研究者詳細

顔写真

フアン　インチエン
黄　胤禎
Yin Chen Huang
所属
金属材料研究所　附属新素材共同研究開発センター　共同利用・共同研究推進部
職名
助教
学位

  • 博士(工学) （東北大学）

  • 修士 （国立台湾大学）

  • 学士 （国立台湾海洋大学）

e-Rad 研究者番号
91007020

経歴 2

  • 2024年9月 ～ 継続中
    東北大学　金属材料研究所 附属新素材共同研究開発センター　助教

  • 2024年4月 ～ 2024年8月
    東北大学　金属材料研究所 附属新素材共同研究開発センター　学術研究員

学歴 3

  • 東北大学　大学院工学研究科　機械機能創成専攻

    2018年10月 ～ 2024年3月

  • 国立台湾大学　工学院　応用力学研究所

    2015年9月 ～ 2017年6月

  • 国立台湾海洋大学　工学院　機械与機電工学系

    2011年9月 ～ 2015年6月

所属学協会 3

  • 日本応用磁気学会

    2025年6月 ～

  • スピントロニクス研究会

    2024年10月 ～

  • 電気学会

    2021年7月 ～

研究キーワード 4

  • ナノテクノロジー＆マイクロシステム

  • 磁歪材料

  • 金属物性

  • 磁性材料

研究分野 2

  • ナノテク・材料 / ナノマイクロシステム /

  • ナノテク・材料 / 金属材料物性 /

受賞 3

  1. 優秀口頭論文賞

    2017年5月　台湾機電工程国際学会

  2. 学生優秀論文賞

    2016年1月　中華民国物理学会

  3. 学生優秀論文賞

    2014年11月　中華民国力学学会

論文 6

  1. Magnetostrictive Properties and Microstructure of Fe-Ga alloy and the Doping System 査読有り

    Likun Chen, Yin-Chen Huang, Mitsutaka Sato, Rie Y. Umetsu

    Journal of Physics: Conference Series　3161　(1)　012038-012038　2026年1月28日

    出版者・発行元： IOP Publishing

    DOI： 10.1088/1742-6596/3161/1/012038 　

    ISSN：1742-6588

    eISSN：1742-6596

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    Abstract In order to enhance the magnetostrictive property in Galfenol by the doping of the third elements, rare earth elements of Y, La, Ce, and Pr were added into Fe 81 Ga 19 alloy in this research. Although the solubility limit of the rare earth elements was quite small, enhancement of the saturation magnetostriction of Fe 81 Ga 19 was confirmed in all the doped specimens. The specimen with doping Pr showed the highest magnetostriction of 174.9 ppm which was almost four times larger than the Fe-Ga pristine alloy.

  2. Crystalline orientation-dependent anisotropic magnetoresistance effect in half-metallic ferromagnet of bulk single crystal Co2MnGe Heusler alloy 査読有り

    Takahiro Tanaka, Yin-Chen Huang, Takahide Kubota, Satoshi Kokado, Rie Y. Umetsu

    Journal of Applied Physics　138　(5)　2025年8月1日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0273431 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

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    Anisotropic magnetoresistance (AMR) and temperature dependence of electronic resistivity along the [100], [011], and [111] orientations were investigated in the bulk single crystal of Co2MnGe, which has been considered as one of the typical half-metallic ferromagnets (HMFs). Negative AMR was observed for all crystal orientations across temperatures ranging from 6 to 300 K, consistent with theoretical predictions for HMFs, and the values were small, with in the range of 0.08%–0.3% exhibiting no sensitivity to temperature. Temperature-dependent resistivity revealed that the electron–phonon scattering was the dominant mechanism across the entire measured temperature range, exhibiting T5 behavior at low temperatures and linear temperature behavior at higher temperatures for all crystal orientations. The absence of electron–magnon scattering and scattering process of s↑ → d↓ further supports the half-metallic nature of Co2MnGe.

  3. Spin–current volume effect on iron gallium films 査読有り

    Yin-Chen Huang, Yi-Te Huang, Hiroki Arisawa, Takashi Kikkawa, Eiji Saitoh, Ioana Voiculescu, Takahito Ono

    Applied Physics Letters　2025年3月1日

    DOI： 10.1063/5.0239164 　

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    The application of spin–current volume effect (SVE) with volume magnetostriction of iron gallium (FeGa) films is examined for micro-diaphragm actuation. A silicon diaphragm measuring 1.5 × 1.5 mm2 is coated with Pt (100-nm-thick) and FeGa (100-nm-thick) thin films. An alternating charge current passed through the FeGa/Pt/Si diaphragm under a magnetic field perpendicular to the charge current generates an alternating spin current via the spin Hall effect in the Pt film, transferring angular momentum from the Pt film to the FeGa film. The injected spin current provides energy and changes the effective temperature, thereby varying the thermal fluctuation of the magnetic moments. In a magnetic material with volume magnetostriction, the thermal fluctuation of the magnetic moments affects its volume. When the spin fluctuations change, the volume magnetostriction induces a corresponding expansion or contraction of the material. Both electrodeposited and ion-beam sputter-deposited FeGa films are investigated, and it is observed that the FeGa film exhibits SVE. The force generated by the SVE is evaluated based on the vibration amplitude at the fundamental resonant mode. This study demonstrates that the force generated by the SVE is correlated with the volume magnetostriction and the deposition process.

  4. Joule magnetostriction and volume magnetostriction of Iron Gallium thin films 査読有り

    Huang, Y.-C., Voiculescu, I., Ono, T.

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials　588　2023年12月

    DOI： 10.1016/j.jmmm.2023.171419 　

    ISSN：0304-8853

  5. Microelectromechanical system-based biocompatible artificial skin phantoms 査読有り

    Chien Hao Liu, Yin Chen Huang, Shang Hsuan Li, Yen An Chen, Wesley Z. Wang, Jia Shing Yu, Wen Pin Shih

    Micro and Nano Letters　14　(3)　333-338　2019年3月6日

    DOI： 10.1049/mnl.2018.5112 　

    eISSN：1750-0443

  6. Optomechanical coupling in phoxonic-plasmonic slab cavities with periodic metal strips 査読有り

    Tzy Rong Lin, Yin Chen Huang, Jin Chen Hsu

    Journal of Applied Physics　117　(17)　2015年5月7日

    DOI： 10.1063/1.4919754 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

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講演・口頭発表等 4

  1. 潜在的な極低温磁気センシング用途向け多結晶 Fe₇₅Ga₂₅ バルク合金の磁歪特性と輸送特性

    黄胤禎, 陳立堃, 梅津理恵

    第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム　2025年11月12日

  2. 強磁性体FeGa合金の美しさを理解する 招待有り

    黄胤禎

    第31回「みちのく磁性談話会」　2024年6月22日

  3. 鉄-ガリウム合金薄膜の磁歪特性の評価

    黄胤禎, 小野崇人

    電気学会センサ・マイクロマシン部門 総合研究会　2021年7月26日

  4. Development of a Gelatin-Based Artificial Skin Phantom with Sweat Pores for Biomedical Applications

    2017年5月28日