研究者詳細

顔写真

カワニシ　サキコ
川西　咲子
Sakiko Kawanishi
所属
多元物質科学研究所　附属金属資源プロセス研究センター　原子空間制御プロセス研究分野
職名
准教授
学位

  • 博士(工学) （東京大学）

e-Rad 研究者番号
80726985

経歴 8

  • 2023年3月 ～ 継続中
    東北大学　多元物質科学研究所　講師

  • 2022年2月 ～ 継続中
    東北大学 プロミネントリサーチフェロー

  • 2015年12月 ～ 2023年2月
    東北大学　多元物質科学研究所　助教

  • 2019年5月 ～ 2022年3月
    National Renewable Energy Laboratory　Visiting assistant professor

  • 2015年4月 ～ 2015年11月
    東京大学　生産技術研究所　日本学術振興会 特別研究員(PD)

  • 2014年4月 ～ 2015年3月
    東京大学　生産技術研究所　特任研究員

  • 2013年10月 ～ 2014年4月
    東京大学　生産技術研究所　日本学術振興会 特別研究員(PD)

  • 2011年4月 ～ 2013年9月
    東京大学　生産技術研究所　日本学術振興会 特別研究員(DC)

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学歴 3

  • 東京大学　工学系研究科　マテリアル工学専攻

    2010年10月 ～ 2013年9月

  • 大阪大学　工学研究科　マテリアル生産工学専攻

    2007年4月 ～ 2009年3月

  • 大阪大学　工学部　応用理工学科

    2003年4月 ～ 2006年3月

委員歴 7

  • 日本学術振興会 R026先端計測技術の将来設計委員会　委員

    2022年10月 ～ 継続中

  • 日本結晶成長学会　渉外・広報委員会

    2022年4月 ～ 継続中

  • 日本学術振興会 製鋼第19委員会　委員

    2022年1月 ～ 継続中

  • 日本学術振興会 R032産業イノベーションのための結晶成長委員会　委員

    2021年4月 ～ 継続中

  • 日本金属学会　会報編集委員

    2021年4月 ～ 継続中

  • 日本金属学会　男女共同参画委員

    2019年4月 ～ 継続中

  • 応用物理学会東北支部　企画運営委員・広報担当

    2018年4月 ～ 継続中

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所属学協会 5

  • 日本結晶成長学会

  • 日本熱物性学会

  • 応用物理学会

  • 日本鉄鋼協会

  • 日本金属学会

研究分野 1

  • ナノテク・材料 / 金属生産、資源生産 / 結晶成長、熱力学、融体物性

受賞 11

  1. 第6回東北大学優秀女性研究者賞「紫千代萩賞」

    2023年3月　東北大学　化合物半導体材料の高温溶液成長の研究

  2. 第18回奨励賞

    2020年11月　日本結晶成長学会　SiCの高温溶液成長界面のその場観察

  3. 原田研究奨励賞

    2019年7月　公益財団法人 本多記念会　ワイドギャップ半導体結晶の溶液成長ダイナミクスに関する研究

  4. 第13回JOINT JIM/TMS Young Leaders International Scholar Awards

    2019年3月　日本金属学会

  5. 研究奨励賞

    2019年3月　日本鉄鋼協会　溶液成長法による新規材料開発

  6. 第66回論文賞

    2018年9月19日　日本金属学会　Thermodynamics and Kinetics of Direct Synthesis of Solar Grade Silicon from Metallurgical Silicon Wafer by Liquid Phase Migration in Solid Silicon

  7. 第12回多元物質科学研究奨励賞

    2017年12月5日　籏野奨学基金　シリコンカーバイドの溶液成長に関する研究

  8. 第27回 日本金属学会 奨励賞

    2017年9月6日　公益社団法人 日本金属学会　溶液成長法による新規材料開発に関する研究

  9. 第34回（2013年春季）応用物理学会講演奨励賞

    2013年3月　応用物理学会　干渉縞を利用した溶融合金へのSiC溶解時の高温界面リアルタイム観察

  10. 優秀賞

    2008年3月　日本鉄鋼協会 第155回春季講演大会 ポスター発表　溶融Fe-Si-C合金を利用したSiCの低温結晶成長の試み

  11. 優秀発表賞

    2007年12月　日本鉄鋼協会関西支部 第3回鉄鋼プロセス研究会 ポスター発表　溶融Fe-Si-C合金を利用したSiCの低温結晶成長の試み

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論文 45

  1. High open-circuit voltage in single-crystalline n-type SnS/MoO3 photovoltaics

    Issei Suzuki, Zexin Lin, Taichi Nogami, Sakiko Kawanishi, Binxiang Huang, Andreas Klein, Takahisa Omata

    APL Materials　11　(3)　031116-031116　2023年3月1日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0143617 　

    eISSN：2166-532X

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    It has been recently reported that n-type single crystalline SnS exhibits a large band bending (∼1 eV) at the interface with MoO3, which is a large work function material. In this study, we applied this interface to solar cells for the first time and evaluated its photovoltaic properties. The highest VOC achieved was 437 mV. Although this value is the highest ever recorded for SnS solar cells, it was lower than the expected value of 700–800 mV. The highest power conversion efficiency ( PCE) was 4.4%. Based on an analysis of the device parameters, we propose methods for improving the device performance, including VOC, the short-circuit current, and PCE. The carrier-collection length of the n-type SnS single crystals was estimated to be ∼200 nm based on the external quantum efficiency measurements. Therefore, this study demonstrates that the VOC of SnS solar cells can be improved by fabricating a junction with MoO3 thin films.

  2. Experimental Identification of Atomic Orbital Contributions to SnS Valence Band using Polarization‐Dependent Angle‐Resolved Photoemission Spectroscopy 査読有り

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Kiyohisa Tanaka, Takahisa Omata, Shin-ichiro Tanaka

    physica status solidi (b)　2200408-2200408　2023年2月8日

    出版者・発行元： Wiley

    DOI： 10.1002/pssb.202200408 　

    ISSN：0370-1972

    eISSN：1521-3951

  3. Incorporation limit of MoO 3 in sodium borosilicate glasses 査読有り

    Sohei Sukenaga, Hiroki Unozawa, Yuki Chiba, Masanori Tashiro, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata

    Journal of the American Ceramic Society　106　(1)　293-305　2023年1月

    出版者・発行元： Wiley

    DOI： 10.1111/jace.18760 　

    ISSN：0002-7820

    eISSN：1551-2916

  4. Avoiding Fermi Level Pinning at the SnS Interface for High Open-Circuit Voltage 査読有り

    Issei Suzuki, Binxiang Huang, Sakiko Kawanishi, Takahisa Omata, Andreas Klein

    The Journal of Physical Chemistry C　126　(48)　20570-20576　2022年12月8日

    出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acs.jpcc.2c04212 　

    ISSN：1932-7447

    eISSN：1932-7455

  5. Current status of n-type SnS: paving the way for SnS homojunction solar cells 査読有り

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Takahisa Omata, Hiroshi Yanagi

    Journal of Physics: Energy　4　(4)　042002-042002　2022年10月1日

    出版者・発行元： IOP Publishing

    DOI： 10.1088/2515-7655/ac86a1 　

    eISSN：2515-7655

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    Abstract Orthorhombic SnS is a promising thin-film solar-cell material composed of safe and abundant elements with suitable optical properties for photovoltaic application. For approximately two decades, SnS solar cells have employed heterojunction structures with p-type SnS and other n-type semiconductors because undoped SnS typically exhibits p-type electrical conduction. However, their conversion efficiency has remained stagnant at 4%–5% for a long time. A breakthrough is required to significantly improve their conversion efficiencies before SnS solar cells can be put into practical use. Therefore, this comprehensive review article establishes the current state of the art in SnS solar cells, with an aim to accelerate both fundamental research and practical applications in this field. We discuss issues specific to SnS heterojunction solar cells, the advantages of the homojunction structure, and summarize recent advances in the n-type conversion of SnS by impurity doping, which is required to form a homojunction. The latter half of this article describes the latest research on the fabrication of n-type single crystals and films of halogen-doped n-type SnS, which is prepared via a doping system suitable for practical use. We conclude the article by summarizing the current status and future work on SnS homojunction devices, including the development of high-efficiency multi-junction SnS solar cells by band gap engineering.

  6. Contribution of the Sn 5s state to the SnS valence band: direct observation via ARPES measurements

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Kiyohisa Tanaka, Takahisa Omata, Shin-ichiro Tanaka

    Electronic Structure　4　(2)　025004-025004　2022年6月1日

    出版者・発行元： IOP Publishing

    DOI： 10.1088/2516-1075/ac6ea8 　

    eISSN：2516-1075

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    Abstract Tin sulfide (SnS) is a compound semiconductor that has been studied for a wide range of applications, including solar cells and thermoelectric materials. In this study, the electronic structure of the SnS valence band, which is important for such applications, was investigated via angle-resolved photoelectron spectroscopy with two different excitation energies in the extreme ultraviolet region (21 and 60 eV). The contribution of the Sn 5s state to the SnS valence band was determined in relation to the k-vector by utilizing the fact that the cross section of Sn 5s state varies significantly compared to those of other states in the extreme ultraviolet region. The experimental results demonstrate that the Sn 5s state significantly contributed to the k-vector around the valence band maximum (VBM) and second VBM (VBM1).

  7. Contribution of Dislocations in SiC Seed Crystals on the Melt-Back Process in SiC Solution Growth 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata, Takeshi Yoshikawa

    Materials　15　(5)　1796-1796　2022年2月27日

    出版者・発行元： MDPI AG

    DOI： 10.3390/ma15051796 　

    eISSN：1996-1944

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    The melt-back process has a significant effect on the quality of solution-grown SiC crystals. However, the phenomena surrounding the SiC dissolution into the molten alloy during the melt-back process have not been clarified. In this study, the behavior of 4H-SiC dissolution into molten alloy was investigated by using high-temperature in situ observation and subsequent KOH etching, and the effects of different doping conditions and crystal polarity were studied. Local dissolutions with hexagonal pyramid-shape originating from threading screw dislocation (TSD) were observed on the C face of n-type SiC with light nitrogen doping. Our analysis of their behavior revealed that the process was governed by the spiral dissolution. In addition to the dissolution at TSD, local dissolutions at threading-edge dislocations were observed on the Si face of the same crystal. The shape of the local dissolution at the dislocation was significantly affected by the doping conditions and the polarity of the SiC crystal. This local dissolution may occur during the melt-back process, suggesting that it is important to promote the dissolution while maintaining a smooth interface through the selection of the seed crystal and by keeping the degree of interface undersaturation small.

  8. Inhibitory Effect of MgO, FeO, CaF2, and Al2O3 Additives on the Dissolution Behavior of Ca from Silicate Mineral Phases into Water 査読有り

    Fang Ruan, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Hiroyuki Shibata

    Metallurgical and Materials Transactions B　53　(1)　407-417　2022年2月2日

    出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC

    DOI： 10.1007/s11663-021-02376-3 　

    ISSN：1073-5615

    eISSN：1543-1916

  9. Direct evaluation of hole effective mass of SnS–SnSe solid solutions with ARPES measurement 査読有り

    Issei Suzuki, Zexin Lin, Sakiko Kawanishi, Kiyohisa Tanaka, Yoshitaro Nose, Takahisa Omata, Shin-Ichiro Tanaka

    Physical Chemistry Chemical Physics　24　(2)　634-638　2022年1月

    出版者・発行元： Royal Society of Chemistry (RSC)

    DOI： 10.1039/d1cp04553a 　

    ISSN：1463-9076

    eISSN：1463-9084

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    The hole effective masses of SnS–SnSe solid solutions, crucial factors for their thermoelectric properties, are directly evaluated by ARPES measurement. They decrease slightly with increasing Se in the low Se range but sharply in the high Se range.

  10. First Principles Calculation of Electrical and Optical Properties of Cu3AsO4: Promising Thin-Film Solar Cell Absorber from Nonferrous Metal Manufacturing By-Products 査読有り

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Naoki Ohashi, Aiga Gomi, Junya Kano, Hiroto Watanabe, Satoshi Asano, Takahisa Omata

    MATERIALS TRANSACTIONS　63　(1)　73-81　2022年1月1日

    出版者・発行元： Japan Institute of Metals

    DOI： 10.2320/matertrans.m-m2021851 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

  11. n-type electrical conduction in SnS thin films 査読有り

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Sage R. Bauers, Andriy Zakutayev, Zexin Lin, Satoshi Tsukuda, Hiroyuki Shibata, Minseok Kim, Hiroshi Yanagi, Takahisa Omata

    Physical Review Materials　5　(12)　125405　2021年12月9日

    出版者・発行元： American Physical Society (APS)

    DOI： 10.1103/physrevmaterials.5.125405 　

    eISSN：2475-9953

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    Tin monosulfide (SnS) usually exhibits p-type conduction due to the low formation enthalpy of acceptor-type defects, and as a result, n-type SnS thin films have never been obtained. In this paper, we realize n-type conduction in SnS thin films by using radiofrequency-magnetron sputtering with Cl doping and a sulfur plasma source during deposition. Here, n-type SnS thin films are obtained at all the substrate temperatures employed in this paper (221-341 °C), exhibiting carrier concentrations and Hall mobilities of ∼2×1018cm-3 and 0.1-1cm2V-1s-1, respectively. The films prepared without a sulfur plasma source, on the other hand, exhibit p-type conduction despite containing a comparable amount of Cl donors. This is likely due to a significant number of acceptor-type defects originating from sulfur deficiency in p-type films, which appears as a broad optical absorption within the band gap. We demonstrate n-type SnS thin films in this paper for the realization of SnS homojunction solar cells, which are expected to have a higher conversion efficiency than the conventional heterojunction SnS solar cells.

