研究者詳細

顔写真

アブカワ　タダシ
虻川　匡司
Tadashi Abukawa
所属
国際放射光イノベーション・スマート研究センター　基幹研究部門　界面計測スマートラボ
職名
教授
学位

  • 博士(理学) （Tohoku University）

学歴 2

  • 東北大学　大学院理学研究科　物理学第一学科

    ～ 1992年3月

  • 東北大学　理学部　物理学第二学科

    1983年4月 ～ 1987年3月

所属学協会 4

  • 応用物理学会

  • 日本放射光学会

  • 日本表面真空学会

  • 日本物理学会

研究分野 1

  • 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 /

受賞 5

  1. 第46回（2024年度）応用物理学会論文賞

    2025年2月　（公益財団法人）応用物理学会　Sub-millisecond 4D X-ray tomography achieved with a multibeam X-ray imaging system

  2. 学生講演賞

    2024年3月　（公益財団法人）日本表面真空学会 東北・北海道支部　Si(15 17 3)高指数表面のRHEED, STMによる研究

  3. 論文賞（2022年度）

    2023年5月　日本表面真空学会

  4. 平成17年度科学計測振興会賞

    2005年12月　財団法人科学計測振興会　相関熱散漫散乱電子回折表面構造解析の開発

  5. 日本表面科学会論文賞

    2000年11月30日　日本表面科学会

論文 137

  1. Complete three-dimensional structure of Bi-adsorbed Si(110) surface: Discovery of heavily reconstructed Si(110) substrate 査読有り

    Hiroaki Aoyama, Tadashi Abukawa

    Physical Review Research　3　(4)　2021年12月8日

    出版者・発行元： American Physical Society (APS)

    DOI： 10.1103/physrevresearch.3.043164 　

    ISSN：2643-1564

    eISSN：2643-1564

  2. Streak-camera reflection high-energy electron diffraction for dynamics of surface crystallography 査読有り

    Kenta Mukojima, Shinji Kanzaki, Kota Kawanishi, Katsuyoshi Sato, Tadashi Abukawa

    SURFACE SCIENCE　636　25-30　2015年6月

    DOI： 10.1016/j.susc.2015.01.017 　

    ISSN：0039-6028

    eISSN：1879-2758

  3. Structure of the Si(111)-(5×2)-Au Surface 査読有り

    Tadashi Abukawa, Yoshiki Nishigaya

    Physical Review Letters　110　(3)　036102　2013年1月

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.110.036102 　

    ISSN：0031-9007

  4. Weissenberg reflection high-energy electron diffraction for surface crystallography 査読有り

    Tadashi Abukawa, Tomoyuki Yamazaki, Kentaro Yajima, Koji Yoshimura

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　97　(24)　245502　2006年12月

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.97.245502 　

    ISSN：0031-9007

    eISSN：1079-7114

  5. Correlated thermal diffuse scattering in low to medium energy electron diffraction: A new structural tool 査読有り

    T. Abukawa, C. M. Wei, T. Hanano, S. Kono

    Physical Review Letters　82　(2)　335-338　1999年

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.82.335 　

    ISSN：1079-7114 0031-9007

  6. Surface electronic structure of a single-domain Si(111)4 × 1-In surface: a synchrotron radiation photoemission study 査読有り

    T. Abukawa, M. Sasaki, F. Hisamatsu, T. Goto, T. Kinoshita, A. Kakizaki, S. Kono

    Surface Science　325　(1-2)　33-44　1995年2月20日

    DOI： 10.1016/0039-6028(94)00693-8 　

    ISSN：0039-6028

  7. Photoelectron diffraction study of Si(001) 2 × 1-K surface: Existence of a potassium double layer 査読有り

    T. Abukawa, S. Kono

    Physical Review B　37　(15)　9097-9099　1988年

    DOI： 10.1103/PhysRevB.37.9097 　

    ISSN：0163-1829

  8. Absence of Long-Range V–V Dimer and Magnetic Orderings in High-Entropy (Mg0.2Mn0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2)VO3 査読有り

    Hajime Yamamoto, Boxuan Li, Hinako Telengut, Akari Takayama, Kenji Ishii, Hiroyuki Yamane, Suzuna Inoue, Satoshi Kobari, Ryuji Kawahara, Junya Yoshida, Susumu Yamamoto, Takuya Tsuji, Daiju Matsumura, Masaki Azuma, Takumi Nishikubo, Taiki Kosuge, Takafumi Yamamoto, Saneyuki Ohno, Tadashi Abukawa

    Inorganic Chemistry　64　(34)　17496-17502　2025年8月20日

    出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.5c02779 　

    ISSN：0020-1669

    eISSN：1520-510X

  9. Stable Chiral Si Surface: Si(17 15 3)3 × 1 査読有り

    Hinako Telengut, Boxuan Li, Kenya Haga, Tadashi Abukawa

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　23　(2)　207-212　2025年5月3日

    DOI： 10.1380/ejssnt.2025-021 　

    ISSN：1348-0391

  10. Evaluating chemical states in a single microcrystal of chromium boride with the micro-focused ion and quantum beams 査読有り

    Yanze Guan, Xiaoni Zhang, Masashige Miyamoto, Yuki Tsujikawa, Kunio Yubuta, Masafumi Horio, Hironari Isshiki, Jun ichi Yamaura, Tadashi Abukawa, Fumio Komori, Iwao Matsuda

    Solid State Sciences　161　107838　2025年3月

    DOI： 10.1016/j.solidstatesciences.2025.107838 　

    ISSN：1293-2558

  11. Surface structure of the 3×3-Si phase on Al(111), studied by the multiple usages of positron diffraction and core-level photoemission spectroscopy 査読有り

    Yusuke Sato, Yuki Fukaya, Akito Nakano, Takeo Hoshi, Chi-Cheng Lee, Kazuyoshi Yoshimi, Taisuke Ozaki, Takeru Nakashima, Yasunobu Ando, Hiroaki Aoyama, Tadashi Abukawa, Yuki Tsujikawa, Masafumi Horio, Masahito Niibe, Fumio Komori, Iwao Matsuda

    Physical Review Materials　9　(1)　014002　2025年1月7日

    出版者・発行元： American Physical Society (APS)

    DOI： 10.1103/physrevmaterials.9.014002 　

    eISSN：2475-9953

  12. Continuous structural phase transition and antiferromagnetic order in ilmenite-type NiVO3 査読有り

    Hajime Yamamoto, Osamu Ikeda, Takashi Honda, Kenta Kimura, Takuya Aoyama, Kenya Ohgushi, Akio Suzuki, Kenji Ishii, Daiju Matsumura, Takuya Tsuji, Shintaro Kobayashi, Shogo Kawaguchi, Matteo D'Astuto, Tadashi Abukawa

    Physical Review Materials　8　(9)　2024年9月

    DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.8.094402 　

    eISSN：2475-9953

  13. Proof-of-Concept of Millisecond-Order-Temporal-Resolution 4D X-ray Tomography with Multibeam X-ray Imaging System 査読有り

    Wataru Yashiro, Xiaoyu Liang, Tadashi Abukawa, Wolfgang Voegeli, Etsuo Arakawa, Tetsuroh Shirasawa, Kentaro Kajiwara, Hiroyuki Kudo

    2024 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR)　1-3　2024年8月4日

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.1109/cleo-pr60912.2024.10676953 　

  14. Development of Multi-Functional Submicropipettes for Exploring Biomaterials 査読有り

    Takami Tomohide, Nishiyama Hokuto, Watanabe Yu, Omi Haruna, Ohta Mizuki, Ono Manami, Watabe Minami, Miyashita Kazuho, Mitsui Taiga, Yoneda Rio, Shibuya Kyo, Akutsu Yusuke, Kaneko Naoki, Ohtomo Chie, Inoue Mizuki, Ozawa Mamiko, Magara Hideyuki, Ogawa Shuichi, Abukawa Tadashi

    工学院大学研究論叢　61　(1)　19-30　2024年2月15日

    DOI： 10.57377/0002000323 　

  15. ZnVO3: an ilmenite-type vanadium oxide hosting robust V–V dimers 査読有り

    Hajime Yamamoto, Takumi Nishikubo, Shintaro Kobayashi, Kazuki Takahashi, Masaki Azuma, Shogo Kawaguchi, Tadashi Abukawa

    Dalton Transactions　2024年

    DOI： 10.1039/D4DT02239D 　

  16. Sub-millisecond 4D X-ray tomography achieved with a multibeam X-ray imaging system 査読有り

    Xiaoyu Liang, Wolfgang Voegeli, Hiroyuki Kudo, Etsuo Arakawa, Tetsuroh Shirasawa, Kentaro Kajiwara, Tadashi Abukawa, Wataru Yashiro

    Applied Physics Express　16　(7)　072001-072001　2023年7月1日

    出版者・発行元： IOP Publishing

    DOI： 10.35848/1882-0786/ace0f2 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Abstract A proof-of-concept experiment for sub-millisecond temporal and 10 μm order spatial resolution 4D X-ray tomography imaging using a multibeam X-ray imaging system is reported. The 3D structure of a tungsten wire during mechanical deformation was reconstructed using a super-compressed sensing-based algorithm from 28 projection images acquired simultaneously with a temporal resolution of 0.5 ms. The multibeam imaging system does not require rotation of the sample, X-ray source or detector. The experiment demonstrates the potential for improving the time resolution in observing non-repeatable dynamic phenomena, such as those occurring in fluids, living beings, or material fractures.

  17. Argon Gas Flow Through Micro- and Nano-pipettes

    Tomohide Takami, Chie Ohtomo, Naoki Kaneko, Kyo Shibuya, Kazuho Miyashita, Mizuki Ohta, Rio Yoneda, Mamiko Ozawa, Hideyuki Magara, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　21　(4)　257-261　2023年4月22日

    出版者・発行元： Surface Science Society Japan

    DOI： 10.1380/ejssnt.2023-032 　

    eISSN：1348-0391

  18. Work function lowering of LaB6 by monolayer hexagonal boron nitride coating for improved photo- and thermionic-cathodes

    Hisato Yamaguchi, Ryunosuke Yusa, Gaoxue Wang, Michael T. Pettes, Fangze Liu, Yasutaka Tsuda, Akitaka Yoshigoe, Tadashi Abukawa, Nathan A. Moody, Shuichi Ogawa

    Applied Physics Letters　122　(14)　141901-141901　2023年4月3日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0142591 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

    詳細を見る 詳細を閉じる

    We report a lowering of work function for lanthanum hexaboride (LaB6) by monolayer hexagonal boron nitride (hBN) coating. Photoemission electron microcopy (PEEM) and thermionic emission electron microscopy (TEEM) both revealed that the hBN coated region of a LaB6 (100) single crystal has a lower work function compared to the bare (i.e., non-coated) and graphene coated regions. A broad and uniform brighter image of the hBN coated region in PEEM was quantitatively supported by a 0.4 eV decrease in the work function in photoelectron spectra compared to the bare region. TEEM results were consistent in that the hBN coated region exhibited thermionic emission at 905 °C, whereas the bare and graphene coated regions did not. A larger decrease in the work function for hBN coated LaB6 (100) compared to graphene coated LaB6 (100) was qualitatively supported by our density functional theory calculations. Adding an oxide layer in the calculations improved consistency between the calculation and experimental results. We followed up our calculations with synchrotron-radiation x-ray photoelectron spectroscopy and confirmed the presence of an oxide layer on our LaB6.

  19. Development of Dual Ion-selective Electrodes in Double-Barrel Glass Pipette at One Micrometer for Simultaneous Measurement of Sodium and Potassium Ions 査読有り

    Tomohide Takami, Yusuke Akutsu, Naoki Kaneko, Rio Yoneda, Hideyuki Magara, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　21　(1)　17-23　2022年10月27日

    出版者・発行元： Surface Science Society Japan

    DOI： 10.1380/ejssnt.2023-003 　

    eISSN：1348-0391

  20. Evaluation of Doped Potassium Concentrations in Stacked Tow-Layer Graphene using Real-time XPS 査読有り

    Shuichi Ogawa, Yasutaka Tsuda, Tetsuya Sakamoto, Yuki Okigawa, Tomoaki Masuzawa, Akitaka Yoshigoe, Tadashi Abukawa, Takatoshi Yamada

    Applied Surface Science　605　154748-154748　2022年9月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2022.154748 　

    ISSN：0169-4332

  21. Multilayer Deposition of Octakis(octyloxy) Phthalocyanine Observed by Scanning Tunneling Microscopy, Scanning Electron Microscopy, Transmission Electron Microscopy, and X-ray Diffraction 査読有り

    Rio Yoneda, Masaki Ageishi, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa, Tomohide Takami

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　20　(3)　145-149　2022年6月2日

    出版者・発行元： Surface Science Society Japan

    DOI： 10.1380/ejssnt.2022-023 　

    eISSN：1348-0391

  22. Strong suppression of graphene growth by sulfur superstructure on a nickel substrate 査読有り

    Keisuke Sagisaka, Jun Nara, Jill K. Wendero, Ryo Kadowaki, Akane Maruta, Tadashi Abukawa, Daisuke Fujita

    Physical Review Materials　6　(3)　034007　2022年3月

    DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.6.034007 　

    ISSN：2475-9953

  23. Spatial Analytical Surface Structure Mapping for Three-dimensional Micro-shaped Si by Micro-beam Reflection High-energy Electron Diffraction 査読有り

    Sohei Nakatsuka, Taishi Imaizumi, Tadashi Abukawa, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka, Ken Hattori

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　19　(0)　13-19　2021年3月6日

    出版者・発行元： Surface Science Society Japan

    DOI： 10.1380/ejssnt.2021.13 　

    ISSN：1348-0391

    eISSN：1348-0391

  24. The next generation 3GeV synchrotron radiation facility project in Japan 招待有り 査読有り

    MASAKI TAKATA, SAChiKo MAKi, KiyoShi KAniE, MASAShi WATAnAbE, TADASHI ABUKAWA, WATARU YASHIRO, YUKIO TAKAHASHI, HIROYUKI FUKUYAMA, ATSUSHI MURAMATSU, WATARU UTSUMI, HITOSHI TANAKA, NOBUYUKI NISHIMORI, MASAMITU TAKAHASI, MASATAKA KADO

    AAPPS Bulletin　29　(5)　26-30　2019年10月

  25. Band alignment determination of bulk h-BN and graphene/h-BN laminates using photoelectron emission microscopy 査読有り

    Shuichi Ogawa, Takatoshi Yamada, Ryo Kadowaki, Takashi Taniguchi, Tadashi Abukawa, Yuji Takakuwa

    Journal of Applied Physics　125　(14)　144303-144303　2019年4月14日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/1.5093430 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  26. Segmented Undulator for Extensive Polarization Controls in <= 1 nm-rad Emittance Rings 査読有り

    Iwao Matsuda, Susumu Yamamoto, Jun Miyawaki, Tadashi Abukawa, Takashi Tanaka

    E-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　17　41-48　2019年4月

    DOI： 10.1380/ejssnt.2019.41 　

    ISSN：1348-0391

  27. Quasi-free-standing monolayer hexagonal boron nitride on Ni 査読有り

    Satoru Suzuki, Yuichi Haruyama, Masahito Niibe, Takashi Tokushima, Akinobu Yamaguchi, Yuichi Utsumi, Atsushi Ito, Ryo Kadowaki, Akane Maruta, Tadashi Abukawa

    MATERIALS RESEARCH EXPRESS　6　(1)　016304　2019年1月

    DOI： 10.1088/2053-1591/aae5b4 　

    ISSN：2053-1591

  28. PEEM and Micro-UPS Studies of Cleaved and Exfoliated Molybdenum Disulfide Surface 査読有り

    Ryo Kadowaki, Naoki Sano, Tadashi Abukawa

    E-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　15　115-120　2017年11月

    DOI： 10.1380/ejssnt.2017.115 　

    ISSN：1348-0391

  29. Time-resolved soft X-ray core-level photoemission spectroscopy at 880 °C using the pulsed laser and synchrotron radiation and the pulse heating current 査読有り

    T. Abukawa, S. Yamamoto, R. Yukawa, S. Kanzaki, K. Mukojima, I. Matsudaa

    Surface Science　656　43-47　2017年2月

    DOI： 10.1016/j.susc.2016.09.006 　

    ISSN：0039-6028

    eISSN：1879-2758

  30. 19pPSA-57 ナノ電子ビームを用いたワイゼンベルグRHEED法の開発

    佐野 巨樹, 加藤 丈晴, 丸田 茜, 門脇 良, 向島 健太, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　71　2560-2560　2016年

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2560 　

    ISSN：2189-079X

  31. 21pAJ-6 光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による二硫化モリブデンの研究

    門脇 良, 佐野 巨樹, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　71　2619-2619　2016年

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2619 　

    ISSN：2189-079X

  32. 二硫化モリブテンの光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による研究

    門脇 良, 佐野 巨樹, 虻川 匡司

    表面科学学術講演会要旨集　35　319-319　2015年

    出版者・発行元： 公益社団法人 日本表面科学会

    DOI： 10.14886/sssj2008.35.0_319 　

    詳細を見る 詳細を閉じる

    グラフェン、窒化ホウ素、遷移金属ダイカルゴゲナイドのような二次元材料が注目を集めている。本研究では、SiO2基板上にMoS2を剥離転写し、MoS2の微結晶を光電子顕微鏡(PEEM)で観察し、マイクロ光電子分光法(&mu;-UPS)で電子状態を観測した。これにより得られたスペクトルを真空内で剥離した単結晶MoS2のスペクトルと比較する。また、スペクトルのMoS2の層数依存についても議論したい。

  33. ダイヤモンドPINダイオード型電子源からの電子放出

    松本 翼, 門脇 良, 加藤 宙光, 牧野 俊晴, 竹内 大輔, 河野 省三, 虻川 匡司, 山崎 聡

    表面科学学術講演会要旨集　35　296-296　2015年

    出版者・発行元： 公益社団法人 日本表面科学会

    DOI： 10.14886/sssj2008.35.0_296 　

    詳細を見る 詳細を閉じる

    水素終端ダイヤモンドは、伝導帯下端が真空準位より高く、真空中に電子が飛び出しやすい。この真の負性電子親和力を用いた新しいダイオード型電子源を実現し、10kV真空スイッチの原理実証に成功した。高効率・大電流化に向け、詳細な放出機構の理解のため、放出電子顕微鏡を用いて放出領域を観察した。電極から数百&mu;m離れた所でも放出が起こることを初めて明確にした。本報告では、この電子源の放出機構について議論する。

  34. PEEM and Micro PES Study of Graphene Growth on Ni(110) Substrate 査読有り

    Ryo Kadowaki, Misaki Kuriyama, Tadashi Abukawa, Keisuke Sagisaka, Daisuke Fujita

    E-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　13　347-351　2015年

    DOI： 10.1380/ejssnt.2015.347 　

    ISSN：1348-0391

  35. Electron spectro-microscopic determination of barrier height and spatial distribution of Au and Ag Schottky junctions on boron-doped diamond (001) 査読有り

