TOHOKU UNIVERSITY Researchers

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Susumu Ikeda

Section

Advanced Institute for Materials Research

Job title

Associate Professor

Degree

博士（理学）（東京大学）
修士（理学）（東京大学）

researchmap

https://researchmap.jp/read0140734

J-GLOBAL ID

200901033444702536

e-Rad No.

20401234

Research History 18

2020/05 - Present

Visiting Scientist, Institute of Engineering Innovation, School of Engineering, The University of Tokyo
2010/11 - Present

Advanced Institute for Materials Research (WPI-AIMR), Tohoku University　Associate Professor
2019/10 - 2020/03

Tohoku University　WPI-AIMR　Deputy Administrative Director for Research (Concurrent)
2018/04 - 2019/09

Tohoku University　WPI-AIMR　Administrative Director (Concurrent)
2011/03 - 2018/03

Tohoku University　WPI-AIMR　Deputy Administrative Director for Research (Concurrent)
2010/04 - 2013/03

Outreach Manager (Concurrent), WPI-AIMR, Tohoku University
2010/04 - 2010/10

Department of Physics, Graduate School of Science, Tohoku University　Assistant Professor
2009/04 - 2010/03

Department of Earth Science, Graduate School of Science, Tohoku University　G-COE Researcher (Tohoku University Global COE Program "Global Education and Research Center for Earth and Planetary Dynamics")
2008/02 - 2009/03

WPI Research Center : Advanced Institute for Materials Research (WPI-AIMR)　Assistant Professor
2007/04 - 2008/01

Department of Complexity Science and Engineering, Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo　Assistant Professor
2005/11 - 2007/03

Department of Complexity Science and Engineering, Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo　Research Associate
2005/04 - 2005/11

Department of Complexity Science and Engineering, Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo　Project Research Associate
2004/04 - 2005/03

Department of Complexity Science and Engineering, Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo　Postdoctoral Researcher
2003/04 - 2004/03

Department of Chemistry, School of Science, The Universityof Tokyo　21st COE Program Postdoctoral Researcher
2000/04 - 2003/03

The University of Tokyo　Department of Complexity Science and Engineering, Graduate School of Frontier Sciences　JSPS Postdoctoral Fellow (PD)
1997/04 - 2000/03

The University of Tokyo　Geological Institute, Graduate School of Science　JSPS Specially-appointed Researcher (DC1)
1994/10 - 1995/03

Chichibu Onoda Cement Co. Ltd.　Researcher (regular employee)
1990/04 - 1994/09

Chichibu Cement Co. Ltd.　Researcher (regular employee)

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Education 4

The University of Tokyo　Geological Institute, Graduate School of Science　Doctoral course

1997/04 - 2000/03
The University of Tokyo　Geological Institute, Graduate School of Science　Master course

1995/04 - 1997/03
Tohoku University　Institute of Mineralogy, Petrology and Economic Geology, Faculty of Science　Undergraduate course

1986/04 - 1990/03
Kumagaya High School

1983/04 - 1986/03

Committee Memberships 2

日本鉱物科学会応用鉱物科学賞選考委員

2020/10 - 2024/09
日本化学会東北支部　幹事（会計）

2008/04 - 2009/03

Professional Memberships 8

The Ceramic Society of Japan

2022/01 - Present
The Japan Society of Vacuum and Surface Science

2014/04 - Present
Materials Research Society (MRS)

2006/01 - Present
The Japan Society of Applied Physics

2003/04 - Present
The Physical Society of Japan

2000/07 - Present
Mineralogical Society of America (MSA)

1996/11 - Present
The Japan Association of Mineralogical Sciences

1991 - Present
The Chemical Society of Japan

2008/02 - 2009/12

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Research Interests 2

Mineralogy & Petrology
Materials Science

Research Areas 1

Nanotechnology/Materials / Thin-film surfaces and interfaces /

Awards 1

The 24th Distinguished Paper Award of Japan Cement Association

1996/05　社団法人セメント協会　受賞対象「クリンカー鉱物のX線回折パターン分解によるキャラクタリゼーションと強度発現性の研究」

Papers 76

Ion diffusion across/along symmetric tilt grain boundaries in yttria-stabilized zirconia investigated by molecular dynamics simulations International-journal Peer-reviewed

Susumu Ikeda, Bin Feng, Naoya Shibata, Yuichi Ikuhara

Solid State Ionics　392　116163-116163　2023/02/07
Publisher: Elsevier BV
DOI： 10.1016/j.ssi.2023.116163 　

ISSN： 0167-2738
Reorientation of pentacene molecules from flat-lying to standing manners on a surface-modified amorphous SiO₂ substrate investigated by molecular dynamics simulations International-journal Peer-reviewed

Susumu Ikeda

Japanese Journal of Applied Physics　61　(12)　125504　2022/11/22
Publisher: IOP Publishing
DOI： 10.35848/1347-4065/ac9ef3 　

ISSN： 0021-4922

eISSN： 1347-4065

More details Close

Abstract Reorientation of pentacene molecules from the flat-lying manner to the standing one which occurs at the early stage of thin film growth by physical vapor deposition was investigated by molecular dynamics (MD) simulations with a surface-modified amorphous SiO₂ substrate. A molecular cluster comprising 50 standing pentacene molecules was placed on the substrate together with lying molecules and clusters, and the standing cluster acted as a trigger of the reorientation of lying molecules and clusters. Some lying molecules and clusters adjacent to the standing cluster stood up probably by the short-range van der Waals interaction. Some lying clusters apart from the standing cluster also stood up, and this phenomenon was possibly caused by the effect of the long-range Coulomb interaction between clusters. The number of standing molecules on the substrate increased with increasing temperature, and the temperature dependence of the orientational transition rate was discussed in view of thermal fluctuation.
Behavior of critical nuclei of pentacene formed on a substrate surface discussed based on the results of molecular dynamics simulations International-journal Peer-reviewed

Susumu Ikeda

Japanese Journal of Applied Physics　59　(11)　115506　2020/11/05

DOI： 10.35848/1347-4065/abc459 　
Water permeation pathways in laminated organic single-crystal devices International-journal Peer-reviewed

Ryo Nouchi, Yoshiaki Ishihara, Susumu Ikeda

AIP Advances　10　(7)　075312-075312　2020/07/01
Publisher: AIP Publishing
DOI： 10.1063/5.0009912 　

eISSN： 2158-3226
Molecular dynamics simulations of pentacene thin film growth: Stability of nuclei comprising standing molecules and their subsequent growth International-journal Peer-reviewed

Susumu Ikeda

Applied Physics Express　13　(1)　015508　2019/12

DOI： 10.7567/1882-0786/ab5c44 　
Fe azaphthalocyanine unimolecular layers (Fe AzULs) on carbon nanotubes for realizing highly active oxygen reduction reaction (ORR) catalytic electrodes International-journal Peer-reviewed

Hiroya Abe, Yutaro Hirai, Susumu Ikeda, Yasutaka Matsuo, Haruyuki Matsuyama, Jun Nakamura, Tomokazu Matsue, Hiroshi Yabu

NPG Asia Materials　11　(1)　57　2019/12/01

DOI： 10.1038/s41427-019-0154-6 　

ISSN： 1884-4049

eISSN： 1884-4057
Probing Surface Morphology using X-ray Grating Interferometry International-journal Peer-reviewed

Wataru Yashiro, Susumu Ikeda, Yasuo Wada, Kentaro Totsu, Yoshio Suzuki, Akihisa Takeuchi

Scientific Reports　9　14120　2019/10

DOI： 10.1038/s41598-019-50486-5 　

ISSN： 2045-2322
Three–dimensional observation of the boundary region between massive feldspar and graphic granite by X–ray computed tomography International-journal Peer-reviewed

Susumu Ikeda, Yoshito Nakashima, Tsukasa Nakano

Journal of Mineralogical and Petrological Sciences　114　(1)　1-17　2019/02

DOI： 10.2465/jmps.180114 　
Molecular dynamics simulations of graphoepitaxy of organic semiconductors, sexithiophene, and pentacene: Molecular-scale mechanisms of organic graphoepitaxy International-journal Peer-reviewed

Susumu Ikeda

Japanese Journal of Applied Physics　57　(3S2)　03EG04　2018/03/01
Publisher: Japan Society of Applied Physics
DOI： 10.7567/JJAP.57.03EG04 　

ISSN： 1347-4065 0021-4922
Three-dimensional study by synchrotron radiation computed tomography of melt distribution in samples doped to enhance contrast International-journal Peer-reviewed

Susumu Ikeda, Tsukasa Nakano, Akira Tsuchiyama, Kentaro Uesugi, Yoshito Nakashima, Koichi Nakamura, Hideto Yoshida, Yoshio Suzuki

MINERALOGICAL MAGAZINE　81　(5)　1203-1222　2017/10

DOI： 10.1180/minmag.2016.080.163 　

ISSN： 0026-461X

eISSN： 1471-8022
Comparative Study of Single and Dual Gain-Narrowed Emission in Thiophene/Furan/Phenylene Co-Oligomer Single Crystals International-journal Peer-reviewed

Hui Shang, Hidekazu Shimotani, Susumu Ikeda, Thangavel Kanagasekaran, Kazuaki Oniwa, Tienan Jin, Naoki Asao, Yoshinori Yamamoto, Hiroyuki Tamura, Kenta Abe, Miyuki Kanno, Masayuki Yoshizawa, Katsumi Tanigaki

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C　121　(4)　2364-2368　2017/02

DOI： 10.1021/acs.jpcc.6b10827 　

ISSN： 1932-7447
2-Positional pyrene end-capped oligothiophenes for high performance organic field effect transistors International-journal Peer-reviewed

Kazuaki Oniwa, Hiromasa Kikuchi, Hidekazu Shimotani, Susumu Ikeda, Naoki Asao, Yoshinori Yamamoto, Katsumi Tanigaki, Tienan Jin