  12. Elucidation of Gas Formation Effect on Strong Inhibition of Magnetite Dissolution in Cu2S Through In-Situ Analysis of Reactive Interface

    Seung-Hwan Shin, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Makoto Ohtsuka, Junichi Takahashi, Hiroyuki Shibata

    Metallurgical and Materials Transactions B　52　(6)　3720-3729　2021年12月

    出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC

    DOI： 10.1007/s11663-021-02279-3 　

    ISSN：1073-5615

    eISSN：1543-1916

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    During copper smelting using a flash furnace, the solid magnetite (Fe3O4) phase that stagnates at the slag/matte interface inhibits the absorption of the suspended matte in the slag into the matte, resulting in copper loss. However, the phenomena that occur at the magnetite/matte interface are complex, and the effect of gas formation at the interface on the removal of magnetite has not been studied. In this study, we elucidated the effect of gas formation on the dissolution of the magnetite phase into the matte by directly observing the high-temperature reaction interface through the magnetite thin film. In contrast to the rapid dissolution of magnetite into FeS in the absence of gas formation, magnetite dissolution was strongly inhibited at the Cu2S/magnetite interface by the generation, agglomeration, and accumulation of SO2 gas bubbles. A quantitative analysis of the dissolution rate of the magnetite phase into Cu2S indicated that the mass transfer rate of Fe in the matte is extremely low. We also discuss the contribution of the generated SO2 gas to the inhibition of the interfacial reaction.

  13. Thermal Conductivity of Sodium Silicate Glasses and Melts: Contribution of Diffusive and Propagative Vibration Modes 査読有り

    Sohei Sukenaga, Takahiko Endo, Tsuyoshi Nishi, Hiroki Yamada, Koji Ohara, Toru Wakihara, Koji Inoue, Sakiko Kawanishi, Hiromichi Ohta, Hiroyuki Shibata

    Frontiers in Materials　8　753746　2021年11月1日

    出版者・発行元： Frontiers Media SA

    DOI： 10.3389/fmats.2021.753746 　

    eISSN：2296-8016

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    The thermal conductivity of silicate melts and glasses is an important physical property for understanding the temperature distribution in high-temperature metallurgical processes; however, the mechanism of heat conduction in these non-crystalline materials remains unclear. Two types of vibration modes must be considered to understand the mechanism of heat conduction, namely, propagative and diffusive vibration modes. In the present study, we carefully derived the thermal conductivity of pure silica and sodium disilicate glasses and melts, and estimated the contribution of the diffusive vibration mode using a recently developed model. The results indicated that the diffusive vibration mode was not dominant in the silicate non-crystalline materials, whereas the propagative vibration mode (i.e., phonons) was dominant in the heat conduction of silicate glasses and melts, which is in contrast with borate glasses.

  14. Suppressing solvent compositional change during solution growth of SiC using SiC/C gradient crucible 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Hironori Daikoku, Hiroyuki Shibata, Takeshi Yoshikawa

    Journal of Crystal Growth　576　126382-126382　2021年10月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2021.126382 　

    ISSN：0022-0248

  15. Negligible Temperature Dependence of Nitrogen Solubility in Molten Silicon–Chromium Alloys at Middle Composition Range 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Shogo Hachinoda, Hiroyuki Shibata

    MATERIALS TRANSACTIONS　62　(10)　1519-1523　2021年8月20日

    出版者・発行元： Japan Institute of Metals

    DOI： 10.2320/matertrans.mt-m2021074 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

  16. In Situ Interferometry for ppm-Order Solubility Analysis at High Temperatures: A Case Study of Carbon Solubility in Molten Silicon 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Didier Chaussende, Hiroyuki Shibata

    Metallurgical and Materials Transactions B　52　(4)　2619-2625　2021年8月

    出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC

    DOI： 10.1007/s11663-021-02216-4 　

    ISSN：1073-5615

    eISSN：1543-1916

  17. Density, surface tension, and viscosity of liquid Si–Cr alloys and influence on temperature and fluid flow during solution growth of SiC 査読有り

    Hironori Daikoku, Sakiko Kawanishi, Takehiko Ishikawa, Takeshi Yoshikawa

    The Journal of Chemical Thermodynamics　106476-106476　2021年3月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.jct.2021.106476 　

    ISSN：0021-9614

  18. SnS Homojunction Solar Cell with n‐Type Single Crystal and p‐Type Thin Film 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Issei Suzuki, Sage R. Bauers, Andriy Zakutayev, Hiroyuki Shibata, Hiroshi Yanagi, Takahisa Omata

    Solar RRL　5　(4)　2000708-2000708　2021年2月25日

    出版者・発行元： Wiley

    DOI： 10.1002/solr.202000708 　

    ISSN：2367-198X

    eISSN：2367-198X

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    Herein, a pn homojunction SnS solar cell is fabricated for the first time by the deposition of p-type SnS polycrystalline thin films on the recently reported large n-type SnS single crystals. The p-type thin films consist of columnar grains that grow along the direction, which is the same orientation as the n-type single crystal. In addition, the interface of the pn homojunctions is void-free and compositionally sharp. The SnS homojunction solar cell achieves an open-circuit voltage (V-OC) of 360 mV, which is as large as the highest V-OC of previously reported SnS-based heterojunction solar cells. The built-in potential of the homojunction cell is 0.92 eV, which is close to the bandgap energy of SnS (approximate to 1.1 eV), and larger than reported for heterojunctions (approximate to 0.7 eV). The resulting 1.4% conversion efficiency (eta) of the homojunction solar cell is smaller than the record 4-5% in heterojunctions, mainly due to the low short-circuit current density (J(SC)) of 7.5 mA cm(-2). Once the device structure of the homojunction cell is optimized to efficiently collect the photogenerated carriers and achieve a comparable J(SC) as the conventional heterojunction cells (approximate to 25 mA cm(-2)), high eta exceeding 4-5% will be realized with improving the V-OC.

  19. Effect of the Silicate Skeleton Structure on the Dissolution Kinetics of Calcium Silicate Mineral Phases in Water 査読有り

    Fang Ruan, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Hiroyuki Shibata

    Metallurgical and Materials Transactions B　52　(2)　1071-1084　2021年2月18日

    出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC

    DOI： 10.1007/s11663-021-02079-9 　

    ISSN：1073-5615

    eISSN：1543-1916

  20. Availability of Cr-rich Cr-Si solvent for rapid solution growth of 4H-SiC 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Yoichiro Nagamatsu, Takeshi Yoshikawa, Hiroyuki Shibata

    Journal of Crystal Growth　549　125877-125877　2020年11月

    出版者・発行元： Elsevier {BV}

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2020.125877 　

    ISSN：0022-0248

  21. Measurement and Thermodynamics of Carbon Solubilities in Molten Si–Fe, Si–Ni, and Si–Cr–Fe Alloys at 2073 K 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa

    ISIJ International　60　(10)　2123-2128　2020年10月15日

    出版者・発行元： Iron and Steel Institute of Japan

    DOI： 10.2355/isijinternational.isijint-2019-511 　

    ISSN：0915-1559

    eISSN：1347-5460

  22. Growth of Large Single Crystals of n-Type SnS from Halogen-Added Sn Flux 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Issei Suzuki, Takeo Ohsawa, Naoki Ohashi, Hiroyuki Shibata, Takahisa Omata

    Crystal Growth & Design　20　(9)　5931-5939　2020年9月2日

    出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acs.cgd.0c00617 　

    ISSN：1528-7483

    eISSN：1528-7505

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    © 2020 American Chemical Society. We report the growth of large Cl-doped and Br-doped SnS single crystals from a molten Sn-based flux. Compared with the small and lamellar undoped SnS crystals, the addition of SnCl2 or SnBr2 halogen sources in the flux substantially enhanced lateral growth along the (100)-plane and vertical growth. The maximum size of the obtained single crystals reached a diameter and thickness of 16 mm and 0.7 mm for the Cl-doped SnS and 24 mm and 1.0 mm for the Br-doped SnS, respectively. The X-ray rocking curves and the X-ray back-reflection Laue patterns indicated a high crystal quality. The obtained crystals were further characterized via electrical measurements, including electrical conductivity and Hall measurements, optical absorption spectroscopy, and X-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopies. Both the Cl-doped and Br-doped SnS single crystals exhibited degenerate n-type conductivity with a high electrical conductivity of 11.1 S cm-1 for Cl-doped SnS and 18.9 S cm-1 for Br-doped SnS along the (100)-plane at 300 K. Furthermore, the photoelectron spectroscopy results also indicated n-type conductivity. The large single crystals of n-type SnS obtained in this work would enable the fabrication of p-n homojunction SnS solar cells via the deposition of p-type SnS thin films.

  23. Experimental determination of solidified lithium disilicate crystal bandgap energy using EELS and XPS 査読有り

    Masanori Tashiro, Sohei Sukenaga, Sakiko Kawanishi, Yohei Sato, Yuji Takakuwa, Hiroyuki Shibata

    Journal of the American Ceramic Society　103　(9)　5139-5144　2020年9月

    出版者・発行元： Wiley

    DOI： 10.1111/jace.17221 　

    ISSN：0002-7820

    eISSN：1551-2916

  24. Nucleation Control of 3C-SiC Induced by the Spiral Structure of 6H-SiC 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Ryo Watanabe, Hiroyuki Shibata

    Crystal Growth & Design　20　(7)　4740-4748　2020年7月1日

    出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acs.cgd.0c00498 　

    ISSN：1528-7483

    eISSN：1528-7505

  25. Measurement of thermophysical properties of molten Si-Cr and Si-Fe alloys for design of solution growth of SiC 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Mai Abe, Chihiro Koyama, Takehiko Ishikawa, Hiroyuki Shibata

    Journal of Crystal Growth　541　125658-125658　2020年7月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2020.125658 　

    ISSN：0022-0248

  26. Effect of the Silicate Structure on Calcium Elution Behaviors of Calcium-silicate Based Mineral Phases in Aqueous Solution 査読有り

    Fang Ruan, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Hiroyuki Shibata

    ISIJ International　60　(3)　419-425　2020年3月15日

    出版者・発行元： Iron and Steel Institute of Japan

    DOI： 10.2355/isijinternational.isijint-2019-263 　

    ISSN：0915-1559

    eISSN：1347-5460

  27. Thermomigration of molten Cr-Si-C alloy in 4H-SiC at 1873–2273 K 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Hiroyuki Shibata

    Journal of Crystal Growth　518　73-80　2019年7月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2019.04.022 　

    ISSN：0022-0248

  28. 2073Kにおける溶融Si-Fe, Si-NiおよびSi-Fe-Cr合金中の炭素溶解度の測定と熱力学評価 査読有り

    川西咲子, 吉川健

    鉄と鋼　105　(3)　389-394　2019年3月

    DOI： 10.2355/tetsutohagane.TETSU-2018-103 　

  29. Mechanism of Replicating 4H-SiC Polytype during Solution Growth on Concave Surface 査読有り

    Hironori Daikoku, Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa

    Crystal Growth & Design　18　(7)　3820-3826　2018年7月5日

    出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acs.cgd.8b00032 　

    ISSN：1528-7483

    eISSN：1528-7505

  30. In Situ Interface Observation of 3C-SiC Nucleation on Basal Planes of 4H-SiC During Solution Growth of SiC from Molten Fe-Si Alloy 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa

    JOM　70　(7)　1239-1247　2018年7月1日

    出版者・発行元： Minerals, Metals and Materials Society

    DOI： 10.1007/s11837-018-2912-2 　

    ISSN：1543-1851 1047-4838

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    Solution growth is a promising process to obtain high-quality 4H-SiC crystal for application in high-voltage-power devices. Polytype transition from 4H-SiC into 6H-, 15R-, or 3C-SiC is one of the major issues to be solved to achieve rapid growth of large-diameter 4H-SiC crystals. In this study, the mechanism for the polytype transition to 3C-SiC during the solution growth process was determined from in situ interface observation of SiC growth on basal planes of 4H-SiC from Fe-36 mol.%Si alloy at 1680–1885 K. The nucleation behavior of 3C-SiC on 4H-SiC was discussed in terms of classical nucleation theory.