    Shozo Kono, Hideyuki Kodama, Kimiyoshi Ichikawa, Taro Yoshikawa, Tadashi Abukawa, Atsuhito Sawabe

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(5)　05FP03　2014年5月

    DOI： 10.7567/JJAP.53.05FP03 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  36. Electron Spectroscopic Determination of Electronic Structures of Phosphorus-Doped n-Type Heteroepitaxial Diamond (001) Surface and Junction 査読有り

    Shozo Kono, Takuya Nohara, Satoshi Abe, Hideyuki Kodama, Kazuhiro Suzuki, Satoshi Koizumi, Tadashi Abukawa, Atsuhito Sawabe

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(9)　090109　2012年9月

    DOI： 10.1143/JJAP.51.090109 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  37. ストリークカメラ反射高速電子回折によるSi(111)表面構造ダイナミクス

    川西 浩太, 佐藤 和義, 虻川 匡司

    表面科学学術講演会要旨集　32　107-107　2012年

    出版者・発行元： 公益社団法人 日本表面科学会

    DOI： 10.14886/sssj2008.32.0_107 　

    詳細を見る 詳細を閉じる

    ストリークカメラ反射高速電子回折法は、ストリークカメラの原理を応用した表面構造ダイナミクスを観測できる手法である。この装置は試料に照射するフェムト秒レーザーと同期することで原理的にはサブピコ秒の時間分解能が可能であるが、その時間分解能を達成するためにSi(111)表面の7x7&rarr;1x1構造相転移についての研究を行っている。

  38. ワイゼンベルグRHEEDによるFe(001)-p(1×1)-O表面の構造解II

    神崎 慎二, 西ヶ谷 好輝, 虻川 匡司

    表面科学学術講演会要旨集　32　177-177　2012年

    出版者・発行元： 公益社団法人 日本表面科学会

    DOI： 10.14886/sssj2008.32.0_177 　

    詳細を見る 詳細を閉じる

    高効率のスピン検出器のターゲットとして注目されているFe(001)-p(1&times;1)-O表面を作成し、W-RHEEDによる構造解析を行った結果を報告する。前回の報告の時は、試料加熱時の温度が不十分であった可能性があり、表面の結晶性が悪かった。今回は赤外放射温度計によりFeの温度をモニターしながら加熱することで、非常にシャープな回折パターンを計測した。

  39. 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開

    高桑雄二, 虻川匡司, 小川修一

    マテリアル インテグレーション　24　(04,05)　147-154　2011年6月

    詳細を見る 詳細を閉じる

    6691

  40. Characterization of epitaxial MgO growth on Si(001) surface 査読有り

    Tadashi Abukawa, Shunsuke Sato, Youta Matsuoka

    SURFACE SCIENCE　604　(19-20)　1614-1618　2010年9月

    DOI： 10.1016/j.susc.2010.06.003 　

    ISSN：0039-6028

  41. X-ray photoelectron diffraction study of bias-treatment for the growth of 1-inch-diameter hetero-epitaxial diamond (001) thick films 査読有り

    S. Kono, H. Kawata, T. Goto, T. Abukawa, K. Chigira, K. Ooyama, T. Kotaki, A. Sawabe

    Journal of Physics: Conference Series　235　(1)　2010年

    出版者・発行元： Institute of Physics Publishing

    DOI： 10.1088/1742-6596/235/1/012010 　

    ISSN：1742-6596 1742-6588

  42. Characterization of Fe silicide growth on Si(111) surface by weissenberg RHEED 査読有り

    T. Abukawa, D. Fujisaki, N. Takahashi, S. Sato

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　7　866-870　2009年11月7日

    DOI： 10.1380/ejssnt.2009.866 　

    ISSN：1348-0391

  43. Dependence on the deposition conditions in the adsorption of C6 H8 molecules on a Si (100) -2×1 surface 査読有り

    F. D'Amico, R. Gunnella, M. Shimomura, T. Abukawa, S. Kono

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　76　(16)　2007年10月23日

    DOI： 10.1103/PhysRevB.76.165315 　

    ISSN：1098-0121 1550-235X

  44. Dependence on the deposition conditions in the adsorption of C6H8 molecules on a Si(100)-2x1 surface 査読有り

    F. D'Amico, R. Gunnella, M. Shimomura, T. Abukawa, S. Kono

    PHYSICAL REVIEW B　76　(16)　165315-1-165315-8　2007年10月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.76.165315 　

    ISSN：2469-9950

    eISSN：2469-9969

  45. Characterization of planar-diode bias-treatment in DC-plasma hetero-epitaxial diamond growth on Ir(001) 査読有り

    T. Aoyama, N. Amano, T. Goto, T. Abukawa, S. Kono, Y. Ando, A. Sawabe

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS　16　(3)　594-599　2007年3月

    DOI： 10.1016/j.diamond.2006.11.045 　

    ISSN：0925-9635

  46. Surface energy band and electron affinity of highly phosphorous-doped epitaxial CVD diamond 査読有り

    S. Kono, K. Mizuochi, G. Takyo, N. I. Plusnin, T. Aoyama, T. Goto, T. Abukawa, A. Namba, Y. Nishibayashi, T. Imai

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　5　33-40　2007年2月3日

    DOI： 10.1380/ejssnt.2007.33 　

    ISSN：1348-0391

  47. Energy band diagram of a H-terminated P-doped n-type diamond (111) surface 査読有り

    Shozo Kono, Kenji Mimochi, Go Takyo, Tadahiko Goto, Tadashi Abukawa, Tomohiro Aoyama

    NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY　17　(5)　231-242　2007年

    ISSN：1344-9931

  48. Mechanism of field emission from a highly phosphorous-doped chemical vapor deposition diamond (111) surface 査読有り

    Shozo Kono, Go Takyo, Naoki Amano, Nickolay I. Plusnin, Kenji Mizuochi, Tomohiro Aoyama, Tadahiko Goto, Tadashi Abukawa, Akihiko Namba, Natsuo Tasumi, Yoshiki Nishibayashi, Takahiro Imai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(1-3)　L21-L24　2007年1月

    DOI： 10.1143/JJAP.46.L21 　

    ISSN：0021-4922

  49. 電子回折による波数空間測定

    虻川匡司

    表面科学　28　(6)　333-336　2007年

  50. Fully performed constant-momentum-transfer-averaging in low-energy electron diffraction demonstrated for a single-domain Si(111)4×1-In surface 査読有り

    Tadashi Abukawa, Tomoyuki Yamazaki, Shozo Kono

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　4　661-668　2006年12月23日

    DOI： 10.1380/ejssnt.2006.661 　

    ISSN：1348-0391

  51. Photoelectron diffraction of C6H8/Si(001): A model case for photoemission study of organic molecules adsorbed on silicon surfaces 査読有り

    R. Gunnella, M. Shimomura, F. D'Amico, T. Abukawa, S. Kono

    PHYSICAL REVIEW B　73　(23)　235435-1-235435-7　2006年6月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.73.235435 　

    ISSN：1098-0121

  52. Structural investigation of the Ca/Si(111)-(3×2) surface using photoelectron diffraction 査読有り

    Toshihiro Suzuki, Kazuyuki Sakamoto, Tadashi Abukawa, Shozo Kono

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　4　166-169　2006年2月10日

    DOI： 10.1380/ejssnt.2006.166 　

    ISSN：1348-0391

  53. Formation of one-dimensional molecular chains on a solid surface: Pyrazine/Si(001) 査読有り

    M Shimomura, D Ichikawa, Y Fukuda, T Abukawa, T Aoyama, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B　72　(3)　33303　2005年7月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.72.033303 　

    ISSN：1098-0121

  54. An electron-spectroscopic view of CVD diamond surface conductivity 査読有り

    S Kono, M Shiraishi, T Goto, T Abukawa, M Tachiki, H Kawarada

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS　14　(3-7)　459-465　2005年3月

    DOI： 10.1016/j.diamond.2004.11.011 　

    ISSN：0925-9635

  55. X-ray photoelectron diffraction study of the initial stages of CVD diamond heteroepitaxy on Ir(001)/SrTiO3 査読有り

    S Kono, M Shiraishi, NI Plusnin, T Goto, Y Ikejima, T Abukawa, M Shimomura, Z Dai, C Bednarski-Meinke, B Golding

    NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY　15　(6)　363-371　2005年

    ISSN：1344-9931

  56. Effect of bias treatment in the CVD diamond growth on Ir(001) 査読有り

    S Kono, Takano, I, Goto, I, Y Ikejima, M Shiraishi, T Abukawa, T Yamada, A Sawabe

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS　13　(11-12)　2081-2087　2004年11月

    DOI： 10.1016/j.diamond.2004.07.009 　

    ISSN：0925-9635

  57. Adsorption of thiophene on a Si(001)-2 x 1 surface studied by photoelectron spectroscopy and diffraction 査読有り

    A Shimomura, Y Ikejima, K Yajima, T Yagi, T Goto, R Gunnella, T Abukawa, Y Fukuda, S Kono

    APPLIED SURFACE SCIENCE　237　(1-4)　75-79　2004年10月

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2004.06.084 　

    ISSN：0169-4332

  58. Structural study of 1,4-cyclohexadiene adsorption on Si(001) surface by low energy photoelectron diffraction 査読有り

    R Gunnella, M Shimomura, M Munakata, T Takano, T Yamazaki, T Abukawa, S Kono

    SURFACE SCIENCE　566　618-623　2004年9月

    DOI： 10.1016/j.susc.2004.05.122 　

    ISSN：0039-6028

    eISSN：1879-2758

  59. Structural analysis of thiophene chemisorped Si(001)-(2x1) surface

    M. Shimomura, Y. Ikejima, K. Yajima, T. Yagi, T. Goto, T. Abukawa, R. Gunnella, Y. Fukuda, S. Kono

    Photon Factory Activity Report 2002　20　53-53　2003年8月

  60. Semi-direct method for surface structure analysis using correlated thermal diffuse scattering 査読有り

    T Abukawa, S Kono

    PROGRESS IN SURFACE SCIENCE　72　(1-4)　19-51　2003年6月

    DOI： 10.1016/S0079-6816(03)00002-9 　

    ISSN：0079-6816

  61. Structural study of benzene adsorbed on Si(001) surface by photoelectron diffraction 査読有り

    M Shimomura, M Munakata, K Honma, SM Widstrand, L Johansson, T Abukawa, S Kono

    SURFACE REVIEW AND LETTERS　10　(2-3)　499-503　2003年4月

    ISSN：0218-625X

  62. Electron-spectroscopy and -diffraction study of the conductivity of CVD diamond (001)2 x 1 surface 査読有り

    S Kono, T Takano, M Shimomura, T Goto, K Sato, T Abukawa, M Tachiki, H Kawarada

    SURFACE SCIENCE　529　(1-2)　180-188　2003年4月

    DOI： 10.1016/S0039-6028(03)00241-3 　

    ISSN：0039-6028

  63. Electron spectroscopy and diffraction study of the origin of CVD diamond surface conductivity 査読有り

    S Kono, T Takano, M Shimomura, T Goto, K Sato, T Abukawa, M Tachiki, H Kawarada

    NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY　13　(5)　247-255　2003年

    ISSN：1344-9931

  64. Atomistic morphology and structure of ethylene-chemisorbed Si(001)2 x 1 surface 査読有り

    M Shimomura, M Munakata, A Iwasaki, M Ikeda, T Abukawa, K Sato, T Kawawa, H Shimizu, N Nagashima, S Kono

    SURFACE SCIENCE　504　(1-3)　19-27　2002年4月

    DOI： 10.1016/S0039-6028(02)01157-3 　

    ISSN：0039-6028

  65. Photoelectron diffraction study of the Si 2p surface-core-level-shift of the Si(0 0 1)(1 × 2)-Sb surface 査読有り

    M. Shimomura, T. Abukawa, K. Yoshimura, J. H. Oh, H. W. Yeom, S. Kono

    Surface Science　493　(1-3)　23-28　2001年11月1日

    DOI： 10.1016/S0039-6028(01)01184-0 　

    ISSN：0039-6028

  66. Secondary-electron and field-emission spectroscopy/microscopy studies of chemical vapor deposition grown diamond particles 査読有り

    S. Kono, T. Goto, K. Sato, T. Abukawa, M. Kitabatake, A. Watanabe, M. Deguchi

    Surface Science　493　(1-3)　610-618　2001年11月1日

    DOI： 10.1016/S0039-6028(01)01273-0 　

    ISSN：0039-6028

  67. 熱散漫散乱を用いた表面構造解析 査読有り

    虻川匡司

    固体物理　36　571-578　2001年4月

  68. 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析 査読有り

    虻川匡司, 河野省三

    表面科学　22　(12)　781-788　2001年4月

    出版者・発行元： The Surface Science Society of Japan

    DOI： 10.1380/jsssj.22.781 　

    ISSN：0388-5321

    詳細を見る 詳細を閉じる

    A new tool for surface structure analysis, thermal diffuse scattering (CTDS), is reviewed. The principle of CTDS is based on a very simple diffraction phenomenon, which is induced by a strong vibrational correlation between neighbor atoms, and could be considered as a diffraction of nearest neighbor atoms. Simple intensity oscillations are experimentally corrected by the medium energy electron diffraction with a very-grazing-incidence condition. Accurate bond lengths and bond orientations are obtained from a three-dimensional Patterson function, which is a Fourier transform of the CTDS pattern, i.e. the simple intensity oscillation of thermal diffuse scattering. The potentia of CTDS as a direct surface structural tool has been reviewed with an application to a Si(111)√3×√3-In surface.

  69. UHV μ-electron Evaluation of the CVD Diamond Particles Grown on Si(001) 査読有り

    S. Kono, T. Goto, T. Abukawa, Y. Takakuwa, K. Sato, H. Yagi, T. Ito

    Diamond and Related Materials　10　(1)　48-58　2001年1月

    DOI： 10.1016/S0925-9635(00)00369-1 　

    ISSN：0925-9635

  70. Field-emission spectroscopy/microscopy studies of chemical-vapor-deposition-grown diamond particles 査読有り

    S Kono, T Goto, K Sato, T Abukawa, M Kitabatake, A Watanabe, M Deguchi

    NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY　11　(5)　299-306　2001年

    ISSN：1344-9931

  71. Direct method of surface structure determination by Patterson analysis of correlated thermal diffuse scattering for Si(001)2×1 査読有り

    T. Abukawa, C. M. Wei, K. Yoshimura, S. Kono

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　62　(23)　16069-16073　2000年12月15日

    DOI： 10.1103/PhysRevB.62.16069 　

    ISSN：0163-1829

  72. Surface order evaluation of the heteroepitaxial diamond film grown on an inclined beta-SiC(001) 査読有り

    S Kono, T Goto, T Abukawa, C Wild, P Koidl, H Kawarada

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　39　(7B)　4372-4373　2000年7月

    ISSN：0021-4922

  73. Electronic states for InAs(111)A-(2 x 2)S surface studied by angle-resolved photoemission spectroscopy 査読有り

    S Ichikawa, N Sanada, M Shimomura, T Abukawa, S Kono, Y Fukuda

    SURFACE SCIENCE　454　509-513　2000年5月

    ISSN：0039-6028

  74. Structure of an InAs(111)A-(2X2)S surface studied by scanning tunneling microscopy, photoelectron spectroscopy, and X-ray photoelectron diffraction 査読有り

    S Ichikawa, N Sanada, S Mochizuki, Y Esaki, Y Fukuda, M Shimomura, T Abukawa, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B　61　(19)　12982-12987　2000年5月

    ISSN：1098-0121

    eISSN：1550-235X

  75. Direct method of surface structure determination by Patterson analysis of correlated thermal diffuse scattering for Si(001)2x1

    ABUKAWA T.

    Physical Review. B　62　(23)　16069-16073　2000年

    出版者・発行元： American Physical Society

    DOI： 10.1103/PhysRevB.62.16069 　

    ISSN：1098-0121

  76. Assessment of correlated thermal diffuse scattering as a direct structural method on the multielement surface system of Si(111)(√3 × √3)-In 査読有り

    T. Abukawa, K. Yoshimura, S. Kono

    Surface Review and Letters　7　(5-6)　547-553　2000年

    DOI： 10.1016/S0218-625X(00)00058-0 　

    ISSN：0218-625X

  77. Structure of Si(001)-(4x3)-In surface studied by X-ray photoelectron diffraction 査読有り

    M Shimomura, T Nakamura, KS Kim, T Abukawa, J Tani, S Kono

    SURFACE REVIEW AND LETTERS　6　(6)　1097-1102　1999年12月

    ISSN：0218-625X

  78. Formation of single domain Si(001)4 x 3-In surface by surface electromigration 査読有り

    S Kono, T Goto, M Shimomura, T Abukawa

    SURFACE SCIENCE　438　(1-3)　83-90　1999年9月

    ISSN：0039-6028

  79. Photoelectron diffraction study of the surfaces of Si(111)root 3X root 3-Al and -In with Mo M-zeta and Cr L-alpha lines 査読有り

    S Sumitani, T Abukawa, R Kosugi, S Suzuki, S Sato, S Kono

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA　101　245-250　1999年6月

    ISSN：0368-2048

  80. Real-time monitoring of the Si carbonization process by a combined method of reflection high-energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy 査読有り

    R Kosugi, Y Takakuwa, KS Kim, T Abukawa, S Kono

    APPLIED PHYSICS LETTERS　74　(26)　3939-3941　1999年6月

    DOI： 10.1063/1.124230 　

    ISSN：0003-6951

  81. Photoelectron diffraction study of Si(001)c(4×4)-C surface 査読有り

    R. Kosugi, T. Abukawa, M. Shimomura, S. Sumitani, H. W. Yeom, T. Hanano, K. Tono, S. Suzuki, S. Sato, T. Ohta, S. Kono, Y. Takakuwa

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena　101　239-243　1999年6月

    DOI： 10.1016/S0368-2048(98)00452-6 　

    ISSN：0368-2048

  82. Crystallinity evaluation of phosphorus-doped n-type diamond thin film 査読有り

    M Shimomura, T Nishimori, T Abukawa, Y Takakuwa, H Sakamoto, S Kono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　85　(7)　3931-3933　1999年4月

    DOI： 10.1063/1.369769 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  83. 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究 査読有り

    虻川 匡司

    表面科学　20　(8)　535-542　1999年4月

    DOI： 10.1380/jsssj.20.535 　

  84. Surface electromigration of metals on Si(001): In/Si(001) 査読有り

    S. Kono, T. Goto, Y. Ogura, T. Abukawa

    Surface Science　420　(2-3)　200-212　1999年1月20日

    出版者・発行元： Elsevier

    DOI： 10.1016/S0039-6028(98)00825-5 　

    ISSN：0039-6028

  85. X-ray photoelectron diffraction and surface core-level shift study of clean InP (001) 査読有り

    M. Shimomura, N. Sanada, G. Kaneda, T. Takeuchi, Y. Suzuki, Y. Fukuda, W. R.A. Huff, T. Abukawa, S. Kono, H. W. Yeom, A. Kakizaki

