顔写真

アブカワ タダシ
虻川 匡司
Tadashi Abukawa
所属
国際放射光イノベーション・スマート研究センター 基幹研究部門 界面計測スマートラボ
職名
教授
学位
  • 博士(理学)(東北大学)

学歴 2

  • 東北大学 理学系研究科 物理学第一学科

    ~ 1992年3月

  • 東北大学 理学部 物理学第二学科

    ~ 1987年3月25日

所属学協会 4

  • 応用物理学会

  • 日本放射光学会

  • 日本表面真空学会

  • 日本物理学会

研究分野 1

  • 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 /

受賞 2

  1. 論文賞(2022年度)

    2023年5月 日本表面真空学会

  2. 日本表面科学会論文賞

    2000年11月30日 日本表面科学会

論文 128

  1. Complete three-dimensional structure of Bi-adsorbed Si(110) surface: Discovery of heavily reconstructed Si(110) substrate 査読有り

    Hiroaki Aoyama, Tadashi Abukawa

    Physical Review Research 3 (4) 2021年12月8日

    出版者・発行元:American Physical Society (APS)

    DOI: 10.1103/physrevresearch.3.043164  

    eISSN:2643-1564

  2. Streak-camera reflection high-energy electron diffraction for dynamics of surface crystallography 査読有り

    Kenta Mukojima, Shinji Kanzaki, Kota Kawanishi, Katsuyoshi Sato, Tadashi Abukawa

    SURFACE SCIENCE 636 25-30 2015年6月

    出版者・発行元:ELSEVIER

    DOI: 10.1016/j.susc.2015.01.017  

    ISSN:0039-6028

    eISSN:1879-2758

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    A new technique for ultrafast dynamics of surface crystallography was developed by combining reflection high-energy electron diffraction with the electron deflectors of a streak camera system. A one-dimensional distribution of electrons scattered by a crystal surface is selected by a linear slit on a screen, and then the electrons are quickly deflected by the sweep electrodes behind the slit. Thus, a temporal evolution of the one-dimensional diffraction pattern can be displayed as a streak image on a screen. This is a unique method of time-resolved electron diffraction, as a pulsed electron beam is not required to obtain a temporal evolution. The temporal evolution of the diffraction pattern can be projected on a screen from single-shot measurements. The technique was tested on an Si(111)-7 x 7 surface, and the dynamics of the surface structure were successively obtained from changes in spot intensities. Although the present time time-resolution was limited by the present pumping laser similar to 5 ns, the nominal resolution of the streak system is expected to be similar to 100 ps. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.

  3. Structure of the Si(111)-(5×2)-Au Surface 査読有り

    Tadashi Abukawa, Yoshiki Nishigaya

    Physical Review Letters 110 (3) 036102 2013年1月

    出版者・発行元:None

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.110.036102  

    ISSN:0031-9007

  4. Weissenberg reflection high-energy electron diffraction for surface crystallography 査読有り

    Tadashi Abukawa, Tomoyuki Yamazaki, Kentaro Yajima, Koji Yoshimura

    PHYSICAL REVIEW LETTERS 97 (24) 245502 2006年12月

    出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.97.245502  

    ISSN:0031-9007

    eISSN:1079-7114

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    The principle of a Weissenberg camera is applied to surface crystallographic analysis by reflection high-energy electron diffraction. By removing inelastic electrons and measuring hundreds of patterns as a function of sample rotation angle phi, kinematical analysis can be performed over a large volume of reciprocal space. The data set is equivalent to a three-dimensional stack of Weissenberg photographs. The method is applied to analysis of an Si(111)-root 3x root 3-Ag surface, and the structural data obtained are in excellent agreement with the known atomic structure.

  5. Correlated thermal diffuse scattering in low to medium energy electron diffraction: A new structural tool 査読有り

    T. Abukawa, C. M. Wei, T. Hanano, S. Kono

    Physical Review Letters 82 (2) 335-338 1999年

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.82.335  

    ISSN:1079-7114 0031-9007

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    We have observed simple oscillations in three-dimensional (3D) patterns of electron thermal diffuse scattering (separated from electron-electron energy loss) measured on a Si(001) surface. We interpret these oscillations as coherent interference within a small cluster of atoms in which vibrational correlation within the nearest neighbors (NN) is dominant. A 3D Patterson function analysis of the oscillation reveals the atomic structure of the Si(001) surface consisting of NN pairs including dimers. This finding provides a promising new clue to determine the structures of bulk and the surface of solids. © 1999 The American Physical Society.

  6. Surface electronic structure of a single-domain Si(111)4 × 1-In surface: a synchrotron radiation photoemission study 査読有り

    T. Abukawa, M. Sasaki, F. Hisamatsu, T. Goto, T. Kinoshita, A. Kakizaki, S. Kono

    Surface Science 325 (1-2) 33-44 1995年2月20日

    DOI: 10.1016/0039-6028(94)00693-8  

    ISSN:0039-6028

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    The electronic structure of a Si(111)4 × 1-In surface has been studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES). Using a 1.1° off-axis Si(111) wafer as substrate, a single-domain Si(111)4 × 1-In surface has been prepared in order to determine the dispersion of surface state (SS) without the obscurity arising from multi-oriented 4 × 1 domains. Three SSs that cross the Fermi level have been found. Thus, the Si(111)4 × 1-In surface is concluded to be metallic. The dispersions of the metallic SS appeared to be almost one-dimensional, suggesting one-dimensional metallic bonds among In atoms. Completely occupied SSs have been also found. The characteristics of SSs are discussed in relation to the existing structural models for the Si(111)4 × 1-In surface. © 1995.

  7. Photoelectron diffraction study of Si(001) 2 × 1-K surface: Existence of a potassium double layer 査読有り

    T. Abukawa, S. Kono

    Physical Review B 37 (15) 9097-9099 1988年

    DOI: 10.1103/PhysRevB.37.9097  

    ISSN:0163-1829

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    X-ray photoelectron diffraction patterns of K 2p core levels have been measured for the Si(001) 2 × 1-K surface. From a kinematical analysis of the diffraction patterns, it is concluded that a sawtooth-type arrangement of the potassium double array is present over the substrate. This is in disagreement with an existing assumption of the one dimensionality of the alkalimetal-Si(001) systems. © 1988 The American Physical Society.

  8. Sub-millisecond 4D X-ray tomography achieved with a multibeam X-ray imaging system 査読有り

    Xiaoyu Liang, Wolfgang Voegeli, Hiroyuki Kudo, Etsuo Arakawa, Tetsuroh Shirasawa, Kentaro Kajiwara, Tadashi Abukawa, Wataru Yashiro

    Applied Physics Express 16 (7) 072001-072001 2023年7月1日

    出版者・発行元:IOP Publishing

    DOI: 10.35848/1882-0786/ace0f2  

    ISSN:1882-0778

    eISSN:1882-0786

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    Abstract A proof-of-concept experiment for sub-millisecond temporal and 10 μm order spatial resolution 4D X-ray tomography imaging using a multibeam X-ray imaging system is reported. The 3D structure of a tungsten wire during mechanical deformation was reconstructed using a super-compressed sensing-based algorithm from 28 projection images acquired simultaneously with a temporal resolution of 0.5 ms. The multibeam imaging system does not require rotation of the sample, X-ray source or detector. The experiment demonstrates the potential for improving the time resolution in observing non-repeatable dynamic phenomena, such as those occurring in fluids, living beings, or material fractures.

  9. Argon Gas Flow Through Micro- and Nano-pipettes

    Tomohide Takami, Chie Ohtomo, Naoki Kaneko, Kyo Shibuya, Kazuho Miyashita, Mizuki Ohta, Rio Yoneda, Mamiko Ozawa, Hideyuki Magara, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 21 (4) 257-261 2023年4月22日

    出版者・発行元:Surface Science Society Japan

    DOI: 10.1380/ejssnt.2023-032  

    eISSN:1348-0391

  10. Work function lowering of LaB<sub>6</sub> by monolayer hexagonal boron nitride coating for improved photo- and thermionic-cathodes

    Hisato Yamaguchi, Ryunosuke Yusa, Gaoxue Wang, Michael T. Pettes, Fangze Liu, Yasutaka Tsuda, Akitaka Yoshigoe, Tadashi Abukawa, Nathan A. Moody, Shuichi Ogawa

    Applied Physics Letters 122 (14) 141901-141901 2023年4月3日

    出版者・発行元:AIP Publishing

    DOI: 10.1063/5.0142591  

    ISSN:0003-6951

    eISSN:1077-3118

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    We report a lowering of work function for lanthanum hexaboride (LaB<sub>6</sub>) by monolayer hexagonal boron nitride (hBN) coating. Photoemission electron microcopy (PEEM) and thermionic emission electron microscopy (TEEM) both revealed that the hBN coated region of a LaB<sub>6</sub> (100) single crystal has a lower work function compared to the bare (i.e., non-coated) and graphene coated regions. A broad and uniform brighter image of the hBN coated region in PEEM was quantitatively supported by a 0.4 eV decrease in the work function in photoelectron spectra compared to the bare region. TEEM results were consistent in that the hBN coated region exhibited thermionic emission at 905 °C, whereas the bare and graphene coated regions did not. A larger decrease in the work function for hBN coated LaB<sub>6</sub> (100) compared to graphene coated LaB<sub>6</sub> (100) was qualitatively supported by our density functional theory calculations. Adding an oxide layer in the calculations improved consistency between the calculation and experimental results. We followed up our calculations with synchrotron-radiation x-ray photoelectron spectroscopy and confirmed the presence of an oxide layer on our LaB<sub>6</sub>.

  11. Development of Dual Ion-selective Electrodes in Double-Barrel Glass Pipette at One Micrometer for Simultaneous Measurement of Sodium and Potassium Ions 査読有り

    Tomohide Takami, Yusuke Akutsu, Naoki Kaneko, Rio Yoneda, Hideyuki Magara, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 21 (1) 17-23 2022年10月27日

    出版者・発行元:Surface Science Society Japan

    DOI: 10.1380/ejssnt.2023-003  

    eISSN:1348-0391

  12. Evaluation of Doped Potassium Concentrations in Stacked Tow-Layer Graphene using Real-time XPS 査読有り

    Shuichi Ogawa, Yasutaka Tsuda, Tetsuya Sakamoto, Yuki Okigawa, Tomoaki Masuzawa, Akitaka Yoshigoe, Tadashi Abukawa, Takatoshi Yamada

    Applied Surface Science 605 154748-154748 2022年9月

    出版者・発行元:Elsevier BV

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.154748  

    ISSN:0169-4332

  13. Multilayer Deposition of Octakis(octyloxy) Phthalocyanine Observed by Scanning Tunneling Microscopy, Scanning Electron Microscopy, Transmission Electron Microscopy, and X-ray Diffraction 査読有り

    Rio Yoneda, Masaki Ageishi, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa, Tomohide Takami

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 20 (3) 145-149 2022年6月2日

    出版者・発行元:Surface Science Society Japan

    DOI: 10.1380/ejssnt.2022-023  

    eISSN:1348-0391

  14. Strong suppression of graphene growth by sulfur superstructure on a nickel substrate 査読有り

    Keisuke Sagisaka, Jun Nara, Jill K. Wenderott, Ryo Kadowaki, Akane Maruta, Tadashi Abukawa, Daisuke Fujit, Research

    Physical Review Materials 6 (3) 034007 2022年3月

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.6.034007  

  15. Spatial Analytical Surface Structure Mapping for Three-dimensional Micro-shaped Si by Micro-beam Reflection High-energy Electron Diffraction 査読有り

    Sohei Nakatsuka, Taishi Imaizumi, Tadashi Abukawa, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka, Ken Hattori

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 19 (0) 13-19 2021年3月6日

    出版者・発行元:Surface Science Society Japan

    DOI: 10.1380/ejssnt.2021.13  

    eISSN:1348-0391

  16. The next generation 3GeV synchrotron radiation facility project in Japan 招待有り 査読有り

    MASAKI TAKATA, SAChiKo MAKi, KiyoShi KAniE, MASAShi WATAnAbE, TADASHI ABUKAWA, WATARU YASHIRO, YUKIO TAKAHASHI, HIROYUKI FUKUYAMA, ATSUSHI MURAMATSU, WATARU UTSUMI, HITOSHI TANAKA, NOBUYUKI NISHIMORI, MASAMITU TAKAHASI, MASATAKA KADO

    AAPPS Bulletin 29 (5) 26-30 2019年10月

  17. Band alignment determination of bulk h-BN and graphene/h-BN laminates using photoelectron emission microscopy 査読有り

    Shuichi Ogawa, Takatoshi Yamada, Ryo Kadowaki, Takashi Taniguchi, Tadashi Abukawa, Yuji Takakuwa

    Journal of Applied Physics 125 (14) 144303-144303 2019年4月14日

    出版者・発行元:AIP Publishing

    DOI: 10.1063/1.5093430  

    ISSN:0021-8979

    eISSN:1089-7550

  18. Segmented Undulator for Extensive Polarization Controls in <= 1 nm-rad Emittance Rings 査読有り

    Iwao Matsuda, Susumu Yamamoto, Jun Miyawaki, Tadashi Abukawa, Takashi Tanaka

    E-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 17 41-48 2019年4月

    出版者・発行元:None

    DOI: 10.1380/ejssnt.2019.41  

    ISSN:1348-0391

  19. Quasi-free-standing monolayer hexagonal boron nitride on Ni 査読有り

    Satoru Suzuki, Yuichi Haruyama, Masahito Niibe, Takashi Tokushima, Akinobu Yamaguchi, Yuichi Utsumi, Atsushi Ito, Ryo Kadowaki, Akane Maruta, Tadashi Abukawa

    MATERIALS RESEARCH EXPRESS 6 (1) 016304 2019年1月

    出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD

    DOI: 10.1088/2053-1591/aae5b4  

    ISSN:2053-1591

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    The electronic structure of monolayer hexagonal boron nitride grown on Ni by the diffusion and precipitation method was studied by x-ray absorption spectroscopy, emission spectroscopy, x-ray photoelectron spectroscopy and micro-ultraviolet photoemission spectroscopy. No indication of hybridization between h-BN pi and Ni 3d orbitals was observed. That is, the monolayer h-BN was found to be in the quasi-free-standing state. These results are in striking contrast to those of previous studies in which h-BN was strongly bound to the Ni surface by the orbital hybridization. The absence of hybridization is attributed to absence of a Ni(111) surface in this study. The lattice-matched Ni(111) surface is considered to be essential to orbital hybridization between h-BN and Ni.

  20. PEEM and Micro-UPS Studies of Cleaved and Exfoliated Molybdenum Disulfide Surface 査読有り

    Ryo Kadowaki, Naoki Sano, Tadashi Abukawa

    E-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 15 115-120 2017年11月

    出版者・発行元:SURFACE SCI SOC JAPAN

    DOI: 10.1380/ejssnt.2017.115  

    ISSN:1348-0391

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    Thin films of molybdenum disulfide (MoS2) are generally exfoliated from a mineral crystal. Impurities and contaminants of mineral origin may spoil the expected functions of MoS2 thin-film devices because they have a strong influence on the properties of the exfoliated films. The effects of surface contaminants on cleaved or exfoliated MoS2 surfaces were investigated using photoemission electron microscopy and selected-area ultraviolet photoelectron spectroscopy under several exfoliation conditions. The chemical composition and crystallinity of surfaces were also investigated using Auger electron spectroscopy and electron diffraction. The bulk crystal included a limited number of contaminated interfaces, at which the crystal was easily cleaved. Therefore, repeated exfoliations are required to expose a clean surface for exfoliated films. Annealing at ca. 400 degrees C in a vacuum was effective to reduce contamination of the cleaved MoS2 surface.

  21. Time-resolved soft X-ray core-level photoemission spectroscopy at 880 °C using the pulsed laser and synchrotron radiation and the pulse heating current 査読有り

    T. Abukawa, S. Yamamoto, R. Yukawa, S. Kanzaki, K. Mukojima, I. Matsudaa

    Surface Science 656 43-47 2017年2月

    出版者・発行元:None

    DOI: 10.1016/j.susc.2016.09.006  

    ISSN:0039-6028

    eISSN:1879-2758

  22. 19pPSA-57 ナノ電子ビームを用いたワイゼンベルグRHEED法の開発

    佐野 巨樹, 加藤 丈晴, 丸田 茜, 門脇 良, 向島 健太, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 71 2560-2560 2016年

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2560  

    ISSN:2189-079X

  23. 21pAJ-6 光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による二硫化モリブデンの研究

    門脇 良, 佐野 巨樹, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 71 2619-2619 2016年

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2619  

    ISSN:2189-079X

  24. 二硫化モリブテンの光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による研究

    門脇 良, 佐野 巨樹, 虻川 匡司

    表面科学学術講演会要旨集 35 319-319 2015年

    出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会

    DOI: 10.14886/sssj2008.35.0_319  

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    グラフェン、窒化ホウ素、遷移金属ダイカルゴゲナイドのような二次元材料が注目を集めている。本研究では、SiO<sub>2</sub>基板上にMoS<sub>2</sub>を剥離転写し、MoS<sub>2</sub>の微結晶を光電子顕微鏡(PEEM)で観察し、マイクロ光電子分光法(&mu;-UPS)で電子状態を観測した。これにより得られたスペクトルを真空内で剥離した単結晶MoS<sub>2</sub>のスペクトルと比較する。また、スペクトルのMoS<sub>2</sub>の層数依存についても議論したい。

  25. ダイヤモンドPINダイオード型電子源からの電子放出

    松本 翼, 門脇 良, 加藤 宙光, 牧野 俊晴, 竹内 大輔, 河野 省三, 虻川 匡司, 山崎 聡

    表面科学学術講演会要旨集 35 296-296 2015年

    出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会

    DOI: 10.14886/sssj2008.35.0_296  

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    水素終端ダイヤモンドは、伝導帯下端が真空準位より高く、真空中に電子が飛び出しやすい。この真の負性電子親和力を用いた新しいダイオード型電子源を実現し、10kV真空スイッチの原理実証に成功した。高効率・大電流化に向け、詳細な放出機構の理解のため、放出電子顕微鏡を用いて放出領域を観察した。電極から数百&mu;m離れた所でも放出が起こることを初めて明確にした。本報告では、この電子源の放出機構について議論する。

  26. PEEM and Micro PES Study of Graphene Growth on Ni(110) Substrate 査読有り

    Ryo Kadowaki, Misaki Kuriyama, Tadashi Abukawa, Keisuke Sagisaka, Daisuke Fujita

    E-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 13 347-351 2015年

    出版者・発行元:SURFACE SCI SOC JAPAN

    DOI: 10.1380/ejssnt.2015.347  

    ISSN:1348-0391

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    Graphene growth on a carbon-doped Ni(110) substrate by surface segregation and surface precipitation has been investigated by photoelectron emission microscopy (PEEM) and micro photoelectron spectroscopy (mu-PES). Single-layer and multi-layer graphenes were found to grow on the substrate with anisotropic shape, which indicate the strong effect on the growth from the Ni(110) substrate. Most of the surface was covered by thick multi-layer graphene when the precipitation had been made with the cooling rate 0.8 degrees C/s, while small domains of single-layer graphene and a few-layer graphene grew on the bare Ni(110) substrate by the rapid cooling (4.1 degrees C/s). The layer dependent work functions have been measured by mu-PES. The work functions were 4.2, 4.4 and 4.6 eV for the single, double and > 3 layers graphene on the Ni(110) substrate, respectively. The mu-PES measurement with He-I reveals the shift of the final state peak characteristic to graphite or graphene depending on the number of layers.

  27. Electron spectro-microscopic determination of barrier height and spatial distribution of Au and Ag Schottky junctions on boron-doped diamond (001) 査読有り

    Shozo Kono, Hideyuki Kodama, Kimiyoshi Ichikawa, Taro Yoshikawa, Tadashi Abukawa, Atsuhito Sawabe

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 (5) 05FP03 2014年5月

    出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD

    DOI: 10.7567/JJAP.53.05FP03  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

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    Electron spectro-microscopic methods were applied as direct methods of determining the Schottky barrier heights (SBHs) and their spatial distribution for Au-and Ag-Schottky junctions fabricated on an acid-treated oxygen-terminated diamond (001) substrate. Metal layers were formed with two ranges of thickness (3-5 nm for thin layers and 13-100nm for thick layers) for both Au-and Ag-Schottky junctions. Leading X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) core-level peaks of either Au 4f(7/2) or Ag 3d(5/2) for the metal layers and C 1s for diamond were used as measures of the SBH. For the thick-metal samples, spatially resolved XPS measurements were performed over most of the sample surface. It was found that there is a variation in SBH on the order of 0.1 eV for the large ("high barrier") SBH values and that there are several places where the SBHs were rather small ("low barrier" junction). For the thin-metal samples, less variations in SBH were observed. The average SBH of "high barrier" junctions for the thick-metal samples appeared to be slightly (0.1 eV order) larger than that for the thin-metal samples. XPS images of leading metal core levels tuned for the "high barrier" and "low barrier" SBHs were observed. For the thick-Ag Schottky sample, the resulting Ag 3d(5/2) XPS images clearly showed the locations of defective Schottly junctions. It is suggested that the SBHs determined for the thin-metal samples are the average SBHs on the measured surface and that the SBHs determined for the thick-metal samples are the highest SBHs within the measured m-size metal islands. The presently determined SBHs were compared with previously reported SBHs and reasonable agreement was found. Photoemission electron microscopy (PEEM) images were observed for the thick-Ag Schottky sample and the "low barrier" islands were identified. The methodologies of XPS, XPS imaging, and PEEM used for the thick-metal samples can be applied to any Schottky junction on diamond. (C) 2014 The Japan Society of Applied Physics

  28. Electron Spectroscopic Determination of Electronic Structures of Phosphorus-Doped n-Type Heteroepitaxial Diamond (001) Surface and Junction 査読有り

    Shozo Kono, Takuya Nohara, Satoshi Abe, Hideyuki Kodama, Kazuhiro Suzuki, Satoshi Koizumi, Tadashi Abukawa, Atsuhito Sawabe

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 (9) 090109 2012年9月

    出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD

    DOI: 10.1143/JJAP.51.090109  

    ISSN:0021-4922

    eISSN:1347-4065

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    A phosphorus (P)-doped n-type heteroepitaxial diamond (001) sample was grown in a DC-plasma chemical-vapor-deposition chamber. The crystalline properties of incorporated phosphorus were examined by cathode luminescence. Hall-effect measurement of the sample was performed for the temperature range of 293-870 K. The results of these measurements showed that the bulk properties of the n-type sample are comparable to those of previously reported homoepitaxial P-doped n-type diamond (001) samples. The work function of the heteroepitaxial sample was measured by photoemission electron microspectroscopy. The Fermi-level positions at the surface and at a Au Schottky junction of the sample were determined by X-ray photoelectron spectroscopy. Knowing the bulk properties and the critical values of the energy band structure, the whole energy band diagrams at the surface and at the Schottky junction of the sample were evaluated by solving the Poisson equation. The resulting surface electronic structure of the sample was qualitatively different from those of the previously reported H-terminated P-doped n-type diamond (111) surface and heavily P-doped H- and O-terminated diamond (111) surfaces. The presence of similar to 0.02 ML of Sn impurity is tentatively ascribed to the peculiarity of the surface electronic structure of the heteroepitaxial sample. The Schottky barrier height of similar to 4.2 eV determined for the present sample was consistent with those of previously reported n-type diamond (111) and (001) samples. It is noted that the Schottky barrier height may be determined by the Fermi-level pinning states at the junctions irrespective of the type of dopant to diamond. (C) 2012 The Japan Society of Applied Physics

  29. ストリークカメラ反射高速電子回折によるSi(111)表面構造ダイナミクス

    川西 浩太, 佐藤 和義, 虻川 匡司

    表面科学学術講演会要旨集 32 107-107 2012年

    出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会

    DOI: 10.14886/sssj2008.32.0_107  

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    ストリークカメラ反射高速電子回折法は、ストリークカメラの原理を応用した表面構造ダイナミクスを観測できる手法である。この装置は試料に照射するフェムト秒レーザーと同期することで原理的にはサブピコ秒の時間分解能が可能であるが、その時間分解能を達成するためにSi(111)表面の7x7&rarr;1x1構造相転移についての研究を行っている。

  30. ワイゼンベルグRHEEDによるFe(001)-p(1×1)-O表面の構造解II

    神崎 慎二, 西ヶ谷 好輝, 虻川 匡司

    表面科学学術講演会要旨集 32 177-177 2012年

    出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会

    DOI: 10.14886/sssj2008.32.0_177  

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    高効率のスピン検出器のターゲットとして注目されているFe(001)-p(1&times;1)-O表面を作成し、W-RHEEDによる構造解析を行った結果を報告する。前回の報告の時は、試料加熱時の温度が不十分であった可能性があり、表面の結晶性が悪かった。今回は赤外放射温度計によりFeの温度をモニターしながら加熱することで、非常にシャープな回折パターンを計測した。

  31. 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開

    高桑雄二, 虻川匡司, 小川修一

    マテリアル インテグレーション 24 (04,05) 147-154 2011年6月

  32. Characterization of epitaxial MgO growth on Si(001) surface 査読有り

    Tadashi Abukawa, Shunsuke Sato, Youta Matsuoka

    SURFACE SCIENCE 604 (19-20) 1614-1618 2010年9月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    DOI: 10.1016/j.susc.2010.06.003  

    ISSN:0039-6028

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    MgO epitaxial growth on a Si(001) surface by ultrahigh-vacuum molecular beam epitaxy was investigated. Epitaxial orientation and crystalline quality were characterized based on the three-dimensional reciprocal map obtained by Weissenberg RHEED. The epitaxial orientation and crystallinity were strongly dependent on the initial condition of the substrate. When MgO was deposited on a clean Si(001) surface at room temperature a MgO(001) film grew on the Si(001) substrate with two in-plane orientations:MgO[110]//Si [100] and MgO[100]//Si[100]. This is the first observation of MgO epitaxy with the former orientation, which has a smaller mismatch than the latter orientation. When the substrate was exposed to O(2) or thermally oxidized, the latterorientation predominantly grew on the substrate. Deposition of Mg on the substrate also produced the latter orientation. These results imply that nucleation sites on the initial substrate play an important role in determining the epitaxial orientation. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.

