Details of the Researcher

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Tadashi Abukawa
Section
International Center for Synchrotron Radiation Innovation Smart
Job title
Professor
Degree

  • 博士(理学) (Tohoku University)

Education 2

  • Tohoku University　Graduate School of Science　Department of Physics

    - 1992/03

  • Tohoku University　Faculty of Science

    1983/04 - 1987/03

Professional Memberships 4

  • The Japan Society of Applied Physics

  • The Japanese Society for Synchrotron Radiation Research

  • The Japan Society of Vacuum and Surface Science

  • The Physical Society of Japan

Research Areas 1

  • Natural sciences / Semiconductors, optical and atomic physics /

Awards 5

  1. 46th JSAP Outstanding Paper Award

    2025/02　Sub-millisecond 4D X-ray tomography achieved with a multibeam X-ray imaging system

  2. 学生講演賞

    2024/03　（公益財団法人）日本表面真空学会 東北・北海道支部　Si(15 17 3)高指数表面のRHEED, STMによる研究

  3. Dissertation Awards 2022

    2023/05　Spatial Analytical Surface Structure Mapping for Three-dimensional Micro-shaped Si by Micro-beam Reflection High-energy Electron Diffraction

  4. 平成17年度科学計測振興会賞

    2005/12　財団法人科学計測振興会　相関熱散漫散乱電子回折表面構造解析の開発

  5. 日本表面科学会論文賞

    2000/11/30　日本表面科学会

Papers 137

  1. Complete three-dimensional structure of Bi-adsorbed Si(110) surface: Discovery of heavily reconstructed Si(110) substrate Peer-reviewed

    Hiroaki Aoyama, Tadashi Abukawa

    Physical Review Research　3　(4)　2021/12/08

    Publisher: American Physical Society (APS)

    DOI： 10.1103/physrevresearch.3.043164 　

    ISSN： 2643-1564

    eISSN： 2643-1564

  2. Streak-camera reflection high-energy electron diffraction for dynamics of surface crystallography Peer-reviewed

    Kenta Mukojima, Shinji Kanzaki, Kota Kawanishi, Katsuyoshi Sato, Tadashi Abukawa

    SURFACE SCIENCE　636　25-30　2015/06

    DOI： 10.1016/j.susc.2015.01.017 　

    ISSN： 0039-6028

    eISSN： 1879-2758

  3. Structure of the Si(111)-(5 x 2)-Au Surface Peer-reviewed

    Tadashi Abukawa, Yoshiki Nishigaya

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　110　(3)　036102　2013/01

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.110.036102 　

    ISSN： 0031-9007

  4. Weissenberg reflection high-energy electron diffraction for surface crystallography Peer-reviewed

    Tadashi Abukawa, Tomoyuki Yamazaki, Kentaro Yajima, Koji Yoshimura

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　97　(24)　245502　2006/12

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.97.245502 　

    ISSN： 0031-9007

    eISSN： 1079-7114

  5. Correlated thermal diffuse scattering in low to medium energy electron diffraction: A new structural tool Peer-reviewed

    T. Abukawa, C. M. Wei, T. Hanano, S. Kono

    Physical Review Letters　82　(2)　335-338　1999

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.82.335 　

    ISSN： 1079-7114 0031-9007

  6. Surface electronic structure of a single-domain Si(111)4 × 1-In surface: a synchrotron radiation photoemission study Peer-reviewed

    T. Abukawa, M. Sasaki, F. Hisamatsu, T. Goto, T. Kinoshita, A. Kakizaki, S. Kono

    Surface Science　325　(1-2)　33-44　1995/02/20

    DOI： 10.1016/0039-6028(94)00693-8 　

    ISSN： 0039-6028

  7. Photoelectron diffraction study of Si(001) 2 × 1-K surface: Existence of a potassium double layer Peer-reviewed

    T. Abukawa, S. Kono

    Physical Review B　37　(15)　9097-9099　1988

    DOI： 10.1103/PhysRevB.37.9097 　

    ISSN： 0163-1829

  8. Absence of Long-Range V–V Dimer and Magnetic Orderings in High-Entropy (Mg0.2Mn0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2)VO3 Peer-reviewed

    Hajime Yamamoto, Boxuan Li, Hinako Telengut, Akari Takayama, Kenji Ishii, Hiroyuki Yamane, Suzuna Inoue, Satoshi Kobari, Ryuji Kawahara, Junya Yoshida, Susumu Yamamoto, Takuya Tsuji, Daiju Matsumura, Masaki Azuma, Takumi Nishikubo, Taiki Kosuge, Takafumi Yamamoto, Saneyuki Ohno, Tadashi Abukawa

    Inorganic Chemistry　64　(34)　17496-17502　2025/08/20

    Publisher: American Chemical Society (ACS)

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.5c02779 　

    ISSN： 0020-1669

    eISSN： 1520-510X

  9. Stable Chiral Si Surface: Si(17 15 3)3 × 1 Peer-reviewed

    Hinako Telengut, Boxuan Li, Kenya Haga, Tadashi Abukawa

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　23　(2)　207-212　2025/05/03

    DOI： 10.1380/ejssnt.2025-021 　

    ISSN： 1348-0391

  10. Evaluating chemical states in a single microcrystal of chromium boride with the micro-focused ion and quantum beams Peer-reviewed

    Yanze Guan, Xiaoni Zhang, Masashige Miyamoto, Yuki Tsujikawa, Kunio Yubuta, Masafumi Horio, Hironari Isshiki, Jun ichi Yamaura, Tadashi Abukawa, Fumio Komori, Iwao Matsuda

    Solid State Sciences　161　107838　2025/03

    DOI： 10.1016/j.solidstatesciences.2025.107838 　

    ISSN： 1293-2558

  11. Surface structure of the 3×3-Si phase on Al(111), studied by the multiple usages of positron diffraction and core-level photoemission spectroscopy Peer-reviewed

    Yusuke Sato, Yuki Fukaya, Akito Nakano, Takeo Hoshi, Chi-Cheng Lee, Kazuyoshi Yoshimi, Taisuke Ozaki, Takeru Nakashima, Yasunobu Ando, Hiroaki Aoyama, Tadashi Abukawa, Yuki Tsujikawa, Masafumi Horio, Masahito Niibe, Fumio Komori, Iwao Matsuda

    Physical Review Materials　9　(1)　014002　2025/01/07

    Publisher: American Physical Society (APS)

    DOI： 10.1103/physrevmaterials.9.014002 　

    eISSN： 2475-9953

  12. Continuous structural phase transition and antiferromagnetic order in ilmenite-type NiVO3 Peer-reviewed

    Hajime Yamamoto, Osamu Ikeda, Takashi Honda, Kenta Kimura, Takuya Aoyama, Kenya Ohgushi, Akio Suzuki, Kenji Ishii, Daiju Matsumura, Takuya Tsuji, Shintaro Kobayashi, Shogo Kawaguchi, Matteo D'Astuto, Tadashi Abukawa

    Physical Review Materials　8　(9)　2024/09

    DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.8.094402 　

    eISSN： 2475-9953

  13. Proof-of-Concept of Millisecond-Order-Temporal-Resolution 4D X-ray Tomography with Multibeam X-ray Imaging System Peer-reviewed

    Wataru Yashiro, Xiaoyu Liang, Tadashi Abukawa, Wolfgang Voegeli, Etsuo Arakawa, Tetsuroh Shirasawa, Kentaro Kajiwara, Hiroyuki Kudo

    2024 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR)　1-3　2024/08/04

    Publisher: IEEE

    DOI： 10.1109/cleo-pr60912.2024.10676953 　

  14. Development of Multi-Functional Submicropipettes for Exploring Biomaterials Peer-reviewed

    Takami Tomohide, Nishiyama Hokuto, Watanabe Yu, Omi Haruna, Ohta Mizuki, Ono Manami, Watabe Minami, Miyashita Kazuho, Mitsui Taiga, Yoneda Rio, Shibuya Kyo, Akutsu Yusuke, Kaneko Naoki, Ohtomo Chie, Inoue Mizuki, Ozawa Mamiko, Magara Hideyuki, Ogawa Shuichi, Abukawa Tadashi

    工学院大学研究論叢　61　(1)　19-30　2024/02/15

    DOI： 10.57377/0002000323 　

  15. ZnVO3: an ilmenite-type vanadium oxide hosting robust V–V dimers Peer-reviewed

    Hajime Yamamoto, Takumi Nishikubo, Shintaro Kobayashi, Kazuki Takahashi, Masaki Azuma, Shogo Kawaguchi, Tadashi Abukawa

    Dalton Transactions　2024

    DOI： 10.1039/D4DT02239D 　

  16. Sub-millisecond 4D X-ray tomography achieved with a multibeam X-ray imaging system Peer-reviewed

    Xiaoyu Liang, Wolfgang Voegeli, Hiroyuki Kudo, Etsuo Arakawa, Tetsuroh Shirasawa, Kentaro Kajiwara, Tadashi Abukawa, Wataru Yashiro

    Applied Physics Express　16　(7)　072001-072001　2023/07/01

    Publisher: IOP Publishing

    DOI： 10.35848/1882-0786/ace0f2 　

    ISSN： 1882-0778

    eISSN： 1882-0786

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    Abstract A proof-of-concept experiment for sub-millisecond temporal and 10 μm order spatial resolution 4D X-ray tomography imaging using a multibeam X-ray imaging system is reported. The 3D structure of a tungsten wire during mechanical deformation was reconstructed using a super-compressed sensing-based algorithm from 28 projection images acquired simultaneously with a temporal resolution of 0.5 ms. The multibeam imaging system does not require rotation of the sample, X-ray source or detector. The experiment demonstrates the potential for improving the time resolution in observing non-repeatable dynamic phenomena, such as those occurring in fluids, living beings, or material fractures.

  17. Argon Gas Flow Through Micro- and Nano-pipettes

    Tomohide Takami, Chie Ohtomo, Naoki Kaneko, Kyo Shibuya, Kazuho Miyashita, Mizuki Ohta, Rio Yoneda, Mamiko Ozawa, Hideyuki Magara, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　21　(4)　257-261　2023/04/22

    Publisher: Surface Science Society Japan

    DOI： 10.1380/ejssnt.2023-032 　

    eISSN： 1348-0391

  18. Work function lowering of LaB6 by monolayer hexagonal boron nitride coating for improved photo- and thermionic-cathodes

    Hisato Yamaguchi, Ryunosuke Yusa, Gaoxue Wang, Michael T. Pettes, Fangze Liu, Yasutaka Tsuda, Akitaka Yoshigoe, Tadashi Abukawa, Nathan A. Moody, Shuichi Ogawa

    Applied Physics Letters　122　(14)　141901-141901　2023/04/03

    Publisher: AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0142591 　

    ISSN： 0003-6951

    eISSN： 1077-3118

    More details Close

    We report a lowering of work function for lanthanum hexaboride (LaB6) by monolayer hexagonal boron nitride (hBN) coating. Photoemission electron microcopy (PEEM) and thermionic emission electron microscopy (TEEM) both revealed that the hBN coated region of a LaB6 (100) single crystal has a lower work function compared to the bare (i.e., non-coated) and graphene coated regions. A broad and uniform brighter image of the hBN coated region in PEEM was quantitatively supported by a 0.4 eV decrease in the work function in photoelectron spectra compared to the bare region. TEEM results were consistent in that the hBN coated region exhibited thermionic emission at 905 °C, whereas the bare and graphene coated regions did not. A larger decrease in the work function for hBN coated LaB6 (100) compared to graphene coated LaB6 (100) was qualitatively supported by our density functional theory calculations. Adding an oxide layer in the calculations improved consistency between the calculation and experimental results. We followed up our calculations with synchrotron-radiation x-ray photoelectron spectroscopy and confirmed the presence of an oxide layer on our LaB6.

  19. Development of Dual Ion-selective Electrodes in Double-Barrel Glass Pipette at One Micrometer for Simultaneous Measurement of Sodium and Potassium Ions Peer-reviewed

    Tomohide Takami, Yusuke Akutsu, Naoki Kaneko, Rio Yoneda, Hideyuki Magara, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　21　(1)　17-23　2022/10/27

    Publisher: Surface Science Society Japan

    DOI： 10.1380/ejssnt.2023-003 　

    eISSN： 1348-0391

  20. Evaluation of Doped Potassium Concentrations in Stacked Tow-Layer Graphene using Real-time XPS Peer-reviewed

    Shuichi Ogawa, Yasutaka Tsuda, Tetsuya Sakamoto, Yuki Okigawa, Tomoaki Masuzawa, Akitaka Yoshigoe, Tadashi Abukawa, Takatoshi Yamada

    Applied Surface Science　605　154748-154748　2022/09

    Publisher: Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2022.154748 　

    ISSN： 0169-4332

  21. Multilayer Deposition of Octakis(octyloxy) Phthalocyanine Observed by Scanning Tunneling Microscopy, Scanning Electron Microscopy, Transmission Electron Microscopy, and X-ray Diffraction Peer-reviewed

    Rio Yoneda, Masaki Ageishi, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa, Tomohide Takami

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　20　(3)　145-149　2022/06/02

    Publisher: Surface Science Society Japan

    DOI： 10.1380/ejssnt.2022-023 　

    eISSN： 1348-0391

  22. Strong suppression of graphene growth by sulfur superstructure on a nickel substrate Peer-reviewed

    Keisuke Sagisaka, Jun Nara, Jill K. Wenderott, Ryo Kadowaki, Akane Maruta, Tadashi Abukawa, Daisuke Fujita

    Physical Review Materials　6　(3)　034007　2022/03

    DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.6.034007 　

    ISSN： 2475-9953

  23. Spatial Analytical Surface Structure Mapping for Three-dimensional Micro-shaped Si by Micro-beam Reflection High-energy Electron Diffraction Peer-reviewed

    Sohei Nakatsuka, Taishi Imaizumi, Tadashi Abukawa, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka, Ken Hattori

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　19　(0)　13-19　2021/03/06

    Publisher: Surface Science Society Japan

    DOI： 10.1380/ejssnt.2021.13 　

    ISSN： 1348-0391

    eISSN： 1348-0391

  24. The next generation 3GeV synchrotron radiation facility project in Japan Invited Peer-reviewed

    MASAKI TAKATA, SAChiKo MAKi, KiyoShi KAniE, MASAShi WATAnAbE, TADASHI ABUKAWA, WATARU YASHIRO, YUKIO TAKAHASHI, HIROYUKI FUKUYAMA, ATSUSHI MURAMATSU, WATARU UTSUMI, HITOSHI TANAKA, NOBUYUKI NISHIMORI, MASAMITU TAKAHASI, MASATAKA KADO

    AAPPS Bulletin　29　(5)　26-30　2019/10

  25. Band alignment determination of bulk h-BN and graphene/h-BN laminates using photoelectron emission microscopy Peer-reviewed

    Shuichi Ogawa, Takatoshi Yamada, Ryo Kadowaki, Takashi Taniguchi, Tadashi Abukawa, Yuji Takakuwa

    Journal of Applied Physics　125　(14)　144303-144303　2019/04/14

    Publisher: AIP Publishing

    DOI： 10.1063/1.5093430 　

    ISSN： 0021-8979

    eISSN： 1089-7550

  26. Segmented Undulator for Extensive Polarization Controls in <= 1 nm-rad Emittance Rings Peer-reviewed

    Iwao Matsuda, Susumu Yamamoto, Jun Miyawaki, Tadashi Abukawa, Takashi Tanaka

    E-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　17　41-48　2019/04

    DOI： 10.1380/ejssnt.2019.41 　

    ISSN： 1348-0391

  27. Quasi-free-standing monolayer hexagonal boron nitride on Ni Peer-reviewed

    Satoru Suzuki, Yuichi Haruyama, Masahito Niibe, Takashi Tokushima, Akinobu Yamaguchi, Yuichi Utsumi, Atsushi Ito, Ryo Kadowaki, Akane Maruta, Tadashi Abukawa

    MATERIALS RESEARCH EXPRESS　6　(1)　016304　2019/01

    DOI： 10.1088/2053-1591/aae5b4 　

    ISSN： 2053-1591

  28. PEEM and Micro-UPS Studies of Cleaved and Exfoliated Molybdenum Disulfide Surface Peer-reviewed

    Ryo Kadowaki, Naoki Sano, Tadashi Abukawa

    E-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　15　115-120　2017/11

    DOI： 10.1380/ejssnt.2017.115 　

    ISSN： 1348-0391

  29. Time-resolved soft X-ray core-level photoemission spectroscopy at 880 degrees C using the pulsed laser and synchrotron radiation and the pulse heating current Peer-reviewed

    T. Abukawa, S. Yamamoto, R. Yukawa, S. Kanzaki, K. Mukojima, I. Matsuda

    SURFACE SCIENCE　656　43-47　2017/02

    DOI： 10.1016/j.susc.2016.09.006 　

    ISSN： 0039-6028

    eISSN： 1879-2758

  30. 19pPSA-57 Development of Nano-beam Weissenberg RHEED

    Sano N., Kato T., Maruta A., Kadowaki R., Mukojima K., Abukawa T.

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　71　2560-2560　2016

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2560 　

    ISSN： 2189-079X

  31. 21pAJ-6 PEEM and micro-UPS study of Molybdenum disulfide

    Kadowaki R., Sano N., Abukawa T.

