東北大学研究者紹介

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フキドメ　ヒロカズ

吹留　博一

Hirokazu Fukidome

所属

電気通信研究所　計算システム基盤研究部門　固体電子工学研究室

職名

准教授

学位

博士（工学）（大阪大学）

researchmap

https://researchmap.jp/hirokazu_fukidome

J-GLOBAL ID

200901034715875233

経歴 5

2011年～継続中

東北大学　電気通信研究所情報デバイス研究部門　准教授
2008年～ 2011年

東北大学　電気通信研究所情報デバイス研究部門　助教
2001年～ 2002年

理化学研究所協力研究員
2000年～ 2001年

日本学術振興会特別研究員・米国Bell Laboratories 客員研究員
2002年～

- 豊田工業大学助手

学歴 3

大阪大学大学院　基礎工学研究科　後期課程化学系専攻

1997年4月～ 2000年3月
大阪大学大学院　基礎工学研究科　前期課程化学系専攻

1995年4月～ 1997年3月
大阪大学　基礎工学部　合成化学科

1990年4月～ 1995年3月

委員歴 53

日本表面真空学会　理事

2025年4月～継続中
SPring-8ユーザ協同体（SPRUC）・顕微ナノ材料科学研究会　代表

2020年4月～継続中
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　Associate Editor

2018年2月～継続中
表面科学会・eJSSNT 編集委員会　委員

2018年2月～継続中
表面科学会・電子ジャーナル委員会　委員

2018年2月～継続中
応用物理学会薄膜・表面物理分科会　幹事

2017年3月～継続中
日本表面科学会放射光表面科学部会　幹事

2015年4月～継続中
MNC2013プログラム編集委員　編集委員

2013年6月～継続中
MNC2013論文委員会　論文委員

2013年6月～継続中
MNC2013プログラム編集委員　編集委員

2013年6月～継続中
MNC2013論文委員会　論文委員

2013年6月～継続中
VUV・SX高輝度光源利用者懇談会　会員

2013年4月～継続中
ACSIN2018 Local Committee　Committee

2013年4月～継続中
顕微ナノ材料科学研究会　幹事

2013年4月～継続中
日本表面科学会東北支部　幹事

2013年4月～継続中
顕微ナノ材料科学研究会　幹事

2013年4月～継続中
日本表面科学会東北支部　幹事

2013年4月～継続中
応用物理学会ナノカーボン分科会　世話人

2009年1月～継続中
応用物理学会プログラム編集委員会　編集委員

2009年1月～継続中
応用物理学会ナノカーボン分科会　世話人

2009年1月～継続中
応用物理学会プログラム編集委員会　編集委員

2009年1月～継続中
電気化学会東北支部　幹事

2008年4月～継続中
ACSIN16 プログラム　責任者

2025年3月～ 2026年12月
ALC’24 Program Committees　Committee

2023年10月～ 2024年12月
Teratech 2023 Local Committees　Committee

2023年2月～ 2023年11月
応用物理学会薄膜・表面物理分科会　広報幹事

2021年4月～ 2023年3月
応用物理学会薄膜・表面物理分科会　常任幹事

2021年4月～ 2023年3月
第45回薄膜・表面物理基礎講座　企画幹事

2021年4月～ 2022年11月
ALC’21 Program Committees　Committee

2020年5月～ 2022年11月
ACSIN 2018 Publication Committee　Vice-Chair

2017年3月～ 2018年11月
ACSIN 2018 Local Committee　Vice-Chair

2017年3月～ 2018年11月
日本表面科学会表面放射光研究部会　幹事

2015年4月～ 2018年3月
応用物理学会薄膜表面分科会　常任幹事

2015年4月～ 2018年3月
IEEE NEMS Program Committee　Committee

2015年4月～ 2017年3月
IEEE NEMS 2016　Session Chair

2015年9月～ 2016年4月
MNC2013プログラム編集委員会　編集委員

2013年～ 2014年
電気化学会仙台大会・実行委員会　実行委員

2012年10月～ 2013年3月
MNC2012 論文委員会　論文委員

2012年5月～ 2013年3月
MNC2012プログラム編集委員会　編集委員

2012年5月～ 2013年3月
日本表面科学会・学術講演会委員会　講演委員

2012年4月～ 2013年3月
日本表面科学会東北支部　幹事

2012年～ 2013年
日本表面科学会・講演奨励委員会　講演奨励委員

2012年4月～ 2012年11月
MNC2011 論文委員会　論文委員

2011年5月～ 2012年3月
MNC2011プログラム編集委員会　編集委員

2011年5月～ 2012年3月
Special Topic in Applied Physics　特別編集委員

2010年11月～ 2011年3月
MNC2010 論文委員会　論文委員

2010年5月～ 2011年3月
MNC2010プログラム編集委員会　編集委員

2010年5月～ 2011年3月
ISGD2010 Local Committees　Committee

2010年4月～ 2011年3月
電気化学会ナノ界面・表面研究懇談会　常任委員

2007年4月～ 2008年3月
電気化学会東北支部　事務幹事

2007年4月～ 2008年3月
電気化学会ナノ界面・表面研究懇談会　常任委員

2007年4月～ 2008年3月
電気化学会東北支部　事務幹事

2007年4月～ 2008年3月
JJAP特別編集委員会　特別編集委員

2010年6月～

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所属学協会 1

応用物理学会

研究キーワード 6

電気化学」
顕微分光
シリコン
有機結晶
グラフェン
「表面・界面

研究分野 1

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

受賞 5

第51 回薄膜・表面物理基礎講座「Beyond 5Gと表面物理との接点」

2022年10月　応用物理学会 ※協賛：NICT、IEEE　第51 回薄膜・表面物理基礎講座「Beyond 5Gと表面物理との接点」
RIEC Award 東北大学研究者賞

2016年11月　東北大学電気通信研究所　材料物性とデバイス特性のギャップを埋めるオペランド顕微X線分光の開拓
石田實記念財団研究奨励賞

2015年11月　一般財団法人石田實記念財団　動作しているデバイスの電子状態の顕微分光法の開拓と学理に基づく二次元電子系デバイスの研究
日本表面科学会論文賞

2011年12月　日本表面科学会
eJSSNT Paper of The Year 2009

2010年2月　日本表面科学会　Raman Scattering Spectroscopy of Epitaxial Graphene Formed on SiC Film on Si Substrates

論文 234

Linking structure and process in dendritic growth using persistent homology with energy analysis

Misato Tone, Shunsuke Sato, Sotaro Kunii, Ippei Obayashi, Yasuaki Hiraoka, Yui Ogawa, Hirokazu Fukidome, Alexandre Lira Foggiatto, Chiharu Mitsumata, Ryunsuke Nagaoka, Arpita Varadwaj, Iwao Matsuda, Masato Kotsugi

Science and Technology of Advanced Materials: Methods　2025年3月7日
出版者・発行元： Informa UK Limited
DOI： 10.1080/27660400.2025.2475735 　

eISSN：2766-0400
High-frequency characteristics of ultra-short gate MoS₂ transistors

Akiko Ueda, Hiroshi Imamura, Hirokazu Fukidome

Applied Physics Express　18　(3)　034005-034005　2025年3月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/adbcf5 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786

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Abstract Short channel transistors are gaining attention for high-frequency applications. MoS₂ transistors, with their atomically thin structure, exhibit excellent on/off switching and low intrinsic capacitance. This study employs the nonequilibrium Green’s function formalism to analyze their electronic properties and evaluate high-frequency performance under a sub-10 nm metal gate using a small-signal circuit model. The findings reveal that MoS₂ transistors can achieve cut-off frequencies in the terahertz range, even in the presence of electron–phonon scattering, and maintain excellent high-frequency characteristics as the gate length is reduced, demonstrating their potential for advanced high-frequency device applications.
An Investigation to Determine the Interface Condition Between Graphene and SiC Substrate

Yasunori Tateno, Mitsuhashi Fuminori, Masaya Okada, Hirokazu Fukidome, Masahiro Adachi, Yoshiyuki Yamamoto, Masaki Ueno, Takashi Nakabayashi, Ken Nakata

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　22　(4)　342-350　2024年11月28日
出版者・発行元： Surface Science Society Japan
DOI： 10.1380/ejssnt.2024-036 　

eISSN：1348-0391
Novel 3D-Rectification Mechanism of Terahertz Detection in Epitaxial Graphene Channel Transistors

Koichi Tamura, Hironobu Seki, Hiroyoshi Kudo, Shinnosuke Uchigasaki, Chao Tang, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Akira Satou, Taiichi Otsuji

CLEO: Science and Innovations, CLEO: S and I 2024 in Proceedings CLEO 2024, Part of Conference on Lasers and Electro-Optics　2024年
Novel THz Detection Mechanism in Gate-Readout Epitaxial Graphene FET

Hiroyoshi Kudo, Koichi Tamura, Hironobu Seki, Shinnosuke Uchigasaki, Chao Tang, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Akira Satou, Taiichi Otsuji

International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz　2024年

DOI： 10.1109/IRMMW-THz60956.2024.10697661 　

ISSN：2162-2027

eISSN：2162-2035
THz Detection on Epitaxial Graphene FET by Photothermoelectric, Plasmonic, and Electric Field Assisting Mechanisms

Koichi Tamura, Hiroyoshi Kudo, Shinnosuke Uchigasaki, Chao Tang, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Akira Satou, Taiichi Otsuji

International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz　2024年

DOI： 10.1109/IRMMW-THz60956.2024.10697613 　

ISSN：2162-2027

eISSN：2162-2035
Synthesis of Bi2Se3 and its application to sensitive and fast THz detection

Chao Tang, Koichi Tamura, Aoi Hamada, Hiroyoshi Kudo, Shinnosuke Uchigasaki, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Hirokazu Fukidome, Tsung Tse Lin, Akira Satou, Taiichi Otsuji

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　13141　2024年

DOI： 10.1117/12.3028676 　

ISSN：0277-786X

eISSN：1996-756X
Novel 3D-Rectification Mechanism of Terahertz Detection in Epitaxial Graphene Channel Transistors

Koichi Tamura, Hironobu Seki, Hiroyoshi Kudo, Shinnosuke Uchigasaki, Chao Tang, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Akira Satou, Taiichi Otsuji

2024 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2024　2024年
Fast THz Detection by an Asymmetric-Dual-Grating-Gate Graphene-Channel FET Based on Plasmonic and Photothermoelectric Effects

Koichi Tamura, Shinnosuke Uchigasaki, Hironobu Seki, Chao Tang, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz　2023年10月31日

DOI： 10.1109/IRMMW-THz57677.2023.10299381 　

ISSN：2162-2027

eISSN：2162-2035
Fast and sensitive THz detection by an Asymmetric-Dual-Grating-Gate Epitaxial-Graphene-Channel FET based on plasmonic and photothermoelectric rectification effects

Koichi Tamura, Chao Tang, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering　12683　2023年10月4日

DOI： 10.1117/12.2676102 　

ISSN：0277-786X

eISSN：1996-756X
Fast and Sensitive THz Detection by an Asymmetric-Dual-Grating-Gate Epitaxial-Graphene-Channel FET Due to Plasmonic and Photothermoelectric Rectification Effects

Koichi Tamura, Chao Tang, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

2023 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2023　2023年5月7日
Fast and sensitive terahertz detection with a current-driven epitaxial-graphene asymmetric dual-grating-gate field-effect transistor structure

Koichi Tamura, Chao Tang, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

APL Photonics　7　(12)　126101-126101　2022年12月1日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0122305 　

eISSN：2378-0967

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We designed and fabricated an epitaxial-graphene-channel field-effect transistor (EG-FET) featuring an asymmetric dual-grating-gate (ADGG) structure working as a current-driven terahertz detector and experimentally demonstrated a 10 ps-order fast response time and a high responsivity of 0.3 mA/W to 0.95 Terahertz (THz) radiation incidence at room temperature. The ADGG and drain–source bias dependencies of the measured photoresponse showed a clear transition between plasmonic detection under periodic electron density modulation conditions with depleted regions and photothermoelectric (PTE) detection under entirely highly doped conditions without depleted regions. We identified the PTE detection that we observed as a new type of unipolar mechanism in which only electrons or holes contribute to rectifying THz radiation under current-driven conditions. These two detection mechanisms coexisted over a certain wide transcendent range of the applied bias voltages. The temporal photoresponses of the plasmonic and PTE detections were clearly shown to be comparably fast on the order of 10 ps, whereas the maximal photoresponsivity of the PTE detection was almost twice as high as that of the plasmonic detection under applied bias conditions. These results suggest that the ADGG-EG-FET THz detector will be promising for use in 6G- and 7G-class high-speed wireless communication systems.
Controlling the PT symmetry of Dirac plasmons in dual-grating-gate graphene THz laser transistors for ultrafast gain switching 国際誌査読有り

Taiichi Otsuji, Akira Satou, Hirokazu Fukidome, Maxim Ryzhii, Victor Ryzhii, Koichi Narahara

CLEO: Conference on Lasers and Electro-Optics 2022　1　(1)　1-2　2022年5月19日

DOI： 10.1364/CLEO_AT.2022.JTh3B.10 　
Environmental effects on layer-dependent dynamics of Dirac fermions in quasicrystalline bilayer graphene

Y. Zhao, T. Suzuki, T. Iimori, H. W. Kim, J. R. Ahn, M. Horio, Y. Sato, Y. Fukaya, T. Kanai, K. Okazaki, S. Shin, S. Tanaka, F. Komori, H. Fukidome, I. Matsuda

Physical Review B　105　(11)　2022年3月15日

DOI： 10.1103/PhysRevB.105.115304 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Graphene-based plasmonic metamaterial for terahertz laser transistors

Taiichi Otsuji, Stephane Albon Boubanga-Tombet, Akira Satou, Deepika Yadav, Hirokazu Fukidome, Takayuki Watanabe, Tetsuya Suemitsu, Alexander A. Dubinov, Vyacheslav V. Popov, Wojciech Knap, Valentin Kachorovskii, Koichi Narahara, Maxim Ryzhii, Vladimir Mitin, Michael S. Shur, Victor Ryzhii

Nanophotonics　11　(9)　1677-1696　2022年2月2日
出版者・発行元： Walter de Gruyter GmbH
DOI： 10.1515/nanoph-2021-0651 　

eISSN：2192-8614

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Abstract This paper reviews recent advances in the research and development of graphene-based plasmonic metamaterials for terahertz (THz) laser transistors. The authors’ theoretical discovery on THz laser transistors in 2007 was realized as a distributed-feedback dual-gate graphene-channel field-effect transistor (DFB-DG-GFET) in 2018, demonstrating ∼0.1 µW single-mode emission at 5.2 THz and ∼80 µW amplified spontaneous 1–7.6 THz emission at 100 K. To realize room-temperature, dry-cell-battery operating intense THz lasing with fast direct modulation, various approaches based on graphene plasmonic metamaterials are investigated and introduced as real device implementations, including (i) replacement of the laser photonic cavity with plasmonic cavity enormously improving the THz photon field confinement with larger gain overlapping, (ii) introduction of THz amplification of stimulated emission via current-driven graphene Dirac plasmons (GDPs), and (iii) controlling the parity and time-reversal symmetry of GDPs enabling ultrafast direct gain-switch modulation. Possible real device structures and design constraints are discussed and addressed toward coherent light sources applicable to future 6G- and 7G-class THz wireless communication systems.
Atomic arrangements of quasicrystal bilayer graphene: Interlayer distance expansion

Yuki Fukaya, Yuhao Zhao, Hyun Woo Kim, Joung Real Ahn, Hirokazu Fukidome, Iwao Matsuda

Physical Review B　104　(18)　2021年11月1日

DOI： 10.1103/PhysRevB.104.L180202 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Terahertz Detection by an Asymmetric Dual-Grating-Gate Graphene FET

Koichi Tamura, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Akira Satou, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Taiichi Otsuji

International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz　2021-August　2021年8月29日

DOI： 10.1109/IRMMW-THz50926.2021.9567489 　

ISSN：2162-2027

eISSN：2162-2035
Fast terahertz detection by asymmetric dual-grating-gate graphene FET

Koichi Tamura, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Akira Satou, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Taiichi Otsuji

2021 Device Research Conference (DRC)　2021-June　1-2　2021年6月20日
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/drc52342.2021.9467191 　

ISSN：1548-3770

eISSN：2162-2035
High-quality few-layer graphene on single-crystalline sic thin film grown on affordable wafer for device applications 国際誌

Norifumi Endoh, Shoji Akiyama, Keiichiro Tashima, Kento Suwa, Takamasa Kamogawa, Roki Kohama, Kazutoshi Funakubo, Shigeru Konishi, Hiroshi Mogi, Minoru Kawahara, Makoto Kawai, Yoshihiro Kubota, Takuo Ohkochi, Masato Kotsugi, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Maki Suemitsu, Issei Watanabe, Hirokazu Fukidome

Nanomaterials　11　(2)　1-13　2021年2月4日

DOI： 10.3390/nano11020392 　

eISSN：2079-4991
Investigation of Terahertz properties in Graphene ribbons

Amine El Moutaouakil, Hirokazu Fukidome, Taiichi Otsuji

International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz　2020-November　900-901　2020年11月8日

DOI： 10.1109/IRMMW-THz46771.2020.9370592 　

ISSN：2162-2027

eISSN：2162-2035
Dynamics of surface electron trapping of a GaN-based transistors revealed by spatiotemporally resolved x-ray spectroscopy

Keiichi Omika, Kensuke Takahashi, Akira Yasui, Takuo Ohkochi, Hitoshi Osawa, Tsuyoshi Kouchi, Yasunori Tateno, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome

Applied Physics Letters　117　(17)　171605-171605　2020年10月26日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0020500 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Electrical Transport Properties of Gate Tunable Graphene Lateral Tunnel Diodes 査読有り

K. Shiga, T. Komiyama, Y. Fuse, H. Fukidome, A. Sato, T. Otsuji, T. Uchino

Jpn. J. Appl. Phys　59　(SI)　2020年4月13日

DOI： 10.35848/1347-4065/ab83de 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Influence of interface dipole layers on the performance of graphene field effect transistors 査読有り

Nagamura N, Fukidome H, Nagashio K, Horiba K, Ide T, Funakubo K, Tashima K, Toriumi A, Suemitsu M, Horn K, Oshima M

Carbon　152　680-687　2019年11月

DOI： 10.1016/j.carbon.2019.06.038 　

ISSN：0008-6223
Electrical Characteristics of Gate Tunable Graphene Lateral Tunnel Diodes 査読有り

K. Shiga, T. Komiyama, Y. Fuse, H. Fukidome, A. Sato, T. Otsuji, T. Uchino

MNC 2019, 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference　31-A-8　2019年10月28日
Ultrafast Unbalanced Electron Distributions in Quasicrystalline 30° Twisted Bilayer Graphene 国際誌査読有り

Takeshi Suzuki, Takushi Iimori, Sung Joon Ahn, Yuhao Zhao, Mari Watanabe, Jiadi Xu, Masami Fujisawa, Teruto Kanai, Nobuhisa Ishii, Jiro Itatani, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Satoru Tanaka, Joung Real Ahn, Kozo Okazaki, Shik Shin, Fumio Komori, Iwao Matsuda

ACS Nano　13　(10)　11981-11987　2019年10月22日
出版者・発行元： American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/acsnano.9b06091 　

ISSN：1936-0851

eISSN：1936-086X
グラフェンによる改善された表面増強ラマン分光(SERS)感度

SHIGA K, IMAI K, KUSANO M, FUKIDOME H, SATOU A, OTSUJI T, UCHINO T

電気関係学会東北支部連合大会講演論文集(CD-ROM)　2019　2019年8月22日
Direct Formation of Solution-based Al2O3 on Epitaxial Graphene Surface for Sensor Applications

Kwan Soo Kim, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

Sensors and Materials　31　(7)　2291-2301　2019年7月19日

DOI： 10.18494/SAM.2019.2317 　

ISSN：0914-4935
Modulation of electronic states near electrodes in graphene transistors observed by operando photoelectron nanospectroscopy 査読有り

Fukidome H, Funakubo K, Nagamura N, Horiba K, Tateno Y, Oshima M, Suemitsu M

Sensors and Materials　31　(7)　2303-2311　2019年7月19日

DOI： 10.18494/SAM.2019.2327 　

ISSN：0914-4935
Terahertz photoluminescence from narrow gap HgTe/CdHgTe heterostructures and multilayer graphene 査読有り

RJUSE2019: 8th Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies, & GDR-I FIR-LAB Workshop Dig., Nizhny Novgorod, Russia,　1　(1)　P-13-1-2　2019年7月8日
Graphene-based 2D-heterostructures for terahertz lasers and amplifiers 招待有り査読有り

Proc. SPIE [SPIE Photonics West, Conference 10917: Terahertz, RF, Millimeter, and Submillimeter-Wave Technology and Applications XII, San Fransisco, CA, USA]　10917　109170G-1-10　2019年3月1日

DOI： 10.1117/12.2516494 　

ISSN：0277-786X

eISSN：1996-756X
Element- and Site-Specific Many-Body Interactions in Few-Layer MoS2 During X-Ray Absorption Processes 査読有り

Kamada Gen, Venugopal Gunasekaran, Kotsugi Masato, Ohkochi Takuo, Suemitsu Maki, Fukidome Hirokazu

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　216　(2)　2019年1月23日

DOI： 10.1002/pssa.201800539 　

ISSN：1862-6300

eISSN：1862-6319
Fabrication of Gate Tunable Graphene Lateral Tunnel Diodes 査読有り

2018 MRS Fall Meeting Dig., Hynes Convention Center, Boston, MA, USA,　1　(1)　NM01.07.16　2018年11月25日
Operando soft X-ray spectromicroscopic measurement and the use for high-performance devices and circuits

Hirokazu Fukidome

Monatomic Two-Dimensional Layers: Modern Experimental Approaches for Structure, Properties, and Industrial Use　199-216　2018年9月28日

DOI： 10.1016/B978-0-12-814160-1.00007-1 　
Operation Mechanism of GaN-based Transistors Elucidated by Element-Specific X-ray Nanospectroscopy 国際誌査読有り

Omika Keiichi, Tateno Yasunori, Kouchi Tsuyoshi, Komatani Tsutomu, Yaegassi Seiji, Yui Keiichi, Nakata Ken, Nagamura Naoka, Kotsugi Masato, Horiba Koji, Oshima Masaharu, Suemitsu Maki, Fukidome Hirokazu

SCIENTIFIC REPORTS　8　(1)　13268-13268　2018年9月5日

DOI： 10.1038/s41598-018-31485-4 　

ISSN：2045-2322

eISSN：2045-2322
Enhancement of CO2 adsorption on oxygen-functionalized epitaxial graphene surface under near-ambient conditions 国際誌査読有り

Yamamoto Susumu, Takeuchi Kaori, Hamamoto Yuji, Liu Ro-Ya, Shiozawa Yuichiro, Koitaya Takanori, Someya Takashi, Tashima Keiichiro, Fukidome Hirokazu, Mukai Kozo, Yoshimoto Shinya, Suemitsu Maki, Morikawa Yoshitada, Yoshinobu Jun, Matsuda Iwao

PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS　20　(29)　19532-19538　2018年8月7日

DOI： 10.1039/c8cp03251c 　

ISSN：1463-9076

eISSN：1463-9084
Interfacial carrier dynamics of graphene on SiC, traced by the full-range time-resolved core-level photoemission spectroscopy 査読有り

Someya T, Fukidome H, Endo N, Takahashi K, Yamamoto S, Matsuda I

Applied Physics Letters　113　(5)　2018年7月30日

DOI： 10.1063/1.5043223 　

ISSN：0003-6951
A table-top formation of bilayer quasi-free-standing epitaxial-graphene on SiC(0001) by microwave annealing in air 査読有り

Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Someya Takashi, Iimori Takushi, Komori Fumio, Matsuda Iwao, Maki Suemitsu

Carbon　130　792-798　2018年4月1日

DOI： 10.1016/j.carbon.2018.01.074 　

ISSN：0008-6223
Simple formation of quasi-free-standing epitaxial graphene (QFSEG) using microwave annealing

Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Takashi Someya, Takushi Iimori, Fumio Komori, Iwao Matsuda, Maki Suemitsu

ISEG-2017　2017年11月23日
Quantification of Surface Electron Trapping of GaN Transistors by Using Operando Soft X-ray Photoelectron Nanospectroscopy

H. Fukidome, K. Omika, Y. Tateno, T. Kouchi, T. Komatani, N. Nagamura, S. Konno, Y. Takahashi, M. Kotsugi, K. Horiba, M. Suemitsu, M. Oshima

ISSS-8 2017　2017年10月26日
Atomic-scale characterization of the interfacial phonon in graphene/SiC 査読有り

Emi Minamitani, Ryuichi Arafune, Thomas Frederiksen, Tetsuya Suzuki, Syed Mohammad Fakruddin Shahed, Tomohiro Kobayashi, Norifumi Endo, Hirokazu Fukidome, Satoshi Watanabe, Tadahiro Komeda

PHYSICAL REVIEW B　96　(15)　2017年10月15日

DOI： 10.1103/PhysRevB.96.155431 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Temperature Dependence of the Conductivity in a Dual Gate Graphene Field Effect Transistor

K. Sugawara, T. Watanabe, D. Yadav, T. Komiyama, Y. Fuse, M. Ryzhii, V. Ryzhii, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

RJUSE 2017　2017年10月3日
Fabrication of multi-layer Bi2Se3 devices and observation of anomalous electrical transport behaviors 査読有り

Venugopal Gunasekaran, Goon-Ho Park, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　68　128-132　2017年9月

DOI： 10.1016/j.mssp.2017.06.010 　

ISSN：1369-8001

eISSN：1873-4081
Solution-based formation of high-quality gate dielectrics on epitaxial graphene by microwave-assisted annealing 査読有り

Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Won-Ju Cho, Maki Suemitsu

Japanese Journal of Applied Physics　56　(6)　06GF09-1-06GF09-5　2017年5月9日

DOI： 10.7567/JJAP.56.06GF09 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Suppression of supercollision carrier cooling in high mobility graphene on SiC(000(1)over-bar) 査読有り

Takashi Someya, Hirokazu Fukidome, Hiroshi Watanabe, Takashi Yamamoto, Masaru Okada, Hakuto Suzuki, Yu Ogawa, Takushi Iimori, Nobuhisa Ishii, Teruto Kanai, Keiichiro Tashima, Baojie Feng, Susumu Yamamoto, Jiro Itatani, Fumio Komori, Kozo Okazaki, Shik Shin, Iwao Matsuda

PHYSICAL REVIEW B　95　(16)　2017年4月19日

DOI： 10.1103/PhysRevB.95.165303 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Adsorption of CO2 on Graphene: A Combined TPD, XPS, and vdW-DF Study 査読有り

Kaori Takeuchi, Susumu Yamamoto, Yuji Hamamoto, Yuichiro Shiozawa, Keiichiro Tashima, Hirokazu Fukidome, Takanori Koitaya, Kozo Mukai, Shinya Yoshimoto, Maki Suemitsu, Yoshitada Morikawa, Jun Yoshinobu, Iwao Matsuda

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C　121　(5)　2807-2814　2017年2月9日

DOI： 10.1021/acs.jpcc.6b11373 　

ISSN：1932-7447

eISSN：1932-7455
Extremely uniform epitaxial growth of graphene from sputtered SiC films on SiC substrates 査読有り

Fuminori Mitsuhashi, Masaya Okada, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi, Masaki Ueno, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

MRS Advances　2　(1)　51-56　2016年12月20日

DOI： 10.1557/adv.2016.635 　

ISSN：2059-8521

eISSN：2059-8521
Making and revealing stacking structure of high quality graphenegrown on SiC(000-1) substrate

K. Tashima, R. Suto, H. Fukidome, M. Suemitsu, K. Horiba, H. Kumigashira, M. Kotsugi, T. Ohkochi

ICSPM23　2016年12月10日
Solution-Based Formation of High Quality Gate Dielectrics on Graphene Using Microwave-Assisted Annealing

K.S. Kim, G.H. Park, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

MNC 2016　2016年11月10日
InP HEMT and graphene FET for optical to sub-THz carrier frequency conversion 査読有り

A. Satou, K. Sugawara, G. Tamamushi, T. Watanabe, A. Dobroiu, T. Suemitsu, H. Fukidome, M. Suemitsu, V. Ryzhii, K. Iwatsuki, S. Kuwano, J. Kani, J. Terada, T. Otsuji

RJUSE: 5th Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies Tech. Dig., Sendai, Miyagi, Japan　1　(1)　182-185　2016年11月1日
Solution-processed Al2O3 gate dielectrics for graphene field-effect transistors 査読有り

Goon-Ho Park, Kwan-Soo Kim, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Won-Ju Cho, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(9)　091502-1-091502-5　2016年9月

DOI： 10.7567/JJAP.55.091502 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Inhomogeneous longitudinal distribution of Ni atoms on graphene induced by layer-number-dependent internal diffusion 査読有り

M. Hasegawa, K. Tashima, M. Kotsugi, T. Ohkochi, M. Suemitsu, H. Fukidome

APPLIED PHYSICS LETTERS　109　(11)　111604-1-111604-5　2016年9月

DOI： 10.1063/1.4962840 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Solution-processed Al

Park Goon-Ho, Kim Kwan-Soo, Fukidome Hirokazu, Suemitsu Tetsuya, Otsuji Taiichi, Cho Won-Ju, Suemitsu Maki

Jpn. J. Appl. Phys.　55　(9)　91502-91502　2016年8月26日
出版者・発行元： Institute of Physics
DOI： 10.7567/JJAP.55.091502 　

ISSN：0021-4922

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The performance of actual graphene FETs suffers significant degradation from that expected for pristine graphene, which can be partly attributed to the onset of defects and the doping of the graphene induced during the fabrication of gate dielectric layers. These effects are mainly due to high-temperature processes such as postdeposition annealing. Here, we propose a novel low-temperature method for the fabrication of gate dielectrics, which consists of the natural oxidation of an ultrathin Al layer and a sol–gel process with oxygen plasma treatment to form an Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>layer. The method results in a significant reduction of defects and doping in graphene, and devices fabricated by this method show an intrinsic carrier mobility as high as 9100 cm²V⁻¹s⁻¹.
Operando X-ray spectromicroscopy on graphene transistors 招待有り

Hirokazu Fukidome

Global Graphene Forum　2016年8月24日
Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110) 査読有り

Shota Sambonsuge, Sai Jiao, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Sergey N. Filimonov, Maki Suemitsu

DIAMOND AND RELATED MATERIALS　67　51-53　2016年8月

DOI： 10.1016/j.diamond.2016.02.020 　

ISSN：0925-9635

eISSN：1879-0062
Graphene on C-terminated face of 4H-SiC observed by noncontact scanning nonlinear dielectric potentiometry 査読有り

Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Keiichiro Tashima, Maki Suemitsu, Yasuo Cho

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(8)　08NB02-1-08NB02-5　2016年8月

DOI： 10.7567/JJAP.55.08NB02 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
A fitting model for extraction of intrinsic transistor parameters in graphene FETs 査読有り

J. Mitsushio, G. Tamamushi, K. Sugawara, A. Satou, T. Suemitsu, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

AWAD 2016: Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices Proc., Hakodake, Hokkaido, Japan　1　(1)　A7-5-1-5　2016年7月6日
Sub-THz Photonic Double-Mixing Conversion Using Transistors 査読有り

A. Satou, K. Sugawara, G. Tamamushi, T. Watanabe, A. Dobroiu, T. Suemitsu, H. Fukidome, M. Suemitsu, V. Ryzhii, K. Iwatsuki, S. Kuwano, J. Kani, J. Terada, T. Otsuji

AWAD 2016: Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices Proc., Hakodake, Hokkaido, Japan　1　(1)　A5-5-1-6　2016年7月5日
Observation of insulating and metallic-type behavior in Bi₂Se₃ transistor at room temperature 査読有り

V. Gunasekaran, G.H. Park, K.S. Kim, M. Suemitsu, H. Fukidome

NANOSYSTEMS: PHYSICS, CHEMISTRY, MATHEMATICS, 2016　7　(3)　565-568　2016年7月
Observation of nanoscopic charge-transfer region at metal/MoS2 interface 査読有り

Ryota Suto, Gunasekaran Venugopal, Keiichiro Tashima, Naoka Nagamura, Koji Horiba, Maki Suemitsu, Masaharu Oshima, Hirokazu Fukidome

MATERIALS RESEARCH EXPRESS　3　(7)　2016年7月

DOI： 10.1088/2053-1591/3/7/075004 　

ISSN：2053-1591

eISSN：2053-1591
High-performance self-aligned graphene transistors fabricated using contamination-and defect-free process 査読有り

Goon-Ho Park, Kwan-Soo Kim, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Won-Ju Cho, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(6)　06GF11-1-06GF11-4　2016年6月

DOI： 10.7567/JJAP.55.06GF11 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Evaluations of crystal defects of 3C-SiC ((1)over-bar(1)over-bar(1)over-bar) film on Si(110) substrate 査読有り

Shota Sambonsuge, Shun Ito, Sai Jiao, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Sergey N. Filimonov, Maki Suemitsu

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE　213　(5)　1125-1129　2016年5月

DOI： 10.1002/pssa.201532675 　

ISSN：1862-6300

eISSN：1862-6319
Photonic Frequency Double-Mixing Conversion Over the 120-GHz Band Using InP- and Graphene-Based Transistors 査読有り

Kenta Sugawara, Tetsuya Kawasaki, Gen Tamamushi, Hussin Mastura, Adrian Dobroiu, Tomohiro Yoshida, Tetsuya Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Victor Ryzhii, Katsumi Iwatsuki, Shigeru Kuwano, Jun-Ichi Kani, Jun Terada, Taiichi Otsuji

JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY　34　(8)　2011-2019　2016年4月

DOI： 10.1109/JLT.2015.2505146 　

ISSN：0733-8724

eISSN：1558-2213
グラフェンFETにおける真性トランジスタパラメータ抽出用モデルの評価査読有り

満塩純希, 玉虫元, 菅原健太, 佐藤昭, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

第63回応用物理学会春季学術講演会予稿集　63rd　2016年3月19日
3D nanoscale controle of interface chemistry of GaN-based transistor

Keiichi Omika, Yasunori Tateno, Tsutomu Komatani, Tsuyoshi Kouchi, Naoka Nagamura, Masato Kotsugi, Koji Horiba, Maki Suemitsu, Masaharu Oshima, Hirokazu Fukidome

SSNS'16　2016年1月14日
グラフェンにおける二次元Dirac-Fermionの超高速キャリアダイナミクス

染谷隆史, 吹留博一, 渡邊浩, 岡田大, 小川優, 山本貴士, 飯盛拓嗣, 田島圭佑, 山本達, 小森文夫, 岡崎浩三, 辛埴, 松田巌

日本物理学会講演概要集　71　(2)　1375-1375　2016年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1375 　

ISSN：2189-079X

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グラフェンは柔軟かつ強靭で、優れた光学特性を示す炭素の単原子膜であり、次世代光デバイスの有力材料として研究が盛んに行われている。しかしながら応用上重要となるキャリアダイナミクスに関しては、未だに統一的な理解に至っていないのが現状である。そこで今回、我々はより詳細な知見を得るべく、高次高調波を用いたフェムト秒時間分解光電子分光法と理論モデルによる解析により、光励起キャリア分布の直接観測とそのダイナミクスの定量評価を行った。本講演ではその詳細について説明する。
Single-Mode Terahertz Emission from Current-Injection Graphene-Channel Transistor under Population Inversion 査読有り

Gen Tamamushi, Takayuki Watanabe, Alexander A. Dubinov, Junki Mitsushio, Hiroyuki Wako, Akira Satou, Tetsuya Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Maxim Ryzhii, Victor Ryzhii, Taiichi Otsuji

2016 74TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE (DRC)　1　(1)　225-226　2016年

DOI： 10.1109/DRC.2016.7548491 　

ISSN：1548-3770
Observation of insulating and metallic-type behavior in Bi2Se3 transistor at room temperature 査読有り

Gunasekaran Venugopal, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome

NANOSYSTEMS: PHYSICS, CHEMISTRY, MATHEMATICS,　7　565-568　2016年
グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出

