI： 10.1116/1.586682 　

ISSN： 0734-211X
Monoeneritic positron beam study of heavily Si-doped GaAs grown by MOCVD

S. Chichibu, A. Iwai, Y. Nakahara, S. Matsumoto, L. Wei, S. Tanigawa

Materials Science Forum　Vol.117-118　243-248　1993
Monoenergetic positron beam study of Si-doped GaAs epilayers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine

S. Chichibu, A. Iwai, Y. Nakahara, S. Matsumoto, H. Higuchi, L. Wei, S. Tanigawa

Journal of Applied Physics　73　(8)　3880-3885　1993

DOI： 10.1063/1.352900 　

ISSN： 0021-8979
Heavily As doping in Si by ArF excimer laser doping

S. Chichibu, T. Nii, T. Akane, S. Matsumoto

Materials Science Forum　Vol.117-118　243-248　1993
CuAlSe2 chalcopyrite epitaxial layers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition

S. Chichibu, S. Shirakata, A. Iwai, S. Matsumoto, H. Higuchi, S. Isomura

Journal of Crystal Growth　131　(3-4)　551-559　1993

DOI： 10.1016/0022-0248(93)90207-D 　

ISSN： 0022-0248
2.51 eV photoluminescence from Zn-doped CuAlSe2 epilayers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition

S. Chichibu, S. Matsumoto, S. Shirakata, S. Isomura, H. Higuchi

Applied Physics Letters　62　(25)　3306-3308　1993

DOI： 10.1063/1.109054 　

ISSN： 0003-6951
Exitonic photoluminescence in a CuAlSe2 chalcopyrite semiconductor grown by LPMOCVD

Chichibu, S, Matsumoto, S, Shirakata, S, Isomura, S, Higuchi, H

J. Appl. Phys　74　(10)　6446-6447　1993

DOI： 10.1063/1.355129 　

ISSN： 0021-8979
Phtorefle-ctance characteristics of CuAlSe2 Heteroepitaxial Layers Grown by MOCVD

Shirakata, S, Chichibu, S, Matsumoto,S, Isomura, S

Jpn. J. Appl. Phys　Vol.32　(Suppl.32-3)　494-496　1993
LPMOCVD CuAlSe2 Epitaxial Layers

Chichibu, S, Shirakata, S, Sudo, R, Uchida, M, Harada, Y, Matsumoto, S, Higuchi, H, Isomura, S

Jpn. J. Appl. Phys　Vol.32　(Suppl.32-3)　71-73　1993
ELECTRICAL AND OPTICAL-PROPERTIES OF CUALSE2 GROWN BY IODINE CHEMICAL VAPOR TRANSPORT

S CHICHIBU, M SHISHIKURA, J INO, S MATSUMOTO

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　70　(3)　1648-1655　1991/08

DOI： 10.1063/1.349531 　

ISSN： 0021-8979
HIGH-CONCENTRATION ZN DOPING IN INP GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

S CHICHIBU, M KUSHIBE, K EGUCHI, M FUNEMIZU, Y OHBA

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　68　(2)　859-861　1990/07

ISSN： 0021-8979
EFFECTS OF CONTROLLED AS PRESSURE ANNEALING ON DEEP LEVELS OF LIQUID-ENCAPSULATED CZOCHRALSKI GAAS SINGLE-CRYSTALS

S CHICHIBU, N OHKUBO, S MATSUMOTO

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　64　(8)　3987-3993　1988/10

DOI： 10.1063/1.341358 　

ISSN： 0021-8979
EFFECT OF CARBON CONCENTRATION ON THE THERMAL-CONVERSION OF LIQUID-ENCAPSULATED CZOCHRALSKI SEMI-INSULATING GAAS

N OHKUBO, S CHICHIBU, S MATSUMOTO

APPLIED PHYSICS LETTERS　53　(12)　1054-1055　1988/09

DOI： 10.1063/1.100063 　

ISSN： 0003-6951
EFFECT OF DOPANT CONCENTRATION ON OXIDATION-INDUCED STACKING-FAULTS IN BORON-DOPED CZ SILICON

S CHICHIBU, T HARADA, S MATSUMOTO

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　27　(8)　L1543-L1545　1988/08

ISSN： 0021-4922
EFFECT OF CARBON CONCENTRATION ON THE ELECTRICAL-PROPERTIES OF LIQUID-ENCAPSULATED CZOCHRALSKI SEMIINSULATING GAAS

S CHICHIBU, S MATSUMOTO, T OBOKATA

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　62　(10)　4316-4318　1987/11

ISSN： 0021-8979
THE EFFECT OF AS PRESSURE CONTROLLED ANNEALING ON DEEP LEVELS OF LEC GAAS CRYSTALS

S CHICHIBU, S MATSUMOTO

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY　134　(9)　C576-C576　1987/09

ISSN： 0013-4651
BASIC STUDIES ON HYPERTENSION AND INTRACRANIAL HYPERTENSION

Y OHTA, T CHIKUGO, S CHICHIBU, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　26　(4)　701-701　1985

ISSN： 0021-4868
CALCIUM-CONCENTRATION IN SHR AORTA

A CHIBA, C KITAGAWA, S CHICHIBU, H ITO, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　25　(5)　882-882　1984

ISSN： 0021-4868
THE SHIFT RATE MAP OF THE SURFACE-RECORDED QRS-COMPLEX OF THE RAT

C KITAGAWA, A CHIBA, S CHICHIBU, H ITO, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　25　(5)　844-844　1984

ISSN： 0021-4868
SOME REMARKS ON THE QUANTITATIVE ELASTIN CONCENTRATION ESTIMATION METHOD IN SHRSP AORTIC MEDIA

S CHICHIBU, C KITAGAWA, A CHIBA, H ITO, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　24　(5)　826-826　1983

ISSN： 0021-4868
TEMPORAL DECOLORIZATION EFFECT OF LIGHT AND THE ERROR RANGE IN THE QUANTITATIVE MEASUREMENTS OF ELASTIN IN THE SHRSP AORTA

C KITAGAWA, S CHICHIBU, H ITO, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　23　(3)　410-410　1982

ISSN： 0021-4868
STUDIES ON THE ECG FIELD ON THE BODY-SURFACE OF THE RATS, SHR, WKY AND WISTAR ST STRAINS

S CHICHIBU, C KITAGAWA, H ITO, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　23　(3)　416-416　1982

ISSN： 0021-4868
ELECTRON-MICROSCOPICAL AND SPECTROPHOTOMETRIC EXAMINATION OF MESENTERIC-ARTERY OF SHRSP

H ITO, S CHICHIBU, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　22　(3)　488-488　1981

ISSN： 0021-4868
HISTOLOGICAL STUDIES ON STAINING CHARACTERISTIC DIFFERENCES IN ARTERIAL ELASTIC FIBERS

S CHICHIBU, H ITO, K OKAMOTO

JAPANESE HEART JOURNAL　21　(4)　596-596　1980

ISSN： 0021-4868

Show all ︎Show first 5

Books and Other Publications 11

応用電子物性分科会誌

秩父重英, 奥野浩司, 大矢昌輝, 齋藤義樹, 石黒永孝, 竹内哲也, 嶋紘平

応用電子物性分科会　2024

More details Close

応用電子物性分科会/結晶工学分科会合同研究会「窒化物半導体発光デバイスの最前線」京都テルサ, 2024年7月3日, 依頼講演
次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術

小島一信, 嶋紘平, 秩父重英

S&T出版, 岩室憲幸監修　2022/07/27

ISBN: 9784907002930
次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術

栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 嶋紘平, 石黒徹, 秩父重英

S&T出版, 岩室憲幸監修　2022/07/27

ISBN: 9784907002930
次世代パワー半導体の開発・評価と実用化

三川豊, 秩父重英, 栗本浩平

(株)エヌ・ティー・エス, 岩室憲幸監修　2022/02/25
Ammonothermal Synthesis and Crystal Growth of Nitrides edited by E. Meissner and R. Niewa

D. Tomida, M. Saito, Q. Bao, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

Springer (Springer Series in Materials Sciences, Vol. 304)　2021/02/08
III-Nitride Ultlaviolet Emitters - Technology and Applications

Shigefusa F. Chichibu, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramtsu, Akira Uedono

Springer　2015/11

More details Close

847
Technology of Gallium Nitride Crystal Growth

edited by, D. Ehrentraut, E. Meissner, M. Bockowski

Springer Series in Materials Sciences　2010/07
日本結晶成長学会誌

秩父重英, 上殿明良

日本結晶成長学会　2009/10
Advances in Light Emitting Materials

S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. Nakamura

Materials Science Forum　2008
科学立国日本を築く－極限に挑む気鋭の研究者たち－

榊裕之監修

日刊工業新聞社　2006/03/24
Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes

Taylor and Francis (英国)　2000

Show all Show first 5

Presentations 754

長寿命高効率深紫外 LED の開発 Invited

齋藤義樹, 宮﨑敦嗣, 坊山晋也, 三輪浩士, 奥野浩司, 大矢昌輝, 久志本真希, 本田善央, 天野浩, 石黒永考, 竹内哲也, 嶋紘平, 秩父重英

第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2025/07/18

More details Close

(Fr-I3), 招待講演
サファイア基板上への岩塩構造 MgZnO薄膜成長における成長温度・降温速度の効果

木村航介, 嶋紘平, 松尾浩一, 内田浩二, 大野篤史, 秩父重英, 金子健太郎

第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2025/07/17

More details Close

(Th-P15)
Cathodoluminescence studies of layered-structure BN epilayers grown by chemical vapor deposition using carbon-free molecules International-presentation

S. F. Chichibu, T. Kasuya, H. Tsujitani, K. Hara, K. Shima

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025/07/09

More details Close

No.PC-Wed-4 (oral)
Cathodoluminescence spectroscopy of sp2-hybridized BN thin films grown by metalorganic vapor phase epitaxy using tris(dimethylamino)borane International-presentation

K. Shima, H. Tsujitani, S. F. Chichibu

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025/07/09

More details Close

No.PC-Wed-2 (oral)
Impacts of ultra-high-pressure annealing on undoped and ion-implanted GaN studied by photoluminescence measurements International-presentation

K. Shima, T. Narita, A. Uedono, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. F. Chichibu

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025/07/07

More details Close

No.PC-Mon-8 (oral)
Formation of layered polytypes during the thin film growth of boron nitride by chemical vapor deposition using boron trichloride as a boron source International-presentation

K. Hara, S. Ota, R. Aoike, A. Takemura, H. Nakano, H. Kominami, K. Shima, S. F. Chichibu

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025/07/07

More details Close

No.GR-Mon-B7 (oral)
Causes and countermeasures for the operation-induced power degradation issues in 275-nm-band AlGaN-based MQW LEDs International-presentation Invited

S. F. Chichibu, K. Okuno, M. Oya, A. Miyazaki, S. Boyama, Y. Saito, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025/07/08

More details Close

No.OD-Tue-11 (Upgraded Invited-oral)
Annealing behaviors of vacancies and their impact on dopant activation in ion-implanted GaN studied by positron annihilation International-presentation Invited

A. Uedono, K. Shima, S. F. Chichibu, S. Ishibashi

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)　2025/07/08

More details Close

No.PC-Tue-A1 (Invited-oral)
Characterization of vacancy-type defects in Mg- and N-implanted GaN by using a monoenergetic positron beam International-presentation

A. Uedono, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Shima, S. F. Chichibu, J., Uzuhashi, T. Ohkubo, S. Ishibashi, K. Sierakowski, M. Bockowski

22nd International Workshop on Junction Technology (IWJT2025)　2025/06/06

More details Close

No.S9-2. (oral)
超高圧アニール処理したMgイオン注入GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025/03/17

More details Close

17a-K301-4
サファイア基板上岩塩構造MgZnO 薄膜成長における徐冷の効果

木村航介, 嶋紘平, 松尾浩一, 内田浩二, 大野篤史, 秩父重英, 金子健太郎

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025/03/16

More details Close

16p-Y1311-11
HVPE成長Mg添加p型GaNのフォトルミネッセンススペクトル(II)

秩父重英, 大西一生, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 上殿明良, 石橋章司, 嶋紘平

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025/03/16

More details Close

16p-K401-10
HVPE成長Si添加ホモエピタキシャルAlNの発光特性

秩父重英, 菊地清, B. Moody, 三田清二, R. Collazo, Z. Sitar, 熊谷義直, 石橋章司, 上殿明, 良,嶋紘平

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025/03/16

More details Close

16p-K401-9
サファイア基板上に有機金属気相成長させたBN薄膜の深紫外発光特性

嶋紘平, 辻谷陽仁, 秩父重英

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025/03/16

More details Close

16p-K401-8
超高圧アニール処理した無添加およびイオン注入GaNのフォトルミネッセンス評価

嶋紘平, 石橋章司, 上殿明良, Michal Bockowski, 須田淳, 加地徹, 秩父重英

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025/03/16

More details Close

16p-K401-7
Roles of vacancy complexes on the output-power degradation mechanisms of 275-nm -band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes International-presentation Invited

S. F. Chichibu, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, Y. Furusawa, A. Tanaka, R. Tsukamoto, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T., Takeuchi, K. Shima

17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2025)　2025/03/06

More details Close

No.06pC11I (Invited-oral).
Room-temperature cavity-polaritons in planar ZnO microcavities fabricated via a top-down process using bulk ZnO single crystals International-presentation

K. Shima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

11th International Workshop on Semiconductor Oxides (IWSO-2025)　2025/03/05

More details Close

Mar. 5th Session 2-4 (oral)
Origins and dynamic properties of midgap recombination centers in ZnO International-presentation Invited

S. F. Chichibu, A. Uedono, S. Ishibashi, K. Shima

11th International Workshop on Semiconductor Oxides (IWSO-2025)　2025/03/03

More details Close

Mar. 3rd Session 3-1 (Invited-oral)
Development for long lifetime and high efficiency DUV LEDs International-presentation Invited

Y. Saito, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, K. Kataoka, T. Narita, K., Horibuchi, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, d, S. F. Chichibu

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2025, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XX (OE107)　2025/01/30

More details Close

No.13366-52 (Invited-oral)
Power degradation mechanisms of UV-C LEDs under current stress International-presentation Invited

Y. Honda, S. F. Chichibu, K. Shima, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, Y. Saito, A. Tanaka, T. Takeuchi, M. Kushimoto, H. Amano

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2025, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XX (OE107)　2025/01/30

More details Close

No.13366-47 (Invited-oral)
Room-temperature photoluminescence lifetimes of Mg-doped p-type GaN layers grown by halide vapor phase epitaxy International-presentation

S. F. Chichibu, K. Ohnishi, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, A. Uedono, S. Ishibashi, K. Shima

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/08

More details Close

Session Characterization: Optical Properties, No.241 (oral)
Minority carrier capture coefficients of major midgap recombination centers in the state-of-the-art GaN substrates, epilayers, and Mg-implanted layers International-presentation

S. F. Chichibu, K. Shima, A. Uedono, S. Ishibashi, H. Iguchi, T. Narita, K., Kataoka, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H. Watanabe, A. Tanaka, Y., Honda, J. Suda, H. Amano, T. Kachi, T. Nabatame, Y. Irokawa, Y. Koide

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/06

More details Close

Session Characterization: Carrier Dynamics II, No.229 (oral)
Spatio-time-resolved cathodoluminescence study of InGaN/GaN multiquantum shells International-presentation

K. Shima, W. Lu, T. Takeuchi, S. Kamiyama, S. F. Chichibu

12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)　2024/11/05

More details Close

Session Characterization: InGaN, No.60 (oral)
Catalyst-free sputtering growth of Zn1-xMgxO nanorods on c-sapphire substrate using 3D buffer layers International-presentation

H. Otsuyama, K. Shima, K. Yataka, T. Yunoue, N. Yamashita, S. F. Chichibu, and N., Itagaki

The 10th International Symposium on Surface Science (ISSS-10)　2024/10/22

More details Close

No.3P06 (Poster)
エミッション顕微鏡を用いたUV-C LEDにおける中長期劣化の観察

本田善央, 古澤優太, 田中敦之, 塚本涼子, 宮﨑敦嗣, 坊山晋也, 奥野浩司, 齋藤義樹, 嶋紘平, 秩父重英, 石黒永孝, 竹内哲也, 久志本真希, 天野浩

2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会　2024/09/16

More details Close

16p-A21-12
Cathodoluminescence studies of hexagonal BN polytypes and monolayer BN International-presentation Invited

S. F. Chichibu, K. Hara, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, P. Valvin, B, Gil, G. Cassabois, S. V. Novikov, K. Shima

European Materials Research Society, 2024 Fall Meeting, Symposium P: Boron Nitride: from advanced growth approaches to advanced applications　2024/09/17

More details Close

No. P05 (Invited-oral)
低圧酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長 Invited

栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 斉藤真, 嶋紘平, 石黒徹, 秩父重英

化学工学会第55回秋季大会　2024/09/11

More details Close

(J120) 招待講演
超臨界アンモニアを用いた窒化物材料の作製 Invited

冨田大輔, Saskia Schimmel, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 石黒徹, 秩父重英, 斉藤真, 栗本浩平, 包全喜

日本セラミックス協会第37回秋季シンポジウム　2024/09/11

More details Close

(2E01) 依頼講演
ワイドギャップ半導体の空孔型欠陥と発光ダイナミクス計測－ZnOとGaNの類似点と相違点－ Invited

秩父重英, 嶋紘平, 上殿明良, 石橋章司

透明酸化物光・電子材料研究会第9回(2024年度第2回)研究会チュートリアル「材料設計・作製・物性評価の基礎および応用」　2024/07/11

More details Close

チュートリアル講演
275 nm帯AlGaN LEDの初期劣化機構 Invited

秩父重英, 奥野浩司, 大矢昌輝, 齋藤義樹, 石黒永孝, 竹内哲也, 嶋紘平

応用電子物性分科会/結晶工学分科会合同研究会「窒化物半導体発光デバイスの最前線」　2024/07/03
Transition from etch-back to growth conditions during ammonothermal growth of GaN - a transient numerical model for convective flow and temperature distribution in a retrograde solubility configuration International-presentation

S. Schimmel, D. Tomida, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F. Chichibu, H. Amano

GaN Marathon 2024　2024/06/11
Cathodoluminescence spectroscopy of monolayer hexagonal boron nitride grown on a highly oriented pyrolytic graphite substrate International-presentation

K. Shima, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, C. Elias, P. Valvin, B. Gil, G, Cassabois, S. V. Novikov, S. F. Chichibu

The 7th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-VII)　2024/06/04

More details Close

No.TB1-3 (oral)
Developments in highly efficient and long-life AlGaN-based UVC LEDs International-presentation Invited

Y. Saito, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, K. Kataoka, T. Narita, K, Horibuchi, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, d, S. F. Chichibu

The 7th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-VII)　2024/06/04

More details Close

No.TA2-1 (Invited-oral)
Roles of vacancy complexes on the luminescence spectra of Si-doped AlN layers grown by HVPE on (0001) AlN substrates prepared by PVT International-presentation

S. F. Chichibu, K. Kikuchi, B. Moody, S. Mita, R. Collazo, Z. Sitar, Y. Kumagai, S. Ishibashi, A. Uedono, K. Shima

The 7th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-VII)　2024/06/03

More details Close

No.MA3-5 (oral)
275 nm帯AlGaN量子井戸LEDの初期劣化について

秩父重英, 奥野浩司, 大矢昌輝, 齋藤義樹, 石黒永孝, 竹内哲也, 嶋紘平

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024/05/31

More details Close

(Fr-P23) (poster)
Mgイオン注入GaNにおける空孔型欠陥のルミネッセンス評価 Invited

嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上, 殿明良, 秩父重英

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024/05/31

More details Close

(Fr-I04), 招待講演
酸性アモノサーマル法の低圧化と大口径GaNバルク結晶作製技術の進展 Invited

石黒徹, 斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 秩父重英

第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2024/05/31

More details Close

(Fr-T01), チュートリアル講演
Technology development for long life and high efficiency DUV LEDs International-presentation Invited

Y. Saito, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, K. Kataoka, T. Narita, K, Horibuchi, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, d, S. F. Chichibu

The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024)　2024/04/24

More details Close

No.LEDIA1-03 (Invited-oral)
Short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN quantum well deep- ultraviolet light emitting diodes fabricated on a sapphire substrate International-presentation Invited

S. F. Chichibu, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi, and K, Shima

The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024)　2024/04/24

More details Close

No.LEDIA1-02 (Invited-oral)
275 nm帯AlGaN量子井戸LEDの初期劣化機構(II)

秩父重英, 嶋紘平, 奥野浩司, 大矢昌輝, 齋藤義樹, 本田善央, 天野浩, 石黒永孝, 竹内哲也

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/24

More details Close

24p-61C-10
BCl3/NH3を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜および多形BNセグメントの陰極線蛍光評価

嶋紘平, 粕谷拓生, 髙屋竣大, 辻谷陽仁, 原和彦, 秩父重英

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/22

More details Close

22p-21C-18
GaN成長層・Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (III)

秩父重英, 嶋紘平, 上殿明良, 石橋章司, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 渡邉浩崇, 田, 中敦之, 本田善央, 須田淳, 天野浩, 加地徹, 生田目俊秀, 色川芳宏, 小出康夫

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/22

More details Close

22p-21C-17
GaN成長層・Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (II)

秩父重英, 嶋紘平, 上殿明良, 石橋章司, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 渡邉浩崇, 田, 中敦之, 本田善央, 須田淳, 天野浩, 加地徹, 生田目俊秀, 色川芳宏, 小出康夫

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/22

More details Close

22p-21C-16
低圧酸性アモノサーマル成長GaNのミッドギャップ再結合過程

嶋紘平, 上殿明良, 石橋章司, 石黒徹, 秩父重英

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会　2024/03/22

More details Close

22p-21C-15
Operation-induced short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes on a sapphire substrate International-presentation Invited

S. F. Chichibu, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi, and K, Shima

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2024, OPTO, Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVIII (OE603)　2024/01/30

More details Close

No.12906-25 (Invited-oral)
Low-pressure acidic ammonothermal growth of bulk GaN crystals International-presentation Invited

S. F. Chichibu, K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, M. Saito, D. Tomida, T. Ishiguro, K. Shima

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2024, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XIX (OE107)　2024/01/29

More details Close

No.12886-1 (Invited-oral)
Operation-induced short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes fabricated on a sapphire substrate International-presentation Invited

S. F. Chichibu, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi, and K, Shima

49th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI- 49)　2024/01/18

More details Close

Session PCSI-ThM1 Wide Bandgap Materials, No.PCSI-ThM1-9 (Invited-oral&poster).
Polishing and etching damages of hydrothermally grown ZnO single crystals studied using time-resolved photoluminescence spectroscopy International-presentation