  33. X-ray photoelectron diffraction study of bias-treatment for the growth of 1-inch-diameter hetero-epitaxial diamond (001) thick films 査読有り

    S. Kono, H. Kawata, T. Goto, T. Abukawa, K. Chigira, K. Ooyama, T. Kotaki, A. Sawabe

    Journal of Physics: Conference Series 235 (1) 2010年

    出版者・発行元:Institute of Physics Publishing

    DOI: 10.1088/1742-6596/235/1/012010  

    ISSN:1742-6596 1742-6588

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    Bias-treatment (BT) is widely used as an initial seeding process of chemical vapor deposition (CVD) growth of diamonds. In a BT, substrates are negatively biased by an order of hundred volts so that positive ions in the plasma of CVD gas source bombard the substrate to form 'seeds' of diamond growth. Bias-treated 1-inch-diameter (φ) Ir(001)/MgO(001) substrates were used as the substrates of the CVD growth of 1-inch- φ diamond (001) thick films. XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) spectra and C 1s and Ir 4f XPD (X-ray Photoelectron Diffraction) patterns were measured for the BT 1-inch- φ samples. 5 typical portions on the sample were measured one at the central portion and the other 4 were peripheral portions, 90° apart from each other and ∼4 mm from the edge of the sample. The uniformity of the result over the 5 portions was confirmed. The coverage of carbon layers on the sample after BT was evaluated to be ∼ 50 ML in the unit of monolayer of Ir(001)1x1 surface. A quantitative measure of the effect of BT, A 45° (the degree of variation of XPD pattern as defined as I maxImin/Ia, where Imax, I min and Ia are the maximum, minimum and average intensities of photoelectrons in an azimuthal diffraction pattern at the polar angle of 45°, respectively), was examined for C 1s and Ir 4f core-levels for the 1-inch- φ BT samples. The A45° values appeared to be ∼3% and ∼17% for C 1s and Ir 4f, respectively. The results were compared with those for other bias-treated smaller samples reported so far. The A 45° value of ∼3% for C 1s is found to be very small compared to the corresponding values for the smaller samples reported so far. Thus, the method of BT for the present 1-inch- φ sample was found to have a large margin of improvement in terms of A45° for C 1s XPD. © 2010 IOP Publishing Ltd.

  34. Characterization of Fe silicide growth on Si(111) surface by weissenberg RHEED 査読有り

    T. Abukawa, D. Fujisaki, N. Takahashi, S. Sato

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 7 866-870 2009年11月7日

    DOI: 10.1380/ejssnt.2009.866  

    ISSN:1348-0391

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    Fe silicide growth on a Si(111) surface has been characterized by Weissenberg RHEED. The silicides were grown in the present study via two fundamental methods, reactive deposition epitaxy (RDE) and solid phase epitaxy (SPE), with various deposition amounts of Fe. The silicide species and its epitaxial orientation were determined from three-dimensional diffraction patterns obtained using Weissenberg RHEED. It was found that only α-FeSi2 islands grew by the RDE method. Both α-FeSi 2 and β-FeSi2 islands grew by the SPE method. The proportion of β-FeSi2 increased with increasing Fe deposition amount, until only β-FeSi2 was finally observed. The present results could be explained by the surface or interface reaction model wherein the reaction at the Si surface and at the Fe/Si solid interface caused α-FeSi2 and β-FeSi2 growth, respectively. © 2009 The Surface Science Society of Japan.

  35. Dependence on the deposition conditions in the adsorption of C6 H8 molecules on a Si (100) -2×1 surface 査読有り

    F. D'Amico, R. Gunnella, M. Shimomura, T. Abukawa, S. Kono

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 76 (16) 2007年10月23日

    DOI: 10.1103/PhysRevB.76.165315  

    ISSN:1098-0121 1550-235X

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    We studied the molecular 1,4-cyclohexadiene (CHD) adsorption at room temperature on a Si (100) -2×1 surface, from the first stages up to saturation [about half a monolayer (ML)] at two different deposition rates. The chemical configuration of the adsorbed CHD on the silicon surface was obtained by valence band and C 1s core level photoemission analyses. Such a molecular adsorption, at the earlier stages and low rates, showed only weak features of chemical bonding with Si at higher coverages (θ&gt 0.3 ML) and higher deposition rates, a chemisorption occurred with an upright structure of the molecule, in which one out of the two unsaturated π orbitals reacted to form a bond with the silicon dimer. The whole investigation is based on an accurate determination of the strongly asymmetric C 1s core level components obtained by means of an angular resolved photoelectron diffraction analysis. © 2007 The American Physical Society.

  36. Dependence on the deposition conditions in the adsorption of C6H8 molecules on a Si(100)-2x1 surface 査読有り

    F. D'Amico, R. Gunnella, M. Shimomura, T. Abukawa, S. Kono

    PHYSICAL REVIEW B 76 (16) 165315-1-165315-8 2007年10月

    出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC

    DOI: 10.1103/PhysRevB.76.165315  

    ISSN:2469-9950

    eISSN:2469-9969

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    We studied the molecular 1,4-cyclohexadiene (CHD) adsorption at room temperature on a Si(100)-2x1 surface, from the first stages up to saturation [about half a monolayer (ML)] at two different deposition rates. The chemical configuration of the adsorbed CHD on the silicon surface was obtained by valence band and C 1s core level photoemission analyses. Such a molecular adsorption, at the earlier stages and low rates, showed only weak features of chemical bonding with Si; at higher coverages (theta&gt;0.3 ML) and higher deposition rates, a chemisorption occurred with an upright structure of the molecule, in which one out of the two unsaturated pi orbitals reacted to form a bond with the silicon dimer. The whole investigation is based on an accurate determination of the strongly asymmetric C 1s core level components obtained by means of an angular resolved photoelectron diffraction analysis.

  37. Characterization of planar-diode bias-treatment in DC-plasma hetero-epitaxial diamond growth on Ir(001) 査読有り

    T. Aoyama, N. Amano, T. Goto, T. Abukawa, S. Kono, Y. Ando, A. Sawabe

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS 16 (3) 594-599 2007年3月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE SA

    DOI: 10.1016/j.diamond.2006.11.045  

    ISSN:0925-9635

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    The effect of bias-treatment (BT) on Ir(001)/MgO(001) substrates in a newly invented planar-diode DC-plasma system has been characterized in-situ and ex-situ by X-ray photoelectron diffraction (XPD), XPS, LEED and SENT. Features of XPD patterns of C is core levels were in good agreement with those of three-electrode BT [Diamond Relat. Mater. 13 (2004) 2081], although the degrees of anisotropy of C 1s XPD were smaller. Thicknesses of carbon films estimated from intensity ratios of C 1s/Ir 4d(5/2) (or 4f) XPS peaks were about 2 times larger than those of three-electrode BT. LEED patterns showed no diffraction spots after BT. As a result, we conclude that epitaxial diamond crystallites with the size of a few nm or so are embedded in a non-oriented carbon layer. In the cases where no finite anisotropy of C Is XPD was observed, no epitaxial diamond grains were grown in post-CVD as revealed by ex-situ SEM. Thus, it is concluded that the anisotropy of C 1s XPD can be a useful measure of diamond nucleation by BT on Ir(001) substrates. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

  38. Surface energy band and electron affinity of highly phosphorous-doped epitaxial CVD diamond 査読有り

    S. Kono, K. Mizuochi, G. Takyo, N. I. Plusnin, T. Aoyama, T. Goto, T. Abukawa, A. Namba, Y. Nishibayashi, T. Imai

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 5 33-40 2007年2月3日

    DOI: 10.1380/ejssnt.2007.33  

    ISSN:1348-0391

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    The surface energy band diagrams and the electron affinity of hydrogen-terminated and oxygen-terminated highly phosphorous-doped single crystal diamond (111) surfaces have been studied by ultraviolet photoelectron spectroscopy, secondary electron spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and photoemission electron micro-spectroscopy. A hydrogen-terminated boron-doped diamond (001) surface was used as a, reference of surface energy band diagram. The electron affinity of the H-terminated heavily P-doped diamond was determined to be 0.2 ±0.15 eV, thus close to zero. The electron affinity of the O-terminated highly P-doped diamond was determined to be 0.0 ±0.15 eV, thus can be negative. However, the surface energy bands for the two highly P-doped samples were found to have large amounts (3 eV) of upward bending toward surface. © 2007 The Surface Science Society of Japan.

  39. Energy band diagram of a H-terminated P-doped n-type diamond (111) surface 査読有り

    Shozo Kono, Kenji Mimochi, Go Takyo, Tadahiko Goto, Tadashi Abukawa, Tomohiro Aoyama

    NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY 17 (5) 231-242 2007年

    出版者・発行元:MYU, SCIENTIFIC PUBLISHING DIVISION

    ISSN:1344-9931

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    The energy band diagram of a hydrogen-terminated phosphorous-doped n-type diamond (111) surface has been studied by X-ray photoelectron spectroscopy and He-I excited secondary electron spectroscopy (SES). The resulting surface energy band diagram showed an upward band bending of similar to 3.2 eV toward the surface with the Fermi level position being 1.8 eV above the valence band maximum. The cutoff energy in SES spectra turned out to be the conduction band minimum within an error of 0.1 eV; thug, the electron affinity of the present n-type sample can be said to be negative. The mechanism of the upward band bending for n-type diamonds is discussed in terms of the Fermi level pinning caused by surface defects such as graphite.

  40. Mechanism of field emission from a highly phosphorous-doped chemical vapor deposition diamond (111) surface 査読有り

    Shozo Kono, Go Takyo, Naoki Amano, Nickolay I. Plusnin, Kenji Mizuochi, Tomohiro Aoyama, Tadahiko Goto, Tadashi Abukawa, Akihiko Namba, Natsuo Tasumi, Yoshiki Nishibayashi, Takahiro Imai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 46 (1-3) L21-L24 2007年1月

    出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS

    DOI: 10.1143/JJAP.46.L21  

    ISSN:0021-4922

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    The mechanism of field emission from a highly P-doped diamond (111) surface has been studied by field/photo emission electron micro-spectroscopy. It was found that field emission peaks were located at -3 to -6 eV with respect to the substrate Fermi level (E(F)) and that photoemission peaks were located at -1 to +2 eV with respect to the substrate E(F). Comparing this with the knowledge of work function and electron affinity of the sample, the mechanism of field emission has been elucidated. Namely, field emitted electrons are tunnel-emitted from states around the surface E(F) and there is a large amount of resistive potential drop at the emission site.

  41. 電子回折による波数空間測定

    虻川匡司

    表面科学 28 (6) 333-336 2007年

  42. Fully performed constant-momentum-transfer-averaging in low-energy electron diffraction demonstrated for a single-domain Si(111)4×1-In surface 査読有り

    Tadashi Abukawa, Tomoyuki Yamazaki, Shozo Kono

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 4 661-668 2006年12月23日

    DOI: 10.1380/ejssnt.2006.661  

    ISSN:1348-0391

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    The usefulness of fully performed constant-momentum-transfer-averaging (CMTA) in low-energy electron diffraction (LEED) has been demonstrated for a single-domain Si(111)4×1-In surface. In the fully performed CMTA, thousands of I(V) curves were measured for the single-domain Si(111)4×1-In surface and CMTA intensity profiles were obtained for more than three hundred reciprocal rods in order to directly reconstruct three dimensional (3D) atomic positions of the surface. In the direct reconstruction, the minimum function method, a standard method in X-ray crystallography of the Patterson function analysis, was used. The 3D Si positions so obtained were in excellent agreement with the known heavily-reconstructed surface Si positions of 4×1. Indium atoms were not 'visible' in the present case due to large thermal vibration amplitude of indium atoms for the room-temperature sample, which is not an inherent shortcoming of the fully performed CMTA method. © 2006 The Surface Science Society of Japan.

  43. Photoelectron diffraction of C6H8/Si(001): A model case for photoemission study of organic molecules adsorbed on silicon surfaces 査読有り

    R. Gunnella, M. Shimomura, F. D'Amico, T. Abukawa, S. Kono

    PHYSICAL REVIEW B 73 (23) 235435-1-235435-7 2006年6月

    出版者・発行元:AMERICAN PHYSICAL SOC

    DOI: 10.1103/PhysRevB.73.235435  

    ISSN:1098-0121

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    The core-level photoemission of 1,4-cyclohexadiene molecules on the quasi-single-domain 2x1-Si(001) surface below the saturation condition was studied. Taking advantage of core-level-shift photoelectron diffraction of the C 1s core level, the details of the surface structure were found. The model was essentially constituted by an unbuckled (planar) molecule chemisorbed on the surface, inclined at an angle of about 18 degrees with respect to the surface normal, keeping one double bond unsaturated. An accurate analysis of the line shape parameters of the strongly asymmetric C 1s core level was mandatory for the structural study. Conversely, the success of the structural determination represented a confirmation of the correct deconvolution procedure. Such a feedback loop was decisive in reducing the indeterminacy affecting the analysis of core-level photoemission in the case of complex molecules adsorbed on surfaces.

  44. Structural investigation of the Ca/Si(111)-(3×2) surface using photoelectron diffraction 査読有り

    Toshihiro Suzuki, Kazuyuki Sakamoto, Tadashi Abukawa, Shozo Kono

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 4 166-169 2006年2月10日

    DOI: 10.1380/ejssnt.2006.166  

    ISSN:1348-0391

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    The atomic structure of the Ca induced Si(111)-(3×2) surface at 300 K has been investigated using X-ray photoelectron diffraction (XPD). After confirming the quality of the single-domain (3×2) surface by LEED, in which weak x2 streaks were observed likewise the patterns reported in the literature, we have measured the Ca 2p core-level spectra within an azimuthal angle range of ±66°, where 0° corresponds to the direction perpendicular to the Ca chain, and at takeoff angles from 9° to 15° using the Mg Kα line. The experimental XPD patterns showed good agreement with the simulated XPD patterns of the T4 site model, while the simulated XPD patterns of the H3 model do not agree with the experimental results. Taking these results into account, we conclude that Ca atoms are adsorbed on the T4 site at 300 K and thus that the weak x2 streaks do not result from the presence of two adsorption sites as proposed in the literature. © 2006 The Surface Science Society of Japan 1-D atomic chains Photoelectron diffraction Silicon Surface structure.

  45. Formation of one-dimensional molecular chains on a solid surface: Pyrazine/Si(001) 査読有り

    M Shimomura, D Ichikawa, Y Fukuda, T Abukawa, T Aoyama, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B 72 (3) 33303 2005年7月

    出版者・発行元:AMERICAN PHYSICAL SOC

    DOI: 10.1103/PhysRevB.72.033303  

    ISSN:1098-0121

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    We have studied the chemisorption of pyrazine on Si(001)-2x1 at room temperature using scanning tunneling microscopy (STM), photoelectron diffraction (PED), and the density functional theory (DFT). In STM, protrusions ascribed to the pyrazine adsorbate were observed between the Si dimer rows and arrange themselves one-dimensionally (1D) along the dimer bond direction. Multiple scattering analysis of N 1s and C 1s PED patterns showed that a double-dimer bridging (DDB) configuration, in which pyrazine molecule forms bridging between the dimer rows with two Si-N bonds, is formed. DFT cluster calculations showed, however, that N-end-on configuration is more stable than the DDB configuration for a single molecule adsorption. The stability for the DDB configuration as a 1D chain is discussed on the basis of "polymerization" of the adsorbates through dangling bonds at the distal points of the 1D chain.

  46. An electron-spectroscopic view of CVD diamond surface conductivity 査読有り

    S Kono, M Shiraishi, T Goto, T Abukawa, M Tachiki, H Kawarada

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS 14 (3-7) 459-465 2005年3月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE SA

    DOI: 10.1016/j.diamond.2004.11.011  

    ISSN:0925-9635

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    Three diamond (001) samples were made by CVD growth on synthetic diamond substrates in a same batch of growth, for which sheet resistance in atmospheric environment was confirmed, A simple two-point probe method has been applied to the samples to measure sheet resistance in UHV of 0.2-50 M Omega/square. Soft X-ray-induced secondary electron spectroscopy has been used to determine the Fermi level position in UHV of the samples for which in-UHV sheet resistance values were known. The Fermi level as measured turned out to be 1.1 +/- 0.2 eV above the valence band top and stayed at the same position within similar to 0.1 eV with the sheet resistance change of an order of 2. On the basis of these findings, a plausible model of surface conductivity of CVD diamond is suggested. (c) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.

  47. X-ray photoelectron diffraction study of the initial stages of CVD diamond heteroepitaxy on Ir(001)/SrTiO3 査読有り

    S Kono, M Shiraishi, NI Plusnin, T Goto, Y Ikejima, T Abukawa, M Shimomura, Z Dai, C Bednarski-Meinke, B Golding

    NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY 15 (6) 363-371 2005年

    出版者・発行元:MYU K K

    ISSN:1344-9931

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    Bias-treatment (BT) plays an important role in the heteroepitaxial growth of CVD diamond. In this study, an Ir(001)/SrTiO3 substrate was examined with X-ray photoelectron diffraction (XPD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), low energy electron diffraction (LEED), scanning electron microscopy (SEM), and atomic force microscopy (AFM) after a BT process. XPD shows unambiguously that most carbon atoms following the BT process reside in an ordered form. In fact, the XPD patterns are very similar to those from a hornoepitaxial CVD diamond (001) surface except for a somewhat smaller degree of angular intensity variation. XPD patterns of Ir 4d core levels from the BT substrate also showed that the short-range order of the Ir(001) crystal was preserved. However, LEED showed no diffraction spots, implying the absence of long-range order at a LEED coherence length greater than the typical one of similar to 10 nm. These results prove that the 7-8 nm crystallites seen by SEM and AFM are indeed diamond (001) crystallites. The smaller degree of intensity variation in XPD patterns and the XPS intensity ratio of C 1 s/Ir 4d indicates that the diamond crystallites have a height of similar to 11 monolayers and are embedded in a disordered carbon matrix about 6 monolayers thick.

  48. Effect of bias treatment in the CVD diamond growth on Ir(001) 査読有り

    S Kono, Takano, I, Goto, I, Y Ikejima, M Shiraishi, T Abukawa, T Yamada, A Sawabe

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS 13 (11-12) 2081-2087 2004年11月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE SA

    DOI: 10.1016/j.diamond.2004.07.009  

    ISSN:0925-9635

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    The effect of bias treatment (BT) on direct-current plasma CVD diamond growth has been studied in situ by X-ray photoelectron diffraction (XPD) together with LEED and XPS. It was found that C 1s XPD patterns from the sample after BT are similar to those of diamond (001). Coverage of carbon after BT is several tens of ML when BT is very successful. However, LEED shows no diamond (001) spots for the sample after BT. These apparently contradictory findings are explained by the sizes of the diamond (001) crystallites, which, after BT, are large enough to produce C 1s XPD patterns of diamond, but too small to have coherent interference spots in LEED. It is concluded from this and other information that BT in a DC plasma creates hetero-epitaxial diamond crystallites a few nm or less. These diamond crystallites may be related to the atomically abrupt diamond/Ir interfaces of DC plasma CVD-grown samples revealed by TEM [A. Sawabe H. Fukuda, T. Suzuki, Y. Ikuhara, T. Suzuki, Surf. Sci. 467 (2000) L845]. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.

  49. Adsorption of thiophene on a Si(001)-2 x 1 surface studied by photoelectron spectroscopy and diffraction 査読有り

    A Shimomura, Y Ikejima, K Yajima, T Yagi, T Goto, R Gunnella, T Abukawa, Y Fukuda, S Kono

    APPLIED SURFACE SCIENCE 237 (1-4) 75-79 2004年10月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.06.084  

    ISSN:0169-4332

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    Chemisorption of thiophene on a Si(0 0 1) surface has been studied by synchrotron radiation induced photoelectron spectroscopy (SRPES). Two adsorption-related components in Si 2p and S 2p spectra are observed after exposure of thiophene. It is suggested that the two components of Si 2p are ascribed to silicon bonded to hydrocarbon and sulfur. The core-level shift resolved photoelectron diffraction (PED) result indicates that the low-kinetic-energy component of S 2p can be ascribed to 2,5-dihydrothiophehe (DHT)-like species. Another S 2p component could be assigned to dissociated sulfur based on the results of PED and time evolution of the spectrum under irradiation. These assignments are consistent with the core-level shift of S 2p. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.

  50. Structural study of 1,4-cyclohexadiene adsorption on Si(001) surface by low energy photoelectron diffraction 査読有り

    R Gunnella, M Shimomura, M Munakata, T Takano, T Yamazaki, T Abukawa, S Kono

    SURFACE SCIENCE 566 618-623 2004年9月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    DOI: 10.1016/j.susc.2004.05.122  

    ISSN:0039-6028

    eISSN:1879-2758

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    The structural properties of the subsaturation coverage of 1,4-cyclohexadiene (C6H8) on single domain Si(001)-2 x 1 surface have been investigated by using photoelectron diffraction (PD) at the Cls core level and at the photon energy of 330 eV. The high resolution core level study allows to determine the presence of a shifted replica of +0.9 eV in kinetic energy. The structural properties of adsorbed molecules are discussed at the light of ab initio multiple scattering calculations on several adsorption models with about the same least total energy. This quantitative experimental determination timely follows the many qualitative assessments present in literature for this important prototypical case of functional Si substrate and aims to fill the gaps between several experiments reported. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.

  51. Structural analysis of thiophene chemisorped Si(001)-(2x1) surface

    M. Shimomura, Y. Ikejima, K. Yajima, T. Yagi, T. Goto, T. Abukawa, R. Gunnella, Y. Fukuda, S. Kono

    Photon Factory Activity Report 2002 20 53-53 2003年8月

  52. Semi-direct method for surface structure analysis using correlated thermal diffuse scattering 査読有り

    T Abukawa, S Kono

    PROGRESS IN SURFACE SCIENCE 72 (1-4) 19-51 2003年6月

    出版者・発行元:PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD

    DOI: 10.1016/S0079-6816(03)00002-9  

    ISSN:0079-6816

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    The authors review the correlated thermal diffuse scattering (CTDS) as a semi-direct tool for surface structure analysis. The strong vibrational correlation between very near-neighbor atoms induces broad features in the thermal diffuse scattering of diffraction. The broad features, which were paid little attention in crystallography, are the subject of CTDS. Only the short-range arrangement of neighbor atoms is reflected in CTDS so that one can treat CTDS as a kinematical diffraction, even with surface-sensitive electron diffraction. Thus the surface structure is semi-directly obtained by means of the kinematical analysis based on the Fourier transformation. (C) 2003 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.

  53. Structural study of benzene adsorbed on Si(001) surface by photoelectron diffraction 査読有り

    M Shimomura, M Munakata, K Honma, SM Widstrand, L Johansson, T Abukawa, S Kono

    SURFACE REVIEW AND LETTERS 10 (2-3) 499-503 2003年4月

    出版者・発行元:WORLD SCIENTIFIC PUBL CO PTE LTD

    ISSN:0218-625X

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    The structure of benzene adsorbed on a Si(001)(2 x 1) surface up to saturation at room temperature (RT) has been studied by C 1s photoelectron diffraction (PED). Experimental C 1s PED patterns were measured for two regimes of photoelectron kinetic energies at similar to100 eV and similar to1000 eV. Simulation of PED patterns was made for three possible structural models predicted so far. Comparison of actual PED patterns and R-factor analysis leads to the conclusion that the so-called standard butterfly (SB) configuration of benzene is present and stable at the saturation coverage at RT. The present PED patterns were not very sensitive to geometrical parameters of absorbed benzene except for the bond length between the topmost carbons in the SB configuration.

  54. Electron-spectroscopy and -diffraction study of the conductivity of CVD diamond (001)2 x 1 surface 査読有り

    S Kono, T Takano, M Shimomura, T Goto, K Sato, T Abukawa, M Tachiki, H Kawarada

    SURFACE SCIENCE 529 (1-2) 180-188 2003年4月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    DOI: 10.1016/S0039-6028(03)00241-3  

    ISSN:0039-6028

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    A chemical vapor deposition as-grown diamond (0 0 1) single-domain 2 x 1 surface was studied by electron-spectroscopy and electron-diffraction in ultrahigh vacuum (UHV). In order to change the surface conductivity (SC) of the diamond in UHV, three annealing stages were used; without annealing, annealing at 300 degreesC and annealing at 550 degreesC. From low energy electron diffraction and X-ray photoelectron spectroscopic (XPS) studies, an existence of SC was suggested for the first two stages of annealing and an absence of SC was suggested for the last stage of annealing. Changes in C KVV Auger electron spectroscopic spectra, C KVV Auger electron diffraction (AED) patterns and C 1s XPS peak positions were noticed between the annealing stages at 300 and 550 degreesC. These changes are interpreted as such that the state of hydrogen involvement in a subsurface of diamond (001)2 x 1 changes as SC changes. In particular, the presence of local disorder in diamond configuration in SC subsurface is pointed out from C KVV AED. From C Is XPS peak shifts, a lower bound for the Fermi-level for SC layers from the valence band top is presented to be similar to0.5 eV. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  55. Electron spectroscopy and diffraction study of the origin of CVD diamond surface conductivity 査読有り

    S Kono, T Takano, M Shimomura, T Goto, K Sato, T Abukawa, M Tachiki, H Kawarada

    NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY 13 (5) 247-255 2003年

    出版者・発行元:MYU K K

    ISSN:1344-9931

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    The origin of surface conductivity (SC) of a CVD diamond (001) single-domain 2x1 surface was studied by electron spectroscopy and electron diffraction in UHV. In order to change SC of the diamond in UHV, two annealing stages were used: annealing at 300 degreesC and annealing at 550 degreesC. From the results of LEED and XPS, the existence of SC was suggested for the first stage of annealing and the absence of SC was suggested for the last stage of annealing. Changes in C KVV AES spectra, C KVV AED patterns and C 1s XPS peak positions were noted between the annealing stages at 300 and 550 degreesC. These changes are interpreted in that the state of hydrogen involvement on a subsurface of diamond (001)2x1 changes as SC changes. From C 1s XPS peak shifts, a lower bound for the Fermi level for SC layers from the valence band top is presented to be similar to0.5 eV.

