東北大学研究者紹介

研究者詳細

ホーム

日本語 English

アンドウ　ヤスオ

安藤　康夫

Yasuo Ando

所属

大学院工学研究科　応用物理学専攻　先端スピントロニクス医療応用工学共同研究講座

職名

教授

学位

博士（工学）（東北大学）

researchmap

https://researchmap.jp/yasuoando

J-GLOBAL ID

200901031635072599

経歴 1

1986年4月～ 1992年11月

コニカ株式会社　研究員

学歴 2

東北大学　工学研究科　応用物理学

～ 1986年3月25日
東北大学　工学部　応用物理学科

～ 1984年3月25日

委員歴 50

日本学術振興会　産学協力研究委員会147委員会委員

2018年12月～継続中
公益財団法人コニカミノルタ科学技術振興財団　奨励賞審査委員

2014年1月～継続中
応用物理学会　東北支部幹事

2014年1月～継続中
応用物理学会　スピンエレクトロニクス研究会幹事

2012年1月～継続中
応用物理学会　評議委員

2011年3月～継続中
応用物理学会スピントロニクス研究会　委員長

2011年1月～継続中
スピントロニクス不揮発性機能技術調査委員会　委員

2008年5月～継続中
スピントロニクス不揮発性機能技術調査委員会　委員

2008年5月～継続中
高機能・超低消費電力スピンデバイス・ストレージ基盤技術の開発プロジェクト　推進委員

2007年10月～継続中
高機能・超低消費電力スピンデバイス・ストレージ基盤技術の開発プロジェクト　推進委員

2007年10月～継続中
ISAMMA 2007　Program Committee

2007年6月～継続中
ISAMMA 2007　プログラム委員会

2007年6月～継続中
応用物理学会東北支部　幹事

2007年4月～継続中
応用物理学会東北支部　幹事

2007年4月～継続中
応用物理学会スピンエレクトロニクス研究会　幹事

2006年1月～継続中
応用物理学会　論文賞審査委員

2017年～ 2018年
日本学術振興会　学術システム研究センター研究員

2013年4月～ 2016年3月
応用物理学会　業績賞委員会委員

2015年～ 2016年
応用物理学会　東北支部長

2012年1月～ 2013年12月
応用物理学会　評議委員

2011年3月～ 2013年3月
応用物理学会スピントロニクス研究会　委員長

2011年1月～ 2012年12月
応用物理学会　2011年秋季学術講演会現地実行委員

2010年8月～ 2011年8月
応用物理学会　2011年秋季学術講演会現地実行委員

2010年8月～ 2011年8月
ISAMMA 2010　Executive Committee

2009年4月～ 2011年3月
ISAMMA 2010　Executive Committee

2009年4月～ 2011年3月
応用物理学会　理事

2009年3月～ 2011年3月
応用物理学会　理事

2009年3月～ 2011年3月
応用物理学会スピンエレクトロニクス研究会　幹事

2006年1月～ 2010年12月
日本磁気学会論文賞，学術奨励賞選考委員会　委員

2008年4月～ 2010年3月
日本磁気学会論文賞，学術奨励賞選考委員会　委員

2008年4月～ 2010年3月
新機能トランジスタ調査委員会　副委員長

2007年6月～ 2010年3月
新機能トランジスタ調査委員会　副委員長

2007年6月～ 2010年3月
特別研究員等審査会　審査委員

2006年8月～ 2007年7月
特別研究員等審査会　審査委員

2006年8月～ 2007年7月
応用物理学会　代議員

2002年2月～ 2006年1月
応用物理学会　代議員

2002年2月～ 2006年1月
応用物理学会スピンエレクトロニクス研究会　庶務幹事

2003年1月～ 2004年12月
応用物理学会スピンエレクトロニクス研究会　庶務幹事

2003年1月～ 2004年12月
応用物理学会東北支部　庶務幹事

2000年1月～ 2001年12月
応用物理学会東北支部　庶務幹事

2000年1月～ 2001年12月
International Symposium on Nanoscale Magnetism and Transport　現地実行委員

2000年3月～ 2000年3月
19th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces　Local Committee

2006年8月～
International Conference on Magnetism 2006　Program Committee

2006年8月～
19th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces　現地委員会

2006年8月～
International Conference on Magnetism 2006　プログラム委員会

2006年8月～
INTERMAG 2005　Program Committee

2005年4月～
INTERMAG 2005　プログラム委員会

2005年4月～
2004年秋季応用物理学会学術講演会　現地実行委員

2004年9月～
2004年秋季応用物理学会学術講演会　現地実行委員

2004年9月～
International Symposium on Nanoscale Magnetism and Transport　Local Committee

2000年3月～

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

所属学協会 4

日本物理学会
電子情報通信学会
日本磁気学会
応用物理学会

研究キーワード 3

界面構造
スピン注入
強磁性トンネル接合

研究分野 4

自然科学一般 / 磁性、超伝導、強相関系 /
ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /
ナノテク・材料 / 結晶工学 / 磁気物性
ナノテク・材料 / 応用物性 / 磁気物性

受賞 11

支部貢献賞

2020年12月　応用物理学会東北支部　応用物理学会東北支部における顕著な貢献
フェロー

2018年9月　日本磁気学会　日本磁気学会フェロー
第23回業績賞

2018年9月　日本磁気学会　強磁性トンネル接合の高性能化とスピントロニクスデバイスへの応用
第9回（2015年度）応用物理学会フェロー表彰

2015年9月13日　応用物理学会　スピンダイナミクスの先導的研究とスピンデバイス高性能化の研究
The 74th JSAP Autumn Meeting, 2013, Poster Award

2013年10月1日　応用物理学会　Magnetization dynamics in Mn-Ga/Fe exchange coupled bilayer thin films
第34回（2012年度）応用物理学会論文賞

2012年9月　応用物理学会　Large Magnetoresistance Effect in Epitaxial Co2Fe0.4Mn0.6Si/Ag/Co2Fe0.4Mn0.6Si Devices
日本磁気学会平成20年度論文賞

2008年9月　日本磁気学会　Co2MnSiを用いた強磁性トンネル接合における極高スピン分極率の実現
第39回原田研究奨励賞

1999年11月4日　財団法人金属研究助成会　トンネル顕微鏡を用いた強磁性トンネル接合用超薄Al酸化膜の局所伝導特性解析
日本応用磁気学会平成９年度論文賞

1997年7月1日　日本応用磁気学会　強磁性トンネル接合における絶縁障壁と磁気抵抗
日本化学会第71秋季年会シンポジウム賞

1996年12月17日　日本化学会　高分子フェロセン誘導体薄膜における超構造と磁気特性
トーキン科学技術振興財団研究奨励賞

1995年3月6日　トーキン科学技術振興財団　LB法による有機人工格子薄膜の作製とその電磁気的性質に関する基礎的研究

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

論文 437

TaFeB spacer for soft magnetic composite free layer in CoFeB/MgO/CoFeB-based magnetic tunnel junction 査読有り

Takafumi Nakano, Kosuke Fujiwara, Seiji Kumagai, Yasuo Ando, Mikihiko Oogane

Applied Physics Letters　122　(7)　072405　2023年2月13日

DOI： 10.1063/5.0132866 　
Tunnel anisotropic magnetoresistance in magnetic tunnel junctions using FeAlSi 査読有り

S. Akamatsu, T. Nakano, Muftah Al-Mahdawi, W. Yupeng, M. Tsunoda, Y. Ando, M. Oogane

AIP Advances　13　(2)　025005　2023年2月1日

DOI： 10.1063/9.0000440 　
Development of Magnetocardiograph without Magnetically Shielded Room Using High-Detectivity TMR Sensors

Koshi Kurashima, Makoto Kataoka, Takafumi Nakano, Kosuke Fujiwara, Seiichi Kato, Takenobu Nakamura, Masaki Yuzawa, Masanori Masuda, Kakeru Ichimura, Shigeki Okatake, Yoshitaka Moriyasu, Kazuhiro Sugiyama, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Seiji Kumagai, Hitoshi Matsuzaki, Hidenori Mochizuki

Sensors　23　(2)　646-646　2023年1月6日
出版者・発行元： MDPI AG
DOI： 10.3390/s23020646 　

eISSN：1424-8220

詳細を見る詳細を閉じる

A magnetocardiograph that enables the clear observation of heart magnetic field mappings without magnetically shielded rooms at room temperatures has been successfully manufactured. Compared to widespread electrocardiographs, magnetocardiographs commonly have a higher spatial resolution, which is expected to lead to early diagnoses of ischemic heart disease and high diagnostic accuracy of ventricular arrhythmia, which involves the risk of sudden death. However, as the conventional superconducting quantum interference device (SQUID) magnetocardiographs require large magnetically shielded rooms and huge running costs to cool the SQUID sensors, magnetocardiography is still unfamiliar technology. Here, in order to achieve the heart field detectivity of 1.0 pT without magnetically shielded rooms and enough magnetocardiography accuracy, we aimed to improve the detectivity of tunneling magnetoresistance (TMR) sensors and to decrease the environmental and sensor noises with a mathematical algorithm. The magnetic detectivity of the TMR sensors was confirmed to be 14.1 pTrms on average in the frequency band between 0.2 and 100 Hz in uncooled states, thanks to the original multilayer structure and the innovative pattern of free layers. By constructing a sensor array using 288 TMR sensors and applying the mathematical magnetic shield technology of signal space separation (SSS), we confirmed that SSS reduces the environmental magnetic noise by −73 dB, which overtakes the general triple magnetically shielded rooms. Moreover, applying digital processing that combined the signal average of heart magnetic fields for one minute and the projection operation, we succeeded in reducing the sensor noise by about −23 dB. The heart magnetic field resolution measured on a subject in a laboratory in an office building was 0.99 pTrms and obtained magnetocardiograms and current arrow maps as clear as the SQUID magnetocardiograph does in the QRS and ST segments. Upon utilizing its superior spatial resolution, this magnetocardiograph has the potential to be an important tool for the early diagnosis of ischemic heart disease and the risk management of sudden death triggered by ventricular arrhythmia.
Scalp attached tangential magnetoencephalography using tunnel magneto-resistive sensors

Akitake Kanno, Nobukazu Nakasato, Mikihiko Oogane, Kosuke Fujiwara, Takafumi Nakano, Tadashi Arimoto, Hitoshi Matsuzaki, Yasuo Ando

Scientific Reports　12　(1)　2022年12月
出版者・発行元： Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1038/s41598-022-10155-6 　

eISSN：2045-2322

詳細を見る詳細を閉じる

Abstract Non-invasive human brain functional imaging with millisecond resolution can be achieved only with magnetoencephalography (MEG) and electroencephalography (EEG). MEG has better spatial resolution than EEG because signal distortion due to inhomogeneous head conductivity is negligible in MEG but serious in EEG. However, this advantage has been practically limited by the necessary setback distances between the sensors and scalp, because the Dewar vessel containing liquid helium for superconducting quantum interference devices (SQUIDs) requires a thick vacuum wall. Latest developments of high critical temperature (high-T_c) SQUIDs or optically pumped magnetometers have allowed closer placement of MEG sensors to the scalp. Here we introduce the use of tunnel magneto-resistive (TMR) sensors for scalp-attached MEG. Improvement of TMR sensitivity with magnetic flux concentrators enabled scalp-tangential MEG at 2.6 mm above the scalp, to target the largest signal component produced by the neural current below. In a healthy subject, our single-channel TMR-MEG system clearly demonstrated the N20m, the initial cortical component of the somatosensory evoked response after median nerve stimulation. Multisite measurement confirmed a spatially and temporally steep peak of N20m, immediately above the source at a latency around 20 ms, indicating a new approach to non-invasive functional brain imaging with millimeter and millisecond resolutions.
てんかん診療の近未来〜デバイスと医薬品開発の最前線〜トンネル磁気抵抗効果を用いた頭皮密着型脳磁計の開発

菅野彰剛, 神一敬, 柿坂庸介, 石田誠, 中里信和, 大兼幹夫, 安藤康夫

てんかん研究　40　(2)　308-308　2022年8月
出版者・発行元： (一社)日本てんかん学会
ISSN：0912-0890

eISSN：1347-5509
Magnetic tunnel junctions using epitaxially grown FeAlSi electrode with soft magnetic property

Shoma Akamatsu, Mikihiko Oogane, Masakiyo Tsunoda, Yasuo Ando

AIP Advances　12　(7)　075021-075021　2022年7月1日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0094619 　

eISSN：2158-3226

詳細を見る詳細を閉じる

Magnetic tunnel junctions (MTJs) with (001)-oriented D0₃-FeAlSi epitaxial films, which have both soft magnetic properties and surface flatness, were fabricated and characterized. A tunnel magnetoresistance (TMR) ratio of 121% was observed, and a relatively low switching field was also confirmed, reflecting the soft magnetic property of FeAlSi. However, the results of the cross-sectional TEM image of the MTJ and the bias dependence of the TMR ratio indicate that the FeAlSi/MgO interface is probably oxidized. Therefore, since an insertion layer at the interface can suppress oxidation and further improve the TMR ratio, MTJs using FeAlSi epitaxial films are promising structures suitable for applications such as MTJ-based magnetic sensors and worthy of further investigation.
Guidelines for attaining optimal soft magnetic properties in FeAlSi films

Shoma Akamatsu, Mikihiko Oogane, Masakiyo Tsunoda, Yasuo Ando

Applied Physics Letters　120　(24)　242406-242406　2022年6月13日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0086322 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118

詳細を見る詳細を閉じる

Nm-order FeAlSi epitaxial films with a partially D0₃-ordered structure were grown on MgO substrates, and ideal soft magnetic properties were obtained. We found that the sign of the magnetocrystalline anisotropy constant K₁ changes with increasing annealing temperature for certain FeAlSi compositions. This is caused by a change in the volume balance of the ordered phases with the annealing process and the point at which K₁ ∼ 0 shifts to the Al-rich concentration as the degree of D0₃-ordering decreases. K₁ was precisely measured by ferromagnetic resonance under the optimal condition, and the value of 1.6 × 10² (erg/cc) was obtained, which is comparable to that of bulk. The uniaxial component of the magnetic anisotropy due to magnetostriction was small, and a fourfold symmetric component due to magnetocrystalline anisotropy was dominant.
Control of sensitivity in vortex-type magnetic tunnel junction magnetometer sensors by the pinned layer geometry

Motoki Endo, Muftah Al-Mahdawi, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

Journal of Physics D: Applied Physics　55　(19)　195001-195001　2022年5月12日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.1088/1361-6463/ac5080 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463

詳細を見る詳細を閉じる

Abstract The tuning of sensitivity and dynamic range in linear magnetic sensors is required in various applications. We demonstrate the control and design of the sensitivity in magnetic tunnel junction (MTJ) sensors with a vortex-type sensing layer. In this work, we develop sensor MTJs with NiFe sensing layers having a vortex magnetic configuration. We demonstrate that by varying the pinned layer size, the sensitivity to magnetic field is tuned linearly. We obtain a high magnetoresistance ratio of 140%, and we demonstrate a controllable sensitivity from 0.85% Oe⁻¹ to 4.43% Oe⁻¹, while keeping the vortex layer fixed in size. We compare our experimental results with micromagnetic simulations. We find that the linear displacement of vortex core by an applied field makes the design of vortex sensors simple. The control of the pinned layer geometry is an effective method to increase the sensitivity, without affecting the vortex state of the sensing layer. Furthermore, we propose that the location of the pinned layer can be used to realize more sensing functionalities from a single sensor.
Observation of unconventional spin-polarization induced spin–orbit torque in L1₂-ordered antiferromagnetic Mn₃Pt thin films

Longjie Yu, Shutaro Karube, Min Liu, Masakiyo Tsunoda, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

Applied Physics Express　15　(3)　033002-033002　2022年3月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/ac52d7 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786

詳細を見る詳細を閉じる

Abstract Non-collinear antiferromagnets exhibit richer magneto-transport properties compared to nonmagnetic materials due to the topological spin structure they possess, which allows us to manipulate the charge-spin conversion more freely by taking advantage of the chirality. In this work, we explore the unconventional spin–orbit torque of L1₂-ordered Mn₃Pt with a triangular spin structure. We observed an unconventional spin–orbit torque along the x-direction for the (001)-oriented L1₂ Mn₃Pt and found that it has a sign reversal behavior relative to the crystalline orientation. This generation of unconventional spin–orbit torque can be interpreted as stemming from the magnetic spin Hall effect.
最新のセンサー系から見た心臓磁場計測技術と脳磁場計測に向けた展望室温動作TMRセンサーを用いたリアルタイム心磁場および体性感覚誘発脳磁場の計測

藤原耕輔, 菅野彰剛, 中野貴文, 熊谷静似, 松崎斉, 有本直, 大兼幹彦, 中里信和, 安藤康夫

日本生体磁気学会誌　35　(1)　76-77　2022年
出版者・発行元：日本生体磁気学会
ISSN：0915-0374
最新のセンサー系から見た心臓磁場計測技術と脳磁場計測に向けた展望室温動作TMRセンサーを用いたリアルタイム心磁場および体性感覚誘発脳磁場の計測

藤原耕輔, 菅野彰剛, 中野貴文, 熊谷静似, 松崎斉, 有本直, 大兼幹彦, 中里信和, 安藤康夫

日本生体磁気学会誌　35　(1)　76-77　2022年
出版者・発行元：日本生体磁気学会
ISSN：0915-0374
Deep Learning Models for Magnetic Cardiography Edge Sensors Implementing Noise Processing and Diagnostics

Sadman Sakib, Mostafa M. Fouda, Muftah Al-Mahdawi, Attayeb Mohsen, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Zubair Md. Fadlullah

IEEE Access　10　2656-2668　2022年
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI： 10.1109/access.2021.3138976 　

eISSN：2169-3536
Sub-pT magnetic field detection by tunnel magneto-resistive sensors

Mikihiko Oogane, Kosuke Fujiwara, Akitake Kanno, Takafumi Nakano, Hiroshi Wagatsuma, Tadashi Arimoto, Shigemi Mizukami, Seiji Kumagai, Hitoshi Matsuzaki, Nobukazu Nakasato, Yasuo Ando

Applied Physics Express　14　(12)　123002-123002　2021年12月1日
出版者・発行元： IOP Publishing
DOI： 10.35848/1882-0786/ac3809 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786

詳細を見る詳細を閉じる

<title>Abstract</title> We developed tunnel magneto-resistive (TMR) sensors based on magnetic tunnel junctions (MTJs) that are able to detect a weak, sub-pT, magnetic field at a low frequency. Small detectivities of 0.94 pT/Hz^1/2 at 1 Hz and 0.05 pT/Hz^1/2 at 1 kHz were achieved by lowering the resistance of MTJs and enhancement of the signal using a thick CoFeSiB layer and magnetic flux concentrators. We demonstrated real-time measurement of magnetocardiography (MCG) and nuclear magnetic resonance (NMR) of protons using developed sensors. This result shows that both MCG and NMR can be measured by the same measurement system with ultra-sensitive TMR sensors.
室温生体磁気計測の進歩:SQUIDを超えて TMRセンサの原理と心磁図計測

大兼幹彦, 菅野彰剛, 藤原耕輔, 中野貴文, 熊谷静似, 松崎斉, 中里信和, 安藤康夫

臨床神経生理学　49　(5)　299-299　2021年10月
出版者・発行元： (一社)日本臨床神経生理学会
ISSN：1345-7101

eISSN：2188-031X
室温生体磁気計測の進歩:SQUIDを超えて頭皮上に密着可能なトンネル磁気抵抗素子を用いた室温脳磁計の開発

菅野彰剛, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 柿坂庸介, 松崎斉, 安藤康夫, 中里信和

臨床神経生理学　49　(5)　300-300　2021年10月
出版者・発行元： (一社)日本臨床神経生理学会
ISSN：1345-7101

eISSN：2188-031X
第32回小児脳機能研究会:臨床神経生理からみた小児の機能評価-中枢から末梢まで- 頭皮上に密着可能なトンネル磁気抵抗素子を用いた室温脳磁計の開発

菅野彰剛, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 柿坂庸介, 松崎斉, 安藤康夫, 中里信和

臨床神経生理学　49　(5)　371-371　2021年10月
出版者・発行元： (一社)日本臨床神経生理学会
ISSN：1345-7101

eISSN：2188-031X
室温生体磁気計測の進歩:SQUIDを超えて TMRセンサの原理と心磁図計測

大兼幹彦, 菅野彰剛, 藤原耕輔, 中野貴文, 熊谷静似, 松崎斉, 中里信和, 安藤康夫

臨床神経生理学　49　(5)　299-299　2021年10月
出版者・発行元： (一社)日本臨床神経生理学会
ISSN：1345-7101

eISSN：2188-031X
室温生体磁気計測の進歩:SQUIDを超えて頭皮上に密着可能なトンネル磁気抵抗素子を用いた室温脳磁計の開発

菅野彰剛, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 柿坂庸介, 松崎斉, 安藤康夫, 中里信和

臨床神経生理学　49　(5)　300-300　2021年10月
出版者・発行元： (一社)日本臨床神経生理学会
ISSN：1345-7101

eISSN：2188-031X
第32回小児脳機能研究会:臨床神経生理からみた小児の機能評価-中枢から末梢まで- 頭皮上に密着可能なトンネル磁気抵抗素子を用いた室温脳磁計の開発

菅野彰剛, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 柿坂庸介, 松崎斉, 安藤康夫, 中里信和

臨床神経生理学　49　(5)　371-371　2021年10月
出版者・発行元： (一社)日本臨床神経生理学会
ISSN：1345-7101

eISSN：2188-031X
Quadratic magnetoelectric effect during field cooling in sputter grown Cr2O3 films

Muftah Al-Mahdawi, Tomohiro Nozaki, Mikihiko Oogane, Hiroshi Imamura, Yasuo Ando, Masashi Sahashi

Physical Review Materials　5　(9)　2021年9月14日
出版者・発行元： American Physical Society (APS)
DOI： 10.1103/physrevmaterials.5.094406 　

eISSN：2475-9953
Noise-Removal from Spectrally-Similar Signals Using Reservoir Computing for MCG Monitoring

Sadman Sakib, Mostafa M. Fouda, Muftah Al-Mahdawi, Attayeb Mohsen, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Zubair Md Fadlullah

ICC 2021 - IEEE International Conference on Communications　2021年6月
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/icc42927.2021.9500993 　
Tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctions with FeAlSi electrode

Shoma Akamatsu, Mikihiko Oogane, Zhenhu Jin, Masakiyo Tsunoda, Yasuo Ando

AIP Advances　11　(4)　2021年4月1日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/5.0041571 　

ISSN：2158-3226
Serial MTJ-Based TMR Sensors in Bridge Configuration for Detection of Fractured Steel Bar in Magnetic Flux Leakage Testing

Zhenhu Jin, Muhamad Arif Ihsan Mohd Noor Sam, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

Sensors　21　(2)　668-668　2021年1月19日
出版者・発行元： MDPI AG
DOI： 10.3390/s21020668 　

eISSN：1424-8220

詳細を見る詳細を閉じる

Thanks to high sensitivity, excellent scalability, and low power consumption, magnetic tunnel junction (MTJ)-based tunnel magnetoresistance (TMR) sensors have been widely implemented in various industrial fields. In nondestructive magnetic flux leakage testing, the magnetic sensor plays a significant role in the detection results. As highly sensitive sensors, integrated MTJs can suppress frequency-dependent noise and thereby decrease detectivity; therefore, serial MTJ-based sensors allow for the design of high-performance sensors to measure variations in magnetic fields. In the present work, we fabricated serial MTJ-based TMR sensors and connected them to a full Wheatstone bridge circuit. Because noise power can be suppressed by using bridge configuration, the TMR sensor with Wheatstone bridge configuration showed low noise spectral density (0.19 μV/Hz0.5) and excellent detectivity (5.29 × 10−8 Oe/Hz0.5) at a frequency of 1 Hz. Furthermore, in magnetic flux leakage testing, compared with one TMR sensor, the Wheatstone bridge TMR sensors provided a higher signal-to-noise ratio for inspection of a steel bar. The one TMR sensor system could provide a high defect signal due to its high sensitivity at low lift-off (4 cm). However, as a result of its excellent detectivity, the full Wheatstone bridge-based TMR sensor detected the defect even at high lift-off (20 cm). This suggests that the developed TMR sensor provides excellent detectivity, detecting weak field changes in magnetic flux leakage testing.
トンネル磁気抵抗素子を用いた室温脳磁計による体性感覚誘発磁界の測定

菅野彰剛, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 松﨑斉, 安藤康夫, 中里信和

生体医工学　59　752-753　2021年
出版者・発行元：公益社団法人日本生体医工学会
DOI： 10.11239/jsmbe.Annual59.752 　

ISSN：1347-443X

詳細を見る詳細を閉じる

"【背景】従来の脳磁計は超伝導量子干渉素子（SQUID）を液体ヘリウム容器に格納する必要があり、センサと頭皮との距離が離れる欠点があった。我々は室温で体表に接した生体磁気計測を可能とすべく、トンネル磁気抵抗（TMR）素子を用いたセンサを開発し、すでに健常被験者における心磁図や脳磁図アルファ波の計測に成功している。今回、正中神経刺激による体性感覚誘発磁界の第１波N20mを再現性よく計測できたので報告する。【方法】健常被験者の左手首の正中神経刺激を、通常の臨床検査と同様に、持続時間は0.3 ms、刺激頻度は2.9 Hz、刺激強度は母指外転筋運動閾値の1.5倍で刺激した。磁気シールド室内で、1チャンネルのTMR素子（JST S-イノベプロジェクトで製作）と磁束集束構造を組み合わせた磁気センサを、被験者の右頭頂部に固定し、頭皮に水平な磁界成分を計測した。得られた信号は16ビットでサンプル周波数2,000HzにてA/D変換し、帯域フィルタ5-250Hzで処理後に、波形が明瞭になるまで合計1,000から5,000回の平均加算を行った。【結果】刺激から潜時約20msに頂点をもつ第１波と、その後の第２、第３波が明瞭に記録され、同一被験者でSQUID脳磁計にて測定した波形と同一成分と確認できた。【結語】今回の結果は、TMR脳磁計の実用化に大きく寄与するものと期待される。"
トンネル磁気抵抗素子を用いた室温脳磁計による体性感覚誘発磁界の測定

菅野彰剛, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 松﨑斉, 安藤康夫, 中里信和

生体医工学　59　243-243　2021年
出版者・発行元：公益社団法人日本生体医工学会
DOI： 10.11239/jsmbe.Annual59.243 　

ISSN：1347-443X

詳細を見る詳細を閉じる

【背景】従来の脳磁計は超伝導量子干渉素子（SQUID）を液体ヘリウム容器に格納する必要があり、センサと頭皮との距離が離れる欠点があった。我々は室温で体表に接した生体磁気計測を可能とすべく、トンネル磁気抵抗（TMR）素子を用いたセンサを開発し、すでに健常被験者における心磁図や脳磁図アルファ波の計測に成功している。今回、正中神経刺激による体性感覚誘発磁界の第１波N20mを再現性よく計測できたので報告する。【方法】健常被験者の左手首の正中神経刺激を、通常の臨床検査と同様に、持続時間は0.3 ms、刺激頻度は2.9 Hz、刺激強度は母指外転筋運動閾値の1.5倍で刺激した。磁気シールド室内で、1チャンネルのTMR素子（JST S-イノベプロジェクトで製作）と磁束集束構造を組み合わせた磁気センサを、被験者の右頭頂部に固定し、頭皮に水平な磁界成分を計測した。得られた信号は16ビットでサンプル周波数2,000HzにてA/D変換し、帯域フィルタ5-250Hzで処理後に、波形が明瞭になるまで合計1,000から5,000回の平均加算を行った。【結果】刺激から潜時約20msに頂点をもつ第１波と、その後の第２、第３波が明瞭に記録され、同一被験者でSQUID脳磁計にて測定した波形と同一成分と確認できた。【結語】今回の結果は、TMR脳磁計の実用化に大きく寄与するものと期待される。
トンネル磁気抵抗素子を用いた室温脳磁計による体性感覚誘発磁界の測定

菅野彰剛, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 松崎斉, 安藤康夫, 中里信和

日本生体磁気学会誌　34　(1)　112-113　2021年
出版者・発行元：日本生体磁気学会
ISSN：0915-0374
Highly-sensitive magnetic sensor for detecting magnetic nanoparticles based on magnetic tunnel junctions at a low static field

Z. Jin, Thomas Myeongseok Koo, Myeong Soo Kim, M. Al-Mahdawi, M. Oogane, Y. Ando, Young Keun Kim

AIP Advances　11　(1)　015046-015046　2021年1月1日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/9.0000189 　

eISSN：2158-3226
Detection of Small Magnetic Fields Using Serial Magnetic Tunnel Junctions with Various Geometrical Characteristics

Zhenhu Jin, Yupeng Wang, Kosuke Fujiwara, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

Sensors　20　(19)　5704-5704　2020年10月7日
出版者・発行元： MDPI AG
DOI： 10.3390/s20195704 　

eISSN：1424-8220

詳細を見る詳細を閉じる

Thanks to their high magnetoresistance and integration capability, magnetic tunnel junction-based magnetoresistive sensors are widely utilized to detect weak, low-frequency magnetic fields in a variety of applications. The low detectivity of MTJs is necessary to obtain a high signal-to-noise ratio when detecting small variations in magnetic fields. We fabricated serial MTJ-based sensors with various junction area and free-layer electrode aspect ratios. Our investigation showed that their sensitivity and noise power are affected by the MTJ geometry due to the variation in the magnetic shape anisotropy. Their MR curves demonstrated a decrease in sensitivity with an increase in the aspect ratio of the free-layer electrode, and their noise properties showed that MTJs with larger junction areas exhibit lower noise spectral density in the low-frequency region. All of the sensors were able detect a small AC magnetic field (Hrms = 0.3 Oe at 23 Hz). Among the MTJ sensors we examined, the sensor with a square-free layer and large junction area exhibited a high signal-to-noise ratio (4792 ± 646). These results suggest that MTJ geometrical characteristics play a critical role in enhancing the detectivity of MTJ-based sensors.
Scaling of quadratic and linear magneto-optic Kerr effect spectra with L2(1) ordering of Co2MnSi Heusler compound

Robin Silber, Daniel Kral, Ondrej Stejskal, Takahide Kubota, Yasuo Ando, Jaromir Pistora, Martin Veis, Jaroslav Hamrle, Timo Kuschel

APPLIED PHYSICS LETTERS　116　(26)　2020年6月

DOI： 10.1063/5.0008427 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
AI Aided Noise Processing of Spintronic Based IoT Sensor for Magnetocardiography Application

Attayeb Mohsen, Muftah Al-Mahdawi, Mostafa M. Fouda, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Zubair Md Fadlullah

ICC 2020 - 2020 IEEE International Conference on Communications (ICC)　2020年6月
出版者・発行元： IEEE
DOI： 10.1109/icc40277.2020.9148617 　
Efficiency of ultrafast optically induced spin transfer in Heusler compounds

Daniel Steil, Jakob Walowski, Felicitas Gerhard, Tobias Kiessling, Daniel Ebke, Andy Thomas, Takahide Kubota, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Johannes Otto, Andreas Mann, Moritz Hofherr, Peter Elliott, John Kay Dewhurst, Günter Reiss, Laurens Molenkamp, Martin Aeschlimann, Mirko Cinchetti, Markus Münzenberg, Sangeeta Sharma, Stefan Mathias

Physical Review Research　2　(2)　2020年5月20日
出版者・発行元： American Physical Society
DOI： 10.1103/PhysRevResearch.2.023199 　

ISSN：2643-1564
High-Temperature Magnetic Tunnel Junction Magnetometers Based on L1$_0$-PtMn Pinned Layer

Sina Ranjbar, Muftah Al-Mahdawi, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

IEEE Sensors Letters　4　(5)　1-4　2020年5月
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI： 10.1109/lsens.2020.2991654 　

eISSN：2475-1472
Controlling domain configuration of the sensing layer for magnetic tunneling junctions by using exchange bias

Sina Ranjbar, Muftah Al-Mahdawi, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

AIP Advances　10　(2)　025119-025119　2020年2月1日
出版者・発行元： AIP Publishing
DOI： 10.1063/1.5130486 　

eISSN：2158-3226
Large spin signals in n+ -Si/MgO/ Co2Fe0.4Mn0.6Si lateral spin-valve devices 査読有り

T. Koike, M. Oogane, M. Tsunoda, Y. Ando

127　(8)　085306-1-085306-8　2020年2月
Fabrication and evaluation of highly c-plane oriented Mn3Sn thin films 査読有り

T. Ikeda, M. Tsunoda, M. Oogane, S. Oh, T. Morita, Y. Ando

AIP Advances　10　015310-1-015310-5　2020年1月
Fabrication of soft-magnetic FeAlSi thin films with nm-order thickness for the free layer of magnetic tunnel junction based sensors 査読有り

S. Akamatsu, M. Oogane, M. Tsunoda, Y. Ando

AIP Advances　10　015302-1-015302-4　2020年1月
Composition dependence of the secondorder interfacial magnetic anisotropy for MgO/CoFeB/Ta films 査読有り

T. Ogasawara, M. Oogane, M. Al-Mahdawi, M. Tsunoda, Y. Ando

AIP Advances　9　125053-1-125053-5　2019年12月
Polycrystalline Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler alloy thin films with high B2 ordering and small magnetic anisotropy for magnetic tunnel junction based sensors 査読有り

N. Kudo, M. Oogane, M. Tsunoda, Y. Ando

AIP Advances　9　125036-1-125036-4　2019年12月
Effect of second-order magnetic anisotropy on nonlinearity of conductance in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junction for magnetic sensor devices 査読有り

T. Ogasawara, M. Oogane, M. Al-Mahdawi, M. Tsunoda, Y. Ando

Scientific Reports　9　17018-1-17018-9　2019年11月
Investigation of a Magnetic Tunnel Junction Based Sensor for the Detection of Defects in Reinforced Concrete at High Lift-Off

Muhamad Arif Ihsan Mohd Noor Sam, Zhenhu Jin, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

Sensors　19　(21)　4718-4718　2019年10月30日
出版者・発行元： MDPI AG
DOI： 10.3390/s19214718 　

eISSN：1424-8220

詳細を見る詳細を閉じる

Magnetic flux leakage (MFL) testing is a method of non-destructive testing (NDT), whereby the material is magnetized, and when a defect is present, the magnetic flux lines break out of the material. The magnitude of the leaked magnetic flux decreases as the lift-off (distance from the material) increases. Therefore, for detection at high lift-off, a sensitive magnetic sensor is required. To increase the output sensitivity, this paper proposes the application of magnetic tunnel junction (MTJ) sensors in a bridge circuit for the NDT of reinforced concrete at high lift-off. MTJ sensors were connected to a full-bridge circuit, where one side of the arm has two MTJ sensors connected in series, and the other contains a resistor and a variable resistor. Their responses towards a bias magnetic field were measured, and, based on the results, the sensor circuit sensitivity was 0.135 mV/mT. Finally, a reinforced concrete specimen with a 1 cm gap in the center was detected. The sensor module (with an amplifier and low pass filter circuits) could determine the gap even at 50 cm, suggesting that MTJ sensors have the potential to detect defects at high lift-off values and have a promising future in the field of NDT.
Composition dependence of exchange anisotropy in PtxMn100−x/CoyFe100-y films 査読有り

S. Ranjbar, M. Tsunoda, M. Al-Mahdawi, M. Oogane, Y. Ando

IEEE Magnetics Letters　10　4505905-1-4505905-5　2019年10月
In-plane and perpendicular exchange bias effect induced by an antiferromagnetic D0(19) Mn2FeGa thin film 査読有り

Ogasawara Takahiro, Jackson Edward, Tsunoda Masakiyo, Ando Yasuo, Hirohata Atsufumi

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　484　307-312　2019年8月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2019.04.024 　

ISSN：0304-8853

eISSN：1873-4766
Improvement of Large Anomalous Hall Effect in Polycrystalline Antiferromagnetic Mn3+xSn Thin Films 査読有り

Ikeda Tomoki, Tsunoda Masakiyo, Oogane Mikihiko, Oh Seungjun, Morita Tadashi, Ando Yasuo

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　55　(7)　2019年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2019.2899223 　

ISSN：0018-9464
Controlled growth and magnetic property of a-plane-oriented Mn3Sn thin films 査読有り

Oh Seungjun, Morita Tadashi, Ikeda Tomoki, Tsunoda Masakiyo, Oogane Mikihiko, Ando Yasuo

AIP ADVANCES　9　(3)　2019年3月

DOI： 10.1063/1.5079688 　

ISSN：2158-3226
Serial magnetic tunnel junction based sensors for detecting far-side pitsin metallic specimens 査読有り

Zhenhu Jin, Muhamad Arif Ihsan, Mikihiko Oogane, Kousuke Fujiwara, Yasuo Ando

Japanese Journal of Applied Physics　58　043003-1-043003-6　2019年3月

DOI： 10.7567/1347-4065/aafe71 　
Composition dependence of exchange anisotropy in PtxMn1−x/Co70Fe30 films 査読有り

Sina Ranjbar, Masakiyo Tsunoda, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