K. Shima, T. Kasuya, S. F. Chichibu

Advanced Materials Research Grand Meeting and IUMRS-ICA2023　2023/12/14

More details Close

Session Synthesis, Processing and Characterization of Nanoscale and Functional Oxide Films -7th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium, No.D1-O402-06 (oral)
Short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light emitting diodes on a sapphire substrate International-presentation

S. F. Chichibu, K. Nagata, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023/11/17

More details Close

No.OD13-3 (oral)
Optical characteristics of BGaN films using oblique polishing International-presentation

R. Ozeki, D. Nakamura, R. Kudo, T. Ito, K. Shima, S. F. Chichibu, T. Nakano

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023/11/16

More details Close

No.ThP-GR-16 (poster)
Spatially resolved cathodoluminescence studies of graphitic BN segments formed in hexagonal BN epilayers grown on a (0001) sapphire by CVD International-presentation

S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Hara, K. Shima

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023/11/16

More details Close

No.CH12-3 (oral)
Effect on QWs qualities of thickness of homoepitaxial AlN on AlN/sapphire prepared by sputtering and high-temperature annealing International-presentation

R. Akaike, K. Uesugi, K. Shima, S. F. Chichibu, A. Uedono, H. Miyake

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023/11/15

More details Close

No.CH9-2 (oral)
Luminescence studies of Mg-implanted and undoped GaN-on-GaN structures processed by ultra-high-pressure annealing International-presentation

K. Shima, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. F. Chichibu

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023/11/14

More details Close

No.CH6-3 (oral)
Wafer-scale characterization of mosaics and the impact on point defects in GaN studied using 2D birefringence and photoluminescence measurements International-presentation

K. Shima, S. F. Chichibu

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023/11/14

More details Close

No.CH5-4 (oral)
Recent developments for high efficiency for deep UV LEDs International-presentation Invited

Y. Saito, K. Nagata, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, M. Oya, K. Kataoka, T, Narita, K. Horibuchi, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, S. F. Chichibu

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023/11/17

More details Close

No.OD13-1 (Invited-oral)
Impacts of vacancy clusters on the luminescence dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures International-presentation Invited

S. F. Chichibu, A. Uedono, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, M. Bockowski, J, Suda, T. Kachi, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, S. Ishibashi, and K, Shima

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)　2023/11/14

More details Close

No.CH6-1 (Invited-oral)
Mgイオン注入GaN中の空孔型欠陥がルミネッセンス特性に与える影響の評価 Invited

嶋紘平, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会九州支部特別講演会　2023/11/12
Structural, electrical and optical properties of alpha-In2O3 grown by mist CVD on (0001) alpha-Al2O3 substrate International-presentation

T. Yamaguchi, A. Taguchi, K. Shima, T. Nagata, T. Yamamoto, Y. Hayakawa, M, Matsuda, T. Konno, T. Onuma, S. F. Chichibu, H. Honda

7th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2023)　2023/11/02

More details Close

Symposium 8: Material and Devices for Power Electronics, No. 8-2510 (oral)
HVPE成長Mg添加p型GaNのフォトルミネッセンススペクトル

秩父重英, 大西一生, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平

2023年秋季応用物理学会　2023/09/22
二次元複屈折およびフォトルミネッセンス測定によるGaNウエハの結晶モゼイクと点欠陥の評価

嶋紘平, 秩父重英

2023年秋季応用物理学会　2023/09/22
斜め研磨加工を用いたBGaN薄膜の光学特性評価

小関凌也, 中村大輔, 工藤涼兵, 伊藤哲, 嶋紘平, 秩父重英, 中野貴之

2023年秋季応用物理学会　2023/09/20
炭素フリー原料を用いてサファイア基板にCVD成長させたhBN薄膜に混在する多形BNの空間分解カソードルミネッセンス評価

秩父重英, 梅原直己, 原和彦, 嶋紘平

2023年秋季応用物理学会　2023/09/20
Luminescence studies of bulk GaN crystals grown by the low-pressure acidic ammonothermal method International-presentation

K. Shima, K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

65th Electronic Materials Conference (EMC-65)　2023/06/29

More details Close

Session Group III-Nitrides Growth and Characterization No.W06 (oral)
Ultraviolet luminescence dynamics of hexagonal BN epilayers grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors International-presentation

T. Kasuya, K. Shima, K. Hara, S. F. Chichibu

65th Electronic Materials Conference (EMC-65)　2023/06/29

More details Close

Session 2D Materials Synthesis and Characterizations, No.P07 (oral)
Short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN-based deep-ultraviolet light emitting diodes fabricated on a sapphire substrate International-presentation

S. F. Chichibu, K. Shima, T. Kasuya, K. Nagata, K. Okuno, M. Oya, Y. Saito, H. Ishiguro, T. Takeuchi

65th Electronic Materials Conference (EMC-65)　2023/06/28

More details Close

Session Group III-Nitrides Optical Emitters, No.M01 (oral)
空孔複合体が(Al,Ga)Nの発光特性に与える影響 Invited

秩父重英, 嶋紘平, 上殿明良

第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会　2023/06/16

More details Close

(Fr-T01), チュートリアル講演
Temporary and spatially resolved luminescence studies of p-GaN segments fabricated by vacancy-guided redistribution of Mg using sequential ion implantation of Mg and N International-presentation

K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, A. Uedono, S. Ishibashi, and, S. F. Chichibu

21st International Workshop on Junction Technology (IWJT2023)　2023/06/09

More details Close

No.S3-1 (oral)
280 nm帯AlGaN量子井戸LEDの劣化機構に関する考察

秩父重英, 嶋紘平, 粕谷拓生, 永田賢吾, 奥野浩司, 齋藤義樹, 石黒永孝, 竹内哲也

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/17

More details Close

17p-B401-8
炭素フリー原料を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜の発光ダイナミクス

粕谷拓生, 嶋紘平, 原和彦, 秩父重英

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/17

More details Close

17a-B401-7
陰極線励起による単層六方晶BNのバンド端発光の観測

嶋紘平, T.S.Cheng, C.J.Mellor, P.H.Beton, C.Elias, B.Gil, G.Cassabois, S.V.Novikov, 秩父, 重英

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/17

More details Close

17a-B401-6
赤色発光In0.35Ga0.65N/GaN量子井戸のフォトルミネッセンス寿命

李リヤン,嶋紘平, 飯田大輔, 大川和宏, 秩父重英

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/16

More details Close

16a-B401-8
反応性イオンエッチングを行ったZnO表面の時間分解フォトルミネッセンス及びX線光電子分光評価

粕谷拓生, 嶋紘平, 秩父重英

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会　2023/03/15

More details Close

15a-E102-9
Gbps-Class Solar-Blind WDM Optical Wireless Communication By (264, 274, 282)-nm Deep-UV LEDs and CsTe Photomultiplier Tube International-presentation

Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, A. Kanno, A. Hirano, Y. Nagasawa, M, Ippommatsu, N. Yamamoto, S. F. Chichibu, Y. Awaji

Optical Fiber Communication Conference and Exposition (OFC2023)　2023/03/09

More details Close

No.Th1H.2 (oral)
High-speed solar-blind optical wireless communications based on AlGaN deep- ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN/sapphire templates with dense macro-steps International-presentation Invited

K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, S. F. Chichibu

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2023, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XVIII (OE107)　2023/02/02

More details Close

No.12421-56 (Invited-oral)
Impacts of vacancy clusters on the recombination dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures International-presentation Invited

S. F. Chichibu, K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, H. Sakurai, M, Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, S, Ishibashi, A. Uedono

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2023, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XVIII (OE107)　2023/01/31

More details Close

No.12421-26 (Invited-oral)
Annealing properties of vacancy-type defects in ion implanted GaN during ultra- high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam International-presentation Invited

A. Uedono, H. Sakurai, J. Uzuhashi, T. Narita, K. Sierakowski, S. Ishibashi, S, F. Chichibu, M. Bockowski, J. Suda, T. Ohkubo, N. Ikarashi, K. Hono, and T, Kachi

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2023, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XVIII (OE107)　2023/01/31

More details Close

No.12421-25 (Invited-oral)
時間分解フォトルミネッセンス法によるZnOのプロセス誘起欠陥評価

粕谷拓生, 嶋紘平, 秩父重英

第5回結晶工学 x ISYSE合同研究会　2022/11/18

More details Close

(P-10)
Near-band-edge recombination in monolayer hBN epitaxial films studied using cathodoluminescence spectroscopy International-presentation

K. Shima, C. Elias, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, S. V, Novikov, B, Gil, G. Cassabois, S. F. Chichibu

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022/10/14

More details Close

Session Novel Materials and Nanostructures, Processing of hBN No. AT232 (oral).
Fabrication of BGaN neutron detectors and evaluation of the radiation detection characteristics International-presentation

T. Nakano, Y. Ota, A. Miyazawa, H. Nakagawa, S. Kawasaki, Y. Ando, Y. Honda, H, Amano, K. Shima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022/10/14

More details Close

Session Novel Materials and Nanostructures, Processing of hBN No. AT231 (oral).
Low-pressure acidic ammonothermal (LPAAT) growth of 2-inch-diameter bulk GaN crystals International-presentation

K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, K. Shima, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022/10/12

More details Close

Session Growth, GaN Bulk Growth, No. AT167 (oral).
Temperature field and fluid flow in ammonothermal growth of GaN during etch- back and crystal growth for a retrograde solubility configuration International-presentation

S. Schimmel, D. Tomida, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F. Chichibu, H. Amano

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022/10/11

More details Close

Session Growth, No. PP272 (poster).
Self-formed compositional superlattices in m-plane Al0.7In0.3N alloys on a GaN substrate triggered by atomic ordering of In and Al along the c-axis International-presentation

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022/10/11

More details Close

Session Novel Materials and Nanostructures, No. PP170 (poster) .
Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy- guided redistribution of Mg International-presentation

K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Kojima, A. Uedono, S, Ishibashi, S. F. Chichibu

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022/10/11

More details Close

Session Electronic devices, Ion implantation and annealing, No. AT049 (oral).
Emission dynamics of indirect excitons in hexagonal BN epilayers containing polytypic segments grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors International-presentation Invited

S. F. Chichibu, K. Shima, N. Umehara, K. Takiguchi, Y. Ishitani, K. Hara

11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)　2022/10/11

More details Close

Session Novel Materials and Nanostructures, Excitons in hexagonal and cubic GaN, No. IT26 (Invited-oral).
n型GaN基板・エピタキシャル薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 上殿明良, 石橋章司, 渡邉浩崇, 田中敦之, 本田善央, 今西正幸, 森勇介, 生田目俊秀, 色川芳宏, 天野浩, 小出康夫

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/23
超高圧アニールによるMgイオン注入p型GaNのルミネッセンス評価

嶋紘平, 櫻井秀樹, 石橋章司, 上殿明良, Michal Bockowski, 須田淳, 加地徹, 秩父重英

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/22
炭素フリー原料を用いてサファイア基板にCVD成長させた多型を含むhBN薄膜における間接遷移励起子の発光ダイナミクス

秩父重英, 嶋紘平, 菊地清, 梅原直己, 瀧口佳祐, 石谷善博, 原和彦

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21
時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥評価

粕谷拓生, 嶋紘平, 秩父重英

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/21
GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

李リヤン,嶋紘平, 山中瑞樹, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/20
低圧酸性アモノサーマル成長バルクGaN結晶のルミネッセンス評価(2)

嶋紘平, 栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 石黒徹, 秩父重英

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/20
In situ monitoring technologies as prospective validation tools for numerical simulations of ammonothermal crystal growth

S. Schimmel, M. Salamon, D. Tomida, I. Kobelt, L. Heinlein, A.-C. L, Kimmel, T, G. Steigerwald, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F. Chichibu, H. Amano, E. Schluecker, P. Wellmann

7th European Conference on Crystal Growth (ECCG-7)　2022/07/26
Mechanism underlying high internal quantum efficiency of AlGaN-based LEDs fabricated on AlN with dense macrosteps International-presentation

Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Kazunobu Kojima, Masamichi Ippommatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Shigefusa F.Chichibu

The 20th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE- 20)　2022/07/10

More details Close

No.Tu A3.4; LN375
Impacts of vacancy clusters on the recombination dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures for power devices International-presentation Invited

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, H, Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono

Compound Semiconductor Week (CSW) 2022　2022/06/01

More details Close

Session: Power Elecronics I, No.5:00-5:30PM (Invited-oral)
Observation of room-temperature cavity-polaritons in ZnO microcavities fabricated by a top-down process International-presentation

K. Shima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

European Materials Research Society, 2022 Spring Meeting, Symposium N: Synthesis, processing and characterization of nanoscale multi functional oxide films VIII and 6th E-MRS & MRS-J bilateral symposium　2022/06/03

More details Close

No.N15.5
High energy computed tomography as a tool for validation of numerical simulations of ammonothermal crystal growth of GaN International-presentation International-coauthorship

S. Schimmel, M. Salamon, D. Tomida, M. Saito, Q. Bao, T. Ishiguro, Y. Honda, S, F. Chichibu, H. Amano

8th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-8), Berlin　2022/05/30

More details Close

No.P13 (poster)
Characterization of semiconductor crystals based on omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy International-presentation Invited

K. Kojima, S. Ichikawa, O. Maida, K. Shima, S. F. Chichibu

241st Meeting of ECS, The Electrochemical Society, Vancouver Convention Center　2022/05/31
Reduction of polishing-induced surface recombination centers of ZnO single crystals grown by the hydrothermal method International-presentation

T. Kasuya, K. Shima, S. F. Chichibu

5th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-V)　2022/05/26
Luminescence studies of nearly lattice-matched c-plane AlInN/GaN heterostructures International-presentation International-coauthorship

L. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. F, Chichibu

5th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-V)　2022/05/26
時間分解PL測定による岩塩構造MgZnOの発光特性の評価

高坂亘, 小川広太郎, 日下皓也, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

2022年春季応用物理学会　2022/03/26

More details Close

(26a-E202-4)
エピタキシャル成長及びイオン注入により作製されたGaN基板上Mg添加 p型GaNの室温フォトルミネッセンス寿命（第43回応用物理学会優秀論文賞 JJAP論文賞受賞記念講演） International-presentation Invited

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

2022年春季応用物理学会　2022/03/23

More details Close

(23p-E302-1) [第43回応用物理学会優秀論文賞 JJAP論文賞受賞記念講演]
Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors International-presentation Invited

S. F. Chichibu, K, Shima, S. Ishibashi, A. Uedono

Advances in III-Nitride Materials & Photonic Devices (IIIN-MPD)　2022/03/09
低圧酸性アモノサーマル法によるGaN単結晶製造技術の開発 Invited

栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 嶋紘平, 石黒徹, 秩父重英

日本学術振興会産業イノベーションのための結晶成長第R032委員会キックオフ研究会（オンライン開催）　2022/03/04
High-speed solar-blind optical wireless communication enabled by DUV LED International-presentation Invited

Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, A. Kanno, A. Hirano, Y. Nagasawa, M, Ippommatsu, N. Yamamoto, S. F. Chichibu, Y. Awaji

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West on Demand 2022, OPTO, Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVI (OE603)　2022/02/21
Room-temperature cavity-polaritons in planar ZnO microcavities fabricated by a top-down process International-presentation Invited

K. Shima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022) & The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (ISWGPDs 2022)　2022/01/13

More details Close

No.S-I18
ミストCVD法により成長したRS-MgZnOにおける深紫外PL寿命の評価

高坂亘, 工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2021/12/09
BGaNダイオードによる中性子半導体検出器の開発

中野貴之, 宮澤篤也, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 秩父重英

第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2021/12/09
c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価 International-coauthorship

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 上殿明良, 石橋章司, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス(LQE)研究会　2021/11/25
全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた窒化ガリウム結晶の品質評価

小島一信, 嶋紘平, 秩父重英

応用物理学会先進パワー半導体分科会第21回研究会「ワイドバンドギャップ半導体の点欠陥の評価・制御・デバイス応用」　2021/11/17
Impact of growth pressure on the neutron-detection efficiency of BGaN diodes International-presentation

A. Miyazawa, Y. Ohta, S. Matsukawa, K. Hayashi, H. Nakagawa, S. Kawasaki, Y. Ando, G. Wakabayashi, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano

2021 IEEE NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM AND MEDICAL IMAGING CONFERENCE (2021 IEEE NSD MIC)　2021/10/21

More details Close

R-08-07
高品質GaNシードを用いた低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法によるGaN単結晶成長 International-coauthorship

栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

2021/09/12
空孔ガイドMg拡散法によるp型イオン注入GaNの空間分解CL評価

嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/11
陽電子消滅を用いたMgイオン注入により形成したp型GaNのMg活性プロセスと空孔型欠陥の研究

上殿明良, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/11
混合鉱化剤を用いた低圧酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成 International-coauthorship

冨田大輔, Saskia Schimmel, 斉藤真, 包全喜, 石黒徹, 本田善央, 秩父重英, 天野浩

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/12
炭素フリー原料を用いてサファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス評価

秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦

第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/10
Vacancy complexes acting as midgap recombination centers in (Al,Ga)N semiconductors International-presentation Invited

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

20th International Workshop on Junction Technology (IWJT2021)　2021/06/11

More details Close

No.KN-4, On-line Conference (Plenary)
酸性アモノサーマル法による大口径高品質GaN結晶成長 Invited

三川豊, 石鍋隆幸, 鏡谷勇二, 包全喜, 栗本浩平, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

ワイドギャップ半導体学会（WideG）第１回研究会「ＷＢＧ材料のバルク結晶成長とウェハ化技術」　2021/05/14
Characterization of AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN/ sapphire templates with dense macro-steps and application of high-speed solar- blind optical wireless communications International-presentation

K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, Y. Honda, H. Amano, S. F. Chichibu

2nd International Conference on UV LED Technologies & Applications (ICULTA2020), Mo-A3-1　2021/04/19
室温動作ポラリトンレーザの実現に向けたZnO微小共振器の形成 Invited

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 古澤健太郎

第4回固体レーザーの高速探索と機能開発に向けたレーザー材料研究会-新しい機能を持ったレーザとそれに関連した材料-　2021/03/22
Simulation of the global thermal field in a setup for ammonothermal growth of GaN

2021/03/17
トップダウンプロセスで作製したZnO微小共振器中の共振器ポラリトンの室温における観測

嶋紘平, 古澤健太郎, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/19
AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, Moody Baxte, 三田清二, Collazo Ramon, Sitar Zlatko, 熊谷義直, 上殿明良

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/19
陽電子消滅によるスパッタ堆積AlN薄膜中の空孔型欠陥検出

上殿明良, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 秩父重英, 石橋章司, Dickmann M, Egger W, Hugenschmidt C, 三宅秀人

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/19
全方位フォトルミネセンス（ODPL）分光法による半導体結晶の発光量子効率測定 Invited

小島一信, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/19
BGaN 中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2)

宮澤篤也, 太田悠斗, 松川真也, 林幸佑, 中川央也, 川崎晟也, 安藤悠人, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/18
Mgイオン注入後の空孔ガイド拡散法により形成したp型GaNのルミネッセンス評価

嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英

第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/18
低圧酸性アモノサーマル成長バルクGaN結晶のルミネッセンス評価

嶋紘平, 栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/17
格子整合系c面AlInN/GaNヘテロ構造のルミネッセンス評価

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/17
InGaN/GaN多重量子殻の時間空間分解カソードルミネッセンス評価

嶋紘平, Weifang Lu, 小島一信, 上山智, 竹内哲也, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/17
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率（3）

長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤﨑勇, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/16
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率（2)

長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤﨑勇, 小島一信, 秩父重英

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会　2021/03/16
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率（1）

平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 小島一信, 秩父重英

2021年応用物理学会春季学術講演会　2021/03/16
深紫外AlGaN LEDを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信 Invited

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

電子情報通信学会総合大会光エレクトロニクス（OPE）セッション　2021/03/09
Current progress of omnidirectional photoluminescence spectroscopy for the quantification of quantum efficiency of radiation in GaN crystals International-presentation Invited

K. Kojima, K. Ikemura, S. F. Chichibu

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2021, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XV (OE107)　2021/03/06
Behaviors of vacancy-type defects in Mg-implanted GaN during ultra-high- pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam International-presentation Invited

A. Uedono, H. Sakurai, T. Narita, K. Sierakowski, M. Bockowski, J. Suda, S, Ishibashi, S. F. Chichibu, T. Kachi

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2021, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XV (OE107)　2021/03/06
(Al,Ga,In)Nの輻射・非輻射再結合過程に点欠陥が及ぼす影響 Invited

秩父重英

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第121回研究会（第五期総括記念研究会）　2021/03/05
Vacancies in AlN deposited by radio-frequency sputtering and MOVPE studied by positron annihilation spectroscopy International-presentation

A. Uedono, K. Shojiki, K. Uesugi, S. F. Chichibu, S. Ishibash, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, H. Miyake

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021/03/01
Evaluation of realistic boundary conditions for simulations of ammonothermal GaN crystal growth International-presentation

S. Schimmel, D. Tomida, M. Saito, Q. Bao, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F, Chichibu, H. Amano

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021/03/01
Macroscopically homogeneous cathodoluminescence mapping images of c-plane nearly lattice-matched Al1-xInxN films on a GaN substrate International-presentation

L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, K. Kojima, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. F. Chichibu

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021/03/01
Cathodoluminescence studies of AlN epilayers grown by MOVPE on sputtered AlN templates annealed at high temperature International-presentation

K. Shima, T. Kasuya, K. Shojiki, K. Uesugi, K. Kojima, A. Uedono, H. Miyake, S. F. Chichibu

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021/03/01
Omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for the quantification of Invited

K. Kojima, S. F. Chichibu

Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by　2021/02/02
Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1-xInxN on GaN Invited

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa

Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity　2021/02/03
室温で共振器ポラリトンを呈する酸化亜鉛微小共振器の実現

嶋紘平, 古澤健太郎, 秩父重英

第20回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2020/12/03
時間空間分解カソードルミネッセンス法によるワイドバンドギャップ窒化物半導体の評価 Invited

秩父重英

日本学術振興会放射線科学とその応用第186委員会第36回研究会　2020/12/04
AlNおよび高AlNモル分率AlGaN混晶におけるAl空孔複合体の役割

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 三宅秀人, 上殿明良

応用物理学会結晶工学分科会,応用電子物性分科会との連携研究例会「紫外材料・デバイス開発の最前線」　2020/11/19
AlGaN-LEDとBeyond 5G

吉田悠来, 小島一信, 白岩雅輝, 菅野敦史, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 山本直克, 秩父重英, 淡路祥成

応用物理学会応用電子物性分科会,結晶工学分科会との連携研究例会「紫外材料・デバイス開発の最前線」　2020/11/18
陽電子消滅法によるMgイオン注入GaNの空孔型欠陥の焼鈍特性及び欠陥によるキャリア捕獲の研究

上殿明良, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 松山秀昭, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司

