東北大学研究者紹介

研究者詳細

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スガワ　シゲトシ

須川　成利

Shigetoshi Sugawa

所属

未来科学技術共同研究センター　開発研究部　革新的イメージセンサ・計測技術を基盤とした高精度半導体集積回路製造技術の開発

職名

教授

学位

博士（工学）（東北大学）
理学修士（東京工業大学）

researchmap

https://researchmap.jp/shigetoshisugawa

J-GLOBAL ID

201801001601426360

経歴 2

1999年9月～継続中

東北大学
1982年4月～ 1999年8月

キヤノン株式会社

学歴 3

東北大学　大学院工学研究科　電子工学専攻博士後期3年の課程

1995年4月～ 1996年3月
東京工業大学　大学院理工学研究科　物理学専攻

1980年4月～ 1982年3月
東京工業大学　理学部　物理学科

1978年4月～ 1982年3月

所属学協会 2

映像情報メディア学会
The Institute of Electrical and Electronics Engineering (IEEE)

研究キーワード 4

CMOS
半導体
イメージセンサ
電子工学

研究分野 1

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 固体電子工学

受賞 15

The 2025 IISS Pioneering Achievement Award

2025年6月　International Image Sensor Society（IISS）　High dynamic range charge overflow pixel technologies
丹羽高柳賞功績賞

2024年5月　映像情報メディア学会
第61回(2022年度)丹羽高柳賞論文賞

2022年5月　映像情報メディア学会　High Accuracy High Spatial Resolution and Real-Time CMOS Proximity Capacitance Image Sensor Technology and its Applications
第47回(令和4年度)井上春成賞

2022年5月　国立研究開発法人科学技術振興機構　高速度ビデオカメラの開発
The 2016 nac High Speed Imaging Award

2016年11月　International Congress on High Speed Imaging and Photonics　The development of Ultra High Speed CMOS Image Sensor
全国発明表彰日本経済団体連合会会長発明賞

2015年6月17日　公益社団法人発明協会
2015 International Image Sensor Workshop Best Poster Award

2015年6月10日　Program Committee, 2015 International Image Sensor Workshop
映像情報メディア学会フェロー称号授与

2015年5月　映像情報メディア学会
映像情報メディア学会第17回・平成26年度優秀研究発表賞

2014年12月17日　映像情報メディア学会　20Mfpsの撮像速度を有する超高速CMOSイメージセンサの画素構造
丹羽高柳賞論文賞

2009年5月　映像情報メディア学会　局所境界要素法によるイメージセンサの3次元波動光学シミュレーション
優秀研究発表賞

2008年12月　映像情報メディア学会　大規模アレイTEGを用いた画素ソースフォロア相当のトランジスタのランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズの統計的解析
生産システム部門技術業績賞

2008年7月　日本機械学会　群企画製品のモジュール化設計をベースとした生産システムの開発
特許審査委員会賞

1991年5月　キヤノン株式会社　光電変換装置開発
社長賞

1990年5月　キヤノン株式会社　固定パターンノイズを低減させた光電変換装置開発
特別社長賞

1988年5月　キヤノン株式会社　BASISオートフォーカスセンサ開発

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論文 660

A High SNR Global Shutter CMOS Image Sensor Technology for High Precision Absorption Imaging Applications

Tetsu Oikawa, Rihito Kuroda, Aoi Hamaya, Yoshinobu Shiba, Takafumi Inada, Yushi Sakai, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

ITE Transactions on Media Technology and Applications　12　(2)　167-174　2024年4月
出版者・発行元： Institute of Image Information and Television Engineers
DOI： 10.3169/mta.12.167 　

eISSN：2186-7364
Threshold voltage uniformity improvement by introducing charge injection tuning for low-temperature poly-Si thin film transistors with metal/oxide/nitride/oxide/silicon structure 査読有り

Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Keita Katayama, Shu Nishida, Hiroshi Ikenoue, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　63　(2)　02SP51　2024年1月17日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ad184d 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065

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Abstract Low-temperature poly-Si thin film transistors (TFTs) with a metal/oxide/nitride/oxide/silicon structure were fabricated to investigate the feasibility of suppressing threshold voltage variations between TFTs. By applying relatively high positive and negative gate bias voltages, threshold voltage could be tuned positively and negatively, respectively, by injecting charges into the charge trap layer. Stability of threshold voltage against positive gate bias at a level close to the actual circuit operation was not degraded compared with the case of an as-fabricated TFT. A uniform threshold voltage distribution could be achieved in a preliminary test using 16 TFTs by converging threshold voltages with a target value by tuning the threshold voltage for each TFT.
Nanoshell Formation at the Electrically Charged Gas–Water Interface of Collapsing Microbubbles: Insights from Atomic Force Microscopy Imaging 査読有り

Masayoshi Takahashi, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

The Journal of Physical Chemistry Letters　15　(1)　220-225　2024年1月11日

DOI： 10.1021/acs.jpclett.3c03314 　
Impact of Bulk Nanobubble Water on a TiO<inf>2</inf> Solid Surface: A Case Study for Medical Implants

Masayoshi Takahashi, Masahiro Nakazawa, Takahiro Nishimoto, Mitsuyuki Odajima, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

Langmuir　2024年

DOI： 10.1021/acs.langmuir.4c03339 　

ISSN：0743-7463

eISSN：1520-5827
Visualization and Analysis of Temporal and Steady-State Gas Concentration in Process Chamber Using 70-dB SNR 1,000 fps Absorption Imaging System 査読有り

Y. Sakai, Y. Shiba, T. Inada, T. Goto, T. Suwa, T. Oikawa, A. Hamaya, A. Sutoh, T. Morimoto, Y. Shirai, S. Sugawa, R. Kuroda

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing　36　(4)　515-519　2023年11月
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI： 10.1109/tsm.2023.3267024 　

ISSN：0894-6507

eISSN：1558-2345
Mineralization of Poly(vinyl alcohol) by Ozone Microbubbles under a Wide Range of pH Conditions 査読有り

Masayoshi Takahashi, Ryo Nakatsuka, Shuzo Kutsuna, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

Langmuir　39　15215-15221　2023年10月18日

DOI： 10.1021/acs.langmuir.3c01838 　
Threshold Voltage Control of LTPS TFTs with MONOS Structure 査読有り

Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Keita Katayama, Shu Nishida, Hiroshi, Ikenoue, Shigetoshi Sugawa

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials　E-7-02　245-246　2023年9月
Characterization of MONOS-Type Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors 査読有り

Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Keita Katayama, Shu Nishida, Hiroshi Ikenoue, Shigetoshi Sugawa

2023 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of advanced Semiconductor Devices (AWAD2023)　p-4　2023年7月
Accelerated germination of aged recalcitrant seeds by K⁺-rich bulk oxygen nanobubbles

Mijung Kim, Akio Shoji, Toshiaki Kobayashi, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Masayoshi Takahashi

Scientific Reports　13　(1)　2023年2月

DOI： 10.1038/s41598-023-30343-2 　

eISSN：2045-2322
In Situ Measurement and Analysis of Low Pressure Gas Concentration Distribution Using 70-dB SNR 1,000 Frame-per-second Absorption Imaging System 査読有り

Yushi Sakai, Yoshinobu Shiba, Takafumi Inada, Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Akihito Sutoh, Tatsuo Morimoto, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tetsu Oikawa, Aoi Hamaya, Rihito Kuroda

International Symposium on Semiconductor Manufacturing 2022　PM-41　2022年12月
Effect of charge-up of surfaces of sintered Y2O3 and yttrium oxyfluoride on their erosion rates due to ion bombardment 査読有り

Tetsuya Goto, Yoshinobu Shiba, Akinobu Teramoto, Yukio Kishi, Shigetoshi Sugawa

Journal of Vacuum Science & Technology B　40　(6)　062205-1-062205-7　2022年11月
出版者・発行元： American Vacuum Society
DOI： 10.1116/6.0002162 　

ISSN：2166-2746

eISSN：2166-2754

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The erosion rate of sintered Y₂O₃ and yttrium oxyfluoride (Y-O-F) due to Ar ion bombardment was investigated for use in the plasma process chamber. The Ar ion bombardment was performed by irradiations of Ar plasma and Ar ion beam. In addition, charge-up behavior of these ceramics was investigated by two methods. One was the measurement of the surface voltage during the plasma irradiation (the so-called self-bias voltage), and the other was the measurement of the surface voltage generated due to the accumulation of static electricity in the clean room air. It was found that the negative self-bias voltage of the Y₂O₃ surface was smaller than that of Y-O-F. It was also found that Y₂O₃ was easily positively charged by the accumulation of the static electricity compared to Y-O-F, which was consistent with the observed relationship of the self-bias voltages between Y₂O₃ and Y-O-F. For the evaluation of the erosion rate due to Ar ion bombardment, it was found that the material and setting of masks to make the erosion step for evaluating the rate greatly affected the results. When electrically conductive masks with electrically connecting to a substrate were used, the erosion rate of Y-O-F was smaller than that of Y₂O₃. The results suggested that the intrinsic ion-bombardment-induced erosion rate of Y-O-F was smaller than that of Y₂O₃, because the ion bombardment energy was expected to be almost the same due to the existence of the conductive masks. On the other hand, when insulating masks were used, the rates of Y₂O₃ and Y-O-F were almost the same level. Considering the aforementioned charge-up behavior, the results suggested that a relatively larger positive charge-up of the Y₂O₃ surface during the ion bombardment decelerated injecting ions, resulting in the decrease in ion bombardment energy and, thus, the erosion rate.
High Resolution and High Speed Inspection Equipment for Mini-LED Substrates 査読有り

Toshiro Yasuda, Kazuhisa Kobayashi, Yuichi Yamamoto, Hiroshi Hamori, Wei, Cheng, Ryan Ge, Shigetoshi Sugawa

International Conference on Display Technology, ICDT 2022　53　(S1)　363-366　2022年7月
出版者・発行元： Wiley
DOI： 10.1002/sdtp.15949 　

ISSN：0097-966X

eISSN：2168-0159
Silicon Nitride Film Formations Using Magnetic-Mirror Confined Plasma System Developed for Minimal Fab System 査読有り

Tetsuya Goto, Thai Quoc Cuong, Seiji Kobayashi, Yuki Yabuta, Shigetoshi, Sugawa Shiro Hara

2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of advanced Semiconductor Devices (AWAD)　2022年7月
Adsorption and surface reaction of isopropyl alcohol on SiO2 surfaces 査読有り

Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Katsutoshi Ishii, Yoshinobu Shiba, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shuji Azumo, Akira Shimizu, Kota Umezawa, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

Journal of Vacuum Science & Technology A　40　(5)　053201-1-053201-8　2022年7月
A 70-dB SNR High-Speed Global Shutter CMOS Image Sensor for in Situ Fluid Concentration Distribution Measurements 査読有り

Tetsu Oikawa, Rihito Kuroda, Keigo Takahashi, Yoshinobu Shiba, Yasuyuki Fujihara, Hiroya Shike, Maasa Murata, Chia-Chi Kuo, Yhang Ricardo, Sipauba Carvalho, da Silva, Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Tatsuo Morimoto, Yasuyuki Shirai, Takafumi Inada, Yushi Sakai, Masaaki Nagase, Nobukazu Ikeda, Shigetoshi Sugawa

IEEE Transactions on Electron Devices　69　(6)　2965-2972　2022年6月

DOI： 10.1109/TED.2022.3165520 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
Two High-Precision Proximity Capacitance CMOS Image Sensors with Large Format and High Resolution. 査読有り

Yuki Sugama, Yoshiaki Watanabe, Rihito Kuroda, Masahiro Yamamoto, Tetsuya Goto, Toshiro Yasuda, Hiroshi Hamori, Naoya Kuriyama, Shigetoshi Sugawa

Sensors　22　(7)　2770-2770　2022年4月

DOI： 10.3390/s22072770 　
Array of GaN micro-LED chips and monocrystal Si CMOS pixel circuit chips mounted on flexible substrate 査読有り

Tetsuya Goto, Takeshi Okuno, Yoshikazu Suzuki, Koichi Kajiyama, Yoshihiko Muramoto, Shigetoshi Sugawa

The 28th International Display Workshops　FMC2-4L　2021年12月
Sub-aF Detection Accuracy CMOS Proximity Capacitance Image Sensors for Inspection, Authentification and More 査読有り

Rihito Kuroda, Yuki Sugama, Yoshiaki Watanabe, Tetsuya Goto, Toshiro Yasuda, Shinichi Murakami, Hiroshi Hamori, Shigetoshi Sugawa

The 28th International Display Workshops　INP5-1　2021年12月
High Resolution Array Tester for Flat Panel Display Using Proximity Capacitance Image Sensor 査読有り

Toshiro Yasuda, Kazuhisa Kobayashi, Yuichi Yamamoto, Hiroshi Hamori, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

The 28th International Display Workshops　FMC7/AIS9-4　2021年12月
CMOSイメージセンサの感度・飽和・撮影速度・分光感度性能の追究査読有り

須川成利, 黒田理人

映像情報メディア学会誌　75　(6)　729-733　2021年11月
High-precision CMOS Proximity Capacitance Image Sensors with Large-format 12 μm and High-resolution 2.8 μm Pixels 査読有り

Yuki Sugama, Yoshiaki Watanabe, Rihito Kuroda, Masahiro Yamamoto, Tetsuya Goto, Toshiro Yasuda, Shinichi Murakami, Hiroshi Hamori, Naoya Kuriyama, Shigetoshi Sugawa

International Image Sensor Workshop (IISW)　288-291　2021年9月
A 1000fps High SNR Voltage-domain Global Shutter CMOS Image Sensor with Two-stage LOFIC for In-Situ Fluid Concentration Distribution Measurements 査読有り

Tetsu Oikawa, Rihito Kuroda, Keigo Takahashi, Yoshinobu Shiba, Yasuyuki Fujihara, Hiroya Shike, Maasa Murata, Chia-Chi Kuo, Yhang Ricardo, Sipauba Carvalho, da Silva, Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Tatsuo Morimoto, Yasuyuki Shirai, Masaaki Nagase, Nobukazu Ikeda, Shigetoshi Sugawa

International Image Sensor Workshop (IISW)　258-261　2021年9月
A high-precision current measurement platform applied for statistical measurement of discharge current transient spectroscopy of traps in SiN dielectrics 査読有り

Koga Saito, Hayato Suzuki, Hyeonwoo Park, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　60　(8)　086501　2021年7月27日

DOI： 10.35848/1347-4065/ac1215 　
High capacitance density highly reliable textured deep trench SiN capacitors toward 3D integration 査読有り

Koga Saito, Ayano Yoshida, Rihito Kuroda, Hiroshi Shibata, Taku Shibaguchi, Naoya Kuriyama, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　60　(SB)　SBBC06-1-SBBC06-7　2021年5月

DOI： 10.35848/1347-4065/abec5f 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Analysis of Reaction and Decomposition of Isopropyl Alcohol on Copper and Copper Oxide Surfaces Toward Area-selective Processes 査読有り

Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Katsutoshi Ishii, Yoshinobu Shiba, Tomoyuki Suwa, Shuji Azumo, Akira Shimizu, Kota Umezawa, Rihito Kuroda, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

5th Area-Selective Deposition Workshop (ASD 2021)　session3-4　1　2021年4月
Free-Radical Generation from Bulk Nanobubbles in Aqueous Electrolyte Solutions: ESR Spin-Trap Observation of Microbubble-Treated Water 査読有り

Masayoshi Takahashi, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

LANGMUIR　37　(16)　5005-5011　2021年4月

DOI： 10.1021/acs.langmuir.1c00469 　

ISSN：0743-7463
Impact on the Conductance Method of the Asymmetry in the AC Response Induced by Interface Trap Levels 査読有り

Hsin Jyun Lin, Hiroshi Watanabe, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Kota Umezawa, Kiichi Furukawa, Shigetoshi Sugawa

ECS Journal of Solid State Science and Technology　10　(4)　2021年4月

DOI： 10.1149/2162-8777/abe8b5 　

ISSN：2162-8769

eISSN：2162-8777
A Global Shutter Wide Dynamic Range Soft X-Ray CMOS Image Sensor With Backside-Illuminated Pinned Photodiode, Two-Stage Lateral Overflow Integration Capacitor, and Voltage Domain Memory Bank 査読有り

Hiroya Shike, Rihito Kuroda, Ryota Kobayashi, Maasa Murata, Yasuyuki Fujihara, Manabu Suzuki, Shoma Harada, Taku Shibaguchi, Naoya Kuriyama, Takaki Hatsui, Jun Miyawaki, Tetsuo Harada, Yuichi Yamasaki, Takeo Watanabe, Yoshihisa Harada, Shigetoshi Sugawa

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　68　(4)　2056-2063　2021年4月

DOI： 10.1109/TED.2021.3062576 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
A Proposal of Analog Correlated Multiple Sampling with High Density Capacitors for Low Noise CMOS Image Sensors 査読有り

Shunta Kamoshita, Manabu Suzuki, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Electronic Imaging 2021, Imaging Sensors and Systems 2021, Society for Imaging Science and Technology,(2021)　2021年1月
An over 120 dB Single Exposure Wide Dynamic Range CMOS Image Sensor with Two-Stage Lateral Overflow Integration Capacitor 査読有り

Yasuyuki Fujihara, Maasa Murata, Shota Nakayama, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

IEEE Transactions on Electron Devices　68　(1)　152-157　2021年1月

DOI： 10.1109/TED.2020.3038621 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
Modification of copper and copper oxide surface states due to isopropyl alcohol treatment toward area-selective processes 査読有り

Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Katsutoshi Ishii, Yoshinobu Shiba, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shuji Azumo, Akira Shimizu, Kota Umezawa, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films　39　(1)　013403-1　2021年1月1日

DOI： 10.1116/6.0000618 　

ISSN：0734-2101

eISSN：1520-8559
High accuracy high spatial resolution and real-time CMOS proximity capacitance image sensor technology and its applications 査読有り

Rihito Kuroda, Masahiro Yamamoto, Yuki Sugama, Yoshiaki Watanabe, Manabu Suzuki, Tetsuya Goto, Toshiro Yasuda, Shinichi Murakami, Yayoi Yokomichi, Hiroshi Hamori, Shigetoshi Sugawa

ITE Transactions on Media Technology and Applications　9　(2)　122-127　2021年

DOI： 10.3169/mta.9.122 　

eISSN：2186-7364
A global shutter wide dynamic range soft X-ray CMOS image sensor with BSI pinned photodiode, two-stage LOFIC and voltage domain memory bank 査読有り

H. Shike, R. Kuroda, R. Kobayashi, M. Murata, Y. Fujihara, M. Suzuki, T. Shibaguchi, N. Kuriyama, J. Miyawaki, T. Harada, Y. Yamasaki, T. Watanabe, Y. Harada, S. Sugawa

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　2020-December　16.4.1-16.4.4　2020年12月12日

DOI： 10.1109/IEDM13553.2020.9372058 　

ISSN：0163-1918
Over 230 fF/μm2 capacitance density 9.0V breakdown voltage textured deep trench SiN capacitors toward 3D integration 査読有り

Koga Saito, Ayano Yoshida, Rihito Kuroda, Hiroshi Shibata, Taku Shibaguchi, Naoya Kuriyama, Shigetoshi Sugawa

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials　C-04-02　143-144　2020年9月
Low-energy high-flux ion bombardment-induced interfacial mixing during Al2O3 plasma-enhanced atomic layer deposition 査読有り

Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa

Journal of Vacuum Science & Technology A　38　052407　2020年8月19日

DOI： 10.1116/6.0000388 　
Influence of silicon wafer surface roughness on semiconductor device characteristics 査読有り

Keiichiro Mori, Shuichi Samata, Noritomo Mitsugi, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Keiichi Hashimoto, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　59　2020年7月1日

DOI： 10.35848/1347-4065/ab918c 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Plasma resistance of sintered and ion-plated yttrium oxyfluorides with various Y, O, and F composition ratios for use in plasma process chamber 査読有り

Tetsuya Goto, Yoshinobu Shiba, Akinobu Teramoto, Yukio Kishi, Shigetoshi Sugawa

Journal of Vacuum Science & Technology A　38　043003-1-043003-9　2020年6月11日

DOI： 10.1116/1.5142515 　
Control of ion-flux and ion-energy in direct inductively coupled plasma reactor for interfacial-mixing plasma-enhanced atomic layer deposition 査読有り

Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

Journal of Vacuum Science & Technology A　38　032408　2020年4月6日

DOI： 10.1116/6.0000021 　
Study on Influence of O2 Concentration in Wafer Cleaning Ambient for Smoothness of Silicon (110) Surface Appearing at Sidewall of Three-Dimensional Transistors 査読有り

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Yasuyuki Shirai, Takenobu Matsuo, Nobutaka Mizutani, Shigetoshi Sugawa

ECS Transactions　93　(3)　23-29　2020年4月

DOI： 10.1149/09703.0023ecst 　

ISSN：1938-6737

eISSN：1938-5862
Effect of Drain-to-Source Voltage on Random Telegraph Noise Based on Statistical Analysis of MOSFETs with Various Gate Shapes 査読有り

R. Akimoto, R. Kuroda, A. Teramoto, T. Mawaki, S. Ichino, T. Suwa, S. Sugawa

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings　2020-April　2020年4月

DOI： 10.1109/IRPS45951.2020.9128341 　

ISSN：1541-7026
Resistance Measurement Platform for Statistical Analysis of Emerging Memory Materials 査読有り

Takeru Maeda, Yuya Omura, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING　33　(2)　232-239　2020年3月

DOI： 10.1109/TSM.2020.2983100 　

ISSN：0894-6507

eISSN：1558-2345
A High Near-Infrared Sensitivity Over 70-dB SNR CMOS Image Sensor With Lateral Overflow Integration Trench Capacitor 査読有り

Maasa Murata, Rihito Kuroda, Yasuyuki Fujihara, Yusuke Otsuka, Hiroshi Shibata, Taku Shibaguchi, Yutaka Kamata, Noriyuki Miura, Naoya Kuriyama, Shigetoshi Sugawa

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　67　(4)　1653-1659　2020年3月

DOI： 10.1109/TED.2020.2975602 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
High reliability CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junction fabrication using low-damage ion beam etching 査読有り

Hyeonwoo Park, Akinobu Teramoto, Jun-ichi Tsuchimoto, Keiichi Hashimoto, Tomoyuki Suwa, Marie Hayashi, Rihito Kuroda, Koji Tsunekawa, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　50　(SGGB05)　1-8　2020年2月19日

DOI： 10.35848/1347-4065/ab6cb5 　
Over 100 Million Frames per Second 368 Frames Global Shutter Burst CMOS Image Sensor with Pixel-wise Trench Capacitor Memory Array 査読有り

Manabu Suzuki, Yuki Sugama, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Sensors (MDPI)　20　(4)　16-1086　2020年2月17日

DOI： 10.3390/s20041086 　
A high-precision 1 Ω-10 MΩ range resistance measurement platform for statistical evaluation of emerging memory materials 査読有り

Takeru Maeda, Yuya Omura, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　59　(SG)　SGGL03-1-SGGL03-9　2020年2月

DOI： 10.35848/1347-4065/ab6d86 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
高感度・高精細・リアルタイム近接容量イメージセンサ査読有り

黒田理人, 山本将大, 須川成利

応用物理　89　(6)　328-332　2020年
An over 120dB dynamic range linear response single exposure CMOS image sensor with two-stage lateral overflow integration trench capacitors 査読有り

Yasuyuki Fujihara, Maasa Murata, Shota Nakayama, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Electronic Imaging　ISS-143　143-1-143-5　2020年1月
Preserved color pixel: High-resolution and high-color-fidelity image acquisition using single image sensor with sub-half-micron pixels 査読有り

Yuichiro Yamashita, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

ITE Transactions on Media Technology and Applications　8　(3)　161-169　2020年

DOI： 10.3169/mta.8.161 　

eISSN：2186-7364
Study on CF4/O2 plasma resistance of O-ring elastomer materials 査読有り

Tetsuya Goto, Shogo Obara, Tomoya Shimizu, Tsuyoshi Inagaki, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

Journal of Vacuum Science & Technology A　38　(1)　013002-013002-7　2020年1月

DOI： 10.1116/1.5124533 　

ISSN：0734-2101

eISSN：1520-8559
An Optical Filter-Less CMOS Image Sensor with Differential Spectral Response Pixels for Simultaneous UV-Selective and Visible Imaging

Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Sensors (Basel, Switzerland)　20　(1)　2019年12月18日

DOI： 10.3390/s20010013 　

eISSN：1424-8220
A 120-ke− Full-Well Capacity 160-µV/e− Conversion Gain 2.8-µm Backside-Illuminated Pixel with a Lateral Overflow Integration Capacitor 査読有り

Isao Takayanagi, Ken Miyauchi, Shunsuke Okura, Kazuya Mori, Junichi Nakamura, Shigetoshi Sugawa

Sensors　19　(24)　1-10　2019年12月17日

DOI： 10.3390/s19245572 　
Advanced CMOS image sensor technologies for sensing applications in the era of IoT 査読有り

Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

The Sixth Symposium on Novel Optoelectronic Detection Technology and Application　21-22　2019年12月
Dielectric breakdown of MgO in MRAM 査読有り

A. Teramoto, J. Tsuchimoto, H. Park, M. Hayashi, K. Tsunekawa, T. Suwa, R. Kuroda, S. Sugawa

2019 IEEE International Electron Devices Meeting　No.4　2019年12月
Selective composition modification deposition utilizing ion bombardment-induced interfacial mixing during plasma-enhanced atomic layer deposition 査読有り

Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　58　110902-1-110902-5　2019年10月10日

DOI： 10.7567/1347-4065/ab4754 　
Plasma Resistance of Sintered Yttrium Oxyfluoride (YOF) with Various Y, O, and F Composition Ratios 査読有り

Tetsuya Goto, Yoshinobu Shiba, Akinobu Teramoto, Yukio Kishi, Shigetoshi Sugawa

AVS 66th International Symposium& Exhibition, Plasma Science and Technology　PS+AS+EM+SS+TF-MoA2　2019年10月
Selective Laser Annealing Technology for LTPS Thin Film Transistors Fabrications 査読有り

Tetsuya Goto, Kaname Imokawa, Takahiro Yamada, Kaori Saito, Jun Gotoh, Hiroshi Ikenoue, Shigetoshi Sugawa

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials　311-312　2019年9月
High Reliability CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junction Fabrication Using Low-damage Ion Beam Etching 査読有り

Hyeonwoo Park, Akinobu Teramoto, Jun-ichi Tsuchimoto, Keiichi Hashimoto, Tomoyuki Suwa, Marie Hayashi, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials　59　(SG)　401-402　2019年9月

DOI： 10.35848/1347-4065/ab6cb5 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
An Accuracy Improved Resistance Measurement Platform for Evaluation of Emerging Memory Materials 査読有り

Takeru Maeda, Yuya Omura, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials　531-532　2019年9月
Evaluation of Silicon Nitride Film Formed Using Magnetic-Mirror Confined Plasma Source 査読有り

Tetsuya Goto, Seiji Kobayashi, Yuki Yabuta, Shigetoshi Sugawa

ECS Journal of Solid State Science and Technology　8　(8)　N113-N118　2019年7月
Systematic characterization of negative-ion-containing microwave-excited plasmas by Langmuir probe measurement 査読有り

Tetsuya Goto, Shigetoshi Sugawa

The 15th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes　25-27　2019年6月
A High Optical Performance 2.8μm BSI LOFIC Pixel with 120ke- FWC and 160μV/e- 査読有り

Ken Miyauchi, Shunsuke Okura, Kazuya Mori, Isao Takayanagi, Junichi Nakamura, Shigetoshi Sugawa

International Image Sensor Workshop　246-249　2019年6月
A VGA Optical Filter-less CMOS Image Sensor with UV-selective and Visible Light Channels by Differential Spectral Response Pixels 査読有り

Yhang Ricardo, Sipauba Carvalho da Silva, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

International Image Sensor Workshop　302-305　2019年6月
Over 100 Million Frames per Second 368 Frames Global Shutter Burst CMOS Image Sensor with In-pixel Trench Capacitor Memory Array 査読有り

Manabu Suzuki, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

International Image Sensor Workshop　20　(4)　266-269　2019年6月

DOI： 10.3390/s20041086 　

ISSN：1424-8220
SiNx Deposition at Low Temperature Using UV-irradiated NH3 査読有り

Y. Shiba, A. Teramoto, T. Suwa, K. Ishii, A. Shimizu, K. Umezawa, R. Kuroda, S. Sugawa

235th Meeting of The Electrochemical Society　1228　2019年5月
Investigation of Rotating Spokes in DC Magnetron Plasma Using High speed Video Camera Over 1 Million Frames Per Second 査読有り

Shintaro Yamazaki, Tetsuya Goto, Manabu Suzuki, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

International Symposium on Sputtering and Plasma Processes　FS-1-FS-3　2019年5月
SiNx Deposition at Low Temperature Using UV-irradiated NH3 査読有り

Y. Shiba, A. Teramoto, T. Suwa, K. Ishii, A. Shimizu, K. Umezawa, R. Kuroda, S. Sugawa

ECS Transactions　89　(4)　31-36　2019年5月

DOI： 10.1149/08904.0031ecst 　

ISSN：1938-6737

eISSN：1938-5862
Improvement of Fundamental Technology of Three-Dimensional Thermal Compression Bonding with High Accuracy 査読有り

Kohei Seyama, Shoji Wada, Yuji Eguchi, Doug Day, Shigetoshi Sugawa

IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Thechnology　9　(5)　836-844　2019年5月
Impact of CoFeB surface roughness on reliability of MgO films in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junction 査読有り

Hyeonwoo Park, Akinobu Teramoto, Jun-Ichi Tsuchimoto, Marie Hayashi, Keiichi Hashimoto, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　58　(SIIB29)　SIIB29-1-SIIB29-6　2019年4月
A Highly Robust Silicon Ultraviolet Selective Radiation Sensor Using Differential Spectral Response Method 査読有り

Yhang Ricardo, Sipauba Carvalho da Silva, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Sensors　19　(12)　2755-2755　2019年4月

DOI： 10.3390/s19122755 　
Resistance Measurement Platform for Statistical Analysis of Next Generation Memory Materials 査読有り

Takeru Maeda, Yuya Omura, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures　2019-March　70-75　2019年3月

DOI： 10.1109/ICMTS.2019.8730955 　
A high-sensitivity compact gas concentration sensor using ultraviolet light absorption with a heating function for a high-precision trimethyl aluminum gas supply system 査読有り

Hidekazu Ishii, Masaaki Nagase, Nobukazu Ikeda, Yoshinobu Shiba, Yasuyuki Shirai, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　58　(SB)　SBBL04-1-SBBL04-6　2019年3月

DOI： 10.7567/1347-4065/aafe69 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
A CMOS image sensor with dual pixel reset voltage for high accuracy ultraviolet light absorption spectral imaging 査読有り

Yusuke Aoyagi, Yasuyuki Fujihara, Maasa Murata, Hiroya Shike, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　58　(SB)　SBBL03-1-SBBL03-6　2019年3月

DOI： 10.7567/1347-4065/aaffc1 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
スリット型ワイヤボンダトランスデューサの小型高剛性構造査読有り

瀬山耕平, 角谷修, 須川成利

精密工学会誌　85　(2)　176-181　2019年2月
Influence of Silicon Wafer Surface Roughness on Semiconductor Device Characteristics 査読有り

K. Mori, S. Samata, N. Mitsugi, A. Teramoto, R. Kuroda, T. Suwa, K. Hashimoto, S. Sugawa

International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY　50-51　2019年
Low-temperature deposition of silicon nitride films using ultraviolet-irradiated ammonia

Yoshinobu Shiba, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Katsutoshi Ishii, Akira Shimizu, Kota Umezawa, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

ECS Journal of Solid State Science and Technology　8　(11)　P715-P718　2019年

DOI： 10.1149/2.0131911jss 　

ISSN：2162-8769

eISSN：2162-8777
Power efficienty Figure-of-Merit for image sensors 査読有り

Yuichiro Yamashita, Shigetoshi Sugawa

IEEE Transactions on Electtron Devices　66　(1)　512-517　2019年1月

DOI： 10.1109/TED.2018.2882857 　
Over 100 million frames per second high speed global shutter CMOS image sensor 査読有り

R. Kuroda, M. Suzuki, S. Sugawa

Proceedings of SPIE　11051　110510B-1-110510B-6　2019年

DOI： 10.1117/12.2524492 　

ISSN：0277-786X

eISSN：1996-756X
A CMOS Proximity Capacitance Image Sensor with 16μm Pixel Pitch, 0.1aF Detection Accuracy and 60 Frames Per Second 査読有り

M. Yamamoto, R. Kuroda, M. Suzuki, T. Goto, H. Hamori, S. Murakami, T. Yasuda, S. Sugawa

IEEE International Electron Devices Meeting　2018-December　660-663　2018年12月

DOI： 10.1109/IEDM.2018.8614636 　

ISSN：0163-1918
A 24.3Me- Full Well Capacity CMOS Image Sensor with Lateral Overflow Integration Trench Capacitor for High Precision Near Infrared Absorption Imaging 査読有り

M. Murata, R. Kuroda, Y. Fujihara, Y. Aoyagi, H. Shibata, T. Shibaguchi, Y. Kamata, N. Miura, N. Kuriyama, S. Sugawa

IEEE International Electron Devices Meeting　2018-December　225-228　2018年12月

DOI： 10.1109/IEDM.2018.8614590 　

ISSN：0163-1918
Statistical Analysis of Threshold Voltage Variation Using MOSFETs With Asymmetric Source and Drain 査読有り

Shinya Ichino, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Takezo Mawaki, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

IEEE Electron Device Letters　39　(12)　1836-1839　2018年12月

DOI： 10.1109/LED.2018.2874012 　

ISSN：0741-3106
High speed and narrow-bandpass liquid crystal filter for real-time multi spectral imaging systems 査読有り

Kohei Terashima, Kazuhiro Wako, Yasuyuki Fujihara, Yusuke Aoyagi, Maasa Murata, Yosei Shibata, Shigetoshi Sugawa, Takahiro Ishinabe, Rihito Kuroda, Hideo Fujikake

IEICE Transactions on Electronics　E101C　(11)　897-900　2018年11月

DOI： 10.1587/transele.E101.C.897 　

ISSN：0916-8524

eISSN：1745-1353
RTS noise characterization and suppression for advanced CMOS image sensors 査読有り

Rihito Kuroda, Shinya Ichino, Takezo Mawaki, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

International Workshop on Image Sensors and Imaging Systems　12-13　2018年11月
Silicon Nitride Film Formations Using Magnetic-Mirror Confined New Plasma Source 査読有り

Tetsuya Goto, S. K. Kobayashi, Shigetoshi Sugawa

AVS 65th International Symposium　PS-ThM　2018年11月
Corrosion Resistance to F and Cl plasma of Yttrium Oxyfluoride (YOF) formed by Sintering 査読有り

Akinobu Teramoto, Yoshinobu Shiba, Tetsuya Goto, Kishi Yukio, Shigetoshi Sugawa

American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition　16　2018年11月
Over 100Mfps high speed global shutter CMOS image sensor 査読有り

Rihito Kuroda, Manabu Suzuki, Shigetoshi Sugawa

32nd International Congress on High-Speed Imaging and Photonics　27　2018年11月
Impact of CoFeB Surface Roughness on Reliability of MgO Films in CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junction 査読有り

Hyeonwoo Park, Akinobu Teramoto, Jun-ichi Tsuchimoto, Marie Hayashi, Keiichi Hashimoto, Shigetoshi Sugawa

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy　20　2018年10月
Effects of Process Gases and Gate TiN Electrode during the Post Deposition Anneal to ALD-Al2O3 Dielectric Film 査読有り

AVS 65th International Symposium and Exhibition　TF+EM+MI-WeM-5　2018年10月
High Speed Global Shutter CMOS Image Sensors Toward Over 100Mfps 査読有り

Rihito Kuroda, Manabu Suzuki, Shigetoshi Sugawa

Ultrafast imaging and particle tracking instrumentation and methods 2018　2018年10月
Corrosion resistance of sintered SiC against fluorinated plasmas 査読有り

Tetsuya Goto, Michito Miyahara, Masaru Sasaki, Shigetoshi Sugawa

Journal of Vacuum Science & Technology A　36　(6)　061404-1-091404-6　2018年10月
Impacts of Boron Concentration and Annealing Temperature on Electrical Characteristics of CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junction 査読有り

Hyeonwoo Park, Akinobu Teramoto, Jun-ichi Tsuchimoto, Marie Hayashi, Keiichi Hashimoto, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

International Conference on Solid State Devices and Materials　905-906　2018年9月
Improved Conductance Method for Interface Trap Density of ZrO2-Si interface 査読有り

Hsin Jyun Lin, Akinobu Teramoto, Hiroshi Watanabe, Rihito Kurota, Kota Umezawa, Kiichi Furukawa, Shigetoshi Sugawa

International Conference on Solid State Devices and Materials　865-866　2018年9月
Dual Pixel Reset Voltage CMOS Image Sensor For High SNR Ultraviolet Light Absorption Spectral Imaging 査読有り

Yusuke Aoyagi, Yasuyuki Fujihara, Maasa Murata, Hiroya Shike, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

International Conference on Solid State Devices and Materials　595-596　2018年9月
A 125Mfps Global Shutter CMOS Image Sensor with Burst Correlated Double Sampling during Photo-Electrons Collection 査読有り

Manabu Suzuki, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

International Conference on Solid State Devices and Materials　593-594　2018年9月
Impact of atomically flat SiO2/Si interface on improvement of MOS device performance 査読有り

Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

European Advanced Materials Congress　204　2018年8月
LTPS Thin-Film Transistors Fabricated Using New Selective Laser Annealing System 査読有り

Tetsuya Goto, Kaori Saito, Fuminobu Imaizumi, Makoto Hatanaka, Masami Takimoto, Michinobu Mizumura, Jun Gotoh, Hiroshi Ikenoue, Shigetoshi Sugawa

IEEE Transactions on Electron Devices　6　(8)　3250-3256　2018年8月

DOI： 10.1109/TED.2018.2846412 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
Statistical Analyses of Random Telegraph Noise in Pixel Source Follower with Various Gate Shapes in CMOS Image Sensor 査読有り

Ichino S, Mawaki T, Teramoto A, Kuroda R, Wakashima S, Suwa T, Sugawa S

ITE Transactions on Media Technology and Applications　6　(3)　163-170　2018年7月

DOI： 10.3169/mta.6.163 　

ISSN：2186-7364

eISSN：2186-7364
Properties of Poly-Si Thin Films and Their Transistors Fabricated Using Selective Excimer Laser Annealing 査読有り

Tetsuya Goto, Kaori Saito, Fuminobu Imaizumi, Makoto Hatanaka, Masami Takimoto, Michinobu Mizumura, Jun Gotoh, Hiroshi Ikenoue, Kazuo Udagawa, Junji Kido, Shigetoshi Sugawa

INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES　P-22　2018年7月
Intercolor-Filter Crosstalk Model for Image Sensors with Color Filter Array 査読有り

Yuichiro Yamashita, Shigetoshi Sugawa

IEEE Transactions on Electron Devices　65　(6)　2531-2536　2018年6月1日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/TED.2018.2828861 　

ISSN：0018-9383
A Multi Spectral Imaging System with a 71dB SNR 190-1100 nm CMOS Image Sensor and an Electrically Tunable Multi Bandpass Filter 査読有り

Yasuyuki Fujihara, Yusuke Aoyagi, Maasa Murata, Satoshi Nasuno, Shunichi Wakashima, Rihito Kuroda, Kohei Terashima, Takahiro Ishinabe, Hideo Fujikake, Kazuhiro Wako, Shigetoshi Sugawa

ITE Transactions on Media Technology and Applications　6　(3)　187-194　2018年6月

DOI： 10.3169/mta.6.187 　

eISSN：2186-7364
Impacts of Random Telegraph Noise with Various Time Constants and Number of States in Temporal Noise of CMOS Image Sensors 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

ITE Transactions on Media Technology and Applications　6　(3)　171-179　2018年6月

DOI： 10.3169/mta.6.171 　

eISSN：2186-7364
Design and Application of Inovative Multi-Table and Bond Head Drive System on Thermal Compression Bonber with UPH over 2000 査読有り

Kohei Seyama, Shoji Wada, Yuji Eguchi, Tomponori Nakamura, Doug Day, Shigetoshi Sugawa

IEEE 68th Electronic Components and Technology Conference　392-400　2018年5月
A High Sensitivity and Compact Real Time Gas Concentration Sensor for Semiconductor and Electronic Device Manufacturing Process 査読有り

Hidekazu Ishii, Masaaki Nagase, Nobukazu Ikeda, Yoshinobu Shiba, Yasuyuki Shirai, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

233rd ECS Meeting Abstracts　MA2018-01　(13)　2416-2416　2018年4月

DOI： 10.1149/08513.1399ecst 　

ISSN：1938-5862

eISSN：1938-6737
Effect of drain current on appearance probability and amplitude of random telegraph noise in low-noise CMOS image sensors 査読有り

Shinya Ichino, Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Hyeonwoo Park, Shunichi Wakashima, Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　57　(4)　04FF08-1-04FF08-1　2018年4月1日
出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/JJAP.57.04FF08 　

ISSN：1347-4065 0021-4922

eISSN：1347-4065
Experimental investigation of localized stress-induced leakage current distribution in gate dielectrics using array test circuit 査読有り

Hyeonwoo Park, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　57　(4)　04FE11-1-04FE11-5　2018年4月1日
出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/JJAP.57.04FE11 　

ISSN：1347-4065 0021-4922

eISSN：1347-4065
Reliability of MgO in Magnetic Tunnel Junctions Formed by MgO Sputtering and Mg Oxidation 査読有り

A. Teramoto, K. Hashimoto, T. Suwa, J. Tsuchimoto, M. Hayashi, H. Park, S. Sugawa

International Reliability Physics Symposium　GD4-1-GD4-6　2018年3月

ISSN：1541-7026
A Preliminary Chip Evaluation toward Over 50Mfps Burst Global Shutter Stacked CMOS Image Sensor 査読有り

Manabu Suzuki, Masashi Suzuki, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Electronic Imaging　IMSE-398-3984　2018年1月

DOI： 10.2352/ISSN.2470-1173.2018.11.IMSE-398 　

eISSN：2470-1173
High-speed multi-bandpass liquid-crystal filter using dual-frequency liquid crystal for real-time spectral imaging system 査読有り

Takahiro Ishinabe, Kohei Terashima, Kazuhiro Wako, Yasuyuki Fujihara, Yusuke Aoyagi, Maasa Murata, Satoshi Nasuno, Shunichi Wakashima, Rihito Kuroda, Yosei Shibata, Shigetoshi Sugawa, Hideo Fujikake

SPIE PHOTONICS WEST　10555-29　2018年1月
Narrow-Bandpass Liquid Crystal Filter for Real-Time Multi Spectral Imaging Systems 査読有り

Kohei Terashima, Takahiro Ishinabe, Kazuo Wako, Yasuyuki Fujihara, Yusuke Aoyagi, Maasa Murata, Satoshi Nasuno, Shunichi Wakashima, Rihito Kuroda, Yosei Shibata, Shigetoshi Sugawa, Hideo Fujikake

International Display Workshops　1　259-261　2017年12月

ISSN：1883-2490
New Compact Electron Cyclotron Resonance Plasma Source for Silicon Nitride Film Formation in Minimal Fab System 査読有り

Tetsuya Goto, Kei-Ichiro Sato, Yuki Yabuta, Shigetoshi Sugawa, Shiro Hara

IEEE Journal of the Electron Devices Society　6　512-517　2017年11月
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/JEDS.2017.2773519 　

ISSN：2168-6734
Experimental Investigation of Localized Stress Induced Leakage Current Distribution in Gate Dielectrics Using Array Test Circuit 査読有り

Hyeonwoo Park, Tomoyuki Suwa, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials　785-786　2017年9月
Impact of Drain Current to Appearance Probability and Amplitude of Random Telegraph Noise in Low Noise CMOS Image Sensors 査読有り

Shinya Ichino, Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Hyeonwoo Park, Takeru Maeda, Shunichi Wakashima, Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

International Conference on Solid State Devices and Materials　331-332　2017年9月
Analysis of Random Telegraph Noise Behaviors of nMOS and pMOS toward Back Bias Voltage Changing 査読有り

Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shinya Ichino, Shigetoshi Sugawa

International Conference on Solid State Devices and Materials　333-334　2017年9月
Hole-Trapping Process at Al2O3/GaN Interface Formed by Atomic Layer Deposition 査読有り

Akinobu Teramoto, Masaya Saito, Tomoyuki Suwa, Tetsuo Narita, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS　38　(9)　1309-1312　2017年9月

DOI： 10.1109/LED.2017.2734914 　

ISSN：0741-3106

eISSN：1558-0563
224-ke Saturation signal global shutter CMOS image sensor with in-pixel pinned storage and lateral overflow integration capacitor 査読有り

Yorito Sakano, Shin Sakai, Yoshiaki Tashiro, Yuri Kato, Kentaro Akiyama, Katsumi Honda, Mamoru Sato, Masaki Sakakibara, Tadayuki Taura, Kenji Azami, Tomoyuki Hirano, Yusuke Oike, Yasunori Sogo, Takayuki Ezaki, Tadakuni Narabu, Teruo Hirayama, Shigetoshi Sugawa

IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers　C250-C251　2017年8月10日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.23919/VLSIC.2017.8008498 　
Improvement in Electrical Characteristics of ALD Al2O3 Film by Microwave Excited Ar/O2 Plasma Treatment 査読有り

Masaya Saito, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Yasumasa Koda, Rihito Kuroda, Yoshinobu Shiba, Shigetoshi Sugawa, Junichi Tsuchimoto, Marie Hayashi

232nd ECS Meeting Abstracts　MA2017-01　1249-1249　2017年6月
Atomically flat interface for noise reduction in SOI-MOSFETs 査読有り

P. Gaubert, R. Kuroda, T. Goto, A. Teramoto, S. Sugawa

International Conference on Noise and Fluctuations　8.4　2017年6月

ISSN：2575-5587

eISSN：2575-5595
10Mfps 960 Frames Video Capturing Using a UHS Global Shutter CMOS Image Sensor with High Density Analog Memories 査読有り

Manabu Suzuki, Masashi Suzuki, Rihito Kuroda, Yuki Kumagai, Akira Chiba, Noriyuki Miura, Naoya Kuriyama, Shigetoshi Sugawa

International Image Sensor Workshop　308-311　2017年6月
A Spectral Imaging System with an Over 70dB SNR CMOS Image Sensor and Electrically Tunable 10nm FWHM Multi-Bandpass Filter 査読有り

Yasuyuki Fujihara, Yusuke Aoyagi, Satoshi Nasuno, Shunichi Wakashima, Rihito Kuroda, Kohei Terashima, Takahiro Ishinabe, Hideo Fujikake, Kazuhiro Wako, Shigetoshi Sugawa

International Image Sensor Workshop　47-50　2017年6月
Impact of Random Telegraph Noise with Various Time Constants and Number of States in CMOS Image Sensors 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

International Image Sensor Workshop　43-46　2017年6月
Statistical Analysis of Random Telegraph Noise in Source Follower Transistors with Various Shapes 査読有り

Shinya Ichino, Takezo Mawaki, Shunichi Wakashima, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Phillipe Gaubert, Tetsuya Goto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa

International Image Sensor Workshop　39-42　2017年6月
Formation technology of flat surface with epitaxial growth on ion-implanted (100)-oriented Si surface of thin silicon-on-insulator 査読有り

Kiichi Furukawa, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Keiichi Hashimoto, Shigetoshi Sugawa, Daisuke Suzuki, Yuichiro Chiba, Katsutoshi Ishii, Akira Shimizu, Kazuhide Hasebe

Japanese Journal of Applied Physics　56　105503-1-105503-8　2017年4月
Performances of accumulation-mode n- and p-MOSFETs on Si(110) wafers 査読有り

Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　56　(4)　04CD15-1-04CD15-7　2017年4月1日
出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/JJAP.56.04CD15 　

ISSN：1347-4065 0021-4922
Improvement in the Negative Bias Illumination Stress Stability for Silicon-Ion Implanted Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors 査読有り

Tetsuya Goto, Fuminobu Imaizumi, Shigetoshi Sugawa

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS　38　(3)　345-348　2017年3月

DOI： 10.1109/LED.2017.2660486 　

ISSN：0741-3106

eISSN：1558-0563
An over 1Mfps global shutter CMOS image sensor with 480 frame storage using vertical analog memory integration 査読有り

M. Suzuki, M. Suzuki, R. Kuroda, Y. Kumagai, A. Chiba, N. Miura, N. Kuriyama, S. Sugawa

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　8.5.1-8.5.4　2017年1月31日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/IEDM.2016.7838376 　

ISSN：0163-1918
Chemical stability improvement in IGZO using selective laser annealing system 査読有り

Tetsuya Goto, Kaori Saito, Fuminobu Imaizumi, Michinobu Mizumura, Akira Suwa, Hiroshi Ikenoue, Shigetoshi Sugawa

Digest of Technical Papers - SID International Symposium　48　(1)　604-607　2017年
出版者・発行元： Blackwell Publishing Ltd
DOI： 10.1002/sdtp.11711 　

ISSN：2168-0159 0097-966X

eISSN：2168-0159
High Sensitivity and High Readout Speed Electron Beam Detector using Steep pn Junction Si diode for Low Acceleration Voltage 査読有り

Koda Y, Kuroda R, Hara M, Tsunoda H, Sugawa S

IS&T International Symposium on Electronic Imaging 2017, Image Sensors and Imaging Systems 2017　11　14-17　2017年1月

DOI： 10.2352/ISSN.2470-1173.2017.11.IMSE-178 　

eISSN：2470-1173
A high sensitivity 20Mfps CMOS image sensor with readout speed of 1Tpixel/sec for visualization of ultra-high speed phenomena 査読有り

R. Kuroda, S. Sugawa

SELECTED PAPERS FROM THE 31ST INTERNATIONAL CONGRESS ON HIGH-SPEED IMAGING AND PHOTONICS　10328　1032802-1-1032802-6　2017年

DOI： 10.1117/12.2270787 　

ISSN：0277-786X
Stable yttrium oxyfluoride used in plasma process chamber 査読有り

Yoshinobu Shiba, Akinobu Teramoto, Tetsuya Goto, Yukio Kishi, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

Journal of Vacuum Science & Technology A　35　(2)　021405-1-021405-6　2017年1月

DOI： 10.1116/1.4975143 　
New Compact ECR Plasma Source for Silicon Nitride Film Formation in Minimal Fab System 査読有り

Tetsuya Goto, Kei-ichiro Sato, Yuki Yabuta, Shigetoshi Sugawa, Shiro Hara

2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)　5M-4　84-85　2017年

DOI： 10.1109/EDTM.2017.7947528 　
Impact of SiO2/Si Interface Micro-roughness on SILC Distribution and Dielectric Breakdown: A Comparative Study with Atomically Flattened Devices 査読有り

Hyeonwoo Park, Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Daiki Kimoto, Shigetoshi Sugawa

2017 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS)　DG-7.1-DG-7.5　2017年

DOI： 10.1109/IRPS.2017.7936364 　

ISSN：1541-7026
Mirror-field confined compact plasma source using permanent magnet for plasma processings 査読有り

Tetsuya Goto, Kei-ichiro Sato, Yuki Yabuta, Shigetoshi Sugawa

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS　87　(12)　123508-1-123508-5　2016年12月

DOI： 10.1063/1.4972294 　

ISSN：0034-6748

eISSN：1089-7623
Electrical Characteristics of Si-Doped IGZO TFTs Fabricated Using Ion Implantation 査読有り

Tetsuya Goto, Fuminobu Imaizumi, Shigetoshi Sugawa

The 23rd International Display Workshop　1　252-255　2016年12月
A High Sensitivity 20Mfps CMOS Image Sensor with Readout speed of 1Tpixel/sec for Visualization of Ultra-high Speed Phenomena 招待有り査読有り

Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Proceedings of the 31st International Congress on High-speed Imaging and Photonics　68-73　2016年11月9日
A Dead-time free global shutter stacked CMOS image sensor with in-pixel LOFIC and ADC using pixel-wise connections 査読有り

Rihito Kuroda, Hidetake Sugo, Shunichi Wakashima, Shigetoshi Sugawa

3rd International Workshop on Image Sensors and Imaging Systems　13-14　2016年11月
Oxidizing Species Dependence of the Interface Reaction during Atomic-Layer-Deposition Process and Post-Deposition-Anneal 査読有り

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Yasumasa Koda, Masaya Saito, Hisaya Sugita, Marie Hayashi, Junichi Tsuchimoto, Hidekazu Ishii, Yoshinobu Shiba, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