Japanese Journal of Applied Physics　58　043001-1-043001-5　2019年3月

DOI： 10.7567/1347-4065/ab03e3 　
Structural and antiferromagnetic characterization of noncollinear D019 Mn3Ge polycrystalline film 査読有り

Takahiro Ogasawara, Jun-young Kim, Yasuo Ando, Atsufumi Hirohata

Journal of Magnetism and Magnetic Materials　473　7-11　2019年

DOI： 10.1016/j.jmmm.2018.10.035 　

ISSN：0304-8853

eISSN：1873-4766
Anomalous Hall effect in polycrystalline Mn3Sn thin films 査読有り

Tomoki Ikeda, Masakiyo Tsunoda, Mikihiko Oogane, Seungjun Oh, Tadashi Morita, Yasuo Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　113　222405-1-222405-5　2018年11月

DOI： 10.1063/1.5051495 　
Epitaxial L10-MnAl Thin Films With High Perpendicular Magnetic Anisotropy and Small Surface Roughness 査読有り

Most Shahnaz Parvin, Mikihiko Oogane, Miho Kubota, Masakiyo Tsunoda, Yasuo Ando

EEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　54　(11)　3401704-1-3401704-4　2018年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2018.2834553 　

ISSN：0018-9464
Effects of annealing temperature on sensing properties of magnetic-tunnel-junction-based sensors with perpendicular syntheticantiferromagnetic Co/Pt pinned layer 査読有り

Takahiro Ogasawara, Mikihiko Oogane, Masakiyo Tsunoda, Yasuo Ando

Japanese Journal of AppliedPhysics　57　(11)　110308-1-110308-4　2018年10月

DOI： 10.7567/JJAP.57.110308 　
Large exchange coupling field in perpendicular synthetic antiferromagnetic structures with CoPt alloy 査読有り

Takahiro Ogasawara, Mikihiko Oogane, Masakiyo Tsunoda, Yasuo Ando

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　57　(8)　088004-1-088004-3　2018年7月

DOI： 10.7567/JJAP.57.088004 　
Fourfold symmetric anisotropic magnetoresistance in half-metallic Co2MnSi Heusler alloy thin films 査読有り

Mikihiko Oogane, Anthony P. McFadden, Yohei Kota, Tobias L. Brown-Heft, Masakiyo Tsunoda, Yasuo Ando, Chris J. Palmstrøm

Japanese Journal of Applied Physics　57　(6)　063001-1-063001-4　2018年6月1日
出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/JJAP.57.063001 　

ISSN：1347-4065 0021-4922
Low magnetic damping and large negative anisotropic magnetoresistance in half-metallic Co2-xMn1+xSi Heusler alloy films grown by molecular beam epitaxy 査読有り

M.Oogane, AP.McFadden, K.Fukuda, M.Tsunoda, Y.Ando, CJ. Palmstrom

APPLIED PHYSICS LETTERS　112　(26)　262407-1-262407-5　2018年6月

DOI： 10.1063/1.5030341 　
Annealing effect on interlayer exchange coupling in perpendicularly magnetized synthetic antiferromagnetic structure based on Co/Pd multilayers with ultrathin Ru spacer 査読有り

Takafumi Nakano, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　57　(7)　073001-1-073001-4　2018年6月

DOI： 10.7567/JJAP.57.073001 　
Magnetic-sensor performance evaluated from magneto-conductance curve in magnetic tunnel junctions using in-plane or perpendicularly magnetized synthetic antiferromagnetic reference layers 査読有り

T. Nakano, M. Oogane, T. Furuichi, Y. Ando

AIP Advances　8　(4)　045011-1-045011-6　2018年4月1日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.5027768 　

ISSN：2158-3226
TMRセンサを用いた脳磁図・心磁図の室温計測

藤原耕輔, 大兼幹彦, 菅野彰剛, 今田昌宏, 城野純一, 寺内孝, 奥野哲生, 有冨勇治, 橋本清文, 森川雅弘, 土田匡章, 中里信和, 安藤康夫

応用物理学会学術講演会講演予稿集　2018.1　2250-2250　2018年3月5日
出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会
DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_2250 　

eISSN：2436-7613
Realization of a Spin-Wave Switch Based on the Spin-Transfer-Torque Effect 査読有り

Thomas Meyer, Thomas Bracher, Frank Heussner, Alexander A. Serga, Hiroshi Naganuma, Koki Mukaiyama, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Burkard Hillebrands, Philipp Pirro

IEEE Magnetics Letters　9　3102005-1-3102005-5　2018年2月7日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/LMAG.2018.2803737 　

ISSN：1949-307X
Magnetocardiography and magnetoencephalography measurements at room temperature using tunnel magneto-resistance sensors 査読有り

Kosuke Fujiwara, Mikihiko Oogane, Akitake Kanno, Masahiro Imada, Junichi Jono, Takashi Terauchi, Tetsuo Okuno, Yuuji Aritomi, Masahiro Morikawa, Masaaki Tsuchida, Nobukazu Nakasato, Yasuo Ando

Applied Physics Express　11　(2)　023001-1-023001-4　2018年2月

DOI： 10.7567/APEX.11.023001 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Characterization of spin-transfer-torque effect induced magnetization dynamics driven by short current pulses 査読有り

T. Meyer, T. Brächer, F. Heussner, A. A. Serga, H. Naganuma, K. Mukaiyama, M. Oogane, Y. Ando, B. Hillebrands, P. Pirro

Applied Physics Letters　112　(2)　022401-1-022401-5　2018年1月8日
出版者・発行元： American Institute of Physics Inc.
DOI： 10.1063/1.5011721 　

ISSN：0003-6951
Structural and Magnetic Properties in Mn2VAl Full-Heusler Epitaxial Thin Films 査読有り

Kenji Fukuda, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　53　(11)　2017年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2017.2697078 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Observation of Magnetoresistance Effect in n-Type Non-Degenerate Germanium With Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler Alloy Electrodes 査読有り

Takeo Koike, Mikihiko Oogane, Tetsurou Takada, Hidekazu Saito, Yasuo Ando

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　53　(11)　2017年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2017.2704780 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Magnetic sensor based on serial magnetic tunnel junctions for highly sensitive detection of surface cracks 査読有り

Zhenhu Jin, Mikihiko Oogane, Kosuke Fujiwara, Yasuo Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　122　(17)　113903　2017年11月

DOI： 10.1063/1.5001098 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Micro-Focused Pulse Laser-Induced Propagating Spin Waves in Permalloy Films With Different Thicknesses 査読有り

Akira Kamimaki, Satoshi Iihama, Yuta Sasaki, Yasuo Ando, Shigemi Mizukami

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　53　(11)　4300604-1-4300604-1　2017年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2017.2707421 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
DC Bias Reversal Behavior of Spin-Torque Ferromagnetic Resonance Spectra in CoFeB/MgO/CoFeB Perpendicular Magnetic Tunnel Junction 査読有り

Tian Yu, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　53　(9)　1400205-1-1400205-5　2017年9月

DOI： 10.1109/TMAG.2017.2707081 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Wide-dynamic-range magnetic sensor based on magnetic tunnel junctions using perpendicularly magnetized synthetic antiferromagnetic reference layer 査読有り

T. Nakano, M. Oogane, T. Furuichi, Y. Ando

2017 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2017　2017年8月10日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/INTMAG.2017.8007558 　
Magnetic properties of ferrimagnetic (Mn1-xCox)2VAl full-Heusler epitaxial thin films 査読有り

K. Fukuda, M. Oogane, Y. Ando

2017 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2017　2017年8月10日
出版者・発行元： Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI： 10.1109/INTMAG.2017.8007971 　
CoFeAlB alloy with low damping and low magnetization as a candidate for spin transfer torque switching 査読有り

A. Conca, T. Nakano, T. Meyer, Y. Ando, B. Hillebrands

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　122　(7)　073902-1-073902-5　2017年8月

DOI： 10.1063/1.4998813 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Reciprocal excitation of propagating spin waves by a laser pulse and their reciprocal mapping in magnetic metal films 査読有り

A. Kamimaki, S. Iihama, Y. Sasaki, Y. Ando, S. Mizukami

PHYSICAL REVIEW B　96　(1)　014438-1-014438-11　2017年7月

DOI： 10.1103/PhysRevB.96.014438 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Thickness dependencies of structural and magnetic properties of cubic and tetragonal Heusler alloy bilayer films 査読有り

R. Ranjbar, K. Z. Suzuki, A. Sugihara, Y. Ando, T. Miyazaki, S. Mizukami

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　433　195-201　2017年7月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2017.03.018 　

ISSN：0304-8853

eISSN：1873-4766
Estimation of surface crack dimensional characteristics by an eddy current method using a single magnetic tunnel junction device 査読有り

Zhenhu Jin, Masahiko Abe, Mikihiko Oogane, Kousuke Fujiwara, Yasuo Ando

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　56　(7)　1-5　2017年7月

DOI： 10.7567/JJAP.56.073001 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
L1

Oogane Mikihiko, Watanabe Kenta, Saruyama Haruaki, Hosoda Masaki, Shahnaz Parvin, Kurimoto Yuta, Kubota Miho, Ando Yasuo

Jpn. J. Appl. Phys.　56　(8)　0802A2　2017年6月1日
出版者・発行元： Institute of Physics
DOI： 10.7567/JJAP.56.0802A2 　

ISSN：0021-4922

詳細を見る詳細を閉じる

L1<inf>0</inf>-ordered MnAl thin films were epitaxially grown by sputtering. The film composition dependences of structural and magnetic properties were systematically investigated in the MnAl thin films. Both the L1<inf>0</inf>-ordered parameter and the perpendicular magnetic anisotropy energy strongly depended on the composition of the MnAl thin films. The MnAl thin films with a Mn composition of 53–54 at. % showed both the highest L1<inf>0</inf>-ordered parameter and the perpendicular magnetic anisotropy. The substrate and annealing temperatures were optimized to improve the magnetic properties and surface morphology. We have fabricated MnAl thin films with both a very high K<inf>u</inf>of 12 × 10⁶erg/cm³and a small surface roughness of ca. 0.2 nm by optimizing the film composition and substrate and annealing temperatures. These results are useful guidelines for the fabrication of highly L1<inf>0</inf>-ordered MnAl thin films with a large perpendicular magnetic anisotropy.
Cobalt substituted L1

Watanabe Kenta, Oogane Mikihiko, Ando Yasuo

Jpn. J. Appl. Phys.　56　(8)　0802B1　2017年6月1日
出版者・発行元： Institute of Physics
DOI： 10.7567/JJAP.56.0802B1 　

ISSN：0021-4922

詳細を見る詳細を閉じる

The Co composition dependences of the structural and magnetic properties of L1<inf>0</inf>-(MnAl)<inf>1−</inf><inf>x</inf>Co<inf>x</inf>alloy films were investigated. The lattice constants of (MnAl)<inf>1−</inf><inf>x</inf>Co<inf>x</inf>films gradually changed with increasing Co content while maintaining the L1<inf>0</inf>-ordered structure below x = 0.08. The saturation magnetization gradually decreased with increasing Co content, and perpendicular magnetic anisotropy was observed below x = 0.08. In addition, Co substitution markedly improved the surface roughness of the films by decreasing the substrate temperature of (MnAl)<inf>1−</inf><inf>x</inf>Co<inf>x</inf>films. We found that both a high magnetic anisotropy and a small surface roughness can be obtained by the substitution of Co atoms into MnAl films.
Cobalt substituted L10-MnAl thin films with large perpendicular magnetic anisotropy 査読有り

Kenta Watanabe, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

Jpn. J. Appl. Phys.　2017年6月
L10-ordered MnAl thin films with high perpendicular magnetic anisotropy 招待有り査読有り

Mikihiko Oogane, Kenta Watanabe, Haruaki Saruyama, Masaki Hosoda, Parvin Shahnaz, Yuta Kurimoto, Miho Kubota, Yasuo Ando

Jpn. J. Appl. Phys.　2017年6月
Grain-Size-Dependent Low-Temperature Electrical Resistivity of Polycrystalline Co2MnAl Heusler Alloy Thin Films 査読有り

Resul Yilgin, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY AND NOVEL MAGNETISM　30　(6)　1577-1584　2017年6月

DOI： 10.1007/s10948-016-3957-5 　

ISSN：1557-1939

eISSN：1557-1947
All-optical detection of magnetization precession in tunnel junctions under applied voltage 査読有り

Yuta Sasaki, Kazuya Suzuki, Atsushi Sugihara, Akira Kamimaki, Satoshi Iihama, Yasuo Ando, Shigemi Mizukami

APPLIED PHYSICS EXPRESS　10　(2)　023002　2017年2月

DOI： 10.7567/APEX.10.023002 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Fabrication of orientation-controlled nanocomposite Nd2Fe14B/Mo/α–Fe multilayer films 査読有り

K. Kobayashi, D. Ogawa, K. Koike, H. Kato, M. Oogane, T. Miyazaki, Y. Ando, M. Itakura

Journal of Physics, Conference series　2017年
出版者・発行元： IOP Institute of Physics
Experimental Investigation of the Temperature-Dependent Magnon Density and Its Influence on Studies of Spin-Transfer-Torque-Driven Systems 査読有り

Thomas Meyer, Thomas Braecher, Frank Heussner, Alexander A. Serga, Hiroshi Naganuma, Koki Mukaiyama, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Burkard Hillebrands, Philipp Pirro

IEEE MAGNETICS LETTERS　8　318005　2017年

DOI： 10.1109/LMAG.2017.2734773 　

ISSN：1949-307X
Magnetic tunnel junctions using perpendicularly magnetized synthetic antiferromagnetic reference layer for wide-dynamic-range magnetic sensors 査読有り

T. Nakano, M. Oogane, T. Furuichi, Y. Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　110　(1)　012401　2017年1月

DOI： 10.1063/1.4973462 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Investigation of magnetic sensor properties of magnetic tunnel junctions with superparamagnetic free layer at low frequencies for biomedical imaging applications 査読有り

Kyohei Ishikawa, Mikihiko Oogane, Kousuke Fujiwara, Junichi Jono, Masaaki Tsuchida, Yasuo Ando

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(12)　123001　2016年12月

DOI： 10.7567/JJAP.55.123001 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
ナノスケール構造制御による高性能磁石創製への指針獲得招待有り

加藤宏朗, 小川大介, 小池邦博, 安藤康夫, 宮崎孝道, 板倉賢

電気学会研究会資料〜マグネティックス研究会〜　MAG-16　(178-196)　73-76　2016年11月28日
出版者・発行元：電気学会
Influence of L1(0) order parameter on Gilbert damping constants for FePd thin films investigated by means of time-resolved magneto-optical Kerr effect 査読有り

Satoshi Iihama, Akimasa Sakuma, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Shigemi Mizukami, Yasuo Ando

PHYSICAL REVIEW B　94　(17)　174425　2016年11月

DOI： 10.1103/PhysRevB.94.174425 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Fabrication of highly ordered Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler alloy films on Si substrates 査読有り

Takeo Koike, Mikihiko Oogane, Atsuo Ono, Yasuo Ando

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　55　(8)　088001　2016年8月

DOI： 10.7567/JJAP.55.088001 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Fermiology of possible topological insulator Tl0.5Bi2Te3 derived from hole-doped topological insulator 査読有り

C. X. Trang, Z. Wang, D. Takane, K. Nakayama, S. Souma, T. Sato, T. Takahashi, A. A. Taskin, Y. Ando

Phys. Rev. B　93　241103R　2016年7月1日

DOI： 10.1103/PhysRevB.93.241103 　
Quantification of a propagating spin-wave packet created by an ultrashort laser pulse in a thin film of a magnetic metal 査読有り

S. Iihama, Y. Sasaki, A. Sugihara, A. Kamimaki, Y. Ando, S. Mizukami

PHYSICAL REVIEW B　94　(2)　020401　2016年7月

DOI： 10.1103/PhysRevB.94.020401 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Magnetic Tunnel Junctions With [Co/Pd]-Based Reference Layer and CoFeB Sensing Layer for Magnetic Sensor 査読有り

Takafumi Nakano, Mikihiko Oogane, Takamoto Furuichi, Kenichi Ao, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　52　(7)　4001304　2016年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2016.2518188 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Magnetic field-controlled hysteresis loop bias in orthogonal exchange-spring coupling composite magnetic films 査読有り

Jun Jiang, Tian Yu, Rui Pan, Qin-Tong Zhang, Pan Liu, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Xiufeng Han

APPLIED PHYSICS EXPRESS　9　(6)　063003　2016年6月

DOI： 10.7567/APEX.9.063003 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Effect of annealing on Curie temperature and phase transition in La0.55Sr0.08Mn0.37O3 epitaxial films grown on SrTiO3 (100) substrates by reactive radio frequency magnetron sputtering 査読有り

T. Ichinose, H. Naganuma, T. Miyazaki, M. Oogane, Y. Ando, T. Ueno, N. Inami, K. Ono

Materials Characterization　118　37-43　2016年5月

DOI： 10.1016/j.matchar.2016.05.002 　
Structural and magnetic properties of cubic and tetragonal Heusler alloy bilayers 査読有り

R. Ranjbar, K. Suzuki, A. Sugihara, Q. L. Ma, X. M. Zhang, Y. Ando, T. Miyazaki, S. Mizukami

MATERIALS & DESIGN　96　490-498　2016年4月

DOI： 10.1016/j.matdes.2016.02.047 　

ISSN：0264-1275

eISSN：1873-4197
Observation of single-spin transport in an island-shaped CoFeB double magnetic tunnel junction prepared by magnetron sputtering 査読有り

Thamrongsin Siripongsakul, Hiroshi Naganuma, Andras Kovacs, Amit Kohn, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

PHILOSOPHICAL MAGAZINE　96　(4)　310-319　2016年2月

DOI： 10.1080/14786435.2015.1131343 　

ISSN：1478-6435

eISSN：1478-6443
19pPSB-43 パーマロイ薄膜におけるレーザー励起スピン波伝播と膜厚依存性

上牧瑛, 飯浜賢志, 佐々木悠太, 安藤康夫, 水上成美

日本物理学会講演概要集　71　1169-1169　2016年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_1169 　

ISSN：2189-079X
Controlling Magnetization Switching and DC Transport Properties of Magnetic Tunnel Junctions by Mircowave Injection 査読有り

Cheng Xin, Yu Guo Liu, Lin Shi, Tian Yu, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

7TH IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE (INEC) 2016　2016年

ISSN：2159-3523
Ultrafast demagnetization of L1(0) FePt and FePd ordered alloys 査読有り

Satoshi Iihama, Yuta Sasaki, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Shigemi Mizukami, Yasuo Ando

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　49　(3)　035002　2016年1月

DOI： 10.1088/0022-3727/49/3/035002 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Modification of the Interface Nanostructure and Magnetic Properties in Nd-Fe-B Thin Films 査読有り

Kunihiro Koike, Takanao Kusano, Daisuke Ogawa, Keisuke Kobayashi, Hiroaki Kato, Mikihiko Oogane, Takamichi Miyazaki, Yasuo Ando, Masaru Itakura

NANOSCALE RESEARCH LETTERS　11　33　2016年1月

DOI： 10.1186/s11671-016-1227-x 　

ISSN：1556-276X
Low frequency noise in magnetic tunneling junctions with Co40Fe40B20/Co70.5Fe4.5Si15B10 composite free layer 査読有り

Z. H. Yuan, J. F. Feng, Peng Guo, C. H. Wan, H. X. Wei, S. S. Ali, X. F. Han, T. Nakano, H. Naganuma, Y. Ando

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　398　215-219　2016年1月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2015.09.026 　

ISSN：0304-8853

eISSN：1873-4766
Antiferromagnetic coupling in perpendicularly magnetized cubic and tetragonal Heusler bilayers 査読有り

R. Ranjbar, K. Suzuki, A. Sugihara, Q. L. Ma, X. M. Zhang, T. Miyazaki, Y. Ando, S. Mizukami

Materials Letters　160　88-91　2015年12月

DOI： 10.1016/j.matlet.2015.07.118 　

ISSN：0167-577X
Systematic Investigation on Correlation Between Sensitivity and Nonlinearity in Magnetic Tunnel Junction for Magnetic Sensor 査読有り

Takafumi Nakano, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　51　(11)　4005104　2015年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2015.2448723 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Negative exchange coupling in Nd2Fe14B(100)/α-Fe interface 査読有り

Daisuke Ogawa, Kunihiro Koike, Shigemi Mizukami, Takamichi Miyazaki, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Hiroaki Kato

Appl. Phys. Lett.　2015年9月
Engineered Heusler Ferrimagnets with a Large Perpendicular Magnetic Anisotropy 査読有り

Reza Ranjbar, Kazuya Suzuki, Atsushi Sugihara, Terunobu Miyazaki, Yasuo Ando, Shigemi Mizukami

Materials　8　(9)　6531-6542　2015年9月

DOI： 10.3390/ma8095320 　

ISSN：1996-1944
Spintronics technology and device development 査読有り

Yasuo Ando

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　54　(7)　070101　2015年7月

DOI： 10.7567/JJAP.54.070101 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Intrinsic Gilbert damping constant in epitaxial Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler alloys films 査読有り

Augustin L. Kwilu, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Masashi Sahashi, Yasuo Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　117　(17)　17D140　2015年5月

DOI： 10.1063/1.4917334 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Interfacial exchange coupling in cubic Heusler Co(2)FeZ (Z = Al and Si)/tetragonal Mn3Ga bilayers 査読有り

R. Ranjbar, K. Suzuki, A. Sugihara, Q. L. Ma, X. M. Zhang, T. Miyazaki, Y. Ando, S. Mizukami

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　117　(17)　17A332　2015年5月

DOI： 10.1063/1.4918764 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Magnetic damping constant in Co-based full heusler alloy epitaxial films 査読有り

M. Oogane, T. Kubota, H. Naganuma, Y. Ando

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　48　(16)　164012-1-164012-7　2015年4月

DOI： 10.1088/0022-3727/48/16/164012 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
All-optical characterisation of the spintronic Heusler compound Co2Mn0.6Fe0.4Si 査読有り

Thomas Sebastian, Yuki Kawada, Bjoern Obry, Thomas Braecher, Philipp Pirro, Dmytro A. Bozhko, Alexander A. Serga, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Burkard Hillebrands

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　48　(16)　164015-1-164015-7　2015年4月

DOI： 10.1088/0022-3727/48/16/164015 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Impact of local order and stoichiometry on the ultrafast magnetization dynamics of Heusler compounds 査読有り

Daniel Steil, Oliver Schmitt, Roman Fetzer, Takahide Kubota, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Steven Rodan, Christian G. F. Blum, Benjamin Balke, Sabine Wurmehl, Martin Aeschlimann, Mirko Cinchetti

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　48　(16)　164016-1-164016-7　2015年4月

DOI： 10.1088/0022-3727/48/16/164016 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Probing the electronic and spintronic properties of buried interfaces by extremely low energy photoemission spectroscopy 査読有り

Roman Fetzer, Benjamin Stadtmueller, Yusuke Ohdaira, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Tomoyuki Taira, Tetsuya Uemura, Masafumi Yamamoto, Martin Aeschlimann, Mirko Cinchetti

SCIENTIFIC REPORTS　5　8537-1-8537-6　2015年2月

DOI： 10.1038/srep08537 　

ISSN：2045-2322
16pPSA-34 NiFe 薄膜における全光学的空間・時間分解磁気光学カー効果

飯浜賢志, 佐々木悠太, 安藤康夫, 水上成美

日本物理学会講演概要集　70　846-846　2015年
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_846 　

ISSN：2189-079X
生体磁場センサ応用に向けたホイスラー合金電極強磁性トンネル接合の作製

小野敦央, 大兼幹彦, 永沼博, 安藤康夫

生体医工学　53　S187_01-S187_01　2015年
出版者・発行元：一般社団法人日本生体医工学会
DOI： 10.11239/jsmbe.53.S187_01 　

詳細を見る詳細を閉じる

Magnetic tunnel junctions (MTJs) have great advantages for the magnetic field sensor applications. However, a significant improvement of tunnel magneto-resistance (TMR) ratio is needed to detect a small bio-magnetic field. In this study, we fabricated MTJs with half-metallic Co₂Fe_0.4Mn_0.6Si(CFMS) Heusler alloy which are expected to increase TMR ratio. The fabricated MTJswere annealed twice to achieve sensor-type TMR curves. Figure shows the 2nd annealing temperature dependence of TMR curves. In MTJ annealed at 200℃, TMR curve showed a linear resistance response, which is required for sensor applications. This work was supported by the S-Innovation program, Japan Science and Technology Agency (JST).
生体磁場計測に向けた強磁性トンネル接合センサの作製とノイズ特性

藤原耕輔, 大兼幹彦, 加藤大樹, 城野純一, 永沼博, 桂田弘之, 安藤康夫

生体医工学　53　S187_03-S187_03　2015年
出版者・発行元：一般社団法人日本生体医工学会
DOI： 10.11239/jsmbe.53.S187_03 　

詳細を見る詳細を閉じる

MTJ is a small size device, working in room temperature with low power consumption, and is expected to enable detection of bio-magnetic field without liquid He. For the purpose of practical realization of MTJ bio-magnetic sensor, this study evaluated the signal and noise with various MgO barrier thicknesses in MTJ to reduce 1/f noise in frequency domain. Figures show MgO thickness dependence of signal voltage, noise voltage and S/N ratio measured from 18 Hz, 120 nT_p-p input signal. Both signal and noise voltage increased with increasing MgO thickness. From this relation of signal and noise, maximum 154 S/N ratio was acquired by 2.2 nm MgO thickness.
Optimization of Domain Wall Oscillations in Magnetic Nanowires 査読有り

A. S. Demiray, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando

IEEE MAGNETICS LETTERS　6　3700104-1-3700104-4　2015年

DOI： 10.1109/LMAG.2014.2379629 　

ISSN：1949-307X
Electrical Detection of Millimeter-Waves by Magnetic Tunnel Junctions Using Perpendicular Magnetized L1(0)-FePd Free Layer 査読有り

Hiroshi Naganuma, G. Kirn, Yuki Kawada, Nobuhito Inami, Kenzo Hatakeyama, Satoshi Iihama, Khan Mohammed Nazrul Islam, Mikihiko Oogane, Shigemi Mizukami, Yasuo Ando

NANO LETTERS　15　(1)　623-628　2015年1月

DOI： 10.1021/nl504114v 　

ISSN：1530-6984

eISSN：1530-6992
Preparation of monoclinic 0.9(BiFeO3)-0.1(BiCoO3) epitaxial films on orthorhombic YAlO3 (100) substrates by r.f. magnetron sputtering 査読有り

T. Ichinose, H. Naganuma, K. Mukaiyama, M. Oogane, Y. Ando

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　409　18-22　2015年1月

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2014.09.044 　

ISSN：0022-0248

eISSN：1873-5002
Magnetization Dynamics and Damping for L10-FePd Thin Films with Perpendicular Magnetic Anisotropy 査読有り

S. Iihama, M. Khan, H. Naganuma, M. Oogane, T. Miyazaki, S. Mizukami, Y. Ando

J. Magn. Soc. Jpn.　39　(2)　57-61　2015年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/msjmag.1501R004 　

ISSN：1882-2924

詳細を見る詳細を閉じる

Magnetization dynamics and damping for FePd films were investigated using the all-optical time-resolved magneto-optical Kerr effect. We deposited 16-nm-thick FePd thin films on a single crystal MgO(001) substrate. Both in-plane magnetic anisotropy and perpendicular magnetic anisotropy (PMA) FePd films were fabricated using the magnetron sputtering method at various substrate temperatures T_s. The dependencies of magnetization dynamics on the external magnetic field angle at fixed external magnetic field strengths were analyzed. The effective damping constant, α_eff, for FePd films with PMA exhibited anisotropy, whereas the α_eff for FePd with in-plane magnetic anisotropy did not depend significantly on the field angle. A uniaxial crystalline magnetic anisotropy constant, K_u1, of 11 Merg/cm³ and a minimum for α_eff of 0.007 were observed for film prepared at T_s = 200°C. This α_eff value was much smaller than that for other Fe- and Co-based materials with large PMA such as L1₀-FePt alloy, Co/Pt(Pd) multilayers.
Penetration depth of transverse spin current in (001)-oriented epitaxial ferromagnetic films 査読有り

Augustin L. Kwilu, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　368　333-337　2014年11月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2014.05.043 　

ISSN：0304-8853

eISSN：1873-4766
Non-Gilbert-damping Mechanism in a Ferromagnetic Heusler Compound Probed by Nonlinear Spin Dynamics 査読有り

P. Pirro, T. Sebastian, T. Braecher, A. A. Serga, T. Kubota, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, B. Hillebrands

PHYSICAL REVIEW LETTERS　113　(22)　227601-1-227601-5　2014年11月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.113.227601 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Low precessional damping observed for L1(0)-ordered FePd epitaxial thin films with large perpendicular magnetic anisotropy 査読有り

S. Iihama, A. Sakuma, H. Naganuma, M. Oogane, T. Miyazaki, S. Mizukami, Y. Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　105　(14)　142403　2014年10月

DOI： 10.1063/1.4897547 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Present and perspective of bio-magnetic measurement using ferromagnetic tunnel junctions 査読有り

Y. Ando, T. Nishikawa, K. Fujiwara, M. Oogane, D. Kato, H. Naganuma

Transactions of Japanese Society for Medical and Biological Engineering　52　33-OS-34　2014年8月17日
出版者・発行元： Japan Soc. of Med. Electronics and Biol. Engineering
DOI： 10.11239/jsmbe.52.OS-33 　

ISSN：1347-443X 1881-4379
Fabrication of integrated magnetic tunnel junctions for detection of bio-magnetic field 査読有り

Kosuke Fujiwara, Mikihiko Oogane, Daiki Kato, Takuo Nishikawa, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

Transactions of Japanese Society for Medical and Biological Engineering　52　O-505-0-506　2014年8月17日
出版者・発行元： Japan Soc. of Med. Electronics and Biol. Engineering
DOI： 10.11239/jsmbe.52.O-505 　

ISSN：1347-443X 1881-4379
Correlations between atomic structure and giant magnetoresistance ratio in Co-2(Fe, Mn) Si spin valves 査読有り

L. Lari, K. Yoshida, P. L. Galindo, J. Sato, J. Sizeland, D. Gilks, G. M. Uddin, Z. Nedelkoski, P. J. Hasnip, A. Hirohata, M. Oogane, Y. Ando, V. K. Lazarov

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　47　(32)　322003-1-322003-5　2014年8月

DOI： 10.1088/0022-3727/47/32/322003 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Mode change of vortex core oscillation induced by large direct current in 120 nm sized current perpendicular-to-plane giant magnetoresistance devices with a perpendicular polarizer 査読有り

Yuki Kawada, Hiroshi Naganuma, Ahmet Serdar Demiray, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　105　(5)　052407　2014年8月

DOI： 10.1063/1.4892077 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Preparation of a heteroepitaxial LaxSryMnzO3/BiFeO3 bilayer by r.f. magnetron sputtering with various oxygen gas flow ratios 査読有り

H. Naganuma, T. Ichinose, H. A. Begum, S. Sato, X. F. Han, T. Miyazaki, In-T. Bae, M. Oogane, Y. Ando

AIP ADVANCES　4　(8)　087133　2014年8月

DOI： 10.1063/1.4893998 　

ISSN：2158-3226
Ultrafast magnetization dynamics in Co-based Heusler compounds with tuned chemical ordering 査読有り

D. Steil, O. Schmitt, R. Fetzer, T. Kubota, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, A. K. Suszka, O. Idigoras, G. Wolf, B. Hillebrands, A. Berger, M. Aeschlimann, M. Cinchetti

NEW JOURNAL OF PHYSICS　16　(6)　63068-1-63068-17　2014年6月

DOI： 10.1088/1367-2630/16/6/063068 　

ISSN：1367-2630
Magnetization dynamics for L1(0) MnGa/Fe exchange coupled bilayers 査読有り

S. Mizukami, T. Kubota, S. Iihama, R. Ranjbar, Q. Ma, X. Zhang, Y. Ando, T. Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17C119-1-17C119-3　2014年5月

DOI： 10.1063/1.4868087 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Spin-dependent transport behavior in C-60 and Alq(3) based spin valves with a magnetite electrode (invited) 招待有り査読有り

Xianmin Zhang, Shigemi Mizukami, Qinli Ma, Takahide Kubota, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　172608-1-172608-6　2014年5月

DOI： 10.1063/1.4870154 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Tunnel magnetoresistance effect using perpendicularly magnetized tetragonal and cubic Mn-Co-Ga Heusler alloy electrode 査読有り

T. Kubota, S. Mizukami, Q. L. Ma, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17C704-1-17C704-3　2014年5月

DOI： 10.1063/1.4855016 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Static and dynamic magnetic properties of cubic Mn-Co-Ga Heusler films 査読有り

A. S. Demiray, T. Kubota, S. Iihama, S. Mizukami, T. Miyazaki, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17D133-1-17D133-3　2014年5月

DOI： 10.1063/1.4864250 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Gilbert damping constants of Ta/CoFeB/MgO(Ta) thin films measured by optical detection of precessional magnetization dynamics 査読有り

Satoshi Iihama, Shigemi Mizukami, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

PHYSICAL REVIEW B　89　(17)　174416-1-174416-6　2014年5月

DOI： 10.1103/PhysRevB.89.174416 　

ISSN：1098-0121

eISSN：1550-235X
Effect of Dy/Nd double layer on coercivity in Nd-Fe-B thin films 査読有り

K. Koike, J. Umezawa, H. Ishikawa, D. Ogawa, Y. Mizuno, H. Kato, T. Miyazaki, Y. Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17A735　2014年5月

DOI： 10.1063/1.4866893 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Half-metal CPP GMR sensor for magnetic recording 査読有り

Z. Diao, M. Chapline, Y. Zheng, C. Kaiser, A. Ghosh Roy, C. J. Chien, C. Shang, Y. Ding, C. Yang, D. Mauri, Q. Leng, M. Pakala, M. Oogane, Y. Ando

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　356　73-81　2014年4月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2013.12.050 　

ISSN：0304-8853

eISSN：1873-4766
Abrupt Transition from Ferromagnetic to Antiferromagnetic of Interfacial Exchange in Perpendicularly Magnetized L1(0)- MnGa/FeCo Tuned by Fermi Level Position 査読有り

Q. L. Ma, S. Mizukami, T. Kubota, X. M. Zhang, Y. Ando, T. Miyazaki

PHYSICAL REVIEW LETTERS　112　(15)　157202-1-157202-5　2014年4月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.112.157202 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
Development of Integrated Magnetic Tunnel Junctions for Detection of Bio-magnetic Field

Nishikawa Takuo, Oogane Mikihiko, Fujiwara Kousuke, Kato Daiki, Naganuma Hiroshi, Ando Yasuo

生体医工学　52　O-503-O-503　2014年
出版者・発行元： Japanese Society for Medical and Biological Engineering
DOI： 10.11239/jsmbe.52.O-503 　

ISSN：1347-443X

詳細を見る詳細を閉じる

Although the biomagnetic field is useful to observe an organic activity and the superconducting quantum interference device (SQUID) is used to detect at the moment, there is a problem of needing a liquid helium in order to operate this SQUID. This research focuses attention on the ferromagnetic tunnel junction (MTJ) device which is operable in a room temperature, and aims at the reduction of the elements for using this MTJ device as a biomagnetic field sensor and the reduction of the circuit system noise.
Fabrication of Magnetic Tunnel Junctions with Amorphous CoFeSiB for the Bio-magnetic Field Sensor Devices

Kato Daiki, Oogane Mikihiko, Fujiwara Kosuke, Nishikawa Takuo, Naganuma Hiroshi, Ando Yasuo

生体医工学　52　O-504-O-504　2014年
出版者・発行元： Japanese Society for Medical and Biological Engineering
DOI： 10.11239/jsmbe.52.O-504 　

ISSN：1347-443X

詳細を見る詳細を閉じる

In magnetic tunnel junctions (MTJs), the resistance changes by external magnetic field through tunnel magnetoresistance (TMR) effect and MTJs can be applied to magnetic field sensors. To detect a small bio-magnetic field, we have to develop MTJs with high sensitivity (=TMR/2H_k, H_k: magnetic anisotropy field) of more than 100%/Oe, which is two digit larger than that of actual devices. In this work, MTJs with a low H_k CoFeSiB amorphous electrode was fabricated to realize such a highly sensitive magnetic sensor. After optimizing the preparation condition of CoFeSiB, a very high sensitivity of 40%/Oe was obtained. The result came much closer to our goal.
Spin and symmetry properties of the buried Co2MnSi/MgO interface 査読有り

R. Fetzer, Y. Ohdaira, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, T. Taira, T. Uemura, M. Yamamoto, M. Aeschlimann, M. Cinchetti

58th Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials, Abstracts　624 (GB-14)　2013年11月
Magnetic properties of L1(0)-Mn57Ga43/Co bilayer films with different Co thicknesses 査読有り

R. Ranjbar, S. Mizukami, Y. Ando, T. Kubota, Q. L. Ma, X. M. Zhang, T. Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　346　53-57　2013年11月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2013.07.008 　

ISSN：0304-8853
Spintronics-based integrated circuits and contribution to energy saving society

Hideo Ohno, Takahiro Hanyu, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh, Yasuo Ando, Naoki Kasai

Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers　96　(10)　771-775　2013年10月

ISSN：0913-5693
スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(<特別小特集>東北から明るい未来を創るICT技術) 査読有り

大野英男, 遠藤哲郎, 羽生貴弘, 安藤康夫, 笠井直記, 池田正二

電子情報通信学会誌　96　(10)　771-775　2013年10月1日
Fabrication of Magnetic Tunnel Junctions with Amorphous CoFeSiB Ferromagnetic Electrode for Magnetic Field Sensor Devices 査読有り

Daiki Kato, Mikihiko Oogane, Kosuke Fujiwara, Takuo Nishikawa, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

APPLIED PHYSICS EXPRESS　6　(10)　103004-1-103004-3　2013年10月

DOI： 10.7567/APEX.6.103004 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Tunneling magnetoresistance effect in MnGa based perpendicular magnetic tunnel junction with Fe/Co interlayer 査読有り

Qinli Ma, Shigemi Mizukami, Takahide Kubota, Xianmin Zhang, Atsushi Sugihara, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　114　(16)　163913-1-163913-3　2013年10月

DOI： 10.1063/1.4828483 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
The role of structure on magneto-transport properties of Heusler Co2MnSi films deposited on MgO(001) 査読有り

N. Tal, D. Mogilyanski, A. Kovacs, H. Naganuma, S. Tsunegi, M. Oogane, Y. Ando, A. Kohn

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　114　(16)　163904-1-163904-10　2013年10月

DOI： 10.1063/1.4826908 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Interface state and coercivity in Nd-Fe-B/Dy films 査読有り

Jin Umezawa, Yoshiki Sakai, Kunihiro Koike, Daisuke Ogawa, Yoshiyuki Mizuno, Hiroaki Kato, Takamichi Miyazaki, Yasuo Ando

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY　63　(3)　616-619　2013年8月

DOI： 10.3938/jkps.63.616 　

ISSN：0374-4884

eISSN：1976-8524
Evaluation of interlayer exchange coupling in alpha-Fe(100)/Nd2Fe14B(001) films 査読有り

Daisuke Ogawa, Kunihiro Koike, Hiroaki Kato, Shigemi Mizukami, Takamichi Miyazaki, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY　63　(3)　489-492　2013年8月

DOI： 10.3938/jkps.63.489 　

ISSN：0374-4884

eISSN：1976-8524
Evaluation of interlayer exchange coupling in α-Fe(100)/Nd2Fe14B(001) Films 査読有り

D. Ogawa, K. Koike, S. Mizukami, T. Miyazaki, M. Oogane, Y. Ando, H. Kato

J. Korean Phys. Soc.　63　(2)　0-0　2013年7月
Effect of Annealing Temperature on Structure and Magnetic Properties of L1(0)-FePd/CoFeB Bilayer 査読有り

M. N. I. Khan, H. Naganuma, N. Inami, M. Oogane, Y. Ando

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　49　(7)　4409-4412　2013年7月

DOI： 10.1109/TMAG.2013.2251612 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Observation of Precessional Magnetization Dynamics in L1(0)-FePt Thin Films with Different L1(0) Order Parameter Values 査読有り

Satoshi Iihama, Shigemi Mizukami, Nobuhito Inami, Takashi Hiratsuka, Gukcheon Kim, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Terunobu Miyazaki, Yasuo Ando

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　52　(7)　073002-1-073002-4　2013年7月

DOI： 10.7567/JJAP.52.073002 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Fabrication of L1(0)-Ordered MnAl Films for Observation of Tunnel Magnetoresistance Effect 査読有り

Haruaki Saruyama, Mikihiko Oogane, Yuta Kurimoto, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　52　(6)　063003-1-063003-4　2013年6月

DOI： 10.7567/JJAP.52.063003 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Magnetic and transport properties of tetragonal- or cubic-Heusler-type Co-substituted Mn-Ga epitaxial thin films 査読有り

T. Kubota, S. Ouardi, S. Mizukami, G. H. Fecher, C. Felser, Y. Ando, T. Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　113　(17)　17C723　2013年5月

DOI： 10.1063/1.4799143 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Interface tailoring effect on magnetic properties and their utilization in MnGa-based perpendicular magnetic tunnel junctions 査読有り

Q. L. Ma, T. Kubota, S. Mizukami, X. M. Zhang, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

PHYSICAL REVIEW B　87　(18)　184426-1-184426-18　2013年5月

DOI： 10.1103/PhysRevB.87.184426 　

ISSN：1098-0121
Detection of sub-nano-tesla magnetic field by integrated magnetic tunnel junctions with bottom synthetic antiferro-coupled free layer 査読有り

Kosuke Fujiwara, Mikihiko Oogane, Takuo Nishikawa, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

Japanese Journal of Applied Physics　52　(4)　04CM07-1-04CM07-4　2013年4月

DOI： 10.7567/JJAP.52.04CM07 　

ISSN：0021-4922 1347-4065
Magnetic tunnel junctions of perpendicularly magnetized L1(0)-MnGa/Fe/MgO/CoFe structures: Fe-layer-thickness dependences of magnetoresistance effect and tunnelling conductance spectra 査読有り

T. Kubota, Q. L. Ma, S. Mizukami, X. M. Zhang, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　46　(15)　155001　2013年4月

DOI： 10.1088/0022-3727/46/15/155001 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Structural and magnetic properties of L10-FePd/MgO films on GaAs and InP lattice mismatched substrates 査読有り

M. Kohda, S. Iimori, R. Ohsugi, H. Naganuma, T. Miyazaki, Y. Ando, J. Nitta

Applied Physics Letters　102　(10)　102411　2013年3月11日

DOI： 10.1063/1.4795443 　

ISSN：0003-6951
Nonlinear Emission of Spin-Wave Caustics from an Edge Mode of a Microstructured Co2Mn0.6Fe0.4Si Waveguide 査読有り

T. Sebastian, T. Braecher, P. Pirro, A. A. Serga, B. Hillebrands, T. Kubota, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando

PHYSICAL REVIEW LETTERS　110　(6)　067201-1-067201-5　2013年2月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.110.067201 　

ISSN：0031-9007
Tunnel magnetoresistance effect in tunnel junctions with Co2MnSi heusler alloy electrode and MgO barrier 査読有り

Yasuo Ando, Sumito Tsunegi, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Koki Takanashi

Spintronics: From Materials to Devices　355-366　2013年1月1日
出版者・発行元： Springer Netherlands
DOI： 10.1007/978-90-481-3832-6_17 　
Magnetoresistance enhancement in MnxGa 100 - X/MgO/CoFeB perpendicular magnetic tunnel junctions by using CoFeB interlayer 査読有り

Q. L. Ma, T. Kubota, S. Mizukami, X. M. Zhang, M. Oogane, H. Naganuma, Y. Ando, T. Miyazaki

IEEE Transactions on Magnetics　49　(7)　4339-4342　2013年

DOI： 10.1109/TMAG.2013.2242861 　

ISSN：0018-9464
Observation of a large spin-dependent transport length in organic Spin valves at room temperature 査読有り

Xianmin Zhang, Shigemi Mizukami, Takahide Kubota, Qinli Ma, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

Nature Communications　4　1392　2013年

DOI： 10.1038/ncomms2423 　

ISSN：2041-1723
Magnetic Properties of Single Crystalline Co2MnAl Heusler Alloy Thin Films 査読有り

Yilgin Resul, Sakuraba Yuya, Oogane Mikihiko, Ando Yasuo, Miyazaki Terunobu

JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY AND NOVEL MAGNETISM　25　(8)　2659-2663　2012年12月

DOI： 10.1007/s10948-011-1238-x 　

ISSN：1557-1939
Magnetic Properties andMagnetic Domain Structures Evolution Modulated by CoFeB Layer in [Pd/Co]/CoFeB/MgO/CoFeB/[Co/Pd] Perpendicular MTJ Films 査読有り

Tian Yu, Hiroshi Naganuma, D. W. Shi, Yasuo Ando, X. F. Han

IEEE Transactions on Magnetics　48　2812-2815　2012年10月19日

DOI： 10.1109/TMAG.2012.2198795 　
EVALUATION OF EXCHANGE COUPLING IN Nd2Fe14B/α-Fe INTERFACES

D. Ogawa, K. Koike, S. Mizukami, T. Miyazaki, M. Oogane, Y. Ando, H. Kato

Proceedings on 21st Workshop on Rare-Earth Permanent Magnets and their Applications (REPM'12)　2012年9月2日
COERCIVITY ENHANCEMENT PHENOMENA OBSERVED IN VARIOUS SERIES OF Nd2Fe14B/Nd FILMS

K. Koike, T. Kusano, D. Ogawa, Y. Mizuno, T. Miyazaki, Y. Ando, H. Kato

Proceedings on 21st Workshop on Rare-Earth Permanent Magnets and their Applications (REPM'12)　2012年9月2日
Effect of Mg interlayer on perpendicular magnetic anisotropy of CoFeB films in MgO/Mg/CoFeB/Ta structure 査読有り

Q. L. Ma, S. Iihama, T. Kubota, X. M. Zhang, S. Mizukami, Y. Ando, T. Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(12)　122414　2012年9月

DOI： 10.1063/1.4754118 　

ISSN：0003-6951
Enhancement of magnetoresistance using CoFe/Ru/CoFe synthetic ferrimagnetic pinned layer in BiFeO3 based spin-valves 査読有り

Hiroshi Naganuma, In-Tae Bae, Takamichi Miyazaki, Miho Kubota, Nobuhito Inami, Yuki Kawada, Mikihiko Oogane, Shigemi Mizukami, X. F. Han, Yasuo Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(7)　072901-1-072901-3　2012年8月

DOI： 10.1063/1.4745504 　

ISSN：0003-6951
Damping of Magnetization Precession in Perpendicularly Magnetized CoFeB Alloy Thin Films 査読有り

Satoshi Iihama, Qinli Ma, Takahide Kubota, Shigemi Mizukami, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS　5　(8)　083001　2012年8月

DOI： 10.1143/APEX.5.083001 　

ISSN：1882-0778
Magnetoresistance effect in L1(0)-MnGa/MgO/CoFeB perpendicular magnetic tunnel junctions with Co interlayer 査読有り

Q. L. Ma, T. Kubota, S. Mizukami, X. M. Zhang, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　101　(3)　032402-1-032402-3　2012年7月

DOI： 10.1063/1.4737000 　

ISSN：0003-6951
Nd2Fe14B/α-Fe界面における交換結合の評価

小川大介, 小池邦博, 水上成美, 大兼幹彦, 安藤康夫, 宮崎孝道, 加藤宏朗

信学技報　2012年6月14日
Observation of magnetic moments at the interface region in magnetic tunnel junctions using depth-resolved x-ray magnetic circular dichroism 査読有り

S. Tsunegi, Y. Sakuraba, K. Amemiya, M. Sakamaki, E. Ozawa, A. Sakuma, K. Takanashi, Y. Ando

Phys. Rev. B　85　180408-1-180408-4　2012年5月

DOI： 10.1103/PhysRevB.85.180408 　
Annealing Temperature and Co Layer Thickness Dependence of Magnetoresistance Effect for -MnGa/Co/MgO/CoFeB Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

Q. L. Ma, Takahide Kubota, Shigemi Mizukami, X. M. Zhang, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

IEEE Transactions on Magnetics　48　2808-2811　2012年4月16日

DOI： 10.1109/TMAG.2012.2196420 　
Electrical manipulation of spin polarization and generation of giant spin current using multi terminal spin injectors 査読有り

S. Nonoguchi, T. Nomura, Y. Ando, T. Kimura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3672245 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Fabrication of L1(0)-MnAl perpendicularly magnetized thin films for perpendicular magnetic tunnel junctions 査読有り

Masaki Hosoda, Mikihiko Oogane, Miho Kubota, Takahide Kubota, Haruaki Saruyama, Satoshi Iihama, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　07A324-1-07A324-3　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3676428 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Promotion of L1(0) ordering of FePd films with amorphous CoFeB thin interlayer 査読有り

M. N. I. Khan, N. Inami, H. Naganuma, Y. Ohdaira, M. Oogane, Y. Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　07C112-1-07C112-3　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3673409 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Dependence of Tunnel Magnetoresistance Effect on Fe Thickness of Perpendicularly Magnetized L1(0)-Mn62Ga38/Fe/MgO/CoFe Junctions 査読有り

Takahide Kubota, Qinli Ma, Shigemi Mizukami, Xianmin Zhang, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS　5　(4)　043003-1-043003-3　2012年4月

DOI： 10.1143/APEX.5.043003 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Fabrication of magnetic tunnel junctions with a bottom synthetic antiferro-coupled free layers for high sensitive magnetic field sensor devices 査読有り

Kosuke Fujiwara, Mikihiko Oogane, Saeko Yokota, Takuo Nishikawa, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　07C710-1-07C710-3　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3677266 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Dependence of spin-transfer switching characteristics in magnetic tunnel junctions with synthetic free layers on coupling strength 査読有り

Masayuki Nishimura, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Nobuhito Inami, Tadashi Morita, Yasuo Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　07C905-1-07C905-3　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3672240 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Large change of perpendicular magnetic anisotropy in Cobalt ultrathin film induced by varying capping layers 査読有り

Xianmin Zhang, Shigemi Mizukami, Takahide Kubota, Qinli Ma, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　07B320-1-07B320-3　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3676240 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Annealing temperature dependence of exchange bias in BiFeO3/CoFe bilayers 査読有り

T. Yu, H. Naganuma, W. X. Wang, Y. Ando, X. F. Han

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　111　(7)　07D908-1-07D908-3　2012年4月

DOI： 10.1063/1.3673435 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Low-damping spin-wave propagation in a micro-structured Co2Mn0.6Fe0.4Si Heusler waveguide 査読有り

T. Sebastian, Y. Ohdaira, T. Kubota, P. Pirro, T. Braecher, K. Vogt, A. A. Serga, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, B. Hillebrands

APPLIED PHYSICS LETTERS　100　(11)　112402-1-112402-3　2012年3月

DOI： 10.1063/1.3693391 　

ISSN：0003-6951
Evaluation of Exchange Coupling in α-Fe(100)/Nd2Fe14B(001) Interface 査読有り

D. Ogawa, K. Koike, N. Mizukami, K. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki, H. Kato

Journal of magnetics society of Japan　36　(1)　5-12　2012年1月
Composition dependence of magnetic properties in perpendicularly magnetized epitaxial thin films of Mn-Ga alloys 査読有り

S. Mizukami, T. Kubota, F. Wu, X. Zhang, T. Miyazaki, H. Naganuma, M. Oogane, A. Sakuma, Y. Ando

PHYSICAL REVIEW B　85　(1)　014416-1-014416-6　2012年1月

DOI： 10.1103/PhysRevB.85.014416 　

ISSN：1098-0121
The magnetic and structural properties of Co2MnSi Heusler alloy thin films on the orientation of Ge substrate 査読有り

M. A. I. Nahid, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

Phys. Status Solidi A　208　675-378　2011年12月6日

DOI： 10.1002/pssa.201026569 　
Composition dependence of magnetoresistance effect and its annealing endurance in tunnel junctions having Mn-Ga electrode with high perpendicular magnetic anisotropy 査読有り

Takahide Kubota, Masaaki Araidai, Shigemi Mizukami, Xianmin Zhang, Qinli Ma, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Masaru Tsukada, Terunobu Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(19)　192509-1-192509-3　2011年11月

DOI： 10.1063/1.3659484 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Large Magnetoresistance Effect in Epitaxial Co2Fe0.4Mn0.6Si/Ag/Co2Fe0.4Mn0.6Si Devices 査読有り

Jo Sato, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

APPLIED PHYSICS EXPRESS　4　(11)　113005-1-113005-3　2011年11月

DOI： 10.1143/APEX.4.113005 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Transport Properties of Pure Spin Currents in a Polycrystalline Gd Wire 査読有り

S. Nonoguchi, Y. Ando, S. Yakata, T. Kimura

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　47　(10)　2750-2752　2011年10月

DOI： 10.1109/TMAG.2011.2158407 　

ISSN：0018-9464
Interface effects on perpendicular magnetic anisotropy for molecular-capped cobalt ultrathin films 査読有り

Xianmin Zhang, Shigemi Mizukami, Takahide Kubota, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(16)　162509-1-162509-3　2011年10月

DOI： 10.1063/1.3651766 　

ISSN：0003-6951
Time-Resolved Kerr Effect in Very Thin Films of CoCrPt Alloys 査読有り

Shigemi Mizukami, Daisuke Watanabe, Takahide Kubota, X. Zhang, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, T. Miyazaki

IEEE Transaction on Magnetics　47　(10)　3897-38900　2011年9月23日

DOI： 10.1109/TMAG.2011.2154357 　
Spin Transport in Co/Al2O3 Alq3 Co Organic Spin Valve 査読有り

Xianmin Zhang, Shigemi Mizukami, Takahide Kubota???, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　47　(10)　2649-2651　2011年9月
Spin transistor using magnetic tunnel junctions with half-metallic Co2MnSi Heusler alloy electrodes 査読有り

Y. Ohdaira, M. Oogane, H. Naganuma, Y. Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(13)　132513-1-132513-3　2011年9月

DOI： 10.1063/1.3645637 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Quadratic magneto-optical Kerr effect in Co2MnSi 査読有り

Georg Wolf, Jaroslav Hamrle, Simon Trudel, Takahide Kubota, Yasuo Ando, Burkard Hillebrands

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　110　(4)　043904-1-043904-5　2011年8月

DOI： 10.1063/1.3622512 　

ISSN：0021-8979
Fabrication of MgO-based magnetic tunnel junctions for subnanosecond spin transfer switching 査読有り

Tatsuya Aoki, Yasuo Ando, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma

Journal of Physics: conference serise　266　012086　2011年7月

DOI： 10.1088/1742-6596/266/1/012086 　
The perpendicular anisotropy of Co40Fe40B20 sandwiched between Ta and MgO layers and its application in CoFeB/MgO/CoFeB tunnel junction 査読有り

W. X. Wang, Y. Yang, H. Naganuma, Y. Ando, R. C. Yu, X. F. Han

APPLIED PHYSICS LETTERS　99　(1)　012502-1-012502-3　2011年7月

DOI： 10.1063/1.3605564 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Effect of metallic Mg insertion on the magnetoresistance effect in MgO-based tunnel junctions using D0(22)-Mn3-delta Ga perpendicularly magnetized spin polarizer 査読有り

Takahide Kubota, Shigemi Mizukami, Daisuke Watanabe, Feng Wu, Xianmin Zhang, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　110　(1)　013915-1-013915-5　2011年7月

DOI： 10.1063/1.3603034 　

ISSN：0021-8979
Fabrication of Multiferroic Co-Substituted BiFeO3 Epitaxial Films on SrTiO3 (100) Substrates by Radio Frequency Magnetron Sputtering 査読有り

Husne Ara Begum, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

Materials　4　1087-1095　2011年6月9日

DOI： 10.3390/ma4061087 　
The effect of film and interface structure on the transport properties of Heusler based current-perpendicular-to-plane spin valves 査読有り

V. K. Lazarov, K. Yoshida, J. Sato, P. J. Hasnip, M. Oogane, A. Hirohata, Y. Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　98　(24)　242508-1-242508-3　2011年6月

DOI： 10.1063/1.3600792 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Magnetoresistance Effect in Tunnel Junctions with Perpendicularly Magnetized D0₂₂-Mn_3-δGa Electrode and MgO Barrier 査読有り

Yoshio Miura, Daisuke Watanabe, Shigemi Mizukami, Feng Wu, Hiroshi Naganuma, Xianmin Zhang, Mikihiko Oogane, Masafumi Shirai, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

Appl. Phys. Exp　4　(4)　043002-1-043002-3　2011年4月

DOI： 10.1143/APEX.4.043002 　

ISSN：1882-0778
Exchange biases of Co, Py, Co40Fe40B20, Co75Fe25, and Co50Fe50 on epitaxial BiFeO3 films prepared by chemical solution deposition 査読有り

Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　109　(7)　07D736-1-07D736-3　2011年4月

DOI： 10.1063/1.3563061 　

ISSN：0021-8979
Long-Lived Ultrafast Spin Precession in Manganese Alloys Films with a Large Perpendicular Magnetic Anisotropy 査読有り

S. Mizukami, F. Wu, A. Sakuma, J. Walowski, D. Watanabe, T. Kubota, X. Zhang, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

PHYSICAL REVIEW LETTERS　106　(11)　117201-1-117201-4　2011年3月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.106.117201 　

ISSN：0031-9007
Pressure-induced half-metallic gap transformation in Co2MnSi observed by tunneling conductance spectroscopy 査読有り

M. Nobori, T. Nakano, J. Hasegawa, G. Oomi, Y. Sakuraba, K. Takanashi, Y. Miura, Y. Ohdaira, Y. Ando

PHYSICAL REVIEW B　83　(10)　104410-1-104410-6　2011年3月

DOI： 10.1103/PhysRevB.83.104410 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
The effect of inserting thin Co2MnAl layer into the Co2MnSi/MgO interface on tunnel magnetoresistance effect 査読有り

E. Ozawa, S. Tsunegi, M. Oogane, H. Naganuma, Y. Ando

Journal ofPhysics:ConferenceSeries　266　012104-1-012104-4　2011年1月28日

DOI： 10.1088/1742-6596/266/1/012104 　
Magnetoresistance Effect in Co2MnSi/semimetallic-Fe2VAl/CoFe Junctions 査読有り

T Kubota, M Oogane, S Mizukami, H Naganuma, Y Ando, T Miyazaki

Journal ofPhysics:ConferenceSeries　266　012096-1-012096-5　2011年1月28日

DOI： 10.1088/1742-6596/266/1/012096 　
Influence of composition on structure and magnetic properties of epitaxial Mn-Ga films 査読有り

F Wu, S Mizukami, D Watanabe, H Naganuma, M Oogane, Y Ando, T Miyazaki

Journal of Physics: Conference Series　266　012112-1-012112-5　2011年1月28日

DOI： 10.1088/1742-6596/266/1/012112 　
Laser-induced fast magnetization precession and Gilbert damping for CoCrPt alloy thin films with perpendicular magnetic anisotropy 査読有り

Shigemi Mizukami, Daisuke Watanabe, Takahide Kubota, Xianmin Zhang, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

Applied physics express　3　123001-1-123001-3　2011年
Gilbert Damping in Ni/Co Multilayer Films Exhibiting Large Perpendicular Anisotropy 査読有り

Shigemi Mizukami, Xianmin Zhang, Takahide Kubota, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

Applied Physics Express 4 (2011) 013005　4　(1)　13005-013005-3　2011年
出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.1143/APEX.4.013005 　

ISSN：1882-0778

詳細を見る詳細を閉じる

Gilbert damping is reported in perpendicularly magnetized Ni/Co multilayer films with Pt buffer and capping layers, and investigated through the time-resolved magneto-optical Kerr effect under various applied magnetic field strengths and directions. Both damping constant $\alpha$ and perpendicular magnetic anisotropy energy $K_{\text{u } }$ depend strongly on layer thickness and bilayer periodicity, and rise to approximately 0.08 and 8 Merg/cm3, respectively. The Gilbert damping rate depends linearly on inverse multilayer thickness, indicating that large damping in the Ni/Co multilayers stems from its interfaces in contact with the Pt layers.
Influence of Pt Doping on Gilbert Damping in Permalloy Films and Comparison with the Perpendicularly Magnetized Alloy Films 査読有り

Shigemi Mizukami, Takahide Kubota, Xianmin Zhang, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics 50 (2011) 103003　50　(10)　103003-103003-5　2011年
出版者・発行元： Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
DOI： 10.1143/JJAP.50.103003 　

ISSN：0021-4922

詳細を見る詳細を閉じる

Effects of Pt doping on magnetic properties and Gilbert damping are investigated for Ni80Fe20 permalloy films to compare with damping in alloy films containing Pt with a large perpendicular anisotropy. Gilbert damping constant \alpha and g-factor g for (Ni80Fe20)100-xPtx (x = 0{\mbox{-- } }34 at. %) are evaluated from out-of-plane angular variations of ferromagnetic resonance (FMR) linewidth and resonance field with an analysis based on the Landau--Lifshitz--Gilbert equation. Data of angular dependence of the FMR linewidth are fitted reasonably well by a theoretical model without having to take into account any extrinsic influences on linewidth, thereby allowing us to determine precise values of \alpha. The \alpha values show variation with increasing Pt concentration rising by {\sim}0.06 at a Pt concentration of 34 at. %, which is very close to those in perpendicularly magnetized CoCrPt and FePt film reported recently. Nevertheless, Gilbert damping rate G for the Pt doped permalloy films is smaller than those in CoCrPt and FePt films. These experimental results are discussed with a spin--orbit torque theory.
Fast magnetization precession observed in L1(0)-FePt epitaxial thin film 査読有り

S. Mizukami, S. Iihama, N. Inami, T. Hiratsuka, G. Kim, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　98　(5)　052501-1-052501-3　2011年1月

DOI： 10.1063/1.3549704 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Fabrication of Magnetic Tunnel Junctions with a Synthetic Ferrimagnetic Free Layer for Magnetic Field Sensor Applications 査読有り

Kousuke Fujiwara, Mikihiko Oogane, Futoyoshi Kou, Daisuke Watanabe, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　50　(1)　013001-1-013001-3　2011年1月

DOI： 10.1143/JJAP.50.013001 　

ISSN：0021-4922
Retraction: ‘‘Large Tunnel Magnetoresistance of 1056% at Room Temperature in MgO Based Double Barrier Magnetic Tunnel Junction’’ [Appl. Phys. Express 2 (2009) 083002] 査読有り

Hiroshi Naganuma, Lixian Jiang, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

Applied Physics Express　4　(1)　019201-019201　2010年12月16日
出版者・発行元： The Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.1143/APEX.4.019201 　

ISSN：1882-0778
Band-Structure-Dependent Demagnetization in the Heusler Alloy Co2Mn1-xFexSi 査読有り

Daniel Steil, Sabine Alebrand, Tobias Roth, Michael Krauss, Takahide Kubota, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Hans Christian Schneider, Martin Aeschlimann, Mirko Cinchetti

PHYSICAL REVIEW LETTERS　105　(21)　217202-1-217202-4　2010年11月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.105.217202 　

ISSN：0031-9007
Ferromagnetic resonance investigation of exchange coupling in Nd2Fe14B/α-Fe interfaces

D. Ogawa, K. Koike, T. Miyazaki, S. Mizukami, T. Akiya, M. Oogane, Y. Ando, H. Kato

Proc. on the 21th International Workshop on Rare-earth Permanent Magnets and their Applications　2010年8月28日
Structural characterization of epitaxial multiferroic BiFeO3 films grown on SrTiO3 (100) substrates by crystallizing amorphous Bi-Fe-O-x 査読有り

Hiroshi Naganuma, Takamichi Miyazaki, Akihiko Ukachi, Mikihiko Oogane, Shigemi Mizukami, Yasuo Ando

JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN　118　(1380)　648-651　2010年8月

DOI： 10.2109/jcersj2.118.648 　

ISSN：1882-0743

eISSN：1348-6535
Gilbert magnetic damping constant of epitaxially grown Co-based Heusler alloy thin films 査読有り

M. Oogane, T. Kubota, Y. Kota, S. Mizukami, H. Naganuma, A. Sakuma, Y. Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(25)　252501-1-252501-3　2010年6月

DOI： 10.1063/1.3456378 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Structural and Magnetic Properties of Perpendicular Magnetized Mn2.5Ga Epitaxial Films 査読有り

F. Wu, S. Mizukami, D. Watanabe, E. P. Sajitha, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　46　(6)　1863-1865　2010年6月

DOI： 10.1109/TMAG.2010.2045108 　

ISSN：0018-9464
Fabrication of perpendicularly magnetized magnetic tunnel junctions with [formula omitted] hybrid electrode 査読有り

T. Hiratsuka, G. Kim, Y. Sakuraba, T. Kubota, K. Kodama, N. Inami, H. Naganuma, M. Oogane, T. Nakamura, K. Takanashi, Y. Ando

Journal of Applied Physics　107　(9)　2010年5月1日

DOI： 10.1063/1.3358239 　

ISSN：1089-7550 0021-8979

eISSN：1089-7550
Fabrication of perpendicularly magnetized magnetic tunnel junctions with L1(0)-CoPt/Co2MnSi hybrid electrode 査読有り

T. Hiratsuka, G. Kim, Y. Sakuraba, T. Kubota, K. Kodama, N. Inami, H. Naganuma, M. Oogane, T. Nakamura, K. Takanashi, Y. Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　107　(9)　09C714-1-09C714-3　2010年5月

DOI： 10.1063/1.3358239 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Reproducible trajectory on subnanosecond spin-torque magnetization switching under a zero-bias field for MgO-based ferromagnetic tunnel junctions 査読有り

Tatsuya Aoki, Yasuo Ando, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(14)　142502-1-142502-3　2010年4月

DOI： 10.1063/1.3380595 　

ISSN：0003-6951
Gilbert damping in perpendicularly magnetized Pt/Co/Pt films investigated by all-optical pump-probe technique 査読有り

S. Mizukami, E. P. Sajitha, D. Watanabe, F. Wu, T. Miyazaki, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(15)　152502-1-152502-3　2010年4月

DOI： 10.1063/1.3396983 　

ISSN：0003-6951
Evidence of Fermi level control in a half-metallic Heusler compound Co2MnSi by Al-doping: Comparison of measurements with first-principles calculations 査読有り

Y. Sakuraba, K. Takanashi, Y. Kota, T. Kubota, M. Oogane, A. Sakuma, Y. Ando

PHYSICAL REVIEW B　81　(14)　144422-1-144422-5　2010年4月

DOI： 10.1103/PhysRevB.81.144422 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Epitaxial growth of Co2MnSi thin films at the vicinal surface of n-Ge(111) substrate 査読有り

M. A. I. Nahid, M. Oogane, H. Naganuma, Y. Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(14)　142501-1-142501-3　2010年4月

DOI： 10.1063/1.3378986 　

ISSN：0003-6951
フェリ磁性ホイスラー合金Mn₂VAlエピタキシャル薄膜の元素選択的磁気特性評価査読有り

児玉兼司, 中村哲也, 桜庭裕弥, 大兼幹彦, 永沼博, 高梨弘毅, 安藤康夫

日本磁気学会誌　34　(2)　100-106　2010年4月
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/msjmag.1002R0004 　

ISSN：1882-2924

詳細を見る詳細を閉じる

We successfully fabricated L2₁-ordered Mn₂VAl Heusler thin films and evaluated their ferrimagnetic properties by soft x-ray magnetic circular dichroism (XMCD). The buffer layers and annealing temperatures were varied to prepare the Mn₂VAl films. We discovered that Mn₂VAl could be ordered in an L2₁ phase well when it was deposited directly onto an MgO (001) single crystalline substrate. The maximum values of L2₁ and B2 long-range order parameters we obtained were about 0.5 for both phases for samples without a buffer layer, when substrates were heated at 500°C or 600°C. The saturation magnetization (M_s) for these samples was roughly 150 emu/cc. This is rather small compared to that expected from the ideal Slater-Pauling behavior, which might be due to the suppressed degree of L2₁ or B2 ordering. Ferrimagnetism in the Mn₂VAl, ferrimagnetic coupling between Mn and V moments was clearly observed by using the XMCD technique in well-ordered L2₁-Mn₂VAl film as has been predicted in theoretical investigations.
MgO障壁を用いたFePt垂直磁化トンネル磁気抵抗素子の磁気抵抗特性および極微構造査読有り

永沼博, 平塚喬士, 金国天, 宮﨑孝道, 佐藤和久, 今野豊彦, 大兼幹彦, 安藤康夫

日本磁気学会誌　34　(3)　293-296　2010年4月
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/msjmag.1003R047 　

ISSN：1882-2924

詳細を見る詳細を閉じる

Perpendicularly magnetized magnetic tunnel junctions (MTJs) were fabricated by depositing thin L1₀-ordered FePt films on MgO(001) substrates using a UHV sputtering system, and the dependence of structural, magnetic, and magnetotransport properties of the junctions on the thickness of the FePt layers was investigated. A full epitaxial structure of MgO(001) sub./Cr/Pt/FePt/MgO/CoPt/Ta was observed. The tunnel magnetoresistance (TMR) ratio was measured to be 6% at room temperature, and magnetization switching was clearly observed in the thin FePt layer. Transmission electron microscopy (TEM) observations revealed that the interface between FePt, MgO, and CoPt layer has strain due to lattice mismatch, which might be a reason for the low TMR ratio.
Investigation of spin-dependent transport properties and spin-spin interactions in a CuPc-Co nano-composite system 査読有り

Z.Tang, S.Tanabe, D.Hatanaka, T.Nozaki, T.Shinjo, S.Mizukami, Y.Ando, Y.Suzuki, M.Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics　Vol.49,　133002-1-4　2010年3月

DOI： 10.1143/JJAP.49.033002 　
Optically induced magnetization dynamics and variation of damping parameter in epitaxial Co2MnSi Heusler alloy films 査読有り

Y. Liu, L. R. Shelford, V. V. Kruglyak, R. J. Hicken, Y. Sakuraba, M. Oogane, Y. Ando

PHYSICAL REVIEW B　81　(9)　094402-1-094402-12　2010年3月

DOI： 10.1103/PhysRevB.81.094402 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Co-concentration dependence of half-metallic properties in Co–Mn–Si epitaxial films 査読有り

Y. Sakuraba, N. Hirose, M. Oogane, T. Nakamura, Y. Ando, K. Takanashi

Appl. Phys. Lett　96　(9)　092511-1-092511-3　2010年3月

DOI： 10.1063/1.3330942 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Note: Probing quadratic magneto-optical Kerr effects with a dual-beam system 査読有り

Simon Trudel, Georg Wolf, Helmut Schultheiss, Jaroslav Hamrle, Burkard Hillebrands, Takahide Kubota, Yasuo Ando

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS　81　(2)　026105-1-026105-3　2010年2月

DOI： 10.1063/1.3276715 　

ISSN：0034-6748
Optimization of interface condition for efficient spin injection in Permalloy/Cu lateral spin valve 査読有り

S. Yakata, Y. Ando, T. Kimura

TENCON 2010: 2010 IEEE REGION 10 CONFERENCE　126-128　2010年

DOI： 10.1109/TENCON.2010.5685852 　

ISSN：0886-1420
Synthetic CoFeB/Ru/NiFe free layer on MgO barrier layer for spin transfer switching 査読有り

Takuya Ono, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

J. Phys.: Conf. Ser.　2010年

DOI： 10.1088/1742-6596/200/6/062019 　
Spin transistor based on double tunnel junctions using half-metallic Co2MnSi electrodes 査読有り

Yusuke Ohdaira, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

J. Phys.: Conf. Ser.　2010年

DOI： 10.1088/1742-6596/200/5/052019 　
Dynamic Magnetic Intermediate State during Nanosecond Spin Transfer Switching for MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions 査読有り

Tatsuya Aoki, Yasuo Ando, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma

Applied Physics Express　3　(5)　53002-053002-3　2010年
出版者・発行元： Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.1143/APEX.3.053002 　

ISSN：1882-0778

詳細を見る詳細を閉じる

We report for the first time that the dynamic magnetic intermediate state (DMI) was observed at a speed of several ns during spin transfer switching for MgO-based magnetic tunnel junctions (MTJs). The DMI was observed as slow resistance oscillation at the center of the parallel to anti-parallel state by single shot time domain measurements. The DMI is observable at certain current amplitudes. The outbreak probability decreases with further current increase. We concluded that the DMI originates from inhomogeneous magnetization behavior. On the other hand, previous single shot time domain measurements have shown only for single-domain-like magnetization behavior.
Magnetization Dynamics in CoFeB Buffered Perpendicularly Magnetized Co/Pd Multilayer 査読有り

Sajitha, E.P, Walowski, J, Watanabe, D, Mizukami, S, Feng Wu, Naganuma, H, Oogane, M, Ando, Y, Miyazaki, T

IEEE Transactions on Magnetics　2010年

DOI： 10.1109/TMAG.2009.2038929 　
The Effect of Doping Concentration of Si on the Nature of Barrier of CoMnSi/MgO/n-Si Junctions 査読有り

Nahid, M.A.I, Oogane, M, Naganuma, H, Ando, Y

IEEE Transactions on Magnetics　2010年

DOI： 10.1109/TMAG.2010.2043223 　
Spin-transfer Switching in Magnetic Tunnel Junctions with Synthetic Ferri-magnetic Free Layer 査読有り

M. Nishimura, M. Oogane, H. Naganuma, N. Inami, S. Ikeda, H. Ohno, Y. Ando

INTERNATIONAL CONFERENCE ON MAGNETISM (ICM 2009)　200　052018-1-052018-4　2010年

DOI： 10.1088/1742-6596/200/5/052018 　

ISSN：1742-6588
High efficient spin transfer torque writing on perpendicular magnetic tunnel junctions for high density MRAMs 査読有り

