研究者詳細

顔写真

ヤマスエ　コウヘイ
山末　耕平
Kohei Yamasue
所属
電気通信研究所　計算システム基盤研究部門　誘電ナノデバイス研究室
職名
准教授
学位

  • 博士（工学） （京都大学）

経歴 5

  • 2016年7月 ～ 継続中
    東北大学　電気通信研究所　准教授

  • 2010年4月 ～ 2016年6月
    東北大学　電気通信研究所　助教

  • 2008年8月 ～ 2010年3月
    京都大学　大学院工学研究科　助教

  • 2008年4月 ～ 2008年7月
    京都大学　ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー　研究員（中核的研究機関）

  • 2007年4月 ～ 2008年3月
    京都大学　ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー　講師（中核的研究機関研究員）

学歴 2

  • 京都大学　工学研究科　電気工学専攻

    2002年4月 ～ 2007年3月

  • 京都大学　工学部　電気電子工学科

    1998年4月 ～ 2002年3月

委員歴 19

  • 電子情報通信学会　東北支部会計幹事

    2024年6月 ～ 2026年6月

  • 電子情報通信学会　代議員

    2025年4月 ～ 2026年3月

  • 電子情報通信学会 非線形問題研究専門委員会　専門委員

    2011年5月 ～ 2014年5月

  • 電子情報通信学会 非線形問題研究専門委員会　専門委員

    2011年5月 ～ 2014年5月

  • Nonlinear Theory ant Its Applications, The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers　"Special Section on Nonlinear Vibration in Mechanical Systems and Its Control-from Nano to Macro-" Guest Editorial Committee, Secretary

    2012年9月 ～ 2013年7月

  • Nonlinear Theory ant Its Applications，電子情報通信学会　「Special Section on Nonlinear Vibration in Mechanical Systems and Its Control-from Nano to Macro-」英文論文小特集編集委員会 編集幹事

    2012年9月 ～ 2013年7月

  • 電子情報通信学会 非線形問題研究会　幹事補佐

    2009年5月 ～ 2011年5月

  • 電子情報通信学会 非線形問題研究会　幹事補佐

    2009年5月 ～ 2011年5月

  • システム制御情報学会第52期および第53期編集委員会　校正担当委員

    2008年11月 ～ 2010年5月

  • システム制御情報学会第52期および第53期編集委員会　校正担当委員

    2008年11月 ～ 2010年5月

  • 財団法人近畿地方発明センター テクノ愛’09 選考委員会　委員

    2009年6月 ～ 2010年3月

  • 財団法人近畿地方発明センター テクノ愛’09 選考委員会　委員

    2009年6月 ～ 2010年3月

  • 財団法人近畿地方発明センター　「テクノ愛’08」に係る事前書類審査員

    2008年5月 ～ 2009年3月

  • 財団法人近畿地方発明センター　「テクノ愛’08」に係る事前書類審査員

    2008年5月 ～ 2009年3月

  • 財団法人近畿地方発明センター　「テクノ愛’07」に係る事前書類審査員

    2007年5月 ～ 2008年3月

  • 財団法人近畿地方発明センター　「テクノ愛’07」に係る事前書類審査員

    2007年5月 ～ 2008年3月

  • 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14)/26th International colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)　プログラム委員

    2026年 ～

  • 2025年度電気関係学会東北支部連合大会　実行委員会委員・役員会委員

    2025年 ～

  • 2024年度電気関係学会東北支部連合大会　実行委員会委員・役員会委員

    2024年 ～

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所属学協会 4

  • ナノテスティング学会

  • 日本表面科学会 プローブ顕微鏡研究部会 会員

  • 電子情報通信学会

  • American Physical Society

研究分野 3

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 通信工学 /

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

受賞 1

  1. 石田實記念財団研究奨励賞

    2021年11月　一般財団法人 石田實記念財団　走査型非線形誘電率顕微鏡によるナノ・原子スケール物性評価

論文 63

  1. 走査型非線形誘電率顕微鏡による半導体界面・キャリア物性のナノスケール評価 招待有り 査読有り

    山末 耕平

    顕微鏡　61　(2)　81-88　2026年8月

  2. Interface charge inhomogeneity at Al2O3/OH-diamond(111) characterized by time-resolved scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    K. Yamause, Y. Ogata, Y. Yamagishi, T. Matsumoto, N. Tokuda, Y. Cho

    Appl. Phys. Lett.　129　(4)　2026年8月

    DOI： 10.1063/5.0333202 　

  3. Nanoscale carrier distribution and trap dynamics in supported and suspended WSe2 layers studied by scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Koki Takano, Kohei Yamasue, Toshiaki Kato, Yasuo Cho

    Appl. Phys. Lett.　128　(5)　052101　2026年2月4日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0309146 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    The unique electronic and optical properties of atomically thin transition metal dichalcogenides make them promising candidates for advanced device applications. However, their electrical characteristics are strongly influenced by the interfacial and dielectric environments provided by the substrate. To elucidate these substrate-related properties, microscopy techniques with high spatial resolution are essential. Among these techniques, scanning nonlinear dielectric microscopy (SNDM) has emerged as a powerful tool for visualizing dominant carrier distributions in semiconductor materials. In this study, we employ SNDM to investigate two types of mechanically exfoliated WSe2 samples: one supported on a SiO2 substrate and the other suspended over nanoscale Au wires. Our findings reveal spatial and bias-dependent differences in carrier behavior between the two structures. Specifically, the suspended WSe2 exhibits reduced hysteresis and a more symmetric ambipolar response, consistent with the suppression of charge trapping at interface states. To further probe the fast dynamic responses associated with interface states, we also conduct local deep level transient spectroscopy measurements using time-resolved SNDM.

  4. 温度可変走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO2/SiCの局所DLTS/CV特性測定 査読有り

    山末 耕平, 長 康雄

    第45回ナノテスティングシンポジウム(NANOTS2025)　146-150　2025年11月

  5. Heat-assisted ferroelectric reading for high-speed ferroelectric probe data storage 査読有り

    Yasuo Cho, Kohei Yamasue

    Appl. Phys. Lett.　127　(10)　102903　2025年9月8日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0284899 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    We propose a heat-assisted ferroelectric reading method that increases read speed while maintaining the polarization retention characteristics of ultrahigh-density ferroelectric data storage, namely, scanning nonlinear dielectric microscopy (SNDM) probe memory. This is achieved by locally heating the ferroelectric recording medium for a very short time at the data reading position using laser irradiation. We discuss the relationship between the maximum number of laser irradiation cycles and the heating duration for a LiTaO3 medium. We also conduct a basic experiment and confirm that laser pulse irradiation greatly increases SNDM signal strength. Furthermore, we experimentally confirm that high-speed SNDM signal amplification occurs with nanosecond-order light irradiation. The proposed method may overcome the fundamental problems of next-generation ultrahigh-density ferroelectric data storage.

  6. Insulating tip for scanning near-field microwave microscopes: application to van der Waals semiconductor imaging 査読有り

    Kohei Yamasue, Koki Takano, Taiyo Ishizuka, Yasuo Cho

    Appl. Phys. Lett.　126　(24)　242107　2025年6月18日

    DOI： 10.1063/5.0268493 　

  7. Visualization of the local dipole moment at the Si(111) surface using DFT calculations 査読有り

    Akira Sumiyoshi, Kohei Yamasue, Yasuo Cho, Jun Nakamura

    Sci. Rep.　15　(1)　7436　2025年3月3日

    出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC

    DOI： 10.1038/s41598-025-91645-1 　

    eISSN：2045-2322

  8. 時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡によるAl2O3/ダイヤモンドの 局所容量-電圧特性のナノスケールゆらぎ評価 査読有り

    山末 耕平, 松本 翼, 德田 規夫, 長 康雄

    第43回ナノテスティングシンポジウム(NANOTS2023)　26-30　2023年11月

  9. Correlation analysis on local capacitance-voltage profiles of a SiO2/SiC interface observed by time-resolved scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)　2023年3月7日

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.1109/edtm55494.2023.10103002 　

  10. 時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡による SiO2/SiC の局所容量-電圧特性のナノスケールゆらぎ解析 査読有り

    山末 耕平, 長 康雄

    第42回ナノテスティングシンポジウム(NANOTS2022)　31-35　2022年11月

  11. Local capacitance-voltage profiling and deep level transient spectroscopy of SiO2/SiC interfaces by scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Microelectron. Reliab.　135　114588-114588　2022年8月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.microrel.2022.114588 　

    ISSN：0026-2714

  12. Microscopic Evaluation of Al2O3/p-Type Diamond (111) Interfaces Using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 査読有り

    Yu Ogata, Kohei Yamasue, Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Norio Tokuda, Yasuo Cho

    Mater. Sci. Forum　1062　298-303　2022年5月31日

    出版者・発行元： Trans Tech Publications, Ltd.