応用物理学会先進パワー半導体分科会, 第7回個別討論会　2020/11/16
陽電子消滅法によるMgイオン注入GaNの空孔型欠陥の焼鈍特性及び欠陥によるキャリア捕獲の研究 Invited

上殿明良, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 松山秀昭, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司

応用物理学会先進パワー半導体分科会, 第7回個別討論会　2020/11/11
陽電子を用いた超高圧焼鈍によるイオン注入GaNの欠陥回復特性の研究 Invited

上殿明良, 櫻井秀樹, 成田哲生, Sierakowski Kacper, Bockowski Michal, 須田淳, 石橋章司, 嶋紘平, 秩父重英, 加地徹

第49回結晶成長国内会議(JCCG-49), シンポジウム「窒化物半導体における不純物制御」　2020/11/09
全方位フォトルミネセンス計測：新しい評価技術 Invited

小島一信, 秩父重英

日本学術振興会光電相互変換第125委員会第250回記念研究会「新しい光電変換材料・評価法」　2020/09/18
全方位フォトルミネッセンス(ODPL)分光法によるGaNウエハの発光量子効率マッピング評価

池村賢一郎, 小島一信, 秩父重英, 堀切文正

2020年秋季応用物理学会　2020/09/10
高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)

嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

2020年秋季応用物理学会　2020/09/10
全方位フォトルミネセンス分光にて観測される双峰性スペクトルの起源

小島一信, 秩父重英

2020年秋季応用物理学会　2020/09/10
低圧酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成の初期成長制御

冨田大輔, Saskia Schimmel, 斉藤真, 包全喜, 栗本浩平, 石黒徹, 秩父重英, 本田善央, 天野浩

2020年秋季応用物理学会　2020/09/10
GaN結晶の輻射量子効率と炭素不純物濃度の相関

小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 藤倉序章, 秩父重英

2020年秋季応用物理学会　2020/09/11
高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)

粕谷拓生, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

2020年秋季応用物理学会　2020/09/10
GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

2020年秋季応用物理学会　2020/09/10
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(4)

秩父重英, 嶋紘平, 稲富悠也, 小島一信, 寒川義裕

2020年秋季応用物理学会　2020/09/10
4インチ対応オートクレーブを用いた低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法によるバルクGaN結晶成長

栗本浩平, 包全喜, 三川豊, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

2020年秋季応用物理学会　2020/09/10
岩塩構造MgZnO薄膜における深紫外PL寿命の評価

工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

2020年秋季応用物理学会　2020/09/09
スパッタAlN上にMOVPE成長させたAlN薄膜のカソードルミネッセンス評価

粕谷拓生, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会,「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」　2020/07/31
c面エピタキシャルAl0.82In0.18N/GaN構造の空間分解カソードルミネッセンス

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会,「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」　2020/07/31
Characterization of a self-organized deep-ultraviolet micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications

K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, S. F. Chichibu

Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2020, Laser Science to Photonic Applications, Session Free-Space & Underwater Communication　2020/05/10
深紫外AlGaN発光ダイオードとマルチピクセルフォトンカウンタを用いたソーラーブラインド帯モバイル光無線通信

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, Baxter Moody, 三田清二, Ramon Collazo, Zlatko Sitar, 熊谷義直, 上殿明良

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)

中須大蔵, 嶋紘平, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)

嶋紘平, 中須大蔵, 正直花奈子, 上杉謙次郎, 小島一信, 上殿明良, 三宅秀人, 秩父重英

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(3)-断面CL-

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
4インチ成長用オートクレーブを用いた低圧酸性アモノサーマル法によるバルク GaN結晶成長

栗本浩平, 包全喜, 斉藤真, 三川豊, 茅野林造, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
BGaN 中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響

太田悠斗, 高橋祐吏, 山田夏暉, 宮澤篤也, 中川央也, 川崎晟也, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
GaN結晶の輻射量子効率に対して炭素不純物および非輻射再結合中心が及ぼす影響

小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 藤倉序章, 秩父重英

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
岩塩構造MgZnO薄膜の時間分解フォトルミネッセンス分光

工藤幹太, 石井恭平, 小野瑞生, 金子健太郎, 山口智広, 嶋紘平, 小島一信, 藤田静雄, 本田徹, 秩父重英, 尾沼猛儀

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
フレキシブル基板上に作製したNiO/ZnO過視光透過型太陽電池の電気特性

金冑男, 加藤匠秀, 濱田知弘, 秩父重英, 杉山睦

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors Invited

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West　2020/02/04
Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy Invited

A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, S. Ishibashi, S.F.Chichibu

2020/02/03
自己組織的に形成された深紫外マイクロ発光ダイオード構造の変調特性 Invited

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

レーザー学会学術講演会第40回年次大会　2020/01/22
深紫外AlGaN発光ダイオードを用いたギガビット級光無線通信 Invited

片岡恵太, 成田哲生, 井口紘子, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第116回研究会　2019/12/14
Characterization of planar ZnO microcavities for the near ultraviolet polariton laser operatable at room temperature International-presentation

K. Shima, K. Furusawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

Materials Research Meeting 2019, Materials Innovation for Sustainable　2019/12/11
Improvement of neutron detection efficiency for BGaN semiconductor detectors International-presentation

T. Nakano, Y. Takahashi, Y. Ohta, N. Yamada, H. Nakagawa, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki

2019 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, and Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD)　2019/10/29
深紫外AlGaN発光ダイオードを用いたギガビット級光無線通信 Invited

吉田悠来, 小島一信, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英, 平野光, 一本松正道

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第115回研究会　2019/10/25
Origin and dynamic properties of intrinsic nonradiative recombination centers in bulk and epitaxial ZnO International-presentation

S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Koike, M. Yano, S. Gonda, S. Ishibashi, A. Uedono

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019/10/12
Evaluation of BGaN growth temperature dependence and fabrication of neutron semiconductor detectors International-presentation

Y. Takahashi, T. Maruyama, N. Yamada, K. Ebara, Y. Ohta, H. Nakagawa, S. Usami, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)　2019/10/11
発光量子効率におけるフォトンリサイクル効果の理論解析

浅井栄大, 小島一信, 秩父重英, 福田浩一

2019年秋季応用物理学会　2019/09/21
酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶成長

栗本浩平, 包全喜, 斉藤真, 茅野林造, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

2019年秋季応用物理学会　2019/09/21
ZnOの反応性イオンエッチングによる損傷とHClによる損傷回復

中須大蔵, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

2019年秋季応用物理学会　2019/09/21
BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出デバイスの作製

太田悠斗, 高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 中川央也, 川崎晟也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

2019年秋季応用物理学会　2019/09/20
ZnO微小共振器の作製と室温における共振器ポラリトン形成

嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

2019年秋季応用物理学会　2019/09/20
深紫外AlGaN発光ダイオードの顕微エレクトロルミネセンス測定

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

2019年秋季応用物理学会　2019/09/19
気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス

秩父重英, 小島一信, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 三田清二, R.Collazo, Z.Sitar, 上殿明良

2019年秋季応用物理学会　2019/09/19
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)

小島一信, 谷川智之, 粕谷拓生, 片山竜二, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 秩父重英

2019年秋季応用物理学会　2019/09/19
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)

谷川智之, 小島一信, 粕谷拓生, 田中敦之, 本田善央, 秩父重英, 天野浩, 上向井正裕, 片山竜二

2019年秋季応用物理学会　2019/09/19
温度可変全方位フォトルミネセンス分光装置の実現

小島一信, 池村賢一郎, 中村明裕, 齋藤琢也, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019/09/19
H2キャリアガスを用いたBGaN 結晶成長メカニズムの解析

清水勇希, 江原一司, 新宅秀矢, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

2019年秋季応用物理学会　2019/09/18
Role of Al-vacancy complexes in AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys International-presentation Invited

S. F. Chichibu, H. Miyake, A. Uedono

4th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-IV)　2019/09/12
"Fabrication of planar ZnO microcavities for near ultraviolet polariton laser operating at room temperature International-presentation

K. Shima, K. Furusawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

4th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-IV)　2019/09/11
Theoretical Analysis of Photo-Recycling Effect on External Quantum Efficiency Considering Spatial Carrier Dynamics International-presentation

H. Asai, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. Fukuda

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials　2019/09/02
全方位フォトルミネセンス（ODPL）法を用いた半導体結晶の光物性評価 Invited

小島一信, 秩父重英

ナノテスティング学会「第２５回Ｐ＆Ａ解析研究会」　2019/09/02
窒化物半導体の時間空間分解カソードルミネッセンス評価 Invited

秩父重英

応用物理学会薄膜・表面物理研究会第47回薄膜・表面物理セミナー「半導体GaNの基礎と応用」－パワーデバイス開発のための合成・分析・構造設計技術－　2019/07/26
Impact of vacancy complexes on the nonradiative recombination processes in III-N devices International-presentation Invited

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, A. Uedono

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019/07/12
Time-resolved luminescence studies of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors International-presentation

S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Takiguchi, K. Shima, K. Kojima, Y. Ishitani, K. Hara

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019/07/10
Dependences of external quantum efficiency of radiation and photoluminescence lifetime on the carbon concentration in GaN on GaN structures International-presentation

K. Kojima, F. Horikiri, Y. Narita, T. Yoshida, S. F. Chichibu

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019/07/10
Photoluminescence studies of sequentially Mg and H ion-implanted GaN with various implantation depths and crystallographic planes International-presentation

K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

he 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019/07/10
Effects of an extra Al metal added during the acidic ammonothermal growth of GaN crystals International-presentation

D. Tomida, Q. Bao, M. Saito, K. Kurimoto, M. Ito, T. Ishiguro, S. F.Chichibu

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019/07/08
Microscopic nonuniformities in AlGaN-based 260 and 285 nm light-emitting multiple quantum wells grown on AlN templates with dense macrosteps analyzed by cathodoluminescence spectroscopy International-presentation

Y. Nagasawa, R. Sugie, K. Kojima, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, S. F. Chichibu

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019/07/08
Analytical formula for quantum efficiency of radiation considering self- absorption process International-presentation

H. Asai, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. Fukuda

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019/07/07
Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN International-presentation

S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, H. Matsuyama, Y. Fukushima, M. Edo, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, A. Uedono

The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)　2019/07/07
時間空間分解カソードルミネッセンスによるワイドバンドギャップ半導体の所発光ダイナミクス評価 Invited

秩父重英

日本表面真空学会 2019年6月研究例会「電子ビーム技術の新展開」　2019/06/25
BGaN-MOVPE法におけるキャリアガスとホウ素原料の影響

清水勇希, 江原一司, 新宅秀矢, 井上翼, 青木徹, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会, 「第１１回窒化物半導体結晶成長講演会」　2019/06/13
MOVPE法を用いた厚膜BGaN成長および縦型中性子検出デバイスの作製

太田悠斗, 高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 中川央也, 川崎晟也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会, 「第１１回窒化物半導体結晶成長講演会」　2019/06/13
Improvement in the luminescence property of hexagonal boron nitride grown by CVD on a c-plane sapphire substrate International-presentation Invited

K. Hara, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu

The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C4)　2019/06/10
Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes

K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, S. F. Chichibu

19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019)　2019/06/06
酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望 Invited

秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹

日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会研究会　2019/05/31
Quantification of external quantum efficiency for near-band-edge emission of h-BN bulk crystals under photo-excitation International-presentation

Kazunobu Kojima, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Shigefusa F. Chichibu

Compound Semiconductor Week 2019　2019/05/20
Quantification of external quantum efficiency for near-band-edge emission of freestanding h-BN crystals under photo-excitation International-presentation

K. Kojima, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. F. Chichibu

Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Spectroscopy & growth of h-BN II　2019/05/19
An outdoor evaluation of 1-Gbps optical wireless communication using AlGaN- based LED in 280-nm Band International-presentation

Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S. Chichibu, A. Hirano, M. Ippommatsu

Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2019, Laser Science to Photonic Applications, Session Free-Space & Underwater Communication　2019/05/05
薄膜固体二次電池の充放電解析

津国和之, 殿川孝司, 小島一信, 秩父重英

電気化学会第88回大会　2019/03/27
Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals International-presentation Invited

S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, D. Tomida, K. Kurimoto, K. Shima, K.Kojima, T. Ishiguro

11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPLasma2019)　2019/03/17
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に金属添加が与える影響

冨田大輔, 包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 佐藤福馬, 石黒徹, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019/03/09
容量測定を用いたp-GaNエピへの低濃度Mg注入と共注入影響の評価

高島信也, 上野勝典, 田中亮, 松山秀昭, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

2019年春季応用物理学会　2019/03/09
中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発

高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 太田悠人, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

2019年春季応用物理学会　2019/03/09
水熱合成単結晶ZnO基板の薄膜化プロセスと微小共振器構造への応用

嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019/03/09
自己吸収過程を考慮した発光量子効率の解析式

浅井栄大, 小島一信, 秩父重英, 福田浩一

2019年春季応用物理学会　2019/03/09
自立窒化ガリウム結晶の角度分解フォトルミネセンス分光

小島一信, 池村賢一郎, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019/03/09
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(2)

長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019/03/09
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(1)

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019/03/09
深紫外AlGaN発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネセンス分光

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019/03/09
注入深さ・極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス

秩父重英, 嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 小島一信, 上殿明良

2019年春季応用物理学会　2019/03/09
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるp型NiO薄膜の堆積

嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

2019年春季応用物理学会　2019/03/09
窒化物半導体特異構造の時間空間分解カソードルミネッセンス評価 Invited

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信

窒化物半導体特異構造の科学－ナノ物性評価技術の進展と物性制御 2019年春季応用物理学会シンポジウム　2019/03/09
エピタキシャル成長およびイオン注入Mg添加GaN中の非輻射再結合中心 Invited

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会接合研究委員会研究会　2019/02/28
Helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of (001) anatase or (100) rutile TiO2 films on a (0001) GaN template for optoelectronic applications International-presentation Invited

S. F. Chichibu

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2019, OPTO, Oxide-based Materials and Devices X, Session 5 Ultra Wide Bandgap Oxide Semiconductors: Progress in Thin Film Growth I　2019/02/02
酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望 Invited

秩父重英, 斉藤真, 包全喜, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹

日本学術振興会結晶加工と評価技術145委員会, パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会（第6回）　2018/12/17
GaN パワー半導体のエピ成長・プロセスで生じる点欠陥の理解と制御 Invited

成田哲生, 冨田一義, 徳田豊, 小木曽達也, 嶋紘平, 井口紘子, 片岡恵太, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良, 堀田昌宏, 五十嵐信行, 加地徹

日本学術振興会結晶加工と評価技術145委員会, パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会（第6回）　2018/12/17
Different Nonradiative Recombination on Terraces and Macrosteps of Uneven QW for 285 nm LED Grown on AlN Template with Dense Macrosteps International-presentation

Yosuke Nagasawa, Kazunobu Kojima, Ryuichi Sugie, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Shigefusa, F. Chichibu

IWUMD 2018　2018/12/11
Microscopic structure of boosting IQE for AlGaN-based UV-B (285 nm) LED grown on macrosteps International-presentation

Y. Nagasawa, K. Kojima, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I.Akasaki, S.F.Chichibu

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018/11/11
Luminescence dynamics of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by BCl3-NH3 chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate International-presentation

S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, K. Hara

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018/11/11
Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE International-presentation

K. Ebara, K. Mochizuki, Y. Inoue, T. Aoki, K. Kojima, S. F. Chichibu, T.Nakano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018/11/11
Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes International-presentation

T. Maruyama, Y. Takahashi, N. Yamada, K. Ebara, H. Nakagawa, S. Usami, Y.Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018/11/11
Multi-gigabit-class deep ultraviolet wireless communication at 280 nm based on an AlGaN light emitting diode International-presentation

K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S.F.Chichibu

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018/11/11
Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN structures International-presentation

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H.Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018/11/11
Current localization structure observed in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN templates with macrosteps International-presentation

K. Kojima, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I.Akasaki, S.F.Chichibu

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018/11/11
Recent progress of large size bulk GaN crystal growth by acidic ammonothermal method International-presentation

M. Saito, Q. Bao, K. Shima, D. Tomida, K. Kojima, T. Ishiguro, S. F.Chichibu

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)　2018/11/11
Radiation detection characteristic of BGaN semiconductor detectors International-presentation

N. Yamada, K. Mochizuki, T. Maruyama, K. Ebara, Y. Takahashi, H. Nakagawa, S. Usami, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano

2018 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference and Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD)　2018/11/10
1.6-Gbps LED-based ultraviolet communication at 280 nm in direct sunlight International-presentation

K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S.F.Chichibu

44th European Conference on Optical Communication (ECOC 2018)　2018/09/23
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるSiO2/HfO2誘電体分布ブラッグ反射鏡の作製

嶋紘平, 粕谷拓生, 小島一信, 秩父重英

2018年秋季応用物理学会　2018/09/18
時間分解フォトルミネッセンスによるZnOのプロセス誘起欠陥の評価

粕谷拓生, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英

2018年秋季応用物理学会　2018/09/18
高純度ZnO中のSRH型非輻射再結合中心の起源と捕獲断面積

秩父重英, 小島一信, 小池一歩, 矢野満明, 權田俊一, 石橋章司, 上殿明良

2018年秋季応用物理学会,　2018/09/18
空間・時間分解PL を用いたGaN の局所励起子応答

神山晃範, 小島一信, 遊佐剛, 秩父重英

2018年秋季応用物理学会　2018/09/18
バンド端近傍発光の外部量子効率が4%を超える六方晶BN単結晶の光学評価

小島一信, 渡邊賢司, 谷口尚, 秩父重英

2018年秋季応用物理学会　2018/09/18
サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス

秩父重英, 嶋紘平, 梅原直己, 小島一信, 原和彦

2018年秋季応用物理学会　2018/09/18
MOVPE法を用いた厚膜BGaN結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製

丸山貴之, 高橋祐吏, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

2018年秋季応用物理学会　2018/09/18
BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価

高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

2018年秋季応用物理学会,　2018/09/18
BGaN-MOVPE法における脱離過程の解析

江原一司, 望月健, 井上翼, 青木徹, 秩父重英, 中野貴之

2018年秋季応用物理学会　2018/09/18
280nm帯深紫外AlGaN発光ダイオードを用いた日光下における1.6 Gbps光無線伝送

小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 秩父重英

2018年秋季応用物理学会　2018/09/18
Determination of Deformation Potentials in InGaN-Alloy Material for Theoretical Prediction of Optical Gain Characteristics in Semipolar and Nonpolar InGaN Quantum Wells Laser Diodes International-presentation

S. Sakai, K. Kojima, S. F. Chichibu, A. A. Yamaguchi

IEEE 26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2018)　2018/09/16
The origin and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in the bulk and epitaxial ZnO International-presentation

S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Koike, M. Yano, S. Gonda, S. Ishibashi, A. Uedono

The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018　2018/09/11
Relationship between internal quantum efficiency of radiation and photoluminescence lifetime in a ZnO single crystal International-presentation

K. Kojima, S. F. Chichibu

The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018)　2018/09/11
Fabrication of a ZnO-based microcavity using the reactive helicon-wave-excited-plasma sputtering method International-presentation

T. Kasuya, K. Shima, K. Kojima, K. Furusawa, S. F. Chichibu

The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018　2018/09/11
A comparative study on SiO2/ZrO2 and SiO2/HfO2 distributed Bragg reflectors for ZnO-based microcavities International-presentation

K. Shima, T. Kasuya, K. Furusawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

The 10th International Workshop on ZnO and Other Oxide Semiconductors (IWZnO2018)　2018/09/11
Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals International-presentation Invited

S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, D. Tomida, K. Kurimoto, K. Shima, K. Kojima, T. Ishiguro

The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides (ISGN-7),　2018/08/05
酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長への取り組み Invited

斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

2018年日本結晶成長学会特別講演会「パワーエレクトロニクス結晶の最前線」,　2018/07/18
MOVPE法を用いた厚膜BGaN成長および縦型中性子検出デバイスの作製

高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会,プレIWN2018第１０回窒化物半導体結晶成長講演会,　2018/07/12
GaN結晶成長技術の進展と発光特性向上の現状 Invited

秩父重英, 上殿明良

日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会,プレIWN2018第１０回窒化物半導体結晶成長講演会　2018/07/12
酸性アモノサーマル法によるGaNバルク結晶作製技術の進展 Invited

斉藤真, 包全喜, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会　2018/07/06
陽電子消滅法によるp-GaNエピ層、イオン注入層の点欠陥評価 Invited

上殿明良, 石橋章司, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて～p型GaNの結晶工学～」,　2018/06/15
Mg添加GaNエピ層及びイオン注入層のフォトルミネッセンス評価 Invited

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて～p型GaNの結晶工学～」,　2018/06/15
Mgイオン注入GaN層上におけるノーマリーオフMOSFET検討 Invited

高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 高橋言緒, 清水三聡, 石橋章司, 中川清和, 堀田昌宏, 須田淳, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良

応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて～p型GaNの結晶工学～」,　2018/06/15
Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN International-presentation

T. Tanikawa, T. Fujita, K. Kojima, S. F. Chichibu, T. Matsuoka

The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)　2018/06/03
Evaluation of cubic phase formation in wurtzite type BGaN by MOVPE International-presentation

K. Ebara, K. Mochizuki, Y. Inoue, T. Aoki, K. Kojima, S. F. Chichibu, T.Nakano

The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)　2018/06/03
Carrier trapping properties of defects in Mg-implanted GaN probed by monoenergetic positron beams International-presentation

A. Uedono, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, H. Matsuyama, W. Egger, T.Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, K. Kojima, S. F. Chichibu, S. Ishibashi

The 45th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2018),　2018/05/29
Luminescence spectra of hexagonal BN thin films grown by chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate International-presentation Invited

S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, K. Hara

The 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3)　2018/05/29
Fabrication of BGaN solid state detector for neutron imaging International-presentation

T. Nakano, K. Mochizuki, T. Maruyama, N. Yamada, H. Nakagawa, S. Usami, Y.Honda, H. Amano, S. F. Chichibi, Y. Inoue, T. Aoki

International Workshop on Position Sensitive Neutron Detectors (PSND 2018 workshop),,　2018/05/15
Quantum efficiency of radiation in wide bandgap semiconductors International-presentation Invited

K. Kojima, S. F. Chichibu

19th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN19)　2018/05/15
P-type Conduction of Mg-ion Implanted N-polar GaN and the Optical Investigation International-presentation Invited

T. Narita, K. Kataoka, H. Iguchi, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, M.Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi

The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18　2018/04/23
Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE International-presentation Invited

Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu

The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18　2018/04/23
六方晶BNの薄膜成長とその深紫外発光評価 Invited

原和彦, 梅原直己, 小島一信, 秩父重英

2018年春季応用物理学会,多元化合物の新規な物性と応用, 多元系化合物・太陽電池研究会企画シンポジウム　2018/03/17
超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法による2インチバルクGaN結晶育成