玉虫元, 菅原健太, 佐藤昭, 田島圭一郎, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

信学技報　114　(387)　63-68　2015年12月21日
Photonic frequency conversion using graphene FETs for future fully coherent access network 査読有り

Kenta Sugawara, Tetsuya Kawasaki, Mastura Binti Hussin, Gen Tamamushi, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Katsumi Iwatsuki, Tetsuya Suemitsu, Victor Ryzhii, Taiichi Otsuji, Jun-Ichi Kani, Jun Terada, Shigeru Kuwano

2015 Opto-Electronics and Communications Conference, OECC 2015　1　(1)　1-3　2015年11月30日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/OECC.2015.7340108 　
High Performance Self-Aligned Graphene Transistors using Contamination-Free Process 査読有り

Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

MNC 2015　2015年11月10日
Ni-assisted low-temperature formation of epitaxial graphene on3C-SiC/Si and real-time SR-XPS analysis of its reaction 査読有り

Mika Hasegawa, Kenta Sugawara, Ryota Suto, Shota Sambonsuge, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

2015 International Conference of Silicon Carbide and Related Materials　2015年10月8日
In Situ SR-XPS Observation of Ni-Assisted Low-Temperature Formation of Epitaxial Graphene on 3C-SiC/Si 国際誌査読有り

Mika Hasegawa, Kenta Sugawara, Ryota Suto, Shota Sambonsuge, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Sergey Filimonov, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

NANOSCALE RESEARCH LETTERS　10　(421)　(total : 6pages)-421　2015年10月

DOI： 10.1186/s11671-015-1131-9 　

ISSN：1556-276X

eISSN：1556-276X
フェムト秒域時間分解光電子分光法によるグラフェンの超高速キャリアダイナミクスの追跡招待有り査読有り

染谷隆史, 吹留博一, 石田行章, 吉田力矢, 山本達, 板谷治郎, 小森文夫, 辛埴, 松田巌

表面科学　36　(8)　418-423　2015年8月20日

DOI： 10.1380/jsssj.36.418 　

ISSN：0388-5321
微量O₂添加アニール法によるSi(111)及びSi(100)基板上エピタキシャルグラフェン査読有り

横山大, 今泉京, 吹留博一, 吉越章隆, 寺岡有殿, 末光眞希

SPring-8/SACLA利用研究成果集　3　(2)　356-359　2015年7月21日
出版者・発行元：公益財団法人高輝度光科学研究センター
DOI： 10.18957/rr.3.2.356 　

ISSN：2187-6886

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酸素雰囲気下におけるSi基板上3C-SiC薄膜のグラフェン化過程の時間発展を明らかにするために、極微量酸素雰囲気下におけるSi(111)基板上3C-SiC(111)薄膜表面上グラフェン化過程をリアルタイムX線光電子分光（XPS）により測定した。その結果、微量酸素添加による3C-SiC薄膜上グラフェン化は、SiC結合の解離過程に律速されている可能性が高いことが明らかになった。また、酸素添加アニールが3C-SiC(111)基板以外でも有効かを明らかにするためにSi(100)基板上3C-SiC(100)薄膜に対しても同じく酸素微量添加下でグラフェン形成を試み、グラフェン形成を確認すると共に、形成薄膜の角度分解XPS評価を行った。
二次元原子薄膜の材料物性とデバイス特性を繋ぐ高輝度放射光オペランド顕微分光招待有り査読有り

吹留博一

表面科学　36　(6)　303-308　2015年6月1日

DOI： 10.1380/jsssj.36.303 　

ISSN：0388-5321
Interfacial Charge States in Graphene on SiC Studied by Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Potentiometry 国際誌査読有り

Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho

PHYSICAL REVIEW LETTERS　114　(22)　226103-1-226103-5　2015年6月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.114.226103 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Interfacial Charge States in Graphene on SiC Studied by Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Potentiometry 査読有り

Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho

PHYSICAL REVIEW LETTERS　114　(22)　226103-1-226103-5　2015年6月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.114.226103 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Operando Analysis of Field-Effect of Graphene Transistors 招待有り

Hirokazu Fukidome

EMN Phuket Meeting　2015年5月6日
グラフェンチャネル FETのサブテラヘルツ帯ミキサ応用

菅原健太, 川﨑鉄哉, Mastura Binti Hussin, 玉虫元, 末光眞希, 吹留博一, 可児淳一, 寺田純, 桑野茂, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一

第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、Mar. 11-14　62nd　13a-A14-9　2015年3月13日
High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AIN/Si heterostructure 査読有り

Sai Jiao, Yuya Murakami, Hiroyoki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Isao Makabe, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi, Maki Suemitsu

Materials Science Forum　806　89-93　2015年
出版者・発行元： Trans Tech Publications Ltd
DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.806.89 　

ISSN：0255-5476

eISSN：1662-9752
次世代フルコヒーレントアクセスネットワークに向けたグラフェンチャネルFET及びInP系HEMTによるサブテラヘルツ帯光電子融合周波数変換査読有り

菅原健太, 玉虫元, DOBROIU Adrian, 吉田智洋, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, VICTOR Ryzhii, 岩月勝美, 桑野茂, 可児淳一, 寺田純, 尾辻泰一, 尾辻泰一

電子情報通信学会技術研究報告　115　(407(OCS2015 88-99))　1-3　2015年

DOI： 10.1109/ECOC.2015.7341625 　

ISSN：0913-5685
High Carrier Mobility Graphene-Channel FET Using SiN Gate Stack 査読有り

Gen Tamamushi, Kenta Sugawara, Mastura Binti Hussin, Tetsuya Suemitsu, Ryota Suto, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

2015 Compound Semiconductor Week (CSW)　2015年
Correlation between the residual stress in 3C-SiC/Si epifilm and the quality of epitaxial graphene formed thereon 査読有り

R. Bantaculo, H. Fukidome, M. Suemitsu

1ST INTERNATIONAL CONFERENCE IN APPLIED PHYSICS AND MATERIALS SCIENCE　79　(1)　12004-1-12004-7　2015年

DOI： 10.1088/1757-899X/79/1/012004 　

ISSN：1757-8981

eISSN：1757-899X
Investigation of Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) by Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 査読有り

Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho

ecoss30　2014年9月4日
Soft X-ray spectromicroscopic study on graphene toward device applications 招待有り査読有り

Hirokazu Fukidome, Kotsugi Masato, Hiroki Hibino

SPring-8 Research Frontiers 2013　2013　(1)　2014年8月
High-Resolution Imaging of Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) Using Non-Contact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 査読有り

Kohei Yamasue, H. Fukidome, K. Funakubo, M. Suemitsu, Y. Cho

ICN+T 2014 , ABSTRACTS　2014年7月21日
Pinpoint operando analysis of the electronic states of a graphene transistor using photoelectron nanospectroscopy 査読有り

Hirokazu Fukidome, Kousuke Nagashio, Naoka Nagamura, Keiichiro Tashima, Kazutoshi Funakubo, Koji Horiba, Maki Suemitsu, Akira Toriumi, Masaharu Oshima

APPLIED PHYSICS EXPRESS　7　(6)　2014年6月

DOI： 10.7567/APEX.7.065101 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Microscopically-Tuned Band Structure of Epitaxial Graphene through Interface and Stacking Variations Using Si Substrate Microfabrication 国際誌査読有り

Hirokazu Fukidome, Takayuki Ide, Yusuke Kawai, Toshihiro Shinohara, Naoka Nagamura, Koji Horiba, Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Toyohiko Kinoshita, Hiroshi Kumighashira, Masaharu Oshima, Maki Suemitsu

SCIENTIFIC REPORTS　4　5173-5173　2014年6月

DOI： 10.1038/srep05173 　

ISSN：2045-2322

eISSN：2045-2322
Observing hot carrier distribution in an n-type epitaxial graphene on a SiC substrate 査読有り

T. Someya, H. Fukidome, Y. Ishida, R. Yoshida, T. Iimori, R. Yukawa, K. Akikubo, Sh Yamamoto, S. Yamamoto, T. Yamamoto, T. Kanai, K. Funakubo, M. Suemitsu, J. Itatani, F. Komori, S. Shin, I. Matsuda

APPLIED PHYSICS LETTERS　104　(16)　2014年4月

DOI： 10.1063/1.4871381 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Epitaxial graphene formation on 3C-SiC/Si thin films 招待有り査読有り

Maki Suemitsu, Sai Jiao, Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno, Isao Makabe, Takashi Nakabayashi

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　47　(9)　094016-1-094016-11　2014年3月

DOI： 10.1088/0022-3727/47/9/094016 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Epitaxial graphene formation on 3C-SiC/Si thin films 招待有り査読有り

Maki Suemitsu, Sai Jiao, Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno, Isao Makabe, Takashi Nakabayashi

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　47　(9)　2014年3月

DOI： 10.1088/0022-3727/47/9/094016 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Orbital-specific Tunability of Many-Body Effects in Bilayer Graphene by Gate Bias and Metal Contact 国際誌査読有り

Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Kosuke Nagashio, Ryo Sato, Takuo Ohkochi, Takashi Itoh, Akira Toriumi, Maki Suemitsu, Toyohiko Kinoshita

SCIENTIFIC REPORTS　4　3713-1-3713-5　2014年1月

DOI： 10.1038/srep03713 　

ISSN：2045-2322

eISSN：2045-2322
XRD and Raman-Spectroscopic Evaluation of Graphene on 3C-SiC(111)/Vicinal Si(111) Substrate 査読有り

Naoki Haramoto, S. Inomata, S. Sambonsuge, H. Fukidome, M. Suemitsu

Abstract pf ALC'13　38-38　2013年12月2日
Coherent nanoscale optical-phonon wave packet in graphene layers 査読有り

I. Katayama, K. Sato, S. Koga, J. Takeda, S. Hishita, H. Fukidome, M. Suemitsu, M. Kitajima

PHYSICAL REVIEW B　88　(24)　356506-1-356506-5　2013年12月

DOI： 10.1103/PhysRevB.88.245406 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Solution-processed Al2O3 for gate dielectrics in the Top-Gated Graphene Field Effect Transistors

G.-H. Park, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

Abstract book of MNC2013　7P-7-118L-7P-7-118L　2013年11月5日
Microscopic Control of Epitaxial Graphene on SiC(111) and SiC(100) Thin Films on a Microfabricated Si(100) Substrate (Session GR+EM+NS+PS+SS+TF-MoM)

H. Fukidome, T. Ide, M. Suemitsu, Y. Kawai, T. Ohkouchi, M. Kotsugi, T. Kinoshita, T. Shinohara, N. Nagamura, S. Toyoda, K. Horiba, M. Oshima

Abstract book of AVS 60th International Symposium & Exhibition　12-12　2013年10月26日
From 3C-SiC growth to graphene formation using 4H-AlN(0001)/Si(111) heterostructure 招待有り

Sai Jiao, Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi, Maki Suemitsu

2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月16日
微細加工基板へのグラフェンのエピ成長による擬電磁場の創出招待有り査読有り

吹留博一, 小嗣真人, 川合祐輔, 井出隆之, 大河内拓雄, 木下豊彦, 末光眞希

表面科学　34　(7)　380-384　2013年7月23日

DOI： 10.1380/jsssj.34.380 　

ISSN：0388-5321
High-Performance Graphene Field-Effect Transistors With Extremely Small Access Length Using Self-Aligned Source and Drain Technique 査読有り

Myung-Ho Jung, Goon-Ho Park, Tomohiro Yoshida, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

PROCEEDINGS OF THE IEEE　101　(7)　1603-1608　2013年7月

DOI： 10.1109/JPROC.2013.2258651 　

ISSN：0018-9219
Site-Selective Epitaxy of Graphene on Si Wafers 招待有り査読有り

Hirokazu Fukidome, Yusuke Kawai, Hiroyuki Handa, Hiroki Hibino, Hidetoshi Miyashita, Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Myung-Ho Jung, Tetsuya Suemitsu, Toyohiko Kinoshita, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

PROCEEDINGS OF THE IEEE　101　(7)　1557-1566　2013年7月

DOI： 10.1109/JPROC.2013.2259131 　

ISSN：0018-9219

eISSN：1558-2256
High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AlN/Si heterostructure 査読有り

S. Jiao, Y. Murakami, Y. Tateno, T. Nakabayashi, H. Fukidome, M. Suemitsu

Book of Abstracts for 5th Conference on SiC Hetero-Epitaxy and Workshop on Advanced Semiconductor Materials and devices for Power Electronics applications　2013年6月17日
High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AlN/Si heterostructure 査読有り

S. Jiao, Y. Murakami, Y. Tateno, T. Nakabayashi, H. Fukidome, M. Suemitsu

HeteroSic-WASMPE2013　2013年6月17日
Microscopic Control of structural and electronic properties of graphene by growing on SiC thin film on a microfabricated Si substrate 査読有り

H. Fukidome, T. Ide, Y. Kawai, M. Suemitsu, T. Ohkouchi, M. Kotsugi, T. Kinoshita, T. Shinohara, N. Nagamura, S. Toyoda, K. Horiba, M. Oshima

Abstract in Graphene Week2013　278-278　2013年6月7日
Microscopic Control of structural and electronic properties of graphene by growing on SiC thin film on a microfabricated Si substrate 査読有り

H. Fukidome, T. Ide, Y. Kawai, M. Suemitsu, T. Ohkouchi, M. Kotsugi, T. Kinoshita, T. Shinohara, N. Nagamura, S. Toyoda, K. Horiba, M. Oshima

Graphene Week 2013　278-278　2013年6月7日
Direct observation of charge transfer region at interfaces in graphene devices 査読有り

Naoka Nagamura, Koji Horiba, Satoshi Toyoda, Shodai Kurosumi, Toshihiro Shinohara, Masaharu Oshima, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi

APPLIED PHYSICS LETTERS　102　(24)　241604-1-241604-5　2013年6月

DOI： 10.1063/1.4808083 　

ISSN：0003-6951
Discharge instability at patterned conductive layers on insulating substrates during pulsed-plasma chemical vapor deposition under near atmospheric pressures 査読有り

Yohei Inayoshi, Hirokazu Fukidome, Setsuo Nakajima, Tsuyoshi Uehara, Yasutake Toyoshima, Maki Suemitsu

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　11　47-52　2013年4月6日

DOI： 10.1380/ejssnt.2013.47 　

ISSN：1348-0391

eISSN：1348-0391
Discharge instability at patterned conductive layers on insulating substrates during pulsed-plasma chemical vapor deposition under near atmospheric pressures 査読有り

Yohei Inayoshi, Hirokazu Fukidome, Setsuo Nakajima, Tsuyoshi Uehara, Yasutake Toyoshima, Maki Suemitsu

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　11　47-52　2013年4月6日

DOI： 10.1380/ejssnt.2013.47 　

ISSN：1348-0391

eISSN：1348-0391
Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates 招待有り

S. Jiao, H. Fukidome, H. Nagasawa, S. Filimonov, M. Tateno, I. Makabe, T. Nakabayashi, M. Suemitsu

The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ＩＣＳＣＲＭ2013）　2013年2月12日
Rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate using monomethylsilane-based gas-source molecular-beam epitaxy 査読有り

Shota Sambonsuge, Eiji Saito, Myung-Ho Jung, Hirokazu Fukidome, Sergey Filimonov, Maki Suemitsu

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012　740-742　339-+　2013年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.339 　

ISSN：0255-5476
High-rate rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate for qualified epitaxial graphene on silicon 査読有り

Maki Suemitsu, Shota Sanbonsuge, Eiji Saito, Myung-Ho Jung, Hirokazu Fukidome, Sergey Filimonov

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012　740-742　327-+　2013年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.327 　

ISSN：0255-5476

eISSN：1662-9752
Rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate using monomethylsilane-based gas-source molecular-beam epitaxy 査読有り

Shota Sambonsuge, Eiji Saito, Myung-Ho Jung, Hirokazu Fukidome, Sergey Filimonov, Maki Suemitsu

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012　740-742　339-+　2013年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.339 　

ISSN：0255-5476

eISSN：1662-9752
Graphene materials and devices in terahertz science and technology 招待有り査読有り

Taiichi Otsuji, Stephane Albon Boubanga Tombet, Akira Satou, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Eiichi Sano, Vyacheslav Popov, Maxim Ryzhii, Victor Ryzhii

MRS BULLETIN　37　(12)　1235-1243　2012年12月

DOI： 10.1557/mrs.2012.241 　

ISSN：0883-7694
Oxygen-plasma formation of alumina for a gate dielectric in graphene field effect transistors 査読有り

G.H. Park, M.H. Jung, H. Fukidome, T. Suemitsu, T.Otsuji, M. Suemitsu

ISGD: International Symposium on Graphene Devices DIg., Soleil, France, Nov. 5, 2012.　1　(1)　PO-18　2012年11月8日
グラフェン/SiC/SiバックゲートFET特性とSiC層厚の関係

江藤隆紀, 鷹林将, 三本菅正太, 猪俣州哉, 吹留博一, 末光眞希, 末光哲也, 尾辻泰一

第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学, Sep. 11-14　73rd　13p-C2-8　2012年9月13日
THz Coherent Phonons in Graphene on Silicon 査読有り

M. Suemitsu, M. H. Jung, H. Fukidome, I. Katayama, J. Takeda, M. Kitajima

第2回テラヘルツナノ科学国際会議(2nd International Symposium on Terahertz Nanoscience)　2012年9月2日
Graphene-based devices in terahertz science and technology 招待有り査読有り

T. Otsuji, S. A. Boubanga Tombet, A. Satou, H. Fukidome, M. Suemitsu, E. Sano, V. Popov, M. Ryzhii, V. Ryzhii

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　45　(30)　303001-1-303001-10　2012年8月

DOI： 10.1088/0022-3727/45/30/303001 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Precise control of epitaxy of graphene by microfabricating SiC substrate 査読有り

H. Fukidome, Y. Kawai, F. Fromm, M. Kotsugi, H. Handa, T. Ide, T. Ohkouchi, H. Miyashita, Y. Enta, T. Kinoshita, Th Seyller, M. Suemitsu

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(4)　041605-1-041605-4　2012年7月

DOI： 10.1063/1.4740271 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Epitaxy of Graphene on 3C-SiC(111) Thin Films on Microfabricated Si(111) Substrates 査読有り

Takayuki Ide, Yusuke Kawai, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Yoshiharu Enta, Toyohiko Kinoshita, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(6)　06FD02-1-06FD02-4　2012年6月

DOI： 10.1143/JJAP.51.06FD02 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Improvement in Film Quality of Epitaxial Graphene on SiC(111)/Si(111) by SiH4 Pretreatment 査読有り

Shota Sanbonsuge, Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　51　(6)　06FD10-1-06FD10-4　2012年6月

DOI： 10.1143/JJAP.51.06FD10 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御査読有り

吹留博一, 川合祐輔, 末光眞希

信学技法　112　(5)　5-7　2012年4月18日
Control of Electronic and Structural Properties of Epitaxial Graphene on 3C-SiC/Si and Its Device Applications 査読有り

Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Takuo Ohkouchi, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Yoshiharu Enta, Toyohiko Kinoshita, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

2012 MRS Spring Meeting　2012年4月
Graphene field effect transistor using a novel self-aligned technique for high speed applications

G.-H. Park, M.-H. Jung, S. Zen, H. Fukidome, T. Yoshida, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, Mar. 15-18　15a-A3-45　2012年3月15日
Carbonaceous field effect transistor with graphene and diamondlike carbon 査読有り

Takabayashi, Susumu, Ogawa, Shuichi, Takakuwa, Yuji, Kang, Hyun-Chul, Takahashi, Ryota, Fukidome, Hirokazu, Suemitsu, Maki, Suemitsu, Tetsuya, Otsuji, Taiichi

DIAMOND AND RELATED MATERIALS　22　118-123　2012年2月

DOI： 10.1016/j.diamond.2011.12.037 　

ISSN：0925-9635

eISSN：1879-0062
Bottom gate polycrystalline Si thin film transistors prepared by pulsed-plasma chemical vapor deposition under near atmospheric pressures

Y. Inayoshi, Y. Uezawa, H. Fukidome, S. Nakajima, T. Uehara, Y. Toyoshima, M. Suemitsu

The 5th International Symposium and The 4th Student-Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2012年
基板相互作用を援用したグラフェンのナノ構造・物性制御招待有り査読有り

吹留博一

表面科学　33　(10)　546-551　2012年

DOI： 10.1380/jsssj.33.546 　

ISSN：0388-5321
Transmission-electron-microscopy observations on the growth of epitaxial graphene on 3C-SiC(110) and 3C-SiC(100) virtual substrates 査読有り

Hiroyuki Handa, Shun Ito, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

HETEROSIC & WASMPE 2011　711　242-+　2012年

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.711.242 　

ISSN：0255-5476

eISSN：1662-9752
Controls over Structural and Electronic Properties of Epitaxial Graphene on Silicon Using Surface Termination of 3C-SiC(111)/Si 査読有り

Hirokazu Fukidome, Shunsuke Abe, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Syuya Inomata, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Yoshiharu Enta, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Masato Kotsugi, Takuo Ohkouchi, Toyohiko Kinoshita, Shun Ito, Maki Suemitsu

APPLIED PHYSICS EXPRESS　4　(11)　115104-1-115104-3　2011年11月

DOI： 10.1143/APEX.4.115104 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Tunable electronic structure of epitaxial graphene formed on silicon substrates 査読有り

Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome

3rd Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene (STEG3)　2011年10月24日
Tuning of Electronic Properties of Epitaxial Graphene on Microfabrication 査読有り

H. Fukidome, H. Handa, M. Kotsugi, T.Seyller, Y. Kawai, T. Ohkouchi, K. Horn, R.Takahashi, K. Imaizumi, Y. Enta, M. Suemitsu, T. Kinoshita

第24回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2011)　2011年10月24日
Effect of SiH4 Pre-annealing on Graphitization of 3C-SiC/Si 査読有り

H. Fukidome, S. Abe, H. Handa, R.Takahashi, K. Imaizumi, S. Sanbonsuge, M. Suemitsu

第24回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2011)　2011年10月24日
Impacts of the Access Resistance on the Channel Conduction Characteristics in Graphene FETs 査読有り

M.-H. Jung, C. Quan, H. Fukidome, T.Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

第24回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2011)　2011年10月24日
Graphene/SiC/Si FETs with SiCN Gate Stack 査読有り

T. Suemitsu, M. Kubo, H. Handa, R. Takahashi, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

220th ECS Meeting　1　(1)　2110　2011年10月12日
Tuning of Structural and Electronic properties of Epitaxial Graphene by Substrate Microfabrication 査読有り

H. Fukidome, H. Handa, M. Kotsugi, Th. Seyller, Y. Kawai, T. Ohkouchi, K. Horn, R. Takahashi, K. Imaizumi, Y. Enta, M. Suemitsu, T. Kinoshita

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)　2011年9月28日
Dual-gate 動作によるgraphene channel 変調と超高速デバイスへの応用

鄭明鎬, 全春日, 吹留博一, 末光哲也, 尾辻泰一, 末光眞希

第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学, Aug. 30-Sep. 2　72nd　31a-K-7　2011年8月31日
Temperature-Programmed Desorption Observation of Graphene-on-Silicon Process 査読有り

Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(7)　70102-1-70102-5　2011年7月

DOI： 10.1143/JJAP.50.070102 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Low-Energy-Electron-Diffraction and X-ray-Phototelectron-Spectroscopy Studies of Graphitization of 3C-SiC(111) Thin Film on Si(111) Substrate 査読有り

Ryota Takahashi, Hiroyuki Handa, Shunsuke Abe, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(7)　70103-1-70103-6　2011年7月

DOI： 10.1143/JJAP.50.070103 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Oxygen-Induced Reduction of the Graphitization Temperature of SiC Surface 査読有り

Kei Imaizumi, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Eiji Saito, Hirokazu Fukidome, Yoshiharu Enta, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(7)　70105-1-70105-6　2011年7月

DOI： 10.1143/JJAP.50.070105 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Polymer Material as a Gate Dielectric for Graphene Field-Effect-Transistor Applications 査読有り

Myung-Ho Jung, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(7)　70107-1-70107-5　2011年7月

DOI： 10.1143/JJAP.50.070107 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Investigation of Graphene Field Effect Transistors with Al2O3 Gate Dielectrics Formed by Metal Oxidation 査読有り

Myung-Ho Jung, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(7)　70111-1-70111-5　2011年7月

DOI： 10.1143/JJAP.50.070111 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Room Temperature Logic Inverter on Epitaxial Graphene-on-Silicon Device 査読有り

Amine El Moutaouakil, Hyun-Chul Kang, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Eiichi Sano, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(7)　70113-1-70113-4　2011年7月

DOI： 10.1143/JJAP.50.070113 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Growth of epitaxial graphene on 3C-SiC/Si heterostructure 査読有り

Maki Sue, Hirokazu Fukidome

HeteroSiC-WASMPE2011　2011年6月27日
Graphene FETs with SiCN gate stack deposited by PECVD using HMDS vapor 査読有り

Tetsuya Suemitsu, Makoto Kubo, Ryo Takahashi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

35th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits　85-86　2011年5月29日
Complimentary logic inverter on epitaxial graphene/6H-SiC field effect transistor with diamond-like carbon film as gate dielectrics at room temperature 査読有り

Amine El Moutaouakil, Susumu Takabayashi, Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa, Hyun-Chul Kang, Ryota Takahashi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Eiichi Sano, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji

nature Graphene Conference　2011年5月11日
Observation of Amplified Stimulated Terahertz Emission from Optically Pumped Heteroepitaxial Graphene-on-Silicon Materials 査読有り

Hiromi Karasawa, Tsuneyoshi Komori, Takayuki Watanabe, Akira Satou, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Victor Ryzhii, Taiichi Otsuji

JOURNAL OF INFRARED MILLIMETER AND TERAHERTZ WAVES　32　(5)　655-665　2011年5月

DOI： 10.1007/s10762-010-9677-1 　

ISSN：1866-6892

eISSN：1866-6906
Observation of Amplified Stimulated Terahertz Emission from Optically Pumped Heteroepitaxial Graphene-on-Silicon Materials 査読有り

Hiromi Karasawa, Tsuneyoshi Komori, Takayuki Watanabe, Akira Satou, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Victor Ryzhii, Taiichi Otsuji

JOURNAL OF INFRARED MILLIMETER AND TERAHERTZ WAVES　32　(5)　655-665　2011年5月

DOI： 10.1007/s10762-010-9677-1 　

ISSN：1866-6892

eISSN：1866-6906
High-Frequency Coherent Phonons in Graphene on Silicon 査読有り

Sho Koga, Ikufumi Katayama, Shunsuke Abe, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Masahiro Kitajima, Jun Takeda

APPLIED PHYSICS EXPRESS　4　(4)　045101-1-045101-3　2011年4月

DOI： 10.1143/APEX.4.045101 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Transmission Electron Microscopy and Raman-Scattering Spectroscopy Observation on the Interface Structure of Graphene Formed on Si Substrates with Various Orientations 査読有り

Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Shunsuke Abe, Kei Imaizumi, Eiji Saito, Myung-Ho Jung, Shun Ito, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(4)　2011年4月

DOI： 10.1143/JJAP.50.04DH02 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Novel epitaxy of graphene using substrate microfabrication 査読有り

HIROKAZU FUKIDOME, MASATO KOTSUGI, TAKUO OHKOUCHI, TOYOHIKO KINOSHITA, THOMAS SEYLLER, KARSTEN HORN, YUSUKE KAWAI, MAKI SUEMITSU, YOSHIO WATANABE

in Abstratc of APS March Meeting　J36.00002-J36.00002　2011年3月21日
ダイヤモンドライクカーボンをゲート絶縁膜としたグラフェンFET

鷹林将, 小川修一, 高桑雄二, 姜顯澈, 高橋良太, 吹留博一, 末光眞希, 末光哲也, 尾辻泰一

第58回応用物理学関係連合講演会，神奈川工科大学　58th　27a-KQ-6　2011年3月
XTEM characterization of epitaxial graphene formed on non-basal SiC surfaces 査読有り

M Suemitsu, H Handa, F Hirokazu

in Proceedings of Graphene Week 2011　2011年
Visualization of Single Atomic Steps on An Ultra-Flat Si(100) Surface by Advanced Differential Interference Contrast Microscopy 査読有り

Shin-Ichiro Kobayashi, Youn-Geun Kim, Rui Wen, Kohei Yasuda, Hirokazu Fukidome, Tomoyuki Suwa, Rihito Kuroda, Xiang Li, Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi, Kingo Itaya

ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS　14　(9)　H351-H353　2011年

DOI： 10.1149/1.3597657 　

ISSN：1099-0062

eISSN：1944-8775
Control of epitaxy of graphene by crystallographic orientation of a Si substrate toward device applications 査読有り

H. Fukidome, R. Takahashi, S. Abe, K. Imaizumi, H. Handa, H. -C. Kang, H. Karasawa, T. Suemitsu, T. Otsuji, Y. Enta, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, M. Kotsugi, T. Ohkouchi, T. Kinoshita, M. Suemitsu

JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY　21　(43)　17242-17248　2011年

DOI： 10.1039/c1jm12921j 　

ISSN：0959-9428

eISSN：1364-5501
Graphene/SiC/Si FETs with SiCN Gate Stack 査読有り

T. Suemitsu, M. Kubo, H. Handa, R. Takahashi, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

STATE-OF-THE-ART PROGRAM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS 53 (SOTAPOCS 53)　41　(6)　249-254　2011年

DOI： 10.1149/1.3629973 　

ISSN：1938-5862

eISSN：1938-6737
Graphene/SiC/Si FETs with SiCN Gate Stack 査読有り

T. Suemitsu, M. Kubo, H. Handa, R. Takahashi, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

STATE-OF-THE-ART PROGRAM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS 53 (SOTAPOCS 53)　41　(6)　249-254　2011年

DOI： 10.1149/1.3629973 　

ISSN：1938-5862
Surface Chemistry Involved in Epitaxy of Graphene on 3C-SiC(111)/Si(111) 査読有り

Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

NANOSCALE RESEARCH LETTERS　5　(12)　1888-1891　2010年12月

DOI： 10.1007/s11671-010-9731-x 　

ISSN：1931-7573

eISSN：1556-276X
Surface Chemistry Involved in Epitaxy of Graphene on 3C-SiC(111)/Si(111) 国際誌査読有り

Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

NANOSCALE RESEARCH LETTERS　5　(12)　1888-1891　2010年12月

DOI： 10.1007/s11671-010-9731-x 　

ISSN：1931-7573
Deposition of Graphene using Near-Atmospheric Pressure Pulsed-Plasma CVD 査読有り

K. Nakanishi, M. Matsumoto, Y. Inayoshi, Y. Uezawa, S. Nakajima, T. Uehara, Y. Toyoshima, H. Fukidome, M. Suemitsu

23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference Digest　11D-8-26　2010年11月9日
Formation of High-k Dielectric Films on Graphene by Metal Oxidation for Top-Gated Graphene Device Application 査読有り

M.-H. Jung, H. Handa, R. Takahashi, H. Fukidome, M. Suemitsu

23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference Digest　11D-8-131L　2010年11月9日
SiCグラフェンのデバイス応用と微細加工招待有り

吹留博一

MNC2010 技術セミナー「グラフェン」　21-30　2010年11月
CONTROL OF STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF EPITAXIAL GRAPHENE BY CRYSTALLOGRAHIC ORIENTATION OF Si SUBSTRATE 査読有り

Hirokazu Fukidome, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hiroyuki Handa, Maki Suemitsu, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Masato Kotsugi, Takuo Ohkouchi, Toyohiko Kinoshita, Yoshio Watanabe

Abstract in 2nd International Symposium on Graphene Devices　14-15　2010年10月27日
SURFACE ORIENTATION DEPENDENCE OF THE STRUCTURAL PROPERTIES OF GRAPHENE GROWN ON Si SUBSTRATES 査読有り

Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Shunsuke Abe, Kei Imaizumi, Eiji Saito, Myung-Ho Jung, Shun Ito, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

Abstract in 2nd International Symposium on Graphene Devices　36-37　2010年10月27日
NANOSCALE CONTROL OF STRUCTURE OF EPITAXIAL GRAPHENE BY USING SUBSTRATE MICROFABRICATION 査読有り

Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Yusuke Kawai, Takuo Ohkouchi, Thomas Seyller, Karsten Horn, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Yoshiharu Enta, Maki Suemitsu, Toyohiko Kinoshita, Yoshio Watanabe

Abstract in 2nd International Symposium on Graphene Devices　68-69　2010年10月27日
INVESTIGATION OF GRAPHENE FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH Al2O3 GATE DIELECTRICS FORMED BY METAL OXIDATION 査読有り

Myung-Ho Jung, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

Abstract in 2nd International Symposium on Graphene Devices　76-77　2010年10月27日
LEED OBSERVATION OF THE FORMATION OF EPITAXIAL GRAPHENE ON 3C-SiC(111) ULTRATHIN FILM ON SiC(111) 査読有り

Ryota Takahashi, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

Abstract in 2nd International Symposium on Graphene Devices　56-57　2010年10月27日
OXYGEN-INDUCED REDUCTION OF THE GRAPHITIZATION TEMPERATURE OF SiC SURFACE 査読有り

Kei Imaizumi, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Eiji Saito, Hirokazu Fukidome, Yoshiharu Enta, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Maki Suemitsu

Abstract in 2nd International Symposium on Graphene Devices　58-59　2010年10月27日
GRAPHENE FORMATION ON 3C-SiC(111) THIN FILM GROWN ON Si(110) SUBSTRATE 査読有り

Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

Abstract in 2nd International Symposium on Graphene Devices　60-61　2010年10月27日
TEMPERATURE-PROGRAMMED-DESORPTION STUDY ON GRAPHENE-ONSILICON PROCESS 査読有り

Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

Abstract in 2nd International Symposium on Graphene Devices　62-63　2010年10月27日
FORMATION OF GRAPHENE BY PULSED-PLASMA CVD UNDER ATMOSPHERIC PRESSURE 査読有り

Kunihiro Nakanishi, Mitsutaka Matsumoto, Yohei Inayoshi, Yuji Uezawa, Setsuo Nakajima, Tsuyoshi Uehara, Yasutake Toyoshima, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

Abstract in 2nd International Symposium on Graphene Devices　66-67　2010年10月27日
CHEMICAL BONDS AT INTERFACES BETWEEN GRAPHENE AND GROUP-10 METALS 査読有り

M. Kubo, S. Takabayashi, R. Takahashi, S. Abe, T. Suemitsu, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

Abstract in 2nd International Symposium on Graphene Devices　72-73　2010年10月27日
ROOM TEMPERATURE COMPLIMENTARY LOGIC INVERTER ON EPITAXIAL GRAPHENE-ON-SILICON DEVICE 査読有り

A. El Moutaouakil, H-C Kang, H. Handa, H. Fukidome, T. Suemitsu, E. Sano, M. Suemitsu, T. Otsuji

Abstract in 2nd International Symposium on Graphene Devices　92-93　2010年10月27日
DC AND RF CHARACTERISTICS OF GRAPHENE FETS FORMED BY THERMAL DECOMPOSITION OF SiC GROWN ON SILICON SUBSTRATES 査読有り

H.-C. Kang, S. Takabayashi, K. Akagawa, T. Yoshida, S. Abe, R. Takahashi, H. Fukidome, T. Suemitsu, M. Suemitsu, T. Otsuji

Abstract in 2nd International Symposium on Graphene Devices　26-27　2010年10月27日
LEED and XPS observation of formation of epitaxial graphene on Cubic SiC(111)/Si(111)

Ryota Takahashi, Hiroyuki Handa, Shunsuke Abe, Kei Imaizumi, Eiji Saito, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe

Proceedings of the 3rd Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　161-161　2010年10月19日
Discharge instability during the film growth on patterned conductive layers using pulsedplasma CVD under near-atmospheric pressures

Yohei Inayoshi, Kunihiro Nakanishi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Setsuo Nakajima, Tsuyoshi Uehara, Yasutake Toyoshima

Proceedings of the 3rd Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　89-90　2010年10月19日
Logic inverting operations using Epitaxial Graphene-on-Silicon Field Effect Transistors