    DOI： 10.4028/p-n0z51t 　

    eISSN：1662-9752

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    Improvement of channel mobility is required to improve the performance of the inversion channel MOSFETs using diamond. The previous studies have suggested that high interface defect density (Dit) at the Al2O3/diamond (111) interface has a significant impact on the carrier transport property on a channel region. To investigate the physical origins of the high Dit, especially from microscopic point of view, here we investigate Al2O3/p-type diamond (111) interfaces using scanning nonlinear dielectric microscopy (SNDM). We find the high spatial fluctuations of Al2O3/hydroxyl (OH)-terminated diamond (111) interface properties and their difference by the flatness of the diamond surface.

  13. Surface Potential Fluctuations of SiO2/SiC Interfaces Investigated by Local Capacitance-Voltage Profiling Based on Time-Resolved Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Mater. Sci. Forum　1062　335-340　2022年5月31日

    出版者・発行元： Trans Tech Publications, Ltd.

    DOI： 10.4028/p-2t7zak 　

    eISSN：1662-9752

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    We investigate surface potential fluctuations on SiO2/SiC interfaces by local capacitance-voltage profiling based on time-resolved scanning nonlinear dielectric microscopy. As experimental indicators of surface potential fluctuations, we measured the spatial fluctuations of local capacitance-voltage and its first derivative profiles through the detection of the voltages at the infection points of the profiles. We show that, even for a sample with a nitrided interface with low interface defect density, the fluctuations of the measured voltages are much higher than the thermal energy at room temperature. This indicates the existence of high potential fluctuations, which can give the significant impacts on the carrier transport at the SiO2/SiC interface of SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistors.

  14. Local capacitance-voltage profiling on MoS2/SiO2 and MoS2/h-BN/SiO2 by scanning nonlinear dielectric microscopy assisted with an insulating tip 査読有り

    Taiyo Ishizuka, Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)　2022年3月6日

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.1109/edtm53872.2022.9798093 　

  15. Boxcar Averaging Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Nanomaterials　12　(5)　794-1-794-19　2022年2月26日

    出版者・発行元： MDPI AG

    DOI： 10.3390/nano12050794 　

    eISSN：2079-4991

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    Scanning nonlinear dielectric microscopy (SNDM) is a near-field microwave-based scanning probe microscopy method with a wide variety of applications, especially in the fields of dielectrics and semiconductors. This microscopy method has often been combined with contact-mode atomic force microscopy (AFM) for simultaneous topography imaging and contact force regulation. The combination SNDM with intermittent contact AFM is also beneficial for imaging a sample prone to damage and using a sharp microscopy tip for improving spatial resolution. However, SNDM with intermittent contact AFM can suffer from a lower signal-to-noise (S/N) ratio than that with contact-mode AFM because of the shorter contact time for a given measurement time. In order to improve the S/N ratio, we apply boxcar averaging based signal acquisition suitable for SNDM with intermittent contact AFM. We develop a theory for the S/N ratio of SNDM and experimentally demonstrate the enhancement of the S/N ratio in SNDM combined with peak-force tapping (a trademark of Bruker) AFM. In addition, we apply the proposed method to the carrier concentration distribution imaging of atomically thin van der Waals semiconductors. The proposed method clearly visualizes an anomalous electron doping effect on few-layer Nb-doped MoS2. The proposed method is also applicable to other scanning near-field microwave microscopes combined with peak-force tapping AFM such as scanning microwave impedance microscopy. Our results indicate the possibility of simultaneous nanoscale topographic, electrical, and mechanical imaging even on delicate samples.

  16. Local capacitance-voltage profiling and high voltage stress effect study of SiO2/SiC structures by time-resolved scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    K. Yamasue, Y. Cho

    Microelectron. Reliab.　126　114284-1-114284-6　2021年11月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.microrel.2021.114284 　

    ISSN：0026-2714

  17. Nanoscale capacitance-voltage profiling of DC bias induced stress on a high-κ/SiO2/Si gate stack 査読有り

    Koharu Suzuki, Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Microelectron. Reliabi.　126　114278-1-114278-5　2021年11月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.microrel.2021.114278 　

    ISSN：0026-2714

  18. Simultaneous Interface Defect Density and Differential Capacitance Imaging by Time-Resolved Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    International Symposium for Testing and Failure Analysis　441-445　2021年10月31日

    出版者・発行元： ASM International

    DOI： 10.31399/asm.cp.istfa2021p0441 　

    ISSN：0890-1740

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    Abstract This work highlights the unique capabilities of time-resolved scanning nonlinear dielectric microscopy as demonstrated in the study of SiO2/SiC interfaces. Scanning nonlinear dielectric microscopy (SNDM) is a microwave-based scanning probe technique with high sensitivity to variations in tip-sample capacitance. Time-resolved SNDM, a modified version, is used in this study because it allows simultaneous nanoscale imaging of interface defect density (Dit) and differential capacitance (dC/dV), lending itself to correlation analysis and a better understanding of the relationships that influence interface quality. Through cross-correlation analysis, it is shown that Dit images are not strongly correlated with simultaneously obtained dC/dV images, but rather with difference images derived from dC/dV images recorded with different voltage sweep directions. The results indicate that the dC/dV images visualize the nonuniformity of the total interface charge density and the difference images reflect that of Dit at a particular energy range.

  19. Local Capacitance-Voltage Profiling and Deep Level Transient Spectroscopy of SiO2/SiC Interfaces by Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    2021 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA)　1-6　2021年9月15日

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.1109/ipfa53173.2021.9617348 　

  20. Profiling of carriers in a 3D flash memory cell with nanometer-level resolution using scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Jun Hirota, Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Microelectron. Reliab.　114　113774-113774　2020年11月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.microrel.2020.113774 　

    ISSN：0026-2714

  21. Spatial scale dependent impact of non-uniform interface defect distribution on field effect mobility in SiC MOSFETs 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Microelectron. Reliab.　114　113829-113829　2020年11月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.microrel.2020.113829 　

    ISSN：0026-2714

  22. Nanoscale characterization of unintentional doping of atomically thin layered semiconductors by scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    J. Appl. Phys.　128　(7)　074301-074301　2020年8月21日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0016462 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

  23. Atomic Resolution Studies on Surface Dipoles by Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy and Potentiometry 招待有り 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    2020 Joint Conference of the IEEE International Frequency Control Symposium and International Symposium on Applications of Ferroelectrics (IFCS-ISAF)　2020年7月

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.1109/ifcs-isaf41089.2020.9234884 　

  24. Influence of Non-Uniform Interface Defect Clustering on Field-Effect Mobility in SiC MOSFETs Investigated by Local Deep Level Transient Spectroscopy and Device Simulation 査読有り

    Kohei Yamasue, Yuji Yamagishi, Yasuo Cho

    Mater. Sci. Forum　1004　627-634　2020年7月

    出版者・発行元： Trans Tech Publications, Ltd.

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/msf.1004.627 　

    eISSN：1662-9752

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    It has recently been shown that interface defect density (<italic>D</italic>it) at SiO2/SiC interfaces can have non-uniform clustered distribution through the measurement by local deep level transient spectroscopy (local DLTS). Here we investigate the influence of the non-uniform <italic>D</italic>it clustering on the field-effect mobility in SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) by device simulation. We develop a three dimensional numerical model of a SiC MOSFET, which can incorporate actual <italic>D</italic>it distributions measured by local DLTS. Our main result is that the impact of the non-uniform <italic>D</italic>it clustering on field-effect mobility is negligible for a SiC MOSFET with high <italic>D</italic>it formed by dry thermal oxidation but it becomes significant for that with lower <italic>D</italic>it by post-oxidation annealing. The result indicates that channel mobility can be further improved by making <italic>D</italic>it distribution uniform as well as reducing <italic>D</italic>it.