CHEMICAL COMMUNICATIONS　52　(26)　4800-4803　2016

DOI： 10.1039/c6cc00948d 　

ISSN： 1359-7345

eISSN： 1364-548X
Biphenyl end-capped bithiazole co-oligomers for high performance organic thin film field effect transistors International-journal Peer-reviewed

Kazuaki Oniwa, Hiromasa Kikuchi, Thangavel Kanagasekaran, Hidekazu Shimotani, Susumu Ikeda, Naoki Asao, Yoshinori Yamamoto, Katsumi Tanigaki, Tienan Jin

CHEMICAL COMMUNICATIONS　52　(27)　4926-4929　2016

DOI： 10.1039/c6cc01352j 　

ISSN： 1359-7345

eISSN： 1364-548X
Materials inspired by mathematics International-journal Invited Peer-reviewed

Motoko Kotani, Susumu Ikeda

SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS　17　(1)　253-259　2016

DOI： 10.1080/14686996.2016.1180233 　

ISSN： 1468-6996

eISSN： 1878-5514
Equivalent ambipolar carrier injection of electrons and holes with Au electrodes in air-stable field effect transistors International-journal Peer-reviewed

Thangavel Kanagasekaran, Hidekazu Shimotani, Susumu Ikeda, Hui Shang, Ryotaro Kumashiro, Katsumi Tanigaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　107　(4)　043304　2015/07

DOI： 10.1063/1.4927651 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
A New Direction in Mathematics for Materials Science Peer-reviewed

Ikeda, Susumu, Kotani, Motoko

Springer Briefs in the Mathematics of Materials　1　1-86　2015

DOI： 10.1007/978-4-431-55864-4 　
Theoretical Analysis on the Optoelectronic Properties of Single Crystals of Thiophene-furan-phenylene Co-Oligomers: Efficient Photoluminescence due to Molecular Bending International-journal Peer-reviewed

Hiroyuki Tamura, Ikutaro Hamada, Hui Shang, Kazuaki Oniwa, Md. Akhtaruzzaman, Tienan Jin, Naold Asao, Yoshinori Yamamoto, Thangavel Kanagasekaran, Hidekazu Shimotani, Susumu Ikeda, Katsumi Tanigaki

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C　117　(16)　8072-8078　2013/04

DOI： 10.1021/jp400646n 　

ISSN： 1932-7447
Single crystal biphenyl end-capped furan-incorporated oligomers: influence of unusual packing structure on carrier mobility and luminescence International-journal Peer-reviewed

Kazuaki Oniwa, Thangavel Kanagasekaran, Tienan Jin, Md. Akhtaruzzaman, Yoshinori Yamamoto, Hiroyuki Tamura, Ikutaro Hamada, Hidekazu Shimotani, Naoki Asao, Susumu Ikeda, Katsumi Tanigaki

JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C　1　(26)　4163-4170　2013

DOI： 10.1039/c3tc30220b 　

ISSN： 2050-7526

eISSN： 2050-7534
Ambipolar behavior of 2,5-diphenyl-1,4-distyrylbenzene based field effect transistors: An experimental and theoretical study International-journal International-coauthorship Peer-reviewed

Yan Wang, Dandan Liu, Susumu Ikeda, Ryotaro Kumashiro, Ryo Nouch, Yuanxiang Xu, Hui Shang, Yuguang Ma, Katsumi Tanigaki

APPLIED PHYSICS LETTERS　97　(3)　033305　2010/07

DOI： 10.1063/1.3465659 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Modified bimodal growth mechanism of pentacene thin films at elevated substrate temperatures International-journal Peer-reviewed

Dong Guo, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER　22　(26)　262001　2010/07

DOI： 10.1088/0953-8984/22/26/262001 　

ISSN： 0953-8984

eISSN： 1361-648X
Noble Metal Intercalated Fullerene Fabricated by Low-Temperature Co-deposition International-journal Peer-reviewed

Genki Yoshikawa, Yuki Tsuruma, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

ADVANCED MATERIALS　22　(1)　43-+　2010/01

DOI： 10.1002/adma.200900921 　

ISSN： 0935-9648
Oriented Growth of Sexithiophene Induced by Edge of Metal Electrodes International-journal Peer-reviewed

Susumu Ikeda, Yasuo Wada, Koichiro Saiki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　49　(4)　04DK19　2010

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DK19 　

ISSN： 0021-4922
Real-Time Observation and Control of Pentacene Film Growth on an Artificially Structured Substrate International-journal Peer-reviewed

Yuki Tsuruma, Abdullah Al-Mahboob, Susumu Ikeda, Jerzy T. Sadowski, Genki Yoshikawa, Yasunori Fujikawa, Toshio Sakurai, Koichiro Saiki

ADVANCED MATERIALS　21　(48)　4996-+　2009/12

DOI： 10.1002/adma.200901436 　

ISSN： 0935-9648

eISSN： 1521-4095
Surface-Mediated Visible-Light Photo-oxidation on Pure TiO2(001) International-journal Peer-reviewed

Hiroko Ariga, Toshiaki Taniike, Harumo Morikawa, Mizuki Tada, Byoung Koun Min, Kazuya Watanabe, Yoshiyasu Matsumoto, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki, Yasuhiro Iwasawa

JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY　131　(41)　14670-+　2009/10

DOI： 10.1021/ja9066805 　

ISSN： 0002-7863
Thermally induced structural characteristics of pentacene thin films International-journal Peer-reviewed

Dong Guo, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　105　(11)　113520　2009/06

DOI： 10.1063/1.3132824 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Direct measurements of chemical composition of shock-induced gases from calcite: an intense global warming after the Chicxulub impact due to the indirect greenhouse effect of carbon monoxide International-journal Peer-reviewed

Ko Kawaragi, Yasuhito Sekine, Toshihiko Kadono, Seiji Sugita, Sohsuke Ohno, Ko Ishibashi, Kosuke Kurosawa, Takafumi Matsui, Susumu Ikeda

EARTH AND PLANETARY SCIENCE LETTERS　282　(1-4)　56-64　2009/05

DOI： 10.1016/j.epsl.2009.02.037 　

ISSN： 0012-821X
Fluorine Substitution of Hexa-peri-hexabenzocoronene: Change in Growth Mode and Electronic Structure International-journal Peer-reviewed

Shiro Entani, Toshihiko Kaji, Susumu Ikeda, Tomohiko Mori, Yoshihiro Kikuzawa, Hisato Takeuchi, Koichiro Saiki

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C　113　(15)　6202-6207　2009/04

DOI： 10.1021/jp808861y 　

ISSN： 1932-7447
Step-bunched Bi-terminated Si(111) surfaces as a nanoscale orientation template for quasisingle crystalline epitaxial growth of thin film phase pentacene International-journal Peer-reviewed

Toshihiro Shimada, Manabu Ohtomo, Tadamasa Suzuki, Tetsuya Hasegawa, Keiji Ueno, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki, Miho Sasaki, Katsuhiko Inaba

APPLIED PHYSICS LETTERS　93　(22)　223303　2008/12

DOI： 10.1063/1.3040309 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Alignment-Induced Epitaxial Transition in Organic-Organic Heteroepitaxy International-journal Peer-reviewed

Dong Guo, Kenji Sakamoto, Kazushi Miki, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

PHYSICAL REVIEW LETTERS　101　(23)　236103　2008/12

DOI： 10.1103/PhysRevLett.101.236103 　

ISSN： 0031-9007
Nanotransfer of the Polythiophene Molecular Alignment onto the Step-Bunched Vicinal Si(111) Substrate International-journal Peer-reviewed

Ryo Onoki, Genki Yoshikawa, Yuki Tsuruma, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki, Keiji Ueno

LANGMUIR　24　(20)　11605-11610　2008/10

DOI： 10.1021/la8016722 　

ISSN： 0743-7463
Origin of carrier types in intrinsic organic semiconductors International-journal Peer-reviewed

Toshihiko Kaji, Shiro Entani, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

ADVANCED MATERIALS　20　(11)　2084-+　2008/06

DOI： 10.1002/adma.200701773 　

ISSN： 0935-9648
Graphoepitaxy of sexithiophene and orientation control by surface treatment International-journal Peer-reviewed

Susumu Ikeda, Koichiro Saiki, Yasuo Wada, Katsuhiko Inaba, Yoshiyasu Ito, Hirokazu Kikuchi, Kazuo Terashima, Toshihiro Shimada

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　103　(8)　084313　2008/04

DOI： 10.1063/1.2913180 　

ISSN： 0021-8979
Oriented film growth of organic semiconductor sexithiophene on artificial periodic grooves and electrical conduction properties of the films International-journal Peer-reviewed

S. Ikeda, Y. Wada, K. Inaba, K. Terashima, T. Shimada, K. Saiki

Materials Research Society Symposium Proceedings　1059　KK11-11　2008
Publisher: Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1557/PROC-1059-KK11-11 　

ISSN： 0272-9172

eISSN： 1946-4274

More details Close

ABSTRACT Film growth of organic semiconductor α-sexithiophene (6T) was studied using substrates with artificial periodic grooves. The grooves were fabricated on thermally oxidized silicon substrates by electron beam lithography. Based on the orientation analysis by atomic force microscopy and grazing-incidence x-ray diffraction, part of the 6T grains grew having the in-plane orientational relationship with the artificial grooves. This phenomenon corresponds to “ggraphoepitaxy” which has been well known in inorganic materials research field. As well as the in-plane preferred orientation, one-dimensional structure consisting of connected 6T grains was observed. The electrical conduction properties of the films were also evaluated.
Effect of organic buffer layer on performance of pentacene field-effect transistor fabricated on natural mica gate dielectric International-journal Peer-reviewed

Akira Matsumoto, Ryo Onoki, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki, Keiji Ueno

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(36-40)　L913-L916　2007/10

DOI： 10.1143/JJAP.46.L913 　

ISSN： 0021-4922
Low-leakage MIS structures with 1.5-6 nm CaF2 insulating layer on Si(111) International-journal International-coauthorship Peer-reviewed

