TOHOKU UNIVERSITY Researchers

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Satoshi Uda

Section

New Industry Creation Hatchery Center

Job title

Specially Appointed Professor(Research)

Degree

Ｐｈ．Ｄ．（スタンフォード大学）
理学修士（東京大学）

researchmap

https://researchmap.jp/read0213418

J-GLOBAL ID

200901016814362398

Research History 3

2021/04 - Present

New Industry Creation Hatchery Center　Professor
2003/04 - 2021/03

Institute for Materials Research, Tohoku University　Professor
1981/04 - 2003/03

Central Research Laboratory, Mitsubishi Materials Corp.　Senior Research Scientist

Education 2

Stanford University　Graduate School, Division of Engineering　Materials Science and Engineering

1987/09 - 1992/06
The University of Tokyo　Faculty of Science　geology

- 1979/03

Committee Memberships 60

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) Program Committee　Vice-Chair

2012/04 - Present
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) Publication Committee　Chair

2012/04 - Present
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) Program Committee　副委員長

2012/04 - Present
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) Publication Committee　委員長

2012/04 - Present
Freund Publishing House Ltd.　International Editorial Board member

2010/03 - Present
Freund Publishing House Ltd.　国際編集委員会委員

2010/03 - Present
日本国際賞推薦委員会　委員

2005/04 - Present
日本国際賞推薦委員会　委員

2005/04 - Present
Elsevier　Associate Editor

2004/12 - Present
Elsevier　学会誌副編集者

2004/12 - Present
Japanese association for crystal growth　a board of trustees

2002/04 - Present
日本結晶成長学会　理事

2002/04 - Present
Japanese association for crystal growth　Editor

2016/04 - 2019/03
日本結晶成長学会・学会誌編集委員会　委員長

2016/04 - 2019/03
九州大学応用力学研究所応用力学研究拠点運営委員会　委員

2013/04 - 2018/03
九州大学応用力学研究所応用力学研究拠点共同利用・共同研究委員会　委員

2013/04 - 2018/03
九州大学応用力学研究所応用力学研究拠点運営委員会　委員

2013/04 - 2018/03
九州大学応用力学研究所応用力学研究拠点共同利用・共同研究委員会　委員

2013/04 - 2018/03
Japanese association for crystal growth　Editor

2010/04 - 2013/03
日本結晶成長学会・学会誌編集委員会　学会誌編集委員

2010/04 - 2013/03
The 16th International Conference on Crystal Growth　Session Coordinator

2009/12 - 2010/08
The 16th International Conference on Crystal Growth　セッション・コーディネーター

2009/12 - 2010/08
第38回結晶成長国内会議　実行委員長

2007/11 - 2008/11
第38回結晶成長国内会議　実行委員長

2007/11 - 2008/11
The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)　Proceedings publication

2007/02 - 2008/09
The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)　プロシーディングス出版委員会委員

2007/02 - 2008/09
Fourth International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-4)　International Program Committee

2007/08 - 2008/05
Fourth International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-4)　国際プログラム委員

2007/08 - 2008/05
The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)　Program Committee Chair

2007/02 - 2008/05
The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)　Organization Committee

2007/02 - 2008/05
The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)　161 Award and GCOE Young Researcher Support

2007/02 - 2008/05
The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)　プログラム委員会委員長

2007/02 - 2008/05
The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)　組織委員会委員

2007/02 - 2008/05
The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)　161 Award and GCOE Young Researcher Support 委員会委員

2007/02 - 2008/05
第48回（平成20年度）原田研究奨励賞受賞候補者選考委員会　委員

2008/02 - 2008/03
第48回（平成20年度）原田研究奨励賞受賞候補者選考委員会　委員

2008/02 - 2008/03
7th Pacific Rim Conference on Ceramic and Glass Technology　Session Co-Chair

2006/11 - 2007/11
7th Pacific Rim Conference on Ceramic and Glass Technology　セッションコチェア

2006/11 - 2007/11
第47回（平成19年度）原田研究奨励賞受賞候補者選考委員会　委員

2007/02 - 2007/03
第47回（平成19年度）原田研究奨励賞受賞候補者選考委員会　委員

2007/02 - 2007/03
Japanese association for crystal growth　Editor

2005/04 - 2007/03
日本結晶成長学会　学会誌編集委員

2005/04 - 2007/03
The association of synthetic crystal science and technology　a board of trustee

2002/04 - 2006/11
人工結晶工学会　評議員

2002/04 - 2006/11
日本学術振興会特別研究員等審査会　専門委員

2004/06 - 2006/03
日本学術振興会特別研究員等審査会　専門委員

2004/06 - 2006/03
E-MRS 2014 Spring Meeting　Chair

2014/05 -
E-MRS 2014 Spring Meeting　座長

2014/05 -
10th International Conference of Computational Methods in Sciences and Engineering (ICCMSE 2014)　Chair

2014/04 -
10th International Conference of Computational Methods in Sciences and Engineering (ICCMSE 2014)　座長

2014/04 -
1st International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN)　Session Chair

2012/10 -
1st International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN)　座長

2012/10 -
The 16th International Conference on Crystal Growth　Session Chair

2010/08 -
The 16th International Conference on Crystal Growth　座長

2010/08 -
6th International Conference on Diffusion in Solids and Liquids　Chairperson

2010/07 -
6th International Conference on Diffusion in Solids and Liquids　座長

2010/07 -
The 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　Symposium Organizer (Chairperson)

2009/08 -
The 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　シンポジウム・オーガナイザー (座長)

2009/08 -
3rd International Workshop on Crystal Growth Technology　Session chairman

2005/09 -
3rd International Workshop on Crystal Growth Technology　Session chairman

2005/09 -

Show all ︎Show first 5

Professional Memberships 5

The Japan institute of metals
The association of synthetic crystal science and technology
American association of crystal growth
The Japan society of applied physics
Japanese association for crystal growth

Research Interests 7

chemical potential
degree of freedom
diffusion
solute transfer
interface electric field
interface dynamics
crystal growth

Research Areas 7

Natural sciences / Semiconductors, optical and atomic physics /
Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering) / Electric/electronic material engineering /
Nanotechnology/Materials / Functional solid-state chemistry /
Nanotechnology/Materials / Inorganic and coordination chemistry /
Nanotechnology/Materials / Inorganic materials /
Nanotechnology/Materials / Crystal engineering /
Nanotechnology/Materials / Applied materials /

Awards 4

日本結晶成長学会40周年記念学会貢献賞

2014/11　日本結晶成長学会　学会活動に貢献したことによる受賞
日本結晶成長学会第20回論文賞

2003/07　日本結晶成長学会　ランガサイト結晶成長メカニズムの研究と高品質単結晶育成への応用
韓国結晶成長学会学術賞

2003/05　韓国結晶成長学会　Growth of langasite from melt
日本鉱業協会賞

1999　日本鉱業協会　光学用四ホウ酸リチウム単結晶の育成とその紫外非線形特性

Papers 234

Theoretical and Practical Studies on Effects of External Electrostatic Electric Field on Nucleation and Growth Kinetics of Protein Crystals: Effects of Electric Field on Protein Crystallization Invited Peer-reviewed

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda

Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials　68　(3)　2022/08

DOI： 10.1016/j.pcrysgrow.2022.100568 　

ISSN： 0960-8974
Polymorphic transitions during nonclassical nucleation and growth in the colloidal heteroepitaxy

Jun Nozawa, Masahide Sato, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara

Communications Physics　8　(1)　2025/04/09
Publisher: Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s42005-025-02062-9 　

eISSN： 2399-3650
Multi-layer kagome lattices assembled with isotropic spherical colloids via heteroepitaxial growth

Jun Nozawa, Masahide Sato, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara

Colloid and Interface Science Communications　64　100815-100815　2025/01
Publisher: Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.colcom.2024.100815 　

ISSN： 2215-0382
Heteroepitaxial fabrication of binary colloidal crystals by a balance of interparticle interaction and lattice spacing Peer-reviewed

Jun Nozawa, Satoshi Uda, Akiko Toyotama, Junpei Yamanaka, Hiromasa Niinomi, Junpei Okada

Journal of Colloid and Interface Science　608　873-881　2022/02/15

DOI： 10.1016/j.jcis.2021.10.041 　

ISSN： 0021-9797

eISSN： 1095-7103
Heteroepitaxial Growth of Colloidal Crystals: Dependence of the Growth Mode on the Interparticle Interactions and Lattice Spacing Peer-reviewed

Jun Nozawa, Satoshi Uda, Hiromasa Niinomi, Junpei Okada, Kozo Fujiwara

Journal of Physical Chemistry Letters　6995-7000　2022

DOI： 10.1021/acs.jpclett.2c01707 　

eISSN： 1948-7185
Non-steady-state crystal growth of LiNbO<inf>3</inf> in the presence of an interface electric field Peer-reviewed

Qilin Shi, Satoshi Uda

Journal of Crystal Growth　566-567　2021/07/15

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2021.126161 　

ISSN： 0022-0248
Crystallization of charged gold particles mediated by nonadsorbing like-charged polyelectrolyte Peer-reviewed

Miyu Ioka, Akiko Toyotama, Megumi Yamaguchi, Jun Nozawa, Satoshi Uda, Tohru Okuzono, Masamichi Yoshimura, Junpei Yamanaka

Journal of Chemical Physics　154　(23)　1ENG　2021/06/21

DOI： 10.1063/5.0052339 　

ISSN： 0021-9606

eISSN： 1089-7690
Structural transformations of growing thin colloidal crystals in confined space via convective assembly Peer-reviewed

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Kejia Kang, Suxia Guo, Haruhiko Koizumi, Zon-Han Wei, Satoshi Uda

Journal of Colloid and Interface Science　591　300-306　2021/06
Publisher: Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.jcis.2021.02.016 　

ISSN： 0021-9797
Control of strain in subgrains of protein crystals by the introduction of grown-in dislocations Peer-reviewed

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Ryo Suzuki, Masaru Tachibana, Kenichi Kojima, Katsuo Tsukamoto, Izumi Yoshizaki, Seijiro Fukuyama, Yoshihisa Suzuki

Acta Crystallographica Section D Structural Biology　77　(5)　599-605　2021/05/01
Publisher: International Union of Crystallography (IUCr)
DOI： 10.1107/s2059798321001820 　

ISSN： 2059-7983

More details Close

It is important to reveal the exact cause of poor diffractivity in protein crystals in order to determine the accurate structure of protein molecules. It is shown that there is a large amount of local strain in subgrains of glucose isomerase crystals even though the overall crystal quality is rather high, as shown by clear equal-thickness fringes in X-ray topography. Thus, a large stress is exerted on the subgrains of protein crystals, which could significantly lower the resistance of the crystals to radiation damage. It is also demonstrated that this local strain can be reduced through the introduction of dislocations in the crystal. This suggests that the introduction of dislocations in protein crystals can be effective in enhancing the crystal quality of subgrains of protein crystals. By exploiting this effect, the radiation damage in subgrains could be decreased, leading to the collection of X-ray diffraction data sets with high diffractivity.
Chiral Optical Force Generated by a Superchiral Near-Field of a Plasmonic Triangle Trimer as Origin of Giant Bias in Chiral Nucleation: A Simulation Study Peer-reviewed

Hiromasa Niinomi, Teruki Sugiyama, An-Chieh Cheng, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Hiroshi Y. Yoshikawa, Ryuzo Kawamura, Jun Nozawa, Junpei T. Okada, Satoshi Uda

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C　125　(11)　6209-6221　2021/03

DOI： 10.1021/acs.jpcc.0c11109 　

ISSN： 1932-7447

eISSN： 1932-7455
Effect of interface electric field on partitioning during the growth of conventional and true congruent-melting LiNbO3 crystals International-journal Peer-reviewed

Qilin Shi, Jun Nozawa, Satoshi Uda

Journal of Crystal Growth　549　125864-1-125864-7　2020/11/01
Publisher: Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2020.125864 　

ISSN： 0022-0248
The population and activity of oxygen in the diffusion boundary layer within a congruent LiNbO3 melt International-journal Peer-reviewed

Satoshi Uda, Chihiro Koyama

Journal of Crystal Growth　548　125837-1-125837-7　2020/10/15
Publisher: Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2020.125837 　

ISSN： 0022-0248
High-Density Liquid Water at a Water–Ice Interface International-journal Peer-reviewed

Hiromasa Niinomi, Tomoya Yamazaki, Hiroki Nada, Tetsuya Hama, Akira Kouchi, Junpei T. Okada, Jun Nozawa, Satoshi Uda, Yuki Kimura

The Journal of Physical Chemistry Letters　11　(16)　6779-6784　2020/08/20

DOI： 10.1021/acs.jpclett.0c01907 　

ISSN： 1948-7185

eISSN： 1948-7185
Plasmonic Manipulation of Sodium Chlorate Chiral Crystallization: Directed Chirality Transfer via Contact-Induced Polymorphic Transformation and Formation of Liquid Precursor International-journal International-coauthorship Peer-reviewed

Hiromasa Niinomi, Teruki Sugiyama, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Takashige Omatsu, Katsuhiko Miyamoto, Hiroshi Y. Yoshikawa, Ryuzo Kawamura, Jun Nozawa, Junpei T. Okada, Satoshi Uda

Crystal Growth & Design　20　(8)　5493-5507　2020/08/05

DOI： 10.1021/acs.cgd.0c00693 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Growth and One-Dimensional Heteroepitaxy of Binary Colloidal Crystals International-journal Peer-reviewed

Jun Nozawa, Satoshi Uda, Akiko Toyotama, Junpei Yamanaka, Hiromasa Niinomi, Junpei Okada

Crystal Growth & Design　20　(5)　3247-3256　2020/05/06

DOI： 10.1021/acs.cgd.0c00078 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Effects of solution flow on the growth of colloidal crystals International-journal Peer-reviewed

Jun Nozawa, Satoshi Uda, Guo Suxia, Akiko Toyotama, Junpei Yamanaka, Hiromasa Niinomi, Junpei Okada

Langmuir　36　(16)　4324-4331　2020/04/28

DOI： 10.1021/acs.langmuir.0c00335 　

ISSN： 0743-7463

eISSN： 1520-5827
Phase relation between supercooled liquid and amorphous silicon International-journal Peer-reviewed

Junpei T. Okada, Patrick H.-L. Sit, Ryo Ishikawa, Takehiko Ishikawa, Jinfan Chen, Koji S. Nakayama, Kensaku Maeda, Yoshihiko Yokoyama, Yuki Watanabe, Paul-François Paradis, Yasuhiro Watanabe, Susumu Nanao, Yuichi Ikuhara, Kaoru Kimura, Satoshi Uda

Applied Physics Letters　116　(9)　093705-1-093705-4　2020/03/02
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/1.5129059 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Improvement of Hen Egg White lysozyme Crystal Quality by Control of Dehydration Process Peer-reviewed

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Katsuo Tsukamoto, Kenji Hanada, Ryo Suzuki, Masaru Tachibana, Kenichi Kojima

Crystal Growth & Design　19　(10)　5955-5960　2019/10

DOI： 10.1021/acs.cgd.9b01084 　
Secondary phase formation by liquid immiscibility in Ca3Ta(Ga1−xAlx)3Si2O14 melt Peer-reviewed

Yuki Honda, Hiromasa Niinomi, Jun Nozawa, Junpei Okada, Satoshi Uda

Journal of Crystal Growth　522　117-124　2019/09

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2019.06.022 　
In Situ Microscopic Observation on Surface Kinetics in Optical Trapping-Induced Crystal Growth: Step Formation, Wetting Transition, and Nonclassical Growth Peer-reviewed

Hiromasa Niinomi, Teruki Sugiyama, Toru Ujihara, Suxia Guo, Jun Nozawa, Junpei Okada, Takashige Omatsu, Satoshi Uda

Crystal Growth & Design　19　(7)　4138-4150　2019/07

DOI： 10.1021/acs.cgd.9b00600 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Effect of Substrate on Nucleation Rate of Two-Dimensional Colloidal Crystals Peer-reviewed

Suxia Guo, Jun Nozawa, Masashi Mizukami, Kazue Kurihara, Akiko Toyotama, Junpei Yamanaka, Hiromasa Niinomi, Junpei Okada, Satoshi Uda

Crystal Growth and Design　19　(6)　3215-3221　2019/06/05

DOI： 10.1021/acs.cgd.9b00069 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Plasmonic Trapping-Induced Crystallization of Acetaminophen Peer-reviewed

Hiromasa Niinomi, Teruki Sugiyama, Satoshi Uda, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Katsuhiko Miyamoto, Takashige Omatsu

Crystal Growth & Design　19　(2)　529-537　2019/02

DOI： 10.1021/acs.cgd.8b01361 　
In-Field Annealing and Quenching for Ferromagnetic MnBi under 19 T Peer-reviewed

Ryota Kobayashi, Yoshifuru Mitsui, Kohoki Takahashi, Satoshi Uda, Keiichi Koyama

IEEE Transactions on Magnetics　55　(2)　1000204-1-1000204-4　2019/02

DOI： 10.1109/TMAG.2018.2872105 　

ISSN： 0018-9464
Kink Distance and Binding Energy of Colloidal Crystals Peer-reviewed

Jun Nozawa, Satoshi Uda, Suxia Guo, Akiko Toyotama, Junpei Yamanaka, Naoki Ihara, Junpei Okada

Crystal Growth & Design　18　(10)　6078-6083　2018/10/03
Publisher: American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/acs.cgd.8b00942 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Instability of crystal/melt interface in Si-rich SiGe Peer-reviewed

M. Mokhtari, K. Fujiwara, G. Takakura, K. Maeda, H. Koizumi, J. Nozawa, S. Uda

Journal of Applied Physics　124　(8)　085104-1-085104-5　2018/08/28

DOI： 10.1063/1.5038755 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Importance of Hydration State around Proteins Required to Grow High-Quality Protein Crystals Peer-reviewed

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Katsuo Tsukamoto, Kenichi Kojima, Masaru Tachibana, Toru Ujihara

Crystal Growth & Design　18　(8)　4749-4755　2018/08

DOI： 10.1021/acs.cgd.8b00798 　
In-situ Observation of Chiral Symmetry Breaking in NaClO3 Chiral Crystallization Realized by Thermoplasmonic Micro-Stirring Peer-reviewed

Hiromasa Niinomi, Teruki Sugiyama, Miho Tagawa, Shunta Harada, Toru Ujihara, Satoshi Uda, Katsuhiko Miyamoto, Takashige Omatsu

Crystal Growth & Design　18　(8)　4230-4239　2018/08

DOI： 10.1021/acs.cgd.8b00420 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Step Kinetics Dependent on the Kink Generation Mechanism in Colloidal Crystal Growth Peer-reviewed

Jun Nozawa, Satoshi Uda, Suxia Guo, Akiko Toyotama, Junpei Yamanaka, Junpei Okada, Haruhiko Koizumi

Crystal Growth & Design　18　(5)　2948-2955　2018/05/02
Publisher: American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/acs.cgd.8b00063 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Crystallization Technique of High-Quality Protein Crystals Controlling Surface Free Energy Peer-reviewed

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Katsuo Tsukamoto, Masaru Tachibana, Kenichi Kojima, Junpei Okada, Jun Nozawa

CRYSTAL GROWTH & DESIGN　17　(12)　6712-6718　2017/12

DOI： 10.1021/acs.cgd.7b01315 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Heterogeneous Nucleation of Colloidal Crystals on a Glass Substrate with Depletion Attraction Peer-reviewed

Suxia Guo, Jun Nozawa, Sumeng Hu, Haruhiko Koizumi, Junpei Okada, Satoshi Uda

LANGMUIR　33　(40)　10543-10549　2017/10

DOI： 10.1021/acs.langmuir.7b01906 　

ISSN： 0743-7463
Effect of an External Electric Field on the Kinetics of Dislocation-Free Growth of Tetragonal Hen Egg White Lysozyme Crystals Peer-reviewed

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara, Junpei Okada, Jun Nozawa

CRYSTALS　7　(6)　170 (10pages)　2017/06

DOI： 10.3390/cryst7060170 　

ISSN： 2073-4352
Two-Dimensional Nucleation on the Terrace of Colloidal Crystals with Added Polymers Peer-reviewed

Jun Nozawa, Satoshi Uda, Suxia Guo, Sumeng Hu, Akiko Toyotama, Junpei Yamanaka, Junpei Okada, Haruhiko Koizumi

LANGMUIR　33　(13)　3262-3269　2017/04

DOI： 10.1021/acs.langmuir.6b04532 　

ISSN： 0743-7463
Effect of point defects on Curie temperature of lithium niobate Peer-reviewed

Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY　100　(3)　1118-1124　2017/03

DOI： 10.1111/jace.14701 　

ISSN： 0002-7820

eISSN： 1551-2916
Enhancement of the Phase Formation Rate during In-Field Solid-Phase Reactive Sintering of Mn-Bi Peer-reviewed

Daiki Miyazaki, Yoshifuru Mitsui, Rie Y. Umetsu, Kohki Takahashi, Satoshi Uda, Keiichi Koyama

MATERIALS TRANSACTIONS　58　(5)　720-723　2017

DOI： 10.2320/matertrans.MBW201609 　

ISSN： 1345-9678

eISSN： 1347-5320
Liquid immiscibility in a CTGS (Ca3TaGa3Si2O14) melt Peer-reviewed

Jun Nozawa, Hengyu Zhao, Chihiro Koyama, Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　454　82-86　2016/11

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.09.005 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Crystallization Technique for Strain-free Protein Crystals Using Cross-linked Seed Crystals Peer-reviewed

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Masaru Tachibana, Katsuo Tsukamoto, Kenichi Kojima, Jun Nozawa

CRYSTAL GROWTH & DESIGN　16　(10)　6089-6094　2016/10

DOI： 10.1021/acs.cgd.6b01136 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Importance of Determination of Crystal Quality in Protein Crystals when Performing High-Resolution Structural Analysis Peer-reviewed

Haruhiko Koizumi, Ryo Suzuki, Masaru Tachibana, Katsuo Tsukamoto, Izumi Yoshizaki, Seijiro Fukuyama, Yoshihisa Suzuki, Satoshi Uda, Kenichi Kojima

CRYSTAL GROWTH & DESIGN　16　(9)　4905-4909　2016/09

DOI： 10.1021/acs.cgd.6b00457 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Technique for High-Quality Protein Crystal Growth by Control of Subgrain Formation under an External Electric Field Peer-reviewed

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara, Masaru Tachibana, Kenichi Kojima, Jun Nozawa

CRYSTALS　6　(8)　95 (14pages)　2016/08

DOI： 10.3390/cryst6080095 　

ISSN： 2073-4352
Adsorption, Desorption, Surface Diffusion, Lattice Defect Formation, and Kink Incorporation Processes of Particles on Growth Interfaces of Colloidal Crystals with Attractive Interactions Peer-reviewed

Yoshihisa Suzuki, Yoshiaki Hattori, Jun Nozawa, Satoshi Uda, Akiko Toyotama, Junpei Yamanaka

CRYSTALS　6　(7)　80 (11pages)　2016/07

DOI： 10.3390/cryst6070080 　

ISSN： 2073-4352
Effect of grain boundary grooves at the crystal/melt interface on impurity accumulation during the unidirectional growth of multicrystalline silicon Peer-reviewed

Morgane Mokhtari, Kozo Fujiwara, Haruhiko Koizumi, Jun Nozawa, Satoshi Uda

SCRIPTA MATERIALIA　117　73-76　2016/05

DOI： 10.1016/j.scriptamat.2016.02.027 　

ISSN： 1359-6462
Effect of Solid-Liquid Interface Morphology on Grain Boundary Segregation during Colloidal Polycrystallization Peer-reviewed

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Suxia Guo, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

CRYSTAL GROWTH & DESIGN　16　(5)　2765-2770　2016/05

DOI： 10.1021/acs.cgd.6b00066 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Orientation-dependent impurity partitioning of colloidal crystals Peer-reviewed

Jun Nozawa, Satoshi Uda, Sumeng Hu, Kozo Fujiwara, Haruhiko Koizumi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　439　13-18　2016/04

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2015.12.047 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Grain Boundary Segregation of Impurities During Polycrystalline Colloidal Crystallization Peer-reviewed

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

CRYSTAL GROWTH & DESIGN　15　(12)　5685-5692　2015/12

DOI： 10.1021/acs.cgd.5b00646 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Crystallization of high-quality protein crystals using an external electric field Peer-reviewed

H. Koizumi, S. Uda, K. Fujiwara, M. Tachibana, K. Kojima, J. Nozawa

JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY　48　(5)　1507-1513　2015/10

DOI： 10.1107/S1600576715015885 　

ISSN： 1600-5767
Segregation of Ge in B and Ge codoped Czochralski-Si crystal growth Peer-reviewed

Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda, Yasuhiro Hayakawa

JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS　639　588-592　2015/08

DOI： 10.1016/j.jallcom.2015.03.155 　

ISSN： 0925-8388

eISSN： 1873-4669
The solid-solution region for the langasite-type Ca3TaGa3Si2O14 crystal as determined by a lever rule Peer-reviewed

Hengyu Zhao, Satoshi Uda, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　415　111-117　2015/04

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2014.12.042 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
In-situ Observation and Differential Thermal Analysis of MnBi in High Magnetic Fields Peer-reviewed

Daiki Miyazaki, Yoshifuru Mitsui, Ken Ichi Abematsu, Kohki Takahashi, Kazuo Watanabe, Satoshi Uda, Keiichi Koyama

Physics Procedia　75　1324-1331　2015

DOI： 10.1016/j.phpro.2015.12.148 　

ISSN： 1875-3884

eISSN： 1875-3892
In-situ observation and differential thermal analysis of MnBi in high magnetic fields Peer-reviewed

Daiki Miyazaki, Yoshifuru Mitsui, Ken-ichi Abematsu, Kohki Takahashi, Kazuo Watanabe, Satoshi Uda, Keiichi Koyama

20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON MAGNETISM, ICM 2015　75　1324-1331　2015

DOI： 10.1016/j.phpro.2015.12.148 　

ISSN： 1875-3892
Investigation of defect structure of impurity-doped lithium niobate by combining thermodynamic constraints with lattice constant variations Peer-reviewed

Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　117　(1)　014102-1-014102-7　2015/01

DOI： 10.1063/1.4905286 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Stoichiometry of Oxide Crystals Peer-reviewed

Satoshi Uda

Handbook of Crystal Growth: Second Edition　1　175-214　2014/12/24
Publisher: Elsevier Inc.
DOI： 10.1016/B978-0-444-56369-9.00004-6 　
Control of Subgrain Formation in Protein Crystals by the Application of an External Electric Field Peer-reviewed

H. Koizumi, S. Uda, K. Fujiwara, M. Tachibana, K. Kojima, J. Nozawa

CRYSTAL GROWTH & DESIGN　14　(11)　5662-5667　2014/11

DOI： 10.1021/cg500946b 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Partitioning of ionic species during growth of impurity-doped lithium niobate by electric current injection Peer-reviewed

Jun Nozawa, Shintaro Iida, Chihiro Koyama, Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　406　78-84　2014/11

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2014.08.001 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Preface of the "symposium on synthesis and growth under external fields" Peer-reviewed

Satoshi Uda

AIP Conference Proceedings　1618　260-260　2014/10/06
Publisher: American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.4897722 　

ISSN： 1551-7616 0094-243X
Dislocations in High-Quality Glucose Isomerase Crystals Grown from Seed Crystals Peer-reviewed

H. Koizumi, M. Tachibana, I. Yoshizaki, S. Fukuyama, K. Tsukamoto, Y. Suzuki, S. Uda, K. Kojima

CRYSTAL GROWTH & DESIGN　14　(10)　5111-5116　2014/10

DOI： 10.1021/cg500731v 　

ISSN： 1528-7483

eISSN： 1528-7505
Crystal growth and equilibrium crystal shapes of silicon in the melt Peer-reviewed

Xinbo Yang, K. Fujiwara, K. Maeda, J. Nozawa, H. Koizumi, S. Uda

PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS　22　(5)　574-580　2014/05

DOI： 10.1002/pip.2290 　

ISSN： 1062-7995

eISSN： 1099-159X
Instability of crystal/melt interface including twin boundaries of silicon Peer-reviewed

K. Fujiwara, M. Tokairin, W. Pan, H. Koizumi, J. Nozawa, S. Uda

APPLIED PHYSICS LETTERS　104　(18)　182110-1-182110-5　2014/05

DOI： 10.1063/1.4876177 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Crystal Growth under External Electric Fields Peer-reviewed

Satoshi Uda, Haruhiko Koizumi, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara

INTERNATIONAL CONFERENCE OF COMPUTATIONAL METHODS IN SCIENCES AND ENGINEERING 2014 (ICCMSE 2014)　1618　261-264　2014

DOI： 10.1063/1.4897723 　

ISSN： 0094-243X
Enhancement of Crystal Homogeneity of Protein Crystals under Application of an External Alternating Current Electric Field Peer-reviewed

H. Koizumi, S. Uda, K. Fujiwara, M. Tachibana, K. Kojima, J. Nozawa

INTERNATIONAL CONFERENCE OF COMPUTATIONAL METHODS IN SCIENCES AND ENGINEERING 2014 (ICCMSE 2014)　1618　265-268　2014

DOI： 10.1063/1.4897724 　

ISSN： 0094-243X
Electrical conduction mechanism in La3Ta0.5Ga5.3Al0.2O14 single crystals Peer-reviewed

Ritsuko Yaokawa, Katsumi Aota, Satoshi Uda

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　114　(22)　224101　2013/12

DOI： 10.1063/1.4839955 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Grown-in microdefects and photovoltaic characteristics of heavily Ge co-doped Czochralski-grown p-type silicon crystals Peer-reviewed

Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda, Yasuhiro Hayakawa, Makoto Konagai

SCRIPTA MATERIALIA　69　(9)　686-689　2013/11

DOI： 10.1016/j.scriptamat.2013.07.033 　

ISSN： 1359-6462
Growth of congruent-melting lithium tantalate crystal with stoichiometric structure by MgO doping Peer-reviewed

Shunsuke Fujii, Satoshi Uda, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Tomio Kajigaya

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　383　63-66　2013/11

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.08.020 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
The effect of grain boundary characteristics on the morphology of the crystal/melt interface of multicrystalline silicon Peer-reviewed

Kozo Fujiwara, Masaya Ishii, Kensaku Maeda, Haruhiko Koizumi, Jun Nozawa, Satoshi Uda

Scripta Materialia　69　(3)　266-269　2013/08

DOI： 10.1016/j.scriptamat.2013.04.015 　

ISSN： 1359-6462
Evaluation of crystalline silicon solar cells by current-modulating four-point-probe method Peer-reviewed

Wugen Pan, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

APPLIED PHYSICS LETTERS　103　(4)　043903 (3 pages)　2013/07

DOI： 10.1063/1.4816783 　

ISSN： 0003-6951
Impurity Partitioning During Colloidal Crystallization Peer-reviewed

Jun Nozawa, Satoshi Uda, Yuhei Naradate, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Akiko Toyotama, Junpei Yamanaka

The Journal of Physical Chemistry B　117　(17)　5289-5295　2013/05/02
Publisher: American Chemical Society (ACS)
DOI： 10.1021/jp309550y 　

ISSN： 1520-6106

eISSN： 1520-5207
Improvement of crystal quality for tetragonal hen egg white lysozyme crystals under application of an external alternating current electric field Peer-reviewed

H. Koizumi, S. Uda, K. Fujiwara, M. Tachibana, K. Kojima, J. Nozawa

JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY　46　(1)　25-29　2013/02

DOI： 10.1107/S0021889812048716 　

ISSN： 0021-8898

eISSN： 1600-5767
Fabrication of Quasi-Phase-Matching Structure during Paraelectric Borate Crystal Growth Peer-reviewed

Kensaku Maeda, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Shun-ichi Sato, Yuichi Kozawa, Takahiro Nakamura

APPLIED PHYSICS EXPRESS　6　(1)　015501 (3pages)　2013/01

DOI： 10.7567/APEX.6.015501 　

ISSN： 1882-0778
Germanium-doped Czochralski silicon: a novel material for solar cells Peer-reviewed

Mukannan Arivanandhan, Gotoh Raira, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda, Yasuhiro Hayakawa, Makoto Konagai

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 12　10　(12)　1746-1749　2013

DOI： 10.1002/pssc.201300394 　

ISSN： 1862-6351
Effect of silicon/crucible interfacial energy on orientation of multicrystalline silicon ingot in unidirectional growth Peer-reviewed

K. Fujiwara, K. Maeda, H. Koizumi, J. Nozawa, S. Uda

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　112　(11)　113521 (5pages)　2012/12

DOI： 10.1063/1.4769742 　

ISSN： 0021-8979
Nucleation rate enhancement of porcine insulin by application of an external AC electric field Peer-reviewed

H. Koizumi, Y. Tomita, S. Uda, K. Fujiwara, J. Nozawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　352　(1)　155-157　2012/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2012.03.006 　

ISSN： 0022-0248
Crystal and faceted dendrite growth of silicon near (100) Peer-reviewed

Xinbo Yang, K. Fujiwara, R. Gotoh, K. Maeda, J. Nozawa, H. Koizumi, S. Uda

ACTA MATERIALIA　60　(8)　3259-3267　2012/05

DOI： 10.1016/j.actamat.2012.03.010 　

ISSN： 1359-6454
The Impact of Ge Codoping on the Enhancement of Minority Carrier Lifetime in B-doped Czochralski ?Grown Si Peer-reviewed

M.ARIVANANDHAN, R.GOTOH, T.WATAHIKI, K.FUJIWARA, Y.HAYAKAWA, S.UDA, M.KONAGAI

J.Applied Phys　111　043707-1　2012/04

DOI： 10.1063/1.3687935 　
Control of Gibbs free energy relationship between hen egg white lysozyme polymorphs under application of an external alternating current electric field Peer-reviewed

Y. Tomita, H. Koizumi, S. Uda, K. Fujiwara, J. Nozawa

JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY　45　(2)　207-212　2012/04

DOI： 10.1107/S002188981200249X 　

ISSN： 0021-8898
The critical growth velocity for planar-to-faceted interfaces transformation in SiGe crystals Peer-reviewed

Xinbo Yang, K. Fujiwara, N. V. Abrosimov, R. Gotoh, J. Nozawa, H. Koizumi, A. Kwasniewski, S. Uda

APPLIED PHYSICS LETTERS　100　(14)　141601 (4pages)　2012/04

DOI： 10.1063/1.3698336 　

ISSN： 0003-6951
The impact of Ge codoping on the enhancement of photovoltaic characteristics of B-doped Czochralski grown Si crystal Peer-reviewed

Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Tatsuro Watahiki, Kozo Fujiwara, Yasuhiro Hayakawa, Satoshi Uda, Makoto Konagai

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(4)　043707 (6pages)　2012/02

DOI： 10.1063/1.3687935 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Formation mechanism of cellular structures during unidirectional growth of binary semiconductor Si-rich SiGe materials Peer-reviewed

Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Xinbo Yang, Haruhiko Koizumi, Jun Nozawa, Satoshi Uda

APPLIED PHYSICS LETTERS　100　(2)　021903 (4pages)　2012/01

DOI： 10.1063/1.3675860 　

ISSN： 0003-6951
Boron-oxygen defect in Czochralski-silicon co-doped with gallium and boron Peer-reviewed

M. Forster, E. Fourmond, F. E. Rougieux, A. Cuevas, R. Gotoh, K. Fujiwara, S. Uda, M. Lemiti

APPLIED PHYSICS LETTERS　100　(4)　042110 (4pages)　2012/01

DOI： 10.1063/1.3680205 　

ISSN： 0003-6951
Contributions to anelasticity in langasite and langatate Peer-reviewed

Ward L. Johnson, Sudook A. Kim, Satoshi Uda, Christine F. Rivenbark

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　110　(12)　123528　2011/12

DOI： 10.1063/1.3672443 　

ISSN： 0021-8979
Formation mechanism of twin boundaries in lithium tetraborate Peer-reviewed

K. Maeda, K. Fujiwara, J. Nozawa, H. Koizumi, S. Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　331　(1)　78-82　2011/09

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2011.07.018 　

ISSN： 0022-0248
Control of Effect on the Nucleation Rate for Hen Egg White Lysozyme Crystals under Application of an External ac Electric Field Peer-reviewed

H. Koizumi, S. Uda, K. Fujiwara, J. Nozawa

LANGMUIR　27　(13)　8333-8338　2011/07

DOI： 10.1021/la2010985 　

ISSN： 0743-7463
Morphological transformation of a crystal-melt interface during unidirectional growth of silicon Peer-reviewed

K. Fujiwara, R. Gotoh, X. B. Yang, H. Koizumi, J. Nozawa, S. Uda

ACTA MATERIALIA　59　(11)　4700-4708　2011/06

DOI： 10.1016/j.actamat.2011.04.016 　

ISSN： 1359-6454
Precipitation Phenomena in and Electrical Resistivity of High-Temperature Treated Langatate (La3Ta0.5Ga5.5O14) Peer-reviewed

Ritsuko Yaokawa, Hiromitsu Kimura, Katsumi Aota, Satoshi Uda

IEEE TRANSACTIONS ON ULTRASONICS FERROELECTRICS AND FREQUENCY CONTROL　58　(6)　1131-1139　2011/06

DOI： 10.1109/TUFFC.2011.1922 　

ISSN： 0885-3010
Dependence of Si-Faceted Dendrite Growth Orientation on Twin Spacing and Undercooling Peer-reviewed

Xinbo Yang, K. Fujiwara, K. Maeda, J. Nozawa, H. Koizumi, S. Uda

CRYSTAL GROWTH & DESIGN　11　(4)　1402-1410　2011/04

DOI： 10.1021/cg101721v 　

ISSN： 1528-7483
The impact of Ge codoping on grown-in O precipitates in Ga-doped Czochralski-silicon Peer-reviewed

Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Tetsuo Ozawa, Yasuhiro Hayakawa, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　321　(1)　24-28　2011/04

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2011.02.028 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Acoustic damping in resonators of langasite and langatate at elevated temperatures Peer-reviewed

Ward L. Johnson, Sudook. A. Kim, Satoshi Uda, Christine F. Rivenbark

Proceedings of IEEE Sensors　1636-1639　2011

DOI： 10.1109/ICSENS.2011.6127199 　
Dependence of Si faceted dendrite growth velocity on undercooling Peer-reviewed

Yang Xinbo, Kozo Fujiwara, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda

Appl. Phys. Lett.　98　(4)　012113-1410　2011

DOI： 10.1021/cg101721v 　
Dependence of Si faceted dendrite growth velocity on undercooling Peer-reviewed

Xinbo Yang, K. Fujiwara, K. Maeda, J. Nozawa, H. Koizumi, S. Uda

APPLIED PHYSICS LETTERS　98　(1)　012113　2011/01

DOI： 10.1063/1.3543623 　

ISSN： 0003-6951
Ionic impurity transport and partitioning at the solid-liquid interface during growth of lithium niobate under an external electric field by electric current injection Peer-reviewed

S. Uda, T. Tsubota

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　312　(24)　3650-3657　2010/12

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.09.052 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
First principles calculation of La3Ta0.5Ga5.5O14 crystal with acceptor-like intrinsic point defects Peer-reviewed

