研究者詳細

顔写真

サイトウ　ヨシアキ
齋藤　好昭
Yoshiaki Saito
所属
国際集積エレクトロニクス研究開発センター　研究開発部門
職名
教授
学位

  • 理学博士（筑波大学）

  • 理学修士（筑波大学）

経歴 2

  • 2017年10月 ～ 継続中
    東北大学　教授

  • 1990年4月 ～ 2017年9月
    株式会社 東芝 研究開発センター　研究主幹 (2008年～2017年)

学歴 2

  • 筑波大学　物理学研究科

    ～ 1990年3月

  • 筑波大学

    ～ 1985年3月25日

所属学協会 5

  • 日本物理学会

  • 応用物理学会

  • 日本磁気学会

  • 米国物理学会（ＡＰＳ）

  • IEEE

研究キーワード 4

  • 応用物性

  • 構造・機能材料

  • ナノデバイス

  • スピントロニクス

研究分野 3

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

  • ナノテク・材料 / 結晶工学 /

  • ナノテク・材料 / 応用物性 /

論文 188

  1. Strong antiferromagnetic interlayer exchange coupling induced by small additions of Re to an Ir interlayer in synthetic antiferromagnetic systems 査読有り

    Yoshiaki Saito, Tufan Roy, Shoji Ikeda, Masafumi Shirai, Hiroaki Honjo, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh

    Scientific Reports　15　(1)　8977-1-8977-8　2025年3月15日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1038/s41598-025-94088-w 　

    eISSN：2045-2322

  2. Enhanced field-like torque generated from the anisotropic spin-split effect in triple-domain RuO2 for energy-efficient spin–orbit torque magnetic random-access memory 査読有り

    T. V. A. Nguyen, H. Naganuma, T. N. H. Vu, S. DuttaGupta, Y. Saito, D. Vu, Y. Endo, S. Ikeda, T. Endoh

    Adv. Sci.　12　2413165-1-2413165-8　2025年3月

    DOI： 10.1002/advs.202413165 　

  3. Enhancement of damping-like spin-orbit torque efficiency using light and heavy nonmagnetic metals on a polycrystalline RuO2 layer 査読有り

    Y. Saito, S. Ikeda, S. Karube, T. Endoh

    Phys. Rev. B　110　134423-1-134423-10　2024年10月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.110.134423 　

  4. Investigation of the dynamic magnetic properties in RuO2/Co-Fe-B stack film 査読有り

    T. V. A. Nguyen, Y. Saito, H. Naganuma, D. Vu, S. Ikeda, T. Endoh

    IEEE Transactions on Magnetics　60　(9)　2200305-1-2200305-5　2024年9月

    DOI： 10.1109/TMAG.2024.3404066 　

  5. Field-free spin-orbit torque switching and large damping-like spin-orbit torque efficiency in synthetic antiferromagnetic systems using interfacial Dzyaloshinskii-Moriya interaction 査読有り

    Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Nobuki Tezuka, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh

    Physical Review B　108　(2)　024419-1-024419-11　2023年7月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1103/physrevb.108.024419 　

    ISSN：2469-9950

    eISSN：2469-9969

  6. Charge-to-Spin Conversion Efficiency in Synthetic Antiferromagnetic System using Pt-Cu/Ir/Pt-Cu spacer layers 査読有り

    Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh

    IEEE Transactions on Magnetics　59　(11)　1300405-1-1300405-5　2023年6月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1109/tmag.2023.3282626 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  7. Magnetic Switching Properties for Synthetic Antiferromagntic Layers with Perpendicular Easy Magnetic Anisotropy 査読有り

    N. Tezuka, S. Fujikawa, H. Akatani, M. Matsuura, S. Sugimoto, Y. Saito

    IEEE Xplore　2023年5月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1109/intermagshortpapers58606.2023.10228461 　

  8. Enhancement of Damping-Like Spin-Orbit-Torque Efficiency in Synthetic Antiferromagnetic System using Pt-Cu Alloy 査読有り

    Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh

    IEEE Xplore　2023年5月

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1109/intermagshortpapers58606.2023.10228766 　

  9. Correlation between the magnitude of interlayer exchange coupling and charge-to-spin conversion efficiency in a synthetic antiferromagnetic system 査読有り

    Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

    Applied Physics Express　16　(1)　013002-013002　2023年1月1日

    出版者・発行元： IOP Publishing

    DOI： 10.35848/1882-0786/acb311 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

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    Abstract The correlation between the magnitude of interlayer exchange coupling (Jex) and charge-to-spin conversion efficiency (spin Hall angle: θSH) is investigated in a synthetic antiferromagnetic (AF) system with compensated magnetization. The magnitude of θSH increases linearly with increasing the magnitude of Jex. We observe the factor of 6.5 increase of spin Hall angle (θSH = 45.8%) in a low resistive (ρxx = 41 μΩcm) synthetic AF system by increasing the magnitude of Jex. The low resistive synthetic AF system will be a promising building block for future nonvolatile high-speed memories and logic circuits using the spin Hall effect.

  10. Effect of oxygen incorporation on dynamic magnetic properties in Ta-O/Co-Fe-B bilayer films under out-of-plane and in-plane magnetic fields 査読有り

    T. V. A. Nguyen, Y. Saito, H. Naganuma, S. Ikeda, T. Endoh, Y. Endo

    AIP Advances　12　(3)　035133-1-035133-5　2022年3月1日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1063/9.0000297 　

    eISSN：2158-3226

  11. Enhancement of current to spin-current conversion and spin torque efficiencies in a synthetic antiferromagnetic layer based on a Pt/Ir/Pt spacer layer 査読有り

    Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

    Physical Review B　105　(5)　054421-1-054421-11　2022年2月22日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1103/physrevb.105.054421 　

    ISSN：2469-9950

    eISSN：2469-9969

  12. Synthetic antiferromagnetic layer based on Pt/Ru/Pt spacer layer with 1.05 nm interlayer exchange oscillation period for spin–orbit torque devices 査読有り

    Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

    Applied Physics Letters　119　(14)　142401-1-142401-7　2021年10月4日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1063/5.0063317 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  13. Antiferromagnetic interlayer exchange coupling and large spin Hall effect in multilayer systems with Pt/Ir/Pt and Pt/Ir layers 査読有り

    Yoshiaki Saito, Nobuki Tezuka, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

    Physical Review B　104　(6)　064439-1-064439-11　2021年8月23日

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1103/physrevb.104.064439 　

    ISSN：2469-9950

    eISSN：2469-9969

  14. W thickness dependence of spin Hall effect for (W/Hf)-multilayer electrode/CoFeB/MgO systems with flat and highly (100) oriented MgO layer 査読有り

    Y. Saito, N. Tezuka, S. Ikeda, T. Endoh

    AIP Advances　11　(2)　025007-1-025007-6　2021年2月

    DOI： 10.1063/9.0000011 　

    eISSN：2158-3226

  15. Study of spin transport and magnetoresistance effect in silicon-based lateral spin devices for spi -MOSFET applications 査読有り

    M. Ishikawa, Y. Saito, and K. Hamaya

    J. Magn. Soc. Jpn　44　(3)　56-63　2020年5月

    DOI： 10.3379/msjmag.2005RV002 　

    ISSN：0285-0192

    eISSN：1882-2932

  16. Large spin Hall effect and increase in perpendicular magnetic anisotropy in artificially synthesized amorphous W/Hf multilayer/CoFeB system 査読有り

    Saito, Y., Tezuka, N., Ikeda, S., Endoh, T.

    Applied Physics Letters　116　(13)　132401-1-132401-5　2020年3月

    DOI： 10.1063/5.0002642 　

  17. Spin Hall effect investigated by spin Hall magnetoresistance in Pt100−xAux/CoFeB systems 査読有り

    Yoshiaki Saito, Nobuki Tezuka, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

    AIP Advances　9　(12)　125312-1-125312-5　2019年12月

    DOI： 10.1063/1.5129889 　

  18. Increase in spin-Hall effect and influence of anomalous Nernst effect on spin-Hall magnetoresistance in β -phase and α -phase W100− x Ta x /CoFeB systems 査読有り

    Yoshiaki Saito, Nobuki Tezuka, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

    Appl. Phys. Exp.　12　(5)　053008-1-053008-6　2019年5月

    DOI： 10.7567/1882-0786/ab1a66 　

  19. Crystal orientation effect on spin injection/detection efficiency in Si lateral spin-valve device 査読有り

    M. Ishikawa, M. Tsukahara, S. Honda, Y. Fujita, M. Yamada, Y. Saito, T. Kimura, H. Itoh, K. Hamaya

    J. Phys. D: Appl. Phys.　52　(8)　085102-1-085102-8　2018年12月

    DOI： 10.1088/1361-6463/aaf37c 　

    ISSN：0022-3727

    eISSN：1361-6463

  20. Local magnetoresistance at room temperature in Si devices 査読有り

    Ishikawa, M., Tsukahara, M., Yamada, M., Saito, Y., Hamaya, K.

    IEEE Transactions on Magnetics　54　(11)　1400604-1-1400604-4　2018年11月

    DOI： 10.1109/TMAG.2018.2849753 　

  21. Improvement of Write Efficiency in Voltage-Controlled Spintronic Memory by development of a Ta- B Spin Hall Electrode 査読有り

    Kato, Y., Saito, Y., Yoda, H., Inokuchi, T., Shirotori, S., Shimomura, N., Oikawa, S., Tiwari, A., Ishikawa, M., Shimizu, M., Altansargai, B., Sugiyama, H., Koi, K., Ohsawa, Y., Kurobe, A.

    Physical Review Applied　10　(4)　044011-1-044011-11　2018年10月

    DOI： 10.1103/PhysRevApplied.10.044011 　

  22. Giant voltage-controlled magnetic anisotropy effect in a crystallographically strained CoFe system 査読有り

    Yushi Kato, Hiroaki Yoda, Yoshiaki Saito, Soichi Oikawa, Keiko Fujii, Masahiko Yoshiki, Katsuhiko Koi, Hideyuki Sugiyama, Mizue Ishikawa, Tomoaki Inokuchi, Naoharu Shimomura, Mariko Shimizu, Satoshi Shirotori, Buyandalai Altansargai, Yuichi Ohsawa, Kazutaka Ikegami, Ajay Tiwari, Atsushi Kurobe

    Applied Physics Express　11　(5)　053007-1-053007-5　2018年5月1日

    出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics

    DOI： 10.7567/APEX.11.053007 　

    ISSN：1882-0786 1882-0778

  23. Reliable Estimation of TaB Spin Hall Angle by Incorporating the Interfacial Transparency and Isolating Inverse Spin Hall Effect in ST-FMR Analysis 査読有り

    A. Tiwari, H. Yoda, Y. Kato, K. Koi, M. Ishikawa, S. Oikawa, Y. Saito, T. Inokuchi, N. Shimomura, M. Shimizu, S. Shirotori, B. Altansargai, H. Sugiyama, Y. Ohsawa, A. Kurobe

    IEEE International magnetic conference 2018 (Intermag 2018)　ED-07　2018年4月26日

  24. High-speed voltage-control spintronics memory focused on reduction in write current 査読有り

    H. Sugiyama, H. Yoda, K. Koi, S. Oikawa, B. Altansargai, T. Inokuchi, S. Shirotori, M. Shimizu, Y. Kato, Y. Ohsawa, M. Ishikawa, A. Tiwari, N. Shimomura, Y. Saito, A. Kurobe

    2017 17th Non-Volatile Memory Technology Symposium, NVMTS 2017 - Conference Proceedings　2017-　1-5　2017年12月8日

