研究者詳細

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タン　ジンミン
Tang Jingmin
Tang Jingmin
所属
国際放射光イノベーション・スマート研究センター　基幹研究部門　界面計測スマートラボ
職名
助教
学位

  • 博士（工学）（九州大学）

  • 修士（理学）（広島大学）

経歴 3

  • 2024年10月 ～ 継続中
    東北大学

  • 2023年4月 ～ 2025年3月
    東京大学

  • 2019年10月 ～ 2023年3月
    物質・材料研究機構

学歴 2

  • 九州大学　大学院工学研究院

    2019年10月 ～ 2023年3月

  • 広島大学　理学部

    2016年10月 ～ 2018年9月

研究分野 2

  • エネルギー / 量子ビーム科学 /

  • 自然科学一般 / 生物物理、化学物理、ソフトマターの物理 /

論文 11

  1. Non-uniform interval-pulse X-ray photon correlation spectroscopy for reduced exposure

    Taiki Hoshino, Jingmin Tang

    Journal of Synchrotron Radiation　33　(2)　2026年2月18日

    出版者・発行元： International Union of Crystallography (IUCr)

    DOI： 10.1107/s160057752600038x 　

    eISSN：1600-5775

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    X-ray photon correlation spectroscopy (XPCS) is a powerful technique for evaluating microscopic dynamics using coherent X-rays. Detecting fast or small-scale dynamics typically requires strong illumination and wide-angle scattering detection; however, such conditions can cause non-negligible sample damage. This study presents a non-uniform pulse-interval XPCS approach that enables quantitative dynamical analysis with substantially reduced X-ray exposure. In conventional XPCS, continuous acquisition at uniform time intervals leads to long cumulative exposure, which can introduce radiation-induced artefacts. In this study, only 11 scattering images were recorded at non-uniform intervals, providing a broad range of delay times from a single measurement and enabling dense temporal sampling without increasing the exposure dose. The resulting dataset was analyzed using both XPCS- and X-ray speckle visibility spectroscopy (XSVS)-based schemes, and the results demonstrated that these two independent analyses yield consistent relaxation behaviors. The proposed approach offers an efficient framework for probing complex or non-Brownian dynamics in radiation-sensitive materials and expands the applicability of XPCS to soft and biological systems.

  2. Adhesion between a borophane sheet and a metal substrate by interface bonding

    Kazuki Yamaguchi, Heming Yin, Masahito Niibe, Jingmin Tang, Masashige Miyamoto, Yuki Tsujikawa, Haruto Sakurai, Yu Murano, Kenichi Ozawa, Masafumi Horio, Jun-ichi Yamaura, Takahiro Kondo, Iwao Matsuda

    Applied Surface Science Advances　31　100918-100918　2026年1月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.apsadv.2025.100918 　

    ISSN：2666-5239

  3. Developing a Machine-Learning-based Robotic System for Mixing Solvents

    Jingmin Tang, Takeru Nakashima, Masashige Miyamoto, Xiaoni Zhang, Masafumi Horio, Yasunobu Ando, Iwao Matsuda

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　2025年1月11日

    出版者・発行元： Surface Science Society Japan

    DOI： 10.1380/ejssnt.2025-001 　

    eISSN：1348-0391

  4. Adsorption of Atomic Hydrogen on Hydrogen Boride Sheets Studied by Photoelectron Spectroscopy

    Heming Yin, Jingmin Tang, Kazuki Yamaguchi, Haruto Sakurai, Yuki Tsujikawa, Masafumi Horio, Takahiro Kondo, Iwao Matsuda

    Materials　17　(19)　4806-4806　2024年9月29日

    出版者・発行元： MDPI AG

    DOI： 10.3390/ma17194806 　

    eISSN：1996-1944

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    Hydrogen boride (HB) sheets are emerging as a promising two-dimensional (2D) boron material, with potential applications as unique electrodes, substrates, and hydrogen storage materials. The 2D layered structure of HB was successfully synthesized using an ion-exchange method. The chemical bonding and structure of the HB sheets were investigated using Fourier Transform Infrared (FT–IR) spectroscopy and Transmission Electron Microscopy (TEM), respectively. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was employed to study the chemical states and transformation of the components before and after atomic hydrogen adsorption, thereby elucidating the atomic hydrogen adsorption process on HB sheets. Our results indicate that, upon atomic hydrogen adsorption onto the HB sheets, the B-H-B bonds were broken and converted into B-H bonds. This research highlights and demonstrates the changes in chemical states and component transformations of the boron element on the HB sheets’ surface before and after atomic hydrogen adsorption, thus providing a clearer understanding of the unique bonding and structural characteristics of the HB sheets.