Chan-Yeup Chung, Ritsuko Yaokawa, Hiroshi Mizuseki, Satoshi Uda, Yoshiyuki Kawazoe

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　108　(11)　113505　2010/12

DOI： 10.1063/1.3514008 　

ISSN： 0021-8979
Bulk crystal growth of congruent MgO-doped LiNbO3 crystal with stoichiometric structure and its second-harmonic-generation properties Peer-reviewed

Hiromitsu Kimura, Tetsuo Taniuchi, Shintaro Iida, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　312　(23)　3425-3427　2010/11

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.08.056 　

ISSN： 0022-0248
Effect of various precipitants on the nucleation rate of tetragonal hen egg-white lysozyme crystals in an AC external electric field Peer-reviewed

H. Koizumi, S. Uda, K. Fujiwara, J. Nozawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　312　(23)　3503-3508　2010/11

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.09.006 　

ISSN： 0022-0248
Ga segregation during Czochralski-Si crystal growth with Ge codoping Peer-reviewed

Raira Gotoh, M. Arivanandhan, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　312　(20)　2865-2870　2010/10

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2010.07.007 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Effect of twin spacing on the growth velocity of Si faceted dendrites Peer-reviewed

Xinbo Yang, Kozo Fujiwara, Raira Gotoh, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(17)　172104　2010/10

DOI： 10.1063/1.3501974 　

ISSN： 0003-6951
Electrical conduction mechanism in nonstoichiometric La3Ta0.5Ga5.5O14 Peer-reviewed

Ritsuko Yaokawa, Satoshi Uda, Hiromitsu Kimura, Katsumi Aota

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　108　(6)　064112　2010/09

DOI： 10.1063/1.3478772 　

ISSN： 0021-8979
「講演奨励賞受賞記念講演」MgO添加により化学量論組成と調和融解組成を一致させたニオブ酸リチウムバルク単結晶のSHG特性

木村博充, 小泉晴比古, 杉山和正, 谷内哲夫, 宇田聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2010.2　3040-3040　2010/08/30
Publisher: 公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_3040 　

eISSN： 2436-7613
Role of the Electric Double Layer in Controlling the Nucleation Rate for Tetragonal Hen Egg White Lysozyme Crystals by Application of an External Electric Field Peer-reviewed

H. Koizumi, K. Fujiwara, S. Uda

CRYSTAL GROWTH & DESIGN　10　(6)　2591-2595　2010/06

DOI： 10.1021/cg901621x 　

ISSN： 1528-7483
Growth mechanism of the Si < 110 > faceted dendrite Peer-reviewed

K. Fujiwara, H. Fukuda, N. Usami, K. Nakajima, S. Uda

PHYSICAL REVIEW B　81　(22)　224106　2010/06

DOI： 10.1103/PhysRevB.81.224106 　

ISSN： 1098-0121
The radial distribution of dopant (Cr, Nd, Yb, or Ce) in yttrium aluminum garnet (Y3Al5O12) single crystals grown by the micro-pulling-down method Peer-reviewed

Rayko Simura, Akira Yoshikawa, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　311　(23-24)　4763-4769　2009/12

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2009.07.012 　

ISSN： 0022-0248
Growth behavior of faceted Si crystals at grain boundary formation Peer-reviewed

K. Fujiwara, S. Tsumura, M. Tokairin, K. Kutsukake, N. Usami, S. Uda, K. Nakajima

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　312　(1)　19-23　2009/12

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2009.09.055 　

ISSN： 0022-0248
Polarization mechanism of LiNbO3 crystal due to thermoelectric power and current-induced electric fields during growth via micro-pulling-down method Peer-reviewed

Yuma Tsuboi, Hiromitsu Kimura, Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　311　(16)　4089-4093　2009/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2009.06.053 　

ISSN： 0022-0248
Conversion of non-stoichiometry of LiNbO3 to constitutional stoichiometry by impurity doping Peer-reviewed

Hiromitsu Kimura, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　311　(16)　4094-4101　2009/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2009.06.038 　

ISSN： 0022-0248
Effects of B and Ge codoping on minority carrier lifetime in Ga-doped Czochralski-silicon Peer-reviewed

Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　106　(1)　013721　2009/07

DOI： 10.1063/1.3159038 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Control of Nucleation Rate for Tetragonal Hen-Egg White Lysozyme Crystals by Application of an Electric Field with Variable Frequencies Peer-reviewed

H. Koizumi, K. Fujiwara, S. Uda

CRYSTAL GROWTH & DESIGN　9　(5)　2420-2424　2009/05

DOI： 10.1021/cg801315p 　

ISSN： 1528-7483
Influence of impurity doping on the partitioning of intrinsic ionic species during the growth of LiNbO3 crystal from the melt Peer-reviewed

Hiromitsu Kimura, Haruhiko Koizumi, Takashi Uchida, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　311　(6)　1553-1558　2009/03

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2008.09.178 　

ISSN： 0022-0248
Temperature Dependences of Acceptor Concentration, Conductivity Mobility, and Resistivity of Ga-Doped Czochralski-Si Crystals Peer-reviewed

Takeshi Hoshikawa, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Ichiro Yonenaga, Satoshi Uda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　48　(3)　031102　2009/03

DOI： 10.1143/JJAP.48.031102 　

ISSN： 0021-4922
High minority carrier lifetime in Ga-doped Czochralski-grown silicon by Ge codoping Peer-reviewed

Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

APPLIED PHYSICS LETTERS　94　(7)　072102　2009/02

DOI： 10.1063/1.3085959 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
M. Arivanandhan, R. Gotoh, K. Fujiwara and S. Uda Peer-reviewed

M. Arivanandhan, R. Gotoh, K. Fujiwara, S. Uda

Appl. Phys. Lett.　94　072102　2009
Relationship between Gallium Concentration and Resistivity of Gallium-Doped Czochralski Silicon Crystals: Investigation of a Conversion Curve Peer-reviewed

Takeshi Hoshikawa, Xinming Huang, Keigo Hoshikawa, Satoshi Uda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　47　(12)　8691-8695　2008/12

DOI： 10.1143/JJAP.47.8691 　

ISSN： 0021-4922
Phase Equilibria and Growth of Langasite-Type Crystals Peer-reviewed

Satoshi Uda, Shou-Qi Wang, Hiromitsu Kimura, Xinming Huang

Crystal Growth Technology: From Fundamentals and Simulation to Large-scale Production　380-414　2008/11/25
Publisher: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
DOI： 10.1002/9783527623440.ch15 　
Directional growth of organic- NLO crystal by different growth methods: A comparative study by means of XRD, HRXRD and laser damage threshold Peer-reviewed

M. Arivanandhan, Xinming Huang, Satoshi Uda, G. Bhagavannarayana, N. Vijayan, K. Sankaranarayanan, P. Ramasamy

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　310　(21)　4587-4592　2008/10

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2008.08.036 　

ISSN： 0022-0248
Activities and equilibrium partition coefficients of solute constituents in the melts of oxide materials with and without solid solution Peer-reviewed

Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　310　(16)　3864-3868　2008/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2008.05.042 　

ISSN： 0022-0248
Change of melting temperature of non-doped and Mg-doped lithium niobate under an external electric field Peer-reviewed

Rayko Simura, Kodai Nakamura, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　310　(16)　3873-3877　2008/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2008.05.049 　

ISSN： 0022-0248
Ga segregation in Czochralski-Si crystal growth with B codoping Peer-reviewed

Xinming Huang, M. Arivanandhan, Raira Gotoh, Takeshi Hoshikawa, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　310　(14)　3335-3341　2008/07

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2008.04.013 　

ISSN： 0022-0248
The effect of growth atmosphere and Ir contamination on electric properties of La(3)Ta(0.5)Ga(5.5)O(14) single crystal grown by the floating zone and Czochralski method Peer-reviewed

Hiromitsu Kimura, Satoshi Uda, Oleg Buzanov, Xinming Huang, Shinji Koh

JOURNAL OF ELECTROCERAMICS　20　(2)　73-80　2008/04

DOI： 10.1007/s10832-007-9349-2 　

ISSN： 1385-3449
Growth of stable shaped single crystals by the micro-pulling-down method with automatic power control system Peer-reviewed

Rayko Simura, Vladimir V. Kochurikhin, Akira Yoshikawa, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　310　(7-9)　2148-2151　2008/04

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.082 　

ISSN： 0022-0248
In situ observations of crystal growth of spherical Si single crystals Peer-reviewed

Xinining Huang, Satoshi Uda, Hideyoshi Tanabe, Nobuyuki Kitahara, Hisao Arimune, Keigo Hoshikawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　307　(2)　341-347　2007/09

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.07.005 　

ISSN： 0022-0248
Effect of an external electric field on the crystal growth process of YBCO superconductive oxide Peer-reviewed

Xinming Huang, Satoshi Uda, Shinji Koh

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　307　(2)　432-439　2007/09

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.06.021 　

ISSN： 0022-0248
Si multicrystals grown by the Czochralski method with multi-seeds Peer-reviewed

Takeshi Hoshikawa, Toshinori Taishi, Xinming Huang, Satoshi Uda, Muneyoshi Yamatani, Katsuhiko Shirasawa, Keigo Hoshikawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　307　(2)　466-471　2007/09

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.06.032 　

ISSN： 0022-0248
Electric current induced compositional variation in LiNbO3 fiber crystal grown by a micro-pulling down method Peer-reviewed

Yukinaga Azuma, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　306　(1)　217-224　2007/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.04.051 　

ISSN： 0022-0248
Partitioning of ionic species and crystallization electromotive force during the melt growth of LiNbO3 and L12B4O7 Peer-reviewed

Shinji Koh, Satoshi Uda, Xinming Huang

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　306　(2)　406-412　2007/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.05.008 　

ISSN： 0022-0248
Analysis of the reaction at the interface between Si melt and Ba-doped silica glass Peer-reviewed

Xinming Huang, Takeshi Hoshikawa, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　306　(2)　422-427　2007/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.05.020 　

ISSN： 0022-0248
Influence of crystalline defects in Czochralski-grown Si multicrystal on minority carrier lifetime Peer-reviewed

Toshinori Taishi, Takeshi Hoshikawa, Muneyoshi Yamatani, Katsuhiko Shirasawa, Xinming Huang, Satoshi Uda, Keigo Hoshikawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　306　(2)　452-457　2007/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.05.042 　

ISSN： 0022-0248
Erratum to "Motion of etch defects on (0 0 1) Li2B4O7 single crystal wafer" [Opt. Mater. 26 (2004) 479-482] (DOI:10.1016/j.optmat.2003.12.023) Peer-reviewed

Masahiro Yano, Noriko Watanabe, Satoshi Uda, Hiroyuki Shiraishi, Ichiro Sekine

Optical Materials　29　(4)　449-450　2006/12

DOI： 10.1016/j.optmat.2006.07.005 　

ISSN： 0925-3467
Study of the mechanism of crystallization electromotive force during growth of congruent LiNbO3 using a micro-pulling-down method Peer-reviewed

Shinji Koh, Satoshi Uda, Masahiro Nishida, Xinming Huang

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　297　(1)　247-258　2006/12

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.09.041 　

ISSN： 0022-0248
In situ observation of crystal growth process of YBCO superconductive oxide with an external electric field Peer-reviewed

Xinming Huang, Satoshi Uda, Xin Yao, Shinji Koh

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　294　(2)　420-426　2006/09

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.06.021 　

ISSN： 0022-0248
Relationship between incongruent-melting langatate (La(3)Ta(0.5)Ga(5.5)O(14)) and associated phases in the system La(2)O(3)-Ga(2)O(3)-Ta(2)O(5) Peer-reviewed

Hiromitsu Kimura, Satoshi Uda, Xinming Huang

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　295　(1)　36-43　2006/09

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.07.022 　

ISSN： 0022-0248
The electric field-induced transformation of the melting state of langasite from incongruent into congruent Peer-reviewed

Satoshi Uda, Shinji Koh, Xinming Huang

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　292　(1)　1-4　2006/06

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.04.091 　

ISSN： 0022-0248
Segregation of Ga during growth of Si single crystal Peer-reviewed

T Hoshikawa, Huang, X, S Uda, T Taishi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　290　(2)　338-340　2006/05

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.01.026 　

ISSN： 0022-0248
Temperature dependence of Raman scattering in Si crystals with heavy B and/or Ge doping Peer-reviewed

Xinming Huang, Kehui Wu, Mingwei Chen, Taishi Toshinori, Keigo Hoshikawa, Shinji Koh, Satoshi Uda

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING　9　(1-3)　257-260　2006/02

DOI： 10.1016/j.mssp.2006.01.050 　

ISSN： 1369-8001
Effect of heavy boron doping on pressure-induced phase transitions in single-crystal silicon Peer-reviewed

XQ Yan, XM Huang, S Uda, MW Chen

APPLIED PHYSICS LETTERS　87　(19)　Art. No.191911　2005/11

DOI： 10.1063/1.2120920 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Growth of langasite-type crystals and their device properties Invited Peer-reviewed

S. Uda

3rd International Workshop on Crystal Growth Technology, Beatenberg, Switzerland　153-162　2005/09
Transformation of the incongruent-melting state to the congruent-melting state via an external electric field for the growth of langasite Peer-reviewed

S Uda, XM Huang, S Koh

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　281　(2-4)　481-491　2005/08

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2005.04.072 　

ISSN： 0022-0248
Reaction at the interface between Si melt and a Ba-doped silica crucible Peer-reviewed

XM Huang, SJ Koh, KH Wu, MW Chen, T Hoshikawa, K Hoshikawa, S Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　277　(1-4)　154-161　2005/04

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2005.01.101 　

ISSN： 0022-0248
Growth technology of piezoelectric langasite single crystal Peer-reviewed

S Uda, SQ Wang, N Konishi, H Inaba, J Harada

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　275　(1-2)　251-258　2005/02

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.10.099 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
Robust Si wafer Peer-reviewed

Xinming Huang, Tsuyoshi Sato, Masami Nakanishi, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　275　(1-2)　E401-E407　2005/02

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.010 　

ISSN： 0022-0248
The effect of an external electric field on the growth of incongruent-melting material Peer-reviewed

Satoshi Uda, Xinming Huang, Shou-Qi Wang

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　275　(1-2)　E1513-E1519　2005/02

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.184 　

ISSN： 0022-0248
Growth of langasite vai Bridgman technique along [0001], [2110] and [0111] for piezoelectric applications Peer-reviewed

S Uda, H Inaba, J Harada, K Hoshikawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　271　(1-2)　229-237　2004/10

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.07.072 　

ISSN： 0022-0248
Motion of etch defects on (001) Li2B4O7 single crystal wafer Peer-reviewed

M Yano, N Watanabe, S Uda, H Shiraishi, Sekine, I

OPTICAL MATERIALS　26　(4)　479-482　2004/09

DOI： 10.1016/j.optmat.2003.12.023 　

ISSN： 0925-3467
Third International Symposium on Lasers and Nonlinear Optical Materials - ISLNOM-3 - Keystone, Colorado, July 20-23, 2003 - Preface Invited

G Boulon, S Uda

OPTICAL MATERIALS　26　(4)　V-V　2004/09

DOI： 10.1016/j.optmat.2004.02.004 　

ISSN： 0925-3467
Fabrication of p-i-n Si0.5Ge0.5 photodetctors on SiGe-on-insulator substrates Peer-reviewed

S Koh, K Sawano, Y Shiraki, N Usami, K Nakajima, Huang, X, S Uda

2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS　61-63　2004
A wireless surface acoustic wave temperature sensor using langasite as substrate material for high-temperature applications Peer-reviewed

SQ Wang, J Harada, S Uda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　42　(9B)　6124-6127　2003/09

DOI： 10.1143/jjap.42.6124 　

ISSN： 0021-4922
Elastic, anelastic, and piezoelectric coefficients of langasite: Resonance ultrasound spectroscopy with laser-doppler interferometry Peer-reviewed

H Ogi, N Nakamura, K Sato, M Hirao, S Uda

IEEE TRANSACTIONS ON ULTRASONICS FERROELECTRICS AND FREQUENCY CONTROL　50　(5)　553-560　2003/05

DOI： 10.1109/TUFFC.2003.1201468 　

ISSN： 0885-3010
Phase relations around langasite (La(3)Ga(5)SiO(14)) in the system La(2)O(3)-Ga(2)O(3)-SiO(2) in air Peer-reviewed

SQ Wang, S Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　250　(3-4)　463-470　2003/04

DOI： 10.1016/S0022-0248(02)02489-2 　

ISSN： 0022-0248
Acoustic loss in langasite and langanite

Ward L. Johnson, Sudook A. Kim, Satoshi Uda

Proceedings of the Annual IEEE International Frequency Control Symposium　646-649　2003

ISSN： 0161-6404
Acoustic loss in langasite and langanite

WL Johnson, SA Kim, S Uda

PROCEEDINGS OF THE 2003 IEEE INTERNATIONAL FREQUENCY CONTROL SYMPOSIUM & PDA EXHIBITION JOINTLY WITH 17TH EUROPEAN FREQUENCY AND TIME FORUM　646-649　2003

DOI： 10.1109/FREQ.2003.1275167 　

ISSN： 1075-6787
Growth habits of 3 and 4-inch langasite single crystals Peer-reviewed

S Uda, SQ Wang, N Konishi, H Inaba, J Harada

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　237　707-713　2002/04

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)02007-3 　

ISSN： 0022-0248
Distribution coefficient at solid/liquid interface in melt growth of Si

INOUE Naohisa, MORI Atsushi, UDA Satoshi, MIKAYAMA Takeshi, HARADA Hideaki

Proceedings of the Sixth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics　17-20　2002/03

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0312Rev
Study of electrode materials effect on NSPUDT properties of Langasite Peer-reviewed

S.Wang, R.Kimura, K.Yamaguchi, J.Harada, S.Uda, K.Hasegawa

Japanese Journal of applied physics　40　(9B)　5710-5714　2001/09
Publisher: The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.1143/JJAP.40.5710 　

ISSN： 0021-4922

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In this study, we carried out experimental research on the directivity of surface acoustic wave (SAW) filters with Al, W and Ta electrodes formed on langasite single-crystal wafers, in order to find electrode materials that make the natural unidirectionality disappear. The results proved that by using W and Ta, the natural unidirectionality disappears at the normalized thickness (h/λ) of 0.033-0.037. This suggests a potential application of these metals as electrode materials for langasite-based SAW filters so that the design process of the single-phase unidirectional transducer (SPUDT) filter can be simplified by using tools for conventional SPUDT filters.
Effects of electrode materials on natural unidirectionality of langasite Peer-reviewed

SQ Wang, R Kimura, K Yamaguchi, J Harada, S Uda, K Hasegawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　40　(9B)　5710-5714　2001/09

DOI： 10.1143/JJAP.40.5710 　

ISSN： 0021-4922
Characterization of homogeneity of langasite wafers using bulk-wave measurement Peer-reviewed

SQ Wang, S Uda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　40　(5B)　3538-3543　2001/05

DOI： 10.1143/JJAP.40.3538 　

ISSN： 0021-4922
Study of congruent-melting composition of langasite and its effects on crystal quality Peer-reviewed

SQ Wang, J Harada, S Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　219　(3)　263-268　2000/10

DOI： 10.1016/S0022-0248(00)00620-5 　

ISSN： 0022-0248
A new nondestructive evaluation method for surface acoustic wave velocity Peer-reviewed

CY Jian, A Tsuboi, S Uda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　39　(9B)　5629-5631　2000/09

DOI： 10.1143/JJAP.39.5629 　

ISSN： 0021-4922
ランガサイト単結晶の育成と評価

宇田聡

日本結晶成長学会誌　27　(2)　76-81　2000/07/15
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
DOI： 10.19009/jjacg.27.2_76 　

ISSN： 0385-6275

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A Macro defect-free langasite (La_3Ga_5SiO_<14>) crystal 3" in diameter was grown along its Z-axis by the conventional Czochralski technique. The grown crystal represents clear faceting on (0001) and (011^^-0) faces, forming a basal Z plane and hexagonal columnar Y plane, respectively. Holding melt at the temperature close to the equilibrium melting temperature makes the supercooling degree appropriate for the development of the (0001) facet plane. A good balance between convection and surface stability of (0001) plane leads to the uniform interface during growth. The homogeneity in composition was investigated two-dimensionally by the X-ray Bond diffraction method. The congruent melt composition for langasite is also discussed relative to the stoichiometric composition.
Growth of a 3 '' langasite crystal with clear faceting Peer-reviewed

S Uda, O Buzanov

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　211　(1-4)　318-324　2000/04

DOI： 10.1016/S0022-0248(99)00788-5 　

ISSN： 0022-0248
Ti : LiNbO3 waveguide polarizer with a Zn-doped overlayer prepared by liquid-phase epitaxy Peer-reviewed

J Ichikawa, S Uda, K Shimamura, T Fukuda, H Nagata, J Minowa

APPLIED PHYSICS LETTERS　76　(12)　1498-1500　2000/03

DOI： 10.1063/1.126075 　

ISSN： 0003-6951
Surface damage and radiation resistance of lithium tetraborate single crystals Peer-reviewed

T Sugawara, R Komatsu, S Uda

OPTICAL MATERIALS　13　(2)　225-229　1999/11

DOI： 10.1016/S0925-3467(98)00087-1 　

ISSN： 0925-3467
Growth of 3-inch langasite single crystal and its application to substrate for surface acoustic wave filters Peer-reviewed

S Uda, A Bungo, C Jian

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　38　(9B)　5516-5519　1999/09

DOI： 10.1143/JJAP.38.5516 　

ISSN： 0021-4922
光学用四ほう酸リチウム単結晶 (Li₂B₄O₇)の育成とその紫外非線形性

小松隆一, 菅原保, 渡辺紀子, 宇田聡

レーザー研究　27　(8)　541-546　1999/08/15
Publisher:
DOI： 10.2184/lsj.27.541 　

ISSN： 0387-0200
Scatterers in lithium tetraborate single crystals Peer-reviewed

T Sugawara, R Komatsu, S Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　204　(1-2)　150-154　1999/07

DOI： 10.1016/S0022-0248(99)00152-9 　

ISSN： 0022-0248
Body-centered-cubic lattice model with many-body interactions representing the melting transition in Si Peer-reviewed

R Sahara, H Mizuseki, K Ohno, S Uda, T Fukuda, Y Kawazoe

JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS　110　(19)　9608-9617　1999/05

DOI： 10.1063/1.478926 　

ISSN： 0021-9606
Analysis of surface acoustic wave properties of the rotated Y-cut langasite substrate Peer-reviewed

A Bungo, CY Jian, K Yamaguchi, Y Sawada, S Uda, YP Pisarevsky

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　38　(5B)　3239-3243　1999/05

DOI： 10.1143/JJAP.38.3239 　

ISSN： 0021-4922
Generation of 100-fs light pulses down to 170 nm by sum-frequency mixing in lithium tetraborate

V. Petrov, F. Rotermund, F. Noack, R. Komatsu, T. Sugawara, S. Uda

CLEO/Pacific Rim 1999 - Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics　2　409-410　1999
Publisher: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/CLEOPR.1999.811494 　
Experimental and theoretical analysis of SAW properties of the langasite substrate with Euler angle (0 degrees,140 degrees,phi)

A Bungo, C Jian, K Yamaguchi, Y Sawada, R Kimura, S Uda

1999 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS, VOLS 1 AND 2　1　231-234　1999

DOI： 10.1109/ULTSYM.1999.849392 　

ISSN： 1051-0117
Edge-defined film-fed (EFG) growth of rare-earth orthovanadates REVO4 (RE = Y, Gd): Approaches to attain high-quality shaped growth Peer-reviewed

BM Epelbaum, K Shimamura, K Inaba, S Uda, VV Kochurikhin, H Machida, Y Terada, T Fukuda

CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY　34　(3)　301-309　1999

DOI： 10.1002/(SICI)1521-4079(199903)34:3<301::AID-CRAT301>3.0.CO;2-L 　

ISSN： 0232-1300
Vacuum ultraviolet application of Li2B4O7 crystals: Generation of 100 fs pulses down to 170 nm Peer-reviewed

Petrov, V, F Rotermund, F Noack, R Komatsu, T Sugawara, S Uda

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　84　(11)　5887-5892　1998/12

DOI： 10.1063/1.368904 　

ISSN： 0021-8979
Growth and characterization of lithium tetraborate crystals grown in phase-matching directions Peer-reviewed

T Sugawara, R Komatsu, S Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　193　(3)　364-369　1998/10

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00507-7 　

ISSN： 0022-0248
Theoretical analysis of the micro-pulling-down process for GexSi1-x fiber crystal growth Peer-reviewed

CW Lan, S Uda, T Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　193　(4)　552-562　1998/10

DOI： 10.1016/S0022-0248(98)00527-2 　

ISSN： 0022-0248
Monomorph actuator using twinned lithium tetraborate crystals

R Komatsu, H Iizuka, S Uda

ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS　81　(4)　50-56　1998/04

DOI： 10.1002/(SICI)1520-6432(199804)81:4<50::AID-ECJB6>3.0.CO;2-9 　

ISSN： 8756-663X
Edge-defined film-fed (EFG) growth of rare-earth orthovanadates REVO4 (RE = Y, Gd): Interface morphology effect on crystal shape and material properties Peer-reviewed

Boris M. Epelbaum, Kiyoshi Shimamura, Katsuhiko Inaba, Satoshi Uda, Vladimir V. Kochurikhin, Hiroshi Machida, Yasuko Terada, Tsuguo Fukuda

Journal of Crystal Growth　186　(4)　607-611　1998/03/07
Publisher: Elsevier
DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00601-5 　

ISSN： 0022-0248
Development of platinum dendrite in lithium tetraborate crystal grown by the Czochralski method Peer-reviewed

R Komatsu, S Uda

MATERIALS RESEARCH BULLETIN　33　(3)　433-440　1998/03

DOI： 10.1016/S0025-5408(97)00248-1 　

ISSN： 0025-5408
Influence of SO3 on the phase relationship in the system CaO-SiO2-Al2O3-Fe2O3 Peer-reviewed

S Uda, E Asakura, M Nagashima

JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY　81　(3)　725-729　1998/03

DOI： 10.1111/j.1151-2916.1998.tb02398.x 　

ISSN： 0002-7820
界面場の影響を受けた融液溶質の偏析現象

宇田聡

超伝導基盤技術動向調査委員会、第３小委員会報告　19-25　1998
ハードエレクトロニクス平成９年度先導研究報告書

宇田聡

ハードエレクトロニクス平成９年度先導研究報告書　NEDO-PR-9705　47-50　1998
青色・紫外発光デバイス材料の最近の進展と将来展望に関する調査報告書

元木健作, 宇田聡, 金谷正敏, 関洋二

青色・紫外発光デバイス材料の最近の進展と将来展望に関する調査報告書　63-95　1998
Linear and nonlinear optical properties of lithium tetraborate Peer-reviewed

T Sugawara, R Komatsu, S Uda

SOLID STATE COMMUNICATIONS　107　(5)　233-237　1998

DOI： 10.1016/S0038-1098(98)00190-2 　

ISSN： 0038-1098
Interface field-modified solute partitioning during Mn : LiNbO3 crystal fiber growth by micro-pulling down method - II Radial distribution analysis Peer-reviewed

S Uda, J Kon, K Shimamura, J Ichikawa, K Inaba, T Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　182　(3-4)　403-415　1997/12

DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00351-5 　

ISSN： 0022-0248
Growth of Ga1-xBxN by molecular beam epitaxy Peer-reviewed

Vezin, V, S Yatagai, H Shiraki, S Uda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　36　(11B)　L1483-L1485　1997/11

DOI： 10.1143/jjap.36.L1483 　

ISSN： 0021-4922
Bending-Mode Actuator Using Twinned Lithium Tetraborate Crystal Peer-reviewed

R. Komatsu, H. Iizuka, S. Uda

Electronics and Communications in Japan　J80-A　(10)　1744-1750　1997/10/25
Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
ISSN： 0913-5707
Growth of Optical-grade Lithium Tetraborate Single Crystal and its Nonlinear Properties

R. Komatsu, T. Sugawara, S. Uda

Technical report of IEICE. OME　97　(311)　35-39　1997/10/14
Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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信学技報 OME97-88, OPE97-77
Nonlinear optical properties of langasite crystal Peer-reviewed

R Komatsu, T Sugawara, S Uda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(9B)　6159-6161　1997/09

DOI： 10.1143/JJAP.36.6159 　

ISSN： 0021-4922
Characterization of defects in Li2B4O7 crystals grown by Czochralski and Bridgman methods Peer-reviewed

Vezin, V, T Sugawara, R Komatsu, S Uda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(9B)　5950-5953　1997/09

DOI： 10.1143/JJAP.36.5950 　

ISSN： 0021-4922
A double-die modification of micro-pulling-down method for in situ clad/core doping of fiber crystal Peer-reviewed

BM Epelbaum, K Inaba, S Uda, K Shimamura, M Imaeda, VV Kochurikhin, T Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　179　(3-4)　559-566　1997/08

DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00136-X 　

ISSN： 0022-0248
Interface field-modified solute partitioning during Mn:LiNbO3 crystal fiber growth by micro-pulling down method .1. Axial distribution analysis Peer-reviewed

S Uda, J Kon, J Ichikawa, K Inaba, K Shimamura, T Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　179　(3-4)　567-576　1997/08

DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00140-1 　

ISSN： 0022-0248
Heteroepitaxial growth of metastable ErF3 on CaF2(1 1 1) by molecular beam epitaxy: a novel material for optical upconversion Peer-reviewed

K Inaba, K Adachi, T Yao, S Uda, A Kasuya, T Taniuchi, T Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　179　(3-4)　488-494　1997/08

DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00151-6 　

ISSN： 0022-0248
Optimization method determining growth parameters for the crystal growth from ionic melt Peer-reviewed

S. Uda, K. Shimamura, T. Fukuda

日本結晶成長学会誌　24　(3)　317-327　1997/07/10

DOI： 10.19009/jjacg.24.3_317 　
Micro-pulling down growth studies of lead tungstate crystals: Aspects of incongruent melt vaporization Peer-reviewed

BM Epelbaum, K Inaba, S Uda, T Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　178　(3)　426-429　1997/07

DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00095-X 　

ISSN： 0022-0248
Growth and characterization of (Dy,Gd)VO4 single crystals Peer-reviewed

Y Terada, T Maeda, VV Kochurikhin, K Shimamura, S Uda, T Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　178　(4)　518-523　1997/07

DOI： 10.1016/S0022-0248(97)00015-8 　

ISSN： 0022-0248
Growth and ultraviolet application of Li2B4O7 crystals: Generation of the fourth and fifth harmonics of Nd:Y3Al5O12 lasers Peer-reviewed

R Komatsu, T Sugawara, K Sassa, N Sarukura, Z Liu, S Izumida, Y Segawa, S Uda, T Fukuda, K Yamanouchi

APPLIED PHYSICS LETTERS　70　(26)　3492-3494　1997/06

DOI： 10.1063/1.119210 　

ISSN： 0003-6951
Homogeneity and SHG properties of K3Li2-xNb5+xO15+2x single crystals grown by micro-pulling-down technique Peer-reviewed

K Imai, M Imaeda, S Uda, T Taniuchi, T Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　177　(1-2)　79-87　1997/05

DOI： 10.1016/S0022-0248(96)00806-8 　

ISSN： 0022-0248
Origin of SiC precipitation during the micro-pulling-down processing of Si-Ge fibers Peer-reviewed

BM Epelbaum, PA Gurjiyants, K Inaba, K Shimamura, S Uda, J Kon, T Fukuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(5A)　2788-2791　1997/05

DOI： 10.1143/JJAP.36.2788 　

ISSN： 0021-4922
Factors influencing the variation of surface acoustic wave velocity in lithium tetraborate Peer-reviewed

Vezin, V, S Inui, K Yamaguchi, T Sugawara, R Komatsu, S Uda, K Yamanouchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　36　(5B)　3074-3075　1997/05

DOI： 10.1143/JJAP.36.3074 　

ISSN： 0021-4922
A Monte Carlo simulation describing melting transition of Si-type structure in the condensed phase with BCC lattice model including many-body interactions

R Sahara, H Mizuseki, K Ohno, S Uda, T Fukuda, Y Kawazoe

SCIENCE REPORTS OF THE RESEARCH INSTITUTES TOHOKU UNIVERSITY SERIES A-PHYSICS CHEMISTRY AND METALLURGY　43　(1)　23-28　1997/03

ISSN： 0040-8808
Influence of cluster size on nucleation rate

S Uda

SCIENCE REPORTS OF THE RESEARCH INSTITUTES TOHOKU UNIVERSITY SERIES A-PHYSICS CHEMISTRY AND METALLURGY　43　(1)　35-41　1997/03

ISSN： 0040-8808
Congruent composition and solid solution range of Li2B4O7 crystal Peer-reviewed

S Uda, R Komatsu, K Takayama

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　171　(3-4)　458-462　1997/02

DOI： 10.1016/S0022-0248(96)00677-X 　

ISSN： 0022-0248
Growth of Optical-grade Lithium Tetraborate Single Crystal and its Non-linear Property in Ultraviolet Region

R. Komatsu, T. Sugawara, S. Uda

電気学会研究会資料. SMP, センサ材料・プロセス技術研究会　1997　(1)　25-29　1997/01/14
3- Dimensional Monte Carlo Simulation of Melting Transition of Si Type Structures with a BCC Lattice Gas Model Including Many-Body Interactions

R. Sahara, H. Mizuseki, K. Ohno, S. Uda, T. Fukuda, Y. Kawazoe

Proceedings of the Second Topical Meeting on Structural Dynamics of Epitaxy and Quantum Mechanical Approach, Kobe　137-140　1997
70-mJ Pulse Energy Generation of the Fifth Harmonic of Nd:YAG Laser Using Li/sub 2/ B /sub 4/ O/sub 7/, Crystals

R. Komatsu, T. Sugawara, K. Sassa, N. Sarukura, Z. Liu, S. Izumida, Y. Segawa, S. Uda, T. Fukuda, K. Yamanouchi

Conference on Lasers and Electro-Optics, Pacific Rim　WH5　83-84　1997

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Lasers and Electro-Optics, 1997. CLEO/Pacific Rim '97., Pacific Rim Conference on 14-18 July 1997
Defect Analysis of Lithium Tetraborate Single Crystals by X-Ray Topography

T. Sugawara, R. Komatsu, S. Uda, K. Sassa

Ceram. Eng. Sci. Proc.　18　(2)　389-396　1997

DOI： 10.1002/9780470294420.ch40 　
ハードエレクトロニクス平成８年度先導研究報告書

宇田聡

ハードエレクトロニクス平成８年度先導研究報告書　NEDO-PR-9605　25-28　1997
High upconversion intensity of Er3+ in a LaF3 thin film on CaF2(111) grown by the molecular beam epitaxy method Peer-reviewed

S Uda, K Adachi, K Inaba, T Yao, A Kasuya, T Fukuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　36　(1AB)　L41-L44　1997/01

DOI： 10.1143/JJAP.36.L41 　
Analysis of Ge distribution in Si1-xGex single crystal fibers by the micro-pulling down method Peer-reviewed

S Uda, J Kon, K Shimamura, T Fukuda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　167　(1-2)　64-73　1996/09

DOI： 10.1016/0022-0248(96)00237-0 　

ISSN： 0022-0248
Growth of twinned lithium tetraborate crystal and its application to bimorph actuator Peer-reviewed

R Komatsu, H Iizuka, S Uda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　35　(9B)　5042-5045　1996/09

DOI： 10.1143/JJAP.35.5042 　

ISSN： 0021-4922
Application of Lithium Tetraborate Crystals to Non-linear and bimorph actuator devices

R. Komatsu, T. Sugawara, S. Uda

IEICE technical report. Ultrasonics　96　(179)　1-8　1996/07/25
Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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信学技報 US92-21, EMD96-16, CPM96-39
Silicon single crystal fiber growth by micro pulling down method Peer-reviewed

K Shimamura, S Uda, T Yamada, S Sakaguchi, T Fukuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　35　(6B)　L793-L795　1996/06

DOI： 10.1143/jjap.35.L793 　

ISSN： 0021-4922
Consideration of small variation of surface acoustic wave (SAW) velocity in lithium tetraborate Peer-reviewed

R Komatsu, T Sugawara, S Tsuchiya, S Uda, K Sassa, K Yamanouchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　35　(5B)　3180-3183　1996/05

DOI： 10.1143/JJAP.35.3180 　

ISSN： 0021-4922
Epitaxial growth of Er3+-doped CaF2 by molecular beam epitaxy Peer-reviewed

K Adachi, T Yao, T Taniuchi, A Kasuya, RH Miles, S Uda, T Fukuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　35　(4A)　L435-L437　1996/04

DOI： 10.1143/jjap.35.L435 　

ISSN： 0021-4922
Influence of Cluster Size on Crystallization from Melt

S. Uda

Sci. Rep. RITU Ser. A　41　(2)　113-117　1996/03/22

ISSN： 0040-8808
Growth and characterization of gadolinium vanadate GdVO4 single crystals for laser applications Peer-reviewed

K Shimamura, S Uda, VV Kochurikhin, T Taniuchi, T Fukuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　35　(3)　1832-1835　1996/03

DOI： 10.1143/JJAP.35.1832 　

ISSN： 0021-4922
Growth of Lithium Tetraborate Crystal for New Application

R. Komatsu, T. Sugawara, S. Uda

Proceedings of the Third Pacific Rim Conference on Ferroelectric Applications, Kyoto　105-108　1996
A Monte Carlo Simulation of Si Crystal Growth on BCC Lattice with Energy Function of Coordination Numbers

R. Sahara, H. Mizuseki, K. Ohno, S. Uda, T. Fukuda, Y. Kawazoe

Proceedings of 2nd International Workshop on Modeling in Crystal Growth, Durby, Belgium　201-203　1996
Ultraviolet Application of Li₂B₄O₇ Crystals: Generation of the Fifth and Fourth Harmonics of Nd: YAG lasers

R. Komatsu, T. Sugawara, K. Sassa, N. Sarukura, Z. Liu, S. Izumida, Y. Segawa, S. Uda, T. Fukuda, K. Yamanouchi

OSA Trends in Optics and Photonics on Advanced Solid State Lasers. Vol.1. From the Topical Meeting　431-433　1996

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Conference Information: OSA Trends in Optics and Photonics on Advanced Solid State Lasers. Vol. 1 San Francisco, CA, USA, 31 January-2 February 1996 Opt. Soc. America; IEEE/Laser & Electro-Opt. Soc
Lithium Tetraborate (Li₂B₄O₇) Crystals for the High-energy Fifth-harmonic Generation of Nd: YAG Lasers

R. Komatsu, T. Sugawara, K. Sassa, N. Sarukura, Z. Liu, S. Izumida, Y. Segawa, S. Uda, T. Fukuda, K. Yamanouchi

Conference on Lasers and Electro-Optics, 9, OSA Technical Digest Series　233-234　1996
Operating limits for stable growth of silicon fibers with diameter less than 150 mu m by modified mu-PD method Peer-reviewed

