顔写真

チヨウ　チヨウリヨウ
張　超亮
Chaoliang Zhang
所属
大学院工学研究科　応用物理学専攻　応用界面物理学講座（スピンエレクトロニクス分野）
職名
助教
学位

  • 博士（工学）（東北大学）

  • 修士（工学）（東北大学）

所属学協会 1

  • 応用物理学会

研究分野 1

  • ナノテク・材料 / 応用物理一般 /

受賞 4

  1. Most Read Editor’s Picks from 2020~2021

    2021年10月　Applied Physics Letters　Field-free and sub-ns magnetization switching of magnetic tunnel junctions by combining spin-transfer torque and spin–orbit torque

  2. プロミネントリサーチフェロー

    2021年7月　東北大学

  3. 英語講演奨励賞

    2016年9月　The 77th JSAP Autumn Meeting　Sputtering condition dependence of spin-orbit torque induced magnetization reversal in W/CoFeB/MgO heterostructure

  4. Best Poster Award

    2016年9月　The 2nd ImPACT International Symposium on Spintronic Memory, Circuit and Storage　Spin-orbit torque induced magnetization switching in nano-scale Ta/CoFeB/MgO dots

論文 26

  1. Selective damping modulation in a synthetic antiferromagnet induced by spin-orbit torque 査読有り

    Shutaro Karube, Takumi Hoshika, Chaoliang Zhang, Makoto Kohda, Junsaku Nitta

    Applied Physics Express　15　(10)　2022年9月26日

    出版者・発行元：IOP Publishing

    DOI： 10.35848/1882-0786/ac9512 　

    ISSN：1882-0778

    eISSN：1882-0786

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    Abstract Magnetization dynamics in synthetic antiferromagnet with adjacent Pt layer is investigated. Using dc bias, magnetic damping can be effectively controlled by the spin-orbit torque from the Pt layer. In the spin-flop state, the acoustic mode is modulated by the dc bias, but the optical mode is not sufficiently modulated. In the saturation state, the optical mode is effectively modulated. By appropriately selecting acoustic and optical modes and magnetization states such as the spin-flop and saturation states, modulation of the mutual phases of the ac spin currents driven by the ac damping torques can be realized.

  2. Dual-Port SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations Under Field-Assistance-Free Condition 査読有り

    Masanori Natsui, Akira Tamakoshi, Hiroaki Honjo, Toshinari Watanabe, Takashi Nasuno, Chaoliang Zhang, Takaho Tanigawa, Hirofumi Inoue, Masaaki Niwa, Toru Yoshiduka, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Yitao Ma, Hui Shen, Shunsuke Fukami, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu

    IEEE Journal of Solid-State Circuits　56　(4)　1116-1128　2021年4月

    出版者・発行元：None

    DOI： 10.1109/jssc.2020.3039800 　

    ISSN：0018-9200

    eISSN：1558-173X

  3. Field-free and sub-ns magnetization switching of magnetic tunnel junctions by combining spin-transfer torque and spin-orbit torque 査読有り

    Chaoliang Zhang, Yutaro Takeuchi, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

    APPLIED PHYSICS LETTERS　118　(9)　092406　2021年3月

    出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

    DOI： 10.1063/5.0039061 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    We investigate the magnetization switching via a combination of spin-transfer torque (STT) and spin-orbit torque (SOT). STT and SOT are simultaneously induced by a pulsed current flowing through an in-plane easy-axis magnetic tunnel junction and an underneath Ta/W channel. SOT allows the magnetization to be switched with the sub-ns pulse down to 200 ps and STT eliminates the necessity of an external field. The switching current is much smaller than the case driven solely by STT in the short pulse regime. We also compare the threshold current between two structures having orthogonal (Type Y) and collinear (Type X) magnetic easy axes to the longitudinal direction of the channel and find that the Type X achieves smaller switching current by a factor of 1/4 at 200 ps.

  4. Dual-Port Field-Free SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations under 55-nm CMOS Technology and 1.2-V Supply Voltage 査読有り

    M. Natsui, A. Tamakoshi, H. Honjo, T. Watanabe, T. Nasuno, C. Zhang, T. Tanigawa, H. Inoue, M. Niwa, T. Yoshiduka, Y. Noguchi, M. Yasuhira, Y. Ma, H. Shen, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu

    IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers　2020-June　2020年6月

    DOI： 10.1109/VLSICircuits18222.2020.9162774 　

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    We demonstrate an SOT-MRAM, a nonvolatile memory using spin-orbit-torque (SOT) devices that have a read-disturbance-free characteristic. The SOT-MRAM fabricated by a 55-nm CMOS process achieves 60-MHz write and 90-MHz read operations with 1.2-V supply voltage under a magnetic-field-free condition. The SOT-MRAM is also implemented in a dual-port configuration utilizing three-terminal structure of the device, which realizes a wide bandwidth applicable to high-speed applications.

  5. First demonstration of field-free SOT-MRAM with 0.35 ns write speed and 70 thermal stability under 400°C thermal tolerance by canted SOT structure and its advanced patterning/SOT channel technology 査読有り

    H. Honjo, T. V.A. Nguyen, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Watanabe, T. Nasuno, C. Zhang, T. Tanigawa, S. Miura, H. Inoue, M. Niwa, T. Yoshiduka, Y. Noguchi, M. Yasuhira, A. Tamakoshi, M. Natsui, Y. Ma, H. Koike, Y. Takahashi, K. Furuya, H. Shen, T. Endoh

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM　2019-December　2019年12月

    DOI： 10.1109/IEDM19573.2019.8993443 　

    ISSN：0163-1918

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    For the first time, we demonstrated 55 nm-CMOS/ spin-orbit-torque-device hybrid magnetic random-access memory (SOT-MRAM) cell with magnetic field free writing. For field free writing, we developed canted SOT device under 300 mm BEOL process full compatible with 400°C thermal tolerance. Moreover, we developed its advanced process as follows; SOT channel layer PVD process for high spin Hall angle under 400°C thermal tolerance, low damage RIE technology of MTJ for high TMR/thermal stability factor (Δ) and ultra-smooth surface metal via process under SOT channel to reduce contact resistance.By above developed technologies, our canted SOT devices fabricated under a 400°C thermal tolerance successfully achieved fast write speed of 0.35 ns without an external magnetic field, a large enough Δ of 70 for non-volatile memory (retention time is over 10 years), and a high TMR ratio of 167%, for the first time. Moreover, we successfully demonstrated field free SOT-MRAM performance.

  6. Spin-Pumping-Free Determination of Spin-Orbit Torque Efficiency from Spin-Torque Ferromagnetic Resonance 査読有り

    A. Okada, Y. Takeuchi, K. Furuya, C. Zhang, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    Physical Review Applied　12　(1)　014040　2019年7月

    DOI： 10.1103/PhysRevApplied.12.014040 　

    eISSN：2331-7019

  7. Artificial neuron and synapse realized in an antiferromagnet/ferromagnet heterostructure using dynamics of spin-orbit torque switching 国際誌 査読有り

    A. Kurenkov, S. DuttaGupta, C. Zhang, S. Fukami, Y. Horio, H. Ohno

    Advanced Materials　31　(23)　1900636　2019年4月

    DOI： 10.1002/adma.201900636 　

  8. Spin-orbit torque-induced switching of in-plane magnetized elliptic nanodot arrays with various easy-axis directions measured by differential planar Hall resistance 査読有り

    Y. Takahashi, Y. Takeuchi, C. Zhang, B. Jinnai, S. Fukami, H. Ohno

    Applied Physics Letters　114　(1)　012410　2019年1月

    出版者・発行元：None

    DOI： 10.1063/1.5075542 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    Spin-orbit torque-induced switching of an elliptical nanomagnet with an in-plane easy axis allows sub-ns and field-free operation. Since its properties crucially depend on the design of the nanomagnet such as the easy-axis direction, it is of high importance to systematically elucidate the dependence of performance on various parameters of the nanomagnet towards magnetoresistive random access memory applications. Here, we show a scheme to statistically evaluate the switching properties of in-plane nanomagnets in a short turnaround time. We use devices with an array of CoFeB/MgO nanomagnets formed on a cross-shaped Ta/W Hall bar, and the differential planar Hall resistance is measured to study the magnetization switching. Using the scheme, we investigate the easy-axis angle dependence of switching properties at zero magnetic fields for various current pulse widths from 100 ms to 1.7 ns. We show that the dependence of threshold switching current on the easy-axis direction significantly varies with the pulse width.