  25. 時間分解・局所DLTS 法を用いたマクロステップを有する SiO2/SiC の界面準位密度分布評価 査読有り

    保坂 杏奈, 山末 耕平, Judith Woerle, Corrado Bongiorno, Gabriel Ferro, Ulrike Grossner, Massimo Camarda, 長 康雄

    第39回ナノテスティングシンポジウム　75-79　2019年11月

  26. 間欠接触走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた半導体キャリア分布観察における信号雑音比の改善 査読有り

    山末 耕平, 長 康雄

    第39回ナノテスティングシンポジウム　130-134　2019年11月

  27. 走査型非線形誘電率顕微鏡による半導体キャリア分布観察のための絶縁膜付き探針の開発と層状半導体評価への応用 査読有り

    高野 幸喜, 山末 耕平, 長 康雄

    第39回ナノテスティングシンポジウム　135-140　2019年11月

  28. Unintentional doping effects on atomically-thin Nb-doped MoS2 observed by scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Proceedings from the 45th International Symposium for Testing and Failure Analysis　498-503　2019年11月

  29. Boxcar Averaging Based Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy and Its Application to Carrier Distribution Imaging on 2D Semiconductors 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    2019 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)　2019年10月

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.1109/iirw47491.2019.8989887 　

  30. A Study on Evaluation of Interface Defect Density on High-K/SiO2/Si and SiO2/Si Gate Stacks using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 査読有り

    Koharu Suzuki, Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    2019 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)　2019年10月

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.1109/iirw47491.2019.8989881 　

  31. Spatially-Resolved Evaluation of Interface Defect Density on Macrostepped SiO2/SiC using Local Deep Level Transient Spectroscopy 査読有り

    Anna Hosaka, Kohei Yamasue, Judith Woerle, Gabriel Ferro, Ulrike Grossner, Massimo Camarda, Yasuo Cho

    2019 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)　2019年10月

    出版者・発行元： IEEE

    DOI： 10.1109/iirw47491.2019.8989888 　

  32. Optimization of signal intensity in intermittent contact scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Microelectronics. Reliab.　100-101　113345　2019年9月

    DOI： 10.1016/j.microrel.2019.06.037 　

  33. Two-dimensional defect mapping of the SiO2/4H-SiC interface 査読有り

    Judith Woerle, Brett C. Johnson, Corrado Bongiorno, Kohei Yamasue, Gabriel Ferro, Dipanwita Dutta, Thomas A. Jung, Hans Sigg, Yasuo Cho, Ulrike Grossner, Massimo Camarda

    Phys. Rev. Materials　3　084602　2019年8月

    DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.3.084602 　

  34. 走査型非線形誘電率顕微鏡による数層MoS2 のキャリア分布観察における信号強度の改善 査読有り

    山末 耕平, 長康雄

    第38回ナノテスティングシンポジウム　196-199　2018年11月

  35. Local carrier distribution imaging on few-layer MoS2 exfoliated on SiO2 by scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Appl. Phys. Lett.　112　(24)　243102　2018年6月11日

    出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.

    DOI： 10.1063/1.5032277 　

    ISSN：0003-6951

  36. 走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)の紹介とその電子デバイス・材料評価への応用 招待有り 査読有り

    山末 耕平, 茅根 慎通, 長 康雄

    電気学会誌　137　(10)　697-700　2017年10月

    出版者・発行元： 一般社団法人 電気学会

    DOI： 10.1541/ieejjournal.137.697 　

    ISSN：1340-5551

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    <p>1．はじめに</p><p>Siに代表される既存材料を用いた電子デバイスは物性に起因する性能の限界を迎えつつあるといわれ，新規材料を用いて限界克服を目指す研究が活発になされている。例えば，ワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイス（1）や2次元材料を用いた超高速デバイス（2）が研究されて</p>

  37. Graphene on C-terminated face of 4H-SiC observed by noncontact scanning nonlinear dielectric potentiometry 査読有り

    Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Keiichiro Tashima, Maki Suemitsu, Yasuo Cho

    Jpn. J. Appl. Phys.　55　(8)　08NB02-1-08NB02-5　2016年8月

    DOI： 10.7567/JJAP.55.08NB02 　

    ISSN：0021-4922

    eISSN：1347-4065

  38. Scanning nonlinear dielectric potentiometry 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Rev. Sci. Instrum.　86　(9)　093704　2015年9月

    DOI： 10.1063/1.4930181 　

    ISSN：0034-6748

    eISSN：1089-7623

  39. Experimental study of electric dipoles on an oxygen-adsorbed Si(100)-2×1 surface by non-contact scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Masataka Suzuki, Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Appl. Phys. Lett.　107　(3)　031604-1-031604-5　2015年7月

    DOI： 10.1063/1.4927244 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  40. K. Yamasue, Atomic dipole imaging: NC-SNDM study on a hydrogen-terminated Si surface 招待有り

    Kohei Yamasue

    Imaging & Microscopy　17　(3)　43-45　2015年7月

  41. Interfacial Charge States in Graphene on SiC Studied by Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Potentiometry 査読有り

    Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Kazutoshi Funakubo, Maki Suemitsu, Yasuo Cho

    Phys. Rev. Lett.　114　(22)　226103-1-226103-5　2015年6月

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.114.226103 　

    ISSN：0031-9007

    eISSN：1079-7114

  42. Improved study of electric dipoles on the Si(100)-2 x 1 surface by non-contact scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Masataka Suzuki, Kohei Yamasue, Masayuki Abe, Yoshiaki Sugimoto, Yasuo Cho

    Appl. Phys. Lett.　105　(10)　101603-1-101603-3　2014年9月

    DOI： 10.1063/1.4895031 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  43. Atomic-dipole-moment induced local surface potential on Si(111)-(7 x 7) surface studied by non-contact scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Kohei Yamasue, Masayuki Abe, Yoshiaki Sugimoto, Yasuo Cho

    Appl. Phys. Lett.　105　(12)　121601-1-121601-5　2014年9月

    DOI： 10.1063/1.4896323 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  44. Atomic dipole moment distribution on a hydrogen-adsorbed Si(111)-(7 x 7) surface observed by noncontact scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Daisuke Mizuno, Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Appl. Phys. Lett.　103　(10)　101601-1-101601-5　2013年9月

    DOI： 10.1063/1.4820348 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

  45. Simultaneous measurement of tunneling current and atomic dipole moment on Si(111)-(7×7) surface by noncontact scanning nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    K. Yamasue, Y. Cho

    J. Appl. Phys.　113　(1)　014307-1-014307-　2013年1月7日

    DOI： 10.1063/1.4772705 　

    ISSN：0021-8979

  46. High resolution imaging in cross-section of a metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor using super-higher-order nonlinear dielectric microscopy 査読有り

    Norimichi Chinone, Kohei Yamasue, Koichiro. Honda, Yasuo Cho

    J. Phys.: Conf. Ser.　471　(1)　012023-1-012023-4　2013年

    DOI： 10.1088/1742-6596/471/1/012023 　

    ISSN：1742-6588

  47. Atomic Scale Imaging of TiO2(100) Reconstructed Surfaces by Noncontact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 査読有り

    Nobuhiro Sawai, Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Jpn. J. Appl. Phys.　51　(12)　121801-1-121801-7　2012年12月

    DOI： 10.1143/JJAP.51.121801 　

    ISSN：0021-4922

  48. Lateral resolution improvement in scanning nonlinear dielectric microscopy by measuring super-higher-order nonlinear dielectric constants 査読有り