BM Epelbaum, K Shimamura, S Uda, J Kon, T Fukuda

CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY　31　(8)　1077-1084　1996

DOI： 10.1002/crat.2170310817 　

ISSN： 0232-1300
Monte Carlo Simulation on Nucleation from Si Melt with Energy Function of Coordination Numbers and Bond Angles

S. Uda, R. Sahara, H. Mizuseki, K. Ohno, T. Fukuda, Y. Kawazoe

The 7th China-Japan Symposium on Science and Technology of Crystal and Materials　22-23　1996
INTRINSIC LINBO3 MELT SPECIES PARTITIONING AT THE CONGRUENT MELT COMPOSITION .3. CHOICE OF THE GROWTH-PARAMETERS FOR THE DYNAMIC CONGRUENT-STATE GROWTH Peer-reviewed

S UDA, K SHIMAMURA, T FUKUDA

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　155　(3-4)　229-239　1995/10

DOI： 10.1016/0022-0248(95)00231-6 　

ISSN： 0022-0248
MODE OF OCCURRENCE AND CAUSE OF TWINNING IN LITHIUM TETRABORATE GROWN BY CZOCHARALSKI METHOD Peer-reviewed

R KOMATSU, T SUGAWARA, T SUGIHARA, S UDA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　34　(9B)　5467-5470　1995/09

DOI： 10.1143/JJAP.34.5467 　

ISSN： 0021-4922
DISTRIBUTION COEFFICIENT OF RARE-EARTH ACTIVE IONS IN CALCIUM NIOBIUM GALLIUM GARNET Peer-reviewed

K SHIMAMURA, K SUGIYAMA, S UDA, T FUKUDA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　34　(9A)　4894-4897　1995/09

DOI： 10.1143/JJAP.34.4894 　

ISSN： 0021-4922
CONSIDERATIONS ON GROWTH-PARAMETERS FOR DYNAMIC CONGRUENT-STATE GROWTH OF LINBO3 Peer-reviewed

S UDA, K SHIMAMURA, T FUKUDA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　34　(9B)　5360-5363　1995/09

DOI： 10.1143/JJAP.34.5360 　

ISSN： 0021-4922
MICROBUBBLE FORMATION DURING CRYSTALLIZATION OF LINBO3 MELTS Peer-reviewed

S UDA, WA TILLER

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　152　(1-2)　79-86　1995/06

DOI： 10.1016/0022-0248(95)00084-4 　

ISSN： 0022-0248
GROWTH OF CRACK-FREE LITHIUM TETRABORATE (LI2B4O7) SINGLE-CRYSTALS Peer-reviewed

R KOMATSU, T SUGAWARA, T SUGIHARA, S UDA

INTEGRATED FERROELECTRICS　9　(1-3)　251-259　1995

DOI： 10.1080/10584589508012930 　

ISSN： 1058-4587
GROWTH OF CRACK-FREE 3-INCH-DIAMETER LITHIUM TETRABORATE SINGLE-CRYSTALS BY CZOCHRALSKI METHOD Peer-reviewed

R KOMATSU, T SUGIHARA, S UDA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　33　(9B)　5533-5535　1994/09

DOI： 10.1143/JJAP.33.5533 　

ISSN： 0021-4922
The electric field effects at the interface on the solute partitioning and the congruent melt composition for LiNbO₃ crystal growth Peer-reviewed

S.Uda

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　21　(2)　159-165　1994/06
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
DOI： 10.19009/jjacg.21.2_159 　

ISSN： 0385-6275

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Electric field effects at the interface influence the solute partitioning leading to an electric field-dependent equilibrium solute distribution cocfficient, k_<EO>. The causes of these electric fields, i.e., the thermoelectric power and the charge separation effects (crystallization EMF), are a function of growth velocity, V, temperature gradient, G_L, and solute boundary layer thickness, δ_c. Subsequently, the interface electric field becomes an extremely important variable for the crystallization process. Here, LiNbO_3 crystal growth from a stirred melt is discussed by considering the electric field-dependent solute partitioning for all of the seven intrinsic species. Additionally, the chemical conversion reactions in the melt are taken into account. The above considerations eventually lead us to discuss conditions for the dynamic congruent-state growth of LiNbO_3 from a finite amount of melt, 1-g via the Czochralski technique by finding an appropriate combination of δ_c(g), V(g) and G_L (g).
INFLUENCE OF UNIT CLUSTER-SIZE ON NUCLEATION RATE OF LI2B4O7 MELT Peer-reviewed

S UDA

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　140　(1-2)　128-138　1994/06

DOI： 10.1016/0022-0248(94)90506-1 　

ISSN： 0022-0248
GROWTH OF CRACK-FREE 3-INCH DIAMETER LITHIUM TETRABORATE SINGLE CRYSTALS BY CZOCHRALSKI METHOD

R KOMATSU, S UDA, K HIKITA, T SUGIHARA

PROCEEDINGS OF THE 1994 IEEE INTERNATIONAL FREQUENCY CONTROL SYMPOSIUM (THE 48TH ANNUAL SYMPOSIUM)　72-77　1994

DOI： 10.1109/FREQ.1994.398353 　

ISSN： 1075-6787
MODE OF OCCURRENCE AND CAUSE OF CRACKING OF LI-2B4O7 SINGLE-CRYSTALS DURING GROWTH BY CZOCHRALSKI METHOD Peer-reviewed

R KOMATSU, S UDA, K HIKITA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　32　(9B)　4364-4366　1993/09

DOI： 10.1143/JJAP.32.4364 　

ISSN： 0021-4922
INTRINSIC LINBO3 MELT SPECIES PARTITIONING AT THE CONGRUENT MELT COMPOSITION .2. DYNAMIC INTERFACE CASE Peer-reviewed

WA TILLER, S UDA

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　129　(1-2)　341-361　1993/03

DOI： 10.1016/0022-0248(93)90465-9 　

ISSN： 0022-0248
INTRINSIC LINBO3 MELT SPECIES PARTITIONING AT THE CONGRUENT MELT COMPOSITION .1. STATIC INTERFACE CASE Peer-reviewed

WA TILLER, S UDA

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　129　(1-2)　328-340　1993/03

DOI： 10.1016/0022-0248(93)90464-8 　

ISSN： 0022-0248
CR MIGRATION ASSOCIATED WITH INTERFACE ELECTRIC-FIELDS DURING TRANSIENT LINBO3 CRYSTAL-GROWTH Peer-reviewed

S UDA, WA TILLER

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　126　(2-3)　396-412　1993/01

DOI： 10.1016/0022-0248(93)90046-Y 　

ISSN： 0022-0248
THE DISSOCIATION AND IONIZATION OF LINBO3 MELTS Peer-reviewed

S UDA, WA TILLER

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　121　(1-2)　155-190　1992/06

DOI： 10.1016/0022-0248(92)90185-L 　

ISSN： 0022-0248
THE INFLUENCE OF AN INTERFACE ELECTRIC-FIELD ON THE DISTRIBUTION COEFFICIENT OF CHROMIUM IN LINBO3 Peer-reviewed

S UDA, WA TILLER

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　121　(1-2)　93-110　1992/06

DOI： 10.1016/0022-0248(92)90179-M 　

ISSN： 0022-0248
THE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF LITHIUM TETRABORATE SINGLE-CRYSTAL Peer-reviewed

R KOMATSU, T SUETSUGU, S UDA, M ONO

FERROELECTRICS　95　(1)　103-&　1989

DOI： 10.1080/00150198908245186 　

ISSN： 0015-0193
The Chemistry and Physical Properties of C₃S Solid Solutions

M. Nagashima, E. Asakura, S. Uda, H. Kawabata

The 8th International Conference on the Chemistry of Cement, Rio de Janeiro　2　199-204　1986
The Contact Metamorphism of the Oeyama Ultrabasic Mass and the Genesis of the Cleavable Olivine Peer-reviewed

S. Uda

Jour. Geol. Soc. Japan　90　(6)　393-410　1984/06
Publisher: The Geological Society of Japan
DOI： 10.5575/geosoc.90.393 　

ISSN： 0016-7630
Difference of Characteristics between Alite in Portland Cement Clinker and C₃S Solid Solution

E. Asakura, S. Uda, H. Kawabata

Review of the General Meeting. Technical session / the Cement Association of Japan　38　24-27　1984/05
Influence of Burning Conditions on the Alite Phase in Portland Cement Clinker

M. Nagashima, E. Asakura, S. Uda

Review of the General Meeting. Technical session / the Cement Association of Japan　37　31-33　1983/05

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Misc. 94

コングルエント組成と化学量論組成が一致するニオブ酸リチウムの開発

宇田聡

応用物理　88　(10)　653-658　2019/10
Growth of a Single Crystal under the Control of Interface Electric Fields Peer-reviewed

Satoshi UDA, Xinming HUANG, Takeshi TSUBOTA

Ceramics Japan: bulletin of the Ceramic Society of Japan　53　(12)　853-856　2018/12
Relationship between Solvation Structure and Crystal Quality for Solution Growth

小泉晴比古, 宇田聡, 塚本勝男, 塚本勝男, 橘勝, 小島謙一, 宇治原徹, 宇治原徹

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)　47th　ROMBUNNO.31a‐A06　2018

ISSN： 0385-6275
Two-dimensional nucleation in the colloidal crystal

Jun Nozawa, Suxia Guo, Sumeng Hu, Akiko Toyotama, Junpei Yamanaka, Haruhiko Koizumi, Junpei Okada, Satoshi Uda

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　44　(2)　96-102　2017/07
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth
DOI： 10.19009/jjacg.44.2_96 　

ISSN： 2188-7268

More details Close

 The two-dimensional (2D) nucleation is the predominant growth mechanisms for colloidal crystals whose particle interaction is attractive. The colloidal crystallization in the attractive system has recently been regarded as a promising method to fabricate varieties of complex nano-structures possessing innovative functionality. In the present study, polymers are added to a colloidal suspension to generate a depletion attractive force, and the detailed 2D nucleation process on the terrace of the colloidal crystals is investigated. We first measured the nucleation rate at various area fractions of particles on the terrace, φ_area. In situ observations at single-particle resolution enable us to measure the steady-state homogeneous 2D nucleation rate, J, and the critical size of nuclei, r^*, and the relationship between them and φ_area is found to agree well with classical nucleation theory (CNT). The step free energy, γ, derived from the nucleation theory is found to vary according to the strength of attraction, which is tuned by the concentration of the polymer as a depletant.
Guest editors' preface to the ICCGE-18 conference proceedings

Satoshi Uda, Hiroyuki Fukuyama, Simon Brandon

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　468　9-10　2017/06

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2017.04.032 　

ISSN： 0022-0248

eISSN： 1873-5002
強磁性体MnBiの反応焼結過程に対する磁場効果

宮崎泰樹, 三井好古, 梅津理恵, 高橋弘紀, 宇田聡, 小山佳一

東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター年次報告　2016　2017
Control of Crystallization process for proteins under application of an external electric field

Koizumi Haruhiko, Uda Satoshi, Okada Junpei, Nozawa Jun

Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　72　(0)　3212-3212　2017
Publisher: The Physical Society of Japan

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高齢化社会に対応できるゲノム創薬やテーラーメイド医療を実現するためには、タンパク質分子の立体構造の情報が必須である。そのためには、良質なタンパク質単結晶を必要とするが、タンパク質単結晶の育成は極めて難しく、この過程が構造解析の律速段階となっている。我々はこれまで、熱力学的な観点から、交流電場がタンパク質結晶化過程に与える影響を議論してきた。本発表では、交流電場によるタンパク質核形成の促進方向への制御について紹介する。
Configuration of point defects of impurity-doped congruent lithium niobate

Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　43　(3)　131-138　2016/10/31
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth
DOI： 10.19009/jjacg.43.3_131 　

ISSN： 2188-7268

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 The defect structures of impurity-doped congruent lithium niobates (c-LN) were investigated by combining lattice constant measurements with thermodynamic analyses. On the basis of the "Li site vacancy model", six kinds of defect structures in impurity-doped c-LN are possible. Using thermodynamic constraints, these can be narrowed down to two kinds. The thermodynamic analyses showed impurities are located at only the Li or Nb site in the range where antisite niobium exists. Based on the thermodynamic analyses, lattice constant measurement revealed that divalent and trivalent impurities were located at Li sites in LN, whereas tetravalent impurities were located at Nb sites. This result provides good clues for controlling intrinsic point defects.
Impurity Partitioning during Colloidal Crystallization

Jun Nozawa, Sumeng Hu, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　43　(2)　88-96　2016/07/29
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth
DOI： 10.19009/jjacg.43.2_88 　

ISSN： 2188-7268

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 To obtain high quality colloidal crystals, control of impurity behavior during crystallization is required. We have investigated impurity partitioning quantitatively for the colloidal crystal. We applied conventional partition model of normal crystal growth such as Thurmond and Struthers model and Burton Prim Slichter (BPS) model to colloidal crystal growth, which provides equilibrium partition coefficient (k₀). Discussion on the basis of free energy derived from volume fraction of colloidal particles well account for variation of k₀s for impurity of different size. In-situ observation revealed detailed partition behavior, including orientation-dependency, the effect of the grain boundary, and the morphology of solid-liquid interface. These new findings contribute to constructing methodology for growing high quality colloidal crystal as well as understanding general concept of partitioning that takes place during phase transition.
19aPS-93 Magnetic field controlling the composition and decomposition process for ferromagnetic MnBi

Koyama K., Miyazaki D., Mitsui Y., Takahashi K., Uda S.

Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan　71　1098-1098　2016
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_1098 　

ISSN： 2189-079X
強磁場中におけるBi-Mn合金の巨視的変化の観察

宮崎泰樹, 三井好古, アベ松賢一, 高橋弘紀, 宇田聡, 渡辺和雄, 小山佳一

東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター年次報告　2015　2016
日本結晶成長学会特別講演会について

Satoshi Uda

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　42　(1)　39-40　2015/04
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth
ISSN： 2187-8366
I remember Prof. Sunagawa

Satoshi Uda

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　41　(1)　25-25　2014/04/30
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth
強磁場中熱分析・溶解その場観測装置の開発

宮崎泰樹, 三井好古, アベ松賢一, 前田健作, 高橋弘紀, 小山佳一, 宇田聡, 渡辺和雄

東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター年次報告　2013　2014
Spring Special Meeting of the Japanese Association for Crystal Growth "Crystal Growth of biological and organic materials-basic science and industrial application-"(News of JACG)

Ueno Satoru, Okutsu Tetsuo, Uda Satoshi

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　40　(3)　200-200　2013/10
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275
Control of nucleation process for proteins under application of an external alternating current electric field

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara, Jun Nozawa

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　40　(2)　98-106　2013/07
Publisher: Japanese Association for Crystal Growth
DOI： 10.19009/jjacg.40.2_98 　
Improvement of photovoltaic characteristics of B-doped Czochralski-Silicon by Ge codoping

ARIVANANDHAN Mukannan, GOTOH Raira, FUJIWARA Kozo, HAYAKAWA Yasuhiro, UDA Satoshi, KONAGAI Makoto

IEICE technical report. Electron devices　113　(39)　105-109　2013/05/16
Publisher: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
ISSN： 0913-5685

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Boron (B)-doped Si solar cell strongly degrades during practical operation which results low minority carrier lifetime (MCL) thereby low efficiency. The effect of Ge codoping on the MCL, light induced degradation (LID) and the formation mechanism of void defects are investigated in B doped CZ-Si[1]. From the lifetime measurement, it was observed that the MCL increases evidently when the Ge concentration increases in the crystal. Moreover, LID experiment shows that the B-doped CZ-Si wafers showed a rapid initial degradation of lifetime under illumination and almost saturated after prolonged illumination. In the case of B and Ge codoped wafers, the initial lifetime degradation was relatively low with high degraded lifetime especially for the heavily Ge(>1x10^<18>cm^<-3>) codoped CZ-Si. Moreover, the flow pattern defect (FPD) density was drastically decreased as the Ge concentration increased in the crystal. The mechanism for the MCL enhancement, LID and FPD suppression was explained based on Ge-vacancy defect formation during post-growth cooling of the ingots.
Development of Crystal Growth Technology towards High-Quality Silicon Crystal for Solar Cells

FUJIWARA Kozo, UDA Satoshi

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　39　(3)　109-109　2012/10/31
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275
Fabrication of quasi-phase-matching structure by periodic twin in paraerectric borate crystal

Kensaku Maeda, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara

（独）日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第126回研究会資料　33-38　2012/07/25
Publisher: 独立行政法人日本学術振興会

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招待講演
Nonlinear Optical Borate Crystals, Principles and Applications

Chuangtian Chen, Takatomo Sasaki, Rukang Li, Yincheng Wu, Zheshuai Lin, Yusuke Mori, Zhanggui Hu, Jiyang Wang, Satoshi Uda, Masashi Yoshimura, Yushi Kaneda

Nonlinear Optical Borate Crystals, Principles and Applications　2012/04/25
Publisher: Wiley-VCH
DOI： 10.1002/9783527646388 　
Enhancement of Crystal Perfection for Tetragonal Hen-egg White Lysozyme Crystals under Application of an External AC Electric Field

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara, Masaru Tachibana, Kenichi Kojima, Jun Nozawa

Photon Factory Activity Report 2011 Part B: Users' Report　29　198-1-198-2　2012
Publisher: High Energy Accelerator Research Organization (KEK)
18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy

Satoshi Uda

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　38　(3)　206-207　2011/10/24
Publisher: Japanese Association for Crystal Growth

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ISSN: 0385-6275
Impurity-doped lithium niobate with stoichiometric structure grown from the congruent melt

Satoshi Uda, Hiromitsu Kimura

（独）日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第122回研究会資料　27-32　2011/10/05
Publisher: 独立行政法人日本学術振興会

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招待講演
Mg-doped lithium niobate crystal with stoichiometric structure grown from the congruent melt - Development of a new crystal by redefining Dalton's 'Stoichiometry' -

Satoshi Uda

Ceramics Japan : Bulletin of the Ceramic Society of Japan　46　(8)　651-656　2011/08/01
Publisher: The Ceramic Society of Japan
ISSN： 0009-031X

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ISSN: 0009-031X
Electoric conduction mechanism of langatate (La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄) crystal in the temperature range for high-pressure sensor equipped in automobile engine

Satoshi Uda, Ritsuko Yaokawa, Katsumi Aota

（独）日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第121回研究会資料　1-6　2011/07/27
Publisher: 独立行政法人日本学術振興会

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招待講演
Growth of lithium niobate with a perfect crystal structure and homogeneous composition of the green light emission

Satoshi Uda

Function & Materials　31　(3)　11-18　2011/02/05
Publisher: CMC Publishing Co.,Ltd.

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ISSN: 0286-4835
測定・評価技術／製造・加工プロセス（MgO添加により化学量論組成と調和融解組成を一致させたニオブ酸リチウムの育成とSHG特性）

宇田聡

セラミックデータブック 2010/11　155-158　2010/12
Preface for Special Issue "Recent Development in Thermophysical Property Measurements of High-Temperature Melts for Crystal Growth" (Preface)

Hiroyuki Fukuyama, Satoshi Uda, Yoshihiro Kangawa

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　37　(2)　81-81　2010/07
Publisher: Japanese Association for Crystal Growth
ISSN： 0385-6275
ACCGE-17参加記

Satoshi Uda

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　37　(1)　57-58　2010/04
Publisher: Japanese Association for Crystal Growth
Enhancement of Ga doping in Czochralski-grown Si crystal by B- or Ge- codoping

S. Uda, X. Huang, M. Arivanandhan, R. Gotoh, K. Fujiwara

Proceedings of the 3rd International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells, Trondheim, Norway, 3-5 June, 2009　2009/06

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国際会議proceedings CD（単行本等ではない） 査読なし
Change of phase equilibria by an application of an external electric field

S. Uda, H. Koizumi, K. Fujiwara

Proceedings of EUROTHERM Seminar Nr.84, Thermodynamics of phase changes, Namur, Belgium, 24-27 May, 2009　2009/05

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国際会議proceedings CD（単行本等ではない） 査読なし
Conversion of non-stoichiometry of lithium niobate to constitutional stoichiometry by impurity-doping

Satoshi Uda, Hiromitsu Kimura

（独）日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第110回研究会資料　1-6　2009/03/03
Publisher: （独）日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会

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招待講演
Growth of the congruent lithium niobate single crystal from the stoichiometric composition under electric field induction

Rayko Simura, Satoshi Uda, XinMing Huang

Annual report of the Murata Science Foundation　22　306-315　2008/12/01
Publisher: Murata Science Foundation

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代表研究者：志村玲子
果たしてバルク結晶成長でナノ制御は可能だろうか？

宇田聡

研友　65　7-16　2008/11/20
Publisher: 東北大学金属材料研究所研友会
Enhancement of Ga doping in Czochralski-grown Si crystal by B-codoping

S. Uda, X. Huang, M. Arivanandhan, R. Gotoh

Proceedings of the 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium), Nov. 10-14, 2008, Kona, Hawaii, USA　61-65　2008/11

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国際会議proceedings（単行本等ではない） 査読なし
The Effect of an External Electric Field on the Growth Dynamics of High-Tc Oxide Superconducting Material

Satoshi Uda, Xinming Huang

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　35　(2)　74-80　2008/07/31
Publisher: The Japan Association for Crystal Growth
DOI： 10.19009/jjacg.35.2_74 　

ISSN： 0385-6275

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The crystal growth of YBCO (123:YBa_2Cu_3O_<7-x>) superconductive oxide under an external electric field has been investigated by means of in-situ observations and differential thermal analysis. The growth process of YBCO crystal via a peritectic reaction, i.e., 211(Y_2BaCuO_5) + liquid → YBCO (123), is differentiated into (1) dissolution of the 211 phase into solution, (2) transportation process of the solute, Y(Y_2O_3), in the liquid, (3) nucleation and (4) kinetic attachment of the solute to the growth front. Each process was modified by an external electric field of 600 V/cm which turned into an electric field as large as 10^4 to 10^5 V/cm occurring in an electric double layer forming at the solid-solution interface ; however, almost no electric field could be generated in the bulk liquid due to it being electrically conductive. The external electric field enhanced dissolution of the 211 gains, but had almost no effective electric field operated on the transportation process of the solute, and little effect was observed on the solute attachment kinetics. On the other hand, the external electric field increased the critical energy for the nucleation of the YBCO grains, which retarded the nucleation of the YBCO grains.
バルク結晶成長の新展開 -外場を利用した新しい結晶育成技術-

宇田聡

第78回金研夏期講習会テキスト　13-38　2008/07
外部電場印加による酸化物高温超伝導体物質の調和融解成長への変換

宇田聡

Proceedings of the 2008 Presentation of Research Findings Granted by the Asahi Glass Foundation　22-23　2008/06/30
Publisher: Asahi Glass Foundation
Transformation of the Melting State from Incongruent to Congruent via an External Electric-Field Modified Chemical Potentials of Liquid and Solid in Equilibrium

Satoshi Uda

THE MITSUBISHI FOUNDATION ANNUAL REPORT FOR FISCAL 2007　203-204　2008
Publisher: The Mitsubishi Foundation
Transformation of growth state of high-Tc oxide superconductor from incongruent melting to congruent melting via an external electric field

宇田聡, 黄新明, 黄晋二

所内助成研究成果報告書/東北大学金属材料研究所平成17年度採択分　1-11　2007/09
Publisher: 東北大学金属材料研究所
Conversion of langasite melt from incongruent to congruent using an external electric field

Satoshi Uda

Nippon sheet glass foundation for materials science report　25　20-28　2007/09/01
Publisher: Nippon sheet glass foundation

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査読なし
An electric field required for the conversion of melting state from incongruent to congruent and its mode of existence

S. Uda

第24回無機・分析化学コロキウム　5-11　2007/06/01

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依頼講演
Effect of Ir contamination from Ir crucible on electrical resistivity of langatate single crystal

S. Uda, H. Kimura

（独）日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第101回研究会資料　1-4　2007/05/10

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招待講演
マルチシード法によるCZ-Si多結晶成長と評価

太子敏則, 干川岳志, 山谷宗義, 白澤勝彦, 黄新明, 宇田聡, 干川圭吾

（独）日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第108回研究会資料、九州大学リサーチコア研究会資料　43-46　2006/12

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招待講演
Crystallization electromotive force at the growth interface of LiNbO_3

KOH Shinji, NISHIDA Masahiro, KUNIYOSHI Yukihiro, HUANG Xinming, UDA Satoshi

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　33　(4)　212-212　2006/11/30
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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Crystallization electromotive force (EMF) during the growth of LiNbO_3 (LN) was investigated using a μ-PD method. The mechanism of crystallization EMF during LN growth was explained using a model where segregated ionic species in the melt formed a net ionic charge at the interface resulting in the development of an EMF. Growth-rate dependence of Crystallization EMF was analyzed using one-dimensional diffusion equation.
Crystal growth process of YBCO superconductive oxide with an external electric field

HUANG X., KOH S., UDA S.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　33　(4)　213-213　2006/11/30
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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In-situ observation of crystal growth process of YBCO superconductive oxide under an external electric field has been carried out. Nucleation and growth processes of Y123 (YBa_2Cu_3O_<7-x>) crystals from liquid+Y211 (Y_2BaCuO_5) on MgO (100) substrate through a peritectic reaction were observed. It was found that an external electric field retarded nucleation process of Y123 although it did not affect the growth kinetics. The retardation of the nucleation process resulted from an increase of critical Gibbs energy for nucleation due to an external field.
The electric field required for the transformation of the melting state of langasite from incongruent into congruent

UDA S., KOH S., HUANG X.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　33　(4)　214-214　2006/11/30
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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The electric field required for the transformation of the melting state of langasite from incongruent into congruent was quantitatively evaluated based on the inverse process of the energy relationship between associated phases. The evaluation result demonstrated that the required electric field was on the order of 10^4-10^5V/cm. This was significantly higher than the external electric field of 600V/cm, which was experimentally observed. This large difference was attributed to the possibility that nucleation occurred in the electric double layer where the potential could drop and a very large electric field could be sustained.
Segregation in Si crystal growth with plural dopants

HOSHIKAWA Takeshi, TAISHI Toshinori, HUANG Xinming, UDA Satoshi

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　33　(4)　179-179　2006/11/30
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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The effective segregation coefficient of Ge, Ga and B in plurally doped CZ-Si growth has been investigated. It was found that effective segregation coefficient of Ge and B was about 0.52 and 0.70 respectively in heavily B and Ge codoped Si crystal with an average growth rate of 1mm/min.
Crystal Growth Technology of Fluoride and Oxide Developed from the Viewpoint of Their Material and Functional Properties : Preface for Special Issue

Satoshi Uda

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　33　(3)　122-122　2006/09/30
Publisher: Japanese Association for Crystal Growth
ISSN： 0385-6275
Incongruency and equilibrium phase diagram of langatate in air

S. Uda, H. Kimura

（独）日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第98回研究会資料　17-21　2006/08/01

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招待講演
Conversion of the melting state of langasite from incongruent into congruent by an external electric field

S. Uda, X. Huang, S. Koh

19th General Meeting of the International Mineralogical Association (IMA2006-Kobe, Japan, July 23-28, 2006)　283-283　2006/07

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国際会議proceedings（単行本等ではない） 査読あり
Feature of an external electric field required for the conversion of the melting state of langasite from incongruent into congruent

S. Uda, X. Huang, S. Koh

Twentieth Conference on Crystal Growth and Epitaxy, June 4-7, 2006　38-38　2006/06

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国際会議proceedings（単行本等ではない） 査読あり
Crystal growth of YBCO superconductive oxide with imposition of an external electric field

X. Huang, S. Uda

Twentieth Conference on Crystal Growth and Epitaxy, June 4-7, 2006　40-40　2006/06

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国際会議proceedings（単行本等ではない） 査読あり
Influence of an external electric field on crystal growth -thermodynamic and growth kinetic view-

S. Uda, X. Huang, S. Koh

1st International Symposium on Innovations in Advanced Materials for Electronics & Optics (ISIAMEO-1-La Rochelle 2006)　17-17　2006/06

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国際会議proceedings（単行本等ではない） 査読あり 招待講演
Electric-field assisted conversion of the incongruent-melting state to the congruent-melting state for the growth of langasite

Satoshi Uda, Xinming Huang, Shinji Koh

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　32　(4)　325-333　2005/09/30
Publisher: Japanese Association for Crystal Growth
ISSN： 0385-6275

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Although langasite (La_3Ga_5SiO_<14>) is an incongruent-melting material, it can directly grow from the "pseudo-congruent melt" via the Czochralski method using a langasite seed crystal when the appropriate supercooling is provided. However, polygonization due to the incongruency of langasite during growth is still a serious problem. To completely prevent from such a defect, the incongruency must convert to the congruency by some manners. The imposition of an external electric field on a growth system changes the chemical potentials of associated phases in equilibrium which could convert the incongruent-melting state into congruent-melting state. Langasite in the ternary system of L_a2O_3-Ga_2O_3 SiO_2, became congruent-melting under an external electric field of 600V/cm. This conversion was attributed to the inversion of the stability relationship in terms of the molar free energy between the primary phase in equilibrium with liquid and the liquid phase at the composition of langasite. Such a transformation is generally possible when the electrical permittivities of liquid, primary phase and incongruent-melting material increase toward the end component of the primary phase.
Preface for Special Issue on single and multi crystalline silicon

Koichi Kakimoto, Satoshi Uda

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　32　(4)　290-290　2005/09/30
Publisher: Japanese Association for Crystal Growth
ISSN： 0385-6275
Transformation of langasite to congruent state via the imposition of an external electric field

HUANG X., KOH S., UDA S.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　32　(3)　257-257　2005/08/17
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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Imposing a 600V/cm electric field on the system of La_2O_<3^->Ga_2O_<3^->SiO_2 moved boundary of langasite (La_3Ga_5SiO_<14>) field toward La_2O_3 approximately by 3mol%. As a result, transformation of langasite from incongruent to congruent state was realized successfully, which demonstrated that the equilibrium phase relationship could be manipulated by the external electric field.
Analysis of Ga segregation in Si crystal growth

HOSHIKAWA Takeshi, TAISHI Toshinori, KOH Shinji, HUANG Xinming, UDA Satoshi

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　32　(3)　112-112　2005/08/17
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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Segregation of Ga in CZ-Si crystal growth was investigated. An equilibrium segregation coefficient of Ga was obtained to be k_0=0.0081 from analysing the Ga distribution in Si crystals grown with different growth rates with BPS theory.
Challenge of congruent-melting growth of an incongruent-melting material by the electric-field assisted growth method - Application to the growth of an incongruent-melting langasite -

S. Uda, X. Huang, S. Koh

（独）日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第93回研究会資料　1-10　2005/08/04
Growth and piezoelectric properties of langasite

Satoshi Uda

第34回EMシンポジウム　57-64　2005/05
ランガサイト--新しい多目的圧電基板結晶

宇田聡, 王守奇

マテリアルインテグレ-ション　17　(11)　49-54　2004/11
Publisher: ティ-・アイ・シ-
ISSN： 1344-7858
25aA03 Reaction at the interface between silica crucible and Si melt : effect of Ba doping(NCCG-34)

Huang X., Koh S., Watanabe H., Sanpei K., Hoshikawa K., Uda S.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　31　(3)　105-105　2004/08/25
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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Reaction at the interface between Ba-doped silica crucible and Si melt for Czochralski Si (CZ-Si) crystal growth has been studied. It is found that appropriate Ba-doping in a silica crucible results in a remarkable effect on suppression of formation of the so-called brownish rings at the interface. This kind of silica crucible is expected to enhance the growth yield in CZ-Si crystal growth.
日本結晶成長学会の財政状況について

Satoshi Uda

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　31　(5)　387-389　2004/01/31
Publisher: Japanese Association for Crystal Growth
Li₂B₄O₇結晶を用いた紫外超短パルス幅計測

小野晋吾, 高橋啓司, 後藤昌宏, QUEMA A, 猿倉信彦, 宇田聡, 政田元太, 白石浩之, 関根一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集　64th　(3)　974　2003/08/30
Electronic parts based on langasite

HARADA Jiro, UDA Satoshi

Electronic Materials　42　(4)　53-56　2003/04
Design of langasite-based SAW filter

UDA Satoshi

Denpa Sinbun　26-27　2002/12
Publisher: 電波新聞社

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0312Rev
Incongruency of langasite melt.

WANG S. Q., UDA S., KOMATSU R.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　29　(2)　18-18　2002/07/01
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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Incongruency of langasite (La_3Ga_5SiO_<14>) melt was studied by quenching melts with various compositions after keeping at certain temperatures and analyzing the resulted phases by energy dispersion spectroscopy (EDS) and X-ray diffraction (XRD). Aciculae that are not langasite were observed in quenched samples of both sintered material and single crystal of stoichiometric composition, while the first-formed langasite crystal was precipitated in samples with Ga_2O_3-rich and La_2O_3-poor compositions. This suggests that langasite is peritectic and the precipitation of the aciculae in CZ-growth is probably the cause of abnormal growth and consequent cracks in langasite crystal.
In-situ observation of alite crystal growth

KOMATSU R., IZUMIHARA K., IKEDA K, ASAKURA E., UDA S.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　29　(2)　54-54　2002/07/01
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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In-situ observation microscope up to about 3000 magnifications has been developed to observe crystal growth from high temperature solution up to 1500 degree, and alite crystal growth from high temperature solution is examined associated with its nucleation by using this microscope.
Growth of langasite single crystal of 4 inch in diameter along Y54 direction by CZ method

KONISHI N., TAKESHIMA K., TOYONAGA K., SATO H., HARADA J., UDA S.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　29　(2)　4-4　2002/07/01
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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Growth of langasite single crystal of 4 inch in diameter along Y54 direction by CZ method was investigated. The structure of a hot zone, pulling rate and rotation rate were optimized, and some crystals without a macro defect were obtained. The homogeneity of the crystals was evaluated. The distribution of sound velocity between lots is about 120 ppm in standard deviation.
ランガサイト単結晶のSAWデバイスへの応用

宇田聡

Ultrasonic technorogy　11　(9)　21-26　1999/09
Publisher: 日本工業出版
ISSN： 0916-2410
(7)光学用四ほう酸リチウム単結晶の育成とその紫外非線形特性

小松隆一, 菅原保, 宇田聡

資源と素材 : 資源・素材学会誌 : journal of the Mining and Materials Processing Institute of Japan　115　(5)　405-409　1999/05/25
Publisher: 資源・素材学会
ISSN： 0916-1740
30p-YY-15 ポテンシャルの繰り込みを考慮したBCC格子モデルによるシリコン融液からの結晶成長III

佐原亮二, 水関博志, 宇田聡, 大野かおる, 福田承生, 川添良幸

日本物理学会講演概要集　53　(1)　702-702　1998/03/10
Publisher: 一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
Micro Single Crystal

T. Fukuda, K. Shimamura, S. Uda

Materia Japan　37　(1)　55-60　1998/01
Publisher: 日本金属学会
DOI： 10.2320/materia.37.55 　

ISSN： 1340-2625
7a-YL-6 Effect on Potential Renormalization in BCC Lattice Model to Simulate Silicon Crystal Growth from Melt, II

Sahara R, Mizuseki H, Uda S, Ohno K, Fukuda T, Kawazoe Y

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　52　(2)　778-778　1997/09/16
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Growth of Lithium Tetraborate Crystal pulled along the Phase Matching Direction by CZ Method

SUGAWARA T., KOMATSU R., UDA S.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　24　(2)　217-217　1997/07/01
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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Lithium Tetraborate is a promising new nonlinear crystal in the ultraviolet region. Large crystals with high quality were grown along the phase matching directions for the fourth and fifth harrnonics generation of a Nd:YAG laser. Polycrystallization associated with the rapid growth was resolved under the condition of the high temperature gradient.
Effect of interface electric field segregation during growth via μ-PD method Radial analysis-

UDA S., KON J., SHIMAMURA K., FUKUDA T.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　24　(2)　210-210　1997/07/01
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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The influence of an interface electric field on the solute partitioning during LiNb0_3 single crystal fiber by μ-PD method has been studied. Mn was rich in the core of the crystal fiber which was two-dimensionally analyzed to predict the redistribution of the ionic solute by an electric field.
Thermodynamic Properties of Si by BCC Lattice Model with Renormalized Tersoff Potential

SAHARA R., MIZUSEKI H., OHNO K., UDA S., FUKUDA T., KAWAZOE Y.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　24　(2)　89-89　1997/07/01
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275

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BCC lattice model is introduced to describe efficiently melting transition of Si.To incorporate realistic many-body interaction into account, Tersoff potential is renormalized on the lattice to be applied. Good agreements are obtained for liquidsolid transition temperature and thermodynamic properlies between the present lattice Monte Carlo and previous Molecular Dynamics results.
30p-YJ-6 Effect of Potential Renormalization onto BCC Lattice Model which Describes Silicon Crystal Growth from Melt

Sahara R, Mizuseki H, Uda S, Ohno K, Fukuda T, Kawazoe Y

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan　52　(1)　718-718　1997/03/17
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
ISSN： 1342-8349
Growth and homogeneity of RE3+ doped GdVO4 single crystals.

寺田靖子, 島村清史, 宇田聡, 福田承生

日本結晶成長学会誌　24　(2)　1997

ISSN： 0385-6275
PF4 Factors Influencing on the Variation of SAW Velocity in Lithium Tetraborate

Vezin V., Inui S., Yamaguchi K., Sugawara T., Komatsu R., Uda S., Yamanouchi K.

Symposium on ultrasonic electronics　(17)　309-310　1996/10/23
Publisher: Steering committee of symposium on ultrasonic electronics
A New BCC Model for Si Crystal Groowth with Many Body Interactions

Sahara R., Mizuseki H., Uda S., Ohno K., Fukuda T., Kawazoe Y

Abstracts of the meeting of the Physical Society of Japan. Sectional meeting　1996　(2)　11-11　1996/09/13
Publisher: The Physical Society of Japan (JPS)
Crystal Quality of Lithium Tetraborate Grown by Czochralski Method

KOMATSU R., SUGAWARA T., UDA S.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　23　(3)　205-205　1996/07/10
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275
Anomalous segregation phenomena during LiNbO_3 crystal fiber growth by m-PD method

UDA S., KON J., SHIMAMURA K., FUKUDA T.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　23　(3)　267-267　1996/07/10
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275
Generation of an interface electric field during crystal growth by μ-PD method

KON J., SHIMAMURA K., UDA S., FUKUDA T.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　23　(3)　269-269　1996/07/10
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275
Li_2B_4O_7結晶の紫外変換特性

小松隆一, 菅原保, 佐々紘一, 猿倉信彦, 劉振林, 和泉田真司, 瀬川勇三郎, 宇田聡, 福田承生, 山之内和彦

Annual meeting, of the Laser Society of Japan digest of technical papers　16　54-54　1996/01/01

ISSN： 0913-6355
第2回日中電子材料結晶成長討論会報告

宇田聡

日本学術振興会協力誌　28　1995/12/31
ICCG-11 (Part 2)

宇田聡

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　22　(5)　415-416　1995/12/25
Publisher: 日本結晶成長学会
ISSN： 0385-6275
OF4 Variations of SAW Velocity in Lithium Tetraborate and its Origin

Komatsu R., Sugawara T., Tsuchiya S., Uda S., Sassa K., Yamanouchi K.