Hiroaki Yoda, Tatsuya Kishi, Toshihiko Nagase, Masatoshi Yoshikawa, Katsuya Nishiyama, Eiji Kitagawa, Tadaomi Daibou, Minoru Amano, Naoharu Shimomura, Shigeki Takahashi, Tadashi Kai, Masahiko Nakayama, Hisanori Aikawa, Sumio Ikegawa, Makoto Nagamine, Junichi Ozeki, Shigemi Mizukami, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Shinji Yuasa, Kei Yakushiji, Hitoshi Kubota, Yoshishige Suzuki, Yoshinobu Nakatani, Terunobu Miyazaki, Koji Ando

CURRENT APPLIED PHYSICS　10　(1)　E87-E89　2010年1月

DOI： 10.1016/j.cap.2009.12.021 　

ISSN：1567-1739

eISSN：1878-1675
Electrical transport properties of perpendicular magnetized Mn-Ga epitaxial films 査読有り

Feng Wu, E. P. Sajitha, Shigemi Mizukami, Daisuke Watanabe, Terunobu Miyazaki, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　96　(4)　042505-1-042505-3　2010年1月

DOI： 10.1063/1.3298363 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Ultrafast Demagnetization for Ni80Fe20 and Half-metallic Co2MnSi Heusler Alloy Films 査読有り

S. Mizukami, S. Tunegi, T. Kubota, M. Oogane, D. Watanabe, H. Naganuma, Y. Ando, T. Miyazaki

INTERNATIONAL CONFERENCE ON MAGNETISM (ICM 2009)　200　042017-1-042017-4　2010年

DOI： 10.1088/1742-6596/200/4/042017 　

ISSN：1742-6588
Structural, Magnetic, and Magnetotransport Properties of FePt/MgO/CoPt Perpendicularly Magnetized Tunnel Junctions 査読有り

N. Inami, G. Kim, T. Hiratsuka, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando

INTERNATIONAL CONFERENCE ON MAGNETISM (ICM 2009)　200　052008-1-052008-4　2010年

DOI： 10.1088/1742-6596/200/5/052008 　

ISSN：1742-6588
Magnetotransport properties of CoFeB/MgO/CoFe/MgO/CoFeB double barrier magnetic tunnel junctions with large negative magnetoresistance at room temperature 査読有り

L. X. Jiang, H. Naganuma, M. Oogane, K. Fujiwara, T. Miyazaki, K. Sato, T. J. Konno, S. Mizukami, Y. Ando

INTERNATIONAL CONFERENCE ON MAGNETISM (ICM 2009)　200　052009-1-052009-4　2010年

DOI： 10.1088/1742-6596/200/5/052009 　

ISSN：1742-6588
Magnetoresistance of Perpendicularly Magnetized Tunnel Junction Using L1(0)-CoNiPt with Low Saturation Magnetization 査読有り

G. Kim, T. Hiratsuka, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando

INTERNATIONAL CONFERENCE ON MAGNETISM (ICM 2009)　200　052011-1-052011-4　2010年

DOI： 10.1088/1742-6596/200/5/052011 　

ISSN：1742-6588
Structural and magnetic properties of Mn(2.5)Ga films 査読有り

F. Wu, S. Mizukami, D. Watanabe, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

INTERNATIONAL CONFERENCE ON MAGNETISM (ICM 2009)　200　062037-1-062037-4　2010年

DOI： 10.1088/1742-6596/200/6/062037 　

ISSN：1742-6588
Interlayer exchange coupling in perpendicularly magnetized synthetic ferrimagnet structure using CoCrPt and CoFeB 査読有り

D. Watanabe, S. Mizukami, F. Wu, M. Oogane, H. Naganuma, Y. Ando, T. Miyazaki

INTERNATIONAL CONFERENCE ON MAGNETISM (ICM 2009)　200　072104-1-072104-4　2010年

DOI： 10.1088/1742-6596/200/7/072104 　

ISSN：1742-6588
Structure, exchange stiffness, and magnetic anisotropy of Co₂MnAl_xSi_1−x Heusler compounds 査読有り

Takahide Kubota, Jaroslav Hamrle, Yuya Sakuraba, Oksana Gaier, Mikihiko Oogane, Akimasa Sakuma, Burkard Hillebrands, Koki Takanashi, Yasuo Ando

J. Appl. Phys.　106　(11)　113907-1-113907-4　2009年12月

DOI： 10.1063/1.3265428 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Ferrimagnetism in epitaxially grown Mn₂VAl Heusler alloy investigatedby means of soft x-ray magnetic circular dichroism 査読有り

T.Kubota, K. Kodama, T. Nakamura, Y. Sakuraba, M. Oogane, K. Takanashi, Y. Ando

Appl. Phys. Lett.　95　(22)　222503-1-222503-3　2009年11月30日

DOI： 10.1063/1.3269609 　

ISSN：0003-6951
Tunnel magnetoresistance in epitaxially grown magnetic tunnel junctions using Heusler alloy electrode and MgO barrier 査読有り

S. Tsunegi, Y. Sakuraba, M. Oogane, N. D. Telling, L. R. Shelford, E. Arenholz, G. van der Laan, R. J. Hicken, K. Takanashi, Y. Ando

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　42　(19)　195004-1-195004-6　2009年10月

DOI： 10.1088/0022-3727/42/19/195004 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Study of Structure, Magnetic and Electrical Properties of Co2MnSi Heusler Alloy Thin Films Onto n-Si Substrates 査読有り

M. A. I. Nahid, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　45　(10)　4030-4032　2009年10月

DOI： 10.1109/TMAG.2009.2024320 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Silica coating of Co–Pt alloy nanoparticles prepared in the presence of poly(vinylpyrrolidone) 査読有り

Yoshio Kobayashi, Hidekazu Kakinuma, Daisuke Nagao, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki, Mikio Konno

J Nanopart Res.　11　(7)　1787-1794　2009年10月

DOI： 10.1007/s11051-009-9617-y 　

ISSN：1388-0764
Direct Observation of Atomic Ordering and Interface Structure in Co2MnSi/MgO/Co2MnSi Magnetic Tunnel Junctions by High-Angle Annular Dark-Field Scanning Transmission Electron Microscopy 査読有り

Toyoo Miyajima, Mikihiko Oogane, Yasutoshi Kotaka, Takashi Yamazaki, Mineharu Tsukada, Yuji Kataoka, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

APPLIED PHYSICS EXPRESS　2　(9)　093001-1-093001-3　2009年9月

DOI： 10.1143/APEX.2.093001 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Large Tunnel Magnetoresistance of 1056% at Room Temperature in MgO Based Double Barrier Magnetic Tunnel Junction (Retracted article. See vol. 4, artn no. 019201, 2011) 査読有り

Lixian Jiang, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

APPLIED PHYSICS EXPRESS　2　(8)　083002-1-083002-3　2009年8月

DOI： 10.1143/APEX.2.083002 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Enhancement in tunnel magnetoresistance effect by inserting CoFeB to the tunneling barrier interface in Co2MnSi/MgO/CoFe magnetic tunnel junctions 査読有り

S. Tsunegi, Y. Sakuraba, M. Oogane, Hiroshi Naganuma, K. Takanashi, Y. Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　94　(25)　252503-1-252503-3　2009年6月

DOI： 10.1063/1.3156858 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Structural, magnetic, and ferroelectric properties of multiferroic BiFeO3-based composite films with exchange bias 査読有り

Hiroshi Naganuma, Tomosato Okubo, Sho Sekiguchi, Yasuo Ando, Soichiro Okamura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(7)　07D903-1-07D903-3　2009年4月

DOI： 10.1063/1.3055284 　

ISSN：0021-8979
Tunnel magnetoresistance effect in magnetic tunnel junctions using epitaxial Co2FeSi Heusler alloy electrode 査読有り

Mikihiko Oogane, Masatsugu Shinano, Yuya Sakuraba, Yasuo Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(7)　07C903-1-07C903-3　2009年4月

DOI： 10.1063/1.3062814 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Fabrication of MgO-based magnetic tunnel junctions with CoCrPt perpendicularly magnetized electrodes 査読有り

Daisuke Watanabe, Shigemi Mizukami, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(7)　07C911-1-07C911-3　2009年4月

DOI： 10.1063/1.3062816 　

ISSN：0021-8979
Tunnel magnetoresistance effect in double magnetic tunnel junctions using half-metallic Heusler alloy electrodes 査読有り

Yusuke Ohdaira, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(7)　07C920-1-07C920-3　2009年4月

DOI： 10.1063/1.3072023 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Reduction in switching current using a low-saturation magnetization Co-Fe-(Cr, V)-B free layer in MgO-based magnetic tunnel junctions 査読有り

Hitoshi Kubota, Akio Fukushima, Kay Yakushiji, Satoshi Yakata, Shinji Yuasa, Koji Ando, Mikihiko Ogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(7)　07D117-1-07D117-3　2009年4月

DOI： 10.1063/1.3068484 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Low damping constant for Co2FeAl Heusler alloy films and its correlation with density of states 査読有り

S. Mizukami, D. Watanabe, M. Oogane, Y. Ando, Y. Miura, M. Shirai, T. Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(7)　07D306-1-07D306-3　2009年4月

DOI： 10.1063/1.3067607 　

ISSN：0021-8979
Electronic properties of Co2MnSi thin films studied by hard x-ray photoelectron spectroscopy 査読有り

Siham Ouardi, Andrei Gloskovskii, Benjamin Balke, Catherine A. Jenkins, Joachim Barth, Gerhard H. Fecher, Claudia Felser, Mihaela Gorgoi, Marcel Mertin, Franz Schaefers, Eiji Ikenaga, Ke Yang, Keisuke Kobayashi, Takahide Kubota, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　42　(8)　084011-1-084011-8　2009年4月

DOI： 10.1088/0022-3727/42/8/084011 　

ISSN：0022-3727
Determination of exchange constants of Heusler compounds by Brillouin light scattering spectroscopy: application to Co2MnSi 査読有り

J. Hamrle, O. Gaier, Seong-Gi Min, B. Hillebrands, Y. Sakuraba, Y. Ando

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　42　(8)　084005-1-084005-6　2009年4月

DOI： 10.1088/0022-3727/42/8/084005 　

ISSN：0022-3727
Improvement of structural, electronic, and magnetic properties of Co2MnSi thin films by He+ irradiation 査読有り

O. Gaier, J. Hamrle, B. Hillebrands, M. Kallmayer, P. Poersch, G. Schoenhense, H. J. Elmers, J. Fassbender, A. Gloskovskii, C. A. Jenkins, C. Felser, E. Ikenaga, Y. Sakuraba, S. Tsunegi, M. Oogane, Y. Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　94　(15)　152508-1-152508-3　2009年4月

DOI： 10.1063/1.3119188 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Half-metallicity and Gilbert damping constant in Co₂Fe_xMn_1−xSi Heusler alloys depending on the film composition 査読有り

Takahide Kubota, Sumito Tsunegi, Mikihiko Oogane, Shigemi Mizukami, Terunobu Miyazaki, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

Appl. Phys. Lett.,　94　(12)　122504-1-122504-3　2009年3月

DOI： 10.1063/1.3105982 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Large voltage-induced magnetic anisotropy change in a few atomic layers of iron 査読有り

T. Maruyama, Y. Shiota, T. Nozaki, K. Ohta, N. Toda, M. Mizuguchi, A. A. Tulapurkar, T. Shinjo, M. Shiraishi, S. Mizukami, Y. Ando, Y. Suzuki

NATURE NANOTECHNOLOGY　4　(3)　158-161　2009年3月

DOI： 10.1038/NNANO.2008.406 　

ISSN：1748-3387
Epitaxial Mn2.5Ga thin films with giant perpendicular magnetic anisotropy for spintronic devices 査読有り

Feng Wu, Shigemi Mizukami, Daisuke Watanabe, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　94　(12)　122503-1-122503-3　2009年3月

DOI： 10.1063/1.3108085 　

ISSN：0003-6951
Structural and Magnetic Properties of Co2MnSi Heusler Alloy Thin Films on Si 査読有り

M. Ariful Nahid, M. Oogane, H. Naganuma, Y. Ando

Jpn. J. Appl. Phys.　48　(8)　83002-083002-3　2009年
出版者・発行元： Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
DOI： 10.1143/JJAP.48.083002 　

ISSN：0021-4922

詳細を見る詳細を閉じる

The structural and magnetic properties of Co2MnSi thin films grown on n-doped Si(110) and Si(100) substrates were studied and observed to have a strong dependence on annealing temperature ($T_{\text{A } }$). At $T_{\text{A } }=275--350$ °C, the Co2MnSi films exhibited the B2 phase with a $\langle 100\rangle$ orientation and a magnetic moment on both substrates. The saturation magnetization ($M_{\text{S } }$) of Co2MnSi thin films was observed to reach a maximum at $T_{\text{A } }=300$ °C, above which it was found to decrease. We consider that at $T_{\text{A } }\simeq 300$ °C, the Co2MnSi thin films on Si substrates exhibited the $\langle 100\rangle$ orientation, a high $M_{\text{S } }$ and a low roughness which might promote spin injection.
The effect of MgO barrier on the structure and magnetic properties of Co2MnSi films on n-Si(100) substrates 査読有り

M. A. I. Nahid, M. Oogane, H. Naganuma, Y. Ando

J. Appl. Phys.　2009年

DOI： 10.1063/1.3260253 　
Boron Composition Dependence of Spin-Transfer Switching in Magnetic Tunnel Junctions with CoFeB Free Layers 査読有り

Daisuke Watanabe, Mikihiko Oogane, Shigemi Mizukami, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　48　(1)　013001-1-013001-4　2009年1月

DOI： 10.1143/JJAP.48.013001 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Co置換Biフェライト薄膜の室温での強誘電性および磁気特性査読有り

永沼博, 三浦淳, 神島謙二, 柿崎浩一, 平塚信之, 安藤康夫, 岡村総一郎

日本磁気学会誌　33　(3)　237-241　2009年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/msjmag.0903RC8081 　

ISSN：1882-2924

詳細を見る詳細を閉じる

Co substituted BiFeO₃ polycrystalline films were fabricated on Pt/Ti/SiO₂/Si(100) substrates by a chemical solution deposition method that was followed by post-deposition annealing between 673 and 1073 K. The substitution of cobalt at B-sites for iron in BiFeO₃ was promoted at relatively high temperatures, and saturated at around 923 K. The leakage current density was suppressed by substituting Co; therefore, ferroelectricity could be observed at room temperature. The remanent polarization increased by substituting Co due to the reduced electric coercive field. The saturation magnetization increased by promoting Co substitution, and a magnetic coercive field of 1.5 kOe and remanent magnetization of 3 emu/cm³ were obtained by annealing at 923 K. This indicated that Co substituted BiFeO₃ films are candidate materials that enable ferromagnetism and ferroelectricity to coexist above room temperature.
Co₂MnSiを電極とする微小二重トンネル接合の作製と評価査読有り

大平祐介, 大兼幹彦, 安藤康夫

日本磁気学会誌　33　(3)　262-265　2009年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/msjmag.0903RE8052 　

ISSN：1882-2924

詳細を見る詳細を閉じる

Double magnetic tunnel junctions (DMTJs) using half-metallic Heusler alloy Co₂MnSi electrodes were fabricated. A tunnel magneto-resistance ratio as large as 25% (at RT) and 320% (at 6 K) was observed in the DMTJs with various junction areas. The dependence of the tunnel magneto-resistance on bias voltage was a typical characteristic of DMTJs. These results indicate that high-quality DMTJs were stably fabricated.
高アニール耐性・高反平行結合強度を有する積層フェリ構造の開発査読有り

西村真之, 渡邉大輔, 大兼幹彦, 安藤康夫

日本磁気学会誌　33　(3)　266-269　2009年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/msjmag.0903RE8054 　

ISSN：1882-2924

詳細を見る詳細を閉じる

We investigated the dependencies of the saturation field, H_s, for synthetic ferrimagnetic (SyF) structures with various stacking structures on annealing temperature and Ru middle layer thickness. The buffer layer was optimized using Co₇₅Fe₂₅/Ru/Co₇₅Fe₂₅-SyF. The SyF on the Ta/Ru buffer layer demonstrated high annealing stability and large H_s. Moreover, we investigated the dependence on annealing temperature of H_s for Ta(5 nm)/Ru(5 nm)/ ferromagnetic-layer/Ru(0.8 nm)/Co₄₀Fe₄₀B₂₀(2 nm) SyFs with various ferromagnetic layers. The SyFs using Co₇₅ Fe₂₅ and Ni₈₀Fe₂₀ ferromagnetic layers exhibited high annealing stability and large H_s. The dependence on Ru middle layer thickness of H_s for the SyFs consisting of Ta(5 nm)/Ru(5 nm)/Co₇₅ Fe₂₅(2 nm)/Ru(0.2-1.2 nm)/Co₄₀Fe₄₀B₂₀(2 nm)/ MgO(2.5 nm)/Ta(10 nm) was investigated. As a result, we demonstrated the possibility of fabricating CoFeB/MgO/ CoFeB MTJs with SyF having both high annealing stability and strong interlayer exchange coupling.
Co₂FeMnSiホイスラー合金の磁気緩和定数査読有り

大兼幹彦, 窪田崇秀, 廣瀬直紀, 安藤康夫

日本磁気学会誌　33　(3)　270-273　2009年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/msjmag.0903RE8063 　

ISSN：1882-2924

詳細を見る詳細を閉じる

Magnetic damping constants of Co₂Fe_xMn_1-xSi (x = 0.0 - 1.0) Heusler alloy thin films have been investigated. Co₂Fe_xMn_1-xSi thin films were epitaxitially grown on the single crystal MgO(100) substrate using magnetron sputtering technique. Damping constants were estimated by analyzing the line width of ferromagnetic resonance (FMR) spectra. Damping constant of Co₂Fe_xMn_1-xSi films showed a minimum value of 0.003 at x = 0.4. This damping constant is very small compared with other ferromagnetic metals. Additionally, damping constants significantly increased above x = 0.6. In this article, the relationship between the damping constant and the half-metallicity of Co₂Fe_xMn_1-xSi films is discussed.
Gilbert Damping for Various Ni80Fe20 Thin Films Investigated Using All-Optical Pump-Probe Detection and Ferromagnetic Resonance 査読有り

Shigemi Mizukami, Hiroyuki Abe, Daisuke Watanabe, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(12)　121301-1-121301-3　2008年12月

DOI： 10.1143/APEX.1.121301 　

ISSN：1882-0778
Evidence of local moment formation in Co-based Heusler alloys 査読有り

N. D. Telling, P. S. Keatley, G. van der Laan, R. J. Hicken, E. Arenholz, Y. Sakuraba, M. Oogane, Y. Ando, K. Takanashi, A. Sakuma, T. Miyazaki

PHYSICAL REVIEW B　78　(18)　184438-1-184438-7　2008年11月

DOI： 10.1103/PhysRevB.78.184438 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Electrical conductance properties for magnetic tunnel junctions with MgO barriers 査読有り

K. Tamanoi, M. Sato, M. Oogane, Y. Ando, T. Tanaka, Y. Uehara, T. Uzumaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　320　(22)　2959-2962　2008年11月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2008.08.004 　

ISSN：0304-8853
Penetration Depth of Transverse Spin Current in Ferromagnetic Metals 査読有り

Tomohiro Taniguchi, Satoshi Yakata, Hiroshi Imamura, Yasuo Ando

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　44　(11)　2636-2639　2008年11月

DOI： 10.1109/TMAG.2008.2003036 　

ISSN：0018-9464
Large tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctions using a Co2MnSi Heusler alloy electrode and a MgO barrier 査読有り

Sumito Tsunegi, Yuya Sakuraba, Mikihiko Oogane, Koki Takanashi, Yasuo Ando

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(11)　112506-1-112506-3　2008年9月

DOI： 10.1063/1.2987516 　

ISSN：0003-6951
Annealing temperature dependences of ferroelectric and magnetic properties in polycrystalline Co-substituted BiFeO3 films 査読有り

Hiroshi Naganuma, Jun Miura, Mitsumasa Nakajima, Hiromi Shima, Soichiro Okamura, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida, Takashi Iijima, Masaki Azuma, Yasuo Ando, Kenji Kamishima, Koichi Kakizaki, Nobuyuki Hiratsuka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　47　(9)　7574-7578　2008年9月

DOI： 10.1143/JJAP.47.7574 　

ISSN：0021-4922

eISSN：1347-4065
Temperature dependence of the interface moments in Co2MnSi thin films 査読有り

N. D. Telling, P. S. Keatley, L. R. Shelford, E. Arenholz, G. van der Laan, R. J. Hicken, Y. Sakuraba, S. Tsunegi, M. Oogane, Y. Ando, K. Takanashi, T. Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(19)　192503-1-192503-3　2008年5月

DOI： 10.1063/1.2927482 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Spin transfer switching in the nanosecond regime for CoFeB/MgO/CoFeB ferromagnetic tunnel junctions 査読有り

Tatsuya Aoki, Yasuo Ando, Daisuke Watanabe, Mikihiko Oogane, Terunobu Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(10)　103911-1-103911-4　2008年5月

DOI： 10.1063/1.2930873 　

ISSN：0021-8979
Influence of the L2(1) ordering degree on the magnetic properties of Co2MnSi Heusler films 査読有り

O. Gaier, J. Hamrle, S. J. Hermsdoerfer, H. Schultheiss, B. Hillebrands, Y. Sakuraba, M. Oogane, Y. Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(10)　103910-1-103910-3　2008年5月

DOI： 10.1063/1.2931023 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Tunneling magnetoresistance of magnetic tunnel junctions using perpendicular magnetization L1(0)-CoPt electrodes 査読有り

Gukcheon Kim, Yuya Sakuraba, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　92　(17)　172502-1-172502-3　2008年4月

DOI： 10.1063/1.2913163 　

ISSN：0003-6951
Magnetic second harmonic generation at the Co2MnSi/AlOx interface 査読有り

L. R. Shelford, Y. Liu, R. J. Hicken, Y. Sakuraba, M. Oogane, Y. Ando

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(7)　07D720-1-07D720-3　2008年4月

DOI： 10.1063/1.2841174 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Determination of penetration depth of transverse spin current in ferromagnetic metals by spin pumping 査読有り

Tomohiro Taniguchi, Satoshi Yakata, Hiroshi Imamura, Yasuo Ando

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(3)　031301-1-031301-3　2008年3月

DOI： 10.1143/APEX.1.031302 　

ISSN：1882-0778
Tunnel magnetoresistance effect in magnetic tunnel junctions using a Co2MnSi(110) electrode 査読有り

Masashi Hattori, Yuya Sakuraba, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

APPLIED PHYSICS EXPRESS　1　(2)　021301-1-021301-3　2008年2月

DOI： 10.1143/APEX.1.021301 　

ISSN：1882-0778

eISSN：1882-0786
Nonquasiparticle states in Co2MnSi evidenced through magnetic tunnel junction spectroscopy measurements 査読有り

L. Chioncel, Y. Sakuraba, E. Arrigoni, M. I. Katsnelson, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki, E. Burzo, A. I. Lichtenstein

PHYSICAL REVIEW LETTERS　100　(8)　086402-1-086402-4　2008年2月

DOI： 10.1103/PhysRevLett.100.086402 　

ISSN：0031-9007

eISSN：1079-7114
スピントロニクスの形成と発展招待有り査読有り

宮﨑照宣, 大兼幹彦, 桜庭裕弥, 渡邉大輔, R. Yilgin, 佐久間昭正, 安藤康夫, 久保田均

粉体および粉末治金　55　(2)　109-115　2008年
出版者・発行元： Japan Society of Powder and Powder Metallurgy
DOI： 10.2497/jjspm.55.109 　

ISSN：0532-8799

詳細を見る詳細を閉じる

History about the research of magnetoresistance effect was reviewed. Also, we looked back on the research trends in the past when both giant magnetoresistance of Fe/Cr multi layered films and large tunnel magnetoresistance at room temperature were found. Special emphasis was placed on the recent developments of huge TMR ratio for both MgO barrier tunnel junctions and Heusler alloy electrode tunnel junctions which contribute further to the development of spinelectronic research fields. Principle and importance of spin-transfer torque were also explained.
CoFeB/MgO/CoFeB トンネル接合のナノ秒領域におけるスピン注入磁化反転と実時間観測査読有り

青木達也, 大兼幹彦, 宮崎照宣, 安藤康夫

日本磁気学会誌　32　(3)　355-360　2008年
出版者・発行元：公益社団法人日本磁気学会
DOI： 10.3379/msjmag.32.355 　

ISSN：1882-2924

詳細を見る詳細を閉じる

Detailed spin-transfer switching (STS) properties in the nanosecond regime were investigated. We prepared a CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junction that exhibits a 115 % magnetoresistance ratio. The STS property in the ≥ 2 ns region was obtained by static measurement. We then examined this property from several points of view. In addition, we outlined a new method of real-time switching observation. That is expected to clarify the STS mechanism directly. Using this method, the contribution of the thermal activation effect in a switching current below I_C0 was successfully detected. This indicates that the real-time method has the advantage that it clarifies the STS mechanism.
TMR素子を用いた高感度地磁気センサーの開発査読有り

高太好, 大兼幹彦, 安藤康夫

日本磁気学会誌　32　(3)　361-365　2008年
出版者・発行元：公益社団法人日本磁気学会
DOI： 10.3379/msjmag.32.361 　

ISSN：1882-2924

詳細を見る詳細を閉じる

The TMR (Tunneling Magneto-resistive) junctions of SiO₂-sub./bottom-electrode/IrMn/CoFe/Al-oxide/NiFe/ top-electrode were fabricated. We have succeeded to observe both high sensitivity and linearity in a low magnetic field for the optimized TMR junctions. The circuit of magnetic sensor using developed TMR junctions exhibited high output signal enough to resolve over 36 directions at terrestrial magnetism. The terrestrial sensor using TMR junctions is very small size and low energy consumption, so will be key "tools" for some solutions, for example, a navigation sensor with Global Positioning System(GPS) in cell phones.
高配向Nd₂Fe₁₄B薄膜のX線回折と磁気特性査読有り

小川大介, 秋屋貴博, 大兼幹彦, 安藤康夫, 加藤宏朗

日本磁気学会誌　32　(6)　548-553　2008年
出版者・発行元：公益社団法人日本磁気学会
DOI： 10.3379/msjmag.32.548 　

ISSN：1882-2924

詳細を見る詳細を閉じる

Nd₂Fe₁₄B thin films were fabricated with a DC magnetron sputtering system. X-ray diffraction experiments and the Rietveld analysis showd that the crystallites of the Nd₂Fe₁₄B phase were highly oriented perpendicular to the film plane. In addition to the diffraction peaks originated from the Nd₂Fe₁₄B phase, we observed extra reflections that can be assigned as a NdO phase. The relative intensity, hence the volume fraction of the NdO phase varied depending on the sputtering conditions such as the substrate temperature, Ar gas pressure, and Ta buffer layer thickness. It was found that the magnetization value depends strongly on the Ar gas pressure and reaches a maximum at 0.7 Pa of Ar gas pressure. The maximum magnetization value is 15 kG, which is comparable with the bulk value. The optimized values of the maximum energy product, saturation magnetization, and coercivity are (BH)_max = 36 MGOe, 4πM_s = 14.7 kG, and H_c = 6.7 kOe, respectively.
Development of high-sensitive magnetoresistance devices using half-metallic Heusler alloy Co₂MnSi, 査読有り

Yuya SAKURABA, Taku IWASE, Sumito TSUNEGI, Kesami SAITO, Mikihiko OGANE, Yasuo ANDO, Akimasa SAKUMA, Koki TAKANASHI

IEICE Technical Report,　103　13-18　2008年
Ultrafast optical modification of magnetic anisotropy and stimulated precession in an epitaxial Co2MnAl thin film 査読有り

Y. Liu, L. R. Shelford, V. V. Kruglyak, R. J. Hicken, Y. Sakuraba, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　101　(9)　09C106-1-09C106-3　2007年5月

DOI： 10.1063/1.2711702 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Magnetic damping constant of Co2FeSi Heusler alloy thin film 査読有り

Mikihiko Oogane, Resul Yilgin, Masatsugu Shinano, Satoshi Yakata, Yuya Sakuraba, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　101　(9)　09J501-1-09J501-3　2007年5月

DOI： 10.1063/1.2709751 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Tunneling spin polarization and magnetic properties of Co-Fe-B alloys and their dependence on boron content 査読有り

Takahide Kubota, Tadaomi Daibou, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(8-11)　L250-L252　2007年3月

DOI： 10.1143/JJAP.46.L250 　

ISSN：0021-4922
Thermally excited spin wave modes in synthetic antiferromagnetic stripes 査読有り

Yasuo Ando, Young Min Lee, Tatsuya Aoki, Terunobu Miyazaki, Helmut Schultheiss, Burkard Hillebrands

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　310　(2)　1949-1951　2007年3月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2006.10.828 　

ISSN：0304-8853
Enhancement of DC voltage generated in ferromagnetic resonance for magnetic thin film 査読有り

S. Mizukami, S. Nagashima, S. Yakata, Y. Ando, T. Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　310　(2)　2248-2249　2007年3月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2006.10.827 　

ISSN：0304-8853
Gilbert damping constant in polycrystalline CO2MnSi Heusler alloy films 査読有り

R. Yilgin, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　310　(2)　2322-2323　2007年3月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2006.11.032 　

ISSN：0304-8853
Bias voltage dependence of tunnel magnetoresistance effect in CoFeB/MgO/Co2X(X = Fe, Mn)Si magnetic tunnel junctions 査読有り

T. Daibou, M. Shinano, M. Hattori, Y. Sakuraba, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　310　(2)　1926-1928　2007年3月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2006.10.761 　

ISSN：0304-8853
Spin injection into organic light-emitting diodes with a ferromagnetic cathode and observation of the luminescence properties 査読有り

Eiji Shikoh, Toru Kawai, Akihiko Fujiwara, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　310　(2)　2052-2054　2007年3月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2006.10.981 　

ISSN：0304-8853
Boron effects on noise in magnetic tunnel junctions 査読有り

A. F. Md Nor, T. Daibou, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　310　(2)　1917-1919　2007年3月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2006.10.1126 　

ISSN：0304-8853
Anisotropic intrinsic damping constant of epitaxial Co2MnSi Heusler alloy films 査読有り

Resul Yilgin, Yuya Sakuraba, Mikihiko Oogane, Shigemi Mizukami, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(8-11)　L205-L208　2007年3月

DOI： 10.1143/JJAP.46.L205 　

ISSN：0021-4922
Half-metallic band structure observed in Co2MnSi-based magnetic tunnel junctions 査読有り

Y. Sakuraba, M. Hattori, M. Oogane, H. Kubota, Y. Ando, A. Sakuma, T. Miyazaki

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　40　(5)　1221-1227　2007年3月

DOI： 10.1088/0022-3727/40/5/S02 　

ISSN：0022-3727
Reduction of switching fields of submicrometer sized magnetic tunnel junction with NiFe-based synthetic ferrimagnetic free layer 査読有り

Young Min Lee, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki, Hitoshi Kubota

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　101　(2)　023905-1-023905-3　2007年1月

DOI： 10.1063/1.2424399 　

ISSN：0021-8979
Co₂MnSi(110)エピタキシャル薄膜を用いた強磁性トンネル接合の作製査読有り

服部正志, 桜庭裕弥, 大兼幹彦, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　31　(2)　89-93　2007年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.31.89 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

According to Julliere's model, magnetic tunnel junctions (MTJs) with half-metallic electrodes lead to a large tunnel magnetoresistance (TMR) ratio. A Co₂MnSi Heusler alloy is theoretically expected to exhibit half-metallicity. We fabricated (110)-oriented epitaxial Co₂MnSi electrodes on sapphire substrates using W and Ta/W/Cr buffer layers. With the W buffer layer, we found that the W and Co₂MnSi layers formed a twin structure. However, with the Ta/W/Cr multi-buffer layers, we succeeded in fabricating a high-quality Co₂MnSi(110) epitaxial electrode. We fabricated a MTJ with the high-quality Co₂MnSi(110) electrode and investigated TMR effects in the MTJ. As a result, we observed a TMR ratio of about 40% at room temperature and 120% at 2 K.
コプレーナ伝送路を有する微小強磁性トンネル接合の作製査読有り

青木達也, 渡邉大輔, 大坊忠臣, 安藤康夫, 大兼幹彦, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　31　(2)　94-97　2007年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.31.94 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Investigation of current induced magnetization switching properties in nanosecond regime in ferromagnetic tunnel junctions is increasing its necessity for realization of fast operating magnetic random access memory (MRAM). In this work, appropriate electrode structures for such a measurement were investigated. The electrode structure was designed as a typical coplanar waveguide with 50Ω characteristic impedance (structure A). Although the buffer layer thickness and the distance between the signal line and the ground line were altered, the large frequency dependenceof the insertion loss was not improved. The revised structure (structure B) with small cross section area between the signal line and the ground line showed very flat transmission properties over 20 GHz. Consequently, submicron sized Ta/FeNi/IrMn/CoFe/Ru/CoFeB/MgO/CoFeB/Ta/Ru ferromagnetic tunnel junctions with the electrodes of structure Bwere fabricated. The tunnel magnetoresistance ratio was 108 % after annealing at 250 °C.
Co-Fe-B合金薄膜の磁気緩和定数測定査読有り

大兼幹彦, 渡邉美穂, 家形諭, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　31　(3)　209-212　2007年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.31.209 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

We investigated magnetic damping parameters (a) in Co-Fe-B alloy thin films having various compositions, thicknesses, and annealing temperatures. Ferromagnetic resonance (FMR) was used to determine α values. The out-of-plane angular dependencies of the resonance field and the line width of FMR spectra were measured and analyzed by using the Landau-Lifshitz-Gilbert equation, taking the effect of magnetic inhomogeneities in the films into consideration. The Co-Fe-B films with an fcc structure phase had a larger α value than that of the film with a bcc structure. The damping parameter of the Co-Fe-B film was increased by increasing the B concentration and annealing temperature, and the very thin Co-Fe-B film (～2 nm) had a large damping parameter. We discuss the advantages of Co-Fe-B thin film as a material for current-induced magnetization switching (CIMS) systems.
Co₂MnSiを用いた強磁性トンネル接合における完全スピン分極状態の実現査読有り

桜庭裕弥, 服部正志, 大兼幹彦, 久保田均, 安藤康夫, 佐久間昭正, N. D. Telling, P. Keatley, G. van, der Laan, E. Arenholz, R. J. Hicken, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　31　338-343　2007年

DOI： 10.3379/jmsjmag.31.338 　
Interfacial structure and half-metallic ferromagnetism in Co2MnSi-based magnetic tunnel junctions 査読有り

N. D. Telling, P. S. Keatley, G. van der Laan, R. J. Hicken, E. Arenholz, Y. Sakuraba, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

PHYSICAL REVIEW B　74　(22)　224439-1-224439-7　2006年12月

DOI： 10.1103/PhysRevB.74.224439 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Tunnel magnetoresistance effect in CoFeB/MgO/Co2FeSi and Co2MnSi tunnel junctions 査読有り

T. Daibou, M. Shinano, M. Hattori, Y. Sakuraba, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　42　(10)　2655-2657　2006年10月

DOI： 10.1109/TMAG.2006.879733 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Spin injection into organic light-emitting devices with ferromagnetic cathode and effects on their luminescence properties 査読有り

Eiji Shikoh, Akihiko Fujiwara, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers　45　(9 A)　6897-6901　2006年9月7日

DOI： 10.1143/JJAP.45.6897 　

ISSN：0021-4922 1347-4065
Direct observation of half-metallic energy gap in Co2MnSi by tunneling conductance spectroscopy 査読有り

Y. Sakuraba, T. Miyakoshi, M. Oogane, Y. Ando, A. Sakuma, T. Miyazaki, H. Kubota

APPLIED PHYSICS LETTERS　89　(5)　052508-1-052508-3　2006年7月

DOI： 10.1063/1.2335583 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Preparation of silica-coated Co-Pt alloy nanoparticles 査読有り

Yoshio Kobayashi, Mitsuru Horie, Daisuke Nagao, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki, Mikio Konno

MATERIALS LETTERS　60　(16)　2046-2049　2006年7月

DOI： 10.1016/j.matlet.2005.12.078 　

ISSN：0167-577X
Giant tunneling magnetoresistance in Co2MnSi/Al-O/Co2MnSi magnetic tunnel junctions 査読有り

Y. Sakuraba, M. Hattori, M. Oogane, Y. Ando, H. Kato, A. Sakuma, T. Miyazaki, H. Kubota

APPLIED PHYSICS LETTERS　88　(19)　192508-1-192508-3　2006年5月

DOI： 10.1063/1.2202724 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Magnetic damping in ferromagnetic thin films 査読有り

Mikihiko Oogane, Takeshi Wakitani, Satoshi Yakata, Resul Yilgin, Yasuo Ando, Akimasa Sakuma, Terunobu Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　45　(5A)　3889-3891　2006年5月

DOI： 10.1143/JJAP.45.3889 　

ISSN：0021-4922
Temperature dependences of spin-diffusion lengths of Cu and Ru layers 査読有り

S Yakata, Y Ando, T Miyazaki, S Mizukami

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　45　(5A)　3892-3895　2006年5月

DOI： 10.1143/JJAP.45.3892 　

ISSN：0021-4922
Tunneling spectroscopy in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions 査読有り

K Ono, T Daibou, SJ Ahn, Y Sakuraba, T Miyakoshi, T Morita, Y Kikuchi, M Oogane, Y Ando, T Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(8)　08A905-1-08A905-3　2006年4月