PACIFIC RIM MEETING ON ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE SCIENCE (PRiME2016) /230th ECS Meeting　MA2016-02　(27)　1836-1836　2016年10月
出版者・発行元： The Electrochemical Society
DOI： 10.1149/MA2016-02/27/1836 　

eISSN：2151-2043

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Introduction Al₂O₃ film is an attractive gate dielectric material for the power devices [1] and metal-insulator-metal capacitors [2]. For Al₂O₃ deposition, the atomic layer deposition (ALD) is one of the most promising methods [3]. It is considered that the oxidation is one of the important processes in ALD. In the case of using radical oxidation in ALD, it is suggested by XPS evaluation that the oxidizing reaction is occurred at the Al₂O₃/Si interface during ALD [4]. In the former study, H₂O oxidation at stage temperature of 75 °C was shown to be effective because of not oxidizing Si [4]. However the oxidation ability of H₂O becomes low at such low temperature. Therefore, it is required to introduce the post-deposition-annealing (PDA) without oxidizing the interface to improve Al₂O₃ film quality [4, 5]. In this paper, the characteristics of Al₂O₃/Si interface formed during ALD and PDA are evaluated by MIS capacitor, and its interface structure was also observed by Rutherford backscattering spectroscopy (RBS) for clarifying the mechanism of its degradation. Experiment MIS capacitors were fabricated on Cz-n Si(100) wafers (8-12 ohm cm). At first, the native oxide on Si surface was removed by diluted HF (0.5%), and after that Al₂O₃films (20 nm) were deposited on Si by ALD [4]. Finally, Al-electrodes were formed by the evaporation. The Al₂O₃ films were prepared with and without PDA. Here, PDA-I and PDA-II were carried out by O₂ annealing at 400 ^oC [5] and Ar/O₂ plasma oxidation [6], respectively. For RBS measurement, Co(10 nm)/SiN(5 nm)/Si(100)-substrate were used. SiN was formed by low-pressure thermal CVD at 725 ^oC on Si substrate, and after that Co was formed by sputtering. Here, Co was used because it is easy to detect the oxidizing reaction at Al₂O₃/Co interface. Al₂O₃films were deposited on Co by 11-cycles-ALD. Here, by 11-cycles-ALD, Al₂O₃film (3 nm) was deposited on Si. Results and Discussion Figure 1 shows the capacitance-voltage (C-V) curves of MIS capacitors. Four samples for each were measured. In the case of Al₂O₃ without PDA, flat band voltage (V_fb) is negative value such as around -2.0 V. It is suggested that the positive charges (1.87×10¹² cm^-2 ~ 2.53×10¹² cm^-2) exist in Al₂O₃ film. After PDA-I, V_fb becomes almost same value such as 0.1 V and the negative charges (1.12×10¹² cm^-2 ~ 1.17×10¹² cm^-2) exist in Al₂O₃ film. In addition, V_fb variability drastically decreases. It is considered that O₂ annealing at 400 ^oC is very effective to improve Al₂O₃ film quality [5]. On the other hand, after PDA-II, V_fb drastically shifts to the positive direction by the negative charges (2.96×10¹² cm^-2 ~ 8.61×10¹² cm^-2) and its variability is large. Moreover the slope of C-V curve with PDA-II is smaller than that without PDA because of increasing the interface trap. As a result, it is considered that the interfacial quality became poor by Ar/O₂plasma oxidation in this experiment. Figure 2 shows the energy spectra of 450 keV He⁺ ions backscattered from Al₂O₃/Co/SiN/Si. Al₂O₃films without PDA, with PDA-II 20sec, 60sec and 300sec were measured. Several observed peaks indicate the energy of He ions scattered by Co, Al, Si, O and N atoms, respectively. Figure 3 (a)-(c) show the narrow spectra related to O, Al and Co, respectively. Especially, in the case of PDA-II 300 sec, each spectrum in fig. 3(a)-(c) spreads more widely. It is suggested that Al and Co interdiffuse at the interfacial layer during PDA-II 300sec. As a result, it is suggested that the intermediate oxide states consisting of Al-Co-O are formed. Conclusion We investigated the influence of PDA to the Al₂O₃ interface. O₂ annealing at 400 ^oC is very effective for improving the Al₂O₃ film quality. However, by Ar/O₂ plasma oxidation, it is considered that Al and Co interdiffuse at the interface. It is expected that a similar phenomenon is also caused with Al₂O₃/Si interface, then it is considered that the intermediate oxide states consisting of Al-Si-O cause the electrical characteristic degradation such as increase of fixed charge, interface trap and variability. Acknowledgments This work was carried out at fluctuation free facility of New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University. Reference [1] P.D. Ye et al., Appl. Phys. Lett., 86(2005) 063501 [2] A. Farcy et al., Microelectronic Eng., 85(2008) 1940-1946 [3] R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 97(2005) 121301 [4] H. Sugita, et al., ECS Trans, 66(2015) 305-314 [5] Y. Koda, et al., ECS Trans., to be published at 229^thECS meeting [6] K. Sekine, et al., IEEE TRANS. ON ELECTRON DEVICE, 48 (8) (2001) 1550 Figure 1
Formation Technology of Flat Surface after Selective Epitaxial Growth on Ion-Implanted (100) Oriented Thin SOI Wafers 査読有り

Kiichi Furukawa, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Keiichi Hashimoto, Shigetoshi Sugawa, Daisuke Suzuki, Yoichiro Chiba, Katsutoshi Ishii, Akira Shimizu, Kazuhide Hasebe

Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials　116　(270)　649-650　2016年9月28日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN：0913-5685
Low Frequency Noise of Accumulation-Mode n- and p-MOSFETs fabricated on (110) Crystallographic Silicon-Oriented Wafers 査読有り

Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials　717-718　2016年9月28日
On-Chip Optical Filter Technology with Low Extinction Coefficient SiN for Ultraviolet-Visible-Near Infrared Light Waveband Spectral Imaging 査読有り

Yasumasa Koda, Yhang Ricardo, Sipauba Carvalho, da Silva, Loïc Julien, Daisuke Sawada, Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices　418-422　2016年7月6日
Introduction of a High Selectivity Etching Process with Advanced SiNx Etch Gas in the Fabrication of FinFET Structures 査読有り

Takashi Kojiri, Tomoyuki Suwa, Keiichi Hashimoto, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

229th Meeting of The Electrochemical Society　1166　2016年5月

DOI： 10.1149/MA2016-01/23/1166 　
Low Leakage Current Al2O3 Metal-Insulator-Metal Capacitors Formed By Atomic Layer Deposition at Optimized Process Temperature and O2 Post Deposition Annealing 査読有り

Yasumasa Koda, Hisaya Sugita, Tomoyuki Suwa, Rihito Kuroda, Tetsuya Goto, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

229th Meeting of The Electrochemical Society　MA2016-01　(23)　1174-1174　2016年5月
出版者・発行元： The Electrochemical Society
DOI： 10.1149/MA2016-01/23/1174 　

eISSN：2151-2043

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Introduction In integrated circuits, Metal-Insulator-Metal (MIM) capacitor is the key passive element for filtering, decoupling and oscillating, and so on. Followings are especially important requirements; high capacitance density, low leakage current density [1]. To meet these requirements, various high-k materialshave been investigated for dielectric materials of MIM capacitors [2,3]. Atomic layer deposition (ALD) is one of the most promising methods. It is considered that the temperature of ALD is one of important parameter in relation to the supply of Trimethylaluminum (TMA) for Al₂O₃. A recent study reported that an excessive high temperature may cause decomposition of TMA and the substrate material must not be oxidized during the oxidation process. H₂O oxidation at stage temperature of 75 °C is shown to be effective because the oxidation ability of H₂O becomes low, so it is effective to form the high quality interface of Al2O3/metal. Then, it is expected to be effective to improve Al₂O₃ film quality by post deposition annealing (PDA). In this paper, using the developed ALD process equipment, Al₂O₃ film was deposited by H₂O oxidation ALD at stage temperature of 75C°. The impact of the annealing on the electrical characteristics of MIM and metal-insulator-silicon (MIS) capacitors was investigated. Experiment Figures 1 and 2 show the process flow and the cross sectional schematic image of the fabricated MIM capacitors, respectively. After n-type (100) Si wafers Cleaning, SiO₂ films were formed by thermal wet oxidation at 1000°C. Next, bottom TiN electrodes were formed by DC sputtering at 1kW(2.5W/cm²) with Ar/N₂ flow at 300°C. To form active region, SiO₂ films were deposited by atmospheric pressure chemical vapor deposition with SiH₄/O₂/N₂ mixed gases at 400°C and the wet etching was carried out. Al₂O₃ films were deposited by ALD. TMA was supplied at 50°C to the chamber with the high temperature flow control system (HT-FCS) [5]. After the four times cyclic purge, H₂O gas was supplied to the chamber and then TMA was oxidized to Al₂O₃ film. At this time, the pressure of the chamber was 133Pa and the wafer stage was 75°C. At this process condition, Al₂O₃ growth rate per cycle was 0.35nm/cycle nearly equaled to the thickness of mono-layer Al₂O₃ and high uniformity of Al₂O₃ film thickness in the Si-wafer was obtained [4]. In this work, 40 cycles were carried out. Next, the three types of PDA conditions were applied to investigate the effect of PDA to improve Al₂O₃ films: (1) without annealing; (2) O₂ annealing at 400°C for 30min; (3) N₂ annealing at 400°C for 30min. Finally, the top Al electrode was formed by high vacuum vaporization. As reference samples, MIS with three types of Al₂O₃dielectric were prepared on n-type (100) Si wafers. Result and Discussion Figure 3 shows the leakage current density of MIM capacitors with the area of 1.0×10^-4cm² as a function of applied voltage. The thickness of Al₂O₃ films for without annealing, O₂ annealing and N annealing were 13.7, 11.0 and 11.2nm, respectively. Here these films thickness were measured with the reference Al₂O₃ samples deposited on Si wafers by spectroscopic ellipsometry. Regarding the measurement conditions of leakage current, the delay time at each applied bias was set to 40sec to eliminate the transition and displacement current to accurately measure the quality of Al₂O₃ films. Figure 4 shows the capacitance density of MIM capacitors with the area of 1.0×10^-4cm² as a function of applied voltage at a frequency of 100kHz. As a result, the leakage current density and the capacitance density at 1V for without annealing, O₂ annealing and N₂ annealing were 7.2×10^-10and ,1.2×10^-10and1.5×10^-10 A/cm^-2and 5.7, 6.8and6.3 fF/um^-2, respectively. Figure 6 shows the comparison result on capacitance density and leakage current between this work and reported MIM capacitors with various materials. From this result, the leakage current density of both of MIM and MIS using Al₂O₃ without the annealing were about the same level as previous works. The reduction of the leakage current and increase of capacitance density were confirmed especially for the O₂ annealing and the superior characteristics in comparison to the previous works were successfully obtained. Furthermore, by measuring C-V characteristic of MIS as reference samples, the absolute value of the fixed charge density of Al₂O₃ film was reduced by 2.04×10¹²cm² by both O₂ and N₂ annealing processes. Therefore, O₂ annealing at 400°C is considered to be an effective PDA for the formed Al₂O₃ film. In conclusion, by O₂ annealing at 400°C for Al₂O₃ film deposited by H₂O oxidation ALD at relatively low temperature of 75°C is effective process sequence to achieve low leakage current MIM capacitors. Reference [1]Chit Hwei Ng, et al., IEEE Trans, vol.52(2005) 1399-1408 [2]S. Becu, et al., Microelectronic Eng., vol.83(2006) 2422 [3]Sang-UK Park, et al., Microelectronic Eng., vol.88(2011) 3389-3392 [4]Hisaya Sugita, et al., ECS Trans, vol.66 (2015) 305-314 [5]Michio Yamaji, et al., ECS Trans, vol.45 (2012) 429 Figure 1
Advanced CMOS Image Sensors Development for High Sensitivity, High Speed and Wide Spectral Response 招待有り

Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

International Workshop on Radiation Resistant Sensors and Related Technologies for Nuclear Power Plant Decommissioning　44-44　2016年4月20日
Impact of doping concentration on 1/f noise performances of accumulation-mode Si(100) n-MOSFETs 査読有り

Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(4)　04ED08-1-04ED08-6　2016年4月

DOI： 10.7567/JJAP.55.04ED08 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Analysis and reduction of leakage current of 2 kV monolithic isolator with wide trench spiral isolation structure 査読有り

Yusuke Takeuchi, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(4)　04EF07-1-04EF07-5　2016年4月

DOI： 10.7567/JJAP.55.04EF07 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Proposal of tunneling- and diffusion-current hybrid MOSFET: A device simulation study 査読有り

Kiichi Furukawa, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Keiichi Hashimoto, Takashi Kojiri, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(4)　04ED12-1-04ED12-7　2016年4月

DOI： 10.7567/JJAP.55.04ED12 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Low Interface Trap Density and High Breakdown Electric Field SiN Films on GaN Formed by Plasma Pretreatment Using Microwave-Excited Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り

Tadashi Watanabe, Akinobu Teramoto, Yukihisa Nakao, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　63　(4)　1795-1801　2016年4月

DOI： 10.1109/TED.2016.2525766 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
A CMOS Image Sensor with 240 μV/e– Conversion Gain, 200 ke– Full Well Capacity, 190-1000 nm Spectral Response and High Robustness to UV light 査読有り

Satoshi Nasuno, Shunichi Wakashima, Fumiaki Kusuhara, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

ITE Transactions on Media Technology and Applications　4　(2)　116-122　2016年4月1日

DOI： 10.3169/mta.4.116 　

eISSN：2186-7364
Wide dynamic range LOFIC CMOS image sensors: principle, achievements and extendibility 招待有り査読有り

Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

International Forum on Detectors for Photon Science　9　2016年2月29日
Random Telegraph Noise Measurement and Analysis based on Arrayed Test Circuit toward High S/N CMOS Image Sensors 招待有り査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

2016 INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES (ICMTS)　46-51　2016年

DOI： 10.1109/ICMTS.2016.7476172 　

ISSN：1071-9032
Analysis and reduction technologies of floating diffusion capacitance in CMOS image sensor for photon-countable sensitivity 査読有り

Fumiaki Kusuhara, Shunichi Wakashima, Satoshi Nasuno, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

ITE Transactions on Media Technology and Applications　4　(2)　91-98　2016年
出版者・発行元： Institute of Image Information and Television Engineers
DOI： 10.3169/mta.4.91 　

ISSN：2186-7364

eISSN：2186-7364
Floating capacitor load readout operation for small, low power consumption and high S/N Ratio CMOS image sensors 査読有り

Shunichi Wakashima, Fumiaki Kusuhara, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

ITE Transactions on Media Technology and Applications　4　(2)　99-108　2016年
出版者・発行元： Institute of Image Information and Television Engineers
DOI： 10.3169/mta.4.99 　

ISSN：2186-7364

eISSN：2186-7364
A high quantum efficiency high readout speed 1024 pixel ultraviolet-visible-near infrared waveband photodiode array 査読有り

Rihito Kuroda, Takahiro Akutsu, Yasumasa Koda, Kenji Takubo, Hideki Tominaga, Ryuta Hirose, Tomohiro Karasawa, Shigetoshi Sugawa

ITE Transactions on Media Technology and Applications　4　(2)　109-115　2016年
出版者・発行元： Institute of Image Information and Television Engineers
DOI： 10.3169/mta.4.109 　

ISSN：2186-7364

eISSN：2186-7364
A 20Mfps global shutter CMOS image sensor with improved light sensitivity and power consumption performances 査読有り

Rihito Kuroda, Yasuhisa Tochigi, Ken Miyauchi, Tohru Takeda, Hidetake Sugo, Fan Shao, Shigetoshi Sugawa

ITE Transactions on Media Technology and Applications　4　(2)　149-154　2016年
出版者・発行元： Institute of Image Information and Television Engineers
DOI： 10.3169/mta.4.149 　

ISSN：2186-7364

eISSN：2186-7364
Introduction of a High Selectivity Etching Process with Advanced SiNx Etch Gas in the Fabrication of FinFET Structures 査読有り

T. Kojiri, T. Suwa, K. Hashimoto, A. Teramoto, R. Kuroda, S. Sugawa

SILICON COMPATIBLE MATERIALS, PROCESSES, AND TECHNOLOGIES FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUITS AND EMERGING APPLICATIONS 6　72　(4)　23-30　2016年

DOI： 10.1149/07204.0023ecst 　

ISSN：1938-5862
Low Leakage Current Al2O3 Metal-Insulator-Metal Capacitors Formed by Atomic Layer Deposition at Optimized Process Temperature and O-2 Post Deposition Annealing 査読有り

Y. Koda, H. Sugita, T. Suwa, R. Kuroda, T. Goto, A. Teramoto, S. Sugawa

SILICON COMPATIBLE MATERIALS, PROCESSES, AND TECHNOLOGIES FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUITS AND EMERGING APPLICATIONS 6　72　(4)　91-100　2016年

DOI： 10.1149/07204.0091ecst 　

ISSN：1938-5862
A Dead-time Free Global Shutter CMOS Image Sensor with in-pixel LOFIC and ADC using Pixel-wise Connections 査読有り

Hidetake Sugo, Shunichi Wakashima, Rihito Kuroda, Yuichiro Yamashita, Hirofumi Sumi, Tzu-Jui Wang, Po-Sheng Chou, Ming-Chieh Hsu, Shigetoshi Sugawa

2016 IEEE SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS (VLSI-CIRCUITS)　224-225　2016年

DOI： 10.1109/VLSIC.2016.7573544 　
Evaluating Work-Function and Composition of ErSix on Various Surface Orientation of Silicon 査読有り

Akinobu Teramoto, Hiroaki Tanaka, Tomoyuki Suwa, Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Tsukasa Motoya, Kazumasa Kawase, Shigetoshi Sugawa

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY　5　(10)　P608-P613　2016年

DOI： 10.1149/2.0221610jss 　

ISSN：2162-8769

eISSN：2162-8777
Oxidizing species dependence of the interface reaction during atomic-layer-deposition process and post-deposition-anneal 査読有り

T. Suwa, A. Teramoto, Y. Koda, M. Saito, H. Sugita, M. Hayashi, J. Tsuchimoto, H. Ishii, Y. Shiba, Y. Shirai, S. Sugawa

SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 14　75　(5)　207-214　2016年

DOI： 10.1149/07505.0207ecst 　

ISSN：1938-5862
A High Sensitivity Compact Gas Concentration Sensor using UV Light and Charge Amplifier Circuit 査読有り

Hidekazu Ishii, Masaaki Nagase, Nobukazu Ikeda, Yoshinobu Shiba, Yasuyuki Shirai, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

2016 IEEE SENSORS　877-879　2016年

DOI： 10.1109/ICSENS.2016.7808698 　

ISSN：1930-0395
190-1100 nm Waveband Multispectral Imaging System using High Light Resistance Wide Dynamic Range CMOS Image Sensor 査読有り

Yasuvuki Fujihara, Satoshi Nasuno, Shunichi Wakashima, Yusuke Aoyagi, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

2016 IEEE SENSORS　283-285　2016年

DOI： 10.1109/ICSENS.2016.7808492 　

ISSN：1930-0395
A Dead-time Free Global Shutter CMOS Image Sensor with in-pixel LOFIC and ADC using Pixel-wise Connections 招待有り査読有り

Hidetake Sugo, Shunichi Wakashima, Rihito Kuroda, Yuichiro Yamashita, Hirofumi Sumi, Tzu-Jui Wang, Po-Sheng Chou, Ming-Chieh Hsu, Shigetoshi Sugawa

2016 IEEE SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS (VLSI-CIRCUITS)　13-14　2016年
190-1100 nm Waveband Multispectral Imaging System using High Light Resistance Wide Dynamic Range CMOS Image Sensor 査読有り

Yasuvuki Fujihara, Satoshi Nasuno, Shunichi Wakashima, Yusuke Aoyagi, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

2016 IEEE SENSORS　37-38　2016年

ISSN：1930-0395
An Over 1Mfps Global Shutter CMOS Image Sensor with 480 Frame Storage Using Vertical Analog Memory Integration 査読有り

M. Suzuki, M. Suzuki, R. Kuroda, Y. Kumagai, A. Chiba, N. Miura, N. Kuriyama, S. Sugawa

2016 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)　212-215　2016年

DOI： 10.1109/IEDM.2016.7838376 　

ISSN：2380-9248
Observation of sputtering of yttrium from Y2O3 ceramics by low-energy Ar, Kr, and Xe ion bombardment in microwave-excited plasma 査読有り

Tetsuya Goto, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(12)　128003-1-128003-3　2015年12月

DOI： 10.7567/JJAP.54.128003 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Introduction of Atomically Flattening of Si Surface to Large-Scale Integration Process Employing Shallow Trench Isolation 査読有り

Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Naoya Akagawa, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Xiang Li, Toshiki Obara, Daiki Kimoto, Shigetoshi Sugawa, Yutaka Kamata, Yuki Kumagai, Katsuhiko Shibusawa

ECS Journal of Solid State Science and Technology　5　(2)　67-72　2015年11月

DOI： 10.1149/2.0221602jss 　

ISSN：2162-8769

eISSN：2162-8777
Effect of Oxygen Impurity on Nitrogen Radicals in Post-Discharge Flows 査読有り

Yoshinobu Shiba, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Kensuke Watanabe, Shinichi Nishimura, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa

228th Meeting of The Electrochemical Society　MA2015-02　(47)　1848-1848　2015年10月
出版者・発行元： The Electrochemical Society
DOI： 10.1149/MA2015-02/47/1848 　

eISSN：2151-2043

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Introduction Silicon nitride films (SiNx) formed at low temperature are strongly required in very shrunk LSI process. The plasma silicon nitride formation technology with low damage at low temperature has been reported [1]. We have reported that the amount of active nitridation species in the process is important to form to high quality SiNx, especially on the side wall [2]. When the oxygen impurity is remained in the process gases, the oxygen is excited during the plasma processing. Then the excited oxygen is degraded the SiNx film quality [3-6]. However, it has not been reported the effect of inactive oxygen molecules in the nitridation process. In this paper, we report the effect of the impurity oxygen in post charge flows on the process of nitride formation. Experiment Fig.1 shows the schematic diagram of the experimental setup used for the reaction products measurement in the gases. It has a mixing point placed at downstream of a Nitrogen Radical Generator [7]. The produced gases reacted from the nitrogen radicals and O₂ gas are measured by Fourier Transform Infrared spectroscopy (FTIR). The impurity concentration of oxygen in N₂ gas was less than 1 ppb, this indicates the oxygen impurity of supply gas did not affect the experimental results. Nitrogen radicals concentration was generated by the Nitrogen Radical Generator several ten ppm in the N₂ gas [7]. The pressure in Nitrogen Radical Generator was varied from 30 to 120 kPa in the case of the N₂ flow rate at 5, 7, and 10slm. The O₂flow rate were varied from 8 to 190 sccm. Results and discussions Fig. 2 show the absorbance of (a)O₃, (b)N₂O produced from the nitrogen radicals and O₂gas. Horizontal axis of Fig. 2(a) denotes the product of the oxygen partial pressure and the oxygen molecules concentration. Here, this is equivalent to the collision probability of the oxygen molecules and the oxygen molecules. The produced O₃concentration increases with the increase of the collision probability. Then, horizontal axis of Fig. 2(b) denotes the product of the oxygen partial pressure and the elements' density exception of the oxygen molecules, that is, they’re nitrogen molecules and nitrogen radicals. Here, this is equivalent to the collision probability of the oxygen molecules and the nitrogen molecules including the nitrogen radicals. The produced N₂O concentration decreases with the increase of the collision probability. The oxygen molecules become oxygen radicals by the colliding with the nitrogen radicals because only O₃ and N₂O are generated. It’s considered that the numbers of nitrogen radicals decrease at the collision with oxygen molecules. Then, Fig. 2(a) and (b) show the oxygen radicals are more easier to react to the oxygen molecules or the oxygen radicals than the nitrogen molecules or the remained nitrogen radicals. The nitrogen radicals easily transfer the energy to the oxygen, and the nitrogen become inactive. These results indicates that the oxygen impurity has strong impact on the radical nitridation process. The oxygen components, even O₂molecules, must be reduced in the process using nitrogen radicals. Acknowledgement This research has been carried out at fluctuation free facility of New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University. References [1] Y. Nakao, et al., International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, 2011, pp905-906 [2] Y. Nakao, et al., ECS Trans. 45 (3) 421-428 (2012) [3] X. Guo, et al., IEEE Electron Device Lett., Vol.19, No.6, pp.207 (1999). [4] D.M.Brown, et al., J. Electrochem. Soc., Vol.115, No.3, pp.311 (1968). [5] L.He, et al., Jpn. J. Appl. Phys., vol.35, pt.1, No.2B, pp.1503 (1996). [6] V. A. Gritsenko, et al., Thin Solid Films, Vol.51, pp.353 (1978). [7]Gaku Oinuma，et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 41 (2008) 155204 Figure 1
Analysis and reduction of leakage current of 2kV monolithic isolator with wide trench spiral isolation structure 査読有り

Yusuke Takeuchi, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials　804-805　2015年9月30日
Proposal of Tunneling and Diffusion Current Hybrid MOSFET 査読有り

Kiichi Furukawa, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Keiichi Hashimoto, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials　86-87　2015年9月29日
1/f Noise Performances and Noise Sources of Accumulation Mode Si(100) n-MOSFETs 査読有り

Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials　96-97　2015年9月29日
Measurement and Analysis of Seismic Response in Semiconductor Manufacturing Equipment 査読有り

Kaori Komoda, Masashi Sakuma, Masakazu Yata, Yoshio Yamazaki, Fuminobu Imaizumi, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING　28　(3)　289-296　2015年8月

DOI： 10.1109/TSM.2015.2427807 　

ISSN：0894-6507

eISSN：1558-2345
A 80% QE High Readout Speed 1024 Pixel Linear Photodiode Array for UV-VIS-NIR Spectroscopy 査読有り

Rihito Kuroda, Takahiro Akutsu, Yasumasa Koda, Kenji Takubo, Hideki Tominaga, Ryuuta Hirose, Tomohiro Karasawa, Shigetoshi Sugawa

Proceedings of the 2015 International Image Sensor Workshop　78-81　2015年6月
Analysis and Reduction of Floating Diffusion Capacitance Components of CMOS Image Sensor for Photon-Countable Sensitivity 査読有り

Fumiaki Kusuhara, Shunichi Wakashima, Satoshi Nasuno, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Proceedings of the 2015 International Image Sensor Workshop　120-123　2015年6月
A 20Mfps Global Shutter CMOS Image Sensor with Improved Sensitivity and Power Consumption 査読有り

Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda, Tohru Takeda, Fan Shao, Ken Miyauchi, Yasuhisa Tochigi

Proceedings of the 2015 International Image Sensor Workshop　166-169　2015年6月
A CMOS Image Sensor with 240μV/e- Conversion Gain, 200ke- Full Well Capacity and 190-1000nm Spectral Response 査読有り

Satoshi Nasuno, Shunichi Wakashima, Fumiaki Kusuhara, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Proceedings of the 2015 International Image Sensor Workshop　39　(35)　312-315　2015年6月
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN：1342-6893

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広光波長帯域・高信頼性PD技術,低容量FD形成技術,LOFIC技術,埋め込みチャネル技術を融合した画素ピッチ5.6μm,画素数1280×960のCMOSイメージセンサの設計,試作,測定評価を行った.最小加工寸法0.18μm-CMOSイメージセンサプロセステクノロジを用いて試作したチップの測定の結果,240μV/e^-の電荷電圧変換ゲイン,200ke^-の飽和電子数,190-1000nmの広い感度波長帯域の性能を得た.高出力重水素ランプによる220時間の紫外光照射後も感度劣化が起こらない高い信頼性を有することを確認した.
Low Temperature Atomically Flattening of Si Surface of Shallow Trench Isolation Pattern 査読有り

Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Naoya Akagawa, Daiki Kimoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Yutaka Kamata, Yuki Kumagai, Katsuhiko Shibusawa

227th Meeting of The Electrochemical Society　1354　2015年5月
Effect of Hydrogen on Silicon Nitrides Formation by Microwave Excited Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り

Akinobu Teramoto, Yukihisa Nakao, Tomoyuki Suwa, Keiichi Hashimoto, Tsukasa Motoya, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

227th Meeting of The Electrochemical Society　1378　2015年5月
Surface Metal Cleaning of GaN Surface Based on Redox Potential of Cleaning Solution 査読有り

Kenji Nagao, Kenichi Nakamura, Akinobu Teramoto, Yasuyuki Shirai, Fuminobu Imaizumi, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

227th Meeting of The Electrochemical Society　1404　2015年5月
Low Work Function LaB6 Thin Film Prepared by nitrogen Doped LaB6 Target Supptering 査読有り

H. Ishii, K. Takahashi, T. Goto, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　66　(41)　23-28　2015年5月

DOI： 10.1149/06641.0023ecst 　
Crystallinity Improvement of Ferroelectric BiFeO3 Thin Film by Oxygen Radical Treatment 査読有り

Fuminobu Imaizumi, Tetsuya Goto, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

227th Meeting of The Electrochemical Society　1351　2015年5月
Ultra-Low Temperature Flattening Technique of Silicon Surface Using Xe/H2 Plasma 査読有り

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Tetsuya Goto, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

227th Meeting of The Electrochemical Society　1353　2015年5月
Effect of Process Temperature of Al2O3 Atomic Layer Deposition Using Accurate Process Gasses Supply System 査読有り

Hisaya Sugita, Yasukasa Koda, Tomoyuki Suwa, Rihito Kuroda, Tetsuya Goto, Hidekazu Ishii, Satoru Yamashita, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

227th Meeting of The Electrochemical Society　1399　2015年5月
Low Work Function LaB6 thin Films Prepared By Nitrogen Doped LaB6 target Sputtering 査読有り

Hidekazu Ishii, Kentaro Takahashi, Tetsuya Goto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

227th Meeting of The Electrochemical Society　2288　2015年5月
Atomically flattening of Si surface of silicon on insulator and isolation-patterned wafers 査読有り

Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Naoya Akagawa, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Xiang Li, Toshiki Obara, Daiki Kimoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Yutaka Kamata, Yuki Kumagai, Katsuhiko Shibusawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(4)　04DA04-1-04DA04-7　2015年4月

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DA04 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Analysis of breakdown voltage of area surrounded by multiple trench gaps in 4 kV monolithic isolator for communication network interface 査読有り

Yusuke Takeuchi, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(4)　04DB01-1-04DB01-5　2015年4月

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DB01 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Analysis of Pixel Gain and Linearity of CMOS Image Sensor using Floating Capacitor Load Readout Operation 査読有り

S. Wakashima, F. Kusuhara, R. Kuroda, S. Sugawa

IMAGE SENSORS AND IMAGING SYSTEMS 2015　9403　94030E-1-94030E-10　2015年

DOI： 10.1117/12.2083111 　

ISSN：0277-786X
UV/VIS/NIR imaging technologies: challenges and opportunities 招待有り査読有り

Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

IMAGE SENSING TECHNOLOGIES: MATERIALS, DEVICES, SYSTEMS, AND APPLICATIONS II　9481　948108-1-948108-8　2015年

DOI： 10.1117/12.2180060 　

ISSN：0277-786X

eISSN：1996-756X
Crystallinity improvement of ferroelectric BiFeO<inf>3</inf> thin film by oxygen radical treatment 査読有り

F. Imaizumi, T. Goto, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　66　(5)　261-267　2015年
出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.
DOI： 10.1149/06605.0261ecst 　

ISSN：1938-6737 1938-5862

eISSN：1938-5862
Ultra-low temperature flattening technique of silicon surface using Xe/H<inf>2</inf> plasma 査読有り

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Tetsuya Goto, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ECS Transactions　66　(5)　277-283　2015年
出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.
DOI： 10.1149/06605.0277ecst 　

ISSN：1938-6737 1938-5862
Low temperature atomically flattening of Si surface of shallow trench isolation pattern 査読有り

T. Goto, R. Kuroda, T. Suwa, A. Teramoto, N. Akagawa, D. Kimoto, S. Sugawa, T. Ohmi, Y. Kamata, Y. Kumagai, K. Shibusawa

ECS Transactions　66　(5)　285-292　2015年
出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.
DOI： 10.1149/06605.0285ecst 　

ISSN：1938-6737 1938-5862

eISSN：1938-6737
Effect of hydrogen on silicon nitrides formation by microwave excited plasma enhanced chemical vapor deposition 査読有り

A. Teramoto, Y. Nakao, T. Suwa, K. Hashimoto, T. Motoya, M. Hirayama, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　66　(4)　151-159　2015年
出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.
DOI： 10.1149/06604.0151ecst 　

ISSN：1938-6737 1938-5862
Effect of Process Temperature of Al2O3 Atomic Layer Deposition Using Accurate Process Gasses Supply System 査読有り

H. Sugita, Y. Koda, T. Suwa, R. Kuroda, T. Goto, H. Ishii, S. Yamashita, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　66　(4)　305-314　2015年
出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.
DOI： 10.1149/06604.0305ecst 　

ISSN：1938-6737 1938-5862

eISSN：1938-5862
Surface metal cleaning of GaN surface based on redox potential of cleaning solution 査読有り

K. Nagao, K. Nakamura, A. Teramoto, Y. Shirai, F. Imaizumi, T. Suwa, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　66　(7)　11-21　2015年
出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.
DOI： 10.1149/06607.0011ecst 　

ISSN：1938-6737 1938-5862
A Linear Response Single Exposure CMOS Image Sensor with 0.5e(-) Readout Noise and 76ke(-) Full Well Capacity 査読有り

Shunichi Wakashima, Fumiaki Kusuhara, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

2015 SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS (VLSI CIRCUITS)　C88-C89　2015年

DOI： 10.1109/VLSIC.2015.7231334 　
Drastic Suppression of the 1/f Noise in MOSFETs: Fundamental Fluctuations of Mobility Rather Than Induced Mobility Fluctuations 招待有り査読有り

Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

2015 INTERNATIONAL CONFERENCE ON NOISE AND FLUCTUATIONS (ICNF)　1-6　2015年

DOI： 10.1109/ICNF.2015.7288580 　
Effect of oxygen impurity on nitrogen radicals in post-discharge flows 査読有り

Y. Shiba, A. Teramoto, T. Suwa, K. Watanabe, S. Nishimura, Y. Shirai, S. Sugawa

ECS Transactions　69　(39)　1-9　2015年
出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.
DOI： 10.1149/06939.0001ecst 　

ISSN：1938-6737 1938-5862
An Ultraviolet Radiation Sensor Using Differential Spectral Response of Silicon Photodiodes 査読有り

Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva, Yasumasa Koda, Satoshi Nasuno, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

2015 IEEE SENSORS　1847-1850　2015年

DOI： 10.1109/ICSENS.2015.7370656 　

ISSN：1930-0395
Wide spectral response and highly robust Si image sensor technology 査読有り

Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

2nd Asian Image Sensor and Imaging System Symposium　38　7-8　2014年12月
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.11485/itetr.38.47.0_7 　

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An image sensor technology based on flattened Si surface is summarized that enables a wide spectral response of 200-1000 nm and high robustness of light sensitivity toward ultraviolet light exposure. Performances and opportunities of the light detectors and image sensors using the developed technology are demonstrated.
Atomically Flattening of Si Surface of SOI and Isolation-patterned Wafers 査読有り

T. Goto, R. Kuroda, N. Akagawa, T. Suwa, A. Teramoto, X. Li, S. Sugawa, T. Ohmi, Y. Kumagai, Y. Kamata, T. Shibusawa

Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials　670-671　2014年9月
Analysis of the breakdown voltage of an area surrounded by the multi-trench gaps in a 4kV monolithic isolator for a communication network interface 査読有り

Yusuke Takeuchi, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials　732-733　2014年9月
Effect of Composition Ratio on Erbium Silicide Work Function on Different Morphology of Si(100) Surface Changed by Alkaline Etching 査読有り

Hiroaki Tanaka, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Tsukasa Motoya, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

225th Meeting of The Electrochemical Society　1463　2014年5月
Flattening Technique of (551) Silicon Surface Using Xe/H2 Plasma 査読有り

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

225th Meeting of The Electrochemical Society　1394　2014年5月
High Selectivity in a Dry Etching of Silicon Nitride over Si Using a Novel Hydrofluorocarbon Etch Gas in a Microwave Excited Plasma for FinFET 査読有り

Yukihisa Nakao, Takatoshi Matsuo, Akinobu Teramoto, Hidetoshi Utsumi, Keiichi Hashimoto, Rihito Kuroda, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

225th Meeting of The Electrochemical Society　1441　2014年5月
Carrier mobility characteristics of (100), (110), and (551) oriented atomically flattened Si surfaces for fin structure design of multi-gate metal-insulator-silicon field-effect transistors 査読有り

Rihito Kuroda, Yukihisa Nakao, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(4)　04EC04-1-04EC04-7　2014年4月

DOI： 10.7567/JJAP.53.04EC04 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
A CMOS image sensor using column-parallel forward noise-canceling circuitry 査読有り

Tsung-Ling Li, Shunichi Wakashima, Yasuyuki Goda, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(4)　04EE14-1-04EE14-6　2014年4月

DOI： 10.7567/JJAP.53.04EE14 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
A wide dynamic range CMOS image sensor with 200–1100 nm spectral sensitivity and high robustness to UV right exposure 査読有り

Satoshi Nasuno, Shun Kawada, Yasumasa Koda, Taiki Nakazawa, Katsuhiko Hanzawa, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　53　(4)　04EE07-1-04EE07-4　2014年4月

DOI： 10.7567/JJAP.53.04EE07 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Extraction of time constants ratio over nine orders of magnitude for understanding random telegraph noise in metal–oxide–semiconductor field-effect transistors 査読有り

Toshiki Obara, Akihiro Yonezawa, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　53　(4)　04EC19-1-04EC19-7　2014年4月

DOI： 10.7567/JJAP.53.04EC19 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Low-cost Xe sputtering of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors by rotation magnet sputtering incorporating a Xe recycle-and-supply system 査読有り

Tetsuya Goto, Hidekazu Ishii, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　32　(2)　02B105-1-02B105-7　2014年3月

DOI： 10.1116/1.4835775 　

ISSN：0734-2101

eISSN：1520-8559
High quantum efficiency 200-1000 nm spectral response photodiodes with on-chip multiple high transmittance optical layers

Yasumasa Koda, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Proceedings of IEEE Sensors　2014-December　(December)　1664-1667　2014年1月1日

DOI： 10.1109/ICSENS.2014.6985340 　

ISSN：1930-0395

eISSN：2168-9229
Ultra-High Speed Video Capturing of Time Dependent Dielectric Breakdown of Metal-Oxide-Silicon Capacitor up to 10M frame per second 査読有り

F. Shao, D. Kimoto, K. Furukawa, H. Sugo, T. Takeda, K. Miyauchi, Y. Tochigi, R. Kuroda, S. Sugawa

IMAGE SENSORS AND IMAGING SYSTEMS 2014　9022　902205-1-902205-9　2014年

DOI： 10.1117/12.2040859 　

ISSN：0277-786X
Pixel Structure with 10 nsec Fully Charge Transfer Time for the 20M Frame Per Second Burst CMOS Image Sensor 査読有り

K. Miyauchi, T. Takeda, K. Hanzawa, Y. Tochigi, S. Sakai, R. Kuroda, H. Tominaga, R. Hirose, K. Takubo, Y. Kondo, S. Sugawa

IMAGE SENSORS AND IMAGING SYSTEMS 2014　9022　902203-1-902203-12　2014年

DOI： 10.1117/12.2042373 　

ISSN：0277-786X
A 1024×1 Linear Photodiode Array Sensor with Fast Readout Speed Flexible Pixel-level Integration Time and High Stability to UV Light Exposure 査読有り

Takahiro Akutsu, Shun Kawada, Yasumasa Koda, Taiki Nakazawa, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Proc. of SPIE-IS&T　9022　90220L-1-90220L-8　2014年

DOI： 10.1117/12.2040764 　

ISSN：0277-786X

eISSN：1996-756X
A Statistical evaluation of effective time constants of random telegraph noise with various operation timings of in-pixel source follower transistors 査読有り

A. Yonezawa, R. Kuroda, A. Teramoto, T. Obara, S. Sugawa

IMAGE SENSORS AND IMAGING SYSTEMS 2014　9022　90220F-1-90220F-9　2014年

DOI： 10.1117/12.2041090 　

ISSN：0277-786X
Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Prepared by Magnetron Sputtering Using Kr and Xe Instead of Ar 査読有り

Tetsuya Goto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Journal of the Society for Information Display　21　(12)　517-523　2014年

DOI： 10.1002/jsid.210 　

ISSN：1071-0922

eISSN：1938-3657
A Highly Ultraviolet Light Sensitive and Highly Robust Image Sensor Technology Based on Flattened Si Surface 査読有り

Rihito Kuroda, Shun Kawada, Satoshi Nasuno, Taiki Nakazawa, Yasumasa Koda, Katsuhiko Hanzawa, Shigetoshi Sugawa

ITE Transactions on Media Technology and Applications　2　(2)　123-130　2014年
出版者・発行元： Institute of Image Information and Television Engineers
DOI： 10.3169/mta.2.123 　

ISSN：2186-7364

eISSN：2186-7364
High Selectivity in Dry Etching of Silicon Nitride over Si Using a Novel Hydrofluorocarbon Etch Gas in a Microwave Excited Plasma for FinFET 査読有り

Y. Nakao, T. Matsuo, A. Teramoto, H. Utsumi, K. Hashimoto, R. Kuroda, Y. Shirai, S. Sugawa, T. Ohmi

SILICON COMPATIBLE MATERIALS, PROCESSES, AND TECHNOLOGIES FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUITS AND EMERGING APPLICATIONS 4　61　(3)　29-37　2014年

DOI： 10.1149/06103.0029ecst 　

ISSN：1938-5862
Flattening Technique of (551) Silicon Surface Using Xe/H-2 Plasma 査読有り

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 6: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING　61　(2)　401-407　2014年

DOI： 10.1149/06102.0401ecst 　

ISSN：1938-5862
Effect of Composition Ratio on Erbium Silicide Work Function on Different Morphology of Si(100) Surface Changed by Alkaline Etching 査読有り

Hiroaki Tanaka, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Tsukasa Motoya, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

SILICON COMPATIBLE MATERIALS, PROCESSES, AND TECHNOLOGIES FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUITS AND EMERGING APPLICATIONS 4　61　(3)　47-53　2014年

DOI： 10.1149/06103.0047ecst 　

ISSN：1938-5862
Si image sensors with wide spectral response and high robustness to ultraviolet light exposure 招待有り査読有り

Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

IEICE ELECTRONICS EXPRESS　11　(10)　1-16　2014年

DOI： 10.1587/elex.11.20142004 　

ISSN：1349-2543
Application of rotation magnet sputtering technology to a-IGZO film depositions 招待有り査読有り

Tetsuya Goto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Digest of Technical Papers - SID International Symposium　45　(1)　5-8　2014年
出版者・発行元： Blackwell Publishing Ltd
DOI： 10.1002/j.2168-0159.2014.tb00002.x 　

ISSN：2168-0159 0097-966X
Demonstrating Individual Leakage Path from Random Telegraph Signal of Stress Induced Leakage Current 査読有り

A. Teramoto, T. Inatsuka, T. Obara, N. Akagawa, R. Kuroda, S. Sugawa, T. Ohmi

2014 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM　GD.1.1-GD.1.5　2014年

DOI： 10.1109/IRPS.2014.6861144 　

ISSN：1541-7026
Analyzing Correlation between Multiple Traps in RTN Characteristics 査読有り

Toshiki Obara, Akinobu Teramoto, Akihiro Yonezawa, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2014 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM　4A.6.1-4A.6.7　2014年

DOI： 10.1109/IRPS.2014.6860644 　

ISSN：1541-7026
A Novel Analysis of Oxide Breakdown based on Dynamic Observation using Ultra-High Speed Video Capturing Up to 10,000,000 Frames Per Second 査読有り

Rihito Kuroda, Fan Shao, Daiki Kimoto, Kiichi Furukawa, Hidetake Sugo, Tohru Takeda, Ken Miyauchi, Yasuhisa Tochigi, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

2014 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM　3F.3.1-3F.3.4　2014年

DOI： 10.1109/IRPS.2014.6860637 　

ISSN：1541-7026
High Performance Normally-Off GaN Mosfets On Si Substrates 査読有り

H. Kambayashi, N. Ikeda, T. Nomura, H. Ueda, Y. Morozumi, K. Harada, K. Hasebe, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

224th Meeting of The Electrochemical Society　1911　2013年10月
Diaphragm Durability Enhancement for Valves Supplying Gas for Atomic Layer Deposition 査読有り

M. Yamaji, T. Tanikawa, T. Yakushijin, T. Funakoshi, S. Yamashita, A. Hidaka, M. Nagase, N. Ikeda, S. Sugawa, T. Ohmi

224th Meeting of The Electrochemical Society　1862　2013年10月
Schottky barrier height between erbium silicide and various morphology of Si (100) surface changed by alkaline etching 査読有り

H. Tanaka, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

224th Meeting of The Electrochemical Society　2170　2013年10月
A Statistical Evaluation of Random Telegraph Noise of In-Pixel Source Follower Equivalent Surface and Buried Channel Transistors 査読有り

Rihito Kuroda, Akihiro Yonezawa, Akinobu Teramoto, Tsung-Ling Li, Yasuhisa Tochigi, Shigetoshi Sugawa

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　60　(10)　3555-3561　2013年10月

DOI： 10.1109/TED.2013.2278980 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
Highly UV-light sensitive and highly robust CMOS image sensor with 97dB wide dynaamic range and 200-1100 nm spectral sensitivity

Satoshi Nasuno, Shun Kawada, Yasumasa Koda, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Asian Symposium on Advanced Image Sensors and Imaging Systems　15-16　2013年10月
Ultra-high Speed Image Sensors for Scientific Imaging 招待有り査読有り

Rihito Kuroda, Yasuhisa Tochigi, Ken Miyauchi, Tohru Takeda, Ryuta Hirose, Hideki Tominaga, Kenji Takubo, Yasushi Kondo, Shigetoshi Sugawa

Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials　872-873　2013年9月25日
Carrier Mobility on (100), (110), and (551) Oriented Atomically Flattened Si Surfaces for Multi-gate MOSFETs Device Design 査読有り

Rihito Kuroda, Yukihisa Nakao, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials　702-703　2013年9月25日
Extraction of Time Constants Ratio over Nine Orders of Magnitude for Understanding Random Telegraph Noise in MOSFETs 査読有り

T. Obara, A. Yonezawa, A. Teramoto, R. Kuroda, S. Sugawa, T. Ohmi

Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials　722-723　2013年9月25日
Detection of oxidation-induced compressive stress in Si(100) substrate near the SiO2/Si interface with atomic-scale resolution 査読有り

T. Suwa, K. Nagata, H. Nohira, K. Nakajima, A. Teramoto, A. Ogura, K. Kimura, T. Muro, T. Kinoshita, S. Sugawa, T. Hattori, T. Ohmi

Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials　610-611　2013年9月
Wet cleaning process for GaN Surface at room temperature 査読有り

Yukihiro Tsuji, Tsukuru Katsuyama, Akinobu Teramoto, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials　162-163　2013年9月
Stress induced leakage current generated by hot-hole injection 査読有り

Akinobu Teramoto, Hyeonwoo Park, Takuya Inatsuka, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

MICROELECTRONIC ENGINEERING　109　298-301　2013年9月

DOI： 10.1016/j.mee.2013.03.116 　

ISSN：0167-9317

eISSN：1873-5568
A Test Circuit for Extremely Low Gate Leakage Current Measurement of 10 aA for 80 000 MOSFETs in 80 s 査読有り

Takuya Inatsuka, Yuki Kumagai, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING　26　(3)　288-295　2013年8月

DOI： 10.1109/TSM.2013.2260568 　

ISSN：0894-6507

eISSN：1558-2345
撮像素子の高機能化と小型化査読有り

須川成利

光学　42　(7)　351-356　2013年7月
出版者・発行元：日本光学会（応用物理学会）
Impact of the Use of Xe and Its Recycling System for Preparing Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors by Dual-Target Rotation Magnet Sputtering 査読有り

Tetsuya Goto, Hidekazu Ishii, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

The Twelfth International Symposium on Sputtering & Plasma Processes (ISSP 2013)　22-25　2013年7月
Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species (vol 52, 031302, 2013) 査読有り

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Yuki Kumagai, Kenichi Abe, Xiang Li, Yukihisa Nakao, Masashi Yamamoto, Hiroshi Nohira, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Takeo Hattori

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　52　(6)　031302-1-031302-14　2013年6月

DOI： 10.7567/JJAP.52.069203 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Low-Interface-Trap-Density and High-Breakdown-Electric-Field SiN Films on GaN Formed by Plasma Pretreatment Using Microwave-Excited Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読有り

Tadashi Watanabe, Akinobu Teramoto, Yukihisa Nakao, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　60　(6)　1916-1922　2013年6月

DOI： 10.1109/TED.2013.2258347 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
Impact of Injected Carrier Types to Stress Induced Leakage Current Using Substrate Hot Carrier Injection Stress 査読有り

H. W. Park, A. Teramoto, T. Inatsuka, R. Kuroda, S. Sugawa, T. Ohmi

2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2013)　75-78　2013年6月
A FSI CMOS Image Sensor with 200-1000 nm Spectral Response and High Robustness to Ultraviolet Light Exposure 査読有り

Rihito Kuroda, Shun Kawada, Satoshi Nasuno, Taiki Nakazawa, Yasumasa Koda, Katsuhiko Hanzawa, Shigetoshi Sugawa

2013 International Image Sensor Workshop　61-64　2013年6月
Electrical Properties of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Prepared by Magnetron Sputtering with Using Kr and Xe Instead of Ar 査読有り

Tetsuya Goto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Society for Information Display, SID International Symposium, Seminar, and Exhibition, DisplayWeek 2013　727-730　2013年5月
XPS analysis of the terminated-bonding states at GaN surface after chemical and plasma treatments 査読有り

Tsuji, Yukihiro, Tsuji, Yukihiro, Makabe, Isao, Nakata, Ken, Katsuyama, Tsukuru, Watanabe, Tadashi, Nakamura, Kenichi, Nakamura, Kenichi, Teramoto, Akinobu, Shirai, Yasuyuki, Sugawa, Shigetoshi, Sugawa, Shigetoshi, Ohmi, Tadahiro

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　10　(11)　MoPC-06-21　2013年5月

ISSN：1862-6351
Impact of the Use of Xe on Electrical Properties in Magnetron-Sputtering Deposited Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors 査読有り

Tetsuya Goto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　52　(5)　050203-1-050203-4　2013年5月

DOI： 10.7567/JJAP.52.050203 　

ISSN：0021-4922
Stress induced leakage current generated by hot-hole injection 査読有り

A. Teramoto, H.W. Park, T. Inatsuka, R. Kuroda, S. Sugawa, T. Ohmi

18th Conference of “Insulating Films on Semiconductors” (infos2013) Book of Abstracts　156-157　2013年5月
A 2.8 μm pixel-pitch 55 ke− Full-Well Capacity Global-Shutter CMOS Image Sensor Using Lateral Overflow Integration Capacitor 査読有り

S. Sakai, Y. Tashiro, R. Kuroda, S. Sugawa

International Conference on Solid State Devices and Materials　52　(4)　1109-1110　2013年4月

DOI： 10.7567/JJAP.52.04CE01 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
A 2.8μm Pixel-Pitch 55 ke- Full-Well Capacity Global-Shutter Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor Using Lateral Overflow Integration Capacitor 査読有り

Shin Sakai, Yoshiaki Tashiro, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Japanese Journal of Applied Physics　52　(4)　04CE01-1-04CE01-5　2013年4月

DOI： 10.7567/JJAP.52.04CE01 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
High Quality SiO2/Al2O3 Gate Stack for GaN Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor 査読有り

Hiroshi Kambayashi, Takehiko Nomura, Hirokazu Ueda, Katsushige Harada, Yuichiro Morozumi, Kazuhide Hasebe, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics,　52　(4)　04CF09-1-04CF09-6　2013年4月

DOI： 10.7567/JJAP.52.04CF09 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
A Column-Parallel Hybrid Analog-to-Digital Converter Using Successive-Approximation-Register and Single-Slope Architectures with Error Correction for Complementary Metal Oxide Silicon Image Sensors 査読有り

Tsung-Ling Li, Shin Sakai, Shun Kawada, Yasuyuki Goda, Shunichi Wakashima, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　52　(4)　04CE04-1-04CE04-7　2013年4月

DOI： 10.7567/JJAP.52.04CE04 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Ultra-High-Speed Imaging 招待有り査読有り

Shigetosi Sugawa

IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE, FORUM, F4: SCIENTIFIC IMAGING　2013年2月
Recent Trend on Wide Dynamic Range Image Sensor Technologies 招待有り査読有り