Symposium on ultrasonic electronics　(16)　289-290　1995/11/27
Publisher: Steering committee of symposium on ultrasonic electronics
The 1st China-Japan Electronic Materials Growth Meeting (CJ-EMGM-1)

宇田聡

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　22　(4)　340-342　1995/09/25
Publisher: 日本結晶成長学会
ISSN： 0385-6275
Interface Phenomena During Crystal Growth -Influence of Interface Electric Field on Solute Partitioning-

UDA Satoshi, TILLER W. A.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　22　(3)　249-252　1995/07/10
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275
Crystal Growth and distribution phenomena of Si_xGe_<1-x> fiber by μ-PD method

SHIMAMURA K., KOH H. J., KON J., YAMADA T., SCHAFER N., UDA S., FUKUDA T.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　22　(3)　261-261　1995/07/10
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275
Mode of Occurrence and Origin of Twinning in Lithium Tetraborate crystal

KOMATSU R., SUGAWARA T., SUGIHARA T., UDA S.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　22　(3)　278-278　1995/07/10
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275
Electric Conductivity of Lithium Tetraboarte Melt

KOMATSU R., SUGAWARA T., SUGIHARA T., UDA S.

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth　22　(3)　160-160　1995/07/10
Publisher: The Japanese Association for Crystal Growth (JACG)
ISSN： 0385-6275
単結晶ファイバー育成技術とその特長-バルク結晶では得られない特性を求めて-

宇田聡

Ceramics Japan　29　(5)　431-433　1994/05
Publisher: 日本セラミックス協会
ISSN： 0009-031X

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Books and Other Publications 5

Handbook of Crystal Growth, Second Edition, Vol. I, Fundamentals: Thermodynamics and Kinetics, and Transport and Stability

Satoshi Uda

Elsevier B.V.　2014/12

DOI： 10.1016/B978-0-444-56369-9.00004-6 　

ISBN: 9780444563699

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Tatau Nishinaga, editor.
Nonlinear Optical Borate Crystals: Principles and Applications

S. Uda

Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA　2012/04

ISBN: 9783527410095
Crystal Growth Technology, From Fundamentals and Simulation to Large-scale Production

S. Uda, S. Q. Wang, H. Kimura, X. Huang

Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA　2008/01

ISBN: 9783527317622

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Editors: H. J. Scheel, P. Capper
Fiber Crystal Growth from the Melt

T. Fukuda, P. Rudolph, S. Uda

2004/02
結晶成長ハンドブック

宇田聡

1995

Presentations 619

Ca3Ta(Ga,Al)3Si2O14の全率調和融解性をもたらす融液と結晶の構造の熱力学的関係

有満雅人, 宇田聡

東北大学大学院理学・生命科学2研究科合同オンラインシンポジウム 2021　2021/02/19
Unsteady-state crystal growth in the presence of interface electric field

Qilin Shi, Jun Nozawa, Satoshi Uda

第49回結晶成長国内会議　2020/11/11
強い界面電場下におけるCr:LiNbO3のCrイオンの固液間分配

宇田聡, 佐藤慶弥

第49回結晶成長国内会議　2020/11/11
枯渇引力によるコロイド粒子の非古典的結晶成長

山田望, 豊玉彰子, 奥薗透, 野澤純, 宇田聡, 山中淳平

第49回結晶成長国内会議　2020/11/10
キラル核形成に巨大鏡像異性過剰を誘起するプラズモン構造体のキラル近接場と鏡像体選択的光学力の解析 International-coauthorship

新家寛正, 杉山輝樹, An-ChiehCheng, 吉川洋史, 川村隆三, 野澤純, 岡田純平, 宇田聡

第49回結晶成長国内会議　2020/11/09
プラズモン光ピンセットによる塩素酸ナトリウムキラル結晶化クリープ操作－接触誘起多形転移によるキラリティ転写制御・高密度液相前駆体形成－ International-coauthorship

新家寛正, 杉山輝樹, 田川美穂, 宇治原徹, 尾松孝茂, 宮本克彦, 吉川洋史, 川村隆三, 野澤純, 岡田純平, 宇田聡

第49回結晶成長国内会議　2020/11/09
光電子ピンセットにより制御されたコロイド結晶化のその場観察

中川原英亜, 新家寛正, 石川晃平, 後藤和泰, 野澤純, 岡田純平, 宇田聡

第49回結晶成長国内会議　2020/11/09
2元系コロイド結晶のヘテロエピタキシャル成長

野澤純, 新家寛正, 岡田純平, 宇田聡

第49回結晶成長国内会議　2020/11/09
Unsteady-state crystal growth in the presence of interface electric field

Qilin Shi, Jun Nozawa, Satoshi Uda

2020/03/12
強い界面電場下において成長するCr:LiNbO3のCrイオンの固液間分配

宇田聡, 佐藤慶弥

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会　2020/03/12
Effect of interface electric field on ionic species segregation during the growth of LiNbO3

Qilin Shi, Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Satoshi Uda

2020/02/14
А New Growth Method by Applying External Electric Fields International-presentation Invited

Satoshi Uda

26th CIRFE Seminar　2019/12/24
コロイド結晶成長中の粒子間相互作用に対する界面形状変化 Invited

野澤純, 新家寛正, 岡田純平, 宇田聡

大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ「固液を区別するパラメタ―長距離秩序か配向秩序か―」　2019/12/01
バルク結晶成長から見た固液界面の存在とは？ Invited

宇田聡

大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ「固液を区別するパラメタ―長距離秩序か配向秩序か―」　2019/11/30
In-Situ Observation on Surface Kinetics in Optical Trapping-Induced Crystal Growth: Step Formation, Wetting Transition, and Nonclassical Growth International-presentation

H. Niinomi, T. Sugiyama, T. Ujihara, S. Guo, J. Nozawa, J. Okada, T. Omatsu, S. Uda

Summit of Materials Science (SMS) 2019 and GIMRT User Meeting 2019　2019/11/27
“Manipulation” of Acetaminophen Crystallization and Discovery of Two- Step Dissolution Process by Plasmonic Optical Tweezers International-presentation

Hiromasa Niinomi, Teruki Sugiyama, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Katsuhiko Miyamoto, Takashige Omatsu, Jun Nozawa, Junpei Okada, Satoshi Uda

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)　2019/11/02
四ホウ酸リチウムの双晶界面形成過程の直接観察

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

第48回結晶成長国内会議　2019/10/31
Effect of interface electric field on ionic species segregation during the growth of LiNbO3

Qilin Shi, Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Satoshi Uda

2019/10/31
２元系コロイド結晶の成長メカニズム

野澤純, 新家寛正, 岡田純平, 宇田聡

第48回結晶成長国内会議　2019/10/30
高圧氷成長過程において氷/水界面に生成する液体層の顕微鏡その場観察

新家寛正, 山崎智也, 羽馬哲也, 香内晃, 岡田純平, 野澤純, 宇田聡, 木村勇気

第48回結晶成長国内会議　2019/10/30
光学捕捉誘起結晶化における表面カイネティクスの顕微鏡その場観察－光電場によるステップ形成・濡れ転移・非古典的結晶成長－

新家寛正, 杉山輝樹, 宇治原徹, Suxia Guo, 野澤純, 岡田純平, 尾松考茂, 宇田聡

第48回結晶成長国内会議　2019/10/30
数値情報抽出によるコロイド粒子間相互作用の検討

沓掛健太朗, 野澤純, 郭素霞, 宇田聡

第48回結晶成長国内会議　2019/10/30
マイクロPD法による単結晶育成の基礎 Invited

宇田聡

講演: 東京工業大学物質理工学院　2019/09/30
Extended concept of stoichiometry for new LiNbO3 and LiTaO3 crystals International-presentation Invited

Satoshi Uda

3rd International Conference on Recent Trends in Applied Science and Technology (ICRTAST-2019)　2019/09/19
Extended concept of stoichiometry for new LiNbO3 and LiTaO3 crystals International-presentation Invited

Satoshi Uda

Lecture: Anna University　2019/09/18
A New Growth Technology by Applying External Electric Fields International-presentation Invited

Satoshi Uda

International Conference on Advanced Materials for Sustainable Energy and Sensors (INCAMSES-2019)　2019/09/16
Growth mechanism of binary colloidal crystals International-presentation

Jun Nozawa, Hiromasa Niinomi, Junpei Okada, Satoshi Uda

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/08/02
Manipulation of acetaminophen crystallization and discovery of two-step dissolution process by plasmonic optical tweezers International-presentation Invited

Hiromasa Niinomi, Teruki Sugiyama, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Katsuhiko Miyamoto, Takashige Omatsu, Jun Nozawa, Junpei Okada, Satoshi Uda

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/08/01
Partitioning of Mg into Li and Nb sites in LiNbO3 crystal during growth from the melt International-presentation

Satoshi Uda

19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)　2019/08/01
Bulk Growth of Oxide Materials International-presentation Invited

Satoshi Uda

17th International Summer School on Crystal Growth (ISSCG-17)　2019/07/25
結晶成長の基礎 Invited

宇田聡

第3回結晶成長基礎セミナー　2019/06/25
Partitioning of Mg into Li Site and Nb Site in LiNbO3 Crystal during Growth from the Melt International-presentation Invited

Satoshi Uda

2019 Collaborative Conference on Materials Research (CCMR)　2019/06/04
2元系コロイド結晶の成長メカニズム

野澤純, 郭素霞, 新家寛正, 岡田純平, 宇田聡

日本地球惑星科学連合2019年大会　2019/05/28
プラズモン光ピンセットによる有機分子の結晶化操作と二段階溶解過程の発見

新家寛正, 杉山輝樹, 田川美穂, 宇治原徹, 宮本克彦, 尾松考茂, 野澤純, 岡田純平, 宇田聡

日本地球惑星科学連合2019年大会　2019/05/28
ヘテロエピタキシャル成長による2元系コロイド結晶成長

野澤純, 郭素霞, 新家寛正, 岡田純平, 宇田聡

第137回東北大学金属材料研究所講演会　2019/05/29
Crystallization "Manipulated" by Plasmonic Optical Tweezers

H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, K. Miyamoto, T. Omatsu, J. Nozawa, J. Okada, S. Uda

2019/05/29
The effect of substrate on nucleation rate of twodimensional colloidal crystals

Suxia Guo, Jun Nozawa, Hiromasa Niinomi, Junpei Okada, Satoshi Uda

2019/03/09
２元系コロイド結晶の成⻑メカニズム

野澤純, 郭素霞, 新家寛正, 岡田純平, 宇田聡

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会　2019/03/09
Study on the electrical relationship at the interface between LN melt and LN crystal

Qilin Shi, Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Satoshi Uda

2019/03/09
Ga/Al⽐がCa3Ta(Ga,Al)3Si2O14の融液構造と結晶成⻑に与える影響

本田雄生, 新家寛正, 野澤純, 岡田純平, 宇田聡

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会　2019/03/09
Ga/Al比がCa3Ta(Ga,Al)3Si2O14の融液構造と結晶成長に与える影響

本田雄生, 新家寛正, 野澤純, 岡田純平, 宇田聡

東北大学大学院理学・生命科学2研究科合同シンポジウム2019　2019/02/15
水溶液中の有機分子のプラズモン光学捕捉による結晶化 Invited

新家寛正, 杉山輝樹, 宇田聡, 田川美穂, 宇治原徹, 宮本克彦, 尾松考茂

結晶表面・界面での相転移ダイナミクスに関するその場観察および理論　2019/01/28
Growth of new congruent oxide crystals with extended stoichiometric compositions International-presentation Invited

Satoshi Uda, Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Hiromasa Niinomi, Junpei Okada

International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals (ISSCGF2018)　2018/11/03
枯渇引力による３次元コロイド結晶構造の成長機構

山本瑠璃, 豊玉彰子, 奥薗透, 野澤純, 宇田聡, 山中淳平

第47回結晶成長国内会議　2018/10/31
データ駆動型の結晶成長研究に向けたコロイド粒子の数値情報抽出

沓掛健太朗, 野澤純, 郭素霞, 宇田聡, 井上憲一

第47回結晶成長国内会議　2018/10/31
流れによるコロイド結晶成長の制御

野澤純, 郭素霞, 庵原直樹, 新家寛正, 岡田純平, 宇田聡

第47回結晶成長国内会議　2018/10/31
Effect of interaction between particles and substrate on nucleation rate of two-dimensional colloidal crystals

Suxia Guo, Jun Nozawa, Hiromasa Niinomi, Junpei Okada, Satoshi Uda

2018/10/31
ホウ酸塩結晶成長における包有物の形成過程

前田健作, 根来仁, 志賀敬次, 森戸春彦, 藤原航三, 宇田聡

第47回結晶成長国内会議　2018/10/31
不飽和微小液滴からの光圧誘起結晶化による塩素酸ナトリウム準安定相制御

新家寛正, 杉山輝樹, 宇田聡, 田川美穂, 宇治原徹, 宮本克彦, 尾松考茂

第47回結晶成長国内会議　2018/10/31
金ナノ構造体への光照射により誘起されるキラル結晶化における対称性の破れ

新家寛正, 杉山輝樹, 宇田聡, 田川美穂, 宇治原徹, 宮本克彦, 尾松考茂

第47回結晶成長国内会議　2018/10/31
水溶液中のアセトアミノフェン分子のプラズモン光学捕捉による結晶化

新家寛正, 杉山輝樹, 宇田聡, 田川美穂, 宇治原徹, 宮本克彦, 尾松考茂

第47回結晶成長国内会議　2018/10/31
Study on the interface potential distribution during growth of MgO-doped lithium niobate under an external electric field

Qilin Shi, Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Satoshi Uda

2018/10/31
ニオブ酸リチウム結晶成長におけるMgの複数サイトへの分配

宇田聡, 堀江勇介

第47回結晶成長国内会議　2018/10/31
タンパク質をモデルとした溶液成長における溶媒和構造と結晶性との相関

小泉晴比古, 宇田聡, 塚本勝男, 橘勝, 小島謙一, 宇治原徹

第47回結晶成長国内会議　2018/10/31
超過冷却液体Siからの固化過程

岡田純平, 權起鉉, Patrick Sit, 石川毅彦, 宇田聡

第47回結晶成長国内会議　2018/10/31
Study on the interface potential distribution during growth of MgO-doped lithium niobate under an external electric field International-presentation

Qilin Shi, Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Satoshi Uda

Summit of Materials Science 2018: SMS2018　2018/10/29
Effect of interaction between particles and substrate on nucleation rate of two-dimensional colloidal crystals International-presentation

Suxia Guo, Jun Nozawa, Naoki Ihara, Hiromasa Niinomi, Junpei Okada, Satoshi Uda

Summit of Materials Science 2018: SMS2018　2018/10/29
Step kinetics dependent on the kink generation mode in colloidal crystal growth International-presentation

J. Nozawa, S. Guo, N. Ihara, H. Niinomi, J. Okada, S. Uda

Summit of Materials Science 2018: SMS2018　2018/10/29
Bulk amorphous Si produced from supercooled liquid Si International-presentation

J. Okada, K. Kwon, S. Uda

Summit of Materials Science 2018: SMS2018　2018/10/29
Chiral Symmetry Breaking in NaClO3 Chiral Crystallization Achieved by Thermoplasmonic Micro-Stirring International-presentation

H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, K. Miyamoto, T. Omatsu, J. Nozawa, J. Okada, S. Uda

Summit of Materials Science 2018: SMS2018　2018/10/29
データ駆動型のコロイド結晶成長に向けた数値情報抽出

沓掛健太朗, 野澤純, 郭素霞, 宇田聡, 井上憲一

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/18
ステップ形状とコロイド結晶成長メカニズム

野澤純, 郭素霞, 庵原直樹, 新家寛正, 岡田純平, 宇田聡

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018/09/18
Oxygen-metal non-stoichiometry in the diffusion boundary layer during growth of congruent-melting LiNbO3 International-presentation

Satoshi Uda, Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Hiromasa Niinomi, Junpei Okada

6th European Conference on Crystal Growth (ECCG-6)　2018/09/16
Presence of Al-Ga complex in the Ca3Ta(Ga,Al)3Si2O14 melt and its direct partitioning to crystal with partition coefficient of unity International-presentation

Satoshi Uda, Shuhei Sakano, Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Junpei Okada

6th European Conference on Crystal Growth (ECCG-6)　2018/09/16
融液成長における結晶への不純物分配 Invited

宇田聡

第41回結晶成長討論会　2018/09/03
Formation of bulk amorphous silicon from supercooled liquid using liquid quenching International-presentation

Kihyeon Kwon, Junpei T. Okada, Satoshi Uda

Tohoku University's Chemistry Summer School 2018　2018/08/27
Microstructures of MnBi obtained by quenching in magnetic fields up to 19 T International-presentation

R. Kobayashi, M. Yamashita, D. Miyazaki, Y. Mitsui, K. Takahashi, S. Uda, K. Koyama

The 21st International Conference on Magnetism (ICM2018)　2018/07/15
無機機能材料の結晶成長

宇田聡

第2回結晶成長基礎セミナー　2018/06/26

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発表日：2018年6月26日発表場所：産業技術総合研究所臨海副都心センター別館発表者：宇田聡
固液成長界面における酸化物融液の構造 Invited

宇田聡

第35回無機・分析化学コロキウム　2018/06/01
Step Kinetics Dependent on the Kink Generation Mode in Colloidal Crystal Growth International-presentation

Jun Nozawa, Suxia Guo, Naoki Ihara, Junpei Okada, Satoshi Uda

2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference (IFAAP2018)　2018/05/27

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発表日：2018年5月30日発表場所：広島国際会議場 (International Conference Center Hiroshima) 発表者：野澤純 (Jun Nozawa)
Growth of Mg-Doped Lithium Niobate Crystal with Stoichiometric Composition Coincident with Congruent Point International-presentation

Satoshi Uda, Hiromitsu Kimura

2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference (IFAAP2018)　2018/05/27

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発表日：2018年5月30日発表場所：広島国際会議場 (International Conference Center Hiroshima) 発表者：宇田聡 (Satoshi Uda)
NaClO3 Metastable Phase Control by Photon Pressure-Induced Crystallization in Unsaturated Microdroplet

H. Niinomi, T. Sugiyama, K. Miyamoto, T. Omatsu, S. Uda

第135回東北大学金属材料研究所講演会　2018/05/23

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発表日：2018年5月23日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：新家寛正
Kink creation and particle interaction of colloidal crystals

J. Nozawa, S. Guo, N. Ihara, H. Niinomi, J. Okada, S. Uda

第135回東北大学金属材料研究所講演会　2018/05/23

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発表日：2018年5月23日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
Production of amorphous Si by liquid quenching from undercooled liquid

J. T. Okada, K. Kwon, S. Uda

第135回東北大学金属材料研究所講演会　2018/05/23

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発表日：2018年5月23日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：岡田純平
The effect of substrate on nucleation of colloidal crystals

Suxia Guo, Jun Nozawa, Junpei Okada, Satoshi Uda

第135回東北大学金属材料研究所講演会　2018/05/23

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発表日：2018年5月23日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：Suxia Guo（郭素霞）
酸化物結晶成長において界面融液で起きていること -界面融液構造の熱力学的解析-

宇田聡

第134回東北大学金属材料研究所講演会　2017/11/29

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発表日：2017年11月30日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：宇田聡（一般講演）
四ホウ酸リチウムの双晶形成頻度と融液組成の関係

前田健作, 宇田聡, 藤原航三

第46回結晶成長国内会議　2017/11/27

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発表日：2017年11月29日発表場所：ホテルコンコルド浜松発表者：前田健作（金研藤原研究室）
コロイド結晶におけるステップカイネティクス

野澤純, 郭素霞, 庵原直樹, 小泉晴比古, 岡田純平, 宇田聡

第46回結晶成長国内会議　2017/11/27

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発表日：2017年11月27日発表場所：ホテルコンコルド浜松発表者：野澤純
Heterogeneous nucleation of colloidal crystals on a glass substrate with depletion attraction

Suxia Guo, Jun Nozawa, Sumeng Hu, Haruhiko Koizumi, Junpei Okada, Satoshi Uda

第46回結晶成長国内会議　2017/11/27

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発表日：2017年11月27日発表場所：ホテルコンコルド浜松発表者：Suxia Guo（郭素霞）
Al-Gaの固液分配現象から見るCa₃Ta(Ga,Al)₃Si₂O₁₄単結晶の成長界面融液構造

宇田聡, 坂野修平, 小山千尋, 野澤純

第46回結晶成長国内会議　2017/11/27

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発表日：2017年11月27日発表場所：ホテルコンコルド浜松発表者：宇田聡
浮遊帯溶融法による結晶成長において溶融帯量の変化が固液間溶質分配に及ぼす影響について

宇田聡, 竹原裕太郎, 小山千尋, 野澤純

第46回結晶成長国内会議　2017/11/27

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発表日：2017年11月27日発表場所：ホテルコンコルド浜松発表者：宇田聡
ステップ自由エネルギー制御による高品質タンパク質結晶の育成

小泉晴比古, 宇田聡, 塚本勝男, 橘勝, 小島謙一, 岡田純平, 野澤純

第46回結晶成長国内会議　2017/11/27

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発表日：2017年11月27日発表場所：ホテルコンコルド浜松発表者：小泉晴比古
Compositional uniformity in the MgO-doped LiNbO₃ crystal that is concurrently congruent and stoichiometric

Qilin Shi, Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Satoshi Uda

第46回結晶成長国内会議　2017/11/27

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発表日：2017年11月29日発表場所：ホテルコンコルド浜松発表者：Qilin Shi（施祺霖）
枯渇凝集系コロイド結晶の成長界面における粒子の吸着、脱着、表面拡散、格子欠陥形成およびキンク取り込み過程

鈴木良尚, 服部義亮, 野澤純, 宇田聡, 豊玉彰子, 山中淳平

第46回結晶成長国内会議　2017/11/27

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発表日：2017年11月29日発表場所：ホテルコンコルド浜松発表者：鈴木良尚（徳島大学）
磁場中反応プロセスにおけるMnBiの生成

三井好古, 宮﨑泰樹, 梅津理恵, 高橋弘紀, 宇田聡, 小山佳一

2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017/09/05

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発表日：2017年9月5日場所：福岡国際会議場発表者：三井好古（鹿児島大学小山研究室）
熱力学的自由度を増やして拡がる結晶づくりの新世界

宇田聡

2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017/09/05

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発表日：2017年9月8日場所：福岡国際会議場発表者：宇田聡
Investigating the effect of doping by divalent and monovalent ions on congruent lithium niobate (c-LN)

Taqwa Aditya Atmaja, Satoshi Uda

Tohoku University's Chemistry Summer School 2017　2017/08/21
Thermophysical Property of Supercooled-liquid Silicon International-presentation

Junpei T. Okada, Takehiko Ishikawa, Paul-Francois Paradis, Yuki Watanabe, Satoshi Uda

31st International Symposium on Space Technology and Science (31st ISTS)　2017/06/03

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発表日：2017年6月9日場所：ひめぎんホール発表者：Junpei T. Okada
コロイド結晶表面上の2次元島の核形成と成長

野澤純, 郭素霞, 小泉晴比古, 岡田純平, 宇田聡

第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017/05/26

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発表日：2017年5月26日（2017年春季）場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
Two dimensional nucleation of colloidal crystals on the substrates with depletion attraction

Suxia Guo, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Junpei Okada, Satoshi Uda

第133回東北大学金属材料研究所講演会　2017/05/26

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発表日：2017年5月26日（2017年春季）場所：東北大学金属材料研究所発表者：Suxia Guo（郭素霞）
Two dimensional nucleation of colloidal crystals on the substrates with depletion attraction International-presentation

Suxia Guo, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Junpei Okada, Satoshi Uda

2017 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for Materials Integration Center and Materials Science Center in conjunction with 2017 Russia-Japan Conference "Advanced Materials: Synthesis, Processing and Properties of Nanostructures"　2017/03/21

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発表日：2017年3月22日場所：ホテル華乃湯発表者：Suxia Guo
交流電場によるタンパク質結晶化過程の制御

小泉晴比古, 宇田聡, 岡田純平, 野澤純

日本物理学会第72回年次大会（2017年）　2017/03/17

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発表日：2017年3月18日場所：大阪大学豊中キャンパス発表者：小泉晴比古
交流電場によるタンパク質結晶のサブグレイン内に存在する歪み制御

小泉晴比古, 宇田聡, 橘勝, 小島謙一, 岡田純平, 野澤純

2017年第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

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発表日：2017年3月14日場所：パシフィコ横浜発表者：小泉晴比古
浮遊帯溶融法における溶融帯不安定性が不純物分配に及ぼす影響

竹原裕太郎, 小山千尋, 宇田聡

2017年第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

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発表日：2017年3月14日場所：パシフィコ横浜発表者：宇田聡
Ca₃Ta(Ga,Al)₃Si₂O₁₄単結晶の融液成長におけるAl-Gaの固液分配現象

坂野修平, 小山千尋, 岡田純平, 宇田聡

2017年第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

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発表日：2017年3月14日場所：パシフィコ横浜発表者：宇田聡
不純物添加したニオブ酸リチウムの融点およびキュリー温度に与える酸素欠陥の影響

小山千尋, 野澤純, 岡田純平, 宇田聡

2017年第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

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発表日：2017年3月14日場所：パシフィコ横浜発表者：小山千尋
コロイド結晶における2次元核形成過程

野澤純, 郭素霞, 小泉晴比古, 岡田純平, 宇田聡

2017年第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

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発表日：2017年3月14日場所：パシフィコ横浜発表者：野澤純
In-situ observation of two dimensional nucleation in colloidal crystals with depletion attraction

Suxia Guo, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Junpei Okada, Satoshi Uda

2017年第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

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発表日：2017年3月14日場所：パシフィコ横浜発表者：Suxia Guo（郭素霞）
Performance test for the quenching furnace in high magnetic fields

Misaki Yamashita, Yoshifuru Mitsui, Kohki Takahashi, Satoshi Uda, Keiichi Koyama

2017年第64回応用物理学会春季学術講演会　2017/03/14

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発表日：2017年3月14日場所：パシフィコ横浜発表者：Yoshifuru Mitsui（鹿児島大学小山研究室）
固液近傍の酸化物融液の構造についての一考察

宇田聡, 岡田純平

日本学術振興会第161委員会第99回研究会　2017/03/10

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日本学術振興会第161委員会第99回研究会「圧電結晶の最新動向」発表日：2017年3月10日場所：東北大学多元物質科学研究所発表者：宇田聡
Two dimensional nucleation of colloidal crystals on the substrates with depletion attraction

Suxia Guo, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Junpei Okada, Satoshi Uda

東北大学大学院理学・生命科学2研究科合同シンポジウム2017～新学術領域における学生・若手研究者の連携～　2017/02/17

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発表日：2017年2月17日場所：東北大学大学院理学研究科発表者：Suxia Guo（郭素霞）
斜方晶リゾチームの核形成頻度に対する交流電場の影響

崔世然, 小泉晴比古, 野澤純, 岡田純平, 宇田聡

第132回東北大学金属材料研究所講演会（2016年秋季）　2016/11/24

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発表日：2016年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：崔世然
不純物添加したニオブ酸リチウムの融点およびキュリー温度に与える酸素欠陥の影響

小山千尋, 野澤純, 岡田純平, 宇田聡

第132回東北大学金属材料研究所講演会（2016年秋季）　2016/11/24

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発表日：2016年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小山千尋
In-situ observation of two dimensional nucleation in colloidal crystals with depletion attraction

Suxia Guo, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Junpei Okada, Satoshi Uda

第132回東北大学金属材料研究所講演会（2016年秋季）　2016/11/24

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発表日：2016年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：Suxia Guo
コロイド結晶表面における2次元核形成メカニズム

野澤純, 郭素霞, 小泉晴比古, 岡田純平, 宇田聡

第132回東北大学金属材料研究所講演会（2016年秋季）　2016/11/24

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発表日：2016年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
Two-dimensional nucleation of colloidal crystals added with polymer International-presentation

J. Nozawa, S. Guo, S. Hu, H. Koizumi, S. Uda

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/07

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発表日：2016年8月8日場所：Nagoya Congress Center（名古屋国際会議場）発表者：J. Nozawa
Crystallization of High-Quality Protein Crystals using an External Electric Field International-presentation

H. Koizumi, S. Uda, K. Fujiwara, M. Tachibana, K. Kojima, J. Nozawa

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/07

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発表日：2016年8月9日場所：Nagoya Congress Center（名古屋国際会議場）発表者：H. Koizumi
Oxygen Partitioning during Growth of Oxide Materials from Melt International-presentation

S. Uda, C. Koyama, J. Okada

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/07

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発表日：2016年8月9日場所：Nagoya Congress Center（名古屋国際会議場）発表者：S. Uda
Relationship between Curie Temperature and Point Defects in Lithium Niobate International-presentation

C. Koyama, J. Nozawa, K. Fujiwara, S. Uda

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/07

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発表日：2016年8月9日場所：Nagoya Congress Center（名古屋国際会議場）発表者：C. Koyama
Twinned borate crystal growth on curved crystal/liquid interface International-presentation

K. Maeda, T. Kaji, S. Uda, K. Fujiwara, Y. Oyama

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/07

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発表日：2016年8月9日場所：Nagoya Congress Center（名古屋国際会議場）発表者：K. Maeda
Thermophysical Properties of Supercooled-liquid Silicon International-presentation

J. T. Okada, T. Ishikawa, Y. Watanabe, P. -F. Paradis, S. Uda

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)　2016/08/07

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発表日：2016年8月11日場所：Nagoya Congress Center（名古屋国際会議場）発表者：J. T. Okada
複数元素からなる酸化物において実現可能な構造を絞り込むために有効な結晶サイト自由度の考え方

宇田聡

東北大学金属材料研究所第86回夏期講習会　2016/07/19

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発表日：2016年7月19日場所：東北大学金属材料研究所発表者：宇田聡
Relaxation of a large amount of Local Strain in Protein Crystals by using Seed Crystals International-presentation

H. Koizumi, S. Uda, M. Tachibana, K. Tsukamoto, K. Kojima, J. Nozawa

16th International Conference on the Crystallization of Biological Macromolecules (ICCBM-16)　2016/07/02

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発表日：2016年7月5日場所：Orea Hotel Pyramida 発表者：H. Koizumi
Two-dimensional nucleation of colloidal crystals added with polymer International-presentation

J. Nozawa, S. Guo, H. Koizumi, J. Okada, S. Uda

Summit of Materials Science 2016: SMS2016　2016/05/18

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発表日：2016年5月18日場所：東北大学金属材料研究所発表者：J. Nozawa
Point Defect Dependence of Curie Temperature of Lithium Niobate International-presentation

C. Koyama, J. Nozawa, K. Fujiwara, S. Uda

Summit of Materials Science 2016: SMS2016　2016/05/18

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発表日：2016年5月18日場所：東北大学金属材料研究所発表者：C. Koyama
Fabrication of periodically-twinned borate crystal for quasi-phase-matching International-presentation

Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

The 10th Asia-Pacific Laser Symposium (APLS 2016)　2016/05/10

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発表日：2016年5月11日場所：Seogwipo KAL Hotel 発表者：Kensaku Maeda（前田健作）
金属元素ドープLiTaO₃基板の表面弾性波特性評価

杉山正史, 寺島彰, 梶ヶ谷富男, 飯田潤二, 宇田聡, 橋本研也

2016年第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19

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発表日：2016年3月19日場所：東京工業大学大岡山キャンパス発表者：杉山正史（住友金属鉱山株式会社）民間との共同研究の成果
コロイド結晶表面における2次元核形成メカニズム

野澤純, 胡素梦, 郭素霞, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

2016年第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19

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発表日：2016年3月19日場所：東京工業大学大岡山キャンパス発表者：野澤純
コロイド結晶成長における固液界面形態が与える粒界偏析の変化

胡素梦, 野澤純, 郭素霞, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

2016年第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19

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発表日：2016年3月19日場所：東京工業大学大岡山キャンパス発表者：野澤純
種結晶を用いたタンパク質結晶内に存在する多量の局所的な歪みの解消

小泉晴比古, 宇田聡, 橘勝, 塚本勝男, 小島謙一, 野澤純

2016年第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19

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発表日：2016年3月19日場所：東京工業大学大岡山キャンパス発表者：小泉晴比古
コングルエント・ニオブ酸リチウム単結晶成長における酸素挙動 (3)

宇田聡, 小山千尋

2016年第63回応用物理学会春季学術講演会　2016/03/19

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発表日：2016年3月19日場所：東京工業大学大岡山キャンパス発表者：宇田聡
Effect of solid-liquid interface morphology on grain boundary segregation during colloidal polycrystallization International-presentation

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Suxia Guo, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure" in conjunction with 2015 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center"　2016/03/18

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発表日：2016年3月18日場所：ホテル華乃湯発表者：Sumeng Hu（胡素梦）
Two-dimensional nucleation of colloidal crystals doped with polymers International-presentation

Suxia Guo, Jun Nozawa, Sumeng Hu, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure" in conjunction with 2015 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center"　2016/03/18

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発表日：2016年3月18日場所：ホテル華乃湯発表者：Suxia Guo（郭素霞）
A new insight on the concept of stoichiometry for oxides International-presentation

Satoshi Uda

40th International Conference and Exposition on Advanced Ceramics and Composites (ICACC 2016)　2016/01/24

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発表日：2016年1月25日場所：Hilton Daytona Beach Resort, Ocean Center 発表者：Satoshi Uda
四ホウ酸リチウム周期双晶による擬似位相整合

前田健作, 宇田聡, 藤原航三, 小山裕

レーザー学会学術講演会第36回年次大会　2016/01/09

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発表日：2016年1月11日場所：名城大学天白キャンパス発表者：前田健作（レーザー学会第39回奨励賞受賞記念講演）
ニオブ酸リチウムのキュリー温度に及ぼすアンチサイト欠陥と空孔の影響

小山千尋, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第130回東北大学金属材料研究所講演会（2015年秋季）　2015/11/25

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発表日：2015年11月25日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小山千尋
不純物添加したタンタル酸リチウムの点欠陥の存在形態

沼田典親, 小山千尋, 野澤純, 宇田聡

第130回東北大学金属材料研究所講演会（2015年秋季）　2015/11/25

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発表日：2015年11月25日場所：東北大学金属材料研究所発表者：沼田典親
The Effect of the Morphology of the Solid/liquid Interface on Impurity Partitioning Behaviours during Colloidal Polycrystallization

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

第130回東北大学金属材料研究所講演会（2015年秋季）　2015/11/25

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発表日：2015年11月25日場所：東北大学金属材料研究所発表者：Sumeng Hu（胡素梦）
回折能向上に向けたタンパク質結晶中のサブグレイン形成制御

小泉晴比古, 宇田聡, 橘勝, 塚本勝男, 小島謙一, 野澤純

第130回東北大学金属材料研究所講演会（2015年秋季）　2015/11/25

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発表日：2015年11月25日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小泉晴比古
ニオブ酸リチウム結晶成長において界面電場が不純分配に及ぼす影響

船田尚, 小山千尋, 野澤純, 宇田聡

第130回東北大学金属材料研究所講演会（2015年秋季）　2015/11/25

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発表日：2015年11月25日場所：東北大学金属材料研究所発表者：船田尚
高分子添加したコロイド結晶の成長メカニズム

野澤純, 胡素梦, 郭素霞, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

第130回東北大学金属材料研究所講演会（2015年秋季）　2015/11/25

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発表日：2015年11月25日場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
純緑色光を発生する高均質・高効率のニオブ酸リチウム単結晶

宇田聡

第5回次世代ものづくり基盤技術産業展 TECH Biz EXPO 2015　2015/11/18

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発表日：2015年11月20日発表場所：吹上ホール発表者：宇田聡「研究シーズ発表会」で発表出展：東北大学金属材料研究所「金研が有する最先端材料、革新的技術の紹介」研究室の展示内容：レーザー光波長変換用超均質化学両論ニオブ酸リチウム単結晶の開発
高分子添加した系のコロイド結晶成長メカニズム

野澤純, 胡素梦, 郭素霞, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

第45回結晶成長国内会議　2015/10/19

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発表日：2015年10月19日発表場所：北海道大学学術交流会館発表者：野澤純
The Effect of the Morphology of the Solid/liquid Interface on Grain Boundary Segregation during Colloidal Polycrystallization

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

第45回結晶成長国内会議　2015/10/19

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発表日：2015年10月19日発表場所：北海道大学学術交流会館発表者：Sumeng Hu（胡素梦）
回折能向上に向けたタンパク質結晶中のサブグレイン形成制御

小泉晴比古, 宇田聡, 橘勝, 塚本勝男, 小島謙一, 野澤純

第45回結晶成長国内会議　2015/10/19

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発表日：2015年10月20日発表場所：北海道大学学術交流会館発表者：小泉晴比古
荷電コロイド結晶中の不純物粒子の拡散と欠陥

菅生行紘, 豊玉彰子, 奥薗透, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡, 山中淳平

第45回結晶成長国内会議　2015/10/19

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発表日：2015年10月20日発表場所：北海道大学学術交流会館発表者：菅生行紘（名古屋市立大学山中研究室）
四ホウ酸リチウムの双晶界面形成過程

前田健作, 加地剛史, 宇田聡, 藤原航三, 小山裕

第45回結晶成長国内会議　2015/10/19

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発表日：2015年10月21日発表場所：北海道大学学術交流会館発表者：前田健作（東北大学小山研究室）
酸化物単結晶成長時の酸素の固液間分配について

宇田聡, 小山千尋

第45回結晶成長国内会議　2015/10/19

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発表日：2015年10月21日発表場所：北海道大学学術交流会館発表者：宇田聡
格子定数および熱力学的解析による不純物添加したニオブ酸リチウムの点欠陥形態の決定

小山千尋, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第45回結晶成長国内会議　2015/10/19

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発表日：2015年10月21日発表場所：北海道大学学術交流会館発表者：小山千尋
ニオブ酸リチウム結晶成長において界面電場が不純物分配に及ぼす影響

船田尚, 小山千尋, 野澤純, 宇田聡

第45回結晶成長国内会議　2015/10/19

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発表日：2015年10月21日発表場所：北海道大学学術交流会館発表者：船田尚
不純物添加によるタンタル酸リチウムの点欠陥の濃度変化

沼田典親, 小山千尋, 野澤純, 宇田聡

第45回結晶成長国内会議　2015/10/19

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発表日：2015年10月21日発表場所：北海道大学学術交流会館発表者：沼田典親
四ホウ酸リチウム双晶結晶の融液成長過程

前田健作, 加地剛史, 宇田聡, 藤原航三, 小山裕

日本金属学会2015年秋期講演大会（第157回）　2015/09/16

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発表日：2015年9月17日場所：九州大学伊都キャンパス発表者：前田健作
Dislocations in High-Quality Glucose Isomerase Crystals Grown from Seed Crystals International-presentation

Haruhiko Koizumi, Masaru Tachibana, Izumi Yoshizaki, Seijiro Fukuyama, Katsuo Tsukamoto, Yoshihisa Suzuki, Satoshi Uda, Kenichi Kojima

