研究者詳細

顔写真

マワキ　タケゾウ
間脇　武蔵
Takezo Mawaki
所属
未来科学技術共同研究センター　開発企画部
職名
助教
学位

  • 博士（工学）（東北大学）

  • 修士（工学）（東北大学）

e-Rad 研究者番号
10966328

経歴 2

  • 2022年7月 ～ 継続中
    東北大学　工学部　助教

  • 2022年4月 ～ 継続中
    東北大学　未来科学技術共同研究センター　助教

学歴 1

  • 東北大学　大学院工学研究科　技術社会システム専攻

    2018年4月 ～ 2022年3月

委員歴 1

  • シリコン材料・デバイス研究専門委員会　専門委員

    2022年10月 ～ 継続中

研究キーワード 1

  • 半導体集積回路

研究分野 2

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

受賞 4

  1. 服部健雄賞 ポスター講演

    2023年2月　電子デバイス界面テクノロジー研究会（EDIT28）　ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ構造・動作条件依存性の統計的解析

  2. 専攻長賞

    2022年3月　東北大学大学院 工学研究科 技術社会システム専攻

  3. 若手優秀発表賞

    2021年6月　電子情報通信学会　IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質

  4. The Encouragement Prize

    2016年12月　電気関係学会東北支部連合大会

論文 12

  1. Adsorption and surface reaction of isopropyl alcohol on SiO2 surfaces 査読有り

    Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Katsutoshi Ishii, Yoshinobu Shiba, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shuji Azumo, Akira Shimizu, Kota Umezawa, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　40　(5)　2022年9月

    DOI： 10.1116/6.0002002 　

    ISSN：0734-2101

    eISSN：1520-8559

  2. Modification of copper and copper oxide surface states due to isopropyl alcohol treatment toward area-selective processes 査読有り

    Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Katsutoshi Ishii, Yoshinobu Shiba, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shuji Azumo, Akira Shimizu, Kota Umezawa, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　39　(1)　013403-013403　2021年1月

    DOI： 10.1116/6.0000618 　

    ISSN：0734-2101

    eISSN：1520-8559

  3. Analysis of Random Telegraph Noise Behaviers of nMOS and pMOS toward Back Bias Voltage Changing 査読有り

    T. Mawaki, A. Teramoto, R. Kuroda, S. Ichino, S. Sugawa

    Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials　2017年9月22日

    出版者・発行元： The Japan Society of Applied Physics

    DOI： 10.7567/ssdm.2017.g-5-03 　

  4. Evaluation of Metal Contamination Behavior on Silicon Wafer Surfaces Rinsed with Deionized Water Containing pg/L-Level Impurities

    Kyohei Tsutano, Takezo Mawaki, Yasuyuki Shirai, Rihito Kuroda

    ECS Transactions　114　(1)　27-33　2024年9月27日

    出版者・発行元： The Electrochemical Society

    DOI： 10.1149/11401.0027ecst 　

    ISSN：1938-5862

    eISSN：1938-6737

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    Two tests were performed to investigate the contamination behavior of bare Si wafers by rinsing them using deionized water (DIW) contaminated with metals at the pg/L-level in a single-wafer cleaning process. First, we found that Al, Ti, Mn, Co, Cu, Sr, and Pb exhibited strong correlations between the metal concentrations in DIW and the wafer surface concentrations under different concentrations in DIW and the same rinse time of 480 min. Second, we observed that the wafer surface concentrations of Al, Ti, Cu, and Pb increased with the rinse time, whereas those of Mn, Co, and Sr were constant at rinse times ranging from 10 to 960 min at metal concentrations of 60 pg/L in DIW. In this test, Cu exhibited a high adsorption ratio on bare Si wafers, even at the pg/L level. These data provide novel insights into wet processes for device manufacturing.