Amine El Moutaouakil, Hyun-Chul Kang, Hiroyuki Handa, Susumu Takabayashi, Akira Satou, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Eiichi Sano, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

Proceedings of the 3rd Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2010年10月19日
Epitaxial graphene top-gate FETs on silicon substrates 査読有り

Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

SOLID-STATE ELECTRONICS　54　(10)　1071-1075　2010年10月

DOI： 10.1016/j.sse.2010.05.030 　

ISSN：0038-1101
Epitaxial Graphene Field Effect Transistors on SiC substrate with Polymer Gate Dielectric 査読有り

M. H. Jung, H. Handa, R. Takahashi, H. Fukidome, M. Suemits

Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials　71st　589-590　2010年9月22日
TEM characterization of epitaxial graphene formed on Si(111), Si(110), Si(100) 査読有り

H. Handa, R. Takahashi, S. Abe, K. Imaizumi, M.H. Jung, S. Ito, H. Fukidome, M. Suemitsu

Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials　125-126　2010年9月22日
Epitaxial Graphene-On-Silicon Logic Inverter 査読有り

Amine El Moutaouakil, Hyun-Chul Kang, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Eiichi Sano, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials　880-881　2010年9月22日
Epitaxial graphene on silicon substrates 招待有り査読有り

M. Suemitsu, H. Fukidome

Journal of Physics D: Applied Physics　43　(37)　374012　2010年9月22日

DOI： 10.1088/0022-3727/43/37/374012 　

ISSN：0022-3727 1361-6463

eISSN：1361-6463
H2アニールによるエピタキシャルグラフェンの電気特性への影響

久保真人, Hyun-Chul Kang, 高橋良太, 半田浩之, 鷹林将, 吹留博一, 末光哲也, 尾辻泰一

第71回応用物理学会学術講演会，長崎大学　71st　15p-ZK-8　2010年9月15日
グラフェン/白金コンタクト界面の化学結合

鷹林将, 高橋良太, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

第71回応用物理学会学術講演会，長崎大学　71st　15p-ZK-9　2010年9月15日
Epitaxial graphene on silicon substrates 査読有り

M. Suemitsu, H. Fukidome

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　43　(37)　374012-1-374012-11　2010年9月

DOI： 10.1088/0022-3727/43/37/374012 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Si(111), Si(110), Si(100)基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成招待有り査読有り

半田浩之, 宮本優, 斎藤英司, 吹留博一, 末光眞希

表面科学　31　(7)　352-358　2010年7月1日

DOI： 10.1380/jsssj.31.352 　

ISSN：0388-5321
Growth of Graphene on Silicon Substraes and Its Control over Interfacee Properties 査読有り

M.Suemitsu, H.Fukidome

2010 Villa Conference on Interaction Among Nanostructures　29-29　2010年6月21日
Heteroepitaxial Graphene on a Si Substrate Field-Effect Transistor 査読有り

R. Olac-vaw, H.-C. Kang, T. Komori, T. Watanabe, H. Karasawa, Y. Miyamoto, H. Handa, H. Fukidome, T. Suemitsu, M. Suemitsu, V. Mitin, T. Otsuji

APS March Meeting　1　(1)　Y21.00011　2010年3月
Si(111),(110),(100)基板上3C-SiC1薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成査読有り

半田浩之, 宮本優, 齋藤英司, 吹留博一, 末光眞希

表面科学　31　(7)　352-358　2010年
出版者・発行元： The Surface Science Society of Japan
DOI： 10.1380/jsssj.31.352 　

ISSN：0388-5321

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Graphene can be formed on Si substrates by annealing a 3C-SiC thin film on Si substrate in UHV at the temperature of 1250^oC or higher. In this graphene-on-silicon (GOS) method, graphene grows on three major low-index planes of Si(111), (110), and (100). By using SEM, AFM, EBSD, and TEM, we have investigated changes in the quality of SiC films during graphitization, and have confirmed impacts of the crystallographic orientation on the changes;the SiC thin film on the Si(100) substrate is of highest quality after graphitization. The number of graphene layers also depends on the orientation, which varies in the order of Si(110) > (100) > (111). In contrast, the quality of graphene, as judged by Raman-scattering spectroscopy, is not so much affected by the orientation, i.e. by the quality of the SiC thin film in its macroscopic level.
Epitaxial Growth Processes of Graphene on Silicon Substrates 招待有り査読有り

Hirokazu Fukidome, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(1)　01AH03-1-01AH03-4　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.01AH03 　

ISSN：0021-4922
Optoelectronic Application of Multi-layer Epitaxial Graphene on a Si Substrate 査読有り

R. Olac-vaw, H. C. Kang, T. Komori, T. Watanabe, H. Karasawa, Y. Miyamoto, H. Handa, H. Fukidome, T. Suemitsu, M. Suemitsu, V. Mitin, T. Otsuji

INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2　3　224-+　2010年

DOI： 10.1109/INEC.2010.5424646 　
Extraction of Drain Current and Effective Mobility in Epitaxial Graphene Channel Field-Effect Transistors on SiC Layer Grown on Silicon Substrates (vol 49, 04DF17, 2010) 査読有り

Hyun-Chul Kang, Roman Olac-vaw, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Tetsuya Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(7)　04DF17-1-04DF17-5　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.079201 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Ambipolar Behavior in Epitaxial Graphene-Based Field-Effect Transistors on Si Substrate 査読有り

Roman Olac-vaw, Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(6)　06GG01-1-06GG01-5　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.06GG01 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Erratum: ‘‘Extraction of Drain Current and Effective Mobility in Epitaxial Graphene Channel Field-Effect Transistors on SiC Layer Grown on Silicon Substrates’’[Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 04DF17] 査読有り

Hyun-Chul Kang, Roman Olac-vaw, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Tetsuya Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

Japanese Journal of Applied Physics　49　(4)　079201-079201　2010年

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DF17 　

ISSN：0021-4922
Epitaxial Formation of Graphene on Si Substrates: from Heteroepitaxy of 3C-SiC to Si Sublimation 招待有り査読有り

M. Suemitsu, H. Handa, E. Saito, H. Fukidome

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 4: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES　33　(6)　859-867　2010年

DOI： 10.1149/1.3487616 　

ISSN：1938-5862
Ambipolar behavior in epitaxial graphene based FETs on Si substrate 査読有り

Roman Olac-vaw, Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

MNC2009: 22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conf. Dig. Papers　1　(1)　440-441　2009年11月19日
Heteroepitaxial graphene on silicon: Process&device technology for ultra-high frequency devices 査読有り

T. Otsuji, T. Suemitsu, H. Fukidome, M. Suemitsu, V. Ryzhii, E. Sano

22nd Int'l Microprocesses and Nanotechnology Conf.　17B-3-2　2009年11月
Extraction of drain current and effective mobility in epitaxial graphene channel FETs on silicon substrate 査読有り

H.-C. Kang, R. Olac-vaw, H. Karasawa, Y. Miyamoto, H. Handa, T. Suemitsu, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sendai, Japan　954-955　2009年10月
エピタキシャルグラフェン電界効果トランジスタ

姜顯澈, 唐澤宏美, 宮本優, 半田浩之, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

第70回応用物理学会学術講演会，富山大学　70th　(3)　1299　2009年9月8日
High-resolution molecular images of rubrene single crystals obtained by frequency modulation atomic force microscopy 査読有り

Taketoshi Minato, Hiroto Aoki, Hirokazu Fukidome, Thorsten Wagner, Kingo Itaya

APPLIED PHYSICS LETTERS　95　(9)　093302-1　2009年8月

DOI： 10.1063/1.3184770 　

ISSN：0003-6951
Epitaxial graphene on Si substrate for infrared photodetection 査読有り

R. Olac‐vaw, H.C. Kang, T. Komori, T. Watanabe, H. Karasawa, Y. Miyamoto, H. Handa, H. Fukidome, T. Suemitsu, M. Suemitsu, T. Otsuji

Int. Conf. on Graphene Tokyo　1　(1)　52　2009年7月
Epitaxial groqth of graphene on silicon surfaces 招待有り

H. Fukidome, Y. Miyamoto, H. Handa, T. Ito, M. Suemitsu

E-MRS prcoeedings　2009年6月
Field effect Transistor of organic single crystal using solic/liquid interface

H. Fukidome

Changwon National University(Korea) - Tohoku University(Japan) Joint Symposium　2009年2月
Raman-scattering spectroscopy of epitaxial graphene formed on SiC film on Si substrate 査読有り

Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Atsushi Konno, Yuzuru Narita, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Takashi Ito, Kanji Yasui, Hideki Nakazawa, Tetsuo Endoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　7　107-109　2009年1月10日

DOI： 10.1380/ejssnt.2009.107 　

ISSN：1348-0391

eISSN：1348-0391
Erratum: Raman-Scattering Spectroscopy of Epitaxial Graphene Formed on SiC Film on Si Substrate [e-J. Surf. Sci. Nanotech. Vol. 7, pp. 107-109 (2009)]

Miyamoto Yu, Handa Hiroyuki, Saito Eiji, Konno Atsushi, Narita Yuzuru, Suemitsu Maki, Fukidome Hirokazu, Ito Takashi, Yasui Kanji, Nakazawa Hideki, Endoh Tetsuo

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　7　699-699　2009年
出版者・発行元： The Surface Science Society of Japan
DOI： 10.1380/ejssnt.2009.699 　

ISSN：1348-0391

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In this article [Y. Miyamoto, et al., e-J. Surf. Sci. Nanotech. 7, 107 (2009)], we discussed formation of graphene on Si substrates assuming that the pre-grown 3C-SiC films on the Si(110) substrate are (111)-oriented. Later investigations suggest, however, that the 3C-SiC films used in this study are dominated by (110)- oriented portion, with the (111)-orientation being the minority. The comments on the (111)-orientation of the 3C-SiC films should therefore be omitted. This revision, however, does not affect our observation of graphene formation on Si substrates and the analyses thereon.[DOI: 10.1380/ejssnt.2009.699]
Graphene-on-silicon (GOS) technology for formation of high-mobility

「H. Handa」, 「Y. Miyamoto」, 「H. Fukidome」, M. Suemitsu」

IEICE Tech. Rep. ED　2009　10　2009年
Cleaning-Free Deposition of Highly Crystallized Si Films on Plastic Film Substrates Using Pulsed-Plasma CVD under Near-Atmospheric Pressure 招待有り査読有り

M. Matsumoto, S. Ito, Y. Inayoshi, S. Murashige, H. Fukidome, M. Suemitsu, S. Nakajima, T. Uehara, Y. Toyoshima

CLEANING AND SURFACE CONDITIONING TECHNOLOGY IN SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING 11　25　(5)　345-350　2009年

DOI： 10.1149/1.3202672 　

ISSN：1938-5862
Epitaxial graphene top-gate FETs on silicon substrates 招待有り査読有り

Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

2009 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS '09　2009　(10)　1071-1075　2009年

DOI： 10.1109/ISDRS.2009.5378157 　

ISSN：0038-1101
Interaction of Cesium with Microscopically Charged SiO2 by Ion Implantation Studied by Photoemission Electron Microscopy 査読有り

Fukidome, M. Yoshimura, K. Ueda

Surface Science　601　(22)　5309-5312　2007年11月15日

DOI： 10.1016/j.susc.2007.04.226 　

ISSN：0039-6028
Interaction of cesium with charged oxide under UV irradiation imaged by photoemission electron microscopy 査読有り

Hirokazu Fukidome, Masamichi Yoshimura, Kazuyuki Ueda

SURFACE SCIENCE　601　(22)　5309-5312　2007年11月

DOI： 10.1016/j.susc.2007.04.226 　

ISSN：0039-6028
Microscopically controlled oxidation of H/Si(100) by lateral surface electric field studied by emission electron microscopies 査読有り

Hirokazu Fukidome, Kei Tanaka, Masamichi Yoshimura, Kazuyuki Ueda, Fang-Zhun Guo, Toyohiko Kinoshita, Keisuke Kobayashi

SURFACE SCIENCE　601　(20)　4675-4679　2007年10月

DOI： 10.1016/j.susc.2007.05.026 　

ISSN：0039-6028
Microscopic changes of thin films of directly thiolated fullerenes depending on substrate and number of thiol 招待有り査読有り

Hirokazu Fukidome, Masaru Sekido, Masamichi Yoshimura, Masanori Tanaka, Masatomi Ohno, Kazuyuki Ueda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　46　(8B)　5560-5562　2007年8月

DOI： 10.1143/JJAP.46.5560 　

ISSN：0021-4922
Microscopically Controlled Oxidation of Silicon Imaged by Emission Electron Microscopies 査読有り

Hirokazu Fukidome, M. Yoshimura, K. Ueda, F.-Z.Guo, T. Kinoshita, K. Kobayashi

Proceedings of LEEM/PEEM V　1　(1)　172-172　2006年11月
Microscopic Control of Surface Electric Field and Reaction on Si(100) 査読有り

H. Fukidome, M. Yoshimura, K. Ueda, F.-Z. Guo, T. Kinoshita, K. Kobayashi

Proceedings of 16th International Microscopy Congress　1　(2)　1058　2006年10月
Variation of contrast of H/pn-Si(100) imaged with different emission electron microscopies 招待有り査読有り

Hirokazu Fukidome, Masamichi Yoshimura, Kazuyuki Ueda, Fang Zhun Guo, Toyohiko Kinoshita, Keisuke Kobayashi

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology　4　539-543　2006年6月14日

DOI： 10.1380/ejssnt.2006.539 　

ISSN：1348-0391
Evaporation and thermionic emission processes of Pb/W(110) imaged in situ by emission electron microscopy 査読有り

H Fukidome, M Yoshimura, K Ueda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　45　(1A)　70-72　2006年1月

DOI： 10.1143/JJAP.45.70 　

ISSN：0021-4922
Evaporation and Thermionic Emission Processes of Pb/W(110) Imaged in situ by Emission Electron Microscopies 査読有り

H. Fukidome, M. Yoshimura, K. Ueda

Jpn. J. App. Phys.　44　L1417-L1419　2006年1月
Temperature Dependence of Contrast in PEEM images of Si(100) with Lateral p-n Junctions 査読有り

H. Fukidome, M. Yoshimura, K. Ueda

Proceedings of ISSS-4　2005年10月
Temperature-dependent contrasts of lateral p(+)-n junctions on H/Si(100) imaged with photoemission electron microscopy 査読有り

H Fukidome, M Yoshimura, K Ueda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(46-49)　L1417-L1419　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L1417 　

ISSN：0021-4922
Characteristic Configuration of Cis-2-butene Molecule on Pd(110) Determined by Scanning Thnneling Microscopy 査読有り

SAINOO, Yasuyuki, KIM, Yousoo, FUKIDOME, Hirokazu, KOMEDA, Tadahiro, KAWAI, Maki, SHIGEKAWA, Hidemi

Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes　41　(7)　4976-4979　2002年7月
出版者・発行元：社団法人応用物理学会
ISSN：0021-4922

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Adsorption of cis-2-butene molecules on the Pd (110) surface was studied by scanning tunneling microscopy (STM) at 4.7 K for the first time. In contrast to the fact in the previous work that trans-2-butene molecules are adsorbed at the on-top site of the Pd(110) surface with its C=C double bond being almost parallel to the [11^^-0] axis, cis-2-butene molecules were found to be adsorbed slightly off the on-top site. In addition, the C=C bond was not parallel to the [11^^-0] axis, but to four directions equivalent to the structure of the Pd(l10) surface. Furthermore, at high bias voltages for the SIM measurement, the cis-2-butene molecule became unstable and moved in two different manners around the palladium atom to which the molecule was bonded, suggesting the existence of two different mechanisms underlying the motion on the surface.
Characteristic configuration of cis-2-butene molecule on Pd(110) determined by scanning tunneling microscopy 査読有り

Y Sainoo, Y Kim, H Fukidome, T Komeda, M Kawai, H Shigekawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　41　(7B)　4976-4979　2002年7月

DOI： 10.1143/JJAP.41.4976 　

ISSN：0021-4922
Scanning Tunneling Microscopy study of water molecules on Pd(110) at cryogenic temperature 査読有り

T Komeda, H Fukidome, Y Kim, M Kawai, Y Sainoo, H Shigekawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　41　(7B)　4932-4935　2002年7月

DOI： 10.1143/JJAP.41.4932 　

ISSN：0021-4922
In situ vibrational study of SiO2/liquid interfaces 査読有り

H. Fukidome, O. Pluchery, K. T. Queeney, Y. Caudano, K. Raghavachari, M. K. Weldon, E. E. Chaban, S. B. Christman, H. Kobayashi, Y. J. Chabal

Surface Science　502-503　498-502　2002年4月10日

DOI： 10.1016/S0039-6028(01)01998-7 　

ISSN：0039-6028
Inelastic Tunneling Spectroscopy Water and Hydrocarbon Molecules on Metal Surfaces 査読有り

H. Fukidome, Y. Kim, T. Komeda, M. Kawai

Proceedings of ICSPM9　2001年12月
Tunneling Current-Induced Motion of a Single Molecule on Pd(110) 査読有り

Y. Sainoo, Y. Kim, H. Fukidome, T. Komeda, M. Kawai, H. Shigekawa

Proceedings of ICSPM9　2001年12月
In Situ Electrochemical Study on Si-O Vibrations on Si(100) Surface 査読有り

H. Fukidome, H. Kobayashi, Y.J. Chabal

Proceedings of 10th Int. Conference on Vibrations at Surfaces　2001年9月
In-situ FTIR studies of reactions at the silicon/liquid interface: Wet chemical etching of ultrathin SiO2 on Si(100) 査読有り

KT Queeney, H Fukidome, EE Chaban, YJ Chabal

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B　105　(18)　3903-3907　2001年5月

DOI： 10.1021/jp003409j 　

ISSN：1089-5647
Effect of dissolved oxygen on etching process of Si(111) in 2.5% NH3 solution 査読有り

H Fukidome, M Matsumura

SURFACE SCIENCE　463　(3)　L649-L653　2000年9月

ISSN：0039-6028
Very simple method of flattening Si(111) surface at an atomic level using oxygen-free water 査読有り

H. Fukidome, M. Matsumura

Jpn. J. Appl. Phys.　38　(10)　L1085-L1086　1999年9月
出版者・発行元：社団法人応用物理学会
DOI： 10.1143/jjap.38.L1085 　

ISSN：0021-4922

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Si(111) surfaces were found to be very easily flattened at an atomic level by immersing the wafers in water, from which dissolved oxygen was removed by the addition of sulfite ion as chemical deoxygenator, at room temperature. After the treatment with this oxygen-free water, the Si(111) surfaces slightly misoriented in the $\langle 11\bar{2}\rangle $ direction showed straight and parallel steps and wide terraces under atomic force microscopy observation. When wafers slightly misoriented in the opposite direction were treated in the same manner, the steps showed a characteristic zigzag pattern with an angle of 60°. The steps that appeared on both surfaces were attributable to monohydride steps generated on the edge of flat terraces.
In situ atomic force microscopy observation of dissolution process of Si(111) in oxygen-free water at room temperature 査読有り

H Fukidome, M Matsumura, T Komeda, K Namba, Y Nishioka

ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS　2　(8)　393-394　1999年8月

DOI： 10.1149/1.1390848 　

ISSN：1099-0062
Flattening of Si(111) in Oxygen-free Water and Alkaline solutions 査読有り

H. Fukidome, M. Matsumura

Proc. 9th International Conference on Production Engineering　1　(1)　491-494　1999年8月
Interfacial structure of Si/SiO2 studied by andic currents in HF solution 査読有り

N Mizuta, H Fukidome, M Matsumura

ELECTROCHEMICAL PROCESSING IN ULSI FABRICATION AND SEMICONDUCTOR/METAL DEPOSITION II, PROCEEDINGS　99　(9)　366-372　1999年
Effect of dissolved oxygen on surface morphology of Si(111) immersed in NH4F and NH4OH solutions 招待有り査読有り

H Fukidome, M Matsumura

ELECTROCHEMICAL PROCESSING IN ULSI FABRICATION AND SEMICONDUCTOR/METAL DEPOSITION II, PROCEEDINGS　99　(9)　373-378　1999年
Electrochemical study of atomically flattening process of silicon in 40% NH(4)F solution 査読有り

H Fukidome, M Matsumura

APPLIED SURFACE SCIENCE　130　146-150　1998年6月

DOI： 10.1016/S0169-4332(98)00041-5 　

ISSN：0169-4332
Electrochemical Study of Atomic-Flattening Process of Silicon Surface in 40% NH4F Solution

H. Fukidome, M. Matsumura

Proceedings of the 4th In.l Symp. on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces　1　(1)　74-74　1997年10月
Analysis of silicon surface in connection with its unique electrochemical and etching behavior 査読有り

Hirokazu Fukidome, Teruhisa Ohno, Michio Matsumura

Journal of the Electrochemical Society　144　(2)　679-682　1997年
出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.
DOI： 10.1149/1.1837467 　

ISSN：0013-4651
Enhanced etching rate of silicon in fluoride containing solutions at pH 6.4 査読有り

Michio Matsumura, Hirokazu Fukidome

Journal of the Electrochemical Society　143　(8)　2683-2686　1996年
出版者・発行元： Electrochemical Society Inc.
DOI： 10.1149/1.1837071 　

ISSN：0013-4651

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MISC 208

ラマン分光法の裏面適用によるプロセス中のグラフェン膜質評価

関宏信, 田村紘一, TANG Chao, 吹留博一, 佐藤昭, 尾辻泰一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　70th　2023年

ISSN： 2436-7613
表面増強ラマン分光法(SERS)を用いた高感度バイオケミカルセンサー

HENG Y., 斉藤紫音, 平井龍太朗, 熊谷龍馬, 葛西重信, 吹留博一, 佐藤昭, 尾辻泰一, 内野俊

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　70th　2023年

ISSN： 2436-7613
Graphene-based plasmonic metamaterial for terahertz laser transistors

Taiichi Otsuji, Stephane Albon Boubanga-Tombet, Akira Satou, Deepika Yadav, Hirokazu Fukidome, Takayuki Watanabe, Tetsuya Suemitsu, Alexander A. Dubinov, Vyacheslav V. Popov, Wojciech Knap, Valentin Kachorovskii, Koichi Narahara, Maxim Ryzhii, Vladimir Mitin, Michael S. Shur, Victor Ryzhii

Nanophotonics　11　(9)　1677-1696　2022年4月

DOI： 10.1515/nanoph-2021-0651 　

eISSN： 2192-8614
マグネトロンスパッタ法により作製した炭化ホウ素膜特性に及ぼす水素の効果

西田竜也, 谷口颯, 佐藤聖能, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 吹留博一, 中澤日出樹

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　83rd　2022年

ISSN： 2758-4704
グラフェンFETにおけるユニポーラ動作による光熱電型高速テラヘルツ検出の実現

田村紘一, TANG Chao, 荻浦大地, 諏訪健斗, 吹留博一, 佐藤昭, 瀧田佑馬, 南出泰亜, 末光哲也, 尾辻泰一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　83rd　2022年

ISSN： 2758-4704
物性の画像情報解析を活用したBeyond5Gデバイスの動作機構解明

山本うらん, 杉野秀明, 佐藤駿丞, 増澤賢, 渡邊一世, 小嗣真人, 吹留博一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　83rd　2022年

ISSN： 2758-4704
機械学習を援用したグラフェンの顕微ラマンデータの自動解析法(I)

杉野秀明, 小濱路生, 山本うらん, 吹留博一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　83rd　2022年

ISSN： 2758-4704
SiC上に形成したグラフェンおよびAu/Tiから成るコプレーナ導波路の特性インピーダンスの評価

石田智也, 佐々木文憲, 渡邊一世, 吹留博一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　83rd　2022年

ISSN： 2758-4704
SiC表面におけるh-BNへのグラフェンヘテロ成長

小濱路生, 米窪和輝, 杉野秀明, 渡邊一世, 菅原大樹, TANG Chao, 佐藤昭, 尾辻泰一, 吹留博一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　83rd　2022年

ISSN： 2758-4704
ナノホール構造を持つAg/マイカ基板の表面増強ラマン散乱

HENG Y., 斉藤紫音, 平井龍太朗, 吹留博一, 佐藤昭, 尾辻泰一, 内野俊

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　83rd　2022年

ISSN： 2758-4704
デバイス用基板上SiC単結晶薄膜を用いた超高品質グラフェンと高周波デバイスの廉価な製造法の創出

吹留博一

表面と真空　64　(7)　2021年

ISSN： 2433-5835
時空間オペランドX線分光による表面電子捕獲の時空間ダイナミクス研究

吹留博一

電気学会研究会資料　(EDD-21-024-033)　2021年
SiC上グラフェントランジスタの高周波特性の周波数依存性

小濱路生, 佐々木文憲, 渡邊一世, 吹留博一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年
グラフェントランジスタの低ダメージ作製プロセスの検討

渡邊一世, 吹留博一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年
テラヘルツトランジスタレーザー高性能化に向けたエピタキシャルグラフェン成長プロセスの改良と評価

諏訪健斗, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　68th　2021年
動作しているGaN-HEMTの表面電子捕獲の時空間ダイナミクスの観測

吹留博一

電子情報通信学会技術研究報告(Web)　121　(309(ED2021 48-61))　2021年

ISSN： 2432-6380
オペランド・ナノX線分光で明らかにする2次元デバイスの表面界面物性と機能発現

吹留博一

応用物理　89　(9)　2020年

ISSN： 0369-8009
低温水素前処理されたC終端SiC基板上に成長させたグラフェンを用いたトランジスタの高速キャリア輸送特性の評価

鴨川貴優, 佐々木文憲, 小濱路生, 渡邊一世, 吹留博一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　67th　2020年
非対称二重格子ゲートを有するグラフェントランジスタにおけるプラズモン不安定性とそのテラヘルツ光源応用

荻浦大地, 佐藤昭, 吹留博一, 尾辻泰一

応用物理学会東北支部学術講演会(CD-ROM)　75th　2020年
オペランドX線顕微分光によるグラフェントランジスタの界面電荷分析

永村直佳, 永村直佳, 吹留博一, 長汐晃輔, 尾嶋正治

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020年
グラフェン/h-BNファンデルワールス積層構造ナノキャパシタの転写スタック法によるプロセス開発と結晶品質評価

菅原大樹, 諏訪健斗, 吹留博一, DELGADO-NOTARIO Juan Antonio, DELGADO-NOTARIO Juan Antonio, 佐藤昭, 尾辻泰一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　81st　2020年
デバイス基板転写SiC単結晶薄膜を用いた高性能グラフェン・トランジスタ

吹留博一, 秋山昌次, 田島圭一郎, 舩窪一智, 小濱路生, 小西繁, 茂木弘, 川合信, 久保田芳宏, 堀場弘司, 組頭広志, 渡邊一世

日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)　2020　2020年

ISSN： 2434-8589
マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果

谷口颯, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 吹留博一, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告(Web)　120　(217(CPM2020 11-21))　2020年

ISSN： 2432-6380
横型グラフェントンネルダイオードにおけるゲート電界効果の解析

志賀佳菜子, 菅原健太, 佐藤昭, 吹留博一, 尾辻泰一, 内野俊

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
h-BN/グラフェン界面電子状態のオペランド・ナノ光電子分光解析

鴨川貴優, 水崎裕太郎, WANG Shengnan, 高村真琴, 谷保芳孝, 永村直佳, 永村直佳, 尾嶋正治, 吹留博一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　66th　2019年
酸化イットリウムを用いた高周波エピタキシャルグラフェン・トランジスタの高速キャリア輸送特性

鴨川貴優, 佐々木文憲, 小濱路生, 渡邊一世, 吹留博一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
単層グラフェンによる表面増強ラマン分光法(SERS)の高性能化

志賀佳菜子, 今井健介, 草野光希, 吹留博一, 佐藤昭, 尾辻泰一, 内野俊

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　80th　2019年
ミリ波・テラヘルツ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイス

渡邊一世, 山下良美, 原紳介, 笠松章史, 町田龍人, 遠藤聡, 藤代博記, 吹留博一

シンポジウムテラヘルツ科学の最先端講演要旨集　2019　2019年
光学励起多層グラフェンにおける広帯域テラヘルツ放射の観測

込山貴大, 渡辺隆之, MOROZOV Sergey, FADEEV Mikhail, UTOCHKIN Vladimir, 吹留博一, 佐藤昭, 尾辻泰一

電子情報通信学会技術研究報告　119　(353(ED2019 76-92))　2019年

ISSN： 0913-5685
時間分解光電子分光法による準結晶ねじれ二層グラフェンにおける超高速キャリアダイナミクスの研究

鈴木剛, 飯森拓嗣, AHN Sung Joon, ZHAO Y., 渡邉真莉, XU J., 藤澤正美, 金井輝人, 石井順久, 板谷治郎, 諏訪健斗, 吹留博一, 田中悟, AHN Joung Real, 岡崎浩三, SHIN S., 小森文夫, 松田巌

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　74　(2)　2019年

ISSN： 2189-079X
酸化イットリウムを用いた高周波エピタキシャルグラフェン・トランジスタの高速キャリア輸送特性

吹留博一, 鴨川貴優, 小濱路生, 佐々木文憲, 渡邊一世

日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)　2019　2019年

ISSN： 2434-8589
ゲート絶縁膜との界面制御による高性能グラフェントランジスタの実現

諏訪健斗, 遠藤則史, 秋山昌次, 田島圭一郎, 末光眞希, 小西繁, 茂木弘, 河合信, 久保田芳宏, 堀場弘司, 組頭広志, 吹留博一

日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集　2018　2019年
Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures/Scanning Probe Microscopy

Takuji Takahashi, Daisuke Fujita, Hirokazu Fukidome, Ken Ichi Fukui, Hiroki Hibino, Masami Kageshima, Tadahiro Komeda, Ken Nakajima, Makoto Nakamura, Tomonobu Nakayama, Hiroshi Nohira, Kaoru Sasakawa, Naruo Sasaki, Koji Sumitomo, Takayuki Uchihashi, Takanobu Watanabe, Yoichi Yamada

Japanese Journal of Applied Physics　58　(SI)　2019年1月1日

DOI： 10.7567/1347-4065/ab2864 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
SiC基板の熱分解法によるグラフェンの結晶品質向上

菅原健太, 渡辺隆之, 込山貴大, 布施吉貴, RYZHII Maxim, RYZHII Victor, RYZHII Victor, 遠藤則史, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　65th　2018年
ALD-Al₂O₃を用いた横型グラフェントンネルダイオードの作製

志賀佳菜子, 菅原健太, 佐藤昭, 吹留博一, 尾辻泰一, 内野俊

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年
酸化イットリウム絶縁膜を用いた高性能エピタキシャルグラフェンデバイス

諏訪健斗, 遠藤則史, 秋山昌次, 田島圭一郎, 末光眞希, 小西繁, 茂木弘, 川合信, 久保田芳宏, 堀場弘司, 組頭広志, 吹留博一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　79th　2018年
SiC表面分解により生成したグラフェンの層間結合力測定

田邉匡生, TANG Chao, 布施吉貴, 菅原健太, 込山貴大, 佐藤陽平, 吹留博一, 尾辻泰一, 小山裕

電子情報通信学会技術研究報告　118　(368(ED2018 53-68))　2018年

ISSN： 0913-5685
新世代光源の超スマート社会への貢献~次々世代無線通信デバイスの時空間ダイナミクス研究~

吹留博一

日本表面真空学会学術講演会講演要旨集　2018　2018年
デュアルゲートグラフェンFETの相互コンダクタンスの温度依存性 (電子デバイス)

菅原健太, 渡辺隆之, ヤダフディピカ, 込山貴大, 布施吉貴, リジーマキシム, リジーヴィクトール, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報　117　(364)　73-76　2017年12月18日
出版者・発行元：電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685
デュアルゲートグラフェンチャネルトランジスタ内ラテラルp-i-n接合の線形電流電圧特性

菅原健太, YADAV Deepika, TOBAH Youssef, 満塩純希, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年
軟X線時間分解光電子分光法によるグラフェン/SiC界面の電荷移動ダイナミクスの研究

染谷隆史, 吹留博一, 山本達, 遠藤則史, 松田巌

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　72　(1)　2017年

ISSN： 2189-079X
ドレインコンダクタンス低減を企図したDual-gateエピ・グラフェンFETのオペランド顕微光電子分光を用いた動作機構解明(I)

齋藤和馬, 大美賀圭一, 岡田政也, 三橋史典, 舘野泰範, 河内剛志, 永村直佳, 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人, 堀場弘司, 末光眞希, 尾嶋正治, 吹留博一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年
オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の発生機構に関する研究

大美賀圭一, 舘野泰範, 河内剛志, 駒谷務, 永村直佳, 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　64th　2017年
二次元電子系デバイス動作の表面準位による劣化機構のオペランド顕微X線分光を用いた定量的解明

大美賀圭一, 舘野泰範, 河内剛志, 永村直佳, 小嗣真人, 堀場弘司, 末光眞希, 尾嶋正治, 吹留博一

表面科学学術講演会講演要旨集　37th　2017年
結晶方位回転成長3C-SiC(1.1)/Si(1.0)薄膜表面粗さのエピグラフェン成長への影響

高橋謙介, FILIMONOV Sergey N., 長澤弘幸, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017年
グラフェン/SiC界面における電荷移動ダイナミクスの追跡

染谷隆史, 吹留博一, 山本達, 遠藤則史, 鈴木剛, 道前翔矢, 渡邊真莉, 山本貴士, 藤澤正美, 金井輝人, 石井順久, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 板谷治郎, 岡崎浩三, SHIN Shik, 松田巌

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017年
ハイブリッドSiC基板を用いたグラフェンデバイス応用

遠藤則史, 秋山昌次, 田島圭一郎, 末光眞希, 小西繁, 茂木弘, 川合信, 久保田芳宏, 堀場弘司, 組頭広志, 吹留博一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　78th　2017年
SiC基板上エピタキシャルグラフェンの大面積化とその評価

岩田大地, 末光眞希, 吹留博一

応用物理学会東北支部学術講演会講演予稿集(Web)　72nd　2017年
軟X線時間分解光電子分光法によるグラフェン/SiC界面の電荷移動ダイナミクスの研究

染谷隆史, 吹留博一, 山本達, 遠藤則史, 松田巌

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(Web)　30th　2017年
グラフェン表面におけるCO₂の吸着と反応:雰囲気軟X線光電子分光法による研究

山本達, 竹内圭織, 劉若亞, 塩澤佑一朗, 小板谷貴典, 染谷隆史, 田島圭一郎, 吹留博一, 向井孝三, 吉本真也, 末光眞希, 吉信淳, 松田巌

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(Web)　30th　2017年
時間分解軟X線光電子放出分光法によって検討されたグラフェン/SiC界面での電荷移動動力学

SOMEYA T., FUKIDOME H., YAMAMOTO S., ENDO N., MATSUDA I.

フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム講演要旨集　52nd　2017年
グラフェン/SiCの輸送特性:基板との相互作用の効果

高山あかり, 遠藤由大, KIM K.S., PARK G.H., 遠藤則史, 保原麗, 吹留博一, 末光眞希, 長谷川修司

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　72　(2)　2017年

ISSN： 2189-079X
グラフェン/SiC(0001)表面におけるCO₂の吸着状態:昇温脱離法及び雰囲気光電子分光法による研究

竹内圭織, 山本達, 劉若亞, 塩澤佑一朗, 染谷隆史, 田島圭一郎, 吹留博一, 小板谷貴典, 向井孝三, 吉本真也, 末光眞希, 吉信淳, 松田巌

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集　29th　2016年
Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長

高橋謙介, 横山大, FILIMONOV Sergey N., 長澤弘幸, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016年
オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の機構解明

大美賀圭一, 舘野泰範, 河内剛志, 駒谷務, 永村直佳, 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016年
フェムト秒時間分解光電子分光法と三温度モデル解析によるSiC(000-1)面グラフェンのキャリアダイナミクスの研究

染谷隆史, 吹留博一, 渡邊浩, 山本貴士, 岡田大, 鈴木博人, 飯盛拓嗣, 石井順久, 金井輝人, 田島圭佑, FENG Baojie, 山本達, 板谷治郎, 小森文夫, 岡崎浩三, 辛埴, 松田巌

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集　29th　2016年
SiC(0001)面成長グラフェンにおける超高速キャリアダイナミクス

染谷隆史, 吹留博一, 渡邊浩, 山本貴士, 岡田大, 鈴木博人, 飯盛拓嗣, 石井順久, 金井輝人, 田島圭佑, FENG Baojie, 山本達, 板谷治郎, 小森文夫, 岡崎浩三, SHIN S., 松田巌

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　71　(1)　2016年

ISSN： 2189-079X
ハイブリッドSiC基板を用いたSi終端SiC単結晶薄膜上高品質グラフェン成長

遠藤則史, 秋山昌次, 田島圭一郎, 末光眞希, 小西繁, 茂木弘, 川合信, 久保田芳宏, 堀場弘司, 組頭広志, 吹留博一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　77th　2016年
二次元原子薄膜は次世代材料となり得るか?