6th International Symposium on Physical Science in Space (ISPS-6)　2015/09/14

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発表日：2015年9月18日場所：同志社大学室町キャンパス寒梅館（Doshisha University, Kambaikan) 発表者：Haruhiko Koizumi
ニオブ酸リチウムのキュリー温度に及ぼす点欠陥の影響

小山千尋, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015/09/13

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発表日：2015年9月14日場所：名古屋国際会議場発表者：小山千尋
コングルエント・ニオブ酸リチウム単結晶成長における酸素挙動 (2)

宇田聡, 小山千尋

2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015/09/13

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発表日：2015年9月14日場所：名古屋国際会議場発表者：宇田聡
電場存在下でのニオブ酸リチウム結晶成長における不純物イオンの分配挙動

船田尚, 小山千尋, 野澤純, 宇田聡

2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015/09/13

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発表日：2015年9月14日場所：名古屋国際会議場発表者：船田尚
The Effect of the Groove on Grain Boundary Segregation during Colloidal Polycrystallization

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015/09/13

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発表日：2015年9月14日場所：名古屋国際会議場発表者：Sumeng Hu（胡素梦）
高分子添加したコロイド結晶の成長メカニズム

野澤純, 胡素梦, 郭素霞, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015/09/13

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発表日：2015年9月14日場所：名古屋国際会議場発表者：野澤純
不純物添加したタンタル酸リチウムの点欠陥の存在形態

沼田典親, 小山千尋, 野澤純, 宇田聡

2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015/09/13

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発表日：2015年9月13日場所：名古屋国際会議場発表者：沼田典親
Impurity partitioning during colloidal polycrystallization International-presentation

Jun Nozawa, Sumeng Hu, Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda

20th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-20)　2015/08/02

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発表日：2015年8月3日場所：Big Sky Resort 発表者：Jun Nozawa
Configuration of point defects of impurity-doped congruent lithium niobate International-presentation

Chihiro Koyama, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

20th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-20)　2015/08/02

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発表日：2015年8月4日場所：Big Sky Resort 発表者：Chihiro Koyama
Oxygen transport during crystallization of oxide crystal from the melt International-presentation

Satoshi Uda

20th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-20)　2015/08/02

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発表日：2015年8月6日場所：Big Sky Resort 発表者：Satoshi Uda
Control of subgrain formation in protein crystals by the application of an external electric field International-presentation

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara, Masaru Tachibana, Kenichi Kojima, Jun Nozawa

20th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-20)　2015/08/02

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発表日：2015年8月7日場所：Big Sky Resort 発表者：Satoshi Uda
四ホウ酸リチウムの種子結晶加工による周期双晶の作製

前田健作, 加地剛史, 宇田聡, 藤原航三, 小山裕

レーザー学会第476回研究会, 日本結晶成長学会バルク成長分科会第96回研究会　2015/07/17

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発表日：2015年7月17日場所：ホテル阪急エキスポパーク発表者：前田健作
Grain Boundary Segregation of Impurity during Polycrystalline Colloidal Crystallization

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

第32回無機・分析化学コロキウム　2015/06/05

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発表日：2015年6月5日場所：東北大学川渡共同セミナーセンター発表者：Sumeng Hu（胡素梦）
不純物添加したタンタル酸リチウムの点欠陥の存在形態

沼田典親, 小山千尋, 宇田聡

第32回無機・分析化学コロキウム　2015/06/05

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発表日：2015年6月5日場所：東北大学川渡共同セミナーセンター発表者：沼田典親
電場存在下でのニオブ酸リチウム結晶成長における不純物イオンの分配挙動

船田尚, 宇田聡

第32回無機・分析化学コロキウム　2015/06/05

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発表日：2015年6月5日場所：東北大学川渡共同セミナーセンター発表者：船田尚
交流電場印加によるタンパク質結晶の完全性への影響

小泉晴比古, 宇田聡, 藤原航三, 橘勝, 小島謙一, 野澤純

第129回東北大学金属材料研究所講演会（2015年春季）　2015/05/29

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発表日：2015年5月29日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小泉晴比古
In-situ Observation of Grain Boundary Segregation of Impurity during Polycrystalline Colloidal Crystallization

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda

第129回東北大学金属材料研究所講演会（2015年春季）　2015/05/29

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発表日：2015年5月29日場所：東北大学金属材料研究所発表者：Sumeng Hu（胡素梦）
還元雰囲気下での熱処理による不純物添加したニオブ酸リチウムの酸素欠陥の形成

小山千尋, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第129回東北大学金属材料研究所講演会（2015年春季）　2015/05/29

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発表日：2015年5月29日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小山千尋
荷電コロイド系の結晶成長における不純物の分配挙動

野澤純, 胡素梦, 小泉晴比古, 宇田聡

第129回東北大学金属材料研究所講演会（2015年春季）　2015/05/29

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発表日：2015年5月29日場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
強磁場中におけるBi-Mn合金の巨視的変化の観察

宮崎泰樹, 平敦志, 三井好古, アベ松賢一, 高橋弘紀, 宇田聡, 渡辺和雄, 小山佳一

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

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発表日：2015年3月14日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：宮崎泰樹（鹿児島大学小山研究室）
Congruency and Liquid Immiscibility in Langasite-type Crystal with Four Elements

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

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発表日：2015年3月12日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
コングルエント・ニオブ酸リチウム単結晶成長における酸素挙動

宇田聡

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

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発表日：2015年3月12日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：宇田聡
Ar雰囲気下での熱処理による不純物添加したニオブ酸リチウムの酸素欠陥の形成

小山千尋, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

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発表日：2015年3月12日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：小山千尋
交流電場印加による高品質タンパク質結晶の育成機構の解明 I

小泉晴比古, 宇田聡, 藤原航三, 橘勝, 小島謙一, 野澤純

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

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発表日：2015年3月14日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：小泉晴比古
荷電コロイド系結晶成長における不純物分配挙動

野澤純, 胡素梦, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

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発表日：2015年3月14日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：野澤純
Impurity Partitioning of Grain Boundary during Polycrystalline Colloidal Crystallization

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会　2015/03/11

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発表日：2015年3月14日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：Sumeng Hu（胡素梦）
Impurity Partitioning of Grain Boundary during Polycrystalline Colloidal Crystallization International-presentation

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara, Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda

Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure" in conjunction with 2014 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center"　2015/03/09

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発表日：2015年3月10日場所：ホテル華乃湯発表者：Sumeng Hu（胡素梦）
Ge distribution at grain boundary in unidirectional growth of Si-rich SiGe International-presentation

Morgane Mokhtari, Kozo Fujiwara, Haruhiko Koizumi, Jun Nozawa, Satoshi Uda

Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure" in conjunction with 2014 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center"　2015/03/09

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発表日：2015年3月10日場所：ホテル華乃湯発表者：Morgane Mokhtari
Congruency and liquid immiscibility in langasite-type crystal with four elements International-presentation

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure" in conjunction with 2014 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center"　2015/03/09

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発表日：2015年3月10日場所：ホテル華乃湯発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
不純物添加したニオブ酸リチウムの点欠陥とキュリー温度の関係

小山千尋, 前田健作, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

日本結晶成長学会バルク成長分科会第95回研究会　2015/03/07

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発表日：2015年3月7日場所：北海道大学東京オフィス発表者：小山千尋第95回研究会「誘電体結晶の新展開」
Ge distribution at grain boundary in unidirectional growth of Si-rich SiGe International-presentation

M. Mokhtari, K. Fujiwara, H. Koizumi, J. Nozawa, S. Uda

ELyT Workshop 2015 in Matsushima – Comprehensive Research on Materials, Systems and Energy for Sustainable Future. In Memory of Professor Pierre Francois Gobin　2015/02/18

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発表日：2015年3月20日場所：松島センチュリーホテル発表者：M. Mokhtari
MnBi焼結体の合成と分解過程の観測

宮崎泰樹, 三井好古, アベ松賢一, 高橋弘紀, 宇田聡, 渡辺和雄, 小山佳一

第120回日本物理学会九州支部例会　2014/12/06

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発表日：2014年12月6日場所：崇城大学 F号館発表者：宮崎泰樹（鹿児島大学小山研究室）
In situ observation of crystal/melt interface of SiGe

M. Mokhtari, K. Fujiwara, H. Koizumi, J. Nozawa, S. Uda

第128回東北大学金属材料研究所講演会（2014年秋季）　2014/11/27

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発表日：2014年11月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：M. Mokhtari（モクタリモルガン）
Grain boundary segregation during crystallization of polycrystalline colloid

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara, Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda

第128回東北大学金属材料研究所講演会（2014年秋季）　2014/11/27

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発表日：2014年11月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：Sumeng Hu（胡素梦）
荷電コロイド系の結晶成長における不純物の分配挙動

野澤純, 胡素梦, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

第128回東北大学金属材料研究所講演会（2014年秋季）　2014/11/27

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発表日：2014年11月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
移流集積法を用いたコロイド結晶成長の数値実験モデルの構築

寺田弥生, 野澤純, 宇田聡, 毛利哲夫

第128回東北大学金属材料研究所講演会（2014年秋季）　2014/11/27

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発表日：2014年11月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：寺田弥生
Solid Solution Range and Liquid Immiscibility in Langasite-type Crystal with Four Elements

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

第128回東北大学金属材料研究所講演会（2014年秋季）　2014/11/27

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発表日：2014年11月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
正方晶リゾチームの成長速度に対する交流電場の影響

井出裕丈, 小泉晴比古, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第128回東北大学金属材料研究所講演会（2014年秋季）　2014/11/27

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発表日：2014年11月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：井出裕丈
調和融解組成と化学量論組成を一致させたニオブ酸リチウムとタンタル酸リチウムの開発

宇田聡

科学技術振興会誘電体研究委員会第136回委員会講演会　2014/11/14

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発表日：2014年11月14日場所：東京工業大学大岡山キャンパス発表者：宇田聡
四ホウ酸リチウムの双晶界面形成メカニズムの解明と周期双晶の作製

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

第3回結晶工学未来塾　2014/11/13

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発表日：2014年11月13日場所：学習院創立百周年記念会館発表者：前田健作応用物理学会結晶工学分科会主催
Siの固液界面不安定化に及ぼす双晶界面の影響

藤原航三, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月8日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：藤原航三
In situ observation of crystal/melt interface of SiGe

M. Mokhtari, K. Fujiwara, H. Koizumi, J. Nozawa, S. Uda

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月8日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：M. Mokhtari（モクタリモルガン）
四ホウ酸リチウムの融液成長における幾何学的な双晶界面形成メカニズム

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月6日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：前田健作
酸化物単結晶成長における自由度の考え方とその応用

宇田聡

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月7日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：宇田聡
荷電コロイド結晶中の不純物粒子のホッピング挙動

菅生行紘, 豊玉彰子, 奥薗透, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡, 山中淳平

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月6日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：菅生行紘（名古屋市立大学大学院薬学研究科・山中研究室）研究部共同研究の成果発表
荷電コロイド結晶の格子間隙における不純物粒子の拡散

大橋良章, 豊玉彰子, 奥薗透, 山中淳平, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月6日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：大橋良章（名古屋市立大学大学院薬学研究科・山中研究室）研究部共同研究の成果発表
枯渇引力系を用いたコロイド結晶化過程の一粒子観察

神野隼大, 豊玉彰子, 奥薗透, 山中淳平, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月6日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：神野隼大（名古屋市立大学大学院薬学研究科・山中研究室）研究部共同研究の成果発表
不純物添加したニオブ酸リチウムのキュリー温度に与える還元雰囲気下での熱処理の効果

小山千尋, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月6日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：小山千尋
Congruency and Liquid Immiscibility in Langasite-type Crystal with Four Elements

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月6日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
交流電場印加によるタンパク質結晶中のsub-grain形成の制御

小泉晴比古, 宇田聡, 藤原航三, 橘勝, 小島謙一, 野澤純

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月6日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：小泉晴比古
正方晶リゾチームの成長速度に対する交流電場の影響

井出裕丈, 小泉晴比古, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月6日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：井出裕丈
Grain boundary segregation during crystallization of polycrystalline colloid

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara, Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月7日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：Sumeng Hu（胡素梦）
荷電コロイド系の結晶成長における不純物の分配挙動

野澤純, 胡素梦, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

第44回結晶成長国内会議　2014/11/06

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発表日：2014年11月7日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：野澤純
In-Situ observation of crystal/melt interface of SiGe

M. Mokhtari, K. Fujiwara, H. Koizumi, J. Nozawa, S. Uda

第38回結晶成長討論会　2014/09/25

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発表日：2014年9月25日発表場所：公益財団法人大学セミナーハウス八王子セミナーハウス発表者：M. Mokhtari
強磁場中その場観測・示差熱分析装置の開発と磁性材料への応用

宮崎泰樹, アベ松賢一, 三井好古, 小山佳一, 高橋弘紀, 宇田聡, 渡辺和雄

日本金属学会2014年秋期講演大会（第155回）　2014/09/24

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発表日：2014年9月26日発表場所：名古屋大学東山キャンパス発表者：小山佳一
交流電場印加によるタンパク質結晶中のsub-grainの制御

小泉晴比古, 宇田聡, 藤原航三, 橘勝, 小島謙一, 野澤純

2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014/09/17

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発表日：2014年9月20日場所：北海道大学札幌キャンパス発表者：小泉晴比古
強磁場中における熱分析・その場観察装置の開発

宮崎泰樹, 三井好古, アベ松賢一, 高橋弘紀, 宇田聡, 渡辺和雄, 小山佳一

2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会　2014/09/17

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発表日：2014年9月18日場所：北海道大学札幌キャンパス発表者：宮崎泰樹
不純物添加したニオブ酸リチウムの点欠陥の存在形態とキュリー温度因子に関する熱力学解析

小山千尋, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

日本が誇るマテリアルの世界材料フェスタ in 仙台　2014/07/28

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発表日：2014年7月28日発表場所：仙台国際センター発表者：小山千尋
四ホウ酸リチウム周期双晶による擬似位相整合

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

日本結晶成長学会バルク成長分科会第92回研究会　2014/07/18

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発表日：2014年7月18日発表場所：ホテル阪急エキスポパーク発表者：前田健作
交流電場印加によるタンパク質結晶内のサブグレインの制御

小泉晴比古, 宇田聡, 藤原航三, 橘勝, 小島謙一, 野澤純

第127回東北大学金属材料研究所講演会（2014年春季）　2014/05/28

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発表日：2014年5月28日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小泉晴比古
タンパク質結晶の成長速度に対する交流電場の影響

井出裕丈, 小泉晴比古, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第127回東北大学金属材料研究所講演会（2014年春季）　2014/05/28

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発表日：2014年5月28日場所：東北大学金属材料研究所発表者：井出裕丈
コロイド結晶成長における不純物分配挙動の方位依存性

野澤純, 胡素梦, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

第127回東北大学金属材料研究所講演会（2014年春季）　2014/05/28

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発表日：2014年5月28日場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
Impurity partitioning during polycrystalline colloidal crystallization

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara, Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda

第127回東北大学金属材料研究所講演会（2014年春季）　2014/05/28

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発表日：2014年5月28日場所：東北大学金属材料研究所発表者：Sumeng Hu（胡素梦）
Effect of impurity on crystal/melt interface morphology of mc-Si

M. Mokhtari, K. Fujiwara, H. Koizumi, J. Nozawa, S. Uda

第127回東北大学金属材料研究所講演会（2014年春季）　2014/05/28

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発表日：2014年5月28日場所：東北大学金属材料研究所発表者：M. Mokhtari（モクタリモルガン）
Congruency and liquid immiscibility in langasite-type crystal with four elements

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

第127回東北大学金属材料研究所講演会（2014年春季）　2014/05/28

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発表日：2014年5月28日場所：東北大学金属材料研究所発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
不純物添加したニオブ酸リチウムのキュリー温度に与えるAr還元雰囲気下での熱処理の効果

小山千尋, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第127回東北大学金属材料研究所講演会（2014年春季）　2014/05/28

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発表日：2014年5月28日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小山千尋
Extended concept of stoichiometry for oxide materials International-presentation

Satoshi Uda

E-MRS 2014 Spring Meeting　2014/05/26

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発表日：2014年5月26日場所：リール会議場（フランス、リール）発表者：宇田聡
コロイド結晶成長における不純物の分配挙動

野澤純, 胡素梦, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

日本地球惑星科学連合2014年大会　2014/04/28

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発表日：2014年5月1日場所：パシフィコ横浜発表者：野澤純
Crystal growth under external electric fields International-presentation

Satoshi Uda, Haruhiko Koizumi, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara

10th International Conference of Computational Methods in Sciences and Engineering (ICCMSE 2014)　2014/04/04

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発表日：2014年4月6日場所：メトロポリタンホテル（ギリシャ、アテネ）発表者：宇田聡
Enhancement of crystal homogeneity of protein crystals under application of an external alternating current electric field International-presentation

Haruhiko Koizum, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara, M. Tachibana, K. Kojima, Jun Nozawa

10th International Conference of Computational Methods in Sciences and Engineering (ICCMSE 2014)　2014/04/04

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発表日：2014年4月6日場所：メトロポリタンホテル（ギリシャ、アテネ）発表者：小泉晴比古
Study on crystal-site structure of metal vacancy in langasite-type crystal with four elements

趙衡煜, 野澤純, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

2014年第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

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発表日：2014年3月18日場所：青山学院大学相模原キャンパス発表者：趙衡煜
ニオブ酸リチウムのキュリー温度に及ぼす点欠陥の影響

小山千尋, 前田健作, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

2014年第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

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発表日：2014年3月18日場所：青山学院大学相模原キャンパス発表者：小山千尋
交流電場下での固相と液相のエントロピー操作による高品質タンパク質結晶の育成

小泉晴比古, 宇田聡, 藤原航三, 橘勝, 小島謙一, 野澤純

2014年第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

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発表日：2014年3月18日場所：青山学院大学相模原キャンパス発表者：小泉晴比古
コロイド結晶成長における不純物分配挙動の方位依存性

野澤純, 胡素梦, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

2014年第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

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発表日：2014年3月18日場所：青山学院大学相模原キャンパス発表者：野澤純
Grain boundary segregation of impurity during colloidal crystallization

胡素梦, 野澤純, 藤原航三, 小泉晴比古, 宇田聡

2014年第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

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発表日：2014年3月18日場所：青山学院大学相模原キャンパス発表者：胡素梦
多結晶シリコンの粒成長挙動に及ぼす結晶粒界の影響

石井雅也, 藤原航三, 前田健作, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

2014年第61回応用物理学会春季学術講演会　2014/03/17

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発表日：2014年3月18日場所：青山学院大学相模原キャンパス発表者：石井雅也
Thermodynamic analysis on crystal site structure and dominant factors of Curie temperature of impurity-doped lithium niobate International-presentation

Chihiro Koyama, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

2013 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" in conjunction with International Workshop on Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure　2014/03/10

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発表日：2014年3月10日場所：ホテル華乃湯発表者：Chihiro Koyama（小山千尋）
A Study on crystal-site structure and solid solution range of langasite-type oxide crystal with four elements International-presentation

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

2013 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" in conjunction with International Workshop on Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure　2014/03/10

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発表日：2014年3月10日場所：ホテル華乃湯発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
Grain boundary segregation of impurity during colloidal crystallization International-presentation

Sumeng Hu, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

2013 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" in conjunction with International Workshop on Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure　2014/03/10

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発表日：2014年3月10日場所：ホテル華乃湯発表者：Sumeng Hu（胡素梦）
Study on crystal-site structure of metal vacancy in langasite-type crystal with four elements

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

東北大学大学院理学研究科第7回6専攻合同シンポジウム「ヤングブレインズの連携による学際的研究の興隆」　2014/02/20

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発表日：2014年2月20日場所：東北大学大学院理学研究科発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
Si多結晶の固液界面形状に及ぼす粒界性格の影響

石井雅也, 藤原航三, 前田健作, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

第126回東北大学金属材料研究所講演会（2013年秋季）　2013/11/28

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発表日：2013年11月28日場所：東北大学金属材料研究所発表者：石井雅也
Study on Site Occupancy of Metal Vacancy in Langasite-type Crystal with Four Elements

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

第126回東北大学金属材料研究所講演会（2013年秋季）　2013/11/28

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発表日：2013年11月28日場所：東北大学金属材料研究所発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
不純物添加したニオブ酸リチウムのキュリー温度に及ぼすアンチサイト欠陥の影響

小山千尋, 前田健作, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第126回東北大学金属材料研究所講演会（2013年秋季）　2013/11/28

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発表日：2013年11月28日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小山千尋
Impurity partitioning during colloidal crystallization International-presentation

Jun Nozawa, Sumeng Hu, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

10th Materials Science School for Young Scientists (KINKEN-WAKATE 2013)　2013/11/21

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発表日：2013年11月22日発表場所：トラストシティカンファレンス・仙台発表者：Jun Nozawa（野澤純）
Effect of grain boundary characteristics on morphology of crystal/melt interface of silicon International-presentation

Masaya Ishii, Kozo Fujiwara, Kensaku Maeda, Haruhiko Koizumi, Jun Nozawa, Satoshi Uda

10th Materials Science School for Young Scientists (KINKEN-WAKATE 2013)　2013/11/21

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発表日：2013年11月22日発表場所：トラストシティカンファレンス・仙台発表者：Masaya Ishii（石井雅也）
Study on site occupancy of metal vacancy in langasite-type crystal with four elements International-presentation

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

10th Materials Science School for Young Scientists (KINKEN-WAKATE 2013)　2013/11/21

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発表日：2013年11月22日発表場所：トラストシティカンファレンス・仙台発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
Relationship between antisite defects and Curie temperature of impurity-doped lithium niobate International-presentation

Chihiro Koyama, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

10th Materials Science School for Young Scientists (KINKEN-WAKATE 2013)　2013/11/21

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発表日：2013年11月22日発表場所：トラストシティカンファレンス・仙台発表者：Chihiro Koyama（小山千尋）
Fabrication of periodic twin structure in lithium tetraborate International-presentation

Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

10th Materials Science School for Young Scientists (KINKEN-WAKATE 2013)　2013/11/21

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発表日：2013年11月22日発表場所：トラストシティカンファレンス・仙台発表者：Kensaku Maeda（前田健作）
四ホウ酸リチウムの融液成長における成長界面と双晶界面の関係

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

第43回結晶成長国内会議　2013/11/06

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発表日：2013年11月6日発表場所：長野市生涯学習センター（TOiGO内）発表者：前田健作
交流電場下での固相と液相のエントロピー操作による高品質タンパク質結晶の育成

小泉晴比古, 宇田聡, 藤原航三, 橘勝, 小島謙一, 野澤純

第43回結晶成長国内会議　2013/11/06

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発表日：2013年11月6日発表場所：長野市生涯学習センター（TOiGO内）発表者：小泉晴比古
結晶サイトの自由度と新しい化学量論の概念による結晶の融液成長

宇田聡

第43回結晶成長国内会議　2013/11/06

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発表日：2013年11月6日発表場所：長野市生涯学習センター（TOiGO内）発表者：宇田聡
コロイド結晶成長における不純物の分配挙動

野澤純, 胡素梦, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

第43回結晶成長国内会議　2013/11/06

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発表日：2013年11月6日発表場所：長野市生涯学習センター（TOiGO内）発表者：野澤純
不純物添加したニオブ酸リチウムのアンチサイト欠陥とキュリー温度の関係

小山千尋, 前田健作, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第43回結晶成長国内会議　2013/11/06

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発表日：2013年11月7日発表場所：長野市生涯学習センター（TOiGO内）発表者：小山千尋
Study on Site Occupancy of Metal Vacancy in Langasite-type Crystal with Four Elements

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

第43回結晶成長国内会議　2013/11/06

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発表日：2013年11月7日発表場所：長野市生涯学習センター（TOiGO内）発表者：Hengyu Zhao
Analysis of Ge segregation in B and Ge codoped CZ-Si crystal growth

Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda, Yuko Inatomi, Yasuhiro Hayakawa, Makoto Konagai

第43回結晶成長国内会議　2013/11/06

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発表日：2013年11月8日発表場所：長野市生涯学習センター（TOiGO内）発表者：Mukannan Arivanandhan
Si多結晶の一方向成長過程における固液界面形状に及ぼす結晶粒界の影響

藤原航三, 石井雅也, 前田健作, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

第43回結晶成長国内会議　2013/11/06

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発表日：2013年11月8日発表場所：長野市生涯学習センター（TOiGO内）発表者：藤原航三
Si多結晶の一方向凝固過程における結晶粒界の生成

石井雅也, 藤原航三, 前田健作, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

第43回結晶成長国内会議　2013/11/06

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発表日：2013年11月8日発表場所：長野市生涯学習センター（TOiGO内）発表者：石井雅也
結晶サイトの自由度と新しい化学量論の概念によるバルク結晶成長

宇田聡

日本学術振興会第161委員会第83回研究会　2013/10/11

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発表日：2013年10月11日発表場所：学習院創立百周年記念会館発表者：宇田聡
Determination of solid solution range in Langasite-type crystal with four elements International-presentation

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

The 3rd Russia - Japan workshop "Problems of advanced materials"　2013/10/08

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発表日：2013年10月9日発表場所： Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry 発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
Siの固液界面形状に及ぼす粒界性格の影響

石井雅也, 藤原航三, 前田健作, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

第37回結晶成長討論会　2013/09/25

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発表日：2013年9月25日発表場所：長野勤労者いこいの村アゼィリア飯綱発表者：石井雅也
Constitutional supercooling in multicrystalline Si crystal growth International-presentation

Satoshi Uda

Workshop: Polycrystalline growth of Si - new insights from experiment and modeling　2013/09/19

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発表日：2013年9月19日発表場所： Karlsruhe Institute of Technology 発表者：宇田聡
四ホウ酸リチウムの融液成長における立体的な双晶界面形成過程

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

日本金属学会 2013年秋期（第153回）講演大会　2013/09/17

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発表日：2013年9月18日発表場所：金沢大学角間キャンパス発表者：前田健作
Siの固液界面形状に及ぼす粒界性格の影響

石井雅也, 藤原航三, 前田健作, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

日本金属学会 2013年秋期（第153回）講演大会　2013/09/17

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発表日：2013年9月18日発表場所：金沢大学角間キャンパス発表者：石井雅也
The effect of an external electric field on phase equilibria, nucleation and growth International-presentation

Satoshi Uda

17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)　2013/08/11

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発表日：2013年8月15日発表場所：University of Warsaw 発表者：宇田聡
Fabrication of quasi-phase-matching structure in lithium tetraborate International-presentation

kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)　2013/08/11

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発表日：2013年8月14日発表場所：University of Warsaw 発表者：前田健作
Thermodynamic analysis of impurity partitioning in collidal crystallization International-presentation

Jun Nozawa, Yuhei Naradate, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)　2013/08/11

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発表日：2013年8月13日発表場所：University of Warsaw 発表者：野澤純
Improvement of crystal quality for tetragonal hen egg white lysozyme crystals under application of an external alternating current electric field International-presentation

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara, Masaru Tachibana, Kenichi Kojima, Jun Nozawa

17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)　2013/08/11

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発表日：2013年8月15日発表場所：University of Warsaw 発表者：小泉晴比古
Cryatal/melt interface morphology at grain boundaries of multicrystalline silicon International-presentation

Kozo Fujiwara, Masaya Ishii, kensaku Maeda, Haruhiko Koizumi, Jun Nozawa, Satoshi Uda

17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)　2013/08/11

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発表日：2013年8月15日発表場所：University of Warsaw 発表者：藤原航三
Site structures and antisite defects of impurity-doped lithium niobate International-presentation

Chihiro Koyama, kensaku Maeda, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)　2013/08/11

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発表日：2013年8月15日発表場所：University of Warsaw 発表者：小山千尋
Study on site occupancy of metal vacancy in langasite-type crystal with four elements International-presentation

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, kensaku Maeda, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)　2013/08/11

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発表日：2013年8月15日発表場所：University of Warsaw 発表者：趙衡煜
Grown-in micro defects and photovoltaic characteristics of B and heavily Ge codoped CZ-Si International-presentation

Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda, Yasuhiro Hayakawa, Makoto Konagai

17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)　2013/08/11

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発表日：2013年8月16日発表場所：University of Warsaw 発表者：Mukannan Arivanandhan
Germanium-doped Czochralski silicon: a novel material for solar cells International-presentation

Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda, Yasuhiro Hayakawa, Makoto Konagai

Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013)　2013/07/27

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発表日：2013年7月28日場所：筑波大学発表者：Mukannan Arivanandhan
融液からの単結晶成長の基礎

宇田聡

第83回金属材料研究所夏期講習会　2013/07/24

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夏期講習会講師講義日：2013年7月25日（講義テーマ2：新素材/プロセス/計測）場所：兵庫県立工業技術センター発表者：宇田聡
Control of nucleation and growth of inorganic and organic materials by a high electric field sustained in an electric double layer International-presentation

Satoshi Uda

Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2013　2013/06/24

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発表日：2013年6月25日発表場所：Ramada Plaza Jeju Hotel 発表者：宇田聡
化学量論の新しい概念と結晶構造の自由度

宇田聡

第30回無機・分析化学コロキウム　2013/05/31

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発表日：2013年5月31日場所：川渡共同セミナーセンター発表者：宇田聡（依頼講演）
四ホウ酸リチウムの融液成長における双晶界面形成過程

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

第125回東北大学金属材料研究所講演会（2013年春季）　2013/05/22

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発表日：2013年5月22日場所：東北大学金属材料研究所発表者：前田健作
コロイド結晶における不純物分配の熱力学的解析

野澤純, 楢舘祐平, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

第125回東北大学金属材料研究所講演会（2013年春季）　2013/05/22

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発表日：2013年5月22日場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
Siの固液界面形状に及ぼす粒界性格の影響

石井雅也, 藤原航三, 前田健作, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

第125回東北大学金属材料研究所講演会（2013年春季）　2013/05/22

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発表日：2013年5月22日場所：東北大学金属材料研究所発表者：石井雅也
Constituent elements and defects associated with site occupancy freedom in langasite-type crystals with four elements

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

第125回東北大学金属材料研究所講演会（2013年春季）　2013/05/22

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発表日：2013年5月22日場所：東北大学金属材料研究所発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
不純物添加したニオブ酸リチウムのサイト構造とアンチサイト欠陥

小山千尋, 前田健作, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第125回東北大学金属材料研究所講演会（2013年春季）　2013/05/22

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発表日：2013年5月22日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小山千尋
結晶サイトの自由度と新しい化学量論の概念によるバルク結晶成長

宇田聡

資源・素材学会平成25年度春季大会　2013/03/28

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発表日：2013年3月30日場所：千葉工業大学津田沼キャンパス発表者：宇田聡高温の新素材プロセスと物理化学＜企画発表＞
ホウ酸系非線形光学材料における極性反転の実現

宇田聡, 前田健作, 藤原航三

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会　2013/03/27

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発表日：2013年3月28日場所：神奈川工科大学発表者：宇田聡シンポジウム「光・量子制御をめざす分極反転光デバイス」
Investigation on solid solution range of langasite-type crystals with four elements

趙衡煜, 野澤純, 前田健作, 藤原航三, 宇田聡

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会　2013/03/27

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発表日：2013年3月30日場所：神奈川工科大学発表者：趙衡煜 15.1 バルク結晶成長
ニオブ酸リチウムのキュリー点及び格子定数に及ぼす不純物の影響

小山千尋, 前田健作, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会　2013/03/27

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発表日：2013年3月30日場所：神奈川工科大学発表者：小山千尋 15.1 バルク結晶成長
四ホウ酸リチウムの一方向成長における双晶界面形成

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会　2013/03/27

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発表日：2013年3月30日場所：神奈川工科大学発表者：前田健作 15.1 バルク結晶成長
交流電場印加による高品質正方晶リゾチームの育成

小泉晴比古, 宇田聡, 藤原航三, 橘勝, 小島謙一, 野澤純

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会　2013/03/27

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発表日：2013年3月30日場所：神奈川工科大学発表者：小泉晴比古 15.1 バルク結晶成長
コロイド結晶化における不純物分配過程

野澤純, 楢舘祐平, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会　2013/03/27

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発表日：2013年3月30日場所：神奈川工科大学発表者：野澤純 15.1 バルク結晶成長
Constituent elements and defects associated with site occupancy freedom in langasite-type crystals with four elements International-presentation

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

Excellent Graduate Schools 2012 Annual Meeting in conjunction with Japan-Russia Workshop on Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure　2013/03/07

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発表日：2013年3月7日場所：ホテル華の湯発表者：趙衡煜ポスタープレビュー有り
結晶成長メカニズム解析におけるμ-PD法の利用法

宇田聡

日本結晶成長学会バルク成長分科会第87回研究会　2013/02/22

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発表日：2013年2月22日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：宇田聡
ニオブ酸リチウムにおけるキュリー温度と結晶欠陥の関係

小山千尋, 前田健作, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

東北大学大学院理学研究科第6回6専攻合同シンポジウム「ヤングブレインズの連携による学際的研究の創発」　2013/02/21

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発表日：2013年2月21日場所：東北大学大学院理学研究科発表者：小山千尋
Mg-doped lithium niobate and lithium tantalate crystal with stoichiometric structure grown from the congruent melt International-presentation

Satoshi Uda

Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)　2012/12/11

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発表日：2013年12月13日発表場所：Hilton Orlando 発表者：宇田聡
Growth of Mg-doped lithium niobate and lithium tantalate crystals with stoichiometric composition coincident with congruent point International-presentation

S. Uda, H. Kimura, S. Fujii

Summit of Materials Science: SMS2012　2012/11/27

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発表日：2012年11月28日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：宇田聡
Thermodynamic consideration on impurity partitioning in colloidal crystallization International-presentation

Yuhei Naradate, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

Summit of Materials Science: SMS2012　2012/11/27

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発表日：2012年11月29日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：楢舘祐平
Growth of congruent lithium tantalate that has stoichiometric structure by MgO doping International-presentation

S. Fujii, K. Maeda, J. Nozawa, K. Fujiwara, S. Uda

Summit of Materials Science: SMS2012　2012/11/27

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発表日：2012年11月29日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：藤井俊輔
Effect of MgO on curie temperature and lattice constants of lithium niobate International-presentation

Chihiro Koyama, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

Summit of Materials Science: SMS2012　2012/11/27

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発表日：2012年11月29日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：小山千尋
Control of twin spacing in periodically-twinned lithium tetraborate International-presentation

K. Maeda, K. Fujiwara, S. Uda

Summit of Materials Science: SMS2012　2012/11/27

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発表日：2012年11月29日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：前田健作
Impurity partitioning during colloidal crystallization International-presentation

Jun Nozawa, Yuhei Naradate, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

Summit of Materials Science: SMS2012　2012/11/27

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発表日：2012年11月29日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
Investigation on solid solution range of langasite-type crystals with four elements International-presentation

H. Zhao, J. Nozawa, K. Maeda, K. Fujiwara, S. Uda

Summit of Materials Science: SMS2012　2012/11/27

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発表日：2012年11月29日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
Application of crystal lattice parameter’s measuring to determine solid solution range International-presentation

H. Zhao, J. Nozawa, K. Maeda, K. Fujiwara, S. Uda

9th Materials Science School for Young Scientists and Students 2012 (KINKEN-WAKATE 2012)　2012/11/26

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発表日：2012年11月26日発表場所：東北大学金属材料研究所発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
融液成長におけるSi結晶の成長形・平衡形およびSi多結晶の配向性

藤原航三, Xinbo Yang, 前田健作, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

第42回結晶成長国内会議　2012/11/09

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発表日：2012年11月9日発表場所：九州大学筑紫キャンパス発表者：藤原航三
コロイド結晶成長における不純物分配挙動

野澤純, 楢舘祐平, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

第42回結晶成長国内会議　2012/11/09

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発表日：2012年11月9日発表場所：九州大学筑紫キャンパス発表者：野澤純
コロイド結晶成長における不純物分配についての熱力学的考察

楢舘祐平, 野澤純, 前田健作, 藤原航三, 宇田聡

第42回結晶成長国内会議　2012/11/09

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発表日：2012年11月9日発表場所：九州大学筑紫キャンパス発表者：楢舘祐平
Investigation on solid solution range of langasite-type crystals with four elements

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

第42回結晶成長国内会議　2012/11/09

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発表日：2012年11月10日発表場所：九州大学筑紫キャンパス発表者：Hengyu Zhao（趙衡煜）
四ホウ酸リチウム周期双晶における双晶間隔の制御

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

第42回結晶成長国内会議　2012/11/09

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発表日：2012年11月10日発表場所：九州大学筑紫キャンパス発表者：前田健作
酸化物単結晶における構成元素、アンチサイト欠陥、空格子欠陥の存在様式

宇田聡

第42回結晶成長国内会議　2012/11/09

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発表日：2012年11月10日発表場所：九州大学筑紫キャンパス発表者：宇田聡
不純物添加による定比構造を持つ調和融解タンタル酸リチウムの開発

藤井俊輔, 前田健作, 野沢純, 藤原航三, 宇田聡

第42回結晶成長国内会議　2012/11/09

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発表日：2012年11月10日発表場所：九州大学筑紫キャンパス発表者：藤井俊輔
ニオブ酸リチウムのキュリー点及び格子定数に及ぼすMgOの影響

小山千尋, 前田健作, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第42回結晶成長国内会議　2012/11/09

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発表日：2012年11月10日発表場所：九州大学筑紫キャンパス発表者：小山千尋
交流電場印加による高品質リゾチーム結晶の育成

小泉晴比古, 宇田聡, 藤原航三, 橘勝, 小島謙一, 野澤純

第42回結晶成長国内会議　2012/11/09

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発表日：2012年11月11日発表場所：九州大学筑紫キャンパス発表者：小泉晴比古
Nucleation and growth of inorganic and organic materials under the high electric field sustained in an electric double layer International-presentation

Satoshi Uda

1st International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN)　2012/10/22

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発表日：2012年10月22日発表場所：Mercure Hotel 発表者：宇田聡
バルク結晶成長における流れの問題

宇田聡

第36回結晶成長討論会　2012/09/26

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発表日：2012年9月26日発表場所：国民宿舎虹の松原ホテル発表者：宇田聡
コロイド結晶における不純物の平衡分配係数についての熱力学的考察

楢舘祐平, 野澤純, 前田健作, 藤原航三, 宇田聡

第36回結晶成長討論会　2012/09/26

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発表日：2012年9月27日発表場所：国民宿舎虹の松原ホテル発表者：楢舘祐平
MgOの添加による定比構造を持つ調和融解タンタル酸リチウムの開発

藤井俊輔, 前田健作, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第36回結晶成長討論会　2012/09/26

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発表日：2012年9月27日発表場所：国民宿舎虹の松原ホテル発表者：藤井俊輔
Crystal growth mechanisms of silicon during melt growth processes International-presentation

Kozo Fujiwara, Haruhiko Koizumi, Jun Nozawa, Satoshi Uda

2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)　2012/09/25

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発表日：2012年9月25日発表場所：国立京都国際会館発表者：藤原航三
Si多結晶インゴットの配向性に及ぼす界面エネルギーの影響

藤原航三, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

日本金属学会 2012年秋期（第151回）大会　2012/09/17

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発表日：2012年9月19日場所：愛媛大学発表者：藤原航三
四ホウ酸リチウム周期双晶における双晶界面間隔の微細化