DOI： 10.1063/1.2173628 　

ISSN：0021-8979
Low-frequency noise in MgO magnetic tunnel junctions 査読有り

AFM Nor, T Kato, SJ Ahn, T Daibou, K Ono, M Oogane, Y Ando, T Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(8)　08T306-1-08T306-3　2006年4月

DOI： 10.1063/1.2165142 　

ISSN：0021-8979
Large tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctions using Co2MnX (X = Al,Si) Heusler alloys 査読有り

M Oogane, Y Sakuraba, J Nakata, H Kubota, Y Ando, A Sakuma, T Miyazaki

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　39　(5)　834-841　2006年3月

DOI： 10.1088/0022-3727/39/5/S09 　

ISSN：0022-3727
Low frequency noise in CoFeB magnetic tunnel junctions with varying boron content 査読有り

A. F, Md. Nor, T. Daibou, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

J. Magn. Magn. Mater.　2006年

DOI： 10.1109/INTMAG.2006.374889 　
Gilbert Damping Constants of Co2FeSi Heusler Alloy Film 査読有り

M. Oogane, R. Yilgin, S. Shinano, S. Yakata, H. Kubota, Y. Ando, T. Miyazaki

J. Appl. Phys.　2006年
Co2MnSi (110)ホイスラー合金を用いたトンネル接合における磁気抵抗効果査読有り

服部正志, 桜庭裕弥, 大兼幹彦, 安藤康夫, 宮﨑照宣

日本応用磁気学会誌　2006年
Magnetic tunnel junctions using B2-ordered Co2MnAl Heusler alloy epitaxial electrode 査読有り

Y Sakuraba, J Nakata, M Oogane, Y Ando, H Kato, A Sakuma, T Miyazaki, H Kubota

APPLIED PHYSICS LETTERS　88　(2)　022503-1-022503-3　2006年1月

DOI： 10.1063/1.2162867 　

ISSN：0003-6951
FMRを用いた強磁性金属中におけるスピン拡散長の測定査読有り

家形諭, 安藤康夫, 大兼幹彦, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　31　2006年
Intrinsic Gilbert damping constant in CO2MnAl Heusler alloy films 査読有り

R Yilgin, M Oogane, S Yakata, Y Ando, T Miyazaki

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　41　(10)　2799-2801　2005年10月

DOI： 10.1109/TMAG.2005.854832 　

ISSN：0018-9464

eISSN：1941-0069
Spin-dependent tunneling spectroscopy in single-crystal Fe/MgO/Fe tunnel junctions 査読有り

Y Ando, T Miyakoshi, M Oogane, T Miyazaki, H Kubota, K Ando, S Yuasa

APPLIED PHYSICS LETTERS　87　(14)　142502-1-142502-3　2005年10月

DOI： 10.1063/1.2077861 　

ISSN：0003-6951
Fabrication of Co2MnAl Heusler alloy epitaxial film using Cr buffer layer 査読有り

Y Sakuraba, J Nakata, M Oogane, H Kubota, Y Ando, A Sakuma, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS　44　(9A)　6535-6537　2005年9月

DOI： 10.1143/JJAP.44.6535 　

ISSN：0021-4922
Influence of diffusion of Fe atoms into the emissive layer of an organic light-emitting device on the luminescence properties 査読有り

Eiji Shikoh, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

Journal of Applied Physics　97　(10)　10D501-1-10D501-2　2005年5月15日

DOI： 10.1063/1.1845931 　

ISSN：0021-8979
Fabrication and characterization of Co-Mn-Al Heusler-type thin film 査読有り

H Kubota, J Nakata, M Oogane, Y Ando, H Kato, A Sakuma, T Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　97　(10)　10C913-1-10C913-3　2005年5月

DOI： 10.1063/1.1852329 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Fabrication of ferromagnetic single-electron tunneling devices by utilizing metallic nanowire as hard mask stencil 査読有り

T Niizeki, H Kubota, Y Ando, T Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　97　(10)　10C909-1-10C909-3　2005年5月

DOI： 10.1063/1.1850408 　

ISSN：0021-8979
Cu/NiFe₈₀Fe₂₀/N(N=Cu, Cu/Pt) 薄膜におけるFMR線幅とスピン拡散長査読有り

家形諭, 安藤康夫, 水上成美, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　29　(4)　450-454　2005年3月
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.29.450 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

We have investigated the magnetic damping in two types of multilayer films, Cu(10 nm)/Ni₈₀Fe₂₀(3 nm)/Cu (d_Cu) and Cu(10 nm)/Ni₈₀Fe₂₀(3 nm)/Cu(d_Cu)/Pt(2 nm). Temperature dependence of the damping parameter and FMR linewidth with various Cu thickness d_Cu were measured. Spin diffusion length increased with decreasing temperature. We also measured the temperature dependence of FMR linewidth for the Cu/Ni₈₀Fe₂₀/Cu(d_Cu)/Pt films with d_Cu=400 nm, 800 nm. The increase of FMR linewidth with decreasing temperature suggested that the damping increased by spin diffusion in Cu layer.
Bias-voltage dependence of magnetoresistance in magnetic tunnel junctions grown on Al2O3 (0001) substrates 査読有り

SJ Ahn, T Kato, H Kubota, Y Ando, T Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　86　(10)　102506-1-102506-3　2005年3月

DOI： 10.1063/1.1870104 　

ISSN：0003-6951

eISSN：1077-3118
Fabrication of heusler-type Co2MnAl epitaxial films by using sputtering method

Y. Sakuraba, J. Nakata, M. Oogane, H. Kubota, Y. Ando, H. Kato, A. Sakuma, T. Miyazaki

INTERMAG ASIA 2005: Digests of the IEEE International Magnetics Conference　725　2005年
Investigation of intrinsic gilbert damping constant in Co 2MnAl heusler alloy films

R. Yilgin, M. Oogane, S. Yakata, Y. Ando, T. Miyazaki

INTERMAG ASIA 2005: Digests of the IEEE International Magnetics Conference　936　2005年
Bias-voltage dependence of tunnel magnetoresistance depending on the crystal structure of bottom ferromagentic electrode

Sung-Jin Ahn, Takeharu Kato, Hitoshi Kubota, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

INTERMAG ASIA 2005: Digests of the IEEE International Magnetics Conference　997　2005年
Temperature dependence of tunnel magnetoresistance in Co-Mn-Al/Al-oxide/Co-Fe junctions 査読有り

M Oogane, J Nakata, H Kubota, Y Ando, A Sakuma, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(24-27)　L760-L762　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L760 　

ISSN：0021-4922
Huge spin-polarization of L2(1)-ordered Co2MnSi epitaxial Heusler alloy film 査読有り

Y Sakuraba, J Nakata, M Oogane, H Kubota, Y Ando, A Sakuma, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　44　(33-36)　L1100-L1102　2005年

DOI： 10.1143/JJAP.44.L1100 　

ISSN：0021-4922
Switching properties and dynamic domain structures in double barrier magnetic tunnel junctions 査読有り

XF Han, SF Zhao, FF Li, T Daibou, H Kubota, Y Ando, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　282　225-231　2004年11月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2004.04.051 　

ISSN：0304-8853
A simple fabrication process using focused ion beam for deep submicron magnetic tunnel junctions 査読有り

D Watanabe, H Kubota, Y Ando, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　43　(11A)　7489-7490　2004年11月

DOI： 10.1143/JJAP.43.7489 　

ISSN：0021-4922
Spin-dependent inelastic electron tunneling spectroscopy of magnetic tunnel junctions 査読有り

M Hayashi, Y Ando, M Oogane, H Kubota, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　43　(11A)　7472-7476　2004年11月

DOI： 10.1143/JJAP.43.7472 　

ISSN：0021-4922
Large magnetoresistance in magnetic tunnel junctions using Co-Mn-Al full Heusler alloy 査読有り

H Kubota, J Nakata, M Oogane, Y Ando, A Sakuma, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　43　(7B)　L984-L986　2004年7月

DOI： 10.1143/JJAP.43.L984 　

ISSN：0021-4922
Measurement of magnetization precession for NM/Ni80Fe20/NM (NM = Cu and Pt) using time-resolved Kerr effect 査読有り

H Nakamura, Y Ando, S Mizukami, H Kubota, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　43　(6B)　L787-L789　2004年6月

DOI： 10.1143/JJAP.43.L787 　

ISSN：0021-4922
Tunnel spectra for Al/Al-oxide/Ni80Fe20 junctions under the superconducting transition temperature of Al films 査読有り

M. Oogane, T. Daibou, H. Kubota, Y. Ando, T. Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　272　E1515-E1516　2004年5月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2003.12.318 　

ISSN：0304-8853
CO+NH3 plasma etching for magnetic thin films 査読有り

Hitoshi Kubota, Kousei Ueda, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　272　E1421-E1422　2004年5月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2003.12.724 　

ISSN：0304-8853
Nanofabrication of magnetic tunnel junctions by using electron beam lithography 査読有り

T Niizeki, H Kubota, Y Ando, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　272　1947-1948　2004年5月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2003.12.387 　

ISSN：0304-8853
Ferromagnetic tunnel junctions with high thermal stability 査読有り

Y. Ando, S. Iura, H. Kubota, T. Miyazaki, C. S. Yoon, J. H. Lee, D. H. Im, C. K. Kim

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　272　E1507-E1509　2004年5月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2003.12.314 　

ISSN：0304-8853
Time resolved luminescence properties of Al-q3 for spin-injection into organic semiconductor 査読有り

E Shikoh, Y Ando, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　272　1921-1923　2004年5月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2003.12.1187 　

ISSN：0304-8853
Time-resolved magnetization precession and reversal dynamics investigated using tunneling current and Kerr effect 査読有り

Y Ando, H Nakamura, S Mizukami, H Kubota, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　272　293-294　2004年5月

DOI： 10.1016/j.jmmm.2003.12.1245 　

ISSN：0304-8853
Co₂MnAlホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合査読有り

中田淳, 大兼幹彦, 久保田均, 安藤康夫, 加藤宏朗, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　28　(4)　573-576　2004年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.28.573 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

We investigated the structural and magnetic properties of Co₂MnAl thin films with Cr buffer layers, and the tunnel magnetoresistance (TMR) effect of junctions using Co₂MnAl Heusler alloy. The saturation magnetization of Co₂MnAl film deposited at 350°C was 711 emu/cm³ which was almost the same as that reported for bulk. The maximum TMR ratio of the junctions was 12% at room temperature and 26% at 25K. TMR ratio increased to 17% at room temperature after annealing at 200°C for one hour.
集束イオンビームを用いた微小強磁性トンネル接合の作製査読有り

渡邉大輔, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　28　(4)　569-572　2004年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.28.569 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

A process for fabricating small magnetic tunnel junctions (MTJs) by using focused ion beam (FIB)-assisted chemical vapor deposition was investigated. Deposited tungsten was used as an electrode, and deposited carbon was used as a mask. MTJs with a junction area of 3 × 3 μm² showed a TMR ratio of about 30 % at room temperature.
Tunnel Conductance in Ni₈₀Fe₂₀/Al-oxide/Al Junctions below the superconducting transition temperature of the Al films 査読有り

M. Oogane, H. Kubota, Y. Ando, T. Miyazaki

Transactions of .Material Research Society　29　1527-1530　2004年
Characterization of thermally annealed tunnel junctions with preoxidized CoFe pinned electrode 査読有り

JH Lee, DH Im, CS Yoon, CK Kim, Y Ando, H Kubota, T Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　94　(12)　7778-7783　2003年12月

DOI： 10.1063/1.1628827 　

ISSN：0021-8979
Magnetic tunnel junctions with doubly-plasma oxidized AlOx insulation layer 査読有り

YM Lee, O Song, CS Yoon, CK Kim, Y Ando, H Kubota, T Miyazaki

MICROELECTRONICS JOURNAL　34　(9)　805-808　2003年9月

DOI： 10.1016/S0026-2692(03)00138-1 　

ISSN：0026-2692
Size dependence of switching field of magnetic tunnel junctions down to 50 nm scale 査読有り

H Kubota, Y Ando, T Miyazaki, G Reiss, H Bruckl, W Schepper, J Wecker, G Gieres

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　94　(3)　2028-2032　2003年8月

DOI： 10.1063/1.1588357 　

ISSN：0021-8979
Nanofabrication of magnetic tunnel junctions by using side-edge thin film deposition 査読有り

T. Niizeki, H. Kubota, Y. Ando, T. Miyazaki

SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS　4　(4)　347-352　2003年7月

DOI： 10.1016/j.stam.2003.08.004 　

ISSN：1468-6996
Electron transport properties in magnetic tunnel junctions with epitaxial NiFe (111) ferromagnetic bottom electrodes 査読有り

JH Yu, HM Lee, Y Ando, T Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　82　(26)　4735-4737　2003年6月

DOI： 10.1063/1.1587271 　

ISSN：0003-6951
Interface characterization of magnetic tunnel junctions by using tunneling spectroscopy 査読有り

Y Ando, M Hayashi, M Oogane, H Kubota, T Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　93　(10)　7023-7025　2003年5月

DOI： 10.1063/1.1540172 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
Hard mask fabrication for magnetic random access memory elements using focused ion beam assisted selective chemical vapor deposition 査読有り

H Kubota, M Hamada, Y Ando, T Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　93　(10)　8370-8372　2003年5月

DOI： 10.1063/1.1540058 　

ISSN：0021-8979
Magnetic tunnel junctions with high magnetoresistance and small bias voltage dependence using epitaxial NiFe(111) ferromagnetic bottom electrodes 査読有り

JH Yu, HM Lee, M Hayashi, M Oogane, T Daibou, H Nakamura, H Kubota, Y Ando, T Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　93　(10)　8555-8557　2003年5月

DOI： 10.1063/1.1544458 　

ISSN：0021-8979
下部磁性層表面を酸化して作製したトンネル接合の高耐熱特性査読有り

井浦聡則, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　27　(4)　303-306　2003年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.27.303 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

The annealing temperature dependence of the tunnel magnetoresistance (TMR) ratio for ferromagnetic tunnel junctions with additional oxidation at the surface of the bottom ferromagnetic layer was measured. A drastic increase of TMR ratio was achieved at high temperature around 375°C. Such a tendency was very similar to the dependence for radical oxidized junctions. The enhancement of the thermal stability would be due to the existence of oxigen on the surface of the bottom ferromagnetic layer.
Recent Development of MRAM Technology 査読有り

T. Miyazaki, Y. Ando, H. Kubota

Journal of Magnetics　8　36-44　2003年
強磁性体/非磁性体接合におけるスピンポンピング査読有り

水上成美, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　27　934-939　2003年
Growth mechanism of thin insulating layer in ferromagnetic tunnel junctions prepared using various oxidation methods 査読有り

Y Ando, M Hayashi, S Iura, K Yaoita, CC Yu, H Kubota, T Miyazaki

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　35　(19)　2415-2421　2002年10月

DOI： 10.1088/0022-3727/35/19/314 　

ISSN：0022-3727

eISSN：1361-6463
Effect of spin diffusion on Gilbert damping for a very thin permalloy layer in Cu/permalloy/Cu/Pt films 査読有り

S. Mizukami, Y. Ando, T. Miyazaki

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics　66　(10)　1044131-1044139　2002年9月1日

DOI： 10.1103/PhysRevB.66.104413 　

ISSN：0163-1829
Effect of diffusion barrier in the thermally annealed exchange-biased IrMn-CoFe electrode in magnetic tunnel junctions 査読有り

CS Yoo, HD Jeong, JH Lee, CS Yoon, CK Kim, JH Yuh, Y Ando, H Kubota, T Miyazaki

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　38　(5)　2715-2717　2002年9月

DOI： 10.1109/TMAG.2002.803168 　

ISSN：0018-9464
Effect of spin diffusion on Gilbert damping for a very thin permalloy layer in Cu/permalloy/Cu/Pt films 査読有り

S Mizukami, Y Ando, T Miyazaki

PHYSICAL REVIEW B　66　(10)　104413-1-104413-9　2002年9月

DOI： 10.1103/PhysRevB.66.104413 　

ISSN：2469-9950

eISSN：2469-9969
Magnetic relaxation of normal-metal (NM)/80NiFe/NM films 査読有り

S Mizukami, Y Ando, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　239　(1-3)　42-44　2002年2月

DOI： 10.1016/S0304-8853(01)00525-X 　

ISSN：0304-8853
Micro structural and magnetic characteristics of IrMn exchange-biased tunnel junctions 査読有り

ACC Yu, XF Han, J Murai, Y Ando, T Miyazaki, K Hiraga

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　240　(1-3)　130-133　2002年2月

DOI： 10.1016/S0304-8853(01)00734-X 　

ISSN：0304-8853
ラジカル酸化法で作製した高耐熱強磁性トンネル接合査読有り

井浦聡則, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　26　(6)　839-842　2002年
出版者・発行元：公益社団法人日本磁気学会
DOI： 10.3379/jmsjmag.26.839 　

詳細を見る詳細を閉じる

The annealing temperature dependence of the tunnel magnetore-sistance (TMR) ratio for ferromagnetic tunnel junctions prepared by various oxidation methods was measured. A junction prepared by plasma oxidation showed a TMR ratio of 31.4% before heat treatment, and this ratio increased to 49% after annealing at 300°C. On the other hand, the TMR ratio for a junction prepared by radical oxidation showed a maximum at 350°C. The enhancement of the thermal stability resulted from the different oxidation progress depending on the oxidation method.
Scanning tunneling microscopy observation of the initial state of oxidation in ferromagnetic tunnel junctions 査読有り

M Hayashi, Y Ando, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　40　(12A)　L1317-L1319　2001年12月

DOI： 10.1143/JJAP.40.L1317 　

ISSN：0021-4922
Magnon excitation of CoFe/Al-oxide/CoFe ferromagnetic tunnel junctions 査読有り

J Murai, Y Ando, T Daibou, K Yaoita, HF Han, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　226　922-923　2001年5月

ISSN：0304-8853
Optical and magnetic properties for metal halide-based organic-inorganic layered perovskites 査読有り

E Shikoh, Y Ando, M Era, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　226　2021-2022　2001年5月

ISSN：0304-8853
Local transport properties of ferromagnetic tunnel junctions 査読有り

Y Ando, M Hayashi, M Kamijo, H Kubota, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　226　924-925　2001年5月

ISSN：0304-8853
Ferromagnetic resonance linewidth for NM/80NiFe/NM films (NM = Cu, Ta, Pd and Pt) 査読有り

S Mizukami, Y Ando, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　226　1640-1642　2001年5月

ISSN：0304-8853
Inelastic magnon and phonon excitations in Al1-xCox/Al1-xCox-oxide/Al tunnel junctions 査読有り

XF Han, J Murai, Y Ando, H Kubota, T Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　78　(17)　2533-2535　2001年4月

DOI： 10.1063/1.1367882 　

ISSN：0003-6951
Analyses of intrinsic magnetoelectric properties in spin-valve-type tunnel junctions with high magnetoresistance and low resistance 査読有り

X. F. Han, A. C. C. Yu, M. Oogane, J. Murai, T. Daibou, H. Kubota, Y. Ando, T. Miyazaki

Physical Review B　2001年3月
Effect of microstructure on the magnetoresistive properties of NiFe/Co(CoFe)/Al(Ta)-oxide/Co(CoFe) tunnel junctions 査読有り

H Kyung, HS Ahn, CS Yoon, CK Kim, O Song, T Miyazaki, Y Ando, H Kubota

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　89　(5)　2752-2755　2001年3月

DOI： 10.1063/1.1343519 　

ISSN：0021-8979
The study on ferromagnetic resonance linewidth for NM/80NiFe/NM (NM = Cu, Ta, Pd and Pt) films 査読有り

S Mizukami, Y Ando, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　40　(2A)　580-585　2001年2月

DOI： 10.1143/JJAP.40.580 　

ISSN：0021-4922
Microfabrication and Magnetoelectric Properties of High-magnetoresistance Tunnel Junctions 査読有り

X. F. Han, M. Oogane, T. Daibou, K. Yaoita, Y. Ando, H. Kubota, T. Miyazaki

J. Magn. Soc. Jpn.　25　(4)　707-710　2001年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.25.707 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Spin-valve-type tunnel junctions with structure of Ta(5nm)/Ni₇₉Fe₂₁(3 nm)/Cu(20 nm)/Ni₇₉Fe₂₁(3 nm)/Ir₂₂Mn₇₈ (10 nm)/Co₇₅Fe₂₅(4 nm)/Al(0.80 nm)-oxide /Co₇₅Fe₂₅(4 nm)/Ni₇₉Fe₂₁(20 nm)/Ta(5 nm) were fabricated using a microfabrication technique. The optical lithography combined with Ar ion-beam etching and CF₄ active etching was used to pattern the junction area with the size from 100x100 down to 3x3 μm². A thinner barrier layer and a short plasma-oxidation time for Al-oxide layer were used in order to reduce the junction resistance and increase the TMR ratio. High TMR ratio of 69.1% at 4.2 K and 49.7% at room temperature were achieved. A spin-electron polarization tunneling model, based on magnon emission or absorption by the tunneling electrons during the tunnel process, was extended by defining an anisotropic wavelength cutoff energy of spin-wave in this work. Intrinsic magnetoelectric properties, such as the temperature dependence of TMR ratio and resistances from 4.2 to 300 K at 1.0 mV bias can be self-consistently evaluated using this extended model and a unique set of intrinsic parameters.
強磁性トンネル接合のスピン依存局所伝導特性査読有り

林将光, 安藤康夫, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　25　(4)　759-762　2001年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.25.759 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

The local electrical properties in ferromagnetic tunnel junctions was measured using contact-mode Atomic Force Microscopy (AFM). The electrical current images reflected the barrier height distribution determined by local I-V curve measurement The TMR ratio was estimated from the current histogram. The estimation closely fitted the experimental temperature dependence of TMR ratio. The TMR ratio was shown to increase with a decrease in the deviation of barrier height distribution and with an increase in average barrier height The effect of the local current channel with low barrier height on the TMR ratio is also discussed.
プラズマ酸化法による低抵抗強磁性トンネル接合の作製査読有り

矢尾板和也, 上條誠, 新関智彦, 山本直志, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　25　(4)　771-774　2001年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.25.771 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Ferromagnetic tunnel junctions , Ta/Ni₈₀Fe₂₀/Cu/Ni₈₀Fe₂₀/IrMn/Co₇₅Fe₂₅/Al-oxide/Co₇₅Fe₂₅/Ni₈₀Fe₂₀/Ta, were fabricated using ICP oxidation, and the detailed annealing temperature dependence of the TMR effect was investigated. Thickness of the Al layer was varied from 6.6 to 7.7 Å before oxidation, and the oxidation time was optimized for each thickness. The 1-μm² junctions were micro fabricated usinge-beam lithography. When the Al thickness was 6.6 Å, the RA decreased to 60-100 Ω·μm² and the TMR ratio became 30%. The lower the RA was, the lower the TMR ratio became.
中間層にAl を用いた二重トンネル接合の磁気抵抗効果査読有り

大坊忠臣, 大兼幹彦, 安藤康夫, Changkyung Kim, Ohsung Song, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　25　(4)　767-770　2001年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.25.767 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Tunnel magnetoresistance for double barrier tunnel junctions with an intermediate layer of metallic Al was investigated. The junction with a 40-Å intermediate layer of Al showed a about 8.5%. TMR ratio. The TMR ratio decreased with increasing Al thickness and became zero at 100 Å. At a low temperature, Al thin film was expected to be in transition to superconductor. A superconducting gap was observed in the two junctions with 40-Å and 100-Å Al at about 0.4 K.
二重強磁性トンネル接合におけるスピン依存伝導特性査読有り

T. Siripongsakul, 大兼幹彦, 村井純一郎, Andrew C. C. Yu, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣, Changkyung Kim, Ohsung Song

日本応用磁気学会誌　25　(4)　763-766　2001年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.25.763 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Ferromagnetic double barrier junctions of Co₇₅Fe₂₅/ Al₂O₃/ Co₇₅Fe₂₅(X)/ Al₂O₃/ Co₇₅Fe₂₅ with discontinuous middle Co₇₅Fe₂₅ layers (X = 0, 0.7, 1.3, 2.0 nm) were fabricated, and magnetoresistance of these junctions was measured by a dc-4-probe method. At low temperature, the resistance and TMR ratio increased rapidly. This result implies the existence of a charging effect due to the Coulomb-blockade. At temperatures below 50 K, an ac-modulation method was used to measure bias-voltage dependence of the TMR ratio. We observed an increase in TMR ratio for the case of dc transport at low bias voltage. On the other hand, the TMR ratio decreased for the case of ac transport. At high bias voltage and at high temperature, however, we observed no difference between these methods. Such transport properties could be explained by a co-tunneling process.
有機-無機層状ペロブスカイト錯体の磁性と光学特性査読有り

仕幸英治, 安藤康夫, 江良正直, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　25　(4)　755-758　2001年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.25.755 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Layered perovskites (RNH₃)₂CuCl₄ were synthesized, where R was C₆H₅(CH₂)-, C₆H₅(CH₂)₂-, 1-C₁₀H₇(CH₂)-, 2-C₁₀H₇(CH₂)-, 1-C₆H₅N=NC₆H₄O(CH₂)₃- and 1-C₆H₅COC₆H₄O(CH₂)₃-. These complexes showed ferromagnetism, with different Curie temperatures, T_c, depending on the structure of the molecules. These T_c seem to be independent of the distance of interlayer space between CuCl-based layers. The complexes with naphthalene showed lower T_c than those with benzene. Since naphthalene has more π-electrons than benzene, the degree of electronic state mixing between the organic and the inorganic layers might change and affect the interlayer magnetic interaction J'.
Annealing effect on low-resistance ferromagnetic tunnel junctions 査読有り

Y Ando, H Kubota, M Hayashi, M Kamijo, K Yaoita, ACC Yu, XF Han, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS　39　(10)　5832-5837　2000年10月

DOI： 10.1143/JJAP.39.5832 　

ISSN：0021-4922
Enhancement of tunnel magnetoresistance in ferromagnet/granular/ferromagnet junction related to the Coulomb blockade effect (vol 87, pg 5212, 2000) 査読有り

H Kubota, Y Fukumoto, S Thamrongsing, Y Ando, T Miyazaki, CC Yu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　88　(3)　1704-1704　2000年8月

DOI： 10.1063/1.373881 　

ISSN：0021-8979
Fabrication of high-magnetoresistance tunnel junctions using Co75Fe25 ferromagnetic electrodes 査読有り

XF Han, M Oogane, H Kubota, Y Ando, T Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　77　(2)　283-285　2000年7月

DOI： 10.1063/1.126951 　

ISSN：0003-6951
Local current distribution in a ferromagnetic tunnel junction measured using conducting atomic force microscopy 査読有り

Y Ando, H Kameda, H Kubota, T Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　87　(9)　5206-5208　2000年5月

DOI： 10.1063/1.373296 　

ISSN：0021-8979
High-magnetoresistance tunnel junctions using Co75Fe25 ferromagnetic electrodes 査読有り

XF Han, T Daibou, M Kamijo, K Yaoita, H Kubota, Y Ando, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　39　(5B)　L439-L441　2000年5月

DOI： 10.1143/JJAP.39.L439 　

ISSN：0021-4922
Magnon-assisted inelastic excitation spectra of a ferromagnetic tunnel junction 査読有り

Y Ando, J Murai, H Kubota, T Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　87　(9)　5209-5211　2000年5月

DOI： 10.1063/1.373297 　

ISSN：0021-8979
Enhancement of tunnel magnetoresistance in ferromagnet/granular/ferromagnet junction related to the Coulomb blockade effect 査読有り

H Kubota, Y Fukumoto, S Thamrongsing, Y Ando, T Miyazaki, C Yu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　87　(9)　5212-5214　2000年5月

DOI： 10.1063/1.373298 　

ISSN：0021-8979
Effect of particle size on the magnetization process in lithographic arrays of Nd2Fe14B 査読有り

H Kubota, T Ikari, Y Ando, H Kato, T Miyazaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　87　(9)　6325-6327　2000年5月

DOI： 10.1063/1.372694 　

ISSN：0021-8979

eISSN：1089-7550
強磁性トンネル接合の低抵抗化と熱処理効果

上條誠, 村井純一郎, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣, Changkyung Kim, Ohsung Song

日本応用磁気学会誌　24　(4)　591-594　2000年4月15日
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.24.591 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Ferromagnetic tunnel junctions of Ta/Al/Ta/Ni₈₀Fe₂₀/IrMn/Co/Al-oxide/Co/Ni₈₀Fe₂₀/Ta/Cu with various Al-oxide thicknesses were fabricated by rf magnetron sputtering and ICP oxidization. The thickness of Al was varied from 6 Å to 13 Å. With decreasing thickness, the tunnel resistance decreased from 3 x 10⁵ Ω·μm² to 1.2 x 10²Ω·μm². At Al thicknesses of 13 and 10 Å, the MR ratio was 22%-20%, and increased to 35%-30% after annealing. In other junctions, the MR ratios were small and increased only slightly after annealing, the I-V curves of all junctions were asymmetric before annealing. The curves were analyzed by taking account of both barrier heights φ₁ and φ₂ (upper and lower interfaces). The difference between φ₁ and φ₂ was reduced by annealing, and the MR ratio became large at φ₁ = φ₂.
スピンバルブ型トンネル接合のマグノン非弾性励起査読有り

村井純一郎, 安藤康夫, 上條誠, 大坊忠臣, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　24　(4_2)　615-618　2000年4月
強磁性トンネル接合の局所伝導特性と磁気抵抗効果査読有り

安藤康夫, 亀田博史, 林将光, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　24　(4_2)　611-614　2000年4月
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.24.611 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

The local electrical properties were measured simultaneously with the topography for a Ta(50Å)/Fe₂₀Ni₈₀(50Å)/IrMn(150Å)/Co(50Å)/Al(d_AlÅ)-oxide junction. The electrical image showed the contrast with a lateral size of around a few nm, and no strong correlation with the topography was observed. By analyzing the local current-voltage characteristics, we found that the contrast of the current image showed the distribution of the barrier height. This may be due to the lack of the oxygen from the stoichiometry of the Al₂O₃ composition. We measured the current images for junctions with shorter oxidation times and with lower Al thicknesses. The histogram of current densities was calculated by taking into consideration the Gaussian distribution of the barrier height. It fitted the experimental results well except for the junction with thin Al; this may be due to a local leakage current. The tunneling magnetoresistance (TMR) ratio was considered to be reduced by this current.
Ni₈₀Fe₂₀/Co/N(N=Ta, Al)/Al-oxide/Co 接合における磁気抵抗効果査読有り

大坊忠臣, 手束展規, 久保田均, 安藤康夫, 林将光, 宮崎照宣, Changkyung Kim, Ohsung Song

日本応用磁気学会誌　24　(4_2)　599-602　2000年4月

DOI： 10.3379/jmsjmag.24.599 　
Characterization of the Barrier Layer in Al_1-xCo_x/(Al_1-xCo_x-oxide)/Al Junctions 査読有り

X. F. Han, J. Murai, M. Hayashi, N. Tezuka, H. Kubota, Y. Ando, T. Miyazaki

J. Magn. Soc. Jpn.　24　(4-2)　603-606　2000年4月

DOI： 10.3379/jmsjmag.24.603 　
有機アミン-3d遷移金属錯体の磁性と光学特性査読有り

仕幸英治, 安藤康夫, 江良正直, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　24　(4_2)　491-494　2000年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.24.491 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Organic-inorganic complex magnets ((RNH₃)₂MX₄) were synthesized, where R is a simple alkylammonium molecule (CH₃(CH₂)₁₇), a 1-methy1-naphthalene (C₁₀H₉CH₂), a 1-pro-pyl-naphthalene (C₁₀H₉O(CH₂)₃), or a 1-buty1-naphthalene (C₁₀H₉O(CH₂)₄), M is a 3d transition metal element, and X is a halide element (Cl). Their complexes had a layered perovskite structure checked by XRD. The distance of interlayer space between MCl-based layers was shorter for the complexes with 1-buty1-naphthalene than for those with 1-propy1-naphthalene. When R was a simple alkylammonium molecule, a 1-methy1-naphthalene and a 1-propy1-naphthalene, its Cu complexes showed ferromagnetism and its Mn complexes antiferromagnetism. How-ever, Cu and Mn complexes with a 1-buty1-naphthalene did not show ferromagnetism and antiferromagnetism, respectively. The absorption spectra of Cu complexes were also measured. When R was a simple alkylammonium molecule, a 1-methy1-naphthalene, and a 1-propy1-naphthalene, Cu complexes showed a D_4th structure for inorganic layers, while the structure for the complex with a 1-buty1-naphthalene was D_2d.
Thickness and Oxidation Time Dependence of Tunnel Magnetoresistance in Ni-Fe/Co/Al-O/Co Junctions 査読有り

H. Kubota, S. Otsuka, M. Kamijo, N. Tezuka, Y. Ando, C. C. Yu, T. Miyazaki

J. Magn. Soc. Jpn.　24　(4_2)　595-598　2000年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.24.595 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Ni-Fe/Co/Al-O/Co tunnel junctions with small active areas down to 3 x 3 μm² were fabricated by the micro-fabrication technique. The Al-O insulating layer was prepared by plasma oxidation of a thin sputtered Al film. The dependences of the tunnel magnetoresistance on the thickness of the Al film and the oxidation time were investigated. The interface structure of the junction was observed by using high-resolution electron microscopy. The relationship between the magnetoresistive properties and the interface structure is discussed.
極薄Alプラズマ酸化膜を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果査読有り

上條誠, 村井純一郎, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣, Changkyung Kim, Ohsung Song

日本応用磁気学会誌　24　(4_2)　591-594　2000年

DOI： 10.3379/jmsjmag.24.591 　
Ni₈₀Fe₂₀薄膜における強磁性共鳴線幅の下地層依存性査読有り

水上成美, 安藤康夫, 宮﨑照宣

日本応用磁気学会誌　24　(4_2)　535-538　2000年

DOI： 10.3379/jmsjmag.24.535 　
Direct observation of magnon excitation in a ferromagnetic tunnel junction using inelastic-electron-tunneling spectroscopy 査読有り

J Murai, Y Ando, M Kamijo, H Kubota, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　38　(10A)　L1106-L1108　1999年10月

DOI： 10.1143/JJAP.38.L1106 　

ISSN：0021-4922
Enhancement of tunnel magnetoresistance effect on junction with Co cluster layers in Coulomb blockade regime 査読有り

Y Fukumoto, H Kubota, Y Ando, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　38　(8B)　L932-L934　1999年8月

DOI： 10.1143/JJAP.38.L932 　

ISSN：0021-4922
Magnetic properties of ferrocenylmethylacrylate-N-dodecylacryl-amide copolymer Langmuir-Blodgett films 査読有り

Y Ando, T Hiroike, T Miyashita, T Miyazaki

THIN SOLID FILMS　350　(1-2)　232-237　1999年8月

DOI： 10.1016/S0040-6090(99)00271-0 　

ISSN：0040-6090
Local transport property on ferromagnetic tunnel junction measured using conducting atomic force microscope 査読有り

Y Ando, H Kameda, H Kubota, T Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS　38　(7A)　L737-L739　1999年7月

DOI： 10.1143/JJAP.38.L737 　

ISSN：0021-4922
Influence of interlayer roughness on magnetoresistive effect of ferromagnetic tunneling junctions 査読有り

Y Ando, M Yokota, N Tezuka, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　198-99　155-157　1999年6月

DOI： 10.1016/S0304-8853(98)01053-1 　

ISSN：0304-8853
Analysis of the interface in ferromagnet insulator junctions by inelastic-electron-tunneling-spectroscopy 査読有り

Y Ando, J Murai, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　198-99　161-163　1999年6月

DOI： 10.1016/S0304-8853(98)01050-6 　

ISSN：0304-8853
AlをWedge状に形成した強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果査読有り

安藤康夫, 横田匡史, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　23　(4_2)　1285-1288　1999年4月
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.23.1285 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Ferromagnetic tunneling 80NiFe/Co/Al oxide/Co junctions with various Al oxide thicknesses were fabricated. To prepare Al oxide, a wedge-shaped piece of pure Al was sputtered without exposure to air. The surface roughness of the unexposed samples was quite small, while that of a sample with an air-leak tended to grow larger with increasing oxidization time and also d_Al. The tunneling magnetoresistive effect (TMR) was observed at an Al thickness of about 9 Å for exposed junctions. Below this thickness, the barrier height estimated from the I-V curve decreased. On the other hand, the barrier height and thickness were roughly constant for junctions with d_Al>9 Å. This indicated that the metallic Al could exist, causing a reduction in the TMR.
Al/Al-oxide/M/Al(M=Fe,Ni)接合の非弾性電子トンネル分光査読有り

