研究者詳細

顔写真

ネギシ　マサミチ
根岸　真通
Masamichi Negishi
所属
大学院理学研究科　化学専攻　境界領域化学講座（無機固体物質化学研究室）
職名
助教
学位

  • 博士（理学） （東京大学）

e-Rad 研究者番号
70911147

経歴 3

  • 2023年6月 ～ 継続中
    東北大学　大学院理学研究科 化学専攻　助教

  • 2021年4月 ～ 2023年5月
    東北大学　金属材料研究所 低温物理学研究部門　特任助教（研究）

  • 2018年4月 ～ 2021年3月
    独立行政法人日本学術振興会　特別研究員

学歴 3

  • 東京大学　大学院理学系研究科　物理学専攻

    2016年4月 ～ 2021年3月

  • 東京大学　理学部　物理学科

    2014年4月 ～ 2016年3月

  • 東京大学　教養学部　理科一類

    2012年4月 ～ 2014年3月

所属学協会 2

  • 応用物理学会

  • 日本物理学会

研究分野 3

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

  • ナノテク・材料 / 無機材料、物性 /

  • 自然科学一般 / 磁性、超伝導、強相関系 /

論文 11

  1. Fully Suppressed Superconductivity in Nonferromagnetic Heavy Fermion/Superconductor Bilayers: Rocksalt-Type CeO/LaO

    Mikito Sekine, Masamichi Negishi, Satoshi Sasaki, Hidetatsu Yoshimura, Noriaki Kimura, Tomoteru Fukumura

    ACS Nano　2026年7月21日

    DOI： 10.1021/acsnano.6c00792 　

  2. Room Temperature Ferromagnetic GdO Epitaxial Thin Film without the Gd2O3 Impurity Phase: Metallic Electronic States and Thickness Dependence of Magnetic and Electrical Properties

    Satoshi Sasaki, Masamichi Negishi, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira, Tomoteru Fukumura

    ACS Applied Electronic Materials　2026年6月22日

    DOI： 10.1021/acsaelm.6c00672 　

  3. Mott insulating state of IrO6 honeycomb monolayer structured in ilmenite-type oxide superlattice 査読有り

    Masamichi Negishi, Kohei Fujiwara, Seong-Hoon Jang, Yi-Feng Zhao, Shun Sasano, Ryo Ishikawa, Naoya Shibata, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira, Yuto Nakamura, Hideo Kishida, Yukitoshi Motome, Atsushi Tsukazaki

    Physical Review Materials　9　086202　2025年8月12日

    DOI： 10.1103/gz4v-8mds 　

  4. Rocksalt rare earth monoxides as electronic and magnetic materials 査読有り

    Tomoteru Fukumura, Satoshi Sasaki, Masamichi Negishi, Daichi Oka

    Trends in Chemistry　7　(7)　384-396　2025年7月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.trechm.2025.04.011 　

    ISSN：2589-5974

  5. Millimeter-Sized Single-Crystalline Anatase Nb-Doped TiO2 Membranes Exhibiting High Electrical Conduction and Transparency 査読有り

    Yuzuki Uchida, Jiyang Huang, Masamichi Negishi, Seung Sae Hong, Tomoteru Fukumura

    ACS Applied Electronic Materials　7　(8)　3308-3313　2025年4月22日

    DOI： 10.1021/acsaelm.4c02342 　

  6. Thin film epitaxy of high quality ferromagnetic semiconductor EuO using pulsed laser deposition equipped with Nd:YAG laser 査読有り

    Ramchandra Sahoo, Yusuke Sato, Satoshi Sasaki, Masamichi Negishi, Ryota Takahashi, Tomoteru Fukumura

    Chemistry Letters　54　(2)　upaf005　2025年2月5日

    DOI： 10.1093/chemle/upaf005 　

  7. Metallic conduction in high Curie temperature ferromagnetic heavy rare earth monoxides REO (RE = Tb, Dy, Er): rare-earth-dependent carrier polarity and anomalous Hall effect 査読有り

    Satoshi Sasaki, Daichi Oka, Masamichi Negishi, Tomoteru Fukumura

    Journal of Materials Chemistry C　13　20728-20734　2025年

    DOI： 10.1039/D5TC02202A 　

  8. Composition tuning of Mg/Ir ratio and crystallization of a spinel-related structure in Mg-Ir-O films by pulsed-laser deposition 査読有り

    Masamichi Negishi, Kohei Fujiwara, Atsushi Tsukazaki

    Thin Solid Films　769　139740-139740　2023年3月

    出版者・発行元： Elsevier BV

    DOI： 10.1016/j.tsf.2023.139740 　

    ISSN：0040-6090

  9. A transparent room-temperature ferromagnetic semiconductor on glass: anatase Co-doped TiO2 oriented thin films with improved electrical conduction 査読有り

    Jiyang Huang, Daichi Oka, Yasushi Hirose, Masamichi Negishi, Tomoteru Fukumura

    CrystEngComm　25　(34)　4907-4913　2023年

    出版者・発行元： Royal Society of Chemistry (RSC)

    DOI： 10.1039/d3ce00364g 　

    eISSN：1466-8033

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    (101)-Oriented anatase Ti0.95Co0.05O2−δ thin films were grown on rigid and flexible glass substrates by using TiO2 seed layers. The thin films exhibited ferromagnetic semiconducting properties comparable to those of epitaxial thin films.