Shigetoshi Sugawa

Technology Front of Optical Design and Imaging for DSC, Pre-ODF'14　2013年1月31日
Effect of composition rate on erbium silicide work function on different silicon surface orientation 査読有り

H. Tanaka, A. Teramoto, T. Motoya, S. Sugawa, T. Ohmi

223rd Meeting of The Electrochemical Society　773　2013年
A global-shutter CMOS image sensor with readout speed of 1-tpixel/s burst and 780-mpixel/s continuous 査読有り

Yasuhisa Tochigi, Katsuhiko Hanzawa, Yuri Kato, Rihito Kuroda, Hideki Mutoh, Ryuta Hirose, Hideki Tominaga, Kenji Takubo, Yasushi Kondo, Shigetoshi Sugawa

IEEE Journal of Solid-State Circuits　48　(1)　329-338　2013年

DOI： 10.1109/JSSC.2012.2219685 　

ISSN：0018-9200
Color reproductivity improvement with additional virtual color filters for WRGB image sensor 査読有り

Shun Kawada, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　8652　865205-1-865205-7　2013年

DOI： 10.1117/12.2003320 　

ISSN：0277-786X
A statistical evaluation of low frequency noise of in-pixel source follower-equivalent transistors with various channel types and body bias 査読有り

R. Kuroda, A. Yonezawa, A. Teramoto, T. L. Li, Y. Tochigi, S. Sugawa

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　8659　86590D-1-86590D-9　2013年

DOI： 10.1117/12.2005759 　

ISSN：0277-786X
New Analog Readout Architecture for Low Noise CMOS Image Sensors Using Column-Parallel Forward Noise-Canceling Circuitry 査読有り

Tsung-Ling Li, Yasuyuki Goda, Shunichi Wakashima, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

SENSORS, CAMERAS, AND SYSTEMS FOR INDUSTRIAL AND SCIENTIFIC APPLICATIONS XIV　8659　86590E-1-86590E-9　2013年

DOI： 10.1117/12.2003741 　

ISSN：0277-786X

eISSN：1996-756X
A CMOS Image Sensor using Floating Capacitor Load Readout Operation 査読有り

S. Wakashima, Y. Goda, T. L. Li, R. Kuroda, S. Sugawa

SENSORS, CAMERAS, AND SYSTEMS FOR INDUSTRIAL AND SCIENTIFIC APPLICATIONS XIV　8659　86590I-1-86590I-9　2013年

DOI： 10.1117/12.2004892 　

ISSN：0277-786X
A UV Si-photodiode with almost 100% internal QE and high transmittance on-chip multilayer dielectric stack 査読有り

Y. Koda, R. Kuroda, T. Nakazawa, Y. Nakao, S. Sugawa

SENSORS, CAMERAS, AND SYSTEMS FOR INDUSTRIAL AND SCIENTIFIC APPLICATIONS XIV　8659　86590J-1-86590J-6　2013年

DOI： 10.1117/12.2005574 　

ISSN：0277-786X
High integrity SiO2/Al2O3 gate stack for normally-off GaN MOSFET 査読有り

Hiroshi Kambayashi, Takehiko Nomura, Hirokazu Ueda, Katsushige Harada, Yuichiro Morozumi, Kazuhide Hasebe, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Materials Research Society Symposium Proceedings　1561　7-12　2013年
出版者・発行元： Materials Research Society
DOI： 10.1557/opl.2013.822 　

ISSN：0272-9172
The Study of Time Constant Analysis in Random Telegraph Noise at the Subthreshold Voltage Region 査読有り

A. Yonezawa, A. Teramoto, T. Obara, R. Kuroda, S. Sugawa, T. Ohmi

2013 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS)　XT.11.1　2013年

DOI： 10.1109/IRPS.2013.6532126 　

ISSN：1541-7026
Demonstrating Distribution of SILC Values at Individual Leakage Spots 査読有り

Takuya Inatsuka, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Yuki Kumagai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2013 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS)　GD.5.1　2013年

DOI： 10.1109/IRPS.2013.6532088 　

ISSN：1541-7026
Effect of composition rate on erbium silicide work function on different silicon surface orientation 査読有り

Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Tsukasa Motoya, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ECS Transactions　53　(1)　343-350　2013年

DOI： 10.1149/05301.0343ecst 　

ISSN：1938-5862 1938-6737
XPS analysis of the terminated-bonding states at GaN surface after chemical and plasma treatments 査読有り

Yukihiro Tsuji, Tadashi Watanabe, Kenichi Nakamura, Isao Makabe, Ken Nakata, Tsukuru Katsuyama, Akinobu Teramoto, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 11　10　(11)　1557-1560　2013年

DOI： 10.1002/pssc.201300225 　

ISSN：1862-6351
Amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors prepared by magnetron sputtering using Kr and Xe instead of Ar 査読有り

Tetsuya Goto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Journal of the Society for Information Display　21　(12)　517-523　2013年
出版者・発行元： Society for Information Display
DOI： 10.1002/jsid.210 　

ISSN：1938-3657 1071-0922
High-speed and highly accurate evaluation of electrical characteristics in MOSFETs 招待有り査読有り

Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ICICDT 2013 - International Conference on IC Design and Technology, Proceedings　187-190　2013年

DOI： 10.1109/ICICDT.2013.6563333 　
Angle-resolved photoelectron spectroscopy study on interfacial transition layer and oxidation-induced residual stress in Si(1 0 0) substrate near the interface 査読有り

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Kohki Nagata, Atsushi Ogura, Hiroshi Nohira, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Takeo Hattori

Microelectronic Engineering　109　197-199　2013年

DOI： 10.1016/j.mee.2013.03.004 　

ISSN：0167-9317
1/f noise of accumulation mode p- and n-MOSFETs 査読有り

Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa

2013 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON NOISE AND FLUCTUATIONS (ICNF)　40　2013年

DOI： 10.1109/ICNF.2013.6578879 　
Schottky barrier height between erbium silicide and various morphology of Si(100) surface changed by alkaline etching 査読有り

Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ECS Transactions　58　(7)　349-354　2013年
出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.
DOI： 10.1149/05807.0349ecst 　

ISSN：1938-6737 1938-5862
Diaphragm Durability Enhancement for Valves Supplying Gas for Atomic Layer Deposition 査読有り

M. Yamaji, T. Tanikawa, T. Yakushijin, T. Funakoshi, S. Yamashita, A. Hidaka, M. Nagase, N. Ikeda, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　58　(10)　41-48　2013年

DOI： 10.1149/05810.0041ecst 　

ISSN：1938-5862
High performance normally-off GaN MOSFETs on Si substrates 査読有り

H. Kambayashi, N. Ikeda, T. Nomura, H. Ueda, Y. Morozumi, K. Harada, K. Hasebe, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　58　(4)　155-166　2013年

DOI： 10.1149/05804.0155ecst 　

ISSN：1938-5862
Adhesion Characteristics of Magnetron-Sputter Deposited Copper on Smooth Cycloolefin for Realizing Wiring with High-Frequency Signal Propagation 査読有り

Tetsuya Goto, Takatoshi Matsuo, Masamichi Iwaki, Kazuki Soeda, Ryosuke Hiratsuka, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Transactions of The Japan Institute of Electronics Packaging　5　(1)　12-19　2012年12月
出版者・発行元： The Japan Institute of Electronics Packaging
DOI： 10.5104/jiepeng.5.12 　

ISSN：1883-3365

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Copper wiring formation on a resin material with a low dielectric constant, a low dielectric loss and a smooth surface is indispensable to realize high-frequency signal propagation with fine wiring patterns. Cycloolefin polymer (COP) resin is a promising material to meet these requirements. We propose adhesive copper seed layer formation on the COP by magnetron sputtering as an alternative to the electroless deposition which usually requires an intentional roughness-induced process to obtain practical adhesion between the resin and the metal. The proposed process steps include plasma nitridation of the COP surface, thin CuN film deposition and Cu film deposition before the electroplating. Excellent adhesion strength between the COP and the metal, greater than 1 kN/m, can be obtained while maintaining a smooth surface, which is attributed to the strong chemical bond generated between the nitrided COP surface and the CuN film. The coplanar transmission line was fabricated using the proposed process steps with semi-additive processes, and we found that the introduction of relatively high-resistive CuN film does not cause degradation of the propagation characteristics.
Comprehensive study on chemical structures of compositional transition layer at SiO2/Si(100) interface 査読有り

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Takeo Hattori, Tadahiro Ohmi

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science 222nd Meeting of The Electrochemical Society　2609　2012年10月
Low frequency noise assessment of accumulation Si p-MOSFETs 査読有り

Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　839-840　2012年9月24日
High Quality SiO2/Al2O3 Gate Stack for GaN MOSFET 査読有り

Hiroshi Kambayashi, Takehoko Nomura, Hirokazu Ueda, Katsushige Harada, Yuichiro Morozumi, Kazuhide Hasebe, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　901-902　2012年9月24日
A Column-Parallel Hybrid ADC using SAR and Single-Slope with Error Correction for CMOS Image Sensors 査読有り

Tsung-Ling Li, Shin Sakai, Shun Kawada, Yasuyuki Goda, Shunichi Wakashima, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

International Conference on Solid State Devices and Materials　1113-1114　2012年9月24日
Dependence of chemical structures of transition layer at SiO2/Si(100) interface on oxidation temperature, annealing in forming gas, and oxidizing species 査読有り

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Takeo Hattori, Tadahiro Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　28-29　2012年9月24日
Achievement, Issues, and next steps of CMOS image sensors 招待有り査読有り

Shigetoshi Sugawa

International Workshop on Semiconductor Pixel Detectors for Particles and Imaging　2012年9月4日
A Test Circuit for Statistical Evaluation of p-n Junction Leakage Current and Its Noise 査読有り

Kenichi Abe, Takafumi Fujisawa, Hiroyoshi Suzuki, Shunichi Watabe, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING　25　(3)　303-309　2012年8月

DOI： 10.1109/TSM.2012.2202751 　

ISSN：0894-6507

eISSN：1558-2345
A Novel Chemically, Thermally and Electrically Robust Cu Interconnect Structure with an Organic Non-porous Ultralow-k Dielectric Fluorocarbon (k=2.2) 査読有り

X. Gu, A. Teramoto, R. Kuroda, Y. Tomita, T. Nemoto, S.-i. Kuroki, S. Sugawa, T. Ohmi

Proceeding of 2012 Symposium on VLSI Technology　119-120　2012年6月12日

DOI： 10.1109/VLSIT.2012.6242490 　

ISSN：0743-1562
Low Temperature Crystallization of a-InGaZnO4 films 査読有り

Akihiko Hiroe, Tetsuya Goto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Society for Information Display, Display Week 2012　1251-1253　2012年6月
Deposition of a-InGaZnOx by Rotation Magnet Sputtering 査読有り

Akihiko Hiroe, Tetsuya Goto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Society for Information Display, Display Week 2012　760-763　2012年6月
100nm-gate-length Normally-off Accumulation-Mode FD-SOI MOSFETs for Low Noise Analog/RF Circuits 査読有り

Hidetoshi Utsumi, Ryohei Kasahara, Yukihisa Nakao, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

[2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)　56-61　2012年6月
New Metal Organic Gas Supply System by Using an Advanced Flow Control System 査読有り

Michio Yamaji, Satoru Yamashita, Atsushi Hidaka, Masaaki Nagase, Nobukazu Ikeda, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

221st Meeting of The Electrochemical Society　739　2012年5月
Electrical Properties of Silicon Nitride Using High Density and Low Plasma Damage PECVD Formed at 400ºC 査読有り

Yukihisa Nakao, Rihito Kuroda, Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

221st Meeting of The Electrochemical Society　738　2012年5月
Low Work Function between Erbium Silicide and n-type Silicon Control by Cap Film Stress 査読有り

Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

221st Meeting of The Electrochemical Society　716　2012年5月
A Simple Test Structure for Evaluating the Variability in Key Characteristics of a Large Number of MOSFETs 査読有り

Shunichi Watabe, Akinobu Teramoto, Kenichi Abe, Takafumi Fujisawa, Naoto Miyamoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING　25　(2)　145-154　2012年5月

DOI： 10.1109/TSM.2011.2181667 　

ISSN：0894-6507

eISSN：1558-2345
Cu Single Damascene Integration of an Organic Nonporous Ultralow-k Fluorocarbon Dielectric Deposited by Microwave-Excited Plasma-Enhanced CVD 査読有り

Xun Gu, Takenao Nemoto, Yugo Tomita, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shin-Ichiro Kuroki, Kazumasa Kawase, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　59　(5)　1445-1453　2012年5月

DOI： 10.1109/TED.2012.2187659 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
Integration Process Development for Improved Compatibility with Organic Non-Porous Ultralow-k Dielectric Fluorocarbon on Advanced Cu Interconnects 査読有り

Xun Gu, Yugo Tomita, Takenao Nemoto, Kotaro Miyatani, Akane Saito, Yasuo Kobayashi, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shin-Ichiro Kuroki, Kazumasa Kawase, Toshihisa Nozawa, Takaaki Matsuoka, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(5)　05EC03-1-05EC03-6　2012年5月

DOI： 10.1143/JJAP.51.05EC03 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Changes in SiO2/Si(100) Interface Structure Induced by Forming Gas Annealing 査読有り

Tomoyuki Suwa, Yuki Kumagai, Akinobu Teramoto, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Takeo Hattori, Tadahiro Ohmi

221st Meeting of The Electrochemical Society　Abs.712　2012年5月
Recovery Characteristics of Anomalous Stress-Induced Leakage Current of 5.6nm Oxide Films 査読有り

Takuya Inatsuka, Yuki Kumagai, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(4)　04DC02-1-04DC02-6　2012年4月

DOI： 10.1143/JJAP.51.04DC02 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Hole Mobility in Accumulation Mode Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors 査読有り

Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　51　(4)　04DC07-1-04DC07-6　2012年4月

DOI： 10.1143/JJAP.51.04DC07 　

ISSN：0021-4922
High Integrity SiO2 Gate Insulator Formed by Microwave-Excited Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition for AlGaN/GaN Hybrid Metal–Oxide–Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistor on Si Substrate 査読有り

Hiroshi Kambayashi, Takehiko Nomura, Sadahiro Kato, Hirokazu Ueda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　51　(4)　04DF03-1-04DF03-4　2012年4月

DOI： 10.1143/JJAP.51.04DF03 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Adhesion Characteristics of Magnetron-Sputter Deposited Copper on Smooth Cycloolefin for Realizing High-Performance Printed Wiring Board 査読有り

T. Goto, T. Matsuo, M. Iwaki, K. Soeda, R. Hiratsuka, S. Sugawa, T. Ohmi

Joint Conference of "International Conference on Electronics Packaging" and "IMAPS All Asia Conference"　488-492　2012年4月
広ダイナミックレンジイメージセンサの技術動向査読有り

須川成利

応用物理　81　(2)　97-101　2012年2月
On the Interface Flattening Effect and Gate Insulator Breakdown Characteristic of Radical Reaction Based Insulator Formation Technology 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Xiang Li, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(2)　02BA01-1-02BA01-6　2012年2月

DOI： 10.1143/JJAP.51.02BA01 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
The impact of an intermediate stage between the research stage and the development stage on the performance of integral architecture products

Hiroki Kamoda, Shigetoshi Sugawa, Akio Nagahira

International Journal of Product Development　16　(1)　63-76　2012年
出版者・発行元： Inderscience Publishers
DOI： 10.1504/IJPD.2012.047264 　

ISSN：1741-8178 1477-9056
The role of the temperature on the scattering mechanisms limiting the electron mobility in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors fabricated on (110) silicon-oriented wafers 査読有り

Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

European Solid-State Device Research Conference　213-216　2012年

DOI： 10.1109/ESSDERC.2012.6343371 　

ISSN：1930-8876
Advanced Direct-Polishing Process Development of Non-Porous Ultralow-k Dielectric Fluorocarbon with Plasma Treatment on Cu Interconnects 査読有り

Xun Gu, Takenao Nemoto, Yugo Tomita, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY　159　(4)　H407-H411　2012年

DOI： 10.1149/2.049204jes 　

ISSN：0013-4651

eISSN：1945-7111
Photodiode dopant structure with atomically flat Si surface for high-sensitivity and stability to UV light 査読有り

Taiki Nakazawa, Rihito Kuroda, Yasumasa Koda, Shigetoshi Sugawa

IS&T/SPIE Electronic Imaging　8298-18　2012年

DOI： 10.1117/12.907727 　

ISSN：0277-786X

eISSN：1996-756X
A global-shutter CMOS image sensor with readout speed of 1Tpixel/s burst and 780Mpixel/s continuous 査読有り

Yasuhisa Tochigi, Katsuhiko Hanzawa, Yuri Kato, Rihito Kuroda, Hideki Mutoh, Ryuta Hirose, Hideki Tominaga, Kenji Takubo, Yasushi Kondo, Shigetoshi Sugawa

Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference　55　382-383　2012年

DOI： 10.1109/ISSCC.2012.6177046 　

ISSN：0193-6530
A Test Circuit for Extremely Low Gate Leakage Current Measurement of 10 aA for 80,000 MOSFETs in 80 s 査読有り

Y. Kumagai, T. Inatsuka, R. Kuroda, A. Teramoto, T. Suwa, S. Sugawa, T. Ohmi

2012 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES (ICMTS)　131-136　2012年

DOI： 10.1109/ICMTS.2012.6190631 　

ISSN：1071-9032
Statistical Analysis of Random Telegraph Noise Reduction Effect by Separating Channel From the Interface 査読有り

A. Yonezawa, A. Teramoto, R. Kuroda, H. Suzuki, S. Sugawa, T. Ohmi

2012 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS)　3B.5.1-3B.5.7　2012年

DOI： 10.1109/IRPS.2012.6241809 　
Electrical Properties of Silicon Nitride Using High Density and Low Plasma Damage PECVD Formed at 400 degrees C 査読有り

Y. Nakao, A. Teramoto, T. Watanabe, R. Kuroda, T. Suwa, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　45　(3)　421-428　2012年

DOI： 10.1149/1.3700907 　

ISSN：1938-5862
New Metal Organic Gas Supply System by Using an Advanced Flow Control System 査読有り

M. Yamaji, S. Yamashita, A. Hidaka, M. Nagase, N. Ikeda, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　45　(3)　429-435　2012年

DOI： 10.1149/1.3700908 　

ISSN：1938-5862
Low Work Function between Erbium Silicide and n-type Silicon Controlled by Cap Film Stress 査読有り

Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ECS Transactions　45　(3)　371-378　2012年

DOI： 10.1149/1.3700902 　

ISSN：1938-5862
Influence of Forming Gas Annealing on SiO2/Si(100) Interface Structures Formed Utilizing Oxygen Molecules Different From That Utilizing Oxygen Radicals 査読有り

Tomoyuki Suwa, Yuki Kumagai, Akinobu Teramoto, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Takeo Hattori, Tadahiro Ohmi

ECS Transactions　45　(3)　453-460　2012年

DOI： 10.1149/1.3700911 　

ISSN：1938-5862

eISSN：1938-6737
Comprehensive Study on Chemical Structures of Compositional Transition Layer at SiO2/Si(100) Interface 査読有り

T. Suwa, A. Teramoto, T. Muro, T. Kinoshita, S. Sugawa, T. Hattori, T. Ohmi

ECS Transactions　50　(4)　313-318　2012年

DOI： 10.1149/05004.0313ecst 　

ISSN：1938-5862
Effect of Erbium Silicide Crystallinity for Low Barrier Contact between Erbium Silicide and n-type Silicon 査読有り

Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ECS Transactions　50　(4)　343-348　2012年

DOI： 10.1149/05004.0343ecst 　

ISSN：1938-5862
Spatial Distribution of Properties of a-IGZO Films Deposited by Rotation Magnet Sputtering Incorporating Dual Target Structure 査読有り

Tetsuya Goto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IDW/AD '12: PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS, PT 2　19　973-976　2012年

ISSN：1883-2490
Development of Direct-polish Process of CMP and Post-CMP Clean for Next Generation Advanced Cu Interconnects 査読有り

Xun Gu, Yugo Tomita, Takenao Nemoto, Akinobu Teramoto, Ricardo Duyos Mateo, Takeshi Sakai, Rihito Kuroda, Shin-Ichiro Kuroki, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2011 International Conference on Planarization&CMP　150-157　2011年11月
Formation speed of atomically flat surface on Si (100) in ultra-pure argon 査読有り

Xiang Li, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

MICROELECTRONIC ENGINEERING　88　(10)　3133-3139　2011年10月

DOI： 10.1016/j.mee.2011.06.014 　

ISSN：0167-9317

eISSN：1873-5568
Highly Reliable Radical SiO2 Films on Atomically Flat Silicon Surface Formed by Low Temperature Pure Ar Annealing 査読有り

Xiang Li, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(10)　10PB05-1-10PB05-7　2011年10月

DOI： 10.1143/JJAP.50.10PB05 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Evaluation for Anomalous Stress-Induced Leakage Current of Gate SiO2 Films Using Array Test Pattern 査読有り

Yuki Kumagai, Akinobu Teramoto, Takuya Inatsuka, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　58　(10)　3307-3313　2011年10月

DOI： 10.1109/TED.2011.2161991 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
Large Scale Test Circuits for High Speed and Highly Accurate Evaluation of Variability and Noise of MOSFETs’ Electrical Characteristics 査読有り

Yuki Kumagai, Kenichi Abe, Takafumi Fujisawa, Shunichi Watabe, Rihito Kuroda, Naoto Miyamoto, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　50　(10)　106701-1-106701-11　2011年10月

DOI： 10.1143/JJAP.50.106701 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
High power normally-off GaN MOSFET on Si substrate 査読有り

H. Kambayashi, Y. Satoh, T. Kokawa, N. Ikeda, T. Nomura, S. Kato, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

220th Meeting of The Electrochemical Society　Abs.2172　2011年10月
Process Optimization for Improved Compatibility with Organic Non-porous Low-k Dielectric Fluorocarbon on advanced Cu Interconnects 査読有り

Xun Gu, Yugo Tomita, Takenao Nemoto, Kotaro Miyatani, Akane Saito, Yasuo Kobayashi, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shin-Ichiro Kuroki, Toshihisa Nozawa, Takaaki Matsuoka, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Advanced Metallization Conference 2011　20-21　2011年9月
High Integrity SiO2 Gate Insulator Formed by Microwave-Excited PECVD for AlGaN/GaN Hybrid MOS-HFET on Si Substrate 査読有り

Hiroshi Kambayashi, Takehoko Nomura, Sadahiro, Kato, Hirokazu Ueda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2011 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　600-601　2011年9月
Recovery Characteristic of Anomalous Stress Induced Leakage Current of 5.6nm Oxide Films 査読有り

T. Inatsuka, Y. Kumagai, R. Kuroda, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

2011 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　841-842　2011年9月
Impact of Random Telegraph Noise Reduction with Buried Channel MOSFET 査読有り

Hiroyoshi Suzuki, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Akihiro Yonezawa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2011 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　851-852　2011年9月
On the Si Surface Flattening Effect and Gate Insulator Breakdown Characteristic of Radical Reaction Based Insulator Formation Technology 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Xiang Li, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2011 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　903-904　2011年9月
High Quality and Low Thermal Budget Silicon Nitride Deposition Using PECVD for Gate Spacer, Silicide Block and Contact Etch Stopper 査読有り

Y. Nakao, R. Kuroda, H. Tanaka, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

2011 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　905-906　2011年9月
Clear Difference between Chemical Structure of SiO2/Si Interface Formed Using Oxygen Radicals and That Formed Using Oxygen Molecules 査読有り

Tomoyuki Suwa, Yuki Kumagai, Akinobu Teramoto, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Takeo Hattori, Tadahiro Ohmi

2011 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　22-23　2011年9月
Evidence of the universality of the hole mobility in accumulation MOS transistors 査読有り

Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2011 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　114-115　2011年9月
Highly Ultraviolet Light Sensitive and Highly Reliable Photodiode with Atomically Flat Si Surface 査読有り

Rihito Kuroda, Taiki Nakazawa, Katsuhiko Hanzawa, Shigetoshi Sugawa

2011 International Image Sensor Workshop　38-41　2011年6月8日
Tribological Effects of Brush Scrubbing in Post Chemical Mechanical Planarization Cleaning on Electrical Characteristics in Novel Non-porous Low-$k$ Dielectric Fluorocarbon on Cu Interconnects

Gu Xun, Nemoto Takenao, Tomita Yugo, Teramoto Akinobu, Sugawa Shigetoshi, Ohmi Tadahiro

Jpn J Appl Phys　50　(5)　05EC07-05EC07-6　2011年5月25日
出版者・発行元： Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
DOI： 10.1143/JJAP.50.05EC07 　

ISSN：0021-4922

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Damage reduction during planarization is strongly required to avoid scratch generation and the variation in the electrical properties of low-$k$ dielectrics leading to yield loss in an integrated circuit after the implementation of an ultralow-$k$ dielectric in Cu damascene interconnects. An optimum process condition to reduce damage on brush scrubbing in post-chemical--mechanical-planarization (post-CMP) cleaning was proposed for advanced nonporous organic ultralow-$k$ dielectric fluorocarbon/Cu interconnects. Increasing brush rotation rate by decreasing down pressures results in the improvement in both electric properties and particle removal efficiency. The tribological effects of brush scrubbing in post-CMP cleaning on the electrical characteristics were explored. The brush scrubbing condition of a high brush rotation rate at low down pressures contributes to the suppression of damage generation.
Electrical Characteristics of Novel Non-porous Low-k Dielectric Fluorocarbon on Cu Interconnects for 22 nm Generation and Beyond 査読有り

Xun Gu, Takenao Nemoto, Yugo Tomita, Akihide Shirotori, Kotaro Miyatani, Akane Saito, Yasuo Kobayashi, Akinobu Teramoto, Shin-Ichiro Kuroki, Toshihisa Nozawa, Takaaki Matsuoka, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(5)　05EB02-1-05EB02-5　2011年5月

DOI： 10.1143/JJAP.50.05EB02 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Analysis of the Low-Frequency Noise Reduction in Si(100) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors 査読有り

Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Yukihisa Nakao, Hiroaki Tanaka, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(4)　04DC01-1-04DC01-6.　2011年4月

DOI： 10.1143/JJAP.50.04DC01 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Impact of Channel Direction Dependent Low Field Hole Mobility on (100) Orientation Silicon Surface 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(4)　04DC03-1-04DC03-6　2011年4月

DOI： 10.1143/JJAP.50.04DC03 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Tribological and Kinetical Analysis of Barrier Metal Polishing for Next Generation Copper Interconnects 査読有り

Ricardo Duyos-Mateo, Xun Gu, Shigetoshi Sugawa, Takenao Nemoto, Yun Zhuang, Yasa Sampurno, Ara Philipossian, Tadahiro Ohmi

China Semiconductor Technology International Conference 2011 (CSTIC 2011)　2011年3月
Tribological and Kinetical Analysis of Barrier Metal Polishing for Next Generation Copper Interconnects 査読有り

R. Duyos Mateo, X.Gu, T. Nemoto, S. Sugawa, Y. Zhuang, Y. Sampurno, A. Philipossian, T. Ohmi

ECS Transactions　34　(1)　627-632　2011年3月

DOI： 10.1149/1.3567649 　

ISSN：1938-5862
技術成果を製品開発ステージにつなげるための技術開発マネジメント査読有り

加守田裕樹, 須川成利

日本MOT学会『技術と経済』　2　42-48　2011年2月
High power normally-off GaN MOSFET 招待有り査読有り

H. Kambayashi, Y. Satoh, T. Kokawa, N. Ikeda, T. Nomura, S. Kato, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　41　(8)　87-100　2011年

DOI： 10.1149/1.3631488 　

ISSN：1938-5862
Different properties of erbium silicides on Si (100) and Si (551) orientation surfaces 査読有り

H. Tanaka, A. Teramoto, R. Kuroda, Y. Nakao, T. Suwa, S. Sugawa, T. Ohmi

220th Meeting of The Electrochemical Society　2159　2011年
Gate SiO2 Film Integrity on Ultra-Pure Argon Anneal (100) Silicon Surface 査読有り

A. Teramoto, X. Li, R. Kuroda, T. Suwa, S. Sugawa, T. Ohmi

220th Meeting of The Electrochemical Society　2123　2011年
Advanced Direct-polish Process on Organic Non-porous Ultra Low-k Fluorocarbon Dielectric on Cu Interconnects 査読有り

Xun Gu, Takenao Nemoto, Yugo Tomita, Ricardo Duyos Mateo, Akinobu Teramoto, Shin-Ichiro Kuroki, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ECS Transacions　34　(1)　653-658　2011年
Dependence of the Decomposition of Trimethylaluminum on Oxygen Concentration 査読有り

Satoru Yamashita, Kohei Watanuki, Hidekazu Ishii, Yoshinobu Shiba, Masafumi Kitano, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY　158　(2)　H93-H96　2011年

DOI： 10.1149/1.3517080 　

ISSN：0013-4651

eISSN：1945-7111
High reliable SiO2 Films on Atomically Flat Silicon Surface Formed by Low Temperature Pure Ar Annealing 査読有り

X. Li, R. Kuroda, T. Suwa, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

Extend Abstracts of 2011 Interanational Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF)　107-108　2011年1月
A prototype high-speed CMOS image sensor with 10,000,000 fps burst-frame rate and 10,000 fps continuous-frame rate 査読有り

Yasuhisa Tochigi, Katsuhiko Hanzawa, Yuri Kato, Nana Akahane, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

IS&T/SPIE Electronic Imaging　78760G-1-78760G-8　2011年

DOI： 10.1117/12.872207 　

ISSN：0277-786X
A robust color signal processing with wide dynamic range WRGB CMOS image sensor 査読有り

Shun Kawada, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

IS&T/SPIE Electronic Imaging　78760W-1-78760W-8　2011年

DOI： 10.1117/12.872285 　

ISSN：0277-786X
Advanced Direct-polish Process on Organic Non-porous Ultra Low-k Fluorocarbon Dielectric on Cu Interconnects 査読有り

Xun Gu, Takenao Nemoto, Yugo Tomita, Ricardo Duyos Mateo, Akinobu Teramoto, Shin-Ichiro Kuroki, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE 2011 (CSTIC 2011)　34　(1)　653-658　2011年

DOI： 10.1149/1.3567653 　

ISSN：1938-5862
Understanding of Traps Causing Random Telegraph Noise Based on Experimentally Extracted Time Constants and Amplitude 査読有り

Kenichi Abe, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2011 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS)　A4.4.1-A4.4.6　2011年
Cu Damascene Interconnects with an Organic Low-k Fluorocarbon Dielectric Deposited by Microwave Excited Plasma Enhanced CVD 査読有り

X. Gu, T. Nemoto, Y. Tomita, A. Shirotori, R. Duyos-Mateo, K. Miyatani, A. Saito, Y. Kobayashi, A. Teramoto, S. Kuroki, T. Nozawa, T. Matsuoka, S. Sugawa, T. Ohmi

2011 IEEE INTERNATIONAL INTERCONNECT TECHNOLOGY CONFERENCE AND MATERIALS FOR ADVANCED METALLIZATION (IITC/MAM)　Poster No. 44　2011年

DOI： 10.1109/IITC.2011.5940345 　
Gate SiO2 Film Integrity on Ultra-Pure Argon Anneal (100) Silicon Surface 査読有り

Akinobu Teramoto, Xiang Li, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ECS Transacions　41　(7)　147-156　2011年

DOI： 10.1149/1.3633294 　

ISSN：1938-5862
Different Properties of Erbium Silicides on Si(100) and Si(551) Orientation Surfaces 査読有り

Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Yukihisa Nakao, Tomoyuki Suwa, Kazumasa Kawase, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ECS Transactions　41　(7)　365-373　2011年

DOI： 10.1149/1.3633317 　

ISSN：1938-5862

eISSN：1938-6737
Tribological Study of Brush Scrubbing in Post-Chemical Mechanical Planarization Cleaning in Non-porous Ultralow-k Dielectric/Cu Interconnects 査読有り

Xun Gu, Takenao Nemoto, Akinobu Teramoto, Misa Sakuragi, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY　158　(11)　H1145-H1151　2011年

DOI： 10.1149/2.046111jes 　

ISSN：0013-4651

eISSN：1945-7111
横型オーバフロー蓄積容量を用いたCMOSイメージセンサの画素縮小化技術査読有り

酒井伸, 田代睦聡, 川田俊, 須川成利

映像情報メディア学会誌　64　(12)　1944-1950　2010年12月

DOI： 10.3169/itej.64.1944 　
Electrical Properties of Metal-Oxide-Containing SiO2 Films Formed by Organosiloxane Sol-Gel Precursor 査読有り

Kohei Watanuki, Atsutoshi Inokuchi, Akinori Banba, Hirokazu Suzuki, Tadashi Koike, Tatsuhiko Adachi, Tetsuya Goto, Akinobu Teramoto, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(11)　111503-1-111503-5　2010年11月

DOI： 10.1143/JJAP.49.111503 　

ISSN：0021-4922
Tribological, Thermal and Kinetic Studies of Ti and TiN CMP 査読有り

Ricardo Duyos-Mateo, Xun Gu, Takenao Nemoto, Yun Zhuang, Zhenxing Han, Yasa Sampurno, Ara Philipossian, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2010 International Conference on Planarization/CMP Technology, (2010)　13-18　2010年11月
Development of Direct-polish Process on Non-porous Ultra Low-k Dielectric/Cu Interconnects for 22nm Generation and Beyond 査読有り

Xun Gu, Takenao Nemoto, Yugo Tomita, Ricardo Duyos Mateo, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2010 International Conference on Planarization/CMP Technology　51-54　2010年11月
Dependence of Thermal Decomposition of Metal Organic Gases on Metal Surface for Gas Distribution System 査読有り

Satoru Yamashita, Kohei Watanuki, Hidekazu Ishii, Yoshinobu Shiba, Masafumi Kitano, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

218th Meeting of the Electrochemical Society　1771　2010年10月
Evaluation of Narrow Gap Filling Ability in Shallow Trench Isolation by Organosiloxane Sol-Gel Precursor 査読有り

Kohei Watanuki, Atsutoshi Inokuchi, Akinori Banba, Nobuyuki Manabe, Hirokazu Suzuki, Tadashi Koike, Tatsuhiko Adachi, Tetsuya Goto, Akinobu Teramoto, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

218th Meeting of The Electrochemical Society　1498　2010年10月
Electrical Characteristics of Novel Non-porous Low-k Dielectric Fluorocarbon on Cu Interconnects for 22nm Generation and Beyond 査読有り

Xun Gu, Takenao Nemoto, Yugo Tomita, Kotaro Miyatani, Akane Saito, Yasuo Kobayashi, Akinobu Teramoto, Shin-Ichiro Kuroki, Toshihisa Nozawa, Takaaki Matsuoka, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Advanced Metallization Conference 2010　54-55　2010年10月
Tribological Effects of Brush Scrubbing in Post-CMP Cleaning on the Electrical Characteristics in the Novel Non-porous Low-k Dielectric on Cu Interconnects 査読有り

Xun Gu, Takenao Nemoto, Yugo Tomita, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Advanced Metallization Conference 2010　160-161　2010年10月
Large Scale Test Circuits for Systematic Evaluation of Variability and Noise of MOSFETs’ Electrical Characteristics 査読有り

Y. Kumagai, K. Abe, T. Fujisawa, S. Watabe, R. Kuroda, N. Miyamoto, T. Suwa, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　804-805　2010年9月23日
Impact of Channel Direction Dependent Low Field Hole Mobility on Si(100) 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　51-52　2010年9月22日
グローバルディスクリート事業展開におけるキャッシュフローに影響を与える要因分析査読有り

立石文雄, 倉橋正志, 中村正, 水本智也, 中塚信雄, 須川成利

日本MOT学会「技術と経済」　(523)　48-56　2010年9月
出版者・発行元：科学技術と経済の会
ISSN：0285-9912
Statistical Evaluation of Process Damage Using an Arrayed Test Pattern in a Large Number of MOSFETs 査読有り

Shunichi Watabe, Akinobu Teramoto, Kenichi Abe, Takafumi Fujisawa, Naoto Miyamoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　57　(6)　1310-1318　2010年6月

DOI： 10.1109/TED.2010.2046080 　

ISSN：0018-9383
High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface 査読有り

X. Li, R. Kuroda, T. Suwa, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices,　110　(109)　183-188　2010年6月
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN：0913-5685

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A low temperature atomically flattening technology for Si(100) wafer is developed. By annealing in ultra pure argon ambient at 800℃, atomically flat surfaces composed of atomic terraces and steps appear uniformly in the whole 200 mm wafer without generating slip line defects. Moreover, the whole 200 mm wafer surface can be atomically flattened in shorter time by increasing the argon gas flow rate and the annealing temperature of vertical furnace. Furthermore, the MOS capacitors with the atomically flat gate oxide/Si interface formed by radical oxidation on the flattened surface show superior insulating properties such as higher E_<bd> and Q_<bd>.
High Current Drivability FD-SOI CMOS with Low Source/Drain Series Resistance 査読有り

Yukihisa NAKAO, Rihito KURODA, Hiroaki TANAKA, Akinobu TERAMOTO, Shigetoshi SUGAWA, Tadahiro OHMI

2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices　110　(110)　303-308　2010年6月
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN：0913-5685

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A high current drivability CMOS on Si(100) with a low Source/Drain series resistance is demonstrated using a fully-depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) technology. The pMOS current drivability is improved by an introduction of the accumulation-mode device structure. Also, the contact resistivity as well as, the sheet resistance of the Source/Drain (S/D) electrodes are reduced to 6.9 x 10^<-9> Ω・cm^2 for n^+-Si and 8.0 x 10^<-10> Ω・cm^2 for p^+-Si and 5 Ω/sheet due to an introduction of work function optimized silicides for nMOS and pMOS, and a metal/silicide/Si stack structure, respectively. As a result, current drivability of 833 μA/μm and 661 μA/μm for nMOS and pMOS are obtained for around 100 nm gate length device size.
The Growth of Thin Silicon Oxide and Silicon Nitride Films at Low Temperature (400˚C) and High Growth Rates for Semiconductor Device Fabrication by an Advanced Low Electron Temperature Microwave-Excited High-Density Plasma System 査読有り

Yuji Saito, Katsuyuki Sekine, Ryu Kaihara, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing　23　(2)　328-339　2010年5月

DOI： 10.1109/TSM.2010.2045582 　

ISSN：0894-6507
Impact of work function optimized S/D silicide contact for high current drivability CMOS 査読有り

Y. Nakao, R. Kuroda, H. Tanaka, T. Isogai, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

217th Meeting of The Electrochemical Society　0949.　2010年4月
Angle-resolved phototelectron study on the structures of silicon nitride films and Si(3)N(4)/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals (vol 104, 114112, 2008) 査読有り

Takashi Aratani, Masaaki Higuchi, Shigetoshi Sugawa, Eiji Ikenaga, Jiro Ushio, Hiroshi Nohira, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohimi, Takeo Hattori

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　107　(6)　2010年3月

DOI： 10.1063/1.3366705 　

ISSN：0021-8979
画素容量・列容量電荷電圧変換を組合せた多重露光線形応答広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ査読有り

井出典子, 赤羽奈々, 須川成利

映像情報メディア学会誌　64　(3)　335-342　2010年3月

DOI： 10.3169/itej.64.335 　
Novel end-point detection method by monitoring shear force oscillation frequency for barrier metal polishing in advanced LSI

Xun Gu, Takenao Nemoto, Yasa Sampurno, Jiang Cheng, Sian Nie Theng, Ara Philipossian, Yun Zhuang, Akinobu Teramoto, Takashi Ito, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Materials Research Society Symposium Proceedings　1157　157-162　2010年2月

ISSN：0272-9172
Experiment and Device Simulation for Photo-Electron Overflow Characteristics on a Pixel-Shared CMOS Image Sensor Using Lateral Overflow Gate 査読有り

Shin Sakai, Yoshiaki Tashiro, Lei Hou, Shigetoshi Sugawa

IS&T / SPIE Electronic Imaging　7536　75360K-1-75360K-8　2010年

DOI： 10.1117/12.838765 　

ISSN：0277-786X
Checker-Pattern and Shared Two Pixels LOFIC CMOS Image Sensors 査読有り

Yoshiaki Tashiro, Shun Kawada, Shin Sakai, Shigetoshi Sugawa

2010 15TH ASIA AND SOUTH PACIFIC DESIGN AUTOMATION CONFERENCE (ASP-DAC 2010)　343-344　2010年

DOI： 10.1109/ASPDAC.2010.5419872 　
A CMOS Image Sensor With 2.0-e(-) Random Noise and 110-ke(-) Full Well Capacity Using Column Source Follower Readout Circuits 査読有り

Takahiro Kohara, Woonghee Lee, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

2010 15TH ASIA AND SOUTH PACIFIC DESIGN AUTOMATION CONFERENCE (ASP-DAC 2010)　345-346　2010年

ISSN：2153-6961
Checkered White-RGB Color LOFIC CMOS Image Sensor 査読有り

Shun Kawada, Shin Sakai, Yoshiaki Tashiro, Shigetoshi Sugawa

2010 15TH ASIA AND SOUTH PACIFIC DESIGN AUTOMATION CONFERENCE (ASP-DAC 2010)　347-348　2010年

DOI： 10.1109/ASPDAC.2010.5419870 　
A Test Structure for Statistical Evaluation of pn Junction Leakage Current Based on CMOS Image Sensor Technology 査読有り

Kenichi Abe, Takafumi Fujisawa, Hiroyoshi Suzuki, Shunichi Watabe, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi

2010 INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES, 23RD IEEE ICMTS CONFERENCE PROCEEDINGS　18-22　2010年

DOI： 10.1109/ICMTS.2010.5466868 　

ISSN：1071-9032
A Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Image Sensor with 2.0 e(-) Random Noise and 110 ke(-) Full Well Capacity and Noise Measurement of Pixel Transistors Using Column Source Follower Readout Circuits 査読有り

Takahiro Kohara, Woonghee Lee, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　04DE02-1-04DE02-5　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DE02 　

ISSN：0021-4922
Pixel Scaling in Complementary Metal Oxide Silicon Image Sensor with Lateral Overflow Integration Capacitor 査読有り

Shin Sakai, Yoshiaki Tashiro, Shun Kawada, Rihito Kuroda, Nana Akahane, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　04DE03-1-04DE03-6　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DE03 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
White-Red-Green-Blue Lateral Overflow Integration Capacitor Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Image Sensor with Color-Independent Exposure and Widely-Spectral High Sensitivity 査読有り

Shun Kawada, Shin Sakai, Yoshiaki Tashiro, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　04DE04-1-04DE04-4　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DE04 　

ISSN：0021-4922
Low Contact Resistivity with Low Silicide/p(+)-Silicon Schottky Barrier for High-Performance p-Channel Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistors 査読有り

Hiroaki Tanaka, Tatsunori Isogai, Tetsuya Goto, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　04DA03-1-04DA03-5　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DA03 　

ISSN：0021-4922
Analysis of Hundreds of Time Constant Ratios and Amplitudes of Random Telegraph Signal with Very Large Scale Array Test Pattern 査読有り

Takafumi Fujisawa, Kenichi Abe, Shunichi Watabe, Naoto Miyamoto, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　04DC06-1-04DC06-5　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DC06 　

ISSN：0021-4922
Experimental Investigation of Effect of Channel Doping Concentration on Random Telegraph Signal Noise 査読有り

Kenichi Abe, Akinobu Teramoto, Shunichi Watabe, Takafumi Fujisawa, Shigetoshi Sugawa, Yutaka Kamata, Katsuhiko Shibusawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　04DC07-1-04DC07-5　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DC07 　

ISSN：0021-4922
Atomically Flattening Technology at 850 ˚C for Si(100) Surface 査読有り

X. Li, T. Suwa, A. Teramoto, R. Kuroda, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　28　(1)　299-309　2010年

DOI： 10.1149/1.3375615 　

ISSN：1938-5862
Impact of Ｗork Function Optimized S/D Silicide Contact for High Current Drivability CMOS 査読有り

Y. Nakao, R. Kuroda, H. Tanaka, T. Isogai, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　28　(1)　315-324　2010年

DOI： 10.1149/1.3375617 　

ISSN：1938-5862
Atomically Flattening Technology at 850 degrees C for Si(100) Surface 査読有り

X. Li, T. Suwa, A. Teramoto, R. Kuroda, S. Sugawa, T. Ohmi

217th Meeting of The Electrochemical Society　0951　2010年

DOI： 10.1149/1.3375615 　

ISSN：1938-5862
Statistical Evaluation of Dynamic Junction Leakage Current Fluctuation Using a Simple Arrayed Capacitors Circuit 査読有り

Kenichi Abe, Takafumi Fujisawa, Hiroyoshi Suzuki, Shunichi Watabe, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi

2010 INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM　683-688　2010年

DOI： 10.1109/IRPS.2010.5488751 　

ISSN：1541-7026
Statistical Evaluation for Trap Energy Level of RTS Characteristics 査読有り

A. Teramoto, T. Fujisawa, K. Abe, S. Sugawa, T. Ohmi

2010 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS　99-100　2010年

DOI： 10.1109/VLSIT.2010.5556186 　
Depth Profile of Nitrogen Atoms in Silicon Oxynitride Films Formed by Low-Electron-Temperature Microwave Plasma Nitridation 査読有り

Shigemi Murakawa, Shu-ichi Ishizuka, Toshio Nakanishi, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Takeo Hattori, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(9)　091301-1-091301-8　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.091301 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Evaluation of Narrow Gap Filling Ability in Shallow Trench Isolation by Organosiloxane Sol-Gel Precursor 査読有り

Kohei Watanuki, Atsutoshi Inokuchi, Akinori Banba, Nobuyuki Manabe, Hirokazu Suzuki, Tadashi Koike, Tatsuhiko Adachi, Tetsuya Goto, Akinobu Teramoto, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ECS Transactions　33　(3)　135-143　2010年

DOI： 10.1149/1.3481600 　

ISSN：1938-5862
Dependence of Thermal Decomposition of Metal Organic Gases on Metal Surface for Gas Distribution System 査読有り

S. Yamashita, K. Watanuki, H. Ishii, Y. Shiba, M. Kitano, Y. Shirai, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　33　(13)　121-128　2010年

DOI： 10.1149/1.3485612 　

ISSN：1938-5862
Ultra-low Series Resistance W/ErSi2/n(+)-Si and W/Pd2Si/p(+)-Si S/D Electrodes for Advanced CMOS Platform 査読有り

Rihito Kuroda, Hiroaki Tanaka, Yukihisa Nakao, Akinobu Teramoto, Naoto Miyamoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2010 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - TECHNICAL DIGEST　580-583　2010年

DOI： 10.1109/IEDM.2010.5703425 　

ISSN：2380-9248
Qualification of Dynamic Pressure Distribution on Wafer by Pressure Sensing Sheet during Polishing 査読有り

Xun Gu, Takenao Nemoto, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

International Conference on Planarization/CMP Technology 2009　22-27　2009年11月
Highly Accurate Management in Dynamically Changing Fab 査読有り

Kazunori Imaoka, Yoshihiro Ishii, Tsuyoshi Kikuchi, Shigetoshi Sugawa, Akio Nagahira

IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING　22　(4)　482-490　2009年11月

DOI： 10.1109/TSM.2009.2031773 　

ISSN：0894-6507

eISSN：1558-2345
A 1.9 e(-) Random Noise CMOS Image Sensor With Active Feedback Operation in Each Pixel 査読有り

Woonghee Lee, Nana Akahane, Satoru Adachi, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　56　(11)　2436-2445　2009年11月

DOI： 10.1109/TED.2009.2030644 　

ISSN：0018-9383
Optimum Design of Conversion Gain and Full Well Capacity in CMOS Image Sensor With Lateral Overflow Integration Capacitor 査読有り

Nana Akahane, Satoru Adachi, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　56　(11)　2429-2435　2009年11月

DOI： 10.1109/TED.2009.2030550 　

ISSN：0018-9383
Three-Dimensional Wave Optical Simulation for Image Sensors by Localized Boundary Element Method 査読有り

Hideki Mutoh, Shigetoshi Sugawa

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　56　(11)　2473-2480　2009年11月

DOI： 10.1109/TED.2009.2030549 　

ISSN：0018-9383
The Study of Electrical and Structual Properties of SiO2 Film Containing Metal oxide using Organosiloxane-based Silica Precursor 査読有り

K. WATANUKI, A. INOKUCHI, A. BAMBA, H. SUZUKI, T. KOIKE, T. ADACHI, A. TERAMOTO, Y. SHIRAI, S. SUGAWA, T. OHMI

AVS 56th International Symposium & Exhibition　81　2009年11月
Pixel Scaling in CMOS Image Sensors with Lateral Overflow Integration Capacitor 査読有り

Yoshiaki Tashiro, Shin Sakai, Shun Kawada, Rihito Kuroda, Nana Akahane, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

International Conference on Solid State Devices and Materials　1062-1063　2009年10月
WRGB LOFIC CMOS Image Sensor with Color-Independent Exposure and Widely-Spectral High Sensitivity 査読有り

Shun Kawada, Shin Sakai, Yoshiaki Tashiro, Shigetoshi Sugawa

International Conference on Solid State Devices and Materials　1064-1065　2009年10月
Random Telegraph Signal and Flicker Noise in CMOS Image Sensor using Column Source Follower Readout Circuits 査読有り

Takahiro Kohara, Woonghee Lee, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

International Conference on Solid State Devices and Materials　1074-1075　2009年10月
Statistical Analysis of Time Constant Ratio of Random Telegraph Signal with Very Large-Scale Array TEG 査読有り

T. Fujisawa, K. Abe, S. Watabe, N. Miyamoto, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　28-29　2009年10月
Impact of Channel Doping Concentration on Random Telegraph Signal Noise 査読有り

K. Abe, A. Teramoto, S. Watabe, T. Fujisawa, S. Sugawa, H. Kamata, K. Shibusawa, T. Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　30-31　2009年10月
Impact of Very Low Series Resistance due to Raised Metal S/D Structure with Very Low Contact Resistance Silicide for sub-100-nm nMOSFET 査読有り

Rihito Kuroda, Tatsunori Isogai, Hiroaki Tanaka, Yukihisa Nakao, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　994-995　2009年10月
Suppression of Vth Variability for n-MOSFET in Dual Oxide Formation Process 査読有り

H. Kamata, K. Shibusawa, K. Abe, S. Sugawa, A. Teramoto, T. Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　378-379　2009年10月
Low Contact Resistance with Low Silicide/p+-Silicon Schottky Barrier for High Performance p-channel MOSFETs 査読有り

Hiroaki Tanaka, Tatsunori Isogai, Tetsuya Goto, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　323-333　2009年10月
Improving the Performance of MOSFET’s through their Exposure to Hydrogen Radicals/Inert Gas Plasma Mixture 査読有り

Yuji Saito, Hiroshi Takahashi, Kazuo Ohtsubo, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

28th ISRAEL VACUUM SOCIETY ANNUAL CONFERENCE AND TECHNICAL WORKSHOP　P-SU-10　2009年10月
The Growth of Polyoxide Thin Films at 400oC by Oxygen Radicals 査読有り

Tatsufumi Hamada, Yuji Saito, Geun-Min Choi, Shigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

28th ISRAEL VACUUM SOCIETY ANNUAL CONFERENCE AND TECHNICAL WORKSHOP　P-SU-11　2009年10月
フラッシュメモリーにおける新しい信頼性評価技術査読有り

須川成利

応用物理　78　(9)　897-901　2009年9月
Mobile-Ion-Induced Charge Loss Failure in Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Two-Bit Storage Flash Memory 査読有り

Kazunori Imaoka, Masahiko Higashi, Hidehiko Shiraiwa, Fumihiko Inoue, Tatsuya Kajita, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　48　(6)　066510-1-066510-6　2009年6月

DOI： 10.1143/JJAP.48.066510 　

ISSN：0021-4922
4.5um Pixel Pitch 154 ke- Full Well Capacity CMOS Image Sensor 査読有り

Koichi Mizobuchi, Satoru Adachi, Hirokazu Sawada, Katsumi Ohta, Hiromichi Oshikubo, Nana Akahane, Shigetoshi Sugawa

International Image Sensor Workshop　101-104　2009年6月
High-Frequency Propagation on Printed Circuit Board Using a Material With a Low Dielectric Constant, a Low Dielectric Loss, and a Flat Surface 査読有り

Hiroshi Imai, Masahiko Sugimura, Masafumi Kawasaki, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS AND PACKAGING TECHNOLOGIES　32　(2)　415-423　2009年6月

DOI： 10.1109/TCAPT.2008.2004791 　

ISSN：1521-3331
A Statistical Analysis of Distributions of RTS Characteristics by Wide-Range Sampling Frequencies 査読有り

Kenichi Abe, Takafumi Fujisawa, Akinobu Teramoto, Shunichi Watabe, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices　1A.8　2009年6月
MOS Transistors fabricated on Si(551) surface based on radical reaction processes 査読有り