村井純一郎, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　23　(4_2)　1325-1328　1999年4月
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.23.1325 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Inelastic-electron-tunneling spectroscopy (IETS) was used to investigate the electron states of the interfaces of Al/Al-oxide/Fe(d_Fe)/Al and Al/Al-oxide/Ni(d_Ni)/Al tunnel junctions. The conductance curves for all junctions showed a minimum around the zero-bias voltage. The IET spectra showed a strong positive peak around 4 mV, corresponding to the minimum of conductance curves, while another broad peaks was observed for junctions with d_Ni, d_Fe≥10Å, The peak position was different from that assigned to the Al-O LO phonon mode observed for Al/Al-oxide/Al junctions. It was confirmed by magnetization measurements that a ferromagnetic layer was formed for films with d_Ni≥30Å and d_Fe≥10Å. These results were investigated in relation to the direct and inelastic tunneling process due to magnons.
Co, Ni₈₀Fe₂₀薄膜における強磁性共鳴の膜厚依存性査読有り

水上成美, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　23　(4_2)　1173-1176　1999年4月
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.23.1173 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Thickness dependence of ferromagnetic resonance (FMR) and magnetic properties were studied for cobalt and Ni₈₀Fe₂₀ thin films prepared on glass substrates by magnetron, sputtering. Resonance field and linewidth increased with decreasing film thickness, while saturation magnetization and square ratio decreased. Thickness dependence of 4πM_eff. estimated from resonance field by using Kittel's formula was consistent with 4πM_s from hysteresis loops. Linewidth was assumed to have two components: zero-frequency linewidth, ΔH₀, caused by magnetic inhomogeneities in films and viscous damping. ΔH₀ estimated from the experimental linewidth was, above 40 Å thick, nearly constant with film thickness. Below 30 Å, however, ΔH₀ for both films rapidly increased. These results were discussed by taking account of the structural inhomogeneity in the thin magnetic layer region.
Synthesis and the Magnetism of the Metal Halide-based Organic/Inorganic Layered Perovskite 査読有り

Y. Ando, E. Shikoh, T. Miyazaki

J. Magn. Soc. Jpn.　23　(1_2)　596-598　1999年1月
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.23.596 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Metal halide-based layered perovskites, (RNH₃)₂MCl₄, self-organized organic/inorganic multilayer structure were synthesized, where R is a simple alkylammonium molecule with a long chain length, (CH₃(CH₂)₁₇) or a l-methyl-naphthalene (C₁₀H₉CH₂), M is 3d transition metal elements. Its layered pcrovskite structure was checked by a FT-IR method. The perovskites of CH₃(CH₂)₁₇NH₃ with Cu and Cr showed ferromagnetism (T_C= 10 K and 42 K, respectively), and Mn and Fe antifcrromagnetism (T_N=41 K and 95 K, respectively). These results roughly corresponded to the results for methyl and ethyl ammonium complexes reported. The naphthlene complex with Cu also showed ferromagnetism, however, the Curie temperature became low. It was considered that the relative large chromophore might disturb the Jahn-Teller distortion of CuCl₆ octahedra. l-methyl-naphthylamine- hydrochloride was luminous with the wavelength of 350 nm under ultraviolet light irradiation, but its Cu complex was quenched.
Analysis of the Interlayer in Al/Al₂O_3//Co/Al Junction by Inelastic-Electron-Tunneling-Spectroscopy 査読有り

J. Murai, Y. Ando, T. Miyazaki

J. Magn. Soc. Jpn.　23　(1_2)　64-66　1999年1月
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.23.64 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Inelastic-Electron-Tunneling-Spectroscopy (IETS) has been applied to investigate the electron states of the interface of Al/Al₂O₃/Co(d_Co)/Al tunneling junctions. A zero-bias anomaly was observed in the conductance curve of the junction with d_Co of 2 Å and decreased with increasing d_Co. The IET spectra of these junctions showed a strong negative peak at 4 mV, corresponding to the zero- bias anomaly, while the another broad peak was observed for the junctions with d_Co ≥10Å. The peak was different in the position from that assigned to the Al-O LO phonon mode observed for Al/Al₂O₃/Al junction. From the magnetization measurement, it is confirmed that the ferromagnetic layer was formed for the junctions with d_Co ≥10 Å These results were discussed with the paramagnetic impurity and magnon assisted tunneling process.
Magnetic properties of random-anisotropy amorphous magnets (RxFe1-x)(80)Si12B8 with R = Pr, Nd, Sm, Tb, Dy and Er 査読有り

H Kato, N Kurita, Y Ando, T Miyazaki, M Motokawa

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　189　(3)　263-273　1998年11月

DOI： 10.1016/S0304-8853(98)00285-6 　

ISSN：0304-8853
Spin dependent tunneling in 80NiFe/LB film with ferrocene and tris(bipyridine)ruthenium derivatives Co junctions 査読有り

Y Ando, J Murai, T Miyashita, T Miyazaki

THIN SOLID FILMS　331　(1-2)　158-164　1998年10月

DOI： 10.1016/S0040-6090(98)00913-4 　

ISSN：0040-6090
Spin-polarized magnetic tunnelling magnetoresistive effects in various junctions 査読有り

T Miyazaki, N Tezuka, S Kumagai, Y Ando, H Kubota, J Murai, T Watabe, M Yokota

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS　31　(6)　630-636　1998年3月

DOI： 10.1088/0022-3727/31/6/009 　

ISSN：0022-3727
非弾性電子トンネル分光法(IETS)を用いた強磁性体/絶縁体界面の解析査読有り

村井純一郎, 安藤康夫, 手束展規, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　22　(4)　573-576　1998年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.22.573 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Inelastic electron-tunneling spectroscopy (IETS) has been used to investigate the vibrational spectrum in Al/Al₂O₃/CO/AI tunneling junctions with various Co thicknesses (d _Co). A zero-bias anomaly was observed in the conductance curve of the junction with d_Co of 2Å, and decreased with increasing d_Co. The IET spectra of these junctions showed strong negative peaks at 4 mV, corresponding to the zero-bias anomaly, while phonon spectra were observed for the junction with d_Co ≥ 10Å. The peak position was different from that of Al/Al₂O₃/Al. After annealing of the junction with d_Co of 2Å at 250°C for one hour, the zero-bias anomaly decreased and the phonon spectrum appeared.
wedge状のAl-O絶縁層を有する強磁性トンネル接合の磁気抵抗査読有り

横田匡史, 安藤康夫, 手束展規, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　22　(4)　569-572　1998年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.22.569 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Ferromagnetic tunneling junctions of Ni₈₀Fe₂₀ (Py)/Co/Al oxide/Co with wedge-shaped insulators were fabricated. Al oxide films were formed by natural oxidization with various conditions and were checked by FT-IR spectroscopy. The peak intensity and the position depending on the Al thickness were explained by using the 1-D Einstein model. When the oxidization time was less than 50 h, tunneling magnetoresistance (TMR) was observed at about 13 Å of the Al thickness. When the oxidization time became more than 50 h, the thickness shifted to less than 10 Å. The reason for this was considered that Co oxide was formed on the surface of the bottom electrode and became a tunneling barrier with increasing oxidization time. On the other hand, the TMR decreased rapidly with increasing Al thickness. To determine the reason for this, AFM images of the Py/Co/Al surface with various oxidization times were measured. The surface roughness of the Al increased with increasing oxidization time, corresponding to the TMR results.
Exchange coupling energy determined by ferromagnetic resonance in 80Ni-Fe/Cu multilayer films 査読有り

Y Ando, H Koizumi, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　166　(1-2)　75-81　1997年2月

DOI： 10.1016/S0304-8853(96)00413-1 　

ISSN：0304-8853
強磁性体-有機分子接合における強磁性トンネル効果に及ぼす分子構造の影響査読有り

安藤康夫, 村井純一郎, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　21　(4)　497-500　1997年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.21.497 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Ferromagnet/insulator/ferromagnet junctions with Langmuir-Blodgett (LB) films were fabricated. The LB films used were poly-N-dodecylacrylamide (PDDA) and merocyanine (MC) dye. A magnetoresistance ratio of 0.3% at 300 K was observed in the junction with PDDA. This value was small in comparison with the theoretical values. One possible reason for this was the presence of an inelastic tunnel with a molecular vibration. To confirm this possibility, inelastic tunnel spectroscopy was performed. A shift of the peak assigned to the C=O stretching vibration was observed, indicating that electrons are trapped at the carbonyl group and can tunnel between the electrode and the carbonyl group. The junction with MC did not show the magnetic tunneling effect. MC relaxed rapidly to spiropyran (SP) form on the water surface, and the homogeneity of the LB film was lost.
70CoNi/Cu/80NiFe三層膜と70CoNi/Cu/80NiFe/Cu/70CoNi五層膜における強磁性共鳴査読有り

水上成美, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　21　(4)　445-448　1997年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.21.445 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Interlayer exchange-coupling strength, J, was studied by measuring the ferromagnetic resonance (FMR) of 70CoNi/ Cu/80NiFe trilayers and 70CoNi/Cu/80NiFe/Cu/70CoNi five-layers prepared on glass substrates by magnetron sputtering. In the trilayers, J oscillated between positive and negative values a function of the spacer Cu layer thickness, and two peaks as in the negative value of J were observed. In the five-layers, on the other hand, two values of J were observed. One of those corresponded to J in the trilayers, while the other was positive and decreased monotonically with increasing the Cu spacer layer thickness. These results are consistent with that for the magnetoresistance.
強磁性トンネリング接合における絶縁障壁と磁気抵抗査読有り

手束展規, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　21　(4)　493-496　1997年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.21.493 　

ISSN：0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

The dependence of the tunneling magnetoresistive effect on the barrier height was investigated. The magnitude of the barrier height increased with increasing aluminum oxidation temperature and time from 0.3 to 2.3 eV in Fe/Al oxide/Fe junctions. However, those values are smaller than those reported for an Al₂O₃ barrier. A possible reason for this is that the barrier is not pure Al₂O₃, but AIO_x, or another oxide created by interface mixing between Fe and Al oxide. On the other hand, the magnetoresistance ratio in these junctions varied up to 18% at room temperature and up to 18% at 4.2 K. The dependence of the magnetoresistance ratio at 4.2 K on the barrier height is roughly the same as predicted by Slonczewski's theory. This result shows that the effective spin polarization of ferromagnetic electrodes changes according to the barrier height.
Ferromagnetic resonance in 80Ni-Fe/Cu/Co multilayer films 査読有り

H Koizumi, Y Ando, T Miyazaki

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　164　(3)　293-299　1996年12月

DOI： 10.1016/S0304-8853(96)00418-0 　

ISSN：0304-8853
Magnetic properties of stearate films with 3d transition metal ions fabricated by the Langmuir-Blodgett method 査読有り

Y Ando, T Hiroike, T Miyashita, T Miyazaki

THIN SOLID FILMS　278　(1-2)　144-149　1996年5月

DOI： 10.1016/0040-6090(95)08146-1 　

ISSN：0040-6090
Magnetic properties of polymer LB films containing ferrocene derivatives 査読有り

Y Ando, T Hiroike, T Miyazaki, A Aoki, T Miyashita

MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS SCIENCE AND TECHNOLOGY SECTION A-MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS　285　411-416　1996年

ISSN：1058-725X
Magnetic Properties of Polymer LB Films Containing Ferrocene Derivatives 査読有り

Y.Ando, T.Hiroike, A.Aoki, T.Miyashita, T.Miyazaki

Mol. Cryst. Liq. Cryst.　286　89-94　1996年
FABRICATION OF FERROUS STEARATE MULTILAYER FILMS BY THE LANGMUIR-BLODGETT METHOD 査読有り

Y ANDO, T HIROIKE, T MIYASHITA, T MIYAZAKI

THIN SOLID FILMS　266　(2)　292-297　1995年10月

DOI： 10.1016/0040-6090(95)06731-0 　

ISSN：0040-6090
液体急冷(Gd-M)₈₀Si₁₂B₈アモルファス合金の磁気特性査読有り

栗田直幸, 安藤康夫, 石尾俊二, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　18　231-234　1995年

DOI： 10.3379/jmsjmag.18.231 　
強磁性/Al₂O₃/強磁性接合の磁気トンネリング効果査読有り

手束展規, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　19　(2)　369-372　1995年

DOI： 10.3379/jmsjmag.19.369 　
80Ni-Fe/Cu/Co三層膜における強磁性共鳴査読有り

古泉浩, 久保田均, 安藤康夫, 石尾俊二, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　19　(2)　389-392　1995年

DOI： 10.3379/jmsjmag.19.389 　
MAGNETIC PROPERTIES OF ORGANIC MULTILAYER FILMS FABRICATED BY LANGMUIR-BLODGETT METHOD. 査読有り

Y.Ando, T.Hiroike, A.Aoki, T.Miyashita, T.Miyazaki

Proceedings of the Third International Symposium on Physics of Magnetic Materials　40-44　1995年
HIGH FIELD MAGNETIZATION AND MOSSBAUER ABSORPTION IN (R_XFe_1-X)₈₀Si₁₂B₈ AMORPHOUS ALLOYS (R-Pr,Nd,Sm,Tb,Dy AND Er) 査読有り

N.Kurita, H.Kato, Y.Ando, T.Miyazaki

Proceedings of the Third International Symposium on Physics of Magnetic Materials　805-808　1995年
LINEAR AC MAGNETIC RESPONSE NEAR THE VORTEX-GLASS TRANSITION IN SINGLE-CRYSTALLINE YBA2CU3O7 査読有り

Y ANDO, H KUBOTA, Y SATO, TERASAKI, I

PHYSICAL REVIEW B　50　(13)　9680-9683　1994年10月

DOI： 10.1103/PhysRevB.50.9680 　

ISSN：0163-1829
Magnetic Properties of Rapidly Quenched (Gd-M)<inf>80</inf>Si<inf>12</inf>B<inf>8</inf> Amorphous Alloys 査読有り

N. Kurita, Y. Ando, T. Miyazaki

IEEE Translation Journal on Magnetics in Japan　9　(6)　185-190　1994年

DOI： 10.1109/TJMJ.1994.4565978 　

ISSN：0882-4959
FMR Study of Ni-Fe/Cu Multilayer Films 査読有り

H. Koizumi, M. Sato, Y. Ando, T. Miyazaki

IEEE Translation Journal on Magnetics in Japan　9　(6)　242-246　1994年

DOI： 10.1109/TJMJ.1994.4565987 　

ISSN：0882-4959
Ni-Fe/Cu人工格子における強磁性共鳴査読有り

古泉浩, 佐藤雅重, 安藤康夫, 石尾俊二, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　18　361-364　1994年

DOI： 10.3379/jmsjmag.18.361 　
FMR STUDY ON PERMALLOY/CU/PERMALLOY TRILAYER FILMS FABRICATED ON CU BUFFER LAYERS 査読有り

S ISHIO, H KOIZUMI, H KUBOTA, Y ANDO, T MIYAZAKI

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH　139　(2)　K125-K128　1993年10月

DOI： 10.1002/pssa.2211390239 　

ISSN：0031-8965
SIZE EFFECT IN THE VORTEX-GLASS TRANSITION IN SUBMICRON YBA2CU3OY STRIPS - EVIDENCE FOR SOFTENING OF VORTEX MATTER 査読有り

Y ANDO, H KUBOTA, S TANAKA

PHYSICAL REVIEW LETTERS　69　(19)　2851-2854　1992年11月

ISSN：0031-9007
重層媒体におけるビデオ信号の磁気記録シミュレ-ション解析査読有り

安藤康夫, 田河育也, 中村慶久

テレビジョン学会誌　46　(10)　1286-1294　1992年10月
出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会
DOI： 10.3169/itej1978.46.1286 　

ISSN：0386-6831

詳細を見る詳細を閉じる

We incorporate a magnetization model into the finite element method to calculate the recording characteristics for a VTR signal. The fact that calculated results agree with measured ones shows that this method is effective in the analysis of VTR signal recording. In addition we use the Fourier transfer to analyze magnetization distribution. This analysis clearly shows that the appearance of a spurious signal is caused by a nonlinear magnetization process. We also show that a video luminance signal can be recorded on a medium surface and that a video chrominance signal can be recorded on the middle layer of a medium. Therefore, a double-layered medium having a high coercive force in the surface layer and a low coercive force in the underlayer, is effective for the recording of a signal with a wide frequency region. Moreover, a double-layered medium with a perpendicularly oriented surface is excellent for high density recording.
重層塗布型媒体の電磁変換特性査読有り

安藤康夫, 川上晃, れん理英子, 西川卓男

日本応用磁気学会誌　15　109-112　1991年

DOI： 10.3379/jmsjmag.15.109 　
A SIMULATION FOR VIDEO SIGNAL RECORDING ON DOUBLE LAYERED COATING MEDIA . 査読有り

Y.Ando, I.Tagawa, Y.Nakamura

J. Magn. Soc. Jpn.　15　(S2)　215-220　1991年
CLASSICAL AND RE-ENTRANT SPIN-GLASS BEHAVIOR IN AMORPHOUS (FE1-XVX)77SI10B13, (FE1-XCRX)77SI10B13, (FE1-XMNX)77SI10B13, (FE1-XNIX)77SI10B13 ALLOYS 査読有り

T MIYAZAKI, OKAMOTO, I, Y ANDO, M TAKAHASHI

JOURNAL OF PHYSICS F-METAL PHYSICS　18　(7)　1601-1610　1988年7月

ISSN：0305-4608
CLASSICAL AND RE-ENTRANT SPIN-GLASS BEHAVIOR IN AMORPHOUSFe_1-xM_x)₇₇Si₁₀B₁₃ (M=Cr,Mn,Ni) ALLOY. 査読有り

T.Miyazaki, I.Okamoto, Y.Ando, M.Takahashi

Journal of Physics F Metallic Physics　18　1601-1610　1988年

DOI： 10.1088/0305-4608/18/7/026 　
MAGNETIZATION AND MOSSBAUER-EFFECT INVESTIGATIONS IN AMORPHOUS (FE1-XMNX)77SI10B13 ALLOYS 査読有り

T MIYAZAKI, K YAMADA, Y ANDO, OKAMOTO, I, M TAKAHASHI

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS　23　(5)　3584-3586　1987年9月

ISSN：0018-9464
LOW-FIELD MAGNETIZATION AND MOSSBAUER-EFFECT INVESTIGATIONS IN (FE65NI35)1-X(FE84MN16)X ALLOYS 査読有り

T MIYAZAKI, Y ANDO, M TAKAHASHI

PHYSICAL REVIEW B　34　(9)　6334-6340　1986年11月

DOI： 10.1103/PhysRevB.34.6334 　

ISSN：0163-1829
ANOMALOUS TEMPERATURE-DEPENDENCE OF MAGNETIZATION IN SINGLE-CRYSTAL FE65NI35 ALLOY 査読有り

T MIYAZAKI, Y ANDO, M TAKAHASHI

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　60　(2-3)　227-235　1986年8月

ISSN：0304-8853
ANOMALOUS TEMPERATURE-DEPENDENCE OF MAGNETIZATION IN POLYCRYSTALLINE FE65NI35 ALLOY 査読有り

T MIYAZAKI, Y ANDO, M TAKAHASHI

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　60　(2-3)　219-226　1986年8月

DOI： 10.1016/0304-8853(86)90104-6 　

ISSN：0304-8853
ANOMALOUS TEMPERATURE-DEPENDENCE OF MAGNETIZATION IN POLYCRYSTALLINE FE65NI35 ALLOY 査読有り

T MIYAZAKI, Y ANDO, M TAKAHASHI

JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS　60　(2-3)　219-226　1986年8月

DOI： 10.1016/0304-8853(86)90105-8 　

ISSN：0304-8853
SPIN-GLASS IN FE-NI INVAR-ALLOYS 査読有り

T MIYAZAKI, Y ANDO, M TAKAHASHI

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　57　(8)　3456-3458　1985年

DOI： 10.1063/1.335075 　

ISSN：0021-8979

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

MISC 145

TMRセンサによる生体磁場計測の進展

大兼幹彦, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 菅野彰剛, 中野貴文, 我妻宏, 有本直, 水上成美, 水上成美, 熊谷静似, 松崎斉, 松崎斉, 中里信和, 安藤康夫, 安藤康夫

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　70th　2023年

ISSN： 2436-7613
トンネル磁気抵抗センサによるサブピコテスラ磁界検出

大兼幹彦, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 菅野彰剛, 中野貴文, 我妻宏, 有本直, 水上成美, 水上成美, 熊谷静似, 松崎斉, 松崎斉, 中里信和, 安藤康夫, 安藤康夫

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　70th　2023年

ISSN： 2436-7613
頭皮上に密着可能なトンネル磁気抵抗素子を用いた室温脳磁計の開発

菅野彰剛, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 柿坂庸介, 松崎斉, 安藤康夫, 中里信和

臨床神経生理学(Web)　49　(5)　2021年

ISSN： 2188-031X
TMRセンサの原理と心磁図計測

大兼幹彦, 大兼幹彦, 大兼幹彦, 菅野彰剛, 藤原耕輔, 中野貴文, 熊谷静似, 松崎斉, 中里信和, 安藤康夫

臨床神経生理学(Web)　49　(5)　2021年

ISSN： 2188-031X
頭皮上に密着可能なトンネル磁気抵抗素子を用いた室温脳磁計の開発

菅野彰剛, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 柿坂庸介, 松崎斉, 安藤康夫, 中里信和

臨床神経生理学(Web)　49　(5)　2021年

ISSN： 2188-031X
TMRセンサを用いたリアルタイム心磁図計測

大兼幹彦, 菅野彰剛, 藤原耕輔, 松崎斉, 中里信和, 安藤康夫

日本生体医工学会大会プログラム・抄録集(Web)　60th　2021年
トンネル磁気抵抗素子を用いた室温脳磁計による体性感覚誘発磁界の測定

菅野彰剛, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 松崎斉, 安藤康夫, 中里信和

日本生体磁気学会誌　34　(1)　2021年

ISSN： 0915-0374
スピントロニクス技術を応用した高感度生体磁気センサ技術招待有り

安藤康夫

機能材料　38　40-47　2018年
Anisotropic magnetic property of nanocomposite Nd<inf>2</inf>Fe<inf>14</inf>B/Mo/α-Fe multilayer films

K. Kobayashi, D. Ogawa, K. Koike, H. Kato, M. Oogane, T. Miyazaki, Y. Ando, M. Itakura

Journal of Physics: Conference Series　903　2017年10月28日

DOI： 10.1088/1742-6596/903/1/012015 　

ISSN： 1742-6588
Spintronics Materials and Devices for Working Memory Technology FOREWORD

Hideo Ohno, Masafumi Yamamoto, Tetsuo Endoh, Yasuo Ando, Takahiro Hanyu, Kohei M. Itoh, Masaaki Tanaka, Seiji Mitani, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　56　(8)　2017年8月

DOI： 10.7567/JJAP.56.080201 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065
生体磁場測定応用の為の高感度TMRセンサの開発 (高周波用磁気デバイス・材料・評価技術の現状と新展開)

城野純一, 藤原耕輔, 大兼幹彦, 寺内孝, 土田匡章, 安藤康夫

社団法人日本磁気学会研究会資料 = Bulletin of Topical Symposium of the Magnetics Society of Japan　212　33-38　2017年2月21日
出版者・発行元：日本磁気学会
ISSN： 1882-2940
強磁性トンネル磁気抵抗素子センサ招待有り

安藤康夫

電気学会誌　136　22-25　2016年
強磁性トンネル接合を用いた高感度磁場センサの開発と展望 (大型プロジェクトによる磁気・スピン新機能デバイス研究開発の最前線)

安藤康夫

社団法人日本磁気学会研究会資料 = Bulletin of Topical Symposium of the Magnetics Society of Japan　203　21-30　2015年7月24日
出版者・発行元：日本磁気学会
ISSN： 1882-2940
Systematic investigation on correlation between sensitivity and nonlinearity in magnetic tunnel junction for magnetic sensor.

T. Nakano, M. Oogane, H. Naganuma, Y. Ando

2015 IEEE MAGNETICS CONFERENCE (INTERMAG)　2015年
Temperature Dependence of Low Frequency Noise in Magnetic Tunneling Junctions with Co40Fe40B20/Co70.5Fe4.5Si15B10 Composed Free Layer.

Z. Yuan, J. Feng, P. Guo, T. Nakano, S. Ali, X. Han, H. Naganuma, Y. Ando

2015 IEEE MAGNETICS CONFERENCE (INTERMAG)　2015年
Coercivity Enhancement in la Coated Nd-Fe-B Thin Films

Kunihiro Koike, Hiroya Ishikawa, Daisuke Ogawa, Hiroaki Kato, Takamichi Miyazaki, Yasuo Ando, Masaru Itakura

Physics Procedia　75　1294-1299　2015年1月1日

DOI： 10.1016/j.phpro.2015.12.144 　

ISSN： 1875-3884
Spintronics technology and device development

Yasuo Ando

Jpn. J. Appl. Phys.　54　070101-1-070101-10　2015年

DOI： 10.7567/JJAP.54.070101 　
界面装飾した強磁性トンネル接合の作製と磁気抵抗効果

安藤康夫, 大兼幹彦, 永沼博

東北大学極低温科学センターだより　(15)　3-6　2014年11月
出版者・発行元：東北大学極低温科学センター
スピントロニクス技術とデバイス開発招待有り

安藤康夫

応用物理　83　(3)　184-193　2014年
出版者・発行元：応用物理学会
ISSN： 0369-8009
磁気抵抗素子センサを用いた生体磁場計測招待有り

安藤康夫, 西川卓男

検査技術　6　2014年
技術シーズを活用した研究開発テーマの発掘

安藤康夫

（株）技術情報協会　223-229　2013年7月
強磁性トンネル接合を用いた高感度生体磁気センサの開発

西川卓男, 藤原耕輔, 大兼幹彦, 永沼博, 中里信和, 安藤康夫

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)　74th　2013年

ISSN： 2758-4704
Nd₂Fe₁₄B系バルク単結晶の表面状態と磁化反転

小川大介, 齋藤龍真, 水野善幸, 小池邦博, 加藤宏朗, 宮崎孝道, 安藤康夫

日本磁気学会学術講演概要集　37th　2013年

ISSN： 1882-2959
磁気抵抗素子センサーを用いた生体磁場計側

安藤康夫

工業材料　8　38-41　2013年
低磁気緩和を有するハーフメタルホイスラー合金

大兼幹彦, 水上成美, 窪田崇秀, 小田洋平, 佐久間昭正, 永沼博, 安藤康夫

日本磁気学会研究会資料 = Bulletin of Topical Symposium of the Magnetics Society of Japan　183　21-24　2012年3月22日
出版者・発行元：日本磁気学会
ISSN： 1882-2940
スピントロニクスとは何か

安藤康夫

OHM　99　(1)　17-20　2012年
出版者・発行元：オーム社
Pressure-induced half-metallic gap transformation in Co2MnSi observed by tunneling conductance spectroscopy

M. Nobori, Y. Sakuraba, Y. Miura, T. Nakano, J. Hasegawa, Y. Ohdaira, Y. Ando, K. Takanashi, G. Oomi

Physical Review B　83　(10)　104410　2011年

DOI： 10.1103/PhysRevB.83.104410 　

ISSN： 1098-0121
Optically induced magnetization dynamics and variation of damping parameter in epitaxial Co2MnSi Heusler alloy films

Y. Liu, L. R. Shelford, V. V. Kruglyak, Y. Sakuraba, M. Oogane, R. J. Hicken, Y. Ando

Physical Review B　81　(9)　094402　2010年

DOI： 10.1103/PhysRevB.81.094402 　

ISSN： 1098-0121
Evidence of Fermi level control in a half-metallic Heusler compound Co2MnSi by Al-doping: Comparison of measurements with first-principles calculations

Y. Sakuraba, Y. Kota, T. Kubota, M. Oogane, A. Sakuma, Y. Ando, K. Takanashi

Physical Review B　81　(14)　144422　2010年

DOI： 10.1103/PhysRevB.81.144422 　

ISSN： 1098-0121
26aVD-7 垂直磁化Pt/Co/Pt三層膜における時間分解磁気光学効果(スピン流・スピンホール,領域3,磁性,磁気共鳴)

水上成美, Sajitha E. P., 渡邉大輔, Wu F., 大兼幹彦, 永沼博, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　64　(2)　360-360　2009年8月18日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
Fe-Co-NiおよびCo基フルホイスラー合金薄膜における磁気緩和

水上成美, 大兼幹彦, 窪田嵩秀, 渡邉大輔, 永沼博, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本磁気学会誌まぐね　4　(5)　229-235　2009年4月
スピントルク磁化反転におけるスピンダイナミクス

安藤康夫, 青木達也, 玉川聖, 渡邉大輔, 水上成美, 家形諭, 谷口知大, 今村裕志, 永沼博, 大兼幹彦, 井波暢人, 宮崎照宣

日本磁気学会研究会資料 = Bulletin of Topical Symposium of the Magnetics Society of Japan　165　25-30　2009年3月13日
出版者・発行元：日本磁気学会
ISSN： 1882-2940
27aTF-12 磁性金属薄膜のスピン緩和の光学的検出(27aTF スピンホール・磁気渦・ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))

水上成美, 大兼幹彦, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　64　(1)　431-431　2009年3月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
スピンポンピングによるスピン流の創出と物理現象

安藤康夫, 水上成美, 家形諭, 谷口知大, 今村裕志, 大兼幹彦, 宮﨑照宣

まぐね　4　73-81　2009年
ホイスラー合金Co2MnSiを用いた高感度磁気抵抗素子の開発

桜庭裕弥, 岩瀬拓, 常木澄人, 斉藤今朝美, 大兼幹彦, 安藤康夫, 佐久間昭正, 高梨弘毅

IEICE Technical Report　(MR2008)　32　2008年11月

詳細を見る詳細を閉じる

Development of high-sensitive magnetoresistance devices using half-metallic Heusler alloy Co2MnSi
BiFeO₃-BiCoO₃固溶体薄膜の磁気特性および強誘電性

永沼博, 安井伸太郎, 西田謙, 飯島高志, 舟窪浩, 岡村総一郎, 安藤康夫

応用物理学会学術講演会講演予稿集　69th　(2)　2008年
MPBを有するBiFcO₃-BiCoO₃エピタキシャル薄膜の磁性と強誘電性

永沼博, 安井伸太郎, 西田謙, 舟窪浩, 飯島高志, 安藤康夫, 岡村総一郎

日本磁気学会学術講演概要集　32nd　2008年

ISSN： 1882-2959
Evidence of local moment formation in Co-based Heusler alloys

N. D. Telling, P. S. Keatley, G. van, der Laan, R. J. Hicken, E. Arenholz, Y. Sakuraba, M. Oogane, Y. Ando, K. Takanashi, T. Miyazaki

Physical Review B　78　(18)　184438　2008年

DOI： 10.1103/PhysRevB.78.184438 　

ISSN： 1098-0121
Synthesis and Properties of Co-Pt Alloy-Silica Core-Shell Particles

Yoshio Kobayashi, Hidekazu Kakinuma, Daisuke Nagao, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki, Mikio Konno

Journal of Sol-Gel Science and Technology　47　(1)　16-22　2008年

DOI： 10.1007/s10971-008-1740-1 　
強磁性共鳴を用いたMRAMフリー層材料の磁気緩和定数測定

安藤康夫, 大兼幹彦, 渡邉大輔, 渡邉美穂, YILGIN R., 家形諭, 宮崎照宣

日本応用磁気学会研究会資料　153　7-14　2007年2月27日

ISSN： 1340-7562
IETS法によるMgO-TMR膜のバリア構造観測

玉野井健, 大兼幹彦, 安藤康夫, 田中努, 上原裕二, 渦巻拓也

次世代磁気記録材料・システムへの挑戦　2007年
MgOバリアTMR膜の電気伝導特性

玉野井健, 大兼幹彦, 安藤康夫, 田中努, 上原裕二, 渦巻拓也

日本応用磁気学会学術講演概要集　31st　2007年

ISSN： 1340-8100
Synthesis of SiO₂-Coated Magnetite Nanoparticles and Immobilization of Proteins on Them

Yoshio Kobayashi, Mayumi Yoshida, Daisuke Nagao, Yasuo Ando, Terunobu Miyazaki, Mikio Konno

Ceramic Transactions　198　135-141　2007年
Nearly ideal half-metallic spin-polarization in Co2MnSi based magnetic tunnel junctions

Y. Sakuraba, M. Hattori, M. Oogane, H. Kubota, Y. Ando, A. Sakuma, N. D. Telling, P. Keatley, G. van, der Laan, E. Arenholz, R. J. Hicken, T. Miyazaki

Journal of Magnetic Society of Japan　31　(4)　338-343　2007年

DOI： 10.3379/jmsjmag.31.338 　

ISSN： 0285-0192 1880-4004
スピンエレクトロニクスが先導する高効率デバイス開発の未来―磁気抵抗比向上とＭｇＯ―

安藤康夫

マグネシア・ミュー，タテホ化学　2007年
27pPSA-7 磁性薄膜における強磁性共鳴の電気的検出および周波数依存性(27pPSA 領域3ポスターセッション薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

水上成美, 永嶋誠一, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　61　(1)　437-437　2006年3月4日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
Interfacial structure and half-metallic ferromagnetism in Co2MnSi-based magnetic tunnel junctions

N. D. Telling, P. Keatley, G. van, der Laan, R. J. Hicken, E. Arenholz, Y. Sakuraba, M. Oogane, Y. Ando, T. Miyazaki

Physical Review B　74　(22)　224439-1-224439-7　2006年
出版者・発行元： American Physical Society
DOI： 10.1103/PhysRevB.74.224439 　

ISSN： 1098-0121
MRAMの研究開発動向

安藤康夫

講習会資料　2006年

詳細を見る詳細を閉じる

講習会資料
24aXN-3 強磁性体二重トンネル接合を利用した超伝導体中へのスピン注入とその磁気抵抗効果(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))

大坊忠臣, 大兼幹彦, 安藤康夫, 宮崎照宜

日本物理学会講演概要集　60　(1)　407-407　2005年3月4日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
24aXN-1 Fe/MgO/Fe強磁性トンネル接合の非弾性電子トンネル分光(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))

宮越健史, 安藤康夫, 大兼幹彦, 宮崎照宜, 久保田均, 福島章雄, 長浜太郎, 湯浅新治

日本物理学会講演概要集　60　(1-3)　407-407　2005年3月4日
出版者・発行元：社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
スピンダイナミクスとスピントロニクスデバイス

安藤康夫, 水上成美, 宮崎照宣

固体物理　45　35-43　2005年
Co_2MnAlを用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果

中田淳, 大兼幹彦, 久保田均, 安藤康夫, 加藤宏朗, 佐久間昭正, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　28　395-395　2004年9月21日
スパッタリング法によるCo_2MnAlエピタキシャル薄膜の作製

桜庭裕弥, 中田淳, 大兼幹彦, 久保田均, 安藤康夫, 加藤宏朗, 佐久間昭正, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　28　394-394　2004年9月21日
TMR素子の高速磁化反転測定

安藤康夫, 中村洋明, 劉智亨, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　28　214-214　2004年9月21日
積層フェリフリー層を用いたサブミクロンMTJにおけるスイッチング磁界の低減

李永〓, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　28　215-215　2004年9月21日
下部強磁性電極の結晶性と強磁性トンネル接合のバイアス電圧依存性

安成眞, 加藤丈晴, 安藤康夫, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　28　109-109　2004年9月21日
Cu/Ni_<80>Fe_<20>/N(N=Cu, Cu/Pt)薄膜におけるFMR線幅とスピン拡散長

家形諭, 安藤康夫, 水上成美, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　28　125-125　2004年9月21日
金属ナノ細線をハードマスクに用いた強磁性単一電子素子の作製と特性評価

新関智彦, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　28　122-122　2004年9月21日
FIBによるサブミクロンMTJの作製プロセス

渡邉大輔, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　28　121-121　2004年9月21日
強磁性体二重トンネル接合による超伝導体へのスピン注入

大坊忠臣, 大兼幹彦, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　28　123-123　2004年9月21日
27pXJ-4 強磁性体/非磁性体接合におけるスピンポンピング(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)

安藤康夫, 中村洋明, 家形諭, 水上成美, 久保田均, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　59　(1)　464-464　2004年3月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
ユニバーサルメモリMRAM

安藤康夫

応用物理　73　390-393　2004年
高密度磁気メモリ

安藤康夫, 手束展規, 大野裕三, 栗野浩之, 久保田均, 大野英男

電子材料　43　(1)　136-141　2004年
高速磁化反転測定のための埋め込みコプレナーガイドの作製

花田成, 中村洋明, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　274-274　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
サイドエッジ薄膜堆積法を用いた微小二重強磁性トンネル接合の作製

新関智彦, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　272-272　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
CO-NH_3ガスを用いた磁性薄膜のドライエッチング

久保田均, 上田幸生, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　270-270　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
多層膜中の強磁性薄膜における動的磁化過程

中村洋明, 水上成美, 安藤康夫, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　275-275　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
ホイスラー系合金Co_2MnAlを用いた強磁性トンネル接合

中田淳, 大兼幹彦, 久保田均, 安藤康夫, 加藤宏朗, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　266-266　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
集束イオンビームを用いた微小強磁性トンネル接合の作製

渡邉大輔, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　271-271　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
MTJに用いる Synthetic ferrimagnet フリー層の熱安定性

李永〓, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　277-277　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
スピンダイナミクスの電気的および光学的アプローチ

安藤康夫, 中村洋明, 水上成美, 花田成, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　158-159　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
トンネルスピン分極率の強磁性層作製条件依存性

大兼幹彦, 大坊忠臣, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　434-434　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
Al_2O_3(0001)基板上のエピタキシャルトンネル接合のバイアス電圧依存性

安成眞, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　429-429　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
強磁性体//超伝導体//強磁性体二重接合の磁気抵抗効果

大坊忠臣, 大兼幹彦, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　435-435　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
下部電極をエピタキシャル成長させた強磁性トンネル接合の局所伝導特性

加藤丈晴, 劉智亨, 安藤康夫, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　431-431　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
陰極に強磁性金属を用いた有機EL素子の発光特性

仕幸英治, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　27　62-62　2003年9月1日

ISSN： 1340-8100
スピン物性の制御はどこまで可能になったか?