  9. Spin-orbit torques in high-resistivity-W/CoFeB/MgO 査読有り

    Yutaro Takeuchi, Chaoliang Zhang, Atsushi Okada, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

    Applied Physics Letters　112　(19)　192408　2018年5月7日

    出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

    DOI： 10.1063/1.5027855 　

    ISSN：0003-6951

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    Magnetic heterostructures consisting of high-resistivity (238 ± 5 μΩ cm)-W/CoFeB/MgO are prepared by sputtering and their spin-orbit torques are evaluated as a function of W thickness through an extended harmonic measurement. W thickness dependence of the spin-orbit torque with the Slonczewski-like symmetry is well described by the drift-diffusion model with an efficiency parameter, the so-called effective spin Hall angle, of -0.62 ± 0.03. In contrast, the field-like spin-orbit torque is one order of magnitude smaller than the Slonczewski-like torque and shows no appreciable dependence on the W thickness, suggesting a different origin from the Slonczewski-like torque. The results indicate that high-resistivity W is promising for low-current and reliable spin-orbit torque-controlled devices.

  10. Time and spatial evolution of spin-orbit torque-induced magnetization switching in W/CoFeB/MgO structures with various sizes 査読有り

    Chaoliang Zhang, Shunsuke Fukami, Samik Dutta Gupta, Hideo Sato, Hideo Ohno

    Japanese Journal of Applied Physics　57　(4)　04FN02　2018年4月1日

    出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

    DOI： 10.7567/JJAP.57.04FN02 　

    ISSN：1347-4065 0021-4922

    eISSN：1347-4065

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    We study spin-orbit torque (SOT) switching in W/CoFeB/MgO structures with various dot sizes (120-3500 nm) using pulsed current of various widths τ (800 ps-100 ms) to examine the time and spatial evolution of magnetization switching. We show that the switching behavior and the resultant threshold switching current density Jth strongly depend on device size and pulse width. The switching mode in a 3500nm dot device changes from probabilistic switching to reproducible partial switching as τ decreases. At τ = 800 ps, Jth becomes more than 3 times larger than that in the long-pulse regime. A decrease in dot size to 700nm does not significantly change the switching characteristics, suggesting that domain-wall propagation among the nucleated multiple domains governs switching. In contrast, devices with further reduced size (120 nm) show normal full switching with increasing probability with current and insignificant dependence of Jth on τ, indicating that nucleation governs switching.

  11. Use of analog spintronics device in performing neuro-morphic computing functions 査読有り

    Shunsuke Fukami, William A. Borders, Aleksandr Kurenkov, Chaoliang Zhang, Samik DuttaGupta, Hideo Ohno

    2017 5th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems, E3S 2017 - Proceedings　2018-　1-3　2018年1月3日

    出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

    DOI： 10.1109/E3S.2017.8246168 　

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    Since spintronics devices are capable of retaining digital information as -Their magnetization direction, development of nonvolatile memories, so-called magnetoresistive random access memories (MRAMs), to realize low-power integrated circuits with -The von Neumann architecture has been one of -The mainstream outlets of spintronics research pursued in -The last several decades. Meanwhile, neuromorphic-computing hardware with non-von Neumann architecture has started to attract a great deal of attention in -The field of microelectronics. Neuromorphic computing allows for completion of complex tasks at high speeds and at low power consumption levels that conventional von Neumann computers struggle with [1,2]. Recent researches point out that -The spintronics devices also have -The capable characteristics to model -The human brain [3-5]. In this presentation, we describe a proof-of-concept demonstration of an associative memory operation like -The human brain using a spintronics device [6]. For this purpose, we employ a recently-found spin-orbit torque (SOT) induced switching [7-9] device consisting of an antiferromagnet (AFM)/ ferromagnet (FM) stack structure [10-12], which shows an analogue-like resistance switching and thus serves as an artificial synapse in artificial neural networks.

  12. Spin-orbit torques and Dzyaloshinskii-Moriya interaction in PtMn/[Co/Ni] heterostructures 査読有り

    S. DuttaGupta, T. Kanemura, C. Zhang, A. Kurenkov, S. Fukami, H. Ohno

    APPLIED PHYSICS LETTERS　111　(18)　182412　2017年10月

    出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

    DOI： 10.1063/1.5005593 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    Antiferromagnet (AFM)/ferromagnet (FM) heterostructures with broken inversion symmetry are perceived to open new opportunities for nonvolatile spintronic devices. Previous studies of such systems have demonstrated an emergence of spin-orbit torques (SOTs) in the heterostructures which are strong enough to bring about magnetization reversal. The impact of broken inversion symmetry and spin-orbit coupling also leads to an emergence of the Dzyaloshinskii-Moriya interaction (DMI) which governs the magnetic configuration and magnetization reversal. In this work, we study the SOT-induced effective fields and DMI in a heterostructure with an antiferromagnetic PtMn layer and a ferromagnetic [Co/Ni] multilayer and compare the results with a reference Pt/[Co/Ni] system. Magnetotransport measurements reveal the same sign and similar magnitude of SOT-induced effective fields for the two systems while current-induced domain wall motion measurements under in-plane fields reveal the opposite sign and smaller magnitude of DMI at the PtMn/[Co/Ni] interface compared to the Pt/[Co/Ni]. The obtained results offer in-depth information concerning the manifestations of spin-orbit interactions in AFM/FM systems, which is key to understanding of static magnetic configuration and magnetization reversal for their possible applications in antiferromagnetic spintronics. Published by AIP Publishing.

  13. Spin-orbit torque induced magnetization switching in Co/Pt multilayers 査読有り

    Butsurin Jinnai, Chaoliang Zhang, Aleksandr Kurenkov, Mathias Bersweiler, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Hideo Ohno

    APPLIED PHYSICS LETTERS　111　(10)　102402　2017年9月

    出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

    DOI： 10.1063/1.5001171 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    Spin-orbit torque (SOT)-induced magnetization switching in Co/Pt multilayer structures with a Pt buffer layer is studied aiming to realize SOT-magnetic random access memory (MRAM) devices with high thermal stability. Current-induced magnetization switching and effective fields are measured using Hall-bar devices. The switching efficiency, defined as a ratio of the areal anisotropy energy density to switching current density, increases with increasing the number of Co/Pt stacks. This trend is in accordance with the stacking number dependence of effective fields per unit current density. The effective spin-Hall angle of the Pt buffer layer for the sample with multiple Co/Pt stacks is significantly larger than that of Pt previously reported, suggesting a generation of SOT in Co/Pt multilayers. These results indicate that Co/Pt multilayers are promising for SOT-MRAM devices possessing high thermal stability and small switching current. Published by AIP Publishing.

  14. Device-size dependence of field-free spin-orbit torque induced magnetization switching in antiferromagnet/ferromagnet structures 査読有り

    A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, S. Fukami, H. Ohno

    APPLIED PHYSICS LETTERS　110　(9)　092410　2017年2月

    出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

    DOI： 10.1063/1.4977838 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    We study spin-orbit torque induced magnetization switching in devices consisting of an antiferromagnetic PtMn and ferromagnetic Co/Ni multilayer with sizes ranging from 5 mu m to 50 nm. As the size decreases, switching behavior changes from analogue-like to stepwise with several intermediate levels. The number of intermediate levels decreases with the decreasing size and finally evolves into a binary mode below a certain threshold. The results are found to be explained by a unique reversal process of this system, where ferromagnetic domains comprising a number of polycrystalline grains reverse individually and among the domains both out-of-plane and in-plane components of exchange bias vary. Published by AIP Publishing.

  15. Critical role of W deposition condition on spin-orbit torque induced magnetization switching in nanoscale W/CoFeB/MgO 査読有り

    C. Zhang, S. Fukami, K. Watanabe, A. Ohkawara, S. DuttaGupta, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    APPLIED PHYSICS LETTERS　109　(19)　192405　2016年11月

    出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

    DOI： 10.1063/1.4967475 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    We study the spin-orbit torque induced magnetization switching in W/CoFeB/MgO heterostructures with W deposited under different sputtering conditions. We show that the crystal structure and resistivity of W depend on the employed sputtering conditions. Switching current of nanoscale devices is smaller while effective anisotropy field is larger for the devices with more resistive W channel deposited at lower sputtering power and higher Ar gas pressure. The effective spin Hall angle evaluated from the switching probability varies by a factor of 2-3 depending on the W resistivity controlled by the sputtering conditions. Published by AIP Publishing.