A. Teramoto, W. Cheng, C.F. Tye, S. Sugawa, T. Ohmi

2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices　109　(98)　2B.2-152　2009年6月
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN：0913-5685

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Though the electron mobility in the channel of MOSFET on Si(100) surface which is currently used for LSI devices is largest of all, the hole mobility is smallest. We have reported that the high quality gate insulator films can be formed on any oriented silicon surfaces by using radical oxidation and radical nitridation. Then, We can use Si(551) surface for fabricating the LSI devices. Si(551) is a surface orientation where 8゜ off from the Si(110) in <100> direction and is hard to be roughened by alkali solutions. The hole mobility in Si(551) surface is almost as large as Si(110). We demonstrate the high performance CMOS by fabricating accumulation mode MOSFETs on Si(551) surface.
Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron 査読有り

Tomoyuki SUWA, Takashi ARATANI, Masaaki HIGUCHI, Shigetoshi SUGAWA, Eiji IKENAGA, Jiro USHIO, Hiroshi NOHIRA, Akinobu TERAMOTO, Tadahiro OHMI, Takeo HATTORI

2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor　109　(98)　2B-7-160　2009年6月
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN：0913-5685

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Soft x-ray-excited angle-resolved photoemission results for nitride films formed using nitrogen-hydrogen radicals on Si(100), Si(111), and Si(110) are reported. The Si_3N_4/Si interfaces on all three surfaces are compositionally abrupt. This conclusion is based on 1) the observation that no Si atoms bonded with three N atoms and one Si atom were detected, 2) the observation that the number of Si-H bonds at the Si_3N_4/Si(110) interface is 38〜53% larger than those at the Si_3N_4/Si(100) and Si_3N_4/Si(111) interfaces indicates a dependence of the interface structure on the orientation of the substrate.
Reduction of Scratch on Brush Scrubbing in Post CMP Cleaning by Analyzing Contact Kinetics on Ultra Low-k Dielectric 査読有り

X. Gu, T. Nemoto, A. Teramoto, T. Ito, S. Sugawa, T. Ohmi

215th Meeting of The Electrochemical Society　0744　2009年5月
Different Types of Degradation and Recovery Mechanisms on NBT Stress for Thin SiO2 Films by On-the-Fly Measurement 査読有り

A. Teramoto, R. Kuroda, T. Suko, M. Sato, T. Tsuboi, S. Sugawa, T. Ohmi

215th Meeting of The Electrochemical Society　796　2009年5月
Anomalous Random Telegraph Signal Extractions from a Very Large Number of n-Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors Using Test Element Groups with 0.47 Hz-3.0 MHz Sampling Frequency 査読有り

Kenichi Abe, Takafumi Fujisawa, Akinobu Teramoto, Shunichi Watabe, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　48　(4)　04C044-1-04C044-5　2009年4月

DOI： 10.1143/JJAP.48.04C044 　

ISSN：0021-4922
A Study on Very High Performance Novel Balanced Fully Depleted Silicon-on-Insulator Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si(110) Using Accumulation-Mode Device Structure for Radio-Frequency Analog Circuits 査読有り

Weitao Cheng, Akinobu Teramoto, ChingFoa Tye, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　48　(4)　04C047-1-04C047-4　2009年4月

DOI： 10.1143/JJAP.48.04C047 　

ISSN：0021-4922
Complementary Metal-Oxide-Silicon Field-Effect-Transistors Featuring Atomically Flat Gate Insulator Film/Silicon Interface 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Yukihisa Nakao, Tomoyuki Suwa, Masahiro Konda, Rui Hasebe, Xiang Li, Tatsunori Isogai, Hiroaki Tanaka, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　48　(4)　04C048-1-04C048-6　2009年4月

DOI： 10.1143/JJAP.48.04C048 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Impact of Tungsten Capping Layer on Yttrium Silicide for Low-Resistance n(+)-Source/Drain Contacts 査読有り

Tatsunori Isogai, Hiroaki Tanaka, Tetsuya Goto, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　48　(4)　04C046-1-04C046-5　2009年4月

DOI： 10.1143/JJAP.48.04C046 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Characterization for High-Performance CMOS Using In-Wafer Advanced Kelvin-Contact Device Structure 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Takanori Komuro, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING　22　(1)　126-133　2009年2月

DOI： 10.1109/TSM.2008.2010743 　

ISSN：0894-6507

eISSN：1558-2345
Atomically Flat Silicon Surface and Silicon/Insulator Interface Formation Technologies for (100) Surface Orientation Large-Diameter Wafers Introducing High Performance and Low-Noise Metal-Insulator-Silicon FETs 査読有り

Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Rui Hasebe, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　56　(2)　291-298　2009年2月

DOI： 10.1109/TED.2008.2010591 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
Suppression of 1/f Noise in Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces 査読有り

W. Cheng, C. Tye, P. Gaubert, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

NOISE AND FLUCTUATIONS　1129　337-+　2009年

ISSN：0094-243X
Three-step room temperature wet cleaning process for silicon substrate

Rui Hasebe, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Solid State Phenomena　145-146　189-192　2009年1月1日

DOI： 10.4028/www.scientific.net/SSP.145-146.189 　

ISSN：1012-0394
Three-Step Room-Temperature Cleaning of Bare Silicon Surface for Radical-Reaction-Based Semiconductor Manufacturing 査読有り

Rui Hasebe, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY　156　(1)　H10-H17　2009年

DOI： 10.1149/1.2993153 　

ISSN：0013-4651

eISSN：1945-7111
Stress-induced leakage current and random telegraph signal 査読有り

Akinobu Teramoto, Yuki Kumagai, Kenichi Abe, Takafumi Fujisawa, Shunichi Watabe, Tomoyuki Suwa, Naoto Miyamoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　27　(1)　435-438　2009年1月

DOI： 10.1116/1.3054269 　

ISSN：1071-1023
Different Types of Degradation and Recovery Mechanisms on NBT Stress for Thin SiO2 Films by On-the-Fly Measurement 査読有り

A. Teramoto, R. Kuroda, T. Suko, M. Sato, T. Tsuboi, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　19　(2)　339-350　2009年

DOI： 10.1149/1.3122100 　

ISSN：1938-5862
Accurate Time Constant of Random Telegraph Signal Extracted by a Sufficient Long Time Measurement in Very Large-Scale Array TEG 査読有り

T. Fujisawa, K. Abe, S. Watabe, N. Miyamoto, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

ICMTS 2009: 2009 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES　19-24　2009年

DOI： 10.1109/ICMTS.2009.4814601 　
Advanced Method for Measuring Ultra-Low Contact Resistivity Between Silicide and Silicon Based on Cross Bridge Kelvin Resistor 査読有り

T. Isogai, H. Tanaka, A. Teramoto, T. Goto, S. Sugawa, T. Ohmi

ICMTS 2009: 2009 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES　109-113　2009年

DOI： 10.1109/ICMTS.2009.4814621 　
A Test Structure for Statistical Evaluation of Characteristics Variability in a Very Large Number of MOSFETs 査読有り

S. Watabe, S. Sugawa, K. Abe, T. Fujisawa, N. Miyamoto, A. Teramoto, T. Ohmi

ICMTS 2009: 2009 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES　114-118　2009年

DOI： 10.1109/ICMTS.2009.4814622 　
Asymmetry of RTS Characteristics along Source-Drain Direction and Statistical Analysis of Process-Induced RTS 査読有り

Kenichi Abe, Yuki Kumagai, Shigetoshi Sugawa, Shunichi Watabe, Takafumi Fujisawa, Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi

2009 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM, VOLS 1 AND 2　996-1001　2009年

DOI： 10.1109/IRPS.2009.5173398 　
A Color-Independent Saturation, Linear Response, Wide Dynamic Range CMOS Image Sensor With Retinal Rod- and Cone-like Color Pixels 査読有り

Shun Kawada, Shin Sakai, Nana Akahane, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

2009 SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS　180-181　2009年
A CMOS Image Sensor With 2.5-e(-) Random Noise and 110-ke(-) Full Well Capacity Using Column Source Follower Readout Circuits 査読有り

Takahiro Kohara, Woonghee Lee, Nana Akahane, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

2009 SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS　182-183　2009年
Reduction of scratch on brush scrubbing in post CMP cleaning by analyzing contact kinetics on ultra low-k dielectric 査読有り

Xun Gu, Takenao Nemoto, Akinobu Teramoto, Takashi Ito, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ECS Transactions　19　(7)　103-109　2009年

DOI： 10.1149/1.3123779 　

ISSN：1938-5862 1938-6737
A Pixel-Shared CMOS Image Sensor Using Lateral Overflow Gate 査読有り

Shin Sakai, Yoshiaki Tashiro, Nana Akahane, Rihito Kuroda, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

2009 PROCEEDINGS OF ESSCIRC　240-243　2009年

DOI： 10.1109/ESSCIRC.2009.5326026 　

ISSN：1930-8833
A Wide Dynamic Range Checkered-Color CMOS Image Sensor with IR-Cut RGB and Visible-to-Near-IR Pixels 査読有り

Shun Kawada, Shin Sakai, Nana Akahane, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

2009 IEEE SENSORS, VOLS 1-3　1648-1651　2009年

DOI： 10.1109/ICSENS.2009.5398511 　
Three-Step Room Temperature Cleaning of Bare Silicon Surface for Radical Based Semiconductor Manufacturing 査読有り

Rui Hasebe, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

The Meeting of the Electrochemical Society, Pacific Rim Meeting on electrochemical and Solid-State Science　1846　2008年10月
Accurate negative bias temperature instability lifetime prediction based on hole injection 査読有り

Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

MICROELECTRONICS RELIABILITY　48　(10)　1649-1654　2008年10月

DOI： 10.1016/j.microrel.2008.07.062 　

ISSN：0026-2714
Highly Accurate Management in the Dynamically Changing Fab 査読有り

Imaoka, K, Ishii Y, Kikuchi T, Sugawa S, Nagahira A

IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing　33-36　2008年10月
Research and development evaluation at an early stage Using the Analytic Hierarchy Process (AHP) 査読有り

H. Kamoda, S. Sugawa

The 4th IEEE International Conference on Management of Innovation and Technology　1444-1449　2008年9月

DOI： 10.1109/ICMIT14244.2008 　
The Dynamic Range Enhancement Technology for CMOS Image Sensors 招待有り査読有り

S. Sugawa, N. Akahane, S. Adachi, K. Mizobuchi

International Conference on Solid State Devices and Materials　276-277　2008年9月
A Study on Very High Performance Novel Balanced FD-SOI CMOSFETs on Si(110) Using Accumulaton Mode Device Structure for RF Analog Circuits 査読有り

W. Cheng, A. Teramoto, C. Tye, R. Kuroda, S. Sugawa, T. Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　876-877　2008年9月
CMOSFET Featuring Atomically Flat Gate Insulator Film / Silicon Interface on (100) Orientation Surface 査読有り

R. Kuroda, A. Teramoto, T. Suwa, Y. Nakao, S. Sugawa, T. Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　706-707　2008年9月
Anomalous RTS Extractions from a Very Large Number of n-MOSFETs using TEG with 0.47Hz - 3.0MHz Sampling Frequency 査読有り

K. Abe, T. Fujisawa, A. Teramoto, S. Watabe, S. Sugawa, T. Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　888-889　2008年9月
Impact of Tungsten Capping Layer on Yttrium Silicide for Low Resistance Source / Drain Contacts 査読有り

T. Isogai, H. Tanaka, T. Goto, A. Teramoto, S. Sugawa, T.Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　446-447　2008年9月
3-step room temperature wet cleaning process for silicon substrate 査読有り

R. Hasebe, A. Teramoto, R. Kuroda, T. Suwa, S. Sugawa, T. Ohmi

International Symposium on Ultra Clean Procesing of Semiconductor Surface　112-113　2008年9月
A very low dark current temperature-resistant, wide dynamic range, complementary metal oxide semiconductor image sensor 査読有り

Koichi Mizobuchi, Satoru Adachi, Jose Tejada, Hiromichi Oshikubo, Nana Akahane, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　47　(7)　5390-5395　2008年7月

DOI： 10.1143/JJAP.47.5390 　

ISSN：0021-4922
Evaluation of Si(3)N(4)/Si interface by UV Raman spectroscopy 査読有り

A. Ogura, T. Yoshida, D. Kosemura, Y. Kakemura, T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori

APPLIED SURFACE SCIENCE　254　(19)　6229-6231　2008年7月

DOI： 10.1016/j.apsusc.2008.02.151 　

ISSN：0169-4332
A wide DR and linear response CMOS image sensor with three photocurrent integrations in photodiodes, lateral overflow capacitors, and column capacitors 査読有り

Noriko Ide, Woonghee Lee, Nana Akahane, Shigetoshi Sugawa

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS　43　(7)　1577-1587　2008年7月

DOI： 10.1109/JSSC.2008.922399 　

ISSN：0018-9200
A Material of Semiconductor Package with Low Dielectric Constant, Low Dielectric Loss and Flat Surface for High Frequency and Low Power Propagation 査読有り

H. Imai, M. Sugimura, M. Kawasaki, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices　108　(122)　47-51　2008年7月
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN：0913-5685

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For the next generation LSI package, low power consumption and high frequency propagation must be satisfied. In order to meet such requirements, we investigated a dielectric material for semiconductor package which has three superior features: low dielectric constant, low dielectric loss, and a flat surface. The propagation loss of a microstrip line on the developed material is about 40% of the conventional material at 30GHz. The significant reduction of the propagation loss is caused by the flat surface and low dielectric loss. This technology greatly contributes to the next generation of semiconductor packages.
Nitrogen profile study for SiON gate dielectrics of advanced dynamic random access memory 査読有り

Shigemi Murakawa, Masashi Takeuchi, Minoru Honda, Shu-ichi Ishizuka, Toshio Nakanishi, Yoshihiro Hirota, Takuya Sugawara, Yoshitsugu Tanaka, Yasushi Akasaka, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　47　(7)　5380-5384　2008年7月

DOI： 10.1143/JJAP.47.5380 　

ISSN：0021-4922
Imapact of Performance and Reliability Boosters in Novel FD-SOI CMOS Devices on Si(110) Surface for Analog Applications 査読有り

W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, C. Tye, S. Watabe, S. Sugawa, T. Ohmi

International Conference on the Physics of Semiconductors　602-603　2008年7月
A Novel Simply Model of Roughness Induced Power Consumption for GHz Propagation on Printed Circuit Board 査読有り

Hiroshi Imai, Akinobu Teramoto, Masahiko Sugimura, Masafumi Kawasaki, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

International Conference on Electronics Packaging 2008　130-133　2008年6月
Stress Induced Leakage Current and Random Telegraph Signal 査読有り

A. Teramoto, Y. Kumagai, K. Abe, T. Fujisawa, S. Watabe, T. Suwa, N. Miyamoto, S. Sugawa, T.Ohmi

Workshop on Dielectrics in Microelectronics　31-32　2008年6月
A 200-mu V/e(-) CMOS image sensor with 100-ke(-) full well capacity 査読有り

Satoru Adachi, Woonghee Lee, Nana Akahane, Hiromichi Oshikubo, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS　43　(4)　823-830　2008年4月

DOI： 10.1109/JSSC.2008.917549 　

ISSN：0018-9200
High sensitivity dynamic range enhanced complementary metal-oxide-semiconductor imager with noise suppression 査読有り

Satoru Adachi, Woonghee Lee, Nana Akahane, Hiromichi Oshikubo, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　47　(4)　2761-2766　2008年4月

DOI： 10.1143/JJAP.47.2761 　

ISSN：0021-4922
Performance comparison of ultrathin fully depleted silicon-on-insulator inversion-, intrinsic-, and accumulation-mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　47　(4)　2668-2671　2008年4月

DOI： 10.1143/JJAP.47.2668 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Formation and property of yttrium and yttrium silicide films as low Schottcky barrier material for n-type silicon 査読有り

Tatsunori Isogai, Hiroaki Tanaka, Tetsuya Goto, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　47　(4)　3138-3141　2008年4月

DOI： 10.1143/JJAP.47.3138 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Tantalum Nitride Formation in Xe Inert Gas on Ultra Low k Dielectric for Cu Interconnects on 45nm LSI and beyond 査読有り

Takenao Nemoto, Gu Xun, Hiroshi Imai, Akinobu Teramoto, Takashi Ito, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Material Research Society 2008 Spring Meeting　2008年3月
The Cleaning Method Which is Able to Keep the Smoothness of Si (100) 査読有り

Xiang Li, Xun Gu, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Rui Hasebe, Tomoyuki Suwa, Ningmei Yu, Shigetoshi Sugawa, Takashi Ito, Tadahiro Ohmi

International Semiconducotor Technology Conference　PV 2008-1　469-474　2008年3月
Wide Dynamic Range on System Level 招待有り査読有り

Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

International Solid State Circuits Conference Imager Design Forum　2008年2月
局所境界要素法によるイメージセンサの３次元波動光学シミュレーション査読有り

武藤秀樹, 須川成利

映像情報メディア学会誌　62　(8)　1319-1325　2008年

DOI： 10.3169/itej.62.1319 　
高温下の耐性・撮像性能を改善した広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ査読有り

溝渕孝一, 足立理, 山下友和, 岡村誠一郎, 押久保弘道, 赤羽奈々, 須川成利

映像情報メディア学会誌　62　(3)　368-375　2008年

DOI： 10.3169/itej.62.368 　
A 800(H) x 600(V) high sensitivity and high full well capacity CMOS image sensor with active pixel readout feedback operation 査読有り

Woonghee Lee, Nana Akahane, Satoru Adachi, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

SPIE Electronic Imaging Science and Technology　6816　68160R-1-68160R-8　2008年

ISSN：0277-786X
Angle-resolved photoelectron study on the structures of silicon nitride films and Si3N4 /Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals

T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Suwa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　vol. 104　(No. 11)　114112-1 - 114112-8　2008年

DOI： 10.1063/1.3002418 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
13.56 and 100 MHz Coupled Mode Rf-Sputtering for Ferroelectric Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7 (STN) Film Applied to One-Transistor Type Ferroelectric Random Access Memory 査読有り

Ichirou Takahashi, Masaki Hirayama, Yasuyuki Shirai, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

FERROELECTRICS　368　328-333　2008年

DOI： 10.1080/00150190802368008 　

ISSN：0015-0193

eISSN：1563-5112
An optimum design of the LOFIC CMOS image sensor for high sensitivity, low noise and high full well capacity 査読有り

Nana Akahane, Woonghee Lee, Shigetoshi Sugawa

SPIE Electronic Imaging Science and Technology　6817　681702-1-681702-8　2008年

DOI： 10.1117/12.765649 　

ISSN：0277-786X
A low-noise wide dynamic range CMOS image sensor with low and high temperatures resistance 査読有り

Koichi Mizobuchi, Satoru Adachi, Jose Tejada, Hiromichi Oshikubo, Nana Akahane, Shigetoshi Sugawa

6816　681604-1-681604-8　2008年

DOI： 10.1117/12.765871 　

ISSN：0277-786X
A linear response 200-dB dynamic range CMOS image sensor with multiple voltage and current readout operations 査読有り

Noriko Ide, Nana Akahane, Shigetoshi Sugawa

SPIE Electronic Imaging Science and Technology　6816　681605-1-681605-8　2008年

DOI： 10.1117/12.767109 　

ISSN：0277-786X
Damage-free microwave-excited plasma etching without carrier deactivation of heavily doped Si under thin silicide layer 査読有り

Tetsuya Goto, Kazuyuki Ikenaga, Akinobu Teramoto, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A　26　(1)　8-16　2008年1月

DOI： 10.1116/1.2804424 　

ISSN：0734-2101

eISSN：1520-8559
Characterization of MOSFETs intrinsic performance using in-wafer advanced Kelvin-contact device structure for high performance CMOS LSIs 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Takanori Komuro, Weitao Cheng, Syunichi Watabe, Ching Foa Tye, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2008 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES, CONFERENCE PROCEEDINGS　155-159　2008年

DOI： 10.1109/ICMTS.2008.4509331 　

ISSN：1071-9032
Statistical evaluation for anomalous SILC of tunnel oxide using integrated array TEG 査読有り

Yuki Kumagai, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tomoyuki Suwa, Tadahiro Ohmi

2008 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS - 46TH ANNUAL　219-224　2008年

DOI： 10.1109/RELPHY.2008.4558890 　

ISSN：1541-7026
New insulation material with flat-surface, low coefficient of thermal expansion, low-dielectric-loss for next generation semiconductor packages 査読有り

M. Sugimura, H. Imai, M. Kawasaki, K. Kamata, K. Fujii, Y. Fujito, S. Yonehara, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

58TH ELECTRONIC COMPONENTS & TECHNOLOGY CONFERENCE, PROCEEDINGS　747-752　2008年

DOI： 10.1109/ECTC.2008.4550057 　

ISSN：0569-5503
Tantalum nitride sputtering deposition with Xe on fluorocarbon for Cu interconnects 査読有り

Takenao Nemoto, Hiroshi Imai, Akinobu Teramoto, Takashi Ito, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmia

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY　155　(5)　H323-H328　2008年

DOI： 10.1149/1.2883736 　

ISSN：0013-4651
Atomically Flat Gate Insulator/Silicon (100) Interface Formation Introducing High Mobility, Ultra-low Noise, and Small Characteristics Variation CMOSFET 査読有り

R. Kuroda, A. Teramoto, T. Suwa, R. Hasebe, X. Li, M. Konda, S. Sugawa, T. Ohmi

ESSDERC 2008: PROCEEDINGS OF THE 38TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE　83-86　2008年

DOI： 10.1109/ESSDERC.2008.4681704 　

ISSN：1930-8876
A CMOS Image Sensor Extracting Color Image Feature Values for Object Categorization System 査読有り

T. Kubo, S. Sugawa

Proceedings of IEEE Sensors　949-952　2008年

DOI： 10.1109/ICSENS.2008.4716598 　
High Growth Rate of SiO2 Thin Films at Low temperature (400C) for Silicon Based Microelectronic Devices Using Plasma Techniques 査読有り

Y. Saito, K. Sekine, R. Kaihara, M. Hirayama, S. Sugawa, H. Aharoni, T. Ohmi

Israel Vacuum Society Annual Conference and Technical Workshop　P-ED-7　2007年10月
Imprint properties of IrO2/Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7/SiO2/Si structure device formed by rf sputtering and oxygen radical treatment 査読有り

Ichiro Takahashi, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2007 European Materials Research Society Fall Meeting (EMRS 2007)　306　2007年9月
High Sensitivity Dynamic Range Enhanced CMOS Imager with Noise Suppression 査読有り

S. Adachi, W. Lee, N. Akahane, H. Oshikubo, K. Mizobuchi, S. Sugawa

2007 International Conference on Solid State Devices and Materials　2007　1060-1061　2007年9月
Low Contact Resistance with Low Schottky Barrier for N-type Silicon Using Yttrium Silicide 査読有り

T. Isogai, H. Tanaka, T. Goto, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

2007 International conferance on solod state devices and materials　206-207　2007年9月
Performance Comparison of Ultra-thin FD-SOI Inversion-, Intrinsic- and Accumulation-Mode MOSFETs 査読有り

R. Kuroda, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

2007 International conferance on solod state devices and materials　412-413　2007年9月
Nitrogen Profile Study for SiON Gate Dielectrics of Advanced DRAM 査読有り

S. Murakawa, M. Takeuchi, M. Honda, S. Ishizuka, T. Nakanishi, Y. Hirota, T. Sugawara, Y. Tanaka, Y. Akasaka, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

2007 International conference on solod state devices and materials　107　(245)　1150-1151　2007年9月
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN：0913-5685

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プラズマ窒化によるSiONゲート絶縁膜形成において、高分解RBSによって校正されたAR-XPSを用いて絶縁膜中窒素濃度分布を高精度に計測し、窒素プロファイルとボロン拡散防止効果および素子特性との関係を調査した。この結果、RLSAプラズマ窒化が先端ロジックだけでなくDRAMにっいても有効なSiON絶縁膜形成技術であることを示した。また、窒化後アニール処理では、表面近傍における窒素原子の外拡散と表面酸化の両方が進行することが明らかになった。
Microwave-Excited Plasma Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition with Ion-Bombardment-Assistance for Forming Ferroelectric Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7 (STN) Thin Film 査読有り

Ichirou Takahashi, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Extended Abstracts of International Conference on Electroceramics (ICE2007)　92-93　2007年7月
Circuit level prediction of device performance degradation due to negative bias temperature stress 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Kazufumi Watanabe, Michihiko Mifuji, Takahisa Yamaha, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

MICROELECTRONICS RELIABILITY　47　(6)　930-936　2007年6月

DOI： 10.1016/j.microrel.2006.06.013 　

ISSN：0026-2714
Analysis of Source Follower Random Telegraph Signal Using nMOS and pMOS Array TEG 査読有り

K. Abe, S. Sugawa, R. Kuroda, S. Watabe, N. Miyamoto, A. Teramoto, T. Ohmi, Y. Kamata, K. Shibusawa

2007 International Image Sensor Workshop　62-65　2007年6月
3-D Wave Optical Simulation of Light Wave-guide Structures by Localized Boundary Element Method 査読有り

Hideki Mutoh, Shigetoshi Sugawa

2007 International Image Sensor Workshop　141-144　2007年6月
Analog Readout Circuitry for Wide-Dynamic Range CMOS image sensors 査読有り

Jose Tejada, Hirokazu Sawada, Shigetoshi Sugawa, Nana Akahane

2007 International Image Sensor Workshop　94-97　2007年6月
A Wide Dynamic Range CMOS Image Sensor with Resistance to High Temperatures 査読有り

Koichi Mizobuchi, Satoru Adachi, Tomokazu Yamashita, Seiichiro Okamura, Hiromichi Oshikubo, Nana Akahane, Shigetoshi Sugawa

International Image Sensor Workshop　26-29　2007年6月
Very high carrier mobility for high-performance CMOS on a Si(110) surface 査読有り

Akinobu Teramoto, Tatsufumi Hamada, Masashi Yamamoto, Philippe Gaubert, Hiroshi Akahori, Keiichi Nii, Masaki Hirayama, Kenta Arima, Katsuyoshi Endo, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　54　(6)　1438-1445　2007年6月

DOI： 10.1109/TED.2007.896372 　

ISSN：0018-9383
Formation of Ferroelectric Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7Film (STN) on SiON formed by microwave-excited plasma and (Ba1-x,Srx)TiO3(BST) by rf sputtering applied to One-Transistor-Type Ferroelectric Memory Device 査読有り

Ichirou Takahashi, Tomoyuki Suwa, Keita Azumi, Tatsunori Isogai, Yasuyuki Shirai, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

The 19th International Symposium of Integrated Ferroelectrics (ISIF 2007)　2007年5月
Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si(110) Surface 査読有り

W. Cheng, A. Teramoto, C. Tye, P. Gaubert, M. Hirayama, S. Sugawa, T. Ohmi

211th Meeting of The Electrochemical Society　717　2007年5月
The influence of interconnect line patterns using flat-surface and low-dielectric-loss material under high speed signal propagation 査読有り

M. Sugimura, H. Imai, M. Nakayama, M. Kawasaki, M. Fujimura, H. Oonuki, O. Kawashima, A. Morimoto, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

57TH ELECTRONIC COMPONENTS & TECHNOLOGY CONFERENCE, 2007 PROCEEDINGS　1714-1719　2007年5月

ISSN：0569-5503
Fabrication of Pt/Sr-2(Ta1-x,Nb-x)(2)O-7/SiO2/Si field-effect transistor for one-transistor-type ferroelectric random access memory 査読有り

Ichirou Takahashi, Keita Azumi, Yasuyuki Shirai, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

PROCEEDINGS OF THE 6TH WSEAS INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS　37-43　2007年5月
Accuracy and applicability of low-frequency C-V measurement methods for characterization of ultrathin gate dielectrics with large current 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Takanori Komuro, Hiroshi Tatekawa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　54　(5)　1115-1124　2007年5月

DOI： 10.1109/TED.2007.893207 　

ISSN：0018-9383
Hot Carrier Instability Mechanism in Accumulation-Mode Normally-off SOI nMOSFETs and Their Reliability Advantage 査読有り

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Weitao Cheng, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

The 211th Electrochemical Society Meeting Abstract　54　(719)　2007年5月
Development of Microwave-Excited Plasma-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition System for Forming Ferroelectric Sr2(Ta1-x, Nbx)2O7 Thin Film on Amorphous SiO2 査読有り

Ichirou Takahashi, Kiyoshi Funaiwa, Keita Azumi, Satoru Yamashita, Yasuyuki Shirai, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　46　(4B)　2200-2204　2007年4月

DOI： 10.1143/JJAP.43.2200 　

ISSN：0021-4922
Very low bit error rate in flash memory using tunnel dielectrics formed by Kr/O(2)/NO plasma oxynitridation 査読有り

Tomoyuki Suwa, Hiroto Takahashi, Yuki Kumagai, Genya Fujita, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　46　(4B)　2148-2152　2007年4月

DOI： 10.1143/JJAP.46.2148 　

ISSN：0021-4922
High quality gate insulator film formation on SiC using by microwave-excited high-density plasma 査読有り

Koutarou Tanaka, Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

MICROELECTRONICS RELIABILITY　47　(4-5)　786-789　2007年4月

DOI： 10.1016/j.microrel.2007.01.076 　

ISSN：0026-2714
Low leakage current and low resistivity p(+)n diodes on Si(110) fabricated by Ga+ and B+ dual ion implantation for low temperature source-drain activation 査読有り

Hiroshi Imai, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　46　(4B)　1848-1852　2007年4月

DOI： 10.1143/JJAP.46.1848 　

ISSN：0021-4922
Electric Characteristics of Si3N4 Films Formed by Directly Radical Nitridation on Si(110) and Si(100) Surfaces 査読有り

Masaaki Higuchi, Takashi Aratani, Tatsufumi Hamada, Seiji Shinagawa, Hiroshi Nohira, Eiji Ikenaga, Akinobu Teramoto, Takeo Hattori, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　46　(4B)　1895-1898　2007年4月

DOI： 10.1143/JJAP.46.1895 　

ISSN：0021-4922
New statistical evaluation method for the variation of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 査読有り

Syunichi Watabe, Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　46　(4B)　2054-2057　2007年4月

DOI： 10.1143/JJAP.46.2054 　

ISSN：0021-4922
Technology of ferroelectric thin-film formation with large coercive field on amorphous SiO2 by ion-bombardment-assisted sputtering and oxygen radical treatment for future scaling down of ferroelectric gate field-effect transistor memory device 査読有り

Ichirou Takahashi, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　46　(4B)　2205-2210　2007年4月

DOI： 10.1143/JJAP.46.2205 　

ISSN：0021-4922
Subnitride and valence band offset at Si3N4/Si interface formed using nitrogen-hydrogen radicals 査読有り

Masaaki Higuchi, Shigetoshi Sugawa, Eiji Ikenaga, Jiro Ushio, Hiroshi Nohira, Takuya Maruizumi, Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi, Takeo Hattori

Applied Physics Letters　90　(12)　123114-1-123114-3　2007年3月
横型オーバフロー蓄積と電流読出し動作を組合せたダイナミックレンジ200dB超のCMOSイメージセンサ査読有り

赤羽奈々, 井出典子, 足立理, 溝渕孝一, 須川成利

映像情報メディア学会誌　61　(3)　347-359　2007年3月
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.3169/itej.61.347 　

ISSN：1342-6907

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A wide dynamic range 64x64 CMOS image sensor with 20x20um 2 pixel that combines a lateral-overflow integration voltage-readout operation with the current readout operation from the buried photo-diode hasbeen developed.In the voltage readout operation,an over 160-dB dynamic range image with a linear response isobtained from sequential electronic shutter operations from 1/30 s to 1/130 ks with a dynamic range of about 100-dB within a light intensity range from about 10 -2lx to 106lx.In addition,an over 200-dB dynamic range perform-ance of up to 108lx or more with few time exposures in the high illuminance region is made possible by combiningit with the current reading operation.More than 40 dB for all noises,including photon shot noise,occurs around all the switching points.
群企画製品のモジュール化設計をベースにした生産システムの開発査読有り

中塚信雄, 堀田正明, 加守田裕樹, 福田好朗, 須川成利

日本機械学会論文集（C編）　73　(727)　897-903　2007年3月
出版者・発行元：一般社団法人日本機械学会
DOI： 10.1299/kikaic.73.897 　

ISSN：0387-5024

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It is called for that development of the efficient production system in large variety and small volume manufacturing carries out simultaneous solution of the complicated demand of a product kind, quality, cost, and delivery. Since only the person experienced in development of a production system can carry out subject solution, modeling of the production system which is economical by general purpose large variety and small volume production has not been completed. In order to solve these subjects, the product application is limited first, and a functional module is defined paying attention to the product function of the product and a product design and the modularized design of the manufacturing process are performed. This production system consist of function quality completed production which completes the functional quality which used this process module as the base is performed and the mixed and synchronized production system or the demand synchronized novel production system. The wide variety and small volume production system by which the knowhow of a production systems configuration corresponded to quality, cost, and delivery flexibly with constituting a module hierarchical at least can be offered.
Examination of degradation mechanism due, to negative bias temperature stress from a perspective of hole energy for accurate lifetime prediction 査読有り

Kazufumi Watanabe, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Uni

MICROELECTRONICS RELIABILITY　47　(2-3)　409-418　2007年2月

DOI： 10.1016/j.microrel.2006.06.001 　

ISSN：0026-2714
AN OBJECT EXTRACTION CMOS IMAGE SENSOR WITH 12-BIT COLUMN-PAPALLEL ADCS AND ALUS 査読有り

T. Tate, H. Kanto, Y. Motohashi, T. kubo, S. Sugawa, K. Kotani, T. Ohmi

PROCEEDINGS OF THE JOINT INTERNATIONAL CONFERENCE OF 4TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SYSTEM CONSTRUCTION OF GLOBAL-NETWORK-ORIENTED INFORMATION ELECTRONICS AND STUDENT-ORGANIZING INTERNATIONAL MINI-CONFERENCE ON INFORMATION ELECTRONICS SYSTEM　274-275　2007年1月
知的財産マネジメントにおける発明評価に関する研究査読有り

加藤浩一郎, 須川成利

パテント　60　(1)　77-84　2007年1月
出版者・発行元：日本弁理士会
ISSN：0287-4954
13.56 and 100 MHz Coupled Mode Rf-Sputtering for Ferroelectric Sr2(Ta1-x, Nbx)2O7 (STN) Film Applied to One-Transistor Type Ferroelectric Random Access Memory 査読有り

I. TAKAHASHI, T. SHINOHARA, A. TERAMOTO, M. HIRAYAMA, S. SUGAWA, T. OHMI

European Meeting on Ferroelectricity　211　2007年
Improving execution speed of FPGA using dynamically reconfigurable technique 査読有り

Roel Pantonial, Md. Ashfaquzzaman Khan, Naoto Miyamoto, Koji Kotani, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

PROCEEDINGS OF THE ASP-DAC 2007　108-109　2007年

DOI： 10.1109/ASPDAC.2007.357964 　

ISSN：2153-6961
A 960-fps sub-sampling object extraction CMOS image sensor with 12-bit column parallel ADCs and ALUs 査読有り

Yuichi Motohashi, Takashi Kubo, Hiroaki Kanto, Tomoyasu Tate, Shigetoshi Sugawa

SPIE Electronic Imaging Science and Technology　6501　O-1-O-8　2007年

ISSN：0277-786X
A temperature resistant wide dynamic range CMOS image sensor 査読有り

Koichi Mizobuchi, Satoru Adachi, Tomokazu Yamashita, Seiichiro Okamura, Hiromichi Oshikubo, Nana Akahane, Shigetoshi Sugawa

SPIE Electronic Imaging Science and Technology　6501　P-1-P-8　2007年

ISSN：0277-786X
Impact of improved mobilities and suppressed 1/f noise in fully depleted SOI MOSFETs fabricated on Si(110) surface 査読有り

W. Cheng, A. Teramoto, C. Tye, P. Gaubert, M. Hirayama, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　6　(4)　101-106　2007年

DOI： 10.1149/1.2728847 　

ISSN：1938-5862 1938-6737
Hot carrier instability mechanism in accumulation-mode normally-off SOI nMOSFETs and their reliability advantage 招待有り査読有り

R. Kuroda, A. Teramoto, W. Cheng, S. Sugawa, T. Ohmi

ECS Transactions　6　(4)　113-118　2007年

DOI： 10.1149/1.2728849 　

ISSN：1938-5862 1938-6737

eISSN：1938-6737
Random telegraph signal statistical analysis using a very large-scale array TEG with IM MOSFETs 査読有り

K. Abe, S. Sugawa, S. Watabe, N. Miyamoto, A. Teramoto, Y. Kamata, K. Shibusawa, M. Toita, I. Ohmi

2007 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS　210-211　2007年

DOI： 10.1109/VLSIT.2007.4339696 　
A 200-mu V/e(-) CMOS image sensor with 100-ke(-) full well capacity 査読有り

Satoru Adachi, Woonghee Lee, Nana Akahane, Hiromichi Oshikubo, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawa

2007 Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers　142-143　2007年

DOI： 10.1109/VLSIC.2007.4342690 　
A wide DR and linear response CMOS image sensor with three photocurrent integrations in photodiodes, lateral overflow capacitors and column capacitors 査読有り

Noriko Ide, Woonghee Lee, Nana Akahane, Shigetoshi Sugawa

ESSCIRC 2007: PROCEEDINGS OF THE 33RD EUROPEAN SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE　336-339　2007年

DOI： 10.1109/ESSCIRC.2007.4430312 　

ISSN：1930-8833
Statistical analysis of RTS noise and low frequency noise in 1M MOSFETs using an advanced TEG 査読有り

K. Abe, S. Sugawa, S. Watabe, N. Miyamoto, A. Teramoto, M. Toita, Y. Kamata, K. Shibusawa, T. Ohmi

International Conference on Noise and Fluctuations　922　115-118　2007年

ISSN：0094-243X
Modeling and Implementation of Subthreshold Characteristics of Accumulation-Mode MOSFETs for Various SOI Layer Thickness and Impurity Concentrations 査読有り

R. Kuroda, A. Teramoto, W. Cheng, S. Sugawa, T. Ohmi

2007 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE PROCEEDINGS　55-56　2007年

DOI： 10.1109/SOI.2007.4357849 　

ISSN：1078-621X
A range finding array sensor performing correlated calculations with a PN code modulation light 査読有り

T. Joboji, S. Sugawa

2007 IEEE SENSORS, VOLS 1-3　656-659　2007年

DOI： 10.1109/ICSENS.2007.4388484 　

ISSN：1930-0395
A high S/N ratio and high full well capacity CMOS image sensor with active pixel readout feedback operation 査読有り

Woonghee Lee, Nana Akahanel, Satoru Adachi, Koichi Mizobuchi, Shigetoshi Sugawal

2007 IEEE ASIAN SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE, PROCEEDINGS OF TECHNICAL PAPERS　260-263　2007年

DOI： 10.1109/ASSCC.2007.4425780 　
Recent progress on wide dynamic range image sensors 招待有り査読有り

S. Sugawa

IDW '07: PROCEEDINGS OF THE 14TH INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS, VOLS 1-3　307-310　2007年
A rapid prototyping of real-time pattern generator for step-and-scan lithography using digital micromirror device 査読有り

Naoto Miyamoto, Masahiko Shimakage, Tatsuo Morimoto, Kazuya Kadota, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ICFPT 2007: INTERNATIONAL CONFERENCE ON FIELD-PROGRAMMABLE TECHNOLOGY, PROCEEDINGS　305-308　2007年

DOI： 10.1109/FPT.2007.4439272 　
Electric and interface characteristics of Si3N4 films formed by directly radical NH on Si (110) and Si (100) surfaces 査読有り

Masaaki Higuchi, Tomoyuki Suwa, Takashi Aratani, Tatsufumi Hamada, Akinobu Teramoto, Takeo Hattori, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Seiji Shinagawa, Hiroshi Nohira, Eiji Ikenaga

37th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference　13　2006年12月
X-ray photoelectron spectroscopy study of dielectric constant for Si compounds 査読有り

K. Hirose, M. Kihara, D. Kobayashi, H. Okamoto, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga, M. Higuchi, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi, T. Hattori

APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(15)　154103-1-154103-3　2006年10月

DOI： 10.1063/1.2361177 　

ISSN：0003-6951
Radical oxidation on ultra pure silicon surface 査読有り

Kazumasa Kawase, Masaaki Higuchi, Tomoyuki Suwa, Hiroshi Umeda, Masao Inoue, Akinobu Teramoto, Takeo Hattori, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

The 210th Electrochemical Society Meeting　602　937　2006年10月
Thin SiON Film Grown at Low Temperature (400◦C) by Microwave-Exited High-Density Kr/O2/N2 Plasma 査読有り

Kazuo Ohtsubo, Yuji Saito, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Herz Aharoni, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE　34　(5)　2443-2449　2006年10月

DOI： 10.1109/TPS.2006.883263 　

ISSN：0093-3813
Very Low Bit Error Rate in Flash Memory using Tunnel Dielectrics formed by Kr/O2/NO Plasma Oxynitridation 査読有り

Tomoyasu Suwa, Hiroto Takahashi, Yuki Kumagai, Genya Fujita, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　296-297　2006年9月
A New Statistical Evaluation Method for the Variation of MOSFETs 査読有り

Syunichi Watabe, Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi

2006 International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS　532-533　2006年9月
Low Leakage Current and Low Resistivity p+n Diodes on Si(110) Fabricated by Ga+/B+ Combination I/I and Low Temperature Annealing 査読有り

Hiroshi Imai, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2006 International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS　454-455　2006年9月
Formation of Ferroelectric Sr2(Ta1-xNbx)2O7 Thin Film on Amorphous SiO2 by Microwave-Excited Plasma Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition 査読有り

Ichirou Takahashi, Kiyoshi Funaiwa, Keita Azumi, Satoru Yamashita, Yasuyuki Shirai, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS　2006　124-125　2006年9月
Technology of Ferroelectric Thin Film Formation with Large Coercive Filed for Future Scaling Down of Ferroelctric Gate FET Memory Devices 査読有り

I. Takahashi, T. Isogai, K. Azumi, M. Hirayama, A. Teramoto, S.Sugawa, T. Ohmi

International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS　2006　554-555　2006年9月
Electric characteristics of Si3N4 films formed by directly radical nitridation on Si (110) and Si (100) surfaces 査読有り

Masaaki Higuchi, Takashi Aratani, Tatsufumi Hamada, Akinobu Teramoto, Takeo Hattori, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Seiji Shinagawa, Hiroshi Nohira, Eiji Ikenaga, Keisuke Kobayashi

International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERALS　386-387　2006年9月
Fabrication of Pt/Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7/IrO2/SiO2/Si Device with Large Memory Window and Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Si Field-Effect Transistor 査読有り

Ichirou Takahashi, Keita Azumi, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　45　(9B)　7336-7340　2006年9月

DOI： 10.1143/JJAP.45.7336 　

ISSN：0021-4922
特許出願意思決定支援のための発明評価への工学的手法の適用査読有り

加藤浩一郎, 石井和克, 須川成利

知財管理　56　(8)　1137-1147　2006年8月
Formation of Metal-Ferroelectric-Insulator-Si Structure Device with Large Memory Window by Supplying Ion Bombardment Energy in Rf-Sputtering Plasma 査読有り

Ichirou Takahashi, Tatsunori Isogai, Keita Azumi, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

15th International Symposium on the Applications of Ferroelectrics　242　2006年8月
Control of nitrogen depth profile near silicon oxynitride/Si(100) interface formed by radical nitridation 査読有り

Kazumasa Kawase, Tomoyuki Suwa, Masaaki Higuchi, Hiroshi Umeda, Masao Inoue, Shimpei Tsujikawa, Akinobu Teramoto, Takeo Hattori, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　45　(8A)　6203-6209　2006年8月

DOI： 10.1143/JJAP.45.6203 　

ISSN：0021-4922
The Dependence of Remaining Carbon in the Electrical Property of the Gate Insulator Film on SiC at Low Temperature Insulator Formation 査読有り

Koutarou Tanaka, Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices　155-159　2006年7月
A NOVEL PRODUCTION SYSTEM FOR A WIDE-VARIETY-SMALL-VOLUME PRODUCTION 査読有り

Nobuo NAKATSUKA, Takaaki HOTTA, Katsumi MASAKI, Hiroki KAMODA, Kuniaki TANAKA, Shigetoshi SUGAWA

International Symposium on Flexible Automation　458-460　2006年7月
The dependence of the intermediate nitridation states density at Si3N4/Si interface on surface Si atoms density 査読有り

Masaaki Higuchi, Seiji Shinagawa, Akinobu Teramoto, Hiroshi Nohira, Takeo Hattori, Eiji Ikenaga, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices　106　(137)　265-270　2006年7月
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN：0913-5685

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Siの表面原子密度が異なるSi(100), Si(110), Si(111)の基板上にNH*を用いて直接窒化することにより形成したシリコン窒化膜のSi_3N_4/Si界面に存在する中間窒化状態のSi原子密度を調べることにより、各面方位上でシリコン窒化膜/Si界面組成遷移層量の違いを明らかにた。シリコン窒化膜のSiの中間窒化状態は角度分解X線光電子分光法を用い、SPring8の軟X線ビームラインBU27SUにおいて1050eVのフォトンで励起したSi 2p光電子スペクトルを用い、エネルギー分解能100meVで測定した。それぞれの面方位のSi基板上に形成したSi_3N_4膜の中間窒化状態に存在するSi原子の面密度は、Si基板の表面原子密度が増加するほど減少し、もっとも多いSi(100)基板上で5.0×10^<14>/cm^2であり、1ML(モノレイヤー)以下であることがわかった。このことから、表面原子密度の高い面方位のSi基板上に形成したシリコン窒化膜ほど、サブナイトライドは少なく、急峻な組成変化が生じていることがわかった。これは、窒化中にシリコン窒化膜にかかる圧縮応力が、面密度が高い方がかかりにくいためと考えられる。
Development of Production System using Inline Inspection within Processes to Eliminate Quality Inconsistencies 査読有り

N. Nakatsuka, T. Hotta, H. Kamoda, S. Sugawa

2006 International Symposium on Flexible Automation　252-256　2006年7月
High Quality Gate Insulator Film Formation on SiC using by Microwave-Excited High-Density Plasma 査読有り

Koutarou Tanaka, Hiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

14th Workshop on Dielectrics in Microelectronics　111-112　2006年6月
Relationship between Sr2(Ta1-x, Nbx)2O7 Crystal Phase and RF-Sputtering Plasma Condition for Metal-Ferroelectric-Insulator-Si Structure Device Formation 査読有り

L Takahashi, H Sakurai, T Isogai, M Hirayama, A Teramoto, S Sugawa, T Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　45　(4B)　3207-3212　2006年4月

DOI： 10.1143/JJAP.45.3207 　

ISSN：0021-4922
A sensitivity and linearity improvement of a 100-dB dynamic range CMOS image sensor using a lateral overflow integration capacitor 査読有り

N Akahane, S Sugawa, S Adachi, K Mori, T Ishiuchi, K Mizobuchi

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS　41　(4)　851-858　2006年4月

DOI： 10.1109/JSSC.2006.870753 　

ISSN：0018-9200
Impact of improved high-performance Si(110)-oriented metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using accumulation-mode fully depleted silicon-on-insulator devices 査読有り

Weitao Cheng, Akinobu Teramoto, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　45　(4B)　3110-3116　2006年4月

DOI： 10.1143/JJAP.45.3110 　

ISSN：0021-4922
Statistical evaluation of very low gate leakage current for bit error evaluation in Flash Memory 査読有り

T. Suwa, S. Sugawa, H. Takahashi, A. Teramoto, T. Ohmi

Transactions of the Materials Research Society of Japan　31　(1)　141-144　2006年3月
多品種少量生産における品質管理と設備管理査読有り

中塚信雄, 堀田正明, 加守田裕樹, 福田好朗, 須川成利

日本設備管理学会誌　17　(4)　216-220　2006年2月
Capacitance-voltage measurement method for ultrathin gate dielectrics using LC resonance circuit 査読有り

A Teramoto, R Kuroda, M Komura, K Watanabe, S Sugawa, T Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING　19　(1)　43-49　2006年2月

DOI： 10.1109/TSM.2005.863230 　

ISSN：0894-6507
A 200 dB Dynamic Range Iris-less CMOS Image Sensor with Lateral Overflow Integration Capacitor using Hybrid Voltage and Current Readout Operation 査読有り

Nana Akahane, Rie Ryuzaki, Satoru Adachi, Koichi Mizoubuchi, Shigetoshi Sugawa

2006 IEEE International Solid-State Circuits Conference　300-301　2006年2月
Development and operation of a synchronized production system using a virtual production concept

Nobuo Nakatsuka, Tadaaki Hotta, Hiroki Kamoda, Yoshiro Fukuda, Shigetoshi Sugawa

Journal of Japan Industrial Management Association　57　(4)　272-277　2006年

ISSN：1342-2618
An over 200 dB dynamic range image capture using a CMOS image sensor with lateral overflow integration capacitor and current readout circuit in a pixel 査読有り

Nana Akahane, Rie Ryuzaki, Shigetoshi Sugawa, Satoru Adachi, Koichi Mizobuchi

ICIS '06: INTERNATIONAL CONGRESS OF IMAGING SCIENCE, FINAL PROGRAM AND PROCEEDINGS　160-+　2006年
Development and practical application of high-efficiency fire control system for the clean room 査読有り

Soji Fukuda, Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa

ISSM 2006 CONFERENCE PROCEEDINGS- 13TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING　243-246　2006年
Low voltage 3 V operation of ferroelectric multi-layer stack MFIS structure device formed by plasma physical vapor deposition and oxygen radical treatment 査読有り

Takahashi, I, H Sakurai, T Isogai, A Teramoto, S Sugawa, T Ohmi

INTEGRATED FERROELECTRICS　81　47-55　2006年

DOI： 10.1080/10584580600657906 　

ISSN：1058-4587
High quality silicon nitride deposited by Ar/N-2/H-2/SiH4 high-density and low energy plasma at low temperature 査読有り

CJ Zhong, H Tanaka, S Sugawa, T Ohmi

MICROELECTRONICS JOURNAL　37　(1)　44-49　2006年1月

DOI： 10.1016/j.mejo.2005.06.007 　

ISSN：0026-2692
Accurate circuit performance prediction model and lifetime prediction method of NBT stressed devices for highly reliable ULSI circuits 査読有り

Rihito Kuroda, Kazufumi Watanabe, Akinobu Teramoto, Michihiko Mifuji, Takahisa Yamaha, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2006 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUIT DESIGN AND TECHNOLOGY, PROCEEDINGS　199-202　2006年
A novel production system for wide-variety-small-volume production - Modular structure and production platform hierarchy 査読有り

Hiroki Kamoda, Tadaaki Hotta, Nobuo Nakatsuka, Shigetoshi Sugawa

2006 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MANAGEMENT OF INNOVATION AND TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS　858-+　2006年
Wide dynamic range CMOS image sensors for high quality digital camera, security, automotive and medical applications 査読有り

Nana Akahane, Shigetoshi Sugawa, Satoru Adachi, Koichi Mizobuchi

2006 IEEE SENSORS, VOLS 1-3　396-399　2006年

DOI： 10.1109/ICSENS.2007.355489 　

ISSN：1930-0395
Improving multi-context execution speed on DRFPGAs 査読有り

Md. Ashfaquzzaman Khan, Naoto Miyamoto, Roel Pantonial, Koji Kotani, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2006 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, ASSCC 2006　275-278　2006年

DOI： 10.1109/ASSCC.2006.357904 　
Effect of power density on the structure properties of microcrystalline silicon film prepared by high-density low-ion-energy microwave plasma 査読有り

CH Zhong, H Tanaka, S Sugawa, T Ohmi

THIN SOLID FILMS　493　(1-2)　54-59　2005年12月

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.06.047 　

ISSN：0040-6090
Geometry and bias dependence of low-frequency random telegraph signal and 1/f noise levels in mosfets 査読有り

M Toita, LKJ Vandamme, S Sugawa, A Teramoto, T Ohmi

FLUCTUATION AND NOISE LETTERS　5　(4)　L539-L548　2005年12月

DOI： 10.1142/S0219477505002999 　

ISSN：0219-4775
Hydrogen termination of Si(110) surfaces upon wet cleaning revealed by highly resolved scanning tunneling microscopy 査読有り

K Arima, J Katoh, S Horie, K Endo, T Ono, S Sugawa, H Akahori, A Teramoto, T Ohmi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　98　(10)　103525 1-8　2005年11月

DOI： 10.1063/1.2136214 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
High resolution X-ray photoelectron spectroscopy study on Si3N4/Si interface structures and its correlation with hysteresis in C-V curves 査読有り