吹留博一

電気化学会東北支部セミコンファレンス講演論文集　47th　2016年
オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象に関する研究

大美賀圭一, 舘野泰範, 河内剛志, 駒谷努, 永村直佳, 今野隼, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一

真空に関する連合講演会講演予稿集　57th　2016年
オペランド顕微X線分光を用いた二次元電子系デバイスの産学連携研究

吹留博一

真空に関する連合講演会講演予稿集　57th　2016年
オペランド顕微X線分光を用いた次世代高速トランジスタの開発

吹留博一

資源・素材(Web)　2016　2016年
In Situ SR-XPS Observation of Ni-Assisted Low-Temperature Formation of Epitaxial Graphene on 3C-SiC/Si

Mika Hasegawa, Kenta Sugawara, Ryota Suto, Shota Sambonsuge, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Sergey Filimonov, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

Nanoscale Research Letters　10　(1)　10:421 (WEB ONLY)　2015年12月1日
出版者・発行元： Springer New York LLC
DOI： 10.1186/s11671-015-1131-9 　

ISSN： 1556-276X 1931-7573

eISSN： 1556-276X
C-10-3 グラフェンFET及びInGaAs-HEMTを用いたミリ波帯光電子ミキサ(C-10.電子デバイス/シリコン材料・デバイス,一般セッション)

菅原健太, 川崎鉄哉, 玉虫元, 末光眞希, 吹留博一, 可児淳一, 寺田純, 桑野茂, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集　2015　(2)　2015年8月25日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 1349-144X
Si基板上エピタキシャルグラフェンのNi援用低温形成とリアルタイム/角度分解光電子分光によるグラフェン化機構評価

長谷川美佳, 須藤亮太, 菅原健太, 三本菅正太, 原本直樹, 寺岡有殿, 吉越章隆, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　ROMBUNNO.12P-D7-5　2015年2月26日
グラフェン/SiC(0001)表面におけるCO₂の吸着状態:昇温脱離法及び雰囲気光電子分光法による研究

竹内圭織, 山本達, LIU R.-Y., 塩澤佑一朗, 染谷隆史, 田島圭一郎, 吹留博一, 小板谷貴典, 向井孝三, 吉本真也, 末光眞希, 吉信淳, 松田巌

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)　70　(2)　2015年

ISSN： 2189-079X
Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構

横山大, FILIMONOV Sergey N., 長澤弘幸, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年
非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによる4H-SiC(0001)上グラフェンの観察

山末耕平, 吹留博一, 舩窪一智, 末光眞希, 長康雄

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年
SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンの超高品質化とBernal積層ドメインの評価

田島圭一郎, 須藤亮太, 吹留博一, 末光眞希, 堀場弘司, 組頭広志, 小嗣真人, 大河内拓雄

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年
グラフェンチャネルFETにおける真性キャリア移動度の抽出

玉虫元, 菅原健太, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年
高品質エピタキシャルグラフェンを用いたGFETの特性評価

須藤亮太, 舘野泰範, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
SiNゲートスタックによる高キャリア移動度グラフェンチャネルFET

玉虫元, 菅原健太, HUSSIN Mastura binti, 末光哲也, 須藤亮太, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
SiC単結晶薄膜ハイブリッドデバイス基板による高品質グラフェン成長

吹留博一, 秋山昌次, 田島圭一郎, 舩窪一智, 末光眞希, 小西繁, 茂木弘, 川合信, 久保田芳宏, 堀場弘司, 組頭広志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　62nd　2015年
グラフェン・トランジスタのアクセス領域のオペランド顕微光電子分光

吹留博一, 田島圭一郎, 舩窪一智, 末光眞希, 永村直佳, 堀場弘司, 尾嶋正治

表面科学学術講演会講演要旨集　35th　2015年
グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出

玉虫元, 菅原健太, 佐藤昭, 田島圭一郎, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

電子情報通信学会技術研究報告　115　(387(ED2015 91-111))　2015年

ISSN： 0913-5685
フェムト秒域時間分解光電子分光法と三温度モデル解析によるグラフェンの超高速キャリアダイナミクスの研究

染谷隆史, 吹留博一, 渡邊浩, 山本貴士, 岡田大, 鈴木博人, 飯盛拓嗣, 石井順久, 金井輝人, 田島圭佑, FENG Baojie, 山本達, 板谷治郎, 小森文夫, 岡崎浩三, SHIN S., 松田巌

光物性研究会論文集　26th　2015年
グラフェンの超高速電子状態を直接観測

吹留博一

光アライアンス　26　(9)　31-35　2015年

ISSN： 0917-026X
16pCA-9 グラフェン/SiC(0001)表面におけるCO_2の吸着状態 : 昇温脱離法及び雰囲気光電子分光法による研究

竹内圭織, 吉本真也, 末光眞希, 吉信淳, 松田巌, 山本達, 劉若亞, 塩澤佑一朗, 染谷隆史, 田島圭一郎, 吹留博一, 小板谷貴典, 向井孝三

日本物理学会講演概要集　70　(0)　2015年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 2189-079X
Si基板上エピタキシャルグラフェンのNi援用低温形成とシリサイド化の役割

長谷川美佳, 菅原健太, 須藤亮太, 三本菅正太, 原本直樹, 寺岡有殿, 吉越章隆, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学会東北支部学術講演会講演予稿集　69th (CD-ROM)　ROMBUNNO.4pB02　2014年12月4日
デバイス用ウエハー上へのグラフェン成膜とナノ加工による多機能化 (特集次世代機能性材料の開発と実用化)

吹留博一

ケミカルエンジニヤリング = Chemical engineering　59　(6)　417-421　2014年6月
出版者・発行元：化学工業社
ISSN： 0387-1037
28pCL-3 時間分解光電子分光法によるn型グラフェンのキャリアダイナミクスの観測(28pCL 領域4,領域7合同グラフェン(分光・電子状態),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

染谷隆史, 吹留博一, 石田行章, 吉田力矢, 飯盛拓嗣, 山本貴士, 湯川龍, 山本真吾, 山本達, 金井輝人, 板谷治郎, 小森文夫, 辛埴, 松田巌

日本物理学会講演概要集　69　(1)　710-710　2014年3月5日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
材料とデバイス間のギャップを繋ぐ二次元原子薄膜のオペランド顕微分光

吹留博一

表面科学学術講演会講演要旨集　34th　2014年
MoS₂FETにおける金属-チャネル界面領域での電荷移動観察

須藤亮太, 田島圭一郎, 安川奈那, 北田祐太, 永村直佳, 本間格, 堀場弘司, 尾嶋正治, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年
微細加工Si基板上GOSグラフェンの電荷移動領域観察

田島圭一郎, 井出隆之, 永村直佳, 堀場弘司, 尾嶋正治, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年
バイアスを印加したグラフェン材料のPEEMオペランド測定

吹留博一

日本物理学会講演概要集　69　(2)　2014年

ISSN： 1342-8349
非接触走査型非線形誘電率顕微鏡による水素インターカレートされた4H-SiC(0001)上グラフェンの観察

山末耕平, 吹留博一, 舩窪一智, 末光眞希, 長康雄

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年
Si(111)基板上に炭素との固相反応で生成したSiC薄膜の評価

細谷友崇, 三本菅正太, 伊藤俊, 吹留博一, 長澤弘幸, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　61st　2014年
非接触走査型非線形誘電率顕微鏡による4H-SiC(0001)上グラフェンの高分解能観察

山末耕平, 吹留博一, 舩窪一智, 末光眞希, 長康雄

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　61st　2014年
グラフェンとNiの界面反応の微視的「その場」観察

長谷川美佳, 吹留博一, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦, 伊藤俊, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年
二次元原子薄膜の材料とデバイスを橋渡しするオペランド顕微分光

吹留博一

化学系学協会東北大会プログラムおよび講演予稿集　2014　2014年
時間分解光電子分光法によるグラフェンの超高速キャリアダイナミクスの研究

染谷隆史, 吹留博一, 石田行章, 吉田力矢, 飯盛拓嗣, 山本貴士, 山本貴士, 湯川龍, 山本真吾, 山本達, 金井輝人, 板谷治郎, 小森文夫, 辛埴, 松田巌

表面科学学術講演会講演要旨集　34th　2014年
大気圧Arアニール法による高品質エピタキシャルグラフェンを用いたグラフェンFET作製と特性評価

須藤亮太, 舘野泰範, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会東北支部学術講演会講演予稿集　69th (CD-ROM)　2014年
微細加工Si基板上にSiC薄膜を介して形成したエピタキシャルグラフェンのナノスケール電子状態観察

田島圭一郎, 井出隆之, 永村直佳, 堀場弘司, 尾嶋正治, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会東北支部学術講演会講演予稿集　69th (CD-ROM)　2014年
回転エピ成長3C-SiC(111)/Si(110)薄膜の水素添加効果

横山大, 長澤弘幸, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会東北支部学術講演会講演予稿集　69th (CD-ROM)　2014年
Soft x-ray spectromicroscopic study on graphene toward device applications.

H. Fukidome, M. Kotsugi, H. Hibino

SPring-8 Research Frontier 2013　106-107　2014年
デバイス用ウエハー上へのグラフェン成膜とナノ加工による多機能化

吹留博一

月刊ケミカルエンジニヤリング　59　(6)　13-17　2014年

ISSN： 0387-1037
オペランド顕微分光で見るグラフェンデバイスの多体効果

吹留博一

レーザ研究　42　(8)　633-637　2014年

ISSN： 0387-0200
7pBH-5 バイアスを印加したグラフェン材料のPEEMオペランド測定(7pBH 領域7,領域5,領域9合同シンポジウム:イメージング技術で探る分子性固体と有機導体のマイクロ・ナノ物性,領域7(分子性固体))

吹留博一

日本物理学会講演概要集　69　(0)　596-596　2014年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
微細加工基板へのグラフェンのエピ成長による擬電磁場の創出

吹留博一, 小嗣真人, 川合祐輔, 井出隆之, 大河内拓雄, 木下豊彦, 末光眞希

表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan　34　(7)　380-384　2013年7月10日
出版者・発行元：公益社団法人日本表面科学会
DOI： 10.1380/jsssj.34.380 　

ISSN： 0388-5321

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Graphene is the promising material for the next-generation devices owing to its novel electronic property which is governed by &ldquo;slow&rdquo; relativistic quantum theory. The theory tells that pseudospin responds to pseudoelectromagnetic field emerged by strain. In this paper, we have studied the pseudoscalar potential in epitaxial graphene grown on microfabricated SiC substrates (&mu;-EG). It is clarified by low-energy electron microscopy and Raman spectroscopy that pseudoscalar potential emerges in &mu;-EG due to interfacial strain, and is controlled by the microfabrication pattern.
基板微細加工の援用による超高品質グラフェンの作製

吹留博一

月刊マテリアルステージ　13　(3)　23-26　2013年6月10日
出版者・発行元：技術情報協会
ISSN： 1346-3926
Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成 (電子デバイス)

舩窪一智, 猪俣州哉, 佐藤良, 朴君昊, 小嗣真人, 吹留博一, 末光眞希

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報　113　(9)　59-62　2013年4月18日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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Si代替FETチャネル材料として高移動度の新素材グラフェンが近年注目されている。しかし、現在報告されているグラフェンFETの電界移動度は、グラフェン本来の持つ真性移動度に比べ遥かに低い。我々は、グラフェンドメインサイズの拡大を中心とするグラフェン高品質化による高移動度実現をめざし、Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの作製を行った。
3次元NanoESCAによるグラフェンデバイス構造の電子状態解析 II

永村直佳, 永村直佳, 永村直佳, 豊田智史, 豊田智史, 黒角翔大, 篠原稔宏, 堀場弘司, 堀場弘司, 堀場弘司, 尾嶋正治, 尾嶋正治, 尾嶋正治, 井出隆之, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集　26th　2013年
Si(110)基板上3C-SiC(111)回転エピ膜上に形成したエピタキシャルグラフェンの断面TEM評価

三本菅正太, 長澤弘幸, FILIMONOV Sergey, 伊藤駿, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　74th　2013年
微傾斜Si(111)基板使用によるSi基板上エピタキシャルグラフェンの高品質化

原本直樹, 猪俣州哉, 三本菅正太, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　74th　2013年
グラフェン上Al₂O₃ゲート絶縁膜形成中の「その場」ラマン分光観察

須藤亮太, 佐藤良, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　74th　2013年
Niシリサイドを用いたSi基板上エピタキシャルグラフェンの低温形成

長谷川美佳, 菅原健太, 三本菅正太, 原本直樹, 須藤亮太, 吹留博一, 長澤弘幸, 末光眞希

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　74th　2013年
相対論的量子力学に立脚したグラフェンのナノスケール多機能化の確立

吹留博一

村田学術振興財団年報　(27)　2013年

ISSN： 0919-3383
微細加工Si(100),Si(111)基板上エピタキシャルグラフェンの物性評価

田島圭一郎, 井出隆之, 川合祐輔, 堀場弘司, 永村直佳, 尾嶋正治, 吹留博一, 末光眞希

表面科学学術講演会講演要旨集　33rd　2013年
グラフェンFETの界面電子状態制御に関する3次元nanoESCA空間分析

永村直佳, 堀場弘司, 篠原稔宏, 尾嶋正治, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明

表面科学学術講演会要旨集　33　(0)　179-179　2013年
出版者・発行元：公益社団法人日本表面科学会
DOI： 10.14886/sssj2008.33.0_179 　

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グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)は将来性のあるデバイスとして期待されている。前回の発表では、高抵抗の原因となるグラフェンシート/金属電極界面にできる電荷移動領域の直接観測に成功したことを報告した。今回は、親水性と疎水性で異なる基板に作製したGFETの電子状態空間分布の比較を3DnanoESCA装置を用いて行い、電荷移動領域やキャリアドープの状態を制御できることを実証した。
Epitaxial Graphene on SiC Thin Films on (100) and (111) Facets on Microfabricated Si(100) Substrate

H. Fukidome, T. Ide, N. Nagamura, K. Horiba, S. Toyoda, T. Shinohara, Y. Kawai, M. Kotsugi, T. Ohkouchi, T. Kinoshita, M. Oshima, M. Suemitsu

ISSP-LASOR Activity Report 2012　2013年
In-situ Observation of Exfoliated-Graphene Transistors by Using 3D Nano ESCA

H. Fukidome, N. Nagamura, K. Horiba, S. Toyoda, S. Kurosumi, T. Shinohara, M. Oshima, M. Suemitsu, K. Nagashio, A. Toriumi

ISSP-LASOR Activity Report 2012　2013年
4. 基板微細加工の援用による超高品質グラフェンの作製

吹留博一

Material Stage　13　(3)　20-26　2013年
出版者・発行元：技術情報協会
ISSN： 1346-3926
29aXP-6 3次元nanoESCAを用いたグラフェンデバイス構造の実空間界面電子状態分析(29aXP 領域7,領域4合同グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))

永村直佳, 長汐晃輔, 島海明, 豊田智史, 黒角翔大, 篠原稔宏, 堀場弘司, 尾嶋正治, 井出隆之, 吹留博一, 末光眞希

日本物理学会講演概要集　68　(0)　961-961　2013年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.68.1.4.0_961_2 　

ISSN： 1342-8349
微傾斜Si(111)基板を用いたグラフェン・オン・シリコン

原本直樹, 猪俣州哉, 三本菅正太, 吉越章隆, 寺岡有殿, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　73rd　ROMBUNNO.11P-C2-14　2012年8月27日
基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御

吹留博一, 川合祐輔, 末光眞希

電子情報通信学会技術研究報告　112　(5)　106-107　2012年4月11日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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我々は、次世代デバイス材料:グラフェンのSi基板へのエピ成長に成功している。このエピグラフェンのデバイス応用に向けては、使途に応じたグラフェンの電子状態の制御が重要である。我々は、Si基板面方位によるグラフェンの積層構造の制御に成功し、さらに、この積層制御による電子状態の制御に成功した。さらに、微細加工を施したSi基板上へのグラフェン・エピ成長に成功した。これらのエピ成長技術により、ナノデバイス応用用途に適したエピグラフェンの作製が可能となる。
回転エピ成長3C‐SiC(111)/Si(110)の表面化学結合状態

三本菅正太, 阿部峻佑, 高橋良太, 今泉京, 半田浩之, 吉越章隆, 寺岡有殿, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦, 伊藤峻, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　59th　ROMBUNNO.15A-A3-9　2012年2月29日
3C‐SiC(111)/Si(111)薄膜上グラフェンの電子構造の評価

猪俣州哉, 高橋良太, 半田浩之, 今泉京, 吹留博一, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　59th　ROMBUNNO.15A-A3-18　2012年2月29日
3次元nanoESCAによるグラフェンデバイスの界面電子状態解析

永村直佳, 永村直佳, 永村直佳, 堀場弘司, 堀場弘司, 堀場弘司, 豊田智史, 豊田智史, 黒角翔大, 篠原稔宏, 井出隆之, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明, 尾嶋正治, 尾嶋正治, 尾嶋正治

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　73rd　2012年
微細加工Si(100)基板上3C-SiC薄膜へのエピタキシャルグラフェン形成

井出隆之, 川合祐輔, 宮下英俊, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　73rd　2012年
回転エピ成長3C-SiC(111)/Si(110)の厚膜化による高品質グラフェン・オン・シリコン形成

三本菅正太, 阿部峻佑, 半田浩之, 齋藤英司, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　73rd　2012年
基板微細加工によるエピグラフェンの構造・電子状態の制御

吹留博一, 小嗣真人, 大河内拓雄, 川合祐輔, SEYLLER Thomas, 半田浩之, 井出隆之, 遠田義晴, 木下豊彦, 木下豊彦, HORN Karsten, 末光眞希

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集　25th　2012年
微細構造Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜へのエピタキシャルグラフェン形成

井出隆之, 川合祐輔, 宮下英俊, 半田浩之, 吹留博一, 小嗣真人, 大河内拓雄, 遠田義晴, 木下豊彦, 末光眞希

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　59th　2012年
3次元NanoESCAによるグラフェンの電子状態解析

永村直佳, 永村直佳, 永村直佳, 豊田智史, 豊田智史, 黒角翔大, 篠原稔宏, 堀場弘司, 堀場弘司, 堀場弘司, 尾嶋正治, 尾嶋正治, 尾嶋正治, 井出隆之, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集　25th　2012年
界面応力制御によるグラフェンの擬スカラーポテンシャルの創出

吹留博一, 川合祐輔, FROMM Felix, 小嗣真人, 半田浩之, 井出隆之, 大河内拓雄, 宮下英俊, 遠田義晴, 木下豊彦, SEYLLER Thomas, 末光眞希

表面科学学術講演会講演要旨集　32nd　2012年
3C-SiC(111)/Si(111)薄膜上グラフェンの電子構造の評価

猪俣州哉, 高橋良太, 半田浩之, 今泉京, 原本直樹, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

表面科学学術講演会講演要旨集　32nd　2012年
微細加工Si(100)基板上エピタキシャルグラフェンの形成と物性評価

井出隆之, 川合祐輔, 吹留博一, 宮下英俊, 小嗣真人, 大河内拓雄, 遠田義晴, 木下豊彦, 堀場弘司, 永村直佳, 豊田智史, 篠原稔宏, 尾嶋正治, 末光眞希

表面科学学術講演会講演要旨集　32nd　2012年
微傾斜3C-SiC(111)/Si(111)基板上エピタキシャルグラフェン成長

原本直樹, 猪俣州哉, 高橋良太, 吉越章隆, 寺岡有殿, 吹留博一, 末光眞希

表面科学学術講演会要旨集　32　(0)　2012年
出版者・発行元：公益社団法人日本表面科学会

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Si基板上3C-SiCエピ薄膜の表面熱改質によりエピタキシャルグラフェンを成膜するグラフェン・オン・シリコン（GOS）技術は、Siプロセスにグラフェンを導入するためのキーテクノロジーとして注目されている。今回、微傾斜Si(111)基板上に形成したGOS薄膜をラマン評価したところ、微傾斜の導入によりグラフェン品質が向上することが明らかになった。同表面でのグラフェン形成過程の特徴についても議論する。
3次元nanoESCAを用いたグラフェンデバイス構造の実空間分解界面電子状態分析

永村直佳, 鳥海明, 尾嶋正治, 堀場弘司, 豊田智史, 黒角翔大, 篠原稔宏, 井出隆之, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔

表面科学学術講演会要旨集　32　(0)　148-148　2012年
出版者・発行元：公益社団法人日本表面科学会
DOI： 10.14886/sssj2008.32.0_148 　

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グラフェン電界効果トランジスタは最近新たなデバイスとして注目されているが、シリコンを凌ぐ高速動作には至っておらず、グラフェンシートと金属電極界面で生じる電荷移動がその原因に挙げられている。本研究では、3DnanoESCA装置を用いる事で、今まで不可能だったプロセス過程で付着するコンタミの影響を排除した電荷移動領域の定量的評価と深さ方向結合状態分析を、nmレベルの高空間分解能で行うことに成功した。
18pPSB-18 コヒーレントフォノン分光法によるグラフェンの超高速ダイナミクス(18pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・非線形光学・超高速現象),領域5(光物性))

佐藤健次, 古賀翔, 南康夫, 片山郁文, 武田淳, 阿部峻佑, 吹留博一, 末光眞希, 北島正弘

日本物理学会講演概要集　67　(0)　2012年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
レーザー共焦点微分干渉顕微鏡による超平坦Si(100)表面の原子ステップ観察

安田興平, 文鋭, 金潤根, 小林慎一郎, 吹留博一, 諏訪智之, 黒田理人, 李翔, 寺本章伸, 大見忠弘, 板谷謹悟

化学系学協会東北大会プログラムおよび講演予稿集　2011　206　2011年9月17日
Si(100)基板上3C‐SiC(100)エピタキシャル薄膜のグラフェン形成過程のLEED及びSR‐XPS観察

猪俣州哉, 半田浩之, 阿部峻佑, 高橋良太, 今泉京, 吹留博一, 寺岡有殿, 吉越章隆, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦, 末光眞希

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　72nd　ROMBUNNO.1P-ZF-14　2011年8月16日
Selected topics in applied physics: Technology, physics, and modeling of graphene devices

Suemitsu Maki, Fukidome Hirokazu, Hibino Hiroki

Japanese journal of applied physics　50　(7)　70101-1〜070120-4,巻頭1枚　2011年7月
出版者・発行元： Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
ISSN： 0021-4922
面方位回転エピタキシャル成長3C‐SiC(111)/Si(110)薄膜上グラフェン成長過程のLEED,SR‐XPS観察

高橋良太, 半田浩之, 阿部峻佑, 猪俣州哉, 今泉京, 吹留博一, 寺岡有殿, 吉越章隆, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦, 末光眞希

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　58th　ROMBUNNO.26P-BM-4　2011年3月9日
C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)

久保真人, 半田浩之, 姜顯〓, 福嶋哲也, 高橋良太, 鷹林将, 吹留博一, 末光哲也, 末光眞希, 尾辻泰一

電子情報通信学会総合大会講演論文集　2011　(2)　2011年2月28日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 1349-1369
パルス電界大気圧プラズマCVDによるガラス基板上Top-gate TFTの作製

植澤裕史, 松本光正, 稲吉陽平, 村重正悟, 中西国博, 吹留博一, 末光眞希, 中嶋節男, 上原剛, 豊島安健, 豊島安健

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　58th　2011年
SiC微細メサ構造上に形成したエピタキシャルグラフェンの電子状態の観察

井出隆之, 吹留博一, 半田浩之, 小嗣真人, SEYLLER Thomas, 川合祐輔, 大河内拓雄, HORN Karsten, 高橋良太, 今泉京, 遠田義晴, 末光真希, 木下豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　72nd　2011年
グラフェンにおけるコヒーレントフォノン

古賀翔, 片山郁文, 武田淳, 阿部峻佑, 吹留博一, 末光眞希, 島田透, 北島正弘

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　58th　2011年
モノメチルシランを用いた6H-SiC(0001)上ホモエピタキシャル成長とグラフェン化

今泉京, 高橋良太, 阿部峻佑, 半田浩之, 斉藤英司, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　58th　2011年
グラフェン/金属界面の化学

鷹林将, 鷹林将, 久保真人, 高橋良太, 吹留博一, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希, 末光哲也, 末光哲也, 尾辻泰一, 尾辻泰一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　58th　2011年
モノメチルシランを用いた6H-SiC(0001)上3C-SiC成長とグラフェン化

今泉京, 齋藤英司, 伊藤俊, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　72nd　2011年
SiC薄膜を介したSi基板上エピタキシャルグラフェンの形成

末光眞希, 末光眞希, 宮本優, 半田浩之, 齋藤英司, 今野篤史, 成田克, 吹留博一, 伊藤隆, 安井寛治, 中澤日出樹, 遠藤哲郎

表面科学学術講演会講演要旨集　31st　2011年
グラファイト・グラフェンにおけるコヒーレントDモードフォノン

古賀翔, 土井幸司郎, 片山郁文, 吹留博一, 末光眞希, 菱田俊一, 武田淳, 北島正弘

光物性研究会論文集　22nd　2011年
HMDS-SiNをゲート絶縁膜として用いたグラフェンFET

久保真人, 福嶋哲也, KANG H.-C., 赤川啓介, 吉田智洋, 高橋良太, 半田浩之, JUNG M.-H., 鷹林将, 鷹林将, 吹留博一, 吹留博一, 末光哲也, 末光哲也, 末光眞希, 末光眞希, 尾辻泰一, 尾辻泰一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　58th　2011年
Epitaxial graphene formation on silicon substrates

M. Suemitsu, H. Fukidome

SPring-8 Research Frontier 2010　90-91　2011年
超低圧酸素雰囲気下でのSi基板上低温グラフェン形成過程のリアルタイム放射光光電子分光

今泉京, 高橋良太, 半田浩之, 斉藤英司, 吹留博一, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　ROMBUNNO.16A-ZM-14　2010年8月30日
3C‐SiC(111)極薄膜上エピタキシャルグラフェン形成過程のLEED観察

高橋良太, 宮本優, 半田浩之, 斎藤英司, 今泉京, 吹留博一, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　ROMBUNNO.16A-ZM-12　2010年8月30日
グラフェン・オン・シリコン形成過程のLEED,XPS観察

高橋良太, 宮本優, 半田浩之, 斎藤英司, 今泉京, 吹留博一, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　57th　ROMBUNNO.18P-TE-13　2010年3月3日
酸素添加によるSiC表面グラフェン化プロセスの低温化

今泉京, 高橋良太, 宮本優, 半田浩之, 斉藤英司, 吹留博一, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　57th　ROMBUNNO.18P-TE-16　2010年3月3日
Epitaxial Graphene on Silicon toward Graphene-Silicon Fusion Electronics

Hirokazu Fukidome, Ryota Takahashi, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Maki Suemitsu

2010年1月27日

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Graphene is a promising contender to succeed the throne of silicon in electronics. To this goal, large-scale epitaxial growth of graphene on substrates should be developed. Among various methods along this line, epitaxial growth of graphene on SiC substrates by thermal decomposition of surface layers has proved itself quite satisfactory both in quality and in process reliability. Even modulation of structural and hence electronic properties of graphene is possible by tuning the graphene/SiC interface structure. The challenges for this graphene-on-SiC technology, however, are the abdication of the well-established Si technologies and the high production cost of the SiC bulk crystals. Here, we demonstrate that formation of epitaxial graphene on silicon substrate is possible, by graphitizing epitaxial SiC thin films formed on silicon substrates. This graphene-on-silicon (GOS) method enables us to form a large-area film of well-ordered sp2 carbon networks on Si substrates and to fabricate electronic devices based on the structure.
SiGeナノ化合物の元素吸収端近傍における軟X線光電子顕微鏡観察

吹留博一, ALGUNO Arnold, 遠田義晴, 末光眞希, 末光眞希, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦, 渡辺義夫

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　57th　2010年
MoO₂方形断面ナノチューブのI-V特性評価

櫻井琢武, 半田浩之, 石川誠, 吹留博一, 吉村雅満, 阿部俊三, 末光眞希

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　57th　2010年
グラフェン・オン・シリコン構造の断面TEM観察

半田浩之, 宮本優, 高橋良太, 阿部峻佑, 今泉京, 齋藤英司, 伊藤俊, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　57th　2010年
モノシランプレアニールによるグラフェン・オン・シリコンの高品質化

阿部峻佑, 半田浩之, 齋藤英司, 高橋良太, 今泉京, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　2010年
グラフェン・オン・シリコンプロセスの昇温脱離法による評価

阿部峻佑, 半田浩之, 宮本優, 高橋良太, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　57th　2010年
シリコン基板上におけるトップゲート型エピタキシャルグラフェンFET

久保真人, KANG H-C, 唐澤宏美, 宮本優, 半田浩之, 吹留博一, 吹留博一, 末光哲也, 末光哲也, 末光眞希, 末光眞希, 尾辻泰一, 尾辻泰一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　57th　2010年
6H-SiC基板上微細メサ構造へのエピタキシャルグラフェン形成

半田浩之, 高橋良太, 今泉京, 川合祐輔, 吹留博一, 遠田義晴, 末光眞希, 小嗣真人, 大河内拓雄, 渡辺義夫, 木下豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　71st　2010年
常圧プラズマCVDによるグラフェン成膜

中西国博, 松本光正, 稲吉陽平, 村重正悟, 中嶋節男, 上原剛, 吹留博一, 末光眞希

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)　57th　2010年
独立駆動型4探針電気伝導測定装置によるグラフェンおよびカーボンナノチューブの伝導率評価

関沢拓実, 掛札洋平, 吹留博一, 末光眞希, 米田忠弘

表面科学学術講演会講演要旨集　30th　2010年
グラフェン/10族金属コンタクト界面の化学結合

鷹林将, 久保真人, 高橋良太, 阿部峻佑, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一, 鷹林将, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

表面科学学術講演会講演要旨集　30th　2010年
DLCをゲート絶縁膜としたグラフェンFET

鷹林将, 鷹林将, 小川修一, 高桑雄二, 阿部峻佑, 高橋良太, 吹留博一, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希, 末光哲也, 末光哲也, 尾辻泰一, 尾辻泰一

炭素材料学会年会要旨集　37th　2010年
3C-SiC(111)極薄膜上エピタキシャルグラフェン形成過程のLEED/PES解析

高橋良太, 半田浩之, 阿部峻佑, 今泉京, 齋藤英司, 吹留博一, 遠田義晴, 末光眞希, 末光眞希

表面科学学術講演会講演要旨集　30th　2010年
Control of Epitaxy of Graphene by Si Substrate Orientation

FUKIDOME H.

J. Mater. Chem.　21　17242-17248　2010年
表面微細加工によるグラフェンのエピタキシャル成長の制御

吹留博一, 木下豊彦, 渡辺義夫, カーステンホルン, トーマスザイラー, 半田浩之, 高橋良太, 今泉京, 猪俣州哉, 末光眞希, 遠田義晴, 小嗣真人, 大河内拓雄

表面科学学術講演会要旨集　30　(0)　345-345　2010年
出版者・発行元：公益社団法人日本表面科学会

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微細加工を施した表面上のエピタキシャル・グラフェンをエネルギー分光型光電子顕微鏡により研究した。その結果、エピタキシャルグラフェンの層数及びステップ密度のナノ制御に成功し、ほぼ完全に近いグラフェンエピタキシャル膜が得られた。本研究結果は、エピタキシャル・グラフェンを用いた電子デバイスの実用化を大きく前進させるものである。
グラフェン・オン・シリコン表面構造のLEED観察

高橋良太, 宮本優, 半田浩之, 斎藤英司, 今泉京, 吹留博一, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆

表面科学学術講演会講演要旨集　29th　223　2009年10月27日

DOI： 10.14886/sssj2008.29.0.225.0 　
Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術

半田浩之, 宮本優, 齋藤英司, 吹留博一, 伊藤隆, 末光眞希

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス　109　(16)　39-43　2009年4月16日
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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近年,産業への適応性から,SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている.しかしポストCMOS材料としての適用を考慮すると,Si基板の導入と量産性に優れた成長技術が不可欠である.その要求に応えるため,我々は有機シランガスソースMBEによるSi基板上への3C-SiCエピ成長とその表面改質によるグラフェン形成,いわゆるグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術を開発した.
Si基板上に成長させたグラフェンの共鳴ラマン分光

宮本優, 半田浩之, 吹留博一, 伊藤隆, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　56th　(1)　2009年
Si(111),Si(100),Si(110)基板表面上へのグラフェン・オン・シリコンの形成

吹留博一, 宮本優, 半田浩之, 齋藤英司, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学会学術講演会講演予稿集　70th　(1)　2009年
Si基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成過程

半田浩之, 宮本優, 齋藤英司, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

表面科学学術講演会講演要旨集　29th　2009年
グラフェン化高温アニール処理におけるSi基板上3C-SiC薄膜の結晶性変化

半田浩之, 宮本優, 齋藤英司, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学会学術講演会講演予稿集　70th　(1)　2009年
Si基板上グラフェン成膜過程の昇温脱離法による研究

阿部峻佑, 半田浩之, 宮本優, 高橋良太, 吹留博一, 末光眞希, 末光眞希

応用物理学会東北支部学術講演会講演予稿集　64th　2009年
1. Graphene-on-silicon (GOS) technology for formation of high-mobility ultrathin channel layers on Si substrates.