  5. Impedance Measurement Platform for Statistical Capacitance and Current Characteristic Measurements of Arrayed Cells with Atto-order Precision 査読有り

    Koga Saito, Tatsuhiko Suzuki, Hidemi Mitsuda, Tsubasa Nozaki, Takezo Mawaki, Rihito Kuroda

    2024 IEEE 36th International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS)　1-6　2024年4月15日

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.1109/icmts59902.2024.10520692 　

  6. A Preliminary Demonstration of High Resolution Proximity Capacitance-Optical Multimodal CMOS Image Sensor 査読有り

    Tsubasa Nozaki, Yoshiaki Watanabe, Chia-Chi Kuo, Koga Saito, Takezo Mawaki, Rihito Kuroda

    Proceedings of the International Display Workshops　1471-1471　2023年12月7日

    出版者・発行元： International Display Workshops General Incorporated Association

    DOI： 10.36463/idw.2023.1471 　

    ISSN：1883-2490

  7. 高選択性半導体製造プロセスに向けた 固体表面上の気体分子反応の計測技術と解析に関する研究

    間脇武蔵

    博士学位論文　2022年3月

  8. Effect of drain-to-source voltage on random telegraph noise based on statistical analysis of MOSFETs with various gate shapes

    R. Akimoto, R. Kuroda, A. Teramoto, T. Mawaki, S. Ichino, T. Suwa, S. Sugawa

    2020 ieee international reliability physics symposium (IRPS)　2020年

    DOI： 10.1109/irps45951.2020.9128341 　

    ISSN：1541-7026

  9. Statistical Analysis of Threshold Voltage Variation Using MOSFETs With Asymmetric Source and Drain

    Shinya Ichino, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Takezo Mawaki, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

    IEEE Electron Device Letters　39　(12)　1836-1839　2018年12月

    DOI： 10.1109/led.2018.2874012 　

    ISSN：0741-3106

    eISSN：1558-0563

  10. Effect of drain current on appearance probability and amplitude of random telegraph noise in low-noise CMOS image sensors

    Shinya Ichino, Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Hyeonwoo Park, Shunichi Wakashima, Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

    Japanese Journal of Applied Physics　57　(4S)　04FF08-04FF08　2018年3月14日

    DOI： 10.7567/jjap.57.04ff08 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  11. Statistical Analyses of Random Telegraph Noise in Pixel Source Follower with Various Gate Shapes in CMOS Image Sensor

    Shinya Ichino, Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shunichi Wakashima, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

    ITE Transactions on Media Technology and Applications　6　(3)　163-170　2018年

    DOI： 10.3169/mta.6.163 　

    ISSN：2186-7364

    eISSN：2186-7364

  12. Impact of Drain Current to Appearance Probability and Amplitude of Random Telegraph Noise in Low Noise CMOS Image Sensors 査読有り

    S. Ichino, T. Mawaki, A. Teramoto, R. Kuroda, H. Park, T. Maeda, S. Wakashima, T. Goto, T. Suwa, S. Sugawa

    Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials　2017年9月22日

    出版者・発行元： The Japan Society of Applied Physics

    DOI： 10.7567/ssdm.2017.g-5-02 　

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MISC 16

  1. 大規模アレイテスト回路を用いた半導体素子の電気特性計測技術 ～次世代の半導体メモリ研究を促進する電気特性計測プラットフォームの開発～

    間脇武蔵

    青葉工学振興会機関誌 翠巒　(38)　47-51　2024年1月

  2. インピーダンス計測プラットフォーム技術を用いた機能性薄膜に関する電気的特性の統計的計測

    齊藤宏河, 鈴木達彦, 光田薫未, 間脇武蔵, 間脇武蔵, 諏訪智之, 寺本章伸, 寺本章伸, 須川成利, 黒田理人, 黒田理人

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　84th　2023年

    ISSN： 2758-4704

  3. 電流計測プラットフォームを用いた高容量密度トレンチキャパシタのトラップ特性に関する統計的計測

    鈴木達彦, 齊藤宏河, 光田薫未, 間脇武蔵, 間脇武蔵, 須川成利, 黒田理人, 黒田理人

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　84th　2023年

    ISSN： 2758-4704

  4. 抵抗計測プラットフォームを用いたHfOx膜抵抗変化の統計的計測

    光田薫未, 鈴木達彦, 齊藤宏河, 間脇武蔵, 間脇武蔵, 須川成利, 黒田理人, 黒田理人

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　84th　2023年

    ISSN： 2758-4704

  5. ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ形状およびドレイン-ソース間電圧依存性の統計的解析 招待有り