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　71　2619-2619　2016

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2619 　

    ISSN： 2189-079X

  32. PEEM and micro-PES study of Molybdenum disulfide

    Kadowaki Ryo, Sano Naoki, Abukawa Tadashi

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan　35　319-319　2015

    Publisher: The Surface Science Society of Japan

    DOI： 10.14886/sssj2008.35.0_319 　

  33. Electron Emission from Diamond PIN Diode Type Electron Emitters

    Matsumoto Tsubasa, Kadowaki Ryo, Kato Hiromitsu, Makino Toshiharu, Takeuchi Daisuke, Kono Shozo, Abukawa Tadashi, Yamasaki Satoshi

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan　35　296-296　2015

    Publisher: The Surface Science Society of Japan

    DOI： 10.14886/sssj2008.35.0_296 　

  34. PEEM and Micro PES Study of Graphene Growth on Ni(110) Substrate Peer-reviewed

    Ryo Kadowaki, Misaki Kuriyama, Tadashi Abukawa, Keisuke Sagisaka, Daisuke Fujita

    E-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY　13　347-351　2015

    DOI： 10.1380/ejssnt.2015.347 　

    ISSN： 1348-0391

  35. Electron spectro-microscopic determination of barrier height and spatial distribution of Au and Ag Schottky junctions on boron-doped diamond (001) Peer-reviewed

    Shozo Kono, Hideyuki Kodama, Kimiyoshi Ichikawa, Taro Yoshikawa, Tadashi Abukawa, Atsuhito Sawabe

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(5)　05FP03　2014/05

    DOI： 10.7567/JJAP.53.05FP03 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  36. Electron Spectroscopic Determination of Electronic Structures of Phosphorus-Doped n-Type Heteroepitaxial Diamond (001) Surface and Junction Peer-reviewed

    Shozo Kono, Takuya Nohara, Satoshi Abe, Hideyuki Kodama, Kazuhiro Suzuki, Satoshi Koizumi, Tadashi Abukawa, Atsuhito Sawabe

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(9)　090109　2012/09

    DOI： 10.1143/JJAP.51.090109 　

    ISSN： 0021-4922

    eISSN： 1347-4065

  37. Structural dynamics of Si(111) surface by the streak-camera RHEED

    Kawanishi Kota, Sato Katsuyoshi, Abukawa Tadashi

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan　32　107-107　2012

    Publisher: The Surface Science Society of Japan

    DOI： 10.14886/sssj2008.32.0_107 　

  38. Structural analysis Fe(001)-p(1x1)-O surface by Weissenberg-RHEED II

    Kanzaki Shinji, Nishigaya Kouki, Abukawa Tadashi

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan　32　177-177　2012

    Publisher: The Surface Science Society of Japan

    DOI： 10.14886/sssj2008.32.0_177 　

  39. 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開

    高桑雄二, 虻川匡司, 小川修一

    マテリアル インテグレーション　24　(04,05)　147-154　2011/06

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    6691

  40. Characterization of epitaxial MgO growth on Si(001) surface Peer-reviewed

    Tadashi Abukawa, Shunsuke Sato, Youta Matsuoka

    SURFACE SCIENCE　604　(19-20)　1614-1618　2010/09

    DOI： 10.1016/j.susc.2010.06.003 　

    ISSN： 0039-6028

  41. X-ray photoelectron diffraction study of bias-treatment for the growth of 1-inch-diameter hetero-epitaxial diamond (001) thick films Peer-reviewed

    S. Kono, H. Kawata, T. Goto, T. Abukawa, K. Chigira, K. Ooyama, T. Kotaki, A. Sawabe

    Journal of Physics: Conference Series　235　(1)　2010

    Publisher: Institute of Physics Publishing

    DOI： 10.1088/1742-6596/235/1/012010 　

    ISSN： 1742-6596 1742-6588

  42. Characterization of Fe silicide growth on Si(111) surface by weissenberg RHEED Peer-reviewed

    T. Abukawa, D. Fujisaki, N. Takahashi, S. Sato

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　7　866-870　2009/11/07

    DOI： 10.1380/ejssnt.2009.866 　

    ISSN： 1348-0391

  43. Dependence on the deposition conditions in the adsorption of C6 H8 molecules on a Si (100) -2×1 surface Peer-reviewed

    F. D'Amico, R. Gunnella, M. Shimomura, T. Abukawa, S. Kono

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　76　(16)　2007/10/23

    DOI： 10.1103/PhysRevB.76.165315 　

    ISSN： 1098-0121 1550-235X

  44. Dependence on the deposition conditions in the adsorption of C6H8 molecules on a Si(100)-2x1 surface Peer-reviewed

    F. D'Amico, R. Gunnella, M. Shimomura, T. Abukawa, S. Kono

    PHYSICAL REVIEW B　76　(16)　165315-1-165315-8　2007/10

    DOI： 10.1103/PhysRevB.76.165315 　

    ISSN： 2469-9950

    eISSN： 2469-9969

  45. Characterization of planar-diode bias-treatment in DC-plasma hetero-epitaxial diamond growth on Ir(001) Peer-reviewed

    T. Aoyama, N. Amano, T. Goto, T. Abukawa, S. Kono, Y. Ando, A. Sawabe

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS　16　(3)　594-599　2007/03

    DOI： 10.1016/j.diamond.2006.11.045 　

    ISSN： 0925-9635

  46. Surface energy band and electron affinity of highly phosphorous-doped epitaxial CVD diamond Peer-reviewed

    S. Kono, K. Mizuochi, G. Takyo, N. I. Plusnin, T. Aoyama, T. Goto, T. Abukawa, A. Namba, Y. Nishibayashi, T. Imai

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　5　33-40　2007/02/03

    DOI： 10.1380/ejssnt.2007.33 　

    ISSN： 1348-0391

  47. Energy band diagram of a H-terminated P-doped n-type diamond (111) surface Peer-reviewed

    Shozo Kono, Kenji Mimochi, Go Takyo, Tadahiko Goto, Tadashi Abukawa, Tomohiro Aoyama

    NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY　17　(5)　231-242　2007

    ISSN： 1344-9931

  48. Mechanism of field emission from a highly phosphorous-doped chemical vapor deposition diamond (111) surface Peer-reviewed

    Shozo Kono, Go Takyo, Naoki Amano, Nickolay I. Plusnin, Kenji Mizuochi, Tomohiro Aoyama, Tadahiko Goto, Tadashi Abukawa, Akihiko Namba, Natsuo Tasumi, Yoshiki Nishibayashi, Takahiro Imai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(1-3)　L21-L24　2007/01

    DOI： 10.1143/JJAP.46.L21 　

    ISSN： 0021-4922

  49. Reciprocal space measurement by electron diffractions

    Tadashi Abukawa

    Journal of the surface science society of Japan　28　(6)　333-336　2007

  50. Fully performed constant-momentum-transfer-averaging in low-energy electron diffraction demonstrated for a single-domain Si(111)4×1-In surface Peer-reviewed

    Tadashi Abukawa, Tomoyuki Yamazaki, Shozo Kono

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　4　661-668　2006/12/23

    DOI： 10.1380/ejssnt.2006.661 　

    ISSN： 1348-0391

  51. Photoelectron diffraction of C6H8/Si(001): A model case for photoemission study of organic molecules adsorbed on silicon surfaces Peer-reviewed

    R. Gunnella, M. Shimomura, F. D'Amico, T. Abukawa, S. Kono

    PHYSICAL REVIEW B　73　(23)　235435-1-235435-7　2006/06

    DOI： 10.1103/PhysRevB.73.235435 　

    ISSN： 1098-0121

  52. Structural investigation of the Ca/Si(111)-(3×2) surface using photoelectron diffraction Peer-reviewed

    Toshihiro Suzuki, Kazuyuki Sakamoto, Tadashi Abukawa, Shozo Kono

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　4　166-169　2006/02/10

    DOI： 10.1380/ejssnt.2006.166 　

    ISSN： 1348-0391

  53. Formation of one-dimensional molecular chains on a solid surface: Pyrazine/Si(001) Peer-reviewed

    M Shimomura, D Ichikawa, Y Fukuda, T Abukawa, T Aoyama, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B　72　(3)　33303　2005/07

    DOI： 10.1103/PhysRevB.72.033303 　

    ISSN： 1098-0121

  54. An electron-spectroscopic view of CVD diamond surface conductivity Peer-reviewed

    S Kono, M Shiraishi, T Goto, T Abukawa, M Tachiki, H Kawarada

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS　14　(3-7)　459-465　2005/03

    DOI： 10.1016/j.diamond.2004.11.011 　

    ISSN： 0925-9635

  55. X-ray photoelectron diffraction study of the initial stages of CVD diamond heteroepitaxy on Ir(001)/SrTiO3 Peer-reviewed

    S Kono, M Shiraishi, NI Plusnin, T Goto, Y Ikejima, T Abukawa, M Shimomura, Z Dai, C Bednarski-Meinke, B Golding

    NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY　15　(6)　363-371　2005

    ISSN： 1344-9931

  56. Effect of bias treatment in the CVD diamond growth on Ir(001) Peer-reviewed

    S Kono, Takano, I, Goto, I, Y Ikejima, M Shiraishi, T Abukawa, T Yamada, A Sawabe

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS　13　(11-12)　2081-2087　2004/11

    DOI： 10.1016/j.diamond.2004.07.009 　

    ISSN： 0925-9635

  57. Adsorption of thiophene on a Si(001)-2 x 1 surface studied by photoelectron spectroscopy and diffraction Peer-reviewed

    A Shimomura, Y Ikejima, K Yajima, T Yagi, T Goto, R Gunnella, T Abukawa, Y Fukuda, S Kono

    APPLIED SURFACE SCIENCE　237　(1-4)　75-79　2004/10

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2004.06.084 　

    ISSN： 0169-4332

  58. Structural study of 1,4-cyclohexadiene adsorption on Si(001) surface by low energy photoelectron diffraction Peer-reviewed

    R Gunnella, M Shimomura, M Munakata, T Takano, T Yamazaki, T Abukawa, S Kono

    SURFACE SCIENCE　566　618-623　2004/09

    DOI： 10.1016/j.susc.2004.05.122 　

    ISSN： 0039-6028

    eISSN： 1879-2758

  59. Structural analysis of thiophene chemisorped Si(001)-(2x1) surface

    M. Shimomura, Y. Ikejima, K. Yajima, T. Yagi, T. Goto, T. Abukawa, R. Gunnella, Y. Fukuda, S. Kono

    Photon Factory Activity Report 2002　20　53-53　2003/08

  60. Semi-direct method for surface structure analysis using correlated thermal diffuse scattering Peer-reviewed

    T Abukawa, S Kono

    PROGRESS IN SURFACE SCIENCE　72　(1-4)　19-51　2003/06

    DOI： 10.1016/S0079-6816(03)00002-9 　

    ISSN： 0079-6816

  61. Structural study of benzene adsorbed on Si(001) surface by photoelectron diffraction Peer-reviewed

    M Shimomura, M Munakata, K Honma, SM Widstrand, L Johansson, T Abukawa, S Kono

    SURFACE REVIEW AND LETTERS　10　(2-3)　499-503　2003/04

    ISSN： 0218-625X

  62. Electron-spectroscopy and -diffraction study of the conductivity of CVD diamond (001)2 x 1 surface Peer-reviewed

    S Kono, T Takano, M Shimomura, T Goto, K Sato, T Abukawa, M Tachiki, H Kawarada

    SURFACE SCIENCE　529　(1-2)　180-188　2003/04

    DOI： 10.1016/S0039-6028(03)00241-3 　

    ISSN： 0039-6028

  63. Electron spectroscopy and diffraction study of the origin of CVD diamond surface conductivity Peer-reviewed

    S Kono, T Takano, M Shimomura, T Goto, K Sato, T Abukawa, M Tachiki, H Kawarada

    NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY　13　(5)　247-255　2003

    ISSN： 1344-9931

  64. Atomistic morphology and structure of ethylene-chemisorbed Si(001)2 x 1 surface Peer-reviewed

    M Shimomura, M Munakata, A Iwasaki, M Ikeda, T Abukawa, K Sato, T Kawawa, H Shimizu, N Nagashima, S Kono

    SURFACE SCIENCE　504　(1-3)　19-27　2002/04

    DOI： 10.1016/S0039-6028(02)01157-3 　

    ISSN： 0039-6028

  65. Photoelectron diffraction study of the Si 2p surface-core-level-shift of the Si(0 0 1)(1 × 2)-Sb surface Peer-reviewed

    M. Shimomura, T. Abukawa, K. Yoshimura, J. H. Oh, H. W. Yeom, S. Kono

    Surface Science　493　(1-3)　23-28　2001/11/01

    DOI： 10.1016/S0039-6028(01)01184-0 　

    ISSN： 0039-6028

  66. Secondary-electron and field-emission spectroscopy/microscopy studies of chemical vapor deposition grown diamond particles Peer-reviewed

    S. Kono, T. Goto, K. Sato, T. Abukawa, M. Kitabatake, A. Watanabe, M. Deguchi

    Surface Science　493　(1-3)　610-618　2001/11/01

    DOI： 10.1016/S0039-6028(01)01273-0 　

    ISSN： 0039-6028

  67. Surface Structural Analysis by Correlated Thermal Diffuse Scattering Peer-reviewed

    Tadashi Abukawa

    Solid State Physics　36　571-578　2001/04

  68. Direct Surface Structural Analysis by Correlated Thermal Diffuse Scattering of Electron Peer-reviewed

    Tadashi Abukawa, Shozo Kono

    Journal of the Surface Science Society of Japan　22　(12)　781-788　2001/04

    Publisher: The Surface Science Society of Japan

    DOI： 10.1380/jsssj.22.781 　

    ISSN： 0388-5321

    More details Close

    A new tool for surface structure analysis, thermal diffuse scattering (CTDS), is reviewed. The principle of CTDS is based on a very simple diffraction phenomenon, which is induced by a strong vibrational correlation between neighbor atoms, and could be considered as a diffraction of nearest neighbor atoms. Simple intensity oscillations are experimentally corrected by the medium energy electron diffraction with a very-grazing-incidence condition. Accurate bond lengths and bond orientations are obtained from a three-dimensional Patterson function, which is a Fourier transform of the CTDS pattern, i.e. the simple intensity oscillation of thermal diffuse scattering. The potentia of CTDS as a direct surface structural tool has been reviewed with an application to a Si(111)√3×√3-In surface.

  69. UHV μ-electron beam evaluation of the CVD diamond particles grown on Si (001) Peer-reviewed

    S. Kono, T. Goto, T. Abukawa, Y. Takakuwa, K. Sato, H. Yagi, T. Ito

    Diamond and Related Materials　10　(1)　48-58　2001/01

    DOI： 10.1016/S0925-9635(00)00369-1 　

    ISSN： 0925-9635

  70. Field-emission spectroscopy/microscopy studies of chemical-vapor-deposition-grown diamond particles Peer-reviewed

    S Kono, T Goto, K Sato, T Abukawa, M Kitabatake, A Watanabe, M Deguchi

    NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY　11　(5)　299-306　2001

    ISSN： 1344-9931

  71. Direct method of surface structure determination by Patterson analysis of correlated thermal diffuse scattering for Si(001)2×1 Peer-reviewed

    T. Abukawa, C. M. Wei, K. Yoshimura, S. Kono

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　62　(23)　16069-16073　2000/12/15

    DOI： 10.1103/PhysRevB.62.16069 　

    ISSN： 0163-1829

  72. Surface order evaluation of the heteroepitaxial diamond film grown on an inclined beta-SiC(001) Peer-reviewed

    S Kono, T Goto, T Abukawa, C Wild, P Koidl, H Kawarada

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　39　(7B)　4372-4373　2000/07

    ISSN： 0021-4922

  73. Electronic states for InAs(111)A-(2 x 2)S surface studied by angle-resolved photoemission spectroscopy Peer-reviewed

    S Ichikawa, N Sanada, M Shimomura, T Abukawa, S Kono, Y Fukuda

    SURFACE SCIENCE　454　509-513　2000/05

    ISSN： 0039-6028

  74. Structure of an InAs(111)A-(2X2)S surface studied by scanning tunneling microscopy, photoelectron spectroscopy, and X-ray photoelectron diffraction Peer-reviewed

    S Ichikawa, N Sanada, S Mochizuki, Y Esaki, Y Fukuda, M Shimomura, T Abukawa, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B　61　(19)　12982-12987　2000/05

    ISSN： 1098-0121

    eISSN： 1550-235X

  75. Direct method of surface structure determination by Patterson analysis of correlated thermal diffuse scattering for Si(001)2x1

    ABUKAWA T.

    Physical Review. B　62　(23)　16069-16073　2000

    Publisher: American Physical Society

    DOI： 10.1103/PhysRevB.62.16069 　

    ISSN： 1098-0121

  76. Assessment of correlated thermal diffuse scattering as a direct structural method on the multielement surface system of Si(111)(√3 × √3)-In Peer-reviewed

    T. Abukawa, K. Yoshimura, S. Kono

    Surface Review and Letters　7　(5-6)　547-553　2000

    DOI： 10.1016/S0218-625X(00)00058-0 　

    ISSN： 0218-625X

  77. Structure of Si(001)-(4x3)-In surface studied by X-ray photoelectron diffraction Peer-reviewed

    M Shimomura, T Nakamura, KS Kim, T Abukawa, J Tani, S Kono

    SURFACE REVIEW AND LETTERS　6　(6)　1097-1102　1999/12

    ISSN： 0218-625X

  78. Formation of single domain Si(001)4 x 3-In surface by surface electromigration Peer-reviewed

    S Kono, T Goto, M Shimomura, T Abukawa

    SURFACE SCIENCE　438　(1-3)　83-90　1999/09

    ISSN： 0039-6028

  79. Photoelectron diffraction study of the surfaces of Si(111)root 3X root 3-Al and -In with Mo M-zeta and Cr L-alpha lines Peer-reviewed

    S Sumitani, T Abukawa, R Kosugi, S Suzuki, S Sato, S Kono

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA　101　245-250　1999/06

    ISSN： 0368-2048

  80. Real-time monitoring of the Si carbonization process by a combined method of reflection high-energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy Peer-reviewed

    R Kosugi, Y Takakuwa, KS Kim, T Abukawa, S Kono

    APPLIED PHYSICS LETTERS　74　(26)　3939-3941　1999/06

    DOI： 10.1063/1.124230 　

    ISSN： 0003-6951

  81. Photoelectron diffraction study of the Si(001)c(4X4)-C surface Peer-reviewed

    R Kosugi, T Abukawa, M Shimomura, S Sumitani, HW Yeom, T Hanano, K Tono, S Suzuki, S Sato, T Ohta, S Kono, Y Takakuwa

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA　101　239-243　1999/06

    DOI： 10.1016/S0368-2048(98)00452-6 　

    ISSN： 0368-2048

  82. Crystallinity evaluation of phosphorus-doped n-type diamond thin film Peer-reviewed

    M Shimomura, T Nishimori, T Abukawa, Y Takakuwa, H Sakamoto, S Kono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　85　(7)　3931-3933　1999/04

    DOI： 10.1063/1.369769 　

    ISSN： 0021-8979

    eISSN： 1089-7550

  83. Surface structural study by Patterson analysis of thermal diffuse scattering Peer-reviewed

    虻川 匡司

    Journal of the surface science society of Japan.　20　(8)　535-542　1999/04

    DOI： 10.1380/jsssj.20.535 　

  84. Surface electromigration of metals on Si(001): In/Si(001) Peer-reviewed

    S. Kono, T. Goto, Y. Ogura, T. Abukawa

    Surface Science　420　(2-3)　200-212　1999/01/20

    Publisher: Elsevier

    DOI： 10.1016/S0039-6028(98)00825-5 　

    ISSN： 0039-6028

  85. X-ray photoelectron diffraction and surface core-level shift study of clean InP (001) Peer-reviewed

    M. Shimomura, N. Sanada, G. Kaneda, T. Takeuchi, Y. Suzuki, Y. Fukuda, W. R.A. Huff, T. Abukawa, S. Kono, H. W. Yeom, A. Kakizaki

    Surface Science　412-413　625-630　1998/09/03

    Publisher: Elsevier

    DOI： 10.1016/S0039-6028(98)00494-4 　

    ISSN： 0039-6028

  86. X-ray photoelectron diffraction study of Si(001)c(4 × 4)-C surface Peer-reviewed

    R. Kosugi, S. Sumitani, T. Abukawa, Y. Takakuwa, S. Suzuki, S. Sato, S. Kono

    Surface Science　412-413　125-131　1998/09/03

    Publisher: Elsevier

    DOI： 10.1016/S0039-6028(98)00377-X 　

    ISSN： 0039-6028

  87. Angle-resolved photoelectron spectroscopy study of the InP(100)-(2x4) surface electronic structure Peer-reviewed

    WRA Huff, M Shimomura, N Sanada, G Kaneda, T Takeuchi, Y Suzuki, HW Yeom, T Abukawa, S Kono, Y Fukuda

    PHYSICAL REVIEW B　57　(16)　10132-10137　1998/04

    ISSN： 1098-0121

    eISSN： 1550-235X

  88. Anomalous diffraction effect on the surface core-level photoemission from Si(001)2x1-Cs surface Peer-reviewed

    Abukawa, T., Johansson, L.S.O., Bullock, E.L., Patthey, L., Kono, S.

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena　88-91　539-543　1998/04

    DOI： 10.1016/S0368-2048(97)00159-X 　

    ISSN： 0368-2048

  89. Dimer structure of clean Si(001) surface studied by grazing-incidence back-scattering MEED Peer-reviewed

    Abukawa, T., Shimatani, T., Kimura, M., Takakuwa, Y., Muramatsu, N., Hanano, T., Goto, T., Huff, W.R.A., Kono, S.

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena　88-91　533-538　1998/04

    DOI： 10.1016/S0368-2048(97)00270-3 　

    ISSN： 0368-2048

  90. InP(100)(2x4) Surface Electronic Structure Studied by Angle-resolved Photoelectron Spectroscopy Peer-reviewed

    Huff, W.R.A., Shimomura, M., Sanada, N., Kaneda, G., Takeuchi, T., Suzuki, Y., Yeom, H.W., Abukawa, T., Kono, S., Fukuda, Y.

    J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom.　88/91/,609　1998/04

    DOI： 10.1016/S0368-2048(97)00266-1 　

    ISSN： 0368-2048

  91. RHEED-AES Observation of In Desorption on a Single-domain Si(001)2x1 Surface Peer-reviewed

    Kim, K.-S., Takakuwa, Y., Abukawa, T., Kono, S.