    Norimichi Chinone, Kohei Yamasue, Yoshiomi Hiranaga, Koichiro Honda, Yasuo Cho

    Appl. Phys. Lett.　101　(21)　213112-1-213112-4　2012年11月

    DOI： 10.1063/1.4766349 　

    ISSN：0003-6951

  49. Observation of Nanoscale Ferroelectric Domains Using Super-Higher-Order Nonlinear Dielectric Microscopy 査読有り

    Norimichi Chinone, Kohei Yamasue, Yoshiomi Hiranaga, Yasuo Cho

    Jpn. J. Appl. Phys.　51　(9)　09LE7-1-09LE7-5　2012年9月

    DOI： 10.1143/JJAP.51.09LE07 　

    ISSN：0021-4922

  50. Observation of Polarization Distribution on Si(111) Surface by Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 査読有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    Jpn. J. Appl. Phys.　50　(9)　09NE12-1-09NE12-5　2011年9月

    DOI： 10.1143/JJAP.50.09NE12 　

    ISSN：0021-4922

  51. Nonlinear Dynamics in Atomic Force Microscopy and Its Control for Nanoparticle Manipulation 査読有り

    Kohei Yamasue, Takashi Hikihara

    Nonlinear Dynamics of Nanosystems　267-286　2010年9月9日

    出版者・発行元： Wiley-VCH

    DOI： 10.1002/9783527629374.ch9 　

  52. 遅延帰還を用いたダイナミックモード原子間力顕微鏡のカンチレバー振動の安定化 招待有り 査読有り

    山末 耕平, 引原 隆士

    顕微鏡　45　(2)　137-139　2010年

    出版者・発行元： 日本顕微鏡学会

    ISSN：1349-0958

  53. Controlling chaos in dynamic-mode atomic force microscope 査読有り

    Kohei Yamasue, Kei Kobayashi, Hirofumi Yamada, Kazumi Matsushige, Takashi Hikihara

    Phys. Lett. A　373　(35)　3140-3144　2009年8月

    DOI： 10.1016/j.physleta.2009.07.009 　

    ISSN：0375-9601

  54. 原子間力顕微鏡における制御応用とその展望 招待有り 査読有り

    山末 耕平, 引原 隆士

    システム／制御／情報　53　(6)　236-242　2009年6月15日

    出版者・発行元： システム制御情報学会

    DOI： 10.11509/isciesci.53.6_236 　

    ISSN：0916-1600

  55. Transient Dynamics of Duffing System under Time-Delayed Feedback Control: Global Phase Structure and Application to Engineering 査読有り

    Takashi Hikihara, Kohei Yamasue

    Handbook of Chaos Control: Second Edition　793-809　2008年5月20日

    出版者・発行元： Wiley-VCH Verlag GmbH &amp; Co. KGaA

    DOI： 10.1002/9783527622313.ch36 　

  56. Control of microcantilevers in dynamic force microscopy using time delayed feedback 査読有り

    Kohei Yamasue, Takashi Hikihara

    Rev. Sci. Instrum.　77　(5)　053703　2006年5月

    DOI： 10.1063/1.2200747 　

    ISSN：0034-6748

  57. Persistence of chaos in a time-delayed-feedback controlled Duffing system 査読有り

    Kohei Yamasue, Takashi Hikihara

    Phys. Rev. E　73　(3)　036209　2006年3月

    DOI： 10.1103/PhysRevE.73.036209 　

    ISSN：1539-3755

  58. Suppression of subharmonics and chaos in tapping mode atomic force microscopy using time delayed feedback control 査読有り

    Kohei Yamasue, Takashi Hikihara

    Proceedings of the 2005 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications　927-930　2006年

  59. Annihilation of periodic orbits in time delayed feedback controlled systems 査読有り

    Kohei Yamasue, Takashi Hikihara

    Proceedings of the 2005 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications　29-32　2005年

  60. A study on vibration characteristics of microcantilever probe near period-doubling bifurcation 査読有り

    Kohei Yamasue, Takashi Hikihara

    Proceedings of the 2005 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications　582-585　2005年

  61. A numerical study on suspension of molecules by microcantilever probe 査読有り

    Takashi Hikihara, Kohei Yamasue

    Proceedings of the Fifth International Symposium on Linear Drives for Industry Applications　29-32　2005年

  62. Domain of attraction for stabilized orbits in time delayed feedback controlled Duffing systems 査読有り

    K Yamasue, T Hikihara

    Phys. Rev. E　69　(5)　056209　2004年5月

    DOI： 10.1103/PhysRevE.69.056209 　

    ISSN：1539-3755

  63. A study on multiple steady states and their relation to global structure in time delayed feedback controlled Duffing System 査読有り

    Kohei Yamasue, Takashi Hikihara

    Proceedings of the 2004 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications　259-262　2004年

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MISC 11

  1. 非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによる4H-SiC(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)上グラフェンの観察

    山末耕平, 吹留博一, 舩窪一智, 末光眞希, 長康雄

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　76th　2015年

  2. 非接触走査型非線形誘電率顕微鏡による水素インターカレートされた4H-SiC(0001)上グラフェンの観察

    山末耕平, 吹留博一, 舩窪一智, 末光眞希, 長康雄

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　75th　2014年

  3. 非接触走査型非線形誘電率顕微鏡による4H-SiC(0001)上グラフェンの高分解能観察

    山末耕平, 吹留博一, 舩窪一智, 末光眞希, 長康雄

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　61st　2014年

  4. 時間遅れフィードバック制御された系における解の一様終局有界性について

    山末 耕平, 引原 隆士

    電子情報通信学会技術研究報告. NLP, 非線形問題　109　(269)　35-38　2009年11月4日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    時間遅れフィードバック制御は,連続時間のカオス制御法であり,カオスアトラクタに内在する不安定周期軌道を安定化可能なことで知られている.本報告では,Lyapunov-Razumikhinの方法に基づいて,あるクラスの2次元非自励系に速度を出力として同制御法を適用した場合に,フィードバックゲインによらず,解が一様終局有界となることを示す.さらに,速度を出力として同制御法を適用したtwo-well Duffing系に生じる解の挙動について数値的に検討する.

  5. 圧電薄膜カンチレバーのパラメータ制御に関する一検討 : 弾性およびQ値の制御

    冨田 達也, 山末 耕平, 引原 隆士

    電子情報通信学会技術研究報告. NLP, 非線形問題　106　(451)　41-46　2007年1月10日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    原子間力顕微鏡(AFM)では,試料表面を走査するプローブとして圧電薄膜カンチレバー(カンチレバーのアクチュエーションやたわみのセンシングを目的として圧電性薄膜が一体化されたカンチレバー)が用いられる.本報告では,圧電薄膜カンチレバーのパラメータ制御を提案し,カンチレバーのQ値および弾性がフィードバックにより制御可能であることを明らかにする.また,伊達らのアイディアに基づき,圧電層に並列に容量成分を挿入することでフィードバックを用いることなく,カンチレバーの弾性の制御が可能であるか検討する.さらに提案する弾性制御手法を用いることで,Moreno-Morenoらの提案するパラメトリック共振モードAFMが実現可能であることを示す.

  6. A-2-23 圧電振動を用いたセンサの高感度化に関する数値的検討(A-2.非線形問題,一般講演)

    冨田 達也, 山末 耕平, 引原 隆士

    電子情報通信学会総合大会講演論文集　2006　59-59　2006年3月8日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

  7. A-2-10 Improved Transient Response in non-contact Atomic Force Microscopy under Time Delayed Feedback Control(A-2. 非線形問題, 基礎・境界)

    YAMASUE Kohei, HIKIHARA Takashi

    電子情報通信学会総合大会講演論文集　2005　49-49　2005年3月7日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

  8. 時間遅れフィードバック制御の非接触型原子間力顕微鏡への適用

    山末 耕平, 引原 隆士

    電子情報通信学会技術研究報告. NLP, 非線形問題　104　(583)　1-4　2005年1月17日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    近年, 非接触型原子間力顕微鏡におけるマイクロカンチレバーに, 探針-表面間相互作用の非線形性に基づくカオス的振動が生じることが明らかにされた.それを受け, 本報告では, マイクロカンチレバーの振動制御手法として時間遅れフィードバック制御を用いることを提案する.不安定周期軌道の安定化による動作領域の拡張ならびに過渡特性の改善によるスキャン速度向上の可能性を数値的に検討する.