  56. Atomistic morphology and structure of ethylene-chemisorbed Si(001)2 x 1 surface 査読有り

    M Shimomura, M Munakata, A Iwasaki, M Ikeda, T Abukawa, K Sato, T Kawawa, H Shimizu, N Nagashima, S Kono

    SURFACE SCIENCE 504 (1-3) 19-27 2002年4月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    DOI: 10.1016/S0039-6028(02)01157-3  

    ISSN:0039-6028

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    Atomistic morphology and structure of Si(0 0 1) surface exposed to ethylene at room temperature have been studied by scanning tunneling microscopy (STM) and photoelectron diffraction (PED). At an ethylene coverage (theta(C)) of similar to0.5 monolayer (ML. carbon atom/surface Si-atom), both p(2 x 2) and c(4 x 2) structures were clearly resolved in atomistic STM images. The alignments of chemisorbed ethylene of p(2 x 2) and c(4 x 2) were confirmed by PED and further shown is that the local structure around chemisorbed ethylene at theta(C) congruent to 0.5 ML is identical to that at the saturation coverage of 1 ML. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  57. Photoelectron diffraction study of the Si 2p surface-core-level-shift of the Si(0 0 1)(1 × 2)-Sb surface 査読有り

    M. Shimomura, T. Abukawa, K. Yoshimura, J. H. Oh, H. W. Yeom, S. Kono

    Surface Science 493 (1-3) 23-28 2001年11月1日

    DOI: 10.1016/S0039-6028(01)01184-0  

    ISSN:0039-6028

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    Structural parameters of the Si(0 0 1)(1 × 2)-Sb surface were optimized by photoelectron diffraction (PED) of Sb 4d peaks. The optimized parameters are 3.17±0.1 Å for Sb-dimer bond length and 1.78±0.1 Å for the layer spacing between Sb and the first layer Si. The main origin of a surface-core-level-shifted (SCLS) component in Si 2p core-level spectra is identified by SCLS-PED to be the first layer Si atoms connected to Sb dimers. Another SCLS component reported previously was not observed, which indicates that this SCLS component is related to some defects on the (1 × 2)-Sb surface. © 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  58. Secondary-electron and field-emission spectroscopy/microscopy studies of chemical vapor deposition grown diamond particles 査読有り

    S. Kono, T. Goto, K. Sato, T. Abukawa, M. Kitabatake, A. Watanabe, M. Deguchi

    Surface Science 493 (1-3) 610-618 2001年11月1日

    DOI: 10.1016/S0039-6028(01)01273-0  

    ISSN:0039-6028

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    High-pressure synthetic diamond particles (DPs) were first seeded over a high-conductive n-type Si(0 0 1) wafer and non-doped diamond layers were then grown onto the DP surfaces by chemical vapor deposition. This sample had good field emission (FE) characteristics. For comparison, a poor FE sample was made from the DP-seeded substrate. We have characterized several important factors of these samples using secondary-electron spectroscopy (SES), field emission spectroscopy (FES) and field emission microscopy (FEM). SES measurements showed that the surface electron affinity of the samples with good FE characteristics is negative but that with poor FE characteristics is positive. FES measurements for a good FE sample showed that a FES peak starts at the substrate Fermi level and moves downward in kinetic energy together with increase of the full-width at half-maximum of peak as the electric field is increased. FEM measurements showed that there are "hot spots" that strongly field-emit electrons. A plausible model of FE for isolated DPs on conducting substrate is proposed under which a key factor of FE is a resistive interface between DPs and the substrate. © 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  59. 熱散漫散乱を用いた表面構造解析 査読有り

    虻川匡司

    固体物理 36 571-578 2001年4月

  60. 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析 査読有り

    虻川匡司, 河野省三

    表面科学 22 (12) 781-788 2001年4月

    出版者・発行元:The Surface Science Society of Japan

    DOI: 10.1380/jsssj.22.781  

    ISSN:0388-5321

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    A new tool for surface structure analysis, thermal diffuse scattering (CTDS), is reviewed. The principle of CTDS is based on a very simple diffraction phenomenon, which is induced by a strong vibrational correlation between neighbor atoms, and could be considered as a diffraction of nearest neighbor atoms. Simple intensity oscillations are experimentally corrected by the medium energy electron diffraction with a very-grazing-incidence condition. Accurate bond lengths and bond orientations are obtained from a three-dimensional Patterson function, which is a Fourier transform of the CTDS pattern, i.e. the simple intensity oscillation of thermal diffuse scattering. The potentia of CTDS as a direct surface structural tool has been reviewed with an application to a Si(111)√3×√3-In surface.

  61. UHV μ-electron Evaluation of the CVD Diamond Particles Grown on Si(001) 査読有り

    S. Kono, T. Goto, T. Abukawa, Y. Takakuwa, K. Sato, H. Yagi, T. Ito

    Diamond and Related Materials 10 (1) 48-58 2001年1月

    DOI: 10.1016/S0925-9635(00)00369-1  

    ISSN:0925-9635

  62. Field-emission spectroscopy/microscopy studies of chemical-vapor-deposition-grown diamond particles 査読有り

    S Kono, T Goto, K Sato, T Abukawa, M Kitabatake, A Watanabe, M Deguchi

    NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY 11 (5) 299-306 2001年

    出版者・発行元:MYU K K

    ISSN:1344-9931

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    A sample for field-emission (FE) measurements was fabricated by first seeding high-pressure synthetic diamond particles (DPs) over a high-conductivity n-type Si(001) wafer and then growing nondoped diamond layers onto the DP surfaces by chemical vapor deposition. We have characterized several important features of this sample using field emission spectroscopy (FES) and field emission microscopy (FEM). FES measurements showed that a FES peak starts at the substrate Fermi level and decreases in kinetic energy along with an increase in the peak width as the electric field is increased. FEM measurements showed that there are "hot spots" that strongly field-emit electrons. A plausible model of FE for isolated DPs on a silicon substrate is proposed in which the key factor responsible for FE is a resistive interface between the DP and the substrate.

  63. Direct method of surface structure determination by Patterson analysis of correlated thermal diffuse scattering for Si(001)2×1 査読有り

    T. Abukawa, C. M. Wei, K. Yoshimura, S. Kono

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 62 (23) 16069-16073 2000年12月15日

    DOI: 10.1103/PhysRevB.62.16069  

    ISSN:0163-1829

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    A simple oscillatory intensity variation in medium-energy electron diffraction found recently [Abukawa et al., Phys. Rev. Lett. 82, 335 (1999)] was termed correlated thermal diffuse scattering (CTDS). The potential of CTDS as a direct surface structural tool has been fully explored for the Si(001)2×1 surface at 300 K in a very-grazing-incidence condition. Nearly 2π solid-angle, three-dimensional (3D) CTDS patterns were measured for an energy range of 500-2000 eV. The 3D Patterson functions obtained by Fourier inversion of the measured CTDS patterns clearly revealed the building blocks of the Si(001)2×1 surface, i.e., the bond orientations and lengths of the buckled Si dimers, within an accuracy of 1° and 0.1 Å, respectively. © 2000 The American Physical Society.

  64. Surface order evaluation of the heteroepitaxial diamond film grown on an inclined beta-SiC(001) 査読有り

    S Kono, T Goto, T Abukawa, C Wild, P Koidl, H Kawarada

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 39 (7B) 4372-4373 2000年7月

    出版者・発行元:JAPAN J APPLIED PHYSICS

    ISSN:0021-4922

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    The surface order of a heteroepitaxial diamond (001) film frown on an inclined beta-SiC(001) has been evaluated with a microelectron beam in ultra-high-vacuum. It was determined that the range of order of surface dimer-rows of the heteroepitaxial diamond film is similar to 15 Angstrom.

  65. Electronic states for InAs(111)A-(2 x 2)S surface studied by angle-resolved photoemission spectroscopy 査読有り

    S Ichikawa, N Sanada, M Shimomura, T Abukawa, S Kono, Y Fukuda

    SURFACE SCIENCE 454 509-513 2000年5月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    ISSN:0039-6028

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    Valence electronic states for an Inns(111)A-(2 x 2)S surface are investigated by using synchrotron radiation angle-resolved photoemission spectroscopy (SRARPES). Three bands at 1.0-1.2, 3.3, and 4.6-4.7 eV below the Fermi level are found outside the projection of bulk bands along the (M) over bar-&lt;(Gamma)over bar&gt;-(M) over bar and &lt;(Gamma)over bar&gt;-(K) over bar-(M) over bar azimuths. A band at 2.8 eV below the Fermi level is found in the normal emission spectra for the (2 x 2)S surface. This band is located within the projection of bulk bands and independent of the momentum component normal to the surface, k(perpendicular to). The four bands are ascribed to surface states or surface resonances for the (2 x 2)S surface. The origin of the surface bands is discussed. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  66. Structure of an InAs(111)A-(2X2)S surface studied by scanning tunneling microscopy, photoelectron spectroscopy, and X-ray photoelectron diffraction 査読有り

    S Ichikawa, N Sanada, S Mochizuki, Y Esaki, Y Fukuda, M Shimomura, T Abukawa, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B 61 (19) 12982-12987 2000年5月

    出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC

    ISSN:1098-0121

    eISSN:1550-235X

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    The structure of an InAs(111)A-(2 X 2)S surface has been studied by using scanning tunneling microscopy (STM), synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SRPES), and x-ray photoelectron diffraction (XPD). Honeycomblike images are observed by STM measured at a bias voltage of -1.4 V. Similar images are also observed at + 1.5 V, although the intensity of the alternative corner of a hexagon is depressed, resulting in a threefold symmetry. S 2s and As 3d XPD patterns show that sulfur atoms rarely exchange the fourfold arsenic sites. Three surface components are found in the In 4d spectra. On the other hand, no surface components are found in the As 3d spectra. Based on the STM, SRPES, and XPD results, a probable structure model for the (2 X 2)S surface is proposed. The experimental XPD patterns are in good agreement with the calculated ones.

  67. Direct method of surface structure determination by Patterson analysis of correlated thermal diffuse scattering for Si(001)2x1

    ABUKAWA T.

    Physical Review. B 62 (23) 16069-16073 2000年

    出版者・発行元:American Physical Society

    DOI: 10.1103/PhysRevB.62.16069  

    ISSN:1098-0121

  68. Assessment of correlated thermal diffuse scattering as a direct structural method on the multielement surface system of Si(111)(√3 × √3)-In 査読有り

    T. Abukawa, K. Yoshimura, S. Kono

    Surface Review and Letters 7 (5-6) 547-553 2000年

    DOI: 10.1016/S0218-625X(00)00058-0  

    ISSN:0218-625X

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    Correlated thermal-diffuse scattering (CTDS), a direct structural technique using a simple oscillatory intensity variation in the medium energy electron diffraction, has been applied to the biatomic surface system of Si(111)(√3 × √3)-In. A problem with the application of CTDS to multicomposition systems arises from the element-specific atomic scattering factors. The difference in atomic scattering factors disturbs the diffraction phase originating from the path length difference and causes the shift from the true atomic position in Patterson analysis. In order to recover the true atomic position, a numerical calibration method has been introduced. With the aid of the calibration, structural parameters for the topmost three layers of the Si(111)(√3 × √3)-In surface have been determined with 0.1 Å accuracy. This shows that CTDS is applicable to multicomposition surface systems.

  69. Structure of Si(001)-(4x3)-In surface studied by X-ray photoelectron diffraction 査読有り

    M Shimomura, T Nakamura, KS Kim, T Abukawa, J Tani, S Kono

    SURFACE REVIEW AND LETTERS 6 (6) 1097-1102 1999年12月

    出版者・発行元:WORLD SCIENTIFIC PUBL CO PTE LTD

    ISSN:0218-625X

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    X-ray photoelectron diffraction (XPD) patterns of In 3d core levels have been measured for the Si(001)-(4 x 3)-In surface. An R factor analysis with single-scattering and multiple-scattering simulations of In 3d XPD patterns was performed for three structural models proposed so far. Only the model proposed by surface X-ray diffraction [Appl. Surf. Sci. 123/124, 104 (1998)] appeared to give a reasonably small R factor when the geometric parameters were modified from the original ones.

  70. Formation of single domain Si(001)4 x 3-In surface by surface electromigration 査読有り

    S Kono, T Goto, M Shimomura, T Abukawa

    SURFACE SCIENCE 438 (1-3) 83-90 1999年9月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    ISSN:0039-6028

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    The formation of single-domain Si(001)4 x 3-In surfaces with several degrees of domain ratio is reported. A single-domain Si(001)2 x 1 surface was used as a substrate. A single-domain Si(001)3 x 4-In surface with a good domain ratio is found, the directional relationship of which is such that the threefold direction of 3 x 4-In corresponds to the twofold direction of substrate. Two other 4 x 3-In surfaces with poor domain ratios are found, the directional relationship of which is such that the fourfold direction corresponds to the twofold direction of substrate. The formation of these 4 x 3-In surfaces is explained by the electromigration of surface Si, the amount of which is dependent on the temperature of direct current annealing. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  71. Photoelectron diffraction study of the surfaces of Si(111)root 3X root 3-Al and -In with Mo M-zeta and Cr L-alpha lines 査読有り

    S Sumitani, T Abukawa, R Kosugi, S Suzuki, S Sato, S Kono

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA 101 245-250 1999年6月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    ISSN:0368-2048

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    Laboratory X-ray sources of Mo M-zeta and Cr L-alpha lines were used for a photoelectron diffraction (PED) study of the well-documented surfaces of Si(111)root 3X root 3-Al and Si(111)root 3X root 3-In. Azimuthal angle PED patterns of Al 2p and In 3d core levels were measured and analyzed by a multiple scattering formalism. The determined geometric parameters showed good agreement with those already established. This indicates the good potential of a FED study with laboratory sources. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  72. Real-time monitoring of the Si carbonization process by a combined method of reflection high-energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy 査読有り

    R Kosugi, Y Takakuwa, KS Kim, T Abukawa, S Kono

    APPLIED PHYSICS LETTERS 74 (26) 3939-3941 1999年6月

    出版者・発行元:AMER INST PHYSICS

    DOI: 10.1063/1.124230  

    ISSN:0003-6951

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    The carbonization process of a preferential-domain Si(001)2 x 1 surface with ethylene was investigated by a combined method of reflection high-energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy. It is found that the carbonization process during the so-called incubation time is the Si1-xCx alloy formation before the nucleation of 3C-SiC grains. A reaction model for the Si1-xCx alloy formation and for the 3C-SiC grain growth is proposed for substrate temperatures of 600-750 degrees C. From the model, we postulate that the external supply of Si and C should be started just at the completion of the lateral 3C-SiC grain growth at temperatures of 600-650 degrees C in order to obtain thick 3C-SiC layers with a flat surface morphology. (C) 1999 American Institute of Physics. [S0003-6951(99)03326-4].

  73. Photoelectron diffraction study of Si(001)c(4×4)-C surface 査読有り

    R. Kosugi, T. Abukawa, M. Shimomura, S. Sumitani, H. W. Yeom, T. Hanano, K. Tono, S. Suzuki, S. Sato, T. Ohta, S. Kono, Y. Takakuwa

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 101 239-243 1999年6月

    出版者・発行元:None

    DOI: 10.1016/S0368-2048(98)00452-6  

    ISSN:0368-2048

  74. Crystallinity evaluation of phosphorus-doped n-type diamond thin film 査読有り

    M Shimomura, T Nishimori, T Abukawa, Y Takakuwa, H Sakamoto, S Kono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 85 (7) 3931-3933 1999年4月

    出版者・発行元:AMER INST PHYSICS

    DOI: 10.1063/1.369769  

    ISSN:0021-8979

    eISSN:1089-7550

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    The crystallinity of a phosphorus-doped n-type diamond thin film as grown on a C(001) substrate by gas source molecular beam epitaxy has been examined by x-ray photoelectron diffraction (XPD) and atomic force microscopy (AFM). AFM showed that the growth mode of the n-type film is not an island-growth type that hinders the application of XPD. C 1s XPD patterns for the n-type film and the substrate showed almost perfect similarity. This proves that, like the substrate, the phosphorus-doped n-type thin film is in a good diamond structure. (C) 1999 American Institute of Physics. [S0021-8979(99)03207-7].

  75. 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究 査読有り

    虻川 匡司

    表面科学 20 (8) 535-542 1999年4月

    DOI: 10.1380/jsssj.20.535  

  76. Surface electromigration of metals on Si(001): In/Si(001) 査読有り

    S. Kono, T. Goto, Y. Ogura, T. Abukawa

    Surface Science 420 (2-3) 200-212 1999年1月20日

    出版者・発行元:Elsevier

    DOI: 10.1016/S0039-6028(98)00825-5  

    ISSN:0039-6028

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    The possibility of surface electromigration (SE) of metals of In, Ga, Sb and Ag on a very flat Si(001)2×1 substrate (single domain 2×1) was examined by SEM, μ-RHEED and μ-AES under UHV conditions. It was found that Ga, Sb and Ag show no SE on Si(001) surface even at DC annealing temperatures for the desorption of these metals. For In on Si(001), a very fast SE (~8000μm/min) towards the cathode side was found that suddenly sets in at ~450°C DC annealing, which was related to a surface phase transition. μ-RHEED and μ-AES observation showed that the SE is related to an ordered 4×3-In phase together with two-dimensional In gas phase over the 4×3-In phase and an In-disordered phase at the front end of SE. Single domain 4×3-In phases were found to occur under sequences of In deposition and DC annealing which involve the In SE on Si(001). © 1999 Elsevier Science B.V.

  77. X-ray photoelectron diffraction and surface core-level shift study of clean InP (001) 査読有り

    M. Shimomura, N. Sanada, G. Kaneda, T. Takeuchi, Y. Suzuki, Y. Fukuda, W. R.A. Huff, T. Abukawa, S. Kono, H. W. Yeom, A. Kakizaki

    Surface Science 412-413 625-630 1998年9月3日

    出版者・発行元:Elsevier

    DOI: 10.1016/S0039-6028(98)00494-4  

    ISSN:0039-6028

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    A clean InP(001) surface treated by ion-bombardment and annealing (IBA) has been studied by X-ray photoelectron diffraction (XPD) and synchrotron radiation based photoemission spectroscopy (SRPES). The XPD pattern of In 3d5/2 (measured at 55° from the surface normal) is compared with a calculated XPD pattern obtained from a single-scattering cluster simulation. Our results indicate that IBA-treated InP(001) exhibits a (2 x 4) surface reconstruction. That is, the two-fold and four-fold directions correspond to the [110] and [110] axes, respectively. For the SRPES study, In 4d core-level spectra (hv = 70 eV) were collected at a variety of photoemission angles. Four spin-orbit doublets were necessary to obtain a high-quality fit to the photoemission spectra. As the detection angle was changed toward the surface parallel, a component having a lower binding energy by 0.70 eV than that of the bulk undergoes a dramatic intensity increase. On the basis of the energy shift and polar angle dependence of this component, we suggest that it arises from surface-layer indium atoms bonded to other indium atoms. The origins of other components are discussed. © 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  78. X-ray photoelectron diffraction study of Si(001)c(4 × 4)-C surface 査読有り

    R. Kosugi, S. Sumitani, T. Abukawa, Y. Takakuwa, S. Suzuki, S. Sato, S. Kono

    Surface Science 412-413 125-131 1998年9月3日

    出版者・発行元:Elsevier

    DOI: 10.1016/S0039-6028(98)00377-X  

    ISSN:0039-6028

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    The Si(001)c(4 × 4)-C surface, which was prepared by exposing a single-domain Si(001)2 × 1 surface to ethylene at a pressure of about 1 × 10-6 mbar at 680°C for 600 s, was investigated by X-ray photoelectron diffraction (XPD). The azimuthal-scan XPD patterns of C Is showed pronounced peaks due to the forward-focusing effect in XPD, indicating that the adsorbed carbon diffuses into the substitutional sites of at least the 4th layer below the surface. The anisotropies of the measured XPD patterns are analyzed by single-scattering-cluster (SSC) simulations to find that the highly concentrated Si1-xCx alloy layers are present. © 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  79. Angle-resolved photoelectron spectroscopy study of the InP(100)-(2x4) surface electronic structure 査読有り

    WRA Huff, M Shimomura, N Sanada, G Kaneda, T Takeuchi, Y Suzuki, HW Yeom, T Abukawa, S Kono, Y Fukuda

    PHYSICAL REVIEW B 57 (16) 10132-10137 1998年4月

    出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC

    ISSN:1098-0121

    eISSN:1550-235X

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    The InP(100)-(2 x 4) surface electronic structure was studied using angle-resolved photoelectron spectroscopy together with synchrotron radiation. We identify three surface states occurring in the gaps of the projected bulk bands. The highest level state, located at binding energy E-B = 1.0 eV, is consistent with previous findings. The second and third states, located at E-B = 1.8 and 4.3 eV, have not been reported previously. All three of these surface states show no discernible dispersion as compared to the surface states on InAs(100)-(2x4) and GaAs(100)-(2x4). This result suggests that the elements of the InP(100)-(2x4) surface unit cells are more isolated from each other than they are for the InAs(100)-(2x4) or the GaAs(100)-(2x4) surface.

  80. Anomalous diffraction effect on the surface core-level photoemission from Si(001)2x1-Cs surface 査読有り

    虻川 匡司

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 88-91 539-543 1998年4月

    DOI: 10.1016/S0368-2048(97)00159-X  

  81. Dimer structure of clean Si(001) surface studied by grazing-incidence back-scattering MEED 査読有り

    虻川 匡司

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 88-91 533-538 1998年4月

    DOI: 10.1016/S0368-2048(97)00270-3  

  82. InP(100)(2x4) Surface Electronic Structure Studied by Angle-resolved Photoelectron Spectroscopy 査読有り

    虻川 匡司

    J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 88/91/,609 1998年4月

    DOI: 10.1016/S0368-2048(97)00266-1  

  83. RHEED-AES Observation of In Desorption on a Single-domain Si(001)2x1 Surface 査読有り

    虻川 匡司

    Surface Science 410 99 1998年4月

  84. Surface-core-level-shift Low-energy Photoelectron Diffraction : The 2xl-Si(001)surface 査読有り

    虻川 匡司

    Physical Review B 57 14739 1998年4月

    DOI: 10.1103/PhysRevB.57.14739  

  85. RHEED-AES observation of Sb surface segregation during Sb-mediated Si MBE on Si(0 0 1) 査読有り

    KS Kim, Y Takakuwa, T Abukawa, S Kono

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 186 (1-2) 95-103 1998年3月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00459-4  

    ISSN:0022-0248

    eISSN:1873-5002

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    The Sb surface segregation during Si molecular beam epitaxy (MBE) on a Sb-saturated Si(0 0 1) surface has been investigated by the simultaneous usage of reflection high-energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy (RHEED-AES). From a quantitative analysis of Sb MNN Auger electron spectra as excited by a grazing-incidence electron beam for RHEED, the Sb bulk incorporation rate, k, and the Sb surface coverage, Theta(Sb), during the initial Si MBE growth were evaluated as a function of the substrate temperature T-s. The temperature dependence of k, and Theta(Sb) suggests that the Sb surface segregation kinetics are divided into three temperature regions: (I) T-s &lt; similar to 500 degrees C, (II) similar to 500 degrees C &lt; T-s &lt; similar to 700 degrees C and (III) similar to 700 degrees C &lt; T-s. k decreases with increase in T-s in region I whereas k increases with T-s in region II. k also shows long-time-scale decrease with growth time for the regions I and II. These findings are explained in terms of Sb diffusion through MBE Si layers and the crystallinity of the MBE Si layers. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  86. Anisotropy of the spin-orbit branching ratio in angle-resolved photoemission from adsorbate layers

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, S Fujimori, T Okane, Y Ogura, T Miura, S Sato, A Kakizaki, S Kono

    SURFACE SCIENCE 395 (2-3) L236-L241 1998年1月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    DOI: 10.1016/S0039-6028(97)00832-7  

    ISSN:0039-6028

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    The angular variation of the spin-orbit branching ratio of In 4d photoemission doublets from ordered In overlayers on the Si(001) surface was investigated. The branching ratios show strong angular anisotropy in the investigated photon energy range of 70-100 eV, which depends both on the surface structure and the photon energy. It is demonstrated that the anisotropy in this energy range is caused by an inherent difference in the photoelectron waves of the 4d5/2 and 4d3/2 levels via photoelectron diffraction. (C) 1998 Elsevier Science B.V.

  87. The overlayer structure on the Si(001)-(2×3)-Ag surface determined by X-ray photoelectron diffraction 査読有り

    M. Shimomura, T. Abukawa, M. Higa, M. Nakamura, S. M. Shivaprasad, H. W. Yeom, S. Suzuki, S. Sato, J. Tani, S. Kono

    Surface Review and Letters 5 (5) 953-958 1998年

    出版者・発行元:World Scientific Publishing Co. Pte Ltd

    DOI: 10.1142/S0218625X98001286  

    ISSN:0218-625X

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    X-ray photoelectron diffraction (XPD) patterns of Ag 3d electrons from a single domain Si(001)-(2 × 3)-Ag surface were examined. Single scattering cluster and multiple scattering cluster simulations of the Ag 3d XPD patterns indicate an overlayer that contains four Ag atoms aligned almost linearly along the threefold direction in the unit cell on the Si(001) surface. The four-Ag-atom arrangement is discussed in the light of other information obtained by STM, LEEM and photoemission studies, finding it very feasible.

