東北大学研究者紹介

研究者詳細

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オオノ　ヒデオ

大野　英男

Hideo Ohno

所属

国際集積エレクトロニクス研究開発センター　研究開発部門

職名

特任研究員

学位

工学博士（東京大学）

researchmap

https://researchmap.jp/read0166578

J-GLOBAL ID

200901092204595402

プロフィール

1982年東京大学大学院工学系研究科博士課程修了。

1982年北海道大学工学部講師、1983年北海道大学工学部助教授、この間に1988年～1990年アメリカ合衆国IBM T. J. Watson Research Center客員研究員。1994年東北大学工学部教授、1995年東北大学電気通信研究所教授（2013年～2018年所長）。あわせて2010年東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター長、2010年東北大学原子分子材料科学高等研究機構主任研究者、2012年東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター教授、2016年東北大学スピントロニクス学術連携研究教育センター長を務め、2018年第22代東北大学総長。2024年東北大学総長特別顧問。

2010年～2014年内閣府最先端研究開発支援プログラム「省エネルギー・スピントロニクス論理集積回路の研究開発」中心研究者。

専門分野：スピントロニクス、半導体物理・半導体工学

委員歴 25

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)　フェロー

2018年1月～継続中
American Physical Society (APS)　フェロー

2013年3月～継続中
Journal of SPIN　Editional Board (Consulting Editor)

2010年4月～継続中
Journal of Magnetics, Korean Magnetics Society　Overseas Editor

2009年4月～継続中
NPG Asia Materials　Advisory Board

2009年4月～継続中
応用物理学会　フェロー

2007年8月～継続中
Institute of Physics (IOP)　フェロー

2004年9月～継続中
日本学術会議　会員（第24期・第三部部長）

2014年10月～ 2020年9月
Newton 諮問委員

2024年10月～継続中
日本学術会議　日本学術会議連携会員

2020年10月～継続中
科学技術振興機構　外部評価委員

2011年8月～ 2012年3月
新機能素子研究開発協会不揮発性技術を用いたIT機器の低消費電力化技術調査委員会　委員

2011年7月～ 2012年3月
新世代研究所「スピントロニクス研究会」　委員

2009年4月～ 2012年3月
新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）　技術委員

2009年8月～ 2011年3月
国際高等研究所「ナノ物質量子相の科学」　研究開発専門委員

2009年4月～ 2011年3月
文部科学省「科学技術・学術審議会」　専門委員

2007年2月～ 2010年1月
電子情報技術産業協会「スピントロニクス技術分科会」　委員長

2008年4月～ 2009年3月
電子情報技術産業協会「電子材料・デバイス技術専門委員会」　委員

2008年4月～ 2009年3月
文部科学省、経済産業省「ナノエレクトロニクス戦略合同委員会」　委員

2007年2月～ 2009年3月
新エネルギー産業技術総合開発機構研究評価委員会　評価委員

2006年4月～ 2009年3月
Solid State Communications　Editor

2005年11月～ 2009年2月
日本学術会議　連携委員

2006年4月～ 2008年9月
新機能素子研究開発協会「スピントロニクス不揮発性技術調査委員会」　委員

2006年9月～ 2008年3月
Japanese Journal of Applied Physics　Editor

1993年1月～ 1998年12月
日本結晶成長学会　評議員(1995,1996)

1995年4月～ 1997年3月

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所属学協会 6

電子情報通信学会
日本物理学会
アメリカ電気電子学会
アメリカ物理学会
日本結晶成長学会
応用物理学会

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研究分野 4

ナノテク・材料 / 結晶工学 / 半導体結晶成長
ナノテク・材料 / 応用物性 / 半導体結晶成長
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 半導体デバイス
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 / 半導体スピントロニクス

受賞 31

ISCS Heinrich Welker Award

2019年5月　Seminal contributions to the materials science, physics of ferromagnetic III-V semiconductors and spintronics
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)フェロー

2018年1月
2016年度C&C賞

2016年11月30日　NEC C&C財団　スピントロニクス技術に関する先駆的先導的研究への貢献
第13回江崎玲於奈賞

2016年11月22日　茨城県科学技術振興財団　強磁性物質におけるスピンの電気的制御と素子応用に関する先駆的研究
応用物理学会化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）

2015年3月11日　応用物理学会　強磁性化合物半導体の創成とスピントロニクスの先導的研究
American Physical Society (APS)フェロー

2013年3月
IEEE David Sarnoff Award

2012年5月9日　Institute of Electrical and Electronic Engineers (IEEE)　For seminal contributions and leadership in bridging semiconductor electronics with magnetism and spintronics
第12回応用物理学会業績賞（研究業績）

2012年3月15日　応用物理学会　半導体スピントロニクスにおける先駆的研究
Thomson Reuters Citation Laureates

2011年9月21日　Thomson Reuters
IEEE Magnetics Society Distinguished Lecturer for 2009

2008年10月13日　IEEE Magnetics Society
応用物理学会フェロー

2007年8月　半導体を中心としたスピントロニクスに関する研究
中国科学院半導体研究所 Honorary Professor

2006年10月12日　Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
The 2005 Agilent Technologies Europhysics Prize

2005年7月12日　European Physical Society
東北大学総長特別賞

2005年6月29日　東北大学
日本学士院賞

2005年6月13日　日本学士院　半導体ナノ構造による電子の量子制御と強磁性の研究
Fellow (IOP)

2004年9月1日　The Institute of Physics (IOP)
国際純粋応用物理学連合磁気学賞

2003年7月27日　International Union of Pure and Applied Physics　新しい強磁性半導体の開発
日本IBM科学賞

1998年11月　日本IBM株式会社
仙台市制136周年特別市政功労者

2025年7月　仙台市
第75回「電波の日」総務大臣表彰

2025年6月　総務省
第74回河北文化賞

2025年1月　河北文化事業団　総長として東北大学を国際卓越研究大学認定へ導き、地域の学術研究発展に貢献
英国・ヨーク大学名誉博士号

2024年2月
ポーランド・ワルシャワ大学名誉博士号

2023年11月
フランス・ロレーヌ大学名誉博士号

2022年5月
IEEE 磁気学会業績賞

2022年1月　新規スピントロニクス現象に関する基盤研究とメモリ・情報処理応用への展開
スウェーデン王立工学アカデミー国際フェロー

2021年12月
第41回（2019年度）応用物理学会優秀論文賞

2019年9月　応用物理学会　Analogue spin-orbit torque device for artificial-neural-network-based associative memory operation
平成29年度科学技術分野の文部科学大臣表彰

2017年4月19日　文部科学省　STT-RAM大容量化回路技術に関する先駆的研究開発
DPS Paper Award

2016年11月21日　International Symposium on Dry Process　Plasma process induced physical damages on multilayered magnetic films for magnetic domain wall motion
東北大学ディスティングイッシュトプロフェッサー

2011年10月1日　東北大学
東北大学ディスティングイッシュトプロフェッサー

2008年4月1日　東北大学

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論文 593

Unconventional Spin Hall Magnetoresistance in Noncollinear Antiferromagnet/Heavy Metal Stacks

Tomohiro Uchimura, Jiahao Han, Ping Tang, Ju-Young Yoon, Yutaro Takeuchi, Yuta Yamane, Shun Kanai, Gerrit E. W. Bauer, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Physical Review Letters　134　(9)　2025年3月3日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevlett.134.096701 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Electrical mutual switching in a noncollinear-antiferromagnetic–ferromagnetic heterostructure

Ju-Young Yoon, Yutaro Takeuchi, Ryota Takechi, Jiahao Han, Tomohiro Uchimura, Yuta Yamane, Shun Kanai, Jun’ichi Ieda, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Nature Communications　16　(1)　2025年2月5日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41467-025-56157-6 　

eISSN：2041-1723
Block Copolymer-Directed Single-Diamond Hybrid Structures Derived from X-ray Nanotomography

Kenza Djeghdi, Dmitry Karpov, S. Narjes Abdollahi, Karolina Godlewska, René Iseli, Mirko Holler, Claire Donnelly, Takeshi Yuasa, Hiroaki Sai, Ulrich B. Wiesner, Ullrich Steiner, Bodo D. Wilts, Michimasa Musya, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Ana Diaz, Justin Llandro, Ilja Gunkel

ACS Nano　18　(39)　26503-26513　2024年10月1日

DOI： 10.1021/acsnano.3c10669 　

ISSN：1936-0851

eISSN：1936-086X
Effect of nonlinear magnon interactions on stochastic magnetization switching

Mehrdad Elyasi, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Gerrit E.W. Bauer

Physical Review B　110　(9)　2024年9月1日

DOI： 10.1103/PhysRevB.110.094433 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Nanoscale spin rectifiers for harvesting ambient radiofrequency energy

Raghav Sharma, Tung Ngo, Eleonora Raimondo, Anna Giordano, Junta Igarashi, Butsurin Jinnai, Shishun Zhao, Jiayu Lei, Yong Xin Guo, Giovanni Finocchio, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Hyunsoo Yang

Nature Electronics　7　(8)　653-661　2024年8月

DOI： 10.1038/s41928-024-01212-1 　

eISSN：2520-1131
Voltage-insensitive stochastic magnetic tunnel junctions with double free layers

Rikuto Ota, Keito Kobayashi, Keisuke Hayakawa, Shun Kanai, Kerem Y. Çamsarı, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Applied Physics Letters　125　(2)　2024年7月8日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0219606 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

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Stochastic magnetic tunnel junction (s-MTJ) is a promising component of probabilistic bit (p-bit), which plays a pivotal role in probabilistic computers. For a standard cell structure of the p-bit, s-MTJ is desired to be insensitive to voltage across the junction over several hundred millivolts. In conventional s-MTJs with a reference layer having a fixed magnetization direction, however, the stochastic output significantly varies with the voltage due to spin-transfer torque (STT) acting on the stochastic free layer. In this work, we study a s-MTJ with a “double-free-layer” design theoretically proposed earlier, in which the fixed reference layer of the conventional structure is replaced by another stochastic free layer, effectively mitigating the influence of STT on the stochastic output. We show that the key device property characterized by the ratio of relaxation times between the high- and low-resistance states is one to two orders of magnitude less sensitive to bias voltage variations compared to conventional s-MTJs when the top and bottom free layers are designed to possess the same effective thickness. This work opens a pathway for reliable, nanosecond-operation, high-output, and scalable spintronics-based p-bits.
Polarization-dependent photoluminescence of Ce-implanted MgO and MgAl₂O₄

Manato Kawahara, Yuichiro Abe, Koki Takano, F. Joseph Heremans, Jun Ishihara, Sean E. Sullvan, Christian Vorwerk, Vrindaa Somjit, Christopher P. Anderson, Gary Wolfowicz, Makoto KOHDA, Shunuske Fukami, Giulia Galli, David D. Awschalom, Hideo Ohno, Shun Kanai

Applied Physics Express　2024年6月19日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/ad59f4 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786

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Abstract Since the qubit’s performance of solid-state spin centers depends highly on the host material, spin centers using new host materials may offer new qubit applications. We investigate the optical properties of Ce-implanted MgO and MgAl2O4 as potential materials holding the optically accessible qubit. We find that the photoluminescence of Ce-implanted MgAl2O4 is more than 10 times brighter than that of Ce-implanted MgO and observe polarization-dependent emission of Ce center in MgAl2O4 with 2% at 4 K under 500 mT, suggesting that the properties required for initializing and reading the state of the spin qubit have been achieved.
Collective Spin-Wave Dynamics in Gyroid Ferromagnetic Nanostructures

Mateusz Gołębiewski, Riccardo Hertel, Massimiliano d’Aquino, Vitaliy Vasyuchka, Mathias Weiler, Philipp Pirro, Maciej Krawczyk, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Justin Llandro

ACS Applied Materials and Interfaces　16　(17)　22177-22188　2024年5月1日

DOI： 10.1021/acsami.4c02366 　

ISSN：1944-8244

eISSN：1944-8252
Temperature dependence of the properties of stochastic magnetic tunnel junction with perpendicular magnetization

Haruna Kaneko, Rikuto Ota, Keito Kobayashi, Shun Kanai, Mehrdad Elyasi, Gerrit E. W. Bauer, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Applied Physics Express　2024年5月1日

DOI： 10.35848/1882-0786/ad43b0 　
Room-temperature flexible manipulation of the quantum-metric structure in a topological chiral antiferromagnet

Jiahao Han, Tomohiro Uchimura, Yasufumi Araki, Ju-Young Yoon, Yutaro Takeuchi, Yuta Yamane, Shun Kanai, Jun’ichi Ieda, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Nature Physics　2024年4月22日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41567-024-02476-2 　

ISSN：1745-2473

eISSN：1745-2481
CMOS plus stochastic nanomagnets enabling heterogeneous computers for probabilistic inference and learning

Nihal Sanjay Singh, Keito Kobayashi, Qixuan Cao, Kemal Selcuk, Tianrui Hu, Shaila Niazi, Navid Anjum Aadit, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Camsari

Nature Communications　15　(1)　2024年3月27日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41467-024-46645-6 　

eISSN：2041-1723

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Abstract Extending Moore’s law by augmenting complementary-metal-oxide semiconductor (CMOS) transistors with emerging nanotechnologies (X) has become increasingly important. One important class of problems involve sampling-based Monte Carlo algorithms used in probabilistic machine learning, optimization, and quantum simulation. Here, we combine stochastic magnetic tunnel junction (sMTJ)-based probabilistic bits (p-bits) with Field Programmable Gate Arrays (FPGA) to create an energy-efficient CMOS + X (X = sMTJ) prototype. This setup shows how asynchronously driven CMOS circuits controlled by sMTJs can perform probabilistic inference and learning by leveraging the algorithmic update-order-invariance of Gibbs sampling. We show how the stochasticity of sMTJs can augment low-quality random number generators (RNG). Detailed transistor-level comparisons reveal that sMTJ-based p-bits can replace up to 10,000 CMOS transistors while dissipating two orders of magnitude less energy. Integrated versions of our approach can advance probabilistic computing involving deep Boltzmann machines and other energy-based learning algorithms with extremely high throughput and energy efficiency.
Pitch Scaling Prospect of Ultra-Small Magnetic Tunnel Junctions for High-Density STT-MRAM: Effects of Magnetostatic Interference From Neighboring Bits

Takanobu Shinoda, Junta Igarashi, Butsurin Jinnai, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

IEEE Electron Device Letters　2024年2月

DOI： 10.1109/LED.2023.3345743 　
Single-nanometer CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions with high-retention and high-speed capabilities

Junta Igarashi, Butsurin Jinnai, Kyota Watanabe, Takanobu Shinoda, Takuya Funatsu, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

npj Spintronics　2024年1月4日

DOI： 10.1038/s44306-023-00003-2 　

ISSN：2948-2119

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<jats:title>Abstract</jats:title><jats:p>Making magnetic tunnel junctions (MTJs) smaller while meeting performance requirements is critical for future electronics with spin-transfer torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM). However, it is challenging in the conventional MTJs using a thin CoFeB free layer capped with an MgO layer because of increasing difficulties in satisfying the required data retention and switching speed at smaller scales. Here we report single-nanometer MTJs using a free layer consisting of CoFeB/MgO multilayers, where the number of CoFeB/MgO interfaces and/or the CoFeB thicknesses are engineered to tailor device performance to applications requiring high-data retention or high-speed capability. We fabricate ultra-small MTJs down to 2.0 nm and show high data retention (over 10 years) and high-speed switching at 10 ns or below in sub-5-nm MTJs. The stack design proposed here proves that ultra-small CoFeB/MgO MTJs hold the potential for high-performance and high-density STT-MRAM.</jats:p>
High-resolution three-dimensional imaging of topological textures in nanoscale single-diamond networks

D. Karpov, K. Djeghdi, M. Holler, S. Narjes Abdollahi, K. Godlewska, C. Donnelly, T. Yuasa, H. Sai, U. B. Wiesner, B. D. Wilts, U. Steiner, M. Musya, S. Fukami, H. Ohno, I. Gunkel, A. Diaz, J. Llandro

Nature Nanotechnology　2024年

DOI： 10.1038/s41565-024-01735-w 　

ISSN：1748-3387

eISSN：1748-3395
Hardware Demonstration of Feedforward Stochastic Neural Networks with Fast MTJ-based p-bits

Nihal Sanjay Singh, Shaila Niazi, Shuvro Chowdhury, Kemal Selcuk, Haruna Kaneko, Keito Kobayashi, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Camsari

2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)　1-4　2023年12月9日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/iedm45741.2023.10413686 　
Double-Free-Layer Stochastic Magnetic Tunnel Junctions with Synthetic Antiferromagnets

Kemal Selcuk, Shun Kanai, Rikuto Ota, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Camsari

arXiv　2311.06642　2023年11月11日

DOI： 10.48550/arXiv.2311.06642 　
Handedness anomaly in a non-collinear antiferromagnet under spin–orbit torque

Ju-Young Yoon, Pengxiang Zhang, Chung-Tao Chou, Yutaro Takeuchi, Tomohiro Uchimura, Justin T. Hou, Jiahao Han, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Luqiao Liu

Nature Materials　22　(9)　1106-1113　2023年8月3日
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41563-023-01620-2 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Magnetic order in nanoscale gyroid networks

Ami S. Koshikawa, Justin Llandro, Masayuki Ohzeki, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Naëmi Leo

Physical Review B　2023年7月17日

DOI： 10.1103/PhysRevB.108.024414 　
Nonlinear conductance in nanoscale CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis 査読有り

Motoya Shinozaki, Junta Igarashi, Shuichi Iwakiri, Takahito Kitada, Keisuke Hayakawa, Butsurin Jinnai, Tomohiro Otsuka, Shunsuke Fukami, Kensuke Kobayashi, Hideo Ohno

Physical Review B　107　(9)　2023年3月30日

DOI： 10.1103/PhysRevB.107.094436 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Thermal stability of non-collinear antiferromagnetic Mn<inf>3</inf>Sn nanodot

Yuma Sato, Yutaro Takeuchi, Yuta Yamane, Ju Young Yoon, Shun Kanai, Jun'Ichi Ieda, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Applied Physics Letters　122　(12)　2023年3月20日

DOI： 10.1063/5.0135709 　

ISSN：0003-6951
A full-stack view of probabilistic computing with p-bits: devices, architectures and algorithms

Shuvro Chowdhury, Andrea Grimaldi, Navid Anjum Aadit, Shaila Niazi, Masoud Mohseni, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Luke Theogarajan, Giovanni Finocchio, Supriyo Datta, Kerem Y. Camsari

IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits　2023年

DOI： 10.1109/JXCDC.2023.3256981 　

eISSN：2329-9231
Local bifurcation with spin-transfer torque in superparamagnetic tunnel junctions

Takuya Funatsu, Shun Kanai, Jun’ichi Ieda, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Nature Communications　13　(1)　2022年12月

DOI： 10.1038/s41467-022-31788-1 　

eISSN：2041-1723
External-Field-Robust Stochastic Magnetic Tunnel Junctions Using a Free Layer with Synthetic Antiferromagnetic Coupling

Keito Kobayashi, Keisuke Hayakawa, Junta Igarashi, William A. Borders, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Physical Review Applied　18　(5)　2022年11月29日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevapplied.18.054085 　

eISSN：2331-7019
Generalized scaling of spin qubit coherence in over 12,000 host materials

Shun Kanai, F. Joseph Heremans, Hosung Seo, Gary Wolfowicz, Christopher P. Anderson, Sean E. Sullivan, Mykyta Onizhuk, Giulia Galli, David D. Awschalom, Hideo Ohno

Proceedings of the National Academy of Sciences　119　(15)　2022年4月12日
出版者・発行元： Proceedings of the National Academy of Sciences
DOI： 10.1073/pnas.2121808119 　

ISSN：0027-8424

eISSN：1091-6490

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Significance Atomic defects in solid-state materials are promising candidates as quantum bits, or qubits. New materials are actively being investigated as hosts for new defect qubits; however, there are no unifying guidelines that can quantitatively predict qubit performance in a new material. One of the most critical property of qubits is their quantum coherence. While cluster correlation expansion (CCE) techniques are useful to simulate the coherence of electron spins in defects, they are computationally expensive to investigate broad classes of stable materials. Using CCE simulations, we reveal a general scaling relation between the electron spin coherence time and the properties of qubit host materials that enables rapid and quantitative exploration of new materials hosting spin defects.
Observation of domain structure in non-collinear antiferromagnetic Mn3Sn thin films by magneto-optical Kerr effect

Tomohiro Uchimura, Ju-Young Yoon, Yuma Sato, Yutaro Takeuchi, Shun Kanai, Ryota Takechi, Keisuke Kishi, Yuta Yamane, Samik DuttaGupta, Jun'ichi Ieda, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

APPLIED PHYSICS LETTERS　120　(17)　2022年4月

DOI： 10.1063/5.0089355 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Nanometer-thin L10-MnAl film with B2-CoAl underlayer for high-speed and high-density STT-MRAM: Structure and magnetic properties

Yutaro Takeuchi, Ryotaro Okuda, Junta Igarashi, Butsurin Jinnai, Takaharu Saino, Shoji Ikeda, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　120　(5)　2022年1月31日

DOI： 10.1063/5.0077874 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Experimental evaluation of simulated quantum annealing with MTJ-augmented p-bits

Andrea Grimaldi, Kemal Selcuk, Navid Anjum Aadit, Keito Kobayashi, Qixuan Cao, Shuvro Chowdhury, Giovanni Finocchio, Shun Kanai, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami, Kerem Y. Camsari

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　2022-December　2241-2244　2022年

DOI： 10.1109/IEDM45625.2022.10019530 　

ISSN：0163-1918
Hardware-Aware In Situ Learning Based on Stochastic Magnetic Tunnel Junctions

Jan Kaiser, William A. Borders, Kerem Y. Camsari, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Supriyo Datta

Physical Review Applied　17　(1)　2022年1月

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.17.014016 　

ISSN：2331-7019

eISSN：2331-7019
Memristive control of mutual spin Hall nano-oscillator synchronization for neuromorphic computing

Mohammad Zahedinejad, Himanshu Fulara, Roman Khymyn, Afshin Houshang, Mykola Dvornik, Shunsuke Fukami, Shun Kanai, Hideo Ohno, Johan Åkerman

Nature Materials　21　(1)　81-87　2022年1月

DOI： 10.1038/s41563-021-01153-6 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Temperature dependence of intrinsic critical current in perpendicular easy axis CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions

Yutaro Takeuchi, Eli Christopher I. Enobio, Butsurin Jinnai, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　119　(24)　2021年12月13日

DOI： 10.1063/5.0072957 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Sigmoidal curves of stochastic magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis

Keito Kobayashi, William A. Borders, Shun Kanai, Keisuke Hayakawa, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Applied Physics Letters　119　(13)　2021年9月27日

DOI： 10.1063/5.0065919 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Unconventional Hall effect and its variation with Co-doping in van der Waals Fe3GeTe2 査読有り

Rajeswari Roy Chowdhury, Samik DuttaGupta, Chandan Patra, Oleg A. Tretiakov, Sudarshan Sharma, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Ravi Prakash Singh

Scientific Reports　11　(1)　2021年7月
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-021-93402-6 　

eISSN：2045-2322
Influence of domain wall anisotropy on the current-induced hysteresis loop shift for quantification of the Dzyaloshinskii-Moriya interaction 査読有り

Takaaki Dohi, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Physical Review B　103　(21)　2021年6月19日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevb.103.214450 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Correlation of anomalous Hall effect with structural parameters and magnetic ordering in Mn3+xSn1−x thin films 査読有り

Ju-Young Yoon, Yutaro Takeuchi, Samik DuttaGupta, Yuta Yamane, Shun Kanai, Jun’ichi Ieda, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

AIP Advances　11　(6)　065318-065318　2021年6月14日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0043192 　

eISSN：2158-3226
Chiral-spin rotation of non-collinear antiferromagnet by spin–orbit torque 査読有り

Yutaro Takeuchi, Yuta Yamane, Ju-Young Yoon, Ryuichi Itoh, Butsurin Jinnai, Shun Kanai, Jun’ichi Ieda, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Nature Materials　20　(10)　1364-+　2021年5月13日

DOI： 10.1038/s41563-021-01005-3 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Electrically connected spin-torque oscillators array for 2.4 GHz WiFi band transmission and energy harvesting 査読有り

Raghav Sharma, Rahul Mishra, Tung Ngo, Yong-Xin Guo, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Hideo Ohno, Hyunsoo Yang

Nature Communications　12　(1)　2021年5月

DOI： 10.1038/s41467-021-23181-1 　

ISSN：2041-1723

eISSN：2041-1723
Double-Free-Layer Magnetic Tunnel Junctions for Probabilistic Bits 査読有り

Kerem Y. Camsari, Mustafa Mert Torunbalci, William A. Borders, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Physical Review Applied　15　(4)　2021年4月29日

DOI： 10.1103/physrevapplied.15.044049 　

ISSN：2331-7019

eISSN：2331-7019
Dual-Port SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations under Field-Assistance-Free Condition

Masanori Natsui, Akira Tamakoshi, Hiroaki Honjo, Toshinari Watanabe, Takashi Nasuno, Chaoliang Zhang, Takaho Tanigawa, Hirofumi Inoue, Masaaki Niwa, Toru Yoshiduka, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Yitao Ma, Hui Shen, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu

IEEE Journal of Solid-State Circuits　56　(4)　1116-1128　2021年4月

DOI： 10.1109/JSSC.2020.3039800 　

ISSN：0018-9200

eISSN：1558-173X
Erratum: Coherent magnetization reversal of a cylindrical nanomagnet in shape-anisotropy magnetic tunnel junctions (Appl. Phys. Lett. (2021) 118 (082404) DOI: 10.1063/5.0043058)

Butsurin Jinnai, Junta Igarashi, Kyota Watanabe, Eli Christopher I. Enobio, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　118　(13)　2021年3月29日

DOI： 10.1063/5.0050431 　

ISSN：0003-6951
Nanosecond Random Telegraph Noise in In-Plane Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

K. Hayakawa, S. Kanai, T. Funatsu, J. Igarashi, B. Jinnai, W. A. Borders, H. Ohno, S. Fukami

Physical Review Letters　126　(11)　2021年3月17日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevlett.126.117202 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Theory of relaxation time of stochastic nanomagnets 査読有り

Shun Kanai, Keisuke Hayakawa, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Physical Review B　103　(9)　2021年3月17日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevb.103.094423 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Field-free and sub-ns magnetization switching of magnetic tunnel junctions by combining spin-transfer torque and spin–orbit torque 査読有り

Chaoliang Zhang, Yutaro Takeuchi, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　118　(9)　092406-092406　2021年3月1日

DOI： 10.1063/5.0039061 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Coherent magnetization reversal of a cylindrical nanomagnet in shape-anisotropy magnetic tunnel junctions 査読有り

Butsurin Jinnai, Junta Igarashi, Kyota Watanabe, Eli Christopher I. Enobio, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　118　(8)　082404-082404　2021年2月22日

DOI： 10.1063/5.0043058 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Temperature dependence of the energy barrier in X/1X nm shape-anisotropy magnetic tunnel junctions 査読有り

Junta Igarashi, Butsurin Jinnai, Valentin Desbuis, Stéphane Mangin, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　118　(1)　012409-012409　2021年1月4日

DOI： 10.1063/5.0029031 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Fast Switching Down to 3.5 ns in Sub-5-nm Magnetic Tunnel Junctions Achieved by Engineering Relaxation Time

B. Jinnai, J. Igarashi, T. Shinoda, K. Watanabe, S. Fukami, H. Ohno

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　2021-December　1-4　2021年

DOI： 10.1109/IEDM19574.2021.9720509 　

ISSN：0163-1918
Magnetization processes and magnetic domain structures in Ta/CoFeB/MgO stacks 査読有り

A.K. Dhiman, T. Dohi, W. Dobrogowski, Z. Kurant, I. Sveklo, S. Fukami, H. Ohno, A. Maziewski

Journal of Magnetism and Magnetic Materials　529　167699-167699　2021年1月
出版者・発行元： Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.jmmm.2020.167699 　

ISSN：0304-8853
High-performance shape-anisotropy magnetic tunnel junctions down to 2.3 nm

B. Jinnai, J. Igarashi, K. Watanabe, T. Funatsu, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　2020-December　24.6.1-24.6.4　2020年12月12日

DOI： 10.1109/IEDM13553.2020.9371972 　

ISSN：0163-1918
Engineering Single-Shot All-Optical Switching of Ferromagnetic Materials 国際誌査読有り

Junta Igarashi, Quentin Remy, Satoshi Iihama, Grégory Malinowski, Michel Hehn, Jon Gorchon, Julius Hohlfeld, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Stéphane Mangin

Nano Letters　20　(12)　8654-8660　2020年11月23日
出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/acs.nanolett.0c03373 　

ISSN：1530-6984

eISSN：1530-6992

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Since it was recently demonstrated in a spin-valve structure, magnetization reversal of a ferromagnetic layer using a single ultrashort optical pulse has attracted attention for future ultrafast and energy-efficient magnetic storage or memory devices. However, the mechanism and the role of the magnetic properties of the ferromagnet as well as the time scale of the magnetization switching are not understood. Here, we investigate single-shot all-optical magnetization switching in a GdFeCo/Cu/[Co x Ni1-x/Pt] spin-valve structure. We demonstrate that the threshold fluence for switching both the GdFeCo and the ferromagnetic layer depends on the laser pulse duration and the thickness and the Curie temperature of the ferromagnetic layer. We are able to explain most of the experimental results using a phenomenological model. This work provides a way to engineer ferromagnetic materials for energy efficient single-shot all-optical magnetization switching.
Probing edge condition of nanoscale CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions by spin-wave resonance 査読有り

M. Shinozaki, T. Dohi, J. Igarashi, J. Llandro, S. Fukami, H. Sato, H. Ohno

Applied Physics Letters　117　(20)　202404-202404　2020年11月16日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0020591 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Spin-orbit torque switching of an antiferromagnetic metallic heterostructure 査読有り

Samik DuttaGupta, A. Kurenkov, Oleg A. Tretiakov, G. Krishnaswamy, G. Sala, V. Krizakova, F. Maccherozzi, S. S. Dhesi, P. Gambardella, S. Fukami, H. Ohno

Nature Communications　11　(1)　2020年11月
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41467-020-19511-4 　

eISSN：2041-1723
Multidomain Memristive Switching of Pt38Mn62/[Co/Ni]n Multilayers 査読有り

G. Krishnaswamy, A. Kurenkov, G. Sala, M. Baumgartner, V. Krizakova, C. Nistor, F. Maccherozzi, S. S. Dhesi, S. Fukami, H. Ohno, P. Gambardella

Physical Review Applied　14　(4)　2020年10月20日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevapplied.14.044036 　

eISSN：2331-7019
Energy Efficient Control of Ultrafast Spin Current to Induce Single Femtosecond Pulse Switching of a Ferromagnet 国際誌査読有り

Quentin Remy, Junta Igarashi, Satoshi Iihama, Grégory Malinowski, Michel Hehn, Jon Gorchon, Julius Hohlfeld, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno, Stéphane Mangin

Advanced Science　7　(23)　2001996-2001996　2020年10月
出版者・発行元： Wiley
DOI： 10.1002/advs.202001996 　

ISSN：2198-3844

eISSN：2198-3844

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New methods to induce magnetization switching in a thin ferromagnetic material using femtosecond laser pulses without the assistance of an applied external magnetic field have recently attracted a lot of interest. It has been shown that by optically triggering the reversal of the magnetization in a GdFeCo layer, the magnetization of a nearby ferromagnetic thin film can also be reversed via spin currents originating in the GdFeCo layer. Here, using a similar structure, it is shown that the magnetization reversal of the GdFeCo is not required in order to reverse the magnetization of the ferromagnetic thin film. This switching is attributed to the ultrafast spin current and can be generated by the GdFeCo demagnetization. A larger energy efficiency of the ferromagnetic layer single pulse switching is obtained for a GdFeCo with a larger Gd concentration. Those ultrafast and energy efficient switchings observed in such spintronic devices open a new path toward ultrafast and energy efficient magnetic memories.
Giant voltage-controlled modulation of spin Hall nano-oscillator damping 国際誌査読有り

Himanshu Fulara, Mohammad Zahedinejad, Roman Khymyn, Mykola Dvornik, Shunsuke Fukami, Shun Kanai, Hideo Ohno, Johan Åkerman

Nature Communications　11　(1)　4006-4006　2020年8月
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41467-020-17833-x 　

eISSN：2041-1723

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Spin Hall nano-oscillators (SHNOs) are emerging spintronic devices for microwave signal generation and oscillator-based neuromorphic computing combining nano-scale footprint, fast and ultra-wide microwave frequency tunability, CMOS compatibility, and strong non-linear properties providing robust large-scale mutual synchronization in chains and two-dimensional arrays. While SHNOs can be tuned via magnetic fields and the drive current, neither approach is conducive to individual SHNO control in large arrays. Here, we demonstrate electrically gated W/CoFeB/MgO nano-constrictions in which the voltage-dependent perpendicular magnetic anisotropy tunes the frequency and, thanks to nano-constriction geometry, drastically modifies the spin-wave localization in the constriction region resulting in a giant 42% variation of the effective damping over four volts. As a consequence, the SHNO threshold current can be strongly tuned. Our demonstration adds key functionality to nano-constriction SHNOs and paves the way for energy-efficient control of individual oscillators in SHNO chains and arrays for neuromorphic computing.
Composition dependence of spin−orbit torque in Pt1−xMnx/CoFeB heterostructures 査読有り

K. Vihanga De Zoysa, Samik DuttaGupta, Ryuichi Itoh, Yutaro Takeuchi, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Applied Physics Letters　117　(1)　012402-012402　2020年7月9日

DOI： 10.1063/5.0011448 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Neuromorphic computing with antiferromagnetic spintronics 査読有り

Aleksandr Kurenkov, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Journal of Applied Physics　128　(1)　010902-010902　2020年7月7日

DOI： 10.1063/5.0009482 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Current distribution in metallic multilayers from resistance measurements 査読有り

Ondřej Stejskal, André Thiaville, Jaroslav Hamrle, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Physical Review B　101　(23)　2020年6月24日

DOI： 10.1103/physrevb.101.235437 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Probabilistic computing based on spintronics technology 査読有り

Shunsuke Fukami, William A. Borders, Ahmed Z. Pervaiz, Kerem Y. Camsari, Supriyo Datta, Hideo Ohno

2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)　2020年6月
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/snw50361.2020.9131622 　
Visualizing magnetic structure in 3d nanoscale ni-fe gyroid networks 査読有り

Justin Llandro, David M. Love, András Kovács, Jan Caron, Kunal N. Vyas, Attila Kákay, Ruslan Salikhov, Kilian Lenz, Jürgen Fassbender, Maik R.J. Scherer, Christian Cimorra, Ullrich Steiner, Crispin H.W. Barnes, Rafal E. Dunin-Borkowski, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Nano Letters　20　(5)　3642-3650　2020年5月13日

DOI： 10.1021/acs.nanolett.0c00578 　

ISSN：1530-6984

eISSN：1530-6992
Scaling magnetic tunnel junction down to single-digit nanometers—Challenges and prospects 査読有り

Butsurin Jinnai, Kyota Watanabe, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　116　(16)　160501-160501　2020年4月20日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0004434 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Zero-field spin precession dynamics of high-mobility two-dimensional electron gas in persistent spin helix regime 査読有り

Jun Ishihara, Go Kitazawa, Yuya Furusho, Yuzo Ohno, Hideo Ohno, Kensuke Miyajima

Physical Review B　101　(9)　2020年3月31日
出版者・発行元： American Physical Society ({APS})
DOI： 10.1103/PhysRevB.101.094438 　
Complex switching behavior of magnetostatically coupled single-domain nanomagnets probed by micro-Hall magnetometry

Keswani, N., Nakajima, Y., Chauhan, N., Ukai, T., Chakraborti, H., Gupta, K.D., Hanajiri, T., Kumar, S., Ohno, Y., Ohno, H., Das, P.

Applied Physics Letters　116　(10)　2020年

DOI： 10.1063/1.5144841 　
Stack structure and temperature dependence of spin-orbit torques in heterostructures with antiferromagnetic PtMn 査読有り

Ryuichi Itoh, Yutaro Takeuchi, Samik DuttaGupta, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　115　(24)　242404-242404　2019年12月11日

DOI： 10.1063/1.5129829 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Crystal orientation and anomalous Hall effect of sputter-deposited non-collinear antiferromagnetic Mn3Sn thin films 査読有り

Juyoung Yoon, Yutaro Takeuchi, Ryuichi Itoh, Shun Kanai, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Express　13　(1)　013001-013001　2019年12月4日

DOI： 10.7567/1882-0786/ab5874 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Spin-orbit torque neuron and synapse devices for brainmorphic computing 査読有り

堀尾喜彦, Aleksandr Kurenkov, 深見俊輔, 大野英男

Proceedings of International Symposium on Nonlinear Theory and Its Applications　78-78　2019年12月
Write-error rate of nanoscale magnetic tunnel junctions in the precessional regime 査読有り

Takaharu Saino, Shun Kanai, Motoya Shinozaki, Butsurin Jinnai, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Applied Physics Letters　115　(14)　142406-142406　2019年9月30日

DOI： 10.1063/1.5121157 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Properties of sputtered full Heusler alloy Cr2MnSb and its application in a magnetic tunnel junction

S. Gupta, F. Matsukura, H. Ohno

Journal of Physics D: Applied Physics　52　(49)　2019年9月20日
出版者・発行元： Institute of Physics Publishing
DOI： 10.1088/1361-6463/ab3fc6 　

ISSN：1361-6463 0022-3727
Integer factorization using stochastic magnetic tunnel junctions 国際誌査読有り

Borders William A, Pervaiz Ahmed Z, Fukami Shunsuke, Camsari Kerem Y, Ohno Hideo, Datta Supriyo

NATURE　573　(7774)　390-+　2019年9月19日

DOI： 10.1038/s41586-019-1557-9 　

ISSN：0028-0836

eISSN：1476-4687
Spin-Pumping-Free Determination of Spin-Orbit Torque Efficiency from Spin-Torque Ferromagnetic Resonance 査読有り

Atsushi Okada, Yutaro Takeuchi, Kaito Furuya, Chaoliang Zhang, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

Physical Review Applied　12　(1)　2019年7月23日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevapplied.12.014040 　

eISSN：2331-7019
Evidence for Ferromagnetic Clusters in the Colossal-Magnetoresistance Material EuB6 査読有り

Merlin Pohlit, Sahana Rößler, Yuzo Ohno, Hideo Ohno, Stephan Von Molnár, Zachary Fisk, Jens Müller, Steffen Wirth

Physical Review Letters　120　(25)　2018年6月19日

DOI： 10.1103/PhysRevLett.120.257201 　

ISSN：1079-7114 0031-9007
MTJ-based nonvolatile logic LSI for ultra low-power and highly dependable computing 査読有り

Masanori Natsui, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

China Semiconductor Technology International Conference 2018, CSTIC 2018　1-4　2018年5月29日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/CSTIC.2018.8369189 　
Impact of sputtering condition for tungsten on magnetic and transport properties of magnetic tunneling junction with CoFeB/W/CoFeB free layer

H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

2017 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2017　2017年8月10日

DOI： 10.1109/INTMAG.2017.8008047 　
An artificial neural network with an analogue spin-orbit torque device 査読有り

W.A. Borders, H. Akima, S. Fukami, S. Moriya, S. Kurihara, A. Kurenkov, Yoshihiko Horio, S. Sato, H. Ohno

Proceedings of the IEEE International Magnetics Conference　2017年4月24日

DOI： 10.1109/INTMAG.2017.8007937 　
Magnetization dynamics and its scattering mechanism in thin CoFeB films with interfacial anisotropy 査読有り

Atsushi Okada, Shikun He, Bo Gu, Shun Kanai, Anjan Soumyanarayanan, Sze Ter Lim, Michael Tran, Michiyasu Mori, Sadamichi Maekawa, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno, Christos Panagopoulos

PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA　114　(15)　3815-3820　2017年4月

DOI： 10.1073/pnas.1613864114 　

ISSN：0027-8424
Design of a variation-resilient single-ended non-volatile six-input lookup table circuit with a redundant-magnetic tunnel junction-based active load for smart Internet-of-things applications 査読有り

D. Suzuki, M. Natsui, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

ELECTRONICS LETTERS　53　(7)　456-458　2017年3月

DOI： 10.1049/el.2016.4233 　

ISSN：0013-5194

eISSN：1350-911X
Current-induced magnetization switching in a nano-scale CoFeB-MgO magnetic tunnel junction under in-plane magnetic field 査読有り

N. Ohshima, H. Sato, S. Kanai, J. Llandro, S. Fukami, H. Ohno

AIP Advances　7　055927(1)-055927(5)　2017年2月22日
Fabrication of a magnetic-tunnel-junction-based nonvolatile logic-in-memory LSI with content-aware write error masking scheme achieving 92% storage capacity and 79% power reduction

Natsui Masanori, Tamakoshi Akira, Endoh Tetsuo, Ohno Hideo, Hanyu Takahiro

Jpn. J. Appl. Phys.　56　(4)　04CN01　2017年2月16日
出版者・発行元： Institute of Physics
DOI： 10.7567/JJAP.56.04CN01 　

ISSN：0021-4922

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A magnetic-tunnel-junction (MTJ)-based video coding hardware with an MTJ-write-error-rate relaxation scheme as well as a nonvolatile storage capacity reduction technique is designed and fabricated in a 90 nm MOS and 75 nm perpendicular MTJ process. The proposed MTJ-oriented dynamic error masking scheme suppresses the effect of write operation errors on the operation result of LSI, which results in the increase in an acceptable MTJ write error rate up to 7.8 times with less than 6% area overhead, while achieving 79% power reduction compared with that of the static-random-access-memory-based one.
Damping constant in a free layer in nanoscale CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions investigated by homodyne-detected ferromagnetic resonance 査読有り

M. Shinozaki, E. Hirayama, S. Kanai, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

Applied Physics Express　10　013001(1)-013001(3)　2017年2月
Device-size dependence of field-free spin-orbit torque induced magnetization switching in antiferromagnet/ferromagnet structures 査読有り

A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, S. Fukami, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　110　(9)　092410(1)-092410(5)　2017年2月

DOI： 10.1063/1.4977838 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Ferromagnetic resonance spectra of Py deposited on (Bi1-xSbx)2Te3 査読有り

S. Gupta, S. Kanai, F. Matsukura, H. Ohno

AIP Advances　7　055919(1)-055919(4)　2017年1月23日
Magnetic domain-wall creep driven by field and current in Ta/CoFeB/MgO 査読有り

S. DuttaGupta, S. Fukami, B. Kuebanjiang, H. Sato, F. Matsukura, V. K. Lazarov, H. Ohno

AIP Advances　7　055918(1)-055918(7)　2017年1月20日
Use of Analog Spintronics Device in Performing Neuro-Morphic Computing Functions

Shunsuke Fukami, William A. Borders, Aleksandr Kurenkov, Chaoliang Zhang, Samik DuttaGupta, Hideo Ohno

2017 FIFTH BERKELEY SYMPOSIUM ON ENERGY EFFICIENT ELECTRONIC SYSTEMS & STEEP TRANSISTORS WORKSHOP (E3S)　2017年
Analogue spin-orbit torque device for artificial-neural-network-based associative memory operation 査読有り

W. A. Borders, H. Akima, S. Fukami, S. Moriya, S. Kurihara, Y. Horio, S. Sato, H. Ohno

Applied Physics Express　10　013007(1)-013007(4)　2017年1月
Beyond MRAM: Nonvolatile Logic-in-Memory VLSI 査読有り

Takahiro Hanyu, Tetsuo Endoh, Shoji Ikeda, Tadahiko Sugibayashi, Naoki Kasai, Daisuke Suzuki, Masanori Natsui, Hiroki Koike, Hideo Ohno

Introduction to Magnetic Random-Access Memory　199-229　2016年11月26日
出版者・発行元： wiley
DOI： 10.1002/9781119079415.ch7 　
Critical role of W deposition condition on spin-orbit torque induced magnetization switching in nanoscale W/CoFeB/MgO 査読有り

C. Zhang, S. Fukami, K. Watanabe, A. Ohkawara, S. DuttaGupta, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　109　(19)　192405(1)-192405(4)　2016年11月

DOI： 10.1063/1.4967475 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Standby-Power-Free Integrated Circuits Using MTJ-Based VLSI Computing 査読有り

Takahiro Hanyu, Tetsuo Endoh, Daisuke Suzuki, Hiroki Koike, Yitao Ma, Naoya Onizawa, Masanori Natsui, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

PROCEEDINGS OF THE IEEE　104　(10)　1844-1863　2016年10月

DOI： 10.1109/JPROC.2016.2574939 　

ISSN：0018-9219

eISSN：1558-2256
Spintronics 査読有り

H. Ohno, M. D. Stiles, B. Dieny

Proc. Institute of Electrical and Electronics Engineers　104　1782-1786　2016年10月

DOI： 10.1109/JPROC.2016.2601163 　
Free- and reference-layer magnetization modes versus in-plane magnetic field in a magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic easy axis 査読有り

Hamid Mazraati, Tuan Q. Le, Ahmad A. Awad, Sunjae Chung, Eriko Hirayama, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno, Johan Akerman

PHYSICAL REVIEW B　94　(10)　104428(1)-104428(6)　2016年9月

DOI： 10.1103/PhysRevB.94.104428 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Peculiar temperature dependence of electric-field effect on magnetic anisotropy in Co/Pd/MgO system 査読有り

Y. Hibino, T. Koyama, A. Obinata, T. Hirai, S. Ota, K. Miwa, S. Ono, F. Matsukura, H. Ohno, D. Chiba

APPLIED PHYSICS LETTERS　109　(8)　082403(1)-082403(4)　2016年8月

DOI： 10.1063/1.4961621 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Magnetic Properties of CoFeB-MgO Stacks With Different Buffer-Layer Materials (Ta or Mo) 査読有り

Kyota Watanabe, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　52　(7)　3400904(1)-3400904(4)　2016年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2016.2514525 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Current-Induced Magnetization Switching of CoFeB/Ta/[Co/Pd (Pt)]-Multilayers in Magnetic Tunnel Junctions With Perpendicular Anisotropy 査読有り

Shinya Ishikawa, Eli C. I. Enobio, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　52　(7)　3400704(1)-3400704(4)　2016年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2016.2517098 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Improvement of Thermal Tolerance of CoFeB-MgO Perpendicular-Anisotropy Magnetic Tunnel Junctions by Controlling Boron Composition 査読有り

H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, S. Sato, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　52　(7)　3401104(1)-3401104(4)　2016年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2016.2518203 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Effect of electric-field modulation of magnetic parameters on domain structure in MgO/CoFeB 査読有り

T. Dohi, S. Kanai, A. Okada, F. Matsukura, H. Ohno

AIP ADVANCES　6　(7)　075017(1)-075017(4)　2016年7月

DOI： 10.1063/1.4959905 　

ISSN：2158-3226
Fermi level position, Coulomb gap, and Dresselhaus splitting in (Ga,Mn)As 査読有り

S. Souma, L. Chen, R. Oszwaldowski, T. Sato, F. Matsukura, T. Dietl, H. Ohno, T. Takahashi

SCIENTIFIC REPORTS　6　27266 (1)-27266 (10)　2016年6月

DOI： 10.1038/srep27266 　

ISSN：2045-2322
Magnetization switching by spin-orbit torque in an antiferromagnet-ferromagnet bilayer system 査読有り

Shunsuke Fukami, Chaoliang Zhang, Samik DuttaGupta, Aleksandr Kurenkov, Hideo Ohno

NATURE MATERIALS　15　(5)　535-+　2016年5月

DOI： 10.1038/NMAT4566 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Electric-field-induced magnetization switching in CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions with high junction resistance 査読有り

S. Kanai, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　108　(19)　192406 (1)-192406 (3)　2016年5月

DOI： 10.1063/1.4948763 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Current-induced domain wall motion in magnetic nanowires with various widths down to less than 20 nm 査読有り

Shunsuke Fukami, Toru Iwabuchi, Hideo Sato, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(4)　04EN01(1)-04EN01(4)　2016年4月

DOI： 10.7567/JJAP.55.04EN01 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Study on initial current leakage spots in CoFeB-capped MgO tunnel barrier by conductive atomic force microscopy 査読有り

Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa

Japanese Journal of Applied Physics　55　(4)　04EE05(1)-04EE05(7)　2016年4月1日
出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/JJAP.55.04EE05 　

ISSN：1347-4065 0021-4922
Electric field control of Skyrmions in magnetic nanodisks 査読有り

Y. Nakatani, M. Hayashi, S. Kanai, S. Fukami, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　108　(15)　152403(1)-152403(5)　2016年4月

DOI： 10.1063/1.4945738 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
A spin-orbit torque switching scheme with collinear magnetic easy axis and current configuration 査読有り

S. Fukami, T. Anekawa, C. Zhang, H. Ohno

Nature Nanotechnology　1-6　2016年3月21日

DOI： 10.1038/nnano.2016.29 　
Atomic-Scale Structure and Local Chemistry of CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

Zhongchang Wang, Mitsuhiro Saito, Keith P. McKenna, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Yuichi Ikuhara

NANO LETTERS　16　(3)　1530-1536　2016年3月

DOI： 10.1021/acs.nanolett.5b03627 　

ISSN：1530-6984

eISSN：1530-6992
Temperature dependence of in-plane magnetic anisotropy and anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As codoped with Li 査読有り

Shohei Miyakozawa, Lin Chen, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　108　(11)　112404 (1)-112404 (3)　2016年3月

DOI： 10.1063/1.4944328 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Magnetic stray-field studies of a single Cobalt nanoelement as a component of the building blocks of artificial square spin ice 査読有り

Merlin Pohlit, Fabrizio Porrati, Michael Huth, Yuzo Ohno, Hideo Ohno, Jens Mueller

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　400　206-212　2016年2月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2015.08.072 　

ISSN：0304-8853

eISSN：1873-4766
(Ga,Mn)Asのin-situ高分解能ARPES

相馬清吾, Chen L, Oszwałdowski R, 佐藤宇史, 松倉文礼, Ditel T, 大野英男, 高橋隆

日本物理学会講演概要集　71　848-848　2016年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_848 　

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<p>強磁性半導体(Ga,Mn)Asは、多くのスピントロニクス新現象の実証に貢献してきたモデル物質であるが、強磁性機構の土台となるフェルミ準位近傍の電子構造が未だに決着していない。今回我々はTc~100Kの高ドープ試料についてin-situ高分解能ARPESを行い、フェルミ準位がAsホールバンド内にあることを見出した。この結果は、ホールキャリアが磁性を媒介するp-d Zenerモデルを強力に支持している。</p>
Magnetization Reversal by Field and Current Pulses in Elliptic CoFeB/MgO Tunnel Junctions With Perpendicular Easy Axis 査読有り

Eriko Hirayama, Hideo Sato, Shun Kanai, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE MAGNETICS LETTERS　7　3104004(1)-3104004(4)　2016年

DOI： 10.1109/LMAG.2016.2568163 　

ISSN：1949-307X
Adiabatic spin-transfer-torque-induced domain wall creep in a magnetic metal 査読有り

S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

Nature Physics　3593　1-5　2015年12月14日
Temperature dependence of energy barrier in CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis 査読有り

Y. Takeuchi, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　107　(15)　152405(1)-152405(3)　2015年10月

DOI： 10.1063/1.4933256 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Ferromagnetic resonance of Py deposited on ZnO grown by molecular beam epitaxy 査読有り

Sophie D'Ambrosio, Lin Chen, Hiroyasu Nakayama, Fumihiro Matsukura, Tomasz Dietl, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(9)　093001(1)-093001(4)　2015年9月

DOI： 10.7567/JJAP.54.093001 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Temperature dependence of lattice parameter of (Ga,Mn)As on GaAs substrate 査読有り

Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(9)　098003(1)-098003(2)　2015年9月

DOI： 10.7567/JJAP.54.098003 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Vertical electric field induced suppression of fine structure splitting of excited state excitons in a single GaAs/AlGaAs island quantum dots 査読有り

Mohsen Ghali, Yuzo Ohno, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　107　(12)　123102(1)-123102(5)　2015年9月

DOI： 10.1063/1.4931360 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Electric-field induced nonlinear ferromagnetic resonance in a CoFeB/MgO magnetic tunnel junction 査読有り

E. Hirayama, S. Kanai, J. Ohe, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　107　(13)　132404(1)-132404(4)　2015年9月

DOI： 10.1063/1.4932092 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Spin-orbit torque induced magnetization switching in nano-scale Ta/CoFeB/MgO 査読有り

C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　107　(1)　012401(1)-012401(4)　2015年7月

DOI： 10.1063/1.4926371 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Electric-Field Modulation of Damping Constant in a Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn) As 査読有り

Lin Chen, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS　115　(5)　057204(1)-057204(5)　2015年7月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.115.057204 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Erratum: “Evidence of a reduction reaction of oxidized iron/cobalt by boron atoms diffused toward naturally oxidized surface of CoFeB layer during annealing” [Appl. Phys. Lett. 106, 142407 (2015)] 査読有り

Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa

Applied Physics Letters　106　(24)　249901　2015年6月

DOI： 10.1063/1.4922749 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Fabrication of a 3000-6-Input-LUTs Embedded and Block-Level Power-Gated Nonvolatile FPGA Chip Using p-MTJ-Based Logic-in-Memory Structure 査読有り

D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

2015 Diguest of Technical Papers, Symp. VLSI Circuit　172-173　2015年6月
Inverse spin Hall effect in Pt/(Ga,Mn)As 査読有り

H. Nakayama, L. Chen, H. W. Chang, H. Ohno, F. Matsukura

APPLIED PHYSICS LETTERS　106　(22)　222405(1)-222405(4)　2015年6月

DOI： 10.1063/1.4922197 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Thermal stability of a magnetic domain wall in nanowires 査読有り

S. Fukami, J. Ieda, H. Ohno

PHYSICAL REVIEW B　91　(23)　235401(1)-235401(7)　2015年6月

DOI： 10.1103/PhysRevB.91.235401 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Driving Force in Diffusion and Redistribution of Reducing Agents during Redox Reaction on the Surface of CoFeB Film 査読有り