  9. 時間遅れフィードバック制御された Duffing 系に生じる複数の定常状態とカオス残存の関係

    山末 耕平, 引原 隆士

    電子情報通信学会技術研究報告. NLP, 非線形問題　104　(294)　11-15　2004年9月6日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

    詳細を見る 詳細を閉じる

    時間遅れフィードバック制御されたtwo-wel1 Duffing 系において目標軌道と異なる周期軌道が安定化される場合がある.本報告はこれら目標軌道と共存する軌道の分岐と起源を数値的に検討するものである。サドルノード分岐による共存軌道の対消滅が,制御された系に残存するカオス消滅の一つの指標を与えることを明らかにする.

  10. 時間遅れフィードバック制御された磁気弾性系における解の収束と不変多様体

    山末 耕平, 引原 隆士

    電子情報通信学会技術研究報告. NLP, 非線形問題　103　(185)　19-24　2003年7月14日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    時間遅れフィードバック制御はカオスアトラクタに内在する不安定周期軌道を安定化可能な制御法として知られている.この制御法を適用したシステムは遅延微分方程式で記述され,その相空間が関数空間となる.従来の研究ではこの関数空間の大域構造に関わる制御則の特性はほとんど明らかにされていない.本報告では制御法を適用した磁気弾性系において,安定化できない不安定周期軌道に対応する不動点の不安定多様体を求め,目標軌道の引力圏構造および過渡応答などの制御則の特性との関係を数値的に検討する.

  11. 時間遅れフィードバック制御された Duffing 系の収束解に関する初期関数の引力圏構造

    引原 隆士, 山末 耕平

    電子情報通信学会技術研究報告. NLP, 非線形問題　102　(298)　7-12　2002年8月28日

    出版者・発行元： 一般社団法人電子情報通信学会

    ISSN： 0913-5685

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    Duffing方程式に生じるカオスに遅れフィードバック制御則を適用した場合に関して,安定化の制御入力投入時点における初期値関数への依存性を検討する.カオス制御における不安定周期解の安定化については,実験的,理論的検討により,その制御則の限界も含めての多くの成果が得られてきた.しかしながら,現実の応用で重要となる制御入力投入時点における初期関数の関数空間上の解の引き込み領域についてはこれまで全く議論されてこなかった.本報告ではこれに関連して,数値計算で関数空間上の引力圏を求め,その構造を議論している.

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書籍等出版物 2

  1. Nonlinear Dynamics of Nanosystems

    YAMASUE Kohei, HIKIHARA Takashi

    Wiley-VCH　2010年4月

    ISBN: 9783527407910

  2. Handbook of Chaos Control Second completely revised and enlarged edition

    HIKIHARA Takashi, YAMASUE Kohei

    Wiley-VCH　2007年12月

    ISBN: 9783527406050

講演・口頭発表等 80

  1. ⾛査型非線形誘電率顕微鏡を⽤いた半導体材料・素子の評価―MOS界⾯解析・原子層半導体のキャリア分布観測を中⼼としてー 招待有り

    長 康雄, 山末 耕平

    第73回応用物理学会春季学術講演会　2026年3月17日

  2. 非接触熱アシスト誘電体記録

    長 康雄, 山末 耕平

    第73回応用物理学会春季学術講演会　2026年3月17日

  3. SNDMによるナノ秒誘電熱応答の検出

    長 康雄, 山末 耕平

    第73回応用物理学会春季学術講演会　2026年3月17日

  4. 時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡による局所MOS容量電圧特性の掃引時間依存性の検討

    鈴木 智博, 山末 耕平

    第73回応用物理学会春季学術講演会　2026年3月16日

  5. 走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO2/SiCの光支援局所容量-電圧特性測定に関する実験的検討

    井坂 晃大, 横田 信英, 山末 耕平

    第73回応用物理学会春季学術講演会　2026年3月16日

  6. 時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡による窒化処理されたSiO2/SiCの温度制御局所CV特性測定

    山末 耕平, 長 康雄

    第73回応用物理学会春季学術講演会　2026年3月16日

  7. 光支援走査型非線形誘電率顕微鏡の開発とWSe2の局所容量電圧特性測定への応用

    井坂 晃大, 横田 信英, 山末 耕平

    通研共同プロジェクト研究(R05/S01) 令和7年度研究会 ～先端的コヒーレント波技術の応用研究～　2025年12月15日

  8. Nanosecond dielectric response by optical irradiation for heat assisted ferroelectric reading technology

    Y. Cho, K. Yamasue

    2025 MRS Fall Meeting & Exhibit

  9. Temperature-dependent interface defect analysis of SiO2/SiC by time-resolved scanning nonlinear dielectric microscopy

    K. Yamasue, Y. Cho

    2025 MRS Fall Meeting & Exhibit

  10. 走査型非線形誘電率顕微鏡に基づく半導体物性のナノスケール評価手法の開発 招待有り

    山末 耕平

    2025年度 実用表面分析講演会　2026年11月18日

  11. Local DLTS study of SiO2/SiC by time-resolved SNDM at elevated temperatures

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    23rd International Vacuum Congress (IVC23)　2025年9月16日

  12. Local DLTS/CV measurement of MoS2/h-BN heterostructure by time-resolved SNDM

    Taiyo Ishizuka, Kohei Yamasue

    23rd International Vacuum Congress (IVC23)　2025年9月19日

  13. 時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡が拓く半導体物性のナノスケール計測 招待有り

    山末 耕平

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月7日

  14. 時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡による掃引時間可変局所CV特性測定法の開発 -電圧掃引速度の高速化-

    鈴木 智博, 山末 耕平

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月8日

  15. 時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO2/SiCの温度制御局所CV特性測定

    山末 耕平, 長 康雄

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月8日

  16. 光支援走査型非線形誘電率顕微鏡による機械剥離WSe2の局所CV特性測定

    井坂 晃大, 横田 信英, 山末 耕平

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月8日

  17. Nanosecond dielectric response by optical irradiation for high speed SNDM probe memory 招待有り

    Yasuo Cho, Kohei Yamasue

    The Ninth International Symposium on Dielectric Materials and Applications (ISyDMA'9)　2025年5月8日

  18. アンダーサンプリングを用いた時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡による掃引時間可変局所CV特性測定法の開発

    鈴木 智博, 山末 耕平

    第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス&オンライン　2025年3月16日

  19. 時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO2/SiCの温度制御局所DLTS測定

    山末 耕平, 長 康雄

    第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス&オンライン　2025年3月17日

  20. 熱アシスト誘電体記録における光照射ナノ秒誘電応答

    長 康雄, 山末 耕平

    第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス&オンライン　2025年3月15日

  21. Combined local DLTS/CV measurement of Al2O3/OH-diamond (111) interface by time-resolved scanning nonlinear dielectric microscopy

    K. Yamasue, T. Matsumoto, N. Tokuda, Y. Cho

    2024 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, Massachusetts, USA　2024年12月4日

  22. Simulation for the in-plane surface dipole moment distribution of the Si surface using DFT calculations

    A. Sumiyoshi, K. Yamasue, Y. Cho, J. Nakamura

    32nd International Colloquium on Scanning Probe Microsopy (ICSPM-32), Sapporo, Japan　2024年11月18日

  23. Visualization of the Surface Dipole Moment at the Si(111) Surfaces Using First-Principles Calculations

    A. Sumiyoshi, K. Yamasue, Y. Cho, J. Nakamura

    The 10th International Symposium on Surface Science (ISSS-10), Kita-kyushu, Japan　2024年10月21日

  24. 走査型非線形誘電率顕微鏡によるAl2O3/OHダイヤモンド(111)の局所DLTS/CV特性同時測定

    山末 耕平, 松本 翼, 德田 規夫, 長 康雄

    第84回応用物理学会秋季学術講演会， 朱鷺メッセほか2会場&オンライン，新潟　2024年9月19日

  25. HAFeR技術開発の為の時間分解SNDM法

    長 康雄, 山末 耕平

    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセほか2会場&オンライン，新潟　2024年9月17日

  26. 第一原理計算を用いた Si(111)-(7x7)表面における表面双極子の可視化

    住吉 晶, 山末 耕平, 長 康雄, 中村 淳

    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセほか2会場&オンライン，新潟　2024年9月18日

  27. Nanoscale probing of charge states at the Al2O3/OH-diamond (111) interface and their impact on diamond MOSFET performance