    出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

    DOI： 10.1109/NVMTS.2017.8171311 　

  25. Voltage-Control Spintronics Memory With a Self-Aligned Heavy-Metal Electrode 査読有り

    S. Shirotori, H. Yoda, Y. Ohsawa, N. Shimomura, T. Inokuchi, Y. Kato, Y. Kamiguchi, K. Koi, K. Ikegami, H. Sugiyama, M. Shimizu, B. Altansargai, S. Oikawa, M. Ishikawa, A. Tiwari, Y. Saito, A. Kurobe

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　53　(11)　252404-1-252404-4　2017年11月

    DOI： 10.1109/TMAG.2017.2691764 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  26. Giant voltage-control-magnetic-anisotropy (VCMA) effect in crystallographic strained CoFe system 査読有り

    Y. Kato, Y. Saito, H. Yoda, N. Shimomura, S. Shirotori, S. Oikawa, M. Ishikawa, T. Inokuchi, M. Shimizu, B. Altansargai, H. Sugiyama, K. Koi, Y. Ohsawa, K. Ikegami, Y. Kamiguchi, A. Tiwari, A. Kurobe

    Proceedings of 62th annual Magnetism & Magnetic Materials Conference (MMM2017)　2017年11月

  27. Radical improvement of write efficiency in Voltage Control Spintronics Memory (VoCSM) by development of TaB Spin-Hall electrode 査読有り

    Y. Kato, Y. Saito, H. Yoda, N. Shimomura, S. Shirotori, S. Oikawa, M. Ishikawa, T. Inokuchi, M. Shimizu, B. Altansargai, H. Sugiyama, K. Koi, Y. Ohsawa, K. Ikegami, Y. Kamiguchi, A. Tiwari, A. Kurobe

    62th annual Magnetism & Magnetic Materials Conference (MMM2017)　2017年11月

  28. Switching mechanism design for high-speed Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) considering the operation window 査読有り

    K. Koi, H. Yoda, N. Shimomura, T. Inokuchi, Y. Kato, A. Buyandalai, S. Shirotori, Y. Kamiguchi, K. Ikegami, S. Oikawa, H. Sugiyama, M. Shimizu, M. Ishikawa, T. Ajay, Y. Ohsawa, Y. Saito, A. Kurobe

    roceedings of 2017 International conference on solid state devices and materials (SSDM 2017)　2017年9月

  29. Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) having a potential of high write-efficiency 査読有り

    M. Shimizu, H. Yoda, S. Shirotori, N. Shimomura, Y. Ohsawa, T. Inokuchi, K. Koi, Y. Kato, S. Oikawa, H. Sugiyama, B. Altansargai, M. Ishikawa, K. Ikegami, Y. Kamiguchi, Y. Saito, A. Kurobe

    Proceedings of 2017 International conference on solid state devices and materials (SSDM 2017)　2017年9月

  30. Improved read disturb and write error rates in voltage-control spintronics memory (VoCSM) by controlling energy barrier height 査読有り

    T. Inokuchi, H. Yoda, Y. Kato, M. Shimizu, S. Shirotori, N. Shimomura, K. Koi, Y. Kamiguchi, H. Sugiyama, S. Oikawa, K. Ikegami, M. Ishikawa, B. Altansargai, A. Tiwari, Y. Ohsawa, Y. Saito, A. Kurobe

    APPLIED PHYSICS LETTERS　110　(25)　252404-1-252404-4　2017年6月

    DOI： 10.1063/1.4986923 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  31. Spin relaxation mechanism in heavily doped n-type silicon 査読有り

    M. Ishikawa, T. Oka, Y. Fujita, H. Sugiyama, Y. Saito, K. Hamaya

    Spintech IX　2017年6月

  32. Spin accumulation and transport signals in CoFe/MgO/Si devices with confined structure of n+-Si layer 査読有り

    Y. Saito, T. Inokuchi, M. Ishikawa, T. Ajay, H. Sugiyama

    7　(5)　055937-1-055937-6　2017年5月

    DOI： 10.1063/1.4978583 　

    ISSN：2158-3226

  33. Room temperature observation of high spin polarization in post annealed Co2FeSi/MgO/n+-Si on insulator devices 査読有り

    Ajay Tiwari, Tomoaki Inokuchi, Mizue Ishikawa, Hideyuki Sugiyama, Nobuki Tezuka, Yoshiaki Saito

    Japanese Journal of Applied Physics　56　(4)　04CD05-1-04CD05-5　2017年4月1日

    出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics

    DOI： 10.7567/JJAP.56.04CD05 　

    ISSN：1347-4065 0021-4922

  34. Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) with a self-aligned heavy-metal electrode 査読有り

    S. Shirotori, H. Yoda, Y. Ohsawa, N. Shimomura, T. Inokuchi, Y. Kato, Y. Kamiguchi, K. Koi, K. Ikegami, H. Sugiyama, M. Shimizu, A. Buyandalai, S. Oikawa, M. Ishikawa, T. Ajay, Y. Saito, A. Kurobe

    IEEE International magnetic conference 2017 (Intermag 2017)　2017年4月

  35. Magnetoresistance ratio through Si semiconductor using a magnetic tunnel junction 査読有り

    N. Tezuka, S. Oikawa, M. Matsuura, S. Sugimoto, Y. Saito

    IEEE International magnetic conference 2017 (Intermag 2017)　CN-13　2017年4月

  36. Spin relaxation through lateral spin transport in heavily doped n-type silicon 査読有り

    M. Ishikawa, T. Oka, Y. Fujita, H. Sugiyama, Y. Saito, K. Hamaya

    PHYSICAL REVIEW B　95　(11)　115302-1-115302-6　2017年3月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.95.115302 　

    ISSN：2469-9950

    eISSN：2469-9969

  37. Voltage-control spintronics memory (VoCSM) having potentials of ultra-low energy-consumption and high-density 査読有り

    H. Yoda, N. Shimomura, Y. Ohsawa, S. Shirotori, Y. Kato, T. Inokuchi, Y. Kamiguchi, B. Altansargai, Y. Saito, K. Koi, H. Sugiyama, S. Oikawa, M. Shimizu, M. Ishikawa, K. Ikegami, A. Kurobe

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　27.6.1-27.6.4　2017年1月31日

    出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

    DOI： 10.1109/IEDM.2016.7838495 　

    ISSN：0163-1918

  38. High-Speed Voltage-Control Spintronics Memory (High-Speed VoCSM) 査読有り

    H. Yoda, H. Sugiyama, T. Inokuchi, Y. Kato, Y. Ohsawa, K. Abe, N. Shimomura, Y. Saito, S. Shirotori, K. Koi, B. Altansargai, S. Oikawa, M. Shimizu, M. Ishikawa, K. Ikegami, Y. Kamiguchi, S. Fujita, A. Kurobe

    2017 IEEE 9TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW)　7939085　165-168　2017年

    DOI： 10.1109/IMW.2017.7939085 　

    ISSN：2330-7978

  39. Spin accumulation and transport signals in CoFe/MgO/Si devices with confined structure of n+-Si layer 査読有り

    Y. Saito, T. Inokuchi, M. Ishikawa, A. Tiwari, H. Sugiyama

    61th annual Magnetism & Magnetic Materials Conference (MMM2016)　2016年11月

  40. Room temperature observation of large spin accumulation and transport signals in post annealed Co2FeSi/MgO/n+-Si on insulator devices 査読有り

    A. Tiwari, T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, N. Tezuka, Y. Saito

    2016 International conference on solid state devices and materials (SSDM 2016)　2016年9月

  41. Spin-dependent transport mechanisms in CoFe/MgO/n(+)-Si junctions investigated by frequency response of signals 査読有り

    Tomoaki Inokuchi, Mizue Ishikawa, Hideyuki Sugiyama, Yoshiaki Saito

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　9　(7)　073002-1-073002-4　2016年7月

    DOI： 10.7567/APEX.9.073002 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  42. Effect of post annealing on spin accumulation and transport signals in Co2FeSi/MgO/n(+)-Si on insulator devices 査読有り

    Ajay Tiwari, Tomoaki Inokuchi, Mizue Ishikawa, Hideyuki Sugiyama, Nobuki Tezuka, Yoshiaki Saito

    AIP ADVANCES　6　(7)　075119-1-075119-9　2016年7月

    DOI： 10.1063/1.4960210 　

    ISSN：2158-3226

  43. Spin accumulation signals in CoFe/MgO/n+-Si devices deposited on Si (1×1) and Si (2×1) surfaces 査読有り

    Yoshiaki Saito, Mizue Ishikawa, Tomoaki Inokuchi, Hideyuki Sugiyama, Kohei Hamaya, Nobuki Tezuka

    Joint MMM/Intermag Conference, 2016　2016年1月

  44. Spin Injection, Transport, and Detection in a Lateral Spin Transport Devices with Co2FeAl0.5Si0.5/n-GaAs, Co2FeSi/MgO/n-Si, and CoFe/MgO/n-Si Junctions 査読有り

    Nobuki Tezuka, Yoshiaki Saito

    MATERIALS TRANSACTIONS　57　(6)　767-772　2016年

    DOI： 10.2320/matertrans.ME201502 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

  45. Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) Having Potentials of Ultra-Low Energy-Consumption and High-Density 査読有り

    H. Yoda, N. Shimomura, Y. Ohsawa, S. Shirotori, Y. Kato, T. Inokuchi, Y. Kamiguchi, B. Altansargai, Y. Saito, K. Koi, H. Sugiyama, S. Oikawa, M. Shimizu, M. Ishikawa, K. Ikegami, A. Kurobe

    2016 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)　27.6.1-27.6.4　2016年

    DOI： 10.1109/IEDM.2016.7838495 　

    ISSN：2380-9248

  46. Influence of Si surface on spin accumulation and transport signals in CoFe/MgO/n+-Si junctions 査読有り

    Mizue Ishikawa, Tomoaki Inokuchi, Hideyuki Sugiyama, Nobuki Tezuka, Kohei Hamaya, Yoshiaki Saito

    2015 International conference on solid state devices and materials (SSDM 2015)　2015年9月

  47. Spin transport and accumulation in n(+)-Si using Heusler compound Co2FeSi/MgO tunnel contacts 査読有り

    Mizue Ishikawa, Hideyuki Sugiyama, Tomoaki Inokuchi, Kohei Hamaya, Yoshiaki Saito

    APPLIED PHYSICS LETTERS　107　(9)　092402-1-092402-5　2015年8月

    DOI： 10.1063/1.4929888 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  48. Influence of miniaturization of the CoFe/MgO/n+-Si devices on magnitude of magnetoresistance 査読有り

    Hideyuki Sugiyama, Mizue Ishikawa, Tomoaki Inokuchi, Yoshiaki Saito, Nobuki Tezuka

    International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces 2015 (ICMFS 2015)　2015年6月

  49. Spin accumulation and transport signals in Heusler Co2FeSi/MgO/n+-Si on insulator devices 査読有り

    Yoshiaki Saito, Mizue Ishikawa, Tomoaki Inokuchi, Hideyuki Sugiyama, Kohei Hamaya, Nobuki Tezuka

    20th International conference on Magnetism (ICM 2015)　2015年6月

  50. Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n(+)-Si junctions 査読有り

    Y. Saito, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Inokuchi, K. Hamaya, N. Tezuka

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　117　(17)　17C707-01-17C707-04　2015年5月

    DOI： 10.1063/1.4907242 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  51. Ferromagnet/tunnel barrier/n+-Si junction technology for spin-FETs 招待有り 査読有り

    Y. Saito, M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama

    International Workshop on Junction Technology 2015 (IWJT 2015)　2015年

  52. Dependence of spin-dependent transport signals on measurement frequency in CoFe/MgO/n(+)-Si junctions. 査読有り

    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito

    2015 IEEE MAGNETICS CONFERENCE (INTERMAG)　GP-09　2015年

  53. Effect of electron trap states on spin-dependent transport characteristics in CoFe/MgO/n(+)-Si junctions investigated by Hanle effect measurements and inelastic electron tunneling spectroscopy 査読有り