  16. A spin-orbit torque switching scheme with collinear magnetic easy axis and current configuration 査読有り

    S. Fukami, T. Anekawa, C. Zhang, H. Ohno

    NATURE NANOTECHNOLOGY　11　(7)　621-+　2016年7月

    出版者・発行元：NATURE PUBLISHING GROUP

    DOI： 10.1038/NNANO.2016.29 　

    ISSN：1748-3387

    eISSN：1748-3395

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    Spin-orbit torque, a torque brought about by in-plane current via the spin-orbit interactions in heavy-metal/ferromagnet nanostructures, provides a new pathway to switch the magnetization direction. Although there are many recent studies, they all build on one of two structures that have the easy axis of a nanomagnet lying orthogonal to the current, that is, along the z or y axes. Here, we present a new structure with the third geometry, that is, with the easy axis collinear with the current (along the x axis). We fabricate a three-terminal device with a Ta/CoFeB/MgO-based stack and demonstrate the switching operation driven by the spin-orbit torque due to Ta with a negative spin Hall angle. Comparisons with different geometries highlight the previously unknown mechanisms of spin-orbit torque switching. Our work offers a new avenue for exploring the physics of spin-orbit torque switching and its application to spintronics devices.

  17. Magnetization switching by spin-orbit torque in an antiferromagnet-ferromagnet bilayer system 査読有り

    Shunsuke Fukami, Chaoliang Zhang, Samik DuttaGupta, Aleksandr Kurenkov, Hideo Ohno

    NATURE MATERIALS　15　(5)　535-+　2016年5月

    出版者・発行元：NATURE PUBLISHING GROUP

    DOI： 10.1038/NMAT4566 　

    ISSN：1476-1122

    eISSN：1476-4660

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    Spin-orbit torque (SOT)-induced magnetization switching shows promise for realizing ultrafast and reliable spintronics devices. Bipolar switching of the perpendicular magnetization by the SOT is achieved under an in-plane magnetic field collinear with an applied current. Typical structures studied so far comprise a nonmagnet/ferromagnet (NM/FM) bilayer, where the spin Hall effect in the NM is responsible for the switching. Here we show that an antiferromagnet/ferromagnet (AFM/FM) bilayer system also exhibits a SOT large enough to switch the magnetization of the FM. In this material system, thanks to the exchange bias of the AFM, we observe the switching in the absence of an applied field by using an antiferromagnetic PtMn and ferromagnetic Co/Ni multilayer with a perpendicular easy axis. Furthermore, tailoring the stack achieves a memristor-like behaviour where a portion of the reversed magnetization can be controlled in an analogue manner. The AFM/FM system is thus a promising building block for SOT devices as well as providing an attractive pathway towards neuromorphic computing.

  18. Adiabatic spin-transfer-torque-induced domain wall creep in a magnetic metal 査読有り

    S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

    NATURE PHYSICS　12　(4)　333-U167　2016年4月

    出版者・発行元：NATURE PUBLISHING GROUP

    DOI： 10.1038/NPHYS3593 　

    ISSN：1745-2473

    eISSN：1745-2481

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    The dynamics of elastic interfaces is ageneral field of interest in statistical physics, where magnetic domain wall has served as a prototypical example. Domainwall 'creep' under the action of sub-threshold driving forces with thermal activation is known to be described by a scaling law with a certain universality class(1-10), which represents the mechanism of the interaction of domain walls with the applied forces over the disorder of the system. Here we show different universality classes depending on the driving forces, magnetic field or spin-polarized current, in a metallic system, which have hitherto been seen only in a magnetic semiconductor(3,6). We reveal that an adiabatic spin-transfer torque plays a major role in determining the universality class of current-induced creep, which does not depend on the intricacies of material disorder. Our results shed light on the physics of the creep motion of domain walls and other elastic systems.

  19. Three-Terminal Spintronics Devices for Integrated Circuits 招待有り 査読有り

    Shunsuke Fukami, Chaoliang Zhang, Samik DuttaGupta, Aleksandr Kurenkov, Tetsuro Anekawa, Hideo Ohno

    7TH IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE (INEC) 2016　2016年

    出版者・発行元：IEEE

    DOI： 10.1109/INEC.2016.7589372 　

    ISSN：2159-3523

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    Spintronics-based integrated circuits open up a new pathway toward ultralow-power and high-performance computing systems. Three-terminal spintronics devices, which achieves fast and reliable operation due to a relaxed control of parameters, have attracted increasing attention. We here review our recent studies on spin-orbit torque induced magnetization switching, which can be applied to the write operation of the three-terminal devices. We demonstrate the switching in a new device geometry and in a new material system.

  20. A sub-ns three-terminal spin-orbit torque induced switching device 査読有り

    Fukami, S, Anekawa, T, Ohkawara, A, Zhang, C, Ohno, H

    Dig Tech Pap Symp VLSI Technol　2016-September　7573379　2016年

    DOI： 10.1109/VLSIT.2016.7573379 　

    ISSN：0743-1562

  21. Spin-orbit torque induced magnetization switching in nano-scale Ta/CoFeB/MgO 査読有り

    C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    APPLIED PHYSICS LETTERS　107　(1)　012401　2015年7月

    出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

    DOI： 10.1063/1.4926371 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    We study the device size dependence of spin-orbit torque induced magnetization switching in a Ta/CoFeB/MgO structure with perpendicular easy axis. The miniaturization of the device from micrometer-sized wire to 80-nm dot results in the increase of the threshold current density Jth by one order, whereas Jth increases only slightly with further reducing the device size down to 30 nm. No significant increase in Jth is seen, as the current pulse width decreases from 100 ms down to 3 ns. We reveal that the switching in devices at reduced size is reasonably well explained by the macrospin model, in which the effects of both the Slonczewski-like torque and field-like torque are included. (C) 2015 AIP Publishing LLC.

  22. Proposal and demonstration of a new spin-orbit torque induced switching device. 査読有り

    S. Fukami, T. Anekawa, C. Zhang, H. Ohno

    2015 IEEE MAGNETICS CONFERENCE (INTERMAG)　7156648　2015年

    出版者・発行元：IEEE

    DOI： 10.1109/INTMAG.2015.7156648 　

  23. Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis 査読有り

    C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS　115　(17)　17C714　2014年5月

    出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

    DOI： 10.1063/1.4863260 　

    ISSN：0021-8979

    eISSN：1089-7550

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    We investigate in-plane current-induced magnetization reversal under an in-plane magnetic field in Hall bar shaped devices composed of Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis. The observed relationship between the directions of current and magnetization switching and Ta thickness dependence of magnetization switching current are accordance with those for magnetization reversal by spin transfer torque originated from the spin Hall effect in the Ta layer. (C) 2014 AIP Publishing LLC.

  24. Journal of Applied Physics 査読有り

    C. Zhang, M. Yamanouchi, H .Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

    Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis　115　17C714(1)-17C714(3)　2014年1月29日

  25. Applied Physics Letters 査読有り

    C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

    Magnetotransport measurements of current induced effective fields in Ta/CoFeB/MgO　103　262407(1)-262407(3)　2013年12月31日

  26. Magnetotransport measurements of current induced effective fields in Ta/CoFeB/MgO 査読有り

    Chaoliang Zhang, Michihiko Yamanouchi, Hideo Sato, Shunsuke Fukami, Shoji Ikeda, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

    APPLIED PHYSICS LETTERS　103　(26)　262407　2013年12月

    出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

    DOI： 10.1063/1.4859656 　

    ISSN：0003-6951

    eISSN：1077-3118

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    We evaluate current-induced effective magnetic fields in perpendicularly magnetized Ta/CoFeB/MgO structures from the external magnetic field angle dependence of the Hall resistance. We confirm the presence of two components of effective fields. The dependence of their magnitudes on Ta thickness implies that both components are related to the spin current in Ta layer generated by the spin Hall effect. (C) 2013 AIP Publishing LLC.