  31. Solution growth of silicon carbide using unary chromium solvent 査読有り

    Ryo Miyasaka, Sakiko Kawanishi, Taka Narumi, Hideaki Sasaki, Takeshi Yoshikawa, Masafumi Maeda

    Journal of Crystal Growth　460　23-26　2017年2月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.049 　

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

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    Solution growth of silicon carbide (SiC) using unary chromium (Cr) solvent was studied because the system enables a high solubility difference and a low degree of supersaturation, which would lead to rapid growth with a stabilized growth interface. The liquidus composition at SiC saturation in a quasi-binary Cr–SiC system was studied at 1823–2173 K. The measured carbon (C) contents are in good agreement with the thermodynamic evaluation using the sub-regular solution model. In addition, growth experiments using a unary Cr solvent were performed by the bottom-seeded travelling solvent method. The obtained growth rates at 1803–1923 K with a temperature difference of 15–70 K were proportional to the solubility difference between the seed and source temperatures, indicating that the growth was controlled by the mass transfer of C in the solution. The maximum growth rate of 720 µm/h at 1803 K was much higher than the growth rate by Si-rich solvents, suggesting that the Cr-rich solvent is suitable for the rapid growth at a low temperature.

  32. Thermodynamics and Kinetics of Direct Synthesis of Solar Grade Silicon from Metallurgical Silicon Wafer by Liquid Phase Migration in Solid Silicon 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Kunitoshi Matsunaga, Takeshi Yoshikawa, Kazuki Morita

    MATERIALS TRANSACTIONS　58　(11)　1571-1580　2017年

    出版者・発行元： JAPAN INST METALS

    DOI： 10.2320/matertrans.M2017202 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

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    We propose a process for the direct synthesis of solar grade Si from a metallurgical Si wafer focusing on the fact that its microstructure is composed of almost pure Si grains and grain boundaries enriched with impurities. Principally, heating a metallurgical grade Si wafer above its eutectic temperature and applying a temperature gradient allows the grain boundaries to be melted and causes them to migrate to the high-temperature direction. The liquid phases are finally terminated at the end surface, resulting in the upgrading of the Si and making it more favorable for solar cells. In the present paper, to determine the purification effect during the liquid phase migration process, thermodynamic assessment was performed using CALPHAD method. Liquid phase migration experiments were also conducted using synthetic MG-Si (Si-Fe alloy) to determine the reaction time for the process. A maximum migration velocity of 8.17 x 10(-7) m/s was obtained at 1623 K, which allows the migration process to be accomplished within 3 min for a 150-mu m wafer.

  33. Measurement and Thermodynamic Analysis of Carbon Solubility in Si–Cr Alloys at SiC Saturation 査読有り

    Daikoku Hironori, Kawanishi Sakiko, Yoshikawa Takeshi

    MATERIALS TRANSACTIONS　58　(10)　1434-1438　2017年

    出版者・発行元： 公益社団法人 日本金属学会

    DOI： 10.2320/matertrans.m2016465 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

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    <p>Si–Cr alloy is one of the predominant solvents for rapid solution growth of 4H–SiC crystals. The solubilities of carbon in Si–40 mol%Cr alloy at SiC saturation at 1773–2273 K and in Si–Cr alloys of various chromium contents at 2073 K were measured by equilibrating the Si–Cr alloy with a 4H–SiC single crystal. Carbon solubility in Si–40 mol%Cr alloy increased with temperature from 0.22 mol% at 1773 K to 3.59 mol% at 2273 K. At 2073 K, carbon solubility at SiC saturation increased with the chromium content in the liquid from 0.18 mol% in Si–20 mol%Cr to 16.4 mol% in Si–80 mol%Cr. A thermodynamic analysis of the Si–Cr–C alloy was also conducted. Although the sub-regular solution model is often adopted to estimate phase relations in solution systems, this predicted a carbon solubility in Si-40 mol%Cr at SiC saturation more than two times higher than the measured value. In contrast, a quasi-chemical model that considered the competition between substitutional Si and Cr atoms bonding to interstitial carbon atoms reproduced the activity coefficient of carbon in Si–Cr alloys of 60–100 mol%Si composition, in which the carbon solubility at SiC saturation was less than 1.5 mol%, fairly well. This quasi-chemical model enabled the precise phase relation to be evaluated when designing the solution growth of SiC using a Si–Cr solvent.</p>

  34. Reassessment of Solid Solubilities and Thermodynamic Properties of Magnesium and Calcium in Silicon 査読有り

    Kawanishi Sakiko, Yoshikawa Takeshi

    MATERIALS TRANSACTIONS　58　(3)　450-452　2017年

    出版者・発行元： 公益社団法人 日本金属学会

    DOI： 10.2320/matertrans.m2016323 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

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    <p>To obtain fundamental knowledge on the behavior of magnesium (Mg) and calcium (Ca) in solid silicon (Si) during solidification, the solid solubilities of Mg and Ca in Si were reinvestigated by temperature-gradient zone melting method. Solubilities were measured to be 0.0016–0.0041 mol% for Mg and 0.0006–0.0021 mol% for Ca at 1373–1623 K. The excess Gibbs energies of Mg and Ca in solid Si were determined from their solid solubilities as follows:</p><p>RT ln &gamma;&deg;Mg(s)in solid Si=193,000(&plusmn;52,000)-69.8(&plusmn;34)T (J/mol)</p><p>RT ln &gamma;&deg;Ca(s)in solid Si=140,000(&plusmn;35,000)-72.6(&plusmn;23)T (J/mol)</p>

  35. Analysis of the Spiral Step Structure and the Initial Solution Growth Behavior of SiC by Real-Time Observation of the Growth Interface 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Masao Kamiko, Takeshi Yoshikawa, Yoshitaka Mitsuda, Kazuki Morita

    Crystal Growth & Design　16　(9)　4822-4830　2016年9月7日

    出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acs.cgd.5b01777 　

    ISSN：1528-7483

    eISSN：1528-7505

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    © 2016 American Chemical Society. Microscopic real-time observation of the solution growth interface of SiC using Fe-Si solvent at 1673 K was successfully performed to understand the interface morphology at the initial stage of solution growth. The growth interface was composed of a number of domains with step-terrace structures originating from either spiral growth of 4H-SiC or two-dimensional island growth of other polytypes. The validity of the measurements of the step structures by bright-field and interference images was confirmed by ex-situ atomic force microscopy. In addition, the encounter between a spiral growth domain and steps from another spiral growth domain was observed, and it was found that a certain step height is needed to stop spiral growth by covering the spiral center.

  36. Effect of van der Waals interactions on the stability of SiC polytypes 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Teruyasu Mizoguchi

    Journal of Applied Physics　119　(17)　175101-175101　2016年5月7日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/1.4948329 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  37. Thermodynamic evaluation of the C-Cr-Si, C-Ti-Si, and C-Fe-Si systems for rapid solution growth of SiC 査読有り

    Taka Narumi, Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Hironori Daikoku, Hidemitsu Sakamoto

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　408　25-31　2014年12月

    出版者・発行元： ELSEVIER SCIENCE BV

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2014.08.027 　

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

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    Solution growth of SiC is currently regarded as a promising process to produce high quality SiC crystals. To date, Si-Cr, Si-Ti, and Fe-Si solvents have been used for rapid solution growth of SiC. However, optimization of the solvent system and composition is still needed to maximize the growth rate of high quality SiC crystals. In this paper, to clarify the features of respective solvents from the viewpoint of the solubility of carbon, the C-Cr-Si, C-Ti-Si, and C-Fe-Si systems were evaluated by thermodynamic analysis. Phase relations in the respective ternary systems were investigated by the calculation of phase diagrams method. In addition, the solubility of carbon in Si-Cr, Si-Ti, and Fe Si alloys at saturation with SiC was measured and its consistency with the estimated results was examined. Correlation of the experimental growth rate of SiC using Si-Cr, Si-Ti, and Fe Si solvents was analyzed in terms of the supersaturation of carbon in each solution evaluated from the estimated temperature dependence of carbon solubility. Rate determining step for solution growth was presumed to be mass transfer in the liquid phase. (C) 2014 Elsevier By. All rights reserved.

  38. Real-time observation of the interface between SiC and a liquid alloy and its application to the dissolution behavior of SiC at 1573 K 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Kazuki Morita, Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Hiroshi Suzuki, Hidemitsu Sakamoto

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　114　(21)　214313-214313　2013年12月

    出版者・発行元： AMER INST PHYSICS

    DOI： 10.1063/1.4837575 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

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    Real-time observation of the high temperature interface between silicon carbide (SiC) and liquid alloy is indispensable to optimize the conditions for producing high quality SiC crystals by the solution growth method. In this work, real-time observation of the interface was established by using the interference observation to measure the height profile of the interface. The temperature dependence of the refractive index of 4H-SiC was measured up to 1773 K. The height measurement was then carried out for the SiC/alloy interface at 1573 K. From interference observation, bunched step heights of less than 10 nm were measured. The developed technique was applied for the real-time observation of dissolution behavior of SiC into molten Fe-Si alloy at 1573 K. The dissolution kinetics was discussed in terms of carbon mass transfer in the solution and interfacial reaction. (C) 2013 AIP Publishing LLC.

  39. Solution growth behavior of Sic by a temperature difference method using Fe-Si solvent 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Kazuki Morita, Nobuhiro Okada, Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　381　121-126　2013年10月

    出版者・発行元： ELSEVIER SCIENCE BV

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.07.021 　

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

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    The solution growth behavior of silicon carbide (Sic) by a temperature difference method using Fe-Si solvent below 1773K was investigated to clarify the dominant factor affecting growth kinetics. Solution growth experiments were conducted both under the suppression of buoyancy convection and under forced convection controlled by rotating the seed and supply source substrates. In addition, the fluid flow in the solution was estimated by numerical analysis. When buoyancy convection was suppressed, a ridge of SiC grew on the seed substrate only around the edge of the contact area with the solution. Which was affected by Marangoni flow generated by the large temperature gradient. Under forced convection in the solution by substrates rotation, lateral growth of SiC was observed over the entire region of the solution by substrates rotation, lateral growth of Sic was observed over the entire region of the contacting area. Growth rates SiC of 60-160 m/h were obtained for various temperature conditions and were increased proportionally by increasing the supersaturation of carbon at the growth interface. It was thus clarified that the mass transfer of carbon in the solution was the rate-determining step of the solution growth process of SiC. (C) 2013 Elsevier B.V. All rights reserved.

  40. Investigation on solution growth of SiC by temperature difference method using Fe-Si solvent 査読有り

    Takeshi Yoshikawa, Sakiko Kawanishi, Kazuki Morita, Toshihiro Tanaka

    Materials Science Forum　740-742　31-+　2013年

    出版者・発行元： TRANS TECH PUBLICATIONS LTD

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.31 　

    ISSN：0255-5476

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    This paper describes the solution growth of SiC by means of temperature difference method using an Fe - Si solvent. Crystal growth experiments of SiC from an Fe - 40 mol% Si solvent onto a seed wafer of 6H-SiC or 4H-SiC were carried out at 1623 - 1723 K under induction heating. Homo-epitaxial growth on both 6H-SiC and 4H-SiC was identified by Raman spectroscopy, and the growth rate of SiC was obtained to be 90 - 260 mu m/h. Experiment was also conducted under resistance heating at 1623 K at the condition in suppressing natural convection. The importance of the convective mass transfer in the solution was found for the rapid growth of SiC.

  41. Real-time observation of high temperature interface between SiC substrate and solution during dissolution of SiC 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Kazuki Morita

    Materials Science Forum　740-742　35-38　2013年

    出版者・発行元： TRANS TECH PUBLICATIONS LTD

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.35 　

    ISSN：0255-5476

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    Precise morphological control of the interface between SiC and solution during the solution growth of SiC is crucial for obtaining high quality crystals with fewer defects and less step bunching. In this paper, a new technique for real-time observation of the high temperature interface between SiC and solution through the back surface of SiC was developed by focusing on the "wide" bandgap of SiC. Real-time observation of the interface during dissolution of SiC into an Fe-Si solvent alloy was carried out using a digital microscope, and the submicron-height structure of the solid-liquid interface was clearly observed at up to 1773 K. Interface morphologies, such as numerous hexagonal pits which were present at the initial stage of dissolution, followed by preferential dissolution in the lateral direction, were observed.