    K. Yamasue, Y. Ogata, T. Matsumoto, N. Tokuda, Y. Cho

    34th International Conference on Diamond and Carbon Materials, Dresden, Germany　2024年9月4日

  28. Chaos control via time-delayed feedback: numerical studies and application to AFM cantilever dynamics 招待有り

    山末 耕平

    2024 年度共同利用・共同研究拠点明治大学MIMS「現象数理学研究拠点」共同研究集会MEMSデバイスに発生するtouch-down 現象の制御に向けた数理的アプローチ，明治大学中野キャンパス，東京都　2024年8月8日

  29. 走査型非線形誘電率顕微鏡による原子層半導体積層構造のキャリア分布観察

    石塚 太陽, 山末 耕平

    通研共同プロジェクト研究(R05/S01) 夏季研究会 ～先端的コヒーレント波技術の応用研究～，東北大学電気通信研究所　2024年7月30日

  30. 時間分解SNDMを⽤いた次世代半導体材料のナノスケール電荷状態観察 招待有り

    山末 耕平

    次世代ナノプローブ技術委員会，第2回研究会，Shimadzu Tokyo Innovation Plaza, 川崎市　2024年3月12日

  31. 走査型非線形誘電率顕微鏡の次世代パワーエレクトロニクス材料評価への応用 招待有り

    山末 耕平

    名古屋大学VBLシンポジウム「GaNパワーデバイスの社会実装に向けた評価と技術」，名古屋大学　2023年11月30日

  32. 走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO2上機械剥離MoS2の局所DLTS測定

    石塚 太陽, 山末 耕平

    第70回 応用物理学会春季学術講演会，上智大学四谷キャンパス+オンライン

  33. Scanning nonlinear dielectric microscopic investigation of mechanically exfoliated WSe2/SiO2 and suspended WSe2

    Koki Takano, Kohei Yamasue, Toshiaki Kato, Toshiro Kaneko, Yasuo Cho

    2022 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, Massachusetts, USA

  34. Real-space analysis on surface potential fluctuations of Al2O3/GaN interfaces by scanning nonlinear dielectric microscopy

    Kohei Yamasue, Yuto Ando, Manato Deki, Hiroshi Amano, Yasuo Cho

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022), Berlin, Germany

  35. Comparative study on carrier distribution of mechanically exfoliated WSe2/SiO2 and suspended WSe2 by scanning nonlinear dielectric microscopy

    Koki Takano, Kohei Yamasue, Toshiaki Kato, Toshiro Kaneko, Yasuo Cho

    The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan

  36. 走査型非線形誘電率顕微鏡の原理と半導体ナノスケール物性評価への応用 招待有り

    山末 耕平

    電気化学会電子材料委員会 第86回半導体・集積回路技術シンポジウム　2022年8月31日

  37. 時間分解SNDMを用いた半導体のナノスケール評価に関する最近の展開 招待有り

    山末 耕平

    東京大学物性研究所短期研究会 「機能的走査プローブ顕微鏡の新展開」　2022年3月30日

  38. 時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO2/SiC界面のナノスケールキャリアダイナミクスの可視化

    山末 耕平, 長 康雄

    第41回ナノテスティングシンポジウム(NANOTS2021)　2021年10月25日

  39. 時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡による直流バイアスストレス印加時のhigh-κ/SiO2/Siにおける局所容量-電圧特性測定

    鈴木 小春, 山末 耕平, 長 康雄

    第41回ナノテスティングシンポジウム(NANOTS2021)　2021年10月27日

  40. 時間分解SNDMを用いたダイヤモンドMOS界面の 界面準位密度評価に関する検討

    尾形 結友, 山末 耕平, Zhang Xufang, 松本 翼, 徳田 規夫, 長 康雄

    第41回ナノテスティングシンポジウム(NANOTS2021)　2021年10月27日

  41. Nanoscale carrier distribution imaging on atomically-thin layered semiconductors by scanning nonlinear dielectric microscopy 国際会議 招待有り

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    The 4th international symposium on “Elucidation of Property of Next Generation Functional Materials and Surface/Interface"　2019年12月9日

  42. Unintentional n-type doping on single layer Nb-doped MoS2 observed by scanning nonlinear dielectric microscopy 国際会議

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    2019 MRS fall meeting and exhibit　2019年12月5日

  43. 間欠接触走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた半導体キャリア分布観察における信号雑音比の改善 国際会議

    山末 耕平, 長 康雄

    第39回ナノテスティングシンポジウム　2019年11月19日

  44. 走査型非線形誘電率顕微鏡による半導体キャリア分布観察のための絶縁膜付き探針の開発と層状半導体評価への応用 国際会議

    高野 幸喜, 山末 耕平, 長 康雄

    第39回ナノテスティングシンポジウム　2019年11月19日

  45. 時間分解・局所DLTS 法を用いたマクロステップを有する SiO2/SiC の界面準位密度分布評価 国際会議

    保坂 杏奈, 山末 耕平, Judith Woerle, Corrado Bongiorno, Gabriel Ferro, Ulrike Grossner, Massimo Camarda, 長 康雄

    第39回ナノテスティングシンポジウム　2019年11月18日

  46. Unintentional doping effects on atomically-thin Nb-doped MoS2 observed by scanning nonlinear dielectric microscopy 国際会議

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    The 45th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA2019)　2019年11月13日

  47. Spatially Resolved Defect Mapping of the SiO2/4H-SiC Interface 国際会議

    Judith Woerle, Brett C. Johnson, Corrado Bongiorno, Kohei Yamasue, Gabriel Ferro, Dipanwita Dutta, Yasuo Cho, Ulrike Grossner, Massimo Camarda

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)　2019年10月2日

  48. Influence of non-uniform interface defect distribution on channel mobility in SiC MOSFETs investigated by local deep level transient spectroscopy and device simulation 国際会議

    Kohei Yamasue, Yuji Yamagishi, Yasuo Cho

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)　2019年10月1日

  49. Optimization of signal intensity in intermittent contact scanning nonlinear dielectric microscopy 国際会議

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    The 30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2019)　2019年9月25日

  50. Improvement of signal-to-noise ratio in carrier distribution imaging in intermittent contact scanning nonlinear dielectric microscopy based on boxcar integration 国際会議

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    18th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII)　2019年9月10日

  51. Surface dipole induced potentials on metals observed by noncontact scanning nonlinear dielectric potentiometry 国際会議

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17)　2019年6月27日

  52. 時間遅れフィードバックを用いたカオス制御系の力学構造について 招待有り

    山末 耕平

    同期現象と周期軌道の安定化に関するシンポジウム　2019年3月

  53. 山末 耕平，原子分解能を持つ非接触走査型非線形誘電率顕微鏡の研究，日本顕微鏡学会 超高空間分解能SPMの最前線，大阪大学東京オフィス，Feb. 1(2019) 招待有り

    山末 耕平

    日本顕微鏡学会 超高空間分解能SPMの最前線　2019年2月1日

  54. 原子分解能を有する非接触走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた表面研究 招待有り

    山末 耕平

    2018年日本表面真空学会学術講演会 プローブ顕微鏡研究部会「プローブ顕微鏡による表面研究の最前線」　2018年11月19日

  55. 超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法による次世代パワー半導体デバイスの評価と走査型非線形誘電率ポテンショメトリの提案 招待有り

    長 康雄, 茅根 慎通, 廣瀬 光太郎, 山末 耕平

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月15日

  56. Atomic dipole moments on hydrogen-adsorbed Si(111)-7×7 surface observed by using noncontact scanning nonlinear dielectric microscopy 国際会議

    Daisuke Mizuno, Yasuo Cho

    The 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy　2012年12月17日

  57. Super Higher Order Nonlinear Dielectric Microscopy with Super High Resolution 国際会議

    Norimichi Chinone, Yoshiomi Hiranaga, Koichiro Honda, Yasuo Cho

    2012 MRS fall meeting　2012年11月25日

  58. Non-contact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy Studies of Atomic Dipole Moments on Hydrogen-adsorbed Si(111)‐(7×7) Surface 国際会議