M. Higuchi, A. Teramoto, M. Komura, S. Shinagawa, E. Ikenaga, H. Nohira, K. Kobayashi, T. Hattori, S. Sugawa, T. Ohmi

The 208th Electrochemical Society Meeting　748　2005年10月
A High S/N Ratio CMOS Image Sensor with Column Parallel A/D Converter for Object Extraction 査読有り

T.Tate, S.Sugawa, K.Kotani, T.Ohmi

PROCEEDINGS OF THE 3RD STUDENT-ORGANIZING INTERNATIONAL MINI-CONFERENCE ON INFORMATION ELECTRONICS SYSTEM　115-117　2005年10月
New NBTI Lifetime Prediction Method for Ultra Thin SiO2 Films 査読有り

K.Watanabe, R.Kuroda, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi

ECS Transactions Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5　1　(1)　147-160　2005年10月

ISSN：1938-5862

eISSN：1938-6737
High resolution X-ray photoelectron spectroscopy study on Si3N4/Si interface structures and its correlation with hysteresis in C-V curves 査読有り

M.Higuchi, A.Teramoto, M.Komura, S.Shinagawa, E.Ikenaga, H.Nohira, K.Kobayashi, T.Hattori, S.Sugawa, T.Ohmi

ECS Transactions Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5　1　(1)　267-276　2005年10月
A NEW NBTI LIFETIME PREDICTION METHOD FOR PMOSFETS WITH ULTRA THIN GATE FILMS 査読有り

R.Kuroda, K.Watanabe, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi

PROCEEDINGS OF THE 3RD STUDENT-ORGANIZING INTERNATIONAL MINI-CONFERENCE ON INFORMATION ELECTRONICS SYSTEM　127-130　2005年10月
High Quality Si3N4 Gate Dielectric For Sub-100nm ULSI Devices 査読有り

M.Higuchi, A.Teramoto, M.Komura, S.Shinagawa, E.Ikenaga, H.Nohira, K.Kobayashi, T.Hattori, S.Sugawa, T.Ohmi

PROCEEDINGS OF THE 3RD STUDENT-ORGANIZING INTERNATIONAL MINI-CONFERENCE ON INFORMATION ELECTRONICS SYSTEM　143-146　2005年10月
High Performance CMOS Devices Using Accumulation-Mode Fully Depleted SOI MOSFETs for Analog Integrated Circuits 査読有り

C.Weitao, A.Teramoto, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi

PROCEEDINGS OF THE 3RD STUDENT-ORGANIZING INTERNATIONAL MINI-CONFERENCE ON INFORMATION ELECTRONICS SYSTEM　151-154　2005年10月
Geometry and Bias Dependency of Low-Frequency Random Telegraph Signal and 1/F Noise Levels in MOSFETs 査読有り

M.Toita, L.K.J.Vandamme, S.Sugawa, A.Teramoto, T.Ohmi

20th Annual Meeting of Japanese Association for Science, Art and Technology of Fluctuations　24-26　2005年9月
Study of the Metal-Ferroelectric-Insulator-Si Structure Device Formation by Controlling Properties of High Frequency and Microwave Excited Plasma 査読有り

I.Takahashi, H.Sakurai, T.Isogai, A.Teramoto, S.Sugawa, T.Ohmi

the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials　1034-1035　2005年9月
Damage-Free Microwave-Excited Plasma Contact Hole Etching without Carrier Deactivation at the Interface between Silicide and Heavily-Doped Si 査読有り

T.Goto, M.Terasaki, H.Asahara, H.Nakazawa, A. Inokuchi, J.Yamanaka, A.Teramoto, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Ohmi

he 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials　2005　536-537　2005年9月
Impact of The Improved High Performance Si(110) Oriented MOSFETs by Using Accumulation-Mode Fully Depleted SOI Devices 査読有り

C.Weitao, A.Teramoto, M.Hirayama, S.Sugawa, T. Ohmi

the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials　2005　258-259　2005年9月
Improvement of the electrical properties of PECVD silicon oxide using high-density and low-ion-energy plasma post-treatment 査読有り

CH Zhong, H Tanaka, S Sugawa, T Ohmi

JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS　351　(27-29)　2232-2237　2005年8月

DOI： 10.1016/j.jnoncrysol.2005.06.016 　

ISSN：0022-3093
The Tolerance for FD Dark Current and PD Overflow Current Characteristics of Wide Dynamic Range CMOS Image Sensor Using a Lateral Overflow Integration Capacitor 査読有り

Satoru Adachi, Shigetoshi Sugawa, Nana Akahane, Kazuya Mori, Toshiyuki Ishiuchi, Koichi Mizobuchi

2005 IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Advanced Image Sensors　153-156　2005年6月9日
Impact of High Performance Accumulation-Mode Fully Depleted SOI MOSFETs 査読有り

Cheng Weitao, Akinobu Teramoto, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2005 Asia-Pacific Workshop on fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2005)　59-62　2005年6月
Low Voltage 3V Operation of the Ferroelectric Multi-Layer Stack MFIS Structure Device Formed by Plasma Physical vapor Deposition and Oxygen Radical Treatment 査読有り

Ichirou Takahashi, Tatufumi Isogai, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

The 17th International Symposium on Integrated Ferroelectrics (ISIF 2005)　2005年4月
A high S/N ratio object extraction CMOS image sensor with column parallel signal processing 招待有り査読有り

T Tate, S Sugawa, K Chiba, K Kotani, T Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　44　(4B)　2093-2098　2005年4月

DOI： 10.1143/JJAP.44.2093 　

ISSN：0021-4922
EOT measurement for ultra-thin gate dielectrics using LC resonance circuit 査読有り

A.Teramoto, M.Komura, R.Kuroda, K.Watanabe, S.Sugawa, T.Ohmi

International Conference on Microelectronic Test Structures 2005　223-227　2005年4月
A 100 dB Dynamic Range CMOS Image Sensor Using a Lateral Overflow Integration Capacitor 査読有り

Shigetoshi Sugawa, Nana Akahane, Satoru Adachi, Kazuya Mori, Toshiyuki Ishiuchi, Koichi Mizobuchi

IEEE International Solid-State Circuits Conference　352-353　2005年2月8日
Statistical evaluation of very low gate leakage current for bit error evaluation in Flash Memory 査読有り

T. Suwa, S. Sugawa, H. Takahashi, A. Teramoto, T. Ohmi

Symposium of the Materials Research Society of Japan　169　2005年
New NBTI Lifetime Prediction Method for Ultra Thin SiO2 Films 査読有り

K. Watanabe, R. Kuroda, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi

Electrochemical Society Meeting　738　2005年
A sensitivity and linearity improvement of a 100 dB dynamic range CMOS image sensor using a lateral overflow integration capacitor 査読有り

N Akahane, S Sugawa, S Adachi, K Mori, T Ishiuchi, K Mizobuchi

2005 Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers　62-65　2005年

DOI： 10.1109/VLSIC.2005.1469334 　
Accurate circuit performance prediction model and lifetime prediction method of NBT stressed devices for highly reliable ULSI circuits 査読有り

R Kuroda, K Watanabe, A Teramoto, M Mifuji, T Yamaha, S Sugawa, T Ohmi

IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2005, TECHNICAL DIGEST　717-720　2005年
リアルタイムオブジェクト分離を行なう高機能CMOSイメージセンサ査読有り

須川成利, 舘知恭, 千葉浩児, 赤羽奈々, 小谷光司, 大見忠弘

映像情報メディア学会誌　134-139　2004年11月
Accurate Temperature Drift model of MOSFETs Mobility for Analog Circuits 査読有り

Kazufumi Watanabe, Tatsufumi Hamada, Koji Kotani, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

The 2nd Student-Organizing International Mini-Conference on Information Electronics System (SOIM-COE04)　145-148　2004年10月
AN ADVANCED HIGH S/N RATIO CMOS IMAGE SENSOR WITH REAL TIME OBJECT CATEGORIZING FUNCTION 査読有り

Tomoyasu Tate, Shigetoshi Sugawa, Koji Chiba, Koji Kotani, Tadahiro Ohmi

The 2nd Student-Organizing International Mini-Conference on Information Electronics System　149-151　2004年10月
A High S/N Ratio Object Extraction CMOS Image Sensor with Column Parallel Signal Processing 査読有り

Tomoyasu Tate, Shigetoshi Sugawa, Koji Chiba, Koji Kotani, Tadahiro Ohmi

International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　2004　354-355　2004年9月
MFIS-structure Memory Device with High Quality Ferroelectric Sr2 (Ta1-x, Nbx)2O7 Formed by Physical Vapor Deposition and Oxygen Radical Treatment by Oxygen Assisted Layer by Layer(ROALL) deposition 査読有り

Hiroyuki Sakurai, Ichirou Takahashi, Tatsunori Isogai, Kiyoshi Funaiwa, Tomoya Tsunoda, Tetsuya Goto, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2004 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　2004　640-641　2004年9月
A Large-Signal MOSFET Model Based on Transient Carrier Response for RF Circuits 査読有り

Kazufumi Watanabe, Koji Kotani, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　2004　736-737　2004年9月
Accurate temperature drift model of MOSFETs mobility for analog circuits 査読有り

K Watanabe, T Hamada, K Kotani, A Teramoto, S Sugawa, T Ohmi

SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES 2004　291-294　2004年9月
Low-temperature growth (400℃) of high-integrity thin silicon-oxynitride films by microwave-excited high-density Kr-O-2-NH3 plasma 査読有り

K Ohtsubo, Y Saito, M Hirayama, S Sugawa, H Aharoni, T Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE　32　(4)　1747-1751　2004年8月

DOI： 10.1109/TPS.2004.833385 　

ISSN：0093-3813
Sub-micron MOSFETs Technology Characterization by Low-Frequency Noise 査読有り

M. Toita, S. Sugawa, A. Tetramoto, T. Ohmi

3rd European Microelectronics and Packaging Symposium Proceedings　19-24　2004年6月
High-speed damage-free contact hole etching using dual shower head microwave-excited high-density-plasma equipment 査読有り

T Goto, H Yamauchi, T Kato, M Terasaki, A Teramoto, M Hirayama, S Sugawa, T Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　43　(4B)　1784-1787　2004年4月

DOI： 10.1143/JJAP.43.1784 　

ISSN：0021-4922
A Low-Dielectric-Constant Sr2（Ta1-x, Nbx）2O7 Thin Film Controlling the Crystal Orientation on an IrO2 Substrate for One-Transistor-Type Ferroelectric Memory Device 査読有り

Ichirou TAKAHASHI, Hiroyuki SAKURAI, Atsuhiro YAMADA, Kiyoshi FUNAIWA, Tetsuya GOTO, Masaki HIRAYAMA, Akinobu TERAMOTO, Shigetoshi SUGAWA, Tadahiro OHMI

Japanese Journal of Applied Physics　43　(4B)　2194-2198　2004年4月

DOI： 10.1143/JJAP.43.2194 　

ISSN：0021-4922
MFIS structure device with a low dielectric constant ferroelectric Sr-2(Ta1-x,Nb-x)(2)O-7 formed by plasma physical vapor deposition and oxygen radical treatment 査読有り

Takahashi, I, H Sakurai, T Isogai, K Funaiwa, M Hirayama, A Teramoto, S Sugawa, T Ohmi

INTEGRATED FERROELECTRICS　65　29-38　2004年1月

DOI： 10.1080/10584580490892665 　

ISSN：1058-4587
A Low Dielectric Constant Sr2（Ta1-x, Nbx）2O7 Thin Film Controlling the Crystal Orientation on IrO2 Substrate for One Transistor Type Ferroelectric Memory Device 査読有り

Ichirou Takahashi, Hiroyuki Sakurai, Atsuhiro Yamada, Tetsuya Goto, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

the 2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　36-37　2003年9月
Very High Reliability of Ultrathin Silicon Nitride Gate Dielectric Film for Sub-100nm Generation 査読有り

Masanori Komura, Masaaki Higuchi, Weitao Cheng, Ichiro Ohshima, Akinobu Teramoto, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

the 2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　452-453　2003年9月
Atomic Order Flattening of Hydrogen-Terminated Si (110) substrate For Next Generation ULSI Devices 査読有り

Hiroshi Akahori, Keiichi Nii, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

the 2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　458-459　2003年9月
High Performance Poly-Si Device with Thin Gate Oxide Film Grown by Plasma Oxidation Technology 査読有り

Fuminobu Imaizumi, Tomohiko Hayashi, Katsuji Ishii, Akinobu Teramoto, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

the 2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　724-725　2003年9月
High Quality Silicon Nitride Film Formed by Microwave-Excited Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition with Dual Gas Shower Head 査読有り

Hiroaki Tanaka, Zhong Chuanjie, Yukio Hayakawa, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

the 2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　736-737　2003年9月
High-Speed Damage-Free Contact Hole Etching using Dual Shower Head Microwave-Excited High-Density Plasma Equipment 査読有り

Tetsuya Goto, Hiroshi Yamauchi, Takeyoshi Kato, Akinobu Teramoto, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

the 2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　744-745　2003年9月
Oxygen radical treatment applied to ferroelectric thin films 査読有り

Takahashi, I, H Sakurai, A Yamada, K Funaiwa, K Hirai, S Urabe, T Goto, M Hirayama, A Teramoto, S Sugawa, T Ohmi

APPLIED SURFACE SCIENCE　216　(1-4)　239-245　2003年6月

DOI： 10.1016/S0169-4332(03)00424-0 　

ISSN：0169-4332
Reliability of silicon nitride gate dielectrics grown at 400℃ formed by microwave-excited high-density plasma 査読有り

Ohshima, I, WT Cheng, Y Ono, M Higuchi, M Hirayama, A Teramoto, S Sugawa, T Ohmi

APPLIED SURFACE SCIENCE　216　(1-4)　246-251　2003年6月

DOI： 10.1016/S0169-4332(03)00423-9 　

ISSN：0169-4332
数値制御プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化：デバイス用基板としての加工面の評価査読有り

森勇蔵, 佐野泰久, 山村和也, 森田諭, 森田瑞穂, 大島一郎, 齊藤裕司, 須川成利, 大見忠弘

精密工学会誌　69　(5)　721-725　2003年5月

DOI： 10.2493/jjspe.69.721 　
A High S/N Ratio CMOS Image Sensor with Real Time Object Categorizing Function 査読有り

Shigetoshi Sugawa, Tomoyasu Tate, Koji Chiba, Koji Kotani, Tadahiro Ohmi

2003 IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Advanced Image Sensors　2003年5月
A still-image encoder based on adaptive resolution vector quantization featuring needless calculation elimination architecture 査読有り

M Fujibayashi, T Nozawa, T Nakayama, K Mochizuki, M Konda, K Kotani, S Sugawa, T Ohmi

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS　38　(5)　726-733　2003年5月

DOI： 10.1109/JSSC.2003.810064 　

ISSN：0018-9200
A new microwave-excited plasma etching equipment for separating plasma excited region from etching process region 査読有り

T Goto, M Hirayama, H Yamauchi, M Moriguchi, S Sugawa, T Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　42　(4B)　1887-1891　2003年4月

DOI： 10.1143/JJAP.42.1887 　

ISSN：0021-4922
High‐Quality Silicon Oxide Film Formed by Diffusion Region Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and Oxygen Radical Treatment Using Microwave-Excited High-Density Plasma 査読有り

Hiroaki TANAKA, Zhong CHUANJIE, Yukio HAYAKAWA, Masaki HIRAYAMA, Akinobu TERAMOTO, Shigetoshi SUGAWA, Tadahiro OHMI

Japanese Journal of Applied Physics　42　(4B)　1911-1915　2003年4月

DOI： 10.1143/JJAP.42.1911 　

ISSN：0021-4922
Ferroelectric Sr2（Ta1-x, Nbx）2O7 with a Low Dielectric Constant by Plasma Physical Vapor Deposition and Oxygen Radical Treatment 査読有り

Ichirou TAKAHASHI, Hiroyuki SAKURAI, Atsuhiro YAMADA, Kiyoshi FUNAIWA, Kentaro HIRAI, Shinichi URABE, Tetsuya GOTO, Masaki HIRAYAMA, Akinobu TERAMOTO, Shigetoshi SUGAWA, Tadahiro OHMI

Japanese Journal of Applied Physics　42　(4B)　2050-2054　2003年4月

DOI： 10.1143/JJAP.42.2050 　

ISSN：0021-4922
A technology for reducing flicker noise for ULSI applications 査読有り

K Tanaka, K Watanabe, H Ishino, S Sugawa, A Teramoto, M Hirayama, T Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　42　(4B)　2106-2109　2003年4月

DOI： 10.1143/JJAP.42.2106 　

ISSN：0021-4922
A still image encoder based on adaptive resolution vector quantization employing needless calculation elimination architecture 査読有り

M Fujibayashi, T Nozawa, T Nakayama, K Mochizuki, K Kotani, S Sugawa, T Ohmi

ASP-DAC 2003: PROCEEDINGS OF THE ASIA AND SOUTH PACIFIC DESIGN AUTOMATION CONFERENCE　567-568　2003年

DOI： 10.1109/ASPDAC.2003.1195081 　
1/f noise degradation caused by Fowler-Nordheim tunneling stress in MOSFETs 査読有り

M Toita, T Sugawa, A Teramoto, T Akaboshi, H Imai, T Ohmi

41ST ANNUAL PROCEEDINGS: INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM　313-317　2003年

DOI： 10.1109/RELPHY.2003.1197764 　
Application of hydrogenated water to united water supply system for high performance and step-by-step investment type system LSI manufacturing fab 査読有り

Yokoi, I, Y Yamazaki, S Sugawa, T Ohmi

2003 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING　2003　14-17　2003年
Low noise balanced-CMOS on Si(110) surface for analog/digital mixed signal circuits 査読有り

A Teramoto, T Hamada, H Akahori, K Nii, T Suwa, K Kotani, A Hirayama, S Sugawa, T Ohmi

2003 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST　801-804　2003年
Organic contamination behavior on the silicon wafer surface stored in new type plastic pod under reduced pressure 査読有り

Teruyuki Hayashi, Takashi Kawaguchi, Yukihiro Kanechika, Naoki Tanahashi, Misako Saito, Kaname Suzuki, Yoshihide Wakayama, Masaki Hirayama, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2002 IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing　169-172　2002年10月
Oxygen Radical Annealing Applied to Ferroelectric Thin Films 査読有り

Ichirou Takahashi, Hiroyuki Sakurai, Atsuhiko Yamada, Kiyoshi Funaiwa, Kentaro Hirai, Shinichi Urabe, Tetsuya Goto, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-4)　A4-6　2002年10月
Highly Reliable Silicon Nitride Gate Dielectrics Grown at Low Temperature by Microwave-Excited High-Density Plasma 査読有り

Ichiro Ohshima, Weitao Cheng, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Hiroyuki Shimada, Yasuhiro Ono, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-4)　A5-2　2002年10月
A New Microwave-Excited Plasma Etching Equipment separated Plasma Exicited Region from Etchikg Process Region 査読有り

Tetsuya Goto, Masaki Hirayama, Makoto Moriguchi, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

International SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　444-445　2002年9月
A Ferroelectric Sr2（Ta1-x,Nbx）2O7 with a Low Dielectric Constant by Plasma PVD and Oxygen Radical Annealing 査読有り

Ichirou Takahashi, Hiroyuki Sakurai, Atsuhiro Yamada, Kiyoshi Funaiwa, Kentaro Hirai, Shinichi Urabe, Tetsuya Goto, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

International SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　618-619　2002年9月
A Technology of reducing Flicker Noise for ULSI application 査読有り

Koutarou Tanaka, Kazufumi Watanabe, Hideki Ishino, Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto, Masaki Hirayama, Tadahiro Ohmi

International SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　702-703　2002年9月
High Quality Silicon Oxide Film Formed by Diffusion Region PECVD and Oxygen Radical Treatment using Microwave-Excited High-Density Plasma 査読有り

Hiroaki Tanaka, Zhong Chuanjie, Masaki Hirayama, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

International Conference on Solid State Devices and Materials　424-425　2002年9月
Analysis of high-speed signal behavior in a miniaturized interconnect 査読有り

A Morimoto, K Kotani, K Takahashi, S Sugawa, T Ohmi

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS　E85C　(5)　1111-1118　2002年5月

ISSN：0916-8524

eISSN：1745-1353
The Growth of Thin Oxide and Nitride Films at Low Temperatures for Semiconductor Device Fabrication by Microwave-Excited High-Density Plasma 査読有り

Yuji Saito, Katsuyuki Sekine, Ryu Kaihara, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

The 10th Israel Materials Engineering Conference　60　2002年2月
小規模生産ラインとクリーン化技術査読有り

大見忠弘, 須川成利, 岸田好晴

空気清浄　39　(5)　270-281　2002年1月
A still image encoder based on adaptive resolution vector quantization realizing compression ratio over 1/200 featuring needless calculation elimination architecture 査読有り

M Fujibayashi, T Nozawa, T Nakayama, K Mochizuki, M Konda, K Kotani, S Sugawa, T Ohmi

2002 SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS　262-265　2002年
LOW TEMPERATURE GROWTH （400℃） OF HIGH-INTEGRITY THIN SILICON-OXYNITRIDE FILMS BY MICROWAVE-EXCITED HIGH-DENSITY Kr/O2/NH3 PLASMA 査読有り

Kazuo Ohtsubo, Yuji Saito, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

IEEE The 22nd Convention of Electrical and Electronics Engineers in Israel　166-169　2002年

DOI： 10.1109/EEEI.2002.1178381 　
Advantage of Silicon Nitride Gate Insulator Transistor by using Microwave-Excited High-Density Plasma for applying 100nm Technology Node 査読有り

Shigetoshi Sugawa, Ichiro Ohshima, Hideaki Ishino, Yuji Saito, Masaki Hirayama, Tadahiro Ohmi

2001 IEEE International Electron Devices meeting　37.3.1-37.3.4　2001年12月
Improving the reliability and the insulation properties of gate oxide in the gate injection mode by using a new procedure of (100) Si surface and Si/SiO2 interface treatments 査読有り

T Ohkawa, O Nakamura, S Sugawa, H Aharoni, T Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　48　(12)　2957-2959　2001年12月

DOI： 10.1109/16.974737 　

ISSN：0018-9383
(100) and (111) Si MOS Transistors Fabricated With Low Growth Temperature （400℃）Gate Oxide by Kr/O2 Microwave-Excited High-Density Plasma 査読有り

Tatsufumi Hamada, Yuji Saito, Masaki Hirayama, Sigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing　14　(4)　418-420　2001年11月

DOI： 10.1109/66.964329 　

ISSN：0894-6507
The Effect of Organic Contaminations Molecular Weights in the Cleanroom Air on MOS Devices Degradation-a Controlled Laminar Air Flow Experiment 査読有り

Takeshi Ohkawa, Yoshihide Wakayama, Sadao Kobayashi, Shigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　2001　24-25　2001年9月
Improved J-E Characteristics and Stress Induced Leakage Currents (SILC) in oxynitride Films Grown at 400℃ by Microwave-Excited High-Density Kr/O2/NH3 Plasma 査読有り

Kazuo Ohtsubo, Yuji Saito, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　2001　162-163　2001年9月
Highly Reliable MOS Trench Gate FET by Oxygen Radical Oxidation 査読有り

Naoki Ueda, Yuji Saito, Masaki Hirayama, Yoshimitsu Yamauchi, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　2001　164-165　2001年9月
Improved Transconductance and Gate Insulator Integrity OF MISFETs with Si3N4 Gate Dielectric Fablicated by Microwave-Excited High-Density Plasma at 400℃ 査読有り

Ichiro Ohshima, Hiroyuki Shimada, Shin-Ichi Nakao, Weitao Cheng, Yasuhiro Ono, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　2001　168-169　2001年9月
A Comparative Examination of Polyoxide Films Performance Grown by Conventional Dry Thermal (900℃) or Plasma Assisted (400℃) Oxidation Techniques 査読有り

Fuminobu Imaizumi, Tatsufumi Hamada, Shigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS　2001　170-171　2001年9月
Tantalum nitride metal gate FD-SOI CMOS FETs using low resistivity self-grown bcc-tantalum layer 査読有り

H Shimada, Ohshima, I, T Ushiki, S Sugawa, T Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　48　(8)　1619-1626　2001年8月

DOI： 10.1109/16.936572 　

ISSN：0018-9383
Advances in CFM Related to 300mm Pocessing - Low Temperature Radical Induced Surface Oxidation, Nitridation and Oxinitridation Based on Low Electron Temperature High Density Plasma 査読有り

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa

SEMICON West 2001 SEMI Technical Symposium(STS)：Innovations in Semiconductor Manufacturing　349-396　2001年6月
A 3.25M-pixel APS-C size CMOS Image Sensor 査読有り

Shunsuke Inoue, Katsuhito Sakurai, Isamu Ueno, Toru Koizumi, Hiroki Hiyama, Tetsuo Asaba, Shigetoshi Sugawa, Atsushi Maeda, Keiichi Higashitani, Hisayuki Kato, Koji Iizuka, Masao Yamawaki

2001 IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Advanced Image Sensors　16-19　2001年6月
Interconnect and substrate structure for gigascale integration 査読有り

A Morimoto, K Kotani, S Sugawa, T Ohmi

Japanese Journal of Applied Physics　40　(4B)　3038-3043　2001年4月

DOI： 10.1143/JJAP.40.3038 　

ISSN：0021-4922
High Integrity Direct Oxidation / Nitridation at Low Temperatures using Radicals 招待有り査読有り

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Masaki Hirayama

The 199th Meeting of The Electrochemical Society　2001-1　No. 270　2001年3月
New paradigm of silicon technology 査読有り

T Ohmi, S Sugawa, K Kotani, M Hirayama, A Morimoto

PROCEEDINGS OF THE IEEE　89　(3)　394-412　2001年3月

DOI： 10.1109/5.915381 　

ISSN：0018-9219
Improvement of MOSFET subthreshold leakage current by its irradiation with hydrogen radicals generated in microwave-excited high-density inert gas plasma 査読有り

Y Saito, H Takahashi, K Ohtsubo, M Hirayama, S Sugawa, H Aharoni, T Ohmi

39TH ANNUAL PROCEEDINGS: INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM 2001　319-326　2001年

DOI： 10.1109/RELPHY.2001.922922 　
Low Resistivity bcc-Ta/TaNx Metal Gate MNSFETs Having Plane Gate Structure Featuring Fully Low-Temperature Processing below 450℃ 査読有り

Hiroyuki Shimada, Ichiro Ohshima, Shin-Ichi Nakao, Munekatsu Nakagawa, Kei Kanemoto, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2001 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY　67-68　2001年
Energy saving in semiconductor fabs by using vacuum insulator 査読有り

T Ohmura, O Suenaga, T Ohmi, M Wadasako, T Ohta, S Sugawa

2001 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING　2001　477-480　2001年
A parallel vector-quantization processor eliminating redundant calculations for real-time motion picture compression 査読有り

T Nozawa, M Konda, M Fujibayashi, M Imai, K Kotani, S Sugawa, T Ohmi

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS　35　(11)　1744-1751　2000年11月

DOI： 10.1109/4.881222 　

ISSN：0018-9200
Si technology and Devices for the 21st Century 招待有り査読有り

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa

Proceedings of the 3rd International Symposium on Advanced Science and technology of Silicon Materials　1-6　2000年11月
High-Reliability Ultra-Thin Gate Oxide Grown At Low-Temperature (400℃) Using Microwave-Excited High-Density Krypton Plasma 査読有り

Y.Saito, K.Sekine, M.Hirayama, S.Sugawa, H.Aharoni, T.Ohmi

International Conference on Materials Science and Technologies　43　2000年11月
Low Temperature (400℃) Improved Ultra-Thin Oxynitride Films for MOS Gate Insulators 査読有り

Kazuo Ohtsubo, Yuji Saito, Katsuyuki Sekine, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

International Conference on Materials Science and Technologies　123　2000年11月
Microwave-Excited High-Density Plasma System for High-Quality Thin Dielectric Film Growth at Low-Temperatures 査読有り

Y.Saito, Katsuyuki Sekine, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

International Conference on Materials Science and Technologies　127　2000年11月
The Effect of Molecular Weight of Organic Contaminants on their Adsorption on Si-wafers 査読有り

Y.Wakayama, S.Kobayashi, T.Ishii, S.Sugawa, T.Ohmi

AVS 47th International Symposium　232　2000年10月
Ultra-Thin Silicon Oxynitrude Film Grown at Low-Temperature by Microwave-Exited High-Density Kr/O2/N2 Plasma 査読有り

K.Ohtsubo, Y.Saito, K.Sekine, M.Hirayama, S.Sugawa, H.Aharoni, T.Ohmi

International Conference on Solid State Device and Materials　176-177　2000年8月
Ultra-Low Standby Current in SOI-CMOS LSI Circuits by Using Body-Bias-Control Technology 査読有り

K.Higashi, T.Ohmi, A.O.Adan, H.Morimoto, K.Niimi, T.Ashida, S.Sugawa

International Conference on Solid State Device and Materials　2000　376-377　2000年8月
Interconnect and Substrate Structure for High Speed Giga-Scale Integration 査読有り

A.Morimoto, K.Kotani, S.Sugawa, T.Ohmi

International Conference on Solid State Device and Materials　2000　418-419　2000年8月
Low Resistivity PVD TaNx/Ta/TaNx Stacked Metal Gate CMOS Technology Using Self-Grown bcc-Phased Tantalum on TaNx Buffer Layer 査読有り

H.Shimada, I.Ohshima, T.Ushiki, S.Sugawa, T.Ohmi

International Conference on Solid State Device and Materials　2000　460-461　2000年8月
The Effect of Organic Compounds Contamination on the Electrical Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide Films 査読有り

Y.Wakayama, T.Ohkawa, O.Nakamura, S.Kobayashi, S.Sugawa, H.Aharoni, T.Ohmi

International Conference on Solid State Device and Materials　2000　550-551　2000年8月
CONTAMINATION REDUCTION FOR 300mm PROCESSCES 招待有り査読有り

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Masaki Hirayama, Yasuyuki Shirai

Symposium on Contamination-Free Manufacturing for Semiconductor Processing, SEMICON WEST 2000　A1-A5　2000年7月
Ultra Short TAT Semiconductor Manufacturing for Customer's Needs 招待有り査読有り

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa

The IT Revolution in Japan and Taiwan, Direction for the 21st Century　128-132　2000年3月
マイクロ波励起低温高密度プラズマプロセス

大見忠弘, 須川成利

真空　43　(9)　883-890　2000年
マイクロ波励起Kr/O₂プラズマによるシリコン酸化膜の低温形成査読有り

大見忠弘, 須川成利, 平山昌樹, 斉藤祐司

応用物理　69　(10)　1200-1204　2000年
出版者・発行元： The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.11470/oubutsu1932.69.1200 　

ISSN：0369-8009

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マイクロ波励起高密度Kr/O₂混合プラズマを用いることによって,従来の900°C程度で形成された熱酸化膜よりも優れた電気的特性を有する高品質酸化膜を400°Cの低温で形成することに成功した.本酸化膜は500°C以下という低い成膜温度にもかかわらず,熱酸化膜よりも低い界面準位密度・リーク電流特性を有し,さらにSi (111) 面上にも従来の熱酸化に比べ高品質の酸化膜を形成できることが確認された.この技術によりSi (100) 面以外の面方位の単結晶Siや多結晶Si表面でも高品質でかつ信頼性の高いSiO₂の形成が可能となり,高性能ディスプレイや配線工程に入ってから高機能素子を集積する超高性能三次元LSIが実現する.
ノイズ除去用CMOS反転アンプ形フレームメモリーを搭載したCMOSエリア形オートフォーカスセンサ査読有り

高橋秀和, 篠原真人, 須川成利

映像情報メディア学会誌　54　(2)　229-241　2000年

DOI： 10.3169/itej.54.229 　
Advantage of radical oxidation for improving reliability of ultra-thin gate oxide 査読有り

Y Saito, K Sekine, N Ueda, M Hirayama, S Sugawa, T Ohmi

2000 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS　176-177　2000年
Damage-free contact etching using balanced electron drift magnetron etcher 査読有り

R Kaihara, M Hirayama, S Sugawa, T Ohmi

ISSM 2000: NINTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, PROCEEDINGS　102-105　2000年

DOI： 10.1109/ISSM.2000.993626 　
Area Auto Focus CMOS Sensor 査読有り

Hidekazu Takahashi, Taku Ezaki, Mahito Shinohara, Shirou Furudate, Hiroyuki Nakamura, Toshihiko Ichise, Shigetoshi Sugawa

1999 IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Advanced Image Sensors　203-206　1999年6月
A bipolar image detector with smart functions 査読有り

M Shinohara, S Sugawa, Y Nakamura, T Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　44　(10)　1769-1776　1997年10月

DOI： 10.1109/16.628835 　

ISSN：0018-9383
A bipolar imager with bipolar field memory 査読有り

Mahito Shinohara, Shigetoshi Sugawa, Yoshio Nakamura, Tadahiro Ohmi

1997 IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Advanced Image Sensors　R8-1-R8-4　1997年6月
Amorphous avalanche photodiode with large conduction band edge discontinuity 査読有り

S Sugawa, H Kozuka, T Atoji, H Tokunaga, H Shimizu, K Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　35　(2B)　1014-1017　1996年2月

DOI： 10.1143/JJAP.35.1014 　

ISSN：0021-4922
An Amorphous Avalanche Photo-Diode with a Large Conduction band Edge Discontinuity 査読有り

Shigetoshi Sugawa, Hiraku Kozuka, Tadashi Atoji, Hiroyuki Tokunaga, Hisae Shimizu, Kazuaki Ohmi

International Conference on Solid State Device and Materials　1995　938-940　1995年8月
AN EXPERIMENTAL OBSERVATION OF PHOTO－INDUCED CARRIER MULTIPLICATION IN HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON 査読有り

S.Sugawa, K.Ohmi, M.Yamanobe, Y.Osada

Solid State Communications　80　(6)　373-376　1991年

DOI： 10.1016/0038-1098(91)90709-5 　

ISSN：0038-1098
A 310K PIXEL BIPOLAR IMAGER (BASIS) 査読有り

N TANAKA, S HASHIMOTO, M SHINOHARA, S SUGAWA, M MORISHITA, S MATSUMOTO, Y NAKAMURA, T OHMI

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　37　(4)　964-971　1990年4月

DOI： 10.1109/16.52431 　

ISSN：0018-9383
A 310K Pixel Bipolar Imager (BASIS) 査読有り

Nobuyoshi Tanaka, Seiji Hashimoto, Mahito Shinohara, Shigetoshi Sugawa, Masakazu Morishita, Shigeyuki Matsumoto, Yoshio Nakamura, Tadahiro Ohmi

1989 IEEE International Solid-State Circuits Conference　96-97　1989年2月

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MISC 270

高 SNR・高速グローバルシャッタ CMOS イメージセンサによるリアルタイム流体濃度分布計測

間脇武蔵, 村冨孝輔, 荻野晃汰, 酒井勇志, 稲田貴郁, 橋本圭市, 森本達郎, 諏訪智之, 白井泰雪, 須川成利, 黒田理人

第 36 回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　29-34　2024年11月
高速・高 SNR 吸光イメージングシステムによる真空チャンバ内のガス濃度分布計測および解析

酒井勇志, 稲田貴郁, 間脇武蔵, 諏訪智之, 森本達郎, 白井泰雪, 須川成利, 黒田理人

電子情報通信学会技術研究報告, シリコン材料・デバイス研究会　124　(222)　10-3　2024年10月
Impedance Measurement Platform Technology Toward Statistical Evaluation of Semiconductor Devices（半導体素子の統計的評価に向けたインピーダンス計測プラットフォーム技術)

Koga Saito, Tatsuhiko Suzuki, Hidemi Mitsuda, Takezo Mawaki, Tomoyuki, Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda

第35回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　33-39　2023年11月
Measurement of TEMAZ concentration in process chamber by UV absorption method（紫外光吸光法によるプロセスチャンバー内のTEMAZ濃度計測)

Takafumi Inada, Yushi Sakai, Akihito Suto, Tatsuo Morimoto, Tomoyuki Suwa, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda

第35回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　29-31　2023年11月
抵抗計測プラットフォームを用いた HfOx 膜抵抗変化の統計的計測

光田薫未, 鈴木達彦, 齊藤宏河, 間脇武蔵, 須川成利, 黒田理人

第 84 回応用物理学会秋季学術講演会　23a-A303-4　12-245　2023年9月
電流計測プラットフォームを用いた高容量密度トレンチキャパシタのトラップ特性に関する統計的計測

鈴木達彦, 齊藤宏河, 光田薫未, 間脇武蔵, 須川成利, 黒田理人

第 84 回応用物理学会秋季学術講演会　23a-A303-3　12-244　2023年9月
インピーダンス計測プラットフォーム技術を用いた機能性薄膜に関する電気的特性の統計的計測招待有り

齊藤宏河, 鈴木達彦, 光田薫未, 間脇武蔵, 諏訪智之, 寺本章伸, 須川成利, 黒田理人

第 84 回応用物理学会秋季学術講演会　23a-A303-1　12-242　2023年9月
MONOS 型低温ポリシリコン TFT におけるしきい値電圧制御

後藤哲也, 諏訪智之, 片山慶太, 西田脩, 池上浩, 須川成利

第 84 回応用物理学会秋季学術講演会　20p-B201-7　12-088　2023年9月
イメージセンサ技術を究める

須川成利

東北大学電通談話会記録　91　(2)　11-27　2023年3月
MONOS 型ポリシリコン TFT でのしきい値電圧制御に関する検討

後藤哲也, 諏訪智之, 須川成利

第 70 回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集　(15p-B410-5)　12-016　2023年3月
ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ構造・動作条件依存性の統計的解析

間脇武蔵, 黒田理人, 秋元瞭, 須川成利

第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会　141-145　2023年2月
インピーダンス計測プラットフォーム技術を用いたSiN膜中トラップ特性の統計的計測

齊藤宏河, 鈴木達彦, 光田薫未, 間脇武蔵, 諏訪智之, 寺本章伸, 須川成利, 黒田理人

第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会　89-94　2023年2月
トリシランを用いたミニマルファブ向けポリシリコンゲート電極のCVD 成膜に関する検討

後藤哲也, 小林誠二, タイクオッククオン, 薮田勇気, 須川成利, 原史朗

第83回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集　20p-A406-8　2022年9月
近接容量センサを用いた高精度微小容量差計測

渡部吉祥, 須釜侑希, 志波良信, 黒田理人, 白井泰雪, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　46　(23)　71-76　2022年8月
流体濃度分布その場計測へ向けた1000 fps高SNRグローバルシャッタCMOSイメージセンサ

及川哲, 黒田理人, 髙橋圭吾, 志波良信, 藤原康行, 四家寛也, 村田真麻, 郭家祺, Yhang Ricardo, Sipauba Carvalho, da Silva, 後藤哲也, 諏訪智之, 森本達郎, 白井泰雪, 永瀬正明, 池田信一, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　45　(30)　17-20　2021年10月
大判12µm画素と高解像度2.8µm画素の高精度近接容量CMOSイメージセンサ

須釜侑希, 渡部吉祥, 黒田理人, 山本将大, 後藤哲也, 安田俊朗, 村上真一, 羽森寛, 栗山尚也, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　45　(30)　13-16　2021年10月
電流計測プラットフォームを応用したSiN膜中トラップ放電電流の統計的計測

齊藤宏河, 鈴木勇人, 朴賢雨, 黒田理人, 寺本章伸, 諏訪智之, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　121　(212)　23-26　2021年10月
トランジスタ構造・動作領域・キャリア走行方向によるRTN挙動の統計的解析

秋元暸, 黒田理人, 黒田理人, 間脇武蔵, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告(Web)　121　(212(SDM2021 44-52))　27-32　2021年10月

ISSN： 2432-6380
ミニマルファブ用ミラー磁場閉じ込めプラズマCVD装置によるジクロロシランガスを用いたシリコン窒化膜形成

後藤哲也, 小林誠二, タイ, クオッククオン, 薮田勇気, 須川成利, 原史朗

第82回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集　12a-N323-6　2021年9月
サブaFの精度を有する高解像度・リアルタイム近接容量CMOSイメージセンサの開発

黒田理人, 須釜侑希, 渡部吉祥, 後藤哲也, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告・情報センシング研究会　45　(21)　1-4　2021年8月
Effect of dilute sulfuric acid on photoresist removal by ozone microbubbles 招待有り

高橋正好, 堀邉英夫, 田寺克己, 宮崎紳介, 白井泰雪, 須川成利

第 38 回国際フォトポリマー学会　B2-04　2021年6月
イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質

間脇武蔵, 寺本章伸, 石井勝利, 志波良信, 諏訪智之, 東雲秀司, 清水亮, 梅澤好太, 黒田理人, 白井泰雪, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　121　(71)　1-6　2021年6月
IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質

間脇武蔵, 寺本章伸, 石井勝利, 志波良信, 諏訪智之, 東雲秀司, 清水亮, 梅澤好太, 黒田理人, 白井泰雪, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告(Web)　121　(71(SDM2021 22-29))　2021年

ISSN： 2432-6380
高密度容量を用いたアナログ相関多重サンプリングによるCMOSイメージセンサのノイズ低減

鴨志田俊太, 鈴木学, 黒田理人, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　45　(11(IST2021 8-21))　2021年

ISSN： 1342-6893
45μm厚裏面照射型フォトダイオード・2段LOFICを有する広ダイナミックレンジ軟X線検出グローバルシャッタCMOSイメージセンサ

四家寛也, 黒田理人, 黒田理人, 黒田理人, 小林諒太, 村田真麻, 藤原康行, 鈴木学, 原田将真, 柴口拓, 栗山尚也, 初井宇記, 宮脇淳, 宮脇淳, 宮脇淳, 原田哲男, 山崎裕一, 山崎裕一, 渡邊健夫, 原田慈久, 原田慈久, 須川成利, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　45　(11(IST2021 8-21))　2021年

ISSN： 1342-6893
A Study on High Full Well Capacity Wide Dynamic Range Wide Spectral Response CMOS Image Sensor and Its Applications (高飽和・広ダイナミックレンジ・広光波長帯域CMOSイメージセンサとその応用に関する研究)

藤原康行, 村田真麻, 中山翔太, 黒田理人, 須川成利

第32回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　41-44　2020年11月
MRAM用MgO薄膜の信頼性に関する研究

諏訪智之, 土本淳一, 寺本章伸, 後藤哲也, 朴賢雨, 須川成利

第32回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　45-53　2020年11月
超小型紫外線センシングSiフォトダイオード・イメージセンサー技術 (特集紫外線光デバイス開発と実用化の期待)

黒田理人, da Silva Yhang Ricardo Sipauba Carvalho, 須川成利

Optronics : 光技術コーディネートジャーナル　39　(6)　77-82　2020年6月
出版者・発行元：オプトロニクス社
ISSN： 0286-9659
トレンチ型2段LOFICを有する単一露光・線形応答・120dB超広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ (情報センシング)

藤原康行, 村田真麻, 中山翔太, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report　44　(11)　81-84　2020年3月
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
YOF コーティングのプラズマ耐性招待有り

後藤哲也, 志波良信, 寺本章伸, 岸幸男, 須川成利

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第 223 回研究集会　2020年2月
注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造 (電子デバイス)

南雲謙志, 木本大幾, 諏訪智之, 寺本章伸, 白田理一郎, 高谷信一郎, 黒田理人, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　119　(408)　55-58　2020年1月31日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造 (マイクロ波)

南雲謙志, 木本大幾, 諏訪智之, 寺本章伸, 白田理一郎, 高谷信一郎, 黒田理人, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　119　(409)　55-58　2020年1月31日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
高精度電流計測アレイテスト回路を用いたMIM素子の大規模測定

鈴木勇人, PARK Hyeonwoo, 寺本章伸, 寺本章伸, 黒田理人, 黒田理人, 諏訪智之, 須川成利, 須川成利

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析

秋元瞭, 黒田理人, 黒田理人, 寺本章伸, 寺本章伸, 間脇武蔵, 市野真也, 諏訪智之, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告(Web)　120　(205(SDM2020 14-21))　2020年

ISSN： 2432-6380
IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質

間脇武蔵, 寺本章伸, 石井勝利, 志波良信, 諏訪智之, 東雲秀司, 清水亮, 梅澤好太, 黒田理人, 白井泰雪, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告(Web)　120　(205(SDM2020 14-21))　2020年

ISSN： 2432-6380
3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発

齊藤宏河, 吉田彩乃, 黒田理人, 黒田理人, 柴田寛, 柴口拓, 栗山尚也, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告(Web)　120　(205(SDM2020 14-21))　2020年

ISSN： 2432-6380
高SN比CMOS吸光イメージセンサによる半導体プロセスチャンバー内ガス濃度分布計測 (シリコン材料・デバイス)

髙橋圭吾, da Silva Yhang Ricardo Sipauba Carvalho, 黒田理人, 藤原康行, 村田真麻, 石井秀和, 森本達郎, 諏訪智之, 寺本章伸, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　119　(239)　65-68　2019年10月24日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
高速ビデオカメラを用いたマグネトロンスパッタリングプラズマの揺動現象の観察 (シリコン材料・デバイス)

山崎森太郎, 後藤哲也, 鈴木学, 黒田理人, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　119　(239)　69-72　2019年10月24日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
次世代メモリ材料の高精度統計評価を行う抵抗測定プラットフォーム (シリコン材料・デバイス)

前田健, 大村裕弥, 黒田理人, 寺本章伸, 諏訪智之, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　119　(239)　59-64　2019年10月23日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
高SN比吸光イメージングによる真空チャンバー内ガス濃度分布計測

高橋圭吾, DA SILVA Yhang Ricardo Sipauba, 沼尾直毅, 黒田理人, 藤原康行, 村田真麻, 石井秀和, 森本達郎, 森本達郎, 諏訪智之, 寺本章伸, 須川成利, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　43　(18(IST2019 35-39))　11‐14-14　2019年6月18日
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
0.1aFの検出精度を有するCMOS近接容量イメージセンサ

山本将大, 黒田理人, 鈴木学, 後藤哲也, 羽森寛, 村上真一, 安田俊朗, 横道やよい, 須川成利, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　43　(11(IST2019 12-22))　49‐54-54　2019年3月15日
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を有する飽和電子数2430万個・近赤外高感度CMOSイメージセンサ

村田真麻, 黒田理人, 藤原康行, 大塚雄介, 柴田寛, 柴口拓, 鎌田浩, 三浦規之, 栗山尚也, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　43　(11(IST2019 12-22))　27‐32-32　2019年3月15日
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
先進半導体センサ・デバイス開発プロジェクトの展開

須川成利

第30回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　53-63　2018年11月
ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析

市野真也, 寺本章伸, 黒田理人, 間脇武蔵, 諏訪智之, 須川成利, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　118　(241(SDM2018 52-63))　51‐56　2018年10月10日

ISSN： 0913-5685
バーストCDS動作を用いた撮影速度1億2500万コマ/秒の高速CMOSイメージセンサ

鈴木学, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　42　(30(IST2018 47-52))　5‐8-8　2018年9月18日
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
ミニマルファブ用ミラー磁場閉じ込めプラズマCVD装置によるシリコン窒化膜形成

後藤哲也, 小林誠二, 薮田勇気, 須川成利, 原史朗

第79回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集　21a-233-12　2018年9月
高紫外光感度・高飽和CMOSイメージセンサを用いたサブppmオーダのオゾン水対流のイメージング

村田真麻, 藤原康行, 青柳雄介, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　42　(19(IST2018 31-42))　13‐16-16　2018年6月20日
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
最高撮像速度5000万コマ/秒を有するプロトタイプグローバルシャッタ高速CMOSイメージセンサ

鈴木学, 鈴木将, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　42　(10(IST2018 11-25))　39‐42-42　2018年3月2日
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
プラズマプロセスチャンバで使用されるYF3とYOFの耐腐食性

志波良信, 寺本章伸, 後藤哲也, 岸幸男, 白井泰雪, 須川成利

第29回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　29-32　2017年11月
半導体・電子デバイス製造プロセス用、高感度・小型リアルタイムガス濃度計に関する研究

石井秀和, 永瀬正明, 池田信一, 志波良信, 白井泰雪, 黒田理人, 須川成利

第29回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　24-28　2017年11月
Experimental Investigation of Localized Stress Induced Leakage Current Distribution and Its Decrease by Atomically Flattening Process (シリコン材料・デバイス)

朴賢雨, 黒田理人, 後藤哲也, 諏訪智之, 寺本章伸, 木本大幾, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　117　(260)　9-14　2017年10月25日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
紫外吸光とチャージアンプ回路を用いた高感度・小型リアルタイムガス濃度計 (シリコン材料・デバイス)

石井秀和, 永瀬正明, 池田信一, 志波良信, 白井泰雪, 黒田理人, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　117　(260)　35-38　2017年10月25日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析

市野真也, 間脇武蔵, 寺本章伸, 黒田理人, 若嶋駿一, 須川成利, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　117　(260(SDM2017 50-60))　57‐62　2017年10月18日

ISSN： 0913-5685
画素SFで発生するランダムテレグラフノイズの統計的解析~トランジスタ形状・時定数・遷移数の影響~

黒田理人, 寺本章伸, 市野真也, 間脇武蔵, 若嶋駿一, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　41　(32(IST2017 49-59))　13‐16-16　2017年9月25日
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
ミニマルファブ用ミラー磁場閉じ込めプラズマ源を用いたシリコン窒化膜形成

後藤哲也, 佐藤恵一朗, 薮田勇気, 須川成利, 原史朗

第78回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集　6p-C21-7　2017年9月
Cameras with on-chip memory CMOS image sensors

Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa

The Micro-World Observed by Ultra High-Speed Cameras: We See What You Don't See　103-124　2017年8月30日

DOI： 10.1007/978-3-319-61491-5_5 　
高速CMOSイメージセンサ技術の歩み

須川成利, 鈴木学, 鈴木将, 黒田理人

映像情報メディア学会年次大会講演予稿集(CD-ROM)　2017　ROMBUNNO.S5‐2　2017年8月16日

ISSN： 1880-6961
高密度アナログメモリを搭載した超高速グローバルシャッタCMOSイメージセンサ

鈴木学, 鈴木将, 黒田理人, 熊谷勇喜, 千葉亮, 三浦規之, 栗山尚也, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　41　(10(IST2017 8-19))　7‐10-10　2017年3月3日
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
ミニマルファブ用新規磁場閉じ込め型ECR プラズマ源を用いたシリコン窒化膜形成

後藤哲也, 佐藤恵一朗, 薮田勇気, 須川成利, 原史朗

第64回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集　16a-E206-3　2017年3月
急峻pn接合Siダイオード技術を用いた高感度・高速性能低加速電圧電子線検出器 (情報センシング)

黒田理人, 幸田安真, 原昌也, 角田博之, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report　41　(10)　39-42　2017年3月
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
Siイオン注入がIGZO薄膜に与える影響

後藤哲也, 今泉文伸, 須川成利

第64回応用物理学会春季学術講演会　16a-502-8　3967-3967　2017年3月
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3967 　

eISSN： 2436-7613
Spectral Absorption Imaging with an Over 70dB SNR CMOS Image Sensor

村田真麻, 藤原康行, 青柳雄介, 黒田理人, 須川成利

電気関係学会東北支部連合大会講演論文集　2017　(0)　16-16　2017年
出版者・発行元：電気関係学会東北支部連合大会実行委員会
DOI： 10.11528/tsjc.2017.0_16 　
撮像速度1000万コマ/秒を超える高速度CMOSイメージセンサ技術の進展

黒田理人, 鈴木学, 鈴木将, 須川成利

高速度イメージングとフォトニクスに関する総合シンポジウム講演論文集(CD-ROM)　2017　ROMBUNNO.3‐2　2017年
CMOSイメージセンサの極限性能の追究

須川成利

第28回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　35-42　2016年11月
動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究

間脇武蔵, 寺本章伸, 黒田理人, 市野真也, 後藤哲也, 諏訪智之, 須川成利, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　116　(270(SDM2016 69-78))　35‐38　2016年10月19日

ISSN： 0913-5685
原子層堆積法で成膜したAl₂O₃膜界面に及ぼす酸化種の影響

齋藤雅也, 諏訪智之, 寺本章伸, 黒田理人, 幸田安真, 杉田久哉, 林真里恵, 土本淳一, 石井秀和, 志波良信, 白井泰雪, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　116　(270(SDM2016 69-78))　27‐30-30　2016年10月19日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
高濃度ドーピングされた（100）方位SOIウェーハに対するSi選択エピタキシャル成長後の平坦な表面形成技術

古川貴一, 寺本章伸, 黒田理人, 諏訪智之, 橋本圭市, 須川成利, 鈴木大介, 千葉洋一郎, 石井勝利, 清水亮, 長谷部一秀

電子情報通信学会技術研究報告　116　(270)　9-14　2016年10月
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
画素毎の接続を用いた画素内に横型オーバーフロー蓄積容量およびAD変換器を有する露光時間途切れのないグローバルシャッタ積層型CMOSイメージセンサ