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MISC 4

  1. アナログスピン軌道トルクを用いた人工ニューラルネットワーク 招待有り

    深見俊輔, William A. Borders, Aleksandr Kurenkov, 張超亮, Samik DuttaGupta, 大野英男

    日本磁気学会研究会資料　216　2018年1月

  2. ナノスケール重金属/強磁性金属ヘテロ構造におけるスピン軌道トルク誘起磁化反転に関する研究

    張 超亮

    東北大学電通談話会記録　86　(1)　18-21　2017年8月

    出版者・発行元：東北大学電気通信研究所

    ISSN：0385-7719

  3. 3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子 ～ 高速低消費電力不揮発性集積回路の実現を目指して ～ 招待有り

    深見俊輔, 姉川哲朗, 大河原綾人, 張 超亮, 大野英男

    信学技報　116　(172)　99-103　2016年8月

    出版者・発行元：映像情報メディア学会

    ISSN：1342-6893

  4. スピン軌道トルク磁化反転とその集積回路応用 招待有り

    深見俊輔, 張 超亮, 姉川 哲朗, Samik DuttaGupta, Aleksandr Kurenkov, 大野 英男

    日本磁気学会研究会資料　208　15-22　2016年6月

講演・口頭発表等 147

  1. Spin-orbit torque in Mn3Pt with the modified structural ordering

    Chaoliang Zhang, Longjie Yu, Muftah Al-Mahdawi, Mikihiko Oogane

    The 84th JSAP Autumn Meeting 2023　2023年9月23日

  2. Theoretical demonstration of the electron spin wave filter in semiconductor two-dimensional electron gas

    K. Kikuchi, K. Nakajima, S. Karube, C. Zhang, M. Kohda

    Intermag 2023　2023年5月18日

  3. Two-Step Synthesis of Spin-Helix Layered Material SnS by Physical Vapor Deposition and Nitrogen Etching

    K. Koyama, M. Aoyama, T. Odagawa, T. Miyazaki, C. Zhang, S. Karube, M. Kohda

    Intermag 2023　2023年5月18日

  4. Frequency-selective damping modulation induced by spin-orbit torque in a synthetic antiferromagnet/platinum heterostructure

    S. Karube, T. Hoshika, C. Zhang, M. Kohda, J. Nitta

    Intermag 2023　2023年5月18日

  5. Deterministic synthesis of SnS and SnS2 by chemical vapor deposition

    Kazuki Koyama, Takamichi Miyazaki, Takeshi Odagawa, Chaoliang Zhang, Shutaro, Karube, Makoto Kohda

    The 70th JSAP Spring Meeting 2023　2023年3月16日

  6. Proposal of electron spin wave filter in semiconductor two-dimensional electron gas

    Keito Kikuchi, Kai Nakajima, Shutaro Karube, Chaoliang Zhang, Makoto Kohda

    The 70th JSAP Spring Meeting 2023　2023年3月16日

  7. III-V 族半導体および二次元層状物質におけるスピン軌道相互作用 招待有り

    C. Zhang, K. Koyama, M. Aoyama, T. Odagawa, Q. Liao, S. Karube, M. Kohda

    東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「固体中のスピン・軌道ダイナミクスとその制御」　2023年3月3日

  8. The synthesis of thin SnS by two-step growth and etching methods

    Kazuki Koyama, Makito Aoyama, Takeshi Odagawa, Chaoliang Zhang, Shutaro Karube, Makoto Kohda

    The 6th Symposium for the Core Research Clusters for Materials Science and Spintronics, and the 5th Symposium on International Joint Graduate Program in Materials Science　2022年10月24日

  9. Persistent spin helix state in a (113) quantum well: Contrast spin dynamics between (001) and (113) GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas

    J. Kitagawa, D. Iizasa, M. Prager, R. Tokimitsu, J. Ishihara, T. Mori, S. Karube, C. Zhang, M. Kammermeier, U. Zuelicke, D. Schuh, D. Bougeard, J. Nitta, M. Kohda

    The 83rd JSPS Autumn Meeting 2022　2022年9月23日

  10. Persistent spin helix state in a (113) quantum well : Direct imaging of spatiotemporal spin evolution in (113) GaAs/AlGaAs quantum well

    R. Tokimitsu, J. Ishihara, J. Kitagawa, M. Prager, D. Iizasa, T. Mori, K. Miyajima, S. Karube, C. Zhang, M. Kammermeier, U. Zuelicke, D. Schuh, D. Bougeard, J. Nitta, M. Kohda

    The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022.　2022年9月23日

  11. Emergence of multiple electron spin waves by in-plane magnetic field in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas

    Keito Kikuchi, Junpei Sonehara, Jun Ishihara, Shutaro Karube, Chaoliang Zhang, Yuzo Ohno, Hideo Ohno, Junsaku Nitta, Makoto Kohda

    The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022　2022年9月23日

  12. Spin-orbit Interaction Coefficients in the Vicinity of Persistent Spin Helix State in (001)-grown InGaAs Quantum Well

    C. Zhang, Z. Fan, Q. Liao, K. Hashimoto, S. Karube, Y. Hirayama, J. Nitta, M. Kohda

    The 26th Symposium on the Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors　2021年12月21日

  13. Electrical Evaluation of Spin-orbit Interaction Coefficients near the Persistent Helix State in InGaAs Quantum Well

    C. Zhang, Z. Fan, Q. Liao, K. Hashimoto, S. Karube, Y. Hirayama, J. Nitta, M. Kohda

    International Symposium on Novel maTerials and quantum Technologies 2021　2021年12月14日

  14. Dual-Port Field-Free SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations under 55-nm CMOS Technology and 1.2-V Supply Voltage

    M. Natsui, A. Tamakoshi, H. Honjo, T. Watanabe, T. Nasuno, C. Zhang, T. Tanigawa, H. Inoue, M. Niwa, T. Yoshiduka, Y. Noguchi, M. Yasuhira, Y. Ma, H. Shen, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu

    Symposia on VLSI Technology and Circuits　2020年6月16日

  15. First demonstration of field-free SOT-MRAM with 0.35 ns write speed and 70 thermal stability under 400°C thermal tolerance by canted SOT structure and its advanced patterning/SOT channel technology 国際会議

    H. Honjo, A. Nguyen, Thi Van, T. Watanabe, T. Nasuno, C. Zhang, T. Tanigawa, S. Miura, H. Inoue, M. Niwa, T. Yoshizuka, Y. Noguchi, M. Yasuhira, A. Tamakoshi, M. Natsui, Y. Ma, H. Koike, Y. Takahashi, K. Furuya, H. Shen, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

    2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM2019)　2019年12月9日

  16. Magnetization reversal via the combination of spin-orbit torque and spin-transfer torque in sub-ns region 国際会議

    C. Zhang, Y. Takeuchi, S. Fukami, H. Ohno

    17th RIEC International Workshop on Spintronics and 10th JSPS Core-to-Core Workshop on “New-Concept Spintronic Devices”　2019年12月3日

  17. Uniform artificial synapse and neuron based on spintronic devices 国際会議 招待有り

    A. Kurenkov, S. DuttaGupta, C. Zhang, S. Fukami, Y. Horio, H. Ohno

    17th RIEC International Workshop on Spintronics and 10th JSPS Core-to-Core Workshop on “New-Concept Spintronic Devices”　2019年12月3日

  18. Antiferromagnet/ferromagnet heterostructures as synapses and neurons 国際会議 招待有り

    A. Kurenkov, S. DuttaGupta, C. Zhang, S. Fukami, Y. Horio, H. Ohno

    SPICE Workshop on Antiferromagnetic Spintronics: from topology to neuromorphic computing　2019年10月7日

  19. Antiferromagnet/Ferromagnet Heterostructures for Artificial Neurons and Synapses

    A. Kurenkov, S. DuttaGupta, C. Zhang, S. Fukami, Y. Horio, H. Ohno

    第80回応用物理学会秋季学術講演会　2019年9月18日

  20. Antiferromagnet/ferromagnet heterostructures for artificial neurons and synapses 国際会議

    A. Kurenkov, S. DuttaGupta, C. Zhang, S. Fukami, Y. Horio, H. Ohno

    York-Tohoku-Kaiserslautern Research Symposium on “New-Concept Spintronics Devices”　2019年6月12日

  21. Efficient control of magnetization utilizing spin-orbit torque and spin-transfer torque 国際会議

    C. Zhang, Y. Takeuchi, Y. Takahashi, S. Fukami, H. Ohno

    York-Tohoku-Kaiserslautern Research Symposium on “New-Concept Spintronics Devices”　2019年6月12日

  22. Enhancement of spin-orbit torque in W/CoFeB/MgO by controlling W resistivity

    K. Furuya, Y. Takeuchi, C. Zhang, B. Jinnai, Y. Takahashi, S. Fukami, H. Ohno

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日

  23. Determination of spin-orbit torque by spin-torque ferromagnetic resonance free from spin-pumping

    A. Okada, Y. Takeuchi, K. Furuya, C. Zhang, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    第66回応用物理学会春季学術講演会　2019年3月9日