    Daisuke Mizuno, Yasuo Cho

    2012 MRS fall meeting　2012年11月25日

  59. 非接触走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSi(111)再構成表面観察における双極子モーメント分布の可視化メカニズムに関する検討

    長康雄

    第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日

  60. 超高次非線形誘電率顕微鏡によるMOS型電界効果トランジスタ断面の高分解能観察

    茅根慎通, 本田耕一郎, 長康雄

    第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月11日

  61. Simultaneous imaging of current and local dipole moments of Si(111)-(7×7) surface by noncontact scanning nonlinear dielectric microscopy 国際会議

    長康雄

    15th International Conference on non-contact Atomic Force Microscopy　2012年7月1日

  62. Observation of dipole moments on hydrogen-adsorbed Si(111)-(7×7) surface by non-contact scanning nonlinear dielectric microscopy 国際会議

    水野大督, 長康雄

    15th International Conference on non-contact Atomic Force Microscopy　2012年7月1日

  63. 超高次非線形誘電率顕微鏡を用いた強誘電体ナノ分極の観察

    茅根慎通, 平永良臣, 長康雄

    第29回強誘電体応用会議　2012年5月23日

  64. Observation of local dipole moments on cleaned Si(111)surface with defects by non-contact scanning nonlinear dielectric microscopy 国際会議

    Kohei Yamasue, Yasuo Cho

    14th International Conference on Noncontact Atomic Force Microscopy　2011年9月19日

  65. 非接触走査型非線形誘電率顕微鏡によるSi(111)表面の電荷分布に関する検討

    山末耕平, 長康雄

    第72回応用物理学関係連合講演会　2011年8月31日

  66. 走査型非線形誘電率顕微鏡によるSi(111)表面の分極分布観察

    長康雄

    第28回 強誘電体応用会議講演予稿集　2011年5月25日

  67. 非接触走査型非線形誘電率顕微鏡によるSi(111)表面のドメイン境界観察

    長康雄

    第58回応用物理学関係連合講演会　2011年3月24日

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    発表会は東日本大震災のため中止，講演会は成立

  68. Chaotic cantilever oscillation and its control in amplitude modulation atomic force microscopy 国際会議

    YAMASUE Kohei, KOBAYASHI Kei, YAMADA Hirofumi, MATSUSHIGE Kazumi, HIKIHARA Takashi

    2nd Multifrequency AFM Conference　2009年6月15日

  69. Experimental study on stabilization of chaotic cantilever oscillation in AM-AFM by time-delayed feedback control 国際会議

    YAMASUE Kohei, KOBAYASHI Kei, YAMADA Hirofumi, MATSUSHIGE Kazumi, HIKIHARA Takashi

    11th International Conference on Non-contact Atomic Force Microscopy (NCAFM-2008)　2008年9月16日

  70. Control of chaotic sensor oscillation in dynamic-mode atomic force microscopy 国際会議

    YAMASUE Kohei, KOBAYASHI Kei, YAMADA Hirofumi, MATSUSHIGE Kazumi, HIKIHARA Takashi

    The 5th International Conference on Nonlinear Science (Dynamics Days Asia Pacific 5)　2008年9月9日

  71. Parametric excitation of piezoelectric cantilevers based on elasticity control 国際会議

    TOMITA Tatsuya, YAMASUE Kohei, HIKIHARA Takashi

    9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces(ACSIN-9)　2007年11月11日

  72. 時間遅れフィードバックを用いたカオス制御系の力学構造について

    同期現象と周期軌道の安定化に関するシンポジウム　2007年3月9日

  73. Suppression of subharmonics and chaos in tapping mode atomic force microscopy using time delayed feedback control 国際会議

    YAMASUE Kohei, HIKIHARA Takashi

    2006 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications　2006年9月11日

  74. A study on vibration characteristics of microcantilever probe near period-doubling bifurcation 国際会議

    YAMASUE Kohei, HIKIHARA Takashi

    2005 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications　2005年10月18日

  75. A Numerical Study on Suspension of Molecules by Microcantilever Probe 国際会議

    HIKIHARA Takashi, YAMASUE Kohei

    The Fifth International Symposium on Linear Drives for Industry Applications　2005年9月25日

  76. Annihilation of periodic orbits in time delayed feedback controlled systems, 2005 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications 国際会議

    YAMASUE Kohei, HIKIHARA Takashi

    2005 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications　2005年9月18日

  77. Improvement of transient response in non-contact atomic force microscopy: an application of time delayed feedback control 国際会議

    YAMASUE Kohei, HIKIHARA Takashi

    XXV Dynamics Days Europe 2005　2005年7月25日

  78. A study on multiple steady states and their relation to global structure in time delayed feedback controlled Duffing System 国際会議

    YAMASUE Kohei, HIKIHARA Takashi

    2004 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications　2004年11月29日

  79. Influence of remaining chaos on convergence of solutions in time delayed feedback controlled Duffing system 国際会議

    YAMASUE Kohei, HIKIHARA Takashi

    XXI International Congress of Theoretical and Applied Mechanics　2004年8月15日

  80. A Study on domain of attraction in time-delayed feedback controlled Duffing system 国際会議

    HIKIHARA Takashi, YAMASUE Kohei

    Dynamics Days Europe 2002　2002年7月15日

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共同研究・競争的資金等の研究課題 15

  1. 探針増強時間分解光容量顕微法の開拓と次世代半導体キャリア寿命評価への展開

    山末 耕平

    2026年6月 ～ 2029年3月

  2. SNDMを用いた次世代パワーエレクトロニクスの創出に資する革新的評価技術の開発

    山末 耕平

    2024年4月 ～ 2028年3月

  3. 光支援・時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡による半導体界面の深い欠陥準位の顕微分光

    山末 耕平

    2025年7月 ～ 2027年6月

  4. 走査型非線形誘電率顕微鏡による原子層材料・デバイスのナノ・原子スケール物性評価

    山末 耕平, 加藤 俊顕

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関：Tohoku University

    2020年4月 ～ 2024年3月

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    走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）に基づく原子層半導体の新たなナノスケール物性評価手法を確立した．従来の導電性探針に代え，薄い絶縁膜でコートした探針を開発することで電荷注入を抑制し，dC/dV像による多数キャリア極性の判別に加え，時間分解SNDMを用いて従来困難であった局所容量電圧（CV）特性測定や局所DLTSによるキャリア特性や界面特性評価を実現した．さらにシミュレーションと組み合わせ，キャリア密度・界面欠陥密度を定量化できる可能性を示した．本手法は多様な原子層材料・積層構造への展開が期待される．

  5. 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたGaN-MOSの高性能化に資する計測評価

    長康雄,山末耕平

    2021年8月 ～

  6. 非線形誘電率顕微鏡法を用いた界面電荷輸送現象における諸問題の起源解明

    長 康雄, 平永 良臣, 山末 耕平

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

    研究機関：Tohoku University

    2016年5月 ～ 2021年3月

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    ①H28年度に高度化した超高次非線形誘電率顕微鏡法を適用し太陽電池のパッシベーション膜に捕獲された固定電荷に関して詳細な観測を行うことに成功した． ②MoS2,WSe2等の新規2次元物質の評価解析を新たにPeak force tapping 方式のSNDMを開発することにより，極薄な層状構造半導体を破壊することなく，キャリアタイプと濃度が計測できる事を明らかにした． ③H28年度開発した局所DLTS法をさらに発展させSiO2/SiC界面の浅い準位の界面準位密度の2次元分布を計測した．具体的には新規に低温で計測できる局所DLTS計測装置を開発し，これを用いて浅い準位の界面準位密度計測し，更にエネルギー準位をできるだけ合わせて計測したSNDM像の間に正の相関があることを明らかにした． ④H28年度から開発を続けている，走査型非線形誘電率常磁性共鳴顕微鏡装置（SNDMR）に関する理論的研究を行い，SNDMの高感度性があれば，局所的な電子スピン共鳴を検出できる事を明らかにした． ⑤時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡(Tr-SNDM)の開発に成功し，非常に広帯域で高速な静電容量応答が検出可能になった．更にこの手法を局所DLTS法に適用し高分解能な局所DLTSによるSiO2/4H-SiC界面の欠陥分布観察に成功した． ⑥線形誘電率分布計測の行えるdc/dz-SNDM法の開発に成功した．この手法の開発の成功により従来高精度な線形誘電率計測や半導体のドーパント濃度の定量計測が難しかったSNDM法の適用範囲を大幅に広げた．本装置はプローブ顕微鏡メーカで実用化されることが決定し現在実用機の開発が始まろうとしている．