S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, M. Niwa, T. Endoh

IEEE. Transactions on Magnetics　PP　(99)　1　2015年5月19日

DOI： 10.1109/TMAG.2015.2434840 　
1T1MTJ STT-MRAM Cell Array Design with an Adaptive Reference Voltage Generator for Improving Device Variation Tolerance 査読有り

H. Koike, S. Miura, H. Honjo, T. Watanabe, H. Sato, S. Sato, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh

2015 IEEE International Memory Workshop　1-4　2015年5月17日

DOI： 10.1109/IMW.2015.7150264 　
Diffusion Behaviors Observed on the Surface of CoFeB Film after the Natural Oxidation and the Annealing 査読有り

S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, M. Niwa

2015 IEEE Magnetic Conference (INTERMAG2015)　GP-01　2015年5月15日

DOI： 10.1109/INTMAG.2015.7157496 　
Ferromagnetic resonance in nanoscale CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions 査読有り

E. Hirayama, S. Kanai, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　117　(17)　17B708(1)-17B708(4)　2015年5月

DOI： 10.1063/1.4908149 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Nanocluster building blocks of artificial square spin ice: Stray-field studies of thermal dynamics 査読有り

Merlin Pohlit, Fabrizio Porrati, Michael Huth, Yuzo Ohno, Hideo Ohno, Jens Mueller

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　117　(17)　17C746(1)-17C746(4)　2015年5月

DOI： 10.1063/1.4917497 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Evidence of a reduction reaction of oxidized iron/cobalt by boron atoms diffused toward naturally oxidized surface of CoFeB layer during annealing 査読有り

Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa

Applied Physics Letters　106　(14)　142407(1)-142407(5)　2015年4月6日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.4917277 　

ISSN：0003-6951
In-plane anisotropy of a nano-scaled magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic easy axis 査読有り

Eriko Hirayama, Shun Kanai, Koji Sato, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(4)　04DM03(1)-04DM03(3)　2015年4月

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DM03 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Dependence of magnetic properties of MgO/CoFeB/Ta stacks on CoFeB and Ta thicknesses 査読有り

Kyota Watanabe, Shinya Ishikawa, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanouchi, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(4)　04DM04(1)-04DM04(3)　2015年4月

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DM04 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions fabricated over the bottom electrode contact 査読有り

Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Keizo Kinoshita, Keiichi Tokutome, Hiroaki Koike, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(4)　04DM06(1)-04DM06(4)　2015年4月

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DM06 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Power-gated 32 bit microprocessor with a power controller circuit activated by deep-sleep-mode instruction achieving ultra-low power operation 査読有り

Hiroki Koike, Takashi Ohsawa, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(4)　04DE08(1)-04DE08(5)　2015年4月

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DE08 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Nature Nanotechnology 査読有り

F. Matsuura, Y. Tokura, H. Ohno

Nature Nanotechnology　10　209-220　2015年3月5日
Control of magnetism by electric fields 査読有り

Fumihiro Matsukura, Yoshinori Tokura, Hideo Ohno

NATURE NANOTECHNOLOGY　10　(3)　209-220　2015年3月

DOI： 10.1038/NNANO.2015.22 　

ISSN：1748-3387

eISSN：1748-3395
Localized precessional mode of domain wall controlled by magnetic field and dc current 査読有り

Ryo Hiramatsu, Kab-Jin Kim, Takuya Taniguchi, Takayuki Tono, Takahiro Moriyama, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno, Yoshinobu Nakatani, Teruo Ono

APPLIED PHYSICS EXPRESS　8　(2)　023003(1)-023003(4)　2015年2月

DOI： 10.7567/APEX.8.023003 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Nonvolatile Logic-in-Memory LSI Using Cycle-Based Power Gating and its Application to Motion-Vector Prediction 査読有り

Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Noboru Sakimura, Ryusuke Nebashi, Yukihide Tsuji, Ayuka Morioka, Tadahiko Sugibayashi, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Keizo Kinoshita, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS　50　(2)　476-489　2015年2月

DOI： 10.1109/JSSC.2014.2362853 　

ISSN：0018-9200

eISSN：1558-173X
Spintronics: from basic research to VLSI application 査読有り

S. Kanai, F. Matsukura, H. Sato, S. Fukami

Association of Aisa Pacific Physical Societies, AAPPS　25　4-11　2015年2月
17pCB-8 磁気異方性の電界制御とその応用

金井駿, 松倉文礼, 大野英男

日本物理学会講演概要集　70　2288-2288　2015年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_2288 　

ISSN：2189-079X
23pAD-1 磁場および電流によって制御された磁壁発振器

平松亮, Kim Kab-Jin, 谷口卓也, 東野隆之, 森山貴広, 深見俊輔, 山ノ内路彦, 大野英男, 仲谷栄伸, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　70　1196-1196　2015年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_1196 　

ISSN：2189-079X
CoFeB Thickness Dependence of Damping Constants for Single and Double CoFeB-MgO Interface Structures 査読有り

Eli Christopher I. Enobio, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE MAGNETICS LETTERS　6　5700303(1)-5700303(3)　2015年

DOI： 10.1109/LMAG.2015.2475718 　

ISSN：1949-307X
Magnetic anisotropy in Ta/CoFeB/MgO investigated by x-ray magnetic circular dichroism and first-principles calculation 査読有り

Shun Kanai, Masahito Tsujikawa, Yoshio Miura, Masafumi Shirai, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　105　(22)　222409(1)-222409(4)　2014年12月

DOI： 10.1063/1.4903296 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
A Nonvolatile Associative Memory-Based Context-Driven Search Engine Using 90 nm CMOS/MTJ-Hybrid Logic-in-Memory Architecture 査読有り

Hooman Jarollahi, Naoya Onizawa, Vincent Gripon, Noboru Sakimura, Tadahiko Sugibayashi, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu, Warren J. Gross

IEEE JOURNAL ON EMERGING AND SELECTED TOPICS IN CIRCUITS AND SYSTEMS　4　(4)　460-474　2014年12月

DOI： 10.1109/JETCAS.2014.2361061 　

ISSN：2156-3357
Electric field-induced ferromagnetic resonance in a CoFeB/MgO magnetic tunnel junction under dc bias voltages 査読有り

Shun Kanai, Martin Gajek, D. C. Worledge, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　105　(24)　242409(1)-242409(4)　2014年12月

DOI： 10.1063/1.4904956 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Material stack design with high tolerance to process induced damage in domain wall motion device 査読有り

H. Honjo, S. Fukami, K. Ishihara, K. Kinoshita, Y. Tsuji, A. Morioka, R. Nebashi, K. Tokutome, N. Sakimura, M. Murahata, S. Miura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

IEEE Transaction on Magnetics　50　(11)　1401904-1401904　2014年11月18日

DOI： 10.1109/TMAG.2014.2325019 　

ISSN：0018-9464
Domain Wall Motion Device for Nonvolatile Memory and Logic - Size Dependence of Device Properties 査読有り

Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　50　(11)　3401006(1)-3401006(6)　2014年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2014.2321396 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Process-induced damage and its recovery for a CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic easy axis 査読有り

Keizo Kinoshita, Hiroaki Honjo, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Kotaro Mizunuma, Keiichi Tokutome, Michio Murahata, Shoji Ikeda, Sadahiko Miura, Naoki Kasai, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(10)　103001(1)-103001(6)　2014年10月

DOI： 10.7567/JJAP.53.103001 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Influence of Heavy Ion Irradiation on Perpendicular-Anisotropy CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

Daisuke Kobayashi, Yuya Kakehashi, Kazuyuki Hirose, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Eli Christopher Enobio, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE　61　(4)　1710-1716　2014年8月

DOI： 10.1109/TNS.2014.2304738 　

ISSN：0018-9499

eISSN：1558-1578
Electric-field effects on magnetic anisotropy and damping constant in Ta/CoFeB/MgO investigated by ferromagnetic resonance 査読有り

A. Okada, S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　105　(5)　052415-(1)-052415-(4)　2014年8月

DOI： 10.1063/1.4892824 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Properties of magnetic tunnel junctions with a MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure down to junction diameter of 11 nm 査読有り

H. Sato, E. C. I. Enobio, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, S. Kanai, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　105　(6)　062403(1)-062403(4)　2014年8月

DOI： 10.1063/1.4892924 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Interface control of the magnetic chirality in CoFeB/MgO heterostructures with heavy-metal underlayers 査読有り

Jacob Torrejon, Junyeon Kim, Jaivardhan Sinha, Seiji Mitani, Masamitsu Hayashi, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno

NATURE COMMUNICATIONS　5　(4693)　5693-(1)-5693-(8)　2014年8月

DOI： 10.1038/ncomms5655 　

ISSN：2041-1723
Properties of (Ga,Mn)As codoped with Li 査読有り

Shohei Miyakozawa, Lin Chen, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　104　(22)　222408-(1)-222408-(4)　2014年6月

DOI： 10.1063/1.4881636 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Co/Pt multilayer-based magnetic tunnel junctions with a CoFeB/Ta insertion layer 査読有り

S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17C719(1)-17C719(3)　2014年5月

DOI： 10.1063/1.4862724 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Distribution of critical current density for magnetic domain wall motion 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, Y. Nakatani, K. -J. Kim, T. Koyama, D. Chiba, S. Ikeda, N. Kasai, T. Ono, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17D508(1)-17D508(3)　2014年5月

DOI： 10.1063/1.4866394 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Anomalous temperature dependence of current-induced torques in CoFeB/MgO heterostructures with Ta-based underlayers 査読有り

Junyeon Kim, Jaivardhan Sinha, Seiji Mitani, Masamitsu Hayashi, Saburo Takahashi, Sadamichi Maekawa, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno

PHYSICAL REVIEW B　89　(17)　174424-(1)-174424-(8)　2014年5月

DOI： 10.1103/PhysRevB.89.174424 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Magnetization switching in a CoFeB/MgO magnetic tunnel junction by combining spin-transfer torque and electric field-effect 査読有り

S. Kanai, Y. Nakatani, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　104　(21)　212406(1)-212406(3)　2014年5月

DOI： 10.1063/1.4880720 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Co/Pt multilayer based reference layers in magnetic tunnel junctions for nonvolatile spintronics VLSIs 査読有り

Hideo Sato, Shoji Ikeda, Shunsuke Fukami, Hiroaki Honjo, Shinya Ishikawa, Michihiko Yamanouchi, Kotaro Mizunuma, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(4)　04EM02(1)-04EM02(3)　2014年4月

DOI： 10.7567/JJAP.53.04EM02 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Direct mapping of photoexcited local spins in a modulation-doped GaAs/AlGaAs wires 査読有り

Jun Ishihara, Yuzo Ohno, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　53　(4)　04EM04(1)-04EM04(3)　2014年4月

DOI： 10.7567/JJAP.53.04EM04 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Quantitative characterization of the spin-orbit torque using harmonic Hall voltage measurements 査読有り

Masamitsu Hayashi, Junyeon Kim, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno

PHYSICAL REVIEW B　89　(14)　144425-(1)-144425-(15)　2014年4月

DOI： 10.1103/PhysRevB.89.144425 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure with low intrinsic critical current and high thermal stability 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

Journal of the Magnetics Society of Japan　38　(No. 2-2)　56-60　2014年3月20日

DOI： 10.3379/msjmag.1403R002 　
Strain and origin of inhomogeneous broadening probed by optically detected nuclear magnetic resonance in a (110) GaAs quantum well 査読有り

M. Ono, J. Ishihara, G. Sato, S. Matsuzaka, Y. Ohno, H. Ohno

PHYSICAL REVIEW B　89　(11)　115308(1)-115308(4)　2014年3月

DOI： 10.1103/PhysRevB.89.115308 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Dilute ferromagnetic semiconductors: Physics and spintronic structures 査読有り

Tomasz Dietl, Hideo Ohno

REVIEWS OF MODERN PHYSICS　86　(1)　187-251　2014年3月

DOI： 10.1103/RevModPhys.86.187 　

ISSN：0034-6861

eISSN：1539-0756
Journal of Applied Physics 査読有り

C. Zhang, M. Yamanouchi, H .Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis　115　17C714(1)-17C714(3)　2014年1月29日
Plasma process induced physical damages on ultra-thin multilayered films for magnetic domain wall motion devices 査読有り

K. Kinoshita, H. Honjo, S. Fukami, R. Nebashi, S. Miura, N. Kasai, S. Ikeda, H. Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　53　(3 SPEC. ISSUE 2)　2014年

DOI： 10.7567/JJAP.53.03DF03 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Three-terminal magnetic tunneling junction device with perpendicular anisotropy CoFeB sensing layer 査読有り

H. Honjo, S. Fukami, K. Ishihara, R. Nebashi, K. Kinoshita, K. Tokutome, M. Murahata, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

Journal of Applied Physics　115　(17)　17B750　2014年

DOI： 10.1063/1.4868623 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
IEEE Transactions on Magnetics 査読有り

S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, Y. Nakatani, F. Matsukura, H. Ohno

Electric field-induced magnetization switching in CoFeB-MgO-static magnetic field angle dependence　50　(1)　4200103(1)-4200103(3)　2014年1月
Applied Physics Express 査読有り

J. Ishihara, Y. Ohno, H. Ohno

Direct imaging of gate-controlled persistent spin helix state in a modulation-doped GaAs/AlGaAs quantum well　7　013001(1)-013001(4)　2014年1月
Applied Physics Express 査読有り

L. Chen, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

DC voltages in Py and Py/Pt under ferromagnetic resonance　7　013002(1)-013002(4)　2014年1月
Applied Physics Letters 査読有り

C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Magnetotransport measurements of current induced effective fields in Ta/CoFeB/MgO　103　262407(1)-262407(3)　2013年12月31日
Applied Physics Letters 査読有り

E. C. I. Enobio, K. Ohtani, Y. Ohno, H. Ohno

Detection and measurement of electroreflectance on quantum cascade laser device using Fourier transform infrared microscope　103　231106(1)-231106(4)　2013年12月4日
Fabrication of a Perpendicular-MTJ-Based Compact Nonvolatile Programmable Switch Using Shared-Write-Control-Transistor Structure 査読有り

D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

Abst. 58th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　233　2013年11月
MTJ resistance distribution and its bit error rate of 1-kbit 1T-1MTJ STT-MRAM cell arrays fabricated on a 300-mm wafer 査読有り

H. Koike, T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno

58th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials Abstract　2013年11月
Applied Physics Express 査読有り

M. Kawaguchi, K. Shimamura, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno, T. Moriyama, D. Chiba, T. Ono

Current-induced effectivve fields detected by magnetotransport measurements　6　113002(1)-113002(4)　2013年10月18日
Applied Physics Letters 査読有り

D. Chiba, T. Ono, F. Matsukura, H. Ohno

Electric field control of thermal stability and magnetization switching in (Ga,Mn)As　103　142418(1)-142418(4)　2013年10月4日
Spintronics-based integrated circuits and contribution to energy saving society

Hideo Ohno, Takahiro Hanyu, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Yasuo Ando, Naoki Kasai

Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers　96　(10)　771-775　2013年10月

ISSN：0913-5693
Applied Physics Letters 査読有り

H. W. Chang, S. Akita, F. Matsukura, H. Ohno

Hole concentration dependence of the Curie temperature of (Ga,Mn)Sb in a field-effect structure　103　142402(1)-142402(4)　2013年9月30日
Applied Physics Letters 査読有り

S. Kanai, Y. Nakatani, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

In-plane magnetic field dependence of electric field-induced magnetization switching　103　072408(1)-072408(4)　2013年8月16日
Nature Communications 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Ohno

Depinning probability of a magnetic domain wall in nanowires by spin-polarized currents　4　1-7　2013年8月15日
Applied Physics Express 査読有り

S. Fukami, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, H. Ohno

CoNi films with perpendicular magnetic anisotropy prepared by alternate monoatomic layer deposition　6　073010(1)-073010(3)　2013年7月9日
IEEE Transactions on Magnetics 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure in magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis　49　(7)　4437-4440　2013年7月7日
IEEE Journal of Solid-State Circuits 査読有り

T. Ohsawa, H. Koike, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

A 1 Mb nonvolatile embedded memory using 4T2MTJ cell with 32 b fine-grained power gating scheme　48　(6)　1511-1520　2013年6月22日
Nature Communications 査読有り

L. Chen, F. Matsukura, H. Ohno

Direct-current voltages in (Ga,Mn)As structures induced by ferromagnetic resonance　4　1-6　2013年6月20日
Applied Physics Letters 査読有り

J. Sinha, M. Hayashi, A. J. Kellock, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, S. Mitani, S. H. Yang, S. S. P. Parkin, H. Ohno

Enhanced interface perpendicular magnetic anisotropy in Ta|CoFeB|MgO using nitrogen doped Ta underlayers　102　l 242405(1)-l 242405(4)　2013年6月18日
Nature Communications 査読有り

K. J. Kim, R. Hiramatsu, T. Koyama, K. Ueda, Y. Yoshimura, D. Chiba, K. Kobayashi, Y. Nakatani, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, H. Kohno, G. Tatara, T. Ono

Two-barrier stability that allows low-power operation in current-induced domain-wall motion　4　1-6　2013年6月17日
Applied Physics Letters 査読有り

S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, S. Miura, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

Electrical endurance of Co/Ni wire for magnetic domain wall motion device　102　222410(1)-222410(4)　2013年6月6日
Fabrication of a 99%-Energy-Less Nonvolatile Multi-Functional CAM Chip Using Hierarchical Power Gating for a Massively-Parallel Full-Text-Search Engine 査読有り

S. Matsunaga, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, T. Sugibayashi, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Fukami, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

2013 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers　106-107　2013年6月
Applied Physics Letters 査読有り

M. Yamanouchi, L. Chen, J. Kim, M. Hayashi, S. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Three terminal magnetic tunnel junction utilizing the spin Hall effect of iridium-doped copper　102　212408(1)-212408(4)　2013年5月30日
Applied Physics Letters 査読有り

J. Ishihara, M. Ono, Y. Ohno, H. Ohno

A strong anisotropy of spin dephasing time of quasi-one dimensional electron gas in modulation-doped GaAs/AlGaAs wires　102　212402(1)-212402(4)　2013年5月28日
Applied Physics Express 査読有り

K. Mizunuma, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, S. Kanai, F. Matsukura, H. Ohno

Size dependence of magnetic properties of nanoscale CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic easy axis observed by ferromagnetic resonance　6　063002(1)-063002(3)　2013年5月22日
Journal of Applied Physics 査読有り

S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

Magnetic properties of MgO-[Co/Pt] multilayers with a CoFeB insertion layer　113　17C721(1)-17C721(3)　2013年4月3日
Bridging semiconductor and magnetism 査読有り

H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　113　(13)　136509(1)-136509(5)　2013年4月

DOI： 10.1063/1.4795537 　

ISSN：0021-8979
Journal of Applied Physics 招待有り

H. Ohno

Bridging semiconductor and magnetism　113　136509(1)-136509(5)　2013年3月29日
Coherent Manipulation of Nuclear Spins in Semiconductors with an Electric Field 査読有り

Masaaki Ono, Jun Ishihara, Genki Sato, Yuzo Ohno, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS EXPRESS　6　(3)　033002(1)-033002(3)　2013年3月

DOI： 10.7567/APEX.6.033002 　

ISSN：1882-0778
Nature Materials 査読有り

J. Kim, J. Sinha, M. Hayashi, M. Yamanouchi, S. Fukami, T. Suzuki, S. Mitani, H. Ohno

Layer thickness dependence of the current-induced effective field vector in Ta/CoFeB/MgO　12　240-245　2013年3月
Applied Physics Express 査読有り

M. Ono, J. Ishihara, G. Sato, Y. Ohno, H. Ohno

Coherent manipulation of nuclear spins in semiconductors with an electric field　6　033002(1)-033002(3)　2013年2月28日
Physical Review B 査読有り

L. R. Fleet, K. Yoshida, H. Kobayaashi, Y. Kaneko, S. Matsuzaka, Y. Ohno, H. Ohno, S. Honda, J. Inoue, A. Hirohata

Correlating the interface structure to spin injection in abrupt Fe/GaAs(001)films　87　024401(1)-024401(5)　2013年1月2日
Detection and measurement of electroreflectance on quantum cascade laser device using Fourier transform infrared microscope

Enobio, E.C.I., Ohtani, K., Ohno, Y., Ohno, H.

Applied Physics Letters　103　(23)　2013年

DOI： 10.1063/1.4839421 　
Low-current domain wall motion MRAM with perpendicularly magnetized CoFeB/MgO magnetic tunnel junction and underlying hard magnets

T. Suzuki, H. Tanigawa, Y. Kobayashi, K. Mori, Y. Ito, Y. Ozaki, K. Suemitsu, T. Kitamura, K. Nagahara, E. Kariyada, N. Ohshima, S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, M. Hayashi, M. Sakao, H. Ohno

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　2013年

ISSN：0743-1562
Fabrication of a Magnetic Tunnel Junction-Based 240-Tile Nonvolatile Field-Programmable Gate Array Chip Skipping Wasted Write Operations for Greedy Power-Reduced Logic Applications 査読有り

D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

IEICE Electronics Express　10　(23)　20130772　2013年

DOI： 10.1587/elex.10.20130772 　

ISSN：1349-2543
Correlating the interface structure to spin injection in abrupt Fe/GaAs(001) films 査読有り

L. R. Fleet, K. Yoshida, H. Kobayashi, Y. Kaneko, S. Matsuzaka, Y. Ohno, H. Ohno, S. Honda, J. Inoue, A. Hirohata

PHYSICAL REVIEW B　87　(2)　024401(1)-024401(5)　2013年1月

DOI： 10.1103/PhysRevB.87.024401 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Layer thickness dependence of the current-induced effective field vector in Ta/CoFeB/MgO 査読有り

J. Kim, J. Sinha, M. Hayashi, M. Yamanouchi, S. Fukami, T. Suzuki, S. Mitani, H. Ohno

Nature Materials　12　1-6　2012年12月23日

DOI： 10.1038/nmat3522 　
Spin 査読有り

S. Ikeda, H. Sato, M. Yamanouchi, H. Gan, K. Miura, K. Mizunuma, S. Kanai, S. Fukami, F. Matsukura, N. Kasai, H. Ohno

Recent progress of perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions for nonvolatile VLSI　2　(3)　1240003(1)-1240003(12)　2012年12月4日

DOI： 10.4018/ijfsa.2012070101 　
Applied Physics Letters 査読有り

A. A. Greer, A. X. Gray, S. Kanai, A. M. Kaiser, S. Ueda, Y. Yamashita, C. Bordel, G. Palsson, N. Maejima, S. H. Yang, G. Conti, K. Kobayashi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno, C. M. Schneider, J. B. Kortright, F. Hellman, C. S. Fadley

Observation of boron diffusion in an annealed Ta/CoFeB/MgO magnetic tunnel junction with standing-wave hard x-ray photoemission　101　202402(1)-202402(4)　2012年11月12日
Boron Composition Dependence of Magnetic Anisotropy and Tunnel Magnetoresistance in MgO/CoFe(B) Based Stack Structures 査読有り

Shoji Ikeda, Ryohei Koizumi, Hideo Sato, Michihiko Yamanouchi, Katsuya Miura, Kotaro Mizunuma, Huadong Gan, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　48　(11)　3829-3832　2012年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2012.2203588 　

ISSN：0018-9464
IEEE Transactions on Magnetics 査読有り

S. Ikeda, R. Koizumi, H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, K. Mizunuma, H. Gan, F. Matsukura, H. Ohno

Boron composition dependence of magnetic anisotropy and tunnel magnetoresistance in MgO/CoFe(B) based stack structures　48　(11)　3829-3832　2012年11月
Observation of boron diffusion in an annealed Ta/CoFeB/MgO magnetic tunnel junction with standing-wave hard x-ray photoemission 査読有り

A. A. Greer, A. X. Gray, S. Kanai, A. M. Kaiser, S. Ueda, Y. Yamashita, C. Bordel, G. Palsson, N. Maejima, S. -H. Yang, G. Conti, K. Kobayashi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno, C. M. Schneider, J. B. Kortright, F. Hellman, C. S. Fadley

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(20)　202402(1)-202402(4)　2012年11月

DOI： 10.1063/1.4766351 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Current-induced magnetic domain wall motion below intrinsic threshold triggered by Walker breakdown 査読有り

T. Koyama, K. Ueda, K. -J. Kim, Y. Yoshimura, D. Chiba, K. Yamada, J. -P. Jamet, A. Mougin, A. Thiaville, S. Mizukami, S. Fukami, N. Ishiwata, Y. Nakatani, H. Kohno, K. Kobayashi, T. Ono

NATURE NANOTECHNOLOGY　7　(10)　635-639　2012年10月

DOI： 10.1038/nnano.2012.151 　

ISSN：1748-3387

eISSN：1748-3395
On the influence of nanometer-thin antiferromagnetic surface layer on ferromagnetic CrO2 査読有り

P. Das, A. Bajpai, Y. Ohno, H. Ohno, J. Mueller

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　112　(5)　053921(1)-053921(4)　2012年9月

DOI： 10.1063/1.4751350 　

ISSN：0021-8979
Material parameters and thermal stability of synthetic ferrimagnet free layers in magnetic tunnel junction nanopillars 査読有り

D. Marko, T. Devolder, K. Miura, K. Ito, Joo-Von Kim, C. Chappert, S. Ikeda, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　112　(5)　053922(1)-053922(4)　2012年9月

DOI： 10.1063/1.4751025 　

ISSN：0021-8979
Electric field-induced magnetization reversal in a perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction 招待有り査読有り

S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, Y. Nakatani, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(12)　122403(1)-122403(3)　2012年9月

DOI： 10.1063/1.4753816 　

ISSN：0003-6951
Damage Recovery by Reductive Chemistry after Methanol-Based Plasma Etch to Fabricate Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

Keizo Kinoshita, Tadashi Yamamoto, Hiroaki Honjo, Naoki Kasai, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(8)　08HA01(1)-08HA01(6)　2012年8月

DOI： 10.1143/JJAP.51.08HA01 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Scalability Prospect of Three-Terminal Magnetic Domain-Wall Motion Device 査読有り

Shunsuke Fukami, Nobuyuki Ishiwata, Naoki Kasai, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　48　(7)　2152-2157　2012年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2012.2187792 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with a MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(2)　022414(1)-022414(4)　2012年7月

DOI： 10.1063/1.4736727 　

ISSN：0003-6951
Current-Induced Domain Wall Motion in Perpendicularly Magnetized Co/Ni Nanowire under In-Plane Magnetic Fields 査読有り

Yoko Yoshimura, Tomohiro Koyama, Daichi Chiba, Yoshinobu Nakatani, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Hideo Ohno, Teruo Ono

APPLIED PHYSICS EXPRESS　5　(6)　063001(1)-063001(3)　2012年6月

DOI： 10.1143/APEX.5.063001 　

ISSN：1882-0778
Electric Field Effect on Magnetization of an Fe Ultrathin Film 査読有り

Masashi Kawaguchi, Kazutoshi Shimamura, Shimpei Ono, Shunsuke Fukami, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno, Daichi Chiba, Teruo Ono

APPLIED PHYSICS EXPRESS　5　(6)　063007(1)-063007(3)　2012年6月

DOI： 10.1143/APEX.5.063007 　

ISSN：1882-0778
Vertical-Electrical-Field-Induced Control of the Exciton Fine Structure Splitting in GaAs Island Quantum Dots for the Generation of Polarization-Entangled Photons 査読有り

Mohsen Ghali, Keita Ohtani, Yuzo Ohno, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(6)　06FE14(1)-06FE14(3)　2012年6月

DOI： 10.1143/JJAP.51.06FE14 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Photocurrent Measurements on a Quantum Cascade Laser Device by Fourier Transform Infrared Microscope 査読有り

Eli Christopher I. Enobio, Hiroki Sato, Keita Ohtani, Yuzo Ohno, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(6)　06FE15(1)-06FE15(3)　2012年6月

DOI： 10.1143/JJAP.51.06FE15 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Spin-motive force due to a gyrating magnetic vortex 査読有り

K. Tanabe, D. Chiba, J. Ohe, S. Kasai, H. Kohno, S. E. Barnes, S. Maekawa, K. Kobayashi, T. Ono

NATURE COMMUNICATIONS　3　2012年5月

DOI： 10.1038/ncomms1824 　

ISSN：2041-1723
Dependence of Magnetic Anisotropy in Co20Fe60B20 Free Layers on Capping Layers in MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions with In-Plane Easy Axis 査読有り

Hiroyuki Yamamoto, Jun Hayakawa, Katsuya Miura, Kenchi Ito, Hideyuki Matsuoka, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS EXPRESS　5　(5)　053002(1)-053002(3　2012年5月

DOI： 10.1143/APEX.5.053002 　

ISSN：1882-0778
Current-induced torques in magnetic materials 査読有り

Arne Brataas, Andrew D. Kent, Hideo Ohno

NATURE MATERIALS　11　(5)　372-381　2012年5月

DOI： 10.1038/NMAT3311 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Spatial control of magnetic anisotropy for current induced domain wall injection in perpendicularly magnetized CoFeB vertical bar MgO nanostructures 査読有り

Masamitsu Hayashi, Michihiko Yamanouchi, Shunsuke Fukami, Jaivardhan Sinha, Seiji Mitani, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　100　(19)　192411(1)-192411(4)　2012年5月

DOI： 10.1063/1.4711016 　

ISSN：0003-6951
Magnetism of Co-doped ZnO epitaxially grown on a ZnO substrate 査読有り

Li Li, Y. Guo, X. Y. Cui, Rongkun Zheng, K. Ohtani, C. Kong, A. V. Ceguerra, M. P. Moody, J. D. Ye, H. H. Tan, C. Jagadish, Hui Liu, C. Stampfl, H. Ohno, S. P. Ringer, F. Matsukura

PHYSICAL REVIEW B　85　(17)　174430(1)-174430(8)　2012年5月

DOI： 10.1103/PhysRevB.85.174430 　

ISSN：1098-0121
Domain-wall-motion cell with perpendicular anisotropy wire and in-plane magnetic tunneling junctions 査読有り

H. Honjo, S. Fukami, T. Suzuki, R. Nebashi, N. Ishiwata, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　C7C903(1)-C7C903(3)　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3671437 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Six-input lookup table circuit with 62 fewer transistors using nonvolatile logic-in-memory architecture with series/parallel-connected magnetic tunnel junctions 査読有り

D. Suzuki, M. Natsui, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

Journal of Applied Physics　111　(7)　07E318(1)-07E318(3)　2012年4月1日

DOI： 10.1063/1.3672411 　

ISSN：0021-8979
Magnetic tunneling junction with Fe/NiFeB free layer for magnetic logic circuits 査読有り

H. Honjo, S. Fukami, R. Nebashi, N. Ishiwata, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　07C709(1)-07C709(3)　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3675268 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Design of a 270ps-access 7-transistor/2-magnetic-tunnel-junction cell circuit for a high-speed-search nonvolatile ternary content-addressable memory 査読有り

Shoun Matsunaga, Akira Katsumata, Masanori Natsui, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　07E336(1)-07E336(3)　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3677875 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Spin-transfer torque RAM technology: Review and prospect 査読有り

T. Kawahara, K. Ito, R. Takemura, H. Ohno

MICROELECTRONICS RELIABILITY　52　(4)　613-627　2012年4月

DOI： 10.1016/j.microrel.2011.09.028 　

ISSN：0026-2714
Design of a Compact Nonvolatile Four-Input Logic Element Using a Magnetic Tunnel Junction and Metal-Oxide-Semiconductor Hybrid Structure 査読有り

Daisuke Suzuki, Masanori Natsui, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(4)　04DM02(1)-04DM02(5)　2012年4月

DOI： 10.1143/JJAP.51.04DM02 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Transmission electron microscopy study on the effect of various capping layers on CoFeB/MgO/CoFeB pseudo spin valves annealed at different temperatures 査読有り

S. V. Karthik, Y. K. Takahashi, T. Ohkubo, K. Hono, H. D. Gan, S. Ikeda, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(8)　083922(1)-083922(8)　2012年4月

DOI： 10.1063/1.4707964 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
A Content Adddressable Memory Using Three-Terminal Magnetic Domain Wall Motion Cells 招待有り査読有り

R. Nebashi, N. Sakimura, Y Tsuji, S. Fukami, H. Honjo, S. Saito, S.Miura, N.Ishiwata, K. kinoshita, T. Hanyu, T. Endoh, N. Kasai, H. Ohno, T. Sugibayashi

The 2nd CSIS International Symposium on Spintronics-based VLSIs　F7　24-24　2012年2月2日
Generation and control of polarization-entangled photons from GaAs island quantum dots by an electric field 査読有り

Mohsen Ghali, Keita Ohtani, Yuzo Ohno, Hideo Ohno

NATURE COMMUNICATIONS　3　2012年2月

DOI： 10.1038/ncomms1657 　

ISSN：2041-1723
High-Density and Low-Power Nonvolatile Static Random Access Memory Using Spin-Transfer-Torque Magnetic Tunnel Junction 査読有り

Takashi Ohsawa, Fumitaka Iga, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(2)　02BD01(1)-02BD01(6)　2012年2月

DOI： 10.1143/JJAP.51.02BD01 　

ISSN：0021-4922
Time-Resolved Switching Characteristic in Magnetic Tunnel Junction with Spin Transfer Torque Write Scheme 査読有り

Fumitaka Iga, Yasuhiro Yoshida, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(2)　02BM02(1)-02BM02(5)　2012年2月

DOI： 10.1143/JJAP.51.02BM02 　

ISSN：0021-4922
Design of a Nine-Transistor/Two-Magnetic-Tunnel-Junction-Cell-Based Low-Energy Nonvolatile Ternary Content-Addressable Memory 査読有り

Shoun Matsunaga, Akira Katsumata, Masanori Natsui, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(2)　02BM06(1)-02BM06(5)　2012年2月

DOI： 10.1143/JJAP.51.02BM06 　

ISSN：0021-4922
Effects of boron composition on tunneling magnetoresistance ratio and microstructure of CoFeB/MgO/CoFeB pseudo-spin-valve magnetic tunnel junctions 査読有り

M. Kodzuka, T. Ohkubo, K. Hono, S. Ikeda, H. D. Gan, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(4)　043913(1)-043913(3)　2012年2月

DOI： 10.1063/1.3688039 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Domain wall dynamics driven by spin transfer torque and the spin-orbit field 査読有り

Masamitsu Hayashi, Yoshinobu Nakatani, Shunsuke Fukami, Michihiko Yamanouchi, Seiji Mitani, Hideo Ohno

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　24　(2)　024221(1)-024221(8)　2012年1月

DOI： 10.1088/0953-8984/24/2/024221 　

ISSN：0953-8984
CoFeB Thickness Dependence of Thermal Stability Factor in CoFeB/MgO Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, S. Ikeda, R. Koizumi, F. Matsukura, H. Ohno

IEEE MAGNETICS LETTERS　3　3000204(1)-3000204(4)　2012年

DOI： 10.1109/LMAG.2012.2190722 　

ISSN：1949-307X
Origin of the collapse of tunnel magnetoresistance at high annealing temperature in CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions 査読有り

H. D. Gan, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, K. Miura, R. Koizumi, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(25)　252507(1)-252507(3)　2011年12月

DOI： 10.1063/1.3671669 　

ISSN：0003-6951
Reduction of intrinsic critical current density under a magnetic field along the hard axis of a free layer in a magnetic tunnel junction 査読有り

Katsuya Miura, Ryoko Sugano, Masahiko Ichimura, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Sadamichi Maekawa

PHYSICAL REVIEW B　84　(17)　174434(1)-174434(7)　2011年11月

DOI： 10.1103/PhysRevB.84.174434 　

ISSN：1098-0121
Junction size effect on switching current and thermal stability in CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions 査読有り

H. Sato, M. Yamanouchi, K. Miura, S. Ikeda, H. D. Gan, K. Mizunuma, R. Koizumi, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(4)　042501(1)-042501(3)　2011年7月

DOI： 10.1063/1.3617429 　

ISSN：0003-6951
Tunnel Magnetoresistance Properties of Double MgO-Barrier Magnetic Tunnel Junctions With Different Free-Layer Alloy Compositions and Structures 査読有り

Huadong Gan, Shoji Ikeda, Michihiko Yamanouchi, Katsuya Miura, Kotaro Mizunuma, Jun Hayakawa, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　47　(6)　1567-1570　2011年6月

DOI： 10.1109/TMAG.2010.2104137 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Design and Fabrication of a One-Transistor/One-Resistor Nonvolatile Binary Content-Addressable Memory Using Perpendicular Magnetic Tunnel Junction Devices with a Fine-Grained Power-Gating Scheme 査読有り

Shoun Matsunaga, Masanori Natsui, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(6)　063004-(1)-063004-(7)　2011年6月

DOI： 10.1143/JJAP.50.063004 　

ISSN：0021-4922
Tunnel magnetoresistance properties and annealing stability in perpendicular anisotropy MgO-based magnetic tunnel junctions with different stack structures 査読有り

K. Mizunuma, S. Ikeda, H. Sato, M. Yamanouchi, H. D. Gan, K. Miura, H. Yamamoto, J. Hayakawa, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　109　(7)　07C711-(1)-07C711-(3)　2011年4月

DOI： 10.1063/1.3554092 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Dependence of magnetic anisotropy on MgO thickness and buffer layer in Co20Fe60B20-MgO structure 査読有り

M. Yamanouchi, R. Koizumi, S. Ikeda, H. Sato, K. Mizunuma, K. Miura, H. D. Gan, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　109　(7)　07C712-(1)-07C712-(3)　2011年4月

DOI： 10.1063/1.3554204 　

ISSN：0021-8979
Current-induced effective field in perpendicularly magnetized Ta/CoFeB/MgO wire 査読有り

T. Suzuki, S. Fukami, N. Ishiwata, M. Yamanouchi, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　98　(14)　142505-(1)-142505-(3)　2011年4月

DOI： 10.1063/1.3579155 　

ISSN：0003-6951
Spin-torque switching window, thermal stability, and material parameters of MgO tunnel junctions 査読有り

T. Devolder, L. Bianchini, K. Miura, K. Ito, Joo-Von Kim, P. Crozat, V. Morin, A. Helmer, C. Chappert, S. Ikeda, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　98　(16)　162502-(1)-162502-(3)　2011年4月

DOI： 10.1063/1.3576937 　

ISSN：0003-6951
Magnetic Field Dependence of Quadrupolar Splitting and Nuclear Spin Coherence Time in a Strained (110) GaAs Quantum Well 査読有り

Jun Ishihara, Masaaki Ono, Genki Sato, Shunichiro Matsuzaka, Yuzo Ohno, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(4)　04DM03-(1)-04DM03-(3)　2011年4月

DOI： 10.1143/JJAP.50.04DM03 　

ISSN：0021-4922
Highly-scalable disruptive reading and restoring scheme for Gb-scale SPRAM and beyond 査読有り

R. Takemura, T. Kawahara, K. Ono, K. Miura, H. Matsuoka, H. Ohno

SOLID-STATE ELECTRONICS　58　(1)　28-33　2011年4月

DOI： 10.1016/j.sse.2010.11.032 　

ISSN：0038-1101

eISSN：1879-2405
Pd Layer Thickness Dependence of Tunnel Magnetoresistance Properties in CoFeB/MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Anisotropy CoFe/Pd Multilayers 査読有り

Kotaro Mizunuma, Michihiko Yamanouchi, Shoji Ikeda, Hideo Sato, Hiroyuki Yamamoto, Hua-Dong Gan, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS EXPRESS　4　(2)　023002-(1)-023002-(3)　2011年2月

DOI： 10.1143/APEX.4.023002 　

ISSN：1882-0778
Current-induced domain wall motion in perpendicularly magnetized CoFeB nanowire 査読有り

S. Fukami, T. Suzuki, Y. Nakatani, N. Ishiwata, M. Yamanouchi, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　98　(8)　082504-(1)-082504-(3)　2011年2月

DOI： 10.1063/1.3558917 　

ISSN：0003-6951
Magnetic anisotropy modulation in Ta/CoFeB/MgO structure by electric fields 査読有り

S. Kanai, M. Endo, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Journal of Physics; Conference Series　266　012092(1)-012092(5)　2011年1月28日
Electric-Field Effects on Magnetic Materials –From Ferromagnetic Semiconductors to CoFeB-

H. Ohno

Magnetics and Optics Research International Symposium for New Storage Technology(MORIS2011)　2011年
Domain Structure in CoFeB Thin Films With Perpendicular Magnetic Anisotropy 査読有り

Michihiko Yamanouchi, Albrecht Jander, Pallavi Dhagat, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE MAGNETICS LETTERS　2　3000304(1)-3000304(4)　2011年

DOI： 10.1109/LMAG.2011.2159484 　

ISSN：1949-307X
Domain wall dynamics in a single CrO(2) grain 査読有り

P. Das, F. Porrati, S. Wirth, A. Bajpai, Y. Ohno, H. Ohno, M. Huth, J. Mueller

JOINT EUROPEAN MAGNETIC SYMPOSIA (JEMS)　303　012056-(1)-012056-(6)　2011年

DOI： 10.1088/1742-6596/303/1/012056 　

ISSN：1742-6588
A window on the future of spintronics 招待有り

Hideo Ohno

NATURE MATERIALS　9　(12)　952-954　2010年12月

DOI： 10.1038/nmat2913 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Electrically Defined Ferromagnetic Nanodots 査読有り

Daichi Chiba, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

NANO LETTERS　10　(11)　4505-4508　2010年11月

DOI： 10.1021/nl102379h 　

ISSN：1530-6984

eISSN：1530-6992
Observation of the fractional quantum Hall effect in an oxide 査読有り

A. Tsukazaki, S. Akasaka, K. Nakahara, Y. Ohno, H. Ohno, D. Maryenko, A. Ohtomo, M. Kawasaki

NATURE MATERIALS　9　(11)　889-893　2010年11月

DOI： 10.1038/NMAT2874 　

ISSN：1476-1122
Current induced effective magnetic field and magnetization reversal in uniaxial anisotropy (Ga,Mn)As 査読有り

M. Endo, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(22)　222501-1-222501-3　2010年11月

DOI： 10.1063/1.3520514 　

ISSN：0003-6951
A perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction 査読有り

S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, H. Ohno

NATURE MATERIALS　9　(9)　721-724　2010年9月

DOI： 10.1038/NMAT2804 　

ISSN：1476-1122
Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped Al0.3Ga0.7As 査読有り

Jennifer Misuraca, Jelena Trbovic, Jun Lu, Jianhua Zhao, Yuzo Ohno, Hideo Ohno, Peng Xiong, Stephan von Molnar

PHYSICAL REVIEW B　82　(12)　125202-1-125202-6　2010年9月

DOI： 10.1103/PhysRevB.82.125202 　

ISSN：1098-0121
Width and temperature dependence of lithography-induced magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As wires 査読有り

M. Kohda, J. Ogawa, J. Shiogai, F. Matsukura, Y. Ohno, H. Ohno, J. Nitta

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　42　(10)　2685-2689　2010年9月

DOI： 10.1016/j.physe.2009.12.019 　

ISSN：1386-9477

eISSN：1873-1759
Magnetic anisotropy in a ferromagnetic (Ga,Mn)Sb thin film 査読有り

Y. Nishitani, M. Endo, F. Matsukura, H. Ohno

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　42　(10)　2681-2684　2010年9月

DOI： 10.1016/j.physe.2009.12.054 　

ISSN：1386-9477

eISSN：1873-1759
Domain wall creep in (Ga,Mn)As 査読有り

A. Kanda, A. Suzuki, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(3)　032504-(1)-032504-(3)　2010年7月

DOI： 10.1063/1.3467048 　

ISSN：0003-6951
Magnetization dynamics of a CrO2 grain studied by micro-Hall magnetometry 査読有り

P. Das, F. Porrati, S. Wirth, A. Bajpai, M. Huth, Y. Ohno, H. Ohno, J. Mueller

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(4)　042507-(1)-042507-(3)　2010年7月

DOI： 10.1063/1.3467870 　

ISSN：0003-6951
Simulation of magnetization switching by electric-field manipulation of magnetic anisotropy 査読有り

D. Chiba, Y. Nakatani, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(19)　192506-(1)-192506-(3)　2010年5月

DOI： 10.1063/1.3428959 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Tunnel magnetoresistance properties and film structures of double MgO barrier magnetic tunnel junctions 査読有り

H. D. Gan, S. Ikeda, W. Shiga, J. Hayakawa, K. Miura, H. Yamamoto, H. Hasegawa, F. Matsukura, T. Ohkubo, K. Hono, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(19)　192507-(1)-192507-(3)　2010年5月

DOI： 10.1063/1.3429594 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Electric-field effects on thickness dependent magnetic anisotropy of sputtered MgO/Co40Fe40B20/Ta structures 査読有り

M. Endo, S. Kanai, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(21)　212503-(1)-212503-(3)　2010年5月

DOI： 10.1063/1.3429592 　

ISSN：0003-6951
Spatially homogeneous ferromagnetism of (Ga, Mn)As 査読有り

S. R. Dunsiger, J. P. Carlo, T. Goko, G. Nieuwenhuys, T. Prokscha, A. Suter, E. Morenzoni, D. Chiba, Y. Nishitani, T. Tanikawa, F. Matsukura, H. Ohno, J. Ohe, S. Maekawa, Y. J. Uemura

NATURE MATERIALS　9　(4)　299-303　2010年4月

DOI： 10.1038/NMAT2715 　

ISSN：1476-1122
A 32-Mb SPRAM with 2T1R memory cell, localized Bi-directional write driver and ‘1’/’0’ dual-array equalized reference scheme 査読有り

R. Takemura, T. Kawahara, K. Miura, H. Yamamoto, J. Hayakawa, N. Matsuzaki, K. Ono, M. Yamanouchi, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, H. Hasegawa, H. Matsuoka, H. Ohno

IEEE Journal of Solid-State Circuits　45　(4)　869-879　2010年4月

DOI： 10.1109/JSSC.2010.2040120 　

ISSN：0018-9200
Vertical electric field tuning of the exciton fine structure splitting and photon correlation measurements of GaAs quantum dot 査読有り

S. Marcet, K. Ohtani, H. Ohno

Applied Physics Letters　99　101117-(1)-101117-(3)　2010年3月12日

DOI： 10.1063/1.3360212 　
Anomalous Hall Effect in Field-Effect Structures of (Ga,Mn)As 査読有り

D. Chiba, A. Werpachowska, M. Endo, Y. Nishitani, F. Matsukura, T. Dietl, H. Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS　104　(10)　106601-(1)-106601-(4)　2010年3月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.104.106601 　

ISSN：0031-9007
A nondestructive analysis of the B diffusion in Ta-CoFeB-MgO-CoFeB-Ta magnetic tunnel junctions by hard x-ray photoemission 査読有り

Xeniya Kozina, Siham Ouardi, Benjamin Balke, Gregory Stryganyuk, Gerhard H. Fecher, Claudia Felser, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Eiji Ikenaga

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(7)　072105-1-072105-3　2010年2月

DOI： 10.1063/1.3309702 　

ISSN：0003-6951
Gate voltage dependence of nuclear spin relaxation in an impurity-doped semiconductor quantum well 査読有り

M. Ono, H. Kobayashi, S. Matsuzaka, Y. Ohno, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(7)　071907-1-071907-3　2010年2月

DOI： 10.1063/1.3309687 　

ISSN：0003-6951
Experimental probing of the interplay between ferromagnetism and localization in (Ga, Mn)As 査読有り

Maciej Sawicki, Daichi Chiba, Anna Korbecka, Yu Nishitani, Jacek A. Majewski, Fumihiro Matsukura, Tomasz Dietl, Hideo Ohno

NATURE PHYSICS　6　(1)　22-25　2010年1月

DOI： 10.1038/NPHYS1455 　

ISSN：1745-2473
Scanning Kerr Microscopy of the Spin Hall Effect in n-Doped GaAs with Various Doping Concentration 査読有り

S. Matsuzaka, Y. Ohno, H. Ohno

JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY AND NOVEL MAGNETISM　23　(1)　37-39　2010年1月

DOI： 10.1007/s10948-009-0558-6 　

ISSN：1557-1939
Gate Voltage Control of Nuclear Spin Relaxation in GaAs Quantum Well 査読有り

M. Ono, S. Matsuzaka, Y. Ohno, H. Ohno

JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY AND NOVEL MAGNETISM　23　(1)　131-133　2010年1月

DOI： 10.1007/s10948-009-0568-4 　

ISSN：1557-1939
Electric double layer transistor with a (Ga,Mn)As channel 査読有り

M. Endo, D. Chiba, H. Shimotani, F. Matsukura, Y. Iwasa, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(2)　022515-1-022515-3　2010年1月

DOI： 10.1063/1.3277146 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Curie temperature versus hole concentration in field-effect structures of Ga1-xMnxAs 査読有り

Y. Nishitani, D. Chiba, M. Endo, M. Sawicki, F. Matsukura, T. Dietl, H. Ohno

PHYSICAL REVIEW B　81　(4)　045208-1-045208-8　2010年1月

DOI： 10.1103/PhysRevB.81.045208 　

ISSN：1098-0121
Spin-transfer Switching in Magnetic Tunnel Junctions with Synthetic Ferri-magnetic Free Layer 査読有り

M. Nishimura, M. Oogane, H. Naganuma, N. Inami, S. Ikeda, H. Ohno, Y. Ando

INTERNATIONAL CONFERENCE ON MAGNETISM (ICM 2009)　200　052018-1-052018-4　2010年

DOI： 10.1088/1742-6596/200/5/052018 　

ISSN：1742-6588
CoFeB Inserted Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with CoFe/Pd Multilayers for High Tunnel Magnetoresistance Ratio 査読有り

Kotaro Mizunuma, Shoji Ikeda, Hiroyuki Yamamoto, Hua Dong Gan, Katsuya Miura, Haruhiro Hasegawa, Jun Hayakawa, Kenchi Ito, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　04DM04-(1)-04DM04-(4)　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DM04 　

ISSN：0021-4922
Fine-Grained Power-Gating Scheme of a Metal-Oxide-Semiconductor and Magnetic-Tunnel-Junction-Hybrid Bit-Serial Ternary Content-Addressable Memory 査読有り

Shoun Matsunaga, Masanori Natsui, Kimiyuki Hiyama, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　04DM-05-(1)-04DM-05-(5)　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DM05 　

ISSN：0021-4922
The Performance of Magnetic Tunnel Junction Integrated on the Back-End Metal Line of Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor Circuits 査読有り

Tetsuo Endoh, Fumitaka Iga, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Masashi Kamiyanagi, Haruhiro Hasegawa, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　04DM06-(1)-04DM06-(5)　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DM06 　

ISSN：0021-4922
Electron density dependence of the spin Hall effect in GaAs probed by scanning Kerr rotation microscopy 査読有り

S. Matsuzaka, Y. Ohno, H. Ohno

PHYSICAL REVIEW B　80　(24)　241305-1-241305-4　2009年12月

DOI： 10.1103/PhysRevB.80.241305 　

ISSN：1098-0121
MgO barrier-perpendicular magnetic tunnel junctions with CoFe/Pd multilayers and ferromagnetic insertion layers 査読有り

K. Mizunuma, S. Ikeda, J. H. Park, H. Yamamoto, H. Gan, K. Miura, H. Hasegawa, J. Hayakawa, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　95　(23)　232516-1-232516-3　2009年12月

DOI： 10.1063/1.3265740 　

ISSN：0003-6951
Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with CoFe/Pd Multilayer Electrodes and an MgO Barrier 査読有り

Ji-Ho Park, Shoji Ikeda, Hiroyuki Yamamoto, Huadong Gan, Kotaro Mizunuma, Katsuya Miura, Haruhiro Hasegawa, Jun Hayakawa, Kenchi Ito, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　45　(10)　3476-3479　2009年10月

DOI： 10.1109/TMAG.2009.2023237 　

ISSN：0018-9464
Transmission electron microscopy investigation of CoFeB/MgO/CoFeB pseudospin valves annealed at different temperatures 査読有り

S. V. Karthik, Y. K. Takahashi, T. Ohkubo, K. Hono, S. Ikeda, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　106　(2)　023920-1-023920-6　2009年7月

DOI： 10.1063/1.3182817 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Direct measurement of current-induced fieldlike torque in magnetic tunnel junctions 査読有り

T. Devolder, Joo-Von Kim, C. Chappert, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(11)　113924-1-113924-5　2009年6月

DOI： 10.1063/1.3143033 　

ISSN：0021-8979
ac susceptibility of (Ga,Mn)As probed by the anomalous Hall effect 招待有り査読有り

Y. Nishitani, D. Chiba, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(7)　07C516-1-07C516-3　2009年4月

DOI： 10.1063/1.3072078 　

ISSN：0021-8979
3DAP analysis of (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductor thin film 招待有り査読有り

M. Kodzuka, T. Ohkubo, K. Hono, F. Matsukura, H. Ohno

ULTRAMICROSCOPY　109　(5)　644-648　2009年4月

DOI： 10.1016/j.ultramic.2008.11.011 　

ISSN：0304-3991
Intersubband exchange interaction induced by optically excited electron spins in GaAs/AlGaAs quantum wells 招待有り査読有り

K. Morita, H. Sanada, S. Matsuzaka, Y. Ohno, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　94　(16)　162104-1-162104-3　2009年4月

DOI： 10.1063/1.3118584 　

ISSN：0003-6951
Intersubband optical transitions in ZnO-based quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 招待有り査読有り

K. Ohtani, M. Belmoubarik, H. Ohno

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　311　(7)　2176-2178　2009年3月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2008.09.134 　

ISSN：0022-0248
Thermally activated longitudinal optical phonon scattering of a 3.8THz GaAs quantum cascade laser 査読有り

Tsung-Tse Lin, Keita Ohtani, Hideo Ohno

Applied Physics Express　2　(2)　022102-(1)-022102-(3)　2009年2月

DOI： 10.1143/APEX.2.022102 　

ISSN：1882-0778 1882-0786
Standby-Power-Free Compact Ternary Content-Addressable Memory Cell Chip Using Magnetic Tunnel Junction Devices 査読有り