    Tomoaki Inokuchi, Mizue Ishikawa, Hideyuki Sugiyama, Tetsufumi Tanamoto, Yoshiaki Saito

    APPLIED PHYSICS LETTERS　105　(23)　232401-1-232401-4　2014年12月

    DOI： 10.1063/1.4903478 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  54. Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n+-Si junctions 査読有り

    Yoshiaki Saito, Mizue Ishikawa, Tetsufumi Tanamoto, Tomoaki Inokuchi, Hideyuki Sugiyama, Kohei Hamaya, Nobuki Tezuka

    59th annual Magnetism & Magnetic Materials Conference (MMM2014)　2014年11月

  55. Influence of interface roughness in CoFe/MgO/n+-Si junctions on spin accumulation and spin transport signals 査読有り

    Mizue Ishikawa, Hideyuki Sugiyama, Tomoaki Inokuchi, Tetsufumi Tanamoto, Kohei Hamaya, Nobuki Tezuka, Yoshiaki Saito

    59th annual Magnetism & Magnetic Materials Conference (MMM2014)　2014年11月

  56. Large spin-accumulation signal in Si for epitaxial CoFe/highly (100)-textured MgO/Si devices 査読有り

    H. Sugiyama, M. Ishikawa, T. Inokuchi, T. Tanamoto, Y. Saito, N. Tezuka

    SOLID STATE COMMUNICATIONS　190　49-52　2014年7月

    DOI： 10.1016/j.ssc.2014.03.019 　

    ISSN：0038-1098

    eISSN：1879-2766

  57. Local magnetoresistance through Si and its bias voltage dependence in ferromagnet/MgO/silicon-on-insulator lateral spin valves 査読有り

    Y. Saito, T. Tanamoto, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Inokuchi, K. Hamaya, N. Tezuka

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17C514-1-17C514-3　2014年5月

    DOI： 10.1063/1.4866699 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  58. Effects of interface electric field on the magnetoresistance in spin devices 査読有り

    T. Tanamoto, M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama, Y. Saito

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(16)　163907-1-163907-7　2014年4月

    DOI： 10.1063/1.4872137 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  59. Effects of interface electric field on the magnetoresistance in spin devices 査読有り

    T. Tanamoto, M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama, Y. Saito

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(16)　2014年4月

    DOI： 10.1063/1.4872137 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  60. Spin injection, detection and local magnetoresistance through Si at room temperature in ferrmagnet/MgO/Si lateral spin valves 招待有り 査読有り

    Y. Saito, M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama, T. Tanamoto, N. Tezuka, K. Hamaya

    IEEE International nanoelectronics conference, 2014 (IEEE INEC 2014)　2014年

  61. Maximum magnitude in bias-dependent spin accumulation signals of CoFe/MgO/Si on insulator devices 査読有り

    M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Inokuchi, T. Tanamoto, K. Hamaya, N. Tezuka, Y. Saito

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　114　(24)　243904-1-243904-6　2013年12月

    DOI： 10.1063/1.4856955 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  62. Local magnetoresistance through Si at room temperature and its bias voltage dependence in CoFe/MgO/SOI lateral spin valves 査読有り

    Y. Saito, T. Tanamoto, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Inokuchi, K. Hamaya, N. Tezuka

    58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2013 MMM Conference)　HB-04　2013年11月

  63. Inelastic electron tunneling spectroscopy study of CoFe/MgO/n+-Si junctions 査読有り

    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Tanamoto, Y. Saito

    58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2013 MMM Conference)　AX-06　2013年11月

  64. Correlation between the intensities of differential conductance curves and the spin accumulation signals in Si for CoFe/MgO/SOI devices 査読有り

    M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama, K. Hamaya, N. Tezuka, Y. Saito

    International conference on solid state devices and materials (SSDM2013)　2013年9月

  65. Crystal Structures and Spin Injection Signals of Si/Mg/MgO/Co2FeAl0.5Si0.5 Junctions 査読有り

    Takashi Onodera, Masahiro Yoshida, Nobuki Tezuka, Masashi Matsuura, Satoshi Sugimoto, Yoshiaki Saito

    MATERIALS TRANSACTIONS　54　(8)　1392-1395　2013年8月

    DOI： 10.2320/matertrans.M2013139 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

  66. Effects of interface resistance asymmetry on local and non-local magnetoresistance structures 査読有り

    Tetsufumi Tanamoto, Hideyuki Sugiyama, Tomoaki Inokuchi, Mizue Ishikawa, Yoshiaki Saito

    Japanese Journal of Applied Physics　52　(4)　2013年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.52.04CM03 　

    ISSN：0021-4922 1347-4065

  67. Effects of interface resistance asymmetry on local and non-local magnetoresistance structures 査読有り

    Tetsufumi Tanamoto, Hideyuki Sugiyama, Tomoaki Inokuchi, Mizue Ishikawa, Yoshiaki Saito

    Japanese Journal of Applied Physics　52　(4)　04CM03-1-04CM03-5　2013年4月

    DOI： 10.7567/JJAP.52.04CM03 　

    ISSN：0021-4922 1347-4065

  68. Crystal structure and spin conduction property of Co2FeAl 0.5Si0.5 full-heusler alloy thin films deposited on Si substrates 査読有り

    Masahiro Yoshida, Takashi Onodera, Nobuki Tezuka, Satoshi Sugimoto, Yoshiaki Saito

    Nippon Kinzoku Gakkaishi/Journal of the Japan Institute of Metals　77　(3)　85-88　2013年3月

    DOI： 10.2320/jinstmet.77.85 　

    ISSN：0021-4876

  69. A Reconfigurable Architecture based on spin MOSFET 招待有り 査読有り

    T. Tanamoto, H. Sugiyama, T. Inokuchi, M. Ishikawa, Y. Saito

    Trends in nanotechnology (TNT2013)　2013年

  70. Spin accumulation in Si for CoFe/MgO/Mg/Si-on-insulator devices 査読有り

    H. Sugiyama, M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. T. Tanamoto, K. Hamaya, Y. Saito, N. Tezuka

    Joint MMM/Intermag Conference, 2013　2013年1月

  71. Fabrication of (001)-Oriented MgO Thin Films on Si Substrates 査読有り

    Takashi Onodera, Masahiro Yoshida, Nobuki Tezuka, Satoshi Sugimoto, Yoshiaki Saito

    JOURNAL OF THE JAPAN INSTITUTE OF METALS　77　(3)　89-93　2013年

    DOI： 10.2320/jinstmet.77.89 　

    ISSN：0021-4876

    eISSN：1880-6880

  72. Spin-Based MOSFETs for Logic and Memory Applications and Spin Accumulation Signals in CoFe/Tunnel Barrier/SOI Devices 招待有り 査読有り

    Yoshiaki Saito, Mizue Ishikawa, Tomoaki Inokuchi, Hideyuki Sugiyama, Tetsufumi Tanamoto, Kohei Hamaya, Nobuki Tezuka

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　48　(11)　2739-2745　2012年11月

    DOI： 10.1109/TMAG.2012.2202277 　

    ISSN：0018-9464

    eISSN：1941-0069

  73. Asymmetric bias voltage dependence in spin accumulation signals observed by the three-terminal Hanle measurements for CoFe/MgO/SOI devices 査読有り

    M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama, T. Tanamoto, K. Hamaya, N. Tezuka, Y. Saito

    International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)　2012年9月

  74. Effect of the interface resistance of CoFe/MgO contacts on spin accumulation in silicon 査読有り

    M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Inokuchi, K. Hamaya, Y. Saito

    APPLIED PHYSICS LETTERS　100　(25)　2012年6月

    DOI： 10.1063/1.4728117 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  75. Effect of the interface resistance of CoFe/MgO contacts on spin accumulation in silicon 査読有り

    M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Inokuchi, K. Hamaya, Y. Saito

    APPLIED PHYSICS LETTERS　100　(25)　252404-1-252404-4　2012年6月

    DOI： 10.1063/1.4728117 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  76. Spin injection and detection between CoFe/AlOx junctions and SOI investigated by Hanle effect measurements 査読有り

    Tomoaki Inokuchi, Mizue Ishikawa, Hideyuki Sugiyama, Yoshiaki Saito, Nobuki Tezuka

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　07C316-1-07C316-3　2012年4月

    DOI： 10.1063/1.3677930 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  77. Spin injection and detection between CoFe/AlOx junctions and SOI investigates by Hanle effect measurements 査読有り

    T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito, N. Tezuka

    56th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials ( 2011 MMM Conference)　2011年11月

  78. Scalability of spin field programmable gate array: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor (vol 109, 07C312, 2011) 査読有り

    Tetsufumi Tanamoto, Hideyuki Sugiyama, Tomoaki Inokuchi, Takao Marukame, Mizue Ishikawa, Kazutaka Ikegami, Yoshiaki Saito

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　110　(5)　2011年9月

    DOI： 10.1063/1.3633243 　

    ISSN：0021-8979

  79. Spin injection, transport, and read/write operation in spin-based MOSFET 招待有り 査読有り

    Yoshiaki Saito, Takao Marukame, Tomoaki Inokuchi, Mizue Ishikawa, Hideyuki Sugiyama, Tetsufumi Tanamoto

    THIN SOLID FILMS　519　(23)　8266-8273　2011年9月

    DOI： 10.1016/j.tsf.2011.03.073 　

    ISSN：0040-6090

  80. Effect of bias voltage and interdiffusion in Ir-Mn exchange-biased double tunnel junctions 査読有り

    Y. Saito, M. Amano, K. Nakajima, S. Takahashi, M. Sagoi, K. Inomata

    IEEE International Magnetics Conference (Intermag 2001)　2011年5月

    DOI： 10.1109/20.951027 　

  81. Scalability of spin field programmable gate arrary: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor 査読有り

    Tetsufumi Tanamoto, Hideyuki Sugiyama, Tomoaki Inokuchi, Takao Marukame, Mizue Ishikawa, Kazutaka Ikegami, Yoshiaki Saito

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　109　(7)　07C312-1-07C312-3　2011年4月

    DOI： 10.1063/1.3537923 　

    ISSN：0021-8979

  82. スピンMOSFETを用いたスピンFPGAのベンチマーク

    棚本 哲史, 杉山 英行, 井口 智明, 丸亀 孝生, 石川 瑞恵, 池上 一隆, 斉藤 好昭

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2011.1　2124-2124　2011年3月9日

    出版者・発行元： 公益社団法人 応用物理学会

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_2124 　

    eISSN：2436-7613

  83. Spin-Based MOSFET and Its Applications 査読有り

    Y. Saito, T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Marukame, T. Tanamoto

    JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY　158　(10)　H1068-H1076　2011年

    DOI： 10.1149/1.3623420 　

    ISSN：0013-4651

    eISSN：1945-7111

  84. Spin-based MOSFET and Its Applications 招待有り 査読有り

    Y. Saito, T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Marukame, T. Tanamoto

    2011 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS AND THIN FILM TRANSISTORS (ULSIC VS. TFT)　37　(1)　217-228　2011年

    DOI： 10.1149/1.3600742 　

    ISSN：1938-5862

  85. Spin-based MOSFET: a promising candidate for beyond CMOS device using nanotechnology 招待有り 査読有り

    Y. Saito, T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Tanamoto

    he Seventh International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC7)　2011年

  86. Spin-based MOSFET and Its Applications 査読有り

    Y. Saito, T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Marukame, T. Tanamoto

    2011 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS AND THIN FILM TRANSISTORS (ULSIC VS. TFT)　37　(1)　217-228　2011年