    間脇武蔵, 間脇武蔵, 黒田理人, 黒田理人

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　84th　2023年

    ISSN： 2758-4704

  6. 電気特性計測プラットフォームを用いたランダムテレグラフの動作条件依存性の統計的解析 招待有り

    間脇武蔵, 間脇武蔵, 黒田理人, 黒田理人

    電子情報通信学会技術研究報告(Web)　123　(211(SDM2023 54-61))　2023年

    ISSN： 2432-6380

  7. 次世代メモリ用薄膜の統計的解析を行う高精度・広範囲抵抗測定技術

    光田薫未, 天満亮介, 間脇武蔵, 黒田理人

    電子情報通信学会技術研究報告　122　(215)　5-8　2022年10月19日

  8. IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質

    間脇武蔵, 寺本章伸, 石井勝利, 志波良信, 諏訪智之, 東雲秀司, 清水亮, 梅澤好太, 黒田理人, 白井泰雪, 須川成利

    電子情報通信学会技術研究報告(Web)　121　(71(SDM2021 22-29))　2021年

    ISSN： 2432-6380

  9. トランジスタ構造・動作領域・キャリア走行方向によるRTN挙動の統計的解析

    秋元暸, 黒田理人, 黒田理人, 間脇武蔵, 須川成利

    電子情報通信学会技術研究報告(Web)　121　(212(SDM2021 44-52))　2021年

    ISSN： 2432-6380

  10. 統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析

    秋元瞭, 黒田理人, 黒田理人, 寺本章伸, 寺本章伸, 間脇武蔵, 市野真也, 諏訪智之, 須川成利

    電子情報通信学会技術研究報告(Web)　120　(205(SDM2020 14-21))　2020年

    ISSN： 2432-6380

  11. ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析—Statistical Analysis of Electric Characteristics Variability Using MOSFETs with Asymmetric Source and Drain—シリコン材料・デバイス

    市野真也, 寺本章伸, 黒田理人, 間脇武蔵, 諏訪智之, 須川成利, 須川成利

    電子情報通信学会技術研究報告　118　(241)　51-56　2018年10月

    ISSN： 0913-5685

  12. 大規模アレイ MOS トランジスタのランダムテレグラフノイズの動作条件依存性に関する研究

    間脇武蔵

    東北大学電通談話会記録　87　(1)　254-255　2018年8月

    ISSN： 0385-7719

  13. 高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析—Analysis of Random Telegraph Noise Behaviors toward Changes of Source Follower Transistor Operation Conditions using High Accuracy Array Test Circuit—シリコン材料・デバイス

    市野真也, 間脇武蔵, 寺本章伸, 黒田理人, 若嶋駿一, 須川成利, 須川成利

    電子情報通信学会技術研究報告　117　(260)　57-62　2017年10月

    ISSN： 0913-5685

  14. 画素SFで発生するランダムテレグラフノイズの統計的解析 ～トランジスタ形状・時定数・遷移数の影響～

    黒田 理人, 寺本 章伸, 市野 真也, 間脇 武蔵, 若嶋 駿一, 須川 成利

    映像情報メディア学会技術報告　41.32　(32(IST2017 49-59))　13-16　2017年

    出版者・発行元： 一般社団法人 映像情報メディア学会

    DOI： 10.11485/itetr.41.32.0_13 　

    ISSN： 1342-6893

    eISSN： 2424-1970

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    本稿ではアレイテスト回路を用いた画素ソースフォロワトランジスタのランダムテレグラフノイズ（RTN）に関する以下の 2項目に焦点を当てた統計的解析について報告する．一つ目は，時定数および状態遷移数が CMOSイメージセンサの読出しノイズに与える影響である．二つ目は，ソースフォロワトランジスタの形状が与える影響に関する解析であり，通常の長方形のゲート構造に加えて八角形や非対称型のソース・ドレイン構造を有する台形レイアウトのトランジスタを測定して明らかにした RTN低減効果をまとめる．

  15. 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究—Behavior of Random Telegraph Noise toward Bias Voltage Changing—シリコン材料・デバイス