Shoun Matsunaga, Kimiyuki Hiyama, Atsushi Matsumoto, Shoji Ikeda, Haruhiro Hasegawa, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　2　(2)　023004-(1)-023004-(3)　2009年2月

DOI： 10.1143/APEX.2.023004 　

ISSN：1882-0778
MTJ-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuit, Future Prospects and Issues 査読有り

Shoun Matsunaga, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

DATE: 2009 DESIGN, AUTOMATION & TEST IN EUROPE CONFERENCE & EXHIBITION, VOLS 1-3　433-+　2009年

ISSN：1530-1591
A novel SPRAM (spin-transfer torque RAM)-based reconfigurable logic block for 2D-stacked reconfigurable spin processor 招待有り査読有り

M. Sekikawa, K. Kiyoyama, H. Hasegawa, K. Miura, T. Fukushima, S. Ikeda, T. Tanaka, H. Ohno, M. Koyanagi

Digests of technical papers of 2008 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2008）　935-937　2008年12月

DOI： 10.1109/IEDM.2008.4796645 　
A Novel SPRAM (SPin-transfer torque RAM)-based Reconfigurable Logic Block for 3D-Stacked reconfigurable Spin Processor 招待有り査読有り

M. Sekikawa, K. Kiyoyama, H. Hasegawa, K. Miura, T. Fukushima, S. Ikeda, T. Tanaka, H. Ohno, M. Koyanagi

IEEE Electron Devices Meeting, Technical Papers　935-937　2008年12月

DOI： 10.1109/IEDM.2008.4796645 　
Low-temperature field-effect and magnetotransport properties in a ZnO based heterostructure with atomic-layer-deposited gate dielectric 査読有り

A. Tsukazaki, A. Ohtomo, D. Chiba, Y. Ohno, H. Ohno, M. Kawasaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(24)　241905-(1)-241905-(3)　2008年12月

DOI： 10.1063/1.3035844 　

ISSN：0003-6951
Multipulse Operation and Optical Detection of Nuclear Spin Coherence in a GaAs/AlGaAs Quantum Well 査読有り

Y. Kondo, M. Ono, S. Matsuzaka, K. Morita, H. Sanada, Y. Ohno, H. Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS　101　(20)　207601-(1)-207601-(4)　2008年11月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.101.207601 　

ISSN：0031-9007
Fabrication of a nonvolatile full adder based on logic-in-memory architecture using magnetic tunnel junctions 査読有り

Shoun Matsunaga, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Haruhiro Hasegawa, Tetsuo Endoh, Hideo Ohno, Takahiro Hanyu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(9)　091301-(1)-091301-(3)　2008年9月

DOI： 10.1143/APEX.1.091301 　

ISSN：1882-0778
Mott relation for anomalous Hall and Nernst effects in Ga1-xMnxAs ferromagnetic semiconductors 査読有り

Yong Pu, Daichi Chiba, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno, Jing Shi

PHYSICAL REVIEW LETTERS　101　(11)　117208-(1)-117208-(4)　2008年9月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.101.117208 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Magnetization vector manipulation by electric fields 査読有り

D. Chiba, M. Sawicki, Y. Nishitani, Y. Nakatani, F. Matsukura, H. Ohno

NATURE　455　(7212)　515-518　2008年9月

DOI： 10.1038/nature07318 　

ISSN：0028-0836

eISSN：1476-4687
Tunnel magnetoresistance of 604% at 300 K by suppression of Ta diffusion in CoFeB/MgO/CoFeB pseudo-spin-valves annealed at high temperature 査読有り

S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. Ashizawa, Y. M. Lee, K. Miura, H. Hasegawa, M. Tsunoda, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(8)　082508-(1)-082508-(3)　2008年8月

DOI： 10.1063/1.2976435 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Current-induced magnetization switching in MgO barrier magnetic tunnel junctions with CoFeB-based synthetic ferrimagnetic free layers 査読有り

Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Katsuya Miura, Michihiko Yarnanouchi, Young Min Lee, Ryutaro Sasaki, Masahiko Ichimura, Kenchi Ito, Takayuki Kawahara, Riichiro Takemura, Toshiyasu Meguro, Fumihiro Matsukura, Hiromasa Takahashi, Hideyuki Matsuoka, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　44　(7)　1962-1967　2008年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2008.924545 　

ISSN：0018-9464
Intersubband transitions in ZnO multiple quantum wells 査読有り

M. Belmoubarik, K. Ohtani, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(19)　191906(1)-191906(3)　2008年5月

DOI： 10.1063/1.2926673 　

ISSN：0003-6951
An extensive comparison of anisotropies in MBE grown (Ga, Mn)As material 査読有り

C. Gould, S. Mark, K. Pappert, R. G. Dengel, J. Wenisch, R. P. Campion, A. W. Rushforth, D. Chiba, Z. Li, X. Liu, W. Van Roy, H. Ohno, J. K. Furdyna, B. Gallagher, K. Brunner, G. Schmidt, L. W. Molenkamp

NEW JOURNAL OF PHYSICS　10　055007-(1)-055007-(10)　2008年5月

DOI： 10.1088/1367-2630/10/5/055007 　

ISSN：1367-2630
Properties of Ga(1-x)Mn(x)As with high x (> 0.1) 査読有り

D. Chiba, K. M. Yu, W. Walukiewicz, Y. Nishitani, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(7)　07D136-1-07D136-3　2008年4月

DOI： 10.1063/1.2837469 　

ISSN：0021-8979
Electrical Curie temperature modulation in (Ga,Mn)As field-effect transistors with Mn composition from 0.027 to 0.200 査読有り

Y. Nishitani, D. Chiba, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(7)　07D139-1-07D139-3　2008年4月

DOI： 10.1063/1.2838159 　

ISSN：0021-8979
Electrical time-domain observation of magnetization switching induced by spin transfer in magnetic nanostructures (invited) 招待有り査読有り

T. Devolder, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, J. A. Katine, M. J. Carey, P. Crozat, J. V. Kim, C. Chappert, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(7)　07A723(1)-07A723(6)　2008年4月

DOI： 10.1063/1.2839341 　

ISSN：0021-8979
Spin-transfer physics and the model of ferromagnetism in (Ga, Mn)As 査読有り

Hideo Ohno, Tomasz Dietl

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　320　(7)　1293-1299　2008年4月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2007.12.016 　

ISSN：0304-8853
Fabrication of a few-electron In0.56Ga0.44As vertical quantum dot with Al2Oe gate insulator 査読有り

T. Kita, D. Chiba, Y. Ohno, H. Ohno

Physica E　40　1930-1932　2008年4月

DOI： 10.1016/j.physe.2007.08.140 　
Effect of vertical electric fields on exciton fine structure of GaAs natural quantum dots 査読有り

S. Marcet, T. Kita, K. Ohtani, H. Ohno

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　40　(6)　2069-2071　2008年4月

DOI： 10.1016/j.physe.2007.09.106 　

ISSN：1386-9477
0.7 anomaly and magnetotransport of disordered quantum wires 査読有り

M. Czapkiewicz, P. Zagrajek, J. Wrobel, G. Grabecki, K. Fronc, T. Dietl, Y. Ohno, S. Matsuzaka, H. Ohno

EPL　82　(2)　27003-(1)-27003-(6)　2008年4月

DOI： 10.1209/0295-5075/82/27003 　

ISSN：0295-5075
Electrical control of spin coherence in ZnO 査読有り

S. Ghosh, D. W. Steuerman, B. Maertz, K. Ohtani, Huaizhe Xu, H. Ohno, D. D. Awschalom

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(16)　162109(1)-162109(3)　2008年4月

DOI： 10.1063/1.2913049 　

ISSN：0003-6951
Spintronics - A renaissance in magnetism 査読有り

H. Ohno

Journal of the Physical Society of Japan　77　2008年3月
Fine structure in magnetospectrum of vertical quantum dot 査読有り

Oleksiy B. Agafonov, Tomohiro Kita, Hideo Ohno, Rolf J. Haug

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　40　(5)　1630-1632　2008年3月

DOI： 10.1016/j.physe.2007.10.006 　

ISSN：1386-9477
Single-shot time-resolved measurements of nanosecond-scale spin-transfer induced switching: Stochastic versus deterministic aspects 査読有り

T. Devolder, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, P. Crozat, N. Zerounian, Joo-Von Kim, C. Chappert, H. Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS　100　(5)　057206-1-057206-3　2008年2月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.100.057206 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
2 Mb SPRAM (SPin-transfer torque RAM) with bit-by-bit bi-directional current write and parallelizing-direction current read 査読有り

Takayuki Kawahara, Riichiro Takemura, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Young Min Lee, Ryutaro Sasaki, Yasushi Goto, Kenchi Ito, Toshiyasu Meguro, Fumihiro Matsukura, Hiromasa Takahashi, Hideyuki Matsuoka, Hideo Ohno

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS　43　(1)　109-120　2008年1月

DOI： 10.1109/JSSC.2007.909751 　

ISSN：0018-9200
Simultaneous lasing of interband and intersubband transitions in InAs/AlSb quantum cascade laser structures 査読有り

K. Ohtani, H. Ohnishi, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(4)　041102-1-041102-3　2008年1月

DOI： 10.1063/1.2838296 　

ISSN：0003-6951
A few-electron vertical In0.56Ga0.44As quantum dot with an insulating gate 査読有り

T. Kita, D. Chiba, Y. Ohno, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　91　(23)　232101-1-232101-3　2007年12月

DOI： 10.1063/1.2818712 　

ISSN：0003-6951
Universality classes for domain wall motion in the ferromagnetic semiconductor (Ga, Mn)As 査読有り

M. Yamanouchi, J. Ieda, F. Matsukura, S. E. Barnes, S. Maekawa, H. Ohno

SCIENCE　317　(5845)　1726-1729　2007年9月

DOI： 10.1126/science.1145516 　

ISSN：0036-8075
Character of states near the Fermi level in (Ga,Mn)As: Impurity to valence band crossover 査読有り

T. Jungwirth, Jairo Sinova, A. H. MacDonald, B. L. Gallagher, V. Novak, K. W. Edmonds, A. W. Rushforth, R. P. Campion, C. T. Foxon, L. Eaves, E. Olejnik, J. Masek, S-R. Eric Yang, J. Wunderlich, C. Gould, L. W. Molenkamp, T. Dietl, H. Ohno

PHYSICAL REVIEW B　76　(12)　125206-1-125206-9　2007年9月

DOI： 10.1103/PhysRevB.76.125206 　

ISSN：1098-0121
Channel thickness dependence of the magnetic properties in (Ga,Mn)As FET structures 査読有り

M. Endo, D. Chiba, Y. Nishitani, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY AND NOVEL MAGNETISM　20　(6)　409-411　2007年8月

DOI： 10.1007/s10948-007-0242-7 　

ISSN：1557-1939
Switching of tunnel magnetoresistance by domain wall motion in (Ga,Mn)As-based magnetic tunnel junctions 査読有り

M. Fukuda, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　91　(5)　052503-1-052503-3　2007年7月

DOI： 10.1063/1.2767230 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Above room-temperature operation of InAs/AlGaSb superlattice quantum cascade lasers emitting at 12μm 査読有り

K. Ohtani, Y. Moriyasu, H. Ohnishi, H. Ohno

Applied Physics Letters　90　(26)　261112(1)-261112(3)　2007年6月

DOI： 10.1063/1.2752771 　

ISSN：0003-6951
Ferromagnetic semiconductor heterostructures for spintronics 査読有り

Tomasz Dietl, Hideo Ohno, Fumihiro Matsukura

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　54　(5)　945-954　2007年5月

DOI： 10.1109/TED.2007.894622 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
Magnetic tunnel junctions for spintronic memories and beyond 査読有り

Shoji Ikeda, Jun Hayakawa, Young Min Lee, Futnihifo Matsukura, Yuzo Ohno, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES　54　(5)　991-1002　2007年5月

DOI： 10.1109/TED.2007.894617 　

ISSN：0018-9383

eISSN：1557-9646
Effect of electrode composition on the tunnel magnetoresistance of pseudo-spin-valve magnetic tunnel junction with a MgO tunnel barrier 査読有り

Y. M. Lee, J. Hayakawa, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　90　(21)　212507-1-212507-3　2007年5月

DOI： 10.1063/1.2742576 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Effect of substrate temperature on the properties of heavily Mn-doped GaAs 査読有り

H-J Lee, D. Chiba, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　301　264-267　2007年4月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.155 　

ISSN：0022-0248
Room-temperature InAs/AlSb quantum-cascade laser operating at 8.9 μm 査読有り

K. Ohtani, K. Fujita, H. Ohno

Electronics Letters　43　520-521　2007年4月

DOI： 10.1049/el:20070251 　
Magnetization reversal in a ferromagnetic circular dot under current induced resonant excitation 査読有り

S. Kasai, Y. Nakatani, K. Kobayashi, H. Kohno, T. Ono

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　310　(2)　2351-2352　2007年3月

DOI： 10.1006/j.jmmm.2006.11.102 　

ISSN：0304-8853
Dependence of tunnel magnetoresistance on ferromagnetic electrode materials in MgO-barrier magnetic tunnel junctions 査読有り

Shoji Ikeda, Jun Hayakawa, Young Min Lee, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　310　(2)　1937-1939　2007年3月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2006.10.770 　

ISSN：0304-8853

eISSN：1873-4766
Domain wall resistance in perpendicularly magnetized (Ga,Mn) As 査読有り

D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura, T. Dietl, H. Ohno

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　310　(2)　2078-2083　2007年3月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2006.10.1119 　

ISSN：0304-8853
Quantum Hall effect in polar oxide heterostructures 査読有り

A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Kita, Y. Ohno, H. Ohno, M. Kawasaki

SCIENCE　315　(5817)　1388-1391　2007年3月

DOI： 10.1126/science.1137430 　

ISSN：0036-8075
Properties of Ga1-xMnxAs with high Mn composition (x > 0.1) 査読有り

D. Chiba, Y. Nishitani, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　90　(12)　122503-1-122503-3　2007年3月

DOI： 10.1063/1.2715095 　

ISSN：0003-6951
2Mb spin-transfer torque RAM(SRAM) with bit-by-bit bi-directional current write and parallelizing-direction current read 査読有り

T. Kawahara, R. Takemura, K. Miura, J. Hayakawa, S. Ikeda, Y. Lee, R. Sasaki, Y. Goto, K. Ito, T. Meguro, F. Matsukura, H. Takahashi, H. Matsuoka, H. Ohno

in digest technical paper of ISSCC2007　480-481　2007年2月

DOI： 10.1109/ISSCC.2007.373503 　
(In,Ga)As gated-vertical quantum dot with an Al2O3 insulator 査読有り

T. Kita, D. Chiba, Y. Ohno, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　90　(6)　062102-1-062102-3　2007年2月

DOI： 10.1063/1.2437060 　

ISSN：0003-6951
Spin injection with three terminal device based on (Ga, Mn)As/n⁺-GaAs tunnel junction 査読有り

T. Kita, M. Kohda, Y. Ohno, F. Matsukura, H. Ohno

Phys. Stat. Sol. (c)　3　(12)　4164-4167　2007年1月23日

DOI： 10.1002/pssc.200672865 　

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通研インポート200703
2Mb SPRAM design: Bi-directional current write and parallelizing-direction current read schemes based on spin-transfer torque switching 査読有り

R. Takemura, T. Kawahara, K. Miura, J. Hayakawa, S. Ikeda, Y. M. Lee, R. Sasaki, Y. Goto, K. Ito, T. Meguro, F. Matsukura, H. Takahashi, H. Matsuoka, H. Ohno

2007 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUIT DESIGN AND TECHNOLOGY, PROCEEDINGS　238-+　2007年
Effect of high annealing temperature on giant tunnel magnetoresistance ratio of CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions 査読有り

J. Hayakawaa, S. Ikeda, Y. M. Lee, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(23)　232510-1-232510-3　2006年12月

DOI： 10.1063/1.2402904 　

ISSN：0003-6951
Engineering magnetism in semiconductors 査読有り

Tomasz Dietl, Hideo Ohno

Materials today　9　2007/1/18-18-9　2006年11月

DOI： 10.1016/S1369-7021(06)71691-1 　

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通研インポート200703
Current-induced magnetization switching in MgO barrier based tunnel junctions with CoFeB/Ru/CoFeB synthetic ferrimagnetic free layer 査読有り

J. Hayakawa, S. Ikeda, Y. M. Lee, R. Sasaki, T. Meguro, F. Matsukura, H. Takahashi, H. Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　45　(40)　L1057-L1060　2006年10月6日

DOI： 10.1143/JJAP.45.L1057 　

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通研インポート200703
Electric-field control of ferromagnetism in (Ga,Mn)As 査読有り

D. Chiba, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(16)　162505-1-162505-3　2006年10月

DOI： 10.1063/1.2362971 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Photoemission spectroscopy and X-ray absorption spectroscopy studies of the superconducting pyrochlore oxide Cd2Re2O7 査読有り

A. Irizawa, A. Higashiya, S. Kasai, T. Sasabayashi, A. Shigemoto, A. Sekiyama, S. Imada, S. Suga, H. Sakai, H. Ohno, M. Kato, K. Yoshimura, H. Harima

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN　75　(9)　094701-1-4　2006年9月

DOI： 10.1143/JPSJ.75.094701 　

ISSN：0031-9015
Single-electron switching in AlxGa1-xAs/GaAs Hall devices 査読有り

Jens Muller, Yongqing Li, Stephan von Molnar, Yuzo Ohno, Hideo Ohno

PHYSICAL REVIEW B　74　(12)　125310-1-125310-7　2006年9月

DOI： 10.1103/PhysRevB.74.125310 　

ISSN：1098-0121
Surface morphologies of homoepitaxial ZnO on Zn- and O-polar substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy 査読有り

Huaizhe Xu, K. Ohtani, M. Yamao, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(7)　071918-1-071918-3　2006年8月

DOI： 10.1063/1.2337541 　

ISSN：0003-6951
Bias voltage dependence of the electron spin injection studied in a three-terminal device based on a (Ga,Mn)As/n(+)-GaAs Esaki diode 査読有り

M. Kohda, T. Kita, Y. Ohno, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(1)　012103-1-012103-3　2006年7月

DOI： 10.1063/1.2219141 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Giant tunnel magnetoresistance and high annealing stability in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions with synthetic pinned layer 査読有り

Y. M. Lee, J. Hayakawa, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(4)　042506-1-042506-3　2006年7月

DOI： 10.1063/1.2234720 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Electrical magnetization reversal in ferromagnetic III-V semiconductors 査読有り

D. Chiba, F. Matsukura, H. Ohno

Journal of Physics D: Applied Physics　39　R215-R225　2006年6月16日

DOI： 10.1088/0022-3727/39/13/R01 　
Effect of n(+)-GaAs thickness and doping density on spin injection of GaMnAs/n(+)-GaAs Esaki tunnel junction 査読有り

M. Kohda, Y. Ohno, F. Matsukura, H. Ohno

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　32　(1-2)　438-441　2006年5月

DOI： 10.1016/j.physe.2005.12.085 　

ISSN：1386-9477

eISSN：1873-1759
Decomposition of 1/f noise in AlxGa1-xAs/GaAs Hall devices 査読有り

J Muller, S von Molnar, Y Ohno, H Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS　96　(18)　186601-1-186601-4　2006年5月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.96.186601 　

ISSN：0031-9007
Current-assisted domain wall motion in ferromagnetic semiconductors 査読有り

Michihiko Yamanouchi, Daichi Chiba, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　45　(5A)　3854-3859　2006年5月

DOI： 10.1143/JJAP.45.3854 　

ISSN：0021-4922
„Current-driven resonant excitation of magnetic vortex“ 査読有り

S. Kasai, Y. Nakatani, K. Kobayashi, H. Kohno, T. Ono

Phys. Rev. Lett. ,97 ,107204　97　(10)　1-107204　2006年4月5日

DOI： 10.1103/PhysRevLett.97.107204 　

ISSN：0031-9007
Ferromagnetic semiconductors for spintronics 査読有り

H Ohno

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　376　19-21　2006年4月

DOI： 10.1016/j.physb.2005.12.007 　

ISSN：0921-4526
Pulse-width and magnetic-field dependences of current-induced magnetization switching in a (Ga,Mn)As magnetic tunnel junction 査読有り

D Chiba, T Kita, F Matsukura, H Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(8)　08G514-1-08G514-3　2006年4月

DOI： 10.1063/1.2170063 　

ISSN：0021-8979
Fabrication and evaluation of magnetic tunnel junction with MgO tunneling barrier 査読有り

Takeshi Sakaguchi Hoon Choi, Ahn Sung-Jin, Takeaki Sugimura, Mungi Park, Milcihiko Oogane, Hyuckjae Oh, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Young Min Lee, Takafumi Fukushima, Terunobu Miyazaki, Hideo Ohno, Mitsumasa Koyanagi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　45　(4B)　3228-3232　2006年4月

DOI： 10.1143/JJAP.45.3228 　

ISSN：0021-4922
Tunnel magnetoresistance in MgO-barrier magnetic tunnel junctions with bcc-CoFe(B) and fcc-CoFe free layers 査読有り

S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. M. Lee, T. Tanikawa, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(8)　08A901-1-08A901-3　2006年4月

DOI： 10.1063/1.2176588 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Domain-wall resistance in ferromagnetic (Ga, Mn)As 査読有り

D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura, T. Dietl, H. Ohno

Physical Review Letters　96　096602-1-096602-4　2006年3月10日

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通研ＤＢインポート
Velocity of domain-wall motion induced by electrical current in the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As 査読有り

M Yamanouchi, D Chiba, F Matsukura, T Dietl, H Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS　96　(9)　096601-1-096601-4　2006年3月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.96.096601 　

ISSN：0031-9007
Control of ZnO (0001)/Al2O3(1120) surface morphologies using plasma-assisted molecular beam epitaxy 査読有り

HZ Xu, K Ohtani, M Yarnao, H Ohno

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS　243　(4)　773-777　2006年3月

DOI： 10.1002/pssb.200564657 　

ISSN：0370-1972
Optical pump-probe measurements of local nuclear spin coherence in semiconductor quantum wells 査読有り

H Sanada, Y Kondo, S Matsuzaka, K Morita, CY Hu, Y Ohno, H Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS　96　(6)　067602-1-067602-4　2006年2月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.96.067602 　

ISSN：0031-9007
High-throughput synthesis and characterization of Mg1-xCaxO films as a lattice and valence-matched gate dielectric for ZnO based field effect transistors 査読有り

J Nishii, A Ohtomo, M Ikeda, Y Yamada, K Ohtani, H Ohno, M Kawasaki

APPLIED SURFACE SCIENCE　252　(7)　2507-2511　2006年1月

DOI： 10.1016/j.apsusc.2005.06.040 　

ISSN：0169-4332

eISSN：1873-5584
Magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As probed by magnetotransport measurements 査読有り

T. Yamada, D. Chiba, F. Matsukura, S. Yakata, H. Ohno

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　3　(12)　4086-4089　2006年

DOI： 10.1002/pssc.200672877 　

ISSN：1862-6351
Physics and materials of spintronics in semiconductors 査読有り

Hideo Ohno

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics　3　(12)　4057-4061　2006年

DOI： 10.1002/pssc.200672893 　

ISSN：1862-6351
Mid-infrared InAs/AlGaSb superlattice quantum-cascade lasers 査読有り

K Ohtani, K Fujita, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　87　(21)　211113-1-211113-3　2005年11月

DOI： 10.1063/1.2136428 　

ISSN：0003-6951
Strong anisotropic spin dynamics in narrow n-InGaAs/AlGaAs (110) quantum wells 査読有り

K Morita, H Sanada, S Matsuzaka, CY Hu, Y Ohno, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　87　(17)　171905-1-171905-2　2005年10月

DOI： 10.1063/1.2112193 　

ISSN：0003-6951
Detection of single magnetic bead for biological applications using an InAs quantum-well micro-Hall sensor 査読有り

G. Mihajlovic, P. Xiong, S. von Molnar, K. Ohtani, H. Ohno, M. Field, G. J. Sullivan

Applied Physics Letters　87　112502-1-112502-2　2005年9月7日

DOI： 10.1063/1.2043238 　
Taking the Hall effect for a spin 査読有り

J Inoue, H Ohno

SCIENCE　309　(5743)　2004-2005　2005年9月

DOI： 10.1126/science.1113956 　

ISSN：0036-8075

eISSN：1095-9203
Spin precession of holes in wurtzite GaN studied using the time-resolved Kerr rotation technique 査読有り

CY Hu, K Morita, H Sanada, S Matsuzaka, Y Ohno, H Ohno

PHYSICAL REVIEW B　72　(12)　121203-1-121203-4　2005年9月

DOI： 10.1103/PhysRevB.72.121203 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Effect of GaAs intermediary layer thickness on the properties of (Ga,Mn)As tri-layer structures 査読有り

Y. Sato, D. Chiba, F. Matsukura, H. Ohno

Journal of Superconductivity; Incorporating Novel Magnetism　1-3　2005年7月8日

DOI： 10.1007/sl0948-005-0008-z 　

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通研ＤＢインポート
Current-driven magnetization reversal in exchange-biased spin-valve nanopillars 査読有り

J Hayakawa, H Takahashi, K Ito, M Fujimori, S Heike, T Hashizume, M Ichimura, S Ikeda, H Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　97　(11)　114321-1-114321-3　2005年6月

DOI： 10.1063/1.1927707 　

ISSN：0021-8979
Magnetization reversal in elongated Fe nanoparticles - art. no. 21445 査読有り

YQ Li, P Xiong, S von Molnar, Y Ohno, H Ohno

PHYSICAL REVIEW B　71　(21)　214425-1-214425-6　2005年6月

DOI： 10.1103/PhysRevB.71.214425 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
InAs quantum cascade lasers based on coupled quantum well structures 査読有り

K Ohtani, K Fujita, H Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　44　(4B)　2572-2574　2005年4月

DOI： 10.1143/JJAP.44.2572 　

ISSN：0021-4922
Low-frequency noise in submicron GaAs/AlxGa1-xAs Hall devices 査読有り

J Muller, YQ Li, S Molnar, Y Ohno, H Ohno

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　290　1161-1164　2005年4月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2004.11.502 　

ISSN：0304-8853
Gate control of dynamic nuclear polarization in GaAs quantum wells 査読有り

H Sanada, S Matsuzaka, K Morita, CY Hu, Y Ohno, H Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS　94　(9)　097601-1-097601-4　2005年3月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.94.097601 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Fabrication of ternary phase composition-spread thin film libraries and their high-throughput characterization: Ti1-x-yZrxHfyO2 for bandgap engineering 査読有り

Y Yamada, T Fukumura, M Ikeda, M Ohtani, H Toyosaki, A Ohtomo, F Matsukura, H Ohno, M Kawasaki

JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY　18　(1)　109-113　2005年2月

DOI： 10.1007/s10948-005-2160-x 　

ISSN：0896-1107
Fabrication of ternary phase composition-spread thin film libraries and their high-throughput characterization: Ti1-x-yZrxHf yO2 for bandgap engineering 査読有り

Y. Yamada, T. Fukumura, M. Ikeda, M. Ohtani, H. Toyosaki, A. Ohtomo, F. Matsukura, H. Ohno, M. Kawasaki

Journal of Superconductivity and Novel Magnetism　18　(1)　109-113　2005年

DOI： 10.1007/s10948-005-2160-x 　

ISSN：1557-1939 1557-1947
Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO 査読有り

A Tsukazaki, A Ohtomo, T Onuma, M Ohtani, T Makino, M Sumiya, K Ohtani, SF Chichibu, S Fuke, Y Segawa, H Ohno, H Koinuma, M Kawasaki

NATURE MATERIALS　4　(1)　42-46　2005年1月

DOI： 10.1038/nmat1284 　

ISSN：1476-1122

eISSN：1476-4660
Dependence of giant tunnel magnetoresistance of sputtered CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions on MgO barrier thickness and annealing temperature 査読有り

J Hayakawa, S Ikeda, F Matsukura, H Takahashi, H Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(16-19)　L587-L589　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L587 　

ISSN：0021-4922
Blue light-emitting diode based on ZnO 査読有り

A Tsukazaki, M Kubota, A Ohtomo, T Onuma, K Ohtani, H Ohno, SF Chichibu, M Kawasaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(20-23)　L643-L645　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L643 　

ISSN：0021-4922
High-mobility field-effect transistors based on single-crystalline ZnO channels 査読有り

J Nishii, A Ohtomo, K Ohtani, H Ohno, M Kawasaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(37-41)　L1193-L1195　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L1193 　

ISSN：0021-4922
Current-driven magnetization switching in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions 査読有り

J Hayakawa, S Ikeda, YM Lee, R Sasaki, T Meguro, F Matsukura, H Takahashi, H Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(37-41)　L1267-L1270　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L1267 　

ISSN：0021-4922
Dependence of tunnel magnetoresistance in MgO based magnetic tunnel junctions on Ar pressure during MgO sputtering 査読有り

S Ikeda, J Hayakawa, YM Lee, R Sasaki, T Meguro, F Matsukura, H Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(46-49)　L1442-L1445　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L1442 　

ISSN：0021-4922
Control of magnetization reversal in ferromagnetic semiconductors by electrical means 査読有り

D Chiba, M Yamanouchi, F Matsukura, H Ohno

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　16　(48)　S5693-S5696　2004年12月

DOI： 10.1088/0953-8984/16/48/029 　

ISSN：0953-8984
Modulation of noise in submicron GaAs/AlGaAs hall devices by gating 査読有り

YQ Li, C Ren, P Xiong, S von Molnar, Y Ohno, H Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS　93　(24)　246602-1-246602-4　2004年12月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.93.246602 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Current-driven Magnetization Reversal in a Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As/GaAs/(Ga,Mn)As Tunnel Junction 査読有り

D. Chiba, Y. Sato, T. Kita, F. Matsukura, H. Ohno

cond-mat　2004年11月19日

DOI： 10.1103/PhysRevLett.93.216602 　

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<RIEC><DUMMY>あ</DUMMY><BIBID>2003500756</BIBID></RIEC>
Hall and field-effect mobilities of electrons accumulated at a lattice-matched ZnO/ScAIMgO(4) heterointerface 査読有り

TI Suzuki, A Ohtomo, A Tsukazaki, F Sato, J Nishii, H Ohno, M Kawasaki

ADVANCED MATERIALS　16　(21)　1887-+　2004年11月

DOI： 10.1002/adma.200401018 　

ISSN：0935-9648
Current-driven switching of exchange biased spin-valve giant magnetoresistive nanopillars using a conducting nanoprobe 査読有り

J Hayakawa, K Ito, M Fujimori, S Heike, T Hashizume, J Steen, J Brugger, H Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　96　(6)　3440-3442　2004年9月

DOI： 10.1063/1.1769605 　

ISSN：0021-8979
Molecular beam epitaxy and properties of Cr-doped GaSb 査読有り

E Abe, K Sato, F Matsukura, JH Zhao, Y Ohno, H Ohno

JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY　17　(3)　349-352　2004年6月

ISSN：0896-1107
A Low Threshold Current Density InAs/AlGaSb Superlattice Quantum Cascade Laser Operating at 14um 査読有り

K. Ohtani, K. Fujita, H. Ohno

Jpn. J. Appl. Phys.　43　(7A)　L879-L881　2004年6月

DOI： 10.1143/JJAP.43.L879 　
Ferromagnetic semiconductor heterostructures 査読有り

H Ohno

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　272　1-6　2004年5月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2003.12.961 　

ISSN：0304-8853

eISSN：1873-4766
Electrical properties of the patterned Co/Cu/Co sub-micron dots using a probe contact 査読有り

J. Hayakawa, M. Fujimori, S. Heike, M. Ishibashi, T. Hashizume, K. Ito, H. Ohno

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　272　E1443-E1445　2004年5月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2003.12.730 　

ISSN：0304-8853
Current-induced domain-wall switching in a ferromagnetic semiconductor structure 査読有り

M Yamanouchi, D Chiba, F Matsukura, H Ohno

NATURE　428　(6982)　539-542　2004年4月

DOI： 10.1038/nature02441 　

ISSN：0028-0836
Magnetotransport properties of metallic (Ga,Mn)As films with compressive and tensile strain 査読有り

F Matsukura, M Sawicki, T Dietl, D Chiba, H Ohno

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　21　(2-4)　1032-1036　2004年3月

DOI： 10.1016/j.physe.2003.11.165 　

ISSN：1386-9477

eISSN：1873-1759
Electron spindynamics in InGaAs quantum wells 査読有り

K Morita, H Sanada, S Matsuzaka, CY Hu, Y Ohno, H Ohno

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　21　(2-4)　1007-1011　2004年3月

DOI： 10.1016/j.physe.2003.11.160 　

ISSN：1386-9477
Tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As-based heterostructures with a GaAs barrier 査読有り

D Chiba, F Matsukura, H Ohno

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　21　(2-4)　966-969　2004年3月

DOI： 10.1016/j.physe.2003.11.172 　

ISSN：1386-9477
Modeling of grain boundary barrier modulation in ZnO invisible thin film transistors 査読有り

FM Hossain, J Nishii, S Takagi, T Sugihara, A Ohtomo, T Fukumura, H Koinuma, H Ohno, M Kawasaki

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　21　(2-4)　911-915　2004年3月

DOI： 10.1016/j.physe.2003.11.149 　

ISSN：1386-9477
Hysteretic Dynamic Nuclear Polarization in GaAs/AlGaAs(110) Quantum Wells 査読有り

H. Sanada, S. Matsuzaka, K. Morita, C. Y. Hu, Y. Ohno, H. Ohno

Physical Review B　68　241303(R)-1-241303(R)-4　2003年12月15日
Modeling and simulation of polycrystalline ZnO thin-film transistors 査読有り

FM Hossain, J Nishii, S Takagi, A Ohtomo, T Fukumura, H Fujioka, H Ohno, H Koinuma, M Kawasaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　94　(12)　7768-7777　2003年12月

DOI： 10.1063/1.1628834 　

ISSN：0021-8979
Zincblende CrSb/GaAs multilayer structures with room-temperature ferromagnetism 査読有り

JH Zhao, F Matsukura, K Takamura, D Chiba, Y Ohno, K Ohtani, H Ohno

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　6　(5-6)　507-509　2003年10月

DOI： 10.1016/j.mssp.2003.07.008 　

ISSN：1369-8001
Ferromagnetic III-V and II-VI semiconductors 査読有り

T Dietl, H Ohno

MRS BULLETIN　28　(10)　714-719　2003年10月

ISSN：0883-7694

eISSN：1938-1425
Electrical Manipulation of Magnetization Reversal in a Ferromagnetic Semiconductor 査読有り

D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

Science online　1086608　2003年7月

DOI： 10.1126/science.1086608 　
Magnetization reversal of iron nanoparticles studied by submicron Hall magnetometry 査読有り

YQ Li, P Xiong, S von Molnar, Y Ohno, H Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　93　(10)　7912-7914　2003年5月

DOI： 10.1063/1.1557827 　

ISSN：0021-8979
Effect of low-temperature annealing on (Ga,Mn)As trilayer structures 査読有り

D Chiba, K Takamura, F Matsukura, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　82　(18)　3020-3022　2003年5月

DOI： 10.1063/1.1571666 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
High mobility thin film transistors with transparent ZnO channels 査読有り

J Nishii, FM Hossain, S Takagi, T Aita, K Saikusa, Y Ohmaki, Ohkubo, I, S Kishimoto, A Ohtomo, T Fukumura, F Matsukura, Y Ohno, H Koinuma, H Ohno, M Kawasaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　42　(4A)　L347-L349　2003年4月

DOI： 10.1143/JJAP.42.L347 　

ISSN：0021-4922
InAs-based quantum cascade light emitting structures containing a double plasmon waveguide 査読有り

K Ohtani, H Sakuma, H Ohno

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　251　(1-4)　718-722　2003年4月

DOI： 10.1016/S0022-0248(02)02314-X 　

ISSN：0022-0248
Molecular beam epitaxy and properties of ferromagnetic III-V semiconductors 査読有り

H Ohno

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　251　(1-4)　285-291　2003年4月

DOI： 10.1016/S0022-0248(02)02290-X 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
Electrical Electron Spin Injection with a p-(Ga,Mn)As/n-GaAs Tunnel Junction 査読有り

M. Kohda, Y. Ohno, K. Takamura, F. Matsukura, H. Ohno

Journal of Superconductivity: Incorporating Novel Magnetism　16　(1)　167-170　2003年3月

ISSN：1557-1939

eISSN：1557-1947
Electric field effect on the magnetic properties of III-V ferromagnetic semiconductor (In, Mn)As and ((Al),Ga,Mn)As 査読有り

D Chiba, M Yamanouchi, F Matsukura, E Abe, Y Ohno, K Ohtani, H Ohno

JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY　16　(1)　179-182　2003年2月

ISSN：0896-1107
Drift transport of spin-polarized electrons in GaAs 査読有り

H Sanada, Arata, I, Y Ohno, K Ohtani, Z Chen, K Kayanuma, Y Oka, F Matsukura, H Ohno

JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY　16　(1)　217-219　2003年2月

ISSN：0896-1107
InAs/AlSb quantum cascade lasers operating at 10um 査読有り

K. Ohtani, H. Ohno

Applied Physics Letters　82　(7)　1003-1005　2003年2月

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<RIEC><DUMMY>あ</DUMMY><BIBID>2003500339</BIBID></RIEC>
Electric field effect on the magnetic properties of III-V ferromagnetic semiconductor (In,Mn)As and ((Al),Ga,Mn)As

D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura, E. Abe, Y. Ohno, K. Ohtani, H. Ohno

Journal of Superconductivity and Novel Magnetism　16　(1)　179-182　2003年

ISSN：1557-1939 1557-1947
Ferromagnetic semiconductor spintronics 査読有り

H Ohno

PHYSICS OF SEMICONDUCTORS 2002, PROCEEDINGS　171　37-45　2003年

ISSN：0951-3248
Spin degree of freedom in ferromagnetic semiconductor hetero structures 査読有り

F Matsukura, D Chiba, Y Ohno, T Dietl, H Ohno

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　16　(1)　104-110　2003年1月

DOI： 10.1016/S1386-9477(02)00596-9 　

ISSN：1386-9477

eISSN：1873-1759
Intersubband absorption in n-doped InAs/AlSb multiple-quantum-well structures 査読有り

K Ohtani, N Matsumoto, H Sakuma, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　82　(1)　37-39　2003年1月

DOI： 10.1063/1.1534939 　

ISSN：0003-6951
An InAs-based intersubband quantum cascade laser 査読有り

K Ohtani, H Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　41　(11B)　L1279-L1280　2002年11月

DOI： 10.1143/JJAP.41.L1279 　

ISSN：0021-4922
Local electronic structures of GaMnAs observed by cross-sectional scanning tunneling microscopy 査読有り

T Tsuruoka, N Tachikawa, S Ushioda, F Matsukura, K Takamura, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　81　(15)　2800-2802　2002年10月

DOI： 10.1063/1.1512953 　

ISSN：0003-6951
Relaxation of photoinjected spins during drift transport in GaAs 査読有り

H Sanada, Arata, I, Y Ohno, Z Chen, K Kayanuma, Y Oka, F Matsukura, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　81　(15)　2788-2790　2002年10月

DOI： 10.1063/1.1512818 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Magnetic properties of (Al,Ga,Mn)As 査読有り

K Takamura, F Matsukura, D Chiba, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　81　(14)　2590-2592　2002年9月

DOI： 10.1063/1.1511540 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Ferromagnetism of magnetic semiconductors: Zhang-Rice limit 査読有り

T Dietl, F Matsukura, H Ohno

PHYSICAL REVIEW B　66　(3)　033203　2002年7月

DOI： 10.1103/PhysRevB.66.033203 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Electric Field Control of Ferromagnetism in III-V Ferromagnetic Semiconductor 査読有り

D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura, Y. Ohno, K. Ohtani, H. Ohno

Proceedings of the 26th International Conference on the Physics of Semiconductor　F2.2　2002年7月

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<RIEC><DUMMY>あ</DUMMY><BIBID>2003500425</BIBID></RIEC>
Electric field effect on the spin transport in GaAs 査読有り

H. Sanada, I. Arata, Y. Ohno, K. Ohtani, Z. Chen, K. Kayanuma, Y. Oka, F. Matsukura, H. Ohno

Proceedings of the 26th International Conference on the Physics of Semiconductor　H241　2002年7月

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<RIEC><DUMMY>あ</DUMMY><BIBID>2003500424</BIBID></RIEC>
Ferromagnetic semiconductor spintronics 査読有り

H. Ohno

Proceedings of the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors　37-45　2002年7月

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<RIEC><DUMMY>あ</DUMMY><BIBID>2003500423</BIBID></RIEC>
Hall magnetometry on a single iron nanoparticle 査読有り

YQ Li, P Xiong, S von Molnar, S Wirth, Y Ohno, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　80　(24)　4644-4646　2002年6月

DOI： 10.1063/1.1487921 　

ISSN：0003-6951
Ferromagnetic semiconductors for spin electronics 査読有り

H Ohno

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　242　105-107　2002年4月

DOI： 10.1016/S0304-8853(01)01210-0 　

ISSN：0304-8853

eISSN：1873-4766
Growth and properties of (Ga,Mn)As on Si (100) substrate 査読有り

JH Zhao, F Matsukura, E Abe, D Chiba, Y Ohno, K Takamura, H Ohno

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　237　1349-1352　2002年4月

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)02181-9 　

ISSN：0022-0248
Valence band barrier at (Ga,Mn)As/GaAs interfaces 査読有り

Y Ohno, Arata, I, F Matsukura, H Ohno

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　13　(2-4)　521-524　2002年3月

DOI： 10.1016/S1386-9477(02)00185-6 　

ISSN：1386-9477

eISSN：1873-1759
Semiconductor spintronics 査読有り

H Akinaga, H Ohno

IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY　1　(1)　19-31　2002年3月

DOI： 10.1109/TNANO.2002.1005423 　

ISSN：1536-125X

eISSN：1941-0085
Anisotropic electrical spin injection in ferromagnetic semiconductor heterostructures 査読有り

DK Young, E Johnston-Halperin, DD Awschalom, Y Ohno, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　80　(9)　1598-1600　2002年3月

DOI： 10.1063/1.1458535 　

ISSN：0003-6951
chapter 1 III-V Ferromagnetic Semiconductors 査読有り

F. Matsukura, H. Ohno, T. Dietl

Handbook of Magnetic Materials　14　1-87　2002年

DOI： 10.1016/S1567-2719(09)60005-6 　

ISSN：1567-2719
Control of ferromagnetism in field-effect transistor of a magnetic semiconductor 査読有り

F Matsukura, D Chiba, T Omiya, E Abe, T Dietl, Y Ohno, K Ohtani, H Ohno

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES　12　(1-4)　351-355　2002年1月

DOI： 10.1016/S1386-9477(01)00275-2 　

ISSN：1386-9477

eISSN：1873-1759
Semiconductor Spin Electronics 査読有り

Hideo Ohno, Fumihiro Matsukura, Yuzo Ohno

JSAP International　5　4-13　2002年
Microscopic identification of dopant atoms in Mn-doped GaAs layers 査読有り

T Tsuruoka, R Tanimoto, N Tachikawa, S Ushioda, F Matsukura, H Ohno

SOLID STATE COMMUNICATIONS　121　(2-3)　79-82　2002年

DOI： 10.1016/S0038-1098(01)00471-9 　

ISSN：0038-1098
A Spin Esaki Diode 査読有り

M. Kohda, Y. Ohno, K. Takamura, F. Matsukura, H. Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　40　(12A)　L1274-L1276　2001年12月

DOI： 10.1143/JJAP.40.L1274 　
Origin of enhanced dynamic neclear polarization and all-optical nuclear magnetic resonance in gaAs quantum wells 査読有り

G. Salis, D. T. Fuchs, J. M. Kikkawa, D. D. Awschalom, Y. Ohno, H. Ohno

Phys. Rev. B　64　195304-1-195304-10　2001年11月15日
Spin Polarization dependent far infrared absorption in Ga1-xMnxAs 査読有り

Y. Nagai, T. Kunimoto, K. Nagasaka, H. Nojiri, M. Motokawa, F. Matsukura, T. Dietl, H. Ohno

Japanese Journal of Applied Physics　40　(11)　6231-6243　2001年11月

DOI： 10.1143/JJAP.40.6231 　
Room-temperature ferromagnetism in zincblende CrSb grown by molecular-beam epitaxy 査読有り

J. H. Zhao, F. Matsukura, K. Takamura, E. Abe, D. Chiba, H. Ohno

Applied Physics Letters　79　2776-2779　2001年10月22日

DOI： 10.1063/1.1413732 　
Spin-dependent properties of ferromagnetic/nonmagnetic GaAs heterostructures 査読有り

H Ohno, F Matsukura, Y Ohno

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　84　(1-2)　70-74　2001年7月

DOI： 10.1016/S0921-5107(01)00572-4 　

ISSN：0921-5107
Effect of barrier width on the performance of quantum well infrared photodetector 査読有り

SKH Sim, HC Liu, A Shen, M Gao, KF Lee, M Buchanan, Y Ohno, H Ohno, EH Li

INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY　42　(3-5)　115-121　2001年6月

DOI： 10.1016/S1350-4495(01)00067-6 　

ISSN：1350-4495
Dual-band photodetectors based on interband and intersubband transitions 査読有り

HC Liu, CY Song, A Shen, M Gao, E Dupont, PJ Poole, ZR Wasilewski, M Buchanan, PH Wilson, BJ Robinson, DA Thompson, Y Ohno, H Ohno

INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY　42　(3-5)　163-170　2001年6月

DOI： 10.1016/S1350-4495(01)00072-X 　

ISSN：1350-4495
Growth and properties of (Ga,Mn)As films with high Mn concentration 査読有り

K Takamura, F Matsukura, Y Ohno, H Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　89　(11)　7024-7026　2001年6月

DOI： 10.1063/1.1357841 　

ISSN：0021-8979
Emission wavelength control by potential notch in type-II InAs/GaSb/AlSb intersubband light-emitting structures 査読有り

K Ohtani, H Sakuma, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　78　(26)　4148-4150　2001年6月

DOI： 10.1063/1.1381034 　

ISSN：0003-6951
Intersubband electroluminescence from InAs-based quantum cascade structures 査読有り

K. Ohtani, H. Ohno

IPAP Conference Series　2　129-130　2001年5月
Electrical spin injection in ferromagnetic/nonmagnetic semiconductor heterostructures 査読有り

Y Ohno, Arata, I, F Matsukura, H Ohno, DK Young, B Beschoten, DD Awschalom

PHYSICA E　10　(1-3)　489-492　2001年5月

DOI： 10.1016/S1386-9477(01)00143-6 　

ISSN：1386-9477
Temperature dependence of electroluminescence and I-V characteristics of ferromagnetic/non-magnetic semiconductor pn junctions 査読有り

Arata, I, Y Ohno, F Matsukura, H Ohno

PHYSICA E　10　(1-3)　288-291　2001年5月

DOI： 10.1016/S1386-9477(01)00101-1 　

ISSN：1386-9477
Properties of (Ga,Mn)As/(Al,Ga)As/(Ga,Mn)As magnetic trilayer structures 査読有り

D Chiba, N Akiba, F Matsukura, Y Ohno, H Ohno

PHYSICA E　10　(1-3)　278-282　2001年5月

DOI： 10.1016/S1386-9477(01)00100-X 　

ISSN：1386-9477
Magnetic circular dichroism in Mn 2p core absorption of Ga1-xMnxAs 査読有り

S Ueda, S Imada, T Muro, Y Saitoh, S Suga, F Matsukura, H Ohno

PHYSICA E　10　(1-3)　210-214　2001年5月

DOI： 10.1016/S1386-9477(01)00084-4 　

ISSN：1386-9477
Magnetotransport properties of (Ga,Mn)As grown on GaAs(411)A substrates 査読有り

T Omiya, F Matsukura, A Shen, Y Ohno, H Ohno

PHYSICA E　10　(1-3)　206-209　2001年5月

DOI： 10.1016/S1386-9477(01)00083-2 　

ISSN：1386-9477
Magnetic domain structure of a ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As observed with scanning probe microscopes 査読有り

T Fukumura, T Shono, K Inaba, T Hasegawa, H Koinuma, F Matsukura, H Ohno

PHYSICA E　10　(1-3)　135-138　2001年5月

DOI： 10.1016/S1386-9477(01)00068-6 　

ISSN：1386-9477
Spin relaxation in n-modulation doped GaAs/AlGaAs (110) quantum wells 査読有り

T Adachi, Y Ohno, F Matsukura, H Ohno

PHYSICA E　10　(1-3)　36-39　2001年5月

DOI： 10.1016/S1386-9477(01)00049-2 　

ISSN：1386-9477
Optical manipulation of nuclear spin by a two-dimensional electron gas 査読有り

G. Salis, D. T. Fuchs, J. M. Kikkawa, D. D. Awschalom, Y. Ohno, H. Ohno

Phys. Rev. B　86　(12)　2677-2680　2001年3月19日

DOI： 10.1103/PhysRevLett.86.2677 　
Fluorescence extended x-ray absorption fine structure study on local structures around Mn atoms in thin (In, Mn)As layer and (In, Mn)As quantum dots 査読有り

H Ofuchi, T Kubo, M Tabuchi, Y Takeda, F Matsukura, SP Guo, A Shen, H Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　89　(1)　66-70　2001年1月

DOI： 10.1063/1.1330761 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Long wavelength intersubband light emitting structure based on type-II InAs/GaSb/AlSb hetero-structures 査読有り

H Sakuma, O Keita, H Ohno

PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS　2　122-124　2001年
Spin-dependent phenomena in ferromagnetic/nonmagnetic III-V heterostructures 査読有り

H Ohno, F Matsukura, Y Ohno

SOLID STATE COMMUNICATIONS　119　(4-5)　281-289　2001年

DOI： 10.1016/S0038-1098(01)00175-2 　

ISSN：0038-1098
Hole-mediated ferromagnetismin tetrahedrally coordinated semiconductors tetrahedrally 査読有り

T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura

Physical Review B(/)-　63　(,19205-1-21)　2001年
Toward functional spintronics 査読有り

H. Ohno

Science(/)-　840-841　2001年
Ferromagnetism in III-V and II-Ⅵ semiconductor structures 査読有り

T. Dietl, H. Ohno

Physica E(/)-　9(1)　185-193　2001年

DOI： 10.1016/S1386-9477(00)00193-4 　
A ferromagnetic III-V semiconductor: (Ga,Mn)As 査読有り

H Ohno, F Matsukura

SOLID STATE COMMUNICATIONS　117　(3)　179-186　2001年

DOI： 10.1016/S0038-1098(00)00436-1 　

ISSN：0038-1098
Electric-field control of ferromagnetism 査読有り

H Ohno, D Chiba, F Matsukura, T Omiya, E Abe, T Dietl, Y Ohno, K Ohtani

NATURE　408　(6815)　944-946　2000年12月

DOI： 10.1038/35050040 　

ISSN：0028-0836
Surface morphologies of III-V based magnetic semiconductor (Ga,Mn) As grown by molecular beam epitaxy 査読有り

Yang, JR, H Yasuda, SL Wang, F Matsukura, Y Ohno, H Ohno

APPLIED SURFACE SCIENCE　166　(1-4)　242-246　2000年10月

DOI： 10.1016/S0169-4332(00)00429-3 　

ISSN：0169-4332
Arsenic flux dependence of InAs nanostructure formation on GaAs (211) B surface 査読有り

H Yasuda, F Matsukura, Y Ohno, H Ohno

APPLIED SURFACE SCIENCE　166　(1-4)　413-417　2000年10月

DOI： 10.1016/S0169-4332(00)00458-X 　

ISSN：0169-4332
Magnetoresistance effect and interlayer coupling of (Ga, Mn)As trilayer structures 査読有り

D Chiba, N Akiba, F Matsukura, Y Ohno, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　77　(12)　1873-1875　2000年9月

DOI： 10.1063/1.1310626 　

ISSN：0003-6951
Observation of magnetic domain structure in a ferromagnetic semiconductor (Ga, Mn)As with a scanning Hall probe microscope 査読有り

T Shono, T Hasegawa, T Fukumura, F Matsukura, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　77　(9)　1363-1365　2000年8月

DOI： 10.1063/1.1290273 　

ISSN：0003-6951
Magnetic domain structures of (Ga,Mn)As investigated by scanning Hall probe microscopy 査読有り

T Shono, T Fukumura, M Kawasaki, H Koinuma, T Hasegawa, T Endo, K Kitazawa, F Matsukura, H Ohno

PHYSICA B　284　1171-1172　2000年7月

ISSN：0921-4526
Ferromagnetic III-V heterostructures 査読有り

H Ohno

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B　18　(4)　2039-2043　2000年7月

DOI： 10.1116/1.1305944 　

ISSN：1071-1023
Influence of interface bonds and buffer materials on optical properties of InAs/AlSb quantum wells grown on GaAs substrates 査読有り

K Ohtani, A Sato, Y Ohno, F Matsukura, H Ohno

APPLIED SURFACE SCIENCE　159　313-317　2000年6月

DOI： 10.1016/S0169-4332(00)00106-9 　

ISSN：0169-4332
MBE growth and electroluminescence of ferromagnetic/non-magnetic semiconductor pn junctions based on (Ga,Mn) As 査読有り

Y Ohno, Arata, I, F Matsukura, K Ohtani, S Wang, H Ohno

APPLIED SURFACE SCIENCE　159　308-312　2000年6月

DOI： 10.1016/S0169-4332(00)00107-0 　

ISSN：0169-4332
Molecular beam epitaxy of GaSb with high concentration of Mn 査読有り

F Matsukura, E Abe, Y Ohno, H Ohno

APPLIED SURFACE SCIENCE　159　265-269　2000年6月

DOI： 10.1016/S0169-4332(00)00108-2 　

ISSN：0169-4332
Magnetic moment of Mn in the ferromagnetic semiconductor (Ga0.98Mn0.02)As 査読有り