    DOI： 10.1149/1.3600742 　

    ISSN：1938-5862

  87. Scalability of spin FPGA: A Reconfigurable Architecture based on spin MOSFET 査読有り

    T. Tanamoto, H. Sugiyama, T. Inokuchi, T.Marukame, S. Ishikawa, K. Ikegami, Y. Saito

    55th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials (2010 MMM Conference)　abs/1104.1493　2010年11月

  88. 不揮発再構成可能な回路へのスピンＭＯＳＦＥＴの応用

    杉山 英行, 井口 智明, 丸亀 孝生, 棚本 哲史, 石川 瑞恵, 斉藤 好昭

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2010.2　1823-1823　2010年8月30日

    出版者・発行元： 公益社団法人 応用物理学会

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_1823 　

    eISSN：2436-7613

  89. 多結晶Co2Fe(Al,Si)を用いた強磁性トンネル接合の評価

    石川 瑞恵, 丸亀 孝生, 井口 智明, 杉山 英行, 斉藤 好昭

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2010.1　2065-2065　2010年3月3日

    出版者・発行元： 公益社団法人 応用物理学会

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2065 　

    eISSN：2436-7613

  90. スピン注入書込み型スピンMOSFETの総合基本動作の実証

    丸亀 孝生, 井口 智明, 石川 瑞恵, 杉山 英行, 斉藤 好昭

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2010.1　2007-2007　2010年3月3日

    出版者・発行元： 公益社団法人 応用物理学会

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2007 　

    eISSN：2436-7613

  91. Read/Write operation of spin-based MOSFET and the related phenomena 招待有り 査読有り

    Y. Saito, T. Marukame, M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama

    The 6th International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VI)　2010年

  92. Reconfigurable Characteristics of Spintronics-based MOSFETs for Nonvolatile Integrated Circuits 査読有り

    Tomoaki Inokuchi, Takao Marukame, Tetsufumi Tanamoto, Hideyuki Sugiyama, Mizue Ishikawa, Yoshiaki Saito

    2010 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS　119-120　2010年

    DOI： 10.1109/VLSIT.2010.5556194 　

  93. Current-dependent linewidth of a spin-transfer nano-oscillator 査読有り

    R. Sato, Y. Saito, K. Mizushima

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　321　(8)　990-995　2009年4月

    DOI： 10.1016/j.jmmm.2008.03.011 　

    ISSN：0304-8853

  94. Decrease of nonlinearity and linewidth narrowing in spin-transfer oscillators under the external field applied near the hard axis 査読有り

    K. Mizushima, T. Nagasawa, K. Kudo, Y. Saito, R. Sato

    APPLIED PHYSICS LETTERS　94　(15)　152501-1-152501-3　2009年4月

    DOI： 10.1063/1.3111435 　

    ISSN：0003-6951

  95. Electrical Spin Injection into n-GaAs Channels and Detection through MgO/CoFeB Electrodes 査読有り

    Tomoaki Inokuchi, Takao Marukame, Mizue Ishikawa, Hideyuki Sugiyama, Yoshiaki Saito

    APPLIED PHYSICS EXPRESS　2　(2)　023006-1-023006-3　2009年2月

    DOI： 10.1143/APEX.2.023006 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

  96. Spin dependent transport between exchange-biased magnetic pinned-layer and magnetic free-layer through lateral GaAs channel 査読有り

    T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito

    20th ICMFS (20th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS2009)　2009年

  97. Read/write operation of spin-based MOSFET using highly spin-polarized ferromagnet/Mgo tunnel barrier for reconfigurable logic devices 査読有り

    Takao Marukame, Tomoaki Inokuchi, Mizue Ishikawa, Hideyuki Sugiyama, Yoshiaki Saito

    2009 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING　196-199　2009年

    DOI： 10.1109/IEDM.2009.5424385 　

  98. Electrical spin injection and detection through CoFeB/MgO electrodes in n-GaAs channel 査読有り

    T. Inokuchi, T. Marukame, M. Ishikawa, H. Sugiyama, Y. Saito

    53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (2008MMM Conference)　2008年11月

  99. Novel Look-Up Table Circuits Using Spin MOSFET 査読有り

    H. Sugiyama, T. Tanamoto, T. Marukame, M. Ishikawa, T. Inokuchi, Y. Saito

    2008 International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008)　2008年9月

  100. Hard axis magnetic field dependence on current-induced magnetization switching in MgO-based magnetic tunnel junctions 査読有り

    Y. Saito, T. Inokuchi, H. Sugiyama, K. Inomata

    EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B　59　(4)　463-469　2007年10月

    DOI： 10.1140/epjb/e2007-00083-9 　

    ISSN：1434-6028

  101. Tenfold Improvement of the Write-Error Rate of Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) by Controlling Switching Energy Barrier Height 査読有り

    T.Inokuchi, H. Yoda, S. Shirotori, Y. Kato, N. Shimomura, K. Koi, Y. Kamiguchi, K. Ikegami, H. Sugiyama, M. Shimizu, S. Oikawa, M. Ishikawa, A. Buyandalai, T. Ajay, Y. Ohsawa, Y. Saito, A. Kurobe

    IEEE International magnetic conference 2017 (Intermag 2017)　HF-02　2007年4月

  102. A novel magnetic tunnel junction structure using the edge of a magnetic film 査読有り

    H. Sugiyama, T. Inokuchi, Y. Saito

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　310　(2)　2003-2005　2007年3月

    DOI： 10.1016/j.jmmm.2006.10.918 　

    ISSN：0304-8853

  103. Effect of Magnetic Field Applied along Hard Axis on Current-Induced Magnetization Switching in CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

    T. Inokuchi, Y. Saito, H. Sugiyama, K. Inomata

    J. Mag. Soc. Jpn.　31　(2)　98-102　2007年

    出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan

    DOI： 10.3379/jmsjmag.31.98 　

    ISSN：0285-0192

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    The dependence of critical current density (Jc) for current-induced magnetization switching (CIMS) on external magnetic fields applied along the hard axis of a free layer (Hhard) was investigated in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions. The Jc and the intrinsic current density (Jc0), which is derived from the dependence of Jc on pulse duration, decreased as |Hhard| increased. As the reduction ratios of Jc0 while applying Hhard depend on the anisotropy field of junctions (Hk), the initial angle of magnetization, affected by Hhard and Hk, is related to the reduction in Jc0. These results are discussed in terms of the energy barrier for CIMS and the spin transfer efficiency.

  104. Current-induced magnetization switching under magnetic field applied along the hard axis in MgO-based magnetic tunnel junctions 査読有り

    T. Inokuchi, H. Sugiyama, Y. Saito, K. Inomata

    APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(10)　102502-1-102502-3　2006年9月

    DOI： 10.1063/1.2338016 　

    ISSN：0003-6951

  105. Interlayer exchange coupling dependence of thermal stability parameters in synthetic antiferromagnetic free layers 査読有り

    Y Saito, H Sugiyama, T Inokuchi, K Inomata

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　303　(1)　34-38　2006年8月

    DOI： 10.1016/j.jmmm.2005.10.227 　

    ISSN：0304-8853

  106. Interlayer exchange coupling dependence of thermal stability parameters in synthetic antiferromagnetic free layers 査読有り

    Y Saito, H Sugiyama, T Inokuchi, K Inomata

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(8)　8K702-1-8K702-3　2006年4月

    DOI： 10.1063/1.2172183 　

    ISSN：0021-8979

  107. Interlayer exchange coupling dependence of thermal stability parameters in synthetic antiferromagnetic free layers 査読有り

    Y. Saito, H. Sugiyama, T. Inokuchi, K. Inomata

    Journal of Applied Physics　99　(8)　2006年

    DOI： 10.1063/1.2172183 　

    ISSN：0021-8979

  108. Current-induced magnetization switching with applying magnetic field to hard axis in MgO-based magnetic tunnel junctions 査読有り

    T. Inokuchi, H. Sugiyama, Y. Saito, K. Inomata

    INTERMAG 2006 - IEEE International Magnetics Conference　4261700　267-268　2006年

    DOI： 10.1109/INTMAG.2006.375849 　

  109. Hard axis magnetic field dependence on current induced magnetization switching in MgO-based magnetic tunnel junctions 招待有り 査読有り

    Y. Saito, T. Inokuchi, H. Sugiyama, K. Inomata

    The 3rd Asia Forum on Magnetics, 2006　2006年

  110. Thermal stability parameters in synthetic antiferromagnetic free layers in magnetic tunnel junctions 査読有り

    Y Saito, H Sugiyama, K Inomata

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　97　(10)　10C914-1-10C914-3　2005年5月

    DOI： 10.1063/1.1853209 　

    ISSN：0021-8979

  111. Self-differential detection using laminated magnetic tunnel junctions 査読有り

    Y Saito, H Sugiyama, K Inomata

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　97　(10)　10P502-1-10P502-3　2005年5月

    DOI： 10.1063/1.1851427 　

    ISSN：0021-8979

  112. Self-differential Detection in Self- Differential Element using Laminated Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

    Y. Saito, H. Sugiyama, K. Inomata

    49th Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM Conference 2004)　2004年11月

  113. Thermal Stability Parameters in Synthetic Antiferromagnetic Free Layers in Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

    Y. Saito, H. Sugiyama, K. Inomata

    49th Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM Conference 2004)　2004年11月

  114. Long-time annealing and activation energy of the interdiffusion at AlOx/Co-Fe/Ir-Mn interfaces 査読有り

    Y Saito, M Amano, K Nishiyama, Y Asao, K Tsuchida, H Yoda, S Tahara

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　43　(5A)　2484-2488　2004年5月

    DOI： 10.1143/JJAP.43.2484 　

    ISSN：0021-4922

  115. Long-time annealing and activation energy of the interdiffusion at AlO x/Co-Fe/Ir-Mn interfaces 査読有り

    Yoshiaki Saito, Minoru Amano, Katsuya Nishiyama, Yoshiaki Asao, Kenji Tsuchida, Hiroaki Yoda, Shuichi Tahara

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　43　(5 A)　2484-2488　2004年

    出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics

    DOI： 10.1143/JJAP.43.2484 　

    ISSN：0021-4922

  116. Future Tunnel Magnetoresistance Technology for High Density MRAM 招待有り 査読有り

    Y. Saito, H. Sugiyama, K. Inomata

    OXFORD KOBE INSTITUTE SEMINOR, 2004　2004年

  117. Improved thermal stability of ferromagnetic tunnel junctions with a CoFe/CoFeOX/CoFe pinned layer 査読有り

    T Ochiai, N Tezuka, K Inomata, S Sugimoto, Y Saito

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　39　(5)　2797-2799　2003年9月

    DOI： 10.1109/TMAG.2003.815715 　

    ISSN：0018-9464

  118. A fully integrated 1 kb magnetoresistive random access memory with a double magnetic tunnel junction 査読有り

    S Ikegawa, Y Asao, Y Saito, S Takahashi, T Kai, K Tsuchida, H Yoda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　42　(7A)　L745-L747　2003年7月

    DOI： 10.1143/JJAP.42.L745 　

    ISSN：0021-4922

  119. Junction area scaling and statistical description of dc breakdown of ferromagnetic tunnel junctions 査読有り

    K Nakajima, Y Asao, Y Saito

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　93　(11)　9316-9320　2003年6月

    DOI： 10.1063/1.1569975 　

    ISSN：0021-8979

  120. Combination of cold work and heat treatment on stress corrosion cracking susceptibility of l-grade stainless steel

    Katayama, Y., Tsubota, M., Saito, Y.