N. S. Sokolov, I. V. Grekhov, S. Ikeda, A. K. Kaveev, A. V. Krupin, K. Saiki, K. Tsutsui, S. E. Tyaginov, M. I. Vexler

MICROELECTRONIC ENGINEERING　84　(9-10)　2247-2250　2007/09

DOI： 10.1016/j.mee.2007.04.065 　

ISSN： 0167-9317

eISSN： 1873-5568
Electronic structure of octane on Cu(111) and Ni(111) studied by near edge X-ray absorption fine structure International-journal Peer-reviewed

Manabu Kiguchi, Shiro Entani, Susumu Ikeda, Genki Yoshikawa, Ikuyo Nakal, Hiroshi Kondoh, Toshiaki Ohta, Koichiro Saiki

SURFACE SCIENCE　601　(18)　4074-4077　2007/09

DOI： 10.1016/j.susc.2007.04.055 　

ISSN： 0039-6028

eISSN： 1879-2758
Characterization of submicron-scale periodic grooves by grazing incidence ultra-small-angle X-ray scattering International-journal Peer-reviewed

Yoshiyasu Ito, Katsuhiko Inaba, Kazuhiko Omote, Yasuo Wada, Susumu Ikeda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS　46　(29-32)　L773-L775　2007/08

DOI： 10.1143/JJAP.46.L773 　

ISSN： 0021-4922
Analysis of charge transport in a polycrystalline pentacene thin film transistor by temperature and gate bias dependent mobility and conductance International-journal Peer-reviewed

Dong Guo, Tetsuhiko Miyadera, Susumu Ikeda, Toshihiro Shimada, Koichiro Saiki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　102　(2)　023706　2007/07

DOI： 10.1063/1.2753671 　

ISSN： 0021-8979

eISSN： 1089-7550
Spontaneous aggregation of pentacene molecules and its influence on field effect mobility International-journal Peer-reviewed

Genki Yoshikawa, Jerzy T. Sadowski, Abdullah Al-Mahboob, Yasunori Fujikawa, Toshio Sakurai, Yuki Tsuruma, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

APPLIED PHYSICS LETTERS　90　(25)　251906　2007/06

DOI： 10.1063/1.2749721 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Visualization of induced charge in an organic thin-film transistor by cross-sectional potential mapping International-journal Peer-reviewed

Susumu Ikeda, Toshihiro Shimada, Manabu Kiguchi, Koichiro Saiki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　101　(9)　094509　2007/05

DOI： 10.1063/1.2734077 　

ISSN： 0021-8979
High insulating quality CaF2 pseudomorphic films on Si(111) International-journal International-coauthorship Peer-reviewed

N. S. Sokolov, A. K. Kaveev, A. V. Krupin, S. E. Tyaginov, M. I. Vexler, S. Ikeda, K. Tsutsui, K. Saiki

APPLIED PHYSICS LETTERS　90　(14)　142909　2007/04

DOI： 10.1063/1.2719610 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Orientation control of pentacene molecules and transport anisotropy of the thin film transistors by photoaligned polyimide film International-journal Peer-reviewed

Dong Guo, Kenji Sakamoto, Kazushi Miki, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

APPLIED PHYSICS LETTERS　90　(10)　102117　2007/03

DOI： 10.1063/1.2711776 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
Investigation of complex channel capacitance in C-60 field effect transistor and evaluation of the effect of grain boundaries International-journal Peer-reviewed

Tetsuhiko Miyadera, Manabu Nakayama, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

CURRENT APPLIED PHYSICS　7　(1)　87-91　2007/01

DOI： 10.1016/j.cap.2006.01.054 　

ISSN： 1567-1739
Orientation control of standing epitaxial pentacene monolayers using surface steps and in-plane band dispersion analysis by angle resolved photoelectron spectroscopy International-journal Peer-reviewed

T. Suzuki, T. Shimada, K. Ueno, S. Ikeda, K. Saiki, T. Hasegawa

Materials Research Society Symposium Proceedings　965　0965-S06-19　2007
Publisher: Springer Science and Business Media LLC
DOI： 10.1557/PROC-0965-S06-19 　

ISSN： 0272-9172

eISSN： 1946-4274

More details Close

ABSTRACT We prepared quasi single crystalline pentacene monolayer films on Bi-terminated Si(111) by using bunched steps on vicinally-cut surfaces as an orientation template. Band dispersion in the conduction plane of pentacene was clearly observed by angle-resolved photoelectron spectroscopy.
Pentacene films grown on surface treated SiO2 substrates International-journal Peer-reviewed

Dong Guo, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

THIN SOLID FILMS　515　(2)　814-817　2006/10

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.12.208 　

ISSN： 0040-6090
Effect of UV/ozone treatment of the dielectric layer on the device performance of pentacene thin film transistors International-journal Peer-reviewed

Dong Guo, Shiro Entani, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

CHEMICAL PHYSICS LETTERS　429　(1-3)　124-128　2006/09

DOI： 10.1016/j.cplett.2006.08.009 　

ISSN： 0009-2614

eISSN： 1873-4448
Sexithiophene films on cleaved KBr(100) towards well-ordered semiconducting films International-journal Peer-reviewed

Zhenxing Chen, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY　133　(1-3)　195-199　2006/08

DOI： 10.1016/j.mseb.2006.06.039 　

ISSN： 0921-5107
Anisotropic polymerization of a long-chain diacetylene derivative Langmuir-Blodgett film on a step-bunched SiO2/Si surface International-journal Peer-reviewed

R Onoki, K Ueno, H Nakahara, G Yoshikawa, S Ikeda, S Entani, T Miyadera, Nakai, I, H Kondoh, T Ohta, M Kiguchi, K Saiki

LANGMUIR　22　(13)　5742-5747　2006/06

DOI： 10.1021/la060482d 　

ISSN： 0743-7463
In-situ measurement of molecular orientation of the pentacene ultrathin films grown on SiO2 substrates International-journal Peer-reviewed

Genki Yoshikawa, Tetsuhiko Miyadera, Ryo Onoki, Keiji Ueno, Ikuyo Nakai, Shiro Entani, Susumu Ikeda, Dong Guo, Manabu Kiguchi, Hiroshi Kondoh, Toshiaki Ohta, Koichiro Saiki

SURFACE SCIENCE　600　(12)　2518-2522　2006/06

DOI： 10.1016/j.susc.2006.04.012 　

ISSN： 0039-6028
Graphoepitaxy of sexithiophene on thermally oxidized silicon surface with artificial periodic grooves International-journal Peer-reviewed

Susumu Ikeda, Koichiro Saiki, Ken Tsutsui, Tomohiko Edura, Yasuo Wada, Hiroyuki Miyazoe, Kazuo Terashima, Katsuhiko Inaba, Toru Mitsunaga, Toshihiro Shimada

APPLIED PHYSICS LETTERS　88　(25)　251905　2006/06

DOI： 10.1063/1.2216375 　

ISSN： 0003-6951
Effect of annealing on the mobility and morphology of thermally activated pentacene thin film transistors International-journal Peer-reviewed

D Guo, S Ikeda, K Saiki, H Miyazoe, K Terashima

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　99　(9)　94502　2006/05

DOI： 10.1063/1.2193055 　

ISSN： 0021-8979
Fabrication of an organic field-effect transistor on a mica gate dielectric International-journal Peer-reviewed

Akira Matsumoto, Ryo Onoki, Keiji Ueno, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

CHEMISTRY LETTERS　35　(4)　354-355　2006/04

DOI： 10.1246/cl.2006.354 　

ISSN： 0366-7022

eISSN： 1348-0715
Growth of nanographite on Pt(111) and its edge state International-journal Peer-reviewed

S Entani, S Ikeda, M Kiguchi, K Saiki, G Yoshikawa, Nakai, I, H Kondoh, T Ohta

APPLIED PHYSICS LETTERS　88　(15)　153126　2006/04

DOI： 10.1063/1.2194867 　

ISSN： 0003-6951

eISSN： 1077-3118
High resolution Cs-concentration mapping by X-ray CT: important data corrections for quantitative accuracy International-journal Peer-reviewed

S. Ikeda, T. Nakano, A. Tsuchiyama, K. Uesugi, Y. Suzuki, K. Nakamura, Y. Nakashima, H. Yoshida

Proceedings of the 8th International Conference on X-ray Microscopy, IPAP Conference Series　7　337-339　2006
Thickness dependent characteristics of a copper phthalocyanine thin-film transistor investigated by in situ FET measurement system International-journal Peer-reviewed

Susumu Ikeda, Hidemitsu Yamakawa, Manabu Kiguchi, Manabu Nakayama, Koichiro Saiki, Toshihiro Shimada, Tetsuhiko Miyadera, Ken Tsutsui, Yasuo Wada

MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS　455　347-351　2006

DOI： 10.1080/15421400600699004 　

ISSN： 1542-1406

eISSN： 1563-5287
Magnetic properties of ultrathin cobalt films on SiO2 substrates International-journal Peer-reviewed

S Entani, M Kiguchi, S Ikeda, K Saiki

THIN SOLID FILMS　493　(1-2)　221-225　2005/12

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.310 　

ISSN： 0040-6090
Metal-induced gap states in epitaxial organic-insulator/metal interfaces International-journal Peer-reviewed

M Kiguchi, R Arita, G Yoshikawa, Y Tanida, S Ikeda, S Entani, Nakai, I, H Kondoh, T Ohta, K Saiki, H Aoki

PHYSICAL REVIEW B　72　(7)　075446　2005/08

DOI： 10.1103/PhysRevB.72.075446 　

ISSN： 1098-0121

eISSN： 1550-235X
Electronic properties of metal-induced gap states formed at alkali-halide/metal interfaces International-journal Peer-reviewed

M Kiguchi, G Yoshikawa, S Ikeda, K Saiki

PHYSICAL REVIEW B　71　(15)　153401　2005/04

DOI： 10.1103/PhysRevB.71.153401 　

ISSN： 1098-0121
Quantitative evaluation of attenuation contrast of X-ray computed tomography images using monochromatized beams International-journal Peer-reviewed