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

日本金属学会 2012年秋期（第151回）大会　2012/09/17

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発表日：2012年9月19日場所：愛媛大学発表者：前田健作
周期双晶を利用した常誘電体ボレート結晶への擬似位相整合構造の作製

前田健作, 宇田聡, 藤原航三

日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第126回研究会　2012/07/25

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発表日：2012年7月25日場所：弘済会館発表者：宇田聡
Crystal growth under an electric field International-presentation

Satoshi Uda

International Crystal Growth School in Sendai (ICGS2)　2012/07/25

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発表日：2012年7月26日発表場所：ホテル佐勘発表者：宇田聡
四ホウ酸リチウム単結晶育成と周期双晶による擬似位相整合結晶の作製

宇田聡, 前田健作, 藤原航三

日本結晶成長学会バルク成長分科会第85回研究会　2012/05/25

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発表日：2012年5月25日発表場所：大阪大学コンベンションセンター発表者：宇田聡
交流電場印加による新しいタンパク質育成技術の他タンパク質への応用 II

小泉晴比古, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第123回東北大学金属材料研究所講演会（2012年春季）　2012/05/23

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発表日：2012年5月23日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小泉晴比古
マイクロ引き下げ法によるタンタル酸リチウムファイバー単結晶の大気下育成

藤井俊輔, 宇田聡

第123回東北大学金属材料研究所講演会（2012年春季）　2012/05/23

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発表日：2012年5月23日場所：東北大学金属材料研究所発表者：藤井俊輔
四ホウ酸リチウムの双晶界面形成における幾何学的な解釈

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

第123回東北大学金属材料研究所講演会（2012年春季）　2012/05/23

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発表日：2012年5月23日場所：東北大学金属材料研究所発表者：前田健作
コロイド結晶成長における不純物の分配挙動

野澤純, 楢舘祐平, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

第123回東北大学金属材料研究所講演会（2012年春季）　2012/05/23

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発表日：2012年5月23日場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
Si多結晶の配向性に及ぼす界面エネルギーの影響

藤原航三, Xinbo Yang, 前田健作, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

第123回東北大学金属材料研究所講演会（2012年春季）　2012/05/23

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発表日：2012年5月23日場所：東北大学金属材料研究所発表者：藤原航三
電流注入時における不純物ドープニオブ酸リチウム結晶成長の偏析挙動

小山千尋, 飯田慎太郎, 前田健作, 野澤純, 宇田聡

第123回東北大学金属材料研究所講演会（2012年春季）　2012/05/23

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発表日：2012年5月23日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小山千尋
高濃度Ge添加Si結晶成長におけるセル構造発生メカニズム

後藤頼良, 藤原航三, 宇田聡

第123回東北大学金属材料研究所講演会（2012年春季）　2012/05/23

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発表日：2012年5月23日場所：東北大学金属材料研究所発表者：後藤頼良
Solute transport and partitioning during solidification in the presence of melt convection and external force International-presentation

Satoshi Uda

Workshop on Solidification-2: Solute partition and Segregation of Multi-component Alloys　2012/05/20

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発表日：2012年5月21日発表場所：西北工業大学発表者：宇田聡（Plenary talk)
Impurity partitioning at liquid-solid interface in colloidal crystallization International-presentation

Jun Nozawa, Yuhei Naradate, Haruhiko Koizumi, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

International Association of Colloid and Interface Scientists, Conference (IACIS 2012)　2012/05/13

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発表日：2012年5月17日発表場所：仙台国際センター発表者：野澤純
太陽電池用Si系材料の融液成長メカニズムと結晶成長技術

藤原航三, 後藤頼良, 前田健作, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

2012年電気化学会第79回大会　2012/03/29

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発表日：2012年3月30日場所：アクトシティ浜松発表者：藤原航三
元素の活量から見たMgドープニオブ酸リチウム結晶の組成構成について

宇田聡

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会　2012/03/15

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発表日：2012年3月17日場所：早稲田大学早稲田キャンパス発表者：宇田聡
融液成長において融液対流の影響が界面に及ぶ場合の平衡分配係数の取り扱いについて

宇田聡

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会　2012/03/15

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発表日：2012年3月17日場所：早稲田大学早稲田キャンパス発表者：宇田聡
四ホウ酸リチウムの周期双晶による擬似位相整合結晶の作製

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会　2012/03/15

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発表日：2012年3月17日場所：早稲田大学早稲田キャンパス発表者：前田健作
コロイド結晶成長における不純物分配過程

野澤純, 楢舘祐平, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会　2012/03/15

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発表日：2012年3月17日場所：早稲田大学早稲田キャンパス発表者：野澤純
交流電場印加によるタンパク質結晶の新しい育成技術

小泉晴比古, 藤原航三, 野澤純, 宇田聡

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会　2012/03/15

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発表日：2012年3月17日場所：早稲田大学早稲田キャンパス発表者：小泉晴比古
B添加CZ-Siのホウ素ー酸素対形成に対するGe添加効果

Arivanandhan Mukannan, 後藤頼良, 藤原航三, 宇田聡, 早川泰弘, 小長井誠

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会　2012/03/15

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発表日：2012年3月17日場所：早稲田大学早稲田キャンパス発表者： Arivanandhan Mukannan
四ホウ酸リチウムの周期双晶の作製

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

東北大学理学部開講100周年記念公開シンポジウム　2012/03/15

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発表日：2012年3月15日場所：せんだいメディアテーク発表者：前田健作第1部ヤングブレインズ（大学院生）研究成果発表会
Clarification of crystal growth mechanism in Ge-doped Si crystal

Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」平成23年度若手研究者研究報告会　2012/03/09

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発表日：2012年3月9日場所：東北大学金属材料研究所発表者：後藤頼良ポスターは英語で作成
Fabrication of periodically-twinned crystal in lithium tetraborate

Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」平成23年度若手研究者研究報告会　2012/03/09

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発表日：2012年3月9日場所：東北大学金属材料研究所発表者：前田健作ポスターは英語で作成
Segregation behavior of MgO-doped lithium niobate during crystal growth with an electric current injection

C. Koyama, S. Iida, K. Maeda, J. Nozawa, S. Uda

グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」平成23年度若手研究者研究報告会　2012/03/09

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発表日：2012年3月9日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小山千尋ポスターは英語で作成
The secondary phase observation in CTGS annealed glass

Hengyu Zhao, Jun Nozawa, Satoshi Uda

グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」平成23年度若手研究者研究報告会　2012/03/09

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発表日：2012年3月9日場所：東北大学金属材料研究所発表者：Hengyu ZHAO ポスターは英語で作成
The impact of Ge codoping on the enhancement of photovoltaic characteristics of B-doped Czochralski-Silicon International-presentation

Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Tatsuro Watahiki, Kozo Fujiwara, Yasuhiro Hayakawa, Satoshi Uda, Makoto Konagai

International Conference on Advanced Materials (ICAM-2011)　2011/12/12

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発表日：2011年12月12日場所：PSG College of Technology 発表者：Mukannan Arivanandhan
化学量論の本質の見直しにより開発した化学量論組成と調和融解組成が一致するMg:LiNbO₃結晶

宇田聡

応用物理学会・量子エレクトロニクス研究会研究会「非線形光学50年その基礎と材料・デバイスおよび応用」　2011/12/09

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発表日：2011年12月10日場所：上智大学軽井沢セミナーハウス発表者：宇田聡
Fabrication of quasi-phase matching stricture in lithium tetraborate crystal International-presentation

Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda

International Symposium of Materials Integration In conjunction with The 2nd International Symposium on Advanced Synthesis and Processing Technology for Materials (ASPT2011), KINKEN-WAKATE 2011　2011/12/01

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発表日：2011年12月1日場所：江陽グランドホテル発表者：前田健作
Formation mechanism of faceted cellular structures during SiGe unidirectional growth International-presentation

Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Xinbo Yang, Satoshi Uda

International Symposium of Materials Integration In conjunction with The 2nd International Symposium on Advanced Synthesis and Processing Technology for Materials (ASPT2011), KINKEN-WAKATE 2011　2011/12/01

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発表日：2011年12月2日場所：江陽グランドホテル発表者：後藤頼良
Segregation behavior of MgO-doped lithium niobate during crystal growth with an electric current injection International-presentation

C. Koyama, S. Iida, K. Maeda, J. Nozawa, S. Uda

International Symposium of Materials Integration In conjunction with The 2nd International Symposium on Advanced Synthesis and Processing Technology for Materials (ASPT2011), KINKEN-WAKATE 2011　2011/12/01

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発表日：2011年12月2日場所：江陽グランドホテル発表者：小山千尋
Melting and solidification of CNGS and CTGS sintered material measured by DTA International-presentation

H. Zhao, K. Maeda, J. Nozawa, S. Uda

International Symposium of Materials Integration In conjunction with The 2nd International Symposium on Advanced Synthesis and Processing Technology for Materials (ASPT2011), KINKEN-WAKATE 2011　2011/12/01

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発表日：2011年12月2日場所：江陽グランドホテル発表者：Hengyu ZHAO
The influence of germanium codoping on the reduction of interstitial oxygen concentration in boron-doped Czochralski-silicon: a novel approach to suppress light induced degradation International-presentation

Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Yasuhiro Hayakawa, Satoshi Uda

21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference　2011/11/28

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場所：Hilton Fukuoka Sea Hawk 発表者：Mukannan Arivanandhan
コロイド結晶成長中の固液界面における不純物の分配挙動

野澤純, 楢舘祐平, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

第122回東北大学金属材料研究所講演会（2011年秋季）　2011/11/24

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発表日：2011年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
SiGe一方向結晶成長におけるファセット的セル構造の形成機構の解明

後藤頼良, 藤原航三, 宇田聡

第122回東北大学金属材料研究所講演会（2011年秋季）　2011/11/24

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発表日：2011年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：後藤頼良
交流電場印加による新しいタンパク質育成技術の他タンパク質への応用

小泉晴比古, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第122回東北大学金属材料研究所講演会（2011年秋季）　2011/11/24

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発表日：2011年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小泉晴比古
四ホウ酸リチウム結晶における擬似位相整合構造の作製

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

第122回東北大学金属材料研究所講演会（2011年秋季）　2011/11/24

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発表日：2011年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：前田健作
四ホウ酸リチウム単結晶育成における成長界面と双晶界面の関係

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

日本金属学会 2011年秋期（第149回）大会　2011/11/07

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発表日：2011年11月7日場所：沖縄コンベンションセンター, カルチャーリゾートフェストーネ発表者：前田健作
Si<110>デンドライトの成長メカニズム

藤原航三, Xinbo Yang, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

日本金属学会 2011年秋期（第149回）大会　2011/11/07

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発表日：2011年11月7日場所：沖縄コンベンションセンター, カルチャーリゾートフェストーネ発表者：藤原航三
Dependence of Si faceted dendrite growth velocity on twin spacing and undercooling

楊新波, 藤原航三, 宇田聡

日本金属学会 2011年秋期（第149回）大会　2011/11/07

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発表日：2011年11月7日場所：沖縄コンベンションセンター, カルチャーリゾートフェストーネ発表者：楊新波
交流電場印加による卵白リゾチーム結晶多形の晶出相制御

富田陽介, 小泉晴比古, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

日本金属学会 2011年秋期（第149回）大会　2011/11/07

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発表日：2011年11月7日場所：沖縄コンベンションセンター, カルチャーリゾートフェストーネ発表者：小泉晴比古
Improvement of photovoltaic characteristics of B-doped Czchralski-Silicon by Ge codoping

Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Tatsuro Watahiki, Kozo Fujiwara, Satoshi Uda, Yasuhiro Hayakawa, Makoto Konagai

第41回結晶成長国内会議　2011/11/03

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発表日：2011年11月5日場所：つくば国際会議場発表者：Mukannan Arivanandhan
SiGe結晶成長におけるファセット的セル成長のその場観察および成長機構の解析

後藤頼良, 藤原航三, 宇田聡

第41回結晶成長国内会議　2011/11/03

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発表日：2011年11月3日場所：つくば国際会議場発表者：後藤頼良
四ホウ酸リチウムの融液成長界面と双晶界面の関係

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

第41回結晶成長国内会議　2011/11/03

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発表日：2011年11月3日場所：つくば国際会議場発表者：前田健作
化学量論組成と調和融解組成が一致するMgドープニオブ酸リチウム単結晶のイオン種偏析現象

宇田聡, 飯田慎太郎, 小山千尋, 前田健作

第41回結晶成長国内会議　2011/11/03

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発表日：2011年11月3日場所：つくば国際会議場発表者：宇田聡
Siの一方向成長過程における成長界面の形状変化

藤原航三, 後藤頼良, Xinbo Yang, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

第41回結晶成長国内会議　2011/11/03

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発表日：2011年11月3日場所：つくば国際会議場発表者：藤原航三
交流電場印加による卵白リゾチーム結晶多形の晶出相制御

富田陽介, 小泉晴比古, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第41回結晶成長国内会議　2011/11/03

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発表日：2011年11月4日場所：つくば国際会議場発表者：小泉晴比古
電気二重層を利用した交流電場印加タンパク質育成技術の制御

小泉晴比古, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

第41回結晶成長国内会議　2011/11/03

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発表日：2011年11月5日場所：つくば国際会議場発表者：小泉晴比古
コロイド結晶化における不純物分配メカニズムの解明

野澤純, 楢舘祐平, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

第41回結晶成長国内会議　2011/11/03

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発表日：2011年11月5日場所：つくば国際会議場発表者：野澤純
化学量論組成と調和融解組成を一致させた不純物添加ニオブ酸リチウムについて

宇田聡, 木村博充

日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第122回研究会　2011/10/05

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発表日：2011年10月5日場所：仙台ガーデンパレス発表者：宇田聡
四ホウ酸リチウムの成長界面と双晶界面方位の関係

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会　2011/08/29

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発表日：2011年9月1日場所：山形大学小白川キャンパス発表者：前田健作
結晶成長時において結晶化起電力がゼロになるニオブ酸リチウムの組成、構造、及び溶質偏析について

飯田慎太郎, 前田健作, 宇田聡

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会　2011/08/29

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発表日：2011年9月1日場所：山形大学小白川キャンパス発表者：宇田聡
SiGe結晶成長におけるファセット的セル成長機構の解析

後藤頼良, 藤原航三, 宇田聡

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会　2011/08/29

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発表日：2011年9月1日場所：山形大学小白川キャンパス発表者：後藤頼良
コロイド結晶化にともなう固液界面での不純物の分配挙動

野澤純, 楢舘祐平, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会　2011/08/29

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発表日：2011年9月1日場所：山形大学小白川キャンパス発表者：野澤純
交流電場印加による卵白リゾチーム結晶の相平衡制御

富田陽介, 小泉晴比古, 藤原航三, 野澤純, 宇田聡

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会　2011/08/29

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発表日：2011年9月1日場所：山形大学小白川キャンパス発表者：小泉晴比古
Mg-doped lithium niobate with stoichiometric structure grown from the congruent melt International-presentation

Satoshi Uda, Shintaro Iida, Kensaku Maeda

The 18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2011/07/31

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発表日：2011年8月1日場所：Hyatt Regency Monterey Hotel & Spa on Del Monte Golf Course 発表者：宇田聡
Role of the electric double layer in controlling the nucleation rate for tetragonal hen-egg white lysozyme crystals by application of an external AC electric field International-presentation

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara, Jun Nozawa

The 18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2011/07/31

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発表日：2011年8月3日場所：Hyatt Regency Monterey Hotel & Spa on Del Monte Golf Course 発表者：小泉晴比古
車載用燃焼圧センサー温度範囲におけるランガテイト（La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄）単結晶の電気伝導メカニズムについて

宇田聡, 八百川律子, 青田克己

日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第121回研究会　2011/07/27

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発表日：2011年7月27日場所：弘済会館発表者：宇田聡
Partitioning of melt species of congruent-stoichiometric matching lithium niobate by doping MgO International-presentation

S. Uda, H. Kimura

7th International Conference on Diffusion in Solids and Liquids　2011/06/26

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発表日：2011年6月29日場所：Hilton Vilamoura As Cascatas Golf Resort & Spa 発表者：宇田聡
Dependence of Si faceted dendrite growth velocity on twin spacing and undercooling International-presentation

Xinbo YANG, Kozo FUJIWARA, Satoshi UDA

The 6th biennial International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2011)　2011/06/26

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発表日：2011年7月1日場所：Suntec Singapore, Pan Pacific Singapre Hotel 発表者：楊新波
東日本大震災の被災報告－東北大学の例－

宇田聡

2011年日本結晶成長学会特別講演会　2011/06/10

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発表日：2011年6月10日場所：キャンパス・イノベーションセンター東京国際会議室発表者：宇田聡
外部交流電場を利用した新しいタンパク質結晶育成技術の確立

小泉晴比古, 宇田聡, 藤原航三, 野澤純

第121回東北大学金属材料研究所講演会（2011年春季）　2011/05/24

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発表日：2011年5月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小泉晴比古
コロイド結晶化における不純物の分配挙動

野澤純, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

第121回東北大学金属材料研究所講演会（2011年春季）　2011/05/24

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発表日：2011年5月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
四ホウ酸リチウムの成長界面形状と双晶界面方位の関係

前田健作, 藤原航三, 宇田聡

第121回東北大学金属材料研究所講演会（2011年春季）　2011/05/24

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発表日：2011年5月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：前田健作
SiGe結晶成長におけるファセット的セル成長の直接観察

後藤頼良, 藤原航三, 宇田聡

第121回東北大学金属材料研究所講演会（2011年春季）　2011/05/24

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発表日：2011年5月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：後藤頼良
Siファセットデンドライトの成長速度に及ぼす双晶間隔および過冷却度の影響

Xinbo Yang, 藤原航三

2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会　2011/03/24

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発表日：2011年3月26日場所：神奈川工科大学発表者：Xinbo Yang
その場観察装置を用いたSiGe結晶成長におけるファセット的セル成長の観察

後藤頼良, 藤原航三

2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会　2011/03/24

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発表日：2011年3月26日場所：神奈川工科大学発表者：後藤頼良
交流電場印加による卵白リゾチーム結晶多形の晶出相制御

富田陽介, 小泉晴比古, 藤原航三, 野澤純

2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会　2011/03/24

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発表日：2011年3月26日場所：神奈川工科大学発表者：小泉晴比古
コロイド結晶化における不純物の分配挙動

野澤純, 小泉晴比古, 藤原航三

2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会　2011/03/24

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発表日：2011年3月26日場所：神奈川工科大学発表者：野澤純
四ホウ酸リチウムの双晶界面形成メカニズム

前田健作, 藤原航三

2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会　2011/03/24

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発表日：2011年3月26日場所：神奈川工科大学発表者：前田健作
化学量論構造を持つ調和融解ニオブ酸リチウム結晶の成長時における融液構成種の完全分配の実験的検証

飯田慎太郎, 前田健作

2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会　2011/03/24

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発表日：2011年3月26日場所：神奈川工科大学発表者：宇田聡
In-situ observation of faceted cellular growth during SiGe crystal growth

R. Gotoh, K. Fujiwara

グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」平成22年度若手研究者研究報告会　2011/03/01

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発表日：2011年3月1日場所：東北大学金属材料研究所発表者：後藤頼良ポスターは英語で作成
Formation mechanism of twin boundaries in lithium tetraborate

K. Maeda, K. Fujiwara

グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」平成22年度若手研究者研究報告会　2011/03/01

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発表日：2011年3月1日場所：東北大学金属材料研究所発表者：前田健作ポスターは英語で作成
四ホウ酸リチウムの双晶界面形成メカニズム

前田健作, 藤原航三

第4回東北大学大学院理学研究科 6専攻合同シンポジウム「ヤングブレインズの連携による学際的研究の創造」　2011/02/22

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発表日：2011年2月22日場所：東北大学大学院理学研究科発表者：前田健作
車載用燃焼圧センサー材料ランガテイトの電気伝導機構

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会『ヒューマンサイエンス＆テクノロジー』　2011/02/09

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発表日：2011年2月9日場所：東北大学多元物質科学研究所発表者：宇田聡
GaとGe及びBとGeを同時添加したSi単結晶の欠陥制御とライフタイム特性

後藤頼良, M. Arivanandhan, 藤原航三

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会『ヒューマンサイエンス＆テクノロジー』　2011/02/09

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発表日：2011年2月9日場所：東北大学多元物質科学研究所発表者：後藤頼良
Study on polycrystalline silicon growth by aluminum-induced layer exchenge method

M. Jung, Y. Kawazoe, K. Fujiwara, N. Usami

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成22年度成果報告会『ヒューマンサイエンス＆テクノロジー』　2011/02/09

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発表日：2011年2月9日場所：東北大学多元物質科学研究所発表者：M. Jung
A fundamentally new approach to grow oxide and protein crystals by application of an external electric field International-presentation

Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)　2010/11/29

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発表日：2010年12月2日場所：Carnival Imagination cruise 発表者：宇田聡
Growth habit of Si faceted dendrites

Xinbo Yang, K. Fujiwara, K. Maeda, R. Gotoh

第120回東北大学金属材料研究所講演会（2010年秋季）　2010/11/24

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発表日：2010年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：楊新波
コロイド結晶化における不純物の分配挙動

野澤純, 小泉晴比古, 藤原航三

第120回東北大学金属材料研究所講演会（2010年秋季）　2010/11/24

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発表日：2010年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
四ホウ酸リチウムの双晶界面形成メカニズム

前田健作, 藤原航三

第120回東北大学金属材料研究所講演会（2010年秋季）　2010/11/24

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発表日：2010年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：前田健作
外部電場印加による卵白リゾチーム結晶多形の操作

富田陽介, 小泉晴比古, 藤原航三

第120回東北大学金属材料研究所講演会（2010年秋季）　2010/11/24

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発表日：2010年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：富田陽介
交流電場印加によるタンパク質核形成速度の制御における電気二重層の役割

小泉晴比古, 藤原航三, 野澤純

第120回東北大学金属材料研究所講演会（2010年秋季）　2010/11/24

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発表日：2010年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小泉晴比古
ニオブ酸リチウム結晶成長における不純物イオンによる偏析挙動の違い

飯田慎太郎

第120回東北大学金属材料研究所講演会（2010年秋季）　2010/11/24

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発表日：2010年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：飯田慎太郎
Siの融液成長メカニズム

藤原航三, 東海林雅俊, 後藤頼良, Xinbo Yang, 前田健作, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄, 小泉晴比古, 野澤純

第120回東北大学金属材料研究所講演会（2010年秋季）　2010/11/24

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発表日：2010年11月24日場所：東北大学金属材料研究所発表者：藤原航三
First principles calculation of La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄ crystal with intrinsic defects International-presentation

Chan-Yeup Chung, Ritsuko Yaokawa, Hiroshi Mizuseki, Yoshiyuki Kawazoe

3rd International Congress on Ceramics　2010/11/14

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発表日：2010年11月16日場所：Osaka International Convention Center, RIHGA Royal Hotel Osaka 発表者：Chan-Yeup Chung
調和融解組成と化学量論組成を一致させたMgドープLNの開発

日本結晶成長学会バルク成長分科会第81回研究会　2010/10/29

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発表日：2010年10月29日場所：（独）物質・材料研究機構発表者：宇田聡
外部交流電場印加によるタンパク質核形成速度の制御

小泉晴比古, 野澤純, 藤原航三

日本金属学会 2010年秋期（第147回）大会　2010/09/25

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発表日：2010年9月26日場所：北海道大学発表者：小泉晴比古
外部電場印加による非調和融解物質の調和融解化

黄新明, 黄晋二

日本金属学会 2010年秋期（第147回）大会　2010/09/25

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発表日：2010年9月26日場所：北海道大学発表者：宇田聡
一致溶融組成と化学量論組成を同時に満足するニオブ酸リチウム単結晶の育成

木村博充

日本金属学会 2010年秋期（第147回）大会　2010/09/25

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発表日：2010年9月27日場所：北海道大学発表者：宇田聡
Ge共添加によるGa添加CZ-Si単結晶の偏析現象の解析および特性の改善

後藤頼良, Mukannan Arivanandhan, 藤原航三

日本金属学会 2010年秋期（第147回）大会　2010/09/25

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発表日：2010年9月27日場所：北海道大学発表者：後藤頼良
Siの結晶成長界面の形状変化

藤原航三, 東海林雅俊, 後藤頼良, 宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 中嶋一雄

日本金属学会 2010年秋期（第147回）大会　2010/09/25

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発表日：2010年9月27日場所：北海道大学発表者：藤原航三
MgO添加により化学量論組成と調和融解組成を一致させたニオブ酸リチウムバルク単結晶のSHG特性

木村博充, 小泉晴比古, 杉山和正, 谷内哲夫

2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会　2010/09/14

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発表日：2010年9月14日場所：長崎大学文教キャンパス発表者：木村博充第28回（2010年春季）応用物理学会講演奨励賞受賞記念講演
Analysis of Ga segregation behavior in CZ-Si crystal growth with Ge codoping International-presentation

R. Gotoh, M. Arivanandhan, K. Fujiwara

The 16th International Conference on Crystal Growth　2010/08/08

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発表日：2010年8月9日場所：Beijing International Convention Center 発表者：後藤頼良
Effect of oxygen on defect reaction mechanism in Ga and Ge codoped Czochralski-silicon International-presentation

M. Arivanandhan, R. Gotoh, K. Fujiwara, T. Ozawa, Y. Hayakawa

The 16th International Conference on Crystal Growth　2010/08/08

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発表日：2010年8月9日場所：Beijing International Convention Center 発表者：M. Arivanandhan
Growth mechanism of Si faceted dendrites and its application to the casting method for growing structure-controlled polycrystalline Si ingots International-presentation

K. Fujiwara, K. Nakajima, K. Kutsukake, N. Usami

The 16th International Conference on Crystal Growth　2010/08/08

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発表日：2010年8月9日場所：Beijing International Convention Center 発表者：藤原航三
Transport and partitioning of ionic impurities at the interface during growth of LiNbO₃ under an external electric field by current injection International-presentation

T. Tsubota

The 16th International Conference on Crystal Growth　2010/08/08

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発表日：2010年8月9日場所：Beijing International Convention Center 発表者：宇田聡
Formation mechanism of twin boundary in lithium tetraborate International-presentation

K. Maeda, K. Fujiwara

The 16th International Conference on Crystal Growth　2010/08/08

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発表日：2010年8月10日場所：Beijing International Convention Center 発表者：前田健作
Novel crystallization method for protein by applying an AC external electric field International-presentation

H. Koizumi, J. Nozawa, K. Fujiwara

The 16th International Conference on Crystal Growth　2010/08/08

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発表日：2010年8月10日場所：Beijing International Convention Center 発表者：小泉晴比古
Partitioning of impurity in colloidal crystal International-presentation

J. Nozawa, H. Koizumi, K. Fujiwara

The 16th International Conference on Crystal Growth　2010/08/08

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発表日：2010年8月10日場所：Beijing International Convention Center 発表者：野澤純
Growth of congruent MgO-doped LiNbO₃ bulk crystal with stoichiometric structure International-presentation

H. Kimura, T. Taniuchi

The 16th International Conference on Crystal Growth　2010/08/08

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発表日：2010年8月10日場所：Beijing International Convention Center 発表者：宇田聡
Enhancement of Ga doping in Czochralski-grown Si crystal and improvement of minority carrier lifetime by B- or Ge- co-doping for PV application International-presentation

M. Arivanandhan, R. Gotoh, K. Fujiwara

IKZ Colloquium　2010/07/09

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発表日：2010年7月9日場所：IKZ (Leibniz Institute for Crystal Growth) 発表者：宇田聡
Impurity transport and partitioning at the solid-liquid interface during growth of lithium niobate under an external electric field by current injection International-presentation

T. Tsubota

6th International Conference on Diffusion in Solids and Liquids　2010/07/05

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発表日：2010年7月6日場所：Hotel Concorde La Favette 発表者：宇田聡
コロイド結晶における不純物の分配現象

野澤純, 小泉晴比古, 藤原航三

第119回東北大学金属材料研究所講演会（2010年春季）　2010/05/27

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発表日：2010年5月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：野澤純
外部電場印加によるタンパク質結晶の核形成速度の制御 IV

小泉晴比古, 野澤純, 藤原航三

第119回東北大学金属材料研究所講演会（2010年春季）　2010/05/27

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発表日：2010年5月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小泉晴比古
外部電場によるボレート系結晶の双晶形成メカニズムの解明と擬似位相整合結晶の作製

前田健作

第119回東北大学金属材料研究所講演会（2010年春季）　2010/05/27

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発表日：2010年5月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：前田健作
調和融解組成ニオブ酸リチウム結晶成長における不純物イオンによる偏析挙動の違い

飯田慎太郎, 木村博充

第119回東北大学金属材料研究所講演会（2010年春季）　2010/05/27

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発表日：2010年5月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：飯田慎太郎
外部電場印加による卵白リゾチーム結晶多形の操作

富田陽介, 小泉晴比古, 藤原航三

第119回東北大学金属材料研究所講演会（2010年春季）　2010/05/27

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発表日：2010年5月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：富田陽介
一致溶融成長しているニオブ酸リチウムの融液構成種の界面偏析現象

2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会　2010/03/17

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発表日：2010年3月17日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：宇田聡
MgO添加により化学量論組成と調和融解組成を一致させたニオブ酸リチウムのSHG特性

木村博充, 小泉晴比古, 杉山和正, 谷内哲夫

2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会　2010/03/17

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発表日：2010年3月17日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：木村博充
調和溶融組成ニオブ酸リチウム結晶成長における不純物イオンによる偏析挙動の違い

飯田慎太郎, 木村博充

2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会　2010/03/17

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発表日：2010年3月17日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：飯田慎太郎
電流注入による外部電場存在下でのニオブ酸リチウム結晶成長における不純物イオンの固液間平衡分配

坪田毅

2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会　2010/03/17

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発表日：2010年3月17日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：坪田毅
高温熱処理によるランガテイト分解現象

八百川律子, 青田克己

2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会　2010/03/17

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発表日：2010年3月17日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：八百川律子
コロイド結晶における分配現象

野澤純

2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会　2010/03/17

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発表日：2010年3月17日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：野澤純
交流電場印加によるタンパク質核形成速度の制御における電気二重層の役割

小泉晴比古, 藤原航三

2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会　2010/03/17

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発表日：2010年3月17日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：小泉晴比古
外部電場印加による卵白リゾチーム結晶多形の操作

藤原航三, 小泉晴比古, 富田陽介

2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会　2010/03/17

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発表日：2010年3月17日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：富田陽介
Ge共添加によるGa添加CZ-Si単結晶の特性の改善

後藤頼良, Mukannan Arivanandhan, 藤原航三

2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会　2010/03/17

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発表日：2010年3月17日場所：東海大学湘南キャンパス発表者：後藤頼良
理想的な構造と組成均一性を持つ究極のニオブ酸リチウム単結晶の開発

木村博充, 小泉晴比古, 杉山和正, 谷内哲夫

2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会プレビュー発表会　2010/03/10

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発表日：2010年3月10日場所：九段会館発表者：宇田聡
Segregation and defect property of Ga-doped CZ-Si crystal by codoping Ge

R. Gotoh, M. Arivanandhan, K. Fujiwara

グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」平成21年度若手研究者研究報告会　2010/03/09

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発表日：2010年3月9日場所：東北大学金属材料研究所発表者：後藤頼良ポスターは英語で作成
Formation mechanism of twins in borate crystals with an external electric field and development of quasi phase matching structure

K. Maeda

グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」平成21年度若手研究者研究報告会　2010/03/09

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発表日：2010年3月9日場所：東北大学金属材料研究所発表者：前田健作ポスターは英語で作成
GaとGeを同時添加したSi単結晶成長におけるGaの偏析挙動の解析、およびその特性

後藤頼良, Mukannan Arivanandhan, 藤原航三

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成21年度成果報告会　2010/02/08

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発表日：2010年2月8日場所：東北大学多元物質科学研究所発表者：後藤頼良
外部電場印加によるタンパク質結晶の核形成速度の制御 III

小泉晴比古, 藤原航三

第118回東北大学金属材料研究所講演会（2009年秋季）　2009/11/26

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発表日：2009年11月26日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小泉晴比古
MgO添加により化学量論組成と調和融解組成を一致させたニオブ酸リチウムのSHG特性

木村博充, 小泉晴比古, 杉山和正, 谷内哲夫

第118回東北大学金属材料研究所講演会（2009年秋季）　2009/11/26

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発表日：2009年11月26日場所：東北大学金属材料研究所発表者：木村博充
界面電場存在下でのニオブ酸リチウム結晶成長における不純物イオン濃度分布およびこれらの平衡分配係数の取り扱い

坪田毅

第118回東北大学金属材料研究所講演会（2009年秋季）　2009/11/26

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発表日：2009年11月26日場所：東北大学金属材料研究所発表者：坪田毅
Gaと高濃度Geを同時添加したSi単結晶成長におけるGaの偏析挙動の解析

後藤頼良, Mukannan Arivanandhan, 藤原航三

第118回東北大学金属材料研究所講演会（2009年秋季）　2009/11/26

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発表日：2009年11月26日場所：東北大学金属材料研究所発表者：後藤頼良
外部電場を用いたタンパク質核形成速度の印加周波数による制御

小泉晴比古, 藤原航三

第39回結晶成長国内会議　2009/11/12

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発表日：2009年11月12日場所：名古屋大学発表者：小泉晴比古
外部電場印加による酸化物、タンパク質結晶成長の相平衡、成長ダイナミクスの制御

第39回結晶成長国内会議　2009/11/12

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発表日：2009年11月12日場所：名古屋大学発表者：宇田聡
La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄単結晶及び焼結体における電気伝導率の酸素分圧依存性

八百川律子, 木村博充, 青田克己

第39回結晶成長国内会議　2009/11/12

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発表日：2009年11月13日場所：名古屋大学発表者：八百川律子
界面電場存在下でのニオブ酸リチウム結晶成長における不純物イオン濃度分布およびこれらの平衡分配係数の取り扱い

坪田毅

第39回結晶成長国内会議　2009/11/12

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発表日：2009年11月13日場所：名古屋大学発表者：坪田毅
MgO添加により化学量論組成と調和融解組成を一致させたニオブ酸リチウムのSHG特性

木村博充, 小泉晴比古, 杉山和正, 谷内哲夫

第39回結晶成長国内会議　2009/11/12

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発表日：2009年11月13日場所：名古屋大学発表者：木村博充
一致溶融成長しているニオブ酸リチウムの融液構成種の固液間分配について

第39回結晶成長国内会議　2009/11/12

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発表日：2009年11月13日場所：名古屋大学発表者：宇田聡
Siのファセットデンドライトの成長機構

藤原航三, 前田健作, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄

第39回結晶成長国内会議　2009/11/12

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発表日：2009年11月14日場所：名古屋大学発表者：藤原航三
GaとGeを同時添加したSi単結晶成長におけるGaの偏析挙動の解析、およびその特性

後藤頼良, Mukannan Arivanandhan, 藤原航三

第39回結晶成長国内会議　2009/11/12

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発表日：2009年11月14日場所：名古屋大学発表者：後藤頼良
ニオブ酸リチウムの電場印加下でのガス浮遊装置による溶融と急冷のその場観察実験

志村玲子, 水野章敏, 渡邉匡人

2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会　2009/09/08

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発表日：2009年9月8日場所：富山大学発表者：志村玲子
Control of nucleation rate for tetragonal hen-egg white lysozyme crystals by application of an electric field with variable frequencies International-presentation

H. Koizumi, K. Katoh, K. Fujiwara

The 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2009/08/09

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発表日：2009年8月13日場所：Grand Geneva Resort & Spa 発表者：小泉晴比古
Conversion of non-stoichiometry of LiNbO₃ to constitutional stoichiometry by impurity doping International-presentation

H. Kimura

The 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2009/08/09

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発表日：2009年8月14日場所：Grand Geneva Resort & Spa 発表者：木村博充
Polarization of LiNbO₃ crystal via a combination of intrinsic and external electric fields during growth International-presentation

Y. Tsuboi, H. Kimura, H. Koizumi

The 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2009/08/09

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発表日：2009年8月14日場所：Grand Geneva Resort & Spa 発表者：宇田聡
Partitioning of ionic solutes in the oxide melt and its relevance to the stoichiometry of the grown crystal International-presentation

H. Kimura

The 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2009/08/09

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発表日：2009年8月10日場所：Grand Geneva Resort & Spa 発表者：宇田聡
Enhancement of Ga doping in Czochralski-grown Si crystal by B- or Ge- codoping International-presentation

Xinming Huang, Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Kozo Fujiwara

3rd International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells　2009/06/03

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発表日：2009年6月4日場所：The Norwegian University of Science and Technology 発表者：宇田聡
Change of phase equilibria by an application of an external electric field International-presentation

H. Koizumi, K. Fujiwara

EUROTHERM Seminar Nr. 84　2009/05/24

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発表日：2009年5月25日場所：The Centre de Congres Beffroi 発表者：宇田聡
外部電場印加によるタンパク質結晶の核形成速度の制御 II

小泉晴比古, 加藤景輔, 藤原航三

第117回東北大学金属材料研究所講演会（2009年春季）　2009/05/14

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発表日：2009年5月14日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小泉晴比古
ニオブ酸リチウムの電場印加下でのガス浮遊装置による溶融と急冷のその場観察実験

志村玲子, 水野章敏, 渡邉匡人

第117回東北大学金属材料研究所講演会（2009年春季）　2009/05/14

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発表日：2009年5月14日場所：東北大学金属材料研究所発表者：志村玲子
不定比酸化物ニオブ酸リチウムの不純物添加による構造的定比化

木村博充

第117回東北大学金属材料研究所講演会（2009年春季）　2009/05/14

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発表日：2009年5月14日場所：東北大学金属材料研究所発表者：木村博充
La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄単結晶における電気伝導率の酸素分圧依存性

八百川律子, 木村博充, 青田克己

第117回東北大学金属材料研究所講演会（2009年春季）　2009/05/14

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発表日：2009年5月14日場所：東北大学金属材料研究所発表者：八百川律子
Ga/Ge同時添加CZ-Si結晶における少数キャリアライフタイムと欠陥の関係

後藤頼良, Mukannan Arivanandhan, 藤原航三

第117回東北大学金属材料研究所講演会（2009年春季）　2009/05/14

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発表日：2009年5月14日場所：東北大学金属材料研究所発表者：後藤頼良
La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄単結晶における電気伝導率の酸素分圧依存性

八百川律子, 木村博充, 青田克己

2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会　2009/03/30

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発表日：2009年4月1日場所：筑波大学発表者：八百川律子
不定比酸化物ニオブ酸リチウムの不純物添加による構造的定比化

木村博充, 小泉晴比古

2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会　2009/03/30

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発表日：2009年4月1日場所：筑波大学発表者：木村博充
不純物同時添加Si結晶育成におけるGaの偏析現象の解明

後藤頼良, Arivanandhan Mukannan, 藤原航三

2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会　2009/03/30

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発表日：2009年4月1日場所：筑波大学発表者：後藤頼良
外部静電場印加によるタンパク質核形成の制御 II