黒田理人, 須郷秀武, 若嶋駿一, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　40　(32)　11-14　2016年9月

DOI： 10.11485/itetr.40.32.0_11 　
永久磁石を用いたミラー磁場閉じ込めECR プラズマ源

後藤哲也, 佐藤恵一朗, 薮田勇気, 須川成利

第77回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集　15a-B7-9　2016年9月
映像情報メディア年報2015シリーズ(第9回)情報センシングの研究開発動向

須川成利, 大竹浩, 池辺将之, 佐藤俊明, 小林昌弘, 黒田理人, 浜本隆之, 小室孝, 德田崇, 山下誉行, 綱井史郎, 廣瀬裕, 赤井大輔, 山本洋夫

映像情報メディア学会誌　70　(4)　609-622　2016年7月

DOI： 10.3169/itej.70.609 　
高光耐性・広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサを用いた紫外分光イメージング

藤原康行, 那須野悟史, 若嶋駿一, 楠原史章, 石井秀和, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　40　(15(IST2016 21-29))　13‐16-16　2016年4月29日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.11485/itetr.40.15.0_13 　

ISSN： 1342-6893

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広光波長帯域・高光耐性PD，高感度・高飽和性能を有するLOFIC CMOSイメージセンサを用いた紫外分光イメージングについて述べる．設計，試作したイメージセンサが，190-1000nmの感度波長帯域，94dBのダイナミックレンジ，87ke-の飽和容量(FWC)，1.2kfpsの撮像速度を有し，紫外光照射後も感度と暗電流の劣化が生じないことを確認した．また，本センサを適用した紫外分光イメージングシステムを構築し，可視光下で計測することのできない化学物質の液中の拡散現象をリアルタイムに撮影することに成功した．
シリコンフォトダイオードを用いた分光感度差分型紫外線センサ

DA SILVA Yhang Ricardo, Sipauba Carvalho, 幸田安真, 那須野悟史, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　40　(15(IST2016 21-29))　5‐8-8　2016年4月29日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.11485/itetr.40.15.0_5 　

ISSN： 1342-6893

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ドーパントの濃度プロファイルを調整することで，紫外線高感度PDと紫外線低感度PDの2種類のPDを受光素子内に作り込み，それらの分光感度差からSiのみで紫外線を検出するセンサを作製した．試作したセンサにより，310 nmの紫外線に対して0.132 A/Wの感度，500 nmより長い波長に対して0.014 A/W以下の残留感度を有する，紫外線に対して選択性の高い感度スペクトルを得た．本稿では，開発した分光感度差分型紫外線センサの原理，作製方法と測定結果について論じる．
常用光感度をISO16000に高めた最高撮影速度1000万コマ/秒の高速度ビデオカメラによる高速現象の可視化

鈴木学, 鈴木将, SHAO Fan, 黒田理人, 徳岡信行, 川口泰範, 冨永秀樹, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　40　(12(IST2016 7-20))　25‐28-28　2016年3月4日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.11485/itetr.40.12.0_25 　

ISSN： 1342-6893

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光感度の向上と低消費電力化を達成した,画素領域周辺部にオンチップ記憶メモリを有する高速度CMOSイメージセンサとそれを搭載した最高撮影速度1000万コマ/秒の高速度ビデオカメラについて報告する.また,それを用いた高速現象の撮影について述べ,撮影例を報告する.
Dynamic Response of Random Telegraph Noise Time Constants toward Bias Voltage Changing

間脇武蔵, 寺本章信, 市野真也, 黒田理人, 後藤哲也, 諏訪智之, 須川成利

電気関係学会東北支部連合大会講演論文集　2016　(0)　64-64　2016年
出版者・発行元：電気関係学会東北支部連合大会実行委員会
DOI： 10.11528/tsjc.2016.0_64 　
高い選択比をもつSiN_xエッチングガスを用いたFinFET構造の作製

小尻尚志, 小尻尚志, 諏訪智之, 橋本圭市, 寺本章伸, 黒田理人, 須川成利, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　115　(362(EID2015 9-24))　1‐4　2015年12月7日

ISSN： 0913-5685
BiFeO3薄膜への酸素ラジカル処理と低温結晶化技術

今泉文伸, 後藤哲也, 寺本章伸, 須川成利

第27回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　35-38　2015年11月
トンネル電流・拡散電流併用MOSFETのデバイスシミュレーション検討

古川貴一, 寺本章伸, 黒田理人, 諏訪智之, 橋本圭市, 小尻尚志, 須川成利, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　115　(280(SDM2015 71-83))　35-40　2015年10月22日

ISSN： 0913-5685
高精度ガス制御器を用いたAl₂O₃のALD成膜におけるプロセス温度の検討

杉田久哉, 幸田安真, 諏訪智之, 黒田理人, 後藤哲也, 石井秀和, 山下哲, 寺本章伸, 須川成利, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　115　(280(SDM2015 71-83))　63-68　2015年10月22日

ISSN： 0913-5685
窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成

石井秀和, 高橋健太郎, 後藤哲也, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　115　(280)　53-56　2015年10月
酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術

今泉文伸, 後藤哲也, 寺本章伸, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　115　(280)　41-44　2015年10月
Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術

諏訪智之, 寺本章伸, 後藤哲也, 平山昌樹, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　115　(280)　13-16　2015年10月
フローティングディフュージョン容量成分の解析・低減技術と高感度・高飽和CMOSイメージセンサへの適用

楠原史章, 若嶋駿一, 那須野悟史, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　39　(35(IST2015 43-56))　53‐56-56　2015年9月11日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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フローティングディフュージョン(FD)容量(C_<FD>)成分の解析と低減技術,およびそれらを適用して試作した高感度・高飽和CMOSイメージセンサについて述べる.テストパターンを用いたC_<FD>成分抽出結果を解析し,C_<FD>を極小化する非LDD・低濃度拡散層構造を提案した.横型オーバーフロー蓄積容量(LOFIC),デュアルゲイン列アンプ,浮遊容量負荷読み出し,埋め込みチャネル画素ソースフォロワ(SF)トランジスタと共に極小CFD構造を適用した最小加工寸法0.18μm-CMOSイメージセンサプロセスを用いて試作した360×1680画素CMOSイメージセンサを評価し,コンバージョンゲイン(CG)243μV/e^-,読み出しノイズ0.46e^-_<rms>,飽和容量(FWC)76ke^-を得た.
フェローの受賞にあたって(1)(選奨受賞者からのメッセージ,特別寄稿)

須川成利

映像情報メディア学会誌 : 映像情報メディア　69　(7)　643-643　2015年9月1日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1881-6908
ゲート絶縁膜/Si界面の原子オーダー平坦化によるランダムテレグラフノイズ低減効果

黒田理人, 小原俊樹, 後藤哲也, 赤川直也, 木本大幾, 寺本章伸, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　39　(17(IST2015 24-34))　35-38　2015年5月1日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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ゲート絶縁膜/Si界面の原子オーダー平坦化プロセス技術をシャロートレンチアイソレーション(STI)素子分離を有する0.22μm CMOSテクノロジーに導入した.作製した大規模アレイテスト回路を用いて100万個を超えるトランジスタの測定を行い,ランダムテレグラフノイズ(RTN)の低減を確認した.本稿では明らかになった原子オーダー平坦化によるRTNの低減効果について報告する.
浮遊容量負荷読み出しを用いたCMOSイメージセンサの読み出しゲインと線形範囲向上効果

若嶋駿一, 楠原史章, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　39　(16(IST2015 10-23))　41-44　2015年3月20日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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浮遊容量負荷読み出しは,従来の定電流読み出し方法と比較して,画素信号読み出しゲインと線形範囲が向上する.試作した2.8μm画素,1140^H×768^V, 2画素共有型CMOSイメージセンサを測定し,電源電圧2.0Vにおいて,8%のゲイン向上と47%の線形範囲拡大の効果を確認したのでその詳細を報告する.
ラジカル窒化法により形成したSi₃N₄/Si界面に形成される組成遷移層に関する研究 (シリコン材料・デバイス)

諏訪智之, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　114　(255)　31-34　2014年10月16日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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ラジカル窒化により形成したSi_3N_4/Si界面におけるSi基板側に形成される遷移層の構造を明らかにすることを目的とし、高分解能軟X線角度分解光電子分光法を用いてSi 2p光電子スペクトル測定を行った。Si(100)基板上に形成した窒化膜において、窒化膜側の組成遷移層およびシリコン基板側の組成遷移層の構造を明らかにした。シリコン基板側に形成される遷移層中のβ-Siの量は、ラジカル酸化よりもラジカル窒化の方が多いことが分かった。
Introduction of Atomically Flattening of Silicon Surface in Shallow Trench Isolation Process Technology (シリコン材料・デバイス)

後藤哲也, 黒田理人, 赤川直矢, 諏訪智之, 寺本章伸, 李翔, 小原俊樹, 木本大幾, 須川成利, 大見忠弘, 熊谷勇喜, 鎌田浩, 渋沢勝彦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　114　(255)　7-12　2014年10月16日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22μmのshallow trench isolation(STI)プロセス工程へ適用した.原子オーダー平坦面を維持するために,ゲート酸化前のアクティブ領域のシリコン酸化膜のエッチングは遮光した清浄窒素雰囲気で行い,また,ゲート酸化膜はKr/O_2プラズマによるラジカル酸化により形成した.これにより,原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を有する電界効果MOSトランジスタが実現した.STIエッジ部における寄生チャネル形成を抑制するチャネルストップ注入の検討も行った.原子オーダー平坦界面界面を導入したことにより,ゲート絶縁膜の絶縁破壊耐圧が向上した.
MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こすトラップ密度の解析に関する研究

小原俊樹, 寺本章伸, 黒田理人, 米澤彰浩, 後藤哲也, 諏訪智之, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　114　(255(SDM2014 84-95))　55-59　2014年10月9日

ISSN： 0913-5685
Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species

諏訪智之, 寺本章伸, 熊谷勇喜, 阿部健一, 李翔, 中尾幸久, 山本雅士, 野平博司, 室隆, 桂之, 木下豊彦, 須川成利, 大見忠弘, 服部健雄

第 75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集　19a-17-6　2014年9月
招待講演極限性能を追求する高速,高感度CMOSイメージセンサ技術 (情報センシング)

黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report　38　(26)　37-44　2014年7月
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
極限性能を追求する高速,高感度CMOSイメージセンサ技術

黒田理人, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　114　(120(ICD2014 19-30))　37-44　2014年6月26日

ISSN： 0913-5685
最高撮像速度10MfPsの高速度ビデオカメラによるMOSキャパシタの絶縁膜破壊現象の解析

SHO Han, 木本大幾, 古川貴一, 須郷秀武, 竹田徹, 宮内健, 栃木靖久, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　38　(20(IST2014 18-28))　13-16　2014年5月26日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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MOSキャパシタのTime dependent dielectric breakdown (TDDB)を,最高撮像速度10Mfpsの高速カメラを用いて初めて可視化した.TDDBには,電圧印加から現象発生までの間に時間的バラツキがあり瞬間的に発生するという特徴がある.撮像にあたりトリガ回路の作成を行い撮像システムを構築した.撮像結果,絶縁膜破壊時にMOSキャパシタの面内様々な場所で断続的な発光が起こることを高い頻度で確認した.撮像速度1Mfpsにおいて,約10μsecオーダで発光に時間間隔が生じていることを確認した.撮像速度10Mfpsにおいて,一回の発光時間は1μsec以下であることを確認した.
高速・高紫外光照射耐性を有する吸光・発光用リニアアレイセンサ

阿久津貴弘, 川田峻, 幸田安真, 中澤泰希, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　38　(20(IST2014 18-28))　17-20　2014年5月26日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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高速読み出し動作と紫外光照射に対する高い感度安定性を持つ新規のフォトダイオード(PD)アレイセンサについて報告する.吸光分析向けの高飽和タイプ,発光分析向けの高感度タイプの2種類を設計,試作,評価した.両タイプともPDの長辺側に複数の読み出し口を設けることで従来型と比べ150倍以上の読み出し速度の向上を達成した.また,平坦なSi界面に急峻なドーパントプロファイルを有する薄いp^+層を形成することで,紫外光に対する光感度の安定性が向上した.
20Mfpsの撮像速度を有する超高速CMOSイメージセンサの画素構造

須川成利, 宮内健, 竹田徹, 半澤克彦, 栃木靖久, 酒井伸, 黒田理人, 冨永秀樹, 広瀬竜太, 田窪健二, 近藤泰志

映像情報メディア学会技術報告　38　(15(IST2014 8-17))　19-22　2014年3月7日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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高速CMOSイメージセンサにおいて,20Mfpsの最高撮像速度性能を達成するための画素構造と,画素内の電荷転送性能等の測定結果について論じる.
ランダムテレグラフノイズ時定数の動作条件依存性の統計的解析

黒田理人, 米澤彰浩, 小原俊樹, 寺本章伸, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　38　(15(IST2014 8-17))　15-18　2014年3月7日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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測定精度が改善した大規模アレイテスト回路を用いた,ソースフォロワ(SF)トランジスタのランダムテレグラフノイズ(RTN)における時定数の動作バイアス,動作シーケンス依存性の統計的解析について報告する.オン・オフ状態を周期的に繰り返す動作時では,常時オン動作時と比べRTN起因のSF出力の二乗平均平方根が統計的に低減することを示し,その理由が捕獲・放出時定数の動作バイアス依存性の違いに起因することを示した.
Development of Ultraclean Surface Processing for Gallium Nitride（窒化ガリウムの超清浄表面処理の開発）

Yukihiro Tsuji, Tadashi Watanabe, Kenichi Nakamura, Kenji Nagao, Tsukuru Katsuyama, Yukihisa Nakao, Akinobu Teramoto, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

第25回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　39-46　2013年11月
汚染やダメージをいっさい与えない製造技術による半導体デバイス製造

大見忠弘, 須川成利

第25回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　61-109　2013年11月
高電流駆動能力・低ノイズ微細MOSFETのデバイス構造・製造プロセスに関する研究

中尾幸久, 内海秀俊, 橋本圭市, 田中宏明, 黒田理人, 寺本章伸, 宮本直人, 須川成利, 大見忠弘

第25回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　47-60　2013年11月
画像表示デバイスを用いたオンライン露光方式

森本達郎, 宮本直人, 木田啓, 須川成利, 大見忠弘

第25回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　33-38　2013年11月
映像情報メディア年報2013シリーズ（第12回）情報センシングの研究開発動向

須川成利, 高柳功, 高橋秀和, 黒田理人, 池辺将之, 浜本隆之, 小室孝, 香川景一郎, 大竹浩, 赤井大輔, 鈴木秀征

映像情報メディア学会誌　67　(11)　972-982　2013年11月
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.3169/itej.67.972 　

ISSN： 1342-6907
原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計 (シリコン材料・デバイス)

黒田理人, 中尾幸久, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　113　(247)　15-20　2013年10月17日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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本稿では原子レベルで平坦化されたsi(100),(110),(551)表面の電子・ホールモビリティ特性についてまとめ,また,速度性能と最少加工寸法におけるロジックゲートのノイズマージンとを性能指標としたマルチゲートMOSFETのフィン構造の評価手法へ反映した結果を報告する.フィン高さとフィン上面幅との比が1.2から7.5の領域では,フィン側壁が(551)面,フィン上面が(100)面のフィン構造において性能指標が高くなることが示された.
MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析

米澤彰浩, 寺本章伸, 小原俊樹, 黒田理人, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　113　(247(SDM2013 88-98))　51-56　2013年10月10日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noise(RTN)の捕獲・放出時定数を多数のサンプルに対しゲート電圧依存性を抽出し、キャリアの捕獲・放出過程を考察した。捕獲過程のゲート電圧依存性は、キャリアとトラップの距離はSiO_2/Si界面とトラップの最短距離ではなく、キャリアの存在するパーコレーションパスとトラップの距離とトラップのエネルギ準位から決定される。放出過程はゲート電圧により、キャリアがSi基板側に抜けるもの、ゲート電極側に抜けるもの、電圧により放出先を変えると考えられるものが観測された。時定数を広範囲かつ正確に抽出し捕獲・放出時定数を個別に議論することがRTNの解析では重要となる。
内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード

幸田安真, 黒田理人, 中尾幸久, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　113　(247(SDM2013 88-98))　21-25　2013年10月10日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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紫外光帯域を含む広光波長帯域の光に対し高感度で,かつ経時的な感度劣化を生じないセンサ実現のために,高い内部量効率を得るフォトダイオード形成技術と,SiO_2と消衰係数の低いSiNから成るオンチップ高透過積層膜とを組み合わせたフォトダイオードの作製・評価を行った.本報告では,試作したフォトダイオードで紫外光に対し高い感度と高い耐性を得た結果を示し,また積層膜の構成や膜厚を制御することで,所望の波長帯域で高感度化できることを示す.
200‐1000nmの広光波長帯域に感度を有する高紫外光照射耐性CMOSイメージセンサ

黒田理人, 川田峻, 那須野悟史, 中澤泰希, 幸田安真, 半澤克彦, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　37　(40(IST2013 42-54))　21-24　2013年9月23日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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広光波長帯域における高い感度と紫外光照射に対して高い安定性・長期信頼性を有する画素ピッチ5.6μmのCMOSイメージセンサについて報告する.画素内の埋め込み完全空乏型フォトダイオードには,平坦化されたSi表面の近傍に急峻な濃度プロファイルを有するp^+層を形成し,紫外光に対する高感度化と紫外光照射耐性の向上を両立している.試作したCMOSイメージセンサにおいて,200-1000nmの広光波長帯域における分光感度と強い紫外光照射に対して感度劣化が無いことを確認した.
窒化ガリウム表面の過剰酸化を抑制する洗浄液の検討

辻幸洋, 勝山造, 寺本章伸, 白井泰雪, 須川成利, 大見忠弘

第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集　14-103　2013年9月
MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析

米澤彰浩, 寺本章伸, 小原俊樹, 黒田理人, 須川成利, 大見忠弘

2013 International Reliability Physics Symposium 報告会Digest　21-24　2013年7月
White-RGBイメージセンサを用いた仮想カラーフィルタ情報の追加による被写体のスペクトル推定精度の改善

川田峻, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　37　(27)　17-20　2013年6月17日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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White-RGBカラーフィルタを有する単板イメージセンサの色再現性の向上を目的として,被写体の反射スペクトル推定に基づく色再現手法を提案する.推定元情報として,オンチップカラーフィルタ(実カラーフィルタ)から得られるWhite-RGBの4つの感度スペクトル情報に加えて,イメージセンサに搭載されていない仮想カラーフィルタ情報を新たに導入した.色再現性の評価はマクベスカラーチェッカーの24色を基準として行った.実カラーフィルタのRGB3チャネルのみを用いた場合の再現色差ΔEabの平均値は7.62であった.そこに4チャネルの仮想カラーフィルタを加えた,実効7チャネルを用いた推定によりΔEabの平均値を1.88に低減した.
オンチップ高透過積層膜を有する紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード

幸田安真, 黒田理人, 中澤泰希, 中尾幸久, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　37　(22(IST2013 15-27))　37-40　2013年5月24日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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紫外光帯域を含む広光波長帯域の光に対し高感度で,かつ経時的な感度劣化を生じないセンサ実現のために,高い内部量効率を得るフォトダイオード形成技術と,SiO_2と消衰係数の低いSiNから成るオンチップ高透過積層膜とを組み合わせたフォトダイオードの作製・評価を行った.本報告では,試作したフォトダイオードで紫外光に対し高い感度と高い耐性を得た結果を示し,また積層膜の構成や膜厚を制御することで,所望の波長帯域で高感度化できることを示す.
浮遊容量負荷読み出しを用いたCMOSイメージセンサ

若嶋駿一, 合田康之, LI Tsung‐Ling, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　37　(22(IST2013 15-27))　33-36　2013年5月24日

ISSN： 1342-6893
広ダイナミックレンジイメージセンサ技術

須川成利

光学技術コンタクト　51　(5)　45-45　2013年5月
出版者・発行元：（社）日本オプトメカトロニクス協会
超高速ビデオ撮像素子技術

須川成利

映像情報メディア学会技術報告　37　(19)　9-14　2013年3月15日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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ISSCC 2013 Forum Scientific Imagingにおいて発表したUltra-High Speed Imagingについて紹介する.内容は,高速撮影に対する要求事項,イメージセンサの撮影速度を決める要因,最近の高速ビデオカメラのタイプ,フレームレート1Mfpsとコマ数100を超える高速イメージセンサ技術,FTCMOSによる10Mfpsの高速ビデオ撮影例である.
画素ソースフォロワ相当の埋め込み・表面チャネルトランジスタのランダム・テレグラフ・ノイズ統計的解析

黒田理人, 米澤彰浩, 寺本章伸, LI Tsung‐Ling, 栃木靖久, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　37　(19(IST2013 6-14))　19-22　2013年3月15日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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大規模アレイテスト回路を用いた画素ソースフォロワ(SF)相当の埋め込み・表面チャネルトランジスタの静特性とランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の統計的解析結果を報告する.様々なドレイン電流,基板バイアス電圧を変化させた測定データに基づき,RTNの統計的な分布,ノイズ振幅としきい値やサブスレッショルドスイングとの相関について解析結果をまとめ,埋め込みチャネルを用いた画素SFのノイズ低減方針を議論する.
ガス添加機能水を用いたGaN 表面洗浄の検討

辻幸洋, 中村健一, 眞壁勇夫, 中田健, 勝山造, 寺本章伸, 白井泰雪, 須川成利, 大見忠弘

第60回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集　14-068　2013年3月
超高速CMOSイメージセンサの開発

田窪健二, 須川成利

光アライアンス　24　(2)　18-22　2013年2月
出版者・発行元：日本工業出版
ISSN： 0917-026X
Si(100)上でバルクSiO2とバルクSiとの間に形成される遷移層の解明

諏訪智之, 寺本章伸, 室隆桂之, 木下豊彦, 須川成利, 大見忠弘, 服部健雄

ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－第18回研究会　179-182　2013年1月
Si Surface Atomic Order Flattening Technology and its Application to Highly Reliable Ultraviolet Light Sensors

Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Taiki Nakazawa, Yasumasa Koda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Tadahiro Ohmi

第24回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　31-38　2012年11月
1/f Noise in MOSFETs

Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

第24回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　1-16　2012年11月
シリコンLSI性能向上の新しい方向

大見忠弘, 中尾幸久, 黒田理人, 宮本直人, 小谷光司, 平山昌樹, 後藤哲也, 須川成利

第24回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　59-82　2012年11月
SiO2/Si（100）界面における組成遷移層の解明

諏訪智之, 寺本章伸, 室隆桂之, 木下豊彦, 須川成利, 服部健雄, 大見忠弘

第24回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　25-30　2012年11月
SiO_2/Si(100)界面における組成遷移層に関する研究

諏訪智之, 寺本章伸, 室隆桂之, 木下豊彦, 須川成利, 服部健雄, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　112　(263)　1-4　2012年10月18日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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SiO_2一分子層以上で安定化された組成遷移層について角度分解Si 2p光電子スペクトルを測定し、SiO_2/Si界面近傍の組成遷移層の化学結合状態の違いを明らかにした。900℃の酸化により形成されたSiO_2/Si界面は二つの組成遷移層が存在し、第一組成遷移層は主にSi^<1+>、Si^<2+>、Si^0から構成され、第二組成遷移層は主にSi^<3+>とSi^<4+>から構成される。これらの組成遷移層は、酸化温度や酸化後の水素雰囲気中熱処理により影響を受ける。
Noise Performance of Accumulation MOSFETs (シリコン材料・デバイス)

GAUBERT Philippe, TERAMOTO Akinobu, SUGAWA Shigetoshi, OHMI Tadahiro

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　112　(263)　15-20　2012年10月18日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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The paper focuses on the analysis of the 1/f noise in accumulation and inversion mode p-MOSFETs and especially the impact of the doping concentration on the noise. The contribution of each conductive region is analyzed for both types of MOSFETs. It is revealed that the rise of the doping concentration reduces the noise coming from the front interface and let appear the contribution coming from the SOI layer. The result is a drastic reduction of the 1/f noise in favor of the accumulation mode p-MOSFET.
PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス

中尾幸久, 寺本章伸, 黒田理人, 諏訪智之, 田中宏明, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　112　(263(SDM2012 89-97))　21-26　2012年10月18日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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近年Metal oxide semiconductor field effect transistors(MOSFETs)の高性能化のために、化学的・熱的に不安定な新規材料が研究・導入されている。これらの新規材料を用いてMOSFETを製造していくうえでドライ・ウェットプロセスから新規材料を保護するために必要不可欠である低温成膜可能な絶縁材料としてPlasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)法を用いたシリコン窒化膜を検討した。従来のPECVD法では段差形状側壁部のシリコン窒化膜の膜質が悪いという問題があった。側壁部のシリコン窒化膜の膜質を向上するために、本研究では10^<11>cm^<-3>以上の高密度プラズマが生成可能なマイクロ波励起プラズマを用いた。そして、プロセスパラメータを最適化しSiプリカーサに対してNプリカーサを多量に供給することにより、段差形状側壁部にも高品質なシリコン窒化膜を形成可能とした。また、MISキャパシタを作製しSiH_4流量を変えたシリコン窒化膜の電気特性を評価した。SiH_4流量を下げることにより、シリコン窒化膜/Si界面・バルクのトラップ密度を減らすことができ、形状・電気特性の観点から、開発したシリコン窒化膜がゲートスペーサーに適用可能であることを示した。
シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道

大見忠弘, 中尾幸久, 黒田理人, 諏訪智之, 田中宏明, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　112　(263(SDM2012 89-97))　27-32　2012年10月18日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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完全に行き詰まったシリコンLSI技術を進歩させる方向の提案。すべての面方位のシリコン表面上にLSI製造できる技術を創出し、(551)面Accumulation Mode CMOSでnMOSとpMOSの寸法が等しいバランスドCMOSを具現化して、フルCMOSシステムLSIを実現する。
窒化ガリウム表面における汚染粒子除去洗浄の検討

辻幸洋, 中村健一, 眞壁勇夫, 中田健, 勝山造, 寺本章伸, 白井泰雪, 須川成利, 大見忠弘

第73回応用物理学会学術講演会講演予稿集　15-215　2012年9月
2,000万コマ/秒の超高速動画撮影が可能なCMOSイメージセンサ

須川成利

画像ラボ　23　(9)　25-28　2012年9月
出版者・発行元：日本工業出版
ISSN： 0915-6755
高速CMOSイメージセンサによる毎秒1000万コマ以上の撮像

須川成利, 栃木靖久, 宮内健, 武田徹, 黒田理人

映像情報メディア学会年次大会講演予稿集(CD-ROM)　2012　ROMBUNNO.19-8　2012年8月8日

ISSN： 1880-6961
招待講演高速CMOSイメージセンサと100万~1000万コマ/秒を超える撮像 (集積回路)

須川成利

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報　112　(159)　75-80　2012年7月26日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
招待講演高速CMOSイメージセンサと100万~1000万コマ/秒を超える撮像 (情報センシング)

須川成利

映像情報メディア学会技術報告　36　(31)　75-80　2012年7月
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
紫外光高感度・高信頼性を有する原子オーダー平坦Si表面を用いたフォトダイオードのドーパントプロファイル

中澤泰希, 黒田理人, 幸田安真, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　36　(20(IST2012 16-28))　19-22　2012年5月21日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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紫外光に対して高感度かつ経時的な感度劣化を生じないセンサ実現のために,原子オーダー平坦化Si表面を用いたフォトダイオードの表面高濃度層プロファイルを作り変えることで表面光電荷ドリフト層と紫外光感度・信頼性の関係を評価した.紫外光照射による紫外光感度の変化は紫外光照射による絶縁膜中の固定電荷や界面付近のトラップの生成によって起こることを突き止め,紫外光高感度化・高信頼化のためのフォトダイオードのドーパントプロファイルを提案した.
バースト1 Tpixel/s と連続 780Mpixel/s の撮像速度を有するグローバルシャッタ高速CMOSイメージセンサ

栃木靖久, 半澤克彦, 加藤祐理, 黒田理人, 武藤秀樹, 広瀬竜太, 冨永秀樹, 田窪健二, 近藤泰志, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　36　(18)　9-12　2012年3月23日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893

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画素ごとにオンチップ記憶メモリを128個配置した有効画素数400^H×250^Vのグローバルシャッタ高速CMOSイメージセンサを設計・試作した.本CMOSイメージセンサは非冷却による1Tpixel/sのバースト撮像(コマ撮り)および780Mpixel/sの連続撮像を1チップで達成した.
CMOSイメージセンサにおける高速化技術の動向

須川成利

映像情報メディア学会誌　66　(3)　174-177　2012年3月
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.3169/itej.66.174 　

ISSN： 1342-6907
酸素ラジカルと酸素分子用いて形成したSiO2/Si界面における構造遷移層の相違

諏訪智之, 熊谷勇喜, 寺本章伸, 木下豊彦, 室隆桂之, 須川成利, 服部健雄, 大見忠弘

ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－第17回研究会　141-144　2012年1月
シリコン表面の室温三工程洗浄と超高速ウェットエッチングによるシリコン基板薄化技術

大見忠弘, 長谷部類, 吉田達郎, 内村徹平, 添田一喜, 平塚亮輔, 吉川和博, 須川成利, 村川順之

表面科学技術研究会2012　1-27　2012年1月
19-8 高速CMOSイメージセンサによる毎秒1000万コマ以上の撮像(第19部門[テーマ講演]科学技術のフロンティアを切り拓くイメージセンサ技術)

須川成利, 栃木靖久, 宮内健, 武田徹, 黒田理人

映像情報メディア学会年次大会講演予稿集　2012　(0)　19-8-1-_19-8-2_　2012年
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
ISSN： 1343-1846

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The images captured at a rate of more than 10M fps using a high-speed CMOS image sensor are introduced.
Statistical Evaluation of Leakage Current of Gate Insulator Film

Yuki Kumagai, Takuya Inatsuka, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

第23回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　33-38　2011年11月
A Study on Integration Technology of Non-porous Low-k Dielectric Fluorocarbon into Multilayer Cu Interconnects

Xun Gu, Takenao Nemoto, Yugo Tomita, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Shin-Ichiro Kuroki, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

第23回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　17-25　2011年11月
Development of Rotation Magnet Sputtering and Its Application to Cu Interconnect Fabrications for Printed Wiring Board

Tetsuya Goto, Akihiko Hiroe, Hiroshi Imai, Masahiko Sugimura, Osamu Kawashima, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

第23回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　1-9　2011年11月
高純度有機金属ガス供給システムに関する研究

山下哲, 石井秀和, 志波良信, 北野真史, 白井泰雪, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　111　(249)　85-90　2011年10月13日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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半導体製造プロセスにおいてプロセスガスの流量制御は基板表面におけるガス組成やチャンバ圧力を決定する重要なファクターである。有機金属(MO)ガスを使用する化合物半導体製造プロセスにおいてもプロセスの信頼性や膜質の向上を実現するためにはMOガスそのものの流量制御を行うシステムを構築することが必要である。そこで、高温に対応した圧力調整式流量制御器(FCS)を開発することによって、蒸気圧を上昇させたMOガスの流量制御を行い、MOガスの組成を高精度に制御することが可能となった。また、MOガス供給系を縮小し、MO材料への熱履歴を残さないことを目的とした液体材料気化供給システム(LSCS)を開発し、必要な量だけのMO材料を気化させ、流量制御を行うシステムが完成した。
ラジカル反応ベース絶縁膜形成技術における界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係

黒田理人, 寺本章伸, 李翔, 諏訪智之, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　111　(249)　21-26　2011年10月13日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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ラジカル反応ベース絶縁膜形成プロセスは,熱酸化プロセスと比較して,極薄ゲート絶縁膜のリーク電流低減が可能,1/fノイズ低減が可能といった利点があることが分かっていたが,初期不良率の高さが課題であり解決が望まれていた.本報告では,原子オーダー平坦化Si表面とラジカル酸化プロセスとの組合せによる初期不良率の大幅な改善結果を示すと共に,改善したメカニズムをラジカル酸化による界面平坦化効果によって説明する.
埋め込み構造によるMOSFETにおけるランダム・テレグラフ・ノイズの低減

鈴木裕彌, 黒田理人, 寺本章伸, 米澤彰浩, 松岡弘章, 中澤泰希, 阿部健一, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　111　(249(SDM2011 97-114))　5-9　2011年10月13日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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ブロードチャネル構造によって,劇的なランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の低減効果を得た.形成されるチャネルの位置をトラップから遠ざけ,チャネルを幅広く形成させることにより,トラップによるクーロン閉塞効果とチャネルパーコレーションを抑制することが,低ノイズ回路の実現につながるRTNの低減に非常に有効であることを見出した.
異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価

稲塚卓也, 熊谷勇喜, 黒田理人, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　111　(249(SDM2011 97-114))　11-16　2011年10月13日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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絶縁膜に電気的なストレスを印加することによって発生する異常Stress Induced Leakage Current (SILC)を統計的に評価した。異常SILCは通常SILCに対して極めて電流密度が大きく、フラッシュメモリに対して重大な問題となる。これまで異常SILCはストレス時間や温度によって異常SILCが離散的に発生・消滅するという報告がされている。この論文では異常SILCの離散的変化を時間領域で評価することによって異常SILCは通常SILCとは大きく異なった回復特性を有することを示し、また温度やストレスに対する依存性の評価も行うことによって異常SILCの回復のしやすさを明らかにした。
WRGB LOFIC CMOSイメージセンサを用いた青緑及び黄色領域を含む全色域の色再現性の向上

川田峻, 合田康之, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　35　(19(IST2011 17-32))　33-35　2011年5月20日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.11485/itetr.35.19.0_33 　

ISSN： 1342-6893

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WRGB LOFIC CMOSイメージセンサは、RGBカラーフィルタを用いたイメージセンサと比較して約2倍の高感度化と同時に102-dBの広いダイナミックレンジを達成した。このイメージセンサから得られるRGB情報とWとRGBの差分からエメラルドグリーンと黄色を含む情報を抽出し、これらを利用したリニアマトリクス補正を行って再現性の高いRGB情報を出力する色再現手法を検討した。
10Mfps高速CMOSイメージセンサの高S/N読み出し動作

栃木靖久, 半澤克彦, 加藤祐理, 赤羽奈々, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　35　(19(IST2011 17-32))　37-40　2011年5月20日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.11485/itetr.35.19.0_37 　

ISSN： 1342-6893

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最大10Mfpsでバースト撮像(コマ撮り)および10Kfpsの連続撮像を1チップで実現する高速度CMOSイメージセンサ実現を目指し,各画素に104個の記憶メモリを配置したプロトタイプ高速CMOSイメージセンサ(画素数72^H×32^V)の設計・試作を行った.本イメージセンサにおける,バースト撮像および連続撮像に導入した信号読み出し動作方法,およびトリガ動作について論じる.
バースト10Mfpsと連続10Kfpsの撮像速度を有する高速CMOSイメージセンサのプロトタイプ試作評価

須川成利, 栃木靖久, 半澤克彦, 加藤祐理, 赤羽奈々, 黒田理人

映像情報メディア学会技術報告　35　(17(IST2011 10-16/CE2011 16-22))　27-30　2011年3月15日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.11485/itetr.35.17.0_27 　

ISSN： 1342-6893

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主に先端技術開発分野や科学計測分野において使用される画素数10万画素程度を有し最大10Mfps超の100コマ以上のバースト撮像(コマ撮り)と10Kfps超の連続撮像を冷却無しにワンチップで行える高速度撮像CMOSイメージセンサの実現を目指し,原理フィジビリティ確認用のプロトタイプイメージセンサ(画素ピッチ48μm,画素数72^H×32^V)を設計・試作しその性能を実験・評価した結果について論じる.
デュアルシリサイドを用いた低直列抵抗CMOSソース/ドレイン電極形成技術

黒田理人, 中尾幸久, 須川成利, 田中宏明, 寺本章伸, 宮本直人, 大見忠弘

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会　2011　(35)　5-10　2011年3月1日
MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法

寺本章伸, 阿部健一, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　110　(274)　17-22　2010年11月4日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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MOSFETにおけるRandom Telegraph Signal (RTS)の振幅,時定数等,重要なパラメータは一つ一つの特性はばらつきが大きいため,それらのパラメータの特徴を捉えるためには,大規模な標本に基づく統計的評価が不可欠である.そこで,評価手法であるアレイ状のテストパターンの概要を述べ,それを用いてRTSの特徴量を短時間に多数個測定し,それらを誘起するトラップのエネルギ分布を統計的に解析した結果を報告する.
Applied study of SiO2 Based Film Formed by Organosiloxane Sol-Gel Precursor

Kohei Watanuki, Atsutoshi Inokuchi, Akinori Banba, Hirokazu Suzuki, Nobuyuki Manabe, Tadashi Koike, Tatsuhiko Adachi, Tetsuya Goto, Akinobu Tearmoto, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

第22回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　7-13　2010年11月
High-purity Metal-organic Gas Distribution System

Satoru Yamashita, Hidekazu Ishii, Yoshinobu Shiba, Masafumi Kitano, Yasuyuki Shirai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

第22回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　1-6　2010年11月
超高性能フルCMOSシステムLSIが切り拓く学問に基づく本物のシリコン技術」

大見忠弘, 須川成利, 小谷光司, 平山昌樹, 後藤哲也, 宮本直人, 黒田理人, 田中宏明, 諏訪智之, 中尾幸久, 大橋朋貢, 橋本昌和

第22回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　45-81　2010年11月
次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成

谷クン, 根本剛直, 富田祐吾, 寺本章伸, 黒木伸一郎, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　110　(241)　53-56　2010年10月14日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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ノンポーラス低誘電率膜/Cuシングルダマシン配線への電気特性の評価を検討した。良好な配線間リーク電流、低誘電率(k=2.3)、十分な絶縁膜経時破壊寿命を達成した。初めにCuダマシン配線に新規なノンポーラスフロロカーボン膜を適用して、次世代LSI向け低誘率膜/Cuダマシン配線を形成した。
ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成

田中宏明, 黒田理人, 中尾幸久, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　110　(241(SDM2010 152-170))　25-30　2010年10月14日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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ULSIの基本構成要素であるトランジスタの性能を劣化させる直列抵抗を低減するため、ソース・ドレイン領域におけるシリサイド/高濃度領域間のコンタクト抵抗低減を行った。p^+、n^+領域それぞれにPd、Erを用いシリサイドを形成し、0.3eV程度の低バリアハイトのコンタクトを実現した。Si基板面方位により、シリサイドの成長段階が異なる事を明らかにした。このシリサイドを用い、プロセスを理論的に最適化する事によって、10^<-9>Ωcm^2以下の低抵抗率コンタクト形成を実現した。
Tribological Study of Direct-polish Process on Non-Porous Ultra Low-k Dielectric/Cu Interconnects

Xun Gu, Takenao Nemoto, Yugo Tomita, Akinobu Teramoto, Shin-Ichiro Kuroki, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2010 The Japan Society for Precision Engineering Fall Meeting(精密工学会秋季大会）　133-134　2010年9月
RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件

阿部健一, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘, RTN測定の高精度化

映像情報メディア学会技術報告　34　(38)　29-32　2010年9月
映像情報メディア年報情報センシング

太田淳, 須川成利

映像情報メディア学会誌　64　(8)　1126-1135　2010年8月
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.3169/itej.64.1125 　

ISSN： 1342-6907
RTSにおけるキャリアトラップ準位の統計的評価

寺本章伸, 藤澤孝文, 阿部健一, 須川成利

シリコンテクノロジー　127　25-30　2010年7月
Optimization of Brush Scrubbing Condition on Cu/low-k Damascene Structure by Using Pressure Sensing Sheet

Xun Gu, Takenao Nemoto, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2010The Japan Society for Precision Engineering Spring Meeting(精密工学会春季大会）　715-716　2010年3月
色毎の飽和光量差を低減したWRGB市松画素LOFIC CMOSイメージセンサ

川田峻, 酒井伸, 赤羽奈々, 黒田理人, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告　33　(56(IST2009 90-97))　21-24　2009年12月10日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.11485/itetr.33.56.0_21 　

ISSN： 1342-6893

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イメージセンサの高感度化のために,W(白)画素を導入して感度を高めたWRGBイメージセンサが報告されている.しかし,高感度なW画素により飽和性能が制限され,ダイナミックレンジが狭められていた.そこで,感度と飽和電荷量を独立に設計可能な横型オーバーフロー蓄積容量(LOFIC)技術を導入して,全色で高い感度を維持しながら色ごとに飽和電荷量を独立設計し,全色でほぼ等しい飽和光量を持たせてダイナミックレンジを狭めることなくW画素を導入したWRGB CMOSイメージセンサを開発し,従来RGBイメージセンサに比べての約2倍の実効感度と102-dBのダイナミックレンジを達成した.
大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価

藤澤孝文, 阿部健一, 渡部俊一, 宮本直人, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　109　(257)　31-36　2009年10月22日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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MOSFETの微細化,低ノイズデバイス作製のために,RTSノイズを抑制することが必要である.本報告では短時間で多数個のRTS特性が評価できる大規模アレイテスト回路を用いてRTS特性のゲートバイアス依存性を測定した.ゲートバイアスの減少に伴い,振幅は増大し,捕獲・放出時定数比は大きくなった.時定数比のゲートバイアス依存性から,絶縁膜中のトラップの分布について議論し,時定数比の抽出がトラップのエネルギー準位抽出に有用であることを示した.
Tribological study for low shear force CMP process on damascene interconnects (シリコン材料・デバイス)

Gu Xun, Nemoto Takenao, Sampurno Yasa Adi, CHENG Jiang, THENG Sian, TERAMOTO Akinobu, MATEO Ricardo Duyos, BORUCKI Leonard, ZHUANG Yun, PHILIPOSSIAN Ara, SUGAWA Shigetoshi, OHMI Tadahiro

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　109　(257)　21-26　2009年10月22日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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An Optimum Cu CMP process to reduce shear force by implementing asynchronous wafer-pad rotation rates with an optimum wafer suceptor and an improved groove-designed pad was achieved. Increasing the ratio of wafer rotation to pad rotation significantly reduces shear force and this leads to shorter required polishing time, while an optimum wafer suceptor contributes to improve removal uniformity for an uniform down pressure distribution on the wafer under asynchronous wafer-pad rotation condition. A new groove-designed pad was testified in order to decrease shear force.
n⁺‐,p⁺‐Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ

中尾幸久, 黒田理人, 田中宏明, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　109　(257(SDM2009 117-134))　1-6　2009年10月22日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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MOSFETにおけるソース・ドレイン電極の直列抵抗を低減するために、ソース・ドレイン領域に、低コンタクト抵抗を有するシリサイド/シリコンコンタクトを実現した。シリサイド形成のための金属材料としては電子、ホールに対するバリアハイトの低い仕事関数を有するEr、Pdをn^+、p^+-Siに対して選定した。シリサイド形成は大気にさらさず、メタル成膜前洗浄からアニール工程までN_2雰囲気で行った。さらに、低仕事関数金属であるErの酸化防止のため、キャップ金属にWを用いた。これらのシリサイドをMOSFETに適用し、直列抵抗低減により電流駆動能力向上を実現した。さらに、実現したシリサイドは、100nm以下の微細CMOSにおいても直列抵抗低減に有効であることを見出した。
デジタルカメラ用イメージセンサの最新動向

須川成利

日本写真学会誌　72　(4)　300-305　2009年8月
出版者・発行元：日本写真学会
DOI： 10.11454/photogrst.72.300 　

ISSN： 0369-5662
CDS-1-1 広ダイナミックレンジLOFIC CMOSイメージセンサ技術(CDS-1.高ダイナミックレンジ映像技術の最前線〜高ダイナミックレンジ化がもたらす映像システムの新たな展開〜,シンポジウムセッション)

須川成利

電子情報通信学会総合大会講演論文集　2009　(2)　"S-1"-"S-2"　2009年3月4日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
諏訪智之、荒谷崇、樋口正顕、須川成利、池角度分解光電子分光法によるシリコン窒化膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究

諏訪智之, 荒谷崇, 樋口正顕, 須川成利, 池永英司, 牛尾二郎, 野平博司, 寺本章伸, 大見忠弘, 服部健雄

第14回ゲートスタック研究会　117-120　2009年1月
高性能トランジスタのための低バリアハイト低抵抗コンタクト形成技術

田中宏明, 磯貝達典, 黒田理人, 中尾幸久, 諏訪智之, 後藤哲也, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

第20回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　32-39　2008年11月
Stress Induced Leakage Current と Random Telegraph Signal ノイズとの相関

熊谷勇喜, 寺本章伸, 阿部健一, 藤澤孝文, 渡部俊一, 諏訪智之, 宮本直人, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　108　(236)　57-62　2008年10月2日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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シリコン酸化膜にFowler-Noldheim (F-N)電子注入ストレスを印加した際の、stress-induced leakage current (SILC)と、random telegraph signalノイズの相関を、およそ8万個のn-MOSFETについて調査したので報告する。5.7nmの熱酸化膜に11MV/cmの定電界ストレスを印加すると、非常に大きなSILCを有するMOSFETの数と振幅の大きなRTSを有するMOSFETの数の両方が増加する。しかし、大きなSILCを有するMOSFETが、同時に振幅の大きなRTSも有しているとは限らないことがわかった。
Impact of fully depleted silicon-on-insulator accumulation-mode CMOS on Si(110) (シリコン材料・デバイス)

Tye Ching Foa, Cheng Weitao, Teramoto Akinobu, SUGAWA Shigetoshi, OHMI Tadahiro

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　108　(236)　51-55　2008年10月2日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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This paper demonstrates the characteristic of Accumulation-mode Fully Depleted Silicon-On-Insulator (Acc-FD-SOI) MOSFETs fabricated on Si(110). Acc-FD-SOI-nMOSFET's current drivability is 1.2 times higher than conventional Inversion-mode Fully Depleted Silicon-On-Insulator (Inv-FD-SOI) MOSFETs. The current drivability of nMOSFET and pMOSFET is perfectly equavelent by implementing Accumlation-mode device structure to nMOSFETs on Si(110). A novel CMOS inverter consisted of Inversion-mode pMOSFET and Accumulation-mode nMOSFET shows good characteristic and occupy only half of the area on silicon compared to conventional inverter fabricated on Si(100).
MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価

藤澤孝文, 須川成利, 渡部俊一, 阿部健一, 寺本章伸, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　108　(236)　45-50　2008年10月2日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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MOSFETのばらつきとランダム・テレグラフ・シグナル(RTS)ノイズを抑制するプロセス開発のためには、多数のMOSFETの電気的特性を測定することと、正確にRTSの現象を測定することが必要である。トラップのエネルギーと、トラップとSi/SiO_2界面からの距離を得るためには、RTSの時定数を統計的に正確に抽出することが必要である。本報告では、大規模評価アレイTEGを用いることにより、非常に多数のI_D-V_<GS>特性を短時間で測定する手法を示した。また、RTSの重要なパラメータである時定数を十分長い時間測定することにより正確に抽出する方法を示した.
角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界表面に形成される構造遷移送に関する研究

諏訪智之, 荒谷崇, 樋口正顕, 須川成利, 池永英司, 牛尾二郎, 野平博司, 寺本章伸, 大見忠弘, 服部健雄

電子情報通信学会技術研究報告　108　(236)　69-74　2008年10月
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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本研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励起角度分解光電子分光法による測定および解析を行った。検出深さが同じになるように放射光を調整しSi 2p、N 1s、O 1sからの光電子スペクトルの測定を行った。本研究で得られた主な結果を以下に示す。1)形成したシリコン窒化膜は1原子層のSi-(OH)_3Nで表面を覆われており、その面密度は、Si(100)やSi(110)に比べSi(111)では15%小さい。2)すべての面方位上のSi_3N_4/Si界面は組成遷移が急峻である。これは、3つのN原子と1つのSi原子が結合するSi原子が検出されなかった結果に基づいている。3)Si_3N_4/Si(110)界面におけるSi-H結合の数はSi_3N_4/Si(100)やSi_3N_4/Si(111)のそれに比べ38〜53%大きく、界面構造はシリコン基板の面方位に依存することを示している。
画像エレクトロニクス : 情報センシング

川人祥二, 高柳功, 高橋秀和, 須川成利, 三沢岳志, 太田淳, 浜本隆之, 大竹浩, 原田耕一, 小野田篤

映像情報メディア学会誌 : 映像情報メディア = The journal of the Institute of Image Information and Television Engineers　62　(8)　1189-1197　2008年8月1日
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.3169/itej.62.1189 　

ISSN： 1342-6907
大型液晶ディスプレイプロヘクトが切り拓く未来

大見忠弘, 須川成利

電子情報通信学会誌　91　(4)　316-340　2008年4月
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5693

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まさに人類の長い間の夢であった実物大のカラー高精細の動画像を,音声情報とともに実時間・双方向に,自由自在にやり取りできるユビキタスネットワーク社会の実現に必須の大型液晶ディスプレイを,高価な芸術品から世界中のだれもが買える産業製品に転換する大型国家プロジェクトが4年半にわたって展開され,目覚ましい成果を挙げて終了した.プロジェクトでは広範な技術分野の膨大な量の新産業技術創出のための研究開発が要求されたため,その全ぼうをすべて記述することは難しいが,本稿は,二つの国家プロジェクト,すなわち"大型液晶ディスプレイプロジェクト(2002〜2006年:経済産業省,産業技術総合研究所:153億円)とバックライトプロジェクト(2004〜2006年:経済産業省,NEDO : 19億円)"の成果の主要な概要と,その後の継続開発を紹介するものである.
大規模アレイTEGを用いた画素ソースフォロア相当のトランジスタのランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズの統計的解析

須川成利, 阿部健一, 藤澤孝文, 渡部俊一, 黒田理人, 宮本直人, 寺本章伸, 大見忠弘

映像情報メディア学会技術報告　32　(19(IST2008 8-18/CE2008 21-31))　9-12　2008年3月19日

ISSN： 1342-6893
微細MOSデバイスのランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路) 招待有り

須川成利

電子情報通信学会技術研究報告　32　(45)　95-100　2008年

DOI： 10.11485/itetr.32.45.0_95 　
アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価

藤澤孝文, 阿部健一, 須川成利, 黒田理人, 渡部俊一, 寺本章伸, 大見忠弘

第13回ゲートスタック研究会　143-148　2008年1月
Technologies for High Performance CMISFETs

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Rui Hasebe, Weitao Cheng, Syunichi Watabe, Ching Foa Tye, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

第19回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　50-55　2007年11月
SiON Gate Insulator Formation using RLSA Plasma and Precise Measuremant of Nitrogen Profile in Advanced DRAM

Shigemi Murakawa, Masashi Takeuchi, Minoru Honda, Shu-ichi Ishizuka, Toshio Nakanishi, Yoshio Hirota, Takuya Sugawara, Yoshitsugu Tanaka, Yasushi Akasaka, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

第19回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　11-16　2007年11月
ULSIにおけるMOSFETの電気的特性ばらつきとRandom Telegraph Signal Noise の大規模統計解析

阿部健一, 須川成利, 渡部俊一, 黒田理人, 藤澤孝文, 寺本章伸, 大見忠弘

第19回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　43-49　2007年11月
マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成

寺本章伸, 荒谷崇, 樋口正顕, 池永英司, 平山昌樹, 須川成利, 服部健雄, 大見忠弘

真空　50　(11)　659-664　2007年11月
先端DRAMでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について

村川惠美, 竹内政志, 本田稔, 石塚修一, 中西敏雄, 廣田良浩, 菅原卓也, 田中義嗣, 赤坂泰志, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　107　(245)　11-14　2007年10月
プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価

渡部俊一, 須川成利, 阿部健一, 藤澤孝文, 宮本直人, 寺本章伸, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　107　(245)　69-72　2007年9月27日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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新規に提案した大規模アレイTEGを用い、アンテナ比を変化させた多数個のMOSFETの電気的特性を統計的に評価した。アンテナ比の増加に伴い、I_d-V_<gs>特性劣化することを確認し、現状のプラズマプロセスがMOSFETの電気的特性に与える影響を明らかにした。また、アンテナ形成のプラズマプロセスに低電子温度のマイクロ波励起プラズマを用いることにより、プラズマダメージによるI_d-V_<gs>特性の劣化を抑制できることを示した。
High performance accumulation mode FD-SOI MOSFETs on Si(110) and (110) surfaces (シリコン材料・デバイス)

Cheng W., Teramoto A., Kuroda R., TYE C., WATABE S., SUWA T., GOTO T., IMAIZUMI F., SUGAWA S., OHMI T.