  42. Solution Growth of Silicon Carbide Using Fe-Si Solvent 査読有り

    Takeshi Yoshikawa, Sakiko Kawanishi, Toshihiro Tanaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(5)　2010年5月

    出版者・発行元： JAPAN SOC APPLIED PHYSICS

    DOI： 10.1143/JJAP.49.051302 　

    ISSN：0021-4922

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    In this paper, we describe the use of liquid Fe-Si alloy as the solvent for the solution growth of silicon carbide (SiC). Iron was chosen owing to the high solubility of carbon in molten iron. The crystal growth of SiC from Fe-40 mol% Si solvent on a seed crystal wafer of 6H- or 4H-SiC was carried out at 1,623-1,723 K using induction heating. The growth rate of SiC was obtained to be 90-260 mu m/h. Furthermore, Raman spectroscopy revealed homo epitaxial growth on both 6H- and 4H-SiC under the experimental conditions used. Thus, the Fe-Si solvent was found to be effective for the rapid solution growth of SiC. (C) 2010 The Japan Society of Applied Physics

  43. Thermodynamics of impurity elements in solid silicon 査読有り

    Takeshi Yoshikawa, Kazuki Morita, Sakiko Kawanishi, Toshihiro Tanaka

    JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS　490　(1-2)　31-41　2010年2月

    出版者・発行元： ELSEVIER SCIENCE SA

    DOI： 10.1016/j.jallcom.2009.09.190 　

    ISSN：0925-8388

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    The determination of thermodynamic properties of impurity elements in solid silicon is important to control their incorporation or doping into silicon during materials processing. In this paper, we review the reported solid solubilities of impurities in silicon prior to the thermodynamic evaluation. These solid solubilities as well as the segregation ratios of impurities between solid and liquid silicon at its melting point were used in a thermodynamic analysis to evaluate the excess partial molar Gibbs energy of the impurities in solid silicon. The excess Gibbs energies were determined for 15 impurity elements and we discuss the effect of lattice strain which is caused by the substitutional impurity in silicon. (c) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

  44. Fundamental study for solvent growth of silicon carbide utilizing Fe-Si melt 査読有り

    Kawanishi S, Tanaka T, Yoshikawa T

    Journal of Physics: Conference Series　165　(1)　012022-012022　2009年5月1日

    出版者・発行元： IOP Publishing

    DOI： 10.1088/1742-6596/165/1/012022 　

    ISSN：1742-6588

    eISSN：1742-6596

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    Published under licence in Journal of Physics: Conference Series by IOP Publishing Ltd.Fe-Si melt is a candidate for use as an alloy solvent for rapid liquid phase growth of SiC because of the high solubility of carbon in molten iron. In this work, the equilibrium phase relationship between SiC and the liquid phase of the Fe-Si-C system was investigated at 1523 K by the phase equilibration technique, and was further studied with the thermodynamic calculation. It was found that Fe- 36 mol% Si melt equilibrates with SiC at the temperature and possesses the higher carbon solubility than silicon-based melt. The first trial of the SiC crystal growth experiment was then carried out with Fe- 36 mol% Si melt by means of temperature difference method, and formation of SiC layer was obtained on the graphite substrate. Accordingly, it was found possibility for rapid growth of SiC by the solvent growth method with Fe- 36 mol% Si melt.

  45. Equilibrium Phase Relationship between SiC and a Liquid Phase in the Fe-Si-C System at 1523-1723 K 査読有り

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Toshihiro Tanaka

    MATERIALS TRANSACTIONS　50　(4)　806-813　2009年4月

    出版者・発行元： JAPAN INST METALS

    DOI： 10.2320/matertrans.MRA2008404 　

    ISSN：1345-9678

    eISSN：1347-5320

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    Fe-Si melt is a candidate for use as an alloy solvent for rapid liquid phase growth of SiC because of the high solubility of carbon in molten iron. In this work, the equilibrium phase relationship between SiC and the liquid phase of the Fe-Si-C system was studied to determine the optimal composition of a high SiC content solvent. The solubility of carbon in molten silicon was examined and the thermodynamic properties of the liquid phase in the Si-C system were reassessed. The phase relationship between SiC and Fe-Si melt was investigated by the equilibration technique at 1523-1723 K. It was found that Fe-36 mol% Si alloy equilibrates with SiC at the corresponding temperatures. The equilibrium phase relationship between SiC and various compositions of Fe-Si melts was studied by using thermodynamic calculations. The results indicated that SiC is far more soluble in iron-rich Fe-Si melt than in silicon-rich melt. The Fe-Si melt of Fe-36 mol% Si composition possessing high SiC solubility should be a suitable solvent for rapid liquid phase growth of SiC. [doi: 10.2320/matertrans.MRA2008404]

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MISC 70

  1. 侵入型モデルによる溶融合金中酸素の熱力学的挙動の再検討

    吉川健, 川西咲子, 柴田千尋

    材料とプロセス　36　(1)　18-18　2023年3月

  2. サクシノニトリル系溶液を用いた凝固過程のミクロ偏析および介在物生成挙動の評価

    川西咲子, 寺島慎吾, 塚原優希, 柴田浩幸

    材料とプロセス　36　(1)　1-3　2023年3月

  3. 溶融 Si-Cr 合金への黒鉛および SiC の溶解速度

    五十嵐壮太, 川西咲子, 三谷武志, 吉川健, 柴田浩幸

    材料とプロセス　36　(1)　316　2023年3月

  4. サクシノニトリル系合⾦を⽤いた凝固過程のミクロ偏析の定量評価

    塚原 優希, 川⻄ 咲子, 柴田 浩幸

    日本鉄鋼協会 第57回学生ポスターセッション概要集 PS-8　2023年3月

  5. ナトリウムボロシリケート系ガラス中への酸化モリブデンの含有限界濃度

    助永壮平, 岸哲生, 宇野澤大槻, 高草木寧緒, 安東真理子, 田代公則, 川西咲子, 柴田浩幸

    材料とプロセス　36　(1)　320　2023年3月1日

  6. Effect of MgO content on the viscosity of copper slag

    Yong Wang, Sohei Sukenaga, Masanori Tashiro, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata

    材料とプロセス　36　(1)　322　2023年3月1日

  7. Na2O–B2O3–SiO2 系ガラスへの MoO3 の含有限界濃度に及ぼす B2O3/SiO2 比の影響

    助永壮平, 宇野澤大槻, 田代公則, 川西咲子, 柴田浩幸

    第4回放射性廃棄物固化体討論会 要旨集　NWG2022-08　2022年10月1日

  8. SiC/C圧粉体へのSiの反応性含浸による高かさ密度SiC作製

    五十嵐壮太, 川西咲子, 三谷武志, Didier Chaussende, 吉川健, 柴田浩幸

    日本金属学会講演概要集　51-51　2022年9月

  9. SiC飽和条件下での溶液成長によるSiC微結晶由来マクロ欠陥の抑制

    三谷武志, 川西咲子, Didier Chaussende, 吉川健

    日本金属学会講演概要集　50-50　2022年9月

  10. 銅製錬スラグの粘度測定

    助永 壮平, 高橋 一誠, 田代 公則, 川西 咲子, 柴田 浩幸

    資源・素材講演集　9　(2)　1201-08-04　2022年9月1日

  11. アルカリケイ酸塩融体の粘度に及ぼすAlO1.5/SiO2比の影響 査読有り

    助永壮平, 生駒諒太, 田代公則, 川西咲子, 柴田浩幸

    材料とプロセス　35　(2)　468-468　2022年9月1日

  12. 蛍光イメージング法によるCaSiO₃及び CaMgSi₂O₆の溶出機構の検討

    藤田 真由, 川西 咲子, 川野 潤, 助永 壮平, 柴田 浩幸

    日本鉄鋼協会 第56回学生ポスターセッション概要集　8-8　2022年9月1日

  13. Viscosity of silicate melts containing transition metal cations

    Sohei Sukenaga, Issei Takahashi, Kozo Shinoda, Daniel Neuville, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata

    Abstract of the 13th Asian Thermophysical Properties Conference, ATPC2022　OS12-3-04　2022年9月1日

  14. アルカリ土類鉄ケイ酸塩融体および過冷却液体の粘度

    助永壮平, 高橋一誠, 篠田弘造, 川西咲子, 柴田浩幸

    材料とプロセス　35　317-317　2022年3月1日

  15. 銅溶錬マットへのマグネタイトの溶解挙動に及ぼすガス発生の影響

    申勝煥, 川西咲子, 助永壮平, 高橋純一, 柴田浩幸

    材料とプロセス　35　315-315　2022年3月1日

  16. 溶融 Si-Cr 合金中窒素の熱力学量の評価

    川西咲子, 八野田将吾, 助永壮平, 柴田浩幸

    材料とプロセス　35　320-320　2022年3月1日

  17. Na2O-SiO2-B2O3 三元系における酸化モリブデンの見かけの溶解度評価

    助永壮平, 宇野澤大槻, 田代公則, 川西咲子, 柴田浩幸

    国際ガラス年2022(IYoG2022)記念行事「第3回放射性廃棄物固化体討論会」予稿集　NWG2021-19　2022年1月1日

  18. Calcium Elution Mechanism from Silicate-Based Minerals into Water 招待有り

    SHIBATA Hiroyuki, FANG Ruang, KAWANISHI Sakiko, SUKENAGA Sohei

    Abstract of 2021 China Symposium on Sustainable Iron- and Steelmaking Technology　2021年12月

  19. ホモ接合によるSnS太陽電池の高効率化 招待有り

    鈴木一誓, 川西咲子

    クリーンエネルギー (日刊工業出版)　30　(10)　2021年10月

  20. 蛍光イメージング法によるミクロ偏析挙動の可視化

    寺島慎吾, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会第182回秋季講演大会 第54回学生ポスターセッション概要集　PS-8　2021年9月

  21. Effect of FeS concentration on SO2 formation at Cu2S-FeS matte/magnetite interface isnvestigated by in-situ observation

    資源・素材講演集　8　(2)　1K0506-12-04　2021年9月

  22. X線吸収分光による酸化物融体中金属の化学状態直接分析

    篠田 弘造, 川西 咲子, 助永 壮平

    資源・素材講演集　8　(2)　3K0401-06-02　2021年9月

  23. AlN成長用Cr-Ni溶媒中窒素の挙動

    黒坂真一朗, 川西咲子, 鳴海大翔, 吉川健

    CAMP-ISIJ　34　(1)　276-276　2021年3月

    ISSN： 1882-8922

  24. 高温固液界面の3次元形状解析による融体中微量溶解度の測定

    川西咲子, 吉川健, Didier Chaussende, 柴田浩幸

    CAMP-ISIJ　34　(1)　271-271　2021年3月

    ISSN： 1882-8922

  25. アルカリケイ酸塩ガラスおよび同融体の熱伝導度

    助永壮平, 遠藤貴彦, 山田大貴, 江部健太, 西剛史, 脇原徹, 尾原幸治, 川西咲子, 太田弘道, 柴田浩幸

    CAMP-ISIJ　34　(1)　270-270　2021年3月

    ISSN： 1882-8922

  26. 光干渉法を利用した凝固界面近傍での溶質濃度勾配の定量評価

    川西 咲子, 塩沢 優大, 柴田 浩幸

    CAMP-ISIJ　34　(1)　89-89　2021年3月

    ISSN： 1882-8922

  27. Clarification of reaction mechanism between magnetite and Cu2S using in-situ observation

    Seunghwan Shin, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Hiroyuki Shibata

    Tohoku-Melbourne Joint Workshop in Materials Science, Program & Abstracts　29-29　2020年11月

  28. Evaluation of temperature dependence of bandgap for in-situ discrimination of SiC polytypes

    Tomohiro Yamada, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata

    2020 ONLINE JOINT SYMPOSIUM　30-30　2020年11月

  29. SnS単結晶の溶液成長におけるハロゲン成分の寄与

    川西咲子, 鈴木一誓, 小俣孝久, 柴田浩幸

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49) 予稿集　49th　11a-A09　2020年11月

    ISSN： 0385-6275

  30. 硫化スズの観察

    川西咲子

    東北大学産学連携先端材料研究開発センター 活動報告書　139-139　2020年9月

  31. SiCポリタイプのその場判別に向けたバンドギャップの温度特性評価

    山田智大, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本金属学会講演概要集　P128　2020年9月

  32. 鉄濃度の高いケイ酸塩スラグのガラス化

    助永壮平, Paolo Mai, 川西咲子, 柴田浩幸

    資源・素材講演集　7　(2)　1K0603-12-04　2020年9月

  33. マグネタイト/マット間界面のその場観察による反応解析

    川西咲子, 申勝煥, 助永壮平, 高橋純一, 柴田浩幸

    資源・素材講演集　7　(2)　1K0603-12-03　2020年9月

  34. スパッタリング法によるn 型SnS 薄膜の作製

    鈴木一誓, 川西咲子, Sage Bauers, Andriy Zakutayev, 柴田浩幸, 柳博, 小俣孝久

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集　12-039-12-039　2020年9月

  35. pnホモ接合SnSの作製と太陽電池特性

    川西咲子, 鈴木一誓, Sage Bauers, Andriy Zakutayev, 柴田浩幸, 柳博, 小俣孝久

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集　81st　12-038-12-038　2020年9月

  36. Relationship between the Silicate Skeleton Structure and the Dissolution Kinetics of Calcium-Silicate Mineral Phases into Water

    材料とプロセス　33　(2)　522-522　2020年9月

  37. 蛍光イメージングによるCaSiO3の水溶液への溶出挙動の可視化

    中山日菜子, 川西咲子, 川野潤, 柴田浩幸

    材料とプロセス　33　(2)　PS-6-PS-6　2020年9月

    ISSN： 1882-8922

  38. Investigation of factors for decreasing reaction rate between magnetite and matte by novel in-situ interface observation technique