包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 嶋紘平, 冨田大輔, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)　2018/03/13
Parametric model for the anisotropic dielectric function of m-plane AlGaN up to 20 eV International-presentation

M. Winkler, M. Feneberg, S. F. Chichibu, R. Collazo, Z. Sitar, M. D. Neumann, N.Esser, R. Goldhahn

German Physical Society (DPG) Spring Meeting, Session HL 27, Nitrides: Preparation and Characterization II　2018/03/11
全方位フォトルミネッセンス法による絶対輻射量子効率測定 Invited

小島一信, 秩父重英

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス162委員会 3月研究会　2018/03/09
ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)

小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価

丸山貴之, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
MOVPE法を用いて作製したBGaN結晶相の評価

江原一司, 望月健, 井上翼, 青木徹, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(2)

嶋紘平, 粕谷拓生, 粕谷拓生, 菊地清, 小島一信, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 上殿明良, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
赤色蛍光体(CaAlSiN₃:Eu)の高温劣化機構の評価

大石昌嗣, 大石昌嗣, 塩見昌平, 山本孝, 植木智之, 改井陽一郎, 秩父重英, 高取愛子, 小島一信, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率との関係(2)

小島一信, 浅井栄大, 福田浩一, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
GaN単結晶における光励起キャリアの空間的不均一と内部量子効率の関係(1)

浅井栄大, 小島一信, 福田浩一, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
有機金属気相成長法にて自立GaN基板上に成長させたGaNホモエピタキシャル層の光物性評価

小島一信, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(1)

秩父重英, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
酸性アモノサーマル法による大型GaN結晶成長の検討

斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による誘電体分布ブラッグ反射鏡の形成(1)

粕谷拓生, 粕谷拓生, 嶋紘平, 菊地清, 小島一信, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル

秩父重英, 梅原直己, 小島一信, 原和彦, 原和彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2)

稲富悠也, 草場彰, 柿本浩一, 柿本浩一, 寒川義裕, 寒川義裕, 寒川義裕, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
六方晶BNの薄膜成長とその深紫外発光評価

原和彦, 原和彦, 梅原直己, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

谷川智之, 小島一信, 秩父重英, 松岡隆志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
Mgイオン注入GaN MOSFETのチャネル特性向上

高島信也, 田中亮, 上野勝典, 松山秀昭, 江戸雅晴, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 上殿明良, 中川清和

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2018/03/05
Quantum efficiency of radiation in wide bandgap semiconductor materials International-presentation

Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Kick-off Symposium for World Leading Research Centers　2018/02/19
Spatio-time-resolved cathodoluminescence of h-BN microcrystals International-presentation Invited

S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, H. Kominami, K. Hara

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018, Gallium Nitride Materials and Devices XIII (OE107),　2018/01/27
Determination of absolute quantum efficiency of radiation in nitride semiconductors using an integrating sphere International-presentation Invited

K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. F. Chichibu

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018, Gallium Nitride Materials and Devices XIII (OE107)　2018/01/27
ワイドギャップ半導体の発光量子効率と発光寿命の相関 Invited

小島一信, 秩父重英

応用物理学会励起ナノプロセス研究会第13回研究会, 「ワイドギャップ半導体の励起ナノプロセス」　2018/01/20
BGaN半導体材料を用いた新規熱中性子検出器の提案と開発

中野貴之, 望月健, 中村匠, 有川卓弥, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 三村秀典, 井上翼, 青木徹

日本原子力学会秋の大会予稿集(CD-ROM)　2017/08/29
BGaN‐MOVPE法におけるB有機金属原料の検討

望月健, 中村匠, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 中野貴之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/08/25
減衰全反射法を用いたGaN単結晶の表面状態評価

小島一信, 赤尾賢一, 菅野美幸, 水野広介, 永森浩司, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/08/25
六方晶BN微結晶の発光ダイナミクス評価(4)

秩父重英, 石川陽一, 小南裕子, 原和彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/08/25
光励起下のGaN単結晶における内部量子効率の空間的不均一

小島一信, 浅井栄大, 福田浩一, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/08/25
二次組成変調によって電子・正孔波動関数の重なり積分を増強させたc面AlGaN多重量子井戸の発光特性評価

小島一信, 林侑介, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/08/25
偏光遷移領域におけるc面AlGaN量子井戸構造の量子細線型状態密度

坂井繁太, 南琢人, 小島一信, 秩父重英, 山口敦史

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/08/25
GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

秩父重英, 秩父重英, 小島一信, 嶋紘平, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/08/25
n‐GaNホモエピ薄膜上へのp‐NiOスパッタ堆積とUV光吸収太陽電池及びLEDの試作

WANG Z, 中井洋志, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/08/25
酸性鉱化剤を用いたアモノサーマル法による電子デバイス用GaN結晶合成の進展

秩父重英, 斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 冨田大輔, 嶋紘平, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/08/25
六方晶BN微結晶の発光ダイナミクス評価(3)

秩父重英, 石川陽一, 小南裕子, 原和彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/08/25
Liquid-Crystalline Organic-Inorganic Hybrid Dendrimer with a Monodispersed CdS Nano-Core: Self-Organized Structure-Dependent Photoluminescence Emission-Quenching Behavior

蟹江澄志, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, ZENG Xiangbing, 小島一信, 秩父重英, 玉田薫, 村松淳司, UNGAR Goran

日本液晶学会討論会講演予稿集(CD-ROM)　2017/08/10
超臨界アンモニアを用いた酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成

包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 小島一信, 冨田大輔, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)　2017/03/06
マクロステップを有するc面AlGaN量子井戸発光ダイオード構造の発光特性

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/03/01
BGaN縦型ダイオードの作製と放射線検出特性の評価

望月健, 中村匠, 有川卓弥, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 本田善央, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 三村秀典, 井上翼, 青木徹, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/03/01
絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

宇佐美茂佳, 小島一信, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 秩父重英, 秩父重英, 天野浩, 天野浩, 天野浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/03/01
GaN基板上イオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価(2)

秩父重英, 秩父重英, 小島一信, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 清水三聡, 高橋言緒, 石橋章司, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/03/01
m面AlInNエピタキシャルナノ構造を用いた偏光光源の可能性

秩父重英, 小島一信, 上殿明良, 佐藤義孝

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/03/01
ZnO単結晶の絶対輻射量子効率測定

小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/03/01
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(4)

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/03/01
積分球を用いた窒化ガリウム単結晶の光物性評価

小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2017
TMBを用いた高品質BGaN結晶成長技術の開発

中野貴之, 望月健, 江原一司, 井上翼, 青木徹, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2017
AlInNを用いた深紫外光源の開発~薄膜成長における組成引込現象の理論解析~

稲富悠也, 寒川義裕, 寒川義裕, 寒川義裕, 小島一信, 秩父重英, 秩父重英, 柿本浩一

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2017
Measurements of quantum efficiency of radiation in nitride semiconductors based on omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy

小島一信, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　2017
Deep-UV cathodoluminescence from the hexagonal boron nitride thin films grown on sapphire substrates

原和彦, 原和彦, 梅原直己, 秩父重英, 小島一信, 光野徹也, 小南裕子

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　2017
GaN基板上に作製されたMgイオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価

小島一信, 高島信也, 江戸雅晴, 上野勝典, 清水三聡, 高橋言緒, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/09/01
Sc_xAl_1-xNとY_xAl_1-xNのバンドギャップとバンドオフセットの第一原理計算

島田和宏, 市川拓也, 坂巻宏紀, 近拳輔, 堂上真人, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/09/01
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(3)

小島一信, 大友友美, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/09/01
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定(2)

小島一信, 大友友美, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/09/01
固相剥離法によるSi系剥片状ナノ粒子の合成と光物性・光触媒特性

板原浩, 今川晴雄, WU X, 山崎芳樹, YIN S, 小島一信, 秩父重英, 佐藤次雄

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)　2016/08/29
集束フェムト秒パルス電子線を用いた窒化物半導体紫外線発光素子材料の時間空間同時分解分光計測

秩父重英

旭硝子財団研究助成成果発表会　2016/07
単分散球状CdSナノ粒子をコアとする液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織構造由来の蛍光特性の発現

蟹江澄志, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, ZENG Xiangbing, DONG Haoliang, 小島一信, 秩父重英, 玉田薫, 村松淳司, UNGAR Goran, UNGAR Goran

ナノ学会大会講演予稿集　2016/06/14
酸性アモノサーマル法による高品質GaN結晶の育成

包全喜, 斉藤真, 栗本浩平, 小島一信, 山崎芳樹, 冨田大輔, 喬焜, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

化学工学会年会研究発表講演要旨集(CD-ROM)　2016/03/13
酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶の高速成長

栗本浩平, 包全喜, 包全喜, 斉藤真, 斉藤真, 茅野林造, 小島一信, 石黒徹, 秩父重英

日本金属学会講演概要(CD-ROM)　2016/03/09
Si系剥片状ナノ材料の光物性・光触媒特性

板原浩, WU Xiaoyong, 山崎芳樹, 今川晴雄, YIN Shu, 小島一信, 秩父重英, 佐藤次雄

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/03/03
時間空間分解カソードルミネッセンスによるIII族窒化物半導体の評価

秩父重英, 山崎芳樹, 小島一信

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/03/03
高キャリア濃度n型m面GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/03/03
組成揺らぎを考慮したAlGaNおよびInGaN量子井戸における光学利得の理論的比較

南琢人, 小島一信, 坂井繁太, 秩父重英, 山口敦史

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/03/03
低貫通転位密度Zn極性ZnOホモエピタキシャル薄膜への3d遷移金属添加によるキャリア寿命制御

秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/03/03
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(IV)

秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 佐藤義孝, 上殿明良

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/03/03
高品質GaN単結晶の絶対輻射量子効率測定

小島一信, 大友友美, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/03/03
90%を超える電子・正孔波動関数の重なり積分を達成可能なAlGaN量子井戸の設計指針

小島一信, 山崎芳樹, 古澤健太郎, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/03/03
MOVPE法を用いたBGaN成長における成長雰囲気の検討

中村匠, 矢野雄大, 上山浩平, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2016/03/03
BGaN中性子半導体検出器に向けた基礎特性評価およびデバイス開発

中野貴之, 中村匠, 望月健, 有川卓弥, 青木徹, SCHUETT Sebastian, FIEDERLE Michael, 小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2016
酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶の育成

包全喜, 包全喜, 斉藤真, 斉藤真, 栗本浩平, 栗本浩平, 小島一信, 冨田大輔, 喬焜, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2016
酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長

斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　2015/10/19
NiO:Li/ZnOヘテロ接合透明太陽電池の試作

中井洋志, 前田亮, 小笠原愛理, 森山和眞, 山田愛佳, 熊谷健太, 杉本岳, ISHWOR Khatri, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/08/31
高品質GaN単結晶における自由励起子とドナー束縛励起子の発光ダイナミクス

小島一信, 斉藤真, 斉藤真, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/08/31
酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

小島一信, 塚田悠介, 古川えりか, 斉藤真, 斉藤真, 三川豊, 久保秀一, 池田宏隆, 藤戸健史, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/08/31
ウルツ鉱In_xAl_1-xNの格子定数,弾性定数,圧電定数,自発分極の第一原理計算

島田和宏, 伊藤大稚, 岩崎克宣, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/08/31
ZnOの点欠陥と非輻射再結合中心に関する考察

秩父重英, 上殿明良

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/08/31
酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

斉藤真, 斉藤真, BAO Q, BAO Q, 栗本浩平, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/08/31
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成に及ぼす圧力の効果

栗本浩平, BAO Q, 斉藤真, 冨田大輔, 伊藤みずき, 山崎芳樹, 小島一信, 鏡谷勇二, 茅野林造, 石黒徹, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/02/26
ミストCVDによって作製したコランダム型酸化インジウム(α‐In₂O₃)の特性評価

須和祐太, 川原村敏幸, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/02/26
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(4):遷移金属不純物に関する考察

岩橋咲弥, 山崎芳樹, 小島一信, 古澤健太郎, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/02/26
m面Al_1-xIn_xN薄膜の分光エリプソメトリーによる評価

加賀谷大樹, 山崎芳樹, 池田宏隆, 藤戸健史, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/02/26
RFリアクティブスパッタ堆積したLi添加NiO薄膜の正孔濃度制御

中井洋志, 前田亮, 小笠原愛理, 森山和眞, 川出大佑, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/02/26
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(III)

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/02/26
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(3):浅い不純物に関する考察

山崎芳樹, 古澤健太郎, 岩橋咲弥, 小島一信, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/02/26
水熱合成ZnOターゲットを用いた低ドナー不純物濃度ZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル成長

古澤健太郎, 山崎芳樹, 小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2015
液晶性有機無機ハイブリッドデンドリマー:自己組織化CdS量子ドットのフォトルミネッセンス挙動

松原正樹, 松原正樹, STEVENSON Warren, 矢吹純, 山崎芳樹, 小島一信, 秩父重英, ZENG Xiangbing, DONG Haoliang, UNGAR Goran, 蟹江澄志, 村松淳司

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2015
BGaN半導体材料における結晶成長技術の開発と諸特性の評価

中野貴之, 上山浩平, 中村匠, 井上翼, 青木徹, 小島一信, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2015
混晶組成変調によるSi添加AlGaN多重量子井戸の発光効率向上

山崎芳樹, 古澤健太郎, 小島一信, 中濱和大, 三宅秀人, 平松和政, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014/09/01
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(II)

秩父重英, 石川陽一, 大友友美, 古澤健太郎, 池田宏隆, 藤戸健史

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014/09/01
m面GaN基板上に成長したAl_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の偏光特性

小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014/09/01
酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

斉藤真, BAO Q, 栗本浩平, 冨田大輔, 小島一信, 山崎芳樹, 鏡谷勇二, 茅野林造, QIAO K, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014/09/01
RFリアクティブスパッタ堆積したNiOを用いた透明薄膜トランジスタの試作

川出大佑, 酒井涼, 渡邊康之, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014/09/01
フェムト秒集束パルス電子線を用いた特異構造界面の発光ダイナミクス解析

秩父重英, 石川陽一, 山崎芳樹, 小島一信

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014/09/01
集束フェムト秒パルス電子線を用いた窒化物半導体紫外線発光素子材料の時間空間同時分解分光計測

秩父重英

旭硝子財団研究助成成果発表会　2014/07
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(2)

古澤健太郎, 中沢駿仁, 石川陽一, 田代公則, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014/03/03
自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(I)

秩父重英, 古澤健太郎, 大友友美, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 石川陽一, 田代公則, 池田宏隆, 藤戸健史

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014/03/03
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるZnO系微小光共振器形成の検討

古澤健太郎, 柿畑研人, 小山雅史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014/03/03
酸性アモノサーマル法による高品位GaN結晶育成

斉藤真, BAO Q, 冨田大輔, 古澤健太郎, 鏡谷勇二, 茅野林造, QIAO K, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014/03/03
AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率Al_xGa_1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価

秩父重英, 石川陽一, 古澤健太郎, 田代公則, 大友友美, 三宅秀人, 平松和政

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2014/03/03
InGaN系アンバー発光ダイオードを用いた単一チップマルチカラー発光ダイオード

柴田翔太, 小豆畑敬, 秩父重英

応用物理学会東北支部学術講演会講演予稿集　2013/12/05
Mg添加(0001)面p型GaN上への(001)面Nb添加アナターゼのヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル成長と電気伝導特性

山岸正裕, 羽豆耕治, 大友友美, 石川陽一, 古澤健太郎, 中山徳行, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013/08/31
時間空間分解カソードルミネッセンス法による単一積層欠陥回りでの発光ダイナミクス解析

古澤健太郎, 石川陽一, 田代公則, 羽豆耕治, 長尾哲, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013/08/31
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成と鉱化剤の影響

BAO Q, 斉藤真, 冨田大輔, 羽豆耕治, 古澤健太郎, 鏡谷勇二, 茅野林造, QIAO K, 石黒徹, 横山千昭, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013/08/31
NiO薄膜と様々な半導体・金属とのバンドアライメントの検討

川出大佑, 森山和眞, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013/08/31
気相成長AlN基板上AlNエピタキシャル層の時間空間分解カソードルミネッセンス計測

秩父重英, 石川陽一, 田代公則, 古澤健太郎, 羽豆耕治, XIE Jinqian, 三田清二, COLLAZO Ramon, SITAR Zlatko

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013/08/31
Si添加Al_0.6Ga_0.4N混晶薄膜の時間分解カソードルミネッセンス評価

羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 古澤健太郎, 三宅秀人, 平松和政, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013/03/11
高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価

石川陽一, 古澤健太郎, 田代公則, 羽豆耕治, 長尾哲, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013/03/11
NiO/Ni_xZn_1-xO/ZnO構造を用いた可視光透過型太陽電池の試作

川出大佑, 中村文香, 山下貴史, 橋本龍一, 清水翼, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2013/03/11
m面GaN基板上にNH₃‐MBE成長したAl_0.25Ga_0.75Nの時間空間分解CL評価―GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響―

秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 古澤健太郎, 長尾哲, 藤戸健史

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/08/27
有機原料を用いたCuIn(S,Se)₂薄膜の成長過程解析

庄司竜輝, 佐藤宗一, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/08/27
ジターシャリブチル硫黄を用いたCuInS₂薄膜の硫化過程の検討

加山慶樹, 庄司竜輝, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/08/27
六方晶BN微結晶の時間・空間分解カソードルミネッセンス評価

石川陽一, 田代公則, 羽豆耕治, 古澤健太郎, 小南裕子, 原和彦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/08/27
可視光透過型太陽電池に向けたNiO薄膜のキャリア密度の制御

川出大佑, 石田淳, 渡辺遥翼, 藁澤萌, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/08/27
ZnO単結晶基板上AlInGaN薄膜の屈折率分散の測定

羽豆耕治, 加賀谷宗仁, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/08/27
表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価

古澤健太郎, 石川陽一, 田代公則, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/08/27
GaNと格子整合するSc_xAl_yGa_1-x-yNの自発分極と電子構造の第一原理計算

島田和宏, 秩父重英, 秦雅彦, 高田朋幸, 佐沢洋幸, 宗田孝之

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/08/27
高純度低転位密度GaN基板の評価(2)―HVPE成長GaN上AlGaN/GaN構造の時間分解PL評価―

秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 浪田秀郎, 長尾哲, 藤戸健史

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/02/29
ルチルおよびアナターゼTiO₂/GaNヘテロ界面のX線光電子分光法による価電子帯オフセット評価

羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/02/29
水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー

JANG S.‐H, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/02/29
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶の高速成長

冨田大輔, BAO Quanxi, 鏡谷勇二, 澤山拓洋, 羽豆耕治, 斉藤真, 秩父重英, 横山千昭, 石黒徹

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/02/29
時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体の評価(2)―HVPE成長GaN基板

石川陽一, 羽豆耕治, 田代公則, 松本創, 藤戸健史, 下山謙司, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/02/29
六方晶BN微結晶の時間分解ルミネッセンス評価

石川陽一, 羽豆耕治, 田代公則, 小南裕子, 原和彦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/02/29
Si添加Al_0.6Ga_0.4N混晶薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価

羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 三宅秀人, 平松和政, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/02/29
フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価

秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 上殿明良

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/02/29
高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価

秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/02/29
高純度低転位密度GaN基板の評価(1)―HVPE成長GaNの陽電子消滅と時間分解フォトルミネッセンス評価―

秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 浪田秀郎, 長尾哲, 藤戸健史, 上殿明良

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2012/02/29
自立GaN基板の時間・空間同時分解カソードルミネッセンス評価

田代公則, 石川陽一, 羽豆耕治, 古澤健太郎, 浪田秀朗, 長尾哲, 藤戸健史, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2012
酸化亜鉛の放射線耐性

小池一歩, 藤本龍吾, 和田涼太, 佐々誠彦, 矢野満明, 權田俊一, 羽豆耕治, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2012
m面成長したInGaN薄膜の偏光XAFS解析

宮永崇史, 小豆畑敬, 新田清文, 秩父重英

日本物理学会講演概要集　2011/08/24
時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体評価(1)―HVPE成長GaN基板

石川陽一, 羽豆耕治, 松本創, 藤戸健史, 下山謙司, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/08/16
有機硫黄原料を用いたCuInS₂薄膜の成長過程解析

庄司竜輝, LIU X. H, 藤原千佳, DOU X, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/08/16
ウルツ鉱型Mg_xZn_1-xO混晶の弾性テンソル要素C₁₃,C₃₃に関する考察

JANG S.‐H, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/08/16
アモノサーマルGaN基板上に形成したAlGaN/GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

秩父重英, 羽豆耕治, 鏡谷勇二, 尾沼猛儀, EHRENTRAUT D, 福田承生, 石黒徹

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/08/16
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるc面GaN上へのルチル/アナターゼTiO₂:Nb薄膜の結晶相選択成長(2)

羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/08/16
AlNエピタキシャル薄膜の発光寿命と点欠陥他の関係について

秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/08/16
セレン化/硫化成長の特徴とCu(In,Ga)(S,Se)₂の成長プロセス

杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/08/16
偏光反射スペクトル解析によるZnOの物性値の同定

羽豆耕治, 吉海江憲, 吉岡宗一郎, 高木絢子, 鳥井康介, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/08/16
GaNと格子整合するY_xAl_yGa_1-x-yNの自発分極とバンドギャップボーイングの第一原理計算

島田和宏, 羽豆耕治, 秩父重英, 秦雅彦, 高田朋幸, 佐沢洋幸, 宗田孝之

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/08/16
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO₂薄膜の堆積(4)

羽豆耕治, 南風盛将光, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/08/16
RFスパッタ法によるNiO系可視光透過型太陽電池の試作

石田淳, 村田芳綱, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/08/16
CIGS薄膜のセレン化成長―これまでとこれから―

杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09
極性・非極性(Al,In,Ga)N混晶薄膜における振動子強度の歪依存性

尾沼猛儀, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09
気相合成NH₄Cl鉱化剤を用いて成長したアモノサーマルGaN基板上にMOVPE形成したAlGaN/GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

秩父重英, 羽豆耕治, 鏡谷勇二, 尾沼猛儀, EHRENTRAUT D, 福田承生, 石黒徹

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09
MOVPE成長AlN薄膜の点欠陥・不純物が発光寿命に及ぼす影響

秩父重英, 尾沼猛儀, 羽豆耕治, 上殿明良

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09
ウルツ鉱型Mg_xZn_1-xO混晶の弾性テンソル要素に関する考察

JANG S.‐H, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09
アモノサーマル法によるGaN結晶育成速度の圧力・鉱化剤依存