A Tsuchiyama, K Uesugi, T Nakano, S Ikeda

AMERICAN MINERALOGIST　90　(1)　132-142　2005/01

DOI： 10.2138/am.2005.1552 　

ISSN： 0003-004X
Three-dimensional diffusion of non-sorbing species in porous sandstone: computer simulation based on X-ray microtomography using synchrotron International-journal Peer-reviewed

Y Nakashima, T Nakano, K Nakamura, K Uesugi, A Tsuchiyama, S Ikeda

JOURNAL OF CONTAMINANT HYDROLOGY　74　(1-4)　253-264　2004/10

DOI： 10.1016/j.jconhyd.2004.03.002 　

ISSN： 0169-7722
Metal induced gap states at alkali halide/metal interface International-journal Peer-reviewed

M Kiguchi, G Yoshikawa, S Ikeda, K Saiki

APPLIED SURFACE SCIENCE　237　(1-4)　494-497　2004/10

DOI： 10.1016/j.apsusc.2004.06.127 　

ISSN： 0169-4332

eISSN： 1873-5584
Molecular orientation control of sexithienyl thin film on Cu substrates International-journal Peer-reviewed

M Kiguchi, G Yoshikawa, S Ikeda, K Saiki

SURFACE SCIENCE　566　603-607　2004/09

DOI： 10.1016/j.susc.2004.05.131 　

ISSN： 0039-6028

eISSN： 1879-2758
Nondestructive three-dimensional element-concentration mapping of a Cs-doped partially molten granite by X-ray computed tomography using synchrotron radiation International-journal Peer-reviewed

S. Ikeda, T. Nakano, A. Tsuchiyama, K. Uesugi, Y. Suzuki, K. Nakamura, Y. Nakashima, H. Yoshida

American Mineralogist　89　1304-1313　2004/09

DOI： 10.2138/am-2004-8-919 　
Molecular orientations and adsorption structures of alpha-sexithienyl thin films grown on Ag(110) and Ag(111) surfaces International-journal Peer-reviewed

G Yoshikawa, M Kiguchi, S Ikeda, K Saiki

SURFACE SCIENCE　559　(2-3)　77-84　2004/06

DOI： 10.1016/j.susc.2004.04.045 　

ISSN： 0039-6028

eISSN： 1879-2758
Valence-band interorbital interaction at the Al-Sn interface observed by ultraviolet photoemission spectroscopy: implication for phase relations in metallic binary systems International-journal Peer-reviewed

S Ikeda, M Kiguchi, K Saiki

PHILOSOPHICAL MAGAZINE　84　(17)　1671-1682　2004/06

DOI： 10.1080/14786430310001659499 　

ISSN： 1478-6443
Epitaxial growth and domain coalescence of sexithiophene induced by the steps on cleaved KBr(001) International-journal Peer-reviewed

S Ikeda, M Kiguchi, Y Yoshida, K Yase, T Mitsunaga, K Inaba, K Saiki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH　265　(1-2)　296-301　2004/04

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.01.054 　

ISSN： 0022-0248
Experimental study of the textural development of igneous rocks in the late stage of crystallization: the importance of interfacial energies under non-equilibrium conditions International-journal Peer-reviewed

S Ikeda, M Toriumi, H Yoshida, Shimizu, I

CONTRIBUTIONS TO MINERALOGY AND PETROLOGY　142　(4)　397-415　2002/01

DOI： 10.1007/s004100100300 　

ISSN： 0010-7999

eISSN： 1432-0967
Three-dimensional study on the interconnection and shape of crystals in a graphic granite by X-ray CT and image analysis International-journal Peer-reviewed

S Ikeda, T Nakano, Y Nakashima

MINERALOGICAL MAGAZINE　64　(5)　945-959　2000/10

DOI： 10.1180/002646100549760 　

ISSN： 0026-461X
Rolling experiment with partially molten rocks: a new apparatus and some experiments on the kinetics of material transport, dissolution and crystal growth International-journal Peer-reviewed

S. Ikeda, S. Nakashima

European Journal of Mineralogy　11　441-453　1999/06

DOI： 10.1127/ejm/11/3/0441 　
Structure change in strontium oxide-doped dicalcium silicates International-journal Peer-reviewed

K Fukuda, Maki, I, S Ito, S Ikeda

JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY　79　(10)　2577-2581　1996/10

DOI： 10.1111/j.1151-2916.1996.tb09018.x 　

ISSN： 0002-7820
フェライト相のＸ線回折パターン分解によるクリンカー冷却速度の判定と強度発現性との相関性 Peer-reviewed

市川牧彦, 池田進, 小向雄人

セメント・コンクリート論文集　49　8-13　1995
EFFECT OF COOLING RATE AND NA2O CONTENT ON THE CHARACTER OF THE INTERSTITIAL MATERIALS IN PORTLAND-CEMENT CLINKER International-journal Peer-reviewed

M ICHIKAWA, S IKEDA, Y KOMUKAI

CEMENT AND CONCRETE RESEARCH　24　(6)　1092-1096　1994

DOI： 10.1016/0008-8846(94)90033-7 　

ISSN： 0008-8846
エーライトのM3, M1相比率の測定手法と強度発現性に及ぼす影響 Peer-reviewed

市川牧彦, 池田進, 小向雄人

セメント・コンクリート論文集　48　76-81　1994
MICROTEXTURES FORMED BY THE REMELTING REACTION IN BELITE CRYSTALS International-journal Peer-reviewed

K FUKUDA, MAKI, I, S IKEDA, S ITO

JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY　76　(11)　2942-2944　1993/11

DOI： 10.1111/j.1151-2916.1993.tb04046.x 　

ISSN： 0002-7820
The system diopside-acmite-nepheline at low oxygen fugacity International-journal Peer-reviewed

K. Onuma, S. Ikeda, E. Ohtani, T. Kato

Journal of Mineralogy, Petrology and Economic Geology (岩鉱)　87　(4)　123-126　1992/04
Publisher: Japan Association of Mineralogical Sciences
DOI： 10.2465/ganko.87.123 　

ISSN： 0914-9783

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Nepheline component (NaAlSiO₄, 20 wt.%) was added to the join diopside (CaMgSi₂O₆)-acmite (NaFeSi₂O₆) and the phase relations were determined at 10^-12 atm ƒO₂ and 1, 050-1, 300°C. The liquidus lines for wustite and clinopyroxene cross each other at about 1, 160°C and the composition of Di₂₄Ac₅₆Ne₂₀. The field of clinopyroxene+wüstite+liquid extends from Di₁₅Ac₇₅Ne₂₀ to Di₄₀Ac₄₀Ne₂₀ at 1, 050°C. In the Di-rich region the phase relations are complicated. Olivine appears as second phase, but disappears at lower temperatures (<1, 100°C). Melilite (<1, 200°C ) and nepheline (<1, 150°C) are present at lower temperature region and coexist with olivine and/or clinopyroxene.
エーライトの微細組織に及ぼす焼成条件ならびに少量成分の影響 International-journal Peer-reviewed

池田進, 市川牧彦

セメント・コンクリート論文集　46　(46)　56-61　1992

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Misc. 11

Grapho-epitaxial Orientation Control for Organic Molecules

Susumu Ikeda

The Journal of The Institute of Electrical Engineers of Japan　136　(2)　74-77　2016/02/01
Publisher: 電気学会
DOI： 10.1541/ieejjournal.136.74 　

ISSN： 1340-5551
Graphoepitaxy of Organic Semiconductors and Improvement of Carrier Transport

Susumu Ikeda

Journal of the Surface Science Society of Japan　35　(4)　196-201　2014/04/22
Publisher: The Surface Science Society of Japan
DOI： 10.1380/jsssj.35.196 　

ISSN： 0388-5321
グラフォエピタキシーを利用した有機半導体薄膜の配向制御

池田進, 斉木幸一朗, 和田恭雄

NanotechJapan Bulletin　3　(3)　2010/05/26
Graphoepitaxy of Organic Semiconductor

S. Ikeda, Y. Wada, K. Inaba, K. Terashima, T. Shimada, K. Saiki

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth　35　(4)　243-248　2008

DOI： 10.19009/jjacg.35.4_243 　
ペンタセン薄膜の光電子分光－有機半導体の伝導機構解明に向けて－

池田進

分光研究　56　(2)　68-70　2007/03
Publisher: The Spectroscopical Society of Japan
DOI： 10.5111/bunkou.56.68 　

ISSN： 0038-7002
In-plane orientation control of organic thin films on amorphous substrates and its application to field effect transistors

Susumu Ikeda, Yasuo Wada, Toshihiro Shimada, Koichiro Saiki

Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan　50　(12)　729-734　2007
Publisher: Vacuum Society of Japan
DOI： 10.3131/jvsj.50.729 　

ISSN： 0559-8516
Study of interfaces using ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS)

Susumu Ikeda, Koichiro Saiki

Japanese Magazine of Mineralogical and Petrological Sciences　33　(4)　163-171　2004

DOI： 10.2465/gkk.33.163 　

ISSN： 1349-7979 1345-630X
Observation and analysis of internal structure of rock using X-ray CT

T. Nakano, Y. Nakashima, K. Nakamura, S. Ikeda

The Journal of the Geological Society of Japan　106　(5)　363-378　2000/05
Publisher: The Geological Society of Japan
DOI： 10.5575/geosoc.106.363 　