    NACE - International Corrosion Conference Series　2003-April　2003年

    出版者・発行元： NACE - International Corrosion Conference Series

    ISSN：0361-4409

  121. ピン層にCoFe/CoFeOx/CoFeを用いた強磁性トンネル接合の耐熱性の改善 査読有り

    落合隆夫, 手束展規, 猪俣浩一郎, 杉本諭, 斉藤好昭

    日本応用磁気学会誌　27　(4)　307-310　2003年

    出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan

    DOI： 10.3379/jmsjmag.27.307 　

    ISSN：0285-0192

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    The annealing temperature dependence of the tunnel magnetoresistance (TMR) ratio for ferromagnetic tunnel junctions with CoFeOx inserted in the pinned layer was investigated. A junction with a CoFe/CoFeOx/CoFe as the pinned layer exhibited TMR ratios of 47 % and 43 % after annealing at 350°C and at 375°C respectively, The reason for the improvement of the thermal stability is related to oxygen diffusion from CoFeOx layer, and there is a possibility that CoFeOx plays a role of Mn (in MnIr exchange layer) diffusion barrier.

  122. MRAM technology using ferromagnetic double tunnel junctions and advanced technology trend for MRAM 招待有り 査読有り

    Y. Saito, T. Kishi, M. Amano, S. Takahashi, T. Ueda, K. Nishiyama, H. Yoda

    International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces, 2003　2003年

  123. Improved thermal stability of ferromagnetic tunnel junctions with a CoFe/CoFeOx/CoFe pinned layer 査読有り

    T. Ochiai, N. Tezuka, K. Inomata, S. Sugimoto, Y. Saito

    Intermag 2003 - Program of the 2003 IEEE International Magnetics Conference　1230636　ES05　2003年

    出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

    DOI： 10.1109/INTMAG.2003.1230636 　

  124. Characterization and modeling of tunnel barrier reliability 査読有り

    K. Nakajima, M. Amano, M. Sagoi, Y. Saito

    INTERMAG Europe 2002 - IEEE International Magnetics Conference　1000782　BB06　2002年

    出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

    DOI： 10.1109/INTMAG.2002.1000782 　

  125. Effect of bias voltage and interdiffusion in Ir-Mn exchange-biased double tunnel junctions 査読有り

    Y Saito, A Amano, K Nakajima, S Takahashi, M Sagoi, K Inomata

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　37　(4)　1979-1982　2001年7月

    DOI： 10.1109/20.951027 　

    ISSN：0018-9464

  126. Bias voltage and annealing-temperature dependences of magnetoresistance ratio in Ir-Mn exchange-biased double tunnel junctions 査読有り

    Y Saito, M Amano, K Nakajima, S Takahashi, M Sagoi

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　223　(3)　293-298　2001年2月

    DOI： 10.1016/S0304-8853(00)01270-1 　

    ISSN：0304-8853

  127. Characteristics of annealed dual spin-valve type ferromagnetic double tunnel junctions 査読有り

    M. Amano, Y. Saito, K. Nakajima, T. Takahashi, K. Inomata

    J. Magn. Soc. Jpn.　25　(4)　775-778　2001年

    出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan

    DOI： 10.3379/jmsjmag.25.775 　

    ISSN：0285-0192

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    Exchange-biased dual spin-valve type magnetic double tunnel junctions (DSV-MTJs) of Ir-Mn/Co-Fe/AlOx/Co-Fe/AlOx/Co-Fe/Ir-Mn were annealed at 175-400°C. After annealing at 325°C, the magnetoresistance (MR) ratio and bias voltage Vh, at which the MR ratio is reduced by 50%, in the DSV-MTJs were greatly increased to 42% and 930 mV, respectively. After annealing above 325°C, the MR ratio and Vh decreased. This degradation of DSV-MTJs annealed above 325°C was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and transmission electron microscopy (TEM). The XPS spectra and TEM images showed that an AlOx/MnOx composite tunnel barrier was formed due to the diffusion of Mn through the Co-Fe layer and oxygen redistribution above 300°C. Taking into account the spin-independent two-step tunneling via defect states in the barrier, we considered that this AlOx/MnOx composite barrier leads to decreasing the MR ratio and Vh and increasing the tunnel resistance.

  128. Magnetoresistance oscillations in double ferromagnetic tunnel junctions with layered ferromagnetic nanoparticles 査読有り

    K Nakajima, Y Saito, S Nakamura, K Inomata

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　36　(5)　2806-2808　2000年9月

    DOI： 10.1109/20.908595 　

    ISSN：0018-9464

  129. Correlation between barrier width, barrier height, and DC bias voltage dependences on the magnetoresistance ratio in Ir-Mn exchange biased single and double tunnel junctions 査読有り

    Y. Saito, M. Amano, K. Nakajima, S. Takahashi, M. Sagoi, K. Inomata

    Jpn. J. Appl. Phys.　39　(10)　L1035-L1038　2000年8月30日

    出版者・発行元： 社団法人応用物理学会

    DOI： 10.1143/JJAP.39.L1035 　

    ISSN：0021-4922

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    Dual spin-valve-type double tunnel junctions (DTJs) of Ir–Mn/CoFe/AlOx/Co90Fe10/AlOx/CoFe/Ir–Mn and spin-valve-type single tunnel junctions (STJs) of Ir–Mn/CoFe/AlOx/CoFe/Ni–Fe were fabricated using an ultrahigh vacuum sputtering system, conventional photolithography and ion-beam milling. The STJs could be fabricated with various barrier heights by changing the oxidization conditions during deposition and changing the annealing temperature after deposition, while the AlOx layer thickness remained unchanged. There was a correlation between barrier width, height estimated using Simmons' expressions, and dc bias voltage dependence on the MR ratio. The $V_{\text{B } }$ dependence on the tunneling magnetoresistance (TMR) ratio was mainly related to the barrier width, and the decrease in the TMR ratio with increasing bias voltage is well explained, taking into account the spin-independent two-step tunneling via defect states in the barrier, as a main mechanism, at room temperature. Under optimized oxidization and annealing conditions, the maximum TMR ratio at a low bias voltage, and the dc bias voltage value at which the TMR ratio decreases in value by half ($V_{1/2}$) were 42.4% and 952 mV in DTJs, and 49.0% and 425 mV in STJs, respectively.

  130. Double tunnel junctions for magnetic random access memory devices 査読有り

    K. Inomata, Y. Saito, K. Nakajima, M. Sagoi

    J. Appl. Phys.　87　6064-6066　2000年4月

    DOI： 10.1063/1.372613 　

  131. Magnetoresistance oscillations in double ferromagnetic tunnel junctions with layered ferromagnetic 査読有り

    K. Nakajima, Y. Saito, S. Nakamura, K. Inomata

    (2000) Digests of the Intermag Conference　GB-03　2000年4月

  132. Tunnel magnetoresistance in double junctions with layered ferromagnetic nanoparticles 査読有り

    K. Nakajima, Y. Saito, S. Nakamura, K. Inomata

    J. Magn. Soc. Jpn.　24　(4)　575-578　2000年

    出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan

    DOI： 10.3379/jmsjmag.24.575 　

    ISSN：0285-0192

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    Tunnel magnetoresistance (TMR) in double tunnel junctions with layered ferromagnetic nanoparticles was investigated. The sample comprised two ferromagnetic electrodes (CoFe/Fe) separated by an Al2O3 insulating layer in which a layer of Co80Pt20 nanoparticles was embedded. The nanoparticles were ellipsoidal with an average diameter of 3.7 nm, and composed a well-defined layer. The TMR and the tunnel resistance of the sample showed steep increases around 100 K, and weak temperature dependence below 50 K. The zero-bias TMR rose from 1 % at room temperature to 18 % at 20 K. Below 20 K, we observed magnetoresistance oscillation with respect to the bias voltage. The observed TMR oscillations, with periods of 1.6 and 15 mV, accompanied oscillations of the conductance. We consider that the conductance oscillations may originate from the coexistence of the discrete energy level of the nanoparticles and the discrete electrostatic potential due to the single-electron charging effect.

  133. Ir-Mn Exchange Biased Double Tunnel Junctions 招待有り 査読有り

    Y. Saito

    Advanced Heterostructure workshop (AHW), 2000　2000年

  134. Spin-dependent tunneling in double tunnel junctions with a discontinuous intermediate layer 査読有り

    Y Saito, K Nakajima, K Tanaka, K Inomata

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　35　(5)　2904-2906　1999年9月

    DOI： 10.1109/20.801020 　

    ISSN：0018-9464

  135. Tunnel magnetoresistance between ferromagnetic electrodes and hard magnetic nano particles 査読有り

    K Inomata, Y Saito

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　198-99　18-20　1999年6月

    DOI： 10.1016/S0304-8853(98)00596-4 　

    ISSN：0304-8853

  136. Spin-dependent tunneling in double tunnel junctions 査読有り

    Y. Saito, K. Nakajima, K. Inomata

    (1999) Digests of the Intermag Conference　EC-11　1999年4月

  137. Spin-Dependent Tunneling through Layered Hard-Magnetic NanoParticles 査読有り

    Y. Saito, K. Inomata

    J. Magn. Soc. Jpn.　23　(4)　1269-1272　1999年

    出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan

    DOI： 10.3379/jmsjmag.23.1269 　

    ISSN：0285-0192

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    Spin-dependent tunneling was investigated in double tunnel junctions through layered Co80Pt20 hard-magnetic nano-particles with double Al2OX barriers prepared by direct sputtering using an Al2O3 target. The junction magnetoresistances were 15.6% and 20.5% with low resistance in a low field at room temperature, when Co-based alloy electrodes (Co80Pt20 bottom and Co9Fe top electrodes) and Co1Fe1 top and bottom electrodes were used, respectively. It was revealed that the bias and temperature dependencies of the tunneling magnetoresistance are weak for the present junction structure. This indicates that the bias and temperature dependencies of the resistance and resistance change between antiparallel and parallel alignments between electrodes and nano-particles are not mainly attributable to magnon excitations. The main contributions to the temperature and bias dependencies are shown to be the particle size effect and the broadening effect of Fermi distributions of electrons in the ferromagnetic electrodes and the layered Co80Pt20 hard magnetic nano-particles, due to the low barrier height.

  138. Spin-dependent tunneling in double tunnel junctions with a discontinuous intermediate layer 査読有り

    Y. Saito, K. Nakajima, K. Tanaka, K. Inomata

    IEEE Transactions on Magnetics　35　(5)　2904-2906　1999年

    DOI： 10.1109/20.801020 　

    ISSN：0018-9464

  139. Spin-dependent tunneling through layered ferromagnetic nanoparticles 査読有り

    K. Inomata, Y. Saito

    Appl. Phys. Lett.　73　(8)　1143-1145　1998年6月26日

    DOI： 10.1063/1.122110 　

  140. Biquadratic coupling contributions to the magnetoresistive curves in Fe/FeSi/Fe sandwiches with semiconductor like FeSi and metallic bcc FeSi spacers 査読有り

    Y Saito, K Inomata

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN　67　(4)　1138-1141　1998年4月

    DOI： 10.1143/JPSJ.67.1138 　

    ISSN：0031-9015

  141. Interlayer coupling in Co/Si multilayers 査読有り

    K. Inomata, Y. Saito

    Magnetism and Magnetic Materials Conference (1997MMM Conference)　1997年11月

  142. Spin-dependent tunneling between a soft ferromagnetic layer and hard magnetic nanosize particles 査読有り

    K Inomata, H Ogiwara, Y Saito, K Yusu, K Ichihara

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　36　(10B)　L1380-L1383　1997年10月

    DOI： 10.1143/jjap.36.L1380 　

    ISSN：0021-4922

  143. Interlayer coupling in Co/Si multilayers 査読有り

    Yoshiaki Saito

    J. Appl. Phys.　81　5344　1997年6月

    DOI： 10.1063/1.364540 　

  144. 人工格子の層間交換結合と量子サイズ効果

    猪俣 浩一郎, 奥野 志保, 斉藤 好昭

    まてりあ　36　(2)　152-158　1997年

    出版者・発行元： The Japan Institute of Metals and Materials

    DOI： 10.2320/materia.36.152 　

    ISSN：1340-2625

  145. Transition from antiferromagnetic coupling to biquadratic coupling in Fe/FeSi multilayers 査読有り

    Y. Saito, K. Inomata, K. Yusu

    Jpn. J. Appl. Phys.　35　(1)　L100-L103　1996年12月11日

    出版者・発行元： 公益社団法人 応用物理学会

    DOI： 10.1143/jjap.35.L100 　

    ISSN：0021-4922

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    The detailed temperature dependence of interlayer exchange coupling in Fe/FeSi multilayers prepared by ion beam sputtering was investigated and compared with the data for Fe/Si multilayers. Significant differences between interlayer exchange coupling in Fe/FeSi and Fe/Si multilayers were observed. The coupling between Fe layers in Fe/FeSi multilayers showed a transition from antiferromagnetic to 90° coupling with decreasing temperature. This was due to the strong temperature dependence of J2 (biquadratic coupling), which outweighs that of J1 (collinear coupling) at low temperatures.