H Ohldag, Solinus, V, FU Hillebrecht, JB Goedkoop, M Finazzi, F Matsukura, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　76　(20)　2928-2930　2000年5月

DOI： 10.1063/1.126519 　

ISSN：0003-6951
Mobility dependence of electron spin relaxation time in n-type InGaAs/InAlAs multiple quantum wells 査読有り

T Adachi, Y Ohno, R Terauchi, F Matsukura, H Ohno

PHYSICA E　7　(3-4)　1015-1019　2000年5月

DOI： 10.1016/S1386-9477(00)00107-7 　

ISSN：1386-9477
Molecular beam epitaxy of III-V diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)Sb 査読有り

E Abe, F Matsukura, H Yasuda, Y Ohno, H Ohno

PHYSICA E　7　(3-4)　981-985　2000年5月

DOI： 10.1016/S1386-9477(00)00100-4 　

ISSN：1386-9477
Magnetotransport properties of (Ga,Mn)As investigated at low temperature and high magnetic field 査読有り

T Omiya, F Matsukura, T Dietl, Y Ohno, T Sakon, M Motokawa, H Ohno

PHYSICA E　7　(3-4)　976-980　2000年5月

DOI： 10.1016/S1386-9477(00)00099-0 　

ISSN：1386-9477
Magnetotransport properties of (Ga, Mn)Sb 査読有り

F Matsukura, E Abe, H Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　87　(9)　6442-6444　2000年5月

DOI： 10.1063/1.372732 　

ISSN：0021-8979
Spin-dependent scattering in semiconducting ferromagnetic (Ga,Mn)As trilayer structures 査読有り

N Akiba, D Chiba, K Nakata, F Matsukura, Y Ohno, H Ohno

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　87　(9)　6436-6438　2000年5月

DOI： 10.1063/1.372730 　

ISSN：0021-8979
Mid-infrared intersubband electroluminescence in InAs/GaSb/AlSb type-II cascade structures 査読有り

K Ohtani, H Ohno

PHYSICA E　7　(1-2)　80-83　2000年4月

DOI： 10.1016/S1386-9477(99)00282-9 　

ISSN：1386-9477
Zener model description of ferromagnetism in zinc-blende magnetic semiconductors 査読有り

T Dietl, H Ohno, F Matsukura, J Cibert, D Ferrand

SCIENCE　287　(5455)　1019-1022　2000年2月

DOI： 10.1126/science.287.5455.1019 　

ISSN：0036-8075
Electron spin relaxation beyond D'yakonov-Perel' interaction in GaAs/AlGaAs quantum wells 査読有り

Y Ohno, R Terauchi, T Adachi, F Matsukura, H Ohno

PHYSICA E　6　(1-4)　817-820　2000年2月

DOI： 10.1016/S1386-9477(99)00251-9 　

ISSN：1386-9477
Ferromagnetism and heterostructures of III-V magnetic semiconductors 査読有り

H Ohno

PHYSICA E　6　(1-4)　702-708　2000年2月

DOI： 10.1016/S1386-9477(99)00177-0 　

ISSN：1386-9477
Bilayer ν=2 quantum Hall state in parallel high magnetic field 査読有り

A. Sawada, Z. F. Ezawa, H. Ohno, Y. Horikoshi, N. Kumada, Y. Ohno, S. Kishimoto, F. Matsukura, S. Nagahama

Physica E　6　(1-4)　615-618　2000年2月

DOI： 10.1016/S1386-9477(99)00129-0 　

ISSN：1386-9477
Ferromagnetism induced by free carriers in p-type structures of diluted magnetic semiconductors 査読有り

T. Dietl, J. Chbert, P. Kossacki, D. Ferrand, S. Tatarenko, A. Waisiela, Y. Merle D'aubigne, F. Matsukura, N. Akiba, H. Ohno

Physica E　7(nos.3-4)　967-975　2000年

DOI： 10.1016/S1386-9477(00)00098-9 　
Surfactant effect of Mn on the formation of self-organized InAs nanostructures 査読有り

SP Guo, A Shen, H Yasuda, Y Ohno, F Matsukura, H Ohno

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　208　(1-4)　799-803　2000年1月

DOI： 10.1016/S0022-0248(99)00465-0 　

ISSN：0022-0248
Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure 査読有り

Y Ohno, DK Young, B Beschoten, F Matsukura, H Ohno, DD Awschalom

NATURE　402　(6763)　790-792　1999年12月

DOI： 10.1038/45509 　

ISSN：0028-0836
MOCVD growth and transport investigation of two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates 査読有り

T Wang, Y Ohno, M Lachab, D Nakagawa, T Shirahama, S Sakai, H Ohno

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　216　(1)　743-748　1999年11月

DOI： 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<743::AID-PSSB743>3.0.CO;2-G 　

ISSN：0370-1972
Magnetic circular dichroism studies of carrier-induced ferromagnetism in (Ga1-xMnx)As 査読有り

B Beschoten, PA Crowell, Malajovich, I, DD Awschalom, F Matsukura, A Shen, H Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS　83　(15)　3073-3076　1999年10月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.83.3073 　

ISSN：0031-9007
Properties of ferromagnetic III-V semiconductors 査読有り

H Ohno

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　200　(1-3)　110-129　1999年10月

DOI： 10.1016/S0304-8853(99)00444-8 　

ISSN：0304-8853
Metal-insulator transition and magnetotransport in III-V compound diluted magnetic semiconductors 査読有り

Y Iye, A Oiwa, A Endo, S Katsumoto, F Matsukura, A Shen, H Ohno, H Munekata

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　63　(1-2)　88-95　1999年8月

ISSN：0921-5107
Interlayer coherence in nu=1 and nu=2 bilayer quantum Hall states 査読有り

A Sawada, ZF Ezawa, H Ohno, Y Horikoshi, A Urayama, Y Ohno, S Kishimoto, F Matsukura, N Kumada

PHYSICAL REVIEW B　59　(23)　14888-14891　1999年6月

DOI： 10.1103/PhysRevB.59.14888 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Electron mobility exceeding 10(4) cm(2)/Vs in an AlGaN-GaN heterostructure grown on a sapphire substrate 査読有り

T Wang, Y Ohno, M Lachab, D Nakagawa, T Shirahama, S Sakai, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　74　(23)　3531-3533　1999年6月

DOI： 10.1063/1.124151 　

ISSN：0003-6951
New 'coherent' bilayer quantum Hall systems 査読有り

A. Sawada, Z. F. Ezawa, H. Ohno, Y. Horikoshi, Y. Ohno, S. KIshimoto, F. Matsukura, A. Urayama, N. Kumada

Proc. of 6th Int. Symp. on Foundations of Quantum Mechanics in the Light of New Technology (ISQM-Tokyo '98)　207-210　1999年5月
Mid-infrared intersubband electroluminescence in InAs AlSb cascade structures 査読有り

K Ohtani, H Ohno

ELECTRONICS LETTERS　35　(11)　935-936　1999年5月

DOI： 10.1049/el:19990624 　

ISSN：0013-5194
Monte Carlo simulation of reentrant reflection high-energy electron diffraction intensity oscillation observed during low-temperature GaAs growth 査読有り

H Yasuda, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　74　(22)　3275-3277　1999年5月

DOI： 10.1063/1.123318 　

ISSN：0003-6951
Antiferromagnetic p-d exchange in ferromagnetic Ga1-xMnxAs epilayers 査読有り

J Szczytko, W Mac, A Twardowski, F Matsukura, H Ohno

PHYSICAL REVIEW B　59　(20)　12935-12939　1999年5月

DOI： 10.1103/PhysRevB.59.12935 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
X-ray diffraction study of InAs AlSb interface bonds grown by molecular beam epitaxy 査読有り

A Sato, K Ohtani, R Terauchi, Y Ohno, F Matsukura, H Ohno

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　201　861-863　1999年5月

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)01475-4 　

ISSN：0022-0248
InAs and (In,Mn)As nanostructures grown on GaAs(100), (211)B, and (311)B substrates 査読有り

SP Guo, A Shen, F Matsukura, Y Ohno, H Ohno

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　201　684-688　1999年5月

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)01442-0 　

ISSN：0022-0248
Low-temperature molecular beam epitaxial growth of GaAs and (Ga,Mn)As 査読有り

A Shen, F Matsukura, SP Guo, Y Sugawara, H Ohno, M Tani, H Abe, HC Liu

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　201　679-683　1999年5月

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)01447-X 　

ISSN：0022-0248
Carrier mobility dependence of electron spin relaxation in GaAs quantum wells 査読有り

R Terauchi, Y Ohno, T Adachi, A Sato, F Matsukura, A Tackeuchi, H Ohno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　38　(4B)　2549-2551　1999年4月

DOI： 10.1143/JJAP.38.2549 　

ISSN：0021-4922
Intersubband electroluminescence in InAs/GaSb/AlSb type-II cascade structures 査読有り

K Ohtani, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　74　(10)　1409-1411　1999年3月

DOI： 10.1063/1.123566 　

ISSN：0003-6951
Magnetic and transport properties of the ferromagnetic semiconductor heterostructures (In,Mn)As/(Ga,Al)Sb 査読有り

A Oiwa, A Endo, S Katsumoto, Y Iye, H Ohno, H Munekata

PHYSICAL REVIEW B　59　(8)　5826-5831　1999年2月

DOI： 10.1103/PhysRevB.59.5826 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Properties of (Ga,Mn)As and their dependence on molecular beam growth conditions 査読有り

F. Matsukura, A. Shen, Y. Sugawara, T. Omiya, Y. Ohno, H. Ohno

Proc. 25th Int. Symp. Compound Semiconductors, Institute of Physics Conference Series　(162)　547-552　1999年
半導体結晶成長査読有り

大野英男

コロナ社　1999年
Ferromagnetic III-V semiconductors and their heterostructures 査読有り

H. Ohno

Proceedings of the 24th International Conference on the Physics of Semiconductors　139-146　1999年
Spin relaxation in GaAs(110) quantum wells 査読有り

Y. Ohno, R. Terachi, T. Adachi, F. Matsukura, H. Ohno

Physical Review Letters　1999年

DOI： 10.1103/PhysRevLett.83.4196 　
Integrated micromechanical cantilever magnetometry of Ga_1-xMn_xAs 査読有り

J. G. E. Harris, D. D. Awshalom, F. Matsukura, H. Ohno, K. D. Maranowski, A. C. Gossard

Applied Physics Letters　75　(8)　1140-1143　1999年

DOI： 10.1063/1.124622 　
Spin-dependent tunneling and properties of ferromagnetic(Ga, Mn)As 査読有り

H. Ohno, F. Matsukura, T. Omiya, N. Akiba

J. Appl. Phys.　85　(8)　4277-4282　1999年

DOI： 10.1063/1.370343 　
Magnetotransport properties of(Ga, Mn)As/GaAs/(Ga, Mn)As trilayer structures 査読有り

F. Matsukura, N. Akiba, A. Shen, Y. Ohno, A. Oiwa, S. Katsumoto, Y. Iye, H. Ohno

J. Magnetics Society of Japan　23　(1)　88-92　1999年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.23.99 　

ISSN：0285-0192

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All-semiconductor ferromagnet/nonmagnet/ferromagnet trilayer structures using (Ga, Mn)As as a ferromagnetic layer and GaAs a nonmagnetic layer were prepared and their magnetotransport properties were investigated. The results show that the interaction between the two (Ga, Mn)As layers decreases as the GaAs thickness increases. This shows that the carriers present in the nonmagnetic layer mediate the coupling between the two ferromagnetic layers in the present all-semiconductor system.
III-V based ferromagnetic semiconductors 査読有り

H. Ohno

J. Magnetics Society of Japan　23　(1)　88-92　1999年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.23.88 　

ISSN：0285-0192

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Current status of III-V based ferromagnetic semiconductors, especially (Ga, Mn)As, a GaAs based diluted magnetic semiconductor, is reviewed. Low solubility of magnetic elements was overcome by low temperature nonequilibrium molecular beam epitaxial growth to realize successfully (Ga, Mn)As as well as (In, Mn)As. Magnetization measurements showed that GaAs based (Ga, Mn) As is ferromagnetic with Curie temperature T_C as high as 110 K. Magnetotransport measurements of (Ga, Mn) As epitaxial films revealed that the p-d exchange N₀β is 3 eV. This strong interaction was shown to be large enough to explain the high T_C by the RKKY interaction. Multilayer heterosturctures including superlattices and resonant tunneling diodes (RTD's) were also successfully fabricated. The magnetic coupling between two ferromagnetic (Ga, Mn)As films separated by a nonmagnetic GaAs (or AlGaAs) layer was found to be a function of thickness and composition of the intermediary layer, indicating the critical role of the holes on the magnetic coupling. This observation of magnetic coupling in all semiconductor ferromagnetic/nonmagnetic layered structures, together with the possibility of spin dependent tunneling in RTD's, showed the potential of the present material system for exploring new physics and for developing new functionality toward future electronics.
ESR study of Mn doped II-Ⅵ and III-V DMS 査読有り

H. Nojiri, M. Motokawa, S. Takeyama, F. Matsukura, H. Ohno

Physica B　256　569-572　1998年12月

DOI： 10.1016/S0921-4526(98)00504-3 　

ISSN：0921-4526
Cyclotron resonance in Cd1-xFexS and Ga1-xMnxAs at megagauss magnetic fields 査読有り

YH Matsuda, H Arimoto, N Miura, A Twardowski, H Ohno, A Shen, F Matsukura

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　256　565-568　1998年12月

DOI： 10.1016/S0921-4526(98)00673-5 　

ISSN：0921-4526
Magnetotunneling spectroscopy of resonant tunneling diode using ferromagnetic (Ga,Mn)As 査読有り

N Akiba, F Matsukura, Y Ohno, A Shen, K Ohtani, T Sakon, M Motokawa, H Ohno

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　256　561-564　1998年12月

DOI： 10.1016/S0921-4526(98)00490-6 　

ISSN：0921-4526
Spin dependence of the interlayer tunneling in double quantum wells in the quantum Hall regime 査読有り

S Kishimoto, Y Ohno, F Matsukura, H Ohno

PHYSICA B-CONDENSED MATTER　256　535-539　1998年12月

DOI： 10.1016/S0921-4526(98)00674-7 　

ISSN：0921-4526
Interlayer exchange in (Ga,Mn)As/(Al,Ga)As/(Ga,Mn)As semiconducting ferromagnet/nonmagnet/ferromagnet trilayer structures 査読有り

N Akiba, F Matsukura, A Shen, Y Ohno, H Ohno, A Oiwa, S Katsumoto, Y Iye

APPLIED PHYSICS LETTERS　73　(15)　2122-2124　1998年10月

DOI： 10.1063/1.122398 　

ISSN：0003-6951
Light emission spectra of AlGaAs/GaAs multiquantum wells induced by scanning tunneling microscope 査読有り

T Tsuruoka, Y Ohizumi, S Ushioda, Y Ohno, H Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　73　(11)　1544-1546　1998年9月

DOI： 10.1063/1.122200 　

ISSN：0003-6951
Magnetotransport and magnetic properties of (Ga,Mn)As and its heterostructures 査読有り

H Ohno

ACTA PHYSICA POLONICA A　94　(2)　155-164　1998年8月

ISSN：0587-4246
Making nonmagnetic semiconductors ferromagnetic 査読有り

H Ohno

SCIENCE　281　(5379)　951-956　1998年8月

DOI： 10.1126/science.281.5379.951 　

ISSN：0036-8075
Spontaneous splitting of ferromagnetic (Ga, Mn)As valence band observed by resonant tunneling spectroscopy 査読有り

H Ohno, N Akiba, F Matsukura, A Shen, K Ohtani, Y Ohno

APPLIED PHYSICS LETTERS　73　(3)　363-365　1998年7月

DOI： 10.1063/1.121835 　

ISSN：0003-6951
Etched-backgate field-effect transistor structure for magnetotunneling study of low-dimensional electron systems 査読有り

S Kishimoto, Y Ohno, F Matsukura, H Sakaki, H Ohno

SOLID-STATE ELECTRONICS　42　(7-8)　1187-1190　1998年7月

DOI： 10.1016/S0038-1101(98)00001-X 　

ISSN：0038-1101
Well-width dependence of bound to quasi-bound intersubband transition in GaAs quantum wells with multi-quantum barriers 査読有り

K Ohtani, Y Ohno, F Matsukura, H Ohno

PHYSICA E　2　(1-4)　200-203　1998年7月

DOI： 10.1016/S1386-9477(98)00043-5 　

ISSN：1386-9477
InAs quantum dots and dashes grown on (100), (211)B, and (311)B GaAs substrates 査読有り

SP Guo, A Shen, Y Ohno, H Ohno

PHYSICA E　2　(1-4)　672-677　1998年7月

DOI： 10.1016/S1386-9477(98)00137-4 　

ISSN：1386-9477
Ferromagnetic (Ga, Mn)As and its heterostructures 査読有り

H Ohno, F Matsukura, A Shen, Y Sugawara, N Akiba, T Kuroiwa

PHYSICA E　2　(1-4)　904-908　1998年7月

DOI： 10.1016/S1386-9477(98)00184-2 　

ISSN：1386-9477
Interlayer quantum coherence and anomalous stability of v-1 bilayer quantum Hall state 査読有り

A. Sawada, Z. F. Eazawa, H. Ohno, Y. Horikoshi, S. Kishimoto, F. Matsukura, Y. Ohno, M. Yasumoto, A. Urayama

Physica B　249-251　836-840　1998年6月17日

DOI： 10.1016/S0921-4526(98)00326-3 　
Low-temperature GaAs grown by molecular-beam epitaxy under high As overpressure: A reflection high-energy electron diffraction study 査読有り

A. Shen, H. Ohno, Y. Horikoshi, S. P. Guo, Y. Ohno, F. Matsukura

Applied Surface Science　130-132　382-397　1998年6月

DOI： 10.1016/S0169-4332(98)00087-7 　
Self-organized (In, Mn) as diluted magnetic semiconductor nanostructures on GaAs substrates 査読有り

SP Guo, H Ohno, A Shen, F Matsukura, Y Ohno

APPLIED SURFACE SCIENCE　130　797-802　1998年6月

DOI： 10.1016/S0169-4332(98)00157-3 　

ISSN：0169-4332
Photoluminescence study of InAs quantum dots and quantum dashes grown on GaAs (211)B 査読有り

SP Guo, H Ohno, AD Shen, Y Ohno, F Matsukura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　37　(3B)　1527-1531　1998年3月

DOI： 10.1143/JJAP.37.1527 　

ISSN：0021-4922
Giant negative magnetoresistance of (Ga, Mn)As/GaAs in the vicinity of a metal-insulator transitions 査読有り

A. Oiwa, S. Katsumoto, A. Endo, M. Hirasawa, Y. Iye, H. Ohno, F. Matsukura, A. Shen, Y. Sugawara

physica status solidi (b)　205　(1)　167-171　1998年1月

DOI： 10.1002/(SICI)1521-3951(199801)205:1<167::AID-PSSB167>3.0.CO;2-O 　
Strongly anisotropic hopping conduction in (Ga, Mn)As/GaAs 査読有り

S Katsumoto, A Oiwa, Y Iye, H Ohno, F Matsukura, A Shen, Y Sugawara

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH　205　(1)　115-118　1998年1月

DOI： 10.1002/(SICI)1521-3951(199801)205:1<115::AID-PSSB115>3.0.CO;2-F 　

ISSN：0370-1972
Properties of(Ga, Mn)As and their dependence on molecular beam growth conditions 査読有り

F. Matsukura, A. Shen, Y. Sugawara, T. Omiya, Y. Ohno, H. Ohno

Inst. Phys. Conf. Ser.　(162)　547-552　1998年
Magnetotransport properties of all semiconductor(Ga, Mn)As/(Al, Ga)As/(Ga, Mn)As tri-layer structure 査読有り

F. Matsukura, N. Akiba, A. Shen, Y. Ohno, A. Oiwa, S. Katsumoto, Y. Iye, H. Ohno

Physica B　256-258　573-576　1998年

DOI： 10.1016/S0921-4526(98)00495-5 　
υ=1 bilayer quantum Hall state at arbitrary electron distribution in a double qrantum well 査読有り

Y. Ohno, A. Sawada, Z. F. Ezawa, H. Ohno, Y. Horikoshi, S. Kishimoto, F. Matsukura, M. Yasumoto, A. Urayama

Solid-State Electronics　42　(7-8)　1183-1185　1998年

DOI： 10.1016/S0038-1101(97)00326-2 　
Phase transition in the υ=2 bilayer quantum Hall state 査読有り

A. Sawada, Z. F. Ezawa, H. Ohno, Y. Horikoshi, Y. Ohno, S. Kishimoto, F. Matsukura, M. Yasumoto, A. Urayama

Physical Review Letters　80　(20)　4534-4537　1998年

DOI： 10.1103/PhysRevLett.80.4534 　
Low-temperature GaAs grown by molecular-beam epitaxy under high As overpressure : A reflection high-energy electron diffraction study 査読有り

A. Shen, H. Ohno, Y. Horikoshi, S. P. Guo, Y. Ohno, F. Matsukura

Applied Surface Science　130-132　382-397　1998年

DOI： 10.1016/S0169-4332(98)00087-7 　
Superlattice and maltilayer structures based on ferromagnetic semiconductor(Ga, Mn)As 査読有り

A. Shen, H. Ohno, F. Matsukura, H. C. Liu, N. Akiba, Y. Sugawara, T. Kuroiwa, Y. Ohno

Physica B　249-251　809-813　1998年

DOI： 10.1016/S0921-4526(98)00319-6 　
Transport properties and origin of ferromagnetism in(Ga, Mn)As 査読有り

F. Matsukura, H. Ohno, A. Shen, Y. Sugawara

Physical Review B　57　(4)　R2037-R2040　1998年

DOI： 10.1103/PhysRevB.57.R2037 　
Faraday rotation of ferromagnetic (Ga, Mn)As 査読有り

T Kuroiwa, T Yasuda, F Matsukura, A Shen, Y Ohno, Y Segawa, H Ohno

ELECTRONICS LETTERS　34　(2)　190-192　1998年1月

DOI： 10.1049/el:19980128 　

ISSN：0013-5194
Preparation and properties of III-V based new diluted magnetic semiconductors 査読有り

H Ohno

ADVANCES IN COLLOID AND INTERFACE SCIENCE　71-2　61-75　1997年9月

DOI： 10.1016/S0001-8686(97)00010-9 　

ISSN：0001-8686
Reflection high-energy electron diffraction oscillations during growth of GaAs at low temperatures under high As overpressure 査読有り

A Shen, Y Horikoshi, H Ohno, SP Guo

APPLIED PHYSICS LETTERS　71　(11)　1540-1542　1997年9月

DOI： 10.1063/1.119973 　

ISSN：0003-6951
Anomalous stability of nu=1 bilayer quantum Hall state 査読有り

A Sawada, ZF Ezawa, H Ohno, Y Horikoshi, O Sugie, S Kishimoto, F Matsukura, Y Ohno, M Yasumoto

SOLID STATE COMMUNICATIONS　103　(8)　447-451　1997年8月

DOI： 10.1016/S0038-1098(97)00221-4 　

ISSN：0038-1098
Nonmetal-metal-nonmetal transition and large negative magnetoresistance in (Ga, Mn)As/GaAs 査読有り

A Oiwa, S Katsumoto, A Endo, M Hirasawa, Y Iye, H Ohno, F Matsukura, A Shen, Y Sugawara

SOLID STATE COMMUNICATIONS　103　(4)　209-213　1997年7月

DOI： 10.1016/S0038-1098(97)00178-6 　

ISSN：0038-1098
Epitaxy of (Ga, Mn)As, a new diluted magnetic semiconductor based on GaAs 査読有り

A Shen, H Ohno, F Matsukura, Y Sugawara, N Akiba, T Kuroiwa, A Oiwa, A Endo, S Katsumoto, Y Iye

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　175　1069-1074　1997年5月

DOI： 10.1016/S0022-0248(96)00967-0 　

ISSN：0022-0248
Electric field dependence of intersubband transitions in GaAs/AlGaAs single quantum wells 査読有り

A Mathur, Y Ohno, F Matsukura, K Ohtani, N Akiba, T Kuroiwa, H Nakajima, H Ohno

APPLIED SURFACE SCIENCE　113　90-96　1997年4月

DOI： 10.1016/S0169-4332(96)00879-3 　

ISSN：0169-4332
Epitaxy and properties of InMnAs/AlGaSb diluted magnetic III-V semiconductor heterostructures 査読有り

A Shen, F Matsukura, Y Sugawara, T Kuroiwa, H Ohno, A Oiwa, A Endo, S Katsumoto, Y Iye

APPLIED SURFACE SCIENCE　113　183-188　1997年4月

DOI： 10.1016/S0169-4332(96)00865-3 　

ISSN：0169-4332
Growth and properties of (Ga, Mn) As: A new III-V diluted magnetic semiconductor 査読有り

F Matsukura, A Oiwa, A Shen, Y Sugawara, N Akiba, T Kuroiwa, H Ohno, A Endo, S Katsumoto, Y Iye

APPLIED SURFACE SCIENCE　113　178-182　1997年4月

DOI： 10.1016/S0169-4332(96)00790-8 　

ISSN：0169-4332
InAs self-organized quantam dashes grown on GaAs(211)B 査読有り

S. P. Guo, H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, Y. Ohno

Appl. Phys. Lett　71　(11)　1540-1542　1997年

DOI： 10.1063/1.119007 　
Electvical and magnetic properties of (In, Mn)AS/(A1, Ga)Sb heterostructures and bulk(Ga, Mn)AS 査読有り

A. Oiwa, Y. Iye, S. Katsumoto, A. Endo, M. Hirasawa, H. Ohno, F. Matsukura, A. Shen, H. Munekata

Proc, 12th Int, Conf on High Magnetic Fields in the Physics of SemiconductorsII　885-888　1997年
(Ga, Mn)As/GaAs diluted megnetic semiconductor superlattice Structures prepared by molecular beam epitaxy 査読有り

A. Shen, H. Ohno, F. Matsukura, Y. Sugawara, Y. Ohno, N. Akiba, T. Kuroiwa

Jpn. J. Appl. Phys.　36　(2A)　273-275　1997年
(Ga,Mn)As: A new diluted magnetic semiconductor based on GaAs 査読有り

H Ohno, A Shen, F Matsukura, A Oiwa, A Endo, S Katsumoto, Y Iye

APPLIED PHYSICS LETTERS　69　(3)　363-365　1996年7月

DOI： 10.1063/1.118061 　

ISSN：0003-6951
Ferromagnetic order in(Ga, Mn)As/GaAs heterostructures. 査読有り

H. Ohno, F. Matsukura, A. Shen, Y. Sugawara, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye

Proc. 23rd. Int. Conf. Physics of Semiconductors　405-408　1996年
Mn-based III-V diluted magnetic(semimagnetic) semiconductors 査読有り

H. Ohno

Materials Science Forum　(182-184)　443　1995年
Growth of GaAs by molecular-beam epitaxy using trisdinethylaminoarsine 査読有り

S. Goto, Y. Nomura, Y. Morishita, Y. Katayama, H. Ohno

J.Crystal Growth　143　1995年

DOI： 10.1016/0022-0248(95)00031-3 　
Temperature dependence of anomalous Hall effect and magnetism of (In, Mn)Asl(Al,Ga)Sb heterostructures

H. Ohno, F. Matsukura, H. Munekata, Y. Iye, J. Nakahara

Proc.22nd Int.Conf.Physics of Semiconductors　2605　1995年
Kinetics and mechanism of atomic layer epitaxy of GaAs using trimethylgallium 査読有り

H. Ohno, S. Goto, Y. Nomura, Y. Morishita, Y. Katayama

Applied Surface Science　82-83　(C)　164-170　1994年12月2日

DOI： 10.1016/0169-4332(94)90213-5 　

ISSN：0169-4332
MINIMUM LIGHT POWER FOR OPTICAL INTERCONNECTION IN INTEGRATED-CIRCUITS 査読有り

H OHNO

OPTOELECTRONICS-DEVICES AND TECHNOLOGIES　9　(1)　131-136　1994年3月

ISSN：0912-5434
ADSORPTION OF CARBON-RELATED SPECIES ONTO GAAS(001), (011), AND (111) SURFACES EXPOSED TO TRIMETHYLGALLIUM 査読有り

S GOTO, H OHNO, Y NOMURA, Y MORISHITA, Y KATAYAMA

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　136　(1-4)　104-108　1994年3月

DOI： 10.1016/0022-0248(94)90391-3 　

ISSN：0022-0248
Inter-subbard population inversion in tunneling heterostructures 査読有り

H. Ohno

Transactions of the Materials Research Society of Japan　19A　47　1994年
トリメチルガリウムを用いたGaAsの原子層エピタキシと表面カイネティクス査読有り

大野英男

日本結晶成長学会誌　21　(1)　24-31　1994年

DOI： 10.19009/jjacg.21.1_24 　
DILUTED MAGNETIC III-V SEMICONDUCTORS AND ITS TRANSPORT-PROPERTIES 査読有り

H OHNO

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　32　(Suppl.32-2)　459-461　1993年

ISSN：0021-4922
In situ Auger electron spectroscopy of carbon transient behavior on GaAs surfaces exposed to trimethylgallium 査読有り

S. Goto, H. Ohno, Y. Nomura, Y. Morishita, A. Watanabe, Y. Katayama

Journal of Crystal Growth　127,1005-1009　1993年

DOI： 10.1016/0022-0248(93)90777-T 　
Auger electron spectroscopy of molecular beam epitaxially grown GaAs surfaces exposed to trimethylgallium 査読有り

H. Ohno, S. Goto, Y. Nomura, Y. Morishita, A. Watanabe, Y. Katayama

Applied Physics Letters　62　(18)　2248　1993年

DOI： 10.1063/1.109635 　
Partial ferromagnetic order in p-type(In, Mn)As diluted magnetic III-V semiconductors 査読有り

H. Ohno, H. Munekata, T. Penney, S. von Moln, L.L. Chang

Material Science Forum　117-118,297-302　1993年
Optoelectronic devices based on type II polytype tunnel heterostructures 査読有り

H. Ohno, L. Esaki, E.E. Mendez

Applied Physics Letters　60　(25)　1992年

DOI： 10.1063/1.106726 　
Magnetotransport properties of p-type(In, Mn)As diluted magnetic III-V semiconductors 査読有り

H. Ohno, H. Munekata, T. Penney, S. von Moln, L.L. Chang

Physical Review Letters　68　(16)　2664　1992年

DOI： 10.1103/PhysRevLett.68.2664 　
New diluted magnetic III-V semiconductors 査読有り

H. Ohno, H. Munekata, S. von Moln, L.L. Chang

Japanese of Applied Physics　69　(8)　6103　1991年

DOI： 10.1063/1.347780 　
Effect of carrier mass differences on the current-voltage characterics of resonant tunneling structures 査読有り

H. Ohno, E.E. Mendez, W.I. Wang

Applied Physics Letters　56　(18)　1793　1990年

DOI： 10.1063/1.103102 　
Observation of 'Tamm states' in superlattices 査読有り

H. Ohno, E.E. Mendez, J.A. Brum, J.M. Hong, F. AgullRueda, L.L. Chang, L. Esaki

Physical Review Letters　64　(21)　2555　1990年

DOI： 10.1103/PhysRevLett.64.2555 　
Effect of exposure to group III alkyls on compound semiconductor surfaces observed by X-ray photoelectron spectroscopy 査読有り

H. Ishii, H. Ohno, K. Matsuzaki, H. Hasegawa

J. Crystal Growth　95　1989年

DOI： 10.1016/0022-0248(89)90365-5 　
Low temperature mobility of two dimensional electron gas in selectively doped pseudomorphic N-AlGaAs/GaInAs/GaAs structures 査読有り

H. Ohno, J.K. Luo, K. Matsuzaki, H. Hasegawa

Appl. Phys. Lett.　54　(1)　1989年

DOI： 10.1063/1.100826 　
Absence of growth sequence dependence of AlAs/GaAs heterojunction band discontinuity determined by X-ray photoelection spectroscopy 査読有り

H. Ohno, H. Ishii, K. Matsuzaki, H. Hasegawa

J Crystal Growth　95　1989年

DOI： 10.1016/0022-0248(89)90420-X 　
Quantum Hall effect of two dimensional electron gas in AlyGa_1-yAs/Ga_1-xIn_xAs/GaAs pseudomorphic structures 査読有り

J. K. Luo, H. Ohno, K. Matsuzaki, H. Hasegawa

J. Appl Phys　66　(9)　1989年

DOI： 10.1063/1.344473 　
Self-limiting deposition of Ga on a GaAs surface by thermal decomposition of diethylgalliumchloride observed by X-ray photoelectron spectroscopy 査読有り

H. Ohno, H. Ishii, K. Matsuzaki, H. Hasegawa

Appl Phys Lett　54　(12)　1989年

DOI： 10.1063/1.100776 　
Magnetoconductivity of two-dimensional electron gas in Al_0.3Ga_0.7As/Ga_1-xIn_x As/GaAs pseudomorphic heterostructure in quantum Hall regime 査読有り

J. K. Luo, H. Ohno, K. Matsuzaki, T. Umeda, J. Nakahara, H. Hasegawa

Physical Review B　40　(5)　1989年

DOI： 10.1103/PhysRevB.40.3461 　
Atomic layer epitaxy of GaAs using triethylgallium and arsine 査読有り

H. Ohno, S. Ohtsuka, H. Ishii, Y. Matsubara, H. Hasegawa

Applied Physics Letters　54　(20)　1989年

DOI： 10.1063/1.101195 　
Diluted magnetic III-V semiconductors 査読有り

H. Munekata, H. Ohno, S. von Moln, A. Segmler, L.L. Chang, L. Esaki

Physical Review Letters　63　(17)　1989年

DOI： 10.1103/PhysRevLett.63.1849 　
Dark current in selectively doped N-AlGaAs/GaAs CCDs 査読有り

Y. Akatsu, H. Ohno, H. Hasegawa, N. Sano

Japanese J. Applied Physics　27　(1)　1988年

DOI： 10.1143/JJAP.27.78 　
MBE growth of GaAs/InAs structures on (001)InP by alternating III-V fluxes 査読有り

R. Katsumi, H. Ohno, H. Ishii, K. Matsuzaki, Y. Akatsu, H. Hasegawa

J. Vacuum Science and Technology B　B6　(2)　1988年

DOI： 10.1116/1.584405 　
Growth of GaAs, InAs, and GaAs/InAs superlattice structures at low substrate temperature by MOVPE 査読有り

H. Ohno, S. Ohtsuka, A. Ohuchi, T. Matsubara, H. Hasegawa

J. Crystal Growth　93　1988年

DOI： 10.1016/0022-0248(88)90550-7 　
Low-field transport properties of two dimensional electron gas in selectively doped N-AlGaAs/GaInAs/GaAs pseudomorphic structures 査読有り

J.K. Luo, H. Ohno, K. Matsuzaki, H. Hasegawa

Japanese J. Applied Physics　27　(10)　1988年
Effect of a coincident Pb flux during MBE growth on the electrical properties of GaAs 査読有り

Y. Akatsu, H. Ohno, H. Hasegawa, T. Hashizume

J. Crystal growth　81　1987年

DOI： 10.1016/0022-0248(87)90411-8 　
Correlation between the location of the interface state minimum at insulator-semiconductor interfaces and Schottky barrier heights 査読有り

H. Ohno, H. Hasegawa

Japanese J. Appl Physics　25　(5)　1986年
Deep level characterization of AlGaAs and selectively doped N-AlGaAs/GaAs heterojunctions 査読有り

H. Ohno, Y. Akatsu, T. Hashizume, H. Hasegawa, N. Sano, H. Kato, M. Nakayama

J. Vacuum Science and Technology B　B3　(4)　1985年

DOI： 10.1116/1.583018 　
Growth of a (GaAs)n/(InAs)n superlattice semiconductor by molecular beam epitaxy 査読有り

H. Ohno, R. Katsumi, T. Takama, H. Hasegawa

Japanese J. Appl Physics　24　(9)　1985年

DOI： 10.1143/JJAP.24.L682 　
Mechanism of high gain in GaAs photoconductive detectors under low excitation 査読有り

N. Matsuo, H. Ohno, H. Hasegawa

Japanese J. Appl Phys　23　(5)　1984年
Free-carrier profile synthesis in MOCVD grown GaAs by 'atomic-plane'doping 査読有り

H. Ohno, E. Ikeda, H. Hasegawa

Japanese J. Applied Physics　23　(6)　1984年
Planer doping by interrupted MOVPE growth of GaAs 査読有り

H. Ohno, E. Ikeda, H. Hasegawa

J. Crystal Growth　68　(1)　1984年

DOI： 10.1016/0022-0248(84)90390-7 　
Monolithic integration of GaAs photoconductive detectors and GaAs MESFETs with distributed coupling to optical fibers 査読有り

N. Matsuo, H. Ohno, H. Hasegawa

Japanese J. Appl Plays　23　(8)　1984年
Effect of tangential magnetic field on the two-dimensional electron transport in N-AlGaAs/GaAs superlattices and hetero-interfaces 査読有り

H. Sakaki, H. Ohno, S. Nishi, J.. Yoshino

Physica　117B&118B　1983年

DOI： 10.1016/0378-4363(83)90629-0 　
Dependence of electron mobility on spacer layer thickness and electron density in modulation doped Ga_0.47In_0.53As/Al_0.48 In_0.52 As heterojunction 査読有り

K. Hsieh, H. Ohno, G. Wicks, L.F. Eastman

Electronics Letters　19　(5)　1983年

DOI： 10.1049/el:19830112 　
A new GaAs/AlGaAs heterojunction FET with insulated gate structure (MISSFET) 査読有り

T. Hotta, H. Ohno, H. Sakaki

Japanese Journal of Applied Physics　21　(2)　L122-L124　1982年6月

DOI： 10.1143/JJAP.21.L122 　
Transport properties of electrons at n-AlGaAs/GaAs heterojunction interface and their dependence on GaAs buffer-layer thickness and substrates 査読有り

Y. Sekiguchi, H. Sakaki, T. Tanoue, T. Hotta, H. Ohno

Collected Papers of MBE-CST-2　139-142　1982年6月
OPTICAL-QUALITY GAINAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY 査読有り

G WICKS, CEC WOOD, H OHNO, LF EASTMAN

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS　11　(2)　435-440　1982年

DOI： 10.1007/BF02654681 　

ISSN：0361-5235
STABILIZATION OF SCHOTTKY-BARRIER PROPERTIES OF SINGLE-CRYSTAL AL/GAAS AND AL/ALGAAS/GAAS CONTACTS PREPARED BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY 招待有り査読有り

DC SUN, H SAKAKI, H OHNO, Y SEKIGUCHI, T TANOUE

INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES　63　(63)　311-316　1982年

ISSN：0951-3248
Tangential magnetoresistance of two-dimensional electron gas at a selectively doped n-GaAlAs/GaAs heterojunction interface grown by molecular beam epitaxy 査読有り

H. Ohno, H. Sakaki

Appl Phys Lett　40　(10)　1982年

DOI： 10.1063/1.92938 　
Characterisation of Al/AlInAs/GaInAs heterostructures 査読有り

D.V. Morgan, H. Ohno, C.E.C. Wood, W.J. Schaff, K. Board, L.F. Eastman

IEEE Proceedings　128　(4)　141-143　1981年9月
Schottky-barrier properties of nearly-ideal (n=1) Al contact on MBE-and heat cleaned-GaAs surfaces 査読有り

H. Sakaki, Y. Sekiguchi, D.C. Sun, M. Taniguchi, H. Ohno, A. Tanaka

Japanese Journal of Applied Physics　20　(2)　L107-L110　1981年9月
ON THE ORIGIN AND ELIMINATION OF MACROSCOPIC DEFECTS IN MBE FILMS 査読有り

CEC WOOD, L RATHBUN, H OHNO, D DESIMONE

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　51　(2)　299-303　1981年

DOI： 10.1016/0022-0248(81)90314-6 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
CHANNELING ANALYSIS OF MBE INALAS-INGAAS INTERFACES 査読有り

DV MORGAN, CEC WOOD, H OHNO, LF EASTMAN

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY　19　(3)　596-598　1981年

DOI： 10.1116/1.571136 　

ISSN：0022-5355
ION-BEAM ANALYSIS OF MOLECULAR-BEAM EPITAXY INALAS-INGAAS LAYER STRUCTURES 査読有り

DV MORGAN, H OHNO, CEC WOOD, LF EASTMAN, JD BERRY

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY　128　(11)　2419-2424　1981年

DOI： 10.1149/1.2127262 　

ISSN：0013-4651
Integrated double heterostructure Ga_0.47In_0.53As photoreceiver with automatic gain control 査読有り

J. Barnard, H. Ohno, C.E.C. Wood, L.F. Eastman

IEEE Electron Device Letters　2　(1)　1981年

DOI： 10.1109/EDL.1981.25320 　
High speed photoconductive detectors using GaInAs 査読有り

J. Gammel, H. Ohno, J.M. Ballantyne

IEEE J. Quantum Electronics　QE-17　(2)　1981年

DOI： 10.1109/JQE.1981.1071056 　
GaInAs-AlInAs structures grown by molecular beam epitaxy 査読有り

H. Ohno, C.E.C. Wood, L. Rathbun, D.V. Morgan, G.W. Wicks, L.F. Eastman

J Appl Phys　52　(6)　1981年

DOI： 10.1063/1.329212 　
Arsenic stabilization of InP substrates for growth of GaxIn1-xAs layers by molecular beam epitaxy 査読有り

G.J. Davies, R. Heckingbottom, H. Ohno

Applied Physics Letters　37　(3)　290-293　1980年6月

DOI： 10.1063/1.91910 　
Double heterostructure Ga_0.47 In_0.53 As MESFET'S by MBE 査読有り

H. Ohno, J. Barnard, C.E.C. Wood, L.F. Eastman

IEEE Electron Device Letters　1　(8)　1980年
Thermal conversion mechanism in semi-insulating GaAs 査読有り

H. Ohno, A. Ushirokawa, T. Katoda

J. Appl Phys　50　(12)　1979年

DOI： 10.1063/1.325921

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MISC 34

確率ビット向け微細磁性体の熱ゆらぎ招待有り査読有り

金井駿, 深見俊輔, 大野英男

日本物理学会誌　78　(5)　256-261　2023年5月

DOI： 10.11316/butsuri.78.5_256 　
Coherent antiferromagnetic spintronics

Jiahao Han, Ran Cheng, Luqiao Liu, Hideo Ohno, Shunsuke Fukami

Nature Materials　2023年

DOI： 10.1038/s41563-023-01492-6 　

ISSN： 1476-1122

eISSN： 1476-4660
招待講演アナログスピントロニクス素子とその人工神経回路網応用 (磁気記録・情報ストレージ)

秋間学尚, BORDERS William, 深見俊輔, 守谷哲, 栗原祥太, KURENKOV Aleksandr, 堀尾喜彦, 佐藤茂雄, 大野英男

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　117　(247)　7-12　2017年10月19日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
招待講演アナログスピントロニクス素子とその人工神経回路網応用 (マルチメディアストレージ)

秋間学尚, BORDERS William, 深見俊輔, 守谷哲, 栗原祥太, KURENKOV Aleksandr, 堀尾喜彦, 佐藤茂雄, 大野英男

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report　41　(34)　7-12　2017年10月
出版者・発行元：映像情報メディア学会
ISSN： 1342-6893
Spintronics Materials and Devices for Working Memory Technology FOREWORD

Hideo Ohno, Masafumi Yamamoto, Tetsuo Endoh, Yasuo Ando, Takahiro Hanyu, Kohei M. Itoh, Masaaki Tanaka, Seiji Mitani, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　56　(8)　2017年8月

DOI： 10.7567/JJAP.56.080201 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
C-12-1 スピン注入磁化反転メモリの大容量化回路技術(C-12.集積回路,一般セッション)

竹村理一郎, 河原尊之, 大野英男

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集　2014　(2)　53-53　2014年9月9日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
27aKF-1 垂直磁化Co/Ni細線中の磁壁電流駆動におけるスピンホール効果の影響(スピントロニクス(磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))

吉村瑶子, 小山知弘, 森山貴広, Kim Kab-Jin, 千葉大地, 仲谷栄伸, 深見俊輔, 山ノ内路彦, 大野英男, 小野輝男

日本物理学会講演概要集　68　(2)　415-415　2013年8月26日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
High-speed and reliable domain wall motion device: Material design for embedded memory and logic application

S. Fukami, M. Yamanouchi, T. Koyama, K. Ueda, Y. Yoshimura, K. J. Kim, D. Chiba, D. Chiba, H. Honjo, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Kato, Y. Tsuji, A. Morioka, K. Kinoshita, S. Miura, T. Suzuki, H. Tanigawa, S. Ikeda, S. Ikeda, T. Sugibayashi, N. Kasai, T. Ono, H. Ohno, H. Ohno

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology　61-62　2012年9月27日

DOI： 10.1109/VLSIT.2012.6242461 　

ISSN： 0743-1562
スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術

石垣隆士, 河原尊之, 竹村理一郎, 小埜知夫, 伊藤顕知, 大野英男

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路　111　(6)　1-5　2011年4月11日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入RAM(MLC-SPRAM)について述ペる。2つの直列接続した磁気トンネル接合を用いてメモリセルを構成することで、その磁化反転による抵抗変化の組み合わせにより4レべルの抵抗値、すなわち2bit/cellを実現した。多値化のための必要条件は、2つのSPRAM素子が互いに平面面積のみ異なっていればよい。書き換え・読み出し動作としては、2段階のシーケンスを用いる方式を考案した。また、セルサイズ設計の一例を述べ、4F^2/bitが見込めることを示した。
依頼講演 Fabrication of a nonvolatile lookup-table circuit chip using magneto/semiconductor-hybrid structure for an immediate-power-up field programmable gate array (集積回路)

鈴木大輔, 夏井雅典, 池田正二, 長谷川晴弘, 三浦勝哉, 早川純, 遠藤哲郎, 大野英男, 羽生貴弘

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路　110　(9)　47-52　2010年4月15日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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本稿では,磁気トンネル接合素子(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)素子特性を活用することで, FPGA (Field-Programmable Gate Array)におけるLUT (lookup table)演算機能と不揮発性記憶機能を一体化させた回路を提案する.提案回路は電流モード論理に基づき構成され, MTJ素子の記憶に応じた電流値の変化を直接論理値として扱うことが可能である.したがって,演算結果のみを増幅して出力すればよく,結果としてコンパクトな回路を実現可能である.実際,提案方式により設計された2入力LUT試作チップでは従来CMOS方式と比較して2/3の素子数削減を達成している.
強磁性半導体における磁壁の電流駆動

千葉大地, 山ノ内路彦, 松倉文[ヒロ], 大野英男

まぐね = Magnetics Japan　4　(8)　390-395　2009年8月1日
出版者・発行元：日本磁気学会
ISSN： 1880-7208
22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)

松倉文礼, 山ノ内路彦, 大野英男

日本物理学会講演概要集　62　(2)　452-452　2007年8月21日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減

三浦勝哉, 河原尊之, 竹村理一郎, 早川純, 山ノ内路彦, 池田正二, 佐々木龍太郎, 伊藤顕知, 高橋宏昌, 松岡秀行, 大野英男

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス　107　(194)　135-138　2007年8月16日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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磁性体メモリの一つであるSPin-transf torque RAM(SPRAM)は,高速動作,低電力化が可能な不揮発メモリとして期待されている.SPRAMはメモリセルとして,MgO障壁層を備えたトンネル磁気抵抗(TMR)素子を用いる.このTMR素子は,自由層に用いる磁性体の熱安定性を大きくすることによって,読み出しの際の誤書き込み(ディスターブ)および書き込み電流のばらつきを低減することができる.熱安定性の大きいと期待される積層フェリ(SyF)自由層を用いた場合,他の構造と比べて読み出しディスターブと書き込み電流のばらつきがともに抑制されており,読み出しと書き込み動作が安定化することが明らかとなった.さらに,syF自由層の記録保持時間,読み出し電流,読み出し時間の関係を調査した結果,1.5ns以下の高速な読み出しが可能であることがわかった.
強磁性半導体における磁壁と伝導

千葉大地, 山之内路彦, 松倉文礼, T. Dietl, 大野英男

固体物理　42　(2)　99-106　2007年2月
出版者・発行元：アグネ技術センタ-
ISSN： 0454-4544

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通研インポート200703
(Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御

千葉大地, 松倉文礼, 大野英男

日本応用磁気学会研究会資料　150　29-34　2006年10月18日

ISSN： 1340-7562
Electrical magnetization reversal in ferromagnetic III-V semiconductors

D. Chiba, F. Matsukura, H. Ohno

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　39　(13)　R215-R225　2006年7月

DOI： 10.1088/0022-3727/39/13/R01 　

ISSN： 0022-3727
注入層のドーピング濃度がInAs量子カスケードレーザーの特性に及ぼす影響

大西秀和, 森安嘉貴, 大谷啓太, 大野英男

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　105　(629)　49-52　2006年2月23日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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InAs/AlSb量子カスケードレーザーの注入層におけるドーピング濃度がレーザーの特性に及ぼす影響について検討した。InAs量子カスケードレーザーには、短波長化に伴い動作電界が大きくなると高電界効果によってホールが生成され、ゲインが減少するという問題がある。そこで我々は動作電界を小さくするために注入層のドーピング濃度を上げる方法に注目した。エレクトロルミネッセンスの測定結果から、注入層のドーピング濃度を上げることで動作電界が減少し、ホールの生成が抑えられることがわかった。また注入層のドーピング濃度と閾値電流密度の温度依存性及び最高動作温度について検討した。
(Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転

千葉大地, 北智洋, 山ノ内路彦, 松倉文〓, 大野英男

日本応用磁気学会研究会資料　145　7-12　2006年1月30日

ISSN： 1340-7562
強磁性半導体トンネル接合におけるスピン注入磁化反転

千葉大地, 松倉文礼, 大野英男

日本応用磁気学会誌 = JOURNAL OF THE MAGNETICS SOCIETY OF JAPAN　29　(5)　514-522　2005年5月1日
出版者・発行元：日本応用磁気学会
ISSN： 0285-0192

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Electrical magnetization reversal in the absence of magnetic fields is attracting great interest on account of its potential the application to high-density magnetic memories. Experimental confirmations of the theoretical predictions of current-driven magnetization reversal due to spin-transfer torque exerted by spinpolarized currents have mostly been carried out on metal CPP-GMR structures. The critical current density J_c required for magnetization reversal in these systems is of the order of 10^7 A/cm^2 or even higher, and its reduction is a current focus of research. In this article, we demonstrate current-driven magnetization reversal in a ferromagnetic semiconductor system, a (Ga, Mn)As/GaAs/(Ga, Mn)As magnetic tunnel junction (MTJ), at J_c=1-2×10^5 A/cm^2. The basic properties of (Ga, Mn)As itself and its MTJ are also described.
27aYP-5 強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動(主題:磁性ナノ構造における電流誘起磁壁移動,領域3シンポジウム,領域3(磁性,磁気共鳴))

山ノ内路彦, 千葉大地, 松倉文礼, 大野裕三, 大野英男

日本物理学会講演概要集　60　(1)　481-481　2005年3月4日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
27pXJ-7 半導体へのスピン注入(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)

好田誠, 大野裕三, 松倉文, 大野英男

日本物理学会講演概要集　59　(1)　465-465　2004年3月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製

松倉文礼, 千葉大地, 篁耕司, 大野英男

日本物理学会講演概要集　58　(1)　464-464　2003年3月6日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
Electrical electron spin injection with a p(+)-(Ga,Mn)As/n(+)-GaAs tunnel junction

M Kohda, Y Ohno, K Takamura, F Matsukura, H Ohno

JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY　16　(1)　167-170　2003年2月

DOI： 10.1023/A:1023282012059 　

ISSN： 0896-1107
7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(主題:強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4)

大野裕三, 好田誠, 篁耕司, 松倉文〓, 大野英男

日本物理学会講演概要集　57　(2)　576-576　2002年8月13日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
磁性/非磁性半導体ヘテロ構造におけるスピン注入

大野裕三, 大野英男

日本応用磁気学会誌 = Journal of Magnetics Society of Japan　25　(7)　1355-1360　2001年7月1日
出版者・発行元：日本応用磁気学会
ISSN： 0285-0192

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Injection and probing of spin-polarized currents in ferromagnetic/nonmagnetic semiconductor pn junctions are reviewed. A ferromagnetic p-type semiconductor (Ga, Mn)As layer, which produces a spinpolarized hole current, is grown on i-GaAs/i-(In, Ga)As quantum well (QW)/n-GaAs to form pn junction light emitting diode structures. The electroluminescence spectra and their polarization are measured at temperatures from 5 K to above the ferromagnetic transition temperature (T_c) of (Ga, Mn)As with or without magnetic fields. The EL polarization as a function of the magnetic field exhibits clear hysteresis below T_c, which is considered to be evidence that a spin-polarized electrical current is injected into nonmagnetic semiconductors.
28aTB-2 希薄磁性半導体GaMnAsの磁場下における遠赤外吸収スペクトル

永井康之, 長坂啓吾, 野尻浩之, 本河光博, 松倉文礼, 大野英男

日本物理学会講演概要集　56　(1)　607-607　2001年3月9日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
半導体スピントロニクス素子・材料のスピン制御 (強誘電体メモリとスピントロニクス素子)

大野裕三, 大野英男

FEDジャ-ナル　12　(2)　29-32　2001年
出版者・発行元：新機能素子研究開発協会
ISSN： 0918-2772
強磁性半導体を用いたスピン偏向発光ダイオード

大野裕三, 大野英男

光学　29　(12)　734-739　2000年12月10日
出版者・発行元：応用物理学会分科会日本光学会
ISSN： 0389-6625
22aK-5 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化II

永井康之, 長坂啓吾, 野尻浩之, 本河光博, 松倉文礼, 大野英男

日本物理学会講演概要集　55　(1)　562-562　2000年3月10日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
24aC-8 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化