ISSN： 0016-7630

More details Close

X-ray computerized tomography (CT) is a technique to reconstruct a CT image showing the spatial distribution of X-ray linear absorption coefficients (LAC's) of the materials in a sample. This technique allows us to observe and to analyze non-destructively, the three-dimensional precise internal structure of rocks. The LAC is a physical property which depends on density, state and chemical composition of the material and X-ray energy used in the measurement. Chemical composition of a material greatly affects the LAC for the photon energy level of the medical X-ray CT scanners. Filtered back-projection (FBP) method and convolution back-projection (CBP) method are applied to the reconstruction of a CT image from the obtained X-ray projection data. A suitable choice of a reconstruction filter in the methods enables us to enhance the target texture in the image. An artifact called beam hardening occurs in the CT image obtained by the CT scanner with polychromatic X-ray. This artifact can be reduced by the use of a suitable pad for the sample and/or by the correction of the image using spectrum data of the X-ray source used in the measurement and bulk density and chemical composition of the sample material. To apply the X-ray CT to advanced observation and quantitative analysis of the internal structure of rock, it is necessary to understand the basic theory and the detailed techniques used in the X-ray CT.
Image Analysis of Rock Textures : Present Status and Problems in its Automation

IKEDA Susumu, NAKASHIMA Satoru, TSUCHIYAMA Akira

Journal of the Mineralogical Society of Japan　26　(4)　185-196　1997/11/01
Publisher: 日本鉱物学会
DOI： 10.2465/gkk1952.26.185 　

ISSN： 0454-1146
岩石の可視画像の解析

池田進, 佐伯和人, 田野雄一

月刊地球　18　(4)　217-223　1996/04
アルカリ・シリカ反応のメカニズムおよびCa(OH)2の役割

池田進

化学と工業　45　(7)　1304-1305　1992/07

ISSN： 0022-7684

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Books and Other Publications 1

A New Direction in Mathematics for Materials Science (SpringerBriefs in the Mathematics of Materials vol.1)

Susumu Ikeda, Motoko Kotani

Springer　2015/12

DOI： 10.1007/978-4-431-55864-4 　

ISBN: 9784431558620

Presentations 72

有機半導体蒸着過程の分子動力学シミュレーション Invited

池田進

電気学会グリーン社会に向けた有機・バイオ技術と関連シミュレーションに関する調査専門委員会第1回講演会（日本表面真空学会共催）　2023/07/24
Reorientation of pentacene molecules adsorbed on a substrate from flat-lying to standing manners reproduced by molecular dynamics simulations

Susumu Ikeda

2022/09/20
Behavior of Critical Nuclei of Pentacene Observed by Molecular Dynamics Simulations

Susumu Ikeda

2020/09/11
Investigation of Critical Nuclei of Pentacene using Molecular Dynamics Simulations

Susumu Ikeda

2020/03/12
Molecular Dynamics Simulations of Organic Semiconductor Thin Film Growth International-presentation

IKEDA Susumu

13th Japan-France Workshop on Nanomaterials / 4th WPI-Workshop on Materials Science (NanoMat2019) (Paris, France)　2019/06/03
Molecular dynamics simulations of organic semiconductor thin film growth: stability of nuclei and their growth International-presentation

IKEDA Susumu

E-MRS 2019 Spring Meeting (Nice, France)　2019/05/28
有機半導体薄膜成長の分子動力学シミュレーション - 立った分子からなる核の安定性と成長 -

池田進

2019年（平成31年）第66回応用物理学会春季学術講演会（東京都目黒区・東京工業大学大岡山キャンパス）　2019/03/11
Artificial epitaxial growth of organic semiconductor thin films on amorphous SiO2 substrates by graphoepitaxy International-presentation

Susumu Ikeda

E-MRS 2018 Spring Meeting (Strasbourg, France)　2018/06/19
有機グラフォエピタキシーの分子動力学シミュレーション 5(最終) - 溝の影響に関する総括と有機薄膜成長一般論への応用に向けた展望 -

池田進

2018年（平成30年）第65回応用物理学会春季学術講演会（東京都新宿区・早稲田大学西早稲田キャンパス）　2018/03/18
Molecular dynamics simulations of graphoepitaxy of organic semiconductors - Molecular-scale mechanisms of organic graphoepitaxy - International-presentation

IKEDA Susumu

9th International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE9) (Kanazawa, Ishikawa, Japan)　2017/06/26
Materials inspired by mathematics International-presentation Invited

Susumu Ikeda

STAM Prestige Lectures 2017, STAM Reception at 2017 E-MRS Spring Meeting (Palais de la Musique et des Congrès, Strasbourg, France)　2017/05/25
Molecular dynamics simulations of graphoepitaxy of organic semiconductors, sexithiophene and pentacene International-presentation

Susumu Ikeda

E-MRS 2017 Spring Meeting (Strasbourg, France)　2017/05/22
Molecular dynamics simulations of graphoepitaxy of organic semiconductors International-presentation

Susumu Ikeda

NanoMat2017 (the joint meeting comprising the 12th Japan-France Workshop on Nanomaterials and 3rd WPI Workshop on Materials Science) (I2CNER, Kyushu University, Fukuoka, Japan)　2017/04/18
有機グラフォエピタキシーの分子動力学シミュレーション 4 - ペンタセン分子堆積過程のシミュレーション -

池田進

2017年（平成29年）第64回応用物理学会春季学術講演会（横浜市西区・パシフィコ横浜）　2017/03/14
有機グラフォエピタキシーの分子動力学シミュレーション 3 - 分子堆積過程のシミュレーション -

池田進

2016年（平成28年）第77回応用物理学会秋季学術講演会（新潟市中央区・朱鷺メッセ）　2016/09/16
Graphoepitaxy of organic semiconductor thin films - experiments and simulations - International-presentation

IKEDA Susumu

23rd International Symposium on Metastable, Amorphous and Nanostructured Materials (ISMANAM 2016) (Nara Kasugano International Forum, Nara, Japan)　2016/07/04
有機グラフォエピタキシーの分子動力学シミュレーション 2 - 面内方位の変化を引き起こすメカニズム -

池田進

2016年（平成28年）第63回応用物理学会春季学術講演会（東京都目黒区・東京工業大学）　2016/03/19
有機グラフォエピタキシーの分子動力学シミュレーション 1 - 系のモデル化と予察的計算結果 -

池田進

2015年（平成27年）第76回応用物理学会秋季学術講演会（名古屋市熱田区・名古屋国際会議場）　2015/09/14
Nanoscale orientation control of organic semiconductor thin films on amorphous substrates by graphoepitaxy International-presentation

Susumu Ikeda

11th Japan-France Workshop on Nanomaterials / 2nd WPI-Workshop on Materials Science (Campus de Beaulieu, University of Rennes 1, Rennes, France)　2015/05/28
Graphoepitaxy of organic semiconductors and its application to electronic devices International-presentation

Susumu Ikeda

Frontiers in Quantum Materials and Devices & Tohoku / Harvard Workshop (Harvard University, U.S.A.)　2015/05/21
In-plane orientation control of organic semiconductor thin films by graphoepitaxy International-presentation

Susumu Ikeda

E-MRS 2016 Spring Meeting (Lille Grand Palais, Lille, France)　2015/05/03
“数学と材料科学” 異分野融合の中でも極めてチャレンジングなこのコラボの魅力 Invited

池田進

第14回ゴムの力学研究分科会　2013/05/10
Explorations of Effective Factors for Optimizing Light-Emitting Organic Field-Effect Transistors International-presentation

Susumu Ikeda, Kanagasekaran Thangavel, Ryotaro Kumashiro, Takuto Inoue, Hui Shang, Dairi Hirota, Hidekazu Shimotani, Katsumi Tanigaki

Materials Research Society (MRS) 2011 Fall Meeting (Hynes Convention Center, Boston, U.S.A.)　2011/11/30
グラフォエピタキシーを利用した有機半導体薄膜の配向制御 Invited

池田進

文部科学省先端研究施設共用イノベーション創出事業ナノテクノロジー・ネットワーク平成２３年度成果報告会（東工大蔵前会館）　2011/11/08
Ambipolar behavior and light emission of organic field effect transistors International-presentation Invited

Susumu Ikeda, Yan Wang, Ryotaro Kumashiro, Katsumi Tanigaki, Yuguang Ma

2010 China-Japan Joint Symposium on Functional Supramolecular Architecture (Symposium Center of Jilin University, Changchun, China)　2010/07/25
電極エッジに起因する有機半導体薄膜の面内配向成長とFETへの応用

池田進, 和田恭雄, 斉木幸一朗

日本物理学会第65回年次大会（岡山市・岡山大学）　2010/03/22
Oriented Growth of Sexithiophene Induced by Edge of Metal Electrodes International-presentation

Susumu Ikeda, Yasuo Wada, Koichiro Saiki

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009) (Sendai International Hotel, Sendai, Japan)　2009/10/09
有機半導体分子のグラフォエピタキシー

池田進, 和田恭雄, 斉木幸一朗

日本鉱物科学会 2009年年会（札幌市北区・北海道大学学術交流会館）　2009/09/09
X線CTによる部分溶融構造の３次元観察

池田進, 中野司, 中村光一, 中島善人, 土’山明, 上杉健太朗, 鈴木芳生, 吉田英人

日本鉱物科学会 2009年年会（札幌市北区・北海道大学学術交流会館）　2009/09/09
物質・材料科学における分野融合と新領域の探索 Invited

池田進

平成20年度東北大学国際高等融合領域研究所セミナー「独創する若手研究者の融合-表面・界面が創成する融合科学-」（東北大学・片平さくらホール）　2009/01/15
Graphoepitaxy of organic semiconductor: a new approach for obtaining oriented thin films applicable to organic devices International-presentation Invited

Susumu Ikeda

Workshop on Electrical and Electronic Properties in Crystalline Thin Films of Small Molecules (Venture Business Laboratory, Chiba University, Japan)　2008/12/19
Oriented Film Growth of Organic Semiconductor Sexithiophene on Thermally Oxidized Silicon Substrates with Nanoscale Artificial Periodic Grooves International-presentation

Susumu Ikeda, Yasuo Wada, Katsuhiko Inaba, Kazuo Terashima, Toshihiro Shimada, Koichiro Saiki

Materials Research Society (MRS) 2007 Fall Meeting (Hynes Convention Center, Boston, U.S.A.)　2007/11/29
グラフォエピタキシーによって面内配向制御した有機FETの特性評価