  146. Oscillations of Hall resistivity and thermoelectric power in Co(Fe)/Cu multilayers 査読有り

    H Sato, Y Kobayashi, Y Aoki, Y Saito, K Inomata

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　156　(1-3)　247-249　1996年4月

    DOI： 10.1016/0304-8853(95)00855-1 　

    ISSN：0304-8853

  147. Oscillatory interlayer couplings as functions of a ferromagnetic metal layer and a semiconducting spacer in magnetic superlattices 査読有り

    K Inomata, SN Okuno, Y Saito, K Yusu

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　156　(1-3)　219-223　1996年4月

    DOI： 10.1016/0304-8853(95)00846-2 　

    ISSN：0304-8853

  148. Oscillatory interlayer couplings as functions of a ferromagnetic metal layer and a semiconducting spacer in magnetic superlattices 招待有り 査読有り

    K Inomata, SN Okuno, Y Saito, K Yusu

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　156　(1-3)　219-223　1996年4月

    ISSN：0304-8853

  149. Oscillations of Hall resistivity and thermoelectric power in Co(Fe)/Cu multilayers 査読有り

    H Sato, Y Kobayashi, Y Aoki, Y Saito, K Inomata

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　156　(1-3)　247-249　1996年4月

    ISSN：0304-8853

  150. Die modulierte Struktur von Cu<inf>x</inf>V<inf>4</inf>O<inf>11</inf>(x = 2,12)

    Kato, K., Kosuda, K., Saito, Y., Nagasawa, H.

    Zeitschrift fur Kristallographie - New Crystal Structures　211　(8)　1996年

    DOI： 10.1524/zkri.1996.211.8.522 　

  151. The modulated structure of CUxV6O11 (x=2,12) 査読有り

    K Kato, K Kosuda, Y Saito, H Nagasawa

    ZEITSCHRIFT FUR KRISTALLOGRAPHIE　211　(8)　522-527　1996年

    ISSN：0044-2968

  152. MAGNETORESISTANCE IN FE-SI FILMS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY 査読有り

    RJ HIGHMORE, K YUSU, SN OKUNO, Y SAITO, K INOMATA

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　151　(1-2)　95-101　1995年11月

    DOI： 10.1016/0304-8853(95)00398-3 　

    ISSN：0304-8853

  153. GIANT MAGNETORESISTANCE AND MAGNETIC-ANISOTROPY OF CO9FE/CU/CO9FE MULTILAYER THIN-FILMS ON AN MGO(110) SUBSTRATE 査読有り

    K INOMATA, Y SAITO

    ELECTRICAL ENGINEERING IN JAPAN　115　(6)　1-7　1995年10月

    DOI： 10.1002/eej.4391150601 　

    ISSN：0424-7760

  154. OSCILLATIONS IN THE HALL RESISTIVITY IN CO(FE)/CU MULTILAYERS 査読有り

    H SATO, Y KOBAYASHI, Y AOKI, Y SAITO, K INOMATA

    PHYSICAL REVIEW B　52　(14)　R9823-R9826　1995年10月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.52.R9823 　

    ISSN：2469-9950

    eISSN：2469-9969

  155. CORRELATION BETWEEN THE INTERFACE STRUCTURE AND MAGNETIC AND TRANSPORT-PROPERTIES FOR CO/CU(110) AND NI8FE2/CU/CO/CU(110) SUPERLATTICES 査読有り

    Y SAITO, K INOMATA, K YUSU, A GOTO, H YASUOKA

    PHYSICAL REVIEW B　52　(9)　6500-6512　1995年9月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.52.6500 　

    ISSN：0163-1829

  156. INTERLAYER COUPLING AND MAGNETORESISTANCE IN FE-SI MULTILAYERS WITH SEMICONDUCTING SPACERS 査読有り

    K INOMATA, K YUSU, Y SAITO

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　31　(1-2)　41-47　1995年4月

    DOI： 10.1016/0921-5107(94)08015-1 　

    ISSN：0921-5107

  157. MAGNETORESISTANCE ASSOCIATED WITH ANTIFERROMAGNETIC INTERLAYER COUPLING SPACED BY A SEMICONDUCTOR IN FE/SI MULTILAYERS 査読有り

    K INOMATA, K YUSU, Y SAITO

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　74　(10)　1863-1866　1995年3月

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.74.1863 　

    ISSN：0031-9007

  158. MAGNON-EXCITATION CONTRIBUTION TO THE INTERFACE MAGNETIZATION IN CO/CU SUPERLATTICES 査読有り

    Y SAITO, K INOMATA, A GOTO, H YASUOKA, S UJI, T TERASHIMA, H AOKI

    PHYSICAL REVIEW B　51　(6)　3930-3932　1995年2月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.51.3930 　

    ISSN：0163-1829

  159. Giant magnetoresistance and interface structure in metallic multilayers 査読有り

    Yoshiaki Saito

    IEEJ Trans. on Fundamentals and Materials　115-A　930-935　1995年

    DOI： 10.1541/ieejfms1990.115.10_930 　

  160. Structure and Interlayer Magnetic Coupling in Fe/Si Multilayers 査読有り

    Yoshiaki Saito

    J. Magn. Soc. Jpn　19　373-376　1995年

    DOI： 10.3379/jmsjmag.19.373 　

  161. Interface structure and magnetic and transport properties for co/cu(Lll) multilayers 査読有り

    Yoshiaki Saito, Koichiro Inomata, Masahiko Nawate, Shigeo Honda, Atsushi Goto, Hiroshi Yasuoka

    Japanese Journal of Applied Physics　34　(6R)　3088-3092　1995年

    DOI： 10.1143/JJAP.34.3088 　

    ISSN：1347-4065 0021-4922

  162. Correlation between the interface structure and magnetic and transport properties for Co/Cu(110) and Ni8Fe2/Cu/Co/Cu(110) superlattices 査読有り

    Yoshiaki Saito, Koichiro Inomata, Keiichiro Yusu, Atsushi Goto, Hiroshi Yasuoka

    Physical Review B　52　(9)　6500-6512　1995年

    DOI： 10.1103/PhysRevB.52.6500 　

    ISSN：0163-1829

  163. TWO DIFFERENT TYPES OF ANTIFERROMAGNETIC COUPLINGS AND MAGNETORESISTANCES IN FE/SI MULTILAYERS 査読有り

    K INOMATA, K YUSU, Y SAITO

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　33　(12A)　L1670-L1672　1994年12月

    DOI： 10.1143/JJAP.33.L1670 　

    ISSN：0021-4922

  164. GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT AND MAGNETIC-ANISOTROPY IN CO9FE/CU/CO9FE TRILAYERS ON MGO(110) SUBSTRATES 招待有り 査読有り

    K INOMATA, Y SAITO, RJ HIGHMORE

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　137　(3)　257-263　1994年11月

    ISSN：0304-8853

  165. GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT AND MAGNETIC-ANISOTROPY IN CO9FE/CU/CO9FE TRILAYERS ON MGO(110) SUBSTRATES 査読有り

    K INOMATA, Y SAITO, RJ HIGHMORE

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　137　(3)　257-263　1994年11月

    DOI： 10.1016/0304-8853(94)90710-2 　

    ISSN：0304-8853

  166. Giant magnetoresistance and magnetic anisotropy in Co9Fe/Cu/Co9Fe sandwiches on a MgO (110) substrate 査読有り

    Yoshiaki Saito

    IEEJ Trans. on Fundamentals and Materials　114-A　756　1994年5月

  167. TEMPERATURE-DEPENDENCE OF GIANT MAGNETORESISTANCE IN CO/CU SUPERLATTICES 査読有り

    Y SAITO, K INOMATA, S UJI, T TERASHIMA, H AOKI

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN　63　(4)　1263-1267　1994年4月

    DOI： 10.1143/JPSJ.63.1263 　

    ISSN：0031-9015

  168. DOMAIN PROCESSES IN ANTIFERROMAGNETICALLY-COUPLED CO9FE/CU/CO9FE THIN-FILM SANDWICHES 査読有り

    RJ HIGHMORE, K YUSU, Y SAITO, SN OKUNO, K INOMATA

    ADVANCED MATERIALS '93, II - A & B　15　(A & B)　1105-1108　1994年

  169. Magnetoresistance in Fe-Si films grown by molecular beam epitaxy 査読有り

    R. J. Highmore, K. Yusu, S. N. Okuno, Y. Saito, K. Inomata

    Magnetic metallic multilayers conference 1994 (MML 1994)　1994年

  170. Thermoelectric Power of Co/Cu Multilayer 査読有り

    Katsuhiko Nishimura, Junji Sakurai, Katsuhiro Hasegawa, Yoshiaki Saito, Kouichiro Inomata, Teruya Shinjo

    Journal of the Physical Society of Japan　63　(7)　2685-2690　1994年

    DOI： 10.1143/JPSJ.63.2685 　

    ISSN：1347-4073 0031-9015

  171. GIANT MAGNETORESISTANCE AND LOW SATURATION FIELDS IN CO-FE/CU MULTILAYERS 招待有り 査読有り

    K INOMATA, Y SAITO

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　126　(1-3)　425-429　1993年9月

    ISSN：0304-8853

  172. GIANT MAGNETORESISTANCE AND LOW SATURATION FIELDS IN CO-FE/CU MULTILAYERS 査読有り

    K INOMATA, Y SAITO

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　126　(1-3)　425-429　1993年9月

    DOI： 10.1016/0304-8853(93)90645-I 　

    ISSN：0304-8853

  173. CORRELATION BETWEEN THE MAGNETORESISTANCE RATIO AND THE INTERFACE STRUCTURE INVESTIGATED BY CO-59 NMR 査読有り

    Y SAITO, K INOMATA, A GOTO, H YASUOKA

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　126　(1-3)　466-469　1993年9月

    DOI： 10.1016/0304-8853(93)90658-O 　

    ISSN：0304-8853

  174. CORRELATION BETWEEN THE MAGNETORESISTANCE RATIO AND THE INTERFACE STRUCTURE, AND LOCAL STRAIN OF CO/CU SUPERLATTICES INVESTIGATED BY CO-59 NMR 査読有り

    Y SAITO, K INOMATA, A GOTO, H YASUOKA

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN　62　(5)　1450-1454　1993年5月

    DOI： 10.1143/JPSJ.62.1450 　

    ISSN：0031-9015

  175. CORRELATION BETWEEN THE MAGNETORESISTANCE RATIO AND THE INTERFACE STRUCTURE, AND LOCAL STRAIN OF CO/CU SUPERLATTICES INVESTIGATED BY CO-59 NMR 査読有り

    Y SAITO, K INOMATA, A GOTO, H YASUOKA

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN　62　(5)　1450-1454　1993年5月

    ISSN：0031-9015

  176. Giant magnetoresistance with low saturation fields in Co-Fe/Cu and Ni80Fe20/Cu multilayers induced by optimized Ar acceleration voltage in ion beam sputtering 査読有り

    K. Inomata, Y. Saito, S. Hashimoto

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials　121　(1-3)　344-349　1993年3月2日

    DOI： 10.1016/0304-8853(93)91219-W 　

    ISSN：0304-8853

  177. GIANT MAGNETORESISTANCE WITH LOW SATURATION FIELDS IN CO-FE/CU AND NI80FE20/CU MULTILAYERS INDUCED BY OPTIMIZED AR ACCELERATION VOLTAGE IN ION-BEAM SPUTTERING 査読有り

    K INOMATA, Y SAITO, S HASHIMOTO

    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　121　(1-3)　350-356　1993年3月

    ISSN：0304-8853

  178. CHARGE-TRANSFER PHASE-TRANSITION IN CUXV4O11 査読有り

    Y SAITO, M ONODA, H NAGASAWA

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN　61　(11)　3865-3868　1992年11月

    DOI： 10.1143/JPSJ.61.3865 　

    ISSN：0031-9015

  179. GIANT MAGNETORESISTANCE IN CO/CU, CO9FE/CU, AND CO7.5FE2.5/CU MULTILAYERS 査読有り

    Y SAITO, S HASHIMOTO, K INOMATA

    IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　28　(5)　2751-2753　1992年9月

    DOI： 10.1109/20.179617 　

    ISSN：0018-9464

  180. Giant magnetoresistance dependence on Ar acceleration voltage in Co <inf>9</inf>Fe/Cu and Co<inf>3</inf>Fe/Cu multilayers 査読有り

    Saito, Y., Hashimoto, S., Inomata, K.

