研究者詳細

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タカハシ　ヨシカズ
髙橋　良和
Yoshikazu Takahashi
所属
国際集積エレクトロニクス研究開発センター　研究開発部門
職名
教授
学位

  • 博士（工学）（山梨大学）

所属学協会 3

  • 日本デザイン学会

  • エレクトロニクス実装学会

  • 電気学会

論文 8

  1. Influence of Antimony on Reliability of Solder Joints Using Sn-Sb Binary Alloy for Power Semiconductor Modules

    Morozumi Akira, Hokazono Hiroaki, Nishimura Yoshitaka, Mochizuki Eiji, Takahashi Yoshikazu

    Transactions of The Japan Institute of Electronics Packaging　8　(1)　8-17　2015年

    出版者・発行元： 一般社団法人エレクトロニクス実装学会

    DOI： 10.5104/jiepeng.8.8 　

    ISSN：1883-3365

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    Power semiconductor devices for electric power conversion must be able to operate at high temperatures and with high levels of reliability. Therefore, heat resistance and long fatigue lifetime are necessary for the solder joints of these devices. In this paper, we discuss the mechanical properties and the thermal cycling lifetime evaluation of a Sn-Sb binary alloy whose melting temperature can be controlled relatively, and which has excellent high temperature properties. Tensile tests are conducted to determine how the reliability of solder joints using the Sn-Sb alloy is affected by the amount of Sb. We used a Sn-13 wt.% Sb binary alloy as the joint material of a power semiconductor device and investigated the thermal cycling lifetime of the solder joint. It was clarified that the tensile strength of the Sn-Sb binary alloy is proportional to the Sb content and the thermal cycling lifetime increases with increasing tensile strength of the solder. The precipitation strengthening of a SbSn compound leads to improvement of the tensile strength and thermal cycling lifetime.

  2. Reverse-blocking IGBTs with V-groove isolation layer for three-level power converters

    Haruo Nakazawa, David Hongfei Lu, Masaaki Ogino, Tohru Shirakawa, Yoshikazu Takahashi

    IEEJ Journal of Industry Applications　2　(6)　323-328　2013年

    DOI： 10.1541/ieejjia.2.323 　

    ISSN：2187-1094

    eISSN：2187-1108

  3. Crystalline Defects in Silicon Wafer Caused by Prolonged High-Temperature Annealing in Nitrogen Atmosphere

    Haruo Nakazawa, Masaaki Ogino, Hideaki Teranishi, Yoshikazu Takahashi, Hitoshi Habuka

    Advanced Materials Research　699　445-449　2013年

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/AMR.699.445 　

    ISSN：1022-6680

  4. Toughening mechanism and frontal process zone size of ceramics

    Hideo Awaji, Yoshitaka Nishimura, Seong Min Choi, Yoshikazu Takahashi, Tomoaki Goto, Shinobu Hashimoto

    Journal of the Ceramic Society of Japan　117　(1365)　623-629　2009年5月

    DOI： 10.2109/jcersj2.117.623 　

    ISSN：1882-0743

    eISSN：1348-6535

  5. 2.5 kV-1000 a Power Pack IGBT (high power flat-packaged NPT Type RC-IGBT)

    Yoshikazu Takahashi, Koh Yoshikawa, Masayuki Soutome, Takeshi Fujii, Humiaki Kirihata, Yasukazu Seki

    IEEE Transactions on Electron Devices　46　(1)　245-250　1999年

    DOI： 10.1109/16.737465 　

    ISSN：0018-9383

  6. 2.5 kV-100 a flat-packaged IGBT (micro-stack IGBT)

    Yoshikazu Takahashi, Takeharu Koga, Humiaki Kirihata, Yasukazu Seki

    IEEE Transactions on Electron Devices　43　(12)　2276-2282　1996年

    DOI： 10.1109/16.544421 　

    ISSN：0018-9383

  7. A 115-mm Ø 6-kV 2500-A Light-Triggered Thyristor

    Masahide Watanabe, Yoshikazu Takahashi, Katsuhiro Endo, Hideaki Kakigi, Osamu Hashimoto