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　107　(245)　45-48　2007年9月27日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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We have been successful in realizing a very high performance novel balanced CMOS on Si(110) and high performance MOSFETs on Si(100) using accumulation-mode devices. We dramatically improve the oscillation performance using the novel accumulation mode FD-SOI balanced CMOS on Si(110) surface. This technology is very useful for realizing advanced high performance analog/digital mixed circuits.
大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価

阿部健一, 須川成利, 黒田理人, 渡部俊一, 寺本章伸, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　107　(245(SDM2007 170-193))　65-68　2007年9月27日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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非常に多数のMOSFETについて,それらの電気的特性及びランダム・テレグラフ・シグナル(RTS)特性を短時間で測定可能なTEGを開発し,これを用いたRTSの統計的な評価手法を提案する.この評価手法により,これまで発見が難しかったRTSの挙動を示すMOSFETを容易に探索することが可能となり,RTSノイズ評価に必要な時間を大幅に削減できる.この評価手法を用いた解析からRTSの出現頻度とノイズ強度はゲートサイズの縮小に伴って増大することがわかった.また,RTS出現頻度とノイズ強度は,ドレイン電流,バックゲートバイアス電圧に大きく依存して変化することがわかった.
プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造

寺本章伸, 荒谷崇, 樋口正顕, 池永英司, 野平博司, 須川成利, 大見忠弘, 服部健雄

シリコンテクノロジー　93　2-7　2007年6月
プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、電子帯構造

寺本章伸, 荒谷崇, 樋口正顕, 池永英司, 野平博司, 須川成利, 大見忠弘, 服部健雄

電子情報通信学会技術研究報告、　107　(85)　43-48　2007年6月
大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価

熊谷勇喜, 寺本章伸, 須川成利, 諏訪智之, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　107　(85)　27-32　2007年6月
UVラマン分光法によるラジカル窒化Si3N4/Si界面の評価

吉田哲也, 山崎浩輔, 小瀬村大亮, 掛村康人, 小椋厚志, 荒谷崇, 樋口正顕, 須川成利, 寺本章伸, 大見忠弘, 服部健雄

第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.2　28p-C-10　836　2007年3月
Siのラジカル窒化により形成したSi3N4/Si界面におけるサブナイトライドと価電子帯オフセット

荒谷崇, 樋口正顕, 須川成利, 池永英司, 野平博司, 丸泉琢也, 寺本章伸, 大見忠弘, 服部健雄

第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集No.2　28p-C-9　836　2007年3月
角度分解光電子分光法の新しい試み

荒谷崇, 樋口正顕, 須川成利, 池永英司, 野平博司, 寺本章伸, 大見忠弘, 服部健雄

第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集　28p-C-8　835　2007年3月
マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相堆積装置の開発と強誘電体

高橋一郎, 船岩清, 安曇啓太, 山下哲, 白井泰雪, 平山昌樹, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　106　(593)　33-37　2007年3月
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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低誘電率強誘電体材料であるSr_2(Ta_<1-x>,Nb_x)_2O_7(perovskite STN; x=0.3)は1トランジスタ型強誘電体メモリ素子である強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FET)デバイスへの応用に適している。Metal-ferroelectric-insulator-semiconductor(MFIS)構造FETの場合、強誘電体膜を絶縁膜の上に形成(結晶化)する必要がある。我々は絶縁膜をSiO_2とし、この上に所望とするペロブスカイトSTN相の形成を既に実現している。これはrfスパッタリングによるSTN膜の成膜と、マイクロ波励起プラズマ装置による強誘電体STN膜の酸素欠損を低減する酸素ラジカル照射プロセス(酸素ラジカル処理)の二つのプロセスの併用により実現している。本研究では、酸素ラジカルが大量に発生した雰囲気(マイクロ波励起プラズマ中)においてSTN膜の成膜が可能なMOCVD装置を開発したのでこれを報告する。
動作合成技術を用いたハードウエア/ソフトウエア自動分割技術

岩間大介, 宮本直人, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路　106　(550)　31-36　2007年2月28日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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本稿では、コンフィギャラブル・プロセッサにおけるハードウエア(HW)とソフトウエア(SW)の分割を、自動的に設計制御(実行時間・面積)に対して高い精度で行うハードウエア/ソフトウエア自動分割手法を提案する。提案するハードウエア/ソフトウエア自動分割機構は、C言語で記述されたソースコードとそのプロファイリング結果を入力とし、最適解探索アルゴリズムの一つであるFiduccia-Mattheyses法を用いてハードウエアとソフトウエアへの分割を行う。また、動作合成技術を用いてハードウエア化を行うことで短期間での設計の実現を目指す。
ノーマリオフAccumulation-Mode SOI ｎMOSFETにおけるHot Carrier Instabilityのメカニズム

黒田理人, 寺本章伸, Cheng Weitao, 須川成利, 大見忠弘

ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－第12回研究会　79-84　2007年2月
局所的ゲートリック電流の統計的評価によるフラッシュメモリのBit不良評価

熊谷勇喜, 須川成利, 諏訪智之, 宮本直人, 鎌田浩, 寺本章伸, 大見忠弘

ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－第12回研究会　73-78　2007年2月
SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成

田中康太郎, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　106　(417)　43-47　2006年12月7日
微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究

渡部俊一, 阿部健一, 須川成利, 寺本章伸, 大見忠弘

第18回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　45-48　2006年11月
大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O2/NOトンネル酸窒化膜の形成

諏訪智之, 熊谷勇喜, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

第18回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　39-44　2006年11月
Si(100), (110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性

荒谷崇, 樋口正顕, 濱田龍文, 寺本章伸, 服部武雄, 須川成利, 大見忠弘, 品川誠治, 野平博司, 池永英司

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　106　(277)　15-19　2006年9月28日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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Si(100),(110)面上にNH^*によるシリコンの直接窒化のSi_3N_4膜を有したMNSキャパシタのゲートリーク電流密度と界面準位密度を測定した。いずれの電気的特性においてもSi(110)面、(100)面上の窒化膜はほぼ同等の値を示した。一方、分解能が100meVのXPSを用いて(100),(110),(111)面におけるSi/Si_3N_4界面の構造を測定した。遷移状態である中間窒化状態の量は基板Siの面密度の逆数に比例するという結果が得られた。つまり、Siが密に詰まっている面方位であるほど遷移領域は少ない。これは、NH^*による直接窒化によってSi_3N_4側に圧縮の応力がかかるためであると考えられる。
大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成

諏訪智之, 熊谷勇喜, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　106　(277)　7-11　2006年9月28日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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トンネル酸化膜において非常に局所的で微小なゲートリーク電流がフラッシュメモリの電荷保持特性に影響を与えている。従来のゲートリーク電流の評価では、比較的面積の大きなMOSキャパシタを使い測定を行っている。そのため、局所的で微小なリーク電流を測定することは不可能である。本研究では、フラッシュメモリのビットエラーを引き起こす局所的で微小なゲートリーク電流を短時間で測定可能なTEGを開発し、数秒で6000セルのゲートリーク電流(〜10^<-16> A)に対し、統計的な評価を行った。さらに、本TEGを用いたストレス誘起リーク電流(SILC)の大規模統計評価を行い、Kr/O_2/NOガスを用いたプラズマ酸窒化がSILCや膜中の電荷トラップを低減したトンネル絶縁膜形成に有効であることを示す。
High Performance and Highly Reliable Novel CMOS Devices Using Accumulation Mode Fully Depleted SOI MOSFETs

Cheng W., Teramoto A., Kuroda R., GAUBERT P., TYE C., HIRAYAMA M., SUGAWA S., OHMI T.

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　106　(277)　57-61　2006年9月28日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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We demonstrate that the electron and hole mobilities are improved on both Si (100) and (110) surfaces using accumulation mode (AM) MOSFETs because of the bulk current and lower effective field in the same overdrive bias. Flicker noise characteristics are improved dramatically at AM MOSFETs compared with that at conventional inversion mode (IM) devices. Finally, we demonstrate the negative bias temperature instability (NBTI) characteristics in AM devices are improved about one decade compared with that in IM devices.
微細MOSトランジスタ特性の統計的ばらつき評価手法に関する研究

阿部健一, 渡部俊一, 須川成利, 寺本章伸, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　106　(277)　63-66　2006年9月28日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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MOSFETの電気的特性の統計的・局所的ばらつきを高速で測定するためのTEG (Test Element Group)を開発した。8inchウェハ面内で1ゲートサイズあたり22万個以上のn-MOSFETが8種類含まれるTEGを0.35μmテクノロジーで作成し,しきい値電圧の統計的ばらつきを求めた。その結果,しきい値電圧の標準偏差はゲート長Lおよびゲート幅Wの逆数の平方根にほぼ比例することを確認した。さらに,本TEGを用いることで,LSIの局所的欠陥の位置を容易に特定できることを確認した。
高機能高画質CMOSイメージセンサ用AD変換器

舘知恭, 須川成利, 小谷光司, 大見忠弘

平成18年東京大学大規模集積システム設計教育研究センター年報　184　2006年9月
高機能高画質CMOSイメージセンサ

舘知恭, 須川成利, 小谷光司, 大見忠弘

平成18年東京大学大規模集積システム設計教育研究センター年報　183　2006年9月
広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ技術

須川成利

映像情報メディア学会技術報告　30　(32)　25-32　2006年6月26日
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
SiC上に低温で形成されたゲート絶縁膜の電気的特性における残留カーボン依存性

田中康太郎, 田中宏明, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　106　(137)　155-159　2006年6月26日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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4H-SiCに形成されたMOS構造におけるゲート絶縁膜中の残留カーボンが電気的特性に与える影響を評価した。ゲート絶縁膜はマイクロ波励起高密度プラズマによるPECVD、NOラジカル酸窒化により形成した。4H-SiCを直接酸窒化するよりも、PECVDで形成した酸化膜をNOラジカルで酸窒化することにより界面固定電荷密度、界面準位密度が劇的に低減した。絶縁膜中の残留カーボンを低減することにより、電気的特性が改善されることが分かった。
直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性

樋口正顕, 品川誠治, 寺本章伸, 野平博司, 服部健雄, 池永英司, 須川成利, 大見忠弘, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　106　(108)　71-76　2006年6月14日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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Siの表面原子密度が異なるSi(100),Si(110),Si(111)の基板上にNHを用いて直接窒化することにより形成したシリコン窒化膜のSi_3N_4/Si界面に存在する中間窒化状態のSi原子密度を調べることにより、各面方位上でシリコン窒化膜/Si界面組成遷移層量の違いを明らかにた。シリコン窒化膜のSiの中間窒化状態は角度分解X線光電子分光法を用い、SPring8の軟X線ビームラインBU27SUにおいて1050eVのフォトンで励起したSi 2p光電子スペクトルを用い、エネルギー分解能100meVで測定した。それぞれの面方位のSi基板上に形成したSi_3N_4膜の中間窒化状態に存在するSi原子の面密度は、Si基板の表面原子密度が増加するほど減少し、もっとも多いSi(100)基板上で5.0×10^<14>/cm^2であり、1ML(モノレイヤー)以下であることがわかった。このことから、表面原子密度の高い面方位のSi基板上に形成したシリコン窒化膜ほど、サブナイトライドは少なく、急峻な組成変化が生じていることがわかった。これは、窒化中にシリコン窒化膜にかかる圧縮応力が、面密度が高い方がかかりにくいためと考えられる。
特許出願意思決定支援のための発明評価

加藤浩一郎, 石井和克, 須川成利

j情報管理　49　(3)　105-112　2006年6月
出版者・発行元：国立研究開発法人科学技術振興機構
DOI： 10.1241/johokanri.49.105 　

ISSN： 0021-7298

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本研究は，特許出願を行うかどうかを判断するための発明評価とその項目について，調査・研究を行い，発明の内容（分野）や企業，特許戦略等にかかわらず各社共通となる評価項目とその重要性を明らかにする。また，本研究は，この結果に基づいて，発明評価をできるだけ共通的かつ客観的に行うためには具体的にどのようにすればよいかを検討する。
横型オーバーフロー蓄積と電流読み出し動作を組み合わせたダイナミックレンジ200dB超のCMOSイメージセンサ

須川成利, 赤羽奈々, 龍崎梨絵, 足立理, 溝渕孝一

映像情報メディア学会技術報告　30　(25)　9-12　2006年3月24日
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
広ダイナミックレンジイメージセンサの最新動向

須川成利

映像情報メディア学会誌　60　(3)　299-302　2006年3月
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.3169/itej.60.299 　

ISSN： 1342-6907
Hole注入法によるNBTI寿命予測

渡辺一史, 寺本章伸, 黒田理人, 須川成利, 大見忠弘

ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－第11回研究会　367-372　2006年1月
NH*による直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性

樋口正顕, 品川誠治, 池永英司, 小林啓介, 野平博司, 寺本章伸, 服部健雄, 須川成利, 大見忠弘

ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－第11回研究会　97-102　2006年1月
湿式洗浄プロセスを経たSi(110)表面の原子構造観察

有馬健太, 加藤潤, 遠藤勝義, 赤堀浩史, 須川成利, 寺本章伸, 大見忠弘

ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－第11回研究会　19-24　2006年1月
Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発

寺本章伸, 渡辺一史, 黒田理人, 三富士道彦, 山葉隆久, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　105　(436(SDM2005 192-200))　13-18　2005年11月18日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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集積回路の信頼性問題において、pMOSFETにNegative Bias Temperature (NBT)ストレスを印加した場合に顕著に現れる劣化、つまりNegative Bias Temperature Instability (NBTI)について研究を行った。NBTI評価方法として高温・高電圧を用いる加速方法が一般的である。しかし、この手法で用いられる高温・高電圧はデバイスの実使用で用いられる温度・電圧より非常に大きいために過度な劣化を引き起こしている可能性がある。特に高電圧印加による加速は劣化メカニズムまでも変えてしまう可能性がある。そこで本研究では、ホール注入法を用いて劣化加速する方法を開発した。この方法は従来方法のような高電圧を使用しないので劣化を過大評価することはなく、本方法によりNBTストレスによる劣化メカニズムが明らかになった。提案する劣化メカニズムは理論的にも検証し、開発したホール注入法によって正確なNBTI寿命予測を実使用環境と全く同じ条件で行た。
特別寄稿デジタル化,そして再びアナログ的センスを--半導体集積回路技術の最前線

須川成利

デンソーテクニカルレビュー　10　(2)　3-9　2005年11月
出版者・発行元：デンソー
ISSN： 1342-4114
超清浄シリコン表面の形成

河瀬和雅, 梅田浩司, 井上真雄, 諏訪智之, 樋口正顕, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　105　(317)　19-24　2005年10月6日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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未制御酸化膜, 有機物, SiC, 水素(H)など, シリコン以外の不純物の無い超清浄なシリコン表面に, ラジカル酸化膜を形成することにより, リーク電流が低減された。未制御酸化膜形成防止の目的で用いた不活性ガス雰囲気中で, HF処理によりシリコン表面を終端しているHを, 熱もしくはラジカルイオン照射により除去すると, 生成したシリコンダングリングボンドが, 有機汚染と反応しSiCが形成される。一旦形成したSiCは酸化膜形成後も残存し, 絶縁特性を劣化させる。有機物汚染はクリーンルーム大気暴露時よりも, 酸化装置のロードロック室での減圧時が支配的である。大気圧下で不活性ガスに置換して, 処理室にウェーハを導入することにより, 有機汚染が低減されH除去時のSiC形成が防止された。
LC共振法による極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法

黒田理人, 寺本章伸, 小村政則, 渡辺一史, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　105　(318(SDM2005 180-191))　21-26　2005年9月30日

ISSN： 0913-5685
PELOC:動的再構成FPGA用自動配置配線ツール--フレキシブルプロセッサへの応用

宮本直人, 大川猛, Jamak Amir, アシュファクザマンカーン, 岩間大介, 関東弘明, 小谷光司, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　105　(287)　13-18　2005年9月15日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサの暗電流耐性とオーバーフロー特性

盛一也, 須川成利, 足立理

映像情報メディア学会技術報告　29　(40)　49-53　2005年7月
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
Impact of High Performance Accumulation-Mode Fully Depleted SOI MOSFETs

Cheng Weitao, Akinobu Teramoto, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

電子情報通信学会技術研究報告　105　(152)　59-62　2005年6月
NHラジカル用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度

樋口正顕, 小村政則, 寺本章伸, 品川盛治, 池永英司, 小林啓介, 野平博司, 須川成利, 服部健雄, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　105　(109)　7-10　2005年6月
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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NH^*を用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜(1.5nm)のSiの中間窒化状態(サブナイトライド)をSi 2pの光電子分光法を用いて調べることによりSi_3N_4/Si界面遷移構造を明らかにし、その電気的特性との関係を示す。サブナイトライドはサブオキサイドと同様にSi^<n+>(n=1〜3)からなる。直接窒化膜のサブナイトライドから求めた界面反応層の膜厚は1.29モノレイヤーであり、Si_3N_4/Si界面では急峻な組成変化が生じていることがわかった。また、成膜温度の異なるシリコン窒化膜のサブナイトライド量とCV測定を熱処理600℃、30分前後で比較した。成膜温度400℃で成膜したサンプルは熱処理前後においてサブナイトライド量が増加し、界面準位の増加が見られた。一方、成膜温度600℃で成膜したサンプルは熱処理前後においてサブナイトライド量に変化はなく、また、界面準位の増加はなかった。
横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ

須川成利, 赤羽奈々, 足立理, 盛一也, 石内敏之, 溝渕孝一

映像情報メディア学会技術報告　29　(24)　29-32　2005年3月18日
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
体験的キヤノン流特許活用術

須川成利

日経ビズテック　(5)　176-181　2005年3月
ホール注入を用いたＮＢＴＩ寿命予測方法

渡辺一史, 寺本章伸, 黒田理人, 須川成利, 大見忠弘

ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－第10回研究会　321-326　2005年1月
極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法

小村政則, 黒田理人, 渡辺一史, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－第10回研究会　249-254　2005年1月
Low temperature growth of oxynitride thin films using plasma techniques

Herzl Aharoni, Kazuo Ohtsubo, Yuji Saito, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

ISREAL PHYSICAL SOCIETY 50th Annual Meeting Physics Department, Technion-IIT　126　2004年12月
エレクトロニクス産業用クリーンルームの消火に適応したAr-Co2不活性ガス消火装置の開発と実用化

福田宗治, 大見忠弘, 須川成利

第16回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　35-42　2004年11月
RF回路設計のための大振幅モデル

渡辺一史, 小谷光司, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

シリコンテクノロジー　66　51-56　2004年11月
原子状酸素を用いた酸化処理による強誘電体STN薄膜の特性改善

磯貝達典, 高橋一郎, 桜井弘之, 後藤哲也, 平山昌樹, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　104　(336)　5-10　2004年10月14日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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高速・高集積性に優れるFET型強誘電体メモリが次世代の不揮発性半導体メモリとして注目されている。強誘電体STNは低比誘電率、低残留分極値、および水素雰囲気中で劣化しにくい等の特徴をもち、FET型強誘電体メモリ用強誘電体材料として有望である。しかしSTNは、成分元素として5価まで完全に酸化することが困難なla、Nbを含むことから、成膜した薄膜が酸素欠損を起こしやすいという欠点がある。我々は、マイクロ波励起高密度プラズマ中で大量に発生させた酸素ラジカルを用いてSTN薄膜を完全に酸化し、その特性を改善することに成功したので報告する。
列並列演算器を備えたリアルタイムオブジェクト抽出を行なう高機能高画質CMOSイメージセンサ

舘知恭, 須川成利, 千葉浩児, 小谷光司, 大見忠弘

映像情報メディア学会技術報告　28　(58)　33-36　2004年10月14日
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
MOSFETにおける１/ｆノイズ低減の研究

戸板真人, 須川成利, 寺本章伸, 大見忠弘

第18回ゆらぎ現象研究会抄録集　21-27　2003年11月
ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜 (特集プロセスクリーン化と新プロセス技術)

小村政則, 樋口正顕, 程イ涛, 大嶋一郎, 寺本章伸, 平山昌樹, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　103　(373)　39-41　2003年10月20日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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マイクロ波励起高密度プラズマで形成した100nm世代以下向けの直接シリコン窒化ゲート絶縁談の電気的特性を示す。プラズマ中の電子温度を低く抑え、プラズマダメージを極小にすることにより、TDDB特性がドライ酸化膜と比較して30000倍向上した。また400Kの温皮下において、C-V特性においてヒステリシスは観測されない。
ラジカル酸化によるPoly‐Si TFTの高性能化に関する研究

石井克治, 今泉文伸, 林朋彦, 寺本章伸, 平山昌樹, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　103　(373(SDM2003 161-168))　9-12　2003年10月20日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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Poly-Si TFTへの従来の1000℃程度の高温でのゲート酸化膜形成は、酸化の面方位依存性があり、高温でのグレイン成長が発生する。その結果、ゲート酸化膜/Poly-Si界面の界面準位の増加、表面ラフネスの増大を引き起こしてしまいPoly-Si TFTの性能を劣化させてしまう.本研究ではマイクロ波励起高密度プラズマを用いたラジカル酸化により、400℃の低温で高品質なゲート絶縁膜の形成に成功し、Poly-Si TFTの高性能化を実現した.
MOSFETにおける1/fノイズ低減の研究

戸板真人, 須川成利, 寺本章伸, 大見忠弘

第14回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　21-27　2003年10月
インテリジェント・ヒューマン・インターフェース

舘知恭, 千葉浩児, 小谷光司, 須川成利, 大見忠弘

東京大学大規模集積システム設計教育研究センター年報　137　2003年10月
リアルタイムオブジェクト分離を行なう高機能CMOSイメージセンサ

須川成利, 舘知恭, 千葉浩児, 赤羽奈々, 小谷光司, 大見忠弘

映像情報メディア学会技術報告　33-36　2003年10月
X線リソグラフィー使用100ｎｍ加工の300ｍｍウエハ供給

古村雄二, 柳田公雄, 須川成利, 大見忠弘

次世代リソグラフィーワークショップ予稿集　2003年7月
プラズマ酸化;窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響

樋口正顕, 諏訪智之, 大嶋一郎, 程イ涛, 寺本章伸, 平山昌樹, 須川成利, 大見忠弘

薄膜・表面物理学会／シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会　297-302　2003年1月
A New Profitable Stage-Investment Type Fab Model for a System LSI Era

Yoshio Yamazaki, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

第13回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　3-5　2002年11月
段階投資型半導体製造施設の研究

山崎喜郎, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　102　(416)　27-29　2002年10月22日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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システムLSI製造に適した次世代のユニット式ミニファブモデルについて紹介する.このファブモデルの特徴は,プロセスユニット,補機ユニット,搬送部ユニット等の各機能別にユニット化していることである.そのモデルの適用により,設計および施工期間の短縮が図れ,その結果マーケットニーズに即したタイムリーな設備投資が可能となる.また大規模投資ではなく小規模な段階的な投資にも有利になり,投資リスクの軽減にも繋がる.
プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響

樋口正顕, 諏訪智之, 大嶋一郎, 程 ?涛, 寺本章伸, 平山昌樹, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　102　(415)　19-26　2002年10月21日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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マイクロ波励起高密度プラズマによって、400℃の低温で、熱酸化膜をもしのぐ膜質の高品質ゲート絶縁膜(SiO_2、Si_3N_4)の形成が実現されている。この膜中にプラズマ中に存在する希ガスが残留していることを明らかにするとともに、またマイクロ波励起高密度プラズマによって形成された酸化膜及び酸窒化膜、窒化膜の膜中に残留するKrの熱処理による挙動とそれが膜成長、電気的特性に与える影響を明らかにした。
シリコン(100)面の原子オーダー平坦化における1/fノイズ低減効果

田中康太郎, 渡辺一史, 石野英明, 須川成利, 寺本章伸, 平山昌樹, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　102　(415)　33-37　2002年10月21日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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原子オーダーで平坦化されたシリコン/シリコン酸化膜界面の形成はn-MOSFETのl/fノイズの低減に有効である。(100)面上で<010>方向に4°offしてカットされたシリコン上のシリコン酸化膜をHF/HCl溶液を用いた低pH溶液でウエットエッチングを行う。それによりシリコン表面を原子オーダーで平坦化することが可能である。さらにKr/O_2を混合した高密度マイクロ波励起プラズマ中に生成されたラジカルで酸化することによってより平坦な界面が実現される。これらの技術により界面ラフネスが改善され、シリコン/シリコン酸化膜界面のトラップ密度は低減される。それにより従来のプロセスよりもl/fノイズが劇的に低減された。
1/200の圧縮率を実現する演算の省略機能を備えた適応解像度ベクトル量子化プロセッサ

藤林正典, 野澤俊之, 中山貴裕, 望月健司, 譽田正宏, 小谷光司, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　102　(234)　17-21　2002年7月
マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究

程〓涛, 大嶋一郎, 島田浩行, 小野泰弘, 平山昌樹, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　102　(133)　13-18　2002年6月13日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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マイクロ波励起高密度プラズマによる直接窒化を用いて、400℃の低温でSi_3N_4ゲート絶縁膜を形成し、TaNx金属ゲート電極MNSキャパシタを作成したところ、EOT=1.25nmまで良好の電気的特性を得ることが出来た。GIXR解析法とTEM写真両方から良好な界面特性を確認した。定電圧TDDB寿命はシリコン酸化膜と比較して30倍以上向上した。さらに,プラズマ励起ガスをArからKrに変えることにより、TDDB寿命が3倍以上向上することを確認した。
半導体製造技術復権への道を拓くマイクロ波励起高密度プラズマ技術

須川成利, 大見忠弘

文部科学省特定領域研究(A)「超機能化グローバル・インテグレーション研究」公開シンポジウム講演予稿集　1-2　2002年3月
小規模生産ラインとクリーン化技術

大見忠弘, 須川成利, 岸田好晴

空気清浄　39　(5)　4-15　2002年1月31日
出版者・発行元：日本空気清浄協会
ISSN： 0023-5032
画像圧縮用ベクトル量子化プロセッサ

野澤俊之, 藤林正典, 中山貴裕, 譽田正宏, 小谷光司, 須川成利, 大見忠弘

計測と制御 = Journal of the Society of Instrument and Control Engineers　40　(12)　897-901　2001年12月10日
出版者・発行元：計測自動制御学会
ISSN： 0453-4662
Comparative examination of thin gate oxide films

Herzl Aharoni, Yuji Saito, Kazuo Ohtsubo, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

The 47th Meeting of the Israel Physical Society(IPS 2001)　47　33　2001年12月
Deposition of high quality silicon oxide films by Kr/O2/SiH4high-density and low ions energy plasma at low temperature(400℃)

Chuan Jie Zhong, Hiroaki Tanaka, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

第12回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　41-47　2001年11月
半導体工場におけるエネルギー削減技術に関する研究＝真空断熱材の使用によるクリーンルーム空調設備負荷の低減＝

末永修, 須川成利, 大見忠弘, 太田与洋, 大村高弘

第12回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　57-64　2001年11月
微細素子分離上に形成するトンネル酸化膜の高信頼性化技術

上田直樹, 山内祥光, 斉藤祐司, 平山昌樹, 須川成利, 大見忠弘

第12回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　49-56　2001年11月
減圧装置内での有機物汚染挙動及び酸化膜耐圧への影響

林輝幸, 鈴木要, 斉藤美佐子, 須川成利, 大見忠弘

第12回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング　33-39　2001年11月
ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム

中山貴裕, 野澤俊之, 藤林正典, 望月健司, 譽田正宏, 小谷光司, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路　101　(386)　47-52　2001年10月19日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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300分の1の圧縮率を超えても画像品質の劣化を抑制できる静止画像圧縮アルゴリズムをベクトル量子化技術を基に開発した.さらに, そのアルゴリズムを並列処理により高速に実行し, 最大2048個のパターンを用いて実時間でエンコードを行えるプロセッサを開発した.このプロセッサは1600×2400画素のフルカラー画像(A4, 200dpi相当)を約1秒で圧縮可能である.また, 開発したプロセッサを搭載した静止画像圧縮システムを開発し, 開発した静止画像圧縮手法の実用化実証試験を行える環境を整えた.
真空装置内での有機物汚染挙動

林輝幸, 鈴木要, 斉藤美佐子, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　101　(350)　23-27　2001年10月9日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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減圧での有機物吸着挙動を把握するために、減圧下と大気圧雰囲気での、シリコンウェーハへの有機物の吸着量の比較した。これにより、シリコンウェーハへの吸着量および吸着速度は、減圧下では著しく増加するという現象を見出した。また、この現象は、減圧下での有機物のモル分率に起因していることが分かった。減圧下での吸着モデルは、ラングミア単層吸着モデルに従うことが分かった。
フレキシブルプロセッサ（24×20モジュール搭載版）

堺谷智, 小谷光司, 須川成利, 大見忠弘

東京大学大規模集積システム設計教育研究センター年報　136　2001年8月
フレキシブルプロセッサ（24×20モジュール搭載版）

堺谷智, 小谷光司, 須川成利, 大見忠弘

東京大学大規模集積システム設計教育研究センター年報　128　2001年8月
低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFET

大嶋一郎, 島田浩行, 中尾慎一, 程イ涛, 小野泰弘, 平山昌樹, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　101　(247)　71-76　2001年7月27日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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450℃以下の低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/bcc-Ta/TaNxゲート電極・Si_3N_4ゲート絶縁膜MNSFETを開発した。ゲート絶縁膜であるSi_3N_4は高密度プラズマを用いた直接窒化により形成した。またゲート電極はbcc-Ta(〜15μΩcm)/TaNx(bcc-Ta/TaNx)を用いてシート抵抗は1Ω/□以下である。金属ゲート電極とゲート絶縁膜界面での反応を抑えるためにソース・ドレインの活性化アニールは450℃でおこなった。本発表では、450℃以下の低温プロセス、従来型ゲート電極構造を用いた完全空乏型SOIMNSFETを試作したので、それに関して報告する。
平面集積から三次元集積へ

大見忠弘, 須川成利

第19回ＢＯＣＥＤＷＡＲＤＳ半導体セミナー講演集　83-99　2001年6月
低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxメタルゲートFDSOI-CMOS技術

島田浩行, 大嶋一郎, 中尾慎一, 中川宗克, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　100　(477)　23-30　2000年11月23日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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窒タンタル(TaNx)バッファ層にした、低温プロセスを特徴とするタンタルメタルゲート技術を開発した。TaNxバッファ層は低抵抗(〜15μΩcm)な体心立方(bcc)相の金属タンタル層をヘテロエピタキシーさせるシード層となる。今回、TaNx/bcc-Ta/TaNx積層ゲート電極(<1Ω/□)を使ったメタルゲートFDSOI-CMOSを試作したところ、良好な特性を得ることができた。更に、マイクロ波励起高密度プラズマによる直接窒化シリコン膜をゲート絶縁膜に使ったトランジスタについても試作したので合わせて報告する。
CMOSイメージセンサ技術

須川成利

電子情報通信学会技術研究報告. EID, 電子ディスプレイ　100　(403)　1-6　2000年10月25日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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ここ数年の間にCMOS技術を用いたCMOSイメージセンサの画質改善が様々な努力により着実に進んできた。さらに進化を続けるCMOSイメージセンサ、特に撮像用CSOMイメージセンサについて、さらなる微細化、周辺回路オンチップ化行う際の開発課題を議論し、今後のイメージセンサ技術について概観する。
マイクロ波励起高密度Kr/O_2/N_2プラズマを用いたシリコン酸窒化膜の低温形成

大坪和雄, 斉藤祐司, 関根克行, 平山昌樹, 須川成利, AHARONI Herzl, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　100　(373)　35-40　2000年10月12日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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マイクロ波励起高密度Kr/O_2/N_2混合プラズマを用いて、シリコン表面の直接酸窒化を400℃という低温で行った。Kr/O_2/N_2混合プラズマを用いて酸窒化膜を形成することにより、従来の熱酸化膜やKr/O_2プラズマを用いて形成した酸化膜よりも低いストレス誘起リーク電流(Stress-Induced Leakage Current : SILC)、高いCharge-to-Breakdown(Q_BD)値が得られた。Kr/O_2プラズマにN_2を導入することにより、Kr/O_2プラズマによる酸化膜よりも、電気的特性の向上が可能である。
バランスト電子ドリフトマグネトロンプラズマを用いたダメージフリーエッチング技術

海原竜, 平山昌樹, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　100　(373)　9-14　2000年10月12日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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新たにSiO_2エッチング装置としてバランスト電子ドリフト(BED)マグネトロンプラズマ装置を開発した。ママグネトロンプラズマにおいてプラズマの不均一の原因であるExBドリフトを新たに上部リング状電極を設置し、100MHzを印加することで均一なプラズマを得ることが可能となっている。さらにBEDマグネトロンプラズマを利点として下地シリコン基板へのダメージを抑えることが可能であるという点である。Xeを用いたエッチングガスでエッチングを行うことでカーボン比の高いフロロカーボン膜によりシリコン表面を保護することが可能であることが分かった。Xeガスを用いたBEDマグネトロンエッチング装置を用いることでエッチング後の数十工程のダメージ層除去を省略可能となる
連載[マニュファクチャリング] 製造技術に学問の導入を提言（3）強誘電体、高誘電率膜を徹底利用へＬＳＩの付加価値高める基盤技術

大見忠弘, 須川成利, 平山昌樹, 白井泰雪

日経マイクロデバイス　(184)　170-173　2000年10月
高性能ポリシリコントランジスタの低温製造技術

大見忠弘, 須川成利, 斉藤祐司, 田中宏明

第61回応用物理学会学術講演会予稿集　53　2000年9月
連載[マニュファクチャリング] 製造技術に学問の導入を提言（2）小規模生産ラインを可能にする装置技術､8項目を提案

大見忠弘, 須川成利, 平山昌樹

日経マイクロデバイス　(183)　186-189　2000年9月
連載[マニュファクチャリング] 製造技術に学問の導入を提言(1) システムＬＳＩ、ディスプレイ、太陽電池デバイス技術を塗り替える

大見忠弘, 須川成利, 平山昌樹

日経マイクロデバイス　(182)　213-220　2000年8月
金属汚染･表面損傷を伴わない高密度プラズマを用いた低温高品質成膜技術

大見忠弘, 須川成利, 平山昌樹, 斉藤祐司, 田中宏明

日本学術振興会第17回薄膜スクール資料　105-111　2000年7月
半導体産業復活のシナリオ

大見忠弘, 須川成利

第18回大阪酸素半導体セミナー－グローバルネットワーク時代の半導体産業－　69-80　2000年6月
製造技術に学問の導入を提言２１世紀を見すえた新デバイス・新生産方式を提案

大見忠弘, 須川成利, 平山昌樹, 白井泰雪

日経マイクロデバイス　(180)　177-182　2000年6月
家庭内ネットワークの鍵を握るＬＳＩ高性能化

大見忠弘, 須川成利

実践技術ジャーナル　(1)　45-58　2000年5月
低エネルギーイオン照射低温シリコン成膜技術

大見忠弘, 須川成利, 平山昌樹

第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集　17　2000年3月
新規ノイズ除去回路を搭載したCMOSエリア型オートフォーカスセンサ

高橋秀和, 篠原真人, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路　99　(315)　21-28　1999年9月20日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
Integration of Image Input and Signal Process in BASIS

Shigetoshi Sugawa, Mahito Shinohara

6th Microelectronics Conference　43-50　1995年11月
３１万画素バイポーライメージセンサ（ＢＡＳＩＳ）

田中信義, 橋本誠二, 篠原真人, 須川成利, 森下正和, 松本繁幸, 中村佳夫, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告　79-86　1989年9月

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書籍等出版物 8

The Micro-World Observed by Ultra High-Speed Cameras: We See What You Don’t See

Shigetoshi Sugawa

Springer　2017年9月
写真の辞典

須川成利

日本写真学会　2014年9月
画像入力とカメラ

寺西信一, 須川成利

オーム社　2012年6月25日
知識ベース

原島博

電子情報通信学会　2011年3月16日
デジタルカメラの最先端技術

竹村裕夫, 須川成利

株式会社技術情報協会　2004年10月29日
エネルギーを考える

斉藤浩海, 須川成利

東北大学出版会　2004年4月
新しい半導体製造プロセスと材料

大見忠弘, 須川成利

株式会社シーエムシー　2000年5月31日
家庭用ネットワークの周辺機器技術とセキュリティ

羽島光俊, 須川成利他

ミマツコーポレーション　2000年5月

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実践技術ジャーナルNo．1

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講演・口頭発表等 45

高性能コヒーレント軟X線回折イメージセンサsxCMOSの開発

須川成利

PF研究会　2022年1月13日
先端軟X線科学への基幹技術, 軟X線検出CMOSイメージセンサsxCMOSの開発

須川成利

ISSP Workshop 2021　2021年3月4日
CMOSイメージセンサの感度・飽和・撮影速度・分光感度帯域性能の追究

須川成利

映像情報メディア学会創立70周年記念大会　2020年12月22日
CMOS イメージセンサの広ダイナミックレンジ・高速・広分光感度性能の追究

須川成利

電気化学会半導体・集積回路技術シンポジウム　2020年9月15日
軟Ｘ線検出CMOSイメージセンサ

須川成利

第33回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム　2020年1月12日
A 20Mfps Global Shutter CMOS Image Sensor with Improved Sensitivity and Power Consumption 国際会議

Rihito Kuroda, Tohru Takeda, Fan Shao, Ken Miyauchi, Yasuhisa Tochigi

2015 International Image Sensor Workshop　2015年6月8日
高速CMOSイメージセンサによる1000万コマ/秒の撮影

須川成利

応用物理学会　2014年12月19日
極限イメージングの現在とその将来動向

新井康夫, エネ研, 香川景一郎, 土屋敏章, 黒田理人

映像情報メディア学会情報センシング研究会　2014年7月3日
20Mfpsの撮像速度を有する超高速CMOSイメージセンサの画素構造

映像情報メディア学会情報センシング研究会　2014年3月14日
広ダイナミックレンジLOFIC CMOSイメージセンサの最近の技術展開

次世代画像入力ビジョンシステム部会　2013年6月5日
CMOSイメージ・センサ実践基礎

日経NEアカデミー　2013年4月26日
超高速ビデオ撮像素子技術

映像情報メディア学会情報センシング研究会　2013年3月22日
Ultra High Speed Imaging 国際会議

International Solid-State Circuits Conference　2013年2月21日
Recent Trend on Wide Dynamic Range Image Sensor Technologies 国際会議

Technology Front of Optical Design and Imaging for DSC　2013年1月31日
Achievement, Issues, and next steps of CMOS image sensors 国際会議

PIXEL 2012　2012年9月3日
高速CMOSイメージセンサによる毎秒1000万コマ以上の撮影

映像情報メディア学会年次大会　2012年8月29日
イメージセンサ技術の最新動向について

次世代パワー・アナログ・センサデバイス研究会オープンセミナー　2012年8月24日
高速CMOSイメージセンサと100万～1000万コマ/秒を超える撮影

映像情報家ディア学会情報センシング研究会　2012年7月27日
バースト1Tpixel/sと連続780Mpixel/sの撮像速度を有するグローバルシャッター高速CMOSイメージセンサ

画像入力ビジョンシステム部会　2012年4月10日
バースト10Mfpsと連続10Kfpsの撮像速度を有する高速CMOSイメージセンサのプロトタイプ試作評価

映像情報メディア学会情報センシング研究会　2011年5月13日
イメージセンサの高感度化・低ノイズ化の技術動向

映像情報メディア学会情報センシング研究会　2009年12月11日
The Dynamic-Range Enhancement Technologies for CMOS Image Sensors

Shigetoshi Sugawa

International Conference on Solid State Devices and Materials　2008年9月25日
Wide Dynamic Range on System Level

Shigetoshi Sugawa

International Solid-State Circuits Conference, Imager Design Forum　2008年2月3日
Recent Progress on Wide Dynamic Range CMOS Image Sensor

Shigetoshi Sugawa

International Display Workshops　2007年12月5日
広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ技術

映像情報メディア学会技術報告　2006年6月
横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ

須川成利, 赤羽奈々, 足立理, 盛一也, 石内敏之, 溝渕孝一

映像情報メディア学会情報センシング研究会　2005年3月18日
固体撮像素子の現状と展望 -雑音電子1個との戦い-

熊本大学拠点形成研究B公開シンポジウムナノスペース電気化学シンポジウム　2005年3月15日
領域分割イメージセンサ

次世代画像入力ビジョンシステム部会　2004年3月15日
CCD/CMOSの比較検討

日本光学会　2004年1月19日
リアルタイムオブジェクト抽出を行う高機能CMOSイメージセンサ

須川成利, 舘知恭, 千葉浩児, 赤羽奈々, 小谷光司, 大見忠弘

映像情報メディア学会情報センシング研究会　2003年10月16日
大画面液晶ディスプレイ駆動回路製造技術の革新

日本液晶学会　2003年10月14日
SoC時代の小規模短期間半導体生産方式

応用物理学会　2002年3月28日
マイクロ波励起プラズマによる窒化膜ゲートトランジスタ

シリコン超集積化システム第１６５委員会　2002年2月
マイクロローディング効果及びエッチィングダメージを抑制した新規コンタクトホール形成技術

VLSI Forum　2001年10月23日
高密度プラズマ製膜技術

UCT シンポジウム　2001年9月22日
21世紀の半導体生産方式

品質工学会　2001年5月
マイクロ波励起プラズマによるポリシリコン低温酸化技術

応用物理学会　2001年3月29日
次世代半導体技術の展望

大阪大学COE　2001年3月7日
CMOSイメージセンサ技術

次世代画像入力・ビジョンシステム部会　2001年1月25日
CMOSイメージセンサ技術

電子情報通信学会技術研究報告　2000年11月1日
バランスト電子ドリフトマグネトロンプラズマを用いたダメージフリーエッチング

海原竜, 平山昌樹, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会　2000年10月19日
高性能ポリシリコントランジスタの低温製造技術

第６１回応用物理学会学術講演会　2000年9月6日
金属汚染・表面損傷を伴わない高密度プラズマを用いた低温高品質成膜技術

薄膜131委員会　2000年7月1日
低エネルギーイオン照射低温シリコン製膜技術

応用物理学会　2000年3月28日
新規ノイズ除去回路を搭載したCMOSエリア型オートフォーカスセンサ

高橋秀和, 篠原真人, 須川成利

電子情報通信学会集積回路研究会　1999年9月20日

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産業財産権 334

容量検出エリアセンサ及び、その容量検出エリアセンサを有する導電パターン検査装置

須川成利, 黒田理人, 後藤哲也, 羽森寛, 村上真一, 安田俊朗

特許7157423

産業財産権の種類: 特許権
光センサ及びその信号読み出し方法並びに固体撮像装置及びその信号読み出し方法

須川成利, 黒田理人, 若嶋駿一

特許6948074

産業財産権の種類: 特許権
光センサ装置

塚越功二, 須川成利, 黒田理人

特許6886307

産業財産権の種類: 特許権
時分割分光イメージング分析システム及び時分割分光イメージング分析方法

須川成利, 藤掛英夫, 石鍋隆宏, 黒田理人, 若生一広

特許6860772

産業財産権の種類: 特許権
固体光検出器

須川成利, 黒田理人, 柄澤朋宏, 廣瀬竜太, 古宮哲夫, 森谷直司

特許6809717

産業財産権の種類: 特許権
受光デバイスおよび受光デバイスの信号読み出し方法

須川成利, 黒田理人

特許6671715

産業財産権の種類: 特許権
信号処理方法

須川成利, 黒田理人

特許第5958980号

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

須川成利

5885217

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

須川成利, 赤羽奈々, 足立理

特許5764784号

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

須川成利, 赤羽奈々, 足立理

特許5764783号

産業財産権の種類: 特許権
分光計測用フォトダイオードアレイ及び分光計測装置

冨永秀樹, 廣瀬竜太, 田窪健二, 須川成利, 黒田理人

5892567

産業財産権の種類: 特許権
Photodiode array for spectrometric measurements and spectrometric measurement system

Hideki Tominaga, Ryuta Hirose, Kenji Takubo, Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda

9,429,471

産業財産権の種類: 特許権
配線構造体、配線構造体を備えた半導体装置及びその半導体装置の製造方法

須川成利, 寺本章伸, 黒田理人, 谷 ▲クン▼

特許第5930416号

産業財産権の種類: 特許権
フォトダイオード及びその製造方法、フォトダイオードアレイ、分光光度計、並びに固体撮像装置

須川成利, 黒田理人

特許5692880号

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像素子及びその駆動方法

須川成利, 冨永秀樹, 田窪健二, 近藤泰志

特許5733536号

産業財産権の種類: 特許権
ＳＯＩ基板のエッチング方法及びＳＯＩ基板上の裏面照射型光電変換モジュールの作製方法

大見忠弘, 大橋朋貢, 吉川和博, 吉田達朗, 内村徹平, 添田一喜, 須川成利

特許第5565735号

産業財産権の種類: 特許権
露光装置および露光方法

須川成利, 森本達郎, 小坂光二

特許5697188号

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像素子

近藤泰志, 冨永秀樹, 田窪健二, 廣瀬竜太, 須川成利, 武藤秀樹

特許第5674350号

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image sensor for capturing high-speed phenomena and drive method for the same

Shigetoshi Sugawa, Yasushi Kondo, Hideki Tominaga

9,420,210

産業財産権の種類: 特許権
Light-receiving device and method for reading out signal of light-receiving device

Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda

特許11,343,458,

産業財産権の種類: 特許権
Optical sensor, signal reading method therefor, solid-state imagingdevice, and signal reading method therefor

Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda, Shunichi Wakashima

特許10,154,222

産業財産権の種類: 特許権
Optical sensor device

Koji Tsukagoshi, Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda

特許10,794,760

産業財産権の種類: 特許権
Optical sensor and signal readout method therefor, and solid-state image pickup device and signal readout method therefor

Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda, Shunichi Wakashima

特許10,720,467

産業財産権の種類: 特許権
Optical gas concentration measuring method by forming a differential signal using lights with different absorbabilities to a raw material in a gas flow path using a time-sharing method

Masaaki Nagase, Kouji Nishino, Nobukazu Ikeda, Michio Yamaji, Shigetoshi Sugawa, Rihito Kurodo

特許10,408,742,

産業財産権の種類: 特許権
光センサ及びその信号読み出し方法並びに固体撮像装置及びその信号読み出し方法

須川成利, 黒田理人

特許6085733

産業財産権の種類: 特許権
Optical sensor and solid-state imaging device, and signal reading methodstherefor

Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda, Shunichi Wakashima

特許10,200,641

産業財産権の種類: 特許権
Photodiode and method for producing the same, photodiode array,spectrophotometer and solid-state imaging device

Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda

特許9,568,364

産業財産権の種類: 特許権
濃度測定方法

須川成利, 黒田理人

特許6249427

産業財産権の種類: 特許権
Concentration measuring method

Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda

特許10,241,034

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state light-receiving device for ultraviolet light

Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda

特許10,553,626

産業財産権の種類: 特許権
紫外光用固体受光デバイス

須川成利, 黒田理人

特許6222640

産業財産権の種類: 特許権
光学的濃度測定方法

須川成利, 黒田理人

特許6344829

産業財産権の種類: 特許権
Optical concentration measuring method

Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda

特許10,324,028

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup apparatus

Shigetoshi Sugawa, Nana Akahane, Satoru Adachi

9264637

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup apparatus

Shigetoshi Sugawa, Nana Akahane, Satoru Adachi

9294698

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state imaging device having plural reset devices for resetting signal lines

Shigetoshi Sugawa

9,338,378

産業財産権の種類: 特許権
Etching method

Takeshi Sakai, Tatsuro Yoshida, Kazuhiro Yoshikawa, Shigetoshi Sugawa

9190337

産業財産権の種類: 特許権
Semiconductor device and method of manufacturing the same

Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa

9153658

産業財産権の種類: 特許権
紫外光用固体受光デバイス

須川成利, 黒田理人

特許6416079

産業財産権の種類: 特許権
Solid light-receiving device for UV light

Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda

特許10,126,166

産業財産権の種類: 特許権
相補型ＭＩＳ装置の製造方法

大見忠弘, 小谷光司, 須川成利

特許2013-35741

産業財産権の種類: 特許権
Analog-to-digital converter and solid-state imaging device

Shigetoshi Sugawa

US8,963,760B2

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state imaging device

Shigetoshi Sugawa

9137469

産業財産権の種類: 特許権
半導体物品のエッチング方法

酒井健, 吉田達朗, 吉川和博, 須川成利

特許5565718

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state imaging device

Tomoya Yoneda, Shigetoshi Sugawa, Toru Koizumi, Tetsunobu Kochi

8,416,473

産業財産権の種類: 特許権
エッチング方法

酒井健, 吉田達朗, 吉川和博, 須川成利

特許5534494

産業財産権の種類: 特許権
Photodiode and method for producing the same, photodiode array, spectrophotometer and solid-state imaging device

Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda

9214489

産業財産権の種類: 特許権
Solid state image pickup device and manufacturing method therefor

Toru Koizumi, Shigetoshi Sugawa, Isamu Ueno, Tetsunobu Kochi, Katsuhito Sakurai, Hiroki Hiyama

8,395,193

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

須川成利

特許5500660

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup device and method of resetting the same

Toru Koizumi, Shigetoshi Sugawa, Tetsunobu Kochi

US9,083,901B2

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

須川成利

特許5448207

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

須川成利

特許5548208

産業財産権の種類: 特許権
シリコン酸化膜の形成方法，シリコン窒化膜の形成方法，シリコン酸窒化膜の形成方法

大見忠弘, 須川成利

特許5479437

産業財産権の種類: 特許権
Method of etching backside Si substrate of SOI substrate to expose SiO.sub.2 layer using fluonitric acid

Tadahiro Ohmi, Tomotsugu Ohashi, Kazuhiro Yoshikawa, Tatsuro Yoshida, Teppei Uchimura, Kazuki Soeda, Shigetoshi Sugawa

9240505

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state imaging device

Tomoya Yoneda, Shigetoshi Sugawa, Toru Koizumi, Tetsunobu Kochi

特許8248677

産業財産権の種類: 特許権
Solid state image sensor and method for driving the same

Shigetoshi Sugawa, Hideki Tominaga, Kenji Takubo, Yasushi Kondo

US9,030,582B2

産業財産権の種類: 特許権
窒化膜の形成方法，酸窒化膜の形成方法

大見忠弘, 須川成利

特許5386515

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state imaging device

Tomoya Yoneda, Shigetoshi Sugawa, Toru Koizumi, Tetsunobu Kochi

7936487

産業財産権の種類: 特許権
Test circuit, wafer, measuring apparatus, measuring method, device manufacturing method and display apparatus

Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto

特許7965097

産業財産権の種類: 特許権
Electronic device identifying method and electronic device comprising identification means

Toshiyuki Okayasu, Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto

特許8093918

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image sensor

Yasushi Kondo, Hideki Tominaga, Kenji Takubo, Ryuta Hirose, Shigetoshi Sugawa, Hideki Mutoh

8,530,947

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image sensor

Yasushi Kondo, HIdeki Tominaga, Kenji Takubo, Ryuta Hirose, Shigetoshi Sugawa, HIdeki Mutoh

8530947

産業財産権の種類: 特許権
Solid state image pickup device and manufacturing method therefor

Toru Koizumi, Shigetoshi Sugawa, Isamu Ueno, Tesunobu Kochi, Katsuhito Sakurai, Hiroki Hiyama

特許8138528

産業財産権の種類: 特許権
MIS transistor and CMOS transistor

Takefumi Nishimuta, Hiroshi Miyagi, Tadaihiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto

8,314,449

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup device and method of resetting the same

Toru Koizumi, Shigetoshi Sugawa, Tetsunobu Kochi

8120682

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像素子及びその駆動方法

須川成利, 近藤泰志, 冨永秀樹

特許4978818

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像素子

須川成利, 近藤泰志, 冨永秀樹

5176215

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image sensor

Shigetoshi Sugawa, Yasushi Kondo, Hideki Tominaga

8541731

産業財産権の種類: 特許権
多層配線基板

大見忠弘, 須川成利, 今井紘, 寺本章伸

特許5388071

産業財産権の種類: 特許権
Multilayer wiring board

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Hiroshi Imai, Akinobu Teramoto

8633395

産業財産権の種類: 特許権
強誘電体膜の製造方法と，強誘電体膜を用いた半導体装置

大見忠弘, 須川成利, 寺本章伸, 高橋一郎, 桜井弘之, 磯貝達典

特許5300017

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

須川成利, 赤羽奈々, 足立理

4499819

産業財産権の種類: 特許権
Imaging device and method that cancels voltage signal noise based on pre-saturated charges and supersaturated charges

Shigetoshi Sugawa

7820467

産業財産権の種類: 特許権
Imaging device

Shigetoshi Sugawa

特許8120016

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state imaging device

Tomoya Yoneda, Shigetoshi Sugawa, Toru Koizumi, Tetsunobu Kochi

7864384

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像素子及びその駆動方法

須川成利, 近藤泰志, 冨永秀樹

4844853

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像素子及び撮影装置

須川成利, 近藤泰志, 冨永秀樹

4844854

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像素子

須川成利, 近藤泰志, 冨永秀樹

特許4931160

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image sensor and imaging device