宮崎照宣, 安藤康夫

應用物理　72　(6)　773-774　2003年6月10日

ISSN： 0369-8009
Hard mask fabrication for MRAM elements using FIB assisted selective CVD

H. Kubota, M. Hamada, Y. Ando, T. Miyazaki

J. Appl. Phys　2003年
スピンダイナミックス

宮崎照宣, 安藤康夫, 水上成美, 中村洋明

マテリアルインテグレーション　16　23-28　2003年
100nmスケールの微小強磁性トンネル接合の作製と評価

久保田均, 濱田致知, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会研究会資料　126　27-34　2002年11月22日

ISSN： 1340-7562
Magnetic tunnel junction using an epitaxial Ni_<80>Fe_<20> thin film grown on a a single crystal Si substrate

YU J. H., LEE H. M., HAYASHI M., OOGANE M., KUBOTA H., ANDO Y., MIYAZAKI T.

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　26　10-10　2002年9月1日

ISSN： 1340-8100
Al/Al-oxide/ 強磁性体接合のトンネルコンダクタンス特性

大兼幹彦, 大坊忠臣, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　26　9-9　2002年9月1日

ISSN： 1340-8100
TMR素子の動的磁化反転過程の測定

中村洋明, 安藤康夫, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　26　16-16　2002年9月1日

ISSN： 1340-8100
電子線リソグラフィを用いたナノメーターサイズTMR素子の作製

新関智彦, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　26　11-11　2002年9月1日

ISSN： 1340-8100
高耐熱・高耐電圧強磁性トンネル接合の作製

井浦聡則, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　26　14-14　2002年9月1日

ISSN： 1340-8100
TMR素子における絶縁層/強磁性層界面の評価と伝導特性

安藤康夫, 林将光, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　26　8-8　2002年9月1日

ISSN： 1340-8100
Fabrication of magnetic tunnel junctions using epitaxial NiFe (111) ferromagnetic bottom electrodes

H. Yu, M. Hayashi, M. Oogane, H. Kubota, Y. Ando, T. Miyazaki, H. M. Lee

Appl. Phys. Lett　2002年
トンネル磁気抵抗効果とスピンエレクトロニクスの展開

宮崎照宣, 安藤康夫, 久保田均

固体物理　38　109-124　2002年
強磁性トンネル接合の絶縁障壁とスピン依存伝導

安藤康夫, 林将光, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　25　144a-144b　2001年9月1日

ISSN： 1340-8100
金属キレート錯体Alq_3の磁性と伝導特性

仕幸英治, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　25　190-190　2001年9月1日

ISSN： 1340-8100
様々な酸化方法で作製した強磁性トンネル接合

井浦聡則, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　25　337-337　2001年9月1日

ISSN： 1340-8100
TMR素子における極薄Alプラズマ酸化膜の特性

矢尾板和也, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　25　338-338　2001年9月1日

ISSN： 1340-8100
Magnetoresistance mesurement for ultra small TMR junctions using conductive AFM

KUBOTA H., ANDO Y., MIYAZAKI T., REISS G., BRUCKL H., SCHEPPER W., WECKER J., GIERES G.

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　25　341-341　2001年9月1日

ISSN： 1340-8100
トンネル分光法を用いたスピン分極率測定

大兼幹彦, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　25　336-336　2001年9月1日

ISSN： 1340-8100
中間層を超伝導体とする二重トンネル接合の磁気抵抗効果

大坊忠臣, 大兼幹彦, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　25　344-344　2001年9月1日

ISSN： 1340-8100
強磁性トンネル接合における絶縁層の酸化過程

林将光, 安藤康夫, 大兼幹彦, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　25　339-339　2001年9月1日

ISSN： 1340-8100
28aYE-5 中間層を超伝導体とする二重トンネル接合の磁気抵抗効果

大坊忠臣, 大兼幹彦, 安藤康夫, Kim C., Song O., 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　56　(1)　711-711　2001年3月9日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
スピンが担うエレクトロニクスの未来

安藤康夫

パリティ　16-12　23-29　2001年
強磁性トンネル接合の絶縁障壁と高速スイッチング特性

安藤康夫, 林将光, 中村洋明, 井浦聡則, 水上成美, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会第121回研究会資料　11-18　2001年
有機無機層状ペロブスカイト錯体の磁性と光学特性

仕幸英治, 安藤康夫, 江良正直, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　188-188　2000年9月1日

ISSN： 1340-8100
Ni_<80>Fe_<20>薄膜における磁気緩和

水上成美, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　183-183　2000年9月1日

ISSN： 1340-8100
強磁性トンネル接合のスピン依存局所伝導特性

林将光, 安藤康夫, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　45-45　2000年9月1日

ISSN： 1340-8100
異なる酸化条件により作製したTME素子のIETS

村井純一郎, 安藤康夫, 大坊忠臣, 矢尾板和也, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　39-39　2000年9月1日

ISSN： 1340-8100
プラズマ酸化法による低抵抗強磁性トンネル接合の作製

矢尾板和也, 上條誠, 新関智彦, 山本直志, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　47-47　2000年9月1日

ISSN： 1340-8100
Fabrication and magnetoelectric properties of high-magnetoresistance tunnel junctions

HAN X. F., DAIBOU T., YAOITA K., ANDO Y., KUBOTA H., MIYAZAKI T.

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　46-46　2000年9月1日

ISSN： 1340-8100
中間層にAlを用いた二重トンネル接合の磁気抵抗効果

大坊忠臣, 大兼幹彦, 安藤康夫, KIM Changkyung, SONG Ohsung, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　52-52　2000年9月1日

ISSN： 1340-8100
Transport properties in ferromagnetic double barrier junctions

SIRIPONGSAKUL T., OOGANE M., MURAI J., YU Andrew C. C., KUBOTA H., ANDO Y., MIYAZAKI T., KIM Changkyung, SONG Ohsung

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　24　51-51　2000年9月1日

ISSN： 1340-8100
23aE-13 マグノン非弾性励起の熱処理温度依存性

村井純一郎, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　55　(1)　361-361　2000年3月10日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
24pPSB-30 トンネル分光法によるFe,Co,Niのスピン分極率測定

大兼幹彦, 手束展規, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　55　(1)　410-410　2000年3月10日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
24pPSA-38 (80NiFe)_<1-x>Pt_x薄膜における強磁性共鳴線幅

水上成美, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　55　(1)　402-402　2000年3月10日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
Co/Al/Al-Oxide/Co接合界面のマグノン非弾性励起

村井純一郎, 安藤康夫, 上條誠, 大坊忠臣, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会誌　24　(4-2)　615-618　2000年
出版者・発行元： The Magnetics Society of Japan
DOI： 10.3379/jmsjmag.24.615 　

ISSN： 0285-0192

詳細を見る詳細を閉じる

Inelastic-electron-tunneling spectroscopy (IETS) was used to investigate the electron states of the Co/Al(d_Al)/Al-oxide/Co interface in ferromagnetic tunnel junctions. The IET spectra for both parallel and anti-parallel magnetization configurations of ferromagnetic electrodes showed a strong positive peak for d_Al = 0 Å. The subtraction spectrum defined by the difference between the spectra of the two configurations was calculated. The subtraction spectrum indicates only a magnon-assisted inelastic tunneling process. The tendency of the tunneling magnetoresistance (TMR) ratio to decrease with bias voltage agreed with the shape of the subtraction spectrum. By assuming surface magnon inelastic excitation, we obtained the distributions of correlation length and Curie temperature for both ferromagnetic electrode surfaces on the insulator. If an Al layer was inserted between a ferromagnet and an insulator, the subtraction spectrum showed an asymmetry to the bias voltage and magnon inelastic excitation at the interface decreased.
有機アミン-3d遷移金属錯体の磁性と光学特性

仕幸英治, 安藤康夫, 江良正直, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　23　312-312　1999年10月1日
スピンバルブ型トンネル接合のマグノン非弾性励起

村井純一郎, 安藤康夫, 上條誠, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　23　425-425　1999年10月1日
Ni_<80>Fe_<20>薄膜における強磁性共鳴線幅の下地層依存性

水上成美, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　23　379-379　1999年10月1日
Coナノ微粒子を含むトンネル接合の TMRとクーロンブロッケード

久保田均, 福本能之, THAMRONGSING S., 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　23　284-284　1999年10月1日
強磁性トンネル接合用Al酸化膜の局所伝導

安藤康夫, 亀田博史, 久保田均, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　23　275-275　1999年10月1日
Ni_<80>Fe_<20>Co/N(N=Ta, Al)/Al-oxide/Co接合における磁気抵抗効果

大坊忠臣, 手束展規, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　23　273-273　1999年10月1日
極薄Alプラズマ酸下膜を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果

上條誠, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　23　271-271　1999年10月1日
Ni-Fe/Co/Al-O/Co接合におけるTMRのプラズマ酸化時間及びAl膜厚依存性

久保田均, 大塚茂樹, 上條誠, YU C. C., 手束展規, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　23　272-272　1999年10月1日
26pPSA-49 Co/Co-AlO_x/Co接合のTMRとクーロンブロッケード

久保田均, シリポンサクンタムロンシン, 福本能之, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　54　(2)　420-420　1999年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
26pPSA-46 Ni_<80>Fe_<20>/Co/N/N-oxide/Co(N=Ta, Al)接合における磁気抵抗効果

大坊忠臣, 手束展規, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　54　(2)　420-420　1999年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
26pPSA-45 トンネル分光法によるスピン分極率測定

大兼幹彦, 手束展規, 久保田均, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　54　(2)　419-419　1999年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
26pPSA-47 Ni_<80>Fe_<20>/Co/Al(d_<Al>)/Al-oxide/Co接合の非弾性電子トンネル分光

村井純一郎, 安藤康夫, 大坊忠臣, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　54　(2)　420-420　1999年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
26aYQ-7 非磁性体(NM)/80NiFe/NM膜におけるFMR線幅に対するNMの効果

水上成美, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　54　(2)　397-397　1999年9月3日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
29a-J-3 80NiFe並びにCo超薄膜のFMR線幅

水上成美, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　54　(1)　420-420　1999年3月15日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
ナフチルアミン-3d遷移金属錯体の合成とその磁性

安藤康夫, 仕幸英治, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　22　257-257　1998年9月1日
Co, 80NiFe薄膜における強磁性共鳴の膜厚依存性

水上成美, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　22　261-261　1998年9月1日
wedge状に絶縁層を形成した強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果

安藤康夫, 横田匡史, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　22　453-453　1998年9月1日
1p-W-8 Al/Al_2O_3/Co/Al接合の非弾性電子トンネル分光

村井純一郎, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集　53　(1)　427-427　1998年3月10日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
ISSN： 1342-8349
高分子化合物を用いた機能性ＬＢ膜組織体の形成

宮下徳治, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本油学会誌　47　(4)　323-331　1998年
出版者・発行元： Japan Oil Chemists' Society
DOI： 10.5650/jos1996.47.323 　

ISSN： 1341-8327

詳細を見る詳細を閉じる

近年,高分子化合物を用いたLB膜が興味を持たれ始めている。高分子化合物の単分子膜形成やそのLB膜形成に影響する因子について低分子両親媒性化合物との違いなどの観点から,実際の高分子LB膜形成の例をもとに解説を行う。新規な高分子LB膜としてそれまであまり報告例のないフッ素系の高分子LB膜についても紹介を行う。また,高分子LB膜への機能性の導入法の検討と実際の興味ある例として磁気機能団を導入した高分子LB膜の解説を行った。
有機アミン-3d遷移金属錯体の合成とその磁性

安藤康夫, 仕幸英治, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　21　79-79　1997年10月1日
非弾性電子トンネル分光法(IETS)を用いた強磁性体/絶縁体界面の解析

村井純一郎, 安藤康夫, 手束展規, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　21　174-174　1997年10月1日
Wedge状の絶縁層を有する強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果

横田匡史, 安藤康夫, 手束展規, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　21　173-173　1997年10月1日
強磁性体-有機色素接合における偏極スピン伝導

安藤康夫, 村井純一郎, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　20　137-137　1996年9月1日
強磁性トンネル接合における絶縁障壁と磁気抵抗効果

手束展規, 安藤康夫, 宮崎照宣, TOMPKINS H. G., TEHRANI S. T., GORONKIN H. G.

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　20　136-136　1996年9月1日
70CoNi/Cu/80NiFe三層膜の強磁性共鳴

水上成美, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　20　54-54　1996年9月1日
80Ni-Fe/Cu/Co/Cu80Ni-Fe人工格子薄膜の強磁性共鳴

安藤康夫, 古泉浩, 宮崎照宣

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan　19　343-343　1995年9月1日
29a-PS-14 擬二元R-Fe(R=Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Er)アモルファス合金の強磁場磁化

栗田直幸, 加藤宏朗, 安藤康夫, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集. 年会　50　(3)　41-41　1995年3月16日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
3a-YA-12 ランダム異方性を有するR-Fe擬二元アモルファス合金の磁気相図

栗田直幸, 加藤宏朗, 安藤康夫, 石尾俊二, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1994　(3)　67-67　1994年8月16日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
3p-YA-7 強磁性/Al-Al_2O_3/強磁性接合の磁気トンネリング効果

手束展規, 安藤康夫, 宮崎照宜

日本物理学会講演概要集. 秋の分科会　1994　(3)　84-84　1994年8月16日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
1a-S-4 80Ni-Fe/Cu人工格子における強磁性共鳴

古泉浩, 佐藤雅重, 安藤康夫, 石尾俊二, 宮崎照宣

日本物理学会講演概要集. 年会　48　(3)　142-142　1993年3月16日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
31p-PS-15 Fe-Ni-Mn合金のリエントラントスピングラス(磁性(磁性理論及びスピングラス))

宮崎照宣, 安藤康夫, 高橋実

年会講演予稿集　41　(3)　137-137　1986年3月29日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
3a-PS-9 Fe_<65>(Ni_<1-x>Mn_x)_<35>(0≦x≦0.3)合金のスピングラス

宮崎照宣, 安藤康夫, 高橋実

秋の分科会講演予稿集　1985　(3)　119-119　1985年9月13日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
31a-D3-10 Fe_<65>Ni_<35>インバー合金のリエントラントスピングラス(磁性(スピングラス))

高橋実, 安藤康夫, 宮崎照宜

年会講演予稿集　40　(3)　69-69　1985年3月31日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会
12a-T-4 Fe-Niインバー合金のスピングラス

高橋実, 岡本巌, 安藤康夫, 宮崎照宣

秋の分科会講演予稿集　1983　(3)　88-88　1983年9月13日
出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

書籍等出版物 8

生体情報センシングとヘルスケアへの最新応用

安藤康夫

技術情報協会　2017年6月
新しい磁気センサとその応用

安藤康夫

(株)トリケップス　2013年
技術シーズを活用した研究開発テーマの発掘

安藤康夫

技術情報協会　2013年
スピンポンピングと磁化ダイナミクス

安藤康夫

シーエムシー出版　2009年
Optically stimulated magnetization dynamics of epitaxial Heusler alloy films

Y. Liu, L. R. Shelford, V. V. Kruglyak, R. J. Hicken, Y. Sakuraba, M. Oogane, Y.Ando, T. Miyazaki

Research Signpost　2009年
磁気抵抗効果再生磁気ヘッドの基本原理

安藤康夫

シーエムシー出版　2007年
トンネル磁気抵抗材料

安藤康夫

株式会社フジ・テクノシステム　2005年
スピンダイナミクス

安藤康夫, 水上成美, 中村洋明, 久保田均, 宮﨑照宣

シーエムシー出版　2004年12月

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

講演・口頭発表等 86

超高感度磁気センサの可能性招待有り

安藤康夫

第33回東北地域の車を考える会　2018年9月21日
Recent progress of biomagnetic field sensors with ferromagetic tunnel junctions 招待有り

安藤康夫

第42回日本磁気学会講演会　2018年9月12日
Recent Progress of Bio-magnetic Field Sensors with Ferromagnetic Tunnel Junctions (MTJs) 国際会議招待有り

安藤康夫

Annual World Congress of Smart Materials 2018 “Weaving an Avatar Dream Together”　2018年4月7日
Recent progress of bio-magnetic field sensors with ferromagnetic tunnel junctions (MTJs) 国際会議招待有り

安藤康夫

Tohoku/SG-Spin Workshop on Spintronics　2018年2月21日
トンネル磁気抵抗素子を用いた生体磁場測定装置の開発と展望招待有り

安藤康夫

日本学術振興会「先端ナノデバイス・材料テクノロジー」151委員会平成29年度第5回研究会　2018年1月24日
トンネル磁気抵抗素子を用いた生体磁場測定装置の開発招待有り

安藤康夫

東北大学レアメタル・グリーンイノベーション研究開発センター第３回フォーラム～クリーンエネルギー関連デバイス部門研究成果～　2017年12月22日
TMRを用いた生体磁気センサの開発「社会基盤の向上につながる磁気センサとその活用」招待有り

安藤康夫

第5回岩崎コンファレンス　2017年11月27日
Bio-magnetic field sensor application of magnetic tunnel junctions 国際会議招待有り

安藤康夫

2017 Lorraine-Mainz-Tohoku Joint Seminar　2017年11月3日
Magnetic field sensor application of magnetic tunnel junctions 国際会議招待有り

安藤康夫

SSDM 2017　2017年9月21日
Development of Spintronics and Device Application 国際会議招待有り

安藤康夫

The 2017 International Meeting for Future of Electron Devices　2017年6月29日
Development of bio-magnetic sensors operating at room temperature with ferromagnetic tunnel junctions 国際会議招待有り

安藤康夫

Biomagnetic Sendai 2017　2017年5月23日
トンネル磁気抵抗磁場センサの開発と生体磁場計測への応用招待有り

安藤康夫

第64回応用物理学会春季学術講演会　2017年3月16日
Bio-magnetic field sensor application of magnetic tunnel junctions 国際会議招待有り

安藤康夫

4th JSPS Core-to-Core Workshop on “New concept Spintronic Devices”　2016年11月20日
Development of bio-magnetic field measurement system with tunnel magnetoresistance devices 国際会議招待有り

安藤康夫

2016 DISKCON JAPAN　2016年5月26日
ホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合のデバイス応用の展望招待有り

安藤康夫

日本金属学会 2015年秋季講演大会　2015年9月17日
“強磁性トンネル接合を用いた高感度磁場センサの開発と展望” 招待有り

日本磁気学会第203回研究会　2015年7月24日
“高感度TMRを用いた生体磁場測定デバイス” 招待有り

日本学術振興会薄膜第131委員会、半導体界面制御技術第154委員会合同研究会　2015年2月24日
“高感度TMRを用いた生体磁場測定デバイス” 招待有り

JR東海第25回技術開発部セミナー　2014年11月11日
”Bio-magnetic field sensor application of magnetic tunnel junctions” 国際会議招待有り

The 6th IEEE international Nanoelectronics Conference 2014 (IEEE INEC 2014)　2014年7月29日
“強磁性トンネル接合を用いた高感度磁気センサの応用と展望” 招待有り

日本磁気学会第197回研究会「高感度磁気センサの研究と製品」　2014年7月11日
”強磁性トンネル接合を用いた生体磁気計測の現状と進歩” 招待有り

第53回日本生体医工学会オーガナイズドセッション「生体磁気計測技術の進歩」　2014年6月24日
”Bio-magnetic field sensor application of magnetic tunnel junctions” 国際会議招待有り

Yasuo Ando, Daiki Kato, Kosuke Fujiwara, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, T. Nishikawa

The AIMR International Symposium 2014 (AMIS 2014) “Toward emergence of new materials science with mathematics collaboration”　2014年2月18日
“Magnetic materials with high thermal stability and low magnetic damping” 国際会議招待有り

The 2nd SRJ MRAM Forum 2013　2013年11月20日
“MTJ-based Spintronics” 国際会議招待有り

SSDM2013 SHORT COURSE B. “Fundamentals and Applications of Spintronics Frontier”　2013年9月24日
“強磁性トンネル接合を用いた生体磁気計測の現状と展望” 招待有り

第28回日本生体磁気学会　2013年6月7日
“トンネル磁気抵抗素子を用いた心磁場および脳磁場の計測” 招待有り

安藤康夫, 藤原耕輔, 大兼幹彦, 永沼博, 西川卓男

日本磁気学会第44回スピンエレクトロニクス専門研究会　2013年3月6日
“スピンによる生体磁場計測－革新的スピントロニクス医療デバイスの創成の可能性－” 招待有り

安藤康夫, 西川卓男

平成24年度東北地区高等専門学校専攻科産学連携シンポジウム　2013年3月2日
“XMCDを用いた強磁性トンネル接合界面の解析と伝導特性” 招待有り

第二回東北大学光・量子ビーム科学連携ワークショップ　2013年1月8日
スピンによる心磁図・脳磁図計測－革新的スピントロニクス医療デバイスの創成の可能性招待有り

第7回 ATI合同研究会『スピンと生命の融合』—バイオスピントロニクスの可能性を探る　2012年11月27日
“Large magnetoresistance effect in Epitaxial Co2FexMn1-xSi/Ag/ Co2FexMn1-xSi Devices” 招待有り

Jo Sato, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma, Yasuo Ando

第73回応用物理学会学術講演会応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演　2012年9月13日
“スピントロニクス技術による生体磁場センサ” 招待有り

安藤康夫, 藤原耕輔, 大兼幹彦, 永沼博, 西川卓男

第73回応用物理学会学術講演会　2012年9月12日
Advanced spintronic materials and transport phenomena 国際会議招待有り

Japan-Germany Progress Seminar “Spin and Quantum Information”　2011年11月24日
スピントロニクスの現状と今後の展開招待有り

デンソー共同研究講演会　2011年11月4日
二重強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果招待有り

第71回応用物理学会学術講演会　2011年9月14日
Progress of magnetoresistance effect in MTJs with Heusler alloys 国際会議招待有り

2nd Meeting of Strategic Japanese-German Joint Research Program“ASPIMATT” : Advanced spintronic materials and transport phenomena　2010年10月19日
強磁性トンネル接合を用いた極微小磁界検出の可能性招待有り

コニカミノルタオプト講演会　2010年10月1日
二重強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果招待有り

第34回日本磁気学会学術講演会　2010年9月4日
二重障壁強磁性トンネル素子およびホイスラー合金を用いた素子における磁気抵抗効果招待有り

International Disk Forum 国際ディスクフォーラム2010 (DISKCON)　2010年7月30日
MgO二重障壁強磁性トンネル接合における巨大磁気抵抗効果招待有り

Lixian Jiang, 永沼博, 大兼幹彦

春季第 57回応用物理学関係連合講演会　2010年3月18日
MgO障壁層を用いた二重強磁性トンネル接合における巨大磁気抵抗効果招待有り

IDEMA JAPAN 合同部会講演会　2009年12月4日
MgO障壁層を用いた二重強磁性トンネル接合における磁気抵抗効果招待有り

第４回スピントロニクス技術分科会　2009年11月12日
ホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果と界面制御招待有り

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会　2009年3月16日
スピントルク磁化反転におけるスピンダイナミクス招待有り

安藤康夫, 青木達也, 玉川聖, 渡邉大輔, 水上成美, 家形諭, 谷口知大, 今村裕志, 永沼博, 大兼幹彦, 宮崎照宣

日本磁気学会第165回研究会　2009年3月13日
Perspective of High Tunnel Magnetoresistance in Magnetic Tunnel Junctions with Heusler Alloy Electrodes and MgO Barrier 国際会議招待有り

Y. Ando, S. Tsunegi, T. Kubota, G. Kim, T. Hiratsuka, Y. Sakuraba, M. Oogane, K. Takanashi, S. Mizukami, T. Miyazaki

Tohoku-York Research Seminar　2009年1月20日
強磁性トンネル接合における磁気抵抗効果と界面制御招待有り

第１回界面科学研究会，表面・界面制御による新物質層の探索　2008年12月19日
新潟高校特別授業招待有り

安藤康夫

最先端技術と産業を支える工学研究～磁石で考えるナノテクノロジー　2008年3月24日
スピンエレクトロニクス技術の現状と将来展望招待有り

富士電機デバイステクノロジー株式会社技術講演会　2007年10月10日
MRAMの研究開発動向招待有り

次世代不揮発メモリのデバイス原理と研究開発動向　2007年4月26日
Preparation of magnetic tunnel junctions with ferromagnetic electrodes of high spin polarization 国際会議招待有り

FG559 meeting, Mainz, Germany　2007年4月16日
強磁性共鳴を用いたMRAMフリー層材料の磁気緩和定数測定招待有り

大兼幹彦, 渡邉大輔, 渡邉美穂, Resul Yilgin, 家形諭, 宮崎照宣

日本応用磁気学会第153回研究会，第15回スピンエレクトロニクス専門研究会　2007年2月27日
High spin-polarized state observed in magnetic tunnel junctions with Co2MnSi electrodes 国際会議招待有り

Y. Ando, Y. Sakuraba, M. Oogane, A. Sakuma, T. Miyazaki

Japan-Germany Joint Workshop 2006, “Nano-Electronics”　2006年11月30日
マイクロ波とスピンダイナミクス招待有り

東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会　2006年9月28日
Recent progress in tunnel magnetoresistance effect and the application to spintronics devices 国際会議招待有り

Y. Ando

KINKEN-WAKATE　2006年8月26日
ナノテクノロジーと私たちの生活～究極の微小磁石-スピン-を利用したナノテク～招待有り

佐沼高校　2006年8月1日
強磁性トンネル接合における巨大磁気抵抗効果の進展と磁気メモリへの応用招待有り

安藤康夫, 大兼幹彦, 宮崎照宣

東北大学多元研研究会　2006年6月3日
Spin-dependent spectroscopy of MTJs with high spin polarization materials 国際会議招待有り

Y. Ando, T. Miyakoshi, T. Daibou, M. Oogane, T. Miyazaki, S. Yuasa

3rd Int. Symposium “Thin Films of Heusler Compounds, a Challenge　2005年11月12日
Large magnetoresistance in MTJs with full-Heusler alloy electrode 国際会議招待有り

Y. Ando, Y. Sakuraba, M. Oogane, H. Kubota, T. Miyazaki

3rd Int. Symposium Thin Films of Heusler Compounds, a Challenge　2005年11月11日
Recent progress in magnetic tunnel junctions with MgO barrier 国際会議招待有り

Y. Ando, M Oogane, T. Daibou, T. Miyakoshi, S. Yuasa, T. Miyazaki

Johannes Gutenberg-Universität seminar　2005年6月24日
Recent development of MRAM (magnetic random access memory) and related phenomena 国際会議招待有り

Y. Ando, M. Oogane, Y. Sakuraba, Y.M. Yi, J. Nakata, R. Yilgin, H. Kubota, T. Miyazaki

Physikalisches Kolloquium, Fachbereich Physik　2005年5月2日
Large magnetoresistance in magnetic tunnel junctions using Co-Mn-Al full Heusler alloy 国際会議招待有り

Y. Ando, M. Oogane, Y. Sakuraba, J. Nakata, R. Yilgin, H. Kubota, T. Miyazaki

Johannes Gutenberg-Universität seminar　2005年3月18日
スピン緩和とスピンデバイスへの展開招待有り

安藤康夫, 水上成美, 中村洋明, 家形諭, 大坊忠臣, 宮崎照宣

日本応用磁気学会第8回ナノマグネティックス専門研究会　2004年10月22日
強磁性体/非磁性体接合におけるスピンポンピングとスピン拡散長招待有り

安藤康夫, 家形諭, 中村洋明, 水上成美, 宮崎照宣

日本金属学会 2004年秋期大会シンポジウム　2004年9月29日
強磁性体/非磁性体接合におけるスピンポンピング招待有り

安藤康夫, 家形諭, 水上成美, 中村洋明, 久保田均, 宮崎照宣

日本物理学会第59回年次大会シンポジウム　2004年3月27日
メタル系スピントロニクスデバイスとダイナミクス招待有り

安藤康夫, 水上成美, 中村洋明, 家形諭, 久保田均, 宮崎照宣

文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「半導体ナノスピントロニクス」平成15年度報告会　2004年1月27日
TMR素子の分極率とトンネル分光招待有り

NHK技術研究会　2004年1月8日
Effect of spin pumping on Gilbert damping for thin permalloy films detected by using time-resolved Kerr effect 国際会議招待有り

Y. Ando, S. Mizukami, H. Nakamura, H. Kubota, T. Miyazaki

International Symposium on Magnetic Materials and Application　2003年12月4日
Magnetic tunnel junctions with epitaxially-grown bottom electrodes 国際会議招待有り

Y. Ando, J.H. Yu, S.J. Ahn, T. Kato, M. Oogane, H. Kubota, T. Miyazaki

International workshop on Nano-scale Magnetoelectronics　2003年11月25日
コンタクトAFM同時電流測定による強磁性トンネル接合絶縁層の局所評価招待有り

JEOL仙台表面分析懇話会　2003年11月6日
TMR素子の基礎と物性招待有り

NHK技術研究会　2003年10月6日
スピンダイナミクスの電気的および光学的アプローチ招待有り

安藤康夫, 中村洋明, 水上成美, 花田成, 久保田均, 宮崎照宣

第27回応用磁気学会学術講演会シンポジウム　2003年9月17日
Interface Characterization of Magnetic Tunnel Junctions 国際会議招待有り

Y. Ando, H. Kubota, T. Miyazaki

KIST seminar　2002年10月29日
MRAMに関わるTMR素子の絶縁特性とスピン反転招待有り

安藤康夫, 林将光, 中村洋明, 久保田均, 宮崎照宣

第49回応用物理学関係連合講演会シンポジウム　2002年3月29日
Growth Mechanism of Thin Insulating Layer in Ferromagnetic Tunnel Junctions Prepared by Various Oxidation Methods 国際会議招待有り

Y. Ando, M. Hayashi, S. Iura, K. Yaoita, H. Kubota, T. Miyazaki

International 17th International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces　2002年3月4日
強磁性トンネル接合における絶縁層/強磁性層界面状態と耐熱特性招待有り

安藤康夫, 林将光, 久保田均, 宮崎照宣

金研ワークショップ「遷移金属酸化物薄膜における新機能創製の研究」　2001年11月25日
強磁性トンネル接合の絶縁障壁と高速スイッチング特性招待有り

安藤康夫, 林将光, 中村洋明, 井浦聡則, 水上成美, 久保田均, 宮崎照宣

応用磁気学会研究会「スピンエレクトロニクスの現状と将来展望」　2001年10月23日
強磁性トンネル接合の絶縁障壁とスピン依存伝導招待有り

安藤康夫, 林将光, 久保田均, 宮崎照宣

第25回日本応用磁気学会学術講演会シンポジウム　2001年9月26日
強磁性トンネル接合の絶縁障壁とスピン依存伝導招待有り

安藤康夫, 林将光, 久保田均, 宮崎照宣

第45回日本学術会議材料研究連合講演会　2001年9月18日
テラビット開発に向けたTMR素子の要件と課題招待有り

情報ストレージ技術専門委員会　2001年7月31日
Growth Mechanism of Thin Insulating Layer in Ferromagnetic Tunnel Junctions Analyzed by Conducting AFM Method 国際会議招待有り

Y. Ando, M. Hayashi, K. Yaoita, S. Iura

International Symposium on Physics of Magnetic Materials　2001年5月13日
TMR素子の局所伝導特性と磁気抵抗効果招待有り

第40回磁性多層膜の新しい機能専門研究会　2001年1月21日
Recent Development for Ferromagnetic Tunnel Junctions 国際会議招待有り

2nd Workshop for 21C Frontier Project　2000年11月2日
Spin Dependent Tunneling in Ferromagnet/Insulator/Ferromagnet Junctions with poly-N dodecyl-acrylamide LB Film 国際会議招待有り

Nano-molecular Electronics '97　1997年12月10日
高分子フェロセン誘導体LB膜の構造と磁性招待有り

第46回高分子討論会　1997年10月2日
金属人工格子における磁性層間相互作用とスピントランスポート招待有り

安藤康夫, 手束展規, 水上成美, 古泉浩, 宮崎照宣

東大COE研究会　1996年3月
Langmuir-Blodgett法による有機分子強磁性体薄膜の作製招待有り

秋田大学薄膜研究会「磁性薄膜の基礎・応用研究の進展」　1995年11月17日
高分子LB膜を用いた80NiFe/PDDA/Co接合の磁気トンネリング効果招待有り

安藤康夫, 廣池太郎, 宮崎照宣

磁性多層膜の新しい機能専門研究会　1995年7月18日

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

産業財産権 69

Mn系強磁性薄膜の製造方法およびMn系強磁性薄膜

大兼幹彦, 安藤康夫, 渡部健太

産業財産権の種類: 特許権
磁気センサおよびその製造方法

古市喬干, 青建一, 阿部竜一郎, 安藤康夫, 大兼幹彦, 中野貴文

産業財産権の種類: 特許権
磁気抵抗素子、磁気検出装置、及び磁気抵抗素子の製造方法

古市喬干, 青建一, 安藤康夫, 大兼幹彦, 中野貴文

産業財産権の種類: 特許権
磁気センサ

古市喬干, 青建一, 安藤康夫, 大兼幹彦, 中野貴文

産業財産権の種類: 特許権
トンネル磁気抵抗素子及びその製造方法

安藤康夫, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 城野純一, 土田匡章

産業財産権の種類: 特許権
トンネル磁気抵抗素子及びその製造方法

安藤康夫, 大兼幹彦, 藤原耕輔, 城野純一

産業財産権の種類: 特許権
磁気センサー、センサーユニット、磁気検出装置、及び磁気計測装置

藤原耕輔, 大兼幹彦, 安藤康夫, 城野純一, 寺内孝

産業財産権の種類: 特許権
Mn系強磁性薄膜およびその製造方法、ならびにMn系強磁性薄膜を有する磁気トンネル接合素子

大兼幹彦, 安藤康夫, 栗本雄太, 渡部健太, 窪田美穂

産業財産権の種類: 特許権

詳細を見る詳細を閉じる

【優先権主張番号】特願2015-210894，【優先日】平成27年10月27日
磁気センサ

矢野敏史, 青建一, 安藤康夫, 大兼幹彦

産業財産権の種類: 特許権
マルチフェロイック素子

永沼博, 一ノ瀬智浩, 大兼幹彦, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気抵抗素子

矢野敏史, 青建一, 安藤康夫, 大兼幹彦, 中野貴文

産業財産権の種類: 特許権
磁気センサ

矢野敏史, 青建一, 古市喬干, 安藤康夫, 大兼幹彦, 中野貴文

産業財産権の種類: 特許権
磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気センサ

矢野敏史, 青建一, 安藤康夫, 大兼幹彦, 中野貴文

産業財産権の種類: 特許権
磁気センサー及びその製造方法

西川卓男, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権

詳細を見る詳細を閉じる

【優先権主張番号】特願2013-150339，【優先日】平成25年7月19日
マルチフェロイック薄膜及びそれを用いたデバイス

永沼博, フスネアラベガン, 窪田美穂, 佐藤敬, 大兼幹彦, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気メモリ

永沼博, モハメドナズルル, イスラムカーン, 井波暢人, 大兼幹彦, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
生体磁気センサー及びその製造方法

西川卓男, 荒川裕明, 安藤康夫, 大兼幹彦, 藤原耕輔

産業財産権の種類: 特許権
磁気抵抗効果素子および磁気デバイス

大兼幹彦, 永沼博, 安藤康夫, 佐藤丈

産業財産権の種類: 特許権
スピントランジスタおよび磁気デバイス

大兼幹彦, 永沼博, 安藤康夫, 大平祐介

産業財産権の種類: 特許権
生体磁気計測装置、生体磁気計測システム、及び、生体磁気計測方法

西川卓男, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権

詳細を見る詳細を閉じる

【優先権主張番号】特願2010-202540，【優先日】平成22年9月10日
二重障壁強磁性トンネル接合および磁気デバイス

姜麗仙, 永沼博, 大兼幹彦, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
ホイスラー合金材料、磁気抵抗素子および磁気デバイス

大兼幹彦, 佐藤丈, 窪田崇秀, 永沼博, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
反平行結合膜構造体、トンネル磁気抵抗素子および磁気デバイス

大兼幹彦, 西村真之, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気抵抗素子及び磁気メモリ

西山勝哉, ファンウ, 水上成美, 宮崎照宣, 與田博明, 甲斐正, 岸達也, 渡邉大輔, 大兼幹彦, 安藤康夫, 吉川将寿, 永瀬俊彦, 北川英二, 大坊忠臣, 長嶺真夫