    日本金属学会講演概要集　P61-P61　2020年9月

  39. 男女共同参画学協会連絡会 第4回大規模アンケート 日本鉄鋼協会・日本金属学会ダイジェスト版

    松岡由貴, 御手洗容子, 川西咲子, 上田正人, 杉浦夏子, 三浦永理, 尾崎由紀子, 戸田佳明

    1-23　2020年6月

  40. 6H-SiCの周期ステップ構造を利用した3C-SiCの核生成制御

    川西咲子, 渡邉遼, 柴田浩幸

    第166回 日本金属学会講演概要集　S2.7-S2.7　2020年3月

  41. Cr-Ni溶媒を用いたAlNの溶液成長における諸因子

    黒坂 真一朗, 福田 敦, 鳴海 大翔, 川西 咲子, 吉川 健

    第166回 日本金属学会講演概要集　S2.10-S2.10　2020年3月

  42. その場観察によるマグネタイト-マット間の界面反応の評価

    第166回 日本金属学会講演概要集　P147　2020年3月

  43. 溶融合金中炭素、窒素の熱力学的挙動の一考察

    吉川健, 川西咲子, 柴田千尋

    材料とプロセス　33　(1)　160-160　2020年3月

  44. The Preferential Dissolution Behavior of Calcium into Water from the Calcium-Silicate Mineral Phases

    材料とプロセス　33　(1)　156-156　2020年3月

  45. n型SnS薄膜のスパッタリング法による作製

    鈴木一誓, 川西咲子, BAUERS Sage, ZAKUTAYEV Andriy, 柴田浩幸, KIM Minesok, 柳博, 小俣孝久

    資源・素材(Web)　2020　2020年

  46. 第 13 回本会派遣 JIM / TMS Young Leader International Scholar 出張報告 招待有り

    川西咲子

    日本金属学会誌 まてりあ 「学会・研究会だより」　58　(7)　401-401　2019年7月

  47. SiC単結晶の溶液成長の冶金学的アプローチ

    吉川健, 鳴海大翔, 鳴海大翔, 川西咲子

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　164th　ROMBUNNO.S2.6　2019年3月6日

    ISSN： 2433-3093

  48. SiC溶液成長時の成長界面に及ぼすCr-Si合金溶媒の熱伝導率の影響

    阿部舞, 川西咲子, 柴田浩幸

    材料とプロセス(CD-ROM)　32　(1)　2019年

    ISSN： 1882-8922

  49. SiC溶液成長時の溶液内熱流動に及ぼす各種物性値の影響

    川西咲子, 大黒寛典, 大黒寛典, 石川毅彦, 阿部舞, 柴田浩幸, 吉川健

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　164th　2019年

    ISSN： 2433-3093

  50. 鉄ケイ酸塩スラグの還元過程における表面張力変化

    助永壮平, 川西咲子, 打越雅仁, 石原真吾, 夏井俊悟, 大野光一郎, 齊藤敬高, 中島邦彦, 柴田浩幸

    資源・素材(Web)　2019　2019年

  51. SiCの高温溶液成長におけるドメイン競合過程のその場観察

    川西咲子, 吉川健, 柴田浩幸

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　48th　2019年

    ISSN： 0385-6275

  52. 静電浮遊炉におけるCr-Si融体の放射率および比熱の測定

    仲田結衣, 渡邊勇基, 小山千尋, 石川毅彦, 川西咲子, 柴田浩幸, 吉川健

    Thermophysical Properties　40th　2019年

    ISSN： 0911-1743

  53. 3C-SiC二次元核生成に及ぼす6H-SiC種結晶の極性面とステップ構造の影響

    渡邊遼, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　162nd　2018年

    ISSN： 2433-3093

  54. 溶媒移動法における物質移動現象を利用した1600-2000°Cでの諸物性値の評価

    川西咲子, 吉川健, 柴田浩幸

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　163rd　2018年

    ISSN： 2433-3093

  55. SiC溶液成長時の熱流動に及ぼすFe-Si合金溶媒の熱伝導率の影響

    阿部舞, 川西咲子, 柴田浩幸

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　18th　2018年

  56. 溶融Fe-Si合金の熱伝導率の計測

    阿部舞, 川西咲子, 柴田浩幸

    Thermophysical Properties　39th　2018年

    ISSN： 0911-1743

  57. Rapid Solution Growth of AlN Using Cr–Ni Solvent on C, A, and R Faces of Sapphire Substrates 査読有り

    Shinichiro Kurosaka, Kanaparin Ariyawong, Taka Narumi, Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa

    International Conference of Silicon Carbide and Related Materials 2017　2017年9月

  58. Cr-Si系溶媒の過飽和度が4H-SiCの溶液成長挙動に及ぼす影響

    永松洋一郎, 川西咲子, 柴田浩幸, 吉川健

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　161st　2017年

    ISSN： 2433-3093

  59. 6H-SiCの貫通らせん転位を利用した3C-SiC核生成制御

    渡邊遼, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　161st　2017年

    ISSN： 2433-3093

  60. Effect of N2 partial pressure on solution growth of AlN using Cr–Ni solvent

    Shinichiro Kurosaka, Taka Narumi, Hideaki Sasaki, Sakiko Kawanishi, Didier Chaussende, Takeshi Yoshikawa, Masafumi Maeda

    European Conference of Silicon Carbide and Related Materials 2016　2016年9月28日

  61. Cr‐Ni溶媒を用いたサファイア上AlN溶液成長結晶の配向性の検討

    黒坂真一朗, 鳴海大翔, 川西咲子, 川西咲子, 吉川健, 前田正史

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　159th　ROMBUNNO.186　2016年9月

    ISSN： 1342-5730

  62. 4H‐SiC単結晶の溶液成長に向けたCr溶媒の検討

    宮坂遼, 鳴海大翔, 川西咲子, 川西咲子, 佐々木秀顕, 吉川健, 前田正史

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　158th　ROMBUNNO.347　2016年3月

    ISSN： 1342-5730

  63. Cr‐Ni溶媒を用いたAlNの溶液成長におけるサファイア種結晶の結晶面の影響

    黒坂真一朗, 鳴海大翔, 川西咲子, 川西咲子, 佐々木秀顕, 吉川健, 前田正史

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　ROMBUNNO.21A-H121-7　2016年3月

  64. Cr系溶媒を用いた単結晶SiC溶液成長における炭素過飽和量と成長速度の関係

    宮坂遼, 鳴海大翔, 川西咲子, 川西咲子, 佐々木秀顕, 吉川健, 前田正史

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　63rd　ROMBUNNO.20A-H101-1　2016年3月

  65. 4H-SiC単結晶の溶液成長に向けたCr溶媒の検討

    宮坂遼, 鳴海大翔, 川西咲子, 川西咲子, 佐々木秀顕, 吉川健, 前田正史

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　158th　2016年

    ISSN： 2433-3093

  66. Cr-Ni溶媒を用いたサファイア上AlN溶液成長結晶の配向性の検討

    黒坂真一朗, 鳴海大翔, 川西咲子, 川西咲子, 吉川健, 前田正史

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)　159th　2016年

    ISSN： 2433-3093

  67. Investigation of dissolution behavior of graphite into Fe–36mol%Si solvent for rapid solution growth of SiC 査読有り

    Taka Narumi, Sakiko Kawanishi, Didier Chaussende, Takeshi Yoshikawa

    European Conference of Silicon Carbide and Related Materials 2014　2014年9月

  68. 黒鉛回転円柱のFe‐36mol%Si合金への溶解反応(Fe‐Si合金への黒鉛の準安定溶解反応の基礎的検討 2))

    鳴海大翔, 川西咲子, 吉川健

    材料とプロセス(CD-ROM)　27　(1)　ROMBUNNO.16　2014年3月

    ISSN： 1882-8922

  69. 静滴法によるFe‐36mol%Si合金への黒鉛の溶解反応の調査(Fe‐Si合金への黒鉛の準安定溶解反応の基礎的検討 1))

    鳴海大翔, 川西咲子, 吉川健

    材料とプロセス(CD-ROM)　27　(1)　ROMBUNNO.15　2014年3月

    ISSN： 1882-8922

  70. 可視光透過法によるSiC結晶 : 溶融合金界面のIn-situ観察 (特集 次世代を担う若手熱物性研究者の最近の研究)

    吉川 健, 川西 咲子

    金属　84　(2)　130-137　2014年2月

    出版者・発行元： アグネ技術センター

    ISSN： 0368-6337

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講演・口頭発表等 152

  1. 結晶成長を視る -SiCの高温溶液成長ダイナミクス- 招待有り

    川西咲子

    GiSM 第2回ワークショップ　2023年3月28日

  2. 高温反応場の制御に向けたその場観察による挑戦 招待有り

    川西咲子

    第166回 製鋼部会　2023年3月13日

  3. 化合物半導体材料の高温溶液成長の研究 招待有り

    川西咲子

    国際女性デー記念 第6回紫千代萩賞受賞講演会　2023年3月13日

  4. ナトリウムボロシリケート系ガラス中への酸化モリブデンの含有限界濃度

    助永壮平, 岸哲生, 宇野澤大槻, 高草木寧緒, 安東真理子, 田代公則, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本金属学会 2023年春期第172回講演大会　2023年3月9日

  5. Effect of MgO content on the viscosity of copper slag

    日本金属学会 2023年春期第172回講演大会　2023年3月9日

  6. 溶融Si-Cr合金への黒鉛およびSiCの溶解速度

    五十嵐壮太, 川西咲子, 三谷武志, 吉川健, 柴田浩幸

    日本金属学会 2023年春期第172回講演大会　2023年3月9日

  7. サクシノニトリル系合⾦を⽤いた凝固過程のミクロ偏析の定量評価

    塚原優希, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会 第185回春季講演大会　2023年3月9日

  8. サクシノニトリル系溶液を用いた凝固過程のミクロ偏析および介在物生成挙動の評価

    川西咲子, 寺島慎吾, 塚原優希, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会 第185回春季講演大会　2023年3月8日

  9. 侵入型モデルによる溶融合金中酸素の熱力学的挙動の再検討

    吉川健, 川西咲子, 柴田千尋

    日本鉄鋼協会 第185回春季講演大会　2023年3月8日

  10. その場観察で追究する高温反応プロセス 招待有り

    川西咲子

    第1回駒場材料学セミナー　2022年12月28日

  11. Na2O–B2O3–SiO2系ガラスへのMoO3の含有限界に及ぼすB2O3/SiO2比の影響

    助永壮平, 宇野澤大槻, 千葉裕輝, 田代公則, 川西咲子, 柴田浩幸

    第4回放射性廃棄物固化体討論会　2022年10月20日

  12. Viscosity of silicate melts containing transition metal cations

    Sohei Sukenaga, Issei Takahashi, Kozo Shinoda, Daniel R. Neuville, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata

    The 13th Asian Thermophysical Properties Conference ATPC2022　2022年9月28日

  13. アルカリケイ酸塩融体の粘度に及ぼすAlO1.5/SiO2比の影響

    助永壮平, 生駒諒太, 田代公則, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会 第184回秋季講演大会　2022年9月21日

  14. 蛍光イメージング法によるCaSiO3及びCaMgSi2O6の溶出機構の検討

    藤田 真由, 川西 咲子, 川野 潤, 助永 壮平, 柴田 浩幸

    日本鉄鋼協会 第184回秋季講演大会 学生ポスターセッション　2022年9月22日

  15. SiC/C圧粉体へのSiの反応性含浸による高かさ密度SiC作製

    五十嵐壮太, 川西咲子, 三谷武志, Didier Chaussende, 吉川健, 柴田浩幸

    日本金属学会 2022年秋期第171回講演大会　2022年9月22日

  16. SiC飽和条件下での溶液成長によるSiC微結晶由来マクロ欠陥の抑制

    三谷武志, 川西咲子, Didier Chaussende, 吉川健

    日本金属学会 2022年秋期第171回講演大会　2022年9月22日

  17. 偏光依存ARPESを用いたSnS価電子帯の電子構造の解析

    鈴木一誓, 川西咲子, 田中清尚, 田中慎一郎, 小俣孝久

    第83回日本応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

  18. 角度分解光電子分光によるSnS価電子帯の原子軌道の同定

    鈴木一誓, 川西咲子, 田中清尚, 田中慎一郎, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム　2022年9月15日

  19. Suppression of SiC-inclusions in 4H-SiC crystals grown from Si-Cr-C based solution saturated with SiC

    Takeshi Mitani, Sakiko Kawanishi, Kazuma Eto, Tomohisa Kato, Didier Chaussende, Takeshi Yoshikawa

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022　2022年9月11日

  20. 銅製錬スラグの粘度測定

    助永 壮平, 高橋 一誠, 田代 公則, 川西 咲子, 柴田 浩幸

    資源・素材2022 (福岡)　2022年9月6日

  21. Brドープn型SnSe単結晶の熱電特性

    川西咲子, 今里和樹, 太田道広, 柴田浩幸

    第19回日本熱電学会学術講演会　2022年8月9日

  22. Time-resolved fluorescence imaging of microsegregation and inclusion precipitation during solidification

    Sakiko Kawanishi, Shingo Terashima, Sohei Sukenaga, Hiroyuki Shibata

    8th International Congress on the Science and Technology of Steelmaking　2022年8月3日