    IEEE Transactions on Electron Devices　37　(1)　285-289　1990年1月

    DOI： 10.1109/16.43827 　

    ISSN：0018-9383

    eISSN：1557-9646

  8. 2.5-kV 2000-A Monolithic Reverse Conducting Gate Turn-Off Thyristor

    Osamu Hashimoto, Yoshikazu Takahashi, Masahide Watanabe, Osamu Yamada, Tatsuhiko Fujihira

    IEEE Transactions on Industry Applications　26　(5)　835-839　1990年

    DOI： 10.1109/28.60057 　

    ISSN：0093-9994

    eISSN：1939-9367

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MISC 44

  1. パワーエレクトロニクスの動向 カーボンニュートラル社会に貢献するパワーエレクトロニクス技術

    高橋良和, 加藤修治, 遠藤哲郎, 高橋良和, 加藤修治, 遠藤哲郎

    まぐね　17　(3)　2022年

    ISSN： 1880-7208

  2. BTB用MMCの欠点を克服するStar-Light-Converterの系統電圧低下時の挙動とその応用展開

    加藤修治, 高橋良和, 遠藤哲郎, 遠藤哲郎

    電気学会電力・エネルギー部門大会論文集(CD-ROM)　2018　2018年

  3. Direct bonding of SiC by the suface activated bonding method

    Tadatomo Suga, Fengwen Mu, Masahisa Fujino, Yoshikazu Takahashi, Haruo Nakazawa, Kenichi Iguchi

    2014 International Conference on Electronics Packaging, ICEP 2014　341-344　2014年

    DOI： 10.1109/ICEP.2014.6826707 　

  4. Next-gen IGBT module structure for hybrid vehicle with high cooling performance and high temperature operation

    Hiromichi Gohara, Yoshitaka Nishimura, Akira Morozumi, Peter Dietrich, Eiji Mochi Zuki, Yoshikazu Takahashi

    PCIM Europe Conference Proceedings　1187-1194　2014年

    ISSN： 2191-3358

    eISSN： 2191-3358

  5. SiC wafer bonding by modified suface activated bonding method

    Fengwen Mu, Tadatomo Suga, Masahisa Fujino, Yoshikazu Takahashi, Haruo Nakazawa, Kenichi Iguchi

    Proceedings of 2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2014　55　2014年

    DOI： 10.1109/LTB-3D.2014.6886194 　

  6. Improving reliability of IGBT surface electrode for 200 °c operation

    Nishimura, Tomohiro, Ikeda, Yoshinari, Hokazono, Hiroaki, Mochizuki, Eiji, Takahashi, Yoshikazu

    2014 International Power Electronics Conference, IPEC-Hiroshima - ECCE Asia 2014　2870-2873　2014年

    DOI： 10.1109/IPEC.2014.6870088 　

  7. Precipitates caused by prolonged high-temperature annealing in floating zone silicon wafer grown from Czochralski single-crystal rod

    Haruo Nakazawa, Masaaki Ogino, Hideaki Teranishi, Yoshikazu Takahashi, Hitoshi Habuka

    Materials Science in Semiconductor Processing　16　(3)　923-927　2013年6月

    DOI： 10.1016/j.mssp.2013.01.020 　

    ISSN： 1369-8001

  8. Direct liquid cooling module with high reliability solder joining technology for automotive applications

    Akira Morozumi, Hiroaki Hokazono, Yoshitaka Nishimura, Yoshinari Ikeda, Yoichi Nabetani, Yoshikazu Takahashi

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　109-112　2013年

    DOI： 10.1109/ISPSD.2013.6694408 　

    ISSN： 1063-6854

  9. Full SiC power module with advanced structure and its solar inverter application

    Yuichiro Hinata, Masafumi Horio, Yoshinari Ikeda, Ryuji Yamada, Yoshikazu Takahashi

    Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC　604-607　2013年

    DOI： 10.1109/APEC.2013.6520272 　

    ISSN： 1048-2334

  10. Comparison of SAB methods for room temperature bonding of Si wafers

    Keigo Oshikawa, Chenxi Wang, Masahisa Fujino, Tadatomo Suga, Kenichi Iguchi, Haruo Nakawaza, Yoshikazu Takahashi