    Surface Science　412-413　625-630　1998年9月3日

    出版者・発行元： Elsevier

    DOI： 10.1016/S0039-6028(98)00494-4 　

    ISSN：0039-6028

  86. X-ray photoelectron diffraction study of Si(001)c(4 × 4)-C surface 査読有り

    R. Kosugi, S. Sumitani, T. Abukawa, Y. Takakuwa, S. Suzuki, S. Sato, S. Kono

    Surface Science　412-413　125-131　1998年9月3日

    出版者・発行元： Elsevier

    DOI： 10.1016/S0039-6028(98)00377-X 　

    ISSN：0039-6028

  87. Angle-resolved photoelectron spectroscopy study of the InP(100)-(2x4) surface electronic structure 査読有り

    WRA Huff, M Shimomura, N Sanada, G Kaneda, T Takeuchi, Y Suzuki, HW Yeom, T Abukawa, S Kono, Y Fukuda

    PHYSICAL REVIEW B　57　(16)　10132-10137　1998年4月

    ISSN：1098-0121

    eISSN：1550-235X

  88. Anomalous diffraction effect on the surface core-level photoemission from Si(001)2x1-Cs surface 査読有り

    虻川 匡司

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena　88-91　539-543　1998年4月

    DOI： 10.1016/S0368-2048(97)00159-X 　

    ISSN：0368-2048

  89. Dimer structure of clean Si(001) surface studied by grazing-incidence back-scattering MEED 査読有り

    虻川 匡司

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena　88-91　533-538　1998年4月

    DOI： 10.1016/S0368-2048(97)00270-3 　

    ISSN：0368-2048

  90. InP(100)(2x4) Surface Electronic Structure Studied by Angle-resolved Photoelectron Spectroscopy 査読有り

    虻川 匡司

    J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom.　88/91/,609　1998年4月

    DOI： 10.1016/S0368-2048(97)00266-1 　

    ISSN：0368-2048

  91. RHEED-AES Observation of In Desorption on a Single-domain Si(001)2x1 Surface 査読有り

    虻川 匡司

    Surface Science　410　(1)　99　1998年4月

    DOI： 10.1016/S0039-6028(98)00305-7 　

    ISSN：0039-6028

  92. Surface-core-level-shift Low-energy Photoelectron Diffraction : The 2xl-Si(001)surface 査読有り

    虻川 匡司

    Physical Review B　57　14739　1998年4月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.57.14739 　

  93. RHEED-AES observation of Sb surface segregation during Sb-mediated Si MBE on Si(0 0 1) 査読有り

    KS Kim, Y Takakuwa, T Abukawa, S Kono

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　186　(1-2)　95-103　1998年3月

    DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00459-4 　

    ISSN：0022-0248

    eISSN：1873-5002

  94. Anisotropy of the spin-orbit branching ratio in angle-resolved photoemission from adsorbate layers

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, S Fujimori, T Okane, Y Ogura, T Miura, S Sato, A Kakizaki, S Kono

    SURFACE SCIENCE　395　(2-3)　L236-L241　1998年1月

    DOI： 10.1016/S0039-6028(97)00832-7 　

    ISSN：0039-6028

  95. The overlayer structure on the Si(001)-(2×3)-Ag surface determined by X-ray photoelectron diffraction 査読有り

    M. Shimomura, T. Abukawa, M. Higa, M. Nakamura, S. M. Shivaprasad, H. W. Yeom, S. Suzuki, S. Sato, J. Tani, S. Kono

    Surface Review and Letters　5　(5)　953-958　1998年

    出版者・発行元： World Scientific Publishing Co. Pte Ltd

    DOI： 10.1142/S0218625X98001286 　

    ISSN：0218-625X

  96. RHEED-AES observation of Sb desorption on a single-domain Si(001)2x1 surface 査読有り

    K. S. Kim, Y. Takakuwa, T. Abukawa, S. Kono

    表面科学　18　(8)　501-505　1997年8月

    出版者・発行元： The Surface Science Society of Japan

    DOI： 10.1380/jsssj.18.501 　

    ISSN：0388-5321

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Sb desorption on a single-domain Si(001)2×1 surface has been studied using grazing-incidence reflection high energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy (RHEED-AES). From the time evolution of Sb coverage, θSb, during Sb desorption as monitored from Sb MNN Auger spectra, we have found that the Sb desorption kinetics are divided into two coverage regions; (I) 1 ML>θSb>0.3 ML and (II) 0.3 ML>θSb>0 ML. It was also found that the Sb desorption is a first-order reaction in each coverage region with activation energies of (I) 3.61 eV and (II) 3.63 eV and pre-exponential factors of desorption coefficient of (I) 2.9×1015 S-1 and (II) 5.0×1015 S-1. This difference in pre-exponential factor is explained in term of the change in the morphology and structure of Sb layer as monitored by RHEED.

  97. Electronic structures of the Si(001)2x3-In surface 査読有り

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, Y Mori, T Shimatani, A Kakizaki, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B　55　(23)　15669-15674　1997年6月

    DOI： 10.1103/PhysRevB.55.15669 　

    ISSN：0163-1829

  98. Atomic geometry of mixed Ge-Si dimers in the initial-stage growth of Ge on Si(001)2x1 査読有り

    Chen, X, DK Saldin, EL Bullock, L Patthey, LSO Johansson, J Tani, T Abukawa, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B　55　(12)　R7319-R7322　1997年3月

    ISSN：2469-9950

    eISSN：2469-9969

  99. Electronic structures of the Si(001)2×3-In surface 査読有り

    H. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, Y. Mori, T. Shimatani

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　55　(23)　15669-15674　1997年

    DOI： 10.1103/PhysRevB.55.15669 　

    ISSN：1550-235X 1098-0121

  100. Critical thickness for the solid phase epitaxy: Si/Sb/Si(001) 査読有り

    S Kono, T Goto, Y Ogura, T Abukawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　35　(9B)　L1211-L1214　1996年9月

    ISSN：0021-4922

  101. Initial stage growth and interface formation of Al on Si(001)2x1 査読有り

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, M Nakamura, M Kimura, A Kakizaki, S Kono

    SURFACE SCIENCE　365　(2)　328-336　1996年9月

    ISSN：0039-6028

  102. Surface core levels of In adsorption on Si(001)2x1 査読有り

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, Y Mori, T Shimatani, A Kakizaki, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B　54　(7)　4456-4459　1996年8月

    ISSN：0163-1829

  103. Multiple scattering study of X-ray photoelectron diffraction from Si(111)-root 3x root 3-Ag surface 査読有り

    Chen, X, T Abukawa, J Tani, S Kono

    SURFACE SCIENCE　357　(1-3)　560-564　1996年6月

    ISSN：0039-6028

  104. Multiple scattering effects on X-ray photoelectron diffraction from Si(111) root 3x root 3-Ag and -Sb surfaces 査読有り

    Chen, X, T Abukawa, S Kono

    SURFACE SCIENCE　356　(1-3)　28-38　1996年6月

    ISSN：0039-6028

  105. Multiple scattering study of synchrotron radiation photoelectron diffraction from Si(001)2x2-In surface 査読有り

    Chen, X, HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, T Shimatani, Y Mori, A Kakizaki, S Kono

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA　80　147-150　1996年5月

    ISSN：0368-2048

  106. An angle-resolved photoelectron spectroscopy study of the electronic structures of Si(001)2x2-Al and -In surfaces 査読有り

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, M Nakamura, M Kimura, T Shimatani, Y Mori, A Kakizaki, S Kono

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA　80　177-180　1996年5月

    ISSN：0368-2048

  107. Surface electronic structure of Si(001)2×2-In studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy 査読有り

    H. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, Y. Mori, T. Shimatani

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　53　(4)　1948-1957　1996年

    DOI： 10.1103/PhysRevB.53.1948 　

    ISSN：1550-235X 1098-0121

  108. Surface core levels of In adsorption on Si(001)2×1 査読有り

    H. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, Y. Mori, T. Shimatani

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　54　(7)　4456-4459　1996年

    DOI： 10.1103/PhysRevB.54.4456 　

    ISSN：1550-235X 1098-0121

  109. In吸着Si(111)4#Sx#SR1表面の内殻準位光電子分光 査読有り

    虻川 匡司

    Journal of Electron spectroscopy and Related phenomena　80　233-236　1996年

    出版者・発行元：

    DOI： 10.1016/0368-2048(96)02964-7 　

    ISSN：0368-2048

  110. Ag adsorption on a single domain Si(001)2 × 1 surface studied by electron and photoelectron diffraction 査読有り

    S. M. Shivaprasad, T. Abukawa, H. W. Yeom, M. Nakamura, S. Suzuki, S. Sato, K. Sakamoto, T. Sakamoto, S. Kono

    Surface Science　344　(3)　L1245-L1251　1995年12月30日

    DOI： 10.1016/0039-6028(95)01002-5 　

    ISSN：0039-6028

  111. Initial stage growth of In and A1 on a single-domain Si(001)2 × 1 surface 査読有り

    H. W. Yeom, T. Abukawa, M. Nakamura, S. Suzuki, S. Sato, K. Sakamoto, T. Sakamoto, S. Kono

    Surface Science　341　(3)　328-334　1995年11月10日

    DOI： 10.1016/0039-6028(95)00688-5 　

    ISSN：0039-6028

  112. Direct determination of In-dimer orientation of Si(001)2 × 3-In and 2 × 2-In surfaces 査読有り

    H. W. Yeom, T. Abukawa, M. Nakamura, X. Chen, S. Suzuki, S. Sato, K. Sakamoto, T. Sakamoto, S. Kono

    Surface Science　340　(1-2)　L983-L987　1995年10月10日

    DOI： 10.1016/0039-6028(95)00722-9 　

    ISSN：0039-6028

  113. Mg-induced Si(111)3 × 1 structure studied by photoelectron spectroscopy

    K. S. An, R. J. Park, J. S. Kim, C. Y. Park, C. Y. Kim, J. W. Chung, T. Abukawa, S. Kono, T. Kinoshita, A. Kakizaki, T. Ishii

    Surface Science　337　(1-2)　L789-L794　1995年8月

    DOI： 10.1016/0039-6028(95)80037-9 　

    ISSN：0039-6028

  114. Initial stage growth and electronic structure of Al overlayer on a single-domain Si(100)2x1 surface 査読有り

    H. W. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, M. Nakamura, M. Kimura, A. Kakizaki, S. Suzuki, S. Sato, S. Kono

    表面科学　16　(7)　441-447　1995年7月

    出版者・発行元： The Surface Science Society of Japan

    DOI： 10.1380/jsssj.16.441 　

    ISSN：0388-5321

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Initial stage growth and electronic structures of Al overlayer on a wide-terrace single-domain Si(001)2×1 surface has been studied by low-energy-electron-diffraction (LEED) and photoelectron spectroscopy. The sequences of 2D phases found by LEED for Al coverages ≤ 0.5 ML at RT and 300°C are interpreted on the basis of an order-disorder transition of arrays of one-dimensional Al-dimer chains. The detailed electronic structure of 2×2 phase formed at ∼0.5 ML has been studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) using synchrotron radiation. The existence and dispersions of five different surface states are identified for the first time, one at binding energies a little less than 1 eV and the others between 1 and 2 eV. The origin of the surface states can be interpreted in terms of the Al-dimer structures on Si(001).

  115. Angle-scanned photoelectron diffraction 査読有り

    虻川 匡司

    Surface Science　331　(PART B)　1002　1995年4月

    DOI： 10.1016/0039-6028(95)00076-3 　

    ISSN：0039-6028

  116. Dynamical analysis of X-ray photoelectron diffraction from W(001)c(2x2)-Ag and-Au 査読有り

    虻川 匡司

    Surface Review and Letters　2　795　1995年4月

  117. SURFACE CORE-LEVEL PHOTOELECTRON DIFFRACTION FROM SI DIMERS AT THE SI(001)-(2X1) SURFACE 査読有り

    EL BULLOCK, R GUNNELLA, L PATTHEY, T ABUKAWA, S KONO, CR NATOLI, LSO JOHANSSON

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　74　(14)　2756-2759　1995年4月

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.74.2756 　

    ISSN：0031-9007

  118. アルカリ金属吸着Si(001)2#Sx#SR1表面の電子状態 査読有り

    虻川 匡司

    放射光　8　(1)　80　1995年4月

  119. Initial interface formation study of the Mg/Si(111) system

    K. S. An, R. J. Park, J. S. Kim, C. Y. Park, S. B. Lee, T. Abukawa, S. Kono, T. Kinoshita, A. Kakizaki, T. Ishii

    Journal of Applied Physics　78　(2)　1151-1155　1995年

    DOI： 10.1063/1.360349 　

    ISSN：0021-8979

  120. Mixed Ge-Si dimer growth at the Ge/Si(001)- (2×1) surface 査読有り

    L. Patthey, E. L. Bullock, T. Abukawa, S. Kono, L. S.O. Johansson

    Physical Review Letters　75　(13)　2538-2541　1995年

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.75.2538 　

    ISSN：0031-9007

  121. Structural determination of a W(001)c(2×2)-Ag surface by x-ray photoelectron diffraction with multiple-scattering analysis 査読有り

    X. Chen, T. Abukawa, J. Tani, S. Kono

    Physical Review B　52　(16)　12380-12385　1995年

    DOI： 10.1103/PhysRevB.52.12380 　

    ISSN：0163-1829

  122. Surface electronic structure of single-domain Si( 001) 2 × 2-Al: an angle-resolved photoelectron spectroscopy study using synchrotron radiation 査読有り

    H. W. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, M. Nakamura, M. Kimura, A. Kakizaki, S. Kono

    Surface Science　321　(3)　L177-L182　1994年12月20日

    DOI： 10.1016/0039-6028(94)90171-6 　

    ISSN：0039-6028

  123. Auger electron diffraction study of the initial stage of Ge heteroepitaxy on Si(001) 査読有り

    M. Sasaki, T. Abukawa, H. W. Yeom, M. Yamada, S. Suzuki, S. Sato, S. Kono

    Applied Surface Science　82-83　(C)　387-393　1994年12月2日

    DOI： 10.1016/0169-4332(94)90246-1 　

    ISSN：0169-4332

  124. X-RAY PHOTOELECTRON DIFFRACTION STUDY OF THE STRUCTURES OF W(001)C(2X2)-AU AND W(001)C(2X2)-AG SURFACES 査読有り

    H TAKAHASHI, M SASAKI, S SUZUKI, S SATO, T ABUKAWA, S KONO, J OSTERWALDER

    SURFACE SCIENCE　304　(1-2)　65-73　1994年3月

    ISSN：0039-6028

  125. Angle-resolved photoemission study of a single-domain Si(001)2 × 1-Na surface with synchrotron radiation 査読有り

    T. Abukawa, T. Kashiwakura, T. Okane, H. Takahashi, S. Suzuki, S. Kono, S. Sato, T. Kinoshita, A. Kakizaki, T. Ishii, C. Y. Park, K. A. Kang, K. Sakamoto, T. Sakamoto

    Surface Science　303　(1-2)　146-152　1994年2月10日

    DOI： 10.1016/0039-6028(94)90627-0 　

    ISSN：0039-6028

  126. Angle-resolved photoemission study of a single-domain Si(001)2#Sx#SR1-K surface with synchrotron radiation : Symmetry and dispersion of surface states 査読有り

    虻川 匡司

    Surface Science　261　(1-3)　1992年4月

    DOI： 10.1016/0039-6028(92)90233-V 　

    ISSN：0039-6028

  127. Low energy electron diffraction and X-ray photoelectron diffraction study of the Cs/Si(001) surface: dependence on Cs coverage 査読有り

    T. Abukawa, T. Okane, S. Kono

    Surface Science　256　(3)　370-378　1991年10月2日

    DOI： 10.1016/0039-6028(91)90879-W 　

    ISSN：0039-6028

  128. VUV and Soft-X-Ray Photoemission Studies of Electronic and Atomic Structures of Metal-Overlayers on Silicon Surfaces 査読有り

    S. Kono, Y. Enta, T. Abukawa, N. Nakamura, K. Anno, S. Suzuki

    Physica Scripta　1990　(31)　96-102　1990年1月1日

    DOI： 10.1088/0031-8949/1990/T31/013 　

    ISSN：1402-4896 0031-8949

  129. VUV AND SOFT-X-RAY PHOTOEMISSION-STUDIES OF ELECTRONIC AND ATOMIC STRUCTURES OF METAL-OVERLAYERS ON SILICON SURFACES 査読有り

    S KONO, Y ENTA, T ABUKAWA, N NAKAMURA, K ANNO, S SUZUKI

    PHYSICA SCRIPTA　T31　96-102　1990年

    ISSN：0281-1847

  130. Photoemission study of the negative electron affinity surfaces of O/Cs/Si(001)2x 1 and O/K/Si(001)2x 1 査読有り

    T. Abukawa, Y. Enta, T. Kashiwakura, S. Suzuki, S. Kono

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　8　(4)　3205-3209　1990年

    DOI： 10.1116/1.576564 　

    ISSN：1520-8559 0734-2101

  131. Photoelectron spectroscopy and photoelectron diffraction studies of Si(001)2×1-K and -Cs surfaces

    S. Kono, Y. Enta, T. Abukawa, T. Kinoshita, T. Sakamoto

    Applied Surface Science　41-2　75-81　1989年11月

    DOI： 10.1016/0169-4332(89)90036-6 　

    ISSN：0169-4332

  132. REINVESTIGATION OF THE STRUCTURE OF SI(111) SQUARE-ROOT-3 X SQUARE-ROOT-3-AG SURFACE 査読有り

    S KONO, T ABUKAWA, N NAKAMURA, K ANNO

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　28　(7)　L1278-L1281　1989年7月

    ISSN：0021-4922

  133. PHOTOELECTRON DIFFRACTION AND LOW-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION STUDIES OF CS, K/SI(001) SURFACES 査読有り

    T ABUKAWA, S KONO

    SURFACE SCIENCE　214　(1-2)　141-148　1989年4月

    ISSN：0039-6028

  134. Reinvestigation of the structure of si(111)√3×√3−Ag Surface

    Kono, S., Abukawa, T., Nakamura, N., Anno, K.-I.