    Surface Science　410　(1)　99　1998/04

    DOI： 10.1016/S0039-6028(98)00305-7 　

    ISSN： 0039-6028

  92. Surface-core-level-shift Low-energy Photoelectron Diffraction : The 2xl-Si(001)surface Peer-reviewed

    虻川 匡司

    Physical Review B　57　14739　1998/04

    DOI： 10.1103/PhysRevB.57.14739 　

  93. RHEED-AES observation of Sb surface segregation during Sb-mediated Si MBE on Si(0 0 1) Peer-reviewed

    KS Kim, Y Takakuwa, T Abukawa, S Kono

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　186　(1-2)　95-103　1998/03

    DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00459-4 　

    ISSN： 0022-0248

    eISSN： 1873-5002

  94. Anisotropy of the spin-orbit branching ratio in angle-resolved photoemission from adsorbate layers

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, S Fujimori, T Okane, Y Ogura, T Miura, S Sato, A Kakizaki, S Kono

    SURFACE SCIENCE　395　(2-3)　L236-L241　1998/01

    DOI： 10.1016/S0039-6028(97)00832-7 　

    ISSN： 0039-6028

  95. The overlayer structure on the Si(001)-(2×3)-Ag surface determined by X-ray photoelectron diffraction Peer-reviewed

    M. Shimomura, T. Abukawa, M. Higa, M. Nakamura, S. M. Shivaprasad, H. W. Yeom, S. Suzuki, S. Sato, J. Tani, S. Kono

    Surface Review and Letters　5　(5)　953-958　1998

    Publisher: World Scientific Publishing Co. Pte Ltd

    DOI： 10.1142/S0218625X98001286 　

    ISSN： 0218-625X

  96. RHEED-AES observation of Sb desorption on a single-domain Si(001)2x1 surface Peer-reviewed

    K. S. Kim, Y. Takakuwa, T. Abukawa, S. Kono

    Journal of The Surface Science Society of Japan　18　(8)　501-505　1997/08

    Publisher: The Surface Science Society of Japan

    DOI： 10.1380/jsssj.18.501 　

    ISSN： 0388-5321

    More details Close

    Sb desorption on a single-domain Si(001)2×1 surface has been studied using grazing-incidence reflection high energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy (RHEED-AES). From the time evolution of Sb coverage, θSb, during Sb desorption as monitored from Sb MNN Auger spectra, we have found that the Sb desorption kinetics are divided into two coverage regions; (I) 1 ML>θSb>0.3 ML and (II) 0.3 ML>θSb>0 ML. It was also found that the Sb desorption is a first-order reaction in each coverage region with activation energies of (I) 3.61 eV and (II) 3.63 eV and pre-exponential factors of desorption coefficient of (I) 2.9×1015 S-1 and (II) 5.0×1015 S-1. This difference in pre-exponential factor is explained in term of the change in the morphology and structure of Sb layer as monitored by RHEED.

  97. Electronic structures of the Si(001)2x3-In surface Peer-reviewed

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, Y Mori, T Shimatani, A Kakizaki, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B　55　(23)　15669-15674　1997/06

    DOI： 10.1103/PhysRevB.55.15669 　

    ISSN： 0163-1829

  98. Atomic geometry of mixed Ge-Si dimers in the initial-stage growth of Ge on Si(001)2x1 Peer-reviewed

    Chen, X, DK Saldin, EL Bullock, L Patthey, LSO Johansson, J Tani, T Abukawa, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B　55　(12)　R7319-R7322　1997/03

    ISSN： 2469-9950

    eISSN： 2469-9969

  99. Electronic structures of the Si(001)2×3-In surface Peer-reviewed

    H. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, Y. Mori, T. Shimatani

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　55　(23)　15669-15674　1997

    DOI： 10.1103/PhysRevB.55.15669 　

    ISSN： 1550-235X 1098-0121

  100. Critical thickness for the solid phase epitaxy: Si/Sb/Si(001) Peer-reviewed

    S Kono, T Goto, Y Ogura, T Abukawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　35　(9B)　L1211-L1214　1996/09

    ISSN： 0021-4922

  101. Initial stage growth and interface formation of Al on Si(001)2x1 Peer-reviewed

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, M Nakamura, M Kimura, A Kakizaki, S Kono

    SURFACE SCIENCE　365　(2)　328-336　1996/09

    ISSN： 0039-6028

  102. Surface core levels of In adsorption on Si(001)2x1 Peer-reviewed

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, Y Mori, T Shimatani, A Kakizaki, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B　54　(7)　4456-4459　1996/08

    ISSN： 0163-1829

  103. Multiple scattering study of X-ray photoelectron diffraction from Si(111)-root 3x root 3-Ag surface Peer-reviewed

    Chen, X, T Abukawa, J Tani, S Kono

    SURFACE SCIENCE　357　(1-3)　560-564　1996/06

    ISSN： 0039-6028

  104. Multiple scattering effects on X-ray photoelectron diffraction from Si(111) root 3x root 3-Ag and -Sb surfaces Peer-reviewed

    Chen, X, T Abukawa, S Kono

    SURFACE SCIENCE　356　(1-3)　28-38　1996/06

    ISSN： 0039-6028

  105. Multiple scattering study of synchrotron radiation photoelectron diffraction from Si(001)2x2-In surface Peer-reviewed

    Chen, X, HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, T Shimatani, Y Mori, A Kakizaki, S Kono

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA　80　147-150　1996/05

    ISSN： 0368-2048

  106. An angle-resolved photoelectron spectroscopy study of the electronic structures of Si(001)2x2-Al and -In surfaces Peer-reviewed

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, M Nakamura, M Kimura, T Shimatani, Y Mori, A Kakizaki, S Kono

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA　80　177-180　1996/05

    ISSN： 0368-2048

  107. Surface electronic structure of Si(001)2×2-In studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy Peer-reviewed

    H. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, Y. Mori, T. Shimatani

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　53　(4)　1948-1957　1996

    DOI： 10.1103/PhysRevB.53.1948 　

    ISSN： 1550-235X 1098-0121

  108. Surface core levels of In adsorption on Si(001)2×1 Peer-reviewed

    H. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, Y. Mori, T. Shimatani

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　54　(7)　4456-4459　1996

    DOI： 10.1103/PhysRevB.54.4456 　

    ISSN： 1550-235X 1098-0121

  109. Core-level photoemission study of the Si(111)4x1-In surface Peer-reviewed

    T. Abukawa, M. Sasaki, F. Hisamatsu, M. Nakamura, Toyohiko Kinoshita, A. Kakizaki, T. Goto, S. Kono

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena　80　233-236　1996

    Publisher: Elsevier

    DOI： 10.1016/0368-2048(96)02964-7 　

    ISSN： 0368-2048

  110. Ag adsorption on a single domain Si(001)2 × 1 surface studied by electron and photoelectron diffraction Peer-reviewed

    S. M. Shivaprasad, T. Abukawa, H. W. Yeom, M. Nakamura, S. Suzuki, S. Sato, K. Sakamoto, T. Sakamoto, S. Kono

    Surface Science　344　(3)　L1245-L1251　1995/12/30

    DOI： 10.1016/0039-6028(95)01002-5 　

    ISSN： 0039-6028

  111. Initial stage growth of In and A1 on a single-domain Si(001)2 × 1 surface Peer-reviewed

    H. W. Yeom, T. Abukawa, M. Nakamura, S. Suzuki, S. Sato, K. Sakamoto, T. Sakamoto, S. Kono

    Surface Science　341　(3)　328-334　1995/11/10

    DOI： 10.1016/0039-6028(95)00688-5 　

    ISSN： 0039-6028

  112. Direct determination of In-dimer orientation of Si(001)2 × 3-In and 2 × 2-In surfaces Peer-reviewed

    H. W. Yeom, T. Abukawa, M. Nakamura, X. Chen, S. Suzuki, S. Sato, K. Sakamoto, T. Sakamoto, S. Kono

    Surface Science　340　(1-2)　L983-L987　1995/10/10

    DOI： 10.1016/0039-6028(95)00722-9 　

    ISSN： 0039-6028

  113. MG-INDUCED SI(111)3X1 STRUCTURE STUDIED BY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY

    KS AN, RJ PARK, JS KIM, CY PARK, CY KIM, JW CHUNG, T ABUKAWA, S KONO, T KINOSHITA, A KAKIZAKI, T ISHII

    SURFACE SCIENCE　337　(1-2)　L789-L794　1995/08

    DOI： 10.1016/0039-6028(95)80037-9 　

    ISSN： 0039-6028

  114. Initial stage growth and electronic structure of Al overlayer on a single-domain Si(100)2x1 surface Peer-reviewed

    H. W. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, M. Nakamura, M. Kimura, A. Kakizaki, S. Suzuki, S. Sato, S. Kono

    Journal of The Surface Science Society of Japan　16　(7)　441-447　1995/07

    Publisher: The Surface Science Society of Japan

    DOI： 10.1380/jsssj.16.441 　

    ISSN： 0388-5321

    More details Close

    Initial stage growth and electronic structures of Al overlayer on a wide-terrace single-domain Si(001)2×1 surface has been studied by low-energy-electron-diffraction (LEED) and photoelectron spectroscopy. The sequences of 2D phases found by LEED for Al coverages ≤ 0.5 ML at RT and 300°C are interpreted on the basis of an order-disorder transition of arrays of one-dimensional Al-dimer chains. The detailed electronic structure of 2×2 phase formed at ∼0.5 ML has been studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) using synchrotron radiation. The existence and dispersions of five different surface states are identified for the first time, one at binding energies a little less than 1 eV and the others between 1 and 2 eV. The origin of the surface states can be interpreted in terms of the Al-dimer structures on Si(001).

  115. Angle-scanned photoelectron diffraction Peer-reviewed

    Osterwalder, J., Aebi, P., Fasel, R., Naumovic, D., Schwaller, P., Kreutz, T., Schlapbach, L., Abukawa, T., Kono, S.

    Surface Science　331　(PART B)　1002　1995/04

    DOI： 10.1016/0039-6028(95)00076-3 　

    ISSN： 0039-6028

  116. Dynamical analysis of X-ray photoelectron diffraction from W(001)c(2x2)-Ag and-Au Peer-reviewed

    虻川 匡司

    Surface Review and Letters　2　795　1995/04

  117. SURFACE CORE-LEVEL PHOTOELECTRON DIFFRACTION FROM SI DIMERS AT THE SI(001)-(2X1) SURFACE Peer-reviewed

    EL BULLOCK, R GUNNELLA, L PATTHEY, T ABUKAWA, S KONO, CR NATOLI, LSO JOHANSSON

    PHYSICAL REVIEW LETTERS　74　(14)　2756-2759　1995/04

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.74.2756 　

    ISSN： 0031-9007

  118. アルカリ金属吸着Si(001)2#Sx#SR1表面の電子状態 Peer-reviewed

    虻川 匡司

    放射光　8　(1)　80　1995/04

  119. Initial interface formation study of the Mg/Si(111) system

    K. S. An, R. J. Park, J. S. Kim, C. Y. Park, S. B. Lee, T. Abukawa, S. Kono, T. Kinoshita, A. Kakizaki, T. Ishii

    Journal of Applied Physics　78　(2)　1151-1155　1995

    DOI： 10.1063/1.360349 　

    ISSN： 0021-8979

  120. Mixed Ge-Si dimer growth at the Ge/Si(001)- (2×1) surface Peer-reviewed

    L. Patthey, E. L. Bullock, T. Abukawa, S. Kono, L. S.O. Johansson

    Physical Review Letters　75　(13)　2538-2541　1995

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.75.2538 　

    ISSN： 0031-9007

  121. Structural determination of a W(001)c(2×2)-Ag surface by x-ray photoelectron diffraction with multiple-scattering analysis Peer-reviewed

    X. Chen, T. Abukawa, J. Tani, S. Kono

    Physical Review B　52　(16)　12380-12385　1995

    DOI： 10.1103/PhysRevB.52.12380 　

    ISSN： 0163-1829

  122. Surface electronic structure of single-domain Si( 001) 2 × 2-Al: an angle-resolved photoelectron spectroscopy study using synchrotron radiation Peer-reviewed

    H. W. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, M. Nakamura, M. Kimura, A. Kakizaki, S. Kono

    Surface Science　321　(3)　L177-L182　1994/12/20

    DOI： 10.1016/0039-6028(94)90171-6 　

    ISSN： 0039-6028

  123. Auger electron diffraction study of the initial stage of Ge heteroepitaxy on Si(001) Peer-reviewed

    M. Sasaki, T. Abukawa, H. W. Yeom, M. Yamada, S. Suzuki, S. Sato, S. Kono

    Applied Surface Science　82-83　(C)　387-393　1994/12/02

    DOI： 10.1016/0169-4332(94)90246-1 　

    ISSN： 0169-4332

  124. X-RAY PHOTOELECTRON DIFFRACTION STUDY OF THE STRUCTURES OF W(001)C(2X2)-AU AND W(001)C(2X2)-AG SURFACES Peer-reviewed

    H TAKAHASHI, M SASAKI, S SUZUKI, S SATO, T ABUKAWA, S KONO, J OSTERWALDER

    SURFACE SCIENCE　304　(1-2)　65-73　1994/03

    ISSN： 0039-6028

  125. Angle-resolved photoemission study of a single-domain Si(001)2 × 1-Na surface with synchrotron radiation Peer-reviewed

    T. Abukawa, T. Kashiwakura, T. Okane, H. Takahashi, S. Suzuki, S. Kono, S. Sato, T. Kinoshita, A. Kakizaki, T. Ishii, C. Y. Park, K. A. Kang, K. Sakamoto, T. Sakamoto

    Surface Science　303　(1-2)　146-152　1994/02/10

    DOI： 10.1016/0039-6028(94)90627-0 　

    ISSN： 0039-6028

  126. Angle-resolved photoemission study of a single-domain Si(001)2#Sx#SR1-K surface with synchrotron radiation : Symmetry and dispersion of surface states Peer-reviewed

    Abukawa, T., Kashiwakura, T., Okane, T., Sasaki, Y., Takahashi, H., Enta, Y., Suzuki, S., Kono, S., Sato, S., Kinoshita, T., Kakizaki, A., Ishii, T., Park, C.Y., Yu, S.W., Sakamoto, K., Sakamoto, T.

    Surface Science　261　(1-3)　1992/04

    DOI： 10.1016/0039-6028(92)90233-V 　

    ISSN： 0039-6028

  127. Low energy electron diffraction and X-ray photoelectron diffraction study of the Cs/Si(001) surface: dependence on Cs coverage Peer-reviewed

    T. Abukawa, T. Okane, S. Kono

    Surface Science　256　(3)　370-378　1991/10/02

    DOI： 10.1016/0039-6028(91)90879-W 　

    ISSN： 0039-6028

  128. VUV and Soft-X-Ray Photoemission Studies of Electronic and Atomic Structures of Metal-Overlayers on Silicon Surfaces Peer-reviewed

    S. Kono, Y. Enta, T. Abukawa, N. Nakamura, K. Anno, S. Suzuki

    Physica Scripta　1990　(31)　96-102　1990/01/01

    DOI： 10.1088/0031-8949/1990/T31/013 　

    ISSN： 1402-4896 0031-8949

  129. VUV AND SOFT-X-RAY PHOTOEMISSION-STUDIES OF ELECTRONIC AND ATOMIC STRUCTURES OF METAL-OVERLAYERS ON SILICON SURFACES Peer-reviewed

    S KONO, Y ENTA, T ABUKAWA, N NAKAMURA, K ANNO, S SUZUKI

    PHYSICA SCRIPTA　T31　96-102　1990

    ISSN： 0281-1847

  130. Photoemission study of the negative electron affinity surfaces of O/Cs/Si(001)2x 1 and O/K/Si(001)2x 1 Peer-reviewed

    T. Abukawa, Y. Enta, T. Kashiwakura, S. Suzuki, S. Kono

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　8　(4)　3205-3209　1990

    DOI： 10.1116/1.576564 　

    ISSN： 1520-8559 0734-2101

  131. PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY AND PHOTOELECTRON DIFFRACTION STUDIES OF SI(001)2 X 1-K AND -CS SURFACES

    S KONO, Y ENTA, T ABUKAWA, T KINOSHITA, T SAKAMOTO

    APPLIED SURFACE SCIENCE　41-2　75-81　1989/11

    DOI： 10.1016/0169-4332(89)90036-6 　

    ISSN： 0169-4332

  132. REINVESTIGATION OF THE STRUCTURE OF SI(111) SQUARE-ROOT-3 X SQUARE-ROOT-3-AG SURFACE Peer-reviewed

    S KONO, T ABUKAWA, N NAKAMURA, K ANNO

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　28　(7)　L1278-L1281　1989/07

    ISSN： 0021-4922

  133. PHOTOELECTRON DIFFRACTION AND LOW-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION STUDIES OF CS, K/SI(001) SURFACES Peer-reviewed

    T ABUKAWA, S KONO

    SURFACE SCIENCE　214　(1-2)　141-148　1989/04

    ISSN： 0039-6028

  134. Reinvestigation of the structure of si(111)√3×√3−Ag Surface

    Kono, S., Abukawa, T., Nakamura, N., Anno, K.-I.