鏡谷勇二, BAO Quanxi, 澤山拓洋, 冨田大輔, 羽豆耕治, 秩父重英, 横山千昭, 石黒徹

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09
m面自立GaN基板のチルトモザイク異方性がNH₃‐MBE成長m面Al_0.25Ga_0.75N薄膜の発光特性に与える影響

秩父重英, 加賀谷宗仁, 尾沼猛儀, 羽豆耕治

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09
ジターシャリブチル硫黄を用いたCuInS₂薄膜の硫化成長

LIU X.H, 藤原千佳, 庄司竜輝, DOU X, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09
m面ZnO基板の偏光反射スペクトルの解析

羽豆耕治, 吉海江憲, 吉岡宗一郎, 高木絢子, 鳥井康介, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるc面GaN上へのルチル/アナターゼTiO₂:Nb薄膜の結晶相選択成長

羽豆耕治, FOUDA A, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO₂薄膜の堆積(3)

羽豆耕治, FOUDA A, 南風盛将光, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09
RFリアクティブスパッタ法によるNiO薄膜の低酸素分圧成長

石田淳, 村田芳綱, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09
酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成

包全喜, 澤山拓洋, 橋本貴範, 佐藤福馬, 冨田大輔, 羽豆耕治, 秩父重英, 横山千昭, 石黒徹

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2011
NH₄Iを用いたアモノサーマル法によるGaN結晶の高速育成

橋本貴範, 澤山拓洋, 佐藤福馬, 包全喜, 羽豆耕治, 冨田大輔, 喬焜, 秩父重英, 石黒徹, 横山千昭

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2011
NiO系酸化物半導体を用いた可視光透過型太陽電池機能を有する窓ガラスの創成

石田淳, 渡辺遥翼, 藁澤萌, 秩父重英, 杉山睦

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2011
ウルツ鉱型Mg_xZn_1-xO混晶の弾性テンソル要素C₁₃,C₃₃に関する考察

張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2011
偏光XAFS法によるm面AlGaN薄膜のAl原子周囲の局所構造解析

中嶋堅悟, 宮永崇史, 宮崎達也, 小豆畑敬, 秩父重英

PFシンポジウム要旨集　2011
時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるm面自立GaN基板上InGaN膜の局所キャリアダイナミクス解析

加賀谷宗仁, CORFDIR P, GANIERE J.D, DEVEAUD‐PLEDRAN B, GRANDJEAN N, 秩父重英

応用物理学会東北支部学術講演会講演予稿集　2010/11/22
ヨウ化アンモニウムを鉱化剤に用いたアモノサーマル法によるGaN育成

鏡谷勇二, 栗林岳人, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 冨田大輔, 志村玲子, 秩父重英, 杉山和正, 横山千昭, 石黒徹, 福田承生

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/08/30
RFリアクティブスパッタ法によるNiO薄膜の成長とNiO系太陽電池の試作

石田淳, 工藤遥, 村田芳綱, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/08/30
CdフリーCIGS太陽電池に向けたSe化法によるZnOSe薄膜成長

石川薫, 川崎善史, 庄司竜輝, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/08/30
セレン化・硫化法を用いたCu(In,Al)(S,Se)₂薄膜成長

庄司竜輝, 藤原千佳, 石川薫, 川崎善史, 佐藤友昭, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/08/30
CIS系太陽電池に向けたキャリア密度傾斜ZnO系窓層の試作

村田芳綱, 工藤遥, 石田淳, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/08/30
電子線照射によるCIGS太陽電池の電気的・光学的特性への影響

廣瀬維子, 藁澤萌, 高倉健一郎, 木村真一, 秩父重英, 大山英典, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/08/30
ジエチルセレンを用いたSe化法によるCIGS薄膜の成長過程の検討

川崎善史, 佐藤友昭, 石川薫, 庄司竜輝, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/08/30
気相合成した酸性鉱化剤を用いて成長したアモノサーマルGaN及びMOVPEホモエピタキシャル層の評価

秩父重英, 鏡谷勇二, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 石黒徹, 福田承生

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/08/30
非極性面AlInN混晶を用いた紫外線発光素子の基礎研究

秩父重英

旭硝子財団研究助成成果発表会　2010/07
自立GaN基板へのm面Al_1-xIn_xN薄膜のMOVPE成長

秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/03/03
パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(3)―MOVPE 成長高AlNモル分率AlGaNの時間分解CL計測―

羽豆耕治, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/03/03
パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(2)―MOVPE成長AlNの時間分解PLとの比較―

尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/03/03
TiO₂:Nb薄膜のGaNへのヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー

羽豆耕治, FOUDA A. N, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/03/03
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのMgZnO/ZnOヘテロ構造形成

秩父重英, 澤井泰, 天池宏明, 羽豆耕治

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/03/03
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO₂薄膜の堆積(2)

FOUDA A. N, 羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/03/03
アンモニアの相状態がアモノサーマル法GaN結晶作製に与える影響

鏡谷勇二, 石鍋隆幸, 栗林岳人, 増田善雄, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 秩父重英, 横山千昭, 石黒徹

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/03/03
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのホモエピ成長

澤井泰, 天池宏明, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/03/03
パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(1)―パルス電子線発生とGaN計測―

秩父重英, 尾沼猛儀, 羽豆耕治, 鏡谷勇二, 石黒徹, 福田承生

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/03/03
パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(4)―MOVPE成長m面InGaN薄膜の時空間同時分解計測―

加賀谷宗仁, CORFDIR P, GANIERE J. D, DEVEAUD‐PLEDRAN B, GRANDJEAN N, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/03/03
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのMgZnO/ZnOヘテロ構造形成

羽豆耕治, 澤井泰, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2010
Structural and optical studies on nonpolar AlInN alloys for ultraviolet light emitters

秩父重英

旭硝子財団助成成果報告書(Web)　2010
時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるm面自立GaN基板上InGaN薄膜の局所キャリアダイナミクス解析

加賀谷宗仁, CORFDIR Pierre, GANIERE Jean‐Daniel, DEVEAUD‐PLEDRAN Benoit, GRANDJEAN Nicolas, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2010
Exciton emission mechamsm in AlN epitaxial films

尾沼猛儀, 羽豆耕治, 宗田孝之, 上殿明良, 秩父重英

電子情報通信学会技術研究報告　2009/11/12
NH₃‐MBE成長m面Al_xGa_1-xN薄膜の空間分解陰極線蛍光評価

秩父重英, 羽豆耕治, 加賀谷宗仁, 尾沼猛儀

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009/09/08
アモノサーマル法による高純度GaN結晶育成

鏡谷勇二, 秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 石黒徹, 福田承生

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009/09/08
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのホモエピ成長

澤井泰, 天池宏明, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009/09/08
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO₂薄膜の堆積

FOUDA Aly N, 羽豆耕治, 中山徳行, 阿部能之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009/09/08
RFスパッタ堆積時の酸素混合比がNiO薄膜の配向性に与える影響

村田芳綱, 平田裕紀, 高畑覚, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009/09/08
Cu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の耐粒子線特性に関する考察

廣瀬維子, 安庭宗弘, 高倉健一郎, 藤原千佳, 中西久幸, 秩父重英, 大山英典, 木村真一, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009/09/08
AlN薄膜の時間分解フォトルミネッセンス

尾沼猛儀, 羽豆耕治, 柴田智彦, 小坂圭, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 田中光浩, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009/09/08
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Al)Se₂薄膜成長(III)

藤原千佳, 藁澤萌, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009/09/08
有機金属を用いたCIGS薄膜太陽電池用ZnSe系バッファ層の成長

川崎善史, 佐藤友昭, 中西久幸, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009/09/08
m面Al_xGa_1-xN薄膜の偏光特性の面内異方性歪依存性

羽豆耕治, 星拓也, 加賀谷宗仁, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009/09/08
m面自立GaN基板上NH₃‐MBE成長ホモエピタキシャル薄膜の構造的・光学的特性のV/III比依存性

羽豆耕治, 星拓也, 加賀谷宗仁, 尾沼猛儀, 藤戸健史, 浪田秀郎, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2009/03/30
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNiO:Cu薄膜成長

村田芳綱, 高畑覚, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2009/03/30
Cu(Al,Ga,In)(S,Se)₂カルコパイライト型半導体の有機金属化学気相エピタキシャル成長

秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2009/03/30
ジメチル亜鉛を用いたZn拡散CIGS薄膜太陽電池の作製

佐藤友昭, 深山敦, DOU X, 中西久幸, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2009/03/30
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法成長ZnOエピタキシャル薄膜の励起子ポラリトン発光

澤井泰, 天池宏明, 尾沼猛儀, 羽豆耕治, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2009/03/30
NaフラックスGaN単結晶上へのホモエピタキシャル成長

尾沼猛儀, 山田高広, 山根久典, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2009
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのホモエピ成長

澤井泰, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2009
m面自立GaN基板上Al_xGa_1-xN薄膜の空間分解陰極線蛍光特性

羽豆耕治, 加賀谷宗仁, 尾沼猛儀, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2009
m面自立GaN基板上NH₃‐MBE成長ホモエピタキシャル薄膜の構造的・光学的特性のV/III比依存性

加賀谷宗仁, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2009
AIN価電子帯オーダリングの歪依存性

宗田孝之, 池田大勝, 尾沼猛儀, 秩父重英

東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2009
m面自立GaN基板上へのAl_xGa_1-xN薄膜のNH₃ソースMBE成長

星拓也, 羽豆耕治, 大下紘史, 加賀谷宗仁, 藤戸健史, 浪田秀郎, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008/09/02
Zn極性MgZnO/ZnOヘテロ接合の分子線エピタキシーとキャラクタリゼーション

赤坂俊輔, 塚崎敦, 湯地洋行, 田村謙太郎, 西本宜央, 高水大樹, 佐々木敦, 藤井哲雄, 中原健, 田辺哲弘, 神澤公, 大友明, 尾沼猛儀, 秩父重英, 川崎雅司

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008/09/02
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Al)Se₂薄膜成長(II)

藤原千佳, 梅澤明央, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008/09/02
Naフラックス法により成長したGaN単結晶の発光特性

尾沼猛儀, 山田高広, 山根久典, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008/09/02
m面自立GaN基板上に成長したAl_xGa_1-xN薄膜の偏光・空間分解陰極線蛍光特性

羽豆耕治, 星拓也, 大下紘史, 加賀谷宗仁, 藤戸健史, 浪田秀郎, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008/09/02
Cu(Al,In,Ga)Se₂薄膜に適したフレキシブル基板の検討

佐藤友昭, 安庭宗弘, 梅澤明央, 中西久幸, 秩父重英, 杉山睦

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008/09/02
GaNテンプレート及びバルクZnO基板上へのZnOのHWPSE成長

天池宏明, 澤井泰, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 小山享宏, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008/09/02
酸性鉱化剤を用いた安熱合成GaNエピタキシャル層の陰極線蛍光特性

羽豆耕治, 鏡谷勇二, 尾沼猛儀, 石鍋孝幸, 栗林岳人, 横山千昭, 石黒徹, 福田承生, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008/09/02
p‐NiO/n‐ZnOによるp‐n接合ダイオードの試作

村田芳綱, WANG L, 藤井健太郎, 高畑覚, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2008/09/02
m面自立GaN基板上へのInGaN薄膜のMOVPE成長

秩父重英, 山口宏, LU Z, 久保田将司, 岡本國美, 太田裕朗, 尾沼猛儀

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2008/03/27
分子線エピタキシー法で成長したZn極性ZnO基板上ZnO膜の時間分解フォトルミネッセンス

高水大樹, 田村謙太郎, 西本宜央, 佐々木敦, 赤坂俊輔, 湯地洋行, 中原健, 尾沼猛儀, 川崎雅司, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2008/03/27
Cu(In,Ga)Se₂薄膜のガンマ線照射による影響

村澤一樹, 安庭宗弘, 梅澤明央, 深山敦, 中西久幸, 秩父重英, 木村真一, 杉山睦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2008/03/27
分子線エピタキシー法(MBE)によるZn極性ZnO基板上MgZnO/ZnOヘテロ構造

中原健, 湯地洋行, 赤坂俊輔, 田村謙太郎, 西本宜央, 高水大樹, 佐々木敦, 藤井哲雄, 田辺哲弘, 高須秀視, 塚崎敦, 大友明, 天池弘明, 尾沼猛儀, 秩父重英, 川崎雅司

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2008/03/27
低転位非極性m面InGaN/GaN多重量子井戸LDの光学利得

尾沼猛儀, 岡本國美, 太田裕朗, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2008/03/27
塩基性鉱化剤を用いた安熱合成GaNエピタキシャル層の構造および発光特性

秩父重英, 尾沼猛儀, 橋本忠朗, 藤戸健史, WU F, SPECK J. S, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2008/03/27
Effects of proton and gamma-ray irradiation on the optical properties of CuInSe2 thin films

村澤一樹, 安庭宗弘, 木村悠太, 中西久幸, 秩父重英, 木村真一, 杉山睦

宇宙科学技術連合講演会講演集(CD-ROM)　2008
陽電子消滅を用いた窒化物光半導体の空孔型欠陥の検出

上殿明良, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2007/09/04
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Al)Se₂薄膜成長

梅澤明央, 深山敦, 安庭宗弘, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2007/09/04
AlN,GaNにおける貫通転位密度と点欠陥密度の関係

秩父重英, 小山享宏, 菅原茉莉子, 星拓也, CANTU P, KAEDING J. F, SHARMA R, 小坂圭, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 柴田智彦, 田中光浩, 尾沼猛儀, KELLER S, MISHRA U. K, DENBAARS S. P, 中村修二, 宗田孝之, 上殿明良

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2007/09/04
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるCuAlO₂薄膜成長

今尾隆, 高畑覚, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2007/09/04
分子線エピタキシー法(MBE)による(Mg)ZnOホモエピタキシー技術

中原健, 湯地洋行, 田村謙太郎, 赤坂俊輔, 高水大樹, 田辺哲弘, 久保田将司, 尾沼猛儀, 秩父重英, 塚崎敦, 大友明, 川崎雅司

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007/03/27
AlN価電子帯オーダリングの歪依存性

池田大勝, 岡村隆弘, 松川紘大, 小山享宏, 星拓也, 菅原茉莉子, 尾沼猛儀, CANTU P, SHARMA R, KAEDING J.F, KELLER S, SPECK J.S, DENBAARS S.P, 中村修二, MISHRA U.K, 小坂圭, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 柴田智彦, 田中光浩, 秩父重英, 宗田孝之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007/03/27
有機金属を用いたCuInSe₂薄膜への亜鉛添加

深山敦, 木下淳紀, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007/03/27
MOVPE成長AlN薄膜の発光特性

尾沼猛儀, 小山享宏, 小坂圭, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 柴田智彦, 田中光浩, 宗田孝之, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007/03/27
自立GaN基板上への非極性m面GaN及びInGaN薄膜のMOVPE成長

LU Z, 山口宏, 久保田将司, 岡本國美, 太田裕朗, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007/03/27
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Ga)Se₂薄膜成長(III)

安庭宗弘, DEJENE F. B, 木下淳紀, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007/03/27
AlN薄膜におけるVL発光強度と欠陥密度の相関性

小山享宏, 菅原茉莉子, 星拓也, CANTU P, KAEDING J.F, SHARMA R, 尾沼猛儀, KELLER S, MISHRA U.K, DENBAARS S.P, 中村修二, 宗田孝之, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007/03/27
酸化亜鉛の非輻射過程と点欠陥の関係

秩父重英, 尾沼猛儀, 塚崎敦, 久保田将司, 大友明, 宗田孝之, 川崎雅司, 上殿明良

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007/03/27
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるZnO:Ga薄膜成長

政木真悟, 村山聡, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007/03/27
低転位非極性m面In_xGa_1-xN/GaN多重量子井戸LEDの光学的特性

天池宏明, 久保田将司, 岡本國美, 太田裕朗, 市原淳, 高須秀視, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007/03/27
NH₃‐MBE法によりGaNテンプレート上に成長したAlN薄膜の陰極線蛍光特性

星拓也, 菅原茉莉子, 小山享宏, KAEDING J.F, SHARMA R, 中村修二, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2007/03/27
Inを含むIII族窒化物半導体混晶における局在励起子について

秩父重英, 上殿明良, 尾沼猛儀, HASKELL B. A, CHAKRABORTY A, 小山享宏, FINI P. T, KELLER S, DENBAARS S. P, SPECK J. S, MISHRA U. K, 中村修二, 山口栄雄, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, HAN J, 宗田孝之

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2006/08/29
ニオブ添加酸化チタン薄膜の抵抗率に対する熱処理効果

荒谷毅, 久保田将司, 尾沼猛儀, 小山享宏, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2006/08/29
MOVPE成長Mg添加p型半極性面(1011)GaNのフォトルミネセンス評価

尾沼猛儀, 浅水啓州, 佐藤均, KAEDING J. F, IZA M, 小山享宏, FINI P. T, DENBAARS S. P, SPECK J. S, 中村修二, 宗田孝之, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2006/08/29
NH₃‐MBE成長AlN薄膜の成長温度およびV/III比が光学的特性に与える影響

小山享宏, 菅原茉莉子, 星拓也, KAEDING J. F, SHARMA R, 尾沼猛儀, KELLER S, MISHRA U. K, DENBAARS S. P, 中村修二, 宗田孝之, 上殿明良, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2006/08/29
非極性面GaN系量子井戸構造およびLEDの光学的特性

秩父重英, 尾沼猛儀, 小山享宏, CHAKRABORTY A, 増井久志, HASKELL B. A, FINI P. T, KELLER S, 草部一秀, 大川和宏, DENBAARS S. P, SPECK J. S, MISHRA U. K, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2006/08/29
高温熱処理自己バッファ層(HITAB)を用いたZnOのHWPSE成長

柴田直之, 小山享宏, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006/03/22
窒素およびホウ素をドープした6H‐SiC蛍光層の光学特性

前田智彦, 中村佳博, 生田美奈, 柴田陽子, 村田諭是, 新田州吾, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇, 吉本昌広, 尾沼猛儀, 秩父重英, 古庄智明, 木下博之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006/03/22
低温中間層を用いたGaNテンプレート上へのNH₃‐MBE法AlN高温成長

菅原まり子, 小山享宏, KAEDING J. F, SHARMA R, 尾沼猛儀, 中村修二, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006/03/22
MOVPE成長3C‐SiC基板上立方晶GaNの空間分解陰極線蛍光評価

鈴木智士, 野坂大樹, 山口宏, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006/03/22
自立GaN基板上非極性(1100)In_xGa_1-xN/GaN量子井戸LEDの光学的特性

小山享宏, 尾沼猛儀, 増井久志, CHAKRABORTY A, HASKELL B. A, MISHRA U. K, SPECK J. S, 中村修二, DENBAARS S. P, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006/03/22
高温熱処理自己バッファ層(HITAB)を用いたL‐MBE成長Mg_0.15Zn_0.85Oの温室発光寿命

久保田将司, 塚崎敦, 尾沼猛儀, 大友明, 宗田孝之, 川崎雅司, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006/03/22
LEO‐GaN上非極性(1100)In_xGa_1-xN/GaN量子井戸における発光ダイナミクス

尾沼猛儀, CHAKRABORTY A, HASKELL B. A, 小山享宏, FINI P. T, KELLER S, DENBAARS S. P, SPECK J. S, 中村修二, MISHRA U. K, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006/03/22
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるCuAlO₂薄膜成長

佐伯圭太, 今尾隆, 村山聡, 中西久幸, 杉山睦, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006/03/22
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法を用いた酸化亜鉛系多層膜構造空間制御による光と物質の結合機構の検討

秩父重英, 宗田孝之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006/03/22
安熱合成法によるGaNエピタキシャル層の空間分解陰極線蛍光評価

秩父重英, 尾沼猛儀, 橋本忠朗, 藤戸健史, SPECK J. S, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005/09/07
窒化物半導体混晶中の点欠陥密度と室温発光寿命の関係

秩父重英, 尾沼猛儀, CHAKRABORTY A, HASKELL B. A, MOE C, KELLER S, DENBAARS S. P, SPECK J. S, 中村修二, MISHRA U. K, 宗田孝之, 上殿明良

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005/09/07
InGaN量子井戸の偏光カソードルミネッセンス

宮岡豊, 山本直紀, 秩父重英, 向井孝志

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005/09/07
LEO‐GaN上無極性(11‐20)In_xGa_1‐xN/GaN量子井戸における励起子局在

尾沼猛儀, CHAKRABORTY A, HASKELL B. A, KELLER S, DENBAARS S. P, SPECK J. S, 中村修二, MISHRA U. K, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005/09/07
HVPE成長Fe添加GaNの半絶縁性に熱処理が与える影響

久保田将司, 石原裕次郎, 尾沼猛儀, 上殿明良, 碓井彰, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005/09/07
発光波長265nmのAl_xIn_yGa_1-x-yN四元多重量子井戸における発光ダイナミクス

尾沼猛儀, KELLER S, DENBAARS S. P, SPECK J. S, 中村修二, MISHRA U. K, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005/09/07
440nm帯ZnO青色発光ダイオード

塚崎敦, 久保田将司, 大友明, 尾沼猛儀, 大谷啓太, 大野英男, 秩父重英, 川崎雅司

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005/09/07
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Ga)Se₂薄膜成長(II)

杉山睦, DEJENE F. B, 木下淳紀, 深谷真大, 丸義太郎, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005/09/07
カルコパイライト型半導体の発光デバイス材料としての特徴―n型ZnO/p型CuGaS₂接合LEDを例として―

秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005/03/29
ZnOの励起子共鳴波長で動作する誘電体DBRの試作とHWPS法によるSiO₂およびZrO₂製膜

小山享宏, 大森拓也, 柴田直之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005/03/29
レーザMBE成長ZnO薄膜の欠陥制御による高品質化(II)

久保田将司, 塚崎敦, 尾沼猛儀, 大友明, 宗田孝之, 上殿明良, 川崎雅司, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005/03/29
MOVPE成長3C‐SiC基板上立方晶GaNのフォトルミネッセンススペクトルのV/III比依存性

鈴木智士, 野坂大樹, 山口宏, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005/03/29
ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In,Ga)Se₂薄膜成長

深谷真大, 木下淳紀, 波能康晴, 杉山睦, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005/03/29
レーザMBE成長ZnO薄膜の欠陥制御による高品質化(I)

秩父重英, 塚崎敦, 尾沼猛儀, 大友明, 宗田孝之, 上殿明良, 川崎雅司

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005/03/29
LEO‐GaN上無極性(11‐20)In_XGa_1‐XN量子井戸における発光ダイナミクス

尾沼猛儀, CHAKRABORTY A, HASKELL B. A, KELLER S, DENBAARS S. P, SPECK J. S, 中村修二, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005/03/29
ZnOp‐nホモ接合発光ダイオード

塚崎敦, 大友明, 尾沼猛義, 大谷亮, 牧野哲征, 角谷正友, 大谷啓太, 秩父重英, 鯉沼秀臣

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004/09/01
低速陽電子ビームによるInN膜中の空孔型欠陥の検出