    Japanese Journal of Applied Physics　28　(7 A)　1989年

    DOI： 10.1143/JJAP.28.L1278 　

    ISSN：1347-4065 0021-4922

  135. Structural model for the negative electron affinity surface of O/Cs/Si(001)2×1 査読有り

    Tadashi Abukawa, Shozo Kono, Tsunenori Sakamoto

    Japanese Journal of Applied Physics　28　(2 A)　L303-L305　1989年

    DOI： 10.1143/JJAP.28.L303 　

    ISSN：1347-4065 0021-4922

  136. LOW-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION AND X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY STUDIES OF THE FORMATION OF SUBMONOLAYER INTERFACES OF SB/SI(111)

    CY PARK, T ABUKAWA, T KINOSHITA, Y ENTA, S KONO

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　27　(1)　147-148　1988年1月

    DOI： 10.1143/JJAP.27.147 　

    ISSN：0021-4922

  137. ANALYSIS OF THE ATOMIC-STRUCTURE OF THE SI(111) SQUARE-ROOT-3 X SQUARE-ROOT-3-BI - SURFACE BY X-RAY PHOTOELECTRON DIFFRACTION 査読有り

    CY PARK, T ABUKAWA, K HIGASHIYAMA, S KONO

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　26　(8)　L1335-L1337　1987年8月

    ISSN：0021-4922

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

MISC 101

  1. 反射高速電子回折法で複雑な表面構造をモデルフリーに決定 招待有り 査読有り

    青山大晃, 虻川匡司

    日本物理学会誌　78　(9)　536-541　2023年9月

  2. 放射光によるミリ秒オーダーX線トモグラフィ 招待有り 査読有り

    矢代 航, 梁 暁宇, 虻川匡司, Wolfgang Voegeli, 荒川悦雄, 白澤徹郎, 間下 亮, 尾藤容正, 岸本浩通, 小川紘樹, 梶原堅太郎, 藤井克哉, 上田亮介, 橋本 康, 工藤博幸

    日本放射光学会誌 放射光　36　(4)　167-175　2023年7月

  3. ガスバリア特性評価のためのグラフェン用触媒金属膜の検討

    小川修一, 山田貴壽, 津田泰孝, 吉越章隆, 虻川匡司

    日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集　2020 (CD-ROM)　2021年

  4. 動的Shirley法を用いた二層グラフェン中微量ドーパントのXPS測定

    小川修一, 山田貴壽, 沖川侑揮, 増澤智昭, 津田泰孝, 吉越章隆, 虻川匡司

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021年

  5. Si(551)および(15 17 3)表面の構造解析

    青山大晃, 内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集　2020 (CD-ROM)　2021年

  6. Si(551)表面の表面構造解析 I

    内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　75　(2)　2020年

    ISSN： 2189-079X

  7. Si(551)表面のW-RHEEDとSTMによる構造解析

    内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)　2020　2020年

    ISSN： 2434-8589

  8. 水素・燃料電池戦略における研究支援基盤としての東北放射光計画

    渡邉 真史, 虻川 匡司, 矢代 航, 江島 丈雄, 小田島 肇, 高田 昌樹

    燃料電池　17　(3)　56-63　2018年

    出版者・発行元： 燃料電池開発情報センター

    ISSN： 1346-6623

  9. Material deformation by using new 3GeV synchrotron light source

    Tadashi Abukawa, Wataru Yashiro, Takeo Ejima, Masashi Watanabe, Nobuyuki Nishimori, Sadao Miura, Hiroyuki Hama, Masaki Takata

    Proceedings of the International Display Workshops　1　584-586　2017年1月1日

    ISSN： 1883-2490

  10. 日本における超高速電子顕微鏡開発の現状 ストリーク法を利用した時間分解反射高速電子回折法

    虻川匡司

    顕微鏡　50　(3)　170‐172-163　2015年12月30日

    出版者・発行元： 日本顕微鏡学会

    ISSN： 1349-0958

  11. 10aAS-9 ストリークカメラ反射高速電子回折法によるSi表面相転移の観測(10aAS 表面界面ダイナミクス/水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    向島 健太, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　69　(2)　676-676　2014年8月22日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  12. 9aAS-6 金属吸着半導体表面の構造解析(9aAS 領域9シンポジウム:金属吸着半導体表面の物理-この30年を振り返り、次の10年を展望する-,領域9(表面・界面,結晶成長))

    虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　69　(2)　654-654　2014年8月22日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  13. 27aJB-2 ストリークカメラ反射高速電子回折による2次元回折パターンの時間変化(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    向島 健太, 神崎 慎二, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　68　(2)　805-805　2013年8月26日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  14. 27aJB-4 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-√7×√3表面の構造解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    神崎 慎二, 向島 健太, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　68　(2)　805-805　2013年8月26日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  15. 26aXZA-3 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-5x2-Au表面の構造解析(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    虻川 匡司, 西ケ谷 好輝

    日本物理学会講演概要集　68　(1)　967-967　2013年3月26日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  16. 18pFN-7 ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクスII(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    川西 浩太, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　67　(2)　819-819　2012年8月24日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  17. 25pCK-8 ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクス(25pCK 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    川西 浩太, 西ケ谷 好輝, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　67　(1)　950-950　2012年3月5日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  18. Secondary Electrons Still Hold Crystal Information in the Form of a Negative Replica of Photoelectron Diffraction

    T. Abukawa

    JPSJ Online―News and Comments [January 6, 2012]　2012年1月

  19. 22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    佐藤 和義, 川西 浩太, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　66　(2)　923-923　2011年8月24日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  20. 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開

    高桑雄二, 虻川匡司, 小川修一

    Mater Integr　24　(4/5)　147-154　2011年6月1日

    ISSN： 1344-7858

  21. 25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    佐藤 和義, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　66　(1)　903-903　2011年3月3日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  22. 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　65　(1)　991-991　2010年3月1日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  23. 25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)

    佐藤 俊介, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　63　(1)　897-897　2008年2月29日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  24. 21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)

    佐藤 俊介, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　62　(2)　909-909　2007年8月21日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  25. 電子回折による波数空間測定

    虻川匡司

    表面科学　28　(6)　333-336　2007年6月10日

    出版者・発行元： The Surface Science Society of Japan

    DOI： 10.1380/jsssj.28.333 　

    ISSN： 0388-5321

    詳細を見る 詳細を閉じる

    New approaches in the measurements and analyses with LEED and RHEED lead us to another view of these techniques as a scan method for a wide-range of crystal reciprocal space. Recent progress of the constant momentum-transfer averaging (CMTA) method for LEED structure analysis and development of Weissenberg RHEED method, in which a principle of a Weissenberg Camera for X-ray crystallography was imported to RHEED measurements, are briefly introduced in this review. Both methods capture a huge number of diffraction patterns, and can survey a crystal reciprocal space in three dimension. It is possible to determine the surface structure directly from a simple analysis based on a Fourier transformation of the obtained reciprocal data.

  26. 22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    藤崎 大, 高橋 伸彰, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　60　(2)　786-786　2005年8月19日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  27. 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))

    下村 勝, 虻川 匡司, 河野 省三, 福田 安生

    日本物理学会講演概要集　60　(1)　870-870　2005年3月4日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  28. 24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))

    藤崎 大, 高橋 伸彰, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　60　(1)　838-838　2005年3月4日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  29. CVDダイヤモンド表面伝導の起源について

    河野省三, 白石基哉, 後藤忠彦, 虻川匡司, 立木実, 川原田洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　18th　180-181　2004年11月29日

  30. UHV中におけるCVDダイヤモンド表面シート抵抗とフェルミ準位

    河野省三, 後藤忠彦, 白石基哉, 虻川匡司, 立木実, 川原田洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　65th　(2)　511　2004年9月1日

  31. 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)

    鈴木 俊宏, 坂本 一之, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　59　(0)　894-894　2004年

    出版者・発行元： 一般社団法人 日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  32. 2端子プローブによる真空中ダイヤモンド表面電気伝導度測定

    後藤忠彦, 河野省三, 二瓶雄次, 虻川匡司, 山田貴寿, 立木実, 川原田洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　17th　142-143　2003年11月26日

  33. 23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析

    虻川 匡司, 矢島 健太郎, 山崎 智之

    日本物理学会講演概要集　58　(2)　832-832　2003年8月15日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  34. 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface

    Gunnella R., 池嶋 祐介, 高野 享, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　58　(1)　851-851　2003年3月6日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  35. 29aZF-7 RHEED による Si(111)√<3>x√<3>-Ag 表面構造相転移の研究

    虻川 匡司, 山崎 智之, 矢島 健太郎, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　58　(1)　870-870　2003年3月6日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  36. 27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

    虻川 匡司, 山崎 智之, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　57　(1)　874-874　2002年3月1日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  37. 24pYF-5 熱散漫散乱、低速電子回折:フーリエ変換による準直接的構造解析(24pYF 領域9,領域10合同シンポジウム 主題:電子回折の新展開,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

    虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　57　(1)　824-824　2002年3月1日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  38. 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析

    虻川 匡司, 河野 省三

    表面科学　22　(12)　781-788　2001年12月10日

    出版者・発行元： 公益社団法人 日本表面科学会

    DOI： 10.1380/jsssj.22.781 　

    ISSN： 0388-5321

    詳細を見る 詳細を閉じる

    A new tool for surface structure analysis, thermal diffuse scattering (CTDS), is reviewed. The principle of CTDS is based on a very simple diffraction phenomenon, which is induced by a strong vibrational correlation between neighbor atoms, and could be considered as a diffraction of nearest neighbor atoms. Simple intensity oscillations are experimentally corrected by the medium energy electron diffraction with a very-grazing-incidence condition. Accurate bond lengths and bond orientations are obtained from a three-dimensional Patterson function, which is a Fourier transform of the CTDS pattern, i.e. the simple intensity oscillation of thermal diffuse scattering. The potentia of CTDS as a direct surface structural tool has been reviewed with an application to a Si(111)&amp;radic;3&amp;times;&amp;radic;3-In surface.

  39. 熱散漫散乱を用いた表面構造解析

    虻川 匡司

    固体物理　36　(9)　571-578　2001年9月15日

    出版者・発行元： アグネ技術センタ-

    ISSN： 0454-4544

  40. 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村 勝, 宗像 学, 虻川 匡司, 佐藤 圭, 川和 拓夫, Widstrand S. M., 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　56　(2)　728-728　2001年9月3日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  41. 熱散漫散乱を用いた表面構造解析

    虻川匡司

    固体物理　36　571-578　2001年4月

  42. CVD成長ダイヤモンド(001)表面のAFM陽極化成領域の局所電子分光・回折

    河野省三, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司, 福田徹, 立木実, 川原田洋

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　48th　(2)　588　2001年3月28日

  43. 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定

    下村 勝, 虻川 匡司, 吉村 浩司, Oh J F., Yeom H W., 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　55　(2)　796-796　2000年9月10日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  44. 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析

    虻川 匡司, 吉村 浩司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　55　(1)　752-752　2000年3月10日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  45. Structures of the `nanowire' and 2×n of Bi/Si(001)

    M. Shimomura, K. Miki, T. Abukawa, S. Kono

    Surface Science　447　(1)　L169-L174　2000年2月20日

    出版者・発行元： Elsevier Science B.V.

    DOI： 10.1016/S0039-6028(99)01206-6 　

    ISSN： 0039-6028

  46. Structure of an InAs(111)A-(2x2)S surface studied by scanning tunneling microscopy, photoelectron spectroscopy, and x-ray photoelectron diffraction

    ICHIKAWA S, SANADA N, MOCHIZUKI S, ESAKI Y, FUKUDA Y, SHIMOMURA M, ABUKAWA T, KONO S

    Physical Review B　61　(19)　12982-12987　2000年

    DOI： 10.1103/PhysRevB.61.12982 　

    ISSN： 0163-1829

  47. スェーデンMAX放射光施設を使用して

    虻川匡司

    放射光　12　(5)　411-412　1999年11月30日

    ISSN： 0914-9287

  48. 27pY-1 熱散漫錯乱パターソン解析による表面構造解析

    虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　54　(2)　844-844　1999年9月3日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  49. 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析

    下村 勝, 三木 一司, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　54　(2)　802-802　1999年9月3日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  50. 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究

    虻川 匡司, Wei Ching-Ming, 花野 太一, 河野 省三

    表面科学　20　(8)　535-542　1999年8月10日

    出版者・発行元： 日本表面科学会

    DOI： 10.1380/jsssj.20.535 　

    ISSN： 0388-5321

  51. 28a-YM-9 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法

    虻川 匡司, WEI C.M, 花野 太一, 高桑 雄二

    日本物理学会講演概要集　53　(2)　402-402　1998年9月5日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  52. 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析

    下村 勝, 虻川 匡司, 比嘉 昌, 中村 真之, SHIVAPRASAD S.M, YEOM H.W, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 谷 順二, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　53　(2)　372-372　1998年9月5日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  53. 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察

    小杉 亮治, 高桑 雄二, 金 起先, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　53　(1)　317-317　1998年3月10日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  54. 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析

    隅谷 宗太, 虻川 匡司, 小杉 亮治, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　53　(1)　318-318　1998年3月10日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  55. (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析

    市川 祐永, 眞田 則明, 下村 勝, 虻川 匡司, 河野 省三, 福田 安生

    静岡大学電子工学研究所研究報告　33　55-60　1998年

    出版者・発行元： 静岡大学

    ISSN： 0286-3383

  56. 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング

    虻川 匡司, L.S.O Johansson, E.L Bullok, L Patthey, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　52　(2)　378-378　1997年9月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  57. 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成

    河野 省三, 後藤 忠彦, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　52　(2)　378-378　1997年9月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  58. 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程

    小杉 亮治, 隅谷 宗太, 高桑 雄二, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　52　(2)　337-337　1997年9月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  59. Existence of a stable intermixing phase for monolayer Ge on Si(001)

    HW Yeom, M Sasaki, S Suzuki, S Sato, S Hosoi, M Iwabuchi, K Higashiyama, H Fukutani, M Nakamura, T Abukawa, S Kono

    SURFACE SCIENCE　381　(1)　L533-L539　1997年6月

    ISSN： 0039-6028

  60. 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II

    虻川 匡司, 島谷 高志, 木村 慎之, 高桑 雄二, 村松 夏弘, 花野 太一, 後藤 忠彦, Huff W.R.A, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　52　(1)　363-363　1997年3月17日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  61. 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析

    小杉 亮治, 隅谷 宗太, 虻川 匡司, 高桑 雄二, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　52　(1)　364-364　1997年3月17日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  62. 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察

    小倉 康資, 後藤 忠彦, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　52　(1)　348-348　1997年3月17日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  63. 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察

    金 起先, 高桑 雄二, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　52　(1)　324-324　1997年3月17日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  64. Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1

    Chen X., Saldin D.K., Bullock E.L., Patthey L., Johansson L.S.O., 谷 順次, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1996　(2)　639-639　1996年9月13日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  65. Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface

    Yeom H.-W., 虻川 匡司, 高桑 雄二, 島谷 高志, 森 優治, 柿崎 明人, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1996　(2)　536-536　1996年9月13日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  66. 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察

    虻川 匡司, 島谷 高志, 木村 慎之, 高桑 雄二, 村松 夏弘, 花野 太一, 後藤 忠彦, Huff W.R.A., 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1996　(2)　532-532　1996年9月13日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  67. Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction

    Yeom H.-W., 虻川 匡司, Chen X., 高桑 雄二, 藤森 伸一, 岡根 哲夫, 三浦 達志, 小倉 康資, 島谷 高志, 森 優治, 佐藤 繁, 柿崎 明人, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1996　(2)　537-537　1996年9月13日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  68. 光電子分光 固体表面の電子状態を探る

    虻川匡司

    光アライアンス　7　(6)　39-42　1996年6月

    ISSN： 0917-026X

  69. 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散

    中村 真之, 廉 罕雄, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　51　(2)　492-492　1996年3月15日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  70. 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface

    Yeom H.-W., 虻川 匡司, 高桑 雄二, 中村 真之, 島谷 高志, 森 優治, 木村 慎之, 柿崎 明人, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　51　(2)　500-500　1996年3月15日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  71. 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着

    細井 真也, 岩渕 美保, 東山 和幸, 福谷 博仁, 虻川 匡司, 河野 省三, Yeom H.W., 坂本 邦博, 坂本 統徳

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1995　(2)　515-515　1995年9月12日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  72. 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)

    細井 真也, 岩渕 美保, 東山 和幸, 福谷 博仁, 虻川 匡司, 河野 省三, Yeom H.W., 坂本 邦博, 坂本 統徳

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1995　(2)　516-516　1995年9月12日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  73. 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces

    陳 翔, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　50　(2)　521-521　1995年3月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  74. 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction

    Yeom H.W, 虻川 匡司, 中村 真之, Shivaprasad S.M, Chen X, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　50　(2)　519-519　1995年3月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  75. 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態

    虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　50　(2)　283-283　1995年3月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  76. アルカリ金属吸着Si(001)2×1表面の電子状態

    虻川 匡司, 河野 省三

    放射光　8　(1)　80-97　1995年2月20日

    ISSN： 0914-9287

  77. 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study

    Yeom H.W, 中村 真之, 虻川 匡司, 河野 省三, 鈴木 章二, 佐藤 繁

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1994　(2)　425-425　1994年8月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  78. 31a-WC-11 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4x1-In表面の研究

    虻川 匡司, 中村 真之, 久松 史明, 後籐 忠彦, 河野 省三, 佐々木 雅夫, 木下 豊彦, 柿崎 明人

    日本物理学会講演概要集. 年会　49　(2)　493-493　1994年3月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  79. 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)

    佐々木 雅夫, Yeom Woong Han, 虻川 匡司, 河野 省三, 木村 慎之, 鈴木 章二, 佐藤 繁

    日本物理学会講演概要集. 年会　49　(2)　498-498　1994年3月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  80. 改良型一次元表示電子分光器の制作と性能評価

    河野 省三, 久松 史明, 後藤 忠彦, 虻川 匡司, 岩淵 健二, 相沢 勝雄, 柳田 里見, 高東 修二, 林 俊典, 塚島 順一

    東北大学科学計測研究所報告　43　(1)　39-53　1994年

    出版者・発行元： 東北大学

    ISSN： 0040-8689

  81. 15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√<3>×√<3>, Ag / Ge / Si(111)√<3>×√<3>表面構造解析

    虻川 匡司, 後藤 忠彦, 中村 夏雄, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1993　(2)　557-557　1993年9月20日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  82. 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析

    佐々木 雅夫, 虻川 匡司, 河野 省三, 山田 みつき, 鈴木 章二, 佐藤 繁

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1993　(2)　499-499　1993年9月20日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  83. 12p-DJ-9 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4x1-In表面の電子状態

    虻川 匡司, 久松 史明, 後藤 忠彦, 河野 省三, 佐々木 雅夫, 木下 豊彦, 柿崎 明人

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1993　(2)　489-489　1993年9月20日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  84. 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD

    高橋 秀行, 佐々木 雅夫, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 虻川 匡司, 河野 省三

    秋の分科会講演予稿集　1992　(2)　452-452　1992年9月14日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  85. 25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III