    間脇武蔵, 寺本章伸, 黒田理人, 市野真也, 後藤哲也, 諏訪智之, 須川成利, 須川成利

    電子情報通信学会技術研究報告　116　(270)　35-38　2016年10月

    ISSN： 0913-5685

  16. Dynamic Response of Random Telegraph Noise Time Constants toward Bias Voltage Changing

    間脇 武蔵, 寺本 章信, 市野 真也, 黒田 理人, 後藤 哲也, 諏訪 智之, 須川 成利

    電気関係学会東北支部連合大会講演論文集　2016　64-64　2016年

    出版者・発行元： Organizing Committee of Tohoku-Section Joint Convention of Institutes of Electrical and Information Engineers, Japan

    DOI： 10.11528/tsjc.2016.0_64 　

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講演・口頭発表等 8

  1. Analysis of Reaction and Decomposition of Isopropyl Alcohol on Copper and Copper Oxide Surfaces Toward Area-selective Processes

    Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Katsutoshi Ishii, Yoshinobu Shiba, Tomoyuki Suwa, Shuji Azumo, Akira Shimizu, Kota Umezawa, Rihito Kuroda, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

    5th Area-Selective Deposition Workshop (ASD 2021)　2021年4月6日

  2. 半導体素子の統計的評価に向けたインピーダンス計測プラットフォーム技術

    齊藤 宏河, 鈴木 達彦, 光田 薫未, 間脇 武蔵, 諏訪 智之, 寺本 章伸, 須川 成利, 黒田 理人

    第35回マイクロエレクトロニクス研究会　2023年11月

  3. ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ構造・動作条件依存性の統計的解析

    間脇武蔵, 黒田理人, 秋元瞭, 須川成利

    第28 回電子デバイス界面テクノロジー研究会　2023年2月4日

  4. インピーダンス計測プラットフォーム技術を用いたSiN膜中トラップ特性の統計的計測

    齊藤宏河, 鈴木達彦, 光田薫未, 間脇武蔵, 諏訪智之, 寺本章伸, 須川成利, 黒田理人

    第28 回電子デバイス界面テクノロジー研究会　2023年2月4日

  5. ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ構造・動作条件依存性の統計的解析

    間脇 武蔵, 黒田 理人, 秋元 瞭, 須川 成利

    第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会　2023年2月3日

  6. イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質 招待有り

    間脇武蔵, 寺本章伸, 石井勝利, 志波良信, 諏訪智之, 東雲秀司, 清水亮, 梅澤好太, 黒田理人, 白井泰雪, 須川成利

    シリコン材料・デバイス（SDM）研究会　2021年6月

  7. RTS noise characterization and suppression for advanced CMOS image sensors 招待有り

    Rihito Kuroda, Shinya Ichino, Takezo Mawaki, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

    4th International Workshop on Image Sensors and Imaging Systems　2018年11月28日

  8. Statistical Analysis of Random Telegraph Noise in Source Follower Transistors with Various Shapes

    S. Ichino, T. Mawaki, S. Wakashima, A. Teramoto, R. Kuroda

    2017 International Image Sensor Workshop (IISW)　2017年5月

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産業財産権 1

  1. 選択成膜方法

    東雲 秀司, 梅澤 好太, 石井 勝利, 清水 亮, 寺本 章伸, 諏訪 智之, 白井 泰雪, 間脇 武蔵

    特許7231960

    産業財産権の種類: 特許権

    権利者: 東京エレクトロン株式会社;国立大学法人東北大学

共同研究・競争的資金等の研究課題 2

  1. 超省電力・短時間処理・低コストの統計的電気計測による次世代メモリ解析・評価技術

    間脇 武蔵

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

    研究機関：Tohoku University

    2023年4月1日 ～ 2026年3月31日

  2. 次世代メモリの研究を飛躍的に促進する電気的特性の統計的計測プラットフォーム技術

    間脇 武蔵

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

    研究種目：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

    研究機関：Tohoku University

    2022年8月 ～ 2024年3月

担当経験のある科目(授業) 3

  1. 創造工学研修　東北大学

  2. 工学部電気情報物理工学科「学生実験 C」　東北大学

  3. 工学部電気情報物理工学科「学生実験 D」　東北大学