小泉晴比古, 加藤景輔, 藤原航三

2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会　2009/03/30

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発表日：2009年4月1日場所：筑波大学発表者：小泉晴比古
不定比酸化物ニオブ酸リチウムの不純物添加による構造的定比化

木村博充

日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第110回研究会　2009/03/03

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発表日：2009年3月3日場所：弘済会館発表者：木村博充
不純物添加による不定比ニオブ酸リチウムの定比化

木村博充, 小泉晴比古

応用物理学会結晶工学分科会主催 2008年・年末講演会　2008/12/11

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発表形態：ショートプレゼン付きポスター発表（一般）発表日：2008年12月11日場所：学習院創立百周年記念会館発表者：木村博充
外部電場印加によるタンパク質結晶の核形成速度の制御

加藤景輔, 小泉晴比古

応用物理学会結晶工学分科会主催 2008年・年末講演会　2008/12/11

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発表形態：ショートプレゼン付きポスター発表（一般）発表日：2008年12月11日場所：学習院創立百周年記念会館発表者：加藤景輔
LiNbO₃結晶育成時における熱起電力と電流注入による分極反転のメカニズムと解明

坪井佑真, 木村博充, 小泉晴比古

第116回東北大学金属材料研究所講演会（2008年秋季）　2008/11/27

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発表日：2008年11月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：坪井佑真
Effect of defect density on minority carrier lifetime in Ga and Ge codoped Czochralski - grown silicon

M. Arivanandhan, R. Gotoh

第116回東北大学金属材料研究所講演会（2008年秋季）　2008/11/27

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発表日：2008年11月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：M. Arivanandhan
外部静電場印加による卵白リゾチームの核形成速度の操作

小泉晴比古, 加藤景輔

第116回東北大学金属材料研究所講演会（2008年秋季）　2008/11/27

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発表日：2008年11月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小泉晴比古
不純物添加による不定比ニオブ酸リチウムの定比化

木村博充, 小泉晴比古

第116回東北大学金属材料研究所講演会（2008年秋季）　2008/11/27

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発表日：2008年11月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：木村博充
マイクロ引き下げ法によって育成したYAG結晶内の添加剤(Yb, Nd, Ce, Cr)の面内分布と結晶育成中の融液の流れ

志村玲子, 吉川彰

第116回東北大学金属材料研究所講演会（2008年秋季）　2008/11/27

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発表日：2008年11月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：志村玲子
GaとGeを同時添加したCZ-Si結晶成長におけるGaの偏析挙動の解析

後藤頼良, Mukannan Arivanandhan

第116回東北大学金属材料研究所講演会（2008年秋季）　2008/11/27

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発表日：2008年11月27日場所：東北大学金属材料研究所発表者：後藤頼良
Enhancement of Ga doping in Czochralski-grown Si crystal by B-codoping International-presentation

X. Huang, M. Arivanandhan, R. Gotoh, N. Usami

The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials　2008/11/10

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発表形態：ショートプレゼン付きポスター発表（一般）発表日：2008年11月11日場所：Keauhou Beach Resort, Kona 発表者：宇佐見徳隆
外部電場印加による卵白リゾチームの核形成頻度の操作

小泉晴比古, 加藤景輔

第38回結晶成長国内会議　2008/11/04

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発表日：2008年11月4日場所：仙台市戦災復興記念館発表者：小泉晴比古
定比及び不定比酸化物における融液構成種の分配現象について

第38回結晶成長国内会議　2008/11/04

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発表日：2008年11月4日場所：仙台市戦災復興記念館発表者：宇田聡
GaとBまたはGeを同時添加したCZ-Si結晶成長におけるGaの偏析挙動の解析

後藤頼良, Mukannan Arivanandhan

第38回結晶成長国内会議　2008/11/04

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発表日：2008年11月5日場所：仙台市戦災復興記念館発表者：後藤頼良
LiNbO₃結晶育成時における熱起電力と電流注入による分極構造の制御及びそのメカニズムの解明

坪井佑真, 木村博充, 小泉晴比古

第38回結晶成長国内会議　2008/11/04

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発表日：2008年11月5日場所：仙台市戦災復興記念館発表者：坪井佑真
外部電場印加による卵白リゾチームの核形成頻度の操作

小泉晴比古, 加藤景輔

第38回結晶成長国内会議　2008/11/04

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発表日：2008年11月5日場所：仙台市戦災復興記念館発表者：小泉晴比古
マイクロ引下げ法育成結晶内の添加剤分布〜(RE,Y)₃(TM,Al)₅O₁₂〜

志村玲子, 吉川彰

第38回結晶成長国内会議　2008/11/04

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発表日：2008年11月6日場所：仙台市戦災復興記念館発表者：志村玲子
外場を利用した新しい結晶成長

第38回結晶成長国内会議　2008/11/04

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発表日：2008年11月6日場所：仙台市戦災復興記念館発表者：宇田聡
マイクロ引下げ法で育成した結晶における添加剤の断面分布〜YAGの例〜

志村玲子, 吉川彰

2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会　2008/09/02

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発表日：2008年9月3日場所：中部大学発表者：志村玲子
外部電場印加によるタンパク質核形成の制御

小泉晴比古, 加藤景輔

2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会　2008/09/02

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発表日：2008年9月3日場所：中部大学発表者：小泉晴比古
バルク結晶成長の新展開 -外場を利用した新しい結晶育成技術-

宇田聡

第78回金属材料研究所夏期講習会　2008/07/30

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夏期講習会講師講義日：2008年7月30日場所：クリエイション・コア東大阪発表者：宇田聡
外部電場印加による酸化物高温超伝導体物質の調和融解成長への変換

2008 旭硝子財団助成研究発表会　2008/07/15

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発表形態：ショートスピーチ、およびポスター発表（招待・特別）発表日：2008年7月15日場所：グランドヒル市ヶ谷発表者：宇田聡採択年度：H18年度分野テーマ：特定Ba
The electric-field-modified growth of YBCO via a peritectic reaction International-presentation

X. Huang

The 2nd International Symposium on Innovations in Advanced Materials for Optics & Electronics　2008/07/06

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発表日：2008年7月8日場所：The New Garden Hotel 発表者：宇田聡
Influence of an external electric field on crystal growth - thermodynamic and growth kinetic aspects - International-presentation

X. Huang, S. Koh

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21

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発表日：2008.5.24 場所：東北大学発表者：宇田聡
Change of the melting temperature of non-doped and Mg doped Lithium Niobate affected by an external electric field International-presentation

R. Simura, K. Nakamura

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21

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発表日：2008.5.23 場所：東北大学発表者：志村玲子
Change of the peritectic point of Potassium Niobate affected by an external electric field International-presentation

R. Simura, A. Nishiki

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21

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発表日：2008.5.23 場所：東北大学発表者：志村玲子
Effect of intracrystallin water on elastic constants in tetragonal hen egg-white lysozyme crystals including a large amount of water in the crystal International-presentation

H. Koizumi, M. Tachibana, K. Kojima

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21

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発表日：2008.5.23 場所：東北大学発表者：小泉晴比古
Gallium segregation in gallium and boron codoped Czochralski-Silicon crystal growth International-presentation

M. Arivanandhan, X. Huang, R. Gotoh, T. Hoshikawa

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21

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発表日：2008.5.22 場所：東北大学発表者：M. Arivanandhan 発表形態：口頭（Selected）
Directional growth of organic NLO crystal by different growth methods: a comparative study by means of XRD, HRXRD and laser damage threshold International-presentation

M. Arivanandhan, X. Huang, G. Bhagavannarayana, N.Vijayan, K. Sankaranarayanan, P. Ramasamy

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21

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発表日：2008.5.24 場所：東北大学発表者：M. Arivanandhan
Carrier concentration and mobility of CZ silicon crystals doped with gallium International-presentation

T. Hoshikawa, X. Huang, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Hoshikawa

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21

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発表日：2008.5.22 場所：東北大学発表者：干川岳志
Influence of impurity doping on the partitioning of ionic species during the growth of LiNbO₃ ionic crystal International-presentation

H. Kimura

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology　2008/05/21

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発表日：2008.5.22 場所：東北大学発表者：木村博充
Segregation of codoped Ga and B in Czochralski-Silicon crystal growth

M. Arivanandhan, R. Gotoh, T. Hoshikawa, X. Huang

第115回東北大学金属材料研究所講演会（2008年春季）　2008/05/13

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発表日：2008年5月13日場所：東北大学金属材料研究所発表者：M. Arivanandhan
GaとGeを同時添加したCZ-Si結晶成長におけるGaの偏析挙動の解析

後藤頼良, M. Arivanandhan, 黄新明

第115回東北大学金属材料研究所講演会（2008年春季）　2008/05/13

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発表日：2008年5月13日場所：東北大学金属材料研究所発表者：後藤頼良
不純物添加によるLiNbO₃結晶成長におけるイオン種分配への影響

木村博充, 小泉晴比古

第115回東北大学金属材料研究所講演会（2008年春季）　2008/05/13

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発表日：2008年5月13日場所：東北大学金属材料研究所発表者：木村博充
LiNbO₃結晶育成時における熱起電力及び電流注入による分極反転現象

坪井佑真, 木村博充, 小泉晴比古

第115回東北大学金属材料研究所講演会（2008年春季）　2008/05/13

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発表日：2008年5月13日場所：東北大学金属材料研究所発表者：坪井佑真
外部静電場印加によるタンパク質結晶の核形成頻度の制御

小泉晴比古

第115回東北大学金属材料研究所講演会（2008年春季）　2008/05/13

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発表日：2008年5月13日場所：東北大学金属材料研究所発表者：小泉晴比古
外部電場印加下の無添加/MgO添加ニオブ酸リチウム融点とニオブ酸カリウムの包晶点

志村玲子, 中村洪大, 錦綾子

第115回東北大学金属材料研究所講演会（2008年春季）　2008/05/13

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発表日：2008年5月13日場所：東北大学金属材料研究所発表者：志村玲子
不純物添加によるLiNbO₃結晶成長におけるイオン種分配への影響

木村博充

2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会　2008/03/27

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発表日：2008年3月28日場所：日本大学理工学部船橋キャンパス発表者：木村博充
LiNbO3結晶育成時における熱起電力及び電流注入による分極反転現象

坪井佑真, 木村博充

2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会　2008/03/27

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発表日：2008年3月28日場所：日本大学理工学部船橋キャンパス発表者：坪井佑真
ニオブ酸カリウムの包晶点の電場による変化

錦綾子, 志村玲子

2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会　2008/03/27

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発表日：2008年3月28日場所：日本大学理工学部船橋キャンパス発表者：志村玲子
マグネシウム添加ニオブ酸リチウムの電場による融点変化

中村洪大, 志村玲子

2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会　2008/03/27

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発表日：2008年3月28日場所：日本大学理工学部船橋キャンパス発表者：志村玲子
Ga添加CZ-Si結晶中のGa濃度とキャリア濃度の関係

干川岳志, 黄新明, 太子敏則, 米永一郎, 干川圭吾

2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会　2008/03/27

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発表日：2008年3月28日場所：日本大学理工学部船橋キャンパス発表者：干川岳志
GaとBを同時添加したCZ-Si結晶成長における偏析挙動の解析

後藤頼良, 黄新明, Arivanandhan Mukannan, 干川岳志

2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会　2008/03/27

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発表日：2008年3月28日場所：日本大学理工学部船橋キャンパス発表者：後藤頼良
外場によって操作出来る結晶成長のいくつかのポイント

東京工業大学大学院総合理工学研究科セミナー　2008/01/28

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発表日：2008年1月28日場所：東京工業大学大学院総合理工学研究科発表者：宇田聡
Relationship between resistivity and dopant concentration in Ga-doped CZ-Si single crystals International-presentation

T. Hoshikawa, X. Huang

4th Materials Science School for Young Scientists (KINKEN-WAKATE 2007)　2007/12/12
Electromotive force during the growth of MgO-doped LiNbO₃ crystal International-presentation

H. Kimura

4th Materials Science School for Young Scientists (KINKEN-WAKATE 2007)　2007/12/12
果たしてバルク結晶成長でナノ制御は可能か？

第114回東北大学金属材料研究所講演会（2007年秋季）　2007/11/29
太陽電池用球状シリコン単結晶成長

黄新明, 田辺英義, 北原暢之, 有宗久雄

第114回東北大学金属材料研究所講演会（2007年秋季）　2007/11/29
Investigation on the segregation of codoped Ga and B in CZ-Si crystal growth

M. Arivanandhan, R. Gotoh, T. Hoshikawa, X. Huang

第114回東北大学金属材料研究所講演会（2007年秋季）　2007/11/29
ニオブ酸カリウムの包晶点組成の検討

錦綾子, 志村玲子, 黄新明

第114回東北大学金属材料研究所講演会（2007年秋季）　2007/11/29
Ga添加CZ-Si単結晶における不純物濃度と抵抗率の関係

干川岳志, 黄新明, 太子敏則, 米永一郎

第114回東北大学金属材料研究所講演会（2007年秋季）　2007/11/29
ニオブ酸リチウムの融点に対する電場印加の影響について

中村洪大, 志村玲子

第114回東北大学金属材料研究所講演会（2007年秋季）　2007/11/29
MgO添加LiNbO₃結晶成長における結晶化起電力

木村博充

第114回東北大学金属材料研究所講演会（2007年秋季）　2007/11/29
Crystal growth under an externally applied electric field International-presentation

Seminar in Shanghai Institute of Ceramics Chinese Academy of Sciences　2007/11/15
Electric-current modified segregation of Li ion species in LiNbO₃ fiber crystal grown via a micro-pulling-down method International-presentation

Y. Azuma

7th Pacific Rim Conference on Ceramic and Glass Technology　2007/11/11
Analysis of the reaction at the interface between Si melt and a Ba-doped silica crucible International-presentation

X. Huang, T. Hoshikawa

7th Pacific Rim Conference on Ceramic and Glass Technology　2007/11/11
GaとB同時添加Si結晶成長における偏析挙動

黄新明, A. Mukannan, 後藤頼良, 干川岳志

第37回結晶成長国内会議　2007/11/05
CZ-Si単結晶中のGa濃度と抵抗率の関係およびその温度依存性

干川岳志, 黄新明, 干川圭吾, 太子敏則, 米永一郎

第37回結晶成長国内会議　2007/11/05
球状シリコン単結晶成長のその場観察

黄新明, 田辺英義, 北原暢之, 有宗久雄

第37回結晶成長国内会議　2007/11/05
MgO添加LiNbO₃結晶成長におけるイオン種の固液間分配挙動

木村博充

第37回結晶成長国内会議　2007/11/05
ニオブ酸リチウムの融点に対する電場印加の影響について

中村洪大, 志村玲子

第37回結晶成長国内会議　2007/11/05
ニオブ酸カリウム包晶点組成の検討

錦綾子, 志村玲子, 黄新明

第37回結晶成長国内会議　2007/11/05
いくつかの方法により融液-結晶間のエネルギー関係を操作した結晶成長−バルク結晶成長においてナノスコピック操作は可能だろうか？

第32回結晶成長討論会　2007/11/03

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放談会討論会テーマ：結晶成長研究の未来像を探る
ニオブ酸カリウムの包晶点組成の検討

錦綾子, 志村玲子, 黄新明

2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会　2007/09/04

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ショートプレゼンテーション付き
電場印加によるニオブ酸リチウム一致溶融点組成の変化について

志村玲子, 中村洪大, 黄新明

2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会　2007/09/04

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ショートプレゼンテーション付き
Conversion of the melting state of langasite from incongruent to congruent via an external electric field International-presentation

X. Huang, S. Koh

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007/08/12
Crystal growth process of YBCO superconductive oxide under an applied external electric field International-presentation

X. Huang, S. Koh

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007/08/12
Growth of stable shaped single crystals by micro-pulling-down technique with automatic power controlling system International-presentation

R. Simura, V. Kochurikhin, A. Yoshikawa

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007/08/12
Equilibrium phase diagram of incongruent-melting langatate (La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄) and the influence of growth atmosphere and impurity Ir on the resistivity of langatate International-presentation

H. Kimura, X. Huang, S. Koh

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007/08/12
Electric-current modified segregation of Li ion species in LiNbO₃ fiber crystal grown via a micro-pulling-down method International-presentation

Y. Azuma

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007/08/12
Intrinsic electric field during the growth of LiNbO₃ and Li₂B₄O₇: Partitioning of ionic species and crystallization electromotive force at the growth interface International-presentation

S. Koh, X. Huang

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007/08/12
Czochralski growth of silicon multicrystal using multiple seeds with orientation of <100>, <110> and <111> International-presentation

T. Hoshikawa, T. Taishi, X. Huang, M. Yamatani, K. Shirasawa, K. Hoshikawa

The 15th International Conference on Crystal Growth　2007/08/12

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発表日：2007年8月14日発表者：干川圭吾
非調和融解物質の調和融解化に必要な電場の大きさとその存在形態

第24回無機・分析化学コロキウム　2007/06/01
Ba添加シリカガラスとSi融液の界面における反応機構の解析

黄新明, 干川岳志

第113回東北大学金属材料研究所講演会（2007年春季）　2007/05/24
固液界面に電流を印加したLiNbO₃ファイバー結晶のLi濃度の特異的変化

我妻幸長

第113回東北大学金属材料研究所講演会（2007年春季）　2007/05/24
Si結晶成長におけるGa, B複合添加時の偏析

干川岳志, 黄新明, 黄晋二

第113回東北大学金属材料研究所講演会（2007年春季）　2007/05/24
四ホウ酸リチウム及びMgO添加ニオブ酸リチウムの結晶成長における結晶化起電力

黄晋二, 志村玲子, 黄新明

第113回東北大学金属材料研究所講演会（2007年春季）　2007/05/24
Ir育成ルツボからのIr混入によるランガテイト単結晶の抵抗率への影響

木村博充

日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第101回研究会　2007/05/10
CZ-Si多結晶成長による少数キャリアライフタイム低下要因の解明

太子敏則, 干川岳志, 山谷宗義, 白澤勝彦, 黄新明, 干川圭吾

2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会日本学術振興会第145委員会・第161委員会・第175委員会合同企画「Siバルク結晶系太陽電池のイノベーション」シンポジウム　2007/03/29
育成雰囲気および不純物 (Ir) のLa₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄単結晶の抵抗率への影響

木村博充, 黄晋二, 黄新明

2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会　2007/03/27
四ホウ酸リチウム結晶成長界面における結晶化起電力の組成依存性

黄晋二, 西田雅宏, 黄新明

2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会　2007/03/27
非調和融解性酸化物の調和融解成長を実現する外部電場の大きさとその存在形態

黄晋二, 黄新明

2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会　2007/03/27
外部電場印加におけるYBCO超伝導酸化物の結晶成長プロセスの解析

黄新明, 黄晋二

2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会　2007/03/27
成長時に電流を印加したLiNbO₃ファイバー結晶のLi濃度の特異的変化

我妻幸長

2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会　2007/03/27
Si結晶成長におけるB-Ga及びB-Ge複合不純物の偏析現象

干川岳志, 黄晋二, 黄新明

2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会　2007/03/27
強電場下での非コングルエント溶融系のコングルエント溶融化による結晶成長

黄新明, 黄晋二

日本セラミックス協会2007年年会　2007/03/21

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サテライトプログラム「第3回ベクトル材料科学研究討論会」ベクトル場を利用したマテリアルデザイン
マルチシード法によるCZ-Si 多結晶成長と評価

太子敏則, 干川岳志, 山谷宗義, 白澤勝彦, 黄新明, 干川圭吾

日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第108回研究会　2006/12/14
Investigation of incongruency of langatate (La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄) and the phase diagram in the system La₂O₃-Ga₂O₃-Ta₂O₅ International-presentation

H. Kimura, X. Huang

2006 IMR-Korea University Student Joint Symposium on Advanced Materials　2006/12/14
ニオブ酸リチウム融液のイオン性とそれに起因する結晶化起電力

黄晋二, 黄新明

第112回東北大学金属材料研究所講演会（2006年秋季）　2006/11/30
不純物添加によるSi融液-シリカガラス界面の反応制御に関する研究

干川岳志, 黄新明

第112回東北大学金属材料研究所講演会（2006年秋季）　2006/11/30
YBCO超伝導酸化物の結晶成長における外部電場印加への影響

黄新明, 黄晋二

第112回東北大学金属材料研究所講演会（2006年秋季）　2006/11/30
浮遊帯溶融法により育成したLa₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄単結晶の抵抗率評価

木村博充, 黄晋二, 黄新明

第112回東北大学金属材料研究所講演会（2006年秋季）　2006/11/30
固液界面に流れる電流がLiNbO₃ファイバー結晶の組成に与える影響

我妻幸長

第112回東北大学金属材料研究所講演会（2006年秋季）　2006/11/30
Si 結晶成長における複数の不純物添加の偏析

干川岳志, 太子敏則, 黄新明

第36回結晶成長国内会議　2006/11/01
ニオブ酸リチウム融液のイオン性とそれに起因する結晶化起電力

黄晋二, 西田雅宏, 国吉幸浩, 黄新明

第36回結晶成長国内会議　2006/11/01
外部電場印加におけるYBCO 超伝導酸化物の結晶成長過程

黄新明, 黄晋二

第36回結晶成長国内会議　2006/11/01
ランガサイトの調和融解化に必要な電場の大きさとその存在形態

黄晋二, 黄新明

第36回結晶成長国内会議　2006/11/01
ランガテイトの非調和融解性と初晶領域の解明

木村博充, 黄新明

第36回結晶成長国内会議　2006/11/01
FZ(Floating Zone)法によるLa₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄単結晶の育成と抵抗率の雰囲気依存性

木村博充, 黄晋二, 黄新明

2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会　2006/08/29
ニオブ酸リチウム結晶成長界面における結晶化起電力の組成依存性

黄晋二, 西田雅宏, 国吉幸浩, 黄新明

2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会　2006/08/29
不純物添加によるSi融液-シリカガラスの界面反応制御に関する研究

干川岳志, 黄新明

2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会　2006/08/29
ランガテイトの非調和融解性と平衡状態図について

木村博充

日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第98回研究会　2006/08/01
融液クラスターサイズによる融液エネルギーの操作

大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻佐々木教授研究室セミナー　2006/07/25

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佐々木孝友教授（大阪大学大学院工学研究科）研究室
Conversion of the melting state of langasite from incongruent into congruent by an external electric field International-presentation

X. Huang, S. Koh

19th General Meeting of the International Mineralogical Association　2006/07/23
外部電場印加による非コングルエント融解物質のコングルエント化-ランガサイト単結晶の育成を例にとって-

東京大学大学院理学系研究科地球惑星科学専攻固体地球科学講座セミナー　2006/07/12

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小澤一仁教授（東京大学大学院理学系研究科）研究室
Influence of an external electric field on crystal growth - thermodynamic and growth kinetic view - International-presentation

X. Huang, S. Koh

1st International Symposium on Innovations in Advanced Materials for Optics and Electronics　2006/06/14
Feature of an external electric field required for the conversion of the melting state of lagasite from incongruent into congruent International-presentation

X. Huang, S. Koh

Western Regional Section Conference on Crystal Growth (Twentieth Conference on Crystal Growth and Epitaxy)　2006/06/04
Crystal growth of YBCO superconductive oxide with imposition of an external electric field International-presentation

X. Huang

Western Regional Section Conference on Crystal Growth (Twentieth Conference on Crystal Growth and Epitaxy)　2006/06/04
マイクロ引き下げ法を用いた結晶成長界面における内部電場の測定

黄晋二

第111回東北大学金属材料研究所講演会（2006年春季）　2006/05/25
示差走査熱量測定(DSC)によるランガテイト(La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄)初晶域の解明

木村博充, 黄新明

第111回東北大学金属材料研究所講演会（2006年春季）　2006/05/25
LiNbO₃ファイバー結晶中におけるLi/Nb比の固液界面電流依存性

我妻幸長

第111回東北大学金属材料研究所講演会（2006年春季）　2006/05/25
Si融液-シリカガラス界面における茶褐色リングの成長に関する研究

干川岳志, 黄新明

第111回東北大学金属材料研究所講演会（2006年春季）　2006/05/25
LiNbO₃ファイバー結晶中におけるLi濃度の電流依存性

我妻幸長, 黄晋二, 黄新明

第53回応用物理学会関係連合講演会　2006/03/22
マイクロ引き下げ法を用いた結晶成長界面における内部電場の測定

黄晋二, 西田雅宏, 我妻幸長, 国吉幸浩, 黄新明

第53回応用物理学会関係連合講演会　2006/03/22
外部電場印加におけるYBCO超伝導酸化物の結晶成長過程のその場観察

黄新明

第53回応用物理学会関係連合講演会　2006/03/22
ランガテイト(La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄)およびその近傍組成の相関係

木村博充, 黄新明

第53回応用物理学会関係連合講演会　2006/03/22
マルチシードCZ-Si多結晶育成による異常粒界形成機構の解明

太子敏則, 干川岳志, 山谷宗義, 白澤勝彦, 黄新明, 干川圭吾

日本結晶成長学会バルク成長分科会第68回研究会　2006/02/02
外部電場印加による相平衡び成長キネティックスの操作

日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第47回研究会　2005/12/09
Transformation of the incongruent-melting state to the congruent-melting state via an external electric field for the growth of langasite International-presentation

X. Huang, S. Koh

International Conference on Frontiers of Materials Science　2005/12/07
In-situ obervation of crystal growth of YBCO superconductive oxide with application of an external electric field International-presentation

X. Huang, S. Koh

International Conference on Frontiers of Materials Science　2005/12/07
External-electric-field-modified solute partitioning during Mn-doped LiNbO3 fiber crystal growth by micro-pulling down method International-presentation

S. Koh, Y. Azuma, H. Kimura, X. Huang

International Conference on Frontiers of Materials Science　2005/12/07
外部電場印加下でのYBCO超伝導酸化物の結晶成長過程のその場観察

黄新明, 黄晋二

第110回東北大学金属材料研究所講演会（2005年秋季）　2005/11/14
ランガテイト(La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄)およびその近傍組成の相関係

木村博充, 黄新明, 黄晋二

第110回東北大学金属材料研究所講演会（2005年秋季）　2005/11/14
Raman spectroscopy of Si crystals with heavy B and/or Ge doping International-presentation

X. Huang, K. wu, M. Chen, S. Koh

11th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors　2005/09/15
Growth of langasite-type crystals and their device properties International-presentation

3rd International Workshop on Crystal Growth Technology　2005/09/10
Si結晶成長におけるGaの偏析に関する解析

干川岳志, 太子敏則, 黄晋二, 黄新明

第35回結晶成長国内会議　2005/08/17
外部電場印加によるランガサイトのコングルエント化

黄新明, 黄晋二

第35回結晶成長国内会議　2005/08/17
外場を利用した非調和融解物質の調和融解成長の試み-ランガサイト単結晶育成の場合-

黄新明, 黄晋二

日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第93回研究会　2005/08/04
バルク結晶成長の新しい展開−外場を利用した成長界面操作のおもしろさ−

宇田聡

第75回金属材料研究所夏季講習会　2005/07/27

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夏期講習会講師場所：東北大学金属材料研究所発表者：宇田聡
The transformation of incongruent-melting state to the congruent-melting state via an external electric field for the growth of oxides from melt International-presentation

X. Huang, S. Koh

16th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2005/07/10
光学的に高い均質性を持つ四ホウ酸リチウム単結晶のチョクラルスキー成長

黄晋二, 黄新明

第109回東北大学金属材料研究所講演会（2005年春季）　2005/05/26
ガリウム添加のチョクラルスキーシリコン結晶成長に関する研究

干川岳志, 黄新明, 黄晋二

第109回東北大学金属材料研究所講演会（2005年春季）　2005/05/26
ランガサイト型単結晶の育成とその圧電応用特性について

第34回EMシンポジウム　2005/05/19
外部電場印加による四ホウ酸リチウム双晶結晶の成長

黄新明, 黄晋二

２００５年春季第５２回応用物理学会　2005/03/29
外部電場印加による非コングルエント物質のコングルエント化

黄新明, 黄晋二

２００５年春季第５２回応用物理学会　2005/03/29
外部電場印加による非コングルエント融液のコングルエント化

黄新明, 黄晋二

信州大学地域共同研究センター研究会　2005/03/14
外部電場印加よる非コングルエント融液のコングルエント化

黄新明, 黄晋二

日本結晶成長学会バルク成長分科会第64回研究会　2005/02/04
シリコン融液と石英るつぼの界面反応：バリウムドーピング効果

黄新明, 黄晋二, 呉克輝, 陳明偉

第108回東北大学金属材料研究所講演会（2004年秋季）　2004/11/25

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本多光太郎先生50年祭記念講演会
擬似位相整合のための双晶結晶・空間反転結晶の形成と制御

黄晋二, 黄新明

第108回東北大学金属材料研究所講演会（2004年秋季）　2004/11/25

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本多光太郎先生50年祭記念講演会
外部電場印加による結晶成長の制御-非コングルーエント融液のコングルーエント化への試み

黄新明, 黄晋二, 田中幸太

第108回東北大学金属材料研究所講演会（2004年秋季）　2004/11/25

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本多光太郎先生50年祭記念講演会
外部電場印加による相平衡関係の操作

第４９回人工結晶討論会　2004/11/09
外場電場による結晶成長の制御（１）：相安定関係の操作

黄新明, 王守き

第３４回結晶成長国内会議　2004/08/25
石英るつぼとシリコン融液の界面反応：バリウムドーピング効果

黄新明, 黄晋二, 渡部弘行, 三瓶桂子, 干川圭吾

第３４回結晶成長国内会議　2004/08/25
Growth technology of piezoelectric langasite single crystal International-presentation

S.Q. Wang, N. Konishi, H. Inaba, J. Harada

International Conference on Crystal Growth XIV　2004/08/09
The effect of an external electric field on the growth of incongruent-melting material International-presentation

x. Huang, S.Q. Wang

International Conference on Crystal Growth XIV　2004/08/09
Growth of Functional Structures on SiGe-on-Insulator Substrate with High Ge Content International-presentation

S. Koh, K. Sawano, Y. Shiraki, X. Huang

International Conference on Crystal Growth XIV　2004/08/09
Robust Si Wafer International-presentation

X. Huang, T. Sato, M. Nakanishi, T. Taishi, K. Hoshikawa

International Conference on Crystal Growth XIV　2004/08/09
ランガサイト単結晶のアプリケーション

原田次郎

第２２回人工結晶工学会特別講演会　2004/04/08
純粋ジルコニアナノ結晶の正方晶・単斜晶相転移に対する臨界サイズ

恒川信, 伊藤俊, 小島隆, 杉本忠夫

日本結晶学会平成１５年度年会　2003/12/01
酸化物単結晶育成の不思議-非コングルーエント・ランガサイト融液からの引上げ成長-

第106回東北大学金属材料研究所講演会（2003年秋季）　2003/11/27
圧電材料La3Ta0.5Ga5.5O14に関する相図と結晶の育成

王守き, 藤原和崇, 原田次郎

第４８回人工結晶討論会　2003/11/04
垂直ブリッジマン法で育成したランガサイト単結晶の育成方位による特徴

稲場均, 原田次郎, 藤原和崇, 干川圭吾

第４８回人工結晶討論会　2003/11/04
圧電性ランガサイト結晶の成長と結晶特性

機能性単結晶・セラミックス材料製造技術とデバイス応用研究会　2003/09/19
垂直ブリッジマン法による燃焼圧センサ用ランガサイト単結晶の育成

稲場均, 原田次郎, 高橋和生, 有賀俊光, 掛川和輝, 干川圭吾

２００３年秋季第６４回応用物理学会　2003/08/30
Li2B4O7結晶を用いた紫外超短パルス幅計測

小野晋吾, 高橋啓司, 後藤昌宏, Alex Quema, 猿倉信彦, 政田元太, 白石浩之, 関根一郎

２００３年秋季第６４回応用物理学会　2003/08/30
ランガサイト結晶成長メカニズムの研究と高品質単結晶育成への応用

第33回結晶成長国内会議　2003/07/30
Incongruency and Liquid Immiscibility of Langasite International-presentation

S.Q. Wang

15th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy　2003/07/20
Motion of etch defects on (001) Li2B4O7 single crystal wafer International-presentation

M. Yano, N. Watanabe, H. Shiraishi, I. Sekine

3rd International Symposium on Lasers and Nonlinear Optical Materials　2003/07/20
Growth of langasite crystal from melt International-presentation

韓国結晶成長学会　2003/05/22
引き上げ法によるY54方位４インチランガサイト単結晶の育成

小西希, 竹島一太, 豊永敬二, 佐藤博, 原田次郎

第３２回結晶成長国内会議　2002/08/01
ACRT垂直ブリッジマン法によるランガサイト単結晶の育成

稲場均, 干川圭吾

第３２回結晶成長国内会議　2002/08/01
ランガサイト融液の非一致溶融性について

王守き, 小松隆一

第３２回結晶成長国内会議　2002/08/01
新しいフィルタ用圧電結晶 —ランガサイト—

第115回応用物理学会結晶工学分科会　2002/04/26
Distribution coefficient at solid/liquid interface in melt growth of Si International-presentation

Naohisa Inoue, Atsushi Mori, Takeshi Mikayama, Hidaeki Harada

The Sixth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics　2002/03/22
Fiber Crystal Growth from the Melt

結晶成長の科学と技術　2002/03/03
Growth Habits of 3 and 4-inch Langasite Single Crystals International-presentation

International Conference on Crystal Growth XIII　2001/07/30
４インチランガサイト単結晶の育成とその評価

小西希, 王守き, 原田次郎

第１９回人工結晶工学会特別講演会　2001/04/06
Use of Interface Electric Field for Compositional Variation in Shaped-Crystal International-presentation

International School on Crystal Growth and Technology (ISCGT-2)　2000/08/24
Interface Field-modified Solute Partitioning during Mn:LiNbO₃ Crystal Fiber Growth by Micro-Pulling Down Method International-presentation

International Conference on Crystal Growth XII　1998/07/26
Monte Carlo Simulation on Nucleation from Si Melt with Energy Function of Coordination Numbers and Bond Angles International-presentation

3rd China-Japan Electronic Materials Growth Meeting　1996/10/31
Segregation Mechanism in Si_1-xGe_x Single Crystal Fiber Growth by Micro-pulling Down Method International-presentation

The 3rd Korea-Japan Electronic Materials Growth Meeting and the 9th Meeting of Korean Association of Crystal Growth Joint Meeting　1996/06/07
New Feature of Li₂B₄O₇ Crystal: Generation of the Fifth and Fourth Harmonics of Nd:YAG Lasers International-presentation

1st ROC/Japan Symposium on Crystal Growth, National Central University of Taiwan　1996/05/18
Growth and Nonlinear Optical Properties of Li₂B₄O₇ Crystal International-presentation

International Meeting on Nonlinear Optical Materials 1995, National University of Singapore　1995/11/27
Influence of Cluster Size on Crystallization from Melt International-presentation

Colloquium at the National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University　1995/10/30
Influence of Cluster Size on Nucleation from Melt International-presentation

Colloquium at Department of Mechanical Engineering and Materials Science, Rice University　1994/11/17
Interface Field-dominated Solute Redistribution During Crystallization International-presentation

1st China-Japan Electronic Materials Growth Meeting　1994/10/27

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Industrial Property Rights 51

コロイド共晶、コロイド共晶固化体、及びそれらの製造方法

山中淳平, 豊玉彰子, 奥薗透, 宇田聡, 野澤純

特許6754963

Property Type: Patent
太陽電池の製造方法

藩伍根, 藤原航三, 宇田聡

Property Type: Patent
タンタル酸リチウム単結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム単結晶

宇田聡, 梶ヶ谷富男

特許第5984058号

Property Type: Patent
常誘電体周期双晶結晶の製造方法

前田健作, 宇田聡, 藤原航三

特許第5975507号

Property Type: Patent
シリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法

宇田聡, ムカンナリアリバナンドハン, 後藤頼良, 藤原航三, 早川泰弘

特許第5688654号

Property Type: Patent

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本学発明等整理番号：P20100321
ランガテイト系単結晶の製造方法

八百川律子, 宇田聡, 青田克己

特許第5299908号

Property Type: Patent
Si結晶およびその製造方法

宇田聡, ムカンナリアリバナンドハン, 後藤頼良, 藤原航三

特許第5419072号

Property Type: Patent

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発明整理番号：P20080451
酸化物単結晶の製造方法及び装置

宇田聡, 原田次郎, 王守奇

Property Type: Patent
圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス

王守奇, 宇田聡

特許第5098922号

Property Type: Patent

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特願2002-223418の分割出願
弾性表面波デバイス及び圧電デバイス用基板

王守奇, 宇田聡

特許第4353262号

Property Type: Patent

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特願H11-377335の分割出願
圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス

王守奇, 宇田聡

特許第4270232号

Property Type: Patent

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特願2000-165114の分割出願
疑似位相整合結晶の製造方法

宇田聡, 黄晋二, 黄新明

第4617461号

Property Type: Patent
酸化物単結晶の製造方法及び装置

宇田聡, 原田次郎, 王守奇

特許第4475052号

Property Type: Patent
石英ルツボ

渡部弘行, 三瓶桂子, 橋本尚英, 黄新明, 宇田聡

Property Type: Patent
石英ルツボ

渡部弘行, 三瓶桂子, 橋本尚英, 黄新明, 宇田聡

Property Type: Patent

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出願番号は、特願2004-24479の優先権主張番号
Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface acoustic wave device（公開番号：US20040137727）

UDA S. WANG S

Property Type: Patent
表面弾性波センサ用基板及びこれを用いた表面弾性波センサ

小西希, 原田次郎, 宇田聡

Property Type: Patent
表面弾性波センサ用基板及びこれを用いた表面弾性波センサ

小西希, 原田次郎, 宇田聡

Property Type: Patent
圧電デバイス用基板の製造方法

王守奇, 宇田聡

特許第4239506号

Property Type: Patent
圧電基板の材料定数測定装置

王守奇, 宇田聡

特許第3915582号

Property Type: Patent

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実用化年：平成16年品名：第3世代モバイル通信用基地局弾性表面波フィルタ実用化段階：製品化を目指した研究開発（企業による実機試験、製品化一歩手前など）
表面弾性波素子

王守奇, 宇田聡, 長谷川弘治

特許第3818195号

Property Type: Patent

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実用化年：平成16年品名：第3世代モバイル通信用基地局弾性表面波フィルタ実用化段階：商品化して売上げが発生
ランガサイト系単結晶基板の製造方法

豊永敬二, 坪井敦, 宇田聡

特許第3873775号

Property Type: Patent

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実用化年：平成16年品名：ランガサイト単結晶ウエハ実用化段階：商品化して売上げが発生
ランガサイト単結晶の製造方法

稲場均, 宇田聡

特許第4096577号

Property Type: Patent

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平成16年実用化品名：ランガサイト単結晶ウエハ実用化段階：商品化して売上げ発生
表面弾性波素子用基板及びこれを用いた表面弾性波素子

小西希, 原田次郎, 宇田聡

Property Type: Patent
表面弾性波素子用基板及びこれを用いた表面弾性波素子

小西希, 原田次郎, 宇田聡

Property Type: Patent

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出願番号は特願2002-153889の優先権主張番号
ランガサイト単結晶およびその引き上げ方法