  24. Engineering of spin-orbit torques in W/CoFeB/MgO heterostructures for efficient control of magnetization 国際会議

    Y. Takeuchi, K. Furuya, Y. Takahashi, B. Jinnai, C. Zhang, S. Fukami, H. Ohno

    2nd Tohoku/SG-SPIN Workshop in Spintronics　2019年2月22日

  25. プレーナーホール効果を用いた面内スピン軌道トルク素子の特性評価

    高橋佑, 竹内祐太朗, 張超亮, 陣内佛霖, 深見俊輔, 大野英男

    第２回スピントロニクス学術研究基盤と連携ネットワークシンポジウム　2019年2月20日

  26. Sub-ns switching by combining SOT and STT in MTJ devices 国際会議

    C. Zhang, Y. Takeuchi, Y. Takahashi, S. Fukami, H. Ohno

    The 2nd Symposium for World Leading Research Centers　2019年2月15日

  27. W/CoFeB/MgO ヘテロ構造におけるスピン軌道トルク

    古屋海渡, 竹内祐太朗, 張超亮, 陣内佛霖, 深見俊輔, 大野英男

    東北大学電気通信研究所－早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構 共同プロジェクト研究(ナノエレクトロニクスに関する連携研究) 平成30年度研究会　2019年2月6日

  28. Sub-ns and low-power magnetization switching by combination of spin-orbit torque and spin-transfer torque 国際会議

    C. Zhang, Y. Takeuchi, Y. Takahashi, S. Fukami, H. Ohno

    2019 Joint MMM-Intermag Conference　2019年1月14日

  29. Relationship between spin-orbit torque switching efficiency and W resistivity in W/CoFeB/MgO 国際会議

    K. Furuya, Y. Takeuchi, C. Zhang, B. Jinnai, S. Fukami, H. Ohno

    2019 Joint MMM-Intermag Conference　2019年1月14日

  30. Time and spatial evolution of spin-orbit torque-induced switching in W/CoFeB/MgO 国際会議

    C. Zhang, S. Fukami, S. DuttaGupta, H. Sato, H. Ohno

    16th RIEC International Workshop on Spintronics and 8th JSPS Core-to-Core Workshop on “New-Concept Spintronic Devices”　2019年1月9日

  31. Spin-orbit torque-induced switching of in-plane magnetized elliptic nanodots detected using planar Hall effect 国際会議

    Y. Takahashi, Y. Takeuchi, C. Zhang, B. Jinnai, S. Fukami, H. Ohno

    16th RIEC International Workshop on Spintronics and 8th JSPS Core-to-Core Workshop on “New-Concept Spintronic Devices　2019年1月9日

  32. Spin-orbit torque switching in perpendicular-magnetized Co/Pt multilayers 国際会議

    B. Jinnai, C. Zhang, A. Kurenkov, M. Bersweiler, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    NIMS Academic Symposium　2018年10月15日

  33. Spin-orbit torque switching in in-plane nanomagnets characterized by planar Hall effect 国際会議

    Y. Takahashi, Y. Takeuchi, C. Zhang, B. Jinnai, S. Fukami, H. Ohno

    NIMS Academic Symposium　2018年10月15日

  34. Evaluation of write-error rate of spin-orbit torque induced magnetization switching

    K. Miyasaka, T. Saino, C. Zhang, S. Fukami, H. Ohno

    第37回電子材料シンポジウム　2018年10月10日

  35. Enhancement of spin-orbit torque efficiency in W/CoFeB/MgO by engineering W resistivity

    K. Furuya, Y. Takeuchi, C. Zhang, A. Okada, B. Jinnai, S. Fukami, H. Ohno

    第37回電子材料シンポジウム　2018年10月10日

  36. Associative memory operation using analog spin-orbit torque device 国際会議 招待有り

    S. Fukami, W. A. Borders, A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    SPICE Workshop - Spintronics meets Neuromorphics　2018年10月8日

  37. Spin-orbit torque switching in nanoscale devices – physics and material engineering 国際会議 招待有り

    C. Zhang, Y. Takeuchi, S. Fukami, H. Ohno

    KITS Workshop 2018　2018年10月1日

  38. Magnetization switching combining spin-orbit torque and spin-transfer torque

    C. Zhang, Y. Takeuchi, Y. Takahashi, S. Fukaim, H. Ohno

    第79回応用物理学会秋季学術講演会　2018年9月18日

  39. Analog spintronics device for artificial neural networks 国際会議 招待有り

    S. Fukami, W. A. Borders, A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    The 2018 International Symposium on Nonlinear Theory and Its Applications (NOLTA2018)　2018年9月2日

  40. Neuromorphic computing with analog spin-orbit torque devices 国際会議 招待有り

    S. Fukami, W. A. Borders, A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    The 10th International School and Conference on Physics and Applications of Spin Phenomena in Solids – PASPS10　2018年8月5日

  41. Spin-orbit torque switching device for high-performance and low-power integrated circuits 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, B. Jinnai, H. Ohno

    The 23rd International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces (ICMFS-2018)　2018年7月22日

  42. Spin-orbit torque in W/CoFeB/MgO heterostructures – Wide-range W resistivity dependence 国際会議

    Y. Takeuchi, K. Furuya, Y. Takahashi, C Zhang, A. Okada, B. Jinnai, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    The 21st International Conference on Magnetism (ICM2018)　2018年7月16日

  43. Spin-orbit torque induced switching of in-plane nanomagnet arrays evaluated through differential planar Hall effect 国際会議

    Y. Takahashi, Y. Takeuchi, C Zhang, B. Jinnai, S. Fukami, H. Ohno

    The 21st International Conference on Magnetism (ICM2018)　2018年7月16日

  44. Analog spin-orbit torque devices for artificial neural networks 国際会議 招待有り

    S. Fukami, W. A. Borders, A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    The 21st International Conference on Magnetism (ICM2018)　2018年7月16日

  45. Neuromorphic computing with analog spin-orbit torque device 国際会議 招待有り

    S. Fukami, W. A. Borders, A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    Workshop on Spintronics and Nanomagnetism for Neuromorphic Computing　2018年6月26日

  46. Spintronic analog memory for neuromorphic computing 国際会議 招待有り

    S. Fukami, W. A. Borders, A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    14th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC2018)　2018年6月4日

  47. Spin-orbit torque switching and its applications – from high-speed memory to artificial neural network 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, W. A. Borders, A. Kurenkov, S. DuttaGupta, H. Ohno

    5th International Conference of Asian Union of Magnetics Societies (IcAUMS 2018)　2018年6月3日

  48. Extended harmonic Hall measurement of spin-orbit torques in high-resistivity-W/CoFeB/MgO 国際会議

    Y. Takeuchi, C. Zhang, A. Okada, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    7th Workshop of the Core-to-Core Project Tohoku-York-Kaiserslautern　2018年5月28日

  49. Harmonic measurement of current induced spin-orbit torques in high-resistivity-W/CoFeB/MgO 国際会議

    Y. Takeuchi, C. Zhang, A. Okada, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG 2018)　2018年4月23日

  50. アナログスピンメモリ素子を用いた人工神経回路網 招待有り

    深見俊輔, William A. Borders, Aleksandr Kurenkov, 張超亮, Samik DuttaGupta, 大野英男

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日

  51. Magnetoresistance in a nonmagnet/antiferromagnet metallic heterostructure

    S. DuttaGupta, A. Kurenkov, R. Itoh, C. Zhang, S. Fukami, H. Ohno

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日

  52. Dzyaloshinskii-Moriya interaction in an antiferromagnet/ferromagnet heterostructure

    S. DuttaGupta, T. Kanemura, R. Itoh, A. Kurenkov, C. Zhang, S. Fukami, H. Ohno

    第65回応用物理学会春季学術講演会　2018年3月17日

  53. スピン軌道トルク磁化反転とその応用

    深見俊輔, 張超亮, Samik DuttaGupta, Aleksandr Kurenkov, William A. Borders, 大野英男

    「スピントロニクス学術研究基盤と連携ネットワーク」年度末シンポジウム　2018年3月1日

  54. Neuromorphic computing with analog spin-orbit torque device 国際会議 招待有り

    S. Fukami, W. A. Borders, A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    Workshop on Spintronics and Nanomagnetism for Neuromorphic Computing　2018年2月26日

  55. Thickness Dependence of Spin-orbit Torque and Dzyaloshinskii-Moriya Interaction in an Antiferromagnet/Ferromagnet Heterostructure 国際会議

    S. DuttaGupta, A. Kurenkov, S. Fukami, C. Zhang, H. Ohno

    Kick-off Symposium for World Leading Research Centers -Materials Science and Spintronics　2018年2月19日

  56. Spin-orbit-torque-induced magnetization switching in perpendicularly-magnetized Co/Pt multilayers with high thermal stability 国際会議

    B. Jinnai, C. Zhang, A. Kurenkov, M. Bersweiler, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    Kick-off Symposium for World Leading Research Centers -Materials Science and Spintronics　2018年2月19日