H. Handa, Y. Miyamoto, E. Saito, H. Fukidome, T. Itoh, M. Suemitsu

IEICE Technical Reports　109　(16)　39-43　2009年
出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会
ISSN： 0913-5685

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近年,産業への適応性から,SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている.しかしポストCMOS材料としての適用を考慮すると,Si基板の導入と量産性に優れた成長技術が不可欠である.その要求に応えるため,我々は有機シランガスソースMBEによるSi基板上への3C-SiCエピ成長とその表面改質によるグラフェン形成,いわゆるグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術を開発した.
有機半導体完全結晶の液相成長と結晶評価法

坂田雅文, 伊熊直彦, 吹留博一, 山田順一, 板谷謹悟, 板谷謹悟

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　55th　(3)　2008年
有機半導体完全結晶のFET特性

吹留博一, 木村康男, 庭野道夫, 板谷謹悟, 板谷謹悟

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　55th　(3)　2008年
横方向TOF法を用いた有機完全単結晶の固有移動度測定

廣瀬文彦, 廣瀬文彦, TEH Hengshim, 木村康男, 木村康男, 庭野道夫, 庭野道夫, 吹留博一, 吹留博一, 板谷謹悟, 板谷謹悟

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　55th　(3)　2008年
共焦点レザー走査型微分干渉顕微鏡による新たな表面/界面構造評価法の確立

爲谷伊佐央, 吹留博一, 湊丈俊, 湊丈俊, 佐崎元, 板谷謹悟, 板谷謹悟

電気化学会大会講演要旨集　75th　2008年
有機半導体完全結晶の構造と正孔移動度

爲谷伊佐央, 池田進, 池田進, 吹留博一, 板谷謹悟, 板谷謹悟

化学系学協会東北大会プログラムおよび講演予稿集　2008　2008年
固液界面で成長した有機半導体単結晶の完全性

板谷謹悟, 吹留博一, 伊熊直彦

電気化学秋季大会講演要旨集　2007　2007年
固体表面・水分子間相互作用の微視的研究

吹留博一

化学系学協会東北大会プログラムおよび講演予稿集　2007　2007年
直接チオール修飾されたフラーレン薄膜のSTM観察

吹留博一, 関戸大, 吉村雅満, 大野正富, 上田一之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　54th　(2)　2007年
光電子顕微鏡法を用いたシリコン酸化膜の表面電場のナノスケール評価の試み

吹留博一, 吉村雅満, 上田一之, GUO F.-Z., 木下豊彦, 小林啓介

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　53rd　(2)　2006年
不純物イオン注入により帯電制御されたSiO₂表面のPEEM観察

吹留博一, 吉村雅満, 上田一之

応用物理学会学術講演会講演予稿集　67th　(2)　2006年
Al超薄膜を蒸着したp-n⁺接合パターン化Si(100)のPEEM観察

吹留博一, 吉村雅満, 上田一之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　52nd　(2)　2005年
p⁺-n接合パターン化Si(100)表面のPEEM像コントラストの温度依存性

吹留博一, 吉村雅満, 上田一之

応用物理学会学術講演会講演予稿集　66th　(2)　2005年
エネルギー分析型光電子顕微鏡を用いた固体表面ダイナミクスの研究 1

吹留博一, 野村昌弘, 吉村雅満, 上田一之

応用物理学会学術講演会講演予稿集　63rd　(2)　2002年
エネルギー分析器付属光電子顕微鏡による固体表面ダイナミクスの研究

吹留博一, 野村昌弘, 吉村雅満, 上田一之

真空に関する連合講演会講演予稿集　43rd　2002年
金属上単一分子のトンネル電子誘起反応

道祖尾恭之, KIM Y, 吹留博一, 米田忠弘, 川合真紀, 重川秀実

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　49th　(2)　2002年
Pd(110)表面上の水のSTM-IETSスペクトル

吹留博一, KIM Y, 道祖尾泰之, 米田忠弘, 重川秀実, 川合真紀

日本化学会講演予稿集　81st　(1)　2002年

ISSN： 0285-7626
27pWD-12 非弾性トンネル分光で観察されるFano-shapeピーク : Pd(110)表面に吸着した孤立水分子で得られた大きなコンダクタンス変化(27pWD 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

米田忠弘, 吹留博一, 金有洗, 川合真紀

日本物理学会講演概要集　57　(0)　871-871　2002年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
水中及びアルカリ水溶液中におけるシリコンの溶解機構とその表面構造との関係

吹留博一, 広田祐作, 松村道雄

電気化学会大会講演要旨集　67th　2000年
微量のアルコール添加によるフッ化アンモニウム水溶液中でのシリコンの溶解の抑制と表面原子構造

広田祐作, 吹留博一, 松村道雄

電気化学会大会講演要旨集　67th　2000年
NH₄F及びアルカリ水溶液で処理したSi(111)面のステップ形状のAFM観察

吹留博一, 松村道雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　46th　(2)　1999年
フッ化アンモニウム水溶液及び水中へのシリコンの溶解に伴う水素発生量の測定による溶解機構の検証及び平坦化機構の詳細な検討

吹留博一, 広田祐作, 松村道雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集　60th　(2)　1999年
Si(111)面のNH₄F水溶液処理によるダイハイドライドステップの形成に及ぼす酸素・光の影響及びアルカリ水溶液中での平坦化の検討

吹留博一, 松村道雄

電気化学会大会講演要旨集　66th　1999年
HF水溶液中で観測される電気化学的アノード電流によるSi/SiO₂界面構造の解析

水田有美, 吹留博一, 松村道雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　46th　(2)　1999年
水中でのSi(111)面の溶解過程のin-situ AFMによる観察

吹留博一, 難波健治, 米田忠弘, 西岡泰城, 松村道雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集　59th　(2)　1998年
40%NH₄F及び純水中でのSi(111)面の平坦化過程に及ぼす溶存酸素及び光照射の効果

吹留博一, 松村道雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　45th　(2)　1998年
電気化学的手法を用いたSi/SiO₂界面についての新規評価法

吹留博一, 水田有美, 松村道雄

電気化学会大会講演要旨集　65th　1998年
HF水溶液中のSiO₂の溶解及びSi表面水素化のFT-IR及び電気化学的電流による同時観察

水田有美, 吹留博一, 渡辺悟, 松村道雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集　59th　(2)　1998年
シリコン(111)面の原子レベルでの平坦化のアノード電流による追跡

吹留博一, 松村道雄

電気化学会大会講演要旨集　64th　1997年
水溶液中におけるSi(111)面の平坦化に及ぼす酸素及びHFの影響

吹留博一, 松村道雄

電気化学秋季大会講演要旨集　1997　1997年
NH₄F水溶液中のシリコンの溶解過程に関するFTIR法および電気化学的手法による検討

吹留博一, 松村道雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　44th　(2)　1997年
化学的脱酸素剤を含む水溶液中におけるSi(111)面の平坦化と平坦化過程の電気化学的追跡

吹留博一, 松村道雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集　58th　(2)　1997年
NH₄F水溶液中におけるn型シリコンの特異な電気化学的挙動の原因の探求

吹留博一, 横野照尚, 松村道雄

電気化学会大会講演要旨集　63rd　1996年
フッ化水素酸水溶液中でのシリコンのエッチング過程についての表面化学的考察

吹留博一, 横野照尚, 松村道雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集　43rd　(2)　1996年
シリコンのエッチング過程についての赤外分光法および電気化学的検討

吹留博一, 松村道雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集　57th　(2)　1996年
FTIR法及び電気化学的手法によるシリコンの溶解過程に関する研究

吹留博一, 松村道雄

電気化学秋季大会講演要旨集　1996　1996年
フッ化水素酸水溶液中のn型シリコンの電気化学的挙動

吹留博一, 横野照尚, 松村道雄

電気化学秋季大会講演要旨集　1995　1995年
フッ化水素酸水溶液中でのシリコンのエッチング過程についての電気化学的検討

吹留博一, 横野照尚, 松村道雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集　56th　(2)　1995年

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書籍等出版物 5

Monoatomic Two-dimensional Layers, I. Matsuda ed.

H. Fukidome, 執筆, Chapt, “Operando Soft, X-Ray Spectromicroscopic Measurement, the Use for High-Performance Devices, Circuits,”

2018年9月
講談社ブルーバックス「すごいぞ！身の回りの表面科学」

吹留博一

講談社　2015年10月20日

ISBN: 9784062579407
講談社ブルーバックス「すごいぞ！身の回りの表面科学」

日本表面科学会編, 吹留博一

2015年

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2015年6月に刊行予定
グラフェン・オン・シリコン・技術によるトランジスタの作成

吹留博一

電子ジャーナル　2012年11月1日
グラフェンを用いた半導体素子の開発と将来展望 (Electronic Jrounal Archive No. 438)

末光眞希

電子ジャーナル　2012年7月25日

講演・口頭発表等 296

グラフェン超極薄ゲ-ト構造への転写法による単層MoS2の堆積

杉野秀明, 佐々木文憲, 田中陽来, 入沢寿史, 松木武雄, 尾崎卓哉, 大堀大, 遠藤和彦, 渥美圭脩, 渡邊一世, 長汐晃輔, 吹留博一

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月17日

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大分類17層状物質口頭講演,[17a-K102-7]
TMDC 半導体トランジスタにおける高周波特性のゲート長依存性

杉野秀明, 佐々木文憲, 田中陽来, 入沢寿史, 松木武雄, 尾崎卓哉, 大堀大, 遠藤和彦, 渥美圭脩, 渡邊一世, 長汐晃輔, 吹留博一

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月15日

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大分類17層状物質口頭講演,[17a-K102-7]
Te 系コンタクトを用いた TMDC MOSFETs

張文馨, 畑山祥吾, 齊藤雄太, 岡田直也, 遠藤尚彦, 宮田耕充, 入沢寿史

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　2025年3月15日

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大分類17層状物質口頭講演,[15p-K301-8]
オペランド・ナノ放射光分光を活用した先端デバイスの研究開発と産学連携の推進

吹留博一

SPRUC研究会　2024年12月21日

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招待講演
Hopping dynamics of trapped electrons on GaN-based high electron mobility transistors observed by Operando X-ray Photoelectron Nanospectroscopy

吹留博一

ALC'24　2024年11月19日
拡張型自由エネルギー模型を用いたInGaAs-HEMTデバイスの機能発現機構に関する研究

田高大貴, 町田陽太郎, 長岡竜之輔, 渡邊一世, 小嗣真人, 吹留博一

ナノ・スピン実験施設研究発表会　2024年10月2日
単分子サイズのゲート・スタック構造の実現に向けた数層MoS2とグラフェンの立体的成長

杉野秀明, 佐々木文憲, 米窪和輝, 入沢寿史, 松本武雄, 大堀大介, 遠藤和彦, 渡邊一世, 吹留博一

ナノ・スピン実験施設研究発表会　2024年10月2日
Orthogonal growth of a Few-Layer WS2 Channel and graphene to implement the atomic length gate and the atomically thinned channel simultaneously

Hideaki Sugino, Hirai Tanaka, Kazuki Yonekubo, Fuminori Sasaki, Toshifumi Irisawa, Takeo Matsuki, Daisuke Ohori, Kazuhiko Endo, Issei Watanabe, Hirokazu Fukidome

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2024年9月3日
Beyond 5Gに向けたグラフェン/h-BN原子積層を用いた低環境負荷な超高周波トランジスタ研究開発

吹留博一

戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE）追跡評価・総務省SCOPE事務局　2024年7月19日

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オンライン開催
Beyond 5Gに向けたグフェン/h-BN原子積層を用いた低環境負荷な超高周波トランジスタ研究開発

吹留博一

総務省国際戦略局・追跡調査　2024年7月19日

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オンライン開催
単原子長ゲートによる低環境負荷物質から成る高出力THz帯増幅器の創出

吹留博一

SIG連携会合「テラヘルツ波利用高度通信システム」・Beyond 5G研究開発促進プロジェクト　2024年6月25日
単原子長ゲートによる低環境負荷物質から成る高出力THz帯増幅器の創出

吹留博一

テラヘルツ利用高度通信のSIG連携会合　2024年6月25日
低環境負荷物質から成る低環境負荷材料から成る高出力THz増幅器

吹留博一

2023年度 Beyond 5G研究開発促進事業Special Interest Group「テラヘルツ利用高度通信システム」連携会合　2024年6月
Dynamics of Hopping of Surface trapped electrons on GaN-based high electron mobility transistors observed by Operando X-ray Photoelectron Nanospectroscopy

Keiichi Omika, Yasunori Tateno, Tsuyoshi Kouchi, Naoka Nagamura, Koji Horiba, Masaharu Oshima, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)　2024年4月9日
グラフェン超極薄ゲート構造への二次元半導体結晶の成長

杉野秀明, 佐々木文憲, 米窪和輝, 入沢寿史, 松木武雄, 大堀大介, 遠藤和彦, 渡邊一世, 吹留博一

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月24日

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薄膜・表面/ナノカーボン・二次元材料、口頭発表[24p-1BJ-9]
主成分分析を用いたInGaAs-HEMTの微視的物性解析への応用

志賀研仁, 谷脇三千輝, 長岡竜之輔, 渡邊一世, 小嗣真人, 吹留博一

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月24日

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合同セッションN「インフォマティクス応用」、ポスター発表[24p-P07-4]
放射光を活用した先端デバイスの研究開発とデバイス・インフォマティクスに向けた取り組み

吹留博一

2023年度第4回光材料・応用技術研究会　2024年3月15日
オペランド時空間X線分光によるGaN-HEMTの表面電子捕獲ダイナミクスの機構解明

吹留博一

半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会第5回研究会　2024年3月14日
単原子長ゲート構造への二次元半導体結晶の成長

杉野秀明, 佐々木文憲, 米窪和輝, 入沢寿史, 松木武雄, 大堀大介, 遠藤和彦, 渡邊一世, 吹留博一

第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会　2024年2月2日

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Session 6 リザバーコンピューティング・2次元材料、ID21, 口頭発表
High efficient graphene-based antenna for monolithic integration with transistors

Hirokazu Fukidome, Tomoya Ishida, Issei Watanabe

JVSS2012　2023年10月31日

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Low-dimensional Material/Nanostructure/Nanomaterial
放射光分光を活用した社会実装・国際標準化に向けた取り組み

吹留博一

SPring-8 Symposimu 2023　2023年9月26日
放射光計測を用いた社会実装・国際標準化への取り組み招待有り

吹留博一

SPring-8シンポジウム2023　2023年9月26日
低環境負荷物質から成る単原子ゲート・トランジスタの創出

杉野秀明, 佐々木文憲, 米窪和輝, 入沢寿史, 松本武雄, 大堀大介, 遠藤和彦, 渡邊一世(NIC, 吹留博一

第84回応用物理学会秋季学術講演会　2023年9月21日

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ナノカーボン・二次元材料層状物質 21a-A202-3 口頭発表
Heteroepitaxy of graphene on h-BN using SiC as a substrate 国際会議

R. Kohama, K. Yonekubo, H. Sugino, K. Suwa, K. Sugawara, C. Tang, T. Otsuji, H. Fukidome

TeraTech 2023 Tech. Dig., 1, pp. 104-105.
Room temperature fast THz detection based on plasmonic rectification in an asymmetric periodic gated graphene field effect transisto 国際会議
Heteroepitaxy of graphene on h-BN using SiC as a substrate

R. Kohama, K. Yonekubo, H. Sugino, K. Suwa, K. Sugawara, C. Tang, T. Otsuji, H. Fukidome

Teratech 2023　2023年9月6日

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Teratech 2023 WeP-04 ポスター発表
Fast and sensitive THz detection by an asymmetric-dual-grating-gate epitaxial-graphene-channel FET based on plasmonic and photothermoelectric rectification effects 招待有り

K. Tamura, C. Tang, D. Ogiura, K. Suwa, H. Fukidome, Y. Takida, H. Minamide, T. Suemitus, T. Otsuji, A. Satou

SPIE Optics+Photonics, Conference on Terahertz Emitters, Receivers, and Applications XIV (OP412)
Operando X-ray Nanospectroscopy Observation of Devices Using 2D Channel Layers

Hirokazu Fukidome

8th Annual Conference of AnalytiX-2023　2023年5月18日

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AnalytiX 06: X-ray Spectroscopy and Gamma Spectroscopy 招待講演
Element- and Site-Specific Many-Body Interactions in Few-Layer MoS2 devices During X‐Ray Absorption processes

Hirokazu Fukidome

8th Annual Conference of AnalytiX-2023　2023年5月
二次元原子薄膜を用いた超高周波デバイスの研究開発

吹留博一

未来ICTシンポジウム　2023年2月1日
放射光を用いた先端デバイス・回路の研究開発と社会実装・国際標準化に向けた取り組み

吹留博一

第36回日本放射光学会　2023年1月7日
Operando X-ray nanospectroscopy of devices using 2D-confined electrons for Beyond 5G 国際会議

Hirokazu Fukidome

International Conference on Materials Science, Engineering and Technology　2022年12月23日

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招待講演、Session 12: Energy, Graphene & Functional Materials and Technology
Spatiotemporal dynamics of electronic properties of Beyond 5G devices observed by operando x-ray nanospectroscopy

Hirokazu Fukidome

14th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '22 (ALC '22)　2022年10月18日

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18p-2-1
High performance graphene-based devices with an affordable cost by using a wafer bonding

Hirokazu Fukidome

2nd Global Conference on POLYMERS, PLASTICS AND COMPOSITES & 5th World CHEMISTRY CONFERENCE AND EXHIBITION (WCCE-2022 & PPC-2022)　2022年10月5日

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Day 2: Virtual Through ZOOM
SiC表面におけるh-BNへのグラフェンヘテロ成長

小濱路生, 米窪和輝, 杉野秀明, 渡邊一世(NIC, 菅原大樹, 唐超, 佐藤昭, 尾辻泰一, 吹留博一

2022年応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月23日

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23p-B202-10
物性の画像情報解析を活用した Beyond 5G デバイスの動作機構解明

山本うらん, 杉野秀明, 佐藤駿丞, 増澤賢, 渡邊一世(NIC, 小嗣真人, 吹留博一

2022年応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月22日

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22p-M206-16
SiC上に形成したグラフェンおよびAu/Tiから成るコプレーナ導波路の特性インピーダンスの評価

石田智也, 佐々木文憲, 渡邊一世(NI, 吹留博一

2022年応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月22日

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22p-B202-14
機械学習を援用したグラフェンの顕微ラマンデータの自動解析法

杉野秀明, 小濱路生, 山本うらん, 吹留博一

2022年応用物理学会秋季学術講演会　2022年9月21日

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ポスター発表、21p-P12-16
次世代高周波デバイス応用に向けた時空間オペランドX線分光計測

吹留博一

TIA光・量子計測MG研究会　2022年9月1日

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第1回研究会、招待講演
Recent advances in the research of graphene plasmonic terahertz laser transistors 招待有り

The 241st ECS Meeting　2022年6月
SiCをプラットフォームとしたBeyond 5Gデバイスの創出とデバイス物理の探求招待有り

吹留博一

第27回電子デバイス研究会（EDIT 27）, オンライン開催　2022年1月
Controlling the PT symmetry of graphene Dirac plasmons and its application to terahertz laser transistors 招待有り

T. Otsuji, A. Satou, V. Ryzhii, H. Fukidome, M. Ryzhii, K. Narahara

The 14th International Conference on Micro- and Nanoelectronics 2021　2021年10月
Terahertz detection by an asymmetric dual-grating-gate graphene FET 招待有り

K. Tamura, D. Ogiura, K. Suwa, H. Fukidome, A. Satou, Y. Takida, H. Minamide, T. Otsuj

The 46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves　2021年9月
Controlling the parity and time-reversal symmetry of graphene Dirac plasmons and its application to terahertz lasers 招待有り

T. Otsuji, A. Satou, V. Ryzhii, H. Fukidome, K. Narahara

AAAFM-UCLA2021: International Conference on Advances in Functional Materials　2021年8月
Realization of the high-performance graphene transistor by controlling the interface between graphene and gate dielectric 国際会議

Kento Suwa, Norifumi Endo, Shoji Akiyama, Keiichiro Tajima, Maki Suemitsu, Shigeru Konishi, Hiroshi Mogi, Makoto Kawai, Yoshihiro Kubota, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Fukidome Hirokazu

RPGR2019　2019年10月9日
オペランドナノＸ線分光を用いた二次元電子系デバイスの研究開発招待有り

吹留博一

実用エネルギー材料開発のためのオペランド解析研究会　2019年3月6日
実デバイスの産学連携オペランド顕微軟X線分光分光と埋もれた界面の観察に向けて招待有り

吹留博一

プローブ顕微鏡研究部会合同研究会　2019年3月5日
ナノ集光・オペランド・機械学習などの組合せで十分なのか？招待有り

吹留博一

ISSP短期研究会「軟X線放射光科学のアップシフト」　2018年12月1日
オペランドナノX線分光の利用を特徴とする産官学連携次世代デバイス研究開発招待有り

吹留博一

多元物質科学研究所放射光産学連携準備室第１回ワークショップ「次世代放射光が拓く多元物質科学の先端」　2018年11月29日
新世代光源の超スマート社会への貢献～次々世代無線通信デバイスの時空間ダイナミクス研究～

吹留博一

2018年日本表面真空学会学術講演会　2018年11月19日
Electrical Characteristics of Gate Tunable Lateral Graphene Tunnel Diodes

志賀佳菜子, 菅原健太, 吹留博一, 佐藤昭, 尾辻泰一, 内野俊

平成30年度電気関係学会東北支部連合大会　2018年9月7日
GaN-HEMTの表面準位の挙動の顕微分光を用いた定量的解明

大美賀圭一, 舘野泰範, 永村直佳, 河内剛志, 八重樫誠司, 駒谷務, 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一

電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第23回　2018年1月19日
単一分子の物性とデバイス特性のギャップを埋める時空間オペランドＸ線分光の開拓

吹留博一

分子アーキテクトニクス：単一分子の組織化と新機能創成第9回領域会議　2017年12月3日
SiC基板上エピタキシャルグラフェンの大面積化とその評価

岩田大地, 末光眞希, 吹留博一

第72回応用物理学会東北支部学術講演会　2017年11月30日
Simple formation of quasi-free-standing epitaxial graphene (QFSEG) using microwave annealing 国際会議

Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Takashi Someya, Takushi Iimori, Fumio Komori, Iwao Matsuda, Maki Suemitsu

ISEG-2017　2017年11月22日
オペランド顕微X線分光による二次元電子系電子デバイスの動作機構の定量的解明招待有り

吹留博一

日本顕微鏡学会「その場観察研究部会」　2017年11月18日
オペランド顕微Ｘ線分光による二次元電子系電子デバイスの動作機構の定量的解明

吹留博一

「その場観察研究部会」と「様々なイメージング技術研究部会」の合同研究会　2017年11月17日
Quantification of Surface Electron Trapping of GaN Transistors by Using Operando Soft X-ray Photoelectron Nanospectroscopy 国際会議

H. Fukidome, K. Omika, Y. Tateno, T. Kouchi, T. Komatani, N. Nagamura, S. Konno, Y. Takahashi, M. Kotsugi, K. Horiba, M. Suemitsu, M. Oshima

ISSS-8 2017　2017年10月22日
Temperature Dependence of the Conductivity in a Dual Gate Graphene Field Effect Transistor 国際会議

K. Sugawara, T. Watanabe, D. Yadav, T. Komiyama, Y. Fuse, M. Ryzhii, V. Ryzhii, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

RJUSE2017　2017年10月1日
ハイブリッドSiC基板を用いたグラフェンデバイス応用

遠藤典史, 秋山昌次, 田島圭一郎, 末光眞希, 小西繁, 茂木弘, 川合信, 久保田芳宏, 堀場弘司, 組頭広志, 吹留博一

第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月5日
結晶方位回転成長3C-SiC(111)/Si(110)薄膜表面粗さのエピグラフェン成長への影響

高橋謙介, Filimonov Sergey, 長澤弘幸, 吹留博一, 末光眞希

第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月5日
Terahertz light emitting graphene-channel transistor operating under current-injection pumping 国際会議

TWHM 2017　2017年8月28日
二次元電子系デバイス動作の表面準位による劣化機構のオペランド顕微Ｘ線分光を用いた定量的解明

大美賀圭一, 舘野泰範, 駒谷務, 永村直佳, 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 河内剛志, 末光眞希, 吹留博一

2017年真空・表面科学合同講演会　2017年8月17日
Formation of Quasi-Free-standing Epitaxial Graphene on SiC(0001) by Microwave Annealing 国際会議

Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

Carbon 2017　2017年7月23日
グラフェントランジスタの研究と放射光の利用事例

吹留博一

第4回次世代先端デバイス研究会/第13回SPring-8先端利用技術ワークショップ　2017年3月21日
オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の発生機構に関する研究

大美賀圭一, 舘野泰範, 河内剛志, 駒谷務, 永村直佳, 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月14日
高速光・電子デバイス開発を指向した二次元電子系の時間分解光電子分光招待有り

吹留博一

ISSP workshop「SPring-8 BL07LSUが照らしだす物質機能の起源」　2017年3月8日
軟Ｘ線オペランド顕微分光を用いた二次元電子デバイスの動作機構解明

吹留博一

第15回SPring-8ユーザー協同体顕微ナノ材料科学研究会・日本表面科学会放射光表面科学研究部会合同シンポジウム　2017年3月2日
オペランド顕微X線分光を用いた二次元電子系デバイスの産学連携研究

吹留博一

2016 真空・表面科学合同講演会第36回表面科学学術講演会・第57回真空に関する連合講演会　2016年11月30日
オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象に関する研究

大美賀圭一, 舘野泰範, 河内剛志, 駒谷務, 永村直佳, 今野隼, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一

第36回表面科学学術講演会　2016年11月29日
オペランド顕微Ｘ線分光を用いた二次元電子系デバイスの産学連携研究

吹留博一

第36回表面科学学術講演会　2016年11月29日
二次元原子薄膜は次世代材料となり得るか？招待有り

吹留博一

第47回セミコンファレンス（電気化学会東北支部）　2016年11月26日
二次元原子薄膜は次世代材料となり得るか？

吹留博一

電気化学会東北支部第47回セミコンファレンス　2016年11月25日
軟Ｘ線時空間オペランド顕微分光ステーション

吹留博一

SLiT-Jエンドステーション・デザインコンペ公開シンポジウム　2016年11月11日
Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構と最適化

高橋謙介, 横山大, Sergey N. Filimonov, 長澤弘幸, 吹留博一, 末光眞希

先進パワー半導体分科会第3回講演会　2016年11月8日
Solution-Based Formation of High Quality Gate Dielectrics on Graphene Using Microwave-Assisted Annealing 国際会議

K.S. Kim, G.H. Park, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

MNC 2016　2016年11月8日
オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の機構解明

大美賀圭一, 舘野泰範, 河内剛志, 駒谷務, 永村直佳, 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日
ハイブリッドSiC基板を用いたSi終端SiC単結晶薄膜上高品質グラフェン成長

遠藤則史, 秋山昌次, 田島圭一郎, 末光眞希, 小西繁, 茂木弘, 川合信, 久保田芳宏, 堀場弘司, 組頭広志, 吹留博一

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日
Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長

高橋謙介, 横山大, フィリモノフセルゲイ, 長澤弘幸, 吹留博一, 末光眞希

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日
Formation of high quality Al₂O₃ gate dielectrics on epitaxial graphene using microwave-assisted annealing

KwanSoo Kim, GoonHo Park, Fukidome Hirokazu, Suemitsu Tetsuya, Otsuji Taiichi, Suemitsu Maki

第77回応用物理学会秋季学術講演会　2016年9月13日
オペランド顕微Ｘ線分光を用いた次世代高速トランジスタの開発

吹留博一

資源・素材 2016（盛岡）　2016年9月13日
Operando X-ray spectromicroscopy on graphene transistors 国際会議

Hirokazu Fukidome

Global Graphene Forum　2016年8月23日
超高速・超低消費電力ICTの実現に向けた二次元電子系デバイスのオペランド顕微分光

吹留博一

第4回SPring-8先端利用技術ワークショップ　2016年6月7日
グラフェンにおける二次元Dirac-Fermionの超高速キャリアダイナミクス

染谷隆史, 吹留博一, 渡邊浩, 岡田大, 小川優, 山本貴士, 飯盛拓嗣, 田島圭佑, 山本達, 小森文夫, 岡崎浩三, 辛埴, 松田巌

日本物理学会第71回年次大会（2016年）　2016年3月21日
Solution-based formation of high quality Al2O3 gate dielectrics on graphene using microwave-assisted annealing

Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日
二次元電子系デバイスのオペランド顕微分光

Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno

ISSP workshop　2016年3月1日
オペランド顕微分光を用いた電子状態の変調の可視化による先端デバイス開発

Hirokazu Fukidome

理研放射光連携ワークショップ　2016年2月16日
3D nanoscale controle of interface chemistry of GaN-based transistor 国際会議

Keiichi Omika, Yasunori Tateno, Tsutomu Komatani, Tsuyoshi Kouchi, Naoka Nagamura, Masato Kotsugi, Koji Horiba, Maki Suemitsu, Masaharu Oshima, Hirokazu Fukidome

SSNS'16　2016年1月13日
Making and revealing stacking structure of high quality graphene grown on SiC (000-1) substrate 国際会議

K. Tashima, R. Suto, H. Fukidome, M. Suemitsu, K. Horiba, H. Kumigashira, M. Kotsugi, T. Ohkochi

ICSPM23　2015年12月10日
Operando nanospectroscopy to designate high-performance graphene transistors

Hirokazu Fukidome

日本MRS学会　2015年12月7日
グラフェン/SiC(0001)表面におけるCO2の吸着状態：昇温脱離法及び雰囲気光電子分光法による研究

竹内圭織, 山本達, 劉若亞, 塩澤佑一朗, 染谷隆史, 田島圭一郎, 吹留博一, 小板谷貴典, 向井孝三, 吉本真也, 末光眞希, 吉信淳, 松田巌

2015年真空・表面科学合同講演会　2015年12月3日
グラフェン・トランジスタのアクセス領域のオペランド顕微光電子分光

吹留博一, 舩窪一智, 末光眞希, 永村直佳, 堀場弘司, 尾嶋正治, 田島圭一郎

2015年真空・表面科学合同講演会　2015年12月1日
動作しているデバイスの電子状態の顕微分光法の開拓

Hirokazu Fukidome

平成27年度石田實記念財団研究奨励賞受賞講演会　2015年11月27日
High Performance Self-Aligned Graphene Transistors using Contamination-Free Process 国際会議

Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

MNC 2015　2015年11月10日
Ni-assisted low-temperature formation of epitaxial graphene on3C-SiC/Si and real-time SR-XPS analysis of its reaction 国際会議

Mika Hasegawa, Kenta Sugawara, Ryota Suto, Shota Sambonsuge, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Sergey Filimonov, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

2015 international Conference of Silicon Carbide and Related Materials　2015年10月4日
Sub-THz Photonic Frequency Conversion Using Graphene and InP-Based Transistors for Future Fully Coherent Access Network 国際会議

Kenta Sugawara, Tetsuya Kawasaki, Gen Tamamushi, Mastura B. Hussin, Adrian Dobroiu, Tomohiro Yoshida, Tetsuya Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Ryzhii Victor, Katsumi Iwatsuki, Shigeru

ECOC 2015　2015年9月27日
Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構

横山大, フィリモノフセルゲイ, 長澤弘幸, 吹留博一, 末光眞希

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日
SiC(000-1)上エピタキシャルグラフェンの超高品質化とBernal積層ドメインの評価

田島圭一郎, 須藤亮太, 吹留博一, 末光眞希, 堀場弘司, 組頭広志, 小嗣真人, 大河内拓雄

第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日
High Carrier Mobility Graphene-Channel FET Using SiN Gate Stack 国際会議

Gen Tamamushi, Kenta Sugawara, Mastura Binti Hussin, Tetsuya Suemitsu, Ryota Suto, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

2015 Compound Semiconductor Week (CSW)　2015年6月28日
Operando Analysis of Field-Effect of Graphene Transistors 国際会議

Hirokazu Fukidome

EMN Phuket Meeting　2015年5月4日
Comparative Study on Pristine and Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) Surface Using Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 国際会議

Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho

ICN+T 2014　2014年11月30日
材料とデバイス間のギャップを繋ぐ二次元原子薄膜のオペランド顕微分光

吹留博一

第34回表面科学学術講演会　2014年11月8日
時間分解光電子分光法によるグラフェンの超高速キャリアダイナミクスの研究

染谷隆史, 吹留博一, 石田行章, 吉田力矢, 飯盛拓嗣, 山本貴士, 湯川龍, 山本真吾, 山本達, 金井輝人, 板谷治郎, 小森文夫, 辛埴, 松田巌

第34回表面科学学術講演会　2014年11月7日
3D nano-ESCAやPEEMを用いたデバイスのオペランド顕微分光

ISSP Workshop　2014年9月29日
二次元原子薄膜の材料とデバイスを橋渡しするオペランド顕微分光

化学系学協会東北大会　2014年9月20日
機能性原子薄膜のイントロダクション

応用物理学会2014秋　2014年9月18日
MoS2 FETにおける金属－チャネル界面領域での電荷移動観察

須藤亮太, 田島圭一郎, 安川奈那, 北田祐太, 永村直佳, 本間格, 堀場弘司, 尾嶋正治, 吹留博一, 末光眞希

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日
微細加工Si基板上GOSグラフェンの電荷移動領域観察

田島圭一郎, 井出隆之, 永村直佳, 堀場弘司, 尾嶋正治, 吹留博一, 末光眞希

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日
グラフェンとNiの界面反応の微視的「その場」観察

長谷川美佳, 吹留博一, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦, 伊藤俊, 末光眞希

第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014年9月17日
16. バイアスを印加したグラフェン材料のPEEMオペランド測定

日本物理学会2014秋　2014年9月7日
Investigation of Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) by Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 国際会議

Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho

ECOSS30　2014年8月31日
Noncontact scanning nonlinear dielectric microscopy study of graphene on 4H-SiC(0001) and its hydrogen-intercalation 国際会議

Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho

NC-AFM 2014　2014年8月4日
High-Resolution Imaging of Hydrogen-Intercalated Graphene on 4H-SiC(0001) Using Non-Contact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 国際会議

Kohei Yamasue, H. Fukidome, K. Funakubo, M. Suemitsu, Y. Cho

ICN+T 2014　2014年7月20日
Operando observation of graphene device by using photoelectron emission microscopy 国際会議

Hirokazu Fukidome

SPEM2014　2014年3月20日
Si(111)基板上に炭素との固相反応で生成したSiC薄膜の評価

細谷友崇, 三本菅正太, 伊藤俊, 吹留博一, 長澤弘幸, 末光眞希

第61回応用物理春季学術講演会　2014年3月17日
Nanoscale Operando observation of graphene transistor by using photoelectron emission microscopy 国際会議

Hirokazu Fukidome

EMN Spring Meeting　2014年2月27日
グラフェン・トランジスタの電子状態のオペランド光電子顕微鏡観察

SPring-8 Workshop　2014年2月1日
Al2O3 Gate Dielectric Formed by Novel Solution

Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiich Otsuji, Maki Suemitsu

ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第19回)　2014年1月24日
微細加工Si(100), Si(111)上エピタキシャルグラフェンの電子状態観察

田島圭一郎, 井出隆之, 川合祐輔, 堀場弘司, 永村直佳, 尾嶋正治, 吹留博一, 末光眞希

第９回顕微ナノ材料科学研究会/放射光表面科学研究部会合同シンポジウム　2013年12月26日
三次元走査型光電子顕微鏡を用いたグラフェンFETの界面電子状態の空間分析

永村直佳, 堀場弘司, 尾嶋正治, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明

第９回顕微ナノ材料科学研究会/放射光表面科学研究部会合同シンポジウム　2013年12月26日
グラフェンとNiの界面反応に関する研究

長谷川美佳, 吹留博一, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦, 末光眞希

第９回顕微ナノ材料科学研究会/放射光表面科学研究部会合同シンポジウム　2013年12月26日
グラフェンのオペランド・ナノ X線吸収分光

吹留博一, 小嗣真人, 長汐晃輔, 佐藤良, 大河内拓雄, 木下豊彦, 伊藤隆, 鳥海明, 末光眞希

第９回顕微ナノ材料科学研究会/放射光表面科学研究部会合同シンポジウム　2013年12月26日
3C-SiC/Si(111)ヘテロエピタキシャル界面から発生する積層欠陥の抑制 Suppression of stacking faults generated at 3C-SiC/Si(111) hetero-interface

細谷友崇, 三本菅正, 長澤弘幸, 伊藤俊, 吹留博一, 末光眞希

SiC及び関連半導体研究第22回講演会　2013年12月9日
Si(110)基板上3C-SiC(111)結晶方位回転エピ膜の断面TEM評価 Cross-sectional TEM Observation of Rotatedly Grown 3C-SiC(111) Film on Si(110) Substrates

三本菅正太, 長澤弘幸, 伊藤駿, 吹留博一, 末光眞希

SiC及び関連半導体研究第22回講演会　2013年12月9日
微傾斜Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜の断面TEM評価 Cross-sectional TEM Observation of 3C-SiC(111) thin films on vicinal Si(111) substrates

原本直樹, 長澤弘幸, 伊藤俊, 吹留博一, 末光眞希

SiC及び関連半導体研究第22回講演会　2013年12月9日
XRD and Raman-Spectroscopic Evaluation of Graphene on 3C-SiC(111)/Vicinal Si(111) Substrate 国際会議

N. Haramoto, S. Inomata, S. Sambonsuge, H. Fukidome, M. Suemitsu

ALC'13　2013年12月2日
微細加工Si(100), Si(111)基板上エピタキシャルグラフェンの物性評価

田島圭一郎, 末光眞希, 吹留博一, 川合祐輔, 尾嶋正治, 堀場弘司, 永村直佳, 井出隆之

2013年真空・表面科学合同講演会第33回表面科学学術講演会第54回真空に関する連合講演会　2013年11月26日
グラフェンFETの界面電子状態制御に関する3次元nanoESCA空間分析