上殿明良, 東脇正高, 松井敏明, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004/09/01
HWPS堆積n‐ZnO/MOVPE成長p‐CuGaS₂ヘテロ接合LEDの鴬色EL発光

秩父重英, 大森拓也, 柴田直之, 小山享宏, 尾沼猛儀

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004/09/01
塗布熱分解法およびDTBSを用いた硫化法によるCuInS₂薄膜の作製

橋本隆道, 高山直樹, 杉山睦, 中西久幸, 秩父重英, 安藤静敏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004/09/01
GaN中の非ふく射再結合中心密度と点欠陥密度の相関関係

秩父重英, 尾沼猛儀, HASKELL B, 杉山睦, 角谷正友, 奥村元, 宗田孝之, SPECK J, DEN BAARS S

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004/09/01
ZnOの励起子共鳴波長で動作する誘電体DBRの設計とHWPS法によるSiO₂製膜

小山享宏, 大森拓也, 柴田直之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004/09/01
NH₃ガスソースMBE法によるGaNテンプレート上への高温AlN成長

内沼善将, 菅原まり子, KEADING J F, SHARMA R, 尾沼猛儀, 中村修二, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004/09/01
LEO‐GaN上無極性(1120)Al_xGa_1-xN/GaN MQWの偏光光学スペクトル

鯉田崇, 秩父重英, 宗田孝之, CRAVEN M D, HASKELL B A, SPECK J S, DENBAARS S P, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2004/03/28
GaNテンプレート基板の熱分解がホモエピタキシャル薄膜に与える影響

菊地純一, 内沼善将, 鯉田崇, WANG K R, 尾沼猛儀, KEADING J F, SHARMA R, 中村修二, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2004/03/28
NH₃ガスソースMBE法によるGaNテンプレート上へのホモエピタキシャル成長

内沼善将, 菊地純一, 鯉田崇, WANG K R, 尾沼猛儀, KEADING J F, SHARMA R, 中村修二, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2004/03/28
LEO‐GaN上無極性(1120)Al_xGa_1-xN/GaN MQWの発光ダイナミクス

鯉田崇, 秩父重英, 宗田孝之, CRAVEN M D, HASKELL B A, SPECK J S, DENBAARS S P, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2004/03/28
HWPSE法を用いたMg_0.06Zn_0.94O薄膜のエピタキシャル成長

大森拓也, 小山享宏, 柴田直之, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2004/03/28
無極性(11‐20)ZnOエピタキシャル薄膜の光学特性

鯉田崇, 秩父重英, 上殿明良, 塚崎敦, 宗田孝之, 川崎雅司

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003/08/30
HWPSE法におけるZnOエピタキシャル薄膜の成長メカニズム

小山享宏, 大森拓也, 柴田直之, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003/08/30
立方晶GaN/GaAs基板界面のvoidがMOVPE成長薄膜に及ぼす影響

野坂大樹, 杉山睦, 中島清美, 青山登代美, 尾沼猛儀, 知京豊裕, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003/08/30
Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の光学特性

尾沼猛儀, 秩父重英, 上殿明良, YOO Y‐Z, 知京豊裕, 宗田孝之, 川崎雅司, 鯉沼秀臣

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003/08/30
Low‐Energy‐FIBによるGaNナノ構造の作製

長田貴弘, AHMET P, 鯉田崇, 秩父重英, 知京豊裕

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003/08/30
Al_xGa_1‐xN混晶薄膜の発光寿命支配要因

秩父重英, 上殿明良, 尾沼猛儀, CANTU P, KATONA T, KEADING J F, 鯉田崇, 宗田孝之, MISHRA U K

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003/08/30
超格子中間層を用いた立方晶GaN薄膜のMOVPE成長

杉山睦, 野坂大樹, 鈴木智士, 中島清美, 青山登代美, 尾沼猛儀, 鯉田崇, 知京豊裕, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003/08/30
ZnOにおけるブリルアン散乱

小豆畑敬, 武貞正樹, 八木駿郎, 鹿内周, 秩父重英, 鳥井康介, 中村厚, CANTWELL G, LITTON C W

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2003/08/30
ジエチルセレンを用いたCuInSe₂薄膜のセレン化成長 (2)

山本貴史, 中村元宜, 石附純, 出口隆弘, 安藤静敏, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003/03/27
HWPSE法によるサファイアA面上へのZnOエピタキシャル成長

小山享宏, 白浜丈詞, 萩原勝, 尾沼猛儀, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003/03/27
立方晶GaN薄膜のMOVPE成長における低温緩衝層が及ぼす影響

杉山睦, 野坂大樹, 中島清美, AHMET P, 青山登代美, 知京豊裕, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003/03/27
アンモニアガスソースMBE法による(0001)サファイア基板上GaN薄膜の成長

鯉田崇, 寺崎誠也, KEADING J F, 尾沼猛儀, 中村修二, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003/03/27
塗布熱分解法およびDESeを用いたセレン化法によるCuInSe₂薄膜の作製

高山直樹, 宮地順子, 山本貴史, 中村元宜, 出口隆弘, 中西久幸, 秩父重英, 安藤静敏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003/03/27
Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜における発光ダイナミクス

尾沼猛儀, 内沼善将, 秩父重英, 宗田孝之, 山口栄雄, 上山智, 天野浩, 赤崎勇

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003/03/27
Al_xGa_1-xNエピタキシャル薄膜における発光ダイナミクス

尾沼猛儀, CANTU P, KEADING J F, KELLER S, 鯉田崇, 宗田孝之, DENBAARS S P, MISHRA U K, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003/03/27
組成傾斜障壁を持つInGaN/GaN量子井戸の発光ダイナミクス

内沼善将, 尾沼猛儀, SUH E‐K, LEE H J, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003/03/27
塗布熱分解法によりMo/glass基板上に作製したCuInSe₂薄膜と評価

宮地順子, 高山直樹, 山本貴史, 塚本恒世, 中西久幸, 秩父重英, 安藤静敏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003/03/27
ZnO単結晶の偏光光学スペクトル

秩父重英, 宗田孝之, CANTWELL G, EASON D B, LITTON C W

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002/09/24
低速陽電子ビームによるZnOの空孔型欠陥の検出

上殿明良, 鯉田崇, 塚崎敦, 秩父重英, 宗田孝之, 瀬川勇三郎, 鯉沼秀臣, 川崎雅司

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002/09/24
ZnO単結晶における励起子の非線形光学効果

羽豆耕治, 中村厚, 宗田孝之, 鈴木克生, 足立智, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002/09/24
InGaN MQW 450nm LDにおける局在励起子ダイナミクス

尾沼猛儀, 秩父重英, 宗田孝之, 長浜慎一, 向井孝志

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002/09/24
ZnOバルク単結晶及びエピタキシャル薄膜の発光特性比較

鯉田崇, 秩父重英, 塚崎敦, 上殿明良, 宗田孝之, 瀬川勇三郎, 鯉沼秀臣, 川崎雅司

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002/09/24
立方晶In_xGa_1-xN/GaN量子井戸における発光ダイナミクス

秩父重英, 尾沼猛儀, 北村寿朗, 宗田孝之, 中村修二, 奥村元

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002/09/24
ZnO単結晶の偏光反射スペクトルの解析

鳥井康介, 秩父重英, 宗田孝之, CANTWELL G, EASON D B, LITTON C W

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2002/09/24
Comparison of Emission Properties between Cubic and Hexagonal InGaN. Effects of Polarization Field and Exciton Localization.

秩父重英, 黒田剛正, 尾沼猛儀, 北村寿朗, 宗田孝之, 竹内淳, DENBAARS S P, 中村修二, 奥村元

電子情報通信学会技術研究報告　2002/06/14
減圧MOVPE成長CuAl(S_xSe_1-x)₂エピタキシャル薄膜におけるバンドギャップボーイングと残留歪

原田佳幸, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002/03/27
ジエチルセレンを用いたCIS薄膜のセレン化成長

杉山睦, 大挟正寛, 早川明憲, 水谷勤, 中西久幸, 秩父重英, 根上卓之, 和田隆博

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002/03/27
ラマン散乱による3C‐SiC基板上の立方晶InGaNにおける光学フォノンの観察

鳥井康介, 臼倉奈留, 北村寿朗, 秩父重英, 宗田孝之, 奥村元

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002/03/27
カルコパイライト型半導体Sb‐doped CuInS₂結晶の結晶成長と評価

小牧弘典, 吉野賢二, 三宅秀人, 秩父重英, 横山宏有, 前田幸治, 碇哲雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002/03/27
ZnOエピタキシャル薄膜のフォトリフレクタンススペクトル (2)

秩父重英, 塚崎敦, 田村謙太郎, 瀬川勇三郎, 宗田孝之, 川崎雅司, 鯉沼秀臣

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002/03/27
ZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー

秩父重英, 吉田丈洋, 尾沼猛儀, 保立倫則, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002/03/27
TEM‐CL法によるInGaN層の発光と格子欠陥

堀内大吾, GRILLO V, 山本直紀, 秩父重英, 向井孝志

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002/03/27
H⁺打ち込みCuInSe₂バルク単結晶のフォトルミネッセンス特性

山本貴史, 秩父重英, 吉野賢二, YAKUSHEV M, PILKINGTON R D

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002/03/27
ZnOエピタキシャル薄膜のフォトリフレクタンススペクトル (1)

秩父重英, 宗田孝之, FONS P J, 岩田拡也, 山田昭政, 松原浩司, 仁木栄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002/03/27
GaN成長膜中の転位のTEM‐CL評価

山本直紀, 三田朋宏, 伊東洋嗣, 秩父重英, DENBAARS S. P

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001/09/11
立方晶In_0.1Ga_0.9N量子井戸における励起子局在効果

秩父重英, 黒田剛正, 杉山睦, 北村寿朗, 尾沼猛儀, 山本貴史, 中西久幸, 宗田孝之, 竹内淳, 石田夕起, 奥村元

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001/09/11
RF‐MBE法により作製した立方晶AlGaN/GaNヘテロ構造における電気的特性のAl組成依存性

北村寿朗, SHEN X. Q, 石田夕起, 中西久幸, 秩父重英, 奥村元

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001/09/11
緑色‐紫外フォトルミネッセンスを呈する減圧MOVPE成長CuAl_xGa_1-xS₂エピタキシャル薄膜

原田佳幸, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001/09/11
AIN薄膜の励起子スペクトル

尾沼猛儀, 秩父重英, 宗田孝之, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 柴田智彦, 田中光浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001/09/11
CuGaS₂への銅Schottkyコンタクト形成

杉山睦, 仲井陸郎, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001/09/11
GaNにおける励起子の光学的非線形性と位相緩和

羽豆耕治, 鹿内周, 宗田孝之, 足立智, 秩父重英, 向井孝志

日本分光学会講演要旨集　2001/05/10
RF‐MBE法による立方晶InGaN/GaN多重量子井戸構造の光学特性の構造依存性

鈴木祥仁, 北村寿朗, SHEN X. Q, 石田夕起, 中西久幸, 秩父重英, 奥村元

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
タンデムファブリ‐ペローを用いたAlNのブリルアン散乱

山口雅史, 八木駿郎, 古賀雄大, 中村厚, 宗田孝之, 秩父重英, 浅井圭一郎, 中村幸則, 柴田智彦, 田中光浩

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
AlNのラマン及び赤外活性フォノンの観察 II

紺野泰正, 古賀雄大, 中村厚, 宗田孝之, 秩父重英, 浅井圭一郎, 中村幸則, 柴田智彦, 田中光浩

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
カルコパイライト型半導体AgGa_xIn_1-xS₂の結晶成長と評価

吉野賢二, 梅田研太, 小牧弘典, 碇哲雄, 秩父重英, 中村元宣, 大挟正寛, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
InGaNにおける励起子の局在化(1)―圧電効果の小さい量子井戸―

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
Cu(Al,Ga)(S,Se)₂のバンド不連続量の見積もり

杉山睦, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
[100]配向高品質β‐FeSi₂連続膜の吸収特性

高倉健一郎, 広井典良, 末益崇, 秩父重英, 長谷川文夫

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
陽電子消滅によるGaNの評価(II)―Polarity制御GaN

上殿明良, 秩父重英, CHEN Z. Q, 角谷正友, 鈴木良一, 大平俊行, 三角智久, 向井孝志, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
InGaNにおける励起子の局在化(2)―圧電効果の無い立方晶InGaN薄膜―

杉山睦, 黒田剛正, 北村寿朗, 山本貴史, 出口隆弘, 中西久幸, 石田夕起, 奥村元, 竹内淳, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
RF‐MBE法によるAlNバッファを用いた立方晶GaNの作製と電気的特性

北村寿朗, 鈴木祥仁, SHEN X. Q, 石田夕起, 中西久幸, 秩父重英, 奥村元

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
陽電子消滅によるGaNの評価(I)―アンドープ,Si,MgドープGaN

上殿明良, 秩父重英, CHEN Z. Q, 角谷正友, 鈴木良一, 大平俊行, 三角智久, 向井孝志, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
β‐FeSi₂半導体の高圧下における光吸収特性 II

寺西良太, 老沼純, 森嘉久, 財部健一, 末益崇, 長谷川文夫, 秩父重英

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
アンモニアMBE法におけるGaN膜の結晶性の向上

大来英之, 嶋田雄二, 鈴木晃, 清水三聡, 中西久幸, 秩父重英, 奥村元

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
GaNにおける励起子の位相破壊時間の温度依存性

羽豆耕治, 鹿内周, 宗田孝之, 足立智, 秩父重英, 向井孝志, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
電流変調法によるInGaN単一量子井戸青/緑色発光ダイオードの評価

小豆畑敬, 本間健史, 秩父重英, 宗田孝之, 向井孝志, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
GaNにおける縮退四光波混合シグナルの励起波長依存性

羽豆耕治, 鹿内周, 宗田孝之, 足立智, 秩父重英, 向井孝志, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28
Optical absorption of .BETA.-FeSi2 under high pressure.

寺西良太, 老沼純, 森嘉久, 財部健一, 末益崇, 長谷川文夫, 秩父重英

高圧討論会講演要旨集　2000/10/20
Ga過剰条件MBE成長CuGaSe₂エピタキシャル薄膜の酸素アニール効果

西尾明彦, 山田昭政, 仁木栄, FONS Paul, 大柳宏之, 中西久幸, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2000/09/03
GaNのATRスペクトル

鳥井康介, 臼倉奈留, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2000/09/03
Polarity制御GaN薄膜の光学的特性

瀬戸口晶子, 吉村克彦, 角谷正友, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2000/09/03
Si基板上のZnS薄膜の高温成長と酸化による特性変化考察

YOO Y. Z, 知京豊裕, 福村知昭, JIN Z. W, 瀬戸口晶子, 秩父重英, 川崎雅司, 鯉沼秀臣

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2000/09/03
CAICISSによる3元混晶In_xGA_1-xN SQWsの構造解析

角谷正友, 水野敬介, 古澤光康, 吉本護, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2000/09/03
InGaN/AlGaN単一量子井戸紫外発光ダイオードの分光学的評価(1)

出口隆弘, 鳥井康介, 島田和宏, 宗田孝之, 松尾隆二, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2000/03/28
R面サファイア上A面AlNエピタキシャル膜のX線解析

中村厚, 松尾隆二, 宗田孝之, 秩父重英, 浅井圭一郎, 中村幸則, 柴田智彦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2000/03/28
AlNのラマン及び赤外活性フォノンの観察

古賀雄大, 小野将之, 鳥井康介, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 浅井圭一郎, 中村幸則, 柴田智彦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2000/03/28
InGaN/AlGaN単一量子井戸紫外発光ダイオードの分光学的評価(2)

瀬戸口晶子, 和田一実, 仲井陸郎, 鳥井康介, 出口隆弘, 中西久幸, 秩父重英, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2000/03/28
GaN単一量子井戸による光励起による内部電場遮蔽のダイナミクス

鹿内周, 羽豆耕治, 出口隆弘, 黒田剛正, 竹内淳, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999/09/01
Si添加InGaNにおけるキャリア緩和の温度依存性

鹿内周, 羽豆耕治, 黒田剛正, 竹内淳, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999/09/01
CuInSe₂薄膜における成長その場Se空孔制御

内野学, 仁木栄, FONS P J, 山田昭政, 大柳宏之, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999/09/01
無添加,およびSi添加InGaNにおける吸収飽和

鹿内周, 羽豆耕治, 黒田剛正, 竹内淳, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999/09/01
LEO成長GaN基板のフォトリフレクタンススペクトル

秩父重英, 鳥井康介, 出口隆弘, 瀬戸口晶子, 仲井陸郎, 杉山睦, 中西久幸, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999/09/01
GaN/AlGaN単一量子井戸における量子閉じ込めシュタルク効果

出口隆弘, 山本政, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
RF MBEによるInGaN三元混晶成長

CHO S H, 奥村元, 江井智康, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
GaN基板の光学フォノン II

小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
MBE成長CuGaSe₂/GaAsの輸送特性とその評価における障害

山田昭政, 小田島大介, FONS P, 仁木栄, 大柳宏之, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
LEO‐GaN上に成長したGaN単膜,InGaN量子井戸の光学的特性

瀬戸口晶子, 秩父重英, MARCHAND H, MINSKY M, DENBAARS S, ROSNER J, 出口隆弘, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
Si添加障壁層を有するInGaN量子井戸の光学的特性

杉山陸, 秩父重英, MINSKY M, ABARE A, MACK M, DENBAARS S, 出口隆弘, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
CuIn₃Se₅薄膜における禁制帯幅の組成依存性

水谷勤, 杉山睦, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
InGaN量子井戸における電界効果とエネルギーギャップ不均一性

秩父重英, 和田一実, ABARE A, MINSKY M, DENBAARS S, 出口隆弘, 鳥井康介, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
AgIn(S_ySe_1-y)₂の光学特性

杉山睦, 曽雌孝宏, 秩父重英, 中西久幸, 三谷直司, 吉野賢二, 碇哲雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
MBE成長GaNエピ膜の電気的特性に対する窒素フラックス変調操作の効果

高平忍, 秩父重英, 中西久幸, 奥村元, BALAKRISHNAN K

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
CuInSe₂エピタキシャル薄膜の成長温度依存性

藍陽介, 仁木栄, 内野学, FONS P J, LACROIX Y, 山田昭政, 大柳宏之, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
GaNにおけるRashba‐Sheka‐Pikus価電子帯パラメータ

鳥井康介, 出口隆弘, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
CuInSe₂エピタキシャル薄膜におけるCu‐Se異相とアニール効果 (II)

内野学, 仁木栄, 藍陽介, FONS P J, 山田昭政, LACROIX Y, 大柳宏之, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
InGaN/AlGaN単一量子井戸のゲインスペクトロスコピー

出口隆弘, 山本政, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28
h‐GaNのブリルアン散乱 II

山口雅史, 八木駿郎, 出口隆弘, 島田和宏, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二

日本物理学会講演概要集　1998/09/05
Optical phonons in GaN substrates.

小豆畑敬, 小野将之, 利川豪舜, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998/09
Brillouin scattering study on GaN using Tandem Fabry-Perot interferometer. II.

山口雅史, 八木駿郎, 出口隆弘, 島田和宏, 宗田孝之, 鈴木克生, 小豆畑敬, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998/09
In-situ irradiation of radical beams during the MBE growth of CuInSe2.

仁木栄, 内野学, FONS P J, LACROIX Y, 山田昭政, 岩田拡也, 大柳宏之, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998/09
Annealing effects of Cu-Se second phase grown on CuInSe2 epitaxial films.

内野学, 仁木栄, 山田昭政, FONS P J, LACROIX Y, 岩田拡也, 藍陽介, 小田島大介, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998/09
Optical property of GaN substrate. (1).

鳥井康介, 出口隆弘, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998/09
Time-resolved spectroscopy of InGaN. (1).

鹿内周, 秩父重英, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998/03
Vacancy defects and effects of annealing on CuInSe2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy.

仁木栄, 内野学, FONS P, 山田昭政, LACROIX Y, 酒井夏子, 横川晴美, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998/03
Optical properties of InGaN. (8).

出口隆弘, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998/03
Relation between surface reconstruction transitions and As flux intensity for c-GaN surfaces grown under excess As flux.

浜口寛, FEUILLET G, 奥村元, 石田夕起, 秩父重英, 中西久幸, 吉田貞史

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998/03
Optical properties of InGaN. (9).

出口隆弘, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998/03
Optical properties of InGaN. (10).

鳥井康介, 秩父重英, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998/03
Optical properties of InGaN. (7).

出口隆弘, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1997/10
Optical absorption spectra of CuGaSe2 thin-films grown by MBD method.

内野学, 新谷英史, 水谷勤, 秩父重英, 中西久幸, 仁木栄, FONS P J, 山田昭政

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1997/10
Two-phonon absorption spectra and lattice dynamics in CuAlSe2.

渡辺宗久, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 鈴木克生

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1997/10
Optical properties of InGaN. (6).

出口隆弘, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 有田正樹, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1997/10
Growth of c-GaN using As surfactant effect.

浜口寛, 多田健司, BALAKRISHNAN K, 奥村元, 秩父重英, 中西久幸, 吉田貞史

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1997/10
Lattice dynamics in CuAlSe2.

渡辺宗久, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 鈴木克生

日本物理学会講演概要集(分科会)　1997/09
Optical properties of h-GaN/Sapphire grown by MOCVD. VIII. Time-resolved spectroscopy. (1).

出口隆弘, 小豆畑敬, 宗田孝之, 秩父重英, 猿倉信彦, 大竹秀幸, 山中孝弥, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997/03
Optical properties of InGaN. (5).

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997/03
Room-temperature near-band-edge PL from CuInSe2 heteroepitaxial layers grown by MOVPE.

水谷勤, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997/03
Localisation of excitons in InGaN quantum well structures.

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997/03
Urbach's tails of widegap compound semiconductors. (1). h-GaN.

水谷勤, 塩田剛史, 秩父重英, 中西久幸, 出口隆弘, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997/03
Photoreflectance and photoluminescence spectra of tensile-strained h-GaN.

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 天野浩, 赤崎勇

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997/03
Growth of high quality cubic GaN and AlGaN epilayers by RF-MBE.

白井啓一, 浜口寛, 太田一生, BALAKRISHNAN K, 奥村元, 秩父重英, 中西久幸, 石田夕起, 吉田貞史

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997/03
CuInSe2 thin films grown by alternate deposition method.

八巻譲, 塩田剛史, 秩父重英, 入江泰三, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997/03
Function layers of CIS system thin film solar cells grown by helicon wave plasma sputtering. (II). ZnO:Al.

八巻譲, 山谷一史, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997/03
Arsenic surfactant effect for the growth of GaN.