    中村 夏雄, 虻川 匡司, 後藤 忠雄, 河野 省三

    秋の分科会講演予稿集　1992　(2)　440-440　1992年9月14日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  86. 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究

    虻川 匡司, 木下 豊彦, Park Chon-Yun, 柏倉 隆之, 岡根 哲夫, 佐々木 泰孝, 高橋 秀行, Yu Sueng-Woo, Kang Kum-A, 遠田 義晴, 鈴木 章二, 河野 省三, 佐藤 繁, 柿崎 明人, 石井 武比古, 坂本 邦博, 坂本 統徳

    年会講演予稿集　47　(2)　437-437　1992年3月12日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  87. 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究

    虻川 匡司, 高橋 秀行, 河野 省三

    年会講演予稿集　46　(2)　460-460　1991年9月12日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  88. 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性

    佐々木 泰孝, 遠田 義晴, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 河野 省三

    春の分科会講演予稿集　1991　(2)　471-471　1991年3月11日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  89. 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究

    虻川 匡司, 木下 豊彦, 柏倉 隆之, 岡根 哲夫, 遠田 義晴, 河野 省三, 鈴木 章二, 柿崎 明人, 佐藤 繁, 石井 武比古

    春の分科会講演予稿集　1991　(2)　482-482　1991年3月11日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  90. 3a-TA-2 GaAsスピン偏極電子源の性能

    藤井 純, 木下 豊彦, 柿崎 明人, 曽田 一雄, 菅原 英直, 河野 省三, 虻川 匡司, 福谷 博仁, 石井 武比古

    秋の分科会講演予稿集　1990　(2)　503-503　1990年9月12日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  91. 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD

    虻川 匡司, 岡根 哲夫, 河野 省三

    秋の分科会講演予稿集　1990　(2)　448-448　1990年9月12日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  92. 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光

    鈴木 章二, 柏倉 隆之, 木下 豊彦, 柿崎 明人, 村田 好正, 窪田 政一, 藤沢 正美, 菅 滋正, 加藤 博雄, 虻川 匡司, 岡根 哲夫, 河野 省三, 佐藤 繁, 石井 武比古

    秋の分科会講演予稿集　1990　(2)　245-245　1990年9月12日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  93. 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性

    虻川 匡司, 河野 省三

    年会講演予稿集　45　(2)　444-444　1990年3月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  94. 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD

    遠田 義晴, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 河野 省三, 坂本 統徳

    秋の分科会講演予稿集　1989　(2)　381-381　1989年9月12日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  95. 29a-TJ-3 Si(111)√3x√3-Ag表面のXPDの再解析(表面・界面)

    河野 省三, 虻川 匡司, 中村 夏雄, 阿武 恒一

    年会講演予稿集　44　(2)　382-382　1989年3月28日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  96. 29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(表面・界面)

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 柏倉 隆之, 河野 省三, 坂本 統徳

    年会講演予稿集　44　(2)　385-385　1989年3月28日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyod.44.2.0_385_2 　

  97. PHOTOELECTRON DIFFRACTION STUDY OF THE ATOMIC GEOMETRY OF THE SI(111)SQUARE-ROOT-3 X SQUARE-ROOT-3-SB SURFACE

    T ABUKAWA, CY PARK, S KONO

    SURFACE SCIENCE　201　(3)　L513-L518　1988年7月

    ISSN： 0039-6028

  98. 31a-M2-2 Si(001)_2X1-K表面のX線光電子回折(表面・界面)

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 中村 夏雄, 河野 省三

    年会講演予稿集　43　(0)　326-326　1988年

    出版者・発行元： 一般社団法人 日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyod.43.2.0_326_2 　

  99. 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 中村 夏雄, 河野 省三

    秋の分科会予稿集　1988　(0)　353-353　1988年

    出版者・発行元： 一般社団法人 日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyok.1988.2.0_353_2 　

  100. 26a-P-12 Si(111)√<3>×√<3>,Sb表面のXPD

    朴 鍾允, 虻川 匡司, 中村 夏雄, 東山 和幸, 河野 省三

    秋の分科会講演予稿集　1987　(2)　343-343　1987年9月16日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

  101. 30p-H-13 Bi,Sn/Si(111)表面のXPD(表面・界面)

    朴 鍾允, 東山 和幸, 虻川 匡司, 河野 省三, 中村 夏雄, 八重樫 裕幸

    年会講演予稿集　42　(2)　418-418　1987年3月27日

    出版者・発行元： 一般社団法人日本物理学会

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

書籍等出版物 2

  1. 現代表面科学シリーズ第２巻「表面科学の基礎」

    虻川匡司

    共立出版　2013年6月

  2. 表面物性工学ハンドブック第２版

    虻川匡司他

    丸善株式会社　2007年1月

講演・口頭発表等 274

  1. Model-Free Structural Analysis using Weissenberg RHEED 招待有り

    Tadashi Abukawa

    Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2025　2025年10月21日

  2. イルメナイト型バナジウム酸化物におけるV-V二量体形成の起源

    橋本航, 山本孟, 虻川匡司

    第25回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2025年9月24日

  3. PEEMによるSi(551)基板上のファセットナノ構造の研究

    福田旺土, テレングト雛子, 嶋田浩三, 山本孟, 高山あかり, 虻川匡司

    日本物理学会第80回年次大会　2025年9月16日

  4. イルメナイト型MgVO3におけるTi置換による構造変化

    橋本航, 山本孟, 虻川匡司

    日本物理学会第80回年次大会　2025年9月18日

  5. イルメナイト型CuVO3におけるJahn-Teller歪みと軌道液体状態の可能性

    山本孟, 越智啓吾, 青山拓也, 石井賢司, 松村大樹, 辻卓也, 大串研也, 虻川匡司

    日本物理学科第80回年次大会　2025年9月17日

  6. Surface structure analysis of Si(110)3x2-Sb by RHEED and DFT calculation

    Boxuan Li, Hiroaki Aoyama, Hinako Telengu, Hajime Yamamoto, Tadashi Abukawa

    The 23rd International Vacuum Congress　2025年9月16日

  7. Stable Chiral Si (15 17 3) Surface

    Hinako Telengu, Boxuan Li, Tadashi Abukawa, Kenya Haga

    The 23rd International Vaccum Congress　2025年9月17日

  8. Semi-direct Structure Determination of Si(110) 3×2-Sb Surface Based on Weissenberg-RHEED

    Boxuan Li, Hinako Telengu, Hiroaki Aoyama, Hajime Yamamoto, Tadashi Abukawa

    14th International Conference on the Structure of Surfaces　2025年6月4日

  9. Structure of Chiral Si(17 15 3) surface

    Hinako Telengu, Boxuan Li, Kenya Haga, Tadashi Abukawa

    14th International Conference on the Structure of Surfaces　2025年6月3日

  10. Weissenberg RHEED: Measurements and Analysis

    Tadashi Abukawa, Hinako Telengu, Boxuan Li

    14th International Conference on the Structure of Surfaces　2025年6月2日

  11. Idas structure of Si(110)3×2-Sb and -Bi surfaces

    第24回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2024年12月12日

  12. Atomically Flat Surface with low-symmetry : Si (15 17 3)

    Hinako Telengut, Boxuan Li, Tadashi Abukawa, Kenya Haga

    The 10th International Symposium on Surface Science　2024年10月21日

  13. Interlayer Si Dimer of Si(110)3×2-Bi and -Sb surfaces

    Boxuan Li, Hinako Telengut, Hiroaki Aoyama, Hajime Yamamoto, Tadashi Abukawa

    The 10th International Symposium on Surface Science　2024年10月21日

  14. Creation of Three-Dimensional Silicon Structure Surfaces and Their Applications

    Ken Hattori, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka, Tadashi Abukawa, Shin-ichiro Tanaka, Kiyohisa Tanaka, Nobuyoshi Hosoito

    The 10th International Symposium on Surface Science　2024年10月22日

  15. Si(110)3×2-Sb, -Bi表面の層間Siダイマー構造

    リハクガン, テレングト雛子, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司

    日本物理学会第79回年次大会　2024年9月18日

  16. 原子レベルで平坦で対称性の低いSi(15 17 3)表面の研究

    テレングト雛子, リハクガン, 虻川匡司, 芳賀健也

    日本物理学会第79回年次大会　2024年9月16日

  17. Si(110)面16x2構造の表面構造研究

    リハクガン, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司

    令和５年度⽇本表⾯真空学会東北・北海道⽀部学術講演会　2024年3月7日

  18. Si(15 17 3)高指数表面のRHEED,STMによる研究

    テレングト雛子, リハクガン, 虻川匡司, 芳賀健也

    令和５年度⽇本表⾯真空学会東北・北海道⽀部学術講演会　2024年3月7日

  19. 国際放射光イノベーション・スマート研究センターの紹介

    虻川匡司

    第37回の本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム　2024年1月11日

  20. RHEEDによるSi(110)16x2高精度パターソン関数の作成

    リハクガン, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司

    第23回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2023年12月7日

  21. RHEEDによる3次元立体構造Si表面の空間分析マッピング 招待有り

    虻川匡司

    2023年日本表面真空学会学術講演会　2023年10月31日

  22. RHEEDによるシリコン(110)16x2構造解析 Ⅰ

    李博譞, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司

    日本物理学会第78回年次大会　2023年9月16日

  23. 東北（秋田）からナノを照らす-光電子分光による表面分析- 招待有り

    虻川匡司

    令和5年度 日本素材物性学会年会　2023年6月13日

  24. パターソンマップ手法による Si(110)3x2-Sb 表面構造の決定

    リハクガン, 青山大晃, 虻川匡司

    令和4年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会　2023年3月7日

  25. ダイヤモンド横型PINダイオードのNEA表面からの電子放出

    山川翔也, 加藤宙光, 小倉政彦, 加藤有香子, 牧野俊晴, 塚本涼太, 竹内大輔, 虻川匡司, 庄司一郎

    第22回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2022年12月8日

  26. シータ管マイクロピペットを用いた周波数変調原子間力顕微鏡の開発

    米田里緒, 阿久津祐介, 金子直暉, 山崎詩郎(2), 小澤眞美子, 真柄英之, 小川修一, 虻川匡司, 高見知秀

    第22回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2022年12月8日

  27. ナノテラスの概況説明 招待有り

    虻川匡司

    日本表面真空学会 産学連携・会員増強委員会 第311回例会　2022年12月1日

  28. 光電子顕微鏡と電子回折による表面研究と ナノテラスの展望 招待有り

    虻川匡司

    佐賀大学 シンクロトロン光応用研究センター講演会　2022年11月18日

  29. Ni箔上に背面から拡散成長させたh-BNのPEEM観察

    遊佐 龍之介, 青山 大晃, Li Boxua, 小川 修一, 虻川 匡司

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月22日

  30. Structures of the group 15 metal adsorbed Si(110)3×2 surfaces determined by W-RHEED

    Hiroaki Aoyama, Tadashi Abukawa

    The 22nd International Vacuum Congress　2022年9月14日

  31. In-situ PEEM study of h-BN growth on Ni foil using backside to surface diffusion

    Ryunosuke Yusa, Hiroaki Aoyama, Tetsuya Shimizu, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa

    The 22nd International Vacuum Congress　2022年9月13日

  32. W-RHEED法によるSi(111)7x7表面構造の再検討

    青山大晃, 虻川匡司

    日本物理学会第77回年次大会　2022年3月16日

  33. 放射光光電子分光と光電子顕微鏡による表面分析 招待有り

    虻川匡司

    令和３年度 日本素材物性学会 第１回研究会　2022年3月2日

  34. W-RHEEDによるSi(110)3x2-Bi表面の構造解析

    青山大晃, 虻川匡司

    第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2021年12月9日

  35. 塩水への金の交流電気分解法による溶解

    森 唯華, 上田大貴, 大家 渓, 高見知秀, 上石正樹, 真柄英之, 高桑雄二, 小川修一, 虻川匡司

    第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2021年12月9日

  36. Changes of rate-limiting reactions with progress of the reduction process on oxidized Ni(111)

    Shuichi Ogawa, Ryo Tag, Ryunosuke Yusa, Yasutaka Tsuda, Tetsuya Sakamoto, Akitaka Yoshigoe, Yuji Takakuwa, Tadashi Abukawa

    The 9th International Symposium on Surface Science　2021年12月1日

  37. PEEM study of the growth process of h-BN and graphene on Ni foil for fabrication of graphene/h-BN heterostructures

    Ryunosuke Yusa, Tetsuya Shimizu, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa

    The 9th International Symposium on Surface Science　2021年11月30日

  38. Revealing complete three-dimensional structure of Si(110)3×2-Bi surface

    Hiroaki Aoyama, Tadashi Abukawa

    The 9th International Symposium on Surface Science　2021年11月29日

  39. Si(111)7×7のW-RHEEDによる3Dパターソンマップ解析

    青山大晃, 虻川匡司

    日本物理学会2021年秋季大会　2021年9月21日

  40. Ni箔上へのグラフェン/h-BNヘテロ成長のPEEMによるその場観察

    遊佐龍之介, 志水哲也, 虻川匡司, 小川修一

    日本物理学会2021年秋季大会　2021年9月21日

  41. W-RHEEDによるSi(110)3×2-Bi表面構造の決定

    青山大晃, 虻川匡司

    日本物理学会2021年秋季大会　2021年9月22日

  42. 動的 Shirley 法を用いた二層グラフェン中微量ドーパントのXPS測定

    小川 修一, 山田 貴壽, 沖川 侑揮, 増澤 智昭, 津田 泰孝, 吉越 章隆, 虻川 匡司

    第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021年9月10日

  43. Si(551)基板上に形成されたSi(15 17 3)3x1ファセット表面の表面構造解析

    青山大晃, 内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本物理学会第76回年次大会（2021年）　2021年3月14日

  44. Ni箔上に成長するグラフェンおよびh-BNの光電子顕微鏡その場観察

    遊佐龍之介, 志水哲也, 虻川匡司, 小川修一

    日本物理学会第76回年次大会（2021年）　2021年3月13日

  45. Si(551)および(15 17 3)表面の構造解析

    青山大晃, 内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本表面科学会東北北海道支部 2020年度講演会　2021年3月4日

  46. ナノビームRHEEDを用いたマイクロ3D-Si表面の構造変化の観察

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中秀和, 服部賢

    日本表面科学会東北北海道支部 2020年度講演会　2021年3月4日

  47. Ni箔上におけるグラフェンおよびh-BNの光電子顕微鏡による成長観察

    遊佐龍之介, 志水哲也, 小川修一, 虻川匡司

    日本表面科学会東北北海道支部 2020年度講演会　2021年3月4日

  48. ガスバリア特性評価のためのグラフェン用触媒金属膜の検討

    小川修一, 山田貴壽, 津田泰孝, 吉越章隆, 虻川匡司

    日本表面科学会東北北海道支部 2020年度講演会　2021年3月4日

  49. 光電子顕微鏡観察下でのNi箔上へのグラフェンおよびh-BNの成長

    遊佐龍之介, 志水哲也, 小川修一, 虻川匡司

    第20回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2020年12月3日

  50. Si(551)表面のW-RHEEDとSTMによる構造解析

    内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    2020年日本表面真空学会学術講演会　2020年11月19日

  51. フラッシング加熱によるSi3Dマイクロ構造と表面の構造変化

    中塚聡平, 藤, 今泉太, 虻川匡司, 江口豊明, 服部梓, 田中秀和, 服部賢

    2020年日本表面真空学会学術講演会　2020年11月21日

  52. Graphene growth on carbon-doped Ni substrate by surface segregation 招待有り

    Tadashi Abukawa

    INTERNATIONAL JOINT SYMPOSIUM ON-LINE: Cutting edge of surface science for atomic scale approach to catalysts　2020年11月5日

  53. Si(551)表面の表面構造解析I

    内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本物理学会2020年秋季大会　2020年9月11日

  54. ナノビームRHEEDによるSi基板上マイクロ構造の局所表面構造解析

    中塚 聡平, 内藤 完, 今泉 太志, 虻川 匡司, 江口 豊明, 服部 梓, 田中 秀和, 服部 賢

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020年9月9日

  55. ナノビームRHEEDによるマイクロパターニングSi結晶の局所表面構造解析

    中塚 聡平, 今泉 太志, 虻川 匡司, 服部 梓, 田中 秀和, Irmikimov Ayda, 服部 賢

    第67回応用物理学会春期学術講演会　2020年3月14日

  56. 光電子顕微鏡によるNi箔上の2次元原子層物質成長の研究

    志水哲也, 虻川匡司

    令和元年度日本表面真空学会 東北・北海道支部学術講演会　2020年3月4日

  57. Ni 基板上の2 次元原子層物質の成長と構造解析 招待有り

    虻川匡司

    第19回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2019年12月12日

  58. 光電子顕微鏡を用いた ダイヤモンド PIN ダイオード形電子源の電子放出機構の解析

    松本翼, 竹内大輔, 虻川匡司

    第19回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2019年12月12日

  59. ナノビームW-RHEED装置の改良とマイクロ構造の解析

    今泉太志, 中塚聡平, 佐野巨樹, 虻川匡司, 服部梓, 田中秀和

    第19回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2019年12月12日

  60. ナノビームW-RHEEDによるマイクロパターンを施したSi(110)基板の表面構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中正和

    2019年日本表面真空学会学術講演会　2019年10月28日

  61. ナノ/マイクロ表面構造解析のためのナノビームW-RHEED装置開発

    今泉太志, 中塚聡平, 佐野巨樹, 虻川匡司

    2019年日本表面真空学会学術講演会　2019年10月28日

  62. ナノビームW-RHEEDによるマイクロパターンを施したSi(110)基板の表面構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中正和, Aydar Irmikimov, 服部賢

    2019年応物秋季学術講演会　2019年9月18日

  63. Surface structure analysis of micropatterned Si(110) by nano-beam Weissenberg Reflection High-Energy Electron Diffraction 国際会議

    Sohei Nakatsuka, Taishi Imaizumi, Tadashi Abukawa, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka

    The 21st International Vacuum Congress　2019年7月1日

  64. Development of nano-beam Weissenberg RHEED for nano- and micro-surfaces 国際会議

    Taishi Imaizumi, Sohei Nakatsuka, Naoki Sano, Tadashi Abukawa

    The 21st International Vacuum Congress　2019年7月1日

  65. マイクロパターンニング Si 基板の局所表面構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中正和