  10. Formation of ilmenite-type single-crystalline MgTiO3 thin films by pulsed-laser deposition 査読有り

    Masamichi Negishi, Kohei Fujiwara, Atsushi Tsukazaki

    AIP Advances　11　(12)　125125-125125　2021年12月1日

    出版者・発行元： AIP Publishing

    DOI： 10.1063/5.0078021 　

    eISSN：2158-3226

  11. Contrasted Sn substitution effects on Dirac line node semimetals SrIrO3 and CaIrO3 査読有り

    Masamichi Negishi, Naoka Hiraoka, Daisuke Nishio-Hamane, Hidenori Takagi

    APL Materials　7　(12)　121101-121101　2019年12月1日

    DOI： 10.1063/1.5129235 　

    ISSN：2166-532X

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講演・口頭発表等 26

  1. 透明導電性アナターゼ型NbドープTiO2単結晶メンブレンのひび割れの抑制による高い電気伝導性の実現

    内田 悠月, Huang Jiyang, 根岸 真通, Hong Seung Sae, 福村 知昭

    第15回CSJ化学フェスタ2025　2025年10月24日

  2. Y/Te多層膜前駆体のその場熱処理によるYTe3薄膜の合成

    木村 史希, 根岸 真通, 河底 秀幸, 福村 知昭

    第86回応用物理学会秋季学術講演会　2025年9月9日

  3. 透明導電性アナターゼ型NbドープTiO2単結晶メンブレンの作製

    内田 悠月, Huang Jiyang, 根岸 真通, Hong Seung Sae, 福村 知昭

    第72回応用物理学会春季学術講演会　2006年3月17日

  4. Thin film growth and properties of novel rare-earth monoxide TmO

    Hidetatsu Yoshimura, Daichi Oka, Masamichi Negishi, Daisuke Shiga, Sasaki Satoshi, Hiroshi Kumigashira, Tomoteru Fukumura

    The 8th Symposium for the Core Research Clusters for Materials Science and Spintronics and the 7th Symposium on International Joint Graduate Program in Materials Science and Spintronics (CRCGP-MSSP2024)　2024年11月19日

  5. エピタキシャル成長による結晶構造制御と磁性酸化物薄膜の創製

    根岸 真通

    第41回無機・分析化学コロキウム　2024年5月25日

  6. 新希土類単酸化物TmOの薄膜合成と物性

    吉村 英竜, 岡 大地, 根岸 真通, 佐々木 智視, 福村 知昭

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月24日

  7. 単相の重希土類単酸化物エピタキシャル薄膜の電子輸送特性

    佐々木 智視, 岡 大地, 根岸 真通, 福村 知昭

    第71回応用物理学会春季学術講演会　2024年3月24日

  8. Mg-Ir-O薄膜のパルスレーザー堆積におけるレーザーフルーエンスによる組成調整と新規スピネル型結晶相の形成

    根岸真通, 藤原宏平, 塚﨑敦

    第70回応用物理学会春季学術講演会　2023年3月17日

  9. イルメナイト型MgTiO3薄膜のパルスレーザー堆積法による合成

    根岸真通, 藤原宏平, 塚﨑敦

    第69回応用物理学会春季学術講演会　2022年3月23日

  10. Pulsed-laser deposition of single-crystalline ilmenite MgTiO3 thin films

    M. Negishi, K. Fujiwara, A. Tsukazaki

    Summit of Materials Science 2022 & GIMRT User Meeting 2022　2022年3月3日

  11. Approach to Kitaev Magnetism in Ilmenite-Based Superlattices using Spin Hall Magnetoresistance

    Masamichi Negishi, Kei Miura, Kohei Fujiwara, Kei Nakayama, Ryo Ishikawa, Naoya Shibata, Atsushi Tsukazaki

    The 5th Symposium for The Core Research Clustures for Materials Science and Spintronics, and the 4th Symposium on International Joint Graduate Program in Materials Science　2021年10月27日