  23. 顕微鏡を用いた高温反応界面の可視化技術 招待有り

    川西咲子

    R026先端計測技術の将来設計委員会 第9回研究会　2022年7月5日

  24. Close to energy gap band bending at SnS interface

    Issei Suzuki, Binxiang Huang, Sakiko Kawanishi, Takahisa Omata, Andreas Klein

    E-MRS 2022 Spring Meeting　2022年6月2日

  25. n型SnS単結晶/MoO3接合を用いた太陽電池の高変換効率化

    鈴木一誓, リンタクシン, 野上大一, 川西咲子, 小俣孝久

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月23日

  26. SnS–SnSe固溶体のホール有効質量のARPESによる直接評価

    鈴木一誓, リンタクシン, 川西咲子, 田中清尚, 野瀬嘉太郎, 小俣孝久, 田中慎一郎

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月25日

  27. 軟X線発光分光によるSiC結晶中窒素濃度の評価

    川西咲子

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月25日

  28. アルカリ土類鉄ケイ酸塩融体および過冷却液体の粘度

    助永壮平, 高橋一誠, 篠田弘造, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会 第183回春季講演大会　2022年3月16日

  29. 蛍光イメージング法によるCaSiO3へのMgO添加によるCa2+溶出抑制のその場解析

    藤田真由, 川西咲子, 川野潤, 助永壮平, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会 第183回春季講演大会　2022年3月16日

  30. 溶融Si-Cr合金中窒素の熱力学量の評価

    川西咲子, 八野田将吾, 助永壮平, 柴田浩幸

    日本金属学会 2021年春期 第170回講演大会　2022年3月16日

  31. n型SnS単結晶/MoO3接合を用いた太陽電池の変換効率の向上

    鈴木一誓, リンタクシン, 野上大一, 川西咲子, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 2022年・年会　2022年3月12日

  32. In-situ observation of SO2 gas formation at the magnetite/matte interface at 1200 °C

    Seung-Hwan Shin, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Junichi Takahashi, Hiroyuki Shibata

    TMS2022　2022年3月14日

  33. Ca2+ and pH Imaging during Dissolution of CaSiO3 into Aqueous Solution

    Sakiko Kawanishi, Hinako Nakayama, Jun Kawano, Takeshi Yoshikawa, Hiroyuki Shibata

    TMS 2022　2022年3月14日

  34. Na2O-SiO2-B2O3三元系における酸化モリブデンの見かけの溶解度評価

    助永壮平, 宇野澤大槻, 田代公則, 川西咲子, 柴田浩幸

    第3回放射性廃棄物固化体討論会　2022年1月17日

  35. 偏光を用いたバンド起源の解明：SnSの角度分解光電子分光

    田中慎一郎, 鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久, 田中清尚

    第35回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム　2022年1月9日

  36. Calcium Elution Mechanism from Silicate-Based Minerals into Water 招待有り

    SHIBATA Hiroyuki, FANG Ruang, KAWANISHI Sakiko, SUKENAGA Sohei

    2021 China Symposium on Sustainable Iron- and Steelmaking Technology　2021年12月15日

  37. Thermal Conductivity of Alkali Silicate Glasses and Melts

    Sohei Sukenaga, Takahiko Endoh, Tsuyoshi Nishi, Sakiko Kawanishi, Hiromichi Ohta, Hiroyuki Shibata

    Asia Steel 2021 (Gyeongju, Korea)　2021年12月8日

  38. Thermal conductivity of alkali silicate glasses and melts

    Sohei Sukenaga, Takahiko Endoh, Tsuyoshi Nishi, Sakiko Kawanishi, Hiromichi Ohta, Hiroyuki Shibata

    ASIA STEEL 2021　2021年12月8日

  39. Visualization of micro segregation and formation of inclusions during solidification of a model alloy by fluorescence imaging

    Shingo Terashima, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata

    IMRAM-Taipei Tech joint symposium　2021年11月30日

  40. 溶融合金の物性計測とその応用 招待有り

    川西咲子

    日本鉄鋼協会 高温物性値フォーラム 2021年度第一回研究会　2021年11月5日

  41. SnS 単結晶/MoO3 界面の電子構造と太陽電池への応用

    鈴木一誓, 川西咲子, リンタクシン, 小俣孝久, Binxiang Huang, Andreas Klein

    第41回電子材料研究討論会　2021年11月4日

  42. Step structures of 4H-SiC (000-1) in Si and Si-40mol%Cr solvents at 1873 K after interface reconstruction

    Hideto Aoki, Didier Chaussende, Sakiko Kawanishi, Takeshi Mitani, Takeshi Yoshikawa

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021　2021年10月26日

  43. SiC solution growth using SiC/graphite gradient crucible

    Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata, Takeshi Yoshikawa

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021　2021年10月26日

  44. 界面再構成法によるSi基合金中4H-SiC (000-1)面の1873 Kにおける初期ステップ構造

    青木秀人, Chaussende Didier, 川西咲子, 三谷武志, 吉川健

    日本金属学会 2021年秋期(第169回)講演大会　2021年9月16日

  45. SiC溶液成長におけるプラントル数の重要性

    川西咲子, 阿部舞, 吉川健, 柴田浩幸

    日本金属学会 2021年秋期 第169回講演大会　2021年9月16日

  46. Effect of FeS concentration on SO2 formation at Cu2S-FeS matte/magnetite interface investigated by in-situ observation

    2021年度資源・素材関係学協会合同秋期大会　2021年9月15日

  47. X線吸収分光による酸化物融体中金属の化学状態直接分析

    篠田弘造, 川西咲子, 助永壮平

    2021年度資源・素材関係学協会合同秋期大会　2021年9月15日

  48. ARPESによるSnSの価電子帯の原子軌道の同定

    鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久, 田中慎一郎

    第82回日本応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月12日

  49. n型SnS単結晶/MoO3接合の太陽電池特性

    リンタクシン, 鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久

    第82回日本応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月10日

  50. 蛍光イメージング法によるミクロ偏析挙動の可視化

    寺島慎吾, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会 第182回秋季講演大会　2021年9月3日

  51. ARPESによるSnSの価電子帯の電子構造の解明

    鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久, 田中慎一郎

    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム　2021年9月1日

  52. 大きなバンド屈曲を示すn型SnS/MoO3接合の太陽電池への応用

    リンタクシン, 鈴木一誓, 川西咲子, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウム　2021年9月1日

  53. Solution growth of large single crystals of n-type tin monosulfide

    Sakiko Kawanishi, Issei Suzuki, Takahisa Omata, Hiroyuki Shibata

    22nd American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-22)　2021年8月3日

  54. In situ interface observation of solution growth of 4H-SiC at the initial growth stage 招待有り

    Takeshi Yoshikawa, Sakiko Kawanishi

    22nd American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-22)　2021年8月2日

  55. アルカリケイ酸塩ガラスおよび融体の熱伝導度

    助永壮平, 遠藤貴彦, 西剛史, 川西咲子, 太田弘道, 柴田浩幸

    評価・分析・解析「高温・材料プロセス制御に係る熱物性評価の現状」シンポジウム　2021年5月12日

  56. N-Type SnS Thin Films Applicable for Homojunction Solar Cells

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Sage Bauers, Andriy Zakutayev, Hiroyuki Shibata, Minesok Kim, Hiroshi Yanagi, Takahisa Omata

    2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit　2021年4月18日

  57. Fabrication of pn homojunction of SnS and its photovoltaic properties

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Sage Bauers, Andriy Zakutayev, Hiroyuki Shibata, Hiroshi Yanagi, Takahisa Omata

    2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit　2021年4月18日

  58. フェルミ準位がとりうるエネルギー範囲からみたSnS太陽電池のポテンシャル

    鈴木一誓, 川西咲子, Lin Zaxin, Binxiang, 小俣孝久, Huang, Andreas Klein

    日本セラミックス協会 2021年年会　2021年3月25日

  59. アルカリケイ酸塩ガラスおよび同融体の熱伝導度

    助永壮平, 遠藤貴彦, 山田大貴, 江部健太, 西剛史, 脇原徹, 尾原幸治, 川西咲子, 太田弘道, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会 第181回春季講演大会　2021年3月18日

  60. 光干渉法を利用した凝固界面近傍での溶質濃度勾配の定量評価

    川西咲子, 塩沢優大, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会 第181回春季講演大会　2021年3月18日

  61. AlN成長用Cr-Ni溶媒中窒素の挙動

    黒坂真一朗, 川西咲子, 鳴海大翔, 吉川健

    日本金属学会 2021年春期 第168回講演大会　2021年3月18日

  62. アルカリケイ酸塩ガラスおよび動優待の熱伝導度

    助永壮平, 遠藤貴彦, 西剛史, 川西咲子, 太田弘道, 柴田浩幸

    日本金属学会 2021年春期 第168回講演大会　2021年3月18日

  63. 高温固液界面の3次元形状解析による融体中微量溶解度の測定

    川西咲子, 吉川健, Didier Chaussende, 柴田浩幸

    日本金属学会 2021年春期 第168回講演大会　2021年3月18日

  64. SnS 太陽電池におけるVOC > 0.7 Vの可能性:フェルミ準位の制御性の観点から

    鈴木一誓, Binxiang Huang, 川西咲子, Lin Zaxin, Andreas Klein, 小俣孝久

    2021年3月16日

  65. In-situ Observation of Interfacial Phenomena between Magnetite and Matte at High Temperature by a Novel Optical Microscopic Technique

    Seunghwan Shin, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Junichi Takahashi, Hiroyuki Shibata

    TMS2021 150th Annual Meeting and Exhibition　2021年3月16日

  66. Effects of Atmosphere and Melting Time on Surface Tension of Iron Silicate Melt

    Sohei Sukenaga, Sakiko Kawanishi, Masahito Uchikoshi, Shingo Ishihara, Shungo Natsui, Ko-Ichiro Ohno, Noritaka Saito, Kunihiko Nakashima, Masanori Tashiro, Hiroyuki Shibata

    Molten 2021, the 11th international conference on Molten Slags, Fluxes and Salts (Online, Korea)　2021年2月23日

  67. アルカリケイ酸塩ガラスおよび融体の熱伝導度 に及ぼす化学組成および温度の影響

    助永壮平, 川西咲子, 柴田浩幸, 遠藤貴彦, 江部健太, 西剛史, 太田弘道, 山田大貴, 尾原幸治, 脇原徹

    日本学術振興会製鋼第19委員会 令和3年1月期合同研究会　2021年1月25日

  68. Evaluation of temperature dependence of bandgap for in-situ discrimination of SiC polytypes

    Tomohiro Yamada, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata

    IMRAM-Taipei Tech joint symposium　2020年11月30日

  69. SnS単結晶の溶液成長におけるハロゲン成分の寄与

    川西咲子, 鈴木一誓, 小俣孝久, 柴田浩幸

    第49回結晶成長国内会議(JCCG-49)　2020年11月11日

  70. Clarification of reaction mechanism between magnetite and Cu2S using in-situ observation

    Seunghwan Shin, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Hiroyuki Shibata

    Tohoku-Melbourne Joint Workshop in Materials Science　2020年11月9日

  71. Relationship between the Silicate Skeleton Structure and the Dissolution Kinetics of Calcium-Silicate Mineral Phases into Water

    Fang RUAN, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Hiroyuki Shibata

    日本鉄鋼協会 第180回秋季講演大会　2020年9月18日

  72. 蛍光イメージングによるCaSiO3の水溶液への溶出挙動の可視化

    中山日菜子, 川西咲子, 川野潤, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会 第180回秋季講演大会　2020年9月

  73. SiCポリタイプのその場判別に向けたバンドギャップの温度特性評価

    山田智大, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本金属学会 2020年秋期(第167回)講演大会　2020年9月15日

  74. Investigation of factors for decreasing reaction rate between magnetite and matte by novel in-situ interface observation technique

    Seung Hwan Shin, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Junichi Takahashi, Hiroyuki Shibata

    日本金属学会 2020年秋期(第167回)講演大会　2020年9月15日

  75. スパッタリング法によるn 型SnS薄膜の作製

    鈴木一誓, 川西咲子, Sage Bauers, Andriy Zakutayev, 柴田浩幸, 柳博, 小俣孝久

    第82回日本応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月9日

  76. pnホモ接合SnSの作製と太陽電池特性

    川西咲子, 鈴木一誓, Sage Bauers, Andriy Zakutayev, 柴田浩幸, 柳博, 小俣孝久

    第82回日本応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月9日

  77. 鉄濃度の高いケイ酸塩スラグのガラス化

    助永壮平, Paolo Mai, 川西咲子, 柴田浩幸

    資源・素材学会 2020年度資源・素材関係学協会合同秋期大会　2020年9月8日

  78. マグネタイト/マット間界面のその場観察による反応解析

    川西咲子, 申勝煥, 助永壮平, 高橋純一, 柴田浩幸

    資源・素材学会 2020年度資源・素材関係学協会合同秋期大会　2020年9月8日

  79. n型SnS薄膜のスパッタリング法による作製

    鈴木一誓, 川西咲子, Bauers Sage, Zakutayev Andriy, 柴田浩幸, Kim Minseok, 柳博, 小俣 孝久

    資源・素材 2020　2020年9月9日

  80. n型SnS薄膜の作製

    鈴木一誓, 川西咲子, Bauers Sage, Zakutayev Andriy, 柴田浩幸, Kim Minseok, 柳博, 小俣孝久

    日本セラミックス協会 第33回秋季シンポジウム　2020年9月3日

  81. 6H-SiC の周期ステップ構造を利用した3C-SiC の核生成制御

    川西咲子, 渡邉遼, 柴田浩幸

    日本金属学会 2020年春期(第166回)講演大会　2020年3月

  82. Evaluation of interface reaction between magnetite and matte by in-situ observation

    Seung Hwan Shin, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Makoto Ohtsuka, Junichi Takahashi, Hiroyuki Shibata