産業財産権の種類: 特許権
磁性材料及びそれを用いた磁気抵抗素子

久保田均, 福島章雄, 薬師寺啓, 長浜太郎, 湯浅新治, 安藤功兒, 大兼幹彦, 渡邉美穂, 安藤康夫, 宮﨑照宣

産業財産権の種類: 特許権
磁気抵抗素子の製造方法、磁気デバイスの製造方法、磁気抵抗素子の製造装置および磁気デバイスの製造装置

森田正, 小野一修, 菊地幸男, 大兼幹彦, 大坊忠臣, 安藤康夫, 宮﨑照宣

産業財産権の種類: 特許権
トンネル磁気抵抗効果素子

大兼幹彦, 宮﨑照宣, 桜庭裕弥, 服部正志, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
トンネル磁気抵抗効果素子

大兼幹彦, 宮﨑照宣, 桜庭裕弥, 服部正志, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
低磁気緩和定数トンネル磁気抵抗素子

安藤康夫, 渡邉大輔, 大兼幹彦, 宮﨑照宣

産業財産権の種類: 特許権
スピントランジスタ

大兼幹彦, 宮﨑照宣, 桜庭裕弥, 安藤康夫, 久保田均

産業財産権の種類: 特許権
トンネル磁気抵抗効果素子

大兼幹彦, 宮﨑照宣, 桜庭裕弥, 安藤康夫, 久保田均

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

竹田克之, 清水雄二, 溝口康正, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

清水雄二, 竹田克之, 溝口康正, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

川上晃, 安藤康夫, 西川卓男, れん理英子, 枝松美紀

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

川上晃, 安藤康夫, 西川卓男, 瑓理英子, 枝松美紀

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体およびその製造方法

瑓理英子, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

西川卓男, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

西川卓男, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

安藤康夫, 西川卓男

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

安藤康夫, 西川卓男

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

川上晃, 安藤康夫, 西川卓男, 瑓理英子, 枝松美紀

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

川上晃, 安藤康夫, 西川卓男, 瑓理英子, 枝松美紀

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

河原説子, 中野寧, 小山曻, 安藤康夫, 川上晃

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

西川卓男, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

安藤康夫, 見寶勉

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

松田敦子, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

松田敦子, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

後藤成人, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体及びその製造方法

西川卓男, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

後藤成人, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

後藤成人, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

安藤康夫, 西川卓男

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

後藤成人, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

安藤康夫, 西川卓男

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

安藤康夫, 西川卓男

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体の製造方法

川上晃, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体の製造方法及びその装置

川上晃, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体の製造方法

安藤康夫, 飛沢誠一

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体の製造方法

佐々木邦綱, 安藤康夫, 飛沢誠一

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体の製造方法

安藤康夫, 佐々木邦綱, 飛沢誠一

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

磯辺亮介, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

磯辺亮介, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

磯辺亮介, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体

磯辺亮介, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体の製造方法

奈良仁司, 川上晃, 松田敦子, 後藤成人, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体の製造方法

奈良仁司, 見寶勉, 川上晃, 安藤康夫, 松田敦子

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体の製造方法

奈良仁司, 見寶勉, 川上晃, 安藤康夫, 松田敦子

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体の製造方法

奈良仁司, 見寶勉, 川上晃, 安藤康夫, 後藤成人

産業財産権の種類: 特許権
磁気記録媒体の製造方法

川上晃, 奈良仁司, 見寶勉, 松田敦子, 安藤康夫

産業財産権の種類: 特許権

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

共同研究・競争的資金等の研究課題 47

トンネル磁気抵抗素子を用いた心磁図および脳磁図と核磁気共鳴像の室温同時測定装置の開発競争的資金

安藤康夫

2011年～ 2020年
高機能・超低消費電力スピンデバイス・ストレージ基盤技術の開発競争的資金

大野英男

2007年～ 2019年
規則合金系ヘテロ接合における多彩な物理現象とスピンデバイス創製競争的資金

安藤康夫

2012年～ 2016年
規則合金系ヘテロ接合における多彩なスピンデバイス創製(辞退）競争的資金

安藤康夫

2012年～ 2014年
省エネルギー・スピントロニクス論理集積回路の研究開発競争的資金

大野英男

2009年～ 2014年
先端スピントロニクス材料と伝導現象（ASPIMATT）競争的資金

安藤康夫

2010年～ 2012年
MgOおよびAlOトンネル接合におけるスピントランスファー磁化反転競争的資金

安藤康夫

2009年～ 2011年
材料インテグレーション国際教育研究拠点競争的資金

後藤孝

2007年～ 2011年
Design of Materials and Structures for Reduction in Spin Transfer Noise for Heusler Alloy Based CPP GMR Structures 競争的資金

安藤康夫

2008年～ 2010年
金属ナノへテロ接合におけるスピン波励起と高周波デバイスの創製競争的資金

安藤康夫

2008年～ 2010年
スピン流と光物性調製班

大野裕三, 宗片比呂夫, 安藤康夫, 永長直人

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

研究機関：Tohoku University

2007年～ 2010年

詳細を見る詳細を閉じる

スピン流と光物性に関し,半導体量子構造における電子・核スピン物性の光制御とその光検出,強磁性半導体の光励起による新物性の発現,強磁性金属多層膜の光物性,さらにスピンと光の結合理論について研究を行い,実験研究および理論研究のグループ間の連携を進めながら多くの知見を得た.
磁性薄膜材料．MRAMの磁化反転に関する研究競争的資金

安藤康夫

2007年～ 2010年
金属系多層膜におけるスピン流と磁気緩和競争的資金

安藤康夫

2007年～ 2010年
NEDOスピントロニクス不揮発性機能技術プロジェクト競争的資金

安藤功兒

2006年～ 2010年
高密度情報ストレージコンポーネント，研究代表者競争的資金

宮﨑照宜

1998年～ 2010年
高分極率を有する新しいホイスラー合金に関する研究競争的資金

安藤康夫

2007年～ 2009年
New materials with High Spin Polarization 競争的資金

安藤康夫

2007年～ 2009年
TMRセンサーに関する研究競争的資金

安藤康夫

2007年～ 2009年
TMR材料の研究競争的資金

安藤康夫

2007年～ 2009年
ホイスラー合金を用いた高トンネル磁気低抗素子の創製とスピン注入磁化反転

宮崎照宣, 安藤康夫, 久保田均, 水上成美, 大兼幹彦

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2005年～ 2007年

詳細を見る詳細を閉じる

1.エピタキシャルホイスラー系合金電極トンネル接合の作製高品位なホイスラー合金電極と結晶質の酸化マグネシウムを組み合わせたCo_2MnSi/MgO/CoFe-トンネル接合において,217%(室温),753%(低温)の巨大なTMR比を観測することに成功した.このTMR比はホイスラー合金を用いたトンネル接合において世界最高の値である.また,このTMR接合のコンダクタンス特性を詳細に調べた結果,巨大TMR比の原因は結晶質のMgO絶縁層を介したコヒーレントトンネリング過程によるものと示唆された. 2.微細化とスピン注入磁化反転磁化反転層に(Co_<50>Fe_<50>)_<100-x>B_x(x=20,25,30,膜厚d=2nm)を用いたCoFeB/MgO/CoFeB接合を作製し,スピン注入磁化反転の観測に成功した.その結果,反転電流密度は理論予測どおり,強磁性層の飽和磁化,ダンピング定数およびスピン分極率に依存することが明らかとなり,飽和磁化およびダンピング定数の低減が反転電流密度を低減するために非常に有効であることが分かった. 3.ダンピング定数αに関して強磁性共鳴を用いて,種々の強磁性体のダンピング定数を系統的に明らかにした.さらに,トンネル接合構造における磁化反転層のダンピング定数を測定する方法を世界で初めて確立した.その結果,2nm程度の非常に薄いCoFeB磁化反転層のダンピング定数は,バルクの約5倍程度増大することが分かった.また,磁化反転層の隣接層がダンピング定数に大きな影響を及ぼすことを明らかにした.
電子内部自由度制御型ナノデバイス創製原理の構築競争的資金

前川禎通

2004年～ 2007年
スピンエンジニアリングのための新材料と新機能競争的資金

安藤康夫

制度名：International Joint Research Projects

2004年～ 2007年
超ギガビット磁気メモリの基盤技術の開発競争的資金

宮﨑照宜

2003年～ 2007年
スピントロニクスデバイスに関する研究競争的資金

安藤康夫

2007年～
共鳴磁気トンネル・ナノドット不揮発性メモリの創製競争的資金

小柳光正

2002年～ 2006年
高機能・超低消費電力メモリの開発競争的資金

大野英男

2002年～ 2006年
微細加工した強磁性トンネル接合の動的磁区構造と磁化反転特性競争的資金

安藤康夫

2004年～ 2005年
スピンバッテリーの強磁性共鳴を用いた動作実証競争的資金

安藤康夫

2004年～ 2005年
微小強磁性トンネル接合のスピンダイナミクス競争的資金

安藤康夫

2003年～ 2005年
固体中へのスピン注入による新機能創製競争的資金

鈴木義茂

2000年～ 2004年
(独)日本学術振興会日韓科学技術協力事業共同研究競争的資金

安藤康夫

2002年～ 2003年
高品位微小トンネル接合へのスピン注入

宮崎照宣, 鈴木義茂, 久保田均, 安藤康夫, 余澤中

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

2001年～ 2003年

詳細を見る詳細を閉じる

微小トンネル接合の作製と評価・集束イオンビームを用いて,100nmスケールのカーボンならびにタングステンマスクパターンを作製し,これらを用いることにより,最小400×400nm^2のトンネル微小接合を作製し,約30%のMR比を得た. ・電子ビームリソグラフィーと用いることで,0.25〜100μm^2の接合を作製した. ・原子間力顕微鏡(コンタクトモード)で微小トンネル接合の磁気抵抗曲線(MR曲線)を測定する装置を製作した.これを用いて2×0.7μm^2の接合のMR曲線を測定し,29%のMR比を得た. 素子界面におけるスピン緩和・Cu/Al-oxide/FeNi/Cu積層膜の強磁性共鳴(FMR)スペクトル,ならびに電流検出共鳴(EDMR)スペクトルを測定し,FMRに対応したEDMR信号が観測された. ・強磁性体の才差運動に伴うスピンポンピングにより,非磁性体中にスピンが注入されたことによると結論した. コプレーナ線路からの高速パルス磁界応答信号の測定・トンネル接合における強磁性電極の磁化反転に伴うトンネル電流の応答信号測定用プローブシステムを製作した.パルスの立ち上がり時間が50ps,応答信号の帯域が20GHz,に対応できた. ・トンネル接合のパーマロイ層の磁化反転信号を測定し,500ps以下の反転時間および反転後の才差運動を観測した.これらの信号はLLG方程式による計算結果とほぼ一致した. ポンププローブ方による磁化の才差運動の測定・ポンププローブ測定が可能な光学系を構築した. ・180×90μm^2のパーマロイ薄膜の磁化の才差運動によるシグナルを測定し,1ns以下の振動周期を観測した. ・Pt/パーマロイ/Pt接合の磁化の才差運動を測定し,Ptでパーマロイを挟むことにより振動の減衰が増大する(αが増大する)ことを直接的に観測した.
スピンバルブタイプTMRを利用した高感度再生用ヘッド素子競争的資金

宮﨑照宜

1995年～ 2003年
スピントンネル磁気抵抗デバイスの試作と評価

久保田均, 熊谷静似, 宮崎照宣, 安藤康夫, 中塩栄治, 余澤中

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

研究機関：Tohoku University

2001年～ 2002年

詳細を見る詳細を閉じる

サブミクロンスピントンネル接合セルの作製プロセスでは微小サイズのマスクパターンの形状及び位置の制御が非常に難しい.これらの問題を解決するため本研究では収束イオンビーム(FIB)を用いたマスクパターンの形成を試みた.スパッタ法により作製したスピントンネル接合薄膜の上にカーボン(C)及びタングステン(W)をFIB誘起堆積法により作製した.最小100nm角,高さは約300nmのCパターンを作製することができた.従って,アスペクト比>3を確保することができた.CパターンはArイオンエッチングに対しては比較的硬く,酸素アッシングに対しては十分柔らかいことが確認できた.最小140X 180nm^2の長方形で高さ約1ミクロンのWパターンに形成することができた。Wパターンの電気抵抗は接合抵抗に比べ十分低いことが確認できた.しかし,いずれのマスクにおいてもArイオンエッチング中の最付着が生じた.この際付着を防止することで,サブミクロンスピントンネル接合セルの作製が可能となると考えられる. トンネル接合の絶縁層の質的向上のため,Si(111)単結晶表面上にエピタキシャル成長させた下部電極Ag/Cu/Ni-Feを用いてトンネル接合を作製した.X線および低速電子線回折の実験により下部電極のエピタキシャル成長を確認した.この接合の室温の磁気抵抗比は50%と高く,かつバイアス電圧依存性が非常に小さい.酸化時の粒界をとおした酸素の拡散が抑制され,絶縁層および下部電極表面での欠陥密度が減少したことが原因と考えられる. 今後の課題は前述の微細加工プロセスを完成し,エピタキシャル成長した高品位トンネル接合を一辺100nm以下の微小接合に加工し,形状とスイッチング特性の関係を明らかにすることである.
プローブ顕微鏡探針からの弾道電子放出による局所トンネルスピン伝導競争的資金

安藤康夫

2001年～ 2002年
ナノサイズ強磁性トンネル接合への高密度スピン注入競争的資金

安藤康夫

2002年～
スピントンネル再生磁気ヘッドの開発

宮崎照宣, 熊谷静似, 久保田均, 安藤康夫, 菅原淳一, 中塩栄治, 韓秀峰

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for University and Society Collaboration

研究機関：Tohoku University

1999年～ 2001年

詳細を見る詳細を閉じる

スピントンネル素子は高感度再生磁気ヘッドとして実用化されることが期待されている.しかし,実用化にあたっては,高い素子抵抗に起因する高ノイズ,低転送速度の問題を解決しなければならない.また,ヘッド作製プロセスの面では現在実用化されているGMRヘッドのデザイン,バイアス磁界印加法を直接適用できない問題がある.本研究ではこれら実用化にあたって解決すべき課題に対して東北大学のグループとソニー(株)のグループが協力して研究をすすめた.東北大学のグループは低抵抗化のアプローチとして絶縁層の薄膜化を目指した.絶縁層表面を伝導性原子間力顕微鏡(c-AFM)を用いて局所的伝導特性を調べ,Al膜厚8Å下では絶縁層にピンホール欠陥があることを明らかにした.ピンホールを低減するため,種々のバッファー層の材料を検討し,Cuバッファーを用いAl膜厚が6.6Åのとき最も抵抗化(80Ω・μm^2)かつ高TMR比(30%)の接合を得た.Fe-Niバッファーの場合,更に絶縁層を薄膜化できる可能性を示した.また,c-AFMを用いた電流分布の解析により,熱処理時に絶縁層面内の均質化がおこりTMR比が増加すること,及び,抵抗値の減少に伴い低絶縁障壁部分が増加しTMRが減少することを示した.ソニーグループはヘッドのデザインの検討を行った.フラックスガイドを用いて絶縁層を記録媒体に直接接触しないデザインを考案し,かつ,接合面積の増加による低抵抗化を図った.現行のGMRヘッドで用いられている永久磁石によるバイアス磁界印加方法はトンネル素子の電気的ショートを招く可能性が高い.そこで,フラックスガイド部のFe-Ni上にCu/Ir-Mnを積層し,Cuを介した長距離交換相互作用によりFe-Niにバイアス磁界を印加することを考案した.以上のデザインに基づきAl膜厚8Åの絶縁層を持つスピントンネル再生磁気ヘッドを試作した.試作したヘッドをヘリカルスキャン方式の磁気テープ再生システムに組み込み,再生波形を得た.長さ0.1μmのフラックスガイドを持つヘッドの出力は1.75mVp-pであり,従来方式のヘッドにくらべ2.4dB高い出力電圧を得た.この結果より,長距離交換相互作用およびフラックスガイドを組み合わせた用いたヘッド構造がスピントンネル再生磁気ヘッドに非常に適していることを実証した.
ハイブリット磁性体の微細化プロセスとトンネル再生磁気ヘッドの作製

宮崎照宣, 熊谷静似, 久保田均, 安藤康夫, 中谷功, 韓秀峰

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

1999年～ 2001年

詳細を見る詳細を閉じる

強磁性トンネル接合を再生磁気ヘッドとしてデバイス化するために、トンネル素子の最適化、微小トンネル素子作製プロセスの検討および再生磁気ヘッドの作製を行った.以下に主な成果を記す. (1)トンネル接合の積層構造、絶縁層の膜厚および熱処理条件について検討した結果、Ta30(Å)/Ni_<80>Fe_<20>(30Å)/Cu(200Å)/IrMn(100Å)/CoFe(40Å)/Al-oxide/CoFe(40Å)/Ni_<80>Fe_<20>(200Å)/Ta(50Å)の積層構造で,250℃-1時間磁界中で熱処理をすることにより,抵抗と接合面積の積が78Ω・μm^2,磁気抵抗比33%の値を得た. (2)フォトリソグラフィーおよびArイオンミリングを用いて3x3μm^2までめ微小トン接合を作製した.トンネル接合上部と電極間のわずかな汚染は2種類のレジストを用いたリフトオフプセスで防いだ.また、電子線リソグラフィーを用いて0.5x0.5μm^2までの微小トンネル接合を作製するプロセスを確立し、加工前の素子特性と比較して損傷のないことを確認した. (3)8ÅのAlを酸化した絶縁層を持つトンネル接合を微細加工プロセスによりフラックスガイド方式の再生ヘッドを試作した.フラックスガイドにはパーマロイを用い,その上にCu(15Å)/PtMn(200Å)/Ta(50Å)をスッパタし,長距離の交換相互作用を利用して、パーマロイの磁区を安定化した.試作したヘッドをヘリカルスキャン方式の磁気テープ再生システムに繰り込み,再生波形を得た.長さ0.1μmのフラックスガイドを持つヘッドの出力は1.75mV_<p-p>で,従来方式(AMRヘッド>に較べ1.5dB高い出力電圧を得た.また、HDD用の再生ヘッドを作製し、10Gbit/in^2相当の出力を得た.
有機・無機ペロブスカイトナノ構造薄膜における光誘起による磁性と伝導に関する研究競争的資金

安藤康夫

1997年～ 2000年
None 競争的資金

安藤康夫

2000年～
有機・無機ペロブスカイトナノコンポジットにおける光誘起による磁性と伝導に関する研究競争的資金

安藤康夫

1999年～
希土類超薄膜のスピン構造と磁気光学スペクトル

宮崎照宜, 安藤康夫

1997年～ 1998年

詳細を見る詳細を閉じる

1. 低温,高磁界中表面磁気光学効果測定装置の製作製作した装置の主な仕様は,(1)最大印加磁界:20kOe,(2)測定温度保持時間:10時間以上,(3)到達最低温度:12Kである.これを達成するために,マグネットのポールピースをクライオスタットの内部に挿入した形状に設計した.製作した低温,高磁界中表面磁気光学効果測定装置の動作検証を行い,以下の結果を得た. (1) Ni薄膜を用い磁気光学スペクトルを測定した.圧縮冷凍機動作時の機械的振動が測定に問題ないことを確認した. (2) 試料ホルダー上の温度を測定し,設定温度に対して1度以内の精度に10分以内で制御できた. (3) 光導入用の石英窓をマグネットヨークの外側に配置し,漏れ磁界によるバックグラウンドシフトの影響がほとんどないことを確認した. 2. Gd薄膜の作製と磁気光学スペクトルガラス基板上に5×10^<-10>Torrの超高真空中電子ビーム蒸着法でGd薄膜(1000,250Å)を作製した.膜表面に酸化防止膜としてMgF_2を100Åコーティングした.この磁気光学スペクトルおよび磁化曲線を測定した.結果は以下の通りである. (1) カーヒステリシスの温度依存性を測定した.カー回転角および保磁力の温度依存性は磁気特性測定の結果と対応した. (2) 測定温度20〜350Kで磁気光学スペクトルを得た.伝導率スペクトルの非対角成分σ_<xy>"のスペクトルにおいて,バルクの報告と比較してシャープなピークが1.9eVのエネルギー位置に見られた.これはフェルミレベル付近から,分裂したdバンドへの遷移に対応する.膜厚250Åのスペクトルは,1000Åの場合と比較して構造的な変化は特に観測されなかった.
スピントランスポートデバイスに関する研究

宮崎照宣, 久保田均, 安藤康夫

提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

研究機関：Tohoku University

1996年～ 1998年

詳細を見る詳細を閉じる

トンネルスピン磁気抵抗効果を用いたデバイスを作製するため,過去3年間にトンネル接合の基礎物性,接合素子の評価のための装置の作製並びにデバイス化に直接かかわる微細加工プロセスの確立に関して研究を行なってきた.それぞれについて主な成果をまとめる. 1. トンネル接合の基礎物性に関してトンネル磁気抵抗(TMR)変化率は両磁性層のスピン分極率,絶縁障壁の高さおよび幅に依存する.これらの点について実験的に明らかにし,その間に報告された理論的研究の比較検討も併せて行なった.また,TMR比の温度並びに印加電圧依存性はデバイス化にとって重要である.種々の接合についてこれらの依存性を調べその原因を明らかにした.更に,強磁性層の一つをFeMn又はIrMn反強磁性層でピンすることにより,温度変化が少なく,V_<1/2>が0.5Vと印加電圧依存性の少ない接合を作製することができた. 2. 評価装置の製作トンネル接合素子の絶縁層(アルミナ)は約13Åと非常に薄く,その絶縁性は酸化の状態により著しく変わる.また,絶縁層は強磁性層と接しているため両者の界面構造がTMR比の温度依存性等に大きく影響する.これらの点を解明する非弾性電子トンネル分光(IETS)装置の開発を行ない,界面状態の構造と分光スペクトルとの対応を明らかにした.また,カー効果を利用して40×40μm^2の微小接合部のカーヒステリシスを測定できる装置を製作し,接合部の磁化と接合の磁気抵抗曲線が対応することを明らかにした. 3. 微細加工プロセスの検討と微小トンネル接合素子の作製フォトリソグラフィーおよびArイオンミリングを用いて,微小トンネル接合を作製するプロセスを検討した.プロセス中の再付着が接合をショートし,電磁気特性が劣化するが,Arイオンのミリング入射角度,ミリングの深さを最適化することにより,再付着フリーの接合を作製できることを明らかにした.また,リード電極内の電気的絶縁に用いたSiO_2膜にコンタクトホールを作製するプロセスとして,CF_4ガスを用いたプラズマエッチング法が適していることを明らかにした. 確立したプロセスにより,最少接合面積3×3μm^2,トンネル抵抗値500Ω,TMR比の15%の微小トンネル接合素子ができ,これらの特性を有する素子は再生磁気ヘッド,MRAM等のデバイスとして非常に有望であることを示した.
層状ペロブスカイト構造を有する有機・無機ナノコンポジット薄膜における光誘起による磁性と伝導に関する研究競争的資金

安藤康夫

1998年～
分子構造の制御されたLB膜を用いたMIM接合の磁気トンネリング効果に関する研究競争的資金

安藤康夫

1995年～ 1997年
高分子LB膜を用いた金属/絶縁体/金属接合の作製と磁気トンネリング効果に関する研究競争的資金

安藤康夫

1995年～
LB法による有機磁性薄膜の作製並びに基礎物性に関する研究競争的資金

安藤康夫

1994年～

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

社会貢献活動 63

応用物理学会リフレッシュ理科教室

応用物理学会リフレッシュ理科教室

2001年8月7日～ 2001年8月8日

詳細を見る詳細を閉じる

仙台市の中学生を対象に理科教室を開いた
医療センサーのベンチャー東北大教授ら設立上場目指す

日本経済新聞

2018年12月4日～
東北大，磁気センサー技術のベンチャー企業設立

OPTRONICS ONLINE

2018年12月3日～
＜東北大＞医療用センサー開発へベンチャー設立高度な診断を容易に、５年後上場目指す

河北新聞

2018年12月3日～
医療用センサー開発へベンチャー設立

東北放送，Nスタみやぎ

2018年11月30日～
液体ヘリウムを使わず簡単に低コストで脳磁場を測定する高感度センサーを開発

JSTnews

2018年2月～
脳・心磁場計測用の「TMR素子生体磁気センサ

MED+Fit

2018年1月17日～
コニカミノルタ東北大学と脳磁場を簡便に低コストで計測する高感度センサを開発

インナービジョン

2018年～

詳細を見る詳細を閉じる

インナービジョン第33巻第１号 2018 JANUARY
コニカミノルタ、脳磁場を簡易に低コストで計測する高感度センサを開発～心磁場測定の高速化も同時に実現－革新的な医用計測技術～

映像情報Medical

2018年～

詳細を見る詳細を閉じる

映像情報Medical Vol.50 No.1 JANUARY 2018
トンネル磁気抵抗素子を用いた心磁図及び脳磁図と核磁気共鳴像の室温同時測定装置の開発

東北大学レアメタル・グリーンイノベーション研究開発センターフォーラム2017　東北大学レアメタル・グリーンイノベーション研究開発センター

2017年12月22日～
磁石を使って体内を見る！

平成27年度第5学年「2015 出前授業」　仙台市立泉松陵小学校

2017年12月10日～
脳磁場を簡易、低コストで計測する高感度センサを開発東北大学、コニカミノルタ

病院新聞

2017年12月7日～
スピンを用いた最先端デバイスの開発～工学とは、医工学とは～

新潟高校模擬講義　新潟県立新潟高等学校

2017年12月6日～
TMR磁気センサを高感度化・低ノイズ化、α波の検出に成功－東北大, 医療

NEWS QLifePro

2017年11月28日～
東北大学、簡便かつ低コストで脳磁場を計測する高感度センサを開発

Answers

2017年11月27日～
診療所レベルでの脳磁場測定へ - 東北大、液体Heを使わない新センサを開発

マイナビニュース

2017年11月27日～
脳・心臓の磁場、室温で簡易計測東北大・コニカミノルタなどが手法開発

日刊工業新聞オンライン

2017年11月27日～
コニカミノルタ、東北大と脳磁場を簡便に低コストで計測する高感度センサーを開発

MORNINGSTAR

2017年11月27日～
脳・心臓磁場を簡易計測東北大・コニカミノルタなど、室温利用センサー作製

日刊工業新聞

2017年11月27日～
東北大とコニカミノルタ、脳磁場を安価に計測できる高感度センサを開発

財経新聞

2017年11月25日～
東北大とコニカミノルタ、脳磁場を安価に計測できる高感度センサを開発

livedoor NEWS

2017年11月25日～
脳磁場を簡便に低コストで計測する高感度センサを開発

J-Net21

2017年11月24日～
コニカミノルタ／東北大との共同研究で脳磁場を簡便に低コストで計測する高感度センサを開発

月刊新医療

2017年11月24日～
磁石を使うと心臓や脳の状態がわかる？

サイエンススクール　生出中学校

2017年11月21日～

詳細を見る詳細を閉じる

磁石を使うと心臓や脳の状態がわかる？
生体活動情報を磁場で捉える高感度磁場センシング装置

JSTフェア2017　東京

2017年8月31日～

詳細を見る詳細を閉じる

(展示)
室温脳磁計による脳機能のワイドバンドマッピング

第3回みやぎみやぎ医療機器創生産学官金連携フェア　仙台

2017年7月15日～
認知症予防にも期待、室温動作の生体磁場センサ高出力化に成功

niftyニュース

2017年6月12日～
生体磁場センサーの高出力化に成功、MRIイメージングとの同時測定も

MONOist

2017年6月7日～
心臓や脳の検査、気軽にできる環境へ

QLifePro 医療ニュース

2017年5月25日～
室温で動作するMTJ生体磁場センサの高出力化に成功

医療NEWS

2017年5月24日～
東北大，室温動作の生体磁場センサーを高出力化

OPTRONICS ONLINE

2017年5月23日～
室温で動作する生体磁場検出用センサで従来素子の1500倍の出力

マイナビニュース

2017年5月22日～
東北大、室温動作の生体磁場センサの高出力化に成功

日本経済新聞

2017年5月22日～
室温脳磁計による脳機能のワイドバンドマッピング

知と医療機器創生宮城県エリア総括報告会　仙台

2017年3月2日～
スピンを用いた最先端デバイスの開発～工学とは、医工学とは～

宮城県仙台第二高等学校出前講義　宮城県仙台第二高等学校

2016年12月8日～
磁石を使って体内を見る！

平成28年度第5学年「2016出前授業」　仙台市立錦ヶ丘小学校

2016年11月22日～
磁石を使って体内を見る！

平成28年度第5学年「2016出前授業」　仙台市立幸町小学校

2016年11月15日～
スピンを用いた最先端デバイスの開発～工学とは、医工学とは～

横手高校出前講義　秋田県立横手高等学校

2016年9月13日～
室温で動作する高感度の生体磁場検出用センサの開発

JSTフェア2016　東京

2016年8月24日～
スピンを用いた最先端デバイスの開発～工学とは、医工学とは～

新潟高校模擬講義　新潟県立新潟高等学校

2016年7月8日～
磁石を使って体内を見る！

平成27年度第5学年「2015 出前授業」　仙台市立住吉台小学校

2015年12月1日～
特別授業「スピンを用いた最先端デバイスの開発～工学とは，医工学とは～」を行った

第１学年「大学出張講義」宮城県立宮城県泉高等学校

2014年11月12日～
トンネル磁気抵抗素子を用いた心磁図および脳磁図と核磁気共鳴像の室温同時測定装置の開発

東北大学イノベーションフェア2014　仙台国際センター

2014年1月28日～
「微小磁石を用いた生体磁場センサの開発－ナノテク材料から最先端機器開発の方法－」

東北大学進路講演会　神奈川県立小田原高等学校

2013年11月26日～
｢磁石の神秘｣

第13回東北大学出前授業　仙台市立桜丘中学校

2013年11月12日～
｢磁石で考えるナノテクの世界｣

平成25年度第2学年大学・学問体験講座　福島県立安積黎明高等学校

2013年11月6日～
｢磁石の不思議にふれてみよう！｣

学都「仙台・宮城」サイエンス・デイ2013

2013年7月21日～
｢微小磁石を用いた生体磁場センサの開発～ナノテク材料から最先端機器開発へ～｣

平成25年度ユニバーサイエンス　学校法人ノートルダム新潟清心学園新潟清心女子高等学校

2013年7月5日～
「科学の不思議を体験しよう」

平成25年度リフレッシュ理科教室　仙台市立中野小学校

2013年6月28日～
平成２４年度東北地区高等専門学校専攻科産学連携シンポジウム

仙台高等専門学校

2013年3月3日～

詳細を見る詳細を閉じる

「医工連携の現状と未来」，｢スピンによる生体磁場計測－革新的スピントロニクス医療デバイスの創成の可能性－｣
｢磁石の神秘｣

第12回サイエンス・スクール　仙台市立木町通小学校

2012年12月17日～
東北大が開発に成功超高密度HDD用巨大磁気抵抗素子

科学新聞

2011年10月21日～
東北大学、超高密度ハードディスク用の巨大磁気抵抗素子を開発超高密度ハードディスク用巨大磁気抵抗素子の開発に成功－１平方インチ当たり５テラビット容量の次世代ハードディスクに適用可能な技術－

日経プレスリリース

2011年9月30日～
東北大，1平方インチ当たり5Tbクラスの次世代HDDヘッド用素子を開発

財経新聞

2011年9月30日～
東北大、5Tビット/平方インチの記録が可能となるHDD用磁気抵抗素子を開発

マイコミジャーナル

2011年9月30日～
HDD，記録密度7倍に東北大，新型の磁気ヘッド

日経産業新聞

2011年9月30日～
磁石で考えるナノテクの世界～最先端電子デバイスと支えるナノサイエンス～オープンキャンパス模擬授業

オープンキャンパス模擬授業

2009年7月31日～
磁化ダイナミクスとスピントロニクス

リカレント教育公開講座

2008年8月1日～
オー磁石で考えるナノテクの世界～最先端電子デバイスと支えるナノサイエンス～プンキャンパス模擬授業

オープンキャンパス模擬授業

2008年7月31日～
最先端技術と産業を支える工学研究～磁石で考えるナノテクノロジー～新潟高校特別授業

新潟高校特別授業

2008年3月3日～
メモリのデバイス原理と研究開発動向

2007年4月26日～

詳細を見る詳細を閉じる

｢MRAMの研究開発動向｣
高大連携特別授業

2006年8月1日～

詳細を見る詳細を閉じる

特別授業を行った
スピンを用いた最先端デバイスの開発～ナノテクから生体医工まで～｣（理数セミナーⅠ）

平成25年度模擬授業　山形県立鶴岡南高等学校

詳細を見る詳細を閉じる

｢

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示

その他 27

先端スピントロニクス材料と伝導現象（ASPIMATT）

詳細を見る詳細を閉じる

先端スピントロニクス材料と伝導現象（ASPIMATT）に関する研究
MgOおよびAlOトンネル接合におけるスピントランスファー磁化反転

詳細を見る詳細を閉じる

MgOおよびAlOトンネル接合におけるスピントランスファー磁化反転
スピントロニクスデバイスに関する研究

詳細を見る詳細を閉じる

スピントロニクスデバイスに関する研究
Design of Materials and Structures for Reduction in Spin Transfer Noise for Heusler Alloy Based CPP GMR Structures

詳細を見る詳細を閉じる

Design of Materials and Structures for Reduction in Spin Transfer Noise for Heusler Alloy Based CPP GMR Structures
高分極率を有する新しいホイスラー合金に関する研究

詳細を見る詳細を閉じる

高分極率を有する新しいホイスラー合金に関する研究
New materials with High Spin Polarization

詳細を見る詳細を閉じる

New materials with High Spin Polarization
高機能・超低消費電力スピンデバイス・ストレージ基盤技術の開発

詳細を見る詳細を閉じる

高機能・超低消費電力スピンデバイス・ストレージ基盤技術の開発
磁性薄膜材料．MRAMの磁化反転に関する研究

詳細を見る詳細を閉じる

磁性薄膜材料．MRAMの磁化反転に関する研究
TMR材料の研究

詳細を見る詳細を閉じる

TMR材料の研究
TMRセンサーに関する研究

詳細を見る詳細を閉じる

TMRセンサーに関する研究
スピントロニクスデバイスに関する研究

詳細を見る詳細を閉じる

スピントロニクスデバイスに関する研究
NEDOスピントロニクス不揮発性機能技術プロジェクト

詳細を見る詳細を閉じる

NEDOスピントロニクス不揮発性機能技術プロジェクト
スピンエンジニアリングのための新材料と新機能

詳細を見る詳細を閉じる

スピンエンジニアリングのための新材料と新機能
微細加工した強磁性トンネル接合の動的磁区構造と磁化反転特性

詳細を見る詳細を閉じる

微細加工した強磁性トンネル接合の動的磁区構造と磁化反転特性
電子内部自由度制御型ナノデバイス創製原理の構築

詳細を見る詳細を閉じる

電子内部自由度制御型ナノデバイス創製原理の構築
超ギガビット磁気メモリの基盤技術の開発

詳細を見る詳細を閉じる

超ギガビット磁気メモリの基盤技術の開発
ナノサイズ強磁性トンネル接合への高密度スピン注入

詳細を見る詳細を閉じる

ナノサイズ強磁性トンネル接合への高密度スピン注入
強磁性トンネル接合の耐熱特性改善に関する研究

詳細を見る詳細を閉じる

強磁性トンネル接合の耐熱特性改善に関する研究
高機能・超低消費電力メモリの開発

詳細を見る詳細を閉じる

高機能・超低消費電力メモリの開発
共鳴磁気トンネル・ナノドット不揮発性メモリの創製

詳細を見る詳細を閉じる

共鳴磁気トンネル・ナノドット不揮発性メモリの創製
固体中へのスピン注入による新機能創製

詳細を見る詳細を閉じる

固体中へのスピン注入による新機能創製
走査型プローブ顕微鏡を用いた強磁性トンネル接合の局所磁気抵抗効果に関する研究

詳細を見る詳細を閉じる

走査型プローブ顕微鏡を用いた強磁性トンネル接合の局所磁気抵抗効果に関する研究
有機・無機ペロブスカイトナノコンポジットにおける光誘起による磁性と伝導に関する研究

詳細を見る詳細を閉じる

有機・無機ペロブスカイトナノコンポジットにおける光誘起による磁性と伝導に関する研究
層状ペロブスカイト構造を有する有機・無機ナノコンポジット薄膜における光誘起による磁性と伝導に関する研究

詳細を見る詳細を閉じる

層状ペロブスカイト構造を有する有機・無機ナノコンポジット薄膜における光誘起による磁性と伝導に関する研究
高密度情報ストレージコンポーネント

詳細を見る詳細を閉じる

高密度情報ストレージコンポーネント
高分子LB膜を用いた金属/絶縁体/金属接合の作製と磁気トンネリング効果に関する研究

詳細を見る詳細を閉じる

高分子LB膜を用いた金属/絶縁体/金属接合の作製と磁気トンネリング効果に関する研究
スピンバルブタイプTMRを利用した高感度再生用ヘッド素子

詳細を見る詳細を閉じる

スピンバルブタイプTMRを利用した高感度再生用ヘッド素子

︎全件表示 ︎最初の5件までを表示