    Proceedings of 2012 3rd IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2012　113　2012年

    DOI： 10.1109/LTB-3D.2012.6238066 　

  11. 1700V reverse-blocking IGBTs with V-groove isolation layer for multi-level power converters

    David H. Lu, Masaaki Ogino, Tohru Shirakawa, Haruo Nakazawa, Yoshikazu Takahashi

    PCIM Europe Conference Proceedings　815-821　2012年

    ISSN： 2191-3358

    eISSN： 2191-3358

  12. Ultra compact and high reliable SiC MOSFET power module with 200°C operating capability

    Masafumi Horio, Yuji Iizuka, Yoshinari Ikeda, Eiji Mochizuki, Yoshikazu Takahashi

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　81-84　2012年

    DOI： 10.1109/ISPSD.2012.6229028 　

    ISSN： 1063-6854

  13. Latest power devices for photovoltaic inverters

    T. Fujihira, A. Otsuki, Y. Takahashi, T. Ide, M. Kawano, N. Eguchi

    IEEE International Symposium on Industrial Electronics　1791-1794　2012年

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.1109/ISIE.2012.6237363 　

  14. Hybrid isolation process with deep diffusion and V-groove for reverse blocking IGBTs

    Haruo Nakazawa, Masaaki Ogino, Hiroki Wakimoto, Tsunehiro Nakajima, Yoshikazu Takahashi, David Hongfei Lu

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　116-119　2011年

    DOI： 10.1109/ISPSD.2011.5890804 　

    ISSN： 1063-6854

  15. Nanocomposite epoxy resin for SiC module

    Kenji Okamoto, Yuji Takematsu, Miyako Hitomi, Yoshinari Ikeda, Yoshikazu Takahashi

    Proceedings - 2011 IMAPS International Conference on High Temperature Electronics Network, HiTEN 2011　196-200　2011年

  16. Reduction of conducted electromagnetic interference in SMPS using programmable gate driving strength

    A. Shorten, A. A. Fomani, W. T. Ng, H. Nishio, Y. Takahashi

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　364-367　2011年

    DOI： 10.1109/ISPSD.2011.5890866 　

    ISSN： 1063-6854

  17. Ultra compact, low thermal impedance and high reliability module structure with SiC Schottky barrier diodes

    Yoshinari Ikeda, Norihiro Nashida, Masafumi Horio, Hiromu Takubo, Yoshikazu Takahashi

    Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC　1298-1300　2011年

    DOI： 10.1109/APEC.2011.5744760 　

    ISSN： 1048-2334

  18. Investigation on wirebond-less power module structure with high-density packaging and high reliability

    Yoshinari Ikeda, Yuji Iizuka, Yuichiro Hinata, Masafumi Horio, Motohito Hori, Yoshikazu Takahashi

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　272-275　2011年

    DOI： 10.1109/ISPSD.2011.5890843 　

    ISSN： 1063-6854

  19. New IGBT modules for advanced neutral-point-clamped 3-level power converters

    K. Komatsu, M. Yatsu, S. Miyashita, S. Okita, H. Nakazawa, S. Igarashi, Y. Takahashi, Y. Okuma, Y. Seki, T. Fujihira

    2010 International Power Electronics Conference - ECCE Asia -, IPEC 2010　523-527　2010年

    DOI： 10.1109/IPEC.2010.5543275 　

  20. A study of the bonding-wire reliability on the chip surface electrode in IGBT

    Yoshinari Ikeda, Hiroaki Hokazono, Shigeru Sakai, Tomohiro Nishimura, Yoshikazu Takahashi