  88. RHEED-AES observation of Sb desorption on a single-domain Si(001)2x1 surface 査読有り

    K. S. Kim, Y. Takakuwa, T. Abukawa, S. Kono

    表面科学 18 (8) 501-505 1997年8月

    出版者・発行元:The Surface Science Society of Japan

    DOI: 10.1380/jsssj.18.501  

    ISSN:0388-5321

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    Sb desorption on a single-domain Si(001)2×1 surface has been studied using grazing-incidence reflection high energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy (RHEED-AES). From the time evolution of Sb coverage, θ<SUB>Sb</SUB>, during Sb desorption as monitored from Sb MNN Auger spectra, we have found that the Sb desorption kinetics are divided into two coverage regions; (I) 1 ML>θ<SUB>Sb</SUB>>0.3 ML and (II) 0.3 ML>θ<SUB>Sb</SUB>>0 ML. It was also found that the Sb desorption is a first-order reaction in each coverage region with activation energies of (I) 3.61 eV and (II) 3.63 eV and pre-exponential factors of desorption coefficient of (I) 2.9×10<SUP>15</SUP> S<SUP>-1</SUP> and (II) 5.0×10<SUP>15</SUP> S<SUP>-1</SUP>. This difference in pre-exponential factor is explained in term of the change in the morphology and structure of Sb layer as monitored by RHEED.

  89. Electronic structures of the Si(001)2x3-In surface 査読有り

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, Y Mori, T Shimatani, A Kakizaki, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B 55 (23) 15669-15674 1997年6月

    出版者・発行元:AMERICAN PHYSICAL SOC

    DOI: 10.1103/PhysRevB.55.15669  

    ISSN:0163-1829

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    Electronic structures of a single-domain Si(001)2x3-In surface were investigated by polarization-dependent angle-resolved-photoelectron spectroscopy (ARPES) using synchrotron radiation: Six surface-state bands, denoted as D, S-1, S-2, S-2', S-3, and S-3', are identified within the bulk band gap, whose dispersions and symmetry properties are determined throughout the surface Brillouin zone. From these results and a comparison with the recent ARPES results on Si(001)2x2-In [H. W. Yeom et al., Phys. Rev. B 53, 1948 (1996)], the origins of the surface states are assigned as the dangling-bond state (D) of Si dimers not bonded to In dimers, the dimer-bond state (S-1) of In dimers, and the backbond states (S-2, S-2', S-3, and S-3') due to the bonds between In and Si dimers.

  90. Atomic geometry of mixed Ge-Si dimers in the initial-stage growth of Ge on Si(001)2x1 査読有り

    Chen, X, DK Saldin, EL Bullock, L Patthey, LSO Johansson, J Tani, T Abukawa, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B 55 (12) R7319-R7322 1997年3月

    出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC

    ISSN:2469-9950

    eISSN:2469-9969

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    We have investigated quantitatively the geometry of mixed Ge-Si dimers on a single domain Si(001)2x1 surface by azimuthal scanning core-level photoelectron diffraction. By analyzing Ge 3d diffraction patterns from Ge/Si(001) at 0.1 ML coverage using a concentric-shell multiple-scattering algorithm for photon energies of hv=90 and 136 eV, the bond length and tilt angle of the mixed Ge-Si dimer are determined to be 2.43+/-0.10 Angstrom and 31 degrees+/-2 degrees, respectively. It is also found that the mixed Ge-Si dimers are substitutional ones rather than ad-dimers. Another significant aspect of this work is that it demonstrates that photoelectron diffraction is able to probe the local environment of an adatom at submonolayer coverage even in the absence of long-range order.

  91. Electronic structures of the Si(001)2×3-In surface 査読有り

    H. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, Y. Mori, T. Shimatani

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 55 (23) 15669-15674 1997年

    DOI: 10.1103/PhysRevB.55.15669  

    ISSN:1550-235X 1098-0121

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    Electronic structures of a single-domain Si(001)2×3-In surface were investigated by polarization-dependent angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) using synchrotron radiation. Six surface-state bands, denoted as D, (Formula presented), (Formula presented), (Formula presented), (Formula presented), and (Formula presented), are identified within the bulk band gap, whose dispersions and symmetry properties are determined throughout the surface Brillouin zone. From these results and a comparison with the recent ARPES results on Si(001)2×2-In [H. W. Yeom et al., Phys. Rev. B 53, 1948 (1996)], the origins of the surface states are assigned as the dangling-bond state (D) of Si dimers not bonded to In dimers, the dimer-bond state ((Formula presented)) of In dimers, and the backbond states ((Formula presented), (Formula presented), (Formula presented), and (Formula presented)) due to the bonds between In and Si dimers. © 1997 The American Physical Society.

  92. Critical thickness for the solid phase epitaxy: Si/Sb/Si(001) 査読有り

    S Kono, T Goto, Y Ogura, T Abukawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 35 (9B) L1211-L1214 1996年9月

    出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS

    ISSN:0021-4922

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    The early stages of solid-phase epitaxial (SPE) formation of Si/Sb(delta-layer)/Si(001) were studied using Anger electron spectroscopy. The Auger intensity ratio (Sb MNN)/(Si KLL) was measured as a function of the capping Si layer thickness. We found that there exists a critical capping Si thickness, similar to 8-10 Si layers. Below this critical thickness, essentially all Sb atoms are segregated to the surface during the Si capping layer crystallization. Possible causes for this critical thickness are discussed and the need for further study under different SPE conditions is pointed out.

  93. Initial stage growth and interface formation of Al on Si(001)2x1 査読有り

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, M Nakamura, M Kimura, A Kakizaki, S Kono

    SURFACE SCIENCE 365 (2) 328-336 1996年9月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    ISSN:0039-6028

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    Initial stage growth and interface Formation of Al on a Si(001)2 x 1 surface has been studied by core-level and valence-band photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation for the Al coverages (theta(Al)) up to similar to 2 ML at room temperature (RT) and 300 degrees C. The measured Al 2p and Si 2p spectra reveal, for the first time, the existence of interfacial reaction of Al with Si in addition to the rather well-known dimer adsorption of Al. The reaction occurs even at RT for theta(Al) greater than or equal to 0.5 ML, which progresses significantly by annealing at 300 degrees C from earlier stage of adsorption. Beyond 0.5 ML, Al 2p core levels indicate formation of Al dusters at both temperatures, which is accompanied by increase of the reacted phase. This interfacial reaction explains the 1 x 1 phase at 300 degrees C found by LEED and the difference in band bending between RT and 300 degrees C above similar to 0.5 ML. The evolution of the valence-band surface electronic structures with respect to theta(Al) is interpreted in a consistent way to the core-level results.

  94. Surface core levels of In adsorption on Si(001)2x1 査読有り

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, Y Mori, T Shimatani, A Kakizaki, S Kono

    PHYSICAL REVIEW B 54 (7) 4456-4459 1996年8月

    出版者・発行元:AMERICAN PHYSICAL SOC

    ISSN:0163-1829

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    The noble surface reconstructions of 2x2, 2x3, and 4x3 induced by In adsorption on a Si(001) surface have been studied by high-resolution photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation. The surface core-level shifts of Si 2p were resolved, for the first time, for group-III adsorption on Si(001). It is shown that the Si dimers not bonded to In in the 2x3 phase are buckled and the Si dimers bonded to In are symmetric in both the 2x2 and 2x3 phases. In 4d spectra for all the three phases show a single component in agreement with the prevailing structure models of 2x3 and 2x2 phases but in contradiction to those of 4x3.

  95. Multiple scattering study of X-ray photoelectron diffraction from Si(111)-root 3x root 3-Ag surface 査読有り

    Chen, X, T Abukawa, J Tani, S Kono

    SURFACE SCIENCE 357 (1-3) 560-564 1996年6月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    ISSN:0039-6028

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    X-ray phatoelectron diffraction (XPD) from Si(111)-root 3 x root 3-Ag surface has been studied by an efficient multiple scattering cluster (MSG) scheme with sufficiently large clusters. It is found that there is a strong multiple scattering effect on the surface, and thus a failure of kinematical theory for XPD is seen for this surface. With a reliability factor (R-factor) analysis, we have shown that this surface is formed in a honeycomb-chained-trimer (HCT) structure. The optimized HCT structure parameters obtained from the dynamical XPD study agree with those from other surface techniques.

  96. Multiple scattering effects on X-ray photoelectron diffraction from Si(111) root 3x root 3-Ag and -Sb surfaces 査読有り

    Chen, X, T Abukawa, S Kono

    SURFACE SCIENCE 356 (1-3) 28-38 1996年6月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    ISSN:0039-6028

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    The effects of multiple scattering (MS) on X-ray photoelectron diffraction (XPD) from Si(111)root 3 x root 3-Ag and -Sb (referred to as root 3-Ag and -Sb) surfaces have been studied using a MS concentric-shell algorithm for sufficiently large clusters. Significant MS effects that cannot be reconciled by a kinematical treatment have been seen for the root 3-Ag surface, but not for the root 3-Sb surface. This indicates that previous XPD studies on the root 3-Ag surface were incomplete due to the failure of single scattering theory, and explains why prior XPD studies on this surface were not successful at first in predicting a presently widely accepted model. With a reliability factor analysis for MS simulations, we have shown that the root 3-Ag surface is formed in a honeycomb-chained-trimer model with its structural parameters consistent with those from other techniques.

  97. Multiple scattering study of synchrotron radiation photoelectron diffraction from Si(001)2x2-In surface 査読有り

    Chen, X, HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, T Shimatani, Y Mori, A Kakizaki, S Kono

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA 80 147-150 1996年5月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    ISSN:0368-2048

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    Synchrotron radiation photoelectron diffraction (PED) from the Si(001)2x2-In surface was measured for the well resolved In 4d spin-orbit doublet (4d(3/2) and 4d(5/2)) at photon energy of 100 eV. It is found that the two diffraction patterns originating from different core-level states are notably different from each other. A multiple scattering cluster method was applied to analyze both PED's. The optimized structures from the two patterns take essentially a similar parallel In-dimer model, but the radial matrix elements and phase shifts of the photoelectron continuums are different for time two components. We attribute this unexpected result to a spin-orbit coupling effect near the Cooper minima.

  98. An angle-resolved photoelectron spectroscopy study of the electronic structures of Si(001)2x2-Al and -In surfaces 査読有り

    HW Yeom, T Abukawa, Y Takakuwa, M Nakamura, M Kimura, T Shimatani, Y Mori, A Kakizaki, S Kono

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA 80 177-180 1996年5月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    ISSN:0368-2048

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    Angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) using synchrotron radiation was employed to study the electronic structure of single-domain Si(001)2x2-Al and -In surfaces. Five different dispersing surface state bands, denoted as S-1, S-2, S'(2), S-3 and S'(3), are identified within bulk band gap with similar dispersions for both surfaces. From their dispersions and symmetry properties, the lowest-E(B) state S-1 is assigned as the surface state due to the dimer bond within the Al (In) dimer and S-2, S'(2), S-3 and S'(3) due to the back bonds between Al (In) and top-most Si atoms. This result also gives a corroborating evidence for the parallel dimer model of the surface structure.

  99. Surface electronic structure of Si(001)2×2-In studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy 査読有り

    H. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, Y. Mori, T. Shimatani

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 53 (4) 1948-1957 1996年

    DOI: 10.1103/PhysRevB.53.1948  

    ISSN:1550-235X 1098-0121

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    Angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) using synchrotron radiation was employed to study the electronic structure of a well-ordered single-domain Si(001)2×2-In surface. The existence of five surface state bands, denoted as (Formula presented), (Formula presented), (Formula presented), (Formula presented), and (Formula presented) is revealed within the bulk band gap between 0.6 and 2.2 eV in binding energy ((Formula presented)). The dispersions of these surface states are determined for most of the symmetry axes in the 2×2 surface Brillouin zone (SBZ), which turn out to be essentially identical to those observed for Si(001) 2×2-Al recently . Symmetries of the surface states with respect to two mirror axes of the SBZ are determined by the polarization dependence of ARPES intensities. A comparison to a theoretical calculation makes it possible to determine that the smallest (Formula presented) state (Formula presented) is due to the In dimer bond and (Formula presented), (Formula presented), (Formula presented), and (Formula presented) are due to bonds between In dimers and topmost Si atoms, and that the In dimers are parallel to the substrate Si dimers. Besides these five surface state bands, two other spectral features are observed within the bulk band gap, which can be related to similar features observed for a clean Si(001) surface. © 1996 The American Physical Society.

  100. Surface core levels of In adsorption on Si(001)2×1 査読有り

    H. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, Y. Mori, T. Shimatani

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 54 (7) 4456-4459 1996年

    DOI: 10.1103/PhysRevB.54.4456  

    ISSN:1550-235X 1098-0121

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    The noble surface reconstructions of 2×2, 2×3, and 4×3 induced by In adsorption on a Si(001) surface have been studied by high-resolution photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation. The surface core-level shifts of Si 2p were resolved, for the first time, for group-III adsorption on Si(001). It is shown that the Si dimers not bonded to In in the 2×3 phase are buckled and the Si dimers bonded to In are symmetric in both the 2×2 and 2×3 phases. In 4d spectra for all the three phases show a single component in agreement with the prevailing structure models of 2×3 and 2×2 phases but in contradiction to those of 4×3. © 1996 The American Physical Society.

  101. In吸着Si(111)4#Sx#SR1表面の内殻準位光電子分光 査読有り

    虻川 匡司

    Journal of Electron spectroscopy and Related phenomena 80 233-236 1996年

    出版者・発行元:None

    DOI: 10.1016/0368-2048(96)02964-7  

    ISSN:0368-2048

  102. Ag adsorption on a single domain Si(001)2 × 1 surface studied by electron and photoelectron diffraction 査読有り

    S. M. Shivaprasad, T. Abukawa, H. W. Yeom, M. Nakamura, S. Suzuki, S. Sato, K. Sakamoto, T. Sakamoto, S. Kono

    Surface Science 344 (3) L1245-L1251 1995年12月30日

    DOI: 10.1016/0039-6028(95)01002-5  

    ISSN:0039-6028

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    The initial stages of Ag growth on a single domain (SD) Si(001)2 × 1 surface have been studied by LEED, XPS and X-ray photoelectron diffraction (XPD). It is observed that at room temperature (RT) Ag grows in the Stranski-Krastanov mode with the first layer of ∼ 1 monolayer coverage, with a SD 2 × 1 periodicity but the 1 2 order spots partially elongated. Annealing the RT deposited film to ∼ 80°C results in an intermediate layer with a well-ordered SD c(6 × 2) periodicity. The presence of c(6 × 2) phase has never been reported previously for Ag Si(001). Depositing Ag onto the substrate at ∼ 80°C results in an intermediate layer with a SD 2 × 3 periodicity. The Ag coverages for the SD c(6 × 2) and SD 2 × 3 phases are determined to be the same. XPD shows that the local atomic arrangements of the two SD phases are different in spite of the proximity in coverage and temperature of formation. Annealing the two SD phases to ∼ 300°C results in a transformation into a double domain (DD) 2 × 3 phase with LEED spots partially streaked along the "2 ×" direction. XPS shows no change in Ag coverage for the transformation. Depositing Ag onto substrates at temperatures greater than ∼ 160°C results in the DD 2 × 3 phase. © 1995.

  103. Initial stage growth of In and A1 on a single-domain Si(001)2 × 1 surface 査読有り

    H. W. Yeom, T. Abukawa, M. Nakamura, S. Suzuki, S. Sato, K. Sakamoto, T. Sakamoto, S. Kono

    Surface Science 341 (3) 328-334 1995年11月10日

    DOI: 10.1016/0039-6028(95)00688-5  

    ISSN:0039-6028

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    Initial stage growth of In and A1 on a wide-terrace single-domain Si(001)2 × 1 surface has been studied by low-energy electron diffraction (LEED) and X-ray photoelectron spectroscopy. Several submonolayer phases that were not reported on double-domain Si(001)2 × 1 substrates are observed, in addition to those already reported. The resulting sequences of two-dimensional (2D) phases for In and A1 coverages of ≤ 0.5 ML can be interpreted based on an order-disorder transition of arrays of 1D metal-dimer chains. The results show close resemblance to the initial growth of Ga on Si(001) and thus indicate that there is a general mode of growth for the Group-III metals on a Si(001)2 × 1 surface below 0.5 ML. Growth for coverages greater than 0.5 ML and the onset of 3D growth are also discussed. © 1995 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

  104. Direct determination of In-dimer orientation of Si(001)2 × 3-In and 2 × 2-In surfaces 査読有り

    H. W. Yeom, T. Abukawa, M. Nakamura, X. Chen, S. Suzuki, S. Sato, K. Sakamoto, T. Sakamoto, S. Kono

    Surface Science 340 (1-2) L983-L987 1995年10月10日

    DOI: 10.1016/0039-6028(95)00722-9  

    ISSN:0039-6028

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    A well-ordered single-domain Si(001)2 × 3-In surface as well as a 2 × 2-In surface were made on a single-domain Si(001)2 × 1 substrate. Azimuthal X-ray photoelectron diffraction patterns of In 3d levels have been measured for the two surfaces and single-scattering cluster analyses have been made. It is clearly found that both surfaces are composed of basically similar overlayers of In dimers whose orientations are parallel to that of Si dimers of substrate. © 1995.

  105. Mg-induced Si(111)3 × 1 structure studied by photoelectron spectroscopy

    K. S. An, R. J. Park, J. S. Kim, C. Y. Park, C. Y. Kim, J. W. Chung, T. Abukawa, S. Kono, T. Kinoshita, A. Kakizaki, T. Ishii

    Surface Science 337 (1-2) L789-L794 1995年8月

    出版者・発行元:None

    DOI: 10.1016/0039-6028(95)80037-9  

    ISSN:0039-6028

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    By means of angle resolved photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation, we have measured the valence band and surface sensitive Si 2p core-level spectra for the Si(111)3 × 1Mg surface. The dispersion of the valence band shows the fact that this surface has a semiconducting property and two surface states in the projected bulk band gap at the K̄ point. From the fitting results of the Si 2p core-level spectra, we find that the two surface shifted core-level components, S′1and S′2stem from the Si atom with single dangling bond and the Si atom bonding to the Mg atom, respectively. From experimental observations we suggest that the Si(111)3 × 1Mg structure is formed by ordering of Mg atoms on the ideal Si(111)1 × 1 surface, not by reconstruction of Si atoms of the substrate. © 1995.

  106. Initial stage growth and electronic structure of Al overlayer on a single-domain Si(100)2x1 surface 査読有り

    H. W. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, M. Nakamura, M. Kimura, A. Kakizaki, S. Suzuki, S. Sato, S. Kono

    表面科学 16 (7) 441-447 1995年7月

    出版者・発行元:The Surface Science Society of Japan

    DOI: 10.1380/jsssj.16.441  

    ISSN:0388-5321

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    Initial stage growth and electronic structures of Al overlayer on a wide-terrace single-domain Si(001)2×1 surface has been studied by low-energy-electron-diffraction (LEED) and photoelectron spectroscopy. The sequences of 2D phases found by LEED for Al coverages ≤ 0.5 ML at RT and 300°C are interpreted on the basis of an order-disorder transition of arrays of one-dimensional Al-dimer chains. The detailed electronic structure of 2×2 phase formed at ∼0.5 ML has been studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) using synchrotron radiation. The existence and dispersions of five different surface states are identified for the first time, one at binding energies a little less than 1 eV and the others between 1 and 2 eV. The origin of the surface states can be interpreted in terms of the Al-dimer structures on Si(001).

  107. Angle-scanned photoelectron diffraction 査読有り

    虻川 匡司

    Surface Science 331 1002 1995年4月

  108. Dynamical analysis of X-ray photoelectron diffraction from W(001)c(2x2)-Ag and-Au 査読有り

    虻川 匡司

    Surface Review and Letters 2 795 1995年4月

  109. SURFACE CORE-LEVEL PHOTOELECTRON DIFFRACTION FROM SI DIMERS AT THE SI(001)-(2X1) SURFACE 査読有り

    EL BULLOCK, R GUNNELLA, L PATTHEY, T ABUKAWA, S KONO, CR NATOLI, LSO JOHANSSON

    PHYSICAL REVIEW LETTERS 74 (14) 2756-2759 1995年4月

    出版者・発行元:AMERICAN PHYSICAL SOC

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.74.2756  

    ISSN:0031-9007

  110. アルカリ金属吸着Si(001)2#Sx#SR1表面の電子状態 査読有り

    虻川 匡司

    放射光 8 (1) 80 1995年4月

  111. Initial interface formation study of the Mg/Si(111) system

    K. S. An, R. J. Park, J. S. Kim, C. Y. Park, S. B. Lee, T. Abukawa, S. Kono, T. Kinoshita, A. Kakizaki, T. Ishii

    Journal of Applied Physics 78 (2) 1151-1155 1995年

    DOI: 10.1063/1.360349  

    ISSN:0021-8979

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    The initial interface and silicide formation induced by Mg adsorption on the Si(111)7×7 surface have been studied using low-energy electron diffraction, x-ray photoelectron spectroscopy, and synchrotron radiation photoelectron spectroscopy. At room temperature, it is found that Mg atoms are preferably adsorbed on top sites of Si adatoms and rest atoms on the Si(111)7×7 surface and with increasing of Mg deposition, a Mg 2Si epitaxial layer is formed and the surface structure transforms from the diffuse (1×1) phase into the (2/3√3×2/3√3) R30°. After growing up to a critical thickness, the Mg film grew in a disordered phase on the epitaxial layer. The Fermi level of the Mg2Si film is positioned at 0.51±0.05 eV above the valence band maximum. On the other hand, at 300°C the Mg2Si epitaxial layer was formed in the (1×1) phase on the Si(111)7×7 and grew up to a critical thickness in the initial stage. For the successive evaporation, the Mg film grew in a disordered phase on the Mg2Si(111)1×1 surface. © 1995 American Institute of Physics.

  112. Mixed Ge-Si dimer growth at the Ge/Si(001)- (2×1) surface 査読有り

    L. Patthey, E. L. Bullock, T. Abukawa, S. Kono, L. S.O. Johansson

    Physical Review Letters 75 (13) 2538-2541 1995年

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.75.2538  

    ISSN:0031-9007

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    The submonolayer growth of Ge on single domain Si(001)- (2×1) has been studied using high resolution photoemission by monitoring the Ge 3d and Si 2p core levels as functions of coverage, electron emission angle, and annealing temperature. It is shown that Ge initially grows as asymmetric mixed Ge-Si dimers with Ge occupying the up atom and Si occupying the down atom sites. Although this growth mode is predominant up to 0.8 monolayer coverage, pure Ge-Ge dimers do occur as well as Ge substitution of second and perhaps deeper layer Si. This interdiffusion is enhanced upon annealing to 600°C. © 1995 The American Physical Society.

  113. Structural determination of a W(001)c(2×2)-Ag surface by x-ray photoelectron diffraction with multiple-scattering analysis 査読有り

    X. Chen, T. Abukawa, J. Tani, S. Kono

    Physical Review B 52 (16) 12380-12385 1995年

    DOI: 10.1103/PhysRevB.52.12380  

    ISSN:0163-1829

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    We have studied x-ray photoelectron diffraction (XPD) for Ag 3d emission from the W(001)c(2×2)-Ag surface with both full multiple-scattering cluster (MSC) and single-scattering cluster analyses. Quantitative structural parameters are obtained for the top layer of the Ag-W alloy structure. Systematic reliability factor searches based on MSC have shown that the outermost layer of the W(001)c(2×2)-Ag surface forms a rumpled Ag-W alloy structure, and the plane containing Ag atoms is 0.3±0.1 higher than the tungsten top layer. It has also been found that, in this system, there is a strong multiple-scattering effect in the photoelectron diffraction even for a high kinetic energy of 1115 eV, where single-scattering theory was generally assumed to be valid. This indicates that, for high Z and closely packed systems, the kinematical method is not suitable for the quantitative analysis of XPD experiments. © 1995 The American Physical Society.

  114. Surface electronic structure of single-domain Si( 001) 2 × 2-Al: an angle-resolved photoelectron spectroscopy study using synchrotron radiation 査読有り

    H. W. Yeom, T. Abukawa, Y. Takakuwa, M. Nakamura, M. Kimura, A. Kakizaki, S. Kono

    Surface Science 321 (3) L177-L182 1994年12月20日

    DOI: 10.1016/0039-6028(94)90171-6  

    ISSN:0039-6028

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    The electronic structure of a single-domain Si(001)2 × 2-Al surface has been studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) using synchrotron radiation. Through detailed ARPES measurements along various symmetry axes of the surface Brillouin zone, the existence and dispersions of five surface states are identified, one at binding energies a little less than 1 eV and the others between 1 and 2 eV. The origin of the surface states are discussed in terms of the Al-dimer structures on Si(001). © 1994.