    日本金属学会 2020年春期(第166回)講演大会　2020年3月

  83. The Preferential Dissolution Behavior of Calcium into Water from the Calcium-Silicate Mineral Phases

    Fang RUAN, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Hiroyuki Shibata

    日本鉄鋼協会 第179回春季講演大会　2020年3月

  84. Solution growth of SiC crystals: in-situ observation of competition of domains

    Sakiko Kawanishi

    Workshop on Innovative Metallurgical Processes for Advanced Materials 3　2020年2月20日

  85. Cl-Doped SnS Single Crystal and Its N-Type Conduction 国際会議

    Issei Suzuki, Sakiko Kawanishi, Yuki Iguchi, Koichi Sato, Takahisa Omata, Hiroshi Yanagi

    2019 MRS Fall Meeting & Exhibit　2019年12月4日

  86. Development of In-situ observation system of concentration profiles around solidification interface

    Yudai Shiozawa, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata

    TAIPEI TECH-IMRAM Symposium　2019年11月26日

  87. Growth of Cl-doped n-type SnS Single Crystals and Their Electrical Properties 国際会議

    Hiroshi Yanagi, Yuki Iguchi, Koichi Sato, Sakiko Kawanishi, Issei Suzuki

    The 5th International Conference on Advanced Electromaterials　2019年11月5日

  88. 静電浮遊炉におけるCr-Si融体の放射率および比熱の測定

    仲田結衣, 渡邊勇基, 小山千尋, 石川毅彦, 川西咲子, 柴田浩幸, 吉川健

    日本熱物性学会 第40回日本熱物性シンポジウム　2019年10月29日

  89. New Methodologies to Evaluate the Step-bunching of 4H-SiC in Different Alloy Solvents 国際会議

    Yuchuang Yao, Sakiko Kawanishi, Didier Chaussende, Takumi Horiike, Takeshi Yoshikawa

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019　2019年9月30日

  90. Effect of thermophysical properties of Si-based solution on SiC solution growth process

    Sakiko Kawanishi

    Workshop on Innovative Metallurgical Processes for Advanced Materials 2　2019年9月27日

  91. 鉄ケイ酸塩スラグの還元過程における表面張力変化

    助永壮平, 川西咲子, 打越雅仁, 石原真吾, 夏井俊悟, 大野光一郎, 齊藤敬高, 中島邦彦, 柴田浩幸

    資源・素材学会 2019年度資源・素材関係学協会合秋期大会　2019年9月24日

  92. n型SnS単結晶の電子状態

    鈴木一誓, 川西咲子, 井口雄喜, 佐藤孝一, 小俣孝久, 柳 博

    第80回日本応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月19日

  93. カルシウムシリケート系鉱物の水へのCa溶出挙動に及ぼす結晶構造の影響

    川西咲子, Ruan Fang, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会 第178回秋季講演大会 シンポジウム　2019年9月13日

  94. Observation of Surface during Dissolution of Calcium-Silicate Mineral Phases into Water

    Fang RUAN, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Hiroyuki Shibata

    日本鉄鋼協会 第178回秋季講演大会　2019年9月13日

  95. Cr-Si合金を用いたSiC溶液成長時の結晶中窒素濃度

    八野田将吾, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本金属学会 2019年秋期(第165回)講演大会　2019年9月11日

  96. 濃度場のその場観察システムの開発と凝固現象の速度論評価

    塩沢優大, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本金属学会 2019年秋期(第165回)講演大会　2019年9月11日

  97. Cr-Ni溶媒を用いたAlNの溶液成長

    中川弥生, 堀池巧, 川西咲子, 吉川健

    日本金属学会 2019年春期(第164回)講演大会　2019年3月22日

  98. SiC単結晶の溶液成長の冶金学的アプローチ

    吉川健, 鳴海大翔, 川西咲子

    日本金属学会 2019年春期(第164回)講演大会　2019年3月22日

  99. SiC溶液成長時の溶液内熱流動に及ぼす各種物性値の影響

    川西咲子, 大黒寛典, 石川毅彦, 阿部舞, 柴田浩幸, 吉川健

    日本金属学会 2019年春期(第164回)講演大会　2019年3月22日

  100. SiC溶液成長時の成長界面に及ぼすCr-Si合金溶媒の熱伝導率の影響

    阿部舞, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会 第177回春季講演大会　2019年3月21日

  101. 溶液成長法による単結晶SiC育成プロセスの研究 招待有り

    川西咲子

    日本鉄鋼協会 第177回春季講演大会　2019年3月21日

  102. 結晶溶解のレーザー干渉その場観察による溶融Al中窒素溶解度の測定

    中川弥生, 吉川健, 川西咲子, Didier Chaussende

    日本鉄鋼協会 第177回春季講演大会　2019年3月20日

  103. Effect of Al Addition to Si-Cr Based Solvent for Solution Growth of Single Crystalline SiC 国際会議 招待有り

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Daikoku Hironori

    TMS2019 148th Annual Meeting and Exhibition　2019年3月12日

  104. An approach for solubility measurement of SiC in molten silicon and its alloy by real-time interference observation 国際会議 招待有り

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Didier Chaussende, Hiroyuki Shibata

    TMS2019 148th Annual Meeting and Exhibition　2019年3月12日

  105. In-situ interface observation of solution growth of 4H-SiC at the initial growth stage from different solvents 国際会議 招待有り

    Takeshi Yoshikawa, Yao Yuchuan, Takumi Horiike, Sakiko Kawanishi

    TMS2019 148th Annual Meeting and Exhibition　2019年3月11日

  106. SiCの高温溶液成長界面のその場観察” 招待有り

    川西咲子, 吉川健, 柴田浩幸

    表面・界面での相転移ダイナミクスに関するその場観察および理論　2019年1月28日

  107. 高温in-situ観察による固液界面現象の理解 招待有り

    川西咲子

    製鋼部会・産学連携交流会　2018年12月23日

  108. Effect of thermal conductivity of solvent on solution growth of SiC 国際会議

    Mai Abe, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata

    TAIPEI TECH-IMRAM Symposium　2018年12月3日

  109. 溶融Fe-Si合金の熱伝導率の計測

    阿部舞, 川西咲子, 柴田浩幸

    第39回日本熱物性シンポジウム　2018年11月13日

  110. Effect of Silicate Structure of Calcium-Silicate Based Mineral Phases on Their Elution Behaviors 国際会議

    Fang Ruan, Sakiko Kawanishi, Sohei Sukenaga, Hiroyuki Shibata

    2018 China Symposium on Sustainable Steelmaking Technology　2018年10月26日

  111. 溶媒移動法における物質移動現象を利用した1600-2000℃での諸物性値の評価

    川西咲子, 柴田浩幸, 吉川健

    日本金属学会 2018年秋季(第163回)講演大会　2018年9月19日

  112. Ca-Si系鉱物相の水へのカルシウム溶出挙動に及ぼすシリケート構造の影響

    阮方, 川西咲子, 助永壮平, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会, 第176回秋季講演大会　2018年9月19日

  113. Effect of Thermal Conductivity of Solvent on Heat Flow during Solution Growth of SiC 国際会議

    Mai Abe, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018　2018年9月2日

  114. Thermodynamic study on growing single crystal of AlN by solution growth in Cr-Ni solvent 国際会議

    Yayoi Nakagawa, Sakiko Kawanishi, Yoshiyuki Yoshitome, Takeshi Yoshikawa

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018　2018年9月2日

  115. Melt properties of Si-40 mol% Cr solvent and their influence to temperature and flow control in the SiC solution growth 国際会議

    S. Kawanishi, H. Daikoku, T. Ishikawa, M. Abe, H. Shibata, T. Yoshikawa

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018　2018年9月2日

  116. Effect of Al addition to Si-Cr based solvent for growing n-type 2” 4H-SiC by solution growth on concave surface method 国際会議

    Hironori Daikoku, Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa

    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018　2018年9月2日

  117. SiC溶液成長時の熱流動に及ぼす溶媒の熱伝導率の影響

    阿部舞, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本鉄鋼協会, 第175回秋季講演大会　2018年3月19日

  118. 6H-SiC中のらせん転位より生じるスパイラル構造上への3C-SiC核生成制御

    渡邊遼, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本金属学会, 第162回 2018年春季講演大会　2018年3月19日

  119. 4H-SiCの溶液成長界面に及ぼすAlの影響

    大黒寛典, 川西咲子, 吉川健

    日本金属学会, 第162回 2018年春季講演大会　2018年3月19日

  120. Cr-Si溶媒を用いたSiCの溶液成長挙動に及ぼす炭素過飽和度の影響

    永松洋一郎, 川西咲子, 柴田浩幸, 吉川健

    第65回日本応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日

  121. 1873-2273Kでの溶融Cr-Si-CおよびFe-Si-C合金の相互拡散係数

    川西咲子, 柴田浩幸, 吉川健

    第65回日本応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日

  122. Si-40mol%Cr溶媒の融体物性計測ならびにSiCの溶液成長下熱流動予測

    大黒寛典, 川西咲子, 石川毅彦, 吉川健

    第65回日本応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日

  123. Real-time Observation of Solution Growth Interface of SiC Using Alloy Solvent 国際会議 招待有り

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Kazuki Morita

    TMS2018　2018年3月11日

  124. Cr-Si溶媒を用いたSiC溶液成長挙動に及ぼす過飽和度の影響

    永松洋一郎, 川西咲子, 柴田浩幸, 吉川健

    第1６回 日本金属学会東北支部研究発表大会　2017年11月22日

  125. Thermodynamics of Cr in 4H-SiC at 1873 &#8211; 2273 K 国際会議

    Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata, Takeshi Yoshikawa

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017　2017年9月17日

  126. Rapid solution growth of AlN using Cr-Ni solvent on c, a, and r faces of sapphire substrates 国際会議

    Shinichiro Kurosaka, Kanaparin Ariyawong, Taka Narumi, Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017　2017年9月17日

  127. Effect of degree of supersaturation on solution growth of 4H-SiC using Cr-Si solvent 国際会議

    Yoichiro Nagamatsu, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata, Takeshi Yoshikawa

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017　2017年9月17日

  128. Control of Nucleation of 3C-SiC utilizing Screw Dislocations in 6H-SiC 国際会議

    Ryo Watanabe, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017　2017年9月17日

  129. In-situ observation on step-bunching and inclusion formation during solution growth of SiC combined with ex-situ analysis 国際会議

    Kosuke Fukui, Miki Shiraishi, Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Hironori Daikoku, Hiroaki Saito, Kazuhiko Kusunoki

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017　2017年9月17日

  130. 単結晶SiCの溶液成長の物理化学 招待有り

    川西咲子

    日本金属学会 第161回 2017年秋季講演大会　2017年9月6日

  131. Dissolution behavior of calcium-silicate based mineral phases into water

    RUAN Fang, Sakiko Kawanishi, Hiroyuki Shibata

    日本鉄鋼協会 第174回秋季講演大会　2017年9月6日

  132. 6H-SiCのらせん転位を利用した3C-SiC核生成制御

    渡邉遼, 川西咲子, 柴田浩幸

    日本金属学会 第161回 2017年秋季講演大会　2017年9月6日

  133. Cr-Si系溶媒の過飽和度が4H-SiCの溶液成長挙動に及ぼす影響

    永松洋一郎, 川西咲子, 吉川健, 柴田浩幸

    日本金属学会 第161回 2017年秋季講演大会　2017年9月6日

  134. MgO単結晶と溶融Fe-Al-S合金間界面反応のその場観察

    吉川健, 川西咲子

    日本鉄鋼協会 第174回秋季講演大会　2017年9月6日

  135. 溶融Si-M (M = Fe, Ni, Fe-Cr)合金中C溶解度の測定

    川西咲子, 吉川健

    日本鉄鋼協会第173回春季講演大会　2017年3月15日

  136. SiCr溶媒に添加したAlのSiC溶液成長界面の影響調査

    大黒寛典, 川西咲子, 吉川健

    日本金属学会2017年春季(第160回)講演大会　2017年3月15日

  137. SiC溶液成長結晶のドーピング制御に向けた4H-SiC中Al, Nの熱力学

    川西咲子, 柴田浩幸, 吉川健

    第64回日本応用物理学会春季学術講演会春季学術講演会　2017年3月14日

  138. 凹界面形状成長における4H-SiCの多形安定機構の検討

    大黒寛典, 川西咲子, 吉川健

    第64回日本応用物理学会春季学術講演会春季学術講演会　2017年3月14日

  139. In-situ observation of competition between spiral growth and step-flow growth during solution growth of 4H-SiC 国際会議

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016　2016年9月25日

  140. Effect of N2 partial pressure on solution growth of AlN using Cr-Ni solvent 国際会議

    Shinichiro Kurosaka, Taka Narumi, Hideaki Sasaki, Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa, Masafumi Maeda