    Japanese Journal of Applied Physics　28　(7 A)　1989

    DOI： 10.1143/JJAP.28.L1278 　

    ISSN： 1347-4065 0021-4922

  135. Structural model for the negative electron affinity surface of O/Cs/Si(001)2×1 Peer-reviewed

    Tadashi Abukawa, Shozo Kono, Tsunenori Sakamoto

    Japanese Journal of Applied Physics　28　(2 A)　L303-L305　1989

    DOI： 10.1143/JJAP.28.L303 　

    ISSN： 1347-4065 0021-4922

  136. LOW-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION AND X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY STUDIES OF THE FORMATION OF SUBMONOLAYER INTERFACES OF SB/SI(111)

    CY PARK, T ABUKAWA, T KINOSHITA, Y ENTA, S KONO

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　27　(1)　147-148　1988/01

    DOI： 10.1143/JJAP.27.147 　

    ISSN： 0021-4922

  137. ANALYSIS OF THE ATOMIC-STRUCTURE OF THE SI(111) SQUARE-ROOT-3 X SQUARE-ROOT-3-BI - SURFACE BY X-RAY PHOTOELECTRON DIFFRACTION Peer-reviewed

    CY PARK, T ABUKAWA, K HIGASHIYAMA, S KONO

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　26　(8)　L1335-L1337　1987/08

    ISSN： 0021-4922

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Misc. 101

  1. 反射高速電子回折法で複雑な表面構造をモデルフリーに決定 Invited Peer-reviewed

    青山大晃, 虻川匡司

    日本物理学会誌　78　(9)　536-541　2023/09

  2. Millisecond-order temporal-resolution synchrotron X-ray tomography Invited Peer-reviewed

    Journal of JSSRR　36　(4)　167-175　2023/07

  3. ガスバリア特性評価のためのグラフェン用触媒金属膜の検討

    小川修一, 山田貴壽, 津田泰孝, 吉越章隆, 虻川匡司

    日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集　2020 (CD-ROM)　2021

  4. XPS Measurement of Trace Dopants in Bilayer Graphene using Active Shirley Method

    小川修一, 山田貴壽, 沖川侑揮, 増澤智昭, 津田泰孝, 吉越章隆, 虻川匡司

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　82nd　2021

  5. Si(551)および(15 17 3)表面の構造解析

    青山大晃, 内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集　2020 (CD-ROM)　2021

  6. Structural analysis of Si(551) surface: I

    内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　75　(2)　2020

    ISSN： 2189-079X

  7. Structural analysis of Si(551) surface by W-RHEED and STM

    内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)　2020　2020

    ISSN： 2434-8589

  8. New 3GeV Synchrotron Radiation Facility Project, SLiT-J : A Promising Tool to Accelerate a Strategy for Hydrogen and Fuel Cells

    渡邉 真史, 虻川 匡司, 矢代 航, 江島 丈雄, 小田島 肇, 高田 昌樹

    燃料電池　17　(3)　56-63　2018

    Publisher: 燃料電池開発情報センター

    ISSN： 1346-6623

  9. Material deformation by using new 3GeV synchrotron light source

    Tadashi Abukawa, Wataru Yashiro, Takeo Ejima, Masashi Watanabe, Nobuyuki Nishimori, Sadao Miura, Hiroyuki Hama, Masaki Takata

    Proceedings of the International Display Workshops　1　584-586　2017/01/01

    ISSN： 1883-2490

  10. 日本における超高速電子顕微鏡開発の現状 ストリーク法を利用した時間分解反射高速電子回折法

    虻川匡司

    顕微鏡　50　(3)　170‐172-163　2015/12/30

    Publisher: 日本顕微鏡学会

    ISSN： 1349-0958

  11. 10aAS-9 Phase transition of Si surfaces by Streak-camera Reflection High-energy electron diffraction

    Mukojima Kenta, Abukawa Tadashi

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　69　(2)　676-676　2014/08/22

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  12. 9aAS-6 Surface structures of metal adsorbed semiconductor surfaces(Physics of Metal-Adsorbed Semiconductor Surfaces-Looking back over the last 30 years and surveying the next 10 years prospects-)

    Abukawa Tadashi

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　69　(2)　654-654　2014/08/22

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  13. Temporal transitions of 2D diffraction pattern measured by the streak-camera RHEED

    Mukojima K., Kanzaki S., Abukawa T.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　68　(2)　805-805　2013/08/26

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  14. Structure analysis of Si(111)-√7×√3-In surface using Weissenberg RHEED

    Kanzaki S., Mukojima K., Abukawa T.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　68　(2)　805-805　2013/08/26

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  15. 26aXZA-3 Structural analysis of Si(111)-5x2-Au surface by Weissenberg RHEED

    Abukawa Tadashi, Nishigaya Yoshiki

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　68　(1)　967-967　2013/03/26

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  16. 18pFN-7 How to write an abstract for the JPS Meeting

    Kawanishi K., Abukawa T.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　67　(2)　819-819　2012/08/24

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  17. 25pCK-8 Phase Transition Dynamics of Si(111)7x7 Studied by Streak-camera RHEED

    Kawanishi K., Nishigaya Y., Abukawa T.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　67　(1)　950-950　2012/03/05

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  18. Secondary Electrons Still Hold Crystal Information in the Form of a Negative Replica of Photoelectron Diffraction

    T. Abukawa

    JPSJ Online―News and Comments [January 6, 2012]　2012/01

  19. 22pHA-11 Streak RHEED study of change of Si(111)7×7 surface structure induced by laser irradiation

    Sato Katsuyoshi, Kawanishi Kouta, Abukawa Tadashi

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　66　(2)　923-923　2011/08/24

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  20. 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開

    高桑雄二, 虻川匡司, 小川修一

    Mater Integr　24　(4/5)　147-154　2011/06/01

    ISSN： 1344-7858

  21. 25aTG-7 Phase-transition dynamics of Si(111)7x7 to 1x1 by Streak RHEED

    Sato Katsuyoshi, Abukawa Tadashi

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　66　(1)　903-903　2011/03/03

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  22. 21pHT-4 Development of Weissenberg RHEED

    Abukawa Tadashi

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　65　(1)　991-991　2010/03/01

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  23. 25pTE-7 Effects of interface Mg and SiO_2 layers for MgO growth on Si(001) surface

    Sato S., Abukawa T.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　63　(1)　897-897　2008/02/29

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  24. 21aXK-5 MgO epitaxial growth on Si(001) surface

    Sato S., Abukawa T.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　62　(2)　909-909　2007/08/21

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  25. Reciprocal Space Measurement by Electron Diffractions

    虻川匡司

    表面科学　28　(6)　333-336　2007/06/10

    Publisher: The Surface Science Society of Japan

    DOI： 10.1380/jsssj.28.333 　

    ISSN： 0388-5321

    More details Close

    New approaches in the measurements and analyses with LEED and RHEED lead us to another view of these techniques as a scan method for a wide-range of crystal reciprocal space. Recent progress of the constant momentum-transfer averaging (CMTA) method for LEED structure analysis and development of Weissenberg RHEED method, in which a principle of a Weissenberg Camera for X-ray crystallography was imported to RHEED measurements, are briefly introduced in this review. Both methods capture a huge number of diffraction patterns, and can survey a crystal reciprocal space in three dimension. It is possible to determine the surface structure directly from a simple analysis based on a Fourier transformation of the obtained reciprocal data.

  26. 22aYE-5 Study of iron silicide on Si(111) by φ-scan RHEED : II

    Fujisaki D., Takahashi N., Abukawa T.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　60　(2)　786-786　2005/08/19

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  27. 26pXC-8 Adsorption of pyrrole and pyrazine on Si(001)-2×1

    Shimomura M., Abukawa T., Kono S., Fukuda Y.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　60　(1)　870-870　2005/03/04

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  28. 24aPS-143 Study of iron silicide on Si(111) by φ-scan RHEED.

    Fujisaki D., Takahashi N., Abukawa T.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　60　(1)　838-838　2005/03/04

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  29. CVDダイヤモンド表面伝導の起源について

    河野省三, 白石基哉, 後藤忠彦, 虻川匡司, 立木実, 川原田洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　18th　180-181　2004/11/29

  30. UHV中におけるCVDダイヤモンド表面シート抵抗とフェルミ準位

    河野省三, 後藤忠彦, 白石基哉, 虻川匡司, 立木実, 川原田洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　65th　(2)　511　2004/09/01

  31. 27pPSA-23 Structural analysis of a Ca/Si(111)-(3×2) surface using X-ray photoelectron diffraction

    Suzuki T, Sakamoto K, Abukawa T, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　59　(0)　894-894　2004

    Publisher: 一般社団法人 日本物理学会

    ISSN： 1342-8349

  32. 2端子プローブによる真空中ダイヤモンド表面電気伝導度測定

    後藤忠彦, 河野省三, 二瓶雄次, 虻川匡司, 山田貴寿, 立木実, 川原田洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　17th　142-143　2003/11/26

  33. Surface structure analysis using azimuthal scan RHEED

    Abukawa T., Yajima K., Yamazaki T.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　58　(2)　832-832　2003/08/15

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  34. 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface

    Gunnella R., Ikejima Y., Abukawa T., Kono S.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　58　(1)　851-851　2003/03/06

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  35. REED study of structural phase transition on Si(111)√<3>x√<3>-Ag surface

    Abukawa T., Yamazaki T., Yajima K., Kono S.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　58　(1)　870-870　2003/03/06

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  36. 27pYF-8 LEED Patterson analysis of Si(111)4x1-In Surface

    Abukawa T., Yamazaki T., Kono S.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　57　(1)　874-874　2002/03/01

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  37. 24pYF-5 TDS and LEED: Semi-direct structure determinationusing Fourier transformation

    Abukawa T.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　57　(1)　824-824　2002/03/01

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  38. Direct Surface Structural Analysis using Electron Thermal Diffuse Scattering

    ABUKAWA Tadashi, KONO Shozo

    Hyomen Kagaku　22　(12)　781-788　2001/12/10

    Publisher: 公益社団法人 日本表面科学会

    DOI： 10.1380/jsssj.22.781 　

    ISSN： 0388-5321

    More details Close

    A new tool for surface structure analysis, thermal diffuse scattering (CTDS), is reviewed. The principle of CTDS is based on a very simple diffraction phenomenon, which is induced by a strong vibrational correlation between neighbor atoms, and could be considered as a diffraction of nearest neighbor atoms. Simple intensity oscillations are experimentally corrected by the medium energy electron diffraction with a very-grazing-incidence condition. Accurate bond lengths and bond orientations are obtained from a three-dimensional Patterson function, which is a Fourier transform of the CTDS pattern, i.e. the simple intensity oscillation of thermal diffuse scattering. The potentia of CTDS as a direct surface structural tool has been reviewed with an application to a Si(111)&amp;radic;3&amp;times;&amp;radic;3-In surface.

  39. Surface Structure Analysis using Thermal Diffuse Scattering.

    虻川匡司

    固体物理　36　(9)　571-578　2001/09/15

    Publisher: アグネ技術センタ-

    ISSN： 0454-4544

  40. Structural analysis of the ethylene and benzene adsorbed Si(001) surface by photoelectron diffraction

    Shimomura M., Munakata M., Abukawa T., Sato K., Kawawa T., Widstrand S. M., Kono S.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　56　(2)　728-728　2001/09/03

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  41. Surface Structural Analysis by Correlated Thermal Diffuse Scattering

    Tadashi Abukawa

    Solid State Physics　36　571-578　2001/04

  42. CVD成長ダイヤモンド(001)表面のAFM陽極化成領域の局所電子分光・回折

    河野省三, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司, 福田徹, 立木実, 川原田洋

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　48th　(2)　588　2001/03/28

  43. Identification of the Si2p surface-core-level-shift component of Si(001)(1×2)-Sb surface by photoelectron diffraction

    Shimomura M., Abukawa T., Yoshimura K., Oh J H., Yeom H W., Kono S.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　55　(2)　796-796　2000/09/10

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  44. Structural analysis of In/Si(111) surfaces by correlated thermal diffuse scattering

    Abukawa T., Yoshimura K., Kono S.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　55　(1)　752-752　2000/03/10

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  45. Structures of the `nanowire' and 2×n of Bi/Si(001)

    M. Shimomura, K. Miki, T. Abukawa, S. Kono

    Surface Science　447　(1)　L169-L174　2000/02/20

    Publisher: Elsevier Science B.V.

    DOI： 10.1016/S0039-6028(99)01206-6 　

    ISSN： 0039-6028

  46. Structure of an InAs(111)A-(2x2)S surface studied by scanning tunneling microscopy, photoelectron spectroscopy, and x-ray photoelectron diffraction

    ICHIKAWA S, SANADA N, MOCHIZUKI S, ESAKI Y, FUKUDA Y, SHIMOMURA M, ABUKAWA T, KONO S

    Physical Review B　61　(19)　12982-12987　2000

    DOI： 10.1103/PhysRevB.61.12982 　

    ISSN： 0163-1829

  47. スェーデンMAX放射光施設を使用して

    虻川匡司

    放射光　12　(5)　411-412　1999/11/30

    ISSN： 0914-9287

  48. 27pY-1 Surface structural study by themal difiuse scattcring Patterson analysis

    ABUKAWA Tadashi

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　54　(2)　844-844　1999/09/03

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  49. 25pW-1 Bismuth line structure formed on Si(001) surface (1) : Structural analysis

    Shimomura M, Miki K, Abukawa T, Kono S

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　54　(2)　802-802　1999/09/03

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  50. Surface Structural Study by Patterson Analysis of Thermal Diffuse Scattering

    ABUKAWA Tadashi, WEI Ching-ming, HANANO Taichi, KONO Shozo

    Journal of the Surface Science Society of Japan　20　(8)　535-542　1999/08/10

    Publisher: 日本表面科学会

    DOI： 10.1380/jsssj.20.535 　

    ISSN： 0388-5321

  51. New method of surface structural probe using thermal diffuse scattering

    ABUKAWA T., WEI C.M, HANANO T., TAKAKUWA Y.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　53　(2)　402-402　1998/09/05

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  52. Structural analysis of the top-most layer of the Si(001)-2×3-Ag surface by x-ray potoelectron diffraction

    SHIMOMURA M., ABUKAWA T., HIGA M., NAKAMURA M., SHIVAPRASAD S.M, YEOM H.W, SUZUKI S., SATO S., TANI J., KONO S.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　53　(2)　372-372　1998/09/05

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  53. RHEED-AES in-situ observation of the carbonization of high-temperature Si(001) surface

    KOSUGI R., TAKAKUWA Y., KIM K.-S, ABUKAWA T., KONO S.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　53　(1)　317-317　1998/03/10

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  54. Structural analysis using photoelectron diffraction at the intermediate energy

    SUMITANI S., ABUKAWA T., KOSUGI R., SUZUKI S., SATO S., KONO S.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　53　(1)　318-318　1998/03/10

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  55. Structural Analysis of an InAs(111)A-(2×2)-S Surface Treated by(NH_4)_2S_x

    Ichikawa Sukenori, Sanada Noriaki, Shimomura Masaru, Abukawa Tadashi, Kono Shozo, Fukuda Yasuo

    Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University　33　55-60　1998

    Publisher: Shizuoka University

    ISSN： 0286-3383

  56. 8a-H-6 Investigation for the buckling dimer structure of Si(001)2x1-Cs surface

    Abukawa T., L.S.O Johansson, E.L Bullok, L Patthey, Kono S.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　52　(2)　378-378　1997/09/16

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  57. 8a-H-7 Surface Electromigration and the Formation of Single-Domain Si(001)4x3-In

    Kono S., Goto T., Abukawa T.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　52　(2)　378-378　1997/09/16

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  58. 5p-B-6 Carbonization process of Ge deposited Si(001)surface

    Kosugi R., Sumitani S., Takakuwa Y., Abukawa T., Suzuki S., Sato S., Kono S.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　52　(2)　337-337　1997/09/16

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  59. Existence of a stable intermixing phase for monolayer Ge on Si(001)

    HW Yeom, M Sasaki, S Suzuki, S Sato, S Hosoi, M Iwabuchi, K Higashiyama, H Fukutani, M Nakamura, T Abukawa, S Kono

    SURFACE SCIENCE　381　(1)　L533-L539　1997/06

    ISSN： 0039-6028

  60. 31a-T-5 Observation of the Si(001)2×1 buckled dimer structure with GBMEED

    Abukawa T, Shimatani T, Kimura M, Takakuwa Y, Muramatsu N, Hanano T, Goto T, Huff W.R.A, Kono S

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　52　(1)　363-363　1997/03/17

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  61. 31a-T-9 X-ray photoelectron diffraction study of the Si(001)c(4×4)-C surface

    Kosugi R, Sumitani S, Abukawa T, Takakuwa Y, Suzuki S, Sato S, Kono S

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　52　(1)　364-364　1997/03/17

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  62. 29p-F-10 Observation of the Surface Electromigration on In/Si(001)

    Ogura Y, Goto T, Abukawa T, Kono S

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　52　(1)　348-348　1997/03/17

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  63. 28a-F-6 RHEED-AES observation of In desorption on a single-domain Si(001)2×1 surface

    Kim Ki-Seon, Takakuwa Yuji, Abukawa Tadashi, Kono Shozo

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　52　(1)　324-324　1997/03/17

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    ISSN： 1342-8349

  64. Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1

    Chen X., Saldin D.K., Bullock E.L., Patthey L., Johansson L.S.O., Tani J., Abukawa T., Kono S.

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Sectional meeting　1996　(2)　639-639　1996/09/13

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  65. Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface

    Yeom H.-W., Abukawa T., Takakuwa Y., Shimatani T., Mori Y., Kakizaki A., Kono S.

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Sectional meeting　1996　(2)　536-536　1996/09/13

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  66. Development of an apparatus for Grazing-incidence Back-scattering MEED and its application to the Si(001)2x1 buckled dimer structure

    Abukawa T., Shimatani T., Kimura M., Takakuwa Y., Muramatsu N., Hanano T., Goto T., Huff W.R.A., Kono S.

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Sectional meeting　1996　(2)　532-532　1996/09/13

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  67. Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction

    Yeom H.-W., Abukawa T., Chen X., Takakuwa Y., Fujimori S., Okane T., Miura T., Ogura Y., Shimatani T., Mori Y., Sato S., Kakizaki A., Kono S.

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Sectional meeting　1996　(2)　537-537　1996/09/13

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  68. Photoelectron spectroscopy. Investigate the electronic state of a solid surface.

    虻川匡司

    光アライアンス　7　(6)　39-42　1996/06

    ISSN： 0917-026X

  69. 31p-PSB-27 Interdiffusion at Ge/Si(001) submonolayer interface

    Nakamura M, Yeom H.W., Abukawa T, Suzuki S, Sato S, Kono S

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Annual meeting　51　(2)　492-492　1996/03/15

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  70. 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface

    Yeom H.-W., Abukawa T, Takakuwa Y, Nakamura M, Shimatani T, Mori Y, Kimura M, Kakizaki A, Kono S

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Annual meeting　51　(2)　500-500　1996/03/15

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  71. 30a-PS-13 STM observation of Ge/Si(001) II : Room temperature adsorption

    Hosoi S., Iwabuchi M., Higashiyama K., Fukutani H., Abukawa T., Kono S., Yeom H.W., Sakamoto K., Sakamoto T.

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Sectional meeting　1995　(2)　515-515　1995/09/12

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  72. 30a-PS-14 STM observation of Ge/Si(001) I : High temperature adsoption (≧350℃)

    Hosoi S., Iwabuchi M., Higashiyama K., Fukutani H., Abukawa T., Kono S., Yeom H.W., Sakamoto K., Sakamoto T.

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Sectional meeting　1995　(2)　516-516　1995/09/12

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  73. 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces

    陳 翔, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　50　(2)　521-521　1995/03/16

    Publisher: 一般社団法人日本物理学会

  74. 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction

    yeom H.W, Abukawa T, Nakamura M, Shivaprasad S.M, Chen X, Suzuki S, Sato S, Kono S

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Annual meeting　50　(2)　519-519　1995/03/16

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  75. Angle-resolved photoemission study : electronic structures of Si surfaces

    Abukawa T, kono S

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Annual meeting　50　(2)　283-283　1995/03/16

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  76. Electronic Structures of the Alkali Metal Adsorbed Si(001)2×1 Surfaces

    ABUKAWA Tadashi, KONO Shozo

    放射光　8　(1)　80-97　1995/02/20

    ISSN： 0914-9287

  77. 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study

    Yeom H.W, Nakamura M, Abukawa T, Kono S, Suzuki S, Sato S

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Sectional meeting　1994　(2)　425-425　1994/08/16

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  78. 31a-WC-11 High Energy-Resolution Core-Level Photoemission Study of a Si(111)4x1-In surface

    Abukawa T, Nakamura M, Hisamatsu F, Goto T, Kono S, Sasaki M, Kinoshita T, Kakizaki A

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Annual meeting　49　(2)　493-493　1994/03/16

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  79. 31p-WC-2 X-ray Photoelectron Diffraction Study of a Surfactant-assisted Ge Epitaxial Growth : Sb/Ge/Si(001)

    Sasaki M, Yeom Woong Han, Abukawa T, Kono S, Kimura M, Suzuki S, Sato S

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Annual meeting　49　(2)　498-498　1994/03/16

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  80. Construction and Characterization of An Upgraded One Dimensional Display Type Electron Energy Analyzer

    Kono Shozo, Hisamatsu Humiaki, Goto Tadahiko, Abukawa Tadashi, Iwabuchi Kenji, Aizawa Katsuo, Yanagida Satomi, Takatoh Syuji, Hayashi Toshinori, Tsukashima Junichi

    Bulletin of the Research Institute for Scientific Measurements, Tohoku University　43　(1)　39-53　1994

    Publisher: Tohoku University

    ISSN： 0040-8689

  81. 15a-DH-7 Structural analysis of Ag/Si(111)√<3>×√<3> and Ag / Ge / Si(111)√<3>×√<3> surface with Auger electron diffrsction and grazing incidence backscatering

    Abukawa T., Goto T., Nakamura N., Kono S.

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Sectional meeting　1993　(2)　557-557　1993/09/20

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  82. 13a-PS-5 Auger Electron Diffraction Study of the Structure of Ge-Adsorbed Si(001)Surface

    Sasaki M., Abukawa T., Kono S., Yamada M., Suzuki S., Sato S.