IKEDA Susumu

日本物理学会第62回年次年大会（札幌市北区・北海道大学札幌キャンパス）　2007/09/21
有機グラフォエピタキシーにおける薄膜成長の初期過程

池田進, 和田恭雄, 島田敏宏, 斉木幸一朗

2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会（札幌市手稲区・北海道工業大学）　2007/09/07
ナノ周期構造を用いた分子の配向制御 Invited

池田進, 島田敏宏, 上野啓司, 和田恭雄, 斉木幸一朗

2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会（神奈川県相模原市・青山学院大学相模原キャンパス）　2007/03/28

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シンポジウム43.1 日本学術振興会第161委員会企画「有機半導体薄膜結晶化の現状：エピタキシャル成長機構と結晶品質」
グラフォエピタキシーによる有機半導体薄膜の配向制御とＦＥＴへの応用

池田進, 和田恭雄, 稲葉克彦, 伊藤義泰, 寺嶋和夫, 島田敏宏, 斉木幸一朗

日本物理学会2007年春季大会（鹿児島県鹿児島市・鹿児島大学郡元キャンパス）　2007/03/21
Graphoepitaxy of sexithiophene - Influence of surface modification on molecular orientation - International-presentation

Susumu Ikeda, Yasuo Wada, Katsuhiko Inaba, Yoshiyasu Ito, Kazuo Terashima, Toshihiro Shimada, Koichiro Saiki

The Fourth International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE4) (Takeda Hall, Hongo, Tokyo, Japan)　2007/03/14
有機グラフォエピタキシーの基板依存性から見たその成長機構

池田進, 筒井謙, 江面知彦, 稲葉克彦, 伊藤義泰, 寺嶋和夫, 島田敏宏, 和田恭雄, 斉木幸一朗

日本物理学会 2006年秋季大会（千葉市稲毛区・千葉大学西千葉キャンパス）　2006/09/25
有機グラフォエピタキシーに及ぼす基板周期構造のピッチの影響

IKEDA Susumu

2006年（平成18年）秋季第67回応用物理学会学術講演会（滋賀県草津市・立命館大学びわこ・くさつキャンパス）　2006/08/30
Visualization of charge injection in an organic thin-film transistor using Kelvin probe force microscopy International-presentation

Susumu Ikeda, Toshihiro Shimada, Manabu Kiguchi, Koichiro Saiki

Materials Research Society (MRS) 2006 Spring Meeting (San Francisco, U.S.A.)　2006/04/21
人工周期構造を持つ熱酸化シリコン基板上におけるsexithiophene の面内選択配向成長

池田進, 筒井謙, 江面知彦, 宮副裕之, 寺嶋和夫, 島田敏宏, 和田恭雄, 斉木幸一朗

日本物理学会第61回年次大会（愛媛県松山市・愛媛大学・松山大学）　2006/03/28
微細加工を施した熱酸化シリコン基板上におけるsexithiophene のグラフォエピタキシー

池田進, 筒井謙, 江面知彦, 宮副裕之, 寺嶋和夫, 島田敏宏, 稲葉克彦, 光永徹, 和田恭雄, 斉木幸一朗

2006年（平成18年）春季第53回応用物理学関係連合講演会（東京都世田谷区・武蔵工業大学）　2006/03/22
有機薄膜トランジスタの膜厚依存性と電界効果電荷注入

池田進, 山川秀充, 島田敏宏, 筒井謙, 和田恭雄, 斉木幸一朗

日本物理学会 2005年秋季大会（京都府京田辺市・同志社大学京田辺キャンパス）　2005/09/21
有機薄膜トランジスタのin situ膜厚依存性測定：高膜厚における挙動

池田進, 山川秀充, 島田敏宏, 筒井謙, 和田恭雄, 斉木幸一朗

秋季第66回応用物理学会学術講演会（徳島県徳島市・徳島大学常三島キャンパス）　2005/09/09
Thickness Dependence of Charge Injection Mechanism in Organic Thin-Film Transistors International-presentation

Susumu Ikeda, Tetsuhiko Miyadera, Hidemitsu Yamakawa, Manabu Kiguchi, Manabu Nakayama, Koichiro Saiki

The 54th Fujihara Seminar "Organic Semiconductors and Conductors: Half Century and Future Prospects" (Tomakomai, Japan)　2005/09/02
High resolution Cs-concentration mapping by X-ray CT International-presentation

Susumu Ikeda, Tsukasa Nakano, Akira Tsuchiyama, Kentaro Uesugi, Yoshio Suzuki, Ko-ichi Nakamura, Yoshito Nakashima, Hideto Yoshida

The 8th International Conference on X-ray Microscopy (XRM2005) (Himeji, Japan)　2005/07/26
Cross-sectional potential mapping and FEM calculations of an organic field-effect transistor Invited

Susumu Ikeda

カナダ大使館商務部/Infolytica Corp./(株)アドバンストテクノロジー共催「Infolyticaセミナー2005」　2005/04/15
有機薄膜トランジスタ断面の電位分布からみた電界効果電荷注入

池田進, 島田敏宏, 斉木幸一朗

日本物理学会第60回年次大会（千葉県野田市・東京理科大学）　2005/03/26
Cross-sectional potential imaging of a working organic thin-film transistor with Kelvin probe force microscopy International-presentation

Susumu Ikeda, Koichiro Saiki, Toshihiro Shimada

The 6th International Conference on Nano-Molecular Electronics (ICNME2004) (Kobe, Japan)　2004/12/15
ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機TFT断面の電位分布とその解釈

池田進, 島田敏宏, 斉木幸一朗

日本物理学会 2004年秋季大会（青森県青森市・青森大学）　2004/09/13
ケルビンプローブフォース顕微鏡による銅フタロシアニンTFT断面の電位分布測定

池田進, 島田敏宏, 木口学, 斉木幸一朗

2004年（平成16年）春季第51回応用物理学関係連合講演会（東京都八王子市・東京工科大学）　2004/03/28
ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定

池田進, 島田敏宏, 木口学, 斉木幸一朗

日本物理学会第59回年次大会（福岡市・九州大学箱崎キャンパス）　2004/03/27
火成岩の組織形成 Invited

池田進

鉱物科学若手の会(YMO) 2003秋の学校　2003/11/01
Sexithiophene(6T)薄膜のアルカリハライド基板上への成長 II：分子配向の決定

池田進, 木口学, 吉川元起, 吉田郵司, 八瀬清志, 光永徹, 宮寺哲彦, 斉木幸一朗

2003年（平成15年）秋季第64回応用物理学会学術講演会（福岡県福岡市・福岡大学）　2003/08/30
金属･絶縁体基板上におけるSexithiophene(6T)分子の配向制御

池田進, 木口学, 吉川元起, 宮寺哲彦, 斉木幸一朗

第4回表面エレクトロニクス研究会（千葉県柏市・東京大学物性研究所）　2003/06
Sexithiophene(6T)薄膜のアルカリハライド基板上への成長

IKEDA Susumu

2003年（平成15年）春季第50回応用物理学関係連合講演会（神奈川県横浜市・神奈川大学）　2003/03/28
Growth of Sexithiophene (6T) Thin Films on Alkali Halide Substrates International-presentation

Susumu Ikeda, Manabu Kiguchi, Koichiro Saiki

Second International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE2) (GAKUSHI KAIKAN, Tokyo, Japan)　2003/03/06
紫外光電子分光法によるAl/Sn界面の電子状態

池田進, 木口学, 斉木幸一朗

日本物理学会 2002年秋季大会（愛知県春日井市・中部大学）　2002/09/06
鉱物の空間分布にみる結晶化過程でのメルト短距離移動

池田進

地球惑星科学関連学会 2002年合同大会（東京・国立オリンピックセンター）　2002/05/29
部分溶融系における固液界面エネルギーの非平衡条件下での挙動

池田進

地球惑星科学関連学会 2001年合同大会（東京・国立オリンピックセンター）　2001/06/05
火成岩中に見出される結晶のクラスタリング組織と実験から見たその成因

池田進, 鳥海光弘, 吉田英人

地球惑星科学関連学会 2000年合同大会（東京・国立オリンピックセンター）　2000/06/26
非平衡部分溶融系における固液二面角の挙動と組織形成

池田進

日本鉱物学会 1999年度年会（水戸市・茨城大学）　1999/09/23
固液二面角の上昇に伴う結晶のクラスタリングとメルトの分離

池田進

地球惑星科学関連学会 1999年合同大会（東京・国立オリンピックセンター）　1999/06/09
深成岩組織形成過程の実験的研究 - 振動による物質移動と結晶成長 -

池田進

日本鉱物学会 1998年度年会（福岡市・九州大学）　1998/10
X線CTによる文象花崗岩中石英の３次元構造の解析

池田進, 中野司, 中島善人

地球惑星科学関連学会 1998年合同大会（東京・国立オリンピックセンター）　1998/05
Rolling experiment of partially molten rocks International-presentation

Susumu Ikeda, Satoru Nakashima

Seventh International Symposium on Experimental Mineralogy, Petrology and Geochemistry (EMPG VII) (Orléans, France)　1998/04
動的な場における岩石の組織形成 (3) - 転動実験と結晶成長 -

池田進, 中嶋悟

日本鉱物学会1997年度年会（仙台市・東北大学）　1997/09
動的な場における岩石の組織形成 (2) - 動的なメルトの役割 -

池田進, 中嶋悟

日本岩石鉱物鉱床学会・日本鉱物学会・資源地質学会平成８年度秋季連合学術講演会 (三鉱学会)（金沢市・金沢大学）　1996/09
動的な場における岩石の組織形成 (1) - 岩石転動加熱実験装置の製作と予備実験 -