永村直佳, 堀場弘司, 篠原稔宏, 尾嶋正治, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明

2013年真空・表面科学合同講演会第33回表面科学学術講演会第54回真空に関する連合講演会　2013年11月26日
スマートフォン・LEDの素～半導体～

吹留博一

出張授業(星陵高校）　2013年11月22日
Solution-processed Al2O3 for gate dielectrics in the Top-Gated Graphene Field Effect Transistors 国際会議

G.-H. Park, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

MNC2013, 26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference　2013年11月5日
Microscopic Control of Epitaxial Graphene on SiC(111) and SiC(100) Thin Films on a Microfabricated Si(100) Substrate (Session GR+EM+NS+PS+SS+TF-MoM) 国際会議

H. Fukidome, T. Ide, M. Suemitsu, Y. Kawai, T. Ohkouchi, M. Kotsugi, T. Kinoshita, T. Shinohara, N. Nagamura, S. Toyoda, K. Horiba, M. Oshima

AVS 60th International Symposium & Exhibition　2013年10月26日
Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates ・Th-P-50p.346

S. Jiao, H. Fukidome, H. Nagasawa, S. Filimonov, M. Tateno, I. Makabe, T. Nakabayashi, M. Suemitsu

The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ＩＣＳＣＲＭ2013）　2013年9月29日
Niシリサイドを用いたSi基板上エピタキシャルグラフェンの低温形成・16p-P7-9 Low-temperature Formation of Epitaxial Graphene On Silicon Substrate Using Ni silicidation

長谷川美佳, 菅原健太, 三本菅正太, 原本直樹, 須藤亮太, 吹留博一, 長澤弘幸, 末光眞希

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会　2013年9月16日
Si(110)基板上3C-SiC(111)回転エピ膜上に形成したエピタキシャルグラフェンの断面TEM 評価・17p-B3-17

三本菅正太, 長澤弘幸, Sergey Filimonov, 伊藤駿, 吹留博一, 末光眞希

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会　2013年9月16日
微傾斜Si(111)基板使用によるSi基板上エピタキシャルグラフェンの高品質化・16p-P7-10

原本直樹, 猪俣州哉, 三本菅正太, 吹留博一, 末光眞希

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会　2013年9月16日
グラフェン上Al2O3ゲート絶縁膜中の「その場」ラマン分光観察・16p-P7-42

須藤亮太, 佐藤良, 吹留博一, 末光眞希

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会　2013年9月16日
From 3C-SiC growth to graphene formation using 4H-AlN(0001)/Si(111) heterostructure・Symposium C 18p-M8-13 国際会議

Sai Jiao, Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi, Maki Suemitsu

2013 JSAP-MRS Joint Symposia　2013年9月16日
In-Operando Nanoscale Characterization of Graphene Device Interfaces by Using Soft X-ray Spectromicroscopy

H. Fukidome

NIMS conference2013(機能性原子/分子薄膜の構造制御とその応用）　2013年7月1日
In-Operando Nanoscale Characterization of Graphene Device Interfaces by Using Soft X-ray Spectromicroscopy ・OS-3

H. Fukidome

NIMS conference2013(機能性原子/分子薄膜の構造制御とその応用）　2013年7月1日
Session 2.1: Graphene "High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AlN/Si heterostructure" 国際会議

S. Jiao, Y. Murakami, Y. Tateno, T. Nakabayashi, H. Fukidome, M. Suemitsu

HeteroSic-WASMPE2013　2013年6月17日
High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AlN/Si heterostructure・Session 2.1: Graphene 国際会議

S. Jiao, Y. Murakami, Y. Tateno, T. Nakabayashi, H. Fukidome, M. Suemitsu

HeteroSic-WASMPE2013　2013年6月17日
Microscopic Control of structural and electronic properties of graphene 国際会議

H. Fukidome, T. Ide, Y. Kawai, M. Suemitsu, T. Ohkouchi, M. Kotsugi, T. Kinoshita, T. Shinohara, N. Nagamura, S. Toyoda, K. Horiba, M. Oshima

Graphene Week 2013　2013年6月2日
グラフェンデバイスのオペランド顕微分光

吹留博一

物性研究所短期研究会「真空紫外・軟Ｘ線放射光物性研究の将来」　2013年5月28日
三次元nanoESCAによるグラフェン・デバイスのその場観察に向けて国際会議

吹留博一

ISSP-Workshop　2013年2月15日
Onset of discharge instability at patterned conductive regions in pulsed-plasmas under near atmospheric pressures 国際会議

Yohei Inayoshi, Hirokazu Fukidome, Setsuo Nakajima, Tsuyoshi Uehara, Yasutake Toyoshima, Maki Suemitsu

ISPlasma2013(5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials)　2013年1月28日
微細加工Si(100)基板上エピタキシャルグラフェンの形成と物性評価

井出隆之, 川合祐輔, 吹留博一, 宮下英俊, 小嗣正人, 大河内拓雄, 遠田義晴, 木下豊彦, 堀場弘司, 永村直佳, 篠原稔宏, 尾嶋正治, 末光眞希

第32回表面科学学術講演会　2012年11月20日
3C-SiC(111)/Si(111)薄膜上グラフェンの電子構造の評価

猪俣州哉, 半田浩之, 高橋良太, 今泉京, 原本直樹, 吹留博一, 末光眞希

第32回表面科学学術講演会　2012年11月20日
微傾斜Si(111)基板上エピタキシャルグラフェン成長

原本直樹, 猪俣州哉, 高橋良太, 吉越章隆, 寺岡有殿, 吹留博一, 末光眞希

第32回表面科学学術講演会　2012年11月20日
界面応力制御によるグラフェンの擬スカラーポテンシャルの創出

吹留博一, 川合祐輔, フロムフェリックス, 小嗣真人, 半田浩之, 井出隆之, 大河内拓雄, 宮下英俊, 遠田義晴, 木下豊彦, トーマスザイラー, 末光眞希

第32回表面科学学術講演会　2012年11月20日
3次元nanoESCAを用いたグラフェンデバイス構造の実空間分解界面電子状態分析

永村直佳, 堀場弘司, 豊田智史, 黒角翔大, 篠原稔宏, 井出隆之, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明, 尾嶋正治

第32回表面科学学術講演会　2012年11月20日
Tunable Many-Body Effects on Molecular Orbitals in Graphene 国際会議

H. Fukidome

第１１回顕微ナノ材料科学研究会「第８回日本表面科学会放射光表面科学研究部会・SPring-8ユーザー協同体顕微ナノ材料科学研究会合同シンポジウム」　2012年11月16日
Operando Analysis of Graphene Transistor by Soft X-ray 3D Scanning Photoelectron Microscopy 国際会議

Hirokazu Fukidome, Naoka Nagamura, Koji Horiba, Shodai Kurosumi, Toshihiro Shinohara, Takayuki Ide, Maki Suemitsu, Kousuke Nagashio, Akira Toriumi, Masaharu Oshima

ISGD-3（3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices　2012年11月5日
Controls of Structural, Electronic, and Pseudofield Properties of Epitaxial Graphene by Microfabrication 国際会議

Hirokazu Fukidome, Yusuke Kawai, Masato Kotsugi, Felix Fromm, Takayuki Ide, Takuo Ohkouchi, Hidetoshi Miyashita, Toyohiko Kinoshita, Maki Suemitsu, Thomas Seyller

ISGD-3（3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices　2012年11月5日
Oxygen-Plasma Formation of Alumina for a Gate Dielectric in Graphene Field Effect Transistors 国際会議

Goon-Ho Park, Myung-Ho Jung, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

ISGD-3（3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices　2012年11月5日
Electronic structure observations of graphene on 3C-SiC(111)/Si(111) 国際会議

Syuya Inomata, Ryota Takahashi, Hiroyuki Handa, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

ISGD-3（3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices　2012年11月5日
Epitaxy Of Graphene On Si(100) And Si(111) Faces Simultaneously Formed On Si(100) Substrate 国際会議

Takayuki Ide, Yusuke Kawai, Hirokazu Fukidome, Hidetoshi Miyashita, Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Yoshiharu Enta, Toyohiko Kinoshita, Koji Horiba, Naoka Nagamura, Satoshi Toyoda, Toshihiro Shinohara, Masaharu Oshima, Maki Suemitsu

ISGD-3（3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices　2012年11月5日
In-situ Raman Observation of Graphene during Formation of Al-oxide Gate Dielectrics 国際会議

Ryo Sato, Hirokazu fukidome, Maki Suemitsu

ISGD-3（3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices　2012年11月5日
Qualified Graphene-On-Silicon Formation Using 3C-SiC(111)/Si(110) Thick Film By Two-Step Growth 国際会議

Shota Sambonsuge, Eiji Saito, Sergey Fimimonov, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

ISGD-3（3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices　2012年11月5日
Improvement Of Epitaxial Graphene On Silicon By Use Of Vicinal Si (111) Substrates 国際会議

Naoki Haramoto, Syuya Inomata, Ryota Takahashi, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Hirokazu Hukidome, Maki Suemitsu

ISGD-3（3rd Internatinal Symposium on Graphene Devices　2012年11月5日
In situ Observation of Graphene during Gate Oxide Formation 国際会議

R. Sato, H. Fukidome, M. Suemitsu

MNC2012(25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference)　2012年10月30日
Plasma-oxidized Al2O3 for Gate Dielectrics in Graphene Field Effect Transistors 国際会議

G.-H. Park, M.-H. Jung, S. Inomata, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

MNC2012(25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference)　2012年10月30日
Spatial Confinement of Epitaxy of Graphene on Microfabricated SiC to Suppress Thickness Variation 国際会議

H. Fukidome, T. Ide, H. Handa, Y.Kawai, F. Fromm, M. Kotsugi, T. Ohkouchi, H. Miyashita, Y. Enta, T. Kinoshita, Th. Seyller, M.Suemitsu

ANM2012(4th International Conference on Advanced Nano Materials)　2012年10月28日
Epitaxial graphene on silicon 国際会議

Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome

ANM2012(4th International Conference on Advanced Nano Materials)　2012年10月17日
Definite Observation of Interfacial Charge Transfer in Graphene Transistor by Using Soft X-ray 3D Scanning Photoelectron Microscopy 国際会議

Hirokazu Fukidome, Naoka Nagamura, Koji Horiba, Satoshi Toyoda, Shodai Kurosumi, Toshihiro Shinohara, Takayuki Ide, Masaharu Oshima, Maki Suemitsu, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi, Masaharu Oshima

SSDM (2012 International Conference on Solid State Devices and Materials)　2012年9月25日
Modulation of Electronic and Vibrational Properties of Epitaxial Graphene by Spatially Confining Eptaxy 国際会議

H. Fukidome, Y. Kawai, F. Fromm, M. Kosugi, T. Ide, T. Ohkouchi, H. Miyashita, Y. Enta, T. Kinoshita, T. Seyller, M. Suemitsu

VAS14(14th International Conference on Vibrations at Surfaces)　2012年9月24日
微細加工Si(100)基板上3C-SiC薄膜へのエピタキシャルグラフェン形成

井出隆之, 川合祐輔, 宮下英俊, 吹留博一, 末光眞希

2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日
微傾斜Si(111)基板を用いたグラフェン・オン・シリコン

Naoki Haramoto, Syuya Inomata, Shota Sanbonsuge, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日
回転エピ成長3C-SiC(111)/Si(110)の厚膜化による高品質グラフェン形成

Shota Sanbonsuge, Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日
High-rate rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate 国際会議

Maki Suemitsu, Shota Sanbonsuge, Eiji Saito, Myung-Ho Jung, Hirokazu Fukidome, Sergey Filimonov

ECSCRM2012(9 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials)　2012年9月2日
Rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) using monomethylsilane-based gas-source molecular-beam epitaxy 国際会議

Shota Sanbonsuge, Eiji Saito, Myung-Ho Jung, Hirokazu Fukidome, Sergey Filimonov, Maki Suemitsu

ECSCRM2012(9 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials)　2012年9月2日
Can epitaxy of graphene on microfab. SiC modulate fields ?

吹留博一

Zao 2012 meeting　2012年7月22日

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発表7/23
THz Coherent Phonons in Graphene on Silicon 国際会議

M. Suemitsu, M. H. Jung, H. Fukidome, I. Katayama, J. Takeda, M. Kitajima

第2回テラヘルツナノ科学国際会議(2nd International Symposium on Terahertz Nanoscience)　2012年7月4日

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発表7/5
グラフェンを用いた半導体素子の開発と将来展望

吹留博一

Electronic Journal 第1200回 Technical Seminar　2012年7月3日

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発表7/3
High performance graphene field-effect transistors with extremely small access length using selfaligned source and drain technique 国際会議

Myung-Ho Jung, Goon-Ho Park, Tomohiro Yoshida, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

2012APEMC(2012 Asia-Pacific International Symposium on Electromagnetic Compatibility)　2012年5月22日

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発表5/23
基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御

吹留博一, 川合祐輔, 末光眞希

電子デバイス研究会(ED)　2012年4月18日

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発表4/18
Control of Electronic and Structural Properties of Epitaxial Graphene on 3C-SiC/Si and Its Device Applications 国際会議

Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Takuo Ohkouchi, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Yoshiharu Enta, Toyohiko Kinoshita, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

2012 MRS Spring Meeting　2012年4月9日

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発表4/12
回転エピ成長3C-SiC(111)/Si(111)の表面化学結合状態

三本菅正太, 阿部峻佑, 高橋良太, 今泉京, 半田浩之, 吉越章隆, 寺岡有殿, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦, 伊藤峻, 吹留博一, 末光眞希

2012年春季第59回応用物理学会学術講演会　2012年3月15日

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発表 3/15
微細構造Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜へのエピタキシャルグラフェン形成

井出隆之, 川合祐輔, 宮下英俊, 半田浩之, 吹留博一, 小嗣真人, 大河内拓雄, 遠田義晴, 木下豊彦, 末光眞希

2012年春季第59回応用物理学会学術講演会　2012年3月15日

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発表 3/15
3C-SiC(111)/Si(110)薄膜上グラフェンの電子構造の評価

猪俣州哉, 高橋良太, 半田浩之, 今泉京, 吹留博一, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆

2012年春季第59回応用物理学会学術講演会　2012年3月15日

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発表 3/15
新しいself-align技術を用いた超高速フラフェントランジスタ

朴君昊, 鄭明鎬, 全春日, 吹留博一, 吉田智弘, 末光哲也, 尾辻泰一, 末光眞希

2012年春季第59回応用物理学会学術講演会　2012年3月15日

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発表 3/15
エピグラフェンの表面界面構造解析

吹留博一

平成23年度日本表面科学会東北・北海道支部学術講演会　2012年3月8日

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発表 3/8
Tentative Title:Nanoscale Control of Epitaxial Graphene with Tuned Substrates 国際会議

第3回拠点セミナー(先端研究拠点事業－ナノカーボンテラヘルツ科学ー）　2012年3月5日
Bottom gate polycrystalline Si thin film transistors prepared by pulsed-plasma chemical vapor deposition under near atmospheric pressures 国際会議

Y. Inayoshi, Y. Uezawa, H. Fukidome, S. Nakajima, T. Uehara, Y. Toyoshima, M. Suemitsu

The 5th International Symposium and The 4th Student-Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2012年2月22日

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発表 2/23
グラフェンデバイスの電子状態のナノ分析

吹留博一

ISSP workshop　2012年2月17日

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発表 2/17
３次元nanoESCAによるグラフェンの電子状態解析国際会議

永村直佳, 豊田智史, 黒角翔大, 篠原稔宏, 堀場弘司, 尾嶋正治, 井出隆之, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明

第25回日本放射光学会年会　2012年1月6日

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発表 1/8
基板微細加工によるエピグラフェンの構造・電子状態の制御国際会議

吹留博一, 小嗣真人, 大河内拓雄, 川合祐輔, Thomas Seyller, 半田浩之, 井出隆之, 遠田義晴, 木下豊彦, Karsten Horn, 末光眞希

第25回日本放射光学会年会　2012年1月6日

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発表 1/8
Electrical Properties of Individual MoO2 Nanotube with Rectangular Cross Sections Measured by a Nanoprobe System Mounted in a SEM 国際会議

T. Sakurai, H. Handa, M. Ishikawa, H. Fukidome, M. Yoshimura, T. Abe, M. Suemitsu

19th International Colloaunium on Scanning Probe Microscopy(ICSPM19)　2011年12月19日

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発表 12/19
SiC薄膜を介したSi基板上エピタキシャルグラフェンの形成

末光眞希, 宮本優, 半田浩之, 齋藤英司, 今野篤史, 成田克, 吹留博一, 伊藤隆, 安井寛治, 中澤日出樹, 遠藤哲郎

第31回表面科学学術講演会　2011年12月15日

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発表 12/16
Epitaxial growth of graphene on 3C-SiC thin film formed on Si substrates 国際会議

Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome

International Symposium on Surface Science(ISSS-6)　2011年12月11日

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発表 12/15
Tuning of Electronic Properties of Epitaxial Graphene on Microfabrication 国際会議

H. Fukidome, H. Handa, M. Kotsugi, T.Seyller, Y. Kawai, T. Ohkouchi, K. Horn, R.Takahashi, K. Imaizumi, Y. Enta, M. Suemitsu, T. Kinoshita

第24回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2011)　2011年10月24日

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発表 10/26
Effect of SiH4 Pre-annealing on Graphitization of 3C-SiC/Si 国際会議

H. Fukidome, S. Abe, H. Handa, R.Takahashi, K. Imaizumi, S. Sanbonsuge, M. Suemitsu

第24回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2011)　2011年10月24日
Impacts of the Access Resistance on the Channel Conduction Characteristics in Graphene FETs 国際会議

M.-H. Jung, C. Quan, H. Fukidome, T.Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

第24回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2011)　2011年10月24日

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発表 10/27
Graphene/SiC/Si FETs with SiCN Gate Stack 国際会議

T. Suemitsu, M. Kubo, H. Handa, R. Takahashi, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuj

the 220th ECS Meeting & Electrochemical Energy Summit　2011年10月9日

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発表 10/12
Tuning of Structural and Electronic properties of Epitaxial Graphene by Substrate Microfabrication 国際会議

H. Fukidome, H. Handa, M. Kotsugi, Th. Seyller, Y. Kawai, T. Ohkouchi, K. Horn, R. Takahashi, K. Imaizumi, Y. Enta, M. Suemitsu, T. Kinoshita

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)　2011年9月28日

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発表 9/30
グラフェンの結晶評価技術

吹留博一

第49回応用物理学会スクール（2011年秋季）　2011年8月30日

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発表 8/30
Dual-gate動作によるgraphene channel変調と超高速デバイスへの応用

鄭明鎬, 全春日, 吹留博一, 末光哲也, 尾辻泰一, 末光真希

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会　2011年8月29日

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発表 8/31
モノメチルシランを用いた6H-SiC(0001)上3C-SiC成長とグラフェン化

今泉京, 齋藤英司, 伊藤俊, 吹留博一, 末光眞希

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会　2011年8月29日

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発表 9/1
Si(100)基板上3C-SiC(100)エピタキシャル薄膜のグラフェン形成過程のLEED及びSR-XPS観察

猪俣州哉, 半田浩之, 阿部峻佑, 高橋良太, 今泉京, 吹留博一, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会　2011年8月29日

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発表 9/1
SiC微細メサ構造上に形成したエピタキシャルグラフェンの電子状態の観察

井出隆之, 吹留博一, 半田浩之, 小嗣真人, トーマスザイラー, 川合祐輔, 大河内拓雄, カーステンホルン, 高橋良太, 遠田義晴, 今泉京, 末光真希, 木下豊彦

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会　2011年8月29日

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発表 9/1
Growth of epitaxial graphene on 3C-SiC/Si heterostructure 国際会議

Maki Sue, Hirokazu Fukidome

HeteroSiC-WASMPE2011　2011年6月27日
Graphene FETs with SiCN gate stack deposited by PECVD using HMDS vapor 国際会議

Tetsuya Suemitsu, Makoto Kubo, Ryo Takahashi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

35th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits　2011年5月29日
XTEM characterization of epitaxial graphene formed on non-basal SiC surfaces 国際会議

M Suemitsu, H Handa, F Hirokazu

International Conference on New Diamond and Nano Carbons2011　2011年5月16日
Mechanical and tribological properties of silicon- andnitrogen-incorporated diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition 国際会議

H Nakazawa, S Miura, R Kamata, S Okuno, Y Enta, M Suemitsu, T Abe

International Conference on New Diamond and Nano Carbons2011　2011年5月16日
Complimentary logic inverter on epitaxial graphene/6H-SiC field effect transistor with diamond-like carbon film as gate dielectrics at room temperature 国際会議

Amine El Moutaouakil, Susumu Takabayashi, Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa, Hyun-Chul Kang, Ryota Takahashi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Eiichi Sano, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji

nature Graphene Conference　2011年5月11日
パルス電界大気圧プラズマCVDによるガラス基板上Top-Gate TFTの作製

植澤裕史, 松本光正, 稲吉陽平, 村重正悟, 中西国博, 吹留博一, 末光眞希, 中嶋節男, 上原剛, 豊島安健

第58回応用物理学学術講演会　2011年3月24日
モノメチルシランを用いた6H-SiC(0001)上ホモエピタキシャル成長とグラフェン化

今泉京, 高橋良太, 阿部峻佑, 半田浩之, 齋藤英司, 吹留博一, 末光眞希

第58回応用物理学学術講演会　2011年3月24日
面方位回転エピタキシャル成長3C-SiC(111)/Si(110)薄膜上グラフェン成長過程のLEED、SR-XPS観察

高橋良太, 半田浩之, 阿部峻佑, 猪俣州哉, 今泉京, 吹留博一, 寺岡有殿, 吉越章隆, 小嗣真人, 末光眞希, 大河内拓雄, 木下豊彦

第58回応用物理学学術講演会　2011年3月24日
グラフェン/金属界面の化学

鷹林将, 久保真人, 高橋良太, 吹留博一, 末光眞希, 末光哲也, 尾辻泰一

第58回応用物理学学術講演会　2011年3月24日
グラフェンにおけるコヒーレントフォノン

古賀翔, 片山郁文, 武田淳, 阿部峻佑, 吹留博一, 末光眞希, 島田透, 北島正弘

第58回応用物理学学術講演会　2011年3月24日
HMDS-SiNをゲート絶縁膜として用いたグラフェンFET

久保真人, 福嶋哲也, Hyun-Chul Kang, 赤川啓介, 吉田智洋, 高橋良太, 半田浩之, 鄭明鎬, 鷹林将, 吹留博一, 末光哲也, 末光眞希, 尾辻泰一

第58回応用物理学学術講演会　2011年3月24日
ダイヤモンドライクカーボンをゲート絶縁膜としたグラフェンFET

鷹林将, 小川修一, 高桑雄二, Hyun-Chul Kang, 高橋良太, 吹留博一, 末光眞希, 末光哲也, 尾辻泰一

第58回応用物理学学術講演会　2011年3月24日
Novel epitaxy of graphene using substrate microfabrication 国際会議

HIROKAZU FUKIDOME, MASATO KOTSUGI, TAKUO OHKOUCHI, TOYOHIKO KINOSHITA, THOMAS SEYLLER, KARSTEN HORN, YUSUKE KAWAI, MAKI SUEMITSU, YOSHIO WATANABE

APS March Meeting 2011　2011年3月21日
3C-SiC(100)/Si(100)薄膜上グラフェン形成過程のLEED,SR-XPS観察

猪俣州哉, 半田浩之, 阿部峻佑, 高橋良太, 今泉京, 吹留博一, 寺岡有殿, 吉越章隆, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦, 末光眞希

平成22年度日本表面科学東北・北海道支部講演会プログラム　2011年3月10日
Plasma damages on SiNx films deposited on patterned conductive layers using pulsed-plasma CVD under near atmospheric pressures 国際会議

Yohei Inayoshi, Kunihiro Nakanishi, Yuji Uezawa, Hirokazu Fukidome, Setsuo Nakajima, Tsuyoshi Uehara, Yasutake Toyoshima, Maki Suemitsu

3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials　2011年3月6日
パルス電界大気圧プラズマCVD法における局在導電膜の影響

稲吉陽平, 中西国博, 植澤裕史, 吹留博一, 中嶋節男, 上原剛, 豊島安健, 末光眞希

「プラズマの流れが生み出す新機能性場の基礎と応用」研究会(仙台プラズマフォーラム)　2011年2月23日
パルス電界大気圧プラズマを用いたアンモニアフリーSiNx成長プロセス

稲吉陽平, 中西国博, 植澤裕史, 吹留博一, 中嶋節男, 上原剛, 豊島安健, 末光眞希

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会『ヒューマンサイエンス＆テクノロジー』　2011年2月9日
基板微細加工援用エピ成長によるグラフェンの高品質化

吹留博一, 小嗣真人, 大河内拓雄, 半田浩之, 渡辺義夫, 木下豊彦, 遠田義晴, 末光眞希, Thomas Seyller, Karsten Horn

第6回放射光表面化学部会顕微ナノ材料科学研究会合同シンポジウム　2010年12月10日
パルス電界大気圧プラズマCVDによるTop-Gate TFTの作製

植澤裕史, 稲吉陽平, 村重正悟, 中西国博, 吹留博一, 末光眞希, 中嶋節男, 上原剛, 豊島安健

第65回応用物理学会東北支部学術講演会　2010年11月25日
Orientational dependence on the growth of epitaxial graphene on Si substrates 国際会議

Maki Suemitsu, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Hirokazu Fukidome

9th Japan-Korea Symposium on Surface Nanostructures　2010年11月15日
Graphene field effect transistors on SiC substrate with high-k dielectrics formed by metal oxidation 国際会議

Myung-Ho Jung, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

9th Japan-Korea Symposium on Surface Nanostructures　2010年11月15日
Deposition of Graphene using Near-atmospheric Pressure Pulsed-plasma CVD 国際会議

K.Nakanishi, M.Matsumoto, Y.Inayoshi, Y.Uezawa, S.Nakajima, T. Uehara, Y.Toyoshima, H.Fukidome, M.Suemitsu

23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference　2010年11月9日
MNC Technical Seminar 「Graphene」国際会議

MNC2010　2010年11月9日
Formation of Mesa-patterned graphene on SiC substrate 国際会議

MNC2010　2010年11月9日
SiCグラフェンのデバイス応用と微細加工国際会議

なし

23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference　2010年11月9日
Formation of High-k Dielectric Films on Graphene by Metal Oxidation for Top-Gated Graphene Device Application 国際会議

M.-H. Jung, H. Handa, R. Takahashi, H. Fukidome, M. Suemitsu

23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference　2010年11月9日
グラフェン/10族金属コンタクト界面の化学結合

鷹林将, 久保真人, 高橋良太, 阿部峻, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

第３０回表面科学学術講演会第５１回真空に関する連合講演会　2010年11月4日
3C-SiC(111)極薄膜上エピタキシャルグラフェン形成過程のLEED／PES解析

高橋良太, 半田浩之, 阿部峻佑, 今泉京, 齋藤英司, 吹留博一, 遠田義晴, 末光眞希

第３０回表面科学学術講演会第５１回真空に関する連合講演会　2010年11月4日
独立駆動4 探針測定装置を用いたグラフェンおよびカーボンナノチューブの電気伝導測定

関沢拓実, 掛札洋平, 吹留博一, 末光眞希, 米田忠弘

第３０回表面科学学術講演会第５１回真空に関する連合講演会　2010年11月4日
Temperature-programmed-desorption study on Graphene-on-Silicon process 国際会議

Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

2nd International Symposium on Graphene Devices　2010年10月27日
Graphene Formation on 3C-SiC(111) Thin Film Grown on Si(110) Substrate 国際会議

Shunsuke Abe, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

2nd International Symposium on Graphene Devices　2010年10月27日
Oxygen-induced reduction of the graphitization temperature of SiC surface 国際会議

Kei Imaizumi, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Eiji Saito, Hirokazu Fukidome, Yoshiharu Enta, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Maki Suemitsu

2nd International Symposium on Graphene Devices　2010年10月27日
Formation of Graphene by Pulsed-Plasma CVD under Atmospheric Pressure 国際会議

Kunihiro Nakanishi, Mitsutaka Matsumoto, Yohei Inayoshi, Yuji Uezawa, Setsuo Nakajima, Tsuyoshi Uehara, Yasutake Toyoshima, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

2nd International Symposium on Graphene Devices　2010年10月27日
CONTROL OF STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF EPITAXIAL GRAPHENE BY CRYSTALLOGRAHIC ORIENTATION OF Si SUBSTRATE 国際会議

Hirokazu Fukidome, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hiroyuki Handa, Maki Suemitsu, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Masato Kotsugi, Takuo Ohkouchi, Toyohiko Kinoshita, Yoshio Watanabe

2nd International Symposium on Graphene Devices　2010年10月27日
SURFACE ORIENTATION DEPENDENCE OF THE STRUCTURAL PROPERTIES OF GRAPHENE GROWN ON Si SUBSTRATES 国際会議

Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Shunsuke Abe, Kei Imaizumi, Eiji Saito, Myung-Ho Jung, Shun Ito, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

2nd International Symposium on Graphene Devices　2010年10月27日
NANOSCALE CONTROL OF STRUCTURE OF EPITAXIAL GRAPHENE BY USING SUBSTRATE MICROFABRICATION 国際会議

Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Yusuke Kawai, Takuo Ohkouchi, Thomas Seyller, Karsten Horn, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Yoshiharu Enta, Maki Suemitsu, Toyohiko Kinoshita, Yoshio Watanabe

2nd International Symposium on Graphene Devices　2010年10月27日
INVESTIGATION OF GRAPHENE FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH Al2O3 GATE DIELECTRICS FORMED BY METAL OXIDATION 国際会議

Myung-Ho Jung, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

2nd International Symposium on Graphene Devices　2010年10月27日
LEED OBSERVATION OF THE FORMATION OF EPITAXIAL GRAPHENE ON 3C-SiC(111) ULTRATHIN FILM ON SiC(111) 国際会議

Ryota Takahashi, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Kei Imaizumi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

2nd International Symposium on Graphene Devices　2010年10月27日
CHEMICAL BONDS AT INTERFACES BETWEEN GRAPHENE AND GROUP-10 METALS 国際会議

M. Kubo, S. Takabayashi, R. Takahashi, S. Abe, T. Suemitsu, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

2nd International Symposium on Graphene Devices　2010年10月27日
ROOM TEMPERATURE COMPLIMENTARY LOGIC INVERTER ON EPITAXIAL GRAPHENE-ON-SILICON DEVICE 国際会議

A. El Moutaouakil, H-C Kang, H. Handa, H. Fukidome, T. Suemitsu, E. Sano, M. Suemitsu, T. Otsuji

2nd International Symposium on Graphene Devices　2010年10月27日
DC AND RF CHARACTERISTICS OF GRAPHENE FETS FORMED BY THERMAL DECOMPOSITION OF SiC GROWN ON SILICON SUBSTRATES 国際会議

H.-C. Kang, S. Takabayashi, K. Akagawa, T. Yoshida, S. Abe, R. Takahashi, H. Fukidome, T. Suemitsu, M. Suemitsu, T. Otsuji

2nd International Symposium on Graphene Devices　2010年10月27日
LEED and XPS observation of formation of epitaxial graphene on Cubic SiC(111)/Si(111) 国際会議

Ryota Takahashi, Hiroyuki Handa, Shunsuke Abe, Kei Imaizumi, Eiji Saito, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe

The 3rd Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2010年10月19日
Discharge instability during the film growth on patterned conductive layers using pulsedplasma CVD under near-atmospheric pressures 国際会議

Yohei Inayoshi, Kunihiro Nakanishi, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Setsuo Nakajima, Tsuyoshi Uehara, Yasutake Toyoshima

The 3rd Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2010年10月19日
Logic inverting operations using Epitaxial Graphene-on-Silicon Field Effect Transistors 国際会議

Amine El Moutaouakil, Hyun-Chul Kang, Hiroyuki Handa, Susumu Takabayashi, Akira Satou, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Eiichi Sano, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji

The 3rd Student Organizing International Mini-Conference on Information Electronics Systems　2010年10月19日
Epitaxial Graphene-On-Silicon Logic Inverter 国際会議

A. E. Moutaouakil, H. C. Kang, H. Handa, H. Fukidome, T. Suemitsu, E. Sano, M.Suemitsu, T. Otsuji

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials　2010年9月22日
Epitaxial Graphene Field Effect Transistors on SiC substrate with Polymer Gate Dielectric 国際会議

M. H. Jung, H. Handa, R. Takahashi, H. Fukidome, M. Suemits

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials　2010年9月22日
TEM characterization of epitaxial graphene formed on Si(111), Si(110), Si(100) 国際会議

H. Handa, R. Takahashi, S. Abe, K. Imaizumi, M.H. Jung, S. Ito, H. Fukidome, M. Suemitsu

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials　2010年9月22日
6H-SiC基板上微細メサ構造へのエピタキシャルグラフェン形成

半田浩之, 高橋良太, 今泉京, 川合祐輔, 吹留博一, 遠田義晴, 末光眞, 小嗣真人, 大河内拓雄, 渡辺義夫, 木下豊彦

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
3C-SiC(111)極薄膜上エピタキシャルグラフェン形成過程のLEED観察

高橋良太, 半田浩之, 宮本優, 阿部峻佑, 斎藤英司, 今泉京, 吹留博一, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
モノシランプレアニールによるグラフェン・オン・シリコンの高品質化

阿部峻佑, 半田浩之, 齋藤英司, 高橋良太, 今泉京, 吹留博一, 末光眞希

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
超低圧酸素雰囲気下でのSi基板上低温グラフェン形成過程のリアルタイム放射光光電子分光

今泉京, 高橋良太, 半田浩之, 斉藤英司, 吹留博一, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
グラフェン/白金コンタクト界面の化学結合

鷹林将, 高橋良太, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
ポリマーゲート絶縁膜を用いたグラフェントランジスタの電気特性

鄭明鎬, 半田浩之, 高橋良太, 吹留博一, 末光眞希

第71回応用物理学会学術講演会　2010年9月14日
Control of edg chirality of epitaxial graphene on 3C-SiC/Si by using surface orientation of Si substrate

なし

蔵王10研究会－ナノチューブ、グラフェン、ナノカーボンに関する研究会ー　2010年7月20日
Growth of Graphene on Silicon Substrates and Its Control over Interface Properties 国際会議

末光眞希

Villa Conference on Interaction Among Nanostructures (VCIAN2010)　2010年6月21日
Technology toward fusion of Graphene with Advanced Si-CMOS Technologies 国際会議

なし

8th Internaional Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces　2010年6月14日
Technology toward fusion of Graphene with Advanced Si-CMOS Technologies 国際会議

なし

8th Internaional Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces　2010年6月14日
Controlling the Interface Between Graphene and SiC by Use of Graphene-onsilicon Technology 国際会議

Hirokazu Fukidome, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Hiroyuki Handa, Maki Suemitsu, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka

2010 MRS Spring Meeting　2010年4月5日
SiGeナノ化合物の元素吸収端近傍における軟X線高電子顕微鏡観察

Algno Arnold, 遠田義晴, 末光眞希, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦, 渡辺義夫

第５７回応用物理学関係連合講演会　2010年3月17日
MoO2方形断面ナノチューブのI-V特性評価

半田浩之, 石川誠, 吹留博一, 吉村雅満, 阿部峻佑, 末光眞希

第５７回応用物理学関係連合講演会　2010年3月17日
グラフェン・オン・シリコン形成過程のLEED,XPS観察

宮本優, 半田浩之, 斎藤英司, 今泉京, 吹留博一, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆

第５７回応用物理学関係連合講演会　2010年3月17日
グラフェン・オン・シリコン構造の断面TEM観察

宮本優, 高橋良太, 阿部俊佑, 今泉京, 斎藤英司, 伊藤俊, 吹留博一, 末光眞希

第５７回応用物理学関係連合講演会　2010年3月17日
グラフェン・オン・シリコンプロセスの昇温脱離法による評価

半田浩之, 宮本優, 高橋良太, 吹留博一, 末光眞希

第５７回応用物理学関係連合講演会　2010年3月17日
酸素添加によるSiC表面グラフェンかプロセスの低温化

高橋良太, 宮本優, 半田浩之, 斎藤英司, 吹留博一, 末光眞希, 寺岡有殿, 吉越章隆

第５７回応用物理学関係連合講演会　2010年3月17日
常圧プラズマCVDによるグラフェン成膜

松本光正, 稲吉陽平, 村重正悟, 中嶋節男, 上原剛, 吹留博一, 末光眞希

第５７回応用物理学関係連合講演会　2010年3月17日
シリコン基板上グラフェンにおけるトップゲート型エピタキシャルグラフェンFET

姜顯澈, 唐沢宏美, 宮本優, 半田浩之, 吹留博一, 末光哲也, 末光眞希, 尾辻泰一

第５７回応用物理学関係連合講演会　2010年3月17日
Si/Si熱酸化膜DitにおけるRTA効果の面方位依存性

鈴木康, 村重正悟, 鄭明鎬, 三浦明美, 吹留博一, 末光眞希

平成２１年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会　2010年3月10日
SiGeナノ化合物の軟X線高電子顕微鏡観察

Algno Arnold, 遠田義晴, 末光眞希, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦, 渡辺義夫

物性研短期研究会「顕微分光とナノサイエンスの発展　2010年2月22日
Soft X-ray Photoemission Microscopy of SiGe nanocompounds 国際会議

H.Fukidome, Aluguno Arnold, Yoshiharu Enta, Maki Suemitsu, Masao Kotsugi, Takuo Ohkouchi, Toyohiko Kinoshita, Ysohio Watanabe

JKSSN-8　2010年2月19日
エネルギー変換材料・デバイスの創製

稲吉陽平, 松本光正, 村重正悟, 中西国博, 吹留博一, 末光眞希, 中嶋節男, 上原剛, 豊島安健

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成21年度成果報告会　2010年2月8日
Epitaxial Graphene Top-Gate FETs on Silicon Substrates 国際会議

H.-C. Kang, H. Karasawa, Y. Miyamoto, H. Handa, H. Fukidome, T. Suemitsu, M. Suemitsu, T. Otsuji

ISDRS2009　2009年12月9日
Si 基板上グラフェン成膜過程の昇温脱離法による研究

阿部峻佑, 半田浩之, 宮本優, 高橋良太, 吹留博一, 末光眞希

第64 回応用物理学会東北支部学術講演会　2009年12月3日
International Engineering in Epitaxial Graphene on Silicon 国際会議

H.Fukidome, R.Takahashi, M.Miyamoto, h.Handa, M.Suemitsu

IWTPD2009　2009年11月2日
グラフェン・オン・シリコン表面構造のLEED観察

宮本優, 半田浩之, 齋藤英司, 今泉京, 吹留博一, 末光眞希

第２９回表面科学学術講演会　2009年10月27日
熱改質グラフェン形成における3C-SiC薄膜の表面モフォロジーと結晶性の変化

宮本優, 齋藤英司, 吹留博一, 末光真希

第２９回表面科学学術講演会　2009年10月27日
Chemical Composition of Ge(Si) Islands on Si(100) substrate capped with Si 国際会議

H.Fukidome, A. Arnold, Y. Enta, M. Suemitsu, M.Kotsugi, T. Ohkochi, T. Kinoshita, Y. Watanabe

IWES2009　2009年10月12日
Epitaxy of Graphene on Si substrates toward Three-Dimensional Graphene Devices 国際会議

H.Fukidome, Y.Miyamoto, H.Handa, R.Takahashi, K.Imaizumi, M.Suemitsu

SSDM2009　2009年10月7日
Extraction of Drain Current and Effective Mobility in Epitaxial Graphene Channel FETs on Silicon Substrates 国際会議

H. C. Kang, R. Olac-vaw, H. Karasawa, Y. Miyamoto, H. Handa, T. Suemitsu, H. Fukidome, M.Suemitsu, T. Otsuji

SSDM2009　2009年10月7日
Cleaning-Free Deposition of Highly Crystallized Si Films on Plastic Film Substrates Using Pulsed-Plasma CVD under Near-Atmospheric Pressure 国際会議

Syun Ito, Yohei Inayoshi, Shogo Murashige, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu, Setsuo Nakajima, Tsuyoshi Uehara, Yasutake Toyosihima

ECS2009　2009年10月4日
エピタキシャルグラフェン電界効果トランジスター

唐沢宏美, 宮本優, 半田浩之, 末光哲也, 吹留博一, 末光眞希, 尾辻泰一

第70回応用物理学会学術講演会　2009年9月8日
グラフェン化高温アニール処理におけるSi基板上3C-SiC薄膜の結晶性変化

宮本優, 齋藤英司, 吹留博一, 末光眞希

第70回応用物理学会学術講演会　2009年9月8日
Si(111)，Si(100)，Si(110)基板表面上へのグラフェン・オン・シリコンの形成

宮本優, 半田浩之, 齋藤英司, 末光眞希

第70回応用物理学会学術講演会　2009年9月8日
Epitaxial Growth of Graphene on Silicon Substrates

Hirokazu Fukidome, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Shunsuke Abe, Kei Imaizumi, Takashi Itoh, Maki Suemitsu

蔵王09研究会　2009年8月2日
Nanoscale characterization of graphene epitaxially grown on silicon substrates for device applications 国際会議

H.Fukidome, Y.Miyamoto, H.Handa, E.Saito, R.Takahashi, K.Imaizumi, M.Suemitsu

グラフェン東京　2009年7月25日
Epitaxial graphene on Si substrate for infrared photodetection 国際会議

R. Olac‐vaw, H.C. Kang, T. Komori, T. Watanabe, H. Karasawa, Y. Miyamoto, H. Handa, H. Fukidome, T. Suemitsu, M. Suemitsu, T. Otsuji

グラフェン東京　2009年7月25日
Epitaxial Growth of Graphene on Silicon Substrates 国際会議

Hirokazu Fukidome, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Maki Suemitsu

E-MRS 2009 Spring Meeting　2009年6月8日
Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術

半田浩之, 宮本優, 齋藤英司, 吹留博一, 伊藤隆, 末光眞希

電子情報通信学会－電子デバイス研究会（ED）　2009年4月23日
Microscopically Controlled oxidation of Silicon Imaged by Emission Electron Microscopy 国際会議

LEEM/PEEM V　2007年10月10日
固体表面と水分子の微視的な相互作用

化学系協会東北大会　2007年9月22日
Non contact AFM Micrscopy of Rubrene Single Crystal

板谷謹悟, 伊熊直彦

ナノデバイス研究会　2007年7月5日
Interaction of Metal with Charged Oxide under UV Irradiation Imaged by Photoemission Electron Microscopy 国際会議

ISSP-10　2006年11月
Microscopic Control of Surface Electric Field and Reaction on Si(100) In situ Monitored by Photoemission Electron Microscopy

IMC-16　2006年9月15日
Temperature Dependence of Contrast in PEEM images of Si(100) with Lateral p-n junctions 国際会議

ISSS-4　2005年11月
Microscopic Interaction of water on noble metals 国際会議

49 th AVS congress　2002年11月
Effect of Dissolved Oxygen on Silicon Etching 国際会議

Electrochemical Society Meeting　1998年10月
二次元電子系トランジスタの研究と放射光の利用事例招待有り

吹留博一

SPring-8次世代先端デバイス研究会（第4回）
[2] 実デバイスの産学連携オペランド顕微軟X線分光分光と埋もれた界面の観察に向けて招待有り

吹留博一

プローブ顕微鏡研究部会合同研究会

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産業財産権 47

SiC構造体およびその製造方法並びに半導体装置

長澤弘幸, 末光眞希, 吹留博一, 舘野泰範, 三橋史典, 岡田政也, 上野昌紀

特許第6884532号

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置

舘野泰範, 上野昌紀, 岡田政也, 三橋史典, 末光眞希, 吹留博一

特許第6851804号

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置

舘野泰範, 上野昌紀, 岡田政也, 三橋史典, 末光眞希, 吹留博一

特許第6791723号

産業財産権の種類: 特許権
グラフェントランジスタおよびその製造方法

岡田政也, 三橋史典, 上野昌紀, 舘野泰範, 末光眞希, 吹留博一

特許第6720067号

産業財産権の種類: 特許権
電子装置およびその製造方法

舘野泰範, 米村卓巳, 岡田政也, 長澤弘幸, 末光眞希, 吹留博一

特許第6714390号

産業財産権の種類: 特許権
グラフェントランジスタおよびその製造方法

岡田政也, 舘野泰範, 米村卓巳, 末光眞希, 吹留博一, 長澤弘幸

特許第6675945号

産業財産権の種類: 特許権
電子装置およびその製造方法

舘野泰範, 米村卓巳, 岡田政也, 長澤弘幸, 末光眞希, 吹留博一

特許第6666168号

産業財産権の種類: 特許権
電子装置およびその製造方法

米村卓巳, 舘野泰範, 岡田政也, 末光眞希, 吹留博一, 長澤弘幸

特許第6649800号

産業財産権の種類: 特許権
積層体および電子素子

三橋史典, 石塚貴司, 上野昌紀, 佃至弘, 舘野泰範, 末光眞希, 吹留博一, 長澤弘幸

特許第6560594号

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置

舘野泰範, 末光眞希, 吹留博一

特許第6461523号

産業財産権の種類: 特許権
基板の製造方法

末光眞希, 吹留博一, 賽焦, 舘野泰範, 眞壁勇夫, 中林隆志

特許第6163024号

産業財産権の種類: 特許権
積層体および電子素子

岡田政也, 三橋史典, 上野昌紀, 舘野泰範, 末光眞希, 吹留博一

産業財産権の種類: 特許権
積層体および電子素子

岡田政也, 三橋史典, 舘野泰範, 上野昌紀, 末光眞希, 吹留博一

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置

舘野泰範, 末光眞希, 吹留博一

産業財産権の種類: 特許権
基板、基板の製造方法、及び電子装置

吹留博一, 末光眞希, 賽焦, 舘野泰範, 眞壁勇夫, 中林隆志

産業財産権の種類: 特許権
基板、基板の製造方法、及び電子装置

末光眞希, 吹留博一, 賽焦, 舘野泰範, 眞壁勇夫, 中林隆志

産業財産権の種類: 特許権
基板、基板の製造方法、及び電子装置

末光眞希, 吹留博一, 賽焦, 舘野泰範, 眞壁勇夫, 中林隆志

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置

舘野泰範, 吹留博一, 末光眞希

産業財産権の種類: 特許権
半導体装置

舘野泰範, 吹留博一, 末光眞希

産業財産権の種類: 特許権
基板、基板の製造方法、及び電子装置

吹留博一, 末光眞希, 賽焦, 舘野泰範, 眞壁勇夫, 中林隆志

産業財産権の種類: 特許権
基板、基板の製造方法、及び電子装置

吹留博一, 末光眞希, 賽焦, 舘野泰範, 眞壁勇夫, 中林隆志

産業財産権の種類: 特許権
基板、基板の製造方法、及び電子装置

吹留博一, 末光眞希, 賽焦, 舘野泰範, 眞壁勇夫, 中林隆志

産業財産権の種類: 特許権
グラフェンの形成方法

中嶋節男, 加藤清一, 上原剛, 中西国博, 松本光正, 吹留博一, 末光眞希

産業財産権の種類: 特許権
グラフェンの形成方法及びグラフェンの形成装置

寺岡有殿, 吉越章隆, 吹留博一, 末光眞希, 今泉京

産業財産権の種類: 特許権
トランジスタの集積回路およびその製造方法

産業財産権の種類: 特許権

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単原子長ゲート・トランジスタを用いた集積回路の製造プロセスに関する特許
単原子長ゲート・トランジスタの製造プロセスに関する特許

産業財産権の種類: 特許権

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単原子長ゲート・トランジスタの製造プロセスに関する特許
集積回路およびその製造方法

吹留博一, 末光哲也, 渡邊一世, 川原実, 飛坂優二, 秋山昌次, 川合信

産業財産権の種類: 特許権
集積回路およびその製造方法

吹留博一, 末光哲也, 渡邊一世, 川原実, 飛坂優二, 秋山昌次, 川合信

産業財産権の種類: 特許権
トランジスタ，集積回路，およびトランジスタの製造方法

吹留博一, 渡邊一世, 川原実, 飛坂優二, 秋山昌次, 川合信

産業財産権の種類: 特許権
トランジスタ、集積回路、およびトランジスタの製造補法

産業財産権の種類: 特許権

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単原子長ゲート・トランジスタの製造プロセスに関する特許。
集積回路およびその製造方法

吹留博一, 末光哲也, 渡邊一世, 川原実, 飛坂優二, 秋山昌次, 川合信

産業財産権の種類: 特許権
アンテナモジュールおよびその製造方法

吹留博一, 末光哲也, 渡邊一世, 川原実, 飛坂優二, 秋山昌次, 川合信

産業財産権の種類: 特許権
アンテナモジュールおよびその製造方法

吹留博一, 末光哲也, 渡邊一世, 川原実, 飛坂優二, 秋山昌次, 川合信

産業財産権の種類: 特許権
アンテナモジュールおよびその製造方法

吹留博一, 末光哲也, 渡邊一世, 川原実, 飛坂優二, 秋山昌次, 川合信

産業財産権の種類: 特許権
アンテナモジュールおよびその製造方法

吹留博一, 末光哲也, 渡邊一世, 川原実, 飛坂優二, 秋山昌次, 川合信

産業財産権の種類: 特許権
アンテナモジュールおよびその製造方法

吹留博一, 末光哲也, 渡邊一世, 川原実, 飛坂優二, 秋山昌次, 川合信

産業財産権の種類: 特許権
アンテナモジュールおよびその製造方法

吹留博一, 末光哲也, 渡邊一世, 川原実, 飛坂優二, 秋山昌次, 川合信

産業財産権の種類: 特許権
SiC structure, semiconductor device having SiC structure, and process of forming the same

Hiroyuki Nagasawa, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno, Fuminori Mitsuhashi, Masaya Okada, Masaki Ueno

特許10283594

産業財産権の種類: 特許権
Stacked body including graphene film and electronic device including graphene film

Masaya Okada, Fuminori Mitsuhashi, Yasunori Tateno, Masaki Ueno, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome

特許10580869

産業財産権の種類: 特許権
Stacked body and electronic device

Masaya Okada, Fuminori Mitsuhashi, Masaki Ueno, Yasunori Tateno

特許10529807

産業財産権の種類: 特許権
Stacked body and electronic device

Masaya Okada, Fuminori Mitsuhashi, Masaki Ueno, Yasunori Tateno

特許10580869

産業財産権の種類: 特許権
積層体および電子素子

末光真希, 吹留博一, 舘野泰範, 岡田政也

産業財産権の種類: 特許権
Laminated body and electronic device

Fuminori Mitsuhashi, Takashi Ishizuka, Masaki Ueno, Yoshihiro Tsukuda, Yasunori Tateno, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Hiroyuki Nagasawa

特許9806156

産業財産権の種類: 特許権
積層体

三橋史典, 舘野泰範, 末光眞希, 吹留博一

産業財産権の種類: 特許権
積層体

三橋史典, 舘野泰範, 末光眞希, 吹留博一

産業財産権の種類: 特許権
電子素子及び製造法

舘野泰範, 末光眞希, 吹留博一, 長澤弘幸

産業財産権の種類: 特許権
SiC structure, semiconductor device having SiC structure, and process of forming the same

特許10283594

産業財産権の種類: 特許権

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共同研究・競争的資金等の研究課題 79

固液界面を利用した有機単結晶の成長とその電子デバイスへの応用競争的資金

制度名：JST Basic Research Programs (Core Research for Evolutional Science and Technology :CREST)

2007年4月～継続中
走査型トンネル顕微鏡を用いた単一分子の分光・操作競争的資金

制度名：The Other Research Programs

2001年4月～継続中
スマート社会基盤素子に向けた最軽量原子層材料の開発

松田巌, 安藤康伸, 吹留博一, 近藤剛弘, 細野英司

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

研究機関：The University of Tokyo

2021年7月5日～ 2026年3月31日

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本研究では新たな単原子層材料であるホウ素の単原子シート「ボロフェン」をベースに最軽量の情報およびエネルギーキャリア材料の開発に取り組んでいる。ボロフェンおよび誘導体は多様な元素組成と原子構造を取ることができ、その結果、多種多様な電子状態が形成され、次世代通信帯GHz-THz応答ならびに電池(蓄エネデバイス)への応用が期待されている。本研究ではボロフェン及び誘導体材料について、精密測定が可能な「大面積合成」試料と実用化が可能な「大量合成」試料を作り分け、各試料の物質情報を総合的かつ相補的に研究しながら展開している。そして本物質の機能性の起源や原因となる電子状態を調べることで、その学理を追求しデバイス開発を推進することを目的とする。研究を遂行するにあたり、本年度ではまず実験環境の整備を行なった。年度内に「大面積合成」を実施する分子線エピタキシー成膜装置に専用のホウ素蒸着源（電子ビーム加熱型蒸着源）を導入し、「大量合成」に向けて専用のグローブボックスを設置した。さらに合成した試料の機能性を探る電池充放電装置システムも用意することができた。また、次世代通信帯原子層材料として調べていたグラフェンのダイナミクス研究がまとまったので、論文発表をした。本年度では目的であるボロフェン物質の「大面積合成」について、大きな進展があった。電極材料である銅の基板上にcmサイズにわたって再現性よくボロフェン化合物を作製することができるようになった。陽電子回折法による原子構造解析と光電子電子分光法による化学分析により、本物質はホウ素の１次元鎖が周期的な列を形成していることが分かった。そして第一原理に基づく電子状態の理論計算の結果、本物質は金属であることが分かった。電極基板の上で合成できることから電池特性向上につながると期待され、その評価実験の準備も進めた。
グラフェンディラックプラズモンの時空間対称性操作とそのテラヘルツレーザへの応用

尾辻泰一, 佐藤昭, 吹留博一, 楢原浩一, Maxim・V Ryzhii

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2021年4月5日～ 2026年3月31日

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１. GDPメタ表面のPT 対称性のモデル化（担当：分担者楢原，佐藤，Ryzhii，代表者尾辻）・ADGG構造内のGDPメタ表面の損失・利得特性は伝送線路トイモデルによって単純化表現した．具体的には，PT対称な単位要素を電気格子とみなし，線路インダクタンス（プラズモン運動量インダクタンス）をL, 構造・材料依存の容量性を空間変数キャパシタンスC，GDPの損失・利得成分を空間変数コンダクタンスσで与えることにより，PT対称性特有の単方向性伝搬をモデル化した．電気格子をGDP波長に比して十分に短い空間セル分解能とし，系全体を散乱行列で等価回路化することにより，実際のADGG－GFETの複雑系メタ表面構造の特異伝搬を精度を担保しながら簡易に再現できるツールを構築した．次年度以降，GDPの伝搬モード毎に等価回路化した散乱行列を多次元化し，モード間結合を伴う複雑系に対しても合理的な数値解が得られるよう発展させる．２. ADGG-GFET内GDPの不安定状態におけるミクロスコピックなPT 対称性の解明と，超高速利得変調動作の原理検証（担当：代表者尾辻，分担者吹留，佐藤；研究協力：松田（東大））・デバイス試作プロセスは，東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設設備を利用して実施した．（担当：分担者佐藤，吹留，代表者尾辻）・外部電圧を印加した状態でGDPの非平衡ダイナミクスをナノ空間分解能と100フェムト秒の時間分解能で直接観測可能な，研究分担者：吹留，松田らが開発したオペランド時間・空間分解X線光電子分光装置を駆使し，その解明に着手した．（担当：分担者吹留；研究協力：松田（東大））
スマート社会基盤素子に向けた最軽量原子層材料の開発

松田巌

制度名：基盤研究(S)

2021年4月～ 2026年3月
2D材料CMOS・デバイス集積化技術の開発

長汐晃輔

2022年～ 2026年

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従来のSi半導体が直面している微細化限界を2次元材料の導入で打破し,デジタル化により効率的な社会構造を将来的に渡って継続させる「グリーンbyデジタル」の実現を目指す。現状の課題:P型の特性が低く,PNでのCMOS動作実証されていない。解決策:金属電極の実効仕事関数制御によりP型を達成する。また,成長技術開発,ドーピング技術開発,ゲートスタック特性向上,縦型FET構造開発,コンパクトモデル開発,大規模集積化にむけた最適デバイスプロセス設計を進める。効果:2次元材料の導入により1世代先に進めることで,デジタルインフラすべてで30%のCO2削減量を達成できる。
グラフェンモノリシック集積回路の共同研究産学連携による資金

吹留博一

2025年4月～ 2025年9月
ダイアモンド半導体の基板高品質化技術の研究産学連携による資金

吹留博一

2025年1月～ 2025年3月
ダイアモンド半導体の基板高品質化技術の研究産学連携による資金

吹留博一

2025年1月～ 2025年3月
グラフェンモノリシック集積回路の共同研究産学連携による資金

吹留博一

2024年10月～ 2025年3月
単原子ゲートによる低環境負荷物質から成る高出力THz増幅器の創出競争的資金

吹留博一

2022年4月～ 2025年3月
Beyond 5G超高速・超大容量無線通信システムのためのヘテロジニアス光電子融合技術の研究開発

制度名：Beyond 5G研究開発推進事業

2021年4月～ 2025年3月
グラフェンモノリシック集積回路の共同研究産学連携による資金

吹留博一

2024年3月～ 2024年8月
作製したグラフェンを用いて，そのプラズモン物性およびデバイス応用について

吹留博一

2018年～ 2024年

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応募者が作製したグラフェンを用いて，そのプラズモン物性およびデバイス応用について，共同研究を行っている．本研究の一部は，論文1報にまとめられている
陽電子回折を用いたグラフェンの積層構造の高精度計測

2017年～ 2024年

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応募者は深谷博士と共同で，陽電子回折を用いてグラフェンの積層構造の高精度計測を実施した．得られたデータは，陽電子回折におけるtextbook exampleとなるような超高品質なものであった．本研究の一部は，論文1報にまとめられている
二次元原子薄膜やトポロジカル絶縁体のデバイス応用に関する放射光を用いた共同研究

吹留博一

2014年～ 2024年

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Venugopal博士を日本学術振興会外国人特別研究員として受入れ，二次元原子薄膜やトポロジカル絶縁体のデバイス応用に関する放射光を用いた共同研究に取り組んでいる．本研究の一部は，論文4報にまとめられている．彼がインドに帰国後も，共同研究を進めている
放射光や高調波レーザーを用いた二次元原子薄膜の超高速キャリア・ダイナミクスおよび光デバイス応用に関する学際的研究

2011年～ 2024年

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応募者は松田巌教授と，放射光や高調波レーザーを用いた二次元原子薄膜の超高速キャリア・ダイナミクスおよび光デバイス応用に関する学際的研究を行ってきている．また，最近は，科研費・基盤研究(S)およびJST-CRESTによる助成の下，ホウ素の二次元結晶であるボロフェンのデバイス応用について共同研究を行っている．本研究の一部は，論文5報にまとめられている
グラフェンや二次元原子薄膜を用いた超高速トランジスタの開発および高周波特性の高精度計測

2011年～ 2024年

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応募者は情報通信研究機構とグラフェンや二次元原子薄膜を用いた超高速トランジスタの開発および高周波特性の高精度計測に，総務省・戦略的情報通信研究開発促進事業などによる助成の下，取り組んでいる．さらには，InGaAsを用いた超高速トランジスタの放射光を用いたオペランド・ナノX線分光による動作解析にも取り組んでいる．本研究の一部は，論文1報および出願特許3件にまとめられている
グラフェンの超高品質結晶成長に関する共同研究

吹留博一

2011年～ 2024年

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Seyller教授と，グラフェンの超高品質結晶成長に関する共同研究を推進し，先方の研究室の一週間程度滞在するなどの交流を行いながら研究に取り組んでいる．本研究の一部は，論文1報にまとめられている
放射光を用いたオペランド・ナノ放射光計測・電気計測法を組み合わせた学際的研究

2010年～ 2024年

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応募者は小嗣博士（前所属：高輝度光科学研究センター，現所属：東京理科大学・先進理工学部）と，先端電子デバイスに関する放射光を用いたオペランド・ナノ放射光計測と電気計測法を組み合わせた学際的研究を行っている．最近は，オペランド・ナノ放射光計測結果を機械学習により解析して，デバイス動作機構を詳らかにする共同研究を開始している．本研究の一部は，論文8報にまとめられている
ナノ表面界面物性とデバイス機能を定量可視化して結び付けるデバイス・インフォマティクスの創生その他

吹留博一

2020年4月～ 2022年3月
二次元電子系素子の界面電子状態の時空間変化の機構解明と素子特性向上競争的資金

吹留博一

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：基盤研究(B)

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2019年4月～ 2022年3月

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時空間オペランドX線分光(o-STXS)を開発し、二次元電子系を電子輸送層（チャネル）とした電界効果トランジスタ（2D-FET）における電子状態の時空間変化を観測した。InGaAsをチャネルとしたInGaAs-HEMTへの研究展開にも着手している。たとえば、表面処理によるバンド湾曲がInGaAs-HEMTの遮断周波数や最大発振周波数（電力増幅の上限周波数）に大きな影響を及ぼしていることを示唆する結果を得ている。さらに、この観測手法が、他の2D-FET、次世代高周波デバイスであるグラフェン・トランジスタにも適用できることを明らかにした。
二次元原子薄膜ヘテロ接合の創製とその新原理テラヘルツ光電子デバイス応用

尾辻泰一, 鈴木哲, 高村真琴, 吹留博一, Maxim・V Ryzhii, 佐藤昭, 渡辺隆之, TOMBET STEPHANE

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

研究機関：Tohoku University

2016年5月31日～ 2021年3月31日

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本研究では，バンドギャップレスな半金属的性質を有するグラフェンを中心として，h-BN等の絶縁体やWS2等の遷移金属ジカルコゲナイド半導体とのvan der Waals接合からなる二次元原子薄膜ヘテロ接合材料をプラットフォームとして創製し，量子効果やプラズモニック効果などの二次元原子薄膜ヘテロ接合系に特徴付けられた電子・フォトン・プラズモン・フォノンが関わる複合量子系に現れる物理現象を動作機構として新たに導入し，テラヘルツ波領域での増幅・発振・検出・非線形波動制御の各機能を，従来の材料・物理機構が果たし得なかった高いエネルギー効率で実現し得るデバイスを創出した．
Beyond 5Gに向けたグラフェン/BN原子積層を用いた低環境負荷な超高周波トランジスタ研究開発競争的資金

吹留博一

2020年4月～ 2021年3月
生体分子反応における量子効果の直接観測を可能とする雰囲気制御・時間分解Ｘ線分光法

吹留博一, 松田巌

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

研究機関：Tohoku University

2018年6月29日～ 2020年3月31日

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量子論に基づく分子生物学の実験研究の新たな領域開拓を目的として、雰囲気制御・時間分解オペランド（＝動作下）軟X線分光システム構築に不可欠な超極薄窓材としてグラフェンを研究した。その研究を行う過程で、新たな展開が拓け、興味深いキャリア・ダイナミクス、たとえば、グラフェンの各層毎に光励起キャリア密度が変化することが初めて明らかにされた。
Beyond 5Gに向けたグラフェンを用いた低環境負荷な超高周波トランジスタ研究開発競争的資金

制度名：戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE）重点領域型研究開発フェーズII（選抜提案）

2019年4月～ 2020年3月
テラヘルツ放射利得媒質としてのディラック分散則を有するナノ構造に関する研究競争的資金

尾辻泰一

制度名：JSPS-RFBR日露二国間交流事業

2018年4月～ 2020年3月
生体分子反応における量子効果の直接観測を可能とする雰囲気制御・時間分解X線分光競争的資金

吹留博一

制度名：挑戦的研究（萌芽）

2018年4月～ 2020年3月
グラフェンデバイスの実用化を基礎づけるSiC単結晶上擬自立化グラフェン作製法の革新競争的資金

末光眞希

制度名：挑戦的研究（萌芽）

2017年4月～ 2020年3月
二次元原子薄膜ヘテロ接合の複合量子物性とそのテラヘルツ光電子デバイス応用競争的資金

尾辻泰一

制度名：基盤研究(S)

2016年4月～ 2020年3月
グラフェンデバイスの実用化を基礎づけるSiC結晶上擬自立化グラフェン作製法の革新

末光眞希, 吹留博一

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

研究機関：Tohoku University

2017年6月30日～ 2019年3月31日

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グラフェンは次世代高速デバイス材料として期待が高まるが、グラフェンとこれを担持する基板との間の強い相互作用を除去する技術の未確立が、その実用化を妨げてきた。本研究は最も有望なグラフェン材料であるSiC結晶Si面上エピタキシャルグラフェン（EG）を取り上げ、EGとSiC基板との間に存在する界面層の簡便除去法の確立に取り組んだ。SiCとグラフェンの熱膨張係数の符号の違いを利用したマイクロ波基板加熱急冷（MWA）処理を開発し、その界面層除去効果を評価したところ、従来法の十分の一の時間で界面層を除去することに成功した。
グラフェンの基礎研究と応用探索産学連携による資金

吹留博一

2018年4月～ 2019年3月
動作しているデバイスの埋もれた層の電子状態観察法の確立と超高速デバイスへの応用その他

吹留博一

制度名：住友電工グループ社会貢献基金

2018年4月～ 2019年3月
Beyond 5Gに向けたグラフェン/BN原子積層を用いた低環境負荷な超高周波トランジスタ研究開発競争的資金

制度名：戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE）重点領域型研究開発フェーズI

2018年4月～ 2019年3月
グラフェンのエピタキシャル成長に関する放射光解析をトランジスタ動作へつなげた研究

2016年～ 2019年

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応募者はフォトン・ファクトリーの組頭博士（現所属：東北大学多元物質科学研究所）とグラフェンのエピタキシャル成長に関する放射光解析をトランジスタ動作へつなげた研究を行った．本研究の一部は，論文1報にまとめられている
放射光を用いたナノX線光電子分光に関しての学際的研究

2011年～ 2019年

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応募者は尾嶋正治教授や堀場弘司講師（現所属：量子科学技術研究開発機構・次世代放射光施設整備開発センター）と放射光を用いたナノX線光電子分光に関して，NEDOなどによる助成の下，学際的研究を行った．本研究の一部は，論文5報にまとめられている
グラフェンの電子物性

吹留博一

2011年～ 2019年

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Horn博士とグラフェンの電子物性に関する共同研究を推進し，互いの組織に約一ヶ月間滞在するなどの交流を行いながら研究に取り組んだ
THz帯動作の実現に向けたDual-gate型グラフェントランジスタの機構解明競争的資金

吹留博一

制度名：情報通信研究機構-東北大学マッチングファンド

2017年4月～ 2018年3月
単一分子の物性とデバイス特性のギャップを埋める時空間オペランドX線分光の開拓競争的資金

吹留博一

制度名：新学術領域研究（公募研究）

2016年4月～ 2018年3月

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本年度は、時空間オペランドX線分光の更なる高度化、および、それをもちいたグラフェンFETの界面制御による高性能化のメカニズム解明の研究を行った。時空間オペランドX線分光の更なる高度化として、硬X線を用いた時空間オペランドX線分光の開拓に取り組んだ。この硬X線を用いた理由は、通常の（軟）X線に比して、より深い領域（～20 nm）まで調べることが出来る、すなわち、埋もれ界面が可能になると考えたからである。実際に、実験を行った結果、水平分光能100 nmで深さ方向：20 nmまでの領域を原子一層レベルの高い分解能を有し、かつ、100 nsオーダーの時間分解能でデバイスの界面電子状態を調べることに世界に先駆けて成功した。これにより、高周波電圧印加に対する電子状態の時空間変化が解明され、IoTのキーデバイスとなっているGaN-HEMTの更なる高性能化に貢献した。さらに、以上のようなX線分光を用いて、グラフェン・トランジスタの高性能化を試みた。グラフェン・トランジスタの最大の欠点は、バンドギャップが０であるため、ドレイン電流が飽和しないという点だった。このドレイン電流が飽和しないという欠点を克服するために、Dual-gate構造を採用し、ドレイン電流の飽和を達成した。さらには、マイクロ波を用いたグラフェンー基板の界面化学構造の制御に関する研究を行った。その結果、グラフェンのデバイス特性を劣化させるBuffer層を、グラフェンにダメージを与えることなく、除去することに成功した。これにより、グラフェン中でのキャリア移動度の向上に成功した。この界面構造制御に関しては、東北大学の米田教授と東京大学の長谷川教授と共同で研究を行った。
二次元原子薄膜の材料物性とデバイス特性を繋ぐオペランド顕微光電子分光競争的資金

吹留博一

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：基盤研究(B)

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2015年4月～ 2018年3月

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材料物性とデバイス特性のギャップがグラフェンをはじめとする2D原子薄膜デバイスの高性能化を阻んでいる。このギャップを解消すべく、研究代表者らは、デバイスの表面・界面電子状態の微視的観察を可能とするオペランド顕微X線の分光の開拓およびそれを用いた学理に基づくデバイスの研究開発を行った。その結果、電圧印加下でのデバイスの電子状態を高空間分解能（70 nm）でX線を用いて観察する手法を確立することが出来た。このオペランド顕微X線分光を用いて、新規なグラフェン・トランジスタの開発、二硫化モリブデントランジスタの微視的な電子状態観察、さらには、トポロジカル絶縁体デバイスへ研究を展開した。
Si基板上へのSiC薄膜のエピ成長に関する理論研究

吹留博一

2010年～ 2018年

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年に一度Filimonov教授を客員教授として東北大学にて一ヶ月間受入れ，Si基板上へのSiC薄膜のエピ成長に関する理論研究を共同で推進した．本研究の一部は，論文四報にまとめられている
グラフェン技術を用いた次世代巨大磁気抵抗スピントロニクスデバイスの開発

吹留博一, VENUGOPAL GUNASEKARAN, VENUGOPAL Gunasekaran

2014年4月25日～ 2017年3月31日

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Spintronics is one of the most exciting and challenging areas in nanotechnology, important to both fundamental scientific research and industrial applications. Nowadays, microelectronic devices continue to diminish in size to achieve higher speeds. As this shrinkage occurs, design parameters are impacted in such a way that the materials in current use are pushed to their limits. To keep the rate of device shrinkage and still maintain overall performance goals, the data storage capacity will eventually reach a natural performance limit even with some technical innovations. With the limits of microelectronic miniaturization in sight there has been an enormous drive to innovate radically new materials and technologies in order to match the continued expansion of the world economy and to meet the insatiable demands of the world microprocessor market. This project therefore aims at development of novel Giant Magneto-Resistive (GMR) devices with GMR ratio exceeding by few orders of magnitudes of spintronic materials; 2D materials, such as MoS2 and WSe2 are expected to be promising as good candidates to transfer spin. Therefore,I have stuided these materials. I have successfully fabricated few-layer MoS2 transistors. Furthermore, to acquire detailed information on the device physics of these transistor, I have performed operando soft x-ray spectromicroscopy. As a result, the electronic states were found to be modulated through many-body effects.
単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討産学連携による資金

吹留博一

制度名：信越化学工業委託研究費

2015年4月～ 2017年3月
ウエハー接合を援用した高品質エピグラフェンと新原理に基づく高周波デバイス競争的資金

吹留博一

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：挑戦的萌芽研究

研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

研究機関：Tohoku University

2015年4月～ 2017年3月

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優れた物性を有するグラフェンは、テラヘルツ帯で動作するトランジスタを実現する。私は、SiC基板から転写・接合によるSiC単結晶薄膜作製技術を用いて、デバイス応用に適した基板上への高品質グラフェンの成長に成功した。このグラフェンが、直線的なバンド分散を有していることを確認し、更には、キャリア移動度が高いことを実証した。このグラフェンを用いたトランジスタの試作に成功し、高速電子デバイス応用に適していることを示した。
ウエハー状大面積グラフェンを活用したテラヘルツ帯デバイスの実用化競争的資金