  12. Contrasting effects on Sn doping in correlated Dirac node semimetals SrIrO3 and CaIrO3

    根岸真通, 平岡奈緒香, 浜根大輔, 大隅寛幸, 高木英典

    第13回物性科学領域横断研究会　2019年11月27日

  13. 層状ハニカム型イリジウム酸化物のエピタキシャル薄膜合成

    根岸真通, 北川健太郎, 高木英典

    日本物理学会第74 回年次大会　2019年3月15日

  14. ペロブスカイト型イリジウム酸化物薄膜におけるディラックノード電子の相制御

    根岸真通, 平岡奈緒香, 浜根大輔, 大隅寛幸, 高木英典

    第10回低温センター研究交流会　2019年2月22日

  15. Phase control of Dirac node electrons in perovskite-type (Sr, Ca)IrO3 thin film

    M. Negishi, N. Hiraoka, D. Nishio-Hamane, H. Ohsumi, H. Takagi

    The 19th Japan-Korea-Taiwan Symposium on Strongly Correlated Electron Systems (JKT19)　2019年1月12日

  16. Phase control of Dirac node electrons in perovskite-type (Sr, Ca)IrO3 thin films

    M. Negishi, N. Hiraoka, D. Nishio-Hamane, H. Ohsumi, H. Takagi

    2018 Workshop of Max Planck-UBC-UTokyo Centre for Quantum Materials, University of Tokyo (Tokyo, Japan)　2018年12月10日

  17. ステップ基板を用いたペロブスカイト型Sr(Ir1-x, Snx)O3薄膜の配向制御と電気輸送特性

    根岸真通, 平岡奈緒香, 北川健太郎, 高木英典

    日本物理学会2018年秋季大会　2018年9月9日

  18. ペロブスカイト型SrIr1-xSnxO3薄膜の電子状態と弱強磁性

    根岸真通, 平岡奈緒香, 高木英典

    日本物理学会第73回年次大会　2018年3月23日

  19. Phase control of Dirac node electrons in perovskite-type (Sr, Ca)IrO3 thin films

    M. Negishi, N. Hiraoka, D. Nishio-Hamane, H. Ohsumi, H. Takagi

    The 18th Taiwan-Japan-Korea Symposium on Strongly Correlated Electron Systems (TJK18)　2018年2月23日

  20. Phase control of Dirac node electrons in perovskite-type (Sr, Ca)IrO3 thin films

    M. Negishi, N. Hiraoka, D. Nishio-Hamane, H. Ohsumi, H. Takagi

    Max Planck-UBC-UTokyo School - Elementary Excitation in Quantum Materials -　2018年2月17日

  21. ペロブスカイト型AIr1-xSnxO3薄膜(A = Ca, Sr)の半金属磁性絶縁体相転移

    根岸真通, 平岡奈緒香, 大隅寛幸, 高木英典

    日本物理学会2017年秋季大会　2017年9月23日

  22. ペロブスカイト型CaIr1-xSnxO3薄膜の輸送特性

    根岸真通, 平岡奈緒香, 高木英典, 浜根大輔

    日本物理学会第72回年次大会　2017年3月17日

  23. Dirac Semimetal-Magnetic Insulator Transition in Perovskite AIr1-xSnxO3 Thin Films (A = Ca, Sr)

    M. Negishi, N. Hiraoka, D. Nishio-Hamane, H. Ohsumi, H. Takagi

    Yamada Science Foundation Junjiro Kanamori Memorial International Symposium - New Horizon of Magnetism -　2017年2月17日