浜口寛, 太田一生, BALAKRISHNAN K, 奥村元, 秩父重英, 中西久幸, 吉田貞史

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997/03
Initial Stage of Hexagonal GaN Growth on Sapphire by RF-MBE.

八百枝徹, BALAKRISHNAN K, 奥村元, 秩父重英, 中西久幸, 吉田貞史

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997/03
Optical properties of h-GaN/sapphire grown by MOCVD: VII. Absorption spectroscopy. (2).

出口隆弘, 小豆畑敬, 秩父重英, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
Surface reconstruction of cubic GaN on 3C-SiC.

浜口寛, FEUILLET G, 奥村元, 秩父重英, 中西久幸, 吉田貞史

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
Optical properties of InGaN. (2).

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
Photoreflectance and photoluminescence spectra of cubic and hexagonal GaN.

秩父重英, 奥村元, FEUILLET G, 浜口寛, 中村修二, 吉田貞史

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
Attempt to grow functional layers of CIS system thin film solar cells using helicon wave plasma.

山谷一史, 塩田剛史, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
Optical properties of InGaN. (3).

筒井宏次, 小豆畑敬, 秩父重英, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
Electroreflectance in CuInSe2 Single Crystals.

白方祥, 秩父重英, 中西久幸, 磯村滋宏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
Optical properties of InGaN. (4).

五十嵐隆史, 小豆畑敬, 秩父重英, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
Growth of ZnInGaS4 films by multi-source time-sequential evaporation apparatus.

万場則夫, 塩田剛史, 秩父重英, 入江泰三, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
Lattice strain in MOVPE-grown Cu-III-VI2 epitaxial films.

白方祥, 秩父重英, 磯村滋宏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
MOVPE of I-III-VI2 chalcopyrite semiconductors.

秩父重英, 白方祥, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
Optical properties of InGaN. (1).

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
CuInSe2 thin films grown using multi-source time-sequential evaporation apparatus.

塩田剛史, 万場則夫, 山谷一史, 秩父重英, 入江泰三, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1996/09
A study on absorption spectra of CuInSe2 films.

鹿内周, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中西久幸, FONS P, 山田昭政, 仁木栄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996/03
Exciton energies of CuInSe2 films grown by MBE and MBD.

秩父重英, 仁木栄, 倉藤崇, 芳賀清顕, 山谷一史, FONS P, 山田昭政, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996/03
Photoreflectance spectra of h-GaN grown by MOCVD. (2).

小豆畑敬, 秩父重英, 宗田孝之, 鈴木克生

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996/03
Brillouin Scattering Study of h-GaN using Tandem Fabry--Perot interferometer.

山口雅史, 小豆畑敬, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二, 八木駿郎

日本物理学会講演概要集(年会)　1996/03
Epitaxial growth of CuGaSe2 and CuAlSe2 on the THM-CuGa0.96In0.04Se2 substrated. II. Optical properties.

白方祥, 秩父重英, 三宅秀人, 磯村滋宏, 中西久幸, 杉山耕一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996/03
Characterization of CuInSe2 epitaxial films grown on pseudo lattice-matched substrates.

仁木栄, 倉藤崇, FONS P J, 山田昭政, 牧田雄之助, 秩父重英, 中西久幸, BI W, TU C W

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996/03
Structural analysis of CuInSe2 epitaxial films by means of high power X-ray diffraction.

水谷勤, FONS P, 仁木栄, 秩父重英, 中西久幸, 山田昭政, 牧田雄之助

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996/03
Photoreflectance spectra of h-GaN grown by MOCVD. (1).

秩父重英, 小豆畑敬, 倉又朗人, 堀野和彦, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996/03
Epitaxial growth of CuGaSe2 and CuAlSe2 on the THM-CuGa0.96In0.04Se2 substrates. I. MOCVD.

秩父重英, 白方祥, 三宅秀人, 杉山耕一, 磯村滋宏, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996/03
Brillouin Scattering Study of GaN using Tandem Fabry-Perot interferometer.

山口雅史, 小豆畑敬, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二, 八木駿郎

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996/03
Growth of ZnInGaS4 Single Crystals by Vertical Bridgman Method.

高橋昭, 秩父重英, 高橋正郎, 武井隆太郎, 万場則夫, 入江泰三, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995/08
Optical properties of h-GaN/Sapphire grown by MOCVD: V. Photoluminescence Spectroscopy.

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995/08
Urbach's tails in the absorption spectra of CuInSe2 single crystals.

塩田剛史, 石川丈介, 木村宣隆, 山谷一史, 秩父重英, 刈谷哲也, 遠藤三郎, 入江泰三, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995/08
Optical properties of CuInSe2 thin films grown by MBE. (IV).

倉藤崇, 仁木栄, 牧田雄之助, 山田昭政, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995/08
Crystal Growth and Optical Properties of Quaternary wide-gap Compounds.

安藤静敏, 秩父重英, 塚本恒世, 遠藤三郎, 中西久幸, 入江泰三

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995/08
Optical properties of h-GaN/Sapphire grown by MOCVD: VI. Absorption spectroscopy.

小豆畑敬, 古田紀文, 鹿内周, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995/08
Optical absorption of CuInSe2/7059 glass grown by MBE. (II).

石川丈介, 倉藤崇, 芳賀清顕, 牧田雄之助, 仁木栄, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995/08
Melt growth of AgGaS2. (II).

脇山俊士, 松本智, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995/08
Visible and UV photoluminescences from CuAlS2 epilayers.

秩父重英, 小豆畑敬, 白方祥, 芳賀清顕, 宗田孝之, 中西久幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995/08
Growth and properties of CuInSe2 epitaxial films grown on nearly lattice-matched substrates.

仁木栄, 倉藤崇, 山田昭政, 牧田雄之助, 秩父重英, 中西久幸, BI W, TU C W

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995/08
Optical properties of h-GaN/Sapphire grown by MOCVD: IV. Photoreflectance Spectroscopy. (2).

秩父重英, 小豆畑敬, 宗田孝之, 中村修二

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995/08
X-ray Photoelectron Spectroscopy Anarysis of CdS/CdInGaS4.

万場則夫, 秩父重英, 高橋正郎, 高橋昭, 武井隆太郎, 中西久幸, 入江泰三

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1995/08
Optical absorption of CuInSe2/7059glass grown by MBE.

石川丈介, 和田哲也, 倉藤崇, 芳賀清顕, 牧田雄之助, 仁木栄, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995/03
Optical properties of h-GaN/Sapphire grown by MOCVD: I. Raman spectroscopy.

小豆畑敬, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995/03
Optical properties of h-GaN/Sapphire grown by MOCVD: II. Infrared spectroscopy.

松永知道, 小豆畑敬, 宗田孝之, 鈴木克生, 秩父重英, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995/03
Spectroscopic Characterizations of MOCVD-Grown CuGaS2.

白方祥, 秩父重英, 磯村滋宏, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995/03
LP-MOCVD growth of CuAlxGa1-xSe2. (II).

秩父重英, 白方祥, 刈谷哲也, 森貴朗, 原田佳幸, 芳賀清顕, 樋口博文, 中西久幸, 磯村滋宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995/03
PL characterization of CuGaSe2 thin films grown by MBE.

山田昭政, 河合倫大, 神頭卓司, 牧田雄之助, 仁木栄, 小原明, 秩父重英, 中西久幸, 入江泰三

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995/03
Optical Properties of CuInSe2 thin films grown by MBE. (III).

倉藤崇, 仁木栄, 牧田雄之助, 山田昭政, 秩父重英, 中西久幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995/03
Optical properties of h-GaN/Sapphier grown by MOCVD: III. Photoreflectance Spectroscopy.

秩父重英, 宗田孝之, 小豆畑敬, 中村修二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995/03
DOS in p-CuInSe2 Measured by Modulated Photocurrent Method.

塩田剛史, 竹嶋基浩, 秩父重英, 中西久幸, 入江泰三

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1995/03
CuAlSe₂薄膜のEXAFSによる研究

山口博隆, 岡田安正, 秩父重英, 大柳宏之

日本放射光学会年会予稿集　1995/01
Raman scattering in CuAlSe2.

小豆畑敬, 宗田孝之, 鈴木克生, 内田盟, 松本智, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1994/09
Blue Emission of ZnInGaS4 Single Crystals Grown by Iodine CVT.

高橋昭, 高橋正郎, 秩父重英, 湯本久美, 中西久幸, 遠藤三郎, 入江泰三

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1994/09
Lattice dynamics of CuAlS2 and CuAlSe2.

小豆畑敬, 宗転孝之, 鈴木克生, 秩父重英

日本物理学会講演概要集(分科会)　1994/09
Optical properties of CuInSe2 thin films grown by MBE. (II).

倉藤崇, 仁木栄, 中西久幸, 秩父重英, 牧田雄之助, 山田昭政, 小原明

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1994/09
Optical properties of CuGaSe2 Ga-rich thin films grown by MBE.

河合倫大, 山田昭政, 牟田高信, 神頭卓司, 中西久幸, 秩父重英, 牧田雄之助, 入江泰三, 轡田昇

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1994/09
LP-MOCVD growth of CuAlS2.

秩父重英, 白方祥, 内田盟, 原田佳幸, 芳賀清顕, 脇山俊士, 中山憲吾, 樋口博文, 磯村滋宏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1994/09
Dry passivation of GaAs surface using dialkylselenide.

吉田信秀, 秩父重英, 茜俊光, 宇治博史, 戸塚正裕, 内田盟, 松本智, 樋口博文

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1994/03
TEM observation of chalcopyrite semiconductor epilayers.

原田佳幸, 秩父重英, 内田盟, 脇山俊士, 松本智, 樋口博文

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1994/03
Photoluminescences in CuAlSe2 epilayers grown by LP-MOCVD.

秩父重英, 白方祥, 樋口博文, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1994/03
LP-MOCVD growth of CuGaS2.

秩父重英, 白方祥, 内田盟, 原田佳幸, 脇山俊士, 松本智, 樋口博文, 磯村滋宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1994/03
Si1-xGex/Si structures produced by ArF excimer laser mixing.

梅川将, 茜俊光, 宇治博史, 秩父重英, 松本智, 樋口博文

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1994/03
Melt growth of AgGaS2.

脇山俊士, 秩父重英, 須藤亮, 内田盟, 原田佳幸, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1994/03
Dry passivation of GaAs surface in H2S gas ambient.

吉田信秀, 秩父重英, 茜俊光, 戸塚正裕, 宇治博史, 樋口博文, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993/09
Photoreflectance Studies in Chalcopyrite Compounds. (IV). Characterization of MOCVD-grown CuAlSe2. (II).

白方祥, 秩父重英, 磯村滋宏, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993/09
Iodine chemical vapor transport of Cu(AlxGa1-x)SSe. (II).

須藤亮, 小川明宏, 秩父重英, 白方祥, 脇山俊士, 松本智, 磯村滋宏, GUPUTA A

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993/09
LP-MOCVD growth of Cu(AlxGa1-x)Se2.

原田佳幸, 秩父重英, 白方祥, 須藤亮, 内田盟, 脇山俊士, 樋口博文, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993/09
LP-MOCVD growth of CuGaSe2.

内田盟, 秩父重英, 白方祥, 須藤亮, 原田佳幸, 脇山俊士, 樋口博文, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993/09
Raman spectra in CuAlSe2 heteroepitaxial layers growth by LP-MOCVD.

秩父重英, 内田盟, 松本智, 鎌田敦之

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993/09
Excimer laser doping of P using tertiarybutylphosphine.

茜俊光, 宇治博史, 梅川将, 秩父重英, 樋口博文, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993/09
Low temperature growth of poly-Si.

宇治博史, 茜俊光, 梅川将, 秩父重英, 樋口博文, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993/09
XPS study of valence band discontinuities at CuGaSe2/CuAlSe2 heterointerface.

須藤亮, 秩父重英, 吉田信秀, 内田盟, 原田佳幸, 樋口博文, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993/09
Photoreflectance and Photoluminescence Studies of CuAl(SySe1-y)2 Alloys.

小川明宏, 須藤亮, 白方祥, 秩父重英, 磯村滋宏, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1993/09
Fabrication of a-SiGe:H,C films using Ge(C2H5)4. (II). Impurity doping.

石原不二夫, 宇治博史, 秩父重英, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1993/03
LP-MOCVD growth of CuAlSe2. (IV). Impurity doping. (1).

秩父重英, 白方祥, 岩井昭佳, 須藤亮, 内田盟, 原田佳幸, 樋口博文, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1993/03
Photoreflectance and Photoluminescence Studies in CuAlxGa1-xSe2.

小川明宏, 須藤亮, 白方祥, 秩父重英, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1993/03
Photoluminescence in MOCVD-grown CuAlSe2 epitaxial layers.

白方祥, 秩父重英, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1993/03
CuAl_xGa_1-xSe₂のフォトリフレクタンスとフォトルミネッセンス

小川明宏, 須藤亮, 白方祥, 秩父重英, 松本智, 磯村滋宏

電気関係学会四国支部連合大会講演論文集　1993
LP-MOCVD growth of CuAlSe2. (II)-Grwoth condition and structual study.

秩父重英, 白方祥, 岩井昭佳, 須藤亮, 内田盟, 原田佳幸, 樋口博文, 松本智, 磯村滋宏

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1992/09
Vapor growth of Cu.

秩父重英, 岩井昭佳, 須藤亮, 内田盟, 原田佳幸, 樋口博文, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1992/09
Photoreflectance Studies in Chalcopyrite Compounds. (III). Characteriztion of MOCVD-Grown CuAlSe2.

白方祥, 秩父重英, 磯村滋宏, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1992/09
LP-MOCVD growth of CuAlSe2. (III)-Electrical and optical properties.

岩井昭佳, 秩父重英, 須藤亮, 内田盟, 原田佳幸, 樋口博文, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1992/09
LP-MOCVD growth of Si-doped GaAs using tertiarybutylarsine and its characterization by a monoenergetic slow positron beam.

秩父重英, WEI L, 岩井昭佳, 中原寧, 樋口博文, 松本智, 谷川庄一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1992/09
As doping of Si by ArF excimer laser irradiation using tertiarybutylarsine.

秩父重英, 二井隆博, 茜俊光, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1992/03
Controling Dopant Concentration Profile in Excimer Laser Doping.

茜俊光, 二井隆博, 秩父重英, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1992/03
LP-MOCVD growth of CuAlSe2.

秩父重英, 岩井昭佳, 中原寧, 松本智, 樋口博文

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1992/03
Growth of Cu(AlxGa1-x)(S0.5Se0.5)2 by iodine chemical vapor transport.

秩父重英, 宍倉正人, 須藤亮, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1992/03
Resistivity Reduction of VB ZnSe by Molten Zn Treatment.

岩井昭佳, 大井鋼一郎, 秩父重英, 松本智, 吉田博昭, 鎌田敦之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1992/03
Heavy Si doping in LP-MOCVD grown GaAs for TMGa:tBAs system.

秩父重英, 岩井昭佳, 松本智, 樋口博文

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1991/10
Properties of CuAl(SxSe1-x)2 systems grown by iodine transport method.

宍倉正人, 須藤亮, 秩父重英, 松本智

応用物理学会学術講演会講演予稿集　1991/10
Outdiffusion of EL2 in thermally annealed LEC GaAs crystals.

緒方順造, 岩井昭佳, 秩父重英, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1991/03
Properties of CuAlSe2 grown by iodine CVT: (2) absorbtion and photoluminescence.

秩父重英, 宍倉正人, 井野淳介, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1991/03
Properties of CuAlSe2 grown by iodine CVT:(1) structure and doping.

秩父重英, 宍倉正人, 井野淳介, 松本智

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1991/03
Low temperature performance of ultra-high speed SA-CM InGaAsP/InP lasers.

秩父重英, 平山雄三, 森永素安, 鈴木信夫

電子情報通信学会全国大会講演論文集　1989/09
GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命

李リヤン,嶋紘平, 山中瑞樹, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

第77回応用物理学会東北支部学術講演会　2022/12/02

More details Close

2pA7-2
Striped and fin-shaped cation orderings and self-formed compositional superlattices in an m-plane Al0.7In0.3N on GaN heterostructure International-presentation

S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, Y. Kangawa

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT2021)　2021/03/01
全方位フォトルミネセンス (ODPL) 分光法を用いた半導体結晶の評価 Invited

小島一信, 秩父重英

The 40th annual NANO testing symposium　2020/11/16

Show all Show first 5

Industrial Property Rights 15

結晶製造用圧力容器

栗本浩平, 包全喜, 植田睦男, 笹川雄二, 森元雅也, 石黒徹, 秩父重英

米国特許第11,746,439B2号

Property Type: Patent

Holder: 株式会社日本製鋼所,国立大学法人東北大学
結晶製造用圧力容器

栗本浩平, 包全喜, 植田睦男, 笹川雄二, 森元雅也, 石黒徹, 秩父重英

中国特許第ZL201880023029.8号

Property Type: Patent

Holder: 株式会社日本製鋼所,国立大学法人東北大学
結晶製造用圧力容器

栗本浩平, 包全喜, 植田睦男, 笹川雄二, 森元雅也, 石黒徹, 秩父重英

特許第6931827号

Property Type: Patent

Holder: 株式会社日本製鋼所,国立大学法人東北大学
中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法

中野孝之, 秩父重英, 小島一信

特許6856214

Property Type: Patent

Holder: 国立大学法人静岡大学、国立大学法人東北大学
二次電池

殿川孝司, 小坂裕, 津國和之, 高野光, 秩父重英, 小島一信

Property Type: Patent
光触媒

板原浩, 今川晴雄, 佐藤次雄, 殷シュウ, 呉暁勇, 秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹

Property Type: Patent
周期表第13族金属窒化物結晶

斉藤真, 包全喜, 石黒徹, 秩父重英

Property Type: Patent
周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法

斉藤真, 包全喜, 石黒徹, 秩父重英

Property Type: Patent
窒化物単結晶の製造方法

石黒徹, 包全喜, 横山千昭, 冨田大輔, 秩父重英, 茅野林造, 植田睦男, 斉藤真, 鏡谷勇二

Property Type: Patent
窒化物単結晶の製造方法

石黒徹, 包全喜, 横山千昭, 冨田大輔, 秩父重英, 茅野林造, 植田睦男, 斉藤真, 鏡谷勇二

特許第6192956号

Property Type: Patent
窒化物単結晶の製造方法

石黒徹, 包全喜, 横山千昭, 冨田大輔, 秩父重英, 茅野林造, 植田睦男, 斉藤真, 鏡谷勇二

Property Type: Patent
トランジスタ用半導体基板、トランジスタ及びトランジスタ用半導体基板の製造方法

秦雅彦, 佐沢洋幸, 秩父重英, 島田和宏

Property Type: Patent
トランジスタ用半導体基板、トランジスタ及びトランジスタ用半導体基板の製造方法

秦雅彦, 佐沢洋幸, 秩父重英, 島田和宏

特許第6001345号

Property Type: Patent
積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子

秩父重英, 羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和

特許第5661509号

Property Type: Patent
窒化物半導体紫外線発光素子

平野光, 長澤陽祐, 秩父重英, 小島一信

特許6391207

Property Type: Patent

Show all Show first 5

Research Projects 24

Top-down fabrication of semiconductor microcavities and their application to ultraviolet polariton lasers

K. Shima, S. F. Chichibu

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: Tohoku University

2025/04 - 2028/03
グラファイト型層状窒化ホウ素の気相合成と光電子素子材料としての物性解明

秩父重英, 嶋紘平

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 挑戦的研究(萌芽)

Institution: 東北大学

2023/06/30 - 2025/03/31
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御

秩父重英, 嶋紘平

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 基盤研究(B)

Institution: 東北大学

2022/04/01 - 2025/03/31
A study of the activation mechanism of implanted impurities and control of point defect in group III nitride

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: University of Tsukuba

2021/04/01 - 2025/03/31
A study of the activation mechanism of implanted impurities and control of point defect in group III nitrides

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: University of Tsukuba

2021/04/01 - 2025/03/31
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御

S. F. Chichibu, K. Shima

2022/04 - 2025/03
六方晶窒化ボロン半導体の直接遷移型化と深紫外励起子発光ダイナミクスの研究

秩父重英, 原和彦, 小島一信, 嶋紘平

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 挑戦的研究(萌芽)

Institution: 東北大学

2020/07/30 - 2023/03/31

More details Close

六方晶層状窒化ボロン(hBN)は禁制帯幅約6eVの超広禁制帯幅(UWBG)半導体であり、間接遷移型半導体ながら230 nm以下の発光を呈すため深紫外(DUV)光源用材料として期待できる。ごく最近単一原子層六方晶BN（mBN）やBernal型層状BN(bBN)の禁制帯が直接遷移型となる事が報告されたが、検証する基礎研究が必要である。しかしながらUWBG半導体のパルス励起は困難であり発光ダイナミクス研究自体が極めて少ない。本研究の目的は、mBNやbBNの発光機構を明らかにすることである。 2021年度は以下の項目を実施した。 (1)原料ガスのNH3およびBCl3を反応管に導入するタイミングがhBN薄膜の形成に大きな影響を与えることを明らかにした。特に、同時供給の場合に結晶性、発光特性ともに大幅に改善されることがわかった。一方、 NH3先行供給は成長を阻害した。また、金属初期層による成長モードの制御も試み、Ni層上では、(i)凝集したNi粒上で横方向成長、(ii) 粒周囲で粒に沿った成長、および(iii) 粒と粒の間で柱状成長の、3つの異なる機構で成長していることがわかった。次年度は、これらの結果を活用し、layer by layer 成長に適した基板表面上においてNiを成長核としたmBNの作製を目指す。 (2)発光機構解明に用いるフェムト秒パルスDUVレーザの光学部品を刷新して高出力化と安定化を行い、hBNの時間分解フォトルミネッセンス測定を7～300 Kで実施して励起子発光ダイナミクスの温度依存性を取得した。 (3)フェムト秒パルス電子線を用いる時間分解カソードルミネッセンス（CL）計測の予備実験として連続電子線による広域CL測定を実施した。1μm厚のBN薄膜に加え、従来6層以下では計測が困難であったmBNのCL測定を実現した。 (4)フェムト秒パルス電子線を集束して用いる時間・空間同時分解蛍光計測系に電子線減速機構を付加して低加速電圧計測系を立ち上げ、hBN薄膜の空間分解CL測定を行った。
Synthesis of high quality single crystals for sience of Boron Nitride

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Institution: National Institute for Materials Science

2020/04/01 - 2023/03/31
LED-based optical wireless communications in the solar-blind band

Yoshinari Awaji

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: National Institute of Information and Communications Technology