池田進, 中嶋悟

日本鉱物学会平成８年度年会（つくば市・工業技術院）　1996/06
画像処理による岩石の鉱物容量比の解析 - 可視画像と後方散乱電子像 -

池田進, 佐伯和人, 中嶋悟

日本鉱山地質学会・日本岩石鉱物鉱床学会・日本鉱物学会平成７年度秋季連合学術講演会 (三鉱学会)（東京）　1995/10
エーライトのM3, M1相比率の測定手法と強度発現性に及ぼす影響

市川牧彦, 池田進, 小向雄人

第48回セメント技術大会（東京）　1994/05
エーライトの微細組織に及ぼす焼成条件ならびに少量成分の影響

池田進, 市川牧彦

第46回セメント技術大会（東京）　1992/05

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Research Projects 12

Comprehensive molecular dynamics simulations to reproduce the whole processes of nucleation and growth of organic semiconductor thin films Competitive

Susumu Ikeda

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)

System: Grant-in-Aid for Scientific Research (C) (JP21K05205)

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Institution: Tohoku University

2021/04 - 2024/03
Molecular dynamics simulations to elucidate the mechanism of the universal behavior of molecular assemblies observed in the processes of organic semiconductor thin film growth Competitive

IKEDA Susumu

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)

System: Grant-in-Aid for Scientific Research (C) (JP18K05253)

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Institution: Tohoku University

2018/04 - 2021/03

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Molecular dynamics (MD) simulations were applied to elucidate the mechanism of nucleation and growth of organic semiconductor thin films. In particular, the phenomenon which is universally observed in thin film growth of organic semiconductors, that is, rod-shaped molecules are aligned with standing manner on substrate surfaces, was focused on. Specifically, the stability of clusters (nuclei) comprising standing molecules of pentacene was investigated by MD simulations. In the simulations, the clusters consisting of more than ten standing molecules could stably exist, and furthermore, the stabilized clusters could grow by capturing additional molecules in MD simulations. The results of the simulations were compared with the results of theoretical calculations based on the classical nucleation theory, and their consistency led us to understanding the stochastic behavior which critical nuclei show.
Elucidation of the initial processes of organic graphoepitaxy at the molecular level Competitive

IKEDA Susumu

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)

System: Grant-in-Aid for Scientific Research (C) (JP15K04674)

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Institution: Tohoku University

2015/04 - 2018/03

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Graphoepitaxy is an artificial epitaxial thin film growth on the substrate surfaces with artificial microstructures. Although we reported the graphoepitaxy of organic semiconductor molecules in 2006, the mechanism of the in-plane oriented growth has not been clarified. In this study, molecular dynamics (MD) simulations were applied to the elucidation of the initial processes of the organic graphoepitaxy at the molecular level. First, the models of the grooved substrates were made and behavior of organic semiconductor molecules in the groove was simulated. By MD simulations, in-plane orientations observed in the experiments were reproduced. Furthermore, the overall processes including deposition and crystallization were also reproduced in MD simulations. MD simulations worked well to visualize the movement of individual molecules and to clarify how the orientations of crystals are arranged and adjusted to the edge of the microgrooves.
Construction of nanoscale optical resonator structure with an organic semiconductor single crystal

KUMASHIRO Ryotaro, HEGURI Satoshi, XU Jingtao, LIU Fucai, THANGAVEL Kanagasekaran, IKEDA Susumu

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Institution: Tohoku University

2011 - 2013

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From a study of the photoluminescence characteristics using novel organic semiconductor single crystal, material design guidelines based on the crystal structure and molecular shape is shown. On the basis of the metal-semiconductor interface state, we have succeeded in the development of FET shown a stable light emission operation in the atmosphere. Characterization method and conditions optimization of lithography technology were developed through the evaluation of physical properties of semiconductor single crystal.
Mechanism of organic graphoepitaxy and application to the oriented thin film growth Competitive

IKEDA Susumu

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)

System: Grant-in-Aid for Scientific Research (C) (JP20560020)

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Institution: Tohoku University

2008/04 - 2011/03

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Graphoepitaxy of organic molecules was investigated. Periodic microgrooves were fabricated on the substrate surface by electron beam lithography and organic semiconductor thin films were grown on the surface by vacuum deposition. In-plane oriented growth was observed. It was also found that the in-plane orientation can be changed by surface modification of the substrates ; this phenomenon is peculiar to organic systems and relates to the mechanism of organic graphoepitaxy.
Clarification of Growth Mechanism of Perfect Organic Semiconductor Single Crystal for Electronic Devices

ITAYA Kingo, IKEDA Susumu, MINATO Taketoshi, KUZUME Akiyoshi, HUKIDOME Hirokazu, GOSHI Kenichi, KOMINO Takeshi, KOBAYASHI Shinichiro, MATSUKAWA Takeshi

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Institution: Tohoku University

2008 - 2010

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We revealed that organic semiconductor rubrene single crystals grown from vapor phase have molecularly flat surface in wide region by using a laser confocal microscope with a differential interference contrast microscope for the first time. The observations of the crystal growth, which is shown the transition of molecular steps on the surface, were contributed to a clarification of growth mechanism. These single crystals have been shown high FET characteristics.
グラフォエピタキシーによる有機薄膜の面内配向制御と電界効果トランジスタへの応用 Competitive

池田進

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 若手研究(スタートアップ) (18860020)

Category: 若手研究(スタートアップ)

Institution: 東京大学

2006/04 - 2008/03

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本年度は、前年度に見出したグラフォエピタキシーによる有機半導体薄膜の面内配向制御技術を実際の電界効果トランジスタ(FET)に応用する試みを行った。有機半導体材料にはα-sexithiophene(6T)を用い、電子線リソグラフィーによって人工周期溝構造を形成した熱酸化シリコン基板表面に6Tを真空蒸着法によって成膜した。蒸着前に基板表面をUV/オゾン処理(親水化)ならびにHMDS処理(疎水化)して表面状態を変えることにより、6Tの結晶格子のb軸が人工溝に対して平行になる場合と垂直になる場合を作り分ける、すなわち面内配向を制御し、それによって面内の選択配向方位が90°異なる2種類のFETデバイスを作製した。グラフォエピタキシーによって面内配向制御した6TのFETデバイスはどちらも高ドレイン電圧において飽和領域が現れる一般的な出力特性を示し、このようにして作製した有機FETが正常に動作することを実証した。しかしながら、平坦基板を用いた6TのFET(薄膜の面内方位はランダム)のFET特性と比較すると移動度が小さく、これはグラフォエピタキシャル成長した薄膜ではグレインが存在しない未被覆の部分が多く、電気伝導経路の連結性が悪いためであることが判明した。これに対し、グラフォエピタキシーによって方位が揃って連結した6Tグレインの1次元鎖中の電気伝導特性を導電性カンチレバーを用いた接触型原子間力顕微鏡で測定したところ、鎖状連結構造中では伝導特性が良好であった。これは方位の揃ったグレイン間の粒界抵抗が小さいことを意味する。したがって、グラフォエピタキシャル成長した薄膜の基板被覆率を高め、それぞれ孤立してしまう傾向にあるグレイン連結構造同士を更に連結できれば、FET特性を改善できることが示唆された。
Research on operation mechanism of organic transistors investigated by in situ and real time measurement of electronic states and morphology

SAIKI Koichiro, IKEDA Susumu

Offer Organization: Japan Society for the Promotion of Science

System: Grants-in-Aid for Scientific Research

Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Institution: The University of Tokyo

2007 - 2008
炭素系特異磁性の発現とその起源

斉木幸一朗, 池田進

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 萌芽研究

Institution: 東京大学

2007 - 2008

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A.ナノグラフェンの作製と磁性起源の研究 Pt基板上ヘベンゼンを暴露吸着し,高温アニールによって成長したナノグラフェンの走査トンネル顕微鏡(STM)観察を継続し,詳細な解析をおこなった.本来不安定なジグザグ端が70%以上の頻度で現れる実験事実に対し考察を加え,平衡形としてはアームチェア端により囲まれた形状が安定なことが表面エネルギーとウルフの定理によって説明されるが,ベンゼンが縮合重合する過程を考慮すると,ジグザグ端は成長速度が遅れることによって成長形として現れる可能性があることを見出した.表面磁気光学力-効果(SMOKE)による磁気特性の測定で,ナノグラフェン試料の17個のうち8個の試料について室温において磁化曲線にヒステリシスが観測され,なんらかの磁気秩序状態の存在が示唆された.再現性や試料と磁気特性の相関について測定を継続中である. B.カーボンナノウォールの作製と磁性起源の探究グラフェンのシートが基板に垂直に立つカーボンナノウォール(以下ナノウォール;CNW)の種々の基板上への成長条件を探索した.導電性の高い金属基板上への成長で成長速度が高いことをすでに報告しているが,半導体基板上の成長においてもプラズマ生成時の圧力を増加させると成長速度が上がることを見出した.CNW試料の表面磁気光学力-効果測定をおこなったが,現在までのところ磁気秩序発現の証左は得られていない.これはCNWの上端がアームチェア端で覆われているためと思われる. 以上,グラフェンの端構造に由来する磁気秩序状態研究の端緒を拓けたと考えられる.
高度界面制御有機・無機複合構造による量子物性の発現と応用