    Applied Physics Letters　60　(19)　2436-2438　1992年2月

    DOI： 10.1063/1.106997 　

  181. NQR and NMR studies on Pb<inf>2</inf>Sr<inf>2</inf>Y<inf>0.5</inf>Ca<inf>0.5</inf>Cu<inf>3</inf>O<inf>8+y</inf>

    Kohara, T., Ueda, K., Kohori, Y., Noji, T., Koike, Y., Saito, Y.

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials　104-107　(PART 1)　1992年

    DOI： 10.1016/0304-8853(92)90908-7 　

  182. Giant Magnetoresistance in (CoxFe1-x/Cu)n Multilayers 査読有り

    Yoshiaki Saito

    J. Magn. Soc. Jpn　16　313-318　1992年

    DOI： 10.3379/jmsjmag.16.313 　

  183. Saturation fields in Co-Fe/Cu multilayers with giant magnetoresistance: In-plane uniaxial magnetic anisotropy effects 査読有り

    K. Inomata, Y. Saito

    Applied Physics Letters　61　(6)　726-728　1992年

    DOI： 10.1063/1.107780 　

    ISSN：0003-6951

  184. Giant magnetoresistance in CO/CU, CO9FE/CU, and CO7.5FE2.5/CU multilayers 査読有り

    Y. Saito, S. Hashimoto, K. Inomata

    IEEE Transactions on Magnetics　28　(5)　2751-2753　1992年

    DOI： 10.1109/20.179617 　

    ISSN：1941-0069 0018-9464

  185. MAGNETIC AND MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES OF COXFE1-X/CU MULTILAYERS 査読有り

    Y SAITO, K INOMATA

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　30　(10A)　L1733-L1736　1991年10月

    DOI： 10.1143/JJAP.30.L1733 　

    ISSN：0021-4922

  186. Sensitive detection of phase transitions by microwave cavity perturbation method: Application to high-Tc superconductor Bi-Sr-Ca-Cu-O system 査読有り

    Yoshiaki Saito

    Physica C: Superconductivity　161　(5-6)　683　1989年9月

    DOI： 10.1016/0921-4534(89)90405-X 　

  187. Arsenic-rich melt effect on threshold voltage scattering for Si-implanted GaAs metal-semiconductor field-effect transistor

    Saito, Y.

    Journal of Applied Physics　65　(2)　1989年

    DOI： 10.1063/1.343076 　

    ISSN：0021-8979

  188. Superconducting and magnetic properties of Bi<inf>2</inf>Sr<inf>2</inf>Ca<inf>1-x</inf>Y<inf>x</inf>Cu<inf>2</inf>O<inf>y</inf> (0≦x≦1)

    Yoshizaki, R., Saito, Y., Abe, Y., Ikeda, H.

    Physica C: Superconductivity and its applications　152　(5)　1988年

    DOI： 10.1016/0921-4534(88)90045-7 　

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MISC 49

  1. 電圧制御型スピントロニクスメモリ(VoCSM) (磁気記録・情報ストレージ)

    アルタンサルガイ ブヤンダライ, 與田 博明, 井口 智明, 大沢 裕一, 下村 尚治, 白鳥 聡志, 杉山 英行, 加藤 侑志, 上口 裕三, 清水 真理子, 鴻井 克彦, 及川 壮一, 石川 瑞恵, アジヤイ テイワリ, 池上 一隆, 斉藤 好昭, 黒部 篤

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　117　(118)　37-40　2017年7月7日

    出版者・発行元： 電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

  2. 電圧制御型スピントロニクスメモリ(VoCSM) (マルチメディアストレージ)

    アルタンサルガイ ブヤンダライ, 與田 博明, 井口 智明, 大沢 裕一, 下村 尚治, 白鳥 聡志, 杉山 英行, 加藤 侑志, 上口 裕三, 清水 真理子, 鴻井 克彦, 及川 壮一, 石川 瑞恵, テイワリ アジヤイ, 池上 一隆, 斉藤 好昭, 黒部 篤

    映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report　41　(21)　37-40　2017年7月

    出版者・発行元： 映像情報メディア学会

    ISSN： 1342-6893

  3. 依頼講演 超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ : Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM (集積回路)

    與田 博明, 下村 尚治, 大沢 裕一, 白鳥 聡志, 加藤 侑志, 井口 智明, 上口 裕三, アルタンサガイ ブヤンダライ, 斉藤 好昭, 鴻井 克彦, 杉山 英行, 及川 壮一, 清水 真理子, 石川 瑞恵, 池上 一隆, 黒部 篤

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　117　(9)　1-4　2017年4月20日

    出版者・発行元： 電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

  4. 招待講演 超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ : Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM (シリコン材料・デバイス)

    與田 博明, 下村 尚治, 大沢 裕一, 白鳥 聡志, 加藤 侑志, 井口 智明, 上口 裕三, アルタンサガイ ブヤンダライ, 斉藤 好昭, 鴻井 克彦, 杉山 英行, 及川 壮一, 清水 真理子, 石川 瑞恵, 池上 一隆, 黒部 篤

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　116　(448)　25-28　2017年1月30日

    出版者・発行元： 電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

  5. Si〈100〉スピン伝導素子のスピン信号強度増大

    石川瑞恵, 石川瑞恵, 塚原誠人, 藤田裕一, 山田晋也, 杉山英行, 斉藤好昭, 浜屋宏平

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017年

    ISSN： 2436-7613

  6. Si系横型素子における室温スピン信号の増大

    岡孝保, 石川瑞恵, 藤田裕一, 山田晋也, 金島岳, 斉藤好昭, 浜屋宏平

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　2016年

    ISSN： 2436-7613

  7. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2015 roadmap

    Yoshiaki Saito

    2015年

  8. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2013 roadmap

    Yoshiaki Saito

    International Technology Roadmap for Semiconductors　2013年

  9. 先端メモリ及びロジックICへ向けたスピンMOSFET技術

    井口 智明, 棚本 哲史, 斉藤 好昭

    東芝レビュー　66　(11)　40-43　2011年11月

    出版者・発行元： 東芝技術企画室

    ISSN： 0372-0462

  10. Spin-based MOSFET の現状と展望

    斉藤 好昭

    まぐね = Magnetics Japan　6　(1)　16-22　2011年2月1日

    出版者・発行元： 日本磁気学会

    ISSN： 1880-7208

  11. 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用

    井口 智明, 丸亀 孝生, 棚本 哲史, 杉山 英行, 石川 瑞恵, 斉藤 好昭

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路　110　(183)　125-129　2010年8月19日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    スピン注入書き込み可能な新しいタイプのスピンMOSFET(Spin-transfer-Torque Switching MOSFET, STS-MOSFET)を開発し,不揮発かつ再構成可能な集積回路へ有用性を確認した.Si基板上に作製したSTS-MOSFETの電気特性を評価した結果,明瞭な磁気電流特性(読み出し特性)とスピン注入磁化反転による10^5回以上の良好な繰り返し抵抗変化(書き込み特性)を観測した.さらに,読み出し・書き込み特性を最適化する電圧端子の接続配置を明らかにした.また,大規模回路シミュレーションにてスピンMOSFETの様々なFPGA回路への適合性を解析したところ,従来CMOS回路よりも特に回路遅延特性で顕著な向上が得られることが判明した.これらの結果はスピンMOSFET及びその書換え動作可能構造であるSTS-MOSFETが,将来の不揮発かつ再構成可能な集積回路にとって有望な素子であることを示している.

  12. 自己差動メモリ素子の作製とその検出

    杉山 英行, 斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　28　220-220　2004年9月21日

  13. MRAMの高性能化とその課題

    與田 博明, 浅尾 吉昭, 斉藤 好昭, 上田 知正, 菊田 邦子, 岸 達也, 池川 純夫, 石綿 延行, 土田 賢二, 田原 修一

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路　103　(2)　11-15　2003年4月3日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    不揮発性、高速性、大容量化を併せ持つランダムアクセスメモリとして期待されているMRAMが、期待に応えるための技術課題を明確化し、それら課題を克服するための技術候補をレビューする。さらに最大課題と考えられている書き込み電流低減を克服する技術候補であるヨーク付き配線を導入したMRAMの試作評価結果について報告する。

  14. MRAM : 開発の最前線

    斉藤 好昭, 天野 実, 岸 達也, 上田 智樹, 浅尾 吉昭, 土田 賢二, 與田 博明

    日本応用磁気学会研究会資料　128　85-92　2003年1月30日

    ISSN： 1340-7562

  15. 大容量MRAMの展望

    浅尾 吉昭, 土田 賢二, 斉藤 好昭, 池川 純夫, 與田 博明

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　26　165-166　2002年9月1日

    ISSN： 1340-8100

  16. デイープサブミクロン強磁性二重トンネル接合素子

    高橋 茂樹, 中島 健太郎, 天野 実, 岸 達也, 斉藤 好昭

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　25　326-326　2001年9月1日

    ISSN： 1340-8100

  17. MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性

    斉藤 好昭, 中島 健太郎, 天野 実, 高橋 茂樹, 岸 達也, 砂井 正之

    日本応用磁気学会研究会資料　119　33-40　2001年3月6日

    ISSN： 1340-7562

  18. ナノ構造強磁性二重トンネル接合における磁気抵抗効果

    中島 健太郎, 斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　174a-174b　2000年9月1日