2019/04/01 - 2022/03/31

More details Close

Light in the deep ultraviolet (DUV) wavelength regime, with wavelengths below 280 nm, is known as the solar blind band, which is not affected by sunlight on the earth's surface. The solar-blind band is expected to allow high-speed optical wireless communications (OWC) even outdoors during the daytime. However, due to the lack of viable light sources, the achievable data rate in previous studies on DUV-OWC was only a few Mbps and did not meet the requirements for 5G and beyond. In this work, we have investigated a high-speed OWC system using AlGaN-based DUV LEDs, which have recently been developed for sterilization, measurement, and resin carving. We achieved >1 Gbps transmission outdoors under direct sunlight and revealed the unique emission mechanism of AlGaN LEDs that enables high-speed modulation. Furthermore, a Gbps-class wide-field-of-view solar-blind wavelength division multiplexing transmission was demonstrated experimentally.
Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on singularity crystals

Chichibu Shigefusa

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)

Institution: Tohoku University

2016/06/30 - 2021/03/31

More details Close

Singular structures containing imperfections and/or inhomogeneity form heterostructures with the bulk and the surface. In order to probe local luminescence dynamics in such singularities embedded in wide bandgap semiconductors (WBGSs), spatio-time-resolved cathodoluminescence (STRCL), which uses a femtosecond-laser-driven pulsed photoelectron gun instead of cw electron gun of spatially resolved cathodoluminescence (CL) equipped on scanning electron microscopy (SEM), is an attractive tool. In this work, technical advantages were offered on the spatial and temporal resolutions of our STRCL system, and then local luminescence dynamics in designed, self-formed, and accidentally formed WBGS singularity structures fabricated by other research groups within this academic area such as GaN, InGaN, AlInN, AlN, and BN were successfully characterized.
Developement and application of spatio-time-resolved cathodoluminescence for wide bandgap nanostructures

Chichibu Shigefusa

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: Tohoku University

2017/04/01 - 2020/03/31

More details Close

Spatio-time-resolved cathodoluminescence (STRCL), which uses a femtosecond-laser-driven pulsed photoelectron gun instead of the cw electron gun of spatially resolved cathodoluminescence (CL) combined with scanning electron microscopy (SEM), is an attractive tool for probing local luminescence dynamics in quantum structures and nanostructures of wide-bandgap (WBG) semiconductors. As STRCL is based on SEM, multiscale characterization of a structure with high spatial definition is possible, and the use of pulsed electron-beams allows the sub-picosecond excitation of any WBG semiconductor. In this work, we improved the spatial resolution by introducing a high efficiency photoelectron source made of Au and adding a retarding sysytem around the sample stage. Also we improved the sensitivity and temporal resolution of the detection system. Then we characterized WBG semiconductors such as AlN, AlGaN, AlInN, BN, ZnO to clarify their emission mechanisms.
Luminescence dynamics of BN exhibiting large excitonic effects in the deep ultraviolet wavelength region

Chichibu Shigefusa

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Institution: Tohoku University

2016/04/01 - 2018/03/31

More details Close

To cope with the water shortage problem and to downsize a variety of photo-excitation sources, there has been a strong demand to realize low-cost solid-state deep-ultraviolet (DUV) light emitters. Since hexagonal boron nitride (h-BN) exhibits DUV lights at approximately 215-240 nm and is predicted to show strong excitonic effects in its optical spectra, h-BN is one of the promising semiconductors of DUV and UV light emitters. In this research project, radiative and nonradiative recombination dynamics of excitons of h-BN microcrystals (MCs) and epilayers in the DUV wavelength region were investigated by using our unique spatio-time-resolved cathodoluminescence (STRCL) equipment. The h-BN samples exhibited distinct DUV luminescence peaks although the spectral features indicated an indirect bandgap nature of h-BN. The result indicates a strong interaction between the indirect excitons and phonons due to the excitonic effect.
Realization of high-power and high-efficiency light-emitting devices based on AlInN

Kojima Kazunobu

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Institution: Tohoku University

2015/04/01 - 2017/03/31

More details Close

Structural and optical characterization were performed for thin m-plane AlInN epitaxial nanostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Crystal qualities of AlInN were remarkably improved via coherent growth on a low defect density m-plane freestanding GaN substrate prepared by hydride vapor phase epitaxy. All the epilayers unexceptionally suffer from uniaxial or biaxial anisotropic in-plane stress. However, full-width at half-maximum values of the x-ray x-rocking curves were nearly unchanged as the underlayer values being 80 ~ 150 arcsec. Applying the m-plane AlInN epitaxial nanostructures, planar vacuum fluorescent display devices emitting polarized DUV, blue, and green light were demonstrated.
Helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of polariton laser structures for room temperature operation

CHICHIBU Shigefusa, SOTA Takayuki, UEDONO Akira, HAZU Kouji, FURUSAWA Kentaro

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Institution: Tohoku University

2010/04/01 - 2014/03/31

More details Close

A cavity-coupled exciton-polariton laser, namely cavity-polariton laser, has been attracting attention as a new generation low-threshold current density coherent light source composed of a semiconductor microcavity. In the present research, a microcavity composed of a ZnO active region sandwiched by pairwise distributed Bragg reflectors (DBRs) that most likely operates at room temperature was fabricated using a uniquely designed Helicon-Wave-Excited Plasma Sputtering (HWPS) method, which enables to grow high quality epitaxial semiconductor films. We eventually observed an enhanced emission peak at around 3.25 eV, which originates from an exciton-polariton emission coupled with a cavity mode. We therefore conclude that a way to fabricate new functional quantum heterostructures and to characterize them was cut open using the growth, fabrication, and characterization methods developed by this research project.
Development of a spatio-time-resolved cathodoluminescence spectroscopy technique applicable for wide bandgap semiconductors through the generation and focusing of high-brightness femtosecond pulsed photoelectron beams

CHICHIBU Shigefusa, HAZU Kouji

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Institution: Tohoku University

2011 - 2012

More details Close

To probe local carrier dynamics in wide bandgap semiconductors such as AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys, the use of spatio-time-resolved cathodoluminescence (STRCL) technique offering high spatial and temporal resolutions is preferred, becauseelectron beams can be focused and implanted into sub-micrometer to nanometer regions of interest. In this study, we succeeded in developing a novel front-excitation type high-brightness pulsed photoelectron (PE)- gun driven by femtosecond laser pulses, and the STRCL measurement system equipped with this PE-gun was used to measure the local emission dynamics in GaN, AlN, and high AlN mole fraction AlGaN alloys.
Study of point defects and light-emitting dynamics in group-III nitride semiconductors

UEDONO Akira, CHICHIBU Shigefusa, OSHIYAMA Atsushi, UCHIDA Kazuyuki, SHIRAISHI Kenji

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

Institution: University of Tsukuba

2006 - 2010

More details Close

We studied relationships between nonradiative recombination lifetimes and point defects in (AlGaIn)N by means of positron annihilation and time-resolved photoluminescence techniques ; such recombination centers govern optical properties of the materials. We also used the first-principle calculation to study configuration and electric properties of point defects and band structures at the surface and in the interfaces.
Epitaxial growth and fabrication of microcavities by the helicon-wave-excited-plasma sputtering method

CHICHIBU Shigefusa, UEDONO Akira, SOTA Takayuki, SUGIYAMA Mutsumi

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: Tohoku University

2007 - 2009

More details Close

A cavity polariton laser is attracting attention as a new generation coherent light source composed of a semiconductor microcavity. In the present research, epitaxial growth of single crystalline ZnO and MgZnO films exhibiting atomically flat surfaces and abrupt heterointerfaces was carried out using an uniquely designed 'helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy (HWPSE)' method, in order to assess if ZnO microcavities can be prepared by the method. The epilayer properties resemble those of the films grown using conventional advanced epitaxial growth methods such as molecular beam epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy. In addition, anatase phase Nb-doped TiO_2 films, a new transparent conducting oxide having the refractive index close to GaN, were epitaxially grown. The findings that those new functional semiconductor epilayers can be grown by the inexpensive HWPSE method may cut open the way to fabricate semiconductor heterostructure quantum devices at a low price.
Development of oxide semiconductor and dielectric electronics using helicon-wave-excited-plasma sputtering methods

CHICHIBU Shigefusa, UEDONO Akira, SUEMASU Takashi

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: University of Tsukuba

2004 - 2006

More details Close

To progress 'Oxide Optoelectronics' using the helicon-wave-excited-plasma sputtering (HWPS) method, deposition of polycrystalline thin films, epitaxial growth of semiconductors, deposition of multilayer structures of dielectric materials, and metal oxides were carried out. Significant results are following. i) Effectiveness of the high-temperature-annealed self-buffer layer (HITAB) on the heteroepitaxy of ZnO and MgZnO was investigated for the epitaxial growth using HWPS method, namely HWPSE. Atomically flat HITAB was obtained by depositing 100-nm-thick films of ZnO or MgZnO at 500-600 ℃ followed by high-temperature annealing at 900-1000 ℃ for 1 hr. The ZnO epilayers grown on ZnO HITAB prepared on a-plane Al_2O_3 substrates exhibited a free-excitonic photoluminescence (PL) peak at low temperature, and the PL spectra at 300 K were dominated by the near-band-edge excitonic emissions. ii) As transparent conducting oxide (TCO) films for photovoltaic (PV) applications, indium tin oxide (ITO) as well as polycrystalline ZnO doped by Al or Ga were deposited by the HWPS method. The electron concentration of Ga-doped ZnO (ZnO : Ga) films was as high as 10_<20> cm_<-3>. For the light absorbing layers, good quality Cu (Ga_xIn_<1-x>)Se_2 films were prepared by the selenization technique using metalorganic sources. iii) Distributed Bragg reflectors (DBRs) composed of 8-pair SiO_2/ZrO_2 dielectric multilayers, of which central wavelength was tuned at B-exciton resonance wavelength of ZnO (366.5 nm), were fabricated using the reactive HWPS (R-HWPS) method. The reflectivity at 366. 5 nm was higher than 99. 5% and the stop-band width (R【greater than or equal】95%) was as large as 82 nm. iv) Delafossite structure CuAlO_2 films, which are expected to be p-type TCO films, were deposited by HWPS using Cu and Al metal targets, as well as by R-HWPS method using CuAlO_2 sintered target. Although low resistivity films are not yet obtained, delafossite structure was confirmed.
酸化亜鉛系半導体を用いた室温動作励起子ポラリトンレーザ実現に関する基礎研究

秩父重英

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 萌芽研究

Institution: 筑波大学

2003 - 2004

More details Close

本研究は、励起子束縛エネルギーの大きい酸化亜鉛(ZnO)の優れた材料的特長をデバイスに抽出して生かすべく、励起子共鳴波長程度のZnO単結晶薄膜を対向する反射鏡で挟み込むことにより微小共振器を形成し、励起子と電磁波の連成波(励起子ポラリトン)を共振器モードに結合させることによって、室温において共振器結合励起子ポラリトンを形成することを最終目標として行った。2年間で得られた成果のハイライトは以下の点である。 1)申請者が独自に開発した「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(HWPSE)法」を用い、a面サファイヤ上へのZnOおよびMg_<0.06>Zn_<0.94>O混晶のエピタキシャル成長に成功した。また、プラズマ分光測定を通じ、MgZnO薄膜形成中にZnおよびMg原子からの強い発光が観測される事を見出した。従って、成長にはターゲットから飛び出すZn-O分子やMg-O分子だけでなく、カチオン原子が寄与している事を明らかにした。 2)微小共振器の構成部品となるSiO_2/ZrO_2誘電体多層膜および、MgZnO/ZnOとAIN/GaNの半導体多層膜の設計を、分布ブラッグ反射鏡の反射率計算から行った。その結果、誘電体多層膜では屈折率差が大きく取れることから、膜厚誤差ほぼ3nm以内で62.0nm/42.7nmの周期構造を8周期形成することにより99%の反射率が得られるが、半導体多層膜では同等の膜厚比で40周期程度堆積する必要がある事がわかった。この計算をもとに、実際に電子ビーム蒸着法と、HWPS法の2通りの方法でSiO_2/ZrO_2誘電体多層膜反射鏡の形成実験を行った。その結果、特にHWPS法を用いた場合に、表面の平均二乗粗さが0.2nm程度のSiO2やZrO2堆積できることが明らかになった。ブラッグ反射鏡としてはレコード級の平坦さである。 3)HWPSE法以外の成長法(レーザMBE法やMBE法)により成長されたZnO薄膜結晶を用い、励起子と電磁波の連成波の観測実験を行った。その結果、薄膜試料であってもi)高温成長による低Zn空孔密度化、ii)高温アニールによる低格子間欠陥密度化を行うことによって高次励起子や励起子ポラリトンが観測できることを示した。以上のように、萌芽的内容であり実現の可能性が未知数であった酸化亜鉛の励起子ポラリトン形成に関して、有用な知見を与えられたと考えている。
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法の提案と酸化物半導体ナノ構造の形成

秩父重英

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 若手研究(B)

Institution: 筑波大学

2001 - 2002

More details Close

本研究は、独自に開発した「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(HWPSE)法」を用いて新機能性材料として期待される酸化亜鉛(ZnO)単結晶薄膜およびナノ構造を形成し、光エレクトロニクスデバイスへの応用を図ろうとるものである。 HWPSE法は、高密度かつ低エネルギーなヘリコン波励起プラズマ(HWP)をリモートプラスマ源として用いる新しい半導体薄膜形成技術である。しかし、特に化合物半導体ターゲットを用いたHWPスパッタ製膜の報告は現在でもほとんど無く、本手法による薄膜形成プロセスの詳細は明らかになっていなかった。そこで、ZnO薄膜成長中のHWP分光測定を初めて行い、ZnO薄膜形成過程を詳細を調査た・サファイアA面上へのZnO薄膜成長を試みた。ターゲットには無添加ZnO(5N)を用い、スパッタガスとしてAr/O_2混合ガスを導入した。分光の結果、HWP中からはArおよびO原子からの発光の他に、波長320nm付近にZn原子からの強い発光が観測された。同時にZnO分子からの弱い発光も観測した。これはZnO薄膜形成の主なプロセスがMBE法などと同様Zn+O→ZnOの化学反応であることを示すものである。基板温度700℃でサファイアA面上に成長したZnO薄膜は完全c軸配向し、面内においてもa軸がロックされた単一ドメインのエピタキシャル薄膜であった。原子間力顕微鏡による表面観測から、表面には原子レベルで平坦なテラスが特定の方位に幅100nm以上に拡がっており、各々のテラスが段差約3.04nmのステップを持って並ぶ構造であることがわかった。また、室温においてバンド端領域の紫外線発光(半値幅110meV程度)が支配的なPLスペクトルが得られた。バルクZnO結晶を用いて励起子と電磁波の連成波の観測も行なった。今後は超薄膜・テヘロ構造・量子構造の形成を行い、FIB加工によるナノ構造導入を検討する予定である。
STUDY OF POINT DEFECTS IN GaN AND RELATED COMPOUND SEMICONDUCTORS BY MEANS OF POSITRON ANNIHILATION

UEDONO Akira, CHICHIBU Shigefusa, AKIMOTO Katsuhiro

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Institution: UNIVERSITY OF TSUKUBA

2001 - 2002

More details Close

Positron annihilation is an established technique to investigate point defects in materials. We probed defects in Eu-and Tb-doped GaN films grown on sapphire substrates by gas-source molecular beam epitaxy with a monoenergetic positron beam. In both Eu- and Tb-doped samples, we observed vacancy clusters consisting of two or more vacancies. These defects were introduced by replacing Ga with rare-earth elements, and resulting in distortion of the host matrix. We studied the correlation between luminescence originating from the intra-4f-transitions of Eu^<3+> and the crystal quality of GaN film. In film doped at 2-at.% Eu, the mean open volume of the vacancies near the interface between the GaN film and the sapphire substrate was found to be larger than that in the subsurface region. The increase in the open volume of the defects correlated with the lowering coordination symmetry of Eu^<3+> and the increase in the transition rate of its 4f-electrons. Zinc oxide (ZnO) thin films grown on ScAlMgO_4 substrates were also studied. We measured Doppler broadening spectra of annihilation radiation and photoluminescence spectra for the ZnO films deposited by laser molecular-beam epitaxy and single crystal ZnO. Although the lifetime of positrons in single crystal ZnO was close to the lifetime of positrons annihilated from the free state, the diffusion length of positrons was shorter than that for typical defect-free materials. We attribute this to the scattering of positrons by native defects. For the ZnO films, we observed a correlation between the defects and the lifetime of bound exciton emissions τ_<Ex> ; the main defect species detected by positron annihilation was Zn vacancies or other related defects. Isochronal annealing at 750-850℃ was found to introduce additional vacancy-type defects into the film, although the value of τ_<Ex> was scarcely changed by the annealing.
Investigation of a solar battery using the environmentally friendly semiconductor : beta-FeSi_2

HASEGAWA Fumio, SUEMASU Takashi, CHICHIBU Shigefusa

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: University of Tsukuba

2000 - 2002

More details Close

Solar batteries are usually made of amorphous Si or poly-Si, but the conversion efficiency is limited. One of the reason is low absorption coefficient of Si. CuInSe2/CdS can give a higher efficiency by a deposited poly-crystalline, but it contains toxic Se and Cd. The purpose of this project is to investigate an environmentally friendly semiconductor with high absorption coefficient, therefore, high efficiency with a thin film. One of the candidate was a semiconducting silicide ; beta-FeSi_2, but there had been no report on a high quality thin film and details of the band structure had not also been clear. We succeeded to grow a high quality beta-FeSi_2 film by multi-layer method and MBE growth, which could give a higher carrier mobility of one order of magnitude than those reported so far. The absorption coefficient was proved to be as high as 10^5/cm. Energy band structure was also made clear: indirect band gap of 0.81eV and direct band gap of 0.97eV. It was found that conduction type was controlled by the depositing Si/Fe ratio. Band gap of 0.81eV is, however, too small to give a high efficiency as a solar battery by itself. Therefore, another semiconducting silicide with a wider band gap was searched. BaSi_2 was another candidate because it was reported that the band gap was either 1.3eV or 0.7eV. Firstly, we investigated poly-crystalline BaSi_2 and found it has an indirect band gap of 1.1eV and direct band gap of 1.25eV, a little bit wider than beta-FeSi_2. We tried to grow BaSi_2 thin film on Si (111) by a MBE method and succeeded to get a high quality thin film for the first time. Solar battery characteristics has not been clarified yet, but these results could indicate that semiconducting silicide is a good candidate of environmentally friendly solar battery materials.
窒化物半導体量子井戸構造の光学遷移過程における励起子局在効果の研究

秩父重英

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 奨励研究(A)

Institution: 筑波大学

1999 - 2000

More details Close

1.有機金属化学気相エピタキシー(MOVPE)および分子線エピタキシー(MBE)法による立方晶InGaN成長 MBEではRFプラズマ源を用いて3C-SiC/Si基板上に立方晶GaNを成長させ、それをバッファとして立方晶InGaN及びInGaN/GaN量子井戸構造を成長した。MOVPE装置の立ち上げ作業も終焉を迎えた。得られたInGaN膜および量子井戸は下地のGaNのコヒーレントに成長していることが確認され、歪InGaN層のInNモル分率は最大20%近くまでを制御して成長できた。しかしながら組成の不均一性は大きかった。フォトルミネッセンス(PL)発光スペクトルは、InNモル分率の増加に伴ない紫外域から純青・緑色領域を越して黄緑色程度まで及んだ。 2.フォトルミネッセンス・フォトリフレクタンス・時間分解フォトルミネッセンス等の光学的物性評価 PLスペクトルとPL励起スペクトルから、InNモル分率の増加に伴ない有効バンドギャップ不均一性も増大することが確認された。そのストークスシフト量は六方晶のそれに匹敵ないしはそれより大きい。立方晶構造では六方晶構造で問題とされる圧電電場による電子-正孔の波動関数の重なりの減少は無い。したがって、これらの結果から励起子が局在している事が伺える。時間分解PL測定からも、強い局在を示す、検出波長の増加にともなう再結合寿命の増加が見られた。立方晶材料六方晶材料に比べ非発光再結合が強いが、温度の増加にともなう非発光再結合寿命の減少自体は顕著ではなかった。六方晶InGaN量子井戸において空間分解カソードルミネッセンス測定から数十nm以下のスケールでの組成変調が認められており、拡散長を短くしてキャリアを局在させ、発光効率の増大に寄与したものと考えている。バルクInGaNでも量子井戸でも局在は観測されており、励起子の局在はInGaN材料におけるユニバーサルな現象といえる。
MOCVD成長高品質銅カルコパイライト半導体エピタキシャル層の発光素子化検討

秩父重英

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 奨励研究(A)

Institution: 東京理科大学

1995 - 1995

More details Close

1.CuAl_xGa_<1-x>Se_2の混晶組成制御 CuAl_xGa_<1-x>Se_2は赤〜青色までの可視光領域に相当する禁制帯幅を持つ混晶である。本研究では減圧MOCVD法を用いて高品質なエピ成長ができた。固相Al組成xは気相へ供給したAl原料とGa原料のAlモル比と一致(分配係数は1)した。混晶層は終端化合物同様、基板との格子整合性の関数からGaAs上にはc軸配向エピ成長しGaP上にはa軸配向し面内でc軸が交差するドメイン成長した。エピ層の表面荒さは2〜3nm程度であった。エピ層の励起子エネルギをフォトリフレクタンス(PR)測定で求めたところ、混晶全域で結晶場分裂がバルク結晶のそれより大きくスピン軌道分裂は同程度であった。この結果はエピ層が基板-エピ層間の熱膨張係数差によって熱歪を受けている事で説明できた。エピ層の低温フォトルミネッセンス(PL)スペクトルはバンド端に関与する発光が支配的であり、x増加に従い赤〜青紫と変化し可視領域発光を1つの混晶材料で実現できた。 2.CuGaS_2,CuAlS_2の成長と金属-半導体接触の検討両化合物において室温でバンド端発光が支配的なエピ層を成長できた。c軸の1/2よりa軸長の方がGaAs,GaPの格子定数に近いためいずれの基板にもc軸配向エピ成長した。格子不整合はGaP基板の方が小さいが成長層の特性はGaAs上の方が優れていた。エピ層諸特性に対して格子定数だけでなく熱膨張係数整合が重要であることがわかった。CuGaS_2とGaAs間の価電子帯不連続量を評価し、CuGaS_2/CuGaSe_2に転写したCuGaSe2中にキャリアを閉じこめられる可能性があることがわかった。さらなる結晶性改善により光、キャリア閉じこめ検討を行う予定である。

Show all Show first 5

Teaching Experience 4

光エレクトロニクス　東北大学
Optoelectronis Semiconductors　University of Tsukuba
電子回路　筑波大学
電磁気学　東京理科大学

Works 1

科技機構創造科学技術推進事業中村不均一結晶プロジェクト

2001 -

Academic Activities 1

CSW 2022 ショート速報 [化合物半導体材料･物性･デバイス]

2022/07 -

Activity type: Academic research