永井康之, 長坂啓吾, 野尻浩之, 本河光博, 松倉文〓, 大野英男

日本物理学会講演概要集　54　(2)　588-588　1999年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
24aC-3 希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区構造観察

庄野知至, 福村知昭, 松倉文礼, 大野英男, 長谷川哲也

日本物理学会講演概要集　54　(2)　587-587　1999年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
k・p摂動法による(Ga,Mn)Asバンド構造の計算

秋葉教充, 松倉文礼, 大野裕三, DIETL T, 大野英男

応用物理学会学術講演会講演予稿集　60th　(3)　1999年
強磁性半導体(Ga,Mn)Asとそのヘテロ接合の物性 (文部省S)

大野英男, 大野裕三, WANG S, 秋葉教充, 岸本修也, 寺内亮太, 安達太郎, 大宮忠志, 中田健一

スピン制御による半導体超構造の新展開平成10年度研究成果報告書スピン制御半導体研究成果報告会論文集　1999年
III-V族希薄磁性半導体(In,Mn)Asの電流磁気効果

大岩顕, 家泰弘, 勝本信吾, 遠藤彰, 大野英男, 宗片比呂夫

物性研だより　35　(3)　1995年

ISSN： 0385-9843

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書籍等出版物 11

半導体ストレージ2012

羽生貴弘, 池田正二, 杉林直彦, 笠井直記, 遠藤哲郎, 大野英男

日経BP社　2011年7月29日
Semiconductors and Semimetals, (Spintronics)

T. Dietl, D. Awschalom, M. Kaminska, H. Ohno

Elsevier Academic Press　2008年11月
Semiconductors and Semimetals (Spintronics)

T. Dietl, D. Awschalom, M. Kaminska, H. Ohno

Elsevier Academic Press　2008年10月

ISBN: 9780080449562
Surface kinetics and mechanism of atomic layer epitaxy of GaAs using trimethylgallium

H. Ohno

1997年
物性科学辞典(分担執筆)

大野英男

1996年
III-V族化合物半導体

大野英男

1994年
先端デバイス材料ハンドブック

大野英男

1993年
薄膜作成ハンドブック

大野英男

1991年
超高速化合物半導体デバイス

大野英男

1986年
化合物半導体デバイス

生駒俊明, 大野英男

1984年
Field-effect transistors

H. Ohno, J. Barnard

1982年

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講演・口頭発表等 829

Realizing the Potential of Spintronics: From Physics to Technology 招待有り

H. Ohno

Quantum Flatlands and Allan Fest: New Materials, Innovative Devices, and Emergence Principles　2024年12月9日
Spintronics Nonvolatile Memory – A metal/insulator heterostructure– 招待有り

H. Ohno

15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM)　2024年8月26日
Spintronics: A Green Revolution in Information Processing 招待有り

H. Ohno

22nd International Conference on Magnetism (ICM)　2024年6月30日
Spintronics for Green Society and Beyond 招待有り

H. Ohno

7th International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE)　2022年11月6日
Volatile Spintronics 招待有り

H. Ohno

Spin Dynamics at the Nanoscale and its Applications　2022年9月23日
Spintronics for Green Society 招待有り

H. Ohno

2022 Joint European Magnetic Symposia (JEMS)　2022年7月24日
Spintronics-based Approaches toward Unconventional Computing 招待有り

H. Ohno

Advanced Research Strategy Meeting (ARSM)　2022年2月8日
Magnetic Tuunel Junction: from nonvolatile Memory to probabilistic Computing 招待有り

H. Ohno

2021年10月28日
Spintronics Gateway to Green Society –For smarter, longer, and less - 招待有り

H. Ohno

World Materials Forum (online)　2021年6月19日
Spintronics a Gateway to Green Society 招待有り

H. Ohno

2021 Spintronics Workshop on LSI (online)　2021年6月13日
What Spintronics Tells You About Future Information Processing 招待有り

H. Ohno

NSF Future of Semiconductors and Beyond Workshop, Materials, Devices, and Integration (online)　2021年3月2日
Spintronics nanodevice – From SMALL to SMART 招待有り

H. Ohno

6th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN 2021) (online)　2021年2月1日
Spintronics Nanodevice – How small can we make it and what else can we use it for 招待有り

H. Ohno

On-line SPICE-SPIN+X Seminars (online)　2020年9月20日
Spintronics Device – Scaling to Single Digit nm and More 招待有り

H. Ohno

78th Device Research Conference (DRC) (online)　2020年6月22日
Nano Spintronics Devices –From Digital to Bio-inspired Computing- 国際会議

International Symposium for Bio-Convergence Spin System　2017年2月9日
Nano Spintronics Devices for Integrated Circuit Applications 国際会議

International Conference on Magnetic Materials and Applications (ICMAGMA-2917)　2017年2月1日
Spin on Integrated Circuits: An Emerging Feld of Spintronics 国際会議

Conference on 90 Years of Quantum Mechanics　2017年1月23日
High-speed & external-magnetic-field free spin-orbit switching devices for VLSI 国際会議

8th MRAM Global Innovation Forum　2016年10月26日
Two-and three terminal spintronics devices for VLSI-progress in spin-orbit-torque devices 国際会議

Nanomaterials 2016, International Workshop and School on Spin Transfer　2016年9月23日
Spin-orbit switching of magnetization 国際会議

2nd Marie Curie School on Domain Walls and Spintronics　2016年9月12日
Spintronics devices for nonvolatile VLSI

40th Annual Conference on Magnetics in Japan　2016年9月5日
Nanoscale Spintronics Devices 国際会議

16th International Conference on Nanotechnology (IEEE NANO)　2016年8月22日
Spintronics Nano-Devices for VLSI Integration 国際会議

8th Joint European Magnetics Symposium (JEMS2016)　2016年8月21日
Spintronics Nano-Devices for VLSIs Applications 国際会議

20th Int. Vacuum Congress (IVC-20)　2016年8月21日
Three-Terminal Spintronics Devices for CMOS Integration 国際会議

The 4th International Conference of Asian Union of Magnetics Societies (ICAUMS 2016)　2016年8月1日
Spintronics I 国際会議

IEEE Magnetic Society Summer School　2016年7月10日
Spintronics II 国際会議

IEEE Magnetic Society Summer School　2016年7月10日
Three-Terminal Spintronics Devices for VLSI 国際会議

International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2016)　2016年7月4日
Spintronics nano-devices for VLSIs 国際会議

Nothwestern University Materials Science and Engineering Seminar　2016年6月30日
Spin-orbit torque switching of magnetization 国際会議

University of Chicago IME Seminar　2016年6月28日
Matreial Efficiency: The case of devices for IoT 国際会議

World Materials Forum　2016年6月9日
Nano spintronics devices for CMOS integration 国際会議

5th International Conference Smart and Multifunctional Materials, Structures and Systems (CIMTEC)　2016年6月5日
Spintronics nano-devices for VLSIs 国際会議

5th International Conference on Superconductivity and Magnetism (ICSM)　2016年4月24日
Efficiency of spintronics nanodevices 国際会議

Spintronics Meeting in Lanna　2016年3月30日
垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合の高速中性子耐性評価(III)

成田克, 高橋豊, 原田正英, 大井元貴, 及川健一, 小林大輔, 廣瀬和之, 佐藤英夫, 池田正二, 遠藤哲郎

第63回応用物理学会春季学術講演会、　2016年3月19日
Electric-field effect on domain structure in MgO/CoFeB/Ta

T. Dohi, S. Kanai, A. Okada, S. Fukami, F. Matsukura

第63回応用物理学会春季学術講演会、　2016年3月19日
Spin-orbit torque induced magnetization switching in W/CoFeB/MgO

C. Zhang, S. Fukami, S. DuttaGupta, H. Sato, F. Matsukura

第63回応用物理学会春季学術講演会、　2016年3月19日
Dot size dependence of magnetization switching by spin-orbit torque in antiferromagnet/ferromagnet structures

A. Kurenkov, C. Zhang, S. Fukami, S. DuttaGupta

第63回応用物理学会春季学術講演会、　2016年3月19日
スピントロニクス最前線-集積回路応用を中心に

電子デバイス界面テクノロジー研究会　2016年1月22日
Control of the skyrmion structure in a nano disk by electric field pulses at room temperature 国際会議

Y. Nakatani, S. Kanai, S. Fukami, M. Hayashi

13th Joint MMM-Intermag Conference　2016年1月11日
Current induced magnetization switching of CoFeB/Ta/[Co/Pd(Pt)]-multilayer in magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy 国際会議

S. Ishikawa, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura

13th Joint MMM-Intermag Conference　2016年1月11日
Electric field control of magnetism and magnetization switching in CoFeB-MgO 国際会議

S. Kanai, Y. Nakatani, H. Sato, F. Matsukura

13th Joint MMM-Intermag Conference　2016年1月11日
Optimum boron composition difference between single and double CoFeB/MgO interface perpendicular magnetic tunnel junctions (MTJs) with high thermal tolerance and its mechanism 国際会議

H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, S. Sato, T. Watanabe, S. Miura, T. Natsuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, T. Endoh

13th Joint MMM-Intermag Conference　2016年1月11日
Dependence of magnetic properties of CoFeB-MgO on buffer layer materials 国際会議

K. Watanabe, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura

13th Joint MMM-Intermag Conference　2016年1月11日
強磁性体の電界制御とその記録素子応用

金井駿, 仲谷栄伸, 岡田篤, 佐藤英夫, 松倉文礼

第20回スピン工学の基礎と応用（PASPS-20）　2015年12月3日
Ta/CoFeB/MgO構造における磁気異方性とダンピング定数の電気的制御国際会議

岡田篤, 橋本祥斉, 金井駿, 松倉文礼

第20回スピン工学の基礎と応用（PASPS-20）　2015年12月3日
Magnetization Switching in Ta/CoFeB/MgO Nanodot Driven by Spin-Orbit Torque

C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura

第20回スピン工学の基礎と応用（PASPS-20）　2015年12月3日
CoFeB/MgO垂直磁化容易磁気トンネル接合における電界誘起非線形強磁性共鳴

平山絵里子, 金井駿, 大江純一郎, 佐藤英夫, 松倉文礼

第20回スピン工学の基礎と応用（PASPS-20）　2015年12月3日
Perpendicular Anisotropy and Damping Constant of Single and Double CoFeB-MgO Interface Structures with Various CoFeB Thicknesses

E. C. I. Enobio, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura

第20回スピン工学の基礎と応用（PASPS-20）　2015年12月3日
(Ga,Mn)As:Liの面内異方性磁気抵抗効果の温度依存性

都澤章平, 陳林, 松倉文礼

第20回スピン工学の基礎と応用（PASPS-20）　2015年12月3日
Spi-Orbit Torque Switching for Three-Terminal Spintronics Devices 国際会議

S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, A. Kurenkov

13th RIEC International Workshop on Spintronics　2015年11月18日
Different Universality Classes for Current and Field Driven Domain Wall Creep in a Magnetic Metal 国際会議

S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura

13th RIEC International Workshop on Spintronics　2015年11月18日
Layer Thicknesses and Annealing Condition Dependence of Magnetic Properties of CoFeB-MgO Structure 国際会議

K. Watanabe, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura

13th RIEC International Workshop on Spintronics　2015年11月18日
Temperature Dependence of Magnetotransport Properties in (Ga,Mn)As: Li 国際会議

S. Miyakozawa, L. Chan, F. Matsukura

13th RIEC International Workshop on Spintronics　2015年11月18日
Magnetization Switching via Spin-Orbit Torque in Nano-Scale Ta/CoFeB/MgO 国際会議

C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura

13th RIEC International Workshop on Spintronics　2015年11月18日
A Three-Terminal Spin-Orbit Torque Device with a New Configuration 国際会議

T. Anekawa, C. Zhang, S. Fukami

13th RIEC International Workshop on Spintronics　2015年11月18日
Electrical Modulation of Damping Constant in Ta/CoFeB/MgO with Perpendicular Easy Axis 国際会議

A. Okada, Y. Hashimoto, S. Kanai, F. Matsukura

13th RIEC International Workshop on Spintronics　2015年11月18日
CoFeB Thickness Dependence of Damping Constant for Single and Double CoFeB-MgO Interface Structures 国際会議

E. C. I. Enobio, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura

13th RIEC International Workshop on Spintronics　2015年11月18日
Spintronics materials and devices for nonvolatile CMOS VLSIs 国際会議

16th RIES-Hokudai International Symposium　2015年11月10日
Improving the Sensitivity of Vector-Network-Analyzer Ferromagnetic Resonance Measurement by Varying the Coplanar Waveguide Size 国際会議

E. C. I. Enobio, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura

2015 International Conference on Applied Materials and Optical Systems (ICAMOS)　2015年10月22日
Spintronics Nano-Devices for Nonvolatile VLSIs 国際会議

Electronic and Photonics Workshop　2015年10月15日
Challenge of MTJ-based Nonvolatile Logic-Memory Architecture for Ultra Low-Power and Highly Dependable VLSI Computing 国際会議

T. Hanyu, M. Natsui, D. Suzuki, A. Mochizuki, N. Onizawa, S. Ikeda, T. Endoh

IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unifield Conference　2015年10月5日
Properties of Perpendicular-Anistropy Magnetic Tunnel Junctions with Single and Double CoFeB-MgO Interface 国際会議

H. Sato, E. C. I, Enobio, S. Fukami, F. Matsukura

6th Annual Conference on Magnetics　2015年10月2日
Nonvolatile VLSI Made Possible by Spintronics 国際会議

4th Winton Symposium　2015年9月28日
Optimization of CoFeB Capping Layer Thickness for Characterization of Leakage Spot in MgO Tunneling Barrier of Magnetic Tunnel Junction 国際会議

H. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, M. Niwa

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2015年9月27日
A600-μ W Ultroa-Low-Power Associative Processor for Image Pattern Recognition Employing Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Based Nonvolatile Memories with Novel Intelligent Power-Gating (|IPG) Scheme 国際会議

Y. Ma, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, T. Shibata, T. Endoh

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2015年9月27日
Spintronics Memory Devices for Ultralow-Power and High-performance Integrated Circuits 国際会議

S. Fukami, H. Sato

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2015年9月27日
Spintronics Nano-Devices for Nonvolatile VLSIs 国際会議

12th Sweden-Japan QNANO Workshop　2015年9月24日
Wire Width Depencence of Current-Induced Domain Wall Motion Properties

T. Iwabuchi, S. Fukami

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日
Pulse Width Dependence of a Spin-Orbit Torque Induced Magnetization Switching

T. Anekawa, C. Zhang, S. Fukami

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日
In-Plane Aspect Ratio Dependence of Thermal Stability and Intrinsic Critical Current in CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Anisotropy

E. Hirayama, S. Kanai, H. Sato, F. Matsukura

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日
CoFeB Thickness Dependence of Electric-Field Effects on Magnetic Anistropy and Damping Constant in Ta/CoFeB/MgO Structures

A. Okada, Y. Hashimoto, S. Kanai, F. Matsukura

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日
Spin-Orbit Torque Induced Switching in an Antiferromgnet/Ferromagnet Heterostructure

S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日
Temperature Dependence of In-Plane Anistropic Magnetoresistance in (Ga, Ma)As:Li

S. Miyakozawa, L. Chen, F. Matsukura

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日
Switching Characteristics of CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions in the ns Reqime

N. Ohshima, S. Kubota, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日
Magnetization Reversal Induced by Spin-Orbit Torque in a Nanoscale Ta/CoFeB/MgO Dot

C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日
垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合の高速中性子耐性評価（II）

成田克, 高橋豊, 原田正英, 大井元貴, 及川健一, 小林大輔, 廣瀬和之, 石川慎也, E. C. I. Enobio, 佐藤英夫, 池田正二, 遠藤哲郎

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日
Spin-Orbit Torque Induced Magnetization Switching for Three-Terminal Spintronics Devices 国際会議

S. Fukami

2nd Spin Waves and Interactions　2015年9月9日
dc-bias Depencence of Ferromagnetic Resonance Spectra of a CoFeB-MgO based Magnetic Tunnel Junction 国際会議

S. Kanai, M. Gajek, D. C. Worledge, F. Matsukura

International School and Conference (SPINTECH VIII)　2015年8月10日
Nano-Spintronics Devices for VLSI Integration 国際会議

Spin Dynamics in Nanostructures, Gordon Research Conference (GRC)　2015年7月26日
Effect of Li Codoping on In-Plane Uniaxial Magnetic Anisotropy in (Ga,Mn)As 国際会議

S. Miyakozawa, L. Chen, F. Matsukura

21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems and 17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, (EP2DS-21/MSS-17)　2015年7月26日
電界による強磁性金属薄膜の磁気特性の変調

岡田篤

平成27年度ナノ・スピン実験施設研究発表会　2015年7月23日
ナー共添加が強磁性半導体の諸特性に与える影響

都澤章平

平成27年度ナノ・スピン実験施設研究発表会　2015年7月23日
磁化ダイナミクスを利用したナノ磁性体の特性評価

平山絵里子

平成27年度ナノ・スピン実験施設研究発表会　2015年7月23日
Temperature Dependence of Intrinsic Critical Current of CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Easy Axis 国際会議

Y. Takeuchi, E. C. I. Enobio, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura

Internationa Colloquium on Magnetic Films and Survaces (ICMFS)　2015年7月12日
Width Dependence of Threshold Current Density for Domain Wall Motion in Co/Ni Wire

T. Iwabuchi, S. Fukami

34th Electronic Materials Symposium (EMS)　2015年7月8日
Junction Size Dependence of Switching Current in CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Easy Axis

N. Ohshima, S.Kubota, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura

34th Electronic Materials Symposium (EMS)　2015年7月8日
Building Blocks of Artificial Square Spin Ice: Stray-Field Studies of Thermal Dynamics and Tuned Interactions 国際会議

M. Pohlit, F. Porrati, M. Huth, Y. Ohno, J. Muller

20th International Conference on Magnetism (ICM)　2015年7月5日
Ultra-High Frequency Tunability in Low-Current and Low-Field Spin Torque Oscillators based on Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions 国際会議

T. Le, A. Eklund, S. Chung, H. Mazraati, A. Nguyen, M. Yamanouchi, E. Enobio, S. Ikeda, J. Akerman

20th International Conference on Magnetism (ICM)　2015年7月5日
Spin-Orbit Torque Switching in a Ferromagnet / Antiferromagnet Bilayer System 国際会議

S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta

20th International Conference on Magnetism (ICM)　2015年7月5日
Spin-Orbit Torque Induced Magnetization Switching in Ta/CoFeB/MgO Heterostructure with a Diameter Down to 30 nm 国際会議

C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura

20th International Conference on Magnetism (ICM)　2015年7月5日
Spintronics for Stand-by Power Free VLSI 国際会議

8th International Conference on Materials for Advanced Technologies and 16th IUMRS International Conference in Asia (ICMAT2015-IUMRS-ICA2015)　2015年6月28日
Nanoscale Spintronics Materials and Devices 国際会議

8th International Conference on Materials for Advanced Technologies and 16th IUMRS International Conference in Asia (ICMAT2015-IUMRS-ICA2015)　2015年6月28日
Electric-Field Dependence of Magnetic Anisotropy and Damping Constant in Ta/CoFeB/MgO Structures 国際会議

A. Okada, Y. Hashimoto, S. Kanai, F. Matsukura

8th International Conference on Materials for Advanced Technologies and 16th IUMRS International Conference in Asia (ICMAT2015-IUMRS-ICA2015)　2015年6月28日
Vector Network Analyzer –Ferromagnetic Resonance Measurements on CoFeB-MgO Stack with Perpendicular Easy Axis 国際会議

E. C. Enobio, H. Sato, S. Fukami, F. Matsukura

8th International Conference on Materials for Advanced Technologies and 16th IUMRS International Conference in Asia (ICMAT2015-IUMRS-ICA2015)　2015年6月28日
Toward Ultra-Low Power Microprocessor Using Spintronics Technology 国際会議

1st ImPACT International Symposium on Spintronic Memory, Circuit and Storage　2015年6月21日
10nmφ Perpendicular-Anistropy CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions with Over 400℃ High Thermal Tolerance by Boron Diffusion Control 国際会議

H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, S. Sato, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, T. Endoh

2015 Symposium on VLSI Technology and Circuits　2015年6月15日
Fabrication of a 3000-6-Input-LUTs Embedded and Block-Level Power-Gated Nonvolatile FPGA Chip Using p-MTJ-Based Logic-in-Memory Structure 国際会議

D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, T. Hanyu

2015 Symposium on VLSI Technology and Circuits　2015年6月15日
Properties of CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Easy Axis for Spintronics Based VLSI Applications 国際会議

H. Sato, Y. Takeuchi, N. Ohshima, S. Kubota, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura

2015 Spintronics Workshop on LSI　2015年6月15日
Nanoscale Magnetic Tunnel Junction 国際会議

York-Tohoku-Kaiserslautern Symposium on New-Concept Spintronics Devices　2015年6月11日
Domain Wall Creep Driven by Adiabatic Spin Transfer Torque in Magnetic Metals 国際会議

S. DuttaGupta

York-Tohoku-Kaiserslautern Symposium on New-Concept Spintronics Devices　2015年6月11日
強磁性薄膜における電界効果と磁気ダイナミクス

金井駿, 仲谷栄伸, 岡田篤, 松倉文礼

第54回スピントロニクス専門研究会「スピンの電界制御の現状と将来展望」　2015年6月10日
Nano-Scale Magnetic Tunnel Junction Materials and Devices –Toward Nonvolatile VLSI- 国際会議

International Conference on Spin Physics, Spin Chemistry and Spin Technology　2015年6月1日
Nanoscale Magnetic Tunnel Junction 国際会議

5th STT-MRAM Global Innovation Forum　2015年5月27日
Spintronic Nano-Devices for Nonvolatile VLSIs 国際会議

Frontiers in Quantum Materials and Devices Workshop and Tohoku-Harvard Workshop　2015年5月21日
Nanoscale Magnetic Tunnel Junction –Materials Science and Device Physics- 国際会議

Intel Seminar　2015年5月19日
Nanoscale Magnetic Tunnel Junction –Materials Science and Device Physics 国際会議

Intel Seminar　2015年5月19日
1T1MTJ STT-MRAM Cell Array Design with an Adaptive Reference Voltage Generator for Improving Device Variation Tolerance 国際会議

H. Koike, S. Miura, H. Honjo, T. Watanabe, H. Sato, S. Sato, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, S. Ikeda, T. Endoh

International Memory Workshop (IMW)　2015年5月17日
Proposal and Demonstration of a New Spin-Orbit Torque Induced Switching Device 国際会議

S. Fukami, T. Anekawa, C. Zhang

International Magnetic Conference (INTERMAG)　2015年5月11日
Three-Terminal Spointronics Memory Devices with Perpendicular Anistropy 国際会議

S. Fukami

International Magnetic Conference (INTERMAG)　2015年5月11日
Diffusion Behaviors Observed on the Surface of CoFeB Film after the Natural Oxidation and the Annealing 国際会議

S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, T. Endoh, M. Niwa

International Magnetic Conference (INTERMAG)　2015年5月11日
Diffusion Behaviors Observed on the Surface of CoFeB Film after the Natural Oxidation and the Annealing 国際会議

S. Sato, H. Honjo, S. Ikeda, T. Endoh, M. Niwa

International Magnetic Conference (INTERMAG)　2015年5月11日
不揮発ロジックインメモリアーキテクチャとその低電力VLSIシステムへの応用

羽生貴弘, 鈴木大輔, 望月明, 夏井雅典, 鬼沢直哉, 杉林直彦, 池田正二, 遠藤哲郎

電子情報通信学会・集積回路研究会　2015年4月17日
磁場および電流によって制御された磁壁発信器

平松亮, K. K.Jin, 谷口卓也, 東野隆之, 森山貴広, 深見俊輔, 山ノ内路彦, 仲谷栄伸, 小野輝男

第70回日本物理学会春季年次大会　2015年3月21日
Spintronics Devices for Integrated Circuits – An Overview 国際会議

1st CIES Technology Forum　2015年3月19日
垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合の高速中性子耐性評価

Narita

第62回応用物理学会学術講演会　2015年3月11日
新規3端子スピン軌道トルク素子の動作実証

T. Anekawa

第62回応用物理学会学術講演会　2015年3月11日
垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合における閾値電流の温度依存性

Y. Takeuchi

第62回応用物理学会学術講演会　2015年3月11日
dc Bias Voltage Dependence of Magnetic Anisotropy in CoFeB/MgO Investigated by Electric Field-Induced Ferromagnetic Resonance

S. Kanai

第62回応用物理学会学術講演会　2015年3月11日
Universality Classes for Current-and Field-Induced Domain Wall Creep in a Ta/CoFeB/MgO/Ta Wire

S. DuttaGupta

第62回応用物理学会学術講演会　2015年3月11日
Device size Dependence of Switching Current for Magnteization Reversal Induced by Spin-Orbit Torque in Ta/CoFeB/MgO Structures Down to 30nm

C. Zhang

第62回応用物理学会学術講演会　2015年3月11日
Ferromagnetic Resonance Induced Electrical Signals in Pt/(Ga,Mn)As

H. Nakayama

第62回応用物理学会学術講演会　2015年3月11日
rf Power Dependence of Homodyne-Detected Ferromagnetic Resonance Spectra of a CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junction

E. Hirayama

第62回応用物理学会学術講演会　2015年3月11日
Temperature Dependent Direction of in-plane Uniaxial Magnetic Anisotropy in (Ga,Mn)As Codoped with Li

S. Miyakozawa

第62回応用物理学会学術講演会　2015年3月11日
AlInAs/GaInAsから強磁性半導体GaMnAsまで

第62回応用物理学会学術講演会　2015年3月11日
先端スピントロニクス素子・材料のブレークスルーと評価技術

SPRUC分野融合型研究ワークショップ「新たな分野融合型研究の開拓に向けて」　2015年2月19日
Nanoscale Magnetic Tunnel Junction 国際会議

Nanyang Technological University Seminar　2014年12月18日
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の最新技術動向

小池洋紀, 池田正二, 羽生貴弘, 大野英男, 遠藤哲郎

第60回CVD研究会　2014年12月18日
東北大学におけるスピントロニクス

東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究S「スピントロニクス学術研究基礎と連携ネットワーク構築に向けて」　2014年12月17日
Temperature dependence of in-plane magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As codoped with Li

S. Miyakozawa

19th Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-19)　2014年12月15日
DC voltages in Pt/(Ga,Mn)As under ferromagnetic resonance

H. Nakayama

19th Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-19)　2014年12月15日
Challenge of MOS/MTJ-Hybrid Nonvolatile Logic-in Memory Architecture in Dark-Silicon Era 国際会議

T. Hanyu

2014 International Electron Devices Meeting (IEDM)　2014年12月15日
Perpendicular-Anisotropy CoFeB-MgO Based Magnetic Tunnel Junctions Scaling Down to 1X nm 国際会議

S. Ikeda

2014 International Electron Devices Meeting (IEDM)　2014年12月15日
ナノデバイス科学からの放射光への期待

大野英男, 松倉文礼

東北大学金属材料研究所共同利用ワークショップ「3GeV中型高輝度放射光(SLiT-J)の実現に向けて」　2014年12月15日
Properties of Nanoscale Magnets Investigated by Homodyne-Detected Ferromagnetic Resonance

E. Hirayama, S. Kanai, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

8th High-Tech Research Center Symposium, “New Frontiers in Functional Materials”　2014年12月6日
Korea University Special Seminar 国際会議

Korea University Special Seminar　2014年12月4日
面内磁化容易3端子スピン軌道トルク素子の反転電流

T. Anekawa

第69回応用物理学会東北支部学術講演会　2014年12月4日
Pt/(Ga,Mn)As構造における強磁性共鳴下の直流電圧信号

H. Nakayama

第69回応用物理学会東北支部学術講演会　2014年12月4日
MgO/CoFeB/Ta積層膜の磁気特性のCoFeBおよびTa膜厚依存性

K Watanabe

第69回応用物理学会東北支部学術講演会　2014年12月4日
ize Dependence of Magnetic Properties of Nanoscale CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junctions

E. Hirayama, S. Kanai, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

応用物理学会東北支部大会Student Chapter　2014年12月2日
Temperature Dependence of Thermal Stability Factor of CoFeB-MgO Perpendicular-Anisotropy

Y. Takeuchi, S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

応用物理学会東北支部大会Student Chapter　2014年12月2日
Magnetic Tunnel Junctions with CoFeB/Ta/[Co/Pt] Multilayer Ferromagnetic Electode

S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

応用物理学会東北支部大会Student Chapter　2014年12月2日
Nano-scale magnetic tunnel junction for nonvolatile VLSIs 国際会議

2nd Internaional Symposium on Functionality of Organized Nanostructures 2014 (FON14)　2014年11月26日
Spintronics materials and devices for nonvolatile VLSIs 国際会議

1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program (iSIMSC)　2014年11月16日
微細スピントロニクス素子

平成26年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「非平衡スピン・ゆらぎの精緻な制御と観測による新規ナノデバイスの開拓研究」　2014年11月13日
Domain wall creep in Ta/CoFeB/MgO wire induced by current field 国際会議

S. DuttaGupta

59th Annual Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM)　2014年11月3日
In-plane magnetic field angle dependence of ferromagnetic resonance frequency in a nanoscale CoFeB-MgO magnetic tunnel junction 国際会議

E. Hirayama

59th Annual Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM)　2014年11月3日
Device size dependence of magnetization reversal by spin-orbit torque in Ta/CoFeB/MgO structure down to sub 100 nm 国際会議

C. Zhang

59th Annual Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM)　2014年11月3日
Intrinsic critical current and thermal stability factor of MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure scaling down to 11 nm 国際会議

H. Sato

59th Annual Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM)　2014年11月3日
ナノデバイス科学からの期待

日本学術会議公開シンポジウム「中型高輝度放射光源に期待するこれからの科学技術」　2014年10月31日
Spintronics – recent advances 国際会議

4th imec-Stanford International Workshop on Resistive Memories　2014年10月27日
Three-Terminal Nonvolatile Spintronics Memory Device using Spin-Transfer Torque and Spin-Orbit Torque 国際会議

S. Fukami

14th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2014)　2014年10月27日
Three-Terminal Spintronics Devices for Nonvolatile Memory and Logic 国際会議

S. Fukami

11th International Conference on Flow Dynamics (ICFD)　2014年10月8日
スピントロニクス-電界制御と界面効果を中心に-

新学術領域「超低速ミュオン顕微鏡が拓く物質・生命・素粒子科学のフロンティア」領域会議　2014年9月23日
Spintronic Nano-Devices for Nonvolatile VLSIs 国際会議

1st University of Chicago/AIMR Joint Research Center Workshop　2014年9月18日
Magnetic anisotropy in Ta/CoFeB/MgO investigated by x-ray magnetic circular dichroism and first-principles calculation

H. Kanai

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日
Junction size dependence of intrinsic critical current and thermal stability factor of MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure

H. Sato

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日
In-plane anisotropy in a CoFeB-MgO magnetic tunnel junction detected by magnetoresistance

E. Hirayama

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日
Modulation of spin precession frequency by spin relaxation anisotropy in a (110) GaAs/AlGaAs quantum wall

A. Aoki, J. Nitta

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日
Thermal stability and critical current for domain wall motion in nanowire

S. Fukami

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日
Device size dependence of magnetization switching by spin-orbit torque in Ta/CoFeB/MgO structure

C. Zhang

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日
Current and field induced domain wall creep in Ta/CoFeB/MgO/Ta wire

S. DuttaGupta

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日
Thermal stability and threshold current of nanoscale magnetic tunnel junctions 国際会議

International Workshop on Nanomaterials (M-SNOWS)　2014年9月8日
In-Plane Anisotropy of a CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junction with Perpendicular Magnetic Easy Axis 国際会議

E. Hirayama

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2014年9月8日
Dependence of Magnetic Properties of MgO/CoFeB/Ta Stacks on CoFeB and Ta Thicknesses 国際会議

K. Watanabe

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2014年9月8日
Properties of Perpendicular-Anisotropy Magnetic Tunnel Junctions Fabricated over The Cu Via 国際会議

S. Miura

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2014年9月8日
A Power-Gated 32bit MPU with a Power Controller Circuit Activated by Deep-Sleep-Mode Instruction Achieving Ultra-Low-Power Operation 国際会議

H. Koike

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2014年9月8日
Switching Current and Thermal Stability of Perpendicular Magnetic Tunnel Junction with MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO Recording Structure Scaling Down to IX nm 国際会議

H. Sato

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2014年9月8日
A 500ps/8.5ns Array Read/Werite Latency 1MB Twin ITIMTJ STT-MRAM designed in 90 nm CMOS/40 nm MTJ Process with Novel Positive Feedback S/A Circuit 国際会議

T. Ohsawa

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2014年9月8日
最先端研究開発支援プログラム(FIRST)「省エネルギー・スピントロニクス論理集積回路の研究開発」での論理集積回路研究について

革新的研究開発推進プログラム(ImPACT)［無充電で長時間使用できる究極のエコIT機器の実現」　2014年8月28日
スピントロニクスと集積回路日の丸半導体復活への道

産学連携セミナー・寺子屋せんだい　2014年8月25日
Properties of CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions down to 11nm 国際会議

SPIE NanoScience +Engineering　2014年8月19日
The effect of electric-field on damping constant of ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As 国際会議

L. Chen

32nd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS)　2014年8月10日
From compound semiconductors to spintronics 国際会議

Lester Eastman Conference on High Performance Devices　2014年8月5日
Magnetic domain wall motion and spin-orbit torque induced magnetization switching for three-terminal spintronics devices 国際会議

S. Fukami

IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC)　2014年7月28日
Spintronics for VLSI 国際会議

8th International Conference on the Physics and Applications of Spin Phenomena in Solids (PASPS 8)　2014年7月28日
Spintronics for nonvolatile VLSIs 国際会議

Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS’14)　2014年7月25日
Magnetization reversal mode switching and its application

S. Kanai

33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)　2014年7月9日
Ferromagnetic resonance spectra of CoFeB-MgO magnetic tunnel junction measured by homodyne detection

E. Hirayama

33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)　2014年7月9日
CoFeB and Ta capping layer thicknesses dependence of magnetic properties for MgO/CoFeB/Ta stacks

K. Watanabe

33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)　2014年7月9日
Current induced domain wall motion in Co/Ni wires for nonvolatile memories and logic circuits 国際会議

S. Fukami

12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月25日
Current induced spin orbit torques and chiral magnetic texture in magnetic heterostructures 国際会議

M. Hayashi

12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月25日
Magnetization switching induced by electric field 国際会議

S. Kanai

12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月25日
In-plane current-induced effective fields and magnetization switching in Ta/CoFeB/MgO structures 国際会議

C. Zhang

12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月25日
Current and field induced domain wall creep in Ta/CoFeB/MgO wire 国際会議

S. Duttagupta

12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月25日
Electrical detection and control of magnetization dynamics in (Ga,Mn)As 国際会議

L. Chen

12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月25日
Temperature dependence of thermal stability factor in CoFeB-MgO magnetic tunnel junction 国際会議

Y. Takeuchi

12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月25日
MgO cap thickness dependence of interfacial anisotropy of MgO/FeB/MgO structure 国際会議

Y. Horikawa

12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月25日
High thermal stability of magnetic tunnel junction with CoFeB/Ta/[Co/Pt] multilayer ferromagnetic electrode 国際会議

S. Ishikawa

12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月25日
In-plane anisotropy in CoFeB magnetic tunnel junction 国際会議

E. Hirayama

12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月25日
dc voltage measured in Py/ZnO bilayer under ferromagnetic resonance 国際会議

S. D'Ambrosio

12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月25日
Current status and prospects of magnetoresistive random access memory technology 国際会議

6th Forum on New Materials (CIMTEC 2014)　2014年6月15日
Material stack design with high tolerance to process induced damage in domain wall motion device 国際会議

H. Honjo

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG)　2014年5月4日
Temperature dependence of current induced spin-orbit torques 国際会議

J. Kim

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG)　2014年5月4日
Thermal stability and critical current for domain wall motion in nanowires with reduced dimensions 国際会議

S. Fukami

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG)　2014年5月4日
Thermal stability and critical current for domain wall motion in nanowires with reduced dimensions 国際会議

J. Torrejon

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG)　2014年5月4日
Three-terminal spintronics cells for high-speed and nonvolatile VLSIs 国際会議

N. Sakimura

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG)　2014年5月4日
強磁性金属薄膜における電流誘起有効磁場の膜厚依存性

河口真志

日本物理学会秋季大会　2014年3月27日
Ta and CoFeB thickness dependence of sheet resistance in Ta/CoFeB/MgO heterostructures

C. Zhang

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
電流誘起磁壁移動素子のしきい電流と熱安定性の素子サイズ依存性

S. Fukami

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
スピントロニクス技術を用いた論理集積回路

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
電界誘起磁化ダイナミクスの実時間観測

S. Kanai

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
Ferromagnetic resonance spectra of CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions measured by homodyne detection

E. Hirayama

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
CoFeB/Ta/[Co/Pd]強磁性電極を用いた磁気トンネル接合

S. Ishikawa

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
Current-induced switching properties under perpendicular magnetid field magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic easy axis

ハンジャン

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
MgO/FeB/MgO積層膜における磁気異方性の上部MgO層厚依存性

堀川喜久

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
Two-barrier stability that allows low-power operation in current-induced domain-wall

K. J. Kim

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
Current induced domain wall creep in Ta/CoFeB/MgO/Ta wire

S. Duttagupta

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
Electric field effects on Li codoped (Ga,Mn)As

S. Miyakozawa

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
Temperature dependence of electric-field on magnetic properties of Ta/CoFeB/MgO structures investigated by ferromagnetic resonance

A. Okada

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
Magnetization switching by two successive voltage pulses

S. Kanai

第61回応用物理学会春季学術講演会　2014年3月17日
Spintronics: Materials throuth devices to integrated circuits 国際会議

International Meeting on Spintronics for Integrated Ciucuits Applications and Beyond　2014年3月13日
Nanoscale magnetic tunnel junction 国際会議

American Physical Society, March Meeting　2014年3月3日
スピントロニクスが拓く新しい集積回路の世界

平成25年度最先端研究開発戦略的強化事業・最先端研究開発支援プログラムFIRST EXPO　2014年2月28日
A90nm 20MHz fully nonvolatile microcontroller for standby-power-critical applications 国際会議

N. Sakimura

International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)　2014年2月22日
Electric-field modulation of damping constant in (Ga,Mn)As 国際会議

L. Chen

AIMR International Symposium 2014 (AMIS)　2014年2月17日
ZnO as a spintronics material 国際会議

S. D'Ambrosio

AIMR International Symposium 2014 (AMIS)　2014年2月17日
スピントロニクスが拓く新しい集積回路の世界

FIRST研究成果ビジネスマッチングシンポジウム --日本の電子産業、復活の狼煙（のろし）--　2014年1月22日
Advances in spintronics devices for microelectronics –from spin-transfer torque 国際会議

S. Fukami

19th Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC)　2014年1月20日
スピントロニクス

北海道学力向上推進事業・札幌南高等学校講演会　2014年1月5日
スピントロニクス素子と材料－磁気トンネル接合の最近の進展－

顕微ナノ材料研究会　2013年12月26日
Magnetic property of Li codoped (Ga,Mn)As

S. Miyakozawa, L. Chen, F. Matsukura, H. Ohno

Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-18)　2013年12月9日
Temperature dependence of electric-field effects on magnetic anisotropies in Ta-CoFeB-MgO

A. Okada, S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-18)　2013年12月9日
20-nm magnetic domain wall motion memory with ultralow-power operation 国際会議

S. Fukami, M. Yamanouchi, K.-J. Kim, T. Suzuki, N. Sakimura, D. Chiba, S. Ikeda, T. Sugibayashi, N. Kasai, T. Ono, H. Ohno

2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)　2013年12月9日
Comprehensive study of CoFeB-MgO magnetic tunnel junction characteristics with single- and double-interface scaling down to 1X nm 国際会議

H. Sato, T. Yamamoto, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, K. Kinoshita, F. Matsukura, N. Kasai, H. Ohno

2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)　2013年12月9日
垂直磁化容易CoFeB-MgO磁気トンネル接合における電流誘起磁化反転の面内磁場依存性

久保田修司, 山ノ内路彦, 佐藤英夫, 池田正二, 松倉文礼, 大野英男

応用物理学会東北支部講演会　2013年12月5日
MgO/Fe(B)/MgO積層膜の磁気特性

堀川喜久, 石川慎也, 池田正二, 佐藤英夫, 山ノ内路彦, 深見俊輔, 松倉文礼, 大野英男

応用物理学会東北支部講演会　2013年12月5日
Three-terminal magnetic domain wall motion device for spintronics VLSIs 国際会議

S. Fukami, H. Ohno

International Japanese-French Workshop on Spintronics　2013年11月27日
Cuベースチャネル3端子磁気トンネル接合

山ノ内路彦, 陳林, 金俊延, 林将光, 佐藤英夫, 深見俊輔, 池田正二, 松倉文礼, 大野英男

応用物理学会スピントロニクス研究会・日本磁気学会スピンエレクトロニクス専門研究会共同主催研究会「元素戦略、環境調和を視野に入れたスピントロニクスの新展開」　2013年11月11日
Material Status and Outlook of STT-Based Memory Technology 国際会議

58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM)　2013年11月4日
Distribution of critical current density for magnetic domain wall motion 国際会議

S. Fukami, M. Yamanouchi, K. J. Kim, T. Koyama, D. Chiba, S. Ikeda, N. Kasai, T. Ono, H. Ohno

58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM)　2013年11月4日
Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis 国際会議

C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM)　2013年11月4日
Co/Pt multilayer-based magnetic tunnel junctions with thin Ta spacer layer 国際会議

S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM)　2013年11月4日
Temperature dependence of thermal stability factor of CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy-axis 国際会議

H. Sato, Y. Takeuchi, K. Mizunuma, S. Ishikawa, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM)　2013年11月4日
Process induced damage by C-O based etching chemistries and its recovery for a CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic easy-axis 国際会議

K. Kinoshita, H. Honjo, K. Tokutome, S. Miura, M. Murahata, K. Mizunuma, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, N. Kasai, H. Ohno

58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM)　2013年11月4日
Fabrication of a perpendicular-MTJ-Based compact nonvolatile programmable switch using shared-writecontrol-transistor structure 国際会議

D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu

58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM)　2013年11月4日
Three-terminal magnetic tunneling junction device with perpendicular anisotropy CoFeB sensing layer 国際会議

H. Honjo, S. Fukami, K. Ishihara, R. Nebashi, K. Kinoshita, K. Tokutome, M. Murahata, S. Miura, N. Sakimura, T. Sugibayashi, N. Kasai, H. Ohno

58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM)　2013年11月4日
Analysis of single-event upset in MTJ/MOS-Hybrid circuits employing calculation of switching probability by radiation-induced corrent 国際会議

N. Sakimura, R. Nebashi, M. Natsui, T. Hanyu, H. Ohno, T. Sugibayashi

58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM)　2013年11月4日
MTJ resistance distribution of 1-kbit 1T-1MTJ STT-MRAM cell arrays fabricated on a 300-mm wafer 国際会議

H. Koike, T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM)　2013年11月4日
Trend of TMR and variation in Vth for keeping data load robustness of MOS/MTJ hybrid latches 国際会議

T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM)　2013年11月4日
Two-barrier stability in current-induced domain-wall motion device 国際会議

K. Kim, R. Hiramatsu, T. Koyama, K. Ueda, Y. Yoshimura, D. Chiba, K. Kobayashi, Y. Nakatani, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, H. Kohno, G. Tatara, T. Ono

58th Magnetism and Magnetic Materials (MMM)　2013年11月4日
Spintronics Devices for Nonvolatile CMOS VLSIs 国際会議

150 years diplomatic relation Japan-Switzerland, Swiss-Japanese Nanoscience Workshop, Materials Phenomena at Small Scale　2013年10月9日
Current-induced magnetic domain wall motion in Co/Ni wire and its application to nonvolatile memory devices 国際会議

S. Fukami, H. Ohno

150 years diplomatic relation Japan-Switzerland, Swiss-Japanese Nanoscience Workshop, Materials Phenomena at Small Scale　2013年10月9日
垂直磁化Co/Ni細線中の磁壁電流駆動におけるスピンホール効果の影響

吉村瑶子, 小山知弘, 森山貴広, K. J. Kim, 千葉大地, 仲谷栄伸, 深見俊輔, 山ノ内路彦, 大野英男, 小野輝男

日本物理学会秋季大会　2013年9月25日
強磁性金属薄膜における電流誘起有効磁場の直流ホール測定による決定

河口真志, 島村一利, 深見俊輔, 松倉文礼, 大野英男, 森山貴広, 千葉大地, 小野輝男

日本物理学会秋季大会　2013年9月25日
Co/Pt multilayer based reference layers in magnetic tunnel junction for novolatile spintronics VLSIs 国際会議

H. Sato, S. Ikeda, S. Fukami, H. Honjo, S. Ishikawa, M. Yamanouchi, K. Mizunuma, F. Matsukura, H. Ohno

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2013年9月24日
Properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions prepared by different MTJ etching process 国際会議

S. Miura, H. Honjo, K. Tokutome, N. Kasai, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2013年9月24日
Mapping of photoexcited local spins in a modulation-doped GaAs/AlGaAs wires 国際会議

J. Ishihara, Y. Ohno, H. Ohno

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2013年9月24日
A 4x4 nonvolatile multiplier using novel MTJ-CMOS hybrid latch and flip-flop 国際会議

T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2013年9月24日
Strategy of STT-MRAM cell design and its power gating technique for low-voltage and low-power cache memoroes 国際会議

T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2013年9月24日
Wide operational margin capability of 1kbit STT-MRAM array chip with 1-PMOS and 1-bottom-pin-MTJ type cell 国際会議

H. Koike, T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2013年9月24日
Demonstration of a nonvolatile processor core chip with software-controlled trhee-terminal MRAM cells for standby-power critical applications 国際会議

R. Nebashi, Y. Tsuji, H. Honjo, N. Sakimura, A. Morioka, K. Tokutome, S. Miura, S. Fukami, M. Yamanouchi, K. Kinoshita, T. Hanyu, T. Endoh, N. Kasai, H. Ohno, T. Sugibayashi

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2013年9月24日
Studies on selective devices for spin-transfer-torque magnetic tunnel junctions 国際会議

T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2013年9月24日
Tuneable chiral domain wall motion by intertwined spin Hall effect and spin transfer torque in ultrathin TaN/CoFeB/MgO 国際会議

J. Torrejon, J. Kim, J. Sinha, S. Mitani, M. Hayashi, M. Yamanouchi, H. Ohno

Donostia International Conference on Nanoscaled Magnetism and Applications (ICNMA)　2013年9月9日
反応性イオンエッチングを用いた磁気トンネル接合の作製

山本直志, 佐藤英夫, 木下啓蔵, 池田正二, 大野英男

第37回日本磁気学会学術講演会　2013年9月3日
垂直磁気異方性CoNi超格子膜の作製と磁気特性の評価

深見俊輔, 佐藤英夫, 山ノ内路彦, 池田正二, 大野英男

第37回日本磁気学会学術講演会　2013年9月3日
Co/Ni細線における磁壁デピニング確率の測定と計算

深見俊輔, 山ノ内路彦, 池田正二, 大野英男

第37回日本磁気学会学術講演会　2013年9月3日
急峻なFe/GaAs(001)を介したスピン偏極電子の注入特性

ルークフリート, 吉田健太, 小林裕臣, 金子雄基, 松坂俊一郎, 大野裕三, 大野英男, 本多周太, 井上順一郎, 廣畑貴文

第37回日本磁気学会学術講演会　2013年9月3日
Magnetic Tunnel Junction Technology: Materials and Performance 国際会議

International Conference on Nanoscale Magnetism (ICNM)　2013年9月2日
Introduction to Spintronics for Integrated Circuit Applications 国際会議

7th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology　2013年7月29日
Introduction to Spintronics for integrated circuit applications 国際会議

J. Ishihara, Y. Ohno, H. Ohno

7th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH7)　2013年7月29日
Wire width dependence of suppressed spin dephasing in modulation-doped GaAs/AlGaAs wires 国際会議

J. Ishihara, Y. Ohno, H. Ohno

7th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH7)　2013年7月29日
Two and three terminal non-volatile spintronics devices for VLSI applications 国際会議

International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA)　2013年7月21日
Electric-field induced magnetization switching in CoFeB-MgO with different magnetic field angles 国際会議

S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, Y. Nakatani, F. Matsukura

International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA)　2013年7月21日
Electrical reliability of Co/Ni wire for domain wall motion devices 国際会議

S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, S. Miura, S. Ikeda, N. Kasai

International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA)　2013年7月21日
Two and three terminal non-volatile spintronics devices for VLSI application 国際会議

International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA)　2013年7月21日
Liを共添加した(Ga,Mn)Asの作製と評価

都澤章平, 陳林, 松倉文礼, 大野英男

第32回電子材料シンポジウム(EMS32)　2013年7月10日
Ta/CoFeB/MgO構造における磁気特性の電界効果の強磁性共鳴による検出

岡田篤, 金井駿, 山ノ内路彦, 池田正二, 松倉文礼, 大野英男

第32回電子材料シンポジウム(EMS32)　2013年7月10日
垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗特性の温度依存性

竹内祐太郎, 水沼広太朗, 石川慎也, 佐藤英夫, 池田正二, 山ノ内路彦, 深見俊輔, 松倉文礼, 大野英男

第32回電子材料シンポジウム(EMS32)　2013年7月10日
Current status and prospect of magnetic tunnel junction 国際会議

H. Ohno

7th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT)　2013年6月30日
What we can learn from ferromagnetism in semiconductors 国際会議

H. Ohno

4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013)　2013年6月17日
Fabrication of a 99%-Energy-Less Nonvolatile Multi-Functional CAM Chip Using Hierarchical Power Gating for a Massively-Parallel Full-Text-Search Engine 国際会議

S. Matsunaga, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, T. Sugibayashi, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Fukami, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, T. Endoh

2013 Symposia on VLSI Circuits　2013年6月12日
A 1.5nsec/2.1nsec Random Read/Write Cycle 1Mb STT-RAM Using 6T2MTJ Cell with Background Write for Nonvolatile e-Memories 国際会議

T. Ohsawa, S. Miura, K. Kinoshita, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

2013 Symposia on VLSI Circuits　2013年6月12日
Low-Current Domain Wall Motion MRAM with Perpendicularly Magnetized CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junction and Underlying Hard Magnets 国際会議

T. Suzuki, H. Tanigawa, Y. Kobayashi, K. Mori, Y. Ito, Y. Ozaki, K. Suemitsu, T. Kitamura, K. Nagahara, E. Kariyada, N. Ohshima, S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, M. Hayashi, M. Sakao, H. Ohno

2013 Symposia on VLSI Circuits　2013年6月12日
Low-Current Domain Wall Motion MRAM with Perpendicularly Magnetized CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junction and Underlying Hard Magnets 国際会議

T. Suzuki, H. Tanigawa, Y. Kobayashi, K. Mori, Y. Ito, Y. Ozaki, K. Suemitsu, T. Kitamura, K. Nagahara, E. Kariyada, N. Ohshima, S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, M. Hayashi, M. Sakao, H. Ohno

2013 Symposia on VLSI Technology　2013年6月11日
MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure with low critical current and high thermal stability 国際会議

H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

JSPS York-Tohoku Symposium on Magnetic Materials and Spintronic Devices　2013年6月10日

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H. Satoによる講演
A 1-Mb STT-MRAM with Zero-Array Standby Power and 1.5-ns Quick Wake-Up by 8-b Fine-Grained Power Gating 国際会議

T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

5th IEEE International Memory Workshop (IMW)　2013年5月26日
Quantitative determination of intrinsic energy barrier for current induced domain wall motion 国際会議

K. J. Kim, R. Hiramatsu, T. Koyama, K. Ueda, Y. Yoshimura, D. Chiba, K. Kobayashi, Y. Nakatani, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, T. Ono

The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
Influence of in-plane magnetic fields on current-induced domain wall motion in a perpendicularly magnetized Co/Ni nanowire 国際会議

Y. Yoshimura, T. Koyama, D. Chiba, Y. Nakatani, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, T. Ono

The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
Current-induced effective field vector in Ta│CoFeB│MgO with various layer thicknesses 国際会議

J. Kim, J. Sinha, M. Hayashi, M. Yamanouchi, S. Fukami, T. Suzuki, S. Mitani, H. Ohno

The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
Electric field effect on magnetic properties in Fe ultra-thin film 国際会議

M. Kawaguchi, K. Shimamura, S. Ono, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno, D. Chiba, T. Ono

The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
Temperature dependence of spin polarization in Co/Ni nanowires with different Co and Ni thicknesses determined from magnetic domain wall dynamics 国際会議

K. Ueda, R. Hiramatsu, D. Chiba, H. Tanigawa, T. Suzuki, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, Y. Nakatani, T. Ono

The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
Monoatomically-layered CoNi film with perpendicular magnetic anisotropy 国際会議

S. Fukami, H. Sato, M. Yamaguchi, S. Ikeda, H. Ohno

The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
(Co100-xFex)80B20 composition dependence of interface anisotropy in MgO/CoFeB/Ta stack structure 国際会議

H. Sato, R. Koizumi, S. Ikeda, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
Quantitative determination of intrinsic energy barrier for current induced domain wall motion 国際会議

K. J. Kim, R. Hiramatsu, T. Koyama, K. Ueda, Y. Yoshimura, D. Chiba, K. Kobayashi, Y. Nakatani, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, T. Ono

8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
Influence of in-plane magnetic fields on current-induced domain wall motion in a perpendicularly magnetized Co/Ni nanowire 国際会議

Y. Yoshimura, T. Koyama, D. Chiba, Y. Nakatani, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, T. Ono

8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
Current-induced effective field vector in Ta│CoFeB│MgO with various layer thicknesses 国際会議

J. Kim, J. Sinha, M. Hayashi, M. Yamanouchi, S. Fukami, T. Suzuki, S. Mitani, H. Ohno

8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
Electric field effect on magnetic properties in Fe ultra-thin film 国際会議