原田次郎, 宇田聡

Property Type: Patent
Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface acoustic wave device（公開番号：EP1302570）

UDA S. WANG S

Property Type: Patent
ランガサイト型単結晶の作製方法

稲場均, 宇田聡, 干川圭吾

特許第4403679号

Property Type: Patent
単結晶の製造装置及び方法

稲場均, 宇田聡, 干川圭吾

Property Type: Patent
ランガサイト型単結晶の作製方法

稲場均, 宇田聡, 干川圭吾

Property Type: Patent
Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface acoustic wave device（公開番号：TW512588）

UDA S. WANG S

Property Type: Patent
ランガサイト単結晶の引き上げ方法およびランガサイト単結晶

小西希, 宇田聡

Property Type: Patent
ランガサイト単結晶の作製方法

稲場均, 宇田聡, 干川圭吾

特許第4524527号

Property Type: Patent
ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶

稲場均, 宇田聡, 干川圭吾

Property Type: Patent
圧電基板の材料定数測定方法および装置

王守奇, 宇田聡

特許第3608498号

Property Type: Patent

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実用化年：平成16年品名：第3世代モバイル通信用基地局弾性表面波フィルタ実用化段階：製品化を目指した研究開発（企業による実機試験、製品化一歩手前など）
圧電基板の材料定数測定装置

王守奇, 宇田聡

特許第3608499号

Property Type: Patent

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実用化年：平成16年品名：第3世代モバイル通信用基地局弾性表面波フィルタ実用化段階：製品化を目指した研究開発（企業による実機試験、製品化一歩手前など）
圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス

王守奇, 宇田聡

特許第3911992号

Property Type: Patent

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実用化年：平成16年品名：第3世代モバイル通信用基地局弾性表面波フィルタ実用化段階：商品化して売上げが発生
圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス

王守奇, 宇田聡

39119992

Property Type: Patent

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実用化年：平成16年品名：第3世代モバイル通信用基地局弾性表面波フィルタ実用化段階：商品化して売上げが発生特願2000-344038（H12.11.10）の優先権主張番号
圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス

王守奇, 宇田聡

特許第3911967号

Property Type: Patent

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分割出願あり（特願2006-193317）実用化年：平成16年品名：第3世代モバイル通信用基地局弾性表面波フィルタ実用化段階：商品化して売上げが発生
弾性表面波デバイスと電子機器、弾性表面波デバイスの製造方法、及び弾性表面波デバイス用圧電性材料の製造方法

宇田聡, 小松隆一, 小田川裕之

特許第3770035号

Property Type: Patent

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実用化年：平成16年品名：第3世代モバイル通信用基地局弾性表面波フィルタ実用化段階：商品化して売上げが発生
構成成分含有量の均一性にすぐれたランガサイト単結晶インゴットの製造方法

王守奇, 宇田聡

特許第3826393号

Property Type: Patent

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実用化年：平成16年品名：ランガサイト単結晶ウエハ実用化段階：商品化して売上げが発生
圧電デバイス用基板の製造方法

王守奇, 宇田聡

特許第3968934号

Property Type: Patent

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分割出願あり（特願2007-062619）実用化年：平成16年品名：ランガサイト単結晶ウエハ実用化段階：商品化して売上げが発生
表面弾性波素子

澤田昌久, 豊後明裕, 簡春雲, 宇田聡

Property Type: Patent
表面弾性波素子（公開番号：2000-138556）

簡春雲, 小西希, 宇田聡

Property Type: Patent
表面弾性波素子（公開番号：2000-138557）

簡春雲, 小西希, 宇田聡

Property Type: Patent
表面弾性波素子

簡春雲, 宇田聡, 小西希, ユーリー・ピサレフスキー

Property Type: Patent
窒化物半導体発光素子

ブザン・バンソン, 谷田貝悟, 白木弘幸, 宇田聡

Property Type: Patent
窒化物単結晶薄膜の形成方法

谷田貝悟, 白木弘幸, 宇田聡, 田村佳子

Property Type: Patent
多色発光素子

白木弘幸, 谷田貝悟, 宇田聡, 田村佳子

Property Type: Patent
酸化物単結晶の成長方法およびこれを用いた非線形光学素子の製造方法

宇田聡, 福田承生

特許第3436076号

Property Type: Patent
SiC単結晶の製造方法

谷田貝悟, 宇田聡, 田村佳子

特許第3237069号

Property Type: Patent

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Research Projects 12

Growth of composite oxide crystals for piezoelectric and optical use Competitive

2003/04 - Present
Study of controlling free energy of growth environment and the resultant driving force for growth Competitive

2003/04 - Present
Control of growth dynamics by the imposition of an interface electric or magnetic field to the growth interface Competitive

2003/04 - Present
Study on true congruent-melting LiNbO3 crystal growing with unity partition coefficients for any constituent species

UDA Satoshi

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: Tohoku University

2016/04/01 - 2019/03/31

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Combining a conventional concept of “congruent” with the essentially new concept of “stoichiometry”; a material whose activities of its constituent elements can be unity is stoichiometric, we have developed cs-MgO:LiNbO3 (Li2O:Nb2O5:MgO = 45.30:50.00:4.70) by introducing Mg and vacancy, both of which are simultaneously congruent and stoichiometric. Activities of all constituent elements can be unity so that the equilibrium partition coefficient, k0 of every chemical species in the melt is unity. Thus, they yield no segregation of ionic species during growth so that there is no compositional change in growing crystals even if they experience the unexpected perturbation, which is not possible in the conventional congruent LiNbO3 (c-LiNbO3). They are easy to growth with extremely homogeneous composition and are effective to achieve excellent nonlinear optical properties.
Growth of lithium tetraborate with periodic twin structure formed by applying an electric current during growth for the use of deep-ultraviolet light laser

UDA Satoshi, SHOJI Ichiro, NOZAWA Jun, KENSAKU Maeda

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Institution: Tohoku University

2013/04/01 - 2015/03/31

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We have succeeded in the growth of lithium tetraborate with periodic twin structure forming during growth by applying an electric field or manipulating a growth orientation relative to the twin boundary. Since lithium tetraborate is not ferroelectric, the conventional method for the formation of the quasi-phase matching structure (QPM) is not possible. By revealing the formation mechanism of (100) and (010) twins, we managed alternative twin formation with these orientations, which made the periodic twin structure with small period. This structure can be served as a QPM structure and the secondary harmonic generation of Nd:YAG laser was successfully obtained. It is a remarkable result that the QPM formation is possible for non-ferroelectric material.
Growth of a new lithium tantalate that is stoichiometric with congruent composition by employing the extended concept of stoichiometry

UDA Satoshi, SHOJI Ichiro, KOIZUMI Haruhiko, MAEDA Kensaku

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: Tohoku University

2012/04/01 - 2015/03/31

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By employing a new concept of stoichiometry of a material where the activity of any constituent element could be unity, we developed a new lithium tantalate with MgO doping, cs－MgO:LT (Li2O: Ta2O5: MgO = 40.8:50.0:9.2), that is stoichiometric and coincident with the congruent composition. Because of this coincidence, cs-MgO:LT does not yield crystallization electromotive force and does not show segregation during growth even for ionic species. A bulk crystal was grown from the melt of the cs－MgO:LT composition via the Czochralski (CZ) method, and it showed excellent compositional homogeneity, which was proved by the constant distribution of the Curie temperature throughout the crystal.
Optimum composition of LiNbO_3 that satisfies its stoichiometry and congruency

UDA Satoshi, TANIUCHI Tetsuo, NOZAWA Jun

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Institution: Tohoku University

2010 - 2011

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A new LiNbO_3 bulk crystal (cs-MgO : LiNbO_3)has been developed by including MgO combined with vacancy and the crystal successfully has the congruent point coincident with the stoichiometric point. Activities of all crystal-constituent elements including Mg and vacancy are unity. The cs-MgO : LiNbO_3 has a much more homogeneous composition than the conventional LiNbO_3 crystals and its SHG conversion efficiency is comparable to the optimum value reported.
Development of new method of crystal growth using dynamic electromagnetic force

KAKIMOTO Koichi, KANGAWA Yoshihiro, LIU Lijun, KANGAWA Yoshihiro, UDA Satoshi, HUANG Xinming

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: Kyushu University

2007 - 2009

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We developed new methods of crystal growth of silicon and SiC by using external electro-magnetic fields. The study focused on the crystal growth methods of liquid phase epitaxy and sublimation method. We clarified how gas pressure in a furnace during crystal growth in a furnace for sublimation growth affects growth velocity of SiC. Furthermore, we studied the effects on frequency on flow of the solution in liquid phase epitaxy method.
電場を利用してニオブ酸リチウム単結晶を化学量論組成融液から一致溶融成長させる研究

宇田聡, 黄新明, 志村玲子, 黄晋二

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 萌芽研究

Institution: 東北大学

2006 - 2007

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[研究の目的]ニオブ酸リチウム(LiNbO_3、以後LNと略す)は、優れた圧電体、2次非線形光学材料として重要な結晶である。LNは、化学量論組成と一致溶融組成が異なるという特徴を持ち、これまでは、結晶育成が容易である一致溶融組成の結晶が広く用いられてきた。近年、化学量論組成LNが、光学的により優れた性質を示すことが報告されている。化学量論組成LN結晶は、2重ルツボ法などを用いた手法で育成されているが、この育成は自由度が1の液相線上で行われるため、わずかな温度変動等によって結晶組成が変動するという問題がある。我々は、これまでに、外部電場印加によって平衡状態図を操作することが可能であることを示している。本研究では、この外部電場印加技術を用いて、LNの一致溶融組成を化学量論組成に一致させ、優れた性質を持つLN結晶を容易に育成する技術の確立を目標としている。 [研究の成果]電場印加による一致溶融組成の変化を検討するため、電場印加機構付きの示差熱分析装置を開発し、500V/cmの電場の下でLNの融点の変化を測定した。その結果、融点変化はLNの誘電率の組成依存性に一致し、誘電率の組成依存性が変化する48.9mol% Li_2Oで融点変化が上昇から下降に転じることを確かめた。しかしながらこの結果は、一致溶融点が化学量論組成から離れることを示す。一方、LNにMgOを添加するとレーザー損傷閾値などが上昇するなどLNの光学的特性に向上が見られる。そこで、6mo1% MgOを添加したLNの500V/cm電場による融点変化を見たところ、変化の傾向が無添加のものに比べ逆になり、結果として一致溶融点が化学量論組成に近づくことがわかった。従って、さらに高強度の電場発生装置が準備できれば、一致溶融点が化学量論組成に一致するMg:LNを育成できる可能性がある。
Growth of bulk langasite crystal via manipulating the solid-liquid equilibrium phase relationship under an external electric field

UDA Satoshi, HUANG Xinming, KOH Sinji, SIMURA Rayko, FUJIWARA Kozo

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: Tohoku University

2005 - 2007

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[Purpose of the research] Develop a mechanism and technology to grow a bulk langasite (La_3Ga_5SiO_<14>:LGS) crystal via converting its incongruent-melting state to congruent by applying an externally electric field. [Achievements] 1. An external electric field modifies the chemical potentials of both solid and liquid phase by adding electrostatic energy that leads to a new equilibrium state in terms of temperature and composition. Based on this mechanism, the incongruent LGS was converted into congruent. The compositional dependence of the electrical permittivity of the phases around LGS composition determines whether or not such a conversion is possible. In the case of LGS conversion, the permittivity should increase toward the La-rich composition. 2. The conversion was successful experimentally when an electric field of 600 V/cm was applied. However, the analytical consideration shows as much larger electric field as 10^4-10^5 V/cm that may be sustained in an electric double layer (~nm) forming at the boundary of melt and platinum crucible wall or at the solid-liquid interface. 3. A floating zone furnace attached with an electric field imposition system was developed. LGS crystal of about 10 mm diameter was successfully grown in congruent manner under an externally applied field of 600 V/cm. 4. The effect of an electric field on the growth process of YBCO crystal via a peritectic reaction, i.e., 211 (Y_2BaCuO_5) + liquid->YBCO (123) was studied. The external electric field enhanced dissolution of the 211 gains, but had almost no effective electric field operating on the transportation process of the solute, and little effect was observed on the attachment kinetics. On the other hand, the external electric field increased the critical energy for the nucleation of the YBCO grains, which retarded the nucleation of the YBCO grains.
Investigation of controlling the reaction at the interface between Si melt and silica glass

HUANG Xinming, UDA Satoshi, KOH Shinji, CHEN Mingwei, HOSHIKAWA Keigo

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Institution: TOHOKU UNIVERSITY

2005 - 2006

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Large sized, high quality Czochralski (CZ) Si crystals are increasingly required for the LSI fabrication, and current Si crystal production has shifted from 200 mm to 300 mm diameter crystals. Failure of dislocation-free crystal growth for such large Si crystals results in a significant loss of time and resources. Small particles peeling from the so-called brownish ring which grows inhomogeneously on the inner surface of a silica crucible, cause dislocation formation in Si crystals during growth due to attachment of the particles to the growth front. In this research project, the reaction at the interface between the Si melt and Ba-doped silica glass has been investigated by in situ observations, DSC, EPMA and X-ray diffraction for understanding the effects of Ba doping in a silica crucible. It was found that brownish spots were generated at the reacted interface between the Si melt and the silica glass with a Ba concentration lower than 30 ppm and white spots were generated in the samples with higher doping amounts of Ba. The brownish spots were oxygen-deficient cristobalite, and they were generated via silica glass dissolution in the Si melt, oxygen diffusion in the Si melt, and precipitation of cristobalite in the Si melt at the growth front of the brownish spots. On the other hand, the white spots were chemically stoichiometric cristobalite, and they were grown directly from the silica glass via phase transition. The generation of brownish cristobalite was suppressed completely by Ba doping in the silica glass when the Ba concentration was higher than 30 ppm. Ba doping increased the growth rate of the white uniform cristobalite, which counteracted the growth of the brownish cristobalite and suppressed its amount. A decrease in the activation energy for the crystallization process of cristobalite by Ba doping was responsible for the increase in the growth rate of the white cristobalite.
Growth of SiGe bulk single crystals with low defect density and creation of functional heterostructures

NAKAJIMA Kazuo, USAMI Noritaka, UJIHARA Toru, SHISHIDO Toetsu, UDA Satoshi

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

Institution: Tohoku University

2002 - 2006

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The purpose of this research is to realize SiGe bulk crystals with uniform composition and low defect density for substrates with a flexible choice in lattice constants and bandgaps since those offer opportunities to explore novel materials research when combined with an advanced heteroepitaxy method to prepare heterostructures with controlled stain and/or band discontinuity in constituent materials. By integration of a series of improvements such as the in-situ monitoring system of the interface temperature, the dynamical control of the pulling rate, the optimization of the seed orientation, we established a crystal growth technique to obtain high-quality SiGe bulk crystals. The method was revealed to be applicable other multicomponent semiconductors with complete solubility as demonstrated by realization of InGaAs bulk crystal. In addition, floating zone growth was shown to be useful to realize SiGe bulk crystal with low defect density. On homemade SiGe bulk substrates, we realized strained Si thin film with improved structural perfection compared with that on SiGe virtual substrate. Furthermore, various functional heterostructures have been achieved such as two-dimensional electron with high electron mobility in strained Si thin film, resonant tunneling diodes with high peak-to-valley current ratio, intense photoluminescence from strained quantum wells and so on. On bulk InGaAs substrates, InGaAsN with cubic symmetry and desirable In and N contents were grown successfully owing to the lattice-latching effect. As-grown 0.2-μm-thick InGaAsN films exhibited photoluminescence in the range of 1.3-1.55 μm. These results demonstrate that multicomponent semiconductor bulk substrates are available for various materials research since our crystal growth technique can be applied to arbitrary compositions of various multicomponent crystals with complete solubility in both the liquid and solid states.

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Social Activities 9

東北大学金属材料研究所第86回夏期講習会

2016/07/19 - 2016/07/20

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夏期講習会にて講義および実習を行う。講義「複数元素からなる酸化物において実現可能な構造を絞り込むために有効な結晶サイト自由度の考え方」実習「結晶サイトの自由度を利用した酸化物結晶構造の絞り込み」
第5回次世代ものづくり基盤技術産業展 TECH Biz EXPO 2015

2015/11/18 - 2015/11/20

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東北大学金属材料研究所「金研が有する最先端材料、革新的技術の紹介」として出展。同ブースにて我々の研究室の展示「レーザー光波長変換用超均質化学両論ニオブ酸リチウム単結晶の開発」を行った。また、研究シーズ発表会にて「純緑色光を発生する高均質・高効率のニオブ酸リチウム単結晶」と題して講演した（講演者：宇田聡）。
第83回金属材料研究所夏期講習会

2013/07/24 - 2013/07/26

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夏期講習会講師講義テーマ2：新素材/プロセス/計測「融液からの単結晶成長の基礎」
第78回金属材料研究所夏期講習会

2008/07/30 - 2008/08/01

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夏期講習会講師「バルク結晶成長の新展開-外場を利用した新しい結晶育成技術-」
学術指導引き上げ法によるシリコン単結晶成長

2006/07/03 - 2006/12/28

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無転移シリコン単結晶の育成技術を習得するために、大学の引き上げ装置を利用し、結晶成長のトレーニングを行う。
第75回金属材料研究所夏期講習会

2005/07/27 - 2005/07/29

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夏期講習会講師「バルク結晶成長の新しい展開-外場を利用した成長界面操作のおもしろさ-」
成長容易で高光学特性ニオブ酸リチウム単結晶波長変換素子に最適

2010/03/11 -

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東北大学金属材料研究所の宇田聡教授らは、新構造のニオブ酸リチウム（LiNbO₃）単結晶を開発した。
福島県立磐城高等学校見学

2009/08/07 -

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研究室紹介、実験体験
東北大学イノベーションフェア2007 in 仙台

2007/10/05 -

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研究紹介展示分野：情報通信展示内容：「産業の基幹をなす単結晶材料の開発」

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Other 54

Thermal analysis and in-situ observation for magnetic materials under high magnetic fields

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H24-25年度共同利用により開発した「磁場中熱分析溶融その場観察同時測定装置」を用いて、磁場でMnBiの合成-分解過程と磁場中磁石化過程を調べる。
Control of polytype in crystal growth of PVT

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各種結晶多型における核生成自由エネルギーの成長時間依存性や、不純物添加依存性を、高精度数値解法を用いて定量的に予測可能な結晶成長方法を提案する。これにより、SiCの結晶多形の精密制御が育成した結晶全体にわたり可能になり、従来使用されてきたシリコンに代わるパワーデバイス用半導体用結晶となりえるSiC結晶育成を実現する。
Link between the local structures of liquid and solid phases during directional solidification

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約2000Kの高温融体の一方向凝固を利用し、凝固界面近傍における幾何学的原子配置をその場観測することにより、凝固現象における液相構造と固相構造の相関を原子スケールで明らかにする。
Construction of model colloidal systems for solution crystallizations using electrophoresis of charged colloidal particles

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荷電コロイド粒子を直流電場により泳動させて部分的に濃縮し、φ値を増加させて結晶化する新規な手法を検討する。光学顕微鏡法によりコロイド粒子の運動と秩序化過程をその場・実時間観察し、モデル系として検討する。
Growth of high quality Si single crystals by adding Ge for photovoltaic applications

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The aim of the proposal is to study the LID mechanism in the B-doped Si1-xGex (0 < x < 0.3) alloy single crystals as it is expected to have high minority carrier lifetime thereby high efficiency and no LID effects. To study the effect of Ge on GMD suppression, the Ge composition will be increased in B-doped Si1-xGex crystal.
四ホウ酸リチウムの双晶形成メカニズムの解明と擬似位相整合結晶の作製

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四ホウ酸リチウムの双晶界面形成メカニズムを解明する。解明したメカニズムを基に、双晶界面を制御して周期双晶を作製する方法を開発する。
ゲルマニウムを添加したシリコン結晶成長における結晶成長機構の解明

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Geを添加したSi結晶の結晶成長メカニズムをその場観察装置を用いた実験により明らかにする。Geを多量添加したSi結晶成長でおこるセル状構造発生による多結晶化の問題を解消し、高品質Si単結晶の作製を目指す。
酸化物結晶の成長中における酸素挙動の解析

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LiNbO₃(LN)をはじめとする、これまで疑似二成分系相図を基に育成されてきた酸化物結晶において、酸素を独立成分とみた三元系で、結晶成長中の酸素の挙動を明らかにすることを目的とする。
ランガサイト型結晶の電気特性の研究

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Langasite-type crystal will be selected as the objective to study the behavior of oxygen in the crystal growth process. Stoichiometric structure with four-element occupation will be studied.
Thermodynamic analysis of crystal growth in PVT

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化学量論的組成および結晶多型が制御可能な新規結晶成長法の提案と実証を行う。
Research on doping effect of borate crystals to suppress photorefractive damage

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Alを含めた様々な金属酸化物を添加したCLBOを育成し、紫外光誘起のフォトリフラクティブ損傷の評価、添加元素の役割を解明する研究に取り組む。
A novel way of preparation of high quality substrate material for highly efficient solar cells

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It is essential to find a practical means of defect suppression to avoid the LID effect.
In situ observation of the composition and decomposition processes of ferromagnetic MnBi

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「その場観察装置付きの示差熱分析装置」を用いて、MnBiの合成分解過程を明らかにする。
車載用高効率燃焼圧センサ基板に最適なランガサイト型結晶の開発

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車載用高効率燃焼圧センサ基板に最適なランガサイト型結晶の開発
その場観察実験による外場印加下でのシリコン結晶成長機構の解明

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外場印加下での結晶成長機構の解明を目的とする一環として、電流注入時のSi融液からの結晶成長機構をその場観察装置を用いた実験により明らかにする。
四ホウ酸リチウムの双晶形成メカニズム

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四ホウ酸リチウムの周期双晶を作製するために必要な技術を確立する。
先進的非鉄金属製錬技術ならびに高機能材料の開発

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新規組成LN、LTの開発 Sawフィルタ向け特性改善LN、LTの開発
Modeling of interface structure at growing crystal from interface energy between crystal and liquids

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析出する初相の推定には核形成過程を明らかにする必要があり，界面エネルギーを知る必要があるが、界面エネルギーは測定が困難なことからをほとんど値が得られていない。そこで、宇田研究室におけるマイクロ引き下げ法による結晶成長装置を利用し、酸化物結晶／液相の界面形状を計測し界面エネルギーを算出する。
Development of crystal growth method using hybrid-external fields

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各種欠陥発生や不純物分布等に対しては、空孔と格子間原子等の流束制御を可能にする固液界面形状精密制御や、不純物を固液界面にローレンツ力等の外場により強制的に輸送することを可能にする方法、すなわち「ハイブリッド外場を用いた対流高精度制御半導体結晶成長法」の実現を目指す。
Synthesis of single crystals with high resistance by controlling their anion defects

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過剰酸素イオンの発生を抑制できるアニオン欠陥制御として高圧の不活性ガス下で育成することで、400℃で10GΩcm以上の高抵抗率をもつランガサイト型圧電結晶を合成し、実用可能な燃焼圧センサー材料を提唱することを目的とする。
圧力センサ用高性能誘電体結晶の開発ランガテイト（La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄）系結晶の電気特性に関する研究

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電気伝導機構を酸化物の不定比性の格子欠陥の観点から解明し、それに基づき高絶縁性結晶の育成条件を確立する。
外部電場によるボレート系結晶の双晶形成メカニズムの解明と擬似位相整合結晶の作成

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・周期双晶構造を有するボレート結晶の成長技術を確立する。・融液成長界面に電場を印加することでイオン種の配列を制御し、双晶を形成させる。・繰り返し双晶を形成して周期双晶構造を実現する。周期双晶構造を擬似位相整合構造として機能させることで、深紫外光レーザーの光源としてボレート結晶が有効であることを示す。・精度よく双晶形成を制御する方法を開発し、双晶周期を微細化安定化させ、擬似位相整合構造の性能を改良する。
不純物同時添加シリコン結晶成長における不純物の偏析挙動の解析

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太陽電池に利用する高品質Si結晶の作製を目的とし、複数の不純物を同時添加したSi結晶を育成する。特に優れた特性が期待できるGaについてGe同時添加によりその偏析係数の増加を目指す。
点欠陥制御による一方向性凝固法の創成

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九州大学応用力学研究所で開発した一方向性凝固法の時間依存総合伝熱解析シミュレータを用いて点欠陥の分布を予測することを目的に、熱力学的考察を考慮しつつ一方向性凝固法により成長した結晶中の点欠陥濃度を予測するコードを構築する。
Investigation of optimal solution composition to grow boric acid series nonlinear optical crystal and research on nonstoichiometric defects

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マイクロPD育成装置を使ったホウ酸系結晶の育成溶液組成の探索と結晶欠陥の評価を行い、さらに結晶溶液中で生成する異相クラスターの制御に着手する予定である。得られた知見を元に、大阪大学において高品質バルク単結晶の育成を実施する。また、マイクロPD育成法の特色を活かし、調査が不完全な新しいホウ酸系化合物の融液成長を試み、新規化合物の探索も行う。
高エネルギーX線回折法その場計測による酸化物結晶成長のための精密状態図作成に関する研究

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酸化物融液からの結晶成長において、無容器浮遊法を用いて融液の組成と過冷却度を変化しながら結晶化のその場観察X線回折を用いて行う。
理学の実践と応用を志す先端的科学者の養成

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ニオブ酸リチウム結晶成長におけるイオン種分配現象のメカニズム解明
CZ-Si単結晶中のGa濃度と抵抗率の関係およびその温度依存性

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太陽電池基板の高キャリアライフタイム化に有用なGa添加Si結晶のGaキャリア濃度を正確にコントロールするための基礎的知見を得る。
材料インテグレーション国際教育研究拠点

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グローバルCOEプログラム「材料インテグレーション国際教育研究拠点」事業
電場印加によるLB4人工双晶の作製技術

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外部電場を印加することを基礎とし、種々の条件を勘案してLB4双晶形成に影響を与える因子を見出し、双晶試料を評価する。
酸化物結晶成長におけるイオン種の固液間分配現象の解明

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無添加及びMgO添加LiNbO₃結晶成長における、各イオン種の平衡偏析係数、融液中の濃度、拡散定数を明らかにする。
圧力センサー用高性能誘電体結晶の開発新規ランガテイト(La₃Ta_0.5Ga_5.5O₁₄)系結晶の電気特性に関する研究

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燃焼圧センサー用の圧電材料としてランガテイト系結晶が使用される際には、高い絶縁抵抗値が要求されており、近年、電気伝導メカニズムが解明され始めた。今後はキャリア発生を抑制する元素をLTG結晶に添加して結晶育成を試み、LTG系結晶の特性向上と実用化を目指す。
ガリウム・ボロンを同時添加したシリコン結晶成長に関する研究

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(1) BとGaの同時添加によるキャリアライフタイム向上の最適な添加条件の探索 (2) BとGaの同時添加とFe等不純物汚染との関係解明 (3) BとGaの同時添加による偏析挙動の解明 (4) キャリアライフタイムを向上する他の添加元素の探索
動的電場・磁場を用いた対流高精度制御半導体結晶成長法の創製

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結晶成長におけるSiインゴットやウエハ内におけるナノスケールでの空洞欠陥の除去、LSI製造におけるSiウエハ中の不純物分布の超高均一化を可能にする「動的電場・磁場を用いた対流高精度制御半導体結晶成長法」の実現を目指す。
電場印加および不純物添加によるシリコン融液・石英ガラスの界面反応制御に関する研究

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CZシリコン単結晶成長法におけるシリコン融液と石英ルツボ界面の反応制御を目的とする。シリコン融液と石英の反応界面のエネルギー関係を変化させる方法として、成長界面への電場印加と、石英ルツボへの不純物添加を行う。
外部電場印加による酸化物高温超伝導体物質の調和融解成長への変換

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酸化物高温超伝導体は、その優れた特性から将来性を嘱望されつつも、非調和融解性を示すため、均質で大型のバルク単結晶の育成が困難であった。そこで、育成システムに外部電場を印加し、関連する相の化学ポテンシャルを操作し、非調和融解性を示すYBCOやB2212などの酸化物高温超伝導体の調和融解成長を試みる。この変換が実現されれば、酸化物高温超伝導体材料はもちろんのこと、これまで非調和融解性ゆえに育成が困難であった多くの優れた材料に再び息を吹き込むことができ、効率な材料探索が可能となる。
ランガサイト型単結晶を利用した無給電型無線センサーの開発

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無線・無給電の温度センサーを開発し、半導体市場・原子力関連・自動車産業で今まで測温不可能な部分での測温を実現する。
高エネルギーX線回折法と示差走査熱量分析を用いた酸化物融液構造に関する研究

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酸化物融液の構造変化が結晶成長時の構造に与える影響については、現在においても明らかとなっていない。このため融液構造変化の解明に向け、より高温状態からの構造解析実験を行う。また、結晶化過程の「その場」観察も行い、結晶化の過程における原子配列の変化を融液構造と結晶の局所構造の関係から明らかにする。酸化物結晶において、定比組織結晶の育成が光学特性の高品質化には重要課題とされており、この結晶化過程の「その場」観察は、酸化物結晶特性に及ぼす融液構造の影響を調べるには必須である。ガス浮遊法と放射光高エネルギーX線回折実験をさらに発展させ、さらに示差走査熱量分析を加えて、固相での相変化とメルト構造変化との関係を明らかにする。
マルチシードCZシリコン結晶成長における結晶欠陥形態および形成機構の解明

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キャスト法多結晶とCZ法単結晶の間にあたる結晶として、複数の種子結晶を用いたマルチシードCZ-Si結晶成長を行い、種子結晶の結晶方位を変えることによって成長される大粒径CZ-Si多結晶の結晶欠陥（粒界、転位密度）形態および欠陥形成機構を解明することを目的とする。 (1)代表的な3つの方位(100)、(110)、(111)の種子結晶を同時に用いた結晶成長および評価方法の確立 (2)結晶粒どうしの接触時の結晶面方位（成長面、接触面）を制御した結晶成長と評価
シリコン融液/石英ガラスの界面反応制御に関する研究

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シリコン融液/石英るつぼの界面反応制御に関する不純物および外場印加の影響を調べ、シリコン結晶成長用高品質石英るつぼの開発に関わる基礎研究を行う。
固液相平衡化学ポテンシャルの外部電場印加制御による非調和融解物質の調和融解性への変換

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電場印加機構を組み込んだ単結晶引き上げ装置を作製し、異相の存在しないコングルエント状態の融液環境を実現し、大型ランガサイト単結晶を育成する
波長変換結晶の新規育成手法の開発

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波長変換結晶の新規育成手法の開発を行う。その方法として結晶の複屈折を利用した位相整合により波長変換を行うのではなく、疑似位相整合により波長変換を行う新規結晶の探索とその育成方法について検討を行う。研究対象物として常誘電体ボーレート材料の四ホウ酸リチウムを用いる。電場などの外場を印加し、周期的な微細双晶構造を結晶育成中に作り込み、この構造を非線形光学効果を増大させる擬似位相整合構造(QPM)として利用する。
外部電場印加による酸化物高温超伝導体物質の調和融解成長への変換

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酸化物高温超伝導体の実用化は、今世紀のエネルギー・環境問題を論じる上で、太陽電池と同様に最重要課題となっている。しかしながら、その優れた特性から将来性を嘱望されつつも、非調和融解性を示すため、均質で大型のバルク単結晶の育成が困難であった。そこで、育成システムに外部電場を印加し、関連する相の化学ポテンシャルを操作し、非調和融解性を示すYBCOやB2212などの酸化物高温超伝導体の調和融解成長への変換の可能性を検討する。この変換が実現されれば、酸化物高温超伝導体材料はもちろんのこと、これまで非調和融解性ゆえに育成が困難であった多くの優れた材料に再び息を吹き込むことができ、効率的な材料探索が可能となる。上記は、電場印加による固液間相平衡操作の議論であるが、一方、電場は、成長ダイナミクスにも影響を及ぼすと考えられる。包晶反応によりYBCOを作製するメルトテクスチャー法において、外部電場を印加し、２１１相の融解プロセス、およびYBCOの成長キネティクスを制御し、YBCOの組織構造に敏感に依存する臨界超伝導電流を向上させる研究を行う。
国際的若手研究者（ヤングブレインズ21プログラム）養成プログラム

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・ランガテイトおよびその周辺組成の相関係に関する研究・新型圧電体ランガテイトの平衡状態図に関する研究・新型圧電体ランガテイトの育成と電気特性に関する研究
外部電場印加による非コングルエント物質のコングルエント成長への変換

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世の中でこれまで研究されてきた単結晶材料の中には非常に優れた特性を有するものの、育成段階で非コングルエント性を示すため、引き上げ法による融液からの直接育成が適用できないものが少なくない。非コングルエント性を示す物質では、その組成の融液を冷却しても初晶としてその固相は晶出せず、別の相が最初に出現する。ほとんどの高温酸化物超伝導体材料は、非コングルエント性を示す。もし、何らかの方法で非コングルエント性をコングルエント性に変換できれば、酸化物高温超伝導体材料を始め、これまで非コングルエント性ゆえに育成が困難であった多くの優れた材料に再び息を吹き込むことができる。これまで、非コングルエント性を示すランガサイト（La3Ga5SiO14）に対し、その育成システムに600V/cm程度の外部電場を印加し、相平衡関係を操作し、ランガサイトのコングルエント化に成功している。次の研究課題として、他物質に対しても同様な応用が可能であるかどうかの検討が必要となる。そこで本研究では、育成システムに外部電場を印加し、関連する相のエネルギー関係を操作し、非コングルエント物質のコングルエント成長へ変換する技術の原理・方法の一般化を目的にする。ここでは、非コングルエント物質であるYBCO (YBa2Cu3O7), B2212(Bi2Sr2CaCu2O8)の高温超伝導体を対象例とし、非コングルエント性物質のコングルエント成長への変換技術の確立を目指す。
周期双晶四ホウ酸リチウム結晶の育成と真空紫外域波長変換への応用

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研究の背景：近年、波長200nm以下の真空紫外域全固体レーザ光源開発への強い要望がある。これは、電気・光エネルギー変換効率が低く、煩雑なメンテナンスを必要とするエキシマレーザの代替として、高エネルギー効率・小型・メンテナンスフリー・優れたコヒーレンスを有する全固体レーザが望まれているためであり、中でも、YAGレーザ（1.064μm）の第6高調波光源（波長177nm）の実現が期待されている。波長177nmの全固体レーザは、極微細化が進む半導体リソグラフィーやレーザ検査・加工、および、高分解の原子・分子分光測定において極めて重要な光源となる。この第6高調波光は、第2高調波発生などの2次非線形光学効果を利用した波長変換で発生させるが、177nmで透明な2次非線形光学結晶（ボレート系結晶や水晶）のうち、第6高調波波長において複屈折位相整合を達成することができる実用的な結晶は無い。よって、第6高調波発生における位相整合を達成するためには、結晶の対称性を周期的に反転させた構造による擬似位相整合（QPM）を行う必要がある。しかし、ボレート系結晶は常誘電体であるために、強誘電体のLiNbO3で行われている、電圧印加による分極反転（ポーリング）を利用したQPM構造の作製ができない。そこで、本研究では、QPMボレート結晶を作製するために、融液から結晶を育成する際に成長界面へ外部電場を印加し、周期的な双晶を内包する結晶を作製する手法を提案する。本研究では、ボレート系結晶として、四ホウ酸リチウム（Li2B4O7：以後LB4と記す）を使用する。LB4結晶は、吸収端が160nmであり、かつ一致融解する（コングルエント）結晶であるためチョクラルスキー（CZ）法などの結晶育成法によって大型結晶を育成することができる。研究の目的：本研究の目的は「結晶育成時に成長界面へ外部電場を印加することによって四ホウ酸リチウム（LB4）結晶内に周期的双晶構造を形成する技術を開発し、真空紫外光発生用波長変換素子に応用する」ことである。本研究では、外部電場印加による双晶形成技術について基礎的な実験を行い、高い制御性を有する双晶結晶形成技術の開発を試みる。本研究では、既に予備的な実験を進めており、外部電場によって双晶が再現性良く形成されることを確認している。今後、周期構造の形成や制御性の向上などを図り、今後３年以内に実用レベルの波長変換デバイスへ応用することを目標としている。
ランガサイト系単結晶引き上げに関する基礎物性測定

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低コストで高品質な単結晶を育成するには、単結晶組成領域近傍での凝固挙動が正確に分かる必要がある。特に、ランガサイト系結晶育成においては、様々な結晶相が存在することがこれまでの研究から分かっており、温度勾配や雰囲気等によるこれらの結晶の晶出挙動を明確にすることが高品質な結晶の育成に必要である。
半導体用22.24.32インチ石英ルツボの評価

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22.24.32インチ試作品の事前評価を行う。 a) 失透試験 b) 気泡膨張試験 c) シリコン溶液漏れ性試験 d) 溶損試験
球状単結晶の結晶品質向上技術の開発研究

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①球状シリコン半導体結晶評価技術の開発研究 ②球状シリコン半導体結晶品質向上技術の開発研究 ③球状シリコン半導体結晶品質安定化の開発研究
界面電場を利用した非コングルエント・ランガサイト融液のコングルエント化

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外部電場を利用し、非コングルエント性のランガサイトをコングルエント成長させる科学と技術
新しい機能性酸化物結晶の育成とその応用開発

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通信及び光学領域で酸化物単結晶は広く用いられているが、これらの分野の次世代に適合する酸化物結晶の開発は十分ではない。そこで本研究は、新しい通信または光学用途に用いられる酸化物結晶を育成しその応用可能性について明らかにすることを目的に研究を行なう。具体的には、Sm2+をドープしたSrB4O7結晶を育成し、その応用、特に超高圧下での圧力センサーへの応用について検討する。
多元・複雑組成系酸化物単結晶の成長機構に関する研究

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産業界において、SAWフィルタや燃焼圧センサなどの分野で応用が拓けているランガサイト（La3Ga5SiO14：LGS）圧電結晶は多元・複雑組成系の代表的な酸化物結晶である。 LGSの擬似一致溶融組成は化学量論組成に近いが、組成が適正値からずれたり、不適切な成長条件により異相が発生しやすい。よって厳密な成長条件および濃度制御のもとでの結晶育成が求められるが、固液界面における異相の発生メカニズムは知られていない。一方、ランガテイト（La3Ga5.5Ta0.5O14：LGT）はLGSよりも絶縁抵抗の温度依存性に優れているが、LGSに比べさらに結晶育成が難しいことが知られている。本研究では、LGS系酸化物単結晶成長を例として、固液界面での異相発生のメカニズム、成長方位依存性等を解明し、多元・複雑組成系単結晶成長の科学的理解と高品質結晶成長技術の確立を目指す。
酸化物単結晶の育成

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大型ランガサイト単結晶育成時に発生する多結晶化の問題を解決する。
光学用四ホウ酸リチウム単結晶の育成

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３インチ径１００mm長の光学分散の小さい光学用四ホウ酸リチウム単結晶の育成技術を完成させる。

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