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016　2016年9月25日

  141. Effect of Al addition in Si-Cr melt by real-time observation of 4H-SiC growth interface 国際会議

    Hironori Daikoku, Ssakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa

    The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016　2016年9月25日

  142. 高温界面現象の理解へ向けた界面リアルタイム観察の取り組み

    吉川健, 川西咲子

    日本鉄鋼協会第172回秋季講演大会　2016年9月21日

  143. Cr-Ni溶媒を用いたサファイア上AlN溶液成長結晶の配向性の検討

    黒坂信一朗, 鳴海大翔, 川西咲子, 吉川健, 前田正史

    日本金属学会2016年秋季講演大会　2016年9月21日

  144. 固相Si中不純物液相のマイグレーション速度の検討

    川西咲子, 松永邦俊, 吉川健, 森田一樹

    日本金属学会2016年秋季講演大会　2016年9月21日

  145. SiC飽和溶融Si-Cr合金中C溶解度の測定

    大黒寛典, 高橋礼奈, 川西咲子, 吉川健

    日本鉄鋼協会 第171回春季講演大会　2016年3月23日

  146. Cr-Ni溶媒を用いたAlNの低温高速溶液成長の基礎検討(その2)ー窒素分圧制御下におけるAlN単結晶成長ー

    黒坂真一朗, 川西咲子, 吉留裕貴, 佐々木秀顕, 吉川 健, 前田正史

    日本金属学会 第158回 2016年春季講演大会　2016年3月23日

  147. Cr-Ni溶媒を用いたAlNの低温高速溶液成長の基礎検討(その1)ーCr-Ni合金中NおよびAlN溶解度の測定ー

    川西咲子, 吉留裕貴, 佐々木秀顕, 吉川 健, 前田正史

    日本金属学会 第158回 2016年春季講演大会　2016年3月23日

  148. 4H-SiC単結晶の溶液成長に向けたCr溶媒の検討

    宮坂 遼, 川西咲子, 吉留裕貴, 佐々木秀顕, 吉川 健, 前田正史

    日本金属学会 第158回 2016年春季講演大会　2016年3月23日

  149. Cr系溶媒を用いた単結晶SiC溶液成長における炭素過飽和量と成長速度の関係

    宮坂 遼, 鳴海大翔, 川西咲子, 佐々木秀顕, 吉川 健, 前田正史

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日

  150. SiC溶液成長時のスパイラル成長とステップの競合過程のその場観察

    川西咲子, 吉川健

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日

  151. Cr-Ni溶媒を用いたAlNの溶液成長におけるサファイア種結晶の結晶面の影響

    黒坂真一朗, 鳴海大翔, 川西咲子, 佐々木秀顕, 吉川 健, 前田正史

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日

  152. In-situ observation of solution growth interface of SiC from Fe-Si solvent 国際会議 招待有り

    Sakiko Kawanishi, Takeshi Yoshikawa

    40th International Conference and Expo on Advanced Ceramics and Composites　2016年1月24日

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産業財産権 6

  1. SiC単結晶製造装置

    大黒寛典, 秋田光俊, 山本諒, 吉川健, 川西咲子

    産業財産権の種類: 特許権

  2. SiC単結晶の製造方法

    大黒寛典, 加渡幹尚, 吉川健, 川西咲子

    産業財産権の種類: 特許権

  3. SiC単結晶の製造方法

    大黒寛典, 吉川健, 川西咲子

    産業財産権の種類: 特許権

  4. 炭化ケイ素単結晶の製造方法

    吉川健, 田中敏宏, 川西咲子

    産業財産権の種類: 特許権

  5. 炭化ケイ素高含有成型品の製造方法、及び、炭化ケイ素高含有成型品を用いた炭化ケイ素単結晶の製造方法

    川西咲子, 中山吉之

    産業財産権の種類: 特許権

  6. ｎ型ＳｎＳ薄膜、光電変換素子、太陽光電池、ｎ型ＳｎＳ薄膜の製造方法、およびｎ型ＳｎＳ薄膜の製造装置

    鈴木一誓, 川西咲子, 柳博

    産業財産権の種類: 特許権

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共同研究・競争的資金等の研究課題 20

  1. Gibbs-Thomson溶媒が拓く超速エピタキシーの新展開

    吉川 健, 三浦 均, 川西 咲子

    2022年6月30日 ～ 2025年3月31日

  2. 偏析蛍光イメージングによる急冷凝固現象の解明

    川西 咲子, 柴田浩幸

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2022年4月 ～ 2025年3月

  3. エレクトロマイグレーションの新活用術 ～高温界面制御への挑戦～

    川西 咲子

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    研究機関：Tohoku University

    2021年7月 ～ 2024年3月

  4. 結晶成長界面の制御のキーファクター=ステップ物性：その計測と熱力学モデル構築 競争的資金

    吉川 健, 柴田 千尋, 竹島 由里子, 川西 咲子, 三谷 武志, 三浦 均

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：The University of Tokyo

    2019年4月1日 ～ 2023年3月31日

  5. 蛍光イメージングによるケイ酸塩鉱物の溶解ダイナミクスの解明

    川西咲子, 川野潤

    2022年4月 ～ 2023年3月

  6. pH/イオン濃度分布の可視化が拓く新たな固液界面反応評価

    川野潤, 豊福高志, 北垣亮馬, 川西咲子, 荒木優希

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

    研究機関：Hokkaido University

    2021年7月 ～ 2023年3月

  7. 凝固界面形状・濃度・温度・流れの同時イメージング法の開発

    川西咲子

    2021年4月 ～ 2023年3月

  8. Ca・pH同時イメージングによるスラグ構成相の⽔への溶出機構の解明

    川西咲子, 柴田浩幸, 川野潤

    2022年1月 ～ 2022年12月

  9. 環境調和型次世代太陽電池材料SnSの非平衡欠陥制御と薄膜のn型化 競争的資金

    柳 博, 鈴木 一誓, 川西 咲子

    2019年4月1日 ～ 2022年3月31日

  10. 湿潤下その場分光解析によるケイ酸塩物質のハイドレーション・ケミストリーの深化 競争的資金

    柴田 浩幸, 助永 壮平, 川西 咲子

    2019年4月1日 ～ 2022年3月31日

  11. 次世代薄膜太陽電池材料SnS：ホモ接合実現に向けた固体化学の追究 競争的資金

    柳 博, 川西 咲子, 鈴木 一誓

    2018年10月9日 ～ 2022年3月31日

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    本研究では、バルク焼結体や単結晶において塩素ドープにより実現したSnSのn型化が薄膜で困難な原因について、「Sn2+の孤立電子対が関わる電子欠陥による電荷補償が、非平衡状態が凍結される薄膜中で顕著であるため」との推論を立て、これを解決するために塩素ドープSnS薄膜中に導入される欠陥を同定することを第一の目的としている。次に、ここで同定した欠陥の導入起源の解明をすることによりn型伝導を阻害する孤立電子対起因の欠陥の抑制手法を確立し、SnS薄膜のn型化を実現することを目的とする。これらの目的を達成するために国立再生可能エネルギー研究所（NREL，アメリカ）所有のコンビナトリアルRFマグネトロンスパッタリング製膜装置（塩素添加量やSn/S比、基板温度等の製膜条件を一度に広範囲に制御できる堆積装置）により塩素ドープSnS薄膜を製膜することで欠陥を単離する製膜条件の高速スクリーニングを行う。 当該年度は、NRELにて使用予定のコンビナトリアルRFマグネトロンスパッタリング製膜装置ならびにコンビナトリアル評価装置（XRD、XRF、光学スペクトル、電気伝導度など）を現地で見学し、実験方法に関する入念な計画を検討するとともにNRELでの受け入れ研究員との意思統一を図った。これに加え、山梨大学にて現在行っている近接昇華法により製膜したSnS薄膜について東北大学でTOF-SIMSやEPMAによる分析を行った。EPMAでは検出限界に対して有意な塩素を確認することができなかったが、TOF-SIMSにより膜中に塩素が均質に分布していることが明らかとなった。

  12. 新しい欠陥エンジニアリング；双晶欠陥ゼロの3C-SiCへの挑戦

    川西 咲子

    2018年6月29日 ～ 2021年3月31日

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    3C-SiCは高いチャネル移動度を実現できるため、低損失の中耐圧MOSFETへの応用が期待される。しかし、高品質化が有望視される溶液成長では、デバイスキラー欠陥のDPB(Double positioning boundary)の形成により応用への道は開かれていない。そこで、Si-C対6層周期のステップを種結晶表層に構成させDPBの発生を抑制すべく、6H-SiCに内在する貫通らせん転位を利用した周期ステップ構造を作製し、新しい界面制御法の確立へと展開すべく研究を進めている。 2018年度は、周期ステップ構造に及ぼす6H-SiC基板の面極性の影響を調査した。その結果、C極性面と比較しSi極性面では非常にステップ間隔の小さな周期構造を形成することが確認された。この時のステップ間隔はBCF理論にて説明可能であることがわかり、周期構造の作製時の未飽和度にて整理することができた。次に、得られた周期構造上への3C-SiCの核生成を実施した。Si極性面上にて積層構造の揃った3C-SiCが得られ、狙い通りに下地構造に倣った核生成・成長を達成することができた。一方、C極性面上では3C-SiCの核生成は発生せず、6H-SiCのステップフロー成長が進行することが明らかになった。さらに、核生成の起点を解明すべく実施予定の高温界面のIn-situ界面観察に先立ち、光学系の改造に向けた予備検討を行った。明視野観察による光学系に微分干渉機構を追加し、分解能を更に向上させる方針に決定した。 以上、高品質結晶を得るために必須な3C-SiCの積層構造の制御にあたり重要な因子を検討し、下地基板として用いる6H-SiCの面極性の重要性を明らかにするとともに、界面制御法の確立に向けた具体的な方針を決定した。

  13. シリコンカーバイド/金属融体界面のファセット制御と結晶多形決定機構 競争的資金

    吉川健、三谷武志、川西咲子、Didier Chaussende

    2019年4月 ～ 2020年3月

  14. 4次元in-situ界面観察と熱物性計測によるインクルージョンフリーSiCの実現 競争的資金

    川西咲子

    2017年4月 ～ 2020年3月

  15. 界面直接観察と分子動力学法によるSiC溶液成長界面のステップ構造形成機構の解明 競争的資金

    吉川 健, 川西 咲子, 澁田 靖

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：The University of Tokyo

    2015年4月1日 ～ 2018年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    成長界面その場観察技術を用い、SiC成長界面における線状インクルージョンの発生がスパイラルヒロック端において前進ステップと干渉して発達したバンチングステップによることを明らかにした。次いで、低過飽和条件を利用することで種結晶中の貫通らせん転位を起点としたスパイラル成長の安定維持が可能であり、その傾斜形状を用いたステップエネルギーの相対評価が可能であることを示した。 また分子動力学法計算を用い、Si-C溶液と3C, 4H, 6H-SiC結晶の界面における界面成長挙動を調査し、種々の結晶面上の成長挙動を評価した。特に4H-SiC｛1-102}上ではラフ界面を維持した安定成長が継続することを示した。

  16. 100%Cr溶媒を用いた超高速SiC溶液成長 競争的資金

    川西咲子

    2016年4月 ～ 2018年3月

  17. 新奇界面制御法によるDPBフリー3C-SiCの実現 競争的資金

    川西咲子

    2016年4月 ～ 2017年3月

  18. 超高品質SiCの実現を目指した溶液成長界面のIn-situ観察と原子分解能解析 競争的資金

    川西咲子

    2015年4月 ～ 2016年3月

  19. SiC溶液成長界面のIn-situ観察と理論予測に基づく超高品質結晶の育成 競争的資金

    川西咲子

    2014年4月 ～ 2016年3月

  20. Fe-Si合金溶媒を用いたn型、p型SiC単結晶の革新的高速溶液成長法の物理化学 競争的資金

    川西咲子

    2011年4月 ～ 2014年3月

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社会貢献活動 2

  1. すぐにわかる「鉄」～知ってる？知らない？身近な材料のよもやまばなし～

    知の拠点【すぐわかアカデミア。】

    2023年2月17日 ～ 継続中

  2. 鉄 〜知ってる？知らない？ 身近な材料のよもやまばなし〜

    片平まつり2021　オンライン開催

    2021年10月18日 ～ 2021年10月18日

メディア報道 3

  1. 薄膜太陽電池、硫化スズで 東北大など カドミウム不要、環境配慮

    日本経済新聞

    2022年1月16日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  2. 硫化スズ太陽電池の高効率化実現 東北大が成果

    科学新聞

    2021年4月2日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌

  3. クリーンな次世代太陽電池 東北大など 効率向上に道

    日本経済新聞

    2021年3月21日

    メディア報道種別: 新聞・雑誌