    平成 30 年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会　2019年3月7日

  66. W-RHEED法によるマイクロパターンを施したSi表面の構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中秀和

    第18回東北大学多元物質科学研究所発表会　2018年12月13日

  67. Ni 上の擬似的フリースタンディング単原子層 h-BN

    鈴木哲, 春山雄一, 新部正人, 徳島高, 山口明啓, 内海裕一, 伊東篤志, 門脇良, 丸田茜, 虻川匡司

    2018年日本表面真空学会学術講演会　2018年11月19日

  68. W-RHEED法によるマイクロパターンを施したSi表面の構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中秀和

    2018年日本表面真空学会学術講演会　2018年11月19日

  69. ナノ電子ビームを用いた表面構造分析技術の開発

    今泉太志, 中塚総平, 佐野巨樹, 虻川匡司

    2018年日本表面真空学会学術講演会　2018年11月19日

  70. Band Alignment Determination of Bulk h-BN/Graphene Using PEEM 国際会議

    S. Ogawa, T. Yamada, R. Kadowaki, T. Taniguchi, T. Abukawa, Y. Takakuwa

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures　2018年10月21日

  71. Development of surface structure analysis technique using nano-beam electrons 国際会議

    Taishi Imaizumi, Sohei Nakatsuka, Naoki Sano, Tadashi Abukawa

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures　2018年10月21日

  72. Development of surface structure analysis technique using nano-beam electrons 国際会議 招待有り

    Tadashi Abukawa

    The 3rd Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces & Cross-Strait Symposium on Solid Surfaces　2018年8月21日

  73. ナノ電子ビームによる表面構造解析法の開発

    佐野巨樹, 丸田茜, 虻川匡司

    マイクロビームアナリシス第141委員会 第 172 回研究会　2018年5月16日

  74. ナノ領域反射高速電子回折測定制御システムの開発

    今泉太志, 佐野巨樹, 丸田茜, 虻川匡司

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2018年3月8日

  75. 微小領域表面構造解析法の開発

    佐野巨樹, 丸田茜, 虻川匡司

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年8月25日

  76. Ni箔上に固相反応成長したh‐BNのPEEM観察

    門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, 鈴木哲

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　2017年3月21日

  77. 炭素ドープNi(110)表面上のグラフェン成長の研究

    丸田茜, 門脇良, 虻川匡司, 鷺坂恵介, 藤田大介

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2017年3月9日

  78. 拡散・析出法によるh‐BN成長のその場光電子顕微鏡観察

    門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, 鈴木哲

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017年3月1日

  79. ナノ電子ビームを用いたワイゼンベルグRHEED法の開発

    佐野巨樹, 丸田茜, 今泉太志, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2017年

  80. ナノ電子ビームによるワイゼンベルグRHEED法の開発

    佐野巨樹, 丸田茜, 門脇良, 虻川匡司

    真空に関する連合講演会講演予稿集　2016年11月29日

  81. Ni箔上に固相反応成長したh‐BNの光電子顕微鏡による成長観察

    門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, 鈴木哲

    真空に関する連合講演会講演予稿集　2016年11月29日

  82. ナノ電子ビームを用いたワイゼンベルグRHEED法の開発

    佐野巨樹, 加藤丈晴, 丸田茜, 門脇良, 向島健太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　2016年3月22日

  83. 光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による二硫化モリブデンの研究

    門脇良, 佐野巨樹, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　2016年3月22日

  84. 二硫化モリブデンの価電子帯スペクトル観測

    門脇良, 佐野巨樹, 虻川匡司

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2016年3月9日

  85. Ni上に固相反応成長したh‐BNの光電子顕微鏡による成長観察

    門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, 鈴木哲

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2016年

  86. 21pAJ-6 光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による二硫化モリブデンの研究

    門脇 良, 佐野 巨樹, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　2016年

  87. ダイヤモンドPINダイオード型電子源からの電子放出

    松本翼, 松本翼, 門脇良, 加藤宙光, 加藤宙光, 牧野俊晴, 牧野俊晴, 竹内大輔, 竹内大輔, 河野省三, 虻川匡司, 山崎聡, 山崎聡

    表面科学学術講演会講演要旨集　2015年12月1日

  88. 二硫化モリブデンの光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による研究

    門脇良, 佐野巨樹, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集　2015年12月1日

  89. 光電子顕微鏡を用いたNi(110)面上グラフェンの研究

    門脇良, 栗山岬, 虻川匡司, 鷺坂恵介, 藤田大介

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015年8月31日

  90. Ni(110)面上に成長したグラフェンの局所仕事関数と光電子スペクトル観測

    門脇良, 栗山岬, 虻川匡司, 鷺坂恵介, 藤田大介

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2015年3月9日

  91. 負性電子親和力を利用したダイヤモンドPINダイオード形電子源の電子放出機構

    松本翼, 松本翼, 竹内大輔, 河野省三, 門脇良, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2015年

  92. 金属吸着半導体表面の構造解析

    虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2014年8月22日

  93. ストリークカメラ反射高速電子回折法によるSi表面相転移の観測

    向島健太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2014年8月22日

  94. ダイヤモンド基板上のAu,Agショットキー障壁高さとその空間分布の電子顕微分光研究

    河野省三, 児玉英之, 市川公善, 吉川太朗, 虻川匡司, 澤邊厚仁

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2014年3月10日

  95. ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-√<span style=text-decoration:overline>7</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>-In表面の構造モデルの検討

    神崎慎二, 向島健太, 虻川匡司

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2014年3月10日

  96. ワイゼンベルグRHEEDによる表面構造解析

    虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集　2013年11月26日

  97. Si(111)‐√<span style=text-decoration:overline>7</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>‐In表面の構造解析

    神崎慎二, 向島健太, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集　2013年11月26日

  98. p型ダイヤモンド(001)基板上のAu,Agショットキー障壁高さとその空間分布の電子顕微分光研究

    河野省三, 児玉英之, 市川公善, 吉川太朗, 虻川匡司, 澤邊厚仁

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2013年11月19日

  99. ストリークカメラ反射高速電子回折による2次元回折パターンの時間変化

    向島健太, 神崎慎二, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2013年8月26日

  100. ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)‐√7×√3表面の構造解析

    神崎慎二, 向島健太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2013年8月26日

  101. MgO基板に作成したFe(001)‐p(1×1)‐O表面の構造解析

    神崎慎二, 西ケ谷好輝, 虻川匡司

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2013年3月11日

  102. ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)‐5x2‐Au表面の構造解析

    虻川匡司, 西ケ谷好輝

    日本物理学会講演概要集　2013年3月5日

  103. ストリークカメラ反射高速電子回折法によるSi(111)表面構造ダイナミクス

    川西浩太, 佐藤和義, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集　2012年11月20日

  104. ワイゼンベルグRHEEDによるFe(001)‐p(1x1)‐O表面の構造解析 II

    神崎慎二, 西ケ谷好輝, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集　2012年11月20日

  105. ストリークカメラ RHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクス II

    川西浩太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2012年8月24日

  106. ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクス

    川西浩太, 西ケ谷好輝, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2012年3月5日

  107. スピン検出ターゲットFe(001)‐p(1×1)‐O表面の構造解析

    神崎慎二, 西ケ谷好輝, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2012年

  108. ワイゼンベルグRHEEDによるFe(001)‐P(1x1)‐O表面の構造解析

    西ケ谷好輝, 川西浩太, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集　2011年12月15日

  109. ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究

    佐藤和義, 川西浩太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2011年8月24日

  110. 燐ドープn型ヘテロエピ・ダイヤモンド(001)表面エネルギーバンドダイヤグラム

    河野省三, 野原拓也, 阿部諭, 児玉英之, 鈴木一博, 小泉聡, 虻川匡司, 澤邊厚仁

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年8月16日

  111. 燐ドープヘテロエピタキシャルダイヤモンド(100)面の熱電子放出特性

    野原拓也, 阿部諭, 児玉英之, 鈴木一博, 小泉聡, 虻川匡司, 河野省三, 澤邊厚仁

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011年3月9日

  112. ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7‐>1x1相転移ダイナミクスの研究

    佐藤和義, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2011年3月3日

  113. ストリークカメラ反射高速電子回折法によるSi(111)7×7表面の研究

    川西浩太, 佐藤和義, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2011年

  114. 25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    佐藤 和義, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　2011年

  115. 22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    佐藤 和義, 川西 浩太, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　2011年

  116. 時間分解反射高速電子回折法の開発

    佐藤和義, 虻川匡司

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010年8月30日

  117. ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発

    虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2010年3月1日

  118. ストリーク反射高速電子回折法によるSi表面の観測

    佐藤和義, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2010年

  119. 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　2010年

  120. 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

    虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　2010年

  121. Si(001)表面上のMgOエピタキシャル膜成長の研究:II

    松岡洋太, 虻川匡司

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009年9月8日

  122. ストリーク反射高速電子回折装置の開発

    佐藤和義, 布川雄一, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2009年

  123. Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響

    佐藤俊介, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2008年2月29日

  124. 25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)

    佐藤 俊介, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　2008年

  125. Si(001)表面上のMgOエピタキシャル膜成長の研究

    佐藤俊介, 虻川匡司

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2007年9月4日

  126. Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究

    佐藤俊介, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2007年8月21日

  127. 21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)

    佐藤 俊介, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　2007年

  128. 高濃度リンドープCVDダイヤモンドチップの電界放射電子顕微分光

    河野省三, 田京剛, 天野猶貴, PLUSNIN N. I, 水落健二, 後藤忠彦, 虻川匡司, 難波暁彦, 辰巳夏生, 西林良樹, 今井貴浩

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2006年11月21日

  129. リンドープCVDダイヤモンドからの電界放出機構

    河野省三, 田京剛, 天野猶貴, PLUSNIN N. I, 水落健二, 青山朋宏, 後藤忠彦, 虻川匡司, 難波暁彦, 辰巳夏生, 西林良樹, 今井貴浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006年3月22日

  130. 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上に成長したβ‐FeSi2薄膜の評価

    藤崎大, 佐藤俊介, 高橋伸彰, 虻川匡司

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006年3月22日

  131. X線光電子回折によるIr(001)基板上CVDダイヤモンド成長の研究:対向電極直流放電バイアス処理の効果

    青山朋弘, 天野猶貴, 後藤忠彦, 虻川匡司, 河野省三, 安藤豊, 沢辺厚仁

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2005年11月24日

  132. Pドープn型CVD(111)ダイヤモンド薄膜の表面エネルギーバンド

    河野省三, 水落健二, 後藤忠彦, 虻川匡司, 青山朋宏, 竹内大輔, 加藤宙光, 山崎聡

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2005年11月24日

  133. 高濃度リンドープエピタキシャルダイヤモンドの表面エネルギーバンド

    河野省三, 水落健二, 後藤忠彦, 虻川匡司, 難波暁彦, 西林良樹, 今井貴浩

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2005年11月24日

  134. Ir(001)基板上エピタキシャルダイヤモンド成長における対向電極直流放電プラズマバイアス処理効果

    青山朋弘, 天野猶貴, 後藤忠彦, 虻川匡司, 河野省三, 安藤豊, 沢辺厚仁

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005年9月7日

  135. 高濃度リンドープエピタキシャルダイヤモンドの表面エネルギーバンド

    河野省三, 水落健二, 後藤忠彦, 虻川匡司, 難波暁彦, 西林良樹, 今井貴浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005年9月7日

  136. Si(001)表面上の1次元分子鎖の形成

    下村勝, 市川大介, 福田安生, 虻川匡司, 青山朋弘, 河野省三

    ナノ学会大会講演予稿集　2005年5月8日

  137. Si(001)‐2x1表面上におけるピラジンの吸着

    下村勝, 市川大介, 虻川匡司, 河野省三, 福田安生

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005年3月29日

  138. 24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))

    藤崎 大, 高橋 伸彰, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　2005年

  139. 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))

    下村 勝, 虻川 匡司, 河野 省三, 福田 安生

    日本物理学会講演概要集　2005年

  140. 22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    藤崎 大, 高橋 伸彰, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　2005年

  141. CVDダイヤモンド表面伝導の起源について

    河野省三, 白石基哉, 後藤忠彦, 虻川匡司, 立木実, 川原田洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2004年11月29日

  142. UHV中におけるCVDダイヤモンド表面シート抵抗とフェルミ準位

    河野省三, 後藤忠彦, 白石基哉, 虻川匡司, 立木実, 川原田洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004年9月1日

  143. 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)

    鈴木 俊宏, 坂本 一之, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　2004年

  144. Ir(001)基板上へのダイヤモンドCVDヘテロエピ成長におけるイオン照射効果

    池嶋祐介, 山田貴寿, 白石基哉, 高野享, 後藤忠彦, 虻川匡司, 沢辺厚仁, 河野省三

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2003年11月26日

  145. 2端子プローブによる真空中ダイヤモンド表面電気伝導度測定

    後藤忠彦, 河野省三, 二瓶雄次, 虻川匡司, 山田貴寿, 立木実, 川原田洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2003年11月26日

  146. X線光電子回折によるIr(001)基板上のCVDダイヤモンド成長の研究:イオン照射効果

    高野亨, 河野省三, 後藤忠彦, 池嶋祐介, 虻川匡司, 山田貴寿, 沢辺厚仁

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003年3月27日

  147. 23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析

    虻川 匡司, 矢島 健太郎, 山崎 智之

    日本物理学会講演概要集　2003年

  148. 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface

    Gunnella R, 池嶋 祐介, 高野 享, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　2003年

  149. 29aZF-7 RHEED による Si(111)√<3>x√<3>-Ag 表面構造相転移の研究

    虻川 匡司, 山崎 智之, 矢島 健太郎, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　2003年

  150. 光電子回折によるピロール吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 虻川匡司, 高野亨, 池島祐介, 後藤忠彦, 福田安生, 河野省三

    真空に関する連合講演会講演予稿集　2002年10月16日

  151. CVD成長ダイヤモンド(001)表面電気伝導層からのオージェ電子回折パータン

    河野省三, 下村勝, 高野享, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002年3月27日

  152. 光電子回折によるシクロヘキサジエン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 宗像学, 高野亨, 山崎智之, 虻川匡司, 後藤忠彦, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002年3月27日

  153. 27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

    虻川 匡司, 山崎 智之, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　2002年

  154. 光電子分光とホログラフィーの最近 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析

    虻川匡司, 河野省三

    表面科学　2001年12月10日

  155. CVD成長ダイヤモンド(001)表面電気伝導層の構造と電子状態

    河野省三, 下村勝, 高野享, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2001年11月29日

  156. Direct Surface Structural Determination using Correlated Thermal Diffuse Scattering 国際会議

    15th International Vacuum Congress　2001年10月28日

  157. 光電子回折によるエチレン,ベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 宗像学, 虻川匡司, 佐藤圭, 川和拓央, WIDSTRAND S M, 河野省三

    真空に関する連合講演会講演予稿集　2001年10月17日

  158. 光電子回折によるベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 宗像学, WIDSTRAND S. M, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001年9月11日

  159. 光電子回折によるエチレン吸着Si(001)表面の構造解析

    宗像学, 下村勝, 虻川匡司, 佐藤圭, 川和拓央, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001年9月11日

  160. CVD成長ダイヤモンド(001)表面のAFM陽極化成領域の局所電子分光・回折

    河野省三, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司, 福田徹, 立木実, 川原田洋

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001年3月28日

  161. 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村 勝, 宗像 学, 虻川 匡司, 佐藤 圭, 川和 拓夫, Widstrand S. M, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　2001年

  162. CVD成長層を有するダイヤモンド粒子の超高真空電界放射電子分光

    河野省三, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司, 北畠真, 出口正洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2000年9月3日

  163. 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析

    虻川 匡司, 吉村 浩司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　2000年

  164. 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定

    下村 勝, 虻川 匡司, 吉村 浩司, Oh J F, Yeom H W, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　2000年

  165. 振動相関熱散漫散乱による表面構造の3次元観測

    虻川匡司

    表面科学講演大会講演要旨集　1999年12月2日

  166. XPDによるBi吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 三木一司, 虻川匡司, 河野省三

    表面科学講演大会講演要旨集　1999年12月2日

  167. CVD成長層及び水素プラズマ処理した高圧合成ダイヤモンド粒子の2次電子分光

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司, 北畠真, 出口正洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　1999年11月25日

  168. シリコン表面上に吸着したビスマスによる細線及び2×n相の構造解析

    下村勝, 三木一司, 虻川匡司, 河野省三

    真空に関する連合講演会講演予稿集　1999年11月10日

  169. 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造解析

    虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　1999年9月3日

  170. Si(001)表面上ビスマス細線構造 (1) 構造解析

    下村勝, 三木一司, 虻川匡司, 河野省三

    日本物理学会講演概要集　1999年9月3日

  171. Si(001)表面の炭化反応 3C‐SiC核形成と成長過程の温度依存

    小杉亮治, 下村勝, 虻川匡司, 福田安生, 河野省三, 高桑雄二

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999年9月1日

  172. CVD成長層を有する高圧合成ダイヤモンド粒子の超高真空2次電子分光

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司, 北畠真, 出口正洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999年9月1日

  173. Si(001)表面の炭化反応 3C‐SiC核形成と成長過程の基板オフ角度依存

    小杉亮治, 下村勝, 虻川匡司, 金井敏行, 福田安生, 河野省三, 高桑雄二

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999年9月1日

  174. 微傾斜β‐SiC(001)表面上のヘテロ成長ダイヤモンド薄膜の表面規則性評価

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司, WILD C, WOIDL P, 川原田洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999年9月1日

  175. X線光電子回折によるSi(001)表面上に形成されたBiナノワイヤーの構造解析

    下村勝, 三木一司, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999年9月1日

  176. 固体表面と光電子回折 相関熱散漫散乱電子回折 新しい(表面)構造解析手法

    虻川匡司, WEI C M, 花野太一, 河野省三

    KEK Proc　1999年7月

  177. 初期Si酸化膜の分解過程のRHEED‐AES法による「その場」観察

    石田史顕, 高桑雄二, 小杉亮治, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日

  178. RHEED‐AES法によるSi(001)表面の熱酸化過程の「その場」観察

    石田史顕, 高桑雄二, 小杉亮治, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日

  179. 硫化処理InAs(111)A‐(2×2)‐S表面のSTM,XPDおよびSRPESによる構造解析

    市川祐永, 真田則明, 福田安生, 下村勝, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日

  180. X線光電子回折によるSi(001)4×3‐In表面の構造解析

    下村勝, 中村定一郎, KIM K‐S, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999年3月28日

  181. 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析

    下村 勝, 三木 一司, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　1999年

  182. Si(001)2×3‐Ag表面のXPDによる構造解析

    下村勝, 虻川匡司, 比嘉昌, 中村真之, SHIVAPRASAD S M, YEOM H W, 鈴木章二, 佐藤繁, 谷順二

    表面科学講演大会講演要旨集　1998年12月

  183. 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究

    虻川匡司, 花野太一, 高桑雄二, 河野省三, WEI C M

    表面科学講演大会講演要旨集　1998年12月

  184. 硫化処理InAs(111)A‐(2×2)表面の構造解析

    市川祐永, 真田則明, 下村勝, 虻川匡司, 河野省三, 福田安生

    表面科学講演大会講演要旨集　1998年12月

  185. 燐ドープn型ダイヤモンド薄膜の結晶性評価

    下村勝, 西森年彦, 虻川匡司, 高桑雄二, 坂本仁志, 河野省三

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　1998年11月

  186. CVDダイヤモンド単結晶表面の構造と2次電子放出特性

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司, 高桑雄二, 八木弘雅, 伊藤利道

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　1998年11月

  187. X線光電子回折によるSi(001)2×3‐Ag最表面層の構造解析

    下村勝, 虻川匡司, 比嘉昌, 中村真之, SHIVAPRASAD S M, YEOM H W, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三