  115. Auger electron diffraction study of the initial stage of Ge heteroepitaxy on Si(001) 査読有り

    M. Sasaki, T. Abukawa, H. W. Yeom, M. Yamada, S. Suzuki, S. Sato, S. Kono

    Applied Surface Science 82-83 (C) 387-393 1994年12月2日

    DOI: 10.1016/0169-4332(94)90246-1  

    ISSN:0169-4332

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    The initial stage of pure and surfactant (Sb)-assisted Ge growth on a Si(001) surface has been studied by Auger electron diffraction (AED) and X-ray photoelectron diffraction (XPD). A single-domain Si(001)2 × 1 substrate was used to avoid the ambiguity arising from the usual double-domain substrate. For the pure Ge growth, 1 monolayer of Ge was deposited onto the room temperature substrate followed by annealing at 350°C-600°C, which appeared to have (1 × 2) periodicity by LEED. Ge LMM AED patterns were measured to find that a substantial amount of Ge atoms diffuse to the bulk Si positions up to the fourth layer at least. For the Sb-assisted Ge growth, a Sb(1 × 2)/Si(001) surface was first prepared and Sb 3d XPD patterns were measured to find that Sb forms dimers on the substrate. 1 ML of Ge was deposited onto the Sb(1 × 2)/Si(001) surface and then the surface was annealed at 600°C. Ge LMM AED and Sb 3d XPD patterns measured for this surface showed that surfactant Sb atoms are indeed present on the first layer forming dimers and that Ge atoms are present mainly on the second layer with a substantial amount of Ge diffused into the third and fourth layers. © 1994.

  116. X-RAY PHOTOELECTRON DIFFRACTION STUDY OF THE STRUCTURES OF W(001)C(2X2)-AU AND W(001)C(2X2)-AG SURFACES 査読有り

    H TAKAHASHI, M SASAKI, S SUZUKI, S SATO, T ABUKAWA, S KONO, J OSTERWALDER

    SURFACE SCIENCE 304 (1-2) 65-73 1994年3月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    ISSN:0039-6028

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    We have applied XPD (X-ray photoelectron diffraction) to the surfaces of W(001)c(2 x 2)-Au and -Ag. Au4f and Ag 3d XPD patterns have been measured for the two c(2 x 2) surfaces at electron take-off angles of 4-degrees-22-degrees. It is found that both Au 4f and Ag 3d XPD patterns are very similar to each other showing that the two surfaces have essentially the same structure. Consideration of the general properties of XPD, coverage and bond-lengths of the constituent atoms led to two plausible models (surface-alloy and overlayer models) for the surfaces. We have tested the two models by kinematical analyses of the XPD patterns for the W(001)c(2 x 2)-Au surface using either an s-symmetry and spherical-wave formula or a formula with spherical and dipole-selected final states. It has turned out that although the surface-alloy model is more plausible. the kinematical calculations for the two models do not reproduce the details of the experiment indicating the importance of multiple scattering of electrons for these surfaces consisting of high-Z atoms.

  117. Angle-resolved photoemission study of a single-domain Si(001)2 × 1-Na surface with synchrotron radiation 査読有り

    T. Abukawa, T. Kashiwakura, T. Okane, H. Takahashi, S. Suzuki, S. Kono, S. Sato, T. Kinoshita, A. Kakizaki, T. Ishii, C. Y. Park, K. A. Kang, K. Sakamoto, T. Sakamoto

    Surface Science 303 (1-2) 146-152 1994年2月10日

    DOI: 10.1016/0039-6028(94)90627-0  

    ISSN:0039-6028

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    The electronic structures of a single-domain Si(001)2 × 1-Na surface at a saturation coverage have been studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) with linearly polarized synchrotron radiation (SR). To determine the dispersion of surface states in detail, the ARPES spectra have been measured along several symmetry axes of the 2 × 1 surface Brillouin zone. The result revealed a new assignment of surface-state dispersions. Symmetry properties of upper surface-state bands are determined using a linearly polarized character of SR. It has been found that the upper two surface states have the same symmetries as the dangling bond of the clean Si(001)2 × 1 dimer surface. The electronic structure of the Si(001)2 × 1-Na surface determined here is very similar to that of the Si(001)2 × 1-K surface [Surf. Sci. 261 (1992) 217] and is consistent with that expected for an alkali double-layer model. © 1994.

  118. Angle-resolved photoemission study of a single-domain Si(001)2#Sx#SR1-K surface with synchrotron radiation : Symmetry and dispersion of surface states 査読有り

    虻川 匡司

    Surface Science 261 1992年4月

  119. Low energy electron diffraction and X-ray photoelectron diffraction study of the Cs/Si(001) surface: dependence on Cs coverage 査読有り

    T. Abukawa, T. Okane, S. Kono

    Surface Science 256 (3) 370-378 1991年10月2日

    DOI: 10.1016/0039-6028(91)90879-W  

    ISSN:0039-6028

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    Cs adsorption on a wide-terrace single-domain Si(001) surface has been studied by low-energy electron diffraction (LEED) and X-ray photoelectron diffraction (XPD) as a function of Cs coverage (θ) and substrate temperature (TS). For TS's of ~ 110 and ~ 320 K, several surface periodicities are found which have not been reported before for this system. Azimuthal Cs3d XPD patterns have been measured for most of the ordered surfaces. An XPD structure analysis is made for a streak × 3 surface at θ = 1 6 ML, in which a dilute arrangement of Cs atoms is deduced. An XPD structure analysis is made for the surfaces at θ = 1 3 ML taking into account a reversible transition between 2 × 6 and 2 × 3 for TS's of ∼ 110 and ∼ 320 K, respectively. A Cs dimer model is deduced in which a modulation of atomic positions into a 2 × 6 surface is averaged in the 2 × 3 surface but is fixed in a regular way in the 2 × 6 surface. © 1991.

  120. VUV and Soft-X-Ray Photoemission Studies of Electronic and Atomic Structures of Metal-Overlayers on Silicon Surfaces 査読有り

    S. Kono, Y. Enta, T. Abukawa, N. Nakamura, K. Anno, S. Suzuki

    Physica Scripta 1990 (31) 96-102 1990年1月1日

    DOI: 10.1088/0031-8949/1990/T31/013  

    ISSN:1402-4896 0031-8949

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    Electronic and atomic structures of ordered metal-overlayers on Si(111) and Si(001) surfaces have been investigated by angle-resolved photoelectron spectroscopy. In the VUV photon energy region, angle-resolved photoemission has given us information about surface-state dispersion, and in the soft x-ray region, angle-resolved photoemission has given us information about surface atomic geometry. Metal overlayers treated are those of elements in the periodic table of Columns Ia, Ib, IIIb, IVb, IVb/Vb and VIb surface orders treated are 3 × 3 on the Si(111) surface and 2 × 1 on the Si(001) surface. © 1990 IOP Publishing Ltd.

  121. VUV AND SOFT-X-RAY PHOTOEMISSION-STUDIES OF ELECTRONIC AND ATOMIC STRUCTURES OF METAL-OVERLAYERS ON SILICON SURFACES 査読有り

    S KONO, Y ENTA, T ABUKAWA, N NAKAMURA, K ANNO, S SUZUKI

    PHYSICA SCRIPTA T31 96-102 1990年

    出版者・発行元:ROYAL SWEDISH ACAD SCIENCES

    ISSN:0281-1847

  122. Photoemission study of the negative electron affinity surfaces of O/Cs/Si(001)2x 1 and O/K/Si(001)2x 1 査読有り

    T. Abukawa, Y. Enta, T. Kashiwakura, S. Suzuki, S. Kono

    Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films 8 (4) 3205-3209 1990年

    DOI: 10.1116/1.576564  

    ISSN:1520-8559 0734-2101

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    We have found that a negative electron affinity (NEA) surface can be formed by exposing a K saturated Si(001)2Xl surface to oxygen gas just as in the formation of a NEA surface of O/Cs/Si (001) 2 × 1. By x-ray photoelectron diffraction we have found that the arrangement of O and K atoms in the NEA O/K/Si(001)2 × 1 surface is essentially the same as that in the NEA O/Cs/Si (001)2X 1 surface in which a double layer of alkali metal is preserved. Angle resolved ultraviolet photoelectron spectroscopy (ARUPS) has been applied to the two NEA surfaces. The resulting ARUPS spectra can give useful information on bonding at the NEA surfaces if they are combined with theoretical calculations. © 1990, American Vacuum Society. All rights reserved.

  123. Photoelectron spectroscopy and photoelectron diffraction studies of Si(001)2×1-K and -Cs surfaces

    S. Kono, Y. Enta, T. Abukawa, T. Kinoshita, T. Sakamoto

    Applied Surface Science 41-2 75-81 1989年11月

    出版者・発行元:None

    DOI: 10.1016/0169-4332(89)90036-6  

    ISSN:0169-4332

    詳細を見る 詳細を閉じる

    Single-domain Si(001)2×1-K and -Cs surfaces have been studied by angle-resolved ultraviolet photoelectron spectroscopy and X-ray photoelectron diffraction. Dispersions of two surface-state bands that would be occupied with electrons from K4s states and Si-dimer dangling bonds are identified by ARUPS. An XPD study for the SD Si(001)2×1-Cs surface has further reinforced the reliability of an alkali-double-layer model. A negative-electron-affinity surface has been made by exposing the SD Si(001)2×1-Cs surface to oxygen. It is found from XPD that the framework of the Cs-double-layer is not affected by O2-exposure and that oxygen adsorption takes place at a level which is coplanar with the lower Cs-layers. © 1989.

  124. REINVESTIGATION OF THE STRUCTURE OF SI(111) SQUARE-ROOT-3 X SQUARE-ROOT-3-AG SURFACE 査読有り

    S KONO, T ABUKAWA, N NAKAMURA, K ANNO

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 28 (7) L1278-L1281 1989年7月

    出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS

    ISSN:0021-4922

  125. PHOTOELECTRON DIFFRACTION AND LOW-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION STUDIES OF CS, K/SI(001) SURFACES 査読有り

    T ABUKAWA, S KONO

    SURFACE SCIENCE 214 (1-2) 141-148 1989年4月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    ISSN:0039-6028

  126. Structural model for the negative electron affinity surface of O/Cs/Si(001)2×1 査読有り

    Tadashi Abukawa, Shozo Kono, Tsunenori Sakamoto

    Japanese Journal of Applied Physics 28 (2 A) L303-L305 1989年

    DOI: 10.1143/JJAP.28.L303  

    ISSN:1347-4065 0021-4922

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    A wide-terrace single-domain Si(001)2×1 surface has been used to prepare a single-domain Si(001)2×1-Cs surface and a negative electron affinity (NEA) surface of single-domain O/Cs/Si(001)2×1. An X-ray photoelectron diffraction study has reinforced the reliability of a Cs double-layer model for the Si(001)2×1-Cs surface. X-ray photoelectron diffraction for the NEA surface has revealed that the Cs double-layer is preserved and adsorption of oxygen takes place in a hollow site on a level that is coplanar with the lower Cs layer. © 1989 The Japan Society of Applied Physics.

  127. LOW-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION AND X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY STUDIES OF THE FORMATION OF SUBMONOLAYER INTERFACES OF SB/SI(111)

    CY PARK, T ABUKAWA, T KINOSHITA, Y ENTA, S KONO

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 27 (1) 147-148 1988年1月

    出版者・発行元:JAPAN J APPLIED PHYSICS

    DOI: 10.1143/JJAP.27.147  

    ISSN:0021-4922

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    Surface reconstructions of a submonolayer Sb/Si(111) system were investigated by low-energy electron diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy. It has been found that the surface superstructures of diffuse 2Ö2 (or three-domain 2Ö1), √3Ö√3, 5√3Ö5√3 and 7√3Ö7√3 are formed for the Sb coverages around one monolayer. © 1988 The Japan Society of Applied Physics.

  128. ANALYSIS OF THE ATOMIC-STRUCTURE OF THE SI(111) SQUARE-ROOT-3 X SQUARE-ROOT-3-BI - SURFACE BY X-RAY PHOTOELECTRON DIFFRACTION 査読有り

    CY PARK, T ABUKAWA, K HIGASHIYAMA, S KONO

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 26 (8) L1335-L1337 1987年8月

    出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS

    ISSN:0021-4922

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MISC 101

  1. 反射高速電子回折法で複雑な表面構造をモデルフリーに決定 招待有り 査読有り

    青山大晃, 虻川匡司

    日本物理学会誌 78 (9) 536-541 2023年9月

  2. 放射光によるミリ秒オーダーX線トモグラフィ 招待有り 査読有り

    矢代 航, 梁 暁宇, 虻川匡司, Wolfgang Voegeli, 荒川悦雄, 白澤徹郎, 間下 亮, 尾藤容正, 岸本浩通, 小川紘樹, 梶原堅太郎, 藤井克哉, 上田亮介, 橋本 康, 工藤博幸

    日本放射光学会誌 放射光 36 (4) 167-175 2023年7月

  3. ガスバリア特性評価のためのグラフェン用触媒金属膜の検討

    小川修一, 山田貴壽, 津田泰孝, 吉越章隆, 虻川匡司

    日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集 2020 (CD-ROM) 2021年

  4. 動的Shirley法を用いた二層グラフェン中微量ドーパントのXPS測定

    小川修一, 山田貴壽, 沖川侑揮, 増澤智昭, 津田泰孝, 吉越章隆, 虻川匡司

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年

  5. Si(551)および(15 17 3)表面の構造解析

    青山大晃, 内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集 2020 (CD-ROM) 2021年

  6. Si(551)表面の表面構造解析 I

    内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM) 75 (2) 2020年

    ISSN:2189-079X

  7. Si(551)表面のW-RHEEDとSTMによる構造解析

    内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web) 2020 2020年

    ISSN:2434-8589

  8. 水素・燃料電池戦略における研究支援基盤としての東北放射光計画

    渡邉 真史, 虻川 匡司, 矢代 航, 江島 丈雄, 小田島 肇, 高田 昌樹

    燃料電池 17 (3) 56-63 2018年

    出版者・発行元:燃料電池開発情報センター

    ISSN:1346-6623

  9. Material deformation by using new 3GeV synchrotron light source

    Tadashi Abukawa, Wataru Yashiro, Takeo Ejima, Masashi Watanabe, Nobuyuki Nishimori, Sadao Miura, Hiroyuki Hama, Masaki Takata

    Proceedings of the International Display Workshops 1 584-586 2017年1月1日

    ISSN:1883-2490

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    © 2017 Proceedings of the International Display Workshops. All rights reserved. Synchrotron Radiation (SR) facilities around the world have been recognized as premier research tool for Nano Technology as well as industrial application including display device technology. A SR facility, Synchrotron Light in Tohoku, Japan (SLiT-J), has been projected since 2011. Current status and perspectives are being presented.

  10. 日本における超高速電子顕微鏡開発の現状 ストリーク法を利用した時間分解反射高速電子回折法

    虻川匡司

    顕微鏡 50 (3) 170‐172-163 2015年12月30日

    出版者・発行元:日本顕微鏡学会

    ISSN:1349-0958

  11. 10aAS-9 ストリークカメラ反射高速電子回折法によるSi表面相転移の観測(10aAS 表面界面ダイナミクス/水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    向島 健太, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 69 (2) 676-676 2014年8月22日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  12. 9aAS-6 金属吸着半導体表面の構造解析(9aAS 領域9シンポジウム:金属吸着半導体表面の物理-この30年を振り返り、次の10年を展望する-,領域9(表面・界面,結晶成長))

    虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 69 (2) 654-654 2014年8月22日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  13. 27aJB-2 ストリークカメラ反射高速電子回折による2次元回折パターンの時間変化(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    向島 健太, 神崎 慎二, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 68 (2) 805-805 2013年8月26日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  14. 27aJB-4 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-√7×√3表面の構造解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    神崎 慎二, 向島 健太, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 68 (2) 805-805 2013年8月26日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  15. 26aXZA-3 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-5x2-Au表面の構造解析(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    虻川 匡司, 西ケ谷 好輝

    日本物理学会講演概要集 68 (1) 967-967 2013年3月26日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  16. 18pFN-7 ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクスII(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    川西 浩太, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 67 (2) 819-819 2012年8月24日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  17. 25pCK-8 ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクス(25pCK 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    川西 浩太, 西ケ谷 好輝, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 67 (1) 950-950 2012年3月5日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  18. Secondary Electrons Still Hold Crystal Information in the Form of a Negative Replica of Photoelectron Diffraction

    T. Abukawa

    JPSJ Online―News and Comments [January 6, 2012] 2012年1月

  19. 22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    佐藤 和義, 川西 浩太, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 66 (2) 923-923 2011年8月24日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  20. 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開

    高桑雄二, 虻川匡司, 小川修一

    Mater Integr 24 (4/5) 147-154 2011年6月1日

    ISSN:1344-7858

  21. 25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    佐藤 和義, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 66 (1) 903-903 2011年3月3日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  22. 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 65 (1) 991-991 2010年3月1日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  23. 25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)

    佐藤 俊介, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 63 (1) 897-897 2008年2月29日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  24. 21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)

    佐藤 俊介, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 62 (2) 909-909 2007年8月21日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  25. 電子回折による波数空間測定

    虻川匡司

    表面科学 28 (6) 333-336 2007年6月10日

    出版者・発行元:The Surface Science Society of Japan

    DOI: 10.1380/jsssj.28.333  

    ISSN:0388-5321

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    New approaches in the measurements and analyses with LEED and RHEED lead us to another view of these techniques as a scan method for a wide-range of crystal reciprocal space. Recent progress of the constant momentum-transfer averaging (CMTA) method for LEED structure analysis and development of Weissenberg RHEED method, in which a principle of a Weissenberg Camera for X-ray crystallography was imported to RHEED measurements, are briefly introduced in this review. Both methods capture a huge number of diffraction patterns, and can survey a crystal reciprocal space in three dimension. It is possible to determine the surface structure directly from a simple analysis based on a Fourier transformation of the obtained reciprocal data.

  26. 22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    藤崎 大, 高橋 伸彰, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 60 (2) 786-786 2005年8月19日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  27. 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))

    下村 勝, 虻川 匡司, 河野 省三, 福田 安生

    日本物理学会講演概要集 60 (1) 870-870 2005年3月4日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  28. 24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))

    藤崎 大, 高橋 伸彰, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 60 (1) 838-838 2005年3月4日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  29. CVDダイヤモンド表面伝導の起源について

    河野省三, 白石基哉, 後藤忠彦, 虻川匡司, 立木実, 川原田洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 18th 180-181 2004年11月29日

  30. UHV中におけるCVDダイヤモンド表面シート抵抗とフェルミ準位

    河野省三, 後藤忠彦, 白石基哉, 虻川匡司, 立木実, 川原田洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 65th (2) 511 2004年9月1日

  31. 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)

    鈴木 俊宏, 坂本 一之, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 59 (0) 894-894 2004年

    出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  32. 2端子プローブによる真空中ダイヤモンド表面電気伝導度測定

    後藤忠彦, 河野省三, 二瓶雄次, 虻川匡司, 山田貴寿, 立木実, 川原田洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 17th 142-143 2003年11月26日

  33. 23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析

    虻川 匡司, 矢島 健太郎, 山崎 智之

    日本物理学会講演概要集 58 (2) 832-832 2003年8月15日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  34. 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface

    Gunnella R., 池嶋 祐介, 高野 享, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 58 (1) 851-851 2003年3月6日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  35. 29aZF-7 RHEED による Si(111)√<3>x√<3>-Ag 表面構造相転移の研究

    虻川 匡司, 山崎 智之, 矢島 健太郎, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 58 (1) 870-870 2003年3月6日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  36. 27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

    虻川 匡司, 山崎 智之, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 57 (1) 874-874 2002年3月1日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  37. 24pYF-5 熱散漫散乱、低速電子回折:フーリエ変換による準直接的構造解析(24pYF 領域9,領域10合同シンポジウム 主題:電子回折の新展開,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

    虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 57 (1) 824-824 2002年3月1日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  38. 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析

    虻川 匡司, 河野 省三

    表面科学 22 (12) 781-788 2001年12月10日

    出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会

    DOI: 10.1380/jsssj.22.781  

    ISSN:0388-5321

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    A new tool for surface structure analysis, thermal diffuse scattering (CTDS), is reviewed. The principle of CTDS is based on a very simple diffraction phenomenon, which is induced by a strong vibrational correlation between neighbor atoms, and could be considered as a diffraction of nearest neighbor atoms. Simple intensity oscillations are experimentally corrected by the medium energy electron diffraction with a very-grazing-incidence condition. Accurate bond lengths and bond orientations are obtained from a three-dimensional Patterson function, which is a Fourier transform of the CTDS pattern, i.e. the simple intensity oscillation of thermal diffuse scattering. The potentia of CTDS as a direct surface structural tool has been reviewed with an application to a Si(111)&amp;radic;3&amp;times;&amp;radic;3-In surface.

  39. 熱散漫散乱を用いた表面構造解析

    虻川 匡司

    固体物理 36 (9) 571-578 2001年9月15日

    出版者・発行元:アグネ技術センタ-

    ISSN:0454-4544

  40. 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村 勝, 宗像 学, 虻川 匡司, 佐藤 圭, 川和 拓夫, Widstrand S. M., 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 56 (2) 728-728 2001年9月3日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  41. 熱散漫散乱を用いた表面構造解析

    虻川匡司

    固体物理 36 571-578 2001年4月

  42. CVD成長ダイヤモンド(001)表面のAFM陽極化成領域の局所電子分光・回折

    河野省三, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司, 福田徹, 立木実, 川原田洋

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 48th (2) 588 2001年3月28日

  43. 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定

    下村 勝, 虻川 匡司, 吉村 浩司, Oh J F., Yeom H W., 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 55 (2) 796-796 2000年9月10日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  44. 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析

    虻川 匡司, 吉村 浩司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 55 (1) 752-752 2000年3月10日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  45. Structures of the `nanowire' and 2×n of Bi/Si(001)

    M. Shimomura, K. Miki, T. Abukawa, S. Kono

    Surface Science 447 (1) L169-L174 2000年2月20日

    出版者・発行元:Elsevier Science B.V.

    DOI: 10.1016/S0039-6028(99)01206-6  

    ISSN:0039-6028

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    Structures of the `nanowire' and 2×n phase of the submonolayer system of Bi/Si(001) have been studied by X-ray photoelectron diffraction (XPD). The general features of Bi 4d XPD patterns show that Bi atoms exist only at the topmost layer for the two phases. Single-scattering cluster simulations were performed for several structural models, including those for the `nanowire' and for the 2×n phase, to find they are very feasible.

  46. Structure of an InAs(111)A-(2x2)S surface studied by scanning tunneling microscopy, photoelectron spectroscopy, and x-ray photoelectron diffraction

    ICHIKAWA S, SANADA N, MOCHIZUKI S, ESAKI Y, FUKUDA Y, SHIMOMURA M, ABUKAWA T, KONO S

    Physical Review B 61 (19) 12982-12987 2000年

    DOI: 10.1103/PhysRevB.61.12982  

    ISSN:0163-1829

  47. スェーデンMAX放射光施設を使用して

    虻川匡司

    放射光 12 (5) 411-412 1999年11月30日

    ISSN:0914-9287

  48. 27pY-1 熱散漫錯乱パターソン解析による表面構造解析

    虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 54 (2) 844-844 1999年9月3日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  49. 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析

    下村 勝, 三木 一司, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 54 (2) 802-802 1999年9月3日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  50. 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究

    虻川 匡司, Wei Ching-Ming, 花野 太一, 河野 省三

    表面科学 20 (8) 535-542 1999年8月10日

    出版者・発行元:日本表面科学会

    DOI: 10.1380/jsssj.20.535  

    ISSN:0388-5321

  51. 28a-YM-9 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法

    虻川 匡司, WEI C.M, 花野 太一, 高桑 雄二

    日本物理学会講演概要集 53 (2) 402-402 1998年9月5日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  52. 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析

    下村 勝, 虻川 匡司, 比嘉 昌, 中村 真之, SHIVAPRASAD S.M, YEOM H.W, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 谷 順二, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 53 (2) 372-372 1998年9月5日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  53. 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察

    小杉 亮治, 高桑 雄二, 金 起先, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 53 (1) 317-317 1998年3月10日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  54. 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析

    隅谷 宗太, 虻川 匡司, 小杉 亮治, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 53 (1) 318-318 1998年3月10日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  55. (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析

    市川 祐永, 眞田 則明, 下村 勝, 虻川 匡司, 河野 省三, 福田 安生

    静岡大学電子工学研究所研究報告 33 55-60 1998年

    出版者・発行元:静岡大学

    ISSN:0286-3383

  56. 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング

    虻川 匡司, L.S.O Johansson, E.L Bullok, L Patthey, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 52 (2) 378-378 1997年9月16日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  57. 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成

    河野 省三, 後藤 忠彦, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 52 (2) 378-378 1997年9月16日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  58. 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程

    小杉 亮治, 隅谷 宗太, 高桑 雄二, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 52 (2) 337-337 1997年9月16日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  59. Existence of a stable intermixing phase for monolayer Ge on Si(001)

    HW Yeom, M Sasaki, S Suzuki, S Sato, S Hosoi, M Iwabuchi, K Higashiyama, H Fukutani, M Nakamura, T Abukawa, S Kono

    SURFACE SCIENCE 381 (1) L533-L539 1997年6月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    ISSN:0039-6028

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    A monolayer adsorption of Ge on a single-domain Si(001)2x1 surface has been investigated by X-ray excited Auger electron diffraction (AED) and scanning tunneling microscopy. Contrary to the common belief, a significant intermixing of Ge down to at least the fourth layer is identified. This intermixing is found to progress to a stable interface alloy phase that develops fully for annealing at 500-600 degrees C. A possible reason for the alloy phase is discussed to be an elastic interaction from the Si(001) surface. (C) 1997 Elsevier Science B.V.