  57. Magnetization switching induced by spin-orbit torque in W/CoFeB/MgO devices with various sizes 国際会議

    C. Zhang, S. Fukami, S. DuttaGupta, H. Sato, H. Ohno

    Kick-off Symposium for World Leading Research Centers -Materials Science and Spintronics　2018年2月19日

  58. アナログスピン軌道トルクを用いた人工ニューラルネットワーク 招待有り

    深見俊輔, William A. Borders, Aleksandr Kurenkov, 張超亮, Samik DuttaGupta, 大野英男

    日本磁気学会第216回研究会　2018年1月25日

  59. Spin-orbit torque devices for artificial neural networks 国際会議 招待有り

    S. Fukami, W. A. Borders, A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    The workshop on neuromorphic spintronics　2018年1月25日

  60. Spin-orbit torque induced magnetization switching for integrated circuits and neuromorphic computing 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, W. A. Borders, A. Kurenkov, S. DuttaGupta, B. Jinnai, H. Sato, H. Ohno

    Tohoku-Harvard Workshop in Sendai　2018年1月18日

  61. Spin-orbit torque switching in ferromagnetic heterostructures and its application 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, W. A. Borders, A. Kurenkov, H. Ohno

    Reimei/GP-Spin/ICC-IMR International Workshop "New Excitations in Spintronics"　2018年1月10日

  62. アナログスピントロニクスメモリを用いた 人工神経回路網 招待有り

    深見俊輔, William A. Borders, Aleksandr Kurenkov, 張超亮, Samik DuttaGupta, 大野英男

    東北大学電気通信研究所 共同プロジェクト研究会「新規固体デバイス・回路を用いた脳型コンピューティングに関する研究」　2017年12月26日

  63. Analog spin-orbit torque devices for artificial neural networks 国際会議 招待有り

    S. Fukami, W. A. Borders, A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    2017 Japan-Korea spintronics workshop　2017年12月18日

  64. Sub-nanosecond field-free spin-orbit torque switching 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, H. Ohno

    15th RIEC International Workshop on Spintronics　2017年12月13日

  65. Spin-orbit torque switching in Co/Pt multilayers for nanoscale MRAM with high thermal stability 国際会議

    B. Jinnai, C. Zhang, A. Kurenkov, M. Bersweiler, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    15th RIEC International Workshop on Spintronics　2017年12月13日

  66. Antiferromagnet layer thickness dependence of spin-orbit torque and Dzyaloshinskii-Moriya interaction in PtMn/[Co/Ni] structure 国際会議

    S. DuttaGupta, T. Kanemura, A. Kurenkov, C. Zhang, S. Fukami, H. Ohno

    15th RIEC International Workshop on Spintronics　2017年12月13日

  67. Spin-orbit torque induced magnetization switching in W/CoFeB/MgO structure of various sizes 国際会議

    C. Zhang, S. Fukami, S. DuttaGupta, H. Sato, H. Ohno

    15th RIEC International Workshop on Spintronics　2017年12月13日

  68. Spin-orbit torque switching of nanoscale devises for high-speed MRAMs 国際会議

    C. Zhang, B. Jinnai, S. Fukami, H. Sato, K. Watanabe, A. Kurenkov, M. Bersweiler, S. DuttaGupta, H. Ohno

    IEDM2017 – A special poster session dedicated to MRAM　2017年12月4日

  69. 反強磁性/強磁性ヘテロ構造におけるスピン軌道トルク磁化反転と人工神経回路網応用 招待有り

    深見俊輔, William A. Borders, Aleksandr Kurenkov, 張超亮, Samik DuttaGupta, 大野英男

    応物・磁気学会共催スピントロニクス研究会 “反強磁性スピントロニクス”　2017年11月22日

  70. In-plane easy axis angle dependence of spin-orbit torque induced magnetization switching

    Y. Takahashi, A. Ohkawara, T. Anekawa, C. Zhang, S. Fukami, H. Ohno

    第36回電子材料シンポジウム（EMS36）　2017年11月8日

  71. Magnetization switching by combining spin-orbit torque and spin-transfer torque in three-terminal magnetic tunnel junctions 国際会議

    C. Zhang, Y. Takahashi, S. DuttaGupta, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    62nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2017)　2017年11月6日

  72. Characterization of spin-orbit torque and Dzyaloshinskii-Moriya interaction in an antiferromagnet/ferromagnet structure 国際会議

    S. DuttaGupta, T. Kanemura, A. Kurenkov, C. Zhang, S. Fukami, H. Ohno

    62nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2017)　2017年11月6日

  73. Analog spin-orbit torque devices with antiferromagnets for artificial neural networks 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, A. Kurenkov, W. A. Borders, S. DuttaGupta, H. Ohno

    Workshop on Antiferromagnetic Spintronics　2017年10月25日

  74. S. Fukami, W. A. Borders, A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, and H. Ohno 国際会議 招待有り

    Use of Analog, Spintronics Device in Performing Neuro-Morphic Computing Functions

    5th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop,　2017年10月19日

  75. Magnetization switching in in-plane magnetized SOT-MRAM devices 国際会議

    J. Courtin, S. Fukami, T. Anekawa, C. Zhang, H. Ohno, T. Devolder

    18e Colloque Louis Néel　2017年9月24日

  76. Spin-orbit torque switching for high-speed nonvolatile memory applications 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, A. Kurenkov, W. A. Borders, S. DuttaGupta, H. Ohno

    The 3rd ImPACT International Symposium on Spintronic Memory, Circuit and Storage　2017年9月23日

  77. Quantifying Dzyaloshinskii-Moriya interaction from thermally-activated and flow regime domain wall dynamics 国際会議

    S. DuttaGupta, C. Zhang, S. Fukami, H. Ohno

    The 3rd ImPACT International Symposium on Spintronics Memory, Circuit and Storage　2017年9月23日

  78. Spin-orbit torque-induced magnetization reversal in nanoscale W/CoFeB/MgO prepared with various tungsten sputtering conditions 国際会議

    C. Zhang, S. Fukami, K. Watanabe, A. Ohkawara, S. DuttaGupta, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    The 3rd ImPACT International Symposium on Spintronics Memory, Circuit and Storage　2017年9月23日

  79. Spin-orbit torque driven magnetization reversal in Co/Pt multilayer 国際会議

    B. Jinnai, C. Zhang, A. Kuvenkov, M. Bersweiler, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    The 3rd ImPACT International Symposium on Spintronics Memory, Circuit and Storage　2017年9月23日

  80. Device size dependence of spin-orbit torque induced magnetization switching in W/CoFeB/MgO 国際会議

    C. Zhang, S. Fukami, S. DuttaGupta, H. Sato, H. Ohno

    International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2017)　2017年9月19日

  81. Spin-orbit torque induced switching using antiferromagnets and its application to artificial neural networks 招待有り

    S. Fukami, A. Kurenkov, W. A. Borders, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    第41回日本磁気学会学術講演会　2017年9月19日

  82. S. DuttaGupta, C. Zhang, S. Fukami, and H. Ohno

    Quantification of Dzyaloshinskii-Moriya interaction from thermally-activated, flow regime domain, wall motion

    第78回応用物理学会秋季学術講演会　2017年9月5日

  83. Analogue spin–orbit torque device for artificial-neural-network-based associative memory operation 国際会議 招待有り

    S. Fukami, W. A. Borders, A. Kurenkov, H. Akima, S. Moriya, S. Kurihara, Y. Horio, S. Sato, H. Ohno

    SPIE Optics+Photonics – Spintronics X　2017年8月7日

  84. Spin-orbit torque switching devices for high-speed memories and artificial synapses 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, A. Kurenkov, W. A. Borders, S. DuttaGupta, H. Ohno

    The 28th Magnetic Recording Conference (TMRC 2017)　2017年8月2日

  85. Spin-orbit torque memory devices for integrated-circuit applications 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, A. Kurenkov, W. A. Borders, S. DuttaGupta, H. Ohno

    29th International Conference on Defects in Semiconductor (ICDS 2017)　2017年7月31日

  86. SOT-induced magnetization switching in nanoscale W/CoFeB/MgO 国際会議

    C. Zhang, S. Fukami, K. Watanabe, A. Ohkawara, S. DuttaGupta, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    York-Tohoku-Kaiserslautern Research Symposium on “New-Concept Spintronics Devices”　2017年6月21日

  87. Distinct behavior of Dzyaloshinkii-Moriya domain walls in thermally-activated and flow regime domain wall motion 国際会議

    S. DuttaGupta, C. Zhang, S. Fukami, H. Ohno

    York-Tohoku-Kaiserslautern Research Symposium on “New-Concept Spintronics Devices”　2017年6月21日