Shigetoshi Sugawa, Yasushi KOndo, Hideki Tominaga

8,269,838

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像素子及びその製造方法

須川成利, 近藤泰志, 冨永秀樹

5115937

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image sensor and method for producing the same

Shigetoshi Suagwa, Yasushi Kondo, HIdeki Tominaga

8569805

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image sensor

Shigetoshi Sugawa, Yasushi Kondo, Hideki Tominaga

US8,988,571B2

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

小泉徹, 樋山拓己, 光地哲伸, 櫻井克仁, 上野勇武, 須川成利

5274118

産業財産権の種類: 特許権
Method and apparatus for managing manufacturing equipment, method for manufacturing device thereby

Toshiyuki Okayasu, Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto

7848828

産業財産権の種類: 特許権
Manufacturing system, manufacturing method, managing apparatus, managing method and computer readable medium

Toshiyuki Okayasu, Shigetosi Sugawa, Akinobu Teramoto

7,774,081

産業財産権の種類: 特許権
Electronic device identifying method

Toshiyuki Okayasu, Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto

7812595

産業財産権の種類: 特許権
撮像素子, 画像処理装置, 画像処理システム, 及び記憶媒体

上野勇武, 櫻井克仁, 小川勝久, 小泉徹, 光地哲伸, 樋山拓己, 須川成利

4262290

産業財産権の種類: 特許権
Method of forming a dielectic film that contains silicon, oxygen and nitrogen and method of fabricating a semiconductor device that uses such a dielectric film

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Masaki Hirayama, Yasuyuki Shirai

7718484

産業財産権の種類: 特許権
Semiconductor device formed on (111) surface of a Si crystal and fabrication process thereof

Tadahiro Ohmi, Sigetoshi Sugawa, Katsuyuki Sekine, Yuji Saito

7,795,106

産業財産権の種類: 特許権
電子デバイス及び解析方法

岡安俊幸, 須川成利, 寺本章伸

4813440

産業財産権の種類: 特許権
Test circuit, wafer, measuring apparatus, and measuring method

Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto

7863925

産業財産権の種類: 特許権
製造システム、製造方法、管理装置、管理方法、およびプログラム

岡安俊幸, 須川成利, 寺本章伸

特許4918440

産業財産権の種類: 特許権
管理方法、管理装置、及びデバイス製造方法

岡安俊幸, 須川成利, 寺本章伸

4776598

産業財産権の種類: 特許権
Solid state image pickup device and manufacturing method therefor

Toru Koizumi, Shigetoshi Sugawa, Isamu Ueno, Tesunobu Kochi, Katsuhito Sakurai, Hiroki Hiyama

7705373

産業財産権の種類: 特許権
Semiconductor device and method of manufacturing the same

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Akinobu Teramoto, Hiroshi Akahori, Keiichi Nii

特許8183670

産業財産権の種類: 特許権
Complementary MIS device

Tadahiro Ohmi, Koji Kotani, Shigetoshi Sugawa

7566936

産業財産権の種類: 特許権
管理方法、及び管理装置

岡安俊幸, 須川成利, 寺本章伸

4147262

産業財産権の種類: 特許権
Optical sensor and solid-state imaging device

Shigetoshi Sugawa, Nana Akahane, Satoru Adachi

特許8,184,191

産業財産権の種類: 特許権
テスト用回路、ウェハ、測定装置、デバイス製造方法、及び表示装置

須川成利, 寺本章伸

3972076

産業財産権の種類: 特許権
Color filter array for a CMOS sensor for generating a color signal in an image pickup apparatus

Isamu Ueno, Shigetoshi Sugawa, Katsuhisa Ogawa, Toru Koizumi, Tetsunobu Kochi, Katsuhito Sakurai, Hiroki Hiyama

7724292

産業財産権の種類: 特許権
Optical sensor, solid-state imaging device, and operating method of solid-state imaging device

Shigetoshi Sugawa, Nana Akahane

7821560

産業財産権の種類: 特許権
プラズマ処理装置

4113896

産業財産権の種類: 特許権
プラズマ処理装置

大見忠弘, 平山昌樹, 須川成利, 後藤哲也

4113895

産業財産権の種類: 特許権
Plasma processing apparatus

Tadahiro Ohmi, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tetsuya Goto

7670454

産業財産権の種類: 特許権
Bonded wafer and method of producing bonded wafer

Kiyoshi Mitani, Kiyoshi Demizu, Isao Yokokawa, Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa

7,315,064

産業財産権の種類: 特許権
製造システム、製造方法、管理装置、管理方法、およびプログラム

岡安俊幸, 須川成利, 寺本章伸

4095101

産業財産権の種類: 特許権
デバイス識別方法、および、デバイス製造方法

岡安俊幸, 須川成利, 寺本章伸

4038228

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state imaging device

Tomoya Yoneda, Shigetoshi Sugawa, Toru Koizumi, Tetsunobu Kochi

7616355

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state imaging device, optical sensor and method of operating solid-state imaging device

Shigetoshi Sugawa, Satoru Adachi, Kyoichi Yahata, Tatsuya Terada

7,800,673

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置、および固体撮像装置の動作方法

須川成利, 赤羽奈々

5066704

産業財産権の種類: 特許権
配線付基板およびその製造方法並びに表示装置

須川成利, 森本明大, 千葉昌彦

4998763

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state imaging device, line sensor and optical sensor and method of operating solid-state imaging device

S. Sugawa

7,518,143

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置、ラインセンサ、光センサおよび固体撮像装置の動作方法

須川成利

4502278

産業財産権の種類: 特許権
光センサおよび固体撮像装置

須川成利, 赤羽奈々, 足立理

4497366

産業財産権の種類: 特許権
Semiconductor device formed on (111) surface of a Si crystal and fabrication process thereof

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Katsuyuki Sekine, Yuji Saito

7759762

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置, 光センサおよび固体撮像装置の動作方法

須川成利, 足立理, 矢幡恭一, 寺田達矢

4317115

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup apparatus

Katsuhito Sakurai, Shigetoshi Sugawa, Hideyuki Arai, Isamu Ueno, Katsuhisa Ogawa, Toru Koizumi, Tetsunobu Kochi, Hiroki Hiyama

7973835

産業財産権の種類: 特許権
Method of making a substrate having buried structure and method for fabricating a display device including the substrate

K.Kobayashi, K.Fujino, I.Sakono, T.Ohmi, S.Sugawa, A.Morimoto

6,992,008

産業財産権の種類: 特許権
パターン描画装置および方法

大見忠弘, 柳田公雄, 須川成利, 武久究, 森本達郎

特許4929444

産業財産権の種類: 特許権
マスク描画方法、及びマスク描画装置

大見忠弘, 柳田公雄, 須川成利, 武久究, 森本達郎

4496363

産業財産権の種類: 特許権
Organic EL device and liquid crystal display

Yoshifumi Kato, Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Akihiro Morimoto

7,239,084

産業財産権の種類: 特許権
Pattern writing system and pattern writing method

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Kimio Yanagida, Kiwamu Takehisa

7663734

産業財産権の種類: 特許権
パターン露光装置および二次元光像発生装置

大見忠弘, 須川成利, 柳田公雄, 武久究

4541010

産業財産権の種類: 特許権
Mask making method, mask making device, and mask drawing device

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Kiwamu Takehisa

7,474,383

産業財産権の種類: 特許権
Flash memory device and a fabrication process thereof, method of forming a dielectric film

T.Ohmi, S.Sugawa

6,998,355

産業財産権の種類: 特許権
Flash memory device and a fabrication process thereof, method of forming a dielectric film

T.Ohmi, S.Sugawa

7,109,083

産業財産権の種類: 特許権
マスク作成方法、パターン露光装置、及び、マスク

大見忠弘, 須川成利, 柳田公雄, 武久究

4369248

産業財産権の種類: 特許権
液浸型露光装置

大見忠弘, 須川成利, 武久究

4615210

産業財産権の種類: 特許権
パターン露光装置

大見忠弘, 須川成利, 柳田公雄, 武久究

4463537

産業財産権の種類: 特許権
Method of surface treatment for manufacturing semiconductor device

T. Ohmi, S. Sugawa, A. Teramoto, H. Akahori, K. Nii

7,179,746

産業財産権の種類: 特許権
パターン描画装置

大見忠弘, 須川成利, 柳田公雄, 武久究

4455027

産業財産権の種類: 特許権
Flash memory device and a fabrication process thereof, method of forming a dielectric film

6838394

産業財産権の種類: 特許権
Flash memory device and a fabrication process thereof, method of forming a dielectric film_

6846753

産業財産権の種類: 特許権
パターン描画装置

大見忠弘, 須川成利, 柳田公雄, 武久究

4421268

産業財産権の種類: 特許権
マスク描画手法、及びマスク描画装置

大見忠弘, 須川成利, 柳田公雄, 武久究

4510429

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

小泉徹, 光地哲伸, 須川成利

4672976

産業財産権の種類: 特許権
パターン描画方法、及びパターン描画装置

大見忠弘, 柳田公雄, 須川成利, 武久究

4250052

産業財産権の種類: 特許権
配線製造方法

須川成利, 千葉昌彦

4649557

産業財産権の種類: 特許権
Image sensing device using MOS type image sensing elements

T.Kochi, S.Sugawa, I.Ueno, K.Ogawa, T.Koizumi, K.Sakurai, H.Hiyama

6,946,637

産業財産権の種類: 特許権
電子ビーム露光装置及び露光方法

大見忠弘, 須川成利, 柳田公雄, 武久究

4199618

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置

大見忠弘, 須川成利, 寺本章伸, 赤堀浩史, 二井啓一

4351497

産業財産権の種類: 特許権
Solid state image pickup device and manufacturing method therefor

Toru Koizumi, Shigetoshi Sugawa, Isamu Ueno, Tetsunobu Kochi, Katsuhito Sakurai, Hiroki Hiyama

7274394

産業財産権の種類: 特許権
撮像装置及びそれを用いた撮像システム

小泉徹, 光地哲伸, 樋山拓己, 櫻井克仁, 小川勝久, 上野勇武, 須川成利

4464087

産業財産権の種類: 特許権
マスク検査方法、マスク製造方法および露光方法

大見忠弘, 須川成利, 柳田公雄, 武久究

4387700

産業財産権の種類: 特許権
マスク作成方法およびマスク作成装置

大見忠弘, 須川成利, 武久究

4387699

産業財産権の種類: 特許権
CMOSトランジスタ

西牟田武史, 宮城弘, 大見忠弘, 須川成利, 寺本章伸

4723797

産業財産権の種類: 特許権
パターン描画装置

大見忠弘, 須川成利, 柳田公雄, 武久究

4220387

産業財産権の種類: 特許権
パターン描画方法及びパターン描画装置

大見忠弘, 須川成利, 柳田公雄, 武久究

4502596

産業財産権の種類: 特許権
Semiconductor device fabricated on surface of silicon having <110> direction of crystal plane and its production method

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa

6903393

産業財産権の種類: 特許権
ＭＯＳ型固体撮像装置の製造方法

小泉徹, 樋山拓己, 光地哲伸, 櫻井克仁, 上野勇武, 須川成利

4185807

産業財産権の種類: 特許権
パターン描画装置及びパターン描画方法

大見忠弘, 須川成利, 武久究

4344162

産業財産権の種類: 特許権
半導体デバイス製造用マスク作成装置

大見忠弘, 須川成利, 武久究

4358530

産業財産権の種類: 特許権
Flash memory device and fabrication process thereof, method of forming a dielectric film

T.Ohmi, S.Sugawa

6,998,354

産業財産権の種類: 特許権
Flash memory device and fabrication process thereof, method of forming a dielectric film

T.Ohmi, S.Sugawa

7,001,855

産業財産権の種類: 特許権
Flash memory device and fabrication process thereof, method of forming a dielectric film

T.Ohmi, S.Sugawa

7,026,681

産業財産権の種類: 特許権
シリコン半導体基板及びその製造方法

山中秀記, 出水清史, 大見忠弘, 寺本章伸, 須川成利

4190906

産業財産権の種類: 特許権
Complementary MIS device

T. Ohmi, K. Kotani, S. Sugawa

7,202,534

産業財産権の種類: 特許権
Substrate processing method and substrate processing apparatus

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Masaki Hirayama

7,329,609

産業財産権の種類: 特許権
Bonded wafer and method of producing bonded wafer

K.Mitani, K.Demizu, I.Yokokawa, T.Ohmi, S.Sugawa

7,052,974

産業財産権の種類: 特許権
Substrate having buried structure, display device including the substrate, method of making the substrate and method for fabricating the display device

6815720

産業財産権の種類: 特許権
回路基板

大見忠弘, 須川成利, 森本明大, 加藤丈佳, 脇坂康尋

4130883

産業財産権の種類: 特許権
Device and method for plasma processing, and slow-wave plate

T.Ohmi, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Goto

7,083,701

産業財産権の種類: 特許権
Plasma processing device

T.Ohmi, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Goto

7,097,735

産業財産権の種類: 特許権
Plasma processing device

T.Ohmi, M.Hirayama, S.Sugawa, T.Goto

7,115,184

産業財産権の種類: 特許権
Microwave plasma processing apparatus, plasma ignition method, plasma forming method, and plasma processing method

T.Ohmi, S.Sugawa, M.Hirayama, T.Goto

7,141,756

産業財産権の種類: 特許権
プラズマ処理装置

大見忠弘, 平山昌樹, 須川成利, 後藤哲也

4012466

産業財産権の種類: 特許権
Device and control method for micro wave plasma processing

Tadahiro Ohmi, Masaki Hirayama, Shigetoshi Sugawa, Tetsuya Goto

7,404,991

産業財産権の種類: 特許権
Variable function information processor

6559674

産業財産権の種類: 特許権
Semiconductor device

T.Ohmi, S.Sugawa, M.Hirayama, Y.Shirai

6,975,018

産業財産権の種類: 特許権
Dielectric film and method of forming it, semiconductor device, non-volatile semiconductor memory device, and production method for semiconductor device

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Masaki Hirayama, Yasuyuki Shirai

7,439,121

産業財産権の種類: 特許権
基板処理方法および基板処理装置

大見忠弘, 須川成利, 平山昌樹

4252749

産業財産権の種類: 特許権
相補型MIS装置

大見忠弘, 小谷光司, 須川成利

4264882

産業財産権の種類: 特許権
プラズマ処理装置

大見忠弘, 平山昌樹, 須川成利, 後藤哲也

4402860

産業財産権の種類: 特許権
埋め込み構造を有する基板の製造方法および表示装置の製造方法

小林和樹, 藤野公明, 迫野郁夫, 大見忠弘, 須川成利, 森本明大

3983019

産業財産権の種類: 特許権
機能可変情報処理装置

大見忠弘, 堺谷智, 宮本直人, 中田明良, 須川成利

4564227

産業財産権の種類: 特許権
Single crystal cutting method

T.Ohmi, S.Sugawa, T.Shinohara, T.Ito, K.Kanaya

6,958,094

産業財産権の種類: 特許権
Single crystal wafer and solar battery cell

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Tatsuo Ito, Koichi Kanaya

7,459,720

産業財産権の種類: 特許権
System for managing circuitry of variable function information processing circuit and method for managing circuitry of variable function information processing circuit

Tadahiro Ohmi, Tatsuo Morimoto, Akira Nakada, Shigetoshi Sugawa

7,424,595

産業財産権の種類: 特許権
Flash memory device and a fabrication process thereof, method of forming a dielectric film

6551948

産業財産権の種類: 特許権
Method of forming a dielectric film

6669825

産業財産権の種類: 特許権
Semiconductor device formed on (111) surface of a Si crystal and fabrication process thereof

T.Ohmi, S.Sugawa, K.Sekine, Y.Saito

7,012,311

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置およびその製造方法

大見忠弘, 須川成利, 平山昌樹, 白井泰雪

4713752

産業財産権の種類: 特許権
プラズマ処理装置

大見忠弘, 平山昌樹, 須川成利, 後藤哲也

4729057

産業財産権の種類: 特許権
マイクロ波プラズマプロセス装置，プラズマ着火方法，プラズマ形成方法及びプラズマプロセス方法

大見忠弘, 平山昌樹, 須川成利, 後藤哲也

4799748

産業財産権の種類: 特許権
プラズマ処理装置

大見忠弘, 平山昌樹, 須川成利, 後藤哲也

特許5010781

産業財産権の種類: 特許権
誘電体膜およびその形成方法、半導体装置、不揮発性半導体メモリ装置、および半導体装置の製造方法

大見忠弘, 須川成利, 平山昌樹, 白井泰雪

5068402

産業財産権の種類: 特許権
マイクロ波プラズマプロセス装置及びプラズマプロセス制御方法

大見忠弘, 平山昌樹, 須川成利, 後藤哲也

5138131

産業財産権の種類: 特許権
酸化膜の形成方法、酸化膜のスパッタリング方法、酸窒化膜のスパッタリング方法、ゲート絶縁膜の形成方法

大見忠弘, 須川成利

特許4966466

産業財産権の種類: 特許権
フラッシュメモリ素子の製造方法

大見忠弘, 須川成利

特許4987206

産業財産権の種類: 特許権
プラズマ反応炉システムの運転制御方法及び装置

大見忠弘, 須川成利, 平山昌樹, 白井泰雪, 堀正樹

3982670

産業財産権の種類: 特許権
Amplification-type solid state imaging device with reduced shading

T.Yoneda, S.Sugawa, T.Koizumi

7,016,089

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

3467013

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup device using layers having different refractive indices

6605850

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric transducer

6437309

産業財産権の種類: 特許権
Image pickup device

Hiroki Hiyama, Shigetoshi Sugawa, Isamu Ueno, Toru Koizumi, Tetsunobu Kochi, Katsuhito Sakurai, Yuichiro Yamashita, Tomoya Yoneda

7,456,882

産業財産権の種類: 特許権
結晶の切断方法

3530114

産業財産権の種類: 特許権
半導体シリコン単結晶ウエーハ

大見忠弘, 須川成利, 伊藤辰夫, 金谷晃一

3910004

産業財産権の種類: 特許権
Method for driving liquid crystal display device

6683591

産業財産権の種類: 特許権
１１１面方位を表面に有するシリコンを用いた半導体装置およびその形成方法

大見忠弘, 須川成利, 関根克行, 斎藤祐司

4397491

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup apparatus

6850278

産業財産権の種類: 特許権
Image sensing apparatus arranged on a single substrate

T.Koizumi, S.Sugawa, I.Ueno, K.Ogawa, T.Kochi, K.Sakurai, T.Endo, H.Hiyama

7,129,985

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置及び画像入力装置

小泉徹, 光地哲伸, 須川成利

3833027

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup device and method of resetting the same

T.Koizumi, S.Sugawa, T.Kochi

7,015,964

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置とその駆動方法

3524440

産業財産権の種類: 特許権
Sensor unit capable of outputting image signals by blocks and processing circuit which processes image signals by blocks

6587603

産業財産権の種類: 特許権
Image sensing device capable of outputting image signals by blocks and processing circuit which processes image signals by blocks

6684000

産業財産権の種類: 特許権
Image signal processing method, image signal processing system, storage medium, and image sensing apparatus

Tadahiro Ohmi, Shigetoshi Sugawa, Isam Ueno, Katsuhisa Ogawa, Toru Koizumi, Tetsunobu Kochi, Katsuhito Sakurai, Takahiro Nakayama, Tatsuo Morimoto

6,898,310

産業財産権の種類: 特許権
Image sensing device capable of outputting image signals by blocks and processing circuit which processes image signals by blocks

6567571

産業財産権の種類: 特許権
Image pickup apparatus capable of switching modes based on signals from photoelectric conversion pixels

6839084

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup element

6831685

産業財産権の種類: 特許権
Solid state image pickup device with LDD structure and reset transistor

6661459

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image sensing apparatus and method of operating the same

H.Hiyama, S.Sugawa, I.Ueno, T.Koizumi, T.Kochi, K.Sakurai

6,963,372

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup device

6188094

産業財産権の種類: 特許権
Solid state image pickup apparatus

T.Kochi, S.Sugawa, I.Ueno, T.Koizumi, K.Sakurai, H.Hiyama

7,110,030

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

小川勝久, 上野勇武, 櫻井克仁, 小泉徹, 光地哲伸, 樋山拓己, 須川成利

3639734

産業財産権の種類: 特許権
Image pickup apparatus with color filter array and means for adding and subtracting signals

6757016

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup device with optimum layout of building components around a photoelectric conversion portion

6633334

産業財産権の種類: 特許権
Solid state image pickup device and signal reading method thereof

6784928

産業財産権の種類: 特許権
Image pickup element

K.Ogawa, S.Sugawa, H.Arai, I.Ueno, T.Koizumi, T.Kochi, K.Sakurai, H.Hiyama

7,142,233

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置およびカメラ

3592106

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置およびカメラ_

3592107

産業財産権の種類: 特許権
Image sensing device using MOS-type image sensing element whose threshold voltage of charge transfer switch and reset switch is different from that of signal output transistor

6670990

産業財産権の種類: 特許権
カラー撮像装置、画像信号読み出し方法、画像処理装置、画像処理システム、及び記憶媒体

上野勇武, 桜井克仁, 小川勝久, 小泉徹, 光地哲伸, 樋山拓己, 須川成利

4377976

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric conversion apparatus

6118115

産業財産権の種類: 特許権
撮像センサ、画像信号処理方法、画像信号処理システム、撮像装置及び記憶媒体

小川勝久, 上野勇武, 光地哲伸, 小泉徹, 櫻井克仁, 須川成利

3667098

産業財産権の種類: 特許権
撮像センサ、画像信号処理方法、画像信号処理システム、撮像装置及び記憶媒体

光地哲伸, 小泉徹, 櫻井克仁, 小川勝久, 上野勇武, 須川成利

3728107

産業財産権の種類: 特許権
画像信号処理方法、画像信号処理システム、撮像装置及び記憶媒体

櫻井克仁, 光地哲伸, 小川勝久, 上野勇武, 須川成利

4164161

産業財産権の種類: 特許権
画像信号処理方法、画像信号処理システム、記憶媒体及び撮像装置

大見忠弘, 森本達郎, 中山貴裕, 須川成利, 上野勇武, 小川勝久, 光地哲伸, 小泉徹, 櫻井克仁

4683678

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

3507336

産業財産権の種類: 特許権
撮像素子、画像処理装置、画像処理システム、及び記憶媒体

櫻井克仁, 光地哲伸, 小川勝久, 上野勇武, 須川成利

2652123

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

櫻井克仁, 光地哲伸, 小泉徹, 樋山拓己, 上野勇武, 須川成利

3667094

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric transducer

6163024

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像素子及び固体撮像装置

上野勇武, 櫻井克仁, 小川勝久, 小泉徹, 光地哲伸, 樋山拓己, 須川成利

3792894

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置及びその製造方法

3571909

産業財産権の種類: 特許権
CMOSセンサ及び撮像システム

上野勇武, 桜井克仁, 小川勝久, 小泉徹, 光地哲伸, 樋山拓己, 須川成利

4006075

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

3487575

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

3496918

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置および固体撮像装置の信号読み出し方法

3548410

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup device having a plurality of photoelectric conversion elements on a common substrate

5801373

産業財産権の種類: 特許権
Semiconductor device

5998854

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

小塚開, 小出能男, 須川成利

3673620

産業財産権の種類: 特許権
Eliminating the influence of random noise produced by an optical black pixel on a reference output

6130712

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric conversion device with graded band gap and carrier concentration

5869851

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

3592037

産業財産権の種類: 特許権
Method for driving liquid crystal display device

6031514

産業財産権の種類: 特許権
Production process of color liquid crystal display device

6132800

産業財産権の種類: 特許権
Image correlator, an image processing apparatus using the same, and a signal adder used in the image correlator

5917960

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric conversion apparatus and image reading apparatus with good crosstalk characteristics

5861655

産業財産権の種類: 特許権
Liquid crystal display apparatus with a plural layer connection between the TFT drains and the pixel electrodes

5644370

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

3142239

産業財産権の種類: 特許権
アクティブマトリクス型液晶表示装置

3143582

産業財産権の種類: 特許権
Semiconductor device

5789790

産業財産権の種類: 特許権
Liquid crystal image display unit and method for fabricating semiconductor optical member

5827755

産業財産権の種類: 特許権
Laminated solid-state image pickup device and a method for manufacturing the same

5677201

産業財産権の種類: 特許権
Thin film semiconductor device and photoelectric conversion device using the thin film semiconductor device

5686734

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric conversion apparatus

5723877

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric conversion device and its manufacturing method

5600152

産業財産権の種類: 特許権
Liquid crystal display with display area having same height as peripheral portion thereof

5513028

産業財産権の種類: 特許権
Laminated solid-state image sensing apparatus and method of manufacturing the same

5557121

産業財産権の種類: 特許権
Liquid crystal device and driving method therefor

5694145

産業財産権の種類: 特許権
Liquid crystal device with substrates of different materials and similar thermal expansion coefficients

5644373

産業財産権の種類: 特許権
Semiconductor device including a lateral-type transistor

5508550

産業財産権の種類: 特許権
Laminated solid-state image pickup device

5481124

産業財産権の種類: 特許権
液晶表示素子の製造方法

3108835

産業財産権の種類: 特許権
Silicon-on-insulator CMOS device and a liquid crystal display with controlled base insulator thickness

5434441

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric converting device and image processing apparatus using the same

5744849

産業財産権の種類: 特許権
Silicon-on-insulator CMOS device and a liquid crystal display with controlled base insulator thickness

5412240

産業財産権の種類: 特許権
Liquid crystal image display unit and method for fabricating semiconductor optical member

5530266

産業財産権の種類: 特許権
Liquid crystal display device

5691794

産業財産権の種類: 特許権
Solid-state image pickup device with a plurality of photoelectric conversion elements on a common semiconductor chip

5453611

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric converting device and image processing apparatus utilizing the same

5414275

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric conversion apparatus

6127692

産業財産権の種類: 特許権
液晶表示装置

3079402

産業財産権の種類: 特許権
液晶表示装置及びその検査方法

3122866

産業財産権の種類: 特許権
液晶表示装置

2987794

産業財産権の種類: 特許権
イメージセンサ及び画像情報処理装置

3083013

産業財産権の種類: 特許権
イメージセンサ及び画像情報処理装置

3420555

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置_

3083014

産業財産権の種類: 特許権
イメージセンサ

3227249

産業財産権の種類: 特許権
表示パネル

3127328

産業財産権の種類: 特許権
アクティブマトリクス型液晶表示装置_

3243583

産業財産権の種類: 特許権
液晶素子の駆動方法および装置

3090239

産業財産権の種類: 特許権
Signal processor having avalanche photodiodes

5401952

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric transfer device

5260560

産業財産権の種類: 特許権
アクティブマトリックス液晶表示装置

2824818

産業財産権の種類: 特許権
液晶画像表示装置の製造方法

3154100

産業財産権の種類: 特許権
液晶表示装置

3069930

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置及び液晶表示装置

3191061

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric converting device and image processing apparatus utilizing the same

5245201

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric converting device and information processing apparatus employing the same

5283428

産業財産権の種類: 特許権
Image sensor device having plural photoelectric converting elements

RE34309

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric transfer device

5155351

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

2959681

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置_

2977165

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

2765635

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

2977164

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric transducer apparatus having a plurality of transducer elements and a plurality of capacitor elements

5019702

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

2838906

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric conversion apparatus with reresh voltage

5060042

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric conversion apparatus without isolation regions

4962412

産業財産権の種類: 特許権
Semiconductor device and signal processing device having said device provided therein

5040041

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置及びそれを搭載した信号処置装置

2642750

産業財産権の種類: 特許権
Signal read-out circuit which lowers diffusion capacitance by limiting emitting current with resistive elements

4967067

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric conversion apparatus with shielded cell

4972243

産業財産権の種類: 特許権
Device and method of photoelectrically converting light into electrical signal

4847668

産業財産権の種類: 特許権
Photo signal storing sensor device

4870266

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric converting apparatus having carrier eliminating means

4879470

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric converting apparatus to prevent the outflow of excess carriers

4866293

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric converting apparatus with a switching circuit and a resetting circuit for reading and resetting a plurality of lines sensors

4835404

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric conversion device with reduced fixed pattern noises

4810896

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

平8-4132

産業財産権の種類: 特許権
Image sensor device having plural photoelectric converting elements

4831454

産業財産権の種類: 特許権
撮像装置

石崎明, 中村佳夫, 須川成利

平5-63070

産業財産権の種類: 特許権
光電変換素子の蓄積信号処理装置

石崎明, 中村佳夫, 須川成利

平7-10098

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

須川成利

平6-82819

産業財産権の種類: 特許権
撮像装置

2589297

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

平8-15320

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

2501207

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric conversion device

4751559

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

平7-120767

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

2741703

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

田中信義, 中村佳夫, 須川成利, 大図逸男

平6-44619

産業財産権の種類: 特許権
Photoelectric converting device

4814846

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

平7-36615

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

平7-46839

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

須川成利, 田中信義, 鈴木敏司

平6-54957

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

須川成利, 田中信義, 鈴木敏司, 大見忠弘

平6-93764

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

須川成利, 田中信義, 鈴木敏司, 大見忠弘

平6-101814

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

平7-60888

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

平7-19881

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置__

平5-23550

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置

田中信義, 鈴木敏司, 鈴木常夫, 尾崎正晴, 須川成利, 篠原真人

平5-23548

産業財産権の種類: 特許権
光電変換装置_

田中信義, 鈴木敏司, 鈴木常夫, 尾崎正晴, 須川成利, 篠原真人

平5-23549

産業財産権の種類: 特許権
固体撮像装置

平7-73344

産業財産権の種類: 特許権

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共同研究・競争的資金等の研究課題 11

イメージセンサ, 電子デバイス, 集積回路, 半導体プロセス競争的資金

1999年9月～継続中
作物の生理障害の機構解明におけるブレークスルーテクノロジーの開発と検証

金山喜則, 高橋英樹, 渡部敏裕, 須川成利, 栗原大輔, 黒田理人

2021年4月5日～ 2026年3月31日
1光子検出の感度および線形・高飽和性能を有するＣＭＯＳ撮像素子の創出

須川成利, 黒田理人

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2015年4月1日～ 2018年3月31日

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1光子検出の感度と高飽和性能を有し、極低照度環境から明暗差が5ケタ以上の被写体を、1回の露光で線形応答により明瞭に撮像できるCMOS撮像素子技術の創出を目指し、過去に築いた横型オーバーフロー蓄積容量を有する広ダイナミックレンジCMOS撮像素子技術を発展させた超高感度信号読出し技術の研究に取り組んだ。光電荷を電圧に変換するフローティングディフュージョン容量の極小化と複数のゲインを有する列並列増幅器の導入により入力換算0.47電子の低ノイズ性能を得た。画素出力のマルチサンプリング、熱雑音の低減により、1光子が検出出来る入力換算ノイズ0.2電子と、5万個を超える飽和電子数が両立出来る見込みを得た。
原子レベル平坦界面トランジスタのゲート絶縁膜リーク電流の高精度統計的解析

須川成利, 黒田理人

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2012年4月1日～ 2015年3月31日

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ゲート絶縁膜/Si界面の原子レベル平坦化技術を最小加工寸法0.22μmのCMOS集積回路製造工程に導入し、ゲート絶縁膜形成直前に温度850℃以下で原子レベル平坦化処理を行うことで、微細MOSFETの界面を原子レベル平坦化できることを見出した。導入技術を用いて大規模アレイテスト回路を試作し、確立した高精度・統計的計測技術を用いて膜厚7.7nmのゲート絶縁膜を有する8万個を超えるMOSFETのゲート電流を約80秒以内に10aAオーダーの精度で計測し、界面に約1nmのラフネスが存在する従来のMOSFETと比べて、ゲート電流が大きい素子の発生割合が一桁以上低減できたことを明らかにした。
高感度と広ダイナミックレンジ性能を両立した高性能CMOSイメージセンサ

須川成利

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2007年～ 2008年

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横型オーバーフロー蓄積容量構造を画素内に設け, 画素内の光電変換部のPN接合構造, 絶縁膜界面, 素子分離界面, コンタクトシリサイド界面等の最適化を図り, 垂直走査回路, 水平走査回路, 雑音除去回路設計を改善したイメージセンサチップを設計, 試作した. その結果, 課題であった感度向上とダイナミックレンジ拡大のトレードオフを解消し, 暗時性能を1桁以上向上させた撮像技術の基礎を築くことができた.
高感度高S/N性能を維持した100dB超の広ダイナミックレンジ固体撮像素子

須川成利, 小谷光司

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2004年～ 2005年

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本研究の目的は、現状の最高性能の固体撮像素子に匹敵する高感度高S/N性能を有し、かつ5桁(100dB)を超える広いダイナミックレンジを持った固体撮像素子を提案しその実現技術の基礎を築くことである。初年度の平成16年度に、完全空乏転送埋め込み型フォトダイオードに隣接して同一蓄積時間内に飽和を超える光電荷を蓄積する横型オーバーフロー容量を画素毎に設置した広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサを考案・設計・試作してカメラ撮像動作を行うことに成功し、ダイナミックレンジ100dBの特性を実現した。それに続き、平成17年度は、本CMOSイメージセンサが高輝度光照射時の隣接画素への光電子の漏れ込み量および暗電流・雑音に対する耐性を定量的に検討し、フォトダイオードからあふれた光電子は有効に横型オーバーフロー容量に蓄積でき隣接画素にもれこむ量はその10^<-3>以下の比率であること、横型オーバーフロー容量に蓄積した信号の雑音に対する耐性は、フォトダイオード部の雑音信号に対して100倍以上の許容度があることを明らかにした。また、カラーイメージセンサを実現するために、画素内の横型オーバーフロー容量の設置箇所および動作タイミングの設計変更を行い、さらなる感度の向上と光電変換特性の線型性の改善を図った。有効画素数640×480、画素サイズ7.5μm角のカラーCMOSイメージセンサを試作し、ダイナミックレンジ102dBの特性を有する高画質カラー撮像性能を実現した。本CMOSイメージセンサの研究により、時間的・空間的サンプリングずれのない広ダイナミックレンジ高画質撮像技術の基礎を築くことが出来た。
Si(110)面金属基板SOI・Balanced-CMOS超高速高精度集積回路

大見忠弘, 平山昌樹, 小谷光司, 須川成利

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：TOHOKU UNIVERSITY

2002年～ 2003年

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50nm世代までスケーリングメリットが得られる唯一の集積回路構造,即ち,Si(110)面を用いたSi3N4ゲート絶縁膜金属ゲート電極(bcc-Ta/TaN)金属基板SOI・Balanced-CMOS集積回路およびその製造技術を世界に先駆けて確立することを目的としている。ゲート絶縁膜として用いるシリコン窒化膜の高性能化に関し、シリコン窒化膜を形成するために必要なNH*ラジカルを生成するためのベースになるマイクロ波励起高密度プラズマ励起ガスとして従来から用いていたArに替わり、電子温度の低く(0.5eV)イオン照射ダメージの全く発生しないXeを用いることで、シリコン窒化膜の寿命(Qbd)を3万倍向上させることに成功した。さらに、1/fノイズを徹底的に低減し、かつチャネル移動度を上昇させるためには、ゲート絶縁膜とSi界面を徹底的に平坦化する必要があったが、Si(110)面のゲート絶縁膜形成前の洗浄を従来のRCA洗浄から室温5工程洗浄へ変更し、平坦化酸化プロセスを導入することで、平坦度(Ra)を0.08nmまで低減することに成功した。これにより、ホールの移動度が従来の(100)面基板に比べて2.5倍となり電子の移動度(1.3倍)と略々バランスがとれるのみならず、1/fノイズも従来のシリコン(100)面上へ製作したnMOSに比べ、nMOS、pMOSともに2桁近い低減を実現した。確立した製造技術を基に、Si(110)面上へnMOS、pMOSの面積を同等としたBalanced-CMOSを初めて作成しその入出力特性を評価したところ、電源電圧の1/2の入力電圧において出力電圧もほぼ1/2となり、理論予想通りの結果が得られた。さらに、101段のCMOSリングオシュレータを作成してその発振に成功し、従来の(100)面CMOSに対する(110)面を用いる優位性を実証するとともに、10GHz以上の周波数で動作するワイヤレス時代の多様なネットワーク情報家電向けシステムLSIの基盤技術を確立した。
微細化世代に依存しないダメージフリー新規コンタクト/ビア形成技術の研究

須川成利, 大見忠弘

2001年～ 2003年

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本研究の目的は、本特定領域研究で実現を目指す次世代ヒューマンインターフェースデバイス創製のための微細高密度デバイスを作成するプロセス、特に高密度多層配線を形成するためのダメージフリー新規コンタクト/ビア形成技術の開発、3次元構造を有する超高密度トランジスタの形成要素技術の開発を行うことである。マイクロローディング効果とダメージのないエッチング技術の開発に関しては、まず、プラズマ励起と独立に基板側高周波印加条件を制御できる新規な2段シャワープレートマイクロ波励起高密度プラズマ装置を設計・製作した。これを用いてエッチングプロセスの研究を行い、マイクロ波電力によりプラズマ密度を、また高周波電力によりイオン照射エネルギーを独立に制御できることを確認した。さらに、プロセスガスを2段シャワープレートから拡散プラズマ領域に導入することによりプロセスガスの解離を制御しマイクロローディング効果とダメージのない微細ホールエッチングができることを実験的に明らかにした。また、あらゆる面方位のシリコンおよび各種酸化物の高品質酸化・窒化技術の開発に関しては、既開発のマイクロ波励起高密度低電子温度プラズマ装置を使用して、あらゆる面方位のシリコンに高品質・均一な酸化膜・窒化膜を形成できることを確認し、Kr/NH_3およびXe/NH_3ガスを同装置に導入してシリコンを直接窒化し、世界で初めて従来の熱酸化膜を上回る高品質なゲートSi_3N_4膜を形成することに成功した。このSi_3N_4膜を高誘電率ゲート絶縁膜に用いたトランジスタを作製し、(110)面方位シリコンを用いればトランジスタの電流駆動能力を大幅に向上できることを見出し、高性能で実用的な次世代90nm以降の微細化世代のトランジスタ構造を明らかにした。
高収益超短時間半導体製造を実現する気液混合型フォトレジスト剥離技術

須川成利, 大見忠弘

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：TOHOKU UNIVERSITY

2001年～ 2002年

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本研究は、グローバルネットワーク情報型社会において、誰もが分け隔てなく使える超高性能・超低消費電力なディジタルネットワーク個人情報端末を創出するために不可欠な小型大規模集積システムを顧客の要求に即応して超短期間に生産するため、ウェーハ面上で不要になったフォトレジストの除去を極めて短時間に高効率に行うことを目的としている。まず、種々の気液混合流体を作成し、この気液混合流体の噴射速度、噴射量、噴射圧力、基板移動速度、ノズル移動速度などを変化させながら、8インチウェハ上に均一に噴射できるノズルを用いたレジスト剥離装置を作成した。本装置により上記パラメータを最適化することにより、これまでの酸素プラズマアッシングと、98%の硫酸と30%の過酸化水素を4:1で混合した大量の薬液洗浄を併用して行っているレジスト除去工程でも除去できなかったレジスト(砒素を10E16atoms/cm2注入)8インチウェハ上でも約1分で除去可能であることを確認でき、ウェーハ面上で不要になったフォトレジストの除去を極めて短時間に高効率に行うレジスト剥離技術を確立した。処理時間の更なる短時間化のためにフォトレジストに対しての前処理工程を検討した結果、完全に脱気した超純水にオゾンを数十ppm添加したオゾン添加超純水を用いて二酸化炭素によってpHを制御することが極めて効果的であることを見出した。さらに、半導体分野のみならず、液晶ディスプレイ分野にも応用し、ガラス基板に本技術を適用した結気液混合流体の噴射速度、噴射量、噴射圧力、基板移動速度、ノズル移動速度等を最適化することで1メートルを超えるガラス基板サイズでも1分以内にレジストが剥離できることを確認し、ガラス基板用気液混合型フォトレジスト剥離技術の基礎を確立した。
瞬時画像処理並列プロセッサ内蔵高感度高精細増幅型固体撮像システムの研究

須川成利, 大見忠弘, 小谷光司

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：TOHOKU UNIVERSITY

2001年～ 2002年

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本研究はグローバルネットワークを介して世界規模の情報を瞬時に取り込み、加工し、伝送または記録保存し、必要な情報を瞬時に検索し活用できる個人端末規模の小型携帯システムの実現を目指し、その中でも最も重要となる高画質画像情報の瞬時伝送、保存記録、検索を実現するために撮像時にオブジェクトを完全に分離した上で、画像圧縮率を向上させるアルゴリズムの開発を行い、認識・判断処理なども搭載したインテリジェント・マンマシン・インターフェース・システムの実現の基礎を築くことを目的として行われた。まず、光電変換層となるアモルファス光電膜を構造的欠陥無しに形成するために、成膜チャンバー内のガス組成を瞬時に制御できる圧力制御型ガス流量制御装置と不等ピッチ不等傾斜角排気ポンプを搭載した、2段シャワープレート型マイクロ波励起高密度低電子温度プラズマ装置を作成した。本装置により導入するプラズマ励起ガス・プロセスガスを選択することによりプロセスガスの過剰解離抑制とプラズマイオン照射ダメージ抑制を両立させた高品質CVD成膜、高選択性微細孔RIEエッチングを行うことを可能とし、電気的信頼性の高い光電膜を形成する基礎を築いた。また、画像をビデオレートで撮像している間に、雑音抑制をして高感度化しつつ、撮像される各オブジェクトがそれぞれ特徴的に持つ奥行き方向の位置、動き、色バランス、荒さ(空間周波数)などの属性・特徴量をリアルタイムに抽出しカテゴリー分離する高感度高機能イメージセンサを実現すべく、そのデバス・回路・処理アルゴリズムを詳細に検討し、そのチップ設計を完成させた。さらに、分割されたオブジェクト・カテゴリー毎に最適な画像圧縮アルゴリズムを適応して高精細画像の画質を維持した圧倒的な高圧縮率を新ベクトル量子化圧縮技術の基礎を確立した。
気体分離配線構造を有するTaゲート金属基板SOI超高速超微細LSIの開発

大見忠弘, 平山昌樹, 小谷光司, 須川成利

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2000年～ 2001年

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本研究は、半導体集積回路の超高速化・低消費電力化を計る上で理想的なデバイス構造およびプロセス、材料を研究開発することにより、従来1GHzが上限と考えられていた集積回路の動作周波数を20GHz程度まで高速化した極限超高速超高集積ギガスケールインテグレーション技術を確立することを目的とする。超微細LSIを具現化するには、ゲート空乏化の問題からメタルゲートの導入は必須である。本研究において低温プロセスを特徴とするTaメタルゲート技術を開発した。特に、450℃以下の完全低温プロセスにより、シリコン直接窒化膜をゲート絶縁膜に使ったTaゲートFD-SOI MNSFETトランジスタの試作に初めて成功し、そのサブスレショルド係数が66mV/dec.という理想的な特性を持ち、界面特性が非常に良好であることが確認された。さらに相互コンダクタンスがゲートバイアス高圧領域で従来MOSFETよりも高い値を示し、従来よりも高い電流駆動能力を示すことを明らかにした。 SOIデバイスの性能および信頼性は、Si/SiO_2(SOI/BOX)界面の電気的活性欠陥に強く影響される。本研究において、FD-SOI MOSFETのバックゲートバイアス-相互コンダクタンス特性を初めて実験的に測定した。また、SOI層-基板間の電位降下を考慮した薄膜SOIMOSデバイス中の表面電位の式を新たに導出し、kink現象に対応するSOI/BOX界面のトラップ準位のエネルギーレベル及びハイドーズSIMOX基板のトラップ準位と密度を明らかにした。 MOSデパイスの微細化に伴い、その性能を向上させるためには電源電圧を低減させなけれbならない。よってS/N比を向上させるための低周波ノイズの低減は今後極めて重要になる。本研究において、部分空乏型SOIデバイスの低周波ノイズ特性を初めて解析し、ELTRANウェーハを採用したSOI MOSFETにおけるノイズスペクトルがpre-kink領域では純粋に1/f型であることを明らかにした。

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担当経験のある科目(授業) 20

電子回路Ⅱ　東北大学工学部
電子回路B　東北大学工学部
電気回路学Ⅱ　東北大学工学部
集積回路工学　東北大学工学部
半導体デバイス　東北大学工学部
電子工学概論　東北大学工学部
工業物理学概論　東北大学工学部
画像電子工学　東北大学工学部
技術マネジメント概論　東北大学工学部
創造工学研修　東北大学工学部
基礎ゼミ　東北大学工学部
技術適応計画特論　東北大学大学院工学研究科
極限表面制御プロセス工学特論　東北大学大学院工学研究科
極限知能デバイス工学特論　東北大学大学院工学研究科
知能デバイス工学　東北大学大学院工学研究科
デバイス生産工学　東北大学大学院工学研究科
エクステンションスクール　東北大学大学院工学研究科
イメージセンシング工学　東北大学大学院工学研究科
プロジェクトマネジメント論　東北大学大学院工学研究科
イノベーションマネジメント論　東北大学大学院工学研究科

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メディア報道 45

須川成利教授がScholarGPSの生涯業績の部においてトップ・スカラーに選ばれました。（須川PJ）

東北大学未来科学技術共同研究センター

2024年10月21日

メディア報道種別: その他
半導体テクノロジーシンポジウム画期的な技術産官学で共創

日本経済新聞

2022年11月28日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
社会に役立つ製品に「高速度ビデオカメラ」など表彰

NHK　おはようニッポン

2022年11月4日

メディア報道種別: テレビ・ラジオ番組
半導体の高度人材、九州は手薄、「弱い大学」返上なるか

日本経済新聞電子版

2022年6月8日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
須川成利リサーチプロフェッサーが第47回井上春成賞を受賞

東北大学

2022年6月2日

メディア報道種別: その他
ナノバブルの安定化と作用メカニズムを解明水と空気を利用した「人」と「環境」に優しい工学技術を確立（須川PJ）

東北大学未来科学技術共同研究センター

2021年4月

メディア報道種別: その他
「見る世界」を根本的に変革するCMOSイメージセンサの極限性能の追求

ながれともにながれをこえて

2020年12月

メディア報道種別: 新聞・雑誌
高感度・高精細・リアルタイム近接容量イメージセンサを開発

東北大学

2019年1月

メディア報道種別: その他
111年目を迎えた東北大学は半導体の天才を次々と生み出した

電子デバイス産業新聞

2018年11月30日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
超小型紫外線センシングSiフォトダイオードを実用化

東北大学

2018年7月

メディア報道種別: その他
産官学のフューチャープランCMOSイメージセンサ第一人者の須川教授が指導

電子デバイス産業新聞

2017年11月23日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
技術社会システム専攻の須川成利教授の研究グループが光感度をISO16000に高めた毎秒1,000万コマの超高速撮影が可能な高速度ビデオカメラの製品実用化に成功しました。

東北大学工学研究科・工学部

2015年7月17日

メディア報道種別: その他
秒間1000万コマの超高速撮影高速度ビデオカメラ発売

電波新聞

2015年7月17日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
高速ビデオカメラ光感度6倍に向上

化学工業日報

2015年7月17日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
毎秒1000万コマ撮影可能高速度ビデオカメラ開発島津

日刊工業新聞

2015年7月17日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
1,000万コマ／秒の超高速撮影と従来機比約6倍の光感度を実現した

株式会社島津製作所

2015年7月16日

メディア報道種別: その他
「平成27年度全国発明表彰」の「日本経済団体連合会会長発明賞」を受賞

キヤノン株式会社

2015年5月21日

メディア報道種別: その他

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キヤノンの「CMOSセンサーのシェーディング低減技術の発明」（特許登録第3467013号）が、公益社団法人発明協会が主催する「平成27年度全国発明表彰」において「日本経済団体連合会会長発明賞」を受賞しました。
科学を変える1,000万分の1秒

2013年3月

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島津製作所広報誌 28号（2013年）
1000万分の1秒の世界をとらえる

JST

2012年12月

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JSTニュース社会に広がる新技術～JSTの研究開発成果から～
「平成 24 年度関東地方発明表彰」の「日本弁理士会会長奨励賞」を受賞

キヤノン（株）ニュースリリース

2012年11月27日

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キヤノンの「CMOSセンサーのシェーディング低減技術（特許第3467013号）」が、公益社団法人発明協会が主催する「平成24年度関東地方発明表彰」において、「日本弁理士会会長奨励賞」を受賞しました。＜日本弁理士会会長奨励賞＞小泉徹（キヤノン株式会社デバイス開発本部室長）光地哲伸（キヤノン株式会社デバイス開発本部室長）米田智也（元キヤノン株式会社）須川成利（元キヤノン株式会社）
1秒間に１０００万コマの超高速撮影が可能な高速度ビデオカメラの製品実用化に成功

2012年9月3日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
半導体回路の描画装置超音波モーターや光源用ＬＥＤ導入価格１／３，設置面積１／１０

日経産業新聞

2011年12月7日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
イメージセンサー毎秒２０００万コマ撮影東北大など速度20倍に

2011年4月18日

メディア報道種別: 新聞・雑誌

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東北大学の須川成利教授らと島津製作所は、1秒あたり最高２０００万コマの速度で撮像ができるイメージセンサーを開発した。従来品に比べて20倍
２０００万コマ／秒の超高速動画撮影が可能なＣＭＯＳイメージセンサの開発に成功－超高速現象の解明へ道－

東北大学工学研究科・工学部情報広報室

2011年4月5日

メディア報道種別: その他

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東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻の須川成利教授は、最高２０００万コマ／秒の超高速動画撮影が可能なＣＭＯＳイメージセンサ（※１）を（株）島津製作所（代表取締役社長中本晃）と共同で開発しました。この成果により、１マイクロ秒（百万分の１秒）以下の短時間で起こる物質の変形、破壊や放電などの超高速現象の詳細な機構が解明され、新たな材料や加工技術の開発が促進されるものと期待されます。
「とんがった単体性能より，システムにとって最適な性能」，アナログの明日を考えるパネル討論会

日経BP Tech-On EDA Online

2008年10月27日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
ここまで分かってきたランダム・テレグラフ・シグナル・ノイズ，東北大が講演

日経BP Tech-On EDA Online

2008年10月7日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
東北大グループ高性能センサー開発デジカメ用暗くてもOK画像化20倍

河北新報

2008年10月2日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
日本TI，監視カメラ向けCCDを超える高画質を実現したワイドダイナミックレンジCMOSセンサを発表

日経など多数

2008年9月11日

メディア報道種別: その他
監視カメラ向けワイドダイナミックレンジCMOSセンサの実用化に成功感度とダイナミックレンジでCCDを超える高画質を実現

東北大学

2008年9月11日

メディア報道種別: その他
クルマの電子化が止まらない（第2回）

日経BP Tech-On カーエレ

2008年5月28日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
大手半導体製造装置メーカーで広がる全社的な知的財産意識の向上

日経知財ナビ

2007年7月5日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
東北地域における半導体等製造装置関連産業の競争力強化に向けて

東北経済産業局

2007年6月14日

メディア報道種別: その他
知れば分かる、知財は頼れる味方です

東北経済産業局東北経済産業情報東北21

2007年1月

メディア報道種別: その他
半導体産業を集積東北経済局、企業などの連携推進

河北新報

2006年11月1日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
2006秋 CCD／CMOSイメージセンサ徹底検証電子ジャーナル

2006年9月26日

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広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサの開発と今後の展開に関する講演
撮像素子のこれまでとこれから（下）

日経エレクトロニクス

2006年7月3日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
イメージセンサは大型化、高速化、広ダイナミック・レンジが進展

日経TechOn

2006年6月16日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
勝ちたいならブラックボックス技術を持て

日経ものづくり

2006年3月

メディア報道種別: 新聞・雑誌
ブラックボックス化と技術離れと教育

日経TechOn

2006年2月2日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
ソニーから背面照射CMOSセンサ、東北大などは照度範囲200dB到達

日経TechOn

2005年11月30日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
CCD／CMOSイメージセンサ2005徹底検証電子ジャーナル

2005年9月14日

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広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサの開発と今後の展開
Micron、Samsungを筆頭に撮像素子に攻め入る海外勢

日経エレクトロニクス

2005年7月4日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
ダイナミック・レンジが100dBのカラーCMOS型固体撮像素子、東北大学が開発

日経TechOn

2005年6月17日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
イメージセンサ2005 日経エレクトロニクス

2005年5月16日

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これでようやく銀塩フィルムを置き換えられる、新CMOSセンサ
面白いMOTセミナー、面白くないMOTセミナー

日経ビジネスイノベーター

2005年2月24日

メディア報道種別: 新聞・雑誌

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