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　289-292　2010年

    ISSN： 1063-6854

  21. Macro-trend and a future expectation of innovations in power electronics and power devices

    H. Shigekane, T. Fujihira, K. Sasagawa, Y. Seki, Y. Takahashi, A. Takai

    2009 IEEE 6th International Power Electronics and Motion Control Conference, IPEMC '09　35-39　2009年

    DOI： 10.1109/IPEMC.2009.5292052 　

  22. A study on the reliability of the chip surface solder joint

    Yoshinari Ikeda, Yuji Iizuka, Tatsuhiko Asai, Tomoaki Goto, Yoshikazu Takahashi

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　189-192　2008年

    DOI： 10.1109/ISPSD.2008.4538930 　

    ISSN： 1063-6854

  23. Investigations of all lead free IGBT module structure with low thermal resistance and high reliability

    Y. Nishimura, A. Morozumi, E. Mochizuki, Y. Takahashi

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　2006　2006年

    ISSN： 1063-6854

  24. All lead free IGBT module with excellent reliability

    Y. Nishimura, K. Oonishi, A. Morozumi, E. Mochizuki, Y. Takahashi

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　79-82　2005年

    ISSN： 1063-6854

  25. FCBGAパッケージ評価用1792チャンネルDCテスター

    高橋 良和

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路　103　(647)　69-71　2004年1月29日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    多ピン化するLSIパッケージを評価するための1792チャネルDCテスターを開発した。 TEG chipを用い4端子抵抗測定によるボンディング劣化や半田接合劣化の測定と、多ピンパッケージのOPEN/SHORTテストが可能である。任意の計測器を組み込みが可能で最大2880チャネルまで拡張可能である。

  26. GND電流の第2高調波のパワー測定による櫛形アクチュエータの周波数特性の測定

    高橋 良和

    電気学会研究会資料. MSS, マイクロマシン・センサシステム研究会　2000　(11)　109-112　2000年12月19日

  27. Development of high power press-pack IGBT and its applications

    Uchida, Yoshiyuki, Seki, Yasukazu, Seki, Yasukazu, Takahashi, Yoshikazu, Takahashi, Yoshikazu, Ichijoh, Masami, Ichijoh, Masami

    2000 22nd International Conference on Microelectronics, MIEL 2000 - Proceedings　1　2000年

  28. Development of high power press-pack IGBT and its applications

    Yoshiyuki Uchida, Yasukazu Seki, Yoshikazu Takahashi, Masami Ichijoh

    2000 22nd International Conference on Microelectronics, MIEL 2000 - Proceedings　1　125-129　2000年

    DOI： 10.1109/ICMEL.2000.840538 　

  29. 4.5kV-2000A Power Pack IGBT (ultra high power flat-packaged PT type RC-IGBT)

    T. Fujii, K. Yoshikawa, T. Koga, A. Nishiura, Y. Takahashi, H. Kakiki, M. Ichijyou, Y. Seki

    IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)　33-36　2000年

  30. Ruggedness and reliability of the 2.5 kV-1.8 kA power pack IGBT with a novel multi-collector structure

    Takeharu Koga, Kazuaki Yamazaki, Hiroki Wakimoto, Yoshikazu Takahashi, Humiaki Kirihata, Yasukazu Seki

    IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD)　437-440　1998年

  31. Study on voltage oscillation phenomenon in high power P-i-N diode

    Michio Nemoto, Yoshikazu Takahashi, Takeshi Fujii, Noriyuki Iwamuro, Yasukazu Seki

    IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD)　305-308　1998年

  32. Advanced power pack IGBT: 2.5 kV/1.8 kA RC-IGBT with highly reliable and ruggedness flat package

    Yasukazu Seki, Yoshikazu Takahashi, Takeharu Koga, Humiaki Kirihata

    IEE Conference Publication　(456)　258-262　1998年

    DOI： 10.1049/cp:19980534 　

    ISSN： 0537-9989

  33. Investigation of flat-pack IGBT reliability

    Humiaki Kirihata, Yoshikazu Takahashi, Hiroki Wakimoto, Fumisato Niino

    Conference Record - IAS Annual Meeting (IEEE Industry Applications Society)　2　1016-1021　1998年

    ISSN： 0197-2618

  34. Ultra high-power 2.5 kV-1800 A Power Pack IGBT

    Yoshikazu Takahashi, Koh Yoshikawa, Takeharu Koga, Masayuki Soutome, Tetsumi Takano, Humiaki Kirihata, Yasukazu Seki

    IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD)　233-236　1997年

  35. 2.5 kV-1000 A Power Pack IGBT (High power flat-packaged RC-IGBT)

    Yoshikazu Takahashi, Koh Yoshikawa, Masayuki Soutome, Takeshi Fujii, Masami Ichijyou, Yasukazu Seki

    IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD)　299-302　1996年

  36. Experimental investigations of 2.5 kV-100 A PT type and NPT type IGBTs

    Yoshikazu Takahashi, Koh Yoshikawa, Takeharu Koga, Masayuki Soutome, Yasukazu Seki

    IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD)　70-74　1995年

  37. 2.5kV 100A μ-stack IGBT

    Takahashi, Yoshikazu, Koga, Takeharu, Kirihata, Humiaki, Seki, Yasukazu

    IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs　25-30　1994年

  38. 大電流超電導導体の開発 (超伝導の大型機器への応用<特集>)

    高橋 良和

    プラズマ・核融合学会誌　69　(6)　p610-614　1993年6月

    出版者・発行元： プラズマ・核融合学会

    ISSN： 0918-7928

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    A high-current superconductor is indispensable to large coils for the fusion machine. The high-current superconductor can be developed by using advanced techniques. Japan Atomic Energy Research Institute (JAERI) has developed the Demo Poloidal Coils (DPC) which has a nominal current of 30-kA and an inner diameter of 1m. During the charging test of the coils, an instability was observed in the superconductor. This is the most serious difficulty in which we met until now. Many verification tests were carried out step by step to solve this technical problem, for about three years. We have finally solved the problem and developed improved conductors. The improved conductor was tested and good results were obtained. Through this development, we could obtain the confidence that an other new technical problem can be solved by using the same method.

  39. Formation of high quality epitaxial layer for an improved GTO

    M. Watanabe, Y. Takahashi, O. Yamada, S. Tagami, H. Kirihata

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs　1992-May　98-103　1992年

    DOI： 10.1109/ISPSD.1992.991244 　

    ISSN： 1063-6854

  40. High frequency reverse conducting GTO thyristor

    O. Yamada, M. Watanabe, H. Kakigi, T. Koga, Y. Takahashi, H. Kirihata

    256-261　1990年

  41. Gate drive circuits for high voltage, large current GTO-thyristors connected in series

    Hideo Saotome, Yoshikazu Takahashi

    PESC Record - IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference　2　763-768　1990年

    ISSN： 0275-9306

  42. 4.5 kV 3000 a high power reverse conducting gate turn-off thyristor.

    Osamu Hashimoto, Yoshikazu Takahashi, Humiaki Kirihata, Masahide Watanabe, Osamu Yamada

    PESC Record - IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference　915-921　1988年

    ISSN： 0275-9306

  43. 115 mm φ 6 kV 2500 A light triggered thyristor.

    Osamu Hashimoto, Masahide Watanabe, Katsuhiro Endo, Yoshikazu Takahashi, Hideaki Kakigi

    PESC Record - IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference　928-933　1988年

    ISSN： 0275-9306

  44. 2. 5 KV-2000 A MONOLITHIC REVERSE CONDUCTING GATE TURN-OFF THYRISTOR.

    Osamu Hashimoto, Yoshikazu Takahashi, Masahide Watanabe, Osamu Yamada, Tatsuhiko Fujihira

    Conference Record - IAS Annual Meeting (IEEE Industry Applications Society)　388-392　1986年

    ISSN： 0197-2618

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書籍等出版物 1

  1. 「エナジーデバイス」の信頼性入門 : 二次電池、パワー半導体、太陽電池の特性改善と信頼性試験

    高橋, 邦明, 鳶島, 真一, 高橋, 良和, 土井, 卓也

    日刊工業新聞社　2012年11月

    ISBN: 9784526069741

産業財産権 2

  1. 半導体装置用ユニットおよび半導体装置

    山田 教文 稲葉 哲也 池田 良成 柳川 克彦 高橋 良和

    産業財産権の種類: 特許権

  2. 半導体装置及び半導体装置の製造方法

    奥村 勝弥 高橋 良和 池田 良成

    産業財産権の種類: 特許権