  24. Semimetal-magnetic insulator transition and magnetoresistance in perovskite SrIr1-xSnxO3 thin films

    M. Negishi, N. Hiraoka, H. Takagi

    Topo Mat Meeting　2016年9月19日

  25. ペロブスカイト型SrIr1-xSnxO3薄膜の半金属磁性絶縁体転移と磁気抵抗

    根岸真通, 太田奈緒香, 北川健太郎, 高木英典

    日本物理学会2016年秋季大会　2016年9月13日

  26. 6H-SrIrO3薄膜の輸送特性

    根岸真通, 松井直樹, 北川健太郎, 高木英典

    日本物理学会2015年秋季大会　2015年9月

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共同研究・競争的資金等の研究課題 5

  1. エピタキシャル薄膜成長による3d遷移金属‐チタン族金属複酸化物の開拓

    根岸 真通

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

    研究機関：Tohoku University

    2025年4月1日 ～ 2030年3月31日

  2. イルメナイト型チタン酸化物人工超格子における多様な磁気秩序の解明と制御

    根岸 真通

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

    研究機関：Tohoku University

    2022年4月1日 ～ 2024年3月31日

  3. スピンホール磁気抵抗効果による薄膜磁性評価法の開発

    根岸 真通

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

    研究種目：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

    研究機関：Tohoku University

    2021年8月30日 ～ 2023年3月31日

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    2021年度は、本課題の研究期間が始まる8月までに、イルメナイト型構造を持つ非磁性体MgTiO3の薄膜堆積条件探索を行い、単結晶薄膜を堆積する条件を確立した。研究期間が始まった9月以降も、MgTiO3薄膜の堆積条件探索を継続し、試料表面の平坦性向上を目指した。堆積条件探索の結果、薄膜の表面形状が、基板温度や蒸着源へ照射するレーザーの条件によって大きく変化することが分かった。これらの堆積条件を調整することによって、原子レベルで平坦な表面を持つ薄膜試料を実現した。結晶性と表面平坦性に優れたMgTiO3薄膜試料の合成を達成したことは、イルメナイト型構造を舞台に磁性を探究するうえで重要な成果である。すなわち、非磁性のMgTiO3薄膜をバッファー層に用いることによって、バルク合成の難しいイルメナイト型磁性体を安定化させて探究する可能性が開ける。 そこで、イルメナイト型磁性体の候補として、MgIrO3に注目し、薄膜堆積実験を行った。MgIrO3は、キタエフ磁性体という新奇な量子磁性体の候補物質であるが、準安定相と考えられ、合成が難しい。MgIrO3薄膜の堆積条件探索を行う中で、薄膜のMg:Ir組成比が蒸着源から大きくずれてしまうことが分かった。そこで、堆積条件による薄膜組成比の変化を系統的に調査した。その調査に基づき、蒸着源の組成比と堆積条件を調整することで、薄膜組成比を制御する方法を確立した。これは、イルメナイト型MgIrO3を実現する前提となる成果である。 また、MgTiO3以外のイルメナイト型酸化物として、反強磁性秩序を発現するMnTiO3についても薄膜合成実験を行い、原子レベルの表面平坦性を持った単結晶薄膜を合成する条件を確立した。MnTiO3とは異なる磁気秩序をもつイルメナイト型酸化物FeTiO3、CoTiO3、NiTiO3についても、薄膜堆積用蒸着源を合成した。

  4. エピタキシャル薄膜による新奇量子スピン液体の実現と制御

    根岸 真通

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for JSPS Fellows

    研究種目：Grant-in-Aid for JSPS Fellows

    研究機関：The University of Tokyo

    2018年4月25日 ～ 2021年3月31日

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    2019年度までは、主に相関ディラック線ノード半金属SrIrO3とCaIrO3について、ディラック線ノードへの電子相関効果を調査することを目的に研究を行った。電子相関の効果については、元素置換によって引き起こされる非磁性半金属‐磁性絶縁体転移をSrIrO3とCaIrO3で比較することによって、両者が電子相関効果の違いに起因して異なる機構の半金属‐絶縁体転移を示すことを明らかにした。一方、ディラックノードの特性を電気伝導によって測定するため、キャリア濃度の大きな高品質試料の実現に、バルク・薄膜両方で取り組んだものの、試料合成上の課題から達成できなかった。そこで、2020年度は、SrIrO3とCaIrO3以外の新しいペロブスカイト型イリジウム酸化物実現の可能性を模索し、広範な物質群で電子特性を比較することを目指した。新しいペロブスカイト型イリジウム酸化物を実現できれば、既存のSrIrO3、CaIrO3と比較することで、結晶構造や電子相関とディラック半金属状態の関係についてより深い知見が得られる。 具体的には、MgIrO3、ZnIrO3、CdIrO3などの候補物質について、文献調査や数値計算を利用し、実現可能性や最適な基板選択について評価したうえで、パルスレーザー堆積法によって実際に製膜を行った。しかし、当該年度に研究を行った範囲では、目的物質群でペロブスカイト型構造を実現することはできなかった。より探索物質を広げるとともに、異なる製膜方法やバルク試料合成を試行することが今後の課題である。

  5. 分子上磁性クラスタの構築とその磁気状態の解明

    平岡 奈緒香, 山田 豊和, 根岸 真通

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

    研究機関：The University of Tokyo

    2015年8月 ～ 2017年3月

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    本研究では、セルフデカップリング型の構造のよく規定された磁性原子集合体を作製し、その磁気状態を解明することを目指した。構造制御のため、走査トンネル顕微鏡法もしくはパルスレーザー堆積法を用いた。後者の方法を用いて、結晶の対称性と伝導・磁気状態が深く関わっていると予想されている物質、ペロブスカイト型AIr1-xSnxO3(A=SrまたはCa)のエピタキシャル薄膜化に成功した。バルク物質において報告されているものと同様の置換率・温度依存の常磁性半金属-弱強磁性絶縁体転移を観測し、また磁化・磁気抵抗に異方性があることを明らかにした。構造と異方性の相関から構造制御による電磁応答特性制御の可能性を示した。