  88. Switching of Co/Pt multilayer structures by spin-orbit torque 国際会議

    B. Jinnai, C. Zhang, A. Kurenkov, M. Bersweiler, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    SpinTECH IX International school and conference 2017　2017年6月4日

  89. Evaluation of Dzyaloshinskii-Moriya interaction from thermally activated and flow regime domain wall motion 国際会議

    S. DuttaGupta, C. Zhang, S. Fukami, H. Ohno

    IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG Europe 2017　2017年4月24日

  90. Switching of Co/Pt multilayer structures by spin-orbit torque 国際会議

    B. Jinnai, C. Zhang, A. Kurenkov, M. Bersweiler, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    IEEE International Magnetics Conference　2017年4月24日

  91. Spin-orbit torque memristive memory operated by pulses down to 1 ns 国際会議

    A. Kurenkov, S. DuttaGupta, C. Zhang, W. A. Borders, S. Fukami, H. Ohno

    IEEE International Magnetics Conference　2017年4月24日

  92. Spin-orbit torque memristor, operated by pulsed currents

    A. Kurenkov, S. DuttaGupta, C. Zhang, W. A. Borders, S. Fukami, H. Ohno

    The 64st JSAP Spring Meeting　2017年3月14日

  93. Spin-orbit torque induced magnetization switching in Co/Pt multilayers

    B. Jinnai, C. Zhang, A. Kurenkov, M. Bersweiler, H. Sato, S. Fukami, H. Ohno

    The 64st JSAP Spring Meeting　2017年3月14日

  94. Spin-orbit torque switching for integrated circuits: from sub-ns memory to artificial intelligence 国際会議 招待有り

    S. Fukami, A. Kurenkov, W. A. Borders, T. Kanemura, T. Anekawa, A. Ohkawara, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    14th RIEC International Workshop on Spintronics　2016年11月17日

  95. Spin-orbit torque induced magnetization switching in nanoscale W/CoFeB/MgO ー Effect of sputtering condition of W 国際会議

    C. Zhang, S. Fukami, K. Watanabe, A. Ohkawara, S. DuttaGupta, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    14th RIEC International Workshop on Spintronics　2016年11月17日

  96. Spin-orbit torque induced switching of antiferromagnet/ferromagnet dots with various sizes 国際会議

    A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, S. Fukami, H. Ohno

    14th RIEC International Workshop on Spintronics　2016年11月17日

  97. Adiabatic spin transfer torque induced domain wall creep in a magnetic metal 国際会議 招待有り

    S. DuttaGupta, S. Fukami, M. Yamanouchi, C. Zhang, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    61th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2016年10月31日

  98. Magnetization Switching by Spin-Orbit Torque in an Antiferromagnet-Ferromagnet Bilayer System 国際会議 招待有り

    S. Fukami, A. Kurenkov, W. A. Borders, T. Kanemura, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    61th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials　2016年10月31日

  99. Spin-orbit torque induced magnetization switching in nano-scale Ta/CoFeB/MgO dots 国際会議

    C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    The 2nd ImPACT International Symposium on Spintronic Memory, Circuit and Storage　2016年9月30日

  100. Field-Free Spin-Orbit Torque Induced Switching in an Antiferromagnet-Ferromagnet Bilayer System 国際会議 招待有り

    S. Fukami, A. Kurenkov, W. A. Borders, T. Kanemura, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    Workshop on Antiferromagnetic Spintronics　2016年9月26日

  101. Sputtering condition dependence of spin-orbit torque induced magnetization reversal in W/CoFeB/MgO heterostructure

    C. Zhang, S. Fukami, K. Watanabe, A. Ohkawara, S. DuttaGupta, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    The 77th JSAP Autumn Meeting　2016年9月13日

  102. Three-terminal spintronics devices with spin-orbit torque induced switching for ultra-low power and high-performance integrated circuits

    S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, A. Kunrekov, T. Anekawa, A. Ohkawara, H. Ohno

    第40回日本磁気学会学術講演会　2016年9月5日

  103. Three-terminal spin-orbit torque switching devices 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, T. Anekawa, A. Ohkawara, S. DuttaGupta, A. Kurenkov, H. Ohno

    Qualcomm Seminar on MRAM technologies　2016年8月31日

  104. Three-terminal spin-orbit torque switching devices 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, T. Anekawa, A. Ohkawara, S. DuttaGupta, A. Kurenkov, H. Ohno

    SPIE – Spintronics IX　2016年8月28日

  105. Sputtering condition dependence of spin-orbit torque induced magnetization switching in W/CoFeB/MgO 国際会議

    C. Zhang, S. Fukami, K. Watanabe, A. Ohkawara, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    Joint European Magnetics Symposium　2016年8月21日

  106. Field-free switching of antiferromagnet/ferromagnet dots by spin-orbit torque 国際会議

    A. Kurenkov, C. Zhang, S. DuttaGupta, S. Fukami, H. Ohno

    9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids　2016年8月8日

  107. ３端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子－高速低消費電力不揮発性集積回路の実現を目指して 招待有り

    深見俊輔, 姉川哲朗, 大河原綾人, 張超亮, 大野英男

    電気情報通信学会ITE-IST/SDM/ICD研究会　2016年8月1日

  108. Spin-orbit torque induced switching for high-speed and reliable memory devices 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, T. Anekawa, A. Ohkawara, S. DuttaGupta, A. Kurenkov, H. Ohno

    Core-to-Core International Workshop Kaiserslautern-Sendai-York　2016年6月22日

  109. A sub-ns three-terminal spin-orbit torque induced switching device 国際会議 招待有り

    S. Fukami, T. Anekawa, A. Ohkawara, C. Zhang, H. Ohno

    2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits　2016年6月13日

  110. Current Status and Future Outlook of Three-Terminal Spintronics Devices 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, A. Kurenkov, T. Anekawa, H. Ohno

    2016 Spintronics Workshop on LSI　2016年6月13日

  111. スピン軌道トルク磁化反転とその集積回路応用 招待有り

    深見俊輔, 張超亮, 姉川哲朗, Samik DuttaGupta, Aleksandr Kurenkov, 大野英男

    日本磁気学会第208回研究会　2016年6月9日

  112. Three-Terminal Spintronics Devices for Integrated Circuits 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, A. Kurenkov, H. Ohno

    The 7th IEEE International Nanoelectronics Conference 2016 (IEEE INEC2016)　2016年5月9日

  113. Spin-orbit torque switching for three-terminal spintronics devices 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    International Workshop: Spintronics (13th RIEC International Workshop on Spintronics)　2016年5月9日

  114. Dot size dependence of magnetization switching by spin-orbit torque in antiferromagnet/ ferromagnet structures

    A. Kurenkov, C. Zhang, S. Fukami, S. DuttaGupta, H. Ohno

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日

  115. Spin-orbit torque induced magnetization switching in W/CoFeB/MgO

    C. Zhang, S. Fukami, S. DuttaGupta, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    第63回応用物理学会春季学術講演会　2016年3月19日

  116. スピン軌道トルク磁化反転とそのデバイス応用 招待有り

    深見俊輔, 張超亮, 姉川哲朗, Samik DuttaGupta, Aleksandr Kurenkov, 大野英男

    東北大学電気通信研究所共同プロジェク研究S 研究会プログラム『スピントロニクス学術研究基盤と連携ネットワーク」構築に向けて』　2015年12月5日

  117. Ta/CoFeB/MgOナノドットにおけるスピン軌道トルク誘起磁化反転

    張超亮, 深見俊輔, 佐藤英夫, 松倉文礼, 大野英男

    第20回スピン工学の基礎と応用（PASPS-20）　2015年12月3日

  118. A three-terminal spin-orbit torque device with a new configuration 国際会議

    T. Anekawa, C. Zhang, S. Fukami, H. Ohno

    International Workshop: Spintronics (13th RIEC International Workshop on Spintronics)　2015年11月18日

  119. Magnetization switching via Spin-orbit torque in nano-scale Ta/CoFeB/MgO 国際会議

    C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    International Workshop: Spintronics (13th RIEC International Workshop on Spintronics)　2015年11月18日

  120. Different universality classes for current and field driven domain wall creep in a magnetic metal 国際会議

    S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

    International Workshop: Spintronics (13th RIEC International Workshop on Spintronics)　2015年11月18日

  121. Universality class for adiabatic spin-transfer torque induced domain wall creep in magnetic metal 国際会議

    S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

    Tohoku/York/Kaiserslautern JSPS Core-to-Core Workshop on New-Concept Spintronics Devices　2015年11月13日