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Sectional meeting　1993　(2)　499-499　1993/09/20

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  83. 12p-DJ-9 Electronic structure of single-domain Si(111)4x1-In surface with angle-resolved photoelectron spectroscopy

    Abukawa T., Hisamatsu F., Goto T., Kono S., Sasaki M., Kinoshita T., Kakizaki A.

    Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Sectional meeting　1993　(2)　489-489　1993/09/20

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  84. 25p-Z-2 XPD study of W(100) c(2×2)-Au, Ag surfaces

    Takahashi H, Sasaki M, Suzuki S, Sato S, Abukawa T, Kono S

    1992　(2)　452-452　1992/09/14

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  85. 25p-Y-6 Structure-Analysis of In/Si(111) Surface by Grazing-Incidence Back-Scattering Medium Energy Electron Diffraction III

    Nakamura N, Abukawa T, Goto T, Kono S

    1992　(2)　440-440　1992/09/14

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  86. 27p-ZS-9 Study of Si(001)2x1-Na surface by angle-resolved photoemission spectroscopy with syncrotron radiation.

    Abukawa T, Kinosita T, Park C.Y., Kasiwakura T, Okane T, Sasaki Y, Takahashi H, Yu S.W., Kang K.H., Enta Y, Suzuki S, Kono S, Sato S, Kakizaki A, Ishii T, Sakamoto K, Sakamoto T

    47　(2)　437-437　1992/03/12

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  87. 30a-ZD-12 Low energy electron diffection and x-ray photoelectron diffraction study of Si(001)-Na surface

    Abukawa T., Takahashi H., Kono S.

    46　(2)　460-460　1991/09/12

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  88. 25a-R-5 Coverage dependence of K and Na adsorption on a cooled Si(001) surface

    Sasaki Y., Enta Y., Abukawa T., Suzuki S., Kono S.

    1991　(2)　471-471　1991/03/11

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  89. 25p-PS-48 Study of K/Si(001)2x1 Surface by Photoelectron Spectroscopy with Syncrotron Radiation

    Abukawa T., Kinoshita T., Kashiwakura T., Okane T., Enta Y., Kono S., Suzuki S., Kakizaki A., Sato S., Ishii T.

    1991　(2)　482-482　1991/03/11

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  90. 3a-TA-2 Characterization of a GaAs spin-polarized electron source

    Fujii J., Kinoshita T., Kakizaki A., Soda K., Sugawara H., Kono S., Abukawa T., Fukutani H., Ishii S.

    1990　(2)　503-503　1990/09/12

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  91. 4a-PS-30 LEED and XPD study of low temperature Cs/Si(001)surface.

    Abukawa T., Okane T., Kono S.

    1990　(2)　448-448　1990/09/12

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  92. High-Resorution angular Resolved Photoemission Spectroscopy at PF Bl-18A

    Suzuki.S, Kashiwakura.T, Kinoshita.T, Kakizaki.A, Murata.Y, Kubota.M, Fujisawa.M, Suga.S, Kato.H, Abukawa.T, Okane.T, Kono.S, Sato.S, Ishii.T

    1990　(2)　245-245　1990/09/12

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  93. XPD study of Si(001)-Cs surface, dependence on Cs coverage.

    Abukawa T., Kono S.

    45　(2)　444-444　1990/03/16

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  94. 3a-T-9 ARUPS and XPD studies of single-domain NEA 0/alkali/Si (001) 2x1 surfaces

    Enta Y., Abukawa T., Suzuki S., Kono S., Sakamoto T.

    1989　(2)　381-381　1989/09/12

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  95. 29a-TJ-3 Reinvestigation of the Structure of Si(111) √<3>x√<3>-Ag Surface by X-ray Photoelectron Diffraction

    Kono S., Abukawa T., Nakamura N., Anno K.

    44　(2)　382-382　1989/03/28

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

  96. 29a-TJ-9 XPD study of single domain NEA O/Cs/Si(001)2x1 surface

    Abukawa T., Ejima T., Kashiwakura T., Kono S., Sakamoto T.

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　44　(2)　385-385　1989/03/28

    Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)

    DOI： 10.11316/jpsgaiyod.44.2.0_385_2 　

  97. PHOTOELECTRON DIFFRACTION STUDY OF THE ATOMIC GEOMETRY OF THE SI(111)SQUARE-ROOT-3 X SQUARE-ROOT-3-SB SURFACE

    T ABUKAWA, CY PARK, S KONO

    SURFACE SCIENCE　201　(3)　L513-L518　1988/07

    ISSN： 0039-6028

  98. 31a-M2-2 Si(001)_2X1-K表面のX線光電子回折(表面・界面)

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 中村 夏雄, 河野 省三

    年会講演予稿集　43　(0)　326-326　1988

    Publisher: 一般社団法人 日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyod.43.2.0_326_2 　

  99. 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 中村 夏雄, 河野 省三

    秋の分科会予稿集　1988　(0)　353-353　1988

    Publisher: 一般社団法人 日本物理学会

    DOI： 10.11316/jpsgaiyok.1988.2.0_353_2 　

  100. 26a-P-12 Si(111)√<3>×√<3>,Sb表面のXPD

    朴 鍾允, 虻川 匡司, 中村 夏雄, 東山 和幸, 河野 省三

    秋の分科会講演予稿集　1987　(2)　343-343　1987/09/16

    Publisher: 一般社団法人日本物理学会

  101. 30p-H-13 Bi,Sn/Si(111)表面のXPD(表面・界面)

    朴 鍾允, 東山 和幸, 虻川 匡司, 河野 省三, 中村 夏雄, 八重樫 裕幸

    年会講演予稿集　42　(2)　418-418　1987/03/27

    Publisher: 一般社団法人日本物理学会

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Books and Other Publications 2

  1. 現代表面科学シリーズ第２巻「表面科学の基礎」

    虻川匡司

    共立出版　2013/06

  2. 表面物性工学ハンドブック第２版

    虻川匡司他

    丸善株式会社　2007/01

Presentations 274

  1. Model-Free Structural Analysis using Weissenberg RHEED Invited

    Tadashi Abukawa

    Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2025　2025/10/21

  2. イルメナイト型バナジウム酸化物におけるV-V二量体形成の起源

    橋本航, 山本孟, 虻川匡司

    第25回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2025/09/24

  3. PEEMによるSi(551)基板上のファセットナノ構造の研究

    福田旺土, テレングト雛子, 嶋田浩三, 山本孟, 高山あかり, 虻川匡司

    日本物理学会第80回年次大会　2025/09/16

  4. イルメナイト型MgVO3におけるTi置換による構造変化

    橋本航, 山本孟, 虻川匡司

    日本物理学会第80回年次大会　2025/09/18

  5. イルメナイト型CuVO3におけるJahn-Teller歪みと軌道液体状態の可能性

    山本孟, 越智啓吾, 青山拓也, 石井賢司, 松村大樹, 辻卓也, 大串研也, 虻川匡司

    日本物理学科第80回年次大会　2025/09/17

  6. Surface structure analysis of Si(110)3x2-Sb by RHEED and DFT calculation

    Boxuan Li, Hiroaki Aoyama, Hinako Telengu, Hajime Yamamoto, Tadashi Abukawa

    The 23rd International Vacuum Congress　2025/09/16

  7. Stable Chiral Si (15 17 3) Surface

    Hinako Telengu, Boxuan Li, Tadashi Abukawa, Kenya Haga

    The 23rd International Vaccum Congress　2025/09/17

  8. Semi-direct Structure Determination of Si(110) 3×2-Sb Surface Based on Weissenberg-RHEED

    Boxuan Li, Hinako Telengu, Hiroaki Aoyama, Hajime Yamamoto, Tadashi Abukawa

    14th International Conference on the Structure of Surfaces　2025/06/04

  9. Structure of Chiral Si(17 15 3) surface

    Hinako Telengu, Boxuan Li, Kenya Haga, Tadashi Abukawa

    14th International Conference on the Structure of Surfaces　2025/06/03

  10. Weissenberg RHEED: Measurements and Analysis

    Tadashi Abukawa, Hinako Telengu, Boxuan Li

    14th International Conference on the Structure of Surfaces　2025/06/02

  11. Idas structure of Si(110)3×2-Sb and -Bi surfaces

    Boxuan Li, Hinako Telengut, Hiroaki Aoyam, Hajime Yamamoto, Tadashi Abukawa

    2024/12/12

  12. Atomically Flat Surface with low-symmetry : Si (15 17 3)

    Hinako Telengut, Boxuan Li, Tadashi Abukawa, Kenya Haga

    The 10th International Symposium on Surface Science　2024/10/21

  13. Interlayer Si Dimer of Si(110)3×2-Bi and -Sb surfaces

    Boxuan Li, Hinako Telengut, Hiroaki Aoyama, Hajime Yamamoto, Tadashi Abukawa

    The 10th International Symposium on Surface Science　2024/10/21

  14. Creation of Three-Dimensional Silicon Structure Surfaces and Their Applications

    Ken Hattori, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka, Tadashi Abukawa, Shin-ichiro Tanaka, Kiyohisa Tanaka, Nobuyoshi Hosoito

    The 10th International Symposium on Surface Science　2024/10/22

  15. Si(110)3×2-Sb, -Bi表面の層間Siダイマー構造

    リハクガン, テレングト雛子, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司

    日本物理学会第79回年次大会　2024/09/18

  16. 原子レベルで平坦で対称性の低いSi(15 17 3)表面の研究

    テレングト雛子, リハクガン, 虻川匡司, 芳賀健也

    日本物理学会第79回年次大会　2024/09/16

  17. Si(110)面16x2構造の表面構造研究

    リハクガン, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司

    令和５年度⽇本表⾯真空学会東北・北海道⽀部学術講演会　2024/03/07

  18. Si(15 17 3)高指数表面のRHEED,STMによる研究

    テレングト雛子, リハクガン, 虻川匡司, 芳賀健也

    令和５年度⽇本表⾯真空学会東北・北海道⽀部学術講演会　2024/03/07

  19. 国際放射光イノベーション・スマート研究センターの紹介

    虻川匡司

    第37回の本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム　2024/01/11

  20. RHEEDによるSi(110)16x2高精度パターソン関数の作成

    リハクガン, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司

    第23回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2023/12/07

  21. Spatial analytical surface structure mapping for three-dimensional micro-shaped Si by micro-beam reflection high-energy electron diffraction Invited

    Tadashi Abukawa, Sohei Nakatsuka, Taishi Imaizumi, Azusa N Hattori, Hidekazu Tanaka, Ken Hattori

    Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2023　2023/10/31

  22. RHEEDによるシリコン(110)16x2構造解析 Ⅰ

    李博譞, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司

    日本物理学会第78回年次大会　2023/09/16

  23. 東北（秋田）からナノを照らす-光電子分光による表面分析- Invited

    虻川匡司

    令和5年度 日本素材物性学会年会　2023/06/13

  24. パターソンマップ手法による Si(110)3x2-Sb 表面構造の決定

    リハクガン, 青山大晃, 虻川匡司

    令和4年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会　2023/03/07

  25. ダイヤモンド横型PINダイオードのNEA表面からの電子放出

    山川翔也, 加藤宙光, 小倉政彦, 加藤有香子, 牧野俊晴, 塚本涼太, 竹内大輔, 虻川匡司, 庄司一郎

    第22回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2022/12/08

  26. シータ管マイクロピペットを用いた周波数変調原子間力顕微鏡の開発

    米田里緒, 阿久津祐介, 金子直暉, 山崎詩郎(2), 小澤眞美子, 真柄英之, 小川修一, 虻川匡司, 高見知秀

    第22回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2022/12/08

  27. ナノテラスの概況説明 Invited

    虻川匡司

    日本表面真空学会 産学連携・会員増強委員会 第311回例会　2022/12/01

  28. Surface analysis by Photoelectron Microscopy and Electron Diffraction, and present status of Nano Terasu Invited

    Tadashi Abukawa

    2022/11/18

  29. Ni箔上に背面から拡散成長させたh-BNのPEEM観察

    遊佐 龍之介, 青山 大晃, Li Boxua, 小川 修一, 虻川 匡司

    第83回応用物理学会秋季学術講演会　2022/09/22

  30. Structures of the group 15 metal adsorbed Si(110)3×2 surfaces determined by W-RHEED

    Hiroaki Aoyama, Tadashi Abukawa

    The 22nd International Vacuum Congress　2022/09/14

  31. In-situ PEEM study of h-BN growth on Ni foil using backside to surface diffusion

    Ryunosuke Yusa, Hiroaki Aoyama, Tetsuya Shimizu, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa

    The 22nd International Vacuum Congress　2022/09/13

  32. W-RHEED法によるSi(111)7x7表面構造の再検討

    青山大晃, 虻川匡司

    日本物理学会第77回年次大会　2022/03/16

  33. 放射光光電子分光と光電子顕微鏡による表面分析 Invited

    虻川匡司

    令和３年度 日本素材物性学会 第１回研究会　2022/03/02

  34. W-RHEEDによるSi(110)3x2-Bi表面の構造解析

    青山大晃, 虻川匡司

    第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2021/12/09

  35. 塩水への金の交流電気分解法による溶解

    森 唯華, 上田大貴, 大家 渓, 高見知秀, 上石正樹, 真柄英之, 高桑雄二, 小川修一, 虻川匡司

    第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2021/12/09

  36. Changes of rate-limiting reactions with progress of the reduction process on oxidized Ni(111)

    Shuichi Ogawa, Ryo Tag, Ryunosuke Yusa, Yasutaka Tsuda, Tetsuya Sakamoto, Akitaka Yoshigoe, Yuji Takakuwa, Tadashi Abukawa

    The 9th International Symposium on Surface Science　2021/12/01

  37. PEEM study of the growth process of h-BN and graphene on Ni foil for fabrication of graphene/h-BN heterostructures

    Ryunosuke Yusa, Tetsuya Shimizu, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa

    2021/11/30

  38. Revealing complete three-dimensional structure of Si(110)3×2-Bi surface

    Hiroaki Aoyama, Tadashi Abukawa

    The 9th International Symposium on Surface Science　2021/11/29

  39. Si(111)7×7のW-RHEEDによる3Dパターソンマップ解析

    青山大晃, 虻川匡司

    日本物理学会2021年秋季大会　2021/09/21

  40. Ni箔上へのグラフェン/h-BNヘテロ成長のPEEMによるその場観察

    遊佐龍之介, 志水哲也, 虻川匡司, 小川修一

    日本物理学会2021年秋季大会　2021/09/21

  41. W-RHEEDによるSi(110)3×2-Bi表面構造の決定

    青山大晃, 虻川匡司

    日本物理学会2021年秋季大会　2021/09/22

  42. 動的 Shirley 法を用いた二層グラフェン中微量ドーパントのXPS測定

    小川 修一, 山田 貴壽, 沖川 侑揮, 増澤 智昭, 津田 泰孝, 吉越 章隆, 虻川 匡司

    第82回応用物理学会秋季学術講演会　2021/09/10

  43. Si(551)基板上に形成されたSi(15 17 3)3x1ファセット表面の表面構造解析

    青山大晃, 内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本物理学会第76回年次大会（2021年）　2021/03/14

  44. Ni

    Ryunosuke Yusa, Tetsuya Shimizu, Tadashi Abukawa, Shuichi Ogawa

    2021/03/13

  45. Si(551)および(15 17 3)表面の構造解析

    青山大晃, 内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本表面科学会東北北海道支部 2020年度講演会　2021/03/04

  46. ナノビームRHEEDを用いたマイクロ3D-Si表面の構造変化の観察

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中秀和, 服部賢

    日本表面科学会東北北海道支部 2020年度講演会　2021/03/04

  47. Ni箔上におけるグラフェンおよびh-BNの光電子顕微鏡による成長観察

    遊佐龍之介, 志水哲也, 小川修一, 虻川匡司

    日本表面科学会東北北海道支部 2020年度講演会　2021/03/04

  48. ガスバリア特性評価のためのグラフェン用触媒金属膜の検討

    小川修一, 山田貴壽, 津田泰孝, 吉越章隆, 虻川匡司

    日本表面科学会東北北海道支部 2020年度講演会　2021/03/04

  49. 光電子顕微鏡観察下でのNi箔上へのグラフェンおよびh-BNの成長

    遊佐龍之介, 志水哲也, 小川修一, 虻川匡司

    第20回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2020/12/03

  50. Si(551)表面のW-RHEEDとSTMによる構造解析

    内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    2020年日本表面真空学会学術講演会　2020/11/19

  51. フラッシング加熱によるSi3Dマイクロ構造と表面の構造変化

    中塚聡平, 藤, 今泉太, 虻川匡司, 江口豊明, 服部梓, 田中秀和, 服部賢

    2020年日本表面真空学会学術講演会　2020/11/21

  52. Graphene growth on carbon-doped Ni substrate by surface segregation Invited

    Tadashi Abukawa

    INTERNATIONAL JOINT SYMPOSIUM ON-LINE: Cutting edge of surface science for atomic scale approach to catalysts　2020/11/05

  53. Si(551)表面の表面構造解析I

    内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本物理学会2020年秋季大会　2020/09/11

  54. ナノビームRHEEDによるSi基板上マイクロ構造の局所表面構造解析

    中塚 聡平, 内藤 完, 今泉 太志, 虻川 匡司, 江口 豊明, 服部 梓, 田中 秀和, 服部 賢

    第81回応用物理学会秋季学術講演会　2020/09/09

  55. ナノビームRHEEDによるマイクロパターニングSi結晶の局所表面構造解析

    中塚 聡平, 今泉 太志, 虻川 匡司, 服部 梓, 田中 秀和, Irmikimov Ayda, 服部 賢

    第67回応用物理学会春期学術講演会　2020/03/14

  56. 光電子顕微鏡によるNi箔上の2次元原子層物質成長の研究

    志水哲也, 虻川匡司

    令和元年度日本表面真空学会 東北・北海道支部学術講演会　2020/03/04

  57. Ni 基板上の2 次元原子層物質の成長と構造解析 Invited

    虻川匡司

    第19回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2019/12/12

  58. 光電子顕微鏡を用いた ダイヤモンド PIN ダイオード形電子源の電子放出機構の解析

    松本翼, 竹内大輔, 虻川匡司

    第19回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2019/12/12

  59. ナノビームW-RHEED装置の改良とマイクロ構造の解析

    今泉太志, 中塚聡平, 佐野巨樹, 虻川匡司, 服部梓, 田中秀和

    第19回東北大学多元物質科学研究所研究発表会　2019/12/12

  60. ナノビームW-RHEEDによるマイクロパターンを施したSi(110)基板の表面構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中正和

    2019年日本表面真空学会学術講演会　2019/10/28

  61. ナノ/マイクロ表面構造解析のためのナノビームW-RHEED装置開発

    今泉太志, 中塚聡平, 佐野巨樹, 虻川匡司

    2019年日本表面真空学会学術講演会　2019/10/28

  62. ナノビームW-RHEEDによるマイクロパターンを施したSi(110)基板の表面構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中正和, Aydar Irmikimov, 服部賢

    2019年応物秋季学術講演会　2019/09/18

  63. Surface structure analysis of micropatterned Si(110) by nano-beam Weissenberg Reflection High-Energy Electron Diffraction International-presentation

    Sohei Nakatsuka, Taishi Imaizumi, Tadashi Abukawa, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka

    The 21st International Vacuum Congress　2019/07/01

  64. Development of nano-beam Weissenberg RHEED for nano- and micro-surfaces International-presentation

    Taishi Imaizumi, Sohei Nakatsuka, Naoki Sano, Tadashi Abukawa

    The 21st International Vacuum Congress　2019/07/01

  65. マイクロパターンニング Si 基板の局所表面構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中正和