M. Kawaguchi, K. Shimamura, S. Ono, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno, D. Chiba, T. Ono

8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
Temperature dependence of spin polarization in Co/Ni nanowires with different Co and Ni thicknesses determined from magnetic domain wall dynamics 国際会議

K. Ueda, R. Hiramatsu, D. Chiba, H. Tanigawa, T. Suzuki, S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Ohno, Y. Nakatani, T. Ono

8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
Monoatomically-layered CoNi film with perpendicular magnetic anisotropy 国際会議

S. Fukami, H. Sato, M. Yamaguchi, S. Ikeda, H. Ohno

8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
(Co100-xFex)80B20 composition dependence of interface anisotropy in MgO/CoFeB/Ta stack structure 国際会議

H. Sato, R. Koizumi, S. Ikeda, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013)　2013年5月19日
不揮発性集積回路応用に向けた CoFeB-MgO磁気トンネル接合の開発状況

池田正二, 佐藤英夫, 山ノ内路彦, 深見俊輔, 水沼広太朗, 金井駿, 石川慎也, 松倉文礼, 笠井直記, 大野英男

独立行政法人日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会平成２５年度第１回研究会「最先端スピンデバイスと新しいスピン制御技術」　2013年5月9日
Ta|CoFe|MgOにおける電流誘起実効磁場

金俊延, J. Sinha, 林将光, 山ノ内路彦, 深見俊輔, 鈴木哲広, 三谷誠司, 大野英男

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日
CoFeB-MgO垂直磁化容易磁気トンネル接合における反転閾値電流密度の素子サイズ依存性

水沼広太朗, 山ノ内路彦, 佐藤英夫, 池田正二, 松倉文礼, 大野英男

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日
変調ドープ(001)GaAs/AlGaAs細線における電子スピンダイナミクスの細線幅依存性

石原淳, 大野裕三, 大野英男

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日
CoFeB-MgO接合における電界誘起磁化スイッチングの磁界角度依存性

金井駿, 山ノ内路彦, 池田正二, 仲谷栄伸, 松倉文礼, 大野英男

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日
Co/Pt多層膜とCoFeBの積層膜を用いたMgO障壁磁気トンネル接合

石川慎也, 佐藤英夫, 山ノ内路彦, 池田正二, 深見俊輔, 松倉文礼, 大野英男

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日
Enhanced interface perpendicular magnetic anisotropy in nitrogen doped Ta underlayer with CoFeB|MgO

ジャンバルダン・シンハ, 林将光, 小塚雅也, 山ノ内路彦, 深見俊輔, 三谷誠司, 宝野和博, 大野英男

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日
3端子磁壁移動デバイスの開発

深見俊輔, 山ノ内路彦, 池田正二, 大野英男

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013年3月27日
非対称な膜構成を持つ強磁性金属薄膜における異常磁気抵抗効果

河口真志, 島村一利, 深見俊輔, 松倉文礼, 大野英男, 千葉大地, 小野輝男

日本物理学会第６８回年次大会　2013年3月26日
Helicity-dependent photocurrent in a (110) GaAs quantum well stack 国際会議

D.C.Schmadel, M. –H. Kim, A. B. Sushkov, G. S. Jenkins, J. D. Koralek, J. E. Moore, J. Orenstein, Y. Ohno, H. Ohno, H. D. Drew

American Physical Society, March Meeting　2013年3月18日
スピントロニクス材料・デバイス基盤技術の創出

伊藤公平, 吉田博, 大野英男

東北大学電気通信研究所平成24年共同プロジェクト研究発表会　2013年2月28日
半導体量子ナノ構造の電子・核スピン物性の研究

石原淳, 大野裕三, 大野英男

東北大学電気通信研究所平成24年共同プロジェクト研究発表会　2013年2月28日
Spintronics makes CMOS VLSI nonvolatile 国際会議

5th Int. Symp. on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma)　2013年1月28日
Physics and Materials of Perpendicular CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junction 国際会議

Tohoku-Harvard Joint Workshop　2013年1月15日
Anisotropic Spin Dephasing Dynamics of Quasi-one Dimensional Electron Gas in Modulation-doped GaAs/AlGaAs Wire 国際会議

J. Ishihara, Y. Ohno, H. Ohno

Tohoku-Harvard Joint Workshop　2013年1月15日
Magnetization Switching in CoFeB/MgO by electric Fields 国際会議

S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, Y. Nakatani, F. Matsukura, H. Ohno

Tohoku-Harvard Joint Workshop　2013年1月15日
Ferromagnetic Resonance Measurement in CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Magnetic Easy Axis 国際会議

K. Mizunuma, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, S. Kanai, F. Matsukura, H. Ohno

Tohoku-Harvard Joint Workshop　2013年1月15日
Magnetic properties of MgO-[Co/Pt] multilayer with a CoFeB insertion layer 国際会議

S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

12th Joint Magnetism and Magnetic Materials/International Magnetics Conference　2013年1月14日
MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic easy axis 国際会議

H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, K. Mizunuma, F. Matsukura, H. Ohno

12th Joint Magnetism and Magnetic Materials/International Magnetics Conference　2013年1月14日
High speed switching by pulse current with duration down to subnanoseconds in CoFeB/MgO based magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis 国際会議

K. Miura, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

12th Joint Magnetism and Magnetic Materials/International Magnetics Conference　2013年1月14日
Determination of the current induced effective field vector in Ta|CoFeB|MgO 国際会議

J. Kim, J. Sinha, M. Hayashi, M. Yamanouchi, S. Fukami, T. Suzuki, S. Mitani, H. Ohno

12th Joint Magnetism and Magnetic Materials/International Magnetics Conference　2013年1月14日
Enhanced perpendicular magnetic anisotropy in Ta|CoFeB|MgO by nitrogen doping the Ta underlayer 国際会議

J. Sinha, M. Hayashi, M. Kodzuka, M. Yamanouchi, S. Fukami, S. Mitani, K. Hono, H. Ohno

12th Joint Magnetism and Magnetic Materials/International Magnetics Conference　2013年1月14日
Transport and structural properties of the abrupt Fe/GaAs(001) interface 国際会議

L. R. Fleet, K. Yoshida, H. Kobayashi, Y. Kaneko, S. Matsuzaka, Y. Ohno, S. Honda, J. Inoue, A. Hirohata

12th Joint Magnetism and Magnetic Materials/International Magnetics Conference　2013年1月14日
Electric-field manipulation of magnetization 国際会議

Sweden-Japan Workshop on Quantum Nano-Physics and Electronics (QNANO2013)　2013年1月13日
垂直磁化CoFeB-MgO接合における電界誘起磁化反転

金井駿, 山ノ内路彦, 池田正二, 仲谷栄伸, 松倉文礼, 大野英男

第17回半導体スピン工学の基礎と応用（PASPS, Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors）　2012年12月19日
垂直磁化Co/Ni細線中の磁壁電流駆動に対する面内磁場の影響

吉村瑶子, 小山知弘, 千葉大地, 深見俊輔, 山ノ内路彦, 大野英男, 仲谷栄伸, 小野輝男

第17回半導体スピン工学の基礎と応用（PASPS, Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors）　2012年12月19日
スピントロニクス素子の将来展望

東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「ナノスケールのゆらぎ・電子相関制御に基づく新規ナノデバイス」　2012年12月14日
Magnetic tunnel junctions of MgO-[Co/Pt] multilayers with a CoFeB insertion layer

S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, H. Ohno

スピントロニクス入門セミナー・若手研究会　2012年12月11日
Spintronics-based Nanovolatile CMOS VLSI 国際会議

Advanced Metallization Conference 2012 (ADMETA)　2012年10月23日
Bridging Semiconductors and Magnetism – Toward Stand-by Power Free VLSIs 国際会議

International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Depositon (HWCVD7)　2012年10月8日
Domain Wall Motion by Current In a Co/Ni Nanowire with Perpendicular Magnetization under In-Plane Magnetic Fields 国際会議

Y. Yoshimura

International Conference of the Asian Union of Magnetics Societies (ICAUMS)　2012年10月2日
Magnetic Anisotropy in CoFe(B)/MgO Stack Structures 国際会議

S. Ikeda

International Conference of the Asian Union of Magnetics Societies (ICAUMS)　2012年10月2日
Physics and Materials of Perpendicular CoFeB-MgO Magnetic Tunnel Junction 国際会議

21th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS)　2012年9月24日
Domain wall depinning probability - Experiment and Theory 国際会議

S. Fukami

21th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS)　2012年9月24日
Ferromagnetic resonance by means of homodyne detection technique in CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy axis 国際会議

K. Mizunuma

21th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS)　2012年9月24日
Electric-field magnetization switching in CoFeB-MgO with perpendicular anisotropy 国際会議

S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

21th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS)　2012年9月24日
Electric-field manipulation and switching of magnets 国際会議

International Workshop on Spin Phenomena in Reduced Dimensions　2012年9月19日
CoFeB-MgO垂直磁化容易磁気トンネル接合における強磁性共鳴のホモダイン検出

水沼広太朗

第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日
MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO構造を用いた垂直磁気容易磁気トンネル接合

佐藤英夫

第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日
細線加工した(001)GaAs/AlGaAs量子井戸における動的核スピン分極

石原淳

第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日
垂直磁気異方性CoFeB-MgO接合における電界誘起磁化反転

金井駿

第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日
Magnetism for Nonvolatile Memories and Beyond 国際会議

Joint European Magnetic Symposia (JEMS 2012)　2012年9月9日
材料科学が拓く新たな論理集積回路のパラダイム

東北大-産総研合同シンポジウム「材料科学で日本を元気にする」　2012年8月31日
Spintronics Meets CMOS VLSI 国際会議

Samsung the Future Technology Seminar　2012年8月28日
Perpendicular CoFeB-MgO magnetic tunnel junction 国際会議

H. Sato, K. Miura, H. D. Gan, K. Mizunuma, S. Fukami, S. Kanai, F. Matsukura, N, Kasai

SPIE Nanoscience+Engineering 2012　2012年8月12日
Magnetic Tunnel Junction: A Spintronic Nonvolatile Device for VLSI Applications 国際会議

2012 IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices　2012年8月7日
Magnetic Semiconductors: Materials, Physics and Devices 国際会議

7th International Conference on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VII)　2012年8月5日
Bridging Semiconductor and Magnetism 国際会議

31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012)　2012年7月29日
Electrical and Optical Detection of Spin Injection in CoFe/MgO/n-GaAs Junctions 国際会議

Y. Ohno

31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012)　2012年7月29日
Ferromagnetism in Semiconductors 国際会議

4th WUN International Conference on Spintronics (WUN-SPIN)　2012年7月23日
核電気共鳴によるn-GaAs/GaAlAs(110)量子井戸中の核スピンコヒーレンスの制御

張超亮

第31回電子材料シンポジウム　2012年7月11日
垂直磁気トンネル接合におけるCo/Pt電極の磁気異方性のPt膜厚および熱処理温度依存性

石川慎也

第31回電子材料シンポジウム　2012年7月11日
Perpendicular CoFeB-MgO for Spintronics Devices 国際会議

19th International Conference on Magnetism (ICM2012)　2012年7月8日
CoFeB-MgO Perpendicular Magnetic Tunnel Junction 国際会議

Tohoku University-IMEC Seminar　2012年6月21日
A 3.14um2 4T-2MTJ-Cell Fully Parallel TCAM Based on Nonvolatile Logic-in-Memory Architecture 国際会議

S. Matsunaga

2012 Symposium on VLSI Circuits　2012年6月13日
1Mb 4T-2MTJ Nonvolatile STT-RAM for Embedded Memories Using 32b Fine-Grained Power Gating Technique with 1.0ns/200ps Wake-up/Power-off Times 国際会議

T. Ohsawa

2012 Symposium on VLSI Circuits　2012年6月13日
High-Speed and Reliable Domain Wall Motion Device: Material Design for Embedded Memory and Logic Application 国際会議

S. Fukami

2012 Symposium on VLSI Technology　2012年6月12日
Spintronics Primitive Gate with High Error Correction Efficiency 6(P_error)2 for Logic-in Memory Architecture 国際会議

Y. Tsuji

2012 Symposium on VLSI Technology　2012年6月12日
Restructuring of Memory Hierarchy in Computing System with Spintronics-Based Technologies 国際会議

T. Endoh

2012 Symposium on VLSI Technology　2012年6月12日
Ultrafast Parallel Reconfiguration of 3D-Stacked Reconfigurable Spin Logic Chip with On-chip SPRAM(SPin-transfer torque RAM) 国際会議

T. Tanaka

2012 Symposium on VLSI Technology　2012年6月12日
Magnetic Tunnel Junction for Magnetoresistive Random Access memory and Beyond 国際会議

Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)　2012年6月10日
CMOS VLSI Meets Spintronics 国際会議

Qualcomm Technology Forum　2012年6月7日
Factors Determining Thermal Stability in CoFeB-MgO Perpendicular Junctions 国際会議

H. Sato

9th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年5月31日
Electromotive Forces in (Ga, Mn)As-based Structures 国際会議

F. Matsukura

9th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年5月31日
Coherent Control of Nuclear Spins in a (110) GaAs/GaAlAs Quantum Well by Nuclear Electric Resonance 国際会議

C. Zhang

9th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年5月31日
Electrical and Optical Detection of Spin Polarized Electrons in n-GaAs/MgO/CoFe Junctions 国際会議

Y. Kaneko

9th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年5月31日
Coherent Manipulation of Nuclear Spins in Semiconductors with an Electric Field 国際会議

Y. Ohno

9th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年5月31日
Magnetic Anisotropy of Co/Pt based Electrodes for Magnetic Tunnel Junctions with perpendicular Magnetic Easy Axis 国際会議

S. Ishikawa

9th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年5月31日
Electrical Signal Related to Ferromagnetic Resonance in (Ga, Mn)As/p-GaAs bilayer Structure 国際会議

L. Chen

9th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年5月31日
Perpendicular Magnetic Tunnel Junction for Nonvolatile Electronics 国際会議

E-MRS & Nature Materials Workshop, “Frontiers in Materials: Spintronics”　2012年5月13日
Spin injection across abrupt Fe/GaAs(001) interfaces 国際会議

L. Fleet

International Magnetics Conference (INTERMAG)　2012年5月7日
Thickness dependence of thermal stability factor in CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions 国際会議

H. Sato

International Magnetics Conference (INTERMAG)　2012年5月7日
CoFeB composition dependence of magnetic anisotropy and tunnel magnetoresistance in CoFeB/MgO stack structures 国際会議

International Magnetics Conference (INTERMAG)　2012年5月7日
MTJ based non volatile SRAM and low power non volatile logic-in-memory architecture 国際会議

T. Endoh

International Magnetics Conference (INTERMAG)　2012年5月7日
Physics and Materials Science of Perpendicular MgO-CoFeB 国際会議

Korean Physical Society, Spring Meeting　2012年4月25日
半導体と磁性体に橋を架ける

第59回応用物理学会学術講演会　2012年3月15日
超薄膜を用いた垂直磁化型強磁性トンネル接合

第59回応用物理学会学術講演会　2012年3月15日
CoFeB/MgO/CoFeB垂直磁化トンネル磁気抵抗素子のスピントルクダイオード効果

井波暢人

第59回応用物理学会学術講演会　2012年3月15日
垂直CoFeB/MgO磁気トンネル接合の熱安定性の記録層膜厚依存性

佐藤英夫

第59回応用物理学会学術講演会　2012年3月15日
CoFeB/MgO積層構造における磁気特性のCoFeB組成依存性

小泉遼平

第59回応用物理学会学術講演会　2012年3月15日
歪(110)GaAs/AlGaAs量子井戸における四重極分裂の磁場依存性

石原淳

第59回応用物理学会学術講演会　2012年3月15日
歪(110)GaAs/AlGaAs量子井戸における核スピン共鳴線幅の磁場依存性

石原淳

第59回応用物理学会学術講演会　2012年3月15日
Spintronics Device for Stand-by Power Free Nonvolatile CMOS VLSI 国際会議

American Physical Society, March Meeting 2012　2012年2月27日
Recent Progress in Spintronics Technology for Nonvolatile VLSIs 国際会議

5th International Symposium and 4th Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2012年2月22日
Ferromagnetism in Semiconductors 国際会議

19th Korean Conference on Semiconductors　2012年2月15日
Spintronics makes integrated circuits low-power and high performance 国際会議

Presentation of the "Guardian Angeles" flagship by EPFL Prof. A. Ionescu　2012年2月15日
Perpendicular CoFeB-MgO for Spintronics Applications 国際会議

Magnetic Single Nano-Object Workshop & School (M-SNOWS 2012)　2012年2月5日
Tunnel stability factor of CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions 国際会議

H. Sato

2nd CSIS Int. Symposium on Spintronics-based VLSIs and 8th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年2月2日
Current induced magnetization dynamics in CoFeB/MgO nanostructures 国際会議

M. Hayashi

2nd CSIS Int. Symposium on Spintronics-based VLSIs and 8th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年2月2日
Proposal of new MTJ-based nonvolatile memories 国際会議

T. Ohsawa

2nd CSIS Int. Symposium on Spintronics-based VLSIs and 8th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年2月2日
A content addressable memory using three-terminal magnetic domain wall motion cells 国際会議

R. Nebashi

2nd CSIS Int. Symposium on Spintronics-based VLSIs and 8th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年2月2日
Annealing temperature dependence of tunnel magnetoresistance in MgO magnetic tunnel junctions with thin CoFeB electrodes 国際会議

H. Gan

2nd CSIS Int. Symposium on Spintronics-based VLSIs and 8th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年2月2日
B concentration dependence of magnetic anisotropy in MgO/CoFeB/Ta stack structure 国際会議

R. Koizumi

2nd CSIS Int. Symposium on Spintronics-based VLSIs and 8th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年2月2日
Energy-assisted oxidation process of Mg layer for MgO-MTJs 国際会議

H. Yamamoto

2nd CSIS Int. Symposium on Spintronics-based VLSIs and 8th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年2月2日
Spin torque diode effect of perpendicularly magnetized CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions 国際会議

N. Inami

2nd CSIS Int. Symposium on Spintronics-based VLSIs and 8th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年2月2日
Hole concentration dependence of the Curie temperature of (Ga,Mn)Sb channel in field-effect structure 国際会議

S. Akita

2nd CSIS Int. Symposium on Spintronics-based VLSIs and 8th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年2月2日
半導体における強磁性

MLFシンポジウム　2012年1月19日
A 600MHz MTJ-based nonvolatile latch making use of incubation time in MTJ switching 国際会議

T. Endoh

2011 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)　2011年12月5日
CoFeB-MgO system for spintronic devices 国際会議

山ノ内路彦

The 7th Taiwan International Conference on Spintronics　2011年12月2日
(Ga,Mn)Sb電界効果素子におけるキュリー温度の正孔濃度依存性

金子雄基

第16回半導体スピン工学の基礎と応用（PASPS-16)　2011年11月28日
GaAs/AlGaAs量子井戸における電子スピンダイナミクスの細線方向依存性

石原淳

第16回半導体スピン工学の基礎と応用（PASPS-16)　2011年11月28日
Spintronics-based Nonvolatile CMOS VLSI 国際会議

Joint Polish-Japanese Workshop Spintronics –from New Materials to Applications　2011年11月15日
Nonvolatile CMOS Circuits Using Magnetic Tunnel Junction 国際会議

2nd Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems　2011年11月3日
垂直磁気異方性電極磁気トンネル接合の進展

応用電子物性分科会・スピントロニクス研究会「スピントロニクスデバイスの新展開」　2011年11月2日
Spin orbit field assisted current driven domain wall motion in perpendicularly magnetized ultrathin CoFeB/MgO nanowires 国際会議

M. Hayashi

56th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2011年10月30日
Domain patterns in demagnetized CoFeB/MgO structures with perpendicular anisotropy 国際会議

M. Yamanouchi

56th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2011年10月30日
Annealing stability of perpendicular anisotropy CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions with various junction sizes 国際会議

H Gan

56th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2011年10月30日
Decrease in intrinsic critical current density under magnetic field along hard in-plane axis of free layer in magnetic tunnel junctions with in-plane anisotropy 国際会議

K. Miura

56th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2011年10月30日
Eigenmode analysis and thermal stability of magnetic tunnel junctions with synthetic antiferromagnet free layers 国際会議

D. Marko

56th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2011年10月30日
The MTJ with NiFeB/Fe free layer for magnetic logic 国際会議

H. Honjo

56th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2011年10月30日
Design of a 270ps-access 7T-2MTJ-cell nonvolatile ternary content-addressable memory 国際会議

S. Matsunaga

56th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2011年10月30日
50%-transistor-less standby-power-free 6-input LUT circuit using redundant MTJ-based nonvolatile logic-in-memory architecture 国際会議

D. Suzuki

56th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2011年10月30日
Spintronics-based LSI: A Route to Stand-by Power Free Society 国際会議

Tohoku University 4th International Symposium　2011年10月27日
Photocurrent Measurements on a Quantum Cascade Laser Device byFourier Transform Infrared Microscope 国際会議

E. C. Enobio

24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011)　2011年10月24日
Electrical Control of the Exciton Fine Structure splitting in GaAs Island Quantum Dots for the Generation of Polarization-entangled Photons 国際会議

M. Ghali

24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011)　2011年10月24日
スピントロニクス構造の熱的安定性

東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「ナノスケールのゆらぎ・電子相関制御に基づく新規ナノデバイス」　2011年10月21日
Magnetoresistive Random Access Memory with Spin Transfer Torque Write (Spin RAM) –Present and Future- 国際会議

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2011年9月28日
Studies on Static Noise Margin and Scalability for Low-Power and High-Density Nonvolatile SRAM using Spin-Transfer-Torque (STT) MTJs 国際会議

T. Ohsawa

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2011年9月28日
Novel 2step writing method for STT-RAM to improve switching probability and write speed 国際会議

F. Iga

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2011年9月28日
High-speed-search nonvolatile TCAM using MTJ devices 国際会議

S. Matsunaga

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2011年9月28日
A compact nonvolatile logic element using an MTJ/MOS-hybrid structure 国際会議

D. Suzuki

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2011年9月28日
Time-resolved switching characteristic in magnetic tunnel junction with spin transfer torque write 国際会議

F. Iga

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2011年9月28日
垂直CoFeB/MgO 磁気トンネル接合のスイッチング電流と熱安定性

佐藤英夫

第35回日本磁気学会学術講演会　2011年9月27日
垂直磁化CoFeB/MgO 細線における電流誘起磁壁移動

深見俊輔

第35回日本磁気学会学術講演会　2011年9月27日
磁性材料のリアクティブイオンエッチング

山本直志

第35回日本磁気学会学術講演会　2011年9月27日
Nonvolatile Spintronic-based CMOS VLSI 国際会議

Nanoscience and Nanotechnology Conference (n&n11)　2011年9月19日
MgO-CoFeB Perpendicular Magnetic Tunnel Junction 国際会議

Seminar of Center for Materials for Information Technology, University of Alabama　2011年9月9日
磁性半導体を出発点として

応用物理学会スクール　2011年8月29日
磁気トンネル接合素子のプラズマプロセス誘起ダメージとリカバリーの試み

木下啓蔵

第72回応用物理学会学術講演会　2011年8月29日
３端子磁壁移動素子のスケーラビリティー

深見俊輔

第72回応用物理学会学術講演会　2011年8月29日
Ta/Co20Fe60B20/MgO 接合における電界による垂直磁気異方性変調の膜厚及び熱処理温度依存性

金井駿

第72回応用物理学会学術講演会　2011年8月29日
n-GaAs/MgO/CoFe接合を用いたスピン蓄積と拡散の光学的検出

金子雄基

第72回応用物理学会学術講演会　2011年8月29日
細線加工したGaAs/AlGaAs量子井戸における電子スピン緩和時間の磁場依存性

石原淳

第72回応用物理学会学術講演会　2011年8月29日
垂直磁化細線における電流誘起磁壁移動

深見俊輔

第36回スピンエレクトロニクス専門研究会　2011年8月22日
Electric field control of ferromagnetism in III-V ferromagnetic semiconductor structures 国際会議

千葉大地

Moscow International Symposium on Magnetism　2011年8月21日
Electric-field Effects on Magnetic Semiconductors and Metals 国際会議

Workshop on Spin Transport in Solids　2011年8月8日
Diluted Magnetic Semiconductors –An Introduction- 国際会議

International Conference and School on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH VI)　2011年8月1日
Annealing stability of perpendicular anisotropy CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions 国際会議

H. Gan

International Conference and School on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH VI)　2011年8月1日
Strong spin relaxation anisotropy of electrons in modulation-doped GaAs/AlGaAs wires 国際会議

J. Ishihara

International Conference and School on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH VI)　2011年8月1日
Magnetic anisotropy direction switching in Ta/CoFeB/MgO by electric fields 国際会議

S. Kanai

International Conference and School on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH VI)　2011年8月1日
Scalability of critical current in perpendicular anisotropy CoFeB/MgO magnetic tunnel junction 国際会議

H. Sato

International Conference and School on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH VI)　2011年8月1日
Electrical and optical detection of spin injection in ferromagnetic metal/semiconductor junctions 国際会議

5th International Workshop on Spin Currents　2011年7月25日
Magnetic field dependence of quadrupole interaction in a stralined (110) GaAs quantum well 国際会議

小野真証

5th International Workshop on Spin Currents　2011年7月25日
Manipulating Magnetism in Semiconductors 国際会議

UK Semiconductors 2011　2011年7月6日
Spintroncs Meets Semiconductor Integrated Circuits 国際会議

JSPS York-Tohoku Research Symposium on -Magnetic Materials and Spintroncs-　2011年6月27日
MgO-CoFeB Interface Perpendicular Anisotropy for Spintronics Devices 国際会議

European Conference on Physics of Magnetism 2011(PM’11)　2011年6月27日
Nonvolatile CMOS VLSI with Spintronics 国際会議

International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2011)　2011年6月26日
Electric-Field Effects on Magnetic Materials ?From Ferromagnetic Semiconductors to CoFeB- 国際会議

Magnetics and Optics Research International Symposium for New Storage Technology(MORIS2011)　2011年6月21日
Fully parallel 6T-2MTJ nonvolatile TCAM with single-transistor-based self match-line discharge control 国際会議

松永翔雲

2011 Symposia on VLSI Circuits　2011年6月15日
A content addressable memory using magnetic domain wall motion cells 国際会議

R. Nebashi

2011 Symposia on VLSI Circuits　2011年6月15日
CoFeB/MgO based perpendicular magnetic tunnel junctions with stepped structure for symmetrizing different retention times of “0” and “1” information 国際会議

三浦勝哉

2011 Symposia on VLSI Technology　2011年6月14日
スピントロニクスによる不揮発性VLSI

SEMI Forum Japan　2011年5月31日
半導体スピントロニクス-強磁性半導体を中心として-

日本磁気学会　2011年5月20日
Perpendicular Easy-Axis MgO-CoFeB Magnetic Tunnel Junctions 国際会議

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG 2011)　2011年4月25日
Size Dependence of CoFeB/MgO Perpendicular Anisotropy Magnetic Tunnel Junctions on Critical Current and Thermal Stability 国際会議

佐藤英夫

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG 2011)　2011年4月25日
Dependence of tunnel magnetoresistance in CoFeB-MgO based perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions on sputtering conditions and stack structures 国際会議

水沼広太朗

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG 2011)　2011年4月25日
Post-annealing effect on perpendicular magnetic anisotropy in CoFeB/MgO structure 国際会議

小泉遼平

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG 2011)　2011年4月25日
A Perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with natural oxidation process 国際会議

H. Yamamoto

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG 2011)　2011年4月25日
Domain wall motion induced by electric current in CoFeB/MgO wire with perpendicular magnetic anisotropy 国際会議

S. Fukami

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG 2011)　2011年4月25日
Spintronics based Nonvolatile Electronics 国際会議

2011 Frontier of Spintronics/Nanoelectronics Workshop　2011年4月24日
Perpendicular Anisotropy at MgO-CoFeB Interface for High Performance Spintronics Devices 国際会議

Korean Physical Society　2011年4月13日
電界による(Ga,Mn)As強磁性ナノドット配列の形成

千葉大地

第58回応用物理学会学術講演会　2011年3月24日
Ta/Co40Fe40B20/MgO接合における電界による垂直磁気異方性変調の膜厚及び熱処理温度による最適化

金井駿

第58回応用物理学会学術講演会　2011年3月24日
積層フェリ自由層を有するトンネル接合の面直磁場印加スピントルクダイオード効果

井波暢人

第58回応用物理学会学術講演会　2011年3月24日
垂直CoFeB/MgO磁気トンネル抵抗素子の書き込み電流と熱安定性の素子サイズ依存性

佐藤英夫

第58回応用物理学会学術講演会　2011年3月24日
BリッチなCo-Fe-B/MgO/Co-FeB擬スピンバルブの微細組織解析

小塚雅也

第58回応用物理学会学術講演会　2011年3月24日
CoFeB-MgO垂直磁気異方性MTJのTMR特性に及ぼす成膜条件の影響

水沼広太朗

第58回応用物理学会学術講演会　2011年3月24日
垂直磁気異方性CoFeB/MgO積層構造における磁区構造

山ノ内路彦

第58回応用物理学会学術講演会　2011年3月24日
CoFeB層厚の異なるMgO/CoFeB構造における磁気特性の熱処理温度依存性

小泉遼平

第58回応用物理学会学術講演会　2011年3月24日
AlGaAs/GaAsダブルヘテロ構造における電子スピン緩和時間の細線方向に対する依存性

石原淳

第58回応用物理学会学術講演会　2011年3月24日
MgO-MTJs with Application to VLSI 国際会議

American Physical Society　2011年3月21日
Perpendicular 40 nm MgO-CoFeB Magnetic Tunnel Junctions 国際会議

German Physical Society　2011年3月14日
Toward new paradigm for semiconductor LSI of the "Post-Moore" ear 国際会議

8th ITEC Int. Conf. on Overcoming Two "Ends"　2011年3月4日
Spintronics Meets VLSI, toward nonvolatile electronics 国際会議

First Outreach Program, Int. Symp. on Innovative Nanoelectronics & Systems　2011年2月16日
Materials design and science of magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy electrodes for VLSIs 国際会議

1st CSIS Int. Symp. on Spintronics-based VLSIs and 7th RIEC Int. Workshop on Spintronics　2011年2月3日
Temperature dependence of domain patterns observed in demagnetized CoFeB/MgO films with perpendicular anisotropy 国際会議

山ノ内路彦

1st CSIS Int. Symp. on Spintronics-based VLSIs and 7th RIEC Int. Workshop on Spintronics　2011年2月3日
A post oxidation process of Mg layer for MgO barrier magnetic tunnel junctions 国際会議

H. Yamamoto

1st CSIS Int. Symp. on Spintronics-based VLSIs and 7th RIEC Int. Workshop on Spintronics　2011年2月3日
Spin torque diode effect of magnetic tunnel junction with synthetic ferrimagnetic free layer 国際会議

N. Inami

1st CSIS Int. Symp. on Spintronics-based VLSIs and 7th RIEC Int. Workshop on Spintronics　2011年2月3日
Influences of Boron composition on tunnel magnetoresistance properties of double-MgO-barrier magnetic tunnel junctions 国際会議

甘華東

1st CSIS Int. Symp. on Spintronics-based VLSIs and 7th RIEC Int. Workshop on Spintronics　2011年2月3日
Annealing effect on perpendicular magnetic anisotropy of CoFeB/MgO structure 国際会議

佐藤英夫

1st CSIS Int. Symp. on Spintronics-based VLSIs and 7th RIEC Int. Workshop on Spintronics　2011年2月3日
Annealing stability for tunnel magnetoresistance in MgO-CoFeB based magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy CoFe/Pd multilayers 国際会議

水沼広太朗

1st CSIS Int. Symp. on Spintronics-based VLSIs and 7th RIEC Int. Workshop on Spintronics　2011年2月3日
Modulation of magnetic anisotropy in Ta/Co40Fe40B20/MgO by electric fields: thickness and annealing temperature dependences 国際会議

金井駿

1st CSIS Int. Symp. on Spintronics-based VLSIs and 7th RIEC Int. Workshop on Spintronics　2011年2月3日
Buffer layer dependence of magnetic domain wall creep in (Ga,Mn)As 国際会議

鈴木淳士

1st CSIS Int. Symp. on Spintronics-based VLSIs and 7th RIEC Int. Workshop on Spintronics　2011年2月3日
Perpendicular Magnetic Anisotropy at the Interface of MgO-CoFeB 国際会議

38th Conf on the Physics & Chemistry of Surface & Interfaces (PCSI38)　2011年1月16日
歪(110)GaAs量子井戸中における四重極分裂幅の磁場依存性

特定領域「スピン流の創出と制御」研究会　2011年1月6日
n-GaAs/MgO/CoFe接合におけるスピン蓄積とその電気的検出

小林裕臣, L. Fleet, 廣畑貴文

第15回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-15)　2010年12月20日
電界による(Ga,Mn)As強磁性ナノドットの形成

千葉大地

第15回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-15)　2010年12月20日
(110)GaAs量子井戸における電界誘起の四重極分裂

小野真証, 佐藤源輝, 石原淳, 松坂俊一郎

第15回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-15)　2010年12月20日
CoFeB/MgO/CoFeB接合にける垂直磁気異方性とスピン注入磁化反転

東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究 (H22／A03) 研究会　2010年12月17日
Magnetic Tunnel Junction for Nonvolatile CMOS Logic 国際会議

2010 Int. Electron Devices Meeting (IEDM)　2010年12月6日
Perpendicular MgO-CoFeB Magnetic Tunnel Junction 国際会議

6th Taiwan Int. Conf. on Spintronics (TICSpin)　2010年12月1日
40nm垂直異方性磁気トンネル接合

東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「ナノスケールのゆらぎ・電子相関制御に基づく新規ナノデバイス」　2010年11月26日
MgO/CoFeB構造における磁気異方性の熱処理温度依存性

小泉遼平, 佐藤英夫, 山ノ内路彦, 水沼広太郎, 三浦勝哉, 甘華東

第65回応用物理学会東北支部学術講演会　2010年11月25日
Magnetic Tunnel Junction for Integrated Circuits: Scaling and Beyond 国際会議

55th Annual Conf. on Magnetims & Magnetic Materials (MMM2010)　2010年11月14日
Stack structures for realization of high annealing stability in perpendicular magnetic tunnel junctions with CoFe/Pd multilayer electrodes 国際会議

水沼広太朗

55th Annual Conf. on Magnetims & Magnetic Materials (MMM2010)　2010年11月14日
The dependence of the magnetic anisotropy on buffer layer and MgO thickness in Co20Fe60B20/MgO structures for magnetic tunnel junction 国際会議

山ノ内路彦

55th Annual Conf. on Magnetims & Magnetic Materials (MMM2010)　2010年11月14日
Electrical detection of spin polarized electrons in n-GaAs/MgO/CoFe junctions 国際会議

H. Kobayashi

55th Annual Conf. on Magnetims & Magnetic Materials (MMM2010)　2010年11月14日
Control of magnetic anisotropy in CoFeB by capping layer for current induced magnetization switching 国際会議

H. Yamamoto, J. Hayakawa, K. Ito, K. Miura, H. Matsuoka

55th Annual Conf. on Magnetims & Magnetic Materials (MMM2010)　2010年11月14日
Spin-torque diode effect in magnetic tunnel junctions with synthetic ferrimagnetic layers 国際会議

N. Inami, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando

55th Annual Conf. on Magnetims & Magnetic Materials (MMM2010)　2010年11月14日
High tunnel magnetoresistance, low current switching and high thermal stability in 40-nm-diameter CoFeB/MgO-based magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy 国際会議

K. Miura, M. Yamanouchi, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. Gan, J. Hayakawa, R. Koizumi, M. Endo, S. Kanai

55th Annual Conf. on Magnetims & Magnetic Materials (MMM2010)　2010年11月14日
n型GaAsにおけるスピンホール効果の光学的評価ドーピング濃度依存性

松坂俊一郎

物性科学領域横断研究会凝縮系科学の最前線　2010年11月13日
垂直磁気異方性電極磁気トンネル接合の進展

応用物理学会応用電子物性分科会スピントロニクス研究会　2010年11月2日
スピントロニクスデバイスの原理と最新動向

日本学術振興会未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会、シリコン超集積化システム第165委員会合同研究会　2010年10月29日
MgO-based Magnetic Tunnel Junctions for Integrated Cuicuit Applications 国際会議

Int. Conf. on Magnetic Materials (ICMM2010)　2010年10月25日
Spin-orbit effective field in (Ga,Mn)As 国際会議

遠藤将起

The 3rd Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2010年10月19日
Quadrupolar splitting dependence of nuclear spin coherence in an n-(110) GaAs quantum well 国際会議

小野真証

The 3rd Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2010年10月19日
Intersubband optical transition measurement in InAs/AlSb quantum cascade laser using fourier-transform photocurrent spectrscopy 国際会議

Eli Christopher Inocencio Enobio

The 3rd Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2010年10月19日
Control of the exciton fine structure splitting in GaAs single quantum dots using vertical gate voltage 国際会議

Mohsen Ghali

The 3rd Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2010年10月19日
Electric-field dependence of magnetic anisotropy in as-deposited and annealed CoFeB/MgO structures 国際会議

金井駿

The 3rd Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2010年10月19日
TMR properties and annealing stability in MgO barrier MTJs with CoFe/Pd perpendicular anisotropy multilayer electrodes 国際会議

水沼広太朗

The 3rd Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2010年10月19日
Nonvolatile CMOS VLSI with Spintronics 国際会議

8th Int. Workshop on Future Information Processing Technologies (IWFIPT)　2010年10月18日
Recent Progress on MgO-barrier Magnetic Tunnel Junctio 国際会議

Seminar at National Taiwan University　2010年10月1日
MgO-based Magnetic Tunnel Junction for CMOS VLSI Integration 国際会議

Int. Conf. on Nanoscale Magnetism　2010年9月28日
Magnetic field dependence of quadrupoar splitting and nuclear spin coherence in a (110) GaAs/AlGaAs quantum well 国際会議

J. Ishihara, M. Ono, G. Sato, S. Matsuzaka

Intl Conf. on Solid State Devices and Materials　2010年9月21日
Physics and Material Science of MgO-CoFeB Structures 国際会議

Int. Symp. on Metallic Multilayers(MML)　2010年9月19日
Tunnel magnetoresistance properties of double MgO-barrier magnetic tunnel junctions with different free-layer alloy compositions and structures 国際会議

甘華東

Int. Symp. on Metallic Multilayers(MML)　2010年9月19日
CoFeBにおける磁気異方性電界変調に及ぼすアニールの影響

金井駿

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
抵抗極プロットを用いた(Ga,Mn)AsにおけるSOI有効磁界の検出

遠藤将起

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
(Ga,Mn)Asにおける電流誘起磁壁移動の膜厚依存性

鈴木淳士

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
n-GaAs/MgO/CoFe接合を用いたスピン蓄積の電気的検出

小林裕臣

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
MgO障壁磁気トンネル接合における磁化反転磁場のバイアス電圧依存性

三浦勝哉

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
積層フェリ構造を有するトンネル接合のスピントルクダイオード効果

井波暢人

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
垂直磁気異方性CoFe/Pd多層膜電極を用いたMgO障壁磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗特性と積層構造

水沼広太朗

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
n型GaAsにおけるスピンホール効果の光学的評価

松坂俊一郎

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
n-(110)GaAs単一量子井戸中における四重極分裂幅のゲート電圧依存性

小野真証

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
GaAs量子井戸における核スピン四重極分裂幅とコヒーレンス時間の磁場依存性

石原淳

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
スピントロニクス: More and Beyond

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
垂直磁気異方性電極MTJにおける強磁性層構造のTMR特性に及ぼす影響

水沼広太朗, 山ノ内路彦, 甘華東, 三浦勝哉, 小泉遼平

第34回日本磁気学会学術講演会　2010年9月4日
Ferromagnetic III-V Semiconductor Spintronics 国際会議

16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010)　2010年8月22日
Electric field induced magnetization switching in a (Ga,Mn)As field effect structure 国際会議

千葉大地

6th Int. Conf. on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors　2010年8月1日
Inverse spin Hall effect in a (Ga,Mn)As/p-GaAs bilayer structure 国際会議

6th Int. Conf. on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors　2010年8月1日
Spin resonance and spin-orbit coupling effects in two dimensional hole systems in GaAs/AlGaAs(311)A heterostructures 国際会議

S. Teraoka

6th Int. Conf. on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors　2010年8月1日
Strain dependence of nuclear spin coherent time in a GaAs quantum well 国際会議

佐藤源輝

6th Int. Conf. on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors　2010年8月1日
Magnetic field dependence of nuclear quadrupole interaction in a (110)GaAs quantum well 国際会議

石原淳

6th Int. Conf. on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors　2010年8月1日
Characterization of spin-orbit interaction induced effectivev magnetic fields in (Ga,Mn)As by resistance polar plot 国際会議

M. Endo

Int. Conf. on Physics of Semiconductors (ICPS)　2010年7月25日
Nuclear spin coherence time in a strained GaAs quantum well 国際会議

M. Ono, G. Sato, J. Ishihara, S. Matsuzaka

Int. Conf. on Physics of Semiconductors (ICPS)　2010年7月25日
GaAs量子井戸における核スピンコヒーレンスの磁場依存性

石原淳

第29回電子材料シンポジウム　2010年7月14日
面内磁場中におけるInAs/AlSb量子カスケードレーザの発振特性

佐藤啓貴

第29回電子材料シンポジウム　2010年7月14日
(Ga,Mn)Asにおける電流誘起磁壁移動の膜厚依存性

鈴木淳士

第29回電子材料シンポジウム　2010年7月14日
電子材料とスピントロニクス

第29回電子材料シンポジウム　2010年7月14日
Current-induced magnetization switching in MTJs with high TMR ratio 国際会議

甘華東

Int. Symp. on Advanced Magnetic Materials and Applications　2010年7月12日
TMR Properties of Perpendicular MTJs with Thin Pd Based Multilayers 国際会議

水沼広太朗

Int. Symp. on Advanced Magnetic Materials and Applications　2010年7月12日
High spin-filter efficiency in a Co ferrite fabricated by a thermal oxidation 国際会議

金井駿

Int. Symp. on Advanced Magnetic Materials and Applications　2010年7月12日
Magnetization reversal in (Ga,Mn)As by using spin-orbit interaction effective magnetic field 国際会議

遠藤将起

Int. Symp. on Advanced Magnetic Materials and Applications　2010年7月12日
歪GaAs量子井戸中における核スピンコヒーレンスの磁場依存性

小野真証, 石原淳, 佐藤源輝, 松坂俊一郎

特定領域「スピン流の創出と制御」研究会　2010年6月23日
GaAs量子井戸中における核スピンコヒーレンスの四重極分裂幅依存性

石原淳, 佐藤源輝, 松坂俊一郎

特定領域「スピン流の創出と制御」研究会　2010年6月23日
Gating Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As 国際会議

9th Int. Workshop on Surface, Interface and Thin Film Physics　2010年6月16日
Spintronics for Nonvolatile Silicon Nanoelectronics 国際会議

International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)　2010年6月3日
Exploring Magnetism with Ferromagnetic III-V Semiconductors 国際会議

International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials (Global COE Program) & 3rd International Conference on Nanospintronics Design and Realization (3rd-ICNDR)　2010年5月30日
Gating Magnetism of Ferromagnetic Semiconductors 国際会議

International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials (Global COE Program) & 3rd International Conference on Nanospintronics Design and Realization (3rd-ICNDR)　2010年5月30日
Electrical Gating of Magnetism in (Ga,Mn)As and Beyond 国際会議

Huangkun Semiconductor Science and Technology Forum　2010年5月21日
Experimentalist of the Week: Magnetic Semiconductors 国際会議

Progress in Spintronics and Graphene Research (Beijing, Kavli Institute for Theoretical Physics　2010年5月20日
Experimentalist of the Week: Magnetic Random (Access Memories + discussion) 国際会議

Progress in Spintronics and Graphene Research　2010年5月20日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetics Society Distinguished Lecture for 2009　2010年5月19日
Spintronics Meets CMOS VLS 国際会議

Tohoku University, Japan-National Chiao Tung University & National Nano Device Laboratories, Taiwan Joint Workshop on Nano-Process and Nano-Device　2010年4月23日
(Ga,Mn)AsにおけるDresselhausスピン軌道相互作用有効磁界

遠藤将起

第57回応用物理学会　2010年3月17日
2重MoO障壁CoFeB電極MTJのトンネル磁気抵抗特性と積層構造

第57回応用物理学会　2010年3月17日
CoFe/Pd多層膜を電極に用いた垂直MTJにおけるTMR特性と熱処理耐性

水沼広太朗

第57回応用物理学会　2010年3月17日
キャパシタ構造を用いたCoFeBの磁気特性の電界制御

金井駿

第57回応用物理学会　2010年3月17日
金属プラズモン導波路構造を有するテラヘルツ量子カスケードレーザ

第57回応用物理学会　2010年3月17日
電子濃度の異なるn型GaAsにおけるスピンホール効果の評価

第57回応用物理学会　2010年3月17日
半導体量子井戸中における核スピン緩和時間の歪依存性

小野真証

第57回応用物理学会　2010年3月17日
Nanoelectronics Meets Spintronics 国際会議

3rd GCOE International Symposium on Photonics and Electronics Science and Engineering　2010年3月12日
金属導波路構造GaAsテラヘルツ量子カスケードレーザの発振特性

テラヘルツ電磁波技術研究会「テラヘルツ電子デバイスの新展開」　2010年2月25日
Electric-field Effects on Magnetic and Transport Properties of (Ga,Mn)As 国際会議

16th International Winterschool, New Developments in Solid State Physics　2010年2月22日
Carrier Concentration Dependence of Spin Hall Effect in n-GaAs 国際会議

6th RIEC International Workshop on Spintronics　2010年2月5日
Change of Magnetic Properties in Co40Fe40B20 Induced by Electric Field 国際会議

遠藤将起

6th RIEC International Workshop on Spintronics　2010年2月5日
Effect of CoFeB Insertion and Pd Layer Thicknesses on TMR Properties in Perpendicular MTJs with MgO Barrier and CoFe/Pd Multilayers 国際会議

水沼広太朗

6th RIEC International Workshop on Spintronics　2010年2月5日
Effect of Free Layer Structures on Tunnel Magnetoresistance for Double MgO Barrier Magnetic Tunnel Junctions 国際会議

6th RIEC International Workshop on Spintronics　2010年2月5日
Electric-field Effect on Thin (Ga,Mn)As Layers 国際会議

6th RIEC International Workshop on Spintronics　2010年2月5日
Hole Spin Resonance and Spin-orbit Interaction in p-GaAs/AlGaAs(311)A Heterostructure 国際会議

寺岡総一郎

6th RIEC International Workshop on Spintronics　2010年2月5日
Spin Transfer Torque Switching in Magnetic Tunnel Junctions with CoFeB-based Synthetic Ferrimagnetic Free Layers 国際会議

伊藤顕知

6th RIEC International Workshop on Spintronics　2010年2月5日
Strain Dependence of Nuclear Spin Relaxation Time in a GaAs Quantum Well 国際会議

小野真証

6th RIEC International Workshop on Spintronics　2010年2月5日
Thickness Dependence of Magnetic Anistropy in CoFeB under Electric Fields 国際会議

金井駿

6th RIEC International Workshop on Spintronics　2010年2月5日
Tunneling Spectroscopy of CoFeB/MgO/CoFeB Pseudo Spin-Valve MTJs with Ultrahigh TMR Ratio 国際会議

6th RIEC International Workshop on Spintronics　2010年2月5日
Intersubband transitions in ZnO quantum wells 国際会議

SPIE Photonics West　2010年1月23日
Effect of synthetic ferrimagnetic free layer structure on the thermal stability in MgO-barrier magnetic tunnel junctions 国際会議

11th Joint MMM-Intermag Conference　2010年1月18日
Material Science and Physics of Large TMR and Spin-transfer Switching in MgO-based MTJs for CMOS logic integration 国際会議

11th Joint MMM-Intermag Conference　2010年1月18日
GaAs量子井戸中における核スピン緩和の四重極分裂幅依存性

特定領域成果報告会「スピン流の創出と制御」　2010年1月13日
(Ga,Mn)Asにおけるスピン軌道有効磁界を用いた磁化方向制御

遠藤将起

第14回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-14)　2009年12月21日
GaAs量子井戸中における核スピン緩和の四重極分裂幅依存性

小野真証

第14回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-14)　2009年12月21日
n型GaAsにおけるスピンホール効果のキャリア濃度依存性

第14回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-14)　2009年12月21日
ゲート付きGaAs/AlGaAs単一量子井戸を用いたゼロ磁場における高移動度2次元電子スピン歳差運動の光学検出

高橋卓也

第14回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-14)　2009年12月21日
二次元正孔系のスピン共鳴とゼロ磁場スピン分裂

寺岡総一郎

第14回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-14)　2009年12月21日
A Disturbance-Free Read Scheme and a Compact Stochastic-Spin-Dynamics-Based MTJ Circuit Model for Gb-scale SPRAM 国際会議

K. Ono(Hitachi

International Electron Devices meeting　2009年12月7日
n-(110)GaAs/AlGaAs単一量子井戸における核スピンダイナミクスのゲート電圧依存性

小林裕臣

応用物理学会東北支部学術講演会　2009年12月3日
磁性積層構造における逆スピンホール効果の温度依存性

小池奨

応用物理学会東北支部学術講演会　2009年12月3日
Multi pulse operation and optical detection of nuclear spin coherence in a quantum well 国際会議

Sweden-Japan Workshop on Quantum Nanoelectronics (QNANO)　2009年11月13日
金属導波路構造GaAsテラヘルツ量子カスケードレーザの発振特性

東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「量子カスケードレーザの高性能化と応用に関する研究」　2009年11月4日
Electrical control of properties of (Ga,Mn)As using electric-double layer transistor 国際会議

遠藤将起

The 2nd RIEC-CNSI Workshop on Nanoelectronics, Spintronics and Photonics　2009年10月22日
Multi-pulse control and optical detection of nuclear spin coherence in GaAs/AlGaAs quantum well 国際会議

The 2nd RIEC-CNSI Workshop on Nanoelectronics, Spintronics and Photonics　2009年10月22日
Nuclear spin coherence in a Schottky gated n-GaAs quantum well 国際会議

小野真証

The 2nd RIEC-CNSI Workshop on Nanoelectronics, Spintronics and Photonics　2009年10月22日
Properties of Cu-based metal-metal waveguide THz quantum cascade lasers fabricated by radio frequency sputtering method 国際会議

The 2nd RIEC-CNSI Workshop on Nanoelectronics, Spintronics and Photonics　2009年10月22日
Spin resonance and zero field spin splitting of two dimensional hole system in (311)A GaAs/GaAs heterostructure 国際会議

寺岡総一郎

The 2nd RIEC-CNSI Workshop on Nanoelectronics, Spintronics and Photonics　2009年10月22日
スピントロニクス素子を用いた論理集積回路

東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「半導体サイエンスと半導体テクノロジーの融合～技術を先導する半導体サイエンスを目指して～」　2009年10月16日
Annealing Temperature Dependence of Critical Current and Thermal Stability Factor in MgO-Barrier Magnetic Tunnel Junctions with CoFeB based Synthetic Ferrimagnetic Recording Layer 国際会議

早川純

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2009年10月7日
CoFeB Inserted Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with CoFe/Pd Multilayers for High Tunnel Magnetoresistance Ratio 国際会議

水沼広太朗

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2009年10月7日
CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junctions with Low Resistance-Area Product and High Magnetoresistance 国際会議

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2009年10月7日
Dielectric breakdown in MgO-barrier magnetic tunnel junctions with a CoFeB based synthetic ferrimagetic recording layer 国際会議

山ノ内路彦

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2009年10月7日
Electrical Control of the Magnetic Properties in (Ga,Mn)As Channel in Electric Double Layer Transistor 国際会議

遠藤将起

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2009年10月7日
Fine-Grain Power-Gating Scheme of a CMOS/MTJ-Hybrid Bit-Serial Ternary Content-Addressable Memory 国際会議

松永翔雲

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2009年10月7日
ThePerformance of Magnetic Tunnel Junction Integrated on the Back-end Metal Line of CMOS Circuits 国際会議

遠藤哲郎

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2009年10月7日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetics Society Distinguished Lecture for 2009 (Yorktown Heights)　2009年10月6日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetics Society Distinguished Lecture for 2009 (Tallahasse)　2009年10月5日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetics Society Distinguished Lecture for 2009 (Paris)　2009年10月2日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetics Society Distinguished Lecture for 2009 (Grenoble)　2009年10月1日
Magnets of Ferromagnetism in Semiconductors 国際会議

The Royal Society Scientific Discussion Meeting -The Spin on Electronics-　2009年9月28日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetics Society Distinguished Lecture for 2009 (Madrid)　2009年9月25日
Spintronics: Electrical Control of Magnetization 国際会議

10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and nanostructures (ACSIN 10)　2009年9月21日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetics Society Distinguished Lecture for 2009 (York)　2009年9月11日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetics Society Distinguished Lecture for 2009 (Southampton)　2009年9月9日
(Ga,Mn)Sb薄膜における強磁性の電界制御

西谷雄

第70回応用物理学会　2009年9月8日
2DEG移動度100,000cm2V-1s-1を越えるMgZnO/ZnO界面の実現

塚崎敦

第70回応用物理学会　2009年9月8日
CoFe/Pd多層膜電極を用いた垂直MTJのTMR特性に及ぼす強磁性層挿入の影響

水沼広太朗

第70回応用物理学会　2009年9月8日
Fabrication of a Nonvolatile Full Adder Based on Logic-in-Memory Architecture Using Magnetic Tunnel Junctions

松永翔雲

第70回応用物理学会　2009年9月8日
磁気トンネル接合における電流誘起フィールドトルクの直接測定

伊藤顕知

第70回応用物理学会　2009年9月8日
高反平行結合強度を有する積層フェリ構造を用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転