  60. 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II

    虻川 匡司, 島谷 高志, 木村 慎之, 高桑 雄二, 村松 夏弘, 花野 太一, 後藤 忠彦, Huff W.R.A, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 52 (1) 363-363 1997年3月17日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  61. 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析

    小杉 亮治, 隅谷 宗太, 虻川 匡司, 高桑 雄二, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 52 (1) 364-364 1997年3月17日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  62. 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察

    小倉 康資, 後藤 忠彦, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 52 (1) 348-348 1997年3月17日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  63. 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察

    金 起先, 高桑 雄二, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 52 (1) 324-324 1997年3月17日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    ISSN:1342-8349

  64. Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1

    Chen X., Saldin D.K., Bullock E.L., Patthey L., Johansson L.S.O., 谷 順次, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1996 (2) 639-639 1996年9月13日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  65. Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface

    Yeom H.-W., 虻川 匡司, 高桑 雄二, 島谷 高志, 森 優治, 柿崎 明人, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1996 (2) 536-536 1996年9月13日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  66. 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察

    虻川 匡司, 島谷 高志, 木村 慎之, 高桑 雄二, 村松 夏弘, 花野 太一, 後藤 忠彦, Huff W.R.A., 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1996 (2) 532-532 1996年9月13日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  67. Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction

    Yeom H.-W., 虻川 匡司, Chen X., 高桑 雄二, 藤森 伸一, 岡根 哲夫, 三浦 達志, 小倉 康資, 島谷 高志, 森 優治, 佐藤 繁, 柿崎 明人, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1996 (2) 537-537 1996年9月13日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  68. 光電子分光 固体表面の電子状態を探る

    虻川匡司

    光アライアンス 7 (6) 39-42 1996年6月

    ISSN:0917-026X

  69. 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散

    中村 真之, 廉 罕雄, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会 51 (2) 492-492 1996年3月15日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  70. 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface

    Yeom H.-W., 虻川 匡司, 高桑 雄二, 中村 真之, 島谷 高志, 森 優治, 木村 慎之, 柿崎 明人, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会 51 (2) 500-500 1996年3月15日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  71. 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着

    細井 真也, 岩渕 美保, 東山 和幸, 福谷 博仁, 虻川 匡司, 河野 省三, Yeom H.W., 坂本 邦博, 坂本 統徳

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1995 (2) 515-515 1995年9月12日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  72. 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)

    細井 真也, 岩渕 美保, 東山 和幸, 福谷 博仁, 虻川 匡司, 河野 省三, Yeom H.W., 坂本 邦博, 坂本 統徳

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1995 (2) 516-516 1995年9月12日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  73. 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces

    陳 翔, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会 50 (2) 521-521 1995年3月16日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  74. 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction

    Yeom H.W, 虻川 匡司, 中村 真之, Shivaprasad S.M, Chen X, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会 50 (2) 519-519 1995年3月16日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  75. 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態

    虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会 50 (2) 283-283 1995年3月16日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  76. アルカリ金属吸着Si(001)2×1表面の電子状態

    虻川 匡司, 河野 省三

    放射光 8 (1) 80-97 1995年2月20日

    ISSN:0914-9287

  77. 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study

    Yeom H.W, 中村 真之, 虻川 匡司, 河野 省三, 鈴木 章二, 佐藤 繁

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1994 (2) 425-425 1994年8月16日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  78. 31a-WC-11 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4x1-In表面の研究

    虻川 匡司, 中村 真之, 久松 史明, 後籐 忠彦, 河野 省三, 佐々木 雅夫, 木下 豊彦, 柿崎 明人

    日本物理学会講演概要集. 年会 49 (2) 493-493 1994年3月16日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  79. 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)

    佐々木 雅夫, Yeom Woong Han, 虻川 匡司, 河野 省三, 木村 慎之, 鈴木 章二, 佐藤 繁

    日本物理学会講演概要集. 年会 49 (2) 498-498 1994年3月16日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  80. 改良型一次元表示電子分光器の制作と性能評価

    河野 省三, 久松 史明, 後藤 忠彦, 虻川 匡司, 岩淵 健二, 相沢 勝雄, 柳田 里見, 高東 修二, 林 俊典, 塚島 順一

    東北大学科学計測研究所報告 43 (1) 39-53 1994年

    出版者・発行元:東北大学

    ISSN:0040-8689

  81. 15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√<3>×√<3>, Ag / Ge / Si(111)√<3>×√<3>表面構造解析

    虻川 匡司, 後藤 忠彦, 中村 夏雄, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1993 (2) 557-557 1993年9月20日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  82. 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析

    佐々木 雅夫, 虻川 匡司, 河野 省三, 山田 みつき, 鈴木 章二, 佐藤 繁

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1993 (2) 499-499 1993年9月20日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  83. 12p-DJ-9 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4x1-In表面の電子状態

    虻川 匡司, 久松 史明, 後藤 忠彦, 河野 省三, 佐々木 雅夫, 木下 豊彦, 柿崎 明人

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1993 (2) 489-489 1993年9月20日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  84. 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD

    高橋 秀行, 佐々木 雅夫, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 虻川 匡司, 河野 省三

    秋の分科会講演予稿集 1992 (2) 452-452 1992年9月14日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  85. 25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III

    中村 夏雄, 虻川 匡司, 後藤 忠雄, 河野 省三

    秋の分科会講演予稿集 1992 (2) 440-440 1992年9月14日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  86. 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究

    虻川 匡司, 木下 豊彦, Park Chon-Yun, 柏倉 隆之, 岡根 哲夫, 佐々木 泰孝, 高橋 秀行, Yu Sueng-Woo, Kang Kum-A, 遠田 義晴, 鈴木 章二, 河野 省三, 佐藤 繁, 柿崎 明人, 石井 武比古, 坂本 邦博, 坂本 統徳

    年会講演予稿集 47 (2) 437-437 1992年3月12日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  87. 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究

    虻川 匡司, 高橋 秀行, 河野 省三

    年会講演予稿集 46 (2) 460-460 1991年9月12日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  88. 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性

    佐々木 泰孝, 遠田 義晴, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 河野 省三

    春の分科会講演予稿集 1991 (2) 471-471 1991年3月11日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  89. 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究

    虻川 匡司, 木下 豊彦, 柏倉 隆之, 岡根 哲夫, 遠田 義晴, 河野 省三, 鈴木 章二, 柿崎 明人, 佐藤 繁, 石井 武比古

    春の分科会講演予稿集 1991 (2) 482-482 1991年3月11日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  90. 3a-TA-2 GaAsスピン偏極電子源の性能

    藤井 純, 木下 豊彦, 柿崎 明人, 曽田 一雄, 菅原 英直, 河野 省三, 虻川 匡司, 福谷 博仁, 石井 武比古

    秋の分科会講演予稿集 1990 (2) 503-503 1990年9月12日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  91. 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD

    虻川 匡司, 岡根 哲夫, 河野 省三

    秋の分科会講演予稿集 1990 (2) 448-448 1990年9月12日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  92. 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光

    鈴木 章二, 柏倉 隆之, 木下 豊彦, 柿崎 明人, 村田 好正, 窪田 政一, 藤沢 正美, 菅 滋正, 加藤 博雄, 虻川 匡司, 岡根 哲夫, 河野 省三, 佐藤 繁, 石井 武比古

    秋の分科会講演予稿集 1990 (2) 245-245 1990年9月12日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  93. 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性

    虻川 匡司, 河野 省三

    年会講演予稿集 45 (2) 444-444 1990年3月16日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  94. 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD

    遠田 義晴, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 河野 省三, 坂本 統徳

    秋の分科会講演予稿集 1989 (2) 381-381 1989年9月12日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  95. 29a-TJ-3 Si(111)√3x√3-Ag表面のXPDの再解析(表面・界面)

    河野 省三, 虻川 匡司, 中村 夏雄, 阿武 恒一

    年会講演予稿集 44 (2) 382-382 1989年3月28日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  96. 29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(表面・界面)

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 柏倉 隆之, 河野 省三, 坂本 統徳

    年会講演予稿集 44 (2) 385-385 1989年3月28日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

    DOI: 10.11316/jpsgaiyod.44.2.0_385_2  

  97. PHOTOELECTRON DIFFRACTION STUDY OF THE ATOMIC GEOMETRY OF THE SI(111)SQUARE-ROOT-3 X SQUARE-ROOT-3-SB SURFACE

    T ABUKAWA, CY PARK, S KONO

    SURFACE SCIENCE 201 (3) L513-L518 1988年7月

    出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV

    ISSN:0039-6028

  98. 31a-M2-2 Si(001)_2X1-K表面のX線光電子回折(表面・界面)

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 中村 夏雄, 河野 省三

    年会講演予稿集 43 (0) 326-326 1988年

    出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会

    DOI: 10.11316/jpsgaiyod.43.2.0_326_2  

  99. 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 中村 夏雄, 河野 省三

    秋の分科会予稿集 1988 (0) 353-353 1988年

    出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会

    DOI: 10.11316/jpsgaiyok.1988.2.0_353_2  

  100. 26a-P-12 Si(111)√<3>×√<3>,Sb表面のXPD

    朴 鍾允, 虻川 匡司, 中村 夏雄, 東山 和幸, 河野 省三

    秋の分科会講演予稿集 1987 (2) 343-343 1987年9月16日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

  101. 30p-H-13 Bi,Sn/Si(111)表面のXPD(表面・界面)

    朴 鍾允, 東山 和幸, 虻川 匡司, 河野 省三, 中村 夏雄, 八重樫 裕幸

    年会講演予稿集 42 (2) 418-418 1987年3月27日

    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会

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書籍等出版物 2

  1. 現代表面科学シリーズ第2巻「表面科学の基礎」

    虻川匡司

    共立出版 2013年6月

  2. 表面物性工学ハンドブック第2版

    虻川匡司他

    丸善株式会社 2007年1月

講演・口頭発表等 255

  1. RHEEDによるSi(110)16x2高精度パターソン関数の作成

    リハクガン, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司

    第23回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2023年12月7日

  2. RHEEDによる3次元立体構造Si表面の空間分析マッピング 招待有り

    虻川匡司

    2023年日本表面真空学会学術講演会 2023年10月31日

  3. RHEEDによるシリコン(110)16x2構造解析 Ⅰ

    李博譞, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司

    日本物理学会第78回年次大会 2023年9月16日

  4. 東北(秋田)からナノを照らす-光電子分光による表面分析- 招待有り

    虻川匡司

    令和5年度 日本素材物性学会年会 2023年6月13日

  5. パターソンマップ手法による Si(110)3x2-Sb 表面構造の決定

    リハクガン, 青山大晃, 虻川匡司

    令和4年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会 2023年3月7日

  6. ダイヤモンド横型PINダイオードのNEA表面からの電子放出

    山川翔也, 加藤宙光, 小倉政彦, 加藤有香子, 牧野俊晴, 塚本涼太, 竹内大輔, 虻川匡司, 庄司一郎

    第22回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2022年12月8日

  7. シータ管マイクロピペットを用いた周波数変調原子間力顕微鏡の開発

    米田里緒, 阿久津祐介, 金子直暉, 山崎詩郎(2), 小澤眞美子, 真柄英之, 小川修一, 虻川匡司, 高見知秀

    第22回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2022年12月8日

  8. ナノテラスの概況説明 招待有り

    虻川匡司

    日本表面真空学会 産学連携・会員増強委員会 第311回例会 2022年12月1日

  9. 光電子顕微鏡と電子回折による表面研究と ナノテラスの展望 招待有り

    虻川匡司

    佐賀大学 シンクロトロン光応用研究センター講演会 2022年11月18日

  10. Ni箔上に背面から拡散成長させたh-BNのPEEM観察

    遊佐 龍之介, 青山 大晃, Li Boxua, 小川 修一, 虻川 匡司

    第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月22日

  11. Structures of the group 15 metal adsorbed Si(110)3×2 surfaces determined by W-RHEED

    Hiroaki Aoyama, Tadashi Abukawa

    The 22nd International Vacuum Congress 2022年9月14日

  12. In-situ PEEM study of h-BN growth on Ni foil using backside to surface diffusion

    Ryunosuke Yusa, Hiroaki Aoyama, Tetsuya Shimizu, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa

    The 22nd International Vacuum Congress 2022年9月13日

  13. W-RHEED法によるSi(111)7x7表面構造の再検討

    青山大晃, 虻川匡司

    日本物理学会第77回年次大会 2022年3月16日

  14. 放射光光電子分光と光電子顕微鏡による表面分析 招待有り

    虻川匡司

    令和3年度 日本素材物性学会 第1回研究会 2022年3月2日

  15. W-RHEEDによるSi(110)3x2-Bi表面の構造解析

    青山大晃, 虻川匡司

    第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2021年12月9日

  16. 塩水への金の交流電気分解法による溶解

    森 唯華, 上田大貴, 大家 渓, 高見知秀, 上石正樹, 真柄英之, 高桑雄二, 小川修一, 虻川匡司

    第21回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2021年12月9日

  17. Changes of rate-limiting reactions with progress of the reduction process on oxidized Ni(111)

    Shuichi Ogawa, Ryo Tag, Ryunosuke Yusa, Yasutaka Tsuda, Tetsuya Sakamoto, Akitaka Yoshigoe, Yuji Takakuwa, Tadashi Abukawa

    The 9th International Symposium on Surface Science 2021年12月1日

  18. PEEM study of the growth process of h-BN and graphene on Ni foil for fabrication of graphene/h-BN heterostructures

    Ryunosuke Yusa, Tetsuya Shimizu, Shuichi Ogawa, Tadashi Abukawa

    The 9th International Symposium on Surface Science 2021年11月30日

  19. Revealing complete three-dimensional structure of Si(110)3×2-Bi surface

    Hiroaki Aoyama, Tadashi Abukawa

    The 9th International Symposium on Surface Science 2021年11月29日

  20. Si(111)7×7のW-RHEEDによる3Dパターソンマップ解析

    青山大晃, 虻川匡司

    日本物理学会2021年秋季大会 2021年9月21日

  21. Ni箔上へのグラフェン/h-BNヘテロ成長のPEEMによるその場観察

    遊佐龍之介, 志水哲也, 虻川匡司, 小川修一

    日本物理学会2021年秋季大会 2021年9月21日

  22. W-RHEEDによるSi(110)3×2-Bi表面構造の決定

    青山大晃, 虻川匡司

    日本物理学会2021年秋季大会 2021年9月22日

  23. 動的 Shirley 法を用いた二層グラフェン中微量ドーパントのXPS測定

    小川 修一, 山田 貴壽, 沖川 侑揮, 増澤 智昭, 津田 泰孝, 吉越 章隆, 虻川 匡司

    第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日

  24. Si(551)基板上に形成されたSi(15 17 3)3x1ファセット表面の表面構造解析

    青山大晃, 内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本物理学会第76回年次大会(2021年) 2021年3月14日

  25. Ni箔上に成長するグラフェンおよびh-BNの光電子顕微鏡その場観察

    遊佐龍之介, 志水哲也, 虻川匡司, 小川修一

    日本物理学会第76回年次大会(2021年) 2021年3月13日

  26. Si(551)および(15 17 3)表面の構造解析

    青山大晃, 内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本表面科学会東北北海道支部 2020年度講演会 2021年3月4日

  27. ナノビームRHEEDを用いたマイクロ3D-Si表面の構造変化の観察

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中秀和, 服部賢

    日本表面科学会東北北海道支部 2020年度講演会 2021年3月4日

  28. Ni箔上におけるグラフェンおよびh-BNの光電子顕微鏡による成長観察

    遊佐龍之介, 志水哲也, 小川修一, 虻川匡司

    日本表面科学会東北北海道支部 2020年度講演会 2021年3月4日

  29. ガスバリア特性評価のためのグラフェン用触媒金属膜の検討

    小川修一, 山田貴壽, 津田泰孝, 吉越章隆, 虻川匡司

    日本表面科学会東北北海道支部 2020年度講演会 2021年3月4日

  30. 光電子顕微鏡観察下でのNi箔上へのグラフェンおよびh-BNの成長

    遊佐龍之介, 志水哲也, 小川修一, 虻川匡司

    第20回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2020年12月3日

  31. Si(551)表面のW-RHEEDとSTMによる構造解析

    内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    2020年日本表面真空学会学術講演会 2020年11月19日

  32. フラッシング加熱によるSi3Dマイクロ構造と表面の構造変化

    中塚聡平, 藤, 今泉太, 虻川匡司, 江口豊明, 服部梓, 田中秀和, 服部賢

    2020年日本表面真空学会学術講演会 2020年11月21日

  33. Graphene growth on carbon-doped Ni substrate by surface segregation 招待有り

    Tadashi Abukawa

    INTERNATIONAL JOINT SYMPOSIUM ON-LINE: Cutting edge of surface science for atomic scale approach to catalysts 2020年11月5日

  34. Si(551)表面の表面構造解析I

    内藤完, 中塚聡平, 小川修一, 虻川匡司, 江口豊明, 服部賢, 服部梓, 黒田理人

    日本物理学会2020年秋季大会 2020年9月11日

  35. ナノビームRHEEDによるSi基板上マイクロ構造の局所表面構造解析

    中塚 聡平, 内藤 完, 今泉 太志, 虻川 匡司, 江口 豊明, 服部 梓, 田中 秀和, 服部 賢

    第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月9日

  36. ナノビームRHEEDによるマイクロパターニングSi結晶の局所表面構造解析

    中塚 聡平, 今泉 太志, 虻川 匡司, 服部 梓, 田中 秀和, Irmikimov Ayda, 服部 賢

    第67回応用物理学会春期学術講演会 2020年3月14日

  37. 光電子顕微鏡によるNi箔上の2次元原子層物質成長の研究

    志水哲也, 虻川匡司

    令和元年度日本表面真空学会 東北・北海道支部学術講演会 2020年3月4日

  38. Ni 基板上の2 次元原子層物質の成長と構造解析 招待有り

    虻川匡司

    第19回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2019年12月12日

  39. 光電子顕微鏡を用いた ダイヤモンド PIN ダイオード形電子源の電子放出機構の解析

    松本翼, 竹内大輔, 虻川匡司

    第19回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2019年12月12日

  40. ナノビームW-RHEED装置の改良とマイクロ構造の解析

    今泉太志, 中塚聡平, 佐野巨樹, 虻川匡司, 服部梓, 田中秀和

    第19回東北大学多元物質科学研究所研究発表会 2019年12月12日

  41. ナノビームW-RHEEDによるマイクロパターンを施したSi(110)基板の表面構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中正和

    2019年日本表面真空学会学術講演会 2019年10月28日

  42. ナノ/マイクロ表面構造解析のためのナノビームW-RHEED装置開発

    今泉太志, 中塚聡平, 佐野巨樹, 虻川匡司

    2019年日本表面真空学会学術講演会 2019年10月28日

  43. ナノビームW-RHEEDによるマイクロパターンを施したSi(110)基板の表面構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中正和, Aydar Irmikimov, 服部賢

    2019年応物秋季学術講演会 2019年9月18日

  44. Surface structure analysis of micropatterned Si(110) by nano-beam Weissenberg Reflection High-Energy Electron Diffraction 国際会議

    Sohei Nakatsuka, Taishi Imaizumi, Tadashi Abukawa, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka

    The 21st International Vacuum Congress 2019年7月1日

  45. Development of nano-beam Weissenberg RHEED for nano- and micro-surfaces 国際会議

    Taishi Imaizumi, Sohei Nakatsuka, Naoki Sano, Tadashi Abukawa

    The 21st International Vacuum Congress 2019年7月1日

  46. マイクロパターンニング Si 基板の局所表面構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中正和

    平成 30 年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会 2019年3月7日

  47. W-RHEED法によるマイクロパターンを施したSi表面の構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中秀和

    第18回東北大学多元物質科学研究所発表会 2018年12月13日

  48. Ni 上の擬似的フリースタンディング単原子層 h-BN

    鈴木哲, 春山雄一, 新部正人, 徳島高, 山口明啓, 内海裕一, 伊東篤志, 門脇良, 丸田茜, 虻川匡司

    2018年日本表面真空学会学術講演会 2018年11月19日

  49. W-RHEED法によるマイクロパターンを施したSi表面の構造解析

    中塚聡平, 今泉太志, 虻川匡司, 服部梓, 田中秀和

    2018年日本表面真空学会学術講演会 2018年11月19日

  50. ナノ電子ビームを用いた表面構造分析技術の開発

    今泉太志, 中塚総平, 佐野巨樹, 虻川匡司

    2018年日本表面真空学会学術講演会 2018年11月19日

  51. Band Alignment Determination of Bulk h-BN/Graphene Using PEEM 国際会議

    S. Ogawa, T. Yamada, R. Kadowaki, T. Taniguchi, T. Abukawa, Y. Takakuwa

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 2018年10月21日

  52. Development of surface structure analysis technique using nano-beam electrons 国際会議

    Taishi Imaizumi, Sohei Nakatsuka, Naoki Sano, Tadashi Abukawa

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 2018年10月21日

  53. Development of surface structure analysis technique using nano-beam electrons 国際会議 招待有り

    Tadashi Abukawa

    The 3rd Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces & Cross-Strait Symposium on Solid Surfaces 2018年8月21日

  54. ナノ電子ビームによる表面構造解析法の開発

    佐野巨樹, 丸田茜, 虻川匡司

    マイクロビームアナリシス第141委員会 第 172 回研究会 2018年5月16日

  55. ナノ領域反射高速電子回折測定制御システムの開発

    今泉太志, 佐野巨樹, 丸田茜, 虻川匡司

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集 2018年3月8日

  56. 微小領域表面構造解析法の開発

    佐野巨樹, 丸田茜, 虻川匡司

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017年8月25日

  57. Ni箔上に固相反応成長したh‐BNのPEEM観察

    門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, 鈴木哲

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM) 2017年3月21日

  58. 炭素ドープNi(110)表面上のグラフェン成長の研究

    丸田茜, 門脇良, 虻川匡司, 鷺坂恵介, 藤田大介

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集 2017年3月9日

  59. 拡散・析出法によるh‐BN成長のその場光電子顕微鏡観察

    門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, 鈴木哲

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017年3月1日

  60. ナノ電子ビームを用いたワイゼンベルグRHEED法の開発

    佐野巨樹, 丸田茜, 今泉太志, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2017年

  61. ナノ電子ビームによるワイゼンベルグRHEED法の開発

    佐野巨樹, 丸田茜, 門脇良, 虻川匡司

    真空に関する連合講演会講演予稿集 2016年11月29日

  62. Ni箔上に固相反応成長したh‐BNの光電子顕微鏡による成長観察

    門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, 鈴木哲

    真空に関する連合講演会講演予稿集 2016年11月29日

  63. ナノ電子ビームを用いたワイゼンベルグRHEED法の開発

    佐野巨樹, 加藤丈晴, 丸田茜, 門脇良, 向島健太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM) 2016年3月22日

  64. 光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による二硫化モリブデンの研究

    門脇良, 佐野巨樹, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM) 2016年3月22日

  65. 二硫化モリブデンの価電子帯スペクトル観測

    門脇良, 佐野巨樹, 虻川匡司

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集 2016年3月9日

  66. Ni上に固相反応成長したh‐BNの光電子顕微鏡による成長観察

    門脇良, 丸田茜, 虻川匡司, 鈴木哲

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2016年

  67. 21pAJ-6 光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による二硫化モリブデンの研究

    門脇 良, 佐野 巨樹, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 2016年

  68. ダイヤモンドPINダイオード型電子源からの電子放出

    松本翼, 松本翼, 門脇良, 加藤宙光, 加藤宙光, 牧野俊晴, 牧野俊晴, 竹内大輔, 竹内大輔, 河野省三, 虻川匡司, 山崎聡, 山崎聡

    表面科学学術講演会講演要旨集 2015年12月1日

  69. 二硫化モリブデンの光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による研究

    門脇良, 佐野巨樹, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集 2015年12月1日

  70. 光電子顕微鏡を用いたNi(110)面上グラフェンの研究

    門脇良, 栗山岬, 虻川匡司, 鷺坂恵介, 藤田大介

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年8月31日

  71. Ni(110)面上に成長したグラフェンの局所仕事関数と光電子スペクトル観測

    門脇良, 栗山岬, 虻川匡司, 鷺坂恵介, 藤田大介

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集 2015年3月9日

  72. 負性電子親和力を利用したダイヤモンドPINダイオード形電子源の電子放出機構

    松本翼, 松本翼, 竹内大輔, 河野省三, 門脇良, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2015年

  73. 金属吸着半導体表面の構造解析

    虻川匡司

    日本物理学会講演概要集 2014年8月22日

  74. ストリークカメラ反射高速電子回折法によるSi表面相転移の観測

    向島健太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集 2014年8月22日

  75. ダイヤモンド基板上のAu,Agショットキー障壁高さとその空間分布の電子顕微分光研究

    河野省三, 児玉英之, 市川公善, 吉川太朗, 虻川匡司, 澤邊厚仁

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集 2014年3月10日

  76. ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-√<span style=text-decoration:overline>7</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>-In表面の構造モデルの検討