    平成 30 年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会　2019/03/07

  66. W-RHEED法によるマイクロパターンを施したSi表面の構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中秀和

    第18回東北大学多元物質科学研究所発表会　2018/12/13

  67. Ni 上の擬似的フリースタンディング単原子層 h-BN

    鈴木哲, 春山雄一, 新部正人, 徳島高, 山口明啓, 内海裕一, 伊東篤志, 門脇良, 丸田茜, 虻川匡司

    2018年日本表面真空学会学術講演会　2018/11/19

  68. W-RHEED法によるマイクロパターンを施したSi表面の構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中秀和

    2018年日本表面真空学会学術講演会　2018/11/19

  69. ナノ電子ビームを用いた表面構造分析技術の開発

    今泉太志, 中塚総平, 佐野巨樹, 虻川匡司

    2018年日本表面真空学会学術講演会　2018/11/19

  70. Band Alignment Determination of Bulk h-BN/Graphene Using PEEM International-presentation

    S. Ogawa, T. Yamada, R. Kadowaki, T. Taniguchi, T. Abukawa, Y. Takakuwa

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures　2018/10/21

  71. Development of surface structure analysis technique using nano-beam electrons International-presentation

    Taishi Imaizumi, Sohei Nakatsuka, Naoki Sano, Tadashi Abukawa

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures　2018/10/21

  72. Development of surface structure analysis technique using nano-beam electrons International-presentation Invited

    Tadashi Abukawa

    The 3rd Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces & Cross-Strait Symposium on Solid Surfaces　2018/08/21

  73. ナノ電子ビームによる表面構造解析法の開発

    佐野巨樹, 丸田茜, 虻川匡司

    マイクロビームアナリシス第141委員会 第 172 回研究会　2018/05/16

  74. ナノ領域反射高速電子回折測定制御システムの開発

    今泉太志, 佐野巨樹, 丸田茜, 虻川匡司

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2018/03/08

  75. 微小領域表面構造解析法の開発

    佐野巨樹, 丸田茜, 虻川匡司

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/08/25

  76. Ni箔上に固相反応成長したh‐BNのPEEM観察

    門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, 鈴木哲

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　2017/03/21

  77. 炭素ドープNi(110)表面上のグラフェン成長の研究

    丸田茜, 門脇良, 虻川匡司, 鷺坂恵介, 藤田大介

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2017/03/09

  78. 拡散・析出法によるh‐BN成長のその場光電子顕微鏡観察

    門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, 鈴木哲

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2017/03/01

  79. ナノ電子ビームを用いたワイゼンベルグRHEED法の開発

    佐野巨樹, 丸田茜, 今泉太志, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2017

  80. ナノ電子ビームによるワイゼンベルグRHEED法の開発

    佐野巨樹, 丸田茜, 門脇良, 虻川匡司

    真空に関する連合講演会講演予稿集　2016/11/29

  81. Ni箔上に固相反応成長したh‐BNの光電子顕微鏡による成長観察

    門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, 鈴木哲

    真空に関する連合講演会講演予稿集　2016/11/29

  82. ナノ電子ビームを用いたワイゼンベルグRHEED法の開発

    佐野巨樹, 加藤丈晴, 丸田茜, 門脇良, 向島健太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　2016/03/22

  83. 光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による二硫化モリブデンの研究

    門脇良, 佐野巨樹, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　2016/03/22

  84. 二硫化モリブデンの価電子帯スペクトル観測

    門脇良, 佐野巨樹, 虻川匡司

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2016/03/09

  85. Ni上に固相反応成長したh‐BNの光電子顕微鏡による成長観察

    門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, 鈴木哲

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2016

  86. 21pAJ-6 PEEM and micro-UPS study of Molybdenum disulfide

    Kadowaki R, Sano N, Abukawa T

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2016

  87. ダイヤモンドPINダイオード型電子源からの電子放出

    松本翼, 松本翼, 門脇良, 加藤宙光, 加藤宙光, 牧野俊晴, 牧野俊晴, 竹内大輔, 竹内大輔, 河野省三, 虻川匡司, 山崎聡, 山崎聡

    表面科学学術講演会講演要旨集　2015/12/01

  88. 二硫化モリブデンの光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による研究

    門脇良, 佐野巨樹, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集　2015/12/01

  89. 光電子顕微鏡を用いたNi(110)面上グラフェンの研究

    門脇良, 栗山岬, 虻川匡司, 鷺坂恵介, 藤田大介

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2015/08/31

  90. Ni(110)面上に成長したグラフェンの局所仕事関数と光電子スペクトル観測

    門脇良, 栗山岬, 虻川匡司, 鷺坂恵介, 藤田大介

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2015/03/09

  91. 負性電子親和力を利用したダイヤモンドPINダイオード形電子源の電子放出機構

    松本翼, 松本翼, 竹内大輔, 河野省三, 門脇良, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2015

  92. 金属吸着半導体表面の構造解析

    虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2014/08/22

  93. ストリークカメラ反射高速電子回折法によるSi表面相転移の観測

    向島健太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2014/08/22

  94. ダイヤモンド基板上のAu,Agショットキー障壁高さとその空間分布の電子顕微分光研究

    河野省三, 児玉英之, 市川公善, 吉川太朗, 虻川匡司, 澤邊厚仁

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2014/03/10

  95. ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-√<span style=text-decoration:overline>7</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>-In表面の構造モデルの検討

    神崎慎二, 向島健太, 虻川匡司

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2014/03/10

  96. ワイゼンベルグRHEEDによる表面構造解析

    虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集　2013/11/26

  97. Si(111)‐√<span style=text-decoration:overline>7</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>‐In表面の構造解析

    神崎慎二, 向島健太, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集　2013/11/26

  98. p型ダイヤモンド(001)基板上のAu,Agショットキー障壁高さとその空間分布の電子顕微分光研究

    河野省三, 児玉英之, 市川公善, 吉川太朗, 虻川匡司, 澤邊厚仁

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2013/11/19

  99. ストリークカメラ反射高速電子回折による2次元回折パターンの時間変化

    向島健太, 神崎慎二, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2013/08/26

  100. ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)‐√7×√3表面の構造解析

    神崎慎二, 向島健太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2013/08/26

  101. MgO基板に作成したFe(001)‐p(1×1)‐O表面の構造解析

    神崎慎二, 西ケ谷好輝, 虻川匡司

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集　2013/03/11

  102. ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)‐5x2‐Au表面の構造解析

    虻川匡司, 西ケ谷好輝

    日本物理学会講演概要集　2013/03/05

  103. ストリークカメラ反射高速電子回折法によるSi(111)表面構造ダイナミクス

    川西浩太, 佐藤和義, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集　2012/11/20

  104. ワイゼンベルグRHEEDによるFe(001)‐p(1x1)‐O表面の構造解析 II

    神崎慎二, 西ケ谷好輝, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集　2012/11/20

  105. ストリークカメラ RHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクス II

    川西浩太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2012/08/24

  106. ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクス

    川西浩太, 西ケ谷好輝, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2012/03/05

  107. スピン検出ターゲットFe(001)‐p(1×1)‐O表面の構造解析

    神崎慎二, 西ケ谷好輝, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2012

  108. ワイゼンベルグRHEEDによるFe(001)‐P(1x1)‐O表面の構造解析

    西ケ谷好輝, 川西浩太, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集　2011/12/15

  109. ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究

    佐藤和義, 川西浩太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2011/08/24

  110. 燐ドープn型ヘテロエピ・ダイヤモンド(001)表面エネルギーバンドダイヤグラム

    河野省三, 野原拓也, 阿部諭, 児玉英之, 鈴木一博, 小泉聡, 虻川匡司, 澤邊厚仁

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/08/16

  111. 燐ドープヘテロエピタキシャルダイヤモンド(100)面の熱電子放出特性

    野原拓也, 阿部諭, 児玉英之, 鈴木一博, 小泉聡, 虻川匡司, 河野省三, 澤邊厚仁

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　2011/03/09

  112. ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7‐>1x1相転移ダイナミクスの研究

    佐藤和義, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2011/03/03

  113. ストリークカメラ反射高速電子回折法によるSi(111)7×7表面の研究

    川西浩太, 佐藤和義, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2011

  114. 25aTG-7 Phase-transition dynamics of Si(111)7x7 to 1x1 by Streak RHEED

    Sato Katsuyoshi, Abukawa Tadashi

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2011

  115. 22pHA-11 Streak RHEED study of change of Si(111)7×7 surface structure induced by laser irradiation

    Sato Katsuyoshi, Kawanishi Kouta, Abukawa Tadashi

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2011

  116. 時間分解反射高速電子回折法の開発

    佐藤和義, 虻川匡司

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　2010/08/30

  117. ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発

    虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2010/03/01

  118. ストリーク反射高速電子回折法によるSi表面の観測

    佐藤和義, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2010

  119. 21pHT-4 Development of Weissenberg RHEED

    Abukawa Tadashi

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2010

  120. 21pHT-4 Development of Weissenberg RHEED

    Abukawa Tadashi

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2010

  121. Si(001)表面上のMgOエピタキシャル膜成長の研究:II

    松岡洋太, 虻川匡司

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2009/09/08

  122. ストリーク反射高速電子回折装置の開発

    佐藤和義, 布川雄一, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集　2009

  123. Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響

    佐藤俊介, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2008/02/29

  124. 25pTE-7 Effects of interface Mg and SiO_2 layers for MgO growth on Si(001) surface

    Sato S, Abukawa T

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2008

  125. Si(001)表面上のMgOエピタキシャル膜成長の研究

    佐藤俊介, 虻川匡司

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2007/09/04

  126. Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究

    佐藤俊介, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　2007/08/21

  127. 21aXK-5 MgO epitaxial growth on Si(001) surface

    Sato S, Abukawa T

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2007

  128. 高濃度リンドープCVDダイヤモンドチップの電界放射電子顕微分光

    河野省三, 田京剛, 天野猶貴, PLUSNIN N. I, 水落健二, 後藤忠彦, 虻川匡司, 難波暁彦, 辰巳夏生, 西林良樹, 今井貴浩

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2006/11/21

  129. リンドープCVDダイヤモンドからの電界放出機構

    河野省三, 田京剛, 天野猶貴, PLUSNIN N. I, 水落健二, 青山朋宏, 後藤忠彦, 虻川匡司, 難波暁彦, 辰巳夏生, 西林良樹, 今井貴浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006/03/22

  130. 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上に成長したβ‐FeSi2薄膜の評価

    藤崎大, 佐藤俊介, 高橋伸彰, 虻川匡司

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2006/03/22

  131. X線光電子回折によるIr(001)基板上CVDダイヤモンド成長の研究:対向電極直流放電バイアス処理の効果

    青山朋弘, 天野猶貴, 後藤忠彦, 虻川匡司, 河野省三, 安藤豊, 沢辺厚仁

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2005/11/24

  132. Pドープn型CVD(111)ダイヤモンド薄膜の表面エネルギーバンド

    河野省三, 水落健二, 後藤忠彦, 虻川匡司, 青山朋宏, 竹内大輔, 加藤宙光, 山崎聡

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2005/11/24

  133. 高濃度リンドープエピタキシャルダイヤモンドの表面エネルギーバンド

    河野省三, 水落健二, 後藤忠彦, 虻川匡司, 難波暁彦, 西林良樹, 今井貴浩

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2005/11/24

  134. Ir(001)基板上エピタキシャルダイヤモンド成長における対向電極直流放電プラズマバイアス処理効果

    青山朋弘, 天野猶貴, 後藤忠彦, 虻川匡司, 河野省三, 安藤豊, 沢辺厚仁

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005/09/07

  135. 高濃度リンドープエピタキシャルダイヤモンドの表面エネルギーバンド

    河野省三, 水落健二, 後藤忠彦, 虻川匡司, 難波暁彦, 西林良樹, 今井貴浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2005/09/07

  136. Si(001)表面上の1次元分子鎖の形成

    下村勝, 市川大介, 福田安生, 虻川匡司, 青山朋弘, 河野省三

    ナノ学会大会講演予稿集　2005/05/08

  137. Si(001)‐2x1表面上におけるピラジンの吸着

    下村勝, 市川大介, 虻川匡司, 河野省三, 福田安生

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2005/03/29

  138. 24aPS-143 Study of iron silicide on Si(111) by φ-scan RHEED.

    Fujisaki D, Takahashi N, Abukawa T

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2005

  139. 26pXC-8 Adsorption of pyrrole and pyrazine on Si(001)-2×1

    Shimomura M, Abukawa T, Kono S, Fukuda Y

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2005

  140. 22aYE-5 Study of iron silicide on Si(111) by φ-scan RHEED : II

    Fujisaki D, Takahashi N, Abukawa T

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2005

  141. CVDダイヤモンド表面伝導の起源について

    河野省三, 白石基哉, 後藤忠彦, 虻川匡司, 立木実, 川原田洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2004/11/29

  142. UHV中におけるCVDダイヤモンド表面シート抵抗とフェルミ準位

    河野省三, 後藤忠彦, 白石基哉, 虻川匡司, 立木実, 川原田洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2004/09/01

  143. 27pPSA-23 Structural analysis of a Ca/Si(111)-(3×2) surface using X-ray photoelectron diffraction

    Suzuki T, Sakamoto K, Abukawa T, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2004

  144. Ir(001)基板上へのダイヤモンドCVDヘテロエピ成長におけるイオン照射効果

    池嶋祐介, 山田貴寿, 白石基哉, 高野享, 後藤忠彦, 虻川匡司, 沢辺厚仁, 河野省三

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2003/11/26

  145. 2端子プローブによる真空中ダイヤモンド表面電気伝導度測定

    後藤忠彦, 河野省三, 二瓶雄次, 虻川匡司, 山田貴寿, 立木実, 川原田洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2003/11/26

  146. X線光電子回折によるIr(001)基板上のCVDダイヤモンド成長の研究:イオン照射効果

    高野亨, 河野省三, 後藤忠彦, 池嶋祐介, 虻川匡司, 山田貴寿, 沢辺厚仁

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2003/03/27

  147. Surface structure analysis using azimuthal scan RHEED

    Abukawa T, Yajima K, Yamazaki T

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2003

  148. 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface

    Gunnella R, Ikejima Y, Abukawa T, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2003

  149. REED study of structural phase transition on Si(111)√<3>x√<3>-Ag surface

    Abukawa T, Yamazaki T, Yajima K, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2003

  150. 光電子回折によるピロール吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 虻川匡司, 高野亨, 池島祐介, 後藤忠彦, 福田安生, 河野省三

    真空に関する連合講演会講演予稿集　2002/10/16

  151. CVD成長ダイヤモンド(001)表面電気伝導層からのオージェ電子回折パータン

    河野省三, 下村勝, 高野享, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002/03/27

  152. 光電子回折によるシクロヘキサジエン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 宗像学, 高野亨, 山崎智之, 虻川匡司, 後藤忠彦, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2002/03/27

  153. 27pYF-8 LEED Patterson analysis of Si(111)4x1-In Surface

    Abukawa T, Yamazaki T, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2002

  154. Recent Progress of Photoelectron Spectroscopy and Holography. Direct Surface Structural Analysis using Electron Thermal Diffuse Scattering.

    虻川匡司, 河野省三

    表面科学　2001/12/10

  155. CVD成長ダイヤモンド(001)表面電気伝導層の構造と電子状態

    河野省三, 下村勝, 高野享, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　2001/11/29

  156. Direct Surface Structural Determination using Correlated Thermal Diffuse Scattering International-presentation

    15th International Vacuum Congress　2001/10/28

  157. 光電子回折によるエチレン,ベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 宗像学, 虻川匡司, 佐藤圭, 川和拓央, WIDSTRAND S M, 河野省三

    真空に関する連合講演会講演予稿集　2001/10/17

  158. 光電子回折によるベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 宗像学, WIDSTRAND S. M, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001/09/11

  159. 光電子回折によるエチレン吸着Si(001)表面の構造解析

    宗像学, 下村勝, 虻川匡司, 佐藤圭, 川和拓央, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2001/09/11

  160. CVD成長ダイヤモンド(001)表面のAFM陽極化成領域の局所電子分光・回折

    河野省三, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司, 福田徹, 立木実, 川原田洋

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　2001/03/28

  161. Structural analysis of the ethylene and benzene adsorbed Si(001) surface by photoelectron diffraction

    Shimomura M, Munakata M, Abukawa T, Sato K, Kawawa T, Widstrand S. M, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2001

  162. CVD成長層を有するダイヤモンド粒子の超高真空電界放射電子分光

    河野省三, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司, 北畠真, 出口正洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　2000/09/03

  163. Structural analysis of In/Si(111) surfaces by correlated thermal diffuse scattering

    Abukawa T, Yoshimura K, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2000

  164. Identification of the Si2p surface-core-level-shift component of Si(001)(1×2)-Sb surface by photoelectron diffraction

    Shimomura M, Abukawa T, Yoshimura K, Oh J H, Yeom H W, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　2000

  165. 振動相関熱散漫散乱による表面構造の3次元観測

    虻川匡司

    表面科学講演大会講演要旨集　1999/12/02

  166. XPDによるBi吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 三木一司, 虻川匡司, 河野省三

    表面科学講演大会講演要旨集　1999/12/02

  167. Secondary-Electron-Spectroscopy on Diamond Particles with CVD Growth-Layers and H-plasma Treatments.

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司, 北畠真, 出口正洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　1999/11/25

  168. シリコン表面上に吸着したビスマスによる細線及び2×n相の構造解析

    下村勝, 三木一司, 虻川匡司, 河野省三

    真空に関する連合講演会講演予稿集　1999/11/10

  169. 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造解析

    虻川匡司

    日本物理学会講演概要集　1999/09/03

  170. Si(001)表面上ビスマス細線構造 (1) 構造解析

    下村勝, 三木一司, 虻川匡司, 河野省三

    日本物理学会講演概要集　1999/09/03

  171. Si(001)表面の炭化反応 3C‐SiC核形成と成長過程の温度依存

    小杉亮治, 下村勝, 虻川匡司, 福田安生, 河野省三, 高桑雄二

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999/09/01

  172. CVD成長層を有する高圧合成ダイヤモンド粒子の超高真空2次電子分光

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司, 北畠真, 出口正洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999/09/01

  173. Si(001)表面の炭化反応 3C‐SiC核形成と成長過程の基板オフ角度依存

    小杉亮治, 下村勝, 虻川匡司, 金井敏行, 福田安生, 河野省三, 高桑雄二

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999/09/01

  174. 微傾斜β‐SiC(001)表面上のヘテロ成長ダイヤモンド薄膜の表面規則性評価

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司, WILD C, WOIDL P, 川原田洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999/09/01

  175. X線光電子回折によるSi(001)表面上に形成されたBiナノワイヤーの構造解析

    下村勝, 三木一司, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1999/09/01

  176. 固体表面と光電子回折 相関熱散漫散乱電子回折 新しい(表面)構造解析手法

    虻川匡司, WEI C M, 花野太一, 河野省三

    KEK Proc　1999/07

  177. 初期Si酸化膜の分解過程のRHEED‐AES法による「その場」観察

    石田史顕, 高桑雄二, 小杉亮治, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28

  178. RHEED‐AES法によるSi(001)表面の熱酸化過程の「その場」観察

    石田史顕, 高桑雄二, 小杉亮治, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28

  179. 硫化処理InAs(111)A‐(2×2)‐S表面のSTM,XPDおよびSRPESによる構造解析

    市川祐永, 真田則明, 福田安生, 下村勝, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28

  180. X線光電子回折によるSi(001)4×3‐In表面の構造解析

    下村勝, 中村定一郎, KIM K‐S, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1999/03/28

  181. 25pW-1 Bismuth line structure formed on Si(001) surface (1) : Structural analysis

    Shimomura M, Miki K, Abukawa T, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1999