中林隆志

制度名：低炭素社会を実現するナノ炭素材料実用化プロジェクト

2014年4月～ 2017年3月
グラフェン技術を用いた次世代巨大磁気抵抗スピントロニクスデバイス開発競争的資金

吹留博一

制度名：外国人特別研究員奨励費（外国人PD受入研究者として）

2014年4月～ 2017年3月
グラフェンエレクトロニクス実現を加速するＳｉ基板上エピグラフェンの革新的高品質化

末光眞希, 吹留博一, 焦賽, 長澤弘幸

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2013年4月1日～ 2016年3月31日

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Si 基板上に成長させた立方晶SiC薄膜（3C-SiC）にエピタキシャルグラフェンを形成するグラフェン・オン・シリコン（GOS）を用いたデバイスを実用化するため、グラフェンのグレインサイズを制限する主要因の一つである3C-SiC中の結晶欠陥を低減した。まず、3C-SiC中における面欠陥の構造とその発生機構を解明し、3C-SiCエピタキシャル膜厚と欠陥密度の関係をモンテカルロ計算により定量的に算出した。次いで、3C-SiC表面に露出する欠陥密度を低減に導くための欠陥配置を考案し、その効果をSi基板上の3C-SiCエピタキシャル成長によって検証した。
単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討競争的資金

吹留博一

制度名：信越化学工業委託研究費

2015年4月～ 2016年3月
単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討産学連携による資金

吹留博一

制度名：信越化学工業委託研究費

2014年4月～ 2016年3月
グラフェンエレクトロニクスを加速するSi基板上エピグラフェンの革新的高品質化競争的資金

末光眞希

制度名：基盤研究(B)

2013年4月～ 2016年3月
グラフェンテラヘルツレーザーの創出競争的資金

尾辻泰一

制度名：特別推進研究

2011年4月～ 2016年3月
単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討産学連携による資金

吹留博一

制度名：信越化学工業委託研究費

2014年4月～ 2015年3月
単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討競争的資金

吹留博一

制度名：信越化学工業委託研究費

2013年4月～ 2015年3月
基板微細加工を援用した選択的結晶成長によるグラフェンのナノ物性制御競争的資金

吹留博一

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：基盤研究(C)

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

研究機関：Tohoku University

2011年4月～ 2015年3月

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グラフェンは、優れた物性を有する有望なデバイス材料となっている。このグラフェンの実用化に向けて、他のデバイス材料には無い特徴を活かすことが重要である。このことを鑑み、グラフェンの物性が構造に敏感であることを活かした「基板微細加工を援用した選択的成長によるグラフェンの構造・物性のナノ制御」を目的とした研究を行った。申請者らは、微視的に(111)・(100)が露出した微細加工Si(100)基板へSiC薄膜を介してグラフェンを成長させた。その結果、微視的な面方位による界面構造が変化した。これによりグラフェン積層が変調され、グラフェンのバンド構造を微視的に制御出来ることが明らかとなった。。
グラフェンテラヘルツレーザーの創出

尾辻泰一, ヴィクトールリズィー, 末光眞希, 末光哲也, 佐藤昭, 佐野栄一, マキシムリズィー, 吹留博一, 渡辺隆之, ボーバンガ-トンベットステファン, 鷹林将, 高桑雄二, 吾郷浩樹, 河原憲治, ドゥビノフアレクサンダー, ポポフヴィチェスラブ, スヴィンツォフディミトリ, ミティンウラジミール, シュールマイケル

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

研究種目：Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

研究機関：Tohoku University

2011年～ 2015年

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本研究は、グラフェンを利得媒質とする新規なテラヘルツ(THz)レーザーの創出に挑んだものである。第一に、光学励起したグラフェンの過渡応答におけるTHz帯誘導放出の室温観測に成功し、自ら発見したレーザー理論を実証した。第二に、グラフェン表面プラズモンポラリトンの巨大利得増強作用を理論発見し、独自の光ポンプ・近接場THzプローブ分光法により初めて実証に成功した。第三に、独自開発した高品質エピタキシャルグラフェン製膜技術とレーザー素子加工技術を用いて電流注入型グラフェンレーザー素子を試作評価し、100Kの低温下ながら、5.2THzの単一モード発振に初めて成功した。第四に、グラフェンTHzレーザー設計論を構築するとともに、より高利得化が可能な独自構造を理論実験両面から明らかにし、室温THzレーザー発振実現の見通しを得た。
窒化物材料上グラフェンを活用したテラヘルツ帯デバイスの研究開発競争的資金

末光眞希

制度名：低炭素社会を実現する革新的カーボンナノチューブ複合材料開発プロジェクト

2013年4月～ 2014年3月
相対論的量子力学に立脚したグラフェンのナノスケール多機能化の確立競争的資金

吹留博一

制度名：村田学術振興財団研究助成

2012年4月～ 2014年3月
Si(110)表面のステップ挙動解明とSi上グラフェンナノリボンの自己組織的形成競争的資金

末光眞希

制度名：基盤研究(B)

2009年4月～ 2013年3月
Si基板SiC薄膜上に成長させたグラフェンの振動・電子状態に関する赤外分光を用いた共同研究

吹留博一

2011年～ 2013年

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Chabal教授と，Si基板SiC薄膜上に成長させたグラフェンの振動・電子状態に関する赤外分光を用いた共同研究を推進した
Si基板上に成長させたグラフェンを用いたテラヘルツ・レーザ応用に関する共同研究

吹留博一

2010年～ 2013年

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Si基板上に成長させたグラフェンを用いたテラヘルツ・レーザ応用に関する共同研究．本研究の一部は，論文2報にまとめられている
二次元ホウ素未踏マテリアルの創成と機能開拓

松田巌

制度名：科学技術振興機構戦略的創造研究事業・CREST

2011年4月～ 2012年3月
グラフェン・オン・シリコン技術によるグラフェン電子物性の革新的制御法競争的資金

吹留博一

制度名：科学技術振興機構戦略的創造研究事業・シーズ探索プログラム(A-STEP)

2011年4月～ 2012年3月
超高周波帯におけるグラフェンのフォノン応答をレーザー分光により研究

2010年～ 2012年

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応募者は，横浜国立大学と片山助教・武田教授と共同で，超高周波帯におけるグラフェンのフォノン応答をレーザー分光により研究した．本研究の一部は，論文2報にまとめられている
有機半導体・完全単結晶の成長機構の解明と電子デバイスの応用競争的資金

板谷謹悟

制度名：基盤研究(A)

2008年4月～ 2011年3月
固液界面を反応場として用いた有機結晶成長の完全制御と電子デバイス競争的資金

吹留博一

制度名：若手研究（B）

2008年4月～ 2011年3月
Si(110)表面ステップ挙動の解明とSiグラフェンナノリボンの自己組織的形成

末光眞希, 吹留博一, 遠田義春

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2009年～ 2011年

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基板上微細構造がエピタキシャルグラフェン(EG)の品質並びに電子物性に与える影響を詳細に調べ、その結果、Si並びにSiC基板表面ステップ構造制御法の確立、SiC基板表面微細加工によるEGの高品質化、並びに3C-SiC(111)-Si終端面/C終端面の制御に成功した。Si終端面上EGは半導体的、同C終端面上EGは金属的と分かった。これはグラフェン物性の制御を可能とする方法であり、グラフェンのデバイスに応用可能である。
固液界面を反応場として用いた有機結晶成長の完全制御と電子デバイス競争的資金

吹留博一

制度名：若手研究(B)

2008年4月～ 2010年3月
有機半導体・完全単結晶の成長機構の解明と電子デバイスの応用

板谷謹悟, 池田進, 湊丈俊, 葛目陽義, 吹留博一, 合志憲一, 小蓑剛, 小林慎一郎, 松川健

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2008年～ 2010年

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気相成長法から得られた有機半導体ルブレン単結晶が広範囲において分子的に平坦な表面を有していることを、単分子あるいは単原子ステップ情報の収得が可能であるレザー共焦点微分干渉顕微鏡を用いることにより世界で初めて明らかにした。また、ルブレン結晶表面上の分子ステップの推移から成長の様子を観察することができ、成長機構解明に貢献した。その完全結晶を用いることにより高いFET特性を有していることも実証した。
固液界面を反応場として用いた有機結晶成長の完全制御と電子デバイスへの応用

吹留博一

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

研究種目：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

研究機関：Tohoku University

2008年～ 2009年

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本研究では、固液界面反応場におけるルブレン・グラフェン等の有機結晶の成長過程の制御とその電子デバイスへの応用に関する研究を、原子間力顕微鏡などの原子レベル構造解析手法を用いて、行った。ルブレン結晶に関しては、デバイス応用に資するほぼ完全な結晶が得られ、一方、グラフェンに関しても高品質なグラフェン単結晶膜をシリコン基板上に作製することに成功し、また、その電子物性を制御する方法を確立した。
有機単結晶の原子分解能での構造解析

吹留博一

2007年～ 2009年

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応募者は，Wagner博士と有機単結晶の原子分解能での構造解析を共同で推進．その共同研究成果は，論文1報にまとめられている
グラフェン結晶成長及び電子・光デバイスへの応用競争的資金

制度名：JST Basic Research Programs (Core Research for Evolutional Science and Technology :CREST)

2008年10月～
光電子顕微鏡を用いた固体表面反応の微視的観察及び制御競争的資金

制度名：The Other Research Programs

2002年4月～ 2007年3月
単一分子レベルの分光研究のAVS国際会議口頭発表競争的資金

吹留博一

制度名：立松財団海外研究調査助成金

2002年4月～ 2003年3月
Si表面での電気化学プロセス

吹留博一

1999年～ 2003年

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概要：パリ第六大学のAllongue博士と，Si表面での電気化学プロセスに関して討論や共同研究を推進したことがきっかけとなり，現在も共同研究に取り組んでいる．過去には，同氏の推薦により，フランス国費留学生試験を受験し合格した（但し，下記の通り，AT&T Bell 研究所への留学が決定したため，フランス留学は辞退）
シリコン表面電気化学に関する研究競争的資金

吹留博一

制度名：フランス政府国費留学給付金

2000年4月～ 2001年3月
溶液中におけるSi(111)表面の原子レベルの平坦化過程と表面構造制御競争的資金

吹留博一

制度名：特別研究員奨励費

2000年4月～ 2001年3月
電気化学FTIRを用いた固液界面の帯電・水和状態に関する研究競争的資金

制度名：Grant-in-Aid for Scientific Research

2000年4月～ 2001年3月
固液界面反応を用いたシリコン表面の原子レベル平坦化競争的資金

制度名：The Other Research Programs

1996年4月～ 2000年3月
溶液中におけるSi(111)表面の原子レベルでの平坦化過程の解明と表面構造制御

吹留博一

2000年～ 2000年

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担当経験のある科目(授業) 15

学問論演習　東北大学工学部
電子工学博士研修　東北大学
電子工学特別研修　東北大学
電子工学修士研修　東北大学
極限表面制御工学セミナー　東北大学
Advanced Molecular Chemistry Course．　東北大学
情報知能システム総合学卒業研修　東北大学
電気・電子・通信・情報工学実験D　東北大学
アドバンスト創造工学研修　東北大学
量子力学B　東北大学
電気・電子・通信・情報工学実験B　東北大学
創造工学研修　東北大学
基礎ゼミ　東北大学
熱学・統計力学Ａ　東北大学
固体物性工学　東北大学

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社会貢献活動 9

高大連携・出張講義

2014年11月～ 2017年
日本表面真空学会理事

2025年4月～
半導体戦略に関わるJSTへの協力

2022年～

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2022年春の応用物理学会において企画・運営した半導体デバイス・回路に関わるセッションがJSTに注目され，次世代半導体研究開発に関するヒアリングをJSTに対して二回行った．ヒアリング内容は，JSTにおける戦略目標設定に生かされた．その戦略目標の下，CREST・さきがけの新領域が立ち上げられた
審議会委員等による国・地方公共団体の政策策定への貢献

1） Beyond 5G研究開発ワークショップ

2022年～

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Beyond 5Gとは次世代無線通信システムを指し，Society 5.0を支える基盤技術である．Beyond 5Gは日本国が執り行うべき最重要な技術政策課題となっており，NICT（情報通信研究機構）は総務省からその研究開発を委託されている．NICTはその研究開発を強力に推進するための事業を具体的に策定するためのワークショップを2022年に開催した．本ワークショップに対し，応募者は低環境負荷物質を活用した通信デバイス研究課題を提案して採択された．その提案は高く評価され，NICTによる報告書において応募者による提案内容の重要性に言及されるとともに総務省の技術政策担当部署もその重要性を認識するようになった．以上のように，応募者の提案が政策策定へ影響を及ぼしたと言える．その後，NICTが主導するBeyond 5G研究開発事業において，応募者が代表者として提案した課題「単原子長ゲートによる低環境負荷物質から成る高出力THz増幅器の創出」が採択された．このことは，代表者の研究戦略の基本提案「Beyond 5Gに資するデバイスの低環境負荷化」が，NICTおよび総務省の研究政策，さらには日本の技術政策策定において重要視されていることの証左であると言える
兵庫県立星稜高校出前授業

2013年11月22日～

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エレクトロニクスに関する出前授業
応用物理学会東北支部企画「グラフェンの基礎から応用」

2011年8月30日～

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応用物理学会東北支部企画「グラフェンの基礎から応用」（於山形大学）にて、一般の人及び学生を対象にした「グラフェンの結晶成長技術」と題した講演を行なった。
日本化学会第６回化学イノベーションシンポジウム企画実行委員会・委員

2008年7月30日～

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仙台国際センターにて開催された日本化学会主催のイノベーション・シンポウム(講師：井上総長、田中耕一客員教授、等)のの開催企画等を行った
研究成果が社会実装された実績

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SiC基板はパワーデバイスおよび超高速トランジスタ用の重要な基板の一つであるが，従来のSiC基板は高価であるという欠点を抱えていた．そこで，応募者は，信越化学工業と協働して，基板貼り合わせ技術を活用して従来よりも製造コストを1/10以下にした「ハイブリッドSiC基板」の社会実装（製品化）へ貢献した．この社会実装における高周波応用に関する研究成果の一部「ハイブリッドSiC基板を用いたグラフェン・トランジスタ」が，主要論文5にまとめられている．この論文において，フォトン・ファクトリーにおける放射光解析が大きな役割を果たしている
製品・方式の標準化への貢献

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メディア報道 28

東京理科大・岡山大・京大・東北大・筑波大、薄膜生成時の枝分かれ現象をトポロジー・物理・AIの融合で解明

2025年4月9日

メディア報道種別: インターネットメディア
東京理科大・岡山大・京大・東北大・筑波大、薄膜生成時の枝分かれ現象をトポロジー・物理・AIの融合で解明

毎日新聞

2025年4月8日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
東京理科大・岡山大・京大・東北大・筑波大、薄膜生成時の枝分かれ現象をトポロジー・物理・AIの融合で解明

日本経済新聞

2025年4月8日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
Beyond 5Gに不可欠なグラフェンの製造コストを100分の1以下に

DEMPA DIGITAL

2021年2月10日

メディア報道種別: インターネットメディア
Beyond 5Gに不可欠なグラフェンの製造コストを100分の1以下に

電波新聞

2021年2月10日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
6Gに不可欠なTHzトランジスタの商用化を可能にする

電波タイムズ

2021年2月8日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
製造コストを削減できるグラフェン製造法を開発

EETIMES

2021年2月8日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
製造コストを削減できるグラフェン製造法を開発

Yahoo! Japanニュース

2021年2月8日

メディア報道種別: インターネットメディア
GaN-HEMT、表面電子捕獲の時空間挙動を直接観測

EETIMES

2020年11月5日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
準結晶で電子質量ゼロ

日刊工業新聞

2019年10月10日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
グラフェン作り分けに成功超高速回路の実現へ一歩

東北大学新聞

2014年7月15日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
基板上グラフェン作り分け

日経産業新聞

2014年6月26日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
Scientific Reports

2013年11月
東北大など、グラフェン結晶をナノパターンで選択的に成長させる技術確立

朝日新聞デジタル

2013年6月27日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
グラフェン必要箇所だけ成長東北大などシリコン融合素子に道

日刊工業新聞

2013年6月27日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
東北大、グラフェンの位置選択的なナノパターン成長技術を確立

マイナビニュース（yahooヘッドライン）

2013年6月18日

メディア報道種別: その他
グラフェンのナノパターン成長技術を確立〜シリコンとグラフェンが融合した多機能集積回路への道

ナノテクジャパントピックス（ナノテクノロジープラットフォーム）

2013年6月15日

メディア報道種別: その他
東北大など、グラフェンのナノパターン成長技術を確立

日経プレスリリース

2013年6月14日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
東大など、グラフェンデバイスの性能劣化原因とされる高抵抗領域の形成メカニズム解明

日刊工業新聞

2013年5月31日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
グラフェンの精密成長技術-東北大などの研究グループ開発- 層数や電子状態を制御

科学新聞

2012年8月25日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
グラフェンの精密制御法の開発に成功表面構造制御により超平坦グラフェンのつくりわけが可能超高速電子・光デバイスに道

ナノテクジャパントピックス（ナノテクノロジープラットフォーム）

2012年8月20日

メディア報道種別: その他
グラフェン高品質成長

化学工業日報

2012年8月7日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
東北大、次世代デバイス実現に向けたグラフェンの精密制御法の開発に成功

マイナビニュース

2012年8月7日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
東北大などグラフェンの層数制御し電子物性を自由自在に操れる技術開発

朝日新聞デジタル

2012年8月7日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
平らなグラフェン成膜

日経産業新聞

2012年8月7日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
ナノテク素材平たんに成膜

日本経済新聞

2012年8月7日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
グラフェンで作り分け東北大など結晶面の方向変え制御

日刊工業新聞

2011年11月16日

メディア報道種別: 新聞・雑誌
グラフェンで電子素子

日経産業新聞

2011年11月16日

メディア報道種別: 新聞・雑誌

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その他 48

産学連携実績・国内産学連携

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共同研究先：HONDA 概要：HODAから，放射光分光を用いたダイアモンド・トランジスタの共同研究を持ち掛けられた．現在，先方の要望と放射光分光で何を調べることが出来るのかという点について打合せをしているところである．近日中に，ナノテラスにおいて放射光分光を用いた共同研究を開始する予定である
産学連携実績・国内産学連携

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共同研究先：アドバンテスト概要：アドバンテストから，光導波路に関する共同研究開発を持ち掛けられた．現在は，グラフェン・オン・シリコン（GOS）技術の光導波路への展開について検討しているところである．正式な共同研究は，来年から始める予定である
産学連携実績・国内産学連携

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共同研究先：AT&T Bell 研究所（アメリカ）概要：応募者はChabal博士およびWeldon博士（Nokia-Bell Labs前所長）とAT&T Bell研究所にて共同研究を推進．その共同研究成果は，論文2編にまとめられている
産学連携実績・国内産学連携

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共同研究先：住友電気工業概要：住友電気工業とグラフェンやGaNを用いた超高速トランジスタの放射光分光と電気計測を組み合わせた産学連携共同研究開発を，NEDOなどによる助成の下，行っている．さらには，これらのトランジスタの動作機構をオペランド・ナノ放射光分光により解析し，その解析結果を活用してGaNトランジスタの信頼性向上と10%以上の高出力化につなげている．本研究の一部は，論文2編および出願特許26件にまとめられている
産学連携実績・国内産学連携

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共同研究先：積水化学工業概要：積水化学工業と化学気相成長法を用いたSi薄膜トランジスタの材料に関する学際的研究を行った．本研究の一部は，論文1編にまとめられている
単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討

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ハイブリッド基板を用いる事により、高価なSiC単結晶をこのままでなく、より薄い SiC薄膜として反応原料に使用し、高品質、低コストなグラフェン化法を検討する事及びそのデバイス化への応用を図る
単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討

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ハイブリッド基板を用いる事により、高価なSiC単結晶をこのままでなく、より薄い SiC薄膜として反応原料に使用し、高品質、低コストなグラフェン化法を検討する事及びそのデバイス化への応用を図る
単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討

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ハイブリッド基板を用いる事により、高価なSiC単結晶をこのままでなく、より薄い SiC薄膜として反応原料に使用し、高品質、低コストなグラフェン化法を検討する事及びそのデバイス化への応用を図る
グラフェントランジスタの高周波化

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グラフェントランジスタの高周波化を行う
単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討

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ハイブリッド基板を用いる事により、高価なSiC単結晶をこのままでなく、より薄い SiC薄膜として反応原料に使用し、高品質、低コストなグラフェン化法を検討する事及びそのデバイス化への応用を図る
単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討

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ハイブリッド基板を用いる事により、高価なSiC単結晶をこのままでなく、より薄い SiC薄膜として反応原料に使用し、高品質、低コストなグラフェン化法を検討する事及びそのデバイス化への応用を図る
ウエハー状大面積グラフェンを活用したテラヘルツ帯デバイスの実用化

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600GHz帯大容量無線通信を実現するグラフェントランジスタ（Graphene Field Effect Transistor; GFET）を開発する。１．実用化・量産化に適した４インチウェーハ上にGFETを形成する。２．600HGz帯GFETに必要な特性として、下記を実現する。利得(Gain) = 5 dB、出力電力(Pout) = 10 dBm
Interaction of 3d metal with graphene

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グラフェンと3d金属との相互作用をHorn博士と共同で解明する
Scientific Reports (Nature Publishing Group) Editorial Board Member
単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討

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ハイブリッド基板を用いる事により、高価なSiC単結晶をこのままでなく、より薄い SiC薄膜として反応原料に使用し、高品質、低コストなグラフェン化法を検討する事及びそのデバイス化への応用を図る
相対論的量子力学に立脚したグラフェンのナノスケール多機能化法の確立

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【背景】 2020年頃に終焉するSiの代替材料として、巨大キャリア移動度(200,000cm2/Vs)を有する炭素の二次元シート：グラフェンは有望である。例えば、グラフェンを用いて、Si集積回路の1/10の消費電力で動作する超高周波集積回路の実現可能性が理論的に示されている(Zhang et al.,IEEE ED (2008))。また、相対論的量子力学に従うことに起因して、グラフェンは多彩な物性を示すことが理論的に示されている(A. K. Geim他, Rep.Prog.Phys. 2009)。以上のように、グラフェンは、基礎的にも応用的にも魅力的な材料であると言える。ゆえに、私は、Si技術との融合によるグラフェンデバイス応用を企図して、Si基板上へのグラフェン(GOS)の成長を世界に先駆けて行なった。更にはデバイス応用、トランジスタ(最大6,000cm2/Vs)及び擬似CMOS インバータの研究開発を行ってきた。【問題点】しかしながら、単一の物性(例：非常に高い移動度)だけを利用するのは、上手なグラフェンの活用法ではない。その理由は、例えば、単に移動度という点だけでは、強力なライバル(例：ZnO系)がいるからである。【構想に至った経緯】上記の問題点を克服すべく、私は、単一の物性だけを活用するのではなく、グラフェンの多彩な物性を包括的に利用するという考えに立った。この考えを具現化する為に、グラフェンが相対論的量子力学に従うことに由来するグラフェン物性は時空間反転対称性(積層構造)に敏感であることを利用するという、本研究の基盤となる着想を得た。この着想の確からしさを検証する為に、GOSの構造・物性の研究を進め、下記の結果を得ている(図1-1)： ①Si基板の面方位により、グラフェン積層構造の制御可能 ②①のようにして制御されたグラフェン積層構造により、グラフェン物性制御(例：金属vs.半導体)が可能【構想】上の結果と、自身のSiの微細加工に関する経験から、本研究の構想(図1-2)：「微細加工により異なる面方位の微斜面を露出させた Si基板上でGOS(3D-GOS)を形成 => 3D-GOSの積層構造を微視的に制御 => 3D-GOSの物性を微視的に制御」を立案した。【意義】 (基板微細加工を用いたグラフェンの物性制御) 本研究により、グラフェンの構造・物性の新奇なナノ制御法が確立される。この制御法の基本技術であるSi基板微細加工技術はSi-ULSIに用いられているものであり、既存のSi集積回路との親和性が高い。よって、本制御法により、Si・グラフェン融合集積回路の実現が将来的に可能になる。 (IV族元素を用いた次世代デバイス材料技術開発) 本研究で取り扱うIV族元素からなるGOSデバイスの研究開発は資源に乏しい日本に
2012期東京大学放射光連携研究機構・物質科学ビームライン共同利用実験課題

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本研究では、ナノスケール電子状態の観察を可能にする3D NanoESCAを用いた、デバイス動作下でのグラフェン/電極金属界面の電子状態の解明及び制御法の確立を目的とする。本研究の成功により、Si集積回路よりも一桁以上高性能なグラフェン集積回路の基盤技術が構築される。
2012期重点ナノテクノロジー支援課題「表面微細加工を用いたグラフェンの構造・物性のナノ制御に関する分光型光電子顕微鏡を用いた研究」

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本研究では、ナノスケール電子状態の観察を可能にする分光型光電子・低速電子顕微鏡(SPELEEM)を用いた、デバイス動作下でのグラフェン/電極金属界面の電子状態の解明及び制御法の確立を目的とする。本研究の成功により、Si集積回路よりも一桁以上高性能なグラフェン集積回路の基盤技術が構築される。
2011期東京大学放射光連携研究機構・物質科学ビームライン共同利用実験課題

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本研究では、ナノスケール電子状態の観察を可能にする3D NanoESCAを用いた、デバイス動作下でのグラフェン/電極金属界面の電子状態の解明及び制御法の確立を目的とする。本研究の成功により、Si集積回路よりも一桁以上高性能なグラフェン集積回路の基盤技術が構築される。
東京大学物性研究所軌道放射物性研究施設・共同利用研究

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本研究では、ナノスケール電子状態の観察を可能にする3D NanoESCAを用いた、デバイス動作下でのグラフェン/電極金属界面の電子状態の解明及び制御法の確立を目的とする。本研究の成功により、Si集積回路よりも一桁以上高性能なグラフェン集積回路の基盤技術が構築される。
グラフェン・オン・シリコン技術によるグラフェン電子物性の革新的制御法

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グラフェン・オン・シリコン技術を用いた、ウエハースケールでのグラフェン電子物性の多機能化を行う。
2011期ナノネット支援課題「超音速分子線によるSi基板上SiC薄膜表面の低温グラフェン形成過程のリアルタイム放射光光電子分光」

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グラフェンの実用化に関しては、Si基板上SiC薄膜の熱改質によりシリコン基板上にグラフェンを形成する技術が一つの有力な解である。しかし、グラフェン形成温度が>1250℃と高いという問題を抱えている。吹留が提案した、グラフェン化アニール雰囲気への微量酸素の添加によるSiC表面の低温グラフェン化(<1000℃)の研究を、東北大学とJAEAが共同で行った。その結果、光電子分光及びRaman分光により、上記の低温グラフェン化に世界で初めて成功した。このグラフェン形成温度の低温化は、グラフェンの実用化を大きく促進するものである。本研究は、東北大学・JAEAと共同で遂行された。
2011期重点ナノテクノロジー支援課題「表面微細加工を用いたグラフェンの構造・物性のナノ制御に関する分光型光電子顕微鏡を用いた研究」

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本研究では、ナノスケール電子状態の観察を可能にする分光型光電子・低速電子顕微鏡(SPELEEM)を用いた、デバイス動作下でのグラフェン/電極金属界面の電子状態の解明及び制御法の確立を目的とする。本研究の成功により、Si集積回路よりも一桁以上高性能なグラフェン集積回路の基盤技術が構築される。
基盤微細加工によるグラフェンの高品質化

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SiCバルク基板の微細加工により、表面グラフェン化反応を微視的に制御し、以て、グラフェンの高品質化を図る。この共同研究は、フリッツ・ハーバー研究所及びErlangen大学とで行われた。
SiC/Si表面のグラフェンのナノリボン化

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SiC/Si表面のグラフェンのナノリボン化に関する赤外吸収分光に関する共同研究を、University of Texas, DallasのYves Chabal教授と行なった。
へき開グラフェンデバイスのナノ顕微分光

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東京大学工学部・長汐准教授へき開グラフェンデバイスのナノ顕微分光に関する共同研究
2010期重点ナノテクノロジー支援課題「表面微細加工を用いたグラフェンの構造・物性のナノ制御に関する分光型光電子顕微鏡を用いた研究」

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次世代デバイス材料：グラフェンの実用化に向けては、グラフェン層数・密度ナノ制御」が課題である。そこで、本研究では、微細加工SiC表面上へのグラフェン・エピタキシャル成長により、グラフェンの層数・欠陥制御の研究を行った；[1]グラフェン層数分布の観察を行い、微細加工の形状・大きさにより、グラフェン層数・ステップ密度・形状が制御可能であることを明らかにした。[2]二次電子及びC1s光電子回折によるグラフェンのバンド分散関係のナノ測定に成功した。本研究は、東北大学・JASRI/SPring-8・フリッツ・ハーバー研究所・エルランゲン大学と共同で遂行された。
SiC/Si表面のグラフェンのナノリボン化

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SiC/Si表面のグラフェンのナノリボン化に関する赤外吸収分光に関する共同研究を、University of Texas, DallasのYves Chabal教授と行なった。
2010期ナノネット支援課題「超音速分子線によるSi基板上SiC薄膜表面の低温グラフェン形成過程のリアルタイム放射光光電子分光」

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グラフェンの実用化に関しては、Si基板上SiC薄膜の熱改質によりシリコン基板上にグラフェンを形成する技術が一つの有力な解である。しかし、グラフェン形成温度が>1250℃と高いという問題を抱えている。吹留が提案した、グラフェン化アニール雰囲気への微量酸素の添加によるSiC表面の低温グラフェン化(<1000℃)の研究を、東北大学とJAEAが共同で行った。その結果、光電子分光及びRaman分光により、上記の低温グラフェン化に世界で初めて成功した。このグラフェン形成温度の低温化は、グラフェンの実用化を大きく促進するものである。本研究は、東北大学・JAEAと共同で遂行された。
基盤微細加工によるグラフェンの高品質化

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SiCバルク基板の微細加工により、表面グラフェン化反応を微視的に制御し、以て、グラフェンの高品質化を図る。この共同研究は、フリッツ・ハーバー研究所及びErlangen大学とで行われた。
2009B期重点ナノテクノロジー支援課題：次世代デバイス応用を企図してSi基板上に成長させたグラフェン(GOS)の電子状態のX線光電子顕微鏡によるナノスケール観察

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次世代デバイス材料：グラフェンの実用化に向けては、グラフェン層数・密度ナノ制御」が課題である。そこで、本研究では、微細加工SiC表面上へのグラフェン・エピタキシャル成長により、グラフェンの層数・欠陥制御の研究を行った；[1]グラフェン層数分布の観察を行い、微細加工の形状・大きさにより、グラフェン層数・ステップ密度・形状が制御可能であることを明らかにした。[2]二次電子及びC1s光電子回折によるグラフェンのバンド分散関係のナノ測定に成功した。本研究は、東北大学・JASRI/SPring-8と共同で遂行された。
2009B期ナノネット支援課題「超音速分子線によるSi基板上SiC薄膜表面の低温グラフェン形成過程のリアルタイム放射光光電子分光」

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グラフェンの実用化に関しては、Si基板上SiC薄膜の熱改質によりシリコン基板上にグラフェンを形成する技術が一つの有力な解である。しかし、グラフェン形成温度が>1250℃と高いという問題を抱えている。吹留が提案した、グラフェン化アニール雰囲気への微量酸素の添加によるSiC表面の低温グラフェン化(<1000℃)の研究を、東北大学とJAEAが共同で行った。その結果、光電子分光及びRaman分光により、上記の低温グラフェン化に世界で初めて成功した。このグラフェン形成温度の低温化は、グラフェンの実用化を大きく促進するものである。本研究は、東北大学・JAEAと共同で遂行された。
基盤微細加工によるグラフェンの高品質化

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SiCバルク基板の微細加工により、表面グラフェン化反応を微視的に制御し、以て、グラフェンの高品質化を図る。この共同研究は、フリッツ・ハーバー研究所及びErlangen大学とで行われた。
ナノ材料創製加工と先端機器分析課題名「MoO2ナノチューブのナノ物性測定」

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本課題では、多探針プローブ顕微鏡を用いて、ナノ構造制御されたMoO2ナノチューブのナノスケール物性の解明に関する研究を行った。単一チューブレベルで、MoO2ナノチューブの電流-電圧特性曲線の測定し、MoO2ナノチューブの伝導特性（半導体性、金属性）の識別に成功した。得られた知見は、MoO2ナノチューブを用いた触媒やガスセンサー開発に役立つものである。本研究は、文部科学省先端研究施設共用イノベーション創出事業ナノテクノロジー・ネットワーク中部地区ナノテク総合支援の下に、豊田工業大学・東北大学と共同で遂行されたものである。
グラフェン・オン・シリコン材料・デバイス技術の開発

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世界に先駆けて、シリコン・基板上へグラフェンを作製する技術を確立し、もって、その電子・光デバイス応用を図る
非接触原子間力顕微鏡によるルブレン結晶表面の観察

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非接触原子間力顕微鏡によるルブレン結晶表面の観察を、ドイツのDr. Wagnerと共同で研究を行った。
ナノ格子新技術開発研究センター

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光電子顕微鏡を用いたナノ領域の表面物性と触媒反応に関する研究に従事。本研究の遂行においては、豊田工大に設置されたPEEMと電子励起脱離イオン顕微鏡を組み合わせた研究を行っている。研究対象は下記の通りである： ①微視的に帯電制御されたSiO2表面の電子構造及び触媒活性の制御。本研究では、豊田工大に設置されたPEEMとKEK(@BL28)(予定)設置のX-PEEMを使用する。 ②チオール修飾によるフラーレンの自己組織化膜の観察とその制御に関する研究に従事。C60のSH修飾・基板によりフラーレン自己組織化膜の構造制御が可能であることを明らかにしている。
産学連携実績・国際産学連帯

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共同研究先：AT＆TBell研究所（アメリカ）概要：応募者はChaball博士およびWeldon博士（Nokia-Bell Labs前所長）とAT＆T Bell研究所にて共同研究を推進その共同研究成果は論文2編にまとめられている。
第49回AVS国際会議発表

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第49回AVS国際会議発表にて、TMによる非弾性トンネル分光法(STM-IETS)により、Pd(110)上の水分子のHOMO/LUMOの分子軌道をサブ分子レベルで識別に関する発表を行った。
単一分子レベルの分光研究のAVS国際会議口頭発表

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単一分子レベルの分光研究のAVS国際会議において口頭発表を行なった。
ナノ格子新技術開発研究センター

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電子顕微鏡を用いたナノ領域の表面物性と触媒反応に関する研究に従事。本研究の遂行においては、豊田工大設置のPEEMを用いた研究を行っている。下記の二つが研究対象である： ①ナノスケールで二次元制御された電界の光電子顕微鏡による評価法の確立 ② ①の結果に基づき、ナノスケールで電子構造(帯電)が制御された酸化膜表面に担持された金属触媒の光電子顕微鏡・走査型電子励起脱離イオン顕微鏡によるナノスケール評価の確立を目指している.
産学連携実績・国際産学連携

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共同研究先：Western Electric社（アメリカ）概要：応募者はAT＆T傘下の製造部門であるWestern Electric社とSiGe超薄膜形成過程におけるSi表面修飾が果たす役割を共同で研究した。
産学連携実績・国際産学連携

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共同研究先：日本Texas Instruments 概要：応募者は、Si集積回路における重要な製造プロセスである超純水によるSi表面の原子レベルエッチング過程を原子間力顕微鏡によりオペランド観察した、その共同研究成果は論文1編にまとめられている
次世代無線通信と表面物理に関する基礎講座

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若手研究者・学生・企業研究開発者を対象に，次世代無線通信と表面物理の接点に関する基礎講座を，応用物理学会・薄膜表面物理分科会における企画として，2022年に応募者が主導して開催した
次世代半導体材料の開発戦略の立案および産学連携プロジェクト
オペランド計測に関する基礎講座

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若手研究者・学生・企業研究開発者を対象に，オペランド・ナノX線分光をはじめとするオペランド計測に関する基礎講座を，応用物理学会・薄膜表面物理分科会における企画として，2018年に応募者が主導して運営した
電気通信研究所一般公開

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一般向けの研究成果公開として2016年に開催された電気通信研究所一般公開において，実行委員長として開催に尽力した
企業の若手開発者を対象とした講演

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研究所・部長から依頼を受け，若手開発者を対象とした，X線分光計測の基礎およびデバイス開発への応用について2016年に講演した

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