  5. Atomic Structures and Chemical states of active and inactive dopants in GaN

    Yoshiyuki Yamashita, Jingmin Tang, Yusuke Hashimote, Tomohiro Matsushita

    ECS Transactions　112　(2)　67-75　2023年9月29日

    出版者・発行元： The Electrochemical Society

    DOI： 10.1149/11202.0067ecst 　

    ISSN：1938-5862

    eISSN：1938-6737

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    We investigated atomic structures and chemical states of active and inactive dopant sites for Mg- and Si- doped in GaN using photoelectron holography and X-ray absorption near edge structure. In the case of Mg-doped GaN, we found that a Mg atom substituting a Ga atom (MgGa) is an active dopant site in GaN whereas MgGa with two H atoms is an inactive dopant site in GaN. We found that a Si atom substituting a Ga atom is an active dopant site in Si-doped GaN whereas Si3N4 is an inactive dopant site in GaN.

  6. X-ray Absorption Fine Structural Study of Atomic Structures and Chemical States of Dopants in 4H-SiC(0001)

    Yuhua Tsai, Jingmin Tang, Yoshiyuki Yamashita

    ACS Applied Electronic Materials　5　(7)　3843-3850　2023年6月22日

    出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acsaelm.3c00546 　

    ISSN：2637-6113

    eISSN：2637-6113

  7. Direct Observation of Atomic Structures and Chemical States of Active and Inactive Dopant Sites in Mg-Doped GaN

    Jingmin Tang, Soichiro Takeuchi, Masaki Tanaka, Hiroto Tomita, Yusuke Hashimoto, Takahiro Nagata, Jun Chen, Takuo Ohkochi, Yoshinori Kotani, Tomohiro Matsushita, Yoshiyuki Yamashita

    ACS Applied Electronic Materials　4　(9)　4719-4723　2022年9月15日

    出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acsaelm.2c00912 　

    ISSN：2637-6113

    eISSN：2637-6113

  8. SiドープGaN(0001)におけるドーパントの活性サイト・不活性サイトの化学状態解明

    山下良之, 山下良之, TANG Jingmin, TANG Jingmin

    表面と真空　65　(7)　309-314　2022年7月10日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1380/vss.65.309 　

    ISSN：2433-5835

    eISSN：2433-5843

  9. Atomic Structures and Chemical States of Active and Inactive Dopant Sites in Si-Doped GaN

    Jingmin Tang, Yoshiyuki Yamashita

    ACS Applied Electronic Materials　3　(10)　4618-4622　2021年10月8日

    出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acsaelm.1c00766 　

    ISSN：2637-6113

    eISSN：2637-6113

  10. 1% defect enriches MoS2 quantum dot: Catalysis and blue luminescence

    Jingmin Tang, Masanori Sakamoto, Haruhisa Ohta, Ken-Ichi Saitow

    Nanoscale　12　(7)　4352-4358　2020年2月21日

    出版者・発行元： Royal Society of Chemistry

    DOI： 10.1039/c9nr07612c 　

    ISSN：2040-3372 2040-3364

  11. 混合溶媒中での超音波処理で調製したMoS2層状層の光触媒作用

    TANG Jingmin, SAKAMOTO Masanori, WANG Yufeng, SAITOW Ken-ichi

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　8a_PB2_11-8a_PB2_11　2017年

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1364/jsap.2017.8a_pb2_11 　

    ISSN：2758-4704

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MISC 4

  1. GaN中の活性および不活性Mgドーパントサイトの原子構造と化学状態

    Yamashita Yoshiyuki, Yamashita Yoshiyuki, Tang Jingmin, Tang Jingmin, Hashimoto Yusuke, Matsushita Tomohiro

    日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)　2023　2023年

    ISSN： 2434-8589

  2. MgドープGaN(0001)における活性及び不活性ドーパントサイトの原子構造及び化学状態の直接観察【JST・京大機械翻訳】

    TANG Jingmin, TANG Jingmin, HASHIMOTO Yusuke, MATSUSHITA Tomohiro, MATSUSHITA Tomohiro, YAMASHITA Yoshiyuki, YAMASHITA Yoshiyuki

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　83rd　2022年

    ISSN： 2758-4704

  3. SiドープGaN中ドーパント活性サイトの化学状態・原子構造

    山下良之, 山下良之, TANG Jingmin, TANG Jingmin

    日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)　2021　2021年

    ISSN： 2434-8589

  4. SiドープGaN(0001)における活性及び不活性ドーパントサイト

    TANG Jingmin, YAMASHITA Yoshiyuki, TANG Jingmin, YAMASHITA Yoshiyuki

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年

    ISSN： 2758-4704