斉木幸一朗, 青木秀夫, 島田敏宏, 上野啓司, 佐々木岳彦, 池田進, 有田亮太郎, 木口学

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 科学研究費助成事業

Category: 学術創成研究費

Institution: 東京大学

2002 - 2006

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高度に制御された有機無機ヘテロ界面を実現し,電界による電荷注入や界面相互作用における多体効果による新奇量子現象の発現を最終目標として今年度は以下の研究を行なった.また,最終年度としての総括もおこなった. 金属-有機物界面の電荷注入過程と電荷極性の相関;同一試料に対して薄膜成長中のFET測定,電子分光による薄膜評価が行なえるシステムを改良し,FETにおけるキャリアの極性と電子状態の変化を詳細に追跡した.その結果,電荷極性は金属のフェルミ準位と有機半導体のHOMO-LUMOギャップの相対位置関係により決まり,有効チャネル伝導度は界面のエネルギー障壁に対して指数関数的に変化することを初めて実験的に実証した. 有機薄膜表面形態と電気伝導現象の相関;先年度に開発した,同一試料に対してFET測定とAFMによる薄膜形態測定が可能な装置を用いて,ペンタセン薄膜の形態安定性と伝導度の相関を詳細に追究した.その結果,形態変化を齎す分子移動は界面第1-2層目の境界から生起することが明らかになった.薄膜の安定化を図るためには第2層の結晶系の制御が重要であることは当該分野での大きな指針となる. ベンゼンの重合によるナノグラフェンの合成とエッジ状態,磁気秩序;ベンゼンの重合によるナノグラフェンについて,STM観察によりエッジの構造について詳細に探究した結果,本手法により作製されたナノグラフェンの端は70%以上の確率でジグザグ端であることが判明した.STM像のバイアス依存性から,ジグザグ端にはフェルミ面近傍に状態を持つことが明らかとなり,従前の分光学的な結果と整合した.また,高分解能電子エネルギー損失分光から,ジグザグ端には水素原子が1あるいは2個吸着した状態があることがわかった.これらの結果および磁気光学カー効果の結果について理論的な検討をおこなった.
珪酸塩部分溶融系における界面の構造と物性の解析 Competitive

池田進

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 特別研究員奨励費 (00J08525)

Category: 特別研究員奨励費

Institution: 東京大学

2000/04 - 2003/03

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本研究では,部分溶融系における固相-液相間の界面エネルギーならびにそれに依存する固液の濡れ性のようなマクロな物性・物理量をミクロな視点から理解するために,固体基板表面に液相を想定した薄膜を蒸着し,界面における電子状態を解析してきた.界面現象は珪酸塩系と金属系とで共通点が多いので,実験が比較的容易な金属系に集中して研究を進めた.具体的には,超高真空槽中でTa板上にSnの厚膜(多結晶膜)を蒸着してこれを基板とし,その上にAlの薄膜を蒸着,紫外光電子分光法を用いて,Al/Sn界面における価電子の挙動を探った.この実験から,AlとSnが界面を形成することにより,結合エネルギー4.3eVと2.7eVの2カ所の電子状態密度が減少し,6.0eVと0.5eVの2カ所の電子状態密度が増加することが見出された.分子軌道法に基づいた考察により,AlとSnが接触した際,AlとSnの価電子の1対の軌道(バンド)が軌道間相互作用を起こして結合性・反結合性の新しい軌道をフェルミ準位以下に生み出し,それらが電子で満たされるため,電子のもつエネルギーの総和が大きくなることが判明した.Al-Sn系は共融系であり,ここで観測された2元素の接触に伴う電子エネルギーの上昇・不安定化が,固相線以下における2相分離傾向を生み出しているものと考えられる.2成分共融系では部分溶融状態において,液相の化学組成が結晶の化学組成から離れるほど界面エネルギーが大きくなり濡れが悪くなることが知られている.これは,結晶相がAlの場合,それに接触する液相中のSn原子の数が多くなるほど,上記のような価電子の軌道間相互作用が起こる頻度が増加し,電子エネルギーの上昇により界面エネルギーが増大するものと理解できる.このように,界面の電子の挙動を解析することで,界面エネルギーのようなマクロな物性・物理量を理解できることを示した点も本研究の大きな成果である.
動的な場における火成岩組織形成過程の実験的研究 Competitive

池田進

Offer Organization: 日本学術振興会

System: 特別研究員奨励費 (97J07812)

Category: 特別研究員奨励費

Institution: 東京大学

1998/04 - 2000/03

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Social Activities 23

Katahira Festival 2017 Executive Committee member

2017/10/07 - 2017/10/08
Katahira Festival 2015 Executive Committee member

2015/10/10 - 2015/10/11
Katahira Festival 2013 Executive Committee member

2013/10/12 - 2013/10/13
科学・技術フェスタ in 京都 2011

2011/12/17 - 2011/12/18

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WPI 6拠点合同で出展し、WPIおよび各拠点のアピールを行った。
Katahira Festival 2011 Executive Committee member

2011/10/08 - 2011/10/09
原子分子材料科学高等研究機構(WPI-AIMR)一般向け広報誌「TOHOKU WPI通信」発行

2010/06 - 2011/10

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原子分子材料科学高等研究機構(WPI-AIMR)の研究活動の内容や、世界トップ研究拠点づくりを進めるWPIプログラムの目標を分かりやすい形で一般の方々に知っていただくため、機構のアウトリーチマネージャーとして一般向け広報誌を企画、「TOHOKU WPI通信」と命名してvol.1を６月初めに刊行した。TOHOKU WPI通信は年３回発行する予定であり、最終頁の“交流スクエア”では、読者と研究者との相互理解を図るため、意見、質問等を受け付けている。
Introduction to Tohoku University, AIMR, and the AIMR's challenge toward the predictive materials science based on mathematics-materials science collaboration

「学術関係者交流会～世界トップレベル研究拠点(WPI)プログラムにみる日本の取り組み～」

2018/12/15 -
三高探究の日GSフェスタ

宮城県仙台第三高等学校

2017/11/11 -

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国際交流イベント実施、その他（ポスター発表審査員など）
みやぎ総文2017 東北大学巡検大学・研究所紹介「東北大学へようこそ」

2017/08/03 -
みやぎサイエンスフェスタ

宮城県仙台第三高等学校

2016/11/12 -

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国際交流イベント実施、その他（ポスター発表審査員など）
平成28年度高等学校理科実験研修会講演「物質・材料の成り立ちと社会とのつながり」

2016/07/12 -
出前授業「地学から工学へ」

2016/03/18 -

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大学で地学（岩石・鉱物学）を学び、卒業後材料メーカーにて勤務、またアカデミアに戻ってからもどちらかと言えば工学寄りの分野でキャリアを積んできた研究者から高校生へのメッセージ。
みやぎサイエンスフェスタ

宮城県仙台第三高等学校

2015/11/14 -

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国際交流イベント実施、その他（ポスター発表審査員など）
みやぎサイエンスフェスタ

宮城県仙台第三高等学校

2014/11/15 -

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国際交流イベント実施、その他（ポスター発表審査員など）
JICE主催 ASEAN科学技術第1陣（科学技術、ものづくり、先端技術）タイ大学生グループに対する講演 "Materials Science at Tohoku University"

2014/01/30 -
第65回東北大学祭模擬講義「材料科学の魅力」

2013/11/02 -
WPI ６拠点合同シンポジウム「最先端の科学と君たちの未来」

2011/11/12 -

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【日時】 2011年11月12日（土）13:00-18:00 【会場】福岡銀行本店大ホール（福岡市中央区）中高生や一般の方を対象として、WPI拠点の研究活動等を紹介する合同シンポジウムが九州大学カーボンニュートラル・エネルギー国際研究所（I2CNER＝アイスナー）の主催によって開催された。WPI-AIMRからは小谷元子副機構長が「夢に形を与える」と題した講演を行ったほか、アウトリーチ担当者(池田准教授)がブース展示と来場者と材料に親しむ体験実験を行った。
学都「仙台・宮城」サイエンス・デイ2011「偏光板を使って材料の性質を調べてみよう！」

2011/07/10 -

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2011年7月10日（日）、東北大学川内北キャンパス講義棟で開催されるサイエンス・デイ2011の講座プログラムに出展、「偏光板を使って材料の性質を調べてみよう！」というテーマで、まず偏光板と光の性質を勉強し、続いて、偏光板を用いて材料の性質（主に結晶であるか非晶質であるか）を調べる実験をした。
学都仙台コンソーシアム・サテライトキャンパス公開講座

2011/06/11 -

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学都仙台コンソーシアム・サテライトキャンパス事業にWPI-AIMRアウトリーチ担当者として参加し、6月11日（土）に、東北工業大学一番町ロビー4Fホール（仙台市青葉区）にて「材料のおはなし‐石ころから暮らしを支える先端材料まで、そのつながりをひも解く‐」と題する公開講座を開講した。
サイエンスアゴラ2010 出展

2010/11/20 -

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WPI全拠点と日本学術振興会が合同で、「一緒に考えよう！日本の未来戦略」と題したワークショップを開催した。
東北大学イノベーションフェア2010 出展

2010/10/18 -

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東北大学WPI-AIMRで進められている材料分野における融合研究の紹介
学都「仙台・宮城」サイエンス・デイ2010 出展「有機半導体でトランジスタを作ろう」

2010/07/11 -

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東北大学川内北キャンパス講義棟にて行われた学都「仙台・宮城」サイエンス・デイ2010に、原子分子材料科学高等研究機構(WPI-AIMR)アウトリーチマネージャーとして出展。小学校５年生以上を対象に「有機半導体でトランジスタを作ろう」をテーマとした実験講座を開いた。午前と午後、合わせて22名の皆さんと、次世代エレクトロニクス材料として注目される有機半導体を使ってトランジスタ作りに挑戦した。大学で行われている実験にできるだけ近い内容で体験していただくことを目指したが、準備できる機材の制約もあるため、通常は顕微鏡下で行う作業も肉眼でせねばならず、スタッフも事前練習して臨んだ。
科学・技術フェスタ in 京都出展

2010/06/05 -

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国立京都国際会館にて行われた「科学・技術フェスタ in 京都」に原子分子材料科学高等研究機構(WPI-AIMR)アウトリーチマネージャーとして出展。この催しは平成22年度産学官連携推進会議の併設イベントとして行われたもので、関係者、出展者を含め5,121人が参加した。今回は5つのWPI拠点が一か所に集合しての出展となり、初めて5拠点が合同して一般向けにWPIの公報を行う機会にもなった。パネルや広報誌、動画による拠点紹介を行ったほか、金属ガラスの鋳塊や実用製品の展示を行い、多くのお客様にお立ち寄りいただいた。また、当日、産学官連携功労者表彰文部科学大臣賞を受賞した阿尻雅文教授の研究内容を紹介するブースも設けられた。

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