  182. Si(001)2×3‐Ag表面のXPDによる構造解析

    下村勝, 虻川匡司, 比嘉昌, 中村真之, SHIVAPRASAD S M, YEOM H W, 鈴木章二, 佐藤繁, 谷順二

    表面科学講演大会講演要旨集　1998/12

  183. 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究

    虻川匡司, 花野太一, 高桑雄二, 河野省三, WEI C M

    表面科学講演大会講演要旨集　1998/12

  184. 硫化処理InAs(111)A‐(2×2)表面の構造解析

    市川祐永, 真田則明, 下村勝, 虻川匡司, 河野省三, 福田安生

    表面科学講演大会講演要旨集　1998/12

  185. Crystallographic evaluation of phosphorus doped n-type diamond thin film.

    下村勝, 西森年彦, 虻川匡司, 高桑雄二, 坂本仁志, 河野省三

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　1998/11

  186. Structures and Secondary Electron Emission Characteristics of CVD Diamond Single Crystal Surfaces.

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司, 高桑雄二, 八木弘雅, 伊藤利道

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集　1998/11

  187. X線光電子回折によるSi(001)2×3‐Ag最表面層の構造解析

    下村勝, 虻川匡司, 比嘉昌, 中村真之, SHIVAPRASAD S M, YEOM H W, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三

    日本物理学会講演概要集　1998/09/05

  188. 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法

    虻川匡司, WEI C M, 花野太一, 高桑雄二, 河野省三

    日本物理学会講演概要集　1998/09/05

  189. Top-most atomic arrangement on the Si(001)-2*3-Ag surface.

    下村勝, 虻川匡司, 中村真之, SHIVAPRASAD S M, YEOM H W, 鈴木章二, 佐藤繁, 谷順二, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998/09

  190. Crystallographic evaluation of phosphorus doped n-type diamond thin film by XPD and AFM.

    下村勝, 西森年彦, 虻川匡司, 高桑雄二, 坂本仁志, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998/09

  191. Structural analysis of the sulfur-treated InAs(111)A-(2*2) surface using x-ray photoelectron diffraction.

    市川祐永, 真田則明, 下村勝, 虻川匡司, 河野省三, 福田安生

    応用物理学会学術講演会講演予稿集　1998/09

  192. Structure and Secondary Electron Emission of CVD Diamond Single-Crystal Surfaces.

    河野省三, 後藤忠彦, 高桑雄二, 虻川匡司, 八木弘雅, 伊藤利道

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1998/03

  193. RHEED-AES in-situ observation of the carbonization of high-temperature Si(001) surface

    KOSUGI R, TAKAKUWA Y, KIM K.-S, ABUKAWA T, KONO S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1998/03

  194. Structural analysis using photoelectron diffraction at the intermediate energy

    SUMITANI S, ABUKAWA T, KOSUGI R, SUZUKI S, SATO S, KONO S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1998/03

  195. InP(001)2×4表面の表面内殻シフトと表面構造

    真田則明, 下村勝, HUFF W R A, 金田源太, 竹内輝矢, 鈴木佳子, YEOM H W, 柿崎明人, 虻川匡司

    日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集　1998/01/09

  196. Structural Analysis of an InAs(111)A-(2×2)-S Surface Treated by(NH_4)_2S_x

    Ichikawa Sukenori, Sanada Noriaki, Shimomura Masaru, Abukawa Tadashi, Kono Shozo, Fukuda Yasuo

    Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University　1998

  197. Structural analysis of the top-most layer of the Si(001)-2×3-Ag surface by x-ray potoelectron diffraction

    SHIMOMURA M, KONO S, ABUKAWA T, HIGA M, NAKAMURA M, SHIVAPRASAD S.M, YEOM H.W, SUZUKI S, SATO S, TANI J

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1998

  198. New method of surface structural probe using thermal diffuse scattering

    ABUKAWA T, WEI C.M, HANANO T, TAKAKUWA Y

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1998

  199. Investigation of InP(001) surface treated by sputtering and annealing with XPD and PES.

    下村勝, 真田則明, 金田源太, 竹内彰矢, 鈴木佳子, YEOM H W, HUFF W R A, 虻川匡司, 河野省三

    表面科学講演大会講演要旨集　1997/12

  200. RHEED-AES observation of carbonization reactions of high temperature Si(001) surface with ethylenethe.

    小杉亮治, 高桑雄二, 金起先, 虻川匡司, 河野省三

    表面科学講演大会講演要旨集　1997/12

  201. Surface Electromigration and the Formation of Single-Domain Si(001)4*3-In.

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1997/09

  202. Carbonization process of Ge deposited Si(001) surface.

    小杉亮治, 隅谷宗太, 高桑雄二, 虻川匡司, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1997/09

  203. Observation of the Surface Electromigration on In/Si(001).

    小倉康資, 後藤忠彦, 虻川匡司, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会)　1997/03

  204. Observation of the Si(001)2*1 buckled dimer structure with GBMEED.

    虻川匡司, 島谷高志, 木村慎之, 高桑雄二, 村松夏弘, 花野太一, 後藤忠彦, HUFF W R A, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会)　1997/03

  205. X-ray photoelectron diffraction study of the Si(001)c(4*4)-C surface.

    小杉亮治, 隅谷宗太, 虻川匡司, 高桑雄二, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会)　1997/03

  206. Development of an Apparatus for GBMEED Surface Structure Analysis.

    虻川匡司, 島谷高志, 木村慎之, 村松夏弘, 花野太一, HUFF W R A, 後藤忠彦, 高桑雄二, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1997/03

  207. 5p-B-6 Carbonization process of Ge deposited Si(001)surface

    Kosugi R, Sumitani S, Takakuwa Y, Abukawa T, Suzuki S, Sato S, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1997

  208. 8a-H-6 Investigation for the buckling dimer structure of Si(001)2x1-Cs surface

    Abukawa T, L.S.O Johansson, E.L Bullok, L Patthey, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1997

  209. 8a-H-7 Surface Electromigration and the Formation of Single-Domain Si(001)4x3-In

    Kono S, Goto T, Abukawa T

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1997

  210. 28a-F-6 RHEED-AES observation of In desorption on a single-domain Si(001)2×1 surface

    Kim Ki-Seon, Takakuwa Yuji, Abukawa Tadashi, Kono Shozo

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1997

  211. 29p-F-10 Observation of the Surface Electromigration on In/Si(001)

    Ogura Y, Goto T, Abukawa T, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1997

  212. 31a-T-5 Observation of the Si(001)2×1 buckled dimer structure with GBMEED

    Abukawa T, Shimatani T, Kimura M, Takakuwa Y, Muramatsu N, Hanano T, Goto T, Huff W.R.A, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1997

  213. 31a-T-9 X-ray photoelectron diffraction study of the Si(001)c(4×4)-C surface

    Kosugi R, Sumitani S, Abukawa T, Takakuwa Y, Suzuki S, Sato S, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1997

  214. Observation of an In/Si(001) surface electromigration by UHV-SEM and .MU.-RHEED.

    小倉康資, 後藤忠彦, 虻川匡司, 河野省三

    表面科学講演大会講演要旨集　1996/11

  215. Development of an apparatus for Grazing-incidence Back-scattering MEED and its application to the Si(001)2*1 buckled dimer structure.

    虻川匡司, 島谷高志, 木村慎之, 高桑雄二, 村松夏弘, 花野太一, 後藤忠彦, HUFF W R A, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1996/09

  216. Interdiffusion at Ge/Si(001) submonolayer interface.

    中村真之, 虻川匡司, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三, YEOM H‐W

    日本物理学会講演概要集(年会)　1996/03

  217. Critical Thickness for the Solid Phase Epitaxy: Si/Sb/Si(001).

    河野省三, 後藤忠彦, 小倉康資, 虻川匡司

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996/03

  218. Temperature Dependence of the Interdiffusion at Ge/Si(001) Submonolayer interface.

    中村真之, 虻川匡司, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三, YEOM H W

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集　1996/03

  219. Development of an apparatus for Grazing-incidence Back-scattering MEED and its application to the Si(001)2x1 buckled dimer structure

    Abukawa T, Shimatani T, Kimura M, Takakuwa Y, Muramatsu N, Hanano T, Goto T, Huff W.R.A, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1996

  220. Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface

    Yeom H.-W, Abukawa T, Takakuwa Y, Shimatani T, Mori Y, Kakizaki A, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1996

  221. Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction

    Yeom H.-W, Mori Y, Sato S, Kakizaki A, Kono S, Abukawa T, Chen X, Takakuwa Y, Fujimori S, Okane T, Miura T, Ogura Y, Shimatani T

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1996

  222. Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1

    Chen X, Saldin D.K, Bullock E.L, Patthey L, Johansson L.S.O, Tani J, Abukawa T, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1996

  223. 31p-PSB-27 Interdiffusion at Ge/Si(001) submonolayer interface

    Nakamura M, Yeom H.W, Abukawa T, Suzuki S, Sato S, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1996

  224. 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface

    Yeom H.-W, Abukawa T, Takakuwa Y, Nakamura M, Shimatani T, Mori Y, Kimura M, Kakizaki A, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1996

  225. STM observation of Ge/Si(001). I: High temperature adsorption (.GEQ.350.DEG.C.).

    細井真也, 岩淵美保, 東山和幸, 福谷博仁, 虻川匡司, 河野省三, YEOM H W, 坂本邦博, 坂本統徳

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1995/09

  226. STM observation of Ge/Si(001). II: Room temperature adsorption.

    細井真也, 岩淵美保, 東山和幸, 福谷博仁, 虻川匡司, 河野省三, YEOM H W, 坂本邦博, 坂本統徳

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1995/09

  227. Angle-resolved photoemission study: electronic structures of Si surfaces.

    虻川匡司, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会)　1995/03

  228. Angle-resolved photoemission study : electronic structures of Si surfaces

    Abukawa T, kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1995/03

  229. Si(111)4×1‐In表面の内殻準位光電子分光

    虻川匡司, 佐々木雅夫, 久松史明, 中村真之, 木下豊彦, 柿崎明人, 後藤忠彦, 河野省三

    日本放射光学会年会予稿集　1995/01

  230. 放射光励起角度分解光電子分光法によるシングルドメインSi(001)2×2‐A1表面の電子構造研究

    YEOM H W, 虻川匡司, 高桑雄二, 中村真之, 木村慎之, 柿崎明人, 河野省三

    日本放射光学会年会予稿集　1995/01

  231. 30a-PS-13 STM observation of Ge/Si(001) II : Room temperature adsorption

    Hosoi S, Iwabuchi M, Higashiyama K, Fukutani H, Abukawa T, Kono S, Yeom H.W, Sakamoto K, Sakamoto T

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1995

  232. 30a-PS-14 STM observation of Ge/Si(001) I : High temperature adsoption (≧350℃)

    Hosoi S, Iwabuchi M, Higashiyama K, Fukutani H, Abukawa T, Kono S, Yeom H.W, Sakamoto K, Sakamoto T

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1995

  233. 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction

    yeom H.W, Abukawa T, Nakamura M, Shivaprasad S.M, Chen X, Suzuki S, Sato S, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1995

  234. 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces

    陳 翔, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会　1995

  235. Angle-resolved photoemission study:electronic structure of Si surfaces

    Abukawa T, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1995

  236. High Energy-Resolution Core-Level Photoemission Study of a Si(111)4*1-In surface.

    虻川匡司, 中村真之, 久松史明, 後藤忠彦, 河野省三, 佐々木雅夫, 木下豊彦, 柿崎明人

    日本物理学会講演概要集(年会)　1994/03

  237. X-ray Photoelectron Diffraction Study of a Surfactant-assisted Ge Epitaxial Growth: Sb/Ge/Si(001).

    佐々木雅夫, YEOM H W, 虻川匡司, 河野省三, 木村慎之, 鈴木章二, 佐藤繁

    日本物理学会講演概要集(年会)　1994/03

  238. Construction and Characterization of An Upgraded One Dimensional Display Type Electron Energy Analyzer

    Kono Shozo, Hisamatsu Humiaki, Goto Tadahiko, Abukawa Tadashi, Iwabuchi Kenji, Aizawa Katsuo, Yanagida Satomi, Takatoh Syuji, Hayashi Toshinori, Tsukashima Junichi

    Bulletin of the Research Institute for Scientific Measurements, Tohoku University　1994

  239. 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study

    Yeom H.W, Nakamura M, Abukawa T, Kono S, Suzuki S, Sato S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1994

  240. 31a-WC-11 High Energy-Resolution Core-Level Photoemission Study of a Si(111)4x1-In surface

    Abukawa T, Nakamura M, Hisamatsu F, Goto T, Kono S, Sasaki M, Kinoshita T, Kakizaki A

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1994

  241. 31p-WC-2 X-ray Photoelectron Diffraction Study of a Surfactant-assisted Ge Epitaxial Growth : Sb/Ge/Si(001)

    Sasaki M, Yeom Woong Han, Abuakwa T, Kono S, Kimura M, Suzuki S, Sato S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1994

  242. Structural analysis of Ag/Si(111).RAD.3*.RAD.3 and Ag/Ge/Si(111).RAD.3*.RAD.3 surface with Auger electron diffraction and grazing incidence backscatering medium energy electron diffraction.

    虻川匡司, 後藤忠彦, 中村夏雄, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1993/09

  243. Electronic structure of single-domain Si(111)4*1-In surface with angle-resolved photoelectron spectroscopy.

    虻川匡司, 久松史明, 後藤忠彦, 河野省三, 佐々木雅夫, 木下豊彦, 柿崎明人

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1993/09

  244. Auger Electron Diffraction Study of the Structure of Ge-Adsorbed Si(001) Surface.

    佐々木雅夫, 虻川匡司, 河野省三, 山田みつき, 鈴木章二, 佐藤繁

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1993/09

  245. 12p-DJ-9 Electronic structure of single-domain Si(111)4x1-In surface with angle-resolved photoelectron spectroscopy

    Abukawa T, Hisamatsu F, Goto T, Kono S, Sasaki M, Kinoshita T, Kakizaki A

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1993

  246. 13a-PS-5 Auger Electron Diffraction Study of the Structure of Ge-Adsorbed Si(001)Surface

    Sasaki M, Abukawa T, Kono S, Yamada M, Suzuki S, Sato S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1993

  247. 15a-DH-7 Structural analysis of Ag/Si(111)√<3>×√<3> and Ag / Ge / Si(111)√<3>×√<3> surface with Auger electron diffrsction and grazing incidence backscatering

    Abukawa T, Goto T, Nakamura N, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1993

  248. Structure-Analysis of In/Si(111) Surface by Grazing-Incidence Back-Scattering Medium Energy Electron Diffraction. III.

    中村夏雄, 虻川匡司, 後藤忠彦, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1992/09

  249. XPD study of W(100) c(2*2)-Au,Ag surfaces.

    高橋秀行, 佐々木雅夫, 鈴木章二, 佐藤繁, 虻川匡司, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1992/09

  250. Study of Si(001)2*1-Na surface by angle-resolved photoemission spectroscopy with syncrotron radiation.

    虻川匡司, 木下豊彦, PARK C‐Y, YU S‐W, KANG K‐A, 遠田義晴, 河野省三, 坂本邦博, 坂本統徳

    日本物理学会講演概要集(年会)　1992/03

  251. 25p-Y-6 Structure-Analysis of In/Si(111) Surface by Grazing-Incidence Back-Scattering Medium Energy Electron Diffraction III

    Nakamura N, Abukawa T, Goto T, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1992

  252. 25p-Z-2 XPD study of W(100) c(2×2)-Au, Ag surfaces

    Takahashi H, Sasaki M, Suzuki S, Sato S, Abukawa T, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1992

  253. 27p-ZS-9 Study of Si(001)2x1-Na surface by angle-resolved photoemission spectroscopy with syncrotron radiation.

    Abukawa T, Enta Y, Suzuki S, Kono S, Sato S, Kakizaki A, Ishii T, Sakamoto K, Sakamoto T, Kinosita T, Park C.Y, Kasiwakura T, Okane T, Sasaki Y, Takahashi H, Yu S.W, Kang K.H

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1992

  254. Low energy electron diffraction and x-ray photoelectron diffraction study of Si(001)-Na surface.

    虻川匡司, 高橋秀行, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会)　1991/09

  255. Coverage dependence of K and Na adsorption on a cooled Si(001) surface.

    佐々木泰孝, 遠田義晴, 虻川匡司, 鈴木章二, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1991/03

  256. Study of K/Si(001) 2x1 Surface by photoelectron Spectroscopy with Syncrotron Radiation.

    虻川匡司, 木下豊彦, 柏倉隆之, 岡根哲夫, 遠田義晴, 鈴木章二, 柿崎明人, 佐藤繁, 石井武比古

    日本物理学会講演概要集(分科会)　1991/03

  257. 25a-R-5 Coverage dependence of K and Na adsorption on a cooled Si(001) surface

    Sasaki Y, Enta Y, Abukawa T, Suzuki S, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1991

  258. 25p-PS-48 Study of K/Si(001)2x1 Surface by Photoelectron Spectroscopy with Syncrotron Radiation

    Abukawa T, Ishii T, Kinoshita T, Kashiwakura T, Okane T, Enta Y, Kono S, Suzuki S, Kakizaki A, Sato S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1991

  259. 30a-ZD-12 Low energy electron diffection and x-ray photoelectron diffraction study of Si(001)-Na surface

    Abukawa T, Takahashi H, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1991

  260. LEED and XPD study of low temperature Cs/Si(001) surface.

    虻川匡司, 岡根哲夫, 河野省三

    日本物理学会秋の分科会講演予稿集　1990/10

  261. Characterization of a GaAs spin-polarized electron source.

    藤井純, 木下豊彦, 柿崎明人, 曽田一雄, 菅原英直, 河野省三, 虻川匡司, 福谷博仁, 石井武比古

    日本物理学会秋の分科会講演予稿集　1990/10

  262. High-Resorution angular Resolved Photoemission Spectroscopy at PF Bl-18A

    Suzuki.S, Abukawa.T, Okane.T, Kono.S, Sato.S, Ishii.T, Kashiwakura.T, Kinoshita.T, Kakizaki.A, Murata.Y, Kubota.M, Fujisawa.M, Suga.S, Kato.H

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1990/10

  263. 4a-PS-30 LEED and XPD study of low temperature Cs/Si(001)surface.

    Abukawa T, Okane T, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1990

  264. 3a-TA-2 Characterization of a GaAs spin-polarized electron source

    Fujii J, Kinoshita T, Kakizaki A, Soda K, Sugawara H, Kono S, Abukawa T, Fukutani H, Ishii S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1990

  265. XPD study of Si(001)-Cs surface, dependence on Cs coverage.

    Abukawa T, Kono S

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1990

  266. 3a-T-9 ARUPS and XPD studies of single-domain NEA 0/alkali/Si (001) 2x1 surfaces

    Enta Y, Abukawa T, Suzuki S, Kono S, Sakamoto T

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1989

  267. 29a-TJ-3 Reinvestigation of the Structure of Si(111) √<3>x√<3>-Ag Surface by X-ray Photoelectron Diffraction

    Kono S, Abukawa T, Nakamura N, Anno K

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1989

  268. 29a-TJ-9 XPD study of single domain NEA O/Cs/Si(001)2x1 surface

    Abukawa T, Ejima T, Kashiwakura T, Kono S, Sakamoto T

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　1989

  269. 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 中村 夏雄, 河野 省三

    秋の分科会予稿集　1988

  270. 31a-M2-2 Si(001)_2X1-K表面のX線光電子回折(表面・界面)

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 中村 夏雄, 河野 省三

    年会講演予稿集　1988

  271. 26a-P-12 Si(111)√<3>×√<3>,Sb表面のXPD

    朴 鍾允, 虻川 匡司, 中村 夏雄, 東山 和幸, 河野 省三

    秋の分科会予稿集　1987

  272. 30p-H-13 Bi,Sn/Si(111)表面のXPD(表面・界面)

    朴 鍾允, 東山 和幸, 虻川 匡司, 河野 省三, 中村 夏雄, 八重樫 裕幸

    年会講演予稿集　1987

  273. NanoTerasu スペクトロスコピービームライン概要

    虻川匡司

    次世代放射光施設NanoTerasuセミナー　2023/03/03

  274. ３次元ナノ構造を構成する多様な表面構造 Invited

    虻川匡司

    第２回東北大学材料科学ウェビナー　2021/09/06

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Research Projects 19

  1. ストリーク反射高速電子回折法の開発と表面構造ダイナミクスの研究 Competitive

    System: Grant-in-Aid for Scientific Research

    2008/04 - Present

  2. ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発と表面界面構造の研究 Competitive

    2002/04 - Present

  3. Surface structural analysis using correlated thermal diffuse scattering Competitive

    System: Grant-in-Aid for Scientific Research

    1998/01 - Present

  4. 超圧縮センシングによるミリ秒X線トモグラフィ法の開発

    矢代 航

    System: 戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

    Institution: 東北大学

    2017 - 2022

    More details Close

    硬X線の位相を利用した高感度X線イメージング法の一つであるX線回折格子干渉法を発展させて、マルチビーム化と最先端の高度情報処理技術により、試料を高速で回転することなく、msオーダーの時間分解能、10 μmの空間分解能の4DX線トモグラフィの実現を目指します。非平衡系のダイナミクスをそのまま観察できるという特長を活かして、基礎研究から新規イノベーション創出に至る新たなフロンティアの開拓をねらいます。

  5. Surface/interface 3D atomic imaging by CTR scattering

    Wakabayashi Yusuke, Takahasi Masamitsu, WolfgangVoegeli, Hattori Ken

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)

    Institution: Osaka University

    2014/07/10 - 2019/03/31

    More details Close

    There are various phenomena activated by the surfaces or interfaces. We have studied surface or interface structures by means of the crystal truncation rod (CTR) scattering method, one of the surface diffraction techniques. Technical improvement for the static structure we achieved allowed us to examine the surface/interface structures of various organic semiconductors and oxides. Time resolved instruments were also developed, 100 ps resolution reflection high energy electron diffraction streak camera and 100 ms resolution simultaneous multiple angle-wavelength dispersive X-ray reflectometer. Using them, we have clarified the reaction mechanisms of TiO2 opto-catalytic reaction and fuel-cell reactions at the Pt surface.