    日本物理学会講演概要集　1998年9月5日

  188. 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法

    虻川匡司, WEI C M, 花野太一, 高桑雄二, 河野省三

    日本物理学会講演概要集　1998年9月5日

  189. Si(001)2×3‐Ag表面における最表面原子配列

    下村勝, 虻川匡司, 中村真之, SHIVAPRASAD S M, YEOM H W, 鈴木章二, 佐藤繁, 谷順二, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998年9月

  190. 燐ドープn型ダイヤモンド薄膜のXPDとAFMによる結晶性評価

    下村勝, 西森年彦, 虻川匡司, 高桑雄二, 坂本仁志, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998年9月

  191. X線光電子回折法による硫化処理InAs(111)A‐(2×2)表面の構造解析

    市川祐永, 真田則明, 下村勝, 虻川匡司, 河野省三, 福田安生

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998年9月

  192. CVD成長ダイヤモンド単結晶表面の構造と2次電子放出

    河野省三, 後藤忠彦, 高桑雄二, 虻川匡司, 八木弘雅, 伊藤利道

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998年3月

  193. 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察

    小杉 亮治, 高桑 雄二, 金 起先, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　1998年3月

  194. 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析

    隅谷 宗太, 虻川 匡司, 小杉 亮治, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　1998年3月

  195. InP(001)2×4表面の表面内殻シフトと表面構造

    真田則明, 下村勝, HUFF W R A, 金田源太, 竹内輝矢, 鈴木佳子, YEOM H W, 柿崎明人, 虻川匡司

    日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集　1998年1月9日

  196. (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析

    市川 祐永, 眞田 則明, 下村 勝, 虻川 匡司, 河野 省三, 福田 安生

    静岡大学電子工学研究所研究報告　1998年

  197. 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析

    下村 勝, 河野 省三, 虻川 匡司, 比嘉 昌, 中村 真之, SHIVAPRASAD S.M, YEOM H.W, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 谷 順二

    日本物理学会講演概要集　1998年

  198. 28a-YM-9 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法

    虻川 匡司, WEI C.M, 花野 太一, 高桑 雄二

    日本物理学会講演概要集　1998年

  199. スパッタ・アニール処理されたInP(001)表面のXPD,PESによる研究

    下村勝, 真田則明, 金田源太, 竹内彰矢, 鈴木佳子, YEOM H W, HUFF W R A, 虻川匡司, 河野省三

    表面科学講演大会講演要旨集　1997年12月

  200. 高温Si(001)表面のエチレンによる炭化反応のRHEED‐AES観察

    小杉亮治, 高桑雄二, 金起先, 虻川匡司, 河野省三

    表面科学講演大会講演要旨集　1997年12月

  201. 表面電気移動と単分域Si(001)4×3‐In構造形成

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1997年9月

  202. Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程

    小杉亮治, 隅谷宗太, 高桑雄二, 虻川匡司, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1997年9月

  203. In/Si(001)表面電気移動の観察

    小倉康資, 後藤忠彦, 虻川匡司, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会)　1997年3月

  204. 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察 II

    虻川匡司, 島谷高志, 木村慎之, 高桑雄二, 村松夏弘, 花野太一, 後藤忠彦, HUFF W R A, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会)　1997年3月

  205. X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)‐C表面の構造解析

    小杉亮治, 隅谷宗太, 虻川匡司, 高桑雄二, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会)　1997年3月

  206. GBMEED(斜入射後方散乱中速電子回折)表面構造解析装置の開発

    虻川匡司, 島谷高志, 木村慎之, 村松夏弘, 花野太一, HUFF W R A, 後藤忠彦, 高桑雄二, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997年3月

  207. 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程

    小杉 亮治, 隅谷 宗太, 高桑 雄二, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　1997年

  208. 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング

    虻川 匡司, L.S.O Johansson, E.L Bullok, L Patthey, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　1997年

  209. 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成

    河野 省三, 後藤 忠彦, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集　1997年

  210. 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察

    金 起先, 高桑 雄二, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　1997年

  211. 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察

    小倉 康資, 後藤 忠彦, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　1997年

  212. 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II

    虻川 匡司, 島谷 高志, 木村 慎之, 高桑 雄二, 村松 夏弘, 花野 太一, 後藤 忠彦, Huff W.R.A, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　1997年

  213. 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析

    小杉 亮治, 隅谷 宗太, 虻川 匡司, 高桑 雄二, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集　1997年

  214. UHV‐SEM,μ‐RHEEDによるIn/Si(001)表面電気移動の観察

    小倉康資, 後藤忠彦, 虻川匡司, 河野省三

    表面科学講演大会講演要旨集　1996年11月

  215. 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察

    虻川匡司, 島谷高志, 木村慎之, 高桑雄二, 村松夏弘, 花野太一, 後藤忠彦, HUFF W R A, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1996年9月

  216. Ge/Si(001)初期界面における相互拡散

    中村真之, 虻川匡司, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三, YEOM H‐W

    日本物理学会講演概要集(年会)　1996年3月

  217. 固相エピタキシーにおける臨界Si膜厚:Si/Sb/Si(001)

    河野省三, 後藤忠彦, 小倉康資, 虻川匡司

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996年3月

  218. Ge/Si(001)初期界面における相互拡散の温度依存性

    中村真之, 虻川匡司, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三, YEOM H W

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996年3月

  219. 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察

    虻川 匡司, 島谷 高志, 木村 慎之, 高桑 雄二, 村松 夏弘, 花野 太一, 後藤 忠彦, Huff W.R.A, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1996年

  220. Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface

    Yeom H.-W, 虻川 匡司, 高桑 雄二, 島谷 高志, 森 優治, 柿崎 明人, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1996年

  221. Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction

    Yeom H.-W, 森 優治, 佐藤 繁, 柿崎 明人, 河野 省三, 虻川 匡司, Chen X, 高桑 雄二, 藤森 伸一, 岡根 哲夫, 三浦 達志, 小倉 康資, 島谷 高志

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1996年

  222. Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1

    Chen X, Saldin D.K, Bullock E.L, Patthey L, Johansson L.S.O, 谷 順次, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1996年

  223. 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散

    中村 真之, 廉 罕雄, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　1996年

  224. 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface

    Yeom H.-W, 虻川 匡司, 高桑 雄二, 中村 真之, 島谷 高志, 森 優治, 木村 慎之, 柿崎 明人, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　1996年

  225. Ge/Si(001)のSTM観察 I: 高温吸着(≧350°C)

    細井真也, 岩淵美保, 東山和幸, 福谷博仁, 虻川匡司, 河野省三, YEOM H W, 坂本邦博, 坂本統徳

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1995年9月

  226. Ge/Si(001)のSTM観察 II: 室温吸着

    細井真也, 岩淵美保, 東山和幸, 福谷博仁, 虻川匡司, 河野省三, YEOM H W, 坂本邦博, 坂本統徳

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1995年9月

  227. 角度分解光電子分光とSi表面電子状態

    虻川匡司, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会)　1995年3月

  228. 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態

    虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　1995年3月

  229. Si(111)4×1‐In表面の内殻準位光電子分光

    虻川匡司, 佐々木雅夫, 久松史明, 中村真之, 木下豊彦, 柿崎明人, 後藤忠彦, 河野省三

    日本放射光学会年会予稿集　1995年1月

  230. 放射光励起角度分解光電子分光法によるシングルドメインSi(001)2×2‐A1表面の電子構造研究

    YEOM H W, 虻川匡司, 高桑雄二, 中村真之, 木村慎之, 柿崎明人, 河野省三

    日本放射光学会年会予稿集　1995年1月

  231. 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着

    細井 真也, 岩渕 美保, 東山 和幸, 福谷 博仁, 虻川 匡司, 河野 省三, Yeom H.W, 坂本 邦博, 坂本 統徳

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1995年

  232. 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)

    細井 真也, 岩渕 美保, 東山 和幸, 福谷 博仁, 虻川 匡司, 河野 省三, Yeom H.W, 坂本 邦博, 坂本 統徳

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1995年

  233. 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction

    Yeom H.W, 虻川 匡司, 中村 真之, Shivaprasad S.M, Chen X, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　1995年

  234. 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces

    陳 翔, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　1995年

  235. 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態

    虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　1995年

  236. 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4×1‐In表面の研究

    虻川匡司, 中村真之, 久松史明, 後藤忠彦, 河野省三, 佐々木雅夫, 木下豊彦, 柿崎明人

    日本物理学会講演概要集(年会)　1994年3月

  237. XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析: Sb/Ge/Si(001)

    佐々木雅夫, YEOM H W, 虻川匡司, 河野省三, 木村慎之, 鈴木章二, 佐藤繁

    日本物理学会講演概要集(年会)　1994年3月

  238. 改良型一次元表示電子分光器の制作と性能評価

    河野 省三, 久松 史明, 後藤 忠彦, 虻川 匡司, 岩淵 健二, 相沢 勝雄, 柳田 里見, 高東 修二, 林 俊典, 塚島 順一

    東北大学科学計測研究所報告　1994年

  239. 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study

    Yeom H.W, 中村 真之, 虻川 司, 河野 省三, 鈴木 章二, 佐藤 繁

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1994年

  240. 31a-WC-11 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4x1-In表面の研究

    虻川 匡司, 中村 真之, 久松 史明, 後籐 忠彦, 河野 省三, 佐々木 雅夫, 木下 豊彦, 柿崎 明人

    日本物理学会講演概要集. 年会　1994年

  241. 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)

    佐々木 雅夫, Yeom Woong Han, 虻川 匡司, 河野 省三, 木村 慎之, 鈴木 章二, 佐藤 繁

    日本物理学会講演概要集. 年会　1994年

  242. オージェ電子回折,斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√3×√3,Ag/Ge/Si(111)√3×√3表面構造解析

    虻川匡司, 後藤忠彦, 中村夏雄, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1993年9月

  243. 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4×1‐In表面の電子状態

    虻川匡司, 久松史明, 後藤忠彦, 河野省三, 佐々木雅夫, 木下豊彦, 柿崎明人

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1993年9月

  244. オージェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析

    佐々木雅夫, 虻川匡司, 河野省三, 山田みつき, 鈴木章二, 佐藤繁

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1993年9月

  245. 12p-DJ-9 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4x1-In表面の電子状態

    虻川 匡司, 久松 史明, 後藤 忠彦, 河野 省三, 佐々木 雅夫, 木下 豊彦, 柿崎 明人

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1993年

  246. 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析

    佐々木 雅夫, 虻川 匡司, 河野 省三, 山田 みつき, 鈴木 章二, 佐藤 繁

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1993年

  247. 15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√<3>×√<3>, Ag / Ge / Si(111)√<3>×√<3>表面構造解析

    虻川 匡司, 後藤 忠彦, 中村 夏雄, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1993年

  248. (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III

    中村夏雄, 虻川匡司, 後藤忠彦, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1992年9月

  249. W(100)c(2×2)‐Au,Ag表面のXPD

    高橋秀行, 佐々木雅夫, 鈴木章二, 佐藤繁, 虻川匡司, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1992年9月

  250. シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2×1-Na表面の研究

    虻川匡司, 木下豊彦, PARK C‐Y, YU S‐W, KANG K‐A, 遠田義晴, 河野省三, 坂本邦博, 坂本統徳

    日本物理学会講演概要集(年会)　1992年3月

  251. 25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III

    中村 夏雄, 虻川 匡司, 後藤 忠雄, 河野 省三

    秋の分科会予稿集　1992年

  252. 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD

    高橋 秀行, 佐々木 雅夫, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 虻川 匡司, 河野 省三

    秋の分科会予稿集　1992年

  253. 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究

    虻川 匡司, 遠田 義晴, 鈴木 章二, 河野 省三, 佐藤 繁, 柿崎 明人, 石井 武比古, 坂本 邦博, 坂本 統徳, 木下 豊彦, Park Chon-Yun, 柏倉 隆之, 岡根 哲夫, 佐々木 泰孝, 高橋 秀行, Yu Sueng-Woo, Kang Kum-A

    年会講演予稿集　1992年

  254. 低速電子回折,X線光電子回折によるSi(001)‐Na表面の研究

    虻川匡司, 高橋秀行, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会)　1991年9月

  255. 低温Si(001)表面上のK,Na吸着,被覆率依存性

    佐々木泰孝, 遠田義晴, 虻川匡司, 鈴木章二, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1991年3月

  256. シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究

    虻川匡司, 木下豊彦, 柏倉隆之, 岡根哲夫, 遠田義晴, 鈴木章二, 柿崎明人, 佐藤繁, 石井武比古

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1991年3月

  257. 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性

    佐々木 泰孝, 遠田 義晴, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 河野 省三

    春の分科会講演予稿集　1991年

  258. 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究

    虻川 匡司, 石井 武比古, 木下 豊彦, 柏倉 隆之, 岡根 哲夫, 遠田 義晴, 河野 省三, 鈴木 章二, 柿崎 明人, 佐藤 繁

    春の分科会講演予稿集　1991年

  259. 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究

    虻川 匡司, 高橋 秀行, 河野 省三

    年会講演予稿集　1991年

  260. 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD

    虻川匡司, 岡根哲夫, 河野省三

    日本物理学会秋の分科会講演予稿集　1990年10月

  261. GaAsスピン偏極電子源の性能

    藤井純, 木下豊彦, 柿崎明人, 曽田一雄, 菅原英直, 河野省三, 虻川匡司, 福谷博仁, 石井武比古

    日本物理学会秋の分科会講演予稿集　1990年10月

  262. 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光

    鈴木 章二, 虻川 匡司, 岡根 哲夫, 河野 省三, 佐藤 繁, 石井 武比古, 柏倉 隆之, 木下 豊彦, 柿崎 明人, 村田 好正, 窪田 政一, 藤沢 正美, 菅 滋正, 加藤 博雄

    秋の分科会予稿集　1990年10月

  263. 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD

    虻川 匡司, 岡根 哲夫, 河野 省三

    秋の分科会予稿集　1990年

  264. 3a-TA-2 GaAsスピン偏極電子源の性能

    藤井 純, 木下 豊彦, 柿崎 明人, 曽田 一雄, 菅原 英直, 河野 省三, 虻川 匡司, 福谷 博仁, 石井 武比古

    秋の分科会予稿集　1990年

  265. 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性

    虻川 匡司, 河野 省三

    年会講演予稿集　1990年

  266. 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD

    遠田 義晴, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 河野 省三, 坂本 統徳

    秋の分科会予稿集　1989年

  267. 29a-TJ-3 Si(111)√3x√3-Ag表面のXPDの再解析(表面・界面)

    河野 省三, 虻川 匡司, 中村 夏雄, 阿武 恒一

    年会講演予稿集　1989年

  268. 29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(表面・界面)

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 柏倉 隆之, 河野 省三, 坂本 統徳

    年会講演予稿集　1989年

  269. 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 中村 夏雄, 河野 省三

    秋の分科会予稿集　1988年

  270. 31a-M2-2 Si(001)_2X1-K表面のX線光電子回折(表面・界面)

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 中村 夏雄, 河野 省三

    年会講演予稿集　1988年

  271. 26a-P-12 Si(111)√<3>×√<3>,Sb表面のXPD

    朴 鍾允, 虻川 匡司, 中村 夏雄, 東山 和幸, 河野 省三

    秋の分科会予稿集　1987年

  272. 30p-H-13 Bi,Sn/Si(111)表面のXPD(表面・界面)

    朴 鍾允, 東山 和幸, 虻川 匡司, 河野 省三, 中村 夏雄, 八重樫 裕幸

    年会講演予稿集　1987年

  273. NanoTerasu スペクトロスコピービームライン概要

    虻川匡司

    次世代放射光施設NanoTerasuセミナー　2023年3月3日

  274. ３次元ナノ構造を構成する多様な表面構造 招待有り

    虻川匡司

    第２回東北大学材料科学ウェビナー　2021年9月6日

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

共同研究・競争的資金等の研究課題 19

  1. ストリーク反射高速電子回折法の開発と表面構造ダイナミクスの研究 競争的資金

    制度名：Grant-in-Aid for Scientific Research

    2008年4月 ～ 継続中

  2. ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発と表面界面構造の研究 競争的資金

    2002年4月 ～ 継続中

  3. 振動相関熱散慢散乱による表面構造解析 競争的資金

    制度名：Grant-in-Aid for Scientific Research

    1998年1月 ～ 継続中

  4. 超圧縮センシングによるミリ秒X線トモグラフィ法の開発

    矢代 航

    2017年 ～ 2022年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    硬X線の位相を利用した高感度X線イメージング法の一つであるX線回折格子干渉法を発展させて、マルチビーム化と最先端の高度情報処理技術により、試料を高速で回転することなく、msオーダーの時間分解能、10 μmの空間分解能の4DX線トモグラフィの実現を目指します。非平衡系のダイナミクスをそのまま観察できるという特長を活かして、基礎研究から新規イノベーション創出に至る新たなフロンティアの開拓をねらいます。

  5. CTR散乱による表面・界面３Ｄ原子イメージング

    若林 裕助, 高橋 敏男, 虻川 匡司, 田尻 寛男, 白澤 徹郎, 高橋 正光, フォグリ, 服部 賢

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)

    研究機関：Osaka University

    2014年7月10日 ～ 2019年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    二次元に広がった活性サイトに注目し，その構造から機能を解明する「界面構造物性研究」の学理を確立するために，表面あるいは界面の構造を明らかにする表面X線回折法の高度化・高度利用を行った。 静的な構造観測技術は大きく進展した。それによって有機半導体や遷移金属酸化物のエピタキシャル界面の構造解析がルーチン的に実施できるようになり，その結果に基づく物性研究を推進した。時分割測定では100ps時間分解能の高速反射電子線回折カメラの開発に成功し，遅い現象には波長角度同時分散型ラウエカメラを実用化した。これらを用いてTiO2光触媒や白金燃料電池の反応過程を解明した。

  6. １粒のナノ結晶の構造解析

    虻川 匡司

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

    研究機関：Tohoku University

    2013年4月1日 ～ 2015年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    １粒のナノ結晶の構造解析を行うためには、そのナノ結晶を回転させながら多数の電子回折パターンを測定することが必要になる。そのために、ナノ結晶をゴニオメーターの回転軸に100nm以下の精度で位置合わせでき、その状態でナノ結晶を軸に回転できる高精度４軸超高真空ゴニオメーターを開発した。これにより、ナノ結晶を回転しながら電子回折実験を行っても、ナノ結晶の位置がずれることがなく、１粒のナノ結晶の結晶構造解析が可能になる。