  7. 走査型非線形誘電率ポテンショメトリの開発とその電子材料・デバイス評価への応用

    山末 耕平

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究機関：Tohoku University

    2015年4月 ～ 2018年3月

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    走査型非線形誘電率ポテンショメトリ（SNDP）と呼ばれる新規なプローブ顕微鏡技術を開発した．SNDPは走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）をベースとする顕微鏡技術であり，ナノスケールから原子スケールの高い空間分解能で，材料やデバイスの表面や界面に生じる自発分極に関わる定量的測定を可能とする．本研究課題では，SNDPの装置開発，測定に関わる理論の実験的検証などSNDPの基礎付けを行うとともに，発展的手法の開発を進めた．また，SNDPの応用領域を探索し，SNDPがグラフェンなどの原子層材料やそれらを用いたデバイスのナノスケール物性評価に応用可能であることを明らかにした．

  8. 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いたSiC基板材料及びパワーエレクトロニクス素子の高性能化に資する評価技術の開発

    2014年 ～ 2018年

  9. 界面電荷輸送現象解明のための高機能走査型非線形誘電率顕微鏡群の研究開発

    長 康雄, 山末 耕平, 平永 良臣

    2016年4月 ～ 2017年3月

    詳細を見る 詳細を閉じる

    界面電荷輸送現象における諸問題の起源解明のための，新規多機能・高性能走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）群を研究開発する．具体的には局所Deep-level transient spectroscopy(DLTS)法の行えるSNDM装置と走査型非線形誘電率常磁性共鳴顕微鏡法（SNDMR）を新規に開発のする.また近年開発してきた走査型非線形誘電率ポテンショメトリ（SNDP）法や，原子分解能非接触走査型非線形誘電率顕微鏡（NC-SNDM）法，超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法（SHO-SNDM）の更なる高度化を図りそれらを総て組み合わせ，半導体MOS界面やグラフェン/SiCの移動度低下の原因を特定し，半ば永遠の工学的問題とされて来た問題を一挙に解決できる装置群とする．ひいては界面（表面）を使った半導体デバイスや伝導デバイスの性能を飛躍的に向上させる事に貢献する事を目的とする． この目的を達成するため本年度は ①超高次非線形誘電率顕微鏡法（SHO-SNDM）の更なる高度化. ②原子分解能非接触SNDM(NC-SNDM)法並びに界面評価用非線形誘電率ポテンショメリ（SNDP）の高度化． ③局所DLTS法の開発. を行う予定であったが研究を開始した直後，基盤研究（S）に採択され，重複制限に該当するため本基盤研究(A)は取り消しとなった．そのため実質的に研究できる期間は皆無であり，当然のことながら研究実績も一切無い.

  10. 非線形誘電率顕微鏡の高機能化及び電子デバイスへの応用

    長 康雄, 山末 耕平, 平永 良臣

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

    研究機関：Tohoku University

    2011年4月 ～ 2016年3月

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    次数の高い高次微分項まで計測し，より詳細な物理情報が取得できる新しいSNDM 法（超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法（SHO-SNDM 法）を開発した．本手法を用いると，計測ピクセルごとに局所C - V 曲線を再構成することが簡単に行え，分析能力が飛躍的に増大する．次に双極子モーメント由来の発生電位を原子分解能で可視化する走査型非線形誘電率ポテンショメトリ（SNDP）が開発された．本手法を用いて，4H-SiC(0001)基板上に形成された単層グラフェンの形状像と表面電位分布の同時観察に成功した．最後に回転ディスク型強誘電体記録再生方式において3.4Tbit/inch2の超高密度記録を実現した．

  11. 走査型非線形誘電率顕微鏡に基づくナノスケール自発分極定量測定法の開発

    2016年 ～

  12. 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたエネルギーアシスト方式強誘電体記録

    山末 耕平

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

    研究機関：Tohoku University

    2012年4月 ～ 2015年3月

    詳細を見る 詳細を閉じる

    強誘電体を記録媒体とし，ナノスケールの分極反転を用いる強誘電体プローブメモリは，記録密度において限界を迎えつつある現行の磁気記録を代替する可能性で知られている．本研究では，分極反転のエネルギー障壁を低減させることで，分極反転を容易化するエネルギーアシスト方式強誘電体記録の実現に向けた基礎研究・装置開発を行った．走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM)をベースとして，既存のSNDM装置に組込可能なヘッドを新規に設計・開発した．また，分極反転に必要な印加電圧を系統的に得る手法を確立するため，反転を検出する非線形誘電率信号に基づいて印加電圧を決めるフィードバック機構について理論的検討と実装を行った．

  13. 共振を利用したナノ・マイクロ機構の操作及び微小エネルギーの収集機構の開発

    引原 隆士, 佐藤 宣夫, 山末 耕平

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

    研究機関：Kyoto University

    2009年 ～ 2011年

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    本研究課題は,電界,磁界を用いてこれまでに確立されてきた電気機器の動作原理を非電磁的作用力を用いたナノ・マイクロ領域のアクチュエータに適用することを試みたものである.マイクロ機構の操作とエネルギー収集だけでなく,エネルギーを振動モードの切り替えにより一方向に伝搬する機構,すなわちラチェット機構の開発に繋げられることを明らかにし,演算機能を有する機械共振メモリの開発の可能性を明らかにした.

  14. ダイナミックモード原子間力顕微鏡におけるカンチレバーの非線形振動制御

    山末 耕平

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

    2008年 ～ 2010年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    ダイナミックモード原子間力顕微鏡は, 現代のナノ科学・工学に必須の計測機器の一つであり, 原子・分子スケールの表面形状観察や物性評価を目的として, 幅広い分野の研究開発で利用されている．同顕微鏡は, マイクロカンチレバーと呼ばれる極めて高感度な力センサを原子・分子間に働く力の検出に利用するものである．しかしながら, 一方で, 近年になり, 測定中のセンサに生じる不規則な振動に起因して, DFM の性能が低下する場合があることが明らかにされていた．本研究課題は, このようなセンサの不規則な振動を抑制して, DFM が本来持つ性能を引き出す振動安定化手法を新規に提案したものである．研究期間中に実機に適用可能なコントローラの開発を推進すると同時にその有効性の実証に成功した．

  15. 非線形誘電率顕微鏡を用いた次世代超高密度強誘電体記録

    長 康雄, 廣瀬 龍介, 平永 良臣, 金 暢大, 山末 耕平

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

    研究機関：Tohoku University

    2006年 ～ 2010年

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    次世代超高密度強誘電体記録に関する研究を行い,世界最小の2.8nmφの単一ドメインドットの生成に成功した.また直径7nmの一次元ナノドメインドットアレイの形成及び15nmφのドメインドット列の生成・消去実験にも成功した.更に多数の記録ビットからなる実情報(画像情報)記録に於いて強誘電体記録では世界最高の4Tbit/inch^2の記録密度を達成した.そしてハードディスクドライブ型シングルプローブメモリを用いて,書き込み速度に関しては20Mbpsの高速性を実証した.

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担当経験のある科目(授業) 9

  1. 電磁気学I　東北大学工学部電気情報物理工学科

  2. 固体電気音響デバイス工学　東北大学大学院工学研究科

  3. 電磁気学I演習　東北大学工学部電気情報物理工学科

  4. 先端超高速情報工学　東北大学大学院工学研究科

  5. 電気情報物理工学実験B　東北大学工学部電気情報物理工学科

  6. 電気・通信・電子・情報工学実験B　東北大学工学部情報知能システム総合学科

  7. 電気・通信・電子・情報工学実験A　東北大学工学部情報知能システム総合学科

  8. 電気電子工学実験A　京都大学工学部電気電子工学科

  9. 物理学実験　京都大学

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