  6. Structure analysis of a single nano-crystal on the substrate

    ABUKAWA Tadashi

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

    Institution: Tohoku University

    2013/04/01 - 2015/03/31

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    In order to determined the crystal structure of a single particle of the nano-crystal, it is required to measure many diffraction patterns as a function of the rotation angle of the crystal. A four-axes high-precision goniometer, which can adjust the position of the nano-crystal with high accuracy (< 100nm), has been developed in this research. The goniometer enables the strucrtural analysis of the single particle of the nano-crystal.

  7. Development of novel ultrafast electron diffraction

    ABUKAWA Tadashi

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    Institution: Tohoku University

    2008 - 2010

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    A novel time-resolved electron diffraction has been developed by combining a reflection high-energy electron diffraction (a technique for surface structure) and a streak camera (a method for ultrafast phenomena). Using the developed method, we have successfully observed the structural transition of Si(111) 7x7 surface by the irradiation of nano-seconds pulse laser with the temporal resolution of 1 micro-second.

  8. Study of interface structure of magnetic nano-super-lattice by azimuthal scan reflection high-energy electron diffraction

    ABUKAWA Tadashi

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    Institution: Tohoku University

    2005 - 2006

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    It is known that a magneto-resistance of GMR or TMR device is greatly affected by an interface structure and structural roughness between a ferromagnetic layer and non-magnetic layer. The aim of this study is to understand roles of the interface for the resistance by studying its structure and roughness with an azimuthal scan reflection high-energy electron diffraction (Φ-scan RHEED). At first, an apparatus for Φ-scan RHEED was assembled from an UHV chamber, an energy filter, an electron gun and a 5-axes manipulator. In addition, an e-beam evaporator, a 3KV ion gun and a hemispherical electron analyzer was attached to the apparatus. Thus an apparatus which is capable of fabricating magnetic super-layers as well as measuring Φ-scan RHEED have been completed by this study. The apparatus was first applied to the interface of Fe deposited Si(111) surface. Although most of Fe silicides formed on the Si(111) surface are not ferromagnetic, it is very important to understand its interface structure for fabricating magnetic devises on Si substrate. Fe silicides were fabricated under various conditions, and their surface and interface structures has been investigated by Φ-scan RHEED. It was found that a-FeSi_2 was formed when Fe atoms reacted with Si on Si surface. On the other hand, P-FeSi_2 grew when Fe atoms reacted with Si at a solid Fe/Si interface. As a initial stage of Fe/MgO/Fe TMR structure on Si substrate, MgO epitaxial growth was investigated by 4-scan RHEED. It was unexpectedly found that MgO epitaxially grew on Si(111) with different orientations depending on growth conditions. The result indicates a way to fabricate a single orientation of MgO layer. Unfortunately, any interface of GMR or TMR devices have not been investigated in this study. However, they are under preparation and will be investigated soon.

  9. ナノ薄膜表面のスピン配列観測法の開発

    虻川 匡司

    Offer Organization: 日本学術振興会

    System: 科学研究費助成事業

    Category: 若手研究(A)

    Institution: 東北大学

    2002 - 2004

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    本研究の目的は、スピン偏極電子線と開発した電子散漫散乱による直接的な表面構造解析法(振動相関熱散漫散乱法)を組み合わせた、表面原子の構造とスピン配列を同時に直接的に観測できる新しい実験手法の開発である。3年目の最終年度は、次の様な作業・研究を行った。 1.スピン偏極電子銃の調整 前年度までに設計・製作を行ったスピン偏極電子銃は、GaAs陰極槽、電子レンズ部、励起レーザー部の3つの部分から構成されている。昨年度に、スピン偏極した電子を取り出すことに成功したが、電子を取り出す陰極の寿命が10分程度しか持たないという問題があった。そのままでは振動相関熱散漫散乱法は適用できないため、1日程度の寿命が得られるように調整を行った。実験の結果、陰極部の真空度を5×10^<-11>Torrに高めれば十分な寿命が得られることを確認した。そこで電子銃内部の真空度を上げるため、電子銃部品の見直しや、真空排気ポンプの見直し、そして徹底的に真空漏れ箇所の改善を行った。その結果、寿命を数時間程度に伸ばすことができたが、残念ながらまだ十分ではない。 2.磁性金属吸着Si(111)表面構造の研究 スピン偏極電子の調整終了後、ただちにスピン偏極電子回折が行えるように、鉄、コバルト、クロム、マンガン等の磁性エピタキシャル薄膜をSi(111)表面に成長させて、通常の電子回折実験を行った。特に鉄吸着Si(111)表面の研究では、表面にエピタキシャル成長した鉄シリサイドの構造を決定した。

  10. Study on electronic structure of Si(111)4×1-In surface Competitive

    1993/04 - 2003/03

  11. Development of the measuring system for correlated thermal diffuse scattering using a low energy electron diffraction optics

    ABUKAWA Tadashi, SHIMOMURA Masaru

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    Institution: Tohoku University

    2000 - 2001

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    The purpose of this research project is the development of the experimental system that realizes the surface structure method of the correlated thermal diffuse scattering (CTDS) using a standard low energy electron diffraction (LEED) optics. The utilization of the widespread LEED optics help the CTDS method come into wide use in surface science. First, we constructed an apparatus of CTDS-LEED, which were equipped with a LEED optics, a 5-axes sample manipulator and a CCD video camera. The functions of the LEED optics and image acquisition are controlled by a personal computer. We have confirmed that the system holds the enough performance to measure CTDS. Furthermore, we have made a computer program to automate the CTDS measurements, and a program to analyze the surface structure from CTDS data. We can access most of the diffraction feature, i.e. Bragg spots, CTDS and other diffuse structures, using these programs. With the present system and programs, the data acquisition efficiency have increased to 10 or 100 times of that using the previous system. The surface structure analysis was performed for Si(111)4x1-In surface using the present system. The high performance of the present system have been confirmed as a surface structural tool. In order to spread the present method (CTDS-LEED) for surface analysis, we will widely open the present results and will distribute the programs for measurements and analysis.

  12. Study of Surface Structure by means of Correlated Thermal Diffuse Scattering.

    ABUKAWA Tadashi

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    Institution: Tohoku University

    1999 - 2000

    More details Close

    The purpose of this research project is the accurate surface structure investigation using a recently developed technique, the correlated thermal diffuse scattering (CTDS). Characteristics and weak points of the methods have been investigated to improve the performance. Then the new two-dimensional detection system for diffraction patterns has been constructed. The system consists of a chilled CCD video camera, a high dynamic range video frame grabber and a personal computer. The new detection system speeds up the data acquisition time more than 8 times of those using the previous system, and enables to access a large volume of the diffraction data, which is crucial for the accurate structural investigation. Si (001) 2x1 surface and Si (111) root3 x root3 surface have been investigated by the CTDS using the new detection system The surface structures of both surfaces are clearly reconstructed by CTDS, and the results are consistent with those for previous studies by other methods. The comparison between the present and previous indicates the high structural accuracy, which is about 0.1A, of the present CTDS.

  13. Establishment of Structural Analysis Method of High Resolution X-ray Photoelectron Diffraction for Hetero-epitaxial Growth Surface and Interface Systems

    KONO Shozo, SHIMOMURA Masaru, ABUKAWA Tadashi

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A).

    Institution: TOHOKU UNIVERSITY

    1998 - 2000

    More details Close

    The main theme of this project is to establish the structural analysis method of high resolution x-ray photoelectron diffraction for hetero-epitaxial growth surface and interface systems. In fiscal year 1998, an electron energy analyzer with high energy-resolution and high-counting efficiency was bought. A sample manipulator with computer control sample-rotation was designed and made. A spherical μ-metal ultra-high-vacuum chamber was designed made made. All these components were assembled into a high-resolution photoelectron diffraction spectrometer and a performance test was done. We have also gone to ALS synchrotron radiation facility to experience photoelectron diffraction study on β-SiC(001)-c(2x2) surface and measured C1s PED patterns and later analyzed the patterns. In fiscal year 1999, a test run of the constructed high-resolution photoelectron diffraction spectrometer was made on a nano-wire of Bi formed on Si(001) surface to determine arrangement of Bi atoms using laboratory light sources of Al Kα and Mg Kα. Then, we brought the spectrometer to Photon Factory at KE, a synchrotron radiation facility in Tsukuba. An undulater beam-line was used to measure Si 2p surface-core-level component PED patterns for Si(001)1x2-Sb surface. The PED patterns were later analyzed to determine the origin of the Si 2p component. In fiscal year 2000, the PED spectrometer again was brought to Photon Factory to measure C 1s PED patterns for ethylene adsorbed on Si(001) surface. The PED patterns were later analyzed to determine the geometry of ethylene on Si(001). All these results proved that the constructed PED spectrometer and the technique of high-resolution photoelectron diffraction are vital and can be used for other many hetero-epitaxial systems for years to come.

  14. Surface structural analysis by Grazing Incidence Back Scattering MEED Competitive

    1992/04 - 1998/03

  15. 光電子回折パターンからのホログラフィー成分の抽出

    虻川 匡司

    Offer Organization: 日本学術振興会

    System: 科学研究費助成事業

    Category: 奨励研究(A)

    Institution: 東北大学

    1996 - 1996

    More details Close

    本研究では、光電子ホログラフィー実現のために、光電子回折パターンからホログラフィー成分を実験的に抜き出すことが目的である。具体的には、光電子回折パターンを温度の関数として測定し、それらのパターンを比較することにより、ホログラフィー成分を抽出する。本研究費は、主にこの温度依存光電子パターンを測定するための実験設備の構築に使用した。 始めに光電子回折パターンを測定する時に試料を再現性良く回転するために、試料ゴニオメータにステッピングモーターを取り付けた。手動コントロールによる動作チェックの結果は、良好であった。次に、コンピュータで試料回転の自動コントロールを行うために、インターフェースの作成と光電子回折測定ウェアの改良を行った。しかしながら、インターフェースの作成に予想以上に時間がかかり、残念ながら未だ完成にはこぎ着けていない。ソフトウェアの改良も、途中の段階である。試料の加熱装置については、試料ホルダーを電極とし、真空外から導入した電流により、試料を通電加熱できる装置を作成した。また冷却システムは、試料ホルダーの裏側に銅のブロックを設置し、ブロックと試料ホルダーを銅の網線で接続することで試料の回転を損なうこと無く、冷却ができるものを作成した。現在、この装置で、加熱・冷却時の光電子回折パターンの測定を行っている段階である。

  16. Development of a Local-Surface-Analysis Apparatus with Micro-Electron Beam and Retarding Two-Dimensional Display Type Electron Analyzer

    KONO Shozo, ABUKAWA Tadashi, TAKAKUWA Yuji

    Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

    System: Grants-in-Aid for Scientific Research

    Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    Institution: Tohoku University

    1995 - 1996

    More details Close

    We have developed an apparatus suitable for analyzing structures and chemical compositions of local surfaces. This apparatus is composed of a micro-electron beam and a retarding-field two-dimensional display-type electron energy analyzer (RDA analyzer) and called mu-GBMEED ; abbreviation for Grazing-incidence Backscattering Medium Energy Electron Diffraction. The method of GBMEED has been invented by the head investigator in which a monochromatic electron beam of an energy of 1 to 3 keV is incident on a specimen surface at a grazing angle and elastically scattered electrons along backward direction are analyzed by the RDA analyzer. This dives us a so-called mu-GBMEED pattern. By analyzing this pattern, structural and compositional information about local surface of an order of -0.1 mum can be obtained. The apparatus has been realized by combining a commercial mu-electron beam gun and a home-made RDA analyzer on a specially designed ultrahigh vacuum chamber. Signals from the RDA analyzer are recorded with a CCD-camera system which mu-GBMEED patterns with a wide-solid angle can be efficiently stored in a computer memory. The apparatus is also combined with a UHV-STM system, so that atomic-scale STM images on the same specimen surface can be measured and used as a guide for thr analysis by mu-GBMEED. As a test of the apparatus, we have investigated a Si (001) surface in order to determine the backling angle of the buckled Si-dimers wich are known to be present. The buckling angle is reported to be about 19^ﾟ but is not so certain. A single domain Si (001) 2x1 surface was investigated with mu-electron beam at 1 to 2 KeV and mu-GBMEED patterns were recorded. With the aid of presently developed single-scattering method for GBMEED,a forward-scattering diffraction feature was found. However, the quality of the pattern was not good enough to finally determine the buckling angle. We are in the stage of improving the quality of GBMEED patterns by several means.

  17. 原子放出電子ホログラフィー測定手法の確立

    虻川 匡司

    Offer Organization: 日本学術振興会

    System: 科学研究費助成事業

    Category: 奨励研究(A)

    Institution: 東北大学

    1995 - 1995

    More details Close

    本研究目的は、原子を放出源とする電子波の回折現象をホログラフィーとして解析する場合、実用に耐える表面の構造解析を行うためにはどのような実験を行い、どれだけの測定データが必要であるかを調べることである。ホログラフィーとして扱える可能性のある回折現象の中で、本研究では、エネルギーの走査も簡単に行える後方散乱中速電子回折(キクチ電子回折)を対象にして研究を行った。 実験に先だって、実験装置の制御系の整備を行った。具体的には、後方散乱中速電子回折を測定するための2次元阻止型分析器に阻止電圧を与える電源部を作成し、および阻止電圧の印加とCCDカメラによる回折パターンの取り込みを制御するコンピュータシステムの整備を行った。これにより、阻止電圧の走査や測定の積算が可能になり、測定データの質が飛躍的に向上した。また、その結果回折電子のエネルギースペクトルの測定が可能となり、弾性散乱ピークを正確に分離することが可能になった。このシステムを使用し、Si(001)表面の後方散乱中速電子回折パターンの測定を行った。使用した2次元阻止型分析器は、球面グリッドにより74°の広い角度範囲の回折パターンを一度に測定できる。さらに、ホログラフィー解析を行うために十分なデータとなるように、運動エネルギーを変えた場合の回折パターンも多数測定した。ホログラフィー手法により、測定したデータを実空間像に変換して実空間像の精度を検討したが、期待した程の精度は得られなかった。現在、実空間像の精度の向上を目指してホログラフィー解析手法の改良を行っている。解析については、今後の課題として残ったが、実験手順・条件を確立するという目的はほぼ達成できた。

  18. 光電子ホログラフィー解析システムの開発

    虻川 匡司

    Offer Organization: 日本学術振興会

    System: 科学研究費助成事業

    Category: 奨励研究(A)

    Institution: 東北大学

    1994 - 1994

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    本研究の目的は、蛍光スクリーン上に表示された光電子回折パターンをCCDカメラで2次元的に測定するシステムの構築と、測定された光電子回折パターンをホログラフィーの手法を用いて表面構造解析を行う解析プログラムの開発である。2次元回折パターンの測定システムについては、冷却CCDカメラとデータ測定・解析用コンピュータにより、回折パターンの測定・表示を行うシステムを完成することができた。このシステムの特徴は,CCD(電荷結合素子)の各ピクセル毎に16ビットという広いダイナミックレンジでデータを取り込むことが可能であることである。実際に、低速電子回折パターンや中速電子回折パターンの測定を行いこのシステムによる測定の精度、性能の評価を行った。その結果、システムが非常に広いダイナミックレンジを持ち、光電子回折パターンの測定にも十分に対応できる性能であることが確認された。今後、実際の光電子回折パターン・ホログラフィーへの適用を行っていく予定である。測定・解析プログラムに関しては、前述のようにCCDカメラの画像をコンピュタ-に取込み、ディスプレイに表示を行うことが現在可能になっている。デジタル化されたデータは、通常の濃淡表示だけでなく、等高線表示や、プロファイルの表示も可能であり、測定表示プログラムに関してはほぼ完了した。現在、光電子回折パターンをホログラフィーによって解析するプログラムの開発を行っている段階であり、今後は得られた実空間像(表面構造)を表示する部分の作成も行う予定である。

  19. シングルドメインSi(001)2×1表面上のGeのエレクトロマイグレーション

    虻川 匡司

    Offer Organization: 日本学術振興会

    System: 科学研究費助成事業

    Category: 奨励研究(A)

    Institution: 東北大学

    1993 - 1993

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    :本研究課題の目的は、超高真空中でシングルドメインSi(001)表面を作成し、その表面上に吸着させたGe原子の電界・電流による移動現象(エレクトロマイグレーション)を調べることである。観察は、既存の走査電子顕微鏡を使用するため、本研究費補助金は主に試料の作成部分と試料に与える電界・電流および温度のコントロール部分の作成に使用した。まず、下地のシングルドメインSi(001)表面は、面方位が精度よく決定されたSi(001)ウェファを超高真空中で加熱清浄化した後にSiをホモエピタキシャル成長して作成する。このSiをエピタキシャル成長させるためのSiの蒸着源を作製した。またGeは既存のKnudsenセルを使用して蒸着を行うこととしたが、安定した蒸着を行うためには、Knudsenセルの精密な温度コントロールが必要となる。そこで温度コントロール可能な電源システムの製作を行った。具体的にはKnudsenセルの温度をW-Re熱電対でモニターし、その温度が一定になるように電子温度調節器を使用してヒーター電流のコントロールを行うシステムである。実際のGe蒸着膜厚の評価はまだ行っていないが、Knudsenセルの温度は期待通りの精度で制御することができた。次にエレクトロマイグレーションを調べる時に試料に与える電界・電流のコントロールシステムを作製した。このシステムは、実際に試料に電流・電界をあたえる電源、試料の温度をモニターするデジタルマルチ温度計、およびそれら電源、温度計を制御するデスクトップコンピューターからなる。このうち本研究補助金は、デジタルマルチ温度計の購入、コンピューターと電源・温度計間のインターフェース、システムを制御するためのソフトウェアの開発のために使用した。作製したシステムを用いて実際に試料へ電界・電流をかける実験を行ったが、電流、温度、通電時間などを期待どうりに制御することができた。以上のようなシステムの構築を行い、下地Si(001)表面のシングルドメインを作成し、Geの蒸着に関する予備実験の段階まで行った。現在、エレクトロマイグレーションの実験を行う準備を進めている。

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