  122. スピン軌道トルク磁化反転のパルス幅依存性

    姉川哲朗, 張超亮, 深見俊輔, 大野英男

    スピン軌道トルク磁化反転のパルス幅依存性　2015年9月13日

  123. Magnetization reversal induced by spin-orbit torque in a nanoscale Ta/CoFeB/MgO dot

    張超亮, 深見俊輔, 佐藤英夫, 松倉文礼, 大野英男

    第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日

  124. 反強磁性／強磁性積層膜におけるスピン軌道トルク磁化反転

    深見俊輔, 張超亮, Samik DuttaGupta, 大野英男

    第76回応用物理学会秋季学術講演会　2015年9月13日

  125. Demonstration of a new three-terminal spin-orbit torque device

    T. Anekawa, C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, H. Ohno

    The 62st JSAP Spring Meeting　2015年9月

  126. Universality class for current- and field-induced domain wall creep in a Ta/CoFeB/MgO/Ta wire

    S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

    The 62nd JSAP Spring Meeting　2015年9月

  127. Device size dependence of switching current for magnetization reversal induced by spin-orbit torque in Ta/CoFeB/MgO structure down to 30 nm

    C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    The 62nd JSAP Spring Meeting　2015年9月

  128. Spin-orbit torque induced magnetization switching in Ta/CoFeB/MgO heterostructure with a diameter down to 30 nm 国際会議

    C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    20th International Conference on Magnetism (ICM2015)　2015年7月5日

  129. Spin-orbit torque switching in a ferromagnet/antiferromagnet bilayer system 国際会議

    S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, H. Ohno

    20th International Conference on Magnetism (ICM2015)　2015年7月5日

  130. Domain wall creep driven by adiabatic spin transfer torque in magnetic metals 国際会議

    S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

    York-Tohoku-Kaiserslautern Research Symposium on "New-Concept Spintronics Devices”　2015年6月11日

  131. Proposal and demonstration of a new spin-orbit torque induced switching device 国際会議

    S. Fukami, T. Anekawa, C. Zhang, H. Ohno

    IEEE International Magnetics Conference (Intermag2015)　2015年5月11日

  132. Domain wall creep in Ta/CoFeB/MgO wire induced by current or field 国際会議

    S. DuttaGupta, S. Fukami, M. Yamanouchi, C. Zhang, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    59th Annual Conference on MMM　2014年11月

  133. Device size dependence of magnetization reversal by spin-orbit torque in Ta/CoFeB/MgO structure down to sub 100 nm 国際会議

    C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

    59th Annual Conference on MMM　2014年11月

  134. Three-terminal nonvolatile spintronics memory device using spin-transfer torque and spin-orbit torque 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, H. Ohno

    The 14th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS2014)　2014年10月

  135. Three-terminal spintronics devices for nonvolatile memory and logic 国際会議 招待有り

    S. Fukami, S. DuttaGupta, C. Zhang, H. Ohno

    The 11th International Conference on Flow Dynamics (ICFD)　2014年10月

  136. Device size dependence of magnetization switching by spin-orbit torque in Ta/CoFeB/MgO structure

    C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno

    The 75th JSAP Autumn Meeting　2014年9月

  137. Current and field induced domain wall creep in Ta/CoFeB/MgO/Ta wire

    S. DuttaGupta, S. Fukami, M. Yamanouchi, C. Zhang, H. Sato, F. Matsukura, H. Ohno

    The 75th JSAP Autumn Meeting　2014年9月

  138. Magnetic domain wall motion and spin-orbit torque induced magnetization switching for three-terminal spintronics devices 国際会議 招待有り

    S. Fukami, C. Zhang, H. Ohno

    The 6th IEEE international Nanoelectronics Conference (IEEE INEC 2014)　2014年7月

  139. Current and field induced domain wall creep in Ta/CoFeB/MgO wire 国際会議

    S. DuttaGuputa, S. Fukami, M. Yamanouchi, C. Zhang, H. Sato, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

    12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月

  140. In-plane current-induced effective fields and magnetization switching in Ta/CoFeB/MgO structures 国際会議

    C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

    12th RIEC International Workshop on Spintronics　2014年6月

  141. Measurements of domain wall creep in Ta/CoFeB/MgO/Ta wire

    S. DuttaGupta, S. Fukami, M. Yamanouchi, C. Zhang, H. Sato, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

    The 61st JSAP Spring Meeting　2014年3月

  142. Ta and CoFeB thickness dependence of sheet resistance in Ta/CoFeB/MgO heterostructures

    C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

    The 61st JSAP Spring Meeting　2014年3月

  143. Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis 国際会議

    C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno

    58th Annual Conference on MMM　2013年11月

  144. 垂直磁化容易Ta/CoFeB/MgO層構造における電流誘起磁化反転

    張超亮, 山ノ内路彦, 佐藤英夫, 深見俊輔, 池田正二, 松倉文礼, 大野英男

    第74回応用物理学会秋季学術講演会　2013年9月

  145. Control of nuclear spin coherence in n-GaAs/AlGaAs (110) quantum well by nuclear electric resonance

    C. Zhang, J. Ishihara, M. Ono, Y. Ohno, H. Ohno

    31th Electronic Materials Symposium　2012年7月11日

  146. Coherent Control of Nuclear Spins in a (110) GaAs/GaAlAs Quantum Well by Nuclear Electric Resonance 国際会議

    C. Zhang, J. Ishihara, M. Ono, Y. Ohno, H. Ohno

    9th RIEC International Workshop on Spintronics　2012年5月31日

  147. Measurement of spin-orbit torque switching in in-plane nanomagnets using planar Hall geometry

    Y. Takahashi, Y. Takeuchi, C. Zhang, B. Jinnai, S. Fukami, H. Ohno

    第65回応用物理学会春季学術講演会

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産業財産権 4

  1. 磁気抵抗効果素子、及び磁気メモリ装置

    深見俊輔, 張超亮, 姉川哲朗, 大野英男, 遠藤哲郎

    産業財産権の種類: 特許権

  2. 磁気抵抗効果素子、及び磁気メモリ装置

    深見俊輔, 張超亮, 大野英男, 遠藤哲郎

    産業財産権の種類: 特許権

  3. 磁性積層膜、磁気メモリ素子、磁気メモリ、及びその製造方法

    深見俊輔, 張超亮, 大河原綾人, 渡部杏太, 大野英男, 遠藤哲郎

    産業財産権の種類: 特許権

  4. 磁性積層膜、磁気メモリ素子、磁気メモリ、及びその製造方法

    深見俊輔, 張超亮, 大河原綾人, 渡部杏太, 大野英男, 遠藤哲郎

    産業財産権の種類: 特許権

共同研究・競争的資金等の研究課題 7

  1. 二次元材料を用いた磁気トンネル接合における 低周波 ノイズ に関する研究

    張 超亮, 大兼 幹彦, 好田 誠, Pierre Seneor, Stephan Hofmann

    2023年9月 ～ 2024年3月

  2. ノンコリニアスピントロニクス

    深見 俊輔, 家田 淳一, DUTTAGUPTA SAMIK, 金井 駿, 張 超亮

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)

    研究機関：Tohoku University

    2019年6月 ～ 2024年3月

  3. 半導体量子構造におけるスピン軌道相互作用の自在制御

    張 超亮, 橋本 克之, Michael Banzon Santos, Thomas Schäpers

    提供機関：CSIS, Tohoku University

    制度名：Cooperative Research Project via Cross Appointment with Overseas Researcher

    2022年10月 ～ 2023年3月

  4. スピン軌道トルク生成機構・磁化反転機構の理解の促進に基づいた材料・素子技術の構築 競争的資金

    張 超亮

    2018年4月 ～ 2021年3月

  5. ノンコリニアスピントロニクス

    深見 俊輔, 家田 淳一, DUTTAGUPTA SAMIK, 金井 駿, 張 超亮

    提供機関：Japan Society for the Promotion of Science

    制度名：Grants-in-Aid for Scientific Research

    研究種目：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

    研究機関：Tohoku University

    2019年4月1日 ～ 2020年3月31日

    詳細を見る 詳細を閉じる

    3か月弱の研究期間内においては、ノンコリニア反強磁性材料薄膜の成長技術に関する検討を開始し、方位制御された単結晶試料の作製の見通しを得ることができた。加えて、ノンコリニア磁気構造の代表例である磁気スキルミオンの電流による駆動に成功し、その詳細評価を行った。

  6. 磁気トンネル接合を用いた三端子素子に関する研究 競争的資金

    張 超亮

    2015年4月 ～ 2017年3月

  7. 強磁性トンネル接合を用いた三端子素子に関する研究 競争的資金

    張 超亮

    2014年4月 ～ 2017年3月

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