西村真之

第70回応用物理学会　2009年9月8日
銅をベースとした金属・金属導波路テラヘルツ量子カスケードレーザの製作

林宗澤

第70回応用物理学会　2009年9月8日
半導体量子井戸中における核スピンダイナミクスの歪依存性

小野真証

第70回応用物理学会　2009年9月8日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

19th Soft Magnetic Materials Conference (SMM19)　2009年9月6日
Conduction to valence band offset ratio of ZnO/MgZnO Quantum Wells 国際会議

10th International Conference on Intersubband Transitions in Quantum Wells　2009年9月6日
Fabrication of Copper Metal-Metal THz Waveguide by Radio Frequency Sputtering Method 国際会議

10th International Conference on Intersubband Transitions in Quantum Wells　2009年9月6日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetics Society Distinguished Lecture for 2009 (Tuscaloosa)　2009年9月4日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetics Society Distinguished Lecture for 2009 (Argonne)　2009年9月3日
Ferromagnetism in III-V Semiconductors 国際会議

36th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2009)　2009年8月30日
Magnetic Tunnel Junctions: Beyond Nonvolatile Memories 国際会議

Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy Simposium and Summer School (NGC200)　2009年8月10日
不純物ドープ半導体量子井戸中における核スピン緩和時間の電界制御

特定領域「スピン流の創出と制御」研究会　2009年8月9日
Transport properties of double MgO barrier magnetic tunnel junctions with CoFeB electrodes 国際会議

International Conference on Magnetism　2009年7月26日
Effects of annealing temperature on giant tunnel magnetoresistance ratio and tunneling spectroscopy of CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions 国際会議

20th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces　2009年7月20日
SQUID magnetometry of the effect of electric-field on magnetization of (Ga,Mn)As 国際会議

18th Electronic Properties of 2 Dimensional Systems and 14th Modulated Semiconductor Structures　2009年7月19日
Epitaxy and characterization of Co doped ZnO on ZnO substrate 国際会議

18th Electronic Properties of 2 Dimensional Systems and 14th Modulated Semiconductor Structures　2009年7月19日
Optical detection of zero-field spin precession of high mobility two dimensional electron gas in a gated GaAs/AlGaAs quantum well 国際会議

18th Electronic Properties of 2 Dimensional Systems and 14th Modulated Semiconductor Structures　2009年7月19日
Multi pulse operation and optical detection of nuclear spin coherence in a quantum well 国際会議

18th Electronic Properties of 2 Dimensional Systems and 14th Modulated Semiconductor Structures　2009年7月19日
Detection of local electron and nuclear spin dynamics by time-resolved Kerr microscopy 国際会議

18th Electronic Properties of 2 Dimensional Systems and 14th Modulated Semiconductor Structures　2009年7月19日
Fabrication and operation of a metal-metal waveguide GaAs terahertz quantum cascade laser 国際会議

18th Electronic Properties of 2 Dimensional Systems and 14th Modulated Semiconductor Structures　2009年7月19日
Magnetic anisotropy in a ferromagnetic (Ga,Mn)Sb thin film 国際会議

西谷

18th Electronic Properties of 2 Dimensional Systems and 14th Modulated Semiconductor Structures　2009年7月19日
Width and temperature dependences of lithographically induced magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As wires 国際会議

小川(新田研

18th Electronic Properties of 2 Dimensional Systems and 14th Modulated Semiconductor Structures　2009年7月19日
Electric-field control of the anomalous Hall effect in (Ga,Mn)As thin films 国際会議

千葉

18th Electronic Properties of 2 Dimensional Systems and 14th Modulated Semiconductor Structures　2009年7月19日
Two-color pump-probe measurements of intersubband excitonic interactions in GaAs/AlGaAs quantum wells 国際会議

森田健

18th Electronic Properties of 2 Dimensional Systems and 14th Modulated Semiconductor Structures　2009年7月19日
Electric-field manipulation of magnetization vector in (Ga,Mn)As 国際会議

千葉

18th Electronic Properties of 2 Dimensional Systems and 14th Modulated Semiconductor Structures　2009年7月19日
Spin resonance of two dimensional hole system 国際会議

寺岡総一郎

18th Electronic Properties of 2 Dimensional Systems and 14th Modulated Semiconductor Structures　2009年7月19日
Control of Spin States in Semiconductors 国際会議

The 3rd International Symposium on Information Electronics Systems　2009年7月13日
Thermally activated longitudinal optical phonon scattering time of a GaAs/AlGaAs THz quantum cascade laser emitting at 3.8 THz 国際会議

林

14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems　2009年7月13日
Control of Spin States in Semiconductors 国際会議

3rd International Symposium on Information Electronics Systems　2009年7月13日
n-(110)GaAs単一量子井戸における核スピン緩和時間のゲート電圧依存性

第28回電子材料シンポジウム　2009年7月8日
磁性積層構造における逆スピンホール効果の温度異存性

第28回電子材料シンポジウム　2009年7月8日
薄層MgO障壁CoFeB/MgO/CoFeB MTJのTMR特性と構造

第28回電子材料シンポジウム　2009年7月8日
20 Years of III-V DMS – An Introduction 国際会議

5th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH V)　2009年7月7日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

21th Annual Conference on Magnetics and Cross-Strait Magnetism Conference (TAMT), IEEE Magnetic Society Distinguished Lecture for 2009　2009年6月24日
Hybrid CMOS/Magnetic Tunnel Junction Approach for Nonvolatile Integrated Circuits 国際会議

2009 Symposia on VLSI Technology and Circuits　2009年6月15日
32-Mb 2T1R SPRAM with Localized Bi-Directional Write Driver and ‘1’/‘0’ Dual-Array Equalized Reference Cell 国際会議

R. Takemura(Hitachi

2009 Symposia on VLSI Technology and Circuits　2009年6月15日
SPRAM with Large Thermal Stability for High Immunity to Read Disturbance and Long Retention for High-Temperature Operation 国際会議

K.Ono(Hitachi

2009 Symposia on VLSI Technology and Circuits　2009年6月15日
Magnetic Tunnel Junction for Next Generation Intergrated Circuits 国際会議

2009 Advanced Research Workshop, Future Trends in Microelectronics　2009年6月14日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetic Society Distinguished Lecture for 2009　2009年6月8日
Electrical Magnetization Vector manipulation in (Ga,Mn)As 国際会議

Spin-Up 2009　2009年5月31日
Electric-Field Manipulation of Magnetization Direction 国際会議

Frontiers in Nanoscale Science and Technology, Nanoelectronics & Nanophotonics, Spintronics & Quantum Information　2009年5月29日
Electric Field Manipulation of Magnetic Anisotropy in Ferromagnetic Semiconductors 国際会議

IEEE International Magnetics Conference　2009年5月4日
Perpendicular magnetic tunnel junctions with CoFe/Pd multilayer electrodes and MgO barrier 国際会議

IEEE International Magnetics Conference　2009年5月4日
Tunneling spectroscopy of CoFeB/MgO/CoFeB MTJs with ultrahigh TMR ratio 国際会議

IEEE International Magnetics Conference　2009年5月4日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetic Society Distinguished Lecture for 2009 (Danver)　2009年4月23日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetic Society Distinguished Lecture for 2009 (San Diego)　2009年4月22日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetic Society Distinguished Lecture for 2009 (San Jose)　2009年4月21日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetic Society Distinguished Lecture for 2009 (Santa Clara)　2009年4月21日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetic Society Distinguished Lecture for 2009　2009年4月20日
Manipulation of Magnetization Direction by Electric Fields 国際会議

Spin Current 2009(SpinAps)　2009年4月17日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetic Society Distinguished Lecture for 2009 (Carvallis)　2009年4月16日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

IEEE Magnetic Society Distinguished Lecture for 2009 (Sendai)　2009年4月13日
垂直磁化トンネル接合電極としてのCoFe/Pd多層膜の検討

第56回応用物理学会　2009年3月30日
CoFeB/MgO/CoFeB保磁力差型MTJの低RA領域でのTMR特性

第56回応用物理学会　2009年3月30日
高移動度2次元電子の内部有効磁場によるスピン歳差運動の光学検出

第56回応用物理学会　2009年3月30日
不純物ドープ半導体量子井戸中における核スピン緩和時間の電界制御

第56回応用物理学会　2009年3月30日
(Ga,Mn)As薄膜における強磁性転移温度の電界制御

第56回応用物理学会　2009年3月30日
(Ga,Mn)Asの異常ネルンスト効果

第56回応用物理学会　2009年3月30日
(Ga,Mn)As中の磁壁の磁場誘起クリープ

第56回応用物理学会　2009年3月30日
(Ga,Mn)Sbの低温MBE成長と磁気特性評価

第56回応用物理学会　2009年3月30日
Electric-Field Manipulation of Magnetization Vector Direction 国際会議

American Physical Society, March Meeting　2009年3月16日
不揮発性論理素子実現のための課題

科学技術未来戦略ワークショップ「次世代を拓くナノエレクトロニクス」　2009年3月9日
n-GaAs/AlGaAs量子井戸構造における核スピンの量子ゲート操作とその光検出

特定領域研究会「スピン流の創出と制御」　2009年1月7日
Ferromagnetic III-V Semiconductors: Electrical Manipulation of Magnetism and Magnetization 国際会議

Twenty Years of Spintronics Retrospective and Perspective　2008年12月8日
Electrical Control of Magnetism and Magnetization 国際会議

D. Chiba

Magnetic Single Nano-Object International School and Workshop (M-SNOW)　2008年11月23日
Electrical Manipulation of Magnetization Vector 国際会議

Asian Conf. on Nanoscience and Nanotechnology (AsiaNano)　2008年11月3日
Exploring Ferromagnetism in III-V Semiconductors 国際会議

23rd Nishinomiya-Yukawa Memorial Int. Workshop, Spin Transport in Condensed Matter (STCM)　2008年10月27日
Electric-Field Munipulation of Magnetization Vector -Toward Electric-Field Reversal- 国際会議

D. Chiba

CNSI-RIEC Workshop on Nanoelectronics, Spintronics and Photonics　2008年10月9日
Magnetic Tunnel Junction for Next Generation Integrated Circuits 国際会議

4th Taiwan Int. Spintronics Conf. on Spintronics (TICSpin)　2008年10月2日
Electric-field manipulation of magnetization vector - Toward electric-field reversal- 国際会議

The 4th Taiwan International Conference on Spintronics　2008年10月2日
Current-induced Magnetization Switching for Next Generation Integrated Circuits 国際会議

SPINSWITCH Workshop "Spin Momentum Transfer"　2008年9月3日
Current Induced Magnetic Domain Wall Creep in Semiconductors 国際会議

9th Int. Symp. on Foundations of Quantum Mechanics, In the Light of New Technology (ISQM-TOKYO 08)　2008年8月25日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

Seminar on Magnetic Semiconductors　2008年8月15日
Electrically driven domain wall in (Ga,Mn)As 国際会議

SPIE Optics + Photonics 2008, Nano Science + Engineering　2008年8月10日
Ferromagnetic III-V Semiconductors Physics and Material Science 国際会議

5th Int. Conf. on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS V)　2008年8月3日
Control of Spins in Semiconductor Structures 国際会議

2nd Int. Symp. on Information Electronics Systems　2008年7月14日
Control of Spins in Semiconductor Structures 国際会議

2nd International Symposium on Information Electronics Systems　2008年7月14日
Ferromagnetic Semiconductors - Physics and Material Science 国際会議

Summer School of Advanced Functional Materials　2008年7月8日
Spintronics: Nanoscience and Nanoelectronics 国際会議

UCSB Seminar　2008年5月29日
Ferromagnetic III-V Semiconductors 国際会議

CNSI/FENA Seminar　2008年5月27日
Domain Wall in (Ga,Mn)As 国際会議

Workshop on Spin and Charge Transport in Nanostructures(SPINOR2008)　2008年5月14日
Spin Manipulation in Semiconductors and Metals 国際会議

IEEE International Magnetic Conference (INTERMAG08)　2008年5月4日
Electrical Manipulation of Magnetic Properties in (Ga,Mn)As 国際会議

D. Chiba

Workshop on Recent Advances of Low Dimensional Structures and Devices (WRA-LDSD)　2008年4月7日
Coherent Control of Nuclear Spins in GaAs Quantum Wells

NIMS&東工大合同シンポジウム「凝縮系の超高速現象とコヒーレント制御」　2008年2月21日
Spin Current-Induced Domain Wall Motion in (Ga,Mn)As 国際会議

11th Sanken International Symposium, Sanken Nanotech Symposim, Sanken MSTEC Symposium　2008年2月4日
Ferromagnetic III-V Semiconductors 国際会議

International Workshop and Conference on Photonics and Nanotechnology (ICPN)　2007年12月16日
University-Classes Domain Wall Creep Motion in (Ga,Mn)As 国際会議

International Symposium, the Winter Conference of Korean Magnetic Society　2007年12月6日
Ferromagnetic Semiconductors for Spintronics 国際会議

9th Northeastern Asian Symposium on Advanced Material　2007年12月5日
Spin-current induced dynamics in a ferromagnetic semiconductor domain wall 国際会議

3rd Seeheim Conference on Magnetism　2007年8月26日
Ferromagnetism in III-V semiconductors 国際会議

10th Asia Pacific Physics Conference (APPC10)　2007年8月21日
半導体スピントロニクスの全て

第45回茅コンファレンス -最近のスピン科学とスピン技術-　2007年8月19日
Spin-current induced domain wall creep motion in ferromagnetic semiconductors 国際会議

1st WUN INternational Conference on Spintronic Materials and Technology (WUN-SPIN07)　2007年8月7日
Ferromagnetism in III-V semiconductors 国際会議

1st NIMS Conference on Recent Breakthroughts in Materials Science and Technology　2007年7月11日
Materials science and physics of ferromagnetism in semiconductors 国際会議

12th International Conference on Intergranular and Interphase Boundaries in Materials (IIB2007)　2007年7月10日
スピントロニクス -材料からデバイス・回路へ-

電子情報通信学会　2007年6月29日
Spin-current induced dynamics in ferromagnetic semiconductor structures 国際会議

4th International School and Conference on Spintronics and Quantum Inoformation Technology (SPINTECH IV)　2007年6月17日
Spin-Current Induced Dynamics in Ferromagnetic Semiconductor Structures 国際会議

4th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH IV)　2007年6月17日
Ferromagnetism in semiconductors 国際会議

International Center for Quantum Structures Workshop on Nanomagnetism and Spintronics (ICQS)　2007年6月14日
Manipulation of magnetism and magnetization in ferromagnetic semiconductors 国際会議

International Center for Quantum Structures Workshop on Nanomagnetism and Spintronics (ICQS)　2007年6月11日
The world of spintronics 国際会議

International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA)　2007年5月28日
Domain wall motion in (Ga,Mn)As induced by spin-polarized current 国際会議

Research Center for Spin Dynamics and Spin-Wave Devices Workshop　2007年5月25日
Spin spin-current induced domain wall dynamics in ferromagnetic semiconductors 国際会議

M. Yamanouchi, D. Chiba, T. Dietl, F. Matsukura, J. Ieda, S. Maekawa, S. Barnes

CERC International Symposium, Highlights and Perspectives of Correlated Electron Systems - From Physics to Applications　2007年5月22日
Control of magnetizaion in ferromagnetic semiconductors by spin-current 国際会議

Frontiers in Nanoscale Science and Technology Workshop(FNST2007)　2007年3月29日
Spin current induced dynamics in ferromagnetic semiconductors 国際会議

UK-Japan Workshop on Advance Materials　2007年2月27日
Spin-current effects observed by current-induced domain wall motion in (Ga,Mn)As 国際会議

ATI and IFCAM International Workshop on Spin Current　2007年2月19日
Recent development in magnetic tunnel junctions for magnetic random access memories and beyond 国際会議

SEMICON KOREA 2007　2007年1月31日
Spintronics -From materials to circuits 国際会議

The 1st JUNBA Symposium on Nanomaterial Science　2007年1月11日
Giant tunnel-magnetoresistance in rf-sputter deposited CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions 国際会議

International Symposium, the Winter Conference of Korean Magnetic Society　2006年11月23日
MgO-based Magnetic Tunnel Junctions for Spin-Injection Magnetic Random Access Memories 国際会議

International Workshop on New Non-Volatile Memory　2006年11月20日
Ferromagnetic Semiconductor Spintronics 国際会議

Japan-German Joint Workshop 2006　2006年10月30日
Spin Current in Ferromagnetic Semiconductor Structures 国際会議

The Semiconductor Spintronics Workshop　2006年10月12日
Current Induced Domain Wall Motion in (Ga, Mn)As 国際会議

International Workshop on Spin Transfer 2006 (IWST)　2006年10月2日
Physics of Current-induced Domain Wall Motion in a Ferromagnetic Semiconductor (Ga, Mn)As 国際会議

Workshop on Current Trends in Nanoscopic and Mesoscopic Magnetism　2006年9月6日
Physics and Materials of Spintronics with Semiconductors 国際会議

4th International Conference on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-IV)　2006年8月15日
Integrating Spins in Electronics 国際会議

Device Research Conference　2006年6月26日
Ferromagnetic III-V Semiconductors: Progress and Prospects 国際会議

III Joing European Magnetic Symposia　2006年6月26日
Ferromagnetic III-V Semiconductors 国際会議

International Conference on Modern Materials & Technologies (CIMTEC)　2006年6月4日
Electrical Manipulation of Magnetization in Ferromagnetic III-V Semiconductors 国際会議

Spintronics Workshop　2006年5月8日
Magnetization manipulation in ferromagnetic semiconductors 国際会議

Bio Nano Robo Seminar Series　2006年4月27日
Interaction between spin polarized current and localized spins in ferromagnetic semiconductors 国際会議

KITP Conference of Spintronics　2006年3月20日
Progress and porspects of spintronics 国際会議

15th International Conference on Ternary and Multinary Compounds　2006年3月6日
Domain wall motion induced by electrical current in (Ga,Mn)As 国際会議

International Symposium on Mesoscopic Superconductivity and Spintronics 2006 (MS+S2006)　2006年2月27日
Current induced domain wall motion in ferromagnetic semiconductors 国際会議

14th International Winterschool on New Developments in Solid State Physics, Charges and spins in nanostructures: basics and devices　2006年2月13日
Physics of ferromagnetic in semiconductors and their Heterostructures (I), (II) 国際会議

Workshop on Mesoscopic and Spin Physics 2006　2006年1月5日
Electrical control of domain wall motion in ferromagnetic semiconductors 国際会議

50th Magnetism and Magnetic Materials Conference　2005年10月30日
Electrical Magnetism and Magnetization Manipulation in Ferromagnetic Semiconductor Heterostructures 国際会議

D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura

2005 Workshop on Materials with Novel Electronic Properties　2005年9月26日
Mid-infrared InAs/AlGaSb quantum cascade lasers 国際会議

K. Otani

20th Congress of International Commission for Optics, Challenging Optics in Science and Technology (ICO20)　2005年8月21日
Electrical Manipulation of Domain Walls in Semiconductors 国際会議

Advanced Study Institute-Science and Application of Spin Electronics　2005年8月15日
Ferromagnetic Semiconductors for Spintronics 国際会議

The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23)　2005年7月24日
Synthesis, Properties and Functionalities of Ferromagnetic Semiconductors 国際会議

13th European Physical Society 2005　2005年7月10日
Electrical Magnetization Manipulation in Semiconductors 国際会議

3rd International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005)　2005年7月3日
Spin-based Electronics 国際会議

1st International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation　2005年6月1日
InAs/AlSb quantum cascade lasers 国際会議

K. Otani

Conference on Lasers and Electro-Optics Quantum Electronics and Laser Science Conference (CLEO/QELS 2005)　2005年5月22日
High Temperature Ferromagnetism in Semiconductors: Issues 国際会議

AFOSR Wide Band Gap Ferromagnetic Semiconductors Workshop　2005年5月15日
Magnetization Manipulation in Ferromagnetic Semiconductor Structures 国際会議

Int. Workshop on Nanoscale Fluctuations in Magnetic and Superconducting Systems　2005年5月10日
Mid-infrared InAs-based quantum cascade lasers 国際会議

K. Otani

17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2005)　2005年5月8日
Magnetization reversal in ferromagnetic semiconductor structures 国際会議

Japan – Sweden International Workshop on Quantum Nano Physics and Electronics　2005年4月7日
Current Induced Magnetization Reversal in Semiconductors 国際会議

M. Yamanouchi, F. Matsukura

International Magnetics Conference, "INTERMAG2005"　2005年4月4日
Electrical Control of Magnetization in Semiconductors 国際会議

2005 March Meeting of the American Physical Society　2005年3月21日
Ferromagnetic III-V Semiconductors Spintronics 国際会議

Deutsche Physikalsche Gesellschaft (German Physical Society)　2005年3月4日
Electrical Magnetization Control in Semiconductors 国際会議

32nd Conf. on Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-32)　2005年1月23日
Electrical magnetization control in ferromagnetic semiconductors 国際会議

The 2004 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD 2004)　2004年12月8日
Electrical Magnetization reversal in ferromagnetic semiconductors 国際会議

Australia-Japan Workshop　2004年12月6日
Magnetic Semiconductor Spintronics 国際会議

13th Semi-conducting and iusulating Materials Conference (SIMC-XIII-2004)　2004年9月20日
Electrical Manipulation of Magnetization in Ferromagnetic Semiconductors 国際会議

31st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2004)　2004年9月12日
Magnetism and Magnetization Manipulation in Semiconductors 国際会議

Gordon Research Conference: Magnetic Nanostructures　2004年8月22日
Electrical Magnetization Reversal in Ferromagnetic Semiconductor Structures 国際会議

4th IEEE Conference on Nanotechnology　2004年8月16日
Ferromagnetism in III-V and III-N Semiconductors 国際会議

International Workshop on NItride Semiconductors, IWNS 2004　2004年7月19日
Manipulation of magnetism in semiconductors 国際会議

1st Taiwan International Conference on Nanoscience and Technology　2004年6月30日
Electrical manipulation of magnetization in semiconductors 国際会議

12th International Conference on Solid Films and Surfaces, ICSFS-12　2004年6月21日
Electrical manipulation of magnetism in ferromagnetic semiconductors 国際会議

International Conference on Nanospintronics Design and Realization, ICNDR 2004　2004年5月24日
Manipulation of ferromagnetism in magnetic semiconductors 国際会議

International Symposium on Mesoscopic Superconductivity and Spintronics MS+S2004　2004年3月1日
Ferromagnetic Semiconductor Materials and Devices for Spintronics 国際会議

9th Joint MMM-Intermag Conference, MMM2004　2004年1月5日
Elecrrical manipulation of ferromagnetism in magnetic semiconductors 国際会議

Aspen Winter Conference 2004-Spins in Nanostructures: From Atoms and Quantum Dots to Magnets　2004年1月4日
Spintronics Based on Ferromagnetic Semiconductors 国際会議

3rd International Conference on Advanced Materials and Devices ICAMD2003　2003年12月10日
Ferromagnetic Semiconductor Spintronic Devices 国際会議

New Phenomena in Mesoscopic Systems 6 and Surfaces and Interfaces in Mesoscopic Devices 4, NPMS6-SIMD4　2003年11月30日
Ferromagnetic Semiconductor Spintronic Materials and Devices 国際会議

International Symposium on Clusters and Nano-Assemblies: Physical and Biological Systems, ISCANA 2003　2003年11月10日
Semiconductor Spintronics 国際会議

1st Student-organizing International Mini-Conference on Information Electronics System　2003年11月4日
Spintronic Semiconductor Materials and Devices 国際会議

International Symposium on Photonics and Spintronics in Semiconductors Nanostructures, PSSN 2003　2003年11月2日
Spintronics by Ferromagnetic Semiconductors 国際会議

International Union of Materials Reserach Societies - International Conference on Advanced Materials IUMRS-ICAM 2003　2003年10月8日
Type-II InAs-based Quantum Cascade Lasers 国際会議

Int. Conf. on Solid State Devices and Materials　2003年9月16日
Ferromagnetic III-V Semiconductor Materials and Devices 国際会議

24th Riso Int. Symp. on Materials Science　2003年9月10日
Semiconductor Spintronics 国際会議

2nd Int. Conf. on Semiconductor Spintronics and Quantum Information Technology, SPINTECH II　2003年8月4日
Ferromagnetic Semiconductor Heterostructures 国際会議

Int. Conf. on Magnetism (ICM2003)　2003年7月27日
Properties and Manipulation of Ferromagnetism in III-V Semiconductors 国際会議

Int. Conf. on Magnetism (ICM2003)　2003年7月27日
Manipulation of Spins in Semiconductors 国際会議

8th Int. Symp. on Advanced Physical Fields　2003年1月14日
Ferromagnetism in III-V Semiconductor Heterostructures 国際会議

the WE-Heraus Seminar on Frontiers in Nanomagnetism　2003年1月6日
Ferromagnetism and Spintronics in Semiconductors 国際会議

Materials Research Society 2002 Fall Meeting　2002年12月2日
Manipulation of Spin States in Semiconductors 国際会議

6th Symp. on Spin-Charge-Photon(SCP) Coupled Systems　2002年11月18日
Ferromagnetic Semiconductors for Spintronic Heterostructures 国際会議

Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (APSIAC '02)　2002年10月1日
Molecular Beam Epitaxy and Properties of Ferromagnetic III-V Semiconductors 国際会議

12th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy (MBE XII)　2002年9月15日
Ferromagnetic Semiconductor Spintronics 国際会議

26th Int. Conf. on Physics of Semiconductors (ICPS2002)　2002年7月29日
Manipulation of Ferromagnetism in Magnetic Semiconductor Field Effect Transistors 国際会議

Device Research Conference　2002年6月24日
Magnetic semiconductors and manipulation of spin states 国際会議

The 8th Int. Conf. on Electronic Materials(IUMRS-ICEM2002)　2002年6月10日
49.H. Ohno, "Semiconductor Spintronics Using Ferromagnetic Semiconductor Heterostructures," 国際会議

Intermag Europe 2002　2002年4月28日
48.H. Ohno, "Spin-dependent Phenomena in Ferromagnetic Semiconductor Heterostructures," 国際会議

The 17th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces　2002年3月5日
47.H. Ohno, "Manipulation of Ferromagnetism in Semiconductors," 国際会議

Mesoscopic Superconductivity and Spintronics 2002 (MS S 2002)　2002年3月4日
46.H. Ohno, "Manipulation of Ferromagnetism and Spin-dependent Phenomena in Semiconductors," 国際会議

The 28th International Symposium on Compound Semiconductors 2001　2001年10月1日
44.H. Ohno, "Ferromagnetic Semiconductors for Spintronics," 国際会議

The First Joint European Magnetic Symposia (JEMS01)　2001年8月28日
45.H. Ohno, "Electric Field Control of Ferromagnetism in Semiconductors," 国際会議

The 2001 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2001)　2001年8月28日
43.H. Ohno, "Ferromagnetism in III-V Semiconductors," 国際会議

The ERATO-JST Mini-Symposium on Quantum Computing: Priciples and Implementations　2001年8月24日
42.H. Ohno, "Polarization, Transport and Manipulation of Spins in Semiconductors," 国際会議

Spintronics 2001 (International Conference on Novel Aspects of Spin-Polarized Transport and Spin Dynamics)　2001年8月9日
41.H. Ohno, "Ferromagnetic/nonmagnetic III-V Semiconductor Structures," 国際会議

The 2nd Stig Lundqvist Research Conference on the Advancing Frontiers in Condensed Matter Physics: "Non-Conventional Systems and New Directions"　2001年7月2日
40.H. Ohno, "Spin Manipulation in Ferromagnetic Semiconductor Structures," 国際会議

The 4th Swedish-Japanese Quantum Nanostructure Workshop　2001年6月14日
39.H. Ohno, "Spin Manipulation in Ferromagnetic/Nonmagnetic Semiconductor Heterostructures," 国際会議

The 1st International Conference and School on Spintronic and Quantum Information Technology (SPINTECH-I)　2001年5月13日
38.H. Ohno, "Spin Manipulation in Ferromagnetic Semiconductor Heterostructures," 国際会議

The 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics　2001年4月22日
37.H. Ohno, "Ferromagnetic/Nonmagnetic Semiconductor Heterostructures," 国際会議

2001 March Meeting of The American Physical Society　2001年3月12日
36.H. Ohno, "Ferromagnetic III-V Semiconductors for Spintronics," 国際会議

2001 March Meeting of The American Physical Society　2001年3月11日
35.H. Ohno, "Electrical Spin Injection from Ferromagnetic Semiconductors," 国際会議

The 8th Joint MMM-Intermag Conference　2001年1月7日
34.H. Ohno, "Magnetic Semiconductor Heterostructures for Spintronics," 国際会議

4th International Workshop on Quantum Functional Devices　2000年11月15日
33.H. Ohno, "Spin-dependent Phenomena in Ferromagnetic/Nonmagnetic Semiconductor Structures," 国際会議

Japanese-German Symposium on Nanotechnology　2000年10月29日
32.H. Ohno, "Polarization, injection and relaxation of spins in magnetic/nonmagnetic III-V heterostructures," 国際会議

The 8th NEC Symposium on Fundamental Approaches to New Material Phases – Spin-related Quantum Transport in Mesoscopic Systems　2000年10月22日
31.H. Ohno, "Ferromagnetism and Spin Related Phenomena in Semiconductor Heterostructures," 国際会議

American Vacuum Society 47th International Symposium　2000年10月2日
30.H. Ohno, "Magnetism and Heterostructures of (Ga,Mn)As," 国際会議

The 14th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics　2000年9月24日
29.Y. Ohno, R. Terauchi, T. Adachi, F. Matsukura, and H. Ohno, "Probing and controlling spin-relaxation in semiconductor heterostructures," 国際会議

25th International Conference on Physics of Semiconductors　2000年9月17日
28.Y. Ohno, D. K. Young, B. Beschoten, F. Matsukura, H. Ohno, and D. D. Awschalom, "Spin-polarized Current Injection in Ferromagnetic Semiconductor Heterostructures," 国際会議

Solid State Devices and Materials 2000　2000年8月29日
27.H. Ohno, "Ferromagnetic Heterostructures for Semiconductor Spintronics," 国際会議

8th Asia Pacific Physics Conference　2000年8月7日
26.H. Ohno, "Ferromagnetism and Heterostructures of Magnetic III-V Semiconductors," 国際会議

Electronic Structure and Magnetism in Complex Materials　2000年7月26日
25.F. Matsukura and H. Ohno, "Manganese Based Ferromagnetic III-V Semiconductors," 国際会議

Symposium on Spin Electronics　2000年7月2日
24.H. Ohno, "Ferromagnetic III-V Heterostructures," 国際会議

27th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces　2000年1月16日
23.H. Ohno, "Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As," 国際会議

Frontiers in Magnetism　1999年8月12日
22.H. Ohno, "Ferromagnetism and Heterostructures of III-V Magnetic Semiconductors," 国際会議

13th International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems　1999年8月1日
21.H. Ohno, "Magnetism and Transport Properties of Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As," 国際会議

The Fall 1998 Materials Resaerch Society Meeting　1998年11月30日
20.H. Ohno, "Spin-Dependent Tunneling and Magnetic Properties of Ferromagnetic (Ga,Mn)As," 国際会議

43rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　1998年11月9日
19.H. Ohno, "Spin-Dependent Phenomena in Semiconductor Heterostructures," 国際会議

International Workshop on Physics and Applications of Semicondcutor Quantum Structures　1998年10月18日
18.H. Ohno, "Spin Dependent Phenomena in Magnetic and Non-Magnetic III-V's," 国際会議

International Conference on Solid State Devices and Materials　1998年9月7日
17.H. Ohno, "III-V Based Ferromagnetic Semiconductors," 国際会議

Fourth International Symposium on Physics of Magnetic Materials　1998年8月23日
16.H. Ohno, “Ferromagnetic III-V Semiconductors and their Heterostructures” 国際会議

24th International Conference on Physics of Semiconductors　1998年8月2日
15.H. Ohno, “Ferromagnetism and Heterostructures of (Ga,Mn)As,” 国際会議

FED-PDI Joint Conference on 21st Century Electron Devices　1998年6月29日
14.H. Ohno, ”Magnetotransport and Magnetic Properties of (Ga,Mn)As and Its Heterostructures” 国際会議

XXVII International School on Physics of Semiconducting Compounds　1998年6月7日
12.H. Ohno, “Spin Dependent Transport in Ferromagnetic (Ga,Mn)As” 国際会議

1998 March Meeting of The American Physical Society　1998年3月16日
13.H. Ohno, “Spin and Charge Transport in III-V Magnetic Semiconductors” 国際会議

JSPS Asian Science Seminar on Physics and Control of Defects in Semiconductors　1998年3月15日
11.H. Ohno, “Properties of Ferromagnetic (Ga,Mn)As” 国際会議

2nd Gordon Research Conference on Magnetic Nanostructures　1998年1月25日
10.H. Ohno, “Carrier Induced Ferromagnetism in Diluted Magnetic Semiconductors” 国際会議

The Second BUTSUKO Symposium Spin-Charge-Photon Coupled Systems　1997年11月25日
9.H. Ohno, “Origin of Ferromagnetism in (Ga,Mn)As” 国際会議

Japanese-Polish Symposium on Diluted Magnetic Semiconductors　1997年9月11日
8.H. Ohno, “Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As for Semiconductor Spin Electronics” 国際会議

JRCAT Workshop on Phase Control of Colossal Magnetoresistive Oxides　1997年6月25日
7.H. Ohno, “Mn-based III-V Diluted Magnetic (Semimagnetic) Semiconductors,” 国際会議

International Workshop on Semimagnetic (Diluted Magnetic) Semiconductors　1994年9月28日
6.H. Ohno, “Inter-Subband Population Inversion in Tunneling Heterostructures,” 国際会議

The 3rd International Union of Materials Research Society International Conference on Advanced Materials　1993年8月31日
5.H. Ohno, "Diluted Magnetic III-V Semiconductors and Its Transport Properties," 国際会議

The 9th International Conference on Ternary and Multinary Compounds　1993年8月8日
4.H. Ohno, E.E. Mendez, A. Alexandrou, and J.M. Hong, "Tamm States in Superlattices," 国際会議

The 5th International Conference on Modulated Semiconductor Structures　1991年7月8日
3.H. Ohno, "Tamm States in Superlattices," 国際会議

1991 March Meeting of The American Physical Society　1991年3月18日
2.H. Ohno, H. Munekata, S. von Molnar, and L.L. Chang, "New Diluted Magnetic III-V Semiconductors," 国際会議

35th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　1990年10月29日
1.H. Ohno, J. Barnard, C.E.C. Wood, L. Rathbun and L.F. Eastman, "Double Heterojunction GaInAs Devices by MBE," 国際会議

1980 International Electron Device Meeting　1980年12月8日

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産業財産権 37

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ

大野英男, 池田正二, 松倉文礼, 遠藤将起, 金井駿, 山本浩之, 三浦勝哉

産業財産権の種類: 特許権
磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ

池田正二, 大野英男, 山本浩之, 伊藤顕知, 高橋宏昌

産業財産権の種類: 特許権
共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ

大野英男

産業財産権の種類: 特許権
量子カスケードレーザ

森安嘉貴, 大野英男, 大谷啓太

産業財産権の種類: 特許権
磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ

大野英男, 池田正二, 早川純

産業財産権の種類: 特許権
半導体集積回路装置及びその製造方法

羽生貴弘, 望月明, 白濱弘勝, 三浦成友, 大野英男

産業財産権の種類: 特許権
磁気デバイスの製造方法、及び磁気デバイスの製造装置

小野一修, 大野英男, 池田正二

産業財産権の種類: 特許権
磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ

大野英男, 池田正二, 李永珉, 早川純

産業財産権の種類: 特許権
磁気デバイスの製造方法、及び磁気デバイスの製造装置

小野一修, 大野英男, 池田正二

産業財産権の種類: 特許権
磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ

大野英男, 池田正二, 早川純

産業財産権の種類: 特許権
トランジスタおよび電子デバイス

西井潤弥, 大友明, 大谷啓太, 川崎雅司, 大野英男

産業財産権の種類: 特許権
低消費電力磁気メモリ及び磁化情報書き込み装置

早川純, 大野英男

産業財産権の種類: 特許権
混晶二酸化チタン、多層膜構造体、及び素子構造

川崎雅司, 豊崎秀海, 山田康博, 大野英男, 松倉文礼

産業財産権の種類: 特許権
コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法、コバルトドープ二酸化チタン膜、及び多層膜構造

川崎雅司, 大野英男

産業財産権の種類: 特許権
電流注入磁壁移動素子

大野英男, 松倉文礼, 千葉大地, 山ノ内路彦

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス

杉原利典, 大野英男

産業財産権の種類: 特許権
ツェナートンネル効果を用いた半導体発光素子

大野英男, 大谷啓太

産業財産権の種類: 特許権
トランジスタの製造方法

原猛, 大野英男

産業財産権の種類: 特許権
アクティブマトリクス基板およびその製造方法

藤田達也, 大野英男

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置およびその製造方法

藤田達也, 大野英男

産業財産権の種類: 特許権
InAs/AlSb量子カスケードレーザー及びその作製方法

大野英男, 大谷啓太

産業財産権の種類: 特許権
III-V族強磁性半導体とその製造方法

大野英男, 白井正文, 松倉文礼, 千葉大地

特許第3817204

産業財産権の種類: 特許権
不揮発性固体磁気メモリ、不揮発性固体磁気メモリの保磁力制御方法、及び不揮発性固体磁気メモリの記録方法

大野英男, 松倉文礼, 千葉大地

産業財産権の種類: 特許権
不揮発性固体磁気メモリの記録方法

大野英男

産業財産権の種類: 特許権
不揮発性固体磁気メモリの記録方法

大野英男, 松倉文礼, 千葉大地

特許第3932356

産業財産権の種類: 特許権
強磁性半導体素子、強磁性半導体のスピン分極方法

大野英男, 松倉文礼, 篁耕司

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置およびそれを用いる表示装置

川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社

産業財産権の種類: 特許権
スピンフィルタ

大野英男, 大谷啓太

特許第3834616

産業財産権の種類: 特許権
閃亜鉛鉱型CrSb、閃亜鉛鉱型CrSbの製造方法、及び多層膜構造

大野英男, 松倉

3849015

産業財産権の種類: 特許権
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置

川崎雅司, 大野英男

産業財産権の種類: 特許権
スピン偏極伝導電子生成方法および半導体素子

大野英男, 松倉文礼

特許第3284239

産業財産権の種類: 特許権
核スピン制御素子及びその制御方法

大野英男, 大野裕三, 岸本修也

特許第3427179

産業財産権の種類: 特許権
サブバンド間発光素子

大野英男, 大谷啓太

特許第3412007

産業財産権の種類: 特許権
半導体デバイス

川崎雅司, 大野英男

産業財産権の種類: 特許権
量子閉じ込め構造を有する素子

大野英男, 大野裕三

特許第3438020

産業財産権の種類: 特許権
半導体光集積回路

秋永広幸, 大野英男

産業財産権の種類: 特許権
トランジスタ及び半導体装置

川崎雅司, 大野英男

産業財産権の種類: 特許権

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共同研究・競争的資金等の研究課題 35

スピントロニクスを用いた人工知能ハードウェアパラダイムの創成

大野英男, 遠藤哲郎, 鈴木大輔, 佐藤茂雄, 堀尾喜彦, 深見俊輔

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

研究機関：Tohoku University

2017年4月25日～ 2022年3月31日

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本研究課題は、人工知能（AI）ハードウェアパラダイムの創成を念頭に、不揮発性スピン素子を用いたAIハードウェアとしての集積回路を設計実現することを目指して進めてきた。当初の計画に従い、３つの主要課題、①AIコンピューティングハードウェア向けスピントロニクス素子の開拓、②ノイマン型AIコンピューティングハードウェアの実現、③非ノイマン型AIコンピューティングハードウェアの実現、に対して研究を進めた。 ①については、アナログスピントロニクス素子のダイナミクスを利用することでスパイクタイミング依存可塑性やリーキー・インテグレート・アンド・ファイアなどの非ノイマン型ニューラルネットワークで必要とされるニューロン、シナプスの特性をスピン素子で再現できることなどが分かった。その他、反強磁性/強磁性ヘテロ構造におけるジャロシンスキー・守谷相互作用やスピン軌道トルクなどを評価し、人工知能ハードウェア応用に向けた有用な知見を得た。②については、基本回路の検討、ならびにハードウェアアルゴリズム検討のためのプラットフォーム構築に取り組み、スピン素子ベース多機能・再構成可能演算回路の設計や学習アルゴリズム評価のためのプラットフォーム構築などを進めノイマン型AIハードウェア実現の土台を形成した。③については、非ノイマン型・脳型コンピューティングアーキテクチャの検討、アナログスピンシナプス特性を考慮した学習則、アナログスピンメモリ素子を組み込んだアナログニューラルネットワーク集積回路の構築に向けた詳細な検討を行った。
InAs量子カスケードレーザの次元性の制御とその効果

大野英男, 大谷啓太, 林宗澤, ベルムバーリックモハッマド, 佐藤啓貴

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2007年～ 2009年

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InAs中赤外量子カスケードレーザ(QCL)の磁場によるキャリアの閉じ込め効果を調べるために、量子井戸の面内に平行方向、及び垂直方向に磁場を印加し、特性を評価した。磁場を面内垂直方向に印加すると、ランダウ準位形成により閾値電流密度が減少した。一方で面内平行方向では閾値電流密度は変化せず、スロープ効率のみが増加するという特異な振る舞いを観測した。又テラヘルツ(THz)帯においても磁場の効果を調べるため、GaAs THz QCLを開発した。加えてTHz帯で高性能化が期待できるZnO量子井戸においてサブバンド間遷移を初めて観測した。
InAs量子カスケードレーザーの高性能化に関する研究

大野英男, 大谷啓太

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2005年～ 2006年

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本研究ではInAs量子カスケードレーザーの活性領域におけるバンド構造と電気・光学特性の関係を明らかにすると同時に、どのように構造設計すれば特性の向上につながるかを理論、実験の両面から検討を行い、レーザーの高性能化を進めた。具体的には1.低温低閾値電流密度化、2.室温動作化、3.室温高出力化、及び4.高温動作を目指した。以下にその成果の概要を示す。 1.低温低或閾値電流密度化振動子強度の大きいInAs/Al_<0.2>Ga_<0.8>Sb超格子構造を用いて、0.4kA/cm^2というこれまで報告されている最低閾値電流密度(液体窒素温度)に近い電流密度を実現した。又観測された発振波長(10.1μm)は設計値とほぼ一致した。 2.室温動作化熱活性型のフォノン散乱による励起サブバンドへの注入効率の減少を抑えるために、励起サブバンドの波動関数が局在した発光層構造を用い室温パルス発振に成功した。このとき観測された室温(300K)における閾値電流密度は12kA/cm^2であり、発振波長は8.9μmで設計値にほぼ一致した。又最高動作温度は305Kであった。 3.室温高出力化注入層のドーピング濃度を増大させ、注入電流のダイナミックレンジを増大させることで、室温においてピーク出力100mW以上の高出力化に成功した(発振波長12μm)。又室温における閾値電流密度を4.OkA/cm^2まで低減させることに成功した。観測された最高動作温度は340Kであった。 4.高温動作化発光層として結合量子井戸を用いた構造に注目し構造と利得係数及び最高動作温度の関係について調べた結果、利得係数が最大となる構造で最高動作温度+100℃を実現した。このとき観測された発振波長は6μmで、閾値電流密度は15.5kA/cm^2であった。
半導体ナノスピントロニクス

宗片比呂夫, 田中雅明, 伊藤公平, 勝本信吾, 白井正文, 大野英男

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

研究機関：Tokyo Institute of Technology

2002年～ 2006年

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本領域が主催するオープンな国際会議「半導体中のスピンが関連する現象とその応用に関する国際会議」(会議議長:宗片)(英語名:Intrn'l Conf.Phys.Appl.Spin-Related Phenomena in Semiconductors ; PASPS)を、2006年8月15日から18日の4日間、仙台市国際センターで実施した。本研究領域が中心となって得られた研究成果を世界に発信するとともに、物性物理学や電子工学において重要な研究分野と国際的に認知されつつあるスピントロニクスにおけるわが国の先導的な立場をあらためて強固にしつつ、世界の理工学に貢献した。半導体中のスピン関連現象は、様々な構造において異なる形で現れる。それらは、非磁性半導体や磁性半導体あるいは関連のナノ構造におけるスピンと電荷の間の相互作用であり、電荷移動を伴わないスピンの伝播や蓄積、ホール効果、局在・非局在キャリア系におけるスピン位相の保存と破壊など、スピンを活用する素子の実現にとって極めて重要な問題を多く含んでいる。本会議では、これらを解き明かすべき共通の諸問題と位置づけた上で、スピン依存光学遷移、スピン依存電気伝導、スピン制御と位相、同位体スピン、スピントロニクス材料とその理論、スピン電子デバイス・スピン光デバイスとその応用、量子情報処理におけるスピン、などに関する最先端の研究成果144件を、19カ国から201名の参加者を得て検討した。会議録は学術雑誌physica status solidi(c)から出版された。さらに、2006年12月14,15日には「半導体スピン工学」研究会を東大・物性研究所で開催し、わが国における半導体スピントロニクス研究の基盤の更なる強化と本領域の今後の発展について、現状と展望を交えて検討した。
磁性/非磁性半導体量子構造におけるスピン注入とスピン制御

大野裕三, 大野英男, 松倉文礼, 大谷啓太

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2002年～ 2004年

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本研究では,(1)磁性/非磁性半導体量子構造の設計と形成を行い,(2)磁性/非磁性半導体量子構造におけるキャリア,核,励起子,磁性イオンなどのスピンを電気的または光学的に制御し、それらの相互作用の制御及びその結果もたらされる光・電子・磁気スピン物性を調べ、スピンを情報担体とする"スピントロニクス"デバイスの基盤技術を確立することを目的とする。当該研究期間に得られた成果は以下の通りである。・強磁性半導体(Ga, Mn)Asとn^+-GaAsトンネル接合からなるスピン注入素子について、注入される電流のスピン偏極率がn^+-GaAs層の厚さ・ドーピング濃度に強く依存することを系統的な実験により明らかにしその最適条件を示した。・スピン軌道相互作用を抑制しスピン緩和時間を長くできるGaAs(110)基板上に形成したn-GaAs/AlGaAs(110)単一量子井戸構造において、g因子の異方性に起因する核スピン分極の双安定性とヒステリシスを時間分解ファラデー回転法により観測した。g因子の異方性と超微細相互作用による自己無撞着を考慮してラーモア周波数の磁場依存性を計算したところ、実験結果とよく一致する結果を得た。また、実験結果より核スピン分極率は最大で30%であることを示した。・ゲート電極を有するn-GaAs/AlGaAs(110)単一量子井戸構造において、ゲート電圧を印加して電子密度を制御することにより、超微細相互作用と動的核スピン分極を大きく変調できることを示した。また、その原因として電子密度の変化によって金属一絶縁体遷移が生じ、電子の波動関数の局在・非局在の変化により超微細相互作用の大きさが変調されているモデルを示した。
希薄磁性半導体量子構造スピン読み出し素子

大谷啓太, 大野英男

2002年～ 2002年

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本研究課題では希薄磁性半導体スピン読み出し素子を提案し、次世代の量子情報処理・通信技術の基幹となる量子状態読み出し素子のプロトタイプを作製することを目指して研究を進めた。具体的には平成14年度の1年の研究期間で希薄磁性半導体量子井戸構造スピンフィルタを用いたスピン読み出し素子を提案し、その構造と期待される性能について理論的検討を行った。本年度に得られた主な研究成果は以下の通りである。 (1)II-VI族希薄半導体量子井戸構造スピンフィルタの設計 ZnMnSe/ZnSe及びZnCdMnSe/ZnSe量子井戸構造を用いたスピンフィルタに注目し、フィルタリング特性について計算を行ったところ、スピンをフィルタリングできるエネルギー及びその帯域が井戸や障壁層の厚さや組成などの構造をによって制御可能であることがわかった。 (2)II-VI族希薄磁性半導体量子井戸構造スピンフィルタを用いたスピン読み出し素子の提案 ZnMnSe/ZnSe及びZnCdMnSe/ZnSe量子井戸構造スピンフィルタを用いた3種類のスピン読み出し素子を提案した。これらの素子ではスピン状態の読み出しに光を用いるが、この光のエネルギーが量子井戸内のサブバンドのエネルギーに一致したとき、スピンの方向を効率良く光電流の流れる方向に変換できることがわかった。 (3)II-VI族希薄磁性半導体量子井戸スピン読み出し素子を用いた高周波発生器の検討スピン読み出し素子と微小アンテナをカップリングさせた高周波発生器を提案し理論検討を行ったところ、円偏光バンド間光とサブバンド間光を用いれば、印加磁場によりギガヘルツからテラヘルツの周波数領域で可変な高周波発生器が作製可能であることがわかった。
半導体ナノスピントロニクス

宗片比呂夫, 勝本信吾, 伊藤公平, 田中雅明, 大野英男, 白井正文

2002年～ 2002年

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従来の半導体物性に「スピン」という新しい自由度をもたらす様々な材料や構造が作製されるようになり、スピン機能を利用したデバイス実現へ向けた多くの基礎研究が行われるなど、これまで半導体ではあまり意識されなかったスピンを積極的に利用しようという研究が、ここ数年急速に進展している。本企画調査は、「半導体ナノスピントロニクス」分野およびその関連分野の研究者を集め、半導体や磁性体と半導体の複合構造中のスピンが関与する物性・機能およびその応用に関する研究成果について、集中的に討議することにより「半導体ナノスピントロニクス」の基本的な理解を深め,新しいスピン制御デバイスヘの応用の可能性を拓くことを目的として行われた。具体的には、平成14年12月19,20日に仙台国際センターにおいて「半導体中のスピン現象とその応用」に関する総合的な研究会(Physics and Application of Spin-related Phenomena in Semiconductors ; PASPS-8)を開催し、磁性原子を添加した半導体のバルク結晶や薄膜、磁性体と半導体から成る複合構造、非磁性半導体の量子構造、それらを微細加工した「スピントロニクスナノ構造」を対象に、(1)材料・構造の作製に関する材料科学、(2)キャリアスピン、磁性原子のスピン、光の間の相互作用に起因した光・電子物性,(3)キャリアあるいは磁性原子のスピンと伝導電子との相互作用に起因した電気伝導物性、(4)非磁性半導体中に注入・励起されたキャリアスピンのスピン緩和・スピンコヒーレンスなどのスピン物性、(5)以上述べた種々のスピン依存現象の応用可能性、に関して理論、実験、デバイス応用など様々な面からの研究課題を、口頭発表・ポスター発表形式で議論し、「半導体ナノスピントロニクス」と呼ばれる新分野の基盤技術を固めるとともに、21世紀の新しいエレクトロニクスに向けた我が国における研究コミュニティーを形成することができた。
半導体超構造における電子のスピンコヒーレンスとその制御

大野英男, 大野裕三, 松倉文礼

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2000年～ 2002年

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本研究では、従来の半導体量子構造と新たに創生されつつある強磁性半導体との融合構造に基礎を置き、そこでの(1)電子のスピンコヒーレンスの顕示と外場による制御、(2)核スピンや磁性イオンとの相互作用の解明と制御、さらに(3)スピンに依存する電子・光物性を活用した新しいデバイスの作製を目的として研究を進め、以下のような成果を得た。 1.強磁性半導体(In,Mn)Asをチャネルとする電界効果トランジスタ構造を作製し、その正孔密度のゲート制御を確認した。さらに、正孔濃度を変化させることにより、温度を一定に保ったまま、磁性を制御することに初めて成功した。 2.低温分子線エピタキシ法によって、自然界には存在しない閃亜鉛鉱型CrSbをGaAs上にエピタキシャル成長させることに成功し、それが室温で強磁性体であることを明らかにした。 3.強磁性半導体(Ga,Mn)Asをベースとする(Ga,Mn)As/(Al,Ga)As/(Ga,Mn)As3層構造を作製し、巨大磁気抵抗効果やトンネル磁気抵抗(TMR)など、磁気エレクトロニクスデバイスに応用されている現象を全て半導体で構成されたデバイスにおいて観測した。特に、TMRでは100%を超える大きな磁気抵抗比を得た。 4.(110)変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸構造を作製し、時間分解ファラデー回転測定によってスピンコヒーレンス時間を調べたところ、共鳴スピン増幅を観測し、低温でスピン位相緩和時間が10ns程度であることを確認した。さらに、レーザーパルスによって生成されたスピン偏極電子と核スピンの相互作用の共鳴現象を観測した。 5.p型強磁性半導体(Ga,Mn)Asとn^+-GaAsからなるスピンエサキダイオードを作製し、(Ga,Mn)Asの価電子帯から非磁性GaAsの伝導帯へのバンド間トンネルを用いたスピン偏極電子注入を確認した。
スピン制御による半導体超構造の新展開

大野英男, 嶽山正二郎, 吉田博, 岡泰夫, 西澤潤一, 吉野淳二, 望月和子

2000年～ 2000年

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特定領域研究「スピン制御による半導体超構造の新展開」では、平成9-11年度の3年間、スピン物性を顕著に発現する半導体超構造の作製法の確立とそのスピン物性の解明・制御、およびそれらのデバイス応用の観点から4つの研究班を組織し研究を進めた。特定領域研究が終了した本年度、総括班は、(1)特定領域研究の研究成果を発表し世界に情報発信をするとともに、内外の研究者が研究成果を発表することができる国際会議を開催、(2)和文の研究報告書のとりまとめ、(3)英文の研究報告書と論文集の作成、(4)報告書の主要部分のインターネット上への公開を行った。具体的には、以下の通りである。平成12年9月13-15日の3日間、仙台国際センターにおいて17カ国から162名(うち69名は海外から)の参加者を集め、「半導体中のスピン関連現象の物理と応用に関する国際シンポジウム(PASPS2000)」と題して国際会議を開催した。会議では、17件の招待講演を含む132件の論文が発表された。プロシーディングスは学術雑誌Physica Eに発表される。会議中に海外からの参加者の要請で急遽第2回目の会議を2002年にドイツ・ウルツブルグ大学で開催する運びとなった。報告書に関しては、和文171ページ、英文700ページ(論文別刷含む)の2冊をまとめ、主要部分を http://www.ohno.riec.tohoku.ac.jp/projectreport/japanese/indexJ.htm及び http://www.ohno.riec.tohoku.ac.jp/projectreport/english/indexE.htmにて公開した。本特定領域研究では、Nature,Scienceに4件の論文を発表したのをはじめ、半導体中のスピン応用に関する多くの知見を得た。米国では本領域研究に範を取り、新たにSpins in Semiconductorsなるプロジェクトが10倍の研究費規模で開始された。このように本領域は「半導体中のスピン」を一つの領域として国内外において確立することに成功した。同時に、本特定領域研究が先駆けて開拓した領域において、世界的にリードし続ける組織的対応が求められている。
InAs/GaSbを用いた量子カスケード型遠赤外〜テラヘルツ帯発光素子

大野英男, 水田正志, 大野裕三, 松倉文禮

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A).