    神崎慎二, 向島健太, 虻川匡司

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集 2014年3月10日

  77. ワイゼンベルグRHEEDによる表面構造解析

    虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集 2013年11月26日

  78. Si(111)‐√<span style=text-decoration:overline>7</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>‐In表面の構造解析

    神崎慎二, 向島健太, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集 2013年11月26日

  79. p型ダイヤモンド(001)基板上のAu,Agショットキー障壁高さとその空間分布の電子顕微分光研究

    河野省三, 児玉英之, 市川公善, 吉川太朗, 虻川匡司, 澤邊厚仁

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 2013年11月19日

  80. ストリークカメラ反射高速電子回折による2次元回折パターンの時間変化

    向島健太, 神崎慎二, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集 2013年8月26日

  81. ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)‐√7×√3表面の構造解析

    神崎慎二, 向島健太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集 2013年8月26日

  82. MgO基板に作成したFe(001)‐p(1×1)‐O表面の構造解析

    神崎慎二, 西ケ谷好輝, 虻川匡司

    日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集 2013年3月11日

  83. ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)‐5x2‐Au表面の構造解析

    虻川匡司, 西ケ谷好輝

    日本物理学会講演概要集 2013年3月5日

  84. ストリークカメラ反射高速電子回折法によるSi(111)表面構造ダイナミクス

    川西浩太, 佐藤和義, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集 2012年11月20日

  85. ワイゼンベルグRHEEDによるFe(001)‐p(1x1)‐O表面の構造解析 II

    神崎慎二, 西ケ谷好輝, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集 2012年11月20日

  86. ストリークカメラ RHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクス II

    川西浩太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集 2012年8月24日

  87. ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクス

    川西浩太, 西ケ谷好輝, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集 2012年3月5日

  88. スピン検出ターゲットFe(001)‐p(1×1)‐O表面の構造解析

    神崎慎二, 西ケ谷好輝, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2012年

  89. ワイゼンベルグRHEEDによるFe(001)‐P(1x1)‐O表面の構造解析

    西ケ谷好輝, 川西浩太, 虻川匡司

    表面科学学術講演会講演要旨集 2011年12月15日

  90. ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究

    佐藤和義, 川西浩太, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集 2011年8月24日

  91. 燐ドープn型ヘテロエピ・ダイヤモンド(001)表面エネルギーバンドダイヤグラム

    河野省三, 野原拓也, 阿部諭, 児玉英之, 鈴木一博, 小泉聡, 虻川匡司, 澤邊厚仁

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011年8月16日

  92. 燐ドープヘテロエピタキシャルダイヤモンド(100)面の熱電子放出特性

    野原拓也, 阿部諭, 児玉英之, 鈴木一博, 小泉聡, 虻川匡司, 河野省三, 澤邊厚仁

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011年3月9日

  93. ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7‐>1x1相転移ダイナミクスの研究

    佐藤和義, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集 2011年3月3日

  94. ストリークカメラ反射高速電子回折法によるSi(111)7×7表面の研究

    川西浩太, 佐藤和義, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2011年

  95. 25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    佐藤 和義, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 2011年

  96. 22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    佐藤 和義, 川西 浩太, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 2011年

  97. 時間分解反射高速電子回折法の開発

    佐藤和義, 虻川匡司

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年8月30日

  98. ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発

    虻川匡司

    日本物理学会講演概要集 2010年3月1日

  99. ストリーク反射高速電子回折法によるSi表面の観測

    佐藤和義, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2010年

  100. 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 2010年

  101. 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

    虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 2010年

  102. Si(001)表面上のMgOエピタキシャル膜成長の研究:II

    松岡洋太, 虻川匡司

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2009年9月8日

  103. ストリーク反射高速電子回折装置の開発

    佐藤和義, 布川雄一, 虻川匡司

    東北大学多元物質科学研究所研究発表会講演予稿集 2009年

  104. Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響

    佐藤俊介, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集 2008年2月29日

  105. 25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)

    佐藤 俊介, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 2008年

  106. Si(001)表面上のMgOエピタキシャル膜成長の研究

    佐藤俊介, 虻川匡司

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2007年9月4日

  107. Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究

    佐藤俊介, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集 2007年8月21日

  108. 21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)

    佐藤 俊介, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 2007年

  109. 高濃度リンドープCVDダイヤモンドチップの電界放射電子顕微分光

    河野省三, 田京剛, 天野猶貴, PLUSNIN N. I, 水落健二, 後藤忠彦, 虻川匡司, 難波暁彦, 辰巳夏生, 西林良樹, 今井貴浩

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 2006年11月21日

  110. リンドープCVDダイヤモンドからの電界放出機構

    河野省三, 田京剛, 天野猶貴, PLUSNIN N. I, 水落健二, 青山朋宏, 後藤忠彦, 虻川匡司, 難波暁彦, 辰巳夏生, 西林良樹, 今井貴浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2006年3月22日

  111. 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上に成長したβ‐FeSi<sub>2</sub>薄膜の評価

    藤崎大, 佐藤俊介, 高橋伸彰, 虻川匡司

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2006年3月22日

  112. X線光電子回折によるIr(001)基板上CVDダイヤモンド成長の研究:対向電極直流放電バイアス処理の効果

    青山朋弘, 天野猶貴, 後藤忠彦, 虻川匡司, 河野省三, 安藤豊, 沢辺厚仁

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 2005年11月24日

  113. Pドープn型CVD(111)ダイヤモンド薄膜の表面エネルギーバンド

    河野省三, 水落健二, 後藤忠彦, 虻川匡司, 青山朋宏, 竹内大輔, 加藤宙光, 山崎聡

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 2005年11月24日

  114. 高濃度リンドープエピタキシャルダイヤモンドの表面エネルギーバンド

    河野省三, 水落健二, 後藤忠彦, 虻川匡司, 難波暁彦, 西林良樹, 今井貴浩

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 2005年11月24日

  115. Ir(001)基板上エピタキシャルダイヤモンド成長における対向電極直流放電プラズマバイアス処理効果

    青山朋弘, 天野猶貴, 後藤忠彦, 虻川匡司, 河野省三, 安藤豊, 沢辺厚仁

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2005年9月7日

  116. 高濃度リンドープエピタキシャルダイヤモンドの表面エネルギーバンド

    河野省三, 水落健二, 後藤忠彦, 虻川匡司, 難波暁彦, 西林良樹, 今井貴浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2005年9月7日

  117. Si(001)表面上の1次元分子鎖の形成

    下村勝, 市川大介, 福田安生, 虻川匡司, 青山朋弘, 河野省三

    ナノ学会大会講演予稿集 2005年5月8日

  118. Si(001)‐2x1表面上におけるピラジンの吸着

    下村勝, 市川大介, 虻川匡司, 河野省三, 福田安生

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2005年3月29日

  119. 24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))

    藤崎 大, 高橋 伸彰, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 2005年

  120. 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))

    下村 勝, 虻川 匡司, 河野 省三, 福田 安生

    日本物理学会講演概要集 2005年

  121. 22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    藤崎 大, 高橋 伸彰, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 2005年

  122. CVDダイヤモンド表面伝導の起源について

    河野省三, 白石基哉, 後藤忠彦, 虻川匡司, 立木実, 川原田洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 2004年11月29日

  123. UHV中におけるCVDダイヤモンド表面シート抵抗とフェルミ準位

    河野省三, 後藤忠彦, 白石基哉, 虻川匡司, 立木実, 川原田洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2004年9月1日

  124. 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)

    鈴木 俊宏, 坂本 一之, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 2004年

  125. Ir(001)基板上へのダイヤモンドCVDヘテロエピ成長におけるイオン照射効果

    池嶋祐介, 山田貴寿, 白石基哉, 高野享, 後藤忠彦, 虻川匡司, 沢辺厚仁, 河野省三

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 2003年11月26日

  126. 2端子プローブによる真空中ダイヤモンド表面電気伝導度測定

    後藤忠彦, 河野省三, 二瓶雄次, 虻川匡司, 山田貴寿, 立木実, 川原田洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 2003年11月26日

  127. X線光電子回折によるIr(001)基板上のCVDダイヤモンド成長の研究:イオン照射効果

    高野亨, 河野省三, 後藤忠彦, 池嶋祐介, 虻川匡司, 山田貴寿, 沢辺厚仁

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2003年3月27日

  128. 23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析

    虻川 匡司, 矢島 健太郎, 山崎 智之

    日本物理学会講演概要集 2003年

  129. 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface

    Gunnella R, 池嶋 祐介, 高野 享, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 2003年

  130. 29aZF-7 RHEED による Si(111)√<3>x√<3>-Ag 表面構造相転移の研究

    虻川 匡司, 山崎 智之, 矢島 健太郎, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 2003年

  131. 光電子回折によるピロール吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 虻川匡司, 高野亨, 池島祐介, 後藤忠彦, 福田安生, 河野省三

    真空に関する連合講演会講演予稿集 2002年10月16日

  132. CVD成長ダイヤモンド(001)表面電気伝導層からのオージェ電子回折パータン

    河野省三, 下村勝, 高野享, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2002年3月27日

  133. 光電子回折によるシクロヘキサジエン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 宗像学, 高野亨, 山崎智之, 虻川匡司, 後藤忠彦, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2002年3月27日

  134. 27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

    虻川 匡司, 山崎 智之, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 2002年

  135. 光電子分光とホログラフィーの最近 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析

    虻川匡司, 河野省三

    表面科学 2001年12月10日

  136. CVD成長ダイヤモンド(001)表面電気伝導層の構造と電子状態

    河野省三, 下村勝, 高野享, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 2001年11月29日

  137. Direct Surface Structural Determination using Correlated Thermal Diffuse Scattering 国際会議

    15th International Vacuum Congress 2001年10月28日

  138. 光電子回折によるエチレン,ベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 宗像学, 虻川匡司, 佐藤圭, 川和拓央, WIDSTRAND S M, 河野省三

    真空に関する連合講演会講演予稿集 2001年10月17日

  139. 光電子回折によるベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 宗像学, WIDSTRAND S. M, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2001年9月11日

  140. 光電子回折によるエチレン吸着Si(001)表面の構造解析

    宗像学, 下村勝, 虻川匡司, 佐藤圭, 川和拓央, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2001年9月11日

  141. CVD成長ダイヤモンド(001)表面のAFM陽極化成領域の局所電子分光・回折

    河野省三, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司, 福田徹, 立木実, 川原田洋

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2001年3月28日

  142. 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析

    下村 勝, 宗像 学, 虻川 匡司, 佐藤 圭, 川和 拓夫, Widstrand S. M, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 2001年

  143. CVD成長層を有するダイヤモンド粒子の超高真空電界放射電子分光

    河野省三, 後藤忠彦, 佐藤圭, 虻川匡司, 北畠真, 出口正洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 2000年9月3日

  144. 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析

    虻川 匡司, 吉村 浩司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 2000年

  145. 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定

    下村 勝, 虻川 匡司, 吉村 浩司, Oh J F, Yeom H W, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 2000年

  146. 振動相関熱散漫散乱による表面構造の3次元観測

    虻川匡司

    表面科学講演大会講演要旨集 1999年12月2日

  147. XPDによるBi吸着Si(001)表面の構造解析

    下村勝, 三木一司, 虻川匡司, 河野省三

    表面科学講演大会講演要旨集 1999年12月2日

  148. CVD成長層及び水素プラズマ処理した高圧合成ダイヤモンド粒子の2次電子分光

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司, 北畠真, 出口正洋

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 1999年11月25日

  149. シリコン表面上に吸着したビスマスによる細線及び2×n相の構造解析

    下村勝, 三木一司, 虻川匡司, 河野省三

    真空に関する連合講演会講演予稿集 1999年11月10日

  150. 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造解析

    虻川匡司

    日本物理学会講演概要集 1999年9月3日

  151. Si(001)表面上ビスマス細線構造 (1) 構造解析

    下村勝, 三木一司, 虻川匡司, 河野省三

    日本物理学会講演概要集 1999年9月3日

  152. Si(001)表面の炭化反応 3C‐SiC核形成と成長過程の温度依存

    小杉亮治, 下村勝, 虻川匡司, 福田安生, 河野省三, 高桑雄二

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 1999年9月1日

  153. CVD成長層を有する高圧合成ダイヤモンド粒子の超高真空2次電子分光

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司, 北畠真, 出口正洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 1999年9月1日

  154. Si(001)表面の炭化反応 3C‐SiC核形成と成長過程の基板オフ角度依存

    小杉亮治, 下村勝, 虻川匡司, 金井敏行, 福田安生, 河野省三, 高桑雄二

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 1999年9月1日

  155. 微傾斜β‐SiC(001)表面上のヘテロ成長ダイヤモンド薄膜の表面規則性評価

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司, WILD C, WOIDL P, 川原田洋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 1999年9月1日

  156. X線光電子回折によるSi(001)表面上に形成されたBiナノワイヤーの構造解析

    下村勝, 三木一司, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 1999年9月1日

  157. 固体表面と光電子回折 相関熱散漫散乱電子回折 新しい(表面)構造解析手法

    虻川匡司, WEI C M, 花野太一, 河野省三

    KEK Proc 1999年7月

  158. 初期Si酸化膜の分解過程のRHEED‐AES法による「その場」観察

    石田史顕, 高桑雄二, 小杉亮治, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1999年3月28日

  159. RHEED‐AES法によるSi(001)表面の熱酸化過程の「その場」観察

    石田史顕, 高桑雄二, 小杉亮治, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1999年3月28日

  160. 硫化処理InAs(111)A‐(2×2)‐S表面のSTM,XPDおよびSRPESによる構造解析

    市川祐永, 真田則明, 福田安生, 下村勝, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1999年3月28日

  161. X線光電子回折によるSi(001)4×3‐In表面の構造解析

    下村勝, 中村定一郎, KIM K‐S, 虻川匡司, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1999年3月28日

  162. 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析

    下村 勝, 三木 一司, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 1999年

  163. Si(001)2×3‐Ag表面のXPDによる構造解析

    下村勝, 虻川匡司, 比嘉昌, 中村真之, SHIVAPRASAD S M, YEOM H W, 鈴木章二, 佐藤繁, 谷順二

    表面科学講演大会講演要旨集 1998年12月

  164. 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究

    虻川匡司, 花野太一, 高桑雄二, 河野省三, WEI C M

    表面科学講演大会講演要旨集 1998年12月

  165. 硫化処理InAs(111)A‐(2×2)表面の構造解析

    市川祐永, 真田則明, 下村勝, 虻川匡司, 河野省三, 福田安生

    表面科学講演大会講演要旨集 1998年12月

  166. 燐ドープn型ダイヤモンド薄膜の結晶性評価

    下村勝, 西森年彦, 虻川匡司, 高桑雄二, 坂本仁志, 河野省三

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 1998年11月

  167. CVDダイヤモンド単結晶表面の構造と2次電子放出特性

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司, 高桑雄二, 八木弘雅, 伊藤利道

    ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 1998年11月

  168. X線光電子回折によるSi(001)2×3‐Ag最表面層の構造解析

    下村勝, 虻川匡司, 比嘉昌, 中村真之, SHIVAPRASAD S M, YEOM H W, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三

    日本物理学会講演概要集 1998年9月5日

  169. 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法

    虻川匡司, WEI C M, 花野太一, 高桑雄二, 河野省三

    日本物理学会講演概要集 1998年9月5日

  170. Si(001)2×3‐Ag表面における最表面原子配列

    下村勝, 虻川匡司, 中村真之, SHIVAPRASAD S M, YEOM H W, 鈴木章二, 佐藤繁, 谷順二, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 1998年9月

  171. 燐ドープn型ダイヤモンド薄膜のXPDとAFMによる結晶性評価

    下村勝, 西森年彦, 虻川匡司, 高桑雄二, 坂本仁志, 河野省三

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 1998年9月

  172. X線光電子回折法による硫化処理InAs(111)A‐(2×2)表面の構造解析

    市川祐永, 真田則明, 下村勝, 虻川匡司, 河野省三, 福田安生

    応用物理学会学術講演会講演予稿集 1998年9月

  173. CVD成長ダイヤモンド単結晶表面の構造と2次電子放出

    河野省三, 後藤忠彦, 高桑雄二, 虻川匡司, 八木弘雅, 伊藤利道

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1998年3月

  174. 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察

    小杉 亮治, 高桑 雄二, 金 起先, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 1998年3月

  175. 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析

    隅谷 宗太, 虻川 匡司, 小杉 亮治, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 1998年3月

  176. InP(001)2×4表面の表面内殻シフトと表面構造

    真田則明, 下村勝, HUFF W R A, 金田源太, 竹内輝矢, 鈴木佳子, YEOM H W, 柿崎明人, 虻川匡司

    日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集 1998年1月9日

  177. (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析

    市川 祐永, 眞田 則明, 下村 勝, 虻川 匡司, 河野 省三, 福田 安生

    静岡大学電子工学研究所研究報告 1998年

  178. 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析

    下村 勝, 河野 省三, 虻川 匡司, 比嘉 昌, 中村 真之, SHIVAPRASAD S.M, YEOM H.W, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 谷 順二

    日本物理学会講演概要集 1998年

  179. 28a-YM-9 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法

    虻川 匡司, WEI C.M, 花野 太一, 高桑 雄二

    日本物理学会講演概要集 1998年

  180. スパッタ・アニール処理されたInP(001)表面のXPD,PESによる研究

    下村勝, 真田則明, 金田源太, 竹内彰矢, 鈴木佳子, YEOM H W, HUFF W R A, 虻川匡司, 河野省三

    表面科学講演大会講演要旨集 1997年12月

  181. 高温Si(001)表面のエチレンによる炭化反応のRHEED‐AES観察

    小杉亮治, 高桑雄二, 金起先, 虻川匡司, 河野省三

    表面科学講演大会講演要旨集 1997年12月

  182. 表面電気移動と単分域Si(001)4×3‐In構造形成

    河野省三, 後藤忠彦, 虻川匡司

    日本物理学会講演概要集(分科会) 1997年9月

  183. Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程

    小杉亮治, 隅谷宗太, 高桑雄二, 虻川匡司, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会) 1997年9月

  184. In/Si(001)表面電気移動の観察

    小倉康資, 後藤忠彦, 虻川匡司, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会) 1997年3月

  185. 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察 II

    虻川匡司, 島谷高志, 木村慎之, 高桑雄二, 村松夏弘, 花野太一, 後藤忠彦, HUFF W R A, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会) 1997年3月

  186. X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)‐C表面の構造解析

    小杉亮治, 隅谷宗太, 虻川匡司, 高桑雄二, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会) 1997年3月

  187. GBMEED(斜入射後方散乱中速電子回折)表面構造解析装置の開発

    虻川匡司, 島谷高志, 木村慎之, 村松夏弘, 花野太一, HUFF W R A, 後藤忠彦, 高桑雄二, 河野省三

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1997年3月

  188. 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程

    小杉 亮治, 隅谷 宗太, 高桑 雄二, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 1997年

  189. 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング

    虻川 匡司, L.S.O Johansson, E.L Bullok, L Patthey, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 1997年

  190. 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成

    河野 省三, 後藤 忠彦, 虻川 匡司

    日本物理学会講演概要集 1997年

  191. 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察

    金 起先, 高桑 雄二, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 1997年

  192. 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察

    小倉 康資, 後藤 忠彦, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 1997年

  193. 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II

    虻川 匡司, 島谷 高志, 木村 慎之, 高桑 雄二, 村松 夏弘, 花野 太一, 後藤 忠彦, Huff W.R.A, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 1997年

  194. 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析

    小杉 亮治, 隅谷 宗太, 虻川 匡司, 高桑 雄二, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集 1997年

  195. UHV‐SEM,μ‐RHEEDによるIn/Si(001)表面電気移動の観察

    小倉康資, 後藤忠彦, 虻川匡司, 河野省三

    表面科学講演大会講演要旨集 1996年11月

  196. 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察

    虻川匡司, 島谷高志, 木村慎之, 高桑雄二, 村松夏弘, 花野太一, 後藤忠彦, HUFF W R A, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会) 1996年9月

  197. Ge/Si(001)初期界面における相互拡散

    中村真之, 虻川匡司, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三, YEOM H‐W

    日本物理学会講演概要集(年会) 1996年3月

  198. 固相エピタキシーにおける臨界Si膜厚:Si/Sb/Si(001)

    河野省三, 後藤忠彦, 小倉康資, 虻川匡司

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1996年3月

  199. Ge/Si(001)初期界面における相互拡散の温度依存性

    中村真之, 虻川匡司, 鈴木章二, 佐藤繁, 河野省三, YEOM H W

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1996年3月

  200. 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察

    虻川 匡司, 島谷 高志, 木村 慎之, 高桑 雄二, 村松 夏弘, 花野 太一, 後藤 忠彦, Huff W.R.A, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1996年

  201. Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface

    Yeom H.-W, 虻川 匡司, 高桑 雄二, 島谷 高志, 森 優治, 柿崎 明人, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1996年

  202. Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction

    Yeom H.-W, 森 優治, 佐藤 繁, 柿崎 明人, 河野 省三, 虻川 匡司, Chen X, 高桑 雄二, 藤森 伸一, 岡根 哲夫, 三浦 達志, 小倉 康資, 島谷 高志

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1996年

  203. Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1

    Chen X, Saldin D.K, Bullock E.L, Patthey L, Johansson L.S.O, 谷 順次, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1996年

  204. 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散

    中村 真之, 廉 罕雄, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会 1996年

  205. 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface

    Yeom H.-W, 虻川 匡司, 高桑 雄二, 中村 真之, 島谷 高志, 森 優治, 木村 慎之, 柿崎 明人, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会 1996年

  206. Ge/Si(001)のSTM観察 I: 高温吸着(≧350°C)

    細井真也, 岩淵美保, 東山和幸, 福谷博仁, 虻川匡司, 河野省三, YEOM H W, 坂本邦博, 坂本統徳

    日本物理学会講演概要集(分科会) 1995年9月

  207. Ge/Si(001)のSTM観察 II: 室温吸着

    細井真也, 岩淵美保, 東山和幸, 福谷博仁, 虻川匡司, 河野省三, YEOM H W, 坂本邦博, 坂本統徳

    日本物理学会講演概要集(分科会) 1995年9月

  208. 角度分解光電子分光とSi表面電子状態

    虻川匡司, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会) 1995年3月

  209. 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態

    虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会 1995年3月

  210. Si(111)4×1‐In表面の内殻準位光電子分光

    虻川匡司, 佐々木雅夫, 久松史明, 中村真之, 木下豊彦, 柿崎明人, 後藤忠彦, 河野省三

    日本放射光学会年会予稿集 1995年1月

  211. 放射光励起角度分解光電子分光法によるシングルドメインSi(001)2×2‐A1表面の電子構造研究

    YEOM H W, 虻川匡司, 高桑雄二, 中村真之, 木村慎之, 柿崎明人, 河野省三

    日本放射光学会年会予稿集 1995年1月

  212. 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着

    細井 真也, 岩渕 美保, 東山 和幸, 福谷 博仁, 虻川 匡司, 河野 省三, Yeom H.W, 坂本 邦博, 坂本 統徳

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1995年

  213. 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)

    細井 真也, 岩渕 美保, 東山 和幸, 福谷 博仁, 虻川 匡司, 河野 省三, Yeom H.W, 坂本 邦博, 坂本 統徳

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1995年

  214. 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction

    Yeom H.W, 虻川 匡司, 中村 真之, Shivaprasad S.M, Chen X, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会 1995年

  215. 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces

    陳 翔, 虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会 1995年

  216. 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態

    虻川 匡司, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 年会 1995年

  217. 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4×1‐In表面の研究

    虻川匡司, 中村真之, 久松史明, 後藤忠彦, 河野省三, 佐々木雅夫, 木下豊彦, 柿崎明人

    日本物理学会講演概要集(年会) 1994年3月

  218. XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析: Sb/Ge/Si(001)

    佐々木雅夫, YEOM H W, 虻川匡司, 河野省三, 木村慎之, 鈴木章二, 佐藤繁

    日本物理学会講演概要集(年会) 1994年3月

  219. 改良型一次元表示電子分光器の制作と性能評価

    河野 省三, 久松 史明, 後藤 忠彦, 虻川 匡司, 岩淵 健二, 相沢 勝雄, 柳田 里見, 高東 修二, 林 俊典, 塚島 順一

    東北大学科学計測研究所報告 1994年

  220. 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study

    Yeom H.W, 中村 真之, 虻川 司, 河野 省三, 鈴木 章二, 佐藤 繁

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1994年

  221. 31a-WC-11 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4x1-In表面の研究

    虻川 匡司, 中村 真之, 久松 史明, 後籐 忠彦, 河野 省三, 佐々木 雅夫, 木下 豊彦, 柿崎 明人

    日本物理学会講演概要集. 年会 1994年

  222. 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)

    佐々木 雅夫, Yeom Woong Han, 虻川 匡司, 河野 省三, 木村 慎之, 鈴木 章二, 佐藤 繁

    日本物理学会講演概要集. 年会 1994年

  223. オージェ電子回折,斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√3×√3,Ag/Ge/Si(111)√3×√3表面構造解析

    虻川匡司, 後藤忠彦, 中村夏雄, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会) 1993年9月

  224. 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4×1‐In表面の電子状態

    虻川匡司, 久松史明, 後藤忠彦, 河野省三, 佐々木雅夫, 木下豊彦, 柿崎明人

    日本物理学会講演概要集(分科会) 1993年9月

  225. オージェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析

    佐々木雅夫, 虻川匡司, 河野省三, 山田みつき, 鈴木章二, 佐藤繁

    日本物理学会講演概要集(分科会) 1993年9月

  226. 12p-DJ-9 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4x1-In表面の電子状態

    虻川 匡司, 久松 史明, 後藤 忠彦, 河野 省三, 佐々木 雅夫, 木下 豊彦, 柿崎 明人

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1993年

  227. 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析

    佐々木 雅夫, 虻川 匡司, 河野 省三, 山田 みつき, 鈴木 章二, 佐藤 繁

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1993年

  228. 15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√<3>×√<3>, Ag / Ge / Si(111)√<3>×√<3>表面構造解析

    虻川 匡司, 後藤 忠彦, 中村 夏雄, 河野 省三

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1993年

  229. (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III

    中村夏雄, 虻川匡司, 後藤忠彦, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会) 1992年9月

  230. W(100)c(2×2)‐Au,Ag表面のXPD

    高橋秀行, 佐々木雅夫, 鈴木章二, 佐藤繁, 虻川匡司, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会) 1992年9月

  231. シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2×1-Na表面の研究

    虻川匡司, 木下豊彦, PARK C‐Y, YU S‐W, KANG K‐A, 遠田義晴, 河野省三, 坂本邦博, 坂本統徳

    日本物理学会講演概要集(年会) 1992年3月

  232. 25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III

    中村 夏雄, 虻川 匡司, 後藤 忠雄, 河野 省三

    秋の分科会予稿集 1992年

  233. 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD

    高橋 秀行, 佐々木 雅夫, 鈴木 章二, 佐藤 繁, 虻川 匡司, 河野 省三

    秋の分科会予稿集 1992年

  234. 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究

    虻川 匡司, 遠田 義晴, 鈴木 章二, 河野 省三, 佐藤 繁, 柿崎 明人, 石井 武比古, 坂本 邦博, 坂本 統徳, 木下 豊彦, Park Chon-Yun, 柏倉 隆之, 岡根 哲夫, 佐々木 泰孝, 高橋 秀行, Yu Sueng-Woo, Kang Kum-A