    ISSN： 1340-8100

  19. 二重トンネル接合強磁性中間層のスイッチング特性

    中島 健太郎, 砂井 正之, 天野 実, 高橋 茂樹, 斉藤 好昭

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　27-27　2000年9月1日

    ISSN： 1340-8100

  20. MRAM用低抵抗強磁性二重トンネル接合素子

    斉藤 好昭, 天野 実, 中島 健太郎, 高橋 茂樹, 砂井 正之

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　28-28　2000年9月1日

    ISSN： 1340-8100

  21. デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化

    天野 実, 斉藤 好昭, 中島 健太郎, 高橋 茂樹

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　50-50　2000年9月1日

    ISSN： 1340-8100

  22. TMRのMRAM応用研究の現状と課題

    猪俣 浩一郎, 斎藤 好昭, 中島 健太郎, 砂井 正之

    日本応用磁気学会研究会資料　112　35-42　1999年11月26日

    ISSN： 1340-7562

  23. 強磁性一重および二重トンネル接合のTMR

    斉藤 好昭, 中島 健太郎, 猪俣 浩一郎

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　23　428-428　1999年10月1日

  24. 強磁性ナノ粒子を用いた二重トンネル接合のTMR

    中島 健太郎, 斉藤 好昭, 中村 新一, 猪俣 浩一郎

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　23　282-282　1999年10月1日

  25. 28p-J-14 強磁性2重トンネル接合の磁気抵抗

    斉藤 好昭, 中島 健太郎, 猪俣 浩一郎

    日本物理学会講演概要集　54　(1)　413-413　1999年3月15日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  26. 強磁性ナノ粒子層を介した二重トンネル接合の磁気抵抗 (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)

    斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎, 中村 新一

    東芝レビュー　54　(2)　9-12　1999年2月

    出版者・発行元： 東芝技術企画室

    ISSN： 0372-0462

  27. 強磁性ナノ粒子を介したスピン依存トンネル

    斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　22　57-57　1998年9月1日

  28. ハイブリッド型トンネル接合のMR

    猪俣 浩一郎, 斎藤 好昭

    電気学会研究会資料. MAG, マグネティックス研究会　1998　(69)　23-26　1998年7月17日

  29. 強磁性ナノ粒子と強磁性電極間のスピン依存トンネル

    猪俣 浩一郎, 荻原 英夫, 斉藤 好昭, 柚須 圭一郎, 市原 勝太郎

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　21　179-179　1997年10月1日

  30. 7a-YG-17 半導体εFeSi中間層を持つFe/FeSi/Feサンドイッチ膜の輸送特性

    斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎

    日本物理学会講演概要集　52　(2)　523-523　1997年9月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  31. 強磁性トンネル接合のGMR

    猪俣 浩一郎, 斎藤 好昭

    電気学会研究会資料. MAG, マグネティックス研究会　1997　(93)　43-45　1997年7月4日

  32. 29a-WB-3 B20構造およびbcc構造FeSi中間非磁性層をもつFe/FeSi/Feサンドイッチ膜の磁気的電気的特性

    斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎

    日本物理学会講演概要集　52　(1)　478-478　1997年3月17日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  33. 磁性体/半導体人工格子の交換結合

    猪俣 浩一郎, 斉藤 好昭

    電気学会研究会資料. MAG, マグネティックス研究会　1996　(65)　11-17　1996年6月7日

  34. Fe/FeSi人工格子膜の磁気及び輸送特性

    斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎, 柚須 圭一郎

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1995　(3)　119-119　1995年9月12日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  35. Fe-Si多層膜の交換結合および電気抵抗の温度変化

    猪俣 浩一郎, 斉藤 好昭

    日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　19　109-109　1995年9月1日

  36. 29a-PS-30 Co/Cu人工格子膜の界面構造とGMRのアニール温度依存性

    斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎, 後藤 敦, 安岡 弘志, 縄手 雅彦, 本多 茂男

    日本物理学会講演概要集. 年会　50　(3)　49-49　1995年3月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  37. Oscilation in Hall resistivity in Co(Fe)/Cu multilayers

    SATO H, KOBAYASHI Y, AOKI Y, SAITO Y, INOMATA K

    Phys. Rev.　52　(14)　R9823-R9826　1995年

    DOI： 10.1103/PhysRevB.52.R9823 　

    ISSN： 0163-1829

  38. MgO(110)基板上Co9Fe/Cu/Co9Feサンドイッチ膜の巨大磁気抵抗効果と磁気異方性 (磁性薄膜の軟磁性・新機能<特集>)

    猪俣 浩一郎, 斉藤 好昭

    電気学会論文誌 A 基礎・材料・共通部門誌　114　(11)　p756-760　1994年10月

    出版者・発行元： 電気学会

    ISSN： 0385-4205

  39. 4a-YA-7 Co/Cu, NiFe/Cu/Co/Cu人工格子膜の界面構造とMR変化率

    斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎, 後藤 敦, 安岡 弘志

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1994　(3)　131-131　1994年8月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  40. 3p-YA-18 Fe/Si多層膜の温度に依存した交換結合

    猪俣 浩一郎, 柚須 圭一郎, 斉藤 好昭

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1994　(3)　90-90　1994年8月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  41. 29a-YQ-3 Co/Cu, Fe/Cr人工格子膜の巨大磁気抵抗効果の温度依存性

    斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎, 宇治 進也, 寺島 太一, 青木 晴義, 後藤 敦, 安岡 弘志

    日本物理学会講演概要集. 年会　49　(3)　72-72　1994年3月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  42. 13a-R-5 磁性多層膜Au/Co/Au/MiFe及びCo/Cuおける電気抵抗率の温度変化

    長谷川 勝啓, 西村 克彦, 桜井 酵児, 斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎, 新庄 輝也

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1993　(3)　37-37　1993年9月20日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  43. 1a-S-8 Co/Cu,Co-Fe/Cu人工格子膜の巨大磁気抵抗効果の温度依存性

    斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎, 宇治 進也, 清水 禎, 青木 晴善

    日本物理学会講演概要集. 年会　48　(3)　144-144　1993年3月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  44. Giant magnetoresistance with low saturation fields in Co-Fe/Cu and NiFe/Cu multilayers induced by optimized Ar acceleration voltages in ion beam sputtering

    INOMATA K, SAITO Y, HASHIMOTO S

    J.Magn.Magn.Mater.　121　(1/3)　350-356　1993年

    DOI： 10.1016/0304-8853(93)91220-2 　

    ISSN： 0304-8853

  45. 25p-N-9 Co/CuNi人工格子の層間相互作用の振動周期

    奥野 志保, 猪俣 浩一郎, 高橋 義則, 斉藤 好昭

    秋の分科会講演予稿集　1992　(3)　29-29　1992年9月14日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  46. 25p-N-12 ^<59>Co核NMRから見た界面とMR変化率の相関

    斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎, 後藤 敦, 安岡 弘志

    秋の分科会講演予稿集　1992　(3)　31-31　1992年9月14日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  47. 30a-APS-31 Fe/Cr系人工格子の強磁性層厚による磁気抵抗効果振動現象

    奥野 志保, 斉藤 好昭, 猪俣 浩一郎

    年会講演予稿集　46　(3)　161-161　1991年9月12日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  48. 29p-ZJ-8 (FeCo/Cu)n人工格子膜の巨大磁気抵抗効果

    斉藤 好昭, 奥野 志保, 猪俣 浩一郎

    年会講演予稿集　46　(3)　98-98　1991年9月12日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  49. 24p-W-13 Co/Mn多層膜の磁性

    斉藤 好昭, 柚須 圭一郎, 猪俣 浩一郎

    春の分科会講演予稿集　1991　(3)　34-34　1991年3月11日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

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書籍等出版物 6

  1. Nanomagnetic Materials : Fabrication, Characterization and Application

    Yoshiaki Saito, Edi, Akinobu Yamaguchi, Atsufumi Hirohata, Bethanie Stadler

    2021年7月

  2. 2020版 薄膜作製応用ハンドブック

    監修者 權田俊一, 編集委員 酒井忠司、田畑仁、八瀬清志, 編集協力委員 宮崎照宣

    株式会社 エヌ・ティー・エス　2020年2月

  3. スピントロニクスの基礎と材料・応用技術の最前線 《普及版》

    斉藤好昭

    シーエムシー 出版、高梨 弘毅 教授編集　2015年8月

  4. スピントロニクスの基礎と材料・応用技術の最前線

    斉藤好昭

    シーエムシー 出版、高梨 弘毅 教授編集　2009年6月

  5. ２１世紀版、薄膜作製応用ハンドブック

    斉藤好昭

    株式会社 エヌ・ティー・エス, 権田俊一教授監修　2003年4月

  6. MRAM技術～基礎からLSI応用まで～

    斉藤好昭

    サイペック(株)REALIZE事業部門, 猪俣浩一郎 教授監修　2002年2月

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共同研究・競争的資金等の研究課題 10

  1. スピン軌道トルクにおける軌道対称性効果の解明と高効率大容量スピンデバイスの創製

    斉藤 好昭

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Sicence

    制度名：Scientific Research (S)

    研究機関：Tohoku University

    2024年4月 ～ 2029年3月

  2. 反強磁性体材料を基軸とした超高密度不揮発メモリデバイスの開拓

    斉藤 好昭

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)

    研究機関：Tohoku University

    2021年7月 ～ 2026年3月

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    本研究の目的は、本質的に微細化限界が生じない『反強磁性体を用いた超高密度メモリデバイス』の動作原理を実証し、超大容量・超高速性・低消費電力性を有する次世代メモリデバイスを開拓することにある。 令和3年度は、現状保有している超高真空スパッタ装置の１源チャンバーに、ターゲット交換機構と基板加熱機構を付与し、真空を破ることなく4種類の反強磁性体を成膜できる研究環境を整えた。また、以下の知見を明らかにした。 （１）新規成膜機構を用いて、読み出し用の反強磁性体の検討を行った結果、反強磁性体IrMn(111)上にMgO/Ptがエピタキシャル成長することが確認された。MgOの配向面は(111)であることが分かった。 （２）書き込み用の反強磁性構造として、Pt/Ir/Pt(Phys. Rev. B 104, 064439 (2021))およびPt/Ru/Pt(Appl. Lett. 119, 142401-1/7 (2021))非磁性中間層を有する新規なSynthetic反強磁性構造を設計し提案した。また、実際に提案構造を作製して評価した結果、反強磁性構造が実現し、大きなスピンHall効果が得られることが明らかとなった。電流をスピン電流に変換する効率（スピンHall角）は、Pt単層膜の約２倍であることが分かった。Pt/Ir/Pt系の比抵抗は、Pt単層膜とほぼ同等であることから、Pt/Ir/Pt系Synthetic反強磁性電極のSOT書込み時の消費電力は、Pt単層膜の約１／２に低減可能である。また、本構造を用いて、異なる反強磁性状態間を安定的にSOTスピン反転可能であることを実証した(Phys. Rev. B 105, 054421 (2022))。

  3. 高効率スピン軌道トルク電圧制御デバイス創製を目指したナノ構造エンジニアリング 競争的資金

    斉藤 好昭

    制度名：Grant-in-Aid for Scientific Research

    2019年4月 ～ 2023年3月

  4. 純スピン流伝導の光・電界制御 競争的資金

    制度名：Grant-in-Aid for Scientific Research

    2016年4月 ～ 2017年9月

  5. ImPACT: 低RA・高スピン偏極ソース/ドレイン電極開発（スピンFETプロジェクト） 競争的資金

    2014年12月 ～ 2017年3月

  6. 半導体チャネルを介した磁気抵抗比の増大に関する研究 競争的資金

    制度名：Grant-in-Aid for Scientific Research

    2014年4月 ～ 2017年3月

  7. 縦型ショットキートランジスタの創製 競争的資金

    制度名：Grant-in-Aid for Scientific Research

    2013年4月 ～ 2016年3月

  8. ホイスラー合金ソース・ドレイン構造を用いたＳｉチャンネルを介した磁気抵抗効果 競争的資金

    制度名：Grant-in-Aid for Scientific Research

    2010年4月 ～ 2013年3月

  9. NEDO: 高スピン偏極率材料を用いたスピンMOSFET の研究開発 競争的資金

    制度名：New Energy Technology Research and Development

    2006年10月 ～ 2009年9月

  10. CREST-JST: スピン量子ドットメモリ創製のための要素技術開発 競争的資金

    制度名：JST Basic Research Programs (Core Research for Evolutional Science and Technology :CREST)

    2001年4月 ～ 2006年3月

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