研究機関：Tohoku University

1999年～ 2000年

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本研究はInAs/GaSb量子カスケード構造のサブバンド間光学遷移を利用した遠赤外〜テラヘルツ帯における高効率発光素子を実現することを目的として行われた。科学研究費補助金を請けて研究期間の初年度には遠赤外ステップスキャン方式フーリエ赤外分光器を、最終年度には光学測定用無振動冷凍機を新しく購入し、それを用いて以下の項目について研究を行った。 1.開発した計算機シュミレーターを用いてInAs/GaSb量子カスケード構造のレーザー閾値電流密度の理論的検討を行った結果、従来のタイプI量子カスケードレーザーの閾値電流密度の理論値と比較して、室温における閾値電流密度がおよそ1/5程度になることがわかった[大谷、大野、固体物理、Vol.34、699(1999)]。 2.InAs/GaSb量子カスケード構造だけでなく、非常に大きな波長可変性ををもつInAs/AlSb量子カスケード構造にも注目し、新しく購入した高感度ステップスキャンフーリエ変換赤外分光器を用いて世界で初めて電流注入サブバンド間発光を観測した[K.Ohtani et al., Electron Lett., Vol.35, 935(1999)]。 3.新しく購入した高感度ステップスキャンフーリエ変換赤外分光器を用いて、InAs/GaSb量子カスケード構造におけるエレクトロルミネッセンスの構造依存性及び温度依存性を調べ、サブバンド間発光とバンド構造の関係を明らかにした[K.Ohtani et al., Physica E, Vol.7, 80(2000)]。 4.InAs/AlSb量子井戸構造における光学特性が界面に形成されるボンドとバッファー層の種類に大きく依存することを明らかにした[K.Ohtani et al., Appl.Surf.Sci., Vol.159-160, 313(2000)]。 5.InAs/GaSb量子カスケード構造における周期数と発光強度の関係を調べ、発光強度が周期数に比例することを明らかにした[K.Ohtani et al., Proceedings of the 25^<th> International Conference on the Physics of Semiconductor, World Scientific, Singapore, 2001]。 6.InAs/GaSb量子カスケード構造における新しい発光素子構造を提案し、その構造を用いれば高効率に1THz近傍まで長波長化できることを理論的に示した[K.Ohtani et al., 論文投稿中]。
分子線エピタキシンにおける化合物半導体の成長過程と成長層の特性

大野英男, 大野裕三, 松倉文礼

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：TOHOKU UNIVERSITY

1998年～ 1999年

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低温成長分子線エピタキシ(LT-MBE)法により、(LT-)GaAsやIII-V族磁性半導体およびそのナノ構造を形成し、反射高エネルギ電子線回折(RHEED)、原子間力(AFM)・磁気力(MFM)顕微鏡や磁気特性測定システム(SQUID)などを用いてそれらの成長過程及び構造、光・磁気・輸送特性について調べた。本研究で得られた主たる成果を以下に記す。 1.LT-MBEによるGaAs成長時にRHEEDの強度振動が低温で復活し、その大きさは基板温度とV/III比に依存することを見出した。また、過剰供給されたAs原子を自己表面活性剤としたモデルでシミュレーション計算を行った結果、実験結果を再現した。 2.数パーセントの濃度のMnを導入した(Ga,Mn)SbをMBEにより形成し、その物性と成長温度との関係を調べた。高温(560℃)成長の試料ではMnSbと思われる矩形のクラスターがAFM、MFMで観測され、室温で強磁性を示した。一方、LT-MBE(300℃)では、室温で強磁性を示すものの、20K以下で別の秩序相が現れることを確認した。これは低温で強磁性を示す(Ga,Mn)Sbが形成されていることを示している。 3.LT-MBEによりGaAs(211)B面上に形成した(In,Mn)Asナノ構造のAFM観察より、Mnがサイズを均一化するサーファクタント効果を有することを明らかにした。 4.すべて半導体から成る強磁性体(Ga,Mn)As/非磁性体(Al,Ga)As/強磁性体(Ga,Mn)As3層構造を作製し、層間の結合を磁化曲線から調べることより、非磁性層の厚さ・障壁高さでそれらの磁気的結合を制御できるこを示し、スピン依存散乱による巨大磁気抵抗効果をこの系で初めて確認した。
スピン制御された半導体超構造の電子物性と応用

大野英男, 樽茶清悟, 鈴木直, 勝本信吾

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

研究機関：Tohoku University

1997年～ 1999年

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電子物性制御班は、スピン制御された半導体超構造の電子物性、特に磁性・スピン物性と輸送特性を実験的・理論的に解明し、その制御と応用の可能性を明らかにすることを目的とした。以下に研究成果の概略を示す。 (1)(Ga,Mn)As,(In,Mn)As,(Ga,Mn)Sbなどの強磁性半導体とへテロ構造を低温成長分子線エピタキシで成長しその磁性と輸送特性を調べた。強磁性・非磁性半導体三層構造では、スピン依存散乱、層間結合、トンネル磁気抵抗が観測され、(Ga,Mn)Asエミッタの共鳴トンネルダイオードにおいて磁場なしの状態で強磁性転移に伴う電流のピークを観測した。また(Ga,Mn)Asを用いて強磁性半導体から非磁性半導体へのスピン偏極電流注入を実現した。(大野) (2)III-V族希薄磁性半導体(Ga,Mn)As、(In,Mn)Asの低温における磁性、電気伝導、磁場応答を詳細に調べ、巨大磁気抵抗効果を見出し、この2種類の半導体のMn濃度に対する相図が極めて似通っていることを見出した。また結晶成長後低温でアニールすることで、AsとMnの複合欠陥が消失し試料の性質が劇的に改善することがわかった。(勝本) (3)III-V族希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける強磁性探索とその発現機構を解明することを目的に(Ga,Mn)Asの電子状態を第一原理計算を行い、最近接遷移金属間の磁気相互作用は価電子バンドに正孔を供給するV,Cr,Mnにおいて強磁性的になることを明らかにした。(鈴木) (4)半導体人工原子及び人工分子を作製し、人工原子に関しては原子と同様な量子力学的な基本則が成り立つこと、磁場を印加することでスピンに関して様々な状態遷移が起こること、また人工分子に関してはスピンブロッケード、擬スピンブロッケード、スピン選択トンネルなど新しいスピン効果が現れることを示した。(樽茶)
III-V族希薄磁性半導体におけるキャリア誘起磁性とその制御

大野英男, 大野裕三, 松倉文礼

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：TOHOKU UNIVERSITY

1996年～ 1997年

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これまでにIII-V族半導体をベースにした希薄磁性半導体(In,Mn)As、(Ga,Mn)Asの成長が分子線エピタキシの低温成長で可能であって、さらにp形の試料では低温で正孔誘起の強磁性が現れることを確認した。しかし、これらの正孔誘起磁性の起源をはじめとしてIII-V族希薄磁性半導体の磁性とキャリア濃度・Mn濃度との関係、またそれらと結晶成長条件との関連は解明されておらず、またド-ピングや電界効果などによるIII-V族希薄磁性半導体の磁性の制御の可能性も追求されていなかった。本研究は、以上の背景の下に、我々が開発した強磁性III-V族希薄半導体(Ga,Mn)Asを用いて、磁性とキャリア濃度・Mn濃度の関係、量子構造の作製、更にキャリア濃度で磁性を制御する可能性を探求することを目的として行われた。本研究の成果概要は以下の通りである。 1.Mn組成を変えた(Ga,Mn)Asの磁気輸送特性・磁気特性を調べ強磁性転移温度と生孔濃度のMn組成依存性を明らかにした。強磁性転移温度はMn濃度0.05以下では組成に比例して増加し、これまでに得られている最高の強磁性転移温度は110Kである。 2.(Ga,Mn)As/(Al,Ga)Asの強磁性半導体/非磁性半導体超格子構造・量子構造の作製が可能であり、これらの構造においても強磁性的性質が保たれる。 3.常磁性領域での抵抗率の磁場依存性と強磁性転移温度から、(Ga,Mn)Asの強磁性秩序の起源がRKKY相互作用であることを明らかにし、キャリア濃度と強磁性転移温度の関係に対する知見を得た。これらのことは、キャリア濃度を制御することにより、磁性を制御できること、またヘテロ接合及び量子構造を利用した電界効果トランジスタ等のデバイスの可能性が開けたことを示すものである。
スピン制御による半導体超構造の新展開

大野英男, 宗方比呂夫, 獄山正二郎, 家泰弘, 吉田博, 吉野淳二

1996年～ 1996年

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半導体中のキャリアや磁性イオンのスピン間の交換相互作用に基づくさまざまな物性は、これまで応用の表舞台にでることはなかった。これは、材料技術、超構造作製技術が未発達であったので、電子のもつスピンという自由度を積極的に制御し利用することが出来なかったためである。しかしここ数年で状況は大きく変化した。II-VI族・III-V族希薄磁性半導体とその超構造が作製可能となり、磁性不純物添加半導体構造や磁性体/半導体ヘテロ構造も実現された。この結果半導体超構造のスピンを理解して積極的に制御し、応用を考えることが可能となりつつある。本研究では、半導体超構造におけるスピンに関する材料、超構造作製、測定、理論の研究を総合的有機的に結びつけることによって、(1)スピン物性の顕著に発現する半導体超構造の作製法の確立し、(2)半導体超構造におけるスピン物性を解明して、(3)スピンという新しい自由度を利用した半導体超構造の応用の可能性を明らかにする、ことを目的とする重点領域研究のための企画調査を行った。第1回目の研究会を平成8年9月26-27に仙台で行い、予定されている計画研究の内容を発表すると共に有機的に研究を推進するための協力関係について話し合った。さらに、一般に公開された第2回の研究会を平成9年1月27-28日仙台国際センターにて開催し、予定されている計画研究メンバのみならず広く国内・国外の研究者の参加を得て、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体、磁性不純物添加半導体、新しい磁性半導体の開発、メゾスコピック領域も含めた超構造のスピン物性についての研究発表と研究討論を行った。第3回の研究会は平成9年3月13日に行われ、重点領域の公募研究について討論を行った。
化合物半導体結合量子井戸構造における量子電子輸送現象とジョセフソン効果

大野英男, 大野裕三, 松倉文礼, 澤田安樹, 江澤潤一

1996年～ 1996年

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本研究は、結合量子井戸の量子電子輸送現象にとりあげ、高移動度を有する結合2重量子井戸構造の結晶成長と、2層の電子系それぞれに独立にコンタクトを有する素子の製作を行い、それを用いて低温・強磁場中での2層の2次元電子系の輸送現象を明らかにすることを目的としている。平成6-8年度の研究により次の成果を得た。(1) 2層の電子層それぞれにオーミックコンタクトを取るためにフロントゲートとバックゲートを使って上と下のチャネルをそれぞれ切るデバイス構造を作製するプロセスを開発し確立した。基板研磨と部分的エッチングを併用して100V以下のしきい値を実現した。(2)分子線エピタキシで成長した選択ドープAlGaAs/GaAs構造より作製したフロント、バックゲートつきのデバイスを用いて、希釈冷凍器つき超伝導磁石で8mK、14.5Tまでの測定を行い、2重量子井戸構造に特異な分数量子ホール効果のゲート電圧依存性が見られることを確認した。これは低キャリア濃度でかつ共鳴状態になるようにフロント・バック両ゲートによりキャリア濃度を調整したために観測可能となったものである。さらにこの特異な振る舞いが2層系の分数量子ホール状態がゲージ理論より導かれるコンポジットボゾンでよく説明できることを見出した。
希薄磁性半導体メモリデバイスの研究

大野英男, 横山直樹, 大野裕三, 松倉文礼

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：TOHOKU UNIVERSITY

1995年～ 1996年

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本研究は、申請者らの開発した強磁性III-V族希薄磁性半導体を用いたメモリを実現するための、結晶成長、プロセス技術、メモリデバイス、メモリ構成法を研究し、その性能・限界を明らかにすることを目的として行われた。本研究の成果概要は以下の通り。 (1)強磁性III-V族希薄磁性半導体メモリ材料として新しく低温成長分子線エピタキシによりIII-V族化合物半導体でもっとも多く用いられているGaAsをベースにした(Ga,Mn)Asを創成した。最大のMn組成で0.071を得ている。さらに(Ga,Mn)Asの組成と格子定数との関係をX線回折により定めた。それによると組成と格子定数は線形な関係にある(ベガード則)。 (2)磁気輸送特性・磁化特性を調べ、(Ga,Mn)Asが強磁性体であることを確認した。これまでに得られているキュリー温度は110Kである。また0.05以下の組成の領域ではキュリー温度と組成が比例する。 (3)(In,Ga)Asバッファ層を挿入して(Ga,Mn)Asにかかる歪みを圧縮から引っ張りにかえることにより磁化容易軸の向きを面内から面に垂直にかえることが可能であることを明らかにした。これは異常ホール効果を利用したメモリの読み出しに必要不可欠なものである。 (4)臨界散乱とキュリー温度から強磁性の起源がRKKY相互作用であることを明らかにし、よりキュリー温度を上げるために必要な知見を得た。 (5)磁化容易軸を面に垂直に制御した(Ga,Mn)Asを用いてメモリエレメントを製作し、異常ホール効果により良好な読み出しができることを確認した。
スピン制御による半導体超構造の新展開

大野英男, 宗方比呂夫, 嶽山正二郎, 家泰弘, 吉田博, 吉野淳二

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：TOHOKU UNIVERSITY

1995年～ 1996年

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研究目的:これまで個別に進められてきた半導体超構造におけるスピンに関する材料、超構造作製、測定、理論の研究を総合的有機的に結びつけることによって、(1)スピン物性の顕著に発現する半導体超構造の作製法の確立し、(2)半導体超構造におけるスピン物性を解明して、(3)スピンという新しい自由度を利用した半導体超構造の応用の可能性を明らかにする。研究経過:III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体、磁性不純物添加半導体をとりあげ、新しい磁性半導体の開発や、メゾスコピック領域も含めた超構造のスピン物性を明らかにする理論並びに実験を進めた。研究成果は平成9年1月27-28日に開催された公開の研究会にて発表した。平成7-8年度の研究成果としては、次のものが特に重要である。 1.シリコン上への磁性体のエピタキシャル成長半導体LSIの中心材料であるSi(001)上に、室温で強磁性を示す金属間化合物(MnAsなど)をエピタキシャル成長することに初めて成功した。 2.GaAsベースの新しい希薄磁性半導体:(Ga,Mn)As 世界に先駆けてGaASベースの(Ga,Mn)AsをGaAs上に成長することに成功し、(Ga,Mn)Asがキュリー温度110K以下で強磁性体であることを明らかにした。また(Ga,Mn)Asベースの超構造の成長にも成功した。 3.半導体超構造による磁性原子の交換相互作用の制御磁性原子中の電子スピン間の交換相互作用が、半導体超構造における量子サイズ効果によって制御可能であることを理論的に示した。 4.自由磁気ポーラロンの確認これまで無いとされてきた自由磁気ポーラロンの存在を実験的に明らかにした。
エピタキシャル成長の量子論と構造のダイナミクス

西永頌, 白石賢二, 伊藤智徳, 大野英男, 中山弘, 一宮彪彦

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：The University of Tokyo

1995年～ 1996年

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本研究は平成7年度と8年度の2年間にわたって行われ、最終報告会も含め6回の研究会を行った。本研究では、エピタキシャル成長時、原子スケールでの原子の動きを明らかにする目的で理論家と実験家が協力して研究を進めた。先ず結晶表面の構造を原子スケールで明らかにし、そこに原子が飛来したときどのように振舞うかを明らかにする目的で第一原理量子論計算を行った。その結果、原子配置の決定に際し、エレクトロンカウンティングモデルが良く合うことを明らかにした。次にこのような表面において原子がどのように拡散し結晶にとり込まれて行くかを明らかにするためモンテカルロシミュレーションを行った。これにより、GaAs(001)面において、A-stepとB-stepがどのように振舞うかを明らかにした。さらに、従来行われて来なかった二元結晶の分子線エピタキシの様子をモンテカルロシミュレーションにより調べ、単元素子とどのように違うかについて議論した。原子ステップはエピタキシャル成長時、条件により集合したり分解したりし、成長を強く左右する。そこで、成長時の原子ステップの振舞を統計力学的現象論により解析した。この結果を実験結果と比較することによりステップのスティフネスを計算することができた。又、半導体の融液の振舞を理解するため分子動力学法によりシミュレーションを行った。実験についてはシリコン表面における成長原子の振舞を走査型トンネル顕微鏡を用いて調べ、表面再構成構造と二次元アイランドの形状、原子の付着、離脱のしやすさの関係等を明らかにした。また、GaAsを例にとり、成長表面で原子が結晶にとり込まれるまでどの程度移動できるかをmicroprobe-RHEED/SEM MBEを用いて調べた。それによると、As圧によりその距離が大きく変わること、二つの面間での拡散の方がAs圧によって反転すること等が明らかになった。まだ、理論と実験の間には差があるが、お互いの討論により、ある程度このギャップはうめられたものと考えられる。
化合物半導体結合量子井戸構造における量子電子輸送現象とジョセフソン効果

大野英男, 松倉文礼, 澤田安樹, 江澤潤一

1995年～ 1996年

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本研究は、結合量子井戸の量子電子輸送現象をとりあげ、高移動度を有する結合2重量子井戸構造の結晶成長と、2層の電子系それぞれに独立にコンタクトを有する素子の製作を行い、それを用いて低温・強磁場中での2層の2次元電子系の輸送現象を明らかにすることを目的としている。本年度の研究では、分子線エピタキシによる結晶成長と測定用デバイス作製装置の製作、さらにデバイスの試作を行い、低温・高磁場下のヘテロ構造の測定準備を進めた。具体的には、2層の電子層それぞれにオーミックコンタクトを取るためにフロントゲートとバックゲートを使って上と下のチャネルをそれぞれ切るデバイス構造を作製するプロセスを開発し、実際にフロント、バックゲートの動作を確認した。また低温で高移動度(50万cm^2/Vs)を有する試料について、希釈冷凍器つき超伝導磁石で8mK、14.5Tまでの測定を行い2重量子井戸構造でで分数量子ホール効果の観測されることを確認した。
化合物半導体総合量子井戸構造における量子電子輸送現象とジョセフソン効果

大野英男, 松倉文ひろ, 澤田安樹, 江澤潤一

1994年～ 1994年

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本研究は、結合量子井戸の量子電子輸送現象をとりあげ、高移動度を有する結合2重量子井戸構造の結晶成長と、2層の電子系それぞれに独立にコンタクトを有する素子の製作を行い、それを用いて低温・強磁場中での2層の2次元電子系の輸送現象を明らかにすることを目的としている。本年度の研究では、理論面で横磁場下での系の基底状態の相転移に関し新しい知見を得た。具体的には、2層の分数量子ホール状態にある電子層の間の量子位相の存在を明らかにするために横磁場B_<11>の効果を解析した。その結果、(1)B_<11>が小さいときには外部磁場は2層間で不完全にスクリーンされ、臨界磁場を越えると外部磁場は自由に2層間に侵入すること、(2)Murphyら(Phys.Rev.Lett.,72,728(1994))の報告した2層分数量子ホール系におけるp_<xx>の活性化エネルギの印加磁場角度依存性がこの2つの相で良く説明できること、が明らかになった。実験面では分子線エピタキシによる結晶成長と測定用デバイス作製装置の製作、さらにデバイスの試作を行い、低温・高磁場下のヘテロ構造の測定準備を進めた。具体的には、2層の電子層それぞれにオーミックコンタクトを取るためにフロントゲートとバックゲートを使って上と下のチャネルをそれぞれ切るデバイス構造を作製するプロセスを開発した。そのために必要な表面と裏面の構造をアラインさせるマスクアライナを製作した。測定では、希釈冷凍器つき超伝導磁石で8mK、14.5Tまでの予備測定を行い、選択ドープヘテロ接合で分数量子ホール効果の観測されることを確認した。
ヘテロ接合エネルギフィルタを用いた量子構造長波長発光素子

大野英男, 水田正志, 松倉文礼, 中原純一郎

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)

1993年～ 1994年

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本研究では、化合物半導体量子井戸構造中に形成される同一のバンドに属する量子準位間の光学遷移(サブバンド間遷移)を利用した長波長発光素子のための基礎的研究を行った。本研究では、(1)通過する電子がすべてサブバンド間遷移に関与することを可能とする全く新しいInAs/AlSb/GaSbヘテロ構造エネルギフィルタを有する構造、および(2)エピタキシャル成長プロセス技術が成熟しているAlGaAs/GaAsヘテロ構造のエネルギフィルタを有する構造の2種類をとりあげ検討した。理論的には(1),(2)の両構造において発光素子が構成可能であり、報告されているフォノン散乱時間を考慮しても十分低い電流密度で反転分布の形成が可能であることを明らかにした。実験的には、AlGaAs/GaAs系の分子線エピタキシャル成長を行いプロセスを施して電界印加可能な構造とし、それによって室温における電界下でのサブバンド間遷移の挙動を調べた。低キャリア濃度の時にはシュタルク効果によるブルーシフトが観測され、高キャリア濃度の時にはレッドシフトが観測された。現在の所、実験的に発光を観測するに到ってないが、今後、素子の冷却およびInAs/GaSb系の実験的検討を行い、サブバンド間遷移を利用した発光素子を実現する。
III-V族希薄磁性半導体ヘテロ接合における磁気秩序と電気伝導

大野英男, 中原純一郎

1993年～ 1993年

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本研究では、申請者等が新しく合成に成功したIII-〓族をベースとする希薄磁性半導体を用いたヘテロ接合に見られる磁気秩序と電気伝導の関係を明らかにし、この新希薄磁性半導体ヘテロ接合の物性を解明し、応用の可能性を探ることを目的として研究を進めた。具体的には、(1)分子線エピタキシによる(In,Mn)As/(Al,Ga)Sbヘテロ構造の成長と加工、(2)1.4〜300K、最大8Tまでの磁場中での、磁気輸送特性(磁気抵抗効果、ホール効果)の測定を行った。本研究で得られた新しい知見は、以下の点に要約される。試料としては、20nmの(In,Mn)As(MnAs組成0.18)を(Al,Ga)Sb(AlSb組成0.3)上に成長させたものを取り上げた。 (1)200K以下では、ホール抵抗は通常のホール効果と異常ホール効果よりなる。また、異常ホール効果の部分は磁化と抵抗の積に比例する。 (2)40K以上では、磁化は磁場に比例しキュリーワイス型の温度変化を示す。フィッティングよりキュリー温度として35Kを得る。このことは、Mn間の相互作用が強磁性的であることを示している。 (3)40K以下では、磁化曲線は急峻になり単純な常磁性と異なるふるまいを示す。10K以下で初めてヒステリシスが顕著になる。しかし、厚い試料で見られていた常磁性と強磁性の共存を示す特性は見られていない。 (4)平均場近似では40K以下の磁化のふるまいを理解することはできない。磁気ポーラロンなどの大きさを統計的に取り入れる、または超常磁性的ふるまいであると考えることで説明ができる可能性がある。
化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用

大野英男, 福井孝志, 中原純一郎

1993年～ 1993年

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本研究は、化合物半導体の種々の清浄表面と有機金属との相互作用を実験的に明らかにしていくことを目的とした。具体的には、超高真空中でMBE成長したGaAsなどの清浄表面に、有機金属を照射し、その相互作用の様子を電子分光法、反射高エネルギ電子線回折等を用いて明らかにすることを試み、さらに水素、水素ラジカル照射で、成長の様式や不純物(特に炭素)の取り込みがどのように変わるかを明らかにすることを試みた。本年度の成果は以下の通り。オージェ電子分光、二次イオン質量分析法、透過電子顕微鏡を用いて、真空中においてGaAs清浄表面に照射されたトリメチルガリウム(TMGa)のカイネティクスと成長速度、炭素不純物の濃度との関係を統一的に明らかにした。GaAs上でTMGaはまず解離吸着し、メチル基が速い時定数(<1s)で脱離してメチルガリウム(ジメチル又はモノメチルガリウム)となる。その後100s(〜500℃)程度の時定数で、メチル基が脱離する。このメチル基が、原子層エピタキシにおける自己停止機構を実現している。さらに長い時定数(>600s)をもつ表面炭素も測定されているが、これがGaAs中の残留炭素濃度を決定するものと考えられる。高純度GaAsの結晶成長にはこの最後の炭素を除去することが必要となるが、これには、水素ラジカルを照射することが有効であり、残留炭素濃度を10^<20>cm^<-3>から10^<18>cm^<-3>以下に低減することが可能であることを明らかにした。ラジカルビームの強度、照射時間をあげることでよりいっそうの低減が可能である。また、TMGaパージサイクル中に水素ラジカルを照射することによって原子層エピタキシの成長速度が1ML以上に増加する、すなわち吸着したTMGaの量が1MLを越えていることを示す興味深い結果も得られた。
低周波プラズマCVD(TEOS+O_2)によるシリコン酸化膜の低温形成プロセス開発

伊達広行, 下妻光夫, 下妻光夫, 大野英男, 田頭博昭, 伊達広行

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)

研究機関：Hokkaido University

1992年～ 1993年

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最近の集積回路は、線幅サブミクロンスケールまで微細化が進んでおり、この技術を支えているのは、プラズマCVDやプラズマエッチング等のドライプロセスである。この集積回路における多層配線層間絶縁や表面保護膜としてシリコン酸化膜が使われ、段被覆性の良好なTEOS(Tetraethoxysilane)が材料として高周波プラズマCVDなどによって成膜されることが一般的である。しかし、これは加熱プロセスであるため微細な回路への温度の影響が大きく、低温プロセスの開発が望まれている。本研究は、この低温プロセスを低周波(50Hz)プラズマCVD法で達成しようと試みたものである。平成4年度では、(1)Si基板上に堆積された薄膜の膜質は、加熱なしでは良好なものが得られない事が明らかとなった。(2)基板加熱200℃に上げると良質な膜が得られた。(3)堆積速度が60→30nm/minと減少し緻密な膜となっていくことがわかった。(4)IR吸収スペクトルから基板温度の上昇でSi-O結合が支配的になり、オージェ電子分光スペクトルからCが含まれていないことが明らかとなった。平成5年度は、(1)Cの混入がない原因を実験的に明らかにするため種々の成膜材料を使い膜堆積を行い原料TEOS内のCが、プラズマ中および薄膜表面でCO,CO_2の気体分子となり脱離してしまうのではないかと言う結果を発光スペクトル測定より得た。(2)サブミクロントレンチを切ったシリコンウエハ-上にTEOS+O_2混合ガスでシリコン酸化膜を堆積し、ステップカバレージをSEM写真で観測し、段被覆性が非常によいことを確認した。従って、本方法は、200℃程度の低温プロセスで、炭素等の不純物が非常に少ないシリコン酸化膜を成膜でき、更にトレンチのカバレージ性が良いため、半導体集積回路素子薄膜生成プロセス低温化の一方法であることが明らかとなった。
3-5族希薄磁性半導体の強磁性秩序と電気伝導・光物性

大野英男, 中原純一郎

1992年～ 1992年

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本研究は、申請者らが新しく合成に成功したIII-V族希薄磁性半導体に見られる強磁性秩序と電気伝導・光物性との関係を明らかにし、この新希薄磁性半導体の応用の可能性を探ることを目的として行われた。本年度は、III-V族化合物半導体をベースにした希薄磁性半導体、InMnAsを対象に、その電気伝導・光物性と磁気的性質との関係を明らかにすることを試みた。特に、高正孔濃度のp形試料にのみ低温で(〜10K)見られる強磁性秩序の発現機構とその影響を明らかにすることを目標とした。高正孔濃度のp形試料(MnAs組成〜0.013)は、中高温領域で常磁性であり、ある臨界温度以下で自発磁化が生じる。磁気輸送現象を調べると、半導体が磁化を持つことで現われる異常ホール効果が通常のホール効果より大きく、これに注目することで磁化を決定することができることが明らかになった。それによると膜厚1μm前後の試料では10K以下で自発磁化が観測される。自発磁化はn形試料には見られないことから正孔とMnのスピンとの相互作用が強磁性的相互作用の発現に重要な役割を果たしていることがわかった。また、強磁性秩序の発現とともに負の磁気抵抗効果が観測されはじめる。これは磁気秩序がキャリアの局在を促進していることを示している。これらのことは、以前から提案している傾いたスピンを内包する大きな磁気ポーラロンの存在により説明できる。さらに、p形ヘテロ接合試料でも強磁性秩序が観測された。薄膜・ヘテロ接合試料共にMnの内殼遷移を検出することを試みている。
化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用

大野英男, 福井孝志, 中原純一郎

1992年～ 1992年

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本研究では、化合物半導体の種々の清浄表面と有機金属との相互作用を実験的に明らかにしていくことを目的に、超高真空中で分子線エピタキシ成長したGaAsなどの清浄表面に有機金属を照射し、その相互作用の様子を反射電子線回折、電子分光などの手法で観測・解析した。本年度は特に様々な面方位・表面最構成を有する清浄なGaAsに有機金属を照射し、その表面をオージェ電子分光、反射電子線回折、光反射により観測して表面状態や反応の時定数を明らかにし、相互作用に関する知見を得ることを試みた。具体的には、反射電子線回折を装備した分子線エピタキシ装置と、それに接続したオージェ電子分光装置を用いて、GaAsのAsおよびGa安定化(100)、(111)B、(111)A、(110)各表面とトリメチルガリウム(TMGa)との相互作用を観測した。また原料の交互供給によるGaAs成長を行いその成長速度を調ベた。その結果、As・Ga安定化(100)面、(111)B面上には、約2MLのメチル基の起因するCがTMGa供給停止直後に存在し、その後ある時定数で減少して1MLの定常値に達するのに対し、(111)A面、(110)面ではC信号はほとんど見られないことが明らかになった。また交互供給成長の成長速度は後者が極めて遅く、Cのふるまいとあわせて表面に有機金属が安定に存在しないことが示された。(100)面では成長速度が0.7ML/サイクルに飽和する原子層エピタキシを確認した。また(111)Bでは成長速度の飽和が見られず、表面に有機金属を分解するサイトが存在する可能性が高いことが示された。
化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用

大野英男, 中原純一郎

1991年～ 1991年

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本研究では、化合物半導体の種々の清浄表面と有機金属との相互作用を実験的に明らかにしていくことを目的に、超高真空人で分子線エピタキシ(MBE)により成長したGAASの清浄表面に有機金属(トリメチルガリウム、TMGa)を照射し、その相互作用の様子をオ-ジェ電子分光でin Situに観測した。特に、TMGaのメチル基の振る舞いを明らかにするために、オ-ジェ電子分光の炭素信号の時間変化に注目して実験を進めた。基板には、GaAs(001)面を用い、GaAsをMBE装置でエピタキシャル成長した後、オ-ジェ電子分光室に移送し、そこで加熱しながらTMGaを導入した。測定は、TMGaを停止後直ちに開始した。その結果、(a)TMGaに100L程度GaAs表面を曝すことにより表面に炭素が観測される、(b)TMGaを停止後、炭素は指数関数的に減衰し、定常値に達する、(c)減衰の時定数は活性化エネルギ1.3ev、pre‐exponential factor 6.6x10 ^<-7>Sであらわされ、(d)炭素信号の初期値と定常値の比はほぼ2であって、(e)定常値は、装置付属の感度表を用いると約1モノレ-ヤ(ML、GaAs(001)表面のGaサイトの密度を基準にしている)と見積もられる、ことが判明した。この炭素信号の振る舞いは、TMGaが分解してジメチルガリウムとなって表面に吸着し、その後、TMGaの供給を停止すると、メチル基が一つ脱離し、約1MLのモノメチルガリウム(MMGa)が表面に残ると考えるとよく説明できる。本研究の成果は、有機金属と化合物半導体表面の相互作用のダイナミクスを、in situに、かつ直接表面をスペクトロスコピックに観測して明らかにした、初めてのものである。
低周波50HzプラズマCVD法によるカ-ボン薄膜の低温形成プロセスの開発

下妻光夫, 伊達広行, 大野英男, 田頭博昭

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)

研究機関：College of Medical Technology, Hokkaido University

1990年～ 1991年

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本研究は、商用低周波数50HzプラズマCVD法をハ-ドカ-ボン薄膜の低温形成プロセスとして確立させ、熱的ダメ-ジ等を回避し電子素子の微細化・高集積化、また各種材料の表面硬質化の促進に貢献することを目的としている。平成3年度の研究成果は、次の様であった。:1)低周波プラズマCVD法において、ハ-ドカ-ボン薄膜堆積の最適周波数の探索を行ない、基板非加熱状態での堆積は、数kHz以下が最適である事を見出した。これ以上の周波数では徐々に薄膜の透明度が失われ、黄褐色に着色していき、光学ギャップが狭くなり組成が化学量論的なものから離れて行くようである。2)1)の結果から周波数の変化でプラズマの構造が変化していくものと考え、H^2+CH混合ガスプラズマ中の各発光(H^2 ^3Σ_g→ ^3Σ_u)、Hα)の位置分布を周波数50Hz、100kHzで測定した。結果は、発光の位置的な相違が見られず、むしろ発光の半周期ごとの放電初期過程に違いが見られた。この領域でのイオンの挙動やエネルギ-に影響し堆積物の再配列等に大きく関与するものと考えられる。・最終年度として平成2、3年度のまとめを次に述べると:1)低周波プラズマの平均電子温度(16000k)が、高周波の2倍程の高さを持ち、H^2+CH_4ガスプラズマ中で100kHz近辺がその境界になることがわかった。2)低周波50HzプラズマCVD法により基板非加熱状態で堆積したハ-ドカ-ボン薄膜の膜質は、抵抗率〉10^<14>Ωcm、破壊電界強度〉10^6V/cm、光学ギャップ〉4ev、屈折率2.4、高透明度、境面でCがsp^3結合の多いダイヤモンドに近いものであることが確認された。3)以上の結果から、低周波プラズマCVD法によって良質なハ-ドカ-ボン薄膜堆積ができ、この方法が低温プロセスとして十分使用できるものと考えられる。
IIIーV族希薄磁性半導体の成長と評価

大野英男, 赤沢正道, 飯塚浩一, 長谷川英機

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)

研究機関：Hokkaido University

1990年～ 1991年

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本研究では、新しいIIIーV族希薄磁性半導体、(In,Mn)Asの分子線エピタキシ成長とその成長層の評価を行った。研究実験は、以下の通りである。分子線エピタキシ基板温度(200〜300℃)によって、相分離を起こさずに得られるMnの最大濃度が異なり、伝導型も異なる。300℃では相分離しない組成範囲はx〈0.03であり成長層はp形であるが、200℃ではx〈0.25n形である。その組成範囲を越えると、第2相としてMnAsが出現する。エピタキシャル層の評価 (1)磁性n形試料はすべての温度にわたって、常磁性であり、Mn間の相互作用は、反強磁性的でその強さは、最近接Mn間でー1.6Kである。p形試料は、中高温領域で常磁性であり、ある温度以下では、自発磁化が生じる。そのふるまいは、やや複雑で、自発磁化と同時に、磁化には高い磁場に至るまで常磁性的応答する成分も含まれている。(2)電気的性質n形試料は、低温で負の磁気低抗効果を示した。p形試料は、室温から1.4Kの低温までホ-ル係数は正の値(p形)を示し、200K以下では、ホ-ル係数が異常ホ-ル効果に支配されていることが明らかとなった。7.5K以下では、ホ-ル係数のB依存性にヒステリシスがみられ、自発磁化が異常ホ-ル効果を通して観測された。同時に、高磁場まで負の磁気低抗効果が観測された。このp形特有の結果は、正孔とMn間の強磁性的相互作用の結果、互いに平行になろうとする多くの傾いたスピンを内包する大きな磁気ポ-ラロンが試料内に存在すると考えることで説明される。小さな磁場によって大きな磁気ポ-ラロンが回転する。これが自発磁化、ホ-ル効果のヒステリシスとなる。強い磁場ではポ-ラロン内の傾いていたスピンが徐々に揃えられ、試料内の磁気的不均一性が減じ、低抗が減少するため、負の磁気低抗効果としてあらわれる。希薄磁性半導体内で局在キャリア-磁性イオンの交換相互作用に基づく強磁性秩序を観測した初めての例である。
低周波放電のプロセスプラズマとしての適用とその制御法の開発

下妻光夫, 大森義行, 伊達広行, 大野英男, 本間利久

1990年～ 1990年

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平成2年度の研究結果は、次ぎのようである。高・低周波CVDにおけるプラズマの相違について、昨年度今年度と、50Hz〜13.56MHzの広範囲において電子・イオンのプラズマ中での挙動を、プラズマ発光分光分析などからプラズマの周波数特性を明らかにし、低周波プラズマCVD法の特徴を把握しようとして研究を進めてきた。50Hz〜13.56MHzの範囲でのプラズマ中の電子温度と放電維持電圧をH_2+CH_4、H_2のガスについて測定し、どちらの傾向も低周波領域で一定値を取り、数百kHz以上で急激に減少している。これは、低周波プラズマが高エネルギ-電子の密度が高いことを意味し、これまでの常識を覆す結果が明らかにされた。更に、H_2+CH_4プラズマの電極間発光位置分布測定で、50Hz、13.56MHzプラズマで大きな違いが見られHα、Hβの発光強度が13.56MHzプラズマで50Hzより著しく小さいことも明らかになった。更に、電極間の位置に対するプラズマ発光の時間変化について50Hzと100kHzの条件で測定を行なった。実験装置は、微弱発光の高速測定が要求されるため、観測発光波長を固定し(H_2^*( ^3Σ_o→ ^3Σ_u):220nm、Hα:650nm)、光電子増倍管を冷却器(ー15℃)に入れS/N比を上げ、広帯域アンプとボックスカ-インテグレ-タによりデ-タを得るように改良した。低周波条件では、電圧の正負極性に対する2回の発光が見られ、プラズマの発生に急俊な立上がりを見せ、電圧波形も急激に崩壊する。また、消滅時は印加電圧の減少に従い緩やかに消滅していくのが見られる。また、低周波プラズマCVD法による薄膜堆積実験の進行状況は、シリコン酸化膜堆積を行なっている。TEOSを材料とした酸化膜堆積は、200℃程度の加熱が必要であったが、N_2O+SiH_4の材料ガスでは基板非加熱で良質膜堆積が可能であることがわかった。
半導体キャリアの分布定数効果を利用した新しいマイクロ波モノリシック集積回路の製作

長谷川英機, 赤澤正道, 飯塚浩一, 深井一郎, 大野英男

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)

研究機関：Hokkaido University

1988年～ 1989年

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マイクロ波・ミリ波を用いる高度情報通信システムの構築を目指し、半絶縁性GaAsを基板としたマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)の研究開発が活発に行われている。しかし、現状ではMMICの基板面積当たりの機能の集積度は、著しく低い。これは半導体能動素子は集中定数素子とみなせるよう小面積に作る一方、高価な基板の面積の大部分は寸法の大きい受動素子を作るのに、絶縁体として使用されるからである。本研究の目的は、半導体のキャリアがもたらす分布定数的効果を積極的に利用し線路波長を短縮するMIS形およびショットキ形のコプレ-ナ伝送線路の基礎的研究を行なうことにある。さらに、これら線路は、その伝送特性が電気的に変化できるので、そのユニ-クな性質を利用して、高性能・高機能化した新しいMMICを実現できる。本研究の成果の概要は以下の通りである。(1)半導体基板上に形成されたMIS形およびショットキ形コプレ-ナ伝送線路構造の理論的検討を行い、伝送モ-ドおよび伝送特性量の幾何学的構造依存性、半導体表面層のパラメ-タ依存性、周波数依存性、バイアス依存性を明らかにした。(2)コプレ-ナ伝送線路試料の作製法を検討した。ことに、GaAsおよびInGaAsエピタキシャル表面半導体層を分子線エピタキシャル法で成長する方法および条件を明らかにした。(3)半絶縁性GaAs基板上に形成されたショットキ形コプレ-ナ線路の伝送特性の測定法を検討し、かつ、実際に測定を行い、その結果が、理論解析結果でよく説明できることを示した。(4)MIS形コプレ-ナ線路におけるフェルミ準位ピンニングの除去の重要性を認識し、シリコン超薄膜による界面制御により、ピンニングのないInGaAs MIS構造の製作に成功した。
低周波放電のプロセスプラズマとしての適用とその制御法の開発

下妻光夫, 大森義行, 伊達広行, 大野英男, 本間利久

1988年～ 1988年

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集積回路などにおけるプラズマを利用したドライプロセス技術は、ほとんどRFなど高周波電界を使って行なわれる。しかし、高周波では行なうことができない、低周波放電プラズマの特徴を生かした独自のプロセスと、それの制御法の開発がほとんど行なわれておらず、本研究の目的はこの点に付いて実験的に研究を行なうことにある。現在までに、窒化シリコン薄膜を50Hz低周波プラズマCVDで基板非加熱で良質な膜が大面積に均一に堆積できることを見出してきた。このメカニズムの究明を行なうことで低周波プラズマのプロセスへの応用が可能となる。この点に関して63年度の研究成果から、低周波プラズマの特徴であるイオンの可動性とプラズマの断続性が重要な役割をしていることが明らかになってきた。結果の要約として、1)プラズマ中の原子・分子イオンの堆積膜への射突による埋め込みで高密度薄膜形成がなされ、更にイオンの持つ運動エネルギーの射突後の原子再配列エネルギーへの変換による化学量論的な組成への薄膜生成、2)またプラズマ中の生成物(イオン、励起・解離・ラジカル種)の低周波プラズマの断続による発生消滅の結果として、プラズマ発生電圧とプラズマ維持電圧の上昇に伴うプラズマ内の電子エネルギー上昇によるガス分子の効率的な解離が、生成薄膜の物性的評価とプラズマ内電子エネルギー測定などから得られた。これらの事実から低周波プラズマCVDによる基板非加熱条件による良質薄膜堆積が可能ではないかと考えられる。これらをふまえ、高温での堆積が条件と考えられているダイヤモンドライクカーボン薄膜の堆積を低周波非加熱プラズマCVDでH_2+CH_4混合ガスを材料として薄膜堆積した結果、この薄膜が天然ダイヤの物性(電気的・工学的・物理的)に近い物であり、上記の考えが間違いではないことが認められた。今後の研究課題として、このプラズマの制御法について研究を進める予定である。
低周波プラズマCVDによるシリコン窒化膜の室温形成プロセスの開発

下妻光夫, 大森義行, 大野英男, 田頭博昭, 沢田孝幸

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research

研究機関：College of Medical Technology, Hokkaido University

1986年～ 1987年

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61年度では, シリコン窒化膜を室温・低周波(50Hz)プラズマCVD法で作製し, 良質な薄膜を得ることに成功した. 62年度は, この膜をデバイスに応用する事を目的として, 次のような研究結果を得た. 1.5インチφSiウェハー上に堆積した結果, 屈折率2.0±0.05, 膜厚 1000±30〓の面内分布をもつ均一なピンホールのない電気的性質のよい薄膜が得られた. この事から, 室温低周波50HzプラズマCVD法によっても大面積均一堆積が可能であることが明らかとなった. 2.Siウェハー上に均一な膜厚分布を持ったSi熱酸化膜上にシリコン窒化膜を堆積し, 高周波C-V, 準静的C-V測定を行ない, 固定電荷密度NFB1界面準位密度NSSを求め, それぞれ1.5×10^<11>cm^<-2>,8×10^<10>eV^<-1>cm^<-2>であった. これは, 非常に低い値であり低周波プラズマCVDにもかかわらず, イオンのダメージが少ない事を示している. 3.低周波プラズマCVDにおける基板加熱の影響について実験を行い基板温度が高いほど, 緻密な膜が形成され, わずかにSi過剰な膜となり, また電気的特性は, 基板温度に大きく依存しないことがわかった. 4.これらの事から室温低周波プラズマCVD法堆積によるシリコン窒化膜は, 低温プロセスが必要な化合物半導体, アモルファスシリコン上の絶縁膜や, 表面保護膜として十分な特性を持っているものと考えられる. 5.この室温低周波プラズマCVD法は, シリコン窒化膜以外の薄膜作製にも有効であるかについて, アモルファスシリコンとカーボン膜の堆積によって確認実験を行った結果, 良質な薄膜が得られた. この事から, この方法は, 広い使用範囲を持っていることが明らかとなった.
化合物半導体-絶縁体界面の物性と応用に関する研究

長谷川英機, 高橋平七郎, 芳賀哲也, 阿部寛, 大野英男

1985年～ 1987年

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化合物反半導体集積回路においては, 集積回路の基本構成要素てある絶縁体-半導体界面の理解, 制御, 最適化がなされていない. これは, 回路の微細化・高密度集積化・高速化に向けて, 集積回路技術を今後さらに発展させる上での重大な障害となっている. 本研究は, 化合物半導体-絶縁体界面における基礎的な物性を解明し, それによって得られる学問的理解にもとづき界面物性を原子的な尺度で制御する新しい界面制御技術を確立し, 化合物半導体集積回路技術の今後の発展に寄与することを目的としている. 昭和62年度は, 前年度までに確立した界面物性とその制御に関する基礎的理解にもとづき, 大規模集積回路製作に適用可能な実用界面制御技術を確立する目的で研究を進め, 次の成果を得た. (1)化学エッチ, イオンエッチング, プラズマや種々の気体雰囲気への露出, 熱アニール等のプロセス工程中に, GaAs InPの表面・界面にひき起こされる組成・構造・結合状態の変化を解明し, 界面の電気的特性との相関を明らかにするとともに, 「DIGSモデル」の妥当性と「界面制御」の有効性を示した. (2)RBS/PIXE法および極微小領域分析観察装置を用いた分析法において, 原子的な尺度における格子乱れを定量化する手法を発展させ, 極微細集積化構造に対するプロセス評価技術として確立した. (3)表面・界面におけるキャリアの捕獲・放出, 再結合, フォトルミネセンスを, 理論的および実験的に解明した. (4)種々の界面制御層をもつ絶縁膜を用いIPMISFETを製作し, 界面制御の有効性を実証するとともに, 耐熱セルフアラインゲート化により, 大規模集積化への見通しを得た. (5)GaAs MESFETのサイドゲート現象を検討し, その構造を解明し, かつ, 界面制御の有効性を示した. (6)「統一DIGSモデル」が化合物半導体の半導体-半導体界面や非晶質シリコンの界面にも適用可能であるこはを示した.
化合物半導体超格子構造を用いた進行波増幅素子の試作に関する研究

深井一郎, 下妻光夫, 大野英男, 長谷川英機

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research

研究機関：Hokkaido University

1985年～ 1986年

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本研究は化合物半導体薄膜超格子構造における高移動度電子を用いた固体進行波増幅素子を実現するための基礎的研究を行なうことを目的としている。本研究で得られた成果は以下の通りである。[1]固体進行波相互作用の理論解析理想的非分散性遅波導波路を有する固体進行波相互作用系およびインタディジタル遅波導波路を有する固体進行波相互作用系の理論解析を行ない、はじめて有限厚動作層を取り扱い厚さの重要性を指適した。その結果以下の点が明らかとなった。(【i】)相互作用により高い増幅利得および負性コンダクタンスが得られる。(【ii】)最大利得を得るには動作層厚をデバイ長程度とする。最大の負性コンダクタンスを得るには実効的誘電緩和周波数が動作周波数と同程度の半導体を選ぶ。(【iii】)最適動作層を層状に装荷することにより電力変換効率を向上させることができ、大電力増幅が可能である。[2]固体進行波素子用高耐圧誘電体スペーサ層の形成プロセスの確立…固体進行波素子用誘電体スペーサ層は高耐圧性が要求され、かつ形成プロセスは半導体に損傷を与えてはならない。このプロセスとしてプラズマCVD法により室温でシリコン窒化膜を形成する方法を検討した。形成されたシリコン窒化膜は抵抗率6×【10^(15)】Ωcm、破壊電界1.2×【10^7】V/cm屈折率20であり低温のため半導体の損傷の度合が小さい。[3]固体進行波相互作用の観測とその計算機解析 n-GaAsMOVPE層n-AlGaAs1GaAsMBEヘテロ接合構造層、n-InPVPE層を用いてインタディジタル型固体進行波素子を製作し実験的検討を加えた結果次の結論を得た。(【i】)すべての素子においてマイクロ波で進行波相互作用が認められた。(【ii】)さらにInP素子について固体進行波相互作用を実効誘電率で記述した理論を用いて二端子アドミタンスの計算機シミュレーションを行なった。その結果、実験結果とシミュレーション結果が良く一致することが示された。

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社会貢献活動 14

IEEE Magnetics Society Distinguished Lecturer

2009年1月～ 2009年12月

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世界各国の支部で講演
日本学術会議公開シンポジウム

2012年11月26日～

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「日本の復興・再生に向けた産学官連携の新しいありかた」パネル討論「イノベーションを支える産学官連携の課題」パネラー
三井業際研究所

2012年10月24日～

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「三井グループにおいて、異種業種間の業際分野における知識集団としての役割を果たすこと」を目的として活動している三井業際研究所において講演活動を行なった。
東北大学サイエンスカフェ

2012年5月25日～

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一般を対象に科学について気軽に話し合い、科学の楽しさと社会貢献の姿を知ってもらう。
東北大学艮陵同窓会140周年東日本大震災復興プロジェクト

2012年5月19日～

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「鼎談塩野七生さんを囲んで瓦礫と大理石：廃墟と繁栄」（鼎談者）
スイス大使館・Guardian Angelsプロジェクト

2012年2月15日～

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セミナー＆レセプションにおいて講演を行なう
東北大学北海道交流会

2011年11月12日～

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「半導体の復興にむけて－スピントロニクスの集積システム応用ー」と題する講演
第4回東北大学国際シンポジウム

2011年10月27日～

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「スピントロニクス集積回路：待機電力ゼロの社会に向けて」講演
SEMI Forum Japan 2011

2011年5月31日～

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先端CMOSデバイス・プロセスセミナー－グラフェン・スピンエレクトロニクス、次世代に向けたデバイスプロセス」において「スピントロニクスによる不揮発性VLSI」と題する招待講演を行なった。
FIRSTサイエンスフォーラム

2011年2月13日～

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トップ科学者と若者で切り拓く未来「ワンダー：科学は自分の周りの驚きからはじまる！」
科学技術交流財団わかしゃち奨励賞優秀提案発表会最優秀賞選考会基調講演

2010年2月～

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講演講師
長野県テクノ財団浅間テクノポリス地域センター

2008年2月～

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セミナー講師
日本真空協会

2007年11月～

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真空に関する連合講演会
北陸先端科学技術大学院大学

2007年7月～

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マテリアルサイエンス研究科セミナー講師

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メディア報道 2

報道ステーション

テレビ朝日

2011年6月17日

メディア報道種別: テレビ・ラジオ番組
東北大学の新世紀

東日本放送

2011年1月17日

メディア報道種別: テレビ・ラジオ番組

その他 11

卓越した大学院拠点形成支援補助金

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本学は情報通信技術分野とエレクトロニクス材料・デバイス開発に関わるナノテクノロジー分野の研究において長い歴史と実績を有する。これらを継承しながら独創的かつ国際性豊かな研究を行うことのできる人材育成をめざして、世界最高水準の研究開発のための体制を強化し、海外拠点を活用した国際的な教育環境を整備して若手研究者を養成している。
耐災害性に優れた安心・安全社会のためのスピントロニクス材料・デバイス基盤技術の研究開発

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不揮発性ワーキングメモリを有する耐災害性に優れたコンピュータシステムを実現するために、20nm以下の寸法を有する微細な高速、大容量、耐環境性に優れ、かつ低消費電力を実現する不揮発性スピントロニクスメモリの材料・デバイス技術を開発するとともに、そのコンピュータシステムへの適用法をシミュレーションで明らかにし、耐災害性に優れた安心・安全社会のためにスピントロニクス材料・デバイス基盤技術を確立する。
省エネルギー・スピントロニクス論理集積回路の研究開発

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電子の持つスピンを利用することで、エネルギーを使わずに情報を記憶することができるスピントロニクス素子を用いた半導体論理集積回路を世界に先駆けて開発する。これにより、従来に比べてエネルギー消費量が極めて少ない電子機器の開発につなげ、省エネルギー社会の実現に貢献する。
次世代高機能・低消費電力スピンデバイス基盤技術の開発

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次世代高機能・低消費電力スピンデバイス基盤技術の開発
スピンダイナミックスとその機能デバイス応用

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スピンダイナミックスとその機能デバイス応用
テラヘルツ帯量子カスケードレーザーの研究

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テラヘルツ帯量子カスケードレーザーの研究
非磁性半導体中の電子スピンに関する研究

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非磁性半導体中の電子スピンに関する研究
高機能・超低消費電力メモリの開発

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高機能・超低消費電力メモリの開発
酸化亜鉛薄膜ショットキーダイオード

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酸化亜鉛薄膜ショットキーダイオード
非平衡表面層の原子スケールダイナミクスと新物質の創生

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非平衡表面層の原子スケールダイナミクスと新物質の創生
III-V族をベースとする希薄磁性半導体とその量子構造

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III-V族をベースとする希薄磁性半導体とその量子構造

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