  7. 新しい超高速電子回折法の開発

    虻川 匡司

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2008年 ～ 2010年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    表面構造解析法である反射高速電子回折法と超高速現象を捉えるストリークカメラとを融合する事で、表面構造の時間変化を観測できる新しい時間分解電子回折法を開発した。開発した手法を用いて、ナノ秒パルスレーザーを照射したときにSi(111)7x7表面構造が変化する様子を1μs時間分解能で観測する事に成功した。

  8. 方位角走査反射高速電子回折による磁性ナノ人工格子界面の研究

    虻川 匡司

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2005年 ～ 2006年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究の目的は、トンネル磁気抵抗素子(TMR)や巨大磁気抵抗素子(GMR)の磁気抵抗に大きな影響があると考えられている磁性層と非磁性層の界面の構造やラフネスを方位角走査反射高速電子回折(φ-RHEED)を使用して調べ、磁気抵抗に対する界面の役割を明らかにすることである。はじめに、既存の超高真空槽に作成したエネルギーフィルタ、既存の電子銃、5軸試料マニピュレータを装着し、φ-RHEEDの測定が行うための装置を組み立てた。さらに、磁性ナノ人工格子を作成する基板の清浄化を行うための3KVイオン銃(購入備品)を取り付け、人工格子の組成をオージェ電子分光により評価するために静電半球型電子分光器(購入備品)をφ-RHEED超高真空槽に取り付けた。これにより、磁性ナノ人工格子の成長を行い、その場で表面・界面の構造を解析できるφ-RHEED測定装置が完成した。 この装置を用いてはじめにSi単結晶表面にFeを蒸着し、その界面構造の研究を行った。Si(111)表面に蒸着されたFeは、Siと反応してシリサイドを形成するため強磁性を示さなくなるが、その界面の研究はSi上の磁気抵抗素子の作成にとって重要である。様々な条件で鉄シリサイドの成長を行った結果、Feが界面で反応するとβ鉄シリサイドが生じ、Si表面上で反応するとα鉄シリサイドが成長することが本研究で明らかになった。次にFe/MgO/Fe人工格子によるTMR素子をSi表面に作成するために、Si表面にエピタキシャルMgO薄膜の成長を行った。その結果、蒸着温度や蒸着時の酸素分圧、そして蒸着量に依存して、MgOが複数の異なった方位でエピタキシャル成長するという興味深い結果を得た。そして、方位のそろったMgO結晶を得るための指針を得た。残念ながら、最終目的である磁性層と非磁性層の界面研究は未達成であるが、本研究によりそれが十分可能であることが示された。まもなくそれらの研究を行う予定である。

  9. ナノ薄膜表面のスピン配列観測法の開発

    虻川 匡司

    2002年 ～ 2004年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究の目的は、スピン偏極電子線と開発した電子散漫散乱による直接的な表面構造解析法(振動相関熱散漫散乱法)を組み合わせた、表面原子の構造とスピン配列を同時に直接的に観測できる新しい実験手法の開発である。3年目の最終年度は、次の様な作業・研究を行った。 1.スピン偏極電子銃の調整 前年度までに設計・製作を行ったスピン偏極電子銃は、GaAs陰極槽、電子レンズ部、励起レーザー部の3つの部分から構成されている。昨年度に、スピン偏極した電子を取り出すことに成功したが、電子を取り出す陰極の寿命が10分程度しか持たないという問題があった。そのままでは振動相関熱散漫散乱法は適用できないため、1日程度の寿命が得られるように調整を行った。実験の結果、陰極部の真空度を5×10^<-11>Torrに高めれば十分な寿命が得られることを確認した。そこで電子銃内部の真空度を上げるため、電子銃部品の見直しや、真空排気ポンプの見直し、そして徹底的に真空漏れ箇所の改善を行った。その結果、寿命を数時間程度に伸ばすことができたが、残念ながらまだ十分ではない。 2.磁性金属吸着Si(111)表面構造の研究 スピン偏極電子の調整終了後、ただちにスピン偏極電子回折が行えるように、鉄、コバルト、クロム、マンガン等の磁性エピタキシャル薄膜をSi(111)表面に成長させて、通常の電子回折実験を行った。特に鉄吸着Si(111)表面の研究では、表面にエピタキシャル成長した鉄シリサイドの構造を決定した。

  10. Si(111)4×1-In表面電子状態の研究 競争的資金

    1993年4月 ～ 2003年3月

  11. 低速電子回折装置を用いた振動相関熱散漫散乱測定システムの製作

    虻川 匡司, 下村 勝

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2000年 ～ 2001年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究の目的は、市販ベースの低速電子回折装置を用いて表面構造を簡単に解析できる振動相関熱散漫散乱法を実現し、その普及をはかることである。平成12年度は、低速電子回折装置を組み込んだ振動相関熱散漫散乱測定装置とその制御システムを製作し、その性能試験を行なった。そして、製作した装置と制御システムにより、振動相関熱散漫散乱が測定可能であることを確認した。平成13年度は、その装置を用いて実際に振動相関熱散漫散乱を測定して表面構造解析を行った。試料表面としては、最近になってようやく構造が明らかになったSi(111)4x1-In表面を使用した。測定装置が、振動相関熱散漫散乱測定のために十分な性能を持っていることは昨年度に確認済みであるため、まず振動相関熱散漫散乱を自動計測するための計測ソフトウェアの作成を行った。また、測定した複数の2次元回折パターンから3次元的な逆格子空間像を構築するソフトウェアも合わせて作成した。これらのソフトウェアにより、一度の測定によりスクリーン上に現れた全ての回折スポット、強度をデータとして取り込むことが可能になった。このソフトウェア、ハードウェアを合わせた測定システムにより、これまでの10倍から100倍の効率で回折パターンを測定することが可能になった。Si(111)4x1-In表面で得られた回折パターンを逆フーリエ変換することによって得られたパターソン関数には、Si(111)4x1-In表面構造に対応するピークが正確な位置に現れた。したがって、当初の第一の目的である手法の実現は、達成できたと考えている。今後、手法の普及をはかるために作成したソフトウェアの配付等を行う予定である。

  12. 振動相関熱散漫散乱法による表面構造の研究

    虻川 匡司

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究機関：Tohoku University

    1999年 ～ 2000年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究は、新しい表面構造解析手法として期待される振動相関熱散漫散乱法を用いて実際に表面の構造を精密に観測することが目的である。初めに、振動相関熱散漫散乱法の欠点を見直し、より精度良く、しかも短時間で計測が可能になるように、回折パターンを2次元的に計測するシステムを構築した。この2次元データの計測システムは、暗い光を効率良く捉える冷却CCDカメラとダイナミックレンジの高い画像取り込みボードとそれを組み込むコンピューターシステムから構成されている。このシステムを利用することで、これまでと同じ精度のデータを8倍の速度で取り込むことが可能になった。この新しいシステムをSi(001)2x1清浄表面の振動相関熱散漫散乱測定に使用することで、これまで以上に精度の高い測定を行うことができた.その結果、この振動相関熱散漫散乱法が0.1Åという高い精度で表面構造を直接観測できる手法であることが明らかになった。また、異種原子が吸着した表面の例としてSi(111)√<3>x√<3>-In吸着表面に振動相関熱散漫散乱法を適用した。この場合、異なる原子は異なった散乱因子を持つために、得られる原子像が本来の位置からシフトする。そこで、計算で求めた散乱因子で測定した振動相関熱散漫散乱パターンを修正する手法を考案した。この修正方法を用いることで、この場合でも0.1Å〓いう高い精度で表面構造を直接観測することに成功した。これらの結果については、学術雑誌に発表済みである。

  13. 高分解能X線光電子回折によるヘテロ・エピタキシー成長表面界面構造解析法の確立

    河野 省三, 下村 勝, 虻川 匡司, 高桑 雄二

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A).

    研究機関：TOHOKU UNIVERSITY

    1998年 ～ 2000年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究では,ヘテロ・エピタキシー成長などの幾つかの原子種が絡む固体表面界面形成初期の表面界面構造解析手法として優れた威力を発揮する高分解能X線光電子回折法の実験装置の開発とそれを用いた典型的なヘテロ・エピタキシー成長表面界面の構造解析を行い,その手法の確立を目的とした. H10年度は,高分解能X線光電子回折装置の設計製作を重点的に行うとともに,米国の高分解能X線光電子回折装置を用いた実験を行いよってその設計上の重要点について経験を積んだ.装置の設計製作では,中心的機器である高効率角度分解光電子アナライザーの選定と購入,また,超高真空槽システムの設計,試料マニピュレーターとその角度自動送りコンピューター・システムの設計とコンポーネント購入などを行った.実験では,β-SiC(001)-c(2x2)表面のCls準位の高分解能X線光電子回折パターンを測定解析した. H11年度では,高分解能X線光電子回折装置の組み立て調整を行い,東北大学科学計測研究所において実験室光源であるAl KαとMg Kα線を励起源として,Si(001)表面上に出現することが最近見い出されたBiナノワイヤからのBi 4d内殻のX線光電子回折パターンを測定解析し,Bi原子配列を決定した.また,高エネルギー加速器研究機構,物質構造研究所放射光実験施設での共同利用実験研究として,高分解能X線光電子回折装置を搬入し同施設のアンジュレーター・ビームラインからの軟X線を励起源として,Si(001)表面上のSb吸着状態について,Si2p高分解能光電子回折パターンを測定解析を行った. H12年度は,高分解能X線光電子回折測定装置を再び高エネルギー加速器研究機構物質構造研究所放射光施設へ搬入し,Si(001)上の有機分子(エチレン)吸着表面について高分解能X線光電子回折パターンの測定と解析を行った.また,同試料について,東北大学科学計測研究所において実験室光源を励起源とするX線光電子回折パターン測定と解析を行った. 以上の結果は本装置と手法が有用ものであることを如実に示しており,今後,本装置と手法を用いて多くのヘテロ・エピタキシー成長表面系の構造解析に適用する予定である.

  14. 斜入射後方散乱MEEDによる表面構造の研究 競争的資金

    1992年4月 ～ 1998年3月

  15. 光電子回折パターンからのホログラフィー成分の抽出

    虻川 匡司

    1996年 ～ 1996年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究では、光電子ホログラフィー実現のために、光電子回折パターンからホログラフィー成分を実験的に抜き出すことが目的である。具体的には、光電子回折パターンを温度の関数として測定し、それらのパターンを比較することにより、ホログラフィー成分を抽出する。本研究費は、主にこの温度依存光電子パターンを測定するための実験設備の構築に使用した。 始めに光電子回折パターンを測定する時に試料を再現性良く回転するために、試料ゴニオメータにステッピングモーターを取り付けた。手動コントロールによる動作チェックの結果は、良好であった。次に、コンピュータで試料回転の自動コントロールを行うために、インターフェースの作成と光電子回折測定ウェアの改良を行った。しかしながら、インターフェースの作成に予想以上に時間がかかり、残念ながら未だ完成にはこぎ着けていない。ソフトウェアの改良も、途中の段階である。試料の加熱装置については、試料ホルダーを電極とし、真空外から導入した電流により、試料を通電加熱できる装置を作成した。また冷却システムは、試料ホルダーの裏側に銅のブロックを設置し、ブロックと試料ホルダーを銅の網線で接続することで試料の回転を損なうこと無く、冷却ができるものを作成した。現在、この装置で、加熱・冷却時の光電子回折パターンの測定を行っている段階である。

  16. マイクロ電子ビームと2次元表示阻止型電子分析器を用いた局所表面解析装置の開発

    河野 省三, 虻川 匡司, 高桑 雄二

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    1995年 ～ 1996年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    ミクロ領域の原子配列と組成の知見を得る新たな手法・装置として,マイクロ電子ビームと2次元表示阻止型電子分析器を用いた局所表面解析装置(μ-GBMEED装置)を開発した.GBMEED法(斜入射後方散乱中速電子回折法)は先に代表者らが考案した手法で,1から3keVの単色電子線を試料表面に斜入射角で入射し,後方に弾性的に散乱される電子強度の方向依存パターン(GBMEEDパターン)を計測解析する事により,表面原子構造の知見を得る手法である.本装置では,入射電子ビームをマイクロ電子ビーム(径〜0.1μm)とし,試料表面周りに空間の取れる特殊な市販の電子銃を独自製作の超高真空システムに取り付けた.これにより,表面局所領域の励起を可能とすると同時に他の表面分析・処理機器の使用を可能にしている. また,μ-GBMEEDパターンの測定を独自製作の2次元表示阻止型電子分光器とCCDカメラを供えたシステムにすることにより広立体角での同時高効率測定を可能としている.さらに,超高真空走査トンネル顕微鏡との融合を行う事により,原子レベルでの表面形態像の情報が同一表面で得られ,局所表面領域の組成と構造解析にさらなる新局面を開いている. 開発した装置の性能試験を行うため,清浄Si(001)2x1表面のダイマー(Dimer)の傾き角の検出を試みた.他の手法により,ダイマーの傾き角は約19度であると言われているが,確定はしていない.性能試験では,清浄Si(001)2x1表面から1から2KeVのGBMEEDパターンを測定し,新たに開発した一回散乱理論による解析を行った.その結果,ダイマーによる前方散乱ピークと思われるパターンを検出したが,計測精度に難点が存在し,結論には至っていない.目下,計測精度向上を進めている.

  17. 原子放出電子ホログラフィー測定手法の確立

    虻川 匡司

    1995年 ～ 1995年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究目的は、原子を放出源とする電子波の回折現象をホログラフィーとして解析する場合、実用に耐える表面の構造解析を行うためにはどのような実験を行い、どれだけの測定データが必要であるかを調べることである。ホログラフィーとして扱える可能性のある回折現象の中で、本研究では、エネルギーの走査も簡単に行える後方散乱中速電子回折(キクチ電子回折)を対象にして研究を行った。 実験に先だって、実験装置の制御系の整備を行った。具体的には、後方散乱中速電子回折を測定するための2次元阻止型分析器に阻止電圧を与える電源部を作成し、および阻止電圧の印加とCCDカメラによる回折パターンの取り込みを制御するコンピュータシステムの整備を行った。これにより、阻止電圧の走査や測定の積算が可能になり、測定データの質が飛躍的に向上した。また、その結果回折電子のエネルギースペクトルの測定が可能となり、弾性散乱ピークを正確に分離することが可能になった。このシステムを使用し、Si(001)表面の後方散乱中速電子回折パターンの測定を行った。使用した2次元阻止型分析器は、球面グリッドにより74°の広い角度範囲の回折パターンを一度に測定できる。さらに、ホログラフィー解析を行うために十分なデータとなるように、運動エネルギーを変えた場合の回折パターンも多数測定した。ホログラフィー手法により、測定したデータを実空間像に変換して実空間像の精度を検討したが、期待した程の精度は得られなかった。現在、実空間像の精度の向上を目指してホログラフィー解析手法の改良を行っている。解析については、今後の課題として残ったが、実験手順・条件を確立するという目的はほぼ達成できた。

  18. 光電子ホログラフィー解析システムの開発

    虻川 匡司

    1994年 ～ 1994年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究の目的は、蛍光スクリーン上に表示された光電子回折パターンをCCDカメラで2次元的に測定するシステムの構築と、測定された光電子回折パターンをホログラフィーの手法を用いて表面構造解析を行う解析プログラムの開発である。2次元回折パターンの測定システムについては、冷却CCDカメラとデータ測定・解析用コンピュータにより、回折パターンの測定・表示を行うシステムを完成することができた。このシステムの特徴は,CCD(電荷結合素子)の各ピクセル毎に16ビットという広いダイナミックレンジでデータを取り込むことが可能であることである。実際に、低速電子回折パターンや中速電子回折パターンの測定を行いこのシステムによる測定の精度、性能の評価を行った。その結果、システムが非常に広いダイナミックレンジを持ち、光電子回折パターンの測定にも十分に対応できる性能であることが確認された。今後、実際の光電子回折パターン・ホログラフィーへの適用を行っていく予定である。測定・解析プログラムに関しては、前述のようにCCDカメラの画像をコンピュタ-に取込み、ディスプレイに表示を行うことが現在可能になっている。デジタル化されたデータは、通常の濃淡表示だけでなく、等高線表示や、プロファイルの表示も可能であり、測定表示プログラムに関してはほぼ完了した。現在、光電子回折パターンをホログラフィーによって解析するプログラムの開発を行っている段階であり、今後は得られた実空間像(表面構造)を表示する部分の作成も行う予定である。

  19. シングルドメインSi(001)2×1表面上のGeのエレクトロマイグレーション

    虻川 匡司

    1993年 ～ 1993年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    :本研究課題の目的は、超高真空中でシングルドメインSi(001)表面を作成し、その表面上に吸着させたGe原子の電界・電流による移動現象(エレクトロマイグレーション)を調べることである。観察は、既存の走査電子顕微鏡を使用するため、本研究費補助金は主に試料の作成部分と試料に与える電界・電流および温度のコントロール部分の作成に使用した。まず、下地のシングルドメインSi(001)表面は、面方位が精度よく決定されたSi(001)ウェファを超高真空中で加熱清浄化した後にSiをホモエピタキシャル成長して作成する。このSiをエピタキシャル成長させるためのSiの蒸着源を作製した。またGeは既存のKnudsenセルを使用して蒸着を行うこととしたが、安定した蒸着を行うためには、Knudsenセルの精密な温度コントロールが必要となる。そこで温度コントロール可能な電源システムの製作を行った。具体的にはKnudsenセルの温度をW-Re熱電対でモニターし、その温度が一定になるように電子温度調節器を使用してヒーター電流のコントロールを行うシステムである。実際のGe蒸着膜厚の評価はまだ行っていないが、Knudsenセルの温度は期待通りの精度で制御することができた。次にエレクトロマイグレーションを調べる時に試料に与える電界・電流のコントロールシステムを作製した。このシステムは、実際に試料に電流・電界をあたえる電源、試料の温度をモニターするデジタルマルチ温度計、およびそれら電源、温度計を制御するデスクトップコンピューターからなる。このうち本研究補助金は、デジタルマルチ温度計の購入、コンピューターと電源・温度計間のインターフェース、システムを制御するためのソフトウェアの開発のために使用した。作製したシステムを用いて実際に試料へ電界・電流をかける実験を行ったが、電流、温度、通電時間などを期待どうりに制御することができた。以上のようなシステムの構築を行い、下地Si(001)表面のシングルドメインを作成し、Geの蒸着に関する予備実験の段階まで行った。現在、エレクトロマイグレーションの実験を行う準備を進めている。

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示