    年会講演予稿集 1992年

  235. 低速電子回折,X線光電子回折によるSi(001)‐Na表面の研究

    虻川匡司, 高橋秀行, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(年会) 1991年9月

  236. 低温Si(001)表面上のK,Na吸着,被覆率依存性

    佐々木泰孝, 遠田義晴, 虻川匡司, 鈴木章二, 河野省三

    日本物理学会講演概要集(分科会) 1991年3月

  237. シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究

    虻川匡司, 木下豊彦, 柏倉隆之, 岡根哲夫, 遠田義晴, 鈴木章二, 柿崎明人, 佐藤繁, 石井武比古

    日本物理学会講演概要集(分科会) 1991年3月

  238. 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性

    佐々木 泰孝, 遠田 義晴, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 河野 省三

    春の分科会講演予稿集 1991年

  239. 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究

    虻川 匡司, 石井 武比古, 木下 豊彦, 柏倉 隆之, 岡根 哲夫, 遠田 義晴, 河野 省三, 鈴木 章二, 柿崎 明人, 佐藤 繁

    春の分科会講演予稿集 1991年

  240. 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究

    虻川 匡司, 高橋 秀行, 河野 省三

    年会講演予稿集 1991年

  241. 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD

    虻川匡司, 岡根哲夫, 河野省三

    日本物理学会秋の分科会講演予稿集 1990年10月

  242. GaAsスピン偏極電子源の性能

    藤井純, 木下豊彦, 柿崎明人, 曽田一雄, 菅原英直, 河野省三, 虻川匡司, 福谷博仁, 石井武比古

    日本物理学会秋の分科会講演予稿集 1990年10月

  243. 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光

    鈴木 章二, 虻川 匡司, 岡根 哲夫, 河野 省三, 佐藤 繁, 石井 武比古, 柏倉 隆之, 木下 豊彦, 柿崎 明人, 村田 好正, 窪田 政一, 藤沢 正美, 菅 滋正, 加藤 博雄

    秋の分科会予稿集 1990年10月

  244. 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD

    虻川 匡司, 岡根 哲夫, 河野 省三

    秋の分科会予稿集 1990年

  245. 3a-TA-2 GaAsスピン偏極電子源の性能

    藤井 純, 木下 豊彦, 柿崎 明人, 曽田 一雄, 菅原 英直, 河野 省三, 虻川 匡司, 福谷 博仁, 石井 武比古

    秋の分科会予稿集 1990年

  246. 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性

    虻川 匡司, 河野 省三

    年会講演予稿集 1990年

  247. 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD

    遠田 義晴, 虻川 匡司, 鈴木 章二, 河野 省三, 坂本 統徳

    秋の分科会予稿集 1989年

  248. 29a-TJ-3 Si(111)√3x√3-Ag表面のXPDの再解析(表面・界面)

    河野 省三, 虻川 匡司, 中村 夏雄, 阿武 恒一

    年会講演予稿集 1989年

  249. 29a-TJ-9 シングル・ドメインO/Cs/Si(001)2x1NEA表面のXPD(表面・界面)

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 柏倉 隆之, 河野 省三, 坂本 統徳

    年会講演予稿集 1989年

  250. 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 中村 夏雄, 河野 省三

    秋の分科会予稿集 1988年

  251. 31a-M2-2 Si(001)_2X1-K表面のX線光電子回折(表面・界面)

    虻川 匡司, 江島 丈雄, 中村 夏雄, 河野 省三

    年会講演予稿集 1988年

  252. 26a-P-12 Si(111)√<3>×√<3>,Sb表面のXPD

    朴 鍾允, 虻川 匡司, 中村 夏雄, 東山 和幸, 河野 省三

    秋の分科会予稿集 1987年

  253. 30p-H-13 Bi,Sn/Si(111)表面のXPD(表面・界面)

    朴 鍾允, 東山 和幸, 虻川 匡司, 河野 省三, 中村 夏雄, 八重樫 裕幸

    年会講演予稿集 1987年

  254. NanoTerasu スペクトロスコピービームライン概要

    虻川匡司

    次世代放射光施設NanoTerasuセミナー 2023年3月3日

  255. 3次元ナノ構造を構成する多様な表面構造 招待有り

    虻川匡司

    第2回東北大学材料科学ウェビナー 2021年9月6日

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共同研究・競争的資金等の研究課題 19

  1. ストリーク反射高速電子回折法の開発と表面構造ダイナミクスの研究 競争的資金

    制度名:Grant-in-Aid for Scientific Research

    2008年4月 ~ 継続中

  2. ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発と表面界面構造の研究 競争的資金

    2002年4月 ~ 継続中

  3. 振動相関熱散慢散乱による表面構造解析 競争的資金

    制度名:Grant-in-Aid for Scientific Research

    1998年1月 ~ 継続中

  4. 超圧縮センシングによるミリ秒X線トモグラフィ法の開発

    矢代 航

    2017年 ~ 2022年

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    硬X線の位相を利用した高感度X線イメージング法の一つであるX線回折格子干渉法を発展させて、マルチビーム化と最先端の高度情報処理技術により、試料を高速で回転することなく、msオーダーの時間分解能、10 μmの空間分解能の4DX線トモグラフィの実現を目指します。非平衡系のダイナミクスをそのまま観察できるという特長を活かして、基礎研究から新規イノベーション創出に至る新たなフロンティアの開拓をねらいます。

  5. CTR散乱による表面・界面3D原子イメージング

    若林 裕助, 高橋 敏男, 虻川 匡司, 田尻 寛男, 白澤 徹郎, 高橋 正光, フォグリ, 服部 賢

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)

    研究機関:Osaka University

    2014年7月10日 ~ 2019年3月31日

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    二次元に広がった活性サイトに注目し,その構造から機能を解明する「界面構造物性研究」の学理を確立するために,表面あるいは界面の構造を明らかにする表面X線回折法の高度化・高度利用を行った。 静的な構造観測技術は大きく進展した。それによって有機半導体や遷移金属酸化物のエピタキシャル界面の構造解析がルーチン的に実施できるようになり,その結果に基づく物性研究を推進した。時分割測定では100ps時間分解能の高速反射電子線回折カメラの開発に成功し,遅い現象には波長角度同時分散型ラウエカメラを実用化した。これらを用いてTiO2光触媒や白金燃料電池の反応過程を解明した。

  6. 1粒のナノ結晶の構造解析

    虻川 匡司

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

    研究機関:Tohoku University

    2013年4月1日 ~ 2015年3月31日

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    1粒のナノ結晶の構造解析を行うためには、そのナノ結晶を回転させながら多数の電子回折パターンを測定することが必要になる。そのために、ナノ結晶をゴニオメーターの回転軸に100nm以下の精度で位置合わせでき、その状態でナノ結晶を軸に回転できる高精度4軸超高真空ゴニオメーターを開発した。これにより、ナノ結晶を回転しながら電子回折実験を行っても、ナノ結晶の位置がずれることがなく、1粒のナノ結晶の結晶構造解析が可能になる。

  7. 新しい超高速電子回折法の開発

    虻川 匡司

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関:Tohoku University

    2008年 ~ 2010年

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    表面構造解析法である反射高速電子回折法と超高速現象を捉えるストリークカメラとを融合する事で、表面構造の時間変化を観測できる新しい時間分解電子回折法を開発した。開発した手法を用いて、ナノ秒パルスレーザーを照射したときにSi(111)7x7表面構造が変化する様子を1μs時間分解能で観測する事に成功した。

  8. 方位角走査反射高速電子回折による磁性ナノ人工格子界面の研究

    虻川 匡司

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

    研究機関:Tohoku University

    2005年 ~ 2006年

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    本研究の目的は、トンネル磁気抵抗素子(TMR)や巨大磁気抵抗素子(GMR)の磁気抵抗に大きな影響があると考えられている磁性層と非磁性層の界面の構造やラフネスを方位角走査反射高速電子回折(φ-RHEED)を使用して調べ、磁気抵抗に対する界面の役割を明らかにすることである。はじめに、既存の超高真空槽に作成したエネルギーフィルタ、既存の電子銃、5軸試料マニピュレータを装着し、φ-RHEEDの測定が行うための装置を組み立てた。さらに、磁性ナノ人工格子を作成する基板の清浄化を行うための3KVイオン銃(購入備品)を取り付け、人工格子の組成をオージェ電子分光により評価するために静電半球型電子分光器(購入備品)をφ-RHEED超高真空槽に取り付けた。これにより、磁性ナノ人工格子の成長を行い、その場で表面・界面の構造を解析できるφ-RHEED測定装置が完成した。 この装置を用いてはじめにSi単結晶表面にFeを蒸着し、その界面構造の研究を行った。Si(111)表面に蒸着されたFeは、Siと反応してシリサイドを形成するため強磁性を示さなくなるが、その界面の研究はSi上の磁気抵抗素子の作成にとって重要である。様々な条件で鉄シリサイドの成長を行った結果、Feが界面で反応するとβ鉄シリサイドが生じ、Si表面上で反応するとα鉄シリサイドが成長することが本研究で明らかになった。次にFe/MgO/Fe人工格子によるTMR素子をSi表面に作成するために、Si表面にエピタキシャルMgO薄膜の成長を行った。その結果、蒸着温度や蒸着時の酸素分圧、そして蒸着量に依存して、MgOが複数の異なった方位でエピタキシャル成長するという興味深い結果を得た。そして、方位のそろったMgO結晶を得るための指針を得た。残念ながら、最終目的である磁性層と非磁性層の界面研究は未達成であるが、本研究によりそれが十分可能であることが示された。まもなくそれらの研究を行う予定である。

  9. ナノ薄膜表面のスピン配列観測法の開発

    虻川 匡司

    2002年 ~ 2004年

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    本研究の目的は、スピン偏極電子線と開発した電子散漫散乱による直接的な表面構造解析法(振動相関熱散漫散乱法)を組み合わせた、表面原子の構造とスピン配列を同時に直接的に観測できる新しい実験手法の開発である。3年目の最終年度は、次の様な作業・研究を行った。 1.スピン偏極電子銃の調整 前年度までに設計・製作を行ったスピン偏極電子銃は、GaAs陰極槽、電子レンズ部、励起レーザー部の3つの部分から構成されている。昨年度に、スピン偏極した電子を取り出すことに成功したが、電子を取り出す陰極の寿命が10分程度しか持たないという問題があった。そのままでは振動相関熱散漫散乱法は適用できないため、1日程度の寿命が得られるように調整を行った。実験の結果、陰極部の真空度を5×10^<-11>Torrに高めれば十分な寿命が得られることを確認した。そこで電子銃内部の真空度を上げるため、電子銃部品の見直しや、真空排気ポンプの見直し、そして徹底的に真空漏れ箇所の改善を行った。その結果、寿命を数時間程度に伸ばすことができたが、残念ながらまだ十分ではない。 2.磁性金属吸着Si(111)表面構造の研究 スピン偏極電子の調整終了後、ただちにスピン偏極電子回折が行えるように、鉄、コバルト、クロム、マンガン等の磁性エピタキシャル薄膜をSi(111)表面に成長させて、通常の電子回折実験を行った。特に鉄吸着Si(111)表面の研究では、表面にエピタキシャル成長した鉄シリサイドの構造を決定した。

  10. Si(111)4×1-In表面電子状態の研究 競争的資金

    1993年4月 ~ 2003年3月

  11. 低速電子回折装置を用いた振動相関熱散漫散乱測定システムの製作

    虻川 匡司, 下村 勝

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関:Tohoku University

    2000年 ~ 2001年

    詳細を見る 詳細を閉じる

    本研究の目的は、市販ベースの低速電子回折装置を用いて表面構造を簡単に解析できる振動相関熱散漫散乱法を実現し、その普及をはかることである。平成12年度は、低速電子回折装置を組み込んだ振動相関熱散漫散乱測定装置とその制御システムを製作し、その性能試験を行なった。そして、製作した装置と制御システムにより、振動相関熱散漫散乱が測定可能であることを確認した。平成13年度は、その装置を用いて実際に振動相関熱散漫散乱を測定して表面構造解析を行った。試料表面としては、最近になってようやく構造が明らかになったSi(111)4x1-In表面を使用した。測定装置が、振動相関熱散漫散乱測定のために十分な性能を持っていることは昨年度に確認済みであるため、まず振動相関熱散漫散乱を自動計測するための計測ソフトウェアの作成を行った。また、測定した複数の2次元回折パターンから3次元的な逆格子空間像を構築するソフトウェアも合わせて作成した。これらのソフトウェアにより、一度の測定によりスクリーン上に現れた全ての回折スポット、強度をデータとして取り込むことが可能になった。このソフトウェア、ハードウェアを合わせた測定システムにより、これまでの10倍から100倍の効率で回折パターンを測定することが可能になった。Si(111)4x1-In表面で得られた回折パターンを逆フーリエ変換することによって得られたパターソン関数には、Si(111)4x1-In表面構造に対応するピークが正確な位置に現れた。したがって、当初の第一の目的である手法の実現は、達成できたと考えている。今後、手法の普及をはかるために作成したソフトウェアの配付等を行う予定である。

  12. 振動相関熱散漫散乱法による表面構造の研究

    虻川 匡司

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

    研究機関:Tohoku University

    1999年 ~ 2000年

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    本研究は、新しい表面構造解析手法として期待される振動相関熱散漫散乱法を用いて実際に表面の構造を精密に観測することが目的である。初めに、振動相関熱散漫散乱法の欠点を見直し、より精度良く、しかも短時間で計測が可能になるように、回折パターンを2次元的に計測するシステムを構築した。この2次元データの計測システムは、暗い光を効率良く捉える冷却CCDカメラとダイナミックレンジの高い画像取り込みボードとそれを組み込むコンピューターシステムから構成されている。このシステムを利用することで、これまでと同じ精度のデータを8倍の速度で取り込むことが可能になった。この新しいシステムをSi(001)2x1清浄表面の振動相関熱散漫散乱測定に使用することで、これまで以上に精度の高い測定を行うことができた.その結果、この振動相関熱散漫散乱法が0.1Åという高い精度で表面構造を直接観測できる手法であることが明らかになった。また、異種原子が吸着した表面の例としてSi(111)√<3>x√<3>-In吸着表面に振動相関熱散漫散乱法を適用した。この場合、異なる原子は異なった散乱因子を持つために、得られる原子像が本来の位置からシフトする。そこで、計算で求めた散乱因子で測定した振動相関熱散漫散乱パターンを修正する手法を考案した。この修正方法を用いることで、この場合でも0.1Å〓いう高い精度で表面構造を直接観測することに成功した。これらの結果については、学術雑誌に発表済みである。

  13. 高分解能X線光電子回折によるヘテロ・エピタキシー成長表面界面構造解析法の確立

    河野 省三, 下村 勝, 虻川 匡司, 高桑 雄二

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (A).

    研究機関:TOHOKU UNIVERSITY

    1998年 ~ 2000年

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    本研究では,ヘテロ・エピタキシー成長などの幾つかの原子種が絡む固体表面界面形成初期の表面界面構造解析手法として優れた威力を発揮する高分解能X線光電子回折法の実験装置の開発とそれを用いた典型的なヘテロ・エピタキシー成長表面界面の構造解析を行い,その手法の確立を目的とした. H10年度は,高分解能X線光電子回折装置の設計製作を重点的に行うとともに,米国の高分解能X線光電子回折装置を用いた実験を行いよってその設計上の重要点について経験を積んだ.装置の設計製作では,中心的機器である高効率角度分解光電子アナライザーの選定と購入,また,超高真空槽システムの設計,試料マニピュレーターとその角度自動送りコンピューター・システムの設計とコンポーネント購入などを行った.実験では,β-SiC(001)-c(2x2)表面のCls準位の高分解能X線光電子回折パターンを測定解析した. H11年度では,高分解能X線光電子回折装置の組み立て調整を行い,東北大学科学計測研究所において実験室光源であるAl KαとMg Kα線を励起源として,Si(001)表面上に出現することが最近見い出されたBiナノワイヤからのBi 4d内殻のX線光電子回折パターンを測定解析し,Bi原子配列を決定した.また,高エネルギー加速器研究機構,物質構造研究所放射光実験施設での共同利用実験研究として,高分解能X線光電子回折装置を搬入し同施設のアンジュレーター・ビームラインからの軟X線を励起源として,Si(001)表面上のSb吸着状態について,Si2p高分解能光電子回折パターンを測定解析を行った. H12年度は,高分解能X線光電子回折測定装置を再び高エネルギー加速器研究機構物質構造研究所放射光施設へ搬入し,Si(001)上の有機分子(エチレン)吸着表面について高分解能X線光電子回折パターンの測定と解析を行った.また,同試料について,東北大学科学計測研究所において実験室光源を励起源とするX線光電子回折パターン測定と解析を行った. 以上の結果は本装置と手法が有用ものであることを如実に示しており,今後,本装置と手法を用いて多くのヘテロ・エピタキシー成長表面系の構造解析に適用する予定である.

  14. 斜入射後方散乱MEEDによる表面構造の研究 競争的資金

    1992年4月 ~ 1998年3月

  15. 光電子回折パターンからのホログラフィー成分の抽出

    虻川 匡司

    1996年 ~ 1996年

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    本研究では、光電子ホログラフィー実現のために、光電子回折パターンからホログラフィー成分を実験的に抜き出すことが目的である。具体的には、光電子回折パターンを温度の関数として測定し、それらのパターンを比較することにより、ホログラフィー成分を抽出する。本研究費は、主にこの温度依存光電子パターンを測定するための実験設備の構築に使用した。 始めに光電子回折パターンを測定する時に試料を再現性良く回転するために、試料ゴニオメータにステッピングモーターを取り付けた。手動コントロールによる動作チェックの結果は、良好であった。次に、コンピュータで試料回転の自動コントロールを行うために、インターフェースの作成と光電子回折測定ウェアの改良を行った。しかしながら、インターフェースの作成に予想以上に時間がかかり、残念ながら未だ完成にはこぎ着けていない。ソフトウェアの改良も、途中の段階である。試料の加熱装置については、試料ホルダーを電極とし、真空外から導入した電流により、試料を通電加熱できる装置を作成した。また冷却システムは、試料ホルダーの裏側に銅のブロックを設置し、ブロックと試料ホルダーを銅の網線で接続することで試料の回転を損なうこと無く、冷却ができるものを作成した。現在、この装置で、加熱・冷却時の光電子回折パターンの測定を行っている段階である。

  16. マイクロ電子ビームと2次元表示阻止型電子分析器を用いた局所表面解析装置の開発

    河野 省三, 虻川 匡司, 高桑 雄二

    提供機関:Japan Society for the Promotion of Science

    制度名:Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関:Tohoku University

    1995年 ~ 1996年

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    ミクロ領域の原子配列と組成の知見を得る新たな手法・装置として,マイクロ電子ビームと2次元表示阻止型電子分析器を用いた局所表面解析装置(μ-GBMEED装置)を開発した.GBMEED法(斜入射後方散乱中速電子回折法)は先に代表者らが考案した手法で,1から3keVの単色電子線を試料表面に斜入射角で入射し,後方に弾性的に散乱される電子強度の方向依存パターン(GBMEEDパターン)を計測解析する事により,表面原子構造の知見を得る手法である.本装置では,入射電子ビームをマイクロ電子ビーム(径〜0.1μm)とし,試料表面周りに空間の取れる特殊な市販の電子銃を独自製作の超高真空システムに取り付けた.これにより,表面局所領域の励起を可能とすると同時に他の表面分析・処理機器の使用を可能にしている. また,μ-GBMEEDパターンの測定を独自製作の2次元表示阻止型電子分光器とCCDカメラを供えたシステムにすることにより広立体角での同時高効率測定を可能としている.さらに,超高真空走査トンネル顕微鏡との融合を行う事により,原子レベルでの表面形態像の情報が同一表面で得られ,局所表面領域の組成と構造解析にさらなる新局面を開いている. 開発した装置の性能試験を行うため,清浄Si(001)2x1表面のダイマー(Dimer)の傾き角の検出を試みた.他の手法により,ダイマーの傾き角は約19度であると言われているが,確定はしていない.性能試験では,清浄Si(001)2x1表面から1から2KeVのGBMEEDパターンを測定し,新たに開発した一回散乱理論による解析を行った.その結果,ダイマーによる前方散乱ピークと思われるパターンを検出したが,計測精度に難点が存在し,結論には至っていない.目下,計測精度向上を進めている.

  17. 原子放出電子ホログラフィー測定手法の確立

    虻川 匡司

    1995年 ~ 1995年

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    本研究目的は、原子を放出源とする電子波の回折現象をホログラフィーとして解析する場合、実用に耐える表面の構造解析を行うためにはどのような実験を行い、どれだけの測定データが必要であるかを調べることである。ホログラフィーとして扱える可能性のある回折現象の中で、本研究では、エネルギーの走査も簡単に行える後方散乱中速電子回折(キクチ電子回折)を対象にして研究を行った。 実験に先だって、実験装置の制御系の整備を行った。具体的には、後方散乱中速電子回折を測定するための2次元阻止型分析器に阻止電圧を与える電源部を作成し、および阻止電圧の印加とCCDカメラによる回折パターンの取り込みを制御するコンピュータシステムの整備を行った。これにより、阻止電圧の走査や測定の積算が可能になり、測定データの質が飛躍的に向上した。また、その結果回折電子のエネルギースペクトルの測定が可能となり、弾性散乱ピークを正確に分離することが可能になった。このシステムを使用し、Si(001)表面の後方散乱中速電子回折パターンの測定を行った。使用した2次元阻止型分析器は、球面グリッドにより74°の広い角度範囲の回折パターンを一度に測定できる。さらに、ホログラフィー解析を行うために十分なデータとなるように、運動エネルギーを変えた場合の回折パターンも多数測定した。ホログラフィー手法により、測定したデータを実空間像に変換して実空間像の精度を検討したが、期待した程の精度は得られなかった。現在、実空間像の精度の向上を目指してホログラフィー解析手法の改良を行っている。解析については、今後の課題として残ったが、実験手順・条件を確立するという目的はほぼ達成できた。

  18. 光電子ホログラフィー解析システムの開発

    虻川 匡司

    1994年 ~ 1994年

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    本研究の目的は、蛍光スクリーン上に表示された光電子回折パターンをCCDカメラで2次元的に測定するシステムの構築と、測定された光電子回折パターンをホログラフィーの手法を用いて表面構造解析を行う解析プログラムの開発である。2次元回折パターンの測定システムについては、冷却CCDカメラとデータ測定・解析用コンピュータにより、回折パターンの測定・表示を行うシステムを完成することができた。このシステムの特徴は,CCD(電荷結合素子)の各ピクセル毎に16ビットという広いダイナミックレンジでデータを取り込むことが可能であることである。実際に、低速電子回折パターンや中速電子回折パターンの測定を行いこのシステムによる測定の精度、性能の評価を行った。その結果、システムが非常に広いダイナミックレンジを持ち、光電子回折パターンの測定にも十分に対応できる性能であることが確認された。今後、実際の光電子回折パターン・ホログラフィーへの適用を行っていく予定である。測定・解析プログラムに関しては、前述のようにCCDカメラの画像をコンピュタ-に取込み、ディスプレイに表示を行うことが現在可能になっている。デジタル化されたデータは、通常の濃淡表示だけでなく、等高線表示や、プロファイルの表示も可能であり、測定表示プログラムに関してはほぼ完了した。現在、光電子回折パターンをホログラフィーによって解析するプログラムの開発を行っている段階であり、今後は得られた実空間像(表面構造)を表示する部分の作成も行う予定である。

  19. シングルドメインSi(001)2×1表面上のGeのエレクトロマイグレーション

    虻川 匡司

    1993年 ~ 1993年

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    :本研究課題の目的は、超高真空中でシングルドメインSi(001)表面を作成し、その表面上に吸着させたGe原子の電界・電流による移動現象(エレクトロマイグレーション)を調べることである。観察は、既存の走査電子顕微鏡を使用するため、本研究費補助金は主に試料の作成部分と試料に与える電界・電流および温度のコントロール部分の作成に使用した。まず、下地のシングルドメインSi(001)表面は、面方位が精度よく決定されたSi(001)ウェファを超高真空中で加熱清浄化した後にSiをホモエピタキシャル成長して作成する。このSiをエピタキシャル成長させるためのSiの蒸着源を作製した。またGeは既存のKnudsenセルを使用して蒸着を行うこととしたが、安定した蒸着を行うためには、Knudsenセルの精密な温度コントロールが必要となる。そこで温度コントロール可能な電源システムの製作を行った。具体的にはKnudsenセルの温度をW-Re熱電対でモニターし、その温度が一定になるように電子温度調節器を使用してヒーター電流のコントロールを行うシステムである。実際のGe蒸着膜厚の評価はまだ行っていないが、Knudsenセルの温度は期待通りの精度で制御することができた。次にエレクトロマイグレーションを調べる時に試料に与える電界・電流のコントロールシステムを作製した。このシステムは、実際に試料に電流・電界をあたえる電源、試料の温度をモニターするデジタルマルチ温度計、およびそれら電源、温度計を制御するデスクトップコンピューターからなる。このうち本研究補助金は、デジタルマルチ温度計の購入、コンピューターと電源・温度計間のインターフェース、システムを制御するためのソフトウェアの開発のために使用した。作製したシステムを用いて実際に試料へ電界・電流をかける実験を行ったが、電流、温度、通電時間などを期待どうりに制御することができた。以上のようなシステムの構築を行い、下地Si(001)表面のシングルドメインを作成し、Geの蒸着に関する予備実験の段階まで行った。現在、エレクトロマイグレーションの実験を行う準備を進めている。

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